JP3127948B2 - Semiconductor package and mounting method thereof - Google Patents

Semiconductor package and mounting method thereof

Info

Publication number
JP3127948B2
JP3127948B2 JP30557394A JP30557394A JP3127948B2 JP 3127948 B2 JP3127948 B2 JP 3127948B2 JP 30557394 A JP30557394 A JP 30557394A JP 30557394 A JP30557394 A JP 30557394A JP 3127948 B2 JP3127948 B2 JP 3127948B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
electrode
package
package substrate
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP30557394A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH08148521A (en
Inventor
淳 小沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Corp filed Critical Nippon Steel Corp
Priority to JP30557394A priority Critical patent/JP3127948B2/en
Priority to US08/558,082 priority patent/US5808872A/en
Publication of JPH08148521A publication Critical patent/JPH08148521A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3127948B2 publication Critical patent/JP3127948B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PURPOSE: To obtain a semiconductor package excellent in heat dissipation performance and handling performance in which the size can be reduced as small as a semiconductor chip, and a mounting method thereof. CONSTITUTION: The semiconductor package comprises a semiconductor chip 1 having an electrode on the surface thereof, a package board 3A having a first electrode part 31 corresponding to the electrode of the semiconductor chip 1 on the rear and a second electrode part conducting through a connecting part 33 with the first electrode part 31 on the surface, and a bump 2 for bonding the electrode of the semiconductor chip 1 and the first electrode part 31 of the package board 3A. The semiconductor chip 1 is die bonded, on the rear thereof, to a circuit board 6 through a die bond material 5 and the second electrode part 32 of the package board 3A is connected with the circuit board 6, at a predetermined connecting point thereon, through a bonding wire.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを含めて
構成される半導体パッケージ、及びこの半導体パッケー
ジを回路基板に実装する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package including a semiconductor chip and a method for mounting the semiconductor package on a circuit board.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知のように、半導体パッケージは、半
導体チップを機械的に補強すると共に湿気等の外的環境
から保護し、さらに回路基板等への実装を容易にするた
め、半導体チップの電極と外部リードとを電気的に接続
した後、通常は全体的に樹脂封止したものである。この
ような半導体パッケージにおいては、小型化の模索が急
速に進んでいる。
2. Description of the Related Art As is well known, a semiconductor package is designed to mechanically reinforce a semiconductor chip, protect the semiconductor chip from an external environment such as moisture, and to facilitate mounting on a circuit board or the like. After being electrically connected to the external leads, they are usually entirely resin-sealed. In such a semiconductor package, a search for miniaturization is rapidly progressing.

【0003】例えば、パッケージ形状としては、薄型S
OP(Small Outline Package )や薄型QFP(Quad F
lat Package )等がある。また、パッケージング構造と
しては、半導体チップ上にリードの先端を固着し、その
チップ上で電極とリード部分とをボンディングワイヤに
よって接続する、いわゆるLOC(Lead On Chip)等が
ある。これらによって、モールドパッケージでの小型化
は限界が近いと考えられる。しかしながら、LOC構造
の薄型SOPでも、モールド部に占める半導体チップの
体積は、最大でも24%程度(面積占有率80%、厚み
占有率30%)にしかすぎない。
For example, as a package shape, a thin S
OP (Small Outline Package) and thin QFP (Quad F
lat Package). Further, as a packaging structure, there is a so-called LOC (Lead On Chip) or the like in which the tip of a lead is fixed on a semiconductor chip, and an electrode and a lead portion are connected on the chip by a bonding wire. For these reasons, miniaturization in the mold package is considered to be near the limit. However, even in the thin SOP having the LOC structure, the volume of the semiconductor chip occupying the mold portion is only about 24% at maximum (the area occupation ratio is 80% and the thickness occupation ratio is 30%).

【0004】また、従来のモールドパッケージでは、半
導体チップからの放熱性も悪く、例えば、放熱性が比較
的に良いとされるQFP(42アロイ材リード、100
ピン、一般モールド構造、基板実装時、無風状態)で
も、熱抵抗θja=90℃/Wもある。このため、リード
の材質や封止用樹脂の材質、放熱板を設ける構造等、数
多くの検討がなされているのが現状である。
Further, in the conventional mold package, the heat dissipation from the semiconductor chip is poor. For example, a QFP (42 alloy lead, 100
(Pin, general mold structure, when mounted on a substrate, no wind)), thermal resistance θja = 90 ° C./W. For this reason, at present, many studies have been made on the material of the lead, the material of the sealing resin, the structure of providing the heat radiating plate, and the like.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで最近、高速動
作性や小型化等の利点を有する実装技術として、高密度
配線基板に複数のベアチップを搭載するMCM(Multic
hip Module)が注目されている。このMCMにおいて
は、ベアチップを用いることによって、前述のモールド
パッケージと比較して小型化及び放熱性の点では有利と
なる。
Recently, as a mounting technique having advantages such as high-speed operability and miniaturization, an MCM (Multicnd) in which a plurality of bare chips are mounted on a high-density wiring board has been developed.
hip Module). In this MCM, the use of bare chips is advantageous in terms of miniaturization and heat dissipation as compared with the above-described mold package.

【0006】ところが、このMCMでは、搭載されるベ
アチップの全てが信頼性を含め良品(いわゆるKnown Go
od Die)であることが必須事項である。しかしながら、
ベアチップでの特性評価や信頼性評価は、半導体チップ
自体のハンドリングとなるので、ハンドリング中におけ
る半導体チップの破損や表面回路の破壊等、困難な点が
多いという問題がある。
However, in this MCM, all of the bare chips mounted are non-defective products (so-called Known Go) including reliability.
od Die) is essential. However,
Since the evaluation of characteristics and reliability of bare chips involves handling of the semiconductor chip itself, there is a problem that there are many difficult points such as breakage of the semiconductor chip and breakage of surface circuits during handling.

