JP2013186633A - 透明導電膜、透明導電膜製造方法およびタッチパネル - Google Patents

Abstract

【課題】狭額縁化・薄型化された静電容量方式のタッチパネルを可能とする透明導電膜を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の透明導電膜は、透明導電パターン電極に接続する配線部を、絶縁マスク層を挟んで下層配線部と上層配線部とで分割している。このため、小さい面積で透明導電パターン電極のパターン毎に配線を行うことが出来、一定面積内における配線密度を向上させることが出来る。よって、狭額縁化・薄型化された静電容量方式のタッチパネルを提供することが出来る。
【選択図】図１

Description

本発明は、静電容量方式のタッチパネルに適した透明導電膜、該透明導電膜の製造に適した透明導電膜製造方法、および、該透明導電膜を用いたタッチパネルに関する。

近年、入力デバイスとして、タッチパネルが用いられている。タッチパネルは、表示画面上の表示部位を押すことで機器を操作する入力デバイスである。タッチパネルでは、抵抗膜方式、静電容量方式、などの形式が知られている。

抵抗膜方式は、対向する２枚の抵抗膜を備える方式である。片方の抵抗膜に電圧をかけた状態で、他方の抵抗膜を押圧すると、押圧した位置に対応して、押圧した抵抗膜側に電圧が発生する。よって、電圧を検知する事により、操作した場所を検知することができる。

静電容量方式は、指先などの静電的な導電性の部位と、導電膜と、の間での静電容量の変化を捉えて位置を検出する方式である。表示画面上に透明導電パターン電極を配置することにより、指先が透明導電パターン電極に近づくときの静電容量の変化から位置を検知することができる。また、静電容量方式では、透明導電パターン電極の電極列によって、多点検出が可能であり、より直感的な操作の実現が可能である。

上述のようなタッチパネルでは、意匠上の要請などから、狭額縁化・薄型化が求められている。

例えば、抵抗膜方式のタッチパネルにおいて、抵抗膜と接続された配線部を透明基板の側端面に形成した狭額縁構造が提案されている（特許文献１参照）。

特開２０１０‐１４６４１８号公報

静電容量方式のタッチパネルでは、透明導電パターン電極を用いて位置検出を行うことから、透明導電パターン電極のパターン毎に配線を行う必要がある。このため、表示画面の全面に抵抗膜を配置する抵抗膜方式のタッチパネルと比較して配線本数が多くなる傾向がある。よって、配線部を表示画面と異なる側端面に形成する場合、静電容量方式のタッチパネルは抵抗膜方式のタッチパネルと比較して、配線部を設けるための側端面を広く確保する必要があり、薄型化が困難であった。

そこで、本発明は上述の問題を解決するためになされたものであり、狭額縁化・薄型化された静電容量方式のタッチパネルを可能とする透明導電膜を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態は、透明基板と、前記透明基板に保持された透明導電パターン電極と、前記透明導電パターン電極と接続された下層配線部と、前記透明導電パターン電極と接続された上層配線部と、前記下層配線部と前記上層配線部との間に形成された絶縁マスク層と、を備え、前記透明基板は屈曲していることを特徴とする透明導電膜である。

また、更に、前記上層配線部上に形成された追加絶縁マスク層と、前記追加絶縁マスク層上に形成された追加配線部と、を備えていてもよい。

また、前記透明基板は、高屈折率層および低屈折率層が透明基板表面からこの順で積層されていてもよい。

本発明の一実施形態は、透明基板に透明導電パターン電極を形成する透明導電パターン電極形成工程と、前記透明導電パターン電極と接続する下層配線部を形成する下層配線部形成工程と、前記下層配線部を覆うように絶縁マスク層を形成する絶縁マスク層形成工程と、前記絶縁マスク層上に前記透明導電パターン電極と接続する上層配線部を形成する上層配線部形成工程と、前記下層配線部および前記上層配線部が形成された透明基板を屈曲させる屈曲工程と、を含むことを特徴とする透明導電膜製造方法である。

