JP2932392B2 - メモリカード - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、メモリカード関し、詳しくは、メモリカ
ードが内蔵している半導体メモリの記憶容量とは別にそ
れが外部装置に装着されて使用されたときにアクセスさ
れるアドレス空間を外部から設定でき、電池のバックア
ップ状態が確認できるようなメモリカードに関する。

［従来の技術］ メモリカード自体は、そのアドレス空間がメモリカー
ドに内蔵される半導体メモリの容量で決定され、それに
よるメモリカード固有の物理的なアドレス空間がある。
この固有の物理的なアドレス空間を変更するには、通
常、それが装着される外部装置側又はメモリカードの内
部にデコーダ等設けることが必要であり、特定の範囲の
アドレス情報をデコードすることで求めるアドレス空間
に対応するようにメモリカードが割当てられる。

［解決しようとする課題］ メモリカードが装着されるコネクタが複数設けられ、
複数枚のメモリカードを使用するような外部装置では、
装着されるコネクタの位置等により割当てられるアドレ
ス空間が物理的に決定されてしまい、メモリカードの使
用者は、複数のメモリカードを使用したそれぞれのメモ
リカードにていてそのそのメモリカードの使用の仕方を
覚えておく必要がある。したがって、第三者が使用する
場合などにはその使用の仕方が分からず、誤装着等の誤
操作をしてしまい、記憶されたデータが破壊される危険
性もある。

メモリカードの使用例としてメモリカード複数枚が上
位のコンピュータ（情報処理装置）とのインタフェース
となるインタフェースドライバを介してコンピュータ等
からアクセスされるシステムもあるが、メモリカード
は、記憶容量で決定されるその物理的なアドレス空間に
制限され、それ以外のアドレス空間で使用することがほ
とんど難しいので、そこで、前記のようなのメモリカー
ド記憶システムでは、例えば、複数枚のメモリカードが
挿入されている場合、そのアクセス方法は、それぞれの
メモリカード１枚ごとの単位でしかできず、しかも、ア
クセスできるメモリ空間で装着されたメモリカードの物
理的に容量により決まってしまう欠点がある。

さらに、メモリカードに使用される半導体メモリは、
アクセス速度との関係で、通常、揮発性メモリが使用さ
れるので、電池でのバックアップが必要になる。しか
し、バックアップ電池の寿命が外部からは分からないの
で、保持されているデータがいつまでも保証されるか、
不明である。特に、複数のメモリカードを所定のアドレ
ス空間に割当てて同時に使用する場合には、そのうち１
枚のカードの電池が寿命に近いものであると、そのアド
レス空間のすべてのメモリカードのデータが影響を受け
る。

この発明は、このような従来技術の問題点を解決する
ものであって、その物理的な容量とは別に外部装置から
アクセスされるアドレス空間が自由に設定でき、電池の
バックアップ状態が確認できるメモリカードを提供する
ことを目的とする。

［課題を解決するための手段］ このような目的を達成するためのこの発明のメモリカ
ードの特徴は、揮発性の半導体メモリとこの本導体メモ
リの記憶内容を保持するバックアップ電池とからなるメ
モリカードにおいて、外部装置に装着されたときに外部
からアクセス可能なアドレス空間についてのアクセス情
報を記憶した記憶領域を前記の半導体メモリとは別のメ
モリに有していて、外部装置によりアクセス情報が読出
されてアドレス空間においてアクセスされ、さらに外部
装置からアクセス可能な情報として情報領域にはバック
アップ電池の交換の年月日が記憶されているものであ
る。

［作用］ このように、メモリカードに設定されたアドレス空間
についてのアクセス情報を記憶する記憶領域をメモリカ
ード内に設け、アクセス情報をそこから読出して参照
し、メモリカードをそのアドレス空間に割当ててアクセ
スするようにしているので、外部からアクセス情報を書
込むことでメモリカードのアドレス空間を自由に設定で
きる。

