JP2814847B2 - Method for manufacturing multi-stage phase shift reticle - Google Patents
Method for manufacturing multi-stage phase shift reticleInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、位相シフトレチクルの
製造方法に関し、特に多段位相シフトレチクルの製造方
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a phase shift reticle, and more particularly to a method for manufacturing a multi-stage phase shift reticle.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種の位相シフトレチクルとし
ては、日経マイクロデバイス1990年7月号No.61第103〜1
14頁, 1991年5月号No.71第53〜58頁に紹介されているよ
うに種々の構造が提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, as this kind of phase shift reticle, Nikkei Micro Devices, July 1990, No. 61, No. 103-1.
Various structures have been proposed as introduced on page 14, May 1991, No. 71, pages 53-58.
【０００３】図１８乃至図２１はその一例として、クロ
ム等の遮光パターンを使用せず、シフターのみで、その
エッジ部による遮光効果を利用した多段位相シフトマス
クの製造方法を工程順に示す断面図である。図１８に示
すように、レチクルの母材となるガラス基板１の上にネ
ガ型電子線用レジストとして、例えばポリグリシジルメ
タクリレート（以下、ＰＧＭＡと略す）膜７等を塗布す
る。FIGS. 18 to 21 are cross-sectional views showing, as an example, a method of manufacturing a multi-stage phase shift mask utilizing a light-shielding effect by an edge portion of a shifter without using a light-shielding pattern of chrome or the like in the order of steps. is there. As shown in FIG. 18, for example, a polyglycidyl methacrylate (hereinafter abbreviated as PGMA) film 7 or the like is applied as a negative electron beam resist on a glass substrate 1 serving as a reticle base material.
【０００４】次に、図１９、図２０に示すように、電子
線８をＰＧＭＡ膜７の一部に選択的に、且つ各領域につ
いて照射量を変えて照射する。ＰＧＭＡレジストはネガ
型であるため、電子線照射量が相違するとレジストの残
膜厚が異なる。この方法においては、残存しているレジ
スト膜を位相シフターとするため、前述のように、電子
線の照射量を制御することによりシフター膜厚を制御す
る。但し、シフター膜厚ｔは、ｎをシフターの屈折率、
λをこのマスクを使用して露光する光の波長とすると、
ｔ＝λ／２（ｎ−１）である。ここで、シフターを多段
（ｍ段）にするときの一段の膜厚はｔ／ｍで求められ
る。図２１に示す従来の位相シフターは、２段位相シフ
ターの場合の例であるので、図２１に示すＰＧＭＡ膜７
の１段目及び２段目の膜厚は夫々ｔ／２、ｔである。こ
のようにして２段型位相シフトレチクルが作成される。[0007] Next, as shown in FIGS. 19 and 20, an electron beam 8 is irradiated selectively on a part of the PGMA film 7 while changing the irradiation amount for each region. Since the PGMA resist is a negative type, the remaining film thickness of the resist differs when the amount of electron beam irradiation differs. In this method, in order to use the remaining resist film as a phase shifter, the shifter film thickness is controlled by controlling the irradiation amount of the electron beam as described above. Here, the shifter film thickness t is such that n is the refractive index of the shifter,
If λ is the wavelength of light to be exposed using this mask,
t = λ / 2 (n−1). Here, the film thickness of one stage when the shifter is multistage (m stages) is obtained by t / m. Since the conventional phase shifter shown in FIG. 21 is an example of a two-stage phase shifter, the PGMA film 7 shown in FIG.
The film thicknesses of the first and second stages are t / 2 and t, respectively. Thus, a two-stage phase shift reticle is created.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の位相シフトレチクルの製造方法においては、こ
のレチクルを波長435.8nm（水銀ランプのＧ線）の光で
露光する場合、ＳｉＯ2シフターの膜厚は、約4700ű1
30Å、即ち所望の膜厚から約±2.8％の範囲内に制御
し、この範囲内に入るように膜厚の均一性を確保するこ
とが必要である。しかし、位相シフターをＰＧＭＡで形
成する場合、シフターの膜厚は電子線の照射及び現像後
の残膜厚で決定されるが、電子線照射量の過不足の境界
及びレジストの不溶と可溶の境界はいずれも微妙であ
り、コントラストが低いため、残膜厚の制御は極めて難
しく、場合によっては２重３重照射を行う場合もある。However, in the above-mentioned conventional method for manufacturing a phase shift reticle, when this reticle is exposed to light having a wavelength of 435.8 nm (G line of a mercury lamp), the thickness of the SiO 2 shifter is reduced. Is about 4700Å ± 1
It is necessary to control the thickness to 30 °, that is, within a range of about ± 2.8% from the desired film thickness, and to secure the uniformity of the film thickness within this range. However, when the phase shifter is formed of PGMA, the thickness of the shifter is determined by the remaining film thickness after electron beam irradiation and development. Since the boundaries are all delicate and the contrast is low, it is extremely difficult to control the remaining film thickness. In some cases, double or triple irradiation may be performed.
【０００６】また、上記境界部ではコントラストが低い
ため、レジスト（シフター）のプロファイルが悪く、製
品としての位相シフトレチクルを通る光のコントラスト
を向上させることが難しい。Further, since the contrast is low at the boundary, the profile of the resist (shifter) is poor, and it is difficult to improve the contrast of light passing through a phase shift reticle as a product.
【０００７】更に、シフターは有機レジストであり、光
を吸収するので、透過率が低く、膜が変質しやすいた
め、寿命が短い。そのうえ、レジストシフターは物理的
衝撃に弱く、ごみが付着したときに洗浄が難しい等の問
題点がある。Further, the shifter is an organic resist, which absorbs light, has a low transmittance, and is easily deteriorated, so that the life thereof is short. In addition, the resist shifter is vulnerable to physical impact and has problems such as difficulty in cleaning when dust adheres.
【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、シフター膜厚の制御が容易であり、通過す
る光のコンタラストを向上させることができると共に、
変質しにくい長寿命の位相シフトレチクルを製造できる
多段位相シフトレチクルの製造方法を提供することを目
的とする。The present invention has been made in view of such a problem, and it is easy to control the shifter film thickness, and it is possible to improve the contrast of light passing therethrough.
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a multi-stage phase shift reticle that can manufacture a long-life phase shift reticle that is difficult to deteriorate.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明に係る多段位相シ
フトレチクルの製造方法は、ガラス基板上に、ＳｉＯ2
膜を、又はエッチングストッパ層及びＳｉＯ2膜からな
る組を複数組形成し、レジストを塗布した後、露光及び
現像によりレジストパターンを形成し、このレジストを
マスクとして前記ＳｉＯ2膜を、所定の厚さで又は前記
エッチングストッパ層までエッチングする。そして、こ
のレジストパターンの形成及びＳｉＯ2膜のエッチング
の工程を所定の段数だけ繰り返し、最終的にレジストを
剥離する。Method for producing a multi-stage phase-shifting reticle of the present invention In order to achieve the above object, according to a glass substrate, SiO 2
After forming a film or a plurality of sets including an etching stopper layer and a SiO 2 film, applying a resist, forming a resist pattern by exposure and development, and using the resist as a mask, the SiO 2 film is formed to a predetermined thickness. Then, etching is performed up to the etching stopper layer. Then, the steps of forming the resist pattern and etching the SiO 2 film are repeated by a predetermined number of steps, and the resist is finally stripped.
【００１０】なお、前記シフターの１層目の端部分と２
層目の端部分との間の距離は0.5μｍ以内であることが
好ましい。[0010] The end portion of the first layer of the shifter and 2
It is preferable that the distance between the end portions of the layer is 0.5 μm or less.
【００１１】また、前記エッチングストッパー層として
は、例えば、インジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）等の
透明導電性膜を使用することができる。As the etching stopper layer, for example, a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO) can be used.
【００１２】更に、前記ＳｉＯ2膜は、例えば、スパッ
タリング法、ＣＶＤ法又はスピン塗布法によって形成す
ることができる。Further, the SiO 2 film can be formed by, for example, a sputtering method, a CVD method or a spin coating method.
【００１３】[0013]
【作用】本発明においては、ガラス基板上にＳｉＯ2膜
を例えばスピン塗布法で形成し、その上にレジストを塗
布し、露光、現像、及びエッチング等の工程を行い、前
記ＳｉＯ2膜に所望のパターンを形成する。次いで、こ
のパターンの部分に、再びレジストを塗布し、露光、現
像、及びエッチングを行い、レジストを剥離することに
より、２段型の位相シフトパターンが形成される。３段
以上の場合はこれらの工程を繰り返す。According to the present invention, on a glass substrate to form a SiO 2 film, for example by spin coating method, a resist is applied thereon, exposure, development, and performs processes such as etching, desired to the SiO 2 film Is formed. Next, a resist is applied again to this pattern portion, exposure, development, and etching are performed, and the resist is peeled off to form a two-stage phase shift pattern. If there are three or more stages, these steps are repeated.
【００１４】このように、シフター材料がレジストでは
なくＳｉＯ2膜であり、シフター膜厚の制御をエッチン
グ時間で行うので、膜厚制御が容易である。また、シフ
ター上部はレジストにより保護されているため、側壁を
垂直にする条件でエッチングを行った後、レジストを剥
離すると、側壁が垂直なままの良好なプロファイルのシ
フターが得られるので、完成した位相シフトレチクルを
通る光のコントラストを更に向上させることができる。
更に、ＳｉＯ2膜はレジスト膜と異なり、無機材料であ
るため、光の吸収がほとんどなく、透過率が高く、光を
効率良く使える。そのため膜の変質も起こりにくく、寿
命が長い。As described above, since the shifter material is not the resist but the SiO 2 film, and the shifter film thickness is controlled by the etching time, the film thickness can be easily controlled. Also, since the upper part of the shifter is protected by the resist, the resist is peeled off after etching under the condition that the side wall is vertical, and a shifter with a good profile with the side wall being vertical can be obtained. The contrast of light passing through the shift reticle can be further improved.
Further, unlike the resist film, the SiO 2 film is an inorganic material, so that it hardly absorbs light, has high transmittance, and can use light efficiently. Therefore, deterioration of the film hardly occurs, and the life is long.
【００１５】[0015]
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
【００１６】図１乃至図７は本発明の実施例方法を工程
順に示す断面図である。図１に示すように、ガラス基板
１上に例えばスピンコート法によりＳｉＯ2膜２を形成
する。このＳｉＯ2膜の膜厚は、露光光の波長が例えば4
35.8nmの場合、例えば約4700Åである。1 to 7 are sectional views showing a method according to an embodiment of the present invention in the order of steps. As shown in FIG. 1, an SiO 2 film 2 is formed on a glass substrate 1 by, for example, a spin coating method. The thickness of this SiO 2 film is such that the wavelength of the exposure light is, for example, 4
In the case of 35.8 nm, for example, it is about 4700 °.
【００１７】次いで、図２に示すように、ＳｉＯ2膜２
の上に、レジスト３を塗布し、更に図３に示すように、
例えば電子線などからなる露光光４を、マスク５ａを介
して、レジスト３の所定の領域に選択的に露光し、現像
することにより、所定のレジストパターンを得る。[0017] Then, as shown in FIG. 2, SiO 2 film 2
On top of this, a resist 3 is applied, and as shown in FIG.
For example, a predetermined region of the resist 3 is selectively exposed to exposure light 4 composed of an electron beam or the like via a mask 5a, and is developed to obtain a predetermined resist pattern.
【００１８】その後、このレジストパターンをマスクと
してＳｉＯ2膜２をエッチングすることにより、図４に
示すように、ＳｉＯ2膜２の表面部に所望のパターンを
形成する。このときのエッチング量は例えば２段型位相
シフトマスクの場合には4700/2＝約2350Åであり、エッ
チングレートから計算した時間で制御可能である。Thereafter, by etching the SiO 2 film 2 using the resist pattern as a mask, a desired pattern is formed on the surface of the SiO 2 film 2 as shown in FIG. The etching amount at this time is, for example, 4700/2 = about 2350 ° in the case of a two-stage phase shift mask, and can be controlled by the time calculated from the etching rate.
