JP2015046391A - Light-emitting device, and electronic equipment - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device with little display failure and high reliability, and to provide a light-emitting device in which cracks are less likely to be generated even when held at a high temperature and a high humidity.SOLUTION: A light-emitting device comprises: a first flexible substrate; a transistor provided on the first flexible substrate; an organic insulating layer provided on the transistor; a light-emitting element electrically connected with the transistor and provided on the organic insulating layer; a second flexible substrate provided on the light-emitting element; and a coloring layer overlapped with the light-emitting element and provided between the light-emitting element and the second flexible substrate. The organic insulating layer and the coloring layer contain the same main component.

Description

本発明は、物、方法、及び製造方法に関する。また、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、及び組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。特に、本発明の一態様は、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、及びそれらの作製方法に関する。特に、エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence、以下ELとも記す)現象を利用した発光装置、表示装置、電子機器、及びそれらの作製方法に関する。 The present invention relates to an object, a method, and a manufacturing method. The present invention also relates to a process, a machine, a manufacture, and a composition (composition of matter). In particular, one embodiment of the present invention relates to a semiconductor device, a light-emitting device, a display device, an electronic device, and a manufacturing method thereof. In particular, the present invention relates to a light-emitting device, a display device, an electronic device, and methods for manufacturing the light-emitting device using an electroluminescence (hereinafter also referred to as EL) phenomenon.

近年、発光装置や表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が求められている。 In recent years, light emitting devices and display devices are expected to be applied to various uses, and diversification is required.

例えば、携帯機器用途等の発光装置や表示装置では、薄型であること、軽量であること、又は破損しにくいこと等が求められている。 For example, light-emitting devices and display devices for portable device applications are required to be thin, lightweight, or difficult to break.

EL現象を利用した発光素子(EL素子とも記す)は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、発光装置や表示装置への応用が検討されている。 Light-emitting elements that use the EL phenomenon (also referred to as EL elements) have features such as being easy to reduce the thickness and weight, being able to respond to input signals at high speed, and being able to be driven using a DC low-voltage power supply. However, application to light emitting devices and display devices is being studied.

例えば、特許文献1に、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有機EL素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses a flexible active matrix light-emitting device including a transistor as a switching element and an organic EL element on a film substrate.

特開2003−174153号公報JP 2003-174153 A

フレキシブルな発光装置を高温環境下や高湿環境下で保持すると、一部の領域が非発光になるなどの表示不良が生じることがある。 When a flexible light-emitting device is held in a high-temperature environment or a high-humidity environment, display defects such as non-light emission in some areas may occur.

本発明の一態様は、新規な発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、軽量な発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、信頼性が高い発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、破損しにくい発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、厚さが薄い発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、光取り出し効率の高い発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、輝度の高い発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、消費電力の低い発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することを目的の一とする。 An object of one embodiment of the present invention is to provide a novel light-emitting device, display device, or electronic device. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting device, a display device, or an electronic device that is lightweight. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting device, a display device, or an electronic device with high reliability. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting device, a display device, or an electronic device which is not easily damaged. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting device, a display device, or an electronic device with a small thickness. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting device, a display device, or an electronic device with high light extraction efficiency. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting device, a display device, or an electronic device with high luminance. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting device, a display device, or an electronic device with low power consumption.

または、本発明の一態様は、高温高湿環境下に保持しても表示不良が生じにくい発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することを目的の一とする。 Another object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting device, a display device, or an electronic device in which display defects are unlikely to occur even when kept in a high-temperature and high-humidity environment.

なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。 Note that one embodiment of the present invention does not have to solve all of these problems.

本発明の一態様は、第1の可撓性基板と、第1の可撓性基板上のトランジスタと、トランジスタ上の有機絶縁層と、トランジスタと電気的に接続する、有機絶縁層上の発光素子と、発光素子上の第2の可撓性基板と、発光素子及び第2の可撓性基板の間の着色層と、を有し、着色層は発光素子と重なり、有機絶縁層及び着色層は、同一の主成分を含む発光装置である。 One embodiment of the present invention includes a first flexible substrate, a transistor over the first flexible substrate, an organic insulating layer over the transistor, and light emission over the organic insulating layer that is electrically connected to the transistor. An element, a second flexible substrate over the light-emitting element, and a colored layer between the light-emitting element and the second flexible substrate, the colored layer overlapping the light-emitting element, the organic insulating layer, and the colored layer The layer is a light emitting device including the same main component.

または、本発明の一態様は、第1の可撓性基板と、第1の可撓性基板上のトランジスタと、トランジスタ上の有機絶縁層と、トランジスタと電気的に接続する、有機絶縁層上の発光素子と、発光素子上の第2の可撓性基板と、発光素子及び第2の可撓性基板の間の着色層及び遮光層と、を有し、着色層は発光素子と重なり、有機絶縁層、着色層、及び遮光層は、同一の主成分を含む発光装置である。 Alternatively, according to one embodiment of the present invention, the first flexible substrate, the transistor over the first flexible substrate, the organic insulating layer over the transistor, and the organic insulating layer electrically connected to the transistor are provided. A light emitting element, a second flexible substrate over the light emitting element, a colored layer and a light shielding layer between the light emitting element and the second flexible substrate, the colored layer overlapping the light emitting element, The organic insulating layer, the colored layer, and the light shielding layer are light emitting devices including the same main component.

上記各構成の発光装置において、遮光層と重なる絶縁層を有し、発光素子は、上部電極と下部電極との間に発光性の有機化合物を含む層を有し、該絶縁層は、下部電極の端部を覆うことが好ましい。 In the light-emitting device having the above structure, the light-emitting element includes an insulating layer that overlaps with the light-shielding layer, and the light-emitting element includes a layer containing a light-emitting organic compound between the upper electrode and the lower electrode. It is preferable to cover the end of the.

または、本発明の一態様は、第1の可撓性基板と、第1の可撓性基板上の第1の接着層と、第1の接着層上の第1の絶縁層と、第1の絶縁層上のトランジスタと、トランジスタ上の有機絶縁層と、トランジスタと電気的に接続する、有機絶縁層上の下部電極と、下部電極の端部を覆う第2の絶縁層と、下部電極及び第2の絶縁層上の発光性の有機化合物を含む層と、発光性の有機化合物を含む層上の上部電極と、上部電極上の第2の接着層と、第2の接着層上の着色層と、着色層上の第3の絶縁層と、第3の絶縁層上の第3の接着層と、第3の接着層上の第2の可撓性基板と、を有し、着色層は下部電極と重なり、有機絶縁層及び着色層は、同一の主成分を含む発光装置である。さらに、第2の接着層及び第3の絶縁層の間に、第2の絶縁層と重なる遮光層を有し、有機絶縁層、着色層、及び遮光層は、同一の主成分を含むことが好ましい。 Alternatively, according to one embodiment of the present invention, the first flexible substrate, the first adhesive layer over the first flexible substrate, the first insulating layer over the first adhesive layer, and the first A transistor on the insulating layer, an organic insulating layer on the transistor, a lower electrode on the organic insulating layer electrically connected to the transistor, a second insulating layer covering an end of the lower electrode, a lower electrode, and A layer containing a light-emitting organic compound on the second insulating layer, a top electrode on the layer containing the light-emitting organic compound, a second adhesive layer on the upper electrode, and a color on the second adhesive layer A colored layer, a third insulating layer on the colored layer, a third adhesive layer on the third insulating layer, and a second flexible substrate on the third adhesive layer. Is a light-emitting device that overlaps with the lower electrode, and the organic insulating layer and the colored layer contain the same main component. Further, a light-blocking layer that overlaps with the second insulating layer is provided between the second adhesive layer and the third insulating layer, and the organic insulating layer, the colored layer, and the light-blocking layer include the same main component. preferable.

上記各構成の発光装置において、同一の主成分がアクリル樹脂であることが好ましい。 In the light emitting devices having the above-described configurations, the same main component is preferably an acrylic resin.

また、上記各構成の発光装置を用いた電子機器も本発明の一態様である。 An electronic device using the light-emitting device having any of the above structures is also one embodiment of the present invention.

なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた表示装置を含む。また、発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は発光素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さらに、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。 Note that a light-emitting device in this specification includes a display device using a light-emitting element. Further, a connector, for example, an anisotropic conductive film or a TCP (Tape Carrier Package) is attached to the light emitting element, a module in which a printed wiring board is provided at the end of the TCP, or a COG (Chip On Glass) to the light emitting element. It is assumed that the light emitting device also includes all modules on which IC (integrated circuit) is directly mounted by the method. Furthermore, a light emitting device used for a lighting fixture or the like is also included.

本発明の一態様では、新規な発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することができる。または、本発明の一態様では、軽量な発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することができる。または、本発明の一態様では、信頼性が高い発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することができる。または、本発明の一態様では、破損しにくい発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することができる。または、本発明の一態様では、厚さが薄い発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することができる。または、本発明の一態様では、光取り出し効率が高い発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することができる。または、本発明の一態様では、輝度の高い発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することができる。または、本発明の一態様では、消費電力の低い発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することができる。 In one embodiment of the present invention, a novel light-emitting device, display device, or electronic device can be provided. Alternatively, in one embodiment of the present invention, a light-emitting device, a display device, or an electronic device can be provided. Alternatively, according to one embodiment of the present invention, a highly reliable light-emitting device, display device, or electronic device can be provided. Alternatively, in one embodiment of the present invention, a light-emitting device, a display device, or an electronic device that is not easily damaged can be provided. Alternatively, in one embodiment of the present invention, a light-emitting device, a display device, or an electronic device with a small thickness can be provided. Alternatively, in one embodiment of the present invention, a light-emitting device, a display device, or an electronic device with high light extraction efficiency can be provided. Alternatively, in one embodiment of the present invention, a light-emitting device, a display device, or an electronic device with high luminance can be provided. Alternatively, in one embodiment of the present invention, a light-emitting device, a display device, or an electronic device with low power consumption can be provided.

または、本発明の一態様では、高温高湿環境下に保持しても表示不良が生じにくい発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することができる。 Alternatively, according to one embodiment of the present invention, a light-emitting device, a display device, or an electronic device in which display defects are unlikely to occur even when kept in a high-temperature and high-humidity environment can be provided.

発光装置の一例を示す図。FIG. 6 illustrates an example of a light-emitting device. 発光装置の一例を示す図。FIG. 6 illustrates an example of a light-emitting device. 発光装置の一例を示す図。FIG. 6 illustrates an example of a light-emitting device. 発光装置の作製方法の一例を示す図。4A and 4B illustrate an example of a method for manufacturing a light-emitting device. 発光装置の作製方法の一例を示す図。4A and 4B illustrate an example of a method for manufacturing a light-emitting device. 電子機器の一例を示す図。FIG. 14 illustrates an example of an electronic device. 電子機器の一例を示す図。FIG. 14 illustrates an example of an electronic device. 電子機器の一例を示す図。FIG. 14 illustrates an example of an electronic device. 電子機器の一例を示す図。FIG. 14 illustrates an example of an electronic device. 電子機器の一例を示す図。FIG. 14 illustrates an example of an electronic device. 実施例の発光装置を示す写真。The photograph which shows the light-emitting device of an Example. 発光装置の一例を示す図。FIG. 6 illustrates an example of a light-emitting device.

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Embodiments will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below.

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。 Note that in structures of the invention described below, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals in different drawings, and description thereof is not repeated. In addition, in the case where the same function is indicated, the hatch pattern is the same, and there is a case where no reference numeral is given.

また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。 In addition, the position, size, range, and the like of each component illustrated in the drawings and the like may not represent the actual position, size, range, or the like for easy understanding. Therefore, the disclosed invention is not necessarily limited to the position, size, range, or the like disclosed in the drawings and the like.

(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図1〜図5を用いて説明する。
(Embodiment 1)
In this embodiment, a light-emitting device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本発明の一態様の発光装置は、第1の可撓性基板と、第1の可撓性基板上のトランジスタと、トランジスタ上の有機絶縁層と、トランジスタと電気的に接続する、有機絶縁層上の発光素子と発光素子上の第2の可撓性基板と、発光素子と重なる、発光素子及び第2の可撓性基板の間の着色層と、を有する。該有機絶縁層及び該着色層は、主成分として同一の材料を含む。 A light-emitting device of one embodiment of the present invention includes a first flexible substrate, a transistor over the first flexible substrate, an organic insulating layer over the transistor, and an organic insulating layer electrically connected to the transistor The light-emitting element and the second flexible substrate over the light-emitting element, and the colored layer between the light-emitting element and the second flexible substrate, which overlaps with the light-emitting element. The organic insulating layer and the colored layer contain the same material as the main component.

本発明の一態様の発光装置は、発光素子を基準にして第1の可撓性基板側に有機絶縁層を有し、第2の可撓性基板側に着色層を有する。このとき、有機絶縁層と着色層を構成する主成分が異なると、発光装置を折り曲げる、又は発光装置を高温環境下や高湿環境下で保持することで、発光装置を構成する層に膜割れやひび(クラックとも記す)が発生し、表示不良が生じやすい。そこで、本発明の一態様の発光装置では、有機絶縁層と着色層が同一の主成分を含む。これにより、有機絶縁層と着色層で膨潤度の差や熱膨張率の差が小さくなり、発光装置の折り曲げや、高温高湿環境下での保持によって、発光装置内(特に発光領域内)にクラックが発生することを抑制できる。したがって、表示不良が少なく、信頼性の高い発光装置を実現できる。 The light-emitting device of one embodiment of the present invention includes an organic insulating layer on the first flexible substrate side and a coloring layer on the second flexible substrate side with respect to the light-emitting element. At this time, if the main components constituting the organic insulating layer and the colored layer are different, the light-emitting device is bent, or the light-emitting device is held in a high-temperature environment or a high-humidity environment, so that the layer constituting the light-emitting device is broken Display cracks (also referred to as cracks) are likely to cause display defects. Therefore, in the light-emitting device of one embodiment of the present invention, the organic insulating layer and the colored layer include the same main component. As a result, the difference in the degree of swelling and the difference in thermal expansion coefficient between the organic insulating layer and the colored layer are reduced. By folding the light emitting device or holding it in a high temperature and high humidity environment, the light emitting device (especially in the light emitting region) The occurrence of cracks can be suppressed. Therefore, a highly reliable light-emitting device with few display defects can be realized.

また、本発明の一態様の発光装置は、発光素子を基準にして第1の可撓性基板側に有機絶縁層を有し、第2の可撓性基板側に着色層及び遮光層を有する。着色層及び遮光層は同一平面上に位置していてもよい。このとき、有機絶縁層、着色層、及び遮光層が同一の主成分を含むことが好ましい。これにより、有機絶縁層、着色層、及び遮光層で膨潤度の差や熱膨張率の差が小さくなり、発光装置の折り曲げや、高温高湿環境下での保持によって、発光装置内にクラックが発生することを抑制できる。したがって、表示不良が少なく、信頼性の高い発光装置を実現できる。 In addition, the light-emitting device of one embodiment of the present invention includes an organic insulating layer on the first flexible substrate side and a coloring layer and a light-blocking layer on the second flexible substrate side with respect to the light-emitting element. . The colored layer and the light shielding layer may be located on the same plane. At this time, it is preferable that the organic insulating layer, the colored layer, and the light shielding layer contain the same main component. As a result, the difference in the degree of swelling and the difference in coefficient of thermal expansion between the organic insulating layer, the colored layer, and the light-shielding layer are reduced, and cracks are generated in the light-emitting device by bending the light-emitting device or holding it in a high-temperature and high-humidity environment. Occurrence can be suppressed. Therefore, a highly reliable light-emitting device with few display defects can be realized.

例えば、有機絶縁層の主成分及び着色層の主成分、さらには遮光層の主成分にアクリル樹脂を用いることが好ましい。 For example, it is preferable to use an acrylic resin as the main component of the organic insulating layer, the main component of the colored layer, and the main component of the light shielding layer.

そのほか有機絶縁層、着色層、及び遮光層が主成分として含む材料には、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料が挙げられる。 In addition, examples of materials that the organic insulating layer, the colored layer, and the light shielding layer include as main components include organic materials such as polyimide resin, polyamide resin, siloxane resin, epoxy resin, phenol resin, and benzocyclobutene resin.

