JP2014104484A - Laser processing apparatus - Google Patents

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幸雄 森重
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser processing apparatus capable of forming a good modified layer inside a work-piece by preventing leak light without generating ablation at an incident surface.SOLUTION: A laser processing apparatus comprises pulse laser beam oscillating means for oscillating a pulse laser beam and a light collector for collecting the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillating means and irradiating a work-piece held by work-piece holding means with the pulse laser beam. The pulse laser beam oscillating means includes a pulse laser beam oscillator, repetition frequency setting means for setting a repetition frequency of the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillator, pulse width adjusting means for adjusting the pulse width of the pulse laser beam of the repetition frequency set by the repetition frequency setting means, and burst pulse generating means for generating the burst pulse beam comprising a plurality of fine pulse widths from a pulse light having the pulse width adjusted by the pulse width adjusting means.

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物に対して透過性を有するレーザー光線を照射し、被加工物の内部に改質層を形成するレーザー加工装置に関する。   The present invention relates to a laser processing apparatus that irradiates a workpiece such as a semiconductor wafer with a laser beam having transparency, and forms a modified layer inside the workpiece.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイア基板の表面にフォトダイオード等の受光素子やレーザーダイオード等の発光素子等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々のフォトダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs, LSIs, etc. are partitioned in the partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is cut along the streets to divide the region in which the device is formed to manufacture individual semiconductor chips. In addition, optical device wafers in which light-receiving elements such as photodiodes and light-emitting elements such as laser diodes are stacked on the surface of a sapphire substrate are also divided into individual optical devices such as photodiodes and laser diodes by cutting along the streets. And widely used in electrical equipment.

半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部にストリートに沿って改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割する技術である。（例えば、特許文献１参照。）   As a method of dividing a plate-like workpiece such as a semiconductor wafer, a pulsed laser beam having transparency to the workpiece is used, and a focused laser beam is irradiated inside the region to be divided and irradiated with the pulsed laser beam. Laser processing methods have also been attempted. The dividing method using this laser processing method is to irradiate a pulse laser beam having a wavelength that is transmissive to the workpiece by aligning the condensing point from one side of the workpiece to the inside. This is a technique for dividing a workpiece by continuously forming a modified layer along the street and applying an external force along the street whose strength is reduced by forming the modified layer. (For example, refer to Patent Document 1.)

特許第３４０８８０５号公報Japanese Patent No. 3408805

而して、例えばシリコンウエーハに対して透過性を有する１０６４nmの波長のパルスレーザー光線をストリートに対応する裏面から集光点をウエーハの内部に位置付けて照射すると、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層が形成されるとともに、改質層の形成に寄与しなかったレーザー光線がウエーハの表面に抜けて表面に形成されたデバイスにダメージを与えるという問題がある。
即ち、ウエーハの内部に改質層を形成するには、パルスレーザー光線は適正な平均出力に設定する必要があり、適正な平均出力未満であると改質層が形成されず、適正な平均出力を超えるとシリコンなどの基板が溶融することから、パルスレーザー光線の平均出力は０．２〜２．０Wに設定される。
また、パルスレーザー光線のパルス間隔は、熱の残留と連続的な加工を考慮して繰り返し周波数が５０〜２００kHzに設定される。
更に、ウエーハの内部に適正な改質層を形成するためには、パルスレーザー光線のパルス幅を適正に設定することが重要である。即ち、パルスレーザー光線のパルス幅が１００ns以上であると、適正な改質層を形成することができるが、抜け光が多くなりデバイスにダメージを与える。そこで、パルスレーザー光線のパルス幅を１００ps以下に設定すると、抜け光は少なくデバイスにダメージを与えることはないが、吸収性がよくなるためウエーハの入射面でアブレーションが起こりパルスレーザー光線が内部に到達せず改質層の形成が不良となる。また、パルスレーザー光線のパルス幅を７０〜５００nsに設定すると、ウエーハの入射面でのアブレーションが生じなくなりパルスレーザー光線が内部に集光して良好な改質層を形成されるものの、抜け光が多くなりデバイスにダメージを与える。
そこで、パルスレーザー光線のパルス幅を１〜１０nsの範囲に設定すればウエーハの入射面でアブレーションが生じさせることなく改質層を形成することができると考えられるが、本発明者による実験によると７０〜５００nsのパルス幅で形成した改質層の方が１〜１０nsのパルス幅で形成した改質層より良質であることが確認されており、良質な改質層を形成するためには抜け光によるデバイスのダメージは避けられない状況である。 Thus, for example, when a focused laser beam having a wavelength of 1064 nm, which is transparent to a silicon wafer, is irradiated from the back surface corresponding to the street with the focal point located inside the wafer, the wafer is modified along the street. As the layer is formed, there is a problem that a laser beam that has not contributed to the formation of the modified layer passes through the surface of the wafer and damages the device formed on the surface.
That is, in order to form a modified layer inside the wafer, it is necessary to set the pulsed laser beam to an appropriate average output, and if it is less than the appropriate average output, the modified layer is not formed, and an appropriate average output is obtained. If it exceeds, the substrate such as silicon melts, so the average output of the pulse laser beam is set to 0.2 to 2.0 W.
The pulse interval of the pulse laser beam is set to a repetition frequency of 50 to 200 kHz in consideration of heat residue and continuous processing.
Furthermore, in order to form an appropriate modified layer inside the wafer, it is important to set the pulse width of the pulse laser beam appropriately. That is, when the pulse width of the pulse laser beam is 100 ns or more, an appropriate modified layer can be formed, but light leakage increases and damages the device. Therefore, if the pulse width of the pulse laser beam is set to 100 ps or less, there is little light loss and the device will not be damaged. However, since the absorption is improved, the ablation occurs on the wafer entrance surface and the pulse laser beam does not reach the interior. The formation of the quality layer becomes poor. If the pulse width of the pulse laser beam is set to 70 to 500 ns, ablation on the incident surface of the wafer does not occur and the pulse laser beam is condensed inside to form a good modified layer, but the amount of light leakage increases. Damage the device.
Therefore, if the pulse width of the pulse laser beam is set in the range of 1 to 10 ns, it is considered that the modified layer can be formed without causing ablation on the incident surface of the wafer. It has been confirmed that the modified layer formed with a pulse width of ˜500 ns is better in quality than the modified layer formed with a pulse width of 1 to 10 ns. Device damage due to is inevitable.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、入射面でのアブレーションを生じさせることなく、抜け光を抑制して被加工物の内部に良好な改質層を形成することができるレーザー加工装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and the main technical problem thereof is that a good modified layer is formed inside the workpiece by suppressing light leakage without causing ablation on the incident surface. It is to provide a laser processing apparatus that can be formed.

