JP2928605B2 - Ceramic sintering method - Google Patents

Ceramic sintering method

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JP2928605B2
JP2928605B2 JP2208401A JP20840190A JP2928605B2 JP 2928605 B2 JP2928605 B2 JP 2928605B2 JP 2208401 A JP2208401 A JP 2208401A JP 20840190 A JP20840190 A JP 20840190A JP 2928605 B2 JP2928605 B2 JP 2928605B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、セラミックスの焼結方法に関し、さらに詳
しくは、誘電損率(εrtanδ)の温度依存性の大きなセ
ラミックスを加熱むらが生じることなく均一に焼結する
方法に関するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method for sintering ceramics, and more particularly, to the occurrence of uneven heating of ceramics having a large temperature dependence of a dielectric loss factor (ε r tan δ). And a method of sintering uniformly.

〔従来技術およびその問題点〕 従来より、セラミックスを焼結する方法として、マイ
クロ波エネルギーを利用した焼結方法がある。このマイ
クロ波焼結に用いる加熱炉としては、電子レンジなどの
オーブン方式が用いられている。該オーブン内には、多
数の電磁界モードが存在し、その中に被加熱物が配置さ
れるため、被加熱物内に電界の不均一による温度分布が
生じて加熱むらが発生する。また、多数の電磁界モード
の中で加熱するため、エネルギー効率が悪く、高温まで
加熱できないという欠点があった。
[Prior art and its problems] Conventionally, as a method of sintering ceramics, there is a sintering method using microwave energy. As a heating furnace used for the microwave sintering, an oven system such as a microwave oven is used. In the oven, there are a large number of electromagnetic field modes, in which the object to be heated is arranged, so that a non-uniform electric field causes a temperature distribution in the object to be heated, causing uneven heating. In addition, since heating is performed in a large number of electromagnetic field modes, energy efficiency is poor, and there is a disadvantage that heating cannot be performed to high temperatures.

これら従来技術の問題を解決する方法として、被加熱
物を均一にかつ小入力で高温度に加熱することができる
マイクロ波加熱炉(特公昭59−25937号公報)が提案さ
れている。このマイクロ波加熱炉は、第2図に示すよう
に、高耐熱性で大きな熱伝導性を有するアルミナ磁器等
の物資よりなり内部に被加熱物を収容する内側容器95
と、耐火断熱レンガや発泡アルミナ等の耐火断熱性でマ
イクロ波損失の小さい物質より前記内側容器95を収容す
る外側容器97と、該外側容器97と前記内側容器95との間
に充填された高耐熱性でマイクロ波損失の大きい酸化亜
鉛等の酸化物や化合物半導体などの物質よりなる発熱用
の粒体96とからなる三層構造の容器内に被加熱物94を収
容し、前記外側容器97を通して粒体96にマイクロ波を照
射するように構成されてなる。これより、被加熱物94を
収容する高耐熱性で大きな熱伝導性を有する内側容器95
を、高耐熱性でかつマイクロ波損失の大きい物質よりな
る発熱用の粒体96で埋設せる形でマイクロ波損失の小さ
な耐火断熱体からなる外側容器97に収め、この外側容器
97を通してマイクロ波を粒体に照射して粒体を発熱させ
る構成としたので、被加熱物94を均一にかつ高温に効率
良く加熱できるとしている。
As a method for solving the problems of the prior art, a microwave heating furnace (Japanese Patent Publication No. 59-25937) capable of heating an object to be heated uniformly and at a high temperature with a small input has been proposed. As shown in FIG. 2, this microwave heating furnace is made of a material such as alumina porcelain having a high heat resistance and a large thermal conductivity, and has an inner container 95 for accommodating an object to be heated.
And an outer container 97 for housing the inner container 95 from a material having low microwave loss such as fire-insulating bricks or foamed alumina, and a high-filled space between the outer container 97 and the inner container 95. The object to be heated 94 is housed in a three-layered container comprising heat-producing particles 96 for heat generation and heat-generating particles 96 made of oxide or compound semiconductor such as zinc oxide or the like having a large microwave loss. Is configured to irradiate the particles 96 with microwaves. Accordingly, the inner container 95 having a high heat resistance and a large thermal conductivity for accommodating the object 94 to be heated.
In an outer container 97 made of a refractory heat insulating material having a small microwave loss in a form embedded with heat generating particles 96 made of a material having high heat resistance and a large microwave loss.
The configuration is such that the particles are heated by irradiating the particles with microwaves 97, so that the object to be heated 94 can be uniformly and efficiently heated to a high temperature.

しかしながら、この従来技術は、容器をマイクロ波加
熱して、その輻射熱によって被加熱物を加熱するため、
容器よりマイクロ波吸収性の良い、誘電損率(εrtan
δ)の大きなセラミックスを加熱するのに適した方法と
は言えない。また、被加熱物自体をマイクロ波加熱する
のではないため、エネルギーを被加熱物に集中すること
ができず、容器の加熱温度までしか加熱することができ
ない。さらに、加熱室にオーブンを用いているため、エ
ネルギー効率が悪く、被加熱物を高温まで加熱できない
という問題があった。
However, in this conventional technique, the container is heated by microwave, and the object to be heated is heated by the radiant heat.
Dielectric loss factor (ε r tan
This method cannot be said to be suitable for heating ceramics having a large δ). Further, since the object to be heated is not heated by microwaves, energy cannot be concentrated on the object to be heated, and heating can be performed only up to the heating temperature of the container. Furthermore, since an oven is used in the heating chamber, there is a problem that energy efficiency is low and the object to be heated cannot be heated to a high temperature.

