JP2635876B2 - 放射性ガス固定化処理装置 - Google Patents
放射性ガス固定化処理装置Info
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- radioactive gas
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- Y02W30/00—Technologies for solid waste management
- Y02W30/50—Reuse, recycling or recovery technologies
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば核燃料再処理工
場等から発生する放射性ガスをイオン化してそのガスイ
オンをスパッタ金属層中に注入固定化する放射性ガス固
定化処理装置に関する。
場等から発生する放射性ガスをイオン化してそのガスイ
オンをスパッタ金属層中に注入固定化する放射性ガス固
定化処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、使用済核燃料からウランとプル
トニウムを回収する核燃料再処理工場では、使用済核燃
料の剪断工程や溶解工程等において、核分裂生成物を含
む放射性ガスが発生する。このうち、最も問題となる可
能性のある放射性ガスは、クリプトン85（以下Ｋｒ−85
と略称する）であり、このＫｒ−85は、半減期が約10.7
年と非常に長いため、これを長期間安全に貯蔵できるよ
うにした技術の開発が進められている。
トニウムを回収する核燃料再処理工場では、使用済核燃
料の剪断工程や溶解工程等において、核分裂生成物を含
む放射性ガスが発生する。このうち、最も問題となる可
能性のある放射性ガスは、クリプトン85（以下Ｋｒ−85
と略称する）であり、このＫｒ−85は、半減期が約10.7
年と非常に長いため、これを長期間安全に貯蔵できるよ
うにした技術の開発が進められている。
【０００３】現在までに開発されている前記放射性ガス
の貯蔵方法としては、放射性ガスを高圧ボンベ等の圧力
容器に封入貯蔵して永久保存するようにした高圧ボンベ
貯蔵法、Ｋｒ−85をゼオライトに吸着させるようにした
ゼオライト吸着法、放射性ガスをイオン化してスパッタ
金属層中に注入固定化するようにしたイオン注入法等が
一般に知られている。
の貯蔵方法としては、放射性ガスを高圧ボンベ等の圧力
容器に封入貯蔵して永久保存するようにした高圧ボンベ
貯蔵法、Ｋｒ−85をゼオライトに吸着させるようにした
ゼオライト吸着法、放射性ガスをイオン化してスパッタ
金属層中に注入固定化するようにしたイオン注入法等が
一般に知られている。
【０００４】しかし、前記高圧ボンベ貯蔵法は、放射性
の高圧ガスを充てんする場合、貯蔵容器の耐圧試験等の
容器検査を定期的に行なうことが法令で義務づけられて
いるため、容器検査の度毎に隣接する貯蔵ガス容器の貯
蔵ガスをその都度別の容器に移し替える必要がある。こ
の為このガスの移し替えに繁雑な作業が要求される。ま
た、ゼオライト吸着法は、Ｋｒ−85等の放射性ガスを高
温・高圧下で処理しなければならないため、高圧ガス設
備としての管理方法等の数多くの改善すべき問題があ
る。
の高圧ガスを充てんする場合、貯蔵容器の耐圧試験等の
容器検査を定期的に行なうことが法令で義務づけられて
いるため、容器検査の度毎に隣接する貯蔵ガス容器の貯
蔵ガスをその都度別の容器に移し替える必要がある。こ
の為このガスの移し替えに繁雑な作業が要求される。ま
た、ゼオライト吸着法は、Ｋｒ−85等の放射性ガスを高
温・高圧下で処理しなければならないため、高圧ガス設
備としての管理方法等の数多くの改善すべき問題があ
る。
【０００５】これに対して、イオン注入法は、常温・低
圧下で放射性ガスを処理することができるばかりでな
く、経済性や安定性の面でも他の方法に比べ優れてい
る。
圧下で放射性ガスを処理することができるばかりでな
く、経済性や安定性の面でも他の方法に比べ優れてい
る。
【０００６】図２は、上述したイオン注入法により放射
性ガスを固定化処理する従来の一般的な放射性ガス固定