また、アクセス情報によりアドレス空間が決定される
ので、使用者は、その使用に仕方等について考慮するこ
となく、メモリカードを装着できる。したがって、メモ
リカードが使用者にとって使い易くなり、かつ、装着誤
りや誤操作を防止することができる。

さらに、揮発性メモリとは別のメモリの記憶領域に前
記のようなアクセス情報が記憶され、この同じ記憶領域
にバックアップ電池の年月日が記憶されているので、必
要なときに、この年月日を読出すことで、メモリカード
に記憶されているデータが最低、いつまでも保証される
かが分かる。この場合、揮発性メモリとは別のメモリと
なっているので、アクセス情報やバックアップ電池の交
換の年月日のデータ内容は、他のデータと異なり、通常
のデータアクセスから除外されていることでデータが破
壊され難い。

これにより電池のバックアップ状態が確認でき、電池
交換日よりも長い期間バックアップする必要があれば、
電池を交換してからメモリカードを使用すればそこに記
憶されたデータの内容は保証される。

［実施例］ 以下、この発明の一実施例について図面を参照して詳
細に説明する。

第１図は、この発明のメモリカードを適用した一実施
例のブロック図であり、第２図は、そのアクセス情報等
を記憶する情報記憶テーブルの説明図、第３図は、この
発明のメモリカードを複数枚用いる一実施例のブロック
図である。

第１図において、メモリカード１は、揮発性メモリ
［例えば、SRAM）で構成される半導体メモリアレイ部
２、半導体メモリアレイ部２のデータを保持するための
バックアップ電池３、メモリカード１のアクセス情報を
含む使用方法の情報が記憶される情報記録テーブル40を
格納した半導体メモリアレイ部４、外部装置11とのイン
タフェースとなるI/Fドライブ回路部５、アドレスバス
６、データバス７、R/W信号線８、半導体メモリアレイ
部２をイネーブルにするCE1信号線９、情報記録テーブ
ル４をイネーブルにするCE2信号線10などを有する制御
バス等とによる構成されている。

前記のアドレスバス６とデータバス７、そして制御バ
スのうちの前記の制御線8,9,10とは、外部装置11にメモ
リカード１が装着されたときにそれぞれに対応する外部
装置11の信号線6a,7a,8a,9a,10aに接続され、外部装置1
1からこれら信号線を介してそれぞれの信号を受けてメ
モリカード１がアクセスされ、メモリカード１に対する
情報の読み書きが行われる。

ここで、外部装置11は、CE1信号線９にイネーブル信
号を出力することにより半導体メモリアレイ部２をアク
セスしてそこにデータを書込み、そこからデータを読出
すことができる。また、CE2信号線10にイネーブル信号
を出力することにより半導体メモリアレイ部４をアクセ
スすることができ、そこに格納されている情報記録テー
ブル40のデータを読出すことができ、そのデータを書換
えることができる。

第２図は、前記の情報記録テーブル40の内容の一例で
ある。情報記録テーブル40には最初の欄41にメモリカー
ド１の製造年月日、次の欄42にこのメモリカードのメモ
リアレイ部２がSRAMが、疑似SRAMか、DRAM,EEPROMかと
いうようなメモリ素子の種類、次の欄43にはメモリのデ
ータ記憶容量、その次の欄44には電池交換の年月日、次
の欄45にはこのメモリカードに記憶されるデータのフォ
ーマット（装着された外部装置11のBIOSに対応するデー
タフォーマット）情報が記憶され、そして欄46と欄47に
は、この発明のアクセス情報が記憶されている。アクセ
ス情報として欄46には使用状態フラグが記憶される。使
用状態フラグは、メモリカードが単独使用か組合わせ使
用かを示すフラグ情報である。欄47には単独使用のとき
には、装着されたときのコネクタに対応するメモリカー
ド番号が記憶され、単独使用できないときにはこのメモ
リカードが使用されるアドレス空間の情報、例えば、後
述する4Mバイトのアドレス空間を1Mバイトのメモリカー
ドで実現する場合には、０から1Mのバイトの手前までア
ドレス空間を示すコード情報と、1Mバイトから2Mバイト
の手前までアドレス空間を示すコード情報、2Mバイトか
ら3Mバイトの手前までアドレス空間を示すコード情報、
そして3Mバイトから4Mバイト手前までアドレス空間を示
すコード情報のうちいずれかのアドレス空間コードが記
憶される。なお、欄48は、その他の予備のデータを記憶
する記憶欄である。