一方、マイクロ波エネルギーを被加熱物に集中させる
方法として、単一(シングル)の電磁界モードを発生さ
せるシングルモードの空胴共振器を用いる方法がある。
この方法により、被加熱物を短時間で効率良く焼結温度
まで加熱することができる。しかしながらこの方法は、
誘電損率の温度依存性の大きなセラミックスを加熱する
と、被加熱物内に誘電損率の違いによる温度分布、所謂
ランナウェイ現象が生じ、加熱むらが発生するという問
題があった。
On the other hand, as a method for concentrating microwave energy on an object to be heated, there is a method using a single-mode cavity resonator for generating a single (single) electromagnetic field mode.
According to this method, the object to be heated can be efficiently heated to the sintering temperature in a short time. However, this method
When ceramics having a large temperature dependence of the dielectric loss factor are heated, there is a problem that a temperature distribution due to a difference in the dielectric loss factor, a so-called runaway phenomenon, occurs in the object to be heated, and uneven heating occurs.

そこで、本発明者らは、上述の従来技術の問題点を解
決すべく鋭意研究し、系統的実験を重ねた結果、本発明
を成すに至ったものである。
The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems of the prior art, and as a result of repeated systematic experiments, the present invention has been accomplished.

〔発明の目的〕[Object of the invention]

本発明の目的は、誘電損率(εrtanδ)の温度依存性
の大きなセラミックスを、加熱むらを生じることなく均
一に焼結する方法を提供するにある。
An object of the present invention is to provide a method for uniformly sintering ceramics having a large temperature dependence of a dielectric loss factor (ε r tan δ) without causing uneven heating.

本発明者らは、上述の従来技術の問題に関し、以下の
ことに着眼した。すなわち、先ず、誘電損率の温度依存
性が大きく熱伝導率の低いセラミックスをマイクロ波加
熱すると、ランナウェイ現象により該セラミックスに加
熱むらが生ずることに着目した。この原因を究明した結
果、加熱むらは誘電損率の急激な変化により生じること
が分かった。そこで、誘電損率の温度依存性の大きなセ
ラミックスをマイクロ波加熱したときに生ずる加熱むら
を防ぐために、セラミックスの被加熱物よりも誘電損率
の温度依存性が小さく、かつ熱伝導率の大きな物質で被
加熱物を覆うことにより、加熱むらが生じることなく焼
結できることに着眼し、本発明を成すに至った。
The present inventors have focused on the following with respect to the above-described problems of the related art. That is, first, attention was paid to the fact that when ceramics having a large temperature dependence of a dielectric loss factor and a low thermal conductivity were microwave-heated, uneven heating was caused in the ceramics due to a runaway phenomenon. As a result of investigating the cause, it was found that uneven heating was caused by a rapid change in the dielectric loss factor. Therefore, in order to prevent uneven heating caused by microwave heating of ceramics, which have a large temperature dependence of the dielectric loss factor, a substance having a smaller temperature dependence of the dielectric loss factor and a higher thermal conductivity than the ceramic object to be heated. The present invention has been accomplished by covering the object to be heated by the method described above and performing sintering without causing uneven heating.

また、被加熱物であるセラミックスを焼結温度以上の
高温まで加熱するために、単一モードの空胴共振器を用
い、該共振器内の電界強度の最大のところにマイクロ波
吸収体と被加熱物を配置して焼結することにより、加熱
むらが起こることなく均質な焼結材を得ることができ
る。
Further, in order to heat the ceramic to be heated to a temperature higher than the sintering temperature, a single-mode cavity resonator is used, and the microwave absorber and the microwave absorber are placed at the maximum electric field strength in the resonator. By arranging and sintering the heated object, a homogeneous sintered material can be obtained without uneven heating.

〔第1発明の説明〕 発明の構成 本第1発明のセラミックスの焼結方法は、セラミック
ス材料からなる被焼結材をマイクロ波照射して焼結する
方法において、被焼結材を、マイクロ波の吸収がよく、
該被焼結材よりも誘電損率の温度依存性が小さくかつ熱
伝導率が大きい材料からなるマイクロ波吸収体を介し
て、空胴共振器内でマイクロ波を照射して焼結すること
を特徴とする。
[Description of the First Invention] The present invention provides a method of sintering ceramics according to the first invention, which comprises sintering a material made of a ceramic material by microwave irradiation. Absorbs well,
Irradiating microwaves in the cavity resonator for sintering through a microwave absorber made of a material having a smaller temperature dependence of the dielectric loss factor and a higher thermal conductivity than the material to be sintered. Features.

発明の作用および効果 本発明のセラミックスの焼結方法により、誘電損率
(εrtanδ)の温度依存性の大きなセラミックスを、加
熱むらを生じることなく均一に焼結することができる。
Effects and Effects of the Invention According to the method for sintering ceramics of the present invention, ceramics having a large temperature dependence of the dielectric loss factor (ε r tan δ) can be uniformly sintered without causing uneven heating.

このセラミックスの焼結方法により、上述の如き効果
が得られるメカニズムについては未だ必ずしも明らかで
はないが、次のように考えられる。
The mechanism by which the above-described effects can be obtained by this ceramic sintering method is not necessarily clear yet, but is considered as follows.

すなわち、本第1発明のセラミックスの焼結方法は、
セラミックス材料からなる被焼結材をマイクロ波照射し
て焼結する方法において、被焼結材を、マイクロ波の吸
収がよく、該被焼結材よりも誘電損率の温度依存性が小
さくかつ熱伝導率が大きい材料からなるマイクロ波吸収
体を介して、空胴共振器内でマイクロ波を照射して焼結
してなる。
That is, the method for sintering ceramics of the first invention is as follows.
In a method of sintering a material to be sintered made of a ceramic material by microwave irradiation, the material to be sintered has a good microwave absorption, a temperature dependence of a dielectric loss factor smaller than that of the material to be sintered, and The cavity is sintered by irradiating microwaves in the cavity resonator via a microwave absorber made of a material having a high thermal conductivity.