【0007】以上に述べたように、従来の半導体パッケ
ージは、小型化の限界が近く、また熱抵抗の大きさにも
課題が残っており、さらに、これらの点で比較的有利な
ベアチップを使用する例えばMCM等の場合は、ノウン
・グッド・ダイの技術開発が求められている。
[0007] As described above, the conventional semiconductor package is near the limit of miniaturization, and has a problem in the magnitude of thermal resistance. Further, a bare chip which is relatively advantageous in these respects is used. For example, in the case of an MCM or the like, the technology development of a known good die is required.

【0008】そこで本発明は、半導体チップとほぼ同等
の大きさの小型化が可能で、しかも放熱性がよく、さら
にハンドリング性にも優れた半導体パッケージ及びその
実装方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor package which can be reduced in size to approximately the same size as a semiconductor chip, has good heat dissipation, and has excellent handling properties, and a method of mounting the same. .

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による半導体パッケージは、表面に電極を有
する半導体チップと、該半導体チップの電極と対応する
第1の電極部を裏面に有し且つ該第1の電極部と導通す
る第2の電極部を表面に有するパッケージ基板と、前記
半導体チップの電極と前記パッケージ基板の第1の電極
部とを接合するバンプとを備え、前記パッケージ基板の
外周部を前記半導体チップの側面よりも外方へ突出さ
せ、その外周部の裏面側を前記半導体チップに対向する
部分よりも厚く形成したものである。
In order to achieve the above object, a semiconductor package according to the present invention has a semiconductor chip having an electrode on a front surface and a first electrode portion corresponding to the electrode of the semiconductor chip on a rear surface. A package substrate having on its surface a second electrode portion conducting to the first electrode portion, and a bump joining the electrode of the semiconductor chip and the first electrode portion of the package substrate. The outer peripheral portion of the substrate protrudes outward from the side surface of the semiconductor chip, and the rear surface of the outer peripheral portion is formed thicker than the portion facing the semiconductor chip.

【0010】また、本発明による半導体パッケージは、
表面に電極を有する半導体チップと、該半導体チップの
電極と対応する第1の電極部を裏面に有し且つ該第1の
電極部と導通する第2の電極部を表面に有するパッケー
ジ基板と、前記半導体チップの電極と前記パッケージ基
板の第1の電極部とを接合するバンプと、少なくとも前
記半導体チップと前記パッケージ基板との間の外周囲を
封止する樹脂とからなる半導体パッケージであって、前
記パッケージ基板の外周部を前記半導体チップの側面よ
りも外方へ突出させ、その外周部の裏面側を前記半導体
チップに対向する部分よりも厚く形成したものである。
Further, the semiconductor package according to the present invention comprises:
A semiconductor chip having an electrode on the front surface, a package substrate having a first electrode portion corresponding to the electrode of the semiconductor chip on the back surface, and a second electrode portion on the front surface conducting to the first electrode portion; A semiconductor package comprising: a bump that joins an electrode of the semiconductor chip and a first electrode portion of the package substrate; and a resin that seals at least an outer periphery between the semiconductor chip and the package substrate. An outer peripheral portion of the package substrate is projected outward from a side surface of the semiconductor chip, and a rear surface of the outer peripheral portion is formed to be thicker than a portion facing the semiconductor chip.

【0011】[0011]

【0012】[0012]

【0013】また、本発明による半導体パッケージの実
装方法は、表面に電極を有する半導体チップと、該半導
体チップの電極と対応する第1の電極部を裏面に有し且
つ該第1の電極部と導通する第2の電極部を表面に有す
るパッケージ基板と、前記半導体チップの電極と前記パ
ッケージ基板の第1の電極部とを接合するバンプとから
なる半導体パッケージを回路基板に実装する方法であっ
て、前記半導体チップの裏面を回路基板に固着し、前記
パッケージ基板の表面の第2の電極部と前記回路基板の
所定箇所との間をボンディングワイヤによって結線する
ものである。
Further, according to the present invention, there is provided a method of mounting a semiconductor package, comprising: a semiconductor chip having an electrode on a front surface; a first electrode portion corresponding to the electrode of the semiconductor chip on a back surface; A method for mounting, on a circuit board, a semiconductor package including a package substrate having a conductive second electrode portion on a surface thereof, and a bump joining an electrode of the semiconductor chip and a first electrode portion of the package substrate. A back surface of the semiconductor chip is fixed to a circuit board, and a second electrode portion on a front surface of the package substrate is connected to a predetermined portion of the circuit board by a bonding wire.

