JP2018013837A - Data rewriting device and data rewriting program - Google Patents

Data rewriting device and data rewriting program Download PDF

Info

Publication number
JP2018013837A
JP2018013837A JP2016141344A JP2016141344A JP2018013837A JP 2018013837 A JP2018013837 A JP 2018013837A JP 2016141344 A JP2016141344 A JP 2016141344A JP 2016141344 A JP2016141344 A JP 2016141344A JP 2018013837 A JP2018013837 A JP 2018013837A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
rewriting
storage unit
information
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016141344A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
卓也 河▲崎▼
Takuya Kawasaki
卓也 河▲崎▼
翔 中村
Sho Nakamura
翔 中村
雄三 原田
Yuzo Harada
雄三 原田
上原　一浩
Kazuhiro Uehara
一浩 上原
充啓 夏目
Mitsuhiro Natsume
充啓 夏目
和明 早川
Kazuaki Hayakawa
和明 早川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2016141344A priority Critical patent/JP2018013837A/en
Priority to DE112017003641.0T priority patent/DE112017003641T5/en
Priority to PCT/JP2017/020464 priority patent/WO2018016199A1/en
Priority to CN201780029579.6A priority patent/CN109154904A/en
Priority to US16/318,386 priority patent/US20190287626A1/en
Publication of JP2018013837A publication Critical patent/JP2018013837A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
    • G11C16/16—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/14—Error detection or correction of the data by redundancy in operation
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/14—Error detection or correction of the data by redundancy in operation
    • G06F11/1402—Saving, restoring, recovering or retrying
    • G06F11/1415—Saving, restoring, recovering or retrying at system level
    • G06F11/1433—Saving, restoring, recovering or retrying at system level during software upgrading
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/14—Error detection or correction of the data by redundancy in operation
    • G06F11/1402—Saving, restoring, recovering or retrying
    • G06F11/1415—Saving, restoring, recovering or retrying at system level
    • G06F11/1441—Resetting or repowering
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/1666—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware where the redundant component is memory or memory area
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/102—External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/102—External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
    • G11C16/105—Circuits or methods for updating contents of nonvolatile memory, especially with 'security' features to ensure reliable replacement, i.e. preventing that old data is lost before new data is reliably written

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Retry When Errors Occur (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To securely erase first information indicating that a rewriting process on data has been completed and second information indicating that written data includes no error before a rewriting process on data is started.SOLUTION: A data rewriting device 10 comprises: a rewriting part 11 which rewrites data having differences made among data having been written to a memory 100; a first rewriting part 12 which writes first information in a first storage part 21 once the rewriting process on the data by the rewriting part 11 is completed; a second rewriting part 13 which writes second information in a second storage part 22 on confirming that the data written by the rewriting part 11 includes no error; and an erasure part 14 which erases the first storage part 21 stored with the first information and the second storage part 22 stored with the second information before the rewriting process on the data by the rewriting part 11 is started.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、データ書き換え装置およびデータ書き換えプログラムに関する。   The present invention relates to a data rewriting device and a data rewriting program.

従来より、メモリに書き込まれているデータを書き換える装置が考えられている。例えば特許文献１には、メモリに格納されるアプリケーションプログラムの書き換えに失敗したときに、通信プログラムを自動的に切り換えて再書き換えを行う技術が開示されている。特許文献２には、フラッシュメモリへのデータ書き込み中において瞬時停電などの影響により書き込み不良が発生した場合に、フラッシュメモリのデータを読み出す際に、データが正しく書き込まれているか否かを確認する技術が開示されている。特許文献３には、第１の不揮発性メモリの更新途中に障害が発生した場合に、第２の不揮発性メモリによりプログラムの再更新を行う技術が開示されている。   Conventionally, an apparatus for rewriting data written in a memory has been considered. For example, Patent Literature 1 discloses a technique for automatically rewriting and rewriting a communication program when rewriting of an application program stored in a memory fails. Patent Document 2 discloses a technique for confirming whether or not data is correctly written when reading data from the flash memory when a write failure occurs due to an instantaneous power failure or the like during data writing to the flash memory. Is disclosed. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-151858 discloses a technique for re-updating a program using a second non-volatile memory when a failure occurs during the updating of the first non-volatile memory.

特開２００４−００５１５２号公報JP 2004-005152 A 特開平８−００６８６５号公報JP-A-8-006865 特開２００２−３５１６８３号公報JP 2002-351683 A

メモリに書き込まれているデータを全て書き換える場合の処理は、次のように行われる。即ち、まず、メモリに書き込まれているデータを全て消去する。このとき、全てのデータを消去することに伴い、前回のデータ書き換え処理の完了時にメモリに格納されたフラッシュステータス情報およびスタンプ情報も消去される。そして、フラッシュステータス情報およびスタンプ情報が消去された状態で、今回のデータ書き換え処理が開始される。そして、データ書き換え処理が完了するとフラッシュステータス情報およびスタンプ情報の書き込みが行われる。これにより、データ書き換え処理が完了する。   Processing for rewriting all data written in the memory is performed as follows. That is, first, all data written in the memory is erased. At this time, along with erasing all data, the flash status information and stamp information stored in the memory when the previous data rewriting process is completed are also erased. Then, the current data rewriting process is started with the flash status information and the stamp information erased. When the data rewriting process is completed, the flash status information and the stamp information are written. Thereby, the data rewriting process is completed.

フラッシュステータス情報は、データ書き換え処理が完了したときにメモリに書き込まれる情報である。即ち、フラッシュステータス情報が書き込まれていれば、データの書き換え処理が完了した状態であることを示し、書き込まれていなければ、データの書き換え処理が完了していない状態であることを示す。スタンプ情報は、書き込まれたデータに誤りが含まれていないことが確認されたときにメモリに書き込まれる情報である。即ち、スタンプ情報が書き込まれていれば、データに誤りが含まれていない状態であることを示し、書き込まれていなければ、データに誤りが含まれている状態であることを示す。   The flash status information is information written to the memory when the data rewriting process is completed. That is, if the flash status information is written, it indicates that the data rewriting process is completed, and if not written, it indicates that the data rewriting process is not completed. The stamp information is information that is written to the memory when it is confirmed that the written data does not contain an error. That is, if the stamp information is written, it indicates that the data does not contain an error, and if not written, it indicates that the data contains an error.

メモリに書き込まれているデータを全て書き換える場合であれば、全てのデータを消去することに伴いフラッシュステータス情報およびスタンプ情報も消去することができる。そのため、フラッシュステータス情報およびスタンプ情報が消去された状態でデータの書き換え処理を行うことができる。よって、例えば書き換え処理の途中において当該処理が中断した場合には、フラッシュステータス情報およびスタンプ情報が消去された状態となっているため、データの書き換えが不完全な状態であることを認識することができ、当該データが使用されてしまうことを回避することができる。   If all the data written in the memory is to be rewritten, the flash status information and the stamp information can be erased along with erasing all the data. Therefore, data rewrite processing can be performed in a state where the flash status information and stamp information are erased. Therefore, for example, when the process is interrupted in the middle of the rewriting process, the flash status information and the stamp information are in an erased state, so that it is possible to recognize that the data rewriting is in an incomplete state. It is possible to avoid using the data.