セラミックスの誘電損率は、一般に常温では低く、高
温では高くする。すなわち、高温になるにつれてマイク
ロ波の吸収がよくなる。焼結するまでの温度を低温域、
中温域、高温域に分けて考えると、本発明においては、
低温域ではセラミックスからなる被焼結材の誘電損率は
まだ小さいため、外側のマイクロ波吸収体が主として加
熱される。中温域では、被焼結材の誘電損率の温度依存
性が大きいために、加熱むらが生じ易くなるが、マイク
ロ波吸収体でマイクロ波エネルギーの一部が消費される
ため被焼結材の誘電損率の急激な変化が緩和され、かつ
吸収体の熱伝導により試料温度に不均一部分がなくな
り、被焼結材を均一に加熱することができ、加熱むらを
防止することができる。高温域においては、被焼結材の
誘電損率の方がマイクロ波吸収体より大きくなり、温度
依存性も小さくなるため、被焼結材が主として加熱さ
れ、加熱むらを生じることなく焼結を行うことができ、
均一で緻密な焼結体を得ることができるものと思われ
る。
The dielectric loss factor of ceramics is generally low at normal temperature and high at high temperature. That is, the higher the temperature, the better the absorption of microwaves. The temperature until sintering is in the low temperature range,
Considering the medium temperature range and high temperature range separately, in the present invention,
In the low temperature range, the dielectric loss factor of the sintering material made of ceramics is still small, so that the outer microwave absorber is mainly heated. In the medium temperature range, uneven heating is likely to occur due to the large temperature dependence of the dielectric loss factor of the material to be sintered, but a part of the microwave energy is consumed by the microwave absorber, so that the material to be sintered cannot be heated. Sudden changes in the dielectric loss factor are reduced, and the heat conduction of the absorber eliminates non-uniform portions in the sample temperature, so that the material to be sintered can be heated uniformly and uneven heating can be prevented. In the high temperature range, the dielectric loss factor of the material to be sintered is higher than that of the microwave absorber, and the temperature dependence is also smaller. Can do
It seems that a uniform and dense sintered body can be obtained.

〔第2発明の説明〕 以下に、前記第1発明をさらに詳細にした第2発明に
ついて説明する。
[Description of Second Invention] Hereinafter, a second invention which is a more detailed description of the first invention will be described.

本第2発明のセラミックスの焼結方法は、セラミック
ス材料からなる被焼結材をマイクロ波照射して焼結する
方法において、被焼結材を、マイクロ波吸収体を介して
マイクロ波を照射してなる。
The method for sintering ceramics according to the second invention is a method for sintering a material to be sintered comprising a ceramic material by microwave irradiation, wherein the material to be sintered is irradiated with microwaves through a microwave absorber. It becomes.

マイクロ波吸収体 本発明において用いるマイクロ波吸収体は、マイクロ
波の吸収がよく、該被焼結材よりも誘電損率の温度依存
性が小さくかつ熱伝導率が大きい材料からなる。すなわ
ちこの吸収体は、マイクロ波帯(0.3〜30GHZ)における
該吸収体の誘電損率(εrtanδ)が常温で0.05以上、熱
伝導率が0.03cal/cm・sec・℃以上でかつ被焼結材の熱
伝導率よりも大きく、耐熱性が1500℃以上であることが
望ましい。また、該吸収体の誘電損率の温度依存性は、
常温から800℃の範囲で、1桁以下であること、すなわ
ち1/10ないし10倍の範囲であることが望ましい。これ
は、該誘電損率が0.05未満の場合は、マイクロ波の吸収
が悪くなり、被焼結材の誘電損率の急激な変化を緩和す
ることが難しい。熱伝導率が0.03cal/cm・sec・℃未満
の場合は、吸収体自体に温度分布が生じるため、被焼結
材の加熱むらを防止することが難しい。また、マイクロ
波吸収体の熱伝導率が被焼結材の熱電導率より小さい場
合、被焼結材の温度分布を均一化することが難しい。さ
らに、常温から800℃の範囲で誘電損率の値が1桁を越
えて変化する場合は、吸収体自体がランナウェイ現象に
より加熱むらが発生する虞れがあるためそれぞれ適当で
ない。
Microwave Absorber The microwave absorber used in the present invention is made of a material that absorbs microwaves well and has a smaller temperature dependency of a dielectric loss factor and a higher thermal conductivity than the material to be sintered. That this absorber, dielectric loss factor of the absorber in the microwave band (0.3~30GH Z) (ε r tanδ ) is normal temperature at least 0.05, and a thermal conductivity of 0.03cal / cm · sec · ℃ than the It is desirable that the thermal conductivity is higher than the thermal conductivity of the sintered material and the heat resistance is 1500 ° C. or higher. Further, the temperature dependence of the dielectric loss factor of the absorber,
It is desirable that the temperature be in the range of room temperature to 800 ° C., that is, one digit or less, that is, 1/10 to 10 times. If the dielectric loss factor is less than 0.05, absorption of microwaves becomes poor, and it is difficult to reduce a sudden change in the dielectric loss factor of the material to be sintered. When the thermal conductivity is less than 0.03 cal / cm · sec · ° C., a temperature distribution occurs in the absorber itself, so that it is difficult to prevent uneven heating of the material to be sintered. If the thermal conductivity of the microwave absorber is smaller than the thermal conductivity of the material to be sintered, it is difficult to make the temperature distribution of the material to be sintered uniform. Further, when the value of the dielectric loss factor changes by more than one digit in the range from ordinary temperature to 800 ° C., the absorber itself is not suitable because the runaway phenomenon may cause uneven heating.

これらのマイクロ波吸収体の特性条件は、被焼結材の
種類によって左右される。すなわち、マイクロ波吸収体
の誘電損率の温度依存性が被焼結材よりも小さく、熱伝
導率は被焼結材より大きいことが必要である。マイクロ
波吸収体の誘電損率の温度依存性が被焼結材よりも大き
な場合には、マイクロ波吸収体の方にランナウェイ現象
が起こりやすくなるため、被焼結材の加熱むらを助長す
る虞れがある。また、マイクロ波吸収体の方が被焼結材
より熱伝導率が小さい場合、マイクロ波吸収体の方に生
じた温度分布が被焼結材に伝導し、被焼結材の温度分布
を助長する虞れがある。
The characteristic conditions of these microwave absorbers depend on the type of the material to be sintered. That is, the temperature dependency of the dielectric loss factor of the microwave absorber is smaller than that of the material to be sintered, and the thermal conductivity needs to be larger than that of the material to be sintered. If the temperature dependence of the dielectric loss factor of the microwave absorber is greater than that of the material to be sintered, the runaway phenomenon is more likely to occur in the microwave absorber, which promotes uneven heating of the material to be sintered. There is a fear. In addition, when the microwave absorber has a lower thermal conductivity than the material to be sintered, the temperature distribution generated in the microwave absorber is transmitted to the material to be sintered, which promotes the temperature distribution of the material to be sintered. There is a risk of doing so.

