JP2014132355A - Liquid crystal display unit - Google Patents

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JP2014132355A
JP2014132355A JP2014033830A JP2014033830A JP2014132355A JP 2014132355 A JP2014132355 A JP 2014132355A JP 2014033830 A JP2014033830 A JP 2014033830A JP 2014033830 A JP2014033830 A JP 2014033830A JP 2014132355 A JP2014132355 A JP 2014132355A
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Japan
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data
switching means
pixel
inverter
subframe
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JP2014033830A
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Japanese (ja)
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Takayuki Iwasa
隆行 岩佐
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JVCKenwood Corp
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JVCKenwood Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make pixels smaller in size than pixels each using two SRAMs in each pixel, and to perform a stable operation even when two SRAMs are prepared in each pixel.SOLUTION: In a pixel 12A, data output to a column data line (d) is sampled by a switch SW11 and written to an SRAM 121. Data is written to SRAMs 121 of all pixels 12A constituting an image display part. Then switches SW12 of all the pixels 12A are turned on thereafter with a trigger pulse, and data of the SRAMs 121 are transferred together to a capacitor C1 constituting a DRAM 202 to be held and also applied to a reflection electrode PE. A pixel 12A comprises seven transistors 1 and one capacitor C1, so the pixel can comprise a very small number of components, and the SRAMs 121, DRAM 202, and reflection pixel PE are arranged effectively in the height direction of the element to make the pixels small in size.

Description

本発明は液晶表示装置に係り、特に複数ビットで表わされる階調レベルに応じて、複数
のサブフレームの組み合わせによって階調表示を行う液晶表示装置に関する。
The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device that performs gradation display by a combination of a plurality of subframes according to a gradation level represented by a plurality of bits.

従来より、液晶表示装置における中間調表示方式の1つとして、サブフレーム駆動方式
が知られている。時間軸変調方式の一種であるサブフレーム駆動方式では、所定の期間(
例えば、動画の場合には1画像の表示単位である1フレーム)を複数のサブフレームに分
割し、表示すべき階調に応じたサブフレームの組み合わせで画素を駆動する。表示される
階調は、所定の期間に占める画素の駆動期間の割合によって決まり、この割合は、サブフ
レームの組み合わせによって特定される。
Conventionally, a sub-frame driving method is known as one of halftone display methods in a liquid crystal display device. In the subframe driving method, which is a type of time axis modulation method, a predetermined period (
For example, in the case of a moving image, one frame which is a display unit of one image) is divided into a plurality of subframes, and pixels are driven by a combination of subframes corresponding to the gradation to be displayed. The gradation to be displayed is determined by the ratio of the pixel driving period in a predetermined period, and this ratio is specified by a combination of subframes.

このサブフレーム駆動方式の液晶表示装置において、各画素が、マスターラッチ及びス
レーブラッチと、液晶表示素子と、第1〜第3の計3つのスイッチングトランジスタとか
ら構成されるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。この画素では、マスター
ラッチは2つの入力端子のうち一方の入力端子に1ビットの第1のデータが第1のスイッ
チングトランジスタを通して印加されると共に、他方の入力端子に第1のデータとは相補
的な関係にある第2のデータが第2のスイッチングトランジスタを通して印加され、行走
査線を介して印加される行選択信号によりその画素が選択されたときに、上記の第1及び
第2のスイッチングトランジスタをオン状態として第1のデータを書き込む。例えば、第
1のデータが論理値「1」で、第2のデータが論理値「0」のとき、その画素が表示を行
う。
In this sub-frame driving type liquid crystal display device, each pixel is known to be composed of a master latch and a slave latch, a liquid crystal display element, and a total of three switching transistors (first to third) ( For example, see Patent Document 1). In this pixel, the master latch applies 1-bit first data to one of the two input terminals through the first switching transistor and is complementary to the first data on the other input terminal. When the second data having the same relationship is applied through the second switching transistor and the pixel is selected by the row selection signal applied through the row scanning line, the first and second switching transistors described above are used. Is turned on to write the first data. For example, when the first data has a logical value “1” and the second data has a logical value “0”, the pixel performs display.

全ての画素に対して上記と同様の動作により各データの書き込み後、そのサブフレーム
期間内で全画素の第3のスイッチングトランジスタをオン状態としてマスターラッチに書
き込んだデータを同時に読み出してスレーブラッチへ読み出しスレーブラッチから液晶表
示素子の画素電極にそのスレーブラッチでラッチしたデータを印加する。以下、各サブフ
レーム毎に上記の動作を繰り返し、1フレーム期間内の全てのサブフレームの組み合わせ
によって所望の階調表示を行う。
After each data is written to all the pixels by the same operation as described above, the third switching transistors of all the pixels are turned on within the subframe period, and the data written to the master latch is simultaneously read and read to the slave latch. The data latched by the slave latch is applied from the slave latch to the pixel electrode of the liquid crystal display element. Thereafter, the above operation is repeated for each subframe, and a desired gradation display is performed by combining all subframes within one frame period.

すなわち、サブフレーム駆動方式の液晶表示装置においては、1フレーム期間内の全て
のサブフレームは、その表示期間が同一又は異なる所定の期間に予め割り当てられており
、各画素において最大階調表示時は全てのサブフレームにおいて表示を行い、最小階調表
示時は全てのサブフレームにおいて非表示とし、それ以外の階調の場合は表示する階調に
応じて表示するサブフレームを選択する。この従来の液晶表示装置は、入力されるデータ
が階調を示すデジタルデータであり、2段ラッチ構成のデジタル駆動方式でもある。
That is, in the sub-frame driving type liquid crystal display device, all the sub-frames in one frame period are assigned in advance to the same period or different predetermined periods, and at the time of maximum gradation display in each pixel. Display is performed in all subframes. In the case of the minimum gradation display, no display is performed in all subframes. In the case of other gradations, the subframe to be displayed is selected according to the display gradation. In this conventional liquid crystal display device, the input data is digital data indicating a gradation, and it is also a digital driving system having a two-stage latch configuration.

特表2001−523847号公報JP-T-2001-523847

しかしながら、上記の従来の液晶表示装置では、各画素内の2つのラッチはそれぞれ、
スタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)で構成されるため、トランジス
タ数が多くなり、画素小型化が困難である。また、上記の2つのラッチをSRAMで構成
した場合において、安定した動作ができるSRAMとスイッチングトランジスタとの具体
的回路構成については、上記の特許文献1には開示されていない。
However, in the conventional liquid crystal display device, the two latches in each pixel are respectively
Since it is composed of a static random access memory (SRAM), the number of transistors increases and it is difficult to reduce the pixel size. Further, when the above two latches are configured by SRAM, the specific circuit configuration of the SRAM and the switching transistor capable of stable operation is not disclosed in the above-mentioned Patent Document 1.

本発明は以上の点に鑑みなされたもので、画素内に2つのSRAMを用いた画素に比べ
て画素小型化を可能にした液晶表示装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of downsizing the pixel as compared with a pixel using two SRAMs in the pixel.

また、本発明の他の目的は、各画素内に2つのSRAMを用意した構成においても安定
な動作を行い得る画素を備える液晶表示装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device including pixels that can perform stable operation even in a configuration in which two SRAMs are prepared in each pixel.

上記目的を達成するため、第1の発明の液晶表示装置は、複数本の列データ線と複数本
の行走査線とがそれぞれ交差する交差部に設けられた複数の画素のそれぞれが、
対向する画素電極と共通電極との間に液晶が充填封入された表示素子と、映像信号の各
フレームを映像信号の1フレーム期間より短い表示期間を持つ複数のサブフレームで表示
するための各サブフレームデータを、列データ線を介してサンプリングする第1のスイッ
チング手段と、第1のスイッチング手段と共にスタティック・ランダム・アクセス・メモ
リを構成しており、第1のスイッチング手段によりサンプリングされたサブフレームデー
タを記憶する第1の信号保持手段と、第1の信号保持手段に記憶されたサブフレームデー
タを出力させる第2のスイッチング手段と、第2のスイッチング手段と共にダイナミック
・ランダム・アクセス・メモリを構成しており、第2のスイッチング手段を通して供給さ
れる第1の信号保持手段に記憶されたサブフレームデータで記憶内容が書き換えられ、出
力データを画素電極に印加する第2の信号保持手段とを備え、
画像表示部を構成する複数の画素のうち、行単位の画素毎にサブフレームデータを第1
の信号保持手段に書き込むことを繰り返して複数の画素の全てに書き込んだ後、トリガパ
ルスにより複数の画素全ての第2のスイッチング手段をオンにして、第1の信号保持手段
に記憶されたサブフレームデータにより複数の画素の第2の信号保持手段の記憶内容を書
き換える動作をサブフレーム毎に行う画素制御手段を有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, in the liquid crystal display device of the first invention, each of a plurality of pixels provided at intersections where a plurality of column data lines and a plurality of row scanning lines intersect,
A display element in which liquid crystal is filled and sealed between the opposing pixel electrode and the common electrode, and each sub for displaying each frame of the video signal in a plurality of sub-frames having a display period shorter than one frame period of the video signal The first switching means for sampling the frame data via the column data line, and the static random access memory together with the first switching means, and the subframe data sampled by the first switching means A dynamic random access memory is configured together with a first signal holding means for storing data, a second switching means for outputting the subframe data stored in the first signal holding means, and a second switching means. And stored in the first signal holding means supplied through the second switching means Memory content is rewritten in a sub-frame data, and a second signal holding means to be applied to the pixel electrode of the output data,
Of the plurality of pixels constituting the image display unit, the first subframe data is set for each row-unit pixel.
After writing to all of the plurality of pixels by repeatedly writing to the signal holding means, the second switching means for all of the plurality of pixels is turned on by the trigger pulse, and the subframe stored in the first signal holding means is stored. It has a pixel control means which performs the operation | movement which rewrites the memory content of the 2nd signal holding means of a some pixel with data for every sub-frame.

また、上記目的を達成するため、第2の発明の液晶表示装置は、第2の信号保持手段は
容量により構成されており、第2のスイッチング手段は、互いに逆極性の2つのトリガパ
ルスによりスイッチング制御されるトランスミッションゲートにより構成されていること
を特徴とする。
In order to achieve the above object, in the liquid crystal display device of the second invention, the second signal holding means is constituted by a capacitor, and the second switching means is switched by two trigger pulses having opposite polarities. It is characterized by comprising a controlled transmission gate.

また、上記目的を達成するため、第3の発明の液晶表示装置は、第1のスイッチング手
段は1つの第1のトランジスタにより構成され、第1の信号保持手段は互いの出力端子が
他方の入力端子に接続された第1及び第2のインバータから構成されており、第1及び第
2のインバータのうち、第1のトランジスタからみて入力側の第1のインバータを構成す
る第2のトランジスタの駆動力が、第1のトランジスタからみて出力側の第2のインバー
タを構成する第3のトランジスタの駆動力よりも大に設定され、かつ、第1のトランジス
タの駆動力は第2のインバータを構成する第3のトランジスタの駆動力よりも大に設定さ
れていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, in the liquid crystal display device of the third invention, the first switching means is constituted by one first transistor, and the first signal holding means has the output terminals of the other input terminals. The first and second inverters connected to the terminals, and of the first and second inverters, driving the second transistor constituting the first inverter on the input side as viewed from the first transistor The force is set to be larger than the driving force of the third transistor constituting the second inverter on the output side as viewed from the first transistor, and the driving force of the first transistor constitutes the second inverter. The driving power of the third transistor is set larger than that of the third transistor.

また、上記目的を達成するため、第4の発明の液晶表示装置は、トランスミッションゲ
ートを構成する2つのトランジスタが表面に形成された基板の上方に多層配線層が形成さ
れており、多層配線層のうち中間の一つの配線層と層間絶縁膜との間に形成された電極に
より容量が形成され、多層配線層のうち最上層の配線層により画素電極が形成されている
ことを特徴とする。
In order to achieve the above object, in the liquid crystal display device of the fourth invention, a multilayer wiring layer is formed above a substrate on which two transistors constituting a transmission gate are formed. Among them, a capacitor is formed by an electrode formed between one intermediate wiring layer and an interlayer insulating film, and a pixel electrode is formed by the uppermost wiring layer of the multilayer wiring layer.

また、上記目的を達成するため、第5の発明の液晶表示装置は、2本の列データ線を一
組とする複数組の列データ線と複数本の行走査線とがそれぞれ交差する交差部に設けられ
た複数の画素のそれぞれが、
対向する画素電極と共通電極との間に液晶が充填封入された表示素子と、映像信号の各
フレームを映像信号の1フレーム期間より短い表示期間を持つ複数のサブフレームで表示
するための正転サブフレームデータを、一組の2本の列データ線のうち一方の列データ線
を介してサンプリングする第1のスイッチング手段と、正転サブフレームデータと逆論理
値の関係にある反転サブフレームデータを、一組の2本の列データ線のうち他方の列デー
タ線を介してサンプリングする第2のスイッチング手段と、第1及び第2のスイッチング
手段によりそれぞれサンプリングされた正転サブフレームデータ及び反転サブフレームデ
ータを記憶する、互いの出力端子が他方の入力端子に接続された第1及び第2のインバー
タからなり、第1及び第2のスイッチング手段と共に第1のスタティック・ランダム・ア
クセス・メモリを構成する第1の信号保持手段と、第1の信号保持手段と第1のスイッチ
ング手段との接続点から正転サブフレームデータを出力させる第3のスイッチング手段と
、第1の信号保持手段と第2のスイッチング手段との接続点から反転サブフレームデータ
を出力させる第4のスイッチング手段と、第3及び第4のスイッチング手段を通して供給
される第1の信号保持手段に記憶された正転サブフレームデータ及び反転サブフレームデ
ータで記憶内容が書き換えられ、出力データを画素電極に印加する、互いの出力端子が他
方の入力端子に接続された第3及び第4のインバータからなり、第3及び第4のスイッチ
ング手段と共に第2のスタティック・ランダム・アクセス・メモリを構成する第2の信号
保持手段とを備え、
第1及び第2のインバータのうち第1のスイッチング手段に出力端子が接続された第2
のインバータの駆動力が、第2のスイッチング手段に出力端子が接続された第1のインバ
ータの駆動力よりも小に設定されると共に、第1及び第2のインバータの駆動力は、第3
及び第4のインバータの駆動力よりも大に設定されており、画像表示部を構成する複数の
画素のうち、行単位の画素毎に正転サブフレームデータ及び反転サブフレームデータを第
1の信号保持手段に書き込むことを繰り返して複数の画素の全てに書き込んだ後、トリガ
パルスにより複数の画素全ての第3及び第4のスイッチング手段をオンにして、第1の信
号保持手段に記憶された正転サブフレームデータ及び反転サブフレームデータにより複数
の画素の第2の信号保持手段の記憶内容を書き換える動作をサブフレーム毎に行う画素制
御手段を有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a liquid crystal display device according to a fifth aspect of the present invention is a cross section where a plurality of sets of column data lines and a plurality of row scanning lines intersect each other. Each of the plurality of pixels provided in the
A display element in which liquid crystal is filled and sealed between the opposing pixel electrode and the common electrode, and normal rotation for displaying each frame of the video signal in a plurality of subframes having a display period shorter than one frame period of the video signal. First switching means for sampling subframe data via one column data line of a set of two column data lines, and inverted subframe data having a relationship of reverse logical value to normal rotation subframe data Is switched via the other column data line of the set of two column data lines, and the normal subframe data and the inversion sampled by the first and second switching units, respectively. The sub-frame data is stored in the first and second inverters, each of which has an output terminal connected to the other input terminal. A first signal holding means that constitutes a first static random access memory together with the switching means, and a first subframe data output from a connection point between the first signal holding means and the first switching means. Third switching means, a fourth switching means for outputting inverted subframe data from a connection point between the first signal holding means and the second switching means, and a third switching means supplied through the third and fourth switching means. The stored contents are rewritten with the normal subframe data and the inverted subframe data stored in one signal holding means, and the output data is applied to the pixel electrode. The third output terminal is connected to the other input terminal. And a fourth inverter, together with the third and fourth switching means, the second static random access And a second signal holding means constituting the memory,
A second output terminal connected to the first switching means of the first and second inverters;
Is set to be smaller than the driving force of the first inverter whose output terminal is connected to the second switching means, and the driving force of the first and second inverters is the third driving force.
And the driving power of the fourth inverter is set to be greater than the driving power of the fourth inverter, and among the plurality of pixels constituting the image display unit, the forward subframe data and the inverted subframe data are set to the first signal for each row-unit pixel After repeating writing to the holding means and writing to all of the plurality of pixels, the third and fourth switching means of all of the plurality of pixels are turned on by the trigger pulse, and the positive signal stored in the first signal holding means is stored. It has a pixel control means for performing the operation of rewriting the storage contents of the second signal holding means of a plurality of pixels for each subframe by the inverted subframe data and the inverted subframe data.

