JP2660559B2 - Tray for semiconductor wafer - Google Patents

Tray for semiconductor wafer

Info

Publication number
JP2660559B2
JP2660559B2 JP24238888A JP24238888A JP2660559B2 JP 2660559 B2 JP2660559 B2 JP 2660559B2 JP 24238888 A JP24238888 A JP 24238888A JP 24238888 A JP24238888 A JP 24238888A JP 2660559 B2 JP2660559 B2 JP 2660559B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inner support
support plate
semiconductor wafer
outer frame
frame plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP24238888A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0291961A (en
Inventor
雄司 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DEISUKO KK
Original Assignee
DEISUKO KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DEISUKO KK filed Critical DEISUKO KK
Priority to JP24238888A priority Critical patent/JP2660559B2/en
Publication of JPH0291961A publication Critical patent/JPH0291961A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2660559B2 publication Critical patent/JP2660559B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dicing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、半導体ウエーハを格子状に配列された所謂
ストリートに沿って切断するためにダイシング装置に搬
入し、ダイシング装置のチャック手段上に半導体ウエー
ハを固着し、そして切断の後にダイシング装置から半導
体ウエーハを搬出するのに有効に使用される半導体ウエ
ーハ用トレイに関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor wafer which is carried into a dicing apparatus for cutting along a so-called street arranged in a grid pattern, and is fixed to a chuck means of the dicing apparatus. The present invention relates to a semiconductor wafer tray that is effectively used to carry out a semiconductor wafer from a dicing apparatus after cutting.

〔従来技術〕(Prior art)

当業者には周知の如く、半導体デバイスの製造工程に
は、略円板形状の半導体ウエーハを格子状に配列された
所謂ストリートに沿って切断すダイシング工程が含まれ
ている。そして、このダイシング工程においては、半導
体ウエーハを完全に切断することなく若干の肉厚だけ残
留せしめて切断する所謂ハーフカット様式が広く実用に
供されている。
As is well known to those skilled in the art, a semiconductor device manufacturing process includes a dicing process of cutting a substantially disk-shaped semiconductor wafer along so-called streets arranged in a grid. In the dicing process, a so-called half-cut method in which a semiconductor wafer is cut without leaving a small thickness without completely cutting the semiconductor wafer is widely used.

〔従来技術の問題点〕[Problems of the prior art]

従来、上記ハーフカット様式で半導体ウエーハを切断
する場合、搬送等のために特に治具等を利用することな
く、半導体ウエーハを単独で取り扱っていた。即ち、半
導体ウエーハを単独でダイシンヅ装置に搬入し、このダ
イシング装置チャック手段上に固着し、そして切断の後
にダイシング装置から搬出していた。
Conventionally, when cutting a semiconductor wafer by the half-cut method, the semiconductor wafer has been handled alone without using a jig or the like for transportation or the like. That is, the semiconductor wafer is independently carried into the dicing machine, fixed on the chuck means of the dicing machine, and then unloaded from the dicing machine after cutting.

然るに、切断の後にダイシング装置から半導体ウエー
ハを搬出する時に、若干の肉厚だけ残留せしめられてい
る切断ラインが偶発的に破断されてしまって、一部が部
分的に分離されてしまうことが少なからず発生した。
However, when the semiconductor wafer is unloaded from the dicing apparatus after cutting, the cutting line that is left with a slight thickness is accidentally broken, and it is rare that a part is partially separated. Occurred.

〔発明の目的〕[Object of the invention]

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その
主目的は、殊に、半導体ウエーハをハーフカット様式で
切断する時に好都合に使用することができ、従来技術に
存在した上記問題を解決することができる、新規且つ優
れた半導体ウエーハ用トレイを提供することである。
The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and a main object of the present invention is to solve the above-mentioned problems existing in the prior art, particularly when the semiconductor wafer is cut in a half-cut manner. It is an object of the present invention to provide a novel and excellent semiconductor wafer tray.