なお、有機絶縁層、着色層、又は遮光層における主成分とは、その層を構成している材料のうちの主なものを指し、好ましくはその層に最も多く含まれている材料を指す。例えば、層に最も多く含まれる有機樹脂は、その層の主成分の一つである。または、顔料や染料を除く材料のうち、層に最も多く含まれている材料は、その層の主成分の一つである。 Note that the main component in the organic insulating layer, the colored layer, or the light-shielding layer refers to a main material constituting the layer, and preferably refers to a material that is contained most in the layer. For example, the organic resin most contained in the layer is one of the main components of the layer. Alternatively, among materials excluding pigments and dyes, the material most contained in the layer is one of the main components of the layer.

<具体例1>
図1(A)に本発明の一態様の発光装置の平面図を示し、図1(A)における一点鎖線A1−A2間の断面図の一例を図1(B)に示す。
<Specific example 1>
FIG. 1A is a plan view of a light-emitting device of one embodiment of the present invention, and FIG. 1B illustrates an example of a cross-sectional view taken along the dashed-dotted line A1-A2 in FIG.

図1(B)に示す発光装置は、可撓性基板201、接着層203、絶縁層205、複数のトランジスタ、導電層157、絶縁層207、有機絶縁層209、複数の発光素子、絶縁層211、接着層213、オーバーコート261、着色層259、遮光層257、絶縁層255、接着層105、及び可撓性基板103を有する。 A light-emitting device illustrated in FIG. 1B includes a flexible substrate 201, an adhesive layer 203, an insulating layer 205, a plurality of transistors, a conductive layer 157, an insulating layer 207, an organic insulating layer 209, a plurality of light-emitting elements, and an insulating layer 211. , An adhesive layer 213, an overcoat 261, a colored layer 259, a light shielding layer 257, an insulating layer 255, an adhesive layer 105, and a flexible substrate 103.

導電層157は、接続体215を介してFPC108と電気的に接続する。なお、図1(B)ではFPC108が可撓性基板103と重なる例を示したが、これに限られない。例えば、図12(A)に示すように、可撓性基板201よりも面積の小さい可撓性基板103を用いる場合、可撓性基板201と可撓性基板103が重ならない領域に、FPC108を設けてもよい(つまり、可撓性基板103と接続体215は重ならなくてもよい)。 The conductive layer 157 is electrically connected to the FPC 108 through the connection body 215. Note that FIG. 1B illustrates an example in which the FPC 108 overlaps the flexible substrate 103; however, the present invention is not limited to this. For example, as illustrated in FIG. 12A, in the case where a flexible substrate 103 having a smaller area than the flexible substrate 201 is used, the FPC 108 is placed in a region where the flexible substrate 201 and the flexible substrate 103 do not overlap with each other. They may be provided (that is, the flexible substrate 103 and the connection body 215 do not need to overlap).

発光素子230は、下部電極231、EL層233、及び上部電極235を有する。下部電極231は、トランジスタ240のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極231の端部は、絶縁層211で覆われている。発光素子230はトップエミッション構造である。上部電極235は透光性を有し、EL層233が発する光を透過する。 The light emitting element 230 includes a lower electrode 231, an EL layer 233, and an upper electrode 235. The lower electrode 231 is electrically connected to the source electrode or the drain electrode of the transistor 240. An end portion of the lower electrode 231 is covered with an insulating layer 211. The light emitting element 230 has a top emission structure. The upper electrode 235 has a light-transmitting property and transmits light emitted from the EL layer 233.

発光素子230と重なる位置に、着色層259が設けられ、絶縁層211と重なる位置に遮光層257が設けられている。着色層259及び遮光層257はオーバーコート261で覆われている。発光素子230とオーバーコート261の間は接着層213で充填されている。 A colored layer 259 is provided at a position overlapping with the light emitting element 230, and a light shielding layer 257 is provided at a position overlapping with the insulating layer 211. The colored layer 259 and the light shielding layer 257 are covered with an overcoat 261. A space between the light emitting element 230 and the overcoat 261 is filled with an adhesive layer 213.

発光装置は、光取り出し部104及び駆動回路部106に、トランジスタ240等の複数のトランジスタを有する。トランジスタ240は、絶縁層205上に設けられている。絶縁層205と可撓性基板201は接着層203によって貼り合わされている。また、絶縁層255と可撓性基板103は接着層105によって貼り合わされている。絶縁層205や絶縁層255に透水性の低い膜を用いると、発光素子230やトランジスタ240に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。 The light-emitting device includes a plurality of transistors such as the transistor 240 in the light extraction unit 104 and the drive circuit unit 106. The transistor 240 is provided over the insulating layer 205. The insulating layer 205 and the flexible substrate 201 are attached to each other with an adhesive layer 203. The insulating layer 255 and the flexible substrate 103 are attached to each other with the adhesive layer 105. It is preferable to use a film with low water permeability for the insulating layer 205 and the insulating layer 255 because impurities such as water can be prevented from entering the light-emitting element 230 and the transistor 240 and reliability of the light-emitting device can be increased.

具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層205やトランジスタ240、発光素子230を作製し、該作製基板を剥離し、接着層203を用いて可撓性基板201上に絶縁層205やトランジスタ240、発光素子230を転置することで作製できる発光装置を示している。また、具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層255、着色層259及び遮光層257を作製し、該作製基板を剥離し、接着層105を用いて可撓性基板103上に絶縁層255、着色層259及び遮光層257を転置することで作製できる発光装置を示している。 In Specific Example 1, the insulating layer 205, the transistor 240, and the light-emitting element 230 are manufactured over a manufacturing substrate with high heat resistance, the manufacturing substrate is peeled off, and the insulating layer 205 is formed over the flexible substrate 201 with the use of the adhesive layer 203. In addition, a light-emitting device that can be manufactured by transposing the transistor 240 and the light-emitting element 230 is illustrated. In Specific Example 1, the insulating layer 255, the colored layer 259, and the light-shielding layer 257 are formed over a manufacturing substrate with high heat resistance, the manufacturing substrate is peeled off, and the adhesive layer 105 is used to form the insulating substrate 255 on the flexible substrate 103. A light-emitting device that can be manufactured by transferring an insulating layer 255, a colored layer 259, and a light-blocking layer 257 is shown.

基板に、耐熱性が低い材料(樹脂など)を用いる場合、作製工程で基板に高温をかけることが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制限がある。また、発光装置の基板に透水性が高い材料(樹脂など)を用いる場合、基板と発光素子の間に、高温をかけて、透水性の低い膜を形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い絶縁膜を形成することができる。そして、それらを耐熱性の低い基板へと転置することで、信頼性の高い発光装置を作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光装置を実現できる。作製方法の詳細は後述する。 In the case where a material with low heat resistance (such as a resin) is used for the substrate, it is difficult to apply a high temperature to the substrate in the manufacturing process, and thus there are limitations on conditions for forming a transistor or an insulating film over the substrate. In the case where a material with high water permeability (such as a resin) is used for the substrate of the light-emitting device, it is preferable to form a film with low water permeability by applying high temperature between the substrate and the light-emitting element. In the manufacturing method of this embodiment, a transistor or the like can be manufactured over a manufacturing substrate with high heat resistance, so that a highly reliable transistor or an insulating film with sufficiently low water permeability can be formed at high temperatures. . Then, by transferring them to a substrate with low heat resistance, a highly reliable light-emitting device can be manufactured. Accordingly, in one embodiment of the present invention, a light-emitting device that is lightweight or thin and has high reliability can be realized. Details of the manufacturing method will be described later.

可撓性基板103及び可撓性基板201には、それぞれ、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい発光装置を実現できる。例えば、可撓性基板103を有機樹脂基板とし、可撓性基板201を厚さの薄い金属材料や合金材料を用いた基板とすることで、基板にガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光装置を実現できる。 For the flexible substrate 103 and the flexible substrate 201, it is preferable to use materials having high toughness. Thereby, it is possible to realize a light emitting device that is excellent in impact resistance and is not easily damaged. For example, when the flexible substrate 103 is an organic resin substrate and the flexible substrate 201 is a substrate using a thin metal material or alloy material, the weight can be reduced as compared with a case where a glass substrate is used as the substrate. And a light-emitting device that is not easily damaged can be realized.

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光装置の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基板の厚さは、10μm以上200μm以下が好ましく、20μm以上50μm以下であることがより好ましい。 Metal materials and alloy materials are preferable because they have high thermal conductivity and can easily conduct heat to the entire substrate, which can suppress a local temperature increase of the light-emitting device. The thickness of the substrate using a metal material or an alloy material is preferably 10 μm to 200 μm, and more preferably 20 μm to 50 μm.

また、可撓性基板201に、熱放射率が高い材料を用いると発光装置の表面温度が高くなることを抑制でき、発光装置の破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、可撓性基板201を金属基板と熱放射率の高い層(例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる)の積層構造としてもよい。 In addition, when a material having a high thermal emissivity is used for the flexible substrate 201, an increase in the surface temperature of the light-emitting device can be suppressed, and the light-emitting device can be prevented from being broken or reduced in reliability. For example, the flexible substrate 201 may have a stacked structure of a metal substrate and a layer with high thermal emissivity (for example, a metal oxide or a ceramic material can be used).

具体例1では、着色層259、遮光層257、及び有機絶縁層209が、同一の主成分を含むものとする。これにより、有機絶縁層209、着色層259、及び遮光層257で膨潤度の差や熱膨張率の差が小さくなり、発光装置の折り曲げや、高温高湿環境下での保持によって、発光装置内にクラックが発生することを抑制できる。したがって、表示不良が少なく、信頼性の高い発光装置を実現できる。 In the specific example 1, the colored layer 259, the light shielding layer 257, and the organic insulating layer 209 include the same main component. Accordingly, the difference in the degree of swelling and the difference in the coefficient of thermal expansion are reduced in the organic insulating layer 209, the colored layer 259, and the light shielding layer 257, and the light emitting device is bent or held in a high temperature and high humidity environment. It is possible to suppress cracks from occurring. Therefore, a highly reliable light-emitting device with few display defects can be realized.

さらに、有機材料を用いて絶縁層211を形成する場合、絶縁層211にも、着色層259、遮光層257、及び有機絶縁層209と同一の主成分を含むことが好ましい。特に、絶縁層211の膜厚が有機絶縁層209の膜厚以上であるときは、絶縁層211及び有機絶縁層209が同一の主成分を含むことが好ましい。これにより、発光装置の折り曲げや、高温高湿環境下での保持によって、発光装置内にクラックが発生することをさらに抑制できる。ただし、有機絶縁層209や着色層259が同一の主成分を含み、絶縁層211が該同一の主成分を含まない構成も本発明の一態様である。 Further, in the case where the insulating layer 211 is formed using an organic material, the insulating layer 211 preferably includes the same main components as the colored layer 259, the light-blocking layer 257, and the organic insulating layer 209. In particular, when the thickness of the insulating layer 211 is greater than or equal to the thickness of the organic insulating layer 209, the insulating layer 211 and the organic insulating layer 209 preferably include the same main component. Thereby, it can further suppress that a crack generate | occur | produces in a light-emitting device by bending of a light-emitting device or holding | maintenance in a high-temperature, high-humidity environment. Note that a structure in which the organic insulating layer 209 and the coloring layer 259 include the same main component and the insulating layer 211 does not include the same main component is also an embodiment of the present invention.

<具体例2>
図2(A)に発光装置における光取り出し部104の別の例を示す。図2(A)の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置である。なお、以下の各具体例では、具体例1と同様の構成については説明を省略する。
<Specific example 2>
FIG. 2A illustrates another example of the light extraction portion 104 in the light-emitting device. The light-emitting device in FIG. 2A is a light-emitting device capable of touch operation. In each of the following specific examples, the description of the same configuration as in specific example 1 is omitted.

図2(A)に示す発光装置は、可撓性基板201、接着層203、絶縁層205、複数のトランジスタ、絶縁層207、有機絶縁層209、複数の発光素子、絶縁層211、絶縁層217、接着層213、オーバーコート261、着色層259、遮光層257、複数の受光素子、導電層281、導電層283、絶縁層291、絶縁層293、絶縁層295、絶縁層255、接着層105、及び可撓性基板103を有する。 2A includes a flexible substrate 201, an adhesive layer 203, an insulating layer 205, a plurality of transistors, an insulating layer 207, an organic insulating layer 209, a plurality of light-emitting elements, an insulating layer 211, and an insulating layer 217. , Adhesive layer 213, overcoat 261, colored layer 259, light shielding layer 257, multiple light receiving elements, conductive layer 281, conductive layer 283, insulating layer 291, insulating layer 293, insulating layer 295, insulating layer 255, adhesive layer 105, And a flexible substrate 103.

具体例2では、絶縁層211上に絶縁層217を有する。絶縁層217を設けることで、可撓性基板103と可撓性基板201の間隔を調整することができる。 In Specific Example 2, the insulating layer 217 is provided over the insulating layer 211. By providing the insulating layer 217, the distance between the flexible substrate 103 and the flexible substrate 201 can be adjusted.

有機材料を用いて絶縁層217を形成する場合、絶縁層217にも、着色層259、遮光層257、及び有機絶縁層209と同一の主成分を含むことが好ましい。特に、絶縁層217の膜厚が有機絶縁層209の膜厚以上であるときは、絶縁層217及び有機絶縁層209が同一の主成分を含むことが好ましい。これにより、発光装置の折り曲げや、高温高湿環境下での保持によって、発光装置内にクラックが発生することをさらに抑制できる。ただし、有機絶縁層209や着色層259が同一の主成分を含み、絶縁層217が該同一の主成分を含まない構成も本発明の一態様である。 In the case where the insulating layer 217 is formed using an organic material, the insulating layer 217 preferably includes the same main components as the colored layer 259, the light-blocking layer 257, and the organic insulating layer 209. In particular, when the thickness of the insulating layer 217 is greater than or equal to the thickness of the organic insulating layer 209, the insulating layer 217 and the organic insulating layer 209 preferably include the same main component. Thereby, it can further suppress that a crack generate | occur | produces in a light-emitting device by bending of a light-emitting device or holding | maintenance in a high-temperature, high-humidity environment. Note that a structure in which the organic insulating layer 209 and the coloring layer 259 include the same main component and the insulating layer 217 does not include the same main component is also an embodiment of the present invention.

図2(A)では、絶縁層255及び接着層213の間に受光素子を有する例を示す。発光装置の非発光領域(例えば、トランジスタや配線が設けられた領域など、発光素子が設けられていない領域)に重ねて受光素子を配置することができるため、画素(発光素子)の開口率を低下させることなく発光装置にタッチセンサを設けることができる。 FIG. 2A illustrates an example in which a light-receiving element is provided between the insulating layer 255 and the adhesive layer 213. Since a light receiving element can be placed over a non-light emitting region of a light emitting device (for example, a region where a light emitting element is not provided, such as a region where a transistor or a wiring is provided), an aperture ratio of a pixel (light emitting element) is reduced. A touch sensor can be provided in the light emitting device without being lowered.

発光装置が有する受光素子には、例えば、pn型又はpin型のフォトダイオードを用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、p型半導体層271、i型半導体層273、及びn型半導体層275を有するpin型のフォトダイオードを用いる。 As the light receiving element included in the light emitting device, for example, a pn type or pin type photodiode can be used. In this embodiment, a pin photodiode including a p-type semiconductor layer 271, an i-type semiconductor layer 273, and an n-type semiconductor layer 275 is used as a light receiving element.

なお、i型半導体層273は、含まれるp型を付与する不純物及びn型を付与する不純物がそれぞれ1×1020cm−3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100倍以上である。i型半導体層273には、周期表第13族もしくは第15族の不純物元素を有するものもその範疇に含む。すなわち、i型の半導体は、価電子制御を目的とした不純物元素を意図的に添加しないときに弱いn型の電気伝導性を示すので、i型半導体層273は、p型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的もしくは非意図的に添加されたものをその範疇に含む。 Note that in the i-type semiconductor layer 273, the impurity imparting p-type and the impurity imparting n-type contained are each at a concentration of 1 × 10 20 cm −3 or less, and the photoconductivity is 100 with respect to the dark conductivity. It is more than double. The i-type semiconductor layer 273 includes those having an impurity element belonging to Group 13 or Group 15 of the periodic table. That is, since an i-type semiconductor exhibits weak n-type conductivity when an impurity element for the purpose of controlling valence electrons is not intentionally added, the i-type semiconductor layer 273 has an impurity element imparting p-type conductivity. In the category includes those intentionally or unintentionally added during or after film formation.