また、前記屈曲工程を行う前に、更に、前記上層配線部上に追加絶縁マスク層を形成する追加絶縁マスク層形成工程と、前記追加絶縁マスク層上に前記透明導電パターン電極と接続する追加配線部を形成する追加配線部形成工程と、を行なってもよい。

本発明の一実施形態は、上述に記載の透明導電膜を用いたタッチパネルである。

本発明の透明導電膜は、透明導電パターン電極に接続する配線部を、絶縁マスク層を挟んで下層配線部と上層配線部とで分割している。このため、小さい面積で透明導電パターン電極のパターン毎に配線を行うことが出来、一定面積内における配線密度を向上させることが出来る。よって、狭額縁化・薄型化された静電容量方式のタッチパネルを提供することが出来る。

本発明の透明導電膜の一例を示す概略図である。 本発明の透明導電膜の一例を示す断面図である。 本発明の透明導電膜の一例を示す上面図である。 本発明の透明導電膜の一例を示す側面図である。

以下、本発明の透明導電膜について説明を行う。

透明基板は、基体となる部位であり、可視光域で透明な材料であればよい。例えば、（１）無機ガラス、（２）ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなど）、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６など）、ポリイミド、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、などの透明樹脂、を用いてもよい。また、透明基板は、上記の透明樹脂を無延伸・延伸させたプラスチックフィルムであってもよい。また、透明基板は複数の材料が積層された複合フィルムであってもよい。

また、透明基板の厚みは、１０μｍ以上２００μｍ以下程度の範囲内にあることが好ましい。ただし、本発明の透明導電膜において透明基板の厚みは上記範囲に限定されるものではない。

また、透明基板に表面処理を行ってもよい。表面処理を行うことにより、透明基板の表面上に積層される層の接着を強固にすることが出来る。表面処理としては、例えば、易接着処理、プラズマ処理、コロナ処理、オゾン処理、などの方法が挙げられる。

また、透明基板は表面にハードコート層が形成されてもよい。ハードコート層を形成することにより、透明基板の機械強度、耐擦性、などを向上することが出来る。ハードコート層に用いる材料は、可視光域で透明な材料であればよい。例えば、（１）アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類等のアクリル系樹脂、（２）有機珪素系樹脂、（３）熱硬化型ポリシロキサン樹脂、などの透明樹脂、をハードコート層の材料として用いてよい。

ハードコート層の形成方法としては、ハードコート層に選択した材料に応じた薄膜形成方法を用いて行ってよい。例えば、選択した主成分である樹脂と紫外線を吸収する材料とを溶剤に溶解させ塗液を調整し、該塗液を、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーター、などの塗布方法を用いて透明基板に塗布することにより形成してもよい。

また、表裏両面にハードコート層が形成された透明基板を用いることが好ましい。表裏のハードコート層の膜厚を制御することにより、本発明の透明導電膜において、透明導電薄膜の表裏の応力が対称となるべく調整することができる。表裏の応力を調整することにより、反りの発生などを抑制することが出来、好適にタッチパネルに組みこむことが出来る。

また、ハードコート層の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下程度の範囲内にあることが好ましい。ただし、本発明の透明導電膜において透明基板の厚みは上記範囲に限定されるものではない。

透明導電パターン電極は、可視光域で透明、かつ、電気伝導性を有する材料であればよい。例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛、カーボンナノチューブ、グラフェン、ナノ銀、導電性高分子樹脂（イオン伝導機構を有する４級アンモニウム塩系導電性モノマー、電子伝導機構を有する導電性微粒子、π共役系導電性高分子、などを含む樹脂）、などを用いてよい。

また、透明導電パターン電極は、パターンの異なる層を複数積層することにより形成してもよい。例えば、Ｘ方向の位置センサ用の透明導電パターン電極と、Ｙ方向の位置センサ用の透明導電パターン電極を積層することにより、二次元位置センサを構成することが出来る。

また、透明導電パターン電極にＩＴＯを使用する場合、透明導電パターン電極の光学膜厚は３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましい。３０ｎｍより薄い場合、膜厚が薄く導電性能が充分に得られない。また、８０ｎｍより厚い場合、得られた薄膜の透過率は低下し、光学特性が低下する。ただし、本発明の透明導電膜においてＩＴＯの薄膜を用いた透明導電パターン電極の光学膜厚は上記範囲に限定されるものではない。

