JP3053256B2 - Wafer slice-based peeling / cleaning method and apparatus, and wafer processing / transporting apparatus - Google Patents

Wafer slice-based peeling / cleaning method and apparatus, and wafer processing / transporting apparatus

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JP3053256B2
JP3053256B2 JP15706591A JP15706591A JP3053256B2 JP 3053256 B2 JP3053256 B2 JP 3053256B2 JP 15706591 A JP15706591 A JP 15706591A JP 15706591 A JP15706591 A JP 15706591A JP 3053256 B2 JP3053256 B2 JP 3053256B2
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辰己 濱崎
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体インゴット等の
ワークからスライシング装置で切り出されたウエハを剥
離・洗浄する方法及び装置に関し、さらには、上記スラ
イシング装置から剥離・洗浄装置へウェハを搬送し、か
つ剥離・洗浄装置からウェハを搬出して所定の収納容器
内に収納するウェハ処理搬送装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for peeling and cleaning a wafer cut by a slicing apparatus from a work such as a semiconductor ingot, and further, to transfer the wafer from the slicing apparatus to a peeling / cleaning apparatus. The present invention also relates to a wafer processing / transporting apparatus that carries out a wafer from a peeling / cleaning apparatus and stores the wafer in a predetermined storage container.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、高脆性材料である半導体インゴッ
ト(例えばシリコン単結晶)等のワークをスライシング
装置でスライスすることにより、薄肉のウェハを切り出
すことが行われている。このようにして切り出されたウ
ェハは、面取り加工等の諸工程を経て製品として市場に
提供される。
2. Description of the Related Art In recent years, thin wafers have been cut out by slicing a work such as a semiconductor ingot (for example, silicon single crystal), which is a highly brittle material, with a slicing apparatus. The wafer cut out in this way is supplied to the market as a product through various processes such as chamfering.

【0003】しかし、上記ワークの切断終了時には切刃
に作用する切断抵抗が急に開放され、ワークの最終切断
部分が欠け易いため、これを防ぐために上記ワークにカ
ーボン等からなるスライスベースがワーク軸方向に沿っ
て固着されることが多く、この場合には、上記面取り工
程に移る前に、切り出されたウェハに付着したスライス
ベースを予めウェハから剥離させておく必要がある。ま
た、この面取り加工には緻密な精度が要求されるため、
ウェハの基準面を正確に位置決めするためにこのウェハ
表面に付着した微細な異物を除去する洗浄作業も行う必
要がある。
However, when the cutting of the work is completed, the cutting resistance acting on the cutting blade is suddenly released, and the final cut portion of the work is easily chipped. In order to prevent this, a slice base made of carbon or the like is provided on the work in order to prevent this. In many cases, the slice base adhered to the cut wafer needs to be peeled off from the wafer before moving to the chamfering step. Also, since this chamfering process requires precise precision,
In order to accurately position the reference surface of the wafer, it is necessary to perform a cleaning operation for removing fine foreign matter attached to the surface of the wafer.

【0004】そこで従来は、上記スライスベースととも
に切り出されたウェハをカセット等の専用収納容器に複
数枚収容し、このカセットごと水槽内に浸漬し、これに
超音波振動を与えることにより上記ウェハの表面に付着
した異物を取り除いた後、この水槽からウェハを引上
げ、このウェハからスライスベースを剥離するといった
作業が行われている。
Therefore, conventionally, a plurality of wafers cut out together with the slice base are stored in a dedicated storage container such as a cassette, and the cassette is immersed in a water tank and subjected to ultrasonic vibration to give a surface of the wafer. After removing foreign matter adhering to the wafer, an operation of pulling up the wafer from the water tank and separating the slice base from the wafer is performed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来方法
では、ウェハの剥離工程及び洗浄工程が全く独立して行
われるので、その分工程時間が長く、また、剥離装置及
び洗浄装置を別個に設けるために処理装置全体の所要ス
ペースも大きなものとなる。
In the conventional method as described above, the wafer peeling step and the cleaning step are performed completely independently, so that the process time is long by that much, and the peeling apparatus and the cleaning apparatus are separately provided. The space required for the entire processing apparatus to be provided also becomes large.

【0006】さらに、上記方法では、ウェハの剥離・洗
浄を行う前にスライシング装置で切り出されたウェハを
1枚ずつ手作業でカセット内に入れる必要があり、か
つ、剥離・洗浄を終了した後も、各ウェハを手作業で面
取り装置まで運び込まなければならないので人的負担が
大きく、その自動化が大きな課題とされている。
Further, in the above-mentioned method, it is necessary to manually insert wafers cut by a slicing device one by one into a cassette before peeling and cleaning the wafers, and even after peeling and cleaning are completed. Since each wafer must be manually transferred to the chamfering apparatus, the burden on humans is large, and automation of the work is a major issue.

【0007】本発明は、このような事情に鑑み、ウェハ
の剥離・洗浄に要する時間及び装置の設置スペースを削
減することができる方法及び装置を提供し、さらには、
ウェハの処理搬送を自動的に行うことにより省力化、省
人化を果たすことができる装置を提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a method and apparatus capable of reducing the time required for peeling and cleaning a wafer and the installation space for the apparatus.
It is an object of the present invention to provide an apparatus capable of saving labor and manpower by automatically processing and transferring a wafer.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、スライシング
装置で切り出されたウェハからこのウェハの周縁部に接
着されたスライスベースを剥離し、かつこのウェハを洗
浄するための方法であって、上記ウェハを熱水内に入
れ、この熱水内で、当該熱水内に設けたスライスベース
剥離手段により上記ウェハからスライスベースを剥離す
る剥離工程と、この熱水に超音波振動を与えることによ
り上記ウェハの洗浄を行う洗浄工程とを行うものである
(請求項1)。
According to the present invention, there is provided a method for peeling a slice base adhered to a peripheral portion of a wafer from a wafer cut by a slicing apparatus, and for cleaning the wafer. The wafer is placed in hot water, and the slice base provided in the hot water is placed in the hot water.
A peeling step of peeling the slice base from the wafer by the peeling means, and a cleaning step of cleaning the wafer by applying ultrasonic vibration to the hot water (claim 1).

【0009】また本発明は、上記方法を実施するための
装置として、熱水を収容する熱水槽と、上記ウェハを略
水平状態で保持するウェハ保持手段と、このウェハ保持
手段を上記熱水槽内の水中位置及び上記熱水槽よりも上
方の水上位置との間で昇降させる昇降手段と、上記ウェ
ハ及びウェハ保持手段が水中位置にある状態でウェハか
らスライスベースを剥離するスライスベース剥離手段
と、上記熱水槽に超音波振動を与える振動発生手段とを
備えたものである(請求項2)。
The present invention also provides a hot water tank containing hot water, a wafer holding means for holding the wafer in a substantially horizontal state, and an apparatus for carrying out the above method. Elevating means for raising and lowering between an underwater position in the water and a water position above the hot water tank, and a slice base separating means for separating the slice base from the wafer while the wafer and the wafer holding means are in the underwater position, A vibration generating means for applying ultrasonic vibration to the hot water tank is provided (claim 2).

【0010】ここで、上記スライスベース剥離手段とし
ては、上記熱水槽内に設けられ、上記ウェハ及びウェハ
保持手段が水中位置まで下降した状態でウェハとスライ
スベースとの境界部分近傍に下方から当接する境界部分
支持部材と、この境界部分支持部材が上記境界部分近傍
に当接した状態で上記スライスベースを上方から押圧す
る押圧手段とを備えたものが好適である(請求項3)。
[0010] The slice base separating means is provided in the hot water tank, and contacts the vicinity of the boundary between the wafer and the slice base from below with the wafer and the wafer holding means lowered to the underwater position. It is preferable that the apparatus further comprises a boundary portion support member that contacts, and pressing means that presses the slice base from above while the boundary portion support member is in contact with the vicinity of the boundary portion (claim 3).

【0011】また本発明は、上記スライスベース剥離・
洗浄装置と、スライシング装置で切り出されたウェハを
受け取り、上記スライスベース剥離・洗浄装置において
水上位置に位置するウェハ保持手段内に搬入するウェハ
搬入手段と、上記スライスベース剥離・洗浄装置におい
て水上位置に位置するウェハ保持手段からウェハを搬出
し、このウェハをウェハ収納容器内に入れるウェハ収納
搬送手段とを備えたものである(請求項4)。
The present invention also relates to the above-mentioned slice-based peeling method.
A cleaning device, a wafer carrying means for receiving the wafer cut by the slicing device, and carrying the wafer into the wafer holding means located at the water position in the slice base peeling / cleaning device; There is provided a wafer storage / transportation unit that unloads the wafer from the located wafer holding unit and puts the wafer into the wafer storage container.

