JP2021160148A - Resin film, metal-clad laminate and circuit board - Google Patents

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Abstract

To provide a resin film which can reduce a transmission loss in transfer of a high frequency signal and is excellent in dimensional stability, a metal-clad laminate, and a circuit board.SOLUTION: A resin film A has a liquid crystal polymer layer L, a first adhesive layer B1 laminated on one side of the liquid crystal polymer layer L, and a second adhesive layer B2 laminated opposite to the first adhesive layer B1 of the liquid crystal polymer layer L. The first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 each independently have storage elastic modulus at 50°C of 1,800 MPa or less and a maximum value of storage elastic modulus at 180-260°C of 800 MPa or less. A dielectric loss tangent at 10 GHz of the whole resin film is preferably 0.005 or less.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、例えば回路基板材料として有用な樹脂フィルム、これを用いる金属張積層板及び回路基板に関する。 The present invention relates to, for example, a resin film useful as a circuit board material, a metal-clad laminate using the resin film, and a circuit board.

近年、電子機器の小型化、軽量化、省スペース化の進展に伴い、薄く軽量で、可撓性を有し、屈曲を繰り返しても優れた耐久性を持つフレキシブルプリント配線板(FPC;Flexible Printed Circuits)の需要が増大している。FPCは、限られたスペースでも立体的かつ高密度の実装が可能であるため、例えば、HDD、DVD、スマートフォン等の電子機器の可動部分の配線や、ケーブル、コネクター等の部品にその用途が拡大しつつある。 In recent years, with the progress of miniaturization, weight reduction, and space saving of electronic devices, a flexible printed wiring board (FPC) that is thin and lightweight, has flexibility, and has excellent durability even after repeated bending. The demand for Circuits) is increasing. Since FPC can be mounted three-dimensionally and at high density even in a limited space, its use is expanded to, for example, wiring of moving parts of electronic devices such as HDDs, DVDs, and smartphones, and parts such as cables and connectors. I'm doing it.

高密度化に加えて、機器の高性能化が進んだことから、伝送信号の高周波化への対応も必要とされている。高周波信号を伝送する際に、伝送経路における伝送損失が大きい場合、電気信号のロスや信号の遅延時間が長くなるなどの不都合が生じる。そのため、今後はFPCにおいても、伝送損失の低減が重要となる。高周波信号伝送に対応するために、FPC材料として、吸湿性が低く、低誘電率、低誘電正接の液晶ポリマーを誘電体層とすることが検討されている。 In addition to higher densities, higher performance of equipment has advanced, so it is also necessary to deal with higher densities of transmission signals. When transmitting a high-frequency signal, if the transmission loss in the transmission path is large, inconveniences such as loss of an electric signal and a long delay time of the signal occur. Therefore, it will be important to reduce transmission loss in FPC in the future. In order to support high-frequency signal transmission, it has been studied to use a liquid crystal polymer having low hygroscopicity, low dielectric constant, and low dielectric loss tangent as a dielectric layer as an FPC material.

液晶ポリマーは、誘電特性に優れているものの、熱特性や寸法安定性に改善の余地がある。これらの特性改善のため、ポリイミド層の両面に液晶ポリマー層を設けた樹脂フィルムが提案されている(例えば、特許文献1)。しかしながら、液晶ポリマー層は金属箔との接着性に改善の余地があり、十分な接着性を獲得するために表面粗度の大きな金属箔を使用する必要がある。この場合、伝送損失が大きくなる懸念がある。また、液晶ポリマー層にポリイミド層を設けた樹脂フィルム(例えば、特許文献2)が提案されている。しかしながら、ポリイミドフィルムと液晶ポリマーフィルムの接着の際に、プラズマ処理による表面粗化が必要となり製造工程が繁雑になることや、樹脂フィルムのカールを抑えるために、熱膨張係数の差が小さいポリイミドフィルムと液晶ポリマーフィルムを選択する必要があり、適用できる材料に制約が生じることが問題となる。 Although the liquid crystal polymer has excellent dielectric properties, there is room for improvement in thermal properties and dimensional stability. In order to improve these characteristics, a resin film in which liquid crystal polymer layers are provided on both sides of the polyimide layer has been proposed (for example, Patent Document 1). However, there is room for improvement in the adhesiveness of the liquid crystal polymer layer to the metal foil, and it is necessary to use a metal foil having a large surface roughness in order to obtain sufficient adhesiveness. In this case, there is a concern that the transmission loss will increase. Further, a resin film in which a polyimide layer is provided on a liquid crystal polymer layer (for example, Patent Document 2) has been proposed. However, when adhering the polyimide film and the liquid crystal polymer film, surface roughening by plasma treatment is required, which complicates the manufacturing process and suppresses curling of the resin film. Therefore, the polyimide film has a small difference in coefficient of thermal expansion. It is necessary to select a liquid crystal polymer film, and the problem is that there are restrictions on the applicable materials.

特開2016−117281号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-117281 特開2015−74157号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-74157

本発明の目的は、高周波信号の伝送においても伝送損失の低減が可能で、かつ、寸法安定性に優れた樹脂フィルム、金属張積層板及び回路基板を提供することである。 An object of the present invention is to provide a resin film, a metal-clad laminate, and a circuit board, which can reduce transmission loss even in the transmission of high-frequency signals and have excellent dimensional stability.

本発明者らは、鋭意研究の結果、液晶ポリマー層を、所定の貯蔵弾性率を有する接着剤層で挟み込んだサンドイッチ構造の樹脂フィルムとすることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。 As a result of diligent research, the present inventors have found that the above problems can be solved by forming a resin film having a sandwich structure in which a liquid crystal polymer layer is sandwiched between adhesive layers having a predetermined storage elastic modulus. completed.

本発明の樹脂フィルムは、液晶ポリマー層と、前記液晶ポリマー層の片側に積層された第1接着剤層と、前記液晶ポリマー層の前記第1接着剤層とは反対側に積層された第2接着剤層と、を備えた樹脂フィルムである。
本発明の樹脂フィルムは、前記第1接着剤層及び前記第2接着剤層の50℃における貯蔵弾性率が、それぞれ独立に1800MPa以下であり、180〜260℃における貯蔵弾性率の最大値が、それぞれ独立に800MPa以下であることを特徴とする。
The resin film of the present invention has a liquid crystal polymer layer, a first adhesive layer laminated on one side of the liquid crystal polymer layer, and a second adhesive layer laminated on the opposite side of the liquid crystal polymer layer from the first adhesive layer. It is a resin film provided with an adhesive layer.
In the resin film of the present invention, the storage elastic modulus of the first adhesive layer and the second adhesive layer at 50 ° C. is independently 1800 MPa or less, and the maximum value of the storage elastic modulus at 180 to 260 ° C. is Each is independently characterized by being 800 MPa or less.

本発明の樹脂フィルムは、樹脂フィルム全体の10GHzにおける誘電正接が0.005以下であってもよい。 The resin film of the present invention may have a dielectric loss tangent of 0.005 or less at 10 GHz for the entire resin film.

本発明の樹脂フィルムにおいて、前記第1接着剤層及び前記第2接着剤層は、それぞれガラス転移温度(Tg)が180℃以下であってもよい。 In the resin film of the present invention, the glass transition temperature (Tg) of each of the first adhesive layer and the second adhesive layer may be 180 ° C. or lower.

本発明の樹脂フィルムは、前記第1接着剤層及び前記第2接着剤層が、樹脂成分としてポリイミドを含有するものであってもよい。この場合、前記ポリイミドがテトラカルボン酸無水物成分から誘導される酸無水物残基及びジアミン成分から誘導されるジアミン残基を含有するとともに、全ジアミン残基に対し、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級アミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸由来のジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル%以上含有するものであってもよい。 In the resin film of the present invention, the first adhesive layer and the second adhesive layer may contain polyimide as a resin component. In this case, the polyimide contains an acid anhydride residue derived from the tetracarboxylic acid anhydride component and a diamine residue derived from the diamine component, and has two terminal carboxylic acids of dimeric acid for all diamine residues. It may contain 50 mol% or more of a diamine residue derived from a diamine derived from a diamine having an acid group substituted with a primary aminomethyl group or an amino group.

本発明の樹脂フィルムは、前記液晶ポリマー層の厚みをTL、前記第1接着剤層の厚みをTB1、前記第2接着剤層の厚みをTB2としたとき、以下の関係を有するものであってもよい。
0.15 ≦(TB1+TB2)/(TL+TB1+TB2)≦ 0.70
The resin film of the present invention has the following relationship when the thickness of the liquid crystal polymer layer is TL, the thickness of the first adhesive layer is TB1, and the thickness of the second adhesive layer is TB2. May be good.
0.15 ≤ (TB1 + TB2) / (TL + TB1 + TB2) ≤ 0.70

本発明の金属張積層板は、第1金属層と、前記第1金属層の少なくとも片側の面に積層された第1絶縁樹脂層と、を有する第1片面金属張積層板と、
第2金属層と、前記第2金属層の少なくとも片側の面に積層された第2絶縁樹脂層と、を有する第2片面金属張積層板と、
前記第1絶縁樹脂層及び前記第2絶縁樹脂層に当接するように配置されて、前記第1片面金属張積層板と前記第2片面金属張積層板との間に積層された中間樹脂層と、を備えた金属張積層板である。
そして、本発明の金属張積層板は、前記中間樹脂層が、上記のいずれかの樹脂フィルムからなることを特徴とする。
The metal-clad laminate of the present invention includes a first single-sided metal-clad laminate having a first metal layer and a first insulating resin layer laminated on at least one surface of the first metal layer.
A second single-sided metal-clad laminate having a second metal layer and a second insulating resin layer laminated on at least one surface of the second metal layer.
An intermediate resin layer arranged so as to be in contact with the first insulating resin layer and the second insulating resin layer, and laminated between the first single-sided metal-clad laminate and the second single-sided metal-clad laminate. It is a metal-clad laminate provided with.
The metal-clad laminate of the present invention is characterized in that the intermediate resin layer is made of any of the above resin films.

本発明の金属張積層板は、前記第1絶縁樹脂層と前記中間樹脂層と前記第2絶縁樹脂層の合計厚みT1が50〜500μmの範囲内であってもよく、かつ、前記合計厚みT1に対する前記中間樹脂層の厚みT2の比率(T2/T1)が0.50〜0.90の範囲内であってもよい。 In the metal-clad laminate of the present invention, the total thickness T1 of the first insulating resin layer, the intermediate resin layer, and the second insulating resin layer may be in the range of 50 to 500 μm, and the total thickness T1 The ratio (T2 / T1) of the thickness T2 of the intermediate resin layer to the ratio of the thickness T2 to the intermediate resin layer may be in the range of 0.50 to 0.90.

本発明の金属張積層板においては、前記第1絶縁樹脂層及び前記第2絶縁樹脂層は、共に、熱可塑性ポリイミド層、非熱可塑性ポリイミド層及び熱可塑性ポリイミド層がこの順に積層された多層構造を有していてもよく、前記中間樹脂層は、2つの前記熱可塑性ポリイミド層に接して設けられていてもよい。 In the metal-clad laminate of the present invention, the first insulating resin layer and the second insulating resin layer both have a multilayer structure in which a thermoplastic polyimide layer, a non-thermoplastic polyimide layer, and a thermoplastic polyimide layer are laminated in this order. The intermediate resin layer may be provided in contact with the two thermoplastic polyimide layers.

本発明の金属張積層板において、前記非熱可塑性ポリイミド層を構成する非熱可塑性ポリイミドは、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含み、全ジアミン残基の100モル部に対して、下記一般式(A1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基の含有量が80モル部以上であってもよい。 In the metal-clad laminate of the present invention, the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, and is generally described below with respect to 100 mol parts of all diamine residues. The content of the diamine residue derived from the diamine compound represented by the formula (A1) may be 80 mol parts or more.

Figure 2021160148
Figure 2021160148

式(A1)において、連結基Zは単結合又は−COO−を示し、Yは独立に、ハロゲン原子若しくはフェニル基で置換されてもよい炭素数1〜3の1価の炭化水素、又は炭素数1〜3のアルコキシ基、又は炭素数1〜3のパーフルオロアルキル基、又はアルケニル基を示し、nは0〜2の整数を示し、p及びqは独立に0〜4の整数を示す。 In the formula (A1), the linking group Z represents a single bond or −COO−, and Y is a monovalent hydrocarbon having 1 to 3 carbon atoms which may be independently substituted with a halogen atom or a phenyl group, or a carbon number of carbon atoms. It represents an alkoxy group of 1 to 3 or a perfluoroalkyl group or an alkenyl group having 1 to 3 carbon atoms, n represents an integer of 0 to 2, and p and q independently represent an integer of 0 to 4.

本発明の回路基板は、第1配線層と、前記第1配線層の少なくとも片側の面に積層された第1絶縁樹脂層と、を有する第1回路基板と、
第2配線層と、前記第2配線層の少なくとも片側の面に積層された第2絶縁樹脂層と、を有する第2回路基板と、
前記第1絶縁樹脂層及び前記第2絶縁樹脂層に当接するように配置されて、前記第1回路基板と前記第2回路基板との間に積層された中間樹脂層と、を備えた回路基板である。
そして、本発明の回路基板は、前記中間樹脂層が、上記のいずれかの樹脂フィルムからなることを特徴とする。
The circuit board of the present invention includes a first circuit board having a first wiring layer and a first insulating resin layer laminated on at least one surface of the first wiring layer.
A second circuit board having a second wiring layer and a second insulating resin layer laminated on at least one surface of the second wiring layer.
A circuit board provided with an intermediate resin layer arranged so as to be in contact with the first insulating resin layer and the second insulating resin layer and laminated between the first circuit board and the second circuit board. Is.
The circuit board of the present invention is characterized in that the intermediate resin layer is made of any of the above resin films.

本発明の樹脂フィルムは、液晶ポリマー層を所定の貯蔵弾性率を有する接着剤層で挟み込んだサンドイッチ構造を有するため、誘電特性及び寸法安定性に優れている。従って、本発明の樹脂フィルムを使用した回路基板において、高周波信号伝送時の伝送損失の低減が可能であり、かつ、寸法安定性を確保できる。
また、本発明の金属張積層板は、上記樹脂フィルムを介在させて2つの片面金属張積層板を貼り合わせた構造であるため、絶縁樹脂層の厚みを大きくすることが可能であり、高周波信号伝送時の伝送損失の低減が可能であり、しかも、寸法安定性に優れている。
従って、本発明の樹脂フィルム又は金属張積層板を使用することによって、回路基板における高周波化への対応が可能となり、信頼性及び歩留まりの向上も図ることができる。
Since the resin film of the present invention has a sandwich structure in which a liquid crystal polymer layer is sandwiched between adhesive layers having a predetermined storage elastic modulus, it is excellent in dielectric properties and dimensional stability. Therefore, in the circuit board using the resin film of the present invention, it is possible to reduce the transmission loss at the time of high frequency signal transmission and to secure the dimensional stability.
Further, since the metal-clad laminate of the present invention has a structure in which two single-sided metal-clad laminates are laminated with the resin film interposed therebetween, the thickness of the insulating resin layer can be increased, and a high-frequency signal can be obtained. It is possible to reduce the transmission loss during transmission, and it is also excellent in dimensional stability.
Therefore, by using the resin film or the metal-clad laminate of the present invention, it is possible to cope with high frequency in the circuit board, and it is possible to improve the reliability and the yield.

本発明の一実施の形態の樹脂フィルムの断面構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross-sectional structure of the resin film of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態の金属張積層板の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the metal-clad laminate of one Embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施の形態の金属張積層板の構成を示す模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the structure of the metal-clad laminate of the preferable embodiment of this invention. エッチング後寸法変化率の測定に使用した位置測定用ターゲットの説明図である。It is explanatory drawing of the target for position measurement used for measuring the dimensional change rate after etching. エッチング後寸法変化率の測定に使用した評価サンプルの説明図である。It is explanatory drawing of the evaluation sample used for measuring the dimensional change rate after etching.

本発明の実施の形態について、適宜図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate.

[樹脂フィルム]
図1は、本発明の一実施の形態にかかる樹脂フィルムAの構成を示す模式図である。樹脂フィルムAは、液晶ポリマー層Lと、液晶ポリマー層Lの片側に積層された第1接着剤層B1と、液晶ポリマー層Lの第1接着剤層B1とは反対側に積層された第2接着剤層B2と、を備えている。樹脂フィルムAは、液晶ポリマー層Lを第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2で挟み込んだサンドイッチ構造を有している。
[Resin film]
FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of the resin film A according to the embodiment of the present invention. The resin film A has a liquid crystal polymer layer L, a first adhesive layer B1 laminated on one side of the liquid crystal polymer layer L, and a second adhesive layer B laminated on the opposite side of the liquid crystal polymer layer L from the first adhesive layer B1. It includes an adhesive layer B2. The resin film A has a sandwich structure in which the liquid crystal polymer layer L is sandwiched between the first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2.

[液晶ポリマー層]
液晶ポリマー層Lは、樹脂成分の主成分として、好ましくは樹脂成分の70重量%以上、より好ましくは樹脂成分の90重量%以上、最も好ましくは樹脂成分の全部として、液晶ポリマーを含有する層であればよい。なお、樹脂成分の主成分とは、全樹脂成分に対して50重量%を超えて含まれる成分を意味する。液晶ポリマーは、誘電特性の周波数依存性がほとんどなく、非常に優れた誘電特性を有するとともに、難燃性向上にも寄与する。
[Liquid crystal polymer layer]
The liquid crystal polymer layer L is a layer containing a liquid crystal polymer as a main component of the resin component, preferably 70% by weight or more of the resin component, more preferably 90% by weight or more of the resin component, and most preferably all of the resin components. All you need is. The main component of the resin component means a component contained in an amount of more than 50% by weight based on the total resin component. The liquid crystal polymer has almost no frequency dependence of the dielectric property, has a very excellent dielectric property, and also contributes to improvement of flame retardancy.

液晶ポリマー層Lは、樹脂フィルムA全体の誘電特性を優れたものにするため、単体として、10GHzにおける比誘電率が、好ましくは2〜3.5の範囲内、より好ましくは、2.6〜3.3の範囲内であり、誘電正接が、好ましくは0.003未満であり、より好ましくは0.002以下であるものを用いることがよい。 In order to improve the dielectric properties of the entire resin film A, the liquid crystal polymer layer L has a relative permittivity at 10 GHz, preferably in the range of 2 to 3.5, more preferably 2.6 to, as a simple substance. It is preferable to use one which is within the range of 3.3 and has a dielectric loss tangent of preferably less than 0.003, more preferably 0.002 or less.

液晶ポリマーの融点は、例えば280℃以上が好ましい。より好ましくは290℃以上、さらに好ましくは300℃以上である。融点が280℃を下回ると電子機器等の製造過程で融解し、特性の変化をきたすおそれがある。 The melting point of the liquid crystal polymer is preferably 280 ° C. or higher, for example. It is more preferably 290 ° C. or higher, and even more preferably 300 ° C. or higher. If the melting point is lower than 280 ° C., it may melt in the manufacturing process of electronic devices and the like, causing a change in characteristics.

液晶ポリマーとしては、特に限定されるものではないが、例えば、以下の(1)〜(4)に分類される化合物及びその誘導体から導かれる公知のサーモトロピック液晶ポリエステル及びポリエステルアミドなどのポリエステル構造を有するものが好ましい。
(1)芳香族又は脂肪族ジヒドロキシ化合物
(2)芳香族又は脂肪族ジカルボン酸
(3)芳香族ヒドロキシカルボン酸
(4)芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミン又は芳香族アミノカルボン酸
The liquid crystal polymer is not particularly limited, and for example, a polyester structure such as a known thermotropic liquid crystal polyester or polyester amide derived from the compounds classified into the following (1) to (4) and their derivatives can be used. It is preferable to have.
(1) Aromatic or aliphatic dihydroxy compounds (2) Aromatic or aliphatic dicarboxylic acids (3) Aromatic hydroxycarboxylic acids (4) Aromatic diamines, aromatic hydroxyamines or aromatic aminocarboxylic acids

これらの原料化合物から得られる液晶ポリマーの代表例として、下記式(a)〜(n)に示す構造単位から選ばれる2つ以上の組み合わせを有する共重合体であって、式(a)で示す構造単位又は式(e)で示す構造単位のいずれかを含む共重合体が好ましく、特に、式(a)で示す構造単位と式(e)で示す構造単位とを含む共重合体がより好ましい。また、液晶ポリマー中の芳香環が多くなるほど、誘電特性と難燃性を向上させる効果が期待できることから、上記(1)として芳香族ジヒドロキシ化合物を、上記(2)として芳香族ジカルボン酸を含むものが好ましい。 As a typical example of the liquid crystal polymer obtained from these raw material compounds, it is a copolymer having two or more combinations selected from the structural units represented by the following formulas (a) to (n) and is represented by the formula (a). A copolymer containing either a structural unit or a structural unit represented by the formula (e) is preferable, and a copolymer containing the structural unit represented by the formula (a) and the structural unit represented by the formula (e) is more preferable. .. Further, as the number of aromatic rings in the liquid crystal polymer increases, the effect of improving the dielectric properties and flame retardancy can be expected. Therefore, the compound containing an aromatic dihydroxy compound as the above (1) and the aromatic dicarboxylic acid as the above (2). Is preferable.

Figure 2021160148
Figure 2021160148

樹脂フィルムAを構成する液晶ポリマー層Lは、任意成分として、例えば可塑剤、エポキシ樹脂などの他の樹脂成分、硬化剤、硬化促進剤、有機フィラー、無機フィラー、カップリング剤、難燃剤などを適宜含有することができる。 The liquid crystal polymer layer L constituting the resin film A contains, as optional components, other resin components such as a plasticizer and an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an organic filler, an inorganic filler, a coupling agent, a flame retardant, and the like. It can be contained as appropriate.

液晶ポリマー層Lとしては、市販の液晶ポリマーフィルムを適宜選定して用いることができる。例えば、株式会社クラレ製(商品名;ベクスター)などを好ましく使用可能である。 As the liquid crystal polymer layer L, a commercially available liquid crystal polymer film can be appropriately selected and used. For example, Kuraray Co., Ltd. (trade name; Vecstar) or the like can be preferably used.

[第1接着剤層及び第2接着剤層]
第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2は、50℃における貯蔵弾性率が、それぞれ独立に1800MPa以下であり、180〜260℃における貯蔵弾性率の最大値がそれぞれ独立に800MPa以下であり、好ましくは500MPa以下の範囲内である。このような貯蔵弾性率とすることによって、熱圧着時の内部応力を緩和して回路加工後の寸法安定性を保持し、回路加工後の半田リフロー工程を経由した後においても、反りが生じにくくなる。
なお、第1接着剤層B1と第2接着剤層B2は、厚み、物性、材質等の構成が同じでもよいし、異なっていてもよいが、同じ構成であることが好ましい。
[First adhesive layer and second adhesive layer]
The first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 each have an independent storage elastic modulus of 1800 MPa or less at 50 ° C., and the maximum storage elastic modulus at 180 to 260 ° C. independently of 800 MPa or less. It is preferably in the range of 500 MPa or less. By setting such a storage elastic modulus, the internal stress during thermocompression bonding is relaxed to maintain the dimensional stability after circuit processing, and warpage is unlikely to occur even after passing through the solder reflow process after circuit processing. Become.
The first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 may have the same or different configurations such as thickness, physical properties, and material, but the same configuration is preferable.

第1接着剤層B1と第2接着剤層B2は、樹脂フィルムA全体の誘電特性を良好に維持するため、それぞれ単体として、10GHzにおける比誘電率が、好ましくは2〜3.5の範囲内、より好ましくは、2〜3の範囲内であり、誘電正接が、好ましくは0.003未満であり、より好ましくは0.0025以下であるものを用いることがよい。 In order to maintain good dielectric properties of the entire resin film A, the first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 have a relative permittivity at 10 GHz, preferably in the range of 2 to 3.5, respectively. , More preferably in the range of 2 to 3, and having a dielectric loss tangent of preferably less than 0.003, more preferably 0.0025 or less.

第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2は、それぞれガラス転移温度(Tg)が180℃以下であることが好ましく、より好ましくは160℃以下である。第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2のTgを180℃以下とすることによって、低温での熱圧着が可能になるため、金属張積層板などとの積層時に発生する内部応力を緩和し、回路加工後の寸法変化を抑制できる。第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2のTgが180℃を超えると、樹脂フィルムAを金属張積層板などの間に介在させて接着する際の熱圧着温度が高くなり、回路加工後の寸法安定性を損なう恐れがある。 The glass transition temperature (Tg) of each of the first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 is preferably 180 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or lower. By setting the Tg of the first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 to 180 ° C. or lower, thermocompression bonding at a low temperature becomes possible, so that the internal stress generated at the time of laminating with a metal-clad laminate or the like is relaxed. However, it is possible to suppress dimensional changes after circuit processing. When the Tg of the first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 exceeds 180 ° C., the thermocompression bonding temperature when the resin film A is interposed between the metal-clad laminates and the like and bonded becomes high, and circuit processing There is a risk of impairing later dimensional stability.

第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2は、樹脂成分の主成分として、好ましくは樹脂成分の70重量%以上、より好ましくは樹脂成分の90重量%以上、最も好ましくは樹脂成分の全部としてポリイミドを含有するポリイミド層であることが好ましい。なお、樹脂成分の主成分とは、全樹脂成分に対して50重量%を超えて含まれる成分を意味する。
第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2がポリイミド層である場合、これらを構成するポリイミドは、テトラカルボン酸無水物成分から誘導される酸無水物残基及びジアミン成分から誘導されるジアミン残基を含有するとともに、全ジアミン残基に対し、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級アミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸由来のジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル%以上含有するポリイミドであることが好ましい。以下、第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2を構成するポリイミドを「接着性ポリイミド」と記すことがある。なお、本発明において、「テトラカルボン酸残基」とは、テトラカルボン酸二無水物から誘導された4価の基のことを表し、「ジアミン残基」とは、ジアミン化合物から誘導された2価の基のことを表す。原料であるテトラカルボン酸無水物及びジアミン化合物をほぼ等モルで反応させた場合には、原料の種類とモル比に対して、ポリイミド中に含まれるテトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類とモル比をほぼ対応させることができる。
なお、本発明で「ポリイミド」という場合、ポリイミドの他、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリシロキサンイミド、ポリベンズイミダゾールイミドなど、分子構造中にイミド基を有するポリマーからなる樹脂を意味する。
The first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 are preferably 70% by weight or more of the resin component, more preferably 90% by weight or more of the resin component, and most preferably all of the resin components as the main components of the resin component. It is preferable that the polyimide layer contains polyimide. The main component of the resin component means a component contained in an amount of more than 50% by weight based on the total resin component.
When the first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 are polyimide layers, the polyimides constituting them are acid anhydride residues derived from the tetracarboxylic acid anhydride component and diamines derived from the diamine component. A diamine residue derived from a diamine derived from diamine, which contains a residue and has two terminal carboxylic acid groups of dimeric acid substituted with a primary aminomethyl group or an amino group, for all diamine residues. It is preferably a polyimide containing 50 mol% or more. Hereinafter, the polyimide constituting the first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 may be referred to as "adhesive polyimide". In the present invention, the "tetracarboxylic acid residue" represents a tetravalent group derived from the tetracarboxylic dianhydride, and the "diamine residue" is derived from the diamine compound 2 Represents the basis of valence. When the tetracarboxylic dianhydride and the diamine compound, which are the raw materials, are reacted in approximately equimolar amounts, the types of tetracarboxylic acid residues and diamine residues contained in the polyimide are determined with respect to the type and molar ratio of the raw materials. The molar ratio can be made almost compatible.
The term "polyimide" in the present invention means a resin composed of a polymer having an imide group in its molecular structure, such as polyamideimide, polyetherimide, polyesterimide, polysiloxaneimide, and polybenzimidazolimide, in addition to polyimide. ..

(酸無水物)
接着性ポリイミドは、原料として一般に熱可塑性ポリイミドに使用されるテトラカルボン酸無水物を特に制限なく使用できるが、全テトラカルボン酸無水物成分に対して、下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物を合計で90モル%以上含有する原料を用いることが好ましい。換言すれば、接着性ポリイミドは、全テトラカルボン酸残基に対して、下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を、合計で90モル%以上含有することが好ましい。下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を、全テトラカルボン酸残基に対して合計で90モル%以上含有させることによって、接着性ポリイミドの柔軟性と耐熱性の両立が図りやすく好ましい。下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基の合計が90モル%未満では、接着性ポリイミドの溶剤溶解性が低下する傾向になる。
(Acid anhydride)
As the adhesive polyimide, tetracarboxylic acid anhydride generally used for thermoplastic polyimide can be used as a raw material without particular limitation, but the following general formula (1) and / or (for all tetracarboxylic acid anhydride components) It is preferable to use a raw material containing 90 mol% or more of the tetracarboxylic acid anhydride represented by 2) in total. In other words, the adhesive polyimide has a tetracarboxylic acid residue derived from the tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formulas (1) and / or (2) with respect to all the tetracarboxylic acid residues. Is preferably contained in an amount of 90 mol% or more in total. A total of 90 mol% or more of tetracarboxylic acid residues derived from the tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formulas (1) and / or (2) is contained in the total tetracarboxylic acid residues. This is preferable because it is easy to achieve both the flexibility and heat resistance of the adhesive polyimide. If the total of the tetracarboxylic acid residues derived from the tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formulas (1) and / or (2) is less than 90 mol%, the solvent solubility of the adhesive polyimide is lowered. It becomes a tendency.

Figure 2021160148
Figure 2021160148

一般式(1)中、Xは、単結合、または、下式から選ばれる2価の基を示し、一般式(2)中、Yで表される環状部分は、4員環、5員環、6員環、7員環又は8員環から選ばれる環状飽和炭化水素基を形成していることを示す。 In the general formula (1), X represents a single bond or a divalent group selected from the following formula, and in the general formula (2), the cyclic portion represented by Y is a 4-membered ring or a 5-membered ring. , 6-membered ring, 7-membered ring or 8-membered ring.

Figure 2021160148
Figure 2021160148

上記式において、Zは−C−、−(CH)n−又は−CH−CH(−O−C(=O)−CH)−CH−を示すが、nは1〜20の整数を示す。 In the above formula, Z is -C 6 H 4 -, - ( CH 2) n- or -CH 2 -CH (-O-C ( = O) -CH 3) -CH 2 - are illustrated, n represents 1 Indicates an integer of ~ 20.

上記一般式(1)で表されるテトラカルボン酸無水物としては、例えば、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)、4,4’−オキシジフタル酸無水物(ODPA)、4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物(6FDA)、2,2−ビス〔4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕プロパン二無水物(BPADA)、p-フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル酸無水物)(TAHQ)、エチレングリコール ビスアンヒドロトリメリテート(TMEG)などを挙げることができる。これらの中でも特に3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)が好ましい。BTDAを使用する場合は、カルボニル基(ケトン基)が接着性に寄与するため、接着性ポリイミドの接着性を向上させることができる。また、BTDAは分子骨格に存在するケトン基と、後述する架橋形成のためのアミノ化合物のアミノ基が反応してC=N結合を形成する場合があり、耐熱性を向上させる効果を発現しやすい。このような観点から、全テトラカルボン酸残基に対して、BTDAから誘導されるテトラカルボン酸残基を好ましくは50モル%以上、より好ましくは60モル%以上含有することがよい。 Examples of the tetracarboxylic acid anhydride represented by the general formula (1) include 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride (BPDA), 3,3', 4,4'. -Benzophenone tetracarboxylic acid anhydride (BTDA), 3,3', 4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic acid anhydride (DSDA), 4,4'-oxydiphthalic acid anhydride (ODPA), 4,4 '-(Hexafluoroisopropylidene) diphthalic anhydride (6FDA), 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride (BPADA), p-phenylenebis (trimerit) Acid monoesteric anhydride) (TAHQ), ethylene glycol bisamhydrotrimeritate (TMEG) and the like can be mentioned. Of these, 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride (BTDA) is particularly preferable. When BTDA is used, the carbonyl group (ketone group) contributes to the adhesiveness, so that the adhesiveness of the adhesive polyimide can be improved. Further, in BTDA, a ketone group existing in the molecular skeleton may react with an amino group of an amino compound for forming a crosslink, which will be described later, to form a C = N bond, and the effect of improving heat resistance is likely to be exhibited. .. From such a viewpoint, it is preferable to contain BTDA-derived tetracarboxylic acid residue in an amount of preferably 50 mol% or more, more preferably 60 mol% or more, based on the total tetracarboxylic acid residue.

また、一般式(2)で表されるテトラカルボン酸無水物としては、例えば、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−シクロヘプタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−シクロオクタンテトラカルボン酸二無水物などを挙げることができる。 Examples of the tetracarboxylic acid anhydride represented by the general formula (2) include 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid dianhydride and 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic acid. Dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,4,5-cycloheptanetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,5,6-cyclooctanetetracarboxylic acid Bianhydrides and the like can be mentioned.

接着性ポリイミドは、発明の効果を損なわない範囲で、上記一般式(1)及び一般式(2)で表されるテトラカルボン酸無水物以外の酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を含有することができる。そのようなテトラカルボン酸残基としては、特に制限はないが、例えば、ピロメリット酸二無水物、2,3',3,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-又は2,3,3',4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3',3,4'-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、3,3'',4,4''-、2,3,3'',4''-又は2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,2,7,8-、1,2,6,7-又は1,2,9,10-フェナンスレン-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)テトラフルオロプロパン二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,6-又は2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-(又は1,4,5,8-)テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-(又は2,3,6,7-)テトラカルボン酸二無水物、2,3,8,9-、3,4,9,10-、4,5,10,11-又は5,6,11,12-ペリレン-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4’-ビス(2,3-ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルメタン二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基が挙げられる。 The adhesive polyimide contains tetracarboxylic acid residues derived from acid anhydrides other than the tetracarboxylic acid anhydrides represented by the general formulas (1) and (2) above, as long as the effects of the invention are not impaired. Can be contained. Such tetracarboxylic acid residues are not particularly limited, but for example, pyromellitic acid dianhydride, 2,3', 3,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2,2', 3 , 3'-or 2,3,3', 4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3', 3,4'-diphenyl ether tetracarboxylic acid dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) ) Ether dianhydride, 3,3'', 4,4''-, 2,3,3'', 4''-or 2,2'',3,3''-p-terphenyltetracarboxylic Acid dianhydride, 2,2-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, Bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) sulfonate dianhydride, 1,1-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,2,7, 8-1,2,6,7- or 1,2,9,10-phenanthrene-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracene tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-Dicarboxyphenyl) Tetrafluoropropane dianhydride 1,2,5,6-naphthalene tetracarboxylic acid dianhydride 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic acid dianhydride 2, 3,6,7-naphthalene tetracarboxylic acid dianhydride 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid dianhydride 2,6-or 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride 2,3,6,7-(or 1,4,5,8-) tetrachloronaphthalene -1,4,5,8-(or 2,3,6,7-) tetracarboxylic dianhydride 2,3,8,9-,3,4,9,10-4,5,10 , 11- or 5,6,11,12-perylene-tetracarboxylic acid dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic acid dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic Aromatic tetracarboxylic acid dianhydride such as acid dianhydride, thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride, 4,4'-bis (2,3-dicarboxyphenoxy) diphenylmethane dianhydride. Examples include tetracarboxylic acid residues derived from the substance.

(ジアミン)
接着性ポリイミドは、原料として一般に熱可塑性ポリイミドに使用されるジアミン化合物を特に制限なく使用できるが、全ジアミン成分に対して、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級アミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸由来のジアミンを50モル%以上含有する原料を用いることが好ましい。換言すれば、接着性ポリイミドは、全ジアミン残基に対し、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級アミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸由来のジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル%以上含有することが好ましい。ダイマー酸由来のジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル%以上含有することにより、接着性ポリイミドの低誘電率化・低誘電正接化が可能になるとともに、接着性を高めることができる。
(Diamine)
As the adhesive polyimide, a diamine compound generally used for thermoplastic polyimide can be used as a raw material without particular limitation, but the two terminal carboxylic acid groups of dimer acid are primary aminomethyl groups or amino groups with respect to the total diamine component. It is preferable to use a raw material containing 50 mol% or more of a diamine derived from dimer acid, which is substituted with. In other words, the adhesive polyimide is a diamine residue derived from a diamine-derived diamine in which the two terminal carboxylic acid groups of dimer acid are replaced with primary aminomethyl groups or amino groups for all diamine residues. It is preferable that the group is contained in an amount of 50 mol% or more. By containing 50 mol% or more of the diamine residue derived from the diamine derived from dimer acid, the adhesive polyimide can have a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, and the adhesiveness can be enhanced.

ダイマー酸由来のジアミンは、ダイマージアミン以外のトリマー成分やモノマー成分を含有する混合物であることから、精製して用いることが好ましい。以下、ダイマー酸由来のジアミンを精製したものを「ダイマージアミン組成物」と記すことがある。ダイマージアミン組成物は、下記の成分(a)を主成分として含有するとともに、成分(b)及び(c)の量が制御されている精製物である。 Since the diamine derived from dimer acid is a mixture containing a trimmer component and a monomer component other than the diamine diamine, it is preferable to purify and use the diamine. Hereinafter, a purified diamine derived from diamine acid may be referred to as a "diamine diamine composition". The diamine diamine composition is a purified product containing the following component (a) as a main component and in which the amounts of the components (b) and (c) are controlled.

(a)ダイマージアミン;
(a)成分のダイマージアミンとは、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基(−COOH)が、1級のアミノメチル基(−CH−NH)又はアミノ基(−NH)に置換されてなるジアミンを意味する。ダイマー酸は、不飽和脂肪酸の分子間重合反応によって得られる既知の二塩基酸であり、その工業的製造プロセスは業界でほぼ標準化されており、炭素数が11〜22の不飽和脂肪酸を粘土触媒等にて二量化して得られる。工業的に得られるダイマー酸は、オレイン酸やリノール酸、リノレン酸などの炭素数18の不飽和脂肪酸を二量化することによって得られる炭素数36の二塩基酸が主成分であるが、精製の度合いに応じ、任意量のモノマー酸(炭素数18)、トリマー酸(炭素数54)、炭素数20〜54の他の重合脂肪酸を含有する。また、ダイマー化反応後には二重結合が残存するが、本発明では、更に水素添加反応して不飽和度を低下させたものもダイマー酸に含めるものとする。(a)成分のダイマージアミンは、炭素数18〜54の範囲内、好ましくは22〜44の範囲内にある二塩基酸化合物の末端カルボン酸基を1級アミノメチル基又はアミノ基に置換して得られるジアミン化合物、と定義することができる。
(A) Dimer diamine;
In the diamine diamine of the component (a), the two terminal carboxylic acid groups (-COOH) of the dimer acid are replaced with a primary aminomethyl group (-CH 2- NH 2 ) or an amino group (-NH 2). It means diamine. Dimeric acid is a known dibasic acid obtained by the intermolecular polymerization reaction of unsaturated fatty acids, and its industrial production process is almost standardized in the industry, and unsaturated fatty acids having 11 to 22 carbon atoms are clay-catalyzed. It is obtained by quantifying it with or the like. The industrially obtained dimer acid is mainly composed of a dibasic acid having 36 carbon atoms obtained by dimerizing an unsaturated fatty acid having 18 carbon atoms such as oleic acid, linolenic acid and linolenic acid. Depending on the degree, it contains an arbitrary amount of monomeric acid (18 carbon atoms), trimeric acid (54 carbon atoms), and other polymerized fatty acids having 20 to 54 carbon atoms. Further, although the double bond remains after the dimerization reaction, in the present invention, the dimer acid is also included in which the degree of unsaturation is lowered by the hydrogenation reaction. The dimer diamine of the component (a) is prepared by substituting a primary aminomethyl group or an amino group for the terminal carboxylic acid group of the dibasic acid compound in the range of 18 to 54 carbon atoms, preferably 22 to 44 carbon atoms. It can be defined as the resulting diamine compound.

ダイマージアミンの特徴として、ダイマー酸の骨格に由来する特性を付与することができる。すなわち、ダイマージアミンは、分子量約560〜620の巨大分子の脂肪族であるので、分子のモル体積を大きくし、ポリイミドの極性基を相対的に減らすことができる。このようなダイマージアミンの特徴は、ポリイミドの耐熱性の低下を抑制しつつ、比誘電率と誘電正接を小さくして誘電特性を向上させることに寄与すると考えられる。また、2つの自由に動く炭素数7〜9の疎水鎖と、炭素数18に近い長さを持つ2つの鎖状の脂肪族アミノ基とを有するので、ポリイミドに柔軟性を与えるのみならず、ポリイミドを非対象的な化学構造や非平面的な化学構造とすることができるので、ポリイミドの低誘電率化を図ることができると考えられる。 As a characteristic of dimer diamine, it is possible to impart properties derived from the skeleton of dimer acid. That is, since dimer diamine is an aliphatic of macromolecules having a molecular weight of about 560 to 620, the molar volume of the molecule can be increased and the polar groups of polyimide can be relatively reduced. It is considered that such a feature of the dimer diamine contributes to improving the dielectric property by reducing the relative permittivity and the dielectric loss tangent while suppressing the decrease in the heat resistance of the polyimide. Further, since it has two free-moving hydrophobic chains having 7 to 9 carbon atoms and two chain-like aliphatic amino groups having a length close to 18 carbon atoms, it not only gives flexibility to the polyimide, but also gives the polyimide flexibility. Since the polyimide can have an asymmetrical chemical structure or a non-planar chemical structure, it is considered that the polyimide can have a low dielectric constant.

ダイマージアミン組成物は、分子蒸留等の精製方法によって(a)成分のダイマージアミン含有量を96重量%以上、好ましくは97重量%以上、より好ましくは98重量%以上にまで高めたものを使用することがよい。(a)成分のダイマージアミン含有量を96重量%以上とすることで、ポリイミドの分子量分布の拡がりを抑制することができる。なお、技術的に可能であれば、ダイマージアミン組成物のすべて(100重量%)が、(a)成分のダイマージアミンによって構成されていることが最もよい。 The diamine diamine composition used is such that the diamine diamine content of the component (a) is increased to 96% by weight or more, preferably 97% by weight or more, more preferably 98% by weight or more by a purification method such as molecular distillation. That is good. By setting the diamine diamine content of the component (a) to 96% by weight or more, it is possible to suppress the spread of the molecular weight distribution of polyimide. If technically possible, it is best that all (100% by weight) of the diamine diamine composition is composed of the diamine diamine of the component (a).

(b)炭素数10〜40の範囲内にある一塩基酸化合物の末端カルボン酸基を1級アミノメチル基又はアミノ基に置換して得られるモノアミン化合物;
炭素数10〜40の範囲内にある一塩基酸化合物は、ダイマー酸の原料に由来する炭素数10〜20の範囲内にある一塩基性不飽和脂肪酸、及びダイマー酸の製造時の副生成物である炭素数21〜40の範囲内にある一塩基酸化合物の混合物である。モノアミン化合物は、これらの一塩基酸化合物の末端カルボン酸基を1級アミノメチル基又はアミノ基に置換して得られるものである。
(B) A monoamine compound obtained by substituting a terminal carboxylic acid group of a monobasic acid compound having 10 to 40 carbon atoms with a primary aminomethyl group or an amino group;
The monobasic acid compound in the range of 10 to 40 carbon atoms is a monobasic unsaturated fatty acid in the range of 10 to 20 carbon atoms derived from the raw material of dimer acid, and a by-product during the production of dimer acid. It is a mixture of monobasic acid compounds in the range of 21 to 40 carbon atoms. The monoamine compound is obtained by substituting the terminal carboxylic acid group of these monobasic acid compounds with a primary aminomethyl group or an amino group.

(b)成分のモノアミン化合物は、ポリイミドの分子量増加を抑制する成分である。ポリアミド酸又はポリイミドの重合時に、該モノアミン化合物の単官能のアミノ基が、ポリアミド酸又はポリイミドの末端酸無水物基と反応することで末端酸無水物基が封止され、ポリアミド酸又はポリイミドの分子量増加を抑制する。 The monoamine compound of the component (b) is a component that suppresses an increase in the molecular weight of polyimide. During the polymerization of polyamic acid or polyimide, the monofunctional amino group of the monoamine compound reacts with the terminal acid anhydride group of the polyamic acid or polyimide to seal the terminal acid anhydride group, and the molecular weight of the polyamic acid or polyimide is sealed. Suppress the increase.

(c)炭素数41〜80の範囲内にある炭化水素基を有する多塩基酸化合物の末端カルボン酸基を1級アミノメチル基又はアミノ基に置換して得られるアミン化合物(但し、前記ダイマージアミンを除く);
炭素数41〜80の範囲内にある炭化水素基を有する多塩基酸化合物は、ダイマー酸の製造時の副生成物である炭素数41〜80の範囲内にある三塩基酸化合物を主成分とする多塩基酸化合物である。また、炭素数41〜80のダイマー酸以外の重合脂肪酸を含んでいてもよい。アミン化合物は、これらの多塩基酸化合物の末端カルボン酸基を1級アミノメチル基又はアミノ基に置換して得られるものである。
(C) An amine compound obtained by substituting a primary aminomethyl group or an amino group for a terminal carboxylic acid group of a polybasic acid compound having a hydrocarbon group in the range of 41 to 80 carbon atoms (however, the dimerdiamine). except for);
The polybasic acid compound having a hydrocarbon group in the range of 41 to 80 carbon atoms is mainly composed of a tribasic acid compound in the range of 41 to 80 carbon atoms, which is a by-product during the production of dimer acid. It is a polybasic acid compound. Further, it may contain a polymerized fatty acid other than dimer acid having 41 to 80 carbon atoms. The amine compound is obtained by substituting the terminal carboxylic acid group of these polybasic acid compounds with a primary aminomethyl group or an amino group.

(c)成分のアミン化合物は、ポリイミドの分子量増加を助長する成分である。トリマー酸を由来とするトリアミン体を主成分とする三官能以上のアミノ基が、ポリアミド酸又はポリイミドの末端酸無水物基と反応し、ポリイミドの分子量を急激に増加させる。また、炭素数41〜80のダイマー酸以外の重合脂肪酸から誘導されるアミン化合物も、ポリイミドの分子量を増加させ、ポリアミド酸又はポリイミドのゲル化の原因となる。 The amine compound of the component (c) is a component that promotes an increase in the molecular weight of polyimide. A trifunctional or higher amino group containing a triamine derived from trimeric acid as a main component reacts with a polyamic acid or a terminal acid anhydride group of polyimide to rapidly increase the molecular weight of polyimide. Further, an amine compound derived from a polymerized fatty acid other than dimer acid having 41 to 80 carbon atoms also increases the molecular weight of the polyimide and causes gelation of the polyamic acid or the polyimide.

ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)を用いた測定によって各成分の定量を行う場合、ダイマージアミン組成物の各成分のピークスタート、ピークトップ及びピークエンドの確認を容易にするために、ダイマージアミン組成物を無水酢酸及びピリジンで処理したサンプルを使用し、また内部標準物質としてシクロヘキサノンを使用する。このように調製したサンプルを用いて、GPCのクロマトグラムの面積パーセントで各成分を定量する。各成分のピークスタート及びピークエンドは、各ピーク曲線の極小値とし、これを基準にクロマトグラムの面積パーセントの算出を行うことができる。 When quantifying each component by measurement using gel permeation chromatography (GPC), diamine diamine composition is used to facilitate confirmation of peak start, peak top and peak end of each component of the diamine diamine composition. Samples treated with acetic anhydride and pyridine are used and cyclohexanone is used as an internal standard. Using the sample prepared in this way, each component is quantified by the area percentage of the GPC chromatogram. The peak start and peak end of each component are set to the minimum value of each peak curve, and the area percentage of the chromatogram can be calculated based on this.

また、ダイマージアミン組成物は、GPC測定によって得られるクロマトグラムの面積パーセントで、成分(b)及び(c)の合計が4%以下、好ましくは4%未満がよい。成分(b)及び(c)の合計を4%以下とすることで、ポリイミドの分子量分布の拡がりを抑制することができる。 Further, the diamine diamine composition is preferably an area percentage of the chromatogram obtained by GPC measurement, and the total of the components (b) and (c) is 4% or less, preferably less than 4%. By setting the total of the components (b) and (c) to 4% or less, it is possible to suppress the spread of the molecular weight distribution of the polyimide.

また、(b)成分のクロマトグラムの面積パーセントは、好ましくは3%以下、より好ましくは2%以下、更に好ましくは1%以下がよい。このような範囲にすることで、ポリイミドの分子量の低下を抑制することができ、更にテトラカルボン酸無水物成分及びジアミン成分の仕込みのモル比の範囲を広げることができる。なお、(b)成分は、ダイマージアミン組成物中に含まれていなくてもよい。 The area percentage of the chromatogram of the component (b) is preferably 3% or less, more preferably 2% or less, still more preferably 1% or less. By setting the range to such a range, it is possible to suppress a decrease in the molecular weight of the polyimide, and further expand the range of the molar ratio of the tetracarboxylic dianhydride component and the diamine component to be charged. The component (b) does not have to be contained in the diamine diamine composition.

また、(c)成分のクロマトグラムの面積パーセントは、2%以下であり、好ましくは1.8%以下、より好ましくは1.5%以下がよい。このような範囲にすることで、ポリイミドの分子量の急激な増加を抑制することができ、更に樹脂フィルムの広域の周波数での誘電正接の上昇を抑えることができる。なお、(c)成分は、ダイマージアミン組成物中に含まれていなくてもよい。 The area percentage of the chromatogram of the component (c) is 2% or less, preferably 1.8% or less, and more preferably 1.5% or less. Within such a range, a rapid increase in the molecular weight of the polyimide can be suppressed, and an increase in the dielectric loss tangent of the resin film at a wide frequency range can be suppressed. The component (c) does not have to be contained in the diamine diamine composition.

また、成分(b)及び(c)のクロマトグラムの面積パーセントの比率(b/c)が1以上である場合、テトラカルボン酸無水物成分及びジアミン成分のモル比(テトラカルボン酸無水物成分/ジアミン成分)は、好ましくは0.97以上1.0未満とすることがよく、このようなモル比にすることで、ポリイミドの分子量の制御がより容易となる。 When the area-percentage ratio (b / c) of the chromatograms of the components (b) and (c) is 1 or more, the molar ratio of the tetracarboxylic acid anhydride component and the diamine component (tetracarboxylic acid anhydride component / The diamine component) is preferably 0.97 or more and less than 1.0, and such a molar ratio makes it easier to control the molecular weight of the polyimide.

また、成分(b)及び(c)の前記クロマトグラムの面積パーセントの比率(b/c)が1未満である場合、テトラカルボン酸無水物成分及びジアミン成分のモル比(テトラカルボン酸無水物成分/ジアミン成分)は、好ましくは0.97以上1.1以下とすることがよく、このようなモル比にすることで、ポリイミドの分子量の制御がより容易となる。 When the area-percentage ratio (b / c) of the components (b) and (c) of the chromatogram is less than 1, the molar ratio of the tetracarboxylic acid anhydride component and the diamine component (tetracarboxylic acid anhydride component). The / diamine component) is preferably 0.97 or more and 1.1 or less, and such a molar ratio makes it easier to control the molecular weight of the polyimide.

ダイマー酸由来のジアミンとしては、市販品が利用可能であり、(a)成分のダイマージアミン以外の成分を低減する目的で精製することが好ましく、例えば(a)成分を96重量%以上とすることが好ましい。精製方法としては、特に制限されないが、蒸留法や沈殿精製等の公知の方法が好適である。ダイマー酸由来のジアミンの市販品としては、例えばクローダジャパン社製のPRIAMINE1073(商品名)、同PRIAMINE1074(商品名)、同PRIAMINE1075(商品名)等が挙げられる。 As the diamine derived from dimer acid, a commercially available product can be used, and it is preferable to purify the diamine for the purpose of reducing the components other than the diamine diamine of the component (a). For example, the component (a) should be 96% by weight or more. Is preferable. The purification method is not particularly limited, but a known method such as a distillation method or precipitation purification is preferable. Examples of commercially available products of diamines derived from dimer acid include PRIAMINE 1073 (trade name), PRIAMINE 1074 (trade name), and PRIAMINE 1075 (trade name) manufactured by Croda Japan.

接着性ポリイミドは、上記以外のジアミン成分から誘導されるジアミン残基を含んでいてもよい。そのようなジアミン残基としては、例えば、一般式(B1)〜(B7)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が好ましい。 The adhesive polyimide may contain a diamine residue derived from a diamine component other than the above. As such a diamine residue, for example, a diamine residue derived from a diamine compound represented by the general formulas (B1) to (B7) is preferable.

Figure 2021160148
Figure 2021160148

式(B1)〜(B7)において、Rは独立に炭素数1〜6の1価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、連結基Aは独立に−O−、−S−、−CO−、−SO−、−SO−、−COO−、−CH−、−C(CH−、−NH−若しくは−CONH−から選ばれる2価の基を示し、nは独立に0〜4の整数を示す。ただし、式(B3)中から式(B2)と重複するものは除き、式(B5)中から式(B4)と重複するものは除くものとする。ここで、「独立に」とは、上記式(B1)〜(B7)の内の一つにおいて、または二つ以上において、複数の連結基A、複数のR若しくは複数のnが、同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。なお、上記式(B1)〜(B7)において、末端の二つのアミノ基における水素原子は置換されていてもよく、例えば−NR(ここで、R,Rは、独立してアルキル基などの任意の置換基を意味する)であってもよい。 In the formulas (B1) to (B7), R 1 independently represents a monovalent hydrocarbon group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the linking group A independently represents -O-, -S-, and -CO-. , -SO-, -SO 2- , -COO-, -CH 2- , -C (CH 3 ) 2- , -NH- or -CONH-, indicating a divalent group, n 1 being independent. Indicates an integer from 0 to 4. However, the formula (B3) that overlaps with the formula (B2) is excluded, and the formula (B5) that overlaps with the formula (B4) is excluded. Here, "independently", in one of the above formulas (B1) ~ (B7), or in two or more, a plurality of linking groups A, a plurality of R 1 or a plurality of n 1, the same However, it means that it may be different. In the above formulas (B1) to (B7), the hydrogen atom in the two terminal amino groups may be substituted, for example, -NR 2 R 3 (where R 2 and R 3 are independent. It may mean any substituent such as an alkyl group).

式(B1)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B1)」と記すことがある)は、2つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B1)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結したアミノ基と2価の連結基Aとがメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B1)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、−O−、−CH−、−C(CH−、−CO−、−SO−、−S−が好ましい。 The diamine represented by the formula (B1) (hereinafter, may be referred to as "diamine (B1)") is an aromatic diamine having two benzene rings. This diamine (B1) has a high degree of flexibility due to an increase in the degree of freedom of the polyimide molecular chain by having an amino group directly linked to at least one benzene ring and a divalent linking group A at the meta position. It is considered that this contributes to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of diamine (B1) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, as the linking group A, -O-, -CH 2- , -C (CH 3 ) 2- , -CO-, -SO 2- , -S- are preferable.

ジアミン(B1)としては、例えば、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルプロパン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルプロパン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノベンゾフェノン、(3,3’-ビスアミノ)ジフェニルアミン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B1) include 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, and 3,3'-diamino. Diphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylpropane, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminobenzophenone, (3,3'- Bisamino) diphenylamine and the like can be mentioned.

式(B2)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B2)」と記すことがある)は、3つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B2)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結したアミノ基と2価の連結基Aとがメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B2)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、−O−が好ましい。 The diamine represented by the formula (B2) (hereinafter, may be referred to as "diamine (B2)") is an aromatic diamine having three benzene rings. This diamine (B2) has a high degree of flexibility due to an increase in the degree of freedom of the polyimide molecular chain by having an amino group directly linked to at least one benzene ring and a divalent linking group A at the meta position. It is considered that this contributes to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of diamine (B2) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, as the linking group A, —O— is preferable.

ジアミン(B2)としては、例えば1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン、3-[3-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B2) include 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 3- [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] benzeneamine, and 3- [3- (4-aminophenoxy) phenoxy]. Benzene amine and the like can be mentioned.

式(B3)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B3)」と記すことがある)は、3つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B3)は、1つのベンゼン環に直結した、2つの2価の連結基Aが互いにメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B3)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、−O−が好ましい。 The diamine represented by the formula (B3) (hereinafter, may be referred to as "diamine (B3)") is an aromatic diamine having three benzene rings. This diamine (B3) has two divalent linking groups A directly linked to one benzene ring at the meta position of each other, so that the degree of freedom of the polyimide molecular chain is increased and the diamine has high flexibility. Therefore, it is considered that it contributes to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of diamine (B3) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, as the linking group A, —O— is preferable.

ジアミン(B3)としては、例えば1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE−R)、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)、4,4'-[2-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[4-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[5-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B3) include 1,3-bis (4-aminophenyloxy) benzene (TPE-R), 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (APB), and 4,4'-[2-]. Methyl- (1,3-phenylene) bisoxy] bisaniline, 4,4'-[4-methyl- (1,3-phenylene) bisoxy] bisaniline, 4,4'-[5-methyl- (1,3-phenylene) ) Benzene] Bisaniline and the like can be mentioned.

式(B4)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B4)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B4)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結したアミノ基と2価の連結基Aとがメタ位にあることで高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B4)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、−O−、−CH−、−C(CH−、−SO−、−CO−、−CONH−が好ましい。 The diamine represented by the formula (B4) (hereinafter, may be referred to as "diamine (B4)") is an aromatic diamine having four benzene rings. This diamine (B4) has high flexibility because the amino group directly linked to at least one benzene ring and the divalent linking group A are in the meta position, which improves the flexibility of the polyimide molecular chain. It is thought to contribute. Therefore, the use of diamine (B4) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, as the linking group A, -O-, -CH 2- , -C (CH 3 ) 2- , -SO 2- , -CO-, and -CONH- are preferable.

ジアミン(B4)としては、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、ビス[4,4'-(3-アミノフェノキシ)]ベンズアニリド等を挙げることができる。 Diamines (B4) include bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, and bis. Examples thereof include [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy)] benzophenone, and bis [4,4'-(3-aminophenoxy)] benzanilide.

式(B5)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B5)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B5)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結した、2つの2価の連結基Aが互いにメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B5)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、−O−が好ましい。 The diamine represented by the formula (B5) (hereinafter, may be referred to as "diamine (B5)") is an aromatic diamine having four benzene rings. This diamine (B5) has two divalent linking groups A directly linked to at least one benzene ring at the meta position of each other, so that the degree of freedom of the polyimide molecular chain is increased and the diamine has high flexibility. It is considered that this contributes to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of diamine (B5) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, as the linking group A, —O— is preferable.

ジアミン(B5)としては、4-[3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]フェノキシ]アニリン、4,4’-[オキシビス(3,1-フェニレンオキシ)]ビスアニリン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B5) include 4- [3- [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] phenoxy] aniline and 4,4'-[oxybis (3,1-phenyleneoxy)] bisaniline. ..

式(B6)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B6)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B6)は、少なくとも2つのエーテル結合を有することで高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B6)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、−C(CH−、−O−、−SO−、−CO−が好ましい。 The diamine represented by the formula (B6) (hereinafter, may be referred to as "diamine (B6)") is an aromatic diamine having four benzene rings. This diamine (B6) has high flexibility by having at least two ether bonds, and is considered to contribute to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of diamine (B6) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, as the linking group A, -C (CH 3 ) 2- , -O-, -SO 2- , and -CO- are preferable.

ジアミン(B6)としては、例えば、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル(BAPE)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ケトン(BAPK)等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B6) include 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP), bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether (BAPE), and bis [4). -(4-Aminophenoxy) phenyl] sulfone (BAPS), bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone (BAPK) and the like can be mentioned.

式(B7)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B7)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B7)は、ジフェニル骨格の両側に、それぞれ屈曲性の高い2価の連結基Aを有するため、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B7)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、−O−が好ましい。 The diamine represented by the formula (B7) (hereinafter, may be referred to as "diamine (B7)") is an aromatic diamine having four benzene rings. Since this diamine (B7) has highly flexible divalent linking groups A on both sides of the diphenyl skeleton, it is considered to contribute to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of diamine (B7) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, as the linking group A, —O— is preferable.

ジアミン(B7)としては、例えば、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)]ビフェニル等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B7) include bis [4- (3-aminophenoxy)] biphenyl and bis [4- (4-aminophenoxy)] biphenyl.

接着性ポリイミドは、全ジアミン残基に対して、ジアミン(B1)〜ジアミン(B7)から選ばれる少なくとも一種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を、好ましくは1モル%以上50モル%以下の範囲内、より好ましくは5モル%以上35モル%以下の範囲内で含有することがよい。ジアミン(B1)〜ジアミン(B7)は、屈曲性を有する分子構造を持つため、これらから選ばれる少なくとも一種のジアミン化合物を上記範囲内の量で使用することによって、ポリイミド分子鎖の柔軟性を向上させ、熱可塑性を付与することができる。 The adhesive polyimide contains a diamine residue derived from at least one diamine compound selected from diamine (B1) to diamine (B7), preferably 1 mol% or more and 50 mol% or less, based on all diamine residues. It is preferably contained within the range, more preferably within the range of 5 mol% or more and 35 mol% or less. Since diamines (B1) to diamines (B7) have a flexible molecular structure, the flexibility of the polyimide molecular chain is improved by using at least one diamine compound selected from these in an amount within the above range. And can impart thermoplasticity.

接着性ポリイミドは、発明の効果を損なわない範囲で、さらに上記以外のジアミン残基を含むことができる。 The adhesive polyimide can further contain diamine residues other than the above as long as the effects of the invention are not impaired.

接着性ポリイミドは、上記の酸無水物成分とジアミン成分を溶媒中で反応させ、ポリアミド酸を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。例えば、酸無水物成分とジアミン成分をほぼ等モルで有機溶媒中に溶解させて、0〜100℃の範囲内の温度で30分〜24時間撹拌し重合反応させることでポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得られる。反応にあたっては、生成する前駆体が有機溶媒中に5〜50重量%の範囲内、好ましくは10〜40重量%の範囲内となるように反応成分を溶解する。重合反応に用いる有機溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、2−ブタノン、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ヘキサメチルホスホルアミド、N−メチルカプロラクタム、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム、メタノール、エタノール、ベンジルアルコール、クレゾール等が挙げられる。これらの溶媒を2種以上併用して使用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。また、このような有機溶媒の使用量としては特に制限されるものではないが、重合反応によって得られるポリアミド酸溶液の濃度が5〜50重量%程度になるような使用量に調整して用いることが好ましい。 The adhesive polyimide can be produced by reacting the above-mentioned acid anhydride component and diamine component in a solvent to generate polyamic acid, and then heat-closing the ring. For example, the acid anhydride component and the diamine component are dissolved in an organic solvent in approximately equimolar amounts, and the mixture is stirred at a temperature in the range of 0 to 100 ° C. for 30 minutes to 24 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a polyimide precursor. Polyamic acid is obtained. In the reaction, the reaction components are dissolved in the organic solvent so that the precursor produced is in the range of 5 to 50% by weight, preferably in the range of 10 to 40% by weight. Examples of the organic solvent used in the polymerization reaction include N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMAc), N, N-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), 2 -Butanone, dimethyl sulfoxide (DMSO), hexamethylphosphoramide, N-methylcaprolactam, dimethylsulfate, cyclohexanone, methylcyclohexane, dioxane, tetrahydrofuran, diglime, triglime, methanol, ethanol, benzyl alcohol, cresol and the like can be mentioned. Two or more of these solvents can be used in combination, and aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene can be used in combination. The amount of such an organic solvent used is not particularly limited, but it should be adjusted so that the concentration of the polyamic acid solution obtained by the polymerization reaction is about 5 to 50% by weight. Is preferable.

合成されたポリアミド酸は、通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、ポリアミド酸は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。ポリアミド酸の溶液の粘度は、500mPa・s〜100000mPa・sの範囲内であることが好ましい。この範囲を外れると、コーター等による塗工作業の際にフィルムに厚みムラ、スジ等の不良が発生し易くなる。 The synthesized polyamic acid is usually advantageous to be used as a reaction solvent solution, but can be concentrated, diluted or replaced with another organic solvent if necessary. In addition, polyamic acid is generally excellent in solvent solubility, and is therefore advantageously used. The viscosity of the polyamic acid solution is preferably in the range of 500 mPa · s to 100,000 mPa · s. If it is out of this range, defects such as thickness unevenness and streaks are likely to occur in the film during coating work by a coater or the like.

ポリアミド酸をイミド化させてポリイミドを形成させる方法は、特に制限されず、例えば前記溶媒中で、80〜400℃の範囲内の温度条件で1〜24時間かけて加熱するといった熱処理が好適に採用される。また、温度は一定の温度条件で加熱しても良いし、工程の途中で温度を変えることもできる。 The method of imidizing the polyamic acid to form the polyimide is not particularly limited, and for example, a heat treatment such as heating in the solvent under a temperature condition in the range of 80 to 400 ° C. for 1 to 24 hours is preferably adopted. Will be done. Further, the temperature may be heated under a constant temperature condition, or the temperature may be changed in the middle of the process.

接着性ポリイミドにおいて、上記酸無水物成分及びジアミン成分の種類や、2種以上の酸無水物成分又はジアミン成分を適用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、誘電特性、熱膨張係数、引張弾性率、ガラス転移温度等の物性を制御することができる。また、接着性ポリイミドが構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、ランダムに存在することが好ましい。 In the adhesive polyimide, the dielectric properties, the coefficient of thermal expansion, and the coefficient of thermal expansion can be determined by selecting the types of the acid anhydride component and the diamine component and the molar ratio of each when two or more kinds of the acid anhydride component or the diamine component are applied. Physical properties such as tensile elastic modulus and glass transition temperature can be controlled. When the adhesive polyimide has a plurality of structural units, it may exist as a block or randomly, but it is preferable that the adhesive polyimide exists randomly.

接着性ポリイミドの重量平均分子量は、例えば10,000〜400,000の範囲内が好ましく、50,000〜350,000の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が10,000未満であると、フィルムの強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が400,000を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際にフィルム厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。 The weight average molecular weight of the adhesive polyimide is preferably in the range of 10,000 to 400,000, more preferably in the range of 50,000 to 350,000. If the weight average molecular weight is less than 10,000, the strength of the film is lowered and the film tends to be brittle. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 400,000, the viscosity is excessively increased, and defects such as film thickness unevenness and streaks tend to occur during the coating operation.

(接着性ポリイミドの架橋形成)
接着性ポリイミドがケトン基を有する場合に、該ケトン基と求核付加反応する官能基を有する架橋剤を反応させることによって、架橋構造を形成することができる。架橋構造の形成によって、耐熱性を向上させることができる。このような架橋構造を形成したポリイミド(以下「架橋ポリイミド」と記すことがある)は、接着性ポリイミドの応用例であり、好ましい形態となる。
(Crosslink formation of adhesive polyimide)
When the adhesive polyimide has a ketone group, a crosslinked structure can be formed by reacting the ketone group with a crosslinking agent having a functional group that undergoes a nucleophilic addition reaction. Heat resistance can be improved by forming a crosslinked structure. A polyimide having such a crosslinked structure (hereinafter, may be referred to as “crosslinked polyimide”) is an application example of an adhesive polyimide, and is in a preferable form.

架橋剤としては、例えば、少なくとも2つの第1級のアミノ基を官能基として有するアミノ化合物(以下、「架橋形成用アミノ化合物」と記すことがある)を用いることが好ましい。接着性ポリイミドのケトン基と架橋形成用アミノ化合物のアミノ基を反応させてC=N結合を形成させることによって、架橋構造を形成することができる。つまり、アミノ化合物における2つの第1級のアミノ基は、ケトン基と求核付加反応する官能基として機能する。 As the cross-linking agent, for example, it is preferable to use an amino compound having at least two primary amino groups as a functional group (hereinafter, may be referred to as “cross-linking amino compound”). A crosslinked structure can be formed by reacting the ketone group of the adhesive polyimide with the amino group of the crosslink-forming amino compound to form a C = N bond. That is, the two primary amino groups in the amino compound function as functional groups that undergo a nucleophilic addition reaction with the ketone group.

ケトン基を有する接着性ポリイミドを形成するために好ましいテトラカルボン酸無水物としては、例えば3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)を、ジアミン化合物としては、例えば、4,4’―ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゾフェノン(BABP)、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン(BABB)等の芳香族ジアミンを挙げることができる。架橋構造を形成させる目的において、特に、全テトラカルボン酸残基に対して、BTDAから誘導されるBTDA残基を、好ましくは50モル%以上、より好ましくは60モル%以上含有する上記の接着性ポリイミドに対し、架橋形成用アミノ化合物を作用させることが好ましい。なお、本発明において、「BTDA残基」とは、BTDAから誘導された4価の基のことを意味する。 Preferred tetracarboxylic acid anhydrides for forming an adhesive polyimide having a ketone group include, for example, 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride (BTDA), and diamine compounds include, for example. Aromatic diamines such as 4,4'-bis (3-aminophenoxy) benzophenone (BABP) and 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene (BABB) can be mentioned. For the purpose of forming a crosslinked structure, particularly, the above-mentioned adhesiveness containing BTDA residue derived from BTDA in an amount of preferably 50 mol% or more, more preferably 60 mol% or more, based on all tetracarboxylic acid residues. It is preferable to allow the crosslink-forming amino compound to act on the polyimide. In the present invention, the "BTDA residue" means a tetravalent group derived from BTDA.

架橋形成用アミノ化合物としては、(I)ジヒドラジド化合物、(II)芳香族ジアミン、(III)脂肪族アミン等を例示することができる。これらの中でも、ジヒドラジド化合物が好ましい。ジヒドラジド化合物以外の脂肪族アミンは、室温でも架橋構造を形成しやすく、ワニスの保存安定性の懸念があり、一方、芳香族ジアミンは、架橋構造の形成のために高温にする必要がある。このように、ジヒドラジド化合物を使用した場合は、ワニスの保存安定性と硬化時間の短縮化を両立させることができる。ジヒドラジド化合物としては、例えば、シュウ酸ジヒドラジド、マロン酸ジヒドラジド、コハク酸ジヒドラジド、グルタル酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、ピメリン酸ジヒドラジド、スベリン酸ジヒドラジド、アゼライン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、ドデカン二酸ジヒドラジド、マレイン酸ジヒドラジド、フマル酸ジヒドラジド、ジグリコール酸ジヒドラジド、酒石酸ジヒドラジド、リンゴ酸ジヒドラジド、フタル酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、テレフタル酸ジヒドラジド、2,6−ナフトエ二酸ジヒドラジド、4,4−ビスベンゼンジヒドラジド、1,4−ナフトエ酸ジヒドラジド、2,6−ピリジン二酸ジヒドラジド、イタコン酸ジヒドラジド等のジヒドラジド化合物が好ましい。以上のジヒドラジド化合物は、単独でもよいし、2種類以上混合して用いることもできる。 Examples of the crosslink-forming amino compound include (I) a dihydrazide compound, (II) an aromatic diamine, and (III) an aliphatic amine. Among these, a dihydrazide compound is preferable. Aliphatic amines other than dihydrazide compounds tend to form crosslinked structures even at room temperature, and there is a concern about storage stability of varnishes, while aromatic diamines need to be heated to a high temperature in order to form crosslinked structures. As described above, when the dihydrazide compound is used, both the storage stability of the varnish and the shortening of the curing time can be achieved at the same time. Examples of the dihydrazide compound include dihydrazide oxalic acid, dihydrazide malonate, dihydrazide succinic acid, dihydrazide glutalide, adipic acid dihydrazide, dihydrazide dihydric acid, dihydrazide dihydranoate, dihydrazide azelaide, dihydrazide sebacic acid, and dihydrazide sevacinate. Dihydrazide, dihydrazide fumarate, diglycolic acid dihydrazide, tartrate dihydrazide, malic acid dihydrazide, phthalic acid dihydrazide, isophthalic acid dihydrazide, terephthalic acid dihydrazide, 2,6-naphthoediic acid dihydrazide, 4,4-bisbenzenedihydrazide, 1,4 Dihydrazide compounds such as −naphthoic acid dihydrazide, 2,6-pyridinediic acid dihydrazide, and itaconic acid dihydrazide are preferred. The above dihydrazide compounds may be used alone or in combination of two or more.

また、上記(I)ジヒドラジド化合物、(II)芳香族ジアミン、(III)脂肪族アミン等のアミノ化合物は、例えば(I)と(II)の組み合わせ、(I)と(III)との組み合わせ、(I)と(II)と(III)との組み合わせのように、カテゴリーを超えて2種以上組み合わせて使用することもできる。 Further, the amino compounds such as (I) dihydrazide compound, (II) aromatic diamine, and (III) aliphatic amine are, for example, a combination of (I) and (II), a combination of (I) and (III), and the like. It is also possible to use two or more types in combination across categories, such as the combination of (I), (II) and (III).

また、架橋形成用アミノ化合物による架橋によって形成される網目状の構造をより密にするという観点から、本発明で使用する架橋形成用アミノ化合物は、その分子量(架橋形成用アミノ化合物がオリゴマーの場合は重量平均分子量)が5,000以下であることが好ましく、より好ましくは90〜2,000、更に好ましくは100〜1,500がよい。この中でも、100〜1,000の分子量をもつ架橋形成用アミノ化合物が特に好ましい。架橋形成用アミノ化合物の分子量が90未満になると、架橋形成用アミノ化合物の1つのアミノ基が接着性ポリイミドのケトン基とC=N結合を形成するにとどまり、残りのアミノ基の周辺が立体的に嵩高くなるために残りのアミノ基はC=N結合を形成しにくい傾向となる。 Further, from the viewpoint of making the network structure formed by cross-linking with the cross-linking amino compound more dense, the cross-linking amino compound used in the present invention has a molecular weight (when the cross-linking amino compound is an oligomer). The weight average molecular weight) is preferably 5,000 or less, more preferably 90 to 2,000, and even more preferably 100 to 1,500. Among these, an amino compound for cross-linking having a molecular weight of 100 to 1,000 is particularly preferable. When the molecular weight of the cross-linking amino compound is less than 90, only one amino group of the cross-linking amino compound forms a C = N bond with the ketone group of the adhesive polyimide, and the periphery of the remaining amino groups is steric. Since it becomes bulky, the remaining amino groups tend to be difficult to form a C = N bond.

接着性ポリイミド中のケトン基と架橋形成用アミノ化合物とを架橋形成させる場合は、接着性ポリイミドを含む樹脂溶液に、上記架橋形成用アミノ化合物を加えて、接着性ポリイミド中のケトン基と架橋形成用アミノ化合物の第1級アミノ基とを縮合反応させる。この縮合反応により、樹脂溶液は硬化して硬化物となる。この場合、架橋形成用アミノ化合物の添加量は、ケトン基1モルに対し、第1級アミノ基が合計で0.004モル〜1.5モル、好ましくは0.005モル〜1.2モル、より好ましくは0.03モル〜0.9モル、最も好ましくは0.04モル〜0.6モルとすることができる。ケトン基1モルに対して第1級アミノ基が合計で0.004モル未満となるような架橋形成用アミノ化合物の添加量では、架橋形成用アミノ化合物による架橋が十分ではないため、硬化後の耐熱性が発現しにくい傾向となり、架橋形成用アミノ化合物の添加量が1.5モルを超えると未反応の架橋形成用アミノ化合物が熱可塑剤として作用し、接着剤層としての耐熱性を低下させる傾向がある。 When cross-linking a ketone group in an adhesive polyimide and an amino compound for forming a bridge, the above amino compound for cross-linking is added to a resin solution containing the adhesive polyimide to form a cross-linking with the ketone group in the adhesive polyimide. Condensation reaction with the primary amino group of the amino compound for use. By this condensation reaction, the resin solution is cured to become a cured product. In this case, the amount of the amino compound for forming a bridge is 0.004 mol to 1.5 mol, preferably 0.005 mol to 1.2 mol, in total of the primary amino group with respect to 1 mol of the ketone group. It can be more preferably 0.03 mol to 0.9 mol, and most preferably 0.04 mol to 0.6 mol. If the amount of the cross-linking amino compound added so that the total number of primary amino groups is less than 0.004 mol with respect to 1 mol of the ketone group, the cross-linking by the cross-linking amino compound is not sufficient, and therefore after curing. Heat resistance tends to be difficult to develop, and when the amount of the cross-linking amino compound added exceeds 1.5 mol, the unreacted cross-linking amino compound acts as a thermoplastic agent, and the heat resistance as the adhesive layer is lowered. Tends to let.

接着性ポリイミド中のケトン基と架橋剤の官能基とを求核付加反応させることによって架橋形成し、硬化物である架橋ポリイミドとなる。架橋形成のための求核付加反応の条件は特に制限されず、架橋剤の種類に応じて選択できる。例えば、架橋形成用アミノ化合物の第1級アミノ基を接着性ポリイミドにおけるケトン基と反応させる場合は、加熱による縮合反応によってイミン結合(C=N結合)が生成し、架橋構造が形成される。架橋形成のための縮合反応の条件は、接着性ポリイミドにおけるケトン基と上記架橋形成用アミノ化合物の第1級アミノ基がイミン結合(C=N結合)を形成する条件であれば、特に制限されない。加熱縮合の温度は、縮合によって生成する水を系外へ放出させるため、又は接着性ポリイミドの合成後に引き続いて加熱縮合反応を行なう場合に当該縮合工程を簡略化するため等の理由で、例えば120〜220℃の範囲内が好ましく、140〜200℃の範囲内がより好ましい。反応時間は、30分〜24時間程度が好ましい。反応の終点は、例えばフーリエ変換赤外分光光度計(市販品:日本分光製FT/IR620)を用い、赤外線吸収スペクトルを測定することによって、1670cm−1付近のポリイミド樹脂におけるケトン基に由来する吸収ピークの減少又は消失、及び1635cm−1付近のイミン基に由来する吸収ピークの出現により確認することができる。 The ketone group in the adhesive polyimide and the functional group of the cross-linking agent are subjected to a nucleophilic addition reaction to form a cross-link, and the cross-linked polyimide is obtained as a cured product. The conditions of the nucleophilic addition reaction for cross-linking are not particularly limited and can be selected according to the type of cross-linking agent. For example, when the primary amino group of the cross-linking amino compound is reacted with the ketone group in the adhesive polyimide, an imine bond (C = N bond) is formed by a condensation reaction by heating to form a cross-linked structure. The conditions of the condensation reaction for crosslink formation are not particularly limited as long as the ketone group in the adhesive polyimide and the primary amino group of the crosslink forming amino compound form an imine bond (C = N bond). .. The temperature of the heat condensation is, for example, 120 for the purpose of releasing the water generated by the condensation to the outside of the system, or for simplifying the condensation step when the heat condensation reaction is subsequently carried out after the synthesis of the adhesive polyimide. The range of about 220 ° C. is preferable, and the range of 140 to 200 ° C. is more preferable. The reaction time is preferably about 30 minutes to 24 hours. The end point of the reaction is the absorption derived from the ketone group in the polyimide resin near 1670 cm-1 by measuring the infrared absorption spectrum using, for example, a Fourier transform infrared spectrophotometer (commercially available product: FT / IR620 manufactured by JASCO Corporation). It can be confirmed by the decrease or disappearance of the peak and the appearance of the absorption peak derived from the imine group near 1635 cm-1.

接着性ポリイミドのケトン基と上記架橋形成用アミノ化合物の第1級のアミノ基との加熱縮合は、例えば、
(1)接着性ポリイミドの合成(イミド化)に引き続き、架橋形成用アミノ化合物を添加して加熱する方法、
(2)ジアミン成分として予め過剰量のアミノ化合物を仕込んでおき、接着性ポリイミドの合成(イミド化)に引き続き、イミド化若しくはアミド化に関与しない残りのアミノ化合物を架橋形成用アミノ化合物として利用して接着性ポリイミドとともに加熱する方法、
又は、
(3)上記の架橋形成用アミノ化合物を添加した接着性ポリイミドの組成物を所定の形状に加工した後(例えば任意の基材に塗布した後やフィルム状に形成した後)に加熱する方法、
等によって行うことができる。
The thermal condensation of the ketone group of the adhesive polyimide and the primary amino group of the above-mentioned cross-linking amino compound is, for example,
(1) A method of adding an amino compound for cross-linking and heating following the synthesis (imidization) of adhesive polyimide.
(2) An excess amount of an amino compound is charged in advance as a diamine component, and following the synthesis (imidization) of the adhesive polyimide, the remaining amino compound that is not involved in imidization or amidization is used as an amino compound for cross-linking formation. And heating with adhesive polyimide,
Or
(3) A method of heating an adhesive polyimide composition to which the above-mentioned crosslink-forming amino compound is added after processing it into a predetermined shape (for example, after applying it to an arbitrary substrate or forming it into a film).
It can be done by such as.

接着性ポリイミドの耐熱性付与のため、イミン結合の形成によって架橋構造とした架橋ポリイミドの例を挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、ポリイミドの硬化方法として、例えばエポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、マレイミド、活性化エステル樹脂、スチレン骨格を有する樹脂等の不飽和結合を有する化合物等を配合し硬化することも可能である。 In order to impart heat resistance to the adhesive polyimide, an example of a crosslinked polyimide having a crosslinked structure by forming an imine bond has been described, but the present invention is not limited to this, and examples of the polyimide curing method include epoxy resin and epoxy. It is also possible to blend and cure a compound having an unsaturated bond such as a resin curing agent, maleimide, an activated ester resin, or a resin having a styrene skeleton.

樹脂フィルムAを構成する第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2は、それぞれ、任意成分として、例えば可塑剤、エポキシ樹脂などの他の樹脂成分、硬化剤、硬化促進剤、有機フィラー、無機フィラー、カップリング剤、難燃剤などを適宜含有することができる。 The first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 constituting the resin film A have optional components such as other resin components such as a plasticizer and an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, and an organic filler. An inorganic filler, a coupling agent, a flame retardant, and the like can be appropriately contained.

樹脂フィルムAは、例えば回路基板に適用する場合において、誘電損失の悪化を抑制するために、10GHzにおける誘電正接(Tanδ)が、好ましくは0.005以下、より好ましくは0.0035以下、更に好ましくは0.0025以下がよい。樹脂フィルムAの10GHzにおける誘電正接が0.005を超えると、回路基板に適用した際に、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。一方、樹脂フィルムAの10GHzにおける誘電正接の下限値は特に制限されない。 When the resin film A is applied to a circuit board, for example, the dielectric loss tangent (Tanδ) at 10 GHz is preferably 0.005 or less, more preferably 0.0035 or less, still more preferably 0.0035 or less, in order to suppress deterioration of dielectric loss. Should be 0.0025 or less. If the dielectric loss tangent of the resin film A at 10 GHz exceeds 0.005, inconveniences such as loss of electric signals are likely to occur on the transmission path of high frequency signals when applied to a circuit board. On the other hand, the lower limit of the dielectric loss tangent of the resin film A at 10 GHz is not particularly limited.

樹脂フィルムAは、例えば回路基板に適用する場合において、インピーダンス整合性を確保するために、10GHzにおける比誘電率が4.0以下であることが好ましく、3.5以下であることがより好ましく、3.0以下であることが更に好ましい。樹脂フィルムAの10GHzにおける比誘電率が4.0を超えると、回路基板に適用した際に、樹脂フィルムAの誘電損失の悪化に繋がり、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。 When the resin film A is applied to a circuit board, for example, the relative permittivity at 10 GHz is preferably 4.0 or less, more preferably 3.5 or less, in order to ensure impedance matching. It is more preferably 3.0 or less. If the relative permittivity of the resin film A at 10 GHz exceeds 4.0, it leads to deterioration of the dielectric loss of the resin film A when applied to a circuit board, resulting in inconvenience such as loss of an electric signal on the transmission path of a high frequency signal. Is likely to occur.

樹脂フィルムAは、液晶ポリマー層Lの厚みをTL、第1接着剤層B1の厚みをTB1、第2接着剤層B2の厚みをTB2としたとき、以下の関係を有することが好ましい。
0.15 ≦(TB1+TB2)/(TL+TB1+TB2)≦ 0.70
樹脂フィルムAの総厚みに対する第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2の合計厚みの比率が0.15より小さいと、加熱後の寸法変化率が大きくなって、寸法安定性が損なわれるおそれがあり、0.70より大きいと液晶ポリマーによる樹脂フィルムA全体の誘電特性の向上効果が得られにくくなる。
ここで、液晶ポリマー層Lの厚みTLは、特に限定されるものではないが、例えば25〜250μmの範囲内が好ましく、50〜100μmの範囲内がより好ましい。また、第1接着剤層B1の厚みTB1及び第2接着剤層B2の厚みTB2は、特に限定されるものではないが、それぞれ、例えば1〜100μmの範囲内が好ましく、5〜50μmの範囲内がより好ましい。
The resin film A preferably has the following relationship when the thickness of the liquid crystal polymer layer L is TL, the thickness of the first adhesive layer B1 is TB1, and the thickness of the second adhesive layer B2 is TB2.
0.15 ≤ (TB1 + TB2) / (TL + TB1 + TB2) ≤ 0.70
If the ratio of the total thickness of the first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 to the total thickness of the resin film A is less than 0.15, the dimensional change rate after heating becomes large and the dimensional stability is impaired. If it is larger than 0.70, it becomes difficult to obtain the effect of improving the dielectric properties of the entire resin film A by the liquid crystal polymer.
Here, the thickness TL of the liquid crystal polymer layer L is not particularly limited, but is preferably in the range of, for example, 25 to 250 μm, and more preferably in the range of 50 to 100 μm. The thickness TB1 of the first adhesive layer B1 and the thickness TB2 of the second adhesive layer B2 are not particularly limited, but are preferably in the range of, for example, 1 to 100 μm, and are preferably in the range of 5 to 50 μm, respectively. Is more preferable.

樹脂フィルムAは、液晶ポリマー層L、第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2からなるフィルム(シート)であってもよいし、例えば、銅箔、ガラス板などの無機材料の基材や、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルムなどの樹脂基材に積層された状態であってもよい。 The resin film A may be a film (sheet) composed of a liquid crystal polymer layer L, a first adhesive layer B1 and a second adhesive layer B2, and may be a base material of an inorganic material such as a copper foil or a glass plate. Alternatively, it may be in a state of being laminated on a resin base material such as a polyimide film, a polyamide film, or a polyester film.

本実施の形態の樹脂フィルムAの製造方法については特に限定されないが、第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2が接着性ポリイミドによるポリイミド層である場合を例に挙げると、以下の[1]〜[3]の方法を挙げることができる。
[1]液晶ポリマーフィルムの片面に、接着性ポリイミドを溶液の状態(例えば、ポリイミド組成物の状態)で塗布して塗布膜を形成し、これを例えば80〜180℃の温度で乾燥させた後、もう片側の面にも、同様にして接着性ポリイミドによる塗布膜を形成し、加熱乾燥して樹脂フィルムAを形成する方法。
[2]任意の基材に、接着性ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥した後、イミド化してフィルム化した後、基材から剥離する。このようにして得られたポリイミドフィルム2枚の間に液晶ポリマーフィルムを挟みこみ、熱圧着することによって樹脂フィルムAを形成する方法。
[3]任意の基材に、接着性ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥した後、ポリアミド酸のゲルフィルムを基材から剥離する。このようにして得られたゲルフィルム2枚の間に液晶ポリマーフィルムを挟みこみ、熱圧着することによってイミド化と同時に樹脂フィルムAを形成する方法。
接着性ポリイミドの溶液(又はポリアミド酸溶液)を基材上に塗布する方法としては特に制限されず、例えばコンマ、ダイ、ナイフ、リップ等のコーターにて塗布することが可能である。
The method for producing the resin film A of the present embodiment is not particularly limited, but for example, when the first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 are polyimide layers made of adhesive polyimide, the following [ The methods 1] to [3] can be mentioned.
[1] An adhesive polyimide is applied to one side of a liquid crystal polymer film in a solution state (for example, in the state of a polyimide composition) to form a coating film, which is dried at a temperature of, for example, 80 to 180 ° C. A method in which a coating film made of adhesive polyimide is similarly formed on the other side surface, and the resin film A is formed by heating and drying.
[2] A solution of polyamic acid, which is a precursor of adhesive polyimide, is applied to an arbitrary base material, dried, imidized to form a film, and then peeled off from the base material. A method of forming a resin film A by sandwiching a liquid crystal polymer film between two polyimide films thus obtained and thermocompression bonding.
[3] A solution of polyamic acid, which is a precursor of adhesive polyimide, is applied to and dried on an arbitrary base material, and then the polyamic acid gel film is peeled off from the base material. A method in which a liquid crystal polymer film is sandwiched between two gel films thus obtained and thermocompression bonded to form a resin film A at the same time as imidization.
The method of applying the adhesive polyimide solution (or polyamic acid solution) on the substrate is not particularly limited, and for example, it can be applied with a coater such as a comma, a die, a knife, or a lip.

以上のようにして得られる樹脂フィルムAは、液晶ポリマー層Lを、所定の貯蔵弾性率を有する第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2で挟み込んだサンドイッチ構造を有するため、誘電特性及び寸法安定性に優れている。そのため、樹脂フィルムAは、例えば、接着剤フィルム(ボンディングシート)や、回路基板の絶縁樹脂層の一部分を構成する接着剤層などとして好ましく適用できるものである。樹脂フィルムAを適用することによって、回路基板において、高周波信号伝送時の伝送損失の低減が可能であり、かつ、寸法安定性を確保できる。 The resin film A obtained as described above has a sandwich structure in which the liquid crystal polymer layer L is sandwiched between the first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 having a predetermined storage elastic modulus. Excellent dimensional stability. Therefore, the resin film A can be preferably applied as, for example, an adhesive film (bonding sheet), an adhesive layer forming a part of an insulating resin layer of a circuit board, or the like. By applying the resin film A, it is possible to reduce the transmission loss at the time of high-frequency signal transmission in the circuit board, and it is possible to secure the dimensional stability.

[金属張積層板]
図2は、本発明の一実施の形態にかかる金属張積層板の構成を示す模式図である。本実施の形態の金属張積層板(C)は、一対の片面金属張積層板を、接着層(A’)で貼り合わせた構造を有している。
すなわち、金属張積層板(C)は、第1の片面金属張積層板(C1)と、第2の片面金属張積層板(C2)と、これら第1の片面金属張積層板(C1)及び第2の片面金属張積層板(C2)の間に積層された接着層(A’)を備えている。ここで、接着層(A’)は、上記樹脂フィルムAによって構成されている。
[Metal-clad laminate]
FIG. 2 is a schematic view showing the configuration of a metal-clad laminate according to an embodiment of the present invention. The metal-clad laminate (C) of the present embodiment has a structure in which a pair of single-sided metal-clad laminates are bonded by an adhesive layer (A').
That is, the metal-clad laminate (C) includes a first single-sided metal-clad laminate (C1), a second single-sided metal-clad laminate (C2), these first single-sided metal-clad laminate (C1), and the like. An adhesive layer (A') laminated between the second single-sided metal-clad laminates (C2) is provided. Here, the adhesive layer (A') is made of the resin film A.

また、第1の片面金属張積層板(C1)は、第1の金属層(M1)と、この第1の金属層(M1)の少なくとも片側の面に積層された第1の絶縁樹脂層(P1)と、を有する。第2の片面金属張積層板(C2)は、第2の金属層(M2)と、この第2の金属層(M2)の少なくとも片側の面に積層された第2の絶縁樹脂層(P2)と、を有する。接着層(A’)は、第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)に当接するように配置されている。つまり、金属張積層板(C)は、第1の金属層(M1)/第1の絶縁樹脂層(P1)/接着層(A’)/第2の絶縁樹脂層(P2)/第2の金属層(M2)がこの順に積層された構造を有する。第1の金属層(M1)と第2の金属層(M2)は、それぞれ最も外側に位置し、それらの内側に第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)が配置され、さらに第1の絶縁樹脂層(P1)と第2の絶縁樹脂層(P2)の間には、接着層(A’)が介在配置されている。 Further, the first single-sided metal-clad laminate (C1) includes a first metal layer (M1) and a first insulating resin layer (M1) laminated on at least one surface of the first metal layer (M1). P1) and. The second single-sided metal-clad laminate (C2) is a second metal layer (M2) and a second insulating resin layer (P2) laminated on at least one surface of the second metal layer (M2). And have. The adhesive layer (A') is arranged so as to abut the first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2). That is, the metal-clad laminate (C) is the first metal layer (M1) / first insulating resin layer (P1) / adhesive layer (A') / second insulating resin layer (P2) / second. It has a structure in which metal layers (M2) are laminated in this order. The first metal layer (M1) and the second metal layer (M2) are located on the outermost side, respectively, and the first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2) are located inside them. An adhesive layer (A') is interposed between the first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2).

一対の片面金属張積層板(C1,C2)の構成は、特に限定されず、FPC材料として一般的なものを使用可能であり、市販の銅張積層板などであってもよい。なお、第1の片面金属張積層板(C1)と第2の片面金属張積層板(C2)の構成は同じであってもよいし、異なっていてもよい。 The configuration of the pair of single-sided metal-clad laminates (C1, C2) is not particularly limited, and a general FPC material can be used, and a commercially available copper-clad laminate may be used. The configurations of the first single-sided metal-clad laminate (C1) and the second single-sided metal-clad laminate (C2) may be the same or different.

(金属層)
第1の金属層(M1)及び第2の金属層(M2)の材質としては、特に制限はないが、例えば、銅、ステンレス、鉄、ニッケル、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、銀、金、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉛、マグネシウム、マンガン及びこれらの合金等が挙げられる。この中でも、特に銅又は銅合金が好ましい。なお、後述する本実施の形態の回路基板における配線層の材質も第1の金属層(M1)及び第2の金属層(M2)と同様である。
(Metal layer)
The materials of the first metal layer (M1) and the second metal layer (M2) are not particularly limited, but for example, copper, stainless steel, iron, nickel, berylium, aluminum, zinc, indium, silver, gold, and the like. Examples thereof include tin, zirconium, tantalum, titanium, lead, magnesium, manganese and alloys thereof. Of these, copper or copper alloys are particularly preferable. The material of the wiring layer in the circuit board of the present embodiment described later is also the same as that of the first metal layer (M1) and the second metal layer (M2).

第1の金属層(M1)及び第2の金属層(M2)の厚みは特に限定されるものではないが、例えば銅箔等の金属箔を用いる場合、好ましくは35μm以下であり、より好ましくは5〜25μmの範囲内がよい。生産安定性及びハンドリング性の観点から金属箔の厚みの下限値は5μmとすることが好ましい。なお、銅箔を用いる場合は、圧延銅箔でも電解銅箔でもよい。また、銅箔としては、市販されている銅箔を用いることができる。 The thickness of the first metal layer (M1) and the second metal layer (M2) is not particularly limited, but when a metal foil such as a copper foil is used, it is preferably 35 μm or less, more preferably. The range of 5 to 25 μm is preferable. From the viewpoint of production stability and handleability, the lower limit of the thickness of the metal foil is preferably 5 μm. When a copper foil is used, it may be a rolled copper foil or an electrolytic copper foil. Further, as the copper foil, a commercially available copper foil can be used.

また、金属箔は、例えば、防錆処理や、接着力の向上を目的として、例えばサイディング、アルミニウムアルコラート、アルミニウムキレート、シランカップリング剤等による表面処理を施してもよい。 Further, the metal foil may be subjected to surface treatment with, for example, siding, aluminum alcoholate, aluminum chelate, silane coupling agent or the like for the purpose of rust prevention treatment or improvement of adhesive strength.

(絶縁樹脂層)
第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)としては、電気的絶縁性を有する樹脂により構成されるものであれば特に限定はなく、例えばポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、シリコーン、ETFEなどを挙げることができるが、ポリイミドによって構成されることが好ましい。また、第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)は、単層に限らず、複数の樹脂層が積層されたものであってもよい。なお、本発明でポリイミドという場合、ポリイミドの他、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、
ポリシロキサンイミド、ポリベンズイミダゾールイミドなど、分子構造中にイミド基を有するポリマーからなる樹脂を意味する。
(Insulating resin layer)
The first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2) are not particularly limited as long as they are composed of a resin having electrical insulating properties, and are, for example, polyimide, epoxy resin, and phenol resin. , Polyethylene, Polyethylene, Polytetrafluoroethylene, Silicone, ETFE and the like, but it is preferably composed of polyimide. Further, the first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2) are not limited to a single layer, and may be a stack of a plurality of resin layers. When the term polyimide is used in the present invention, in addition to polyimide, polyamideimide, polyetherimide, polyesterimide, etc.
It means a resin composed of a polymer having an imide group in its molecular structure, such as polysiloxaneimide and polybenzimidazoleimide.

<層厚>
金属張積層板(C)は、第1の絶縁樹脂層(P1)と接着層(A’)と第2の絶縁樹脂層(P2)の合計厚みをT1としたとき、該合計厚みT1が50〜500μmの範囲内であり、100〜300μmの範囲内であることが好ましい。合計厚みT1が50μm未満では、回路基板とした際の伝送損失を低下させる効果が不十分となり、500μmを超えると、回路基板の屈曲性の低下や生産性低下の恐れがある。
<Layer thickness>
The metal-clad laminate (C) has a total thickness T1 of 50, where T1 is the total thickness of the first insulating resin layer (P1), the adhesive layer (A'), and the second insulating resin layer (P2). It is in the range of ~ 500 μm, and preferably in the range of 100 to 300 μm. If the total thickness T1 is less than 50 μm, the effect of reducing the transmission loss when the circuit board is used is insufficient, and if it exceeds 500 μm, the flexibility of the circuit board and the productivity may be lowered.

また、接着層(A’)の厚みT2(つまり、樹脂フィルムAにおけるTL+TB1+TB2)は、例えば26〜350μmの範囲内にあることが好ましく、30〜250μmの範囲内がより好ましい。接着層(A’)の厚みT2が上記下限値に満たないと、高周波基板として伝送損失が大きくなることがある。一方、接着層(A’)の厚みが上記上限値を超えると、寸法安定性が低下するなどの不具合が生じることがある。 Further, the thickness T2 of the adhesive layer (A') (that is, TL + TB1 + TB2 in the resin film A) is preferably in the range of 26 to 350 μm, more preferably in the range of 30 to 250 μm. If the thickness T2 of the adhesive layer (A') does not reach the above lower limit value, the transmission loss may increase as a high frequency substrate. On the other hand, if the thickness of the adhesive layer (A') exceeds the above upper limit value, problems such as deterioration of dimensional stability may occur.

また、合計厚みT1に対する接着層(A’)の厚みT2の比率(T2/T1)は、0.50〜0.90の範囲内であり、0.5〜0.8の範囲内であることが好ましい。比率(T2/T1)が0.5未満では、T1を50μm以上とすることが困難となり、さらに回路基板とした際の伝送損失を低下させる効果が不十分となり、0.90を超えると寸法安定性が低下するなどの不具合が生じる。 The ratio (T2 / T1) of the thickness T2 of the adhesive layer (A') to the total thickness T1 is in the range of 0.50 to 0.90 and in the range of 0.5 to 0.8. Is preferable. If the ratio (T2 / T1) is less than 0.5, it becomes difficult to set T1 to 50 μm or more, and the effect of reducing the transmission loss when used as a circuit board becomes insufficient. If the ratio exceeds 0.90, the dimensions are stable. Problems such as reduced sexuality occur.

第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)の厚みT3は、共に、例えば、12〜100μmの範囲内にあることが好ましく、12〜50μmの範囲内がより好ましい。第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)の厚みT3が上記の下限値に満たないと、金属張積層板(C)の反りなどの問題が生じることがある。第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)の厚みT3が上記の上限値を超えると、生産性が低下するなどの不具合が生じる。なお、第1の絶縁樹脂層(P1)と第2の絶縁樹脂層(P2)は、必ずしも同じ厚みでなくてもよい。 The thickness T3 of the first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2) is preferably in the range of, for example, 12 to 100 μm, and more preferably in the range of 12 to 50 μm. If the thickness T3 of the first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2) does not reach the above lower limit value, problems such as warpage of the metal-clad laminate (C) may occur. If the thickness T3 of the first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2) exceeds the above upper limit value, problems such as a decrease in productivity occur. The first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2) do not necessarily have to have the same thickness.

<熱膨張係数>
第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)は、熱膨張係数(CTE)が10ppm/K以上がよく、好ましくは10ppm/K以上30ppm/K以下の範囲内、より好ましくは15ppm/K以上25ppm/K以下の範囲内である。CTEが10ppm/K未満であるか、又は30ppm/Kを超えると、反りが発生したり、寸法安定性が低下したりする。使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望のCTEを有するポリイミド層とすることができる。
<Coefficient of thermal expansion>
The first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2) preferably have a coefficient of thermal expansion (CTE) of 10 ppm / K or more, preferably 10 ppm / K or more and 30 ppm / K or less. It is preferably in the range of 15 ppm / K or more and 25 ppm / K or less. If the CTE is less than 10 ppm / K or more than 30 ppm / K, warpage will occur and dimensional stability will decrease. A polyimide layer having a desired CTE can be obtained by appropriately changing the combination of raw materials used, the thickness, and the drying / curing conditions.

第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2が低弾性であり、ガラス転移温度が低いため、接着層(A’)全体のCTEが30ppm/Kを超えても、積層時に発生する内部応力を緩和することができる。また、第1の絶縁樹脂層(P1)、接着層(A’)及び第2の絶縁樹脂層(P2)の全体の熱膨張係数(CTE)は、10ppm/K以上がよく、好ましくは10ppm/K以上30ppm/K以下の範囲内、より好ましくは15ppm/K以上25ppm/K以下の範囲内である。これらの樹脂層全体のCTEが10ppm/K未満であるか、又は30ppm/Kを超えると、反りが発生したり、寸法安定性が低下したりする。 Since the first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 have low elasticity and a low glass transition temperature, even if the CTE of the entire adhesive layer (A') exceeds 30 ppm / K, the internal stress generated during lamination is generated. Can be alleviated. The overall coefficient of thermal expansion (CTE) of the first insulating resin layer (P1), the adhesive layer (A') and the second insulating resin layer (P2) is preferably 10 ppm / K or more, preferably 10 ppm / K. It is in the range of K or more and 30 ppm / K or less, more preferably in the range of 15 ppm / K or more and 25 ppm / K or less. If the CTE of the entire resin layer is less than 10 ppm / K or more than 30 ppm / K, warpage occurs or dimensional stability is lowered.

<誘電正接>
第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)は、例えば回路基板に適用する場合において、誘電損失の悪化を抑制するために、それぞれ、10GHzにおける誘電正接(Tanδ)が、好ましくは0.02以下、より好ましくは0.01以下、更に好ましくは0.008以下がよい。第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)の10GHzにおける誘電正接が0.02を超えると、回路基板に適用した際に、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。一方、第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)の10GHzにおける誘電正接の下限値は特に制限されないが、回路基板の絶縁樹脂層としての物性制御を考慮している。
<Dissipation factor>
The first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2) each have a dielectric loss tangent (Tan δ) at 10 GHz in order to suppress deterioration of dielectric loss when applied to a circuit board, for example. , Preferably 0.02 or less, more preferably 0.01 or less, still more preferably 0.008 or less. When the dielectric loss tangent of the first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2) at 10 GHz exceeds 0.02, when applied to a circuit board, the electric signal is transmitted on the transmission path of the high frequency signal. Inconveniences such as loss are likely to occur. On the other hand, the lower limit of the dielectric loss tangent at 10 GHz of the first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2) is not particularly limited, but the physical property control as the insulating resin layer of the circuit board is taken into consideration. ..

<比誘電率>
第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)は、例えば回路基板の絶縁樹脂層として適用する場合において、インピーダンス整合性を確保するために、絶縁樹脂層全体として、10GHzにおける比誘電率が4.0以下であることが好ましい。第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)の10GHzにおける比誘電率が4.0を超えると、回路基板に適用した際に、第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)の誘電損失の悪化に繋がり、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。
<Relative permittivity>
When the first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2) are applied as, for example, an insulating resin layer of a circuit board, the insulating resin layer as a whole is 10 GHz in order to ensure impedance matching. The relative permittivity in is preferably 4.0 or less. When the relative dielectric constant of the first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2) at 10 GHz exceeds 4.0, the first insulating resin layer (P1) is applied to a circuit board. Further, it leads to deterioration of the dielectric loss of the second insulating resin layer (P2), and inconvenience such as loss of an electric signal is likely to occur on the transmission path of the high frequency signal.

<作用>
金属張積層板(C)では、絶縁樹脂層全体の低誘電正接化を図り、高周波信号伝送への対応を可能にするため、接着層(A’)に液晶ポリマー層Lを設けている。しかし、液晶ポリマー層Lは加熱前後の寸法変化率が大きいため、液晶ポリマー層Lの層厚を大きくするに伴い、寸法安定性の低下を招く恐れがある。
<Action>
In the metal-clad laminate (C), a liquid crystal polymer layer L is provided on the adhesive layer (A') in order to reduce the dielectric loss tangent of the entire insulating resin layer and to support high-frequency signal transmission. However, since the liquid crystal polymer layer L has a large dimensional change rate before and after heating, the dimensional stability may decrease as the layer thickness of the liquid crystal polymer layer L increases.

そこで、本実施の形態の金属張積層板(C)では、接着層(A’)として、液晶ポリマー層Lを貯蔵弾性率が低い第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2で挟み込んだサンドイッチ構造とすることによって、加熱によって生じる内部応力を緩和して寸法安定性を確保している。特に、第1接着剤層B1及び第2接着剤層B2の材質として、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級アミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸由来のジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル%以上含有するポリイミドを用いる場合には、接着層(A’)全体の比誘電率及び誘電正接を増加させずに、寸法安定性を向上させることができる。 Therefore, in the metal-clad laminate (C) of the present embodiment, the liquid crystal polymer layer L is sandwiched between the first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2 having a low storage elastic modulus as the adhesive layer (A'). The sandwich structure relaxes the internal stress caused by heating and ensures dimensional stability. In particular, as the material of the first adhesive layer B1 and the second adhesive layer B2, it is derived from a diamine derived from diamine in which two terminal carboxylic acid groups of dimer acid are replaced with a primary aminomethyl group or an amino group. When a polyimide containing 50 mol% or more of the diamine residue is used, the dimensional stability can be improved without increasing the relative permittivity and the dielectric tangent of the entire adhesive layer (A').

また、接着層(A’)は、第1の絶縁樹脂層(P1)と第2の絶縁樹脂層(P2)との間に積層されているので、中間層としての機能を果たし、反りと寸法変化を抑制する。更に、例えば半導体チップの実装時における半田リフロー等の加熱工程においても、第1の絶縁樹脂層(P1)又は第2の絶縁樹脂層(P2)によって直接的な熱や酸素との接触が遮られるので、接着層(A’)が酸化劣化の影響を受けにくく寸法変化は生じにくい。このように、第1の絶縁樹脂層(P1)、接着層(A’)及び第2の絶縁樹脂層(P2)という層構成の特徴による利点も有する。 Further, since the adhesive layer (A') is laminated between the first insulating resin layer (P1) and the second insulating resin layer (P2), it functions as an intermediate layer, and has warpage and dimensions. Suppress change. Further, even in a heating process such as solder reflow during mounting of a semiconductor chip, direct contact with heat or oxygen is blocked by the first insulating resin layer (P1) or the second insulating resin layer (P2). Therefore, the adhesive layer (A') is not easily affected by oxidative deterioration and the dimensional change is unlikely to occur. As described above, it also has an advantage due to the characteristics of the layer structure of the first insulating resin layer (P1), the adhesive layer (A'), and the second insulating resin layer (P2).

[金属張積層板の製造]
金属張積層板(C)は、例えば接着層(A’)となる樹脂フィルムAを、第1の片面金属張積層板(C1)の第1の絶縁樹脂層(P1)と、第2の片面金属張積層板(C2)の第2の絶縁樹脂層(P2)との間に配置して貼り合わせ、熱圧着させる方法によって製造することができる。
[Manufacturing of metal-clad laminates]
The metal-clad laminate (C) includes, for example, a resin film A to be an adhesive layer (A'), a first insulating resin layer (P1) of the first single-sided metal-clad laminate (C1), and a second single-sided. It can be manufactured by a method of arranging and bonding the metal-clad laminate (C2) with the second insulating resin layer (P2) and thermocompression bonding.

以上のようにして得られる本実施の形態の金属張積層板(C)は、第1の金属層(M1)及び/又は第2の金属層(M2)をエッチングするなどして配線回路加工することによって、片面FPC又は両面FPCなどの回路基板を製造することができる。 The metal-clad laminate (C) of the present embodiment obtained as described above is subjected to wiring circuit processing by etching the first metal layer (M1) and / or the second metal layer (M2). Thereby, a circuit board such as a single-sided FPC or a double-sided FPC can be manufactured.

[金属張積層板の好ましい構成例]
次に、本実施の形態の金属張積層板(C)における第1の絶縁樹脂層(P1)、第2の絶縁樹脂層(P2)、接着層(A’)、第1の金属層(M1)及び第2の金属層(M2)について、より具体的に説明する。
[Preferable configuration example of metal-clad laminate]
Next, the first insulating resin layer (P1), the second insulating resin layer (P2), the adhesive layer (A'), and the first metal layer (M1) in the metal-clad laminate (C) of the present embodiment. ) And the second metal layer (M2) will be described more specifically.

図3は、本実施の形態の金属張積層板100の構造を示す模式的断面図である。金属張積層板100は、図3に示すように、第1の金属層(M1)及び第2の金属層(M2)としての金属層101,101と、第1の絶縁樹脂層(P1)及び第2の絶縁樹脂層(P2)としてのポリイミド層110,110と、接着層(A’)としての接着層120を備えている。ここで、金属層101およびポリイミド層110によって、第1の片面金属張積層板(C1)又は第2の片面金属張積層板(C2)としての片面金属張積層板130が形成されている。本態様では、第1の片面金属張積層板(C1)と第2の片面金属張積層板(C2)の構成は同じである。 FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the metal-clad laminate 100 of the present embodiment. As shown in FIG. 3, the metal-clad laminate 100 includes metal layers 101 and 101 as a first metal layer (M1) and a second metal layer (M2), a first insulating resin layer (P1), and a metal-clad laminate 100. The polyimide layers 110 and 110 as the second insulating resin layer (P2) and the adhesive layer 120 as the adhesive layer (A') are provided. Here, the metal layer 101 and the polyimide layer 110 form a single-sided metal-clad laminate 130 as a first single-sided metal-clad laminate (C1) or a second single-sided metal-clad laminate (C2). In this embodiment, the configuration of the first single-sided metal-clad laminate (C1) and the second single-sided metal-clad laminate (C2) are the same.

ポリイミド層110,110は、いずれも、複数のポリイミド層が積層された構造であってもよい。例えば、図3に示す態様では、ベース層として、非熱可塑性ポリイミドからなる非熱可塑性ポリイミド層111,111と、非熱可塑性ポリイミド層111,111の両側にそれぞれ設けられた、熱可塑性ポリイミドからなる熱可塑性ポリイミド層112,112とを備えた3層構造をなしている。なお、ポリイミド層110,110は、それぞれ3層構造に限らない。 Each of the polyimide layers 110 and 110 may have a structure in which a plurality of polyimide layers are laminated. For example, in the embodiment shown in FIG. 3, the base layer is composed of non-thermoplastic polyimide layers 111 and 111 made of non-thermoplastic polyimide and thermoplastic polyimides provided on both sides of the non-thermoplastic polyimide layers 111 and 111, respectively. It has a three-layer structure including thermoplastic polyimide layers 112 and 112. The polyimide layers 110 and 110 are not limited to the three-layer structure, respectively.

図3に示す金属張積層板100において、2つの片面金属張積層板130,130における外側の熱可塑性ポリイミド層112,112は、それぞれ接着層120に貼り合わされ、金属張積層板100を形成している。接着層120は、金属張積層板100において、2つの片面金属張積層板130,130を貼り合わせるための接着層であり、かつ、寸法安定性を確保しつつ、金属張積層板100の絶縁樹脂層を厚くするためのものである。接着層120については、上記接着層(A’)について説明したとおりである。 In the metal-clad laminate 100 shown in FIG. 3, the outer thermoplastic polyimide layers 112 and 112 of the two single-sided metal-clad laminates 130 and 130 are respectively bonded to the adhesive layer 120 to form the metal-clad laminate 100. There is. The adhesive layer 120 is an adhesive layer for bonding two single-sided metal-clad laminates 130 and 130 in the metal-clad laminate 100, and is an insulating resin of the metal-clad laminate 100 while ensuring dimensional stability. It is for thickening the layer. The adhesive layer 120 is as described above for the adhesive layer (A').

次に、ポリイミド層110,110を構成する非熱可塑性ポリイミド層111と、熱可塑性ポリイミド層112について説明する。なお、「非熱可塑性ポリイミド」とは、一般に加熱しても軟化、接着性を示さないポリイミドのことであるが、本発明では、動的粘弾性測定装置(DMA)を用いて測定した、30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、350℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であるポリイミドをいう。また、「熱可塑性ポリイミド」とは、一般にガラス転移温度(Tg)が明確に確認できるポリイミドのことであるが、本発明では、DMAを用いて測定した、30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、350℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa未満であるポリイミドをいう。 Next, the non-thermoplastic polyimide layer 111 and the thermoplastic polyimide layer 112 constituting the polyimide layers 110 and 110 will be described. The "non-thermoplastic polyimide" is generally a polyimide that does not soften or show adhesiveness even when heated, but in the present invention, it was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA). A polyimide having a storage elastic modulus of 1.0 × 10 9 Pa or more at ° C. and a storage elastic modulus of 1.0 × 10 8 Pa or more at 350 ° C. Further, the "thermoplastic polyimide" is generally a polyimide in which the glass transition temperature (Tg) can be clearly confirmed, but in the present invention, the storage elastic modulus at 30 ° C. measured using DMA is 1.0. A polyimide having a storage elastic modulus of × 10 9 Pa or more and a storage elastic modulus of less than 1.0 × 10 8 Pa at 350 ° C.

非熱可塑性ポリイミド層:
非熱可塑性ポリイミド層111を構成する非熱可塑性ポリイミドは、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含むものである。非熱可塑性ポリイミドは、芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導される芳香族テトラカルボン酸残基及び芳香族ジアミンから誘導される芳香族ジアミン残基を含むことが好ましい。
Non-thermoplastic polyimide layer:
The non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer 111 contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue. The non-thermoplastic polyimide preferably contains an aromatic tetracarboxylic acid residue derived from an aromatic tetracarboxylic acid dianhydride and an aromatic diamine residue derived from an aromatic diamine.

(テトラカルボン酸残基)
非熱可塑性ポリイミド層111を構成する非熱可塑性ポリイミドは、テトラカルボン酸残基として、3,3’、4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)及び1,4-フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル)二無水物(TAHQ)の少なくとも1種から誘導されるテトラカルボン酸残基並びにピロメリット酸二無水物(PMDA)及び2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)の少なくとも1種から誘導されるテトラカルボン酸残基を含有することが好ましい。
(Tetracarboxylic acid residue)
The non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer 111 has 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride (BPDA) and 1,4-phenylenebis (BPDA) as tetracarboxylic acid residues. Tetracarboxylic acid residue derived from at least one of trimellitic acid monoester) dianhydride (TAHQ) and pyromellitic acid dianhydride (PMDA) and 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride It preferably contains a tetracarboxylic acid residue derived from at least one of the substances (NTCDA).

BPDAから誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、「BPDA残基」ともいう。)及びTAHQから誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、「TAHQ残基」ともいう。)は、ポリマーの秩序構造を形成しやすく、分子の運動抑制により誘電正接や吸湿性を低下させることができる。BPDA残基は、ポリイミド前駆体のポリアミド酸としてのゲル膜の自己支持性を付与できるが、その一方で、イミド化後のCTEを増大させるとともに、ガラス転移温度を低くして耐熱性を低下させる傾向になる。 The tetracarboxylic acid residue derived from BPDA (hereinafter, also referred to as “BPDA residue”) and the tetracarboxylic acid residue derived from TAHQ (hereinafter, also referred to as “TAHQ residue”) are in the order of the polymer. It is easy to form a structure, and the dielectric positivity and hygroscopicity can be reduced by suppressing the movement of molecules. The BPDA residue can impart the self-supporting property of the gel film as the polyamic acid of the polyimide precursor, but on the other hand, it increases the CTE after imidization and lowers the glass transition temperature to lower the heat resistance. It becomes a tendency.

このような観点から、非熱可塑性ポリイミド層111を構成する非熱可塑性ポリイミドが、全テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、BPDA残基及びTAHQ残基の合計を好ましくは30モル部以上60モル部以下の範囲内、より好ましくは40モル部以上50モル部以下の範囲内で含有するように制御する。BPDA残基及びTAHQ残基の合計が30モル部未満では、ポリマーの秩序構造の形成が不十分となって、耐吸湿性が低下したり、誘電正接の低減が不十分となり、60モル部を超えると、CTEの増加や面内リタデーション(RO)の変化量の増大のほか、耐熱性が低下したりするおそれがある。 From this point of view, the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer 111 preferably contains 30 mol parts of the total of BPDA residues and TAHQ residues with respect to 100 mol parts of all tetracarboxylic acid residues. The content is controlled to be contained in the range of 60 mol parts or more, more preferably 40 mol parts or more and 50 mol parts or less. If the total of BPDA residues and TAHQ residues is less than 30 mol parts, the formation of the ordered structure of the polymer is insufficient, the moisture absorption resistance is lowered, and the reduction of dielectric loss tangent is insufficient, and 60 mol parts is used. If it exceeds the limit, the CTE may increase, the amount of change in the in-plane retardation (RO) may increase, and the heat resistance may decrease.

また、ピロメリット酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、「PMDA残基」ともいう。)及び2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、「NTCDA残基」ともいう。)は、剛直性を有するため、面内配向性を高め、CTEを低く抑えるとともに、面内リタデーション(RO)の制御や、ガラス転移温度の制御の役割を担う残基である。一方で、PMDA残基は、分子量が小さいため、その量が多くなり過ぎると、ポリマーのイミド基濃度が高くなり、極性基が増加して吸湿性が大きくなってしまい、分子鎖内部の水分の影響により誘電正接が増加する。また、NTCDA残基は、剛直性が高いナフタレン骨格によりフィルムが脆くなりやすく、弾性率を増大させる傾向になる。
そのため、非熱可塑性ポリイミド層を構成する非熱可塑性ポリイミドは、全テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、PMDA残基及びNTCDA残基の合計を好ましくは40モル部以上70モル部以下の範囲内、より好ましくは50モル部以上60モル部以下の範囲内、さらに好ましくは50〜55モル部の範囲内で含有する。PMDA残基及びNTCDA残基の合計が40モル部未満では、CTEが増加したり、耐熱性が低下したりするおそれがあり、70モル部を超えると、ポリマーのイミド基濃度が高くなり、極性基が増加して低吸湿性が損なわれ、誘電正接が増加するおそれやフィルムが脆くなりフィルムの自己支持性が低下するおそれがある。
Further, a tetracarboxylic acid residue derived from pyromellitic dianhydride (hereinafter, also referred to as “PMDA residue”) and a tetra derived from 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride. Since the carboxylic acid residue (hereinafter, also referred to as "NTCDA residue") has rigidity, it enhances in-plane orientation, suppresses CTE to a low level, controls in-plane retardation (RO), and controls the glass transition temperature. It is a residue that plays a role in controlling. On the other hand, since PMDA residues have a small molecular weight, if the amount is too large, the imide group concentration of the polymer will increase, the polar groups will increase, and the hygroscopicity will increase, and the water content inside the molecular chain will increase. The dielectric positive contact increases due to the influence. In addition, the NTCDA residue tends to make the film brittle due to the highly rigid naphthalene skeleton, and tends to increase the elastic modulus.
Therefore, in the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer, the total of PMDA residues and NTCDA residues is preferably 40 mol parts or more and 70 mol parts or less with respect to 100 mol parts of all tetracarboxylic acid residues. It is contained in the range of 50 mol parts or more and 60 mol parts or less, more preferably 50 to 55 mol parts or less. If the total of PMDA residues and NTCDA residues is less than 40 mol parts, CTE may increase or heat resistance may decrease, and if it exceeds 70 mol parts, the imide group concentration of the polymer becomes high and the polarity There is a risk that the number of groups will increase and the low moisture absorption property will be impaired, the dielectric positive contact will increase, and the film will become brittle and the self-supporting property of the film will decrease.

また、BPDA残基及びTAHQ残基の少なくとも1種並びにPMDA残基及びNTCDA残基の少なくとも1種の合計が、全テトラカルボン酸残基の100モル部に対して80モル部以上、好ましくは90モル部以上であることがよい。 Further, the total of at least one BPDA residue and TAHQ residue and at least one PMDA residue and NTCDA residue is 80 mol parts or more, preferably 90 parts or more, based on 100 mol parts of all tetracarboxylic acid residues. It is preferably a molar portion or more.

また、BPDA残基及びTAHQ残基の少なくとも1種と、PMDA残基及びNTCDA残基少なくとも1種のモル比{(BPDA残基+TAHQ残基)/(PMDA残基+NTCDA残基)}を0.4以上1.5以下の範囲内、好ましくは0.6以上1.3以下の範囲内、より好ましくは0.8以上1.2以下の範囲内とし、CTEとポリマーの秩序構造の形成を制御することがよい。 Further, the molar ratio of at least one BPDA residue and TAHQ residue to at least one PMDA residue and NTCDA residue {(BPDA residue + TAHQ residue) / (PMDA residue + NTCDA residue)} is 0. The formation of the ordered structure of CTE and polymer is controlled by setting it in the range of 4 or more and 1.5 or less, preferably in the range of 0.6 or more and 1.3 or less, more preferably in the range of 0.8 or more and 1.2 or less. It is good to do.

PMDA及びNTCDAは、剛直骨格を有するため、他の一般的な酸無水物成分に比べて、ポリイミド中の分子の面内配向性の制御が可能であり、熱膨張係数(CTE)の抑制とガラス転移温度(Tg)の向上効果がある。また、BPDA及びTAHQは、PMDAと比較し分子量が大きいため、仕込み比率の増加によりイミド基濃度が低下することで、誘電正接の低下や吸湿率の低下に効果がある。一方でBPDA及びTAHQの仕込み比率が増加すると、ポリイミド中の分子の面内配向性が低下し、CTEの増加に繋がる。さらに分子内の秩序構造の形成が進み、ヘイズ値が増加する。このような観点から、PMDA及びNTCDAの合計の仕込み量は、原料の全酸無水物成分の100モル部に対し、40〜70モル部の範囲内、好ましくは50〜60モル部の範囲内、より好ましくは50〜55モル部の範囲内がよい。原料の全酸無水物成分の100モル部に対し、PMDA及びNTCDAの合計の仕込み量が40モル部未満であると、分子の面内配向性が低下し、低CTE化が困難となり、またTgの低下による加熱時におけるフィルムの耐熱性や寸法安定性が低下する。一方、PMDA及びNTCDAの合計の仕込み量が70モル部を超えると、イミド基濃度の増加により吸湿率が悪化したり、弾性率を増大させる傾向になる。 Since PMDA and NTCDA have a rigid skeleton, it is possible to control the in-plane orientation of molecules in polyimide as compared with other general acid anhydride components, and suppress the coefficient of thermal expansion (CTE) and glass. It has the effect of improving the transition temperature (Tg). Further, since BPDA and TAHQ have a larger molecular weight than PMDA, the imide group concentration decreases as the charging ratio increases, which is effective in reducing the dielectric loss tangent and the hygroscopicity. On the other hand, when the charging ratio of BPDA and TAHQ increases, the in-plane orientation of the molecules in the polyimide decreases, which leads to an increase in CTE. Furthermore, the formation of an ordered structure in the molecule progresses, and the haze value increases. From this point of view, the total amount of PMDA and NTCDA charged is in the range of 40 to 70 mol parts, preferably in the range of 50 to 60 mol parts, with respect to 100 mol parts of the total acid anhydride component of the raw material. More preferably, it is in the range of 50 to 55 mol parts. If the total amount of PMDA and NTCDA charged is less than 40 mol parts with respect to 100 mol parts of the total acid anhydride component of the raw material, the in-plane orientation of the molecule is lowered, it becomes difficult to reduce the CTE, and Tg. The heat resistance and dimensional stability of the film during heating are reduced due to the decrease in heat resistance. On the other hand, when the total amount of PMDA and NTCDA charged exceeds 70 mol parts, the hygroscopicity tends to deteriorate or the elastic modulus tends to increase due to the increase in the imide group concentration.

また、BPDA及びTAHQは、分子運動の抑制やイミド基濃度の低下による低誘電正接化、吸湿率低下に効果があるが、イミド化後のポリイミドフィルムとしてのCTEを増大させる。このような観点から、BPDA及びTAHQの合計の仕込み量は、原料の全酸無水物成分の100モル部に対し、30〜60モル部の範囲内、好ましくは40〜50モル部の範囲内、より好ましくは40〜45モル部の範囲内がよい。 Further, BPDA and TAHQ are effective in suppressing molecular motion, lowering the dielectric loss tangent by lowering the imide group concentration, and lowering the moisture absorption rate, but increase the CTE as a polyimide film after imidization. From this point of view, the total amount of BPDA and TAHQ charged is in the range of 30 to 60 mol parts, preferably in the range of 40 to 50 mol parts, with respect to 100 mol parts of the total acid anhydride component of the raw material. More preferably, it is in the range of 40 to 45 mol parts.

非熱可塑性ポリイミド層111を構成する非熱可塑性ポリイミドに含まれる、上記BPDA残基、TAHQ残基、PMDA残基、NTCDA残基以外のテトラカルボン酸残基としては、例えば、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸無水物、2,3',3,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-、2,3,3',4'-又は3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3',3,4'-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、3,3'',4,4''-、2,3,3'',4''-又は2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-又は3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,2,7,8-、1,2,6,7-又は1,2,9,10-フェナンスレン-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)テトラフルオロプロパン二無水物、2,3,5,6-シクロヘキサン二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,6-又は2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-(又は1,4,5,8-)テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-(又は2,3,6,7-)テトラカルボン酸二無水物、2,3,8,9-、3,4,9,10-、4,5,10,11-又は5,6,11,12-ペリレン-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4’-ビス(2,3-ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルメタン二無水物、エチレングリコール ビスアンヒドロトリメリテート等の芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基が挙げられる。 Examples of the tetracarboxylic acid residue other than the BPDA residue, TAHQ residue, PMDA residue, and NTCDA residue contained in the non-thermal polyimide constituting the non-thermal polyimide layer 111 include 3,3',. 4,4'-Diphenylsulfone tetracarboxylic acid dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic acid anhydride, 2,3', 3,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2,2', 3,3 '-, 2,3,3', 4'-or 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,3', 3,4'-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, Bis (2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 3,3'', 4,4''-, 2,3,3'', 4''-or 2,2'', 3,3 '' -P-Terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, bis (2,3- or 3.4-) Dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) sulfonate dianhydride, 1,1-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) ethanedi Anhydride 1,2,7,8-,1,2,6,7-or 1,2,9,10-phenanthrene-tetracarboxylic dianhydride 2,3,6,7-anthracene tetracarboxylic acid Dianhydride 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) tetrafluoropropane dianhydride 2,3,5,6-cyclohexane dianhydride 1,2,5,6-naphthalene tetracarboxylic acid Dianhydride 1,4,5,8-Naphthalenetetracarboxylic dianhydride 4,8-Dimethyl-1,2,3,5,6,7-Hexahydronaphthalene-1,2,5,6- Tetracarboxylic acid dianhydride, 2,6- or 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,6,7-(or 1,4,5, 8-) Tetrachloronaphthalene-1,4,5,8-(or 2,3,6,7-) tetracarboxylic dianhydride 2,3,8,9-,3,4,9,10- 4,5,10,11-or 5,6,11,12-perylene-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3 , 5,6-tetracarboxylic acid dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride, thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride, 4,4' -Bis (2,3 -Dicarboxyphenoxy) Examples thereof include tetracarboxylic acid residues derived from aromatic tetracarboxylic dianhydrides such as diphenylmethane dianhydride and ethylene glycol bisamhydrotrimeritate.

(ジアミン残基)
非熱可塑性ポリイミド層111を構成する非熱可塑性ポリイミドに含まれるジアミン残基としては、一般式(A1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が好ましい。
(Diamine residue)
As the diamine residue contained in the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer 111, a diamine residue derived from the diamine compound represented by the general formula (A1) is preferable.

Figure 2021160148
Figure 2021160148

式(A1)において、連結基Zは単結合又は−COO−を示し、Yは独立に、ハロゲン原子若しくはフェニル基で置換されてもよい炭素数1〜3の1価の炭化水素、又は炭素数1〜3のアルコキシ基、又は炭素数1〜3のパーフルオロアルキル基、又はアルケニル基を示し、nは0〜2の整数を示し、p及びqは独立に0〜4の整数を示す。ここで、「独立に」とは、上記式(A1)において、複数の置換基Y、さらに整数p、qが、同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。なお、上記式(A1)において、末端の二つのアミノ基における水素原子は置換されていてもよく、例えば−NR(ここで、R,Rは、独立してアルキル基などの任意の置換基を意味する)であってもよい。 In the formula (A1), the linking group Z represents a single bond or −COO−, and Y is a monovalent hydrocarbon having 1 to 3 carbon atoms which may be independently substituted with a halogen atom or a phenyl group, or a carbon number of carbon atoms. It represents an alkoxy group of 1 to 3 or a perfluoroalkyl group or an alkenyl group having 1 to 3 carbon atoms, n represents an integer of 0 to 2, and p and q independently represent an integer of 0 to 4. Here, "independently" means that, in the above formula (A1), a plurality of substituents Y and further integers p and q may be the same or different. In the above formula (A1), the hydrogen atom in the two terminal amino groups may be substituted, for example, -NR 2 R 3 (where R 2 and R 3 are independently alkyl groups and the like. It may mean any substituent).

一般式(A1)で表されるジアミン化合物(以下、「ジアミン(A1)」と記すことがある)は、1ないし3つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。ジアミン(A1)は、剛直構造を有しているため、ポリマー全体に秩序構造を付与する作用を有している。そのため、ガス透過性が低く、低吸湿性のポリイミドが得られ、分子鎖内部の水分を低減できるため、誘電正接を下げることができる。ここで、連結基Zとしては、単結合が好ましい。 The diamine compound represented by the general formula (A1) (hereinafter, may be referred to as “diamine (A1)”) is an aromatic diamine having 1 to 3 benzene rings. Since the diamine (A1) has a rigid structure, it has an action of imparting an ordered structure to the entire polymer. Therefore, a polyimide having low gas permeability and low hygroscopicity can be obtained, and the water content inside the molecular chain can be reduced, so that the dielectric loss tangent can be lowered. Here, as the linking group Z, a single bond is preferable.

ジアミン(A1)としては、例えば、1,4−ジアミノベンゼン(p−PDA;パラフェニレンジアミン)、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−TB)、2,2’−n−プロピル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−NPB)、4−アミノフェニル−4’−アミノベンゾエート(APAB)等を挙げることができる。 Examples of the diamine (A1) include 1,4-diaminobenzene (p-PDA; para-phenylenediamine), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB), 2,2'-. Examples thereof include n-propyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-NPB) and 4-aminophenyl-4'-aminobenzoate (APAB).

非熱可塑性ポリイミド層111を構成する非熱可塑性ポリイミドは、ジアミン(A1)から誘導されるジアミン残基を、全ジアミン残基の100モル部に対して、好ましくは80モル部以上、より好ましくは85モル部以上含有することがよい。ジアミン(A1)を上記範囲内の量で使用することによって、モノマー由来の剛直構造により、ポリマー全体に秩序構造が形成されやすくなり、ガス透過性が低く、低吸湿性、かつ低誘電正接である非熱可塑性ポリイミドが得られやすい。 The non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer 111 contains a diamine residue derived from diamine (A1) in an amount of preferably 80 mol parts or more, more preferably 80 mol parts or more, based on 100 mol parts of all diamine residues. It is preferable to contain 85 mol parts or more. By using the diamine (A1) in an amount within the above range, the rigid structure derived from the monomer facilitates the formation of an ordered structure throughout the polymer, resulting in low gas permeability, low hygroscopicity, and low dielectric loss tangent. Non-thermoplastic polyimide can be easily obtained.

また、非熱可塑性ポリイミドにおける全ジアミン残基の100モル部に対して、ジアミン(A1)から誘導されるジアミン残基が80モル部以上85モル部以下の範囲内である場合は、より剛直であり、面内配向性に優れる構造であるという観点から、ジアミン(A1)として、1,4−ジアミノベンゼンを用いることが好ましい。 Further, when the diamine residue derived from diamine (A1) is in the range of 80 mol parts or more and 85 mol parts or less with respect to 100 mol parts of all diamine residues in the non-thermoplastic polyimide, it is more rigid. It is preferable to use 1,4-diaminobenzene as the diamine (A1) from the viewpoint of the structure having excellent in-plane orientation.

非熱可塑性ポリイミド層111を構成する非熱可塑性ポリイミドに含まれるその他のジアミン残基としては、例えば、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[1-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、9,9-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]フルオレン、2,2−ビス-[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、4,4’-メチレンジ-o-トルイジン、4,4’-メチレンジ-2,6-キシリジン、4,4’-メチレン-2,6-ジエチルアニリン、3,3’-ジアミノジフェニルエタン、3,3’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメトキシベンジジン、3,3''-ジアミノ-p-テルフェニル、4,4'-[1,4-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、4,4'-[1,3-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、ビス(p-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノトルエン、m-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、ピペラジン、2'-メトキシ-4,4'-ジアミノベンズアニリド、4,4'-ジアミノベンズアニリド、1,3-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼン、6-アミノ-2-(4-アミノフェノキシ)ベンゾオキサゾール等の芳香族ジアミン化合物から誘導されるジアミン残基、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級のアミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸由来のジアミン等の脂肪族ジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が挙げられる。 Examples of other diamine residues contained in the non-thermal polyimide constituting the non-thermal polyimide layer 111 include 2,2-bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane and bis [4- ( 3-Aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [1- (3-aminophenoxy)] biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [ 4- (3-Aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy)] benzophenone, 9,9-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] fluorene, 2,2-bis- [ 4- (4-Aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-methylenedi-o-toluidine, 4,4'-methylenedi-2,6-xylidine, 4,4'-methylene-2,6-diethylaniline, 3,3'-diaminodiphenylethane, 3,3 '-Diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxybenzidine, 3,3''-diamino-p-terphenyl, 4,4'-[1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 4,4 '-[1,3-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, bis (p-aminocyclohexyl) methane, bis (p-β-amino-t-butylphenyl) ether, bis (p-β-methyl- δ-Aminopentyl) benzene, p-bis (2-methyl-4-aminopentyl) benzene, p-bis (1,1-dimethyl-5-aminopentyl) benzene, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6- Diaminonaphthalene, 2,4-bis (β-amino-t-butyl) toluene, 2,4-diaminotoluene, m-xylene-2,5-diamine, p-xylene-2,5-diamine, m-xylylene Amin, p-xylylene diamine, 2,6-diaminopyridine, 2,5-diaminopyridine, 2,5-diamino-1,3,4-oxadiazole, piperazin, 2'-methoxy-4,4'- Diaminobenzanilide, 4,4'-diaminobenzanilide, 1,3-bis [2- (4-aminophenyl) -2-propyl] benzene, 6-amino-2- (4-aminophenoxy) benzoxazole, etc. Is it an aromatic diamine compound? Diamine residue derived from diamine residue, diamine residue derived from an aliphatic diamine compound such as diamine derived from dimer acid in which the two terminal carboxylic acid groups of dimer acid are replaced with a primary aminomethyl group or an amino group. Can be mentioned.

非熱可塑性ポリイミドにおいて、上記テトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類や、2種以上のテトラカルボン酸残基又はジアミン残基を適用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張係数、貯蔵弾性率、引張弾性率等を制御することができる。また、非熱可塑性ポリイミドにおいて、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、面内リタデーション(RO)のばらつきを抑制する観点から、ランダムに存在することが好ましい。 Thermal expansion in non-thermoplastic polyimide by selecting the types of the tetracarboxylic acid residue and diamine residue and the molar ratio of each when two or more types of tetracarboxylic acid residue or diamine residue are applied. The coefficient, storage elasticity, tensile elasticity, etc. can be controlled. Further, in the non-thermoplastic polyimide, when a plurality of structural units of polyimide are present, they may exist as blocks or randomly, but they are random from the viewpoint of suppressing variation in in-plane retardation (RO). It is preferable to be present in.

なお、非熱可塑性ポリイミドに含まれるテトラカルボン酸残基及びジアミン残基を、いずれも芳香族基とすることで、ポリイミドフィルムの高温環境下での寸法精度を向上させ、面内リタデーション(RO)の変化量を小さくすることができるため好ましい。 By using both the tetracarboxylic acid residue and the diamine residue contained in the non-thermoplastic polyimide as aromatic groups, the dimensional accuracy of the polyimide film in a high temperature environment is improved, and in-plane retardation (RO) is performed. It is preferable because the amount of change in is small.

非熱可塑性ポリイミドのイミド基濃度は、33%以下であることが好ましく、32%以下であることがより好ましい。ここで、「イミド基濃度」は、ポリイミド中のイミド基部(−(CO)−N−)の分子量を、ポリイミドの構造全体の分子量で除した値を意味する。イミド基濃度が33%を超えると、樹脂自体の分子量が小さくなるとともに、極性基の増加によって低吸湿性も悪化する。上記酸無水物とジアミン化合物の組み合わせを選択することによって、非熱可塑性ポリイミド中の分子の配向性を制御することで、イミド基濃度低下に伴うCTEの増加を抑制し、低吸湿性を担保している。 The imide group concentration of the non-thermoplastic polyimide is preferably 33% or less, more preferably 32% or less. Here, the "imide group concentration" means a value obtained by dividing the molecular weight of the imide base portion (-(CO) 2 -N-) in the polyimide by the molecular weight of the entire structure of the polyimide. When the imide group concentration exceeds 33%, the molecular weight of the resin itself becomes small, and the decrease in hygroscopicity deteriorates due to the increase in polar groups. By selecting the combination of the acid anhydride and the diamine compound, the orientation of the molecules in the non-thermoplastic polyimide is controlled, thereby suppressing the increase in CTE due to the decrease in the imide group concentration and ensuring low moisture absorption. ing.

非熱可塑性ポリイミドの重量平均分子量は、例えば10,000〜400,000の範囲内が好ましく、50,000〜350,000の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が10,000未満であると、フィルムの強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が400,000を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際にフィルム厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。 The weight average molecular weight of the non-thermoplastic polyimide is preferably in the range of, for example, 10,000 to 400,000, and more preferably in the range of 50,000 to 350,000. If the weight average molecular weight is less than 10,000, the strength of the film is lowered and the film tends to be brittle. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 400,000, the viscosity is excessively increased, and defects such as film thickness unevenness and streaks tend to occur during the coating operation.

非熱可塑性ポリイミド層111の厚みは、ベース層としての機能を確保し、且つ製造時および熱可塑性ポリイミド塗工時の搬送性の観点から、6μm以上100μm以下の範囲内であることが好ましく、9μm以上50μm以下の範囲内がより好ましい。非熱可塑性ポリイミド層111の厚みが上記の下限値未満である場合、電気絶縁性やハンドリング性が不十分となり、上限値を超えると、生産性が低下する。 The thickness of the non-thermoplastic polyimide layer 111 is preferably in the range of 6 μm or more and 100 μm or less, preferably 9 μm, from the viewpoint of ensuring the function as a base layer and transportability during manufacturing and coating with the thermoplastic polyimide. It is more preferably in the range of 50 μm or more. If the thickness of the non-thermoplastic polyimide layer 111 is less than the above lower limit value, the electrical insulation and handleability are insufficient, and if it exceeds the upper limit value, the productivity is lowered.

非熱可塑性ポリイミド層111は、耐熱性の観点から、ガラス転移温度(Tg)が280℃以上であることが好ましい。 From the viewpoint of heat resistance, the non-thermoplastic polyimide layer 111 preferably has a glass transition temperature (Tg) of 280 ° C. or higher.

また、反りを抑制する観点から、非熱可塑性ポリイミド層111の熱膨張係数は、1pm/K以上30ppm/K以下の範囲内、好ましくは1ppm/K以上25ppm/K以下の範囲内、より好ましくは10ppm/K以上20ppm/K以下の範囲内にあることがよい。 Further, from the viewpoint of suppressing warpage, the coefficient of thermal expansion of the non-thermoplastic polyimide layer 111 is in the range of 1 pm / K or more and 30 ppm / K or less, preferably in the range of 1 ppm / K or more and 25 ppm / K or less, more preferably. It is preferably in the range of 10 ppm / K or more and 20 ppm / K or less.

また、非熱可塑性ポリイミド層111を構成する非熱可塑性ポリイミドには、任意成分として、例えば可塑剤、エポキシ樹脂などの他の硬化樹脂成分、硬化剤、硬化促進剤、カップリング剤、充填剤、溶剤、難燃剤などを適宜配合することができる。ただし、可塑剤には、極性基を多く含有するものがあり、それが銅配線からの銅の拡散を助長する懸念があるため、可塑剤は極力使用しないことが好ましい。 Further, the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer 111 includes, as optional components, other curing resin components such as a plasticizer and an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, a coupling agent, a filler, and the like. A solvent, a flame retardant, etc. can be appropriately blended. However, some plasticizers contain a large amount of polar groups, which may promote the diffusion of copper from the copper wiring. Therefore, it is preferable not to use the plasticizer as much as possible.

熱可塑性ポリイミド層:
熱可塑性ポリイミド層112を構成する熱可塑性ポリイミドは、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含むものであり、芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導される芳香族テトラカルボン酸残基及び芳香族ジアミンから誘導される芳香族ジアミン残基を含むことが好ましい。
Thermoplastic polyimide layer:
The thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 112 contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, and the aromatic tetracarboxylic acid residue and the aromatic are derived from the aromatic tetracarboxylic acid dianhydride. It preferably contains an aromatic diamine residue derived from diamine.

(テトラカルボン酸残基)
熱可塑性ポリイミド層112を構成する熱可塑性ポリイミドに用いるテトラカルボン酸残基としては、上記非熱可塑性ポリイミド層111を構成する非熱可塑性ポリイミドにおけるテトラカルボン酸残基として例示したものと同様のものを用いることができる。
(Tetracarboxylic acid residue)
The tetracarboxylic acid residue used in the thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 112 is the same as that exemplified as the tetracarboxylic acid residue in the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer 111. Can be used.

(ジアミン残基)
熱可塑性ポリイミド層112を構成する熱可塑性ポリイミドに含まれるジアミン残基としては、上述の接着性ポリイミドに関して説明した一般式(B1)〜(B7)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が好ましい。
(Diamine residue)
The diamine residue contained in the thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 112 is a diamine residue derived from the diamine compounds represented by the general formulas (B1) to (B7) described for the adhesive polyimide described above. Is preferable.

熱可塑性ポリイミド層112を構成する熱可塑性ポリイミドは、全ジアミン残基の100モル部に対して、ジアミン(B1)〜ジアミン(B7)から選ばれる少なくとも一種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を60モル部以上、好ましくは60モル部以上99モル部以下の範囲内、より好ましくは70モル部以上95モル部以下の範囲内で含有することがよい。ジアミン(B1)〜ジアミン(B7)は、屈曲性を有する分子構造を持つため、これらから選ばれる少なくとも一種のジアミン化合物を上記範囲内の量で使用することによって、ポリイミド分子鎖の柔軟性を向上させ、熱可塑性を付与することができる。原料中のジアミン(B1)〜ジアミン(B7)の合計量が全ジアミン成分の100モル部に対して60モル部未満であるとポリイミド樹脂の柔軟性不足で十分な熱可塑性が得られない。 The thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 112 contains diamine residues derived from at least one diamine compound selected from diamines (B1) to diamines (B7) with respect to 100 mol parts of all diamine residues. It may be contained in a range of 60 mol parts or more, preferably 60 mol parts or more and 99 mol parts or less, and more preferably 70 mol parts or more and 95 mol parts or less. Since diamines (B1) to diamines (B7) have a flexible molecular structure, the flexibility of the polyimide molecular chain is improved by using at least one diamine compound selected from these in an amount within the above range. And can impart thermoplasticity. If the total amount of diamine (B1) to diamine (B7) in the raw material is less than 60 mol parts with respect to 100 mol parts of the total diamine component, sufficient thermoplasticity cannot be obtained due to insufficient flexibility of the polyimide resin.

また、熱可塑性ポリイミド層112を構成する熱可塑性ポリイミドに含まれるジアミン残基としては、一般式(A1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基も好ましい。式(A1)で表されるジアミン化合物[ジアミン(A1)]については、非熱可塑性ポリイミドの説明で述べたとおりである。ジアミン(A1)は、剛直構造を有し、ポリマー全体に秩序構造を付与する作用を有しているため、分子の運動抑制により誘電正接や吸湿性を低下させることができる。更に、熱可塑性ポリイミドの原料として使用することで、ガス透過性が低く、長期耐熱接着性に優れたポリイミドが得られる。 Further, as the diamine residue contained in the thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 112, a diamine residue derived from the diamine compound represented by the general formula (A1) is also preferable. The diamine compound [diamine (A1)] represented by the formula (A1) is as described in the description of the non-thermoplastic polyimide. Since the diamine (A1) has a rigid structure and has an action of imparting an ordered structure to the entire polymer, it is possible to reduce dielectric loss tangent and hygroscopicity by suppressing the movement of molecules. Further, by using it as a raw material for thermoplastic polyimide, a polyimide having low gas permeability and excellent long-term heat-resistant adhesiveness can be obtained.

熱可塑性ポリイミド層112を構成する熱可塑性ポリイミドは、ジアミン(A1)から誘導されるジアミン残基を、好ましくは1モル部以上40モル部以下の範囲内、より好ましくは5モル部以上30モル部以下の範囲内で含有してもよい。ジアミン(A1)を上記範囲内の量で使用することによって、モノマー由来の剛直構造により、ポリマー全体に秩序構造が形成されるので、熱可塑性でありながら、ガス透過性及び吸湿性が低く、長期耐熱接着性に優れたポリイミドが得られる。 The thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 112 contains the diamine residue derived from the diamine (A1) in an amount of preferably 1 mol part or more and 40 mol parts or less, more preferably 5 mol parts or more and 30 mol parts or more. It may be contained within the following range. By using the diamine (A1) in an amount within the above range, an ordered structure is formed in the entire polymer due to the rigid structure derived from the monomer. A polyimide having excellent heat-resistant adhesiveness can be obtained.

熱可塑性ポリイミド層112を構成する熱可塑性ポリイミドは、発明の効果を損なわない範囲で、ジアミン(A1)、(B1)〜(B7)以外のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を含むことができる。 The thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 112 can contain diamine residues derived from diamine compounds other than diamines (A1) and (B1) to (B7) as long as the effects of the invention are not impaired. ..

熱可塑性ポリイミドにおいて、上記テトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類や、2種以上のテトラカルボン酸残基又はジアミン残基を適用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張係数、引張弾性率、ガラス転移温度等を制御することができる。また、熱可塑性ポリイミドにおいて、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、ランダムに存在することが好ましい。 Thermal expansion coefficient by selecting the types of the tetracarboxylic acid residue and diamine residue and the molar ratio of each when two or more types of tetracarboxylic acid residue or diamine residue are applied to the thermoplastic polyimide. , Tensile elasticity, glass transition temperature, etc. can be controlled. Further, in the thermoplastic polyimide, when a plurality of structural units of polyimide are present, it may exist as a block or randomly, but it is preferable that it exists randomly.

なお、熱可塑性ポリイミドに含まれるテトラカルボン酸残基及びジアミン残基を、いずれも芳香族基とすることで、ポリイミドフィルムの高温環境下での寸法精度を向上させ、面内リタデーション(RO)の変化量を抑制することができる。 By using both the tetracarboxylic acid residue and the diamine residue contained in the thermoplastic polyimide as aromatic groups, the dimensional accuracy of the polyimide film in a high temperature environment can be improved, and in-plane retardation (RO) can be used. The amount of change can be suppressed.

熱可塑性ポリイミドのイミド基濃度は、33%以下であることが好ましく、32%以下であることがより好ましい。ここで、「イミド基濃度」は、ポリイミド中のイミド基部(−(CO)−N−)の分子量を、ポリイミドの構造全体の分子量で除した値を意味する。イミド基濃度が33%を超えると、樹脂自体の分子量が小さくなるとともに、極性基の増加によって低吸湿性も悪化する。上記ジアミン化合物の組み合わせを選択することによって、熱可塑性ポリイミド中の分子の配向性を制御することで、イミド基濃度低下に伴うCTEの増加を抑制し、低吸湿性を担保している。 The imide group concentration of the thermoplastic polyimide is preferably 33% or less, more preferably 32% or less. Here, the "imide group concentration" means a value obtained by dividing the molecular weight of the imide base portion (-(CO) 2 -N-) in the polyimide by the molecular weight of the entire structure of the polyimide. When the imide group concentration exceeds 33%, the molecular weight of the resin itself becomes small, and the decrease in hygroscopicity deteriorates due to the increase in polar groups. By controlling the orientation of the molecules in the thermoplastic polyimide by selecting the combination of the above diamine compounds, the increase in CTE accompanying the decrease in the imide group concentration is suppressed, and low hygroscopicity is ensured.

熱可塑性ポリイミドの重量平均分子量は、例えば10,000〜400,000の範囲内が好ましく、50,000〜350,000の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が10,000未満であると、フィルムの強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が400,000を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際にフィルム厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。 The weight average molecular weight of the thermoplastic polyimide is preferably in the range of 10,000 to 400,000, more preferably in the range of 50,000 to 350,000, for example. If the weight average molecular weight is less than 10,000, the strength of the film is lowered and the film tends to be brittle. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 400,000, the viscosity is excessively increased, and defects such as film thickness unevenness and streaks tend to occur during the coating operation.

熱可塑性ポリイミド層112を構成する熱可塑性ポリイミドは、例えば回路基板の絶縁樹脂層における接着層となるため、銅の拡散を抑制するために完全にイミド化された構造が最も好ましい。但し、ポリイミドの一部がアミド酸となっていてもよい。そのイミド化率は、フーリエ変換赤外分光光度計(市販品:日本分光製FT/IR620)を用い、1回反射ATR法にてポリイミド薄膜の赤外線吸収スペクトルを測定することによって、1015cm−1付近のベンゼン環吸収体を基準とし、1780cm−1のイミド基に由来するC=O伸縮の吸光度から算出される。 Since the thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 112 is, for example, an adhesive layer in the insulating resin layer of the circuit board, a completely imidized structure is most preferable in order to suppress the diffusion of copper. However, a part of the polyimide may be amic acid. The imidization rate is around 1015 cm -1 by measuring the infrared absorption spectrum of the polyimide thin film by the single reflection ATR method using a Fourier transform infrared spectrophotometer (commercially available: FT / IR620 manufactured by JASCO Corporation). It is calculated from the absorbance of C = O expansion and contraction derived from the imide group of 1780 cm -1 based on the benzene ring absorber of.

熱可塑性ポリイミド層112の厚みは、接着機能を確保する観点から、1μm以上10μm以下の範囲内であることが好ましく、1μm以上5μm以下の範囲内がより好ましい。熱可塑性ポリイミド層112の厚みが上記の下限値未満である場合、接着性が不十分となり、上限値を超えると、寸法安定性が悪化する傾向となる。 The thickness of the thermoplastic polyimide layer 112 is preferably in the range of 1 μm or more and 10 μm or less, and more preferably in the range of 1 μm or more and 5 μm or less, from the viewpoint of ensuring the adhesive function. If the thickness of the thermoplastic polyimide layer 112 is less than the above lower limit value, the adhesiveness becomes insufficient, and if it exceeds the upper limit value, the dimensional stability tends to deteriorate.

熱可塑性ポリイミド層112は、反りを抑制する観点から、熱膨張係数が、30ppm/K以上、好ましくは30ppm/K以上100ppm/K以下の範囲内、より好ましくは30ppm/K以上80ppm/K以下の範囲内にあることがよい。 From the viewpoint of suppressing warpage, the thermoplastic polyimide layer 112 has a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / K or more, preferably in the range of 30 ppm / K or more and 100 ppm / K or less, and more preferably 30 ppm / K or more and 80 ppm / K or less. It should be within range.

また、熱可塑性ポリイミド層112に用いる樹脂には、ポリイミドの他に、任意成分として、例えば可塑剤、エポキシ樹脂などの他の硬化樹脂成分、硬化剤、硬化促進剤、無機フィラー、カップリング剤、充填剤、溶剤、難燃剤などを適宜配合することができる。ただし、可塑剤には、極性基を多く含有するものがあり、それが銅配線からの銅の拡散を助長する懸念があるため、可塑剤は極力使用しないことが好ましい。 In addition to polyimide, the resin used for the thermoplastic polyimide layer 112 includes optional components such as plasticizers, other curing resin components such as epoxy resins, curing agents, curing accelerators, inorganic fillers, and coupling agents. A filler, a solvent, a flame retardant and the like can be appropriately blended. However, some plasticizers contain a large amount of polar groups, which may promote the diffusion of copper from the copper wiring. Therefore, it is preferable not to use the plasticizer as much as possible.

金属張積層板100において、回路加工後の寸法安定性を確保するため、2つのポリイミド層110と接着層120の全体の熱膨張係数は、10ppm/K以上がよく、好ましくは10ppm/K以上30ppm/K以下の範囲内、より好ましくは15ppm/K以上25ppm/Kの範囲内にあることがよい。
なお、金属張積層板100において、2つのポリイミド層110と接着層120の合計厚みT1、接着層120の厚みT2、及び、合計厚みT1に対する接着層120の厚みT2の比率(T2/T1)については、図2について説明したとおりである。
In the metal-clad laminate 100, the coefficient of thermal expansion of the two polyimide layers 110 and the adhesive layer 120 as a whole is preferably 10 ppm / K or more, preferably 10 ppm / K or more and 30 ppm in order to ensure dimensional stability after circuit processing. It is preferably in the range of / K or less, more preferably in the range of 15 ppm / K or more and 25 ppm / K.
In the metal-clad laminate 100, the total thickness T1 of the two polyimide layers 110 and the adhesive layer 120, the thickness T2 of the adhesive layer 120, and the ratio (T2 / T1) of the thickness T2 of the adhesive layer 120 to the total thickness T1. Is as described with reference to FIG.

(ポリイミドの合成)
ポリイミド層110を構成するポリイミドは、上記酸無水物及びジアミンを溶媒中で反応させ、前駆体樹脂を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。なお、ポリイミドの合成方法は、上記接着性ポリイミドについて説明した方法に準じて実施可能である。
(Synthesis of polyimide)
The polyimide constituting the polyimide layer 110 can be produced by reacting the acid anhydride and diamine in a solvent to produce a precursor resin and then heating and closing the ring. The method for synthesizing the polyimide can be carried out according to the method described for the adhesive polyimide.

[回路基板]
金属張積層板100は、主にFPC、リジッド・フレックス回路基板などの回路基板材料として有用である。すなわち、金属張積層板100の2つの金属層101の片方又は両方を、常法によってパターン状に加工して配線層を形成することによって、本発明の一実施の形態であるFPCなどの回路基板を製造できる。この回路基板は、図示は省略するが、第1の絶縁樹脂層(P1)と、接着層(A’)と、第2の絶縁樹脂層(P2)とがこの順に積層された樹脂積層体と、この樹脂積層体の片側又は両側の面に設けられた配線層と、を備えている。
[Circuit board]
The metal-clad laminate 100 is mainly useful as a circuit board material for FPCs, rigid flex circuit boards, and the like. That is, a circuit board such as an FPC, which is an embodiment of the present invention, is formed by processing one or both of the two metal layers 101 of the metal-clad laminate 100 into a pattern by a conventional method to form a wiring layer. Can be manufactured. Although not shown, this circuit board is a resin laminate in which a first insulating resin layer (P1), an adhesive layer (A'), and a second insulating resin layer (P2) are laminated in this order. , A wiring layer provided on one side or both side surfaces of this resin laminate.

以下に実施例を示し、本発明の特徴をより具体的に説明する。ただし、本発明の範囲は、実施例に限定されない。なお、以下の実施例において、特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。 Examples will be shown below, and the features of the present invention will be described in more detail. However, the scope of the present invention is not limited to the examples. In the following examples, various measurements and evaluations are as follows unless otherwise specified.

[粘度の測定]
粘度の測定は、E型粘度計(ブルックフィールド社製、商品名;DV−II+Pro)を用いて、25℃における粘度を測定した。トルクが10%〜90%になるよう回転数を設定し、測定を開始してから2分経過後、粘度が安定した時の値を読み取った。
[Measurement of viscosity]
The viscosity was measured using an E-type viscometer (manufactured by Brookfield, trade name; DV-II + Pro) at 25 ° C. The rotation speed was set so that the torque was 10% to 90%, and 2 minutes after the start of the measurement, the value when the viscosity became stable was read.

[貯蔵弾性率及びガラス転移温度(Tg)の測定]
5mm×20mmのサイズの樹脂シートを、動的粘弾性測定装置(DMA:ユー・ビー・エム社製、商品名;E4000F)を用いて、30℃から400℃まで昇温速度4℃/分、周波数11Hzで測定を行った。また、測定中の弾性率変化(Tanδ)の値が最大となる温度をTgとして定義した。
[Measurement of storage elastic modulus and glass transition temperature (Tg)]
A resin sheet having a size of 5 mm × 20 mm was heated from 30 ° C. to 400 ° C. at a heating rate of 4 ° C./min using a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA: manufactured by UBM Co., Ltd., trade name; E4000F). The measurement was performed at a frequency of 11 Hz. In addition, the temperature at which the value of the elastic modulus change (Tanδ) during measurement is maximized is defined as Tg.

[比誘電率および誘電正接の測定]
ベクトルネットワークアナライザ(Agilent社製、商品名;E8363C)ならびにSPDR共振器を用いて、10GHzにおける樹脂シートの比誘電率および誘電正接を測定した。なお、測定に使用した材料は、温度;24〜26℃、湿度45℃〜55%RHの条件下で、24時間放置したものである。
[Measurement of relative permittivity and dielectric loss tangent]
The relative permittivity and dielectric loss tangent of the resin sheet at 10 GHz were measured using a vector network analyzer (manufactured by Agilent, trade name; E8633C) and an SPDR resonator. The material used for the measurement was left for 24 hours under the conditions of temperature; 24 to 26 ° C. and humidity of 45 ° C. to 55% RH.

[熱膨張係数(CTE)の測定]
3mm×20mmのサイズのポリイミドフィルムを、サーモメカニカルアナライザー(Bruker社製、商品名;4000SA)を用い、5.0gの荷重を加えながら一定の昇温速度で30℃から265℃まで昇温させ、更にその温度で10分保持した後、5℃/分の速度で冷却し、250℃から100℃までの縦方向(MD)の平均熱膨張係数(熱膨張係数)を求めた。
[Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE)]
A polyimide film having a size of 3 mm × 20 mm was heated from 30 ° C. to 265 ° C. at a constant heating rate while applying a load of 5.0 g using a thermomechanical analyzer (manufactured by Bruker, trade name; 4000SA). Further, after holding at that temperature for 10 minutes, the mixture was cooled at a rate of 5 ° C./min, and the average coefficient of thermal expansion (coefficient of thermal expansion) in the longitudinal direction (MD) from 250 ° C. to 100 ° C. was determined.

[寸法変化率の測定]
80mm×80mmのサイズの金属張積層板を準備した。この積層板の金属層の上に、ドライフィルムレジストを設けた後、露光、現像して、図4に示すように、縦方向(MD)及び横方向(TD)のそれぞれ50mm間隔で5箇所を測定可能とする16個の直径1mmのレジストパターンを形成し、位置測定用ターゲットを調製した。
温度;23±2℃、相対湿度;50±5%の雰囲気中にて、位置測定用ターゲットにおけるレジストパターンのターゲット間の距離を測定した後、レジストパターン開孔部の金属層の露出部分をエッチング(エッチング液の温度;40℃以下、エッチング時間;10分以内)により除去し、図5に示すように、16個の金属層残存点を有する評価サンプルを調製した。この評価サンプルを温度;23±2℃、相対湿度;50±5%の雰囲気中にて24±4時間静置後、金属層残存点間の距離を測定した。縦方向及び横方向の各5箇所の常態に対する寸法変化率を算出し、各々の平均値をもってエッチング後寸法変化率とする。
次に、評価サンプルを120℃のオーブンで1時間加熱処理し、その後の金属層残存点間の距離を測定した。縦方向及び横方向の各5箇所の加熱後の寸法変化率を算出し、各々の平均値をもって加熱後寸法変化率とする。
各寸法変化率は下記数式により出した。
エッチング後寸法変化率(%)=(B−A)/A × 100
A ; レジスト現像後のターゲット間の距離
B ; 金属層エッチング後の金属層残存点間の距離
加熱後寸法変化率(%)=(C−B)/B × 100
B ; 金属層エッチング後の金属層残存点間の距離
C ; 加熱後の金属層残存点間の距離
[Measurement of dimensional change rate]
A metal-clad laminate having a size of 80 mm × 80 mm was prepared. After providing a dry film resist on the metal layer of this laminated plate, it is exposed and developed, and as shown in FIG. 4, 5 points are formed at intervals of 50 mm in the vertical direction (MD) and the horizontal direction (TD), respectively. Sixteen resist patterns having a diameter of 1 mm were formed so as to be measurable, and a position measurement target was prepared.
After measuring the distance between the targets of the resist pattern in the position measurement target in an atmosphere of temperature; 23 ± 2 ° C. and relative humidity: 50 ± 5%, the exposed portion of the metal layer of the resist pattern opening is etched. It was removed by (etching liquid temperature; 40 ° C. or lower, etching time; within 10 minutes), and as shown in FIG. 5, an evaluation sample having 16 metal layer residual points was prepared. This evaluation sample was allowed to stand in an atmosphere of temperature; 23 ± 2 ° C. and relative humidity: 50 ± 5% for 24 ± 4 hours, and then the distance between the residual points of the metal layer was measured. The dimensional change rate for each of the five normal conditions in the vertical direction and the horizontal direction is calculated, and the average value of each is used as the dimensional change rate after etching.
Next, the evaluation sample was heat-treated in an oven at 120 ° C. for 1 hour, and the distance between the remaining metal layer points was measured thereafter. The dimensional change rate after heating at each of the five locations in the vertical direction and the horizontal direction is calculated, and the average value of each is used as the dimensional change rate after heating.
Each dimensional change rate was calculated by the following formula.
Dimensional change rate after etching (%) = (BA) / A x 100
A; Distance between targets after resist development B; Distance between remaining metal layer points after metal layer etching Dimensional change rate after heating (%) = (CB) / B x 100
B; Distance between metal layer residual points after metal layer etching C; Distance between metal layer residual points after heating

[銅箔の表面粗さの測定]
十点平均粗さ(Rz)の測定
触針式表面粗さ計(株式会社小坂研究所製、商品名;サーフコーダET−3000)を用い、Force;100μN、Speed;20μm、Range;800μmの測定条件によって求めた。なお、表面粗さの算出は、JIS−B0601:1994に準拠した方法により算出した。
[Measurement of surface roughness of copper foil]
Measurement of 10-point average roughness (Rz) Measurement of Force; 100 μN, Speed; 20 μm, Range; 800 μm using a stylus type surface roughness meter (manufactured by Kosaka Laboratory Co., Ltd., trade name: Surfcoder ET-3000) Obtained according to the conditions. The surface roughness was calculated by a method based on JIS-B0601: 1994.

合成例に用いた略号は、以下の化合物を示す。
BTDA:3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
PMDA:ピロメリット酸二無水物
BPDA:3,3',4,4'‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
DAPE:4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
m‐TB:2,2'‐ジメチル‐4,4'‐ジアミノビフェニル
TPE−R:1,3-ビス(4‐アミノフェノキシ)ベンゼン
DDA:炭素数36の脂肪族ジアミン(クローダジャパン株式会社製、商品名;PRIAMINE1074、アミン価;205mgKOH/g、環状構造及び鎖状構造のダイマージアミンの混合物、ダイマー成分の含有量;95重量%以上)
OP935:有機ホスフィン酸アルミニウム塩(クラリアントジャパン社製、商品名;Exolit OP935)
N−12:ドデカン二酸ジヒドラジド
DMAc:N,N‐ジメチルアセトアミド
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
The abbreviations used in the synthesis examples indicate the following compounds.
BTDA: 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride PMDA: pyromellitic acid dianhydride BPDA: 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride DAPE: 4, 4'-Diaminodiphenyl ether m-TB: 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl TPE-R: 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene DDA: aliphatic diamine with 36 carbon atoms (Croder) Made by Japan Co., Ltd., trade name: PRIAMINE1074, amine value: 205 mgKOH / g, mixture of cyclic and chain diamine diamines, content of dimer components; 95% by weight or more)
OP935: Aluminum phosphinic acid salt (manufactured by Clariant Japan, trade name; Exolit OP935)
N-12: Dodecanedioic acid dihydrazide DMAc: N, N-dimethylacetamide NMP: N-methyl-2-pyrrolidone

(合成例1)
熱電対および攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、312gのDMAcを入れた。この反応容器に14.67gのDAPE(0.073モル)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、23.13gのBTDA(0.072モル)を加えた。その後、3時間撹拌を続け、溶液粘度2,960mPa・sのポリアミド酸の樹脂溶液aを調製した。
(Synthesis Example 1)
312 g of DMAc was placed in a reaction vessel equipped with a thermocouple and a stirrer and capable of introducing nitrogen. 14.67 g of DAPE (0.073 mol) was dissolved in this reaction vessel with stirring in the vessel. Next, 23.13 g of BTDA (0.072 mol) was added. Then, stirring was continued for 3 hours to prepare a resin solution a of polyamic acid having a solution viscosity of 2,960 mPa · s.

(合成例2)
熱電対および攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、200gのDMAcを入れた。この反応容器に1.335gのm−TB(0.0063モル)及び10.414gのTPE−R(0.0356モル)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、0.932gのPMDA(0.0043モル)及び11.319gのBPDA(0.0385モル)を加えた。その後、2時間撹拌を続け、溶液粘度1,420mPa・sのポリアミド酸の樹脂溶液bを調製した。
(Synthesis Example 2)
200 g of DMAc was placed in a reaction vessel equipped with a thermocouple and a stirrer and capable of introducing nitrogen. 1.335 g of m-TB (0.0063 mol) and 10.414 g of TPE-R (0.0356 mol) were dissolved in this reaction vessel with stirring in the vessel. Next, 0.932 g of PMDA (0.0043 mol) and 11.319 g of BPDA (0.0385 mol) were added. Then, stirring was continued for 2 hours to prepare a resin solution b of polyamic acid having a solution viscosity of 1,420 mPa · s.

(合成例3)
熱電対および攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、250gのDMAcを入れた。この反応容器に12.323gのm−TB(0.0580モル)及び1.886gのTPE−R(0.0064モル)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、8.314gのPMDA(0.0381モル)及び7.477gのBPDA(0.0254モル)を加えた。その後、3時間撹拌を続け、溶液粘度31,500mPa・sのポリアミド酸の樹脂溶液cを調製した。
(Synthesis Example 3)
250 g of DMAc was placed in a reaction vessel equipped with a thermocouple and a stirrer and capable of introducing nitrogen. 12.323 g of m-TB (0.0580 mol) and 1.886 g of TPE-R (0.0064 mol) were dissolved in this reaction vessel with stirring in the vessel. Next, 8.314 g of PMDA (0.0381 mol) and 7.477 g of BPDA (0.0254 mol) were added. Then, stirring was continued for 3 hours to prepare a resin solution c of polyamic acid having a solution viscosity of 31,500 mPa · s.

(合成例4)
窒素導入管、攪拌機、熱電対、ディーンスタークトラップ、冷却管を付した500mLの4ッ口フラスコに、44.92gのBTDA(0.139モル)、75.08gのDDA(0.141モル)、168gのNMP及び112gのキシレンを装入し、40℃で30分間混合して、ポリアミド酸溶液を調製した。このポリアミド酸溶液を190℃に昇温し、4時間加熱、攪拌し、留出する水及びキシレンを系外に除去した。その後、100℃まで冷却し、112gのキシレンを加え撹拌し、更に30℃まで冷却することでイミド化を完結し、ポリイミドの樹脂溶液d(固形分;29.5重量%)を得た。
(Synthesis Example 4)
44.92 g of BTDA (0.139 mol), 75.08 g of DDA (0.141 mol), in a 500 mL 4-neck flask with a nitrogen inlet tube, stirrer, thermocouple, Dean-Stark trap, and condenser. 168 g of NMP and 112 g of xylene were charged and mixed at 40 ° C. for 30 minutes to prepare a polyamic acid solution. The temperature of this polyamic acid solution was raised to 190 ° C., and the mixture was heated and stirred for 4 hours to remove distilled water and xylene from the system. Then, the mixture was cooled to 100 ° C., 112 g of xylene was added and stirred, and further cooled to 30 ° C. to complete imidization to obtain a polyimide resin solution d (solid content; 29.5% by weight).

(作製例1)
<ポリイミドフィルム1の調製>
樹脂溶液dの169.49g(固形分として50g)に1.8gのN−12(0.0036モル)及び12.5gのOP935を配合し、6.485gのNMPと19.345gのキシレンを加えて希釈して、ポリイミドワニス1を調製した。
(Production Example 1)
<Preparation of polyimide film 1>
Add 1.8 g of N-12 (0.0036 mol) and 12.5 g of OP935 to 169.49 g (50 g of solid content) of the resin solution d, and add 6.485 g of NMP and 19.345 g of xylene. Diluted to prepare polyimide varnish 1.

ポリイミドワニス1を乾燥後厚みが約25μmとなるように離型基材のシリコーン処理面に塗工した後、80℃で加熱乾燥し、離型基材上から剥離することでポリイミドフィルム1を調製した。ポリイミドフィルム1のTgは53℃であり、50℃での貯蔵弾性率が800MPa、180℃から260℃での貯蔵弾性率の最大値が10MPaであった。 After drying, the polyimide varnish 1 is applied to the silicone-treated surface of the release base material so that the thickness becomes about 25 μm, dried by heating at 80 ° C., and peeled off from the release base material to prepare the polyimide film 1. bottom. The Tg of the polyimide film 1 was 53 ° C., the storage elastic modulus at 50 ° C. was 800 MPa, and the maximum value of the storage elastic modulus at 180 ° C. to 260 ° C. was 10 MPa.

(作製例2)
<ポリイミドフィルム2の調製>
電解銅箔1(厚さ12μm、Rz;2.1μm)の片面の表面に、ポリアミド酸の樹脂溶液bを硬化後の厚みが約25μmとなるように塗工した後、120℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、120℃から360℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結した。塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルム2を調製した。ポリイミドフィルム2のTgは250℃であり、50℃での貯蔵弾性率が5000MPa、180℃から260℃での貯蔵弾性率の最大値が3600MPaであった。
(Production Example 2)
<Preparation of polyimide film 2>
The surface of one side of the electrolytic copper foil 1 (thickness 12 μm, Rz; 2.1 μm) is coated with a polyamic acid resin solution b so that the cured thickness is about 25 μm, and then heated and dried at 120 ° C. The solvent was removed. Further, a stepwise heat treatment was performed from 120 ° C. to 360 ° C. to complete imidization. The copper foil was etched and removed using an aqueous ferric chloride solution to prepare a polyimide film 2. The Tg of the polyimide film 2 was 250 ° C., the storage elastic modulus at 50 ° C. was 5000 MPa, and the maximum value of the storage elastic modulus at 180 ° C. to 260 ° C. was 3600 MPa.

(作製例3)
<樹脂フィルム1の調製>
ポリイミドワニス1を乾燥後の厚みが約5μmとなるように、LCPフィルム1(50μm厚、CTE;29ppm/℃、株式会社クラレ製、商品名;ベクスター)の表面に塗工した後、80℃で加熱乾燥した。次に、LCPフィルム1の反対側の表面にも、ポリイミドワニス1を乾燥後の厚みが約5μmとなるように塗工した後、80℃で加熱乾燥して、樹脂フィルム1を調製した。樹脂フィルム1の比誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.9、0.0021であった。
(Production Example 3)
<Preparation of resin film 1>
The polyimide varnish 1 is coated on the surface of LCP film 1 (50 μm thickness, CTE; 29 ppm / ° C., manufactured by Kuraray Co., Ltd., trade name; Vecstar) so that the thickness after drying is about 5 μm, and then at 80 ° C. Heat dried. Next, the surface on the opposite side of the LCP film 1 was also coated with the polyimide varnish 1 so that the thickness after drying was about 5 μm, and then heat-dried at 80 ° C. to prepare a resin film 1. The relative permittivity (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) of the resin film 1 were 2.9 and 0.0021, respectively.

(作製例4)
<樹脂フィルム2の調製>
(Production Example 4)
<Preparation of resin film 2>

樹脂溶液bを硬化後の厚みが約5μmとなるように、LCPフィルム1の表面に塗工した後、120℃で加熱乾燥した。次に、LCPフィルム1の反対側の表面にも、樹脂溶液bを硬化後の厚みが約5μmとなるように塗工した後、120℃で加熱乾燥し、溶媒を除去した。このようにして、3層のポリアミド酸層を形成した後、120℃から260℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結して、樹脂フィルム2を調製した。樹脂フィルム2の比誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、3.1、0.0021であった。 The resin solution b was applied to the surface of the LCP film 1 so that the thickness after curing was about 5 μm, and then heat-dried at 120 ° C. Next, the surface of the LCP film 1 on the opposite side was also coated with the resin solution b so that the thickness after curing was about 5 μm, and then heat-dried at 120 ° C. to remove the solvent. After forming the three polyamic acid layers in this way, a stepwise heat treatment was performed from 120 ° C. to 260 ° C. to complete imidization, and the resin film 2 was prepared. The relative permittivity (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) of the resin film 2 were 3.1 and 0.0021, respectively.

(作製例5)
<樹脂フィルム3の調製>
ポリイミドワニス1の乾燥後厚みを約12.5μmとした以外は、作製例3と同様にして、樹脂フィルム3を調製した。樹脂フィルム3の比誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.8、0.0021であった。
(Production Example 5)
<Preparation of resin film 3>
A resin film 3 was prepared in the same manner as in Production Example 3 except that the thickness of the polyimide varnish 1 after drying was about 12.5 μm. The relative permittivity (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) of the resin film 3 were 2.8 and 0.0021, respectively.

(作製例6)
<樹脂フィルム4の調製>
ポリイミドワニス1の乾燥後厚みを約25μmとした以外は、作製例3と同様にして、樹脂フィルム4を調製した。樹脂フィルム4の比誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.8、0.0022であった。
(Production Example 6)
<Preparation of resin film 4>
A resin film 4 was prepared in the same manner as in Production Example 3 except that the thickness of the polyimide varnish 1 after drying was about 25 μm. The relative permittivity (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) of the resin film 4 were 2.8 and 0.0022, respectively.

(作製例7)
<片面金属張積層板1の作製>
電解銅箔1の片面の表面に、樹脂溶液bを硬化後の厚みが約2μmとなるように均一に塗布した後、120℃で加熱乾燥し、溶媒を除去した。次に、その上に樹脂溶液cを硬化後の厚みが約21μmとなるように均一に塗布した後、90〜120℃で加熱乾燥し、溶媒を除去した。更に、その上に樹脂溶液aを硬化後の厚みが約2μmとなるように均一に塗布した後、120℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。このようにして、3層のポリアミド酸層を形成した後、120℃〜360℃で段階的な熱処理を行い、イミド化を完結して、片面金属張積層板1を作製した。片面金属張積層板1の銅箔層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して調製したポリイミドフィルム3のCTEは、23ppm/℃であった。
(Production Example 7)
<Manufacturing of single-sided metal-clad laminate 1>
The resin solution b was uniformly applied to the surface of one side of the electrolytic copper foil 1 so that the thickness after curing was about 2 μm, and then heat-dried at 120 ° C. to remove the solvent. Next, the resin solution c was uniformly applied onto the resin solution c so as to have a thickness of about 21 μm after curing, and then heat-dried at 90 to 120 ° C. to remove the solvent. Further, the resin solution a was uniformly applied thereto so as to have a thickness of about 2 μm after curing, and then heat-dried at 120 ° C. to remove the solvent. After forming the three polyamic acid layers in this way, a stepwise heat treatment was performed at 120 ° C. to 360 ° C. to complete imidization, and a single-sided metal-clad laminate 1 was produced. The CTE of the polyimide film 3 prepared by etching and removing the copper foil layer of the single-sided metal-clad laminate 1 with an aqueous ferric chloride solution was 23 ppm / ° C.

(作製例8)
<片面金属張積層板2の作製>
電解銅箔1の片面の表面に、樹脂溶液bを硬化後の厚みが約2μmとなるように均一に塗布した後、120℃で加熱乾燥し、溶媒を除去した。次に、その上に樹脂溶液cを硬化後の厚みが約21μmとなるように均一に塗布した後、90〜120℃で加熱乾燥し、溶媒を除去した。更に、その上に樹脂溶液bを硬化後の厚みが約2μmとなるように均一に塗布した後、120℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。このようにして、3層のポリアミド酸層を形成した後、120℃〜360℃で段階的な熱処理を行い、イミド化を完結して、片面金属張積層板2を作製した。片面金属張積層板2の銅箔層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して調製したポリイミドフィルム4のCTEは、22ppm/℃であった。
(Production Example 8)
<Manufacturing of single-sided metal-clad laminate 2>
The resin solution b was uniformly applied to the surface of one side of the electrolytic copper foil 1 so that the thickness after curing was about 2 μm, and then heat-dried at 120 ° C. to remove the solvent. Next, the resin solution c was uniformly applied onto the resin solution c so as to have a thickness of about 21 μm after curing, and then heat-dried at 90 to 120 ° C. to remove the solvent. Further, the resin solution b was uniformly applied onto the resin solution b so as to have a thickness of about 2 μm after curing, and then heat-dried at 120 ° C. to remove the solvent. After forming the three polyamic acid layers in this way, a stepwise heat treatment was performed at 120 ° C. to 360 ° C. to complete imidization, and a single-sided metal-clad laminate 2 was produced. The CTE of the polyimide film 4 prepared by etching and removing the copper foil layer of the single-sided metal-clad laminate 2 with an aqueous ferric chloride solution was 22 ppm / ° C.

(作製例9)
<片面金属張積層板3の作製>
片面金属張積層板2の樹脂面側に、電解銅箔1を積層した後、320℃、7MPaの条件で、30分間熱圧着することで、両面金属張積層板1を作製した。両面銅張積層板1の片面の銅箔層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、樹脂表面に、銅箔の粗化形状が転写された片面金属張積層板3を作製した。片面金属張積層板3の銅箔層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して調製したポリイミドフィルム5のCTEは、22ppm/℃であった。
(Production Example 9)
<Manufacturing of single-sided metal-clad laminate 3>
After laminating the electrolytic copper foil 1 on the resin surface side of the single-sided metal-clad laminate 2, the double-sided metal-clad laminate 1 was produced by thermocompression bonding at 320 ° C. and 7 MPa for 30 minutes. The copper foil layer on one side of the double-sided copper-clad laminate 1 was removed by etching with an aqueous ferric chloride solution to prepare a single-sided metal-clad laminate 3 in which the roughened shape of the copper foil was transferred to the resin surface. .. The CTE of the polyimide film 5 prepared by etching and removing the copper foil layer of the single-sided metal-clad laminate 3 with an aqueous ferric chloride solution was 22 ppm / ° C.

[実施例1]
2枚の片面金属張積層板1、1枚の樹脂フィルム1を準備し、片面金属張積層板1/樹脂フィルム1/片面金属張積層板1の順に積層した後、180℃、3.5MPaの条件で、60分間熱圧着することで、両面金属張積層板2を調製した。両面金属張積層板2について、評価した結果は、次のとおりである。
MD方向のエッチング後寸法変化率;−0.04%
TD方向のエッチング後寸法変化率;−0.03%
MD方向の加熱後寸法変化率;+0.02%
TD方向の加熱後寸法変化率;+0.01%
また、両面金属張積層板2における両面の銅箔層をエッチング除去して調製した樹脂積層体1(厚み;110μm)における比誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、3.1、0.0031であった。
[Example 1]
Two single-sided metal-clad laminates 1 and one resin film 1 are prepared and laminated in the order of single-sided metal-clad laminate 1 / resin film 1 / single-sided metal-clad laminate 1 and then at 180 ° C. and 3.5 MPa. Under the conditions, the double-sided metal-clad laminate 2 was prepared by heat-pressing for 60 minutes. The evaluation results of the double-sided metal-clad laminate 2 are as follows.
Dimensional change rate after etching in the MD direction; -0.04%
Dimensional change rate after etching in the TD direction; -0.03%
Dimensional change rate after heating in MD direction; + 0.02%
Dimensional change rate after heating in the TD direction; + 0.01%
Further, the relative permittivity (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) of the resin laminate 1 (thickness; 110 μm) prepared by etching and removing the copper foil layers on both sides of the double-sided metal-clad laminate 2 are 3.1, respectively. It was 0.0031.

[実施例2]
2枚の片面金属張積層板2、1枚の樹脂フィルム1を準備し、片面金属張積層板2/樹脂フィルム1/片面金属張積層板2の順に積層した後、180℃、3.5MPaの条件で、60分間熱圧着することで、両面金属張積層板3を調製した。両面金属張積層板3について、評価した結果は、次のとおりである。
MD方向のエッチング後寸法変化率;−0.05%
TD方向のエッチング後寸法変化率;−0.03%
MD方向の加熱後寸法変化率;−0.03%
TD方向の加熱後寸法変化率;±0.00%
また、両面金属張積層板3における両面の銅箔層をエッチング除去して調製した樹脂積層体2(厚み;110μm)における比誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、3.1、0.0026であった。
[Example 2]
Two single-sided metal-clad laminates 2 and one resin film 1 are prepared and laminated in the order of single-sided metal-clad laminate 2 / resin film 1 / single-sided metal-clad laminate 2, and then at 180 ° C. and 3.5 MPa. Under the conditions, the double-sided metal-clad laminate 3 was prepared by heat-pressing for 60 minutes. The evaluation results of the double-sided metal-clad laminate 3 are as follows.
Dimensional change rate after etching in the MD direction; -0.05%
Dimensional change rate after etching in the TD direction; -0.03%
Dimensional change rate after heating in MD direction; -0.03%
Dimensional change rate after heating in the TD direction; ± 0.00%
Further, the relative permittivity (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) of the resin laminate 2 (thickness; 110 μm) prepared by etching and removing the copper foil layers on both sides of the double-sided metal-clad laminate 3 are 3.1, respectively. It was 0.0026.

[比較例1]
2枚の片面金属張積層板1、1枚の樹脂フィルム2を準備し、片面金属張積層板1/樹脂フィルム2/片面金属張積層板1の順に積層した後、320℃、7MPaの条件で、30分間熱圧着することで、両面金属張積層板4を調製した。両面金属張積層板4について、評価した結果は、次のとおりである。
MD方向のエッチング後寸法変化率;−0.03%
TD方向のエッチング後寸法変化率;−0.01%
MD方向の加熱後寸法変化率;−0.11%
TD方向の加熱後寸法変化率;−0.10%
また、両面金属張積層板4における両面の銅箔層をエッチング除去して調製した樹脂積層体3(厚み;110μm)における比誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、3.2、0.0031であった。
[Comparative Example 1]
Two single-sided metal-clad laminates 1 and one resin film 2 are prepared, laminated in the order of single-sided metal-clad laminate 1 / resin film 2 / single-sided metal-clad laminate 1, and then at 320 ° C. and 7 MPa. , The double-sided metal-clad laminate 4 was prepared by heat-pressing for 30 minutes. The evaluation results of the double-sided metal-clad laminate 4 are as follows.
Dimensional change rate after etching in the MD direction; -0.03%
Dimensional change rate after etching in the TD direction; -0.01%
Dimensional change rate after heating in MD direction; -0.11%
Dimensional change rate after heating in the TD direction; -0.10%
Further, the relative permittivity (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) of the resin laminate 3 (thickness; 110 μm) prepared by etching and removing the copper foil layers on both sides of the double-sided metal-clad laminate 4 are 3.2, respectively. It was 0.0031.

[実施例3]
2枚の片面金属張積層板2、1枚の樹脂フィルム3を準備し、片面金属張積層板2/樹脂フィルム3/片面金属張積層板2の順に積層した後、180℃、3.5MPaの条件で、60分間熱圧着することで、両面金属張積層板5を調製した。両面金属張積層板5について、評価した結果は、次のとおりである。
MD方向のエッチング後寸法変化率;−0.06%
TD方向のエッチング後寸法変化率;−0.05%
MD方向の加熱後寸法変化率;+0.04%
TD方向の加熱後寸法変化率;+0.02%
また、両面金属張積層板5における両面の銅箔層をエッチング除去して調製した樹脂積層体4(厚み;125μm)における比誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、3.0、0.0026であった。
[Example 3]
Two single-sided metal-clad laminates 2 and one resin film 3 are prepared and laminated in the order of single-sided metal-clad laminate 2 / resin film 3 / single-sided metal-clad laminate 2, and then at 180 ° C. and 3.5 MPa. Under the conditions, the double-sided metal-clad laminate 5 was prepared by heat-pressing for 60 minutes. The evaluation results of the double-sided metal-clad laminate 5 are as follows.
Dimensional change rate after etching in the MD direction; -0.06%
Dimensional change rate after etching in the TD direction; -0.05%
Dimensional change rate after heating in MD direction; + 0.04%
Dimensional change rate after heating in the TD direction; + 0.02%
Further, the relative permittivity (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) of the resin laminate 4 (thickness; 125 μm) prepared by etching and removing the copper foil layers on both sides of the double-sided metal-clad laminate 5 are 3.0, respectively. It was 0.0026.

[実施例4]
2枚の片面金属張積層板2、1枚の樹脂フィルム4を準備し、片面金属張積層板2/樹脂フィルム4/片面金属張積層板2の順に積層した後、180℃、3.5MPaの条件で、60分間熱圧着することで、両面金属張積層板6を調製した。両面金属張積層板6について、評価した結果は、次のとおりである。
MD方向のエッチング後寸法変化率;−0.05%
TD方向のエッチング後寸法変化率;−0.04%
MD方向の加熱後寸法変化率;+0.01%
TD方向の加熱後寸法変化率;+0.01%
また、両面金属張積層板6における両面の銅箔層をエッチング除去して調製した樹脂積層体5(厚み;150μm)における比誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、3.0、0.0026であった。
[Example 4]
Two single-sided metal-clad laminates 2 and one resin film 4 are prepared and laminated in the order of single-sided metal-clad laminate 2 / resin film 4 / single-sided metal-clad laminate 2, and then at 180 ° C. and 3.5 MPa. Under the conditions, the double-sided metal-clad laminate 6 was prepared by heat-pressing for 60 minutes. The evaluation results of the double-sided metal-clad laminate 6 are as follows.
Dimensional change rate after etching in the MD direction; -0.05%
Dimensional change rate after etching in the TD direction; -0.04%
Dimensional change rate after heating in MD direction; + 0.01%
Dimensional change rate after heating in the TD direction; + 0.01%
Further, the relative permittivity (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) of the resin laminate 5 (thickness; 150 μm) prepared by etching and removing the copper foil layers on both sides of the double-sided metal-clad laminate 6 are 3.0, respectively. It was 0.0026.

[比較例2]
2枚の片面金属張積層板2、1枚のLCPフィルム1を準備し、片面金属張積層板2/LCPフィルム1/片面金属張積層板2の順に積層した後、305℃、7MPaの条件で、30分間熱圧着したが、片面金属張積層板2の樹脂面とLCPフィルム1の表面間の接着は十分ではなく、両面金属張積層板は得られなかった。
[Comparative Example 2]
Two single-sided metal-clad laminates 2 and one LCP film 1 are prepared and laminated in the order of single-sided metal-clad laminate 2 / LCP film 1 / single-sided metal-clad laminate 2, and then at 305 ° C. and 7 MPa. Although thermocompression bonding was performed for 30 minutes, the adhesion between the resin surface of the single-sided metal-clad laminate 2 and the surface of the LCP film 1 was not sufficient, and a double-sided metal-clad laminate could not be obtained.

[比較例3]
2枚の片面金属張積層板3、1枚のLCPフィルム1を準備し、片面金属張積層板3/LCPフィルム1/片面金属張積層板3の順に積層した後、305℃、7MPaの条件で、30分間熱圧着することで、両面金属張積層板7を調製した。両面金属張積層板7について、評価した結果は、次のとおりである。
MD方向のエッチング後寸法変化率;−0.04%
TD方向のエッチング後寸法変化率;−0.03%
MD方向の加熱後寸法変化率;−0.12%
TD方向の加熱後寸法変化率;−0.12%
また、両面金属張積層板7における両面の銅箔層をエッチング除去して調製した樹脂積層体6(厚み;100μm)における比誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、3.2、0.0027であった。
[Comparative Example 3]
Two single-sided metal-clad laminates 3 and one LCP film 1 are prepared, laminated in the order of single-sided metal-clad laminate 3 / LCP film 1 / single-sided metal-clad laminate 3, and then at 305 ° C. and 7 MPa. , The double-sided metal-clad laminate 7 was prepared by thermocompression bonding for 30 minutes. The evaluation results of the double-sided metal-clad laminate 7 are as follows.
Dimensional change rate after etching in the MD direction; -0.04%
Dimensional change rate after etching in the TD direction; -0.03%
Dimensional change rate after heating in MD direction; -0.12%
Dimensional change rate after heating in the TD direction; -0.12%
Further, the relative permittivity (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) of the resin laminate 6 (thickness; 100 μm) prepared by etching and removing the copper foil layers on both sides of the double-sided metal-clad laminate 7 are 3.2, respectively. It was 0.0027.

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail for the purpose of exemplification, the present invention is not limited to the above embodiments and can be modified in various ways.

100…金属張積層板、101…金属層、110…ポリイミド層、111…非熱可塑性ポリイミド層、112…熱可塑性ポリイミド層、120…接着層、130…片面金属張積層板

100 ... Metal-clad laminate, 101 ... Metal layer, 110 ... Polyimide layer, 111 ... Non-thermoplastic polyimide layer, 112 ... Thermoplastic polyimide layer, 120 ... Adhesive layer, 130 ... Single-sided metal-clad laminate

Claims (10)

液晶ポリマー層と、
前記液晶ポリマー層の片側に積層された第1接着剤層と、
前記液晶ポリマー層の前記第1接着剤層とは反対側に積層された第2接着剤層と、
を備えた樹脂フィルムであって、
前記第1接着剤層及び前記第2接着剤層の50℃における貯蔵弾性率が、それぞれ独立に1800MPa以下であり、180〜260℃における貯蔵弾性率の最大値が、それぞれ独立に800MPa以下であることを特徴とする樹脂フィルム。
Liquid crystal polymer layer and
A first adhesive layer laminated on one side of the liquid crystal polymer layer and
A second adhesive layer laminated on the opposite side of the liquid crystal polymer layer from the first adhesive layer,
It is a resin film with
The storage elastic modulus of the first adhesive layer and the second adhesive layer at 50 ° C. is independently 1800 MPa or less, and the maximum value of the storage elastic modulus at 180 to 260 ° C. is 800 MPa or less independently. A resin film characterized by this.
樹脂フィルム全体の10GHzにおける誘電正接が0.005以下である請求項1に記載の樹脂フィルム。 The resin film according to claim 1, wherein the dielectric loss tangent of the entire resin film at 10 GHz is 0.005 or less. 前記第1接着剤層及び前記第2接着剤層は、それぞれガラス転移温度(Tg)が180℃以下である請求項1に記載の樹脂フィルム。 The resin film according to claim 1, wherein the first adhesive layer and the second adhesive layer each have a glass transition temperature (Tg) of 180 ° C. or lower. 前記第1接着剤層及び前記第2接着剤層が、樹脂成分としてポリイミドを含有し、
前記ポリイミドがテトラカルボン酸無水物成分から誘導される酸無水物残基及びジアミン成分から誘導されるジアミン残基を含有するとともに、全ジアミン残基に対し、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級アミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸由来のジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル%以上含有するものである請求項1に記載の樹脂フィルム。
The first adhesive layer and the second adhesive layer contain polyimide as a resin component, and the first adhesive layer and the second adhesive layer contain polyimide as a resin component.
The polyimide contains an acid anhydride residue derived from a tetracarboxylic acid anhydride component and a diamine residue derived from a diamine component, and two terminal carboxylic acid groups of dimer acid are added to all diamine residues. The resin film according to claim 1, wherein the resin film contains 50 mol% or more of a primary aminomethyl group or a diamine residue derived from a diamine derived from a dimer acid substituted with an amino group.
前記液晶ポリマー層の厚みをTL、前記第1接着剤層の厚みをTB1、前記第2接着剤層の厚みをTB2としたとき、以下の関係を有する請求項1に記載の樹脂フィルム。
0.15 ≦(TB1+TB2)/(TL+TB1+TB2)≦ 0.70
The resin film according to claim 1, wherein the thickness of the liquid crystal polymer layer is TL, the thickness of the first adhesive layer is TB1, and the thickness of the second adhesive layer is TB2.
0.15 ≤ (TB1 + TB2) / (TL + TB1 + TB2) ≤ 0.70
第1金属層と、前記第1金属層の少なくとも片側の面に積層された第1絶縁樹脂層と、を有する第1片面金属張積層板と、
第2金属層と、前記第2金属層の少なくとも片側の面に積層された第2絶縁樹脂層と、を有する第2片面金属張積層板と、
前記第1絶縁樹脂層及び前記第2絶縁樹脂層に当接するように配置されて、前記第1片面金属張積層板と前記第2片面金属張積層板との間に積層された中間樹脂層と、を備えた金属張積層板であって、
前記中間樹脂層が、請求項1〜5のいずれか1項に記載の樹脂フィルムからなることを特徴とする金属張積層板。
A first single-sided metal-clad laminate having a first metal layer and a first insulating resin layer laminated on at least one surface of the first metal layer.
A second single-sided metal-clad laminate having a second metal layer and a second insulating resin layer laminated on at least one surface of the second metal layer.
An intermediate resin layer arranged so as to be in contact with the first insulating resin layer and the second insulating resin layer, and laminated between the first single-sided metal-clad laminate and the second single-sided metal-clad laminate. A metal-clad laminate with,
A metal-clad laminate characterized in that the intermediate resin layer is made of the resin film according to any one of claims 1 to 5.
前記第1絶縁樹脂層と前記中間樹脂層と前記第2絶縁樹脂層の合計厚みT1が50〜500μmの範囲内であり、かつ、前記合計厚みT1に対する前記中間樹脂層の厚みT2の比率(T2/T1)が0.50〜0.90の範囲内である請求項6に記載の金属張積層板。 The total thickness T1 of the first insulating resin layer, the intermediate resin layer, and the second insulating resin layer is in the range of 50 to 500 μm, and the ratio of the thickness T2 of the intermediate resin layer to the total thickness T1 (T2). The metal-clad laminate according to claim 6, wherein / T1) is in the range of 0.50 to 0.90. 前記第1絶縁樹脂層及び前記第2絶縁樹脂層は、共に、熱可塑性ポリイミド層、非熱可塑性ポリイミド層及び熱可塑性ポリイミド層がこの順に積層された多層構造を有し、
前記中間樹脂層は、2つの前記熱可塑性ポリイミド層に接して設けられている請求項6に記載の金属張積層板。
Both the first insulating resin layer and the second insulating resin layer have a multilayer structure in which a thermoplastic polyimide layer, a non-thermoplastic polyimide layer, and a thermoplastic polyimide layer are laminated in this order.
The metal-clad laminate according to claim 6, wherein the intermediate resin layer is provided in contact with the two thermoplastic polyimide layers.
前記非熱可塑性ポリイミド層を構成する非熱可塑性ポリイミドは、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含み、全ジアミン残基の100モル部に対して、下記一般式(A1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基の含有量が80モル部以上である請求項6に記載の金属張積層板。
Figure 2021160148
[式(A1)において、連結基Zは単結合又は−COO−を示し、Yは独立に、ハロゲン原子若しくはフェニル基で置換されてもよい炭素数1〜3の1価の炭化水素、又は炭素数1〜3のアルコキシ基、又は炭素数1〜3のパーフルオロアルキル基、又はアルケニル基を示し、nは0〜2の整数を示し、p及びqは独立に0〜4の整数を示す。]
The non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, and is a diamine represented by the following general formula (A1) with respect to 100 mol parts of all diamine residues. The metal-clad laminate according to claim 6, wherein the content of the diamine residue derived from the compound is 80 mol parts or more.
Figure 2021160148
[In the formula (A1), the linking group Z represents a single bond or −COO−, and Y is a monovalent hydrocarbon or carbon having 1 to 3 carbon atoms which may be independently substituted with a halogen atom or a phenyl group. An alkoxy group having a number of 1 to 3 or a perfluoroalkyl group having a carbon number of 1 to 3 or an alkenyl group is indicated, n represents an integer of 0 to 2, and p and q independently represent an integer of 0 to 4. ]
第1配線層と、前記第1配線層の少なくとも片側の面に積層された第1絶縁樹脂層と、を有する第1回路基板と、
第2配線層と、前記第2配線層の少なくとも片側の面に積層された第2絶縁樹脂層と、を有する第2回路基板と、
前記第1絶縁樹脂層及び前記第2絶縁樹脂層に当接するように配置されて、前記第1回路基板と前記第2回路基板との間に積層された中間樹脂層と、を備えた回路基板であって、
前記中間樹脂層が、請求項1〜5のいずれか1項に記載の樹脂フィルムからなることを特徴とする回路基板。
A first circuit board having a first wiring layer and a first insulating resin layer laminated on at least one surface of the first wiring layer.
A second circuit board having a second wiring layer and a second insulating resin layer laminated on at least one surface of the second wiring layer.
A circuit board provided with an intermediate resin layer arranged so as to be in contact with the first insulating resin layer and the second insulating resin layer and laminated between the first circuit board and the second circuit board. And
A circuit board characterized in that the intermediate resin layer is made of the resin film according to any one of claims 1 to 5.
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