しかし、メモリに書き込まれているデータのうち差分が生じたデータを書き換える差分書き換え処理においては、メモリに書き込まれている全てのデータが消去されないことから、フラッシュステータス情報およびスタンプ情報が消去されない場合が生じる。そのため、例えば差分書き換え処理の途中において当該処理が中断した場合、差分データの書き換え処理が完了していないにも関わらず、フラッシュステータス情報およびスタンプ情報が書き込まれたままとなる状況が発生し得る。この場合、データの書き換えが完了し且つデータに誤りが含まれていないと認識されるため、データの書き換えが不完全であるにも関わらず、当該データが使用されてしまうおそれがある。   However, in the differential rewriting process that rewrites data that has a difference among the data written in the memory, all the data written in the memory is not erased, so the flash status information and the stamp information may not be erased. Arise. Therefore, for example, when the process is interrupted in the middle of the differential rewriting process, a situation may occur in which the flash status information and the stamp information remain written even though the differential data rewriting process has not been completed. In this case, since rewriting of data is completed and it is recognized that the data does not contain an error, the data may be used even though the rewriting of data is incomplete.

そのため、特に差分書き換え処理を行う場合には、データの書き換え処理が開始される前に、フラッシュステータス情報およびスタンプ情報の双方を確実に消去することが求められる。特に、書き換え対象であるアプリケーションプログラムのデータ量が大きい場合、フラッシュステータス情報やスタンプ情報を格納するメモリ領域が限られている場合などにおいては、アプリケーションプログラムが格納されるメモリ領域を極力圧迫しないようにしつつ、フラッシュステータス情報およびスタンプ情報の双方を確実に消去することが求められる。   Therefore, in particular, when performing the differential rewriting process, it is required to securely erase both the flash status information and the stamp information before the data rewriting process is started. In particular, when the amount of data in the application program to be rewritten is large, or when the memory area for storing flash status information or stamp information is limited, the memory area in which the application program is stored should not be compressed as much as possible. However, it is required to securely erase both the flash status information and the stamp information.

そこで、本発明は、データの書き換え処理が開始される前に、データの書き換え処理が完了した状態であることを示す情報、および、書き込まれたデータに誤りが含まれていないことを示す情報を確実に消去できるようにしたデータ書き換え装置およびデータ書き換えプログラムを提供する。   Therefore, the present invention provides information indicating that the data rewriting process is completed before the data rewriting process is started, and information indicating that the written data does not include an error. Provided are a data rewriting device and a data rewriting program which can be surely erased.

本発明に係るデータ書き換え装置は、書き換え部（１１）、第１書き込み部（１２）、第２書き込み部（１３）、消去部（１４）を備える。書き換え部は、メモリ（１００）に書き込まれているデータのうち差分が生じたデータを書き換える。第１書き込み部は、書き換え部によるデータの書き換え処理が完了すると、所定の第１情報を第１格納部（２１）に書き込む。第２書き込み部は、書き換え部により書き込まれたデータに誤りが含まれていないことを確認すると、所定の第２情報を第２格納部（２２）に書き込む。消去部は、書き換え部によるデータの書き換え処理が開始される前に、第１情報を格納している第１格納部および第２情報を格納している第２格納部を消去する。   The data rewriting apparatus according to the present invention includes a rewriting unit (11), a first writing unit (12), a second writing unit (13), and an erasing unit (14). The rewriting unit rewrites data in which a difference has occurred among data written in the memory (100). The first writing unit writes predetermined first information in the first storage unit (21) when the data rewriting process by the rewriting unit is completed. When the second writing unit confirms that the data written by the rewriting unit contains no error, the second writing unit writes predetermined second information in the second storage unit (22). The erasing unit erases the first storage unit storing the first information and the second storage unit storing the second information before the data rewriting process by the rewriting unit is started.

本発明に係るデータ書き換えプログラムは、書き換え処理、第１書き込み処理、第２書き込み処理、消去処理をデータ書き換え装置に実行させる。書き換え処理は、メモリ（１００）に書き込まれているデータのうち差分が生じたデータを書き換える。第１書き込み処理は、書き換え処理が完了すると、所定の第１情報を第１格納部（２１）に書き込む。第２書き込み処理は、書き換え処理により書き込まれたデータに誤りが含まれていないことを確認すると、所定の第２情報を第２格納部（２２）に書き込む。消去処理は、書き換え処理が開始される前に、第１情報を格納している第１格納部および第２情報を格納している第２格納部を消去する。   A data rewriting program according to the present invention causes a data rewriting device to execute a rewriting process, a first writing process, a second writing process, and an erasing process. The rewriting process rewrites data in which a difference occurs among data written in the memory (100). In the first writing process, when the rewriting process is completed, predetermined first information is written into the first storage unit (21). In the second writing process, when it is confirmed that the data written by the rewriting process does not include an error, predetermined second information is written in the second storage unit (22). The erasing process erases the first storage unit storing the first information and the second storage unit storing the second information before the rewriting process is started.

本発明によれば、前回のデータ書き換え処理の完了時に書き込まれた第１情報、つまり、データの書き換え処理が完了した状態であることを示す情報を、今回のデータの書き換え処理が開始される前に確実に消去することができる。また、本発明によれば、前回のデータ書き換え処理の完了時に書き込まれた第２情報、つまり、書き込まれたデータに誤りが含まれていないことを示す情報を、今回のデータの書き換え処理が開始される前に確実に消去することができる。   According to the present invention, the first information written when the previous data rewriting process is completed, that is, the information indicating that the data rewriting process is completed is displayed before the current data rewriting process is started. Can be erased reliably. In addition, according to the present invention, the current data rewriting process is started with the second information written when the previous data rewriting process is completed, that is, information indicating that the written data does not contain an error. It can be securely erased before being done.

本実施形態に係るデータ書き換え装置の構成例を概略的に示すブロック図1 is a block diagram schematically showing a configuration example of a data rewriting apparatus according to the present embodiment. データ書き換え処理の一例を示すフローチャートFlow chart showing an example of data rewrite processing 第１実施形態に係るメモリの構成例を示す図The figure which shows the structural example of the memory which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態の動作例を示す図The figure which shows the operation example of 1st Embodiment. 第２実施形態に係るメモリの構成例を示す図The figure which shows the structural example of the memory which concerns on 2nd Embodiment. 第２実施形態の動作例を示す図The figure which shows the operation example of 2nd Embodiment. 第３実施形態に係るメモリの構成例を示す図The figure which shows the structural example of the memory which concerns on 3rd Embodiment. 第３実施形態の動作例を示す図The figure which shows the operation example of 3rd Embodiment. 第４実施形態に係るメモリの構成例を示す図The figure which shows the structural example of the memory which concerns on 4th Embodiment. 第４実施形態の動作例を示す図The figure which shows the operation example of 4th Embodiment.

以下、データ書き換え装置に係る複数の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、各実施形態において実質的に同一の要素には同一の符号を付し、説明を省略する。   Hereinafter, a plurality of embodiments according to a data rewriting device will be described with reference to the drawings. In each embodiment, substantially the same elements are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

（データ書き換え装置の前提構成）
図１に例示するデータ書き換え装置１０は、メモリ１００に書き込まれているデータを書き換える装置である。この場合、データ書き換え装置１０は、メモリ１００に書き込まれているデータのうち差分が生じたデータを書き換える、いわゆる差分書き換え処理が可能である。メモリ１００は、少なくとも、書き換えソフト格納部１０１、データ格納部１０２、退避部１０３の３つの領域を備える。 (Prerequisite configuration of data rewrite device)
A data rewriting device 10 illustrated in FIG. 1 is a device that rewrites data written in the memory 100. In this case, the data rewriting device 10 can perform a so-called differential rewriting process in which data having a difference among data written in the memory 100 is rewritten. The memory 100 includes at least three areas of a rewrite software storage unit 101, a data storage unit 102, and a save unit 103.

