JP2018170428A

JP2018170428A - Wafer support equipment

Info

Publication number: JP2018170428A
Application number: JP2017067420A
Authority: JP
Inventors: 信平阿部; Shinpei Abe
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 2017-03-30
Filing date: 2017-03-30
Publication date: 2018-11-01
Anticipated expiration: 2037-03-30
Also published as: JP6852512B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique for easily loading and unloading a wafer for a turntable.SOLUTION: Wafer support equipment includes a turntable on which a wafer is placed, a rolling mechanism for turning the turntable, and at least three stoppers connected to the turntable via a hinge. Each stopper includes a protrusion protruding above the hinge, and the center of gravity located on the underside and the outside of the hinge. In a state where the wafer is placed on the turntable, the protrusion of each stopper is located on the outside of the outer peripheral surface of the wafer when the turntable is not turning, and when the turntable is turning, the center of gravity of each stopper is shifted to the outside by centrifugal force, and the protrusion of each stopper is shifted to the inside and comes into contact with the outer peripheral surface of the wafer.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本明細書に開示する技術は、ウェハ支持装置に関する。 The technology disclosed in this specification relates to a wafer support apparatus.

特許文献１に開示されているウェハ支持装置は、回転テーブルと、回転テーブルを回転させる回転機構と、回転テーブルに固定されているストッパを備えている。回転テーブルの上にはウェハが配置されている。ウェハ支持装置のストッパは、上側に突出している押圧爪と、下側に突出している振り子を備えている。このウェハ支持装置では、回転テーブルが回転していないときは、ストッパの押圧爪がウェハの上面の外縁部を覆っている。そして、回転テーブルが回転すると、ストッパの振り子が遠心力によって外側へ移動する一方で、ストッパの押圧爪が下側へ移動してウェハの上面の外縁部を押圧する。ストッパの押圧爪がウェハの上面を押圧することによってウェハが支持されてウェハの動きが規制される。 The wafer support apparatus disclosed in Patent Document 1 includes a rotary table, a rotary mechanism that rotates the rotary table, and a stopper that is fixed to the rotary table. A wafer is disposed on the rotary table. The stopper of the wafer support device includes a pressing claw protruding upward and a pendulum protruding downward. In this wafer support device, when the rotary table is not rotating, the pressing claw of the stopper covers the outer edge portion of the upper surface of the wafer. When the rotary table rotates, the stopper pendulum moves outward by centrifugal force, while the stopper pressing claw moves downward to press the outer edge of the upper surface of the wafer. When the stopper claw presses the upper surface of the wafer, the wafer is supported and the movement of the wafer is restricted.

特開平１１−９７５１５号公報JP 11-97515 A

特許文献１のウェハ支持装置では、回転テーブルが回転していないときにストッパの押圧爪がウェハの上面の外縁部を覆っている。そのため、回転テーブルの上からウェハを取り出すときに押圧爪が邪魔になるという問題がある。また、回転テーブルの上方から回転テーブルの上にウェハを配置するときにも押圧爪が邪魔になるという問題がある。そこで本明細書は、回転テーブルに対するウェハの出し入れを容易に行うことができる技術を提供する。 In the wafer support device of Patent Document 1, the pressing claw of the stopper covers the outer edge portion of the upper surface of the wafer when the rotary table is not rotating. Therefore, there is a problem that the pressing claw becomes an obstacle when taking out the wafer from the top of the rotary table. Also, there is a problem that the pressing claw becomes an obstacle when a wafer is placed on the rotary table from above the rotary table. Therefore, the present specification provides a technique that can easily carry a wafer in and out of the rotary table.

本明細書に開示するウェハ支持装置は、ウェハが上に配置される回転テーブルと、前記回転テーブルを回転させる回転機構と、前記回転テーブルにヒンジを介して連結されている少なくとも３個のストッパを備えている。各前記ストッパは、前記ヒンジよりも上側に突出している突出部と、前記ヒンジよりも下側かつ外側に位置している重心を備えている。前記回転テーブルの上にウェハが配置された状態で、前記回転テーブルが回転していない場合は、各前記ストッパの前記突出部がウェハの外周面よりも外側に位置しており、前記回転テーブルが回転した場合は、各前記ストッパの前記重心が遠心力によって外側へ移動する一方で、各前記ストッパの前記突出部が内側へ移動してウェハの外周面に接触する。 A wafer support device disclosed in the present specification includes a rotary table on which a wafer is disposed, a rotary mechanism that rotates the rotary table, and at least three stoppers coupled to the rotary table via a hinge. I have. Each said stopper is provided with the protrusion part which protrudes above the said hinge, and the gravity center located on the lower side and the outer side of the said hinge. When the turntable is not rotated in a state where the wafer is arranged on the turntable, the protrusions of the stoppers are located outside the outer peripheral surface of the wafer, and the turntable is When rotated, the center of gravity of each stopper moves outward due to centrifugal force, while the protruding portion of each stopper moves inward and contacts the outer peripheral surface of the wafer.

このような構成によれば、回転テーブルが回転していない場合は、各ストッパの突出部がウェハの外周面よりも外側に位置しているので、ウェハの上方が開放された状態になる。そのため、回転テーブルの上からウェハを取り出すときに突出部が邪魔にならない。また、回転テーブルの上方から回転テーブルの上にウェハを配置するときにも突出部が邪魔にならない。したがって、回転テーブルに対するウェハの出し入れを容易に行うことができる。 According to such a configuration, when the turntable is not rotating, the protruding portion of each stopper is located outside the outer peripheral surface of the wafer, so that the upper portion of the wafer is opened. For this reason, the protruding portion does not get in the way when the wafer is taken out from the rotary table. Further, the protrusion does not get in the way when the wafer is placed on the rotary table from above the rotary table. Therefore, the wafer can be easily put in and out of the rotary table.

また、上記のウェハ支持装置は、前記回転テーブルを高周波誘導加熱する加熱源と、前記回転テーブルの上面よりも上側に突出している少なくとも３個の支持突起を更に備えていてもよい。少なくとも３個の前記支持突起の上にウェハが配置された状態で前記回転テーブルの上面とウェハの間に隙間が形成されてもよい。 In addition, the wafer support apparatus may further include a heating source that performs high-frequency induction heating of the rotary table, and at least three support protrusions that protrude above the upper surface of the rotary table. A gap may be formed between the upper surface of the rotary table and the wafer in a state where the wafer is disposed on at least three of the support protrusions.

