JP2014211663A - タッチパネルおよびタッチパネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】静電容量方式のタッチパネルにおいて、エッチング不良による電極膜の残渣の発生を防止して、電極パターンが視認されにくい、タッチパネルの製造方法を得る。【解決手段】タッチパネルの製造方法は、絶縁性基板１０上に、互いに交差する方向に延在する第１電極１１および第２電極１２を形成する電極形成工程と、前記絶縁性基板１０、前記第１電極１１、および前記第２電極１２の一部を覆う絶縁膜１６を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜１６上を経由して、隣接する前記第２電極１２同士を接続するブリッジ１７を形成するブリッジ形成工程とを含む。そして、前記ブリッジ形成工程よりも前に、前記第１電極１１および第２電極１２の表面をエッチングする表面処理工程を１回以上行う。【選択図】図１

Description

本発明は、静電容量方式のタッチパネル、および当該タッチパネルの製造方法に関する。

静電容量方式のタッチパネルは、多点検出が可能である等、実用性が高く、近年普及が進んでいる。

特開２００８−３１０５５０号公報（特許文献１）には、互いに交差する方向に延在する第１および第２の電極パターンが同一面上に形成されたタッチパネル（静電容量型入力装置）が記載されている。このタッチパネルでは、第１および第２の電極パターンの交差部分において、一方の電極パターンが繋がっており、他方が途切れている。そして、交差部分には層間絶縁膜が形成されており、この層間絶縁膜の上には、途切れている電極パターン同士を接続するブリッジ（中継電極）が形成されている。

特開平５−２６７７０１号公報（特許文献２）には、酸化錫透明電極膜をエッチングした際に生じたエッチング残りを完全に除去することができる酸化錫透明電極膜のパターニング方法が記載されている。具体的には、酸化錫透明電極膜をエッチングによってパターニングした後、フッ化水素酸アンモニウム溶液中で搖動させながら浸漬する。

特開２００８−３１０５５０号公報 特開平５−２６７７０１号公報

タッチパネルは、表示装置に重ねて使用されるため、透過率が高く、電極パターン等がユーザから視認されにくいことが好ましい。特許文献１に記載のタッチパネルの構成は、第１および第２の電極パターンが同一面上に形成されるため、第１および第２の電極パターンの間の反射率差が少なく、電極パターンが視認されにくい。

しかしながら、途切れている電極パターン同士を接続する中継電極を形成する際、エッチング不良による透明導電膜の残渣が電極パターン上に残ることがある。この残渣によって、電極パターンが視認されやすくなるという問題がある。

特許文献２に記載の方法を、上記のタッチパネルに適用しようとすると、透明電極膜の残渣（エッチング残り）のみならず、電極パターンまでもエッチングされ、タッチパネルとしての機能が損なわれる可能性がある。

本発明の目的は、静電容量方式のタッチパネルにおいて、エッチング不良による電極膜の残渣の発生を防止して、電極パターンが視認されにくい、タッチパネルの構成、およびタッチパネルの製造方法を得ることである。

本発明の一実施形態にかかるタッチパネルの製造方法は、絶縁性基板上に、互いに交差する方向に延在する第１電極および第２電極を形成する電極形成工程と、前記絶縁性基板、前記第１電極、および前記第２電極の一部を覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第２電極同士を接続するブリッジを形成するブリッジ形成工程とを含む。そして、前記ブリッジ形成工程よりも前に、前記第１電極および第２電極の表面をエッチングする表面処理工程を１回以上行う。

また、本発明の一実施形態にかかるタッチパネルは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成され、電極部と、隣接する前記電極部同士を接続する接続部とを含み、一方向に延在する第１電極と、前記絶縁性基板上に形成され、前記第１電極と交差する方向に延在する第２電極と、前記接続部を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第２電極同士を接続するブリッジとを備える。そして、前記第１および第２電極のうち、前記絶縁膜と接している部分の厚さが、前記絶縁膜と接していない部分の厚さよりも厚い。

本発明によれば、静電容量方式のタッチパネルにおいて、エッチング不良による電極膜の残渣の発生を防止して、電極パターンが視認されにくい、タッチパネルが得られる。

図１は、本発明の第１の実施形態にかかるタッチパネルの構成を模式的に示す平面図である。 図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。 図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態にかかるタッチパネルの構成から、第１電極および第２電極を抜き出して示した模式図である。 図５は、第１電極と第２電極との交差部分の拡大図である。 図６Ａは、図１における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線の各線に沿った断面図である。 図６Ｂは、図１における、Ｄ−Ｄ’線に沿った断面図である。 図７Ａは、本発明の第１の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、電極形成工程および端子形成工程を模式的に示す断面図である。 図７Ｂは、本発明の第１の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、配線形成工程を模式的に示す断面図である。 図７Ｃは、本発明の第１の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、絶縁膜形成工程および表面処理工程を模式的に示す断面図である。 図７Ｄは、本発明の第１の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、ブリッジ形成工程を模式的に示す断面図である。 図７Ｅは、本発明の第１の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、保護膜形成工程を模式的に示す断面図である。 図８は、比較例にかかるタッチパネルの構成を模式的に示す平面図である。 図９Ａは、図８における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線の各線に沿った断面図である。 図９Ｂは、図８における、Ｄ−Ｄ’線に沿った断面図である。 図１０Ａは、比較例にかかるタッチパネルの製造方法における、電極形成工程および端子形成工程を模式的に示す断面図である。 図１０Ｂは、比較例にかかるタッチパネルの製造方法における、配線形成工程を模式的に示す断面図である。 図１０Ｃは、比較例にかかるタッチパネルの製造方法における、絶縁膜形成工程を模式的に示す断面図である。 図１０Ｄは、比較例にかかるタッチパネルの製造方法における、ブリッジ形成工程を模式的に示す断面図である。 図１０Ｅは、比較例にかかるタッチパネルの製造方法における、保護膜形成工程を模式的に示す断面図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態にかかるタッチパネルの構成を模式的に示す平面図である。 図１２Ａは、図１１における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線の各線に沿った断面図である。 図１２Ｂは、図１１における、Ｄ−Ｄ’線に沿った断面図である。 図１３Ａは、本発明の第２の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、電極形成工程および端子形成工程を模式的に示す断面図である。 図１３Ｂは、本発明の第２の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、配線形成工程および表面処理工程を模式的に示す断面図である。 図１３Ｃは、本発明の第２の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、絶縁膜形成工程を模式的に示す断面図である。 図１３Ｄは、本発明の第２の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、ブリッジ形成工程を模式的に示す断面図である。 図１３Ｅは、本発明の第２の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、保護膜形成工程を模式的に示す断面図である。 図１４は、本発明の第３の実施形態にかかるタッチパネルの構成を模式的に示す平面図である。 図１５Ａは、図１４における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線の各線に沿った断面図である。 図１５Ｂは、図１４における、Ｄ−Ｄ’線に沿った断面図である。 図１６Ａは、本発明の第３の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、電極形成工程および端子形成工程を模式的に示す断面図である。 図１６Ｂは、本発明の第３の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、配線形成工程および表面処理工程を模式的に示す断面図である。 図１６Ｃは、本発明の第３の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、絶縁膜形成工程および表面処理工程を模式的に示す断面図である。 図１６Ｄは、本発明の第３の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、ブリッジ形成工程を模式的に示す断面図である。 図１６Ｅは、本発明の第３の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法における、保護膜形成工程を模式的に示す断面図である。 図１７は、本発明の第４の実施形態にかかるタッチパネルの構成を模式的に示す平面図である。 図１８Ａは、図１７における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線の各線に沿った断面図である。 図１８Ｂは、図１７における、Ｄ−Ｄ’線に沿った断面図である。