書き換えソフト格納部１０１には、データ書き換え装置１０にデータ書き換え処理を実行させるためのデータ書き換えソフトウェアが格納されている。データ書き換えソフトウェアは、データ書き換えプログラムの一例である。データ格納部１０２には、例えばユーザが使用するソフトウェアなどを構成するデータが格納されている。データ格納部１０２は、複数のブロック領域で構成されている。データ書き換え装置１０は、データ格納部１０２に格納されているデータをブロック単位で書き換え可能となっている。退避部１０３は、データ書き換え装置１０がデータ格納部１０２に格納されているデータを書き換える場合、特に差分のみを書き換える場合に、書き換え対象となるデータのうち差分が生じていない部分のデータを一時的に退避させるための領域である。   The rewriting software storage unit 101 stores data rewriting software for causing the data rewriting device 10 to execute data rewriting processing. Data rewriting software is an example of a data rewriting program. The data storage unit 102 stores, for example, data constituting software used by the user. The data storage unit 102 is composed of a plurality of block areas. The data rewrite device 10 can rewrite data stored in the data storage unit 102 in units of blocks. When the data rewriting device 10 rewrites the data stored in the data storage unit 102, particularly when only the difference is rewritten, the saving unit 103 temporarily stores the data of the portion of the data to be rewritten that has no difference. This is an area for evacuation.

データ書き換え装置１０は、１ブロック分の退避部１０３が退避データにより満たされるまで、データを退避させることが可能である。そして、データ書き換え装置１０は、退避部１０３が退避データにより満たされた後に、データの書き換え処理、より具体的には、後述する新データの生成および書き込みを実行することが可能である。   The data rewriting device 10 can save data until the saving unit 103 for one block is filled with the saved data. The data rewriting apparatus 10 can execute data rewriting processing, more specifically, generation and writing of new data, which will be described later, after the saving unit 103 is filled with saved data.

データ書き換え装置１０は、書き換えソフト格納部１０１から読み出したデータ書き換えソフトウェアを実行することにより、書き換え部１１、第１書き込み部１２、第２書き込み部１３、消去部１４を仮想的に実現する。なお、これらの処理部１１〜１４は、ハードウェアにより実現してもよいし、ソフトウェアとハードウェアの組み合わせにより実現してもよい。   The data rewriting device 10 virtually implements the rewriting unit 11, the first writing unit 12, the second writing unit 13, and the erasing unit 14 by executing the data rewriting software read from the rewriting software storage unit 101. Note that these processing units 11 to 14 may be realized by hardware, or may be realized by a combination of software and hardware.

書き換え部１１は、データ格納部１０２に格納されているデータを書き換える書き換え処理を実行する。この場合、書き換え部１１は、データ格納部１０２に格納されているデータのうち差分が生じたデータを書き換える差分書き換え処理を実行することが可能である。   The rewriting unit 11 executes a rewriting process for rewriting data stored in the data storage unit 102. In this case, the rewriting unit 11 can execute a differential rewriting process for rewriting data in which a difference has occurred among the data stored in the data storage unit 102.

第１書き込み部１２は、書き換え部１１によるデータの書き換え処理が完了すると、フラッシュステータス情報を、後述する第１格納部２１に書き込む。フラッシュステータス情報は、第１情報の一例である。フラッシュステータス情報が第１格納部２１に書き込まれていれば、データの書き換え処理が完了した状態であることを示す。また、フラッシュステータス情報が第１格納部２１に書き込まれていなければ、データの書き換え処理が完了していない状態であることを示す。   When the data rewriting process by the rewriting unit 11 is completed, the first writing unit 12 writes the flash status information in the first storage unit 21 described later. The flash status information is an example of first information. If the flash status information is written in the first storage unit 21, it indicates that the data rewriting process has been completed. Further, if the flash status information is not written in the first storage unit 21, it indicates that the data rewriting process is not completed.

第２書き込み部１３は、書き換え部１１によるデータの書き換え処理が完了すると、当該書き換え部１１により書き込まれたデータに誤りが含まれていないか否かを確認する。そして、第２書き込み部１３は、書き換え部１１により書き込まれたデータに誤りが含まれていないことを確認すると、スタンプ情報を、後述する第２格納部２２に書き込む。スタンプ情報は、第２情報の一例である。スタンプ情報が第２格納部２２に書き込まれていれば、書き換え部１１により書き込まれたデータに誤りが含まれていないことを示す。また、スタンプ情報が第２格納部２２に書き込まれていなければ、書き換え部１１により書き込まれたデータに誤りが含まれていることを示す。なお、書き込まれたデータに誤りが含まれていないか否かを確認する手法としては、例えば周知のＣＲＣ方式など、種々のチェック方式を採用することができる。   When the data rewriting process by the rewriting unit 11 is completed, the second writing unit 13 checks whether or not the data written by the rewriting unit 11 includes an error. When the second writing unit 13 confirms that the data written by the rewriting unit 11 does not include an error, the second writing unit 13 writes stamp information in the second storage unit 22 described later. The stamp information is an example of second information. If the stamp information is written in the second storage unit 22, it indicates that the data written by the rewrite unit 11 does not contain an error. Further, if the stamp information is not written in the second storage unit 22, it indicates that the data written by the rewriting unit 11 contains an error. As a method for confirming whether or not an error is included in the written data, various check methods such as a well-known CRC method can be employed.

消去部１４は、書き換え部１１によるデータの書き換え処理が開始される前に、フラッシュステータス情報を格納している第１格納部２１およびスタンプ情報を格納している第２格納部２２をブロック単位で消去する。即ち、消去部１４は、前回のデータ書き換え処理の完了時にメモリ１００に書き込まれたフラッシュステータス情報およびスタンプ情報の双方を、今回のデータ書き換え処理が開始される前に確実に消去するものである。なお、データ書き換え装置１０の仕様によっては、消去部１４は、第１格納部２１に格納されているフラッシュステータス情報および第２格納部２２に格納されているスタンプ情報を指定して、これらの情報をピンポイントで消去することも可能である。   Before the data rewriting process by the rewriting unit 11 is started, the erasing unit 14 includes the first storage unit 21 storing the flash status information and the second storage unit 22 storing the stamp information in units of blocks. to erase. That is, the erasing unit 14 surely erases both the flash status information and the stamp information written in the memory 100 when the previous data rewriting process is completed before the current data rewriting process is started. Depending on the specifications of the data rewriting device 10, the erasure unit 14 designates the flash status information stored in the first storage unit 21 and the stamp information stored in the second storage unit 22, and these information It is also possible to delete the pinpoint.

次に、データ書き換え装置１０によるデータ書き換え処理の動作例について説明する。図２に例示するように、データ書き換え装置１０は、差分が生じたデータを書き換える場合には、まず書き換え対象となるデータが格納されているブロック領域を特定する（Ｓ１）。そして、データ書き換え装置１０は、特定したブロック領域に格納されているデータのうち差分が生じていない部分のデータを退避部１０３に退避させる（Ｓ２）。そして、データ書き換え装置１０は、特定したブロック領域に格納されているデータを全て消去する（Ｓ３）。そして、データ書き換え装置１０は、新たに生じた差分データと退避部１０３に退避させたデータとを結合することにより、差分が反映された新データを生成する（Ｓ４）。そして、データ書き換え装置１０は、ステップＳ１において特定したブロック領域に新データを格納する（Ｓ５）。これにより、データ書き換え装置１０は、差分が生じた旧データを、差分を反映した新データにより書き換える。   Next, an operation example of data rewriting processing by the data rewriting device 10 will be described. As illustrated in FIG. 2, when rewriting data in which a difference has occurred, the data rewriting device 10 first identifies a block area in which data to be rewritten is stored (S1). Then, the data rewriting device 10 causes the saving unit 103 to save the portion of the data stored in the identified block area where no difference has occurred (S2). Then, the data rewriting device 10 erases all the data stored in the specified block area (S3). Then, the data rewriting device 10 generates new data reflecting the difference by combining the newly generated difference data and the data saved in the saving unit 103 (S4). Then, the data rewriting device 10 stores the new data in the block area specified in step S1 (S5). As a result, the data rewriting device 10 rewrites the old data in which the difference is generated with the new data reflecting the difference.