特に、該マイクロ波吸収体の特性が誘電損率(εrtan
δ)は常温で0.5以上、熱伝導率は0.3cal/cm・sec・℃
以上、耐熱性は1800℃以上、誘電損率の温度依存性が常
温から1500℃までの範囲で1桁以下である場合は、加熱
むらの防止効果に優れ、しかも被焼結体の特性に左右さ
れることなく該効果を発揮させることができるので、本
発明のマイクロ波吸収体として最も望ましい。
In particular, the characteristic of the microwave absorber is the dielectric loss factor (ε r tan
δ) is 0.5 or more at room temperature, and the thermal conductivity is 0.3 cal / cm · sec · ° C
As described above, when the heat resistance is 1800 ° C or more and the temperature dependency of the dielectric loss factor is one digit or less in the range from room temperature to 1500 ° C, the effect of preventing uneven heating is excellent, and the characteristics of the sintered body are affected. Since the effect can be exhibited without being performed, it is most desirable as the microwave absorber of the present invention.

マイクロ波吸収体の材料は、炭化珪素(SiC)、酸化
亜鉛(ZnO)、カーボン(C)、炭化硼素(B4C)、窒化
硼素(BN)、酸化ベリリウム(BeO)、窒化アルミニウ
ム(AlN)などが挙げられる。この中でも特に、炭化珪
素(SiC)、カーボン(C)の場合には、誘電損率が大
きいが温度依存性が小さく、熱伝導率が大きくしかも耐
熱性に優れているため、本発明のマイクロ波吸収体とし
て好適な材料である。なお、カーボンを用いる場合は、
還元性雰囲気下で用いることが好ましい。
Materials of the microwave absorber, silicon carbide (SiC), zinc oxide (ZnO), carbon (C), boron carbide (B 4 C), boron nitride (BN), beryllium oxide (BeO), aluminum nitride (AlN) And the like. Among them, in particular, in the case of silicon carbide (SiC) and carbon (C), since the dielectric loss factor is large, the temperature dependency is small, the thermal conductivity is large, and the heat resistance is excellent, so that the microwave of the present invention is used. It is a suitable material for the absorber. When using carbon,
It is preferable to use it under a reducing atmosphere.

マイクロ波吸収体の形状は、少なくとも該吸収体の一
部が被焼結材の表面と接触するとともに、同じく少なく
とも該吸収体の一部がマイクロ波が被焼結材よりも先に
作用するように配設され、該マイクロ波吸収体の該接触
部から被焼結材への熱伝導又は/及び加熱状態にあるマ
イクロ波吸収体からの輻射熱により効果的に被焼結体の
温度を均一にできるような形状であることが好ましく、
被加熱材の形状・構造によって適宜決定される。なお、
誘電損率が大きく熱伝導率の大きなマイクロ波吸収体を
用いる場合は、該吸収体と被焼結材を接触させずに、適
当な隙間(0.5〜2mm)を開けて配設し、該マイクロ波吸
収体の輻射熱により被焼結材の温度を均一にすることが
できる。
The shape of the microwave absorber is such that at least a part of the absorber comes into contact with the surface of the material to be sintered, and at least a part of the absorber also acts on the microwave earlier than the material to be sintered. And the heat conduction from the contact portion of the microwave absorber to the sintering material and / or the radiant heat from the microwave absorber in a heated state effectively makes the temperature of the sintering body uniform. Preferably, the shape is such that
It is appropriately determined depending on the shape and structure of the material to be heated. In addition,
When a microwave absorber having a large dielectric loss factor and a large thermal conductivity is used, the microwave absorber is placed in an appropriate gap (0.5 to 2 mm) without contacting the absorber with the material to be sintered. The temperature of the material to be sintered can be made uniform by the radiation heat of the wave absorber.

マイクロ波吸収体の厚さは、0.1〜2mmであることが好
ましい。これは、該厚さが0.1mm未満の場合はマイクロ
波吸収体の吸収の効果が小さくなり、また該厚さが2mm
を越える場合はマイクロ波の大部分がマイクロ波吸収体
に吸収されてしまい、共に被焼結材の温度が上がらずエ
ネルギー効率が悪くなるので好ましくない。
The microwave absorber preferably has a thickness of 0.1 to 2 mm. This is because when the thickness is less than 0.1 mm, the effect of the microwave absorber becomes smaller, and when the thickness is less than 2 mm.
If the temperature exceeds the range, most of the microwaves are absorbed by the microwave absorber, and the temperature of the material to be sintered does not rise and the energy efficiency deteriorates, which is not preferable.

被焼結材について 本発明の対象とする被焼結材は、本発明方法により焼
結することが好ましい材料であり、特に好適(有利)な
材料としては、誘電損率の温度依存性が常温から800℃
の範囲で1桁以上のセラミックス材料、又は/及び熱伝
導率が0.1cal/cm・sec・℃以下のセラミックス材料が挙
げられる。このような材料は、通常のマイクロ波加熱に
より焼結すると、加熱むらが生じやすい。
Regarding the Sintered Material The sintered material that is the object of the present invention is a material that is preferably sintered by the method of the present invention. Particularly preferable (advantageous) material is that the temperature dependence of the dielectric loss factor is normal temperature. To 800 ° C
And / or a ceramic material having a thermal conductivity of 0.1 cal / cm · sec · ° C. or less. Such materials tend to have uneven heating when sintered by ordinary microwave heating.