【0014】また、本発明による半導体パッケージの実
装方法は、表面に電極を有する半導体チップと、該半導
体チップの電極と対応する第1の電極部を裏面に有し且
つ該第1の電極部と導通する第2の電極部を表面に有す
るパッケージ基板と、前記半導体チップの電極と前記パ
ッケージ基板の第1の電極部とを接合するバンプと、少
なくとも前記半導体チップと前記パッケージ基板との間
の外周囲を封止する樹脂とからなる半導体パッケージを
回路基板に実装する方法であって、前記半導体チップの
裏面を回路基板に固着し、前記パッケージ基板の表面の
第2の電極部と前記回路基板の所定箇所との間をボンデ
ィングワイヤによって結線するものである。
Further, according to the present invention, there is provided a method of mounting a semiconductor package, comprising: a semiconductor chip having an electrode on a front surface; a first electrode portion corresponding to the electrode of the semiconductor chip on a back surface; A package substrate having a conductive second electrode portion on its surface; a bump joining the electrode of the semiconductor chip to the first electrode portion of the package substrate; and a bump at least between the semiconductor chip and the package substrate. A method of mounting a semiconductor package made of a resin for sealing the periphery on a circuit board, wherein a back surface of the semiconductor chip is fixed to a circuit board, and a second electrode portion on a surface of the package board and a circuit board of the circuit board. A predetermined portion is connected by a bonding wire.

【0015】[0015]

【作用】上記の構成によれば、半導体チップの電極にバ
ンプを介してパッケージ基板の第1の電極部が接合され
ることにより、半導体チップ上にパッケージ基板が固定
され、このパッケージ基板の第1の電極部と導通される
第2の電極部が、回路基板へのワイヤボンディングやバ
ンプ接合等の際の外部接続部となる。そして、半導体チ
ップ上のパッケージ基板によって、半導体チップが機械
的に補強されると共にチップ表面が保護される。これに
よって、投影面積上は半導体チップとほぼ同程度の大き
さのパッケージングが可能となる。
According to the above arrangement, the package substrate is fixed on the semiconductor chip by bonding the first electrode portion of the package substrate to the electrodes of the semiconductor chip via the bumps. The second electrode portion electrically connected to the electrode portion serves as an external connection portion at the time of wire bonding or bump bonding to the circuit board. The package substrate on the semiconductor chip mechanically reinforces the semiconductor chip and protects the chip surface. As a result, it is possible to package a package having a size approximately the same as that of a semiconductor chip in a projected area.

【0016】また、モールドパッケージによる実装で
は、回路基板とチップのパッケージ底部とが浮いている
ので、チップからの熱はパッケージのリードを介して回
路基板に放熱されることになるが、本発明では、チップ
の一方の面が全面で回路基板に接するので、放熱性を大
幅に改善することができる。なお、少なくとも半導体チ
ップとパッケージ基板との間の外周囲を樹脂により封止
すると、パッケージ全体の強度がより高まると共に、湿
気等の外的環境からの保護も効果的となる。
In the mounting by the mold package, since the circuit board and the bottom of the package of the chip float, the heat from the chip is radiated to the circuit board via the lead of the package. Since one surface of the chip is entirely in contact with the circuit board, the heat radiation can be greatly improved. If at least the outer periphery between the semiconductor chip and the package substrate is sealed with a resin, the strength of the entire package is further increased, and protection from an external environment such as moisture is also effective.

【0017】しかも、パッケージ基板を例えば吸着保持
することによって、半導体チップ自体に触れることな
く、半導体パッケージを容易にハンドリングすることが
可能となる。これにより、半導体チップの破損や表面回
路の破壊等を起こすことなく、特性評価や信頼性評価が
可能となるので、例えばMCM等のためのベアチップ選
別も容易となる。
Further, by holding the package substrate by suction, for example, the semiconductor package can be easily handled without touching the semiconductor chip itself. As a result, characteristic evaluation and reliability evaluation can be performed without causing breakage of the semiconductor chip and destruction of the surface circuit, and thus, for example, it becomes easy to sort bare chips for MCM or the like.

【0018】[0018]

【実施例】以下、本発明による半導体パッケージ及びそ
の実装方法の実施例について図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a semiconductor package according to the present invention and a method of mounting the same will be described below with reference to the drawings.

【0019】まず、図1に第1実施例を示す。1は半導
体チップ、2はバンプ、3Aはパッケージ基板、4はボ
ンディングワイヤ、5はダイボンド材、6は回路基板で
ある。この半導体パッケージは半導体チップ1上にパッ
ケージ基板3Aを有するのが特徴であり、以下、このパ
ッケージをCCP(Caped Chip Package)と称すること
にする。
FIG. 1 shows a first embodiment. 1 is a semiconductor chip, 2 is a bump, 3A is a package substrate, 4 is a bonding wire, 5 is a die bond material, and 6 is a circuit board. This semiconductor package is characterized in that it has a package substrate 3A on the semiconductor chip 1, and this package is hereinafter referred to as a CCP (Caped Chip Package).

【0020】半導体チップ1には、その表面の外周近傍
に沿って複数の電極(図示せず)が配列されている。な
お、電極が表面の内周域にあってもよい。
A plurality of electrodes (not shown) are arranged on the semiconductor chip 1 along the vicinity of the outer periphery of the surface. Note that the electrode may be in the inner peripheral area of the surface.

【0021】パッケージ基板3Aは、例えばエポキシ樹
脂等の絶縁物により平板状に形成されており、その平面
形状は半導体チップ1とほぼ同一の大きさの矩形状とな
っている。パッケージ基板3Aの裏面には半導体チップ
1の電極と対応するように第1の電極部31が設けら
れ、表面には第2の電極部32が設けられている。第1
の電極部31と第2の電極部32とは、パッケージ基板
3Aの表裏から外周縁に廻設された接続部33を介して
導通されている。これら電極部31及び32と接続部3
3とは、例えばエッチングやメッキ等による導電パター
ンとして一体的に形成することができ、特にメッキの場
合はパッケージ基板3Aとしてメッキ可能なプラスチッ
ク材を用いるとよい。
The package substrate 3A is formed in a flat plate shape from an insulating material such as an epoxy resin, for example, and has a rectangular planar shape substantially the same size as the semiconductor chip 1. A first electrode portion 31 is provided on the back surface of the package substrate 3A so as to correspond to the electrode of the semiconductor chip 1, and a second electrode portion 32 is provided on the front surface. First
The electrode portion 31 and the second electrode portion 32 are electrically connected via a connection portion 33 provided around the outer periphery from the front and back surfaces of the package substrate 3A. These electrode portions 31 and 32 and connection portion 3
3 can be integrally formed as a conductive pattern by, for example, etching or plating. In particular, in the case of plating, a plastic material that can be plated is preferably used as the package substrate 3A.