また、透明基板に、高屈折率層および低屈折率層が透明基板表面から見てこの順で積層されていてもよい。屈折率の異なる層を積層することにより、異なる層界面での反射光同士の位相を逆転させて打ち消すことで反射光を軽減することが出来る。このため、透明基板側から発せられる反射光を軽減することが出来ることから、観察面側に近い透明導電パターン電極の視認を困難にすることが出来る。なお、「高屈折率層および低屈折率層」における、高屈折率および低屈折率とは、片方の層が他方の層と屈折率が異なることから相対的に区別したものである。また、軽減する反射光の帯域は、各層の屈折率および光学膜厚で制御できることから、各層の物理膜厚は阻害したい帯域に応じて適宜光学設計し、決定してよい。

例えば、透明基材とハードコート層の屈折率が１．５以上１．７以下の範囲にあり、透明導電パターン電極に、酸化インジウム錫の薄膜（光学膜厚：３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下）を用いる場合、高屈折率層（屈折率：１．７以上２．６以下、光学膜厚：５ｎｍ以上２５ｎｍ以下）、低屈折率層（屈折率：１．３以上１．５以下、光学膜厚：５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下）とすることにより、可視光下における酸化インジウム錫に特有な黄色味を軽減することができる。上述の範囲を満たす高屈折率層および低屈折率層の材料の組み合わせとしては、例えば、高屈折率層：酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、低屈折率層：酸化ケイ素（ＳｉＯ_Ｘ「ｘは酸素原子の数」）の組み合わせなどが挙げられる。

高屈折率層および低屈折率層の形成方法としては、高屈折率層および低屈折率層に選択した材料に応じた薄膜形成方法を用いて行ってよい。例えば、（１）スクリーン印刷、インクジェット印刷などの塗布法、（２）マグネトロンスパッタリング法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）、などの気相成膜方法、などを用いてよい。特に、気相成膜方法は厳密に膜厚制御を行うことが出来、所望の光学膜厚に調整することが可能であることから、気相成膜方法を用いることが好ましい。

本発明の透明導電膜では、透明導電パターン電極に接続する配線部は、絶縁マスク層を挟んで下層配線部と上層配線部とで分割している。このため、小さい面積で透明導電パターン電極のパターン毎に配線を行うことが出来、一定面積内における配線密度を向上させることが出来る。よって、狭額縁化・薄型化された静電容量方式のタッチパネルを提供することが出来る。

下層配線部および上層配線部（以下、まとめて配線部と呼称する）は、電気伝導性を有し、加工性に優れた材料から適宜選択して用いてよい。例えば、銅、銀、金、などの金属配線などを用いてもよい。

また、配線部の厚みは、０．１μｍ以上２μｍ以下程度の範囲内にあることが好ましい。ただし、本発明の透明導電膜において配線部の厚みは上記範囲に限定されるものではない。

絶縁マスク層は、絶縁性を有し、薄膜形成性に優れた材料から適宜選択して用いてよい。例えば、（１）アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類等のアクリル系樹脂、（２）有機珪素系樹脂、（３）熱硬化型ポリシロキサン樹脂、（４）酸化ケイ素、などを用いてもよい。

絶縁マスク層として酸化ケイ素の薄膜を用いる場合、絶縁マスク層の膜厚は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下程度の範囲内にあることが好ましい。また、絶縁マスク層として樹脂薄膜を用いる場合、０．１μｍ以上２μｍ以下程度の範囲内にあることが好ましい。ただし、本発明の透明導電膜において絶縁マスク層の厚みは上記範囲に限定されるものではない。

また、更に、前記上層配線部上に形成された追加絶縁マスク層と、前記追加絶縁マスク層上に形成された追加配線部と、を備えてもよい。上層配線部上に追加絶縁マスク層および追加配線部を積層し、層形成を行うことにより、より配線密度を高め、側端面幅の増大を抑制しつつ、大画面に対応することが出来る。

また、追加絶縁マスク層および追加配線部の上に、更に、複数回、別途、追加絶縁マスク層および追加配線部を形成してもよい。「追加絶縁マスク層および追加配線部」の２層を一組として複数回積層することにより、より配線密度を高め、側端面幅の増大を抑制しつつ、より大画面に対応することが出来る。

追加絶縁マスク層は、上述に記載した「絶縁マスク層」と同様に取り扱ってよい。例えば、選択する材料など、は同様でもよい。

追加配線部は、上述に記載した「配線部」と同様に取り扱ってよい。例えば、選択する材料など、は同様でもよい。

本発明の透明導電膜では、透明基板は屈曲している。透明基板が屈曲することにより、透明導電膜の上面は透明導電パターン電極が多くを占める構成となる。透明基板において屈曲している部位は、配線部の大半が側端面に位置するような部位であればよい。例えば、（１）上面の一部に配線部の端部が存在する位置、（２）側端面の一部に透明導電パターン電極の端部が存在する位置、（３）透明導電パターン電極と配線部との境の位置、のいずれでもよい。

図１に、本発明の透明導電膜７の一例を概略図で示す。
透明導電膜７は、透明基板１上に、保持された透明導電パターン電極２が保持されており、透明導電パターン電極２と接続された下層配線部９および上層配線部１０は、下層配線部９と上層配線部１０との間に形成された絶縁マスク層１１により絶縁されている。また、透明導電膜７において、透明基板１は、透明導電パターン電極２と、下層配線部９および上層配線部１０と、の間の部位で屈曲しており、上面は透明導電パターン電極２が占める構成となっている。なお、下層配線部９は絶縁マスク層１１により、外部より遮蔽されているため、図１では破線にて示す。

図２に、図１に示すＡ−Ｂ線における透明導電膜７の線断面図を示す。
透明基板１の表裏両面にそれぞれ上部ハードコート層３および下部ハードコート層４が形成されている。上部ハードコート層３上に、高屈折率層６および低屈折率層５がこの順で積層され、低屈折率層５上に透明導電パターン電極２が積層されている。透明導電パターン電極２と接続するように下層配線部９が形成され、下層配線部９を覆うように絶縁マスク層１１が形成されている。絶縁マスク層１１上には上層配線部１０が配設されている。

図３に、図１に示す透明導電膜７の上面図を示す。
透明基板上に積層された高屈折率層５上に透明導電パターン電極２が形成され、該透明導電パターン電極２は下層配線部９および上層配線部１０と接続されている。上面から本発明の透明導電膜７を観察したとき、上面は透明導電パターン電極２が上面の大半を占め、狭額縁構造に適した形状となっている。また、透明導電パターン電極２のパターン間からは低屈折率層５が表出している。

図４に、図１に示す本発明の透明導電膜７の側面図を示す。
上面に設置された透明導電パターン電極２と接続された下層配線部９および上層配線部１０は、下層配線部９と上層配線部１０との間に形成された絶縁マスク層１１により絶縁されている。側面側から観察したとき、側端面は下層配線部９および上層配線部１０の部位が大半を占め、絶縁マスク層１１が側端面表面に表出している。なお、下層配線部９は絶縁マスク層１１により、外部より遮蔽されているため、図４では破線にて示す。

以下、本発明の透明導電膜製造方法について説明を行う。

＜透明導電パターン電極形成工程＞
まず、透明基板に透明導電パターン電極材料による薄膜を形成し、該薄膜にパターン形成することにより、透明導電パターン電極を形成する。

透明導電パターン電極材料による薄膜の形成は、透明導電パターン電極に選択した材料に応じて、適した薄膜形成方法を用いてよい。例えば、（１）スクリーン印刷、インクジェット印刷などの塗布法、（２）マグネトロンスパッタリング法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）、などの気相成膜方法、などを用いてよい。特に、透明導電パターン電極の材料にＩＴＯを用いる場合、気相成膜方法によりＩＴＯ薄膜を形成すると電荷密度が向上し導電性も向上する傾向があることから、気相成膜方法を用いることが好ましい。

