JP2018065328A - Water vapor barrier laminate and organic electroluminescent element - Google Patents

Water vapor barrier laminate and organic electroluminescent element Download PDF

Info

Publication number
JP2018065328A
JP2018065328A JP2016206478A JP2016206478A JP2018065328A JP 2018065328 A JP2018065328 A JP 2018065328A JP 2016206478 A JP2016206478 A JP 2016206478A JP 2016206478 A JP2016206478 A JP 2016206478A JP 2018065328 A JP2018065328 A JP 2018065328A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
water vapor
vapor barrier
layer
bond
barrier layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016206478A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
井 宏元
Hiromoto Ii
宏元 井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2016206478A priority Critical patent/JP2018065328A/en
Publication of JP2018065328A publication Critical patent/JP2018065328A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a water vapor barrier laminate which has high transparency and in which deterioration of the water barrier property due to storage is suppressed; and an organic electroluminescent element.SOLUTION: Provided is a water vapor barrier laminate comprising a first water barrier layer and a second water vapor barrier layer, where the first water vapor barrier layer contains Si atoms, O atoms and C atoms, an average value of contents of C atoms relative to whole number of atoms of the Si atoms, O atoms, and C atoms, as measured in a depth direction of the layer thickness by X-ray photoelectron spectroscopy, is 15 atom% or less; and an average value of ratio of a total of C=O bonds and C=OO bonds relative to total amount of C-SiO bonds, C-C bonds, C-O bonds, C=O bonds and C=OO bonds, based on wave form analysis in a depth direction of the layer thickness, is 8% or less.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、水蒸気バリア積層体及び水蒸気バリア積層体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   The present invention relates to a water vapor barrier laminate and an organic electroluminescence device using the water vapor barrier laminate.

有機材料のエレクトロルミネッセンス(electroluminescence:以下、単にELともいう)を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子は、数V〜数十V程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、及び軽量といった多くの優れた特徴を有する。このため、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として、特に近年では薄型、軽量及びフレキシブルな、樹脂基材に水蒸気バリア層を有する水蒸気バリア性フィルムを用いた有機EL素子が注目されている。   An organic electroluminescence element using electroluminescence (hereinafter also simply referred to as EL) of an organic material is a thin-film type complete solid-state element capable of emitting light at a low voltage of about several volts to several tens of volts, and has high luminance. It has many excellent features such as high luminous efficiency, thinness and light weight. For this reason, as a backlight for various displays, display boards such as signboards and emergency lights, and surface light emitters such as illumination light sources, in particular, in recent years, a thin, lightweight and flexible water vapor barrier film having a water vapor barrier layer on a resin substrate An organic EL element using the above has attracted attention.

このような有機EL素子に用いる水蒸気バリア性フィルムについて、より高い水蒸気バリア性能を得るため、水蒸気バリア層を2層以上積層した水蒸気バリア積層体の構成が検討されている。特に、ケイ素、酸素及び炭素を含有する水蒸気バリア層を基材上に形成したものを2つ以上有し、粘着層を介して積層した構造を有することにより、有機EL素子の水蒸気による劣化を防止し、長期に亘る使用が可能となる技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。しかしながら、この技術では、水蒸気バリア積層体の保存性は十分ではない。また、電子デバイスへの利用性を高める為、透明性がより高い水蒸気バリア層が求められている。   In order to obtain a higher water vapor barrier performance for the water vapor barrier film used in such an organic EL device, a structure of a water vapor barrier laminate in which two or more water vapor barrier layers are laminated has been studied. In particular, it has a structure in which two or more water vapor barrier layers containing silicon, oxygen and carbon are formed on a base material, and has a structure in which the layers are laminated via an adhesive layer, thereby preventing deterioration of organic EL elements due to water vapor. However, a technique that can be used for a long time is disclosed (for example, see Patent Document 1). However, with this technique, the storage stability of the water vapor barrier laminate is not sufficient. Moreover, in order to improve the utilization to an electronic device, the water-vapor barrier layer with higher transparency is calculated | required.

特開2016−51569号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2006-51569

本発明の課題は、高い透明性を有し、かつ保存による水蒸気バリア性の劣化が抑制された水蒸気バリア積層体及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。   The subject of this invention is providing the water vapor | steam barrier laminated body and organic electroluminescent element which have high transparency and the deterioration of the water vapor | steam barrier property by storage was suppressed.

本発明者は、上述した課題を解決すべく、鋭意研究を行った。その結果、本発明に係る上述の課題は、以下の手段によって解決することを見出した。   The present inventor has conducted intensive research to solve the above-described problems. As a result, it has been found that the above-described problems according to the present invention can be solved by the following means.

第1水蒸気バリア層と第2水蒸気バリア層とを備える水蒸気バリア積層体であって、
前記第1水蒸気バリア層が、Si原子、O原子及びC原子を含有し、X線光電子分光法により、層厚の深さ方向において測定される、Si原子、O原子及びC原子の総原子数に対するC原子の含有量の平均値が、15atm%以下であり、かつ、
層厚の深さ方向のC1sの波形解析に基づく、C−SiO結合、C−C結合、C−O結合、C=O結合及びC=OO結合の合計量に対するC=O結合とC=OO結合の合計量比率の平均値が、8%以下であることを特徴とする水蒸気バリア積層体。
A water vapor barrier laminate comprising a first water vapor barrier layer and a second water vapor barrier layer,
The first water vapor barrier layer contains Si atoms, O atoms, and C atoms, and the total number of Si atoms, O atoms, and C atoms is measured in the depth direction of the layer thickness by X-ray photoelectron spectroscopy. The average value of the content of C atoms with respect to is 15 atm% or less, and
C = O bond and C = OO with respect to the total amount of C—SiO bond, C—C bond, C—O bond, C═O bond and C═OO bond based on the waveform analysis of C1s in the depth direction of the layer thickness The average value of the total amount ratio of the bonds is 8% or less, and the water vapor barrier laminate.

前記第1水蒸気バリア層は、X線光電子分光法より得られる、層厚の深さ方向における層の表面からの距離と、C−SiO結合、C−C結合、C−O結合、C=O結合及びC=OO結合の前記合計量に対するC−C結合量の、結合分布曲線において、少なくとも極大値と極小値を各々1つ以上有し、
前記C−C結合の比率の最大の極大値と最小の極小値との差が、15〜95%の範囲内であることを特徴とする第1項に記載の水蒸気バリア積層体。
The first water vapor barrier layer is obtained by X-ray photoelectron spectroscopy, the distance from the surface of the layer in the depth direction of the layer thickness, C—SiO bond, C—C bond, C—O bond, C═O. In the bond distribution curve of the C—C bond amount relative to the total amount of bonds and C═OO bonds, each has at least one maximum value and one minimum value, and
2. The water vapor barrier laminate according to item 1, wherein the difference between the maximum maximum value and the minimum minimum value of the C—C bond ratio is in the range of 15 to 95%.

前記第1水蒸気バリア層と前記第2水蒸気バリア層とが、粘着層を介して積層されることを特徴とする第1項又は第2項に記載の水蒸気バリア積層体。   The said 1st water vapor | steam barrier layer and the said 2nd water vapor | steam barrier layer are laminated | stacked through an adhesion layer, The water vapor | steam barrier laminated body of 1st term | claim or 2nd term | claim characterized by the above-mentioned.

前記粘着層が、エポキシ系樹脂、又はアクリル系樹脂のいずれかの樹脂を含むことを特徴とする第3項に記載の水蒸気バリア積層体。   4. The water vapor barrier laminate according to item 3, wherein the adhesive layer contains one of an epoxy resin and an acrylic resin.

前記粘着層の、昇温速度5℃/分で温度領域20℃から140℃まで加熱したときの質量変化率が、0.50%以下であることを特徴とする第3項又は第4項に記載の水蒸気バリア積層体。   Item 3 or 4, wherein the adhesive layer has a mass change rate of 0.50% or less when heated from a temperature range of 20 ° C to 140 ° C at a heating rate of 5 ° C / min. The water vapor barrier laminate described.

第1基材と、前記第1水蒸気バリア層と、前記粘着層と、第2基材と、前記第2水蒸気バリア層とをこの順に備えることを特徴とする第3項から第5項のいずれか一項に記載の水蒸気バリア積層体。   Any one of Items 3 to 5, wherein the first substrate, the first water vapor barrier layer, the adhesive layer, the second substrate, and the second water vapor barrier layer are provided in this order. The water vapor barrier laminate according to claim 1.

第1項から第6項までのいずれか一項に記載の水蒸気バリア積層体を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。   An organic electroluminescence device comprising the water vapor barrier laminate according to any one of items 1 to 6.

本発明によれば、高い透明性を有し、かつ保存による水蒸気バリア性の劣化が抑制された水蒸気バリア積層体、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the water vapor | steam barrier laminated body which has high transparency and the deterioration of the water vapor | steam barrier property by storage was suppressed, and an organic electroluminescent element can be provided.

水蒸気バリア積層体の構成を示す図The figure which shows the structure of a water vapor | steam barrier laminated body 有機EL素子の構成を示す図The figure which shows the structure of an organic EL element 水蒸気バリア性フィルムの構成を示す図The figure which shows the composition of the water vapor barrier property film 水蒸気バリア性フィルムの製造装置の構成を示す図The figure which shows the structure of the manufacturing apparatus of a water vapor | steam barrier film 実施例である水蒸気バリア層を測定して得られたC原子分布曲線を示すグラフThe graph which shows the C atom distribution curve obtained by measuring the water vapor | steam barrier layer which is an Example 実施例である水蒸気バリア層を測定して得られたC−C結合分布曲線を示すグラフThe graph which shows the CC bond distribution curve obtained by measuring the water vapor | steam barrier layer which is an Example 比較例である水蒸気バリア層を測定して得られたC原子分布曲線を示すグラフThe graph which shows the C atom distribution curve obtained by measuring the water vapor | steam barrier layer which is a comparative example 比較例である水蒸気バリア層を測定して得られたC−C結合分布曲線を示すグラフThe graph which shows the CC bond distribution curve obtained by measuring the water vapor | steam barrier layer which is a comparative example

以下、本発明とその構成要素及び本発明の実施形態について、詳細な説明をする。
なお、説明は以下の順序で行う。
1.水蒸気バリア積層体
2.有機エレクトロルミネッセンス素子
Hereinafter, the present invention, its components, and embodiments of the present invention will be described in detail.
The description will be given in the following order.
1. 1. Water vapor barrier laminate Organic electroluminescence device

<1.水蒸気バリア積層体>
[水蒸気バリア積層体の構成]
以下、本発明の水蒸気バリア積層体の具体的な実施の形態について説明する。
<1. Water vapor barrier laminate>
[Configuration of water vapor barrier laminate]
Hereinafter, specific embodiments of the water vapor barrier laminate of the present invention will be described.

本願発明に係る水蒸気バリア積層体は、第1水蒸気バリア層と第2水蒸気バリア層とを有して構成される。さらに、本発明に係る水蒸気バリア積層体は、適宜基材を有してもよく、基材上に第1水蒸気バリア層と第2水蒸気バリア層が積層された構成でも、第1基材/第1水蒸気バリア層/第2基材/第2水蒸気バリア層や、第2基材/第2水蒸気バリア層/第1基材/第1水蒸気バリア層のように2層の基材を有していても良い。
第1水蒸気バリア層と第2水蒸気バリア層を積層するためには、一つの基材の両面に各水蒸気バリア層を設けても良いし、各々別の基材上に水蒸気バリア層を作製し、粘着剤で貼り合せる構成でもよい。より高い水準で水蒸気による劣化を抑制できる水蒸気バリア積層体とするため、粘着剤を用いて第1水蒸気バリア層と第2水蒸気バリア層の積層体とすることが好ましい。
より高い保存性と透明性を得るという観点から、水蒸気バリア積層体は、第1基材と、前記第1水蒸気バリア層と、前記粘着層と、第2基材と、前記第2水蒸気バリア層とをこの順に備えることが好ましい。
さらに、本発明に係る水蒸気バリア積層体は、水蒸気バリア層を2層有するが、水蒸気バリア積層体に対し、さらに水蒸気バリア層を積層していてもよい。粘着層を介して基材と水蒸気バリア層とを積層することにより、より多層構造の水蒸気バリア積層体を構成することも可能である。
また、製造時、搬送時の帯電による異物付着を防止するため、帯電防止層を設けることも好ましい。
The water vapor barrier laminate according to the present invention has a first water vapor barrier layer and a second water vapor barrier layer. Furthermore, the water vapor barrier laminate according to the present invention may have a base material as appropriate, and the first base material / first base material may have a structure in which the first water vapor barrier layer and the second water vapor barrier layer are laminated on the base material. It has two layers of base materials such as 1 water vapor barrier layer / second base material / second water vapor barrier layer and second base material / second water vapor barrier layer / first base material / first water vapor barrier layer. May be.
In order to laminate the first water vapor barrier layer and the second water vapor barrier layer, each water vapor barrier layer may be provided on both surfaces of one base material, or a water vapor barrier layer is produced on each of the different base materials, The structure bonded with an adhesive may be sufficient. In order to obtain a water vapor barrier laminate that can suppress deterioration due to water vapor at a higher level, it is preferable to use a pressure-sensitive adhesive to form a laminate of the first water vapor barrier layer and the second water vapor barrier layer.
From the viewpoint of obtaining higher storage stability and transparency, the water vapor barrier laminate includes the first base material, the first water vapor barrier layer, the adhesive layer, the second base material, and the second water vapor barrier layer. Are preferably provided in this order.
Furthermore, although the water vapor barrier laminate according to the present invention has two water vapor barrier layers, a water vapor barrier layer may be further laminated on the water vapor barrier laminate. By laminating the base material and the water vapor barrier layer via the adhesive layer, it is also possible to form a water vapor barrier laminate having a multilayer structure.
In addition, it is also preferable to provide an antistatic layer in order to prevent foreign matter from adhering due to charging during production and transportation.

図1は、水蒸気バリア積層体の構成の一例である。図1に示すように、水蒸気バリア積層体10は、第1水蒸気バリア層11と第2水蒸気バリア層14を有する。
図1のように、第1水蒸気バリア層11は、第1基材12の第1主面に形成されて、第1水蒸気バリア性フィルム17として構成されている。また、第2水蒸気バリア層14は、第2基材15の第1主面に形成されて、第2水蒸気バリア性フィルム18として構成されている。そして、第1水蒸気バリア性フィルム17と第2水蒸気バリア性フィルム18とが、粘着層13によって貼り合わされている。
FIG. 1 is an example of the configuration of the water vapor barrier laminate. As shown in FIG. 1, the water vapor barrier laminate 10 includes a first water vapor barrier layer 11 and a second water vapor barrier layer 14.
As shown in FIG. 1, the first water vapor barrier layer 11 is formed on the first main surface of the first base 12 and is configured as a first water vapor barrier film 17. The second water vapor barrier layer 14 is formed on the first main surface of the second base material 15 and is configured as a second water vapor barrier film 18. And the 1st water vapor | steam barrier film 17 and the 2nd water vapor | steam barrier film 18 are bonded together by the adhesion layer 13. As shown in FIG.

粘着層13は、第2水蒸気バリア性フィルム18の第2基材15側と、第1水蒸気バリア性フィルム17の第1水蒸気バリア層11側との間に設けられている。   The adhesive layer 13 is provided between the second substrate 15 side of the second water vapor barrier film 18 and the first water vapor barrier layer 11 side of the first water vapor barrier film 17.

第1水蒸気バリア性フィルム17の第1基材12側に、帯電防止層16が設けられている。水蒸気バリア積層体10をロール状に巻回する際には、帯電防止層16が形成されている側をロールの内側にして巻回される。   An antistatic layer 16 is provided on the first substrate 12 side of the first water vapor barrier film 17. When the water vapor barrier laminate 10 is wound in a roll shape, the water vapor barrier laminate 10 is wound with the side on which the antistatic layer 16 is formed inside the roll.

以下、本発明の水蒸気バリア積層体について、詳細に説明する。なお、以下の説明において、範囲を示す「X〜Y」は「X以上Y以下」を意味する。また、特記しない限り、操作及び物性等の測定は室温(20〜25℃)/相対湿度40〜60%RHの条件で測定する。   Hereinafter, the water vapor barrier laminate of the present invention will be described in detail. In the following description, “X to Y” indicating a range means “X or more and Y or less”. Unless otherwise specified, measurement of operation and physical properties is performed under conditions of room temperature (20 to 25 ° C.) / Relative humidity 40 to 60% RH.

[水蒸気バリア層]
第1水蒸気バリア層及び第2水蒸気バリア層は、各々水蒸気バリア性を有する。
本発明において、水蒸気バリア性を有するとは、水蒸気透過度と酸素透過度が低いものをいい、JIS−K−7129:2008に準拠して測定された、水蒸気バリア層の水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度90±2%RH)が0.01g/(m・24時間)以下、酸素透過度が10−3ml/(m・24時間・atm)以下であることが好ましい。
[Water vapor barrier layer]
Each of the first water vapor barrier layer and the second water vapor barrier layer has a water vapor barrier property.
In the present invention, having a water vapor barrier property means a material having low water vapor permeability and oxygen permeability, and the water vapor permeability of the water vapor barrier layer (25 ±) measured in accordance with JIS-K-7129: 2008. 0.5 ° C., relative humidity 90 ± 2% RH) is 0.01 g / (m 2 · 24 hours) or less, and oxygen permeability is 10 −3 ml / (m 2 · 24 hours · atm) or less. preferable.

要求される水蒸気バリア性を有していれば、第1水蒸気バリア層と第2水蒸気バリア層とは、同じ構成であってもよく、異なる構成であってもよい。   As long as it has the required water vapor barrier property, the first water vapor barrier layer and the second water vapor barrier layer may have the same configuration or different configurations.

第1水蒸気バリア層及び第2水蒸気バリア層のうち少なくとも1層が、Si原子、O原子及びC原子を含有している。
このような水蒸気バリア層を得る方法として、Si−C骨格を有する有機ケイ素化合物と酸素を反応させるか、Si−O骨格を有する有機ケイ素化合物に酸素、二酸化炭素、一酸化炭素、二酸化窒素等を反応させて、酸化炭化ケイ素(SiOC)膜を形成することが挙げられる。なお、成膜中に窒素、アンモニア等のガスを供給して窒化することにより、さらにN原子を含有する水蒸気バリア層を形成してもよい。
At least one of the first water vapor barrier layer and the second water vapor barrier layer contains Si atoms, O atoms, and C atoms.
As a method for obtaining such a water vapor barrier layer, oxygen, carbon dioxide, carbon monoxide, nitrogen dioxide, or the like is reacted with an organosilicon compound having an Si—C skeleton or oxygen. It is possible to react to form a silicon oxide carbide (SiOC) film. Note that a water vapor barrier layer further containing N atoms may be formed by nitriding by supplying a gas such as nitrogen or ammonia during the film formation.

使用できる有機ケイ素化合物としては、例えば、ヘキサメチルジシロキサン、1.1.3.3−テトラメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、トリメトキシメチルシランが挙げられる。その中でも、1分子中のSi−C結合の数が少ないものが好ましく、例えばテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)、オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)等の環状シロキサン、トリエトキシシラン(TRIES)、トリメトキシメチルシラン(TMOMS)、テトラメトキシシラン(TMOS)、テトラエトキシシラン(TEOS)等のアルコキシシランが挙げられる。これらの有機ケイ素化合物は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
水蒸気バリア層中のC−C結合の比率を高めて耐屈曲性を向上させ、C=C結合及びC=OO結合の比率を減らして透明性を高める観点から、有機ケイ素化合物の1分子中のSi−C結合の数は、1個のSi原子に対して2個以下であることが好ましく、1又は0個であることがより好ましい。
Examples of organosilicon compounds that can be used include hexamethyldisiloxane, 1.1.3.3-tetramethyldisiloxane, vinyltrimethylsilane, methyltrimethylsilane, hexamethyldisilane, methylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, and diethylsilane. , Propylsilane, phenylsilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, octamethylcyclotetrasiloxane, tetramethylcyclotetrasiloxane, trimethoxymethyl Examples include silane. Among them, those having a small number of Si—C bonds in one molecule are preferable. For example, cyclic siloxanes such as tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS) and octamethylcyclotetrasiloxane (OMCTS), triethoxysilane (TRIES), trimethylsilane. Examples include alkoxysilanes such as methoxymethylsilane (TMOMS), tetramethoxysilane (TMOS), and tetraethoxysilane (TEOS). These organosilicon compounds can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
From the viewpoint of improving the flex resistance by increasing the ratio of C—C bonds in the water vapor barrier layer and increasing the transparency by decreasing the ratio of C═C bonds and C═OO bonds, The number of Si—C bonds is preferably 2 or less, more preferably 1 or 0, per one Si atom.