【0012】さらに、このようなウェハの処理搬送装置
において、上記ウェハ収納搬送手段により搬送されるウ
ェハに乾燥エアを吹き付けるウェハ乾燥手段を備えるこ
とにより、後述のようなより優れた効果が得られる(請
求項5)。
Further, in such a wafer processing / transporting apparatus, by providing a wafer drying means for blowing dry air to the wafer transported by the wafer storing / transporting means, more excellent effects as described later can be obtained ( Claim 5).

【0013】[0013]

【作用】請求項1記載の方法によれば、スライスベース
付のウェハを熱水槽内に入れることにより、接着剤を軟
化させてスライスベースを剥離するスライスベース剥離
工程と、上記熱水槽に超音波振動を与えてウェハ表面を
洗浄するウェハ洗浄工程とを単一の熱水槽内で行うこと
ができる。
According to the method of the first aspect, a slice base peeling step of placing a wafer with a slice base in a hot water tank to soften the adhesive and peel the slice base, The wafer cleaning step of cleaning the wafer surface by applying sonic vibration can be performed in a single hot water tank.

【0014】具体的に、請求項2記載の装置によれば、
ウェハ保持手段でウェハを水平に保持した状態でこのウ
ェハ保持手段を熱水槽内の水中位置まで下降させ、この
状態でスライスベース剥離手段によりウェハからスライ
スベースを剥離することができるとともに、上記熱水槽
に振動発生手段で超音波振動を与えることにより、ウェ
ハ表面を洗浄することができ、その後ウェハ保持手段を
水上位置まで上昇させることにより、熱水中からウェハ
を取り出すことができる。
Specifically, according to the apparatus of claim 2,
While holding the wafer horizontally by the wafer holding means, the wafer holding means is lowered to the underwater position in the hot water tank, and in this state, the slice base can be peeled off from the wafer by the slice base peeling means. The surface of the wafer can be cleaned by applying ultrasonic vibration to the water tank by the vibration generating means, and thereafter, the wafer can be taken out of the hot water by raising the wafer holding means to the water position.

【0015】より具体的に、請求項3記載の装置によれ
ば、ウェハ及びウェハ保持手段が水中位置まで下降した
状態でウェハとスライスベースとの境界部分近傍に境界
部分支持部材が下方から当接するので、この状態で押圧
手段によりスライスベースを上方から押圧することによ
り、上記境界部材支持部材を支点としてスライスベース
をウェハから折り取ることができる。
More specifically, in the apparatus according to the third aspect, the boundary support member comes in contact with the vicinity of the boundary between the wafer and the slice base from below with the wafer and the wafer holding means lowered to the underwater position. Therefore, by pressing the slice base from above by the pressing means in this state, the slice base can be broken off from the wafer with the boundary member supporting member as a fulcrum.

【0016】また、請求項4記載の装置によれば、ウェ
ハ搬入手段により、スライシング装置で切り出されたウ
ェハを自動的に上記スライスベース剥離・洗浄装置にお
いて水上位置に位置するウェハ保持手段内に搬入するこ
とができる。そして、この装置でスライスベースの剥離
及びウェハの洗浄を行った後、上記ウェハ保持手段を水
上位置に戻した状態で、ウェハ収納搬送手段により、上
記ウェハ保持手段からウェハを搬出してウェハ収納容器
内に収納することができる。このように収納したウェハ
はウェハ収納容器ごと面取り装置等へ運び込むことがで
きる。
Further, according to the apparatus of the present invention, the wafer cut out by the slicing device is automatically loaded into the wafer holding device located at the water position in the slice base peeling / cleaning device by the wafer loading device. can do. Then, after the slice base is peeled off and the wafer is cleaned by this apparatus, the wafer is transferred from the wafer holding means to the wafer storage container by the wafer storage and transfer means in a state where the wafer holding means is returned to the water position. Can be stored inside. The wafer stored in this way can be carried into a chamfering device or the like together with the wafer storage container.

【0017】さらに、請求項5記載の装置によれば、熱
水槽から搬出されて濡れているウェハに対し、その収納
搬送中においてウェハ乾燥手段により乾燥エアを吹き付
けることにより、ウェハを乾燥させた状態で上記ウェハ
収納容器内に収納することができる。
Further, according to the apparatus of the fifth aspect, the wafer is dried by blowing dry air on the wet wafer carried out of the hot water tank by the wafer drying means during the storage and transfer of the wafer. Thus, the wafer can be stored in the wafer storage container.

【0018】[0018]

【実施例】本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0019】図5,6において、10はスライシング装
置であり、このスライシング装置10近傍にウェハ処理
搬送装置が設けられている。このウェハ処理搬送装置
は、ウェハ搬送装置(ウェハ搬入手段を構成)12及び
ウェハ処理装置14を備えている。
In FIGS. 5 and 6, reference numeral 10 denotes a slicing device, and a wafer processing transfer device is provided near the slicing device 10. The wafer processing and transporting device includes a wafer transporting device (constituting a wafer loading unit) 12 and a wafer processing device 14.

【0020】上記スライシング装置10は、中央に円形
の貫通穴をもつドーナツ状の薄板からなるブレード16
を備えている。このブレード16は、図略のテンション
ディスクの周縁部に装着され、このテンションディスク
とともに図5の矢印A0方向に高速で回転駆動されるよ
うになっており、このブレード16の内周縁部にはダイ
ヤモンド粒子等からなる内周刃17が固着されている。
The slicing device 10 includes a blade 16 made of a donut-shaped thin plate having a circular through hole in the center.
It has. The blade 16 is mounted on the periphery of a tension disc (not shown), and is rotated at high speed in the direction of arrow A0 in FIG. 5 together with the tension disc. An inner peripheral blade 17 made of particles or the like is fixed.

【0021】また、このスライシング装置10は、上記
ブレード10の面に対して直交する方向に延びるスライ
ドテーブル18を備えている。このスライドテーブル1
8上には、ワーク保持部材20がスライド可能に支持さ
れ(図6矢印A1)、このワーク保持部材20によって
シリコン製半導体インゴット等からなるワーク22が保
持されている。そして、このワーク22がワーク保持部
材20で保持されたまま上記ブレード16の中央貫通穴
を僅かに突き抜ける位置まで送り出され、この状態で上
記ブレード16を高速回転させながら上記スライドテー
ブル18及びワーク保持部材20全体を上記ブレード1
6に対してその半径方向(図5の左右方向)に移動させ
ることにより、上記ワーク22から内周刃17によって
ウェハWを切り出せるようになっている。
The slicing apparatus 10 includes a slide table 18 extending in a direction perpendicular to the plane of the blade 10. This slide table 1
A work holding member 20 is slidably supported on 8 (arrow A1 in FIG. 6), and a work 22 made of a silicon semiconductor ingot or the like is held by the work holding member 20. Then, while the work 22 is held by the work holding member 20, the work 22 is sent out to a position where it slightly penetrates the center through hole of the blade 16. In this state, the slide table 18 and the work holding member are rotated while rotating the blade 16 at high speed. 20 as the blade 1
The wafer W can be cut out from the workpiece 22 by the inner peripheral blade 17 by moving the workpiece W in the radial direction (the left-right direction in FIG. 5).

【0022】ここで、ワーク22の切断送り方向下流側
の外周部分、すなわち、ワーク22において内周刃17
で最終的に切断される部分には、カーボン等からなるス
ライスベースSBが接着剤で接着されており、このスラ
イスベースSBの固着により、ワーク22の切断終了時
にブレード16に作用する切断抵抗が急に開放されて上
記ワーク22の最終切断部分が欠けることが防がれてい
る。従って、上記ウェハWの切り出しの際、このウェハ
Wの周縁部の特定個所にはスライスされたスライスベー
スSBが付着した状態となる。
Here, the outer peripheral portion of the work 22 on the downstream side in the cutting and feeding direction, that is, the inner peripheral blade 17
The slice base SB made of carbon or the like is adhered to the portion to be finally cut by an adhesive, and the cutting resistance acting on the blade 16 at the end of the cutting of the work 22 is suddenly caused by the fixation of the slice base SB. To prevent the last cut portion of the work 22 from being chipped. Therefore, when the wafer W is cut out, the slice base SB sliced adheres to a specific portion of the peripheral portion of the wafer W.

