JP2802954B2 - Test method for a sensor having a force acting body and a sensor capable of implementing the method - Google Patents

Test method for a sensor having a force acting body and a sensor capable of implementing the method

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JP2802954B2
JP2802954B2 JP1343354A JP34335489A JP2802954B2 JP 2802954 B2 JP2802954 B2 JP 2802954B2 JP 1343354 A JP1343354 A JP 1343354A JP 34335489 A JP34335489 A JP 34335489A JP 2802954 B2 JP2802954 B2 JP 2802954B2
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force
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electrode
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、力の作用体を有するセンサの試験方法およ
びこの方法を実施しうるセンサに関し、特に加速度セン
サ、磁気センサ、あるいは力センサについて、実際に加
速度、磁力、あるいは力を作用させることなしに行うこ
とのできる製品試験に関する。
Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a test method for a sensor having a force acting body and a sensor capable of performing the method, and particularly to an acceleration sensor, a magnetic sensor, or a force sensor. It relates to product testing that can be performed without actually applying acceleration, magnetic force, or force.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、機械的変形によって電気抵抗が変化するという
ピエゾ抵抗効果の性質を備えた抵抗素子を、半導体基板
上に配列し、この抵抗素子の抵抗値の変化から力を検出
する力センサが提案されている。更に、この力センサを
応用した加速度センサあるいは磁気センサを提案されて
いる。いずれの装置においても、部分的に可撓性をもっ
た起歪体が用いられ、この起歪体に生じる機械的変形を
抵抗素子の電気抵抗の変化として検出している。起歪体
に力を作用させるために作用体が設けられる。この作用
体として、加速度に反応する重錘体を用いれば加速度セ
ンサとなり、磁気に反応する磁性体を用いれば磁気セン
サとなる。たとえば、特許協力条約に基づく国際出願の
国際公開第WO88/08522号公報には、本願発明者と同一人
の発明による抵抗素子を用いた力・加速度・磁気のセン
サが開示されている。また、この種のセンサの新規な製
造方法は、特願平3−2535号明細書に開示されている。
In recent years, a force sensor has been proposed in which a resistance element having the property of a piezoresistive effect in which electric resistance changes due to mechanical deformation is arranged on a semiconductor substrate, and a force is detected from a change in the resistance value of the resistance element. I have. Further, an acceleration sensor or a magnetic sensor using the force sensor has been proposed. In each device, a flexure element having flexibility is used partially, and mechanical deformation occurring in the flexure element is detected as a change in the electric resistance of the resistance element. An action body is provided for applying a force to the strain body. If a weight that responds to acceleration is used as this acting body, it becomes an acceleration sensor, and if a magnetic substance that responds to magnetism is used, it becomes a magnetic sensor. For example, WO 88/08522, which is an international application based on the Patent Cooperation Treaty, discloses a force / acceleration / magnetism sensor using a resistive element according to the invention of the same person as the present inventor. A new method of manufacturing such a sensor is disclosed in Japanese Patent Application No. 3-2535.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

このような力の作用体を有するセンサを大量生産して
市場に出すためには、製造工程の最後に試験を行う必要
がある。力センサについての試験は比較的容易に行うこ
とができる。すなわち、力検出子に所定の大きさの力を
所定の方向に作用させ、このときの検出出力をチェック
すればよい。ところが、加速度センサや磁気センサにつ
いての試験はより複雑になる。センサ本体は密封された
状態となっているため、実際に外部から加速度あるいは
磁気を作用させながら、検出出力をチェックする必要が
ある。特に、加速度センサでは、振動発生装置を用いて
センサ本体に振動を与えて試験を行っているのが現状で
あり、試験装置が大掛かりになる上、振動という動的な
加速度についての試験しか行うことができないという問
題もある。
In order to mass produce and market a sensor having such a force acting body, it is necessary to conduct a test at the end of the manufacturing process. Testing for force sensors is relatively easy. That is, a force of a predetermined magnitude is applied to the force detector in a predetermined direction, and the detection output at this time may be checked. However, tests on acceleration sensors and magnetic sensors are more complicated. Since the sensor body is sealed, it is necessary to check the detection output while actually applying acceleration or magnetism from the outside. In particular, in the case of acceleration sensors, at present, tests are performed by applying vibration to the sensor body using a vibration generator, which requires a large-scale test device and only tests for dynamic acceleration called vibration. There is also a problem that can not be.

そこで本発明は、加速度センサや磁気センサのような
力の作用体を有するセンサについて、より簡単に試験を
行うことができる試験方法を提供するとともに、この試
験方法を直ちに実施しうる機能をもったセンサを提供す
ることを目的とする。
Therefore, the present invention provides a test method that can more easily perform a test on a sensor having a force acting body such as an acceleration sensor or a magnetic sensor, and has a function of immediately executing the test method. It is intended to provide a sensor.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

(1) 本願第1の発明は、力の作用を受ける作用部、
センサ本体に固定される固定部、およびこれらの間に形
成され可撓性をもった可撓部、を有する起歪体と、 作用した力を作用部に伝達させるための作用体と、 伝達された力によって起歪体に生じる機械的変形を、
電気信号に変換することにより、作用体に作用した力を
電気信号として検出する検出手段と、 を備えるセンサを試験する方法において、 互いに対向した位置にあり、力の作用により両者間に
変位を生じる第1の面および第2の面を定め、第1の面
上に電気的に単一の電極層を形成し、第2の面上の複数
箇所にそれぞれ電気的に独立した複数の電極層を形成
し、 第1の面上の電極層には第1の極性の電圧を印加し、
第2の面上の各電極層には第1の極性の電圧またはこれ
とは逆の第2の極性の電圧を各電極層ごとに選択的に印
加し、第1の面上の電極層と第2の面上の電極層との間
に斥力または引力からなるクーロン力を作用させ、この
作用させたクーロン力と検出手段による検出結果とに基
づいて、センサの試験を行うようにしたものである。
(1) The first invention of the present application is directed to an operation portion which receives an action of a force,
A flexure element having a fixed portion fixed to the sensor body, and a flexible portion formed between them, and a flexible body formed between them; an operating body for transmitting the applied force to the operating portion; Mechanical deformation that occurs in the strain body due to the applied force,
Detecting means for detecting the force acting on the acting body as an electric signal by converting the electric signal into an electric signal.A method for testing a sensor comprising the steps of: A first surface and a second surface are defined, an electrically single electrode layer is formed on the first surface, and a plurality of electrically independent electrode layers are formed at a plurality of locations on the second surface. A voltage of a first polarity is applied to the electrode layer on the first surface;
A voltage of a first polarity or a voltage of a second polarity opposite thereto is selectively applied to each electrode layer on the second surface for each electrode layer. A Coulomb force consisting of a repulsive force or an attractive force is applied between the electrode layer and the electrode layer on the second surface, and a sensor test is performed based on the applied Coulomb force and a detection result by the detection means. is there.

(2) 本願第2の発明は、上述の第1の発明に係るセ
ンサの試験方法において、 起歪体に生じる機械的変形によって抵抗値が変化する
性質をもった抵抗素子を検出手段として備えたセンサを
試験対象とし、第1の面上の電極層と第2の面上の電極
層との間にクーロン力を作用させたときの抵抗素子の抵
抗値の変化に基づいて試験を行うようにしたものであ
る。
(2) The second invention of the present application is the testing method of the sensor according to the first invention, wherein a resistance element having a property that a resistance value changes due to mechanical deformation generated in the flexure element is provided as detection means. With the sensor as a test object, the test is performed based on a change in the resistance value of the resistance element when Coulomb force is applied between the electrode layer on the first surface and the electrode layer on the second surface. It was done.

(3) 本願第3の発明は、加速度センサにおいて、 力の作用を受ける作用部、センサ本体に固定される固
定部、およびこれらの間に形成される可撓性をもった可
撓部、を有する起歪体と、 センサ本体に加わる加速度によって力の作用を受け、
この作用した力を作用部に伝達して起歪体に機械的変形
を生じさせるための重錘体と、 起歪体に生じる機械的変形によって抵抗値が変化する
性質を持った抵抗素子と、 加速度の作用により変位を生じる第1の面に形成され
た第1の電極層と、 第1の面に対向した第2の面に形成された第2の電極
層と、 抵抗素子、第1の電極層、および第2の電極層を、外
部の電気回路と接続させるための配線手段と、 を設け、第1の電極層および第2の電極層に所定の電
圧を印加して両電極層間にクーロン力を作用させること
により、加速度が作用していない状態であっても起歪体
に機械的変形を生じさせることができるように構成し、
更に、第1の電極層と第2の電極層のうち、一方の電極
層を電気的に単一の電極層で構成し、他方の電極層を電
気的に独立した複数の副電極層で構成し、各副電極層に
印加する電圧の極性を選択することにより、起歪体に生
じる機械的変形に方向性をもたせうるようにしたもので
ある。
(3) The third invention of the present application is directed to an acceleration sensor, comprising: an operating portion that receives a force action, a fixing portion fixed to the sensor main body, and a flexible portion formed therebetween. And the force exerted by the acceleration applied to the sensor body,
A weight body for transmitting the applied force to the acting portion to cause mechanical deformation of the flexure element, and a resistance element having a property in which a resistance value changes due to mechanical deformation generated in the flexure element, A first electrode layer formed on a first surface that is displaced by the action of acceleration, a second electrode layer formed on a second surface opposed to the first surface, a resistance element, A wiring means for connecting the electrode layer and the second electrode layer to an external electric circuit, and applying a predetermined voltage to the first electrode layer and the second electrode layer, and By applying Coulomb force, it is configured to be able to cause mechanical deformation of the flexure element even when acceleration is not acting,
Further, of the first electrode layer and the second electrode layer, one electrode layer is formed by an electrically single electrode layer, and the other electrode layer is formed by a plurality of electrically independent sub-electrode layers. By selecting the polarity of the voltage applied to each sub-electrode layer, the mechanical deformation generated in the strain body can be given a direction.

(4) 本願第4の発明は、磁気センサにおいて、 力の作用を受ける作用部、センサ本体に固定される固
定部、およびこれらの間に形成され可撓性をもった可撓
部、を有する起歪体と、 センサ本体が置かれた磁界によって力の作用を受け、
この作用した力を作用部に伝達して起歪体に機械的変形
を生じさせるための磁性体と、 起歪体に生じる機械的変形によって抵抗値が変化する
性質をもった抵抗素子と、 磁力の作用により変位を生じる第1の面に形成された
第1の電極層と、 第1の面に対向した第2の面に形成された第2の電極
層と、 抵抗素子、第1の電極層、および第2の電極層を、外
部の電気回路と接続させるための配線手段と、 を設け、第1の電極層および第2の電極層に所定の電
圧を印加して両電極層間にクーロン力を作用させること
により、磁力が作用していない状態であっても起歪体に
機械的変形を生じさせることができるように構成し、更
に、第1の電極層と第2の電極層のうち、一方の電極層
を電気的に単一の電極層で構成し、他方の電極層を電気
的に独立した複数の副電極層で構成し、各副電極層に印
加する電圧の極性を選択することにより、起歪体に生じ
る機械的変形に方向性をもたせうるようにしたものであ
る。
(4) A fourth aspect of the present invention is a magnetic sensor, comprising: an operating portion which receives a force, a fixing portion fixed to the sensor main body, and a flexible portion formed therebetween. Under the action of force by the flexure element and the magnetic field where the sensor body is placed,
A magnetic body for transmitting the applied force to the acting portion to cause mechanical deformation of the strain body, a resistance element having a property that a resistance value changes due to the mechanical deformation generated in the strain body, and a magnetic force. A first electrode layer formed on a first surface that is displaced by the action of the first electrode, a second electrode layer formed on a second surface opposite to the first surface, a resistance element, and a first electrode Wiring means for connecting the first electrode layer and the second electrode layer to an external electric circuit, and applying a predetermined voltage to the first electrode layer and the second electrode layer to provide a coulomb between the two electrode layers. By applying a force, a mechanical deformation can be generated in the strain body even in a state where no magnetic force is applied, and the first electrode layer and the second electrode layer can be mechanically deformed. Of these, one electrode layer is composed of an electrically single electrode layer and the other electrode layer is electrically isolated. Composed of a plurality of sub-electrode layers is, by selecting the polarity of the voltage applied to each sub-electrode layer is obtained by so be imparted a directional mechanical deformation occurring in the strain generating body.

(5) 本願第5の発明は、上述の第3または第4の発
明に係るセンサにおいて、他方の電極層を電気的に独立
した2枚の副電極層で構成し、各副電極層に印加する電
圧の極性を選択することにより、2枚の副電極層の中心
を結ぶ線方向に関する機械的変形と、2枚の副電極層の
層面に対して垂直な方向に関する機械的変形と、を起歪
体に生じさせるようにしたものである。
(5) The fifth invention of the present application is the sensor according to the third or fourth invention, wherein the other electrode layer is constituted by two electrically independent sub-electrode layers, and the voltage is applied to each sub-electrode layer. By selecting the polarity of the applied voltage, mechanical deformation in the line direction connecting the centers of the two sub-electrode layers and mechanical deformation in the direction perpendicular to the layer surfaces of the two sub-electrode layers are caused. This is to cause a distorted body.

(6) 本願第6の発明は、上述の第3または第4の発
明に係るセンサにおいて、他方の電極層を電気的に独立
した4枚の副電極層で構成し、これらの副電極層を直交
する2線分の各端点位置に配置し、各副電極層に印加す
る電圧の極性を選択することにより、2線分のうちの第
1の線分方向に関する機械的変形と、第2の線分方向に
関する機械的変形と、4枚の副電極層の層面に対して垂
直な方向に関する機械的変形と、を起歪体に生じさせる
ようにしたものである。
(6) The sixth invention of the present application is the sensor according to the third or fourth invention, wherein the other electrode layer is constituted by four electrically independent sub-electrode layers, and these sub-electrode layers are By arranging at each end point position of two orthogonal line segments and selecting the polarity of the voltage applied to each sub-electrode layer, mechanical deformation in the first line segment direction of the two line segments and the second Mechanical deformation in the direction of the line segment and mechanical deformation in the direction perpendicular to the layer surfaces of the four sub-electrode layers are caused to occur in the strain body.

〔作 用〕(Operation)

(1) 本願第1の発明によれば、第1の部位と第2の
部位との間にクーロン力が働く。このクーロン力によ
り、第1の部位が第2の部位に対して変位を生じること
になり、起歪体に機械的変形を誘起させる。したがっ
て、作用体に外力を作用させたのと同じ状態を創り出す
ことができ、実際に外力を作用させることなしにセンサ
の試験を行うことができるようになる。しかも、一方の
電極層を単一の電極層とし、他方の電極層を複数の副電
極層としたため、印加する電圧の極性を選択することに
よりクーロン力が斥力としても引力としても作用させる
ことができるようになり、種々の方向にクーロン力を作
用させた試験を行うことができるようになる。
(1) According to the first aspect of the present invention, Coulomb force acts between the first portion and the second portion. Due to this Coulomb force, the first portion is displaced with respect to the second portion, and mechanical deformation is induced in the flexure element. Therefore, the same state as when an external force is applied to the action body can be created, and the sensor can be tested without actually applying the external force. Moreover, since one electrode layer is a single electrode layer and the other electrode layer is a plurality of sub-electrode layers, the Coulomb force can act as both a repulsive force and an attractive force by selecting the polarity of the applied voltage. It is possible to perform tests in which Coulomb force is applied in various directions.

(2) 本願第2の発明によれば、機械的変形によって
抵抗値が変化する性質をもった抵抗素子を検出手段とし
て備えたセンサに適用したため、両電極層間にクーロン
力を作用させたときの抵抗素子の抵抗値の変化を検出す
ることにより試験を行うことが可能になる。
(2) According to the second invention of the present application, since the resistance element having the property of changing the resistance value due to mechanical deformation is applied to the sensor provided as the detection means, the resistance when the Coulomb force is applied between the two electrode layers is obtained. A test can be performed by detecting a change in the resistance value of the resistance element.

(3) 本願第3の発明によれば、加速度センサ内に、
上述の第1の発明に係る試験を実施するための各電極層
が形成され、これに対する配線がなされる。したがっ
て、印加する電極の極性を選択することにより、種々の
方向にクーロン力を作用させた試験を行うことができる
ようになる。
(3) According to the third invention of the present application, in the acceleration sensor,
Each electrode layer for performing the test according to the first invention is formed, and wiring is performed on the electrode layer. Therefore, by selecting the polarity of the electrode to be applied, it is possible to perform tests in which Coulomb force is applied in various directions.

(4) 本願第4の発明によれば、磁気センサ内に、上
述の第1の発明に係る試験を実施するための各電極層が
形成され、これに対する配線がなされる。したがって、
印加する電極の極性を選択することにより、種々の方向
にクーロン力を作用させた試験を行うことができるよう
になる。
(4) According to the fourth invention of the present application, each electrode layer for performing the test according to the first invention is formed in the magnetic sensor, and wiring is performed for the electrode layer. Therefore,
By selecting the polarity of the electrode to be applied, it becomes possible to perform tests in which Coulomb force is applied in various directions.

(5) 本願第5の発明によれば、上述の第3または第
4の発明のセンサにおいて、副電極層を2枚設けるよう
にしたため、互いに垂直な2とおりの方向に関してクー
ロン力を作用させた試験を行うことができるようにな
る。
(5) According to the fifth invention of the present application, in the sensor according to the third or fourth invention described above, since two sub-electrode layers are provided, Coulomb force is applied in two directions perpendicular to each other. You will be able to perform tests.

(6) 本願第6の発明によれば、上述の第3または第
4の発明のセンサにおいて、副電極層を十字状に4枚設
けるようにしたため、互いに垂直な3とおりの方向に関
してクーロン力を作用させた試験を行うことができるよ
うになる。
(6) According to the sixth aspect of the present invention, in the sensor according to the third or fourth aspect, since four sub-electrode layers are provided in a cross shape, the Coulomb force is increased in three directions perpendicular to each other. The applied test can be performed.

〔実施例〕〔Example〕

以下本発明を図示する実施例に基づいて詳述する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments.

センサの構造 はじめに、本発明の対象となる力の作用体を有するセ
ンサの構造を簡単に説明する。第1図は加速度センサの
一例を示す構造断面図である。このセンサの中枢ユニッ
トとなるのは、半導体ペレット10である。この半導体ペ
レット10の上面図を第2図に示す。第1図の中央部分に
示されている半導体ペレット10の断面は、第2図をX軸
に沿って切断した断面に相当する。この半導体ペレット
10は、内側から外側に向かって順に、作用部11、可撓部
12、固定部13の3つの領域に分けられる。第2図に破線
で示されているように、可撓部12の下面には、環状に溝
が形成されている。この溝によって、可撓部12は肉厚が
薄くなり、可撓性をもつことになる。したがって、固定
部13を固定したまま作用部11に力を作用させると、可撓
部12が撓んで機械的変形を生じる。こうして半導体ペレ
ット10は起歪体としての機能をもつ。可撓部12の上面に
は、第2図に示すように、抵抗素子Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,
Rz1〜Rz4が所定の向きに形成されている。
First, the structure of a sensor having a force acting object that is an object of the present invention will be briefly described. FIG. 1 is a structural sectional view showing an example of an acceleration sensor. The semiconductor pellet 10 is the central unit of this sensor. A top view of the semiconductor pellet 10 is shown in FIG. The cross section of the semiconductor pellet 10 shown in the center of FIG. 1 corresponds to a cross section of FIG. 2 cut along the X axis. This semiconductor pellet
10 is an action part 11, a flexible part in order from the inside to the outside.
12, divided into three areas of the fixing part 13. As shown by a broken line in FIG. 2, a groove is formed in the lower surface of the flexible portion 12 in an annular shape. Due to this groove, the flexible portion 12 becomes thinner and has flexibility. Therefore, when a force is applied to the action section 11 while the fixing section 13 is fixed, the flexible section 12 bends and mechanical deformation occurs. Thus, the semiconductor pellet 10 has a function as a strain generator. As shown in FIG. 2, on the upper surface of the flexible portion 12, the resistance elements Rx1 to Rx4, Ry1 to Ry4,
Rz1 to Rz4 are formed in a predetermined direction.

第1図に示すように、作用部11の下方には重錘体20が
接合されており、固定部13の下方には台座21,22が接続
されている。また、第1図には示されていないが、紙面
垂直方向に、更に台座23,24が配置されており、斜め方
向には台座21a〜24aが配置されている。この様子は、重
錘体20と台座21〜24,21a〜24aのみの上面を示す第3図
に明瞭に示されている。第1図に示されている断面は、
第3図を切断線AAに沿って切断した断面に相当する。な
お、台座が第3図に示すような状態で配されているの
は、特願平3−2535号明細書に開示されている製造工程
を実施したためであり、詳細は同公報を参照されたい。
台座21〜24の下方には、制御部材30が接続されている。
この制御部材30の上面を第4図に示す。制御部材30の上
面には、矩形の溝31(第4図でハッチングを施す部分)
が形成されている。第1図に示されている断面は、第4
図を切断線BBに沿って切断した断面に相当する。また、
半導体ペレット10の上面には、制御部材40が被さってい
る。この制御部材40の下面を第5図に示す。制御部材40
の下面には、矩形の溝41(第5図でハッチングを施す部
分)が形成されている。第1図に示されている断面は、
第5図を切断線CCに沿って切断した断面に相当する。
As shown in FIG. 1, a weight body 20 is joined below the action section 11, and pedestals 21 and 22 are connected below the fixing section 13. Although not shown in FIG. 1, pedestals 23 and 24 are further arranged in a direction perpendicular to the paper surface, and pedestals 21a to 24a are arranged in an oblique direction. This situation is clearly shown in FIG. 3, which shows the upper surface of only the weight body 20 and the pedestals 21 to 24 and 21a to 24a. The cross section shown in FIG.
FIG. 3 corresponds to a cross section cut along the cutting line AA. The pedestal is arranged as shown in FIG. 3 because the manufacturing process disclosed in the specification of Japanese Patent Application No. 3-2535 has been carried out. .
A control member 30 is connected below the pedestals 21 to 24.
The upper surface of the control member 30 is shown in FIG. On the upper surface of the control member 30, a rectangular groove 31 (a hatched portion in FIG. 4)
Are formed. The cross section shown in FIG.
The figure corresponds to a cross section cut along the cutting line BB. Also,
The control member 40 covers the upper surface of the semiconductor pellet 10. The lower surface of the control member 40 is shown in FIG. Control member 40
A rectangular groove 41 (a portion to be hatched in FIG. 5) is formed on the lower surface of. The cross section shown in FIG.
FIG. 5 corresponds to a cross section cut along the cutting line CC.

制御部材30の底面はパッケージ50の内側底面に接合さ
れており、半導体ペレット10および重錘体20は台座21〜
24および21a〜24aによって支持される。重錘体20は内部
で宙吊りの状態となっている。パッケージ50には、蓋51
が被せられる。半導体ペレット10に設けられたボンディ
ングパッド14は、各抵抗素子に対してペレット内で電気
的に接続されており、このボンディングパッド14とパッ
ケージ側方に設けられたリード52とは、ボンディングワ
イヤ15によって接続されている。
The bottom surface of the control member 30 is joined to the inner bottom surface of the package 50, and the semiconductor pellet 10 and the weight body 20 are
Supported by 24 and 21a-24a. The weight body 20 is in a suspended state inside. The package 50 has a lid 51
Is covered. The bonding pad 14 provided on the semiconductor pellet 10 is electrically connected to each resistance element in the pellet, and the bonding pad 14 and the lead 52 provided on the side of the package are connected by a bonding wire 15. It is connected.

このセンサに加速度が加わると、重錘体20に外力が作
用することになる。この外力は作用部11に伝達され、可
撓部12に機械的変形が生じる。これによって、抵抗素子
の電気抵抗に変化が生じ、この変化はボンディングワイ
ヤ15およびリード52を介して外部に取り出すことができ
る。作用部11に加わった力のX方向成分は抵抗素子Rx1
〜Rx4の電気抵抗の変化により、Y方向成分は抵抗素子R
y1〜Ry4の電気抵抗の変化により、Z方向成分は抵抗素
子Rz1〜Rz4の電気抵抗の変化により、それぞれ検出され
る。この検出方法については本発明の本旨ではないた
め、ここでは説明を省力する。詳細は特許協力条約に基
づく国際出願の国際公開第WO88/08522号公報などを参照
されたい。
When acceleration is applied to this sensor, an external force acts on the weight body 20. This external force is transmitted to the action portion 11, and the flexible portion 12 undergoes mechanical deformation. As a result, a change occurs in the electric resistance of the resistance element, and this change can be taken out through the bonding wire 15 and the lead 52 to the outside. The X-direction component of the force applied to the acting part 11 is the resistance element Rx1
~ Rx4, the resistance in the Y-direction
The Z-direction component is detected by the change in the electric resistance of y1 to Ry4, and the change in the electric resistance of the resistance elements Rz1 to Rz4. Since this detection method is not the gist of the present invention, the description is omitted here. For details, refer to International Publication No. WO88 / 08522, which is an international application based on the Patent Cooperation Treaty.

加速度センサとして実用した場合、大きな加速度がか
かると、重錘体20に過度な外力が作用することになる。
その結果、可撓部12に大きな機械的変形が生じ、半導体
ペレット10が破損する可能性がある。このような破損を
防ぐため、第1図に示すセンサでは、制御部材30および
40が設けられている。制御部材30は、重錘体20の下方向
の変位が許容値を越えないように制御するものであり、
制御部材40は、重錘体20(実際には作用部11)の上方向
の変位が許容値を越えないように制御するものである。
また、台座21〜24は、重錘体の横方向の変位が許容値を
越えないように制御する役割を果たす。重錘体20に過度
の外力が作用して、上述の許容値を越えて動こうとして
も、重錘体20はこれらの部材に衝突してその移動が阻ま
れることになる。結局、半導体ペレット10には、許容値
以上の機械的変形が加えられることはなく、破損から保
護される。
When used as an acceleration sensor, an excessive external force acts on the weight body 20 when a large acceleration is applied.
As a result, large mechanical deformation occurs in the flexible portion 12, and the semiconductor pellet 10 may be damaged. In order to prevent such damage, the sensor shown in FIG.
Forty are provided. The control member 30 controls the downward displacement of the weight body 20 so as not to exceed an allowable value,
The control member 40 controls the upward displacement of the weight body 20 (actually, the action portion 11) so as not to exceed an allowable value.
Further, the pedestals 21 to 24 play a role of controlling the lateral displacement of the weight body so as not to exceed an allowable value. Even if an excessive external force acts on the weight body 20 and attempts to move beyond the above-mentioned allowable value, the weight body 20 collides with these members and the movement thereof is hindered. As a result, the semiconductor pellet 10 is protected from damage without being subjected to mechanical deformation exceeding the allowable value.

本発明に係る試験方法の原理 上述のような加速度センサを大量生産するための方法
は、特願平3−2535号明細書に開示されているが、これ
を製品として出荷する前に、加速度センサとしての機能
に支障がないか試験を行う必要がある。この試験方法と
して、振動発生装置によってこの加速度センサに振動を
与え、そのときのセンサからの出力を検査することによ
って試験を行うことは可能であるが、前述のように、試
験装置が大掛かりとなり、動的特性しか得ることができ
ない。特に、このセンサは3次元座標系におけるXYZの
すべての方向についての加速度を検出することができる
ため、3次元の方向を考慮して振動を与える必要があ
り、試験装置はかなり複雑なものとなってしまう。
Principle of the test method according to the present invention A method for mass-producing the acceleration sensor as described above is disclosed in Japanese Patent Application No. Hei 3-2535, but before shipping the product as a product, It is necessary to carry out a test to check if the function as a function is not hindered. As a test method, it is possible to perform a test by applying a vibration to the acceleration sensor by a vibration generating device and inspecting an output from the sensor at that time, but as described above, the test device becomes large-scale, Only dynamic characteristics can be obtained. In particular, since this sensor can detect acceleration in all directions of XYZ in the three-dimensional coordinate system, it is necessary to give vibration in consideration of the three-dimensional direction, and the test equipment becomes considerably complicated. Would.

本発明による試験方法では、実際に加速度を与えるこ
となしに、このセンサを加速度が作用したのと同じ環境
におくことができるのである。その基本原理は次のとお
りである。まず、センサ内部の所定箇所に、いくつかの
電極層を形成する。この電極層は導電性の材質からなる
層であればどのようなものでもかまわない。実際には、
所定箇所にアルミニウムのような金属を蒸着あるいはス
パッタリングによって薄く形成するようにすればよい。
なお、アルミニウムの上面は、表面保護のために、SiO2
膜あるいはSiN膜で覆うのが好ましい。電極層は次のよ
うな各部に形成する。まず第4図に示すように、制御部
材30が設けられた溝31内に電極層E1を、そして第5図に
示すように、制御部材40に設けられた溝41内に電極層E2
を、それぞれ形成する。更に、第6図に示すように、重
錘体20の全側面および底面に電極層E3(5面に渡って形
成されるが、電気的には導通している1枚の電極層であ
る)を形成し、台座21〜24の各内側面に電極層E4〜E7を
形成する。また、半導体ペレット10の上面には、第7図
に示すように、抵抗素子Rを避けるように電極層E8を形
成する。こうして、第4図〜第7図において、ハッチン
グを施す各領域にそれぞれ電極層を形成する。すると、
パッケージ内のセンサ中枢部の断面図は第8図のように
なる(なお、以下の各図においては、ハッチングを施し
た部分は電極層を示し、断面を示すハッチングは図が繁
雑になるため省略する)。第8図によって、各電極層E1
〜E8の相対的な位置関係が理解できよう。なお、第8図
における波線は、各電極層に対する配線を示す。このよ
うな配線は、更にボンディングワイヤによって、パッケ
ージ外部のリード52(第1図参照)に接続することがで
きる。また、重錘体20の表面に形成された電極層E3に対
しては、ボンディングワイヤ25によって配線がなされて
いる。
With the test method according to the invention, the sensor can be placed in the same environment in which the acceleration acted without actually applying the acceleration. The basic principle is as follows. First, several electrode layers are formed at predetermined positions inside the sensor. This electrode layer may be any layer as long as it is a layer made of a conductive material. actually,
A metal such as aluminum may be thinly formed at a predetermined location by vapor deposition or sputtering.
Note that the upper surface of aluminum is made of SiO 2 for surface protection.
It is preferable to cover with a film or a SiN film. The electrode layer is formed in each of the following parts. First, as shown in FIG. 4, the electrode layer E1 is provided in the groove 31 provided with the control member 30, and as shown in FIG. 5, the electrode layer E2 is provided in the groove 41 provided in the control member 40.
Are formed respectively. Further, as shown in FIG. 6, an electrode layer E3 is formed on all side surfaces and the bottom surface of the weight body 20 (one electrode layer formed over five surfaces but electrically conductive). Are formed, and electrode layers E4 to E7 are formed on the respective inner surfaces of the pedestals 21 to 24. On the upper surface of the semiconductor pellet 10, an electrode layer E8 is formed so as to avoid the resistance element R as shown in FIG. Thus, in FIGS. 4 to 7, an electrode layer is formed in each of the hatched regions. Then
A cross-sectional view of the central part of the sensor in the package is as shown in FIG. 8 (in the following figures, hatched portions indicate electrode layers, and hatching indicating a cross-section is omitted because the figure is complicated). Do). According to FIG. 8, each electrode layer E1
You can understand the relative positional relationship of ~ E8. Note that the dashed lines in FIG. 8 indicate wiring for each electrode layer. Such wiring can be further connected to a lead 52 (see FIG. 1) outside the package by a bonding wire. In addition, the electrode layer E3 formed on the surface of the weight body 20 is wired by a bonding wire 25.

このように形成された各電極層E1〜E8の特徴は、それ
ぞれ対となる電極層ごとに対向した位置に形成されてい
る点である。すなわち、第8図に示すように、E2:E8、E
3:E4、E3:E5、E3:E6、E3:E7、E3:E1、がそれぞれ対向し
た位置に形成されている(電極層E3は、5面がそれぞれ
別な電極層に対向している)。このように対向した電極
層に、それぞれ電圧を印加すると両者間にクーロン力が
作用する。すなわち、両者間に同じ極性の電圧を印加す
れば斥力が作用し、異なる極性の電圧を印加すれば引力
が作用する。そこで、E3:E4間に斥力、E3:E5間に引力、
が作用するように電圧を印加したとすると、重錘体20に
+X方向の力が作用したのと同じ現象が起こる。別言す
れば、センサ本体に−X方向の加速度が作用しているの
と同じ環境下にこのセンサを置くことができる(センサ
本体に加速度が作用すると、重錘体にはこれと逆方向の
慣性力が作用する)。この環境下において、抵抗素子の
抵抗値の変化を示す出力が−X方向の加速度を検出した
ことを示しているか否かを調べれば、−X方向の加速度
に関する試験を行うことができる。引力と斥力とを逆に
作用させれば、+X方向の加速度に関する試験を行うこ
ともできる。全く同様にして、E3:E6間に引力、E3:E7間
に斥力が作用するように電圧を印加すれば、−Y方向
(第8図の紙面に垂直上方向)の加速度に関する試験を
行うことができ、引力と斥力を逆に作用させれば、+Y
方向(第8図の紙面に垂直下方向)の加速度に関する試
験を行うことができる。更に、E2:E8間に引力、E3:E1間
に斥力が作用するように電圧を印加すれば、−Z方向の
加速度に関する試験を行うことができ、引力と斥力を逆
に作用させれば、−Z方向の加速度に関する試験を行う
ことができる。前述のように各電極層も、加速度検出用
の各抵抗素子も、いずれもボンディングワイヤによって
パッケージ外部のリード52(第1図参照)に電気的に接
続されているので、上述の試験は、単に所定のリード端
子に所定の電圧を印加しながら、所定のリード端子から
出力される加速度検出信号をモニターするだけの操作で
すむ。このように、本発明による試験方法によれば、非
常に簡単に、3次元のすべての方向に関する加速度検出
試験を行うことが可能になる。
The feature of each of the electrode layers E1 to E8 thus formed is that they are formed at positions facing each other for each pair of electrode layers. That is, as shown in FIG. 8, E2: E8, E2
3: E4, E3: E5, E3: E6, E3: E7, E3: E1 are formed at positions facing each other (the electrode layer E3 has five surfaces facing different electrode layers). . When a voltage is applied to each of the opposing electrode layers, a Coulomb force acts between them. That is, a repulsive force acts when voltages of the same polarity are applied between the two, and an attractive force acts when voltages of different polarities are applied. So, repulsive force between E3: E4, attractive force between E3: E5,
Assuming that a voltage is applied such that a force acts on the weight 20, the same phenomenon as when a force in the + X direction acts on the weight body 20 occurs. In other words, the sensor can be placed in the same environment in which the acceleration in the -X direction is acting on the sensor body (when the acceleration acts on the sensor body, the weight body has the opposite direction). Inertia force acts). In this environment, if it is determined whether or not the output indicating the change in the resistance value of the resistance element indicates that the acceleration in the −X direction has been detected, a test relating to the acceleration in the −X direction can be performed. If the attractive force and the repulsive force are made to act in reverse, a test on the acceleration in the + X direction can be performed. In the same way, if a voltage is applied so that an attractive force acts between E3 and E6 and a repulsive force acts between E3 and E7, a test on acceleration in the -Y direction (upward perpendicular to the plane of FIG. 8) is performed. And if the attractive force and the repulsive force act in reverse, + Y
A test can be performed on the acceleration in the direction (downward perpendicular to the plane of FIG. 8). Furthermore, if a voltage is applied such that an attractive force acts between E2 and E8 and a repulsive force acts between E3 and E1, a test relating to acceleration in the −Z direction can be performed.If the attractive force and the repulsive force are applied in reverse, A test on acceleration in the -Z direction can be performed. As described above, each of the electrode layers and each of the resistance elements for acceleration detection are both electrically connected to the leads 52 (see FIG. 1) outside the package by bonding wires. It is only necessary to monitor the acceleration detection signal output from the predetermined lead terminal while applying a predetermined voltage to the predetermined lead terminal. As described above, according to the test method of the present invention, it is possible to very easily perform acceleration detection tests in all three-dimensional directions.

より実用的な実施例 第8図に示す実施例では、電極層をかなり多くの箇所
に形成する必要があるため、あまり実用的ではない。で
きれば、必要最小限の箇所に設けた電極層によって、3
次元のすべての方向に関する加速度検出試験を行うのが
好ましい。そこで、次のようなモデルを考える。第9図
は、この加速度センサの中枢部の断面図である。いま、
半導体ペレット10上の2か所に点P1およびP2をとり、制
御部材40の内側の2か所に点Q1およびQ2をとる。点P1と
Q1とが対向し、点P2とQ2とが対向する。ここで、点P1:Q
1間に引力を作用させ、点P2:Q2間に斥力を作用させる
と、点P1,P2は点Q1,Q2に対して変位し、第10図に示すよ
うに半導体ペレット10が機械的変形を生じる。この状態
は、重錘体20に+X方向の力Fxが作用したのと同じ状態
である。別言すれば、センサ本体に−X方向の加速度が
作用したのと同じ状態である。また、引力と斥力とを逆
に作用させれば、+X方向の加速度が作用したのと同じ
状態になる。これで、半導体ペレット10の上面の所定箇
所と、制御部材40の下面の所定箇所と、に電極層を形成
しておけば、±X方向の加速度検出試験が可能なことが
わかる。±Y方向の加速度検出試験も、電極層の位置を
90゜変えれば同様に行うことができる。次に、点P1:Q1
間に斥力を作用させ、点P2:Q2間にも斥力を作用させる
と、第11図に示すように、重錘体20に−Z方向の力−Fz
が作用したのと同じ状態になる。別言すれば、センサ本
体に+Z方向の加速度が作用したのと同じ状態になる。
また、両者ともに引力を作用させれば、+Z方向の加速
度が作用したのと同じ状態になる。これで、半導体ペレ
ット10の上面の所定箇所と、制御部材40の下面の所定箇
所と、に電極層を形成しておけば、±Z方向の加速度検
出試験も可能なことがわかる。
More Practical Embodiment The embodiment shown in FIG. 8 is not very practical because the electrode layers need to be formed at a considerable number of places. If possible, the electrode layers provided in the minimum necessary places
Preferably, an acceleration detection test is performed in all dimensions. Therefore, consider the following model. FIG. 9 is a sectional view of a central portion of the acceleration sensor. Now
Points P1 and P2 are set at two places on the semiconductor pellet 10, and points Q1 and Q2 are set at two places inside the control member 40. Point P1 and
Q1 faces, and points P2 and Q2 face. Where point P1: Q
When an attractive force is applied between 1 and a repulsive force is applied between points P2 and Q2, the points P1 and P2 are displaced with respect to the points Q1 and Q2, and the semiconductor pellet 10 undergoes mechanical deformation as shown in FIG. Occurs. This state is the same state as when the force Fx in the + X direction acts on the weight body 20. In other words, this is the same state as when the acceleration in the −X direction acts on the sensor body. If the attractive force and the repulsive force are applied in reverse, the state becomes the same as the state where the acceleration in the + X direction is applied. Thus, it can be seen that the acceleration detection test in the ± X direction can be performed if the electrode layers are formed at the predetermined location on the upper surface of the semiconductor pellet 10 and the predetermined location on the lower surface of the control member 40. In the acceleration detection test in the ± Y direction,
You can do the same with a 90 ゜ change. Next, point P1: Q1
When a repulsive force is applied between the points P2 and Q2, as shown in FIG. 11, a force -Fz
Will be in the same state as when. In other words, the state is the same as when the acceleration in the + Z direction acts on the sensor body.
Further, if an attractive force acts on both, the state becomes the same as the state where the acceleration in the + Z direction acts. Thus, it can be understood that the acceleration detection test in the ± Z direction can be performed if the electrode layer is formed at a predetermined position on the upper surface of the semiconductor pellet 10 and a predetermined position on the lower surface of the control member 40.

以上のとおり、結局は、半導体ペレット10の上面の所
定箇所と、制御部材40の下面の所定箇所と、に電極層を
形成しておけば、3次元のすべての方向に関する加速度
検出試験を行うことが可能である。更に具体的な電極層
配置の例を以下に説明してみる。まず、半導体ペレット
10の上面には、第12図にハッチングを施して示すよう
に、4つの電極層E9〜E12を形成する。各電極層は、抵
抗素子Rの形成領域を避けるようにして形成されてお
り、それぞれ配線層W9〜W12によってボンディングパッ
ドB9〜B12に接続されている。ボンディングパッドB9〜B
12には、ボンディングワイヤ(図示されていない)が接
続され、最終的にはパッケージ外部のリードに対する電
気的接続がなされる。なお、第12図には図示されていな
いが、各抵抗素子Rも各ボンディングパッド14に対して
接続されており、パッケージ外部のリードに対して電気
的に接続されている。半導体ペレット10には、この抵抗
素子Rに対する配線を行うために、アルミニウムなどに
よる配線層が形成されているが、電極層E9〜E12や配線
層W9〜W12を形成するには、このアルミニウムなどによ
る配線層と同じマスクを用いるようにするのが好まし
い。こうすれば、従来のマスクパターンを変更するだけ
の作業を追加するだけで、試験用の付加的な電極層E9〜
E12や配線層W9〜W12を形成することができる。もちろん
配線層W9〜W12は、ゲージ抵抗等を形成するための拡散
工程を利用して拡散層として形成してもよい。半導体ペ
レット10の製造プロセスは従来と全く同じプロセスです
む。一方、制御部材40の下面には、第5図に示す電極層
E2を形成しておけばよい。これは、アルミニウムなどを
蒸着あるいはスパッタリングによって表面に付着させれ
ばよい。以上のような電極層を形成したときの断面図を
第13図に示す。電極層E2については、図の波線で示すよ
うな配線がなされ、更に外部のリードへと接続させる。
このように、一方の電極層として単一の電極層E2を形成
し、これに対向する他方の電極層として4枚の副電極層
E9〜E12を形成したことになる。
As described above, after all, if an electrode layer is formed on a predetermined location on the upper surface of the semiconductor pellet 10 and a predetermined location on the lower surface of the control member 40, acceleration detection tests in all three-dimensional directions can be performed. Is possible. A more specific example of the electrode layer arrangement will be described below. First, the semiconductor pellet
On the upper surface of 10, four electrode layers E9 to E12 are formed as shown by hatching in FIG. Each electrode layer is formed so as to avoid the formation region of the resistance element R, and is connected to bonding pads B9 to B12 by wiring layers W9 to W12, respectively. Bonding pad B9 ~ B
A bonding wire (not shown) is connected to 12, and an electrical connection is finally made to a lead outside the package. Although not shown in FIG. 12, each resistance element R is also connected to each bonding pad 14 and is electrically connected to a lead outside the package. A wiring layer made of aluminum or the like is formed on the semiconductor pellet 10 for wiring to the resistance element R. To form the electrode layers E9 to E12 and the wiring layers W9 to W12, the aluminum It is preferable to use the same mask as the wiring layer. In this case, the additional electrode layers E9 to E9 to
E12 and wiring layers W9 to W12 can be formed. Of course, the wiring layers W9 to W12 may be formed as diffusion layers using a diffusion process for forming a gauge resistor or the like. The manufacturing process of the semiconductor pellet 10 may be exactly the same as the conventional process. On the other hand, an electrode layer shown in FIG.
What is necessary is just to form E2. This can be achieved by depositing aluminum or the like on the surface by vapor deposition or sputtering. FIG. 13 is a cross-sectional view when the above-described electrode layers are formed. The electrode layer E2 is wired as shown by a broken line in the figure, and further connected to an external lead.
Thus, a single electrode layer E2 is formed as one electrode layer, and four sub-electrode layers are formed as the other electrode layer opposed thereto.
This means that E9 to E12 were formed.

このような加速度センサについて試験を行うには、電
極層E2に+Vなる電圧を印加しておき、次のようにすれ
ば、3次元のすべての方向についての加速度検出試験が
可能である。
In order to perform a test on such an acceleration sensor, a voltage of + V is applied to the electrode layer E2, and an acceleration detection test in all three-dimensional directions can be performed as follows.

(1)E10に+V、E12に−Vを印加すれば、重錘体20に
力+Fxを作用させることができ、−X方向の加速度検出
試験を行うことができる。
(1) If + V is applied to E10 and -V is applied to E12, a force + Fx can be applied to the weight 20, and an acceleration detection test in the -X direction can be performed.

(2)E10に−V、E12に+Vを印加すれば、重錘体20に
力−Fxを作用させることができ、+X方向の加速度検出
試験を行うことができる。
(2) When -V is applied to E10 and + V is applied to E12, a force -Fx can be applied to the weight body 20, and an acceleration detection test in the + X direction can be performed.

(3)E11に+V、E9に−Vを印加すれば、重錘体20に
力+Fyを作用させることができ、−Y方向の加速度検出
試験を行うことができる。
(3) If + V is applied to E11 and -V is applied to E9, a force + Fy can be applied to the weight 20, and an acceleration detection test in the -Y direction can be performed.

(4)E11に−V、E9に+Vを印加すれば、重錘体20に
力−Fyを作用させることができ、+Y方向の加速度検出
試験を行うことができる。
(4) If -V is applied to E11 and + V is applied to E9, a force -Fy can be applied to the weight 20, and an acceleration detection test in the + Y direction can be performed.

(5)E9〜E12のすべてに−Vを印加すれば、重錘体20
に力+Fzを作用させることができ、−Z方向の加速度検
出試験を行うことができる。
(5) If -V is applied to all of E9 to E12, the weight 20
And a force + Fz can be applied to the acceleration sensor to perform an acceleration detection test in the −Z direction.

(6)E9〜E12のすべてに+Vを印加すれば、重錘体20
に力−Fzを作用させることができ、Z方向の加速度検出
試験を行うことができる。
(6) If + V is applied to all of E9 to E12, the weight 20
, A force-Fz can be applied to the acceleration sensor, and a Z-direction acceleration detection test can be performed.

以上、X,Y,Z軸上の加速度検出試験について述べた
が、X,Y,Z軸上にない方向の加速度についても、電極層E
9〜E12によって所定の電圧を印加することにより検出試
験を行うことができる。
The acceleration detection test on the X, Y, and Z axes has been described above.
A detection test can be performed by applying a predetermined voltage according to 9 to E12.

なお、印加する電圧+Vおよび−Vは、抵抗素子Rの
抵抗値の変化が十分検出できるような電圧値にする。こ
の値は環状のダイヤフラムを形成している可撓部12の厚
さや径に依存する。
Note that the applied voltages + V and -V are set to voltage values that can sufficiently detect a change in the resistance value of the resistance element R. This value depends on the thickness and the diameter of the flexible portion 12 forming the annular diaphragm.

他の実施例 上述の実施例は、本発明の一態様であり、この他にも
種々の実施例が考えられる。以下にそのいくつかを説明
する。第14図に断面を示す実施例は、上述の実施例の電
極層E2の代わりに、電極層E13を形成したものである。
電極層E13は制御部材40の上面に形成されているため、
外部への配線が容易になる。ただし、電極間に作用する
クーロン力は前述の実施例よりもやや弱くなる。
Other Embodiments The embodiments described above are one embodiment of the present invention, and various other embodiments are also conceivable. Some of them are described below. In the embodiment whose cross section is shown in FIG. 14, an electrode layer E13 is formed instead of the electrode layer E2 of the above-described embodiment.
Since the electrode layer E13 is formed on the upper surface of the control member 40,
External wiring becomes easy. However, the Coulomb force acting between the electrodes is slightly weaker than in the above embodiment.

第15図に示す実施例は、上述の実施例の電極層E9〜E1
2の代わりに、電極層E14〜E17を形成し、これに対する
配線層W14〜W17およびボンディングパッドB14〜B17を形
成したものである。このような配置は、抵抗素子Rに対
する配線の妨げになることが少ないという利点はある
が、半導体ペレットのもっとも可撓性をもった位置より
も内側に電極層が配置されており、また電極の面積が小
さくなるため、力の作用効率は低下する。
The embodiment shown in FIG. 15 is the same as the electrode layers E9 to E1 of the above-described embodiment.
In place of 2, electrode layers E14 to E17 are formed, and wiring layers W14 to W17 and bonding pads B14 to B17 corresponding thereto are formed. Such an arrangement has the advantage that it does not hinder the wiring to the resistance element R, but the electrode layer is arranged inside the most flexible position of the semiconductor pellet, Since the area is reduced, the efficiency of the force is reduced.

第16図および第17図に示す実施例は、いままで述べて
きた実施例の電極層の上下の関係を逆にしたものであ
る。すなわち、制御部材40の下面に溝41内に、4つの電
極層E18〜E21およびその配線層W18〜W21が形成されてい
る。これに対向する電極は、たとえば第7図に示すよう
な半導体ペレット10上に形成された単一の電極E8でよ
い。
The embodiment shown in FIGS. 16 and 17 is obtained by reversing the upper and lower relations of the electrode layers of the embodiments described above. That is, four electrode layers E18 to E21 and their wiring layers W18 to W21 are formed in the groove 41 on the lower surface of the control member 40. The opposing electrode may be, for example, a single electrode E8 formed on the semiconductor pellet 10 as shown in FIG.

この他にも種々の実施例が考えられる。要するに本発
明は、力の作用により変位を生じる第1の部位と、この
第1の部位に対向した位置にある第2の部位と、の間に
クーロン力を作用させるようにできれば、どのような構
成をとってもかまわない。
Various other embodiments are also conceivable. In short, according to the present invention, what kind of Coulomb force can be applied between a first portion that is displaced by the action of a force and a second portion located at a position facing the first portion. A configuration may be adopted.

また、上述の実施例は、いずれも加速度センサについ
てのものであるが、重錘体の代わりに磁性体を用いた磁
気センサについても、あるいは力センサについても、全
く同様に本発明を適用することが可能である。更に、3
次元のセンサだけでなく、2次元あるいは1次元のセン
サについても適用可能である。たとえば、XおよびZ軸
方向の加速度や磁気を検出する2次元のセンサやX軸方
向の加速度や磁気を検出する1次元のセンサでは、第12
図に示す4つの電極E9〜E12のうち、E10,E12の2つの電
極を設けるだけですむ。
The above embodiments are all directed to the acceleration sensor. However, the present invention can be applied to a magnetic sensor using a magnetic body instead of a weight body, or to a force sensor in the same manner. Is possible. Furthermore, 3
The present invention is applicable not only to a two-dimensional sensor but also to a two-dimensional or one-dimensional sensor. For example, in a two-dimensional sensor for detecting acceleration and magnetism in the X and Z axes and a one-dimensional sensor for detecting acceleration and magnetism in the X-axis direction, a twelfth sensor is used.
It is only necessary to provide two electrodes E10 and E12 among the four electrodes E9 to E12 shown in the figure.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

(1) 本願第1の発明によれば、第1の部位とこれに
対向した第2の部位との間にスーロン力を作用させて起
歪体に機械的変形を誘起させ、作用体に外力を作用させ
たのと同じ状態を創り出すようにしたため、実際に外力
を作用させることなしにセンサの試験を行うことができ
るようになる。しかも、一方の電極層を単一の電極層と
し、他方の電極層を複数の副電極層としたため、印加す
る電圧の極性を選択することにより、種々の方向にクー
ロン力を作用させた試験を行うことができるようにな
る。
(1) According to the first invention of the present application, a Suuron force acts between the first portion and the second portion opposed thereto to induce mechanical deformation in the strain body, and to apply an external force to the action body. Since the same state as that of the above is created, the sensor can be tested without actually applying an external force. Moreover, since one electrode layer was a single electrode layer and the other electrode layer was a plurality of sub-electrode layers, tests were conducted in which Coulomb forces were applied in various directions by selecting the polarity of the applied voltage. Will be able to do it.

(2) 本願第2の発明によれば、機械的変形によって
抵抗値が変化する性質をもった抵抗素子を検出手段とし
て備えたセンサに適用したため、両電極層間にクーロン
力を作用させたときの抵抗素子の抵抗値の変化を検出す
ることにより試験を行うことが可能になる。
(2) According to the second invention of the present application, since the resistance element having the property of changing the resistance value due to mechanical deformation is applied to the sensor provided as the detection means, the resistance when the Coulomb force is applied between the two electrode layers is obtained. A test can be performed by detecting a change in the resistance value of the resistance element.

(3) 本願第3の発明によれば、加速度センサ内に、
上述の第1の発明に係る試験を実施するための各電極層
を形成し、これに対する配線を施すようにしたため、印
加する電極の極性を選択することにより、種々の方向に
クーロン力を作用させた試験を行うことができるように
なる。
(3) According to the third invention of the present application, in the acceleration sensor,
Since each electrode layer for carrying out the test according to the above-described first invention was formed and wiring was applied thereto, the Coulomb force was applied in various directions by selecting the polarity of the electrode to be applied. Test can be performed.

(4) 本願第4の発明によれば、磁気センサ内に、上
述の第1の発明に係る試験を実施するための各電極層を
形成し、これに対する配線を施すようにしたため、印加
する電極の極性を選択することにより、種々の方向にク
ーロン力を作用させた試験を行うことができるようにな
る。
(4) According to the fourth aspect of the present invention, each electrode layer for performing the test according to the first aspect of the present invention is formed in the magnetic sensor, and wiring is performed on the electrode layer. By selecting the polarity of, it becomes possible to perform tests in which Coulomb force is applied in various directions.

(5) 本願第5の発明によれば、上述の第3または第
4の発明のセンサにおいて、副電極層を2枚設けるよう
にしたため、互いに垂直な2とおりの方向に関してクー
ロン力を作用させた試験を行うことができるようにな
る。
(5) According to the fifth invention of the present application, in the sensor according to the third or fourth invention described above, since two sub-electrode layers are provided, Coulomb force is applied in two directions perpendicular to each other. You will be able to perform tests.

(6) 本願第6の発明によれば、上述の第3または第
4の発明のセンサにおいて副電極層を十字状に4枚設け
るようにしたため、互いに垂直な3とおりの方向に関し
てクーロン力を作用させた試験を行うことができるよう
になる。
(6) According to the sixth aspect of the present invention, in the sensor according to the third or fourth aspect described above, four sub-electrode layers are provided in a cross shape, so that Coulomb force acts in three mutually perpendicular directions. It will be possible to carry out the test.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明に係る試験方法の対象となる加速度セン
サの断面図、第2図は第1図のセンサの中枢となる半導
体ペレットの上面図、第3図は第1図のセンサの重錘体
および台座の上面図、第4図は第1図のセンサの下部制
御部材の上面図、第5図は第1図のセンサの上部制御部
材の下面図、第6図は第1図のセンサの重錘体および台
座に電極層を形成した状態を示す斜視図、第7図は第1
図のセンサの半導体ペレットに電極層を形成した状態を
示す上面図、第8図は第1図のセンサの中枢部の各部に
電極層を形成した状態を示す断面図、第9図〜第11図は
第1図のセンサの中枢部の変位状態を示す断面図、第12
図は第1図のセンサの半導体ペレットに実用的な電極層
を形成した状態を示す上面図、第13図は第1図のセンサ
の中枢部の所定箇所に実用的な電極層を形成した状態を
示す断面図、第14図は第1図のセンサの中枢部の所定箇
所に別な実施例に係る電極層を形成した状態を示す断面
図、第15図は第1図のセンサの半導体ペレットに更に別
な実施例に係る電極層を形成した状態を示す上面図、第
16図は第1図のセンサの上部制御部材にまた別な実施例
に係る電極層を形成した状態を示す下面図、第17図は第
1図のセンサの中枢部の所定箇所にまた別な実施例に係
る電極層を形成した状態を示す断面図である。 10……半導体ペレット、11……作用部、12……可撓部、
13……固定部、14……ボンディングパッド、15……ボン
ディングワイヤ、20……重錘体、21〜24……台座、25…
…ボンディングワイヤ、30……制御部材、31……溝、40
……制御部材、41……溝、50……パッケージ、51……
蓋、52……リード、R……抵抗素子、E1〜E21……電極
層、W9〜W21……配線層、B9〜B21……ボンディングパッ
ド。
FIG. 1 is a cross-sectional view of an acceleration sensor to be subjected to a test method according to the present invention, FIG. 2 is a top view of a semiconductor pellet which is a center of the sensor of FIG. 1, and FIG. 3 is a weight of the sensor of FIG. FIG. 4 is a top view of the lower control member of the sensor of FIG. 1, FIG. 5 is a bottom view of the upper control member of the sensor of FIG. 1, and FIG. 6 is a top view of the sensor of FIG. FIG. 7 is a perspective view showing a state where an electrode layer is formed on a weight body and a pedestal of the sensor, and FIG.
FIG. 8 is a top view showing a state in which an electrode layer is formed on a semiconductor pellet of the sensor shown in FIG. 8, FIG. FIG. 12 is a sectional view showing the state of displacement of the central portion of the sensor shown in FIG.
FIG. 13 is a top view showing a state where a practical electrode layer is formed on the semiconductor pellet of the sensor of FIG. 1, and FIG. 13 is a state where a practical electrode layer is formed at a predetermined portion of a central portion of the sensor of FIG. FIG. 14 is a cross-sectional view showing a state where an electrode layer according to another embodiment is formed at a predetermined portion of a central portion of the sensor of FIG. 1, and FIG. 15 is a semiconductor pellet of the sensor of FIG. A top view showing a state where an electrode layer according to still another embodiment is formed,
FIG. 16 is a bottom view showing a state in which an electrode layer according to another embodiment is formed on the upper control member of the sensor of FIG. 1, and FIG. 17 is another view at a predetermined position of the central portion of the sensor of FIG. It is sectional drawing which shows the state which formed the electrode layer which concerns on an Example. 10: semiconductor pellet, 11: working part, 12: flexible part,
13 ... fixed part, 14 ... bonding pad, 15 ... bonding wire, 20 ... weight, 21-24 ... pedestal, 25 ...
... bonding wire, 30 ... control member, 31 ... groove, 40
…… Control member, 41 …… Groove, 50 …… Package, 51 ……
Lid, 52 lead, R resistance element, E1 to E21 electrode layer, W9 to W21 wiring layer, B9 to B21 bonding pad.

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01P 21/00 G01P 15/12 G01L 25/00 G01L 27/00Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G01P 21/00 G01P 15/12 G01L 25/00 G01L 27/00

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】力の作用を受ける作用部、センサ本体に固
定される固定部、およびこれらの間に形成された可撓性
をもった可撓部、を有する起歪体と、 作用した力を前記作用部に伝達させるための作用体と、 伝達された力によって前記起歪体に生じる機械的変形
を、電気信号に変換することにより、前記作用体に作用
した力を電気信号として検出する検出手段と、 を備えるセンサを試験する方法において、 互いに対向した位置にあり、力の作用により両者間に変
位を生じる第1の面および第2の面を定め、前記第1の
面上に電気的に単一の電極層を形成し、前記第2の面上
の複数箇所にそれぞれ電気的に独立した複数の電極層を
形成し、 前記第1の面上の電極層には第1の極性の電圧を印加
し、前記第2の面上の各電極層には前記第1の極性の電
圧またはこれとは逆の第2の極性の電圧を各電極層ごと
に選択的に印加し、前記第1の面上の電極層と前記第2
の面上の電極層との間に斥力または引力からなるクーロ
ン力を作用させ、この作用させたクーロン力と前記検出
手段による検出結果とに基づいて、センサの試験を行う
ことを特徴とする力の作用体を有するセンサの試験方
法。
1. A strain-generating body having an action portion receiving a force, a fixing portion fixed to a sensor main body, and a flexible portion having flexibility formed therebetween. And an actuating body for transmitting the force to the acting portion, and converting the mechanical deformation generated in the flexure element by the transmitted force into an electric signal, thereby detecting the force acting on the acting body as an electric signal. A method for testing a sensor comprising: a first surface and a second surface which are located at positions facing each other and which are displaced between each other by the action of a force; A single electrode layer is formed, and a plurality of electrically independent electrode layers are formed at a plurality of locations on the second surface, respectively, and the electrode layer on the first surface has a first polarity. Is applied to each of the electrode layers on the second surface. Voltage or which voltage of the second polarity opposite selectively applied to each electrode layer and, wherein the first electrode layer on the surface second
A Coulomb force consisting of a repulsive force or an attractive force is applied between the electrode layer and the electrode layer on the surface of the sensor, and a sensor test is performed based on the applied Coulomb force and a detection result by the detection means. Test method for a sensor having an actor of the formula
【請求項2】請求項1に記載の試験方法において、 起歪体に生じる機械的変形によって抵抗値が変化する性
質をもった抵抗素子を検出手段として備えたセンサを試
験対象とし、第1の面上の電極層と第2の面上の電極層
との間にクーロン力を作用させたときの前記抵抗素子の
抵抗値の変化に基づいて試験を行うことを特徴とする力
の作用体を有するセンサの試験方法。
2. The test method according to claim 1, wherein a sensor having a resistance element having a property of changing a resistance value by a mechanical deformation generated in the flexure element as a detection means is used as a test object, A force acting body characterized in that a test is performed based on a change in the resistance value of the resistance element when a Coulomb force is applied between the electrode layer on the surface and the electrode layer on the second surface. Test method for sensors with
【請求項3】力の作用を受ける作用部、センサ本体に固
定される固定部、およびこれらの間に形成され可撓性を
もった可撓部、を有する起歪体と、 センサ本体に加わる加速度によって力の作用を受け、こ
の作用した力を前記作用部に伝達して前記起歪体に機械
的変形を生じさせるための重錘体と、 前記起歪体に生じる機械的変形によって抵抗値が変化す
る性質を持った抵抗素子と、 加速度の作用により変位を生じる第1の面に形成された
第1の電極層と、 前記第1の面に対向した第2の面に形成された第2の電
極層と、 前記抵抗素子、前記第1の電極層、および前記第2の電
極層を、外部の電気回路と接続させるための配線手段
と、 を備え、前記第1の電極層および前記第2の電極層に所
定の電圧を印加して両電極層間にクーロン力を作用させ
ることにより、加速度が作用していない状態であっても
前記起歪体に機械的変形を生じさせることができるよう
に構成し、更に、前記第1の電極層と前記第2の電極層
のうち、一方の電極層を電気的に単一の電極層で構成
し、他方の電極層を電気的に独立した複数の副電極層で
構成し、各副電極層に印加する電圧の極性を選択するこ
とにより、起歪体に生じる機械的変形に方向性をもたせ
うるようにしたことを特徴とする加速度センサ。
3. A strain-generating body having an action portion which receives a force action, a fixing portion fixed to the sensor main body, and a flexible portion having flexibility formed therebetween, and is applied to the sensor main body. A weight for receiving the action of the force by the acceleration and transmitting the applied force to the acting portion to cause mechanical deformation of the strain body; and a resistance value due to the mechanical deformation generated in the strain body. A first electrode layer formed on a first surface which is displaced by the action of acceleration, and a second electrode formed on a second surface opposite to the first surface. 2 electrode layers; and wiring means for connecting the resistance element, the first electrode layer, and the second electrode layer to an external electric circuit. A predetermined voltage is applied to the second electrode layer to create Coulomb force between both electrode layers. By doing so, it is configured such that mechanical deformation can be caused in the strain body even when acceleration is not acting, and further, the first electrode layer and the second electrode layer One electrode layer is composed of an electrically single electrode layer, and the other electrode layer is composed of a plurality of electrically independent sub-electrode layers, and the polarity of the voltage applied to each sub-electrode layer is selected. The acceleration sensor is characterized in that the direction of the mechanical deformation generated in the flexure element can be given by doing so.
【請求項4】力の作用を受ける作用部と、センサ本体に
固定される固定部、およびこれらの間に形成され可撓性
をもった可撓部、を有する起歪体と、 センサ本体が置かれた磁界によって力の作用を受け、こ
の作用した力を前記作用部に伝達して前記起歪体に機械
的変形を生じさせるための磁性体と、 前記起歪体に生じる機械的変形によって抵抗値が変化す
る性質をもった抵抗素子と、 磁力の作用により変位を生じる第1の面に形成された第
1の電極層と、 前記第1の面に対向した第2の面に形成された第2の電
極層と、 前記抵抗素子、前記第1の電極層、および前記第2の電
極層を、外部の電気回路と接続させるための配線手段
と、 を備え、前記第1の電極層および前記第2の電極層に所
定の電圧を印加して両電極層間にクーロン力を作用させ
ることにより、磁力が作用していない状態であっても前
記起歪体に機械的変形を生じさせることができるように
構成し、更に、前記第1の電極層と前記第2の電極層の
うち、一方の電極層を電気的に単一の電極層で構成し、
他方の電極層を電気的に独立した複数の副電極層で構成
し、各副電極層に印加する電圧の極性を選択することに
より、起歪体に生じる機械的変形に方向性をもたせうる
ようにしたことを特徴とする磁気センサ。
4. A strain body having an action portion receiving a force, a fixing portion fixed to the sensor main body, and a flexible portion formed between them, and a sensor main body. A magnetic body for receiving the action of the force by the placed magnetic field, transmitting the applied force to the acting portion to cause mechanical deformation of the strain body, and mechanically deforming the strain body; A resistance element having a property of changing a resistance value; a first electrode layer formed on a first surface which is displaced by the action of a magnetic force; and a second electrode layer formed on a second surface opposed to the first surface. A second electrode layer, and wiring means for connecting the resistance element, the first electrode layer, and the second electrode layer to an external electric circuit. And applying a predetermined voltage to the second electrode layer to create Coulomb force between the two electrode layers. By doing so, it is configured such that mechanical deformation can be caused in the strain body even in a state where no magnetic force is acting, and further, the first electrode layer and the second electrode layer Among them, one electrode layer is composed of an electrically single electrode layer,
The other electrode layer is composed of a plurality of electrically independent sub-electrode layers, and by selecting the polarity of the voltage applied to each sub-electrode layer, it is possible to give directionality to mechanical deformation generated in the strain body. A magnetic sensor, characterized in that:
【請求項5】請求項3または4に記載のセンサにおい
て、他方の電極層を電気的に独立した2枚の副電極層で
構成し、各副電極層に印加する電圧の極性を選択するこ
とにより、前記2枚の副電極層の中心を結ぶ線方向に関
する機械的変形と、前記2枚の副電極層の層面に対して
垂直な方向に関する機械的変形と、を起歪体に生じさせ
るようにしたことを特徴とするセンサ。
5. The sensor according to claim 3, wherein the other electrode layer is composed of two electrically independent sub-electrode layers, and the polarity of a voltage applied to each sub-electrode layer is selected. Thereby, the mechanical deformation in the line direction connecting the centers of the two sub-electrode layers and the mechanical deformation in the direction perpendicular to the layer surfaces of the two sub-electrode layers are caused in the strain body. A sensor characterized in that:
【請求項6】請求項3または4に記載のセンサにおい
て、他方の電極層を電気的に独立した4枚の副電極層で
構成し、これらの副電極層を直交する2線分の各端点位
置に配置し、各副電極層に印加する電圧の極性を選択す
ることにより、前記2線分のうちの第1の線分方向に関
する機械的変形と、第2の線分方向に関する機械的変形
と、前記4枚の副電極層の層面に対して垂直な方向に関
する機械的変形と、を起歪体に生じさせるようにしたこ
とを特徴とするセンサ。
6. The sensor according to claim 3, wherein the other electrode layer is constituted by four electrically independent sub-electrode layers, and these sub-electrode layers are each end point of two orthogonal lines. The mechanical deformation in the direction of the first line segment and the mechanical deformation in the direction of the second line segment of the two line segments are selected by arranging them at the positions and selecting the polarity of the voltage applied to each sub-electrode layer. And a mechanical deformation in a direction perpendicular to a layer surface of the four sub-electrode layers in the strain body.
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