データ書き換え装置１０は、差分が生じた全てのブロック領域についてステップＡ１〜Ａ５の処理を繰り返し実行する（Ｓ６：ＮＯ）。そして、データ書き換え装置１０は、差分が生じた全てのブロック領域のデータを書き換えると（Ｓ６：ＹＥＳ）、第１格納部２１にフラッシュステータス情報を格納する（Ｓ７）。そして、データ書き換え装置１０は、書き換え後のデータに誤りが含まれていないか否かを確認する（Ｓ８）。データ書き換え装置１０は、書き換え後のデータに誤りが含まれていないことを確認すると（Ｓ８：ＮＯ）、第２格納部２２にスタンプ情報を格納して（Ｓ９）、この処理を終了する。   The data rewrite device 10 repeatedly executes the processes of Steps A1 to A5 for all the block areas where the difference has occurred (S6: NO). When the data rewriting device 10 rewrites the data in all the block areas where the difference has occurred (S6: YES), it stores the flash status information in the first storage unit 21 (S7). Then, the data rewriting device 10 checks whether or not an error is included in the rewritten data (S8). When the data rewriting device 10 confirms that the rewritten data does not contain an error (S8: NO), the stamp information is stored in the second storage unit 22 (S9), and this process is terminated.

なお、データ書き換え装置１０は、書き換え後のデータに誤りが含まれている場合（Ｓ８：ＹＥＳ）には、所定の誤り対応処理を実行する（Ｓ１０）。誤り対応処理としては、例えば、データの書き換え処理をやり直す処理、データの書き換え処理を失敗している旨を表示や音声により報知する処理、データの使用を禁止する処理、など種々の処理が考えられる。   The data rewriting apparatus 10 executes a predetermined error handling process (S10) when the rewritten data includes an error (S8: YES). As the error handling processing, for example, various processing such as processing for rewriting data rewriting processing, processing for notifying that data rewriting processing has failed by display or voice, processing for prohibiting use of data, and the like can be considered. .

以上の前提構成を備えるデータ書き換え装置１０は、今回のデータ書き換え処理を開始する前に、前回のデータ書き換え処理の終了時に書き込まれたフラッシュステータス情報およびスタンプ情報を確実に消去するための複数の実施形態を採用可能である。以下、各実施形態について説明する。   The data rewriting apparatus 10 having the above premise configuration performs a plurality of implementations for reliably erasing the flash status information and stamp information written at the end of the previous data rewriting process before starting the current data rewriting process. A form can be adopted. Each embodiment will be described below.

（第１実施形態）
図３に例示するように、本実施形態は、第１格納部２１および第２格納部２２を、データ格納部１０２の外部に別々に設けたものである。第１格納部２１には、フラッシュステータス情報Ｄ１が格納される。また、第２格納部２２には、スタンプ情報Ｄ２が格納される。図４に例示するように、この場合、データ書き換え装置１０は、データの書き換え処理を開始する前に、まず、フラッシュステータス情報Ｄ１を格納している第１格納部２１、および、スタンプ情報Ｄ２を格納している第２格納部２２をブロック単位で消去する。これにより、第１格納部２１および第２格納部２２は、データが格納されていないブランク状態となる。なお、データ書き換え装置１０は、仕様によっては、第１格納部２１に格納されているフラッシュステータス情報Ｄ１、および、第２格納部２２に格納されているスタンプ情報Ｄ２を指定して消去することも可能である。 (First embodiment)
As illustrated in FIG. 3, in the present embodiment, the first storage unit 21 and the second storage unit 22 are separately provided outside the data storage unit 102. The first storage unit 21 stores flash status information D1. The second storage unit 22 stores stamp information D2. As illustrated in FIG. 4, in this case, before starting the data rewriting process, the data rewriting device 10 first stores the first storage unit 21 storing the flash status information D1 and the stamp information D2. The stored second storage unit 22 is erased in units of blocks. Thereby, the 1st storage part 21 and the 2nd storage part 22 will be in the blank state in which data is not stored. Note that the data rewriting device 10 may specify and erase the flash status information D1 stored in the first storage unit 21 and the stamp information D2 stored in the second storage unit 22 depending on the specifications. Is possible.

そして、データ書き換え装置１０は、書き換え対象となるデータを消去する。そして、データ書き換え装置１０は、データを消去したブロック領域に新データを書き込んでいく。そして、データ書き換え装置１０は、データの書き換え処理を完了すると、第１格納部２１にフラッシュステータス情報Ｄ１を書き込む。また、データ書き換え装置１０は、書き込んだ新データに誤りが含まれていないか否かを確認する。そして、データ書き換え装置１０は、書き込んだデータに誤りが含まれていないことを確認すると、第２格納部２２にスタンプ情報Ｄ２を書き込む。   Then, the data rewriting device 10 erases the data to be rewritten. Then, the data rewrite device 10 writes new data in the block area from which the data has been erased. When the data rewriting device 10 completes the data rewriting process, the data rewriting device 10 writes the flash status information D1 in the first storage unit 21. Further, the data rewriting device 10 confirms whether or not the written new data contains an error. When the data rewriting device 10 confirms that the written data does not contain an error, the data rewriting device 10 writes the stamp information D2 in the second storage unit 22.

本実施形態によれば、データ書き換え装置１０は、前回のデータ書き換え処理の完了時に書き込まれたフラッシュステータス情報およびスタンプ情報を確実に消去してから、今回のデータ書き換え処理を開始する。従って、今回のデータ書き換え処理の途中において当該処理が中断した場合には、フラッシュステータス情報およびスタンプ情報が消去された状態となっている。そのため、データの書き換えが不完全な状態であることを認識することができ、当該データが使用されてしまうことを回避することができる。   According to the present embodiment, the data rewrite device 10 starts the current data rewrite process after reliably erasing the flash status information and the stamp information written at the completion of the previous data rewrite process. Accordingly, when the process is interrupted during the current data rewriting process, the flash status information and the stamp information are erased. Therefore, it can be recognized that the data rewriting is incomplete, and the data can be avoided from being used.

また、本実施形態の構成は、データ格納部１０２の外部に、第１格納部２１用のブロック領域および第２格納部２２用のブロック領域の２つのブロック領域を確保することにより実現することができる。よって、データ書き換え装置１０の前提構成を大幅に変更する必要が無く、既存の構成をほぼそのまま利用することができる。   In addition, the configuration of the present embodiment can be realized by securing two block areas, that is, a block area for the first storage unit 21 and a block area for the second storage unit 22 outside the data storage unit 102. it can. Therefore, it is not necessary to significantly change the premise configuration of the data rewriting device 10, and the existing configuration can be used almost as it is.