【0023】上記スライドテーブル18の側方には、こ
れと並行してウェハ回収装置24が設けられている。こ
のウェハ回収装置24は、上記スライドテーブル18と
ともに上記切断送り方向(すなわち図5の左右方向)に
移送される基台26を備え、この基台26上に前後一対
(図6では左右一対)の支持板28が立設されており、
両支持板28にわたって、上下一対の案内ロッド30が
設けられている。そして、これらのロッド30に貫通さ
れる状態でスライド部材32が配置されている。このス
ライド部材32には、後側の支持板28に固定されたス
ライド駆動用シリンダ34のロッド35の先端が固定さ
れており、このスライド駆動用シリンダ34の伸縮によ
り上記スライド部材32が案内ロッド30に沿ってスラ
イド駆動されるようになっている。
On the side of the slide table 18, a wafer collecting device 24 is provided in parallel therewith. The wafer collecting device 24 includes a base 26 which is transferred together with the slide table 18 in the cutting and feeding direction (that is, the left and right direction in FIG. 5). A support plate 28 is erected,
A pair of upper and lower guide rods 30 are provided over both support plates 28. And the slide member 32 is arrange | positioned in the state penetrated by these rods 30. FIG. The tip of a rod 35 of a slide drive cylinder 34 fixed to the rear support plate 28 is fixed to the slide member 32. The extension and contraction of the slide drive cylinder 34 causes the slide member 32 to move to the guide rod 30. Is slid along.

【0024】このスライド部材32の側面には、ブレー
ド16の半径方向に伸長するウェハ回収シリンダ36が
設けられ、そのロッド先端にウェハ回収アーム37が連
結されている。このウェハ回収アーム37は、上記ウェ
ハ回収シリンダ36から上記ブレード16の中央貫通穴
を通ってこのブレード16の裏側(図6では左側)に回
り込む形状を有しており、このウェハ回収アーム37の
先端部にウェハ回収パッド38が固定されている。
A wafer recovery cylinder 36 extending in the radial direction of the blade 16 is provided on a side surface of the slide member 32, and a wafer recovery arm 37 is connected to a tip of the rod. The wafer collection arm 37 has a shape that goes from the wafer collection cylinder 36 to the back side (the left side in FIG. 6) of the blade 16 through the central through hole of the blade 16. The wafer collection pad 38 is fixed to the portion.

【0025】このウェハ回収パッド38は、図5に示す
ようなコ字状の正面視形状を有し、このウェハ回収パッ
ド38においてウェハWに対向する側の面には複数のエ
ア吸引穴39が設けられている。そして、これらのエア
吸引穴39からエアが吸引されることによって、ウェハ
回収パッド38にウェハWが吸着されるようになってい
る。
The wafer collection pad 38 has a U-shaped front view as shown in FIG. 5, and a plurality of air suction holes 39 are formed on the surface of the wafer collection pad 38 facing the wafer W. Is provided. When the air is sucked from the air suction holes 39, the wafer W is sucked to the wafer recovery pad 38.

【0026】なお、このウェハ回収装置24によるウェ
ハ回収要領は後に詳述する。
The procedure for collecting a wafer by the wafer collecting apparatus 24 will be described later in detail.

【0027】上記ウェハ搬送装置12は、基台40上に
立設されたコラム41を備え、このコラム41の上端に
水平方向、詳しくは上記ブレード16と平行な方向に延
びるビーム42が設けられている。このビーム42の両
端には、上記ブレード16に向かって突出する支持ブラ
ケット44が固定され、両支持ブラケット44に、ロッ
ドレスシリンダ46及び案内ロッド48の両端部が固定
されている。そして、上記ロッドレスシリンダ46の作
動により、ウェハ搬送部材50全体が上記案内ロッド4
8に沿って図5矢印A3方向に駆動されるようになって
いる。
The wafer transfer device 12 includes a column 41 erected on a base 40, and a beam 42 extending in a horizontal direction, specifically, a direction parallel to the blade 16 is provided at an upper end of the column 41. I have. A support bracket 44 projecting toward the blade 16 is fixed to both ends of the beam 42, and both ends of a rodless cylinder 46 and a guide rod 48 are fixed to both support brackets 44. The operation of the rodless cylinder 46 causes the entire wafer transfer member 50 to move into the guide rod 4.
5 is driven in the direction of the arrow A3 in FIG.

【0028】このウェハ搬送部材50は、上記ロッドレ
スシリンダ46及び案内ロッド48に貫通された状態で
ロッドレスシリンダ46により駆動される移動ブロック
51を備えている。この移動ブロック51には、上下方
向に延びる支持板52の上端部が固定され、この支持板
52の下半部に、上下方向に作動するロッドレスシリン
ダ53が固定されている。このロッドレスシリンダ53
には、上下方向に延びる昇降板54が連結され、この昇
降板54が上記ロッドレスシリンダ53によって昇降駆
動(図5矢印A4参照)されるようになっており、この
昇降板54の下端部にワーク保持装置56が設けられて
いる。
The wafer transfer member 50 includes a moving block 51 driven by the rodless cylinder 46 while being pierced by the rodless cylinder 46 and the guide rod 48. An upper end of a vertically extending support plate 52 is fixed to the moving block 51, and a vertically movable rodless cylinder 53 is fixed to a lower half of the support plate 52. This rodless cylinder 53
A lifting plate 54 extending in the up-down direction is connected to the rodless cylinder 53. The lifting plate 54 is driven up and down by the rodless cylinder 53 (see arrow A4 in FIG. 5). A work holding device 56 is provided.

【0029】このワーク保持装置56の構造を図7,8
に示す。図において、昇降板54の下端部にはブラケッ
ト57を介して旋回シリンダ58が水平状態で取付けら
れ、この旋回シリンダ58の旋回ロッド59にウェハ吸
着装置60が固定されている。このウェハ吸着装置60
は、吸着パッド62を備え、この吸着パッド62の中央
からエアを吸引することにより、同吸着パッド62がウ
ェハWを吸着するように構成されている。そして、上記
旋回ロッド59の旋回により、このウェハ吸着装置60
の吸着パッド62がブレード16側を向く状態(図5〜
図8の実線に示す状態)と、吸着パッド62が下側を向
く状態(図7,8二点鎖線に示す状態)とに方向切換さ
れるようになっている。
The structure of the work holding device 56 is shown in FIGS.
Shown in In the drawing, a turning cylinder 58 is mounted in a horizontal state at a lower end portion of an elevating plate 54 via a bracket 57, and a wafer suction device 60 is fixed to a turning rod 59 of the turning cylinder 58. This wafer suction device 60
Is provided with a suction pad 62, and the suction pad 62 sucks the wafer W by sucking air from the center of the suction pad 62. Then, by turning the turning rod 59, the wafer suction device 60
State in which the suction pad 62 of FIG.
The direction is switched between a state shown by a solid line in FIG. 8) and a state where the suction pad 62 faces downward (a state shown by a two-dot chain line in FIGS. 7 and 8).

【0030】なお、このウェハ搬送装置12によるウェ
ハWの搬送手順は後に詳述する。
The procedure for transferring the wafer W by the wafer transfer device 12 will be described later in detail.

【0031】次に、ウェハ処理装置14を図1〜図4に
基づいて説明する。
Next, the wafer processing apparatus 14 will be described with reference to FIGS.

【0032】このウェハ処理装置14は、ウェハの搬送
方向上流側(図1,2では右側)から順に、ウェハ搬入
部(ウェハ搬入手段を構成)66、剥離・洗浄部(スラ
イスベース剥離・洗浄装置)67、及びウェハ収納搬送
部68を備え、各部66〜68は同一基板70上に設置
されている。
The wafer processing apparatus 14 includes, in order from the upstream side in the wafer transfer direction (the right side in FIGS. 1 and 2), a wafer carry-in section (constituting a wafer carry-in means) 66, a peeling / cleaning section (slice base peeling / cleaning apparatus). ) 67, and a wafer storage / transport section 68, and the sections 66 to 68 are installed on the same substrate 70.

【0033】ウェハ搬入部66は、上記基板70上に立
設された左右一対のガイド板72を備えている。両ガイ
ド板72は、上記ウェハWの直径よりも小さい離間間隔
をおいて互いに平行な状態で設置されており、各ガイド
板72の上端には、例えば合成樹脂等、上記ウェハWを
傷付けることのない程度の柔らかさをもつ材料からなる
ガイド部71が固定されている。
The wafer loading section 66 includes a pair of left and right guide plates 72 erected on the substrate 70. The two guide plates 72 are installed in parallel with each other at a distance smaller than the diameter of the wafer W, and the upper end of each guide plate 72 may be made of a synthetic resin or the like to damage the wafer W. A guide portion 71 made of a material having a degree of softness is fixed.

【0034】なお、図2では便宜上手前側(図1では下
側)のガイド板72を取り外した状態を描いている。
FIG. 2 shows a state in which the guide plate 72 on the near side (the lower side in FIG. 1) is removed for convenience.

【0035】両ガイド板72の間には、これらと平行な
状態でロッドレスシリンダ76が配置され、このロッド
レスシリンダ76の両側方に案内ロッド78が配置され
ている。これらロッドレスシリンダ76及び案内ロッド
78の前後両端部(図1,2では左右両端部)は、上記
基板70上に立設された支持板74に固定されている。
A rodless cylinder 76 is arranged between the two guide plates 72 in parallel with them, and guide rods 78 are arranged on both sides of the rodless cylinder 76. Both front and rear ends (left and right ends in FIGS. 1 and 2) of the rodless cylinder 76 and the guide rod 78 are fixed to a support plate 74 erected on the substrate 70.

【0036】上記ロッドレスシリンダ76及び案内ロッ
ド78には、これらに貫通される状態で図3にも示すよ
うな進退ブロック84が装着されており、この進退ブロ
ック84は上記ロッドレスシリンダ76の作動で上記案
内ロッド78に沿ってスライド駆動される。この進退ブ
ロック84の上面には、連結板80を介して押出し部材
82が連結され、この押出し部材80が上記進退ブロッ
ク84と一体に前方向(図1の矢印A5方向)にスライ
ドすることにより、上記ガイド部71上に載置されたウ
ェハWがこのガイド部71に沿って剥離・洗浄部67に
導入されるようになっている。
The rodless cylinder 76 and the guide rod 78 are provided with an advance / retreat block 84 as shown in FIG. 3 so as to penetrate the rodless cylinder 76 and the guide rod 78, and the advance / retreat block 84 operates the rodless cylinder 76. Is slid along the guide rod 78. An extruding member 82 is connected to the upper surface of the reciprocating block 84 via a connecting plate 80. The extruding member 80 slides forward (in the direction of arrow A5 in FIG. 1) integrally with the reciprocating block 84, The wafer W placed on the guide section 71 is introduced into the peeling / cleaning section 67 along the guide section 71.

【0037】剥離・洗浄部67は、図4にも示すよう
に、上記基板70上に設置された熱水槽86を備え、こ
の熱水槽86内に熱水88が収容されている。この熱水
槽86の底部には、この熱水槽86に超音波振動を与え
るための超音波装置90が装着されており、上記熱水槽
86内には、熱水88を常時一定温度に保つように、一
回の処理動作毎に熱水が補給されるようになっている。
この熱水88の温度は、後に記すようなウェハWの洗浄
を良好に行うことができ、かつ、ウェハWにスライスベ
ースSBの接着に用いられている接着剤を軟化させるの
に十分な温度に設定されている。具体的に、上記接着剤
としてエポキシ樹脂等の熱軟化性樹脂が用いられている
場合には、熱水温度は30〜60℃が好適である。
As shown in FIG. 4, the peeling / cleaning section 67 includes a hot water tank 86 provided on the substrate 70, and hot water 88 is accommodated in the hot water tank 86. At the bottom of the hot water tank 86, an ultrasonic device 90 for applying ultrasonic vibration to the hot water tank 86 is mounted. In the hot water tank 86, the hot water 88 is always kept at a constant temperature. The hot water is supplied each time the processing operation is performed.
The temperature of the hot water 88 is set to a temperature sufficient to clean the wafer W as described later and to soften the adhesive used for bonding the slice base SB to the wafer W. Is set. Specifically, when a heat-softening resin such as an epoxy resin is used as the adhesive, the temperature of the hot water is preferably 30 to 60 ° C.

【0038】この熱水槽86の近傍にはウェハ取扱装置
92が設けられている。具体的に、上記熱水槽86の片
側側方(図4では左方)には、この熱水槽86からウェ
ハ収納搬送部68の入口部分にまで至るロッドレスシリ
ンダ96が配置され、このロッドレスシリンダ96の上
下にこれと並行に案内ロッド98が配置されており、こ
れらロッドレスシリンダ96及び案内ロッド98の前後
両端は前記基板70上に立設された支持板94に固定さ
れている。これらロッドレスシリンダ96及び案内ロッ
ド98には、これらに貫通される状態で移動ブロック1
00が装着されており、この移動ブロック100が上記
ロッドレスシリンダ96の作動で上記案内ロッド98に
沿ってスライド駆動されるようになっている。
A wafer handling device 92 is provided near the hot water tank 86. Specifically, a rodless cylinder 96 extending from the hot water tank 86 to the entrance of the wafer storage / transport section 68 is disposed on one side (left side in FIG. 4) of the hot water tank 86. Guide rods 98 are arranged above and below the tube 96 in parallel, and both front and rear ends of the rodless cylinder 96 and the guide rod 98 are fixed to a support plate 94 erected on the substrate 70. The rodless cylinder 96 and the guide rod 98 have the moving block 1
The movable block 100 is slid along the guide rod 98 by the operation of the rodless cylinder 96.

【0039】この移動ブロック100の上面には、基板
70の幅方向略全域にわたって延びるビーム102の片
側端部が固定されており、このビーム102の略中央部
には昇降駆動用シリンダ(昇降手段)104が下向きに
装着されている。そして、この昇降駆動用シリンダ10
4の伸縮ロッド105の下端部にウェハ保持部材(ウェ
ハ保持手段)106が固定されている。
One end of a beam 102 extending over substantially the entire area of the substrate 70 in the width direction is fixed to the upper surface of the moving block 100. A lifting drive cylinder (lifting means) is provided at a substantially central portion of the beam 102. 104 is mounted downward. The lifting drive cylinder 10
A wafer holding member (wafer holding means) 106 is fixed to the lower end of the telescopic rod 105.

【0040】このウェハ保持部材106は、水平な上部
材108及び下部材110と、両部材108,110を
垂直方向に連結する連結部材109とからなり、上部材
108と下部材110との離間寸法はウェハWの厚み寸
法よりも十分大きく設定されている。
The wafer holding member 106 includes a horizontal upper member 108 and a lower member 110, and a connecting member 109 for connecting the two members 108 and 110 in the vertical direction, and a distance between the upper member 108 and the lower member 110. Is set sufficiently larger than the thickness dimension of the wafer W.

【0041】上部材108は、装置幅方向に延びる1本
の縦部材108bと、この縦部材108bと直交する2
本の横部材108aとからなるH字状の平面視形状を有
している。同様に下部材110も縦部材110bと横部
材110aとからなる同等の形状を有しているが、図4
に示すように、各横部材110aの上面はウェハWを点
接触で支持するために円筒状に形成されている。連結部
材109は、図4に示すように側面視コ字状の形状をな
し、移動ブロック100に近い側の縦部材108a,1
10a同士を連結しており、より詳しくは、両縦部材1
08a,110aにおいて上記縦部材108bよりも後
側(図1では右側)よりの部分同士を連結している。
The upper member 108 has one vertical member 108b extending in the width direction of the apparatus and two vertical members 108b orthogonal to the vertical member 108b.
It has an H-shaped plan view shape including the horizontal member 108a. Similarly, the lower member 110 has the same shape as the vertical member 110b and the horizontal member 110a.
As shown in FIG. 7, the upper surface of each horizontal member 110a is formed in a cylindrical shape to support the wafer W by point contact. As shown in FIG. 4, the connecting member 109 has a U-shape in a side view, and the vertical members 108 a and 1 near the moving block 100.
10a are connected to each other.
08a and 110a are connected to each other from the rear side (the right side in FIG. 1) of the vertical member 108b.

【0042】このような構造において、上記昇降駆動用
シリンダ104が伸縮作動することにより、ウェハ保持
部材106全体が、図4に実線で示すように上記熱水槽
86の上方に位置して上記ガイド部71と同等の高さレ
ベルにある水上位置と、同図二点鎖線で示すような熱水
槽86内の水中位置との間で昇降駆動されるようになっ
ている。
In such a structure, when the elevating drive cylinder 104 expands and contracts, the entire wafer holding member 106 is positioned above the hot water tank 86 as shown by a solid line in FIG. It is driven up and down between a water position at a height level equivalent to 71 and a water position in a hot water tank 86 as shown by a two-dot chain line in FIG.

【0043】さらに、上記熱水槽86内において、ウェ
ハ保持部材106に保持されたウェハWとスライスベー
スSBとの境界部分近傍に対応する位置には、境界部材
支持板87が突設されており、上記ウェハ保持部材10
6が上記水中位置にある状態で上記境界部分近傍に境界
部材支持板87の上端が下方から当接するようになって
いる。
Further, in the hot water tank 86, at a position corresponding to the vicinity of the boundary between the wafer W held by the wafer holding member 106 and the slice base SB, a boundary member support plate 87 is protrudingly provided. The above wafer holding member 10
The upper end of the boundary member support plate 87 comes in contact with the vicinity of the boundary portion from below in a state where 6 is in the underwater position.

【0044】一方、上記ビーム102の先端部であっ
て、上記ウェハWのスライスベースの直上方となる部分
には、下向きにスライスベース剥離シリンダ(押圧手
段)112が固定されており、このスライスベース剥離
シリンダ112が最も伸長した状態でその伸縮ロッド1
14の下端部が上記スライスベースSBを上から押し下
げるように同シリンダ112のストロークが設定されて
いる。
On the other hand, a slice base peeling cylinder (pressing means) 112 is fixed downward at the tip of the beam 102 and directly above the slice base of the wafer W. When the exfoliation cylinder 112 is in the most extended state,
The stroke of the cylinder 112 is set such that the lower end of the cylinder 14 pushes down the slice base SB from above.

【0045】ウェハ収納搬送部68は、左右一対のベル
トコンベア116を備え、両ベルトコンベア116の後
端部同士が水平軸118を介して連結されており、上記
ウェハ保持部材106に保持されたウェハWは、ビーム
102とともに上記ベルトコンベア116の後端部まで
搬送されるようになっている。一方、基板70上におい
て上記水平軸118の中央部下方に対応する位置にはコ
ンベア昇降用シリンダ120が上向きに載置され、この
コンベア昇降用シリンダ120の伸縮ロッド121の上
端部が上記水平軸118の中央部に連結されており、こ
のコンベア昇降用シリンダ120の伸縮動作により、両
ベルトコンベア116の上面が水上位置における上記ウ
ェハ保持部材106内のウェハWよりも僅かに低くなる
ウェハ迎え位置と、両ベルトコンベア116の上面が上
記ウェハWよりも僅かに高くなるウェハ拾い位置とに切
換えられるようになっている。
The wafer storage and transport section 68 includes a pair of left and right belt conveyors 116, the rear ends of both belt conveyors 116 being connected to each other via a horizontal shaft 118, and the wafer held by the wafer holding member 106. The W is transported together with the beam 102 to the rear end of the belt conveyor 116. On the other hand, a conveyor elevating cylinder 120 is placed upward at a position corresponding to a lower portion of the center of the horizontal shaft 118 on the substrate 70, and the upper end of an extendable rod 121 of the conveyor elevating cylinder 120 is attached to the horizontal shaft 118. And a wafer pick-up position in which the upper surfaces of both belt conveyors 116 are slightly lower than the wafers W in the wafer holding member 106 at the above-water position due to the expansion / contraction operation of the conveyor lifting / lowering cylinder 120; The upper surface of both belt conveyors 116 can be switched to a wafer picking position where the upper surface is slightly higher than the wafer W.

【0046】上記基板70上において、上記コンベア昇
降用シリンダ120のすぐ前方の位置には、旋回伸縮シ
リンダ122が上向きに載置されている。この旋回伸縮
シリンダ122は、伸縮動作及び旋回動作の双方を行う
旋回伸縮ロッドを備え、この旋回伸縮ロッドの上端部
に、ウェハWを下から支持する形状のウェハ支持部材1
24が固定されている。そして、上記旋回伸縮ロッドの
作動により、ウェハ支持部材124の位置が、ベルトコ
ンベア116上面よりも低い待機位置と、ベルトコンベ
ア116上面よりも高いウェハリフト位置とに切換えら
れ、かつ、このウェハリフト位置にある状態で上記旋回
伸縮ロッドが旋回動作を行うことにより、上記ウェハ支
持部材124が90°の範囲で往復旋回駆動されるよう
になっている。
On the substrate 70, at a position immediately in front of the conveyor elevating cylinder 120, a turning telescopic cylinder 122 is placed upward. The turning telescopic cylinder 122 includes a turning telescopic rod that performs both a telescopic operation and a turning operation, and a wafer supporting member 1 having a shape for supporting a wafer W from below at the upper end of the turning telescopic cylinder.
24 is fixed. Then, by the operation of the swiveling telescoping rod, the position of the wafer support member 124 is switched between a standby position lower than the upper surface of the belt conveyor 116 and a wafer lift position higher than the upper surface of the belt conveyor 116, and is at this wafer lift position. When the turning telescopic rod performs a turning operation in this state, the wafer support member 124 is driven to reciprocate and turn within a range of 90 °.

【0047】両ベルトコンベア116の前端部が臨む位
置にはカセット(ウェハ収容容器)126が配置され、
このカセット126は、図外のエレベータ装置により昇
降駆動されるようになっている。このカセット126内
には、1枚のウェハWを収納する棚が上下にわたって多
数段設けられており、各棚には、カセット126の上昇
時にこのカセット126とベルトコンベア116との干
渉を避けるための切欠128が設けられている。
A cassette (wafer container) 126 is disposed at a position where the front ends of both belt conveyors 116 face each other.
The cassette 126 is driven up and down by an elevator device (not shown). In the cassette 126, a plurality of shelves for storing one wafer W are provided vertically, and each shelf is provided with a shelf for avoiding interference between the cassette 126 and the belt conveyor 116 when the cassette 126 is raised. A notch 128 is provided.

【0048】さらに、このカセット126の直上流側の
位置であって、両ベルトコンベア116を上下から挾む
位置には、装置幅方向に延びるエアブロー管131,1
32が配設されている。上側のエアブロー管131にお
いて斜め下側後側の位置、及び下側のエアブロー管13
2において斜め上側後側の位置にはエア噴射口が設けら
れ、ここから上記ベルトコンベア116上のウェハWに
向けて乾燥エアが吹き付けられるようになっている。
Further, air blow pipes 131, 1 extending in the width direction of the apparatus are located immediately upstream of the cassette 126 and at positions sandwiching both belt conveyors 116 from above and below.
32 are provided. In the upper air blow pipe 131, the position on the lower rear side of the lower side, and the lower air blow pipe 13
In FIG. 2, an air injection port is provided at a position on the obliquely upper rear side, from which dry air is blown toward the wafer W on the belt conveyor 116.

【0049】次に、以上記したスライシング装置及びウ
ェハ処理搬送装置の作用を説明する。
Next, the operation of the above-described slicing apparatus and wafer processing transfer apparatus will be described.

【0050】まず、スライシング装置10においては、
保持部材20で保持された円柱状のワーク22がスライ
ドテーブル18に沿って前方(図6では左方)に割り出
され、このワーク22の前端部がブレード16の中央貫
通穴を僅かに貫く位置にワーク22が位置決めされる。
そして、ブレード16が回転した状態でこのブレード1
6に対してスライドテーブル18が図5左方向に移動す
る(すなわち切断送りされる)ことにより、ワーク22
前端部からウェハWを切り出すスライシング動作が開始
される。
First, in the slicing device 10,
A columnar work 22 held by the holding member 20 is indexed forward (to the left in FIG. 6) along the slide table 18, and the front end of the work 22 slightly penetrates the central through hole of the blade 16. The work 22 is positioned at the position.
Then, with the blade 16 rotated, the blade 1
When the slide table 18 moves to the left in FIG.
A slicing operation for cutting the wafer W from the front end is started.

【0051】そして、このスライシングが進行し、ブレ
ード16の内周刃17がワーク22に接着されたスライ
スベースSBに到達した時点で一旦切断送りが止めら
れ、この状態でウェハ回収パッド38が作動することに
より、このウェハ回収パッド38に、切り出されつつあ
るウェハWの表側面(図6では左側面)が吸着される。
When the slicing progresses and the inner peripheral blade 17 of the blade 16 reaches the slice base SB adhered to the work 22, the cutting and feeding is temporarily stopped, and the wafer collecting pad 38 operates in this state. As a result, the front side surface (left side surface in FIG. 6) of the wafer W being cut out is attracted to the wafer collection pad 38.

【0052】その後、切断送りが再開され、上記スライ
スベースSBも完全に切断された後は、ウェハ回収シリ
ンダ36が収縮動作することにより、ワーク22に対し
てウェハWのみがウェハ回収パッド38とともに上記切
断送りと逆の方向(図5では右方向)に搬送され、ブレ
ード16の中央貫通穴に合致する位置に位置決めされ
る。この状態でスライド駆動用シリンダ34が収縮動作
することにより、上記ウェハ回収パッド38に保持され
たウェハWがブレード16の中央貫通穴を通ってブレー
ド16よりも手前側(図6では右側)の位置まで搬送さ
れる。
After that, the cutting and feeding is resumed, and after the slice base SB is completely cut, the wafer collecting cylinder 36 contracts, so that only the wafer W with respect to the work 22 is moved together with the wafer collecting pad 38. It is conveyed in the direction opposite to the cutting feed (rightward in FIG. 5), and is positioned at a position corresponding to the central through hole of the blade 16. When the slide driving cylinder 34 contracts in this state, the wafer W held by the wafer recovery pad 38 passes through the central through hole of the blade 16 and is located on the front side (right side in FIG. 6) of the blade 16. Transported to

【0053】次に、ウェハ保持装置56のウェハ保持パ
ッド62がブレード16側に向いた状態で、ウェハ搬送
部材50が図5矢印A3方向に駆動され、かつ、昇降板
54が昇降駆動されることにより、上記ウェハ保持パッ
ド62が上記ウェハ回収パッド38に保持されたウェハ
Wと対向する位置に位置決めされ、この状態でウェハ保
持装置56を作動させてウェハ保持パッド62にウェハ
Wを吸着させるとともに、ウェハ回収パッド38による
吸着を解除することにより、ウェハWはウェハ回収パッ
ド38からウェハ保持パッド62に受け渡される。
Next, with the wafer holding pad 62 of the wafer holding device 56 facing the blade 16, the wafer transport member 50 is driven in the direction of arrow A3 in FIG. 5, and the elevating plate 54 is driven up and down. Thereby, the wafer holding pad 62 is positioned at a position facing the wafer W held by the wafer collection pad 38, and in this state, the wafer holding device 56 is operated to attract the wafer W to the wafer holding pad 62, By releasing the suction by the wafer collection pad 38, the wafer W is transferred from the wafer collection pad 38 to the wafer holding pad 62.

【0054】そして、ロッドレスシリンダ53の作動で
上記昇降板54及びウェハ保持装置56が一体に上昇し
(図5右側二点鎖線の位置)、ここからロッドレスシリ
ンダ46の作動でウェハ搬送部材50全体が図5左方向
に駆動されることにより、ウェハWはウェハ処理装置1
4の上方の位置まで搬送される(図5,7,8に実線で
示す位置)。この状態から、旋回シリンダ58が作動し
てウェハ保持パッド62が下向きの状態(図5,7,8
の二点鎖線の状態)に切換えられるとともに、ロッドレ
スシリンダ53が作動して昇降板54及びウェハ保持装
置56全体が下降する(図7,8矢印A4)ことによ
り、ウェハWがウェハ処理装置14におけるガイド部材
72のガイド部71上に載置される(図1の最右二点鎖
線位置及び図3の実線位置)。
Then, the operation of the rodless cylinder 53 raises the elevating plate 54 and the wafer holding device 56 integrally (at the position indicated by the two-dot chain line on the right side in FIG. 5). The whole is driven to the left in FIG.
4 (the position indicated by a solid line in FIGS. 5, 7, and 8). From this state, the swivel cylinder 58 operates and the wafer holding pad 62 faces downward (FIGS. 5, 7, and 8).
The state is changed to the two-dot chain line), and the rodless cylinder 53 is operated to lower the elevating plate 54 and the entire wafer holding device 56 (arrows A4 in FIGS. 7 and 8). Are placed on the guide portion 71 of the guide member 72 at the position (the rightmost two-dot chain line position in FIG. 1 and the solid line position in FIG. 3).

【0055】次に、ロッドレスシリンダ76が作動する
ことにより、移動ブロック84、連結板80、及び押出
し部材82全体が前方へスライド駆動される。この押出
し部材82によって、上記ウェハWはガイド部71に沿
ってウェハ剥離・洗浄部67に向けて押し出され、図4
に実線で示す水上位置で待機しているウェハ保持部材1
06内に搬入される。
Next, when the rodless cylinder 76 operates, the entire moving block 84, the connecting plate 80, and the pushing member 82 are slid forward. By the pushing member 82, the wafer W is pushed out along the guide part 71 toward the wafer peeling / cleaning part 67.
Wafer holding member 1 waiting at the above-water position indicated by a solid line
06.

【0056】このウェハ剥離・洗浄部67においては、
まず、昇降駆動用シリンダ104が伸長してウェハ保持
部材106が上記水上位置から図4二点鎖線の水中位置
まで下降することにより、ウェハWはウェハ保持部材1
06に保持されたまま熱水88内に浸漬され、かつ、こ
のウェハWとスライスベースSBとの境界部分近傍が熱
水槽86内の境界部分支持板87の上端に当接する。こ
の熱水88内への浸漬により、スライスベース接着用の
接着剤が軟化するため、この浸漬状態のままスライスベ
ース剥離シリンダ112を伸長させ、その伸縮ロッド1
14の下端部で上記スライスベースSBを押し下げるこ
とにより、上記境界部分支持板87を支点にしてウェハ
WからスライスベースSBを折り取ることができる。さ
らに、この状態のまま、あるいはこの状態からさらに熱
水槽86底部までウェハ保持部材106を下降させた状
態で超音波装置90を作動させ、熱水槽86及び熱水8
8に超音波振動を与えることにより、ウェハW表面の微
小異物を除去することができる。
In the wafer peeling / cleaning section 67,
First, the elevating drive cylinder 104 is extended and the wafer holding member 106 is lowered from the above water position to the underwater position indicated by the two-dot chain line in FIG.
The wafer W is immersed in the hot water 88 while being held at 06, and the vicinity of the boundary between the wafer W and the slice base SB contacts the upper end of the boundary portion support plate 87 in the hot water tank 86. Since the adhesive for bonding the slice base is softened by immersion in the hot water 88, the slice base peeling cylinder 112 is extended in this immersed state, and the elastic rod 1
By pushing down the slice base SB at the lower end of 14, the slice base SB can be cut off from the wafer W using the boundary portion support plate 87 as a fulcrum. Further, in this state or in a state where the wafer holding member 106 is further lowered to the bottom of the hot water tank 86 from this state, the ultrasonic device 90 is operated, and the hot water tank 86 and the hot water
By applying ultrasonic vibration to 8, the minute foreign matter on the surface of the wafer W can be removed.

【0057】このようなスライスベース剥離工程、及び
ウェハ洗浄工程が終了した後は、再び昇降駆動用シリン
ダ104を作動させてウェハW及びウェハ保持部材10
6を前記水上位置まで引き上げる。そして、ロッドレス
シリンダ96を作動させることにより、移動ブロック1
00、ビーム102、及びウェハ保持部材106ととも
にウェハWをウェハ収納搬送部68に向けて搬送する。
After the slice base peeling step and the wafer cleaning step are completed, the elevation drive cylinder 104 is operated again to activate the wafer W and the wafer holding member 10.
6 is raised to the above-mentioned water position. Then, by operating the rodless cylinder 96, the moving block 1 is moved.
The wafer W is transported together with the beam 102, the beam 102, and the wafer holding member 106 toward the wafer storage transport section 68.

【0058】一方、このウェハ収納搬送部68において
は、コンベア昇降用シリンダ120及び旋回伸縮シリン
ダ122をともに収縮させ、ベルトコンベア116の後
端部をウェハ迎え位置に、ウェハ支持部材124を待機
位置にそれぞれ位置させておく。そして、ウェハ保持部
材106に保持されたウェハWが両ベルトコンベア11
6の後端部上方の位置に到達した状態、すなわち、ウェ
ハWの中心部がウェハ支持部材124の直上方となる位
置まで搬送された状態で旋回伸縮シリンダ122が伸長
することにより、ウェハWはビーム102の横部材11
0aから持ち上げられてウェハ支持部材124上に載せ
られ、この状態から旋回伸縮シリンダ122が90°旋
回作動することにより、ウェハWの向きも90°変換さ
れる。すなわち、この旋回伸縮シリンダ122及びウェ
ハ支持部材124はカセット126へのウェハWの収納
向きを調整する。その後、上記旋回伸縮シリンダ122
を収縮させて、ウェハWをビーム102の横部材110
a上に載せる。なお、このような向き調整が不要の場合
には旋回伸縮シリンダ122及びウェハ支持部材124
は省略可能である。
On the other hand, in the wafer storage / transport section 68, the conveyer elevating cylinder 120 and the revolving / contracting cylinder 122 are both contracted, the rear end of the belt conveyor 116 is at the wafer pick-up position, and the wafer support member 124 is at the standby position. Keep each one in position. Then, the wafer W held by the wafer holding member 106 is moved to both belt conveyors 11.
6, the rotating telescopic cylinder 122 extends in a state where the wafer W has reached a position above the rear end, that is, in a state where the central portion of the wafer W has been transported to a position immediately above the wafer supporting member 124. Cross member 11 of beam 102
The wafer W is lifted from 0a and placed on the wafer support member 124, and the turning telescoping cylinder 122 is turned by 90 ° from this state, whereby the direction of the wafer W is also turned by 90 °. That is, the turning telescopic cylinder 122 and the wafer support member 124 adjust the direction in which the wafer W is stored in the cassette 126. Then, the turning telescopic cylinder 122
Is contracted, and the wafer W is moved to the horizontal member 110 of the beam 102.
Place on a. In the case where such an orientation adjustment is not necessary, the turning telescopic cylinder 122 and the wafer support member 124
Can be omitted.

【0059】次に、上記コンベア昇降用シリンダ120
を伸長させ、両ベルトコンベア116の後端部を上記ウ
ェハ迎え位置からウェハ拾い位置まで上昇させることに
より、両ベルトコンベア116の後端部でウェハWが掬
い上げられ、これによって、上記ウェハ保持部材106
からベルトコンベア116へのウェハWの受け渡しが完
了する。なお、上記旋回伸縮シリンダ122が伸長して
ウェハWがウェハ支持部材124上に載せられた時点で
ウェハ保持部材106を退避させるようにすれば、その
後旋回伸縮シリンダ122を収縮させるだけでウェハW
をベルトコンベア116上に渡すことが可能である。
Next, the conveyor elevating cylinder 120
And the rear ends of both belt conveyors 116 are raised from the wafer pick-up position to the wafer pick-up position, so that the wafers W are scooped up at the rear ends of both belt conveyors 116. 106
The transfer of the wafer W from the to the belt conveyor 116 is completed. If the revolving and retracting cylinder 122 is extended and the wafer holding member 106 is retracted when the wafer W is placed on the wafer support member 124, then the wafer W can be retracted only by contracting the revolving and retracting cylinder 122.
Can be passed on a belt conveyor 116.

