JP3146568B2 - Pattern recognition device - Google Patents

Pattern recognition device

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JP3146568B2
JP3146568B2 JP29226091A JP29226091A JP3146568B2 JP 3146568 B2 JP3146568 B2 JP 3146568B2 JP 29226091 A JP29226091 A JP 29226091A JP 29226091 A JP29226091 A JP 29226091A JP 3146568 B2 JP3146568 B2 JP 3146568B2
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patterns
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段(図1〜図6) 作用(図1〜図6) 実施例 (1)実施例の原理 (2)第1の実施例(図1〜図6) (3)第2の実施例(図7〜図9) (4)他の実施例(図10) 発明の効果[Table of Contents] The present invention will be described in the following order. BACKGROUND OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention Means for Solving Problems (FIGS. 1 to 6) Operation (FIGS. 1 to 6) Example (1) Principle of Example (2) First Embodiment (FIGS. 1 to 6) (3) Second Embodiment (FIGS. 7 to 9) (4) Another Embodiment (FIG. 10) Effects of the Invention

【0002】[0002]

【産業上の利用分野】本発明はパターン認識装置に関
し、特に半導体素子や液晶デバイス等の製造工程で使わ
れるウエハやガラスプレートの位置決めやアライメント
時のマーク検出に適用して好適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern recognition apparatus, and more particularly, to a pattern recognition apparatus suitable for use in the positioning of a wafer or a glass plate used in a manufacturing process of a semiconductor element or a liquid crystal device, and the detection of a mark during alignment.

【0003】[0003]

【従来の技術】従来、半導体素子等の製造に使われるウ
エハは、様々な装置を介して処理されるが、取り分けマ
スクやレチクルの回路パターンをウエハ上に転写する露
光装置(アライナ、ステツパ等)では、ウエハ上に回路
パターンとともに形成されたアライメントマークを検出
して、マスクやレチクルとウエハとを精密に位置合わせ
することが必須となつている。
2. Description of the Related Art Conventionally, wafers used for manufacturing semiconductor devices and the like are processed through various apparatuses. In particular, an exposure apparatus (an aligner, a stepper, etc.) for transferring a circuit pattern of a mask or a reticle onto the wafer. In such a case, it is necessary to detect an alignment mark formed together with a circuit pattern on the wafer and accurately align the mask or reticle with the wafer.

【0004】通常この作業は「アライメント」と呼ばれ
ているが、現在ではその意味が広義に解釈され、単にウ
エハ上のマークを検出して、その位置(レチクルに対す
る位置)を特定するまでの作業が「アライメント」と呼
ばれることもある。そしてステツパー等の場合では、レ
チクルとウエハとを実際に位置合わせする動作のこと
は、「ステツピング」と呼ぶこともある。
Usually, this work is called "alignment", but at present, its meaning is interpreted in a broad sense, and the work up to simply detecting a mark on a wafer and specifying its position (position with respect to a reticle). Is sometimes called “alignment”. In the case of a stepper or the like, the operation of actually aligning the reticle and the wafer is sometimes called “stepping”.

【0005】このアライメントのために露光装置には各
種のアライメントセンサが装着され、現在半導体素子の
製造ラインで実用に供されている露光装置の多くは光学
的な自動アライメント系を備えている。その中で特にウ
エハ上にレーザ光等のスポツト光を照射し、このスポツ
ト光とウエハとを相対的に走査してウエハ上の特定位置
に設けられた微細なアライメントマークからの光情報
(散乱光、回折光等)を光電検出する方式は、現時点で
は良好な検出精度が得られるアライメント方式として多
用されてきている。
For this alignment, various types of alignment sensors are mounted on the exposure apparatus, and most of the exposure apparatuses which are currently in practical use in semiconductor device manufacturing lines have an optical automatic alignment system. In particular, a spot light such as a laser beam is irradiated on the wafer, and the spot light and the wafer are relatively scanned to obtain light information (scattered light) from a fine alignment mark provided at a specific position on the wafer. , Diffracted light, etc.) have been widely used at present as an alignment method capable of obtaining good detection accuracy.

【0006】このアライメント方式は、光電検出された
信号に基づいてスポツト光とウエハとの走査位置上でア
ライメントマークからの光情報が得られた位置を検出す
ることによつて、ウエハのマスク(又はレチクル)に対
する位置を決定するものである。さらにこのアライメン
ト方式は2種類に分けられ、一方はアナログの光電信号
を所定のスライスレベルで2値化して、その2値化信号
と走査位置に応じたクロツクパルスとのもとでマーク位
置をデジタル的にカウントして決定するものであり、他
方はアナログの光電信号を走査位置に応じてデジタルサ
ンプリングして信号波形をメモリ上に記憶し、その信号
波形上の特徴からマーク位置を算出するものである。
The alignment method detects a position where optical information from an alignment mark is obtained on a scanning position between a spot light and a wafer based on a signal detected by photoelectric detection, thereby forming a mask (or a wafer) on the wafer. (Reticle). Further, this alignment method is divided into two types. One is to binarize an analog photoelectric signal at a predetermined slice level, and to digitally change a mark position based on the binarized signal and a clock pulse corresponding to a scanning position. The other is to digitally sample an analog photoelectric signal according to a scanning position, store a signal waveform on a memory, and calculate a mark position from a feature on the signal waveform. .

【0007】また他の検出方式のアライメントセンサと
して、ウエハ上のマークを顕微鏡で観察し、その拡大像
をビジコン、CCD等の撮像素子て光電検出し、マーク
に応じた画像(ビデオ)信号を処理することで、マーク
位置を検出するものも使われている。この場合撮像素子
はウエハ表面のマークを含む局所領域の像を複数の走査
線で構成されたフレーム単位で受光するため、1本又は
複数の走査線に対応するビデオ信号を抽出して、画素
(ピクセル)毎に信号レベルをデジタルサンプリングし
て波形としてメモリに記憶した後、デジタル演算処理に
よつてマーク位置を算出している。
As an alignment sensor of another detection system, a mark on a wafer is observed with a microscope, an enlarged image is photoelectrically detected by an image pickup device such as a vidicon, a CCD or the like, and an image (video) signal corresponding to the mark is processed. In some cases, the mark position is detected. In this case, since the image sensor receives an image of a local area including a mark on the wafer surface in a frame unit composed of a plurality of scanning lines, it extracts a video signal corresponding to one or a plurality of scanning lines, and extracts a pixel ( After digitally sampling the signal level for each pixel and storing it in a memory as a waveform, the mark position is calculated by digital arithmetic processing.

【0008】このような画像処理方式のアライメントセ
ンサは、通常は明視野でマーク像を受光するが、撮像素
子に至る光学系路内の瞳面(フリーエ面又は対物レンズ
の前側焦点面)に空間フイルタを設けたり、あるいはウ
エハ上の撮像領域に対して暗視照明を行なう照明系を設
けることによつて、マーク像を暗視野で受光してビデオ
信号を得ることもある。
[0008] Such an image processing type alignment sensor normally receives a mark image in a bright field, but has a space on a pupil plane (Flier plane or a front focal plane of an objective lens) in an optical system path to an image pickup device. By providing a filter or providing an illumination system for performing night vision illumination on an imaging area on a wafer, a video signal may be obtained by receiving a mark image in a dark field.

【0009】また上述したスポツト光走査方式のアライ
メントセンサでも、明視野方式でマーク等からの光情報
を光電検出することもでき、いずれの方式を用いてもマ
ーク検出にあたつては、ウエハ上のマークを含む局所領
域の位置検出方向に関する光学的、又は物理的な特性変
化に応したアナログ信号を発生させ、そのアナログ信号
を解析することによつてマークを認識するようになされ
ている。
The above-described spot light scanning type alignment sensor can also photoelectrically detect light information from a mark or the like by a bright field method. Regardless of which method is used, the mark is detected on the wafer. A mark is recognized by generating an analog signal corresponding to a change in optical or physical characteristics in the direction of detecting the position of a local area including the mark, and analyzing the analog signal.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】ところがかかる構成の
アライメントセンサでは、スポツト光(又は走査線)に
よつてウエハ上の局所領域(又はその像)を走査するた
め、走査軌跡上にゴミや傷あるいはマークに類似した表
面の不整(凹凸)等が存在すると、これら欠陥部からも
マークからの光情報と同等の光情報が発生し、それをマ
ークと誤認識することがあつた。
However, in the alignment sensor having such a configuration, since a local area (or an image thereof) on a wafer is scanned by spot light (or a scanning line), dust, a scratch, or the like is formed on a scanning locus. If surface irregularities (irregularities) or the like similar to the mark are present, optical information equivalent to the optical information from the mark is also generated from these defective portions, and this is erroneously recognized as the mark.