〔発明の解決手段〕[Solution of the Invention]

上記目的を達成する半導体ウエーハ用トレイとして、
本発明によれば、上面に半導体ウエーハが載置される内
側支持板と、該内側支持板を囲繞する外側枠板との組み
合わせから成り、該内側支持板と該外側枠板とは、該内
側支持板の上面が該外側枠板の上面と実質的合致或いは
これよりも上方に突出する上昇状態と、該内側支持板の
上面が該外側枠板の上面よりも下方に後退する下降状態
との間を上下方向に相対的に移動自在に組み合わされて
いる、ことを特徴とする半導体ウエーハ用トレイが提供
される。
As a semiconductor wafer tray that achieves the above object,
According to the present invention, the inner support plate includes a combination of an inner support plate on which a semiconductor wafer is mounted on an upper surface and an outer frame plate surrounding the inner support plate, and the inner support plate and the outer frame plate An ascending state in which the upper surface of the support plate substantially matches or projects above the upper surface of the outer frame plate, and a descending state in which the upper surface of the inner support plate recedes below the upper surface of the outer frame plate. There is provided a semiconductor wafer tray, wherein the trays are combined so as to be relatively movable vertically.

該内側支持板にはその厚さ方向に貫通して延びる吸引
孔が形成されているのが望ましい。また、該内側支持板
はその上に載置される半導体ウエーハの外形に略対応し
た外形を有するのが好ましい。該内側支持板の外周面と
該外側枠板の内周面との一方に環状突条を形成し、他方
に環状溝を形成し、該環状溝の幅を該環状突条の厚さよ
りも大きく設定し、該環状突条を該環状溝内に挿入し、
かくして該内側支持板と該外側枠板とを上下方向に相対
的に移動自在に組み合わすことができる。該外側枠板の
外周面には位置決めに利用され得る位置決め切欠きを形
成することができる。また、該内側支持板の外周縁部上
面と該外側枠板の内周縁部上面との双方に渡って延在す
る凹部を形成するのが好ましい。
It is preferable that a suction hole extending through the inner support plate in the thickness direction thereof is formed. Preferably, the inner support plate has an outer shape substantially corresponding to the outer shape of the semiconductor wafer mounted thereon. An annular ridge is formed on one of the outer peripheral surface of the inner support plate and the inner peripheral surface of the outer frame plate, and an annular groove is formed on the other, and the width of the annular groove is larger than the thickness of the annular ridge. Setting, inserting the annular ridge into the annular groove,
Thus, the inner support plate and the outer frame plate can be combined to be relatively movable in the vertical direction. A positioning notch that can be used for positioning can be formed on the outer peripheral surface of the outer frame plate. In addition, it is preferable to form a concave portion extending over both the upper surface of the outer peripheral edge of the inner support plate and the upper surface of the inner peripheral edge of the outer frame plate.

〔発明の作用〕[Function of the invention]