更に、上記目的を達成するため、第6の発明の液晶表示装置は、複数本の列データ線と
複数本の行走査線とがそれぞれ交差する交差部に設けられた複数の画素のそれぞれが、
対向する画素電極と共通電極との間に液晶が充填封入された表示素子と、映像信号の各
フレームを映像信号の1フレーム期間より短い表示期間を持つ複数のサブフレームで表示
するための各サブフレームデータを、列データ線を介してサンプリングする1つのトラン
ジスタから構成された第1のスイッチング手段と、第1のスイッチング手段によりサンプ
リングされたサブフレームデータを記憶する、互いの出力端子が他方の入力端子に接続さ
れた第1及び第2のインバータからなり、第1のスイッチング手段と共に第1のスタティ
ック・ランダム・アクセス・メモリを構成する第1の信号保持手段と、第1の信号保持手
段に記憶されたサブフレームデータを出力させる1つのトランジスタから構成された第2
のスイッチング手段と、第2のスイッチング手段を通して供給される第1の信号保持手段
に記憶されたサブフレームデータで記憶内容が書き換えられ、出力データを画素電極に印
加する、互いの出力端子が他方の入力端子に接続された第3及び第4のインバータからな
り、第2のスイッチング手段と共に第2のスタティック・ランダム・アクセス・メモリを
構成する第2の信号保持手段とを備え、
第1及び第2のインバータのうち第1のスイッチング手段に出力端子が接続された第2
のインバータの駆動力が、第1のインバータの駆動力よりも小に設定されると共に第1の
スイッチング手段を構成するトランジスタの駆動力よりも小に設定され、第3及び第4の
インバータのうち第2のスイッチング手段に出力端子が接続された第4のインバータの駆
動力が、第3のインバータの駆動力よりも小に設定されると共に第2のスイッチング手段
を構成するトランジスタの駆動力よりも小に設定され、かつ、第1のインバータの駆動力
は第4のインバータの駆動力よりも大に設定されており、
画像表示部を構成する複数の画素のうち、行単位の画素毎にサブフレームデータを第1
の信号保持手段に書き込むことを繰り返して複数の画素の全てに書き込んだ後、トリガパ
ルスにより複数の画素全ての第2のスイッチング手段をオンにして、第1の信号保持手段
に記憶されたサブフレームデータにより複数の画素の第2の信号保持手段の記憶内容を書
き換える動作をサブフレーム毎に行う画素制御手段を有することを特徴とする。
Furthermore, in order to achieve the above object, in the liquid crystal display device of the sixth invention, each of the plurality of pixels provided at the intersections where the plurality of column data lines and the plurality of row scanning lines intersect,
A display element in which liquid crystal is filled and sealed between the opposing pixel electrode and the common electrode, and each sub for displaying each frame of the video signal in a plurality of sub-frames having a display period shorter than one frame period of the video signal A first switching means composed of one transistor for sampling frame data via a column data line and a sub-frame data sampled by the first switching means for storing each other's output terminals on the other input A first signal holding means comprising a first and a second inverter connected to a terminal and constituting a first static random access memory together with the first switching means; and storing in the first signal holding means A second transistor composed of one transistor for outputting the subframe data that has been processed
The storage contents are rewritten with the subframe data stored in the first signal holding means supplied through the switching means and the first switching means, and the output data is applied to the pixel electrode. A second signal holding means comprising a third and a fourth inverter connected to the input terminal and constituting a second static random access memory together with the second switching means;
A second output terminal connected to the first switching means of the first and second inverters;
The driving power of the inverter is set to be smaller than the driving power of the first inverter and set to be smaller than the driving power of the transistors constituting the first switching means. The driving power of the fourth inverter whose output terminal is connected to the second switching means is set to be smaller than the driving power of the third inverter, and more than the driving power of the transistors constituting the second switching means. And the driving power of the first inverter is set to be larger than the driving power of the fourth inverter,
Of the plurality of pixels constituting the image display unit, the first subframe data is set for each row-unit pixel.
After writing to all of the plurality of pixels by repeatedly writing to the signal holding means, the second switching means for all of the plurality of pixels is turned on by the trigger pulse, and the subframe stored in the first signal holding means is stored. It has a pixel control means which performs the operation | movement which rewrites the memory content of the 2nd signal holding means of a some pixel with data for every sub-frame.

本発明によれば、画素内に2つのSRAMを用いた従来の液晶表示装置に比べて画素の
小型化を可能にできる。また、本発明によれば、画素内に2つのSRAMを用意した場合
においても従来の液晶表示装置に比べて安定な動作を行うことができる。
According to the present invention, the size of the pixel can be reduced as compared with the conventional liquid crystal display device using two SRAMs in the pixel. In addition, according to the present invention, even when two SRAMs are prepared in a pixel, a stable operation can be performed as compared with a conventional liquid crystal display device.

本発明の液晶表示装置の一実施の形態の全体構成図である。1 is an overall configuration diagram of an embodiment of a liquid crystal display device of the present invention. 本発明の要部である画素の第1の実施の形態の回路図である。1 is a circuit diagram of a first embodiment of a pixel which is a main part of the present invention. インバータの一例の回路図である。It is a circuit diagram of an example of an inverter. 図2に示す一画素の一例の断面構造図である。FIG. 3 is a cross-sectional structure diagram of an example of one pixel shown in FIG. 2. 本発明の液晶表示装置における画素の動作説明用タイミングチャートである。3 is a timing chart for explaining the operation of a pixel in the liquid crystal display device of the present invention. 液晶表示装置の液晶の飽和電圧および液晶の閾値電圧を、2値重みつきパルス幅変調データとして多重化する説明図である。It is explanatory drawing which multiplexes the saturation voltage of the liquid crystal of a liquid crystal display device, and the threshold voltage of a liquid crystal as binary weighted pulse width modulation data. 本発明の要部である画素の第2の実施の形態の回路図である。It is a circuit diagram of a second embodiment of a pixel which is a main part of the present invention. 図7の2つのSRAMを構成する各インバータ間の駆動力の大小関係を説明する図である。It is a figure explaining the magnitude relationship of the driving force between each inverter which comprises two SRAM of FIG. 本発明の要部である画素の第3の実施の形態の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a third embodiment of a pixel which is a main part of the present invention.

以下、図面を用いて本発明の実施形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明になる液晶表示装置の一実施の形態のブロック図を示す。同図において
、本実施の形態の液晶表示装置10は、複数の画素12が規則的に配置された画像表示部
11と、タイミングジェネレータ13と、垂直シフトレジスタ14と、データラッチ回路
15と、水平ドライバ16とから構成される。更に、水平ドライバ16は、水平シフトレ
ジスタ161と、ラッチ回路162と、レベルシフタ/画素ドライバ163とから構成さ
れる。
FIG. 1 shows a block diagram of an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention. In the figure, a liquid crystal display device 10 according to the present embodiment includes an image display unit 11 in which a plurality of pixels 12 are regularly arranged, a timing generator 13, a vertical shift register 14, a data latch circuit 15, a horizontal And a driver 16. Further, the horizontal driver 16 includes a horizontal shift register 161, a latch circuit 162, and a level shifter / pixel driver 163.

画像表示部11は、垂直シフトレジスタ14に一端が接続されて行方向(X方向)に延
在するm本(mは2以上の自然数)の行走査線g1〜gmと、レベルシフタ/画素ドライバ
163に一端が接続されて列方向(Y方向)に延在するn本(nは2以上の自然数)の列
データ線d1〜dnとが交差する各交差部に設けられ、二次元マトリクス状に配置された、
全部でm×n個の画素12を有する。本発明は画素12の回路構成に特徴があり、その各
実施の形態については後述する。画像表示部11内の全ての画素12は、一端がタイミン
グジェネレータ13に接続されたトリガ線trigに共通接続されている。
The image display unit 11 is connected to the vertical shift register 14 at one end and extends in the row direction (X direction) with m (m is a natural number of 2 or more) row scanning lines g1 to gm, and a level shifter / pixel driver 163. Are provided at each intersection where n (n is a natural number of 2 or more) column data lines d1 to dn extending at one end and extending in the column direction (Y direction) are arranged in a two-dimensional matrix. Was
It has m × n pixels 12 in total. The present invention is characterized by the circuit configuration of the pixel 12, and embodiments thereof will be described later. All the pixels 12 in the image display unit 11 are commonly connected to a trigger line trig having one end connected to the timing generator 13.

なお、図1では列データ線はn本の列データ線d1〜dnを示しているが、正転データ用
列データ線djと反転データ用列データ線dbjとを一組とする、全部でn組の列データ線
を使用する場合もある。正転データ用列データ線djが伝送する正転データと、反転デー
タ用列データ線dbjが伝送する反転データとは、常に逆論理値の関係(相補的な関係)に
ある1ビットのデータである。また、トリガ線trigも図1では1本のみ示しているが、正
転トリガパルス用トリガ線trigと反転トリガパルス用トリガ線trigbとからなる2本のト
リガ線を使用する場合もある。正転トリガパルス用トリガ線trigが伝送する正転トリガパ
ルスと、反転トリガパルス用トリガ線trigbが伝送する反転トリガパルスとは、常に逆論
理値の関係(相補的な関係)にある。
In FIG. 1, the column data lines indicate n column data lines d1 to dn. However, the normal data column data line dj and the inverted data column data line dbj are set as one set in total. A set of column data lines may be used. The normal rotation data transmitted by the normal data column data line dj and the reverse data transmitted by the reverse data column data line dbj are 1-bit data that is always in the relationship of the inverse logical value (complementary relationship). is there. Further, although only one trigger line trig is shown in FIG. 1, there are cases where two trigger lines including a normal trigger pulse trigger line trig and an inverted trigger pulse trigger line trigb are used. The forward trigger pulse transmitted by the forward trigger pulse trigger line trig and the inverted trigger pulse transmitted by the inverted trigger pulse trigger line trigb are always in the relationship of a reverse logical value (complementary relationship).

タイミングジェネレータ13は、上位装置20から垂直同期信号Vst、水平同期信号H
st、基本クロックCLKといった外部信号を入力信号として受け、これらの外部信号に基
づいて、交流化信号FR、VスタートパルスVST、HスタートパルスHST、クロック
信号VCK及びHCK、ラッチパルスLT、トリガパルスTRIなどの各種の内部信号を
生成する。
The timing generator 13 receives the vertical synchronization signal Vst and the horizontal synchronization signal H from the host device 20.
External signals such as st and basic clock CLK are received as input signals, and based on these external signals, AC signal FR, V start pulse VST, H start pulse HST, clock signals VCK and HCK, latch pulse LT, trigger pulse TRI Various internal signals such as are generated.

上記の内部信号のうち、交流化信号FRは、1サブフレーム毎に極性反転する信号であ
り、画像表示部11を構成する画素12内の液晶表示素子の共通電極に、後述する共通電
極電圧Vcomとして供給される。スタートパルスVSTは、後述する各サブフレームの開
始タイミングに出力されるパルス信号であり、このスタートパルスVSTによって、サブ
フレームの切替わりが制御される。スタートパルスHSTは、水平シフトレジスタ161
に入力する開始タイミングに出力されるパルス信号である。クロック信号VCKは、垂直
シフトレジスタ14における1水平走査期間(1H)を規定するシフトクロックであり、
VCKのタイミングで垂直シフトレジスタ14がシフト動作を行う。クロック信号HCK
は、水平シフトレジスタ161におけるシフトクロックであり、32ビット幅でデータを
シフトしていくための信号である。
Among the above internal signals, the alternating signal FR is a signal whose polarity is inverted every subframe, and a common electrode voltage Vcom described later is applied to the common electrode of the liquid crystal display element in the pixel 12 constituting the image display unit 11. Supplied as The start pulse VST is a pulse signal output at the start timing of each subframe to be described later, and switching of subframes is controlled by the start pulse VST. The start pulse HST is applied to the horizontal shift register 161.
It is a pulse signal output at the start timing to be input. The clock signal VCK is a shift clock that defines one horizontal scanning period (1H) in the vertical shift register 14;
The vertical shift register 14 performs a shift operation at the timing of VCK. Clock signal HCK
Is a shift clock in the horizontal shift register 161, and is a signal for shifting data with a 32-bit width.

ラッチパルスLTは、水平シフトレジスタ161が水平方向の1行の画素数分のデータ
をシフトし終わったタイミングで出力されるパルス信号である。トリガパルスTRIは、
トリガ線trigを通して画像表示部11内の全画素12に供給されるパルス信号である。こ
のトリガパルスTRIは、サブフレーム期間内で画像表示部11内の各画素12内の第1
の信号保持手段に順次データを書き込み終わった直後に出力され、そのサブフレーム期間
内で画像表示部11内の全画素12の第1の信号保持手段のデータを同じ画素内の第2の
信号保持手段に一度に転送する。
The latch pulse LT is a pulse signal that is output at a timing when the horizontal shift register 161 has shifted the data for the number of pixels in one row in the horizontal direction. The trigger pulse TRI is
This is a pulse signal supplied to all the pixels 12 in the image display unit 11 through the trigger line trig. This trigger pulse TRI is the first in each pixel 12 in the image display unit 11 within the subframe period.
Is output immediately after the data is sequentially written to the signal holding means, and the data of the first signal holding means of all the pixels 12 in the image display unit 11 is held in the same pixel within the subframe period. Transfer to the means at once.

垂直シフトレジスタ14は、それぞれのサブフレームの最初に供給されるVスタートパ
ルスVSTを、クロック信号VCKに従って転送し、行走査線g1〜gmに対して行走査信
号を1H単位で順次排他的に供給する。これにより、画像表示部11おいて最も上にある
行走査線g1から最も下にある行走査線gmに向って、行走査線が1本ずつ順次1H単位で
選択されていく。
The vertical shift register 14 transfers the V start pulse VST supplied at the beginning of each subframe in accordance with the clock signal VCK, and sequentially supplies the row scanning signals to the row scanning lines g1 to gm sequentially in 1H units. To do. As a result, row scanning lines are sequentially selected in units of 1H from the uppermost row scanning line g1 to the lowermost row scanning line gm in the image display unit 11.

データラッチ回路15は、図示しない外部回路から供給される1サブフレーム毎に分割
された32ビット幅のデータを、上位装置20からの基本信号CLKに基づいてラッチし
た後、基本信号CLKに同期して水平シフトレジスタ161へ出力する。ここで、映像信
号の1フレームを、その映像信号の1フレーム期間より短い表示期間を持つ複数のサブフ
レームに分割してサブフレームの組み合わせによって階調表示を行う本実施の形態では、
上記の外部回路は映像信号の各画素毎の階調を示す階調データを、上記複数のサブフレー
ム全体で各画素の階調を表示するための各サブフレーム単位の1ビットのサブフレームデ
ータに変換する。そして、上記外部回路は、更に同じサブフレームにおける32画素分の
上記サブフレームデータをまとめて上記32ビット幅のデータとしてデータラッチ回路1
5に供給している。
The data latch circuit 15 latches 32-bit width data divided for each subframe supplied from an external circuit (not shown) based on the basic signal CLK from the host device 20, and then synchronizes with the basic signal CLK. To the horizontal shift register 161. In this embodiment, one frame of a video signal is divided into a plurality of subframes having a display period shorter than one frame period of the video signal, and gradation display is performed by a combination of subframes.
The external circuit converts the gradation data indicating the gradation for each pixel of the video signal into 1-bit subframe data for each subframe unit for displaying the gradation of each pixel in the entire plurality of subframes. Convert. The external circuit further combines the sub-frame data for 32 pixels in the same sub-frame into the data latch circuit 1 as the 32-bit width data.
5 is supplied.

水平シフトレジスタ161は、1ビットシリアルデータの処理系でみた場合、タイミン
グジェネレータ13から1Hの最初に供給されるHスタートパルスHSTによりシフトを
開始し、データラッチ回路15から供給される32ビット幅のデータをクロック信号HC
Kに同期してシフトする。ラッチ回路162は、水平シフトレジスタ161が画像表示部
11の1行分の画素数nと同じnビット分のデータをシフトし終わった時点でタイミング
ジェネレータ13から供給されるラッチパルスLTに従って、水平シフトレジスタ161
から並列に供給されるnビット分のデータ(すなわち、同じ行のn画素分のサブフレーム
データ)をラッチし、レベルシフタ/画素ドライバ163のレベルシフタへ出力する。ラ
ッチ回路162へのデータ転送が終了すると、タイミングジェネレータ13からHスター
トパルスが再び出力され、水平シフトレジスタ161はクロック信号HCKに従ってデー
タラッチ回路15からの32ビット幅のデータのシフトを再開する。
When viewed in the processing system of 1-bit serial data, the horizontal shift register 161 starts shifting by the H start pulse HST supplied from the timing generator 13 at the beginning of 1H, and has a 32-bit width supplied from the data latch circuit 15. Data is clock signal HC
Shift in sync with K. The latch circuit 162 performs horizontal shift according to the latch pulse LT supplied from the timing generator 13 when the horizontal shift register 161 has finished shifting n bits of data equal to the number of pixels n for one row of the image display unit 11. Register 161
N-bit data supplied in parallel (ie, sub-frame data for n pixels in the same row) is latched and output to the level shifter of the level shifter / pixel driver 163. When the data transfer to the latch circuit 162 is completed, the H start pulse is output again from the timing generator 13, and the horizontal shift register 161 resumes shifting the 32-bit width data from the data latch circuit 15 in accordance with the clock signal HCK.