TMCTS、OMCTS、TMOMSの構造を下記に示す。

Figure 2018065328
The structures of TMCTS, OMCTS, and TMOMS are shown below.
Figure 2018065328

水蒸気バリア層は、蒸着法、プラズマ化学気相成長法(PECVD:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)、有機金属(MO: Metal Organic)CVD法等のCVD法、原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)法等により形成することができ、水蒸気バリア層の原子組成の調整を容易にする観点からは、PECVD法が好ましい。なかでも、対向する2つのローラー間にプラズマを生成して各ローラーにより搬送される基材上に並行して水蒸気バリア層を形成する対向ローラー型のPECVD法が、深さ方向の原子組成を連続的に変化させることができ、好ましい。   The water vapor barrier layer may be formed by a vapor deposition method, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, a CVD method such as an organic metal (MO) CVD method, or an atomic layer deposition (ALD) method. From the viewpoint of facilitating adjustment of the atomic composition of the water vapor barrier layer, the PECVD method is preferable. Above all, the counter-roller type PECVD method, which generates plasma between two opposing rollers and forms a water vapor barrier layer in parallel on the substrate transported by each roller, continues the atomic composition in the depth direction. This is preferable because it can be changed.

第1水蒸気バリア層が、Si原子、O原子及びC原子を含有し、X線光電子分光法により、層厚の深さ方向において測定される、Si原子、O原子及びC原子の総原子数に対するC原子の含有量の平均値が、15atm%以下であり、かつ層厚の深さ方向のC1sの波形解析に基づく、C−SiO結合、C−C結合、C−O結合、C=O結合及びC=OO結合の合計量に対するC=O結合とC=OO結合の合計量比率の平均値が、8%以下である。
このような水蒸気バリア層は発色団であり、黄ばみ等の着色要因になり得るC=O結合及びC=OO結合が少ないため、高い透明性と保存性を得ることが出来る。
前記C原子の含有量の平均値は、2atm%以上がより好ましい。また、前記C=O結合とC=OO結合の合計量比率の平均値は、2%以上がより好ましい。
The first water vapor barrier layer contains Si atoms, O atoms, and C atoms, and is measured in the depth direction of the layer thickness by X-ray photoelectron spectroscopy with respect to the total number of atoms of Si atoms, O atoms, and C atoms. C-SiO bond, C-C bond, C-O bond, C = O bond based on C1s waveform analysis in which the average value of C atom content is 15 atm% or less and the depth direction of the layer thickness And the average value of the total amount ratio of C = O bond and C = OO bond to the total amount of C = OO bond is 8% or less.
Such a water vapor barrier layer is a chromophore, and since there are few C = O bonds and C = OO bonds that can cause coloring such as yellowing, high transparency and storage stability can be obtained.
The average value of the C atom content is more preferably 2 atm% or more. Further, the average value of the total amount ratio of the C═O bond and the C═OO bond is more preferably 2% or more.

第1水蒸気バリア層が、X線光電子分光法より得られる、層厚の深さ方向における層の表面からの距離と、C−SiO結合、C−C結合、C−O結合、C=O結合及びC=OO結合の前記合計量に対するC−C結合両の、結合分布曲線において、少なくとも極大値と極小値を各々1つ以上有し、前記C−C結合の比率の最大の極大値と最小の極小値との差が15〜95%の範囲内であることが好ましい。
このような水蒸気バリア層は、C−C結合分布が傾斜構造を有することで応力緩和の機能が高まるため、より高い保存性を維持することができる。
The first water vapor barrier layer is obtained by X-ray photoelectron spectroscopy, the distance from the surface of the layer in the depth direction of the layer thickness, the C—SiO bond, the C—C bond, the C—O bond, and the C═O bond. In the bond distribution curve of both C—C bonds with respect to the total amount of C═OO bonds, each has at least one maximum value and one minimum value, and the maximum maximum value and the minimum value of the ratio of the C—C bonds. It is preferable that the difference from the minimum value is in the range of 15 to 95%.
In such a water vapor barrier layer, the C—C bond distribution has an inclined structure, so that the function of stress relaxation is enhanced, and therefore, higher storage stability can be maintained.

C−C結合比率の結合分布曲線において、C−C結合比率が増加から減少へ変わる変曲点を極大値という。C−C結合比率の結合分布曲線において、C−C結合比率が減少から増加へ変わる変曲点を極小値という。
なお、C−C結合比率の結合分布曲線が複数の極大値又は複数の極小値を有する場合、複数のなかでも最大の極大値と最小の極小値の差を求める。
The inflection point at which the CC bond ratio changes from an increase to a decrease in the bond distribution curve of the CC bond ratio is referred to as a maximum value. In the bond distribution curve of the CC bond ratio, the inflection point at which the CC bond ratio changes from decreasing to increasing is referred to as a minimum value.
In addition, when the bond distribution curve of the CC bond ratio has a plurality of maximum values or a plurality of minimum values, the difference between the maximum maximum value and the minimum minimum value among the plurality is obtained.

上記C原子の比率及びC−C結合分布曲線は、XPS法と希ガスイオンスパッタとを組み合わせることにより、得ることができる。XPS法は、X線を照射した試料表面から放出される光電子の運動エネルギーを計測し、試料表面を構成する原子の組成及び化学結合状態を分析する手法であり、ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)とも呼ばれている。希ガスイオンスパッタにより試料をエッチングして露出した試料表面の原子組成及び化学結合状態をXPS法により分析することにより、試料の深さ方向の原子組成及び化学結合状態の変化を把握することができる。   The C atom ratio and the C—C bond distribution curve can be obtained by combining the XPS method and rare gas ion sputtering. The XPS method is a technique for measuring the kinetic energy of photoelectrons emitted from the sample surface irradiated with X-rays and analyzing the composition and chemical bonding state of atoms constituting the sample surface. ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis) It is also called. By analyzing the atomic composition and chemical bonding state of the sample surface exposed by etching the sample by rare gas ion sputtering using the XPS method, it is possible to grasp changes in the atomic composition and chemical bonding state in the depth direction of the sample. .

XPS法と希ガスイオンスパッタによる測定条件の一例を示す。
(測定条件)
エッチングイオン種:アルゴン(Ar
エッチング速度(SiO熱酸化膜換算値):0.05nm/sec
エッチング間隔(SiO換算値):10nm
X線光電子分光装置:Thermo Fisher Scientific社製、機種
名“VG Theta Probe”
照射X線:単結晶分光AlKα
X線のスポット及びそのサイズ:800×400μmの楕円形
An example of measurement conditions by XPS method and rare gas ion sputtering is shown.
(Measurement condition)
Etching ion species: Argon (Ar + )
Etching rate (SiO 2 thermal oxide equivalent value): 0.05 nm / sec
Etching interval (SiO 2 equivalent value): 10 nm
X-ray photoelectron spectrometer: Model name “VG Theta Probe” manufactured by Thermo Fisher Scientific
Irradiation X-ray: Single crystal spectroscopy AlKα
X-ray spot and size: 800 × 400 μm oval

具体的には、希ガスイオンスパッタにより上記エッチング間隔で水蒸気バリア層をエッチングするごとに、XPS法により原子組成及び化学結合状態を測定する。
各深さ方向の位置において、測定により得られたSi原子、O原子及びC原子の総原子数に対するC原子の数の比率を求め、平均することにより、水蒸気バリア層中のC原子の比率(C原子含有量)の平均値を得ることができる。
なお、深さ方向における水蒸気バリア層の表面からの距離(深さ)に対するC原子の比率の近似曲線を、深さ方向におけるC原子の比率を表すC原子分布曲線として得ることができる。
Specifically, every time the water vapor barrier layer is etched at the above-described etching interval by rare gas ion sputtering, the atomic composition and chemical bonding state are measured by XPS method.
At each position in the depth direction, the ratio of the number of C atoms to the total number of Si atoms, O atoms, and C atoms obtained by measurement is obtained and averaged to obtain the ratio of C atoms in the water vapor barrier layer ( The average value of (C atom content) can be obtained.
An approximate curve of the ratio of C atoms to the distance (depth) from the surface of the water vapor barrier layer in the depth direction can be obtained as a C atom distribution curve representing the ratio of C atoms in the depth direction.

炭素原子に関しては、C1sの高分解能スペクトル(ナロースキャン分析)の波形解析により、炭素の結合状態を分析する。具体的には、炭素(C)に関して、C1sの波形解析に基づいて、例えばC−SiO結合、C−C結合、C−O結合、C=O結合及びC=OO結合などといった、化学結合のピークを分離する。そして、C1sピークのピーク面積(Q1)に対するC−C結合のピーク面積(Q2)の比率(Q2/Q1×100)を、C−C結合の比率として求める。すなわち、C−C結合の比率は、C1sピークを形成する1又は複数の化学結合(例えば、C−SiO結合、C−C結合、C−O結合、C=O結合、C=OO結合といったC原子を含む化学結合)の合計量に対するC−C結合の割合に等しい。比率の算出に必要な波形解析(ピークの分離、ピーク面積の算出、ピーク位置の特定等)には、XPS装置ESCA LAB220i−XLの付属解析ソフトEclipse バージョン2.1等の解析ソフトを使用することができる。   For carbon atoms, the carbon bonding state is analyzed by waveform analysis of a C1s high-resolution spectrum (narrow scan analysis). Specifically, for carbon (C), based on the waveform analysis of C1s, for example, chemical bonds such as C—SiO bond, C—C bond, C—O bond, C═O bond, and C═OO bond, etc. Separate peaks. Then, the ratio (Q2 / Q1 × 100) of the C—C bond peak area (Q2) to the C1s peak peak area (Q1) is determined as the C—C bond ratio. That is, the ratio of the C—C bond is determined by one or more chemical bonds forming a C1s peak (for example, C—SiO bond, C—C bond, C—O bond, C═O bond, C═OO bond, etc.). It is equal to the ratio of C—C bonds to the total amount of chemical bonds including atoms. Use analysis software such as Eclipse version 2.1 attached to the XPS device ESCA LAB220i-XL for waveform analysis (peak separation, peak area calculation, peak position identification, etc.) necessary for calculating the ratio Can do.

水蒸気バリア層の深さ方向の位置は、例えば図3に示すように、水蒸気バリア層31の基材32と反対側の表面Sbの位置を0%、水蒸気バリア層31の基材32側の表面Saの位置を100%として、0〜100%の割合で表すことができる。即ち、水蒸気バリア層の深さ方向の位置は、水蒸気バリア層の表面Sbから表面Saまでの距離(水蒸気バリア層の層厚)に対する、表面Sbからのスパッタ深さの割合で表すことができる。
水蒸気バリア層の層厚は、透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Microscope)により水蒸気バリア性フィルムの断面を観察して決定する。具体的には、水蒸気バリア性フィルムの断面を観察し、水蒸気バリア層の層厚を測定する。水蒸気バリア層と基材の界面は両者のコントラスト差から決定する。距離の測定をフィルム面上の位置が異なる10点において行い、各測定値の平均値を水蒸気バリア層の層厚として決定する。
The position of the water vapor barrier layer in the depth direction is, for example, as shown in FIG. 3, the position of the surface Sb opposite to the base 32 of the water vapor barrier layer 31 is 0%, and the surface of the water vapor barrier layer 31 on the base 32 side. Assuming that the position of Sa is 100%, it can be expressed in a ratio of 0 to 100%. That is, the position in the depth direction of the water vapor barrier layer can be expressed by the ratio of the sputtering depth from the surface Sb to the distance from the surface Sb to the surface Sa of the water vapor barrier layer (layer thickness of the water vapor barrier layer).
The layer thickness of the water vapor barrier layer is determined by observing the cross section of the water vapor barrier film with a transmission electron microscope (TEM). Specifically, the cross section of the water vapor barrier film is observed, and the layer thickness of the water vapor barrier layer is measured. The interface between the water vapor barrier layer and the substrate is determined from the contrast difference between the two. The distance is measured at 10 points at different positions on the film surface, and the average value of each measured value is determined as the layer thickness of the water vapor barrier layer.

TEM及びTEM用の試料を作成するための集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置としては下記装置を使用できる。
(TEM)
装置:JEM2000FX(日本電子社製)
加速電圧:200kV
(FIB装置)
装置:SMI2050(SII社製)
加工イオン:Ga(30kV)
試料の厚さ:100〜200nm
As a focused ion beam (FIB) apparatus for preparing a TEM and a sample for TEM, the following apparatus can be used.
(TEM)
Apparatus: JEM2000FX (manufactured by JEOL Ltd.)
Accelerating voltage: 200kV
(FIB equipment)
Apparatus: SMI2050 (manufactured by SII)
Processed ion: Ga (30 kV)
Sample thickness: 100-200 nm

図5及び図6は、テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)及び酸素を原料としてPECVD法により作成した、実施例としての水蒸気バリア層のXPSによる測定結果を示す。
図7及び図8は、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)及び酸素を原料としてPECVD法により形成した、比較例としての水蒸気バリア層のXPSによる測定結果を示す。
FIG. 5 and FIG. 6 show the measurement results by XPS of the water vapor barrier layer as an example prepared by PECVD using tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS) and oxygen as raw materials.
7 and 8 show the XPS measurement results of a water vapor barrier layer as a comparative example formed by PECVD using hexamethyldisiloxane (HMDSO) and oxygen as raw materials.

水蒸気バリア層の深さ方向におけるC−C結合の比率及びC=O結合とC=OO結合の総和は、有機ケイ素化合物の分子内のC原子、H原子及びO原子の比率によって使用する原料を選択することにより、調整することができる。   The ratio of C—C bonds in the depth direction of the water vapor barrier layer and the sum of C═O bonds and C═OO bonds are determined by the ratio of the C atoms, H atoms, and O atoms in the molecule of the organosilicon compound. By selecting, it can be adjusted.

また、原料の選択だけでなく、原料ガスの供給量、電極間距離の調整、不活性ガスの種類と供給量、印加電圧等の成膜条件を調整することによっても、深さ方向におけるC−C結合の数の比率及びC=O結合とC=OO結合の総和を調整することができる。
例えば、PECVD法により、有機ケイ素化合物ととともに原料ガスとして供給する酸
素ガスを供給して水蒸気バリア層を形成する場合、酸素ガスの供給量を調整することにより、目的の比率に調整することができる。
Further, not only the selection of the raw material but also the adjustment of film formation conditions such as the supply amount of the source gas, the distance between the electrodes, the type and supply amount of the inert gas, the applied voltage, etc. The ratio of the number of C bonds and the sum of C = O bonds and C = OO bonds can be adjusted.
For example, in the case of forming a water vapor barrier layer by supplying oxygen gas supplied as a raw material gas together with an organosilicon compound by PECVD method, the target ratio can be adjusted by adjusting the supply amount of oxygen gas. .

また、成膜中に窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスを供給し、この不活性ガスの供給量を調整することによって、プラズマを安定させ、酸素ガスと有機ケイ素化合物の酸化反応、堆積等を制御し、目的の比率に調整することもできる。   In addition, an inert gas such as nitrogen, argon or helium is supplied during film formation, and by adjusting the supply amount of this inert gas, the plasma is stabilized and the oxidation reaction and deposition of oxygen gas and organosilicon compound are performed. Can be adjusted to the desired ratio.

また、プラズマを生成する電極間の距離を連続的に変化させることによっても、深さ方向におけるC−C結合の比率及びC=O結合とC=OO結合の総和を目的の比率に調整することができる。
対向ローラー型のPECVD法により成膜する場合、各ローラーが内蔵する電極の距離を変化させると、ローラーに接する基材の表面で生成されるプラズマの密度が連続的に変化するため、水蒸気バリア層の組成も連続的に変化させることができる。
Also, by continuously changing the distance between electrodes that generate plasma, the ratio of C—C bonds in the depth direction and the sum of C═O bonds and C═OO bonds can be adjusted to the desired ratio. Can do.
When forming a film by the counter-roller type PECVD method, if the distance between the electrodes built in each roller is changed, the density of the plasma generated on the surface of the substrate in contact with the roller changes continuously. The composition of can also be changed continuously.

上述したC原子分布曲線及びC−C結合分布曲線を有する水蒸気バリア層は、波長が450nmの光の屈折率が1.47〜1.54の範囲内であれば、有機EL素子等の封止材として好ましく使用することができる。   If the water vapor barrier layer having the above-mentioned C atom distribution curve and C—C bond distribution curve has a refractive index of light having a wavelength of 450 nm within a range of 1.47 to 1.54, sealing of an organic EL element or the like It can be preferably used as a material.

上述したC原子分布曲線及びC−C結合分布曲線を有する水蒸気バリア層は、ナノインデテーション法により測定された硬度が、4.4〜5.7GPaの範囲内であれば、膜硬度が高く、耐衝撃性に優れた封止材として電子デバイスに好ましく使用することができる。   If the water vapor barrier layer having the C atom distribution curve and the C—C bond distribution curve described above has a hardness measured by the nanoindentation method within the range of 4.4 to 5.7 GPa, the film hardness is high, It can be preferably used for an electronic device as a sealing material excellent in impact resistance.

水蒸気バリア層の層厚は、50〜500nmの範囲内にあることが好ましく、50〜300nmの範囲内にあることが好ましい。
層厚が50nm以上であれば、十分な水蒸気バリア性を得ることができ、層厚が500nm以下であれば、薄いことから、透過性が良好になる。
The layer thickness of the water vapor barrier layer is preferably in the range of 50 to 500 nm, and preferably in the range of 50 to 300 nm.
If the layer thickness is 50 nm or more, sufficient water vapor barrier properties can be obtained, and if the layer thickness is 500 nm or less, the permeability is good because it is thin.

(水蒸気バリア性フィルムの特性)
水蒸気バリア性フィルムは、透明性が高いと、電子デバイスの封止材としての利用性が高まり、好ましい。
具体的には、波長450nmの光の吸収率(%)が、0.8%以下であることが好ましく、より好ましくは0.5%以下であり、さらに好ましくは0.3%以下である。
(Characteristics of water vapor barrier film)
When the water vapor barrier film has high transparency, it is preferable because the utility as a sealing material for electronic devices is increased.
Specifically, the light absorption rate (%) at a wavelength of 450 nm is preferably 0.8% or less, more preferably 0.5% or less, and still more preferably 0.3% or less.

(水蒸気バリア性フィルムの製造装置)
水蒸気バリア性フィルムは、従来公知の一般的な製造装置により製造することが可能である。製造装置としては、コベルコ社製のプラズマCVDロールコータ W53シリーズ、サムコ社製のプラズマCVD装置 PDシリーズなどが挙げられるが、好ましい製造装置として、上記水蒸気バリア性フィルムを製造可能な製造装置60を、図4に示す。
水蒸気バリア性フィルムの製造装置60は、図4に示すように、真空チャンバー40内において、複数のローラー41〜48により基材32を搬送し、互いに対向する一対のローラー43及び46間に電圧を印加するとともに原料ガスを供給する。これにより、製造装置60は、原料ガスのプラズマ反応を生じさせ、基材上に水蒸気バリア層を形成して、水蒸気バリア性フィルムを製造する。
(Water vapor barrier film production equipment)
The water vapor barrier film can be produced by a conventionally known general production apparatus. Examples of the manufacturing apparatus include a plasma CVD roll coater W53 series manufactured by Kobelco, a plasma CVD apparatus PD series manufactured by Samco, and the like. As a preferable manufacturing apparatus, a manufacturing apparatus 60 capable of manufacturing the water vapor barrier film is used. As shown in FIG.
As shown in FIG. 4, the water vapor barrier film manufacturing apparatus 60 conveys the substrate 32 by a plurality of rollers 41 to 48 in the vacuum chamber 40, and applies a voltage between a pair of rollers 43 and 46 facing each other. Apply and supply source gas. Thereby, the manufacturing apparatus 60 produces the plasma reaction of source gas, forms a water vapor | steam barrier layer on a base material, and manufactures a water vapor | steam barrier property film.