本発明の半導体ウエーハ用トレイを使用する場合に
は、内側支持板上に半導体ウエーハを載置する。そし
て、ダイシング装置に半導体ウエーハを搬入する際、及
びダイシング装置から半導体ウエーハを搬出する際に
は、外側枠板を保持して搬送する。かくすると、外側枠
板に対して内側支持板が下降して上記下降状態、即ち内
側支持板の上面が外側枠板の上面よりも下方に後退する
状態になり、従って内側支持板上に載置されている半導
体ウエーハは外側枠板の内周面によって拘束され、内側
支持板から半導体ウエーハが滑落することが確実に防止
される。かくして、半導体ウエーハ自体に何らの力をも
及ぼすことなく、従って、切断の後においても若干の肉
厚が残留せしめられている切断ラインを偶発的に破断せ
しめる等の問題を発生せしめることなく、半導体ウエー
ハを確実且つ安定して所要通りに搬送することができ
る。切断すべき半導体ウエーハが上面に載置されている
内側支持板を、ダイシング装置のチャック手段上に載置
すると、内側支持板に対して外側枠板が下降して上記上
昇状態、即ち内側支持板の上面が外側枠板の上面と実質
上合致或いはこれよりも上方に突出する状態になる。従
って、半導体ウエーハの切断の際に、内側支持板のみな
らず外側枠板にも切断工具が作用することがなく、かく
して、半導体ウエーハ用トレイに干渉されることなく、
そしてまた半導体ウエーハ用トレイを損傷せしめること
なく、半導体ウエーハを所要通りに切断することができ
る。
When using the semiconductor wafer tray of the present invention, the semiconductor wafer is placed on the inner support plate. When the semiconductor wafer is loaded into the dicing apparatus and when the semiconductor wafer is unloaded from the dicing apparatus, the outer frame plate is held and transported. As a result, the inner support plate is lowered with respect to the outer frame plate, so that the inner support plate is lowered, that is, the upper surface of the inner support plate retreats below the upper surface of the outer frame plate. The semiconductor wafer is restrained by the inner peripheral surface of the outer frame plate, and the semiconductor wafer is reliably prevented from sliding down from the inner support plate. Thus, without exerting any force on the semiconductor wafer itself, and without causing a problem such as accidentally breaking a cutting line in which a slight thickness remains even after cutting, the semiconductor wafer is not affected. The wafer can be reliably and stably transported as required. When the inner support plate on which the semiconductor wafer to be cut is mounted on the upper surface is mounted on the chuck means of the dicing apparatus, the outer frame plate is lowered with respect to the inner support plate, and the raised state, that is, the inner support plate Of the outer frame plate substantially coincides with or protrudes upward from the upper surface of the outer frame plate. Therefore, at the time of cutting the semiconductor wafer, the cutting tool does not act not only on the inner support plate but also on the outer frame plate, and thus, without being interfered with by the semiconductor wafer tray.
Further, the semiconductor wafer can be cut as required without damaging the semiconductor wafer tray.

〔発明の好適具体例〕(Preferred embodiment of the invention)

以下、本発明に従って構成された半導体ウエーハ用ト
レイの好適具体例を図示している添付図面を参照して、
更に詳細に説明する。
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings illustrating preferred embodiments of the semiconductor wafer tray configured according to the present invention,
This will be described in more detail.

第1図を参照して説明すると、全体を番号2で示す半
導体ウエーハ用トレイは、内側支持板4とこれを囲繞す
る外側枠板6とから成る。合成樹脂又は金属等の適宜の
材料から形成することができる内側支持板4は、その上
に載置される半導体ウエーハ8の外形に対応した外形を
有する。即ち、半導体ウエーハ8は略円板形状であり、
オリエンテーションフラットと称される弦状直線部10を
除いて実質上円形であり、内側支持板4も略円板形状で
あり、弦状直線部10に対応する弦状直線部12を除いて実
質上円形である。第1図と共に第2図及び第3図を参照
することによって明確に理解される通り、内側支持板4
には、その厚さ方向に貫通して延びる複数個の吸引孔14
が適宜間隔をおいて穿孔されている。また、内側支持板
4の外周面には、周方向に連続して延在するのが好適で
ある環状突条16が形成されている。内側支持板4の外周
縁部上面、更に詳しくは上記弦状直線部12の中間部上面
には凹部18が形成されている。
Referring to FIG. 1, the semiconductor wafer tray generally designated by the reference numeral 2 comprises an inner support plate 4 and an outer frame plate 6 surrounding the inner support plate. The inner support plate 4, which can be formed from an appropriate material such as a synthetic resin or a metal, has an outer shape corresponding to the outer shape of the semiconductor wafer 8 mounted thereon. That is, the semiconductor wafer 8 has a substantially disk shape,
Except for a chordal straight portion 10 called an orientation flat, the inner support plate 4 has a substantially circular shape except for a chordal straight portion 10. It is circular. As can be clearly understood with reference to FIGS. 2 and 3 together with FIG.
Has a plurality of suction holes 14 extending therethrough in the thickness direction.
Are perforated at appropriate intervals. On the outer peripheral surface of the inner support plate 4, there is formed an annular ridge 16 which preferably extends continuously in the circumferential direction. A concave portion 18 is formed on the upper surface of the outer peripheral edge portion of the inner support plate 4, more specifically, on the upper surface of the middle portion of the chordal straight portion 12.