レベルシフタ/画素ドライバ163のレベルシフタは、ラッチ回路162によりラッチ
されて供給される1行のn画素に対応したn個のサブフレームデータの信号レベルを液晶
駆動電圧までレベルシフトする。レベルシフタ/画素ドライバ163の画素ドライバは、
レベルシフト後の1行のn画素に対応したn個のサブフレームデータをn本のデータ線d
1〜dnに並列に出力する。
The level shifter of the level shifter / pixel driver 163 shifts the signal level of n subframe data corresponding to n pixels in one row supplied by being latched by the latch circuit 162 to the liquid crystal drive voltage. The pixel driver of the level shifter / pixel driver 163 is
N subframe data corresponding to n pixels in one row after the level shift are transferred to n data lines d.
1 to dn are output in parallel.

水平ドライバ16を構成する水平シフトレジスタ161、ラッチ回路162及びレベル
シフタ/画素ドライバ163は、1H内において今回データを書き込む画素行に対するデ
ータの出力と、次の1H内でデータを書き込む画素行に関するデータのシフトとを並行し
て行う。ある水平走査期間において、ラッチされた1行分のn個のサブフレームデータが
、データ信号としてそれぞれn本のデータ線d1〜dnに並列に、かつ、一斉に出力される
The horizontal shift register 161, the latch circuit 162, and the level shifter / pixel driver 163 constituting the horizontal driver 16 output data for a pixel row to which data is written this time in 1H, and data for a pixel row to which data is written in the next 1H. Shift in parallel. In a certain horizontal scanning period, the latched n sub-frame data for one row are simultaneously output in parallel to the n data lines d1 to dn as data signals.

画像表示部11を構成する複数の画素12のうち、垂直シフトレジスタ14からの行走
査信号により選択された1行のn個の画素12は、レベルシフタ/画素ドライバ163か
ら一斉に出力された1行分のn個のサブフレームデータをn本のデータ線d1〜dnを介し
てサンプリングして各画素12内の後述する第1の信号保持手段に書き込む。
Among a plurality of pixels 12 constituting the image display unit 11, n pixels 12 in one row selected by the row scanning signal from the vertical shift register 14 are one row output from the level shifter / pixel driver 163 all at once. N subframe data are sampled via n data lines d1 to dn and written in first signal holding means (to be described later) in each pixel 12.

次に、本発明の液晶表示装置の要部の画素12の各実施の形態について詳細に説明する
Next, each embodiment of the pixel 12 of the main part of the liquid crystal display device of the present invention will be described in detail.

図2は、本発明の要部である画素の第1の実施の形態の回路図を示す。同図において、
本実施の形態の画素12Aは、図1中の任意の1本の列データ線dと任意の1本の行走査
線gとの交差部に設けられた画素で、第1のスイッチング手段を構成するスイッチSW1
1と第1の信号保持手段(SM)121とから構成されるスタティック・ランダム・アク
セス・メモリ(SRAM)201と、第2のスイッチング手段を構成するスイッチSW1
2と第2の信号保持手段(DM)122とから構成されるダイナミック・ランダム・アク
セス・メモリ(DRAM)202と、液晶表示素子LCとより構成されている。液晶表示
素子LCは、離間対向配置された反射電極PEと共通電極CEとの間の空間に、液晶LC
Mが充填封入された公知の構造である。
FIG. 2 shows a circuit diagram of a first embodiment of a pixel which is a main part of the present invention. In the figure,
The pixel 12A of the present embodiment is a pixel provided at the intersection of any one column data line d and any one row scanning line g in FIG. 1, and constitutes a first switching means. Switch SW1
1 and first signal holding means (SM) 121, a static random access memory (SRAM) 201, and a switch SW1 constituting second switching means
2 and a second signal holding means (DM) 122, a dynamic random access memory (DRAM) 202, and a liquid crystal display element LC. The liquid crystal display element LC has a liquid crystal LC in a space between the reflective electrode PE and the common electrode CE that are arranged to face each other.
It is a known structure in which M is filled and enclosed.

スイッチSW11は、ゲートが行走査線gに接続され、ドレインが列データ線dに接続
され、ソースがSM121の入力端子に接続されているNチャネルMOS型トランジスタ
(以下、NMOSトランジスタという)により構成されている。SM121は、一方の出
力端子が他方の入力端子に接続された2つのインバータINV11及びINV12からな
る自己保持型メモリである。インバータINV11は、その入力端子がインバータINV
12の出力端子とSW11を構成するNMOSトランジスタのソースとに接続されている
。インバータINV12は、その入力端子がスイッチSW12とインバータINV11の
出力端子とに接続されている。インバータINV11及びINV12は、いずれも図3に
示すような、互いのゲート同士及びドレイン同士が接続された、PチャンネルMOS型ト
ランジスタ(以下、PMOSトランジスタという)PTr及びNMOSトランジスタNTr
とからなる公知のCMOSインバータの構成であるが、それぞれの駆動力が異なる。
The switch SW11 includes an N-channel MOS transistor (hereinafter referred to as an NMOS transistor) having a gate connected to the row scanning line g, a drain connected to the column data line d, and a source connected to the input terminal of the SM 121. ing. The SM 121 is a self-holding memory composed of two inverters INV11 and INV12 having one output terminal connected to the other input terminal. The input terminal of the inverter INV11 is the inverter INV
12 output terminals and the source of the NMOS transistor constituting the SW11. The input terminal of the inverter INV12 is connected to the switch SW12 and the output terminal of the inverter INV11. As shown in FIG. 3, the inverters INV11 and INV12 each have a P-channel MOS transistor (hereinafter referred to as a PMOS transistor) PTr and an NMOS transistor NTr in which the gates and drains are connected to each other.
However, each driving force is different.

すなわち、スイッチSW11から見てSM121を構成している入力側のインバータI
NV11内のトランジスタは、スイッチSW11から見てSM121を構成している出力
側のインバータINV12内のトランジスタに比較して、駆動力の大きいトランジスタを
用いている。さらにスイッチSW11を構成しているNMOSトランジスタの駆動力は、
インバータINV12を構成しているNMOSトランジスタの駆動力よりも大きいトラン
ジスタで構成されている。
That is, the inverter I on the input side constituting the SM 121 when viewed from the switch SW11.
The transistor in the NV 11 is a transistor having a larger driving force than the transistor in the inverter INV 12 on the output side constituting the SM 121 when viewed from the switch SW 11. Furthermore, the driving power of the NMOS transistor constituting the switch SW11 is
The inverter INV12 is configured by a transistor having a larger driving force than that of the NMOS transistor.

これは、SM121のデータを書き換える場合、特にSM121のスイッチSW11の
入力側の電圧aが“L”レベルで、列データ線dを介して送られてくるデータが“H”レ
ベルの場合、インバータINV11が反転する入力電圧よりも電圧aを高くする必要があ
るからである。“H”レベルのときの電圧aはインバータINV12を構成するNMOS
トランジスタの電流とスイッチSW11を構成するNMOSトランジスタの電流との比に
よって決まる。このとき、スイッチSW11はNMOSトランジスタであるため、スイッ
チSW11がオンのときは列データ線dを介して送られてくる電源のVDD側の電圧はト
ランジスタの閾値電圧VthによりSM121に入力されず、“H”レベルの電圧はVDD
からVth分低い電圧になる。しかもこの電圧ではトランジスタのVth近辺で駆動すること
になるため、電流が殆ど流れなくなる。つまり、スイッチSW11を導通する電圧aが高
くなるほど、スイッチSW11で流す電流は少なくなる。
This is because when the data of SM121 is rewritten, particularly when the voltage a on the input side of switch SW11 of SM121 is at "L" level and the data sent via column data line d is at "H" level, inverter INV11. This is because it is necessary to make the voltage a higher than the input voltage at which is inverted. The voltage “a” at the “H” level is the NMOS constituting the inverter INV12.
It is determined by the ratio between the current of the transistor and the current of the NMOS transistor constituting the switch SW11. At this time, since the switch SW11 is an NMOS transistor, when the switch SW11 is on, the voltage on the VDD side of the power supplied via the column data line d is not input to the SM 121 by the threshold voltage Vth of the transistor. H ”level voltage is VDD
The voltage becomes lower by Vth. Moreover, since the voltage is driven near the Vth of the transistor, almost no current flows. That is, the higher the voltage a that conducts the switch SW11, the smaller the current that flows through the switch SW11.

つまり、電圧aが“H”レベルのときにインバータINV11の入力側のトランジスタ
が反転する電圧以上に達するためには、スイッチSW11に流れる電流が、出力側のイン
バータINV12のトランジスタを構成するNMOSトランジスタを流れる電流よりも大
きい必要がある。従って、スイッチSW11を構成しているNMOSトランジスタの駆動
力はインバータINV12を構成しているNMOSトランジスタの駆動力よりも大きく構
成するため、これを考慮してスイッチSW11を構成しているNMOSトランジスタのト
ランジスタサイズと、インバータINV12を構成しているNMOSトランジスタのトラ
ンジスタサイズとを決める必要がある。
That is, in order to reach a voltage higher than the voltage at which the transistor on the input side of the inverter INV11 inverts when the voltage a is “H” level, the current flowing through the switch SW11 causes the NMOS transistor constituting the transistor of the inverter INV12 on the output side to It needs to be larger than the flowing current. Accordingly, since the driving force of the NMOS transistor constituting the switch SW11 is configured to be larger than the driving force of the NMOS transistor constituting the inverter INV12, the transistor of the NMOS transistor constituting the switch SW11 in consideration of this. It is necessary to determine the size and the transistor size of the NMOS transistor constituting the inverter INV12.

スイッチSW12は、互いのドレイン同士が接続され、かつ、互いのソース同士が接続
されたNMOSトランジスタTr1とPMOSトランジスタTr2とからなる公知のトランス
ミッションゲートの構成とされている。NMOSトランジスタTr1のゲートは正転トリガ
パルス用トリガ線trigに接続され、PMOSトランジスタTr2のゲートは反転トリガパル
ス用トリガ線trigbに接続されている。
The switch SW12 has a known transmission gate configuration including an NMOS transistor Tr1 and a PMOS transistor Tr2 whose drains are connected to each other and whose sources are connected to each other. The gate of the NMOS transistor Tr1 is connected to the normal trigger pulse trigger line trig, and the gate of the PMOS transistor Tr2 is connected to the inverted trigger pulse trigger line trigb.

また、スイッチSW12は一方の端子がSM121に接続され、他方の端子がDM12
2と液晶表示素子LCの反射電極PEとにそれぞれ接続されている。従って、スイッチS
W12はトリガ線trigを介して供給される正転トリガパルスが“H”レベル(このときは
、トリガ線trigbを介して供給される反転トリガパルスは“L”レベル)のときはオンと
され、SM121の記憶データを読み出してDM122及び反射電極PEへ転送する。ま
た、スイッチSW12はトリガ線trigを介して供給される正転トリガパルスが“L”レベ
ル(このときは、トリガ線trigbを介して供給される反転トリガパルスは“H”レベル)
のときはオフとされ、SM121の記憶データの読み出しは行わない。
The switch SW12 has one terminal connected to the SM 121 and the other terminal connected to the DM12.
2 and the reflective electrode PE of the liquid crystal display element LC. Therefore, switch S
W12 is turned on when the normal rotation trigger pulse supplied via the trigger line trig is at “H” level (in this case, the inverted trigger pulse supplied via the trigger line trigb is “L” level). Data stored in the SM 121 is read and transferred to the DM 122 and the reflective electrode PE. Further, the switch SW12 has a forward trigger pulse supplied via the trigger line trig at “L” level (in this case, the inverted trigger pulse supplied via the trigger line trigb is at “H” level).
In this case, it is turned off and the storage data of the SM 121 is not read.

スイッチSW12はNMOSトランジスタTr1とPMOSトランジスタTr2とからなる
公知のトランスミッションゲートの構成とされているため、GNDからVDDまでの範囲
の電圧をオン、オフすることができる。つまり、NMOSトランジスタTr1とPMOSト
ランジスタTr2の各ゲートに印加される信号がGND側の電位(“L”レベル)のときは
、PMOSトランジスタTr2が導通することができない代わりに、NMOSトランジスタ
Tr1が低抵抗で導通することができる。一方、ゲート入力信号がVDD側の電位(“H”
レベル)のときはNMOSトランジスタTr1が導通することができない代わりに、PMO
SトランジスタTr2が低抵抗で導通することができる。従って、トリガ線trigを介して供
給される正転トリガパルスと、トリガ線trigbを介して供給される反転トリガパルスとに
より、スイッチSW12を構成するトランスミッションゲートをオン/オフ制御すること
によって、GNDからVDDまでの電圧範囲を低抵抗、高抵抗でスイッチングすることが
できる。
Since the switch SW12 has a known transmission gate configuration including the NMOS transistor Tr1 and the PMOS transistor Tr2, the voltage in the range from GND to VDD can be turned on and off. That is, when the signals applied to the gates of the NMOS transistor Tr1 and the PMOS transistor Tr2 are at the GND side potential ("L" level), the PMOS transistor Tr2 cannot conduct, but the NMOS transistor Tr1 has a low resistance. Can be conducted. On the other hand, the gate input signal has a potential on the VDD side (“H”
Level), the NMOS transistor Tr1 cannot be turned on.
The S transistor Tr2 can conduct with a low resistance. Therefore, by controlling on / off of the transmission gate constituting the switch SW12 by the forward trigger pulse supplied via the trigger line trig and the inverted trigger pulse supplied via the trigger line trigb, The voltage range up to VDD can be switched with low resistance and high resistance.

DM122は、容量C1により構成されている。ここで、SM121の記憶データとD
M122の保持データとが異なっていた場合、スイッチSW12がオンとされ、SM12
1の記憶データがDM122へ転送されたときには、DM122の保持データをSM12
1の記憶データで置き換える必要がある。
The DM 122 is configured by a capacitor C1. Here, the data stored in SM121 and D
If the data stored in M122 is different, the switch SW12 is turned on, and SM12
When the storage data of 1 is transferred to the DM 122, the data held in the DM 122 is stored in the SM12.
It is necessary to replace with the stored data of 1.

DM122を構成する容量C1の保持データが書き換わる場合、その保持データは充電
、または放電によって変化し、また容量C1の充放電はインバータINV11の出力信号
によって駆動される。容量C1の保持データを充電によって“L”レベルから“H”レベ
ルに書き換える場合、インバータINV11の出力信号は“H”であり、このときINV
11を構成するPMOSトランジスタ(図3のPTr)がオン、NMOSトランジスタ(
図3のNTr)がオフするため、インバータINV11のPMOSトランジスタのソース
に接続されている電源電圧VDDによって容量C1が充電される。一方、容量C1の保持
データを放電によって“H”レベルから“L”レベルに書き換える場合、インバータIN
V11の出力信号は“L”レベルであり、このときインバータINV11を構成するNM
OSトランジスタ(図3のNTr)がオン、PMOSトランジスタ(図3のPTr)がオフ
するため、容量C1の蓄積電荷がインバータINV11のNMOSトランジスタ(図3の
NTr)を通してGNDへ放電される。スイッチSW12は、上述したトランスミッショ
ンゲートを用いたアナログスイッチの構成であるため、上記の容量C1の高速な充放電が
可能になる。
When the retained data of the capacitor C1 constituting the DM 122 is rewritten, the retained data is changed by charging or discharging, and charging / discharging of the capacitor C1 is driven by an output signal of the inverter INV11. When the data held in the capacitor C1 is rewritten from “L” level to “H” level by charging, the output signal of the inverter INV11 is “H”.
11 (PTr in FIG. 3) is turned on, NMOS transistor (
Since NTr) in FIG. 3 is turned off, the capacitor C1 is charged by the power supply voltage VDD connected to the source of the PMOS transistor of the inverter INV11. On the other hand, when the data held in the capacitor C1 is rewritten from “H” level to “L” level by discharging, the inverter IN
The output signal of V11 is at "L" level, and at this time, NM constituting the inverter INV11
Since the OS transistor (NTr in FIG. 3) is turned on and the PMOS transistor (PTr in FIG. 3) is turned off, the accumulated charge in the capacitor C1 is discharged to GND through the NMOS transistor (NTr in FIG. 3) of the inverter INV11. Since the switch SW12 has an analog switch configuration using the above-described transmission gate, the capacitor C1 can be charged and discharged at high speed.