また、被焼結材の常温での誘電損率は、特に限定され
るものではないが、該誘電損率が0.05以下の材料が好ま
しい。このような材料を用いた場合、ランナウェイ現象
が生じる前の低温域においてマイクロ波吸収体が主とし
て加熱され、被焼結材の温度分布がより均一になるので
好ましい。
The dielectric loss factor of the material to be sintered at room temperature is not particularly limited, but a material having a dielectric loss factor of 0.05 or less is preferable. The use of such a material is preferable because the microwave absorber is mainly heated in a low temperature region before the runaway phenomenon occurs, and the temperature distribution of the material to be sintered becomes more uniform.

被焼結材の形状としては、どのような形状であって
も、該被焼結材の形状に合った適切なマイクロ波吸収体
を用いることにより本発明の効果を奏すことができる
が、板状または棒状のものの場合には内部まで均一に焼
結することができるので有利である。
Regarding the shape of the material to be sintered, the effect of the present invention can be obtained by using an appropriate microwave absorber suitable for the shape of the material to be sintered, regardless of the shape. In the case of a rod-shaped or rod-shaped one, it is advantageous because it can be uniformly sintered to the inside.

その他 本発明において用いるセラミックスのマイクロ波加熱
焼結装置の加熱室は、単一モードの空洞共振器を用い、
被焼結材の種類、形状に合わせて空洞共振器の形状と電
磁界モードを選択する。すなわち、セラミックスの焼結
温度(>1200℃)は非常に高温であるため、マイクロ波
エネルギーが分散されてしまうオーブン方式では焼結温
度まで加熱するのは困難である。これに対して本発明に
おいて用いるセラミックスの加熱装置は、単一モードの
空胴共振器を用いる。これより、該空胴共振器内で発生
する電磁界モードは一つであるため、電界の最大箇所に
被焼結材を配設するとマイクロ波エネルギーが該箇所に
集中し、短時間で焼結温度まで急速に加熱することがで
きる。また、電磁界モードが多数発生するオーブン方式
ではセラミックス被焼結材内に電界不均一による温度分
布が生じるが、単一モードの共振器では該被焼結材内の
電界は略均一となるため、電界の不均一による加熱むら
の発生を防止することができる。
Others The heating chamber of the microwave heating and sintering apparatus for ceramics used in the present invention uses a single-mode cavity resonator,
The shape of the cavity and the electromagnetic field mode are selected according to the type and shape of the material to be sintered. That is, since the sintering temperature of ceramics (> 1200 ° C.) is extremely high, it is difficult to heat the ceramics to the sintering temperature in an oven system in which microwave energy is dispersed. On the other hand, the ceramic heating device used in the present invention uses a single-mode cavity resonator. Therefore, since only one electromagnetic field mode is generated in the cavity, if the material to be sintered is disposed at the maximum location of the electric field, the microwave energy is concentrated at the location, and sintering is performed in a short time. Can be rapidly heated to temperature. In the oven method in which many electromagnetic field modes are generated, temperature distribution due to electric field non-uniformity occurs in the ceramic sintering material, but in a single mode resonator, the electric field in the sintering material is substantially uniform. In addition, it is possible to prevent uneven heating due to uneven electric field.

空胴共振器は、円筒型または直方体型のものがあり、
棒状の試料には直方体型、板状の試料には円筒型の空胴
共振器が適している。
The cavity resonator has a cylindrical type or a rectangular parallelepiped type,
A rectangular parallelepiped resonator is suitable for a rod-shaped sample, and a cylindrical cavity resonator is suitable for a plate-shaped sample.

被焼結材は、効果的に焼結するために電界の最大箇所
に、かつ均一に焼結するために電界方向に平行に配設す
ることが好ましい。
It is preferable that the material to be sintered is disposed at the maximum position of the electric field for effective sintering and parallel to the direction of the electric field for uniform sintering.

焼結雰囲気は、被焼結材が酸化物系セラミックスの場
合は大気中または酸素雰囲気とし、非酸化物セラミック
スの場合には還元性雰囲気中で行われるのが好ましい。
The sintering atmosphere is preferably in the air or oxygen when the material to be sintered is an oxide-based ceramic, and preferably in a reducing atmosphere when the material is a non-oxide ceramic.

また、マイクロ波加熱中、被焼結材を回転させること
により、試料内の電界分布と誘電損率の分布を緩和させ
ることができ、加熱むらの発生防止に一層の効果があ
る。
In addition, by rotating the material to be sintered during microwave heating, the distribution of the electric field and the dielectric loss in the sample can be relaxed, which is more effective in preventing the occurrence of uneven heating.

以上のようにすることにより、従来技術では誘電損率
の温度依存性が大きく熱伝導率の低いセラミックスから
なる被焼結材をマイクロ波焼結すると加熱むらが生じる
が、本発明では上記構成のマイクロ波吸収体を用いるこ
とにより、加熱むらを生じることなく焼結を行うことが
でき、均一で緻密な焼結体を得ることができる。また、
単一モードの空胴共振器を用いることにより、被焼結材
を短時間で焼結温度まで加熱することができる。
By doing as above, in the related art, the temperature dependence of the dielectric loss factor is large, and when the sintering material made of ceramics having a low thermal conductivity is microwave-sintered, uneven heating occurs. By using a microwave absorber, sintering can be performed without causing uneven heating, and a uniform and dense sintered body can be obtained. Also,
By using a single-mode cavity resonator, the material to be sintered can be heated to the sintering temperature in a short time.

これより、機能性セラミックスなどの誘電損率の温度
依存性の大きなセラミックスのマイクロ波焼結が可能と
なり、短時間でしかもエネルギー効率の高い焼結が可能
となった。
As a result, microwave sintering of ceramics having a large temperature dependence of the dielectric loss factor such as functional ceramics was made possible, and sintering in a short time and with high energy efficiency became possible.

〔実施例〕〔Example〕

以下に、本発明の実施例を説明する。 Hereinafter, examples of the present invention will be described.

