JP2919004B2 - Pattern formation method - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、半導体装置等の製造工程中で使用するレ
ジストパターンの形成方法に関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for forming a resist pattern used in a manufacturing process of a semiconductor device or the like.
（従来の技術） IC、LSI等の半導体装置を製造するに当たり、投影露
光装置が広く用いられている。(Prior Art) In manufacturing semiconductor devices such as ICs and LSIs, projection exposure apparatuses are widely used.
投影露光装置を用いレジストパターンを形成する場
合、従来一般には、シリコンウエハ等の下地上にレジス
トを塗布し、このレジストを投影露光装置で露光し、そ
の後このレジストを現象し最終的なレジストパターンを
得る、という手順がとられていた。In the case of forming a resist pattern using a projection exposure apparatus, conventionally, generally, a resist is applied to the lower surface of a silicon wafer or the like, the resist is exposed by a projection exposure apparatus, and then the resist is developed to form a final resist pattern. The procedure of obtaining was taken.
このようなプロセスでの投影露光装置の解像力Ｒ（ラ
インとスペースの寸法を互いに等しく解像出来る限界寸
法。）は、周知の通り、下記（１）式で与えられる。As is well known, the resolving power R of the projection exposure apparatus in such a process (a critical dimension at which lines and spaces can be equally resolved) is given by the following equation (1).
Ｒ＝ｋλ/NA …（１） 但し、ｋは定数であり、通常0.6程度とされるが工程
により多少変る値である。また、λは露光光の波長、NA
は投影露光装置の投影レンズの開口数である。R = kλ / NA (1) where k is a constant, which is usually set to about 0.6, but slightly changed depending on the process. Λ is the wavelength of the exposure light, NA
Is the numerical aperture of the projection lens of the projection exposure apparatus.
従って、半導体装置のデザインルールの縮小化に対応
出来る高い解像力を得るため、投影露光装置では、露光
光の短波長化、投影レンズの高NA化が進められている。Therefore, in order to obtain a high resolving power capable of responding to a reduction in the design rule of a semiconductor device, in an exposure apparatus, the wavelength of exposure light is shortened and the NA of a projection lens is increased.
高NA化がなされた原材入手可能な投影露光装置として
は、露光光がｇ線（436nm）用のものでNAが0.54のも
の、露光光がｉ線（365nm）用のものでNAが0.45のもの
がある。Projection exposure apparatuses that can obtain raw materials with high NA include those that use exposure light for g-line (436 nm) with an NA of 0.54 and those for exposure light for i-line (365 nm) with an NA of 0.45. There are things.
これら投影露光装置の解像度は、上述の（１）におい
てｋを0.6とすると、前者の解像力R1は、 R1＝0.6×436/0.54 ＝484nm≒0.5μｍ 後者の解像力R2は、 R1＝0.6×365/0.45 ＝487nm≒0.5μｍ となる。つまり、これらの投影露光装置は、0.5μｍ程
度のパターニングが可能であり、16MピットDRAM等の製
造が可能であった。As for the resolution of these projection exposure apparatuses, if k is 0.6 in the above (1), the former resolution R 1 is R 1 = 0.6 × 436 / 0.54 = 484 nm ≒ 0.5 μm The latter resolution R 2 is R 1 = 0.6 × 365 / 0.45 = 487 nm ≒ 0.5 μm. That is, these projection exposure apparatuses can perform patterning of about 0.5 μm, and can manufacture a 16M pit DRAM or the like.
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、投影露光装置の投影レンズの高NA化は
レンズ製造の難しさから限界がある。具体的には、ｇ線
用ではNAは0.65、ｉ線用では0.60、KrFエキシマレーザ
（波長248nm）用では0.5程度が限界とされている。従っ
て、これら条件での解像力は、（１）式に従えば（ｋ＝
0.6と仮定）、それぞれ0.4、0.36、0.30μｍとなる。こ
のため、これら露光装置を用い従来のパターン形成方法
（レジストを露光し、その後現象して最終的なレジスト
パターンを得る方法）でパターンを形成した場合、0.25
μｍ以下のパターン形成は困難であった。(Problems to be Solved by the Invention) However, there is a limit to increasing the NA of the projection lens of the projection exposure apparatus due to difficulty in manufacturing the lens. Specifically, the limit is NA of 0.65 for g-line, 0.60 for i-line, and about 0.5 for KrF excimer laser (wavelength 248 nm). Therefore, the resolving power under these conditions is (k =
0.6), and 0.4, 0.36, and 0.30 μm, respectively. For this reason, when a pattern is formed by a conventional pattern forming method (a method of exposing a resist and thereafter developing to obtain a final resist pattern) using these exposure apparatuses,
It was difficult to form a pattern of μm or less.
