JP2018196089A - Sensing element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、誘電体の誘電特性をセンシングするセンシング素子に関する。 The present invention relates to a sensing element that senses the dielectric characteristics of a dielectric.
近年、メタマテリアルでよく用いられる分割リング共振器と伝送線路を結合させた構造により、誘電体の誘電特性を高感度にセンシングする技術が提案されている。分割リング共振器は、一部にギャップ（隙間）を有するリング形状の金属パターンから構成されている。分割リング共振器では、リング形状の金属パターン（以下、「リング部」ということがある）が誘導成分Ｌ、ギャップを挾んで互いに対向する金属パターンが容量成分Ｃとして機能する。分割リング共振器は、リング部に周回電流が励起され、ギャップに電界が集中するＬＣ共振モードを有している。メタマテリアルデバイスでは、一般に、上記の共振モードを用いてメタマテリアル特有の現象を実現している。 In recent years, there has been proposed a technique for sensing the dielectric characteristics of a dielectric with high sensitivity by using a structure in which a split ring resonator often used in metamaterials and a transmission line are coupled. The split ring resonator is composed of a ring-shaped metal pattern having a gap (gap) in part. In the split ring resonator, a ring-shaped metal pattern (hereinafter sometimes referred to as a “ring portion”) functions as an inductive component L, and a metal pattern facing each other across a gap functions as a capacitive component C. The split ring resonator has an LC resonance mode in which a circular current is excited in the ring portion and an electric field is concentrated in the gap. In the metamaterial device, generally, a phenomenon specific to the metamaterial is realized by using the above-described resonance mode.
メタマテリアルのセンシング応用においては、分割リング共振器を微細に形成することによって、波長に比べて非常に小さい領域に電界を集中できるため、分割リング共振器のギャップにおいて誘電体の誘電特性をセンシングする技術が研究されている。例えば非特許文献１では、図９に示す構成が開示されている。この構造では、分割リング共振器５０１のギャップ部５０２とは反対側に伝送線路５０３を配置し、分割リング共振器５０１に伝送線路５０３を電磁的に結合する。また、分割リング共振器５０１のギャップ５０２の近傍に流路５２１を設け、流路５２１にセンシング対象の液体を導入し、導入した液体の誘電特性をセンシングする領域としている。 In metamaterial sensing applications, by forming the split ring resonator finely, the electric field can be concentrated in a very small area compared to the wavelength, so the dielectric characteristics of the dielectric are sensed in the gap of the split ring resonator. Technology is being researched. For example, Non-Patent Document 1 discloses the configuration shown in FIG. In this structure, the transmission line 503 is disposed on the side opposite to the gap portion 502 of the split ring resonator 501, and the transmission line 503 is electromagnetically coupled to the split ring resonator 501. Further, a flow path 521 is provided in the vicinity of the gap 502 of the split ring resonator 501, and a liquid to be sensed is introduced into the flow path 521, and a dielectric property of the introduced liquid is sensed.
このセンシング素子において、分割リング共振器５０１のＬＣ共振周波数と一致した信号を伝送線路５０３に流し、分割リング共振器５０１のギャップ５０２に電界を集中させ、高感度に液体の誘電特性をセンシングしている。なお、分割リング共振器５０１および伝送線路５０３は、基板５１１の上に形成されている。また、伝送線路５０３と、基板５１１の裏面（ただし、分割リング共振器５０１およびその近傍に対する領域を除く）に形成された金属層５０６とにより、マイクロストリップラインが構成されている。 In this sensing element, a signal that matches the LC resonance frequency of the split ring resonator 501 is passed through the transmission line 503, the electric field is concentrated in the gap 502 of the split ring resonator 501, and the dielectric property of the liquid is sensed with high sensitivity. Yes. The split ring resonator 501 and the transmission line 503 are formed on the substrate 511. Further, a microstrip line is configured by the transmission line 503 and the metal layer 506 formed on the back surface of the substrate 511 (however, excluding the region corresponding to the split ring resonator 501 and the vicinity thereof).
上述したセンシング素子の高感度化のためには、分割リング共振器と伝送線路とからなるセンシング素子の共振ピーク強度および共振のＱ値（Quality factor）が大きい程良い。しかしながら、非特許文献１のような従来構造の場合、基板厚が薄く誘電率が低い基板を用いると、共振ピーク強度および共振のＱ値を大きくすることは容易ではない。また、分割リング共振器が形成されている基板の面の反対側にセンシング対象がある場合、基板の誘電率が低く、基板が薄い程良い。しかし、非特許文献１のような従来構造の場合、誘電率が低く基板厚が薄い基板を用いると、共振ピーク強度およびＱ値が大きく低下してしまう。 In order to increase the sensitivity of the sensing element described above, it is better that the resonance peak intensity and the resonance Q value (Quality factor) of the sensing element including the split ring resonator and the transmission line are larger. However, in the case of a conventional structure such as Non-Patent Document 1, if a substrate having a thin substrate thickness and a low dielectric constant is used, it is not easy to increase the resonance peak intensity and the resonance Q value. Also, when the sensing object is on the opposite side of the surface of the substrate on which the split ring resonator is formed, it is better that the substrate has a lower dielectric constant and a thinner substrate. However, in the case of a conventional structure such as Non-Patent Document 1, if a substrate having a low dielectric constant and a thin substrate thickness is used, the resonance peak intensity and the Q value are greatly reduced.
例えば、図９に示す従来の構成において、基板５１１を市販されている低誘電率基板（基板の厚さ１２７μｍ、比誘電率２．３）から構成した場合を例に説明する。この場合、伝送線路透過特性（Ｓ２１）を電磁界シミュレーションにより計算すると、図１０に示すように、共振周波数ｆにおいて、伝送線路透過率が低下する結果となる。なお、図９に示す各部分の寸法は、Ａ＝２ｍｍ，Ｂ＝２ｍｍ，ｍ＝０．３８ｍｍ，ｓ＝０．０２５ｍｍ，ｗ＝０．１ｍｍ，ｇ＝０．１ｍｍである。また、平面視で分割リング共振器５０１が配置されている領域近傍の基板５１１の裏面には、金属層５０６が形成されていない。 For example, in the conventional configuration shown in FIG. 9, the case where the substrate 511 is configured from a commercially available low dielectric constant substrate (substrate thickness 127 μm, relative dielectric constant 2.3) will be described as an example. In this case, when the transmission line transmission characteristic (S21) is calculated by electromagnetic field simulation, the transmission line transmittance is reduced at the resonance frequency f as shown in FIG. In addition, the dimension of each part shown in FIG. 9 is A = 2mm, B = 2mm, m = 0.38mm, s = 0.025mm, w = 0.1mm, g = 0.1mm. Further, the metal layer 506 is not formed on the back surface of the substrate 511 in the vicinity of the region where the split ring resonator 501 is disposed in plan view.
図１０に示す結果から、共振ピーク強度（透過率が低下する度合い）は−３．５３ｄＢ、Ｑ値は６．５となっており、非特許文献１で報告されている値に比べても大きく劣化している状態がわかる。ここで、Ｑ値はｆ0／Δｆで定義され、ｆ0は共振周波数、Δｆは共振ピーク強度に対する３ｄＢ帯域幅である。 From the results shown in FIG. 10, the resonance peak intensity (the degree to which the transmittance decreases) is −3.53 dB, and the Q value is 6.5, which is larger than the value reported in Non-Patent Document 1. You can see the state of deterioration. Here, the Q value is defined by f 0 / Δf, where f 0 is the resonance frequency and Δf is the 3 dB bandwidth with respect to the resonance peak intensity.
以上に説明したように、伝送線路と電磁的に結合した分割リング共振器を用いた従来のセンシング素子では、センシングの感度を高くすることが容易ではないという問題があった。 As described above, the conventional sensing element using the split ring resonator electromagnetically coupled to the transmission line has a problem that it is not easy to increase the sensitivity of sensing.
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、分割リング共振器を用いたセンシング素子におけるセンシング感度をより容易に向上できるようにすることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to more easily improve the sensing sensitivity in a sensing element using a split ring resonator.
本発明に係るセンシング素子は、基板の上に形成された、一部にギャップを有する金属パターンからなる分割リング共振器と、分割リング共振器と電磁的に結合する伝送線路と、誘電特性を検出するためのセンシング領域とを備え、分割リング共振器は、平面視多角形に形成された配線パターンを有し、ギャップは、配線パターンが形成する多角形の複数の辺のうち一の辺に形成され、伝送線路は、分割リング共振器のギャップを含む一の辺以外の辺のうち少なくとも２辺において電磁的に結合する。 A sensing element according to the present invention detects a dielectric property by forming a split ring resonator formed of a metal pattern having a gap in a part formed on a substrate, a transmission line electromagnetically coupled to the split ring resonator, and The split ring resonator has a wiring pattern formed in a polygon in plan view, and the gap is formed on one side of the plurality of sides of the polygon formed by the wiring pattern. The transmission line is electromagnetically coupled on at least two sides other than one side including the gap of the split ring resonator.
上記センシング素子において、伝送線路は、分割リング共振器のギャップを含む一の辺以外の辺のうち少なくとも２辺と平行に配置されていればよい。 In the sensing element, the transmission line may be arranged in parallel to at least two sides other than one side including the gap of the split ring resonator.
上記センシング素子において、伝送線路のうち、分割リング共振器の配線パターンが形成する多角形の複数の辺のうち、互いに隣接しない２辺においてそれぞれ電磁的に結合する部分の間の長さは、伝送線路における分割リング共振器の共振周波数の波長を２で除した値の奇数倍の長さとなっているとよい。 In the above sensing element, the length between the portions of the transmission line that are electromagnetically coupled to each other on the two sides that are not adjacent to each other among the plurality of sides of the polygon formed by the wiring pattern of the split ring resonator is the transmission line. The length is preferably an odd multiple of the value obtained by dividing the wavelength of the resonance frequency of the split ring resonator in the line by 2.