上記主たる技術的課題を解決するために、本発明によれば、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射して被加工物の内部に改質層を形成するレーザー光線照射手段と、該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該レーザー光線照射手段は、パルスレーザー光線を発振するパルスレーザー光線発振手段と、該パルスレーザー光線発振手段が発振したパルスレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射する集光器とを具備し、
該パルスレーザー光線発振手段は、パルスレーザー光線発振器と、該パルスレーザー光線発振器が発振するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定する繰り返し周波数設定手段と、該繰り返し周波数設定手段によって設定された繰り返し周波数のパルスレーザー光線のパルス幅を調整するパルス幅調整手段と、該パルス幅調整手段によって調整されたパルス幅を有するパルス光を複数の微細パルス幅からなるバーストパルス光線に形成するバーストパルス形成手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。 In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a workpiece holding means for holding a workpiece and the workpiece held by the workpiece holding means are permeable. A laser beam irradiating means for irradiating a laser beam of a wavelength to form a modified layer inside the workpiece; and a process feeding means for relatively processing and feeding the workpiece holding means and the laser beam irradiating means. In the laser processing equipment to
The laser beam irradiating means includes a pulse laser beam oscillating means for oscillating a pulse laser beam, and condensing the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillating means and irradiating the workpiece held by the workpiece holding means with the pulse laser beam. And a concentrator
The pulse laser beam oscillation means includes a pulse laser beam oscillator, a repetition frequency setting means for setting a repetition frequency of the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillator, and a pulse width of a pulse laser beam having a repetition frequency set by the repetition frequency setting means A pulse width adjusting means for adjusting the pulse width, and a burst pulse forming means for forming a pulse light having a pulse width adjusted by the pulse width adjusting means into a burst pulse light beam having a plurality of fine pulse widths,
A laser processing apparatus is provided.

本発明のレーザー加工装置においては、パルスレーザー光線発振手段は、パルスレーザー光線発振器と、該パルスレーザー光線発振器が発振するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定する繰り返し周波数設定手段と、該繰り返し周波数設定手段によって設定された繰り返し周波数のパルスレーザー光線のパルス幅を調整するパルス幅調整手段と、該パルス幅調整手段によって調整されたパルス幅を有するパルス光を複数の微細パルス幅からなるバーストパルス光線に形成するバーストパルス形成手段とを具備し、パルスレーザー光線発振器からは微細パルス幅のバーストパルス光線が発振されるので、被加工物におけるレーザー光線の入射面と反対面側への抜け光が抑制される。従って、パルスレーザー光線のパルス幅を改質層を形成するのに適した７０〜５００nsに設定することができる。   In the laser processing apparatus of the present invention, the pulse laser beam oscillation means is set by the pulse laser beam oscillator, the repetition frequency setting means for setting the repetition frequency of the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillator, and the repetition frequency setting means. Pulse width adjusting means for adjusting the pulse width of a pulse laser beam having a repetition frequency, and burst pulse forming means for forming pulse light having a pulse width adjusted by the pulse width adjusting means into a burst pulse light beam having a plurality of fine pulse widths Since the pulse laser beam oscillator oscillates a burst pulse beam having a fine pulse width, light passing through the workpiece to the surface opposite to the incident surface of the laser beam is suppressed. Therefore, the pulse width of the pulse laser beam can be set to 70 to 500 ns suitable for forming the modified layer.

本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。The perspective view of the laser processing apparatus comprised according to this invention. 図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段のブロック構成図。The block block diagram of the laser beam irradiation means with which the laser processing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図１に示すレーザー加工装置に装備される制御手段のブロック構成図。The block block diagram of the control means with which the laser processing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 本発明によるレーザー加工方法によって加工される被加工物としての半導体ウエーハの斜視図。The perspective view of the semiconductor wafer as a workpiece processed by the laser processing method by this invention. 図４に示す半導体ウエーハを環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着した状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state which affixed the semiconductor wafer shown in FIG. 4 on the dicing tape with which the cyclic | annular flame | frame was mounted | worn. 図１に示すレーザー加工装置によって実施する改質層形成工程の説明図。Explanatory drawing of the modified layer formation process implemented with the laser processing apparatus shown in FIG. パルスレーザー光線のパルス幅およびエネルギーとバーストパルス光線の微細パルス幅およびピークパワーとの関係を示す図。The figure which shows the relationship between the pulse width and energy of a pulse laser beam, and the fine pulse width and peak power of a burst pulse beam.