このような構成によれば、高周波誘導加熱によって回転テーブルが自己発熱し、回転テーブルの熱が輻射熱としてウェハに伝達される。回転テーブルからの輻射熱によってウェハが加熱される。このとき、ウェハを支持するための部材として支持突起が用いられているので、ウェハの下面に対する接触面積が小さくなる。そのため、回転テーブルからウェハに対して部材を介して直接的に伝達される熱量が小さくなる。また、回転テーブルの上面とウェハの間に隙間が形成されることによって、回転テーブルからの輻射熱がウェハに均等に伝達される。これによって、ウェハの温度がばらつくことが抑制される。 According to such a configuration, the rotary table self-heats by high frequency induction heating, and the heat of the rotary table is transmitted to the wafer as radiant heat. The wafer is heated by the radiant heat from the rotary table. At this time, since the support protrusion is used as a member for supporting the wafer, the contact area with the lower surface of the wafer is reduced. For this reason, the amount of heat directly transmitted from the rotary table to the wafer via the member is reduced. Further, by forming a gap between the upper surface of the turntable and the wafer, the radiant heat from the turntable is evenly transmitted to the wafer. This suppresses variations in the wafer temperature.

ウェハ支持装置の概略を示す断面図。Sectional drawing which shows the outline of a wafer support apparatus. 回転テーブルの概略を示す斜視図。The perspective view which shows the outline of a rotary table. 回転テーブルの断面を示す斜視図。The perspective view which shows the cross section of a turntable. 図１の要部IVを示す断面図。Sectional drawing which shows the principal part IV of FIG. 図４の要部Vを示す断面図。Sectional drawing which shows the principal part V of FIG. ストッパの概略を示す斜視図。The perspective view which shows the outline of a stopper. 図４の要部VIIを示す断面図（ストッパの開状態を示す図）。Sectional drawing which shows the principal part VII of FIG. 4 (The figure which shows the open state of a stopper). 図４の要部VIIを示す断面図（ストッパの閉状態を示す図）。Sectional drawing which shows the principal part VII of FIG. 4 (figure which shows the closed state of a stopper). 回転テーブルの変形例を示す断面図（１）。Sectional drawing (1) which shows the modification of a rotary table. 回転テーブルの変形例を示す断面図（２）。Sectional drawing (2) which shows the modification of a rotary table. 回転テーブルの変形例を示す断面図（３）。Sectional drawing (3) which shows the modification of a rotary table. 回転テーブルの変形例を示す断面図（４）。Sectional drawing (4) which shows the modification of a rotary table. 回転テーブルの変形例を示す断面図（５）。Sectional drawing (5) which shows the modification of a rotary table. 回転テーブルの変形例を示す断面図（６）。Sectional drawing (6) which shows the modification of a turntable.

実施例に係るウェハ支持装置２は、図１に示すように、処理ハウジング１０と、処理ハウジング１０内に配置されているガスガイド４０を備えている。また、ウェハ支持装置２は、処理ハウジング１０内に配置されている回転テーブル２０と、回転テーブル２０を回転させる回転機構６０を備えている。 As shown in FIG. 1, the wafer support apparatus 2 according to the embodiment includes a processing housing 10 and a gas guide 40 disposed in the processing housing 10. In addition, the wafer support apparatus 2 includes a rotary table 20 disposed in the processing housing 10 and a rotary mechanism 60 that rotates the rotary table 20.

図１に示すウェハ支持装置２は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置に用いられる。ＣＶＤ装置は、例えば金属系の原料ガスを用いて半導体ウェハの上面に薄膜を形成する装置である。原料ガスは、例えばガリウムを原料としたガスや、アルミニウムを原料としたガス等である。 The wafer support apparatus 2 shown in FIG. 1 is used for a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus, for example. The CVD apparatus is an apparatus that forms a thin film on the upper surface of a semiconductor wafer using, for example, a metal-based source gas. The source gas is, for example, a gas using gallium as a raw material or a gas using aluminum as a raw material.

処理ハウジング１０は、ガスガイド４０と回転テーブル２０を収容している。処理ハウジング１０の上部にガス供給管９１が接続されている。処理ハウジング１０の上部から処理ハウジング１０内に原料ガスが供給される。ガス供給管９１は、ガス供給源９２に接続されている。ガス供給管９１は、ガス供給源９２から供給される原料ガスを処理ハウジング１０内に供給する。処理ハウジング１０内に供給された原料ガスは、処理ハウジング１０の下部に接続されているポンプ９３によって吸引される。 The processing housing 10 accommodates the gas guide 40 and the turntable 20. A gas supply pipe 91 is connected to the upper portion of the processing housing 10. A source gas is supplied into the process housing 10 from the upper part of the process housing 10. The gas supply pipe 91 is connected to a gas supply source 92. The gas supply pipe 91 supplies the raw material gas supplied from the gas supply source 92 into the processing housing 10. The source gas supplied into the processing housing 10 is sucked by a pump 93 connected to the lower part of the processing housing 10.

また、処理ハウジング１０の下部には、軸支ハウジング１５が固定されている。軸支ハウジング１５には上開口部１６と下開口部１７が形成されている。また、軸支ハウジング１５内には、上ベアリング８４と下ベアリング８６が配置されている。 A shaft support housing 15 is fixed to the lower portion of the processing housing 10. An upper opening 16 and a lower opening 17 are formed in the shaft housing 15. An upper bearing 84 and a lower bearing 86 are disposed in the shaft support housing 15.

処理ハウジング１０の周りには、加熱コイル５０が配置されている。加熱コイル５０は、処理ハウジング１０を囲んでいる。加熱コイル５０は、処理ハウジング１０の内部に配置されている回転テーブル２０を非接触で加熱する。加熱コイル５０は、高周波誘導加熱の原理によって回転テーブル２０を加熱する。高周波誘導加熱では、コイル（加熱コイル５０）に電流が流れることによって磁界が発生し、その磁界の作用によって被加熱物（回転テーブル２０）に電流が流れ、それによって被加熱物にジュール熱が発生する。高周波誘導加熱によって回転テーブル２０が自己発熱する。高周波誘導加熱の原理については、公知であるので詳細な説明を省略する。 A heating coil 50 is disposed around the processing housing 10. The heating coil 50 surrounds the processing housing 10. The heating coil 50 heats the turntable 20 disposed inside the processing housing 10 in a non-contact manner. The heating coil 50 heats the turntable 20 according to the principle of high frequency induction heating. In high-frequency induction heating, a magnetic field is generated when a current flows through a coil (heating coil 50), and a current flows through the object to be heated (rotary table 20) by the action of the magnetic field, thereby generating Joule heat in the object to be heated. To do. The turntable 20 generates heat by high frequency induction heating. Since the principle of high frequency induction heating is known, a detailed description thereof will be omitted.