図4に示すように、真空チャンバー40には排気口50が設けられ、排気口50の終端
に真空ポンプ51が設けられている。
また、図4に示すように、ローラー41は基材32を巻き出し、ローラー48は水蒸気バリア層の形成によって得られた水蒸気バリア性フィルム30を巻き取る。
ローラー42〜47は、ローラー41により巻き出され、ローラー48により巻き取られるまでの間、基材32を搬送する。
As shown in FIG. 4, the vacuum chamber 40 is provided with an exhaust port 50, and a vacuum pump 51 is provided at the end of the exhaust port 50.
Moreover, as shown in FIG. 4, the roller 41 unwinds the base material 32, and the roller 48 winds up the water vapor | steam barrier film 30 obtained by formation of a water vapor | steam barrier layer.
The rollers 42 to 47 convey the substrate 32 until it is unwound by the roller 41 and taken up by the roller 48.

一対のローラー43及び46は互いに対向するように配置され、各ローラー43及び46間に原料ガスを供給するガス供給部52が、ローラー43及び46に隣接して設けられている。
一対のローラー43及び46は、それぞれ電源49に接続され、磁場発生装置53を内蔵している。ガス供給部52により原料ガスを供給し、電源49により各ローラー43及び46間に電圧を印加することにより、各ローラー43及び46間の放電空間にプラズマが生成し、原料ガスのプラズマ反応が進行してローラー43及び46により搬送される基材32上にそれぞれ水蒸気バリア層が形成される。このとき、各ローラー43及び46の周辺には磁場発生装置53によりレーストラック状の磁場が形成されているので、プラズマはこの磁場の磁力線に沿って生成される。放電空間における電場と磁場によって、電子が成膜空間内に閉じ込められ、高密度のプラズマが生成されるため、成膜効率が向上する。
The pair of rollers 43 and 46 are disposed so as to face each other, and a gas supply unit 52 that supplies a source gas between the rollers 43 and 46 is provided adjacent to the rollers 43 and 46.
The pair of rollers 43 and 46 are each connected to a power source 49 and incorporate a magnetic field generator 53. By supplying the source gas from the gas supply unit 52 and applying a voltage between the rollers 43 and 46 by the power source 49, plasma is generated in the discharge space between the rollers 43 and 46, and the plasma reaction of the source gas proceeds. Thus, a water vapor barrier layer is formed on the substrate 32 conveyed by the rollers 43 and 46, respectively. At this time, since a racetrack-like magnetic field is formed around the rollers 43 and 46 by the magnetic field generator 53, plasma is generated along the magnetic field lines of the magnetic field. Electrons are confined in the film formation space by the electric and magnetic fields in the discharge space, and high-density plasma is generated, so that the film formation efficiency is improved.

図4に示すガス供給部52は、ローラー43とローラー46の中心線上に設けられているが、この中心線からローラー43及び46のいずれかの方へ片寄らせてもよい。これにより、ローラー43及び46への原料ガスの供給量を異ならせることができ、ローラー43上で形成される膜とローラー46上で形成される膜の原子組成を異ならせることができる。   The gas supply unit 52 illustrated in FIG. 4 is provided on the center line of the roller 43 and the roller 46, but may be offset from the center line toward either the roller 43 or 46. Thereby, the supply amount of the source gas to the rollers 43 and 46 can be made different, and the atomic composition of the film formed on the roller 43 and the film formed on the roller 46 can be made different.

成膜中の原料ガスの供給量等の成膜条件を変化させることで、異なる原子組成の膜が形成され、深さ方向における原子組成が連続的に変化する。
具体的には、基材32がローラー43のA地点及びローラー46のB地点に至ると、水蒸気バリア層31中の深さ方向におけるC原子の比率が増大から減少へ変化し、O原子の比率が減少から増大へ変化する。
これに対して、基材32がローラー43のC1及びC2地点と、ローラー46のC3及びC4地点に至ると、水蒸気バリア層31中の深さ方向におけるC原子の比率が減少から増大へ変化し、O原子の比率が増大から減少へ変化する。
このように減少から増大へ又は増大から減少へ転ずる極値の存在は、水蒸気バリア層31中のC原子及びO原子の存在比が均一ではないことを示し、部分的にC原子が少ない緻密性の低い部分が存在することにより、水蒸気バリア層31がフレキシブルな構造となって、耐屈曲性が向上する。
By changing the film formation conditions such as the supply amount of the source gas during film formation, films having different atomic compositions are formed, and the atomic composition in the depth direction changes continuously.
Specifically, when the base material 32 reaches the point A of the roller 43 and the point B of the roller 46, the ratio of C atoms in the depth direction in the water vapor barrier layer 31 changes from increase to decrease, and the ratio of O atoms. Changes from decreasing to increasing.
In contrast, when the base material 32 reaches the C1 and C2 points of the roller 43 and the C3 and C4 points of the roller 46, the ratio of C atoms in the depth direction in the water vapor barrier layer 31 changes from decreasing to increasing. , The ratio of O atoms changes from increasing to decreasing.
Thus, the existence of an extreme value that shifts from decrease to increase or from increase to decrease indicates that the abundance ratio of C atoms and O atoms in the water vapor barrier layer 31 is not uniform, and the compactness is partially low in C atoms. The presence of the low portion of the water vapor barrier layer 31 provides a flexible structure and improves the bending resistance.

各ローラー43及び46は、回転軸が同一平面上において平行となるように、またそれぞれが搬送する基材32の水蒸気バリア層が形成される面が対面するように、配置することが好ましい。このような構成により、搬送方向上流のローラー43により基材上に水蒸気バリア層を形成した後、搬送方向下流のローラー46によりさらに水蒸気バリア層を積層することができ、成膜効率をより向上させることができる。   The rollers 43 and 46 are preferably arranged so that the rotation axes thereof are parallel to each other on the same plane, and the surfaces on which the water vapor barrier layer of the base material 32 to be conveyed face each other. With such a configuration, after the water vapor barrier layer is formed on the substrate by the roller 43 upstream in the transport direction, the water vapor barrier layer can be further laminated by the roller 46 downstream in the transport direction, thereby improving the film formation efficiency. be able to.

各ローラー43及び46は、成膜効率を高める観点から、直径が同一であることが好ましい。
各ローラー43及び46の直径としては、放電条件の最適化、真空チャンバー40内のスペース削減等の観点から、直径φが100〜1000mmの範囲内であることが好ましく、100〜700mmの範囲内であることがより好ましい。
直径φが100mm以上であれば、十分な大きさの放電空間を形成することができ、生産性の低下を防ぐことができる。また、短時間の放電で十分な層厚を得ることができ、放電時に基材に加えられる熱量を抑えて、残留応力を抑えることができる。直径φが1000mm以下であれば、放電空間の均一性を維持することができ、装置設計において実用的である。
The rollers 43 and 46 preferably have the same diameter from the viewpoint of increasing the film formation efficiency.
The diameter of each of the rollers 43 and 46 is preferably in the range of 100 to 1000 mm, and in the range of 100 to 700 mm, from the viewpoint of optimization of discharge conditions, space reduction in the vacuum chamber 40, and the like. More preferably.
When the diameter φ is 100 mm or more, a sufficiently large discharge space can be formed, and a reduction in productivity can be prevented. In addition, a sufficient layer thickness can be obtained by short-time discharge, and the residual stress can be suppressed by suppressing the amount of heat applied to the substrate during discharge. If the diameter φ is 1000 mm or less, the uniformity of the discharge space can be maintained, which is practical in device design.

ガス供給部52は、一対のローラー43及び46間に形成された放電空間に、水蒸気バリア層の原料ガスを供給する。例えば、有機ケイ素化合物を酸化させて酸化炭化ケイ素を含有する水蒸気バリア層を形成する場合、ガス供給部52は、有機ケイ素化合物のガスと、酸素、オゾン等のガスとを原料ガスとして供給する。窒化させる場合は、窒素、アンモニア等の原料ガスを供給すればよい。   The gas supply unit 52 supplies the raw material gas for the water vapor barrier layer to the discharge space formed between the pair of rollers 43 and 46. For example, when forming a water vapor barrier layer containing oxidized silicon carbide by oxidizing an organosilicon compound, the gas supply unit 52 supplies a gas of an organosilicon compound and a gas such as oxygen or ozone as a source gas. In the case of nitriding, a source gas such as nitrogen or ammonia may be supplied.

ガス供給部52は、必要に応じて、原料ガスの供給にキャリアガスを用いることができ、プラズマの生成を促進するためにプラズマ生成用ガスを供給することもできる。キャリアガスとしては、例えばヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン等の希ガス、窒素ガス等が挙げられ、プラズマ生成用ガスとしては水素等が挙げられる。   The gas supply unit 52 can use a carrier gas to supply the source gas as necessary, and can also supply a plasma generation gas to promote the generation of plasma. Examples of the carrier gas include rare gases such as helium, argon, neon, xenon, and krypton, nitrogen gas, and examples of the plasma generating gas include hydrogen.

電源49としては、プラズマ発生用の公知の電源を使用できるが、各ローラー43及び46の極性を交互に反転させることができる交流電源が、成膜効率を向上させることができ、好ましい。
電源49が供給する電力量としては、0.1〜10.0kWの範囲内とすることができる。0.1kW以上であれば、パーティクルと呼ばれる異物の発生を抑えることができる。また、10.0kW以下であれば、発生する熱量を抑えることができ、温度上昇による基材32のしわの発生を抑えることができる。また、交流電源とする場合、交流の周波数は、50Hz〜500kHzの範囲内であることが好ましい。
As the power source 49, a known power source for generating plasma can be used. However, an AC power source capable of alternately reversing the polarities of the rollers 43 and 46 can improve the film formation efficiency, and is preferable.
The amount of power supplied by the power supply 49 can be in the range of 0.1 to 10.0 kW. If it is 0.1 kW or more, the generation of foreign matters called particles can be suppressed. Moreover, if it is 10.0 kW or less, the calorie | heat amount to generate | occur | produce can be suppressed and generation | occurrence | production of the wrinkle of the base material 32 by a temperature rise can be suppressed. Moreover, when setting it as alternating current power supply, it is preferable that the frequency of alternating current exists in the range of 50 Hz-500 kHz.

真空チャンバー40内の圧力、すなわち真空度は、原料ガスの種類等に応じて真空ポンプ51により調整することができるが、0.5〜100.0Paの範囲内であることが好ましい。
また、基材32の搬送速度(ライン速度)は、原料ガスの種類、真空度等に応じて決定することができるが、0.25〜100.00m/minの範囲内であることが好ましく、0.5〜20.0m/minの範囲内であることがより好ましい。この範囲内であれば、基材32のしわの発生を抑え、十分な厚さの水蒸気バリア層を形成することができる。
The pressure in the vacuum chamber 40, that is, the degree of vacuum, can be adjusted by the vacuum pump 51 according to the type of the raw material gas, but is preferably in the range of 0.5 to 100.0 Pa.
Moreover, although the conveyance speed (line speed) of the base material 32 can be determined according to the kind of source gas, a vacuum degree, etc., it is preferable that it exists in the range of 0.25-100.00 m / min, More preferably, it is in the range of 0.5 to 20.0 m / min. If it is in this range, generation | occurrence | production of the wrinkle of the base material 32 can be suppressed and the water vapor | steam barrier layer of sufficient thickness can be formed.

[基材]
第1基材及び第2基材は、第1水蒸気バリア層及び第2水蒸気バリア層の支持体として用いることが好ましい。第1水蒸気バリア層及び第2水蒸気バリア層を、支持体である第1基材及び第2基材上に設けることにより、水蒸気バリア積層体の製造工程における作業性が向上する。例えば、第1水蒸気バリア層及び第2水蒸気バリア層の成膜性や、粘着層で貼り合せる際の作業性が向上する。
第1基材と第2基材とは、同じ材料から形成されていてもよく、異なる材料から形成されていてもよい。
[Base material]
The first base material and the second base material are preferably used as supports for the first water vapor barrier layer and the second water vapor barrier layer. By providing the first water vapor barrier layer and the second water vapor barrier layer on the first base material and the second base material which are supports, the workability in the manufacturing process of the water vapor barrier laminate is improved. For example, the film formability of the first water vapor barrier layer and the second water vapor barrier layer and the workability at the time of bonding with the adhesive layer are improved.
The 1st base material and the 2nd base material may be formed from the same material, and may be formed from a different material.

第1基材及び第2基材としては、具体的には、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン樹脂、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、シクロオレフィルンコポリマー、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、フルオレン環変性ポリエステル樹脂、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂を含む基材が挙げられる。第1基材及び第2基材は、上述した材料を単独又は2種以上組み合わせて用いることができる。   Specifically, as the first base material and the second base material, polyester resin, methacrylic resin, methacrylic acid-maleic acid copolymer, polystyrene resin, transparent fluororesin, polyimide, fluorinated polyimide resin, polyamide resin, polyamide Imide resin, polyether imide resin, cellulose acylate resin, polyurethane resin, polyether ether ketone resin, polycarbonate resin, alicyclic polyolefin resin, polyarylate resin, polyether sulfone resin, polysulfone resin, cycloolefin solvent, fluorene ring Examples include base materials containing thermoplastic resins such as modified polycarbonate resins, alicyclic modified polycarbonate resins, fluorene ring modified polyester resins, and acryloyl compounds. The first base material and the second base material can be used alone or in combination of two or more.

第1基材と第2基材は耐熱性を有する材料からなることが好ましい。具体的には、線膨張係数が15〜100ppm/Kの範囲内で、かつガラス転移温度(Tg)が100〜300℃の範囲内の材料が使用される。第1基材と第2基材のTgや線膨張係数は、添加剤などによって調整することができる。   The first base material and the second base material are preferably made of a material having heat resistance. Specifically, a material having a linear expansion coefficient in the range of 15 to 100 ppm / K and a glass transition temperature (Tg) in the range of 100 to 300 ° C. is used. The Tg and linear expansion coefficient of the first base material and the second base material can be adjusted by an additive or the like.

水蒸気バリア積層体を用いて有機EL素子を作製する場合に、水蒸気バリア積層体が150℃以下の工程に曝されることが好ましい。この場合において、水蒸気バリア積層体における基材の線膨張係数が100ppm/K以下であれば、熱工程で基板寸法が安定し、熱膨張及び収縮に伴って遮断性性能が劣化してしまうことを防ぐ。また、第1基材と第2基材の線膨張係数が15ppm/K以上であれば、可撓性や柔軟性は保持され、水蒸気バリア積層体がガラスのように割れてしまうことを抑える。   When producing an organic EL element using a water vapor | steam barrier laminated body, it is preferable that a water vapor | steam barrier laminated body is exposed to the process of 150 degrees C or less. In this case, if the linear expansion coefficient of the base material in the water vapor barrier laminate is 100 ppm / K or less, the substrate dimensions are stabilized in the thermal process, and the barrier performance is deteriorated with thermal expansion and contraction. prevent. Moreover, if the linear expansion coefficient of a 1st base material and a 2nd base material is 15 ppm / K or more, flexibility and a softness | flexibility will be hold | maintained and it will suppress that a water vapor | steam barrier laminated body breaks like glass.

第1基材と第2基材として用いることができる熱可塑性樹脂のより好ましい具体例としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET:70℃)、ポリエチレンナフタレート(PEN:120℃)、ポリカーボネート(PC:140℃)、脂環式ポリオレフィン(例えば日本ゼオン株式会社製、ゼオノア(登録商標)1600:160℃)、ポリアリレート(PAr:210℃)、ポリエーテルスルホン(PES:220℃)、ポリスルホン(PSF:190℃)、シクロオレフィンコポリマー(COC:特開2001−150584号公報に記載の化合物:162℃)、ポリイミド(例えば三菱ガス化学株式会社製、ネオプリム(登録商標):260℃)、フルオレン環変性ポリカーボネート(BCF−PC:特開2000−227603号公報に記載の化合物:225℃)、脂環変性ポリカーボネート(IP−PC:特開2000−227603号公報に記載の化合物:205℃)、アクリロイル化合物(特開2002−80616号公報に記載の化合物:300℃以上)等が挙げられる(括弧内はTgを示す)。   More preferable specific examples of the thermoplastic resin that can be used as the first base material and the second base material include, for example, polyethylene terephthalate (PET: 70 ° C.), polyethylene naphthalate (PEN: 120 ° C.), polycarbonate (PC: 140 ° C.), alicyclic polyolefin (for example, ZEONOR (registered trademark) 1600: 160 ° C., manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.), polyarylate (PAr: 210 ° C.), polyethersulfone (PES: 220 ° C.), polysulfone (PSF: 190 ° C.), cycloolefin copolymer (COC: compound described in JP 2001-150584 A: 162 ° C.), polyimide (for example, Neoprim (registered trademark): 260 ° C., manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.), fluorene ring-modified polycarbonate (BCF-PC: JP 2000-227 A 03 compound: 225 ° C., alicyclic modified polycarbonate (IP-PC: JP 2000-227603 compound: 205 ° C.), acryloyl compound (JP 2002-80616 Compound: 300 ° C. or higher), etc. (in parentheses indicate Tg).

また、第1基材と第2基材は、未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。第1基材と第2基材は、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。これらの基材の製造方法については、国際公開第2013/002026号の段落「0051」〜「0055」の記載された事項を適宜採用することができる。   The first base material and the second base material may be unstretched films or stretched films. The first base material and the second base material can be manufactured by a conventionally known general method. About the manufacturing method of these base materials, the matter described in paragraphs “0051” to “0055” of International Publication No. 2013/002026 can be appropriately employed.

第1基材と第2基材の表面には、密着性向上のための公知の種々の処理、例えばコロナ放電処理、火炎処理、酸化処理、又は、プラズマ処理等を行っていてもよく、必要に応じて上記処理を組み合わせて行っていてもよい。   The surface of the first base material and the second base material may be subjected to various known treatments for improving adhesion, such as corona discharge treatment, flame treatment, oxidation treatment, or plasma treatment, and is necessary. Depending on the above, the above processes may be combined.

第1基材と第2基材は、単層でもよいし2層以上の積層構造であってもよい。第1基材と第2基材の厚さ(2層以上の積層構造である場合はその総厚)は、各々10〜200μmであることが好ましく、20〜150μmであることがより好ましい。   The first substrate and the second substrate may be a single layer or a laminated structure of two or more layers. The thickness of the first base material and the second base material (in the case of a laminated structure of two or more layers, the total thickness) is preferably 10 to 200 μm, and more preferably 20 to 150 μm.

(ハードコート層)
第1基材と第2基材は、表面(片面又は両面)にハードコート層を有していてもよい。ハードコート層に含まれる材料の例としては、例えば、熱硬化性樹脂や活性エネルギー線硬化性樹脂が挙げられるが、成形が容易なことから、活性エネルギー線硬化性樹脂が好ましい。このような硬化性樹脂は、単独又は2種以上組み合わせても用いることができる。
(Hard coat layer)
The first base material and the second base material may have a hard coat layer on the surface (one side or both sides). Examples of the material contained in the hard coat layer include a thermosetting resin and an active energy ray curable resin, but an active energy ray curable resin is preferable because it is easy to mold. Such curable resins can be used singly or in combination of two or more.

活性エネルギー線硬化性樹脂とは、紫外線や電子線のような活性エネルギー線照射により架橋反応等を経て硬化する樹脂をいう。活性エネルギー線硬化性樹脂としては、エチレン性不飽和二重結合を有するモノマーを含む材料が好ましく用いられる。この材料を、紫外線や電子線のような活性エネルギー線を照射することによって硬化させて、活性エネルギー線硬化性樹脂の硬化物を含む層、すなわちハードコート層を形成する。活性エネルギー線硬化性樹脂としては紫外線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂等が代表的なものとして挙げられるが、紫外線照射によって硬化する紫外線硬化性樹脂が好ましい。また、予めハードコート層が形成されている市販の第1基材と第2基材を用いてもよい。   The active energy ray-curable resin refers to a resin that is cured through a crosslinking reaction or the like by irradiation with active energy rays such as ultraviolet rays and electron beams. As the active energy ray curable resin, a material containing a monomer having an ethylenically unsaturated double bond is preferably used. This material is cured by irradiating active energy rays such as ultraviolet rays and electron beams to form a layer containing a cured product of the active energy ray curable resin, that is, a hard coat layer. Typical examples of the active energy ray curable resin include an ultraviolet curable resin and an electron beam curable resin, and an ultraviolet curable resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays is preferable. Moreover, you may use the commercially available 1st base material and 2nd base material in which the hard-coat layer is formed previously.

[粘着層]
水蒸気バリア積層体において、第1水蒸気バリア層と第2水蒸気バリア層とを積層するため、粘着層を設けることが好ましい。
[Adhesive layer]
In the water vapor barrier laminate, an adhesive layer is preferably provided in order to laminate the first water vapor barrier layer and the second water vapor barrier layer.

(粘着層の概要)
従来の粘着層を用いた水蒸気バリア積層体では、有機EL素子等の電子機器を作製する工程において、真空下や高温下での粘着層における気泡の発生が問題となっている。この粘着層における発泡は、粘着層に用いられる粘着剤からのガスの発生が一因と考えられている。特に、水蒸気バリア性フィルムで挟持される構成の水蒸気バリア積層体では、粘着剤から発生するガスが、積層された水蒸気バリア層によって粘着層内に封じ込められる。このため、発生したガスが水蒸気バリア積層体の外部に放出されず、水蒸気バリア積層体に気泡が残存する。水蒸気バリア積層体内に気泡が残存すると、粘着層における水蒸気バリア性フィルムの接着強度が低下し、剥離の原因となる。また、有機EL素子に水蒸気バリア積層体を適用した際には、気泡により水蒸気バリア積層体の白色化や、光取出し効率の低下が問題となる。
(Outline of adhesive layer)
In a water vapor barrier laminate using a conventional adhesive layer, the generation of bubbles in the adhesive layer under vacuum or high temperature is a problem in a process for producing an electronic device such as an organic EL element. This foaming in the adhesive layer is considered to be caused by the generation of gas from the adhesive used in the adhesive layer. In particular, in a water vapor barrier laminate having a structure sandwiched between water vapor barrier films, gas generated from the pressure-sensitive adhesive is contained in the pressure-sensitive adhesive layer by the laminated water vapor barrier layer. For this reason, the generated gas is not released to the outside of the water vapor barrier laminate, and bubbles remain in the water vapor barrier laminate. If air bubbles remain in the water vapor barrier laminate, the adhesive strength of the water vapor barrier film in the adhesive layer decreases, which causes peeling. Further, when the water vapor barrier laminate is applied to the organic EL element, whitening of the water vapor barrier laminate and a decrease in light extraction efficiency are caused by bubbles.

このような問題に対し、粘着層の温度上昇時の質量変化率と、粘着層での発泡とに関連があることがわかった。すなわち、温度上昇により、粘着層からガスが発生することで質量が減少するため、粘着層の温度上昇時の質量変化率を規定することにより、有機EL素子等の電子機器を作製する工程での発泡が抑制されることが見いだされた。具体的には、昇温速度5℃/分で温度領域20℃から140℃まで加熱したときの粘着層の質量変化率が、0.50%以下であると、有機EL素子等の電子機器を作製する工程で発生する気泡を、電視機器の特性に影響ない範囲に抑制できることが見いだされた。   It has been found that such a problem is related to the mass change rate when the temperature of the pressure-sensitive adhesive layer is increased and foaming in the pressure-sensitive adhesive layer. That is, since the mass decreases due to the generation of gas from the adhesive layer due to the temperature rise, by defining the mass change rate when the temperature of the adhesive layer rises, in the process of manufacturing an electronic device such as an organic EL element It was found that foaming was suppressed. Specifically, when the mass change rate of the adhesive layer when heated from a temperature range of 20 ° C. to 140 ° C. at a rate of temperature increase of 5 ° C./min is 0.50% or less, an electronic device such as an organic EL element is It has been found that bubbles generated in the manufacturing process can be suppressed within a range that does not affect the characteristics of the visual equipment.

粘着層の温度上昇において、昇温速度が5℃/分であれば、急激な温度変化により不均一な変質が発生してしまうことを防ぐ。この不均一な変質は質量変化率の測定において誤差として影響を与え、測定精度は低下してしまうが、それを抑制することが出来る。
具体的には、粘着層の質量変化率は、下記の条件で求めることができる。
When the temperature rising rate is 5 ° C./min in the temperature rise of the adhesive layer, it is possible to prevent nonuniform alteration from occurring due to a rapid temperature change. This non-uniform alteration affects the measurement of mass change rate as an error, and the measurement accuracy decreases, but it can be suppressed.
Specifically, the mass change rate of the adhesive layer can be determined under the following conditions.

(粘着層の質量変化率;熱重量測定(TG)分析)
測定器:TG/DTA6200 日立ハイテクサイエンス製
試料:約6mgを掻きとってアルミ製オープン容器の中に入れて測定する。リファレンスとして同じアルミ容器の空容器を使用する。
昇温条件:30℃から150℃まで、5℃/minにて昇温
雰囲気ガス:窒素200mL/minを流しながら測定
(Mass change rate of adhesive layer; thermogravimetry (TG) analysis)
Measuring instrument: TG / DTA6200 manufactured by Hitachi High-Tech Science Sample: About 6 mg is scraped and placed in an aluminum open container for measurement. Use the same aluminum container as a reference.
Temperature rising condition: Temperature rising from 30 ° C. to 150 ° C. at 5 ° C./min Atmospheric gas: Measured while flowing 200 mL / min nitrogen

また、ケイ素、酸素及び炭素を含有する水蒸気バリア層と粘着層が貼合された場合においては、水蒸気バリア層の有機成分と粘着層の粘着剤の成分との相互作用によって、気泡が発生しやすいことも考えられている。粘着層の界面における分子間相互作用は、ファンデルワールス力、水素結合、化学結合に分類され、一般にこの順で結合力や親和力が高くなる。特に、C=OやC=OO結合のような化学結合に寄与する部分が粘着層の界面に存在する場合には、粘着層の界面で強い親和性と結合力を形成しやすい。従って、粘着層の界面において、C=OやC=OO結合のような化学結合に寄与する部分が少なく存在し、粘着層の界面での親和性を低くすることで、粘着層の界面へ気泡を取り込むことを抑制できる、と考えられる。
即ち、粘着性の維持と気泡の抑制とを両立させるためには、第1水蒸気バリア層が、粘着層と接して設けられる構成が好ましい。
Further, when the water vapor barrier layer containing silicon, oxygen and carbon and the adhesive layer are bonded, bubbles are likely to be generated due to the interaction between the organic component of the water vapor barrier layer and the adhesive component of the adhesive layer. It is also considered. The intermolecular interaction at the interface of the adhesive layer is classified into van der Waals force, hydrogen bond, and chemical bond, and generally the bond strength and affinity increase in this order. In particular, when a portion contributing to a chemical bond such as C═O or C═OO bond is present at the interface of the adhesive layer, strong affinity and binding force are easily formed at the interface of the adhesive layer. Therefore, there are few portions that contribute to chemical bonds such as C═O and C═OO bonds at the interface of the adhesive layer, and by reducing the affinity at the interface of the adhesive layer, bubbles are introduced into the interface of the adhesive layer. It is thought that it can suppress taking in.
That is, in order to achieve both maintenance of adhesiveness and suppression of bubbles, a configuration in which the first water vapor barrier layer is provided in contact with the adhesive layer is preferable.

(粘着剤)
粘着層に使用する粘着剤としては、感圧粘着剤を用いることが好ましい。感圧粘着剤であれば、粘着層を形成する際、熱や有機溶媒等の要件を必要とせず、圧力を加えるだけで第1水蒸気バリア性フィルムと第2水蒸気バリア性フィルムとを貼り合せることができる。感圧粘着剤は、材料の種類で大別され、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ゴム系樹脂、ウレタン系樹脂、ビニルエーテル系樹脂、及び、シリコン系樹脂等を含む粘着剤を挙げることができる。粘着剤の形態としては、例えば、溶剤型、エマルション型、及び、ホットメルト型等を用いることができる。より優れた凝集力と弾性を有し、長時間にわたり安定した粘着性を維持でき、かつ透明性により優れることから、エポキシ系樹脂、又は、アクリル系樹脂のいずれかの樹脂を含むことが好ましい。
アクリル系樹脂の具体例としては、例えば、綜研化学社製のSKダイン2147、パナック社製のPD−S1、DIC社製のZB7011W等が挙げられる。
エポキシ系樹脂の具体例としては、例えば、スリーボンド社製のThreeBond1655が挙げられる。
(Adhesive)
As the pressure-sensitive adhesive used in the pressure-sensitive adhesive layer, it is preferable to use a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive. If it is a pressure sensitive adhesive, when forming an adhesive layer, the requirements for heat, organic solvent, etc. are not required, and the first water vapor barrier film and the second water vapor barrier film are bonded together simply by applying pressure. Can do. Pressure sensitive adhesives are broadly classified according to the type of material, and examples include pressure sensitive adhesives including epoxy resins, acrylic resins, rubber resins, urethane resins, vinyl ether resins, and silicon resins. it can. As the form of the pressure-sensitive adhesive, for example, a solvent type, an emulsion type, and a hot melt type can be used. Since it has more excellent cohesive force and elasticity, can maintain stable adhesiveness for a long time, and is more excellent in transparency, it preferably contains an epoxy resin or an acrylic resin.
Specific examples of the acrylic resin include, for example, SK Dyne 2147 manufactured by Soken Chemical Co., Ltd., PD-S1 manufactured by Panac, ZB7011W manufactured by DIC, and the like.
As a specific example of the epoxy resin, for example, ThreeBond 1655 manufactured by Three Bond Co., Ltd. may be mentioned.

また、粘着剤に含まれる上記樹脂類の他に、粘着層の物性向上の観点から、各種添加剤を用いることができる。例えば、ロジン等の天然樹脂、変性ロジン、ロジン及び変性ロジンの誘導体、ポリテルペン系樹脂、テルペン変性体、脂肪族系炭化水素樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、芳香族系石油樹脂、フェノール系樹脂、アルキル−フェノール−アセチレン系樹脂、クマロン−インデン系樹脂、ビニルトルエン−α−メチルスチレン共重合体をはじめとする粘着付与剤、老化防止剤、安定剤、及び軟化剤等を必要に応じて用いることができる。これらは必要に応じて2種以上用いることもできる。また、耐光性を上げるために、粘着剤にベンゾフェノン系やベンゾトリアゾール系等の有機系紫外線吸収剤を添加することもできる。   In addition to the above resins contained in the pressure-sensitive adhesive, various additives can be used from the viewpoint of improving the physical properties of the pressure-sensitive adhesive layer. For example, natural resins such as rosin, modified rosin, rosin and modified rosin derivatives, polyterpene resins, terpene modified products, aliphatic hydrocarbon resins, cyclopentadiene resins, aromatic petroleum resins, phenolic resins, alkyl- A tackifier such as phenol-acetylene resin, coumarone-indene resin, vinyltoluene-α-methylstyrene copolymer, anti-aging agent, stabilizer, softener and the like can be used as necessary. . Two or more of these may be used as necessary. Moreover, in order to improve light resistance, organic ultraviolet absorbers, such as a benzophenone series and a benzotriazole series, can also be added to an adhesive.

[帯電防止層]
水蒸気バリア積層体は、帯電防止層を有していてもよい。帯電防止層を有することにより、帯電防止性能を付与することができる。このため、ロール・to・ロール方式で、水蒸気バリア積層体をロール状に巻き取る際、及び、ロールから巻き出して搬送する際に、水蒸気バリア積層体の帯電を抑制することができる。
[Antistatic layer]
The water vapor barrier laminate may have an antistatic layer. By having an antistatic layer, antistatic performance can be imparted. For this reason, when the water vapor barrier laminate is wound into a roll shape by the roll-to-roll method, and when the water vapor barrier laminate is unwound from the roll and conveyed, charging of the water vapor barrier laminate can be suppressed.

帯電防止層を有する基材を用いることにより、透過率、抵抗、信頼性、コストに優れた水蒸気バリア積層体を構成することができる。さらに、この水蒸気バリア積層体を用いることにより、効率、電圧、信頼性、コストに優れた電子デバイスを構成することができる。   By using a base material having an antistatic layer, a water vapor barrier laminate excellent in transmittance, resistance, reliability, and cost can be formed. Furthermore, by using this water vapor barrier laminate, an electronic device excellent in efficiency, voltage, reliability, and cost can be configured.

また、第1基材と帯電防止層との間に、上述の他の構成が設けられていてもよい。この場合においても、帯電防止層は、水蒸気バリア積層体の最外層に設けられていることが好ましい。
水蒸気バリア積層体においては、第1基材の第2主面側に帯電防止層を有する。帯電防止層は、帯電防止剤と、帯電防止剤を保持するためのバインダ樹脂から構成される。
Further, the other configuration described above may be provided between the first base material and the antistatic layer. Even in this case, the antistatic layer is preferably provided in the outermost layer of the water vapor barrier laminate.
The water vapor barrier laminate has an antistatic layer on the second main surface side of the first substrate. The antistatic layer is composed of an antistatic agent and a binder resin for holding the antistatic agent.

帯電防止層は、帯電防止剤として有機帯電防止剤を含有することが好ましい。帯電防止層が含有する有機帯電防止剤としては、共役系ポリマー、及び、イオン性ポリマーから選ばれる1種以上を含むことが好ましい。また、帯電防止層は、その他の導電性ポリマーや帯電防止剤を含んで構成されていてもよい。   The antistatic layer preferably contains an organic antistatic agent as an antistatic agent. The organic antistatic agent contained in the antistatic layer preferably contains one or more selected from conjugated polymers and ionic polymers. In addition, the antistatic layer may be configured to include other conductive polymers and antistatic agents.

帯電防止層においては、積層時に脱着しやすい金属酸化物粒子を帯電防止剤として含有しないことが好ましい。このため、帯電防止層の全質量に対する金属酸化物粒子の含有量は、5質量%以下であることが好ましく、2質量%以下がより好ましく、金属酸化物粒子を含有しない構成が特に好ましい。帯電防止層に含有されないことが好ましい金属酸化物粒子としては、例えば、ZnO、TiO、SnO、Al、In、MgO、BaO、MoO、V等、又は、これらの複合酸化物を挙げることができる。ただし、SiOは帯電防止層に含有されないことが好ましい金属酸化物粒子の規定からは除外する。 The antistatic layer preferably does not contain metal oxide particles that are easily desorbed during lamination as an antistatic agent. For this reason, the content of the metal oxide particles with respect to the total mass of the antistatic layer is preferably 5% by mass or less, more preferably 2% by mass or less, and particularly preferably a configuration not containing metal oxide particles. Examples of the metal oxide particles that are preferably not contained in the antistatic layer include, for example, ZnO, TiO 2 , SnO 2 , Al 2 O 3 , In 2 O 3 , MgO, BaO, MoO 2 , V 2 O 5, etc. These composite oxides can be mentioned. However, SiO 2 is excluded from the definition of metal oxide particles that are preferably not contained in the antistatic layer.

(有機帯電防止剤)
有機帯電防止剤とは、基本的には帯電防止能を有する有機材料から構成されている。有
機帯電防止剤は、帯電防止層を形成する際に、帯電防止層の裏面側のシート抵抗値を1×1011Ω/sq.以下、好ましくは1×1010Ω/sq.以下、さらに好ましくは1×10Ω/sq.以下とすることができる材料である。
(Organic antistatic agent)
The organic antistatic agent is basically composed of an organic material having antistatic ability. When the antistatic layer is formed, the organic antistatic agent has a sheet resistance value of 1 × 10 11 Ω / sq. Hereinafter, preferably 1 × 10 10 Ω / sq. Hereinafter, more preferably 1 × 10 9 Ω / sq. A material that can be:

有機帯電防止剤としては、従来公知の界面活性剤型帯電防止剤、シリコン系帯電防止剤、有機ホウ酸系帯電防止剤、高分子系帯電防止剤、帯電防止ポリマー材料等を挙げることができる。特に、有機帯電防止剤として、イオン導電性物質等を用いることが、帯電防止層の帯電防止の観点から好ましい。イオン導電性物質は、電気伝導性を示すイオンを含有する物質である。イオン導電性物質としては、例えば、共役系ポリマーやイオン性ポリマーを挙げることができる。   Examples of the organic antistatic agent include conventionally known surfactant-type antistatic agents, silicon-based antistatic agents, organic boric acid-based antistatic agents, polymer-based antistatic agents, and antistatic polymer materials. In particular, it is preferable to use an ion conductive material or the like as the organic antistatic agent from the viewpoint of antistatic of the antistatic layer. The ion conductive material is a material containing ions exhibiting electrical conductivity. Examples of the ion conductive substance include conjugated polymers and ionic polymers.

(共役系ポリマー)
共役系ポリマーとしては、下記(1)〜(8)を、接続基を介して側鎖に持つポリマーのπ電子導電性ポリマー複合体等を挙げることができる。
(1)脂肪族共役系:ポリアセチレンのような炭素−炭素の共役系で交互に長く連なっているポリマーで、例えば、ポリアセチレン、ポリ(1,6−ヘプタジエン)等
(2)芳香族共役系:ポリ(パラフェニレン)のような芳香族炭化水素が長く結合する共役が発達したポリマーで、例えば、ポリパラフェニレン、ポリナフタレン、ポリアントラセン等
(3)複素環式共役系:ポリピロール、ポリチオフェンのような複素環式化合物が結合して共役系が発達したポリマーで、例えば、ポリピロールとその誘導体、ポリフランとその誘導体、ポリチオフェンとその誘導体、ポリイソチオナフテンとその誘導体、ポリセレノフェンとその誘導体等
(4)含ヘテロ原子共役系:ポリアニリンのような脂肪族又は芳香族の共役系をヘテロ原子で結合したポリマーで、ポリアニリンとその誘導体等、ポリ(パラフェニレンスルフィド)とその誘導体、ポリ(パラフェニレンオキシド)とその誘導体、ポリ(パラフェニレンセレニド)とその誘導体、また脂肪族系ではポリ(ビニレンスルフィド)、ポリ(ビニレンオキシド)、ポリ(ビニレンセレニド)等
(5)混合型共役系:ポリ(フェニレンビニレン)のような上記共役系の構成単位が交互に結合した構造を持つ共役系ポリマーで、例えば、ポリ(パラフェニレンビニレン)とその誘導体、ポリ(ピロールビニレン)とその誘導体、ポリ(チオフェンビニレン)とその誘導体、ポリ(フランビニレン)とその誘導体、ポリ(2,2′−チエニルピロール)とその誘導体等
(6)複鎖型共役系:分子中に複数の共役鎖を持つ共役系で、芳香族共役系に近い構造を有しているポリマーで、例えば、ポリペリナフタレン等、
(7)金属フタロシアニン系:金属フタロシアニン類又はこれらの分子間をヘテロ原子や共役系で結合したポリマーで、例えば、金属フタロシアニン等
(8)導電性複合体:上記共役系ポリマー鎖を飽和ポリマーにグラフト共重合したポリマー及び飽和ポリマー中で上記共役系ポリマーを重合することで得られる複合体で、例えば、前記(3)のポリチオフェン(誘導体を含む)、ポリピロール(誘導体を含む)、前記(4)のポリアニリン(誘導体を含む)等を、また、前記(5)のポリ(パラフェニレンビニレン)(その誘導体を含む)、ポリ(チオフェンビニレン)(その誘導体を含む)等
(Conjugated polymer)
Examples of the conjugated polymer include π electron conductive polymer composites of polymers having the following (1) to (8) in the side chain via a connecting group.
(1) Aliphatic conjugated system: a carbon-carbon conjugated system, such as polyacetylene, which is continuously long alternately. For example, polyacetylene, poly (1,6-heptadiene), etc. (2) Aromatic conjugated system: poly (3) Heterocyclic conjugated systems such as polypyrrole, polythiophene, etc. (3) Heterocyclic conjugated systems such as polypyrrole and polythiophene. Polymers in which a conjugated system is developed by combining cyclic compounds, such as polypyrrole and its derivatives, polyfuran and its derivatives, polythiophene and its derivatives, polyisothionaphthene and its derivatives, polyselenophene and its derivatives, etc. (4) Heteroatom-containing conjugated system: Aliphatic or aromatic conjugated systems such as polyaniline bonded with heteroatoms Polymers such as polyaniline and derivatives thereof, poly (paraphenylene sulfide) and derivatives thereof, poly (paraphenylene oxide) and derivatives thereof, poly (paraphenylene selenide) and derivatives thereof, and poly (vinylene sulfide) in aliphatic systems ), Poly (vinylene oxide), poly (vinylene selenide), etc. (5) Mixed conjugated system: a conjugated polymer having a structure in which structural units of the conjugated system such as poly (phenylene vinylene) are alternately bonded, for example, Poly (paraphenylene vinylene) and its derivatives, poly (pyrrole vinylene) and its derivatives, poly (thiophene vinylene) and its derivatives, poly (furanylene) and its derivatives, poly (2,2'-thienylpyrrole) and its derivatives Etc. (6) Double chain conjugated system: Conjugated system with multiple conjugated chains in the molecule, aromatic A polymer having a structure close to a group conjugated system, such as polyperiphthalene, etc.
(7) Metal phthalocyanine series: Metal phthalocyanines or polymers in which these molecules are bonded with hetero atoms or conjugated systems, for example, metal phthalocyanine, etc. (8) Conductive complex: Grafting the above conjugated polymer chain onto a saturated polymer A composite obtained by polymerizing the conjugated polymer in a copolymerized polymer and a saturated polymer, for example, polythiophene (including derivatives), polypyrrole (including derivatives) of (3), and (4) Polyaniline (including derivatives), etc., poly (paraphenylene vinylene) (including derivatives thereof), poly (thiophene vinylene) (including derivatives thereof), etc. of (5) above

(イオン性ポリマー)
イオン性ポリマーとしては、下記(1)〜(3)等を挙げることができる。
(1)特公昭49−23828号、特公昭49−23827号、特公昭47−28937号等の各公報に見られるようなアニオン性高分子化合物
(2)特公昭55−734号、特開昭50−54672号、特公昭59−14735号、特公昭57−18175号、特公昭57−18176号、特公昭57−56059号等の各公報などに見られるような、主鎖中に解離基を持つアイオネン型ポリマー
(3)特公昭53−13223号、特公昭57−15376号、特公昭53−45231号、特公昭55−145783号、特公昭55−65950号、特公昭55−67746号、特公昭57−11342号、特公昭57−19735号、特公昭58−56858号、特開昭61−27853号、特公昭62−9346号等の各公報に見られるような、側鎖中にカチオン性解離基を持つカチオン性ペンダント型ポリマー
(Ionic polymer)
Examples of the ionic polymer include the following (1) to (3).
(1) Anionic polymer compounds such as those described in JP-B-49-23828, JP-B-49-23827, JP-B-47-28937, etc. (2) JP-B 55-734, JP-A 50-54672, JP-B-59-14735, JP-B-57-18175, JP-B-57-18176, JP-B-57-56059, etc. Ionene-type polymer possessed (3) JP-B 53-13223, JP-B 57-15376, JP-B 53-45231, JP-B 55-145578, JP-B 55-65950, JP-B 55-67746 See in Japanese Patent Publication Nos. 57-11342, 57-19735, 58-56858, JP 61-27853, 62-9346, etc. So that a cationic pendant polymer having a cationic dissociative group in the side chain

(その他の帯電防止剤)
帯電防止層を構成するその他の帯電防止剤としては、例えば、特開2006−265271号公報、特開2007−70456号公報、特開2009−62406号公報等に記載されている帯電防止ハードコート剤を用いることができる。また、市販品としても入手可能な、例えば、アイカ工業社の帯電防止剤等も適宜選択して用いることができる。
(Other antistatic agents)
Examples of other antistatic agents constituting the antistatic layer include antistatic hard coating agents described in JP-A-2006-265271, JP-A-2007-70456, JP-A-2009-62406, and the like. Can be used. In addition, for example, an antistatic agent available from Aika Kogyo Co., Ltd., which is available as a commercial product, can be appropriately selected and used.

(バインダ樹脂)
帯電防止層において帯電防止剤を保持するためのバインダ樹脂としては、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートフタレート、又はセルロースナイトレート等のセルロース誘導体、ポリ酢酸ビニル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、又はコポリブチレン/テレ/イソフタレート等のポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリビニルホルマール、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、ポリビニルベンザール等のポリビニルアルコール誘導体、ノルボルネン化合物を含有するノルボルネン系ポリマー、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリプロピルチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂、アクリル樹脂と他の樹脂との共重合体を用いることができる。特に、セルロース誘導体、及び、アクリル樹脂が好ましく、さらにアクリル樹脂が最も好ましく用いられる。
(Binder resin)
Examples of the binder resin for holding the antistatic agent in the antistatic layer include cellulose derivatives such as cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate phthalate, or cellulose nitrate, polyvinyl acetate, polystyrene, Polyesters such as polycarbonate, polybutylene terephthalate, or copolybutylene / tere / isophthalate, polyvinyl alcohol, polyvinyl formal, polyvinyl acetal, polyvinyl butyral, polyvinyl alcohol derivatives such as polyvinyl benzal, norbornene-based polymers containing norbornene compounds, polymethyl methacrylate , Polyethyl methacrylate, polypropylyl methacrylate, polybutyl methacrylate DOO, acrylic resins such as polymethyl acrylate, and copolymer of acrylic resin and other resins. In particular, a cellulose derivative and an acrylic resin are preferable, and an acrylic resin is most preferably used.

帯電防止層に用いられるバインダ樹脂としては、重量平均分子量が40万以上、ガラス転移温度が80〜110℃の範囲内にある熱可塑性樹脂が好ましい。ガラス転移温度は、JIS K 7121に記載の方法にて求めることができる。ここで使用するバインダ樹脂は、帯電防止層を構成する全樹脂質量の60質量%以上、さらに好ましくは80質量%以上であり、必要に応じて活性線硬化性樹脂、又は熱硬化樹脂を適用することもできる。   The binder resin used for the antistatic layer is preferably a thermoplastic resin having a weight average molecular weight of 400,000 or more and a glass transition temperature in the range of 80 to 110 ° C. The glass transition temperature can be determined by the method described in JIS K7121. The binder resin used here is 60% by mass or more, more preferably 80% by mass or more of the total resin mass constituting the antistatic layer, and an active ray curable resin or a thermosetting resin is applied as necessary. You can also.

[アンカーコート層]
水蒸気バリア積層体は、基材と水蒸気バリア層の密着性を向上させる観点から、基材と水蒸気バリア層との間に、アンカーコート層を備えることができる。
アンカーコート層は、例えばポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、ビニル変性樹脂、エポキシ樹脂、変性スチレン樹脂、変性シリコン樹脂、アルキルチタネート等を含有する塗布液を塗布し、乾燥することにより形成することができる。
[Anchor coat layer]
The water vapor barrier laminate can include an anchor coat layer between the base material and the water vapor barrier layer from the viewpoint of improving the adhesion between the base material and the water vapor barrier layer.
The anchor coat layer is applied with a coating solution containing, for example, polyester resin, isocyanate resin, urethane resin, acrylic resin, ethylene vinyl alcohol resin, vinyl modified resin, epoxy resin, modified styrene resin, modified silicon resin, alkyl titanate, It can be formed by drying.

[平滑化層]
水蒸気バリア積層体は、水蒸気バリア層の下層として、平滑化層を備えることもできる。平滑化層により、水蒸気バリア層を平坦な表面上に形成することができ、凹凸によるピンホールの発生等を防いで、水蒸気バリア性の高い水蒸気バリア層を得ることができる。
平滑化層は、例えば、感光性樹脂を含有する塗布液を塗布し、硬化処理することにより形成することができる。感光性樹脂としては、例えばラジカル反応性不飽和化合物を有するアクリレート化合物を含有する樹脂組成物、アクリレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物を含有する樹脂組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、グリセロールメタクリレート等の多官能アクリレートモノマーを溶解させた樹脂組成物等が挙げられる。
[Smoothing layer]
The water vapor barrier laminate can also include a smoothing layer as a lower layer of the water vapor barrier layer. By the smoothing layer, the water vapor barrier layer can be formed on a flat surface, and a water vapor barrier layer having a high water vapor barrier property can be obtained by preventing the occurrence of pinholes due to unevenness.
The smoothing layer can be formed, for example, by applying a coating solution containing a photosensitive resin and performing a curing process. Examples of the photosensitive resin include a resin composition containing an acrylate compound having a radical reactive unsaturated compound, a resin composition containing an acrylate compound and a mercapto compound having a thiol group, epoxy acrylate, urethane acrylate, polyester acrylate, poly Examples thereof include a resin composition in which a polyfunctional acrylate monomer such as ether acrylate, polyethylene glycol acrylate, or glycerol methacrylate is dissolved.

<2.有機エレクトロルミネッセンス素子>
次に、上述の水蒸気バリア積層体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)について説明する。本実施形態の有機EL素子は、上述の水蒸気バリア積層体を用いる。そして、この水蒸気バリア積層体上に、透明電極と、有機発光材料を含む発光層を1層以上有する発光ユニットと、対向電極とが設けられる。
このため、以下の有機EL素子の説明では、上述の水蒸気バリア積層体と同じ構成については、詳細な説明を省略する。
<2. Organic electroluminescence device>
Next, an organic electroluminescence element (organic EL element) using the above-described water vapor barrier laminate will be described. The organic EL element of this embodiment uses the above-described water vapor barrier laminate. On the water vapor barrier laminate, a transparent electrode, a light emitting unit having one or more light emitting layers containing an organic light emitting material, and a counter electrode are provided.
For this reason, in the following description of the organic EL element, detailed description of the same configuration as the above-described water vapor barrier laminate is omitted.

[有機EL素子の構成]
有機EL素子は、水蒸気バリア積層体の水蒸気バリア層形成面上に、透明電極と、対向電極とを備え、この電極間に発光ユニットが設けられていることが好ましい。本発明の実施形態の構成として、一例を図2に示す。
[Configuration of organic EL element]
The organic EL element preferably includes a transparent electrode and a counter electrode on the water vapor barrier layer forming surface of the water vapor barrier laminate, and a light emitting unit is provided between the electrodes. An example of the configuration of the embodiment of the present invention is shown in FIG.

有機EL素子の層構成は、特に限定されることはなく、一般的な層構造であってよい。例えば、図2に示す有機EL素子20のように、透明電極23がアノード(陽極)として機能し、対向電極21がカソード(陰極)として機能する場合、発光ユニット22を透明電極23側から順に正孔注入層22e/正孔輸送層22d/発光層22c/電子輸送層22b/電子注入層22aを積層した構成とすることができる。有機EL素子は、所望の発光色に応じて、当該発光ユニットを複数備えていてもよい。
有機EL素子には、公知の有機EL材料を適宜選択して使用することができる。
The layer structure of the organic EL element is not particularly limited, and may be a general layer structure. For example, when the transparent electrode 23 functions as an anode (anode) and the counter electrode 21 functions as a cathode (cathode) as in the organic EL element 20 shown in FIG. 2, the light emitting units 22 are arranged in order from the transparent electrode 23 side. The hole injection layer 22e / hole transport layer 22d / light emitting layer 22c / electron transport layer 22b / electron injection layer 22a may be stacked. The organic EL element may include a plurality of the light emitting units according to a desired light emission color.
A known organic EL material can be appropriately selected and used for the organic EL element.

[封止部材]
有機EL素子は、有機材料等を用いて構成された発光ユニットの劣化を防止することを目的として、図示しない封止部材で封止されていてもよい。封止部材は、有機EL素子の上面を覆う板状(フィルム状)の部材であって、接着部によって水蒸気バリア積層体側に固定される。また、封止部材は、封止膜であってもよい。このような封止部材は、有機EL素子の電極端子部分を露出させ、少なくとも発光ユニットを覆う状態で設けられている。また、封止部材に電極を設け、有機EL素子の電極端子部分と、封止部材の電極とを導通させる構成でもよい。
[Sealing member]
The organic EL element may be sealed with a sealing member (not shown) for the purpose of preventing deterioration of a light emitting unit configured using an organic material or the like. The sealing member is a plate-like (film-like) member that covers the upper surface of the organic EL element, and is fixed to the water vapor barrier laminate side by an adhesive portion. The sealing member may be a sealing film. Such a sealing member is provided in a state in which the electrode terminal portion of the organic EL element is exposed and at least the light emitting unit is covered. Moreover, the structure which provides an electrode in a sealing member and makes the electrode terminal part of an organic EL element and the electrode of a sealing member electrically connect may be sufficient.

また、有機EL素子を機械的に保護するために、保護膜又は保護板等の保護部材(図示省略)を設けてもよい。保護部材は、有機EL素子及び封止部材を、水蒸気バリア積層体とで挟む位置に配置される。特に封止部材が封止膜である場合には、有機EL素子に対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護部材を設けることが好ましい。   Moreover, in order to mechanically protect the organic EL element, a protective member (not shown) such as a protective film or a protective plate may be provided. The protective member is disposed at a position where the organic EL element and the sealing member are sandwiched between the water vapor barrier laminate. In particular, when the sealing member is a sealing film, mechanical protection for the organic EL element is not sufficient, and thus it is preferable to provide such a protective member.

[光取り出し構造]
有機EL素子は図示しない光取り出し層を有していてもよい。光取り出し層は、従来公知のナノ凹凸構造や、屈折率の異なる素材を混合した構成(光学散乱層)であってもよい。また、光取り出し層を有する有機EL素子は、光取り出し層の表面の凹凸を平坦化するために、光取り出し層上に平滑化層が設けられていてもよい。
[Light extraction structure]
The organic EL element may have a light extraction layer (not shown). The light extraction layer may be a conventionally known nano-concave structure or a configuration (optical scattering layer) in which materials having different refractive indexes are mixed. In addition, in the organic EL element having the light extraction layer, a smoothing layer may be provided on the light extraction layer in order to flatten the unevenness on the surface of the light extraction layer.

光取り出し層が屈折率の異なる素材を混合した構成(光学散乱層)の場合は、後述するように、光取り出し層が、層媒体であるバインダと、層媒体に含有される光散乱粒子とから構成されることが好ましい。この構成では、層媒体と、層媒体よりも高い屈折率を有する光散乱粒子との屈折率差を利用して、混合物による光散乱を発生させることができる。
また、ナノ凹凸構造は、特開2006−269163号公報に記載の構造等を好ましく適応できる。
In the case where the light extraction layer has a configuration in which materials having different refractive indexes are mixed (optical scattering layer), the light extraction layer is composed of a binder which is a layer medium and light scattering particles contained in the layer medium, as will be described later. Preferably, it is configured. In this configuration, light scattering by the mixture can be generated by utilizing the refractive index difference between the layer medium and light scattering particles having a higher refractive index than the layer medium.
Moreover, the nano uneven structure can preferably be adapted to the structure described in JP-A-2006-269163.

[有機EL素子の製造方法]
次に、有機EL素子の製造方法の一例を説明する。
まず、上述の製造方法により水蒸気バリア積層体を作製する。そして、水蒸気バリア積層体の水蒸気バリア層表面上に、透明電極を、蒸着法やスパッタ法等の適宜の成膜法によって形成する。そして、透明電極上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に成膜し、発光ユニットを形成する。これらの各層の成膜方法としては、従来公知の各条件を適宜選択することができる。
[Method of manufacturing organic EL element]
Next, an example of a method for manufacturing an organic EL element will be described.
First, a water vapor barrier laminate is produced by the manufacturing method described above. Then, a transparent electrode is formed on the surface of the water vapor barrier layer of the water vapor barrier laminate by an appropriate film forming method such as vapor deposition or sputtering. Then, on the transparent electrode, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are formed in this order to form a light emitting unit. As a method for forming these layers, conventionally known conditions can be appropriately selected.

発光ユニットを形成した後、この上部に対向電極を、蒸着法やスパッタ法等の適宜の成膜法によって形成する。この際、対向電極は、発光ユニットによって透明電極に対して絶縁状態を保ちつつ、発光ユニットの上方から水蒸気バリア積層体の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。これにより、有機EL素子を製造する。また、その後には、有機EL素子における取り出し電極及び対向電極の端子部分を露出させた状態で、少なくとも発光ユニットを覆う封止部材を設ける。   After the light emitting unit is formed, a counter electrode is formed thereon by an appropriate film forming method such as vapor deposition or sputtering. At this time, the counter electrode is patterned in a shape in which the terminal portion is drawn from the upper side of the light emitting unit to the periphery of the water vapor barrier laminate while maintaining the insulating state with respect to the transparent electrode by the light emitting unit. Thereby, an organic EL element is manufactured. Further, after that, a sealing member that covers at least the light emitting unit is provided in a state where the terminal portions of the extraction electrode and the counter electrode in the organic EL element are exposed.

以上により、水蒸気バリア積層体上に有機EL素子を作製することができる。このような有機EL素子の作製においては、1回の真空引きで一貫して透明電極から対向電極まで作製するのが好ましいが、途中で真空雰囲気から取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。   By the above, an organic EL element can be produced on the water vapor barrier laminate. In the production of such an organic EL element, it is preferable to produce from the transparent electrode to the counter electrode consistently by one evacuation, but it may be taken out from the vacuum atmosphere in the middle and subjected to different film forming methods. . At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.

以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。なお、実施例において「部」又は「%」の表示が用いられるが、特に断りが無
い限り「質量部」又は「質量%」を表す。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In addition, although the display of "part" or "%" is used in an Example, unless there is particular notice, it represents "mass part" or "mass%".

実施例1
[水蒸気バリア性フィルムの作製]
(水蒸気バリア層の形成)
基材として、両面が易接着加工された、厚さ50μmのコスモシャイン(登録商標)A4300(東洋紡社製)を用意した。
この基材の一方の面に、UV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材OPSTAR(登録商標)Z7501(JSR株式会社製)を、乾燥後の層厚が3μmになるようにワイヤーバーで塗布した。塗布膜を80℃で3分間乾燥した後、空気雰囲気下で高圧水銀ランプを使用して、1.0J/cmの硬化条件で硬化処理し、アンカーコート層を形成した。引き続き、この基材の反対面にも同様の処理を行い、アンカーコート層を基材の両面に形成した。
Example 1
[Production of water vapor barrier film]
(Formation of water vapor barrier layer)
As a base material, Cosmo Shine (registered trademark) A4300 (manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm and both surfaces subjected to easy adhesion processing was prepared.
On one surface of this substrate, a UV curable organic / inorganic hybrid hard coat material OPSTAR (registered trademark) Z7501 (manufactured by JSR Corporation) was applied with a wire bar so that the layer thickness after drying was 3 μm. The coating film was dried at 80 ° C. for 3 minutes and then cured under a curing condition of 1.0 J / cm 2 using a high-pressure mercury lamp in an air atmosphere to form an anchor coat layer. Subsequently, the same treatment was performed on the opposite surface of the substrate to form anchor coat layers on both surfaces of the substrate.