更に、本実施の形態ではインバータINV11の駆動力は、インバータINV12の駆
動力よりも大きく設定されているため、DM122を構成する容量C1を高速に充放電駆
動することが可能である。また、スイッチSW12をオンにすると、容量C1に蓄えられ
た電荷はインバータINV12の入力ゲートにも影響を与えるが、インバータINV12
に対してインバータINV11の駆動力を大きく設定していることにより、インバータI
NV12のデータ入力反転よりもインバータINV11による容量C1の充放電が優先さ
れ、SM121の記憶データを書き換えてしまうことはない。
Further, in the present embodiment, the driving force of the inverter INV11 is set to be larger than the driving force of the inverter INV12, so that the capacitor C1 constituting the DM 122 can be charged / discharged at high speed. When the switch SW12 is turned on, the charge stored in the capacitor C1 also affects the input gate of the inverter INV12, but the inverter INV12
By setting the driving force of the inverter INV11 larger than
The charge / discharge of the capacitor C1 by the inverter INV11 is prioritized over the data input inversion of the NV12, and the stored data of the SM121 is not rewritten.

なお、SRAM201とDRAM202をそれぞれ容量とスイッチとからなる2段のD
RAM構成とすることも考えられるが、この場合、SM121の代わりに用いられる容量
とDMを構成する容量とを導通させた場合、電荷の中和が発生してGND,VDD電圧の
振幅はとれなくなる。これに対し、図2に示した画素12Aによれば、GND,VDD電
圧の振幅で1ビットデータをSM121からDM122へ転送することができ、同じ電源
電圧で駆動した場合、液晶表示素子LCの印加電圧を高く設定することができるようにな
り、ダイナミックレンジを大きく取ることが可能になる。
Note that the SRAM 201 and the DRAM 202 are each made up of a two-stage D comprising a capacitor and a switch.
Although a RAM configuration may be considered, in this case, when the capacitor used in place of the SM 121 and the capacitor constituting the DM are made conductive, charge neutralization occurs and the amplitude of the GND and VDD voltages cannot be taken. . On the other hand, according to the pixel 12A shown in FIG. 2, 1-bit data can be transferred from the SM 121 to the DM 122 with the amplitude of the GND and VDD voltages, and when driven by the same power supply voltage, the liquid crystal display element LC is applied. It becomes possible to set a high voltage, and a large dynamic range can be obtained.

また、SRAM201を容量とスイッチとからなる構成に変更し、DRAM202をS
RAMに変更することも考えられるが、この場合は図2の本実施の形態の画素12Aと比
較して動作が不安定という問題がある。すなわち、上記構成の場合SM121の代わりに
用いられる容量に蓄えた電荷によってDM122の代わりに用いられるSRAMの記憶デ
ータを書き換える必要があるが、通常は容量の電荷保持能力よりもSRAMによるメモリ
のデータ保持能力が強いため、DM122の代わりに用いられるSRAMの記憶データに
よって前段のSM121の代わりに用いられる容量の電荷を書き換えてしまう、という不
具合が生じる可能性がある。更に、この場合、SM121の代わりに用いられる容量が後
段SRAMデータによって書き換わらないようにすると、容量を大きく取る必要があるた
め、画素ピッチが増大し、画素小型化に向かないという課題がある。
In addition, the SRAM 201 is changed to a configuration including a capacitor and a switch, and the DRAM 202 is changed to an S
Although it is conceivable to change to RAM, in this case, there is a problem that the operation is unstable as compared with the pixel 12A of the present embodiment in FIG. That is, in the above configuration, it is necessary to rewrite data stored in the SRAM used in place of the DM 122 with the charge stored in the capacity used in place of the SM 121. Normally, however, the data holding of the memory by the SRAM is more than the charge holding capacity of the capacity. Since the capability is strong, there is a possibility that the charge of the capacitor used in place of the previous SM 121 is rewritten by the storage data of the SRAM used in place of the DM 122. Further, in this case, if the capacity used in place of the SM 121 is not rewritten by the post-stage SRAM data, it is necessary to increase the capacity, so that there is a problem that the pixel pitch increases and it is not suitable for pixel miniaturization.

図2に示した本実施の形態の画素12Aによれば、上記のように、液晶表示素子LCの
印加電圧を高く設定することができ、ダイナミックレンジを大きく取ることが可能になる
という効果だけではなく、画素の小型化が可能であるという大なる効果が得られる。この
画素の小型化は、図2に示したようにインバータINV11及びINV12が各2個のト
ランジスタから構成されるので、計7個のトランジスタと1つの容量C1とから構成され
、従来の画素よりも少ない数の構成素子により画素を構成できるからという理由に加えて
、以下に説明するように、SM121とDM122と反射電極PEとを、素子の高さ方向
に有効に配置することができるという理由による。
According to the pixel 12A of the present embodiment shown in FIG. 2, as described above, the applied voltage of the liquid crystal display element LC can be set high, and only the effect that a large dynamic range can be obtained. In addition, the great effect that the pixel can be miniaturized can be obtained. The downsizing of the pixel is because the inverters INV11 and INV12 are each composed of two transistors, as shown in FIG. 2, and thus are composed of a total of seven transistors and one capacitor C1, which is more than the conventional pixel. In addition to the reason that a pixel can be configured by a small number of constituent elements, as described below, the reason is that SM 121, DM 122, and reflective electrode PE can be effectively arranged in the height direction of the element. .

図4は、本発明になる液晶表示装置の要部の画素の一実施の形態の断面構成図を示す。
図2に示した容量C1には、配線間で容量を形成するMIM(Metal−Insulator−Metal
)容量や、基板-ポリシリコン間で容量を形成するDiffusion容量、2層ポリシリコン間で
容量を形成するPIP(Poly−Insulator−Poly)容量などを用いることができる。図4
は、このうちMIMにより容量C1を構成した場合の液晶表示装置の断面構成図を示す。
FIG. 4 shows a cross-sectional configuration diagram of an embodiment of a pixel of a main part of a liquid crystal display device according to the present invention.
The capacitor C1 shown in FIG. 2 includes an MIM (Metal-Insulator-Metal) that forms a capacitor between wirings.
) A capacitance, a diffusion capacitance that forms a capacitance between the substrate and polysilicon, a PIP (Poly-Insulator-Poly) capacitance that forms a capacitance between two layers of polysilicon, and the like can be used. FIG.
Among these, the cross-sectional block diagram of a liquid crystal display device when the capacity | capacitance C1 is comprised by MIM is shown.

図4において、シリコン基板100に形成されたNウェル101上に、ドレインとなる
拡散層を共通化することでドレイン同士が接続されたインバータINV11のPMOSト
ランジスタPTr11と、スイッチSW12のPMOSトランジスタTr2とが形成され
ている。また、シリコン基板100に形成されたPウェル102上に、ドレインとなる拡
散層を共通化することでドレイン同士が接続されたインバータINV12のNMOSトラ
ンジスタNTr12と、スイッチSW12のNMOSトランジスタTr1とが形成されて
いる。なお、図4にはインバータINV11を構成するNMOSトランジスタとインバー
タINV12を構成するPMOSトランジスタとは図示されていない。
In FIG. 4, the PMOS transistor PTr11 of the inverter INV11 and the PMOS transistor Tr2 of the switch SW12, in which the drains are connected to each other by sharing a diffusion layer serving as a drain on the N well 101 formed in the silicon substrate 100, are provided. Is formed. Further, on the P-well 102 formed on the silicon substrate 100, the NMOS transistor NTr12 of the inverter INV12 and the NMOS transistor Tr1 of the switch SW12 are formed by sharing a diffusion layer serving as a drain to connect the drains. ing. Note that FIG. 4 does not show the NMOS transistor constituting the inverter INV11 and the PMOS transistor constituting the inverter INV12.

また、上記の各トランジスタPTr11、Tr2、Tr1、NTr12の上方には、層間絶
縁膜105をメタル間に介在させて第1メタル106、第2メタル108、第3メタル1
10、電極112、第4メタル114、第5メタル116が積層されている。第5メタル
116は画素毎に形成される反射電極PEを構成している。スイッチSW12を構成する
NMOSトランジスタTr1及びPMOSトランジスタTr2の各ソースを構成する各拡散
層は、コンタクト118により第1メタル106にそれぞれ電気的に接続され、更に、ス
ルーホール119a、119b、119c、119eを通して第2メタル108、第3メ
タル110、第4メタル114、第5メタル116に電気的に接続されている。すなわち
、スイッチSW12を構成するNMOSトランジスタTr1及びPMOSトランジスタTr
2の各ソースは、反射電極PEに電気的に接続されている。
Further, above each of the transistors PTr11, Tr2, Tr1, and NTr12, an interlayer insulating film 105 is interposed between the metals, and the first metal 106, the second metal 108, and the third metal 1
10, an electrode 112, a fourth metal 114, and a fifth metal 116 are laminated. The fifth metal 116 constitutes a reflective electrode PE formed for each pixel. The diffusion layers constituting the sources of the NMOS transistor Tr1 and the PMOS transistor Tr2 constituting the switch SW12 are electrically connected to the first metal 106 by the contact 118, respectively, and further through the through holes 119a, 119b, 119c, 119e. The second metal 108, the third metal 110, the fourth metal 114, and the fifth metal 116 are electrically connected. That is, the NMOS transistor Tr1 and the PMOS transistor Tr constituting the switch SW12.
Each of the two sources is electrically connected to the reflective electrode PE.

更に、反射電極PE(第5メタル116)上には保護膜としてパッシベーション膜(P
SV)117が形成され、透明電極である共通電極CEに離間対向配置されている。それ
ら画素電極PEと共通電極CEとの間に液晶LCMが充填封止されて、液晶表示素子LC
を構成している。
Further, a passivation film (P) is formed on the reflective electrode PE (fifth metal 116) as a protective film.
SV) 117 is formed, and is spaced apart from the common electrode CE, which is a transparent electrode. Liquid crystal LCM is filled and sealed between the pixel electrode PE and the common electrode CE, and the liquid crystal display element LC
Is configured.

ここで、第3メタル110上には層間絶縁膜105を介して電極112が形成されてい
る。この電極112は、第3メタル110及び第3メタル110との間の層間絶縁膜10
5と共に容量C1を構成している。MIMにより容量C1を構成すると、SM121とス
イッチSW11、スイッチSW12はトランジスタと第1メタル106及び第2メタル1
08の1,2層配線、DM122はトランジスタ上部の第3メタル110を利用したMI
M配線にて形成することが可能になる。電極112は、スルーホール119dを介して第
4メタルに電気的に接続され、更に第4メタル114はスルーホール119eを介して反
射電極PEに電気的に接続されているため、容量C1は反射電極PEに電気的に接続され
ている。
Here, an electrode 112 is formed on the third metal 110 via an interlayer insulating film 105. This electrode 112 is provided between the third metal 110 and the third metal 110 and the interlayer insulating film 10.
5 forms a capacitor C1. When the capacitor C1 is formed by the MIM, the SM 121, the switch SW11, and the switch SW12 are the transistor, the first metal 106, and the second metal 1
08, 1st and 2nd layer wiring, DM122 is MI using the third metal 110 at the top of the transistor
It can be formed with M wiring. Since the electrode 112 is electrically connected to the fourth metal through the through hole 119d, and the fourth metal 114 is further electrically connected to the reflective electrode PE through the through hole 119e, the capacitor C1 is a reflective electrode. Electrically connected to PE.

図示しない光源からの光は、共通電極CE及び液晶LCMを透過して反射電極PE(第
5メタル116)に入射して反射され、元の入射経路を逆進して共通電極CEを通して出
射される。
Light from a light source (not shown) passes through the common electrode CE and the liquid crystal LCM, is incident on the reflective electrode PE (fifth metal 116), is reflected, and travels backward through the original incident path and is emitted through the common electrode CE. .

本実施の形態によれば、図4に示すように、5層配線である第5メタル116を反射電
極PEに割り当てることにより、SM121とDM122、反射電極PEを高さ方向に有
効に配置することが可能になり、画素小型化が実現できる。これにより、例えば3μm以
下のピッチの画素を電源電圧3.3Vのトランジスタで構成できる。この3μmピッチの
画素では対角の長さ0.55インチの横方向4000画素、縦方向2000画素の液晶表
示パネルを実現できる。
According to the present embodiment, as shown in FIG. 4, the fifth metal 116, which is a five-layer wiring, is allocated to the reflective electrode PE, so that the SM 121 and DM 122 and the reflective electrode PE are effectively arranged in the height direction. Therefore, it is possible to reduce the pixel size. Thus, for example, pixels with a pitch of 3 μm or less can be configured with transistors having a power supply voltage of 3.3V. With this pixel of 3 μm pitch, a liquid crystal display panel having a diagonal length of 0.55 inches and a horizontal direction of 4000 pixels and a vertical direction of 2000 pixels can be realized.

次に、本実施の形態の画素12Aを用いた図1の液晶表示装置10の動作について、図
5のタイミングチャートを併せ参照して説明する。
Next, the operation of the liquid crystal display device 10 of FIG. 1 using the pixel 12A of the present embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG.

前述したように、図1の液晶表示装置10において、垂直シフトレジスタ14からの行
走査信号により行走査線g1から行走査線gmに向って、行走査線が1本ずつ順次1H単位
で選択されていくため、画像表示部11を構成する複数の画素12(12A)は、選択さ
れた行走査線に共通に接続された1行のn個の画素単位でデータの書き込みが行われる。
そして、画像表示部11を構成する複数の画素12(12A)の全てに書き込みが終わっ
た後、トリガパルスに基づいて全画素一斉に読み出しが行われる。
As described above, in the liquid crystal display device 10 of FIG. 1, the row scanning lines are sequentially selected in units of 1H from the row scanning line g1 to the row scanning line gm by the row scanning signal from the vertical shift register 14. Therefore, the plurality of pixels 12 (12A) constituting the image display unit 11 write data in units of n pixels in one row commonly connected to the selected row scanning line.
Then, after all the pixels 12 (12A) constituting the image display unit 11 have been written, all the pixels are read simultaneously based on the trigger pulse.

図5(A)は、水平ドライバ16から列データ線d(d1〜dn)に出力される1ビット
のサブフレームデータの一画素の書き込み期間及び読み出し期間を模式的に示す。左下が
りの斜線が書き込み期間を示す。なお、図5(A)中、B0b、B1b、B2bはビット
BO、B1、B2のデータの反転データであることを示す。また、図5(B)は、タイミ
ングジェネレータ13から正転トリガパルス用トリガ線trigに出力されるトリガパルスを
示す。このトリガパルスは1サブフレーム毎に出力される。なお、反転トリガパルス用ト
リガ線trigbに出力される反転トリガパルスは正転トリガパルスと常に逆論理値であるの
でその図示は省略してある。
FIG. 5A schematically shows a writing period and a reading period of one pixel of 1-bit subframe data output from the horizontal driver 16 to the column data lines d (d1 to dn). A slanting line on the left indicates the writing period. In FIG. 5A, B0b, B1b, and B2b indicate inverted data of the bits BO, B1, and B2. FIG. 5B shows a trigger pulse output from the timing generator 13 to the normal trigger pulse trigger line trig. This trigger pulse is output every subframe. The inversion trigger pulse output to the inversion trigger pulse trigger line trigb is always an inverse logic value with respect to the normal rotation trigger pulse, and is not shown.

まず、画素12Aは行走査信号により選択されると、スイッチSW11がオンとされ、
その時列データ線dに出力される図5(A)のビットB0の正転サブフレームデータがス
イッチSW11によりサンプリングされて画素12AのSM121に書き込まれる。以下
、同様にして、画像表示部11を構成する全ての画素12AのSM121にビットB0の
サブフレームデータの書き込みが行われ、その書き込み動作が終了した後の図5に示す時
刻T1で、図5(B)に示すように“H”レベルの正転トリガパルスが画像表示部11を
構成する全ての画素12Aに同時に供給される。
First, when the pixel 12A is selected by the row scanning signal, the switch SW11 is turned on,
At that time, the normal subframe data of bit B0 of FIG. 5A output to the column data line d is sampled by the switch SW11 and written to the SM 121 of the pixel 12A. Hereinafter, similarly, subframe data of bit B0 is written to the SM 121 of all the pixels 12A constituting the image display unit 11, and at the time T1 shown in FIG. As shown in (B), a normal rotation trigger pulse of “H” level is simultaneously supplied to all the pixels 12 A constituting the image display unit 11.