【００１９】そして、図５に示すように、再びレジスト
３を塗布し、マスク５ｂを介して、レジスト３の所定の
領域に選択的に露光し、現像することにより、レジスト
３のパターンを形成する。Then, as shown in FIG. 5, a resist 3 is applied again, a predetermined area of the resist 3 is selectively exposed through a mask 5b, and developed to form a pattern of the resist 3. .
【００２０】その後、図６に示すように、レジスト３の
パターンをマスクとして、ＳｉＯ2膜２をエッチングす
る。このときのエッチング量も前述のエッチング条件と
同様で、例えば２段型位相シフトマスクの場合には4700
/2＝約2350Åである。ここで、１段目のシフターのエッ
ジと２段目のシフターのエッジとの間の距離は0.5μｍ
以内にする。Thereafter, as shown in FIG. 6, the SiO 2 film 2 is etched using the pattern of the resist 3 as a mask. The etching amount at this time is the same as the above-mentioned etching condition. For example, in the case of a two-stage phase shift mask, 4700
/ 2 = about 2350Å. Here, the distance between the edge of the first-stage shifter and the edge of the second-stage shifter is 0.5 μm
Within.
【００２１】最後に、レジスト３を剥離すると、図７に
示すように、所望の２段型位相シフトレチクルが得られ
る。Finally, when the resist 3 is peeled off, a desired two-stage phase shift reticle is obtained as shown in FIG.
【００２２】なお、本実施例ではＳｉＯ2シフター１段
の膜厚を2350Åにしたが、これは上述した位相シフトレ
チクルを波長が435.8nmである光源で使用する場合につ
いてのものであり、実際の光源には248nm,365.0nm等の
種々の波長があるため、光源毎に適切な膜厚を設定する
ことが必要である。In this embodiment, the thickness of one stage of the SiO 2 shifter is set to 2350 °, but this is for the case where the above-mentioned phase shift reticle is used with a light source having a wavelength of 435.8 nm. Since light sources have various wavelengths such as 248 nm and 365.0 nm, it is necessary to set an appropriate film thickness for each light source.
【００２３】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。図８乃至図１７は本発明の第２の実施例方法を工
程順に示す断面図である。本実施例は２段型シフターの
場合のシフターの膜厚制御が第１の実施例に比して容易
なものである。Next, a second embodiment of the present invention will be described. 8 to 17 are sectional views showing a method of the second embodiment of the present invention in the order of steps. In the present embodiment, the shifter film thickness control in the case of a two-stage shifter is easier than in the first embodiment.
【００２４】図８に示すように、ガラス基板１上にエッ
チングストッパーである導電性膜６を例えばスピンコー
ト法により形成する。そして、この導電性膜６の上にＳ
ｉＯ2膜２を例えばスピンコート法により形成する。As shown in FIG. 8, a conductive film 6 serving as an etching stopper is formed on a glass substrate 1 by, for example, a spin coating method. Then, on this conductive film 6, S
The iO 2 film 2 is formed by, for example, a spin coating method.
【００２５】その後、図９に示すように、１段目の導電
性膜６及びＳｉＯ2膜２と同様の条件で、その上に再
度、導電性層６及びＳｉＯ2層２を形成する。Thereafter, as shown in FIG. 9, the conductive layer 6 and the SiO 2 layer 2 are formed thereon again under the same conditions as the first-stage conductive film 6 and the SiO 2 film 2.
【００２６】そして、図１０に示すように、２段目のＳ
ｉＯ2膜２の上にレジスト３を塗布した後、例えば電子
線などからなる露光光４を、マスク５ａを介してレジス
ト３上に局部的に露光し、現像することにより、図１１
に示すように、レジスト３のパターンを形成する。Then, as shown in FIG.
After applying the resist 3 on the iO 2 film 2, the resist 3 is locally exposed to exposure light 4 composed of, for example, an electron beam through a mask 5a, and developed, thereby obtaining the structure shown in FIG.
As shown in (1), a pattern of the resist 3 is formed.
