JP2020077666A - Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, program, and recording medium - Google Patents

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靖裕 水口
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Abstract

To improve processing uniformity of each substrate.SOLUTION: A substrate processing apparatus comprises: a processing execution unit which processes a substrate based on a program; a first control unit which processes the program; and a second control unit which controls the processing execution unit based on data received from the first control unit. The first control unit performs determination on operation data of a first control unit provided in another substrate processing apparatus. The first control unit is capable of performing alternative control of the first control unit provided in the other substrate processing apparatus if it is determined that a failure has occurred in the first control unit in the other substrate processing apparatus.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体に関する。   The present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a semiconductor device manufacturing method, a program, and a recording medium.

半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置の一態様としては、例えばリアクタを有するモジュールを備えた装置がある。このような基板処理装置においては、装置稼働情報等をディスプレイ等で構成される入出力装置に表示して、装置管理者が確認し得るようにしている。（例えば、特許文献１参照）   As an example of the substrate processing apparatus used in the semiconductor device manufacturing process, there is an apparatus including a module having a reactor. In such a substrate processing apparatus, the apparatus operation information and the like are displayed on an input / output apparatus such as a display so that the apparatus manager can confirm the information. (For example, see Patent Document 1)

特開２０１７―１０３３５６号公報JP, 2017-103356, A

本開示は、基板処理装置について効率の良い管理を実現する技術を提供する。   The present disclosure provides a technique for realizing efficient management of a substrate processing apparatus.

一態様によれば、
基板をプログラムに基づいて処理する処理遂行部と、プログラムを処理する第１制御部と、第１制御部から受信したデータに基づいて、処理遂行部を制御する第２制御部と、を有し、第１制御部は、他の基板処理装置に設けられた第１制御部の稼働データの判定を行い、他の基板処理装置の第１制御部で不具合が発生したと判定したときに、他の基板処理装置に設けられた第１制御部の代替制御を実行可能に構成される技術が提供される。 According to one aspect,
A processing execution unit that processes the substrate based on the program, a first control unit that processes the program, and a second control unit that controls the processing execution unit based on the data received from the first control unit. , The first control unit determines the operation data of the first control unit provided in the other substrate processing apparatus, and when it determines that a failure has occurred in the first control unit of the other substrate processing apparatus, There is provided a technology capable of executing alternative control of the first control unit provided in the substrate processing apparatus.

本開示に係る技術によれば、基板処理装置について効率の良い管理が可能になる。   The technology according to the present disclosure enables efficient management of the substrate processing apparatus.

基板処理システムの概略構成図である。It is a schematic block diagram of a substrate processing system. 基板処理装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a substrate processing apparatus. ガス供給部を説明する図である。It is a figure explaining a gas supply part. コントローラの概略構成図である。It is a schematic block diagram of a controller. 装置接続データの例である。It is an example of device connection data. 基板処理のフロー図である。It is a flow chart of substrate processing. 制御部の切替工程を含むフロー図である。It is a flowchart including the switching process of a control part. 制御部の代替制御中の基板処理システムの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the substrate processing system during alternative control of the control unit. 代替制御要求の画面の例である。It is an example of a screen of an alternative control request.

以下に本開示の実施の形態について説明する。   Embodiments of the present disclosure will be described below.

＜一実施形態＞
以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。 <One embodiment>
Hereinafter, an embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings.

まず、本開示が解決する課題についていくつか記す。複数の基板処理装置を運用する際に、少なくとも以下の（ａ）〜（ｃ）いずれかの課題を生じる場合がある。各番号の構成については、後述する。   First, some problems to be solved by the present disclosure will be described. When operating a plurality of substrate processing apparatuses, at least one of the following problems (a) to (c) may occur. The structure of each number will be described later.

（ａ）複数の基板処理装置１００を運用する場合に、いずれかの基板処理装置１００に設けられ、基板処理装置１００に設けられた各部を操作する操作部としての第１制御部２６０がダウンした時、第１制御部２６０がダウンした基板処理装置１００は操作不能となる。 (A) When operating a plurality of substrate processing apparatuses 100, the first control unit 260, which is provided in any one of the substrate processing apparatuses 100 and operates each unit provided in the substrate processing apparatus 100, is down. At this time, the substrate processing apparatus 100 in which the first controller 260 is down becomes inoperable.

（ｂ）基板処理装置１００に設けられた第１制御部２６０は、故障対策のため二重化されることが有る。この場合、二重化された片方が故障した場合に、一方に切り替える制御がなされている。しかしながら、片方が故障したまま使用を継続することがあり、一方の第１制御部２６０も故障し、基板処理装置１００が操作不能となることがある。 (B) The first control unit 260 provided in the substrate processing apparatus 100 may be duplicated as a countermeasure against a failure. In this case, when one of the duplicated ones fails, control is performed to switch to one. However, one of them may continue to be used with a failure, one of the first control units 260 may also fail, and the substrate processing apparatus 100 may become inoperable.

（ｃ）複数の基板処理装置１００で同様の処理を行っている場合において、いずれかの基板処理装置１００をメンテナンスすることがある。メンテナンス後に、メンテナンスした基板処理装置１００に最新の設定データを適用することがある。この場合、最新の設定データは、上位装置５００から送信されるが、メンテナンスが終わるまで、設定できないことがある。 (C) When a plurality of substrate processing apparatuses 100 perform the same processing, one of the substrate processing apparatuses 100 may be maintained. After the maintenance, the latest setting data may be applied to the maintained substrate processing apparatus 100. In this case, the latest setting data is transmitted from the host device 500, but it may not be set until maintenance is completed.

このような課題に対して、本開示の基板処理システムは、以下に記す様に構成されている。
（１）基板処理システムの構成
一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を、図１、図２、図３、図４を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理システムの構成例を示すである。図２は本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す横断面図である。図３は本実施形態に係る基板処理装置のガス供給系の概略構成図である。図４は、基板処理装置に設けられた各部と第１制御部２６０との接続関係を示す概略構成図である。 With respect to such a problem, the substrate processing system of the present disclosure is configured as described below.
(1) Configuration of Substrate Processing System A schematic configuration of a substrate processing system according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 1, 2, 3, and 4. FIG. 1 shows a configuration example of a substrate processing system according to this embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus according to this embodiment. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a gas supply system of the substrate processing apparatus according to this embodiment. FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a connection relationship between each unit provided in the substrate processing apparatus and the first control unit 260.

図１において、基板処理システム１０００は、複数の基板処理装置１００（１００ａ,１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ）を有する。基板処理装置１００には、それぞれ、第１制御部２６０（２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃ，２６０ｄ）と、第２制御部２８０（２８０ａ，２８０ｂ，２８０ｃ，２８０ｄ）と、データ送受信部２８５（２８５ａ，２８５ｂ，２８５ｃ，２８５ｄ）を有する。第１制御部２６０は、第２制御部２８０を介して、基板処理装置１００の各部の操作を実行可能に構成される。また、データ送受信部２８５とデータ送受信部２８５に接続されたネットワーク２６８を介して、他の基板処理装置１００の第１制御部２６０や第２制御部２６０等と送受信可能に構成される。第２制御部２８０は、基板処理装置１００に設けられた各部の動作を制御可能に構成される。第１制御部２６０と第２制御部２８０とデータ送受信部２８５はそれぞれ相互に通信可能に構成される。また、第１制御部２６０と第２制御部２８０は、ネットワーク２６８に接続されている。ここでは、第１制御部２６０と第２制御部２８０はデータ送受信部２８５を介して接続している例を示しているが、それぞれネットワーク２６８に直接接続される様に構成しても良い。この様に構成することで、１つの基板処理装置１００に設けられた第１制御部２６０から他の基板処理装置１００に設けられた第２制御部２８０を操作することが可能となる。例えば、基板処理装置１００ａの第１制御部２６０ａから基板処理装置１００ｂの第２制御部２８０ｂを操作することが可能となる。   In FIG. 1, a substrate processing system 1000 has a plurality of substrate processing apparatuses 100 (100a, 100b, 100c, 100d). The substrate processing apparatus 100 includes a first controller 260 (260a, 260b, 260c, 260d), a second controller 280 (280a, 280b, 280c, 280d), and a data transmitter / receiver 285 (285a, 285b, 285c, 285d). The first control unit 260 is configured to be able to execute operations of each unit of the substrate processing apparatus 100 via the second control unit 280. In addition, the data transmission / reception unit 285 and the network 268 connected to the data transmission / reception unit 285 are configured to be able to transmit / receive to / from the first control unit 260, the second control unit 260, and the like of another substrate processing apparatus 100. The second control unit 280 is configured to be able to control the operation of each unit provided in the substrate processing apparatus 100. The first control unit 260, the second control unit 280, and the data transmission / reception unit 285 are configured to be able to communicate with each other. Further, the first control unit 260 and the second control unit 280 are connected to the network 268. Here, an example is shown in which the first control unit 260 and the second control unit 280 are connected via the data transmission / reception unit 285, but each may be configured to be directly connected to the network 268. With such a configuration, it becomes possible to operate the first control unit 260 provided in one substrate processing apparatus 100 from the second control unit 280 provided in another substrate processing apparatus 100. For example, it becomes possible to operate the second control unit 280b of the substrate processing apparatus 100b from the first control unit 260a of the substrate processing apparatus 100a.

次に、基板処理装置１００の概略構成について、図２を用いて説明する。
（２）基板処理装置の構成
基板処理装置１００は、例えば、基板２００に絶縁膜を形成するユニットであり、図２に示されているように、枚葉式基板処理装置として構成されている。ここでは、基板処理装置１００ａ（１００）について説明する。他の基板処理装置１００ｂ，１００ｃ，１００ｄについては同様の構成のため説明を省略する。基板処理装置１００に設けられる各部は、基板２００を処理する処理遂行部の一つとして構成される。 Next, the schematic configuration of the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIG.
(2) Configuration of Substrate Processing Apparatus The substrate processing apparatus 100 is, for example, a unit that forms an insulating film on the substrate 200, and is configured as a single-wafer type substrate processing apparatus as shown in FIG. Here, the substrate processing apparatus 100a (100) will be described. The other substrate processing apparatuses 100b, 100c, and 100d have the same configuration, and a description thereof will be omitted. Each unit provided in the substrate processing apparatus 100 is configured as one of processing performing units that process the substrate 200.

図２に示すとおり、基板処理装置１００は処理容器２０２を備えている。処理容器２０２は、例えば水平断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料または、石英により構成されている。処理容器２０２内には、基板としてのシリコンウエハ等の基板２００を処理する処理室２０１と、移載室２０３が形成されている。処理容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には仕切部２０４が設けられる。上部容器２０２ａに囲まれた空間であって、仕切部２０４よりも上方の空間を処理室２０１と呼ぶ。また、下部容器２０２ｂに囲まれた空間であって、ゲートバルブ１４９付近を移載室２０３と呼ぶ。   As shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 includes a processing container 202. The processing container 202 is configured as a flat closed container having a circular horizontal cross section, for example. The processing container 202 is made of, for example, a metal material such as aluminum (Al) or stainless steel (SUS), or quartz. In the processing container 202, a processing chamber 201 for processing a substrate 200 such as a silicon wafer as a substrate and a transfer chamber 203 are formed. The processing container 202 includes an upper container 202a and a lower container 202b. A partition section 204 is provided between the upper container 202a and the lower container 202b. A space surrounded by the upper container 202a and above the partition part 204 is referred to as a processing chamber 201. In addition, a space surrounded by the lower container 202b and near the gate valve 149 is referred to as a transfer chamber 203.

下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９に隣接した基板搬入出口１４８０が設けられており、基板２００は基板搬入出口１４８０を介して図示しない搬送室と移載室２０３との間を移動する。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。更に、下部容器２０２ｂは接地されている。   A substrate loading / unloading port 1480 adjacent to the gate valve 149 is provided on the side surface of the lower container 202b, and the substrate 200 moves between a transfer chamber (not shown) and the transfer chamber 203 via the substrate loading / unloading port 1480. A plurality of lift pins 207 are provided on the bottom of the lower container 202b. Further, the lower container 202b is grounded.

処理室２０１内には、基板２００を支持する基板支持部２１０が設けられている。基板支持部２１０は、基板２００を載置する載置面２１１と、載置面２１１を表面に持つ載置台２１２、加熱部としてのヒータ２１３を主に有する。基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。また、基板載置台２１２には、基板２００や処理室２０１にバイアスを印加するバイアス電極２５６が設けられていても良い。ここで、ヒータ２１３には、温度制御部４００が接続され、温度制御部４００によってヒータ２１３の温度が制御される。なお、ヒータ２１３の温度情報は、温度制御部４００から第２制御部２８０に送信可能に構成される。また、バイアス電極２５６は、バイアス調整部２５７に接続され、バイアス調整部２５７によって、バイアスが調整可能に構成される。また、バイアス調整部２５７は、第２制御部２８０との間でバイアスデータを送受信可能に構成される。   A substrate supporting unit 210 that supports the substrate 200 is provided in the processing chamber 201. The substrate supporting unit 210 mainly has a mounting surface 211 on which the substrate 200 is mounted, a mounting table 212 having the mounting surface 211 on its surface, and a heater 213 as a heating unit. Through holes 214 through which the lift pins 207 pass are formed in the substrate mounting table 212 at positions corresponding to the lift pins 207, respectively. Further, the substrate mounting table 212 may be provided with a bias electrode 256 for applying a bias to the substrate 200 and the processing chamber 201. Here, the temperature control unit 400 is connected to the heater 213, and the temperature of the heater 213 is controlled by the temperature control unit 400. The temperature information of the heater 213 can be transmitted from the temperature controller 400 to the second controller 280. The bias electrode 256 is connected to the bias adjusting unit 257, and the bias adjusting unit 257 is configured to adjust the bias. In addition, the bias adjustment unit 257 is configured to be able to send and receive bias data to and from the second control unit 280.

基板載置台２１２はシャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、処理容器２０２の底部を貫通しており、更には処理容器２０２の外部で昇降部２１８に接続されている。昇降部２１８を作動させてシャフト２１７及び支持台２１２を昇降させることにより、基板載置面２１１上に載置される基板２００を昇降させることが可能となっている。なお、シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、処理室２０１内は気密に保持されている。なお、昇降部２１８は、第２制御部２８０との間で、基板載置台２１２の高さデータ（位置データ）を送受信可能に構成されていても良い。なお、基板載置台２１２の位置は、少なくとも２つ以上設定可能に構成される。例えば、第１処理位置と第２処理位置である。なお、第１処理位置や第２処理位置は、それぞれ調整可能に構成されている。   The substrate platform 212 is supported by the shaft 217. The shaft 217 penetrates the bottom of the processing container 202, and is connected to the elevating part 218 outside the processing container 202. By operating the elevating part 218 to elevate the shaft 217 and the support base 212, it is possible to elevate the substrate 200 placed on the substrate placing surface 211. The periphery of the lower end of the shaft 217 is covered with a bellows 219, and the inside of the processing chamber 201 is kept airtight. The elevating unit 218 may be configured to be capable of transmitting / receiving height data (position data) of the substrate mounting table 212 to / from the second control unit 280. At least two or more positions of the substrate mounting table 212 can be set. For example, the first processing position and the second processing position. The first processing position and the second processing position are each adjustable.

基板載置台２１２は、基板２００の搬送時には、ウエハ移載位置に移動し、基板２００の第１処理時には図２の実線で示した第１処理位置（ウエハ処理位置）に移動する。また、第２処理時には、図２の破線で示した第２処理位置に移動する。なお、ウエハ移載位置は、リフトピン２０７の上端が、基板載置面２１１の上面から突出する位置である。   The substrate platform 212 moves to the wafer transfer position when the substrate 200 is transferred, and moves to the first processing position (wafer processing position) shown by the solid line in FIG. 2 during the first processing of the substrate 200. Further, during the second processing, it moves to the second processing position shown by the broken line in FIG. The wafer transfer position is a position where the upper end of the lift pin 207 projects from the upper surface of the substrate mounting surface 211.

具体的には、基板載置台２１２をウエハ移載位置まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７が基板２００を下方から支持するようになっている。また、基板載置台２１２をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０７は基板載置面２１１の上面から埋没して、基板載置面２１１が基板２００を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン２０７は、基板２００と直接触れるため、例えば、石英やアルミナなどの材質で形成することが望ましい。   Specifically, when the substrate mounting table 212 is lowered to the wafer transfer position, the upper ends of the lift pins 207 project from the upper surface of the substrate mounting surface 211, and the lift pins 207 support the substrate 200 from below. ing. Further, when the substrate mounting table 212 is raised to the wafer processing position, the lift pins 207 are buried from the upper surface of the substrate mounting surface 211, and the substrate mounting surface 211 supports the substrate 200 from below. Since the lift pins 207 are in direct contact with the substrate 200, it is desirable that the lift pins 207 be formed of a material such as quartz or alumina.

（排気系）
処理室２０１（上部容器２０２ａ）の側面側には、処理室２０１の雰囲気を排気する第１排気部としての第１排気口２２１が設けられている。第１排気口２２１には排気管２２４ａが接続されており、排気管２２４ａには、処理室２０１内を所定の圧力に制御するＡＰＣ等の圧力調整器２２７と真空ポンプ２２３が順に直列に接続されている。主に、第１排気口２２１、排気管２２４ａ、圧力調整器２２７により第一の排気系（排気ライン）が構成される。なお、真空ポンプ２２３も第一の排気系の構成としても良い。また、移載室２０３の側面側には、移載室２０３の雰囲気を排気する第２排気口１４８１が設けられている。また、第２排気口１４８１には排気管１４８が接続されている。排気管１４８には、圧力調整器２２８が設けられ、移載室２０３内の圧力を所定の圧力に排気可能に構成されている。また、移載室２０３を介して処理室２０１内の雰囲気を排気することもできる。また、圧力調整器２２７は、圧力データや、弁開度のデータを第２制御部２８０と送受信可能に構成される。また、真空ポンプ２２３は、ポンプのＯＮ／ＯＦＦデータや負荷データ等を第２制御部２８０に送信可能に構成される。 (Exhaust system)
A first exhaust port 221 as a first exhaust unit for exhausting the atmosphere of the processing chamber 201 is provided on the side surface side of the processing chamber 201 (upper container 202a). An exhaust pipe 224a is connected to the first exhaust port 221, and a pressure regulator 227 such as an APC for controlling the inside of the processing chamber 201 to a predetermined pressure and a vacuum pump 223 are sequentially connected in series to the exhaust pipe 224a. ing. A first exhaust system (exhaust line) is mainly configured by the first exhaust port 221, the exhaust pipe 224a, and the pressure regulator 227. The vacuum pump 223 may also be configured as the first exhaust system. A second exhaust port 1481 for exhausting the atmosphere of the transfer chamber 203 is provided on the side surface side of the transfer chamber 203. An exhaust pipe 148 is connected to the second exhaust port 1481. The exhaust pipe 148 is provided with a pressure adjuster 228 so that the pressure in the transfer chamber 203 can be exhausted to a predetermined pressure. Further, the atmosphere in the processing chamber 201 can be exhausted via the transfer chamber 203. Further, the pressure adjuster 227 is configured to be able to transmit / receive pressure data and valve opening degree data to / from the second control unit 280. Further, the vacuum pump 223 is configured to be able to transmit ON / OFF data of the pump, load data, and the like to the second control unit 280.

（ガス導入口）
処理室２０１の上部に設けられるシャワーヘッド２３４の上面（天井壁）には、蓋２３１が設けられている。蓋２３１には処理室２０１内に各種ガスを供給するためのガス導入口２４１が設けられている。ガス供給部であるガス導入口２４１に接続される各ガス供給ユニットの構成については後述する。 (Gas inlet)
A lid 231 is provided on the upper surface (ceiling wall) of the shower head 234 provided above the processing chamber 201. The lid 231 is provided with a gas inlet 241 for supplying various gases into the processing chamber 201. The configuration of each gas supply unit connected to the gas introduction port 241 which is a gas supply unit will be described later.

（ガス分散ユニット）
ガス分散ユニットとしてのシャワーヘッド２３４は、バッファ室２３２、分散板２４４ａを有する。なお、分散板２４４ａは、第１活性化部としての第１電極２４４ｂとして構成されていても良い。分散板２４４ａには、ガスを基板２００に分散供給する孔２３４ａが複数設けられている。シャワーヘッド２３４は、ガス導入口２４１と処理室２０１との間に設けられている。ガス導入口２４１から導入されるガスは、シャワーヘッド２３４のバッファ室２３２（分散部とも呼ぶ。）に供給され、孔２３４ａを介して処理室２０１に供給される。 (Gas dispersion unit)
The shower head 234 as a gas dispersion unit has a buffer chamber 232 and a dispersion plate 244a. The dispersion plate 244a may be configured as the first electrode 244b as the first activation unit. The dispersion plate 244a is provided with a plurality of holes 234a for supplying the gas to the substrate 200 in a distributed manner. The shower head 234 is provided between the gas inlet 241 and the processing chamber 201. The gas introduced from the gas introduction port 241 is supplied to the buffer chamber 232 (also referred to as a dispersion unit) of the shower head 234, and is supplied to the processing chamber 201 via the hole 234a.

なお、分散板２４４ａを第１電極２４４ｂとして構成した場合は、第１電極２４４ｂは、導電性の金属で構成され、処理室２０１内のガスを励起するための活性化部（励起部）の一部として構成される。第１電極２４４ｂには、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成されている。なお、蓋２３１を導電性部材で構成する際には、蓋２３１と第１電極２４４ｂとの間に絶縁ブロック２３３が設けられ、蓋２３１と第１電極部２４４ｂの間を絶縁する構成となる。   When the dispersion plate 244a is configured as the first electrode 244b, the first electrode 244b is made of a conductive metal and is one of the activation parts (excitation parts) for exciting the gas in the processing chamber 201. Composed as a part. Electromagnetic waves (high-frequency power and microwaves) can be supplied to the first electrode 244b. When the lid 231 is made of a conductive material, the insulating block 233 is provided between the lid 231 and the first electrode 244b to insulate the lid 231 and the first electrode portion 244b.

（活性化部（プラズマ生成部））
活性化部としての第１電極２４４ｂが設けられている場合の構成について説明する。活性化部としての第１電極２４４ｂには、整合器２５１と高周波電源部２５２が接続され、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成されている。これにより、処理室２０１内に供給されたガスを活性化させることができる。また、第１電極２４４ｂは、容量結合型のプラズマを生成可能に構成される。具体的には、第１電極２４４ｂは、導電性の板状に形成され、上部容器２０２ａに支持されるように構成される。活性化部は、少なくとも第１電極２４４ｂ、整合器２５１、高周波電源部２５２で構成される。なお、第１電極２４４ｂと高周波電源２５２との間に、インピーダンス計２５４を設けても良い。インピーダンス計２５４を設けることによって、測定されたインピーダンスに基づいて、整合器２５１、高周波電源２５２をフィードバック制御することができる。また、高周波電源２５２は、電力データを第２制御部２８０と送受信可能に構成され、整合器２５１は、整合データ（進行波データ、反射波データ）を第２制御部２８０と送受信可能に構成され、インピーダンス計２５４は、インピーダンスデータを第２制御部２８０と送受信可能に構成される。 (Activator (plasma generator))
The configuration in the case where the first electrode 244b as the activation section is provided will be described. The matching unit 251 and the high frequency power supply unit 252 are connected to the first electrode 244b as the activation unit, and are configured to be able to supply electromagnetic waves (high frequency power or microwave). As a result, the gas supplied into the processing chamber 201 can be activated. In addition, the first electrode 244b is configured to be able to generate capacitively coupled plasma. Specifically, the first electrode 244b is formed in a conductive plate shape and is configured to be supported by the upper container 202a. The activation unit includes at least the first electrode 244b, the matching unit 251, and the high frequency power supply unit 252. An impedance meter 254 may be provided between the first electrode 244b and the high frequency power supply 252. By providing the impedance meter 254, the matching device 251 and the high frequency power supply 252 can be feedback-controlled based on the measured impedance. Further, the high frequency power supply 252 is configured to be able to transmit and receive power data to and from the second control unit 280, and the matching unit 251 is configured to be able to transmit and receive matching data (traveling wave data, reflected wave data) to and from the second control unit 280. The impedance meter 254 is configured to be able to send and receive impedance data to and from the second controller 280.

（供給系）
ガス導入口２４１には、共通ガス供給管２４２が接続されている。共通ガス供給管２４２は、管の内部で連通しており、共通ガス供給管２４２から供給されるガスは、ガス導入口２４１を介してシャワーヘッド２３４内に供給される。 (Supply system)
A common gas supply pipe 242 is connected to the gas introduction port 241. The common gas supply pipe 242 communicates with the inside of the pipe, and the gas supplied from the common gas supply pipe 242 is supplied into the shower head 234 via the gas introduction port 241.

共通ガス供給管２４２には、図３に示す、ガス供給部が接続される。ガス供給部は、第１ガス供給管１１３ａ、第２ガス供給管１２３ａ、第３ガス供給管１３３ａが接続されている。   A gas supply unit shown in FIG. 3 is connected to the common gas supply pipe 242. The first gas supply pipe 113a, the second gas supply pipe 123a, and the third gas supply pipe 133a are connected to the gas supply unit.

第１ガス供給管１１３ａを含む第１ガス供給部からは第１元素含有ガス（第１処理ガス）が主に供給される。また、第２ガス供給管１２３ａを含む第２ガス供給部からは主に第２元素含有ガス（第２処理ガス）が供給される。また、第３ガス供給管１３３ａを含む第３ガス供給部からは主に第３元素含有ガスが供給される。   The first element-containing gas (first processing gas) is mainly supplied from the first gas supply unit including the first gas supply pipe 113a. The second element-containing gas (second processing gas) is mainly supplied from the second gas supply unit including the second gas supply pipe 123a. Further, the third element-containing gas is mainly supplied from the third gas supply unit including the third gas supply pipe 133a.

（第１ガス供給部）
第１ガス供給管１１３ａには、上流方向から順に、第１ガス供給源１１３、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１５、及び開閉弁であるバルブ１１６が設けられている。 (First gas supply unit)
The first gas supply pipe 113a is provided with a first gas supply source 113, a mass flow controller (MFC) 115 that is a flow rate controller (flow rate control unit), and a valve 116 that is an opening / closing valve in this order from the upstream direction. ..

第１ガス供給管１１３ａから、第１元素含有ガスが、ＭＦＣ１１５、バルブ１１６、共通ガス供給管２４２を介してシャワーヘッド２３４に供給される。   The first element-containing gas is supplied from the first gas supply pipe 113a to the shower head 234 via the MFC 115, the valve 116, and the common gas supply pipe 242.

第１元素含有ガスは、処理ガスの一つである。第１元素含有ガスはシリコン（Ｓｉ）を含むガスであり、例えば、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ２、略称：ＨＣＤＳ）、等のガスである。 The first element-containing gas is one of the processing gases. The first element-containing gas is a gas containing silicon (Si), and is, for example, a gas such as hexachlorodisilane (Si 2 Cl 2 , abbreviation: HCDS).

第１ガス供給部は、主に、第１ガス供給管１１３ａ、ＭＦＣ１１５、バルブ１１６により構成される。   The first gas supply unit is mainly configured by the first gas supply pipe 113a, the MFC 115, and the valve 116.

更には、第１ガス供給源１１３、第１ガスを活性化させるリモートプラズマユニット（ＲＰＵ）１８０ａのいずれか若しくは両方を第１ガス供給部に含めて考えてもよい。   Further, it may be considered that either or both of the first gas supply source 113 and the remote plasma unit (RPU) 180a that activates the first gas are included in the first gas supply unit.

（第２ガス供給部）
第２ガス供給管１２３ａには、上流方向から順に、第２ガス供給源１２３、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６が設けられている。 (Second gas supply unit)
The second gas supply pipe 123a is provided with a second gas supply source 123, an MFC 125, and a valve 126 in order from the upstream direction.

第２ガス供給管１２３ａからは、第２元素含有ガスが、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３４内に供給される。   The second element-containing gas is supplied from the second gas supply pipe 123a into the shower head 234 via the MFC 125, the valve 126, and the common gas supply pipe 242.

第２元素含有ガスは、処理ガスの一つである。第２元素含有ガスは窒素（Ｎ）を含むガスであり、例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスや、窒素（Ｎ２）ガス等のガスである。 The second element-containing gas is one of the processing gases. The second element-containing gas is a gas containing nitrogen (N), such as ammonia (NH 3 ) gas or nitrogen (N 2 ) gas.

第２ガス供給部は、主に、第２ガス供給管１２３ａ、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６で構成される。   The second gas supply unit is mainly configured by the second gas supply pipe 123a, the MFC 125, and the valve 126.

更には、第２ガス供給源１２３、第１ガスを活性化させるリモートプラズマユニット（ＲＰＵ）１８０ｂのいずれか若しくは両方を第２ガス供給部に含めて考えてもよい。   Further, it may be considered that either or both of the second gas supply source 123 and the remote plasma unit (RPU) 180b that activates the first gas are included in the second gas supply unit.

（第３ガス供給部）
第３ガス供給管１３３ａには、上流方向から順に、第３ガス供給源１３３、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６が設けられている。 (Third gas supply unit)
The third gas supply pipe 133a is provided with a third gas supply source 133, an MFC 135, and a valve 136 in order from the upstream direction.

第３ガス供給管１３３ａからは、不活性ガスが、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６、共通ガス供給管２４２を介してシャワーヘッド２３４に供給される。   The inert gas is supplied from the third gas supply pipe 133a to the shower head 234 via the MFC 135, the valve 136, and the common gas supply pipe 242.

不活性ガスは、第１ガスと反応し難いガスである。不活性ガスは例えば、窒窒素（Ｎ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、等のガスである。 The inert gas is a gas that does not easily react with the first gas. The inert gas is, for example, nitrogen nitride (N 2 ) gas, argon (Ar) gas, helium (He) gas, or the like.

第３ガス供給部は、主に、第３ガス供給管１３３ａ、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６で構成される。   The third gas supply unit is mainly configured by the third gas supply pipe 133a, the MFC 135, and the valve 136.

ここで、第１ガス供給部、第２ガス供給部、第３ガス供給部のそれぞれを構成するＭＦＣ、バルブは第２制御部２８０と送受信可能に構成され、それぞれ、以下のデータを送受信する。ＭＦＣ：流量データ、バルブ：開度データ。なお、第１ガス供給部や、第２ガス供給部に気化器、ＲＰＵを含めて構成しても良い。気化器やＲＰＵも第２制御部２８０と送受信可能に構成され、それぞれ、以下のデータを送受信する。気化器：気化量データ、ＲＰＵ：電力データ。   Here, the MFC and the valve that respectively configure the first gas supply unit, the second gas supply unit, and the third gas supply unit are configured to be capable of transmitting and receiving with the second control unit 280, and transmit and receive the following data, respectively. MFC: flow rate data, valve: opening degree data. The first gas supply unit and the second gas supply unit may include a vaporizer and RPU. The carburetor and RPU are also configured to be able to transmit and receive to and from the second control unit 280, and respectively transmit and receive the following data. Vaporizer: vaporization amount data, RPU: electric power data.

（第１制御部，第２制御部）
次に、制御部について説明する。図４に示すように基板処理装置１００は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する制御部としての第１制御部２６０と第２制御部２８０を有している。 (First control unit, second control unit)
Next, the control unit will be described. As shown in FIG. 4, the substrate processing apparatus 100 has a first control section 260 and a second control section 280 as control sections for controlling the operation of each section of the substrate processing apparatus 100.

第１制御部２６０と第２制御部２８０の概略構成図と、管理部２７４、ネットワーク２６８、上位装置５００等の接続構成図を図４に示す。ここでは、基板処理装置１００ａが有する第１制御部２６０ａと第２制御部２８０ａとについて記す。他の基板処理装置１００ｂ，１００ｃ，１００ｄについても同様の構成であるので、説明を省略する。   FIG. 4 shows a schematic configuration diagram of the first control unit 260 and the second control unit 280 and a connection configuration diagram of the management unit 274, the network 268, the host device 500, and the like. Here, the first control unit 260a and the second control unit 280a included in the substrate processing apparatus 100a will be described. The other substrate processing apparatuses 100b, 100c, and 100d have the same configuration, and thus the description thereof will be omitted.

（第１制御部）
第１制御部２６０ａは、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２６１、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）２６２ａ、記憶装置２６３ａ、Ｉ／Ｏポート２６４ａを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２６２ａ、記憶装置２６３ａ、Ｉ／Ｏポート２６４ａは、内部バス２６５ａを介して、ＣＰＵ２６１ａとデータ交換可能なように構成されている。なお、内部バス２６５ａには、送受信部２８５ａ，外部記憶装置２６７ａ，入出力装置２６９ａ等が接続されている。これらの送受信部２８５，外部記憶装置２６７ａ，入出力装置２６９ａの少なくともいずれかを、第１制御部２６０ａの構成に含めても良い。 (First control unit)
The first control unit 260a is configured as a computer including a CPU (Central Processing Unit) 261, a RAM (Random Access Memory) 262a, a storage device 263a, and an I / O port 264a. The RAM 262a, the storage device 263a, and the I / O port 264a are configured to exchange data with the CPU 261a via the internal bus 265a. A transmission / reception unit 285a, an external storage device 267a, an input / output device 269a, etc. are connected to the internal bus 265a. At least one of the transmitting / receiving unit 285, the external storage device 267a, and the input / output device 269a may be included in the configuration of the first control unit 260a.

記憶装置２６３ａは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２６３ａには、装置データが読み出し可能に記録されている。   The storage device 263a is composed of, for example, a flash memory, an HDD (Hard Disk Drive), or the like. Device data is readablely recorded in the storage device 263a.

装置データは、以下の少なくともいずれかを含む。例えば、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ、基板２００への処理に用いるプロセスレシピを設定するまでの過程で生じる演算データや処理データ、スケジュールデータ、稼働データ、装置接続データ、内部接続データ、ウエハ２００データ、等である。   The device data includes at least one of the following. For example, a control program for controlling the operation of the substrate processing apparatus, a process recipe in which a procedure and conditions of substrate processing described later are described, calculation data generated in the process of setting a process recipe used for processing the substrate 200, These are processing data, schedule data, operation data, device connection data, internal connection data, wafer 200 data, and the like.

ここで、稼働データとは、第１制御部２６０ａに設けられたＣＰＵ２６１ａ，ＲＡＭ２６２ａ，記憶装置２６３ａの少なくともいずれかの負荷状態，エラー発生数，稼働時間，温度、等の少なくともいずれかのデータである。   Here, the operation data is at least one of the load state of at least one of the CPU 261a, the RAM 262a, and the storage device 263a provided in the first controller 260a, the number of error occurrences, the operating time, the temperature, and the like. ..

次に、装置接続データは、基板処理装置１００とネットワークとの接続関係データである。例えば、基板処理装置１００が有する第１制御部２６０と第２制御部２８０と、接続可能な他の基板処理装置１００が有する第１制御部２６０と第２制御部２８０との関係を示すデータである。例えば、図５に示す様な接続関係を示すデータで構成される。各第１制御部２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃ，２６０ｄ・・・２６０ｘが接続可能な接続先１，２，３，４，・・・Ｎがデータテーブルａ１，ａ２，ａ３，ａ４・・・ａＸ、ｂ１，ｂ２，ｂ３，ｂ４・・・ｂＸ、・・・・ｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４・・・ｎＸに記録される様に構成される。ここで、ｘは、基板処理装置の記号が入力され、ｎ，Ｎには、整数が入力される。ｘ，ｎ，Ｎは、適宜増やすことができる。例えば、基板処理システム１０００に設けられた基板処理装置１００の数だけ増やすことができる。また、基板処理システム１０００で構成せずに、基板処理装置１００を複数台で設定しても良い。   Next, the apparatus connection data is connection relationship data between the substrate processing apparatus 100 and the network. For example, data indicating the relationship between the first control unit 260 and the second control unit 280 included in the substrate processing apparatus 100, and the first control unit 260 and the second control unit 280 included in another connectable substrate processing apparatus 100. is there. For example, it is composed of data indicating the connection relationship as shown in FIG. The connection destinations 1, 2, 3, 4, ... N to which the respective first control units 260a, 260b, 260c, 260d ... 260x can be connected are the data tables a1, a2, a3, a4 ... aX, b1. , B2, b3, b4 ... bX, ..., N1, n2, n3, n4 ... nX. Here, a symbol of the substrate processing apparatus is input as x, and integers are input as n and N. x, n, N can be increased appropriately. For example, the number can be increased by the number of substrate processing apparatuses 100 provided in the substrate processing system 1000. Further, the substrate processing system 100 may not be configured and a plurality of substrate processing apparatuses 100 may be set.

ここで、図５に示す第１接続先は、同じ基板処理装置１００内に設けられた第２制御部２８０が設定され、第２接続先以降に、代替制御可能な接続先が設定される。具体的には、以下の様に設定される。第１制御部２６０ａは、第２制御部２８０ａに接続され、第２制御部２８０ｂ，第２制御部２８０ｄを代替制御可能に設定される。第１制御部２６０ｂは、第２制御部２８０ｂに接続され、第２制御部２８０ａを代替制御可能に設定される。第１制御部２６０ｃは、第２制御部２８０ｃに接続され、第２制御部２８０ａ，第２制御部２８０ｂ，第２制御部２８０ｄを代替制御可能に設定される。なお、接続先が設定されていないデータテーブル（データが記録されていないデータテーブル）には、後述の接続先探索工程Ｓ２０６で随時、接続先を追加可能に構成される。また、ネットワーク２６８に、他の基板処理装置１００や、第１制御部２６０が接続された時に、ネットワーク２６８内を探索して、接続可能な機器を接続先として追加しても良い。ここで、機器とは、第１制御部２６０や、第１制御部２６０を代替可能な制御装置を意味する。第１制御部なお、具体的な情報としては、ＩＰアドレスや接続プロトコルのデータでの少なくともいずれかを含む。   Here, as the first connection destination shown in FIG. 5, the second control unit 280 provided in the same substrate processing apparatus 100 is set, and after the second connection destination, alternative controllable connection destinations are set. Specifically, it is set as follows. The first control unit 260a is connected to the second control unit 280a, and is set to be able to substitute-control the second control unit 280b and the second control unit 280d. The first control unit 260b is connected to the second control unit 280b and is set to be able to perform alternative control of the second control unit 280a. The first control unit 260c is connected to the second control unit 280c, and the second control unit 280a, the second control unit 280b, and the second control unit 280d are set to be capable of performing alternative control. In addition, the connection table can be added to the data table in which the connection destination is not set (the data table in which the data is not recorded) at any time in the connection destination searching step S206 described later. Further, when another substrate processing apparatus 100 or the first control unit 260 is connected to the network 268, the network 268 may be searched and a connectable device may be added as a connection destination. Here, the device means the first control unit 260 or a control device that can replace the first control unit 260. First control unit The specific information includes at least one of an IP address and connection protocol data.

内部接続設定データは、基板処理装置１００内に設けられた各部（処理遂行部）の接続関係を示すデータである。具体的な情報としては、ＩＰアドレスや接続プロトコルのデータの少なくともいずれかを含む。   The internal connection setting data is data indicating the connection relationship of each unit (process performing unit) provided in the substrate processing apparatus 100. Specific information includes at least one of an IP address and connection protocol data.

ウエハ２００データは、基板処理装置１００に搬送されるウエハ２００に付随するデータである。   The wafer 200 data is data associated with the wafer 200 transferred to the substrate processing apparatus 100.

スケジュールデータは、基板２００の処理スケジュールを示すデータである。   The schedule data is data indicating the processing schedule of the substrate 200.

なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順を第１制御部２６０に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム、上述のデータ、等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。   It should be noted that the process recipe is a combination that allows the first controller 260 to execute each procedure in the substrate processing steps described below and obtains a predetermined result, and functions as a program. Hereinafter, the process recipe, the control program, the above-mentioned data, and the like are collectively referred to as simply a program. When the term "program" is used in the present specification, it may include only the process recipe, only the control program, or both.

演算部としてのＣＰＵ２６１ａは、記憶装置２６３ａからの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置２６９ａからの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２６３ａからプロセスレシピを読み出すように構成されている。また、送受信部２８５ａから入力された設定値と、記憶装置２６３ａに記憶されたプロセスレシピや制御データとを比較・演算して、演算データを算出可能に構成されている。また、演算データから対応する処理データ（プロセスレシピ）の決定処理等を実行可能に構成されている。演算データは、内部バス２６５ａ，Ｉ／Ｏポート２６４ａ，送受信部２８５ａの少なくともいずれかを介して、後述の第２制御部２８０ａに送受信される。各部の制御を行う際は、ＣＰＵ２６１ａ内の送受信部が、プロセスレシピの内容に沿った制御情報を送信／受信することで制御する。   The CPU 261a as an arithmetic unit is configured to read and execute the control program from the storage device 263a and read the process recipe from the storage device 263a in response to input of an operation command from the input / output device 269a. Further, the set value input from the transmission / reception unit 285a and the process recipe or control data stored in the storage device 263a are compared / calculated to calculate the calculated data. Further, it is configured to be able to execute a process of determining corresponding process data (process recipe) from the operation data. The operation data is transmitted / received to / from a second control unit 280a described later via at least one of the internal bus 265a, the I / O port 264a, and the transmission / reception unit 285a. When each unit is controlled, the transmission / reception unit in the CPU 261a performs control by transmitting / receiving control information according to the content of the process recipe.

ＲＡＭ２６２ａは、ＣＰＵ２６１ａによって読み出されたプログラム、演算データ、処理データ等のデータが一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。   The RAM 262a is configured as a memory area (work area) in which data such as programs, calculation data, and processing data read by the CPU 261a is temporarily stored.

Ｉ／Ｏポート２６４ａは、後述の第２制御部２８０ａに接続される。   The I / O port 264a is connected to the second control unit 280a described later.

入出力装置２６９ａは、ディスプレイや、タッチパネルとして構成される表示部を有する。   The input / output device 269a has a display and a display unit configured as a touch panel.

送受信部２８５ａは、ネットワーク２６８を介して上位装置５００や管理装置２７４と、第１制御部２６０ａと第２制御部２８０ａのいずれか又は両方と通信可能に構成される。   The transmission / reception unit 285a is configured to be capable of communicating with the host device 500 or the management device 274, and either or both of the first control unit 260a and the second control unit 280a via the network 268.

（第２制御部）
第２制御部２８０ａは、基板処理装置の各部（処理遂行部）に接続されている。例えば、ゲートバルブ１４９、昇降部２１８、温度制御部４００、圧力調整器２２７，２２８、真空ポンプ２２３、整合器２５１、高周波電源部２５２、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５、バルブ１１６，１２６，１３６、バイアス制御部２５７、等に接続されている。また、インピーダンス計２５４、ＲＰＵ１８０、真空搬送ロボット２７００、大気搬送ロボット２２２０等にも接続されていても良い。また、送受信部２８５ａと、ネットワーク２６８のいずれか又は両方に接続されていても良い。 (Second control unit)
The second control unit 280a is connected to each unit (process performing unit) of the substrate processing apparatus. For example, the gate valve 149, the elevation unit 218, the temperature control unit 400, the pressure regulators 227 and 228, the vacuum pump 223, the matching unit 251, the high frequency power supply unit 252, the MFCs 115, 125 and 135, the valves 116, 126 and 136, and the bias control. Connected to the section 257 and the like. It may also be connected to the impedance meter 254, the RPU 180, the vacuum transfer robot 2700, the atmospheric transfer robot 2220, and the like. Further, it may be connected to either or both of the transmission / reception unit 285a and the network 268.

第２制御部２８０ａは、第１制御部２６０ａで演算（処理）されたプロセスレシピ（プログラム）のデータに沿うように、ゲートバルブ１４９（の開閉動作、昇降部２１８の昇降動作、温度制御部４００への電力供給動作、温度制御部４００による基板載置台２１２の温度調整動作、圧力調整器２２７，２２８の圧力調整動作、真空ポンプ２２３のオンオフ制御、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５でのガス流量制御動作、ＲＰＵ１８０ａ，１８０ｂのガスの活性化動作、バルブ１１６，１２６，１３６でのガスのオンオフ制御、整合器２５１の電力の整合動作、高周波電源部２５２の電力制御、バイアス制御部２５７の制御動作、インピーダンス計２５４が測定した測定データに基づいた整合器２５１の整合動作や、高周波電源２５２の電力制御動作、等を制御するように構成されている。   The second control unit 280a follows the data of the process recipe (program) calculated (processed) by the first control unit 260a so that the gate valve 149 (opening / closing operation of the gate valve 149, lifting operation of the lifting unit 218, and temperature control unit 400). Power supply operation to the substrate mounting table 212 by the temperature control unit 400, pressure adjustment operation of the pressure adjusters 227 and 228, on / off control of the vacuum pump 223, gas flow rate control operation of the MFC 115, 125, 135, Gas activation operation of RPU 180a, 180b, gas on / off control by valves 116, 126, 136, power matching operation of matching device 251, power control of high frequency power supply section 252, control operation of bias control section 257, impedance meter The matching operation of the matching device 251 based on the measurement data measured by 254, the power control operation of the high frequency power supply 252, and the like are controlled.

なお、第１制御部２６０ａや第２制御部２８０ａは、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていても良い。例えば、上述のプログラム（データ）を格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２６７ａを用意し、係る外部記憶装置２６７ａを用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係る第１制御部２６０ａを構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給（記録）するための手段は、外部記憶装置２６７ａを介して供給する場合に限らない。例えば、送受信部２８５ａやネットワーク２６８（インターネットや専用回線）等の通信手段を用い、外部記憶装置２６７ａを介さずにプログラム（データ）を供給するようにしても良い。なお、記憶装置２６３や外部記憶装置２６７ａは、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２６３ａ単体のみを含む場合、外部記憶装置２６７ａ単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合が有る。   The first control unit 260a and the second control unit 280a are not limited to being configured as dedicated computers but may be configured as general-purpose computers. For example, an external storage device (for example, a magnetic tape, a magnetic disk such as a flexible disk or a hard disk, an optical disk such as a CD or a DVD, a magneto-optical disk such as an MO, a USB memory or a memory card) that stores the program (data) described above is used. The first control unit 260a according to the present embodiment can be configured by preparing a semiconductor memory) 267a and installing a program in a general-purpose computer using the external storage device 267a. The means for supplying (recording) the program to the computer is not limited to the case of supplying the program via the external storage device 267a. For example, the program (data) may be supplied without using the external storage device 267a by using a communication unit such as the transmission / reception unit 285a or the network 268 (Internet or dedicated line). The storage device 263 and the external storage device 267a are configured as a computer-readable recording medium. Hereinafter, these are collectively referred to as a recording medium. In this specification, the term “recording medium” may be used to include only the storage device 263a alone, include only the external storage device 267a alone, or include both of them.

なお、本開示での接続とは、各部が物理的なケーブルで繋がっているという意味も含むが、各部の信号（電子データ）が直接または間接的に送信／受信可能になっているという意味も含む。   In addition, the connection in the present disclosure includes a meaning that each unit is connected by a physical cable, but it also means that a signal (electronic data) of each unit can be directly or indirectly transmitted / received. Including.

（２）基板処理工程
次に、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜を成膜する工程例について、上述の基板処理装置１００の処理フローついて図６を参照して説明する。なお、ここで絶縁膜としては、例えば窒化膜としてのシリコン窒化（ＳｉＮ）膜が成膜される。また、この製造工程の一工程は、なお、以下の説明において、各部の動作は第１制御部２６０と第２制御部２８０により制御される。 (2) Substrate processing step Next, as an example of a step of manufacturing a semiconductor device (semiconductor device), for an example of a step of forming an insulating film on a substrate, refer to FIG. 6 for the processing flow of the substrate processing apparatus 100 described above. And explain. Here, as the insulating film, for example, a silicon nitride (SiN) film as a nitride film is formed. In the following description, the operation of each part of the manufacturing process is controlled by the first controller 260 and the second controller 280.

以下に、基板処理工程について説明する。   The substrate processing process will be described below.

（基板搬入・加熱工程：Ｓ１０２）
先ず、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）について説明する。
基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）では、容器２０２内にウエハ２００を搬入する。そして、容器２０２内にウエハ２００を搬入したら、真空搬送ロボット（不図示）を容器２０２の外へ退避させ、ゲートバルブ１４９を閉じて容器２０２内を密閉する。その後、基板載置台２１２を上昇させることにより、基板載置台２１２に設けられた基板載置面２１１上にウエハ２００を載置させ、さらに基板載置台２１２を上昇させることにより、前述した処理空間２０５内の処理位置（基板処理ポジション）までウエハ２００を上昇させる。 (Substrate loading / heating process: S102)
First, the substrate loading / heating step (S102) will be described.
In the substrate loading / heating step (S102), the wafer 200 is loaded into the container 202. Then, after the wafer 200 is loaded into the container 202, a vacuum transfer robot (not shown) is evacuated to the outside of the container 202, and the gate valve 149 is closed to seal the inside of the container 202. After that, by raising the substrate placing table 212, the wafer 200 is placed on the substrate placing surface 211 provided on the substrate placing table 212, and by further raising the substrate placing table 212, the above-mentioned processing space 205. The wafer 200 is raised to the processing position (substrate processing position) therein.

ウエハ２００が移載室２０３に搬入された後、処理室２０１内の処理位置まで上昇すると、バルブ２２８を閉状態とする。これにより、排気管１４８から移載室２０３の排気が終了する。一方、ＡＰＣ２２７を開き、処理室２０１と真空ポンプ２２３の間を連通させる。ＡＰＣ２２７は、排気管２２４ａのコンダクタンスを調整することで、真空ポンプ２２３による処理室２０１の排気流量を制御し、処理空間２０１を所定の圧力（例えば１０−5〜１０−1Ｐａの高真空）に維持する。 When the wafer 200 is loaded into the transfer chamber 203 and then moved up to the processing position in the processing chamber 201, the valve 228 is closed. As a result, the exhaust of the transfer chamber 203 from the exhaust pipe 148 is completed. On the other hand, the APC 227 is opened to connect the processing chamber 201 and the vacuum pump 223. The APC 227 controls the exhaust flow rate of the processing chamber 201 by the vacuum pump 223 by adjusting the conductance of the exhaust pipe 224a to bring the processing space 201 to a predetermined pressure (for example, a high vacuum of 10 −5 to 10 −1 Pa). maintain.

このようにして、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）では、処理室２０１内を所定の圧力となるように制御するとともに、ウエハ２００の表面温度が所定の温度となるように制御する。温度は、例えば室温以上５００℃以下であり、好ましくは室温以上であって４００℃以下である。圧力は例えば５０〜５０００Ｐａとすることが考えられる。   In this way, in the substrate loading / heating step (S102), the inside of the processing chamber 201 is controlled to have a predetermined pressure, and the surface temperature of the wafer 200 is controlled to have a predetermined temperature. The temperature is, for example, room temperature or higher and 500 ° C. or lower, preferably room temperature or higher and 400 ° C. or lower. The pressure may be 50 to 5000 Pa, for example.

（成膜工程:Ｓ１０４）
続いて、成膜工程（Ｓ１０４）について説明する。
処理室２０１内の処理位置にウエハ２００を位置させたら、基板処理装置１００では、成膜工程（Ｓ１０４）を行う。成膜工程（Ｓ１０４）は、プロセスレシピに応じて、異なる処理ガスである第一処理ガス（第一元素含有ガス）と第二処理ガス（第二元素含有ガス）とを処理室２０１に供給することで、ウエハ２００上に薄膜を形成する工程である。成膜工程（Ｓ１０４）では、第一処理ガスと第二処理ガスとを同時に処理室２０１に存在させてＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理を行ったり、第一処理ガスと第二処理ガスとを交互に供給する工程を繰り返すサイクリック（交互供給）処理を行ったりしてもよい。また、第二処理ガスをプラズマ状態として処理する場合は、ＲＰＵ１８０ｂを起動してもよい。また、第一処理ガスと第二処理ガスのいずれかを供給する熱処理、改質処理、等の基板処理が行われても良い。 (Film forming process: S104)
Next, the film forming step (S104) will be described.
After the wafer 200 is positioned at the processing position in the processing chamber 201, the substrate processing apparatus 100 performs the film forming step (S104). In the film forming step (S104), a first processing gas (first element-containing gas) and a second processing gas (second element-containing gas) that are different processing gases are supplied to the processing chamber 201 depending on the process recipe. This is a step of forming a thin film on the wafer 200. In the film forming step (S104), the first process gas and the second process gas are simultaneously present in the process chamber 201 to perform a CVD (chemical vapor deposition) process, or the first process gas and the second process gas are alternated. You may perform the cyclic (alternate supply) process which repeats the process of supplying to. Further, when processing the second processing gas in the plasma state, the RPU 180b may be activated. Further, a substrate treatment such as a heat treatment for supplying either the first treatment gas or the second treatment gas, a reforming treatment, or the like may be performed.

（基板搬入出工程：Ｓ１０６）
次に、基板搬入出工程（Ｓ１０６）について説明する。
成膜工程（Ｓ１０４）の終了後、基板処理装置１００では、基板搬入出工程（Ｓ１０６）を行う。基板搬入出工程（Ｓ１０６）では、上述した基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）と逆の手順にて、処理済みのウエハ２００を容器２０２の外へ搬出する。そして、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）と同様の手順にて、次に待機している未処理のウエハ２００を容器２０２内に搬入する。その後、搬入されたウエハ２００に対しては、成膜工程（Ｓ１０４）が実行されることになる。 (Substrate loading / unloading step: S106)
Next, the substrate loading / unloading step (S106) will be described.
After the film forming step (S104) is completed, the substrate processing apparatus 100 performs the substrate loading / unloading step (S106). In the substrate loading / unloading process (S106), the processed wafer 200 is unloaded from the container 202 in the reverse order of the substrate loading / heating process (S102). Then, the unprocessed wafer 200 waiting next is loaded into the container 202 in the same procedure as the substrate loading / heating step (S102). After that, the film forming step (S104) is performed on the loaded wafer 200.

（判定工程：Ｓ１０８）
次に、判定工程（Ｓ１０８）を説明する。
基板搬入出工程（Ｓ１０６）を終えると、基板処理装置１００では、上述した一連の処理（Ｓ１０２〜Ｓ１０６）を１つのサイクルとし、その１サイクルを所定回数実施したか否かを判定する。そして、所定回数実施していなければ、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）から基板搬入出工程（Ｓ１０６）までの１サイクルを繰り返す。一方、所定回数実施したときには、基板処理工程を終了する。 (Judgment step: S108)
Next, the determination step (S108) will be described.
When the substrate loading / unloading process (S106) is completed, the substrate processing apparatus 100 determines the above-described series of processes (S102 to S106) as one cycle, and determines whether or not the one cycle is performed a predetermined number of times. If it has not been performed a predetermined number of times, one cycle from the substrate loading / heating step (S102) to the substrate loading / unloading step (S106) is repeated. On the other hand, when the process is performed a predetermined number of times, the substrate processing step is ended.

この基板処理工程の前と後のいずれかで、図７に記載の以下の工程が行われる。図７は、制御部の切替工程を含むフロー図である。なお、以下の工程は、基板処理工程の間に行われても良いし、基板処理工程と所定期間並行して行われても良い。複数の基板処理装置１００の間で、以下の工程が行われる。なお、以下の説明は、代表して基板処理装置１００ａの第１制御部２６０ａ，第２制御部２８０ａと、基板処理装置１００ｂの第１制御部２６０ｂ，第２制御部２８０ｂについて記すが、他の基板処理装置１００の組み合わせについても同様の工程が実行可能である。   The following process described in FIG. 7 is performed either before or after this substrate processing process. FIG. 7 is a flowchart including a control unit switching process. Note that the following steps may be performed during the substrate processing step, or may be performed in parallel with the substrate processing step for a predetermined period. The following steps are performed among the plurality of substrate processing apparatuses 100. In the following description, the first control unit 260a and the second control unit 280a of the substrate processing apparatus 100a and the first control unit 260b and the second control unit 280b of the substrate processing apparatus 100b are described as a representative, but other The same process can be performed for the combination of the substrate processing apparatuses 100.

（装置データ共有工程Ｓ２０１）
各基板処理装置１００の間で、第１制御部２６０が保持している最新の装置データの共有処理が行われる。 (Device data sharing step S201)
The latest device data held by the first controller 260 is shared between the substrate processing apparatuses 100.

装置データの共有処理は、具体的には、基板処理装置１００ａの第１制御部２６０ａの記憶装置２６３ａやＲＡＭ２６２ａが保持しているデータを、他の基板処理装置１００（例えば１００ｂ）の第１制御部２６０（例えば２６０ｂ）の記憶装置２６３ｂやＲＡＭ２６２ｂにコピー（バックアップ）する処理である。装置データが有するデータの種類が多い場合や、装置データの容量が多い場合、等には、一回の通信で全てのデータを送受信せずに、分割送受信が行われても良い。また、データ種別に応じて、送受信タイミングを異ならせても良い。例えば、稼働データは定期的に送受信を行い、プロセスレシピデータは、そのデータが更新又は追加された時に送受信されれば良い。   Specifically, the apparatus data sharing process is performed by using the data held in the storage device 263a of the first control unit 260a of the substrate processing apparatus 100a and the RAM 262a as the first control of another substrate processing apparatus 100 (for example, 100b). This is a process of copying (backing up) to the storage device 263b of the unit 260 (for example, 260b) or the RAM 262b. When the device data has many types of data, the device data has a large capacity, or the like, divided transmission / reception may be performed without transmitting / receiving all the data in one communication. Further, the transmission / reception timing may be changed according to the data type. For example, the operation data may be transmitted / received periodically, and the process recipe data may be transmitted / received when the data is updated or added.

なお、この装置データ共有工程は、監視工程とも呼ぶ。   The device data sharing process is also called a monitoring process.

（判定工程Ｓ２０２）
次に、取得した稼働データについて、所定の内容になっているか否かの判定工程が行われる。例えば、以下Ａ〜Ｅの少なくともいずれかの判定条件がある。 (Judgment step S202)
Next, a step of determining whether or not the acquired operation data has a predetermined content is performed. For example, there is at least one of the following determination conditions A to E.

（判定条件の例）
（Ａ）稼働データが所定の値を超えているか否かを判定する。
（Ｂ）所定の値を下回っているか否かを判定する。
（Ｃ）稼働データが所定の内容になっているか否かを判定する。
（Ｄ）稼働データが取得できているか否かを判定する。 (Example of judgment conditions)
(A) It is determined whether the operation data exceeds a predetermined value.
(B) It is determined whether or not it is below a predetermined value.
(C) It is determined whether the operation data has a predetermined content.
(D) It is determined whether the operation data has been acquired.

これら少なくともいずれかの判定条件を満たしていないときは、稼働データを取得した対象の第１制御部２６０が動作不良を起こしていると判定（ＮＯ判定）する。ここで、動作不良とは、ハード的な故障（破損）の場合や、データのバグ等によるエラー処理ができなくなった場合、等の少なくともいずれかを含む。動作不良とは、単に不良，不具合とも呼ぶ。ＮＯ判定が有った場合は、後述の接続切替工程Ｓ２０３を行わせる。判定条件を満たしている場合は、正常と判定（ＹＥＳ判定）し、通常制御を継続する。例えば、第１制御部２６０ａの稼働データの内、第１制御部２６０を駆動する電圧が、所定の値を下回っている場合は、第１制御部２６０ｂは、第１制御部２６０ａが動作不良を起こしている（故障している）と判定する。また、第１制御部２６０ａが有するＲＡＭ２６２ａや記憶装置２６３ａのエラー率が所定値を超えた場合に、第１制御部２６０ｂは、第１制御部２６０ａが動作不良を起こしていると判定する。   When at least one of the determination conditions is not satisfied, it is determined (NO determination) that the first control unit 260, which is the target of the operation data acquisition, has malfunctioned. Here, the malfunction includes at least one of a case of hardware failure (damage), a case where error processing cannot be performed due to a data bug, and the like. The malfunction is also simply referred to as a malfunction. If NO is determined, the connection switching step S203 described below is performed. When the determination condition is satisfied, it is determined to be normal (YES determination), and normal control is continued. For example, in the operation data of the first control unit 260a, when the voltage driving the first control unit 260 is lower than a predetermined value, the first control unit 260b causes the first control unit 260a to malfunction. It is determined that it is awake (failed). Further, when the error rate of the RAM 262a or the storage device 263a included in the first control unit 260a exceeds a predetermined value, the first control unit 260b determines that the first control unit 260a has malfunctioned.

なお、第１制御部２６０ａが故障する前に第１制御部２６０ａがセルフチェックを行う様にしても良い。稼働データが所定の値を超えることが予想される場合に、ＮＯ判定として、接続切替工程Ｓ２０３を行わせても良い。   Note that the first control unit 260a may perform a self-check before the first control unit 260a fails. When it is expected that the operation data exceeds a predetermined value, the connection switching step S203 may be performed as a NO determination.

（接続切替工程Ｓ２０３）
故障判定の場合は、故障した第１制御部２６０と正常な第２制御部２８０との接続を、他の基板処理装置１００の正常な第１制御部２６０との接続に切り替える工程が行われる。接続切替工程Ｓ２０３は、図７に示す様に、接続要求工程Ｓ２０４，接続切替認証工程Ｓ２０５を有する。それぞれの工程について、説明する。 (Connection switching step S203)
In the case of failure determination, a step of switching the connection between the failed first control unit 260 and the normal second control unit 280 to the connection with the normal first control unit 260 of another substrate processing apparatus 100 is performed. As shown in FIG. 7, the connection switching step S203 includes a connection requesting step S204 and a connection switching authenticating step S205. Each step will be described.

（切替要求工程Ｓ２０４）
切替要求工程Ｓ２０４では、他の基板処理装置１００が有する第１制御部２６０から、故障した第１制御部２６０が接続された第２制御部２８０への接続要求が行われる。例えば、第１制御部２６０ｂから、第２制御部２８０ａへ接続要求が行われる。この場合、図９に示す様な、接続要求を行うか否かを確認する画面（ウィンドウ）２７５を表示させても良い。また、逆に、第２制御部２６０ａから第１制御部２６０ｂへ接続要求が行われても良い。この場合にも、図９に示す、接続要求を行うか否かを確認する画面（ウィンドウ）２７５を表示させても良い。 (Switch request step S204)
In the switching request step S204, a connection request is made from the first control unit 260 of the other substrate processing apparatus 100 to the second control unit 280 to which the failed first control unit 260 is connected. For example, the first control unit 260b makes a connection request to the second control unit 280a. In this case, a screen (window) 275 for confirming whether or not to make a connection request, as shown in FIG. 9, may be displayed. Conversely, a connection request may be issued from the second controller 260a to the first controller 260b. Also in this case, a screen (window) 275 as shown in FIG. 9 for confirming whether or not to make a connection request may be displayed.

ここで、図９に示す、接続要求（制御要求確認）の画面２７５の構成について説明する。制御要求確認の画面２７５は、要求を承認するＹＥＳボタン２７５ａと、要求を拒否するＮＯボタン２７５ｂとを有する。なお、図９の破線で示すように、上位装置５００や管理部２７４に対して担当者の呼び出し要求を送信する担当者呼び出しボタン２７５ｃを設けても良い。   Here, the configuration of the connection request (control request confirmation) screen 275 shown in FIG. 9 will be described. The control request confirmation screen 275 has a YES button 275a for approving the request and a NO button 275b for rejecting the request. As shown by a broken line in FIG. 9, a person-in-charge call button 275c for transmitting a person-in-charge call request to the higher-level device 500 and the management unit 274 may be provided.

（接続認証工程Ｓ２０５）
接続認証工程Ｓ２０５では、接続要求を受け取った第２制御部２８０ａ又は第１制御部２６０ｂが、接続要求の送信元と接続可能か否かの確認が行われる
接続が可能な場合は、ＹＥＳ判定として、第２制御部２８０の制御を開始する。接続が不能な場合は、Ｎｏ判定として、切替先探索工程Ｓ２０６が行われる。ここでの確認は、図９に示す確認画面に表示されたＹＥＳボタンによって認証確定させても良い。また、接続要求を受けた側の稼働状態や負荷状態に応じて、認証判定を行わせても良い。例えば、接続要求を受けた側の負荷状態が高い場合には、Ｎｏ判定とする。また、接続要求を送信又は受信してから所定時間経過してタイムアウトした場合にも、Ｎｏ判定としても良い。 (Connection authentication step S205)
In the connection authentication step S205, the second control unit 280a or the first control unit 260b that has received the connection request confirms whether or not the transmission source of the connection request is connectable. , And starts control of the second control unit 280. When the connection is impossible, the switching destination search step S206 is performed as a No determination. The confirmation here may be confirmed by the YES button displayed on the confirmation screen shown in FIG. Further, the authentication determination may be performed according to the operating state and load state of the side that receives the connection request. For example, when the load condition on the side that receives the connection request is high, the determination is No. In addition, No may be determined even when a predetermined time has elapsed after the connection request was transmitted or received and the connection timed out.

認証が行われた後は、制御を行う第１制御部２６０と制御される側の第２制御部２８０との間で、ＩＰアドレスの登録等、が行われる。例えば、第１制御部２６０ｂと第２制御部２８０ａとの間での認証が成立した場合には、次の代替制御工程Ｓ２０７が行われる。   After the authentication is performed, registration of an IP address and the like are performed between the first control unit 260 that performs control and the second control unit 280 that is controlled. For example, when the authentication is established between the first controller 260b and the second controller 280a, the next alternative control step S207 is performed.

（接続先探索工程Ｓ２０６）
次に、接続認証工程Ｓ２０５で、ＮＯ判定が有った場合に行われる接続先探索工程Ｓ２０６について説明する。接続先探索工程Ｓ２０６では、第１制御部２６０ｂと第２制御部２８０ａのいずれかから、他の第１制御部２６０（例えば、第１制御部２６０ｃ）に接続要求が行われる。第１制御部２６０ｃで上述と同様の認証処理が行われる。第１制御部２６０ｃで接続認証が成立しない場合には、次の第１制御部２６０（例えば、２６０ｄ）に接続要求が行われる。ネットワーク２６８に接続されている、第１制御部２６０全てで接続認証が行われなかった場合は、第１制御部２６０のいずれかで接続待機が行われる。また、ネットワーク２６８に接続された他の機器に接続要求を送信しても良い。ここで、他の機器は、例えば、管理部２７４や、上位装置５００である。 (Connection destination search step S206)
Next, the connection destination search step S206 performed when the connection authentication step S205 has a NO determination will be described. In the connection destination searching step S206, a connection request is made from one of the first control unit 260b and the second control unit 280a to another first control unit 260 (for example, the first control unit 260c). The first control unit 260c performs the same authentication process as described above. When connection authentication is not established in the first control unit 260c, a connection request is made to the next first control unit 260 (for example, 260d). When connection authentication is not performed by all the first control units 260 connected to the network 268, one of the first control units 260 waits for connection. Also, the connection request may be transmitted to another device connected to the network 268. Here, the other device is, for example, the management unit 274 or the host device 500.

（代替制御工程Ｓ２０７）
代替制御工程Ｓ２０７では、一つの基板処理装置１００の制御（操作）を他の基板処理装置１００から実行される。例えば、図８の一点鎖線で示す様に、第１制御部２６０ｂと第２制御部２８０ａとが、接続認証されている場合は、第１制御部２６０ｂから第２制御部２８０ａの制御（操作）が可能となる。即ち、第１制御部２６０ｂから基板処理装置１００ｂを操作可能な状態となる。ここで、第１制御部２７０ｂが実行可能な操作は、例えば、基板処理装置１００ａに設けられた各部の操作、基板処理工程の実行、基板処理装置１００ａのメンテナンス処理、等である。 (Alternative control step S207)
In the alternative control step S207, control (operation) of one substrate processing apparatus 100 is executed from another substrate processing apparatus 100. For example, as shown by the alternate long and short dash line in FIG. 8, when the first controller 260b and the second controller 280a are connection-authenticated, the first controller 260b controls the second controller 280a (operation). Is possible. That is, the substrate processing apparatus 100b can be operated from the first controller 260b. Here, the operations that can be executed by the first control unit 270b are, for example, operations of each unit provided in the substrate processing apparatus 100a, execution of a substrate processing step, maintenance processing of the substrate processing apparatus 100a, and the like.

また、接続切替の後には、故障した第１制御部２６０ａのメンテナンス工程が行われる。メンテナンス工程では、例えば、第１制御部２６０ａの再起動処理、第１制御部２６０ａを構成する部品交換又は、第１制御部２６０ａ自体の交換、等の少なくともいずれかが行われる。   In addition, after the connection switching, the maintenance process of the failed first control unit 260a is performed. In the maintenance process, for example, at least one of a restart process of the first control unit 260a, a replacement of components forming the first control unit 260a, a replacement of the first control unit 260a itself, and the like are performed.

このメンテナンス工程中には、上位装置５００から、第１制御部２６０ａに対して、最新の基板処理装置１００の各部の設定データや、プログラムレシピデータが送信されることが有る。このとき、第１制御部２６０ａは故障またはメンテナンスしているため、これらの最新データのダウンロードができない状態となっている。この様な場合、第１制御部２６０ｂが代替ダウンロードを行い、第１制御部２６０ａが正常状態に戻ったことを検出した後に、第１制御部２６０ａに最新データを送信しても良い。ここで、正常状態に戻るとは、正常状態に回復するとも呼ぶ。また、正常状態とは、上述の判定工程Ｓ２０２で、ＹＥＳ判定となる状態のことを意味する。また、第１制御部２６０ｂが、最新データの有無データを保持しておき、第１制御部２６０ａが正常状態に戻ったことを検出した後に、第１制御部２６０ａから上位装置５００に対して最新データのダウンロード要求を指示するデータを送信させても良い。   During the maintenance process, the setting data of each unit of the latest substrate processing apparatus 100 and the program recipe data may be transmitted from the upper level apparatus 500 to the first control unit 260a. At this time, since the first control unit 260a is out of order or is being maintained, the latest data cannot be downloaded. In such a case, the latest data may be transmitted to the first control unit 260a after the first control unit 260b performs the alternative download and detects that the first control unit 260a has returned to the normal state. Here, returning to the normal state is also referred to as recovering to the normal state. Further, the normal state means a state in which a YES determination is made in the determination step S202 described above. Further, the first control unit 260b holds the presence / absence data of the latest data, and after detecting that the first control unit 260a has returned to the normal state, the first control unit 260a sends the latest data to the host device 500. Data for instructing a data download request may be transmitted.

以上、本開示の一実施形態を具体的に説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。   Although one embodiment of the present disclosure has been specifically described above, the present disclosure is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

また、上述では、半導体装置の製造工程について記したが、実施形態に係る発明は、半導体装置の製造工程以外にも適用可能である。例えば、液晶デバイスの製造工程、太陽電池の製造工程、発光デバイスの製造工程、ガラス基板の処理工程、セラミック基板の処理工程、導電性基板の処理工程、などの基板処理が有る。   Further, although the manufacturing process of the semiconductor device has been described above, the invention according to the embodiment can be applied to a process other than the manufacturing process of the semiconductor device. For example, there are substrate processes such as a liquid crystal device manufacturing process, a solar cell manufacturing process, a light emitting device manufacturing process, a glass substrate processing process, a ceramic substrate processing process, and a conductive substrate processing process.

また、上述では、原料ガスとしてシリコン含有ガス、反応ガスとして窒素含有ガスを用いて、シリコン窒化膜を形成する例を示したが、他のガスを用いた成膜にも適用可能である。例えば、酸素含有膜、窒素含有膜、炭素含有膜、ホウ素含有膜、金属含有膜とこれらの元素が複数含有した膜等が有る。なお、これらの膜としては、例えば、ＡｌＯ膜、ＺｒＯ膜、ＨｆＯ膜、ＨｆＡｌＯ膜、ＺｒＡｌＯ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣ膜、ＴｉＡｌＣ膜などが有る。   Further, in the above description, the example in which the silicon nitride film is formed by using the silicon-containing gas as the source gas and the nitrogen-containing gas as the reaction gas has been described, but the invention can be applied to the film formation using other gas. For example, there are an oxygen-containing film, a nitrogen-containing film, a carbon-containing film, a boron-containing film, a metal-containing film and a film containing a plurality of these elements. Examples of these films include AlO film, ZrO film, HfO film, HfAlO film, ZrAlO film, SiC film, SiCN film, SiBN film, TiN film, TiC film, and TiAlC film.

また、上述では、一つの処理室で一枚の基板を処理する装置構成を示したが、これに限らず、複数枚の基板を水平方向又は垂直方向に並べた装置であっても良い。   Further, in the above description, an apparatus configuration in which one substrate is processed in one processing chamber is shown, but the present invention is not limited to this, and an apparatus in which a plurality of substrates are arranged in the horizontal direction or the vertical direction may be used.

１００ 基板処理装置
２００ ウエハ（基板）
２６０ 第１制御部
２８０ 第２制御部



100 substrate processing device 200 wafer (substrate)
260 first control unit 280 second control unit



Claims (11)

基板をプログラムに基づいて処理する処理遂行部と、
前記プログラムを処理する第１制御部と、
前記第１制御部から受信したデータに基づいて、前記処理遂行部を制御する第２制御部と、を有し、
前記第１制御部は、他の基板処理装置に設けられた第１制御部の稼働データの判定を行い、
前記他の基板処理装置の第１制御部で不具合が発生したと判定したときに、前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部の代替制御を実行可能に構成される
基板処理装置。 A processing execution unit that processes the substrate based on a program;
A first control unit for processing the program;
A second control unit that controls the process performing unit based on the data received from the first control unit,
The first control unit determines the operation data of the first control unit provided in another substrate processing apparatus,
A substrate processing apparatus configured to be able to execute alternative control of the first control section provided in the other substrate processing apparatus when it is determined that a failure has occurred in the first control section of the other substrate processing apparatus. 前記第１制御部は、入出力装置を有し、
前記第１制御部は、前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部で不具合が発生したと判定した時に、前記入出力装置に、前記他の基板処理装置の制御要求を報知するように構成される請求項１に記載の基板処理装置。 The first control unit has an input / output device,
When the first control unit determines that a failure has occurred in the first control unit provided in the other substrate processing apparatus, the first control unit notifies the input / output device of a control request for the other substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus comprises: 前記第１制御部は、記憶部を有し、
前記第１制御部は、前記他の基板処理装置の第１制御部が有する装置データを定期的に前記記憶部に記録する様に構成される請求項１または２に記載の基板処理装置。 The first control unit has a storage unit,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first control unit is configured to periodically record the device data included in the first control unit of the other substrate processing apparatus in the storage unit. 前記第１制御部は、前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部の代替制御の実行中に、前記他の基板処理装置に関する最新情報データを受信する様に構成される請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The first control unit is configured to receive the latest information data regarding the other substrate processing apparatus during execution of the alternative control of the first control unit provided in the other substrate processing apparatus. 4. The substrate processing apparatus according to any one of items 3 to 3. 前記第１制御部は、前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部が正常状態に回復した時に、前記最新情報データを前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部に送信する様に構成される請求項４に記載の基板処理装置。   The first control unit transmits the latest information data to the first control unit provided in the other substrate processing apparatus when the first control unit provided in the other substrate processing apparatus is restored to a normal state. The substrate processing apparatus according to claim 4, which is configured to: 前記代替制御では、前記第１制御部は、前記他の基板処理装置に設けられた第２制御部の制御を行う様に構成される請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing according to any one of claims 1 to 5, wherein in the alternative control, the first control unit is configured to control a second control unit provided in the other substrate processing apparatus. apparatus. 前記第１制御部は、前記他の基板処理装置の前記第１制御部の代替制御が不能な時は、更に異なる基板処理装置の第１制御部と上位装置のいずれか又は両方に代替制御要求を送信する様に構成される
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。 When the alternative control of the first controller of the other substrate processing apparatus is not possible, the first controller requests the alternative control of the first controller of the different substrate processing apparatus and / or the higher-level apparatus. 7. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is configured to transmit the. 前記第２制御部は、前記他の基板処理装置の第１制御部に代替制御要求を送信可能に構成される請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second control unit is configured to be capable of transmitting an alternative control request to the first control unit of the other substrate processing apparatus. 基板処理装置に設けられた第１制御部がプログラムを処理する工程と、
前記基板処理装置に設けられた第２制御部が前記処理されたプログラムに基づいて、処理遂行部を制御して基板を処理する工程と、
前記第１制御部が、他の基板処理装置に設けられた第１制御部の稼働データを判定する工程と、
前記他の基板処理装置の第１制御部で不具合が発生したと判定したときに、前記第１制御部から前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部の代替制御を実行する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 A step of processing a program by a first controller provided in the substrate processing apparatus;
A second controller provided in the substrate processing apparatus controls a processing unit to process a substrate based on the processed program;
A step in which the first controller determines operation data of a first controller provided in another substrate processing apparatus;
Executing a substitute control of the first controller provided in the other substrate processing apparatus from the first controller when it is determined that a failure has occurred in the first controller of the other substrate processing apparatus; ,
And a method for manufacturing a semiconductor device having. 基板処理装置に設けられた第１制御部がプログラムを処理させる手順と、
前記基板処理装置に設けられた第２制御部が前記処理されたプログラムに基づいて、処理遂行部を制御して基板を処理させる手順と、
前記第１制御部が、他の基板処理装置に設けられた第１制御部の稼働データを判定させる手順と、
前記他の基板処理装置の第１制御部で不具合が発生したと判定したときに、前記第１制御部から前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部の代替制御を実行させる手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。 A procedure for causing a first control unit provided in the substrate processing apparatus to process a program;
A procedure in which the second control unit provided in the substrate processing apparatus controls the processing performing unit to process the substrate based on the processed program;
A procedure in which the first control unit determines operation data of a first control unit provided in another substrate processing apparatus;
And a procedure for causing the first control unit to execute alternative control of the first control unit provided in the other substrate processing apparatus when it is determined that a failure has occurred in the first control unit of the other substrate processing apparatus. ,
A program that causes a substrate processing apparatus to execute the program by a computer. 基板処理装置に設けられた第１制御部がプログラムを処理させる手順と、
前記基板処理装置に設けられた第２制御部が前記処理されたプログラムに基づいて、処理遂行部を制御して基板を処理させる手順と、
前記第１制御部が、他の基板処理装置に設けられた第１制御部の稼働データを判定させる手順と、
前記他の基板処理装置の第１制御部で不具合が発生したと判定したときに、前記第１制御部から前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部の代替制御を実行させる手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが記録された記録媒体。






A procedure for causing a first control unit provided in the substrate processing apparatus to process a program;
A procedure in which the second control unit provided in the substrate processing apparatus controls the processing performing unit to process the substrate based on the processed program;
A procedure in which the first control unit determines operation data of a first control unit provided in another substrate processing apparatus;
And a procedure for causing the first control unit to execute alternative control of the first control unit provided in the other substrate processing apparatus when it is determined that a failure has occurred in the first control unit of the other substrate processing apparatus. ,
A recording medium on which is recorded a program that causes a substrate processing apparatus to execute the program.






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