（第２実施形態）
図５に例示するように、本実施形態は、データ格納部１０２の外部に、第１格納部２１および第２格納部２２を含む総合格納部３１を設けたものである。即ち、総合格納部３１は、第１格納部および第２格納部として機能するものであり、フラッシュステータス情報Ｄ１およびスタンプ情報Ｄ２の双方が格納される領域である。 (Second Embodiment)
As illustrated in FIG. 5, in the present embodiment, a general storage unit 31 including a first storage unit 21 and a second storage unit 22 is provided outside the data storage unit 102. That is, the general storage unit 31 functions as a first storage unit and a second storage unit, and is an area in which both the flash status information D1 and the stamp information D2 are stored.

図６に例示するように、この場合、データ書き換え装置１０は、データの書き換え処理を開始する前に、まず、フラッシュステータス情報Ｄ１およびスタンプ情報Ｄ２を格納している総合格納部３１をブロック単位で消去する。これにより、総合格納部３１は、データが格納されていないブランク状態となる。なお、データ書き換え装置１０は、仕様によっては、総合格納部３１に格納されているフラッシュステータス情報Ｄ１およびスタンプ情報Ｄ２を指定して消去することも可能である。   As illustrated in FIG. 6, in this case, before starting the data rewriting process, the data rewriting device 10 first sets the general storage unit 31 storing the flash status information D1 and the stamp information D2 in units of blocks. to erase. As a result, the general storage unit 31 enters a blank state in which no data is stored. Note that the data rewriting device 10 can also specify and erase the flash status information D1 and the stamp information D2 stored in the general storage unit 31 depending on the specifications.

そして、データ書き換え装置１０は、書き換え対象となるデータを消去する。そして、データ書き換え装置１０は、データを消去したブロック領域に新データを書き込んでいく。そして、データ書き換え装置１０は、データの書き換え処理を完了すると、総合格納部３１にフラッシュステータス情報Ｄ１を書き込む。また、データ書き換え装置１０は、書き込んだ新データに誤りが含まれていないか否かを確認する。そして、データ書き換え装置１０は、書き込んだデータに誤りが含まれていないことを確認すると、総合格納部３１にスタンプ情報Ｄ２を書き込む。   Then, the data rewriting device 10 erases the data to be rewritten. Then, the data rewrite device 10 writes new data in the block area from which the data has been erased. When the data rewriting device 10 completes the data rewriting process, the data rewriting device 10 writes the flash status information D1 in the general storage unit 31. Further, the data rewriting device 10 confirms whether or not the written new data contains an error. When the data rewriting device 10 confirms that the written data does not contain an error, the data rewriting device 10 writes the stamp information D2 in the general storage unit 31.

本実施形態によれば、データ書き換え装置１０は、前回のデータ書き換え処理の完了時に書き込まれたフラッシュステータス情報およびスタンプ情報を確実に消去してから、今回のデータ書き換え処理を開始する。従って、今回のデータ書き換え処理の途中において当該処理が中断した場合には、フラッシュステータス情報およびスタンプ情報が消去された状態となっている。そのため、データの書き換えが不完全な状態であることを認識することができ、当該データが使用されてしまうことを回避することができる。   According to the present embodiment, the data rewrite device 10 starts the current data rewrite process after reliably erasing the flash status information and the stamp information written at the completion of the previous data rewrite process. Accordingly, when the process is interrupted during the current data rewriting process, the flash status information and the stamp information are erased. Therefore, it can be recognized that the data rewriting is incomplete, and the data can be avoided from being used.

また、本実施形態の構成は、データ格納部１０２の外部に、総合格納部３１用のブロック領域を確保することにより実現することができる。よって、データ書き換え装置１０の前提構成を大幅に変更する必要が無く、既存の構成をほぼそのまま利用することができる。   The configuration of the present embodiment can be realized by securing a block area for the general storage unit 31 outside the data storage unit 102. Therefore, it is not necessary to significantly change the premise configuration of the data rewriting device 10, and the existing configuration can be used almost as it is.

（第３実施形態）
図７に例示するように、本実施形態は、第１格納部２１および第２格納部２２を、データ格納部１０２の内部に設けたものである。即ち、本実施形態は、データ格納部１０２内のブロック領域を第１格納部２１用の領域および第２格納部２２用の領域として用いるものである。また、本実施形態では、書き換え部１１は、第１格納部２１に格納されているフラッシュステータス情報Ｄ１および第２格納部２２に格納されているスタンプ情報Ｄ２も、差分が発生したデータであるとみなし、データ書き換え処理により書き換えるデータの一部として認識するように設定されている。 (Third embodiment)
As illustrated in FIG. 7, in the present embodiment, the first storage unit 21 and the second storage unit 22 are provided inside the data storage unit 102. That is, in this embodiment, the block area in the data storage unit 102 is used as an area for the first storage unit 21 and an area for the second storage unit 22. In the present embodiment, the rewrite unit 11 also determines that the flash status information D1 stored in the first storage unit 21 and the stamp information D2 stored in the second storage unit 22 are also data in which a difference has occurred. It is assumed that it is recognized as a part of data to be rewritten by the data rewriting process.

図８に例示するように、この場合、データ書き換え装置１０は、データの書き換え処理を開始する前に、まず、フラッシュステータス情報Ｄ１を格納している第１格納部２１、および、スタンプ情報Ｄ２を格納している第２格納部２２を、書き換え対象となるデータの一部としてブロック単位で消去する。これにより、第１格納部２１および第２格納部２２は、データが格納されていないブランク状態となる。なお、データ書き換え装置１０は、仕様によっては、第１格納部２１に格納されているフラッシュステータス情報Ｄ１、および、第２格納部２２に格納されているスタンプ情報Ｄ２を指定して消去することも可能である。   As illustrated in FIG. 8, in this case, before starting the data rewriting process, the data rewriting device 10 first stores the first storage unit 21 storing the flash status information D1 and the stamp information D2. The stored second storage unit 22 is erased in block units as part of the data to be rewritten. Thereby, the 1st storage part 21 and the 2nd storage part 22 will be in the blank state in which data is not stored. Note that the data rewriting device 10 may specify and erase the flash status information D1 stored in the first storage unit 21 and the stamp information D2 stored in the second storage unit 22 depending on the specifications. Is possible.

また、データ書き換え装置１０は、書き換え対象となるデータを消去する。そして、データ書き換え装置１０は、第１格納部２１および第２格納部２２以外の領域においてデータを消去したブロック領域に新データを書き込んでいく。そして、データ書き換え装置１０は、データの書き換え処理を完了すると、第１格納部２１にフラッシュステータス情報Ｄ１を書き込む。また、データ書き換え装置１０は、書き込んだ新データに誤りが含まれていないか否かを確認する。そして、データ書き換え装置１０は、書き込んだデータに誤りが含まれていないことを確認すると、第２格納部２２にスタンプ情報Ｄ２を書き込む。   Further, the data rewriting device 10 erases data to be rewritten. Then, the data rewriting device 10 writes new data in the block area where the data is erased in the area other than the first storage unit 21 and the second storage unit 22. When the data rewriting device 10 completes the data rewriting process, the data rewriting device 10 writes the flash status information D1 in the first storage unit 21. Further, the data rewriting device 10 confirms whether or not the written new data contains an error. When the data rewriting device 10 confirms that the written data does not contain an error, the data rewriting device 10 writes the stamp information D2 in the second storage unit 22.