この発明はこのような点に鑑みなされたものであり、
従ってこの発明の目的は、投影露光装置の解像力限界以
下のレジストパターンを形成出来るパターン形成方法を
提供することにある。The present invention has been made in view of such a point,
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a pattern forming method capable of forming a resist pattern having a resolution lower than a resolution limit of a projection exposure apparatus.
（課題を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明のパターン形成
方法によれば、下地上に第１のレジストを形成しこの第
１のレジストをパターニングする工程と、このパターニ
ングで得た第１のレジストパターンを有する下地を、ア
ルカンの水素がフッ素で置換されたフッ素化合物のガス
を含むガスプラズマ中に放置する工程と、この放置後の
第１のレジストパターンを有する下地上に第２のレジス
トを形成しこの第２のレジストをパターニングする工程
とを含むことを特徴とする。(Means for Solving the Problems) In order to achieve this object, according to the pattern forming method of the present invention, a step of forming a first resist on a base and patterning the first resist, and a step of patterning the first resist Leaving the underlayer having the first resist pattern obtained in the above in a gas plasma containing a gas of a fluorine compound in which hydrogen of alkane has been replaced by fluorine, and on the underlayer having the first resist pattern after the leaving Forming a second resist and patterning the second resist.
なお、ここでいう下地とは、例えばガラス基板、シリ
コン基板、GaAs基板等の種々の基板、これら基盤に絶縁
膜、金属膜等の薄膜及び又は素子が作り込まれている中
間体等のことである。Here, the underlayer means various substrates such as a glass substrate, a silicon substrate, and a GaAs substrate, a thin film such as an insulating film and a metal film, and / or an intermediate in which elements are formed on these substrates. is there.
（作用） この発明の構成によれば、第１のレジストパターンを
有する下地を所定のガラスプラズマ中に放置するので、
該第１のレジストパターンは、この上に後に形成する第
２のレジストの溶媒及び後に行う第２のレジストの現象
に用いる現象液に不溶となる。そしてその後に、第２の
レジストの形成およびそのパターニングが行われる。従
って、下地上に第１のレジストパターンと、第２のレジ
ストパターンとを所定の関係で配置させて（例えば下地
の、第１のレジストパターンのスペース部に相当する部
分に第２のレジストパターンのライン部を配置させて）
レジストパターンを形成しこのパターンを最終的なレジ
ストパターンと出来る。従って、第１のレジストパター
ン及び第２のレジストパターン各々が、用いる投影露光
装置の解像度限界内の寸法のパターンであっても、最終
的なレジストパターンは、当該投影露光装置の解像限界
を越える微細な寸法のパターンになる。(Operation) According to the configuration of the present invention, the base having the first resist pattern is left in the predetermined glass plasma,
The first resist pattern is insoluble in a solvent for a second resist to be formed later thereon and a phenomenon liquid used for a phenomenon of the second resist to be performed later. After that, the formation and patterning of the second resist are performed. Accordingly, the first resist pattern and the second resist pattern are arranged in a predetermined relationship on the base (for example, the second resist pattern is formed in a portion of the base corresponding to a space portion of the first resist pattern). (Place the line part)
A resist pattern is formed, and this pattern can be used as a final resist pattern. Therefore, even if each of the first resist pattern and the second resist pattern has a size within the resolution limit of the projection exposure apparatus to be used, the final resist pattern exceeds the resolution limit of the projection exposure apparatus. It becomes a pattern with fine dimensions.
（実施例） 以下、図面を参照してこの発明のパターン形成方法の
実施例について説明する。なお、以下の説明中で述べ
る、使用装置、使用材料及び時間、温度、膜厚等の数値
的条件は、この発明の範囲内の好適例にすぎない。従っ
て、この発明がこれら条件にのみ限定されるものではな
いことは理解されたい。(Example) Hereinafter, an example of the pattern forming method of the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the equipment used, the materials used, and the numerical conditions such as time, temperature, and film thickness described in the following description are only preferred examples within the scope of the present invention. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited only to these conditions.