【0011】またウエハのマークが走査範囲内(計測範
囲内)に位置するようにウエハとアライメントセンサと
をプリアライメントしておかないと、このマークが検出
できないという問題点もあつた。特にアライメントマー
クの付近に微細なパターン構造の回路部分が存在してい
ると、プリアライメントの精度が劣化した場合には、ミ
スアライメントを起こすといつた問題が生じる。
Another problem is that the mark cannot be detected unless the wafer and the alignment sensor are pre-aligned so that the mark on the wafer is located within the scanning range (measurement range). In particular, when a circuit portion having a fine pattern structure exists near the alignment mark, a problem arises when misalignment occurs when the precision of pre-alignment is deteriorated.

【0012】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、特定のマーク(パターン)を誤認識することなく正
確に、しかも高速に識別し得るパターン認識装置を提案
しようとするものである。
The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to propose a pattern recognition device capable of accurately and quickly identifying a specific mark (pattern) without erroneous recognition. .

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め第1の発明においては、ほぼ同一形状のパターンM
1、M2、M3の複数を位置検出すべき方向に所定間隔
で形成した物体Wを保持する保持手段STと、複数のパ
ターンM1、M2、M3を含む物体W上の所定範囲を位
置検出方向に走査して、所定範囲内の光学的な特性変化
に応じてレベル変化するアナログ信号を出力する走査手
段1、2、3、4、5、6、7、8、9とを有し、アナ
ログ信号を解析することによつて複数のパターンM1、
M2、M3のうちの特定のパターンM2の位置を認識す
るパターン認識装置において、走査手段1〜9の走査に
より得られるアナログ信号の波形を、物体M上の走査位
置に対応させて記憶する記憶手段12と、記憶手段12
に記憶されたアナログ信号の波形を読み出すと共に、ア
ナログ信号の微分波形を求める微分手段18(SP10
1)と、複数のパターンM1、M2、M3の所定間隔に
対応した量Fa、Fbだけ微分波形を走査の方向にシフ
トさせた波形と元の波形とを合成して、特定のパターン
M2に対応した波形部分を他のパターンM1、M3に対
応した波形部分によつて強調した合成波形を出力する波
形合成手段18(SP103)と、合成波形の強調され
た波形部分を検出することによつて特定のパターンM2
の位置を識別する識別手段17とを設けるようにした。
According to a first aspect of the present invention, a pattern M having substantially the same shape is provided.
Holding means ST for holding an object W formed at predetermined intervals in a direction in which a plurality of M1, M2 and M3 are to be detected, and a predetermined range on the object W including a plurality of patterns M1, M2 and M3 in the position detection direction Scanning means 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 for scanning and outputting an analog signal whose level changes in accordance with an optical characteristic change within a predetermined range; Is analyzed to obtain a plurality of patterns M1,
In a pattern recognition device for recognizing the position of a specific pattern M2 among M2 and M3, storage means for storing a waveform of an analog signal obtained by scanning by the scanning means 1 to 9 in correspondence with a scanning position on the object M. 12 and storage means 12
A differentiating means 18 (SP10) for reading out the waveform of the analog signal stored in the
1) and a waveform obtained by shifting the differentiated waveform in the scanning direction by an amount Fa, Fb corresponding to a predetermined interval between the plurality of patterns M1, M2, M3 and the original waveform are combined to correspond to a specific pattern M2. The waveform synthesizing means 18 (SP103) for outputting a synthesized waveform in which the waveform portion emphasized by the waveform portions corresponding to the other patterns M1 and M3, and specifying the detected waveform portion by detecting the emphasized waveform portion. Pattern M2
And an identification means 17 for identifying the position of the image.

【0014】また第2の発明においては、ほぼ同一形状
のパターンM1、M2、M3の複数を位置検出すべき方
向に所定間隔で形成した物体Wを保持する保持手段ST
と、複数のパターンM1、M2、M3を含む物体W上の
所定範囲を位置検出方向に走査して、所定範囲内の光学
的な特性変化に応じてレベル変化するアナログ信号を出
力する走査手段1〜9とを有し、アナログ信号を解析す
ることによつて複数のパターンM1、M2、M3のうち
の特定のパターンM2の位置を認識するパターン認識装
置において、走査手段1〜9の走査により得られるアナ
ログ信号の波形を、物体M上の走査位置に対応させて記
憶する記憶手段12と、記憶手段12に記憶されたアナ
ログ信号の波形を読み出すと共に、アナログ信号の微分
波形を求めると共に、微分波形に重みを付ける重み付け
微分波形を送出する波形整形手段18(SP101、S
P102)と、複数のパターンM1、M2、M3の所定
間隔に対応した量Fa、Fbだけ重み付け微分波形を走
査の方向にシフトさせた波形と元の波形とを合成して、
特定のパターンM2に対応した波形部分を他のパターン
M1、M3に対応した波形部分によつて強調した合成波
形を出力する波形合成手段18(SP103)と、合成
波形の強調された波形部分を検出することによつて特定
のパターンM2の位置を識別する識別手段17とを設け
るようにした。
In the second invention, the holding means ST for holding an object W formed by forming a plurality of patterns M1, M2, M3 of substantially the same shape at predetermined intervals in a direction in which the position is to be detected.
Scanning means 1 for scanning a predetermined range on an object W including a plurality of patterns M1, M2, M3 in the position detection direction and outputting an analog signal whose level changes according to a change in optical characteristics within the predetermined range. And a pattern recognition device for recognizing the position of a specific pattern M2 among a plurality of patterns M1, M2, M3 by analyzing an analog signal. Storage means 12 for storing the waveform of the analog signal obtained in correspondence with the scanning position on the object M; reading the waveform of the analog signal stored in the storage means 12; obtaining the differential waveform of the analog signal; Waveform shaping means 18 (SP101, S
P102), a waveform obtained by shifting the weighted differential waveform in the scanning direction by an amount Fa, Fb corresponding to a predetermined interval of the plurality of patterns M1, M2, M3 and the original waveform, and
A waveform synthesizing means 18 (SP103) for outputting a synthesized waveform in which a waveform portion corresponding to a specific pattern M2 is emphasized by waveform portions corresponding to other patterns M1 and M3, and detecting a emphasized waveform portion of the synthesized waveform. Thus, the identification means 17 for identifying the position of the specific pattern M2 is provided.

【0015】[0015]

【作用】走査手段1〜9の相対走査によつて得られるア
ナログ信号の波形を、パターン認識する為の前処理とし
て微分又は微分に加えて重み付けした後、複数のパター
ンM1、M2、M3あるいは単なるエツジの設計上の間
隔量Fa、Fbだけ、間隔方向にシフトさせた波形とシ
フト前の波形とを加算(又は乗算)によつて合成するこ
とで、特定パターンM2の波形上の位置に対応した部分
波形のみを強調することができ、かくして元々のアナロ
グ信号に重畳してくるノイズが多い場合でも、合成波形
上では相対的にS/N比が向上し、高速かつ高精度で特
定パターンM2を認識し得る。
The waveform of an analog signal obtained by the relative scanning of the scanning means 1 to 9 is weighted in addition to differentiation or differentiation as preprocessing for pattern recognition, and then a plurality of patterns M1, M2, M3 or a simple pattern is obtained. By adding (or multiplying) the waveform shifted in the interval direction and the waveform before the shift by the interval amounts Fa and Fb designed by the edge by adding (or multiplying), the waveform corresponding to the position of the specific pattern M2 on the waveform is obtained. Only the partial waveform can be emphasized, and thus, even when there is much noise superimposed on the original analog signal, the S / N ratio is relatively improved on the composite waveform, and the specific pattern M2 can be formed at high speed and with high accuracy. Can recognize.

【0016】[0016]

【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.

【0017】(1)実施例の原理 この発明においては、基本的に次の2つの事項を前提と
している。すなわち物体上にほぼ同一形状のパターン
(又は単なるエツジ)の複数(2つ以上)を位置検出方
向に設計上で決めた所定の間隔で形成しておき、続いて
それら複数のパターンを位置検出方向に関して走査し
て、各パターンの光学的又は物理的な特性変化に応じた
アナログ信号を得るようになされている。
(1) Principle of the Embodiment In the present invention, the following two items are basically assumed. That is, a plurality (two or more) of patterns (or simple edges) having substantially the same shape are formed on the object at predetermined intervals determined in the position detection direction in the position detection direction. In order to obtain an analog signal corresponding to a change in optical or physical characteristics of each pattern.