外部装置11は、このような情報記録テーブル40から所
定のデータを読出すことにより、自動的にメモリカード
１を所定のフォーマットに従ってアクセスすることがで
きる。そこで、使用者がその使用を問題とすることな
く、誤って操作が発生しないで済む。例えば、情報記録
テーブル40内の欄45のフォーマット形式を読み出すこと
により、メモリカードがどのOSによってフォーマットさ
れたものなのか、又は、フォーマットされていないかを
判別することができる。さらに、アクセス情報のうち欄
46のフラグを読出すことにより、このメモリカードが単
体で使用できるものなのか、又は他のメモリカードと一
緒に使用しなければいけないものかが判別できる。

なお、フォーマットとしては、例えば、32バイトを１
データ単位とするようなレコード長、論理データの単位
又は論理アドレスと物理アドレスとの変換式、カード或
はデータの識別名称やファイルラベルが記憶されている
位置、プログラムとかデータ等の種別情報の位置、エリ
アを区分けする場合の区分け情報、読出し禁止領域など
を示すデータであってもよい。

第３図は、メモリカード１と同様な構成のｎ枚のメモ
リカード1a,1b,…,1nをインタフェースドライバ20に装
着して上位のホストコンピュータ12とデータ交換を行な
う場合のメモリカード記憶システム30を示すものであ
る。

ここで、インタフェースドライバ20と各メモリカード
1a,1b,…,1nとはそれぞれコネクタ13a,13b,…,13n、イ
ンタフェースバス14a,14b,…,14nを介してそれぞれ接続
され、データの授受を行う。

インタフェースドライバ20は、マイクロプロセッサ,R
OM,RAM等により構成されていて、全体の制御を行うドラ
イバ制御部21、ホストコンピュータ12とインタフェース
バス15によりデータの授受を行う通信部22、メモリカー
ドから読出した情報記憶テーブルのデータを記憶する情
報テーブルメモリ23、各メモリカード1a,1b,…,1nとの
データ転送の制御を行うデータ転送制御部24、各コネク
タに接続され、これらに対応して設けられたバスドライ
バ25a,25b,…,25n、そして、メモリカード装着検出回路
28等により構成されている。

ここで、データ転送制御部24とバスドライバ25a,25b,
…,25nとはバス27を介して接続され、その他の前記の各
回路は、内部バス26により相互に接続されている。な
お、情報記憶テーブルメモリ23には、コネクタ13a,13b,
…,13nに対応して第１図の情報記憶テーブル40を記憶す
るｎ個の記憶領域が設けられていて、装着されたメモリ
カードの情報記憶テーブル内容が装着されたメモリカー
ドのコネクタ接続位置に対応する記憶位置に保持され
る。また、メモリカード装着検出回路28は、各コネクタ
13a,13b,…,13nからの信号又はバス27からの信号を受け
てメモリカードがコネクタに装着されたことを検出す
る。

各メモリカード1a,1b…,1nは、それぞれホストコンピ
ュータ12との間でデータ転送するために、第１図のメモ
リカード１におけるI/Fドライブ回路部５の具体例とし
てバスドライバ5a,5b…,5nを有していて、これらがそれ
ぞれのインターフェースバス14a,14a,…,14nに接続され
ている。なお、その他の構成として、半導体メモリアレ
イ部2a,2b…,2nのそれぞれが第１図のメモリカード１に
おける半導体メモリアレイ部２に対応し、電池3a,3b,…
3nがそれぞれバックアップ電池３に対応し、半導体メモ
リアレイ部4a,4b…,4nがそれぞれ半導体メモリアレイ部
４に対応している。そして、これらメモリアレイには情
報記録テーブル40がそれぞれ記憶されている。また、内
部バス6a,6b,…,6nは、それぞれ第１図におけるアドレ
スバス６、データバス７、R/W信号線８、半導体メモリ
アレイ部２をイネーブルにCE1信号線９、半導体メモリ
アレイ部４をイネーブルにするCE2信号線10などの制御
バス等を含むバスに対応している。