実施例 始めに、第１図（Ａ）〜（Ｅ）を参照して実施例のパ
ターン形成方法について説明する。なお、第１図（Ａ）
〜（Ｅ）は、工程中の主な工程での試料を下地11主面に
垂直な方向に沿って切った断面により示した工程図であ
る。Embodiment First, a pattern forming method according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 1 (A) to 1 (E). FIG. 1 (A)
(E) is a process diagram showing a cross section of a sample in a main step in the process along a direction perpendicular to the main surface of the base 11.
先ず、この実施例の場合、直径が３インチ（１インチ
は約2.54cm）のシリコン基板に厚さが3000Åのシリコン
酸化膜（図示せず）を公知の方法で形成し、さらに、こ
のシリコン酸化膜の一部を公知のフォトリソグラフィ技
術及びエッチング技術により除去して投影露光装置用の
アライメントマーク（図示せず）を形成して、実施例の
下地11とする（第１図（Ａ））。First, in this embodiment, a silicon oxide film (not shown) having a thickness of 3000 mm is formed on a silicon substrate having a diameter of 3 inches (one inch is about 2.54 cm) by a known method. A part of the film is removed by a known photolithography technique and an etching technique to form an alignment mark (not shown) for a projection exposure apparatus, which is used as a base 11 of the embodiment (FIG. 1A).
次に、スピンコート法によりこの下地11上に第１のレ
ジスト13としてこの実施例の場合TSMR−365iR（東京応
化工業（株）製ｉ線用ポジ型レジスト）を１μｍの厚さ
で形成する（第１図（Ｂ））。Then, TSMR-365iR (a positive resist for i-line manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) in this embodiment is formed as a first resist 13 with a thickness of 1 μm on the base 11 by spin coating (see FIG. 1). (FIG. 1 (B)).
次に、この試料をホットプレートにより90℃の温度で
90秒間ベークする。Next, this sample was placed on a hot plate at a temperature of 90 ° C.
Bake for 90 seconds.
次に、0.4μｍ幅のライン部が1.2μｍピッチでレジス
ト上に形成出来るラインアンドスペースパターンを有す
るマスクを装着させたｉ線用投影露光装置RA−101VLII
（NA＝0.42:（株）日立製作所製）を用い、マスクのア
ライメントマークと下地のアライメントマークとの位置
合わせをした後第１のレジスト13を300mJ/cm2の露光量
で露光する。Next, an i-line projection exposure apparatus RA-101VLII equipped with a mask having a line and space pattern capable of forming a 0.4 μm wide line portion on a resist at a 1.2 μm pitch.
Using (NA = 0.42: manufactured by Hitachi, Ltd.), the first resist 13 is exposed at an exposure amount of 300 mJ / cm 2 after aligning the alignment mark of the mask with the alignment mark of the base.
次に、この露光済みの第１のレジスト13を、NMD−Ｗ
と称される現像液（2.38％テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液；東京応化工業（株）製）を用
い60秒間パドル現像して、第１のレジストパターン13a
を得る（第１図（Ｂ））。Next, the exposed first resist 13 is applied to NMD-W
Paddle development for 60 seconds using a developing solution (2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide; manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) to form a first resist pattern 13a
(FIG. 1 (B)).
得られた第１のレジストパターン13aをSEM測長機
（（株）日立製作所製Ｓ−6000）により観察したとこ
ろ、これはライン部の幅が0.3μｍでピッチが1.2μｍ
（即ちスペース部が0.9μｍ）のパターンに仕上ってい
ることが分った。Observation of the obtained first resist pattern 13a using a SEM length measuring machine (S-6000, manufactured by Hitachi, Ltd.) revealed that the width of the line portion was 0.3 μm and the pitch was 1.2 μm.
(That is, the space portion was 0.9 μm).
次に、第１のレジストターン13aを有する下地11を、
日電アネルバ（株）製平行平板型ドライエッチング装置
DEM451の反応室内に載置する。Next, the underlayer 11 having the first resist turn 13a is
Parallel plate type dry etching equipment manufactured by Nidec Anelva Co., Ltd.