本発明の一実施形態にかかるタッチパネルの製造方法は、絶縁性基板上に、互いに交差する方向に延在する第１電極および第２電極を形成する電極形成工程と、前記絶縁性基板、前記第１電極、および前記第２電極の一部を覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第２電極同士を接続するブリッジを形成するブリッジ形成工程とを含む。そして、前記ブリッジ形成工程よりも前に、前記第１電極および第２電極の表面をエッチングする表面処理工程を１回以上行う（製造方法の第１の態様）。

タッチパネルの製造工程において、第１電極および第２電極の表面は、大気や水分にさらされると、酸素リッチ層を形成する場合がある。酸素リッチ層の上にブリッジを形成すると、半結晶性の膜が形成される。この半結晶性の膜は、アモルファスの膜と比較してエッチングされにくく、電極膜の残渣の原因となる。

上記第１の態様によるタッチパネルの製造方法は、ブリッジ形成工程よりも前に、第１電極および第２電極の表面をエッチングする表面処理工程を含む。そのため、第１電極および第２電極の表面から酸素リッチ層が除去される。これにより、半結晶性の膜が形成されることを防止する。したがって、電極膜の残渣の発生を防止でき、電極パターンが視認されにくくなる。

上記第１の態様において、前記エッチングは、強アルカリ液処理、フッ酸処理、塩素ガス系ドライエッチング処理、およびこれらの組み合わせからなる群から選択されても良い（製造方法の第２の態様）。

上記第１または第２の態様において、前記表面処理工程の一つは、前記絶縁膜形成工程と連続して行うことができる（製造方法の第３の態様）。

上記第１〜第３のいずれかの態様において、前記表面処理工程の一つは、前記絶縁膜形成工程と同時に行われることが好ましい（製造方法の第４の態様）。

上記の態様によれば、製造工程を簡略化できる。

上記第１〜第４のいずれかの態様において、前記絶縁性基板上に、端子を形成する端子形成工程と、前記第１および第２電極と、前記端子とを接続する配線を形成する配線形成工程とをさらに含んでも良い。この場合、前記絶縁膜形成工程により形成される絶縁膜は、前記絶縁性基板、前記第１電極、および前記第２電極に加えて、前記配線および前記端子の一部を覆い、前記表面処理工程は、前記第１電極および前記第２電極の表面に加えて、前記端子の表面をエッチングする（製造方法の第５の態様）。

上記第５の態様において、前記表面処理工程の一つは、前記配線形成工程と連続して行うことができる（製造方法の第６の態様）。

上記第５または第６の態様において、前記表面処理工程の一つは、前記配線形成工程と同時に行われることが好ましい（製造方法の第７の態様）。

上記の態様によれば、製造工程を簡略化できる。

上記第５〜第７のいずれかの態様において、前記電極形成工程と、前記端子形成工程とが、同時に行われることが好ましい（製造方法の第８の態様）。

上記の態様によれば、製造工程を簡略化できる。

上記第１〜第８のいずれかの態様において、前記絶縁性基板上に、屈折率の異なる２以上の絶縁膜を積層させた反射率調整層を形成する反射率調整層形成工程をさらに備えることが好ましい（製造方法の第９の態様）。

上記の態様によれば、反射率調整層によって、第１電極および第２電極のいずれかが形成されている箇所と、第１電極および第２電極のいずれも形成されていない箇所との間の、反射率差が調整される。これにより、電極パターンがより視認されにくくなる。

本発明の一実施形態にかかるタッチパネルは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成され、電極部と、隣接する前記電極部同士を接続する接続部とを含み、一方向に延在する第１電極と、前記絶縁性基板上に形成され、前記第１電極と交差する方向に延在する第２電極と、前記接続部を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第２電極同士を接続するブリッジとを備える。そして、前記第１および第２電極のうち、前記絶縁膜と接している部分の厚さが、前記絶縁膜と接していない部分の厚さよりも厚い（第１の構成）。

第１電極および第２電極の厚さを薄くすれば、透過率が上がり、電極パターンが視認されにくくなる。一方、断面積が減少することにより、電気抵抗が増加し、タッチパネルとしての感度が低下する。

上記第１の構成によれば、第１および第２電極のうち、絶縁膜と接している部分は、厚く形成されている。また、接続部は、絶縁膜に覆われている。すなわち、接続部が選択的に厚く形成されている。これにより、電気抵抗の増加を抑えつつ、第１および第２電極の他の部分を薄く形成して、電極パターンを視認されにくくできる。

上記第１の構成において、前記絶縁膜は、前記電極部の一部および／または第２電極の一部も覆っていても良い（第２の構成）。

上記第１または第２の構成において、前記絶縁性基板上に形成された端子と、前記第１および第２電極と前記端子とを接続する配線とをさらに備え、前記端子は、厚さが異なる部分を有しても良い（第３の構成）。

本発明の他の実施形態にかかるタッチパネルは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成され、電極部と、隣接する前記電極部同士を接続する接続部とを含み、一方向に延在する第１電極と、前記絶縁性基板上に形成され、前記第１電極と交差する方向に延在する第２電極と、前記接続部を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第２電極同士を接続するブリッジと、前記絶縁性基板上に形成された端子と、前記第１および第２電極と前記端子とを接続する配線とを備える。そして、前記端子は、厚さが異なる部分を有する（第４の構成）。

上記第３または第４の構成において、前記端子のうち、前記配線と接している部分の厚さが、前記配線と接していない部分の厚さよりも厚い構成としても良い（第５の構成）。

上記第３〜第５のいずれかの構成において、前記第１および第２電極と、前記端子とが、同一材料で形成されていることが好ましい（第６の構成）。

上記の構成によれば、製造工程を簡略化できる。

上記第１〜第６のいずれかの構成において、前記第１および第２電極は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）および酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）からなる群から選択される材料で形成されていても良い（第７の構成）。

上記第１〜第７のいずれかの構成において、絶縁性基板上に形成され、屈折率の異なる２以上の絶縁膜を積層させた反射率調整層をさらに備えていることが好ましい（第８の構成）。

上記の構成によれば、反射率調整層によって、第１電極および第２電極のいずれかが形成されている箇所と、第１電極および第２電極のいずれも形成されていない箇所との間の、反射率差が調整される。これにより、電極パターンがより視認されにくくなる。

［実施の形態］
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。

[第１の実施形態]
図１〜図５を参照して、本発明の第１の実施形態にかかるタッチパネル１の概略構成を説明する。

図１は、タッチパネル１の構成を模式的に示す平面図である。図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。タッチパネル１は、絶縁性基板１０、図１の左右方向に延在する第１電極１１、第２電極１２、取出電極１１３および１２１、端子１３、配線１４、グランド配線１４１、絶縁膜１５および１６、ブリッジ１７および１８、ならびに保護膜１９等を備えている。なお、図１では、図を見易くするために配線１４及びグランド配線１４１にハッチングを付して示している。

図２および図３に示すように、タッチパネル１は、基板１０上に、電極層（第１電極１１、第２電極１２、端子１３、配線１４等）、絶縁膜層（絶縁膜１５および１６）、ブリッジ層（ブリッジ１７および１８）、ならびに保護膜１９が、この順で積層した積層構造を持っている。

図４は、タッチパネル１の構成から、第１電極１１および第２電極１２を抜き出して示した模式図である。図４に示すように、第１電極１１は、電極部１１１と、接続部１１２とを備えている。

第１電極１１は、複数の電極部１１１と接続部１１２とが一体的に形成され、一方向（図４の左右方向）に延在している。そして、複数の第１電極１１は、延在方向と垂直な方向（図４の上下方向）に整列して形成されている。

第１電極１１の延在方向と垂直な方向（図４の上下方向）に、複数の第２電極１２が、ブリッジ１７を介して互いに接続されている。ブリッジ１７と接続部１１２とが交差する箇所には、間に絶縁膜１６が形成されている。これにより、ブリッジ１７と接続部１１２とが、導通しないように構成されている。

図５は、第１電極１１と第２電極１２との交差部分の拡大図である。絶縁膜１６は、接続部１１２を覆って形成されている。また、絶縁膜１６は、図５に示すように、第２電極膜１２の一部を覆って形成されている。

ブリッジ１７と第１電極１１とが導通しないように、絶縁膜１６の幅ｗ１は、ブリッジ１７の幅ｗ２よりも大きく形成されている。

このように、複数の第１電極１１と第２電極１２とが、互いに直交して整列している。タッチパネル１では、第１電極１１および第２電極１２と、操作面に近づいた手指との間に静電容量が形成される。タッチパネル１は、この静電容量の変化に基づいて、操作面上に近づいた手指の位置を求める。すなわち、タッチパネル１は、静電容量型のタッチパネルである。

再び図１を参照して、説明を続ける。第１電極１１および第２電極１２の周りには、取出電極１１３および１２１が形成されている。取出電極１１３および１２１は、配線１４を介して、絶縁性基板１０の周縁部に形成された端子１３と、電気的に接続している。また、第１電極１１および第２電極１２の周りには、グランド配線１４１が形成されている。

取出電極１１３および１２１、配線１４、ならびにグランド配線１４１の全部と、端子１３の一部とを覆って、絶縁膜１５が形成されている。絶縁膜１５は、タッチパネル１の製造工程におけるエッチング等のプロセスから配線１４を保護し、配線１４の信頼性を向上させる。

絶縁膜１５にはコンタクトホール１５ａが形成されている。コンタクトホール１５ａを介して、第１電極１１と取出電極１１３とが、ブリッジ１８により電気的に接続されている。同様に、コンタクトホール１５ａを介して、第２電極１２と取出電極１２１とが、ブリッジ１８により電気的に接続されている。

第１電極１１、第２電極１２、端子１３、絶縁膜１５および１６、ならびにブリッジ１７および１８等を覆って、保護膜１９が形成されている。端子１３の一部は、保護膜１９に覆われずに露出している。端子１３は、フレキシブルプリント基板等を介して外部の駆動回路と接続される。

次に、図６Ａおよび図６Ｂを参照して、タッチパネル１の細部を説明する。図６Ａは、図１における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線の各線に沿った断面図である。図６Ｂは、図１における、Ｄ−Ｄ’線に沿った断面図である。

上述のように、第１電極１１の接続部１１２とブリッジ１７とが交差する箇所には、絶縁膜１６が形成されている。絶縁膜１６は、図６ＡでＡ−Ａ’線に沿った断面図に示すように、基板１０と反対側に向かって凸であるテーパー形状を有していることが好ましい。絶縁膜１６の端面が垂直であると、この部分で段差が生じ、ブリッジ１７による接続が不安定になる場合がある。

絶縁膜１６は、第１電極１１の接続部１１２を覆うとともに、第２電極１２の一部も覆っている。絶縁膜１６は、本実施形態のように、第２電極１２の一部も覆うように形成されていることが好ましい。絶縁膜１６を、接続部１１２のみを覆うように形成すると、絶縁膜１６と第２電極１２との間に隙間が生じる。この隙間にブリッジ１７を形成すると、第２電極１２の厚さによって段差が生じ、ブリッジ１７による接続が不安定になる場合があるからである。

図６ＡでＡ−Ａ’線に沿った断面図に示すように、第２電極１２のうち、絶縁膜１６で覆われている箇所１２ａの厚さは、絶縁膜１６で覆われていない箇所の厚さと比べて厚い。また、図６Ｂに示すように、絶縁膜１６で覆われている接続部１１２の厚さも、電極部１１１の絶縁膜１６で覆われていない箇所の厚さと比べて厚い。

図６ＡでＢ−Ｂ’線およびＣ−Ｃ’線に沿った断面図に示すように、端子１３のうち、絶縁膜１５で覆われている箇所１３ａの厚さは、絶縁膜１５で覆われていない箇所の厚さと比べて厚い。

［タッチパネル１の製造方法］
図７Ａ〜図７Ｅを用いて、タッチパネル１の製造方法を説明する。なお、図７Ａ〜図７Ｅは、図１におけるＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線に沿った断面図を示している。

まず、絶縁性基板１０を準備する。絶縁性基板１０は、例えばガラス基板である。

電極形成工程および端子形成工程（図７Ａ）
絶縁性基板１０の全面に、スパッタリングまたはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、一様な透明電極膜を成膜する。透明電極膜は、例えばＩＴＯやＩＺＯである。透明電極膜の厚さは特に限定されないが、例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍである。

基板１０の全面に成膜した透明電極膜を、フォトリソグラフィによりパターニングする。パターニングにより、第１電極１１、第２電極１２、取出電極１１３および１２１（不図示）、および端子１３を形成する。より具体的には、第１電極１１、第２電極１２等を形成する箇所にフォトレジストによるマスクを形成する。そして、残部をエッチングにより除去する。

エッチングは、例えば、強アルカリ液処理、フッ酸処理、塩素ガス系ドライエッチング処理、およびこれらの組み合わせからなる群から選択できる。以下、単にエッチングと言った場合にはこれらの方法によるエッチングを含むものとする。

ここでは、第１電極１１、第２電極１２、取出電極１１３および１２１、ならびに端子１３を同一材料で、同時に形成する場合を説明している。しかし、これらの一部または全部を、別の材料で形成したり、複数回のパターニングで形成することは任意である。もっとも、同一材料で、同時に形成すれば、製造工程を簡素化できる。

配線形成工程（図７Ｂ）
次に、スパッタリングまたは蒸着により、基板１０の全面に金属膜を形成する。金属膜は、例えばＡｌ等の低抵抗金属の膜である。下層や上層との密着性、および耐食性を向上させるため、複数種類の金属膜を積層させた構造とすることが好ましい。例えば、ＭｏＮｂ、Ａｌ、およびＭｏＮｂをこの順で積層させた金属膜を用いることができる。金属膜の厚さは、特に限定されないが、例えば０．３μｍ〜１．０μｍである。

基板１０上の全面に成膜した金属膜を、フォトリソグラフィによりパターニングする。パターニングにより、図７Ｂに示すように、配線１４およびグランド配線１４１（不図示）を形成する。より具体的には、配線１４およびグランド配線１４１を形成する箇所にフォトレジストによるマスクを形成する。そして、残部をエッチングにより除去する。

絶縁膜形成工程および表面処理工程（図７Ｃ）
次に、絶縁膜１５および１６を形成する。絶縁膜１５および１６の形成と連続して、または絶縁膜１５および１６の形成と同時に、第１電極１１、第２電極１２、および端子１３（以下、第１電極１１等という）の表面の酸素リッチ層を除去する。

絶縁膜１５および１６としては、有機系材料（例えばアクリル樹脂、ノボラック樹脂等を含むフォトレジスト）および無機系材料（ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮ等）のいずれかを用いることができる。絶縁膜１５および１６として、有機系材料を用いる場合と無機系材料を用いる場合とで、工程が異なるので、それぞれの場合に分けて説明する。

［絶縁膜１５および１６が有機系材料の場合]
基板１０の全面に、スピンコータまたはスリットコータによって、フォトレジストを均一に塗布する。塗布するフォトレジストの厚さは、厚いほど良く、好ましくは６μｍ以上である。

フォトレジストは、感光すると現像液に対する溶液性が減少するポジ型、および感光すると現像液に対する溶液性が増大するネガ型の、どちらでも良い。フォトレジストを塗布後、プレベーク（仮焼成）、露光、現像、ポストベーク（後焼成）等を行って、所定の位置に絶縁膜１５および１６を形成する。

前述のように、絶縁膜１６は、基板１０と反対側に向かって凸のテーパー形状を有していることが好ましい。このようなテーパー形状は、段階的に光透過度が変化するフォトマスクを使用して、露光を行うことで形成できる。

絶縁膜１５および１６を形成した後に、第１電極１１等の表面の酸素リッチ層を除去するためのエッチングを行う。

また、第１電極１１等の表面の酸素リッチ層の除去は、絶縁膜１５および１６の形成と同時に行うこともできる。絶縁膜１５および１６のパターニングの際、現像液として強アルカリ液が用いられる。絶縁膜１５および１６のパターニングの際の現像工程を通常よりも長くする等して、現像液によって第１電極１１等の表面がエッチングされるようにすれば良い。

このとき、絶縁膜１６がマスクとなるため、第１電極１１および第２電極１２のうち、絶縁膜１６が覆っている箇所はエッチングされない。したがって、図７Ｃで破線で示した箇所がエッチングされる。そのため、第２電極１２のうち、絶縁膜１６が覆っている箇所１２ａの厚さは、絶縁膜１６が覆っていない箇所の厚さよりも厚くなる。図７Ｃには図示していないが、第１電極１１についても、絶縁膜１６に覆われている部分の厚さは、絶縁膜１６に覆われていない部分の厚さよりも厚くなる（図６Ｂ参照）。

同様に、絶縁膜１５がマスクとなるため、端子１３のうち、絶縁膜１５が覆っている箇所はエッチングされない。したがって、端子１３のうち、絶縁膜１５が覆っている箇所１３ａの厚さは、絶縁膜１５が覆っていない箇所の厚さよりも厚くなる。

［絶縁膜１５および１６が無機系材料の場合]
基板１０の全面に、ＣＶＤ法によって、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮ等の均一な無機膜を成膜する。無機膜の厚さは、厚いほど良く、配線１４の厚さの２倍以上であることが好ましい。

基板１０上の全面に成膜した無機膜を、フォトリソグラフィによりパターニングする。パターニングにより、絶縁膜１５および１６を形成する。より具体的には、絶縁膜１５および１６を形成する箇所にフォトレジストによるマスクを形成する。そして、残部をエッチングにより除去する。

絶縁膜１５および１６を形成した後に、第１電極１１等の表面の酸素リッチ層を除去する。具体的には、絶縁膜１５および１６を保護するため、絶縁膜１５および１６をパターニングする際に形成したマスクを残したまま、第１電極１１等の表面のエッチングを行う。このエッチングは、絶縁膜１５および１６を形成する際に行ったエッチングと同じ方法でも良いし、異なる方法でも良い。

また、第１電極１１等の表面の酸素リッチ層の除去は、絶縁膜１５および１６の形成と同時に行うこともできる。具体的には、絶縁膜１５および１６をパターニングする際のエッチング処理時間を通常よりも長くする等して、絶縁膜１５および１６の形成と同時に、第１電極１１等の表面がエッチングされるようにすれば良い。

このとき、絶縁膜１６を形成するためのマスクを残したままエッチングを行うため、第１電極１１および第２電極１２のうち、絶縁膜１６が覆っている箇所はエッチングされない。したがって、図７Ｃで破線で示した箇所がエッチングされる。そのため、第２電極１２のうち、絶縁膜１６が覆っている箇所１２ａの厚さは、絶縁膜１６が覆っていない箇所の厚さよりも厚くなる。図７Ｃには図示していないが、第１電極１１についても、絶縁膜１６に覆われている部分の厚さは、絶縁膜１６に覆われていない部分の厚さよりも厚くなる（図６Ｂ参照）。

同様に、絶縁膜１５を形成するためのマスクを残したままエッチングを行うため、端子１３のうち、絶縁膜１５が覆っている箇所はエッチングされない。したがって、端子１３のうち、絶縁膜１５が覆っている箇所１３ａの厚さは、絶縁膜１５が覆っていない箇所の厚さよりも厚くなる。

以上、絶縁膜１５および１６が、有機系材料の場合と、無機系材料の場合とに分けて、絶縁膜１５および１６を形成する工程、ならびに酸素リッチ層を除去する工程を説明した。なお、酸素リッチ層を除去する処理は、第１電極１１等の表面の、ごく表層部分を除去するだけで良い。０．４ｎｍ以上の厚さを除去すれば、効果が得られる。

ブリッジ形成工程（図７Ｄ）
次に、ブリッジ１７および１８（不図示）を形成する。基板１０の全面に、ＣＶＤ法またはスパッタリング等により、ＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明電極膜を均一に成膜する。そして、フォトリソグラフィによるパターニングを行って、ブリッジ１７および１８を形成する。

保護膜形成工程（図７Ｅ）
最後に、スピンコータまたはスリットコータにより、保護膜１９を均一に塗布する。この際、メタルマスク等を用いて、端子１３の一部には保護膜１９を形成しないようにする。保護膜１９は、例えばアクリル樹脂である。保護膜１９の厚さは、特に限定されないが、例えば２μｍ〜３μｍである。

以上、タッチパネル１の製造法を説明した。

本実施形態にかかるタッチパネル１の製造方法によれば、ブリッジ１７および１８を形成する前に、第１電極１１等の表面の酸素リッチ層を除去する。そのため、エッチングで除去しにくい半結晶性のＩＴＯ膜または半結晶性のＩＺＯ膜が形成されない。これにより、電極膜の残渣の発生を抑制できる。したがって、電極膜の残渣によって電極パターンが視認されやくなるのを防止できる。

また、本実施形態にかかるタッチパネル１によれば、第１電極１１のうち、絶縁膜１６で覆われている部分の厚さは、絶縁膜１６で覆われていない部分の厚さよりも厚い。例えば、絶縁膜１６で覆われている接続部１１２の厚さは、絶縁膜１６で覆われていない電極部１１１の厚さよりも厚い。

第１電極１１等の透明電極は、薄くするほど透過率が高まり、視認されにくくなる。一方、薄くすれば断面積が減るために抵抗が増大し、センサーとしての感度が低下する。特に、接続部１１２は幅が狭いため、局所的に抵抗が大きくなっている。本実施形態によれば、接続部１１２の厚さを選択的に厚くすることによって、第１電極１１の抵抗を下げることができる。一方で、その他の部分を薄く形成することで、電極パターンを視認されにくくできる。

［比較例］
ここで、本実施の形態の効果を説明するため、比較例について述べる。図８は、比較例にかかるタッチパネル９の構成を模式的に示す平面図である。なお、図８では、図を見易くするために配線１４及びグランド配線１４１にハッチングを付して示している。

タッチパネル９は、絶縁性基板１０、第１電極９１、第２電極９２、取出電極１１３および１２１、端子９３、配線１４、グランド配線１４１、絶縁膜１５および１６、ブリッジ１７および１８、ならびに保護膜１９等を備えている。また、第１電極９１は、電極部９１１と、接続部９１２とを備える。すなわち、タッチパネル９は、タッチパネル１と比べて、第１電極、第２電極、端子の構成が異なっている。

図９Ａは、図８における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線の各線に沿った断面図である。図９Ｂは、図８における、Ｄ−Ｄ’線に沿った断面図である。

図９ＡでＡ−Ａ’に沿った断面図に示すように、第２電極９２のうち、絶縁膜１６およびブリッジ１７で覆われていない部分には、電極膜の残渣１７ａが存在している。図９ＡでＣ−Ｃ’に沿った断面図に示すように、端子１３のうち、絶縁膜１５で覆われていない部分には、電極膜の残渣１７ｃが存在している。図９Ｂで示すように、電極部９１１のうち、絶縁膜１６で覆われていない部分には、電極膜の残渣１７ｂが存在している。

［タッチパネル９の製造方法］
図１０Ａ〜図１０Ｅを参照して、タッチパネル９の製造方法の概略を説明する。

タッチパネル９の製造方法は、タッチパネル１の製造方法と同様に、電極および端子形成工程（図１０Ａ）、配線形成工程（図１０Ｂ）、絶縁膜形成工程（図１０Ｃ）、ブリッジ形成工程（図１０Ｄ）、ならびに保護膜形成工程（図１０Ｅ）を含む。しかし、タッチパネル９の製造方法は、電極等表面の酸素リッチ層を除去する工程を含まない。

したがって、ブリッジ１７および１８を形成する際、ＩＴＯ膜またはＩＺＯ膜は、酸素リッチ層の上に成膜される。酸素リッチ層の上に成膜されたＩＴＯ膜またはＩＺＯ膜は、半結晶ＩＴＯ膜または半結晶ＩＺＯ膜となる。半結晶ＩＴＯ膜および半結晶ＩＺＯ膜は、アモルファスＩＴＯ膜およびアモルファスＩＺＯ膜と比較してエッチングされにくい。そのため、ブリッジ１７および１８を形成する際に、電極膜の残渣１７ａ〜１７ｃが発生する。

以上の比較例にかかるタッチパネル９の製造方法と比較して、本実施形態にかかるタッチパネル１の製造方法によれば、ブリッジ１７および１８を形成する前に、第１電極膜１１等の表面の酸素リッチ層を除去する。したがって、このような電極膜の残渣１７ａ〜１７ｃが発生しない。

［第２の実施形態］
図１１は、本発明の第２の実施形態にかかるタッチパネル２の構成を模式的に示す平面図である。なお、図１１では、図を見易くするために配線１４及びグランド配線１４１にハッチングを付して示している。

タッチパネル２は、絶縁性基板１０、第１電極２１、第２電極２２、取出電極１１３および１２１、端子２３、配線１４、グランド配線１４１、絶縁膜１５および１６、ブリッジ１７および１８、ならびに保護膜１９等を備えている。また、第１電極２１は、電極部２１１と、接続部２１２とを備える。すなわち、タッチパネル２は、タッチパネル１と比べて、第１電極、第２電極、端子の構成が異なっている。

図１２Ａは、図１１における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線の各線に沿った断面図である。図１２Ｂは、図１１における、Ｄ−Ｄ’線に沿った断面図である。

図１２ＡでＡ−Ａ’線に沿った断面図に示すように、第２電極２２のうち、絶縁膜１６で覆われている部分２２ａの厚さと、絶縁膜１６で覆われていない部分の厚さは、タッチパネル１とは異なり、同じである。また、図１２Ｂに示すように、接続部２１２の厚さと、電極部２１１の厚さも同じである。

図１２ＡでＢ−Ｂ’線およびＣ−Ｃ’線に沿った断面図に示すように、端子２３のうち、絶縁膜１５で覆われている部分２３ａと、絶縁膜１５および配線１４のいずれにも覆われていない部分の厚さは、タッチパネル１とは異なり、同じである。一方、端子２３のうち、配線１４で覆われている部分２３ｂの厚さは、配線１４で覆われていない部分の厚さよりも厚い。

［タッチパネル２の製造方法］
図１３Ａ〜図１３Ｅを参照して、タッチパネル２の製造方法の概略を説明する。

タッチパネル２の製造方法は、タッチパネル１の製造方法と同様に、電極および端子形成工程（図１３Ａ）、配線形成工程（図１３Ｂ）、絶縁膜形成工程（図１３Ｃ）、ブリッジ形成工程（図１３Ｄ）、ならびに保護膜形成工程（図１３Ｅ）を含む。一方、タッチパネル２の製造方法では、タッチパネル１の製造方法と異なり、表面処理工程は、配線形成工程と連続して、または配線形成工程と同時に行われる。

すなわち、図１３Ｂに示すように、配線１４をパターニング後に、配線１４をパターニングする際のマスクを残したまま、第１電極２１、第２電極２２、および端子２３の表面の酸素リッチ層を除去するためのエッチングを行う。または、配線１４のパターニングの際のエッチングの処理時間を長くする等して、配線１４の形成と同時に、第１電極２１、第２電極２２、および端子２３の表面がエッチングされるようにしても良い。

タッチパネル２では、配線１４を形成する際のマスクを用いて、第１電極２１、第２電極２２、および端子２３の表面がエッチングされる。したがって、図１３Ｂで破線で示した箇所がエッチングされる。そのため、端子２３のうち、配線１４に覆われている部分２３ｂの厚さは、配線１４に覆われていない部分の厚さよりも厚くなる。

本実施形態にかかるタッチパネル２の製造方法によっても、ブリッジ１７および１８を形成する前に、第１電極２１、第２電極２２、および端子２３の酸素リッチ層を除去する。これにより、電極膜の残渣の発生を抑制し、電極パターンを視認されにくくする。

［第３の実施形態］
図１４は、本発明の第３の実施形態にかかるタッチパネル３の構成を模式的に示す平面図である。なお、図１４では、図を見易くするために配線１４及びグランド配線１４１にハッチングを付して示している。

タッチパネル３は、絶縁性基板１０、第１電極３１、第２電極３２、取出電極１１３および１２１、端子３３、配線１４、グランド配線１４１、絶縁膜１５および１６、ブリッジ１７および１８、ならびに保護膜１９等を備えている。また、第１電極３１は、電極部３１１と、接続部３１２とを備える。すなわち、タッチパネル３は、タッチパネル１と比べて、第１電極、第２電極、端子の構成が異なっている。

図１５Ａは、図１４における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線の各線に沿った断面図である。図１５Ｂは、図１４における、Ｄ−Ｄ’線に沿った断面図である。

図１５ＡでＡ−Ａ’線に沿った断面図に示すように、第２電極３２のうち、絶縁膜１６で覆われている箇所３２ａの厚さは、絶縁膜１６で覆われていない箇所の厚さと比べて厚い。また、図１５Ｂに示すように、絶縁膜１６で覆われている接続部３１２の厚さも、電極部３１１の絶縁膜１６で覆われていない箇所の厚さと比べて厚い。

図１５ＡでＢ−Ｂ’線およびＣ−Ｃ’線に沿った断面図に示すように、端子３３のうち、絶縁膜１５で覆われている部分３３ａの厚さは、絶縁膜１５および配線１４のいずれにも覆われていない部分の厚さよりも厚い。さらに、端子３３のうち、配線１４で覆われている部分３３ｂの厚さは、配線１４で覆われていない部分の厚さよりも厚い。

［タッチパネル３の製造方法］
図１６Ａ〜図１６Ｅを参照して、タッチパネル３の製造方法の概略を説明する。

タッチパネル３の製造方法は、タッチパネル１の製造方法と同様に、電極および端子形成工程（図１６Ａ）、配線形成工程（図１６Ｂ）、絶縁膜形成工程（図１６Ｃ）、ブリッジ形成工程（図１６Ｄ）、ならびに保護膜形成工程（図１６Ｅ）を含む。一方、タッチパネル３の製造方法では、タッチパネル１の製造方法と異なり、表面処理工程が２回行われる。すなわち、１回目の表面処理工程は、配線形成工程と連続して、または、配線形成工程と同時に行われる。２回目の表面処理工程は、絶縁膜形成工程と連続して、または絶縁膜形成工程と同時に行われる。

１回目の表面処理工程では、図１６Ｂに示すように、配線１４を形成する際のマスクを用いて、第１電極３１、第２電極３２、および端子３３の表面がエッチングされる。したがって、図１６Ｂで破線で示した箇所がエッチングされる。そのため、端子３３のうち、配線１４に覆われている部分３３ｂの厚さは、配線１４に覆われていない部分の厚さよりも厚くなる。

２回目の表面処理工程では、図１６Ｃに示すように、絶縁膜１５および１６をマスクとして、または、絶縁膜１５および１６を形成する際のマスクを用いて、第１電極３１、第２電極３２、および端子３３の表面がエッチングされる。したがって、図１６Ｃで破線で示した箇所がエッチングされる。そのため、第２電極３２のうち、絶縁膜１６に覆われている部分３２ａの厚さは、絶縁膜１６に覆われていない部分よりも厚くなる。また、絶縁膜１６に覆われている接続部３１２の厚さは、電極部３１１の絶縁膜１６に覆われていない部分よりも厚くなる。さらに、端子３３のうち、絶縁膜１５に覆われている部分３３ａは、絶縁膜１５に覆われていない部分よりも厚くなる。

本実施形態にかかるタッチパネル３の製造方法によっても、ブリッジ１７および１８を形成する前に、第１電極３１、第２電極３２、および端子３３の酸素リッチ層を除去する。これにより、電極膜の残渣の発生を抑制し、電極パターンが視認されやすくなるのを防止できる。

また、本実施形態においても、絶縁膜１６で覆われている接続部３１２の厚さは、電極部３１１の絶縁膜１６で覆われていない部分の厚さよりも厚い。これにより、第１電極３１の抵抗を下げることができる。一方で、その他の部分を薄く形成することで、電極パターンを視認されにくくできる。

［第４の実施形態］
図１７は、本発明の第４の実施形態にかかるタッチパネル４の構成を模式的に示す平面図である。なお、図１７では、図を見易くするために配線１４及びグランド配線１４１にハッチングを付して示している。

タッチパネル４は、絶縁性基板１０、第１電極１１、第２電極１２、取出電極１１３および１２１、端子１３、配線１４、グランド配線１４１、絶縁膜１５および１６、ブリッジ１７および１８、保護膜１９、ならびに反射率調整層１００を備えている。すなわち、タッチパネル４は、タッチパネル１が備える構成に加えて、反射率調整層１００をさらに備えている。

反射率調整層１００は、絶縁性基板１０の全面に形成されている。反射率調整層１００は、第１電極１１、第２電極１２、端子１３等よりも絶縁性基板１０側に形成されている。

図１８Ａは、図１７における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線の各線に沿った断面図である。図１８Ｂは、図１７における、Ｄ−Ｄ’線に沿った断面図である。

反射率調整層１００は、下地層１０１および１０２が、絶縁性基板１０側からこの順に積層した積層構造を有している。下地層１０１および１０２は、互いに屈折率の異なる材料からなる絶縁膜である。

下地層１０１および１０２は、第１電極１１および第２電極１２のいずれかが形成されている箇所と、第１電極１１および第２電極１２のいずれも形成されていない箇所との間の、反射率の差を低減するように、屈折率および膜厚が調整されている。

光が屈折率の異なる媒体間を通過するとき、その界面で反射が起こる。例えば、第１電極１１が形成されている箇所に入射した光の一部は、保護膜１９と、第１電極１１との界面によって反射される。この界面を透過した光の一部は、第１電極１１と、下地層１０２との界面によって反射される。この２つの反射光は、その位相差によって、強めあったり、打ち消し合ったりする。

一方、第１電極１１が形成されていない箇所に入射した光の一部は、保護膜１９と、下地層１０２との界面によって反射される。この界面を透過した光の一部は、下地層１０２と、下地層１０１との界面によって反射される。この２つの反射光は、その位相差によって、強めあったり、打ち消し合ったりする。

したがって、第１電極１１が形成されている箇所に入射した光の反射率と、第１電極１１が形成されていない箇所に入射した光の反射率とが、等しくなるように、下地層１０１および１０２を調整すれば、電極パターンを視認されにくくすることができる。

［タッチパネル４の製造方法］
絶縁性基板１０の全面に、例えばＣＶＤ法により、下地層１０１を成膜する。下地層１０１は例えば、ＳｉＮであり、屈折率は１．７２〜１．９８である。下地層１０１の厚さは、例えば、３ｎｍ〜９ｎｍである。

続いて、下地層１０１の全面を覆って、例えばＣＶＤ法により、下地層１０２を成膜する。下地層１０２は例えば、ＳｉＯまたはＳｉＯＮであり、屈折率は１．４１〜１．６８である。下地層１０２の厚さは、例えば、３０ｎｍ〜１５０ｎｍである。

下地層１０１および下地層１０２を形成した後の工程は、第１の実施形態と同じである。

本実施形態によれば、反射率調整層１００によって、第１電極１１および第２電極１２のいずれかが形成されている箇所と、第１電極１１および第２電極１２のいずれも形成されていない箇所との間の、反射率差が調整される。これにより、電極パターンがより視認されにくくなる。

［その他の実施形態］
以上、本発明についての実施形態を説明したが、本発明は上述の各実施形態にのみ限定されず、発明の範囲内で種々の変更が可能である。また、上述した各実施形態は、適宜組み合わせて実施が可能である。

例えば、第２の実施形態にかかるタッチパネル２や、第３の実施形態にかかるタッチパネル３が、反射率調整層１００を備えていても良い。

本発明は、静電容量方式のタッチパネルとして産業上の利用が可能である。

１〜４，９ タッチパネル
１０ 絶縁性基板
１００ 反射率調整層
１１，２１，３１ 第１電極
１１１，２１１，３１１ 電極部
１１２，２１２，３１２ 接続部
１２，２２，３２ 第２電極
１３，２３，３３ 端子
１４ 配線
１５，１６ 絶縁膜
１７，１８ ブリッジ
１９ 保護膜

Claims (17)

1. 絶縁性基板上に、互いに交差する方向に延在する第１電極および第２電極を形成する電極形成工程と、
   前記絶縁性基板、前記第１電極、および前記第２電極の一部を覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
   前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第２電極同士を接続するブリッジを形成するブリッジ形成工程とを含み、
   前記ブリッジ形成工程よりも前に、前記第１電極および第２電極の表面をエッチングする表面処理工程を１回以上行う、タッチパネルの製造方法。
2. 前記エッチングは、強アルカリ液処理、フッ酸処理、塩素ガス系ドライエッチング処理、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載のタッチパネルの製造方法。
3. 前記表面処理工程の一つは、前記絶縁膜形成工程と連続して行われる、請求項１または２に記載のタッチパネルの製造方法。
4. 前記表面処理工程の一つは、前記絶縁膜形成工程と同時に行われる、請求項１〜３のいずれか一項に記載のタッチパネルの製造方法。
5. 前記絶縁性基板上に、端子を形成する端子形成工程と、
   前記第１および第２電極と、前記端子とを接続する配線を形成する配線形成工程とをさらに含み、
   前記絶縁膜形成工程により形成される絶縁膜は、前記絶縁性基板、前記第１電極、および前記第２電極に加えて、前記配線および前記端子の一部を覆い、
   前記表面処理工程は、前記第１電極および前記第２電極の表面に加えて、前記端子の表面をエッチングする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のタッチパネルの製造方法。
6. 前記表面処理工程の一つは、前記配線形成工程と連続して行われる、請求項５に記載のタッチパネルの製造方法。
7. 前記表面処理工程の一つは、前記配線形成工程と同時に行われる、請求項５または６に記載のタッチパネルの製造方法。
8. 前記電極形成工程と、前記端子形成工程とが、同時に行われる、請求項５〜７のいずれか一項に記載のタッチパネルの製造方法。
9. 前記絶縁性基板上に、屈折率の異なる２以上の絶縁膜を積層させた反射率調整層を形成する反射率調整層形成工程をさらに備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載のタッチパネルの製造方法。
10. 絶縁性基板と、
    前記絶縁性基板上に形成され、電極部と、隣接する前記電極部同士を接続する接続部とを含み、一方向に延在する第１電極と、
    前記絶縁性基板上に形成され、前記第１電極と交差する方向に延在する第２電極と、
    前記接続部を覆う絶縁膜と、
    前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第２電極同士を接続するブリッジとを備え、
    前記第１および第２電極のうち、前記絶縁膜と接している部分の厚さが、前記絶縁膜と接していない部分の厚さよりも厚い、タッチパネル。
11. 前記絶縁膜は、前記電極部の一部および／または第２電極の一部も覆っている、請求項１０に記載のタッチパネル。
12. 前記絶縁性基板上に形成された端子と、
    前記第１および第２電極と前記端子とを接続する配線とをさらに備え、
    前記端子は、厚さが異なる部分を有する、請求項１０または１１に記載のタッチパネル。
13. 絶縁性基板と、
    前記絶縁性基板上に形成され、電極部と、隣接する前記電極部同士を接続する接続部とを含み、一方向に延在する第１電極と、
    前記絶縁性基板上に形成され、前記第１電極と交差する方向に延在する第２電極と、
    前記接続部を覆う絶縁膜と、
    前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第２電極同士を接続するブリッジと、
    前記絶縁性基板上に形成された端子と、
    前記第１および第２電極と前記端子とを接続する配線とを備え、
    前記端子は、厚さが異なる部分を有するタッチパネル。
14. 前記端子のうち、前記配線と接している部分の厚さが、前記配線と接していない部分の厚さよりも厚い、請求項１２または１３に記載のタッチパネル。
15. 前記第１および第２電極と、前記端子とが、同一材料で形成されている、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載のタッチパネル。
16. 前記第１および第２電極は、酸化インジウムスズおよび酸化ジルコニウムスズからなる群から選択される材料で形成されている、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載のタッチパネル。
17. 絶縁性基板上に形成され、屈折率の異なる２以上の絶縁膜を積層させた反射率調整層をさらに備える、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載のタッチパネル。

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