ここで、バス27は、そのアドレスバスにより形成され
るアドレス空間が各メモリカード1a,1b,…,1nの容量で
決定される総計のアドレス空間（＝ｎ×Q,ただし、Ｑは
メモリカード１枚のメモリアレイ部2a,2b,…,2nのそれ
ぞれの物理的な記憶容量でここでは同一とする。）と等
しいかそれより大きなアドレス空間を形成している。そ
して、各バスドライバ25a,25b,…,25nがこのアドレス空
間の範囲においてそれぞれ異なるアドレス空間に配置さ
れるようにデータ転送装置24により管理されている。

インタフェースドライバ20は、メモリカード1a,1b,
…,1nのいずれか装着された時にそれをメモリカード装
着検出回路28により検出し、このメモリカード装着検出
回路28からの検出信号に応じてインタフェースバス27、
装着されたメモリカードに対応するバスドライバ、コネ
クタを介して装着されたメモリカードのメモリアレイ部
4a,4b,…,4nに対応するイネーブル信号（CE2信号）を送
出してその情報記憶テーブルの内容を順次読込み、情報
記憶テーブルメモリ23の装着されたメモリカードの装着
位置対応（コネクタの位置対応）の記憶位置にそれぞれ
の情報記憶テーブルの内容を書込む。

そして、インタフェースドライバ20は、ホストコンピ
ュータ12からデータが転送されると、情報記憶テーブル
メモリ23の各メモリカーの情報記憶テーブルの欄46を参
照してそれらのメモリカードが単独使用か組合わせ使用
かを判定する。単独使用のときにはインタフェースドラ
イバ20は、欄47を参照してメモリカードの装着された過
去に番号と現在装着されたコネクタ13a,13b,…13nとの
対応付けの管理をし、それぞれのメモリの容量欄43を参
照してそれが単独に割当てられるアドレスく空間情報を
得てホストコンピュータ12からのデータを欄45のフォー
マット情報に従ってホストコンピュータ12側から転送さ
れた情報を解析し、転送されたデータをホストコンピュ
ータ12により指定された指令に従って指定されメモリカ
ード番号をデコードしてそのメモリカードの前記アドレ
ス空間における対応するアドレス対応情報に変換してそ
のメモリカードをアクセスし、ホストコンピュータ12側
から転送されたデータ書込んでいく。

また、情報記憶テーブルメモリ23の各メモリカードの
情報記憶テーブルの欄46を参照して各メモリカードが組
合わせて使用のときにはそれぞれのメモリカードが割当
てられるアドレス空間情報を得てホストコンピュータ12
からのデータを欄45のフォーマット情報に従って転送さ
れた情報を解析し、転送されたデータをホストコンピュ
ータ12側から指定されたアドレス情報に従って組合わせ
使用の場合のアドレス空間を示す欄47のアドレス空間コ
ードを参照して該当するアドレス空間のメモリカードの
アドレス情報に変換し、メモリカードにデータを書込ん
でいく。

書込まれたデータを読出すときには、同様な変換を行
いホストコンピュータ12から指定されたアドレス情報に
対応するメモリカードのアドレス情報を発生してそれに
対応するメモリカードからデータを読出す。

ここで、インタフェースドライバ20は、装着されたメ
モリカードが組合せ使用のとき、或は、装着されたメモ
リカードに単独使用のものと組合わせ使用のものとがあ
った場合には、それぞれのアドレス空間が重複しないよ
う否かを判定して、一部が重複されているときは、ホス
トコンピュータ12側に装着誤りの信号を送出する。ホス
トコンピュータ12がこれを受けたときには、そのディス
プレイ等にその旨の表示をし、カード装着し直しの指示
をする。