調湿後の基材を、図4に示す製造装置60にセットし、製造装置60により下記成膜条件で層厚が140nmの水蒸気バリア層をアンカーコート層上の両面に形成して、試料101の水蒸気バリア性フィルムを得た。   The substrate after humidity conditioning was set in the manufacturing apparatus 60 shown in FIG. 4, and a water vapor barrier layer having a layer thickness of 140 nm was formed on both surfaces of the anchor coat layer by the manufacturing apparatus 60 under the following film forming conditions. A water vapor barrier film was obtained.

(成膜条件)
原料ガス1:テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)
原料ガス1の供給量:100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
原料ガス2:酸素
原料ガス2の供給量:300sccm
真空度:1.5Pa
プラズマ発生用電源による供給電力:1.4kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
フィルムの搬送速度:12m/min
(Deposition conditions)
Source gas 1: Tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS)
Supply amount of raw material gas 1: 100 sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute)
Source gas 2: oxygen Supply amount of source gas 2: 300 sccm
Degree of vacuum: 1.5Pa
Power supplied by power supply for plasma generation: 1.4kW
Frequency of power source for plasma generation: 70 kHz
Film transport speed: 12 m / min

[試料102〜107の水蒸気バリア性フィルムの作製]
(水蒸気バリア層の形成)
上述した試料101の水蒸気バリア性フィルムの製造において、水蒸気バリア層中のC原子の比率が深さ方向において変化するように、原料ガス1及び2の種類と供給量を下記表1に示すように変更したこと以外は、試料101の水蒸気バリア性フィルムと同様にして、試料102〜106の各水蒸気バリア性フィルムを製造した。また、片面にのみ水蒸気バリア層を形成した試料107の水蒸気バリア性フィルムも作製した。
[Production of Water Vapor Barrier Film of Samples 102 to 107]
(Formation of water vapor barrier layer)
In the production of the water vapor barrier film of the sample 101 described above, the types and supply amounts of the source gases 1 and 2 are as shown in Table 1 below so that the C atom ratio in the water vapor barrier layer changes in the depth direction. Except for the change, the water vapor barrier films of Samples 102 to 106 were produced in the same manner as the water vapor barrier film of Sample 101. Moreover, the water vapor | steam barrier film of the sample 107 which formed the water vapor | steam barrier layer only in the single side | surface was also produced.

[C原子分布曲線及びC−C結合分布曲線]
作製した水蒸気バリア性フィルム101〜107において、一方の水蒸気バリア層(第1水蒸気バリア層)のC原子分布曲線及びC−C結合分布曲線を、次のようにして求めた。
各水蒸気バリア性フィルム101〜107において、一方の水蒸気バリア層の基材と反対側の表面から基材側の表面までを希ガスイオンスパッタによりエッチングし、露出した表面の原子組成及び化学結合状態をXPS法により測定した。
測定条件は、下記のとおりである。
(測定条件)
エッチングイオン種:アルゴン(Ar
エッチング速度(SiO熱酸化膜換算値):0.05nm/sec
エッチング間隔(SiO換算値):10nm
X線光電子分光装置:Thermo Fisher Scientific社製、機種名“VG Theta Probe”
照射X線:単結晶分光AlKα
X線のスポット及びそのサイズ:800×400μmの楕円形
[C atom distribution curve and CC bond distribution curve]
In the produced water vapor barrier films 101 to 107, the C atom distribution curve and the C—C bond distribution curve of one of the water vapor barrier layers (first water vapor barrier layer) were determined as follows.
In each of the water vapor barrier films 101 to 107, one surface of the water vapor barrier layer is etched from the surface opposite to the base material to the surface of the base material by rare gas ion sputtering, and the atomic composition and chemical bonding state of the exposed surface are changed. Measured by XPS method.
The measurement conditions are as follows.
(Measurement condition)
Etching ion species: Argon (Ar + )
Etching rate (SiO 2 thermal oxide equivalent value): 0.05 nm / sec
Etching interval (SiO 2 equivalent value): 10 nm
X-ray photoelectron spectrometer: Model name “VG Theta Probe” manufactured by Thermo Fisher Scientific
Irradiation X-ray: Single crystal spectroscopy AlKα
X-ray spot and size: 800 × 400 μm oval

希ガスイオンスパッタによりエッチングするごとに、その深さ方向の位置における原子組成及び化学結合状態をXPS法により測定した。
そして、各層厚方向の位置において測定したSi原子、O原子及びC原子の総原子数に対するC原子の含有量(atm%)の平均値を求めた。結果を表1に示した。
Each time etching was performed by rare gas ion sputtering, the atomic composition and chemical bonding state at the position in the depth direction were measured by the XPS method.
And the average value of content (atm%) of C atom with respect to the total number of atoms of Si atom, O atom, and C atom measured in the position of each layer thickness direction was calculated | required. The results are shown in Table 1.

また、C原子に関しては、C1sの波形解析に基づいて、C−SiO結合、C−C結合、C−O結合、C=O結合及びC=OO結合の各構成結合のピークを分離し、C1sピークのピーク面積(Q1)に対するC−C結合のピーク面積(Q2)の比率(Q2/Q1×100)を、C−C結合の比率として求めた。同様にして、C1sピークのピーク面積に対する、C=O結合のピーク面積とC=OO結合のピーク面積の合計の比率を求めて平均し、C−SiO結合、C−C結合、C−O結合、C=O結合及びC=OO結合の合計量(100%)に対するC=O結合とC=OO結合の合計量比率の平均値を得た。   For the C atom, based on the waveform analysis of C1s, the peaks of constituent bonds of C—SiO bond, C—C bond, C—O bond, C═O bond and C═OO bond are separated, and C1s The ratio (Q2 / Q1 × 100) of the peak area (Q2) of the CC bond to the peak area (Q1) of the peak was determined as the ratio of the CC bond. Similarly, the ratio of the sum of the peak area of the C═O bond and the peak area of the C═OO bond to the peak area of the C1s peak is obtained and averaged to obtain a C—SiO bond, a C—C bond, and a C—O bond. The average value of the ratio of the total amount of C═O bond and C═OO bond to the total amount of C═O bond and C═OO bond (100%) was obtained.

求めたC−C結合の比率を、水蒸気バリア層の基材と反対側の表面からエッチングした深さ方向の距離に対してプロットして、デプスプロファイルを作成した。このデプスプロファイルにおいて、プロットした比率の近似曲線をC−C結合分布曲線として求めた。
求めたC−C結合分布曲線において、極大値と極小値の各々1つ以上の有無を確認し、最大の極大値と最小の極小値の差を求めた。結果を表1に示した。
The obtained C—C bond ratio was plotted against the distance in the depth direction etched from the surface of the water vapor barrier layer on the side opposite to the base material to create a depth profile. In this depth profile, an approximate curve of the plotted ratio was obtained as a CC bond distribution curve.
In the obtained CC bond distribution curve, the presence or absence of one or more local maximum values and local minimum values was confirmed, and the difference between the maximum local maximum value and the minimum local minimum value was determined. The results are shown in Table 1.

水蒸気バリア性フィルム101を分析して、図5及び図6に示すデプスプロファイルが得られた。
また、水蒸気バリア性フィルム106を分析して、図7及び図8に示すデプスプロファイルが得られた。
The depth profile shown in FIGS. 5 and 6 was obtained by analyzing the water vapor barrier film 101.
Further, the depth profile shown in FIGS. 7 and 8 was obtained by analyzing the water vapor barrier film 106.

<評価方法>
[保存性:水蒸気バリア性フィルムのCa法評価]
下記のようにして作製したCa法評価試料(透過濃度により評価するタイプ)を85℃、85%RH環境に保存して一定時間ごとに、Caの腐食率を観察した。1時間、5時間、10時間、20時間、それ以降は20時間ごとに観察・透過濃度測定(任意4点の平均)し、測定した透過濃度が透過濃度初期値の50%未満となった時点の観察時間を水蒸気バリア性の指標とした。
5:400時間以上
4:300時間以上400時間未満
3:200時間以上300時間未満
2:100時間以上200時間未満
1:100時間未満
<Evaluation method>
[Preservation: Ca method evaluation of water vapor barrier film]
The Ca method evaluation sample (type evaluated by permeation concentration) prepared as described below was stored in an 85 ° C., 85% RH environment, and the corrosion rate of Ca was observed at regular intervals. 1 hour, 5 hours, 10 hours, 20 hours, and thereafter, observation and transmission density measurement (average of 4 points) every 20 hours, and when the measured transmission density is less than 50% of the initial transmission density value Was used as an index of water vapor barrier properties.
5: 400 hours or more 4: 300 hours or more and less than 400 hours 3: 200 hours or more and less than 300 hours 2: 100 hours or more and less than 200 hours 1: 1: 100 hours or less

(Ca法評価試料)
試料101〜107において作製した水蒸気バリア性フィルムに対し、水蒸気バリア層の表面をUV洗浄した後、水蒸気バリア層面に封止樹脂層として熱硬化型のシート状接着剤(エポキシ系樹脂)を厚さ20μmで貼合した。これを50mm×50mmのサイズに打ち抜いた後、グローブボックス内に入れて、24時間乾燥処理を行った。
(Ca method evaluation sample)
After the surface of the water vapor barrier layer was UV washed on the water vapor barrier film produced in Samples 101 to 107, a thermosetting sheet-like adhesive (epoxy resin) as a sealing resin layer was formed on the surface of the water vapor barrier layer. Bonding was performed at 20 μm. This was punched out to a size of 50 mm × 50 mm, then placed in a glove box and dried for 24 hours.

次に、50mm×50mmサイズの無アルカリガラス板(厚さ0.7mm)の片面をUV洗浄した。そして、株式会社エイエルエステクノロジー製の真空蒸着装置を用い、ガラス板の中央に、マスクを介して20mm×20mmのサイズでCaを蒸着した。Caの厚さは80nmとした。さらに、Ca蒸着済のガラス板をグローブボックス内に移し、水蒸気バリア性フィルムの封止樹脂層面と、ガラス板のCa蒸着面とを接するように配置し、真空ラミネートにより接着した。この際、110℃の加熱を行った。さらに、接着した試料を110℃に設定したホットプレート上にガラス板を下にして置き、30分間硬化させて、Ca法評価用セルを作製した。   Next, one side of a 50 mm × 50 mm non-alkali glass plate (thickness 0.7 mm) was UV cleaned. And Ca was vapor-deposited by the size of 20 mm x 20 mm through the mask in the center of the glass plate using the vacuum vapor deposition apparatus made from an EILS technology. The thickness of Ca was 80 nm. Furthermore, the Ca vapor-deposited glass plate was moved into the glove box, and was placed so that the sealing resin layer surface of the water vapor barrier film and the Ca vapor-deposited surface of the glass plate were in contact with each other, and adhered by vacuum lamination. At this time, heating at 110 ° C. was performed. Further, the adhered sample was placed on a hot plate set at 110 ° C. with the glass plate facing down and cured for 30 minutes to produce a Ca method evaluation cell.

[透明性評価]
試料101〜107の水蒸気バリア性フィルムの波長450nmの光の吸収率(%)を測定した。この吸収率から、下記評価基準にしたがって透明性をランク評価した。吸収率は数値が小さいほど透明性が高く、ランク3以上が実用可能な透明性である。
5:吸収率が、0.2以下である
4:吸収率が、0.2より大きく、0.5以下である
3:吸収率が、0.5より大きく、0.8以下である
2:吸収率が、0.8より大きく、1.5以下である
1:吸収率が、1.5より大きく、5.0以下である
[Transparency evaluation]
The absorption rate (%) of light having a wavelength of 450 nm of the water vapor barrier films of Samples 101 to 107 was measured. From this absorption rate, the transparency was ranked according to the following evaluation criteria. The smaller the numerical value of the absorptance, the higher the transparency.
5: Absorption rate is 0.2 or less 4: Absorption rate is greater than 0.2 and 0.5 or less 3: Absorption rate is greater than 0.5 and 0.8 or less 2: Absorptivity is greater than 0.8 and 1.5 or less 1: Absorptivity is greater than 1.5 and 5.0 or less

下記表1において、評価結果を示す。
なお、下記表1において、TRIES、TEOS、TMOMS、TMCTS及びHMDSOは、それぞれトリエトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリメトキシメチルシラン、テトラメチルシクロテトラシロキサン及びヘキサメチルジシロキサンの略記である。
In Table 1 below, the evaluation results are shown.
In Table 1 below, TRIE, TEOS, TMOMS, TMCTS, and HMDSO are abbreviations for triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxymethylsilane, tetramethylcyclotetrasiloxane, and hexamethyldisiloxane, respectively.

Figure 2018065328
Figure 2018065328

表1に示すように、本発明の実施例である試料101〜104の水蒸気バリア層は、比較例である試料105〜107に比べ、保存性に優れていることから、保存時や使用時における水蒸気による劣化を抑制でき、透明性に優れていることから、電子デバイスへの利用性を高めることができるとわかる。   As shown in Table 1, the water vapor barrier layers of the samples 101 to 104, which are examples of the present invention, are superior in storage stability compared to the samples 105 to 107, which are comparative examples. It can be seen that deterioration due to water vapor can be suppressed and transparency is excellent, so that the utility to electronic devices can be enhanced.

表1より、水蒸気バリア層において、X線光電子分光法により、層厚の深さ方向において測定される、Si原子、O原子及びC原子の総原子数に対するC原子の含有量の平均値が15atm%以下であり、かつ層厚の深さ方向のC1sの波形解析に基づく、C−SiO結合、C−C結合、C−O結合、C=O結合及びC=OO結合の合計量に対するC=O結合とC=OO結合の合計量比率の平均値が8%以下である、試料101〜試料104は、そうではない試料105及び試料106と比べて、保存性及び透明性の結果が優れている。これら結果から、保存性に優れることから水蒸気による劣化を抑制でき、透明性に優れることから電子デバイスへの利用性を高めることが示される。   From Table 1, in the water vapor barrier layer, the average value of the content of C atoms with respect to the total number of Si atoms, O atoms, and C atoms measured in the depth direction of the layer thickness by X-ray photoelectron spectroscopy is 15 atm. % With respect to the total amount of C—SiO bond, C—C bond, C—O bond, C═O bond and C═OO bond based on the waveform analysis of C1s in the depth direction of the layer thickness. Samples 101 to 104, in which the average value of the total amount ratio of O bonds and C = OO bonds is 8% or less, have superior storage stability and transparency results as compared to Samples 105 and 106 that are not. Yes. From these results, it is shown that deterioration due to water vapor can be suppressed because it is excellent in storability, and that utilization in electronic devices is enhanced because it is excellent in transparency.

また、表1より、水蒸気バリア層において、X線光電子分光法より得られる、層厚の深さ方向における層の表面からの距離と、C−SiO結合、C−C結合、C−O結合、C=O結合及びC=OO結合の前記合計量に対するC−C結合量の、結合分布曲線において、前記C−C結合の比率の最大の極大値と最小の極小値との差が15%以上95%以下である、試料101及び試料104は、そうでない試料102及び試料103と比べて、保存性の結果が優れている。これら結果から、保存性により優れることから、水蒸気による劣化をより抑制できることが示される。   Further, from Table 1, in the water vapor barrier layer, the distance from the surface of the layer in the depth direction of the layer thickness obtained by X-ray photoelectron spectroscopy, the C—SiO bond, the C—C bond, the C—O bond, In the bond distribution curve of the C—C bond amount relative to the total amount of C═O bond and C═OO bond, the difference between the maximum maximum value and the minimum minimum value of the ratio of the C—C bond is 15% or more. Sample 101 and sample 104, which are 95% or less, have superior storage stability results compared to sample 102 and sample 103 that are not. From these results, it is shown that deterioration due to water vapor can be further suppressed because of better storage stability.

また、表1より、水蒸気バリア層を2層有する試料101は、水蒸気バリア層を1層のみ有する試料107と比べて、保存性の結果が優れている。これより、水蒸気バリア層を2層有することで、保存性により優れることから、水蒸気による劣化をより抑制できることが示される。   Further, from Table 1, the sample 101 having two water vapor barrier layers is superior in storage stability to the sample 107 having only one water vapor barrier layer. From this, it is shown that by having two water vapor barrier layers, it is more excellent in storage stability, so that deterioration due to water vapor can be further suppressed.

また、表1より、水蒸気バリア層にテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)を用いた試料101は、水蒸気バリア層に他の有機ケイ素化合物を用いた試料102、試料103及び試料104と比べ、保存性と透明性の結果に優れている。これより、水蒸気バリア層にテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)を用いることが、より好ましいと示される。   In addition, from Table 1, the sample 101 using tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS) for the water vapor barrier layer is more storable than the samples 102, 103, and 104 using other organosilicon compounds for the water vapor barrier layer. And the transparency results are excellent. This shows that it is more preferable to use tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS) for the water vapor barrier layer.

実施例2
[水蒸気バリア性フィルムの作製]
(水蒸気バリア層の形成)
基材として、両面が易接着加工された、厚さ50μmのコスモシャイン(登録商標)A4300(東洋紡社製)を用意した。
この基材の一方の面に、UV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材OPSTAR(登録商標)Z7501(JSR株式会社製)を、乾燥後の層厚が3μmになるようにワイヤーバーで塗布した。塗布膜を80℃で3分間乾燥した後、空気雰囲気下で高圧水銀ランプを使用して、1.0J/cmの硬化条件で硬化処理し、アンカーコート層を形成した。
Example 2
[Production of water vapor barrier film]
(Formation of water vapor barrier layer)
As a base material, Cosmo Shine (registered trademark) A4300 (manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm and both surfaces subjected to easy adhesion processing was prepared.
On one surface of this substrate, a UV curable organic / inorganic hybrid hard coat material OPSTAR (registered trademark) Z7501 (manufactured by JSR Corporation) was applied with a wire bar so that the layer thickness after drying was 3 μm. The coating film was dried at 80 ° C. for 3 minutes and then cured under a curing condition of 1.0 J / cm 2 using a high-pressure mercury lamp in an air atmosphere to form an anchor coat layer.

調湿後の基材を、図4に示す製造装置60にセットし、製造装置60により下記成膜条件で層厚が140nmの水蒸気バリア層をアンカーコート層上に形成して、試料201の第1水蒸気バリア性フィルムを得た。   The substrate after humidity adjustment is set in the manufacturing apparatus 60 shown in FIG. 4, and a water vapor barrier layer having a layer thickness of 140 nm is formed on the anchor coat layer under the following film forming conditions by the manufacturing apparatus 60. 1 A water vapor barrier film was obtained.

(成膜条件)
原料ガス1:テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)
原料ガス1の供給量:100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
原料ガス2:酸素
原料ガス2の供給量:300sccm
真空度:1.5Pa
プラズマ発生用電源による供給電力:1.4kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
フィルムの搬送速度:12m/min
(Deposition conditions)
Source gas 1: Tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS)
Supply amount of raw material gas 1: 100 sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute)
Source gas 2: oxygen Supply amount of source gas 2: 300 sccm
Degree of vacuum: 1.5Pa
Power supplied by power supply for plasma generation: 1.4kW
Frequency of power source for plasma generation: 70 kHz
Film transport speed: 12 m / min

第2水蒸気バリア性フィルムにおいても、水蒸気バリア層の原料ガス1をヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)とし、その供給量と、原料ガス2の酸素の供給量を表2に示すとおりとした以外は、上述の第1水蒸気バリア性フィルムと同様の方法で、作製した。   Also in the second water vapor barrier film, the raw material gas 1 of the water vapor barrier layer is hexamethyldisiloxane (HMDSO), and the supply amount thereof and the supply amount of oxygen of the raw material gas 2 are as shown in Table 2, It produced by the method similar to the above-mentioned 1st water vapor | steam barrier film.

[水蒸気バリア積層体の作製;貼り合せ]
上記で作製した第1水蒸気バリア性フィルムの水蒸気バリア層形成面に、綜研化学社製のSKダイン2147(アクリル系樹脂粘着剤)を厚さ25μmで塗布し、粘着層を形成した。そして、第2水蒸気バリア性フィルムの基材面を、上記粘着層に貼り合せた。この後、第1水蒸気バリア性フィルム、粘着層、及び、第2水蒸気バリア性フィルムからなる積層体を、搬送速度3m/min、積層体の張力110N/m、ニップ圧25kPaの条件で貼り合せて、試料201の水蒸気バリア積層体を作製した。
[Preparation of water vapor barrier laminate; bonding]
SK dyne 2147 (acrylic resin adhesive) manufactured by Soken Chemical Co., Ltd. was applied to the surface of the first water vapor barrier film formed above with a thickness of 25 μm to form an adhesive layer. And the base material surface of the 2nd water vapor | steam barrier film was bonded together to the said adhesion layer. Thereafter, a laminate composed of the first water vapor barrier film, the adhesive layer, and the second water vapor barrier film is bonded under the conditions of a conveyance speed of 3 m / min, a tension of the laminate of 110 N / m, and a nip pressure of 25 kPa. A water vapor barrier laminate of sample 201 was produced.

[有機EL素子の作製]
(第1電極の作製)
次に、水蒸気バリア積層体の水蒸気バリア層形成面側に、厚さ150nmのITO(インジウムチンオキシド)をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、第1電極を形成した。
[Production of organic EL element]
(Production of the first electrode)
Next, ITO (indium tin oxide) having a thickness of 150 nm was formed by sputtering on the surface of the water vapor barrier laminate on which the water vapor barrier layer was formed, and patterned by photolithography to form a first electrode.

[有機EL素子の作製]
(発光ユニットの作製)
次に、第1電極が形成された水蒸気バリア積層体を、中央部に幅30mm×30mmの開口部があるマスクと重ねて市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。また真空蒸着装置内の加熱ボートの各々に、発光ユニットを構成する各材料を、それぞれの層の形成に最適な量で充填した。なお、加熱ボートはタングステン製抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
[Production of organic EL element]
(Production of light emitting unit)
Next, the water vapor barrier laminate on which the first electrode was formed was overlapped with a mask having an opening with a width of 30 mm × 30 mm in the center and fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus. Moreover, each material which comprises a light emission unit was filled in each heating boat in a vacuum evaporation system in the optimal quantity for formation of each layer. In addition, the heating boat used what was produced with the resistance heating material made from tungsten.

次に、真空蒸着装置の蒸着室内を真空度4×10−4Paまで減圧し、各材料が入った加熱ボートを順次通電して加熱することにより、以下のように各層を形成した。
まず、正孔輸送注入材料として下記構造式に示すα−NPDが入った加熱ボートに通電して加熱し、α−NPDよりなる正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた正孔輸送注入層を、第1電極上に形成した。この際、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒、層厚140nmとした。
Next, the inside of the vapor deposition chamber of the vacuum vapor deposition apparatus was depressurized to a vacuum degree of 4 × 10 −4 Pa, and each layer was formed as follows by sequentially energizing and heating the heating boat containing each material.
First, as a hole transport injection material, a heating boat containing α-NPD represented by the following structural formula is energized and heated, and hole transport injection serving as both a hole injection layer and a hole transport layer made of α-NPD A layer was formed on the first electrode. At this time, the deposition rate was 0.1 to 0.2 nm / second, and the layer thickness was 140 nm.

Figure 2018065328
Figure 2018065328

次に、下記構造式に示すホスト材料H4の入った加熱ボートと、下記構造式に示すリン光発光性化合物Ir−4の入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料H4とリン光発光性化合物Ir−4とよりなる発光層を、正孔輸送注入層上に形成した。この際、蒸着速度がホスト材料H4:リン光発光性化合物Ir−4=100:6となるように、加熱ボートの通電を調節した。また層厚30nmとした。
次に、正孔阻止材料として下記構造式に示すBAlqが入った加熱ボートに通電して加熱し、BAlqよりなる正孔阻止層を、発光層上に形成した。この際、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒、層厚10nmとした。
Next, the heating boat containing the host material H4 represented by the following structural formula and the heating boat containing the phosphorescent compound Ir-4 represented by the following structural formula were respectively energized independently, and the host material H4 and phosphorous A light emitting layer composed of the photoluminescent compound Ir-4 was formed on the hole transport injection layer. At this time, the energization of the heating boat was adjusted so that the deposition rate was host material H4: phosphorescent compound Ir-4 = 100: 6. The layer thickness was 30 nm.
Next, a heating boat containing BAlq represented by the following structural formula as a hole blocking material was energized and heated to form a hole blocking layer made of BAlq on the light emitting layer. At this time, the deposition rate was 0.1 to 0.2 nm / second, and the layer thickness was 10 nm.

Figure 2018065328
Figure 2018065328

その後、下記化合物10の入った加熱ボートと、フッ化カリウムの入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、化合物10とフッ化カリウムとよりなる電子輸送層を、正孔阻止層上に形成した。この際、蒸着速度が化合物10:フッ化カリウム=75:25になるように、加熱ボートの通電を調節した。また層厚30nmとした。
次に、電子注入材料としてフッ化カリウムの入った加熱ボートに通電して加熱し、フッ化カリウムよりなる電子注入層を、電子輸送層上に形成した。この際、蒸着速度0.01〜0.02nm/秒、層厚1nmとした。
Thereafter, a heating boat containing the following compound 10 and a heating boat containing potassium fluoride are energized independently to form an electron transport layer composed of the compound 10 and potassium fluoride on the hole blocking layer. did. At this time, the energization of the heating boat was adjusted so that the deposition rate was compound 10: potassium fluoride = 75: 25. The layer thickness was 30 nm.
Next, a heating boat containing potassium fluoride as an electron injection material was energized and heated to form an electron injection layer made of potassium fluoride on the electron transport layer. At this time, the deposition rate was 0.01 to 0.02 nm / second, and the layer thickness was 1 nm.

Figure 2018065328
Figure 2018065328

[有機EL素子の作製]
(第2電極の作製〜封止)
発光ユニットまで形成した水蒸気バリア積層体を、アルミニウム(Al)を入れたタングステン製の抵抗加熱ボートが取り付けられた第2真空槽へ、真空状態を保持したまま移送した。そして、第1電極と直交するように配置された幅20mm×20mmの開口部があるマスクと重ねて固定した。次に、処理室内において、成膜速度0.3〜0.5nm/秒で、膜厚100nmのAlからなる反射性の第2電極をカソードとして成膜した。
[Production of organic EL element]
(Preparation of second electrode to sealing)
The water vapor barrier laminate formed up to the light emitting unit was transferred to a second vacuum tank equipped with a tungsten resistance heating boat containing aluminum (Al) while maintaining a vacuum state. And it overlapped and fixed with the mask with the opening part of width 20mm * 20mm arrange | positioned so that it may orthogonally cross with the 1st electrode. Next, a reflective second electrode made of Al having a thickness of 100 nm was formed as a cathode at a film formation rate of 0.3 to 0.5 nm / second in the processing chamber.

次に、水蒸気バリア性フィルムと同様の構成の封止部材の片面に、封止樹脂層として熱硬化型の液状接着剤(エポキシ系樹脂)を厚さ25μmで形成した。そして、この封止樹脂層を設けた封止部材を、第2電極までを形成した試料に重ね合わせた。このとき、第1電極及び第2電極の取出し部の端部が外に出るように、封止部材の封止樹脂層形成面を、有機EL素子の水蒸気バリア性フィルム側に連続的に重ね合わせた。   Next, a thermosetting liquid adhesive (epoxy resin) having a thickness of 25 μm was formed as a sealing resin layer on one surface of a sealing member having the same configuration as the water vapor barrier film. And the sealing member which provided this sealing resin layer was piled up on the sample in which even the 2nd electrode was formed. At this time, the sealing resin layer forming surface of the sealing member is continuously overlapped with the water vapor barrier film side of the organic EL element so that the end portions of the extraction portions of the first electrode and the second electrode come out. It was.

次に、封止部材を貼り合せた試料を減圧装置内に配置し、90℃で0.1MPaの減圧条件下で押圧をかけて5分間保持した。続いて、試料を大気圧環境に戻し、さらに90℃で30分間加熱して接着剤を硬化させた。   Next, the sample to which the sealing member was bonded was placed in a decompression device, and pressed at 90 ° C. under a decompression condition of 0.1 MPa and held for 5 minutes. Subsequently, the sample was returned to the atmospheric pressure environment and further heated at 90 ° C. for 30 minutes to cure the adhesive.

上記封止工程は、大気圧下、含水率1ppm以下の窒素雰囲気下で、JIS B 9920に準拠し、測定した清浄度がクラス100で、露点温度が−80℃以下、酸素濃度0.8ppm以下の大気圧で行った。   The sealing step is performed under atmospheric pressure and in a nitrogen atmosphere with a moisture content of 1 ppm or less, in accordance with JIS B 9920, with a measured cleanliness of class 100, a dew point temperature of −80 ° C. or less, and an oxygen concentration of 0.8 ppm or less. At atmospheric pressure.

以上の方法により、試料201の有機EL素子を作製した。なお、有機EL素子の作製工程において、第1電極及び第2電極からの取出し部等の形成に関する記載は省略した。   The organic EL element of sample 201 was produced by the above method. In addition, in the manufacturing process of an organic EL element, the description regarding formation of the extraction part from a 1st electrode and a 2nd electrode was abbreviate | omitted.

[試料202の作製]
第2水蒸気バリア性フィルムの水蒸気バリア層を、原料ガス1をテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)とし、その供給量と、原料ガス2の酸素の供給量を表2に示すとおりとした以外は、上述の試料201と同様の方法で試料202の水蒸気バリア積層体、及び、有機EL素子を作製した。
[Preparation of Sample 202]
Except for the water vapor barrier layer of the second water vapor barrier film, the raw material gas 1 is tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS), and the supply amount thereof and the oxygen supply amount of the raw material gas 2 are as shown in Table 2. A water vapor barrier laminate of Sample 202 and an organic EL element were produced in the same manner as Sample 201 described above.

[試料203の作製]
第2水蒸気バリア性フィルムの水蒸気バリア層を、原料ガス1をテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)としその供給量と、原料ガス2の酸素の供給量を表2に示すとおりとし、さらに、粘着層を、パナック社製のPD−S1(アクリル系樹脂粘着剤)で形成した以外は、上述の試料201と同様の方法で試料203の水蒸気バリア積層体、及び、有機EL素子を作製した。
[Preparation of Sample 203]
The water vapor barrier layer of the second water vapor barrier film is such that the raw material gas 1 is tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS) and the supply amount thereof and the oxygen supply amount of the raw material gas 2 are as shown in Table 2; Was formed with PD-S1 (acrylic resin pressure-sensitive adhesive) manufactured by Panac Co., and a water vapor barrier laminate of Sample 203 and an organic EL device were produced in the same manner as Sample 201 described above.

[試料204の作製]
第2水蒸気バリア性フィルムの水蒸気バリア層を、原料ガス1をテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)とし、その供給量と、原料ガス2の酸素の供給量を表2に示すとおりとし、さらに、第1水蒸気バリア性フィルムの水蒸気バリア層を、原料ガス1をテトラエトキシシラン(TEOS)とし、原料ガス1の酸素の供給量を表2に示すとおりとした以外は、上述の試料201と同様の方法で試料204の水蒸気バリア積層体、及び、有機EL素子を作製した。
[Preparation of Sample 204]
In the water vapor barrier layer of the second water vapor barrier film, the raw material gas 1 is tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS), the supply amount thereof and the oxygen supply amount of the raw material gas 2 are as shown in Table 2, and 1 A method similar to the above-described sample 201 except that the water vapor barrier layer of the water vapor barrier film is made of tetraethoxysilane (TEOS) as the raw material gas 1 and the oxygen supply amount of the raw material gas 1 is as shown in Table 2. Thus, a water vapor barrier laminate of sample 204 and an organic EL element were produced.

[試料205の作製]
第2水蒸気バリア性フィルムの水蒸気バリア層を、原料ガス1をテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)とし、その供給量と、原料ガス2の酸素の供給量を表2に示すとおりとし、さらに、第1水蒸気バリア性フィルムの水蒸気バリア層を、原料ガス1をトリメトキシメチルシラン(TMOMS)とし、原料ガス1の酸素の供給量を表2に示すとおりとした以外は、上述の試料201と同様の方法で試料205の水蒸気バリア積層体、及び、有機EL素子を作製した。
[Preparation of Sample 205]
In the water vapor barrier layer of the second water vapor barrier film, the raw material gas 1 is tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS), the supply amount thereof and the oxygen supply amount of the raw material gas 2 are as shown in Table 2, and 1 A water vapor barrier layer of a water vapor barrier film is the same as the sample 201 described above except that the raw material gas 1 is trimethoxymethylsilane (TMOMS) and the oxygen supply amount of the raw material gas 1 is as shown in Table 2. A water vapor barrier laminate of sample 205 and an organic EL element were produced by the method.

[試料206の作製]
粘着層を、DIC社製のZB7011W(アクリル系樹脂粘着剤)で形成した以外は、上述の試料201と同様の方法で試料206の水蒸気バリア積層体、及び、有機EL素子を作製した。
[Preparation of Sample 206]
A water vapor barrier laminate of Sample 206 and an organic EL device were produced in the same manner as Sample 201 described above except that the adhesive layer was formed of ZB7011W (acrylic resin adhesive) manufactured by DIC.

[試料207の作製]
第1水蒸気バリア性フィルムの水蒸気バリア層を、原料ガス1をトリエトキシシラン(TRIES)とし、原料ガス2の酸素の供給量を表2に示すとおりとし、さらに、粘着層を、DIC社製のZB7011Wで形成した以外は、上述の試料201と同様の方法で試料207の水蒸気バリア積層体、及び、有機EL素子を作製した。
[Preparation of Sample 207]
For the water vapor barrier layer of the first water vapor barrier film, the raw material gas 1 is triethoxysilane (TRIES), the oxygen supply amount of the raw material gas 2 is as shown in Table 2, and the adhesive layer is manufactured by DIC. A water vapor barrier laminate of Sample 207 and an organic EL element were produced in the same manner as Sample 201 described above except that it was formed of ZB7011W.

[試料208の作製]
第1水蒸気バリア性フィルムの水蒸気バリア層を、原料ガス1をヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)とし、その供給量と、原料ガス2の酸素の供給量を表2に示すとおりとし、さらに、粘着層を、DIC社製のZB7011Wで形成した以外は、上述の試料201と同様の方法で試料208の水蒸気バリア積層体、及び、有機EL素子を作製した。
[Preparation of Sample 208]
The water vapor barrier layer of the first water vapor barrier film is such that the raw material gas 1 is hexamethyldisiloxane (HMDSO), the supply amount thereof and the oxygen supply amount of the raw material gas 2 are as shown in Table 2, and further the adhesive layer Was formed with ZB7011W manufactured by DIC, and a water vapor barrier laminate of Sample 208 and an organic EL element were produced in the same manner as Sample 201 described above.

[C原子分布曲線及びC−C結合分布曲線]
作製した試料201〜208において、第1水蒸気バリア層のC原子分布曲線及びC−C結合分布曲線を、上記実施例1と同様にして求めた。結果を表2に示した。
[C atom distribution curve and CC bond distribution curve]
In the produced samples 201 to 208, the C atom distribution curve and the C—C bond distribution curve of the first water vapor barrier layer were determined in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2.

<評価方法>
作製した試料201〜208の水蒸気バリア積層体、及び、有機EL素子に対し、下記の評価を行なった。
<Evaluation method>
The following evaluation was performed with respect to the water vapor | steam barrier laminated body of the produced samples 201-208, and the organic EL element.

[保存性:水蒸気バリア積層体のCa法評価]
下記のようにして、作製したCa法評価試料(透過濃度により評価するタイプ)を85℃、85%RH環境に保存して一定時間ごとに、Caの腐食率を観察した。1時間、5時間、10時間、20時間、それ以降は20時間ごとに観察・透過濃度測定(任意4点の平均)し、測定した透過濃度が透過濃度初期値の50%未満となった時点の観察時間を水蒸気バリア性の指標とした。
5:400時間以上
4:300時間以上400時間未満
3:200時間以上300時間未満
2:100時間以上200時間未満
1:100時間未満
[Preservation: Ca method evaluation of water vapor barrier laminate]
The prepared Ca method evaluation samples (types evaluated by permeation concentration) were stored in an 85 ° C., 85% RH environment, and the corrosion rate of Ca was observed at regular intervals. 1 hour, 5 hours, 10 hours, 20 hours, and thereafter, observation and transmission density measurement (average of 4 points) every 20 hours, and when the measured transmission density is less than 50% of the initial transmission density value Was used as an index of water vapor barrier properties.
5: 400 hours or more 4: 300 hours or more and less than 400 hours 3: 200 hours or more and less than 300 hours 2: 100 hours or more and less than 200 hours 1: 1: 100 hours or less

(Ca法評価試料)
各試料201〜208において作製した水蒸気バリア積層体に対し、水蒸気バリア積層体の一方の面に露出する水蒸気バリア層の表面をUV洗浄した後、水蒸気バリア層面に封止樹脂層として熱硬化型のシート状接着剤(エポキシ系樹脂)を厚さ20μmで貼合した。これを50mm×50mmのサイズに打ち抜いた後、グローブボックス内に入れて、24時間乾燥処理を行った。
(Ca method evaluation sample)
The surface of the water vapor barrier layer exposed on one surface of the water vapor barrier laminate is UV washed with respect to the water vapor barrier laminate produced in each of the samples 201 to 208, and then a thermosetting type sealing resin layer on the water vapor barrier layer surface. A sheet adhesive (epoxy resin) was pasted at a thickness of 20 μm. This was punched out to a size of 50 mm × 50 mm, then placed in a glove box and dried for 24 hours.

次に、50mm×50mmサイズの無アルカリガラス板(厚さ0.7mm)の片面をUV洗浄した。そして、株式会社エイエルエステクノロジー製の真空蒸着装置を用い、ガラス板の中央に、マスクを介して20mm×20mmのサイズでCaを蒸着した。Caの厚さは80nmとした。さらに、Ca蒸着済のガラス板をグローブボックス内に移し、水蒸気バリア性フィルムの封止樹脂層面と、ガラス板のCa蒸着面とを接するように配置し、真空ラミネートにより接着した。この際、110℃の加熱を行った。さらに、接着した試料を110℃に設定したホットプレート上にガラス板を下にして置き、30分間硬化させて、Ca法評価用セルを作製した。   Next, one side of a 50 mm × 50 mm non-alkali glass plate (thickness 0.7 mm) was UV cleaned. And Ca was vapor-deposited by the size of 20 mm x 20 mm through the mask in the center of the glass plate using the vacuum vapor deposition apparatus made from an EILS technology. The thickness of Ca was 80 nm. Furthermore, the Ca vapor-deposited glass plate was moved into the glove box, and was placed so that the sealing resin layer surface of the water vapor barrier film and the Ca vapor-deposited surface of the glass plate were in contact with each other, and adhered by vacuum lamination. At this time, heating at 110 ° C. was performed. Further, the adhered sample was placed on a hot plate set at 110 ° C. with the glass plate facing down and cured for 30 minutes to produce a Ca method evaluation cell.

[質量変化率の測定]
試料201〜208の水蒸気バリア積層体の作製に使用した粘着剤に対し、下記の測定条件で、加熱時の質量変化率を測定した。
[Measurement of mass change rate]
With respect to the pressure-sensitive adhesive used for preparing the water vapor barrier laminates of Samples 201 to 208, the mass change rate during heating was measured under the following measurement conditions.

(粘着層の質量変化率;熱重量測定(TG)分析)
測定器:TG/DTA6200 日立ハイテクサイエンス製
試料:約6mgを掻きとってアルミ製オープン容器の中に入れて測定する。リファレンスとして同じアルミ容器の空容器を使用する。
昇温条件:30℃から150℃まで、5℃/minにて昇温
雰囲気ガス:窒素200mL/minを流しながら測定
(Mass change rate of adhesive layer; thermogravimetry (TG) analysis)
Measuring instrument: TG / DTA6200 manufactured by Hitachi High-Tech Science Sample: About 6 mg is scraped and placed in an aluminum open container for measurement. Use the same aluminum container as a reference.
Temperature rising condition: Temperature rising from 30 ° C. to 150 ° C. at 5 ° C./min Atmospheric gas: Measured while flowing 200 mL / min of nitrogen

[気泡評価]
85℃、85%RH環境下で500時間保存した、試料201〜208の有機EL素子の発光面をそれぞれ観察し、100cmあたりの0.5mm以上の気泡を数えた。下記の基準によって、粘着層の気泡の発生を評価した。
5:2個未満である
4:2個以上10個未満である
3:11個以上20個未満である
2:21個以上50個未満である
1:50個以上である
[Bubble evaluation]
The light emitting surfaces of the organic EL elements of Samples 201 to 208 that were stored in an environment of 85 ° C. and 85% RH for 500 hours were observed, and 0.5 mm or more bubbles per 100 cm 2 were counted. The generation of bubbles in the adhesive layer was evaluated according to the following criteria.
5: Less than 2 4: 2 or more and less than 10 3: 11 or more and less than 20 2: 21 or more and less than 50 1: 50 or more

[折り曲げ保存性試験]
各試料201〜208の有機EL素子を、曲率が6mmφのプラスチック製ローラーに、有機EL素子形成面が外側になるように巻き付けた状態で、85℃、85%RHの環境下で、500時間保存した。その後、ローラーからはずした各有機EL素子に、1mA/cmの電流を印加して発光させた。次に、100倍の光学顕微鏡(株式会社モリテックス製 MS−804、レンズMP−ZE25−200)で、有機EL素子の発光部の一部分を拡大して撮影した。次に、撮影画像を2mm四方に切り抜き、それぞれの画像について、ダークスポット発生の有無を観察した。観察結果より、発光面積に対するダークスポットの発生面積比率を求め、下記の基準に従って、ダークスポット耐性を評価した。
[Bending preservation test]
The organic EL elements of the samples 201 to 208 are stored for 500 hours in an environment of 85 ° C. and 85% RH in a state where the organic EL element forming surface is wound around a plastic roller having a curvature of 6 mmφ. did. Thereafter, a current of 1 mA / cm 2 was applied to each organic EL element removed from the roller to emit light. Next, a part of the light emitting portion of the organic EL element was enlarged and photographed with a 100 × optical microscope (Mortex Corp. MS-804, lens MP-ZE25-200). Next, the captured image was cut out in a 2 mm square, and the presence or absence of dark spots was observed for each image. From the observation results, the ratio of the dark spot generation area to the light emission area was determined, and the dark spot resistance was evaluated according to the following criteria.

5:ダークスポットの発生は全く認められない
4:ダークスポットの発生面積が、0.1%以上、1.0%未満である
3:ダークスポットの発生面積が、1.0%以上、3.0%未満である
2:ダークスポットの発生面積が、3.0%以上、6.0%未満である
1:ダークスポットの発生面積が、6.0%以上である
5: Generation of dark spots is not recognized at all 4: Dark spot generation area is 0.1% or more and less than 1.0% 3: Dark spot generation area is 1.0% or more; Less than 0% 2: Dark spot generation area is 3.0% or more and less than 6.0% 1: Dark spot generation area is 6.0% or more

上述の試料201〜208の保存性、気泡、及び、折り曲げ保存性、粘着層の質量変化率の評価結果を表3に示す。
なお、下記表2において、TRIES、TEOS、TMOMS、TMCTS及びHMDSOは、それぞれトリエトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリメトキシメチルシラン、テトラメチルシクロテトラシロキサン及びヘキサメチルジシロキサンの略記である。
Table 3 shows the evaluation results of the storage stability, air bubbles, folding storage stability, and mass change rate of the adhesive layer of the samples 201 to 208 described above.
In Table 2 below, TRIE, TEOS, TMOMS, TMCTS, and HMDSO are abbreviations for triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxymethylsilane, tetramethylcyclotetrasiloxane, and hexamethyldisiloxane, respectively.

Figure 2018065328
Figure 2018065328

Figure 2018065328
Figure 2018065328

表2及び表3に示すように、本発明の実施例である試料201〜207の水蒸気バリア積層体は、比較例である試料208の水蒸気バリア積層体に比べ、保存性に優れていることから、保存時や使用時における水蒸気による劣化を抑制でき、気泡の発生を抑制し、折り曲げ保存性に優れることでダークスポットの発生率を抑制できるとわかる。   As shown in Table 2 and Table 3, the water vapor barrier laminates of samples 201 to 207 which are examples of the present invention are superior in storage stability compared to the water vapor barrier laminate of sample 208 which is a comparative example. It can be seen that deterioration due to water vapor during storage and use can be suppressed, generation of bubbles can be suppressed, and the generation rate of dark spots can be suppressed by excellent folding storage stability.

表2及び表3より、第1水蒸気バリア層が、X線光電子分光法により、層厚の深さ方向において測定される、Si原子、O原子及びC原子の総原子数に対するC原子の含有量の平均値が15atm%以下であり、かつ層厚の深さ方向のC1sの波形解析に基づく、C−SiO結合、C−C結合、C−O結合、C=O結合及びC=OO結合の合計量に対するC=O結合とC=OO結合の合計量比率の平均値が8%以下である、試料201〜試料207は、そうではない試料208と比べて、保存性、及び、折り曲げ保存性の結果が優れている。これより、保存性に優れることから水蒸気による劣化を抑制でき、折り曲げ保存性に優れることからダークスポットの発生率を抑制できることが示される。   From Tables 2 and 3, the content of C atoms relative to the total number of Si atoms, O atoms, and C atoms in the first water vapor barrier layer measured in the depth direction of the layer thickness by X-ray photoelectron spectroscopy. Of the C—SiO bond, C—C bond, C—O bond, C═O bond and C═OO bond based on the waveform analysis of C1s in the depth direction of the layer thickness. The average value of the total amount ratio of the C═O bond and the C═OO bond relative to the total amount is 8% or less, and the sample 201 to the sample 207 have better storage stability and folding storage property than the sample 208 which does not. The results are excellent. From this, it is shown that deterioration due to water vapor can be suppressed because of excellent storage stability, and that the occurrence rate of dark spots can be suppressed because of excellent storage stability.

また、表2及び表3より、第1水蒸気バリア層が、X線光電子分光法より得られる、層厚の深さ方向における層の表面からの距離と、C−SiO結合、C−C結合、C−O結合、C=O結合及びC=OO結合の前記合計量に対するC−C結合量の、結合分布曲線において、前記C−C結合の比率の最大の極大値と最小の極小値との差が15〜95%の範囲内である、試料202は、そうではない試料204と比べて、保存性、及び、折り曲げ保存性の結果が優れている。これら結果から、保存性により優れることから水蒸気による劣化をより抑制でき、折り曲げ保存性に優れることからダークスポットの発生率をより抑制できることが示される。   Further, from Table 2 and Table 3, the first water vapor barrier layer is obtained by X-ray photoelectron spectroscopy, the distance from the surface of the layer in the depth direction of the layer thickness, the C—SiO bond, the C—C bond, In the bond distribution curve of the C—C bond amount relative to the total amount of C—O bond, C═O bond, and C═OO bond, the maximum maximum value and the minimum minimum value of the ratio of the C—C bond The sample 202 in which the difference is in the range of 15 to 95% is superior in the storage stability and the folding storage stability as compared with the sample 204 which is not. From these results, it is shown that deterioration due to water vapor can be further suppressed because of superior storage stability, and that the occurrence rate of dark spots can be further suppressed because of excellent folding storage stability.

また、表2及び表3より、質量変化率が0.50%以下である粘着剤を用いた試料201〜205の有機EL素子は、質量変化率が0.50%を超える粘着剤を用いた試料206、207と比べて、気泡の発生数と折り曲げ保存性において、良好な結果が得られた。このように、水蒸気バリア積層体の粘着剤の質量変化率が小さい程、気泡の発生がより少なくなり、折り曲げ保存性に優れることからダークスポット発生率をより抑制できることが示される。
さらに、試料202の粘着剤をエポキシ系樹脂粘着剤であるスリーボンド社製のThreeBond1655で代用しても、同様の効果が得られることが確認できた。
Moreover, from Table 2 and Table 3, the organic EL element of the samples 201-205 using the adhesive whose mass change rate is 0.50% or less used the adhesive whose mass change rate exceeded 0.50%. Compared to Samples 206 and 207, good results were obtained in the number of bubbles generated and folding storage stability. Thus, it is shown that the smaller the mass change rate of the pressure-sensitive adhesive of the water vapor barrier laminate, the smaller the generation of bubbles and the better the storability of folding, so that the dark spot generation rate can be further suppressed.
Furthermore, it was confirmed that the same effect was obtained even when the adhesive of Sample 202 was replaced with ThreeBond 1655 manufactured by ThreeBond, which is an epoxy resin adhesive.

また、表2及び表3より、第1水蒸気バリア層と第2水蒸気バリア層の両方にテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)を用いた試料202は、他の試料と比べ、保存性、気泡の発生数、折り曲げ保存性において、良好な結果を得ている。これより、第1水蒸気バリア層と第2水蒸気バリア層の両方にテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)を用いることが、より好ましいとされる。なお、試料202における水蒸気バリア積層体の光の吸収率は、0.3%であった。   Also, from Table 2 and Table 3, the sample 202 using tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS) for both the first water vapor barrier layer and the second water vapor barrier layer is more storable and generates bubbles. Good results have been obtained in terms of number and folding storage. Accordingly, it is more preferable to use tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS) for both the first water vapor barrier layer and the second water vapor barrier layer. The light absorption rate of the water vapor barrier laminate in sample 202 was 0.3%.

なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。   The present invention is not limited to the configuration described in the above-described embodiment, and various modifications and changes can be made without departing from the configuration of the present invention.

10 水蒸気バリア積層体
11 第1水蒸気バリア層
12 第1基材
13 粘着層
14 第2水蒸気バリア層
15 第2基材
16 帯電防止層
17 第1水蒸気バリア性フィルム
18 第2水蒸気バリア性フィルム
20 有機EL素子
21 対向電極
22 発光ユニット
22a 電子注入層
22b 電子輸送層
22c 発光層
22d 正孔輸送層
22e 正孔注入層
23 透明電極
30 水蒸気バリア性フィルム
31 水蒸気バリア層
32 基材
Sa 基材側の水蒸気バリア層の表面
Sb 基材と反対側の水蒸気バリア層の表面
40 真空チャンバー
41、42、43、44、45、46、47、48 ローラー
49 電源
50 排気口
51 真空ポンプ
52 ガス供給部
53 磁場発生装置
60 製造装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Water vapor | steam barrier laminated body 11 1st water vapor | steam barrier layer 12 1st base material 13 Adhesive layer 14 2nd water vapor | steam barrier layer 15 2nd base material 16 Antistatic layer 17 1st water vapor | steam barrier film 18 2nd water vapor | steam barrier film 20 Organic EL element 21 Counter electrode 22 Light emitting unit 22a Electron injection layer 22b Electron transport layer 22c Light emission layer 22d Hole transport layer 22e Hole injection layer 23 Transparent electrode 30 Water vapor barrier film 31 Water vapor barrier layer 32 Base material Sa Water vapor on the base material side Surface of the barrier layer Sb Surface of the water vapor barrier layer opposite to the substrate 40 Vacuum chamber 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48 Roller 49 Power supply 50 Exhaust port 51 Vacuum pump 52 Gas supply unit 53 Magnetic field generation Equipment 60 Production equipment

Claims (7)

第1水蒸気バリア層と第2水蒸気バリア層とを備える水蒸気バリア積層体であって、
前記第1水蒸気バリア層が、Si原子、O原子及びC原子を含有し、X線光電子分光法により、層厚の深さ方向において測定される、Si原子、O原子及びC原子の総原子数に対するC原子の含有量の平均値が、15atm%以下であり、かつ、
層厚の深さ方向のC1sの波形解析に基づく、C−SiO結合、C−C結合、C−O結合、C=O結合及びC=OO結合の合計量に対するC=O結合とC=OO結合の合計量比率の平均値が、8%以下であることを特徴とする水蒸気バリア積層体。
A water vapor barrier laminate comprising a first water vapor barrier layer and a second water vapor barrier layer,
The first water vapor barrier layer contains Si atoms, O atoms, and C atoms, and the total number of Si atoms, O atoms, and C atoms is measured in the depth direction of the layer thickness by X-ray photoelectron spectroscopy. The average value of the content of C atoms with respect to is 15 atm% or less, and
C = O bond and C = OO with respect to the total amount of C—SiO bond, C—C bond, C—O bond, C═O bond and C═OO bond based on the waveform analysis of C1s in the depth direction of the layer thickness The average value of the total amount ratio of the bonds is 8% or less, and the water vapor barrier laminate.
前記第1水蒸気バリア層は、X線光電子分光法より得られる、層厚の深さ方向における層の表面からの距離と、C−SiO結合、C−C結合、C−O結合、C=O結合及びC=OO結合の前記合計量に対するC−C結合量の、結合分布曲線において、少なくとも極大値と極小値を各々1つ以上有し、
前記C−C結合の比率の最大の極大値と最小の極小値との差が、15〜95%の範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の水蒸気バリア積層体。
The first water vapor barrier layer is obtained by X-ray photoelectron spectroscopy, the distance from the surface of the layer in the depth direction of the layer thickness, C—SiO bond, C—C bond, C—O bond, C═O. In the bond distribution curve of the C—C bond amount relative to the total amount of bonds and C═OO bonds, each has at least one maximum value and one minimum value, and
2. The water vapor barrier laminate according to claim 1, wherein a difference between a maximum maximum value and a minimum minimum value of the C—C bond ratio is in a range of 15 to 95%.
前記第1水蒸気バリア層と前記第2水蒸気バリア層とが、粘着層を介して積層されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の水蒸気バリア積層体。   The water vapor barrier laminate according to claim 1 or 2, wherein the first water vapor barrier layer and the second water vapor barrier layer are laminated via an adhesive layer. 前記粘着層が、エポキシ系樹脂、又はアクリル系樹脂のいずれかの樹脂を含むことを特徴とする請求項3に記載の水蒸気バリア積層体。   The water vapor barrier laminate according to claim 3, wherein the adhesive layer contains one of an epoxy resin and an acrylic resin. 前記粘着層の、昇温速度5℃/分で温度領域20℃から140℃まで加熱したときの質量変化率が、0.50%以下であることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の水蒸気バリア積層体。   The mass change rate of the pressure-sensitive adhesive layer when heated from a temperature range of 20 ° C to 140 ° C at a heating rate of 5 ° C / min is 0.50% or less. The water vapor barrier laminate described. 第1基材と、前記第1水蒸気バリア層と、前記粘着層と、第2基材と、前記第2水蒸気バリア層とをこの順に備えることを特徴とする請求項3から請求項5のいずれか一項に記載の水蒸気バリア積層体。   The first base material, the first water vapor barrier layer, the adhesive layer, the second base material, and the second water vapor barrier layer are provided in this order. The water vapor barrier laminate according to claim 1. 請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の水蒸気バリア積層体を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。   An organic electroluminescence device comprising the water vapor barrier laminate according to any one of claims 1 to 6.
JP2016206478A 2016-10-21 2016-10-21 Water vapor barrier laminate and organic electroluminescent element Pending JP2018065328A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016206478A JP2018065328A (en) 2016-10-21 2016-10-21 Water vapor barrier laminate and organic electroluminescent element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016206478A JP2018065328A (en) 2016-10-21 2016-10-21 Water vapor barrier laminate and organic electroluminescent element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018065328A true JP2018065328A (en) 2018-04-26

Family

ID=62085515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016206478A Pending JP2018065328A (en) 2016-10-21 2016-10-21 Water vapor barrier laminate and organic electroluminescent element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2018065328A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109830558A (en) * 2018-12-24 2019-05-31 汉能移动能源控股集团有限公司 Solar cell packaging plate, preparation method and solar cell comprising solar cell packaging plate
WO2021095830A1 (en) * 2019-11-13 2021-05-20 味の素株式会社 Sealing sheet

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006025356A1 (en) * 2004-09-01 2006-03-09 Konica Minolta Holdings, Inc. Gas barrier multilayer body and method for producing same
JP2007113043A (en) * 2005-10-19 2007-05-10 Konica Minolta Holdings Inc Gas barrier thin film-stacked body, gas barrier resin base material, and organic electroluminescence device using the same
JP2013022920A (en) * 2011-07-25 2013-02-04 Lintec Corp Gas barrier film laminate and electronic component
WO2016031876A1 (en) * 2014-08-29 2016-03-03 住友化学株式会社 Gas barrier laminate film and method for producing same
JP2016051569A (en) * 2014-08-29 2016-04-11 住友化学株式会社 Organic electroluminescent element

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006025356A1 (en) * 2004-09-01 2006-03-09 Konica Minolta Holdings, Inc. Gas barrier multilayer body and method for producing same
JP2013063658A (en) * 2004-09-01 2013-04-11 Konica Minolta Holdings Inc Method of manufacturing gas barrier laminate and gas barrier laminate
JP2007113043A (en) * 2005-10-19 2007-05-10 Konica Minolta Holdings Inc Gas barrier thin film-stacked body, gas barrier resin base material, and organic electroluminescence device using the same
JP2013022920A (en) * 2011-07-25 2013-02-04 Lintec Corp Gas barrier film laminate and electronic component
WO2016031876A1 (en) * 2014-08-29 2016-03-03 住友化学株式会社 Gas barrier laminate film and method for producing same
JP2016051569A (en) * 2014-08-29 2016-04-11 住友化学株式会社 Organic electroluminescent element

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109830558A (en) * 2018-12-24 2019-05-31 汉能移动能源控股集团有限公司 Solar cell packaging plate, preparation method and solar cell comprising solar cell packaging plate
WO2021095830A1 (en) * 2019-11-13 2021-05-20 味の素株式会社 Sealing sheet

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101688239B1 (en) Laminate, method for producing same, electronic device member, and electronic device
WO2014123201A1 (en) Gas barrier film and method for manufacturing same
KR101889239B1 (en) Manufacturing method for laminated body
US20170100926A1 (en) Method of manufacturing electronic device and composite film
TW201620712A (en) Laminated film and flexible electronic device
WO2015060394A1 (en) Gas barrier film
JP6648752B2 (en) Sealed structure
JP5453719B2 (en) Gas barrier sheet
WO2015012108A1 (en) Electronic device and method for manufacturing same
JP2018065328A (en) Water vapor barrier laminate and organic electroluminescent element
JP2007136800A (en) Gas-barrier laminated film and image display element using the same
JP6998734B2 (en) Laminates and devices containing them
WO2015119109A1 (en) Production method for gas-barrier film, and gas-barrier film
WO2014097997A1 (en) Electronic device
JP2017077668A (en) Gas barrier laminate and organic electroluminescent element
TW201601914A (en) Gas barrier film layered product and electronic component having the same
JP2016097500A (en) Gas barrier film, method for producing the same and base material for plasma chemical vapor deposition method
WO2017086035A1 (en) Gas-barrier film
JP2016171038A (en) Method for manufacturing electronic device
WO2015053189A1 (en) Gas barrier film and process for manufacturing same
JP2016168803A (en) Gas barrier film, method for producing the same and electronic device
JP2015214049A (en) Gas barrier film
WO2015133286A1 (en) Sealing method for functional elements, and functional element sealed by said sealing method
JP6874775B2 (en) Electronic device
JP6720979B2 (en) Gas barrier film, lighting device and display device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190327

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20191213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200107

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200630