上記内側支持板4と同様に合成樹脂又は金属等の適宜
の材料から形成することができる外側枠板6は、略方形
の4角部を三角形状に切断した形状でよい外形を有す
る。外側枠板6の中央部には、開口20が形成されてい
る。この開口20は上記内側支持板4の外形に対応した形
状を有し、上記弦状直線部12に対応する弦状直線部22を
除いて実質上円形である。外側枠板6の内周面には、周
方向に連続して延在するのが好ましい環状溝42が形成さ
れている。この溝24の幅w(第2図)は、内側支持板4
の外周面に形成されている上記突条16の厚さt(第2
図)よりも充分に大きくせしめられている。外側枠板6
の外周面には2個の切欠き26が形成されている。適宜の
形態でよい切欠き26は、トレイ2の所謂粗位置付け、従
ってトレイ2上に載置された半導体ウエーハ8の所謂粗
位置付けに利用することができる(当業者には周知の如
く、半導体ウエーハ8を単独で取り扱う場合には、上記
弦状直線10を利用して半導体ウエーハ8の所謂粗位置付
けを遂行することができる)。外側枠板6の内周縁部上
面、更に詳しくは上記弦状直線部22の中間部上面には凹
部28が形成されている。後述する通りにして内側支持板
4と外側枠板6とが所要通りに組み合わされると、外側
枠板6の上記凹部28は内側支持板6の上記凹部18と整合
してこれに続く。
The outer frame plate 6, which can be formed of an appropriate material such as a synthetic resin or a metal like the inner support plate 4, has an outer shape that may be formed by cutting a substantially quadrangular quadrilateral into a triangular shape. An opening 20 is formed in the center of the outer frame plate 6. The opening 20 has a shape corresponding to the outer shape of the inner support plate 4, and is substantially circular except for the chordal straight portion 22 corresponding to the chordal straight portion 12. An annular groove 42, which preferably extends continuously in the circumferential direction, is formed on the inner peripheral surface of the outer frame plate 6. The width w of the groove 24 (FIG. 2)
Of the ridge 16 formed on the outer peripheral surface of the
(Fig.). Outer frame plate 6
Are formed with two notches 26 on the outer peripheral surface thereof. The notch 26, which may be in any suitable form, can be used for the so-called coarse positioning of the tray 2 and therefore for the so-called coarse positioning of the semiconductor wafer 8 placed on the tray 2 (as is well known to those skilled in the art). When the semiconductor wafer 8 is handled alone, the so-called rough positioning of the semiconductor wafer 8 can be performed using the chordal straight line 10). A concave portion 28 is formed on the upper surface of the inner peripheral edge portion of the outer frame plate 6, more specifically, the upper surface of the middle portion of the chordal straight portion 22. When the inner support plate 4 and the outer frame plate 6 are combined as required as described later, the recess 28 of the outer frame plate 6 is aligned with and follows the recess 18 of the inner support plate 6.

第2図及び第3図に図示する通り、内側支持板4と外
側枠板6とは、内側支持板4の上記環状突条16を弾性的
に変形しせめて外側枠板6の上記環状溝24内に挿入せし
めることによって、相互に組み合わされる。上述した通
り環状溝24の幅wは環状突条16の厚さtよりも充分に大
きくせしめられており、それ故に、所要通りに組み合わ
せた状態において、内側支持板4と外側枠板6とは、上
下方向に相対的に移動することができる。第2図におい
ては、外側枠板6に対して内側支持板6が下降せしめら
れた下降状態にあり、かかる下降状態においては、内側
支持板4の上面は外側枠板6の上面よりも下方に後退す
る。第4図においては、外側枠板6に対して内側支持板
4が上昇せしめられた上昇状態にあり、かかる上昇状態
においては、内側支持板4の上面は外側枠板6の上面よ
りも上方に突出している。上記上昇状態において、内側
支持板4の上面は必ずしも外側枠板6の上面を越えてこ
れよりも上方に突出する必要はなく、所望ならば、上記
上昇状態において、内側支持板4の上面と外側枠板6の
上面とが実質上合致するようになすこともできる。
As shown in FIGS. 2 and 3, the inner support plate 4 and the outer frame plate 6 elastically deform the annular ridge 16 of the inner support plate 4 to form the annular groove 24 of the outer frame plate 6. They are combined with each other by being inserted into. As described above, the width w of the annular groove 24 is set to be sufficiently larger than the thickness t of the annular ridge 16, and therefore, in a state where the inner support plate 4 and the outer frame plate 6 are combined as required, , Can move relatively in the vertical direction. In FIG. 2, the inner support plate 6 is lowered with respect to the outer frame plate 6, and in this lowered state, the upper surface of the inner support plate 4 is lower than the upper surface of the outer frame plate 6. fall back. In FIG. 4, the inner support plate 4 is in an ascending state in which the inner support plate 4 is raised with respect to the outer frame plate 6. It is protruding. In the raised state, the upper surface of the inner support plate 4 does not necessarily need to protrude beyond the upper surface of the outer frame plate 6. If desired, the upper surface of the inner support plate 4 The upper surface of the frame plate 6 may substantially match.

トレイ2を利用して半導体ウエーハ8を取り扱う場合
には、内側支持板4上に半導体ウエーハ8を載置する。
この際には、半導体ウエーハ8の弦状直線部10を内側支
持板4の弦状直線部12に合致せしめる。内側支持板4上
に載置した半導体ウエーハ8をそこから取り出す時に
は、例えば、外側枠板6の上記凹部28を通してピンセッ
ト(図示していない)の先端を挿入せしめて内側支持板
4の上記凹部18の部位にて半導体ウエーハ8を把持する
ことができる。
When handling the semiconductor wafer 8 using the tray 2, the semiconductor wafer 8 is placed on the inner support plate 4.
At this time, the chordal straight portion 10 of the semiconductor wafer 8 is matched with the chordal straight portion 12 of the inner support plate 4. When the semiconductor wafer 8 placed on the inner support plate 4 is taken out therefrom, for example, the tip of tweezers (not shown) is inserted through the recess 28 of the outer frame plate 6 and the recess 18 of the inner support plate 4 is inserted. The semiconductor wafer 8 can be gripped at the position of.

第2図は、幅方向に所定間隔をおいて配設された一対
の搬送ベルト機構30によってトレイ2を搬送する状態を
簡略に図示している。搬送ベルト機構30の各々は、第2
図において紙面に垂直な方向に延在する上方走行部32を
有し、トレイ2の外側枠板6の両側部がかかる上方走行
部32上に支持されている。かような状態においては、内
側支持板4及びその上に載置された半導体ウエーハ8
は、それら自身の重量によって外側枠板6に対して下降
し、トレイ2は上記下降状態になる。従って、内側支持
板4の上面は外側枠板6の上面よりも下方になり、内側
支持板4上に載置された半導体ウエーハ8は外側枠板6
の内周面に囲繞されて内側支持板4上に拘束される。か
くして、半導体ウエーハ8が内側支持板4上から滑落す
るのを確実に阻止して、半導体ウエーハ8を搬送するこ
とができる。この際には半導体ウエーハ8には何らの力
をも加える必要がなく、従って、半導体ウエーハ8を所
謂ハーフカット様式で切断した後においても、何らの問
題をも発生せしめることなく半導体ウエーハ8を所要通
りに搬送することができる。
FIG. 2 schematically illustrates a state in which the tray 2 is transported by a pair of transport belt mechanisms 30 arranged at predetermined intervals in the width direction. Each of the transport belt mechanisms 30
The drawing has an upper running portion 32 extending in a direction perpendicular to the paper surface, and both side portions of the outer frame plate 6 of the tray 2 are supported on the upper running portion 32. In such a state, the inner support plate 4 and the semiconductor wafer 8 placed thereon are mounted.
Are lowered with respect to the outer frame plate 6 by their own weight, and the tray 2 is in the above-mentioned lowered state. Accordingly, the upper surface of the inner support plate 4 is lower than the upper surface of the outer frame plate 6, and the semiconductor wafer 8 mounted on the inner support plate 4
And is restrained on the inner support plate 4. Thus, the semiconductor wafer 8 can be transported while reliably preventing the semiconductor wafer 8 from slipping off the inner support plate 4. In this case, it is not necessary to apply any force to the semiconductor wafer 8, and therefore, even after the semiconductor wafer 8 is cut in a so-called half-cut manner, the semiconductor wafer 8 is required without causing any problem. It can be transported as it is.

