JP2626782B2 - Vacuum processing equipment - Google Patents
Vacuum processing equipmentInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、真空中で基板の表面処理を行うための真空
処理装置に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a vacuum processing apparatus for performing a surface treatment of a substrate in a vacuum.
（従来の技術） この種の真空処理装置としてプラズマを用いた装置が
周知であり、とりわけ半導体素子製造工程では、反応性
ガスプラズマを利用したドライエッチング装置が広く普
及している。特に処理室を複数有したマルチチャンバー
ドライエッチング装置は、それぞれの処理室で異なった
反応性ガスによるエッチングが可能であるため、特にア
ルミニウム合金膜のドライエッチング装置として使われ
始めている。(Prior Art) As a vacuum processing apparatus of this type, an apparatus using plasma is well known. In particular, in a semiconductor element manufacturing process, a dry etching apparatus using reactive gas plasma is widely used. In particular, a multi-chamber dry etching apparatus having a plurality of processing chambers can be etched with different reactive gases in each processing chamber. Therefore, the multi-chamber dry etching apparatus has begun to be used particularly as a dry etching apparatus for an aluminum alloy film.
これらのマルチチャンバードライエッチング装置の代
表例として第４図及び第５図に示す装置が知られてい
る。4 and 5 are known as typical examples of these multi-chamber dry etching apparatuses.
第４図に示す装置は、基板搬入用カセット4a及び３つ
の処理室1a、1b、1c並びに基板搬出用カセット4bを直列
に並べて構成しており、それらは互いにバルブ2a、2b、
2c、2dで仕切られている。The apparatus shown in FIG. 4 comprises a substrate loading cassette 4a, three processing chambers 1a, 1b, 1c, and a substrate unloading cassette 4b, which are arranged in series, and they are valves 2a, 2b,
Partitioned by 2c and 2d.
上記のような構成において、基板３をセットした基板
搬入用のカセット4aは、大気中に置かれており、バルブ
2aを開閉して基板３を一枚毎処理室1aに搬送する。そし
て、処理室1a内で所定の真空処理を行った後、順次各バ
ルブ2b、2cを介して処理室1b、1cへ基板３を搬送しなが
ら所定の真空処理を行い、これらの真空処理終了後、処
理済みの基板３を、基板搬出用のカセット4bに収納搬出
するようにしている。In the above configuration, the substrate loading cassette 4a in which the substrates 3 are set is placed in the atmosphere,
2a is opened and closed, and the substrates 3 are transferred one by one to the processing chamber 1a. Then, after performing a predetermined vacuum processing in the processing chamber 1a, a predetermined vacuum processing is performed while sequentially transporting the substrate 3 to the processing chambers 1b, 1c via the respective valves 2b, 2c. In addition, the processed substrate 3 is stored and carried out in the substrate carrying-out cassette 4b.
次に、第５図に示す装置は、３個の処理室1a、1b、1c
及び基板搬入搬出兼用カセット４を収納した予備真空室
６が真空搬送室５を取り囲むように放射状に配置され、
各処理室1a〜1c及び予備真空室６と真空搬送室５との間
は、バルブ2a、2b、2c、2dを介在させ、各処理室1a〜1c
及び予備真空室６と真空搬送室５とを互いに気密にでき
るようにしている。そして、当該予備真空室６は、バル
ブ2aによって真空搬送室５や処理室1a〜1cを大気に開放
することなく、独立に大気することができる。Next, the apparatus shown in FIG. 5 includes three processing chambers 1a, 1b, and 1c.
And a preliminary vacuum chamber 6 accommodating the substrate loading / unloading cassette 4 is radially arranged so as to surround the vacuum transfer chamber 5.
Valves 2a, 2b, 2c and 2d are interposed between the processing chambers 1a to 1c and between the pre-vacuum chamber 6 and the vacuum transfer chamber 5, and the processing chambers 1a to 1c
Further, the preliminary vacuum chamber 6 and the vacuum transfer chamber 5 can be made airtight with each other. The preliminary vacuum chamber 6 can be independently evacuated to the atmosphere without opening the vacuum transfer chamber 5 and the processing chambers 1a to 1c to the atmosphere by the valve 2a.
上記のような構成において、予備真空室６におけるカ
セット４の搬入搬出口であるバルブ2eを開き、基板３を
装填した基板搬入搬出兼用カセット４を予備真空室６内
に置いた後、上記バルブ2eを閉じ、予備真空室６を真空
に排気する。次に、バルブ2aを開き、真空搬送室５内の
搬送機構（図示していない）により基板３を任意の処理
室1a若しくは1b又は1cに搬送し、基板３が移送された任
意の処理室バルブ2b若しくは2c又は2dを閉じ、所定の真
空処理を行う。In the above configuration, the valve 2e, which is a loading / unloading port of the cassette 4 in the preliminary vacuum chamber 6, is opened, and the substrate loading / unloading cassette 4 loaded with the substrate 3 is placed in the preliminary vacuum chamber 6, and then the valve 2e is opened. Is closed, and the preliminary vacuum chamber 6 is evacuated to a vacuum. Next, the valve 2a is opened, the substrate 3 is transferred to an arbitrary processing chamber 1a or 1b or 1c by a transfer mechanism (not shown) in the vacuum transfer chamber 5, and an arbitrary processing chamber valve to which the substrate 3 is transferred. 2b or 2c or 2d is closed, and a predetermined vacuum process is performed.
そして、真空処理終了後、再び真空搬送室５を経由
し、他の処理室へ基板３を搬送した後、真空処理を行な
う。このような操作を所望の真空処理に応じて一乃至複
数回行った後、再び基板３を基板搬入搬出兼用カセット
に収納することにより、真空処理を終了させる。全ての
基板３の真空処理の終了後、バルブ2aを閉じ予備真空室
６を大気とし、基板搬入搬出兼用カセット４を取り出す
ようにしている。After the vacuum processing is completed, the substrate 3 is transferred to another processing chamber via the vacuum transfer chamber 5 again, and then the vacuum processing is performed. After such an operation is performed one or more times according to the desired vacuum processing, the vacuum processing is terminated by storing the substrate 3 in the substrate loading / unloading cassette again. After the vacuum processing of all the substrates 3 is completed, the valve 2a is closed, the preliminary vacuum chamber 6 is set to the atmosphere, and the substrate loading / unloading cassette 4 is taken out.
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、前記第４図に示す装置では、処理室1a
内が、基板３を搬送する度に大気に晒されるため、大気
中の水分等の残留ガスが、処理室1a壁面に吸着して再現
性の良い真空処理を行うことが難しい。更に、各処理室
1a〜1cが直接連結しているため、各処理室1a〜1cで使用
したガスの残留成分が互いに隣り合った処理室に流れ込
み易く、処理特性が悪化する場合がある。更に、処理後
の基板３は、大気中で保管され、カセット4aに装填され
た全ての基板３の処理が終了するまで、真空処理された
基板３が大気に晒されるため、例えばアルミニウム合金
膜のエッチング時には、多量のコロージョン（corrosio
n）が発生する場合があった。(Problems to be solved by the invention) However, in the apparatus shown in FIG.
Since the inside is exposed to the atmosphere each time the substrate 3 is transported, residual gas such as moisture in the atmosphere is adsorbed on the wall surface of the processing chamber 1a, and it is difficult to perform vacuum processing with good reproducibility. Furthermore, each processing room
Since 1a to 1c are directly connected, the residual components of the gas used in each of the processing chambers 1a to 1c tend to flow into the processing chambers adjacent to each other, and the processing characteristics may be deteriorated. Further, the processed substrate 3 is stored in the air, and the vacuum-processed substrate 3 is exposed to the air until the processing of all the substrates 3 loaded in the cassette 4a is completed. During etching, a large amount of corrosion (corrosio
n) sometimes occurred.
ここで、真空処理終了後のコロージョンを特にアフタ
ーコロージョン（after corrosion）という。具体的に
は、アフターコロージョン（after corrosion）とは、
エッチング終了後のウエハーを不用意に大気中に取り出
すと、ウエハー、特にレジストに付着した塩化物が吸湿
し、Al配線を腐食する現象のことである。（例えば、小
林春洋、岡田隆、細川直吉共著「ドライプロセス応用技
術−超微細素子の製法」、第155頁〜第159頁、昭和59年
７月20日、日刊工業新聞社発行） 次に前記第５図に示す装置では、基板３は真空中に保
管され、カセット４の交換時に予備真空室６のみ大気開
放すれば良いため、処理後の残留ガスによる汚染が少な
く、またアルミニウム合金エッチング時のコロージョン
の発生も少ない。Here, the corrosion after the completion of the vacuum treatment is particularly referred to as after corrosion. Specifically, after corrosion is
If the wafer after the etching is inadvertently taken out to the atmosphere, chlorides adhering to the wafer, especially to the resist, absorb moisture and corrode the Al wiring. (For example, Haruhiro Kobayashi, Takashi Okada, and Naoyoshi Hosokawa, "Dry Process Application Technology-Manufacturing Method of Ultrafine Elements", pp. 155-159, July 20, 1984, published by Nikkan Kogyo Shimbun) In the apparatus shown in FIG. 5, the substrate 3 is stored in a vacuum, and only the preliminary vacuum chamber 6 needs to be opened to the atmosphere when the cassette 4 is replaced. Less occurrence of corrosion.
しかしながら、予備真空室６が一室しかないため、カ
セット４にセットされた全ての基板３の真空処理が終
り、カセット４を交換する間、真空処理ができないた
め、生産性が大幅に低下する。特に微細加工をする上で
重要となる基板３上に発生する微小なゴミは、予備真空
室６を大気にしたり、真空に排気する時に内壁に付着し
たゴミ等が舞い上がり多量に発生する。このゴミを減少
させるためには、真空に排気する時間や、大気にする時
間を充分長くする必要があるが、このような過程を第５
図に示す装置で行うと、生産性が大幅に低下してしま
う。However, since there is only one auxiliary vacuum chamber 6, the vacuum processing of all the substrates 3 set in the cassette 4 ends, and the vacuum processing cannot be performed while the cassette 4 is replaced, so that the productivity is greatly reduced. In particular, fine dust generated on the substrate 3 which is important in performing fine processing generates a large amount of dust attached to the inner wall when the preliminary vacuum chamber 6 is evacuated or evacuated to vacuum. In order to reduce this dust, it is necessary to sufficiently elongate the time of evacuation and the time of evacuation.
