JP2838335B2 - 感光性組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、平版印刷版やＩＣ等の
半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の
製造、更にその他のフォトアプリケーション工程に使用
される化学増幅系ポジ型感光性組成物に関するものであ
る。

【０００２】

【従来技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、一
般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノン
ジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例え
ば、「ノボラック型フェノール樹脂／ナフトキノンジア
ジド置換化合物」として米国特許第3,６６6,４７３号、
米国特許第4,１１5,１２８号及び米国特許第4,１７3,４
７０号等に、また最も典型的な組成物として「クレゾー
ル−ホルムアルデヒドより成るノボラック樹脂／トリヒ
ドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジ
ドスルホン酸エステル」の例がトンプソン「イントロダ
クション・トゥー・マイクロリソグラフィー」(L.F.Tho
mpson 「Introduction to Microlithography」)(ＡＣＳ
出版、No. ２１９号、ｐ１１２〜１２１）に記載されて
いる。

【０００３】このような基本的にノボラック樹脂とキノ
ンジアジド化合物から成るポジ型フォトレジストでは、
ノボラック樹脂がプラズマエッチングに対して高い耐性
を与え、ナフトキノンジアジド化合物は溶解阻止剤とし
て作用する。そして、ナフトキノンジアジドは光照射を
受けるとカルボン酸を生じることにより溶解阻止能を失
いノボラック樹脂のアルカリ溶解度を高めるという特性
を持つ。

【０００４】これまで、かかる観点からノボラック樹脂
とナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポ
ジ型フォトレジストが開発、実用化され、0.８μｍ〜２
μｍ程度までの線幅加工に於いては十分な成果をおさめ
てきた。しかし、集積回路はその集積度を益々高めてお
り、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造に於いてはハーフ
ミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が必
要とされるようになってきた。この必要な解像力を達成
するためにフォトリソグラフィーに用いられる露光装置
の使用波長は益々短波化し、今では、遠紫外光やエキシ
マレーザー光（ＸｅＣｌ，ＫｒＦ，ＡｒＦなど）が検討
されるまでになってきている。

【０００５】従来のノボラックとナフトキノンジアジド
化合物から成るレジストを遠紫外光やエキシマレーザー
光を用いたリソグラフィーのパターン形成に用いると、
ノボラック及びナフトキノンジアジドの遠紫外領域に於
ける吸収が強いために光がレジスト底部まで到達しにく
くなり、低感度でテーパーのついたパターンしか得られ
ない。

【０００６】このような問題を解決する手段の一つが、
米国特許第4,４９1,６２８号、米国特許第4,９９6,１３
６号等に記載されている化学増幅系レジスト組成物であ
る。化学増幅系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光など
の放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を
触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射
部の現像液に対する溶解性を変化させパターンを基板上
に形成させるパターン形成材料である。

【０００７】ポジ型化学増幅系レジストは、アルカリ可
溶性樹脂、放射線露光によって酸を発生する化合物（光
酸発生剤）および溶解阻止化合物から成る３成分系と、
酸との反応によりアルカリ可溶となる基を有する樹脂と
光酸発生剤とからなる２成分系に大別できる。従来の化
学増幅系レジスト（米国特許第4,４９1,６２８号、米国
特許第4,９９6,１３６号、米国特許第4,１０1,３２３号
等）では溶解阻止性が不十分であるために膜減りが大き
くレジストプロファイルを著しく劣化させる。また、熱
安定性も悪いために露光後のベークによりレジスト膜が
収縮するという問題を有しており、いずれも実用レベル
には到達していない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、露光後のベークによる膜収縮が少なく、良好なプロ
ファイルと高解像力を有する化学増幅系感光性組成物を
提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸点
に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が少なくとも
一種の下記一般式〔Ｉ〕〜〔XI〕のいずれかで表される
化合物、アルカリ可溶性樹脂及び光酸発生剤から成るこ
とを特徴とする化学増幅系ポジ型感光性組成物。

【００１０】

【化９】

【００１１】

【化１０】

【００１２】

【化１１】

【００１３】

【化１２】

【００１４】

【化１３】 上記式中の記号の意味は以下の通りである。 Ｒ₀₁，Ｒ₀₂，Ｒ₀₃，Ｒ₀₄；水素原子又はＲ₀₅−Ｘ−Ｒ₀₆
−基（但し、Ｒ₀₅はアルキル基、Ｒ₀₆はアルキレン基、
Ｘは酸素原子又は硫黄原子を示し、〔Ｉ〕〜〔XI〕の各
分子中、Ｒ₀₁〜Ｒ₀₄の少なくとも１個はＲ₀₅−Ｘ−Ｒ₀₆
−基である。）、 Ｒ₁ ；−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ−、−Ｎ
ＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂ −、
−ＳＯ₃ −又は

【００１５】

【化１４】 （Ｇ＝２〜６、但し、Ｇ＝２のときはＲ₄ 、Ｒ₅ のうち
少なくとも一方はアルキル基である。）、 Ｒ₄ ，Ｒ₅ ；水素原子、アルキル基、アルコキシ基、−
ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＮ、ハロゲン原子、−Ｒ₆ −Ｃ
ＯＯＲ₇ 又は−Ｒ₈ −ＯＨ、 Ｒ₆ ，Ｒ₈ ；アルキレン基、 Ｒ₇ ；水素原子、アルキル基、アリール基又はアラルキ
ル基、 Ｒ₂ ，Ｒ₃ ，Ｒ₉ 〜Ｒ₁₂，Ｒ₁₅，Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁，Ｒ₂₅〜Ｒ
₂₇，Ｒ₃₀〜Ｒ₃₂，Ｒ₃₇〜Ｒ₄₂，Ｒ₄₆〜Ｒ₄₉及びＲ₅₁；水
素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アシル
基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
ラルキル基、アラルキルオキシ基、ハロゲン原子、ニト
ロ基、カルボキシル基、シアノ基又は−Ｎ（Ｒ₁₃）（Ｒ
₁₄）（Ｒ₁₃，Ｒ₁₄；水素原子、アルキル基、アリール
基）、 Ｒ₁₆；単結合、アルキレン基又は

【００１６】

【化１５】 Ｒ₂₂，Ｒ₂₄；単結合、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、
−ＣＯ−又はカルボオキシ基、 Ｒ₂₃；水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシル
基、アシロキシ基、アリール基、ニトロ基、水酸基、シ
アノ基又はカルボキシル基（但し、水酸基はＲ₀₅−Ｘ−
Ｒ₀₆−基で置換されていてもよい。）、 Ｒ₂₈，Ｒ₂₉；メチレン基、低級アルキル置換メチレン
基、ハロメチレン基又はハロアルキル基、 Ｒ₃₃〜Ｒ₃₆；水素原子又はアルキル基、 Ｒ₄₃〜Ｒ₄₅；水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ア
シル基又はアシロキシ基、 Ｒ₅₀；水素原子、Ｒ₀₅−Ｘ−Ｒ₀₆−基又は

【００１７】

【化１６】 Ｒ₅₂，Ｒ₅₃；水素原子、低級アルキル基、低級ハロアル
キル基又はアリール基、 Ｙ；−ＣＯ−又は−ＳＯ₂ −、 Ｚ，Ｂ；単結合又は−Ｏ−、 Ａ；メチレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメ
チレン基又はハロアルキル基、 Ｅ；単結合又はオキシメチレン基、 ａ〜ｑ，ｓ，ｔ，ｖ，ｇ１〜ｉ１，ｋ１〜ｍ１，ｏ１，
ｑ１，ｓ１，ｕ１；０〜５の整数、 ｒ，ｕ，ｙ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，ａ１〜ｆ１，ｐ１，ｒ
１，ｔ１，ｖ１〜ｘ１；０〜４の整数、 ｊ１，ｎ１；０〜３の整数、 ｙ１；３〜８の整数 （ａ〜ｙ１；２以上のとき、（ ）内の基は同一でもよ
くまたは異なっていてもよい。）、 (a+b), (e+f+g), (k+l+m), (q+r+s), (w+x+y), (c1+d
1), (g1+h1+i1+j1), (o1+p1), (s1+t1)≧１、(j1+n1)
≦３、(r+u), (w+z), (x+a1),(y+b1), (c1+e1), (d1+f
1), (p1+r1), (t1+v1), (x1+w1)≦４、(a+c), (b+d),
(e+h), (f+i), (g+j), (k+n), (l+o), (m+p), (q+t),
(s+v),(g1+k1), (h1+l1), (i1+m1), (o1+q1), (s1+u1)
≦５。

【００１８】本発明の一般式〔Ｉ〕〜〔XI〕の化合物
は、F. R. van Heerden et al., Tetrahedron Lett.,６
６１（１９７８）に記載の方法により、塩基性触媒存在
下、一般式〔Ｉ′〕〜〔XI′〕のポリヒドロキシ化合物
と、例えば、メチルオキシメチルクロライドとをジクロ
ルメタン中で反応させることにより得られる。

【００１９】

【化１７】

【００２０】

【化１８】

【００２１】

【化１９】

【００２２】

【化２０】

【００２３】

【化２１】 Ｒ₁ ；−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ−、−Ｎ
ＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂ −、
−ＳＯ₃ −又は

【００２４】

【化２２】 （Ｇ＝２〜６、但し、Ｇ＝２のときはＲ₄ 、Ｒ₅ のうち
少なくとも一方はアルキル基である。）、 Ｒ₄ ，Ｒ₅ ；水素原子、アルキル基、アルコキシ基、−
ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＮ、ハロゲン原子、−Ｒ₆ −Ｃ
ＯＯＲ₇ 又は−Ｒ₈ −ＯＨ、 Ｒ₆ ，Ｒ₈ ；アルキレン基、 Ｒ₇ ；水素原子、アルキル基、アリール基又はアラルキ
ル基、 Ｒ₂ ，Ｒ₃ ，Ｒ₉ 〜Ｒ₁₂，Ｒ₁₅，Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁，Ｒ₂₅〜Ｒ
₂₇，Ｒ₃₀〜Ｒ₃₂，Ｒ₃₇〜Ｒ₄₂，Ｒ₄₆〜Ｒ₄₉及びＲ₅₁；水
素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アシル
基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
ラルキル基、アラルキルオキシ基、ハロゲン原子、ニト
ロ基、カルボキシル基、シアノ基又は−Ｎ（Ｒ₁₃）（Ｒ
₁₄）（Ｒ₁₃，Ｒ₁₄；水素原子、アルキル基、アリール
基）、 Ｒ₁₆；単結合、アルキレン基又は

【００２５】

【化２３】 Ｒ₂₂，Ｒ₂₄；単結合、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、
−ＣＯ−又はカルボオキシ基、 Ｒ₂₃；水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシル
基、アシロキシ基、アリール基、ニトロ基、水酸基、シ
アノ基又はカルボキシル基、 Ｒ₂₈，Ｒ₂₉；メチレン基、低級アルキル置換メチレン
基、ハロメチレン基又はハロアルキル基、 Ｒ₃₃〜Ｒ₃₆；水素原子又はアルキル基、 Ｒ₄₃〜Ｒ₄₅；水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ア
シル基又はアシロキシ基、 Ｒ₅₀；水素原子又は

【００２６】

【化２４】 Ｒ₅₂，Ｒ₅₃；水素原子、低級アルキル基、低級ハロアル
キル基又はアリール基、 Ｙ；−ＣＯ−又は−ＳＯ₂ −、 Ｚ，Ｂ；単結合又は−Ｏ−、 Ａ；メチレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメ
チレン基又はハロアルキル基、 Ｅ；単結合又はオキシメチレン基、 ａ〜ｑ，ｓ，ｔ，ｖ，ｇ１〜ｉ１，ｋ１〜ｍ１，ｏ１，
ｑ１，ｓ１，ｕ１；０〜５の整数、 ｒ，ｕ，ｙ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，ａ１〜ｆ１，ｐ１，ｒ
１，ｔ１，ｖ１〜ｘ１；０〜４の整数、 ｊ１，ｎ１；０〜３の整数、 ｙ１；３〜８の整数 （ａ〜ｙ１；２以上のとき、（ ）内の基は同一でもよ
くまたは異なっていてもよい。）、 (a+b), (e+f+g), (k+l+m), (q+r+s), (w+x+y), (c1+d
1), (g1+h1+i1+j1), (o1+p1), (s1+t1)≧１、(j1+n1)
≦３、(r+u), (w+z), (x+a1),(y+b1), (c1+e1), (d1+f
1), (p1+r1), (t1+v1), (x1+w1)≦４、(a+c), (b+d),
(e+h), (f+i), (g+j), (k+n), (l+o), (m+p), (q+t),
(s+v),(g1+k1), (h1+l1), (i1+m1), (o1+q1), (s1+u1)
≦５。

【００２７】３成分系ポジ型感光性材料は、酸分解性溶
解抑制剤、アルカリ可溶性樹脂及び光酸発生剤から成
る。酸分解性溶解抑制剤は、アルカリ可溶性樹脂のアル
カリへの溶解性を抑制し、露光を受けると発生する酸に
より酸分解性基が脱保護され、逆にアルカリへの溶解性
を促進する作用を有する。特開昭６３−２７８２９及び
特開平３−１９８０５９にナフタレン、ビフェニル及び
ジフェニルシクロアルカンを骨格化合物とする溶解抑制
剤が開示されているが、ベーク後の膜収縮、プロファイ
ル及び解像力の点で不十分である。

【００２８】本発明の溶解抑制剤は、一般式〔Ｉ〕〜
〔XI〕で表されるが、これらの特定化合物は従来公知の
技術にはない以下に示すいずれかの条件を満足する骨格
化合物を用いるものであり、これによって初めて本発明
の目的を達成することができる。 （１）水素結合性の連結基もしくは置換基を有する２個
以上の芳香環から成る構造。 （２）炭素数２以上の直鎖状のアルキレン鎖もしくは炭
素数４以上の分岐状のアルキレン鎖を連結基としたジフ
ェニル構造。 （３）３個以上の芳香環から成る構造及びインダン、フ
ラボン骨格を有する構造。

【００２９】これらのうち好ましいものは骨格化合物が
以下のいずれかの条件を満足する場合である。 （１）−ＣＯ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₃ −、
−ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＯ−を芳香環連結基として有す
る構造。 （２）炭素数４以上の分岐状アルキレン鎖を連結基とし
たジフェニル構造。 （３）３〜７個の芳香環から成る構造及びインダン、フ
ラボン骨格を有する構造。

【００３０】これらのうち更に好ましいものは、官能基
数（１分子中のＲ₀₅−Ｘ−Ｒ₀₆−基基数）が３以上のも
のである。官能基数が２以下では溶剤への溶解性が低下
し、またプロファイル、解像力の点で好ましくない。酸
分解性抑制剤として以下の化合物を例示することができ
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００３１】

【化２５】

【００３２】

【化２６】

【００３３】

【化２７】

【００３４】

【化２８】

【００３５】

【化２９】

【００３６】

【化３０】

【００３７】

【化３１】

【００３８】

【化３２】

【００３９】

【化３３】

【００４０】

【化３４】

【００４１】

【化３５】

【００４２】

【化３６】

【００４３】

【化３７】

【００４４】

【化３８】

【００４５】

【化３９】

【００４６】

【化４０】

【００４７】

【化４１】

【００４８】

【化４２】

【００４９】

【化４３】

【００５０】

【化４４】 本発明に用いられる一般式〔Ｉ〕〜〔XI〕で表される化
合物中のＲ₀₁〜Ｒ₀₄は水素原子又はＲ₀₅−Ｘ−Ｒ₀₆−基
（Ｒ₀₅はアルキル基、Ｒ₀₆はアルキレン基、Ｘは酸素原
子又は硫黄原子を表す）である。上述の脱塩化水素反応
においては、アルキルオキシ（又はチオ）アルキレンク
ロライドのポリヒドロキシ化合物（一般式〔Ｉ′〕〜
〔XI′〕）に対するモル比を変えることにより任意の数
のＲ⁵ −Ｘ−Ｒ⁶ −基を導入することができる。

【００５１】本発明に用いられる一般式〔Ｉ〕〜〔XI〕
で表される化合物のＲ₀₅−Ｘ−Ｒ₀₆−基含有率は３０％
〜１００％が好ましく、５０％〜１００％の範囲が更に
好適である。Ｒ₀₅−Ｘ−Ｒ₀₆−基含有率が３０％以下で
は、アルカリ可溶性樹脂の溶解抑制効果が小さく、膜減
りが大きくなる。本発明に用いられるアルカリ可溶性樹
脂としては、例えばノボラック樹脂、アセトン−ピロガ
ロール樹脂、ポリヒドキシスチレン、スチレン−無水マ
レイン酸共重合体、カルボキシル基含有メタクリル系樹
脂及びその誘導体を挙げることができるが、これらに限
定されるものではない。

【００５２】特に好ましいアルカリ可溶性樹脂はノボラ
ック樹脂である。該ノボラック樹脂は所定のモノマーを
主成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加
縮合させることにより得られる。所定のモノマーとして
は、フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ
−クレゾール等のクレゾール類、２，５−キシレノー
ル、３，５−キシレノール、３，４−キシレノール、
２，３−キシレノール等のキシレノール類、ｍ−エチル
フェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノ
ール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、２，３，５−トリメ
チルフェノール等のアルキルフェノール類、ｐ−メトキ
シフェノール、ｍ−メトキシフェノール、３，５−ジメ
トキシフェノール、２−メトキシ−４−メチルフェノー
ル、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノー
ル、ｍ−プロポキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノ
ール、ｍ−ブトキシフェノール、ｐ−ブトキシフェノー
ル等のアルコキシフェノール類、２−メチル−４−イソ
プロピルフェノール等のビスアルキルフェノール類、ｍ
−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−クロ
ロフェノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノー
ルＡ、フェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトー
ル等のヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは２種類以上
混合して使用することができるが、これらに限定される
ものではない。

【００５３】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアル
デヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、
ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズ
アルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチル
ベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−
メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を使
用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒ
ドを使用するのが好ましい。

【００５４】これらのアルデヒド類は、単独でもしくは
２種類以上組み合わせて用いられる。酸性触媒としては
塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸等を使用することが
できる。こうして得られたノボラック樹脂の重量平均分
子量は、1,０００〜３0,０００の範囲であることが好ま
しい。1,０００未満では未露光部の現像後の膜減りが大
きく、３0,０００を越えると現像速度が小さくなってし
まう。特に好適なのは2,０００〜２0,０００の範囲であ
る。

【００５５】ここで、重量平均分子量はゲルパーミエー
ションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもっ
て定義される。本発明に於ける一般式〔Ｉ〕〜〔XI〕で
表される化合物とアルカリ可溶性樹脂の使用比率は、ア
ルカリ可溶性樹脂１００重量部に対し、一般式〔Ｉ〕〜
〔XI〕で表される化合物３〜１００重量部、好ましくは
５〜６０重量部である。この使用比率が３重量部未満で
は、残膜率が著しく低下し、また１００重量部を越える
とレジストの耐熱性及びドライエッチング耐性が低下す
る。

【００５６】本発明で使用される活性光線または放射線
の照射により分解して酸を発生する化合物としては、光
カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、
色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジス
ト等に使用されている公知の光により酸を発生する化合
物およびそれらの混合物を適宜に選択して使用すること
ができる。

【００５７】例えば S.I. Schlesinger, Photogr. Sci.
Eng., 18, 387(1974)、T.S. Bal et al, Polymer, 21,
423(1980)等に記載のジアゾニウム塩、米国特許第4,06
9,055 号、同4,069,056 号、同 Re 27,992号、特願平3-
140140号等に記載のアンモニウム塩、D.C. Necker et a
l, Macromolecules, 17, 2468(1984) 、C.S. Wen etal,
Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo, Oc
t (1988) 、米国特許第4,069,055 号、同4,069,056 号
等に記載のホスホニウム塩、J.V. Crivello etal, Macr
omorecules, 10(6), 1307 (1977) 、Chem. & Eng. New
s, Nov. 28, p31 (1988)、欧州特許第104,143 号、米国
特許第339,049 号、同第410,201 号、特開平2-150848
号、特開平2-296514号等に記載のヨードニウム塩、J.V.
Crivelloet al, Polymer J. 17, 73(1985)、J.V. Criv
ello et al. J. Org. Chem., 43,3055 (1978) 、W.R. W
att et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 22,
1789(1984) 、J.V. Crivello et al, Polymer Bull.,
14, 279(1985) 、J.V. Crivello et al, Macromorecule
s, 14(5), 1141 (1981) 、J.V. Crivello et al, J. Po
lymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 2877(1979) 、欧
州特許第370,693 号、同3,902,114 号、同233,567 号、
同297,443 号、同297,442 号、米国特許第4,933,377
号、同161,811 号、同410,201 号、同339,049 号、同4,
760,013 号、同4,734,444 号、同2,833,827 号、独国特
許第2,904,626 号、同3,604,580 号、同3,604,581 号等
に記載のスルホニウム塩、J.V. Crivello et al, Macro
morecules, 10(6),1307(1977) 、J.V. Crivello et al,
J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 1047(197
9) 等に記載のセレノニウム塩、C.S. Wen et al, Teh,
Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (198
8) 等に記載のアルソニウム塩等のオニウム塩、米国特
許第3,905,815 号、特公昭46-4605 号、特開昭48-36281
号、特開昭55-32070号、特開昭60-239736 号、特開昭61
-169835 号、特開昭61-169837 号、特開昭62-58241号、
特開昭62-212401 号、特開昭63-70243号、特開昭63-298
339 号等に記載の有機ハロゲン化合物、K. Meier et a
l, J. Rad. Curing, 13(4), 26(1986) 、T.P. Gill et
al, Inorg. Chem., 19, 3007(1980) 、D.Astruc, Acc.
Chem. Res., 19(12), 377 (1896)、特開平2-161445号等
に記載の有機金属／有機ハロゲン化物、S. Hayase et a
l, J. Polymer Sci., 25, 753(1987) 、E. Reichmanis
et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 23, 1(1
985)、Q.Q. Zhu et al, J. Photochem., 36, 85, 39, 3
17 (1987) 、B. Amit et al, Tetrahedron Lett., (24)
2205 (1973) 、D.H.R. Barton et al, J. Chem Soc., 3
571(1965) 、P.M. Collins et al, J. Chem. Soc., Per
kin I, 1695(1975)、M. Rudinstein et al, Tetrahedro
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Am. Chem. Soc., 110, 7170 (1988)、S.C. Busman et
al, J. Imaging Technol., 11(4), 191 (1985) 、H.M.
Houlihan et al, Macoromolecules,21, 2001 (1988)、
P.M. Collins et al, J. Chem. Soc., Chem. Commun.,
532(1972) 、S. Hayase et al, Macromolecules, 18, 1
799(1985) 、E. Reichmaniset al, J. Electrochem. So
c., Solid State Sci. Technol., 130(6)、F.M. Houlih
an et al, Macromolecules, 21, 2001 (1988)、欧州特
許第0290,750号、同046,083 号、同156,535 号、同271,
851 号、同0,388,343 号、米国特許第3,901,710 号、同
4,181,531 号、特開昭60-198538 号、特開昭53-133022
号等に記載のｏ−ニトロベンジル型保護基を有する光酸
発生剤、M. TUNOOKA et al, Polymer Preprints Japan,
35(8)、G. Berner et al, J. Rad. Curing, 13(4)、W.
J. Mijset al, Coating Technol., 55(697), 45(1983)
、Akzo, H. Adachi et al, Polymer Preprints, Japa
n, 37(3)、欧州特許第0199,672号、同84515 号、同 19
9,672号、同044,115 号、同0101,122号、米国特許第4,6
18,564 号、同4,371,605 号、同4,431,774 号、特開昭6
4-18143号、特開平2-245756号、特願平3-140109号等に
記載のイミノスルフォネート等に代表される、光分解し
てスルホン酸を発生する化合物、特開昭６１−１６６５
４４号に記載のジスルホン化合物を挙げることができ
る。

【００５８】またこれらの光により酸を発生する基、あ
るいは化合物をポリマーの主鎖または側鎖に導入した化
合物、例えば、M.E. Woodhouse et al, J. Am. Chem. S
oc.,104, 5586 (1982) 、S.P. Pappas et al, J. Imagi
ng Sci., 30(5), 218(1986)、S. Kondo et al, Makromo
l. Chem., Rapid Commun., 9,625(1988) 、Y.Yamadaet
al, Makromol. Chem., 152, 153, 163 (1972) 、J.V. C
rivello et al, J.Polymer Sci., Polymer Chem. Ed.,
17, 3845 (1979)、米国特許第3,849,137 号、独国特許
第3,914,407 、特開昭63-26653号、特開昭55-164824
号、特開昭62-69263号、特開昭63-1460387、特開昭63-1
63452 号、特開昭62-153853 号、特開昭63-146029 号等
に記載の化合物を用いることができる。

【００５９】さらにV.N.R. Pillai, Synthesis, (1), 1
(1980)、A. Abad et al, Tetrahedron Lett., (47)4555
(1971)、D.H.R. Barton et al, J. Chem. Soc., (C), 3
29(1970)、米国特許第3,779,778 号、欧州特許第126,71
2 号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用する
ことができる。上記活性光線または放射線の照射により
分解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いら
れるものについて以下に説明する。

【００６０】（１）トリハロメチル基が置換した下記一
般式（XII)で表されるオキサゾール誘導体又は一般式
（XIII) で表されるＳ−トリアジン誘導体。式中、Ｒ¹
は置換もしくは未置換のアリール基、アルケニル基、Ｒ
² は置換もしくは未置換のアリール基、アルケニル基、
アルキル基又は−ＣＹ₃ を表す。Ｙは塩素原子または臭
素原子を示す。

【００６１】具体的には以下の化合物 XII-1〜8 および
XIII-1〜10を挙げることができるがこれに限定されるも
のではない。

【００６２】

【化４５】

【００６３】

【化４６】

【００６４】

【化４７】

【００６５】

【化４８】

【００６６】

【化４９】 （２）下記の一般式（XIV)で表されるヨードニウム塩、
または一般式（XV) で表されるスルホニウム塩。式中、
Ａｒ¹ 、Ａｒ² は各々独立に置換もしくは未置換のアリ
ール基を示す。好ましい置換基としては、アルキル基、
ハロアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アル
コキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカル
ボニル基、ヒドロキシ基、メルカプト基およびハロゲン
原子が挙げられる。

【００６７】Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ は各々独立に、置換もし
くは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ましく
は炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８のアルキ
ル基およびそれらの置換誘導体である。好ましい置換基
は、アリール基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ
基、炭素数１〜８のアルキル基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、ヒドロキシ基およびハロゲン原子であり、アルキ
ル基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ基、カルボキ
シル基、アルコキシカルボニル基である。 Ｚ^-は対ア
ニオンを示し、例えばＢＦ₄ ^- 、Ａs Ｆ₆ ^- 、Ｐ
Ｆ₆ ^- 、ＳｂＦ₆ ^- 、ＳｉＦ₆ ^- 、ＣｌＯ₄ ^- 、ＣＦ₃
ＳＯ₃ ^- 、ＢＰｈ₄ ^- (Ph = フェニル) 、ナフタレン
−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族スルホン
酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオン、スル
ホン酸基含有染料等を挙げることができるがこれらに限
定されるものではない。

【００６８】またＲ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ のうちの２つおよび
Ａｒ¹ 、Ａｒ² はそれぞれの単結合または置換基を介し
て結合してもよい。一般式（XIV)、(XV)で示される上記
オニウム塩は公知であり、例えば J.W. Knapczyk et a
l, J. Am. Chem. Soc., 91, 145 (1969) 、A.L. Maycok
et al, J.Org. Chem., 35,2532(1970) 、E. Goethas e
tal, Bull. Soc. Chem. Belg., 73,546, (1964)、H.M.
Leicester, J. Ame. Chem. Soc., 51, 3587(1929)、J.
B. Crivello etal, J. Polym. Chem. Ed., 18, 2677 (1
980)、米国特許第2,807,648号および同4,247,473 号、
特開昭53-101,331号等に記載の方法により合成すること
ができる。

【００６９】具体例としては以下に示す化合物 XIV-1〜
20及びXV-1〜34が挙げられるが、これに限定されるもの
ではない。

【００７０】

【化５０】

【００７１】

【化５１】

【００７２】

【化５２】

【００７３】

【化５３】

【００７４】

【化５４】

【００７５】

【化５５】

【００７６】

【化５６】

【００７７】

【化５７】

【００７８】

【化５８】

【００７９】

【化５９】

【００８０】

【化６０】

【００８１】

【化６１】

【００８２】

【化６２】

【００８３】

【化６３】

【００８４】

【化６４】 （３）下記一般式（XVI)で表されるジスルホン誘導体ま
たは一般式（XVII) で表されるイミノスルホネート誘導
体。式中、Ａｒ³ 、Ａｒ⁴ は各々独立に置換もしくは未
置換のアリール基を示す。Ｒ⁶ は置換もしくは未置換の
アルキル基、アリール基を表す。Ａは置換もしくは未置
換のアルキレン基、アルケニルン基、アリーレン基を示
す。

【００８５】具体例としては以下に示す化合物 XVI-1〜
12及びXVII-1〜12が挙げられるが、これに限定されるも
のではない。

【００８６】

【化６５】

【００８７】

【化６６】

【００８８】

【化６７】

【００８９】

【化６８】

【００９０】

【化６９】

【００９１】

【化７０】

【００９２】

【化７１】

【００９３】

【化７２】 これらの活性光線または放射線の照射により分解して酸
を発生する化合物の添加量は、感光性組成物の全重量
（塗布溶媒を除く）を基準として通常0.００１〜４０重
量％の範囲で用いられ、好ましくは0.１〜２０重量％の
範囲で使用される。本発明の感光性組成物には必要に応
じて、更に染料、顔料、可塑剤、界面活性剤、光増感剤
などを含有させることができる。

【００９４】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー＃１０１、オイル
イエロー＃１０３、オイルピンク＃３１２、オイルグリ
ーンＢＧ、オイルブルーＢＯＳ、オイルブルー＃６０
３、オイルブラックＢＹ、オイルブラックＢＳ、オイル
ブラックＴ−５０５（以上オリエント化学工業株式会社
製）、クリスタルバイオレット（ＣＩ４２５５５）、メ
チルバイオレット（ＣＩ４２５３５）、ローダミンＢ
（ＣＩ４５１７０Ｂ）、マラカイトグリーン（ＣＩ４２
０００）、メチレンブルー（ＣＩ５２０１５）等を挙げ
ることができる。

【００９５】さらに、下記に挙げるような分光増感剤を
添加し、使用する光酸発生剤が吸収を持たない遠紫外よ
り長波長領域に増感させることにより、本発明の感光性
組成物にｉ又はｇ線に対する感度を持たせることができ
る。好適な分光増感剤としては、具体的にはベンゾフェ
ノン、ｐ，ｐ′−テトラメチルジアミノベンゾフェノ
ン、ｐ，ｐ′−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノ
ン、２−クロロチオキサントン、アントロン、９−エト
キシアントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、
フェノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベン
ゾフラビン、セトフラビン−Ｔ、９，１０−ジフェニル
アントラセン、９−フルオレノン、アセトフェノン、フ
ェナントレン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセ
ナフテン、ベンゾキノン、２−クロロ−４−ニトロアニ
リン、Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロ
アニリン、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルア
ミン、ピクラミド、アントラキノン、２−エチルアント
ラキノン、２−tert−ブチルアントラキノン、１，２−
ベンズアントラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−
１，９−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、１，
２−ナフトキノン、３，３′−カルボニル−ビス（５，
７−ジメトキシカルボニルクマリン）及びコロネン等で
あるがこれに限定されるものではない。

【００９６】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、メチ
ルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メト
キシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エ
チル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用する。

【００９７】また、上記溶媒に界面活性剤を加えること
もできる。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエ
ーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリ
オキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオ
レイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテ
ル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテ
ル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等の
ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオ
キシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマ
ー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパル
ミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモ
ノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタン
トリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポ
リオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキ
シエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエ
チレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレ
ンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソル
ビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビ
タン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフ
トップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（新秋田化
成（株）製）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３（大日
本インキ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３
１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１
０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、
ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭
硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系（共）重合ポリフ
ローＮo.７５、Ｎo.９５（共栄社油脂化学工業（株）
製）等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配
合量は、本発明の組成物中の固形分１００重量部当た
り、通常、２重量部以下、好ましくは１重量部以下であ
る。

【００９８】これらの界面活性剤は単独で添加してもよ
いし、また、いくつかの組み合わせて添加することもで
きる。上記感光性組成物を精密集積回路素子の製造に使
用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコン被
覆）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により
塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行い現
像することにより良好なレジストパターンを得ることが
できる。

【００９９】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ類の水溶液を使用することができる。

【０１００】更に、上記アルカリ類の水溶液にアルコー
ル類、界面活性剤を適当量添加して使用することもでき
る。

【０１０１】

【発明の効果】本発明のポジ型感光性組成物は、露光後
のベークによる膜収縮が少なく、良好なプロファイルと
高解像力を有する。

【０１０２】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。

【０１０３】

【実施例１〜１０】第１表に示す各素材をジグライム６
ｇに溶解し、0.２μｍのフィルターでろ過してレジスト
溶液を作成した。このレジスト溶液を、３０００r.p.m.
の回転数のスピンコーターを利用してシリコーンウェハ
ー上に塗布し、９０℃で６０秒間、真空吸着型のホット
プレートで乾燥して、膜厚1.０μｍのレジスト膜を得
た。

【０１０４】

【比較例１および２】米国特許第4,491,628 号明細書に
記載された方法に従って、ｔ−ブトキシカルボニルオキ
シスチレンポリマーとｔ−ブトキシカルボニルオキシ−
α−メチルスチレンポリマーを合成し、実施例１〜１０
と同様の操作により２成分系ポジ型レジスト膜を得た。
そのときの組成比を第１表に示す。

【０１０５】

【比較例３〜５】欧州特許第２４9,１３９号明細書に記
載されている化合物ジ−ｔ−ブチルテレフタレート、４
−ｔ−ブトキシ−ｐ−ビフェニル、ｔ−ブチル−２−ナ
フチルカーボネートを溶解阻止剤として実施例１〜１０
と同様の操作により３成分系ポジ型レジスト膜を得た。
そのときの組成比を第１表に示す。

【０１０６】第１表に示される略号は次の通りである。 ＜ポリマー＞ NOV m/p=45/55 ノボラック（重量平均分子量6,000) PVP p-ヒドロキシスチレンポリマー( 重量平均分子
量9,600) TBOCS t-ブトキシカルボニルオキシスチレンポリマー
( 数平均分子量21,600) TBAMS t-ブトキシカルボニルオキシ−α−メチルスチ
レンポリマー（数平均分子量46,900) TBNC t-ブチル−２−ナフチルカーボネート ＜光酸発生剤＞ TPSFA 光酸発生剤の例中の（XV−３） TPSFS 〃 （XV−５） DPIFP 〃 （XIV −２） IPPS 〃 （XVI −１２） PIMS 〃 （XVII−１） ＜溶解阻止剤＞ DTBTP ジ−ｔ−ブチルテレフタレート TBPBP ４−ｔ−ブトキシ−ｐ−ビフェニル TBNC ｔ−ブチル−２−ナフチルカーボネート このレジスト膜に、テストパターンマスクを介して２５
４ｎｍの遠紫外光により露光を行った。露光後１１０℃
の真空吸着型ホットプレートで６０秒間加熱を行い、た
だちに2.３８％テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド（ＴＭＡＨ）水溶液で６０秒間浸漬し、３０秒間
リンスして乾燥した。このようにして得られたシリコー
ンウェハー上のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、
レジストのプロファイルを評価した。その結果を第２表
に示す。

【０１０７】感度は０．７０μｍのマスクパターンを再
現する露光量の逆数として定義し、比較例１の感度との
相対値で示した。また膜収縮は露光部の露光前後の膜厚
の比の百分率で表した。解像力は０．７０μｍのマスク
パターンを再現する露光量における限界解像力を表す。
第２表の結果から本発明のレジストは、露光後のベーク
による膜収縮も少なく、良好なプロファイルと高い解像
力を有していることがわかる。

【０１０８】 ＮＯＶ ｍ／ｐ＝４５／５５ノボラック（重量平均分
子量６，０００） ＰＶＰ ｐ−ヒドロキシスチレンポリマー（重量平均
分子量９，６００） ＴＢＯＣＳ ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンポ
リマー（数平均分子量２１，６００） ＴＢＡＭＳ ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−α−メチ
ルスチレンポリマー（数平均分子量４６，９００） ＴＢＮＣ ｔ−ブチル−２−ナフチルカーボネート ＜光酸発生剤＞ ＴＰＳＦＡ 光酸発生剤の例中の（ＸＶ−３） ＴＰＳＦＳ 〃 （ＸＶ−５） ＤＰＩＦＰ 〃 （ＸＩＶ−２） ＩＰＰＳ 〃 （ＸＶＩ −１
２） ＰＩＭＳ 〃 （ＸＶＩＩ−
１） ＜溶解阻止剤＞ ＤＴＢＴＰ ジ−ｔ−ブチルテレフタレート ＴＢＰＢＰ ４−ｔ−ブトキシ−ｐ−ビフェニル ＴＢＮＣ ｔ−ブチル−２−ナフチルカーボネート

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−154049（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−194472（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−232702（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−94017（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−88348（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/18

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも一種の一般式［ＩＩ］〜［Ｖ
   ＩＩＩ］、［Ｘ］又は［ＸＩ］のいずれかで表される化
   合物、アルカリ可溶性樹脂及び少なくとも一種の一般式
   ［ＸＶ］又は［ＸＶＩＩ］で表される光酸発生剤から成
   ることを特徴とする化学増幅系ポジ型感光性組成物。 式中、 Ｒ_０１，Ｒ_０２，Ｒ_０３，Ｒ_０４；水素原子又はＲ_０５
   −Ｘ−Ｒ_０６−基（但し、Ｒ_０５はアルキル基、Ｒ_０６
   はアルキレン基、Ｘは酸素原子又は硫黄原子を示し、
   〔ＩＩ〕〜〔ＶＩＩＩ〕、〔Ｘ〕及び〔ＸＩ〕の各分子
   中、Ｒ_０１〜Ｒ_０４の少なくとも１個はＲ_０５−Ｘ−Ｒ
   _０６−基である。）、 Ｒ_９〜Ｒ_１２，Ｒ_１５，Ｒ_１７〜Ｒ_２１，Ｒ_２５〜Ｒ
   _２７，Ｒ_３０〜Ｒ_３２，Ｒ_３７〜Ｒ_４２，Ｒ_４８〜Ｒ
   _４９及びＲ_５１；水素原子、水酸基、アルキル基、アル
   コキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリ
   ールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、ハ
   ロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、シアノ基又は −Ｎ（Ｒ_１３）（Ｒ_１４）（Ｒ_１３，Ｒ_１４；水素原
   子、アルキル基、アリール基）、Ｒ_１６；単結合、アル
   キレン基又は Ｒ_２２，Ｒ_２４；単結合、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ
   −、−ＣＯ−又はカルボオキシ基、 Ｒ_２３；水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシル
   基、アシロキシ基、アリール基、ニトロ基、水酸基、シ
   アノ基又はカルボキシル基（但し、水酸基はＲ_０５−Ｘ
   −Ｒ_０６−基で置換されていてもよい。）、 Ｒ_２８，Ｒ_２９；メチレン基、低級アルキル置換メチレ
   ン基、ハロメチレン基又はハロアルキル基、 Ｒ_３３〜Ｒ_３６；水素原子又はアルキル基、 Ｒ_５０；水素原子、Ｒ_０５−Ｘ−Ｒ_０６−基又は Ｒ_５２，Ｒ_５３；水素原子、低級アルキル基、低級ハロ
   アルキル基又はアリール基、Ｙ；−ＣＯ−又は−ＳＯ_２
   −、 Ｚ；単結合又は−Ｏ−、 Ａ；メチレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメ
   チレン基又はハロアルキル基、 Ｅ；単結合又はオキシメチレン基、 ｅ〜ｑ，ｓ，ｔ，ｖ，ｇ１〜ｉ１，ｋ１〜ｍ１，ｏ１，
   ｑ１，ｓ１，ｕ１；０〜５の整数、 ｒ，ｕ，ｙ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，ａ１〜ｆ１，ｐ１，ｒ
   １，ｔ１，ｖ１〜ｘ１；０〜４の整数、 ｊ１，ｎ１；０〜３の整数、 ｙ１；３〜８の整数 （ｅ〜ｙ１；２以上のとき、（）内の基は同一でもよく
   または異なっていてもよい。）、 （ｅ＋ｆ＋ｇ），（ｋ＋ｌ＋ｍ），（ｑ＋ｒ＋ｓ），
   （ｗ＋ｘ＋ｙ），（ｃ１＋ｄ１），（ｇ１＋ｈ１＋ｉ１
   ＋ｊ１），（ｓ１＋ｔ１）≧１、（ｊ１＋ｎ１）≦３、 （ｒ＋ｕ），（ｗ＋ｚ），（ｘ＋ａ１），（ｙ＋ｂ
   １），（ｃ１＋ｅ１），（ｄ１＋ｆ１），（ｔ１＋ｖ
   １），（ｘ１＋ｗ１）≦４、（ｅ＋ｈ），（ｆ＋ｉ），
   （ｇ＋ｊ），（ｋ＋ｎ），（ｌ＋ｏ），（ｍ＋ｐ），
   （ｑ＋ｔ），（ｓ＋ｖ），（ｇ１＋ｋ１），（ｈ１＋ｌ
   １），（ｉ１＋ｍ１），（ｓ１＋ｕ１）≦５である。 式中、Ｒ^３Ｒ^４Ｒ^５は各々独立に、置換もしくは未置換
   のアルキル基、アリール基を示す。Ｚ⁻は対アニオンを
   示す。 式中、Ｒ^６は置換もしくは未置換のアルキル基、アリー
   ル基を表す。Ａは置換若しくは未置換のアルキレン基、
   アルケニレン基、アリーレン基を表す。
2. 【請求項２】 組成物の全非揮発性物質に対して５重量
   ％より多く５０重量％以下の一般式［Ｉ］で表される化
   合物、アルカリ可溶性樹脂及び少なくとも一種の一般式
   ［ＸＶ］又は［ＸＶＩＩ］で表される光酸発生剤から成
   ることを特徴とする化学増幅系ポジ型感光性組成物。 Ｒ_１；−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ−、−Ｎ
   ＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、
   −ＳＯ_３−又は （Ｇ＝２〜６、但し、Ｇ＝２のときはＲ_４、Ｒ_５のうち
   少なくとも一方はアルキル基である。） Ｒ_４，Ｒ_５；水素原子、アルキル基、アルコキシ基、−
   ＯＨ、−ＣＯＯＨ、 −ＣＮ、ハロゲン原子、−Ｒ_６−ＣＯＯＲ_７又は−Ｒ_８
   −ＯＨ、 Ｒ_６，Ｒ_８；アルキレン基、 Ｒ_７；水素原子、アルキル基、アリール基又はアラルキ
   ル基、 Ｒ_２，Ｒ_３；水素原子、水酸基、アルキル基、アルコキ
   シ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリール
   オキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、 ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、シアノ基又
   は −Ｎ（Ｒ_１３）（Ｒ_１４）（Ｒ_１３，Ｒ_１４；水素原
   子、アルキル基、アリール基）、ａ〜ｄ；０〜５の整
   数、 （ａ〜ｄ；２以上のとき、（）内の基は同一でもよくま
   たは異なっていてもよい。）、 （ａ＋ｂ）≧１、 （ａ＋ｃ），（ｂ＋ｄ）≦５である。 式中、Ｒ^３Ｒ^４Ｒ^５は各々独立に、置換もしくは未置換
   のアルキル基、アリール基を示す。Ｚ⁻は対アニオンを
   示す。 式中、Ｒ^６は置換もしくは未置換のアルキル基、アリー
   ル基を表す。Ａは置換若しくは未置換のアルキレン基、
   アルケニレン基、アリーレン基を表す。