本実施形態によれば、データ書き換え装置１０は、前回のデータ書き換え処理の完了時に書き込まれたフラッシュステータス情報およびスタンプ情報を確実に消去してから、今回のデータ書き換え処理を開始する。従って、今回のデータ書き換え処理の途中において当該処理が中断した場合には、フラッシュステータス情報およびスタンプ情報が消去された状態となっている。そのため、データの書き換えが不完全な状態であることを認識することができ、当該データが使用されてしまうことを回避することができる。   According to the present embodiment, the data rewrite device 10 starts the current data rewrite process after reliably erasing the flash status information and the stamp information written at the completion of the previous data rewrite process. Accordingly, when the process is interrupted during the current data rewriting process, the flash status information and the stamp information are erased. Therefore, it can be recognized that the data rewriting is incomplete, and the data can be avoided from being used.

本実施形態の構成は、データ格納部１０２の内部に、第１格納部２１用のブロック領域および第２格納部２２用のブロック領域の２つのブロック領域を確保することにより実現することができる。よって、データ書き換え装置１０の前提構成を変更する必要が全く無く、既存の構成をそのまま利用することができる。また、既存の構成をそのまま利用することができるため、第１格納部２１用のブロック領域および第２格納部２２用のブロック領域を新設する必要が無く、従って、アプリケーションプログラムが格納されるメモリ領域が圧迫されてしまうことを回避することができる。   The configuration of the present embodiment can be realized by securing two block areas in the data storage unit 102, that is, a block area for the first storage unit 21 and a block area for the second storage unit 22. Therefore, there is no need to change the premise configuration of the data rewriting device 10, and the existing configuration can be used as it is. Further, since the existing configuration can be used as it is, there is no need to newly provide a block area for the first storage unit 21 and a block area for the second storage unit 22, and accordingly, a memory area in which application programs are stored. Can be avoided.

（第４実施形態）
図９に例示するように、本実施形態は、第１格納部２１および第２格納部２２を退避部１０３に設けたものである。よって、退避部１０３には、フラッシュステータス情報Ｄ１およびスタンプ情報Ｄ２が格納される。図１０に例示するように、この場合、データ書き換え装置１０は、データの書き換え処理を開始する前に、まず、退避部１０３に格納されているデータを全て消去する。これにより、退避部１０３に格納されているフラッシュステータス情報Ｄ１およびスタンプ情報Ｄ２も消去され、退避部１０３は、データが格納されていないブランク状態となる。なお、データ書き換え装置１０は、仕様によっては、退避部１０３に格納されているフラッシュステータス情報Ｄ１およびスタンプ情報Ｄ２を指定して消去することも可能である。 (Fourth embodiment)
As illustrated in FIG. 9, in the present embodiment, the first storage unit 21 and the second storage unit 22 are provided in the retracting unit 103. Accordingly, the save unit 103 stores the flash status information D1 and the stamp information D2. As illustrated in FIG. 10, in this case, the data rewriting device 10 first erases all data stored in the saving unit 103 before starting the data rewriting process. As a result, the flash status information D1 and the stamp information D2 stored in the save unit 103 are also erased, and the save unit 103 enters a blank state in which no data is stored. Note that the data rewriting device 10 can also designate and erase the flash status information D1 and the stamp information D2 stored in the save unit 103 depending on the specification.

そして、データ書き換え装置１０は、書き換え対象となるデータのうち差分が発生していないデータを退避データＤ３として退避部１０３に退避させる。そして、データ書き換え装置１０は、書き換え対象となるデータを消去する。そして、データ書き換え装置１０は、退避部１０３に退避させた退避データＤ３に差分データを結合して新データを生成する。そして、データ書き換え装置１０は、データを消去したブロック領域に新データを書き込んでいく。そして、データ書き換え装置１０は、データの書き換え処理を完了すると、退避部１０３にフラッシュステータス情報Ｄ１を書き込む。また、データ書き換え装置１０は、書き込んだ新データに誤りが含まれていないか否かを確認する。そして、データ書き換え装置１０は、書き込んだデータに誤りが含まれていないことを確認すると、退避部１０３にスタンプ情報Ｄ２を書き込む。   Then, the data rewrite device 10 causes the save unit 103 to save data that has no difference among the data to be rewritten as the save data D3. Then, the data rewriting device 10 erases the data to be rewritten. Then, the data rewriting device 10 combines the difference data with the saved data D3 saved in the saving unit 103 to generate new data. Then, the data rewrite device 10 writes new data in the block area from which the data has been erased. When the data rewriting device 10 completes the data rewriting process, the data rewriting device 10 writes the flash status information D1 in the saving unit 103. Further, the data rewriting device 10 confirms whether or not the written new data contains an error. When the data rewriting device 10 confirms that the written data does not contain an error, the data rewriting device 10 writes the stamp information D2 in the saving unit 103.

本実施形態によれば、データ書き換え装置１０は、前回のデータ書き換え処理の完了時に書き込まれたフラッシュステータス情報およびスタンプ情報を確実に消去してから、今回のデータ書き換え処理を開始する。従って、今回のデータ書き換え処理の途中において当該処理が中断した場合には、フラッシュステータス情報およびスタンプ情報が消去された状態となっている。そのため、データの書き換えが不完全な状態であることを認識することができ、当該データが使用されてしまうことを回避することができる。   According to the present embodiment, the data rewrite device 10 starts the current data rewrite process after reliably erasing the flash status information and the stamp information written at the completion of the previous data rewrite process. Accordingly, when the process is interrupted during the current data rewriting process, the flash status information and the stamp information are erased. Therefore, it can be recognized that the data rewriting is incomplete, and the data can be avoided from being used.

また、本実施形態の構成は、退避部１０３に、第１格納部２１および第２格納部２２を確保することにより実現することができる。よって、データ書き換え装置１０の前提構成を変更する必要が全く無く、既存の構成をそのまま利用することができる。また、既存の構成をそのまま利用することができるため、第１格納部２１用のブロック領域および第２格納部２２用のブロック領域を新設する必要が無く、従って、アプリケーションプログラムが格納されるメモリ領域が圧迫されてしまうことを回避することができる。   Further, the configuration of the present embodiment can be realized by securing the first storage unit 21 and the second storage unit 22 in the save unit 103. Therefore, there is no need to change the premise configuration of the data rewriting device 10, and the existing configuration can be used as it is. Further, since the existing configuration can be used as it is, there is no need to newly provide a block area for the first storage unit 21 and a block area for the second storage unit 22, and accordingly, a memory area in which application programs are stored. Can be avoided.

なお、本実施形態では、フラッシュステータス情報と同じデータ列およびスタンプ情報と同じデータ列のうち少なくとも何れか一方のデータ列が、退避部１０３に退避させたデータＤ３中に偶発的に含まれている場合も発生し得る。そのため、データ書き換え装置１０は、退避部１０３に退避させるデータＤ３中に、フラッシュステータス情報Ｄ１と同じデータ列、スタンプ情報Ｄ２と同じデータ列が含まれていないか否かをチェックする機能を備える構成としてもよい。   In the present embodiment, at least one of the same data string as the flash status information and the same data string as the stamp information is accidentally included in the data D3 saved in the saving unit 103. Cases can also occur. Therefore, the data rewriting device 10 has a function of checking whether the same data string as the flash status information D1 and the same data string as the stamp information D2 are included in the data D3 saved in the saving unit 103. It is good.

（その他の実施形態）
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能である。例えば、上述した複数の実施形態を適宜組み合わせて実施してもよい。
本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。 (Other embodiments)
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be applied to various embodiments without departing from the scope of the invention. For example, you may implement combining several embodiment mentioned above suitably.
Although the present disclosure has been described with reference to the embodiments, it is understood that the present disclosure is not limited to the embodiments and structures. The present disclosure includes various modifications and modifications within the equivalent range. In addition, various combinations and forms, as well as other combinations and forms including only one element, more or less, are within the scope and spirit of the present disclosure.