第1実施例 被焼結材としてPZT粉末を、マイクロ波吸収体として
炭化珪素(SiC)製管状体を用い、マイクロ波を照射し
てセラミックス焼結体を製造し、該焼結体の性能評価試
験を行った。なお、この処理において用いたセラミック
ス焼結装置を模式的に示した一部省略概略断面図を、第
1図に示す。
First Example PZT powder was used as a material to be sintered, and a silicon carbide (SiC) tubular body was used as a microwave absorber. Microwave irradiation was performed to produce a ceramic sintered body, and performance evaluation of the sintered body was performed. The test was performed. FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view, partly omitted, schematically showing the ceramic sintering apparatus used in this process.

本実施例のセラミックス焼結に使用したセラミックス
焼結装置を、第1図を用いて簡単に説明する。本実施例
のセラミックス焼結装置1は、マイクロ波を発生させる
ためのマイクロ波発生手段2と、直方体型の被焼結材を
加熱・焼結するための空胴共振器3と、前記マイクロ波
発生手段2から空洞共振器3へマイクロ波を伝送する導
波管4と、該導波管4から空洞共振器3へマイクロ波を
導入し該空洞共振器3の共振を継持する結合窓5と、前
記空洞共振器3内に挿置する被焼結材9を支持する石英
またはサファイヤ製の支持棒6と、該支持棒6を固定す
るチャック7とからなる。
A ceramic sintering apparatus used for sintering ceramics according to the present embodiment will be briefly described with reference to FIG. The ceramic sintering apparatus 1 of this embodiment includes a microwave generating means 2 for generating microwaves, a cavity resonator 3 for heating and sintering a rectangular parallelepiped material, A waveguide 4 for transmitting microwaves from the generation means 2 to the cavity resonator 3, and a coupling window 5 for introducing microwaves from the waveguide 4 to the cavity resonator 3 and maintaining the resonance of the cavity resonator 3 And a support rod 6 made of quartz or sapphire that supports the material 9 to be sintered inserted into the cavity resonator 3 and a chuck 7 that fixes the support rod 6.

先ず、被焼結材9として、PZT粉末を用い、CIP処理を
施してφ5×7mmのPZT試料を用意した。
First, PZT powder was used as the sintering material 9 and subjected to CIP treatment to prepare a PZT sample of φ5 × 7 mm.

次いで、この被焼結材9を空胴共振器3の支持棒6に
挿置し、さらに内径5mm×外径8mm×長さ8mmのSiC管から
なるマイクロ波吸収体8を該被焼結材9に覆うように配
置した。なお、該PZT試料9は、空胴共振器3内の電界
最大箇所に電界方向と平行となるように配置した。
Next, the material to be sintered 9 is inserted into the support rod 6 of the cavity resonator 3, and the microwave absorber 8 made of a SiC tube having an inner diameter of 5 mm, an outer diameter of 8 mm and a length of 8 mm is further placed on the material to be sintered. 9 so as to cover it. The PZT sample 9 was arranged at the maximum electric field in the cavity 3 so as to be parallel to the direction of the electric field.

次いで、被焼結材の加熱処理を行った。共振周波数を
2.45GHZ、マイクロ波出力を約100W,共振器内の電磁界モ
ードをTE103とし、焼結雰囲気を大気中とした。
Next, a heat treatment was performed on the material to be sintered. Resonance frequency
2.45 GHz Z, about 100W microwave power, an electromagnetic field mode in the resonator and TE 103, the sintering atmosphere was in the air.

これより、加熱むらを生じることなく1100℃以上まで
加熱することができ、1100℃、5分の焼結条件で理論密
度の90%以上の焼結体が得られた。得られた焼結体は、
破面観察試験の結果、均質な組織の焼結体であることが
分かった。
As a result, it was possible to heat to 1100 ° C. or more without causing uneven heating, and a sintered body having 90% or more of the theoretical density was obtained at 1100 ° C. for 5 minutes. The obtained sintered body is
As a result of the fracture surface observation test, it was found that the sintered body had a homogeneous structure.

なお、比較のために、SiC管からなるマイクロ波吸収
体を用いないほかは本実施例と同様の被焼結材およびセ
ラミックス焼結装置を用いて、比較試験を行った。その
結果、マイクロ波加熱すると約300℃付近で加熱むらが
生じ、PZT試料の中心が局部的に加熱され、中心部から
割れが発生し、焼結をすることができなかった。
For comparison, a comparative test was performed using the same sintering material and ceramic sintering apparatus as in this example except that a microwave absorber made of a SiC tube was not used. As a result, when microwave heating was applied, uneven heating occurred at about 300 ° C., and the center of the PZT sample was locally heated, cracking occurred from the center, and sintering was not possible.

次に、PZT試料およびSiC管の誘電損率の温度依存性を
調べるため、該誘電損率の測定試験をそれぞれ実施し
た。その結果を、第3図に示す。同図中、「A」がPZT
試料の誘電損率を、「B」がSiC管の誘電損率をそれぞ
れ示す。第3図より、PZT試料はSiC管よりも誘電損率の
温度依存性が著しく大きく、PZT試料単体ではランナウ
ェイ現象により加熱むらが生じるが、SiC管からなるマ
イクロ波吸収体を介してマイクロ波を作用させることに
より、マイクロ波エネルギーの一部を吸収し、かつ熱伝
導によりPZT試料の温度分布を小さくすることができた
ので、加熱むらを防止して均質な焼結体を得ることがで
きたものと思われる。
Next, in order to examine the temperature dependence of the dielectric loss factor of the PZT sample and the SiC tube, measurement tests of the dielectric loss factor were respectively performed. The result is shown in FIG. In the figure, "A" is PZT
“B” indicates the dielectric loss factor of the SiC tube, and “B” indicates the dielectric loss factor of the sample. From Fig. 3, the temperature dependence of the dielectric loss factor of the PZT sample is significantly greater than that of the SiC tube, and the PZT sample alone causes uneven heating due to the runaway phenomenon. , The absorption of a part of microwave energy was reduced and the temperature distribution of the PZT sample was reduced by heat conduction.Thus, it was possible to prevent uneven heating and obtain a homogeneous sintered body. It seems to have been.