処理ハウジング１０の内部に配置されているガスガイド４０は、回転テーブル２０よりも上側に配置されている。ガスガイド４０には原料ガスを供給するためのガス流路４３が形成されている。ガスガイド４０は、接続部材６１を介して処理ハウジング１０の上部に固定されている。ガスガイド４０は、接続部材６１を介してガス供給管９１に接続されている。接続部材６１にはガス流路６２が形成されている。ガスガイド４０のガス流路４３が、接続部材６１のガス流路６２を介してガス供給管９１と連通している。ガス供給管９１によって供給された原料ガスが、接続部材６１とガスガイド４０を介して処理ハウジング１０の内部に供給される。原料ガスは、回転テーブル２０の上に配置されたウェハｗに向かって供給される。 The gas guide 40 disposed inside the processing housing 10 is disposed above the rotary table 20. The gas guide 40 is formed with a gas flow path 43 for supplying a raw material gas. The gas guide 40 is fixed to the upper portion of the processing housing 10 via a connection member 61. The gas guide 40 is connected to the gas supply pipe 91 via the connection member 61. A gas flow path 62 is formed in the connection member 61. The gas flow path 43 of the gas guide 40 communicates with the gas supply pipe 91 via the gas flow path 62 of the connection member 61. The source gas supplied by the gas supply pipe 91 is supplied into the processing housing 10 through the connection member 61 and the gas guide 40. The source gas is supplied toward the wafer w arranged on the turntable 20.

ガスガイド４０は、カバー部材４１と軸部材４２を備えている。ガス流路４３がカバー部材４１と軸部材４２を貫通している。カバー部材４１は、円板状に形成されている。カバー部材４１は、回転テーブル２０よりも上側に配置されている。カバー部材４１は、回転テーブル２０の上面２３を覆っている。回転テーブル２０の上にウェハｗが配置された場合は、カバー部材４１はウェハｗの上面１０１を覆うことになる。軸部材４２は、カバー部材４１から上側に向かって延びている。軸部材４２が接続部材６１に接続されている。 The gas guide 40 includes a cover member 41 and a shaft member 42. A gas flow path 43 passes through the cover member 41 and the shaft member 42. The cover member 41 is formed in a disc shape. The cover member 41 is disposed above the turntable 20. The cover member 41 covers the upper surface 23 of the turntable 20. When the wafer w is disposed on the turntable 20, the cover member 41 covers the upper surface 101 of the wafer w. The shaft member 42 extends upward from the cover member 41. The shaft member 42 is connected to the connection member 61.

処理ハウジング１０の内部に配置されている回転テーブル２０は、図２に示すように、円板状に形成されている。回転テーブル２０は、導電体（例えば、金属、カーボン等）から形成されている。回転テーブル２０は、熱伝導性を有している。この回転テーブル２０の上に円板状の半導体ウェハｗが配置される。 As shown in FIG. 2, the turntable 20 disposed inside the processing housing 10 is formed in a disk shape. The turntable 20 is made of a conductor (for example, metal, carbon, etc.). The turntable 20 has thermal conductivity. A disk-shaped semiconductor wafer w is disposed on the turntable 20.

図３及び図４に示すように、回転テーブル２０の下面２６には下カバー７３が固定されている。下カバー７３は、回転テーブル２０の下面２６を覆っている。下カバー７３の外周面には開当接部７４が形成されている。開当接部７４は、後述するストッパ３０の回動を規制する部分である。また、回転テーブル２０の外周面には閉当接部７５が形成されている。閉当接部７５は、後述するストッパ３０の回動を規制する部分である。 As shown in FIGS. 3 and 4, a lower cover 73 is fixed to the lower surface 26 of the turntable 20. The lower cover 73 covers the lower surface 26 of the turntable 20. An open contact portion 74 is formed on the outer peripheral surface of the lower cover 73. The open contact portion 74 is a portion that restricts the rotation of the stopper 30 described later. Further, a closed contact portion 75 is formed on the outer peripheral surface of the rotary table 20. The closing contact portion 75 is a portion that restricts the rotation of the stopper 30 described later.

図２に示すように、回転テーブル２０には３個の貫通孔２４が形成されている。３個の貫通孔２４は、回転テーブル２０を上から視たときに回転テーブル２０の回転中心２２からそれぞれが異なる方向に離れて形成されている。３個の貫通孔２４は、いずれも同様の構成を備えている。したがって、３個の貫通孔２４のうち、代表として１個について以下に説明する。 As shown in FIG. 2, the rotary table 20 has three through holes 24 formed therein. The three through holes 24 are formed away from the rotation center 22 of the rotary table 20 in different directions when the rotary table 20 is viewed from above. All of the three through holes 24 have the same configuration. Accordingly, one representative of the three through holes 24 will be described below.

図３及び図４に示すように、貫通孔２４は、回転テーブル２０の上下方向に延びている。貫通孔２４は、回転テーブル２０を貫通している。貫通孔２４は、回転テーブル２０の上面２３から下面２６まで延びている。 As shown in FIGS. 3 and 4, the through hole 24 extends in the vertical direction of the turntable 20. The through hole 24 penetrates the turntable 20. The through hole 24 extends from the upper surface 23 to the lower surface 26 of the turntable 20.

貫通孔２４の内部には支持部材７０が配置されている。図５に示すように、支持部材７０は、胴体部７１と先端部７２（支持突起の一例）を備えている。胴体部７１と先端部７２は一体的に形成されている。胴体部７１は、貫通孔２４に沿って上下方向に延びている。胴体部７１は、回転テーブル２０の下面２６に固定された下カバー７３によって支持されている。支持部材７０の先端部７２は、胴体部７１から上側に向かって突出している。先端部７２は、先端が細くなるようにテーパ状に形成されている。先端部７２の先端が回転テーブル２０の上面２３よりも上側に突出している。先端部７２の先端は、回転テーブル２０の上に配置されたウェハｗの下面１０３に接触する。回転テーブル２０の上面２３とウェハｗの下面１０３との間には、隙間９５が形成されている。 A support member 70 is disposed inside the through hole 24. As shown in FIG. 5, the support member 70 includes a body portion 71 and a tip portion 72 (an example of a support protrusion). The body part 71 and the tip part 72 are integrally formed. The body portion 71 extends in the vertical direction along the through hole 24. The body portion 71 is supported by a lower cover 73 fixed to the lower surface 26 of the turntable 20. The distal end portion 72 of the support member 70 protrudes upward from the body portion 71. The distal end portion 72 is formed in a tapered shape so that the distal end is narrowed. The distal end of the distal end portion 72 protrudes above the upper surface 23 of the turntable 20. The distal end of the distal end portion 72 comes into contact with the lower surface 103 of the wafer w disposed on the turntable 20. A gap 95 is formed between the upper surface 23 of the turntable 20 and the lower surface 103 of the wafer w.