【0018】この構成を有するものであれば、原理的に
はどのような分野にも応用できるが、ここでは半導体製
造装置又は半導体検査装置のアライメントセンサに本発
明を適用した場合に限つて実施例を説明する。このよう
な構成を備えた投影露光装置用のアライメント方式は、
たとえば特開昭60−256002号公報に開示され、
公知であるので、アライメントセンサについて以下図
1、図2を用いて簡単に説明する。
Although the present invention can be applied to any field in principle as long as it has this configuration, the present embodiment is limited to the case where the present invention is applied to an alignment sensor of a semiconductor manufacturing apparatus or a semiconductor inspection apparatus. Will be described. An alignment method for a projection exposure apparatus having such a configuration is as follows.
For example, it is disclosed in JP-A-60-256002.
Since it is publicly known, an alignment sensor will be briefly described below with reference to FIGS.

【0019】(2)第1の実施例 図1は本発明の第1の実施例によるパターン認識装置が
アライメントセンサとして適用される投影露光装置の構
成を示し、回路パターンを有するレチクルRとウエハW
との間には、少なくともウエハ側(像側)がテレセント
リツクな投影レンズPLが設けられ、ウエハWはステツ
プアンドリピート露光時、あるいはアライメント時に2
次元的にx、y移動するようにステージST上に載置さ
れる。このウエハWにはレチクルRとのアライメントの
ために、例えば複数本の回折格子状マークからなるマー
クWMが形成される。
(2) First Embodiment FIG. 1 shows a configuration of a projection exposure apparatus to which a pattern recognition apparatus according to a first embodiment of the present invention is applied as an alignment sensor, and a reticle R having a circuit pattern and a wafer W.
A projection lens PL at least on the wafer side (image side) is provided between the projection lens PL and the wafer W during step-and-repeat exposure or alignment.
It is placed on the stage ST so as to move x and y in a dimension. A mark WM composed of, for example, a plurality of diffraction grating marks is formed on the wafer W for alignment with the reticle R.

【0020】図2はウエハW上でのマーク配置を示し、
ここではy方向に伸びた同一形状の3本のマークM1、
M2、M3がx方向に間隔D1、D2で形成されている
ものとする。マークM1、M2、M3の夫々はy方向に
微小な矩形要素(凸部、又は凹部)を1:1のデユーテ
イで1列に並べた回折格子てなり、これらの光ビームを
垂直方向から照射すると、y軸とz軸(ウエハ面と垂
直)とを含む面内で広がつて反射する回折光が得られ
る。
FIG. 2 shows a mark arrangement on the wafer W.
Here, three marks M1 of the same shape extending in the y direction,
It is assumed that M2 and M3 are formed at intervals D1 and D2 in the x direction. Each of the marks M1, M2, and M3 is a diffraction grating in which minute rectangular elements (projections or depressions) are arranged in a line at a 1: 1 duty in the y direction. , Y-axis and z-axis (perpendicular to the wafer surface) to obtain diffracted light that is spread and reflected.

【0021】実際上図1において、レーザ光源1からの
レーザビームLBはシリンドリカルレンズ2、ビームス
プリツタ3、(対物レンズ4、及びミラー5を介して投
影レンズPLの瞳epの中心に向かつて入射する。投影
レンズPLはウエハW上にレーザビームLBを垂直に照
射させ、ウエハW上には図2に示したようにy方向に伸
びたシート状(又はスリツト状)のスポツト光SPが結
像する。
In FIG. 1, the laser beam LB from the laser light source 1 actually enters the center of the pupil ep of the projection lens PL via the cylindrical lens 2, the beam splitter 3, and the objective lens 4 and the mirror 5. The projection lens PL vertically irradiates the laser beam LB onto the wafer W, and forms a sheet-like (or slit-like) spot light SP extending in the y-direction as shown in FIG. I do.

【0022】ウエハW上のスポツト光照射部から生じる
光情報は、投影レンズPLを介して元の照明光路を逆進
し、ミラー5、対物レンズ4を介してビームスプリツタ
3で反射され、リレー系6を通つて空間フイルター7に
達する。リレー系6は空間フイルター7の位置に投影レ
ンズPLの瞳epの像を結像するもので、空間フイルタ
ー7は瞳epと共役に配置される。空間フイルター7は
ウエハWからの光情報のうち、マークWM(M1、M
2、M3)からの特定次数の回折光(又は散乱光)のみ
を空間的に分離抽出するもので、抽出された回折光等は
集光レンズ8によつて光電素子(フオトマル等)9の受
光面に集められる。
Light information generated from a spot light irradiating portion on the wafer W travels backward through the original illumination light path via the projection lens PL, is reflected by the beam splitter 3 via the mirror 5 and the objective lens 4, and is relayed. Through the system 6 the space filter 7 is reached. The relay system 6 forms an image of the pupil ep of the projection lens PL at the position of the spatial filter 7, and the spatial filter 7 is arranged conjugate with the pupil ep. The spatial filter 7 outputs the mark WM (M1, M1) of the optical information from the wafer W.
2, M3) spatially separate and extract only the diffracted light (or scattered light) of a specific order from M3), and the extracted diffracted light and the like are received by a photoelectric element (photometric) 9 by a condenser lens 8 Collected on the surface.

【0023】増幅器(AMP)10は光電素子9からの
光電信号を一定量だけ増幅し、増幅された光電信号はア
ナログデジタル変換器(ADC)11に入力し、信号レ
ベルに応じたデジタル値に変換される。このデジタル値
は信号波形記憶(取り込み)用のメモリ(RAM)12
に順次格納される。ADC11の変換タイミングやRA
M12のアドレス設定はカウンタ回路(CNT)13に
よつて行なわれる。
An amplifier (AMP) 10 amplifies the photoelectric signal from the photoelectric element 9 by a fixed amount, and inputs the amplified photoelectric signal to an analog-to-digital converter (ADC) 11 to convert the signal into a digital value corresponding to the signal level. Is done. This digital value is stored in a memory (RAM) 12 for storing (capturing) the signal waveform.
Are sequentially stored. The conversion timing of the ADC 11 and the RA
The address setting of M12 is performed by a counter circuit (CNT) 13.

【0024】CNT13は、ステージSTの位置を計測
するレーザ干渉計14からのアツプダウンパルス信号
(例えばステージSTが0.01〔μm〕移動する毎に
1パルスとなる信号)をステージコントローラ15を介
して入力する。またウエハステージSTの移動はステー
ジコントローラ15の管理のもとにモータ16で行なわ
れ、ステージSTの移動位置決めは主制御部(CPU)
17とステージコントローラ16との間で指令や情報を
やり取りすることによつて行なわれる。高速演算専用の
プロセツサ(BSP)18はRAM12に取り込まれた
信号波形の特徴等に基づいて、マークWMの位置を高速
に算出し、その結果をCPU17に出力する。
The CNT 13 receives an up-down pulse signal from the laser interferometer 14 for measuring the position of the stage ST (for example, a signal that becomes one pulse every time the stage ST moves by 0.01 [μm]) via the stage controller 15. Enter The movement of the wafer stage ST is performed by the motor 16 under the control of the stage controller 15, and the movement of the stage ST is determined by the main control unit (CPU).
This is performed by exchanging commands and information between the stage controller 17 and the stage controller 16. A processor (BSP) 18 dedicated to high-speed calculation calculates the position of the mark WM at high speed based on the characteristics of the signal waveforms taken into the RAM 12 and outputs the result to the CPU 17.

【0025】CPU17は決定された位置を基準にし
て、干渉計14の計測座標値をモニタしながらステージ
STを任意の位置に移動させる。具体的には、レチクル
Rの回路パターンの投影像がウエハW上の所定の領域
(シヨツト領域)と合致するように位置決めする。なお
CNT13によるRAM12のアドレス指定は、ADC
11からの波形データを書き込む時だけ行なわれ、RA
M12からデータを読み出す時はBSP18がCNT1
3の代りにアドレス指定を行なう。また図1では模式的
に示したがレーザビームLBのスポツト光SPはX方向
用とY方向用の2組が投影レンズPLを介してウエハW
へ投射され、干渉用14もX方向用とY方向用との2軸
が設けられている。
The CPU 17 moves the stage ST to an arbitrary position while monitoring the measurement coordinate value of the interferometer 14 based on the determined position. Specifically, the positioning is performed so that the projected image of the circuit pattern of the reticle R matches a predetermined area (shot area) on the wafer W. The address designation of the RAM 12 by the CNT 13 is performed by the ADC.
This is done only when writing the waveform data from
When reading data from M12, BSP18 is CNT1
Specify an address instead of 3. 1, two sets of spot light SP of the laser beam LB for the X direction and for the Y direction are supplied to the wafer W via the projection lens PL.
The interference 14 is also provided with two axes, one for the X direction and one for the Y direction.