遮光層257は、受光素子よりも可撓性基板201側に位置しており、受光素子と重なる。受光素子と接着層213との間に位置する遮光層257によって、発光素子230の発する光が受光素子に照射されることを抑制できる。 The light shielding layer 257 is located closer to the flexible substrate 201 than the light receiving element, and overlaps the light receiving element. The light shielding layer 257 positioned between the light receiving element and the adhesive layer 213 can suppress the light emitted from the light emitting element 230 from being applied to the light receiving element.

導電層281及び導電層283は、それぞれ受光素子と電気的に接続する。導電層281は、受光素子に入射する光を透過する導電層を用いることが好ましい。導電層283は、受光素子に入射する光を遮る導電層を用いることが好ましい。 The conductive layer 281 and the conductive layer 283 are electrically connected to the light receiving element, respectively. As the conductive layer 281, a conductive layer that transmits light incident on the light receiving element is preferably used. As the conductive layer 283, a conductive layer that blocks light incident on the light receiving element is preferably used.

光学式タッチセンサを可撓性基板103と接着層213の間に有すると、発光素子230の発光の影響を受けにくく、S/N比を向上させることができるため、好ましい。 It is preferable that the optical touch sensor be provided between the flexible substrate 103 and the adhesive layer 213 because the optical touch sensor is hardly affected by light emission of the light-emitting element 230 and can improve the S / N ratio.

具体例2では、着色層259、遮光層257、及び有機絶縁層209が、同一の主成分を含むものとする。これにより、有機絶縁層209、着色層259、及び遮光層257で膨潤度の差や熱膨張率の差が小さくなり、発光装置の折り曲げや、高温高湿環境下での保持によって、発光装置内にクラックが発生することを抑制できる。したがって、表示不良が少なく、信頼性の高い発光装置を実現できる。 In the specific example 2, the colored layer 259, the light shielding layer 257, and the organic insulating layer 209 include the same main component. Accordingly, the difference in the degree of swelling and the difference in the coefficient of thermal expansion are reduced in the organic insulating layer 209, the colored layer 259, and the light shielding layer 257, and the light emitting device is bent or held in a high temperature and high humidity environment. It is possible to suppress cracks from occurring. Therefore, a highly reliable light-emitting device with few display defects can be realized.

具体例2において、絶縁層291、絶縁層293又は絶縁層295として有機絶縁層を適用する場合は、絶縁層291、絶縁層293又は絶縁層295が、着色層259、遮光層257、及び有機絶縁層209と同一の主成分を含むことが好ましい。これにより、発光装置を構成する有機絶縁層において膨潤度の差や熱膨張率の差が小さくできる。 In Example 2, when an organic insulating layer is used as the insulating layer 291, the insulating layer 293, or the insulating layer 295, the insulating layer 291, the insulating layer 293, or the insulating layer 295 includes the colored layer 259, the light-blocking layer 257, and the organic insulating layer. It is preferable that the same main component as the layer 209 is included. Thereby, in the organic insulating layer which comprises a light-emitting device, the difference in a swelling degree and the difference in a thermal expansion coefficient can be made small.

<具体例3>
図2(B)に発光装置における光取り出し部104の別の例を示す。図2(B)の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置である。
<Specific example 3>
FIG. 2B illustrates another example of the light extraction portion 104 in the light-emitting device. The light-emitting device in FIG. 2B is a light-emitting device capable of touch operation.

図2(B)に示す発光装置は、可撓性基板201、接着層203、絶縁層205、複数のトランジスタ、絶縁層207、有機絶縁層209a、有機絶縁層209b、複数の発光素子、絶縁層211、絶縁層217、接着層213、着色層259、遮光層257、複数の受光素子、導電層280、導電層281、絶縁層255、接着層105、及び可撓性基板103を有する。 2B includes a flexible substrate 201, an adhesive layer 203, an insulating layer 205, a plurality of transistors, an insulating layer 207, an organic insulating layer 209a, an organic insulating layer 209b, a plurality of light-emitting elements, and an insulating layer. 211, an insulating layer 217, an adhesive layer 213, a colored layer 259, a light shielding layer 257, a plurality of light receiving elements, a conductive layer 280, a conductive layer 281, an insulating layer 255, an adhesive layer 105, and the flexible substrate 103.

図2(B)では、絶縁層205及び接着層213の間に受光素子を有する例を示す。受光素子を絶縁層205及び接着層213の間に設けることで、トランジスタ240を構成する導電層や半導体層と同一の材料、同一の工程で、受光素子と電気的に接続する導電層や受光素子を構成する光電変換層を作製できる。したがって、作製工程を大きく増加させることなく、タッチ操作が可能な発光装置を作製できる。 FIG. 2B illustrates an example in which a light receiving element is provided between the insulating layer 205 and the adhesive layer 213. By providing the light receiving element between the insulating layer 205 and the adhesive layer 213, the conductive layer and the light receiving element which are electrically connected to the light receiving element in the same material and in the same process as the conductive layer and the semiconductor layer included in the transistor 240. Can be produced. Therefore, a light-emitting device capable of a touch operation can be manufactured without greatly increasing manufacturing steps.

具体例3では、着色層259、遮光層257、有機絶縁層209a、及び有機絶縁層209bが、同一の主成分を含むものとする。これにより、有機絶縁層209a、有機絶縁層209b、着色層259、及び遮光層257で膨潤度の差や熱膨張率の差が小さくなり、発光装置の折り曲げや、高温高湿環境下での保持によって、発光装置内にクラックが発生することを抑制できる。したがって、表示不良が少なく、信頼性の高い発光装置を実現できる。 In the specific example 3, the colored layer 259, the light shielding layer 257, the organic insulating layer 209a, and the organic insulating layer 209b include the same main component. Accordingly, the difference in swelling degree and the difference in thermal expansion coefficient between the organic insulating layer 209a, the organic insulating layer 209b, the colored layer 259, and the light shielding layer 257 are reduced, and the light-emitting device is bent and held in a high-temperature and high-humidity environment. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the light emitting device. Therefore, a highly reliable light-emitting device with few display defects can be realized.

<具体例4>
図3(A)に発光装置の別の例を示す。図3(A)の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置である。
<Specific Example 4>
FIG. 3A illustrates another example of a light-emitting device. The light-emitting device in FIG. 3A is a light-emitting device capable of touch operation.

図3(A)に示す発光装置は、可撓性基板201、接着層203、絶縁層205、複数のトランジスタ、導電層156、導電層157、絶縁層207、有機絶縁層209、複数の発光素子、絶縁層211、絶縁層217、接着層213、着色層259、遮光層257、絶縁層255、導電層272、導電層274、絶縁層276、絶縁層278、導電層294、導電層296、接着層105、及び可撓性基板103を有する。 A light-emitting device illustrated in FIG. 3A includes a flexible substrate 201, an adhesive layer 203, an insulating layer 205, a plurality of transistors, a conductive layer 156, a conductive layer 157, an insulating layer 207, an organic insulating layer 209, and a plurality of light-emitting elements. , Insulating layer 211, insulating layer 217, adhesive layer 213, colored layer 259, light shielding layer 257, insulating layer 255, conductive layer 272, conductive layer 274, insulating layer 276, insulating layer 278, conductive layer 294, conductive layer 296, adhesive A layer 105 and a flexible substrate 103 are included.

図3(A)では、絶縁層255及び接着層213の間に静電容量式のタッチセンサを有する例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層272及び導電層274を有する。 FIG. 3A illustrates an example in which a capacitive touch sensor is provided between the insulating layer 255 and the adhesive layer 213. The capacitive touch sensor includes a conductive layer 272 and a conductive layer 274.

導電層156及び導電層157は、接続体215を介してFPC108と電気的に接続する。導電層294及び導電層296は、導電性粒子292を介して導電層274と電気的に接続する。したがって、FPC108を介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。 The conductive layer 156 and the conductive layer 157 are electrically connected to the FPC 108 through the connection body 215. The conductive layer 294 and the conductive layer 296 are electrically connected to the conductive layer 274 through the conductive particles 292. Therefore, the capacitive touch sensor can be driven via the FPC 108.

具体例4では、着色層259、遮光層257、及び有機絶縁層209が、同一の主成分を含むものとする。これにより、有機絶縁層209、着色層259、及び遮光層257で膨潤度の差や熱膨張率の差が小さくなり、発光装置の折り曲げや、高温高湿環境下での保持によって、発光装置内にクラックが発生することを抑制できる。したがって、表示不良が少なく、信頼性の高い発光装置を実現できる。 In the specific example 4, the colored layer 259, the light shielding layer 257, and the organic insulating layer 209 include the same main component. Accordingly, the difference in the degree of swelling and the difference in the coefficient of thermal expansion are reduced in the organic insulating layer 209, the colored layer 259, and the light shielding layer 257, and the light emitting device is bent or held in a high temperature and high humidity environment. It is possible to suppress cracks from occurring. Therefore, a highly reliable light-emitting device with few display defects can be realized.

具体例4において、絶縁層276や絶縁層278として有機絶縁層を適用する場合は、絶縁層276や絶縁層278が、着色層259、遮光層257、及び有機絶縁層209と同一の主成分を含むことが好ましい。これにより、発光装置を構成する有機絶縁層において膨潤度の差や熱膨張率の差が小さくできる。 In Example 4, when an organic insulating layer is used as the insulating layer 276 or the insulating layer 278, the insulating layer 276 or the insulating layer 278 has the same main components as the colored layer 259, the light-shielding layer 257, and the organic insulating layer 209. It is preferable to include. Thereby, in the organic insulating layer which comprises a light-emitting device, the difference in a swelling degree and the difference in a thermal expansion coefficient can be made small.

<具体例5>
図3(B)に発光装置の別の例を示す。図3(B)の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置である。
<Specific Example 5>
FIG. 3B illustrates another example of a light-emitting device. The light-emitting device in FIG. 3B is a light-emitting device capable of touch operation.

図3(B)に示す発光装置は、可撓性基板201、接着層203、絶縁層205、複数のトランジスタ、導電層156、導電層157、絶縁層207、有機絶縁層209、複数の発光素子、絶縁層211、絶縁層217、接着層213、着色層259、遮光層257、絶縁層255、導電層270、導電層272、導電層274、絶縁層276、絶縁層278、接着層105、及び可撓性基板103を有する。 3B includes a flexible substrate 201, an adhesive layer 203, an insulating layer 205, a plurality of transistors, a conductive layer 156, a conductive layer 157, an insulating layer 207, an organic insulating layer 209, and a plurality of light-emitting elements. , Insulating layer 211, insulating layer 217, adhesive layer 213, colored layer 259, light shielding layer 257, insulating layer 255, conductive layer 270, conductive layer 272, conductive layer 274, insulating layer 276, insulating layer 278, adhesive layer 105, and A flexible substrate 103 is included.

図3(B)では、絶縁層255及び接着層213の間に静電容量式のタッチセンサを有する例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層272及び導電層274を有する。なお、図12(B)に示すように、タッチセンサは、可撓性基板103上に設けてもよい。なお、図3(B)に示す構成と同様に、可撓性基板103と導電層272の間に、絶縁層255及び接着層105を有していてもよい。 FIG. 3B illustrates an example in which a capacitive touch sensor is provided between the insulating layer 255 and the adhesive layer 213. The capacitive touch sensor includes a conductive layer 272 and a conductive layer 274. Note that the touch sensor may be provided over the flexible substrate 103 as illustrated in FIG. Note that as in the structure illustrated in FIG. 3B, the insulating layer 255 and the adhesive layer 105 may be provided between the flexible substrate 103 and the conductive layer 272.

導電層156及び導電層157は、接続体215aを介してFPC108aと電気的に接続する。導電層270は、接続体215bを介してFPC108bと電気的に接続する。したがって、FPC108aを介して発光素子230やトランジスタ240を駆動し、FPC108bを介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。 The conductive layer 156 and the conductive layer 157 are electrically connected to the FPC 108a through the connection body 215a. The conductive layer 270 is electrically connected to the FPC 108b through the connection body 215b. Therefore, the light emitting element 230 and the transistor 240 can be driven through the FPC 108a, and the capacitive touch sensor can be driven through the FPC 108b.

絶縁層276、絶縁層278、着色層259、遮光層257、及び有機絶縁層209の好ましい構成は具体例4と同様である。 Preferred configurations of the insulating layer 276, the insulating layer 278, the coloring layer 259, the light-shielding layer 257, and the organic insulating layer 209 are the same as those in the specific example 4.

<材料の一例>
次に、発光装置に用いることができる材料等を説明する。なお、本実施の形態中で先に説明した構成については説明を省略する。
<Example of material>
Next, materials that can be used for the light-emitting device will be described. In addition, description is abbreviate | omitted about the structure demonstrated previously in this Embodiment.

[トランジスタ]
発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または、In−Ga−Zn系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
[Transistor]
There is no particular limitation on the structure of the transistor included in the light-emitting device. For example, a staggered transistor or an inverted staggered transistor may be used. Further, a top-gate or bottom-gate transistor structure may be employed. The semiconductor material used for the transistor is not particularly limited, and examples thereof include silicon and germanium. Alternatively, an oxide semiconductor containing at least one of indium, gallium, and zinc, such as an In—Ga—Zn-based metal oxide, may be used.

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。 There is no particular limitation on the crystallinity of a semiconductor material used for the transistor, and any of an amorphous semiconductor and a semiconductor having crystallinity (a microcrystalline semiconductor, a polycrystalline semiconductor, a single crystal semiconductor, or a semiconductor partially including a crystal region) is used. May be used. It is preferable to use a crystalline semiconductor because deterioration of transistor characteristics can be suppressed.

[発光素子]
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機EL素子、無機EL素子等を用いることができる。
[Light emitting element]
As the light-emitting element, an element capable of self-emission can be used, and an element whose luminance is controlled by current or voltage is included in its category. For example, a light emitting diode (LED), an organic EL element, an inorganic EL element, or the like can be used.

本実施の形態の発光装置が有する発光素子は、一対の電極(下部電極231及び上部電極235)と、該一対の電極間に設けられたEL層233とを有する。該一対の電極の一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。 The light-emitting element included in the light-emitting device of this embodiment includes a pair of electrodes (a lower electrode 231 and an upper electrode 235) and an EL layer 233 provided between the pair of electrodes. One of the pair of electrodes functions as an anode, and the other functions as a cathode.

本実施の形態の発光装置が有する発光素子は、トップエミッション構造である。光を取り出す側の電極である上部電極235には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極である下部電極231には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。なお、デュアルエミッション構造の発光素子を用いてもよい。 The light emitting element included in the light emitting device of this embodiment has a top emission structure. A conductive film that transmits visible light is used for the upper electrode 235 that is an electrode on the light extraction side. In addition, a conductive film that reflects visible light is preferably used for the lower electrode 231 that is an electrode on the side from which light is not extracted. Note that a light-emitting element having a dual emission structure may be used.

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。 The conductive film that transmits visible light can be formed using, for example, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide, zinc oxide, zinc oxide to which gallium is added, or the like. In addition, a metal material such as gold, silver, platinum, magnesium, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, palladium, or titanium, an alloy including these metal materials, or a nitride of these metal materials (for example, Titanium nitride) can also be used by forming it thin enough to have translucency. In addition, a stacked film of the above materials can be used as the conductive film. For example, it is preferable to use a laminated film of silver and magnesium alloy and ITO because the conductivity can be increased. Further, graphene or the like may be used.

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とITOの積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いることができる。 For the conductive film that reflects visible light, for example, a metal material such as aluminum, gold, platinum, silver, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, or palladium, or an alloy including these metal materials is used. Can do. In addition, lanthanum, neodymium, germanium, or the like may be added to the metal material or alloy. Also, alloys containing aluminum (aluminum alloys) such as aluminum and titanium alloys, aluminum and nickel alloys, aluminum and neodymium alloys, silver and copper alloys, silver and palladium and copper alloys, and silver and magnesium alloys It can form using the alloy containing silver, such as. An alloy containing silver and copper is preferable because of its high heat resistance. Furthermore, the oxidation of the aluminum alloy film can be suppressed by stacking the metal film or the metal oxide film in contact with the aluminum alloy film. Examples of the material for the metal film and metal oxide film include titanium and titanium oxide. Alternatively, the conductive film that transmits visible light and a film made of a metal material may be stacked. For example, a laminated film of silver and ITO, a laminated film of an alloy of silver and magnesium and ITO, or the like can be used.

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。 The electrodes may be formed using a vapor deposition method or a sputtering method, respectively. In addition, it can be formed using a discharge method such as an inkjet method, a printing method such as a screen printing method, or a plating method.

下部電極231及び上部電極235の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、EL層233に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はEL層233において再結合し、EL層233に含まれる発光物質が発光する。 When a voltage higher than the threshold voltage of the light emitting element is applied between the lower electrode 231 and the upper electrode 235, holes are injected into the EL layer 233 from the anode side and electrons are injected from the cathode side. The injected electrons and holes are recombined in the EL layer 233, and the light-emitting substance contained in the EL layer 233 emits light.

EL層233は少なくとも発光層を有する。EL層233は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質)等を含む層をさらに有していてもよい。 The EL layer 233 includes at least a light-emitting layer. The EL layer 233 is a layer other than the light-emitting layer and is a substance having a high hole-injecting property, a substance having a high hole-transporting property, a hole blocking material, a substance having a high electron-transporting property, a substance having a high electron-injecting property, or a bipolar property A layer containing a substance (a substance having a high electron transporting property and a high hole transporting property) or the like may be further included.

EL層233には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。EL層233を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。 Either a low molecular compound or a high molecular compound can be used for the EL layer 233, and an inorganic compound may be included. The layers forming the EL layer 233 can be formed by a method such as a vapor deposition method (including a vacuum vapor deposition method), a transfer method, a printing method, an ink jet method, or a coating method.

発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑制できる。 The light-emitting element is preferably provided between a pair of insulating films with low water permeability. Thereby, impurities such as water can be prevented from entering the light emitting element, and a decrease in reliability of the light emitting device can be suppressed.

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。 Examples of the low water-permeable insulating film include a film containing nitrogen and silicon such as a silicon nitride film and a silicon nitride oxide film, and a film containing nitrogen and aluminum such as an aluminum nitride film. Alternatively, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, or the like may be used.

例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、1×10−5[g/m・day]以下、好ましくは1×10−6[g/m・day]以下、より好ましくは1×10−7[g/m・day]以下、さらに好ましくは1×10−8[g/m・day]以下とする。 For example, the water vapor transmission rate of an insulating film having low water permeability is 1 × 10 −5 [g / m 2 · day] or less, preferably 1 × 10 −6 [g / m 2 · day] or less, more preferably 1 × 10 −7 [g / m 2 · day] or less, more preferably 1 × 10 −8 [g / m 2 · day] or less.

[可撓性基板]
可撓性基板には、可撓性を有する材料を用いる。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いることができる。さらに、発光装置における発光を取り出す側の基板(本実施の形態では可撓性基板103)には、可視光を透過する材料を用いる。可撓性基板が可視光を透過しなくてもよい場合(本実施の形態における可撓性基板201など)、金属基板等も用いることができる。
[Flexible substrate]
A flexible material is used for the flexible substrate. For example, an organic resin or glass having a thickness enough to be flexible can be used. Further, a material that transmits visible light is used for a substrate from which light emission is extracted in the light-emitting device (the flexible substrate 103 in this embodiment). In the case where the flexible substrate does not need to transmit visible light (such as the flexible substrate 201 in this embodiment), a metal substrate or the like can also be used.

可撓性基板103は透光性を有し、少なくとも発光素子の発する光を透過する。可撓性基板103は可撓性を有していてもよい。また、可撓性基板103の屈折率は、大気の屈折率よりも高い。 The flexible substrate 103 has a light-transmitting property and transmits at least light emitted from the light-emitting element. The flexible substrate 103 may have flexibility. Further, the refractive index of the flexible substrate 103 is higher than the refractive index of the atmosphere.

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板103として有機樹脂を用いると、ガラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。 Since the specific gravity of an organic resin is smaller than that of glass, it is preferable to use an organic resin as the flexible substrate 103 because the light emitting device can be reduced in weight compared to the case of using glass.

可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PET等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。 Examples of the material having flexibility and transparency to visible light include, for example, glass having a thickness having flexibility, polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), and polyacrylonitrile resin. , Polyimide resin, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate (PC) resin, polyethersulfone (PES) resin, polyamide resin, cycloolefin resin, polystyrene resin, polyamideimide resin, polyvinyl chloride resin and the like. In particular, it is preferable to use a material having a low coefficient of thermal expansion. For example, polyamideimide resin, polyimide resin, PET, or the like can be suitably used. Further, a substrate in which glass fiber is impregnated with an organic resin, or a substrate in which an inorganic filler is mixed with an organic resin to reduce the thermal expansion coefficient can be used.

可撓性及び透光性を有する材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物又は無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率又はヤング率の高い繊維のことをいい、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、又は炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Eガラス、Sガラス、Dガラス、Qガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布又は不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を可撓性基板として用いてもよい。可撓性基板として、繊維体と樹脂からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破壊に対する信頼性が向上するため、好ましい。 In the case where a fibrous body is included in a material having flexibility and translucency, a high-strength fiber of an organic compound or an inorganic compound is used as the fibrous body. The high-strength fiber specifically refers to a fiber having a high tensile modulus or Young's modulus. Typical examples include a polyvinyl alcohol fiber, a polyester fiber, a polyamide fiber, a polyethylene fiber, an aramid fiber, Examples include polyparaphenylene benzobisoxazole fibers, glass fibers, and carbon fibers. Examples of the glass fiber include glass fibers using E glass, S glass, D glass, Q glass, and the like. These may be used in the state of a woven fabric or a non-woven fabric, and a structure obtained by impregnating the fiber body with a resin and curing the resin may be used as the flexible substrate. When a structure made of a fibrous body and a resin is used as the flexible substrate, it is preferable because reliability against breakage due to bending or local pressing is improved.

光の取り出し効率向上のためには、可撓性及び透光性を有する材料の屈折率は高い方が好ましい。例えば、有機樹脂に屈折率の高い無機フィラーを分散させることで、該有機樹脂のみからなる基板よりも屈折率の高い基板を実現できる。特に粒子径40nm以下の小さな無機フィラーを使用すると、光学的な透明性を失わないため、好ましい。 In order to improve the light extraction efficiency, it is preferable that the refractive index of the material having flexibility and translucency is high. For example, by dispersing an inorganic filler having a high refractive index in an organic resin, a substrate having a higher refractive index than a substrate made of only the organic resin can be realized. In particular, it is preferable to use a small inorganic filler having a particle diameter of 40 nm or less because optical transparency is not lost.

金属基板の厚さは、可撓性や曲げ性を得るために、10μm以上200μm以下、好ましくは20μm以上50μm以下であることが好ましい。金属基板は熱導電性が高いため、発光素子の発光に伴う発熱を効果的に放熱することができる。 The thickness of the metal substrate is preferably 10 μm or more and 200 μm or less, preferably 20 μm or more and 50 μm or less in order to obtain flexibility and bendability. Since the metal substrate has high thermal conductivity, heat generated by light emission of the light emitting element can be effectively radiated.

金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いることができる。 Although there is no limitation in particular as a material which comprises a metal substrate, For example, aluminum, copper, nickel, metal alloys, such as an aluminum alloy or stainless steel, etc. can be used suitably.

可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、発光装置の表面を傷などから保護するハードコート層(例えば、窒化シリコン層など)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、アラミド樹脂層など)等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による発光素子の寿命の低下等を抑制するために、前述の透水性の低い絶縁膜を有していてもよい。 As a flexible substrate, a layer using the above material is a hard coat layer (for example, a silicon nitride layer) that protects the surface of the light-emitting device from scratches, or a layer (for example, aramid) that can disperse pressure. It may be configured to be laminated with a resin layer or the like. In addition, in order to suppress a decrease in lifetime of the light-emitting element due to moisture or the like, the above insulating film with low water permeability may be included.

可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光装置とすることができる。 The flexible substrate can be used by stacking a plurality of layers. In particular, when the glass layer is used, the barrier property against water and oxygen can be improved and a highly reliable light-emitting device can be obtained.

例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては20μm以上200μm以下、好ましくは25μm以上100μm以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、10μm以上200μm以下、好ましくは20μm以上50μm以下とする。このような有機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光装置とすることができる。 For example, a flexible substrate in which a glass layer, an adhesive layer, and an organic resin layer are stacked from the side close to the light-emitting element can be used. The thickness of the glass layer is 20 μm or more and 200 μm or less, preferably 25 μm or more and 100 μm or less. The glass layer having such a thickness can simultaneously realize a high barrier property and flexibility against water and oxygen. The thickness of the organic resin layer is 10 μm or more and 200 μm or less, preferably 20 μm or more and 50 μm or less. By providing such an organic resin layer outside the glass layer, it is possible to suppress breakage and cracking of the glass layer and improve mechanical strength. By applying such a composite material of a glass material and an organic resin to a substrate, a highly reliable flexible light-emitting device can be obtained.

[接着層]
接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
[Adhesive layer]
For the adhesive layer, various curable adhesives such as an ultraviolet curable photocurable adhesive, a reactive curable adhesive, a thermosetting adhesive, and an anaerobic adhesive can be used. Examples of these adhesives include epoxy resins, acrylic resins, silicone resins, phenol resins, polyimide resins, imide resins, PVC (polyvinyl chloride) resins, PVB (polyvinyl butyral) resins, EVA (ethylene vinyl acetate) resins, and the like. In particular, a material with low moisture permeability such as an epoxy resin is preferable. Alternatively, a two-component mixed resin may be used. Further, an adhesive sheet or the like may be used.

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物(酸化カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が発光素子に侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。 Further, the resin may contain a desiccant. For example, a substance that adsorbs moisture by chemical adsorption, such as an alkaline earth metal oxide (such as calcium oxide or barium oxide), can be used. Alternatively, a substance that adsorbs moisture by physical adsorption, such as zeolite or silica gel, may be used. It is preferable that a desiccant is contained because impurities such as moisture can be prevented from entering the light emitting element and the reliability of the light emitting device is improved.

接着層105及び接着層213は、透光性を有し、少なくとも発光素子の発する光を透過する。 The adhesive layer 105 and the adhesive layer 213 have a light-transmitting property and transmit at least light emitted from the light-emitting element.

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラー(酸化チタン等)を混合することにより、発光素子からの光取り出し効率を向上させることができ、好ましい。そのため、同じ消費電力の場合で比較すると、輝度を高くすることができる。また、同じ輝度の場合で比較すると、消費電力を低くすることができる。 In addition, it is preferable that light extraction efficiency from the light-emitting element can be improved by mixing a filler (such as titanium oxide) with a high refractive index in the resin. Therefore, the luminance can be increased when compared with the case of the same power consumption. Further, when compared with the same luminance, power consumption can be reduced.

また、接着層105や接着層213には、光を散乱させる散乱部材を有していてもよい。例えば、接着層105や接着層213には、上記樹脂と上記樹脂と屈折率が異なる粒子との混合物を用いることもできる。該粒子は光の散乱部材として機能する。 Further, the adhesive layer 105 and the adhesive layer 213 may include a scattering member that scatters light. For example, for the adhesive layer 105 and the adhesive layer 213, a mixture of the resin and particles having a refractive index different from that of the resin can be used. The particles function as a light scattering member.

樹脂と、該樹脂と屈折率の異なる粒子は、屈折率の差が0.1以上あることが好ましく、0.3以上あることがより好ましい。具体的には樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、シリコーン等を用いることができる。また粒子としては、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト等を用いることができる。 The resin and particles having a refractive index different from that of the resin preferably have a refractive index difference of 0.1 or more, and more preferably 0.3 or more. Specifically, epoxy resin, acrylic resin, imide resin, silicone, or the like can be used as the resin. As the particles, titanium oxide, barium oxide, zeolite, or the like can be used.

酸化チタンおよび酸化バリウムの粒子は、光を散乱させる性質が強く好ましい。またゼオライトを用いると、樹脂等の有する水を吸着することができ、発光素子の信頼性を向上させることができる。 Titanium oxide and barium oxide particles are preferred because of their strong light scattering properties. In addition, when zeolite is used, water contained in a resin or the like can be adsorbed, and the reliability of the light-emitting element can be improved.

[絶縁層]
絶縁層205、絶縁層255には、無機絶縁材料を用いることができる。特に、前述の透水性の低い絶縁膜を用いると、信頼性の高い発光装置を実現できるため好ましい。
[Insulation layer]
An inorganic insulating material can be used for the insulating layer 205 and the insulating layer 255. In particular, the use of the insulating film with low water permeability is preferable because a highly reliable light-emitting device can be realized.

絶縁層207は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する。絶縁層207としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。 The insulating layer 207 has an effect of suppressing diffusion of impurities into a semiconductor included in the transistor. As the insulating layer 207, an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, a silicon nitride film, a silicon nitride oxide film, or an aluminum oxide film can be used.

絶縁層211は、下部電極231の端部を覆って設けられている。絶縁層211の上層に形成されるEL層233や上部電極235の被覆性を良好なものとするため、絶縁層211の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となることが好ましい。 The insulating layer 211 is provided so as to cover the end portion of the lower electrode 231. In order to improve the coverage of the EL layer 233 and the upper electrode 235 formed on the insulating layer 211, the sidewall of the insulating layer 211 is preferably an inclined surface formed with a continuous curvature.

絶縁層211の材料としては、樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に、絶縁層211の作製が容易となるため、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい。 As a material of the insulating layer 211, a resin or an inorganic insulating material can be used. As the resin, for example, polyimide resin, polyamide resin, acrylic resin, siloxane resin, epoxy resin, phenol resin, or the like can be used. In particular, since the insulating layer 211 can be easily manufactured, it is preferable to use a negative photosensitive resin or a positive photosensitive resin.

絶縁層211の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷等)等を用いればよい。 A method for forming the insulating layer 211 is not particularly limited, and a photolithography method, a sputtering method, a vapor deposition method, a droplet discharge method (inkjet method or the like), a printing method (screen printing, offset printing, or the like) may be used.

絶縁層217は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料等を用いて形成することができる。例えば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性樹脂、非感光性樹脂などを用いることができる。また、絶縁層217にかえて、導電層を形成してもよい。例えば、金属材料を用いて形成することができる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることができる。絶縁層217の代わりに導電層を用い、該導電層と上部電極235とを電気的に接続させる構成とすることで、上部電極235の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、絶縁層217は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。 The insulating layer 217 can be formed using an inorganic insulating material, an organic insulating material, or the like. For example, as the organic insulating material, a negative or positive photosensitive resin, a non-photosensitive resin, or the like can be used. Further, a conductive layer may be formed instead of the insulating layer 217. For example, it can be formed using a metal material. As the metal material, titanium, aluminum, or the like can be used. By using a conductive layer instead of the insulating layer 217 and electrically connecting the conductive layer and the upper electrode 235, a potential drop due to the resistance of the upper electrode 235 can be suppressed. Further, the insulating layer 217 may have a forward tapered shape or a reverse tapered shape.

絶縁層276、絶縁層278、絶縁層291、絶縁層293、絶縁層295は、それぞれ、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成できる。特に絶縁層278や絶縁層295は、センサ素子起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を用いることが好ましい。 The insulating layer 276, the insulating layer 278, the insulating layer 291, the insulating layer 293, and the insulating layer 295 can be formed using an inorganic insulating material or an organic insulating material, respectively. In particular, the insulating layer 278 and the insulating layer 295 are preferably formed using an insulating layer having a planarization function in order to reduce surface unevenness due to the sensor element.

[導電層]
導電層156、導電層157、導電層294、及び導電層296は、それぞれ、トランジスタ又は発光素子を構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。また、導電層280は、トランジスタを構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。
[Conductive layer]
The conductive layer 156, the conductive layer 157, the conductive layer 294, and the conductive layer 296 can be formed using the same material and through the same steps as the conductive layer included in the transistor or the light-emitting element, respectively. The conductive layer 280 can be formed using the same material and the same process as the conductive layer included in the transistor.

例えば、上記導電層は、それぞれ、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、上記導電層は、それぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In等)、酸化スズ(SnO等)、酸化亜鉛(ZnO)、ITO、インジウム亜鉛酸化物(In−ZnO等)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。 For example, the conductive layers are each formed using a single layer or stacked layers using a metal material such as molybdenum, titanium, chromium, tantalum, tungsten, aluminum, copper, neodymium, or scandium, or an alloy material containing these elements. can do. Each of the conductive layers may be formed using a conductive metal oxide. Examples of the conductive metal oxide include indium oxide (In 2 O 3 etc.), tin oxide (SnO 2 etc.), zinc oxide (ZnO), ITO, indium zinc oxide (In 2 O 3 —ZnO etc.) or these A metal oxide material containing silicon oxide can be used.

導電層272及び導電層274、並びに、導電層281及び導電層283は、透光性を有する導電層である。例えば、酸化インジウム、ITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いることができる。また、導電層270は導電層272と同一の材料、同一の工程で形成できる。 The conductive layers 272 and 274, and the conductive layers 281 and 283 are light-transmitting conductive layers. For example, indium oxide, ITO, indium zinc oxide, zinc oxide, zinc oxide to which gallium is added, or the like can be used. The conductive layer 270 can be formed using the same material and the same process as the conductive layer 272.

導電性粒子292は、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。 As the conductive particles 292, particles obtained by coating the surface of particles such as an organic resin or silica with a metal material are used. It is preferable to use nickel or gold as the metal material because the contact resistance can be reduced. In addition, it is preferable to use particles in which two or more kinds of metal materials are coated in layers, such as further coating nickel with gold.

接続体215としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、2種類以上の金属が層状となった粒子を用いることが好ましい。 As the connection body 215, a paste-like or sheet-like material obtained by mixing metal particles with a thermosetting resin and exhibiting anisotropic conductivity by thermocompression bonding can be used. As the metal particles, it is preferable to use particles in which two or more kinds of metals are layered, for example, nickel particles coated with gold.

[着色層、遮光層、及びオーバーコート]
着色層259は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色(R)のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)のカラーフィルタなどを用いることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
[Colored layer, light shielding layer, and overcoat]
The colored layer 259 is a colored layer that transmits light in a specific wavelength band. For example, a red (R) color filter that transmits light in the red wavelength band, a green (G) color filter that transmits light in the green wavelength band, and a blue (B) that transmits light in the blue wavelength band A color filter or the like can be used. Each colored layer is formed at a desired position using various materials by a printing method, an inkjet method, an etching method using a photolithography method, or the like.

また、隣接する着色層259の間に、遮光層257が設けられている。遮光層257は隣接する発光素子から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、着色層259の端部を、遮光層257と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層257は、発光素子の発光を遮光する材料を用いることができ、金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図1(B)に示すように、遮光層257を駆動回路部106などの光取り出し部104以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。 Further, a light shielding layer 257 is provided between the adjacent colored layers 259. The light shielding layer 257 shields light entering from adjacent light emitting elements, and suppresses color mixing between adjacent pixels. Here, light leakage can be suppressed by providing an end portion of the colored layer 259 so as to overlap the light shielding layer 257. The light-blocking layer 257 can be formed using a material that blocks light emitted from the light-emitting element, and can be formed using a metal material, a resin material containing a pigment or a dye, or the like. Note that as illustrated in FIG. 1B, it is preferable to provide the light-blocking layer 257 in a region other than the light extraction portion 104 such as the driver circuit portion 106 because unintended light leakage due to guided light or the like can be suppressed.

また、着色層259と遮光層257を覆うオーバーコート261を設けてもよい。オーバーコートを設けることで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、着色層や遮光層と同一の主成分を含む有機絶縁膜(例えば、アクリル樹脂膜、ポリイミド樹脂膜等)を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。オーバーコート261に前述の透水性の低い絶縁膜を用いてもよい。 Further, an overcoat 261 that covers the colored layer 259 and the light-blocking layer 257 may be provided. By providing the overcoat, diffusion of impurities and the like contained in the colored layer to the light emitting element can be prevented. The overcoat is made of a material that transmits light emitted from the light emitting element. For example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film or a silicon oxide film, or an organic insulating film containing the same main component as the colored layer or the light shielding layer (for example, An acrylic resin film, a polyimide resin film, or the like can be used, and a stacked structure of an organic insulating film and an inorganic insulating film may be used. The above-described insulating film with low water permeability may be used for the overcoat 261.

また、接着層213の材料を着色層259及び遮光層257上に塗布する場合、オーバーコート261の材料として接着層213の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、ITO膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いAg膜等の金属膜を用いることが好ましい。 In the case where the material for the adhesive layer 213 is applied over the coloring layer 259 and the light-shielding layer 257, it is preferable to use a material that has high wettability with respect to the material for the adhesive layer 213 as the material for the overcoat 261. For example, it is preferable to use an oxide conductive film such as an ITO film or a metal film such as an Ag film that is thin enough to have translucency.

<作製方法例>
次に、発光装置の作製方法を図4及び図5を用いて例示する。ここでは、具体例1(図1(B))の構成の発光装置を例に挙げて説明する。
<Example of production method>
Next, a method for manufacturing the light-emitting device is illustrated with reference to FIGS. Here, the light-emitting device having the structure of Specific Example 1 (FIG. 1B) is described as an example.

まず、作製基板301上に剥離層303を形成し、剥離層303上に絶縁層205を形成する。次に、絶縁層205上に複数のトランジスタ、導電層157、絶縁層207、有機絶縁層209、複数の発光素子、及び絶縁層211を形成する。なお、導電層157が露出するように、絶縁層211、有機絶縁層209、及び絶縁層207は開口する(図4(A))。 First, the separation layer 303 is formed over the manufacturing substrate 301 and the insulating layer 205 is formed over the separation layer 303. Next, a plurality of transistors, a conductive layer 157, an insulating layer 207, an organic insulating layer 209, a plurality of light-emitting elements, and an insulating layer 211 are formed over the insulating layer 205. Note that the insulating layer 211, the organic insulating layer 209, and the insulating layer 207 are opened so that the conductive layer 157 is exposed (FIG. 4A).

また、作製基板305上に剥離層307を形成し、剥離層307上に絶縁層255を形成する。次に、絶縁層255上に遮光層257、着色層259、及びオーバーコート261を形成する(図4(B))。 In addition, the separation layer 307 is formed over the manufacturing substrate 305 and the insulating layer 255 is formed over the separation layer 307. Next, a light-blocking layer 257, a colored layer 259, and an overcoat 261 are formed over the insulating layer 255 (FIG. 4B).

作製基板301及び作製基板305としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。 As the manufacturing substrate 301 and the manufacturing substrate 305, a glass substrate, a quartz substrate, a sapphire substrate, a ceramic substrate, a metal substrate, or the like can be used, respectively.

また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が730℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム(BaO)を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。 Moreover, glass materials, such as aluminosilicate glass, alumino borosilicate glass, barium borosilicate glass, can be used for a glass substrate, for example. When the temperature of the subsequent heat treatment is high, a material having a strain point of 730 ° C. or higher is preferably used. A more practical heat-resistant glass can be obtained by containing a large amount of barium oxide (BaO). In addition, crystallized glass or the like can be used.

作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。 In the case where a glass substrate is used as the formation substrate, if an insulating film such as a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, a silicon nitride film, or a silicon nitride oxide film is formed between the formation substrate and the separation layer, contamination from the glass substrate can be prevented. This is preferable because it can be prevented.

剥離層303及び剥離層307は、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。 Each of the separation layer 303 and the separation layer 307 includes an element selected from tungsten, molybdenum, titanium, tantalum, niobium, nickel, cobalt, zirconium, zinc, ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, and silicon, and the element. It is a single layer or a laminated layer made of an alloy material or a compound material containing the element. The crystal structure of the layer containing silicon may be any of amorphous, microcrystalline, and polycrystalline.

剥離層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等により形成できる。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。 The release layer can be formed by a sputtering method, a plasma CVD method, a coating method, a printing method, or the like. Note that the coating method includes a spin coating method, a droplet discharge method, and a dispensing method.

剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。 In the case where the separation layer has a single-layer structure, a tungsten layer, a molybdenum layer, or a layer containing a mixture of tungsten and molybdenum is preferably formed. Alternatively, a layer containing tungsten oxide or oxynitride, a layer containing molybdenum oxide or oxynitride, or a layer containing an oxide or oxynitride of a mixture of tungsten and molybdenum may be formed. Note that the mixture of tungsten and molybdenum corresponds to, for example, an alloy of tungsten and molybdenum.

また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(NO)プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態を変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁層との密着性を制御することが可能である。 In the case of forming a stacked structure of a layer containing tungsten and a layer containing tungsten oxide as the peeling layer, a layer containing tungsten is formed, and an insulating film formed of an oxide is formed thereon. Alternatively, the fact that a layer containing an oxide of tungsten is formed at the interface between the tungsten layer and the insulating film may be utilized. Further, the surface of the layer containing tungsten is subjected to thermal oxidation treatment, oxygen plasma treatment, nitrous oxide (N 2 O) plasma treatment, treatment with a solution having strong oxidizing power such as ozone water, and the like to form tungsten oxide. An included layer may be formed. Plasma treatment and heat treatment may be performed in oxygen, nitrogen, nitrous oxide alone, or a mixed gas atmosphere of the gas and other gases. By changing the surface state of the release layer by the plasma treatment or the heat treatment, adhesion between the release layer and an insulating layer to be formed later can be controlled.

各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマCVD法によって成膜温度を250℃以上400℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。 Each insulating layer can be formed by using a sputtering method, a plasma CVD method, a coating method, a printing method, or the like. , A dense and very low water-permeable film can be obtained.

その後、作製基板305の着色層259等が設けられた面又は作製基板301の発光素子230等が設けられた面に接着層213となる材料を塗布し、接着層213を介して該面同士が対向するように、作製基板301及び作製基板305を貼り合わせる(図4(C))。 After that, a material to be the adhesive layer 213 is applied to the surface of the manufacturing substrate 305 on which the colored layer 259 or the like is provided or the surface of the manufacturing substrate 301 on which the light emitting element 230 or the like is provided. The manufacturing substrate 301 and the manufacturing substrate 305 are attached to face each other (FIG. 4C).

そして、作製基板301を剥離し、露出した絶縁層205と可撓性基板201を、接着層203を用いて貼り合わせる。また、作製基板305を剥離し、露出した絶縁層255と可撓性基板103を、接着層105を用いて貼り合わせる。図5(A)では、可撓性基板103が導電層157と重ならない構成としたが、導電層157と可撓性基板103が重なっていてもよい。 Then, the manufacturing substrate 301 is peeled, and the exposed insulating layer 205 and the flexible substrate 201 are attached to each other using the adhesive layer 203. Further, the manufacturing substrate 305 is peeled, and the exposed insulating layer 255 and the flexible substrate 103 are attached to each other using the adhesive layer 105. In FIG. 5A, the flexible substrate 103 does not overlap with the conductive layer 157; however, the conductive layer 157 and the flexible substrate 103 may overlap.

なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製基板と被剥離層の間に剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合は、レーザ光の照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やNF、BrF、ClF等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等を含む膜(例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など)を用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成された作製基板を機械的に除去又は溶液やNF、BrF、ClF等のフッ化ガスによるエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくともよい。 Note that various methods can be appropriately used for the peeling step. For example, in the case where a layer including a metal oxide film is formed on the side in contact with the layer to be peeled, the metal oxide film is weakened by crystallization and the layer to be peeled can be peeled from the manufacturing substrate. In the case where an amorphous silicon film containing hydrogen is formed as a separation layer between a manufacturing substrate with high heat resistance and a layer to be separated, the amorphous silicon film is removed by laser light irradiation or etching. The layer to be peeled can be peeled from the manufacturing substrate. In addition, a layer including a metal oxide film is formed on the side in contact with the layer to be peeled as the peeling layer, the metal oxide film is made brittle by crystallization, and a part of the peeling layer is made into a solution, NF 3 , BrF 3 , ClF After removal by etching using a fluorination gas such as 3, it can be peeled off in the weakened metal oxide film. Further, a film containing nitrogen, oxygen, hydrogen, or the like (for example, an amorphous silicon film containing hydrogen, a hydrogen-containing alloy film, an oxygen-containing alloy film, or the like) is used as the peeling layer, and the peeling layer is irradiated with laser light. A method may be used in which nitrogen, oxygen, or hydrogen contained in the peeling layer is released as a gas to promote peeling between the layer to be peeled and the substrate. Alternatively, a manufacturing substrate over which the layer to be peeled is formed can be mechanically removed or removed by etching with a solution or a fluoride gas such as NF 3 , BrF 3 , or ClF 3 . In this case, the release layer is not necessarily provided.

また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメスなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、物理的な力(機械等による)によって剥離を行うこともできる。 Moreover, a peeling process can be more easily performed by combining two or more said peeling methods. In other words, laser beam irradiation, etching of the release layer with gas or solution, mechanical removal with a sharp knife or scalpel, etc. to make the release layer and the release layer easy to peel off, Peeling can also be performed by force (by machine or the like).

また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離してもよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。 Alternatively, the layer to be peeled may be peeled from the manufacturing substrate by infiltrating a liquid into the interface between the peeling layer and the layer to be peeled. Alternatively, the peeling may be performed while a liquid such as water is applied.

その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。 As another peeling method, when the peeling layer is formed of tungsten, the peeling may be performed while etching the peeling layer with a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide water.

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。 Note that in the case where peeling is possible at the interface between the manufacturing substrate and the layer to be peeled, the peeling layer is not necessarily provided. For example, glass is used as a manufacturing substrate, an organic resin such as polyimide, polyester, polyolefin, polyamide, polycarbonate, or acrylic is formed in contact with the glass, and an insulating film, a transistor, or the like is formed over the organic resin. In this case, the organic resin can be peeled at the interface between the manufacturing substrate and the organic resin by heating. Alternatively, a metal layer may be provided between the manufacturing substrate and the organic resin, and current may be supplied to the metal layer to heat the metal layer, and separation may be performed at the interface between the metal layer and the organic resin.

最後に、絶縁層255及び接着層213を開口することで、導電層157を露出させる(図5(B))。なお、可撓性基板103が導電層157と重なる構成の場合は、導電層157を露出させるために、可撓性基板103及び接着層105も開口する(図5(C))。開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビームスパッタリング法などを用いればよい。また、導電層157上の膜に鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。 Finally, the conductive layer 157 is exposed by opening the insulating layer 255 and the adhesive layer 213 (FIG. 5B). Note that in the case where the flexible substrate 103 overlaps with the conductive layer 157, the flexible substrate 103 and the adhesive layer 105 are also opened to expose the conductive layer 157 (FIG. 5C). The opening means is not particularly limited, and for example, a laser ablation method, an etching method, an ion beam sputtering method, or the like may be used. Alternatively, the film on the conductive layer 157 may be cut using a sharp blade or the like, and a part of the film may be peeled off by a physical force.

以上により、発光装置を作製することができる。 Through the above, a light-emitting device can be manufactured.

以上に示したように、本実施の形態の発光装置は、可撓性基板103と、可撓性基板201と、の2枚の基板で構成される。さらにタッチセンサを含む構成であっても、2枚の基板で構成することができる。基板の数を最低限とすることで、光の取り出し効率の向上や表示の鮮明さの向上が容易となる。そのため、同じ消費電力の場合で比較すると、輝度を高くすることができる。また、同じ輝度の場合で比較すると、消費電力を低くすることができる。 As described above, the light-emitting device of this embodiment includes the flexible substrate 103 and the flexible substrate 201. Further, even a configuration including a touch sensor can be configured with two substrates. By minimizing the number of substrates, it is easy to improve light extraction efficiency and display clarity. Therefore, the luminance can be increased when compared with the case of the same power consumption. Further, when compared with the same luminance, power consumption can be reduced.

なお、本実施の形態では、発光素子を有する発光装置を例示したが、本発明はこれに限られない。本発明の一態様の特徴である可撓性基板を適用できる装置としては、各種半導体装置や各種表示装置が挙げられる。例えば、以下に示す素子もしくは装置の基板として、本発明の一態様の特徴である可撓性基板を適用できる。例えば、EL素子(有機物及び無機物を含むEL素子、有機EL素子、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDなど)、トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(GLV)、プラズマディスプレイ(PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マイクロ・シャッター)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(インターフェアレンス・モジュレーション)素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体が挙げられる。また、電子放出素子を用いた表示装置の一例である、フィールドエミッションディスプレイ(FED)又はSED方式平面型ディスプレイ(SED:Surface−conduction Electron−emitter Display)などが挙げられる。また、液晶素子を用いた表示装置の一例である、液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ)などが挙げられる。また、電子インク又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例である、電子ペーパーなどが挙げられる。 Note that although a light-emitting device having a light-emitting element is illustrated in this embodiment mode, the present invention is not limited to this. As a device to which the flexible substrate which is a feature of one embodiment of the present invention can be applied, various semiconductor devices and various display devices can be given. For example, a flexible substrate which is a feature of one embodiment of the present invention can be used as a substrate of an element or device described below. For example, EL elements (EL elements including organic and inorganic substances, organic EL elements, inorganic EL elements), LEDs (white LEDs, red LEDs, green LEDs, blue LEDs, etc.), transistors (transistors that emit light in response to current), electrons Emission element, liquid crystal element, electronic ink, electrophoretic element, grating light valve (GLV), plasma display (PDP), MEMS (micro electro mechanical system), digital micro mirror device (DMD), DMS (digital micro・ Shutter), MIRASOL (registered trademark), IMOD (interference modulation) element, electrowetting element, piezoelectric ceramic display, carbon nanotube, etc. Rate, etc. transmittance include a display medium changes. In addition, a field emission display (FED) or a SED type flat display (SED) which is an example of a display device using an electron-emitting device can be given. Moreover, a liquid crystal display (a transmissive liquid crystal display, a transflective liquid crystal display, a reflective liquid crystal display, a direct-view liquid crystal display, a projection liquid crystal display), which is an example of a display device using a liquid crystal element, can be given. Further, electronic paper which is an example of a display device using electronic ink or an electrophoretic element can be given.

電子ペーパーの表示方法の一例としては、分子により表示されるもの(光学異方性、染料分子配向など)、粒子により表示されるもの(電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化など)、フィルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色/相変化により表示されるもの、分子の光吸収により表示されるもの、又は電子とホールが結合して自発光により表示されるものなどを用いることができる。具体的には、電子ペーパーの表示方法の一例としては、マイクロカプセル型電気泳動、水平移動型電気泳動、垂直移動型電気泳動、球状ツイストボール、磁気ツイストボール、円柱ツイストボール方式、帯電トナー、電子粉流体、磁気泳動型、磁気感熱式、エレクトロウェッティング、光散乱(透明/白濁変化)、コレステリック液晶/光導電層、コレステリック液晶、双安定性ネマチック液晶、強誘電性液晶、2色性色素・液晶分散型、可動フィルム、ロイコ染料による発消色、フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジション、フレキシブル有機ELなどがある。ただし、これに限定されず、電子ペーパー及びその表示方法として様々なものを用いることができる。ここで、マイクロカプセル型電気泳動を用いることによって、泳動粒子の凝集、沈殿を解決することができる。電子粉流体は、高速応答性、高反射率、広視野角、低消費電力、メモリ性などのメリットを有する。 Examples of electronic paper display methods include those displayed by molecules (optical anisotropy, dye molecule orientation, etc.), those displayed by particles (electrophoresis, particle movement, particle rotation, phase change, etc.), film Displayed by moving one end of the molecule, displayed by color development / phase change of molecules, displayed by light absorption of molecules, or displayed by self-emission by combining electrons and holes Can be used. Specifically, examples of electronic paper display methods include microcapsule electrophoresis, horizontal movement electrophoresis, vertical movement electrophoresis, spherical twist ball, magnetic twist ball, cylindrical twist ball system, charged toner, electronic Powdered fluid, magnetophoretic, magnetic thermosensitive, electrowetting, light scattering (transparency / white turbidity change), cholesteric liquid crystal / photoconductive layer, cholesteric liquid crystal, bistable nematic liquid crystal, ferroelectric liquid crystal, dichroic dye There are liquid crystal dispersion type, movable film, color erasing / erasing with leuco dye, photochromic, electrochromic, electrodeposition, flexible organic EL, etc. However, the present invention is not limited to this, and various electronic papers and display methods thereof can be used. Here, aggregation and precipitation of electrophoretic particles can be solved by using microcapsule electrophoresis. The electronic powder fluid has advantages such as high-speed response, high reflectivity, wide viewing angle, low power consumption, and memory properties.

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。 This embodiment can be combined with any of the other embodiments as appropriate.

(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様が適用された電子機器について図6〜図9を用いて説明する。
(Embodiment 2)
In this embodiment, electronic devices to which one embodiment of the present invention is applied will be described with reference to FIGS.

本実施の形態の電子機器は、帯状の可撓性の高い領域と帯状の可撓性の低い領域とを交互に有する。該電子機器は、可撓性の高い領域で曲げることで、折りたたむことができる。本実施の形態の電子機器は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い発光領域により表示の一覧性に優れる。 The electronic device of this embodiment alternately has a belt-like highly flexible region and a belt-like low-flexible region. The electronic device can be folded by being bent in a highly flexible region. The electronic device of this embodiment is excellent in portability in the folded state, and in the expanded state, it has excellent display listability due to a wide light-emitting region that is seamless.

本実施の形態の電子機器において、可撓性の高い領域は内曲げ、外曲げのいずれで折りたたむこともできる。 In the electronic device of this embodiment, a highly flexible region can be folded by either internal bending or external bending.

本実施の形態の電子機器を使用しない際に、発光装置の発光面が内側になるように曲げることで、発光面にキズや汚れがつくことを抑制できる。 When the electronic device of this embodiment is not used, it is possible to prevent the light emitting surface from being scratched or soiled by bending the light emitting surface of the light emitting device to the inside.

本実施の形態の電子機器を使用する際には、展開することで、継ぎ目のない広い発光領域全体を用いてもよいし、発光装置の発光面が外側になるように曲げることで、発光領域の一部を用いてもよい。折りたたまれ、使用者にとって見えない発光領域を非発光状態とすることで、電子機器の消費電力を抑制できる。 When using the electronic device of the present embodiment, the entire light emitting area which is seamless can be used by spreading, or the light emitting area can be bent by bending the light emitting surface of the light emitting device to the outside. A part of may be used. By folding the light emitting area that is folded and invisible to the user, the power consumption of the electronic device can be suppressed.

以下では、2つの帯状の可撓性の高い領域と3つの帯状の可撓性の低い領域とを有する、3つ折りが可能な電子機器を例に挙げて説明する。 Hereinafter, an electronic device that has two belt-like regions with high flexibility and three belt-like regions with low flexibility and can be folded in three will be described as an example.

図6(A)に展開した状態の電子機器を示す。図6(B)に展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の電子機器を示す。図6(C)に折りたたんだ状態の電子機器を示す。図7は、電子機器の各構成を示す斜視図である。図8(A)は電子機器の発光面側の平面図であり、図8(B)は電子機器の発光面と対向する面側の平面図である。図8(C)、(D)は、それぞれ図8(A)の電子機器を矢印の方向から見た側面図の一例である。図8(E)は、図8(A)における一点鎖線A−B間の断面図である。 FIG. 6A illustrates the electronic device in a developed state. FIG. 6B illustrates an electronic device in a state in which the state is changed from one of a developed state or a folded state to the other. FIG. 6C illustrates the electronic device in a folded state. FIG. 7 is a perspective view illustrating each configuration of the electronic device. 8A is a plan view of the light emitting surface side of the electronic device, and FIG. 8B is a plan view of the surface side facing the light emitting surface of the electronic device. 8C and 8D are examples of side views of the electronic device in FIG. 8A viewed from the direction of the arrows. FIG. 8E is a cross-sectional view taken along the dashed-dotted line AB in FIG.

図6(A)〜(C)に示す電子機器は、可撓性を有する発光装置11を有する。発光装置11には、実施の形態1で説明した本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、例えば、曲率半径1mm以上100mm以下で折り曲げることができるため、内曲げや外曲げにより、1回以上折りたたむ電子機器に好適に用いることができる。 6A to 6C includes a light-emitting device 11 having flexibility. The light-emitting device of one embodiment of the present invention described in Embodiment 1 can be applied to the light-emitting device 11. The light-emitting device of one embodiment of the present invention can be bent with a curvature radius of 1 mm to 100 mm, for example, and thus can be favorably used for an electronic device that is folded at least once by internal bending or external bending.

図6(A)〜(C)に示す電子機器は、さらに複数の支持パネル15aと複数の支持パネル15bを有する。各支持パネル15a、15bは、発光装置11に比べて可撓性が低い。複数の支持パネル15aは互いに離間している。複数の支持パネル15bは互いに離間している。 The electronic devices illustrated in FIGS. 6A to 6C further include a plurality of support panels 15a and a plurality of support panels 15b. The support panels 15 a and 15 b are less flexible than the light emitting device 11. The plurality of support panels 15a are separated from each other. The plurality of support panels 15b are separated from each other.

図8(A)に示すように、電子機器は、可撓性の高い領域E1及び可撓性の低い領域E2を交互に有する。可撓性の高い領域と可撓性の低い領域はそれぞれ帯状(縞状)に形成される。本実施の形態では、複数の可撓性の高い領域や複数の可撓性の低い領域が互いに平行である例を示すが、各領域は平行に配置されていなくてもよい。 As illustrated in FIG. 8A, the electronic device alternately has high-flexibility regions E1 and low-flexibility regions E2. The highly flexible region and the low flexibility region are each formed in a strip shape (striped shape). In this embodiment mode, an example in which a plurality of high-flexibility regions and a plurality of low-flexibility regions are parallel to each other is described, but the regions may not be arranged in parallel.

電子機器における可撓性の高い領域E1は、少なくとも可撓性を有する発光装置を有していればよい。有機EL素子を用いた発光装置は、高い可撓性及び耐衝撃性に加え、薄型軽量化が図れるため、好ましい。 The highly flexible region E1 in the electronic device only needs to include at least a flexible light-emitting device. A light-emitting device using an organic EL element is preferable because it can be thin and light in addition to high flexibility and impact resistance.

電子機器における可撓性の低い領域E2は、少なくとも可撓性を有する発光装置と、該発光装置に比べて可撓性の低い支持パネルとを重ねて有していればよい。 The low-flexibility region E2 in the electronic device only needs to have at least a flexible light-emitting device and a support panel that is less flexible than the light-emitting device.

支持パネルは、発光装置の発光面側又は発光面と対向する面側の少なくとも一方に設けられていればよい。 The support panel should just be provided in at least one of the light emission surface side of a light-emitting device, or the surface side facing a light emission surface.

図8(C)に示す支持パネル15a、15bのように、発光装置の発光面側及び発光面と対向する面側の双方に支持パネルを有すると、一対の支持パネルによって発光装置を挟持できるため、可撓性の低い領域の機械的強度を高め、電子機器がより破損しにくくなり好ましい。 Like the support panels 15a and 15b shown in FIG. 8C, when the support panels are provided on both the light emitting surface side and the surface side facing the light emitting surface of the light emitting device, the light emitting device can be sandwiched between the pair of support panels. This is preferable because the mechanical strength of the low flexibility region is increased and the electronic device is less likely to be damaged.

また、支持パネル15a、15bに替えて、図8(D)に示す支持パネル15を用いて、支持パネル15の間に発光装置11を配置してもよい。 Further, instead of the support panels 15a and 15b, the light emitting device 11 may be disposed between the support panels 15 by using the support panel 15 illustrated in FIG.

発光装置の発光面側又は発光面と対向する面側のみに支持パネルを有すると、電子機器をより薄型又はより軽量にすることができ好ましい。例えば、複数の支持パネル15aを用いず、複数の支持パネル15bのみを有する電子機器としてもよい。 When the support panel is provided only on the light emitting surface side of the light emitting device or on the surface side facing the light emitting surface, the electronic device can be made thinner or lighter, which is preferable. For example, it is good also as an electronic device which does not use the some support panel 15a but has only the some support panel 15b.

可撓性の高い領域E1及び可撓性の低い領域E2は、発光装置と、支持パネルに比べて可撓性の高い保護層と、を重ねて有することが好ましい。これにより、電子機器の可撓性の高い領域E1が、可撓性を有し、かつ機械的強度の高い領域となり、電子機器をより破損しにくくすることができる。可撓性の高い領域においても、電子機器が外力等による変形で壊れにくい構成にすることができる。 The highly flexible region E1 and the low flexibility region E2 preferably have a light emitting device and a protective layer that is more flexible than the support panel. Thereby, the highly flexible area | region E1 of an electronic device turns into an area | region which has flexibility and high mechanical strength, and can make an electronic device harder to be damaged. Even in a highly flexible region, the electronic device can be configured not to be broken by deformation due to external force or the like.

例えば、発光装置、支持パネル、保護層のそれぞれの厚さは、支持パネルが最も厚く、発光装置が最も薄い構成が好ましい。例えば、発光装置、支持パネル、保護層のそれぞれの可撓性は、支持パネルの可撓性が最も低く、発光装置の可撓性が最も高い構成が好ましい。このような構成とすることで、可撓性の高い領域と可撓性の低い領域の可撓性の差が大きくなる。確実に可撓性の高い領域で折り曲げができる構成とすることで、可撓性の低い領域で曲げが生じることを抑制でき、電子機器の信頼性を高めることができる。また、意図しない箇所で電子機器が曲がることを抑制できる。 For example, the thickness of each of the light emitting device, the support panel, and the protective layer is preferably such that the support panel is the thickest and the light emitting device is the thinnest. For example, each of the light emitting device, the support panel, and the protective layer preferably has a configuration in which the support panel has the lowest flexibility and the light emitting device has the highest flexibility. By adopting such a configuration, the difference in flexibility between the highly flexible region and the low flexible region becomes large. By using a configuration in which bending can be reliably performed in a highly flexible region, bending can be suppressed in a region having low flexibility, and the reliability of the electronic device can be improved. Moreover, it can suppress that an electronic device bends in the location which is not intended.

発光装置の発光面側及び発光面と対向する面側の双方に保護層を有すると、一対の保護層によって発光装置を挟持できるため、電子機器の機械的強度を高め、電子機器がより破損しにくくなり好ましい。 When a protective layer is provided on both the light-emitting surface side and the surface side facing the light-emitting surface of the light-emitting device, the light-emitting device can be sandwiched between the pair of protective layers, which increases the mechanical strength of the electronic device and further damages the electronic device. It becomes difficult and preferable.

例えば、図8(C)に示すように、可撓性の低い領域E2では、一対の保護層13a、13bが一対の支持パネル15a、15bの間に位置し、発光装置(図示しない)が一対の保護層13a、13bの間に位置することが好ましい。 For example, as shown in FIG. 8C, in the low-flexibility region E2, the pair of protective layers 13a and 13b are positioned between the pair of support panels 15a and 15b, and a pair of light-emitting devices (not shown) is provided. It is preferable to be located between the protective layers 13a and 13b.

または、図8(D)に示すように、可撓性の低い領域E2では、一対の保護層13a、13bが支持パネル15の間に位置し、発光装置(図示しない)が一対の保護層13a、13bの間に位置することが好ましい。 Alternatively, as illustrated in FIG. 8D, in the low-flexibility region E2, the pair of protective layers 13a and 13b are positioned between the support panels 15, and the light-emitting device (not illustrated) includes the pair of protective layers 13a. , 13b.

発光装置の発光面側又は発光面と対向する面側のみに保護層を有すると、電子機器をより薄型又はより軽量にすることができ好ましい。例えば、保護層13aを用いず、保護層13bのみを有する電子機器としてもよい。 When the protective layer is provided only on the light emitting surface side of the light emitting device or on the surface side facing the light emitting surface, the electronic device can be made thinner or lighter, which is preferable. For example, it is good also as an electronic device which has only the protective layer 13b, without using the protective layer 13a.

また、発光装置の発光面側の保護層13aが遮光膜であると、発光装置の非発光領域に外光が照射されることを抑制できる。これにより、非発光領域に含まれる駆動回路が有するトランジスタ等の光劣化を抑制できるため好ましい。 Further, when the protective layer 13a on the light emitting surface side of the light emitting device is a light shielding film, it is possible to suppress external light from being irradiated to the non-light emitting region of the light emitting device. This is preferable because light deterioration of a transistor or the like included in the drive circuit included in the non-light emitting region can be suppressed.

図7や図8(E)に示すように、発光装置11の発光面側に設けられた保護層13aの開口部は発光装置の発光領域11aと重なる。発光領域11aを枠状に囲う非発光領域11bと保護層13aとが重なるように設けられている。発光装置11の発光面と対向する面側に設けられた保護層13bは、発光領域11a及び非発光領域11bと重なっている。保護層13bは、発光面と対向する面側により広い範囲で、特に好ましくは該面全体に設けられることで、発光装置をより保護することができ、電子機器の信頼性を高めることができる。 As shown in FIGS. 7 and 8E, the opening of the protective layer 13a provided on the light emitting surface side of the light emitting device 11 overlaps the light emitting region 11a of the light emitting device. The non-light emitting region 11b surrounding the light emitting region 11a in a frame shape and the protective layer 13a are provided so as to overlap each other. The protective layer 13b provided on the surface facing the light emitting surface of the light emitting device 11 overlaps the light emitting region 11a and the non-light emitting region 11b. The protective layer 13b is provided in a wider range, particularly preferably over the entire surface, facing the light emitting surface, so that the light emitting device can be further protected and the reliability of the electronic device can be improved.

保護層や支持パネルは、プラスチック、金属、合金、ゴム等を用いて形成できる。プラスチックやゴム等を用いることで、軽量であり、破損しにくい保護層や支持パネルを得られるため、好ましい。例えば、保護層としてシリコーンゴム、支持パネルとしてステンレスやアルミニウムを用いればよい。 The protective layer and the support panel can be formed using plastic, metal, alloy, rubber or the like. Use of plastic, rubber, or the like is preferable because a protective layer and a support panel that are lightweight and hardly damaged are obtained. For example, silicone rubber may be used as the protective layer, and stainless steel or aluminum may be used as the support panel.

また、保護層や支持パネルに、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい電子機器を実現できる。例えば、有機樹脂や、厚さの薄い金属材料や合金材料を用いることで、軽量であり、破損しにくい電子機器を実現できる。なお、同様の理由により、発光装置を構成する基板にも靱性が高い材料を用いることが好ましい。 Moreover, it is preferable to use a material having high toughness for the protective layer and the support panel. Thereby, it is possible to realize an electronic device that is excellent in impact resistance and is not easily damaged. For example, by using an organic resin, a thin metal material, or an alloy material, an electronic device that is lightweight and hardly damaged can be realized. Note that for the same reason, it is preferable to use a material having high toughness for the substrate included in the light-emitting device.

発光面側に位置する保護層や支持パネルは、発光装置の発光領域と重ならない場合には、透光性を問わない。発光面側に位置する保護層や支持パネルが、少なくとも一部の発光領域と重なる場合は、発光装置からの発光を透過する材料を用いることが好ましい。発光面と対向する面側に位置する保護層や支持パネルの透光性は問わない。 The protective layer and the support panel positioned on the light emitting surface side may be light-transmitting if they do not overlap with the light emitting region of the light emitting device. When the protective layer or the support panel located on the light emitting surface side overlaps at least a part of the light emitting region, it is preferable to use a material that transmits light emitted from the light emitting device. The light-transmitting properties of the protective layer and the support panel located on the surface facing the light emitting surface are not limited.

保護層、支持パネル、発光装置のいずれか2つを接着する場合には、各種接着剤を用いることができ、例えば、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。また、シート状の接着剤を用いてもよい。また、保護層、支持パネル、発光装置のいずれか2つ以上を貫通するネジや、挟持するピン、クリップ等を用いて、電子機器の各構成を固定してもよい。 When adhering any two of the protective layer, the support panel, and the light emitting device, various adhesives can be used. For example, a resin that cures at room temperature, such as a two-component mixed resin, or a photocurable resin A resin such as a thermosetting resin can be used. A sheet-like adhesive may be used. Alternatively, each component of the electronic device may be fixed using a screw that penetrates any two or more of the protective layer, the support panel, and the light-emitting device, a pin that is sandwiched, a clip, and the like.

本実施の形態の電子機器は、1つの発光装置(1つの発光領域)を、折り曲げられた部分を境に2つ以上に分けて利用できる。例えば、折りたたむことで隠れた領域を非発光とし、露出する領域のみが発光してもよい。これにより使用者が使用しない領域が消費する電力を削減することができる。 In the electronic device of this embodiment, one light emitting device (one light emitting region) can be used by being divided into two or more with a bent portion as a boundary. For example, a region hidden by folding may be made non-light emitting, and only an exposed region may emit light. As a result, it is possible to reduce the power consumed by the area not used by the user.

本実施の形態の電子機器は、各可撓性の高い領域が折り曲げられているか否かを判断するためのセンサを有していてもよい。例えばスイッチ、MEMS圧力センサまたは感圧センサ等を用いて構成することができる。 The electronic device of this embodiment may include a sensor for determining whether or not each highly flexible region is bent. For example, a switch, a MEMS pressure sensor, a pressure sensor, or the like can be used.

以上では、可撓性の高い領域を2つ有する電子機器を例に説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、図9(A)に示すように、少なくとも可撓性の高い領域E1を1つ有していればよく、可撓性の高い領域E1を3つ有する4つ折りが可能な電子機器(図9(B))や、可撓性の高い領域E1を4つ有する5つ折りが可能な電子機器(図9(C))も本発明の一態様である。 In the above, an electronic apparatus having two highly flexible regions has been described as an example, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 9A, it is sufficient to have at least one highly flexible region E1, and an electronic device that can be folded in four having three highly flexible regions E1 (see FIG. 9A). 9 (B)) and an electronic device (FIG. 9C) that can be folded in five having four highly flexible regions E1 are also one embodiment of the present invention.

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。 This embodiment can be combined with any of the other embodiments as appropriate.

(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様が適用された電子機器及び照明装置について、図10を用いて説明する。
(Embodiment 3)
In this embodiment, electronic devices and lighting devices to which one embodiment of the present invention is applied will be described with reference to FIGS.

電子機器や照明装置は、本発明の一態様の発光装置を適用して作製することで、信頼性を高めることができる。また、本発明の一態様の発光装置を適用することで、信頼性の高いフレキシブルな電子機器や照明装置を作製できる。 An electronic device or a lighting device can be manufactured using the light-emitting device of one embodiment of the present invention, whereby reliability can be improved. In addition, by applying the light-emitting device of one embodiment of the present invention, a highly reliable flexible electronic device or lighting device can be manufactured.

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。 Examples of the electronic device include a television device (also referred to as a television or a television receiver), a monitor for a computer, a digital camera, a digital video camera, a digital photo frame, a mobile phone (also referred to as a mobile phone or a mobile phone device). ), Large game machines such as portable game machines, portable information terminals, sound reproducing devices, and pachinko machines.

また、本発明の一態様の発光装置は可撓性を有するため、家屋やビルの内壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。 In addition, since the light-emitting device of one embodiment of the present invention has flexibility, it can be incorporated along an inner wall or an outer wall of a house or a building, or a curved surface of an interior or exterior of an automobile.

図10(A)は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機7100は、筐体7101に組み込まれた表示部7102の他、操作ボタン7103、外部接続ポート7104、スピーカ7105、マイク7106、カメラ7107などを備えている。なお、携帯電話機7100は、本発明の一態様の発光装置を表示部7102に用いることにより作製される。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機を提供できる。 FIG. 10A illustrates an example of a mobile phone. A cellular phone 7100 is provided with a display portion 7102 incorporated in a housing 7101, operation buttons 7103, an external connection port 7104, a speaker 7105, a microphone 7106, a camera 7107, and the like. Note that the cellular phone 7100 is manufactured using the light-emitting device of one embodiment of the present invention for the display portion 7102. According to one embodiment of the present invention, a highly reliable mobile phone including a curved display portion can be provided.

図10(A)に示す携帯電話機7100は、表示部7102を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、表示部7102を指などで触れることにより行うことができる。例えば、表示部7102に表示されたアイコン7108に触れることで、アプリケーションを起動することができる。 A cellular phone 7100 illustrated in FIG. 10A can input information by touching the display portion 7102 with a finger or the like. Any operation such as making a call or inputting a character can be performed by touching the display portion 7102 with a finger or the like. For example, an application can be started by touching an icon 7108 displayed on the display portion 7102.

また操作ボタン7103の操作により、電源のON、OFFや、表示部7102に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。 Further, by operating the operation button 7103, the power can be turned on and off, and the type of image displayed on the display portion 7102 can be switched. For example, the mail creation screen can be switched to the main menu screen.

図10(B)は、腕時計型の携帯情報端末の一例を示している。携帯情報端末7200は、筐体7201、表示部7202、バンド7203、バックル7204、操作ボタン7205、入出力端子7206などを備える。 FIG. 10B illustrates an example of a wristwatch-type portable information terminal. A portable information terminal 7200 includes a housing 7201, a display portion 7202, a band 7203, a buckle 7204, operation buttons 7205, an input / output terminal 7206, and the like.

携帯情報端末7200は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。 The portable information terminal 7200 can execute various applications such as a mobile phone, electronic mail, text browsing and creation, music playback, Internet communication, and computer games.

表示部7202はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、表示部7202はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表示部7202に表示されたアイコン7207に触れることで、アプリケーションを起動することができる。 The display portion 7202 is provided with a curved display surface, and display can be performed along the curved display surface. The display portion 7202 includes a touch sensor and can be operated by touching the screen with a finger, a stylus, or the like. For example, an application can be started by touching an icon 7207 displayed on the display portion 7202.

操作ボタン7205は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末7200に組み込まれたオペレーションシステムにより、操作ボタン7205の機能を自由に設定することもできる。 The operation button 7205 can have various functions such as power on / off operation, wireless communication on / off operation, manner mode execution and release, and power saving mode execution and release, in addition to time setting. . For example, the function of the operation button 7205 can be freely set by an operation system incorporated in the portable information terminal 7200.

また、携帯情報端末7200は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。 In addition, the portable information terminal 7200 can perform short-range wireless communication with a communication standard. For example, it is possible to talk hands-free by communicating with a headset capable of wireless communication.

また、携帯情報端末7200は入出力端子7206を備え、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子7206を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は入出力端子7206を介さずに無線給電により行ってもよい。 In addition, the portable information terminal 7200 includes an input / output terminal 7206, and can directly exchange data with other information terminals via a connector. Charging can also be performed through the input / output terminal 7206. Note that the charging operation may be performed by wireless power feeding without using the input / output terminal 7206.

携帯情報端末7200の表示部7202に、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。 The light-emitting device of one embodiment of the present invention can be applied to the display portion 7202 of the portable information terminal 7200.

図10(C)には、携帯型の表示装置の一例を示している。表示装置7300は、筐体7301、表示部7302、操作ボタン7303、引き出し部材7304、制御部7305を備える。 FIG. 10C illustrates an example of a portable display device. The display device 7300 includes a housing 7301, a display portion 7302, operation buttons 7303, a drawer member 7304, and a control portion 7305.

表示装置7300は、筒状の筐体7301内にロール状に巻かれたフレキシブルな表示部7102を備える。 The display device 7300 includes a flexible display portion 7102 wound in a roll shape within a cylindrical housing 7301.

また、表示装置7300は制御部7305によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部7302に表示することができる。また、制御部7305にはバッテリをそなえる。また、制御部7305にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。 Further, the display device 7300 can receive a video signal by the control unit 7305 and can display the received video on the display unit 7302. In addition, the control unit 7305 is provided with a battery. Further, the control unit 7305 may be provided with a terminal unit for connecting a connector, and a video signal and power may be directly supplied from the outside by wire.

また、操作ボタン7303によって、電源のON、OFF動作や表示する映像の切り替え等を行うことができる。 An operation button 7303 can be used to perform power ON / OFF operations, switching of displayed images, and the like.

図10(D)には、表示部7302を引き出し部材7304により引き出した状態の表示装置7300を示す。この状態で表示部7302に映像を表示することができる。また、筐体7301の表面に配置された操作ボタン7303によって、片手で容易に操作することができる。また、図10(C)のように操作ボタン7303を筐体7301の中央でなく片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。 FIG. 10D illustrates the display device 7300 in a state where the display portion 7302 is pulled out by a pull-out member 7304. In this state, an image can be displayed on the display portion 7302. An operation button 7303 arranged on the surface of the housing 7301 can be easily operated with one hand. Further, as shown in FIG. 10C, the operation button 7303 is arranged close to one side instead of the center of the housing 7301, so that it can be easily operated with one hand.

なお、表示部7302を引き出した際に表示部7302の表示面が平面状となるように固定するため、表示部7302の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。 Note that a reinforcing frame may be provided on a side portion of the display portion 7302 so that the display surface of the display portion 7302 is fixed to be flat when the display portion 7302 is pulled out.

なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によって音声を出力する構成としてもよい。 In addition to this configuration, a speaker may be provided in the housing, and audio may be output by an audio signal received together with the video signal.

表示部7302には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。本発明の一態様により、軽量で、且つ信頼性の高い発光装置を提供できる。 In the display portion 7302, the light-emitting device of one embodiment of the present invention is incorporated. According to one embodiment of the present invention, a light-emitting device that is lightweight and highly reliable can be provided.

本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。 This embodiment can be freely combined with any of the other embodiments.

本実施例では、本発明の一態様の発光装置を作製し、高温高湿環境下で信頼性試験を行った結果について説明する。 In this example, a result of manufacturing a light-emitting device of one embodiment of the present invention and performing a reliability test in a high-temperature and high-humidity environment will be described.

本実施例では、本発明の一態様の発光装置である試料aと、比較例の発光装置である比較試料bと、を作製した。 In this example, a sample a which is a light-emitting device of one embodiment of the present invention and a comparative sample b which is a light-emitting device of a comparative example were manufactured.

試料a及び比較試料bに用いた材料を、図1(B)を用いて説明する。 The materials used for the sample a and the comparative sample b will be described with reference to FIG.

可撓性基板201及び可撓性基板103としては、厚さ20μmのプラスチックフィルムを用いた。 As the flexible substrate 201 and the flexible substrate 103, a 20 μm-thick plastic film was used.

接着層203、接着層213、及び接着層105としては、二液混合型のエポキシ樹脂を用いた。 As the adhesive layer 203, the adhesive layer 213, and the adhesive layer 105, a two-component mixed epoxy resin was used.

トランジスタ240としては、酸化物半導体膜を用いたボトムゲート・トップコンタクト型のトランジスタを用いた。 As the transistor 240, a bottom-gate / top-contact transistor using an oxide semiconductor film was used.

発光素子230としては、トップエミッション構造であり、EL層233が、青色の発光層を有する蛍光発光ユニットと、緑色の発光層及び赤色の発光層を有する燐光発光ユニットとを有する、タンデム型の有機EL素子を用いた。 The light-emitting element 230 has a top emission structure, and the EL layer 233 includes a fluorescent light-emitting unit having a blue light-emitting layer and a phosphorescent light-emitting unit having a green light-emitting layer and a red light-emitting layer. An EL element was used.

発光素子230の下部電極231の端部を覆う絶縁層211としては、膜厚1μmのポリイミド樹脂膜を用いた。 A polyimide resin film having a thickness of 1 μm was used as the insulating layer 211 covering the end portion of the lower electrode 231 of the light emitting element 230.