回転テーブル２０に形成された３個の貫通孔２４のそれぞれの内部に支持部材７０が配置されており、３個の支持部材７０によってウェハｗが支持される。３個の支持部材７０の先端部７２の上にウェハｗが配置される。３個の支持部材７０は、支持するウェハｗのたわみが小さくなるように配置位置が調整されている。 A support member 70 is disposed inside each of the three through holes 24 formed in the turntable 20, and the wafer w is supported by the three support members 70. The wafer w is disposed on the tip portions 72 of the three support members 70. The arrangement positions of the three support members 70 are adjusted so that the deflection of the wafer w to be supported becomes small.

図１及び図２に示すように、回転テーブル２０には回転軸２１が固定されている。回転軸２１は、回転テーブル２０の回転中心２２と同軸になるように配置されている。回転軸２１の上端部が回転テーブル２０に固定されている。回転軸２１は、上下方向に延びている。回転軸２１の下端部が回転機構６０に固定されている。また、回転軸２１は、軸支ハウジング１５に挿入されている。回転軸２１は、軸支ハウジング１５の上開口部１６、上ベアリング８４、下ベアリング８６および下開口部１７に挿入されている。回転軸２１と軸支ハウジング１５の上開口部１６との間には、シール部材１８が配置されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, a rotary shaft 21 is fixed to the rotary table 20. The rotation shaft 21 is arranged so as to be coaxial with the rotation center 22 of the turntable 20. An upper end portion of the rotary shaft 21 is fixed to the rotary table 20. The rotating shaft 21 extends in the vertical direction. A lower end portion of the rotation shaft 21 is fixed to the rotation mechanism 60. The rotating shaft 21 is inserted into the shaft housing 15. The rotating shaft 21 is inserted into the upper opening 16, the upper bearing 84, the lower bearing 86, and the lower opening 17 of the shaft housing 15. A seal member 18 is disposed between the rotary shaft 21 and the upper opening 16 of the pivot housing 15.

回転機構６０は、回転軸２１を介して回転テーブル２０を回転させる機構である。回転機構６０は、例えばモータを備えており、モータの回転によって回転軸２１を回転させる。回転軸２１が回転すると、回転軸２１に固定されている回転テーブル２０が回転する。回転テーブル２０の上にウェハｗが配置されている状態で回転テーブル２０が回転する。 The rotating mechanism 60 is a mechanism that rotates the rotary table 20 via the rotating shaft 21. The rotation mechanism 60 includes, for example, a motor, and rotates the rotation shaft 21 by the rotation of the motor. When the rotary shaft 21 rotates, the rotary table 20 fixed to the rotary shaft 21 rotates. The rotary table 20 rotates while the wafer w is arranged on the rotary table 20.

図２に示すように、回転テーブル２０には複数（３個）のストッパ３０が固定されている。３個のストッパ３０（第１ストッパ３０ａと第２ストッパ３０ｂと第３ストッパ３０ｃ）は、回転テーブル２０の周方向に沿って間隔をあけて並んで配置されている。３個のストッパ３０は等間隔で並んでいる。３個のストッパ３０は、回転テーブル２０を上から視たときに回転テーブル２０の回転中心２２からそれぞれが異なる方向に離れて配置されている。より具体的には、３個のストッパ３０は以下のように配置されている。まず、第１ストッパ３０ａと回転テーブル２０の回転中心２２を結んだ線分を第１線分９０ａとし、第２ストッパ３０ｂと回転テーブル２０の回転中心２２を結んだ線分を第２線分９０ｂとし、第３ストッパ３０ｃと回転テーブル２０の回転中心２２を結んだ線分を第３線分９０ｃとする。また、第１線分９０ａと第２線分９０ｂがなす角度を第１角度θ１とし、第２線分９０ｂと第３線分９０ｃがなす角度を第２角度θ２とする。この場合に、第１角度θ１と第２角度θ２の合計（θ１＋θ２）が１８０°より大きくなるように、３個のストッパ３０が配置されている。本実施例では、θ１とθ２が共に１２０°である。３個のストッパ３０（第１ストッパ３０ａと第２ストッパ３０ｂと第３ストッパ３０ｃ）は、いずれも同様の構成を備えている。したがって、３個のストッパ３０のうち、代表として１個のストッパ３０について以下に説明する。 As shown in FIG. 2, a plurality (three) of stoppers 30 are fixed to the rotary table 20. The three stoppers 30 (first stopper 30a, second stopper 30b, and third stopper 30c) are arranged side by side along the circumferential direction of the rotary table 20. The three stoppers 30 are arranged at equal intervals. The three stoppers 30 are arranged away from the rotation center 22 of the rotary table 20 in different directions when the rotary table 20 is viewed from above. More specifically, the three stoppers 30 are arranged as follows. First, a line segment connecting the first stopper 30a and the rotation center 22 of the rotary table 20 is defined as a first line segment 90a, and a line segment connecting the second stopper 30b and the rotation center 22 of the rotary table 20 is defined as a second line segment 90b. A line segment connecting the third stopper 30c and the rotation center 22 of the turntable 20 is defined as a third line segment 90c. In addition, an angle formed by the first line segment 90a and the second line segment 90b is a first angle θ1, and an angle formed by the second line segment 90b and the third line segment 90c is a second angle θ2. In this case, the three stoppers 30 are arranged so that the sum (θ1 + θ2) of the first angle θ1 and the second angle θ2 is larger than 180 °. In this embodiment, both θ1 and θ2 are 120 °. All of the three stoppers 30 (the first stopper 30a, the second stopper 30b, and the third stopper 30c) have the same configuration. Therefore, of the three stoppers 30, one stopper 30 will be described below as a representative.

図４に示すように、ストッパ３０は、ヒンジ８０を介して回転テーブル２０に連結されている。ヒンジ８０は、回転テーブル２０の外縁部の一部を切り欠いた部分に固定されている。ストッパ３０は、回転テーブル２０に対してヒンジ８０を中心にして回動するように構成されている。ストッパ３０は、胴体部３１と突出部３２と連結部３８を備えている。胴体部３１と突出部３２と連結部３８は一体的に形成されている。 As shown in FIG. 4, the stopper 30 is connected to the rotary table 20 via a hinge 80. The hinge 80 is fixed to a portion where a part of the outer edge of the turntable 20 is cut out. The stopper 30 is configured to rotate about the hinge 80 with respect to the rotary table 20. The stopper 30 includes a body portion 31, a protruding portion 32, and a connecting portion 38. The body part 31, the protrusion part 32, and the connection part 38 are integrally formed.