【0026】図3はX方向用、Y方向用のスポツト光S
PX、SPYの投影レンズフイールドIF内での平面配
置を示し、投影レンズPLの光軸が通る点をXY座標系
の原点と仮定し、そのX軸とY軸の夫々にレーザ干渉計
の測長軸が一致しているものとする。Y方向に伸びたス
ポツト光SPXはY軸上のフイールドIF内の周辺に固
定され、X方向に伸びたスポツト光SPYはX軸上のフ
イールドIF内の周辺に固定されるが、必らずしも正確
ではない。
FIG. 3 shows spot light S for the X and Y directions.
This figure shows the plane arrangement of the PX and SPY in the projection lens field IF, assuming that the point through which the optical axis of the projection lens PL passes is the origin of the XY coordinate system, and measures the length of the laser interferometer on each of the X and Y axes. Assume that the axes match. The spot light SPX extending in the Y direction is fixed to the periphery in the field IF on the Y axis, and the spot light SPY extending in the X direction is fixed to the periphery in the field IF on the X axis. Is also not accurate.

【0027】一方、レチクルRの回路パターン領域PA
の中心RCも、レチクルアライメント時の残留誤差やシ
ステムオフセツトによつて投影レンズPLの光軸(XY
座標系の原点)とは必ずしも一致していない。そこでレ
チクルRがステツパに装着されてアライメントされた
後、レチクルRの中心Rcとスポツト光SPXとのX方
向のずれ量ΔBXと、中心RCとスポツト光SPYとの
Y方向のずれ量ΔBYとを、他のアライメントセンサや
ステージSP上の基準マークを用いて予め測定してお
く。このずれ量(ΔBX、ΔBY)はベースライン量と
呼ばれるもので、以降そのレチクルRが変換されるま
で、又はベースライン量の再測定が行なわれるまで、C
PU17内に定数として記憶される。
On the other hand, the circuit pattern area PA of the reticle R
Of the projection lens PL due to the residual error during reticle alignment and the system offset.
(The origin of the coordinate system). Then, after the reticle R is mounted on the stepper and aligned, the shift amount ΔBX between the center Rc of the reticle R and the spot light SPX in the X direction and the shift amount ΔBY between the center RC and the spot light SPY in the Y direction are calculated by: The measurement is performed in advance using another alignment sensor or a reference mark on the stage SP. The shift amount (ΔBX, ΔBY) is called a baseline amount, and is maintained until the reticle R is converted or the baseline amount is measured again.
It is stored as a constant in the PU 17.

【0028】さてスポツト光SPとマークWMとの相対
走査によつて光電素子9から発生したアナログ信号波形
はデジタルデータとしてRAM12に記憶されるが、そ
の相対走査の範囲は、図2においてはマークWMのX方
向の全幅とウエハWのプリアライメント精度とを考慮し
て決められる。CPU17は、RAM12に波形データ
を書き込み始めたときのステージSTの座標位置(X
0)を記憶する。こうしてRAM12に書き込まれた波
形データのアドレス値はステージSTの0.01〔μ
m〕毎の位置と一義的に対応したものとなる。
The analog signal waveform generated from the photoelectric element 9 by the relative scanning of the spot light SP and the mark WM is stored as digital data in the RAM 12, and the range of the relative scanning is the mark WM in FIG. Is determined in consideration of the total width in the X direction and the pre-alignment accuracy of the wafer W. The CPU 17 determines the coordinate position of the stage ST (X
0) is stored. The address value of the waveform data written in the RAM 12 in this manner is 0.01 [μ] of the stage ST.
m].

【0029】BSP18はその波形データを処理するも
のであるが、この実施例ではそれを全てプログラムされ
たソフトウエアによる演算て実行する。以後この実施例
ではマークWM内の中央のマークM2を検出すべき特定
のパターンとして考えることにし、図2に示されている
ように、マークM1とM2のX方向の中心間隔D1とマ
ークM2とM3の中心間隔D2とは、パターン認識上有
利になるように異なつた値(ここではD1<D2)にし
ておく。
The BSP 18 processes the waveform data. In this embodiment, the BSP 18 performs all the calculations by using programmed software. Hereinafter, in this embodiment, the center mark M2 in the mark WM is considered as a specific pattern to be detected, and as shown in FIG. 2, the center distance D1 between the marks M1 and M2 in the X direction, the mark M2, and The center interval D2 of M3 is set to a different value (here, D1 <D2) so as to be advantageous in pattern recognition.

【0030】なおより好しくは各マークM1、M2、M
3のX方向の幅をLとしたとき、D1<D2+Lの条件
とするのがよい。もちろん、各マークM1、M2、M3
に対応した信号波形部分が全て分離するようにマーク幅
L、スポツト光SPの幅、及び間隔D1、D2の各値が
決められる。
More preferably, each mark M1, M2, M
When the width in the X direction of No. 3 is L, it is preferable to satisfy the condition of D1 <D2 + L. Of course, each mark M1, M2, M3
The values of the mark width L, the width of the spot light SP, and the distances D1 and D2 are determined so that the signal waveform portions corresponding to the above are all separated.

【0031】次に図4、図5を参照して、BSP18の
波形処理を説明する。図4はBSP18内の処理アルゴ
リズムの流れを示し、図5はRAM12内の波形データ
とその処理の様子を示す。図5(A)は、図2のように
スポツト光SPがマークM1から順にマークM3まで相
対走査したときにRAM12内に得られた波形データを
示し、以後、これを原波形データと呼ぶ。図5で横軸は
X方向の走査位置に対応したRAM12のアドレス値
(1番地あたり0.01〔μm〕)を表し、縦軸は信号
強度Sを表す。
Next, the waveform processing of the BSP 18 will be described with reference to FIGS. FIG. 4 shows the flow of the processing algorithm in the BSP 18, and FIG. 5 shows the waveform data in the RAM 12 and the state of the processing. FIG. 5A shows waveform data obtained in the RAM 12 when the spot light SP relatively scans from the mark M1 to the mark M3 in order as shown in FIG. 2, and is hereinafter referred to as original waveform data. In FIG. 5, the horizontal axis represents the address value (0.01 [μm] per address) of the RAM 12 corresponding to the scanning position in the X direction, and the vertical axis represents the signal strength S.

【0032】図5(A)のように、原波形データはサン
プリング・ポイント数をSDとして、RAM12内のア
ドレス値MSからMS+SDまでの間に格納されている
ものとする。またRAM12内には原波形をパターン認
識する為の前処理(微分処理及び重み付け処理)をした
パターン認識波形及びシフト加算をした後の波形データ
を格納するための領域が確保されており、それはアドレ
ス値M0からM0+SDにあるものとする。
As shown in FIG. 5A, it is assumed that the original waveform data is stored between the address values MS and MS + SD in the RAM 12 with the number of sampling points as SD. In the RAM 12, an area for storing a pattern recognition waveform that has been subjected to pre-processing (differential processing and weighting processing) for pattern recognition of the original waveform and waveform data that has been subjected to shift addition are secured. It is assumed that the value is between M0 and M0 + SD.

【0033】さてBSP18内には、RAM12のアド
レス指定のために複数のアドレスポインタIXn(n=
0、1、2、3……)が設定されているものとする。さ
らにBSP18内には、マークM位置とM2の中心間隔
D1〔μm〕に対応したポイント数(アドレス数)Fa
と、マークM2とM3の中心間隔D2〔μm〕に対応し
たポイント数Fbとが予めセツトされている。
In the BSP 18, a plurality of address pointers IXn (n = n
0, 1, 2, 3,...). Further, in the BSP 18, the number of points (the number of addresses) Fa corresponding to the center interval D1 [μm] between the position of the mark M and M2
And the number of points Fb corresponding to the center distance D2 [μm] between the marks M2 and M3 are preset.

【0034】図4に示すように、BSP18はステツプ
SP100において、ポインターIX0には原波形デー
タ上のスタートアドレス値MSをセツトし、ポインター
IX1にはパターン認識波形のスタートアドレス値M
S′をセツトし、ポインターIX2にはパターン認識波
形データ上のスタートアドレス値MS′からポイント数
Faを差し引いた値(MS′−Fa)をセツトし、ポイ
ンターIX3にはパターン認識波形データ上のスタート
アドレス値MS′にポイント数Fbを加算した値(M
S′+Fb)をセツトし、ポインターIX4には、加算
合成した結果の波形データを格納するためのスタートア
ドレス値M0をセツトするとともに、処理ポイント数S
Dをカウントするレジスタrに零をセツトする。
As shown in FIG. 4, in step SP100, the BSP 18 sets the start address value MS on the original waveform data in the pointer IX0 and the start address value M of the pattern recognition waveform in the pointer IX1 in step SP100.
S 'is set, the value (MS'-Fa) obtained by subtracting the number of points Fa from the start address value MS' on the pattern recognition waveform data is set in the pointer IX2, and the start on the pattern recognition waveform data is set in the pointer IX3. A value obtained by adding the number of points Fb to the address value MS '(M
S '+ Fb), a start address value M0 for storing the waveform data resulting from the addition and synthesis is set in the pointer IX4, and the number of processing points S
The register r for counting D is set to zero.

【0035】次にBSP18はステツプSP101てR
AM12に記憶された原波形データを微分波形データに
変換する。Siは原波形のi番目のデータ、Djは微分
フイルタのj番目の係数、Si′は原波形のi番目のデ
ータの微分後のデータである。続いてBSP18は次の
ステツプ102で求めた微分波形のデータ列に重み付け
をする。Wiは微分波形データのi番目に掛ける重み係
数であり、Si″′は重み付け後の微分波形データとな
る。ここで重み付け用の係数は任意に設定して良く、例
えばガウス波形を用いた重み係数を設定すれば微分波形
データ列の中心部を強調し、周辺部の影響を弱くした波
形データとなる。
Next, the BSP 18 executes R in step SP101.
The original waveform data stored in the AM 12 is converted into differential waveform data. Si is the i-th data of the original waveform, Dj is the j-th coefficient of the differential filter, and Si 'is the data after the differentiation of the i-th data of the original waveform. Subsequently, the BSP 18 weights the data sequence of the differential waveform obtained in the next step 102. Wi is a weighting coefficient to be multiplied by the i-th of the differential waveform data, and Si ″ ′ is differential weighting data after weighting. Here, the weighting coefficient may be set arbitrarily, for example, a weighting coefficient using a Gaussian waveform. Is set, waveform data in which the central portion of the differential waveform data sequence is emphasized and the influence of the peripheral portion is weakened is obtained.

【0036】さらにBSP18は、ステツプSP103
でRAM12に記憶された原波形データ中から3つのア
ドレス値に格納されているデータRAM(IX1+
r)、RAM(IX2+r)、RAM(IX3+r)を
読み出して加算し、その加算値をデータDTとして求め
る。そしてBSP18は次のステツプSP104におい
て、そのデータDTをRAM12のアドレス(IX4+
r)へ格納した後、レジスタrをインクリメント(r+
1)する。
The BSP 18 further includes a step SP103.
The data RAM (IX1 +) stored at three address values from the original waveform data stored in the RAM 12
r), RAM (IX2 + r), and RAM (IX3 + r) are read and added, and the added value is obtained as data DT. Then, the BSP 18 stores the data DT in the address (IX4 +
r), the register r is incremented (r +
1) Yes.

【0037】続いてBSP18は、ステツプSP105
でレジスタrのカウント数がSDよりも大きくなつたか
否かを判定し、小さいときは再びステツプSP103か
らの動作を実行する。またこのステツプSP105でr
>SDが真と判断されると、シフト加算の演算は全て終
了し、RAM12のアドレスM0〜M0+SDには、図
5(E)に示すように、図5(B)のパターン認識波形
データに対してFaだけ右にずれた図5(C)の波形デ
ータと、Fbだけ左にずれた図5(D)の波形データと
が加算された波形データが格納される。なおこのフロー
チヤートは一例であり、同等の機能をはたすものであれ
ば、どのようなアルゴリズムでもかまわない。
Subsequently, the BSP 18 proceeds to step SP105.
It is determined whether or not the count number of the register r has become larger than SD. If it is smaller, the operation from step SP103 is executed again. In this step SP105, r
If> SD is determined to be true, all the shift addition operations are terminated, and the addresses M0 to M0 + SD of the RAM 12 are stored in the addresses M0 to M0 + SD of the pattern recognition waveform data of FIG. 5B as shown in FIG. 5 (C) shifted to the right by Fa and the waveform data of FIG. 5 (D) shifted to the left by Fb are stored. Note that this flowchart is an example, and any algorithm may be used as long as it performs the same function.

【0038】この後BSP18は図5(E)の波形デー
タから、最も大きな波高値を示すポイント位置PXを求
め、そのポイント位置PXに対応した原波形データ上の
ポイント位置(アドレス値)を決定する。実際にマーク
M2の中心位置を決定するには、図5(E)の波形デー
タを使う場合と、図5(A)の原波形データを使う場合
との2通りが考えられる。
Thereafter, the BSP 18 obtains a point position PX having the largest peak value from the waveform data of FIG. 5E, and determines a point position (address value) on the original waveform data corresponding to the point position PX. . In order to actually determine the center position of the mark M2, there are two cases, one using the waveform data of FIG. 5E and the other using the original waveform data of FIG. 5A.

【0039】図5(E)の合成波形を用いた場合は、3
つのマークM1、M2、M3の夫々に対応した波形部分
の微分後の加算であるために、個々の波形歪みの影響に
よつて合成波形部分の歪みが大きくなることもある。従
つて、精密にマークM2の位置を検出するには、原波形
データに基づいて波形解析を行なつた方が好ましく、図
5(E)の合成波形はあくまでも真のマークのサーチ
(認識)目的のためだけに使つた方がよい。
When the synthesized waveform shown in FIG.
Since the addition is performed after the differentiation of the waveform portions corresponding to each of the marks M1, M2, and M3, the distortion of the composite waveform portion may increase due to the influence of each waveform distortion. Therefore, in order to accurately detect the position of the mark M2, it is preferable to perform a waveform analysis based on the original waveform data. The synthesized waveform of FIG. 5E is used only for searching (recognizing) a true mark. It is better to use it only for.

【0040】もちろん波形歪みが少ない場合等は、合成
波形の波形解析によつてマーク位置を決定してもよい。
原波形を用いた一般的な波形解析とては、特定のマーク
波形部分の立上りと立下りで、最も急峻な部分に対応し
たレベルでスライスを行ない、そのスライスレベルと波
形立上り部、波形立下り部の各交点位置を求め、その中
点をマークM2の中心位置として算出する手法、マーク
波形部分の立上り、立下りを低いスライスレベルと比較
して2つの交点位置を求め、その間の波形の重心(積分
値を1/2にする位置)を中心位置とする手法がある。
If the waveform distortion is small, the mark position may be determined by analyzing the waveform of the composite waveform.
In general waveform analysis using the original waveform, the slice is performed at the level corresponding to the steepest part at the rise and fall of a specific mark waveform part, and the slice level, the waveform rise part, and the waveform fall A method of calculating each intersection position of the portion and calculating the middle point thereof as the center position of the mark M2, comparing the rising and falling of the mark waveform portion with a lower slice level to determine the two intersection positions, and calculating the center of gravity of the waveform between them There is a method in which (the position where the integral value is reduced to 1 /) is set as the center position.

【0041】以上この実施例ではマークM1、M2、M
3の各間隔D1、D2を異なつた値にしたため、パター
ン認識波形データを正方向にFaだけシフトした波形デ
ータと、負方向にFbだけシフトした波形データとの合
成波形はゝ位置PXでのみ3つのマーク波形部分が合成
されて強調されることになり、認識が極めて容易にな
る。
In this embodiment, the marks M1, M2, M
Since the intervals D1 and D2 of FIG. 3 have different values, the combined waveform of the waveform data obtained by shifting the pattern recognition waveform data by Fa in the positive direction and the waveform data shifted by Fb in the negative direction is 3 at the position PX only. The two mark waveform portions are combined and emphasized, and recognition becomes extremely easy.

【0042】もちろんマーク間隔はD1=D2としても
全く同様にして特定マークの認識ができる。しかしなが
ら、3つのマーク波形部分に信号強度差が生じた場合、
あるいはマークM1、M2、M3以外の部分に強いノイ
ズが発生した場合には、検出能力(波形の強調度)が低
下する可能性もある。さらにサーチ用のマークは最低2
本あれば、同様に波形合成による強調化が可能である
が、本実施例のように、少なくとも3本のマークが異な
つた間隔で配置されたとき、極めて強い認識力を持つ。
Of course, even when the mark interval is D1 = D2, the specific mark can be recognized in the same manner. However, when there is a signal strength difference between the three mark waveform portions,
Alternatively, when strong noise is generated in a portion other than the marks M1, M2, and M3, the detection capability (waveform enhancement) may be reduced. In addition, at least two search marks
If a book is used, emphasis can be similarly performed by waveform synthesis. However, as in the present embodiment, when at least three marks are arranged at different intervals, an extremely strong recognition ability is obtained.

【0043】その一例を図6を参照して説明する。すな
わち図6(A)は原波形データを示し、ここでは特定マ
ークM2に対応した波形部分のレベルが、他のマークM
1、M3の夫々に対応した波形部分のレベルと比べて小
さくなり、かつ、ノイズNによる波形部分が特定マーク
M2に対して−2Faの位置に、信号強度(マークM
1、M3)と同程のレベルで混在するという、極めて悪
い条件を想定する。
An example will be described with reference to FIG. That is, FIG. 6A shows the original waveform data, in which the level of the waveform portion corresponding to the specific mark M2 is
1 and M3, and the waveform portion due to the noise N has a signal intensity (mark M) at a position of -2Fa with respect to the specific mark M2.
It is assumed that extremely poor conditions are present, that is, they are mixed at the same level as (1, M3).

【0044】従来のように原波形データのみを解析して
マークM2を認識しようとする場合、極めて高い確立で
マークM1をマークM2と誤認識してしまう。ところが
本実施例のように、微分処理後(図6(B))、重み係
数(図6(C))を微分波形に掛けたパターン認識波形
(図6(D))に対して正方向にFaだけシフトさせた
図6(E)の波形データと、負方向にFbだけシフトさ
せた図6(F)の波形データとの3つを加算すると図6
(G)のような合成波形が得られ、位置C0で最大値S
0が得られる。
When the mark M2 is to be recognized by analyzing only the original waveform data as in the prior art, the mark M1 is erroneously recognized as the mark M2 with a very high probability. However, as in the present embodiment, after the differentiation processing (FIG. 6B), the pattern recognition waveform (FIG. 6D) obtained by multiplying the differential waveform by the weighting coefficient (FIG. 6C) is applied in the positive direction. 6 is obtained by adding the waveform data of FIG. 6 (E) shifted by Fa and the waveform data of FIG. 6 (F) shifted by Fb in the negative direction.
(G) is obtained, and the maximum value S is obtained at the position C0.
0 is obtained.

【0045】ここで図6(D)、(B)、(F)から明
らかなように、位置C0ではマークM1、M2、M3の
3つの部分波形が全て合成されるのに対し、図6(E)
のうち位置C0の左側に現われる次に大きな合成波形
は、マークM1とノイズNの各部分波形の合成によつて
得られたものであり、図6(F)のようにマークM2の
部分波形はそこから(Fa−Fb)だけずれるために合
成には寄与しない。
Here, as is clear from FIGS. 6D, 6B and 6F, at the position C0, all three partial waveforms of the marks M1, M2 and M3 are synthesized. E)
The next largest composite waveform appearing on the left side of the position C0 is obtained by combining the partial waveforms of the mark M1 and the noise N. As shown in FIG. Since it is shifted by (Fa-Fb) therefrom, it does not contribute to the synthesis.

【0046】従つて、たとえ大きなノイズNがたまたま
設計間隔(Fa、又はFb)だけ離れた位置に現れたと
してもこの実施例による波形合成の手法を使うと、極め
て容易に特定マークを認識することができる。
Therefore, even if the large noise N happens to appear at a position separated by the design interval (Fa or Fb), it is very easy to recognize the specific mark by using the waveform synthesizing method according to this embodiment. Can be.

【0047】(3)第2の実施例 次に本発明の第2の実施例を、図7、図8、図9を参照
して説明する。この実施例では、ウエハW上のパターン
を撮像素子で検出して、そのビデオ信号を波形解析する
方式のアライメントセンサーを用いる。撮像素子として
はビジコン等の撮像管でも全く同じてあるが、ここでは
2次元CCDカメラを用いるものとする。
(3) Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 7, FIG. 8, and FIG. In this embodiment, an alignment sensor of a type in which a pattern on a wafer W is detected by an image sensor and a video signal thereof is subjected to waveform analysis is used. The same applies to an image pickup tube such as a vidicon as an image pickup device. Here, a two-dimensional CCD camera is used.

【0048】図7に示すように、ウエハW上のパターン
は、テレセントリツクな対物レンズ30、ビームスプリ
ツタ31、結像用レンズ系32、共役指標板33、及び
再結像レンズ34を介してCCDカメラ35の撮像面上
に拡大結像される。またウエハWへの照明は、フアイバ
ー束36の射出端を対物レンズ30の瞳面epに配置し
たケーラー照明法で行なう。さらに指標板33は透明ガ
ラス上に遮光層で指標マークを形成したものであり、C
CDカメラ35からのビデオ信号をCRT上に表示する
と、図8のように観察される。
As shown in FIG. 7, the pattern on the wafer W is transmitted through a telecentric objective lens 30, a beam splitter 31, an imaging lens system 32, a conjugate index plate 33, and a re-imaging lens 34. An enlarged image is formed on the imaging surface of the CCD camera 35. The wafer W is illuminated by the Koehler illumination method in which the exit end of the fiber bundle 36 is arranged on the pupil plane ep of the objective lens 30. Further, the index plate 33 is formed by forming an index mark on a transparent glass with a light shielding layer.
When the video signal from the CD camera 35 is displayed on the CRT, it is observed as shown in FIG.

【0049】図8でフレームFRの左右には指標マーク
RMa、RMbが位置し、その間にウエハW上のマーク
MA、MBが存在するようにプリアライメントされる。
CCDカメラ35の水平走査線をSL1……SLnとす
ると、指標マークRMa、RMbとウエハマークMA、
MBとは、水平走査線と直交する方向の直線エツジで構
成される。またマークMA、MBの走査線方向の幅は互
いに異なるように決められ、さらにマークMAとMBの
間のスペース幅もそれらマーク幅とは異なるように決め
られている。
In FIG. 8, index marks RMa and RMb are located on the left and right of the frame FR, and prealignment is performed so that the marks MA and MB on the wafer W exist between them.
Assuming that horizontal scanning lines of the CCD camera 35 are SL1... SLn, index marks RMa and RMb and wafer marks MA and
The MB is constituted by a linear edge in a direction orthogonal to the horizontal scanning line. The widths of the marks MA and MB in the scanning line direction are determined to be different from each other, and the space width between the marks MA and MB is also determined to be different from the mark width.

【0050】ここでのアライメントは、図8のようにウ
エハWを位置決めしたときのステージSTの座標値(X
0、Y0)を記憶し、その状態で指標マークRMaとR
Mbとの中点と、例えばマークMA、MBの間のスペー
ス部の中点との走査線方向の位置ずれ量(Δx)を波形
処理によつて求め、先に記憶した座標値X0をΔxだけ
補正しておくことで完了する。
The alignment here is performed by using the coordinate value (X) of the stage ST when the wafer W is positioned as shown in FIG.
0, Y0), and the index marks RMa and R
The amount of displacement (Δx) in the scanning line direction between the midpoint of Mb and the midpoint of the space between the marks MA and MB, for example, is determined by waveform processing, and the previously stored coordinate value X0 is calculated by Δx. It is completed by correcting.

【0051】図9は1本の水平走査線に沿つて得られた
ビデオ信号波形の一例を示し、走査方向はx方向と一致
しているものとする。ビデオ波形上の左右には指標マー
クRMa、RMb(黒レベル)に対応した波形部分RE
a、REbが生じる。この波形部分はウエハW上の光学
的な特性変化とはほとんど無関係に、常に良好なコント
ラストで現れる。
FIG. 9 shows an example of a video signal waveform obtained along one horizontal scanning line, and it is assumed that the scanning direction coincides with the x direction. On the left and right sides of the video waveform, waveform portions RE corresponding to index marks RMa and RMb (black level)
a and REb are generated. This waveform portion always appears with a good contrast, almost irrespective of the optical characteristic change on the wafer W.

【0052】しかしながらウエハW上のパターンについ
ては照明光の波長やパターンの材質、表面処理等によつ
てかならずしもきれいな波形にはならない。図9におい
て、ビデオ波形はマークMAの左右のエツジでボトム波
形AEl、AErとなり、マークMBの左右のエツジで
ボトム波形BEl、BErとなる。このようにマークエ
ツジでボトムになるのは明視野観察の場合であつて、例
えば観察光路中の瞳面epに正反射光(0次光)カツト
用の空間フイルターを入れた暗視野観察では、マークエ
ツジのところでピーク波形となる。
However, the pattern on the wafer W does not always have a clear waveform due to the wavelength of the illumination light, the material of the pattern, the surface treatment, and the like. In FIG. 9, the video waveforms have bottom waveforms AEl and AEr at the left and right edges of the mark MA, and have bottom waveforms BEl and BEr at the left and right edges of the mark MB. The bottom of the mark edge in this way is the case of bright-field observation. For example, in dark-field observation in which a spatial filter for specularly reflected light (zero-order light) is inserted in the pupil plane ep in the observation optical path, the mark edge is observed. It becomes a peak waveform at the point.