以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向と直角な矢印Ｙで示す割り出し方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線照射ユニット支持機構４に矢印Ｚで示す焦点位置調整方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of a laser processing apparatus configured according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a perspective view of a laser processing apparatus constructed according to the present invention. A laser processing apparatus shown in FIG. 1 includes a stationary base 2, a chuck table mechanism 3 that is disposed on the stationary base 2 so as to be movable in a machining feed direction indicated by an arrow X, and holds a workpiece. 2 is arranged so as to be movable in an indexing direction indicated by an arrow Y perpendicular to the direction indicated by the arrow X, and the laser beam irradiation unit supporting mechanism 4 has a focal position adjustment direction indicated by an arrow Z. And a laser beam irradiation unit 5 disposed so as to be movable.

上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設された第１の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持された支持テーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成され被加工物保持面３６１を備えており、チャックテーブル３６上に被加工物としてのウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。   The chuck table mechanism 3 includes a pair of guide rails 31, 31 arranged in parallel along the direction indicated by the arrow X on the stationary base 2, and the direction indicated by the arrow X on the guide rails 31, 31. A first sliding block 32 movably disposed, a second sliding block 33 movably disposed on the first sliding block 32 in a direction indicated by an arrow Y, and the second sliding block A support table 35 supported by a cylindrical member 34 on a block 33 and a chuck table 36 as a workpiece holding means are provided. The chuck table 36 is made of a porous material and has a workpiece holding surface 361. A wafer as a workpiece is held on the chuck table 36 by suction means (not shown). Further, the chuck table 36 is rotated by a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 34. The chuck table 36 is provided with a clamp 362 for fixing an annular frame described later.

上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第１の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられる。   The first sliding block 32 is provided with a pair of guided grooves 321 and 321 fitted to the pair of guide rails 31 and 31 on the lower surface thereof, and along the direction indicated by the arrow Y on the upper surface thereof. A pair of guide rails 322 and 322 formed in parallel are provided. The first sliding block 32 configured as described above has the guided grooves 321 and 321 fitted into the pair of guide rails 31 and 31, thereby the direction indicated by the arrow X along the pair of guide rails 31 and 31. It is configured to be movable. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes a processing feed means 37 for moving the first sliding block 32 in the direction indicated by the arrow X along the pair of guide rails 31, 31. The processing feed means 37 includes a male screw rod 371 disposed in parallel between the pair of guide rails 31 and 31, and a drive source such as a pulse motor 372 for rotationally driving the male screw rod 371. One end of the male screw rod 371 is rotatably supported by a bearing block 373 fixed to the stationary base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 372 by transmission. The male screw rod 371 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the first sliding block 32. Accordingly, when the male screw rod 371 is driven to rotate forward and backward by the pulse motor 372, the first sliding block 32 is moved along the guide rails 31 and 31 in the machining feed direction indicated by the arrow X.

上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す方向に移動させるための第１の割り出し送り手段３８を具備している。第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。   The second sliding block 33 is provided with a pair of guided grooves 331 and 331 which are fitted to a pair of guide rails 322 and 322 provided on the upper surface of the first sliding block 32 on the lower surface thereof. By fitting the guided grooves 331 and 331 to the pair of guide rails 322 and 322, the guided grooves 331 and 331 are configured to be movable in the direction indicated by the arrow Y. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment is a first for moving the second slide block 33 along the pair of guide rails 322 and 322 provided in the first slide block 32 in the direction indicated by the arrow Y. The indexing and feeding means 38 is provided. The first index feed means 38 includes a male screw rod 381 disposed in parallel between the pair of guide rails 322 and 322, and a drive source such as a pulse motor 382 for rotationally driving the male screw rod 381. It is out. One end of the male screw rod 381 is rotatably supported by a bearing block 383 fixed to the upper surface of the first sliding block 32, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 382. The male screw rod 381 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the second sliding block 33. Therefore, when the male screw rod 381 is driven to rotate forward and reversely by the pulse motor 382, the second slide block 33 is moved along the guide rails 322 and 322 in the index feed direction indicated by the arrow Y.

上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｙで示す方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す方向に移動させるための第２の割り出し送り手段４３を具備している。第２の割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ネジロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。   The laser beam irradiation unit support mechanism 4 includes a pair of guide rails 41, 41 arranged in parallel along the direction indicated by the arrow Y on the stationary base 2, and the arrow Y on the guide rails 41, 41. A movable support base 42 is provided so as to be movable in the direction. The movable support base 42 includes a movement support portion 421 that is movably disposed on the guide rails 41, 41, and a mounting portion 422 that is attached to the movement support portion 421. The mounting portion 422 is provided with a pair of guide rails 423 and 423 extending in the direction indicated by the arrow Z on one side surface in parallel. The laser beam irradiation unit support mechanism 4 in the illustrated embodiment includes a second index feed means 43 for moving the movable support base 42 in the direction indicated by the arrow Y along the pair of guide rails 41, 41. Yes. The second index feed means 43 includes a male screw rod 431 disposed in parallel between the pair of guide rails 41, 41, and a drive source such as a pulse motor 432 for rotationally driving the male screw rod 431. It is out. One end of the male screw rod 431 is rotatably supported by a bearing block (not shown) fixed to the stationary base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 432. The male screw rod 431 is screwed into a female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the moving support portion 421 constituting the movable support base 42. For this reason, when the male screw rod 431 is driven to rotate forward and backward by the pulse motor 432, the movable support base 42 is moved along the guide rails 41, 41 in the index feed direction indicated by the arrow Y.

図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段６を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。   The laser beam irradiation unit 5 in the illustrated embodiment includes a unit holder 51 and laser beam irradiation means 6 attached to the unit holder 51. The unit holder 51 is provided with a pair of guided grooves 511 and 511 that are slidably fitted to a pair of guide rails 423 and 423 provided in the mounting portion 422. By being fitted to the guide rails 423 and 423, the guide rails 423 and 423 are supported so as to be movable in the direction indicated by the arrow Z.