図６、図７及び図８に示すように、胴体部３１は、主にヒンジ８０よりも下側かつ外側の位置に存在している。なお、本明細書では、回転テーブル２０の回転中心２２側を内側とし、回転中心２２から回転テーブル２０の径方向に離れる側を外側とする。胴体部３１は、ストッパ３０の重心３３を備えている。ストッパ３０の重心３３が胴体部３１の中に位置している。ストッパ３０の重心３３は、ヒンジ８０よりも下側かつ外側に位置している。また、胴体部３１は、開ストッパ部３６を備えている。開ストッパ部３６は、胴体部３１の内側の側面に形成されている。開ストッパ部３６は、ヒンジ８０よりも下側かつ内側に位置している。 As shown in FIGS. 6, 7, and 8, the body portion 31 exists mainly at a position below and outside the hinge 80. In this specification, the rotation center 22 side of the turntable 20 is defined as the inside, and the side away from the rotation center 22 in the radial direction of the turntable 20 is defined as the outside. The body part 31 includes a center of gravity 33 of the stopper 30. The center of gravity 33 of the stopper 30 is located in the body portion 31. The center of gravity 33 of the stopper 30 is located below and outside the hinge 80. The body portion 31 includes an open stopper portion 36. The open stopper portion 36 is formed on the inner side surface of the body portion 31. The open stopper 36 is located below and inside the hinge 80.

ストッパ３０の突出部３２は、胴体部３１から上側に向かって突出している。突出部３２は、ヒンジ８０よりも上側かつ外側に位置している。ヒンジ８０よりも上側に突出部３２が突出している。突出部３２は、接触部３４とカバー部３５を備えている。接触部３４は、突出部３２の内側の側面に形成されている。接触部３４は、外側に向かって窪んで湾曲している。カバー部３５は、内側に向かって突出している。また、突出部３２は、閉ストッパ部３７を備えている。閉ストッパ部３７は、突出部３２の内側の側面に形成されている。閉ストッパ部３７は、接触部３４よりも下側に形成されている。 The protruding portion 32 of the stopper 30 protrudes upward from the body portion 31. The protrusion 32 is located above and outside the hinge 80. The protrusion 32 protrudes above the hinge 80. The protruding portion 32 includes a contact portion 34 and a cover portion 35. The contact portion 34 is formed on the inner side surface of the protruding portion 32. The contact portion 34 is concave and curved toward the outside. The cover part 35 protrudes inward. Further, the protruding portion 32 includes a closing stopper portion 37. The closing stopper portion 37 is formed on the inner side surface of the protruding portion 32. The closing stopper portion 37 is formed below the contact portion 34.

ストッパ３０の連結部３８は、胴体部３１から内側に向かって突出している。連結部３８は、ヒンジ８０を囲んでおり、ヒンジ８０に連結されている。ストッパ３０の連結部３８がヒンジ８０を介して回転テーブル２０に連結されている。 The connecting portion 38 of the stopper 30 protrudes inward from the body portion 31. The connecting portion 38 surrounds the hinge 80 and is connected to the hinge 80. A connecting portion 38 of the stopper 30 is connected to the rotary table 20 via a hinge 80.

このストッパ３０は、開状態と閉状態をとり得る。図７は、開状態にあるストッパ３０を示している。図８は、閉状態にあるストッパ３０を示している。ストッパ３０が固定されている回転テーブル２０の回転が停止しているときは、ストッパ３０が図７の開状態の位置にくる。ストッパ３０が開状態にある場合は、突出部３２の全体がウェハｗの外周面１０２よりも外側に位置している。そのため、突出部３２の接触部３４が、回転テーブル２０の上に配置されたウェハｗの外周面１０２に接触しておらず、ウェハｗの外周面１０２から離間している。また、突出部３２のカバー部３５が、ウェハｗの外周面１０２よりも外側に位置しており、ウェハｗの上面１０１の外縁部１０４を覆っていない。また、胴体部３１の開ストッパ部３６が、下カバー７３の外周面に形成されている開当接部７４に当接する。 The stopper 30 can be in an open state and a closed state. FIG. 7 shows the stopper 30 in the open state. FIG. 8 shows the stopper 30 in the closed state. When the rotation of the turntable 20 to which the stopper 30 is fixed is stopped, the stopper 30 comes to the open position shown in FIG. When the stopper 30 is in the open state, the entire protrusion 32 is located outside the outer peripheral surface 102 of the wafer w. Therefore, the contact portion 34 of the protrusion 32 is not in contact with the outer peripheral surface 102 of the wafer w disposed on the turntable 20 and is separated from the outer peripheral surface 102 of the wafer w. Further, the cover portion 35 of the protruding portion 32 is located outside the outer peripheral surface 102 of the wafer w and does not cover the outer edge portion 104 of the upper surface 101 of the wafer w. Further, the opening stopper portion 36 of the body portion 31 contacts an opening contact portion 74 formed on the outer peripheral surface of the lower cover 73.

一方、図７に示すストッパ３０の開状態から、ストッパ３０が固定されている回転テーブル２０が回転すると、ストッパ３０の重心３３が遠心力によって矢印Ｐ１で示すように外側へ移動する。その結果として、図７に示すストッパ３０が矢印Ｒ１で示すようにヒンジ８０を中心にして図７の時計回りに回動する。そのため、ストッパ３０の突出部３２が矢印Ｐ２で示すように内側へ移動する。回転テーブル２０が所定の回転速度以上の速度で回転すると、ストッパ３０が図８の閉状態の位置にくる。ストッパ３０が閉状態にある場合は、突出部３２の接触部３４が、回転テーブル２０の上に配置されているウェハｗの外周面１０２に接触する。また、突出部３２のカバー部３５が、ウェハｗの上面１０１の外縁部１０４を覆う。また、突出部３２の閉ストッパ部３７が、回転テーブル２０の外周面に形成されている閉当接部７５に当接する。 On the other hand, when the rotary table 20 to which the stopper 30 is fixed rotates from the open state of the stopper 30 shown in FIG. 7, the center of gravity 33 of the stopper 30 moves outward as indicated by an arrow P1 by centrifugal force. As a result, the stopper 30 shown in FIG. 7 rotates about the hinge 80 in the clockwise direction as shown by the arrow R1. Therefore, the protrusion 32 of the stopper 30 moves inward as indicated by the arrow P2. When the turntable 20 rotates at a speed equal to or higher than a predetermined rotation speed, the stopper 30 comes to the closed position in FIG. When the stopper 30 is in the closed state, the contact portion 34 of the protruding portion 32 comes into contact with the outer peripheral surface 102 of the wafer w disposed on the rotary table 20. Further, the cover part 35 of the protruding part 32 covers the outer edge part 104 of the upper surface 101 of the wafer w. Further, the closing stopper portion 37 of the protruding portion 32 comes into contact with a closing contact portion 75 formed on the outer peripheral surface of the rotary table 20.

