JP2687256B2 - X-ray mask making method - Google Patents
X-ray mask making methodInfo
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、マスクパターン描画
時のポジショニング精度を向上せしめたＸ線マスク作成
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing an X-ray mask with improved positioning accuracy when drawing a mask pattern.
【０００２】[0002]
【従来の技術】Ｘ線リソグラフィはマスクパターンが等
倍でウェハに露光転写されるため、マスク精度が直接転
写精度に影響することになり、メンブレン材質を中心に
様々な研究が盛んに行なわれている。2. Description of the Related Art In X-ray lithography, a mask pattern is exposed and transferred to a wafer at an equal size, so that the mask accuracy directly affects the transfer accuracy, and various studies have been actively conducted mainly on the membrane material. There is.
【０００３】一方等倍Ｘ線マスクの作成方法として一般
的に知られているものは、基板上全面にメンブレン、吸
収体を積層せしめた後、イオンビーム露光法を用いて又
は電子ビーム露光とエッチング技術を用いて吸収体上に
所望のパターン（即ちマスクパターン）を形成し、又そ
のパターン形成前又は後にＸ線露光領域の基板をくり抜
くバックエッチを行なうというものである。On the other hand, a method generally known as a method for producing an equal-magnification X-ray mask is to use an ion beam exposure method or electron beam exposure and etching after laminating a membrane and an absorber on the entire surface of a substrate. A desired pattern (that is, a mask pattern) is formed on the absorber using a technique, and back etching is performed to hollow out the substrate in the X-ray exposure region before or after the pattern formation.
【０００４】しかし、上記イオンビーム露光や電子ビー
ム露光の際、描画領域の縁になる程、静電及び電磁偏向
によるビームの偏向歪の発生が大きくなるため、該偏向
手段のみではその全域を描画することが難しくなる。However, in the above-mentioned ion beam exposure or electron beam exposure, the deflection distortion of the beam due to electrostatic and electromagnetic deflection becomes greater toward the edge of the drawing area. Becomes difficult to do.
【０００５】そこでこの様な静電・電磁偏向に加え、図
３に示される様に、マスクＸ面をいくつかのフィールド
ｘ1……ｘnで構成されるものに見立てて、該マスクＸを
載せたステージ6をステップ送りしながら、各フィール
ドｘ1……ｘn毎に露光を行なうフィールド露光方式を併
用し、全領域を描画するようにしている。[0005] Therefore in addition to such electrostatic-magnetic deflection, as shown in FIG. 3, to resemble to those constituting the masked X plane in a number of fields x 1 ...... x n, the mask X While the stage 6 mounted is stepwise fed, a field exposure method is used in which exposure is performed for each field x 1 ... x n , and the entire area is drawn.
【０００６】この描画方法をより詳細に述べると、まず
電子銃7から出た電子ビームは静電レンズ8を通して絞ら
れ、又静電・電磁偏向系9により該ビームの進む方向は
所望の方向にコントロールされ、マスクＸに照射され
る。しかし、偏向歪の発生等により偏向可能な角度が限
られるため、チップ全面の実際の露光では、マスクＸを
載せたステージ6を駆動系10a、10bでステップ送り（こ
の際測長系11a、11bでステージ6のＸ、Ｙ方向における
位置の検出が同時に行なわれる）し、小フィールドｘ1
……ｘn毎に分割して露光を行なう方式と組み合せて露
光を行なっている。即ち、上記偏向系9で露光可能なフ
ィールド内を露光し、その次にステージ6をステップ送
りして次のフィールドに移動し、そこで又該偏向系9に
より電子ビームを振って描画する。以上の操作を繰り返
し、マスク描画を完了する。To describe this drawing method in more detail, first, the electron beam emitted from the electron gun 7 is focused through an electrostatic lens 8, and the electrostatic / electromagnetic deflection system 9 causes the beam to travel in a desired direction. It is controlled and the mask X is irradiated. However, since the deflectable angle is limited due to the occurrence of deflection distortion, in the actual exposure of the entire surface of the chip, the stage 6 on which the mask X is placed is step-fed by the drive systems 10a and 10b (in this case, the length measurement systems 11a and 11b are used). The position of the stage 6 in the X and Y directions is detected at the same time), and the small field x 1
The exposure is performed in combination with the method of performing the exposure by dividing each x n . That is, the field which can be exposed by the deflection system 9 is exposed, and then the stage 6 is stepwise fed to move to the next field, where the electron beam is swung by the deflection system 9 for drawing. The above operation is repeated to complete the mask drawing.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする問題点】しかし、イオンビー
ム露光や電子ビーム露光は、真空中で行なわれるもので
あるため、吸着によってマスクＸを前記ステージ6上に
動かないように固着せしめることは非常に難しく、又吸
着によらずに機械的にマスクＸをステージ6上に固定せ
しめた場合でもステップ送りを繰り返すうちに、該ステ
ージ6上のマスクＸは微妙な範囲でずれを生ずることに
なる。このため、ステージ6の位置を前記測長系11a、11
bでいくら正確にモニタリングして描画を行なっても図
４に示される様にマスク描画時の位置精度は非常に悪い
という問題があった。However, since the ion beam exposure and the electron beam exposure are carried out in a vacuum, it is very difficult to fix the mask X on the stage 6 by adsorption. Even if the mask X is mechanically fixed on the stage 6 without using suction, the mask X on the stage 6 will be displaced in a delicate range as the step feed is repeated. Therefore, the position of the stage 6 is set to the length measuring systems 11a and 11
As shown in FIG. 4, there is a problem that the position accuracy during mask drawing is very poor, no matter how accurately the drawing is performed with b.
【０００８】本発明は従来技術の以上の様な問題に鑑み
創案されたもので、Ｘ線マスクの作成方法に改良を加
え、そのマスクパターンの位置精度を高めんとするもの
である。又この精度向上によって該Ｘ線マスクを用いて
露光を行なった時にチップ面内の位置精度、即ち合わせ
精度が更に高まるようになることも当然そのねらいとし
ている。The present invention was conceived in view of the above problems of the prior art, and improves the method for producing an X-ray mask to improve the positional accuracy of the mask pattern. Further, it is of course the aim to improve the positional accuracy within the chip surface, that is, the alignment accuracy, when the exposure is performed using the X-ray mask due to this improvement in accuracy.
【０００９】[0009]
【問題点を解決するための手段】本発明の構成は次の様
な２つのＸ線マスク作成方法を前提として、両方法にお
いて実施されるものであり、従って２発明に分けて説明
されることになる。 １つ目は上記従来技術で示した構成であるが、マス
クを構成するメンブレンと吸収体とを有しており、該メ
ンブレン上に吸収体を積層した後、イオンビーム露光を
行なって直接或いは電子ビーム露光と共にエッチングも
行なうことで、該吸収体を所望のマスクパターンに加工
するというものである。 もう１つはメンブレン上にイオンビーム露光又は電
子ビーム露光を行なってまずレジストパターンを形成
し、その後レジストパターン間の露出したメンブレン上
に吸収体を積層せしめて所望のマスクパターンを得ると
いうものである。The structure of the present invention is carried out in both methods on the premise of the following two X-ray mask making methods, and therefore, they should be described separately in the two inventions. become. The first is the configuration shown in the above-mentioned prior art, but it has a membrane that constitutes a mask and an absorber, and after the absorber is laminated on the membrane, ion beam exposure is performed to directly or electronically By performing etching together with beam exposure, the absorber is processed into a desired mask pattern. The other is to form a resist pattern by first performing ion beam exposure or electron beam exposure on the membrane and then stacking an absorber on the exposed membrane between the resist patterns to obtain a desired mask pattern. .
【００１０】そして本願第１発明はの構成を前提構成
として、露光領域内に少なくとも一部がウエハ上に転写
するべき所望のパターンにかかるように、吸収体表面上
にイオンビーム又は電子ビーム描画用の位置規準となる
マーカパターンを、Ｘ線露光に影響がなくパターン形成
上十分にＸ線を遮光できる膜厚になるように該露光前に
形成しておき、このマーカパターンをモニタリングしな
がら逐次位置補正を行なって前述したフィールド露光を
繰り返し行なうというものである。Based on the structure of the first invention of the present application, an ion beam or electron beam drawing is performed on the surface of the absorber so that at least a part of the exposed area has a desired pattern to be transferred onto the wafer. Marker pattern, which is the position standard of, is formed without affecting X-ray exposure.
It is formed before the exposure so that the film thickness can sufficiently shield X-rays, and the position exposure is repeatedly performed by sequentially correcting the position while monitoring the marker pattern.
【００１１】又第２発明では上記の構成を前提構成と
して、露光領域内に少なくとも一部がウェハ上に転写す
るべき所望のパターンにかかるように、メンブレン上に
イオンビーム又は電子ビーム描画用の位置規準となるマ
ーカパターンを、Ｘ線露光に影響がなくパターン形成上
十分にＸ線を遮光できる膜厚になるように該露光前に形
成しておき、このマーカパターンをモニタリングしなが
ら逐次位置補正を行なって前述したフィールド露光を繰
り返し行なうというものである。In the second aspect of the invention, on the basis of the above-described configuration, a position for drawing an ion beam or an electron beam is formed on the membrane so that at least a part of the exposure region has a desired pattern to be transferred onto the wafer. A standard marker pattern is used for pattern formation without affecting X-ray exposure.
The film is formed before the exposure so as to have a film thickness capable of sufficiently shielding X-rays, and the above-mentioned field exposure is repeated by sequentially correcting the position while monitoring the marker pattern.
【００１２】両者の構成ともフィールド露光の際、ステ
ージ位置をモニタリングしながら描画を行なうというも
のではなく、Ｘ線マスク、特に描画しようとするフィー
ルド内位置をモニタリングしながら描画を行なうので、
パターン面内位置精度は従来の場合に比べ格段に向上す
る。そのため、上記マーカパターンは各フィールド全て
に形成することが最も望ましく、その場合更に各フィー
ルド内に少なくとも１つ以上設けられていると良い。も
ちろん一定の法則性のもとに飛び飛びに設けておくこと
も可能である。In both configurations, writing is not performed while monitoring the stage position during field exposure, but writing is performed while monitoring the X-ray mask, especially the position in the field to be written.
The position accuracy in the pattern plane is significantly improved as compared with the conventional case. Therefore, it is most desirable to form the marker pattern in each field, and in that case, at least one or more marker patterns may be provided in each field. Of course, it is also possible to set them up randomly based on a certain law.
【００１３】又これらのマーカパターンの形成方法とし
ては、フォトリソグラフィを用いて行なうものとし、且
つ半導体装置を数種類のＸ線マスクを用いて作成する時
の一連のマスクシリーズに対し、同一のレチクルを用い
て上記マーカパターンを作成すると、マーカの位置は各
マスク間でバラツクことなく、常に一定の場所に形成さ
れる。As a method of forming these marker patterns, photolithography is used, and the same reticle is used for a series of masks when a semiconductor device is formed by using several kinds of X-ray masks. When the marker pattern is created by using the marker pattern, the position of the marker does not vary among the masks and is always formed at a fixed location.
【００１４】更にこれらのマーカパターンの形成方法と
しては、吸収体層表面又はメンブレン表面の一部を削る
か、或いは該吸収体の表面上又はメンブレンの表面上に
積層することで行なうことになるが、第１発明構成の様
に吸収体上に形成する場合（特にその表面を削り取る場
合）は、該吸収体のＸ線の遮光性を十分に確保できるよ
うに（該遮光性を十分確保できる厚みを残しておくよう
に）しなければならない。Further, as a method of forming these marker patterns, a part of the surface of the absorber layer or the membrane is shaved, or the marker pattern is laminated on the surface of the absorber or the surface of the membrane. When it is formed on the absorber as in the first aspect of the invention (particularly when the surface is scraped off), the X-ray light shielding property of the absorber can be sufficiently secured (thickness that can sufficiently secure the light shielding property. Must be left).
【００１５】[0015]
【実施例】以下本願第１発明法の具体的実施例につき詳
述する。EXAMPLES Specific examples of the first invention method of the present application will be described in detail below.
【００１６】図１は第１発明のＸ線マスク作成方法の一
実施例を示す工程説明図である。FIG. 1 is a process explanatory view showing an embodiment of an X-ray mask forming method of the first invention.
【００１７】まず図１(a)に示される様に基板1上にメン
ブレン2及び吸収体3を積層せしめる。First, as shown in FIG. 1A, the membrane 2 and the absorber 3 are laminated on the substrate 1.
【００１８】次に同図(b)に示される様に各フィールド
毎に吸収体3上に十字状のマーカパターン4を作成した。
この時光ステッパを用い、一連のマスクシリーズを同一
レチクルを使用して作成し、更にその削り取り深度は吸
収体3のＸ線の遮光性が十分確保できる程度のものにし
た。Next, as shown in FIG. 1B, a cross-shaped marker pattern 4 was formed on the absorber 3 for each field.
At this time, a series of masks was prepared using the same reticle by using an optical stepper, and the shaving depth was such that the X-ray shielding property of the absorber 3 was sufficiently secured.
【００１９】この様にして作成されたマーカパターン4
は図２(a)に示される様に１チップを構成する各フィー
ルドｘ1、ｘ2、ｘ3、ｘ4とも右上の一定箇所にある。Marker pattern 4 created in this way
As shown in FIG. 2 (a), each field x 1 , x 2 , x 3 , x 4 forming one chip is at a fixed position on the upper right.
【００２０】その後更にレジストを塗布し、各フィール
ド毎にマーカパターン4をモニタしてマスク位置を把握
しながらイオンビーム露光（又は電子ビーム露光とエッ
チング）を行ない、図１(c)に示される様なマスクパタ
ーン作成用のレジストパターン5を形成した。Thereafter, a resist is further applied, and ion beam exposure (or electron beam exposure and etching) is performed while observing the mask position by monitoring the marker pattern 4 for each field, as shown in FIG. 1 (c). A resist pattern 5 for forming a different mask pattern was formed.
【００２１】その後吸収体3をエッチングし、レジスト
パターン5を除去して、図１(d)に示される様に、所望の
マスクパターン3aを形成する（尚図ではマスクパターン
3aの方が誇張して大きく描かれている）。After that, the absorber 3 is etched, the resist pattern 5 is removed, and a desired mask pattern 3a is formed as shown in FIG.
3a is exaggerated and drawn larger).
【００２２】最後に図１(e)に示される様に、基板1のＸ
線露光領域をバックエッチしてＸ線マスクを作成した。Finally, as shown in FIG. 1 (e), the X of the substrate 1
An X-ray mask was created by back-etching the line exposure area.
【００２３】この様にして得られたＸ線マスクの平面状
態は図２(b)に示される様に、フィールド間にまたがっ
て形成されるマスクパターン3aが、該フィールド間でず
れる等のパターンの位置歪がほとんどなかった。As shown in FIG. 2B, the plane state of the X-ray mask thus obtained is such that the mask pattern 3a formed over the fields shifts between the fields. There was almost no positional distortion.
【００２４】この様に本実施例では、各フィールド毎に
マーカパターン4の位置をモニタしながらパターン描画
するため、フィールドステップ送り時の位置ズレが生じ
なかった。又一連のＸ線マスクシリーズのマーカパター
ン4を同一のレチクルで作ると、レチクルは歪まないの
で、ステッパレンズに歪があっても常に一定の位置に同
一形状のマーカパターン4ができる。従ってマスク間の
相対的な位置ズレは生じなかった。更に吸収体3の表面
の一部を削り取ってマーカパターン4が形成される場合
に、その深度を本実施例の様に浅く形成すれば、マスク
パターン3a上にマーカパターン4が作られたとしても、
遮光性は十分確保される。As described above, in the present embodiment, since the pattern is drawn while monitoring the position of the marker pattern 4 for each field, no positional deviation occurs during field step feeding. Further, when the marker pattern 4 of a series of X-ray mask series is made with the same reticle, the reticle is not distorted, so that even if the stepper lens is distorted, the marker pattern 4 having the same shape is always formed at a constant position. Therefore, the relative positional deviation between the masks did not occur. Further, when the marker pattern 4 is formed by scraping off a part of the surface of the absorber 3, if the depth is formed to be shallow as in this embodiment, even if the marker pattern 4 is formed on the mask pattern 3a. ,
A sufficient light-shielding property is secured.
【００２５】一方、本実施例では行なわなかったが、光
リソグラフィ技術で用いられているＥＧＡ（Enhanced
Global Alignment）と呼ばれるチップ位置の統計処理
によるアライメント技法をマーカパターン4の検出に応
用すれば（即ち、マーカパターン4を複数測定して統計
処理し、各フィールド毎の位置を算出しておき、万が一
マーカパターン4の１つでも検出ができないことがあっ
たり、パターン荒れ等があって不正確な検出がなされた
場合でも、上記の統計処理データを基に周囲のフィール
ドの位置からそのフィールドの位置を把握するようにす
れば）、マーカパターン4の検出精度を高めることもで
きる。On the other hand, although not carried out in this embodiment, the EGA (Enhanced
If the alignment technique by the statistical processing of the chip position called Global Alignment) is applied to the detection of the marker pattern 4 (that is, the plural marker patterns 4 are measured and statistically processed, the position of each field is calculated, and by any chance, Even if one of the marker patterns 4 cannot be detected or the pattern is rough and the detection is inaccurate, the position of the field is changed from the position of the surrounding field based on the above statistical processing data. If so, the detection accuracy of the marker pattern 4 can be improved.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上詳述した本発明の構成によれば、フ
ィールド露光の際に、各フィールドの露光領域内に少な
くとも一部がウェハ上に転写するべき所望のパターンに
かかるように設けられたマーカパターンの検出を行な
い、その度に逐次位置補正しながらこれらの各フィール
ドの露光を行なっており、該マーカパターン専用の領域
を必要としないため、面内位置精度の高い、即ちフィー
ルド間にまたがるマスクパターンの該フィールド間にお
ける連続性が高く且つこれらのマスクパターンが設計通
りの位置に正確に形成されたＸ線マスクを得ることが可
能となる。その結果、このＸ線マスクをＸ線リソグラフ
ィに使用した場合、その転写精度は著しく向上すること
になる。According to the structure of the present invention described in detail above, when the field exposure is performed, the amount of light in the exposure area of each field is small.
At least a part of the desired pattern to be transferred onto the wafer
Performs marker detection pattern provided in such a manner, while sequentially position correction each time and conduct exposure for each of these fields, the marker pattern dedicated area
Therefore, it is possible to obtain an X-ray mask having high in-plane positional accuracy, that is, high continuity between mask fields extending over fields and accurately forming these mask patterns at positions as designed. It becomes possible. As a result, when this X-ray mask is used for X-ray lithography, its transfer accuracy is significantly improved.
【図１】本発明の一実施例に係るＸ線マスク作成方法の
工程説明図である。FIG. 1 is a process explanatory diagram of an X-ray mask forming method according to an embodiment of the present invention.
【図２】フィールド毎にマーカパターンが形成された状
態とそれを使って本発明法が実施された結果得られたマ
スクパターンの状態を示すＸ線マスク平面図である。FIG. 2 is an X-ray mask plan view showing a state in which a marker pattern is formed for each field and a state of a mask pattern obtained as a result of carrying out the method of the present invention using the marker pattern.
【図３】Ｘ線マスク作成時に実施されるフィールド露光
方式の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a field exposure method that is performed when creating an X-ray mask.
【図４】従来のＸ線マスク作成方法で作られたＸ線マス
クにおけるマスクパターンの位置ずれ状態を示すマスク
平面図である。FIG. 4 is a mask plan view showing a state where a mask pattern is displaced in an X-ray mask produced by a conventional X-ray mask production method.
1 基板 2 メンブレン 3 吸収体 3a マスクパターン 4 マーカパターン 5 レジストパターン 1 Substrate 2 Membrane 3 Absorber 3a Mask pattern 4 Marker pattern 5 Resist pattern
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−166224（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−252229（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−108287（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−28333（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−74519（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−188916（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−9617（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−118777（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−21818（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── --- Continuation of the front page (56) Reference JP-A-63-166224 (JP, A) JP-A-2-252229 (JP, A) JP-A-53-108287 (JP, A) JP-A-57- 28333 (JP, A) JP 60-74519 (JP, A) JP 59-188916 (JP, A) JP 64-9617 (JP, A) JP 54-118777 (JP, A) JP 57-21818 (JP, A)
Claims (8)
を有しており、該メンブレン上に吸収体を積層した後、
イオンビーム露光又は電子ビーム露光を行なって直接或
いはエッチングを伴ないながら該吸収体を所望のパター
ンに加工してＸ線マスクを作るＸ線マスク作成方法にお
いて、露光領域内に少なくとも一部がウェハ上に転写す
るべき所望のパターンにかかるように、吸収体表面上に
イオンビーム又は電子ビーム描画用の位置規準となるマ
ーカパターンを、Ｘ線露光に影響がなくパターン形成上
十分にＸ線を遮光できる膜厚になるように該露光前に形
成しておき、このマーカパターンをモニタリングして逐
次位置補正を行ないながらイオンビーム露光又は電子ビ
ーム露光を行なうことを特徴とするＸ線マスク作成方
法。1. A mask comprising a membrane and an absorber, and after the absorber is laminated on the membrane,
In an X-ray mask producing method for producing an X-ray mask by performing ion beam exposure or electron beam exposure to process the absorber into a desired pattern directly or with etching, at least a part of the wafer is exposed within an exposure region. as according to the desired pattern to be transferred to the absorber marker pattern which is a position reference of the ion beam or electron beam drawing on the surface, X-rays exposure effects without patterning on
X is formed before the exposure so as to have a film thickness capable of sufficiently shielding X-rays, and ion beam exposure or electron beam exposure is performed while sequentially correcting the position by monitoring the marker pattern. How to make a line mask.
において、前記マーカパターンをフォトリソグラフィを
用いて形成し、且つ半導体装置を数種類のＸ線マスクを
用いて作成する時の一連のマスクシリーズに対し、同一
のレチクルを用いて上記マーカパターンを作成すること
を特徴とする請求項第１項記載のＸ線マスク作成方法。2. The X-ray mask manufacturing method according to claim 1, wherein the marker pattern is formed by photolithography, and a series of masks is used when a semiconductor device is formed by using several kinds of X-ray masks. The X-ray mask creating method according to claim 1, wherein the marker pattern is created for the series using the same reticle.
ク作成方法において、マスクを載せたステージを前記各
フィールド毎に移動させてイオンビーム露光又は電子ビ
ーム露光により描画する場合に、前記マーカパターンが
各フィールド内に少なくとも１つ以上含まれていること
を特徴とする請求項第１項乃至第２項記載のＸ線マスク
作成方法。3. The method for producing an X-ray mask according to claim 1, wherein when a stage on which a mask is placed is moved for each field and writing is performed by ion beam exposure or electron beam exposure, 3. The X-ray mask making method according to claim 1, wherein at least one marker pattern is included in each field.
ク作成方法において、前記吸収体層表面の一部を削り、
或いは該吸収体の表面上に積層して前記マーカパターン
を形成することを特徴とする請求項第１項乃至第３項記
載のＸ線マスク作成方法。4. The X-ray mask manufacturing method according to claim 1, wherein a part of the absorber layer surface is shaved,
Alternatively, the X-ray mask making method according to claim 1, wherein the marker pattern is formed by laminating on the surface of the absorber.
子ビーム露光を行なってレジストパターンを形成し、そ
の後レジストパターン間の露出したメンブレン上に吸収
体を積層せしめてマスクパターンを作るＸ線マスク作成
方法において、露光領域内に少なくとも一部がウェハ上
に転写するべき所望のパターンにかかるように、メンブ
レン上にイオンビーム又は電子ビーム描画用の位置規準
となるマーカパターンを、Ｘ線露光に影響がなくパター
ン形成上十分にＸ線を遮光できる膜厚になるように該露
光前に形成しておき、このマーカパターンをモニタリン
グして逐次位置補正を行ないながらイオンビーム露光又
は電子ビーム露光を行なうことを特徴とするＸ線マスク
作成方法。5. An X-ray mask producing method for producing a mask pattern by performing ion beam exposure or electron beam exposure on a membrane to form a resist pattern, and then laminating an absorber on the exposed membrane between the resist patterns. A marker pattern, which serves as a position standard for ion beam or electron beam writing, is formed on the membrane so that at least a part of the exposure area has a desired pattern to be transferred onto the wafer, and the pattern has no influence on X-ray exposure.
The film is formed before the exposure so as to have a film thickness that can sufficiently shield the X-rays in forming the film, and the marker pattern is monitored to perform the ion beam exposure or the electron beam exposure while sequentially correcting the position. X-ray mask making method.
において、前記マーカパターンをフォトリソグラフィを
用いて形成し、且つ、半導体装置を数種類のＸ線マスク
を用いて作成する時の一連のマスクシリーズに対し、同
一のレチクルを用いて上記マーカパターンを作成するこ
とを特徴とする請求項第５項記載のＸ線マスク作成方
法。6. The method for producing an X-ray mask according to claim 5, wherein the marker pattern is formed by photolithography, and a series of steps is performed when a semiconductor device is formed by using several kinds of X-ray masks. The X-ray mask creating method according to claim 5, wherein the marker pattern is created for the mask series using the same reticle.
ク作成方法において、マスクを載せたステージを前記各
フィールド毎に移動させてイオンビーム露光又は電子ビ
ーム露光により描画する場合に、前記マーカパターンが
各フィールド内に少なくとも１つ以上含まれていること
を特徴とする請求項第５項乃至第６項記載のＸ線マスク
作成方法。7. The X-ray mask manufacturing method according to claim 5, wherein when a stage on which a mask is placed is moved for each field and writing is performed by ion beam exposure or electron beam exposure, 7. The X-ray mask making method according to claim 5, wherein at least one marker pattern is included in each field.
ク作成方法において、前記メンブレン表面の一部を削
り、或いは該メンブレンの表面上に積層して前記マーカ
パターンを形成することを特徴とする請求項第５項乃至
第７項記載のＸ線マスク作成方法。8. The method for producing an X-ray mask according to claim 5, wherein a part of the surface of the membrane is shaved or laminated on the surface of the membrane to form the marker pattern. The method for producing an X-ray mask according to any one of claims 5 to 7, which is characterized in that.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8442491A JP2687256B2 (en) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | X-ray mask making method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8442491A JP2687256B2 (en) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | X-ray mask making method |
Publications (2)
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