第2実施例 被焼結材としてチタン酸バリウム(BaTiO3)粉末を、
マイクロ波吸収体として炭化珪素(SiC)製板状体を用
い、マイクロ波を照射してセラミックス焼結体を製造
し、該焼結体の性能評価試験を行った。なお、この処理
において用いたセラミックス焼結装置を模式的に示した
一部省略概略断面図を、第4図に示す。以下、前記第1
実施例との相違点を中心に説明する。
Second Embodiment Barium titanate (BaTiO 3 ) powder was used as a material to be sintered.
Using a silicon carbide (SiC) plate as a microwave absorber, a ceramic sintered body was manufactured by irradiating microwaves, and a performance evaluation test of the sintered body was performed. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view, partly omitted, schematically showing the ceramic sintering apparatus used in this process. Hereinafter, the first
The following description focuses on the differences from the embodiment.

本実施例のセラミックス焼結に使用したセラミックス
焼結装置21を、第4図を用いて簡単に説明する。空胴共
振器23は円筒型のものを用い、共振周波数を6GHZ、マイ
クロ波出力を約150W,共振器内の電磁界モードをTE111
した。なお、22はマイクロ波発生部、25は結合部でマイ
クロ波を導入しキャビティの共振を継持する。該空胴共
振器23内には、被焼結材29又は/及びマイクロ波吸収体
28を載置する支持管26と、該支持管26を固定し被焼結材
29を回転可能にした回転テーブル27が設けられている。
The ceramic sintering apparatus 21 used for sintering the ceramics of this embodiment will be briefly described with reference to FIG. Cavity resonator 23 used as a cylindrical, a resonance frequency 6GH Z, about 150W microwave power, an electromagnetic field mode in the resonator and the TE 111. Reference numeral 22 denotes a microwave generation unit, and reference numeral 25 denotes a coupling unit for introducing microwaves to maintain resonance of the cavity. In the cavity 23, a material 29 to be sintered and / or a microwave absorber
28, and a support tube 26 on which the support tube 26 is fixed.
A turntable 27 that allows the 29 to rotate is provided.

先ず、被焼結材29として、BaTiO3粉末を用い、CIP処
理を施してφ20mm×2mmのBaTiO3試料を用意した。
First, as the sintered material 29, using a BaTiO 3 powder was prepared BaTiO 3 samples of 20 mm in diameter × 2 mm is subjected to CIP treatment.

マイクロ波吸収体に用いたSiC板はφ22mm×1mmのもの
を用い、焼結雰囲気は大気中とした。
The SiC plate used for the microwave absorber was φ22 mm × 1 mm, and the sintering atmosphere was air.

次いで、被焼結材としてのBaTiO3試料の上下をマイク
ロ波吸収体のSiC板で挟み、石英製の支持管26で空胴共
振器23内の電界の最大の箇所に配置した。なお、該被焼
結材は、共振器内の底面に配設された回転テーブルによ
り回転され、試料内の電界が一様になるようにしてあ
る。
Next, the upper and lower sides of the BaTiO 3 sample as a material to be sintered were sandwiched between SiC plates of a microwave absorber, and were placed at the position of the maximum electric field in the cavity resonator 23 by a support tube 26 made of quartz. The material to be sintered is rotated by a rotary table provided on the bottom surface in the resonator so that the electric field in the sample becomes uniform.

次いで、被焼結材の加熱処理を行った。 Next, a heat treatment was performed on the material to be sintered.

これより、加熱むらを生じることなく1300℃以上まで
加熱することができ、1300℃、5分の焼結条件で理論密
度の90%以上の焼結体が得られた。得られた焼結体は、
破面観察試験の結果均質な組織の焼結体であることが分
かった。なお、本実施例では円周方向に電界分布をもつ
T111モードを用いたが、テーブルで試料を回転させるこ
とにより試料への温度分布の形成を防止することがで
き、マイクロ波吸収体による被焼結材の温度分布の均一
化作用と相乗的に作用してより均一な加熱の実現により
加熱むらを防止することができたものと思われる。
As a result, it was possible to heat to 1300 ° C. or more without causing uneven heating, and a sintered body having 90% or more of the theoretical density was obtained at 1300 ° C. for 5 minutes. The obtained sintered body is
As a result of a fracture surface observation test, it was found that the sintered body had a homogeneous structure. In this embodiment, the electric field distribution has a circumferential direction.
Although the T111 mode was used, it was possible to prevent the formation of a temperature distribution on the sample by rotating the sample on the table, and synergistically with the uniformization of the temperature distribution of the material to be sintered by the microwave absorber. It is considered that the non-uniform heating was prevented by acting to realize more uniform heating.

なお、比較のために、マイクロ波吸収体を用いないほ
かは本実施例と同様の被焼結材およびセラミックス焼結
装置を用いて、比較試験を行った。その結果、マイクロ
波加熱すると約200℃付近で加熱むらが生じ、BaTiO3
料の側面または底面が局部的に溶解し、多数のクラック
が発生して焼結をすることができなかった。
For comparison, a comparative test was performed using the same sintering material and ceramic sintering apparatus as in this example except that the microwave absorber was not used. As a result, when heated by microwaves, uneven heating occurred at about 200 ° C., and the side or bottom surface of the BaTiO 3 sample was locally melted, and many cracks were generated and sintering could not be performed.

以上から明らかのように、マイクロ波吸収体を介して
マイクロ波を作用させるとともに、被処理材を回転させ
て焼結することにより、効果的なマイクロ波エネルギー
の一部の吸収および熱伝導によりBaTiO3試料の温度分布
をより小さくすることができたので、加熱むらを防止し
てより均質な焼結体を得ることができたものと思われ
る。
As is clear from the above, while applying microwaves through the microwave absorber, and rotating and sintering the material to be processed, effective absorption of part of microwave energy and heat conduction to BaTiO It is considered that since the temperature distribution of the three samples could be made smaller, uneven heating could be prevented and a more homogeneous sintered body could be obtained.