【0022】このCCPを組み立てるには、まず、半導
体チップ1の電極にバンプ2を接合し、次に、そのバン
プ2を介して半導体チップ1の電極とパッケージ基板3
Aの第1の電極部31とを接合する。これにより、半導
体チップ1とパッケージ基板3Aとが機械的に固定さ
れ、かつ各々の電極と第1の電極部31とが電気的に接
続される。また、バンプ2を先にパッケージ基板3Aの
第1の電極部31に接合してもよい。なお、バンプ2
は、ウエハ段階で半導体チップ1の電極上に形成するウ
エハバンプ、或いは後付け接合のボールバンプ等を用い
ることができ、その材料としては例えばAu、Cu、P
b−Sn等が用いられる。
In order to assemble the CCP, first, the bumps 2 are bonded to the electrodes of the semiconductor chip 1, and then the electrodes of the semiconductor chip 1 are connected to the package substrate 3 via the bumps 2.
The first electrode unit 31 of FIG. As a result, the semiconductor chip 1 and the package substrate 3A are mechanically fixed, and each electrode is electrically connected to the first electrode unit 31. Further, the bumps 2 may be bonded to the first electrode portion 31 of the package substrate 3A first. In addition, bump 2
May be wafer bumps formed on the electrodes of the semiconductor chip 1 at the wafer stage, or ball bumps for post-bonding, and may be made of Au, Cu, P
b-Sn or the like is used.

【0023】そして、このCCPを回路基板6に実装す
るには、まず、半導体チップ1の裏面を、例えばAgペ
ースト等のダイボンド材5或いは共晶接合によって、回
路基板6にダイボンディングする。次に、パッケージ基
板3Aの表面の第2の電極部32と回路基板6上の所定
接続箇所とを、例えばAuやAl等のボンディングワイ
ヤ4によりワイヤリングする。
To mount the CCP on the circuit board 6, first, the back surface of the semiconductor chip 1 is die-bonded to the circuit board 6 by a die bonding material 5 such as Ag paste or eutectic bonding. Next, the second electrode portion 32 on the surface of the package substrate 3A and a predetermined connection point on the circuit board 6 are wired by a bonding wire 4 such as Au or Al.

【0024】このCCPによれば、半導体チップ1上に
固定されたパッケージ基板3Aの第2の電極部32が、
回路基板6へのワイヤボンディングの際の外部接続部と
なり、また、半導体チップ1上のパッケージ基板3Aに
よって、半導体チップ1が機械的に補強されると共にチ
ップ表面が保護される。これによって、投影面積上は半
導体チップ1とほぼ同等の大きさの超小型のパッケージ
ングが可能となる。なお、パッケージ基板3Aの厚さ
は、半導体チップ1の厚さ(一般的に0.4mm)とほ
ぼ等しいか厚くてもその2倍程度であり、またバンプ2
の高さは数十μmなので、CCP全体の厚さに関して
も、従来のモールドパッケージとほぼ同様かそれ以下に
収めることができる。
According to this CCP, the second electrode portion 32 of the package substrate 3A fixed on the semiconductor chip 1
It serves as an external connection portion for wire bonding to the circuit board 6, and the package substrate 3A on the semiconductor chip 1 mechanically reinforces the semiconductor chip 1 and protects the chip surface. Thus, ultra-small packaging having a size substantially equal to that of the semiconductor chip 1 on a projected area can be achieved. The thickness of the package substrate 3A is substantially equal to or at most twice the thickness of the semiconductor chip 1 (generally 0.4 mm).
Since the height of the CCP is several tens of μm, the overall thickness of the CCP can be substantially the same as or less than that of the conventional mold package.

【0025】また、本実施例では、半導体チップ1の裏
面がダイボンド材5を介して全面で回路基板6に接する
ことにより、半導体チップ1で発生した熱はダイボンド
材5を介して直接回路基板6に放熱されるので、放熱性
を大幅に改善することができる。特に、本実施例のよう
なダイボンディングとワイヤリングとによる実装では、
ベアチップとほぼ同等な極めて優れた放熱性(例えば熱
抵抗θja=10℃/W)も期待できる。このように半導
体チップ1を回路基板6に実装した後は、ボンディング
ワイヤ4を機械的に保護するために、全体を例えばポッ
ティング樹脂9により封止するのが好ましい。
In this embodiment, the back surface of the semiconductor chip 1 is in contact with the entire circuit board 6 via the die bonding material 5, so that the heat generated by the semiconductor chip 1 is directly transferred to the circuit board 6 via the die bonding material 5. Since heat is dissipated, heat radiation can be greatly improved. In particular, in mounting by die bonding and wiring as in this embodiment,
Extremely excellent heat dissipation (for example, thermal resistance θja = 10 ° C./W) almost equivalent to that of a bare chip can also be expected. After the semiconductor chip 1 is mounted on the circuit board 6 as described above, it is preferable that the entirety be sealed with, for example, a potting resin 9 in order to mechanically protect the bonding wires 4.

【0026】しかも、このCCPによれば、図1に仮想
線で示すように、パッケージ基板3Aを例えばコレット
10により吸着保持することによって、半導体チップ1
自体に触れることなく、CCPを一般的なモールドパッ
ケージと同様に容易にハンドリングすることができる。
これにより、半導体チップ1の破損や表面回路の傷付け
等を起こすことなく、特性評価や信頼性評価が可能とな
るので、高速動作性や小型化等のメリットを有する例え
ばMCM等のためのベアチップ選別が容易となる。
Further, according to this CCP, as shown by the phantom line in FIG.
The CCP can be easily handled like a general mold package without touching itself.
As a result, characteristic evaluation and reliability evaluation can be performed without causing damage to the semiconductor chip 1 or damage to the surface circuit. Becomes easier.

【0027】次に、図2に第2実施例を示す。CCPの
組立方法は上述の第1実施例と同様であるが、半導体チ
ップ1とパッケージ基板3Bとの隙間、及びその外周囲
を含めて半導体チップ1の側面が、樹脂7により封止さ
れている。また、このパッケージ基板3Bは、その外周
部34が半導体チップ1の側面よりも外方へ突出するよ
うに幾分(例えば1〜2mm)大きく形成されている。
Next, FIG. 2 shows a second embodiment. The method of assembling the CCP is the same as that of the first embodiment, except that the side surfaces of the semiconductor chip 1 including the gap between the semiconductor chip 1 and the package substrate 3B and the outer periphery thereof are sealed with the resin 7. . The package substrate 3B is formed somewhat larger (for example, 1 to 2 mm) so that the outer peripheral portion 34 protrudes outward from the side surface of the semiconductor chip 1.

【0028】ここでは、ポッティング樹脂7による封止
を示すが、放熱性を高めるため、半導体チップ1の裏面
まで樹脂7が回らないように、パッケージ基板3Bの表
面を下方へ向けて樹脂7のキュアを行う。このとき、パ
ッケージ基板3Bの外周部34によって、樹脂7の流れ
落ちを防止することができる。
Here, the sealing with the potting resin 7 is shown, but in order to enhance the heat dissipation, the surface of the package substrate 3B is cured downward so that the resin 7 does not turn to the back surface of the semiconductor chip 1. I do. At this time, the outer peripheral portion 34 of the package substrate 3B can prevent the resin 7 from flowing down.

【0029】このように、少なくとも半導体チップ1と
パッケージ基板3Bとの間の外周囲、好ましくは半導体
チップ1とパッケージ基板3Bとの隙間も樹脂封止する
ことによって、さらにCCP全体としての機械的な強度
を向上させることができると共に、半導体チップ1の表
面回路及び接合部を湿気等の外的環境から効果的に保護
することができる。なお、本例のようにパッケージ基板
3Bの外周部34を半導体チップ1よりも大きくする
と、CCPのハンドリングの際には、パッケージ基板3
Bの外周縁を把持することもできる。
As described above, at least the outer periphery between the semiconductor chip 1 and the package substrate 3B, preferably the gap between the semiconductor chip 1 and the package substrate 3B is sealed with a resin, so that the mechanical properties of the entire CCP can be further improved. The strength can be improved, and the surface circuits and the joints of the semiconductor chip 1 can be effectively protected from an external environment such as moisture. When the outer peripheral portion 34 of the package substrate 3B is made larger than the semiconductor chip 1 as in this example, the package substrate 3
The outer peripheral edge of B can also be gripped.

【0030】次に、図3に第3実施例を示す。CCPの
組立方法は上述の第1実施例と同様であるが、このパッ
ケージ基板3Cでは、その裏面が凹状に形成されてい
る。即ち、半導体チップ1の側面よりも外方へ突出する
外周部34の肉厚(h1 )が、半導体チップ1との対向
部35の肉厚(h2 )よりも裏面側へ厚く形成されてい
る。
Next, FIG. 3 shows a third embodiment. The method of assembling the CCP is the same as that of the first embodiment, except that the package substrate 3C has a concave back surface. That is, the thickness (h 1 ) of the outer peripheral portion 34 protruding outward from the side surface of the semiconductor chip 1 is formed to be larger on the back surface side than the thickness (h 2 ) of the portion 35 facing the semiconductor chip 1. I have.

【0031】これにより、図1に示した平板状のパッケ
ージ基板3Aと比較して、対向部35の厚みh2 をパッ
ケージ基板3Aよりも薄くした場合には、強度を損なう
ことなくCCPの全高h3 を低くすることができる。ま
た、対向部35の厚みh2 をパッケージ基板3Aと同等
にした場合には、同一高さのCCPでより高い強度を得
ることができる。
As a result, when the thickness h 2 of the facing portion 35 is made smaller than that of the package substrate 3A as compared with the flat package substrate 3A shown in FIG. 3 can be lowered. Further, when the thickness h 2 of the facing portion 35 equivalent to the package substrate 3A can obtain higher strength by CCP same height.

【0032】次に、図4に第4実施例を示す。CCPの
組立方法は上述の第1実施例と同様であるが、このパッ
ケージ基板3Dには、半導体チップ1の電極と対応する
位置にスルーホール36が形成されている。この例で
は、第1の電極部31及び第2の電極部32がスルーホ
ール36の下端及び上端によって構成されており、その
スルーホール36の上下端にそれぞれ直接的にボンディ
ングワイヤ4及びバンプ2が接合されている。
Next, FIG. 4 shows a fourth embodiment. The method of assembling the CCP is the same as that of the first embodiment described above, except that through holes 36 are formed in the package substrate 3D at positions corresponding to the electrodes of the semiconductor chip 1. In this example, the first electrode portion 31 and the second electrode portion 32 are formed by the lower end and the upper end of the through hole 36, and the bonding wire 4 and the bump 2 are directly provided on the upper and lower ends of the through hole 36, respectively. Are joined.

