JP2018060974A - 半導体光集積素子 - Google Patents
半導体光集積素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018060974A JP2018060974A JP2016199339A JP2016199339A JP2018060974A JP 2018060974 A JP2018060974 A JP 2018060974A JP 2016199339 A JP2016199339 A JP 2016199339A JP 2016199339 A JP2016199339 A JP 2016199339A JP 2018060974 A JP2018060974 A JP 2018060974A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soa
- dbr
- dbr laser
- modulator
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】EA変調器とSOAとをモノシリックに備えるDBRの半導体光集積素子を提供すること。
【解決手段】半導体光集積素子は、DBRレーザと、DBRレーザに接続されたEA変調器と、EA変調器の出射端に形成されたSOAとを含み、DBRレーザ、EA変調器およびSOAは、同一基板上にモノリシック集積される。
【選択図】図3
【解決手段】半導体光集積素子は、DBRレーザと、DBRレーザに接続されたEA変調器と、EA変調器の出射端に形成されたSOAとを含み、DBRレーザ、EA変調器およびSOAは、同一基板上にモノリシック集積される。
【選択図】図3
Description
本発明は、分布ブラッグ反射型(DBR:Distributed Bragg Reflector)の半導体光集積素子に関する。
発振波長を変化させることができる波長可変レーザは大別して、波長可変分布帰還型(DFB:Distributed FeedBack)レーザにヒータなどを集積してレーザ温度を変化させることで発振波長を変化させる構成と、回折格子の屈折率を電流注入で変化させることで波長を変化させる分布ブラッグ反射型(DBR)レーザがあることが知られている。例えば、DFBレーザでは、単一の基板上にDFBレーザと電界吸収型(EA: Electroabsorption)変調器と半導体光増幅器(SOA:Semiconductor Optical Amplifier)とを備え、SOAに電流注入を行うことにより、EA変調器から出力された変調光のチャープ値を変換して、長距離伝送を実現するものがある(非特許文献1)。
DBRレーザは、ナノ秒オーダの高速波長の切り換え速度を有し、次世代の高速波長可変光源として期待されている。このような状況下において、DBRレーザでは、光通信における高速波長可変レーザの作製を目的として、波長安定化技術により高性能化が行われたものが報告されている(非特許文献2)。
Toshio Watanabe, 外3名, "Chirp Control of an Optical Signal Using Phase Modulation in a Semiconductor Optical Amplifier", Photonics Technology Letters, 1998年7月, vol.10, No.7, p.1027-1029.
藤原直樹,「高速波長可変光源のモード安定化と医療計測への応用に関する研究」,早稲田大学博士論文, 2009年2月
非特許文献1のように、EA変調器からの出射光を、別のモジュールのSOAをもちいてチャープ補償を行う報告は従来からされてきた。しかし、波長可変機能をもつDBRレーザとEA変調器とSOAとをモノシリックに備え、広い波長範囲でEA変調器のチャープをSOAで補償する素子は実現されていなかった。
本発明は、上記の状況下においてなされたものであり、EA変調器とSOAとをモノシリックに備えるDBRレーザの半導体光集積素子を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明は、DBRレーザと、前記DBRレーザに接続されたEA変調器と、前記EA変調器の出射端に形成されたSOAとを含み、前記DBRレーザ、前記EA変調器および前記SOAは、同一基板上にモノリシック集積される。
前記DBRレーザの光生成領域、および前記SOAの各々は、同一の制御端子から電流が注入されるように構成してもよい。
前記DBRレーザの光生成領域、および前記SOAの各々は、前記同一の制御端子から、前記DBRレーザと前記SOAの光導波方向についての長さの比に応じた電流が注入されるように構成してもよい。
本発明によると、EA変調器とSOAとをモノシリックに備えるDBRレーザの半導体光集積素子を提供することができる。
以下、本発明の実施形態である半導体光集積素子(以下、単に「光集積素子」という。)について説明する。この実施形態の光集積素子は、DBRレーザとEA変調器とSOAとを備える。
[光集積素子100の制御概略]
図1は、本実施形態に係る光集積素子100の制御の概略を説明するための図である。
図1は、本実施形態に係る光集積素子100の制御の概略を説明するための図である。
図1に示すように、この半導体光集積素子100は、光導波方向に対して順に、DBRレーザ101、EA変調器102、およびSOA103を備えており、これらの構成要素は、単一の半導体基板上に、一体的にモノシリック積層されている。