【0060】このようにしてウェハWをベルトコンベア
116に渡した後、このベルトコンベア116を駆動し
てウェハWをカセット126に向けて搬送する。この搬
送中、上下のエアブロー管131,132から、ウェハ
Wの上下面に乾燥エアが吹き付けられることにより、そ
れまで濡れていたウェハWは乾燥した状態でカセット1
26内に収納されることとなる。
After the wafer W is transferred to the belt conveyor 116 in this way, the belt conveyor 116 is driven to transfer the wafer W to the cassette 126. During this transfer, dry air is blown onto the upper and lower surfaces of the wafer W from the upper and lower air blow pipes 131 and 132, so that the wet wafer W is dried in the cassette 1
26.

【0061】カセット126は、ウェハWが1枚搬入さ
れる度に図外のエレベータ装置の駆動によって棚1段分
だけ上昇し、このような動作を繰り返すことにより、カ
セット126内の各段には上から順に1枚ずつウェハW
が収納されていくことになる。満杯となったカセット1
26は、その中にウェハWを収容したまま面取り装置へ
搬送され、次の面取り工程が進められる。
Each time one wafer W is loaded, the cassette 126 is moved up by one shelf by the drive of an elevator (not shown). By repeating such an operation, each stage in the cassette 126 is stored in the cassette 126. Wafer W one by one in order from the top
Will be stored. Full cassette 1
The wafer 26 is conveyed to the chamfering apparatus with the wafer W accommodated therein, and the next chamfering step is advanced.

【0062】以上のように、この方法及び装置によれ
ば、ウェハ保持部材106でウェハWを保持した状態で
ウェハWを熱水88内に浸漬し、接着剤を軟化させてス
ライスベースSBをウェハWから剥離するスライスベー
ス剥離工程と、上記熱水88に超音波振動を与えてウェ
ハWを洗浄する洗浄工程とを同一の熱水槽88内で行う
ようにしているので、従来のように上記剥離工程及び洗
浄工程をそれぞれ別の装置で行う場合に比べ、ウェハW
の搬送時間等を大幅に削減することができ、また装置全
体の所要スペースも大幅に削減することができる。
As described above, according to this method and apparatus, the wafer W is immersed in the hot water 88 while the wafer W is held by the wafer holding member 106, the adhesive is softened, and the slice base SB is moved to the wafer. Since the slice base peeling step of peeling off from the W and the cleaning step of cleaning the wafer W by applying ultrasonic vibration to the hot water 88 are performed in the same hot water tank 88, the peeling as in the related art is performed. Process and cleaning process are performed by different apparatuses, respectively.
Transport time and the like can be greatly reduced, and the required space of the entire apparatus can be significantly reduced.

【0063】さらに、ここで示したウェハ処理搬送装置
は、スライシング装置10で切り出されたウェハWを1
枚ずつ自動的に剥離・洗浄部67へ送り込み、処理後は
自動的にカセット126内に送り込むようにしているの
で、スライシング装置10での切り出しからカセット1
26内への搬入までをほとんど人手を介することなく自
動的に進行することができ、大幅な省力化、省人化を進
めることができるとともに、この作業工程中にも、ウェ
ハWについて1枚単位で正確かつ自動的に品質管理を行
うことが可能である。また、この装置では、ウェハWが
カセット126内に搬入される前に乾燥エアを吹き付け
るようにしているので、ウェハWを熱水槽88に浸漬さ
せたにもかかわらず、その後、ウェハWを自動的に乾燥
状態でカセット126内に搬入することができる。
Further, the wafer processing / transporting apparatus shown here converts the wafer W cut by the slicing apparatus 10 into one wafer.
The sheet is automatically fed to the peeling / washing unit 67 one by one, and is automatically fed into the cassette 126 after the processing.
26 can be carried out automatically with almost no manual intervention, so that labor and labor can be greatly reduced. It is possible to perform quality control accurately and automatically. Further, in this apparatus, since the dry air is blown before the wafer W is carried into the cassette 126, the wafer W is automatically immersed in the hot water tank 88 even after the wafer W is immersed in the hot water tank 88. Can be carried into the cassette 126 in a dry state.

【0064】なお、本発明はこのような実施例に限定さ
れるものでなく、例として次のような態様をとることも
可能である。
The present invention is not limited to such an embodiment, but may take the following forms as examples.

【0065】(1) 上記実施例では、ウェハ保持部材10
6でウェハWを保持して熱水88中に浸漬した後、まず
スライスベースSBの剥離を行い、その後にウェハWの
洗浄を行う方法を示したが、本発明方法においてはスラ
イスベース剥離工程とウェハ洗浄工程の順序は問わず、
従って、上記ウェハWを熱水88に浸漬してからまず超
音波振動で洗浄を行い、その後にスライスベースSBを
剥離するようにしても良い。
(1) In the above embodiment, the wafer holding member 10
After holding and immersing the wafer W in the hot water 88 in step 6, the method of first peeling the slice base SB and then cleaning the wafer W has been described. Regardless of the order of the wafer cleaning process,
Therefore, the wafer W may be immersed in the hot water 88, cleaned first by ultrasonic vibration, and then the slice base SB may be peeled off.

【0066】(2) 上記実施例では、ワーク22を水平方
向に割り出して垂直方向にスライシングするスライシン
グ装置10を用い、このスライシング装置10で切り出
された垂直状態にあるウェハWを旋回シリンダ58の作
動で水平状態に直した後にウェハ処理装置14へ導入す
るようにしたものを示したが、ワーク22を上下方向に
割り出して横方向にスライシングするスライシング装置
を用いる場合には、切り出されたウェハWは既に水平状
態にあるために上記旋回シリンダ58等は不要であり、
よって上記ウェハWについてはそのままの状態で剥離・
洗浄工程へ進めるようにすれば良い。
(2) In the above embodiment, the slicing device 10 for slicing the work 22 in the horizontal direction and slicing in the vertical direction is used, and the wafer W in the vertical state cut by the slicing device 10 is operated by the rotation cylinder 58. Although it is shown that the workpiece 22 is introduced into the wafer processing apparatus 14 after being corrected to a horizontal state, in the case of using a slicing apparatus for slicing the work 22 in the vertical direction and slicing in the horizontal direction, the cut wafer W is Since the swivel cylinder 58 and the like are unnecessary because they are already in a horizontal state,
Therefore, the wafer W is peeled off as it is.
What is necessary is just to advance to a washing process.

【0067】[0067]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、次のよう
な効果を得ることができる。
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.

【0068】請求項1記載の方法では、ウェハを熱水槽
内に入れ、当該熱水内に設けたスライスベース剥離手段
により前記ウェハからスライスベースを剥離する剥離工
程と、この熱水槽に超音波振動を与えることによりウェ
ハの洗浄を行う洗浄工程と同一熱水槽内で行うようにし
ているので、両工程の間でウェハを搬送する必要がなく
なり、これによりウェハ処理時間の大幅な短縮を図るこ
とができるとともに、上記剥離工程及び洗浄工程を行う
装置を設置するための所要スペースも大幅に削減するこ
とができ、これらによって製品コストの削減に寄与する
ことができる効果がある。
In the method according to the first aspect, the wafer is placed in a hot water tank, and the slice base separating means provided in the hot water.
The peeling step of peeling the slice base from the wafer and the cleaning step of cleaning the wafer by applying ultrasonic vibration to the hot water tank are performed in the same hot water tank. This eliminates the need to transport the wafer, thereby greatly reducing the time required for processing the wafer, and significantly reducing the space required for installing an apparatus for performing the peeling step and the cleaning step. This has the effect of contributing to a reduction in product cost.

【0069】請求項2記載の装置によれば、ウェハ保持
手段でウェハを保持した状態で、人手を介することなく
熱水槽内でウェハからのスライスベース剥離及びウェハ
洗浄を行うことができる。
According to the second aspect of the present invention, while the wafer is held by the wafer holding means, the slice base can be peeled off from the wafer and the wafer can be cleaned in the hot water tank without manual intervention.

【0070】より具体的に、請求項3記載の装置によれ
ば、上記熱水槽内の境界部分支持部材と、スライスベー
スを上から押圧する押圧手段とを備えるだけの簡単な構
造で、スライスベースの剥離を容易に行うことができる
効果がある。
More specifically, according to the apparatus of the third aspect, the slice is formed by a simple structure having only the boundary portion support member in the hot water tank and the pressing means for pressing the slice base from above. There is an effect that the base can be easily peeled.