透明導電パターン電極材料による薄膜に対するパターン形成は、透明導電パターン電極に選択した材料に応じて、適したパターニング方法を用いてよい。例えば、薄膜上に所望するパターンと対応するエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより、薄膜にパターン形成してもよい。パターニング方法としては、例えば、スクリーン印刷、フォトリソグラフィー、ナノインプリント、電子線描画、などが挙げられる。また、エッチャント液としては、例えば、塩化第二鉄液、王水、塩酸、シュウ酸、などを用いてもよい。

＜下層配線部形成工程＞
次に、下層配線部に選択した材料による薄膜を形成し、前記透明導電パターン電極と接続する下層配線部を形成する。

下層配線部材料による薄膜の形成は、下層配線部に選択した材料に応じて、適した薄膜形成方法を用いてよい。例えば、（１）スクリーン印刷、インクジェット印刷などの塗布法、（２）マグネトロンスパッタリング法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）、などの気相成膜方法、などを用いてよい。

また、下層配線部にパターニングを施し、一層に複数本の配線を形成してもよい。
下層配線部材料による薄膜に対するパターン形成は、下層配線部に選択した材料に応じて、適したパターニング方法を用いてよい。例えば、薄膜上に所望するパターンと対応するエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより、薄膜にパターン形成してもよい。パターニング方法としては、例えば、スクリーン印刷、フォトリソグラフィー、ナノインプリント、電子線描画、などが挙げられる。また、エッチャント液としては、例えば、塩化第二鉄液、王水、塩酸、シュウ酸、などを用いてもよい。

＜絶縁マスク層形成工程＞
次に、前記下層配線部を覆うように絶縁マスク層を形成する。

絶縁マスク層の形成方法としては、絶縁マスク層に選択した材料に応じた薄膜形成方法を用いて行ってよい。例えば、（１）スクリーン印刷、インクジェット印刷などの塗布法、（２）マグネトロンスパッタリング法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）、などの気相成膜方法、などを用いてよい。

＜上層配線部形成工程＞
次に、上層配線部に選択した材料による薄膜を形成し、前記絶縁マスク層上に前記透明導電パターン電極と接続する上層配線部を形成する。

上層配線部材料による薄膜の形成は、上層配線部に選択した材料に応じて、適した薄膜形成方法を用いてよい。例えば、（１）スクリーン印刷、インクジェット印刷などの塗布法、（２）マグネトロンスパッタリング法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）、などの気相成膜方法、などを用いてよい。

また、上層配線部にパターニングを施し、一層に複数本の配線を形成してもよい。
上層配線部材料による薄膜に対するパターン形成は、上層配線部に選択した材料に応じて、適したパターニング方法を用いてよい。例えば、薄膜上に所望するパターンと対応するエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより、薄膜にパターン形成してもよい。パターニング方法としては、例えば、スクリーン印刷、フォトリソグラフィー、ナノインプリント、電子線描画、などが挙げられる。また、エッチャント液としては、例えば、塩化第二鉄液、王水、塩酸、シュウ酸、などを用いてもよい。

＜屈曲工程＞
次に、透明基板を屈曲させる。透明基板において屈曲させる部位は、配線部の大半が側端面に位置するような部位であればよい。

屈曲方法は、選択した、透明基板／透明導電パターン電極／下層配線部／絶縁マスク層／上層配線部の材料、を考慮し、透明導電パターン電極／下層配線部／上層配線部に形成したパターンが破損されない方法であればよい。例えば、透明基材の軟化点以上の温度をかけながら機械的・物理的に屈曲してよい。

例えば、透明基板にＰＥＴを用いた場合、７０℃以上２００℃以下程度の温度環境で屈曲させることが好ましい。７０℃より低い温度の場合、ＰＥＴのガラス転移点未満になってしまい、屈曲する際に透明導電膜にクラックが入ってしまう恐れがある。また、２００℃より高い温度の場合、ＰＥＴが流動し、透明導電パターン電極／下層配線部／上層配線部に形成したパターンが破損される恐れがある。