図1において、DBRレーザ101の光生成領域とSOA103とは、同一の制御端子104から注入される電流値Iopによって制御される。このとき、DBRレーザ101の光生成領域への注入電流をIDBRとし、SOA103への注入電流をISOAとすると、電流値Iopは、Iop=IDBR+ISOAで与えられる。なお、電流値Id1,Id2は、後述するDBR領域32,33へ注入されるようになっている。
一般に、EA−DBRレーザで許容されるIopの値は60〜80mAである。この観点から、本実施形態の光集積素子100でも、Iopの上限値は、例えば80mAに設定されるのが好ましい。
上述したIopとIDBRとISOAとの関係は、後述する図2において、詳細に示してある。図2は、かかる関係を説明するための図である。図2では、一般的な長さである450μmのDBRレーザ100が使用される。
図2に示すように、例えば、SOA長が50μmの場合、SOA長はDBRレーザの長さ(450μm)に対して1/9となるため、電流値Iopの大部分はDBRレーザに注入される。
一方、図2に示すように、SOA長が150μmの場合、SOA長はDBRレーザの長さに対して1/3となるため、Iop=80mAのときは60mA程度のIDBRがDBRレーザに注入され、20mA程度のISOAがSOAに注入される。
このように、DBRレーザ101およびSOA103の各長さを調整することで、それらに注入される電流IDBR,ISOAを調整することができる。
例えば、「IDBR」を大きくする場合には、「ISOA」は減少する。この関係があるため、仮に光集積素子100からSOA103を無くしてDBRレーザ101およびEA変調器102を備える光集積素子を構成した場合(以下、「比較例」と称す。)には、「ISOA」が無くなる分、「IDBR」が大きくなり、DBRレーザ101からの光出力は、SOA103を集積した光集積素子100のものよりも大きくなる。したがって、比較例の場合、EA変調器102に入力される光強度も大きくなり、EA変調器102に光吸収電流として流れる電流も比較例の方が大きくなる。このことは、EA変調器102の消費電力は、比較例の場合のようにSOAを備えないようにした方が大きいことを意味する。換言すると、本実施形態の光集積素子100のようにSOA103を集積することで、EA変調器102の消費電力は、比較例の場合よりも削減することができる。
例えば、DBRレーザ1の長さが450μmの場合、DBRレーザ1の駆動で閾値電流およびSMSR(Sub-Mode Suppression Ratio)を得るためのIopは、最低でも60mAが必要となる。このため、光導波方向におけるSOA長は、150μm以下とすることが好ましい。
また、例えばDBRレーザ1を300μmに設定する場合は、必要なSMSRを得るためのIopは、40mA程度まで小さくすることができる。このため、SOA103を長くしてSOA103への電流ISOAを増やすことも可能となる。
このように、DBRレーザ101とSOA103の長さのバランス(比率)に応じて、所定の長さのDBRレーザ101に最低限必要な電流を投入できるようにSOA103の長さを変更することで、安定的な単一モード動作と光出力の増幅の両立が実現できる。
[光集積素子100の構成]
次に、上述した光集積素子100の構成について、図3を参照して説明する。
次に、上述した光集積素子100の構成について、図3を参照して説明する。
図3は、光集積素子100の構成例を示す図である。
図3において、光集積素子100は、n型InP基板1を備えており、この基板1上に、光導波方向に対して順に、DBRレーザ部層3と、EA変調器部層2と、SOA部層4とを備える。また、基板1の裏面には、n型電極13を備える。
上述した各層2〜4は、InGaAlAs系の材料もしくはInGaAsP系の材料で形成され、量子井戸構造を有する。
EA変調器部層2とDBRレーザ部層3との間に形成された光導波路層5は、InGaAsP系の材料で形成される。これに加えて、光導波路層5は、EA変調器部層2とSOA部層4との間、およびSOA部層4と素子端面との間にも形成されている。そして、EA変調器部層2、DBRレーザ部層3、SOA部層4および光導波路層5上には、p型InPクラッド層7が形成されている。
図3において、DBRレーザ部層3は、電流IDBRが注入される活性領域31と、その活性領域31の両端面側に形成されたDBR領域32,33とを含む。DBR領域32は、DBRレーザ部層3の後端部側に形成され、DBR領域33は、DBRレーザ部層3の前端部側に形成される。
活性領域31では、電流IDBRの注入や光励起等により発光するようになっている。DBR領域32,33には回折格子6が形成されており、対応する電流Id1,Id2の注入による屈折率変化により波長を可変させるようになっている。
絶縁膜8は、EA変調器部層2、DBRレーザ部層3、SOA部層4、光導波路層5およびクラッド層7をそれぞれ覆うように形成されている。そして、絶縁膜8上にはベンゾシクロブテン(BCB)9が形成され、BCB9上にはさらに、EA変調器部層2への電圧印加のためのp型電極10、DBRレーザ部層3の活性領域31に電流IDBRを注入するためのp型電極11a、DBRレーザ部層3の各回折格子32,33にそれぞれ電流Id1,Id2を注入するための各p型電極11b,11c、およびSOA部層5に電流ISOAを注入するためのp型電極12が形成されている。
[DBRレーザ101の動作原理]
次に、上述したDBRレーザ101の動作原理について、図1および図3を参照して説明する。
次に、上述したDBRレーザ101の動作原理について、図1および図3を参照して説明する。
DBRレーザ101は、凹凸により形成された回折格子6により光を回折させ、レーザ発振を得る。この回折格子6は、分布反射器(DBR)と呼ばれる。DBRレーザ101の発振波長は、DBRの凹凸のピッチにより決定される。