化処理装置を示す断面図である。
性ガスを固定化処理する従来の一般的な放射性ガス固定
化処理装置を示す断面図である。
【０００７】同図において、符番１は放射性ガスをイオ
ン化するイオン化室で、このイオン化室１は、上方に開
口した円筒容器状のイオン注入電極２と、このイオン注
入電極２の上端開口部を気密的に閉塞する上部陽極電極
としての陽極蓋３とから形成されている。
ン化するイオン化室で、このイオン化室１は、上方に開
口した円筒容器状のイオン注入電極２と、このイオン注
入電極２の上端開口部を気密的に閉塞する上部陽極電極
としての陽極蓋３とから形成されている。
【０００８】前記陽極蓋３には、イオン化室１内に放射
性ガスを導入するための吸気管４とイオン化室１内を排
気するための排気管５が接続されている。そして、排気
管５には、真空ポンプ等の排気装置（図示せず）が接続
されており、この排気装置によりイオン化室１内の圧力
を一定の低圧力に保持するようなされている。
性ガスを導入するための吸気管４とイオン化室１内を排
気するための排気管５が接続されている。そして、排気
管５には、真空ポンプ等の排気装置（図示せず）が接続
されており、この排気装置によりイオン化室１内の圧力
を一定の低圧力に保持するようなされている。
【０００９】また、前記イオン注入電極２に対向して、
円筒状のスパッタ電極６がイオン化室１の中央に配置さ
れている。このスパッタ電極６は、絶縁材からなるハー
メチックシール７を介して陽極蓋３に支持されており、
スパッタ電源８から高電圧が印加されるようになってい
る。
円筒状のスパッタ電極６がイオン化室１の中央に配置さ
れている。このスパッタ電極６は、絶縁材からなるハー
メチックシール７を介して陽極蓋３に支持されており、
スパッタ電源８から高電圧が印加されるようになってい
る。
【００１０】一方、イオン注入電極２は、イオン注入電
源９に接続されており、このイオン注入電源９から負の
電圧が印加されるようになっている。なお、イオン注入
電極２と陽極蓋３とは、絶縁リング１０により電気的に
絶縁されている。
源９に接続されており、このイオン注入電源９から負の
電圧が印加されるようになっている。なお、イオン注入
電極２と陽極蓋３とは、絶縁リング１０により電気的に
絶縁されている。
【００１１】このように構成された放射性ガス固定化処
理装置においては、イオン化室１内のガス圧力とイオン
注入電極２及びスパッタ電極６に印加される電圧が適当
な条件を満たすとイオン化室１内でグロー放電が発生
し、このグロー放電によってイオン化室１内に導入され
た放射性ガスがイオン化することが知られている。
理装置においては、イオン化室１内のガス圧力とイオン
注入電極２及びスパッタ電極６に印加される電圧が適当
な条件を満たすとイオン化室１内でグロー放電が発生
し、このグロー放電によってイオン化室１内に導入され
た放射性ガスがイオン化することが知られている。
【００１２】例えば、イオン化室１内のガス圧力を10-1
〜10-3Ｔorr に維持した状態で、イオン注入電極２に−
１ＫＶ以下の電圧を、スパッタ電極６に−１ＫＶ以上の
電圧をそれぞれ連続的に印加すると、イオン化室１内に
導入された放射性ガスはグロー放電によってイオン化さ
れ、図３に示すようにガスイオン１１となる。
〜10-3Ｔorr に維持した状態で、イオン注入電極２に−
１ＫＶ以下の電圧を、スパッタ電極６に−１ＫＶ以上の
電圧をそれぞれ連続的に印加すると、イオン化室１内に
導入された放射性ガスはグロー放電によってイオン化さ
れ、図３に示すようにガスイオン１１となる。
【００１３】このガスイオン１１は、イオン注入電極２
よりスパッタ電極６に印加される電圧の方が相対的に高
いことからスパッタ電極６の電界に沿って加速され、ス
パッタ電極６の表面に衝突して該スパッタ電極６をスパ
ッタリングさせる。これにより、スパッタ電極６からは
ガスイオン１１との衝突によって生じたスパッタリング
金属１２が飛び出し、対向するイオン注入電極２の内周
面に付着してスパッタ金属層１３が累積形成される。
よりスパッタ電極６に印加される電圧の方が相対的に高
いことからスパッタ電極６の電界に沿って加速され、ス
パッタ電極６の表面に衝突して該スパッタ電極６をスパ
ッタリングさせる。これにより、スパッタ電極６からは
ガスイオン１１との衝突によって生じたスパッタリング
金属１２が飛び出し、対向するイオン注入電極２の内周
面に付着してスパッタ金属層１３が累積形成される。
【００１４】また、これと同時に一部のガスイオン１１
は、図４に示すように、イオン注入電極２の電界の方に
直接加速され、イオン注入電極２の内周面に形成された
スパッタ金属層１３内に打ち込まれる。これにより、イ
オン化室１で発生したガスイオン１１は、最終的にイオ
ン注入電極２の表面に累積形成されるスパッタ金属層１
３の中に注入されて固定化される。
は、図４に示すように、イオン注入電極２の電界の方に
直接加速され、イオン注入電極２の内周面に形成された
スパッタ金属層１３内に打ち込まれる。これにより、イ
オン化室１で発生したガスイオン１１は、最終的にイオ
ン注入電極２の表面に累積形成されるスパッタ金属層１
３の中に注入されて固定化される。
【００１５】従って、このような操作をイオン化室１内
の放射性ガスがなくなるまで行なうことにより、Ｋｒ−
85等の放射性ガスをイオン化し、そのガスイオンをイオ
ン注入電極２の表面に累積形成されたスパッタ金属層１
３の中に注入固定化して、これを長期間安全に貯蔵する
ことが可能となる。
の放射性ガスがなくなるまで行なうことにより、Ｋｒ−
85等の放射性ガスをイオン化し、そのガスイオンをイオ
ン注入電極２の表面に累積形成されたスパッタ金属層１
３の中に注入固定化して、これを長期間安全に貯蔵する
ことが可能となる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、イオン注入電極２に対するスパッタ金
属層１３の密着力が弱いと、ガス処理運転中にスパッタ
金属層１３がイオン注入電極２から剥れ落ちてしまい、
この剥れ落ちたスパッタ金属層１３が電界の歪みを招
き、異常放電に繋がってしまうといった問題点があっ
た。
来例においては、イオン注入電極２に対するスパッタ金
属層１３の密着力が弱いと、ガス処理運転中にスパッタ
金属層１３がイオン注入電極２から剥れ落ちてしまい、
この剥れ落ちたスパッタ金属層１３が電界の歪みを招
き、異常放電に繋がってしまうといった問題点があっ
た。
【００１７】本発明はこのような問題点に鑑みなされた
もので、イオン注入・固定化率を高め、しかもスパッタ
金属層がイオン注入電極から剥れ落ちて異常放電が生じ
ても、安定したガス処理運転を再起動できるようにした
放射性ガス固定化処理装置を提供することを目的とす
る。
もので、イオン注入・固定化率を高め、しかもスパッタ
金属層がイオン注入電極から剥れ落ちて異常放電が生じ
ても、安定したガス処理運転を再起動できるようにした
放射性ガス固定化処理装置を提供することを目的とす
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、負の電圧が印加されるイオン注入電極とこ
のイオン注入電極と電気的に絶縁された陽極電極とで形
成されるイオン化室内に、負の高電圧が印加されるスパ
ッタ電極を前記イオン注入電極と対向させて配置し、こ
れらスパッタ電極及びイオン注入電極間にグロー放電を
発生させて前記イオン化室内に導入された放射性ガスを
イオン化させ、このガスイオンで前記スパッタ電極をス
パッタリングさせて前記イオン注入電極の表面にスパッ
タ金属層を累積形成しながら前記ガスイオンを前記スパ
ッタ金属層中に注入固定化する放射性ガス固定化処理装
置において、前記イオン注入電極の上下両端に２つの陽
極電極をそれぞれ絶縁状態で連接するとともに、イオン
化室の下部の前記スパッタ電極の下方に配置したイオン
分離室を介して該イオン化室を大電流を流せる３極管の
働きをする中間イオン化室と、小電流を流せる２極管の
働きをする下部イオン化室とに区分し、更に前記イオン
分離室を通過させて放射性ガスをイオン化室内に導入す
るようにしたものである。
に本発明は、負の電圧が印加されるイオン注入電極とこ
のイオン注入電極と電気的に絶縁された陽極電極とで形
成されるイオン化室内に、負の高電圧が印加されるスパ
ッタ電極を前記イオン注入電極と対向させて配置し、こ
れらスパッタ電極及びイオン注入電極間にグロー放電を
発生させて前記イオン化室内に導入された放射性ガスを
イオン化させ、このガスイオンで前記スパッタ電極をス
パッタリングさせて前記イオン注入電極の表面にスパッ
タ金属層を累積形成しながら前記ガスイオンを前記スパ
ッタ金属層中に注入固定化する放射性ガス固定化処理装
置において、前記イオン注入電極の上下両端に２つの陽
極電極をそれぞれ絶縁状態で連接するとともに、イオン
化室の下部の前記スパッタ電極の下方に配置したイオン
分離室を介して該イオン化室を大電流を流せる３極管の
働きをする中間イオン化室と、小電流を流せる２極管の
働きをする下部イオン化室とに区分し、更に前記イオン
分離室を通過させて放射性ガスをイオン化室内に導入す
るようにしたものである。
【００１９】
【作用】上記のように構成した本発明によれば、スパッ
タ電極、イオン注入電極及び陽極電極の３極管により構
成される中間イオン化室でのスパッタリング頻度を高
め、イオン注入する割合を大きくして、ここでより多く
の注入固化体が形成されるようになすことができる。し
かも、イオン分離室内を通過させて放射性ガスをイオン
化室内に導入することにより、放射性ガスの移動距離を
長くして放射性ガスのイオン化の確立を高め、放電の火
種となる確率を高めて該火種をイオン分離室内に内蔵さ
せ、これによって異常放電が生じても、イオン分離室内
に内蔵させた火種により再起動を容易となすことができ
る。
タ電極、イオン注入電極及び陽極電極の３極管により構
成される中間イオン化室でのスパッタリング頻度を高
め、イオン注入する割合を大きくして、ここでより多く
の注入固化体が形成されるようになすことができる。し
かも、イオン分離室内を通過させて放射性ガスをイオン
化室内に導入することにより、放射性ガスの移動距離を
長くして放射性ガスのイオン化の確立を高め、放電の火
種となる確率を高めて該火種をイオン分離室内に内蔵さ
せ、これによって異常放電が生じても、イオン分離室内
に内蔵させた火種により再起動を容易となすことができ
る。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を参照して説明
する。図１は、本発明の一実施例を示す放射性ガス固定
化処理装置の断面図であり、上記図２に示す従来例と同
一部材には同一符号を付して説明する。
する。図１は、本発明の一実施例を示す放射性ガス固定
化処理装置の断面図であり、上記図２に示す従来例と同
一部材には同一符号を付して説明する。
【００２１】即ち、イオン化室１は、円筒状の上下に連
通したイオン注入電極２と、このイオン注入電極２の上
端開口部を気密的に閉塞する上部陽極電極としての陽極
蓋３と、下端開口部を気密的に封止する下部陽極電極１
４とから構成されている。
通したイオン注入電極２と、このイオン注入電極２の上
端開口部を気密的に閉塞する上部陽極電極としての陽極
蓋３と、下端開口部を気密的に封止する下部陽極電極１
４とから構成されている。
【００２２】前記イオン注入電極２は、イオン注入電源
９に接続されており、このイオン注入電源９から負の電
圧が印加されるようになっている。なお、イオン注入電
極２と陽極蓋（上部陽極電極）３とは絶縁リング１０に
よって、イオン注入電極２と下部陽極電極１４とは絶縁
リング１５によって夫々電気的に絶縁されている。
９に接続されており、このイオン注入電源９から負の電
圧が印加されるようになっている。なお、イオン注入電
極２と陽極蓋（上部陽極電極）３とは絶縁リング１０に
よって、イオン注入電極２と下部陽極電極１４とは絶縁
リング１５によって夫々電気的に絶縁されている。
【００２３】前記下部陽極電極１４には、イオン化室１
内に放射性ガスを導入するための吸気管４が接続され、
陽極蓋（上部陽極電極）３には、イオン化室１内を排気
するための排気管５が接続されている。そして、この排
気管５には、真空ポンプ等の排気装置（図示せず）が接
続されており、この排気装置によりイオン化室１内の圧
力を一定の低圧力に保持するようになされている。
内に放射性ガスを導入するための吸気管４が接続され、
陽極蓋（上部陽極電極）３には、イオン化室１内を排気
するための排気管５が接続されている。そして、この排
気管５には、真空ポンプ等の排気装置（図示せず）が接
続されており、この排気装置によりイオン化室１内の圧
力を一定の低圧力に保持するようになされている。
【００２４】また、上記イオン注入電極２に対向して、
円筒状のスパッタ電極６がイオン化室１の中央に配置さ
れている。このスパッタ電極６は、絶縁材からなるハー
メチックシール７を介して陽極蓋３に支持されていお
り、スパッタ電源８から負の高電圧が印加されるように
なっている。
円筒状のスパッタ電極６がイオン化室１の中央に配置さ
れている。このスパッタ電極６は、絶縁材からなるハー
メチックシール７を介して陽極蓋３に支持されていお
り、スパッタ電源８から負の高電圧が印加されるように
なっている。
【００２５】前記イオン化室１は、上部にあってイオン
注入・固定化率を向上させるため大電流を流せる３極管
としての働きをする中間イオン化室１ａと、下部にあっ
て小電流を流せる２極管としての働きをする下部イオン
化室１ｂとに区分されるている。即ち、中間イオン化室
１ａは、スパッタ電極６の側方に位置し、該スパッタ電
極６、イオン注入電極２及び上下の両陽極電極３，１４
より３極管としての働きをなすよう、また下部イオン化
室１ｂは、スパッタ電極６の下方に位置し、該スパッタ
電極６と下部陽極電極１４より２極管としての働きをな
すようなされている。
注入・固定化率を向上させるため大電流を流せる３極管
としての働きをする中間イオン化室１ａと、下部にあっ
て小電流を流せる２極管としての働きをする下部イオン
化室１ｂとに区分されるている。即ち、中間イオン化室
１ａは、スパッタ電極６の側方に位置し、該スパッタ電
極６、イオン注入電極２及び上下の両陽極電極３，１４
より３極管としての働きをなすよう、また下部イオン化
室１ｂは、スパッタ電極６の下方に位置し、該スパッタ
電極６と下部陽極電極１４より２極管としての働きをな
すようなされている。
【００２６】ここに、３極管である中間イオン化室１ａ
と２極管である下部イオン化室１ｂとは、その働きが大
いに相違するため、両者１ａ，１ｂを分離し、両イオン
化室１ａ，１ｂ間の相互の干渉を防止して、イオン化作
用を持続させて安定運転に寄与するために、陽極電極と
して働きを持たせたイオン分離室１６が前記スパッタ電
極６の下方に位置してイオン化室１の下部に設けられて
いる。
と２極管である下部イオン化室１ｂとは、その働きが大
いに相違するため、両者１ａ，１ｂを分離し、両イオン
化室１ａ，１ｂ間の相互の干渉を防止して、イオン化作
用を持続させて安定運転に寄与するために、陽極電極と
して働きを持たせたイオン分離室１６が前記スパッタ電
極６の下方に位置してイオン化室１の下部に設けられて
いる。
【００２７】このイオン分離室１６は、円筒体１７によ
って周囲を区画することによって構成され、この円筒体
１７の下部には、前記吸気管４に連通するガス入口部１
７ａが、上部にはガス出口管１７ｂが夫々設けられて、
放射性ガスがこのイオン分離室１６を通過してイオン化
室１内に導入されるよう構成されている。
って周囲を区画することによって構成され、この円筒体
１７の下部には、前記吸気管４に連通するガス入口部１
７ａが、上部にはガス出口管１７ｂが夫々設けられて、
放射性ガスがこのイオン分離室１６を通過してイオン化
室１内に導入されるよう構成されている。
【００２８】これにより、イオン化の際に放出する電子
を吸引する陽極電極としての働きを持つイオン分離室１
６内を通過する放射性ガスの移動距離を長くなして、イ
オン化する確率を高めることにより、放電の火種をイオ
ン分離室１６の内部に内蔵できるようなされている。
を吸引する陽極電極としての働きを持つイオン分離室１
６内を通過する放射性ガスの移動距離を長くなして、イ
オン化する確率を高めることにより、放電の火種をイオ
ン分離室１６の内部に内蔵できるようなされている。
【００２９】このように構成された放射性ガス固定化処
理装置においては、中間イオン化室１ａ、即ちスパッタ
電極６側方は、スパッタ電極６、イオン注入電極２及び
上下の陽極電極３，１４で３極管の働きを持つように構