また、前記屈曲工程を行う前に、更に、前記上層配線部上に追加絶縁マスク層を形成する追加絶縁マスク層形成工程と、前記追加絶縁マスク層上に前記透明導電パターン電極と接続する追加配線部を形成する追加配線部形成工程と、を行なってもよい。上層配線部より上層に、「追加絶縁マスク層および追加配線部」の２層を一組として、１回以上、積層することにより、より配線密度を高め、側端面幅の増大を抑制しつつ、大画面に対応することが出来る。なお、「追加絶縁マスク層形成工程」および「追加配線部形成工程」は、上述に記載した「絶縁マスク層形成工程」、「下層配線部形成工程」および「上層配線部形成工程」、と同様に実施してよい。

＜実施例１＞
まず、透明基板の表裏両面に樹脂を塗工し、下部ハードコート層および上部ハードコード層を形成した。
透明基板には、厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）を用いた。また、下部ハードコート層の膜厚は１．５μｍであった。また、上部ハードコード層の膜厚は１．５μｍであった。

次に、上部ハードコート層上に、高屈折率層を形成した。
高屈折率層に用いる材料は、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）とした。また、高屈折率層の形成にはマグネトロンスパッタリングを用いた。

次に、高屈折率層上に、低屈折率層を形成した。
低屈折率層の材料には、酸化ケイ素を用いた。また、低屈折率層の形成には、マグネトロンスパッタリングを用いた。

次に、低屈折率層上に、透明導電パターン電極を形成した。
透明導電パターン電極に用いる材料は、酸化スズを５ｗｔ％含有する酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）とした。また、透明導電パターン電極は、マグネトロンスパッタリングにてＩＴＯの薄膜を形成し、スクリーン印刷にてパターンに応じたエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより形成した。このとき、透明導電パターン電極のパターンはライン／スペースが５００μｍ／７０μｍのパターンとした。また、エッチャント液には、塩化第二鉄液を用いた。

次に、透明導電パターン電極と接続する下層配線部を形成した。
下層配線部に用いる材料は、銅とした。また、下層配線部は、マグネトロンスパッタリングにて銅の薄膜を形成し、スクリーン印刷にてパターンに応じたエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより形成した。このとき、エッチャント液には、過硫酸ナトリウム水溶液を用いた。また、下層配線部の配線パターンは、透明導電パターン電極のパターンであるラインパターンの内、６本と接続する配線パターンとした。

次に、下層配線部を覆うように絶縁マスク層を形成した。
絶縁マスク層に用いる材料は、酸化ケイ素とした。また、絶縁マスク層の形成には、マグネトロンスパッタリングを用いた。また、絶縁マスク層の膜厚は２００ｎｍとした。

次に、透明導電パターン電極と接続する上層配線部を形成した。
上層配線部に用いる材料は、銅とした。また、上層配線部は、マグネトロンスパッタリングにて銅の薄膜を形成し、スクリーン印刷にてパターンに応じたエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより形成した。このとき、エッチャント液には、過硫酸ナトリウム水溶液を用いた。また、上層配線部の配線パターンは、透明導電パターン電極のラインパターンの内、６本と接続する配線パターンとした。

次に、上層配線部を覆うように追加絶縁マスク層を形成した。
追加絶縁マスク層に用いる材料は、酸化ケイ素とした。また、追加絶縁マスク層の形成には、マグネトロンスパッタリングを用いた。また、追加絶縁マスク層の膜厚は２００ｎｍとした。

次に、透明導電パターン電極と接続する追加配線部を形成した。
追加配線部に用いる材料は、銅とした。また、追加配線部は、マグネトロンスパッタリングにて銅の薄膜を形成し、スクリーン印刷にてパターンに応じたエッチャントマスクを形成し、エッチャント液に浸漬することにより形成した。このとき、エッチャント液には、過硫酸ナトリウム水溶液を用いた。また、追加配線部の配線パターンは、透明導電パターン電極のラインパターンの内、６本と接続する配線パターンとした。

次に、透明導電パターン電極と、下層配線部／上層配線部／追加配線部と、の間の部位で、透明基板を屈曲した。このとき、屈曲は１５０℃に加熱したオーブン内で行った。また、屈曲の角度は９０°とした。