その後、ストッパ３０が固定されている回転テーブル２０の回転が停止すると、ストッパ３０の重心３３が重力によって矢印Ｐ３で示すように下側へ移動する。その結果として、図８に示すストッパ３０が矢印Ｒ２で示すようにヒンジ８０を中心にして図８の反時計回りに回動する。そのため、ストッパ３０の重心３３が内側へ移動する。また、その反動でストッパ３０の突出部３２が矢印Ｐ４で示すように外側へ移動する。そして、ストッパ３０が図７に示す開状態の位置に戻る。 Thereafter, when the rotation of the turntable 20 to which the stopper 30 is fixed stops, the center of gravity 33 of the stopper 30 moves downward as indicated by an arrow P3 due to gravity. As a result, the stopper 30 shown in FIG. 8 rotates counterclockwise in FIG. 8 about the hinge 80 as indicated by an arrow R2. Therefore, the center of gravity 33 of the stopper 30 moves inward. In addition, the protrusion 32 of the stopper 30 moves outward as indicated by the arrow P4. Then, the stopper 30 returns to the open position shown in FIG.

このように、ストッパ３０が固定されている回転テーブル２０が回転するとストッパ３０が閉状態になり、回転テーブル２０の回転が停止するとストッパ３０が開状態になる。ストッパ３０がヒンジ８０を中心にして開状態と閉状態の間で揺動する。 Thus, when the rotary table 20 to which the stopper 30 is fixed is rotated, the stopper 30 is closed, and when the rotation of the rotary table 20 is stopped, the stopper 30 is opened. The stopper 30 swings between the open state and the closed state about the hinge 80.

回転テーブル２０が回転して３個のストッパ３０（第１ストッパ３０ａと第２ストッパ３０ｂと第３ストッパ３０ｃ）が閉状態になると、回転テーブル２０の上に配置されているウェハｗが３個のストッパ３０によって支持される。３個のストッパ３０は、回転テーブル２０の上に配置されたウェハｗを囲んでいる。３個のストッパ３０の各突出部３２の各接触部３４がウェハｗの外周面１０２に接触することによって、回転テーブル２０の上に配置されているウェハｗが支持され、ウェハｗの動きが規制される。 When the rotary table 20 rotates and the three stoppers 30 (the first stopper 30a, the second stopper 30b, and the third stopper 30c) are closed, the number of wafers w arranged on the rotary table 20 is three. Supported by the stopper 30. The three stoppers 30 surround the wafer w arranged on the turntable 20. When the contact portions 34 of the protrusions 32 of the three stoppers 30 come into contact with the outer peripheral surface 102 of the wafer w, the wafer w disposed on the rotary table 20 is supported and the movement of the wafer w is restricted. Is done.

上記のウェハ支持装置２によれば、回転テーブル２０が回転していない場合は、各ストッパ３０の突出部３２がウェハｗの外周面１０２よりも外側に位置しているので、ウェハｗの上方が開放された状態になる。そのため、回転テーブル２０の上からウェハｗを取り出すときに突出部３２が邪魔にならない。また、回転テーブル２０の上方から回転テーブル２０の上にウェハｗを配置するときにも突出部３２が邪魔にならない。したがって、回転テーブル２０に対するウェハｗの出し入れを容易に行うことができる。 According to the wafer support device 2 described above, when the turntable 20 is not rotating, the protrusions 32 of the stoppers 30 are located outside the outer peripheral surface 102 of the wafer w, so It will be in an open state. Therefore, the protrusion 32 does not get in the way when the wafer w is taken out from the turntable 20. Further, when the wafer w is arranged on the turntable 20 from above the turntable 20, the protruding portion 32 does not get in the way. Accordingly, the wafer w can be easily taken in and out of the turntable 20.

また、上記のウェハ支持装置２は、回転テーブル２０を高周波誘導加熱する加熱コイル５０を備えている。そのため、高周波誘導加熱によって回転テーブル２０が自己発熱し、回転テーブル２０の熱が輻射熱としてウェハｗに伝達される。回転テーブル２０からの輻射熱によってウェハｗが加熱される。また、上記のウェハ支持装置２では、３個の支持部材７０の先端部７２の上にウェハｗが配置された状態で回転テーブル２０の上面２３とウェハｗの下面１０３との間に隙間９５が形成されている。このような構成によれば、ウェハｗを支持するための部材として支持部材７０の先端部７２を用いることによって、ウェハｗの下面１０３に対する接触面積が小さくなる。そのため、回転テーブル２０から支持部材７０を介してウェハｗに伝達される熱量が小さくなる。また、回転テーブル２０の上面２３とウェハｗの間に隙間９５が形成されることによって、回転テーブル２０からの輻射熱がウェハｗに均等に伝達される。これによって、ウェハｗの温度がばらつくことが抑制される。 Further, the wafer support apparatus 2 includes a heating coil 50 that heats the rotary table 20 by high frequency induction. Therefore, the rotary table 20 generates heat by high-frequency induction heating, and the heat of the rotary table 20 is transmitted to the wafer w as radiant heat. The wafer w is heated by the radiant heat from the turntable 20. In the wafer support apparatus 2 described above, a gap 95 is formed between the upper surface 23 of the turntable 20 and the lower surface 103 of the wafer w in a state where the wafer w is disposed on the tip portions 72 of the three support members 70. Is formed. According to such a structure, the contact area with respect to the lower surface 103 of the wafer w becomes small by using the front-end | tip part 72 of the support member 70 as a member for supporting the wafer w. Therefore, the amount of heat transferred from the turntable 20 to the wafer w via the support member 70 is reduced. Further, by forming a gap 95 between the upper surface 23 of the turntable 20 and the wafer w, the radiant heat from the turntable 20 is evenly transmitted to the wafer w. As a result, the temperature of the wafer w is suppressed from varying.

また、ストッパ３０の接触部３４が外側に向かって窪んで湾曲していることによって、ストッパ３０が閉状態の位置となったとき、ウェハｗに縮径方向のストレスがかかることを抑制できる。 Further, since the contact portion 34 of the stopper 30 is recessed outward and is curved, it is possible to suppress stress on the wafer w from being reduced in diameter when the stopper 30 is in the closed position.

以上、一実施例について説明したが、具体的な態様は上記実施例に限定されるものではない。以下の説明において、上述の説明における構成と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。 Although one embodiment has been described above, the specific mode is not limited to the above embodiment. In the following description, the same components as those described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

上記の実施例では３個のストッパ３０（第１ストッパ３０ａと第２ストッパ３０ｂと第３ストッパ３０ｃ）が用いられていたが、ストッパ３０の個数は４個以上であってもよい。ウェハ支持装置２におけるストッパ３０の個数は少なくとも３個である。 In the above embodiment, three stoppers 30 (first stopper 30a, second stopper 30b, and third stopper 30c) are used, but the number of stoppers 30 may be four or more. The number of stoppers 30 in the wafer support device 2 is at least three.

また、上記の実施例では３個の支持部材７０が用いられていたが、支持部材７０の個数は４個以上であってもよい。ウェハ支持装置２における支持部材７０の個数は少なくとも３個である。すなわち、支持突起の個数は少なくとも３個である。 In the above embodiment, three support members 70 are used. However, the number of support members 70 may be four or more. The number of support members 70 in the wafer support apparatus 2 is at least three. That is, the number of support protrusions is at least three.

また、回転テーブル２０の構成は上記の実施例に限定されるものではない。以下に回転テーブル２０の変形例について説明する。 Moreover, the structure of the turntable 20 is not limited to said Example. Below, the modification of the turntable 20 is demonstrated.

（変形例１）
変形例１では、図９又は図１０に示すように、上下方向における回転テーブル２０の厚さＴが、回転テーブル２０の径方向に沿って変化している構成であってもよい。高周波誘導加熱によって回転テーブル２０が自己発熱する際に、回転テーブル２０の発熱量が回転テーブル２０の径方向に沿って変化する。図９に示す変形例では、上下方向における回転テーブル２０の厚さＴが、回転テーブル２０の中心部から外側に向かうにしたがって厚くなっている。一方、図１０に示す変形例では、上下方向における回転テーブル２０の厚さＴが、回転テーブル２０の中心部から外側に向かうにしたがって薄くなっている。回転テーブル２０の厚さＴが厚い部分では、薄い部分に比べて、回転テーブル２０の発熱量が大きくなる。回転テーブル２０の厚さＴが薄い部分では、厚い部分に比べて、回転テーブル２０の発熱量が小さくなる。このような構成によれば、回転テーブル２０の厚さを調整することによって、回転テーブル２０からの輻射熱によってウェハｗを加熱する際に、ウェハｗの径方向に沿って熱量を変化させることができる。例えば、ウェハｗが加熱され難い部分の熱量を大きくする一方で、ウェハｗが加熱され易い部分の熱量を小さくすることができる。これによって、ウェハｗを均一に加熱することができる。 (Modification 1)
In the first modification, as shown in FIG. 9 or 10, the thickness T of the turntable 20 in the vertical direction may be changed along the radial direction of the turntable 20. When the turntable 20 generates heat by high frequency induction heating, the amount of heat generated by the turntable 20 changes along the radial direction of the turntable 20. In the modification shown in FIG. 9, the thickness T of the turntable 20 in the vertical direction increases from the center of the turntable 20 toward the outside. On the other hand, in the modification shown in FIG. 10, the thickness T of the turntable 20 in the vertical direction becomes thinner from the center of the turntable 20 toward the outside. In the portion where the thickness T of the turntable 20 is thick, the amount of heat generated by the turntable 20 is larger than that in the thin portion. In the portion where the thickness T of the turntable 20 is thin, the amount of heat generated by the turntable 20 is smaller than that in the thick portion. According to such a configuration, by adjusting the thickness of the turntable 20, when the wafer w is heated by radiant heat from the turntable 20, the amount of heat can be changed along the radial direction of the wafer w. . For example, it is possible to increase the amount of heat in a portion where the wafer w is difficult to be heated, while reducing the amount of heat in a portion where the wafer w is easily heated. Thereby, the wafer w can be heated uniformly.

（変形例２）
変形例２では、図１１又は図１２に示すように、回転テーブル２０の上面２３に複数の凹部２７が形成されている。複数の凹部２７は、回転テーブル２０の径方向に沿って間隔をあけて並んで形成されている。複数の凹部２７のそれぞれは、回転テーブル２０の周方向に沿って延びている。回転テーブル２０における複数の凹部２７の密度は、回転テーブル２０の径方向に沿って変化している。すなわち、隣り合う凹部２７と凹部２７の間隔が、回転テーブル２０の径方向に沿って変化している。図１１に示す変形例では、隣り合う凹部２７と凹部２７の間隔が、回転テーブル２０の中心部から外側に向かうにしたがって広くなっている。すなわち、回転テーブル２０における複数の凹部２７の密度が、回転テーブル２０の中心部から外側に向かうにしたがって低くなっている。一方、図１２に示す変形例では、隣り合う凹部２７と凹部２７の間隔が、回転テーブル２０の中心部から外側に向かうにしたがって狭くなっている。すなわち、回転テーブル２０における複数の凹部２７の密度が、回転テーブル２０の中心部から外側に向かうにしたがって高くなっている。隣り合う凹部２７と凹部２７の間隔が狭い部分では、広い部分に比べて、回転テーブル２０の上面２３の表面積が大きくなるので、回転テーブル２０からの輻射熱が多くなる。隣り合う凹部２７と凹部２７の間隔が広い部分では、狭い部分に比べて、回転テーブル２０の上面２３の表面積が小さくなるので、回転テーブル２０からの輻射熱が少なくなる。このような構成によれば、凹部２７の個数を変えることによって、回転テーブル２０からの輻射熱によってウェハｗを加熱する際に、ウェハｗの径方向に沿ってウェハｗに伝達される熱量を変化させることができる。例えば、ウェハｗが加熱され難い部分の伝達熱量を大きくする一方で、ウェハｗが加熱され易い部分の伝達熱量を小さくすることができる。これによって、ウェハｗを均一に加熱することができる。 (Modification 2)
In Modification 2, as shown in FIG. 11 or FIG. 12, a plurality of recesses 27 are formed on the upper surface 23 of the turntable 20. The plurality of recesses 27 are formed side by side along the radial direction of the turntable 20. Each of the plurality of recesses 27 extends along the circumferential direction of the turntable 20. The density of the plurality of recesses 27 in the turntable 20 changes along the radial direction of the turntable 20. That is, the interval between the adjacent recesses 27 and the recesses 27 changes along the radial direction of the turntable 20. In the modification shown in FIG. 11, the interval between the adjacent recesses 27 and the recesses 27 increases from the center of the turntable 20 toward the outside. That is, the density of the plurality of recesses 27 in the turntable 20 decreases from the center of the turntable 20 toward the outside. On the other hand, in the modification shown in FIG. 12, the interval between the adjacent recesses 27 is reduced from the center of the turntable 20 toward the outside. That is, the density of the plurality of recesses 27 in the turntable 20 increases from the center of the turntable 20 toward the outside. Since the surface area of the upper surface 23 of the turntable 20 is larger in the portion where the interval between the adjacent recesses 27 and the recesses 27 is narrower than in the wide portion, the radiant heat from the turntable 20 increases. Since the surface area of the upper surface 23 of the turntable 20 is smaller in the portion where the interval between the adjacent recesses 27 and the recesses 27 is wider than in the narrow portion, the radiant heat from the turntable 20 is reduced. According to such a configuration, the amount of heat transmitted to the wafer w along the radial direction of the wafer w is changed when the wafer w is heated by radiant heat from the turntable 20 by changing the number of the recesses 27. be able to. For example, it is possible to increase the amount of heat transmitted in a portion where the wafer w is difficult to be heated, while reducing the amount of heat transmitted in a portion where the wafer w is easily heated. Thereby, the wafer w can be heated uniformly.

（変形例３）
変形例３では、図１３又は図１４に示すように、回転テーブル２０の上面２３とウェハｗの下面１０３との距離Ｌが、回転テーブル２０の径方向に沿って変化している。図１３に示す変形例では、回転テーブル２０の上面２３とウェハｗの下面１０３との距離Ｌが、回転テーブル２０の中心部から外側に向かうにしたがって長くなっている。一方、図１４に示す変形例では、回転テーブル２０の上面２３とウェハｗの下面１０３との距離Ｌが、回転テーブル２０の中心部から外側に向かうにしたがって短くなっている。回転テーブル２０の上面２３とウェハｗの下面１０３との距離Ｌが長い部分では、短い部分に比べて、回転テーブル２０からウェハｗに伝達される熱量が小さくなる。回転テーブル２０の上面２３とウェハｗの下面１０３との距離Ｌが短い部分では、長い部分に比べて、回転テーブル２０からウェハｗに伝達される熱量が大きくなる。このような構成によれば、回転テーブル２０からの輻射熱によってウェハｗを加熱する際に、ウェハｗの径方向に沿ってウェハｗに伝達される熱量を変化させることができる。例えば、距離Ｌを調整することによって、ウェハｗが加熱され難い部分の伝達熱量を大きくする一方で、ウェハｗが加熱され易い部分の伝達熱量を小さくすることができる。これによって、ウェハｗを均一に加熱することができる。 (Modification 3)
In the third modification, as shown in FIG. 13 or FIG. 14, the distance L between the upper surface 23 of the turntable 20 and the lower surface 103 of the wafer w changes along the radial direction of the turntable 20. In the modification shown in FIG. 13, the distance L between the upper surface 23 of the turntable 20 and the lower surface 103 of the wafer w increases from the center of the turntable 20 toward the outside. On the other hand, in the modification shown in FIG. 14, the distance L between the upper surface 23 of the turntable 20 and the lower surface 103 of the wafer w decreases from the center of the turntable 20 toward the outside. In the portion where the distance L between the upper surface 23 of the turntable 20 and the lower surface 103 of the wafer w is long, the amount of heat transferred from the turntable 20 to the wafer w is smaller than in the short portion. In the portion where the distance L between the upper surface 23 of the turntable 20 and the lower surface 103 of the wafer w is short, the amount of heat transferred from the turntable 20 to the wafer w is larger than in the long portion. According to such a configuration, when the wafer w is heated by radiant heat from the turntable 20, the amount of heat transmitted to the wafer w along the radial direction of the wafer w can be changed. For example, by adjusting the distance L, it is possible to increase the amount of heat transferred in a portion where the wafer w is difficult to be heated, while reducing the amount of heat transferred in a portion where the wafer w is easily heated. Thereby, the wafer w can be heated uniformly.

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。 Specific examples of the present invention have been described in detail above, but these are merely examples and do not limit the scope of the claims. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the specific examples illustrated above. The technical elements described in this specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. In addition, the technology exemplified in this specification or the drawings can achieve a plurality of objects at the same time, and has technical usefulness by achieving one of the objects.

２：ウェハ支持装置
１０：処理ハウジング
１５：軸支ハウジング
２０：回転テーブル
２１：回転軸
２４：貫通孔
３０：ストッパ
３１：胴体部
３２：突出部
３３：重心
３４：接触部
３５：カバー部
３６：開ストッパ部
３７：閉ストッパ部
３８：連結部
４０：ガスガイド
４１：カバー部材
４２：軸部材
４３：ガス流路
５０：加熱コイル
６０：回転機構
６１：接続部材
６２：ガス流路
７０：支持部材
７１：胴体部
７２：先端部
７３：下カバー
７４：開当接部
７５：閉当接部
８０：ヒンジ
９１：ガス供給管
９２：ガス供給源
９３：ポンプ
９５：隙間
2: Wafer support device 10: Processing housing 15: Shaft support housing 20: Rotary table 21: Rotating shaft 24: Through hole 30: Stopper 31: Body portion 32: Projection portion 33: Center of gravity 34: Contact portion 35: Cover portion 36: Open stopper part 37: Closed stopper part 38: Connecting part 40: Gas guide 41: Cover member 42: Shaft member 43: Gas flow path 50: Heating coil 60: Rotating mechanism 61: Connection member 62: Gas flow path 70: Support member 71: Body part 72: Tip part 73: Lower cover 74: Open contact part 75: Close contact part 80: Hinge 91: Gas supply pipe 92: Gas supply source 93: Pump 95: Gap

Claims

A turntable on which the wafer is placed;
A rotating mechanism for rotating the rotating table;
Comprising at least three stoppers connected to the rotary table via hinges;
Each of the stoppers includes a protruding portion protruding above the hinge, and a center of gravity located below and outside the hinge,
When the turntable is not rotated in a state where the wafer is arranged on the turntable, the protrusions of the stoppers are located outside the outer peripheral surface of the wafer, and the turntable is When rotated, the center of gravity of each of the stoppers moves outward due to centrifugal force, while the protrusion of each of the stoppers moves inward to contact the outer peripheral surface of the wafer.

A heating source for high-frequency induction heating the rotary table;
And further comprising at least three support protrusions protruding above the upper surface of the rotary table,
The wafer support apparatus according to claim 1, wherein a gap is formed between the upper surface of the rotary table and the wafer in a state where the wafer is disposed on at least three of the support protrusions.