成され、３極管の場合、大電流を通電することが可能で
あるので、スパッタリング頻度を大きくして、イオン注
入する割合を大きくなし、これによってより多くの注入
固化層を形成するようにすることができる。
理装置においては、中間イオン化室１ａ、即ちスパッタ
電極６側方は、スパッタ電極６、イオン注入電極２及び
上下の陽極電極３，１４で３極管の働きを持つように構
成され、３極管の場合、大電流を通電することが可能で
あるので、スパッタリング頻度を大きくして、イオン注
入する割合を大きくなし、これによってより多くの注入
固化層を形成するようにすることができる。
【００３０】また、下部イオン化室１ｂ、即ちスパッタ
電極６の下方は、スパッタ電極６及び下部陽極電極２０
で２極管の働きを持つよう構成され、２極管の場合、小
電流しか流せないので、スパッタリング頻度を小さくし
て、イオン注入する割合を小さくなし、殆ど注入固化層
が形成されないようにすることができる。
電極６の下方は、スパッタ電極６及び下部陽極電極２０
で２極管の働きを持つよう構成され、２極管の場合、小
電流しか流せないので、スパッタリング頻度を小さくし
て、イオン注入する割合を小さくなし、殆ど注入固化層
が形成されないようにすることができる。
【００３１】このように、中間イオン化室１ａと下部イ
オン化室１ｂにおけるスパッタリング現象が異なるの
で、イオン化室１の下部にイオン分離室１６を設けて、
３極管である中間イオン化室１ａと２極管である下部イ
オン化室１ｂとを分離し、両イオン化室の干渉を防止し
てイオン化作用を持続させ、安定運転に寄与するように
なされている。
オン化室１ｂにおけるスパッタリング現象が異なるの
で、イオン化室１の下部にイオン分離室１６を設けて、
３極管である中間イオン化室１ａと２極管である下部イ
オン化室１ｂとを分離し、両イオン化室の干渉を防止し
てイオン化作用を持続させ、安定運転に寄与するように
なされている。
【００３２】また、放射性ガスを該ガスのイオン化の際
に放出する電子を吸引する下部陽極電極としての働きを
持つイオン分離室１６内を通過させてイオン化室１内に
導くことにより、このイオン分離室２９内を通過する放
射性ガスの移動距離を長く取ることができ、これによっ
てイオン化する確率を高めて放電を維持し易くなすとと
もに、放電の火種をイオン分離室２９に内蔵することが
できるので、ガス処理運転中に異常放電が生じても、ガ
ス処理運転の再起動を容易に行うようにすることができ
る。
に放出する電子を吸引する下部陽極電極としての働きを
持つイオン分離室１６内を通過させてイオン化室１内に
導くことにより、このイオン分離室２９内を通過する放
射性ガスの移動距離を長く取ることができ、これによっ
てイオン化する確率を高めて放電を維持し易くなすとと
もに、放電の火種をイオン分離室２９に内蔵することが
できるので、ガス処理運転中に異常放電が生じても、ガ
ス処理運転の再起動を容易に行うようにすることができ
る。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
大電流を流せる３極管としての働きをなす中間イオン化
室を設けることにより、この中間イオン化室でのイオン
注入・固定化率を高めることができる。しかも、イオン
分離室内に放電の火種を内蔵することができるので、ガ
ス処理運転中に異常放電が生じても、ガス処理運転の再
起動を容易に行うことができ、効率の良い安定したガス
処理運転を行うことができる。
大電流を流せる３極管としての働きをなす中間イオン化
室を設けることにより、この中間イオン化室でのイオン
注入・固定化率を高めることができる。しかも、イオン
分離室内に放電の火種を内蔵することができるので、ガ
ス処理運転中に異常放電が生じても、ガス処理運転の再
起動を容易に行うことができ、効率の良い安定したガス
処理運転を行うことができる。
【図１】本発明の一実施例を示す放射性ガス固定化処理
装置の全体縦断正面図。
装置の全体縦断正面図。
【図２】従来例の放射性ガス固定化処理装置の全体縦断
正面図。
正面図。
【図３】放射性ガス固定化処理装置の作用の説明に付す
る横断面図。
る横断面図。
【図４】放射性ガス固定化処理装置の作用の説明に付す
る横断面図。
る横断面図。
１ イオン化室 ２ イオン注入電極 ３ 陽極蓋（上部陽極電極） ４ 吸気管 ５ 排気管 ６ スパッタ電極 ８ スパッタ電源 ９ イオン注入電源 １０ 絶縁リング １１ ガスイオン １３ スパッタ金属層 １４ 下部陽極電極 １５ 絶縁リング １６ イオン分離室 １７ 円筒体 １７ａ ガス入口部 １７ｂ ガス出口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関 英 治 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式 会社東芝 総合研究所内 (72)発明者 菊 池 章 東京都港区芝浦一丁目１番１号 株式会 社東芝 本社事務所内 (72)発明者 和 田 幹 雄 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株式会社東芝 横浜事業所内
Claims (1)
- 【請求項１】負の電圧が印加されるイオン注入電極とこ
のイオン注入電極と電気的に絶縁された陽極電極とで形
成されるイオン化室内に、負の高電圧が印加されるスパ
ッタ電極を前記イオン注入電極と対向させて配置し、こ
れらスパッタ電極及びイオン注入電極間にグロー放電を
発生させて前記イオン化室内に導入された放射性ガスを
イオン化させ、このガスイオンで前記スパッタ電極をス
パッタリングさせて前記イオン注入電極の表面にスパッ
タ金属層を累積形成しながら前記ガスイオンを前記スパ
ッタ金属層中に注入固定化する放射性ガス固定化処理装
置において、前記イオン注入電極の上下両端に２つの陽
極電極をそれぞれ絶縁状態で連接するとともに、イオン
化室の下部の前記スパッタ電極の下方に配置したイオン
分離室を介して該イオン化室を大電流を流せる３極管の
働きをする中間イオン化室と、小電流を流せる２極管の
働きをする下部イオン化室とに区分し、更に前記イオン
分離室を通過させて放射性ガスをイオン化室内に導入す
るようにしたことを特徴とする放射性ガス固定化処置装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33219791A JP2635876B2 (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | 放射性ガス固定化処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33219791A JP2635876B2 (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | 放射性ガス固定化処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05164895A JPH05164895A (ja) | 1993-06-29 |
| JP2635876B2 true JP2635876B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=18252260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33219791A Expired - Lifetime JP2635876B2 (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | 放射性ガス固定化処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2635876B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-16 JP JP33219791A patent/JP2635876B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05164895A (ja) | 1993-06-29 |
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