図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動させるための集光点位置調整手段５３を具備している。集光点位置調整手段５３は、一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転または逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザー光線照射手段６を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においては、パルスモータ５３２を正転駆動することによりレーザー光線照射手段６を上方に移動し、パルスモータ５３２を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段６を下方に移動するようになっている。   The laser beam irradiation unit 5 in the illustrated embodiment includes a condensing point position adjusting means 53 for moving the unit holder 51 along the pair of guide rails 423 and 423 in the direction indicated by the arrow Z. The condensing point position adjusting means 53 includes a male screw rod (not shown) disposed between the pair of guide rails 423 and 423, and a drive source such as a pulse motor 532 for rotationally driving the male screw rod. Thus, the unit holder 51 and the laser beam irradiation means 6 are moved along the pair of guide rails 423 and 423 in the direction indicated by the arrow Z by driving the male screw rod (not shown) in the forward or reverse direction by the pulse motor 532. In the illustrated embodiment, the laser beam irradiation means 6 is moved upward by driving the pulse motor 532 forward, and the laser beam irradiation means 6 is moved downward by driving the pulse motor 532 in the reverse direction. ing.

図示の実施形態におけるレーザー光線照射手段６は、上記ユニットホルダ５１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング６１を含んでいる。このレーザー光線照射手段６について、図２を参照して説明する。
図２に示すレーザー光線照射手段６は、ケーシング６１内に配設されたパルスレーザー光線発振手段６２と、このパルスレーザー光線発振手段６２が発振するパルスレーザー光線の出力を調整する出力調整手段６３と、該出力調整手段６３によって出力が調整されたパルスレーザー光線を集光してチャックテーブル３６に保持された被加工物Wに照射せしめる集光器６４とを含んでいる。パルスレーザー光線発振手段６２は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器６２１と、該パルスレーザー光線発振器６２１が発振するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定する繰り返し周波数設定手段６２２と、該繰り返し周波数設定手段６２２によって設定された繰り返し周波数のパルスレーザー光線のパルス幅を調整するパルス幅調整手段６２３と、該パルス幅調整手段６２３によって調整されたパルス幅を有するパルス光を複数の微細パルス幅からなるバーストパルス光線に形成するバーストパルス形成手段６２４とから構成されている。これらパルスレーザー光線発振手段６２のパルスレーザー光線発振器６２１と繰り返し周波数設定手段６２２とパルス幅調整手段６２３とバーストパルス形成手段６２４および出力調整手段６３は、後述する制御手段によって制御される。 The laser beam irradiation means 6 in the illustrated embodiment includes a cylindrical casing 61 that is fixed to the unit holder 51 and extends substantially horizontally. The laser beam irradiation means 6 will be described with reference to FIG.
The laser beam irradiation means 6 shown in FIG. 2 includes a pulse laser beam oscillation means 62 disposed in a casing 61, an output adjustment means 63 for adjusting the output of the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillation means 62, and the output adjustment. And a condenser 64 that condenses the pulse laser beam whose output is adjusted by the means 63 and irradiates the workpiece W held on the chuck table 36. The pulse laser beam oscillation means 62 includes a pulse laser beam oscillator 621 composed of a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator, a repetition frequency setting means 622 for setting a repetition frequency of the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillator 621, and the repetition frequency setting means. A pulse width adjusting means 623 for adjusting the pulse width of the pulse laser beam having a repetition frequency set by 622, and a pulse light having a pulse width adjusted by the pulse width adjusting means 623 as a burst pulse light beam having a plurality of fine pulse widths. And burst pulse forming means 624. The pulse laser beam oscillator 621, the repetition frequency setting unit 622, the pulse width adjusting unit 623, the burst pulse forming unit 624, and the output adjusting unit 63 of the pulse laser beam oscillating unit 62 are controlled by a control unit to be described later.

レーザー光線照射手段６を構成する集光器６４は、パルスレーザー光線発振手段６２から発振され出力調整手段６３によって出力が調整されたパルスレーザー光線を図２において下方即ちチャックテーブル３６に向けて方向変換する方向変換ミラー６４１と、該方向変換ミラー６４１によって方向変換されるパルスレーザー光線を集光してチャックテーブル３６に保持された被加工物Wに照射する集光レンズ６４２とからなっている。   The condenser 64 constituting the laser beam irradiation means 6 changes the direction of the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillation means 62 and whose output is adjusted by the output adjustment means 63 downward in FIG. The mirror 641 includes a condensing lens 642 that condenses the pulse laser beam whose direction is changed by the direction changing mirror 641 and irradiates the workpiece W held on the chuck table 36.

図１に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段６を構成するケーシング６１の前端部には、上記レーザー光線照射手段６によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段７が配設されている。この撮像手段７は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。   Returning to FIG. 1, the description is continued. At the front end portion of the casing 61 constituting the laser beam irradiation means 6, an imaging means 7 for detecting a processing region to be laser processed by the laser beam irradiation means 6 is disposed. . In the illustrated embodiment, the imaging unit 7 includes an infrared illumination unit that irradiates a workpiece with infrared rays, and an infrared ray that is emitted by the infrared illumination unit, in addition to a normal imaging device (CCD) that captures visible light. And an imaging device (infrared CCD) that outputs an electrical signal corresponding to the infrared rays captured by the optical system, and sends the captured image signal to a control means (not shown).

図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、図３に示す制御手段８を具備している。制御手段８はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）８１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）８２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３と、入力インターフェース８４および出力インターフェース８５とを備えている。制御手段８の入力インターフェース８４には、撮像手段７や入力手段８０等からの検出信号が入力される。そして、制御手段８の出力インターフェース８５からは、上記パルスモータ３７２、パルスモータ３８２、パルスモータ４３２、パルスモータ５３２、パルスレーザー光線発振手段６２のパルスレーザー光線発振器６２１、繰り返し周波数設定手段６２２、パルス幅調整手段６２３、バーストパルス形成手段６２４、出力調整手段６３等に制御信号を出力する。   The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes the control means 8 shown in FIG. The control means 8 is constituted by a computer, and a central processing unit (CPU) 81 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 82 that stores a control program and the like, and a readable and writable data that stores arithmetic results and the like A random access memory (RAM) 83, an input interface 84 and an output interface 85 are provided. Detection signals from the imaging unit 7, the input unit 80, and the like are input to the input interface 84 of the control unit 8. From the output interface 85 of the control means 8, the pulse motor 372, pulse motor 382, pulse motor 432, pulse motor 532, pulse laser beam oscillator 621 of the pulse laser beam oscillation means 62, repetition frequency setting means 622, pulse width adjustment means. A control signal is output to 623, burst pulse forming means 624, output adjusting means 63, and the like.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図４には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図４に示す半導体ウエーハ１０はシリコンウエーハからなっており、表面１０ａに複数のストリート１０１が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート１０１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０２が形成されている。以下、この半導体ウエーハ１０の内部にストリート１０１に沿って改質層を形成する方法について説明する。 The laser processing apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
FIG. 4 shows a perspective view of a semiconductor wafer as a wafer to be processed according to the present invention. A semiconductor wafer 10 shown in FIG. 4 is made of a silicon wafer, and a plurality of streets 101 are formed in a lattice shape on the surface 10a, and an IC, an LSI, or the like is formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of streets 101. A device 102 is formed. Hereinafter, a method of forming a modified layer along the street 101 inside the semiconductor wafer 10 will be described.

先ず、半導体ウエーハ１０の表面１０ａを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図５に示すように、環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に上記半導体ウエーハ１０の表面１０ａを貼着する。   First, a wafer support process is performed in which the surface 10a of the semiconductor wafer 10 is adhered to the surface of a dicing tape mounted on an annular frame. That is, as shown in FIG. 5, the surface 10a of the semiconductor wafer 10 is adhered to the surface of the dicing tape T on which the outer peripheral portion is mounted so as to cover the inner opening of the annular frame F.

上述したウエーハ支持工程を実施したならば、図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル３６上に半導体ウエーハ１０のダイシングテープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープTを介して半導体ウエーハ１０をチャックテーブル３６上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０は、裏面１０bが上側となる。なお、ダイシングテープTが装着されている環状のフレームFは、チャックテーブル３６に配設されたクランプ３６２によって固定される。   When the wafer support process described above is performed, the dicing tape T side of the semiconductor wafer 10 is placed on the chuck table 36 of the laser processing apparatus shown in FIG. Then, the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 36 via the dicing tape T by operating a suction means (not shown) (wafer holding step). Therefore, the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36 is on the upper side. The annular frame F on which the dicing tape T is mounted is fixed by a clamp 362 disposed on the chuck table 36.

上述したように半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、加工送り手段３７によって撮像手段７の直下に位置付けられる。チャックテーブル３６が撮像手段７の直下に位置付けられると、撮像手段７および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６および制御手段８は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されているストリート１０１と、ストリート１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６の集光器６４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ１０に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びるストリート１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ１０のストリート１０１が形成されている表面１０ａは下側に位置しているが、撮像手段７が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面１０ｂから透かしてストリート１０１を撮像することができる。   As described above, the chuck table 36 that sucks and holds the semiconductor wafer 10 is positioned immediately below the imaging unit 7 by the processing feed unit 37. When the chuck table 36 is positioned immediately below the image pickup means 7, an alignment operation for detecting a processing region to be laser-processed of the semiconductor wafer 10 is executed by the image pickup means 7 and a control means (not shown). That is, the imaging unit 6 and the control unit 8 align the street 101 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 10 with the condenser 64 of the laser beam irradiation unit 6 that irradiates the laser beam along the street 101. Image processing such as pattern matching is performed to align the laser beam irradiation position. The alignment of the laser beam irradiation position is similarly performed on the street 101 formed in the semiconductor wafer 10 and extending in a direction orthogonal to the predetermined direction. At this time, the surface 10a on which the street 101 of the semiconductor wafer 10 is formed is positioned on the lower side. Since the image pickup means (infrared CCD) or the like is provided, the street 101 can be imaged through the back surface 10b.

以上のようにしてチャックテーブル３６上に保持されている半導体ウエーハ１０に形成されているストリート１０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図６の（ａ）で示すようにチャックテーブル３６をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６の集光器６４が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート１０１の一端（図６の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段６の集光器６４の直下に位置付ける。次に、集光器６４から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ１０の厚み方向中央部に合わせる。そして、集光器６４からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３６を図６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図６の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段６の集光器６４の照射位置がストリート１０１の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ１０パルスレーザー光線発手段の内部には、ストリート１０１に沿って改質層１１０が形成される（改質層形成工程）。   If the street 101 formed on the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36 is detected as described above and the laser beam irradiation position is aligned, as shown in FIG. The chuck table 36 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 64 of the laser beam irradiation means 6 for irradiating the laser beam is located, and one end of the predetermined street 101 (the left end in FIG. 6A) is collected by the laser beam irradiation means 6. It is positioned directly below the optical device 64. Next, the condensing point P of the pulse laser beam irradiated from the condenser 64 is aligned with the central portion in the thickness direction of the semiconductor wafer 10. Then, the chuck table 36 is moved at a predetermined feed speed in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 6A while irradiating a pulse laser beam having a wavelength that is transmissive to the silicon wafer from the condenser 64. Then, as shown in FIG. 6B, when the irradiation position of the condenser 64 of the laser beam irradiation means 6 reaches the position of the other end of the street 101, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the chuck table 36 is moved. Stop. As a result, the modified layer 110 is formed along the street 101 inside the semiconductor wafer 10 pulse laser beam emitting means (modified layer forming step).

上記改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長 ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
平均出力 ：１Ｗ
パルス幅 ：２００ns
パルス光のエネルギー ：１０μJ
１つのパルス光に存在する
バーストパルス光線の個数 ：１０個
微細パルス幅 ：１ns
バーストパルス光線のピークパワー：１kW
集光スポット径 ：φ１μｍ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒 The processing conditions in the modified layer forming step are set as follows, for example.
Wavelength: 1064 nm pulse laser Repeat frequency: 100 kHz
Average output: 1W
Pulse width: 200ns
Pulsed light energy: 10 μJ
Number of burst pulse rays present in one pulse light: 10 Fine pulse width: 1 ns
Peak power of burst pulse beam: 1kW
Condensing spot diameter: φ1μm
Processing feed rate: 100 mm / sec

ここで、上記パルスレーザー光線のパルス幅およびエネルギーとバーストパルス光線の微細パルス幅およびピークパワーとの関係について、図７の(a)および(b)を参照して説明する。
上述した加工条件においては、繰り返し周波数設定手段６２２によって設定された繰り返し周波数が１００ｋＨｚであるので、図７の(a)に示すように１０μs毎にパルス幅調整手段６２３によって調整されたパルス幅が２００nsのパルス光を有するパルスレーザー光線が生成される。このときのパルス光のエネルギーが１０μJである。このように設定されたパルスレーザー光線は上述した加工条件においては、図７の(b)に示すようにバーストパルス形成手段６２４によって各パルス光は微細パルス幅が１nsの１０個のバーストパルス光線に分割される。従って、バーストパルス光線のピークパワーは、（１０μJ／１０個）／１ns＝1kWとなる。このようにして生成されたバーストパルス光線がパルスレーザー光線発振器６２１から発振される。 Here, the relationship between the pulse width and energy of the pulse laser beam and the fine pulse width and peak power of the burst pulse beam will be described with reference to FIGS.
Under the processing conditions described above, since the repetition frequency set by the repetition frequency setting means 622 is 100 kHz, the pulse width adjusted by the pulse width adjustment means 623 every 10 μs is 200 ns as shown in FIG. A pulsed laser beam having the following pulse light is generated. The energy of the pulsed light at this time is 10 μJ. Under the above-described processing conditions, the pulse laser beam set in this way is divided into 10 burst pulse beams having a fine pulse width of 1 ns by the burst pulse forming means 624 as shown in FIG. 7B. Is done. Accordingly, the peak power of the burst pulse beam is (10 μJ / 10) / 1 ns = 1 kW. The burst pulse beam generated in this way is oscillated from the pulse laser beam oscillator 621.

以上のようにパルスレーザー光線発振器６２１からは微細パルス幅(図示の実施形態においては１ns)のバーストパルス光線が発振されるので、半導体ウエーハ１０の入射面（裏面１０b）と反対側の表面１０ａ側への抜け光が抑制される。従って、パルスレーザー光線のパルス幅を改質層を形成するのに適した７０〜５００nsに設定することができる。   As described above, a burst pulse beam having a fine pulse width (1 ns in the illustrated embodiment) is oscillated from the pulse laser beam oscillator 621, so that the surface 10 a side opposite to the incident surface (back surface 10 b) of the semiconductor wafer 10 is directed to. Light leakage is suppressed. Therefore, the pulse width of the pulse laser beam can be set to 70 to 500 ns suitable for forming the modified layer.

なお、半導体ウエーハ１０の表面１０ａ側への抜け光を抑制して、パルスレーザー光線のパルス幅を７０〜５００nsに設定することができる加工条件としては、次のように設定することができる。
即ち、パルスレーザー光線の繰り返し周波数は５０〜２００kHz、パルスレーザー光線のパルス幅は７０〜５００ns、１つのパルス幅に存在するバーストパルス光線の個数は５〜２０、バーストパルス光線の微細パルス幅は２ns以下に設定する。
また、パルスレーザー光線のエネルギーは５〜１０μJに設定し、バーストパルス光線のピークパワーは５０W〜1０kWに設定する。 The processing conditions that can suppress the light passing through the surface 10a of the semiconductor wafer 10 and set the pulse width of the pulse laser beam to 70 to 500 ns can be set as follows.
That is, the repetition frequency of the pulse laser beam is 50 to 200 kHz, the pulse width of the pulse laser beam is 70 to 500 ns, the number of burst pulse beams existing in one pulse width is 5 to 20, and the fine pulse width of the burst pulse beam is 2 ns or less. Set.
The energy of the pulse laser beam is set to 5 to 10 μJ, and the peak power of the burst pulse beam is set to 50 W to 10 kW.

上述したように所定のストリート１０１に沿って上記改質層形成工程を実施したら、チャックテーブル３６を矢印Ｙで示す方向に半導体ウエーハ１０に形成されたストリート１０１の間隔だけ割り出し移動し（割り出し工程）、上記改質層形成工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全てのストリート１０１に沿って上記改質層形成工程を実施したならば、チャックテーブル３６を９０度回動せしめて、上記所定方向に形成されたストリート１０１に対して直交する方向に延びるストリート１０１に沿って上記改質層形成工程を実行する。改質層形成工程が全てのストリート１０１に沿って実施された半導体ウエーハ１０は、改質層１１０が形成されたストリート１０１に沿って破断するウエーハ分割工程に搬送される。   When the modified layer forming process is performed along the predetermined street 101 as described above, the chuck table 36 is indexed and moved by the interval of the streets 101 formed on the semiconductor wafer 10 in the direction indicated by the arrow Y (indexing process). The modified layer forming step is performed. When the modified layer forming process is performed along all the streets 101 formed in the predetermined direction in this way, the chuck table 36 is rotated 90 degrees to be aligned with the streets 101 formed in the predetermined direction. On the other hand, the modified layer forming step is executed along the street 101 extending in a direction orthogonal to the above. The semiconductor wafer 10 in which the modified layer forming process is performed along all the streets 101 is transferred to a wafer dividing process in which the modified layer forming process is broken along the streets 101 in which the modified layer 110 is formed.

２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３８：第１の割り出し送り手段
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４２：可動支持基台
４３：第２の割り出し送り手段
５：レーザー光線照射ユニット
５３：集光点位置調整手段
６：レーザー光線照射手段
６２：パルスレーザー光線発振手段
６２１：パルスレーザー光線発振器
６２２：繰り返し周波数設定手段
６２３：パルス幅調整手段
６２４：バーストパルス形成手段
６３：出力調整手段
６４：集光器
６４１：方向変換ミラー
６４２：集光レンズ
７：撮像手段
８：制御手段
１０：半導体ウエーハ 2: stationary base 3: chuck table mechanism 36: chuck table 37: processing feed means 38: first index feed means 4: laser beam irradiation unit support mechanism 42: movable support base 43: second index feed means 5: Laser beam irradiation unit 53: Focusing point position adjusting means 6: Laser beam irradiation means 62: Pulse laser beam oscillation means 621: Pulse laser beam oscillator 622: Repetitive frequency setting means 623: Pulse width adjusting means 624: Burst pulse forming means 63: Output adjusting means 64: Condenser 641: Direction conversion mirror 642: Condensing lens 7: Imaging means 8: Control means 10: Semiconductor wafer

Claims (1)

被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射して被加工物の内部に改質層を形成するレーザー光線照射手段と、該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該レーザー光線照射手段は、パルスレーザー光線を発振するパルスレーザー光線発振手段と、該パルスレーザー光線発振手段が発振したパルスレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射する集光器とを具備し、
該パルスレーザー光線発振手段は、パルスレーザー光線発振器と、該パルスレーザー光線発振器が発振するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定する繰り返し周波数設定手段と、該繰り返し周波数設定手段によって設定された繰り返し周波数のパルスレーザー光線のパルス幅を調整するパルス幅調整手段と、該パルス幅調整手段によって調整されたパルス幅を有するパルス光を複数の微細パルス幅からなるバーストパルス光線に形成するバーストパルス形成手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 A workpiece holding means for holding the workpiece, and a modified layer in the workpiece by irradiating the workpiece held by the workpiece holding means with a laser beam having a wavelength that is transmissive to the workpiece. In a laser processing apparatus comprising: a laser beam irradiation means to be formed; and a work feed means for relatively processing and feeding the workpiece holding means and the laser beam irradiation means.
The laser beam irradiating means includes a pulse laser beam oscillating means for oscillating a pulse laser beam, and condensing the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillating means and irradiating the workpiece held by the workpiece holding means with the pulse laser beam. And a concentrator
The pulse laser beam oscillation means includes a pulse laser beam oscillator, a repetition frequency setting means for setting a repetition frequency of the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillator, and a pulse width of a pulse laser beam having a repetition frequency set by the repetition frequency setting means A pulse width adjusting means for adjusting the pulse width, and a burst pulse forming means for forming a pulse light having a pulse width adjusted by the pulse width adjusting means into a burst pulse light beam having a plurality of fine pulse widths,
Laser processing equipment characterized by that.
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Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016002569A (en) * 2014-06-18 2016-01-12 株式会社ディスコ Laser machining device
JP2016042515A (en) * 2014-08-15 2016-03-31 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2016042514A (en) * 2014-08-15 2016-03-31 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2016086079A (en) * 2014-10-27 2016-05-19 株式会社ディスコ Laser processing device
KR20160089277A (en) 2015-01-19 2016-07-27 가부시기가이샤 디스코 Method for testing laser beam
KR20170031164A (en) * 2014-07-08 2017-03-20 코닝 인코포레이티드 Methods and apparatuses for laser processing materials
JP2017528322A (en) * 2014-07-09 2017-09-28 ハイ キュー レーザー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＨｉｇｈ Ｑ Ｌａｓｅｒ ＧｍｂＨ Material processing using non-circular laser beams.
JP2017216266A (en) * 2016-05-30 2017-12-07 株式会社ディスコ Laser processing apparatus and method for producing wafer
KR20180035111A (en) 2016-09-28 2018-04-05 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 Method and apparatus of dividing brittleness material substrate
JP2018052814A (en) * 2016-09-28 2018-04-05 三星ダイヤモンド工業株式会社 Modified layer forming method and modified layer forming device for brittle material substrate
KR20190064434A (en) * 2017-11-30 2019-06-10 가부시기가이샤 디스코 Laser machining method of wafer
JP2019531593A (en) * 2016-07-25 2019-10-31 アンプリテュード システム Method and apparatus for cutting material with a multi-beam femtosecond laser
US11130701B2 (en) 2016-09-30 2021-09-28 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots
US11148225B2 (en) 2013-12-17 2021-10-19 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US11345625B2 (en) 2013-01-15 2022-05-31 Corning Laser Technologies GmbH Method and device for the laser-based machining of sheet-like substrates
DE102021110742A1 (en) 2021-04-27 2022-10-27 Infineon Technologies Ag METHOD FOR SHARING SEMICONDUCTOR WORKPIECES, SEMICONDUCTOR WORKPIECE AND DEVICE FOR DEFINING A SEPARATING AREA IN SEMICONDUCTOR WORKPIECES
US11542190B2 (en) 2016-10-24 2023-01-03 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US11648623B2 (en) 2014-07-14 2023-05-16 Corning Incorporated Systems and methods for processing transparent materials using adjustable laser beam focal lines
US11713271B2 (en) 2013-03-21 2023-08-01 Corning Laser Technologies GmbH Device and method for cutting out contours from planar substrates by means of laser
US11773004B2 (en) 2015-03-24 2023-10-03 Corning Incorporated Laser cutting and processing of display glass compositions

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010158686A (en) * 2009-01-06 2010-07-22 Disco Abrasive Syst Ltd Optical device for laser processing, laser processing device and laser processing method
JP2010272697A (en) * 2009-05-21 2010-12-02 Disco Abrasive Syst Ltd Laser processing method of semiconductor wafer
JP2012522374A (en) * 2009-03-27 2012-09-20 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド Laser micromachining with tailored bursts of short laser pulses

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010158686A (en) * 2009-01-06 2010-07-22 Disco Abrasive Syst Ltd Optical device for laser processing, laser processing device and laser processing method
JP2012522374A (en) * 2009-03-27 2012-09-20 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド Laser micromachining with tailored bursts of short laser pulses
JP2010272697A (en) * 2009-05-21 2010-12-02 Disco Abrasive Syst Ltd Laser processing method of semiconductor wafer

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11345625B2 (en) 2013-01-15 2022-05-31 Corning Laser Technologies GmbH Method and device for the laser-based machining of sheet-like substrates
US11713271B2 (en) 2013-03-21 2023-08-01 Corning Laser Technologies GmbH Device and method for cutting out contours from planar substrates by means of laser
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US11148225B2 (en) 2013-12-17 2021-10-19 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
JP2016002569A (en) * 2014-06-18 2016-01-12 株式会社ディスコ Laser machining device
US11697178B2 (en) 2014-07-08 2023-07-11 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
KR102445217B1 (en) 2014-07-08 2022-09-20 코닝 인코포레이티드 Methods and apparatuses for laser processing materials
KR20170031164A (en) * 2014-07-08 2017-03-20 코닝 인코포레이티드 Methods and apparatuses for laser processing materials
JP2017521259A (en) * 2014-07-08 2017-08-03 コーニング インコーポレイテッド Method and apparatus for laser machining materials
US10589384B2 (en) 2014-07-09 2020-03-17 High Q Laser Gmbh Processing of material using non-circular laser beams
JP2017528322A (en) * 2014-07-09 2017-09-28 ハイ キュー レーザー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＨｉｇｈ Ｑ Ｌａｓｅｒ ＧｍｂＨ Material processing using non-circular laser beams.
US11648623B2 (en) 2014-07-14 2023-05-16 Corning Incorporated Systems and methods for processing transparent materials using adjustable laser beam focal lines
JP2016042515A (en) * 2014-08-15 2016-03-31 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2016042514A (en) * 2014-08-15 2016-03-31 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2016086079A (en) * 2014-10-27 2016-05-19 株式会社ディスコ Laser processing device
KR20160089277A (en) 2015-01-19 2016-07-27 가부시기가이샤 디스코 Method for testing laser beam
KR102333514B1 (en) 2015-01-19 2021-12-01 가부시기가이샤 디스코 Method for testing laser beam
US11773004B2 (en) 2015-03-24 2023-10-03 Corning Incorporated Laser cutting and processing of display glass compositions
JP2017216266A (en) * 2016-05-30 2017-12-07 株式会社ディスコ Laser processing apparatus and method for producing wafer
JP2019531593A (en) * 2016-07-25 2019-10-31 アンプリテュード システム Method and apparatus for cutting material with a multi-beam femtosecond laser
JP7190631B2 (en) 2016-07-25 2022-12-16 アンプリテュード システム Method and apparatus for cutting materials with multi-beam femtosecond laser
JP2018052814A (en) * 2016-09-28 2018-04-05 三星ダイヤモンド工業株式会社 Modified layer forming method and modified layer forming device for brittle material substrate
KR20180035111A (en) 2016-09-28 2018-04-05 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 Method and apparatus of dividing brittleness material substrate
US11130701B2 (en) 2016-09-30 2021-09-28 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots
US11542190B2 (en) 2016-10-24 2023-01-03 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
KR102525264B1 (en) 2017-11-30 2023-04-24 가부시기가이샤 디스코 Laser machining method of wafer
TWI771533B (en) * 2017-11-30 2022-07-21 日商迪思科股份有限公司 Wafer laser processing method
JP2019098359A (en) * 2017-11-30 2019-06-24 株式会社ディスコ Laser processing method for wafer
KR20190064434A (en) * 2017-11-30 2019-06-10 가부시기가이샤 디스코 Laser machining method of wafer
DE102021110742A1 (en) 2021-04-27 2022-10-27 Infineon Technologies Ag METHOD FOR SHARING SEMICONDUCTOR WORKPIECES, SEMICONDUCTOR WORKPIECE AND DEVICE FOR DEFINING A SEPARATING AREA IN SEMICONDUCTOR WORKPIECES

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