【0053】さてCCDカメラを用いた場合も、水平走
査線内の各画素毎に信号レベルをデジタル値に変換して
フレームメモリ等に記憶すれば、後の処理は第1の実施
例と全く同様に実行できる。CCDカメラのビデオ信号
を使う場合、通常はフレームFR内の2本以上の水平走
査線の夫々に対応したビデオ波形を垂直方向の画素につ
いて加算して平均化する処理が行なわれる。
When a CCD camera is used, if the signal level is converted into a digital value for each pixel in the horizontal scanning line and stored in a frame memory or the like, the subsequent processing is exactly the same as in the first embodiment. Can be executed. When a video signal from a CCD camera is used, a process of adding and averaging video waveforms corresponding to each of two or more horizontal scanning lines in a frame FR for pixels in a vertical direction is usually performed.

【0054】従つて平均化された後のビデオ波形に対し
て、ボトム波形REaとREbとの間の波形のみを抽出
して、第1の実施例と同様に横シフト合成を行なうとよ
い。一例として、マークMAの幅に対応した水平画素数
Qa、マークMBの幅に対応した水平画素数をQb、そ
してマークMAとMBの間のスペース幅に対応した画素
数をQcとしたとき、Qb/Qc=1.5、Qa/Qc
=2.0に設定した場合を想定する。図9を原波形とし
て、前処理を行つた後、これに対して右(アドレス増加
方向)に画素数Qc分だけシフトした右シフト波形と、
原波形に対して左に画素数Qbだけシフトした左シフト
波形とをそれぞれ加算すると、原波形上のボトム波形B
Elの位置で、右シフト波形上のボトム波形AErと左
シフト波形上のボトム波形BErとが重なつて強調さ
れ、他の位置では全く重なり合うボトム波形が生じな
い。
Therefore, it is preferable to extract only the waveform between the bottom waveforms REa and REb from the averaged video waveform, and perform the horizontal shift synthesis in the same manner as in the first embodiment. As an example, when the number of horizontal pixels Qa corresponding to the width of the mark MA, the number of horizontal pixels corresponding to the width of the mark MB is Qb, and the number of pixels corresponding to the space width between the marks MA and MB are Qc, Qb /Qc=1.5, Qa / Qc
= 2.0 is assumed. After performing pre-processing using FIG. 9 as an original waveform, a right-shifted waveform shifted to the right (in the direction of increasing addresses) by the number of pixels Qc,
The bottom waveform B on the original waveform is obtained by adding the left waveform shifted to the left by the number of pixels Qb to the original waveform, respectively.
At the position El, the bottom waveform AEr on the right shift waveform and the bottom waveform BEr on the left shift waveform are overlapped and emphasized, and no other bottom waveform is generated at other positions.

【0055】従つてこの例ではボトム波形BElが特定
のマークエツジ位置として認識される。この位置がわか
れば、ボトム波形AErの位置もかわるので、原波形上
でボトム波形AErとBElとの中点を求めればよい。
なおここでは1つのボトム波形部分がマークの1つのエ
ツジに対応するとして考えたが、マーク幅そのものが極
めて小さくなると、マークの左右のエツジは1つのボト
ム波形として現われるので、極めて細い線状マークの複
数本にしても全く同じ処理が可能である。
Therefore, in this example, the bottom waveform BE1 is recognized as a specific mark edge position. If this position is known, the position of the bottom waveform AEr is also changed, so that the midpoint between the bottom waveforms AEr and BEl on the original waveform may be obtained.
Here, one bottom waveform portion is considered to correspond to one edge of the mark. However, when the mark width itself becomes extremely small, the left and right edges of the mark appear as one bottom waveform, so that a very thin linear mark is formed. Exactly the same processing is possible even with a plurality of lines.

【0056】以上の構成によれば、CCDカメラ等の2
次元撮像素子を用いる場合、多数の走査線からのビデオ
波形の平均化と、横シフト加算とを混在させることもで
きる。例えばフレームFR内で水平走査線30本分のビ
デオ波形を抽出する場合、2本おきに10本分のビデオ
波形は原波形として使い、他の2本おきの10本分のビ
デオ波形は例えば右シフト波形として使い、残りの2本
おきの10本分のビデオ波形は左シフト波形として使
い、計30本分のビデオ波形を加算合成しても同様に特
定マーク、又は特定エツジで強調された波形が得られ
る。ただしより精密にマーク位置を求めるには、原波形
信号のみを再度解析するのが好しい。
According to the above-described configuration, a second camera such as a CCD camera can be used.
When a two-dimensional image sensor is used, averaging of video waveforms from many scanning lines and horizontal shift addition can be mixed. For example, when a video waveform for 30 horizontal scanning lines is extracted in the frame FR, the video waveforms for every other 10 lines are used as the original waveforms, and the video waveforms for every other 10 lines are, for example, the right side. The shift waveform is used, and the remaining 10 video waveforms are used as the left shift waveform, and even if the video waveforms of a total of 30 video lines are added and synthesized, the waveform emphasized by a specific mark or a specific edge is similarly used. Is obtained. However, in order to determine the mark position more precisely, it is preferable to analyze only the original waveform signal again.

【0057】図10は他のマーク形状による変形例であ
り、図10中SL1、SL2、SL3は、レーザビーム
のスポツト(シート状、又は単なる円)の走査線、ある
いはテレビカメラの水平走査線を表し、マークMCは台
形状で左右のエツジE1、E2は走査線に対して45°
だけ傾いている。3本の走査線SL1、SL2、SL3
の夫々は走査と直交する方向に一定間隔Kだけ離れてい
る。
FIG. 10 shows a modified example of another mark shape. In FIG. 10, SL1, SL2 and SL3 denote scanning spots (sheet-like or simple circle) of a laser beam or horizontal scanning lines of a television camera. The mark MC is trapezoidal and the left and right edges E1 and E2 are at 45 ° to the scanning line.
Just leaning. Three scanning lines SL1, SL2, SL3
Are separated by a constant interval K in a direction orthogonal to the scanning.

【0058】そこで例えばエツジE1を認識するには、
走査線SL1に沿つて得られた信号を原波形とし、走査
線SL2に沿つて得られた信号波形を右へKだけシフト
し、走査線SL3に沿つて得られた信号波形を右へ2K
だけシフトして、それぞれ前処理実施後合成すればよ
い。エツジE2の認識には、左シフトを同様に行なえば
よい。
Therefore, for example, to recognize the edge E1,
The signal obtained along the scanning line SL1 is used as an original waveform, the signal waveform obtained along the scanning line SL2 is shifted to the right by K, and the signal waveform obtained along the scanning line SL3 is shifted to the right by 2K.
, And may be combined after the preprocessing. To recognize the edge E2, a left shift may be performed in the same manner.

【0059】(4)他の実施例 なお上述の実施例では、いずれも光電信号(ビデオ信
号)を処理する場合について説明したが、これに代え電
子ビームのスポツトを物体上で走査して特定のパターン
やエツジ位置を認識する場合でも全く同様に実施でき
る。この場合、物体から生じる2次電子や散乱電子の量
が、電子ビームの走査位置に応じて変化することから、
同様のアナログ信号が得られる。
(4) Other Embodiments In each of the above embodiments, a case where a photoelectric signal (video signal) is processed has been described. Instead, a spot of an electron beam is scanned on an object to perform a specific operation. The same can be applied to the case of recognizing a pattern or an edge position. In this case, since the amount of secondary electrons and scattered electrons generated from the object changes according to the scanning position of the electron beam,
A similar analog signal is obtained.

【0060】また同様のアナログ信号を得る形式として
は、対物レンズを介して拡大されたマ−ク像を微小スリ
ツトで走査し、そのスリツト透過光をフオトマル等で光
電検出する方式、そのスリツトは固定したまま、対物レ
ンズからのマーク像の光束をスリツトの幅方向にミラー
等で揺動する方式等が同様に適用される。さらにレーザ
ビームを回転ポリゴンミラー、カルバノミラー等で偏向
し、テレセントリツク対物レンズを介してスポツト光に
集光させて一次元走査する方式でもよい。この場合、レ
ーザビームの偏向角(偏向位置)に同期してサンプリン
グパルスを発生させれば、走査位置に対応した信号波形
データがメモリに抽出される。
As a format for obtaining a similar analog signal, a method of scanning an enlarged mark image via an objective lens with a minute slit, and photoelectrically detecting the transmitted light of the slit with a photometer or the like, and the slit is fixed. A method in which the light beam of the mark image from the objective lens is swung by a mirror or the like in the width direction of the slit while being kept intact is similarly applied. Further, the laser beam may be deflected by a rotating polygon mirror, a carbano mirror, or the like, focused on spot light via a telecentric objective lens, and one-dimensionally scanned. In this case, if a sampling pulse is generated in synchronization with the deflection angle (deflection position) of the laser beam, signal waveform data corresponding to the scanning position is extracted to the memory.