第3図は、一対の把持具34によってトレイ2の外側枠
板6の両側を把持してトレイ2を搬送する状態を図示し
ている。この場合も、内側支持板6及びその上に載置さ
れた半導体ウエーハ8は、それら自身の重量によって外
側枠板6に対して下降し、トレイ2は上記下降状態にな
る。かくして、半導体ウエーハ8の滑落等を確実に阻止
して、半導体ウエーハ8を所要通りに搬送することがで
きる。
FIG. 3 illustrates a state in which the tray 2 is transported while gripping both sides of the outer frame plate 6 of the tray 2 with a pair of gripping tools 34. Also in this case, the inner support plate 6 and the semiconductor wafer 8 placed thereon are lowered by their own weight with respect to the outer frame plate 6, and the tray 2 is in the above-mentioned lowered state. Thus, the semiconductor wafer 8 can be transported as required by reliably preventing the semiconductor wafer 8 from sliding down.

第4図は、半導体ウエーハ8が内側支持板4上に載置
されたトレイ2を、それ自体は周知の形態でよいダイシ
ング装置のチャック手段36上に載置した状態を図示して
いる。チャック手段36は円筒形状でよいチャック部材38
を有する。このチャック部材38の上面には円形凹部40が
形成されている。粗に、チャック部材38には上記凹部38
から下方に延びる吸引路42が形成されている。トレイ2
はその内側支持板4がチャック部材38上に位置せしめら
れる。トレイ2の外側枠板6は、それ自体の重量によっ
て内側支持板4及びその上に載置された半導体ウエーハ
8に対して下降し、従ってトレイ2は内側支持板4の上
面が外側枠板6の上面よりも上方に突出する上記上昇状
態になる。それ故に、第4図に2点鎖線で簡略に図示す
る回転砥石でよい切断手段44によって、半導体ウエーハ
8を若干の肉厚を残留せしめて切断する際に、トレイ2
の内側支持板4のみならず外側枠板6も切断手段44に干
渉することがなく、トレイ2を損傷せしめることなく半
導体ウエーハ8を所要通りに切断することができる。半
導体ウエーハ8を切断する際には、チャック部材38の上
記吸引路42は真空源(図示していない)に連通され、か
くしてチャック部材38の吸引路42及び凹部40並びにトレ
イ2の内側支持板4に形成されている吸引孔14を通して
空気が吸引され、これによって半導体ウエーハ8が真空
吸着される。
FIG. 4 shows a state in which the tray 2 on which the semiconductor wafer 8 is mounted on the inner support plate 4 is mounted on a chuck means 36 of a dicing apparatus which may be a known form. The chuck means 36 may be a chuck member 38 which may be cylindrical.
Having. On the upper surface of the chuck member 38, a circular concave portion 40 is formed. Roughly, the concave portion 38 is provided in the chuck member 38.
A suction passage 42 extending downward from the suction passage 42 is formed. Tray 2
The inner support plate 4 is positioned on the chuck member 38. The outer frame plate 6 of the tray 2 is lowered by its own weight with respect to the inner support plate 4 and the semiconductor wafer 8 mounted thereon, so that the upper surface of the inner support plate 4 is placed on the outer frame plate 6. Is in the ascending state protruding above the upper surface of the. Therefore, when the semiconductor wafer 8 is cut with a small thickness remaining by a cutting means 44 which may be a rotary grindstone which is schematically shown by a two-dot chain line in FIG.
Not only the inner support plate 4 but also the outer frame plate 6 does not interfere with the cutting means 44, and the semiconductor wafer 8 can be cut as required without damaging the tray 2. When the semiconductor wafer 8 is cut, the suction path 42 of the chuck member 38 is connected to a vacuum source (not shown), and thus the suction path 42 and the recess 40 of the chuck member 38 and the inner support plate 4 of the tray 2 are connected. Air is sucked through a suction hole 14 formed in the semiconductor wafer 8, and the semiconductor wafer 8 is vacuum-suctioned.

以上、添付図面を参照して本発明に従って構成された
半導体ウエーハ用トレイの一具体例について詳細に説明
したが、勿論、本発明はかかる具体例に限定されるもの
ではなく、本発明から逸脱することなく種々の変形乃至
修正が可能である。
As mentioned above, the specific example of the semiconductor wafer tray configured according to the present invention has been described in detail with reference to the accompanying drawings. However, of course, the present invention is not limited to such specific examples and deviates from the present invention. Various changes and modifications can be made without any change.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、本発明に従って構成された半導体ウエーハ用
トレイの好適具体例を、半導体ウエーハと共に図示する
分解斜面図。 第2図は、第1図のトレイを利用して、一対の搬送ベル
ト機構によって半導体ウエーハを搬送する状態を図示す
る簡略断面図。 第3図は、第1図のトレイを利用して、一対の把持具に
よって半導体ウエーハを搬送する状態を図示する簡略断
面図。 第4図は、第1図のトレイを利用して、ダイシング装置
のチャック手段上に半導体ウエーハを載置する状態を図
示する簡略断面図。 2……半導体ウエーハ用トレイ 4……内側支持板 6……外側枠板 8……半導体ウエーハ 14……吸引孔 16……環状突条 18……凹部 24……環状溝 26……切欠き 28……凹部
FIG. 1 is an exploded perspective view showing a preferred embodiment of a semiconductor wafer tray constructed according to the present invention together with a semiconductor wafer. FIG. 2 is a simplified cross-sectional view illustrating a state in which a semiconductor wafer is transported by a pair of transport belt mechanisms using the tray in FIG. FIG. 3 is a simplified cross-sectional view illustrating a state in which a semiconductor wafer is transported by a pair of grippers using the tray of FIG. FIG. 4 is a simplified cross-sectional view illustrating a state in which a semiconductor wafer is placed on chuck means of a dicing apparatus using the tray of FIG. 2 ... Semiconductor wafer tray 4 ... Inner support plate 6 ... Outer frame plate 8 ... Semiconductor wafer 14 ... Suction hole 16 ... Circular ridge 18 ... Recess 24 ... Circular groove 26 ... Notch 28 ... recess