以上より、本発明の透明導電膜を製造した。このとき、製造した透明導電膜は、下層配線部／上層配線部／追加配線部、の三層の配線部を有し、配線部一層につき６本、計１８本の配線本数を備えていた。また、高屈折率層／低屈折率層／透明導電パターン電極、の各層の光学膜厚は、高屈折率層：１２ｎｍ、低屈折率層：７４ｎｍ、透明導電パターン電極：４０ｎｍ、であった。また、屈曲後に形成された側端面の幅は２ｍｍであった。

＜実施例２＞
実施例１と同様に透明導電膜を作製した。ただし、高屈折率層／低屈折率層／透明導電パターン電極、の各層の光学膜厚は、高屈折率層：２７ｎｍ、低屈折率層：１０５ｎｍ、透明導電パターン電極：４５ｎｍ、とした。

＜参考例１＞
実施例１と同様に透明導電膜を作製した。ただし、絶縁マスク層を形成せず、一層の銅の薄膜から１８本の配線本数を備えた一層の配線部を形成した。このとき、屈曲後に形成された側端面の幅は６ｍｍであった。

＜評価＞
実施例１および実施例２と、参考例１と、において、側端面の幅を比較したところ、同面積・同一パターンの透明導電パターン電極であっても、絶縁マスク層を形成した実施例１および実施例２の方が側端面の幅が小さかった。よって、絶縁マスク層を形成することにより、静電容量方式タッチパネルの薄型化が可能となることが示唆された。

また、実施例１と実施例２とを観察面側から太陽光下で目視観察したところ、実施例１では透明導電パターン電極は視認されず、実施例２ではごくわずかに透明導電パターン電極に用いたＩＴＯ由来の黄色味が確認された。

本発明の透明導電膜は、静電容量方式のタッチパネルを利用する広範な分野で利用が期待される。例えば、金融機関のＡＴＭ、電子機器の操作パネル（コピー機、ファックス、カーナビ、その他家電、など）、携帯情報端末（携帯電話、スマートフォン、タブレットＰＣ、など）、電子書籍端末、携帯ゲーム端末、携帯音楽プレーヤー、自動販売機、などの分野で利用が期待される。

１……透明基板
２……透明導電パターン電極
３……上部ハードコート層
４……下部ハードコート層
５……低屈折率層
６……高屈折率層
７……透明導電膜
９……下層配線部
１０……上層配線部
１１……絶縁マスク層

Claims (6)

1. 透明基板と、
   前記透明基板に保持された透明導電パターン電極と、
   前記透明導電パターン電極と接続された下層配線部と、
   前記透明導電パターン電極と接続された上層配線部と、
   前記下層配線部と前記上層配線部との間に形成された絶縁マスク層と、を備え、
   前記透明基板は屈曲していること
   を特徴とする透明導電膜。
2. 更に、
   前記上層配線部上に形成された追加絶縁マスク層と、
   前記追加絶縁マスク層上に形成された追加配線部と、
   を備えたことを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜。
3. 前記透明基板は、高屈折率層および低屈折率層が透明基板表面からこの順で積層されていること
   を特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の透明導電膜。
4. 透明基板に透明導電パターン電極を形成する透明導電パターン電極形成工程と、
   前記透明導電パターン電極と接続する下層配線部を形成する下層配線部形成工程と、
   前記下層配線部を覆うように絶縁マスク層を形成する絶縁マスク層形成工程と、
   前記絶縁マスク層上に前記透明導電パターン電極と接続する上層配線部を形成する上層配線部形成工程と、
   前記下層配線部および前記上層配線部が形成された透明基板を屈曲させる屈曲工程と、
   を含むことを特徴とする透明導電膜製造方法。
5. 前記屈曲工程を行う前に、更に、
   前記上層配線部上に追加絶縁マスク層を形成する追加絶縁マスク層形成工程と、
   前記追加絶縁マスク層上に前記透明導電パターン電極と接続する追加配線部を形成する追加配線部形成工程と、を行うこと
   を特徴とする請求項４に記載の透明導電膜製造方法。
6. 請求項１から３のいずれかに記載の透明導電膜を用いたタッチパネル。