【0033】このように、第1の電極部31と第2の電
極部32との導通をスルーホール36によって行うと、
これら電極部31及び32間の導通を外周縁の接続部3
3によって行うパッケージ基板3Aよりも、パッケージ
基板3Dの作製が容易になる。
As described above, when conduction between the first electrode portion 31 and the second electrode portion 32 is performed by the through hole 36,
The continuity between these electrode portions 31 and 32 is established by connecting portions 3 on the outer peripheral edge.
3 makes the package substrate 3D easier to manufacture than the package substrate 3A.

【0034】図5はスルーホールを有するパッケージ基
板の変形例である。このパッケージ基板3Eでは、同図
(b)に示すように、スルーホール36の下端及び上端
から例えばメッキ等の導電パターンによって第1及び第
2の電極部31及び32が形成されている。このように
すると、同図(a)に示すように、隣接するスルーホー
ル36の位置を互いに偏倚させることによって、裏面の
第1の電極部31が狭ピッチでも表面の第2の電極部3
2への導通が容易に可能となるので、多数の電極が狭ピ
ッチ化された半導体チップ1に対してパッケージ基板3
Eを有効に設けることができる。
FIG. 5 shows a modification of the package substrate having through holes. In the package substrate 3E, as shown in FIG. 3B, first and second electrode portions 31 and 32 are formed from the lower end and the upper end of the through hole 36 by a conductive pattern such as plating. In this way, as shown in FIG. 3A, the positions of the adjacent through holes 36 are deviated from each other, so that even if the first electrode portions 31 on the rear surface are narrow in pitch, the second electrode portions 3 on the front surface are formed.
2 can be easily connected to the package substrate 3 with respect to the semiconductor chip 1 having a large number of narrow electrodes.
E can be provided effectively.

【0035】なお、図2及び図3に示したように外周部
34が大きく或いは厚いパッケージ基板3B及び3Cの
場合には、図4或いは図5に示したようなスルーホール
36を用いる方が、外周縁の接続部33が不要となるの
で好ましい。また、外周縁に接続部33がないパッケー
ジ基板3D及び3Eは、その外周縁を把持する場合にも
好ましい。
In the case of the package substrates 3B and 3C having a large or thick outer peripheral portion 34 as shown in FIGS. 2 and 3, it is better to use the through holes 36 as shown in FIG. 4 or FIG. This is preferable because the connection portion 33 on the outer peripheral edge becomes unnecessary. Further, the package substrates 3D and 3E having no connection portion 33 on the outer peripheral edge are also preferable when gripping the outer peripheral edge.

【0036】図6はさらに別の変形例である。このパッ
ケージ基板3Fにおいては、その外周縁にスルーホール
37が形成されている。即ち、同図(a)に示すよう
に、大型の板状部材から複数のパッケージ基板3Fを得
るようにし、各々のパッケージ基板3Fの切断線に沿っ
て予めスルーホール37が設けられている。従って、各
パッケージ基板3Fを分割することによって、同図
(b)に示すように、各パッケージ基板3Fの外周縁に
凹溝状のスルーホール37が形成されることになり、第
1の電極部31と第2の電極部32とが接続される。
FIG. 6 shows still another modification. In the package substrate 3F, a through hole 37 is formed at the outer peripheral edge. That is, as shown in FIG. 3A, a plurality of package substrates 3F are obtained from a large plate-like member, and through holes 37 are provided in advance along cutting lines of each package substrate 3F. Accordingly, by dividing each package substrate 3F, as shown in FIG. 3B, a recessed through hole 37 is formed in the outer peripheral edge of each package substrate 3F, and the first electrode portion is formed. 31 and the second electrode unit 32 are connected.

【0037】次に、図7はCCPの別の実装方法を示す
第5実施例である。CCPの組立方法は上述の第1実施
例と同様であるが、回路基板6への実装方法がボンディ
ングワイヤ4を用いずにバンプ8によっていることが特
徴である。即ち、パッケージ基板3Aの表面の第2の電
極部32にバンプ8を接合し、パッケージ基板3Aの表
面を回路基板6に対向させ、第2の電極部32をバンプ
8を介して回路基板6の所定接続箇所に接合する。
FIG. 7 shows a fifth embodiment showing another mounting method of the CCP. The method of assembling the CCP is the same as that of the first embodiment described above, but is characterized in that the mounting method on the circuit board 6 uses the bumps 8 without using the bonding wires 4. That is, the bump 8 is bonded to the second electrode portion 32 on the surface of the package substrate 3A, the surface of the package substrate 3A faces the circuit board 6, and the second electrode portion 32 is connected to the circuit board 6 via the bump 8. Join at a predetermined connection point.

【0038】この実装方法によれば、実装終了後のCC
Pの占有面積が半導体チップ1とほぼ同一の面積で収ま
るメリットがあり、特にMCM等においては、CCPの
高密度実装によって全体のより小型化を図ることができ
る。
According to this mounting method, the CC after the mounting is completed
There is an advantage that the area occupied by P can be accommodated in almost the same area as the semiconductor chip 1. Particularly in the MCM or the like, the overall size can be further reduced by high-density mounting of the CCP.