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】上面に半導体ウエーハが載置される内側支
持板と、該内側支持板を囲繞する外側枠板との組み合わ
せから成り、該内側支持板と該外側枠板とは、該内側支
持板の上面が該外側枠板の上面と実質上合致或いはこれ
よりも上方に突出する上昇状態と、該内側支持板の上面
が該外側枠板の上面よりも下方に後退する下降状態との
間を上下方向に相対的に移動自在に組み合わされてい
る、ことを特徴とする半導体ウエーハ用トレイ。
1. An inner support plate on which a semiconductor wafer is mounted on an upper surface, and an outer frame plate surrounding the inner support plate, wherein the inner support plate and the outer frame plate are attached to the inner support plate. Between a raised state in which the upper surface of the plate substantially matches or projects above the upper surface of the outer frame plate, and a lowered state in which the upper surface of the inner support plate retreats below the upper surface of the outer frame plate Characterized in that the trays are combined so as to be relatively movable in the vertical direction.
【請求項2】該内側支持板にはその厚さ方向に貫通して
延びる吸引孔が穿孔されている、請求項1記載の半導体
ウエーハ用トレイ。
2. The semiconductor wafer tray according to claim 1, wherein a suction hole extending through the inner support plate in a thickness direction thereof is formed.
【請求項3】該内側支持板はその上面に載置される半導
体ウエーハの外形に略対応した外形を有する、請求項1
又は2記載の半導体ウエーハ用トレイ。
3. The inner support plate has an outer shape substantially corresponding to an outer shape of a semiconductor wafer mounted on an upper surface thereof.
Or a tray for a semiconductor wafer according to item 2.
【請求項4】該内側支持板の外周面と該外側枠板の内周
面との一方には環状突条が形成されており、該内側支持
板の外周面と該外側枠板の内周面との他方には環状溝が
形成されており、該環状突条を該環状溝内に挿入せしめ
ることによって該内側支持板と該外側枠板とが組み合わ
され、該環状溝の幅は該環状突条の厚さよりも大きく、
これによって該内側支持板と該外側枠板との上下方向相
対的移動が許容される、請求項1から3までのいずれか
に記載の半導体ウエーハ用トレイ。
4. An annular ridge is formed on one of an outer peripheral surface of the inner support plate and an inner peripheral surface of the outer frame plate, and an outer peripheral surface of the inner support plate and an inner peripheral surface of the outer frame plate. An annular groove is formed in the other of the surfaces, and the inner support plate and the outer frame plate are combined by inserting the annular ridge into the annular groove, and the width of the annular groove is equal to that of the annular groove. Larger than the thickness of the ridge,
4. The semiconductor wafer tray according to claim 1, wherein the inner support plate and the outer frame plate are allowed to move vertically relative to each other.
【請求項5】該外側枠板の外周面には、位置決めに利用
され得る位置決め切欠きが形成されている、請求項1か
ら4までのいずれかに記載の半導体ウエーハ用トレイ。
5. The semiconductor wafer tray according to claim 1, wherein a positioning notch which can be used for positioning is formed on an outer peripheral surface of said outer frame plate.
【請求項6】該内側支持板の外周縁部上面と該外側枠板
の内周縁部上面との双方に渡って延在する凹部が形成さ
れている、請求項1から5までのいずれかに記載の半導
体ウエーハ用トレイ。
6. A concave portion extending over both the upper surface of the outer peripheral edge of the inner support plate and the upper surface of the inner peripheral edge of the outer frame plate. The semiconductor wafer tray as described in the above.
JP24238888A 1988-09-29 1988-09-29 Tray for semiconductor wafer Expired - Lifetime JP2660559B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24238888A JP2660559B2 (en) 1988-09-29 1988-09-29 Tray for semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24238888A JP2660559B2 (en) 1988-09-29 1988-09-29 Tray for semiconductor wafer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0291961A JPH0291961A (en) 1990-03-30
JP2660559B2 true JP2660559B2 (en) 1997-10-08

Family

ID=17088415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24238888A Expired - Lifetime JP2660559B2 (en) 1988-09-29 1988-09-29 Tray for semiconductor wafer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2660559B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2016084767A1 (en) * 2014-11-27 2017-09-28 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Circular support substrate for semiconductor

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4564138B2 (en) * 2000-07-10 2010-10-20 Dowaホールディングス株式会社 Manufacturing method of semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2016084767A1 (en) * 2014-11-27 2017-09-28 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Circular support substrate for semiconductor
US10163674B2 (en) 2014-11-27 2018-12-25 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Circular support substrate for semiconductor

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0291961A (en) 1990-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0220041A (en) Method and apparatus for retaining semiconductor wafer
KR930004631B1 (en) Notch aligning mechanism of notched wafers
US6491574B1 (en) Complete blade and wafer handling and support system without tape
JP6491017B2 (en) Workpiece transport tray
KR20030090703A (en) Thin wafer insert
JP2660559B2 (en) Tray for semiconductor wafer
US6205994B1 (en) Scriber adapter plate
JPH031172Y2 (en)
JPH02130103A (en) Dicing jig
US6165310A (en) Apparatus and method for removing parts from an adhesive film
JP2956665B2 (en) Wafer transfer device
KR102334121B1 (en) Chuck table
US4646418A (en) Carrier for photomask substrate
JPH0210727A (en) Method and apparatus for dividing semiconductor wafer
JPS62166537A (en) Wafer stage
JPH02122541A (en) Transfer device for semiconductor wafer
JPH01227453A (en) Transfer tool for wafer
JPH0766268A (en) Suction device of semiconductor chip
JPH06132398A (en) Wafer ring fixing device
KR0116069Y1 (en) Wafer expansion system
KR0121642Y1 (en) Wafer carrier
JPH03208350A (en) Housing method for chip
KR920000571Y1 (en) Wafer mount chuck
JPH06132382A (en) Plate-like material grooving support transfer method and jig therefor
JP2841606B2 (en) Wafer transfer device

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613

Year of fee payment: 12