When using the apparatus shown in the figure, the productivity is greatly reduced.
更に、上記両装置とも基板３は、処理面が上を向いて
いるため、搬送中及び真空処理中に基板３面で多量のゴ
ミが発生しており、微細加工の要求に合致するものでは
なかった。Furthermore, in both of the above apparatuses, since the processing surface of the substrate 3 faces upward, a large amount of dust is generated on the surface of the substrate 3 during transportation and during vacuum processing, which does not meet the requirements for fine processing. Was.
（本発明の目的） 本発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
であり、その目的は、基板の処理面に発生するゴミの発
生を抑制するとともに、真空処理の生産性を向上させ、
更にアルミニウム合金エッチング時に特に問題となるア
フターコロージョンを発生させず、再現性の良い真空処
理を行うことのできる装置を提供することにある。(Object of the present invention) The present invention has been made to solve the above problems, and its object is to suppress the generation of dust generated on the processing surface of a substrate and to improve the productivity of vacuum processing. Let
Another object of the present invention is to provide an apparatus capable of performing vacuum processing with good reproducibility without generating after-corrosion, which is particularly problematic during aluminum alloy etching.
（問題点を解決するための手段） 本発明の真空処理装置は、上記目的を達成するために
次のように構成されている。すなわち、第１の手段とし
て、 バルブにより気密にすることができる予備真空室と、
真空搬送室と、複数の処理室とを備え、予備真空室内の
基板を真空搬送室を経由して任意の処理室へ搬送し、該
基板を該処理室で真空処理した後、再び該真空搬送室を
経由して他の任意の処理室へ搬送し、該基板を他の任意
の処理室で真空処理した後、再び該真空搬送室を経由し
予備真空室へ戻す真空処理装置において、 各々独立に大気開放、真空排気できる機構を備え、鉛
直に配置した複数枚の基板を収納するカセットを搬入ま
たは搬出する予備真空室を少なくとも２個設け、該カセ
ットを真空中で予備真空室と真空搬送室との間で往復移
送する搬送機構を備えるとともに、該真空搬送室へ搬送
された前記カセットから未処理基板を順次該真空処理室
へ搬送し、かつ該真空処理室で真空処理した処理基板を
真空搬送室に搬送された前記カセットに引き渡す移送機
構を備え、 前記移送機構が、 予備真空室より真空搬送室へ搬送されたカセットから
基板を押し上げる基板押上手段と、 押し上げられた基板を保持する基板保持手段と、基板
を保持した状態で90゜回転させて基板を水平にする基板
回転手段を備え、水平方向に回動可能な第１移送機構
と、 基板を保持する基板保持手段を備え、水平方向に回動
可能でかつ屈伸するように構成した少なくとも２つのア
ームから成る第２移送機構とを有することを特徴とす
る、 前記基板を予備真空室内では処理面を水平面に対して
鉛直にし、真空搬送室では基板がカセットに鉛直に収納
されて予備真空室から真空搬送室へ搬入された後、前記
基板押上手段によってカセットから押し上げられた該基
板を保持した状態で90゜回転させ水平にし、処理面を下
方に向けて搬送し、所定の中継位置で第１及び第２移送
機構相互間で基板の受け渡しをする真空処理装置であ
る。(Means for Solving the Problems) The vacuum processing apparatus of the present invention is configured as follows to achieve the above object. That is, as a first means, a preliminary vacuum chamber which can be made airtight by a valve,
A vacuum transfer chamber, and a plurality of processing chambers. The substrate in the preliminary vacuum chamber is transferred to an arbitrary processing chamber via the vacuum transfer chamber, and the substrate is vacuum-processed in the processing chamber. In the vacuum processing apparatus, the substrate is transferred to another arbitrary processing chamber via the chamber, the substrate is vacuum-processed in another arbitrary processing chamber, and then returned to the preliminary vacuum chamber again via the vacuum transfer chamber. At least two pre-vacuum chambers for loading and unloading cassettes for storing a plurality of vertically arranged substrates are provided, and a pre-vacuum chamber and a vacuum transfer chamber are provided in a vacuum. And a transfer mechanism for reciprocating transfer between the vacuum transfer chamber, the unprocessed substrates are sequentially transferred from the cassette transferred to the vacuum transfer chamber to the vacuum processing chamber, and the processing substrate vacuum-processed in the vacuum processing chamber is vacuum-equipped. The cassette transferred to the transfer chamber A transfer mechanism for transferring substrates to the cassette, wherein the transfer mechanism pushes substrates from a cassette transferred from the preliminary vacuum chamber to the vacuum transfer chamber, substrate holding means for holding the pushed substrates, and holding the substrates A first transfer mechanism rotatable in the horizontal direction, and a substrate holding means for holding the substrate, and a substrate rotating means for rotating the substrate horizontally by 90 ° while the substrate is being rotated. And a second transfer mechanism comprising at least two arms configured to bend and extend. The substrate is processed vertically in a horizontal plane in a preliminary vacuum chamber, and the substrate is in a cassette in a vacuum transfer chamber. After being housed vertically and being carried into the vacuum transfer chamber from the preliminary vacuum chamber, the substrate pushed up from the cassette by the substrate lifting means is rotated 90 ° while holding the substrate to be horizontal, and The bedding planes transported downward, a vacuum processing apparatus for transferring the substrate between the first and second transfer mechanism mutually at a predetermined relay position.
更に、第２の手段として、 バルブにより気密にすることができる予備真空室と、
真空搬送室と、複数の処理室とを備え、予備真空室内の
基板を真空搬送室を経由して任意の処理室へ搬送し、該
基板を該処理室で真空処理した後、再び該真空搬送室を
経由して他の任意の処理室へ搬送し、該基板を他の任意
の処理室で真空処理した後、再び該真空搬送室を経由し
予備真空室へ戻す真空処理装置において、 各々独立に大気開放、真空排気できる機構を備え、鉛
直に設置した複数枚の基板を収納するカセットを搬入ま
たは搬出する予備真空室を少なくとも２個設け、該カセ
ットを真空中で予備真空室と真空搬送室との間で往復移
送する搬送機構を備えるとともに、該真空搬送室へ搬送
された前記カセットから未処理基板を順次該真空処理室
へ搬送し、かつ該真空処理室で真空処理した処理済基板
を真空搬送室に搬送された前記カセットに引き渡す移送
機構を備え、 該予備真空室の大気側に、カセットに収納した処理済
基板を100℃以上に加熱可能な少なくとも一つの加熱炉
を配置し、かつ該予備真空室より処理済基板を収納した
カセットを取り出し、該カセットを該加熱炉へ移動する
機構を備えた ことを特徴とする真空処理装置である。Further, as a second means, a preliminary vacuum chamber which can be made airtight by a valve;
A vacuum transfer chamber, and a plurality of processing chambers. The substrate in the preliminary vacuum chamber is transferred to an arbitrary processing chamber via the vacuum transfer chamber, and the substrate is vacuum-processed in the processing chamber. In the vacuum processing apparatus, the substrate is transferred to another arbitrary processing chamber via the chamber, the substrate is vacuum-processed in another arbitrary processing chamber, and then returned to the preliminary vacuum chamber again via the vacuum transfer chamber. At least two pre-vacuum chambers for loading and unloading a vertically mounted cassette for accommodating a plurality of substrates are provided, and a pre-vacuum chamber and a vacuum transfer chamber are provided in a vacuum. And a transfer mechanism for reciprocating transfer between the cassette and the unprocessed substrates sequentially transferred from the cassette transferred to the vacuum transfer chamber to the vacuum processing chamber, and processed substrates vacuum-processed in the vacuum processing chamber. The above-mentioned pump transferred to the vacuum transfer chamber A transfer mechanism for delivering the set to a set, at least one heating furnace capable of heating the processed substrate stored in the cassette to 100 ° C. or higher is arranged on the atmosphere side of the preliminary vacuum chamber, and the processed substrate is A vacuum processing apparatus, comprising: a mechanism for taking out a cassette storing the cassette and moving the cassette to the heating furnace.
（作用） 上記構成から成る本発明において、基板の真空処理に
際し、予備真空室と真空搬送室と処理室間相互の基板の
出し入れ及び搬送動作は次のように行われる。予備真空
室が２つである場合を例にあげて述べる。（第１図及び
第２図参照） ２つの予備真空室と、真空搬送室と、複数の処理室の
全系を、予備真空室の大気側バルブを閉じ各室を相互に
隔離するバルブを開いた状態で真空に排気する。次に、
一方の予備真空室と真空搬送室とを隔離するバルブを閉
じ、該予備真空室にN2、空気等を導入し、大気圧とす
る。そして、一方の予備真空室の大気側バルブを開け、
複数枚の未処理基板を鉛直に収納したカセットを該予備
真空室内に設置する。続いて、該予備真空室の大気側バ
ルブを閉じ、真空に排気し、該予備真空室と真空搬送室
とを隔離するバルブを開け、搬送機構により前記カセッ
トを真空中で真空搬送室へ移送し、該カセット内の未処
理基板を、真空搬送室内に設置された基板押上手段によ
って押し上げられた後、第１移送機構である搬送チャッ
ク及び第２移送機構であるロボットアームにより該基板
を保持した状態で90゜回転させ水平にし処理面を下に向
けて処理室上方の真空隔離手段の電極周囲に設けた基板
保持リング上に搬送し、該基板を基板保持リング上に載
置する。この基板搬送の際、所定の中継位置で第１移送
機構と第２移送機構との間で前記基板の受渡しがなされ
る。(Operation) In the present invention having the above-described structure, when the substrate is vacuum-processed, the operations of taking the substrate in and out of and transferring the substrate between the preliminary vacuum chamber, the vacuum transfer chamber, and the processing chamber are performed as follows. The case where there are two preliminary vacuum chambers will be described as an example. (Refer to FIG. 1 and FIG. 2.) The entire system of the two preliminary vacuum chambers, the vacuum transfer chamber, and the plurality of processing chambers is closed, and the valve on the atmosphere side of the preliminary vacuum chamber is closed and the valve that isolates each chamber from each other is opened. Evacuate to vacuum. next,
The valve for isolating one of the pre-vacuum chambers from the vacuum transfer chamber is closed, and N 2 , air, etc. are introduced into the pre-vacuum chamber to atmospheric pressure. Then, open the atmosphere side valve of one of the preliminary vacuum chambers,
A cassette in which a plurality of unprocessed substrates are stored vertically is set in the preliminary vacuum chamber. Subsequently, the atmosphere-side valve of the preliminary vacuum chamber is closed, the chamber is evacuated to a vacuum, a valve for separating the preliminary vacuum chamber from the vacuum transfer chamber is opened, and the cassette is transferred to the vacuum transfer chamber in a vacuum by a transfer mechanism. After the unprocessed substrate in the cassette is pushed up by the substrate lifting means provided in the vacuum transfer chamber, the substrate is held by the transfer chuck as the first transfer mechanism and the robot arm as the second transfer mechanism. Then, the substrate is rotated horizontally by 90 °, and is conveyed onto a substrate holding ring provided around the electrodes of the vacuum isolation means above the processing chamber with the processing surface facing downward, and the substrate is placed on the substrate holding ring. During the transfer of the substrate, the substrate is transferred between the first transfer mechanism and the second transfer mechanism at a predetermined relay position.
次に基板保持リングを電極に密着させてから真空隔離
手段を下降させ、処理室を真空搬送室から隔離し、処理
室へ反応性ガスを長し、処理室に設けた他の排気系によ
り排気しながら真空処理を行う。Next, the substrate holding ring is brought into close contact with the electrode, and then the vacuum isolating means is lowered, the processing chamber is isolated from the vacuum transfer chamber, the reactive gas is extended to the processing chamber, and exhausted by another exhaust system provided in the processing chamber. While performing vacuum processing.
真空処理終了後、再び真空隔離手段を上昇させ、処理
室を真空搬送室と同一真空とし、基板の処理面を下方に
向けた姿勢で、前記第２移送機構により該基板を他の処
理室へ搬送すると同時に、他の未処理基板を真空搬送室
へ移送された前記カセットから前記と同様にして取り出
すと共に前記と同様にして、先に基板を処理した処理室
へ搬送する。そして、他の処理室へ搬送された前記基板
に対して他の処理室に於て基板の処理面を下方に向けて
真空処理が行なわれる。上記操作を一度乃至数度繰り返
し、真空処理が終了した後、真空搬送室に搬入されたカ
セットから基板を処理室へ搬送する前述した態様を逆に
たどる仕方で処理済基板をロボットアーム及び搬送チャ
ックにより真空搬送室で待機する前記カセットの方へ搬
送すると共に該カセットに鉛直に回収し、真空処理を終
了させる。After the completion of the vacuum processing, the vacuum isolating means is raised again, the processing chamber is set to the same vacuum as the vacuum transfer chamber, and the substrate is transferred to another processing chamber by the second transfer mechanism with the processing surface of the substrate facing downward. At the same time as the transfer, another unprocessed substrate is taken out of the cassette transferred to the vacuum transfer chamber in the same manner as described above, and transferred to the processing chamber in which the substrate has been processed in the same manner as described above. Then, vacuum processing is performed on the substrate transported to another processing chamber with the processing surface of the substrate facing downward in the other processing chamber. The above operation is repeated once or several times, and after the vacuum processing is completed, the processed substrate is transferred to the processing chamber in a manner reverse to the above-described mode in which the substrate is transferred from the cassette loaded into the vacuum transfer chamber to the processing chamber. To transfer the cartridge to the cassette waiting in the vacuum transfer chamber, and vertically collect it in the cassette to complete the vacuum processing.
上記真空処理の最中に、他の予備真空室と真空搬送室
とを隔離するバルブを閉じ、他の予備真空室にN2、空気
等を導入し大気に開放し、複数枚の未処理基板を鉛直に
収納した他のカセットを、該予備真空室に設置し、続い
て、該予備真空室の大気側バルブを閉じ真空に排気して
おく。先の真空処理中の基板が収納されたカセット内の
基板の真空処理が終了した時点で速やかに真空搬送室に
設けられた搬送機構により、真空処理が終了した処理済
基板を回収したカセットを真空搬送室から先の予備真空
室へ搬送すると共に他の予備真空室で待機する複数枚の
未処理基板を鉛直に収納したカセットを真空搬送室へ搬
送してカセットを入れ代え、他のカセットに入った基板
について処理室での前記と同様な一連の真空処理を開始
する。それと同時に、先の真空処理が終了した処理済基
板を回収したカセットは、前述したように先の予備真空
室に移送され、真空搬送室とはバルブで隔離した状態で
この予備真空室にN2、空気等を導入し大気に開放し、該
予備真空室からカセットを搬出した後、処理済基板をカ
セットから取り出す。予備真空室を大気開放してカセッ
トを交換する操作は、以上述べたように、基板に対して
処理室での真空処理を行いながら実行できるため、生産
性の大幅な向上が期待できるばかりでなく、N2や空気等
の導入、排気の時間を長時間行えるため、ゴミの発生を
抑えた真空処理の実現が可能となる。During the above vacuum processing, the valve for isolating the other pre-vacuum chamber from the vacuum transfer chamber is closed, N2, air, etc. are introduced into the other pre-vacuum chamber and released to the atmosphere, and a plurality of unprocessed substrates are removed. Another cassette housed vertically is placed in the preliminary vacuum chamber, and then the atmosphere side valve of the preliminary vacuum chamber is closed to exhaust the vacuum. When the vacuum processing of the substrate in the cassette in which the substrate being vacuum-processed has been completed is completed, the cassette in which the processed substrate having been subjected to the vacuum processing is recovered is immediately evacuated by the transfer mechanism provided in the vacuum transfer chamber. The cassette that transports a plurality of unprocessed substrates vertically from the transfer chamber to the preparatory vacuum chamber and waits in another preparatory vacuum chamber is transferred to the vacuum transfer chamber to replace the cassette and enter another cassette. A series of vacuum processing similar to the above is started in the processing chamber for the substrate thus set. At the same time, the cassette that has collected the processed substrate after the previous vacuum processing is transferred to the preliminary vacuum chamber as described above, and N2, After introducing air or the like and releasing the air to the atmosphere, carrying out the cassette from the preliminary vacuum chamber, the processed substrate is taken out of the cassette. As described above, since the operation of exchanging the cassette by opening the preliminary vacuum chamber to the atmosphere can be performed while performing vacuum processing on the substrate in the processing chamber, not only can a significant improvement in productivity be expected. , the introduction of such N 2 or air, in order to perform the exhaust time long, it is possible to realize a vacuum treatment that suppresses the occurrence of dust.
本発明の真空処理装置が前記第２の手段をその構成と
している場合には、さらに、処理済基板の収納されたカ
セットを加熱炉に入れ、所定温度で一定時間の加熱処理
を行うようにしているので、殆ど完全にアフターコロー
ジョンを抑制できるという効果をも奏しうる。When the vacuum processing apparatus of the present invention has the second means as its configuration, furthermore, the cassette containing the processed substrate is placed in a heating furnace, and the heat treatment is performed at a predetermined temperature for a predetermined time. Therefore, an effect that after-corrosion can be suppressed almost completely can also be obtained.
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。な
お、従来技術と同一の構成部材については、同一符号を
使用して説明する。なお、第１図は、本発明の第１実施
例の一部透視平面図を示している。これによると、３つ
の処理室1a、1b、1cは、真空搬送室５の下部に配置さ
れ、当該真空搬送室５には、バルブ2aによって隔離でる
予備真空室6aと、バルブ2bによって隔離できる予備真空
室6bが取り付けられている。また、真空搬送室５内部に
は、カセット4a及び4bを予備真空室6a、6bと真空搬送室
５との間で往復搬送させる搬送機構７と、前記搬送機構
７によりカセット4a、4bが予備真空室6a、6bから真空搬
送室５に搬入された後でカセット4a、4bに鉛直にセット
された基板３が図示していない基板リフトによりカセッ
ト4a上に持ち上げられたときこの持ち上げられた基板３
をエッチングし、90゜回転させて水平に保持し、基板３
の処理面が下方に向くようにしてから、軸芯９′を支点
に水平方向に回動し、基板３を中継位置８まで搬送する
搬送チャック９と、中継位置８まで搬送された基板３
を、更に処理室1a〜1cに搬送するために２つのチャック
部10a、10bを備えた回動可能なロボットアーム10が設置
されている。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the same components as those in the related art will be described using the same reference numerals. FIG. 1 is a partially transparent plan view of the first embodiment of the present invention. According to this, the three processing chambers 1a, 1b, 1c are arranged below the vacuum transfer chamber 5, and the vacuum transfer chamber 5 has a preliminary vacuum chamber 6a isolated by a valve 2a and a preliminary vacuum chamber 6a isolated by a valve 2b. A vacuum chamber 6b is attached. Further, inside the vacuum transfer chamber 5, a transfer mechanism 7 for reciprocating the cassettes 4a and 4b between the preliminary vacuum chambers 6a and 6b and the vacuum transfer chamber 5, and the cassettes 4a and 4b When the substrate 3 set vertically in the cassettes 4a and 4b after being loaded into the vacuum transfer chamber 5 from the chambers 6a and 6b is lifted onto the cassette 4a by a substrate lift (not shown), the lifted substrate 3
Is etched, rotated 90 ° and held horizontally, and the substrate 3
After the processing surface is turned downward, the transfer chuck 9 is rotated in the horizontal direction around the axis 9 ′ to transfer the substrate 3 to the relay position 8, and the substrate 3 transferred to the relay position 8.
Is further provided with a rotatable robot arm 10 having two chuck portions 10a and 10b in order to transfer the wafer to the processing chambers 1a to 1c.
なお、当該チャック部の数は、処理室の数又は処理速
度等に応じて増減可能で、必ずしも上記のように２つに
限定されない。また、2cは、大気側に臨ませて予備真空
室6aに設けたバルブであり、2dは、大気側に臨ませて予
備真空室6bに設けたバルブである。Note that the number of the chuck portions can be increased or decreased according to the number of processing chambers, processing speed, and the like, and is not necessarily limited to two as described above. Further, 2c is a valve provided in the preliminary vacuum chamber 6a facing the atmosphere side, and 2d is a valve provided in the preliminary vacuum chamber 6b facing the atmosphere side.
次に上記の構成部材相互間の動作を説明する。 Next, the operation between the above components will be described.
バルブ2a及び2bを開け、バルブ2c、2dを閉じた状態
で、真空搬送室５に備えた図示していない真空ポンプ
（例．クライオポンプ、ターボ分子ポンプ等）で真空搬
送室５、予備真空室6a、6b及び処理室1a、1b、1cを10-5
Torr台以下の高真空に排気する。なお、この際、バルブ
2e（第２図参照）を上昇させて、「開」の状態にしてお
く。With the valves 2a and 2b opened and the valves 2c and 2d closed, a vacuum pump (not shown) provided in the vacuum transfer chamber 5 (eg, a cryopump, a turbo-molecular pump, etc.), a vacuum transfer chamber 5, a preliminary vacuum chamber 10 -5 for 6a, 6b and processing chambers 1a, 1b, 1c
Evacuate to high vacuum below Torr level. At this time, the valve
2e (see FIG. 2) is raised to be in an "open" state.
次に、バルブ2aを閉じ、予備真空室6aにN2や空気等を
導入することによって大気圧にし、バルブ2cを開け、複
数枚の未処理基板３を鉛直に収納したカセット4aを、基
板３の処理面が鉛直になるように予備真空室6a内にセッ
トする。尚、基板３は、カセット4a内に設けられたスリ
ット（基板３を１枚づつ挿入しておく隙間）に１枚づつ
設けられている。そして、バルブ2cを閉じ、予備真空室
6aに備えた図示していない真空ポンプで予備真空室6aを
真空に排気した後バルブ2aを開ける。この状態でカセッ
ト4aをカセット搬送機構７により真空搬送室５内に搬送
する。次に、真空搬送室内に設置された基板リフト（図
示していない）により基板３をカセット4a上に持ち上
げ、この状態で搬送チャック９が基板３をチャッキング
する。次に基板３を保持した搬送チャック９は、基板３
の処理面が下方を向くように基板３を90゜回転する。こ
の状態で搬送チャック９が軸芯９′を支点に回動して基
板３を中継位置８まで搬送し、チャッキングを解除し、
中継位置８に基板３を載置する。そうすると搬送チャッ
ク９は、再び軸芯９′を支点として回動してカセット4a
の上部位置に帰還する。そして、カセット4aに対して90
゜回転し、カセット4aに鉛直にセットされた次の未処理
基板３をチャッキングする態勢に入る。Next, the valve 2a is closed, N 2 , air or the like is introduced into the preliminary vacuum chamber 6a to bring the atmospheric pressure to the atmospheric pressure, the valve 2c is opened, and the cassette 4a containing a plurality of unprocessed substrates 3 vertically is inserted into the substrate 3 Is set in the pre-vacuum chamber 6a such that the processing surface is vertical. The substrates 3 are provided one by one in a slit (a gap into which the substrates 3 are inserted one by one) provided in the cassette 4a. Then, close the valve 2c and set the preliminary vacuum chamber
After evacuating the preliminary vacuum chamber 6a to a vacuum with a vacuum pump (not shown) provided for the valve 6a, the valve 2a is opened. In this state, the cassette 4a is transferred into the vacuum transfer chamber 5 by the cassette transfer mechanism 7. Next, the substrate 3 is lifted onto the cassette 4a by a substrate lift (not shown) installed in the vacuum transfer chamber, and the transfer chuck 9 chucks the substrate 3 in this state. Next, the transport chuck 9 holding the substrate 3
The substrate 3 is rotated by 90 ° so that the processing surface of the substrate 3 faces downward. In this state, the transport chuck 9 rotates around the axis 9 ′ to transport the substrate 3 to the relay position 8, and releases the chucking.
The substrate 3 is placed at the relay position 8. Then, the transport chuck 9 rotates again around the shaft center 9 'as a fulcrum, and rotates the cassette 4a.
Return to the top position of. And 90 for cassette 4a
(4) It rotates to enter a state of chucking the next unprocessed substrate 3 set vertically in the cassette 4a.
一方、基板３の中継位置８に載置され残された未処理
基板３は、回動可能なロボットアーム10により処理面を
下方に向けた姿勢で保持された後、処理面を下方に向け
ながら処理室1aに運ばれる。なお、ロボットアーム10は
基板３を保持する手段を備えていると共に水平方向に回
動可能で、かつ屈伸するように構成した２つのアームか
らなっている。処理室1aに運ばれた基板３は処理面を下
方に向けた姿勢で所定の真空処理が行われた後、再びロ
ボットアーム10で処理面を下方に向けながら、真空搬送
室５を経て処理室1bに運ばれ、処理面を下方に向けた姿
勢で次の真空処理が行われる。On the other hand, the unprocessed substrate 3 placed and left at the relay position 8 of the substrate 3 is held by the rotatable robot arm 10 in a posture in which the processing surface is directed downward, and then while the processing surface is directed downward. It is carried to the processing room 1a. The robot arm 10 is provided with means for holding the substrate 3 and is composed of two arms which are rotatable in the horizontal direction and are configured to bend and extend. The substrate 3 transferred to the processing chamber 1a is subjected to a predetermined vacuum processing in a posture in which the processing surface is directed downward, and then the processing arm is passed through the vacuum transfer chamber 5 while the processing surface is directed downward by the robot arm 10 again. It is transported to 1b and the next vacuum processing is performed with the processing surface facing downward.
基板３がロボットアーム10により処理室1bに運ばれた
とき、処理室1aには、前記と同様にして真空搬送室５内
のカセット4aから次の未処理の基板３が真空搬送室５内
の前記カセット4a上方に帰還した搬送チャック９及び中
継位置８に帰還したロボットアーム10により搬送され、
真空処理が施される。更に、処理室1bで真空処理された
基板３は、ロボットアーム10により処理面を下方に向け
た姿勢で真空搬送室５を経て処理室1cに運ばれ、処理面
を下方に向けた姿勢で次の真空処理が施される。When the substrate 3 is transferred to the processing chamber 1b by the robot arm 10, the next unprocessed substrate 3 is loaded into the processing chamber 1a from the cassette 4a in the vacuum transfer chamber 5 in the same manner as described above. Transported by the transport chuck 9 that has returned to above the cassette 4a and the robot arm 10 that has returned to the relay position 8,
Vacuum processing is performed. Further, the substrate 3 vacuum-processed in the processing chamber 1b is transferred to the processing chamber 1c via the vacuum transfer chamber 5 by the robot arm 10 with the processing surface facing downward, and is then moved to the processing chamber 1c with the processing surface facing downward. Is applied.
以上の真空処理が連続的に施された後、処理後の基板
３は、処理面を下方に向けた姿勢のまま再びロボットア
ーム10で中継位置８に運ばれる。更に、処理後の基板３
は処理面を下方に向けた姿勢で搬送チャック９によりチ
ャックされた後、その姿勢のまま、真空搬送室５内のカ
セット4aの上方まで搬送され、そこで、該カセット4aに
対し90゜回転されて、垂直姿勢にされ、前記基板リフト
（図示していない）に受け渡され、カセット4a内の取り
出されたときと全く同一のスリットの位置に戻され、一
連の真空処理が終了する。After the vacuum processing described above is continuously performed, the processed substrate 3 is transported again to the relay position 8 by the robot arm 10 with the processing surface facing downward. Furthermore, the processed substrate 3
Is chucked by the transfer chuck 9 with the processing surface facing downward, and then transferred to the position above the cassette 4a in the vacuum transfer chamber 5 in that position, where it is rotated 90 ° with respect to the cassette 4a. The cassette 4a is returned to the vertical position, returned to the substrate lift (not shown), returned to the same slit position as when it was taken out of the cassette 4a, and a series of vacuum processing is completed.
一方、カセット4aにセットされた基板３の真空処理中
に、バルブ2bを閉じ、予備真空室6bにN2や空気等を導入
し、大気圧とした後、バルブ2dを開け、複数枚の未処理
基板３を鉛直に収納したカセット4bを予備真空室6b内に
セットする。Meanwhile, in the vacuum processing of the substrate 3 which is set in the cassette 4a, closing the valve 2b, by introducing N 2 or air or the like to the auxiliary vacuum chamber 6b, after the atmospheric pressure, opening the valve 2d, a plurality Not A cassette 4b vertically storing the processing substrate 3 is set in the preliminary vacuum chamber 6b.
次に、バルブ2dを閉じ、予備真空室6bに備えた図示し
ていない真空ポンプで予備真空室6bを真空に排気し、バ
ルブ2bを開け、予備真空室6b内を真空搬送室５同程度の
高真空としておく。そして、カセット4aにセットされた
未処理基板３が全て真空搬送室５へ運び込まれた後、処
理室1a、1b、1cでの真空処理を終えて処理済基板３がす
べてカセット4aに戻されると、搬送機構７によりカセッ
ト4aが予備真空室6aに移動されるとともに、搬送機構７
によりカセット4bが予備真空室6bから、真空搬送室５に
移動されて、カセット4bにセットされた未処理基板３が
真空搬送室５に運ばれる。Next, the valve 2d is closed, the preliminary vacuum chamber 6b is evacuated by a vacuum pump (not shown) provided in the preliminary vacuum chamber 6b, and the valve 2b is opened. Keep high vacuum. Then, after all the unprocessed substrates 3 set in the cassette 4a are carried into the vacuum transfer chamber 5, the vacuum processing in the processing chambers 1a, 1b, and 1c is completed, and all the processed substrates 3 are returned to the cassette 4a. The cassette 4a is moved to the preliminary vacuum chamber 6a by the transfer mechanism 7, and the transfer mechanism 7
As a result, the cassette 4b is moved from the preliminary vacuum chamber 6b to the vacuum transfer chamber 5, and the unprocessed substrate 3 set in the cassette 4b is transferred to the vacuum transfer chamber 5.
次に、真空搬送室５に移されたカセット4b中の未処理
基板３は、前記カセット4a中の基板３に対して行われた
のと同様な態様で処理室1a、1b、1cに於いて一連の真空
処理に付され、その後カセット4bに戻される。そして、
カセット4bにセットされた基板３の前記真空処理中に予
備真空室ａに移動されたカセット4aに対しては、予備真
空室6aのバルブ2aを閉じ、予備真空室6aにN2又は空気を
導入して大気圧にした後、バルブ2cを開け、カセット4a
を搬出した後、カセット4aから処理済基板３を取り出
し、新たに複数枚の未処理基板３を鉛直に収納したカセ
ット4aを予備真空室6a内にセットし、バルブ2cを閉じ、
予備真空室6aを真空に排気し、その後、バルブ2aを開け
ておく。Next, the unprocessed substrates 3 in the cassette 4b transferred to the vacuum transfer chamber 5 are processed in the processing chambers 1a, 1b, and 1c in the same manner as performed on the substrates 3 in the cassette 4a. After being subjected to a series of vacuum processes, it is returned to the cassette 4b. And
For cassettes 4a that has been moved to the preliminary vacuum chamber a into the vacuum processing of the substrate 3 which is set in the cassette 4b, closing the valve 2a of the auxiliary vacuum chamber 6a, introducing N 2 or air in the preliminary vacuum chamber 6a To atmospheric pressure, then open valve 2c and load cassette 4a
After unloading, the processed substrate 3 is taken out of the cassette 4a, a cassette 4a in which a plurality of unprocessed substrates 3 are vertically stored is set in the preliminary vacuum chamber 6a, and the valve 2c is closed.
The preliminary vacuum chamber 6a is evacuated to a vacuum, and then the valve 2a is opened.
そして、カセット4bにセットされた未処理基板３が処
理室1a、1b、1cでの一連の真空処理を終えて全てカセッ
ト4bに戻されると、このカセット4bが搬送機構７により
真空搬送室５から真空予備室6bに移動される。そして、
搬送機構７により待機していたカセット4aが予備真空室
6aから真空搬送室５に移動されて、カセット4aにセット
された未処理基板３が真空搬送室５に運ばれる。つい
で、真空搬送室５に移されたカセット4a中の未処理基板
３は、前記と同様の手順と態様で処理室1a、1b、1cに於
いて一連の真空処理に付されたのち、カセット4aに戻さ
れる。一方、予備真空室6b内移動されたカセット4bに対
しては、バルブ2bを閉じ、予備真空室6bにN2又は空気を
導入して大気圧にした後、バルブ2dを開けカセット4bを
搬出し、このカセット4bから処理済基板３を取り出し、
新たに複数枚の未処理基板３を鉛直に収納したカセット
4bを予備真空6b内にセットし、バルブ2dを閉じ、予備真
空室6bを真空に排気し、バルブ2bを開ける。When all the unprocessed substrates 3 set in the cassette 4b have been returned to the cassette 4b after a series of vacuum processes in the processing chambers 1a, 1b, 1c, the cassette 4b is transferred from the vacuum transfer chamber 5 by the transfer mechanism 7. It is moved to the vacuum preparatory chamber 6b. And
The cassette 4a waiting by the transport mechanism 7 is moved to the preliminary vacuum chamber.
The unprocessed substrate 3 set in the cassette 4a is transferred to the vacuum transfer chamber 5 from the 6a. Next, the unprocessed substrate 3 in the cassette 4a transferred to the vacuum transfer chamber 5 is subjected to a series of vacuum processing in the processing chambers 1a, 1b, and 1c in the same procedure and manner as described above, and then the cassette 4a Is returned to. On the other hand, for the cassette 4b which has been moved preliminary vacuum chamber 6b, closing the valve 2b, after the atmospheric pressure by introducing N 2 or air in the preliminary vacuum chamber 6b, it carries the cassette 4b open the valve 2d Then, the processed substrate 3 is taken out from the cassette 4b,
A cassette that newly stores a plurality of unprocessed substrates 3 vertically
4b is set in the preliminary vacuum 6b, the valve 2d is closed, the preliminary vacuum chamber 6b is evacuated to a vacuum, and the valve 2b is opened.
このように予備真空室が２室6a、6bから構成されてい
るため、１つのカセット4a内の基板３を取り出して処理
室で真空処理している間に、他のカセット4bを一方の予
備真空室から取り出すことができるため、基板３の真空
処理能力を低下させることなく、カセット4a、4bの交換
が可能である。そればかりでなく、予備真空室6a、6bへ
のN2又は空気等の導入時間、排気時間を予備真空室6a、
6b内のゴミが舞い上がらない程度長くしても、処理能力
にはほとんど影響がない。Since the preliminary vacuum chamber is thus composed of the two chambers 6a and 6b, while the substrate 3 in one cassette 4a is taken out and vacuum-processed in the processing chamber, the other cassette 4b is moved to one of the preliminary vacuum chambers. The cassettes 4a and 4b can be replaced without lowering the vacuum processing capacity of the substrate 3 because the cassettes 4a and 4b can be taken out of the chamber. It is not only the preliminary vacuum chamber 6a, the introduction time such as N 2 or air to 6b, the auxiliary vacuum chamber 6a of the evacuation time,
Even if the garbage in 6b is long enough not to rise, there is almost no effect on the processing capacity.
さらに基板３は、予備真空室6a、6b内では、処理面を
水平面に対して鉛直に、また真空搬送室内では、基板３
がカセット4a、4bに鉛直に収納されて予備真空室6a、6b
から真空搬送室５へ搬入された後、前記基板リフトによ
ってカセット4a、4bから押上げられた基板を保持した状
態で90゜回転させ水平にし処理面を下方に向けて搬送す
るため、処理面へのゴミの付着がきわめて少ない真空処
理が可能である。Further, the substrate 3 has a processing surface perpendicular to a horizontal plane in the preliminary vacuum chambers 6a and 6b, and a substrate 3 in the vacuum transfer chamber.
Are stored vertically in the cassettes 4a and 4b, and the preliminary vacuum chambers 6a and 6b
After being carried into the vacuum transfer chamber 5, the substrate lifted from the cassettes 4a and 4b by the substrate lift is rotated 90 degrees while holding the substrate, and is horizontally moved to the processing surface in order to transfer the processing surface downward. It is possible to perform vacuum processing with very little dust attached.
次に、第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図である。真
空搬送室５の下部には処理室1a及び1cが配置されてい
る。一方の処理室1aは、平行平板型リアクティブエッチ
ング処理が可能な処理室である。当該処理室1a内には、
シールド11と絶縁物12で囲まれたカソード13と、当該カ
ソード13に対向して設置電位のアノード14が平行して設
けられている。基板３は、基板保持リング15aにより上
記カソード13面に固定されている。また、処理室1aの周
囲には、回転磁界発生装置16が取り付けられている。Next, FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. Processing chambers 1a and 1c are arranged below the vacuum transfer chamber 5. One processing chamber 1a is a processing chamber capable of performing a parallel plate type reactive etching process. In the processing chamber 1a,
A cathode 13 surrounded by a shield 11 and an insulator 12 and an anode 14 having a set potential are provided in parallel to the cathode 13. The substrate 3 is fixed to the cathode 13 by a substrate holding ring 15a. A rotating magnetic field generator 16 is mounted around the processing chamber 1a.
また他方の処理室1cは、プラズマ発生室17と、ハロゲ
ン赤外線ランプで構成された基板加熱機構18を備えたプ
ラズマ処理室である。The other processing chamber 1c is a plasma processing chamber including a plasma generation chamber 17 and a substrate heating mechanism 18 constituted by a halogen infrared lamp.
次に第２図を用い、Al合金膜のドライエッチングを行
う場合について詳細に説明する。Next, the case where dry etching of the Al alloy film is performed will be described in detail with reference to FIG.
処理室1aに基板３を搬送するときは、シールド11、絶
縁物12、基板載置台であるカソード13の外側に設けたバ
ルブ2eが基板保持リング15aと共に真空搬送室５内を上
昇し、基板保持リング15aの位置がロボットアーム10の
高さ位置まで上昇し（この際、同時に基板保持リング15
aをバルブ2eに対して相対的に単独で下降させてお
く。）第１図に示した中継位置８から受け渡された基板
３を保持したロボットアーム10が回動して基板保持リン
グ15a上に当該基板３を搬送する。When the substrate 3 is transferred to the processing chamber 1a, the shield 11, the insulator 12, and the valve 2e provided outside the cathode 13 serving as the substrate mounting table rise in the vacuum transfer chamber 5 together with the substrate holding ring 15a to hold the substrate. The position of the ring 15a rises to the level of the robot arm 10 (at this time, the substrate holding ring 15
a is independently lowered relative to the valve 2e. 1) The robot arm 10 holding the substrate 3 delivered from the relay position 8 shown in FIG. 1 rotates and transports the substrate 3 onto the substrate holding ring 15a.
次に、基板保持リング15aを単独で上昇させて、基板
３をカソード13の下面に密着させる。この密着させた状
態でバルブ2eを基板保持リング15aと共に下降させ、処
理室1aを真空搬送室５から隔離する。処理室1aを真空搬
送室５から隔離すると、アノード14に連結されたガス導
入管19より塩素原子を含む反応性ガスを導入する。この
反応性ガスは、排気導管20aを通して当該排気導管に直
結されたターボ分子ポンプ（図示していない）により排
気されながら、処理室1aは反応性ガスで所定の圧力に保
持される。Next, the substrate holding ring 15a is individually raised to bring the substrate 3 into close contact with the lower surface of the cathode 13. In this state, the valve 2e is lowered together with the substrate holding ring 15a to isolate the processing chamber 1a from the vacuum transfer chamber 5. When the processing chamber 1 a is isolated from the vacuum transfer chamber 5, a reactive gas containing chlorine atoms is introduced from a gas introduction pipe 19 connected to the anode 14. While the reactive gas is exhausted by a turbo-molecular pump (not shown) directly connected to the exhaust conduit through the exhaust conduit 20a, the processing chamber 1a is maintained at a predetermined pressure by the reactive gas.
次に処理室1aの外側に設けた回転磁界発生装置16に交
流電圧を印加し、カソード13面に対して平行な回転磁界
を発生させる。そして、カソード13に、13.56MHzの高周
波電圧を印加すると、磁場によりプラズマ密度の増加し
た反応性ガスプラズマが生じ、Al合金のエッチングが進
行する。特に、磁場によりプラズマ密度が増加したエッ
チングにより、Al−Cu合金のCu残査を効果的に除去でき
る。Next, an AC voltage is applied to the rotating magnetic field generator 16 provided outside the processing chamber 1a to generate a rotating magnetic field parallel to the cathode 13 surface. When a high frequency voltage of 13.56 MHz is applied to the cathode 13, a reactive gas plasma having an increased plasma density is generated by the magnetic field, and the etching of the Al alloy proceeds. In particular, Cu residue of the Al-Cu alloy can be effectively removed by etching in which the plasma density is increased by the magnetic field.
エッチングが終了すると、反応性ガスの導入を止め、
処理室1aを真空に排気した後、ターボ分子ポンプ直前の
バルブ（図示していない）を閉じ、バルブ2eを基板保持
リング15aと共に上昇させ、基板保持リング15aを単独で
下降させ、基板保持リング15aの高さ位置をロボットア
ーム10の高さの位置に整合させ、ロボットアーム10によ
り、基板３を回収する。When the etching is completed, stop introducing the reactive gas,
After the processing chamber 1a is evacuated to a vacuum, a valve (not shown) immediately before the turbo molecular pump is closed, the valve 2e is raised together with the substrate holding ring 15a, the substrate holding ring 15a is independently lowered, and the substrate holding ring 15a is lowered. Is aligned with the height position of the robot arm 10, and the robot arm 10 collects the substrate 3.
次に、このロボットアーム10を回動屈伸させることに
より、処理室1cの基板保持リング15bに基板３載置す
る。そして、基板保持リング15bを単独で上昇させ基板
加熱台21に基板３を保持する。この状態でバルブ2fを基
板保持リング15bと共に下降させ、バルブ2fのフランジ
部の下端外側部2gを真空搬送室５の下側部5aに圧接する
ようにすることにより、処理室1cを室空搬送室５から隔
離する。Next, the substrate 3 is placed on the substrate holding ring 15b of the processing chamber 1c by rotating and bending the robot arm 10. Then, the substrate holding ring 15b is raised independently to hold the substrate 3 on the substrate heating table 21. In this state, the valve 2f is lowered together with the substrate holding ring 15b, and the lower end outer portion 2g of the flange portion of the valve 2f is pressed against the lower portion 5a of the vacuum transfer chamber 5 to transfer the processing chamber 1c to the inside of the chamber. Isolate from room 5.
排気導管20bに接続された処理室1cとは別に設けたタ
ーボ分子ポンプにより真空に排気しながら基板加熱機構
18により、基板３を200℃以上に加熱する。次に、プラ
ズマ発生室17に連結したガス導入管（図示していない）
よりO2ガスを導入し、排気導管20bより排気しながら、
高周波電極22に高周波を印加し、O2ガスプラズマを発生
させ、プラズマによって生じたO2ラジカルを基板３に吹
き付け、アルミエッチングを行った基板３上にアルミエ
ッチングのマスクとして残っているフォトレジストをプ
ラズマ剥離する。このプラズマ剥離による後処理によっ
てアルミニウム合金膜エッチングで問題となるアフター
コロージョンを抑制することが可能である。A substrate heating mechanism while evacuating to a vacuum by a turbo-molecular pump provided separately from the processing chamber 1c connected to the exhaust conduit 20b
In step 18, the substrate 3 is heated to 200 ° C. or higher. Next, a gas introduction pipe (not shown) connected to the plasma generation chamber 17
While introducing more O 2 gas and exhausting from the exhaust conduit 20b,
A high frequency is applied to the high-frequency electrode 22 to generate O 2 gas plasma, and O 2 radicals generated by the plasma are sprayed on the substrate 3 to remove the photoresist remaining on the aluminum-etched substrate 3 as a mask for aluminum etching. Plasma exfoliation. This post-treatment by plasma stripping can suppress after-corrosion, which is a problem in etching the aluminum alloy film.
プラズマ剥離終了後、ガス導入を止め、処理室1cを真
空に排気後、バルブ2fを基板保持リング15bと共に上昇
し、基板保持リング15bを単独でロボットアーム10の高
さの位置まで下降させ、ロボットアーム10により基板３
を回収する。After the plasma stripping is completed, the gas introduction is stopped, the processing chamber 1c is evacuated to a vacuum, the valve 2f is raised together with the substrate holding ring 15b, and the substrate holding ring 15b is independently lowered to the position of the robot arm 10 to remove the robot. Substrate 3 by arm 10
Collect.
以上の処理を行った後、処理済基板３を第１図におい
て説明したように、中継位置８で搬送チャック９により
チャッキングしながら図示していない前記基板リフトを
介して真空搬送室５中で待機しているカセット4aに回収
する。アルミニウム合金のエッチングの場合、高真空に
排気された真空搬送室５を通して処理室においてアルミ
ニウム合金膜をエッチングするため、残留ガスの影響の
ない非常に優れた再現性でエッチング処理が可能であ
る。After performing the above processing, the processed substrate 3 is chucked by the transfer chuck 9 at the relay position 8 in the vacuum transfer chamber 5 through the substrate lift (not shown) as described in FIG. Collect it in the waiting cassette 4a. In the case of etching an aluminum alloy, the aluminum alloy film is etched in the processing chamber through the vacuum transfer chamber 5 evacuated to a high vacuum, so that the etching can be performed with very good reproducibility without being affected by residual gas.
また、エッチング室（第２図における処理室1aに相
当）と、後処理室（第２図における処理室1cに相当）
が、真空搬送室５により隔てられて分離されているた
め、後処理室1cには、エッチング室1aのエッチングガス
CC14等が残留することはない。従って、非常に効果的な
コロージョンの抑制が可能となる。An etching chamber (corresponding to the processing chamber 1a in FIG. 2) and a post-processing chamber (corresponding to the processing chamber 1c in FIG. 2)
Are separated and separated by the vacuum transfer chamber 5, so that the post-processing chamber 1c has an etching gas in the etching chamber 1a.
CC14 and the like do not remain. Therefore, extremely effective suppression of corrosion can be achieved.
更に、基板３の処理表面が下方に向けて搬送されると
ともに、真空処理が行われるため、多数枚エッチング処
理したとき、アノード14に付着する反応生成物が大きな
ゴミとなって基板３上に落下し、エッチング処理の欠陥
となることを防ぐことができ、エッチング処理室のクリ
ーニング頻度を低減させることができる。Furthermore, since the processing surface of the substrate 3 is transported downward and vacuum processing is performed, when a large number of substrates are etched, the reaction products adhering to the anode 14 become large dust and drop onto the substrate 3. However, it is possible to prevent a defect in the etching treatment, and to reduce the frequency of cleaning the etching treatment chamber.
以上、第１図及び第２図に示した実施例にかかる装置
によれば、ゴミの発生が少なく、効果的にコロージョン
の抑制処理がなされたアルミニウム合金膜のエッチング
を高い生産性で行うことが可能である。As described above, according to the apparatus according to the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the generation of dust is small, and the etching of the aluminum alloy film subjected to the corrosion suppression processing can be performed with high productivity. It is possible.
次に、第３図は、本発明の他の実施例を示したもので
あり、アルミニウム合金膜のエッチング後のコロージョ
ンの発生を完全に抑制した装置である。なお、予備真空
室から複数枚の基板を鉛直にセットしたカセットを真空
搬送室に搬送し、処理室で基板の真空処理を行い、処理
済基板全部を該カセットに回収した後、該カセットを真
空搬送室から前記予備真空室へ戻す点については、前記
実施例と同一構成で行うので、それについては説明を省
略する。また、前記実施例と同一の構成部材については
同一の符号をもって説明する。Next, FIG. 3 shows another embodiment of the present invention, which is an apparatus in which the occurrence of corrosion after etching of an aluminum alloy film is completely suppressed. A cassette in which a plurality of substrates are set vertically from the preliminary vacuum chamber is transferred to a vacuum transfer chamber, the substrates are vacuum-processed in a processing chamber, and all the processed substrates are collected in the cassette. The point of returning from the transfer chamber to the preliminary vacuum chamber is the same as that of the above embodiment, so that the description thereof is omitted. The same components as those in the above embodiment will be described using the same reference numerals.
当該装置は、３つの処理室1a、1b、1cを下部に配置し
た真空搬送室５には、２の予備真空室6a、6bが連結され
ている。そして、これらの予備真空室6a、6bのバルブ2
c、2dの前面には、カセット4a、4bの移動スペース24を
設け、当該移動スペース24内には、上記バルブ2c、2dの
前面に予備真空室6a、6bからのカセット取出し機構23
a、23bを設けている。更に、カセット設置位置25a、25b
から加熱炉の前面までカセット4a、4bを搬送するカセッ
トロボット27を設け、更に、処理済基板３の入ったカセ
ット（例えば、カセット4a）を加熱炉26の前面のカセッ
ト設置位置25Cから加熱炉26に搬送するための搬送機構2
8を設けている。In the apparatus, two preliminary vacuum chambers 6a and 6b are connected to a vacuum transfer chamber 5 in which three processing chambers 1a, 1b and 1c are arranged at a lower part. And the valve 2 of these preliminary vacuum chambers 6a and 6b
A moving space 24 for cassettes 4a and 4b is provided on the front surface of c and 2d, and a cassette take-out mechanism 23 from the pre-vacuum chambers 6a and 6b is provided on the front surface of the valves 2c and 2d in the moving space 24.
a and 23b are provided. Furthermore, cassette installation positions 25a and 25b
And a cassette robot 27 for transporting the cassettes 4a and 4b from the front to the front of the heating furnace, and further, a cassette (for example, the cassette 4a) containing the processed substrate 3 is moved from the cassette installation position 25C on the front of the heating furnace 26 to the heating furnace 26. Transport mechanism 2 for transport to
8 are provided.
以下には、当該装置の動作を説明する。カセットスト
ッカ（図示していない）セットされた複数枚の未処理基
板３を鉛直に収納したカセットロボット27が搬送し、カ
セット設置位置25aにセットし、同時に予備真空室6aの
真空を破り、大気圧とした後、バルブ2cを開け、カセッ
ト取り出し機構23aによりカセット4aを予備真空室6aに
搬送する。Hereinafter, the operation of the device will be described. A plurality of unprocessed substrates 3 set in a cassette stocker (not shown) are transported vertically by a cassette robot 27 which stores the unprocessed substrates 3 and set in a cassette installation position 25a. At the same time, the vacuum in the preliminary vacuum chamber 6a is broken and the atmospheric pressure is released. After that, the valve 2c is opened, and the cassette 4a is transported to the preliminary vacuum chamber 6a by the cassette removal mechanism 23a.
そして、バルブ2cを閉じ、予備真空室6aに備えた図示
していない真空ポンプにより予備員空室6aを真空に排気
する。真空排気完了後、基板３の処理室での真空処理の
間に、カセットストッカ（図示していない）から次の複
数枚の未処理基板３を鉛直に収納したカセット4bをカセ
ットロボット27が取り出し、カセット設置位置25bにセ
ットする。Then, the valve 2c is closed, and the vacuum chamber 6a is evacuated by a vacuum pump (not shown) provided in the vacuum chamber 6a. After the evacuation is completed, during the vacuum processing of the substrate 3 in the processing chamber, the cassette robot 27 takes out the cassette 4b vertically storing the next plurality of unprocessed substrates 3 from the cassette stocker (not shown), Set it in the cassette installation position 25b.
同様の手順により、カセット4bを予備真空室6bにセッ
トする。予備真空室6a内のカセットの未処理基板３につ
いて処置室での真空処理が終了した後、処理済基板３を
収納したカセット4aを真空搬送室５から予備真空室6aに
搬送し、未処理基板３を収納したカセット4bを予備真空
室6b内から、真空搬送室５に搬送することにより真空搬
送室５内のカセットを入れ替え、それからカセット4bに
収納されている未処理基板３について処置室での真空処
理を行い、そして、再び予備真空室6aを大気圧とし、処
理済基板３の入ったカセット4aをカセット取出機構23a
によりカセット設置位置25aに取り出す。次いで、ロボ
ット27がこのカセット4aを取り上げ、図示のように加熱
炉26の前面のカセット設置位置25cに搬送する。そし
て、加熱炉のバルブ29を開け、カセット搬送機構28によ
りカセット4aを加熱炉26に入れ、バルブ29を閉じ150℃
で加熱処理を30分行い、再びバルブ29を開き、搬送機構
28でカセット4aを取り出す。この間に予備真空室6aには
新しい未処理基板３の入ったカセットをセットし、次の
真空処理（エッチング処理）に備える。加熱炉26より取
り出したカセット内の処理基板３は、次工程へ運ばれ次
の処理を行う。By the same procedure, the cassette 4b is set in the preliminary vacuum chamber 6b. After the vacuum processing in the treatment room for the unprocessed substrate 3 in the cassette in the preliminary vacuum chamber 6a is completed, the cassette 4a containing the processed substrate 3 is transported from the vacuum transport chamber 5 to the preliminary vacuum chamber 6a. The cassette in the vacuum transfer chamber 5 is exchanged by transferring the cassette 4b storing the cassette 3 from the preliminary vacuum chamber 6b to the vacuum transfer chamber 5, and then the unprocessed substrates 3 stored in the cassette 4b are processed in the treatment room. Vacuum processing is performed, and the pre-vacuum chamber 6a is again brought to the atmospheric pressure, and the cassette 4a containing the processed substrate 3 is removed from the cassette take-out mechanism 23a.
Is taken out to the cassette installation position 25a. Next, the robot 27 picks up the cassette 4a and transfers it to the cassette installation position 25c on the front of the heating furnace 26 as shown in the figure. Then, the valve 29 of the heating furnace is opened, the cassette 4a is put into the heating furnace 26 by the cassette transport mechanism 28, and the valve 29 is closed to 150 ° C.
Heat treatment for 30 minutes, open the valve 29 again, and
At 28, take out the cassette 4a. During this time, a cassette containing a new unprocessed substrate 3 is set in the preliminary vacuum chamber 6a to prepare for the next vacuum processing (etching processing). The processing substrate 3 in the cassette taken out from the heating furnace 26 is carried to the next step to perform the next processing.
以上の装置により、ほとんど完全にAl合金膜エッチン
グ後のアフターコロージョンを抑制することが可能であ
る。更に、加熱炉と真空処理装置の間に処理済基板をセ
ットしたカセットを純水に完全に浸すことのできる水洗
槽と水洗とした基板を乾燥させる乾燥器を設置し、真空
処理装置の予備真空室から搬出した、処理済基板を収納
したカセットを、加熱炉へ移す途中で、前記水洗槽と前
記乾燥器とを経由させる移送機構を設けて、予備真空室
から搬出したカセットに収納された処理済基板に、加熱
炉における加熱処理の前工程として、水洗槽における水
洗処理と乾燥器における乾燥処理とを施すようにすれ
ば、更に完全にアフターコロージョンを抑制することが
可能である。The above apparatus makes it possible to almost completely suppress after-corrosion after etching the Al alloy film. Furthermore, between the heating furnace and the vacuum processing apparatus, a washing tank capable of completely immersing the cassette in which the processed substrates are set in pure water and a dryer for drying the rinsed substrates are provided. A transfer mechanism for passing the cassette containing the processed substrates taken out of the chamber and passing the processed substrates through the washing tank and the dryer during the transfer to the heating furnace is provided, and the processing contained in the cassette taken out of the preliminary vacuum chamber is provided. If the finished substrate is subjected to a rinsing process in a rinsing tank and a drying process in a drier as a pre-process of a heating process in a heating furnace, it is possible to further completely suppress after-corrosion.
前記両実施例では、３つ又は２つの処理室に基板が次
々に搬送され真空処理を行う方式について説明したが、
本発明はこのような方式に限定されることはなく、例え
ば、異なった基板が互いに異なった処理室で真空処理さ
れる、いわゆる並列処理方式であってもよい。また、各
処理室は、平行平板RIEやプラズマ処理装置に限定され
ることはなく、例えば、アノードカップル型処理装置若
しくはμ波によるプラズマ発生装置又はECRを利用した
エッチング若しくは薄膜付着装置であってもよい。さら
に、紫外光を利用した紫外光によるフォトレジスト硬化
装置又はオゾン発生源からオゾンを導入しオゾン処理す
る装置であってもよい。In both of the above embodiments, a method in which substrates are sequentially transferred to three or two processing chambers to perform vacuum processing has been described.
The present invention is not limited to such a method. For example, a so-called parallel processing method in which different substrates are vacuum-processed in different processing chambers may be used. Further, each processing chamber is not limited to a parallel plate RIE or a plasma processing apparatus, and may be, for example, an anode-coupled processing apparatus, a plasma generator using microwaves, or an etching or thin film deposition apparatus using ECR. Good. Furthermore, a photoresist hardening device using ultraviolet light using ultraviolet light or an apparatus for introducing ozone from an ozone generation source and performing ozone treatment may be used.
また、特に回転磁界発生装置を備えている必要はな
く、処理室の数も前記のように３つ又は２つに限定され
ることはなく、少なくとも２つ以上であればよい。さら
に、処理室で使用されるガスもO2ガスや塩素ガス以外の
フレオン系ガスやN2ガス等を含む全てのガスが使用可能
である。また、カセットは同一の予備真空室内を往復し
たが、未処理基板をセットしたカセットが一方の予備真
空室から出て、処理済基板を収納したカセットを、他方
の予備真空室に収納することも可能である。Further, it is not particularly necessary to provide a rotating magnetic field generator, and the number of processing chambers is not limited to three or two as described above, and it is sufficient that at least two or more processing chambers are provided. Further, as the gas used in the processing chamber, all gases including freon-based gases other than O 2 gas and chlorine gas, N 2 gas and the like can be used. Although the cassette reciprocated in the same preliminary vacuum chamber, the cassette in which the unprocessed substrates were set exits from one of the preliminary vacuum chambers, and the cassette containing the processed substrates may be stored in the other preliminary vacuum chamber. It is possible.
また、同一カセットから基板を取り出し、処理済基板
を回収したが、予め定められた別のカセットに回収して
もよい。また、加熱炉における加熱処理条件も本実施例
で示した条件に限定されない。Further, although the substrates are taken out from the same cassette and the processed substrates are collected, they may be collected in another predetermined cassette. Further, the heat treatment conditions in the heating furnace are not limited to the conditions described in this embodiment.
（発明の効果） 本発明の真空処理装置によれば、基板の処理面に発生
するゴミの発生を抑制することができるとともに、真空
処理の生産性を向上させることができる。(Effect of the Invention) According to the vacuum processing apparatus of the present invention, it is possible to suppress the generation of dust generated on the processing surface of the substrate and to improve the productivity of the vacuum processing.
更に、アルミニウム合金のエッチング等で、アフター
コロージョンを発生させず、再現性の良い真空処理を行
うことができる。Furthermore, vacuum processing with good reproducibility can be performed without generating after-corrosion due to etching of an aluminum alloy or the like.
第１図は本発明の実施例を示した真空処理装置の概略一
部透視平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、第３
図は本発明の他の実施例を示した真空処理装置の概略一
部透視平面図、第４図及び第５図は従来の真空処理装置
の概略図である。 1a、1b、1c……処理室、2a、2b、2c、2d、2e、2f……バ
ルブ、３……基板、４、4a、4b……カセット、５……真
空搬送室、６、6a、6b……予備真空室、７……カセット
搬送機構、８……基板中継位置、９……搬送チャック、
10……ロボットアーム、26……加熱炉。FIG. 1 is a schematic partially transparent plan view of a vacuum processing apparatus showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.
FIG. 4 is a schematic partial perspective plan view of a vacuum processing apparatus showing another embodiment of the present invention, and FIGS. 4 and 5 are schematic views of a conventional vacuum processing apparatus. 1a, 1b, 1c ... processing chamber, 2a, 2b, 2c, 2d, 2e, 2f ... valve, 3 ... substrate, 4, 4a, 4b ... cassette, 5 ... vacuum transfer chamber, 6, 6a, 6b: Preliminary vacuum chamber, 7: Cassette transfer mechanism, 8: Substrate relay position, 9: Transfer chuck,
10 ... Robot arm, 26 ... Heating furnace.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和仁 悦夫 東京都府中市四谷５―８―１ 日電アネ ルバ株式会社内 (72)発明者 高橋 秀輝 東京都府中市四谷５―８―１ 日電アネ ルバ株式会社内 合議体 審判長 荻島 俊治 審判官 高梨 操 審判官 唐戸 光雄 (56)参考文献 特開 昭62−50463（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−69966（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−44571（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−175173（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−76790（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−265223（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−81230（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−128146（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−196240（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−123879（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−133388（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−78633（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭44−2326（ＪＰ，Ｂ１) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Etsuo Kazuto 5-8-1 Yotsuya, Fuchu-shi, Tokyo Within Nidec Anelva Co., Ltd. (72) Hideki Takahashi 5-8-1 Yotsuya, Fuchu-shi, Tokyo Nidec Anelva In-house joint-reviewer, Jury President Shunji Ogishima Judge Takanashi Judge Mitsuo Karato (56) References JP-A-62-50463 (JP, A) JP-A-61-69966 (JP, A) JP-A 62-44571 (JP, A) JP-A-58-175173 (JP, A) JP-A-59-76790 (JP, A) JP-A-61-265223 (JP, A) JP-A-62-81230 (JP, A) JP-A-62-128146 (JP, A) JP-A-62-196240 (JP, A) JP-A-58-123879 (JP, A) JP-A-61-133388 (JP, A) JP, U) JP-B44-2326 (JP, B1)
Claims (11)
真空室と、真空搬送室と、複数の処理室とを備え、予備
真空室内の基板を真空搬送室を経由して任意の処理室へ
搬送し、該基板を該処理室で真空処理した後、再び該真
空搬送室を経由して他の任意の処理室へ搬送し、該基板
を他の任意の処理室で真空処理した後、再び該真空搬送
室を経由し予備真空室へ戻す真空処理装置において、 各々独立に大気開放、真空排気できる機構を備え、鉛直
に設置した複数枚の基板を収納するカセットを搬入また
は搬出する予備真空室を少なくとも２個設け、該カセッ
トを真空中で予備真空室と真空搬送室との間で往復移送
する搬送機構を備えるとともに、該真空搬送室へ搬送さ
れた前記カセットから未処理基板を順次該真空処理室へ
搬送し、かつ該真空処理室で真空処理した処理済基板を
真空搬送室に搬送された前記カセットに引き渡す移送機
構を備え、 前記移送機構が、 予備真空室より真空搬送室へ搬送されたカセットから基
板を押し上げる基板押上手段と、 押し上げられた基板を保持する基板保持手段と、基板を
保持した状態で90゜回転させ基板を水平にする基板回転
手段を備え、水平方向に回転可能な第１移送機構と、 基板を保持する基板保持手段を備え、水平方向に回動可
能でかつ屈伸するように構成した少なくとも２つのアー
ムから成る第２移送機構とを有することを特徴とする、 前記基板を予備真空室内では処理面を水平面に対して鉛
直にし、真空搬送室では基板がカセットに鉛直に収納さ
れて予備真空室から真空搬送室へ搬入された後、前記基
板押上手段によってカセットから押し上げられた該基板
を保持した状態で90゜回転させ水平にし、処理面を下方
に向けて搬送し、所定の中継位置で第１及び第２移送機
構相互間で基板の受け渡しをする真空処理装置。1. A preliminary vacuum chamber which can be made airtight by a valve, a vacuum transfer chamber, and a plurality of processing chambers, and a substrate in the preliminary vacuum chamber is transferred to an arbitrary processing chamber via the vacuum transfer chamber. After the substrate is vacuum-processed in the processing chamber, the substrate is again transferred to another arbitrary processing chamber via the vacuum transfer chamber, and the substrate is vacuum-processed in another arbitrary processing chamber. A vacuum processing device that returns to the preliminary vacuum chamber via the vacuum transfer chamber, has a mechanism that can be independently opened to the atmosphere and evacuated, and has a preliminary vacuum chamber for loading or unloading a vertically installed cassette that stores a plurality of substrates. At least two of the cassettes are provided with a transfer mechanism for reciprocating the cassette between a preliminary vacuum chamber and a vacuum transfer chamber in a vacuum, and the unprocessed substrates are sequentially processed from the cassette transferred to the vacuum transfer chamber by the vacuum processing. To the chamber and the vacuum A transfer mechanism for transferring the processed substrate vacuum-processed in the processing chamber to the cassette transferred to the vacuum transfer chamber, wherein the transfer mechanism pushes the substrate from the cassette transferred from the preliminary vacuum chamber to the vacuum transfer chamber; A first transfer mechanism rotatable in the horizontal direction, comprising: substrate holding means for holding the pushed substrate; substrate rotating means for rotating the substrate by 90 ° while holding the substrate to make the substrate horizontal; And a second transfer mechanism comprising at least two arms configured to be rotatable in the horizontal direction and to bend and elongate. In the vacuum transfer chamber, the substrates are stored vertically in a cassette and are loaded into the vacuum transfer chamber from the preliminary vacuum chamber. Vacuum processing in which the substrate lifted up from above is rotated by 90 ° to be horizontal while being held, and the processing surface is conveyed downward, and the substrate is transferred between the first and second transfer mechanisms at a predetermined relay position. apparatus.
送室と処理室とを隔離する真空隔離手段を設けたことを
特徴とする請求項１記載の真空処理装置。2. The vacuum processing apparatus according to claim 1, further comprising vacuum isolation means for vertically moving within the vacuum transfer chamber and isolating the vacuum transfer chamber from the processing chamber.
で処理室と真空搬送室とを分離するバルブを備えている
ことを特徴とする請求項２記載の真空処理装置。3. The vacuum processing apparatus according to claim 2, wherein the vacuum isolating means includes a valve for separating the processing chamber and the vacuum transfer chamber at a lowermost position of the vacuum transfer chamber.
を備えていることを特徴とする請求項２又は３記載の真
空処理装置。4. The vacuum processing apparatus according to claim 2, wherein the vacuum isolating means has a vertically movable substrate holding mechanism.
機構を備えていることを特徴とする請求項２もしくは３
又は４記載の真空処理装置。5. The apparatus according to claim 2, wherein at least one vacuum isolating means has a substrate heating mechanism.
Or the vacuum processing apparatus according to 4.
した真空排気ポンプを備えていることを特徴とする請求
項１記載の真空処理装置。6. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the vacuum transfer chamber and the plurality of processing chambers have independent vacuum pumps.
処理可能な平行平板電極を設置したプラズマ処理室であ
ることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。7. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein at least one processing chamber is a plasma processing chamber in which parallel plate electrodes capable of processing one substrate at a time are installed.
で回転する回転磁界を発生させる機構を備えたことを特
徴とする請求項７記載の真空処理装置。8. The vacuum processing apparatus according to claim 7, further comprising a mechanism for generating a rotating magnetic field that rotates on a plane parallel to the electrode surface around the plasma processing chamber.
室を備えたことを特徴とする請求項１記載の真空処理装
置。9. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein at least one processing chamber has a plasma generation chamber.
備真空室と、真空搬送室と、複数の処理室とを備え、予
備真空室内の基板を真空搬送室を経由して任意の処理室
へ搬送し、該基板を該処理室で真空処理した後、再び該
真空搬送室を経由して他の任意の処理室へ搬送し、該基
板を他の任意の処理室で真空処理した後、再び該真空搬
送室を経由し予備真空室へ戻す真空処理装置において、 各々独立に大気開放、真空排気できる機構を備え、鉛直
に設置した複数枚の基板を収納するカセットを搬入また
は搬出する予備真空室を少なくとも２個設け、該カセッ
トを真空中で予備真空室と真空搬送室との間で往復移送
する搬送機構を備えるとともに、該真空搬送室へ搬送さ
れた前記カセットから未処理基板を順次該真空処理室へ
搬送し、かつ該真空処理室で真空処理した処理済基板を
真空搬送室に搬送された前記カセットに引き渡す移送機
構を備え、 該予備真空室の大気側に、カセットに収納した処理済基
板を100℃以上に加熱可能な少なくとも一つの加熱炉を
設置し、かつ該予備真空室より処理済基板を収納したカ
セットを取り出し、該カセットを該加熱炉へ移動する機
構を備えたことを特徴とする真空処理装置。10. A pre-vacuum chamber which can be made airtight by a valve, a vacuum transfer chamber, and a plurality of processing chambers, and a substrate in the pre-vacuum chamber is transferred to an arbitrary processing chamber via the vacuum transfer chamber. After the substrate is vacuum-processed in the processing chamber, the substrate is again transferred to another arbitrary processing chamber via the vacuum transfer chamber, and the substrate is vacuum-processed in another arbitrary processing chamber. A vacuum processing device that returns to the preliminary vacuum chamber via the vacuum transfer chamber, has a mechanism that can be independently opened to the atmosphere and evacuated, and has a preliminary vacuum chamber for loading or unloading a vertically installed cassette that stores a plurality of substrates. At least two of the cassettes are provided with a transfer mechanism for reciprocating the cassette between a preliminary vacuum chamber and a vacuum transfer chamber in a vacuum, and the unprocessed substrates are sequentially processed from the cassette transferred to the vacuum transfer chamber by the vacuum processing. To the room, and Equipped with a transfer mechanism to transfer the processed substrate vacuum-processed in the empty processing chamber to the cassette transferred to the vacuum transfer chamber. The processed substrate stored in the cassette can be heated to 100 ° C or higher on the atmospheric side of the preliminary vacuum chamber. A vacuum processing apparatus provided with a mechanism for installing at least one heating furnace, taking out a cassette containing the processed substrate from the preliminary vacuum chamber, and moving the cassette to the heating furnace.
る水槽と水洗した基板を乾燥させる乾燥器を予備真空室
の大気側に設置するとともに、該予備真空室より処理済
基板を収納したカセットを取り出し、該カセットを加熱
炉へ移動する機構が、予備真空室から搬出した、処理済
基板を収納したカセットを加熱炉へ移す途中で前記水槽
と前記乾燥器とを経由させる移送機構を具備することを
特徴とする請求項10記載の真空処理装置。11. A water tank for washing the processed substrates stored in the cassette and a dryer for drying the washed substrates are installed on the atmosphere side of the preliminary vacuum chamber, and the cassette containing the processed substrates is loaded from the preliminary vacuum chamber. The mechanism for taking out the cassette and moving the cassette to the heating furnace includes a transfer mechanism that passes through the water tank and the drier while transferring the cassette containing the processed substrate, which has been carried out from the preliminary vacuum chamber, to the heating furnace. 11. The vacuum processing apparatus according to claim 10, wherein:
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1988
- 1988-01-29 JP JP63020377A patent/JP2626782B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH028369A (en) | 1990-01-11 |
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