遮光層257としては、アクリル樹脂とカーボンブラックを含む膜厚0.6μmのブラックマトリクスを用いた。ここで、アクリル樹脂は遮光層257の主成分といえる。 As the light shielding layer 257, a black matrix having a thickness of 0.6 μm containing acrylic resin and carbon black was used. Here, the acrylic resin can be said to be a main component of the light shielding layer 257.

着色層259としては、アクリル樹脂を主成分として含むカラーフィルタを用いた。それぞれ含まれる顔料の異なる赤色、緑色、青色の3種類のカラーフィルタを用い、赤色のカラーフィルタの膜厚は1.9μm、緑色のカラーフィルタの膜厚は1.5μm、青色のカラーフィルタの膜厚は1.3μmとした。 As the colored layer 259, a color filter containing an acrylic resin as a main component was used. Three types of red, green, and blue color filters with different pigments are used. The red color filter has a film thickness of 1.9 μm, the green color filter has a film thickness of 1.5 μm, and the blue color filter film. The thickness was 1.3 μm.

試料aでは、トランジスタ240と発光素子230の間の有機絶縁層209に、膜厚2μmのアクリル樹脂膜(アクリル樹脂が主成分の膜)を用いた。一方、比較試料bでは、有機絶縁層209に、膜厚2μmのポリイミド樹脂膜(ポリイミド樹脂が主成分の膜)を用いた。 In sample a, an acrylic resin film having a thickness of 2 μm (a film containing acrylic resin as a main component) was used for the organic insulating layer 209 between the transistor 240 and the light emitting element 230. On the other hand, in the comparative sample b, a 2 μm-thick polyimide resin film (a film mainly composed of polyimide resin) was used for the organic insulating layer 209.

信頼性試験では、試料a及び比較試料bを高温高湿環境下(温度65℃、湿度90%)で保持した。 In the reliability test, the sample a and the comparative sample b were held in a high-temperature and high-humidity environment (temperature 65 ° C., humidity 90%).

図11(A)に、試料aの信頼性試験を行う前の表示状態を示す。また、図11(B)に試料aの高温高湿環境下に保持して1000時間経過した後の表示状態を示す。図11(E)は、非表示状態の試料aの上面図である。 FIG. 11A shows a display state before the reliability test of the sample a. Further, FIG. 11B shows a display state after 1000 hours have passed after holding the sample a in a high-temperature and high-humidity environment. FIG. 11E is a top view of the sample a in a non-display state.

図11(C)に、比較試料bの信頼性試験を行う前の表示状態を示す。また、図11(D)に比較試料bの高温高湿環境下に保持して48時間経過した後の表示状態を示す。図11(F)は、非表示状態の比較試料bの上面図である。 FIG. 11C shows a display state before the reliability test of the comparative sample b. FIG. 11D shows a display state after 48 hours have passed since the comparative sample b was held in a high-temperature and high-humidity environment. FIG. 11F is a top view of the comparative sample b in the non-display state.

比較試料bでは、信頼性試験を開始した48時間後において、表示領域の一部が非発光となる表示不良が生じていた。図11(F)に示すように、目視によっても、比較試料bの表示領域にクラックが発生していることがわかった。また、比較試料bの表示領域の断面観察を行ったところ、絶縁層255や遮光層257にクラックが発生していることが確認できた。表示領域においてクラックが発生したことで、水分が表示領域内に侵入しやすくなり、表示不良が生じたと考えられる。 In the comparative sample b, a display defect in which a part of the display area did not emit light occurred 48 hours after the start of the reliability test. As shown in FIG. 11F, it was found that cracks were generated in the display region of the comparative sample b by visual observation. Further, when a cross-sectional observation of the display region of the comparative sample b was performed, it was confirmed that cracks were generated in the insulating layer 255 and the light shielding layer 257. It is considered that the occurrence of cracks in the display area makes it easier for moisture to enter the display area, resulting in display defects.

一方、試料aでは、信頼性試験を開始した1000時間後において、クラックの発生による表示不良は見られなかった。 On the other hand, in sample a, no display defect due to the occurrence of cracks was observed 1000 hours after the start of the reliability test.

試料aと比較試料bの大きな違いは、有機絶縁層209を構成する材料である。比較試料bでは、有機絶縁層209の主成分がポリイミド樹脂であり、着色層259の主成分(アクリル樹脂)とは異なる。したがって、有機絶縁層209と、着色層259とで、膨潤度や熱膨張係数の差が大きく、高温高湿環境下でクラックが発生したと考えられる。一方、試料aでは、有機絶縁層209の主成分と、着色層259の主成分(さらには遮光層257の主成分)と、がいずれもアクリル樹脂である。そのため、有機絶縁層209と、着色層259とで、膨潤度や熱膨張係数の差が小さく、高温高湿環境下においてもクラックの発生を抑制できたと考えられる。 The major difference between the sample a and the comparative sample b is the material constituting the organic insulating layer 209. In the comparative sample b, the main component of the organic insulating layer 209 is a polyimide resin, which is different from the main component (acrylic resin) of the colored layer 259. Therefore, the organic insulating layer 209 and the colored layer 259 have a large difference in swelling degree and thermal expansion coefficient, and it is considered that cracks occurred in a high temperature and high humidity environment. On the other hand, in sample a, the main component of the organic insulating layer 209 and the main component of the colored layer 259 (and the main component of the light shielding layer 257) are both acrylic resins. Therefore, the difference in the degree of swelling and the thermal expansion coefficient is small between the organic insulating layer 209 and the colored layer 259, and it is considered that the generation of cracks could be suppressed even in a high temperature and high humidity environment.

以上のことから、本発明の一態様を適用することで、クラックの発生による表示不良を抑制できることが示された。 From the above, it was shown that display defects due to generation of cracks can be suppressed by applying one embodiment of the present invention.

11 発光装置
11a 発光領域
11b 非発光領域
13a 保護層
13b 保護層
15 支持パネル
15a 支持パネル
15b 支持パネル
103 可撓性基板
104 光取り出し部
105 接着層
106 駆動回路部
108 FPC
108a FPC
108b FPC
156 導電層
157 導電層
201 可撓性基板
203 接着層
205 絶縁層
207 絶縁層
209 有機絶縁層
209a 有機絶縁層
209b 有機絶縁層
211 絶縁層
213 接着層
215 接続体
215a 接続体
215b 接続体
217 絶縁層
230 発光素子
231 下部電極
233 EL層
235 上部電極
240 トランジスタ
255 絶縁層
257 遮光層
259 着色層
261 オーバーコート
270 導電層
271 p型半導体層
272 導電層
273 i型半導体層
274 導電層
275 n型半導体層
276 絶縁層
278 絶縁層
280 導電層
281 導電層
283 導電層
291 絶縁層
292 導電性粒子
293 絶縁層
294 導電層
295 絶縁層
296 導電層
301 作製基板
303 剥離層
305 作製基板
307 剥離層
7100 携帯電話機
7101 筐体
7102 表示部
7103 操作ボタン
7104 外部接続ポート
7105 スピーカ
7106 マイク
7107 カメラ
7108 アイコン
7200 携帯情報端末
7201 筐体
7202 表示部
7203 バンド
7204 バックル
7205 操作ボタン
7206 入出力端子
7207 アイコン
7300 表示装置
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 部材
7305 制御部
11 Light-emitting device 11a Light-emitting area 11b Non-light-emitting area 13a Protective layer 13b Protective layer 15 Support panel 15a Support panel 15b Support panel 103 Flexible substrate 104 Light extraction part 105 Adhesive layer 106 Drive circuit part 108 FPC
108a FPC
108b FPC
156 conductive layer 157 conductive layer 201 flexible substrate 203 adhesive layer 205 insulating layer 207 insulating layer 209 organic insulating layer 209a organic insulating layer 209b organic insulating layer 211 insulating layer 213 adhesive layer 215 connecting body 215a connecting body 215b connecting body 217 insulating layer 230 Light-Emitting Element 231 Lower Electrode 233 EL Layer 235 Upper Electrode 240 Transistor 255 Insulating Layer 257 Light-shielding Layer 259 Colored Layer 261 Overcoat 270 Conductive Layer 271 p-type Semiconductor Layer 272 Conductive Layer 273 i-type Semiconductor Layer 274 Conductive Layer 275 n-type Semiconductor Layer 276 Insulating layer 278 Insulating layer 280 Conductive layer 281 Conductive layer 283 Conductive layer 291 Insulating layer 292 Conductive particle 293 Insulating layer 294 Conductive layer 295 Insulating layer 296 Conductive layer 301 Fabrication substrate 303 Separation layer 305 Fabrication substrate 307 Separation layer 7100 Mobile phone 7101 Case 7102 Display portion 7103 Operation button 7104 External connection port 7105 Speaker 7106 Microphone 7107 Camera 7108 Icon 7200 Portable information terminal 7201 Case 7202 Display portion 7203 Band 7204 Buckle 7205 Operation button 7206 Input / output terminal 7207 Icon 7300 Display device 7301 Case 7302 Display unit 7303 Operation button 7304 Member 7305 Control unit

Claims (7)

第1の可撓性基板と、
前記第1の可撓性基板上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の有機絶縁層と、
前記トランジスタと電気的に接続する、前記有機絶縁層上の発光素子と、
前記発光素子上の第2の可撓性基板と、
前記発光素子及び前記第2の可撓性基板の間の着色層と、を有し、
前記着色層は前記発光素子と重なり、
前記有機絶縁層及び前記着色層は、同一の主成分を含む発光装置。
A first flexible substrate;
A transistor on the first flexible substrate;
An organic insulating layer on the transistor;
A light emitting element on the organic insulating layer electrically connected to the transistor;
A second flexible substrate on the light emitting element;
A colored layer between the light emitting element and the second flexible substrate,
The colored layer overlaps the light emitting element;
The organic insulating layer and the colored layer are light emitting devices including the same main component.
第1の可撓性基板と、
前記第1の可撓性基板上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の有機絶縁層と、
前記トランジスタと電気的に接続する、前記有機絶縁層上の発光素子と、
前記発光素子上の第2の可撓性基板と、
前記発光素子及び前記第2の可撓性基板の間の着色層及び遮光層と、を有し、
前記着色層は前記発光素子と重なり、
前記有機絶縁層、前記着色層、及び前記遮光層は、同一の主成分を含む発光装置。
A first flexible substrate;
A transistor on the first flexible substrate;
An organic insulating layer on the transistor;
A light emitting element on the organic insulating layer electrically connected to the transistor;
A second flexible substrate on the light emitting element;
A colored layer and a light shielding layer between the light emitting element and the second flexible substrate,
The colored layer overlaps the light emitting element;
The organic insulating layer, the colored layer, and the light shielding layer are light emitting devices that include the same main component.
請求項1又は2において、
前記遮光層と重なる絶縁層を有し、
前記発光素子は、上部電極と下部電極との間に発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記絶縁層は、前記下部電極の端部を覆う発光装置。
In claim 1 or 2,
An insulating layer overlapping the light shielding layer;
The light emitting element has a layer containing a light emitting organic compound between an upper electrode and a lower electrode,
The insulating layer is a light emitting device that covers an end of the lower electrode.
第1の可撓性基板と、
前記第1の可撓性基板上の第1の接着層と、
前記第1の接着層上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の有機絶縁層と、
前記トランジスタと電気的に接続する、前記有機絶縁層上の下部電極と、
前記下部電極の端部を覆う第2の絶縁層と、
前記下部電極及び前記第2の絶縁層上の発光性の有機化合物を含む層と、
前記発光性の有機化合物を含む層上の上部電極と、
前記上部電極上の第2の接着層と、
前記第2の接着層上の着色層と、
前記着色層上の第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層上の第3の接着層と、
前記第3の接着層上の第2の可撓性基板と、を有し、
前記着色層は前記下部電極と重なり、
前記有機絶縁層及び前記着色層は、同一の主成分を含む発光装置。
A first flexible substrate;
A first adhesive layer on the first flexible substrate;
A first insulating layer on the first adhesive layer;
A transistor on the first insulating layer;
An organic insulating layer on the transistor;
A lower electrode on the organic insulating layer electrically connected to the transistor;
A second insulating layer covering an end of the lower electrode;
A layer containing a light-emitting organic compound on the lower electrode and the second insulating layer;
An upper electrode on the layer containing the luminescent organic compound;
A second adhesive layer on the upper electrode;
A colored layer on the second adhesive layer;
A third insulating layer on the colored layer;
A third adhesive layer on the third insulating layer;
A second flexible substrate on the third adhesive layer,
The colored layer overlaps the lower electrode;
The organic insulating layer and the colored layer are light emitting devices including the same main component.
請求項4において、
前記第2の接着層及び前記第3の絶縁層の間に、前記第2の絶縁層と重なる遮光層を有し、
前記有機絶縁層、前記着色層、及び前記遮光層は、前記同一の主成分を含む発光装置。
In claim 4,
A light shielding layer overlapping the second insulating layer between the second adhesive layer and the third insulating layer;
The organic insulating layer, the colored layer, and the light shielding layer are the light emitting device including the same main component.
請求項1乃至5のいずれか一項において、
前記同一の主成分はアクリル樹脂である発光装置。
In any one of Claims 1 thru | or 5,
The light emitting device in which the same main component is an acrylic resin.
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発光装置を表示部に有する電子機器。   The electronic device which has a light-emitting device as described in any one of Claims 1 thru | or 6 in a display part.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016208020A (en) * 2015-04-22 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 Method of manufacturing circuit board, method of manufacturing light-emitting device, and light-emitting device
WO2019180878A1 (en) * 2018-03-22 2019-09-26 シャープ株式会社 Display device and method for producing display device

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001290439A (en) * 2000-02-01 2001-10-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20010040645A1 (en) * 2000-02-01 2001-11-15 Shunpei Yamazaki Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20040079941A1 (en) * 2002-10-18 2004-04-29 Shunpei Yamazaki Semiconductor apparatus and fabrication method of the same
US20040232413A1 (en) * 2002-10-30 2004-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2005182000A (en) * 2003-11-28 2005-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of manufacturing display device
JP2005183374A (en) * 2003-11-28 2005-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacturing method of display device
US20080171484A1 (en) * 2003-11-28 2008-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of Manufacturing Display Device
US20100308335A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-09 Tae-Woong Kim Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
US20120153812A1 (en) * 2010-12-20 2012-06-21 Deeder Aurongzeb Large area light emitting electrical package with current spreading bus

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001290439A (en) * 2000-02-01 2001-10-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20010040645A1 (en) * 2000-02-01 2001-11-15 Shunpei Yamazaki Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20040079941A1 (en) * 2002-10-18 2004-04-29 Shunpei Yamazaki Semiconductor apparatus and fabrication method of the same
JP2004140267A (en) * 2002-10-18 2004-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and fabrication method thereof
US20040232413A1 (en) * 2002-10-30 2004-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2011142332A (en) * 2002-10-30 2011-07-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and electronic apparatus
JP2005183374A (en) * 2003-11-28 2005-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacturing method of display device
US20070181246A1 (en) * 2003-11-28 2007-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing display device
US20080171484A1 (en) * 2003-11-28 2008-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of Manufacturing Display Device
JP2005182000A (en) * 2003-11-28 2005-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of manufacturing display device
US20100308335A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-09 Tae-Woong Kim Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
JP2010282966A (en) * 2009-06-04 2010-12-16 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting display device and manufacturing method of organic light-emitting display device
US20120153812A1 (en) * 2010-12-20 2012-06-21 Deeder Aurongzeb Large area light emitting electrical package with current spreading bus
JP2013546154A (en) * 2010-12-20 2013-12-26 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ Large area light emitting electrical package with current spreading bus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016208020A (en) * 2015-04-22 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 Method of manufacturing circuit board, method of manufacturing light-emitting device, and light-emitting device
WO2019180878A1 (en) * 2018-03-22 2019-09-26 シャープ株式会社 Display device and method for producing display device
US20210020689A1 (en) * 2018-03-22 2021-01-21 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for producing display device
US11626449B2 (en) 2018-03-22 2023-04-11 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for producing display device

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