【0061】さらに上述の実施例においては、合成波形
を得るのにシフト加算を行なつたが、その他シフトした
波形とシフト前の波形との乗算によつても同様の効果が
得られる。ただしソフトウエア上のプログラム処理では
単純な加算に比べて多少時間がかかるといつた難点もあ
る。
Further, in the above-described embodiment, shift addition is performed to obtain a composite waveform. However, similar effects can be obtained by multiplying the shifted waveform by the waveform before the shift. However, there is a disadvantage that it takes a little longer in software program processing than simple addition.

【0062】[0062]

【発明の効果】上述のように本発明によれば、検出した
アナログ信号の強度変化やノイズ等による擬似信号に対
しても、常に高いパターン認識力を持たせることがで
き、かくして物体上の広い領域から特定パターンのみを
確実に検出することができるパターン認識装置を実現で
きる。
As described above, according to the present invention, a high pattern recognition ability can be always provided even for a pseudo signal due to a change in the intensity of a detected analog signal, noise, or the like. A pattern recognition device that can reliably detect only a specific pattern from an area can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例によるパターン認識装置
が適用される投影型露光装置の全体構成を示す略線的斜
視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing the overall configuration of a projection exposure apparatus to which a pattern recognition device according to a first embodiment of the present invention is applied.

【図2】第1の実施例のマーク配置の説明に供する略線
的平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view for explaining a mark arrangement according to the first embodiment;

【図3】第1の実施例のパターン認識装置における投影
視野内のスポツト光の配置を示す略線的平面図である。
FIG. 3 is a schematic plan view showing an arrangement of spot light in a projection visual field in the pattern recognition device of the first embodiment.

【図4】第1の実施例による動作を説明するフローチヤ
ートである。
FIG. 4 is a flowchart illustrating an operation according to the first embodiment.

【図5】図4に示した動作に伴つて処理される波形デー
タを示す特性曲線図である。
FIG. 5 is a characteristic curve diagram showing waveform data processed according to the operation shown in FIG. 4;

【図6】他の信号波形に対する処理の様子を示す特性曲
線図である。
FIG. 6 is a characteristic curve diagram showing a state of processing on another signal waveform.

【図7】本発明の第2の実施例によるパターン認識装置
の構成を示す略線図である。
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a configuration of a pattern recognition device according to a second embodiment of the present invention.

【図8】そのパターン認識装置の動作の説明に供する略
線図である。
FIG. 8 is a schematic diagram for explaining the operation of the pattern recognition device.

【図9】第2の実施例のパターン認識装置の信号波形を
示す特性曲線図である。
FIG. 9 is a characteristic curve diagram showing a signal waveform of the pattern recognition device of the second embodiment.

【図10】マーク形状の変形例を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a modification of the mark shape.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W……ウエハ、WM、MA、MB、MC……ウエハマー
ク、M1 、M2 、M3……マーク要素、SP、SPX 、
SPY ……スポツト光、10……アンプ、11……A/
D変換器、12……メモリ(RAM)、18……高速演
算プロセツサ、35……撮像素子。
W: Wafer, WM, MA, MB, MC: Wafer mark, M1, M2, M3: Mark element, SP, SPX,
SPY: Spot light, 10: Amplifier, 11: A /
D converter, 12 memory (RAM), 18 high-speed arithmetic processor, 35 imaging device.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−236117(JP,A) 特開 昭62−273402(JP,A) 特開 昭63−229307(JP,A) 特開 昭63−247602(JP,A) 特開 平2−103401(JP,A) 特開 平4−283917(JP,A) 特開 平3−209812(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G01B 11/24 G03F 1/08 G03F 9/00 G06T 7/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-61-236117 (JP, A) JP-A-62-273402 (JP, A) JP-A-63-229307 (JP, A) JP-A-63-229 247602 (JP, A) JP-A-2-103401 (JP, A) JP-A-4-283917 (JP, A) JP-A-3-209812 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. 7 , DB name) H01L 21/027 G01B 11/24 G03F 1/08 G03F 9/00 G06T 7/00

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ほぼ同一形状のパターンの複数を位置検出
すべき方向に所定間隔で形成した物体を保持する保持手
段と、前記複数のパターンを含む前記物体上の所定範囲
を前記位置検出方向に走査して、該所定範囲内の光学的
な特性変化に応じてレベル変化するアナログ信号を出力
する走査手段とを有し、該アナログ信号を解析すること
によつて前記複数のパターンのうちの特定のパターンの
位置を認識するパターン認識装置において、 前記走査手段の走査により得られる前記アナログ信号の
波形を、前記物体上の走査位置に対応させて記憶する記
憶手段と、 該記憶手段に記憶された前記アナログ信号の波形を読み
出すと共に、該アナログ信号の微分波形を求める微分手
段と、 前記複数のパターンの所定間隔に対応した量だけ前記微
分波形を前記走査の方向にシフトさせた波形と元の波形
とを合成して、前記特定のパターンに対応した波形部分
を他のパターンに対応した波形部分によつて強調した合
成波形を出力する波形合成手段と、 前記合成波形の強調された波形部分を検出することによ
つて前記特定のパターンの位置を識別する識別手段とを
具えることを特徴とするパターン認識装置。
1. A holding means for holding an object in which a plurality of patterns of substantially the same shape are formed at predetermined intervals in a direction in which position detection is to be performed, and a predetermined range on the object including the plurality of patterns in the position detection direction. Scanning means for scanning and outputting an analog signal whose level changes in accordance with a change in optical characteristics within the predetermined range, and analyzing the analog signal to specify one of the plurality of patterns. A pattern recognition device for recognizing a position of the pattern, wherein a storage means for storing a waveform of the analog signal obtained by scanning by the scanning means in correspondence with a scanning position on the object; Differentiating means for reading a waveform of the analog signal and obtaining a differential waveform of the analog signal; and calculating the differential waveform by an amount corresponding to a predetermined interval of the plurality of patterns. Waveform synthesizing means for synthesizing a waveform shifted in the scanning direction and an original waveform, and outputting a synthesized waveform in which a waveform portion corresponding to the specific pattern is emphasized by a waveform portion corresponding to another pattern. And a discriminating means for detecting a position of the specific pattern by detecting an emphasized waveform portion of the composite waveform.
【請求項2】ほぼ同一形状のパターンの複数を位置検出
すべき方向に所定間隔で形成した物体を保持する保持手
段と、前記複数のパターンを含む前記物体上の所定範囲
を前記位置検出方向に走査して、該所定範囲内の光学的
な特性変化に応してレベル変化するアナログ信号を出力
する走査手段とを有し、該アナログ信号を解析すること
によつて前記複数のパターンのうちの特定のパターンの
位置を認識するパターン認識装置において、 前記走査手段の走査により得られる前記アナログ信号の
波形を、前記物体上の走査位置に対応させて記憶する記
憶手段と、 該記憶手段に記憶された前記アナログ信号の波形を読み
出すと共に、該アナログ信号の微分波形を求めると共
に、該微分波形に重みを付ける重み付け微分波形を送出
する波形整形手段と、 前記複数のパターンの所定間隔に対応した量だけ前記重
み付け微分波形を前記走査の方向にシフトさせた波形と
元の波形とを合成して、前記特定のパターンに対応した
波形部分を他のパターンに対応した波形部分によつて強
調した合成波形を出力する波形合成手段と、 前記合成波形の強調された波形部分を検出することによ
つて前記特定のパターンの位置を識別する識別手段とを
具えることを特徴とするパターン認識装置。
2. A holding means for holding an object in which a plurality of patterns having substantially the same shape are formed at predetermined intervals in a direction in which position detection is to be performed, and a predetermined range on the object including the plurality of patterns is set in the position detection direction. Scanning means for scanning and outputting an analog signal whose level changes in response to an optical characteristic change within the predetermined range, and analyzing the analog signal to thereby obtain an analog signal out of the plurality of patterns. A pattern recognition device for recognizing a position of a specific pattern; a storage unit configured to store a waveform of the analog signal obtained by scanning by the scanning unit in correspondence with a scanning position on the object; Waveform shaping means for reading out the waveform of the analog signal, obtaining a differential waveform of the analog signal, and transmitting a weighted differential waveform for weighting the differential waveform. Combining the original waveform and a waveform obtained by shifting the weighted differential waveform in the scanning direction by an amount corresponding to a predetermined interval of the plurality of patterns, and forming a waveform portion corresponding to the specific pattern into another pattern. Waveform synthesizing means for outputting a synthesized waveform emphasized by a waveform portion corresponding to the above, and identification means for identifying the position of the specific pattern by detecting the emphasized waveform portion of the synthesized waveform. A pattern recognition device characterized by
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