【００２７】その後、図１２に示すように、パターニン
グされたレジスト３をマスクとしてＳｉＯ2膜２を導電
性層６が露出するまでエッチングする。これにより、Ｓ
ｉＯ2膜２に所望のパターンを形成する。Thereafter, as shown in FIG. 12, the SiO 2 film 2 is etched using the patterned resist 3 as a mask until the conductive layer 6 is exposed. Thereby, S
A desired pattern is formed on the iO 2 film 2.
【００２８】そして、図１３に示すように、再びレジス
ト３を塗布し、図１４に示すように、マスク５ｂを介し
て、露光光４をレジスト３に露光し、現像すると、図１
５に示すように、レジスト３に所定のパターンが形成さ
れる。Then, as shown in FIG. 13, the resist 3 is applied again, and as shown in FIG. 14, the resist 3 is exposed to exposure light 4 through a mask 5b, and developed.
As shown in FIG. 5, a predetermined pattern is formed on the resist 3.
【００２９】次いで、このレジスト３のパターンをマス
クとして、導電性膜６及びＳｉＯ2膜２をエッチングす
ると、図１６に示すように、１段目のＳｉＯ2膜２に２
段目のＳｉＯ2膜２とは異なるパターンが形成される。[0029] Then, the pattern of the resist 3 as a mask, the conductive film 6 and the SiO 2 film 2 is etched, as shown in FIG. 16, the first stage of the SiO 2 film 2 2
A pattern different from the SiO 2 film 2 at the stage is formed.
【００３０】最後に、レジスト３を剥離すると、図１７
に示すように、所望のパターンを有する２段型位相シフ
トレチクルが得られる。Finally, when the resist 3 is peeled off, FIG.
As shown in (1), a two-stage phase shift reticle having a desired pattern is obtained.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、シフター材料をレ
ジストではなくＳｉＯ2膜とし、シフター膜厚の制御を
エッチング時間で行うことができるので、膜厚制御が容
易である。As described above, since the shifter material is not a resist but an SiO 2 film and the shifter film thickness can be controlled by the etching time, the film thickness can be easily controlled.
【００３２】また、ＳｉＯ2膜の下層にエッチングスト
ッパーとして例えばＩＴＯ等の導電性膜を形成しておく
と、エッチングがこのストッパー層部分で極めて遅くな
るので、更に一層膜厚制御が容易になる。Further, if a conductive film such as ITO is formed as an etching stopper below the SiO 2 film, the etching becomes extremely slow in this stopper layer portion, so that the film thickness control is further facilitated.
【００３３】更に、シフター上部はレジストにより保護
されているため、側壁を垂直にする条件でエッチングを
行った後、レジストを剥離することにより、側壁が垂直
なままの良好なプロファイルのシフターが得られる。こ
のため、製品としての位相シフトレチクルを通る光のコ
ントラストが更に向上する。Further, since the upper portion of the shifter is protected by the resist, the resist is peeled off after etching under the condition of making the side wall vertical, so that a shifter having a good profile with the side wall kept vertical can be obtained. . For this reason, the contrast of light passing through the phase shift reticle as a product is further improved.
【００３４】ＳｉＯ2膜はレジスト膜と異なり、無機材
料であるため、光の吸収がほとんどなく、透過率が高
く、光を効率良く使える。そのため膜の変質も起こりに
くく、寿命が長い等の効果がある。Since the SiO 2 film is an inorganic material unlike the resist film, it hardly absorbs light, has a high transmittance, and can use light efficiently. Therefore, there is an effect that deterioration of the film hardly occurs and the life is long.
【図１】本発明の第１の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第１の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the first embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第１の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the first embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第１の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the first embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 11 is a sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 12 is a sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１４】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 14 is a sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１５】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１６】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１７】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１８】従来の２段型位相シフトレチクルの製造方法
の１工程を示す断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view showing one step of a conventional method for manufacturing a two-stage phase shift reticle.
【図１９】従来の２段型位相シフトレチクルの製造方法
の１工程を示す断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view showing one step of a conventional method for manufacturing a two-stage phase shift reticle.
