JP2019096428A - Display device - Google Patents

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孝洋 牛窪
Takahiro Ushikubo
孝洋 牛窪
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Abstract

To provide an organic EL display device of which the luminance is kept over a range of a wide angle of view and which reduces a color change over the range of the wide angle of view.SOLUTION: A light-emitting element includes: a first electrode; a light-emitting layer which is provided on the first electrode; multiple layers which are provided between the first electrode and the light-emitting layer; and a second electrode which is provided on the light-emitting layer. In the light-emitting element, when the number of the multiple layers is defined as (k), an index of refraction of each of the multiple layers is defined as ni, film thickness of each of the layers is defined as di, a wavelength of a light in a color emitted by the light-emitting element is defined as λ, a length resulting from adding a phase shift due to interface reflection in each of the layers and an offset length is defined as (a), (i) is defined as a natural number from 1 to (k) and a degree (m) is an integer equal to or greater than 0, it leads a formula shown in the figure. The light-emitting element includes a first light-emitting element which emits a light in red, a second light-emitting element which emits a light in green, and a third light-emitting element which emits a light in blue. AT least one of the degree (m) in the first light-emitting element and the degree (m) in the second light-emitting element is greater than the degree (m) in the third light-emitting element.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、有機EL表示装置に関する。   The present invention relates to an organic EL display device.

表示装置の一つとして、有機EL表示装置(Organic Electroluminescence Display)が知られている。有機EL表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス材料(有機EL材料)を表示部の発光素子(有機EL素子)に用いている。有機EL表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、有機EL材料を発光させることにより表示を実現するいわゆる自発光型の表示装置である。   An organic electroluminescence display is known as one of display devices. The organic EL display device uses an organic electroluminescent material (organic EL material) for a light emitting element (organic EL element) of a display portion. Unlike a liquid crystal display device or the like, the organic EL display device is a so-called self-luminous display device which realizes display by causing an organic EL material to emit light.

例えば、トップエミッション型の有機EL表示装置では、一般的に、画素電極としての反射電極と、対向電極としての半透明電極との間における光の共振効果を利用したマイクロキャビティ構造が採用されている。マイクロキャビティ構造では、赤色、緑色、青色の各色のELスペクトルピーク波長を、画素電極と対向電極との間の光路長と合致させ、各色から最も強い光を取り出せるように、画素電極と対向電極との間の有機層の膜厚を変えている。また、有機EL表示装置では、例えば、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色の有機EL素子を発光させて、合成したときの白色発光において、視野角が広い範囲で輝度を保つこと、及び、視野角が広い範囲で色変化が少ないことが課題となっている。有機EL表示装置の当該白色発光において、視野角が広い範囲で輝度を保ち、かつ、視野角が広い範囲で色変化を抑えるためには、一般的に、青色発光の輝度視野角が、赤色発光、及び緑色発光に対して広いことが好ましいとされている。   For example, in a top emission type organic EL display device, a microcavity structure is generally adopted that utilizes the light resonance effect between a reflective electrode as a pixel electrode and a semitransparent electrode as a counter electrode. . In the microcavity structure, the pixel electrodes and the counter electrode are arranged so that the EL spectrum peak wavelength of each color of red, green and blue is matched with the optical path length between the pixel electrode and the counter electrode, and the strongest light can be extracted from each color. Change the thickness of the organic layer between In the organic EL display device, for example, the organic EL elements of each color of red (R), green (G), and blue (B) are made to emit light, and white light is synthesized when it is synthesized. The problem is that the color change is small in a wide range of viewing angles. In the white light emission of the organic EL display device, in order to maintain the luminance in a wide range of viewing angle and to suppress the color change in a wide range of viewing angle, generally, the blue light emission luminance viewing angle is red light emission It is said that it is preferable to be broad for green light emission.

例えば、特許文献1には、素子特性を向上させるため、赤色の発光素子において、画素電極と対向電極との間の有機層の膜厚を一定にして、画素電極と対向電極との間の光路長が赤色の波長の自然数倍(次数倍)になるように調整することが開示されている。   For example, in Patent Document 1, in order to improve element characteristics, in the red light emitting element, the film thickness of the organic layer between the pixel electrode and the counter electrode is made constant, and the optical path between the pixel electrode and the counter electrode is made. It is disclosed to adjust the length to be a natural number multiple (order multiple) of the red wavelength.

特開2009−217948号公報JP, 2009-217948, A

画素電極と対向電極との間の光路長を、発光素子が発光する色の波長の自然数倍(次数倍)になるように調整する場合、光の共振効果を利用することから、発光素子が発光する色の指向性が強くなる。したがって、各色の有機EL材料を発光させて、合成したときの白色発光において、視野角が広い範囲で輝度を保ち、かつ、視野角が広い範囲で色変化を抑えることが困難になる可能性がある。   Since the optical path length between the pixel electrode and the counter electrode is adjusted to be a natural number multiple (order multiple) of the wavelength of the color emitted by the light emitting element, the light emitting element The directivity of the color to be emitted becomes stronger. Therefore, it may be difficult to maintain brightness in a wide range of viewing angle and to suppress color change in a wide range of viewing angle in white emission when light emitting and combining organic EL materials of respective colors is used. is there.

上記問題に鑑み、本発明は、視野角が広い範囲で輝度が保たれ、かつ、視野角が広い範囲で色変化が少ない有機EL表示装置を提供することを目的の一つとする。   In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide an organic EL display device in which the luminance is maintained in a wide range of viewing angle and the color change is small in a wide range of viewing angle.

本発明の一実施形態に係る表示装置は、発光素子が設けられた表示部を有し、発光素子は、トランジスタと電気的に接続される第1電極と、第1電極上に設けられた発光層と、第1電極と発光層との間に設けられた複数の層と、発光層上に設けられた第2電極とを含み、複数の層の個数をkとし、複数の層の各層の屈折率をそれぞれni、各層の膜厚をそれぞれdi、発光素子が発光する色の光の波長をλ、各層の界面反射による位相シフトとオフセット長さとを加算した長さをa、iを1からkまでの自然数、次数mを0以上の整数とした場合、

Figure 2019096428
であって、発光素子は、赤色で発光する第1発光素子と、緑色で発光する第2発光素子と、青色で発光する第3発光素子と、を含み、第1発光素子における次数mと第2発光素子における次数mの少なくとも一方は、第3発光素子における次数mよりも大きい。 A display device according to an embodiment of the present invention includes a display portion provided with a light emitting element, and the light emitting element includes a first electrode electrically connected to a transistor, and light emission provided on the first electrode. Layer, a plurality of layers provided between the first electrode and the light emitting layer, and a second electrode provided on the light emitting layer, the number of the plurality of layers being k, each layer of the plurality of layers being The refractive index is ni, the film thickness of each layer is di, the wavelength of the light of the color emitted by the light emitting element is λ, and the sum of the phase shift due to interface reflection of each layer and the offset length is a, i from 1 When natural numbers up to k and order m are integers of 0 or more,
Figure 2019096428
The light emitting element includes a first light emitting element that emits red light, a second light emitting element that emits green light, and a third light emitting element that emits blue light, the order m and the first light emitting element of the first light emitting element At least one of the orders m in the two light emitting elements is larger than the order m in the third light emitting element.

本発明の一実施形態に係る表示装置は、発光素子が設けられた表示部を有し、発光素子は、トランジスタと電気的に接続される第1電極と、第1電極上に設けられた発光層と、第1電極と発光層との間に設けられた複数の層と、発光層上に設けられた第2電極とを含み、発光素子は、赤色で発光する第1発光素子と、緑色で発光する第2発光素子と、青色で発光する第3発光素子と、を含み、複数の層の個数をkとし、複数の層の各層の膜厚をそれぞれdi、iを1からkまでの自然数とした場合、第1発光素子におけるΣdiは、第3発光素子におけるΣdiよりも150nm以上大きく、第1発光素子におけるΣdiは、第1発光素子が発光する赤色の光を強める距離であって、かつ、第3発光素子におけるΣdiは、第3発光素子が発光する青色の光を強める距離である。   A display device according to an embodiment of the present invention includes a display portion provided with a light emitting element, and the light emitting element includes a first electrode electrically connected to a transistor, and light emission provided on the first electrode. Layer, a plurality of layers provided between the first electrode and the light emitting layer, and a second electrode provided on the light emitting layer, wherein the light emitting element is a first light emitting element that emits red light, and a green color And a third light emitting element emitting blue light, wherein the number of the plurality of layers is k, the film thickness of each layer of the plurality of layers is di, and i is 1 to k When natural numbers are used, に お け る di in the first light emitting element is 150 nm or more larger than に お け る di in the third light emitting element, and Σdi in the first light emitting element is a distance that enhances the red light emitted by the first light emitting element. And, Σdi in the third light emitting element causes the third light emitting element to emit light That is the distance to enhance the blue light.

発光素子が設けられた表示部を有し、発光素子は、トランジスタと電気的に接続される第1電極と、第1電極上に設けられた発光層と、第1電極と発光層との間に設けられた有機層と、発光層上に設けられた第2電極とを含み、発光素子は、赤色で発光する第1発光素子と、緑色で発光する第2発光素子と、青色で発光する第3発光素子と、を含み、第1発光素子における有機層の厚さは、第3発光素子における有機層の厚さよりも150nm以上大きい。   A display portion provided with a light emitting element is provided, and the light emitting element includes a first electrode electrically connected to the transistor, a light emitting layer provided on the first electrode, and a space between the first electrode and the light emitting layer. The light emitting element includes a first light emitting element emitting red light, a second light emitting element emitting green light, and a second light emitting element provided on the light emitting layer. And a third light emitting element, and the thickness of the organic layer in the first light emitting element is 150 nm or more larger than the thickness of the organic layer in the third light emitting element.

本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した概略図である。It is the schematic which showed the structure of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図1に示す表示装置のA1−A2線に沿った断面図の概略図である。FIG. 2 is a schematic view of a cross section taken along line A <b> 1-A <b> 2 of the display device shown in FIG. 1. 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の表示部の一部を拡大した平面図である。It is the top view to which a part of display part of the display concerning one embodiment of the present invention was expanded. 本発明の一実施形態に係る表示装置の表示部の一部を拡大した平面図である。It is the top view to which a part of display part of the display concerning one embodiment of the present invention was expanded. 本発明の一実施形態に係る表示装置の表示部の一部を拡大した平面図である。It is the top view to which a part of display part of the display concerning one embodiment of the present invention was expanded. 図1に示す表示装置のA1−A2線に沿った断面図の概略図である。FIG. 2 is a schematic view of a cross section taken along line A <b> 1-A <b> 2 of the display device shown in FIG. 1. 図1に示す表示装置のA1−A2線に沿った断面図の概略図である。FIG. 2 is a schematic view of a cross section taken along line A <b> 1-A <b> 2 of the display device shown in FIG. 1. 図1に示す表示装置のA1−A2線に沿った断面図の概略図である。FIG. 2 is a schematic view of a cross section taken along line A <b> 1-A <b> 2 of the display device shown in FIG. 1.

以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面に関して、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて各部の幅、厚さ、形状等を模式的に表す場合があるが、それら模式的な図は一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書等と各図において、既出の図に関して説明したものと同一又は類似の要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings and the like. However, the present invention can be implemented in various modes without departing from the scope of the present invention, and the present invention is not construed as being limited to the description of the embodiments exemplified below. In addition, with respect to the drawings, the width, thickness, shape, etc. of each part may be schematically represented in comparison with the actual aspect in order to make the description clearer. It does not limit the interpretation of the invention. Furthermore, in the present specification and the like and the drawings, the same or similar elements as or to those described with reference to the drawings in the drawings may be denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions may be omitted.

本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。   In the present invention, when one film is processed to form a plurality of films, the plurality of films may have different functions and roles. However, the plurality of films are derived from the film formed as the same layer in the same step, and have the same layer structure and the same material. Therefore, these multiple films are defined as existing in the same layer.

なお、本明細書等において、図面を説明する際の「上」、「下」などの表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。本明細書等では、側面視において、後述する絶縁表面からバンクに向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。本明細書等及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。 In the present specification and the like, expressions such as “upper” and “lower” at the time of describing the drawings express the relative positional relationship between the structure of interest and the other structures. In the present specification and the like, in a side view, the direction from the insulating surface described later toward the bank is defined as “upper”, and the opposite direction is defined as “lower”. In the present specification and claims, when expressing an aspect in which another structure is disposed on a certain structure, in the case where it is simply referred to as “on”, unless otherwise noted, a structure It includes both the case where another structure is arranged immediately above and the case where another structure is arranged above another structure via another structure.

なお、本明細書等における「第1」、「第2」、「第3」などの序数は、説明を簡潔にするためだけに用いられており、限定的に解釈されるべきではない。   Note that the ordinal numbers such as “first”, “second”, and “third” in the present specification and the like are used merely for the sake of brevity and should not be interpreted restrictively.

1.発明の背景
発明者らは、発光素子、発光素子の上に積層された複数の光路長調整膜、複数の光路長調整膜の上に積層された封止膜を有するマイクロキャビティ構造の表示部を有する有機EL表示装置を検討している。この有機EL表示装置の発光素子は、陽極(アノード)、アノード上に積層された発光層を有する有機層、及び、有機層上に積層された陰極(カソード)を含む。発光素子は、赤色で発光する第1発光素子と、緑色で発光する第2発光素子と、青色で発光する第3発光素子と、を含む。アノードと発光層との間には、例えば、正孔注入層(Hole Injection Layer)、正孔輸送層(Hole Transfer Layer)、電子ブロッキング層(Electron Blocking Layer)が含まれる。発光層とカソードとの間には、例えば、正孔ブロッキング層(Hole Blocking Layer)、電子注入層(Electron Injection Layer)、電子輸送層(Electron Transfer Layer)が含まれる。詳細は図2において説明するが、発明者らは、光の干渉における光が強め合う条件において、換言すれば、発光層で発光する光の陽極で反射する成分と、成分とは異なる他の成分とが強め合う条件において、第1発光素子における次数mと第2発光素子における次数mの少なくとも一方を、第3発光素子における次数mよりも大きくすることで、各色の有機EL材料を発光させて合成したときの白色発光において、視野角が広い範囲で輝度を保ち、かつ、視野角が広い範囲で色変化を抑制できることを見出した。
1. BACKGROUND OF THE INVENTION The inventors of the present invention have made a display unit of a microcavity structure having a light emitting element, a plurality of optical path length adjusting films laminated on the light emitting element, and a sealing film laminated on a plurality of optical path length adjusting films. We are examining an organic EL display device that we have. A light emitting element of this organic EL display device includes an anode, an organic layer having a light emitting layer laminated on the anode, and a cathode (cathode) laminated on the organic layer. The light emitting element includes a first light emitting element that emits red light, a second light emitting element that emits green light, and a third light emitting element that emits blue light. For example, a hole injection layer (Hole Injection Layer), a hole transport layer (Hole Transfer Layer), and an electron blocking layer (Electron Blocking Layer) are included between the anode and the light emitting layer. For example, a hole blocking layer (Hole Blocking Layer), an electron injection layer (Electron Injection Layer), and an electron transport layer (Electron Transfer Layer) are included between the light emitting layer and the cathode. The details will be described in FIG. 2, but under the conditions in which light in the light interference strengthens each other, in other words, the component reflected by the anode of the light emitted from the light emitting layer and the other component different from the component The organic EL material of each color is made to emit light by setting at least one of the order m in the first light emitting element and the order m in the second light emitting element larger than the order m in the third light emitting element under the condition that It has been found that, in white light emission when combined, luminance can be maintained in a wide range of viewing angles, and color change can be suppressed in a wide range of viewing angles.

2.第1実施形態
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置ついて、図1乃至図3を参照し、説明する。
2. First Embodiment In the present embodiment, a display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

2−1.表示装置の構成
図1は、本発明の一実施形態に係る表示装置100の構成を示した概略図である。また、図1においては、表示装置100を平面視した場合における概略構成を示している。本明細書等では、表示装置100を画面(表示部)に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。
2-1. Configuration of Display Device FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of a display device 100 according to an embodiment of the present invention. Further, FIG. 1 shows a schematic configuration when the display device 100 is viewed in plan. In the present specification and the like, a state in which the display device 100 is viewed from the direction perpendicular to the screen (display unit) is referred to as “plan view”.

表示装置100は、絶縁表面上に形成された表示部103と、走査信号線駆動回路104と、ドライバIC106と、を有する。また、表示部103、走査信号線駆動回路104の上方には、対向基板102が設けられている。走査信号線駆動回路104には、複数の走査信号線105が接続されている。複数の走査信号線105は表示装置100のx方向に配置されている。ドライバIC106は、走査信号線駆動回路104に信号を与える制御部として機能する。ドライバIC106には、映像信号線駆動回路が内蔵されている。なお、図示は省略しているが、ドライバIC106には、複数の映像信号線が接続されている。複数の映像信号線は、x方向と交差するy方向に配置される。また、ドライバIC106は、COF(Chip on Film)方式でフレキシブルプリント基板108上に設けられているが、ドライバIC106は、第1基板101上に設けられてもよい。フレキシブルプリント基板108は、周辺領域110に設けられた端子107と接続される。   The display device 100 includes a display portion 103 formed on an insulating surface, a scanning signal line drive circuit 104, and a driver IC 106. Further, an opposing substrate 102 is provided above the display portion 103 and the scanning signal line driver circuit 104. A plurality of scanning signal lines 105 are connected to the scanning signal line drive circuit 104. The plurality of scanning signal lines 105 are arranged in the x direction of the display device 100. The driver IC 106 functions as a control unit that supplies a signal to the scan signal line drive circuit 104. The driver IC 106 incorporates a video signal line drive circuit. Although not shown, a plurality of video signal lines are connected to the driver IC 106. The plurality of video signal lines are arranged in the y direction intersecting the x direction. Further, although the driver IC 106 is provided on the flexible printed substrate 108 by a COF (Chip on Film) method, the driver IC 106 may be provided on the first substrate 101. Flexible printed circuit board 108 is connected to terminal 107 provided in peripheral region 110.

ここで、絶縁表面は、第1基板101の表面である。第1基板101は、第1基板101の表面上に設けられるトランジスタ及び発光素子などを構成する各層を支持する。第1基板101としては、例えば、ガラス基板、半導体基板などを使用することができる。また、第1基板101としては、折り曲げ可能な基板を用いてもよい。折り曲げ可能な基板としては、例えば、ポリイミド、アクリル、エポキシ、ポリエチレンテレフタラートなどの有機樹脂材料を用いることができる。また、第1基板101としては、光を透過する材料でも光を透過しない材料でも構わない。また、対向基板102も、第1基板101と同様の基板を使用することができる。   Here, the insulating surface is the surface of the first substrate 101. The first substrate 101 supports the layers provided on the surface of the first substrate 101, such as transistors and light emitting elements. As the first substrate 101, for example, a glass substrate, a semiconductor substrate, or the like can be used. Further, as the first substrate 101, a foldable substrate may be used. As the foldable substrate, for example, an organic resin material such as polyimide, acrylic, epoxy or polyethylene terephthalate can be used. The first substrate 101 may be a material that transmits light or a material that does not transmit light. Further, as the opposite substrate 102, a substrate similar to the first substrate 101 can be used.

表示部103には、複数の画素が、互いに交差するに方向(例えば、互いに交差するx方向及びy方向)に沿うようにマトリクス状に配置される。複数の画素の各々は、第1の色で発光する発光素子、第2の色で発光する発光素子、及び第3の色で発光する発光素子のいずれかを有する。本明細書等において、表示装置100が、R(赤色)、G(緑色)、及びB(青色)の発光素子を有する場合、1画素とは、3色のうちのいずれか一色を発光する発光素子を有する領域をいう。なお、発光素子が発光する色は、3色に限定されず、4色以上であってもよい。図1においては、複数の赤色の画素109R(画素109R)、複数の緑色の画素109G(画素109G)、複数の青色の画素109B(画素109B)のそれぞれが、表示部103の一方向(y方向)に沿って配置される、ストライプ配列の場合について説明する。   In the display unit 103, a plurality of pixels are arranged in a matrix so as to cross each other in a direction (for example, an x direction and ay direction intersecting each other). Each of the plurality of pixels includes any of a light emitting element emitting light in a first color, a light emitting element emitting light in a second color, and a light emitting element emitting light in a third color. In the present specification and the like, when the display device 100 includes light emitting elements of red (R), green (G), and blue (B), one pixel emits light of one of three colors. It refers to a region having elements. In addition, the color which a light emitting element emits light is not limited to three colors, Four or more colors may be sufficient. In FIG. 1, each of the plurality of red pixels 109R (pixels 109R), the plurality of green pixels 109G (pixels 109G), and the plurality of blue pixels 109B (pixels 109B) is one direction (y direction of the display portion 103). The case of the stripe arrangement, which is arranged along the.

画素109R、画素109G、画素109Bの各々は、後述する画素電極と、発光素子と、を含む。発光素子は、該画素電極の一部(アノード)と、該画素電極上に積層された発光層を含む有機層(発光部)及び陰極(カソード)からなる。図1において、画素109R、画素109G、画素109Bとして示している箇所は、各々の発光素子の発光領域である。図1においては、各画素の発光領域の面積が略同じである例を示している。しかし、各画素の発光領域の面積は、色毎に異なっていてもよい。   Each of the pixel 109R, the pixel 109G, and the pixel 109B includes a pixel electrode described later and a light emitting element. The light emitting element is composed of a part (anode) of the pixel electrode, an organic layer (light emitting part) including a light emitting layer laminated on the pixel electrode, and a cathode (cathode). In FIG. 1, portions shown as the pixel 109 R, the pixel 109 G, and the pixel 109 B are light emitting regions of the respective light emitting elements. FIG. 1 shows an example in which the area of the light emitting region of each pixel is substantially the same. However, the area of the light emitting area of each pixel may be different for each color.

画素109R、画素109G、画素109Bの各々には、ドライバIC106に内蔵された映像信号線駆動回路から画像データに応じたデータ信号が与えられる。例えば、画素109Rに設けられた画素電極に電気的に接続されたトランジスタが、画像データに応じたデータ信号に従って駆動されることによって、当該画像データに応じた画像が画素109Rに表示される。画素109Rと同様に、画素109G、及び画素109Bも駆動されることによって、表示装置100は、画像データに応じた画像を、表示することができる。ここで、当該トランジスタは、例えば、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)を用いることができる。なお、当該画像データに応じた画像を画素に表示する素子は、トランジスタに限定されず、電流制御機能を備える素子であれば、如何なる素子を用いても良い。   A data signal corresponding to image data is supplied to each of the pixel 109R, the pixel 109G, and the pixel 109B from a video signal line drive circuit incorporated in the driver IC 106. For example, a transistor electrically connected to a pixel electrode provided in the pixel 109R is driven according to a data signal corresponding to image data, whereby an image corresponding to the image data is displayed on the pixel 109R. Similarly to the pixel 109R, by driving the pixel 109G and the pixel 109B, the display device 100 can display an image according to the image data. Here, for example, a thin film transistor (TFT) can be used as the transistor. Note that an element that displays an image according to the image data in a pixel is not limited to a transistor, and any element may be used as long as it has an electric current control function.

図2は、図1に示す表示装置のA1−A2線に沿った断面の概略図である。具体的には、図2は、画素109R、画素109G、画素109Bの各々における、発光素子と光路長調整膜の断面を示している。画素109Rは、発光素子130Rを有する。画素109Gは、発光素子130Gを有する。画素109Bは、発光素子130Bを有する。また、発光素子130Rは、有機層127Rを有する。発光素子130Gは、有機層127Gを有する。発光素子130Bは、有機層127Bを有する。   FIG. 2 is a schematic view of a cross section taken along line A1-A2 of the display device shown in FIG. Specifically, FIG. 2 shows a cross section of the light emitting element and the optical path length adjustment film in each of the pixel 109R, the pixel 109G, and the pixel 109B. The pixel 109R has a light emitting element 130R. The pixel 109G includes a light emitting element 130G. The pixel 109B includes a light emitting element 130B. The light emitting element 130R further includes an organic layer 127R. The light emitting element 130G includes an organic layer 127G. The light emitting element 130B includes an organic layer 127B.

発光素子130R、発光素子130G、及び発光素子130Bの構成について詳細に説明する。画素109R、画素109G、及び画素109Bのそれぞれには、画素電極125aが設けられる。すなわち、画素電極125aは、画素ごとに設けられている。画素電極125aは、反射性を有する材料で形成されている。   The structures of the light emitting element 130R, the light emitting element 130G, and the light emitting element 130B will be described in detail. A pixel electrode 125a is provided for each of the pixel 109R, the pixel 109G, and the pixel 109B. That is, the pixel electrode 125a is provided for each pixel. The pixel electrode 125a is formed of a reflective material.

画素電極125a上に、正孔注入層161が設けられている。正孔注入層161は、画素109R、画素109G、及び画素109Bにおいて共通に設けられている。   The hole injection layer 161 is provided on the pixel electrode 125a. The hole injection layer 161 is commonly provided to the pixel 109R, the pixel 109G, and the pixel 109B.

正孔注入層161上に、正孔輸送層が設けられている。正孔輸送層は、3回に分けて形成される。第1に、正孔輸送層162aが、画素109R、画素109G、画素109Bに共通に設けられる。第2に、正孔輸送層162bが、画素109Rが形成される領域に設けられる。第3に、正孔輸送層162cが、画素109Gが形成される領域に設けられる。正孔輸送層を、3回に分けて形成することによって、正孔輸送層の膜厚を、発光素子130R、発光素子130G、発光素子130Bの色ごとに変えることができる。よって、発光素子の色ごとに光路長を調整することができる。したがって、光路長に合致した波長の光のみを共振させて強調し、光路長がずれた波長の光を弱めることができる。よって、外部に取り出される光のスペクトルが高強度になり、輝度と色純度が向上する。画素109Rの正孔輸送層の厚さは、画素109Gの正孔輸送層の厚さ、及び画素109Bの正孔輸送層の厚さよりも厚い。画素109Gの正孔輸送層の厚さは、画素109Bの正孔輸送層の厚さよりも厚い。   A hole transport layer is provided on the hole injection layer 161. The hole transport layer is formed in three parts. First, the hole transport layer 162a is provided commonly to the pixel 109R, the pixel 109G, and the pixel 109B. Second, the hole transport layer 162b is provided in the region where the pixel 109R is formed. Third, the hole transport layer 162c is provided in the region where the pixel 109G is formed. By forming the hole transport layer in three times, the thickness of the hole transport layer can be changed for each color of the light emitting element 130R, the light emitting element 130G, and the light emitting element 130B. Therefore, the optical path length can be adjusted for each color of the light emitting element. Therefore, it is possible to resonate and emphasize only the light of the wavelength matching the optical path length, and weaken the light of the wavelength whose optical path length is shifted. Therefore, the spectrum of light extracted to the outside becomes high in intensity, and the luminance and the color purity are improved. The thickness of the hole transport layer of the pixel 109R is larger than the thickness of the hole transport layer of the pixel 109G and the thickness of the hole transport layer of the pixel 109B. The thickness of the hole transport layer of the pixel 109G is thicker than the thickness of the hole transport layer of the pixel 109B.

正孔輸送層上には、電子ブロッキング層163が設けられている。電子ブロッキング層163は、画素109R、画素109G、画素109Bに共通に設けられる。   An electron blocking layer 163 is provided on the hole transport layer. The electron blocking layer 163 is provided commonly to the pixel 109R, the pixel 109G, and the pixel 109B.

電子ブロッキング層163上には、発光層164R、発光層164G、及び発光層164Bが設けられる。発光層164Rは、画素109Rに設けられる。発光層164Gは、画素109Gに設けられる。発光層164Bは、画素109Bに設けられる。   A light emitting layer 164R, a light emitting layer 164G, and a light emitting layer 164B are provided on the electron blocking layer 163. The light emitting layer 164R is provided in the pixel 109R. The light emitting layer 164G is provided in the pixel 109G. The light emitting layer 164B is provided in the pixel 109B.

正孔ブロッキング層165は、発光層164R、発光層164G、及び発光層164B上に、共通に設けられる。電子輸送層166は、正孔ブロッキング層165上に設けられる。電子注入層167が、電子輸送層166上に設けられる。すなわち、正孔ブロッキング層165、電子輸送層166、及び電子注入層167は、画素109R、画素109G、及び画素109Bに共通に設けられる。   The hole blocking layer 165 is commonly provided on the light emitting layer 164R, the light emitting layer 164G, and the light emitting layer 164B. The electron transport layer 166 is provided on the hole blocking layer 165. An electron injection layer 167 is provided on the electron transport layer 166. That is, the hole blocking layer 165, the electron transport layer 166, and the electron injection layer 167 are commonly provided to the pixel 109R, the pixel 109G, and the pixel 109B.

電子注入層167上には、対向電極128が設けられる。対向電極128は、画素109R、109G、及び109Bに共通して設けられる。対向電極128は、透過性を有する導電性材料で形成される。   The counter electrode 128 is provided on the electron injection layer 167. The counter electrode 128 is provided commonly to the pixels 109R, 109G, and 109B. The counter electrode 128 is formed of a conductive material having transparency.

以上説明したように、有機層127Rは、正孔注入層161、正孔輸送層162a、正孔輸送層162b、電子ブロッキング層163、発光層164R、正孔ブロッキング層165、電子輸送層166、及び電子注入層167を有する。有機層127Gは、正孔注入層161、正孔輸送層162a、正孔輸送層162c、電子ブロッキング層163、発光層164G、正孔ブロッキング層165、電子輸送層166、及び電子注入層167を有する。有機層127Bは、正孔注入層161、正孔輸送層162a、電子ブロッキング層163、発光層164B、正孔ブロッキング層165、電子輸送層166、及び電子注入層167を有する。   As described above, the organic layer 127R includes the hole injection layer 161, the hole transport layer 162a, the hole transport layer 162b, the electron blocking layer 163, the light emitting layer 164R, the hole blocking layer 165, the electron transport layer 166, and An electron injection layer 167 is provided. The organic layer 127G includes a hole injection layer 161, a hole transport layer 162a, a hole transport layer 162c, an electron blocking layer 163, a light emitting layer 164G, a hole blocking layer 165, an electron transport layer 166, and an electron injection layer 167. . The organic layer 127B includes a hole injection layer 161, a hole transport layer 162a, an electron blocking layer 163, a light emitting layer 164B, a hole blocking layer 165, an electron transport layer 166, and an electron injection layer 167.

以上説明したように、画素電極125aから対向電極128までを積層することで、発光素子130R、発光素子130G、及び発光素子130Bを、それぞれ形成することができる。   As described above, the light emitting element 130R, the light emitting element 130G, and the light emitting element 130B can be formed by stacking the pixel electrode 125a to the counter electrode 128, respectively.

上述したように、発光素子130Rにおいて、画素電極125aと発光層164Rとの間には、例えば、正孔注入層161、正孔輸送層162a、正孔輸送層162b、及び電子ブロッキング層163が設けられる。発光素子130Gにおいて、画素電極125aと発光層164Gとの間には、例えば、正孔注入層161、正孔輸送層162a、正孔輸送層162c、及び電子ブロッキング層163が設けられる。発光素子130Bにおいて、画素電極125aと発光層164Bとの間には、例えば、正孔注入層161、正孔輸送層162a、及び電子ブロッキング層163が設けられる。   As described above, in the light emitting element 130R, for example, the hole injection layer 161, the hole transport layer 162a, the hole transport layer 162b, and the electron blocking layer 163 are provided between the pixel electrode 125a and the light emitting layer 164R. Be In the light emitting element 130G, for example, a hole injection layer 161, a hole transport layer 162a, a hole transport layer 162c, and an electron blocking layer 163 are provided between the pixel electrode 125a and the light emitting layer 164G. In the light emitting element 130B, for example, a hole injection layer 161, a hole transport layer 162a, and an electron blocking layer 163 are provided between the pixel electrode 125a and the light emitting layer 164B.

発光素子130Rにおいて、正孔注入層161の屈折率をn1、正孔注入層161の膜厚をd1、正孔輸送層162aの屈折率をn2、正孔輸送層162aの膜厚をd2、正孔輸送層162bの屈折率をn3、正孔輸送層162bの膜厚をd3、電子ブロッキング層163の屈折率をn4、電子ブロッキング層163の膜厚をd4、発光素子130Rが発光する色の光の波長をλR、前記各層の界面反射による位相シフトとオフセット長さとを加算した長さをaR、次数mRを0以上の整数とした場合、光の干渉における光が強め合う条件は、数式1で示される。なお、画素電極125aと発光層164Rと間の距離dRは、dR=d1+d2+d3+d4である。なお、各層の屈折率は、例えば、1.5以上2.5以下である。また、λRは600nm以上680nm以下であることが好ましい。   In the light emitting element 130R, the refractive index of the hole injection layer 161 is n1, the film thickness of the hole injection layer 161 is d1, the refractive index of the hole transport layer 162a is n2, the film thickness of the hole transport layer 162a is d2, and the positive The light of the color in which the refractive index of the hole transport layer 162b is n3, the thickness of the hole transport layer 162b is d3, the refractive index of the electron blocking layer 163 is n4, the thickness of the electron blocking layer 163 is d4, and the light emitting element 130R emits light. When the wavelength of λ is a wavelength of λR, the phase shift due to interface reflection of each layer and the offset length are aR, and the order mR is an integer of 0 or more, the condition under which light in light interference is enhanced is Equation 1 Indicated. The distance dR between the pixel electrode 125a and the light emitting layer 164R is dR = d1 + d2 + d3 + d4. The refractive index of each layer is, for example, 1.5 or more and 2.5 or less. Further, λR is preferably 600 nm or more and 680 nm or less.

Figure 2019096428
Figure 2019096428

例えば、発光素子130Gにおいて、正孔注入層161の屈折率をn1、正孔注入層161の膜厚をd1、正孔輸送層162aの屈折率をn2、正孔輸送層162aの膜厚をd2、正孔輸送層162cの屈折率をn5、正孔輸送層162cの膜厚をd5、電子ブロッキング層163の屈折率をn4、電子ブロッキング層163の膜厚をd4、発光素子130Gが発光する色の光の波長をλG、前記各層の界面反射による位相シフトとオフセット長さとを加算した長さをaG、次数mGを0以上の整数とした場合、光の干渉における光が強め合う条件は、数式2で示される。なお、画素電極125aと発光層164Gと間の距離dGは、dG=d1+d2+d5+d4である。なお、各層の屈折率は、例えば、1.5以上2.5以下である。また、λGは500nm以上560nm以下であることが好ましい。   For example, in the light emitting element 130G, the refractive index of the hole injection layer 161 is n1, the film thickness of the hole injection layer 161 is d1, the refractive index of the hole transport layer 162a is n2, and the film thickness of the hole transport layer 162a is d2. The refractive index of the hole transport layer 162c is n5, the film thickness of the hole transport layer 162c is d5, the refractive index of the electron blocking layer 163 is n4, the film thickness of the electron blocking layer 163 is d4, and the color in which the light emitting element 130G emits light. If the wavelength of the light of this light is λG, the length obtained by adding the phase shift due to the interface reflection of each layer and the offset length is aG, and the order mG is an integer of 0 or more, the conditions for light in interference of light strengthen each other It is indicated by 2. The distance dG between the pixel electrode 125a and the light emitting layer 164G is dG = d1 + d2 + d5 + d4. The refractive index of each layer is, for example, 1.5 or more and 2.5 or less. Further, λG is preferably 500 nm or more and 560 nm or less.

Figure 2019096428
Figure 2019096428

例えば、発光素子130Bにおいて、正孔注入層161の屈折率をn1、正孔注入層161の膜厚をd1、正孔輸送層162aの屈折率をn2、正孔輸送層162aの膜厚をd2、電子ブロッキング層163の屈折率をn4、電子ブロッキング層163の膜厚をd4、発光素子130Bが発光する色の光の波長をλB、前記各層の界面反射による位相シフトとオフセット長さとを加算した長さをaB、次数mBを0以上の整数とした場合、光の干渉における光が強め合う条件は、数式3で示される。なお、画素電極125aと発光層164Bと間の距離dBは、dB=d1+d2+d4である。なお、各層の屈折率は、例えば、1.5以上2.5以下である。また、λBは430nm以上500nm以下であることが好ましい。   For example, in the light emitting element 130B, the refractive index of the hole injection layer 161 is n1, the film thickness of the hole injection layer 161 is d1, the refractive index of the hole transport layer 162a is n2, and the film thickness of the hole transport layer 162a is d2. The refractive index of the electron blocking layer 163 is n4, the film thickness of the electron blocking layer 163 is d4, the wavelength of light of the color emitted by the light emitting element 130B is λB, and the phase shift due to interface reflection of the layers and the offset length are added. Assuming that the length is aB and the order mB is an integer of 0 or more, the condition under which light in the light interference is enhanced is represented by Formula 3. The distance dB between the pixel electrode 125a and the light emitting layer 164B is dB = d1 + d2 + d4. The refractive index of each layer is, for example, 1.5 or more and 2.5 or less. Further, λB is preferably 430 nm or more and 500 nm or less.

Figure 2019096428
Figure 2019096428

同様にして、発光素子において、複数の層の層数をiとし、複数の層の各々の層iの屈折率をni、複数の層の各々の層iの膜厚をdi、発光素子が発光する色の光の波長をλ、各層の界面反射による位相シフトとオフセット長さとを加算した長さをa、iを自然数及びmを0以上の整数とした場合、光の干渉における光が強め合う条件は、数式4で示される。   Similarly, in the light emitting device, the number of layers of the plurality of layers is i, the refractive index of each layer i of the plurality of layers is ni, the film thickness of each layer i of the plurality of layers is di, and the light emitting device emits light Let the wavelength of the light of the color to be added be λ, the length obtained by adding the phase shift due to the interface reflection of each layer and the offset length be a, i be a natural number, and m be an integer greater than 0. The condition is expressed by Equation 4.

Figure 2019096428
Figure 2019096428

本発明の一実施形態においては、発光素子130Rにおける次数mRと発光素子130Gにおける次数mGの少なくとも一方は、発光素子130Bの次数mBよりも大きい。なお、本明細書中において、発光素子130Rは第1発光素子とよぶことがある。発光素子130Gは第2発光素子とよぶことがある。発光素子130Bは第3発光素子とよぶことがある。   In one embodiment of the present invention, at least one of the order mR of the light emitting element 130R and the order mG of the light emitting element 130G is larger than the order mB of the light emitting element 130B. In the present specification, the light emitting element 130R may be referred to as a first light emitting element. The light emitting element 130G may be referred to as a second light emitting element. The light emitting element 130B may be referred to as a third light emitting element.

発光素子130Rにおける次数mRは、発光素子130Bの次数mBよりも大きく、発光素子130Gにおける次数mGと、発光素子130Bの次数mBとは、略同じであってもよい。   The order mR of the light emitting element 130R is larger than the order mB of the light emitting element 130B, and the order mG of the light emitting element 130G and the order mB of the light emitting element 130B may be substantially the same.

発光素子130Rにおける画素電極125aと発光層164Rとの間の距離dR(Σdi)は、発光素子130Bにおける画素電極125aと発光層164Bとの間の距離dB(Σdi)よりも150nm以上大きくてもよい。発光素子130Rにおける画素電極125aと発光層164Rとの間の距離dR(Σdi)は、発光素子130Rが発光する赤色の光を強める距離であって、かつ、発光素子130BにおけるdB(Σdi)は、発光素子130Bが発光する青色の光を強める距離である。   The distance dR (Σdi) between the pixel electrode 125a and the light emitting layer 164R in the light emitting element 130R may be 150 nm or more larger than the distance dB (Σdi) between the pixel electrode 125a and the light emitting layer 164B in the light emitting element 130B. . The distance dR (Σdi) between the pixel electrode 125a and the light emitting layer 164R in the light emitting element 130R is a distance that enhances the red light emitted by the light emitting element 130R, and dB (Σdi) in the light emitting element 130B is It is a distance that intensifies the blue light emitted by the light emitting element 130B.

発光素子130Gにおける画素電極125aと発光層164Gとの間の距離dB(Σdi)は、発光素子130Bにおける画素電極125aと発光層164Bとの間の距離dB(Σdi)よりも120nm以上大きくてもよい。   The distance dB (Σdi) between the pixel electrode 125a and the light emitting layer 164G in the light emitting element 130G may be larger by 120 nm or more than the distance dB (Σdi) between the pixel electrode 125a and the light emitting layer 164B in the light emitting element 130B. .

発光素子130R、発光素子130G、及び発光素子130B上には、光路長調整膜が設けられる。光路長調整膜151は、ハーフミラーとしての役割を有していてもよい。光路長調整膜151が、ハーフミラーとしての役割を有する場合、光路長調整膜151は、反射性を有する画素電極125a、透過性を有する対向電極128と共に、光の共振効果を利用したマイクロキャビティ構造の構成要素となる。   An optical path length adjustment film is provided on the light emitting element 130R, the light emitting element 130G, and the light emitting element 130B. The optical path length adjusting film 151 may have a role as a half mirror. When the optical path length adjusting film 151 has a role as a half mirror, the optical path length adjusting film 151 has a microcavity structure utilizing the resonance effect of light together with the reflective pixel electrode 125 a and the transparent counter electrode 128. Become a component of

光路長調整膜151は、例えば、一般的な有機材料、又は、ITOなどの透明導電性材料によって、形成される。光路長調整膜151の屈折率は、例えば、1.6〜2.6であることが好ましい。   The optical path length adjustment film 151 is formed of, for example, a common organic material or a transparent conductive material such as ITO. The refractive index of the optical path length adjusting film 151 is preferably, for example, 1.6 to 2.6.

2−2.表示装置の製造方法
図3乃至図6は、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。なお、図3乃至図6は、表示部103に含まれる画素109R、画素109G、及び画素109Bの3つの画素の断面を示す。
2-2. Method of Manufacturing Display Device FIGS. 3 to 6 are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention. 3 to 6 show cross sections of three pixels of the pixel 109R, the pixel 109G, and the pixel 109B included in the display unit 103.

図3に示すように、表示装置100は、第1基板101、及び第2基板112を有する。第1基板101、及び第2基板112は、例えば、ガラス基板、石英基板、又はフレキシブル基板(ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、環状オレフィン・コポリマー、シクロオレフィンポリマー、その他の可撓性を有する樹脂基板)を用いることができる。第1基板101、及び第2基板112が透光性を有する必要がない場合には、金属基板、セラミックス基板、又は半導体基板を用いてもよい。本実施形態では、第1基板101はポリイミドを用い、第2基板112はポリエチレンテレフタラートを用いる。   As shown in FIG. 3, the display device 100 includes a first substrate 101 and a second substrate 112. The first substrate 101 and the second substrate 112 are, for example, a glass substrate, a quartz substrate, or a flexible substrate (polyimide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, triacetyl cellulose, cyclic olefin copolymer, cycloolefin polymer, other flexible Resin substrate) can be used. In the case where the first substrate 101 and the second substrate 112 do not need to have light transmitting properties, a metal substrate, a ceramic substrate, or a semiconductor substrate may be used. In the present embodiment, the first substrate 101 uses polyimide and the second substrate 112 uses polyethylene terephthalate.

はじめに、第1基板101上に、下地膜113を形成する。下地膜113は、絶縁層である。下地膜113を形成する材料は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、又は酸化アルミニウム等の無機材料である。本実施形態では、下地膜113は、一つの層で形成される例を示すが、例えば、酸化シリコン層と窒化シリコン層とを積層し、形成してもよい。下地膜113は、第1基板101との密着性や、後述するトランジスタ120に対するガスバリア性を考慮して適宜決定すれば良い。   First, the base film 113 is formed on the first substrate 101. The base film 113 is an insulating layer. The material forming the base film 113 is, for example, an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, or aluminum oxide. Although the base film 113 is formed in one layer in this embodiment, for example, the base film 113 may be formed by stacking a silicon oxide layer and a silicon nitride layer. The base film 113 may be appropriately determined in consideration of adhesion to the first substrate 101 and gas barrier properties to the transistor 120 described later.

次に、下地膜113上に、トランジスタ120を形成する。トランジスタ120の構造は、トップゲート型であってもボトムゲート型であってもよい。本実施形態では、トランジスタ120は、下地膜113上に設けられた半導体層114、半導体層114を覆うゲート絶縁膜115、及び、ゲート絶縁膜115上に設けられたゲート電極116を含む。また、トランジスタ120上には、ゲート電極116を覆う層間絶縁層122が形成される。さらに、層間絶縁層122上には、ソース電極又はドレイン電極117、及び、ソース電極又はドレイン電極118が形成される。ソース電極又はドレイン電極117、及び、ソース電極又はドレイン電極118は、半導体層114に電気的に接続される。なお、本実施形態では、層間絶縁層122は一つの層で形成される例を示すが、例えば、層間絶縁層122は二つ以上の層が積層され、形成されてもよい。   Next, the transistor 120 is formed over the base film 113. The structure of the transistor 120 may be top gate type or bottom gate type. In this embodiment, the transistor 120 includes the semiconductor layer 114 provided over the base film 113, the gate insulating film 115 covering the semiconductor layer 114, and the gate electrode 116 provided over the gate insulating film 115. In addition, an interlayer insulating layer 122 which covers the gate electrode 116 is formed over the transistor 120. Further, the source or drain electrode 117 and the source or drain electrode 118 are formed over the interlayer insulating layer 122. The source or drain electrode 117 and the source or drain electrode 118 are electrically connected to the semiconductor layer 114. Note that although the interlayer insulating layer 122 is formed of one layer in this embodiment, for example, two or more layers of the interlayer insulating layer 122 may be stacked.

トランジスタ120を構成する各層の材料は、公知の材料を用いればよく、特に限定はない。半導体層114を形成する材料は、例えば、ポリシリコン、アモルファスシリコン又は酸化物半導体を用いることができる。ゲート絶縁膜115を形成する材料は、例えば、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。ゲート電極116を形成する材料は、例えば、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウムなどの金属材料を用いることができる。層間絶縁層122を形成する材料は、例えば、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。ソース電極又はドレイン電極117、及び、ソース電極又はドレイン電極118を形成する材料は、銅、チタン、モリブデン、又はアルミニウムなどの金属材料を用いることができる。   The materials of the layers included in the transistor 120 may be known materials and are not particularly limited. As a material for forming the semiconductor layer 114, for example, polysilicon, amorphous silicon, or an oxide semiconductor can be used. As a material for forming the gate insulating film 115, silicon oxide or silicon nitride can be used, for example. As a material for forming the gate electrode 116, for example, a metal material such as copper, molybdenum, tantalum, tungsten, or aluminum can be used. As a material for forming the interlayer insulating layer 122, silicon oxide or silicon nitride can be used, for example. As materials for forming the source or drain electrode 117 and the source or drain electrode 118, metal materials such as copper, titanium, molybdenum, or aluminum can be used.

なお、図示を省略するが、ゲート電極116と同じ層には、ゲート電極116を形成する金属材料と同一の金属材料で形成された第1配線を設けることができる。第1配線は、例えば、走査信号線駆動回路104によって駆動される走査信号線である。また、図示を省略するが、ソース電極又はドレイン電極117、及び、ソース電極又はドレイン電極118と同じ層には、第1配線と交差する方向に延在する第2配線を設けることができる。第2配線は、例えば、映像信号線駆動回路によって駆動される映像信号線である。   Although not shown, in the same layer as the gate electrode 116, a first wiring formed of the same metal material as the metal material for forming the gate electrode 116 can be provided. The first wiring is, for example, a scanning signal line driven by the scanning signal line drive circuit 104. Although not illustrated, a second wiring which extends in a direction intersecting with the first wiring can be provided in the same layer as the source or drain electrode 117 and the source or drain electrode 118. The second wiring is, for example, a video signal line driven by a video signal line drive circuit.

続いて、トランジスタ120上に、平坦化膜123を形成する。平坦化膜123は、有機樹脂材料を含む。有機樹脂材料は、公知の有機樹脂材料を用いることができる。例えば、有機樹脂材料は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、又はエポキシ等である。平坦化膜123は、トランジスタ120を構成するゲート電極116、ソース電極又はドレイン電極117、及び、ソース電極又はドレイン電極118などの、凹凸を緩和し、膜の表面を略平坦にすることができる。平坦化膜123は、例えば、溶液塗布法により形成される。なお、本実施形態では、平坦化膜123は、一つの層で形成される例を示すが、例えば、有機樹脂材料を含む層と無機絶縁層とが積層され、形成されてもよい。   Subsequently, a planarization film 123 is formed over the transistor 120. The planarization film 123 contains an organic resin material. A known organic resin material can be used as the organic resin material. For example, the organic resin material is polyimide, polyamide, acrylic, epoxy or the like. The planarization film 123 can reduce unevenness of the gate electrode 116, the source or drain electrode 117, and the source or drain electrode 118 which form the transistor 120, and the surface of the film can be substantially flat. The planarization film 123 is formed by, for example, a solution coating method. In the present embodiment, the planarization film 123 is formed as one layer, but for example, a layer containing an organic resin material and an inorganic insulating layer may be stacked.

続いて、平坦化膜123に、コンタクトホールを形成する。コンタクトホールは、ソース電極又はドレイン電極118の一部を露出させる。また、コンタクトホールは、後述する画素電極125とソース電極又はドレイン電極118とを電気的に接続するための開口部である。したがって、コンタクトホールは、ソース電極又はドレイン電極118の一部に重畳して設けられる。コンタクトホールの底面では、ソース電極又はドレイン電極118が露出される。   Subsequently, contact holes are formed in the planarizing film 123. The contact holes expose part of the source or drain electrode 118. The contact hole is an opening for electrically connecting a pixel electrode 125, which will be described later, and the source or drain electrode 118. Therefore, the contact hole is provided to overlap with part of the source or drain electrode 118. At the bottom of the contact hole, the source or drain electrode 118 is exposed.

続いて、平坦化膜123上に、保護膜124を形成する。保護膜124は、平坦化膜123に形成されたコンタクトホールに重畳する。保護膜124は、水分や酸素に対するバリア機能を有することが好ましい。保護膜124を形成する材料は、例えば、窒化シリコン膜、又は酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることができる。   Subsequently, a protective film 124 is formed on the planarization film 123. The protective film 124 overlaps the contact hole formed in the planarization film 123. The protective film 124 preferably has a barrier function against moisture and oxygen. As a material for forming the protective film 124, an inorganic insulating material such as a silicon nitride film or aluminum oxide can be used, for example.

引き続き、保護膜124上に、画素電極125を形成する。画素電極125は、保護膜124及び平坦化膜123に設けられたコンタクトホールを介して、ソース電極又はドレイン電極118と電気的に接続される。本実施形態の表示装置100において、画素電極125は、発光素子130を構成する陽極(アノード)として機能する。画素電極125は、表示装置100がトップエミッション型であるかボトムエミッション型であるかで異なる構成とする。例えば、表示装置100がトップエミッション型である場合、画素電極125を形成する材料は、反射率の高い金属材料を用いる。また、表示装置100がトップエミッション型である場合、画素電極125を形成する材料は、酸化インジウム系透明導電性材料(例えば、Indium Tin Oxide(ITO))や酸化亜鉛系透明導電性材料(例えば、Indium Zinc Oxide(IZO)、Zinc Oxide(ZnO))といった仕事関数の高い透明導電性材料と金属材料との積層構造を用いることもできる。また、例えば、表示装置100がボトムエミッション型である場合、画素電極125の材料は、上述した透明導電性材料を用いる。本実施形態では、トップエミッション型の有機EL表示装置を例に挙げて説明する。   Subsequently, the pixel electrode 125 is formed on the protective film 124. The pixel electrode 125 is electrically connected to the source or drain electrode 118 through a contact hole provided in the protective film 124 and the planarization film 123. In the display device 100 according to the present embodiment, the pixel electrode 125 functions as an anode that constitutes the light emitting element 130. The pixel electrode 125 has a different configuration depending on whether the display device 100 is a top emission type or a bottom emission type. For example, when the display device 100 is a top emission type, a metal material with high reflectance is used as a material for forming the pixel electrode 125. When the display device 100 is a top emission type, the material forming the pixel electrode 125 is an indium oxide based transparent conductive material (for example, Indium Tin Oxide (ITO)) or a zinc oxide based transparent conductive material (for example, A layered structure of a transparent conductive material with a high work function, such as Indium Zinc Oxide (IZO) or Zinc Oxide (ZnO), and a metal material can also be used. Further, for example, when the display device 100 is a bottom emission type, the material of the pixel electrode 125 uses the above-described transparent conductive material. In the present embodiment, a top emission type organic EL display device will be described as an example.

画素電極125上に、第1絶縁層126を形成する。第1絶縁層126を形成する材料は、有機樹脂材料が用いられる。有機樹脂材料は、例えば、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系もしくはシロキサン系といった公知の樹脂材料を用いることができる。第1絶縁層126は、画素電極125上の一部に開口部を有する。第1絶縁層126は、互いに隣接する画素電極125の間に、画素電極125の端部(エッジ部)を覆うように設けられる。したがって、第1絶縁層126は、隣接する画素電極125を離隔する部材として機能する。第1絶縁層126は、一般的に「隔壁」、「バンク」とも呼ばれる。第1絶縁層126から露出された画素電極125の一部が、発光素子130の発光領域となる。第1絶縁層126の開口部は、内壁がテーパー形状となるようにしておくことが好ましい。第1絶縁層126の開口部の内壁をテーパー形状とすることによって、後述する発光層の形成時に、画素電極125の端部におけるカバレッジ不良を低減することができる。また、第1絶縁層126は、画素電極125の端部を覆うだけでなく、平坦化膜123及び保護膜124が有するコンタクトホールに起因する凹部を埋める充填材として機能させてもよい。   The first insulating layer 126 is formed on the pixel electrode 125. As a material forming the first insulating layer 126, an organic resin material is used. As the organic resin material, for example, a known resin material such as polyimide, polyamide, acrylic, epoxy or siloxane can be used. The first insulating layer 126 has an opening on a part of the pixel electrode 125. The first insulating layer 126 is provided between the pixel electrodes 125 adjacent to each other so as to cover the end (edge) of the pixel electrode 125. Thus, the first insulating layer 126 functions as a member for separating the adjacent pixel electrodes 125. The first insulating layer 126 is generally called "partition wall" or "bank". A part of the pixel electrode 125 exposed from the first insulating layer 126 serves as a light emitting region of the light emitting element 130. The opening of the first insulating layer 126 preferably has a tapered inner wall. By forming the inner wall of the opening of the first insulating layer 126 in a tapered shape, coverage defects at the end of the pixel electrode 125 can be reduced when forming a light emitting layer to be described later. Further, the first insulating layer 126 may not only cover the end portion of the pixel electrode 125, but also may function as a filling material for filling a concave portion resulting from the contact hole included in the planarization film 123 and the protective film 124.

画素電極125上に、有機層127を形成する。有機層127は、少なくとも有機材料で構成される発光層を有し、発光素子130の発光部として機能する。有機層127には、発光層以外に、図2において説明した正孔注入層及び/又は正孔輸送層、電子注入層及び/又は電子輸送層といった各種の層が含まれる。有機層127は、発光領域を覆うように設けられる。すなわち、有機層127は、発光領域における第1絶縁層126の開口部及び第1絶縁層126の開口部を覆うように設けられる。   An organic layer 127 is formed on the pixel electrode 125. The organic layer 127 includes at least a light emitting layer formed of an organic material, and functions as a light emitting portion of the light emitting element 130. The organic layer 127 includes various layers such as the hole injection layer and / or the hole transport layer, the electron injection layer, and / or the electron transport layer described in FIG. 2 in addition to the light emitting layer. The organic layer 127 is provided to cover the light emitting region. That is, the organic layer 127 is provided to cover the opening of the first insulating layer 126 and the opening of the first insulating layer 126 in the light emitting region.

なお、本実施形態では、所望の色の光を発する発光層を含む有機層127を設ける。また、本実施形態では、各画素電極125上には、異なる発光層を含む有機層127を形成することで、RGBの各色を表示する構成とする。本実施形態において、有機層の発光層は、隣接する画素電極125の間では不連続である。なお、有機層127は、公知の構造や公知の材料で形成することが可能であり、特に本実施形態の構成に限定されるものではない。   In the present embodiment, an organic layer 127 including a light emitting layer which emits light of a desired color is provided. Further, in the present embodiment, by forming the organic layer 127 including different light emitting layers on each pixel electrode 125, each color of RGB is displayed. In the present embodiment, the light emitting layer of the organic layer is discontinuous between the adjacent pixel electrodes 125. The organic layer 127 can be formed of a known structure or a known material, and is not particularly limited to the configuration of this embodiment.

有機層127上及び第1絶縁層126上に、対向電極128を形成する。対向電極128は、発光素子130を構成する陰極(カソード)として機能する。本実施形態の表示装置100は、トップエミッション型であるため、対向電極128は透明電極を用いる。透明電極を構成する薄膜は、MgAg薄膜、もしくは、ITOやIZOなどの材料を用いた透明導電層を用いる。対向電極128は、画素109R、画素109G、及び画素109B間を跨いで第1絶縁層126上にも設けられる。対向電極128は、表示部103の端部付近の周辺領域において、下層の導電層を介して外部端子へと電気的に接続される。上述したように、本実施形態において、発光素子130は、第1絶縁層126から露出した画素電極125の一部(アノード)、有機層(発光部)及び対向電極128(カソード)によって構成される。   The counter electrode 128 is formed on the organic layer 127 and the first insulating layer 126. The counter electrode 128 functions as a cathode (cathode) which constitutes the light emitting element 130. The display device 100 according to the present embodiment is a top emission type, and thus the counter electrode 128 uses a transparent electrode. The thin film which comprises a transparent electrode uses a transparent conductive layer using materials, such as a MgAg thin film or ITO and IZO. The counter electrode 128 is also provided on the first insulating layer 126 across the pixel 109R, the pixel 109G, and the pixel 109B. The counter electrode 128 is electrically connected to the external terminal through the lower conductive layer in the peripheral region in the vicinity of the end portion of the display portion 103. As described above, in the present embodiment, the light emitting element 130 is configured by a part (anode) of the pixel electrode 125 exposed from the first insulating layer 126, the organic layer (the light emitting portion) and the counter electrode 128 (the cathode). .

次に、図4に示すように、画素109R、画素109G、及び画素109Bにおいて、各々の発光素子上に、光路長調整膜151、及び光路長調整膜154を形成する。光路長調整膜151、及び光路長調整膜154を形成する材料は、例えば、酸化シリコン(SiO2)などの無機絶縁材料を用いて形成することができる。図4では、各々の発光素子上に、二つの層の光路長調整膜を形成する例を示したが、各々の発光素子上に形成される光路長調整膜は、一つの層であってもよいし、三つ以上の層であってもよい。 Next, as shown in FIG. 4, in the pixel 109R, the pixel 109G, and the pixel 109B, the optical path length adjusting film 151 and the optical path length adjusting film 154 are formed on each light emitting element. The material for forming the optical path length adjustment film 151 and the optical path length adjustment film 154 can be formed using, for example, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ). Although FIG. 4 shows an example in which the optical path length adjusting film of two layers is formed on each light emitting element, the optical path length adjusting film formed on each light emitting element may be one layer. It may be three or more layers.

次に、図5に示すように、表示部103上に、有機絶縁層132、及び無機絶縁層133を形成する。有機絶縁層132、及び無機絶縁層133は、発光素子130に水や酸素が侵入することを防止するための封止膜として機能する。表示部103上に封止膜を設けることにより、発光素子130に水や酸素が侵入することを防止して、表示装置の信頼性を向上させることができる。無機絶縁層133を形成する材料は、例えば、窒化シリコン(SixNy)、酸化窒化シリコン(SiOxNy)、窒化酸化シリコン(SiNxOy)、酸化アルミニウム(AlxOy)、窒化アルミニウム(AlxNy)、酸化窒化アルミニウム(AlxOyNz))、窒化酸化アルミニウム(AlxNyOz)などを用いることができる(x、y、zは任意)。また、有機絶縁層132を形成する材料は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂などを用いることができる。なお、有機絶縁層132の膜厚は、1μm以上であって20μm以下程度とする。無機絶縁層133の膜厚は、0.1μm以上であって3μm以下程度とする。   Next, as illustrated in FIG. 5, the organic insulating layer 132 and the inorganic insulating layer 133 are formed over the display portion 103. The organic insulating layer 132 and the inorganic insulating layer 133 function as sealing films for preventing water and oxygen from entering the light emitting element 130. By providing the sealing film over the display portion 103, entry of water or oxygen into the light emitting element 130 can be prevented, and the reliability of the display device can be improved. The material for forming the inorganic insulating layer 133 is, for example, silicon nitride (SixNy), silicon oxynitride (SiOxNy), silicon nitride oxide (SiNxOy), aluminum oxide (AlxOy), aluminum nitride (AlxNy), aluminum oxynitride (AlxOyNz). And aluminum nitride oxide (AlxNyOz), etc. can be used (x, y, z are arbitrary). As a material for forming the organic insulating layer 132, a polyimide resin, an acrylic resin, an epoxy resin, a silicon resin, a fluorine resin, a siloxane resin, or the like can be used. Note that the thickness of the organic insulating layer 132 is 1 μm or more and approximately 20 μm or less. The thickness of the inorganic insulating layer 133 is about 0.1 μm or more and about 3 μm or less.

次に、図6に示すように、無機絶縁層133上には、粘着層135によって対向基板102が貼り合わされる。粘着層135を形成する材料は、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系、ウレタン系の粘着材を用いることができる。また、粘着層135は、カルシウムやゼオライトなどの吸水物質が含まれていてもよい。粘着層135に吸水物質が含まれることにより、表示装置100の内部に水分が侵入した場合であっても、発光素子130に水分が到達することを遅らせることができる。また、粘着層135には、スペーサが設けられてもよい。粘着層135にスペーサを設けることによって、第1基板101と対向基板102との間の間隙を確保することができる。なお、当該スペーサは粘着層135に混ぜられてもよいし、当該スペーサは第1基板101上に樹脂等により形成されてもよい。また、対向基板102を形成する材料は、第1基板101及び第2基板112で例示した材料と同じ材料を使用することができる。   Next, as shown in FIG. 6, the counter substrate 102 is attached to the inorganic insulating layer 133 by the adhesive layer 135. As a material for forming the adhesive layer 135, for example, an acrylic, rubber, silicone, or urethane adhesive material can be used. In addition, the adhesive layer 135 may contain a water absorbing substance such as calcium or zeolite. By containing a water absorbing substance in the adhesive layer 135, even when water intrudes into the display device 100, the water can be delayed from reaching the light emitting element 130. In addition, the adhesive layer 135 may be provided with a spacer. By providing the adhesive layer 135 with a spacer, a gap between the first substrate 101 and the counter substrate 102 can be secured. Note that the spacer may be mixed in the adhesive layer 135, or the spacer may be formed of resin or the like on the first substrate 101. In addition, as a material for forming the counter substrate 102, the same material as the material exemplified for the first substrate 101 and the second substrate 112 can be used.

対向基板102には、例えば、平坦化を兼ねてオーバーコート層が設けられてもよい。また、有機層が白色光を発光する場合、対向基板102には、主面(第1基板101に対向する面)にRGBの各色のそれぞれに対応するカラーフィルタが設けられてもよい。また、RGBの各色のそれぞれに対応するカラーフィルタ間には、ブラックマトリクスが設けられていてもよい。なお、対向基板102側にカラーフィルタを形成しない場合、例えば、封止膜上に直接カラーフィルタを形成し、その上から粘着層135を形成すればよい。また、対向基板102の裏面(表示面側)には、偏光板138が設けられている。   For example, an overcoat layer may be provided on the counter substrate 102 in order to achieve planarization. Further, when the organic layer emits white light, a color filter corresponding to each color of RGB may be provided on the main surface (surface facing the first substrate 101) on the opposite substrate 102. In addition, a black matrix may be provided between color filters corresponding to each of the RGB colors. Note that in the case where the color filter is not formed on the counter substrate 102 side, for example, the color filter may be formed directly on the sealing film, and the adhesive layer 135 may be formed thereon. In addition, a polarizing plate 138 is provided on the back surface (display surface side) of the counter substrate 102.

2−3.表示装置の端部の構成
図7及び図8は、図1に示した表示部103のA3−A4線に沿った断面の構成を示す図である。図7及び図8では、表示部103の端部と、周辺領域110の断面を示す。また、図7及び図8は、走査信号線駆動回路104の回路要素の一部が示されている。
2-3. Configuration of End of Display Device FIGS. 7 and 8 are diagrams showing the configuration of a cross section along line A3-A4 of the display unit 103 shown in FIG. 7 and 8 show cross sections of the end portion of the display unit 103 and the peripheral region 110. FIG. 7 and 8 show part of the circuit elements of the scanning signal line drive circuit 104. FIG.

図7に示すとおり、本実施形態の周辺領域110では、層間絶縁層122の上にカソード配線142が積層される。カソード配線142は、周辺領域110に形成される端子107に接続される。カソード配線142の上にはコンタクト電極131が積層される。コンタクト電極131は、カソード配線142及び対向電極128を電気的に接続する。コンタクト電極131の上には対向電極128が積層される。対向電極128の上には、光路長調整膜151および光路長調整膜154、または、光路長調整膜154が積層される。光路長調整膜154の上には有機絶縁層132が積層される。有機絶縁層132の上には無機絶縁層133が積層される。なお、図8においては、図4と同様に、各々の発光素子の上には、二つの層の光路長調整膜を形成する例を示したが、各々の発光素子上に形成される光路長調整膜は、一つの層であってもよいし、三つ以上の層であってもよい。   As shown in FIG. 7, in the peripheral region 110 of the present embodiment, the cathode wiring 142 is stacked on the interlayer insulating layer 122. The cathode wiring 142 is connected to the terminal 107 formed in the peripheral region 110. The contact electrode 131 is stacked on the cathode wire 142. The contact electrode 131 electrically connects the cathode wiring 142 and the counter electrode 128. The counter electrode 128 is stacked on the contact electrode 131. The optical path length adjusting film 151 and the optical path length adjusting film 154 or the optical path length adjusting film 154 are stacked on the counter electrode 128. The organic insulating layer 132 is stacked on the optical path length adjusting film 154. An inorganic insulating layer 133 is stacked on the organic insulating layer 132. Although FIG. 8 shows an example in which optical path length adjusting films of two layers are formed on each light emitting element as in FIG. 4, the optical path length formed on each light emitting element is shown. The adjustment film may be one layer or three or more layers.

本実施形態の周辺領域110は、無機絶縁層133及び光路長調整膜154が接触し、周辺領域110の端部を封止する封止領域140を有する。封止領域140においては、層間絶縁層122の上に平坦化膜123が積層される。平坦化膜123の上には、保護膜124が積層される。保護膜124の上には、第1絶縁層126が積層される。第1絶縁層126の上には、光路長調整膜154が積層される。光路長調整膜154の上には無機絶縁層133が積層される。   The peripheral region 110 of the present embodiment is in contact with the inorganic insulating layer 133 and the optical path length adjusting film 154, and has a sealing region 140 for sealing the end of the peripheral region 110. In the sealing region 140, the planarization film 123 is stacked on the interlayer insulating layer 122. A protective film 124 is stacked on the planarization film 123. The first insulating layer 126 is stacked on the protective film 124. An optical path length adjusting film 154 is stacked on the first insulating layer 126. An inorganic insulating layer 133 is stacked on the optical path length adjusting film 154.

ここで、例えば、有機絶縁層132は、インクジェットで形成される。しかし、有機絶縁層132がインクジェットで形成されるとき、有機絶縁層132が、図面の右方向(A3からA4に向かう方向)に流れてしまい、周辺領域110の端部を封止する封止領域140が形成されない可能性がある。封止領域が形成されない場合、例えば、本発明の一実施形態に係る表示装置100の周辺部から水分が侵入し、発光素子130を劣化させてしまう可能性がある。封止領域140に第1絶縁層126が形成されることによって、第1絶縁層126は、有機絶縁層132が図面の右方向(A3からA4に向かう方向)に流れるのを防ぐ土手の役割をすることができる。本実施形態では、第1絶縁層126の上にさらに光路長調整膜154が形成されることによって、土手が二重となり、土手の高さをさらに高くすることができる。したがって、有機絶縁層132が図面の右方向(A3からA4に向かう方向)に流れるのを防止する効果を高めることができる。   Here, for example, the organic insulating layer 132 is formed by inkjet. However, when the organic insulating layer 132 is formed by inkjet, the organic insulating layer 132 flows in the right direction (direction from A3 to A4) in the drawing, and a sealing region that seals the end of the peripheral region 110 140 may not be formed. When the sealing region is not formed, for example, moisture may infiltrate from the peripheral portion of the display device 100 according to an embodiment of the present invention, and the light emitting element 130 may be degraded. By forming the first insulating layer 126 in the sealing region 140, the first insulating layer 126 functions as a bank that prevents the organic insulating layer 132 from flowing in the right direction (direction from A3 to A4) in the drawing. can do. In the present embodiment, the optical path length adjusting film 154 is further formed on the first insulating layer 126, so that the bank becomes double, and the height of the bank can be further increased. Therefore, the effect of preventing the organic insulating layer 132 from flowing in the right direction (the direction from A3 to A4) in the drawing can be enhanced.

本実施形態において、光路長調整膜154の端部は、保護膜124の上に形成される。よって、光路長調整膜154の端部は、保護膜124、光路長調整膜154、及び無機絶縁層133が積層されるように形成される。保護膜124、光路長調整膜154、及び無機絶縁層133は、いずれも、無機絶縁材料を用いて形成されるため、同種の材料による層間の密着性を向上させることができる。   In the present embodiment, the end of the optical path length adjustment film 154 is formed on the protective film 124. Therefore, the end of the optical path length adjustment film 154 is formed such that the protective film 124, the optical path length adjustment film 154, and the inorganic insulating layer 133 are stacked. The protective film 124, the optical path length adjusting film 154, and the inorganic insulating layer 133 are all formed using an inorganic insulating material, so that the adhesion between the layers of the same material can be improved.

また、無機絶縁層133及び保護膜124は、前述のとおり、水分や酸素に対するバリア機能を有する窒化シリコン膜や酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いて形成される。本実施形態の積層方法によると、外周が無機絶縁層133及び保護膜124で覆われる。したがって、図面の上方向(無機絶縁層133から第2基板112に向かう方向)から、及び、右方向から(A4側から)の水や酸素の侵入を防止することできる。   Further, as described above, the inorganic insulating layer 133 and the protective film 124 are formed using an inorganic insulating material such as a silicon nitride film having a barrier function against moisture or oxygen or aluminum oxide. According to the laminating method of the present embodiment, the outer periphery is covered with the inorganic insulating layer 133 and the protective film 124. Therefore, it is possible to prevent the entry of water and oxygen from the upper direction (the direction from the inorganic insulating layer 133 toward the second substrate 112) and the right direction (from the A4 side) in the drawing.

以上説明したように、本発明の一実施形態では、光の干渉における光が強め合う条件において、各色を発光する発光素子の次数mを調整することによって、視野角が広い範囲で各色を合成したときの白色発光の輝度を保ち、かつ、視野角が広い範囲で各色を合成したときの白色発光の色変化を抑制することができる。具体的には、赤色を発光する発光素子の次数mR、および、緑色を発光する発光素子の次数mGの少なくとも一方を、青色を発光する発光素子の次数mBよりも大きくすることによって、青色を発光する発光素子の輝度視野角を、赤色を発光する発光素子の輝度視野角、および、緑色を発光する発光素子の輝度視野角よりも相対的に広くすることができる。また、青色を発光する発光素子の輝度視野角が広くなることによって、各色の有機EL材料を発光させて合成したときの白色発光の輝度視野角の広い範囲において、色変化を少なくすることができる。   As described above, in one embodiment of the present invention, each color is synthesized in a wide range of viewing angles by adjusting the order m of the light emitting elements that emit each color under the condition that light in interference of light strengthens each other It is possible to maintain the luminance of white light emission at the time, and to suppress the color change of the white light emission when each color is synthesized in a wide range of the viewing angle. Specifically, blue is emitted by setting at least one of the order mR of the light emitting element emitting red and the order mG of the light emitting element emitting green to be larger than the order mB of the light emitting element emitting blue The luminance viewing angle of the light emitting element can be made relatively wider than the luminance viewing angle of the light emitting element that emits red light and the luminance viewing angle of the light emitting element that emits green light. Further, by widening the luminance viewing angle of the light emitting element emitting blue light, color change can be reduced in a wide range of the luminance viewing angle of white light emission when light emitting and synthesizing each color organic EL material .

したがって、本発明によって、視野角が広い範囲で輝度が保たれ、かつ、視野角が広い範囲で色変化が少ない有機EL表示装置を提供することができる。   Therefore, according to the present invention, it is possible to provide an organic EL display device in which the luminance is maintained in a wide range of the viewing angle and the color change is small in the wide range of the viewing angle.

3.第2実施形態
本実施形態では、第1実施形態とは画素の配列が異なる例について、図8及び図9を参照し、説明する。なお、第1実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
3. Second Embodiment In this embodiment, an example in which the arrangement of pixels is different from that of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 8 and 9. The description of the same configuration as that of the first embodiment may be omitted.

図8は、表示部103に設けられる画素の一部を示す図である。1つの画素が4つの画素で構成され、当該4つの画素がx方向に2行、y方向に2列の正方に配列されている。当該4つの画素は、赤色の画素109R、緑色の画素109G、青色の画素109B1、及び青色の画素109B2である。なお、図8において、赤色の画素109R、緑色の画素109G、青色の画素109B1、及び青色の画素109B2として示している箇所は、発光素子の発光領域である。   FIG. 8 is a diagram showing a part of the pixels provided in the display unit 103. As shown in FIG. One pixel is composed of four pixels, and the four pixels are arranged in two rows in the x direction and in two columns in the y direction. The four pixels are a red pixel 109R, a green pixel 109G, a blue pixel 109B1, and a blue pixel 109B2. Note that in FIG. 8, portions shown as a red pixel 109R, a green pixel 109G, a blue pixel 109B1, and a blue pixel 109B2 are light emitting regions of light emitting elements.

また、図8に示すB1−B2線に沿った発光素子の断面図は、図2に示す発光素子の断面図と同様であるため、図示を省略する。なお、図8における青色の画素109B1、及び青色の画素109B2は図2における青色の画素109Bの構造と同じである。   Moreover, since the cross-sectional view of the light emitting element along the B1-B2 line shown in FIG. 8 is the same as the cross-sectional view of the light emitting element shown in FIG. Note that the blue pixel 109B1 and the blue pixel 109B2 in FIG. 8 have the same structure as the blue pixel 109B in FIG.

一般的に、有機EL表示装置において、青色の画素の発光素子の劣化は、赤色の画素の発光素子、及び緑色の画素の発光素子の劣化よりも速い。図8に示すように、一つの画素が、二つの青色の画素を有する場合、青色の画素の数が一つの場合の輝度は、二つの青色の画素のそれぞれの輝度を加算することで実現すればよいため、二つの青色の画素のそれぞれを発光させるためのエネルギーは、青色の画素の数が一つである場合の該一つの画素を発光させるためのエネルギーよりも小さくなる。よって、青色の画素の発光素子が劣化する速度を遅くすることができる。   Generally, in the organic EL display device, the deterioration of the light emitting element of the blue pixel is faster than the deterioration of the light emitting element of the red pixel and the light emitting element of the green pixel. As shown in FIG. 8, when one pixel has two blue pixels, the luminance when the number of blue pixels is one is realized by adding the respective luminances of the two blue pixels. As long as the number of blue pixels is one, the energy for causing each of the two blue pixels to emit light is smaller than the energy for causing the one pixel to emit light. Therefore, the speed at which the light emitting element of the blue pixel is deteriorated can be reduced.

図9は、表示部103に設けられる画素の一部を示す図である。図10は、所謂、ダイヤモンドペンタイル配列と呼ばれる構造を示している。ダイヤモンドペンタイル配列においては、一つの画素は、二つの赤色の画素(赤色の画素109R1、赤色の画素109R2)と、4つの緑色の画素(緑色の画素109G1、緑色の画素109G2、緑色の画素109G3、緑色の画素109G4)と、二つの青色の画素(青色の画素109B1、青色の画素109B2)を有している。なお、図9において、赤色の画素109R1、赤色の画素109R2、緑色の画素109G1、緑色の画素109G2、緑色の画素109G3、緑色の画素109G4、青色の画素109B1、及び青色の画素109B2として示している箇所は、発光素子の発光領域である。   FIG. 9 is a diagram showing a part of the pixels provided in the display unit 103. As shown in FIG. FIG. 10 shows a structure called a so-called diamond pen tile array. In the diamond pen tile array, one pixel includes two red pixels (red pixel 109R1 and red pixel 109R2) and four green pixels (green pixel 109G1, green pixel 109G2 and green pixel 109G3). , Green pixels 109G4) and two blue pixels (blue pixels 109B1 and blue pixels 109B2). In FIG. 9, the red pixel 109R1, the red pixel 109R2, the green pixel 109G1, the green pixel 109G2, the green pixel 109G3, the green pixel 109G4, the blue pixel 109B1, and the blue pixel 109B2 are shown. The portion is a light emitting region of the light emitting element.

次に、図9のC1−C2に沿った発光素子の断面の構成は、図2に示す発光素子の断面図と同様であるため、説明を省略する。図9における赤色の画素109R1及び赤色の画素109R2の構造の構造は図2における赤色の画素109Rの構造と同じである。また、図9における緑色の画素109G1、緑色の画素109G2、緑色の画素109G3、及び緑色の画素109G4の構造は図2における緑色の画素109Gの構造と同じである。さらに、図9における青色の画素109B1の構造及び青色の画素109B2の構造は図2における青色の画素109Bの構造と同じである。   Next, the configuration of the cross section of the light emitting element along C1-C2 in FIG. 9 is the same as the cross sectional view of the light emitting element shown in FIG. The structure of the red pixel 109R1 and the red pixel 109R2 in FIG. 9 is the same as that of the red pixel 109R in FIG. Further, the structure of the green pixel 109G1, the green pixel 109G2, the green pixel 109G3 and the green pixel 109G4 in FIG. 9 is the same as the structure of the green pixel 109G in FIG. Furthermore, the structure of the blue pixel 109B1 and the structure of the blue pixel 109B2 in FIG. 9 are the same as the structure of the blue pixel 109B in FIG.

ペンタイル配列を採用することで、ストライプ配列と比較して、劣化速度が速い青色の画素の数を少なくすることができる。よって、本発明によって、表示装置の表示品質の低下を抑制することができる。   By adopting the pen tile array, the number of blue pixels having a high deterioration rate can be reduced as compared with the stripe array. Therefore, according to the present invention, deterioration in display quality of the display device can be suppressed.

本実施形態で説明した画素の配列においても、実施形態1と同様に、光の干渉における光が強め合う条件において、各色を発光する発光素子の次数mを調整することによって、視野角が広い範囲で各色を合成したときの白色発光の輝度を保ち、かつ、視野角が広い範囲で各色を合成したときの白色発光の色変化を抑制することができる。   Also in the arrangement of the pixels described in this embodiment, as in the first embodiment, the range of the wide viewing angle is obtained by adjusting the order m of the light emitting elements emitting the respective colors under the condition that light in light interference strengthens each other. Thus, it is possible to maintain the luminance of white light emission when each color is synthesized, and to suppress the color change of the white light emission when each color is synthesized in a wide viewing angle range.

したがって、本発明によって、視野角が広い範囲で輝度が保たれ、かつ、視野角が広い範囲で色変化が少ない有機EL表示装置を提供することができる。   Therefore, according to the present invention, it is possible to provide an organic EL display device in which the luminance is maintained in a wide range of the viewing angle and the color change is small in the wide range of the viewing angle.

4.第3実施形態
本実施形態では、第1実施形態とは、発光素子の構造が異なる例について、図10を参照し、説明する。具体的には、本実施形態では、対向電極上にも光路長調整膜を設ける例を説明する。対向電極上にも光路長調整膜を設けることで、本発明の一実施形態における表示装置は、対向電極上に光が干渉する構造を備えることができる。なお、第1実施形態または第2実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
4. Third Embodiment In the present embodiment, an example in which the structure of the light emitting element is different from that of the first embodiment will be described with reference to FIG. Specifically, in the present embodiment, an example in which the optical path length adjustment film is provided also on the counter electrode will be described. By providing the optical path length adjustment film also on the counter electrode, the display device in an embodiment of the present invention can have a structure in which light interferes on the counter electrode. The description of the same configuration as that of the first embodiment or the second embodiment may be omitted.

図10は、赤色の画素109R、緑色の画素109G、及び青色の画素109Bのそれぞれにおいて、光路長調整膜の厚さが変わっている点が、図2と異なる。それ以外の点は、図10と図2で同じであるから、説明は省略する。   FIG. 10 is different from FIG. 2 in that the thickness of the optical path length adjustment film is changed in each of the red pixel 109R, the green pixel 109G, and the blue pixel 109B. The other points are the same in FIG. 10 and FIG. 2, so the description will be omitted.

本実施形態では、発光素子130R、発光素子130G、及び発光素子130B上に設けられた光路長調整膜151の上に、さらに、光路長調整膜152、及び光路長調整膜153が設けられる。光路長調整膜152、及び光路長調整膜153を形成する材料は、例えば、一般的な有機材料、又は、ITOなどの透明導電性材料が用いられる。なお、光路長調整膜151、光路長調整膜152、及び光路長調整膜153を形成する材料は、同じ材料、特に、同じ屈折率を有する材料で形成されることが好ましい。光路長調整膜151、光路長調整膜152、及び光路長調整膜153の屈折率は、例えば、1.6〜2.6であることが好ましい。   In the present embodiment, an optical path length adjustment film 152 and an optical path length adjustment film 153 are further provided on the light path length adjustment film 151 provided on the light emitting element 130R, the light emitting element 130G, and the light emitting element 130B. As a material for forming the optical path length adjusting film 152 and the optical path length adjusting film 153, for example, a general organic material or a transparent conductive material such as ITO is used. The materials for forming the optical path length adjusting film 151, the optical path length adjusting film 152, and the optical path length adjusting film 153 are preferably formed of the same material, in particular, a material having the same refractive index. The refractive index of the optical path length adjustment film 151, the optical path length adjustment film 152, and the optical path length adjustment film 153 is preferably, for example, 1.6 to 2.6.

光路長調整膜の膜厚は、各色によって最適な膜厚が異なっている。例えば、画素109Rにおける光路長調整膜の膜厚をT1、画素109Gにおける光路長調整膜の膜厚をT2、及び画素109Bにおける光路長調整膜の膜厚をT3とする場合、それぞれの膜厚の関係が、T1>T2>T3を満たすようにする。本実施形態では、光路長調整膜151、光路長調整膜152、及び光路長調整膜153を用いて、T1>T2>T3を満たすように、各色の画素における光路長調整膜の膜厚を調整する。   The optimum film thickness of the optical path length adjusting film differs depending on the color. For example, when the film thickness of the optical path length adjusting film in the pixel 109R is T1, the film thickness of the optical path length adjusting film in the pixel 109G is T2, and the film thickness of the optical path length adjusting film in the pixel 109B is T3, Let the relationship satisfy T1> T2> T3. In the present embodiment, using the optical path length adjusting film 151, the optical path length adjusting film 152, and the optical path length adjusting film 153, the film thickness of the optical path length adjusting film in pixels of each color is adjusted to satisfy T1> T2> T3. Do.

具体的には、光路長調整膜151は、発光素子130R、発光素子130G、発光素子130Bと重なるように形成される。また、光路長調整膜152は、光路長調整膜151上に設けられ、発光素子130R及び発光素子130Gと重なるように形成される。また、光路長調整膜153は、光路長調整膜151及び光路長調整膜152上に設けられ、発光素子130R及び発光素子130Bと重なるように形成される。   Specifically, the optical path length adjustment film 151 is formed to overlap the light emitting element 130R, the light emitting element 130G, and the light emitting element 130B. The optical path length adjustment film 152 is provided on the optical path length adjustment film 151, and is formed to overlap the light emitting element 130R and the light emitting element 130G. The optical path length adjustment film 153 is provided on the optical path length adjustment film 151 and the optical path length adjustment film 152, and is formed to overlap the light emitting element 130R and the light emitting element 130B.

なお、図10において、光路長調整膜151、光路長調整膜152、及び光路長調整膜153は、この順番で積層される例を示しているが、本発明における光路長調整膜の積層順序はこの例に限定されない。光路長調整膜151、光路長調整膜152、及び光路長調整膜153の積層順序は、適宜変更することができる。   Although FIG. 10 shows an example in which the optical path length adjusting film 151, the optical path length adjusting film 152, and the optical path length adjusting film 153 are stacked in this order, the stacking order of the optical path length adjusting films in the present invention is It is not limited to this example. The stacking order of the optical path length adjustment film 151, the optical path length adjustment film 152, and the optical path length adjustment film 153 can be changed as appropriate.

本発明の一実施形態において、光の干渉における光が強め合う条件において、各色を発光する発光素子の次数mを調整することによって、視野角が広い範囲で各色を合成したときの白色発光の輝度を保ち、かつ、視野角が広い範囲で各色を合成したときの白色発光の色変化を抑制することができる。具体的には、赤色を発光する発光素子の次数mR、および、緑色を発光する発光素子の次数mGの少なくとも一方を、青色を発光する発光素子の次数mBよりも大きくすることによって、青色を発光する発光素子の輝度視野角を、赤色を発光する発光素子の輝度視野角、および、緑色を発光する発光素子の輝度視野角よりも相対的に広くすることができる。また、青色を発光する発光素子の輝度視野角が広くなることによって、各色の有機EL材料を発光させて合成したときの白色発光の輝度視野角の広い範囲において、色変化を少なくすることができる。   In one embodiment of the present invention, the brightness of white light emission when each color is synthesized in a wide range of viewing angle by adjusting the order m of the light emitting elements emitting the respective colors under the condition that light in interference of light strengthens each other. And the color change of white light emission when each color is synthesized in a wide range of the viewing angle can be suppressed. Specifically, blue is emitted by setting at least one of the order mR of the light emitting element emitting red and the order mG of the light emitting element emitting green to be larger than the order mB of the light emitting element emitting blue The luminance viewing angle of the light emitting element can be made relatively wider than the luminance viewing angle of the light emitting element that emits red light and the luminance viewing angle of the light emitting element that emits green light. Further, by widening the luminance viewing angle of the light emitting element emitting blue light, color change can be reduced in a wide range of the luminance viewing angle of white light emission when light emitting and synthesizing each color organic EL material .

また、本発明の一実施形態では、対向電極上にも光路長調整膜光を設ける。対向電極上にも光路長調整膜光を設けることによって、本発明の一実施形態における表示装置は、画素電極と対向電極の間における光が干渉する構造と、対向電極上における光が干渉する構造とを備えることができる。本発明の一実施形態における表示装置は、光が干渉する構造を二つ備えることによって、各色から最も強い光を取り出せる効率をさらに高めることができる。   Further, in one embodiment of the present invention, the optical path length adjusting film light is provided also on the counter electrode. By providing the optical path length adjusting film light also on the counter electrode, the display device in one embodiment of the present invention has a structure in which the light between the pixel electrode and the counter electrode interferes, and a structure in which the light on the counter electrode interferes. And can be provided. The display device in one embodiment of the present invention can further enhance the efficiency of extracting the strongest light from each color by providing two light interference structures.

5.第4実施形態
本実施形態では、第1実施形態とは、発光素子の構造が異なる例について、図11を参照し、説明する。具体的には、本実施形態では、各色の発光素子において、電子ブロッキング層の膜厚を変える例を説明する。なお、第1実施形態乃至第3実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
5. Fourth Embodiment In the present embodiment, an example in which the structure of the light emitting device is different from that of the first embodiment will be described with reference to FIG. Specifically, in this embodiment, an example in which the film thickness of the electron blocking layer is changed in the light emitting element of each color will be described. The description of the same configuration as that of the first to third embodiments may be omitted.

図11は、赤色の画素109R、緑色の画素109G、及び青色の画素109Bのそれぞれにおいて、正孔輸送層の厚さは同じで、電子ブロッキング層の厚さが変わっている点が、図2と異なる。それ以外の点は、図11と図2で同じであるから、説明は省略する。   11 shows that, in each of the red pixel 109R, the green pixel 109G, and the blue pixel 109B, the thickness of the hole transport layer is the same, and the thickness of the electron blocking layer is changed. It is different. The other points are the same as in FIG. 11 and FIG.

正孔注入層161上に、正孔輸送層162aが設けられている。上述したとおり、正孔輸送層162aの厚さは、色の画素109R、緑色の画素109G、及び青色の画素109Bのそれぞれにおいて、同じである。正孔輸送層162aの上には、電子ブロッキング層が、3回に分けて形成される。第1に、電子ブロッキング層163aが、画素109Bに設けられる。第2に、電子ブロッキング層163bが、画素109Rが形成される領域に設けられる。第3に、電子ブロッキング層163cが、画素109Gが形成される領域に設けられる。電子ブロッキング層を、3回に分けて形成することによって、電子ブロッキング層の膜厚を、発光素子130R、発光素子130G、発光素子130Bの色ごとに変えることができる。よって、発光素子の色ごとに光路長を調整することができる。したがって、光路長に合致した波長の光のみを共振させて強調し、光路長がずれた波長の光を弱めることができる。よって、外部に取り出される光のスペクトルが高強度になり、輝度と色純度が向上する。画素109Rの電子ブロッキング層の厚さは、画素109Gの電子ブロッキング層の厚さ、及び画素109Bの電子ブロッキング層の厚さよりも厚い。画素109Gの電子ブロッキング層163の厚さは、画素109Bの電子ブロッキング層の厚さよりも厚い。   A hole transport layer 162 a is provided on the hole injection layer 161. As described above, the thickness of the hole transport layer 162a is the same in each of the color pixel 109R, the green pixel 109G, and the blue pixel 109B. On the hole transport layer 162a, the electron blocking layer is formed in three divided steps. First, the electron blocking layer 163a is provided in the pixel 109B. Second, the electron blocking layer 163b is provided in the region where the pixel 109R is formed. Third, the electron blocking layer 163c is provided in the region where the pixel 109G is formed. By forming the electron blocking layer in three times, the thickness of the electron blocking layer can be changed for each color of the light emitting element 130R, the light emitting element 130G, and the light emitting element 130B. Therefore, the optical path length can be adjusted for each color of the light emitting element. Therefore, it is possible to resonate and emphasize only the light of the wavelength matching the optical path length, and weaken the light of the wavelength whose optical path length is shifted. Therefore, the spectrum of light extracted to the outside becomes high in intensity, and the luminance and the color purity are improved. The thickness of the electron blocking layer of the pixel 109R is thicker than the thickness of the electron blocking layer of the pixel 109G and the thickness of the electron blocking layer of the pixel 109B. The thickness of the electron blocking layer 163 of the pixel 109G is thicker than the thickness of the electron blocking layer of the pixel 109B.

本発明の一実施形態において、有機層127Rは、正孔注入層161、正孔輸送層162a、電子ブロッキング層163b、発光層164R、正孔ブロッキング層165、電子輸送層166、及び電子注入層167を有する。有機層127Gは、正孔注入層161、正孔輸送層162a、電子ブロッキング層163c、発光層164G、正孔ブロッキング層165、電子輸送層166、及び電子注入層167を有する。有機層127Bは、正孔注入層161、正孔輸送層162a、電子ブロッキング層163a、発光層164B、正孔ブロッキング層165、電子輸送層166、及び電子注入層167を有する。   In one embodiment of the present invention, the organic layer 127R includes the hole injection layer 161, the hole transport layer 162a, the electron blocking layer 163b, the light emitting layer 164R, the hole blocking layer 165, the electron transport layer 166, and the electron injection layer 167. Have. The organic layer 127G includes a hole injection layer 161, a hole transport layer 162a, an electron blocking layer 163c, a light emitting layer 164G, a hole blocking layer 165, an electron transport layer 166, and an electron injection layer 167. The organic layer 127B includes a hole injection layer 161, a hole transport layer 162a, an electron blocking layer 163a, a light emitting layer 164B, a hole blocking layer 165, an electron transport layer 166, and an electron injection layer 167.

以上説明したとおり、本発明の一実施形態において、各色を発光する発光素子によって、電子ブロッキング層の厚さを変えることによって、光の干渉における光が強め合う条件を調整することができる。さらに、光の干渉における光が強め合う条件において、各色を発光する発光素子の次数mを調整することによって、視野角が広い範囲で各色を合成したときの白色発光の輝度を保ち、かつ、視野角が広い範囲で各色を合成したときの白色発光の色変化を抑制することができる。   As described above, in the embodiment of the present invention, by changing the thickness of the electron blocking layer according to the light emitting element emitting light of each color, it is possible to adjust the condition in which light in light interference strengthens. Further, by adjusting the order m of the light emitting element emitting each color under the condition that the light intensifies each other in the light interference, the luminance of the white emission when each color is combined in the wide range of the viewing angle is maintained. It is possible to suppress the color change of white light emission when each color is synthesized in a wide range of angles.

6.第5実施形態
本実施形態では、第1実施形態とは、発光素子の構造が異なる例について、図12を参照し、説明する。具体的には、本実施形態では、本実施形態では、各色の発光素子において、画素電極を二層構造とする例を説明する。なお、第1実施形態乃至第4実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
6. Fifth Embodiment In the present embodiment, an example in which the structure of the light emitting element is different from that of the first embodiment will be described with reference to FIG. Specifically, in the present embodiment, an example in which the pixel electrode has a two-layer structure in the light emitting element of each color will be described in this embodiment. The description of the same configuration as that of the first to fourth embodiments may be omitted.

図12は、赤色の画素109R、緑色の画素109G、及び青色の画素109Bのそれぞれにおいて、画素電極が二層構造になっている点が、図2と異なる。それ以外の点は、図12と図2で同じであるから、説明は省略する。   12 is different from FIG. 2 in that the pixel electrode has a two-layer structure in each of the red pixel 109R, the green pixel 109G, and the blue pixel 109B. The other points are the same in FIG. 12 and FIG. 2, so the description will be omitted.

発光素子130R、発光素子130G、発光素子130Bの構成について詳細に説明する。画素109R、画素109G、画素109Bのそれぞれには、画素電極が設けられている。すなわち、画素電極は、画素ごとに設けられている。画素電極は、画素電極125a、及び画素電極125bの二つの層が積層された構造を有する。画素電極125aは、画素109R、画素109G、画素109Bに共通に形成される。また、画素電極125aは、反射性を有する材料で形成される。画素電極125b、画素電極125c、及び画素電極125dは、透明導電性材料で形成される。   The structures of the light emitting element 130R, the light emitting element 130G, and the light emitting element 130B will be described in detail. A pixel electrode is provided for each of the pixel 109R, the pixel 109G, and the pixel 109B. That is, the pixel electrode is provided for each pixel. The pixel electrode has a structure in which two layers of a pixel electrode 125a and a pixel electrode 125b are stacked. The pixel electrode 125a is formed commonly to the pixel 109R, the pixel 109G, and the pixel 109B. Further, the pixel electrode 125a is formed of a reflective material. The pixel electrode 125b, the pixel electrode 125c, and the pixel electrode 125d are formed of a transparent conductive material.

当該透明導電性材料料は、当該反射性を有する材料と比較して透過率が高い。例えば、透明導電性材料の透過率は90%以上であり、反射性を有する材料の透過性は5%以下である。   The transparent conductive material has a high transmittance as compared to the reflective material. For example, the transmittance of the transparent conductive material is 90% or more, and the transmittance of the reflective material is 5% or less.

透明導電性材料で形成される画素電極は、3回に分けて形成される。第1に、画素電極125bが、画素109Bに設けられる。第2に、画素電極125cが、画素109Gが形成される領域に設けられる。第3に、画素電極125dが、画素109Rが形成される領域に設けられる。透明導電性材料で形成される画素電極を、3回に分けて形成することによって、透明導電性材料で形成される画素電極の膜厚を、発光素子130R、発光素子130G、発光素子130Bの色ごとに変えることができる。よって、発光素子の色ごとに光路長を調整することができる。したがって、光路長に合致した波長の光のみを共振させて強調し、光路長がずれた波長の光を弱めることができる。よって、外部に取り出される光のスペクトルが高強度になり、輝度と色純度が向上する。画素109Rの画素電極125dの厚さは、画素109Gの画素電極125cの厚さ、及び画素109Bの画素電極125bの厚さよりも厚い。画素109Gの画素電極125cの厚さは、画素109Bの画素電極125bの厚さよりも厚い。なお、画素電極125b、画素電極125c、及び画素電極125dを形成する順番は、ここで説明した順番に限定されない。表示装置の仕様や用途に合わせて、適宜決定すればよい。   The pixel electrode formed of a transparent conductive material is formed in three steps. First, the pixel electrode 125b is provided in the pixel 109B. Second, the pixel electrode 125c is provided in the region where the pixel 109G is formed. Third, the pixel electrode 125d is provided in the region where the pixel 109R is formed. By forming the pixel electrode formed of a transparent conductive material in three times, the film thickness of the pixel electrode formed of a transparent conductive material can be changed to the color of the light emitting element 130R, the light emitting element 130G, and the light emitting element 130B. It can change every time. Therefore, the optical path length can be adjusted for each color of the light emitting element. Therefore, it is possible to resonate and emphasize only the light of the wavelength matching the optical path length, and weaken the light of the wavelength whose optical path length is shifted. Therefore, the spectrum of light extracted to the outside becomes high in intensity, and the luminance and the color purity are improved. The thickness of the pixel electrode 125d of the pixel 109R is thicker than the thickness of the pixel electrode 125c of the pixel 109G and the thickness of the pixel electrode 125b of the pixel 109B. The thickness of the pixel electrode 125c of the pixel 109G is thicker than the thickness of the pixel electrode 125b of the pixel 109B. Note that the order in which the pixel electrode 125b, the pixel electrode 125c, and the pixel electrode 125d are formed is not limited to the order described here. It may be determined appropriately in accordance with the specification and application of the display device.

以上説明したとおり、本発明の一実施形態において、各色を発光する発光素子によって、画素電極の厚さを変えることによって、光の干渉における光が強め合う条件を調整することができる。さらに、光の干渉における光が強め合う条件において、各色を発光する発光素子の次数mを調整することによって、視野角が広い範囲で各色を合成したときの白色発光の輝度を保ち、かつ、視野角が広い範囲で各色を合成したときの白色発光の色変化を抑制することができる。   As described above, in the embodiment of the present invention, by changing the thickness of the pixel electrode by the light emitting element that emits each color, it is possible to adjust the condition in which light in the light interference intensifies. Further, by adjusting the order m of the light emitting element emitting each color under the condition that the light intensifies each other in the light interference, the luminance of the white emission when each color is combined in the wide range of the viewing angle is maintained. It is possible to suppress the color change of white light emission when each color is synthesized in a wide range of angles.

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。   The embodiments described above as the embodiments of the present invention can be implemented in combination as appropriate as long as they do not contradict each other. In addition, those in which a person skilled in the art appropriately adds, deletes or changes the design of components based on the display device of each embodiment or those in which steps are added, omitted or conditions changed are also included in the present invention. As long as it comprises the gist, it is included in the scope of the present invention.

本明細書においては、開示例として主に有機EL表示装置を例示した。他の開示例として、光の共振効果を利用したマイクロキャビティ構造を利用することができる自発光型表示装置が挙げられる。例えば、無機EL、LEDなどの自発光型表示装置が挙げられる。また、本発明の実施形態として上述した各実施形態は、中小型の表示装置から大型の表示装置まで、特に限定することなく適用が可能である。   In the present specification, the organic EL display is mainly illustrated as a disclosed example. Another disclosed example is a self-luminous display device that can utilize a microcavity structure that utilizes the resonance effect of light. For example, a self-luminous display device such as an inorganic EL or an LED can be mentioned. In addition, each embodiment described above as the embodiment of the present invention can be applied without particular limitation from the small-sized display device to the large-sized display device.

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に、本発明によりもたらされるものと解される。   Even if other effects or effects different from the effects brought about by the aspects of the above-described embodiments are apparent from the description of the present specification or those which can be easily predicted by those skilled in the art, it is natural. Is understood to be provided by the present invention.

100:表示装置、101:第1基板、102:対向基板、103:表示部、104:走査信号線駆動回路、105:走査信号線、107:端子、108:フレキシブルプリント基板、109R:画素、109R1:画素、109R2:画素、109B:画素、109B1:画素、109B2:画素、109G:画素、109G1:画素、109G2:画素、109G3:画素、109G4:画素、110:周辺領域、112:第2基板、113:下地膜、114:半導体層、115:ゲート絶縁膜、116:ゲート電極、117:ドレイン電極、118:ドレイン電極、120:トランジスタ、122:層間絶縁層、123:平坦化膜、124:保護膜、125:画素電極、125a:画素電極、125b:画素電極、125c:画素電極、125d:画素電極、126:第1絶縁層、127:有機層、127R:有機層、127G:有機層、127B:有機層、128:対向電極、130:発光素子、130R:発光素子、130G:発光素子、130B:発光素子、131:コンタクト電極、132:有機絶縁層、133:無機絶縁層、135:粘着層、138:偏光板、140:封止領域、142:カソード配線、151:光路長調整膜、152:光路長調整膜、153:光路長調整膜、154:光路長調整膜、161:正孔注入層、162a:正孔輸送層、162b:正孔輸送層、162c:正孔輸送層、163:電子ブロッキング層、163a:電子ブロッキング層、163b:電子ブロッキング層、163c:電子ブロッキング層、164R:発光層、164G:発光層、164B:発光層、165:正孔ブロッキング層、166:電子輸送層、167:電子注入層 100: display device, 101: first substrate, 102: counter substrate, 103: display portion, 104: scanning signal line drive circuit, 105: scanning signal line, 107: terminal, 108: flexible printed circuit, 109R: pixel, 109R1 : Pixel, 109R2: pixel, 109B: pixel, 109B1: pixel, 109B2: pixel, 109G: pixel, 109G1: pixel, 109G2: pixel, 109G3: pixel, 109G4: pixel, 110: peripheral region, 112: second substrate, 113: base film, 114: semiconductor layer, 115: gate insulating film, 116: gate electrode, 117: drain electrode, 118: drain electrode, 120: transistor, 122: interlayer insulating layer, 123: planarization film, 124: protection Film 125: pixel electrode 125a: pixel electrode 125b: pixel electrode 125c: pixel electrode 125d: pixel electrode 126: first insulating layer 127: organic layer 127R: organic layer 127G: organic layer 127B: organic layer 128: counter electrode 130: light emitting element 130R: light emitting element 130G: light emission Element 130 B: Light emitting element 131: Contact electrode 132: Organic insulating layer 133: Inorganic insulating layer 135: Adhesive layer 138: Polarizing plate 140: Sealing area 142: Cathode wiring 151: Adjustment of optical path length Film 152: optical path length adjusting film 153: optical path length adjusting film 154: optical path length adjusting film 161: hole injection layer 162 a: hole transport layer 162 b: hole transport layer 162 c: hole transport layer , 163: electron blocking layer, 163a: electron blocking layer, 163b: electron blocking layer, 163c: electron blocking layer, 164R: light emitting layer, 164G: emission Layer, 164B: luminescent layer, 165: hole blocking layer, 166: electron transport layer, 167: electron injection layer

Claims (17)

発光素子が設けられた表示部を有し、
前記発光素子は、トランジスタと電気的に接続される第1電極と、前記第1電極上に設けられた発光層と、前記第1電極と前記発光層との間に設けられた複数の層と、前記発光層上に設けられた第2電極とを含み、
前記複数の層の個数をkとし、前記複数の層の各層の屈折率をそれぞれni、前記各層の膜厚をそれぞれdi、前記発光素子が発光する色の光の波長をλ、前記各層の界面反射による位相シフトとオフセット長さとを加算した長さをa、iを1からkまでの自然数、次数mを0以上の整数とした場合、
Figure 2019096428
であって、
前記発光素子は、赤色で発光する第1発光素子と、緑色で発光する第2発光素子と、青色で発光する第3発光素子と、を含み、
前記第1発光素子における前記次数mと前記第2発光素子における前記次数mの少なくとも一方は、前記第3発光素子における前記次数mよりも大きい、
表示装置。
And a display portion provided with a light emitting element,
The light emitting element includes a first electrode electrically connected to a transistor, a light emitting layer provided on the first electrode, and a plurality of layers provided between the first electrode and the light emitting layer. And a second electrode provided on the light emitting layer,
The number of the plurality of layers is k, the refractive index of each layer of the plurality of layers is ni, the film thickness of each layer is di, the wavelength of light of the color emitted by the light emitting element is λ, the interface of the layers Assuming that the length obtained by adding the phase shift due to reflection and the offset length is a, i is a natural number from 1 to k, and the order m is an integer of 0 or more,
Figure 2019096428
And
The light emitting element includes a first light emitting element that emits red light, a second light emitting element that emits green light, and a third light emitting element that emits blue light,
At least one of the order m in the first light emitting element and the order m in the second light emitting element is larger than the order m in the third light emitting element
Display device.
前記第2発光素子における前記次数mと、前記第3発光素子における前記次数mとは、同じである、請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the order m in the second light emitting element and the order m in the third light emitting element are the same. 前記第1発光素子におけるΣdiは、前記第3発光素子におけるΣdiよりも150nm以上大きい、請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein Σdi in the first light emitting element is larger by 150 nm or more than Σdi in the third light emitting element. 前記第2発光素子におけるΣdiは、前記第3発光素子におけるΣdiよりも120nm以上大きい、請求項3に記載の表示装置。   The display device according to claim 3, wherein Σdi in the second light emitting element is larger by 120 nm or more than Σdi in the third light emitting element. 前記第1電極は、第1層と第2層から構成され、前記第2層は前記第1層と比較して透過率が高い、請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the first electrode comprises a first layer and a second layer, and the second layer has a higher transmittance than the first layer. 前記第1発光素子における第1電極と発光層との距離と、前記第2発光素子における第1電極と発光層との距離と、前記第3発光素子における第1電極と発光層との距離とは、前記第2層の厚さの分異なる、請求項5に記載の表示装置。   The distance between the first electrode and the light emitting layer in the first light emitting element, the distance between the first electrode and the light emitting layer in the second light emitting element, and the distance between the first electrode and the light emitting layer in the third light emitting element The display device according to claim 5, which differs by the thickness of the second layer. 前記第1発光素子における第1電極と発光層との距離と、前記第2発光素子における第1電極と発光層との距離と、前記第3発光素子における第1電極と発光層との距離とは、前記複数の層のうちのいずれか一層の厚さの分異なる、請求項1に記載の表示装置。   The distance between the first electrode and the light emitting layer in the first light emitting element, the distance between the first electrode and the light emitting layer in the second light emitting element, and the distance between the first electrode and the light emitting layer in the third light emitting element The display device according to claim 1, which differs in thickness of any one of the plurality of layers. 発光素子が設けられた表示部を有し、
前記発光素子は、トランジスタと電気的に接続される第1電極と、前記第1電極上に設けられた発光層と、前記第1電極と前記発光層との間に設けられた複数の層と、前記発光層上に設けられた第2電極とを含み、
前記発光素子は、赤色で発光する第1発光素子と、緑色で発光する第2発光素子と、青色で発光する第3発光素子と、を含み、
前記複数の層の個数をkとし、前記複数の層の各層の膜厚をそれぞれdi、iを1からkまでの自然数とした場合、
前記第1発光素子におけるΣdiは、前記第3発光素子におけるΣdiよりも150nm以上大きく、
前記第1発光素子におけるΣdiは、前記第1発光素子が発光する赤色の光を強める距離であって、かつ、前記第3発光素子におけるΣdiは、前記第3発光素子が発光する青色の光を強める距離である
表示装置。
And a display portion provided with a light emitting element,
The light emitting element includes a first electrode electrically connected to a transistor, a light emitting layer provided on the first electrode, and a plurality of layers provided between the first electrode and the light emitting layer. And a second electrode provided on the light emitting layer,
The light emitting element includes a first light emitting element that emits red light, a second light emitting element that emits green light, and a third light emitting element that emits blue light,
Assuming that the number of the plurality of layers is k, the thickness of each layer of the plurality of layers is di, and i is a natural number from 1 to k,
Σdi in the first light emitting element is larger by 150 nm or more than Σdi in the third light emitting element;
.SIGMA.di in the first light emitting element is a distance that enhances red light emitted by the first light emitting element, and .SIGMA.di in the third light emitting element is blue light emitted by the third light emitting element A display that is a distance to strengthen.
前記第2発光素子におけるΣdiは、前記第3発光素子におけるΣdiよりも120nm以上大きい、請求項8に記載の表示装置。   The display device according to claim 8, wherein Σdi in the second light emitting element is larger by 120 nm or more than Σdi in the third light emitting element. 前記第1電極は、第1層と第2層から構成され、前記第2層は前記第1層と比較して透過率が高い、請求項8に記載の表示装置。   The display device according to claim 8, wherein the first electrode comprises a first layer and a second layer, and the second layer has a higher transmittance than the first layer. 前記第1発光素子における第1電極と発光層との距離と、前記第2発光素子における第1電極と発光層との距離と、前記第3発光素子における第1電極と発光層との距離とは、前記第2層の厚さ分異なる、請求項10に記載の表示装置。   The distance between the first electrode and the light emitting layer in the first light emitting element, the distance between the first electrode and the light emitting layer in the second light emitting element, and the distance between the first electrode and the light emitting layer in the third light emitting element The display device according to claim 10, which differs by the thickness of the second layer. 前記第1発光素子における第1電極と発光層との距離と、前記第2発光素子における第1電極と発光層との距離と、前記第3発光素子における第1電極と発光層との距離とは、前記複数の層のうちのいずれか一層の厚さの分異なる、請求項8に記載の表示装置。   The distance between the first electrode and the light emitting layer in the first light emitting element, the distance between the first electrode and the light emitting layer in the second light emitting element, and the distance between the first electrode and the light emitting layer in the third light emitting element The display device according to claim 8, which differs by the thickness of any one of the plurality of layers. 発光素子が設けられた表示部を有し、
前記発光素子は、トランジスタと電気的に接続される第1電極と、前記第1電極上に設けられた発光層と、前記第1電極と前記発光層との間に設けられた有機層と、前記発光層上に設けられた第2電極とを含み、
前記発光素子は、赤色で発光する第1発光素子と、緑色で発光する第2発光素子と、青色で発光する第3発光素子と、を含み、
前記第1発光素子における前記有機層の厚さは、前記第3発光素子における前記有機層の厚さよりも150nm以上大きい表示装置。
And a display portion provided with a light emitting element,
The light emitting element includes a first electrode electrically connected to a transistor, a light emitting layer provided on the first electrode, and an organic layer provided between the first electrode and the light emitting layer. And a second electrode provided on the light emitting layer,
The light emitting element includes a first light emitting element that emits red light, a second light emitting element that emits green light, and a third light emitting element that emits blue light,
The display device in which the thickness of the organic layer in the first light emitting element is larger by 150 nm or more than the thickness of the organic layer in the third light emitting element.
前記発光層で発光する光は、前記第1電極で反射する成分を含み、
前記有機層の厚さは、前記成分と前記光の他の成分とが強め合う大きさである、請求項13に記載の表示装置。
The light emitted from the light emitting layer includes a component reflected by the first electrode,
The display device according to claim 13, wherein the thickness of the organic layer is a size in which the component and the other component of the light reinforce each other.
前記第2発光素子における前記有機層の厚さは、前記第3発光素子における前記有機層の厚さよりも120nm以上大きい、請求項13又は請求項14に記載の表示装置。   The display device according to claim 13, wherein a thickness of the organic layer in the second light emitting element is larger by 120 nm or more than a thickness of the organic layer in the third light emitting element. 前記有機層は複数の層からなり、
前記複数の層のうちの一層の厚さが、前記第1発光素子と前記第2発光素子と前記第3発光素子とで異なる、請求項13から請求項15の何れか1項に記載の表示装置。
The organic layer comprises a plurality of layers,
The display according to any one of claims 13 to 15, wherein a thickness of one layer of the plurality of layers is different in the first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element. apparatus.
前記複数の層は、正孔注入層と正孔輸送層とを含み、
前記一層は正孔輸送層である。請求項16に記載の表示装置。
The plurality of layers include a hole injection layer and a hole transport layer,
The one layer is a hole transport layer. The display device according to claim 16.
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