【0071】さらに、請求項4記載の装置によれば、ス
ライシング装置で切り出されたウェハを剥離・洗浄装置
に搬入し、さらに、剥離・洗浄処理後、所定のウェハ収
納容器に搬入するまでの一連の作業を自動的に行うこと
ができ、これによって大幅な省力化、省人化を果たすこ
とができるとともに、ウェハを1枚ずつ自動的にハンド
リングすることを可能にすることにより、上記作業中に
おいてウェハ1枚毎の品質管理を自動的にかつ確実に行
うことができる効果がある。
Further, according to the apparatus of the fourth aspect, the wafer cut by the slicing device is carried into the peeling / cleaning device, and further, after the peeling / cleaning process, is carried out until it is carried into the predetermined wafer storage container. Work can be performed automatically, thereby achieving significant labor and labor savings, and by enabling the automatic handling of wafers one by one, There is an effect that quality control for each wafer can be automatically and reliably performed.

【0072】特に、請求項5記載の装置によれば、ウェ
ハを熱水に浸漬したにもかかわらず、その後のウェハの
搬送中に乾燥エアを吹き付けることにより、自動的にウ
ェハを乾燥状態でウェハ収納容器に搬入することができ
る効果がある。
In particular, according to the apparatus of the fifth aspect, even though the wafer is immersed in hot water, the wafer is automatically dried in a dry state by blowing dry air during the subsequent transfer of the wafer. There is an effect that it can be carried into the storage container.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例におけるウェハ処理装置の全
体平面図である。
FIG. 1 is an overall plan view of a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】上記ウェハ処理装置の全体側面図である。FIG. 2 is an overall side view of the wafer processing apparatus.

【図3】図2のIII矢視図である。FIG. 3 is a view taken in the direction of the arrow III in FIG. 2;

【図4】図2のIV-IV線断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV of FIG. 2;

【図5】上記ウェハ処理装置を備えたウェハ処理搬送装
置の正面図である。
FIG. 5 is a front view of a wafer processing and transporting apparatus including the wafer processing apparatus.

【図6】上記ウェハ処理搬送装置の側面図である。FIG. 6 is a side view of the wafer processing and transporting apparatus.

【図7】上記ウェハ処理搬送装置におけるウェハ搬送装
置とウェハ処理装置との位置関係を示す正面図である。
FIG. 7 is a front view showing a positional relationship between the wafer transfer device and the wafer processing device in the wafer transfer device.

【図8】上記ウェハ搬送装置とウェハ処理装置との位置
関係を示す側面図である。
FIG. 8 is a side view showing a positional relationship between the wafer transfer device and the wafer processing device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 スライシング装置 12 ウェハ搬送装置(ウェハ搬入手段を構成) 14 ウェハ処理装置 22 ワーク 66 ウェハ搬入部(ウェハ搬入手段を構成) 67 剥離・洗浄部(スライスベース剥離・洗浄装置) 68 ウェハ収納搬送部 86 熱水槽 87 境界部分支持板 88 熱水 90 超音波装置(振動発生手段) 104 昇降駆動用シリンダ(昇降手段) 106 ウェハ保持部材(ウェハ保持手段) 112 スライスベース剥離シリンダ(押圧手段) 126 カセット(ウェハ収納容器) W ウェハ SB スライスベース Reference Signs List 10 Slicing device 12 Wafer transfer device (constituting wafer transfer means) 14 Wafer processing device 22 Work 66 Wafer transfer portion (constituting wafer transfer device) 67 Peeling / cleaning unit (slice base peeling / cleaning device) 68 Wafer storage transfer unit 86 Hot water tank 87 Boundary part support plate 88 Hot water 90 Ultrasonic device (vibration generating means) 104 Cylinder for driving up and down (elevating means) 106 Wafer holding member (wafer holding means) 112 Slice base peeling cylinder (pressing means) 126 Cassette (wafer) Storage container) W Wafer SB Slice base

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−219526(JP,A) 特開 平3−58807(JP,A) 特開 昭54−101661(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 622 H01L 21/304 642 B08B 3/10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-62-219526 (JP, A) JP-A-3-58807 (JP, A) JP-A-54-101661 (JP, A) (58) Investigation Field (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 622 H01L 21/304 642 B08B 3/10

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 スライシング装置で切り出されたウェハ
からこのウェハの周縁部に接着されたスライスベースを
剥離し、かつこのウェハを洗浄するための方法であっ
て、上記ウェハを熱水内に入れ、この熱水内で、当該熱
水内に設けたスライスベース剥離手段により上記ウェハ
からスライスベースを剥離する剥離工程と、この熱水に
超音波振動を与えることにより上記ウェハの洗浄を行う
洗浄工程とを行うことを特徴とするウェハのスライスベ
ース剥離・洗浄方法。
1. A method for peeling a slice base adhered to a peripheral portion of a wafer from a wafer cut by a slicing apparatus and cleaning the wafer, the wafer being placed in hot water, In this hot water, the heat
A wafer, comprising: a peeling step of peeling a slice base from the wafer by a slice base peeling means provided in water; and a cleaning step of cleaning the wafer by applying ultrasonic vibration to the hot water. Slice base peeling and cleaning method.
【請求項2】 スライシング装置で切り出されたウェハ
からこのウェハの周縁部に接着されたスライスベースを
剥離し、かつこのウェハを洗浄するための装置であっ
て、熱水を収容する熱水槽と、上記ウェハを略水平状態
で保持するウェハ保持手段と、このウェハ保持手段を上
記熱水槽内の水中位置及び上記熱水槽よりも上方の水上
位置との間で昇降させる昇降手段と、上記ウェハ及びウ
ェハ保持手段が水中位置にある状態でウェハからスライ
スベースを剥離するスライスベース剥離手段と、上記熱
水槽に超音波振動を与える振動発生手段とを備えたこと
を特徴とするウェハのスライスベース剥離・洗浄装置。
2. An apparatus for peeling a slice base adhered to a peripheral portion of a wafer from a wafer cut by a slicing apparatus and for cleaning the wafer, comprising: a hot water tank containing hot water; Wafer holding means for holding the wafer in a substantially horizontal state, elevating means for elevating the wafer holding means between an underwater position in the hot water tank and a water position above the hot water tank, A slice base separating unit for separating the slice base from the wafer while the wafer holding unit is at the underwater position; and a vibration generating unit for applying ultrasonic vibration to the hot water tank. Cleaning equipment.
【請求項3】 上記スライスベース剥離手段は、上記熱
水槽内に設けられ、上記ウェハ及びウェハ保持手段が水
中位置まで下降した状態でウェハとスライスベースとの
境界部分近傍に下方から当接する境界部分支持部材と、
この境界部分支持部材が上記境界部分近傍に当接した状
態で上記スライスベースを上方から押圧する押圧手段と
を備えていることを特徴とする請求項2記載のウェハの
スライスベース剥離・洗浄装置。
3. The slice base peeling means is provided in the hot water tank, and a boundary abutting from below on a vicinity of a boundary between the wafer and the slice base in a state where the wafer and the wafer holding means are lowered to an underwater position. A partial support member;
3. The apparatus according to claim 2, further comprising pressing means for pressing said slice base from above in a state where said boundary portion support member is in contact with said vicinity of said boundary portion.
【請求項4】 請求項2または3記載のウェハのスライ
スベース剥離・洗浄装置と、スライシング装置で切り出
されたウェハを受け取り、上記スライスベース剥離・洗
浄装置において水上位置に位置するウェハ保持手段内に
搬入するウェハ搬入手段と、上記スライスベース剥離・
洗浄装置において水上位置に位置するウェハ保持手段か
らウェハを搬出し、このウェハをウェハ収納容器内に入
れるウェハ収納搬送手段とを備えたことを特徴とするウ
ェハの処理搬送装置。
4. A wafer slice-based peeling / cleaning apparatus according to claim 2 or 3, and a wafer cut out by a slicing apparatus, and received in a wafer holding means located at a water position in the slice-base peeling / cleaning apparatus. Wafer carrying means for carrying in,
A wafer processing / transporting apparatus, comprising: a wafer storing / transporting means for unloading a wafer from a wafer holding means located at a water position in a cleaning apparatus and placing the wafer in a wafer receiving container.
【請求項5】 請求項4記載のウェハの処理搬送装置に
おいて、上記ウェハ収納搬送手段により搬送されるウェ
ハに乾燥エアを吹き付けるウェハ乾燥手段を備えたこと
を特徴とするウェハの処理搬送装置。
5. The wafer processing and transporting device according to claim 4, further comprising a wafer drying unit that blows dry air onto the wafer transported by the wafer storage and transporting unit.
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