【0039】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が
可能である。例えば、パッケージ基板の形状、パッケー
ジ基板における第1及び第2の電極部間の導通構造、樹
脂による封止部位、半導体パッケージの実装方法等は、
各実施例の構成または他の有効な構成の間で様々な組合
せが可能である。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various effective modifications and applications are possible based on the technical idea of the present invention. For example, the shape of the package substrate, the conductive structure between the first and second electrode portions of the package substrate, the sealing portion with resin, the method of mounting the semiconductor package, and the like
Various combinations are possible between the configurations of the embodiments or other effective configurations.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体チップ上にパッケージ基板を固定することにより
半導体パッケージを構成し、実装の際にはパッケージ基
板の第2の電極部をボンディングワイヤ或いはバンプを
介して回路基板に接続することによって、半導体チップ
とほぼ同程度の大きさの非常に小型で、しかも放熱性の
極めて優れた半導体パッケージを得ることができると共
に、ベアチップ選別のためのハンドリングが格段に容易
となるので、例えばMCM等への効果的な応用が可能に
なる。さらに、半導体チップの電極とパッケージ基板の
第1の電極部とをバンプ接合しているので、半導体チッ
プとパッケージ基板との機械的な固定及び電気的な接続
を、1回の組立工程で極めて簡単かつ確実に行うことが
できる。
As described above, according to the present invention,
A semiconductor package is formed by fixing a package substrate on a semiconductor chip, and at the time of mounting, the second electrode portion of the package substrate is connected to a circuit board via a bonding wire or a bump, so that the semiconductor chip is substantially formed. It is possible to obtain a very small semiconductor package of the same size and very good heat dissipation, and the handling for bare chip selection becomes much easier. Becomes possible. Furthermore, since the electrode of the semiconductor chip and the first electrode portion of the package substrate are bump-bonded, mechanical fixing and electrical connection between the semiconductor chip and the package substrate are extremely simple in one assembly process. It can be performed reliably.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施例における半導体パッケージ
の実装状態の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a mounted state of a semiconductor package according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2実施例における半導体パッケージ
の断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of a semiconductor package according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3実施例における半導体パッケージ
の断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor package according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4実施例における半導体パッケージ
の実装状態の断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a mounted state of a semiconductor package according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】上記第4実施例の変形例における半導体パッケ
ージを示し、(a)は平面図、(b)は断面図である。
5A and 5B show a semiconductor package according to a modification of the fourth embodiment, wherein FIG. 5A is a plan view and FIG. 5B is a sectional view.

【図6】上記第4実施例のさらに別の変形例における半
導体パッケージを示し、(a)は平面図、(b)は断面
図である。
FIGS. 6A and 6B show a semiconductor package in still another modification of the fourth embodiment, wherein FIG. 6A is a plan view and FIG. 6B is a sectional view.

【図7】本発明の第5実施例における半導体パッケージ
の実装状態の断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a mounted state of a semiconductor package according to a fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体チップ 2 バンプ 3A〜3F パッケージ基板 31 第1の電極部 32 第2の電極部 33 接続部 34 外周部 35 対向部 36、37 スルーホール 4 ボンディングワイヤ 5 ダイボンド材 6 回路基板 7 封止樹脂 8 バンプ 9 封止樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor chip 2 Bump 3A-3F Package board 31 1st electrode part 32 2nd electrode part 33 Connection part 34 Outer part 35 Opposing part 36, 37 Through hole 4 Bonding wire 5 Die bond material 6 Circuit board 7 Sealing resin 8 Bump 9 sealing resin