【図２０】従来の２段型位相シフトレチクルの製造方法
の１工程を示す断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view showing one step of a conventional method for manufacturing a two-stage phase shift reticle.
【図２１】従来の２段型位相シフトレチクルの製造方法
の１工程を示す断面図である。FIG. 21 is a cross-sectional view showing one step of a conventional method for manufacturing a two-stage phase shift reticle.
１；ガラス基板 ２；ＳｉＯ2膜 ３；レジスト ４；露光光 ５ａ，５ｂ；マスク ６；導電性膜 ７；ＰＧＭＡ ８；電子線Reference Signs List 1: glass substrate 2: SiO 2 film 3: resist 4: exposure light 5a, 5b; mask 6: conductive film 7: PGMA 8: electron beam
Claims (2)
レチクルの製造方法において、レクチル基板上にエッチ
ングストッパ層及びＳｉＯ2膜からなる組を複数組形成
する工程と、最終組のＳｉＯ2膜上に第１のパターンで
レジストを形成する工程と、前記第１パターンのレジス
トをマスクとして前記最終組のＳｉＯ2膜をその最終組
のエッチングストッパ層までエッチングする工程と、再
度レジストを前記第１のパターンとは異なる第２のパタ
ーンで形成する工程と、前記第２パターンのレジストを
マスクとして最終組の一つ前の組のＳｉＯ2膜をその組
のエッチングストッパ層までエッチングする工程と、こ
れらのレジストパターンの形成及びＳｉＯ2のエッチン
グの工程を所定の段数だけ繰り返した後、レジストを剥
離する工程とを有することを特徴とする多段位相シフト
レチクルの製造方法。1. A method of manufacturing a phase shift reticle which gives a phase difference to transmitted light, the method comprising a plurality of sets form a set composed of the etching stopper layer and the SiO 2 film on the reticle onto a substrate, the final set of SiO 2 film Forming a resist in a first pattern, etching the final set of SiO 2 films up to the final set of etching stopper layers using the resist of the first pattern as a mask, A step of forming a second pattern different from the pattern, a step of etching the previous set of SiO 2 films up to the final set of etching stopper layers using the resist of the second pattern as a mask, after repeating the process of forming and SiO 2 etching resist pattern by a predetermined number of stages, and a step of removing the resist Method for producing a multi-stage phase shift reticle, wherein the door.
ｍを段数とした場合に、前記多段型シフターの１段の膜
厚ｔをｔ＝λ／２（ｎ−１）／ｍとすることを特徴とす
る請求項１に記載の多段位相シフトレチクルの製造方
法。2. n is a refractive index of SiO 2 , λ is an exposure wavelength,
when m is a number of the multi-stage phase shift reticle of claim 1, characterized in that the thickness t of the first stage of the multi-stage shifter and t = λ / 2 (n- 1) / m Production method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20392392A JP2814847B2 (en) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | Method for manufacturing multi-stage phase shift reticle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20392392A JP2814847B2 (en) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | Method for manufacturing multi-stage phase shift reticle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0651491A JPH0651491A (en) | 1994-02-25 |
| JP2814847B2 true JP2814847B2 (en) | 1998-10-27 |
Family
ID=16481937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20392392A Expired - Fee Related JP2814847B2 (en) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | Method for manufacturing multi-stage phase shift reticle |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814847B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100243713B1 (en) * | 1996-09-02 | 2000-02-01 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | Phase shift mask and method for manufacturing the same |
| JP4700657B2 (en) * | 2007-06-25 | 2011-06-15 | Ｈｏｙａ株式会社 | Gray tone mask and manufacturing method thereof |
| JP4878379B2 (en) * | 2009-02-09 | 2012-02-15 | Ｈｏｙａ株式会社 | Manufacturing method of gray tone mask |
| JP4840834B2 (en) * | 2010-11-01 | 2011-12-21 | Ｈｏｙａ株式会社 | Gray tone mask and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2865685B2 (en) * | 1988-03-16 | 1999-03-08 | 株式会社日立製作所 | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP20392392A patent/JP2814847B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0651491A (en) | 1994-02-25 |
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