Place in the reaction chamber of DEM451.
次に、この反応炉内に、酸素ガスと、アルカンの水素
がフッ素で置換されたフッ素化合物のガスとしてこの場
合CF4ガスとをそれぞれ10sccmの流量で供給し、かつ、
これら混合ガスの圧力を50mTorr、RFパワーを0.01W/cm2
として反応炉内に上記混合ガスのプラズマを発生させ
る。第１のレジストパターン13aをこのようなガスプラ
ズマ中に放置することにより、第１のレジストパターン
13aは、後述の第２のレジストの溶媒及び現像液に対し
不溶性を示すようになり、不溶化処理済みの第１のレジ
ストパターン13bが得られる（第１図（Ｃ））。なお、
第１のレジストパターン13aを有する下地11は、反応炉
内にこの実施例の場合１分間放置した。Next, oxygen gas and CF 4 gas in this case are supplied at a flow rate of 10 sccm as a gas of a fluorine compound in which hydrogen of alkane is replaced with fluorine, and
The pressure of these mixed gases is 50 mTorr and the RF power is 0.01 W / cm 2
To generate plasma of the mixed gas in the reaction furnace. By leaving the first resist pattern 13a in such a gas plasma, the first resist pattern
13a becomes insoluble in a solvent and a developing solution of a second resist described later, and a first resist pattern 13b which has been insolubilized is obtained (FIG. 1 (C)). In addition,
The underlayer 11 having the first resist pattern 13a was left in a reaction furnace for one minute in this embodiment.
次に、不溶化処理済みの第１のレジストパターン13b
を有する下地11上に、スピンコート法により第２のレジ
スト15としてこの場合第１のレジストとして用いたTSMR
−365iRを1.0μｍの膜厚に塗布する（第１図（Ｄ））。Next, the insolubilized first resist pattern 13b
TSMR used as the first resist in this case as the second resist 15 by spin coating on the base 11 having
-365iR is applied to a film thickness of 1.0 μm (FIG. 1 (D)).
不溶化処理済みの第１のレジストパターン13bは、第
２のレジスト15の溶媒に対して不溶となるように上述の
如く処理されているので、第２のレジスト15により第１
のレジストパターン13bが覆われても、第１のレジスト
パターン自体のパターンくずれは起きず、また第２のレ
ジストとの間でのミキシングも起きなかった。Since the first resist pattern 13b which has been insolubilized is treated as described above so as to be insoluble in the solvent of the second resist 15, the first resist pattern 13b is
Even when the resist pattern 13b was covered, no pattern collapse of the first resist pattern itself occurred, and no mixing with the second resist occurred.
次に、第１のレジストのペーキング条件と同様な条件
で第２のレジスト15をベーキングする。Next, the second resist 15 is baked under the same conditions as those for the first resist.
次に、ペーキング済みの第２のレジストを有する下地
11を先に用いた投影露光装置のウエハステージにセット
し、その後この投影露光装置に装着してあるマスクに対
し下地11をアライメントし、次いで、ウエハステージを
Ｘ方向に0.3μｍずらして、つまり不溶化処理済みの第
１のレジストパターン13bのスペース部にマスクのライ
ン部が投影されるようウエハステージをずらし、その
後、第２のレジスト15を300mJ/cm2の露光量で露光す
る。Next, an underlayer having a second resist that has been
11 is set on the wafer stage of the projection exposure apparatus used earlier, and then the base 11 is aligned with the mask mounted on the projection exposure apparatus. Then, the wafer stage is shifted by 0.3 μm in the X direction, that is, insolubilized. The wafer stage is shifted so that the line portion of the mask is projected on the space portion of the processed first resist pattern 13b, and thereafter, the second resist 15 is exposed at an exposure amount of 300 mJ / cm 2 .
次に、露光済み第２のレジストを第１のレジストの現
象条件と同じ現象条件で現像して第２のレジストパター
ン15aを得る（第１図（Ｅ））。なお、不溶化処理済み
第１のレジストパターン13bは、現像液NMD−Ｗに対し不
溶となるよう上述の如く処理されているので、第２のレ
ジスト現像時にパターンのくずれが生じるようなことは
なかった。Next, the exposed second resist is developed under the same phenomena as those of the first resist to obtain a second resist pattern 15a (FIG. 1E). Since the insolubilized first resist pattern 13b was treated as described above so as to be insoluble in the developing solution NMD-W, no pattern collapse occurred during the second resist development. .
第２のレジスト現像後、下地11上には、不溶化処理済
みの第１のレジストパターン13bと第２のレジストパタ
ーン15aとで構成されるレジストパターン17が形成され
る（第１図（Ｅ））。このレジストパターン17をSEM測
長機Ｓ−6000により観察したところ、0.3μｍ幅のライ
ン部が0.6μｍピッチで並ぶパターン即ち0.3μｍライン
・アンド・スペースパターンが解像されていることが分
った。After the second resist development, a resist pattern 17 composed of a first resist pattern 13b and a second resist pattern 15a that have been insolubilized is formed on the underlayer 11 (FIG. 1E). . Observation of the resist pattern 17 with a SEM length-measuring device S-6000 revealed that a pattern in which 0.3 μm wide line portions were arranged at a 0.6 μm pitch, that is, a 0.3 μm line and space pattern was resolved. .
比較例 また、実施例で用いたと同様な下地上に実施例で用い
たTSMR−365iRレジストを実施例同様な方法で同様な膜
厚に塗布しこのレジストを実施例と同様な条件でベーキ
ングする。次に、種々のライン・アンド・スペースパタ
ーンを有するテストマスクを用い実施例と同様な投影露
光装置を用い実施例の同様な露光量でこのレジストを露
光しさらに実施例同様な方法で現像する（比較例のパタ
ーン形成方法＝従来の一般のパターン形成方法）。Comparative Example Further, a TSMR-365iR resist used in the example is applied to a similar film thickness on the same base as used in the example by the same method as in the example, and the resist is baked under the same conditions as in the example. Next, using a test mask having various line-and-space patterns, using a projection exposure apparatus similar to the embodiment, the resist is exposed with the same exposure amount as in the embodiment, and further developed by a method similar to the embodiment ( Comparative example pattern forming method = conventional general pattern forming method).
この比較例のパターン形成方法では、最小パターン
は、0.4μｍのライン部を0.8μｍピッチで有するパター
ンつまり0.4μｍライン・アンド・スペースパタンであ
り、0.3μｍライン・アンド・スペースパターンは全く
解像されていないことが分った。In the pattern forming method of this comparative example, the minimum pattern is a pattern having 0.4 μm line portions at 0.8 μm pitch, that is, a 0.4 μm line and space pattern, and a 0.3 μm line and space pattern is completely resolved. I found that it wasn't.
比較例及び実施例の説明から明らかなように、TSMR−
365−iRレジスト及びRA−101VL II投影露光装置を用い
た系では解像限界は0.4μｍであるところ、この系にこ
の発明のパターン形成方法を適用することによりにこの
系の解像限界を越えた0.3μｍライン・アンド・スペー
スパターンが得られるようになることが分る。As is clear from the description of Comparative Examples and Examples, TSMR-
In a system using a 365-iR resist and an RA-101 VL II projection exposure apparatus, the resolution limit is 0.4 μm, but by applying the pattern forming method of the present invention to this system, it exceeds the resolution limit of this system. It can be seen that a 0.3 μm line and space pattern can be obtained.
従って、今回実施例は、投影露光装置の調達の都合上
RA−101VL IIを用いた実験しか行えなかったが、RA−10
1VL IIより解像限界が高い投影露光装置を用いこの発明
のパターン形成方法を適用すれば、現在の投影露光装置
では得られないとされていた0.25μｍルール以下のパタ
ーン形成も可能になることが分る。Therefore, this embodiment is not suitable for the procurement of the projection exposure apparatus.
Only experiments using RA-101VL II could be performed, but RA-10
If the pattern forming method of the present invention is applied using a projection exposure apparatus having a higher resolution limit than 1VL II, it is possible to form a pattern of 0.25 μm rule or less, which was not possible with the current projection exposure apparatus. I understand.
上述においては、この発明パターン形成方法の実施例
について説明したが、この発明は上述の実施例のみに限
定されるものではなく以下のような変更を加えることが
出来る。In the above, the embodiment of the pattern forming method of the present invention has been described. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and the following changes can be made.
例えば、上述の実施例では、用いるレジストをTSMR−
365iRとしていたが、この発明に用い得るレジストはこ
れに限られず他のもの（ネガ型、ポジ型を問わない。）
でも良い。但し、不溶化処理を、アルカンの水素がフッ
素で置換されたフッ素化合物のガスを含むガスプラズマ
により行う場合は、レジストはいわゆるノボラック系の
レジスト（ポジ型、ネガ型を問わない。）とするのが好
適である。不溶化処理の効果が顕著に得られるからであ
る。For example, in the above embodiment, the resist used is TSMR-
Although the resist is 365iR, the resist that can be used in the present invention is not limited to this, and other resists (regardless of negative type and positive type).
But it is good. However, when the insolubilization treatment is performed by gas plasma containing a gas of a fluorine compound in which hydrogen of an alkane is replaced by fluorine, the resist is a so-called novolak-based resist (regardless of positive type or negative type). It is suitable. This is because the effect of the insolubilization treatment is remarkably obtained.
また、上述の実施例では第１レジスト、第２レジスト
共に同じレジストを用いていたが、必要に応じては両者
を別のレジストとしても良い。In the above-described embodiment, the same resist is used for both the first resist and the second resist. However, if necessary, both may be different resists.
また、必要によっては、第２のレジストパターン形成
後にこれを第３のレジストの溶媒及び現像液に不溶化し
てこの上に第３のレジストパターンを形成するというよ
うに、この発明を実施しても勿論良い。Further, if necessary, the present invention may be practiced such that after forming the second resist pattern, the second resist pattern is insolubilized in a solvent and a developing solution of the third resist to form a third resist pattern thereon. Of course it is good.
（発明の効果） 上述の説明からも明らかなように、この発明のパター
ン形成方法によれば、下地上に第１のレジストパターン
を１度形成後、この下地の第１のレジストパターン間の
領域に次のレジストパタンを形成出来るので、露光装置
の解像限界を越える（解像限界以下の）微細なレジスト
パターンを形成出来る。(Effects of the Invention) As is clear from the above description, according to the pattern forming method of the present invention, after the first resist pattern is formed once on the base, the area between the first resist patterns on the base is formed. Since the next resist pattern can be formed, a fine resist pattern exceeding the resolution limit of the exposure apparatus (below the resolution limit) can be formed.
従って、この発明のパターン形成方法は、高集積化し
たLSI等の製造を容易にする。Therefore, the pattern forming method of the present invention facilitates the manufacture of highly integrated LSIs and the like.
第１図（Ａ）〜（Ｅ）は、実施例のパターン形成方法の
説明に供する工程図である。 11……下地 13……第１のレジスト 13a……第１のレジストパターン 13b……不溶化処理済み第１のレジストパターン 15……第２のレジスト 15a……第２のレジストパターン 17……レジストパターン。1A to 1E are process diagrams for explaining a pattern forming method according to an embodiment. 11 Base 13 First resist 13a First resist pattern 13b First resist pattern 15 insolubilized 15 Second resist 15a Second resist pattern 17 Resist pattern .
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−127326（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−8013（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/26 511 G03F 7/40 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-58-127326 (JP, A) JP-A-55-8013 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/027 G03F 7/26 511 G03F 7/40
Claims (1)
レジストをパターニングする工程と、 前記パターニングで得た第１のレジストパターンを有す
る前記下地を、アルカンの水素がフッ素で置換されたフ
ッ素化合物のガスを含むがスプラズマ中に放置する工程
と、 該放置後の第１のレジストパターンを有する前記下地上
に第２のレジストを形成し該第２のレジストをパターニ
ングする工程とを含むこと を特徴とするパターン形成方法。A step of forming a first resist on an underlayer and patterning the first resist; and replacing the hydrogen of the alkane with fluorine in the underlayer having the first resist pattern obtained by the patterning. Leaving the substrate in a plasma containing the fluorine compound gas, and forming a second resist on the base having the first resist pattern after the leaving and patterning the second resist. A pattern forming method characterized by including:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18444790A JP2919004B2 (en) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | Pattern formation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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