図面中、１０はデータ書き換え装置、１１は書き換え部、１２は第１書き込み部、１３は第２書き込み部、１４は消去部、２１は第１格納部、２２は第２格納部、３１は総合格納部、１００はメモリ、１０３は退避部、Ｄ１はフラッシュステータス情報（第１情報）、Ｄ２はスタンプ情報（第２情報）を示す。   In the drawings, 10 is a data rewriting device, 11 is a rewriting unit, 12 is a first writing unit, 13 is a second writing unit, 14 is an erasing unit, 21 is a first storage unit, 22 is a second storage unit, and 31 is a total. A storage unit, 100 is a memory, 103 is a saving unit, D1 is flash status information (first information), and D2 is stamp information (second information).

Claims (7)

メモリ（１００）に書き込まれているデータのうち差分が生じたデータを書き換える書き換え部（１１）と、
前記書き換え部によるデータの書き換え処理が完了すると、所定の第１情報を第１格納部（２１）に書き込む第１書き込み部（１２）と、
前記書き換え部により書き込まれたデータに誤りが含まれていないことを確認すると、所定の第２情報を第２格納部（２２）に書き込む第２書き込み部（１３）と、
前記書き換え部によるデータの書き換え処理が開始される前に、前記第１情報を格納している前記第１格納部および前記第２情報を格納している前記第２格納部を消去する消去部（１４）と、
を備えるデータ書き換え装置。 A rewriting unit (11) for rewriting data in which a difference occurs among data written in the memory (100);
When the data rewriting process by the rewriting unit is completed, a first writing unit (12) that writes predetermined first information to the first storage unit (21);
When it is confirmed that the data written by the rewriting unit does not contain an error, a second writing unit (13) that writes predetermined second information to the second storage unit (22),
Before the data rewriting process by the rewriting unit is started, the first storage unit storing the first information and the erasing unit erasing the second storage unit storing the second information ( 14)
A data rewriting device comprising: 前記第１格納部および前記第２格納部は、前記メモリのうちデータが書き換えられる書き換え領域の外部に設けられている請求項１に記載のデータ書き換え装置。   The data rewriting apparatus according to claim 1, wherein the first storage unit and the second storage unit are provided outside a rewrite area in the memory where data is rewritten. 前記第１格納部および前記第２格納部は、前記書き換え領域の外部に別々に設けられている請求項２に記載のデータ書き換え装置。   The data rewriting apparatus according to claim 2, wherein the first storage unit and the second storage unit are separately provided outside the rewriting area. 前記書き換え領域の外部に、前記第１格納部および前記第２格納部を含む総合格納部（３１）が設けられている請求項２に記載のデータ書き換え装置。   The data rewriting device according to claim 2, wherein a general storage unit (31) including the first storage unit and the second storage unit is provided outside the rewrite area. 前記メモリのうちデータが書き換えられる書き換え領域の内部に、前記第１格納部および前記第２格納部が設けられており、
前記書き換え部は、前記第１情報を格納している前記第１格納部および前記第２情報を格納している前記第２格納部も、書き換えるデータの一部として認識する請求項１に記載のデータ書き換え装置。 The first storage unit and the second storage unit are provided inside a rewrite area of the memory where data is rewritten,
2. The rewrite unit according to claim 1, wherein the first storage unit storing the first information and the second storage unit storing the second information are also recognized as a part of data to be rewritten. Data rewriting device. 前記書き換え部により書き換えられるデータを一時的に退避させる退避部（１０３）を備え、
前記第１格納部および前記第２格納部は、前記退避部に設けられている請求項１に記載のデータ書き換え装置。 Comprising a saving unit (103) for temporarily saving data rewritten by the rewriting unit;
The data rewriting apparatus according to claim 1, wherein the first storage unit and the second storage unit are provided in the save unit. メモリ（１００）に書き込まれているデータのうち差分が生じたデータを書き換える書き換え処理と、
前記書き換え処理が完了すると、所定の第１情報を第１格納部（２１）に書き込む第１書き込み処理と、
前記書き換え処理により書き込まれたデータに誤りが含まれていないことを確認すると、所定の第２情報を第２格納部（２２）に書き込む第２書き込み処理と、
前記書き換え処理が開始される前に、前記第１情報を格納している前記第１格納部および前記第２情報を格納している前記第２格納部を消去する消去処理と、
をデータ書き換え装置（１０）に実行させるデータ書き換えプログラム。 Rewrite processing for rewriting data in which a difference occurs among data written in the memory (100);
When the rewriting process is completed, a first writing process for writing predetermined first information into the first storage unit (21);
When it is confirmed that the data written by the rewriting process contains no error, a second writing process for writing predetermined second information to the second storage unit (22);
An erasing process for erasing the first storage unit storing the first information and the second storage unit storing the second information before the rewriting process is started;
Is a data rewriting program that causes the data rewriting device (10) to execute.
JP2016141344A 2016-07-19 2016-07-19 Data rewriting device and data rewriting program Pending JP2018013837A (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016141344A JP2018013837A (en) 2016-07-19 2016-07-19 Data rewriting device and data rewriting program
DE112017003641.0T DE112017003641T5 (en) 2016-07-19 2017-06-01 Data overwrite device and data overwrite program
PCT/JP2017/020464 WO2018016199A1 (en) 2016-07-19 2017-06-01 Data overwriting device and data overwriting program
CN201780029579.6A CN109154904A (en) 2016-07-19 2017-06-01 Data rewriting device, data rewriting program
US16/318,386 US20190287626A1 (en) 2016-07-19 2017-06-01 Data overwriting device and data overwriting method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016141344A JP2018013837A (en) 2016-07-19 2016-07-19 Data rewriting device and data rewriting program

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018013837A true JP2018013837A (en) 2018-01-25

Family

ID=60992046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016141344A Pending JP2018013837A (en) 2016-07-19 2016-07-19 Data rewriting device and data rewriting program

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190287626A1 (en)
JP (1) JP2018013837A (en)
CN (1) CN109154904A (en)
DE (1) DE112017003641T5 (en)
WO (1) WO2018016199A1 (en)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11467821B2 (en) 2018-08-10 2022-10-11 Denso Corporation Vehicle master device, installation instruction determination method and computer program product
US11604637B2 (en) 2018-08-10 2023-03-14 Denso Corporation Electronic control unit, vehicle electronic control system, difference data consistency determination method and computer program product
US11656771B2 (en) 2018-08-10 2023-05-23 Denso Corporation Electronic control unit, vehicle electronic control system, activation execution control method and computer program product
US11669323B2 (en) 2018-08-10 2023-06-06 Denso Corporation Vehicle electronic control system, program update notification control method and computer program product
US11671498B2 (en) 2018-08-10 2023-06-06 Denso Corporation Vehicle master device, update data verification method and computer program product
US11683197B2 (en) 2018-08-10 2023-06-20 Denso Corporation Vehicle master device, update data distribution control method, computer program product and data structure of specification data
US11709666B2 (en) 2018-07-25 2023-07-25 Denso Corporation Electronic control system for vehicle, program update approval determination method and program update approval determination program
US11822366B2 (en) 2018-08-10 2023-11-21 Denso Corporation Electronic control unit, vehicle electronic control system, rewrite execution method, rewrite execution program, and data structure of specification data
US11876898B2 (en) 2018-08-10 2024-01-16 Denso Corporation Vehicle master device, security access key management method, security access key management program and data structure of specification data
US11907697B2 (en) 2018-08-10 2024-02-20 Denso Corporation Vehicle electronic control system, center device, vehicle master device, display control information transmission control method, display control information reception control method, display control information transmission control program, and display control information reception control program
US11928459B2 (en) 2018-08-10 2024-03-12 Denso Corporation Electronic control unit, retry point specifying method and computer program product for specifying retry point
US11926270B2 (en) 2018-08-10 2024-03-12 Denso Corporation Display control device, rewrite progress display control method and computer program product
US11934823B2 (en) 2018-07-25 2024-03-19 Denso Corporation Electronic control system for vehicle, program update approval determination method and program update approval determination program
US11941384B2 (en) 2018-08-10 2024-03-26 Denso Corporation Vehicle master device, rewrite target group administration method, computer program product and data structure of specification data
US11947953B2 (en) 2018-08-10 2024-04-02 Denso Corporation Vehicle electronic control system, progress screen display control method and computer program product
US11999360B2 (en) 2018-08-10 2024-06-04 Denso Corporation Vehicle master device, control method for executing rollback, computer program product for executing rollback and data structure of specification data