そこで、メモリカードが一度、抜き取られ、再度挿入
された場合、インタフェースドライバ20は、各メモリカ
ードの情報テーブルの内容を読取り、例えば、装着され
たメモリカードが４枚１組として、4MBのメモリ空間を
持つメモリカードとして使用されるものであるか否かが
判定できる。

なお、ホストコンピュータ12は、メモリカード1a,1b,
…,1nのメモリアレイ部4a,4b,…,4nに記憶された情報テ
ーブルの内容を書換えることができる。この書換は、イ
ンタフェースドライバ20の情報記憶テーブルメモリ23の
内容を書換えて、インタフェースドライバ20の制御でこ
の情報記憶テーブルメモリ23の対応するメモリカードの
情報テーブルの内容を書換えて、その内容を対応する各
メモリカードに転送するか、インタフェースドライバ20
の制御で直接各メモリカードに転送して書込むことによ
る。

このように、インタフェースドライバ20は、装着され
たメモリカードとデータの授受を行う場合、情報記憶テ
ーブルメモリ23を参照して実行する。そこで、例えば、
メモリ容量1MBのメモリカードが４枚インタフェースド
ライバ20に挿入されている場合には、インタフェースド
ライバ20は、それぞれのメモリカードに対して１枚単位
（1Mバイト単位のアドレス空間）でアクセスする方法と
４枚一緒に4Mのバイトのアドレス空間でアクセスする方
法と２つの動作をすることができる。

ここで、メモリカードを４枚により、4MBのメモリ空
間としてアクセスする場合には、最初に情報記憶テーブ
ルメモリ23と各メモリカードの情報テーブルの欄47の内
容をそれぞれが連続して4MBのアドレス空間となるよう
にアドレス空間コードを割当ててそれぞれのメモリカー
ドに書込めばよい。

その結果、これらメモリカードが使用されて抜去され
た後に、再び装着されたとしても、情報テーブルの内容
が書換えられない限りは、インタフェースドライバ20
は、情報テーブルを読込んだ情報記憶テーブルメモリ23
の内容によりメモリカードのアクセス制御をするので、
４枚のメモリカードを4MBのメモリ空間を持つ１枚のメ
モリカードとして扱うことが可能である。

このようにして情報記憶テーブルメモリ23と各メモリ
カードの情報テーブルとよりインタフェースドライバ20
がアクセス情報に従ってアドレス空間を管理すること、
使用者は、過去の装着状態にこだわらずに勝手にメモリ
カードを装着して使用することができる。

以上説明してきたが、実施例では、バス27のアドレス
空間を装着されるメモリカードのアドレス空間の総計を
カバーするような範囲としているが、この場合、それよ
り上位のアドレスを各メモリカードを選択する制御信号
として使用することができる。また、アドレス空間を各
メモリカードに対応する範囲に選択した場合には、各メ
モリカードを選択する制御信号をドライバ制御部21等せ
生成してメモリカードを選択することができる。この場
合、複数のメモリカードを組合せて１枚のメモリカード
としてアドレス空間を連続させて使用する場合には、あ
るメモリカードと次のメモリカードとの境に影響されず
にデータを記憶するために、インタフェースドライバに
データを記憶す等バッファメモリ等を設けることができ
る。また、バッファメモリを設けることなく、データを
記憶するタイミングを合わせるためにホストコンピュー
タ側からのデータ転送を待たせる応答を返すような処理
をすることができる。

実施例では、アクセス情報を記憶する情報記憶テーブ
ルをSRAM等に記憶しているが、これは、EEPROMであって
もよい。なお、EEPROMの場合には、あらかじめメモリカ
ードの仕様を決定しておき、最初からアクセス情報を書
込むようにし、特定の条件で書換えるようにすることが
できる。

また、実施例では、アクセス情報を単独使用か組合せ
使用かを示すフラグとアクセス空間を示すコード情報と
しているが、単にアドレス空間を示す情報だけであって
ちもよい。アドレス空間の情報かれば、複数のメモリカ
ードが装着されている場合にそれらのアドレス空間が連
続しているか否かを判定することができるからである。

実施例では、インタフェースドライバが複数のメモリ
カードを受けて、これらぞれぞれを所定のアドレス空間
に割当てて管理する例を挙げているが、例えば、4Mバイ
トのメモリカードを1Mバイトのメモリカード４枚として
１のメモリカード内部を４分割したアドレス空間に分割
して管理するようにすることもできる。このような場合
には、欄46のフラグ情報をそのような内容に欄47に何分
割するかの常情報を記憶するようにすればよい。

［発明の効果］ 以上説明したように、この発明では、メモリカードに
設定されたアドレス空間についてのアクセス情報を記憶
する記憶領域をメモリカード内に設け、アクセス情報を
そこから読出して参照し、メモリカードをそのアドレス
空間に割当ててアクセスするようにしているので、外部
からアクセス情報を書込むことでメモリカードのアドレ
ス空間を自由に設定できる。

また、アクセス情報によりアドレス空間が決定される
ので、使用者は、その使用者に仕方等について考慮でき
ることはなく、メモリカードを装着できる。したがっ
て、メモリカードが使用者にとって使い易くなり、か
つ、装着誤りや誤操作を防止することができる。

さらに、揮発性メモリとは別のメモリの記憶領域に前
記のようなアクセス情報が記憶され、この同じ記憶領域
にバックアップ電池の交換の年月日が記憶されているの
で、必要なときに、この年月日を読出すことで、メモリ
カードに記憶されているデータが最低、いつまで保証さ
れるかが分かる。この場合、揮発性メモリとは別のメモ
リとなっているので、アクセス情報やバックアップ電池
の交換の年月日のデータ内容は、他のデータと異なり、
通常データアクセスから除外されていることでデータが
破壊され難い。

これにより電池のバックアップ状態で確認でき、電池
交換日よりも長い期間バックアップする必要があれば、
電池を交換してからメモリカードを使用すればそこに記
憶されたデータの内容は保証される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明のメモリカードを適用した一実施例
のブロック図であり、第２図は、そのアクセス情報等を
記憶する情報記憶テーブルの説明図、第３図は、この発
明のメモリカードを複数枚用いる一実施例のブロック図
である。 1,1a,1b,1n……メモリカード、 2,2a,2b,2n,4……半導体メモリアレイ部、3,3a,3b,3n,
……バックアップ電池、4a,40……情報記憶テーブル、 ５……I/Fドライバ部、６……アドレスバス、 ７……データバス、８……R/W信号線、 ９……CE1信号線、10……CE2信号線、 11……外部装置、12……ホストコンピュータ、 13a,13b,13n……コネクタ、 14a,14b,14n,15……インタフェースバス、20……インタ
フェースドライバ、 21……ドライバ制御部、22……通信部、 23……情報記憶テーブルメモリ、 24……データ転送制御部、 25a,25b,25n……バスドライバ、 26……内部バス、27……バス、28……メモリカード検出
回路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−28754（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−52483（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−203152（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G06K 19/00

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】揮発性の半導体メモリとこの半導体メモリ
   の記憶内容を保持するバックアップ電池とからなるメモ
   リカードにおいて、外部装置に装着されたときに外部か
   らアクセス可能なアドレス空間についてのアクセス情報
   を記憶した記憶領域を前記半導体メモリとは別のメモリ
   に有していて、前記外部装置により前記アクセス情報が
   読出されて前記アドレス空間においてアクセスされ、さ
   らに前記外部装置からアクセス可能な情報として前記記
   憶領域には前記バックアップ電池の交換の年月日が記憶
   されていることを特徴とするメモリカード。
2. 【請求項２】前記別のメモリはEEPROMであり、前記揮発
   性の半導体メモリは、SRAMであることを特徴とする請求
   項１記載のメモリカード。
3. 【請求項３】アクセス情報は、メモリカードが単独で使
   用されるものか他のメモリカードと組合せて使用される
   ものか否かを示す情報と、組合せて使用されるときに割
   当てられるアドレス空間を示す情報とからなることを特
   徴とする請求項１記載のメモリカード。