上記センシング素子において、分割リング共振器は、平面視矩形に形成された配線パターンを有し、伝送線路は、分割リング共振器のギャップが設けられた辺に隣接する２つの辺において分割リング共振器と電磁的に結合していればよい。 In the sensing element, the split ring resonator has a wiring pattern formed in a rectangular shape in plan view, and the transmission line has split ring resonators on two sides adjacent to the side where the gap of the split ring resonator is provided. As long as they are electromagnetically coupled.
上記センシング素子において、伝送線路を構成する金属配線は、基板の分割リング共振器が配置されている面と同一の面に形成されていてもよく、伝送線路を構成する金属配線は、基板の分割リング共振器が配置されている面の反対側の面に形成されていてもよい。 In the sensing element, the metal wiring constituting the transmission line may be formed on the same surface as the surface on which the split ring resonator of the substrate is disposed, and the metal wiring constituting the transmission line is divided from the substrate. You may form in the surface on the opposite side to the surface where the ring resonator is arrange | positioned.
上記センシング素子において、基板は、複数の誘電体層と金属配線層からなる多層基板であり、分割リング共振器は、多層基板のいずれかの金属配線層に形成され、伝送線路を構成する金属配線は、分割リング共振器が形成されている金属配線層とは異なる他の金属配線層に形成されている。 In the sensing element, the substrate is a multilayer substrate composed of a plurality of dielectric layers and a metal wiring layer, and the split ring resonator is formed on one of the metal wiring layers of the multilayer substrate and constitutes a transmission line. Are formed in another metal wiring layer different from the metal wiring layer in which the split ring resonator is formed.
上記センシング素子において、さらに、分割リング共振器のギャップおよびその近傍領域に設けられ、ギャップまたはその近傍にセンシング対象となる流体が流れる流路を規定する構造体を有するようにしてもよい。 The sensing element may further include a structure that is provided in the gap of the split ring resonator and in the vicinity thereof, and that defines a flow path in which the fluid to be sensed flows in the gap or in the vicinity thereof.
以上説明したように、本発明によれば、伝送線路は、分割リング共振器のギャップを含む一の辺以外の辺のうち少なくとも２辺において電磁的に結合するようにしたので、分割リング共振器を用いたセンシング素子におけるセンシング感度をより容易に向上させることができるという優れた効果が得られる。 As described above, according to the present invention, the transmission line is electromagnetically coupled on at least two sides other than one side including the gap of the split ring resonator. An excellent effect is obtained that the sensing sensitivity of the sensing element using can be improved more easily.
以下、本発明の実施の形態におけるセンシング素子ついて図１を参照して説明する。このセンシング素子は、分割リング共振器１０１、伝送線路１０３、センシング領域１０４を備える。 Hereinafter, a sensing element according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This sensing element includes a split ring resonator 101, a transmission line 103, and a sensing region 104.
分割リング共振器１０１は、基板１１１の上に形成されている。基板１１１は、誘電体（絶縁体）から構成すればよい。また、分割リング共振器１０１は、一部にギャップ１０２を有する金属パターンから構成されている。分割リング共振器１０１は、平面視多角形に形成された配線パターンを有する。ギャップは１０２、上記配線パターンが形成する多角形の複数の辺のうち一の辺に形成されている。伝送線路１０３は、分割リング共振器１０１と電磁的に結合する。センシング領域１０４は、誘電特性を検出するための領域である。これらは、従来と同様である。 The split ring resonator 101 is formed on the substrate 111. The substrate 111 may be made of a dielectric (insulator). The split ring resonator 101 is formed of a metal pattern having a gap 102 in part. The split ring resonator 101 has a wiring pattern formed in a polygon in plan view. The gap 102 is formed on one side of a plurality of polygonal sides formed by the wiring pattern. The transmission line 103 is electromagnetically coupled to the split ring resonator 101. The sensing area 104 is an area for detecting dielectric characteristics. These are the same as before.
実施の形態においては、伝送線路１０３は、分割リング共振器１０１のギャップ１０２を含む一の辺以外の辺のうち少なくとも２辺において電磁的に結合する。例えば、伝送線路１０３は、分割リング共振器１０１のギャップ１０２を含む一の辺以外の辺のうち少なくとも２辺と平行に配置されている。例えば、分割リング共振器１０１は、平面視矩形に形成された配線パターンを有し、伝送線路１０３は、分割リング共振器１０１のギャップ１０２が設けられた辺に隣接する２つの辺において分割リング共振器１０１と電磁的に結合する。 In the embodiment, the transmission line 103 is electromagnetically coupled on at least two sides among the sides other than the one side including the gap 102 of the split ring resonator 101. For example, the transmission line 103 is arranged in parallel with at least two sides among the sides other than the one side including the gap 102 of the split ring resonator 101. For example, the split ring resonator 101 has a wiring pattern formed in a rectangular shape in plan view, and the transmission line 103 has split ring resonance on two sides adjacent to the side where the gap 102 of the split ring resonator 101 is provided. Electromagnetically coupled to the vessel 101.
また、実施の形態におけるセンシング素子において、伝送線路１０３のうち、分割リング共振器１０１の配線パターンが形成する多角形の複数の辺のうち、互いに隣接しない２辺においてそれぞれ電磁的に結合する部分の間の伝送線路は、遅延線として作用する。遅延線１０５は、図１において、グレーで示す部分である。例えば、遅延線１０５は、位相制御のため、伝送線路１０３における分割リング共振器１０１の共振周波数の波長を２で除した値の奇数倍の長さとなっていればよい。遅延線１０５は、伝送線路１０３の一部で構成し、分割リング共振器１０１の一辺と結合してからもう一辺と結合するまでの遅延線長Ｌaddが、「Ｌadd＝λL／２＋ｎλL （ｎ＝０，１，２，３，・・・）」となっていればよい。なお、λLは、伝送線路１０３における共振周波数の信号の伝送線路内信号波長である。 Further, in the sensing element according to the embodiment, of the transmission line 103, the portions of the plurality of polygonal sides formed by the wiring pattern of the split ring resonator 101 that are electromagnetically coupled on two sides that are not adjacent to each other. The transmission line in between acts as a delay line. The delay line 105 is a portion shown in gray in FIG. For example, the delay line 105 may have a length that is an odd multiple of a value obtained by dividing the wavelength of the resonance frequency of the split ring resonator 101 in the transmission line 103 by 2 for phase control. The delay line 105 is constituted by a part of the transmission line 103, and the delay line length L add from coupling with one side of the split ring resonator 101 to coupling with the other side is “L add = λ L / 2 + nλ L. (N = 0, 1, 2, 3,...) ”. Note that λ L is the signal wavelength in the transmission line of the signal having the resonance frequency in the transmission line 103.
上述した実施の形態におけるセンシング素子の、分割リング共振器１０１および伝送線路１０３における共振ピーク強度の、Ｌadd依存性を電磁界シミュレーションにより解析した結果を図３に示す。図３において、Ｌaddは、共振周波数における伝送線路内信号波長λLにて規格化している。遅延線１０５の長さが（λL／２）の奇数倍、すなわち「Ｌadd＝λL／２＋ｎλL （ｎ＝０，１，２，３，・・・）」となるとき、図３に示すように、共振ピーク強度が極小となることがわかる。 FIG. 3 shows the result of analyzing the L add dependence of the resonance peak intensity in the split ring resonator 101 and the transmission line 103 of the sensing element in the above-described embodiment by electromagnetic field simulation. In FIG. 3, L add is normalized by the signal wavelength λ L in the transmission line at the resonance frequency. When the length of the delay line 105 is an odd multiple of (λ L / 2), that is, “L add = λ L / 2 + nλ L (n = 0, 1, 2, 3,...)”, FIG. As shown, it can be seen that the resonance peak intensity is minimized.
また、実施の形態におけるセンシング素子は、図２Ａ，図２Ｂ，図２Ｃ，図２Ｄにも示すように、基板１１１の裏面に、伝送線路１０３とマイクロストリップラインを構成するための金属層１０６を備える。なお、図２Ａは、図１のａａ’線の断面を示す。また、図２Ｂは、図１のｂｂ’線の断面を示す。また、図２Ｃは、図１のｃｃ’線の断面を示す。また、図２Ｄは、図１のｄｄ’線の断面を示す。 In addition, as shown in FIGS. 2A, 2B, 2C, and 2D, the sensing element in the embodiment includes a metal layer 106 for forming the transmission line 103 and the microstrip line on the back surface of the substrate 111. . 2A shows a cross section taken along the line aa ′ of FIG. FIG. 2B shows a cross section taken along line bb ′ of FIG. FIG. 2C shows a cross section taken along line cc ′ of FIG. FIG. 2D shows a cross section taken along the line dd ′ of FIG.
また、この例では、平面視で、分割リング共振器１０１が配置された領域およびその近傍の裏面には、金属層１０６が形成されていない。この構成とすることで、センシング領域１０４では、基板１１１の裏面側においても、対象とする液体のセンシングが可能となる。 In this example, the metal layer 106 is not formed on the region where the split ring resonator 101 is disposed and the back surface in the vicinity thereof in plan view. With this configuration, in the sensing region 104, the target liquid can be sensed also on the back surface side of the substrate 111.
なお、実施の形態におけるセンシング素子は、図２Ｅ，図２Ｆに示すように、センシング領域１０４において、ギャップ１０２の上部を通過する流路１２１を備える。流路１２１は、流路基板１２２に形成され、一端に導入口１２３を備え、他端に排出口１２４を備える。流路１２１は、例えば、分割リング共振器１０１のギャップ１０２が形成される辺に対し、垂直な方向にセンシング対象の液体を送液する。センシング対象の液体を、導入口１２３より流路１２１に導入し、センシング領域１０４において、液体の誘電特性をセンシングし、排出口１２４より排出する。このように、流路１２１を設ける場合、平面視で、分割リング共振器１０１の配置領域近傍の裏面にも、金属層１０６が形成されていてもよい。 2E and 2F, the sensing element in the embodiment includes a flow path 121 that passes above the gap 102 in the sensing region 104. The flow path 121 is formed in the flow path substrate 122 and includes an introduction port 123 at one end and a discharge port 124 at the other end. For example, the flow path 121 sends the liquid to be sensed in a direction perpendicular to the side where the gap 102 of the split ring resonator 101 is formed. The liquid to be sensed is introduced into the flow path 121 from the inlet 123, and the dielectric property of the liquid is sensed in the sensing region 104 and discharged from the outlet 124. Thus, when the flow path 121 is provided, the metal layer 106 may also be formed on the back surface in the vicinity of the arrangement region of the split ring resonator 101 in a plan view.
図４に、上述した実施の形態におけるセンシング素子の伝送線路透過特性について、Ｌadd＝λL／２の場合の電磁界シミュレーション結果を示す。なお、このシミュレーションでは、基板１１１は、板厚を１２７μｍ、比誘電率を２．３としている。また、図１に示す各部の寸法は、Ａ＝２ｍｍ，Ｂ＝２ｍｍ，ｍ＝０．３８ｍｍ，ｓ＝０．０２５ｍｍ，ｗ＝０．１ｍｍ，ｇ＝０．１ｍｍ、Ｌadd＝１３ｍｍとした。 FIG. 4 shows the electromagnetic field simulation result when L add = λ L / 2 for the transmission line transmission characteristics of the sensing element in the above-described embodiment. In this simulation, the substrate 111 has a plate thickness of 127 μm and a relative dielectric constant of 2.3. In addition, the dimensions of each part shown in FIG. 1 were set to A = 2 mm, B = 2 mm, m = 0.38 mm, s = 0.025 mm, w = 0.1 mm, g = 0.1 mm, and L add = 13 mm.
また、分割リング共振器１０１および伝送線路１０３が形成されている面と反対の基板１１１裏面に配置した材料のセンシングが可能なように、分割リング共振器１０１近傍の基板１１１裏面には、金属層１０６がない構造としている。図４に点線で示すように、実施の形態におけるセンシング素子によれば、図４に実線で示す従来構造のシミュレーション結果に比べて、共振ピーク強度が１８ｄＢ以上大きくなる。また、実施の形態におけるセンシング素子によれば、従来構造に比べて、共振のＱ値も８２と大きくなっていることが確認できる。 In addition, a metal layer is formed on the back surface of the substrate 111 in the vicinity of the split ring resonator 101 so that the material disposed on the back surface of the substrate 111 opposite to the surface on which the split ring resonator 101 and the transmission line 103 are formed can be sensed. A structure without 106 is used. As shown by the dotted line in FIG. 4, according to the sensing element in the embodiment, the resonance peak intensity is 18 dB or more larger than the simulation result of the conventional structure shown by the solid line in FIG. Further, according to the sensing element in the embodiment, it can be confirmed that the Q value of resonance is as large as 82 as compared with the conventional structure.
上述したように、厚さが１２７μｍと薄く、比誘電率が小さい基板１１１を用いることにより、分割リング共振器１０１のギャップ１０２に集中する電界が、基板１１１の裏側まで達しやすくなる。これにより、例えば、分割リング共振器１０１や伝送線路１０３などは、基板１１１の表面側に形成し、センシング対象が接触する領域は、基板１１１の裏面側に配置することによって両者を分離することができる。この結果、複雑な配線パターンの形成や部品の実装などを、基板１１１の表面にて実施することが容易になる。 As described above, by using the substrate 111 having a thin thickness of 127 μm and a small relative dielectric constant, the electric field concentrated on the gap 102 of the split ring resonator 101 can easily reach the back side of the substrate 111. Thereby, for example, the split ring resonator 101, the transmission line 103, and the like are formed on the front surface side of the substrate 111, and the region in contact with the sensing target can be separated by arranging on the back surface side of the substrate 111. it can. As a result, it becomes easy to form a complicated wiring pattern and mount components on the surface of the substrate 111.
以上に説明したように、分割リング共振器１０１の平面視多角形をなす配線パターンのうちギャップ１０２が設けられた辺以外の２つ以上の辺で、伝送線路１０３と分割リング共振器１０１とを結合するようにしたので、より高い結合状態が得られ、より大きなＱ値が得られ、より大きな共振ピーク強度が得られるようになる。この結果、センシング素子におけるセンシング感度をより容易に向上できるようになる。 As described above, the transmission line 103 and the split ring resonator 101 are connected to each other at two or more sides other than the side where the gap 102 is provided in the wiring pattern forming a polygon in plan view of the split ring resonator 101. Since the coupling is performed, a higher coupling state can be obtained, a larger Q value can be obtained, and a larger resonance peak intensity can be obtained. As a result, the sensing sensitivity in the sensing element can be improved more easily.
ところで、図５に示すように、連続する１つの伝送線路１０３を平面視でクランク状に形成し、互いに平行となる伝送線路１０３の間に３つの分割リング共振器１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃを設けてもよい。分割リング共振器１０１ａに対して、遅延線長Ｌadd1＝λL1／２＋ｎλL1の遅延線１０５ａを備える。分割リング共振器１０１ｂに対しては、遅延線長Ｌadd2＝λL2／２＋ｎλL2の遅延線１０５ｂを備える。分割リング共振器１０１ｃに対しては、遅延線長Ｌadd3＝λL2／２＋ｎλL2の遅延線１０５ｃを備える。また、ギャップ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃは、端部をＴ字状に形成することによって、相対する部分の長さを、リング部の配線幅より広くしている。ギャップにおけるギャップ幅および相対する部分の長さにより、共振周波数を調整することができる。 Incidentally, as shown in FIG. 5, one continuous transmission line 103 is formed in a crank shape in plan view, and three split ring resonators 101a, 101b, and 101c are provided between the transmission lines 103 that are parallel to each other. Also good. A delay line 105 a having a delay line length L add1 = λ L1 / 2 + nλ L1 is provided for the split ring resonator 101 a. For the split ring resonator 101b, a delay line 105b having a delay line length L add2 = λ L2 / 2 + nλ L2 is provided. For the split ring resonator 101c, a delay line 105c having a delay line length L add3 = λ L2 / 2 + nλ L2 is provided. In addition, the gaps 102a, 102b, and 102c are formed to have T-shaped ends so that the lengths of the opposing portions are wider than the wiring width of the ring portion. The resonance frequency can be adjusted by the gap width and the length of the opposing portions in the gap.
上述したように、１つの伝送線路１０３に、各々共振周波数の異なる分割リング共振器１０１ａ、分割リング共振器１０１ｂ、分割リング共振器１０１ｃを結合した場合の、伝送線路透過特性（Ｓ２１）の概念について、図６に示す。図６の（ａ）は、分割リング共振器１０１ａの共振ピークを示し、（ｂ）は、分割リング共振器１０１ｂの共振ピークを示し、（ｃ）は、分割リング共振器１０１ｃの共振ピークを示す。 As described above, the transmission line transmission characteristic (S21) concept when the split ring resonator 101a, the split ring resonator 101b, and the split ring resonator 101c having different resonance frequencies are coupled to one transmission line 103, respectively. As shown in FIG. 6A shows the resonance peak of the split ring resonator 101a, FIG. 6B shows the resonance peak of the split ring resonator 101b, and FIG. 6C shows the resonance peak of the split ring resonator 101c. .
分割リング共振器１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃの共振ピーク強度を極小とする、分割リング共振器１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃの共振周波数時における電磁波の伝送線路内波長をそれぞれλ1、λ2、λ3とすると、遅延線１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃの遅延線長Ｌaddは，それぞれ、「Ｌadd1＝λL1／２＋ｎλL1」、「Ｌadd2＝λL2／２＋ｎλL2」、「Ｌadd3=λL3／２＋ｎλL3」（ｎ＝０，１，２，…）とすれば良い。 When the wavelength in the transmission line of the electromagnetic wave at the resonance frequency of the split ring resonators 101a, 101b, and 101c is λ 1 , λ 2 , and λ 3 , respectively, where the resonance peak intensities of the split ring resonators 101a, 101b, and 101c are minimized. The delay line length L add of the delay lines 105a, 105b, 105c is “L add1 = λ L1 / 2 + nλ L1 ”, “L add2 = λ L2 / 2 + nλ L2 ”, “L add3 = λ L3 / 2 + nλ L3 ”, respectively. (N = 0, 1, 2,...)
上述したように、２つ以上の共振特性を任意の周波数において形成することで、センシング対象の誘電特性が、離散的ではあるが広帯域により高感度にセンシング可能となる。 As described above, by forming two or more resonance characteristics at an arbitrary frequency, the dielectric characteristic of the sensing target can be sensed with high sensitivity by a wide band although it is discrete.
なお、図７に示すように、基板２１１の上に、１つのギャップ２０２を共通とする２つの分割リング共振器２０１ａ、分割リング共振器２０１ｂを備えるようにしてもよい。伝送線路２０３は、分割リング共振器２０１ａ、分割リング共振器２０１ｂの周囲を囲うように形成する。なお、基板２１１の裏面には、金属層２０６が形成されている。金属層２０６は、平面視で、分割リング共振器２０１ａ、分割リング共振器２０１ｂの配置領域には、形成されていない。 As shown in FIG. 7, two split ring resonators 201 a and 201 b that share one gap 202 may be provided on the substrate 211. The transmission line 203 is formed so as to surround the split ring resonator 201a and the split ring resonator 201b. Note that a metal layer 206 is formed on the back surface of the substrate 211. The metal layer 206 is not formed in the arrangement region of the split ring resonator 201a and the split ring resonator 201b in plan view.
また、分割リング共振器と伝送線路（遅延線）とは、同一の面に形成されている必要はない。例えば、図８Ａ，図８Ｂ，図８Ｃに示すように、基板１１１の表面１１１ａに、分割リング共振器１０１が形成され、基板１１１の裏面１１１ｂ（分割リング共振器１０１が配置されている面の反対側の面）に伝送線路１０３ａおよび遅延線１０５ａが形成されていてもよい。この構成とすることで、平面視で、分割リング共振器１０１と伝送線路１０３ａとが重なる領域を形成することができる。 Further, the split ring resonator and the transmission line (delay line) do not need to be formed on the same surface. For example, as shown in FIGS. 8A, 8B, and 8C, the split ring resonator 101 is formed on the front surface 111a of the substrate 111, and the back surface 111b of the substrate 111 (opposite of the surface on which the split ring resonator 101 is disposed). The transmission line 103a and the delay line 105a may be formed on the side surface. With this configuration, it is possible to form a region where the split ring resonator 101 and the transmission line 103a overlap in plan view.
この場合、伝送線路１０３ａおよび遅延線１０５ａに対し、他基板１１２を介してマイクロストリップラインを構成するための金属層１０６ａを形成すればよい。他基板１１２は、誘電体（絶縁体）から構成されていればよい。なお、図８Ｂは、図８Ａのａａ’線の断面を示している。また、図８Ｃは、図８Ａのｂｂ’線の断面を示している。 In this case, a metal layer 106a for forming a microstrip line may be formed on the transmission line 103a and the delay line 105a via another substrate 112. The other board | substrate 112 should just be comprised from the dielectric material (insulator). FIG. 8B shows a cross section taken along the line aa ′ of FIG. 8A. FIG. 8C shows a cross section taken along line bb ′ of FIG. 8A.
また、図８Ａ，図８Ｂ，図８Ｃを用いた説明では、金属層１０６ａを、平面視で分割リング共振器１０１の配置領域にも形成しているが、これに限るものではない。金属層１０６ａは、平面視で分割リング共振器１０１の配置領域には形成しなくてもよい。 In the description using FIGS. 8A, 8B, and 8C, the metal layer 106a is also formed in the arrangement region of the split ring resonator 101 in plan view, but the present invention is not limited to this. The metal layer 106a may not be formed in the arrangement region of the split ring resonator 101 in plan view.
また、基板を、複数の誘電体層と金属配線層からなる多層基板から構成し、分割リング共振器を、多層基板のいずれかの金属配線層に形成し、伝送線路を構成する金属配線は、分割リング共振器が形成されている金属配線層とは異なる他の金属配線層に形成してもよい。 Further, the substrate is composed of a multilayer substrate composed of a plurality of dielectric layers and metal wiring layers, the split ring resonator is formed on any metal wiring layer of the multilayer substrate, and the metal wiring constituting the transmission line is: You may form in the metal wiring layer different from the metal wiring layer in which the division | segmentation ring resonator is formed.
以上に説明したように、本発明によれば、ギャップが設けられた辺以外の２つ以上の辺で、伝送線路と分割リング共振器と結合するようにしたので、分割リング共振器を用いたセンシング素子におけるセンシング感度をより容易に向上させることが可能となる。 As described above, according to the present invention, since the transmission line and the split ring resonator are coupled to each other at two or more sides other than the side where the gap is provided, the split ring resonator is used. It becomes possible to improve the sensing sensitivity in the sensing element more easily.
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、上述では、分割リング共振器の配線構造を、平面視で矩形としたが、これに限るものではない。 The present invention is not limited to the embodiment described above, and many modifications and combinations can be implemented by those having ordinary knowledge in the art within the technical idea of the present invention. It is obvious. For example, in the above description, the wiring structure of the split ring resonator is rectangular in plan view, but is not limited thereto.
例えば、分割リング共振器の配線構造は、平面視で３角形としてもよい。３角形の１辺にギャップを形成し、他の２辺で伝送線路に結合させるようにすればよい。また、３角形のギャップを形成した辺の対頂点の側において、伝送線路を延長して遅延線を設けるようにしてもよい。 For example, the wiring structure of the split ring resonator may be triangular in plan view. A gap may be formed on one side of the triangle and coupled to the transmission line on the other two sides. Alternatively, the transmission line may be extended to provide a delay line on the side opposite to the apex of the side where the triangular gap is formed.
また、分割リング共振器の配線構造は、平面視で５角形としてもよい。５角形の１辺にギャップを形成し、他の４辺に伝送線路に結合させるようにしてもよい。また、分割リング共振器の配線構造は、平面視で６角形としてもよい。６角形の１辺にギャップを形成し、この辺に隣接する２辺、およびこの２辺の各々に隣接する２辺に伝送線路に結合させ、残りの１辺の部分における伝送線路に遅延線を設けるようにしてもよい。 The wiring structure of the split ring resonator may be a pentagon in plan view. A gap may be formed on one side of the pentagon and coupled to the transmission line on the other four sides. The wiring structure of the split ring resonator may be a hexagon in plan view. A gap is formed on one side of the hexagon, two sides adjacent to this side, and two sides adjacent to each of the two sides are coupled to the transmission line, and a delay line is provided on the transmission line in the remaining one side You may do it.
１０１…分割リング共振器、１０２…ギャップ、１０３…伝送線路、１０４…センシング領域、１０５…遅延線、１０６…金属層、１１１…基板。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 ... Split ring resonator, 102 ... Gap, 103 ... Transmission line, 104 ... Sensing area | region, 105 ... Delay line, 106 ... Metal layer, 111 ... Substrate.
Claims (8)
前記分割リング共振器と電磁的に結合する伝送線路と、
誘電特性を検出するためのセンシング領域と
を備え、
前記分割リング共振器は、平面視多角形に形成された配線パターンを有し、
前記ギャップは、前記配線パターンが形成する前記多角形の複数の辺のうち一の辺に形成され、
前記伝送線路は、前記分割リング共振器の前記前記ギャップを含む前記一の辺以外の辺のうち少なくとも２辺において電磁的に結合することを特徴とするセンシング素子。 A split ring resonator formed of a metal pattern having a gap in part formed on a substrate;
A transmission line electromagnetically coupled to the split ring resonator;
A sensing area for detecting dielectric properties, and
The split ring resonator has a wiring pattern formed in a polygon in plan view,
The gap is formed on one side of the plurality of sides of the polygon formed by the wiring pattern,
The sensing element according to claim 1, wherein the transmission line is electromagnetically coupled on at least two sides of the split ring resonator other than the one side including the gap.
前記伝送線路は、前記分割リング共振器の前記ギャップを含む前記一の辺以外の辺のうち少なくとも２辺と平行に配置されることを特徴とするセンシング素子。 The sensing element according to claim 1,
The sensing element, wherein the transmission line is arranged in parallel with at least two sides other than the one side including the gap of the split ring resonator.
前記伝送線路のうち、前記分割リング共振器の前記配線パターンが形成する前記多角形の複数の辺のうち、互いに隣接しない２辺においてそれぞれ電磁的に結合する部分の間の長さは、前記伝送線路における前記分割リング共振器の共振周波数の波長を２で除した値の奇数倍の長さとなっている
ことを特徴とするセンシング素子。 The sensing element according to claim 1 or 2,
Of the plurality of sides of the polygon formed by the wiring pattern of the split ring resonator in the transmission line, the length between the portions that are electromagnetically coupled to two sides that are not adjacent to each other is determined by the transmission. A sensing element having a length that is an odd multiple of a value obtained by dividing a wavelength of a resonance frequency of the split ring resonator in a line by two.
前記分割リング共振器は、平面視矩形に形成された配線パターンを有し、
前記伝送線路は、前記分割リング共振器の前記ギャップが設けられた辺に隣接する２つの辺において前記分割リング共振器と電磁的に結合する
ことを特徴とするセンシング素子。 The sensing element according to any one of claims 1 to 3,
The split ring resonator has a wiring pattern formed in a rectangular shape in plan view,
The sensing element, wherein the transmission line is electromagnetically coupled to the split ring resonator at two sides adjacent to the side where the gap of the split ring resonator is provided.
前記伝送線路を構成する金属配線は、前記基板の前記分割リング共振器が配置されている面と同一の面に形成されていることを特徴とするセンシング素子。 The sensing element according to any one of claims 1 to 4,
The metal wiring which comprises the said transmission line is formed in the same surface as the surface by which the said split ring resonator is arrange | positioned of the said board | substrate, The sensing element characterized by the above-mentioned.
前記伝送線路を構成する金属配線は、前記基板の前記分割リング共振器が配置されている面の反対側の面に形成されていることを特徴とするセンシング素子。 The sensing element according to any one of claims 1 to 4,
The metal wiring which comprises the said transmission line is formed in the surface on the opposite side to the surface where the said division | segmentation ring resonator is arrange | positioned of the said board | substrate.
前記基板は、複数の誘電体層と金属配線層からなる多層基板であり、
前記分割リング共振器は、前記多層基板のいずれかの金属配線層に形成され、
前記伝送線路を構成する金属配線は、前記分割リング共振器が形成されている金属配線層とは異なる他の金属配線層に形成されている
ことを特徴とするセンシング素子。 The sensing element according to any one of claims 1 to 4,
The substrate is a multilayer substrate comprising a plurality of dielectric layers and a metal wiring layer,
The split ring resonator is formed on any metal wiring layer of the multilayer substrate,
The sensing element, wherein the metal wiring constituting the transmission line is formed in another metal wiring layer different from the metal wiring layer in which the split ring resonator is formed.
さらに、
前記分割リング共振器の前記ギャップおよびその近傍領域に設けられ、前記ギャップまたはその近傍にセンシング対象となる流体が流れる流路を規定する構造体
を有することを特徴とするセンシング素子。 The sensing element according to any one of claims 1 to 7,
further,
A sensing element comprising: a structure that is provided in the gap of the split ring resonator and a region near the gap and that defines a flow path through which a fluid to be sensed flows.
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