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006298261A (en) * 2005-04-22 2006-11-02 Denso Corp Control unit for automobile
JP2010146257A (en) * 2008-12-18 2010-07-01 Fujitsu Ten Ltd Information processor, program update method, and information processing system

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3603333B2 (en) 1994-06-22 2004-12-22 カシオ計算機株式会社 Data processing device
JPH10124403A (en) * 1996-10-24 1998-05-15 Hitachi Ltd Writing method for block deletion type flash memory
JP2002351683A (en) 2001-05-24 2002-12-06 Sharp Corp Program updating control method
JP2004005152A (en) 2002-05-31 2004-01-08 Hitachi Unisia Automotive Ltd Rewriting device for nonvolatile memory
JP4266742B2 (en) * 2003-08-04 2009-05-20 Ｎｅｃディスプレイソリューションズ株式会社 ELECTRONIC DEVICE WITH FLASH MEMORY, MEMORY DATA MANAGEMENT METHOD, AND PROGRAM
JP4418439B2 (en) * 2006-03-07 2010-02-17 パナソニック株式会社 Nonvolatile storage device and data writing method thereof
US8924362B2 (en) * 2008-06-30 2014-12-30 Microsoft Corporation B-file abstraction for efficiently archiving self-expiring data
KR102143517B1 (en) * 2013-02-26 2020-08-12 삼성전자 주식회사 Semiconductor Memory Device including error correction circuit and Operating Method thereof
CN105468533B (en) * 2014-09-10 2019-02-19 华为技术有限公司 Method for writing data, device and memory
JP6468640B2 (en) 2015-02-04 2019-02-13 株式会社Ｓｕｂａｒｕ Body pillar structure

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006298261A (en) * 2005-04-22 2006-11-02 Denso Corp Control unit for automobile
JP2010146257A (en) * 2008-12-18 2010-07-01 Fujitsu Ten Ltd Information processor, program update method, and information processing system

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11709666B2 (en) 2018-07-25 2023-07-25 Denso Corporation Electronic control system for vehicle, program update approval determination method and program update approval determination program
US11934823B2 (en) 2018-07-25 2024-03-19 Denso Corporation Electronic control system for vehicle, program update approval determination method and program update approval determination program
US11671498B2 (en) 2018-08-10 2023-06-06 Denso Corporation Vehicle master device, update data verification method and computer program product
US11907697B2 (en) 2018-08-10 2024-02-20 Denso Corporation Vehicle electronic control system, center device, vehicle master device, display control information transmission control method, display control information reception control method, display control information transmission control program, and display control information reception control program
US11467821B2 (en) 2018-08-10 2022-10-11 Denso Corporation Vehicle master device, installation instruction determination method and computer program product
US11683197B2 (en) 2018-08-10 2023-06-20 Denso Corporation Vehicle master device, update data distribution control method, computer program product and data structure of specification data
US11656771B2 (en) 2018-08-10 2023-05-23 Denso Corporation Electronic control unit, vehicle electronic control system, activation execution control method and computer program product
US11822366B2 (en) 2018-08-10 2023-11-21 Denso Corporation Electronic control unit, vehicle electronic control system, rewrite execution method, rewrite execution program, and data structure of specification data
US11876898B2 (en) 2018-08-10 2024-01-16 Denso Corporation Vehicle master device, security access key management method, security access key management program and data structure of specification data
US11669323B2 (en) 2018-08-10 2023-06-06 Denso Corporation Vehicle electronic control system, program update notification control method and computer program product
US11928459B2 (en) 2018-08-10 2024-03-12 Denso Corporation Electronic control unit, retry point specifying method and computer program product for specifying retry point
US11926270B2 (en) 2018-08-10 2024-03-12 Denso Corporation Display control device, rewrite progress display control method and computer program product
US11604637B2 (en) 2018-08-10 2023-03-14 Denso Corporation Electronic control unit, vehicle electronic control system, difference data consistency determination method and computer program product
US11941384B2 (en) 2018-08-10 2024-03-26 Denso Corporation Vehicle master device, rewrite target group administration method, computer program product and data structure of specification data
US11947953B2 (en) 2018-08-10 2024-04-02 Denso Corporation Vehicle electronic control system, progress screen display control method and computer program product
US11999360B2 (en) 2018-08-10 2024-06-04 Denso Corporation Vehicle master device, control method for executing rollback, computer program product for executing rollback and data structure of specification data

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018016199A1 (en) 2018-01-25
DE112017003641T5 (en) 2019-04-11
US20190287626A1 (en) 2019-09-19
CN109154904A (en) 2019-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018016199A1 (en) Data overwriting device and data overwriting program
JP3802411B2 (en) Data copy method for nonvolatile semiconductor memory device
US9645894B2 (en) Data storage device and flash memory control method
JP2008198310A (en) Method for repairing bit error and information processing system
JP2011129192A (en) Semiconductor memory device
JP5990430B2 (en) SSD (solid state drive) device
TWI633428B (en) Data storage device and methods for processing data in the data storage device
TWI512742B (en) Non-volatile memory flash memory erase-abnormal block repair method and device applying the same
TW201916018A (en) Data storage device and methods for writing data in a memory device
TW201523247A (en) Data storage device and FLASH memory control method
KR100746198B1 (en) Apparatus and method for storing data, and readable recording medium thereof
CN102650949A (en) Method and device for upgrading firmware of storage equipment
JP4158526B2 (en) Memory card and data writing method to memory
JP2010067098A (en) Information processor, information processing method, and information processing program
TW201430554A (en) Recovering system and method for recovering data
JP6575157B2 (en) Firmware download method and firmware embedded device
JP6314859B2 (en) Electronic control device and software rewriting system
JP6636930B2 (en) Microcomputer with built-in flash memory, method of writing data to flash memory built in microcontroller, and program for writing data to flash memory
CN113434086A (en) Data storage method and device, nonvolatile memory device and memory
JP4602387B2 (en) MEMORY CARD, NONVOLATILE MEMORY, NONVOLATILE MEMORY DATA WRITE METHOD AND DATA WRITE DEVICE
JP2006139341A (en) Nonvolatile memory system
JP2012033045A (en) Electronic equipment and data reading method
JP6217664B2 (en) Microcomputer device
JP2013003623A (en) Flash memory control device and flash memory control method
JP2014071535A (en) Memory management device, microcontroller and memory management method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180829

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191105

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200526