ここで、DBRレーザ101の発振波長のチューニングのメカニズムについて説明する。DBRレーザ101では集積されたDBRのブラッグ波長に対応して発振し、その反射帯域は大きくても数nmである。従って、DBRレーザ101では、ゲイン中心から意図的にブラッグ波長をずらし,選択的に発振させることができる(デチューニング)。また、DBR領域32,33を順バイアスし、対応するp型電極11b,11cからそれぞれ電流Id1,Id2を注入する。これにより、キャリア密度が増加し屈折率を減少させることができ(プラズマ効果)、ブラッグ波長が短波長にシフトし、発振波長が可変となる。
[光集積素子100の作製方法]
次に、上述した光集積素子100の作製方法について、図3および図4を参照して説明する。図4は、光集積素子100の作製方法の一例を説明するための図である。なお、この作製方法の説明に関連して例示する値は一例であり、自在に変更することができる。
次に、上述した光集積素子100の作製方法について、図3および図4を参照して説明する。図4は、光集積素子100の作製方法の一例を説明するための図である。なお、この作製方法の説明に関連して例示する値は一例であり、自在に変更することができる。
まず、MOCVD法により、n型InP基板1上に、InGaAlAs系の材料からなり、量子井戸構造を有するEA変調器部層2を形成する(図4(a))。このとき、例えば、25℃におけるEA変調器部層2の発光波長は約1470nmとする。また、上述した量子井戸構造は、量子井戸層の厚さを6nm、障壁層の厚さを10nmとする。この場合、量子井戸層と障壁層は、10層程度、交互に積層される。これにより、消光に十分な光閉じ込め構造が形成される。そして、エッチングにより、EA変調器部層2の長さを調整して、EA変調器102を形成する(図4(b))。
次に、基板1上に、InGaAlAs系の材料からなり、量子井戸構造を有するDBRレーザ部層3およびSOA部層4をバットジョイントプロセスにより形成する(図4(c))。このとき、例えば、25℃におけるDBRレーザ部層3およびSOA部層4の発光波長は約1540nmとする。また、これらの層3,4の量子井戸構造についても、例えば、量子井戸層の厚さを4nm、障壁層の厚さを10nmとする。このときの量子井戸層と障壁層は、6層程度、交互に積層される。
さらに、バッドジョイントプロセスにより、InGaAsP系の材料からなる光導波路層5を、EA変調器部層2とDBRレーザ部層3との間、EA変調器部層2とSOA部層4との間、およびSOA部層4と素子端面との間にそれぞれ形成する(図4(d))。光導波路層5としては、例えば、厚さが100nmで組成波長が1150nmのInGaAsPバルク成長層と、厚さが200nmで組成波長が1300nmのInGaAsP成長層と、厚さが100nmで組成波長が1150nmのInGaAsPバルク成長層とを積層した構造を有するのが好ましい。このような構造によって、光損失の小さい光導波路層5が実現する。
DBRレーザ部層3上に、回折格子6を形成する(図4(e))。図4(e)の例では、回折格子6は、DBRレーザ部層3の両端部側にそれぞれDBR領域32,33として形成される。すなわち、DBRレーザ部層3は、活性領域31と、回折格子6を備えるDBR領域32,33とを含む。そして、p型InPクラッド層7を、EA変調器部層2、DBRレーザ部層3、SOA部層4および光導波路層5上に形成する(図4(f))。
上述したクラッド層7をエッチングして、導波路構造が、リッジ型導波路構造となるようにする(図4(g))。例えば、リッジ型導波路構造のリッジ幅が2μm程度に設定された場合、光通信に好適な安定した横シングルモード発振が得られることとなる。
なお、本実施形態の光集積素子100は、リッジ導波路に限られず、例えば埋め込み型導波路などを適用することもできる。
次に、EA変調器部層2、DBRレーザ部層3、SOA部層4、光導波路層5およびクラッド層7上をそれぞれ覆うように、絶縁膜8を形成する(図4(h))。そして、絶縁膜8上にBCB9を形成し、BCB9上に、3つのp型電極10,11,12を形成した後、基板1の裏面にn型電極13を形成する(図4(i))。図4(i)の例では、電極10〜13を形成した後、劈開により素子を切り出し、その後スパッタリング法により、素子の後端面には反射率が90%の反射膜を形成するとともに素子の前端面には反射率が0.01%以下の低反射膜を形成する。このようにして、図3に示したDBRレーザ101、EA変調器102、およびSOA103を備えた光集積素子100が作製される。
[光集積素子100の動作]
次に、上述した光集積素子100の動作について、図3〜図4を参照して説明する。
次に、上述した光集積素子100の動作について、図3〜図4を参照して説明する。
先ず、DBRレーザ101のp型電極11a〜11c、およびSOA103のp型電極12に対して同時に順方向バイアスが印加される。この場合には、DBRレーザ101の活性領域31ではp型電極11aから電流IDBRが注入され、DBR領域32,33では、対応するp型電極11b,11cからそれぞれ電流Id1,Id2が注入される。
DBRレーザ部層3の活性領域31において発生した光は、DBR領域32で波長が可変され、その結果、DBRレーザ部層3から、シングルモードのレーザ光が出射される。このときのレーザ光の発振波長は、例えば1550nmである。
そして、上述したDBRレーザ部層3からのレーザ光は、光導波路層5を介して、EA変調器部層2に入射する。この実施形態では、EA変調器102のp電極10には逆方向バイアスが印加されているため、EA変調器部層2において、レーザ光が吸収および変調され、それによりレーザ光のオンまたはオフが可能となる。このとき、正のチャープ値を有する変調光が、EA変調器部層2から出射される。