第3実施例 被焼結材として窒化珪素(Si3N4)粉末を、マイクロ
波吸収体としてカーボン(C)製管状体を用い、第1実
施例と同様の装置を用いてマイクロ波を照射してセラミ
ックス焼結体を製造し、該焼結体の性能評価試験を行っ
た。以下、前記第1実施例との相違点を中心に説明す
る。
Third Embodiment Using a silicon nitride (Si 3 N 4 ) powder as a material to be sintered and a carbon (C) tubular body as a microwave absorber, microwave irradiation is performed using the same apparatus as in the first embodiment. Then, a ceramic sintered body was manufactured, and a performance evaluation test of the sintered body was performed. Hereinafter, a description will be given focusing on differences from the first embodiment.

被焼結材として、Si3N4粉末を用い、CIP処理を施して
φ5×6mmのSi3N4試料を用意した。また、マイクロ波吸
収体として、内径5mm×外径7mm×長さ7mmのカーボン管
を用いた。この被焼結材とマイクロ波吸収体の配設構造
および諸条件は、前記第1実施例と同様にした。
As a material to be sintered, Si 3 N 4 powder was subjected to CIP treatment to prepare a Si 3 N 4 sample of φ5 × 6 mm. In addition, a carbon tube having an inner diameter of 5 mm, an outer diameter of 7 mm, and a length of 7 mm was used as a microwave absorber. The arrangement structure and various conditions of the material to be sintered and the microwave absorber were the same as in the first embodiment.

窒素(N2)ガス中で被焼結材の加熱処理を行った結
果、加熱むらを生じることなく1700℃以上まで加熱する
ことができ、1700℃、10分の焼結条件で理論密度の90%
以上の焼結体が得られた。得られた焼結体は、破面観察
試験の結果均質な組織の焼結体であることが分かった。
As a result of heating the material to be sintered in nitrogen (N 2 ) gas, it is possible to heat it to 1700 ° C or more without generating uneven heating, and to achieve a theoretical density of 90% at 1700 ° C for 10 minutes. %
The above sintered body was obtained. As a result of a fracture surface observation test, the obtained sintered body was found to be a sintered body having a homogeneous structure.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は第1実施例で用いたセラミックス焼結装置を模
式的に示す一部省略概略断面図、第2図は従来技術のマ
イクロ波加熱炉の概念を示す断面図、第3図は第1実施
例における被焼結材とマイクロ波吸収体の誘電損率の温
度依存性を示した線図、第4図は第2実施例で用いたセ
ラミックス焼結装置を模式的に示す一部省略概略断面図
である。 1、21……セラミックス焼結装置 2、22……マイクロ波発生手段 3、23……空胴共振器 8、28……マイクロ波吸収体 9、29……被焼結材
FIG. 1 is a partially omitted schematic sectional view schematically showing a ceramic sintering apparatus used in the first embodiment, FIG. 2 is a sectional view showing the concept of a conventional microwave heating furnace, and FIG. FIG. 4 is a diagram showing the temperature dependence of the dielectric loss factor of the material to be sintered and the microwave absorber in one embodiment, and FIG. 4 is a partial illustration schematically showing the ceramic sintering apparatus used in the second embodiment. It is an outline sectional view. 1, 21 ceramic sintering device 2, 22 microwave generating means 3, 23 cavity resonator 8, 28 microwave absorber 9, 29 material to be sintered

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 山田 勇毅 (56)参考文献 特公 昭59−25937(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C04B 33/32 C04B 35/64 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page Examiner Yuki Yamada (56) References JP-B-59-25937 (JP, B2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) C04B 33/32 C04B 35 / 64

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】セラミックス材料からなる被焼結材をマイ
クロ波照射して焼結する方法において、 被焼結材を、マイクロ波の吸収がよく、該被焼結材より
も誘電損率の温度依存性が小さくかつ熱伝導率が大きい
材料からなるマイクロ波吸収体を介して、空胴共振器内
でマイクロ波を照射して焼結することを特徴とするセラ
ミックスの焼結方法。
1. A method for sintering a ceramic material by irradiating a material to be sintered with microwaves, wherein the material to be sintered has a good microwave absorption and a temperature of a dielectric loss factor higher than that of the material to be sintered. A method for sintering ceramics, comprising irradiating microwaves in a cavity resonator and sintering through a microwave absorber made of a material having low dependence and high thermal conductivity.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100371309B1 (en) * 1999-12-14 2003-02-07 원호연 Electro-ceramic Sintering Method using Microwave
ATE556038T1 (en) 2000-10-19 2012-05-15 Kek High Energy Accelerator CALCINATION FURNACE, PRODUCTION OF CALCINATED BODY AND CALCINATED BODY
CA2496186A1 (en) 2004-02-05 2005-08-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Microwave burning furnace
JP2007112699A (en) * 2005-09-20 2007-05-10 Sintokogio Ltd Microwave pressure sintering method and pressure sintering apparatus therefor
JP4765069B2 (en) * 2005-09-26 2011-09-07 国立大学法人東北大学 Nitride coating method
JP4811717B2 (en) * 2006-02-23 2011-11-09 独立行政法人産業技術総合研究所 Casting mold for microwave heating and method for producing ceramic sintered body
JP5048998B2 (en) * 2006-11-16 2012-10-17 株式会社松風 Microwave heating device for ceramics and its heating element
JP4600690B2 (en) * 2007-03-30 2010-12-15 Tdk株式会社 Manufacturing method of rare earth sintered magnet
JP5039878B2 (en) * 2007-09-21 2012-10-03 セイコーインスツル株式会社 Method for producing rare earth sintered magnet and method for producing rare earth bonded magnet
JP2010274383A (en) * 2009-05-29 2010-12-09 Nisshin Seisakusho:Kk Method and device for manufacturing metal bonded grinding wheel
WO2017106183A2 (en) * 2015-12-16 2017-06-22 3M Innovative Properties Company A microwave furnace and a method of sintering
CN113020611B (en) * 2021-03-09 2022-07-05 上海交通大学 Metal powder manufacturing method based on element burning loss of gas atomization powder preparation process

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