これにより、全ての画素12AのスイッチSW12がオンとされるため、SM121に
記憶されているビットB0の正転サブフレームデータがスイッチSW12を通してDM1
22を構成する容量C1に一斉に転送されて保持されると共に、反射電極PEに印加され
る。この容量C1によるビットB0の正転サブフレームデータの保持期間は、時刻T1か
ら図5(B)に示すように次の“H”レベルの正転トリガパルスが入力される時刻T2ま
での1サブフレーム期間である。図5(C)は、反射電極PEに印加されるサブフレーム
データのビットを模式的に示す。
As a result, the switches SW12 of all the pixels 12A are turned on, so that the normal subframe data of the bit B0 stored in the SM 121 passes through the switch SW12 to DM1.
In addition to being simultaneously transferred to and held by the capacitor C <b> 1 constituting 22, it is applied to the reflective electrode PE. The holding period of normal subframe data of bit B0 by this capacitor C1 is one sub period from time T1 to time T2 when the next "H" level normal rotation trigger pulse is input as shown in FIG. 5B. It is a frame period. FIG. 5C schematically shows bits of subframe data applied to the reflective electrode PE.

ここで、サブフレームデータのビット値が「1」、すなわち“H”レベルのときには反
射電極PEには電源電圧VDD(ここでは3.3V)が印加され、ビット値が「0」、す
なわち“L”レベルのときには反射電極PEには0Vが印加される。一方、液晶表示素子
LCの共通電極CEには、GND、VDDに制限されることなく、自由な電圧が共通電極
電圧Vcomとして印加できるようになっており、“H”レベルの正転トリガパルスが入力
される時と同時タイミングで規定の電圧に切り替わるようにされている。ここでは、共通
電極電圧Vcomは、正転サブフレームデータが反射電極PEに印加されるサブフレーム期
間は、図5(D)に示すように0Vよりも液晶の閾値電圧Vttだけ低い電圧に設定される
Here, when the bit value of the subframe data is “1”, that is, “H” level, the power supply voltage VDD (3.3 V here) is applied to the reflective electrode PE, and the bit value is “0”, that is, “L”. At the “level”, 0V is applied to the reflective electrode PE. On the other hand, a free voltage can be applied to the common electrode CE of the liquid crystal display element LC as the common electrode voltage Vcom without being limited to GND or VDD. The voltage is switched to the specified voltage at the same time as the input. Here, the common electrode voltage Vcom is set to a voltage lower than 0V by the threshold voltage Vtt of the liquid crystal as shown in FIG. 5D during the subframe period in which the normal rotation subframe data is applied to the reflective electrode PE. The

液晶表示素子LCは、反射電極PEの印加電圧と共通電極電圧Vcomとの差電圧の絶対
値である液晶LCMの印加電圧に応じた階調表示を行う。従って、ビットB0の正転サブ
フレームデータが反射電極PEに印加される時刻T1〜T2の1サブフレーム期間では、
液晶LCMの印加電圧は、図5(E)に示すように、サブフレームデータのビット値が「
1」のときは3.3V+Vtt(=3.3V−(−Vtt))となり、サブフレームデータのビ
ット値が「0」のときは+Vtt(=0V−(−Vtt))となる。
The liquid crystal display element LC performs gradation display according to the applied voltage of the liquid crystal LCM, which is the absolute value of the difference voltage between the applied voltage of the reflective electrode PE and the common electrode voltage Vcom. Accordingly, in one subframe period from time T1 to time T2 when the normal rotation subframe data of bit B0 is applied to the reflective electrode PE,
As shown in FIG. 5E, the voltage applied to the liquid crystal LCM is such that the bit value of the subframe data is “
When it is “1”, it becomes 3.3 V + Vtt (= 3.3 V − (− Vtt)), and when the bit value of the subframe data is “0”, it becomes + Vtt (= 0 V − (− Vtt)).

図6は、液晶の印加電圧(RMS電圧)と液晶のグレースケール値との関係を示す。図
6に示すように、グレースケール値曲線は黒のグレースケール値が液晶の閾値電圧Vttの
RMS電圧に対応し、白のグレースケール値が液晶の飽和電圧Vsat(=3.3V+Vtt)
のRMS電圧に対応するようにシフトされる。グレースケール値を液晶応答曲線の有効部
分に一致させることが可能である。従って、液晶表示素子LCは上記のように液晶LCM
の印加電圧が(3.3V+Vtt)のときは白を表示し、+Vttのときは黒を表示する。
FIG. 6 shows the relationship between the applied voltage (RMS voltage) of the liquid crystal and the gray scale value of the liquid crystal. As shown in FIG. 6, in the gray scale value curve, the black gray scale value corresponds to the RMS voltage of the threshold voltage Vtt of the liquid crystal, and the white gray scale value represents the saturation voltage Vsat (= 3.3 V + Vtt) of the liquid crystal.
Shifted to correspond to the current RMS voltage. It is possible to match the gray scale value to the effective part of the liquid crystal response curve. Accordingly, the liquid crystal display element LC is the liquid crystal LCM as described above.
When the applied voltage is (3.3V + Vtt), white is displayed, and when it is + Vtt, black is displayed.

続いて、上記のビットB0の正転サブフレームデータを表示しているサブフレーム期間
内において、図5(A)にB0bで示すようにビットB0の反転サブフレームデータの画
素12AのSM121への書き込みが順番に開始される。そして、画像表示部11の全画
素12AのSM121にビットB0の反転サブフレームデータが書き込まれ、その書き込
み終了後の時刻T2で図5(B)に示すように“H”レベルの正転トリガパルスが画像表
示部11を構成する全ての画素12Aに同時に供給される。
Subsequently, within the subframe period in which the normal subframe data of bit B0 is displayed, the inverted subframe data of bit B0 is written to the SM 121 in the pixel 12A as indicated by B0b in FIG. Are started in order. Then, the inverted subframe data of bit B0 is written to the SM 121 of all the pixels 12A of the image display unit 11, and at time T2 after the completion of the writing, as shown in FIG. Are simultaneously supplied to all the pixels 12 </ b> A constituting the image display unit 11.

これにより、全ての画素12AのスイッチSW12がオンとされるため、SM121に
記憶されているビットB0の反転サブフレームデータがスイッチSW12を通してDM1
22を構成する容量C1に転送されて保持されると共に、反射電極PEに印加される。こ
の容量C1によるビットB0の反転サブフレームデータの保持期間は、時刻T2から図5
(B)に示すように次の“H”レベルの正転トリガパルスが入力される時刻T3までの1
サブフレーム期間である。ここで、ビットB0の反転サブフレームデータはビットB0の
正転サブフレームデータと常に逆論理値の関係にあるため、ビットB0の正転サブフレー
ムデータが「1」のときは「0」、ビットB0の正転サブフレームデータが「0」のとき
は「1」である。
As a result, the switches SW12 of all the pixels 12A are turned on, so that the inverted subframe data of the bit B0 stored in the SM 121 passes through the switch SW12 to DM1.
In addition to being transferred to and held by the capacitor C <b> 1 that constitutes 22, it is applied to the reflective electrode PE. The holding period of the inverted subframe data of bit B0 by the capacitor C1 is from time T2 to FIG.
As shown in (B), 1 until time T3 when the next "H" level normal rotation trigger pulse is input.
It is a subframe period. Here, since the inverted subframe data of bit B0 is always in an inverse logical value relationship with the normal subframe data of bit B0, when the normal subframe data of bit B0 is “1”, “0” When the normal rotation subframe data of B0 is “0”, it is “1”.

一方、共通電極電圧Vcomは、反転サブフレームデータが反射電極PEに印加されるサ
ブフレーム期間は、図5(D)に示すように3.3Vよりも液晶の閾値電圧Vttだけ高い
電圧に設定される。従って、ビットB0の反転サブフレームデータが反射電極PEに印加
される時刻T2〜T3の1サブフレーム期間では、液晶LCMの印加電圧は、サブフレー
ムデータのビット値が「1」のときは−Vtt(=3.3V−(3.3V+Vtt))となり、
サブフレームデータのビット値が「0」のときは−3.3V−Vtt(=0V−(3.3V+
Vtt))となる。
On the other hand, the common electrode voltage Vcom is set to a voltage higher than the 3.3V threshold voltage Vtt during the subframe period in which the inverted subframe data is applied to the reflective electrode PE, as shown in FIG. The Therefore, in one subframe period from time T2 to time T3 when the inverted subframe data of bit B0 is applied to the reflective electrode PE, the applied voltage of the liquid crystal LCM is −Vtt when the bit value of the subframe data is “1”. (= 3.3V- (3.3V + Vtt))
When the bit value of the subframe data is “0”, −3.3V−Vtt (= 0V− (3.3V +
Vtt)).

従って、ビットB0の正転サブフレームデータのビット値が「1」であった時は続いて
入力されるビットB0の反転サブフレームデータのビット値が「0」であるため、液晶L
CMの印加電圧は、−(3.3V+Vtt)となり、液晶LCMに印加される電位の方向は
ビットB0の正転サブフレームデータの時とは逆となるが絶対値が同じであるため、画素
12AはビットB0の正転サブフレームデータ表示時と同じ白を表示する。同様に、ビッ
トB0の正転サブフレームデータのビット値が「0」であった時は続いて入力されるビッ
トB0の反転サブフレームデータのビット値が「1」であるため、液晶LCMの印加電圧
は、−Vttとなり、液晶LCMに印加される電位の方向はビットB0の正転サブフレーム
データの時とは逆となるが絶対値が同じであるため、画素12Aは黒を表示する。
Accordingly, when the bit value of the normal subframe data of bit B0 is “1”, the bit value of the inverted subframe data of bit B0 that is subsequently input is “0”, so the liquid crystal L
The applied voltage of CM is − (3.3V + Vtt), and the direction of the potential applied to the liquid crystal LCM is opposite to that in the normal subframe data of the bit B0, but the absolute value is the same. Displays the same white color as when normal subframe data of bit B0 is displayed. Similarly, when the bit value of the normal subframe data of bit B0 is “0”, the bit value of the inverted subframe data of bit B0 that is subsequently input is “1”. The voltage is −Vtt, and the direction of the potential applied to the liquid crystal LCM is opposite to that of the normal rotation subframe data of the bit B0, but the absolute value is the same, so the pixel 12A displays black.

従って、画素12Aは図5(E)に示すように、時刻T1〜時刻T3までの2サブフレ
ーム期間は、ビットB0とビットB0の相補ビットB0bとで同じ階調を表示すると共に
、液晶LCMの電位方向がサブフレーム毎に反転する交流駆動が行われるため、液晶LC
Mの焼き付きを防止することができる。
Accordingly, as shown in FIG. 5E, the pixel 12A displays the same gradation in the bit B0 and the complementary bit B0b of the bit B0 and also displays the liquid crystal LCM in the two subframe periods from the time T1 to the time T3. The liquid crystal LC is driven by alternating current driving in which the potential direction is inverted every subframe.
M burn-in can be prevented.

続いて、上記の相補ビットB0bの反転サブフレームデータを表示しているサブフレー
ム期間内において、図5(A)にB1で示すようにビットB1の正転サブフレームデータ
の画素12AのSM121への書き込みが順番に開始される。そして、画像表示部11の
全画素12AのSM121にビットB1の正転サブフレームデータが書き込まれ、その書
き込み終了後の時刻T3で図5(B)に示すように“H”レベルの正転トリガパルスが画
像表示部11を構成する全ての画素12Aに同時に供給される。
Subsequently, within the subframe period in which the inverted subframe data of the complementary bit B0b is displayed, as indicated by B1 in FIG. 5A, the normal subframe data of the bit B1 is transferred to the SM 121 of the pixel 12A. Writing starts in sequence. Then, normal rotation subframe data of bit B1 is written in the SM 121 of all the pixels 12A of the image display unit 11, and at time T3 after the completion of the writing, as shown in FIG. A pulse is simultaneously supplied to all the pixels 12 </ b> A constituting the image display unit 11.

これにより、全ての画素12AのスイッチSW12がオンとされるため、SM121に
記憶されているビットB1の正転サブフレームデータがスイッチSW12を通してDM1
22を構成する容量C1に転送されて保持されると共に、反射電極PEに印加される。こ
の容量C1によるビットB1の正転サブフレームデータの保持期間は、時刻T3から図5
(B)に示すように次の“H”レベルの正転トリガパルスが入力される時刻T4までの1
サブフレーム期間である。
As a result, the switches SW12 of all the pixels 12A are turned on, so that the normal subframe data of the bit B1 stored in the SM 121 passes through the switch SW12 to DM1.
In addition to being transferred to and held by the capacitor C <b> 1 that constitutes 22, it is applied to the reflective electrode PE. The holding period of the normal subframe data of bit B1 by the capacitor C1 is from time T3 to FIG.
As shown in (B), 1 until time T4 when the next "H" level forward trigger pulse is input.
It is a subframe period.

一方、共通電極電圧Vcomは、正転サブフレームデータが反射電極PEに印加されるサ
ブフレーム期間は、図5(D)に示すように0Vよりも液晶の閾値電圧Vttだけ低い電圧
に設定される。従って、ビットB1の正転サブフレームデータが反射電極PEに印加され
る時刻T3〜T4の1サブフレーム期間では、液晶LCMの印加電圧は、図5(E)に示
すように、サブフレームデータのビット値が「1」のときは3.3V+Vtt(=3.3V−
(−Vtt))となり、サブフレームデータのビット値が「0」のときは+Vtt(=0V−
(−Vtt))となる。
On the other hand, the common electrode voltage Vcom is set to a voltage lower than 0V by the threshold voltage Vtt of the liquid crystal as shown in FIG. 5D during the subframe period in which the normal rotation subframe data is applied to the reflective electrode PE. . Accordingly, in one subframe period from time T3 to time T4 when the normal rotation subframe data of bit B1 is applied to the reflective electrode PE, the applied voltage of the liquid crystal LCM is as shown in FIG. When the bit value is “1”, 3.3V + Vtt (= 3.3V−
(−Vtt)), and when the bit value of the subframe data is “0”, + Vtt (= 0V−
(-Vtt)).

続いて、上記のビットB1の正転サブフレームデータを表示しているサブフレーム期間
内において、図5(A)にB1bで示すようにビットB1の反転サブフレームデータの画
素12AのSM121への書き込みが順番に開始される。そして、画像表示部11の全画
素12AのSM121にビットB1の反転サブフレームデータが書き込まれ、その書き込
み終了後の時刻T4で図5(B)に示すように“H”レベルの正転トリガパルスが画像表
示部11を構成する全ての画素12Aに同時に供給される。
Subsequently, in the subframe period in which the normal subframe data of the bit B1 is displayed, the inverted subframe data of the bit B1 is written to the SM 121 in the pixel 12A as indicated by B1b in FIG. Are started in order. Then, the inverted subframe data of bit B1 is written to the SM 121 of all the pixels 12A of the image display unit 11, and at time T4 after the completion of the writing, as shown in FIG. Are simultaneously supplied to all the pixels 12 </ b> A constituting the image display unit 11.

これにより、全ての画素12AのスイッチSW12がオンとされるため、SM121に
記憶されているビットB1の反転サブフレームデータがスイッチSW12を通してDM1
22を構成する容量C1に転送されて保持されると共に、反射電極PEに印加される。こ
の容量C1によるビットB0の反転サブフレームデータの保持期間は、時刻T4から図5
(B)に示すように次の“H”レベルの正転トリガパルスが入力される時刻T5までの1
サブフレーム期間である。ここで、ビットB1の反転サブフレームデータはビットB1の
正転サブフレームデータと常に逆論理値の関係にある。
As a result, the switches SW12 of all the pixels 12A are turned on, so that the inverted subframe data of the bit B1 stored in the SM 121 passes through the switch SW12 to DM1.
In addition to being transferred to and held by the capacitor C <b> 1 that constitutes 22, it is applied to the reflective electrode PE. The holding period of the inverted subframe data of bit B0 by the capacitor C1 is from time T4 to FIG.
As shown in (B), 1 until time T5 when the next "H" level normal rotation trigger pulse is input.
It is a subframe period. Here, the inverted subframe data of bit B1 is always in the relationship of the inverse logical value with the normal subframe data of bit B1.

一方、共通電極電圧Vcomは、反転サブフレームデータが反射電極PEに印加されるサ
ブフレーム期間は、図5(D)に示すように3.3Vよりも液晶の閾値電圧Vttだけ高い
電圧に設定される。従って、ビットB1の反転サブフレームデータが反射電極PEに印加
される時刻T4〜T5の1サブフレーム期間では、液晶LCMの印加電圧は、サブフレー
ムデータのビット値が「1」のときは−Vtt(=3.3V−(3.3V+Vtt))となり、
サブフレームデータのビット値が「0」のときは−3.3V−Vtt(=0V−(3.3V+
Vtt))となる。
On the other hand, the common electrode voltage Vcom is set to a voltage higher than the 3.3V threshold voltage Vtt during the subframe period in which the inverted subframe data is applied to the reflective electrode PE, as shown in FIG. The Therefore, in one subframe period from time T4 to T5 when the inverted subframe data of bit B1 is applied to the reflective electrode PE, the applied voltage of the liquid crystal LCM is −Vtt when the bit value of the subframe data is “1”. (= 3.3V- (3.3V + Vtt))
When the bit value of the subframe data is “0”, −3.3V−Vtt (= 0V− (3.3V +
Vtt)).

これにより、画素12Aは図5(E)に示すように、時刻T3〜時刻T5までの2サブ
フレーム期間はビットB1とビットB1の相補ビットB1bとで同じ階調を表示すると共
に、液晶LCMの電位方向がサブフレーム毎に反転する交流駆動が行われるため、液晶L
CMの焼き付きを防止することができる。以下、上記と同様の動作が繰り返され、本実施
の形態の画素12Aを有する液晶表示装置によれば、複数のサブフレームの組み合わせに
よって階調表示を行うことができる。
Accordingly, as shown in FIG. 5E, the pixel 12A displays the same gradation in the bit B1 and the complementary bit B1b of the bit B1 during the two subframe periods from the time T3 to the time T5, and the liquid crystal LCM Since AC driving is performed in which the potential direction is reversed every subframe, the liquid crystal L
The burn-in of CM can be prevented. Thereafter, the same operation as described above is repeated, and according to the liquid crystal display device having the pixel 12A of the present embodiment, gradation display can be performed by combining a plurality of subframes.

なお、ビットB0と相補ビットB0bの各表示期間は同じ第1のサブフレーム期間であ
り、また、ビットB1と相補ビットB1bの各表示期間も同じ第2のサブフレーム期間で
あるが、第1のサブフレーム期間と第2のサブフレーム期間とは同一であるとは限らない
。ここでは、一例として第2のサブフレーム期間は第1のサブフレーム期間の2倍に設定
されている。また、図5(E)に示すように、ビットB2と相補ビットB2bの各表示期
間である第3のサブフレーム期間は、第2のサブフレーム期間の2倍に設定されている。
他のサブフレーム期間についても同様であり、システムに従って各サブフレーム期間の長
さが所定の長さに決められ、またサブフレーム数も任意の数に決定される。
The display periods of bit B0 and complementary bit B0b are the same first subframe period, and the display periods of bit B1 and complementary bit B1b are also the same second subframe period. The subframe period and the second subframe period are not necessarily the same. Here, as an example, the second subframe period is set to be twice the first subframe period. As shown in FIG. 5E, the third subframe period, which is the display period of the bit B2 and the complementary bit B2b, is set to be twice the second subframe period.
The same applies to the other subframe periods. The length of each subframe period is determined to be a predetermined length according to the system, and the number of subframes is also determined to be an arbitrary number.

次に、本発明の要部の画素の他の実施の形態について説明する。   Next, another embodiment of the main pixel of the present invention will be described.

第1の実施の形態の画素12Aは、列データ線dを介して供給されるサブフレームデー
タをサンプリングして記憶する第1の信号保持手段をSRAM201で構成するSM12
1とし、第1の信号保持手段から供給されるサブフレームデータを所定期間保持して反射
電極に印加する第2の信号保持手段をDRAM202で構成するDM122とすることで
、画素の小型化等を実現した。これに対し、以下説明する画素の第2及び第3の実施の形
態は、第1及び第2の信号保持手段を前記特許文献1に記載の画素と同様に、いずれもS
RAMとしたものである。ただし、本発明の要部の画素の第2及び第3の実施の形態では
、SRAMを所定の構成とすることで特許文献1記載の画素に比べて動作の安定化を実現
している。
In the pixel 12A of the first embodiment, the SM12 is configured by the SRAM 201 as first signal holding means for sampling and storing the subframe data supplied via the column data line d.
1 and the second signal holding means for holding the sub-frame data supplied from the first signal holding means for a predetermined period and applying it to the reflective electrode is the DM 122 constituted by the DRAM 202, thereby reducing the size of the pixel. It was realized. On the other hand, in the second and third embodiments of the pixel described below, the first and second signal holding means are both S, as in the pixel described in Patent Document 1.
It is a RAM. However, in the second and third embodiments of the main pixel of the present invention, the operation is stabilized as compared with the pixel described in Patent Document 1 by configuring the SRAM in a predetermined configuration.

図7は、本発明になる液晶表示装置の要部である画素の第2の実施の形態の回路図を示
す。同図中、図2と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。図7におい
て、第2の実施の形態の画素12Bは、図1中のレベルシフタ/画素ドライバ163に一
端が接続されて列方向(Y方向)に延在する正転データ用列データ線djと反転データ用
列データ線dbjとを一組とする、全部でn組の列データ線のうちの、任意の一組の正転デ
ータ用列データ線d及び反転データ用列データ線dbと、垂直シフトレジスタ14に一端
が接続されて行方向(X方向)に延在する任意の1本の行走査線gとの交差部に設けられ
た画素で、第1のスタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)211と、第
2のスタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)212と、液晶表示素子L
Cとより構成されている。第1のSRAM211は、第1及び第2のスイッチング手段を
構成するスイッチSW21a及びSW21bと、第1の信号保持手段(SM)123とよ
り構成される。また、第2のSRAM212は、第3及び第4のスイッチング手段を構成
するスイッチSW22a及びSW22bと、第2の信号保持手段(SM)124とより構
成される。
FIG. 7 shows a circuit diagram of a second embodiment of a pixel which is a main part of the liquid crystal display device according to the present invention. In the figure, the same components as those in FIG. In FIG. 7, the pixel 12B of the second embodiment is inverted with respect to the normal data column data line dj extending in the column direction (Y direction) with one end connected to the level shifter / pixel driver 163 in FIG. Vertical shift with any one set of normal data column data line d and inverted data column data line db out of a total of n column data lines, the data column data line dbj as a set A first static random access memory (SRAM) is a pixel provided at an intersection with one arbitrary row scanning line g that is connected to the register 14 at one end and extends in the row direction (X direction). ) 211, a second static random access memory (SRAM) 212, and a liquid crystal display element L
And C. The first SRAM 211 includes switches SW21a and SW21b that constitute first and second switching means, and first signal holding means (SM) 123. The second SRAM 212 includes switches SW22a and SW22b constituting third and fourth switching means, and second signal holding means (SM) 124.

スイッチSW21aは、ゲートが行走査線gに接続され、ドレインが列データ線dに接
続され、ソースがSM123の一方の入力端子に接続されているNMOSトランジスタに
より構成されている。スイッチSW21bは、ゲートが行走査線gに接続され、ドレイン
が列データ線dbに接続され、ソースがSM123の他方の入力端子に接続されているN
MOSトランジスタにより構成されている。
The switch SW21a includes an NMOS transistor having a gate connected to the row scanning line g, a drain connected to the column data line d, and a source connected to one input terminal of the SM123. The switch SW21b has a gate connected to the row scanning line g, a drain connected to the column data line db, and a source connected to the other input terminal of the SM123.
It is composed of MOS transistors.

SM123は、一方の出力端子が他方の入力端子に接続された2つのインバータINV
21及びINV22からなる自己保持型メモリである。インバータINV21は、その入
力端子がインバータINV22の出力端子とSW21aを構成するNMOSトランジスタ
のソースとスイッチSW22aとに接続されている。インバータINV22は、その入力
端子がインバータINV21の出力端子とSW21bを構成するNMOSトランジスタの
ソースとスイッチSW22bとに接続されている。インバータINV21及びINV22
は、いずれも図3に示すような公知のCMOSインバータの構成である。
SM123 has two inverters INV with one output terminal connected to the other input terminal.
21 and a self-holding memory composed of INV22. The input terminal of the inverter INV21 is connected to the output terminal of the inverter INV22, the source of the NMOS transistor constituting the SW21a, and the switch SW22a. The input terminal of the inverter INV22 is connected to the output terminal of the inverter INV21, the source of the NMOS transistor constituting the SW21b, and the switch SW22b. Inverters INV21 and INV22
These are all known CMOS inverter configurations as shown in FIG.

また、スイッチSW22aは、ゲートがトリガ線trigに接続され、ドレインがSM12
3とスイッチSW21aとの接続点に接続され、ソースがSM124の一方の入力端子に
接続されているNMOSトランジスタにより構成されている。スイッチSW22bは、ゲ
ートがトリガ線trigに接続され、ドレインがSM123とスイッチSW21bとの接続点
に接続され、ソースがSM124の他方の入力端子に接続されているNMOSトランジス
タにより構成されている。
The switch SW22a has a gate connected to the trigger line trig and a drain connected to SM12.
3 is connected to a connection point between the switch SW21a and an NMOS transistor whose source is connected to one input terminal of the SM124. The switch SW22b is configured by an NMOS transistor having a gate connected to the trigger line trig, a drain connected to a connection point between the SM123 and the switch SW21b, and a source connected to the other input terminal of the SM124.

また、SM124は、一方の出力端子が他方の入力端子に接続された2つのインバータ
INV23及びINV24からなる自己保持型メモリである。インバータINV23は、
その入力端子がインバータINV24の出力端子とSW22aを構成するNMOSトラン
ジスタのソースと反射電極PEとに接続されている。インバータINV24は、その入力
端子がインバータINV23の出力端子とSW22bを構成するNMOSトランジスタの
ソースとに接続されている。インバータINV23及びINV24は、インバータINV
21及びINV22と同様にいずれも図3に示すような公知のCMOSインバータの構成
である。
The SM 124 is a self-holding memory composed of two inverters INV23 and INV24 having one output terminal connected to the other input terminal. The inverter INV23 is
Its input terminal is connected to the output terminal of the inverter INV24, the source of the NMOS transistor constituting the SW 22a, and the reflective electrode PE. The input terminal of the inverter INV24 is connected to the output terminal of the inverter INV23 and the source of the NMOS transistor that constitutes the SW 22b. Inverters INV23 and INV24 are connected to inverter INV
Similar to 21 and INV22, both are known CMOS inverter configurations as shown in FIG.

本実施の形態の画素12Bは、図5のタイミングチャートと共に説明した動作と同様の
動作を行う。画素12Bは行走査信号により選択されると、スイッチSW21a及びSW
21bがオンとされる。スイッチSW21a及びSW21bには列データ線dと列データ
線dbを介して互いに逆論理値の1ビットの正転サブフレームデータと1ビットの反転サ
ブフレームデータとが供給されている。ここで、スイッチSW21a及びSW21bはN
MOSトランジスタで構成されており、正転サブフレームデータ及び反転サブフレームデ
ータがVDD側の電圧(“H”)のときには、NMOSトランジスタの閾値電圧Vthによ
り入力されず、VDDからVth分低い電圧しか入力されない。しかも、この電圧では電流
が殆ど流れなくなる。このため、スイッチSW21a又はSW21bによりサンプリング
されたGND電位(“L”)になる正転サブフレームデータ又は反転サブフレームデータ
が、SM123に書き込まれる。
The pixel 12B in this embodiment performs an operation similar to the operation described with the timing chart of FIG. When the pixel 12B is selected by the row scanning signal, the switches SW21a and SW21a
21b is turned on. The switches SW21a and SW21b are supplied with 1-bit normal subframe data and 1-bit inverted subframe data having opposite logical values through the column data line d and the column data line db. Here, the switches SW21a and SW21b are N
It is composed of MOS transistors, and when normal subframe data and inverted subframe data are VDD side voltage ("H"), it is not input by the threshold voltage Vth of the NMOS transistor, but only a voltage lower than VDD by Vth is input. Not. Moreover, almost no current flows at this voltage. Therefore, normal subframe data or inverted subframe data at the GND potential (“L”) sampled by the switch SW21a or SW21b is written to the SM123.

SM124へのデータ書き込みは、トリガ線trigを介して供給されるトリガパルスによ
り制御されるスイッチSW22a及びSW22bにより行われる。SM123とスイッチ
SW21aとの接続点から配線mを介してスイッチSW22aに供給されるデータと、S
M123とスイッチSW21bとの接続点から配線mbを介してスイッチSW22bに供
給されるデータとは、互いに逆論理値の関係にある。スイッチSW22a及びSW22b
は、NMOSトランジスタで構成されており、VDD側の電圧(“H”レベル)はNMO
SトランジスタのVthにより入力されず、VDDからVth分低い電圧しか入力さない。し
かもこの電圧ではNMOSトランジスタのVth近辺で駆動することになるため、電流が殆
ど流れなくなる。このため、GND電位(“L”レベル)になる配線m又は配線mbのデ
ータがSM124に書き込まれる。
Data writing to the SM 124 is performed by the switches SW22a and SW22b controlled by the trigger pulse supplied via the trigger line trig. Data supplied to the switch SW22a from the connection point of the SM123 and the switch SW21a via the wiring m, and S
Data supplied to the switch SW22b from the connection point between the M123 and the switch SW21b via the wiring mb is in an inverse logical value relationship. Switches SW22a and SW22b
Is composed of NMOS transistors, and the VDD side voltage ("H" level) is NMO.
Only a voltage lower than VDD by Vth is input without being input by Vth of the S transistor. Moreover, since this voltage is driven in the vicinity of Vth of the NMOS transistor, almost no current flows. For this reason, the data of the wiring m or the wiring mb at the GND potential (“L” level) is written in the SM 124.

ここで、画像表示部11を構成する全ての画素12BのSM123にサブフレームデー
タが書き込まれた直後に、トリガ線trigを介して“H”レベルのトリガパルスが入力され
たとき、SM124のデータをSM123の記憶データに書き換える必要がある。つまり
、SM124に記憶されているデータでSM123のデータが書き換わってはならない。
このため、SM124を構成するインバータの駆動力は、SM123を構成するインバー
タの駆動力よりも小さくする必要がある。つまり、SM123とSM124の記憶データ
が異なっていた場合、“H”レベルのトリガパルスが入力された時にインバータINV2
1の出力データとインバータINV23の出力データとが衝突することになり、インバー
タINV21の出力データがインバータINV24のデータを確実に書き換えるように、
インバータINV21の駆動力はインバータINV23の駆動力よりも大きくする必要が
ある。また、インバータINV22とインバータINV24との関係では、インバータI
NV22の出力データがインバータINV23のデータを確実に書き換えるように、イン
バータINV22の駆動力はインバータINV24の駆動力よりも大きくする必要がある
Here, immediately after the sub-frame data is written in the SM 123 of all the pixels 12B constituting the image display unit 11, when the “H” level trigger pulse is input via the trigger line trig, the data of the SM 124 is stored. It is necessary to rewrite the data stored in SM123. That is, the data stored in the SM 124 must not be rewritten with the data stored in the SM 123.
For this reason, it is necessary to make the driving force of the inverter constituting SM124 smaller than the driving force of the inverter constituting SM123. That is, when the stored data of SM123 and SM124 are different, the inverter INV2 is input when the “H” level trigger pulse is input.
1 so that the output data of the inverter INV23 collides, and the output data of the inverter INV21 reliably rewrites the data of the inverter INV24.
The driving force of the inverter INV21 needs to be larger than the driving force of the inverter INV23. Further, in the relationship between the inverter INV22 and the inverter INV24, the inverter IV
The driving force of the inverter INV22 needs to be larger than the driving force of the inverter INV24 so that the output data of the NV22 surely rewrites the data of the inverter INV23.

このことについて図8を用いて更に説明する。インバータINV21とインバータIN
V23の関係を簡単に説明すると、配線mbにおけるSM123の出力データが“H”レ
ベルの場合、インバータINV21を構成するPMOSトランジスタPTr21がオンし
ている状態である。それに対し、SM124の配線mb側の出力データが既に“L”レベ
ルであった場合、インバータINV23を構成するNMOSトランジスタNTr23がオ
ンしている状態である。
This will be further described with reference to FIG. Inverter INV21 and inverter IN
To briefly explain the relationship of V23, when the output data of SM123 in the wiring mb is at "H" level, the PMOS transistor PTr21 constituting the inverter INV21 is turned on. On the other hand, when the output data on the wiring mb side of the SM 124 is already at the “L” level, the NMOS transistor NTr23 constituting the inverter INV23 is on.

このときトリガパルス線trigの“H”レベルのトリガパルスによりスイッチSW22b
を構成するNMOSトランジスタがオンし、インバータINV21とインバータINV2
3の出力同士が導通した場合、電流はインバータINV21のPMOSトランジスタPT
r21とインバータINV23のNMOSトランジスタNTr23を通してVDDからGN
Dで流れる。このとき配線mbの電圧はPMOSトランジスタPTr21とNMOSトラ
ンジスタNTr23のオン抵抗の比によって決まる。
At this time, the switch SW22b is triggered by the “H” level trigger pulse of the trigger pulse line trig.
Is turned on, and inverters INV21 and INV2 are turned on.
When the outputs of 3 are conductive, the current is the PMOS transistor PT of the inverter INV21
From VDD to GN through r21 and NMOS transistor NTr23 of inverter INV23
D flows. At this time, the voltage of the wiring mb is determined by the ratio of the on resistance of the PMOS transistor PTr21 and the NMOS transistor NTr23.

逆に、配線mbにおけるSM123の出力データが“L”レベルで、SM124の配線
mb側の出力データが既に“H”レベルであった場合、スイッチSW22bを構成するN
MOSトランジスタがトリガパルス線trigの“H”レベルのトリガパルスによりオンし、
インバータINV21とインバータINV23の出力同士が導通した場合、電流はインバ
ータINV23のPMOSトランジスタPTr23とインバータINV21のNMOSト
ランジスタNTr21を通してVDDからGNDで流れる。このとき配線mbの電圧はP
MOSトランジスタPTr23とNMOSトランジスタNTr21のオン抵抗の比によって
決まる。
On the other hand, if the output data of the SM 123 in the wiring mb is “L” level and the output data on the wiring mb side of the SM 124 is already “H” level, the N constituting the switch SW22b
The MOS transistor is turned on by the “H” level trigger pulse on the trigger pulse line trig,
When the outputs of the inverters INV21 and INV23 become conductive, current flows from VDD to GND through the PMOS transistor PTr23 of the inverter INV23 and the NMOS transistor NTr21 of the inverter INV21. At this time, the voltage of the wiring mb is P
It is determined by the ratio of the on resistance of the MOS transistor PTr23 and the NMOS transistor NTr21.

また、配線mbには図示しないインバータINV24の入力ゲートが接続されており、
インバータINV24は配線mbの電圧レベルの入力によって出力データが”L”レベル
か”H”レベルに確定される。つまり、SM124の出力データは配線mbの電圧レベル
によって決定されるため、SM123の出力データによってSM124のデータを書き換
えるためには、インバータINV21、インバータINV22のトランジスタのオン抵抗
がインバータINV23、インバータINV24のトランジスタのオン抵抗よりも低い必
要がある。インバータINV21、インバータINV22のトランジスタのオン抵抗が低
いことにより、SM123の出力データはSM124のデータレベルによらず、確実にS
M124のデータを書き換えることができる。
In addition, an input gate of an inverter INV24 (not shown) is connected to the wiring mb.
The output data of the inverter INV24 is determined to be “L” level or “H” level by the input of the voltage level of the wiring mb. That is, since the output data of SM124 is determined by the voltage level of the wiring mb, in order to rewrite the data of SM124 with the output data of SM123, the ON resistances of the transistors of inverters INV21 and INV22 are the transistors of inverters INV23 and INV24. It must be lower than the on-resistance. Due to the low on-resistance of the transistors of the inverters INV21 and INV22, the output data of SM123 is reliably S regardless of the data level of SM124.
The data of M124 can be rewritten.

オン抵抗が低いトランジスタを使用するということは、駆動力が高いトランジスタを使
用するということで実現でき、ゲート長を小さくしたり、ゲート幅を大きくしたりするこ
とで実現できる。
The use of a transistor with low on-resistance can be realized by using a transistor with high driving power, and can be realized by reducing the gate length or increasing the gate width.

全画素12BのSM124にSM123に記憶されていた1ビットのデータが一斉に書
き込まれると、トリガパルス線trigのトリガパルスが“L”レベルとなり、スイッチSW
22a及びSW22bがそれぞれオフとなる。このため、SM124は書き込んだ1ビッ
トのデータを保持し、任意の時間(ここでは、1サブフレーム期間)、反射電極PEの電
位を上記保持データに応じた電位に固定することができる。
When 1-bit data stored in SM123 is written to SM124 of all the pixels 12B all at once, the trigger pulse of the trigger pulse line trig becomes “L” level, and the switch SW
Each of 22a and SW22b is turned off. Therefore, the SM 124 can hold the written 1-bit data, and can fix the potential of the reflective electrode PE to a potential corresponding to the held data for an arbitrary time (here, one subframe period).

SM124に書き込まれるデータは、図5(C)に示した1サブフレーム毎に切り替わ
る正転データと反転データであり、一方、共通電極電位Vcomも図5(D)に示したよう
に、上記の書き込みと同期して1サブフレーム毎に所定電位に交互に切り替わるため、本
実施の形態の画素12Bを用いた液晶表示装置によれば、第1の実施の形態の画素12A
を用いた液晶表示装置と同様に、サブフレーム毎に反転する交流駆動が行われるため、液
晶LCMの焼き付きを防止した表示を行うことができる。更に、本実施の形態の画素12
Bを用いた液晶表示装置によれば、SM123を構成するインバータINV21及びIN
V22と、SM124を構成するインバータINV23及びINV24の各駆動力と、ス
イッチSW21a、SW21b、SW22a及びSW22bを構成する各トランジスタの
駆動力ををそれぞれ所定の関係に設定したため、安定でかつ正確な階調表示ができる。
The data written in the SM 124 is the normal rotation data and the inverted data that are switched every subframe shown in FIG. 5C, while the common electrode potential Vcom is also the above-mentioned data as shown in FIG. Since the voltage is alternately switched to a predetermined potential every subframe in synchronization with writing, according to the liquid crystal display device using the pixel 12B of the present embodiment, the pixel 12A of the first embodiment.
Similarly to the liquid crystal display device using the liquid crystal display, alternating current driving that is reversed every subframe is performed, so that it is possible to perform display while preventing the liquid crystal LCM from being burned. Further, the pixel 12 of the present embodiment.
According to the liquid crystal display device using B, inverters INV21 and INV constituting SM123
Since the driving power of each of the inverters INV23 and INV24 constituting the SM22 and the driving power of each transistor constituting the switches SW21a, SW21b, SW22a and SW22b is set in a predetermined relationship, stable and accurate gradation Can be displayed.

なお、スイッチSW21a、21b、22a及び22bはPMOSトランジスタにより
構成してもよく、その場合は上記の説明とは逆極性として考えればよいため、詳細は割愛
する。
Note that the switches SW21a, 21b, 22a, and 22b may be configured by PMOS transistors, and in that case, the polarity may be considered as being opposite to the above description, and the details are omitted.

次に、本発明になる液晶表示装置の要部の画素の第3の実施の形態について説明する。
図9は、本発明になる液晶表示装置の要部である画素の第3の実施の形態の回路図を示す
。同図中、図7と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
Next, a description will be given of a third embodiment of the main pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.
FIG. 9 shows a circuit diagram of a third embodiment of a pixel which is a main part of the liquid crystal display device according to the present invention. In the figure, the same components as those in FIG. 7 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図9において、第3の実施の形態の画素12Cは、図1中のレベルシフタ/画素ドライ
バ163に一端が接続されて列方向(Y方向)に延在する列データ線d1〜dnのうちの、
任意の1本の列データ線dと、垂直シフトレジスタ14に一端が接続されて行方向(X方
向)に延在する任意の1本の行走査線gとの交差部に設けられた画素で、第1のスタティ
ック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)213と、第2のスタティック・ランダ
ム・アクセス・メモリ(SRAM)214と、液晶表示素子LCとより構成されている。
第1のSRAM213は、第1のスイッチング手段を構成するスイッチSW31と、第1
の信号保持手段(SM)125とより構成される。また、第2のSRAM214は、第2
のスイッチング手段を構成するスイッチSW32と、第2の信号保持手段(SM)126
とより構成される。本実施の形態の画素12Cは、前記画素12Bと同様にSRAM2段
で構成しているが、SRAM213内のSM125,SRAM214内のSM126への
書き込みはそれぞれ1スイッチSW31、SW32で行う点に特徴がある。
In FIG. 9, the pixel 12C of the third embodiment includes one of the column data lines d1 to dn that are connected to the level shifter / pixel driver 163 in FIG. 1 and extend in the column direction (Y direction).
Pixels provided at intersections between any one column data line d and any one row scanning line g that has one end connected to the vertical shift register 14 and extends in the row direction (X direction). The first static random access memory (SRAM) 213, the second static random access memory (SRAM) 214, and the liquid crystal display element LC.
The first SRAM 213 includes a switch SW31 constituting the first switching means, and a first
Signal holding means (SM) 125. In addition, the second SRAM 214 has the second
The switch SW32 constituting the switching means and the second signal holding means (SM) 126
It is composed of. The pixel 12C of the present embodiment is composed of two SRAM stages as in the pixel 12B, but is characterized in that writing to the SM 125 in the SRAM 213 and the SM 126 in the SRAM 214 is performed by one switch SW31 and SW32, respectively. .

スイッチSW31は、ゲートが行走査線gに接続され、ドレインが列データ線dに接続
され、ソースがSM125の一方の入力端子に接続されているNMOSトランジスタによ
り構成されている。SM125は、一方の出力端子が他方の入力端子に接続された2つの
インバータINV31及びINV32からなる自己保持型メモリである。インバータIN
V31は、その入力端子がインバータINV32の出力端子とSW31を構成するNMO
Sトランジスタのソースに接続されている。インバータINV32は、その入力端子がイ
ンバータINV31の出力端子とSW32を構成するNMOSトランジスタのドレインと
に接続されている。インバータINV31及びINV32は、いずれも図3に示すような
公知のCMOSインバータの構成である。
The switch SW31 includes an NMOS transistor having a gate connected to the row scanning line g, a drain connected to the column data line d, and a source connected to one input terminal of the SM 125. The SM 125 is a self-holding memory including two inverters INV31 and INV32 having one output terminal connected to the other input terminal. Inverter IN
V31 is an NMO whose input terminal constitutes the output terminal of the inverter INV32 and SW31.
It is connected to the source of the S transistor. The input terminal of the inverter INV32 is connected to the output terminal of the inverter INV31 and the drain of the NMOS transistor constituting the SW32. The inverters INV31 and INV32 each have a known CMOS inverter configuration as shown in FIG.

また、スイッチSW32は、ゲートがトリガ線trigに接続され、ドレインがSM125
の出力端子に接続され、ソースがSM126の入力端子に接続されているNMOSトラン
ジスタにより構成されている。また、SM126は、一方の出力端子が他方の入力端子に
接続された2つのインバータINV33及びINV34からなる自己保持型メモリである
。インバータINV33は、その入力端子がインバータINV34の出力端子と反射電極
PEとに接続されている。インバータINV34は、その入力端子がインバータINV3
3の出力端子とSW32を構成するNMOSトランジスタのソースとに接続されている。
インバータINV33及びINV34は、インバータINV31及びINV32と同様に
いずれも図3に示すような公知のCMOSインバータの構成である。
The switch SW32 has a gate connected to the trigger line trig and a drain connected to SM125.
And an NMOS transistor having a source connected to the input terminal of SM126. The SM 126 is a self-holding memory composed of two inverters INV33 and INV34 having one output terminal connected to the other input terminal. The inverter INV33 has an input terminal connected to the output terminal of the inverter INV34 and the reflective electrode PE. The inverter INV34 has an input terminal connected to the inverter INV3.
3 and the source of an NMOS transistor constituting the SW 32.
Each of the inverters INV33 and INV34 has a known CMOS inverter configuration as shown in FIG. 3 like the inverters INV31 and INV32.

本実施の形態の画素12Cは、図5のタイミングチャートと共に説明した動作と同様の
動作を行う。画素12Cは行走査信号により選択されると、スイッチSW31がオンとさ
れ、その時列データ線dに出力される正転サブフレームデータが、スイッチSW31によ
りサンプリングされて画素12CのSM125に書き込まれる。以下、同様にして、画像
表示部11を構成する全ての画素12CのSM125に正転サブフレームデータの書き込
みが行われ、その書き込み動作が終了した後に“H”レベルのトリガパルスが画像表示部
11を構成する全ての画素12Cに同時に供給される。これにより、全ての画素12Cの
スイッチSW32がオンとされるため、SM125に記憶されている正転サブフレームデ
ータがスイッチSW32を通してDRAM126に一斉に転送されて保持されると共に、
反射電極PEに印加される。SM126の正転サブフレームデータの保持期間は、次の“
H”のトリガパルスがトリガ線trigに入力されるまでの1サブフレーム期間である。
The pixel 12C in this embodiment performs an operation similar to the operation described with the timing chart of FIG. When the pixel 12C is selected by the row scanning signal, the switch SW31 is turned on, and the normal subframe data output to the column data line d at that time is sampled by the switch SW31 and written to the SM 125 of the pixel 12C. Thereafter, in the same manner, normal subframe data is written to the SMs 125 of all the pixels 12C constituting the image display unit 11, and after the writing operation is completed, an “H” level trigger pulse is sent to the image display unit 11. Are simultaneously supplied to all the pixels 12C constituting the. As a result, the switches SW32 of all the pixels 12C are turned on, so that the normal subframe data stored in the SM125 is transferred to the DRAM 126 through the switch SW32 and held at the same time.
Applied to the reflective electrode PE. The retention period of the normal rotation subframe data of SM126 is “
This is one subframe period until the trigger pulse of “H” is input to the trigger line trig.

続いて、画素表示部11内の各画素12Cは上記と同様にして行走査信号により行単位
で選択されて、各画素毎に直前の正転サブフレームデータと逆論理値の反転サブフレーム
データがSM125に書き込まれる。画像表示部11を構成する全ての画素12CのSM
125への反転サブフレームデータの書き込みが終了すると、“H”レベルのトリガパル
スが画像表示部11を構成する全ての画素12Cに同時に供給される。これにより、全て
の画素12CのスイッチSW32がオンとされるため、SM125に記憶されている反転
サブフレームデータがスイッチSW32を通してDRAM126に一斉に転送されて保持
されると共に、反射電極PEに印加される。SM126の反転サブフレームデータの保持
期間は、次の“H”のトリガパルスがトリガ線trigに入力されるまでの1サブフレーム期
間である。
Subsequently, each pixel 12C in the pixel display unit 11 is selected in units of rows by the row scanning signal in the same manner as described above, and the previous normal subframe data and the inverted subframe data having the opposite logical value are obtained for each pixel. It is written in SM125. SM of all pixels 12C constituting the image display unit 11
When the writing of the inverted subframe data to 125 is completed, the “H” level trigger pulse is simultaneously supplied to all the pixels 12 </ b> C constituting the image display unit 11. As a result, the switches SW32 of all the pixels 12C are turned on, so that the inverted subframe data stored in the SM125 is transferred and held all at once to the DRAM 126 through the switch SW32 and applied to the reflective electrode PE. . The inversion subframe data holding period of SM 126 is one subframe period until the next “H” trigger pulse is input to the trigger line trig.

SM125へのデータ書き込みは、上記のように1個のスイッチSW31からの入力で
行われる。この場合、スイッチSW31から見てSM125を構成している入力側のイン
バータINV31内のトランジスタは、スイッチSW31から見てSM125を構成して
いる出力側のインバータINV32内のトランジスタに比較して、駆動力の大きいトラン
ジスタを用いている。さらにスイッチSW31を構成しているNMOSトランジスタの駆
動力は、インバータINV32を構成しているNMOSトランジスタの駆動力よりも大き
いトランジスタで構成されている。これは、前述した画素12AのインバータINV12
1及びINV122とスイッチSW11との駆動力の関係と同様の理由によるので、その
説明は省略する。
Data writing to the SM 125 is performed by input from one switch SW31 as described above. In this case, the driving power of the transistor in the input-side inverter INV31 constituting the SM 125 as viewed from the switch SW31 is higher than that of the transistor in the output-side inverter INV32 constituting the SM 125 as viewed from the switch SW31. A large transistor is used. Further, the driving power of the NMOS transistor that constitutes the switch SW31 is a transistor that is larger than the driving power of the NMOS transistor that constitutes the inverter INV32. This is because the inverter INV12 of the pixel 12A described above.
1 and the driving force relationship between the INV 122 and the switch SW11 is the same, and the description thereof is omitted.

また、SM126へのデータ書き込みは1個のスイッチSW32を通して行われる。こ
の場合、スイッチSW32から見てSM126を構成している入力側のインバータINV
33内のトランジスタは、駆動力が大きいトランジスタを用い、スイッチSW32から見
てSM126を構成している出力側のインバータINV34内のトランジスタは、駆動力
の小さいトランジスタを用いている。
Further, data writing to the SM 126 is performed through one switch SW32. In this case, the input-side inverter INV constituting the SM 126 as viewed from the switch SW32
The transistor in 33 is a transistor with a large driving force, and the transistor in the inverter INV 34 on the output side constituting the SM 126 when viewed from the switch SW32 is a transistor with a small driving force.

こうすることによって、トリガパルスが”H”レベルとなってスイッチSW32がオン
した場合において、SM125とSM126の記憶データが異なる場合、インバータIN
V31の出力データとインバータINV34の出力データとが衝突することになるが、イ
ンバータINV31の駆動力はインバータINV34の駆動力よりも大きいため、SM1
25のデータがSM126のデータに書き換わることなく、SM126のデータがSM1
25のデータに書き換えることができる。
By doing this, when the trigger pulse becomes “H” level and the switch SW32 is turned on, if the stored data of SM125 and SM126 are different, inverter IN
Although the output data of V31 and the output data of inverter INV34 collide, since the driving force of inverter INV31 is larger than the driving force of inverter INV34, SM1
The data of SM126 is changed to SM1 without the data of 25 being rewritten to the data of SM126.
It can be rewritten to 25 data.

更に、スイッチSW32を構成しているNMOSトランジスタの駆動力は、インバータ
INV34を構成しているNMOSトランジスタの駆動力よりも大きいトランジスタで構
成されている。これは、SM126のデータを書き換える場合、特にSM126のスイッ
チSW32側の入力側電圧bが“L”レベルで、SM125のデータが“H”レベルの場
合、インバータINV33が反転する閾値電圧よりも電圧bを高くする必要があるからで
ある。
Further, the driving power of the NMOS transistor constituting the switch SW32 is configured by a transistor larger than the driving power of the NMOS transistor constituting the inverter INV34. This is because when the SM126 data is rewritten, particularly when the input voltage b on the switch SW32 side of the SM126 is “L” level and the SM125 data is “H” level, the voltage b is higher than the threshold voltage at which the inverter INV33 is inverted. This is because it is necessary to increase the height.

すなわち、電圧bはインバータINV34を構成するNMOSトランジスタの電流とス
イッチSW32の電流との比によって決まる。このとき、スイッチSW32はNMOSト
ランジスタであるため、VDD側の電圧はNMOSトランジスタの閾値Vthにより入力さ
れず、“H”レベルの電圧はVDDからVth分低い電圧になる。しかも、この電圧ではN
MOSトランジスタのVth近辺で駆動することになるため、電流が殆ど流れなくなる。つ
まり、入力スイッチSW32を導通する電圧bが高くなるほど、スイッチSW32で流す
電流は少なくなる。つまり、電圧bがSM126の入力側インバータINV33が“H”
レベルに反転する閾値電圧以上に達するためには、スイッチSW32に流れる電流が、イ
ンバータINV34を構成するNMOSトランジスタを流れる電流より大きい必要がある
。この駆動力の比を考慮して、スイッチSW32のトランジスタサイズと、インバータI
NV34を構成するNMOSトランジスタのトランジスタサイズを決める必要がある。
That is, the voltage b is determined by the ratio between the current of the NMOS transistor that constitutes the inverter INV34 and the current of the switch SW32. At this time, since the switch SW32 is an NMOS transistor, the voltage on the VDD side is not input by the threshold value Vth of the NMOS transistor, and the “H” level voltage is lower than VDD by Vth. Moreover, at this voltage, N
Since the MOS transistor is driven near Vth, almost no current flows. That is, the higher the voltage b that conducts the input switch SW32, the smaller the current that flows through the switch SW32. That is, the input side inverter INV33 whose voltage b is SM126 is “H”.
In order to reach the threshold voltage or higher which inverts to the level, the current flowing through the switch SW32 needs to be larger than the current flowing through the NMOS transistor constituting the inverter INV34. Considering this driving force ratio, the transistor size of the switch SW32 and the inverter I
It is necessary to determine the transistor size of the NMOS transistor that constitutes the NV 34.

全画素12CのSM126にSM125に記憶されていた1ビットのデータが一斉に書
き込まれると、トリガパルス線trigのトリガパルスが“L”レベルとなり、スイッチSW
23がオフとなる。このため、SM126は書き込んだ1ビットのデータを保持し、任意
の時間(ここでは、1サブフレーム期間)、反射電極PEの電位を上記保持データに応じ
た電位に固定することができる。
When 1-bit data stored in SM125 is written to SM126 of all the pixels 12C all at once, the trigger pulse of the trigger pulse line trig becomes “L” level, and the switch SW
23 is turned off. Therefore, the SM 126 holds the written 1-bit data, and can fix the potential of the reflective electrode PE to a potential corresponding to the held data for an arbitrary time (here, one subframe period).

SM126に書き込まれるデータは、図5(C)に示した1サブフレーム毎に切り替わ
る正転データと反転データであり、一方、共通電極電位Vcomも図5(D)に示したよう
に、上記の書き込みと同期して1サブフレーム毎に所定電位に交互に切り替わるため、本
実施の形態の画素12Cを用いた液晶表示装置によれば、上記の各実施の形態の画素12
A又は12Bを用いた液晶表示装置と同様に、サブフレーム毎に反転する交流駆動が行わ
れるため、液晶LCMの焼き付きを防止した表示を行うことができる。更に、本実施の形
態の画素12Cを用いた液晶表示装置によれば、SM125を構成するインバータINV
31及びINV32と、SM126を構成するインバータINV33及びINV34の各
駆動力と、スイッチSW31及びSW32を構成する各トランジスタの駆動力をそれぞれ
所定の関係に設定したため、安定でかつ正確な階調表示ができる。
The data written in the SM 126 is the normal data and the inverted data that are switched every subframe shown in FIG. 5C, while the common electrode potential Vcom is also the above-mentioned data as shown in FIG. Since the potential is alternately switched to a predetermined potential every subframe in synchronization with writing, according to the liquid crystal display device using the pixel 12C of the present embodiment, the pixel 12 of each of the above embodiments.
Similarly to the liquid crystal display device using A or 12B, alternating current driving that is reversed for each subframe is performed, so that it is possible to perform display while preventing the liquid crystal LCM from being burned. Furthermore, according to the liquid crystal display device using the pixel 12C of the present embodiment, the inverter INV constituting the SM 125
31 and INV32, the driving forces of the inverters INV33 and INV34 constituting the SM 126, and the driving forces of the transistors constituting the switches SW31 and SW32 are set in a predetermined relationship, so that stable and accurate gradation display can be performed. .

なお、スイッチSW31及び32はPMOSトランジスタにより構成してもよく、その
場合は上記の説明とは逆極性として考えればよいため、詳細は割愛する。
Note that the switches SW31 and SW32 may be constituted by PMOS transistors, and in that case, it is only necessary to consider the polarity opposite to that described above, and thus the details are omitted.

なお、本発明は以上の実施の形態に限定されるものではなく、例えば画素電極は反射電
極PEとして説明したが、透過電極であってもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the pixel electrode has been described as the reflective electrode PE, but may be a transmissive electrode.

10 液晶表示装置
11 画像表示部
12、12A、12B、12C 画素
13 タイミングジェネレータ
14 垂直シフトレジスタ
15 データラッチ回路
16 水平ドライバ
112 容量C1用電極
121、123、125 第1の信号保持手段(SM)
122 第2の信号保持手段(DM)
124、126 第2の信号保持手段(SM)
201、211〜214 スタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)
202 ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)
161 水平シフトレジスタ
162 ラッチ回路
163 レベルシフタ/画素ドライバ
d1〜dn 列データ線
g1〜gm 行走査線
trig トリガ線
trigb 反転トリガパルス用トリガ線
LC 液晶表示素子
LCM 液晶
PE 反射電極
CE 共通電極
C1 容量
INV11、INV12、INV21、INV22、INV31、INV32 インバー

Tr1、NTr、NTr12、NTr21、NTr23 NチャネルMOS型トランジスタ(
NMOSトランジスタ)
Tr2、PTr、PTr11、PTr21、PTr23 PチャネルMOS型トランジスタ(
PMOSトランジスタ)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Liquid crystal display device 11 Image display part 12, 12A, 12B, 12C Pixel 13 Timing generator 14 Vertical shift register 15 Data latch circuit 16 Horizontal driver 112 Electrode 121, 123, 125 for capacity | capacitance C1 1st signal holding means (SM)
122 Second signal holding means (DM)
124, 126 Second signal holding means (SM)
201, 211-214 Static random access memory (SRAM)
202 Dynamic Random Access Memory (DRAM)
161 Horizontal shift register 162 Latch circuit 163 Level shifter / pixel driver d1 to dn column data line g1 to gm row scanning line
trig trigger line
trigb Inversion trigger pulse trigger line LC Liquid crystal display element LCM Liquid crystal PE Reflective electrode CE Common electrode C1 Capacitance INV11, INV12, INV21, INV22, INV31, INV32 Inverter Tr1, NTr, NTr12, NTr21, NTr23 N-channel MOS transistor (
NMOS transistor)
Tr2, PTr, PTr11, PTr21, PTr23 P-channel MOS transistor (
PMOS transistor)

Claims (2)

2本の列データ線を一組とする複数組の列データ線と複数本の行走査線とがそれぞれ交
差する交差部に設けられた複数の画素のそれぞれが、
対向する画素電極と共通電極との間に液晶が充填封入された表示素子と、
映像信号の各フレームを前記映像信号の1フレーム期間より短い表示期間を持つ複数の
サブフレームで表示するための正転サブフレームデータを、一組の前記2本の列データ線
のうち一方の列データ線を介してサンプリングする第1のスイッチング手段と、
前記正転サブフレームデータと逆論理値の関係にある反転サブフレームデータを、一組
の前記2本の列データ線のうち他方の列データ線を介してサンプリングする第2のスイッ
チング手段と、
前記第1及び第2のスイッチング手段によりそれぞれサンプリングされた前記正転サブ
フレームデータ及び反転サブフレームデータを記憶する、互いの出力端子が他方の入力端
子に接続された第1及び第2のインバータからなり、前記第1及び第2のスイッチング手
段と共に第1のスタティック・ランダム・アクセス・メモリを構成する第1の信号保持手
段と、
前記第1の信号保持手段と前記第1のスイッチング手段との接続点から前記正転サブフ
レームデータを出力させる第3のスイッチング手段と、
前記第1の信号保持手段と前記第2のスイッチング手段との接続点から前記反転サブフ
レームデータを出力させる第4のスイッチング手段と、
前記第3及び第4のスイッチング手段を通して供給される前記第1の信号保持手段に記
憶された前記正転サブフレームデータ及び反転サブフレームデータで記憶内容が書き換え
られ、出力データを前記画素電極に印加する、互いの出力端子が他方の入力端子に接続さ
れた第3及び第4のインバータからなり、前記第3及び第4のスイッチング手段と共に第
2のスタティック・ランダム・アクセス・メモリを構成する第2の信号保持手段と
を備え、
前記第1及び第2のインバータのうち前記第1のスイッチング手段に出力端子が接続さ
れた前記第2のインバータの駆動力が、前記第2のスイッチング手段に出力端子が接続さ
れた前記第1のインバータの駆動力よりも小に設定されると共に、前記第1及び第2のイ
ンバータの駆動力は、前記第3及び第4のインバータの駆動力よりも大に設定されており

画像表示部を構成する前記複数の画素のうち、行単位の画素毎に前記正転サブフレーム
データ及び反転サブフレームデータを前記第1の信号保持手段に書き込むことを繰り返し
て前記複数の画素の全てに書き込んだ後、トリガパルスにより前記複数の画素全ての前記
第3及び第4のスイッチング手段をオンにして、前記第1の信号保持手段に記憶された前
記正転サブフレームデータ及び反転サブフレームデータにより前記複数の画素の前記第2
の信号保持手段の記憶内容を書き換える動作をサブフレーム毎に行う画素制御手段を有す
ることを特徴とする液晶表示装置。
Each of a plurality of pixels provided at an intersection where a plurality of sets of column data lines and a plurality of row scanning lines intersect each other, each having two column data lines as a set,
A display element in which liquid crystal is filled and sealed between the opposing pixel electrode and the common electrode;
Normal subframe data for displaying each frame of the video signal in a plurality of subframes having a display period shorter than one frame period of the video signal is displayed in one column of the two column data lines. First switching means for sampling via a data line;
Second switching means for sampling inversion subframe data having an inverse logical value relationship with the normal rotation subframe data via the other column data line of the set of the two column data lines;
From the first and second inverters that store the normal subframe data and the inverted subframe data sampled by the first and second switching means, respectively, and whose output terminals are connected to the other input terminal First signal holding means constituting a first static random access memory together with the first and second switching means,
Third switching means for outputting the normal rotation subframe data from a connection point between the first signal holding means and the first switching means;
Fourth switching means for outputting the inverted subframe data from a connection point between the first signal holding means and the second switching means;
The stored contents are rewritten with the normal subframe data and the inverted subframe data stored in the first signal holding means supplied through the third and fourth switching means, and the output data is applied to the pixel electrode. A second static random access memory which comprises a third and a fourth inverter whose output terminals are connected to the other input terminal, together with the third and fourth switching means. Signal holding means,
Of the first and second inverters, the driving force of the second inverter whose output terminal is connected to the first switching means is the first driving force whose output terminal is connected to the second switching means. The driving force of the first and second inverters is set smaller than the driving force of the inverter, and the driving force of the third and fourth inverters is set larger than the driving force of the inverters,
Of the plurality of pixels constituting the image display unit, all of the plurality of pixels are repeatedly written by writing the normal subframe data and the inverted subframe data to the first signal holding unit for each pixel in a row unit. , The normal and inverted subframe data stored in the first signal holding means are turned on by turning on the third and fourth switching means of all the plurality of pixels by a trigger pulse. The second of the plurality of pixels by
A liquid crystal display device comprising pixel control means for performing an operation of rewriting the stored contents of the signal holding means for each subframe.
複数本の列データ線と複数本の行走査線とがそれぞれ交差する交差部に設けられた複数
の画素のそれぞれが、
対向する画素電極と共通電極との間に液晶が充填封入された表示素子と、
映像信号の各フレームを前記映像信号の1フレーム期間より短い表示期間を持つ複数の
サブフレームで表示するための各サブフレームデータを、前記列データ線を介してサンプ
リングする1つのトランジスタから構成された第1のスイッチング手段と、
前記第1のスイッチング手段によりサンプリングされた前記サブフレームデータを記憶
する、互いの出力端子が他方の入力端子に接続された第1及び第2のインバータからなり
、前記第1のスイッチング手段と共に第1のスタティック・ランダム・アクセス・メモリ
を構成する第1の信号保持手段と、
前記第1の信号保持手段に記憶された前記サブフレームデータを出力させる1つのトラ
ンジスタから構成された第2のスイッチング手段と、
前記第2のスイッチング手段を通して供給される前記第1の信号保持手段に記憶された
前記サブフレームデータで記憶内容が書き換えられ、出力データを前記画素電極に印加す
る、互いの出力端子が他方の入力端子に接続された第3及び第4のインバータからなり、
前記第2のスイッチング手段と共に第2のスタティック・ランダム・アクセス・メモリを
構成する第2の信号保持手段と
を備え、
前記第1及び第2のインバータのうち前記第1のスイッチング手段に出力端子が接続さ
れた前記第2のインバータの駆動力が、前記第1のインバータの駆動力よりも小に設定さ
れると共に前記第1のスイッチング手段を構成するトランジスタの駆動力よりも小に設定
され、前記第3及び第4のインバータのうち前記第2のスイッチング手段に出力端子が接
続された前記第4のインバータの駆動力が、前記第3のインバータの駆動力よりも小に設
定されると共に前記第2のスイッチング手段を構成するトランジスタの駆動力よりも小に
設定され、かつ、前記第1のインバータの駆動力は前記第4のインバータの駆動力よりも
大に設定されており、
画像表示部を構成する前記複数の画素のうち、行単位の画素毎に前記サブフレームデー
タを前記第1の信号保持手段に書き込むことを繰り返して前記複数の画素の全てに書き込
んだ後、トリガパルスにより前記複数の画素全ての前記第2のスイッチング手段をオンに
して、前記第1の信号保持手段に記憶された前記サブフレームデータにより前記複数の画
素の前記第2の信号保持手段の記憶内容を書き換える動作をサブフレーム毎に行う画素制
御手段を有することを特徴とする液晶表示装置。
Each of a plurality of pixels provided at an intersection where a plurality of column data lines and a plurality of row scanning lines intersect with each other,
A display element in which liquid crystal is filled and sealed between the opposing pixel electrode and the common electrode;
Each sub-frame data for displaying each frame of the video signal in a plurality of sub-frames having a display period shorter than one frame period of the video signal is composed of one transistor for sampling through the column data line. First switching means;
The subframe data sampled by the first switching means is stored in the first and second inverters whose output terminals are connected to the other input terminal. First signal holding means constituting the static random access memory of
Second switching means comprising one transistor for outputting the subframe data stored in the first signal holding means;
The stored contents are rewritten with the sub-frame data stored in the first signal holding means supplied through the second switching means, and the output data is applied to the pixel electrode. Consisting of third and fourth inverters connected to the terminals,
A second signal holding means which constitutes a second static random access memory together with the second switching means,
Of the first and second inverters, the driving power of the second inverter whose output terminal is connected to the first switching means is set to be smaller than the driving power of the first inverter, and Driving power of the fourth inverter, which is set smaller than the driving power of the transistors constituting the first switching means, and whose output terminal is connected to the second switching means among the third and fourth inverters. Is set to be smaller than the driving force of the third inverter and set to be smaller than the driving force of the transistors constituting the second switching means, and the driving force of the first inverter is It is set to be larger than the driving force of the fourth inverter,
After writing the sub-frame data to the first signal holding unit for each pixel in the row unit among the plurality of pixels constituting the image display unit, the trigger pulse is written. To turn on the second switching means for all of the plurality of pixels, and store the contents stored in the second signal holding means of the plurality of pixels by the subframe data stored in the first signal holding means. A liquid crystal display device comprising pixel control means for performing a rewriting operation for each subframe.
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