EA変調器部層2から出射したレーザ光は、SOA部層4でチャープ値が負値に変換されるとともにさらに増幅されてSOA部層4から外部へ出射する。
以上説明したように、本実施形態の光集積素子100では、DBRレーザ101、EA変調器102およびSOA103は、同一基板上にモノリシック集積される。
また、本実施形態の光集積素子100では、SOA103は、モノシリック集積されている。このため、SOAがモノリシック集積されておらず別のモジュール部品となっている従来のEA−DFBレーザ(非特許文献1)のものに比べて、消費電力を抑制することができる。すなわち、従来のEA−DFBレーザでは、EA−DFBレーザとの結合損失が大きくなりやすいため、非常に長いSOAに大きな電流を注入しており、結果として、消費電力が増加し得た。また、この消費電力が増加し得る点については、従来のEA−DFBレーザ(非特許文献1)ではSOAへ電流を注入する必要があるので、その分、SOAを備えないEA−DFBレーザ単体のものよりも消費電力が増加し得るという問題があった。
また、本実施形態の光集積素子100では、同一の制御端子104によって、DBRレーザ101の活性領域31およびSOA103への電流を注入するように構成している。そのため、仮に制御端子104を、DBRレーザ101の活性領域31およびSOA103の各々に対応して別々に備えるようにした場合に比べて、制御端子数を少なくすることができる。
次に、本実施形態の光集積素子100の変形例について説明する。
(変更例1)
以上では、図1を参照して、同一の制御端子104からDBRレーザ101の活性領域31およびSOA103の各々に電流を注入する場合について説明したが、異なる制御端子から、DBRレーザ101の活性領域31およびSOA103の各々に電流を注入するようにしてもよい。この場合、DBRレーザ101およびSOA103の各p型電極11a,12には、それぞれの制御端子から電流が注入される。
以上では、図1を参照して、同一の制御端子104からDBRレーザ101の活性領域31およびSOA103の各々に電流を注入する場合について説明したが、異なる制御端子から、DBRレーザ101の活性領域31およびSOA103の各々に電流を注入するようにしてもよい。この場合、DBRレーザ101およびSOA103の各p型電極11a,12には、それぞれの制御端子から電流が注入される。
(変更例2)
以上では、1550nm波長で発振する場合について説明したが、それ以外の波長を適用しても上記実施形態と同等の効果を得ることができる。例えば1300nm帯で発振する場合についても、光通信用の光集積素子100の各構成要素101,102,103の結晶組成を変更して適用することもできる。
以上では、1550nm波長で発振する場合について説明したが、それ以外の波長を適用しても上記実施形態と同等の効果を得ることができる。例えば1300nm帯で発振する場合についても、光通信用の光集積素子100の各構成要素101,102,103の結晶組成を変更して適用することもできる。
(変更例3)
以上では、導波路構造として、リッジ導波路構造を採用した例について説明したが、埋め込み型導波路を採用した場合についても光通信用の光集積素子100の各構成要素101,102,103の結晶組成を変更して適用することもできる。
以上では、導波路構造として、リッジ導波路構造を採用した例について説明したが、埋め込み型導波路を採用した場合についても光通信用の光集積素子100の各構成要素101,102,103の結晶組成を変更して適用することもできる。
1 基板
2 EA変調器部層
3 DBRレーザ部層
4 SOA部層
5 光導波路層
6 回折格子
7 クラッド層
8 絶縁膜
9 BCB
10、11a〜11c、12 p型電極
13 n型電極
14 パッケージ
15 高周波配線板
16 レンズ
31 DBRレーザの活性領域
32,33 DBRレーザの回折格子領域
100 半導体光集積素子
101 DBRレーザ
102 EA変調器
103 SOA
104 制御端子
2 EA変調器部層
3 DBRレーザ部層
4 SOA部層
5 光導波路層
6 回折格子
7 クラッド層
8 絶縁膜
9 BCB
10、11a〜11c、12 p型電極
13 n型電極
14 パッケージ
15 高周波配線板
16 レンズ
31 DBRレーザの活性領域
32,33 DBRレーザの回折格子領域
100 半導体光集積素子
101 DBRレーザ
102 EA変調器
103 SOA
104 制御端子
Claims (3)
- DBRレーザと、
前記DBRレーザに接続されたEA変調器と、
前記EA変調器の出射端に形成されたSOAと
を含み、
前記DBRレーザ、前記EA変調器および前記SOAは、同一基板上にモノリシック集積される
ことを特徴とする半導体光集積素子。 - 前記DBRレーザの光生成領域、および前記SOAの各々は、同一の制御端子から電流が注入されるように構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体光集積素子。
- 前記DBRレーザの光生成領域、および前記SOAの各々は、前記同一の制御端子から、前記DBRレーザと前記SOAの光導波方向についての長さの比に応じた電流が注入されるように構成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体光集積素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016199339A JP2018060974A (ja) | 2016-10-07 | 2016-10-07 | 半導体光集積素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016199339A JP2018060974A (ja) | 2016-10-07 | 2016-10-07 | 半導体光集積素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018060974A true JP2018060974A (ja) | 2018-04-12 |
Family
ID=61910073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016199339A Pending JP2018060974A (ja) | 2016-10-07 | 2016-10-07 | 半導体光集積素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018060974A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019235235A1 (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 日本電信電話株式会社 | 光送信機および多波長光送信機 |
JP2019212888A (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 日本電信電話株式会社 | 光送信機および多波長光送信機 |
WO2021001964A1 (ja) * | 2019-07-03 | 2021-01-07 | 日本電信電話株式会社 | 波長可変レーザおよびその制御方法 |
CN113488842A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-10-08 | 山东中芯光电科技有限公司 | 可实现两级啁啾补偿的可调谐激光器、电子设备及制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07231132A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光装置 |
JP2003513297A (ja) * | 1999-09-02 | 2003-04-08 | アジリティー コミュニケイションズ インコーポレイテッド | 集積変調器を有する光電子レーザを用いて光波長を変換する方法 |
JP2004055647A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Nec Corp | 分布ブラッグ反射型半導体レーザ、集積型半導体レーザ、半導体レーザモジュール、光ネットワークシステム |
US20040105476A1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-06-03 | Wasserbauer John G. | Planar waveguide surface emitting laser and photonic integrated circuit |
JP2011044581A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ及び光モジュール |
JP2013258336A (ja) * | 2012-06-13 | 2013-12-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光集積素子 |
WO2016136183A1 (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 日本電信電話株式会社 | Soa集積ea-dfbレーザ及びその駆動方法 |
-
2016
- 2016-10-07 JP JP2016199339A patent/JP2018060974A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07231132A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光装置 |
JP2003513297A (ja) * | 1999-09-02 | 2003-04-08 | アジリティー コミュニケイションズ インコーポレイテッド | 集積変調器を有する光電子レーザを用いて光波長を変換する方法 |
JP2004055647A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Nec Corp | 分布ブラッグ反射型半導体レーザ、集積型半導体レーザ、半導体レーザモジュール、光ネットワークシステム |
US20040105476A1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-06-03 | Wasserbauer John G. | Planar waveguide surface emitting laser and photonic integrated circuit |
JP2011044581A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ及び光モジュール |
JP2013258336A (ja) * | 2012-06-13 | 2013-12-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光集積素子 |
WO2016136183A1 (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 日本電信電話株式会社 | Soa集積ea-dfbレーザ及びその駆動方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
RARING, J.W. ET AL.: "Single-Chip 40Gb/s Widely-Tunable Transceivers with Integrated SG-DBR Laser, QW EAM, UTC Photodiode,", 20TH INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE, 2006. CONFERENCE DIGEST., JPN6019000692, 18 September 2006 (2006-09-18), pages 1 - 7, ISSN: 0004075966 * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019235235A1 (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 日本電信電話株式会社 | 光送信機および多波長光送信機 |
JP2019212888A (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 日本電信電話株式会社 | 光送信機および多波長光送信機 |
US20210234332A1 (en) * | 2018-06-05 | 2021-07-29 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical Transmitter and Multi-Wavelength Optical Transmitter |
JP7107180B2 (ja) | 2018-06-05 | 2022-07-27 | 日本電信電話株式会社 | 多波長光送信機 |
WO2021001964A1 (ja) * | 2019-07-03 | 2021-01-07 | 日本電信電話株式会社 | 波長可変レーザおよびその制御方法 |
JPWO2021001964A1 (ja) * | 2019-07-03 | 2021-01-07 | ||
JP7248119B2 (ja) | 2019-07-03 | 2023-03-29 | 日本電信電話株式会社 | 波長可変レーザおよびその制御方法 |
CN113488842A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-10-08 | 山东中芯光电科技有限公司 | 可实现两级啁啾补偿的可调谐激光器、电子设备及制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5823920B2 (ja) | 半導体光集積素子 | |
US8787420B2 (en) | Integrated semiconductor laser element | |
JP6425631B2 (ja) | 半導体レーザおよびこれを備える光集積光源 | |
JP4906185B2 (ja) | 光半導体素子及び光半導体素子の変調方法 | |
JP2018060974A (ja) | 半導体光集積素子 | |
US8548024B2 (en) | Semiconductor laser module | |
JP6717733B2 (ja) | 半導体光集積回路 | |
US8149889B2 (en) | Semiconductor laser device | |
KR20040054073A (ko) | 다영역 자기모드 잠김 반도체 레이저 다이오드 | |
JPWO2008107975A1 (ja) | 半導体集積素子 | |
US7949020B2 (en) | Semiconductor laser and optical integrated semiconductor device | |
JP6761392B2 (ja) | 半導体光集積素子 | |
JP6810671B2 (ja) | 半導体光集積素子 | |
RU2540233C1 (ru) | Инжекционный лазер с многоволновым модулированным излучением | |
JP2011181789A (ja) | 半導体光源 | |
US7852897B2 (en) | Semiconductor laser optical integrated semiconductor device | |
JP2018060973A (ja) | 半導体光集積素子およびこれを搭載した光送受信モジュール | |
JP6927153B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JP6761390B2 (ja) | 半導体光集積素子 | |
US6734464B2 (en) | Hetero-junction laser diode | |
JP2012156414A (ja) | 半導体レーザ素子および半導体レーザ装置 | |
JP6761391B2 (ja) | 半導体光集積素子 | |
JPWO2019111675A1 (ja) | 波長可変レーザ装置 | |
JP2013251424A (ja) | 光集積素子 | |
JP4157736B2 (ja) | 光送信装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190122 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190716 |