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 表面に電極を有する半導体チップと、該
半導体チップの電極と対応する第1の電極部を裏面に有
し且つ該第1の電極部と導通する第2の電極部を表面に
有するパッケージ基板と、前記半導体チップの電極と前
記パッケージ基板の第1の電極部とを接合するバンプと
からなる半導体パッケージであって、 前記パッケージ基板の外周部を前記半導体チップの側面
よりも外方へ突出させ、その外周部の裏面側を前記半導
体チップに対向する部分よりも厚く形成したことを特徴
とする半導体パッケージ。
1. A semiconductor chip having electrodes on a front surface, and a first electrode portion corresponding to the electrodes of the semiconductor chip on a back surface and a second electrode portion conducting to the first electrode portion on a front surface. A semiconductor substrate comprising: a package substrate having the semiconductor substrate; and a bump for joining an electrode of the semiconductor chip to a first electrode portion of the package substrate, wherein an outer peripheral portion of the package substrate is located outside a side surface of the semiconductor chip. A semiconductor package, wherein a rear surface of an outer peripheral portion thereof is formed thicker than a portion facing the semiconductor chip.
【請求項2】 表面に電極を有する半導体チップと、該
半導体チップの電極と対応する第1の電極部を裏面に有
し且つ該第1の電極部と導通する第2の電極部を表面に
有するパッケージ基板と、前記半導体チップの電極と前
記パッケージ基板の第1の電極部とを接合するバンプ
と、少なくとも前記半導体チップと前記パッケージ基板
との間の外周囲を封止する樹脂とからなる半導体パッケ
ージであって、 前記パッケージ基板の外周部を前記半導体チップの側面
よりも外方へ突出させ、その外周部の裏面側を前記半導
体チップに対向する部分よりも厚く形成したことを特徴
とする半導体パッケージ。
2. A semiconductor chip having an electrode on the front surface, and a second electrode portion having a first electrode portion corresponding to the electrode of the semiconductor chip on the back surface and conducting to the first electrode portion on the front surface. Comprising a package substrate, a bump for joining an electrode of the semiconductor chip to a first electrode portion of the package substrate, and a resin for sealing at least an outer periphery between the semiconductor chip and the package substrate. A semiconductor, wherein an outer peripheral portion of the package substrate protrudes outward from a side surface of the semiconductor chip, and a rear surface of the outer peripheral portion is formed to be thicker than a portion facing the semiconductor chip. package.
【請求項3】 表面に電極を有する半導体チップと、該
半導体チップの電極と対応する第1の電極部を裏面に有
し且つ該第1の電極部と導通する第2の電極部を表面に
有するパッケージ基板と、前記半導体チップの電極と前
記パッケージ基板の第1の電極部とを接合するバンプと
からなる半導体パッケージを回路基板に実装する方法で
あって、 前記半導体チップの裏面を回路基板に固着し、前記パッ
ケージ基板の表面の第2の電極部と前記回路基板の所定
箇所との間をボンディングワイヤによって結線すること
を特徴とする半導体パッケージの実装方法。
3. A semiconductor chip having an electrode on a front surface, and a second electrode portion having a first electrode portion corresponding to the electrode of the semiconductor chip on a back surface and conducting to the first electrode portion on a front surface. A method for mounting a semiconductor package, comprising a package substrate having a semiconductor chip and a bump for bonding an electrode of the semiconductor chip and a first electrode portion of the package substrate, to a circuit board, wherein a back surface of the semiconductor chip is mounted on the circuit board. A method of mounting a semiconductor package, wherein the semiconductor device is fixed and connected between a second electrode portion on a surface of the package substrate and a predetermined portion of the circuit substrate by a bonding wire.
【請求項4】 表面に電極を有する半導体チップと、該
半導体チップの電極と対応する第1の電極部を裏面に有
し且つ該第1の電極部と導通する第2の電極部を表面に
有するパッケージ基板と、前記半導体チップの電極と前
記パッケージ基板の第1の電極部とを接合するバンプ
と、少なくとも前記半導体チップと前記パッケージ基板
との間の外周囲を封止する樹脂とからなる半導体パッケ
ージを回路基板に実装する方法であって、 前記半導体チップの裏面を回路基板に固着し、前記パッ
ケージ基板の表面の第2の電極部と前記回路基板の所定
箇所との間をボンディングワイヤによって結線すること
を特徴とする半導体パッケージの実装方法。
4. A semiconductor chip having an electrode on a front surface, and a second electrode portion having a first electrode portion corresponding to the electrode of the semiconductor chip on a back surface and conducting to the first electrode portion on a front surface. Comprising a package substrate, a bump for joining an electrode of the semiconductor chip to a first electrode portion of the package substrate, and a resin for sealing at least an outer periphery between the semiconductor chip and the package substrate. A method of mounting a package on a circuit board, wherein a back surface of the semiconductor chip is fixed to a circuit board, and a second electrode portion on a surface of the package board and a predetermined portion of the circuit board are connected by a bonding wire. A method for mounting a semiconductor package.
JP30557394A 1994-11-15 1994-11-15 Semiconductor package and mounting method thereof Expired - Fee Related JP3127948B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30557394A JP3127948B2 (en) 1994-11-15 1994-11-15 Semiconductor package and mounting method thereof
US08/558,082 US5808872A (en) 1994-11-15 1995-11-13 Semiconductor package and method of mounting the same on circuit board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30557394A JP3127948B2 (en) 1994-11-15 1994-11-15 Semiconductor package and mounting method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08148521A JPH08148521A (en) 1996-06-07
JP3127948B2 true JP3127948B2 (en) 2001-01-29

Family

ID=17946775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30557394A Expired - Fee Related JP3127948B2 (en) 1994-11-15 1994-11-15 Semiconductor package and mounting method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3127948B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7342248B2 (en) * 2003-05-15 2008-03-11 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device and interposer

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08148521A (en) 1996-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3526788B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
US5770888A (en) Integrated chip package with reduced dimensions and leads exposed from the top and bottom of the package
US20020030289A1 (en) Wire arrayed chip size package and fabrication method thereof
JPH06244231A (en) Airtight semiconductor device and manufacture thereof
JPH10200012A (en) Package of ball grid array semiconductor and its manufacturing method
KR100265566B1 (en) Ship stack package
US7002251B2 (en) Semiconductor device
US5808872A (en) Semiconductor package and method of mounting the same on circuit board
US20110309483A1 (en) Semiconductor Device
US6849952B2 (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP3127948B2 (en) Semiconductor package and mounting method thereof
JP2803656B2 (en) Semiconductor device
JP3356566B2 (en) Semiconductor package and mounting method thereof
JP3454192B2 (en) Lead frame, resin-sealed semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same
KR100260996B1 (en) Array type semiconductor package using a lead frame and its manufacturing method
KR100437821B1 (en) semiconductor package and metod for fabricating the same
JPH08255868A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
KR100226106B1 (en) Bga semiconductor package using lead frame and its manufacturing method
KR100379092B1 (en) semiconductor package and its manufacturing method
KR100444175B1 (en) ball grid array of stack chip package
KR100419950B1 (en) manufacturing method of ball grid array semiconductor package using a flexible circuit board
JPH08181168A (en) Semiconductor device
JP3061728B2 (en) Semiconductor package
JP2989504B2 (en) Evaluation method of semiconductor chip in semiconductor package
JPH0969588A (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20000328

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000926

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071110

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081110

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111110

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131110

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees