JP2680453B2 - Dicing method - Google Patents

Dicing method

Info

Publication number
JP2680453B2
JP2680453B2 JP32120389A JP32120389A JP2680453B2 JP 2680453 B2 JP2680453 B2 JP 2680453B2 JP 32120389 A JP32120389 A JP 32120389A JP 32120389 A JP32120389 A JP 32120389A JP 2680453 B2 JP2680453 B2 JP 2680453B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cutting
wafer
line
cut
dicing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP32120389A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH03181148A (en
Inventor
武史 鑑田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP32120389A priority Critical patent/JP2680453B2/en
Publication of JPH03181148A publication Critical patent/JPH03181148A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2680453B2 publication Critical patent/JP2680453B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dicing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はダイシング方法に係り、特に半導体ウエハ等
の脆性材料を切断加工するダイシング方法に関する。
The present invention relates to a dicing method, and more particularly to a dicing method for cutting a brittle material such as a semiconductor wafer.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、シリコンウエハを半導体チップに切断するダイ
シング装置はダイシングブレードを高速回転させて、ウ
エハの切断加工を行うが、切断時は、ブレードに切削水
をかけ、且つウエハを洗浄水で洗浄しながら切断作業を
実施する。切削水は切削抵抗を軽減するとともにブレー
ドの洗浄を行い、切断時の切粉による汚れを除去する。
更に、洗浄水は、ウエハを直接洗浄して、付着した切粉
等の汚れを除去しウエハの清浄度を保つ。
Conventionally, a dicing device for cutting a silicon wafer into semiconductor chips performs a wafer cutting process by rotating a dicing blade at a high speed. At the time of cutting, cutting water is applied to the blade and the wafer is cut while being washed with cleaning water. Carry out the work. Cutting water reduces cutting resistance and cleans the blade to remove dirt caused by cutting chips during cutting.
Further, the cleaning water directly cleans the wafer to remove dirt such as chips and the like adhering to the wafer, thereby maintaining the cleanliness of the wafer.

ダイシング加工には大きく分けてアップカット、ダウ
ンカットの2種類があり、第4図は切断ヘッド移動式の
場合のダウンカットによるダイシング加工を行った場合
の加工軌跡を示した説明図である。第4図において、先
ず、切削水及び洗浄水を供給しながら左から右方向に実
線に示される加工ライン12Aでウエハ10をカットする。
そして、加工ライン12Aの切断終了後、切削水及び洗浄
水を供給しながら、次の加工ライン12Bの切断を行うべ
く破線14Aに示すように、ウエハをY方向に所定量イン
デックスさせて加工ライン12Bの切断スタート位置に位
置させ、次いで、ウエハ10を加工ライン12Bに沿って切
断する。このとき、カットライン12Bの切断時に供給さ
れる切削水によって一つ前に切断したカットライン12A
の溝及びその周辺の汚れを同時に洗浄する。切断はこの
ような作業を繰り返して行われる。
There are roughly two types of dicing processing, up-cutting and down-cutting, and FIG. 4 is an explanatory view showing a processing locus when down-cutting dicing processing is performed in the case of a moving cutting head. In FIG. 4, first, the wafer 10 is cut from the left to the right along the processing line 12A indicated by the solid line while supplying cutting water and cleaning water.
After the cutting of the processing line 12A, while supplying cutting water and cleaning water, the wafer is indexed in the Y direction by a predetermined amount as shown by a broken line 14A in order to cut the next processing line 12B. The wafer 10 is cut along the processing line 12B. At this time, the cut line 12A that was previously cut by the cutting water supplied when cutting the cut line 12B
Simultaneously clean the dirt in and around the groove. Cutting is performed by repeating such work.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、従来のダイシング方法では、最後に切
断を行ったライン上は切断時の一度だけしか洗浄されな
いため、カット溝及びその周辺に付着したパウダー状の
切粉等の汚れを完全に除去することができない欠点があ
る。
However, in the conventional dicing method, since the last cut line is washed only once at the time of cutting, it is possible to completely remove dirt such as powdery chips attached to the cut groove and its periphery. There is a drawback that cannot be done.

また、ダイシング加工中、切断溝の幅、チッピング
量、センターずれ等を顕微鏡等で自動的に計測表示する
カットラインチェックでは切断を一時停止し、ウエハの
上面をエアブローして乾燥させた後にウエハの観察を行
う。このため、一時停止の直前に切断したライン上は切
断時の一度だけしか洗浄されないこととなり、汚れの除
去が不十分となる。切粉等の汚れが付着した状態でウエ
ハを乾燥させると、切粉が付着状態で固まり、どの様な
洗浄を行っても除去することは不可能となる。
Also, during the dicing process, the cut line check that automatically measures and displays the width of the cutting groove, the amount of chipping, the center deviation, etc. with a microscope etc., suspends the cutting temporarily, and blows air on the upper surface of the wafer to dry it. Observe. For this reason, the line cut immediately before the temporary stop is washed only once at the time of cutting, and the removal of dirt becomes insufficient. If the wafer is dried with dirt such as chips adhered, the chips harden in the adhered state and cannot be removed by any cleaning.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、切
断時にウエハのカットライン上及びその周辺に付着する
切粉等の汚れを切断中に確実に除去することのできるダ
イシング方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a dicing method capable of reliably removing dirt such as chips adhering to and around the cutting line of a wafer during cutting during cutting. With the goal.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明は、前記目的を達成するために、切断ヘッドに
ダイシングブレードが回転自在に設けられると共に、切
断ヘッドにノズルが設けられ、ダイシングブレード及び
ウエハを前記ノズルから噴出された切削水によって洗浄
しながらウエハをダイシングブレードで所定カットライ
ンに沿ってチップに切断するダイシングマシンにおい
て、1つのカットラインに沿ってウエハを切断した後、
ウエハ載置台又は切断ヘッドを所定量割り出し送りしな
がらダイシングブレードを斜行戻りさせてジグザグ状の
送りになるように次のカットラインの切断開始位置に移
動して次のカットラインを複数切断し、同一方向の最後
のカットラインの切断終了直後又は任意のカットライン
に沿うウエハの切断の一時停止直後に限り、切断終了直
前又は一時停止直前に切断したウエハのライン上を、前
記ダイシングブレードが沿うようにウエハ載置台又は切
断ヘッドを移動しながら前記ライン上を切削水によって
再度、洗浄することを特徴としている。
The present invention, in order to achieve the above object, a cutting head is provided with a dicing blade rotatably, a nozzle is provided in the cutting head, while cleaning the dicing blade and the wafer with cutting water ejected from the nozzle. In a dicing machine that cuts a wafer into chips along a predetermined cut line with a dicing blade, after cutting the wafer along one cut line,
While cutting and feeding the wafer mounting table or the cutting head by a predetermined amount, the dicing blade is obliquely returned to move to the cutting start position of the next cut line so as to form a zigzag feed, and cut a plurality of next cut lines, Immediately after the cutting of the last cut line in the same direction is completed or immediately after the wafer is cut along any cut line, the dicing blade is placed along the line of the wafer cut immediately before the cutting is completed or immediately before the cutting is stopped. In addition, the line is cleaned again with cutting water while moving the wafer mounting table or the cutting head.

〔作用〕[Action]

本発明によれば、同一方向のカットラインに沿う切断
を繰り返し続ける場合には、1つのカットラインに沿っ
て切断した後、所定量割り出し送りしながらダイシング
ブレードを斜行戻りさせて次ラインの切断開始位置に移
動させ、次ラインの切断に伴う切削水によって前ライン
の洗浄を行っている。そして、次ラインの切断が行われ
なくなる同一方向の最後のカットラインの切断終了時、
又は切断中の一時停止時に限り、切断終了直前又は一時
停止直前に切断したライン上をダイシングブレードが沿
うようにウエハ載置台又は切断ヘッドを移動させる。そ
して移動の際に、再度、切削水によってライン上の溝及
びその周辺に付着した切粉等の汚れを洗浄、除去するよ
うにしている。これにより、切断後のウエハの清浄度を
高めることができる。
According to the present invention, when the cutting along the cut line in the same direction is repeated, after cutting along one cut line, the dicing blade is obliquely returned while indexing and feeding a predetermined amount to cut the next line. It is moved to the start position and the previous line is washed with cutting water that accompanies the cutting of the next line. Then, when the cutting of the last cut line in the same direction where the cutting of the next line is not performed is finished,
Alternatively, only when the cutting is temporarily stopped, the wafer mounting table or the cutting head is moved so that the dicing blade follows the line cut immediately before the end of cutting or immediately before the temporary stop. Then, when moving, dirt such as cutting chips adhering to the groove on the line and its periphery is washed and removed again with cutting water. As a result, the cleanliness of the wafer after cutting can be improved.

〔実施例〕〔Example〕

以下、添付図面に従って本発明に係るダイシング方法
の好ましい実施例を詳説する。
Hereinafter, preferred embodiments of a dicing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

第1図は本発明に係るダイシング方法に使用されるダ
イシングマシンの要部であるダイシングブレード周辺を
示した側面図、第2図はダイシングブレード周辺の平面
図である。第1図に示すように、ダイシングブレード20
が図示しない装置本体に駆動可能に配設され、ブレード
20の側方には、切断時に切削水を供給する切削水供給管
11、13が切断ヘッド15内に配置されている。ブレード20
の下方でダイシング装置の基台にはワークテーブル(ウ
エハ載置台)18が図示しない移動機構によってX方向、
Y平行及びθ方向に移動自在に配設されている。
FIG. 1 is a side view showing the periphery of a dicing blade which is a main part of a dicing machine used in the dicing method according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the periphery of the dicing blade. As shown in FIG. 1, the dicing blade 20
Is arranged so as to be drivable in the main body of the device (not shown), and the blade
On the side of 20, cutting water supply pipe that supplies cutting water at the time of cutting
11 and 13 are arranged in the cutting head 15. Blade 20
A work table (wafer mounting table) 18 is mounted on the base of the dicing device below the X direction by a moving mechanism (not shown) in the X direction,
It is arranged so as to be movable in the Y parallel and θ directions.

ワークテーブル18上にはウエハ16(脆性材料)が吸着
載置され、切断時、ワークテーブル18をウエハ上のカッ
トラインに沿って移動することにより、ウエハ16をチッ
プに切断加工する。切断時には、第2図に示すように切
削水供給管11、13に設けられた切削水ノズル11A、11A…
…、13Aから切削水をダイシングブレード20及びウエハ1
6に向かって噴出してブレード20及びウエハ16の洗浄を
行いながら切断を行う。
A wafer 16 (brittle material) is adsorbed and placed on the work table 18, and the wafer 16 is cut into chips by moving the work table 18 along a cut line on the wafer during cutting. At the time of cutting, as shown in FIG. 2, cutting water nozzles 11A, 11A provided on the cutting water supply pipes 11, 13 ...
…, Cutting water from 13A dicing blade 20 and wafer 1
The blade 20 and the wafer 16 are jetted toward 6 to be cut while being washed.

第3図は本発明に係るダイシング方法の説明図で、ウ
エハをダウンカットした場合の加工軌跡を示している。
第3図において、先ず、従来の場合と同様に切削水及び
洗浄水を供給しながら実線に示されるカットライン22A
に沿ってウエハ16をカットする。このとき、ウエハ16は
ワークテーブル18を介して移動され、第3図のカットラ
イン22Aに沿ってカットされる。そして、カットライン2
2Aの切断終了後、破線24Aに示すようにワークテーブル1
8をY方向に所定量割り出し送り(インデックス)しな
がら、カットライン22Bのスタート位置に移動し、切削
水を切削水ノズル11A、11A……、13Aからブレード20及
びウエハ16に供給しブレード20によってカットライン22
Bをカットする。更に、カットライン22Bの切断時にはカ
ットライン22B上の洗浄が行われる他、カットライン22A
上も同時に洗浄され、切断時に除去しきれなかった汚れ
の洗浄が行われる。
FIG. 3 is an explanatory view of the dicing method according to the present invention, and shows a processing locus when the wafer is downcut.
In FIG. 3, first, the cutting line 22A shown by the solid line while supplying the cutting water and the cleaning water as in the conventional case.
The wafer 16 is cut along. At this time, the wafer 16 is moved via the work table 18 and cut along the cut line 22A in FIG. And the cut line 2
After cutting 2A, as shown by broken line 24A, work table 1
While indexing 8 in the Y direction, it moves to the start position of the cut line 22B, supplies cutting water from the cutting water nozzles 11A, 11A, ..., 13A to the blade 20 and the wafer 16 and Cut line 22
Cut B. Furthermore, when the cutting line 22B is cut, the cleaning on the cutting line 22B is performed, and the cutting line 22A is also cleaned.
The top is also cleaned at the same time, and the dirt that cannot be completely removed at the time of cutting is cleaned.

そして、カットラインチェック等でカットライン22C
で切断を一時停止した際にはウエハの乾燥前に、Y座標
を維持しながらウエハ16をX方向に一往復させる。即
ち、ブレード20をX方向の一時停止直前に切断したカッ
トライン22C上に沿ってウエハ面よりブレード20を逃が
した状態で一往復させながら切削水を切削水ノズル11
A、11A……、13Aから供給して、再度、カットライン22C
の洗浄を行う。この動作はダイシングマシンに予め組み
込まれた図示しない制御部によって制御される。
And cut line 22C by cut line check etc.
When the cutting is temporarily stopped at 1, the wafer 16 is reciprocated once in the X direction while maintaining the Y coordinate before the wafer is dried. That is, the cutting water is supplied to the cutting water nozzle 11 while reciprocating once while the blade 20 is released from the wafer surface along the cut line 22C that is cut immediately before the blade 20 is stopped in the X direction.
Supply from A, 11A ..., 13A and cut line 22C again.
Is washed. This operation is controlled by a control unit (not shown) built in the dicing machine in advance.

このように、切削直後のライン上を再度洗浄するよう
にしているので、切断後の各ラインから確実に汚れを除
去することができ、ウエハ上の汚れを残らず洗い流すこ
とが可能となる。これにより、加工後のチップの清浄度
を飛躍的に高めることができる。また、横カットから縦
カットへと、カッティングの方向を変える場合にも、切
断終了直前に切断したラインに沿ってダイシングブレー
ド20又はウエハ16を一往復させるように制御し、再度、
ライン上の洗浄を行えば、各ライン上の汚れを確実に除
去することができる。
As described above, since the line immediately after cutting is cleaned again, it is possible to surely remove the dirt from each line after cutting, and it is possible to wash away all the dirt on the wafer. As a result, the cleanliness of the processed chip can be dramatically improved. Further, from the horizontal cut to the vertical cut, even when changing the cutting direction, the dicing blade 20 or the wafer 16 is controlled to reciprocate once along the line cut immediately before the end of cutting, and again,
By cleaning the lines, the stains on each line can be reliably removed.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明に係るダイシング方法によ
れば、切断終了時又は切断中の一時停止時に限り、切断
終了直前又は一時停止直前に切断したライン上に沿って
ダイシングブレードを一往復させてライン上を再度、洗
浄するようにしている。このため、切断時にウエハの各
カットライン及びその周辺に付着した切粉等の汚れを残
らず除去することができるとともに、高スループットを
実現できる。これにより、不良チップの生産を未然に防
止することができる。
As described above, according to the dicing method according to the present invention, only when the cutting is completed or when the cutting is paused, the dicing blade is reciprocated once along the line cut immediately before the completion of the cutting or immediately before the pause of the line. I try to wash the top again. For this reason, it is possible to completely remove dirt such as cutting chips attached to each cutting line of the wafer and its periphery at the time of cutting, and it is possible to realize high throughput. Thereby, production of defective chips can be prevented in advance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図はブレードとウエハとの位置関係を示した説明
図、第2図はダイシングブレード周辺の平面図、第3図
は本発明に係るダイシング方法の説明図、第4図は従来
のダウンカットによるダイシング加工を行った場合の加
工軌跡を示した説明図である。 11A、13A……切削水ノズル、15……切断ヘッド、16……
ウエハ、18……ワークテーブル(ウエハ載置台)、20…
…ダイシングブレード、22A、22B……カットライン。
1 is an explanatory view showing the positional relationship between a blade and a wafer, FIG. 2 is a plan view of the periphery of a dicing blade, FIG. 3 is an explanatory view of a dicing method according to the present invention, and FIG. 4 is a conventional downcut. It is explanatory drawing which showed the processing locus at the time of performing the dicing processing by. 11A, 13A …… Cutting water nozzle, 15 …… Cutting head, 16 ……
Wafer, 18 ... Work table (wafer mounting table), 20 ...
… Dicing blades, 22A, 22B… Cut lines.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】切断ヘッドにダイシングブレードが回転自
在に設けられると共に、切断ヘッドにノズルが設けら
れ、ダイシングブレード及びウエハを前記ノズルから噴
出された切削水によって洗浄しながらウエハをダイシン
グブレードで所定のカットラインに沿ってチップに切断
するダイシングマシンにおいて、 1つのカットラインに沿ってウエハを切断した後、ウエ
ハ載置台又は切断ヘッドを所定量割り出し送りしながら
ダイシングブレードを斜行戻りさせてジグザグ状の送り
になるように次のカットラインの切断開始位置に移動し
て次のカットラインを複数切断し、 同一方向の最後のカットラインの切断終了直後又は任意
のカットラインに沿うウエハ切断の一時停止直後に限
り、切断終了直前又は一時停止直前に切断したウエハの
ライン上を、前記ダイシングブレードが沿うようにウエ
ハ載置台又は切断ヘッドを移動しながら前記ライン上を
切削水によって再度、洗浄することを特徴とするダイシ
ング方法。
1. A dicing blade is rotatably provided on a cutting head, and a nozzle is provided on the cutting head. The dicing blade and the wafer are washed with cutting water ejected from the nozzle to predetermined a wafer with the dicing blade. In a dicing machine that cuts into chips along a cut line, after cutting a wafer along one cut line, the dicing blade is obliquely returned while indexing and feeding a wafer mounting table or a cutting head by a predetermined amount. Move to the cutting start position of the next cut line so that it becomes a feed and cut a plurality of the next cut lines, immediately after the cutting of the last cut line in the same direction is finished or immediately after the wafer cutting along any cut line is paused. Only, the line of the wafer cut just before the end of cutting or just before the pause , Said the line on while moving the wafer table or cutting head as dicing blade along again by cutting water, dicing wherein the washing.
JP32120389A 1989-12-11 1989-12-11 Dicing method Expired - Fee Related JP2680453B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32120389A JP2680453B2 (en) 1989-12-11 1989-12-11 Dicing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32120389A JP2680453B2 (en) 1989-12-11 1989-12-11 Dicing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03181148A JPH03181148A (en) 1991-08-07
JP2680453B2 true JP2680453B2 (en) 1997-11-19

Family

ID=18129947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32120389A Expired - Fee Related JP2680453B2 (en) 1989-12-11 1989-12-11 Dicing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2680453B2 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4855587B2 (en) * 2001-05-21 2012-01-18 株式会社岡本工作機械製作所 One-way grinding method of workpiece
JP2009076823A (en) * 2007-09-25 2009-04-09 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting method for wafer
KR100968530B1 (en) * 2009-07-17 2010-07-08 주식회사 포스텔 Chuck table for fixing semiconductor package substrate and semiconductor package sawing apparatus having the same
TW201812887A (en) * 2016-09-23 2018-04-01 頎邦科技股份有限公司 Wafer dicing method
JP6965126B2 (en) * 2017-11-28 2021-11-10 株式会社ディスコ Processing method of work piece
CN112151446B (en) * 2020-09-24 2023-09-08 长江存储科技有限责任公司 Wafer cutting and fixing method and device thereof

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57203553U (en) * 1981-06-23 1982-12-24

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03181148A (en) 1991-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100451615B1 (en) Polishing apparatus
KR19980085413A (en) Wafer Sowing Device
KR100401752B1 (en) Vertical type sawing apparatus
TWI823928B (en) cutting device
JP4813855B2 (en) Cutting apparatus and processing method
JP4847262B2 (en) Processing equipment
JP2680453B2 (en) Dicing method
JP6486710B2 (en) Cutting equipment
TWI675730B (en) Cutting device
JP4721968B2 (en) Spinner cleaning device
JP4763398B2 (en) Cutting equipment
JP2002224929A (en) Device for cutting plate-like workpiece
JP2019102514A (en) Cutting method
JP2001345287A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP3631554B2 (en) Polishing device
JP4831329B2 (en) Dicing apparatus and dicing method
JPH06208979A (en) Manufacturing system for semiconductor wafer
JP4385390B2 (en) Wafer chamfering equipment
JP2917262B2 (en) Semiconductor wafer cleaning / drying equipment
JP3811945B2 (en) Dicing machine
JPS61125767A (en) Method of taking out wafer by wire saw
JP2008254111A (en) Water jet machining apparatus
JPH10251880A (en) Work cleaner and cleaning method
JP2019089183A (en) End face cleaning method and cutting device
JPS6331927Y2 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees