JP2013160702A - Measuring device, measuring method and manufacturing method of object to be measured - Google Patents

Measuring device, measuring method and manufacturing method of object to be measured Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a measuring device capable of measuring a surface shape of an object to be measured in an actual use environment with high accuracy and low cost.SOLUTION: A measuring device 1 for measuring a surface shape of an object 120 to be measured, using interference of light includes: a probe 103 for irradiating a surface of the object 120 to be measured with light 119, and scanning the surface of the object 120 to be measured in a non-contact manner; a detection part 110 for detecting light 122 from the surface of the object 120 to be measured through the probe 103; a storage part 118 which has a partition wall 118a for separating the object 120 to be measured and the probe 103, and stores the object 120 to be measured; an environment control part 150 for controlling an environment inside the storage part 118; and a calculation part 141 for obtaining the surface shape of the object 120 to be measured, using a detection result of the detection part 110 and information about the partition wall 118a.

Description

本発明は、被計測物の表面形状を計測する計測装置および計測方法に関する。   The present invention relates to a measuring apparatus and a measuring method for measuring the surface shape of an object to be measured.

近年、宇宙の成り立ちや太陽系外惑星の探査などの深宇宙探索を目的として、主鏡直径30m以上の地上望遠鏡の開発が進んでいる。直径30mを超える主鏡を1枚のミラーとして製作することは困難であるため、通常、主鏡は分割されたセグメントミラーを組み合わせて構成される。セグメントミラーの表面形状は光学性能に大きな影響を及ぼすが、セグメントミラーを高精度に計測することは、計測装置が大型化して困難である。   In recent years, the development of ground telescopes with a primary mirror diameter of 30 m or more has been progressing for the purpose of deep space exploration such as the formation of the universe and the exploration of extrasolar planets. Since it is difficult to manufacture a primary mirror having a diameter of more than 30 m as a single mirror, the primary mirror is usually configured by combining segmented segment mirrors. The surface shape of the segment mirror has a great influence on the optical performance, but it is difficult to measure the segment mirror with high accuracy because the measuring device is enlarged.

そこで、光の干渉を用いた非接触のプローブを被計測物であるセグメントミラーに対して走査することで、セグメントミラーの表面形状を計測する。特許文献1には、光ビームを被計測面に沿って移動させ、位置検出素子を用いて被計測面の角度を計測する際に、被計測面の角度に応じた補正量を適用する方法が開示されている。また特許文献2には、非接触式プローブを用いて、基準ミラーと被計測面との距離をダブルパスレーザー干渉により被計測面の表面形状を計測する方法が開示されている。   Therefore, the surface shape of the segment mirror is measured by scanning a non-contact probe that uses light interference with respect to the segment mirror that is the object to be measured. Patent Document 1 discloses a method of applying a correction amount according to the angle of the surface to be measured when the light beam is moved along the surface to be measured and the angle of the surface to be measured is measured using the position detection element. It is disclosed. Further, Patent Document 2 discloses a method of measuring the surface shape of a measurement target surface by double-pass laser interference with a non-contact probe and measuring the distance between a reference mirror and the measurement target surface by double-pass laser interference.

特開平01−295109号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 01-295109 特開2009−145095号公報JP 2009-145095 A

ところが、大型天体望遠鏡は例えば標高4000m以上の山頂付近に設置されることが多いため、実際の使用温度環境下でのミラーの計測が要求される場合がある。この場合、計測装置の部品やユニットの結露や凍結の防止および温調コスト低減のため、計測装置の全体を実際の使用温度に設定するのではなく、少なくとも被計測面の周辺を実際の使用温度に設定することが好ましい。このとき、所望の温度に制御されたチャンバ内に被計測物であるミラーを収容して被計測物の表面形状を計測する必要がある。また、宇宙空間などの真空下で使用するミラーなどの被計測物の表面形状を高精度に計測するには、真空状態に気圧制御されたチャンバ内に被計測物を収容して被計測物の表面形状を計測する必要がある。   However, since a large astronomical telescope is often installed near the top of a mountain having an altitude of 4000 m or more, for example, mirror measurement under an actual operating temperature environment may be required. In this case, in order to prevent condensation and freezing of the parts and units of the measuring device and to reduce the temperature control cost, the actual measuring temperature should be set at least around the surface to be measured instead of setting the entire measuring device to the actual operating temperature. It is preferable to set to. At this time, it is necessary to measure the surface shape of the object to be measured by housing the mirror as the object to be measured in the chamber controlled to a desired temperature. In addition, in order to measure the surface shape of an object to be measured, such as a mirror, used under vacuum in outer space with high accuracy, the object to be measured is accommodated in a vacuum-controlled chamber under atmospheric pressure control. It is necessary to measure the surface shape.

しかしながら、被計測物をチャンバ内に収容するため、被計測面に光を直接照射して表面形状を計測することができない。そのため、被計測物の表面形状を高精度に計測することができない。   However, since the measurement object is accommodated in the chamber, the surface shape cannot be measured by directly irradiating the measurement surface with light. Therefore, the surface shape of the measurement object cannot be measured with high accuracy.

そこで本発明は、実際の使用環境下での被計測物の表面形状を高精度かつ低コストで計測可能な計測装置および計測方法を提供する。また、このような計測装置を用いて計測した被計測物の表面形状の計測結果に基づいて、被計測物を加工する被計測物の製造方法を提供する。   Therefore, the present invention provides a measuring apparatus and a measuring method capable of measuring the surface shape of an object to be measured under an actual use environment with high accuracy and low cost. Moreover, the manufacturing method of the to-be-measured object which processes a to-be-measured object based on the measurement result of the surface shape of the to-be-measured object measured using such a measuring device is provided.

本発明の一側面としての計測装置は、光の干渉を用いて被計測物の表面形状を計測する計測装置であって、前記被計測物の表面に光を照射し、前記被計測物の表面を非接触で走査するプローブと、前記プローブを介して前記被計測物の表面からの光を検出する検出部と、前記被計測物と前記プローブとを隔てる隔壁を有し、前記被計測物を収容する収容部と、前記収容部の内部の環境を制御する環境制御部と、前記検出部の検出結果と、前記隔壁に関する情報とを用いて、前記被計測物の表面形状を求める演算部とを有する。   A measuring device according to one aspect of the present invention is a measuring device that measures the surface shape of an object to be measured using light interference, and irradiates the surface of the object to be measured with light, and the surface of the object to be measured A probe that scans in a non-contact manner, a detection unit that detects light from the surface of the measurement object via the probe, a partition that separates the measurement object and the probe, and the measurement object A storage unit, an environment control unit that controls an environment inside the storage unit, a detection result of the detection unit, and a calculation unit that obtains a surface shape of the object to be measured using information about the partition; Have

本発明の他の側面としての計測方法は、光の干渉を用いて被計測物の表面形状を計測する計測方法であって、原器を収容部に収容した状態および該原器を該収容部から取り出した状態の両方で該原器の表面形状を計測し、該原器の表面形状の計測結果に基づいて、前記被計測物の表面を非接触で走査するプローブと前記被計測物との間に配置された該収容部の隔壁に関する情報を求める隔壁情報取得工程と、前記被計測物を前記収容部に収容した状態で該被計測物の表面形状を計測し、該被計測物の表面形状の計測結果に基づいて該被計測物に関する情報を求める被計測面情報取得工程と、前記隔壁情報取得工程および前記被計測面情報取得工程で得られた結果に基づいて、前記被計測物の表面形状を求める面形状算出工程とを有する。   A measuring method according to another aspect of the present invention is a measuring method for measuring the surface shape of an object to be measured using light interference, in a state in which the original device is accommodated in the accommodating portion and the original device in the accommodating portion. The surface shape of the original device is measured both in a state of being taken out from the probe, and based on the measurement result of the surface shape of the original device, a probe that scans the surface of the object to be measured in a non-contact manner and the object to be measured A partition information acquisition step for obtaining information about the partition walls of the storage unit disposed between the measurement object, the surface shape of the measurement target in a state in which the measurement target is stored in the storage unit, and the surface of the measurement target Based on the measurement surface information acquisition step for obtaining information on the measurement object based on the measurement result of the shape, and the results obtained in the partition wall information acquisition step and the measurement surface information acquisition step, And a surface shape calculation step for obtaining a surface shape.

本発明の他の側面としての被計測物の製造方法は、前記計測装置を用いて計測した被計測物の表面形状の計測結果に基づいて、前記被計測物を加工する。   According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an object to be measured based on a measurement result of a surface shape of the object to be measured which is measured using the measuring device.

本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施例において説明される。   Other objects and features of the present invention are illustrated in the following examples.

本発明によれば、実際の使用環境下での被計測物の表面形状を高精度かつ低コストで計測可能な計測装置および計測方法を提供することができる。また、このような計測装置を用いて計測した被計測物の表面形状の計測結果に基づいて、被計測物を加工する被計測物の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the measuring device and measuring method which can measure the surface shape of the to-be-measured object in an actual use environment with high precision and low cost can be provided. Moreover, the manufacturing method of the to-be-measured object which processes a to-be-measured object can be provided based on the measurement result of the surface shape of the to-be-measured object measured using such a measuring device.

実施例1における計測装置の構成図である。1 is a configuration diagram of a measuring device in Example 1. FIG. 実施例1において、被検光であるビームと参照光であるビームとの重複領域を示す図である。In Example 1, it is a figure which shows the overlap area | region of the beam which is test light, and the beam which is reference light. 実施例1における計測方法を示すフローチャートである。3 is a flowchart illustrating a measurement method according to the first embodiment. 実施例1における原器計測時の計測装置の要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of the measuring device at the time of the original | special-device measurement in Example 1. FIG. 実施例1における被計測面情報行列と、プローブと被計測面との距離の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the to-be-measured surface information matrix in Example 1, and the distance of a probe and a to-be-measured surface. 実施例2における計測装置の構成図である。It is a block diagram of the measuring device in Example 2. FIG. 実施例2における計測方法を示すフローチャートである。10 is a flowchart illustrating a measurement method according to the second embodiment.

以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same members are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

まず、図1乃至図5を参照して、本発明の実施例1における計測装置について説明する。図1は、本実施例における計測装置1(非接触式3次元計測装置)の構成図であり、コーナーキューブを用いたダブルパスヘテロダイン干渉方式における非球面計測の様子を示している。計測装置1は、光の干渉を用いて被計測物の表面形状を計測する計測装置である。被計測物の非球面のサグ量は、例えばミクロンオーダー以上である。   First, with reference to FIG. 1 thru | or FIG. 5, the measuring apparatus in Example 1 of this invention is demonstrated. FIG. 1 is a configuration diagram of a measurement apparatus 1 (non-contact type three-dimensional measurement apparatus) in the present embodiment, and shows a state of aspheric measurement in a double-pass heterodyne interference method using a corner cube. The measuring device 1 is a measuring device that measures the surface shape of an object to be measured using light interference. The sag amount of the aspherical surface of the object to be measured is, for example, on the order of microns or more.

計測装置1は、ミラーなどの被計測ワーク120(被計測物)の表面形状を計測するため、被計測物の表面に光を照射しながら被計測ワーク120を非接触で走査するプローブ(干渉計プローブ)を備えている。また計測装置1は、種々の環境下に配置される被計測ワーク120の表面形状を正確に計測するため、被計測ワーク120を収容するチャンバ118(収容部)、および、チャンバ118の内部の環境を制御する環境制御部150を有する。被計測ワーク120が室温よりも低い温度(例えば2℃)の環境下(例えば山頂付近)で使用されることになる場合、被計測ワーク120の表面形状の計測を、その温度に制御した状態で行うことが好ましい。このような場合、環境制御部150として、チャンバ118の内部の温度を制御する温度制御部を設けることにより、実際の使用温度環境下での被計測ワーク120の表面形状をより正確に計測することが可能となる。また、被計測ワーク120が大気圧よりも低い気圧(例えば真空)の環境下(例えば宇宙)で使用されることになる場合、被計測ワーク120の表面形状の計測を、その気圧に制御した状態で行うことが好ましい。このような場合、環境制御部150として、チャンバ118の内部の気圧を制御する気圧制御部を設けることにより、実際の使用気圧下での被計測ワーク120の表面形状をより正確に計測することが可能となる。チャンバ118は、被計測ワーク120と後述するプローブステージ103(プローブ)とを隔てる隔壁118aを有する。隔壁118aは、少なくとも後述のビームが通過する部分についてガラスなどの光を透過する部材から構成されている。隔壁(環境制御用隔壁)を光路上に配置した場合、隔壁に光が透過することによる影響について考慮する必要がある。   In order to measure the surface shape of a workpiece 120 (measurement object) such as a mirror, the measuring device 1 is a probe (interferometer) that scans the measurement workpiece 120 in a non-contact manner while irradiating light on the surface of the measurement object. Probe). In addition, the measuring apparatus 1 accurately measures the surface shape of the workpiece 120 to be measured placed in various environments, and the chamber 118 (accommodating portion) that houses the workpiece 120 to be measured, and the environment inside the chamber 118. An environment control unit 150 for controlling When the workpiece 120 is used in an environment (for example, near the top of a mountain) lower than room temperature (for example, near the top of a mountain), the measurement of the surface shape of the workpiece 120 is controlled to that temperature. Preferably it is done. In such a case, by providing a temperature control unit that controls the temperature inside the chamber 118 as the environment control unit 150, the surface shape of the workpiece 120 to be measured under the actual use temperature environment can be measured more accurately. Is possible. Further, when the workpiece 120 is used in an environment (for example, space) of an atmospheric pressure (for example, vacuum) lower than the atmospheric pressure, the measurement of the surface shape of the workpiece 120 is controlled to the atmospheric pressure. It is preferable to carry out with. In such a case, by providing a pressure control unit that controls the pressure inside the chamber 118 as the environment control unit 150, it is possible to more accurately measure the surface shape of the workpiece 120 to be measured under the actual operating pressure. It becomes possible. The chamber 118 includes a partition wall 118a that separates the workpiece 120 and a probe stage 103 (probe) described later. The partition wall 118a is made of a member that transmits light, such as glass, at least in a portion through which a beam described later passes. When a partition wall (environmental control partition wall) is disposed on the optical path, it is necessary to consider the influence of light transmitted through the partition wall.

レーザーヘッド101から射出されたビーム102は、X軸と略平行であり、プローブステージ103に配置された偏光ビームスプリッタ104に入射する。プローブステージ103は、図示しない駆動系を有し、後述するステージ制御部142により制御され、主にXY平面内を移動する。また図1において、プローブステージ103の内部に設けられている各要素によりプローブが構成される。本実施例のプローブは、ヘテロダイン干渉を用いたヘテロダイン干渉計プローブである。また、ヘテロダイン干渉計プローブは、コーナーキューブを用いたダブルパスヘテロダイン干渉計プローブである。   A beam 102 emitted from the laser head 101 is substantially parallel to the X axis and is incident on a polarization beam splitter 104 disposed on the probe stage 103. The probe stage 103 has a drive system (not shown), is controlled by a stage control unit 142 described later, and mainly moves in the XY plane. Further, in FIG. 1, a probe is constituted by each element provided in the probe stage 103. The probe of the present embodiment is a heterodyne interferometer probe using heterodyne interference. The heterodyne interferometer probe is a double-pass heterodyne interferometer probe using a corner cube.

レーザーヘッド101と偏光ビームスプリッタ104との間には、光ファイバーや複数の反射ミラーが設けられていてもよい。また、ビーム102は、互いに直交する2種類のS偏光とP偏光を有する。偏光ビームスプリッタ104は、S偏光を反射し、P偏光を透過する。すなわち、偏光ビームスプリッタ104において、ビーム102のうちS偏光は反射されてZ軸と略平行なビーム105となり、λ/4板106へ向かう。一方、ビーム102のうちP偏光は透過して、X軸と略平行なビーム107となり、コーナーキューブ108へ向かう。ビーム107は、コーナーキューブ108で入射方向と同じ方向に反射され、ビーム109となる。ビーム109の偏光状態はP偏光のままであるため、ビーム109は偏光ビームスプリッタ104を再び透過してビーム受光部110に入射する。ビーム109は、参照光として扱われる。   An optical fiber or a plurality of reflecting mirrors may be provided between the laser head 101 and the polarizing beam splitter 104. The beam 102 has two types of S-polarized light and P-polarized light that are orthogonal to each other. The polarization beam splitter 104 reflects S-polarized light and transmits P-polarized light. That is, in the polarization beam splitter 104, the S-polarized light of the beam 102 is reflected to become a beam 105 substantially parallel to the Z axis and travels toward the λ / 4 plate 106. On the other hand, the P-polarized light of the beam 102 is transmitted, becomes a beam 107 substantially parallel to the X axis, and travels toward the corner cube 108. The beam 107 is reflected by the corner cube 108 in the same direction as the incident direction, and becomes a beam 109. Since the polarization state of the beam 109 remains P-polarized light, the beam 109 passes through the polarization beam splitter 104 again and enters the beam receiving unit 110. The beam 109 is treated as reference light.

一方、ビーム105はλ/4板106を透過し、円偏光状態となったビーム111はZ基準ミラー112で反射されてビーム113となる。ビーム113は、λ/4板106を再び透過し、S偏光と直交するP偏光であるビーム114となる。ビーム114はP偏光であるため、偏光ビームスプリッタ104を透過してビーム115となる。ビーム115は、λ/4板116を透過し、円偏光状態となったビーム117はチャンバ118の隔壁118aを透過してビーム119となる。図1において、簡略化のため、チャンバ118の隔壁118aはXY平面と平行に配置されているように描かれているが、実際には隔壁118aは自身の自重のためにたわんでいる。このため、ビーム119は、Z軸と略平行であるが、XY平面内においてビーム117とビーム119は互いにずれている。この詳細については後述する。   On the other hand, the beam 105 is transmitted through the λ / 4 plate 106, and the beam 111 in a circular polarization state is reflected by the Z reference mirror 112 to become a beam 113. The beam 113 passes through the λ / 4 plate 106 again, and becomes a beam 114 that is P-polarized light orthogonal to S-polarized light. Since the beam 114 is P-polarized light, it passes through the polarization beam splitter 104 and becomes a beam 115. The beam 115 is transmitted through the λ / 4 plate 116, and the beam 117 in a circular polarization state is transmitted through the partition wall 118 a of the chamber 118 to become a beam 119. In FIG. 1, for the sake of simplicity, the partition wall 118a of the chamber 118 is depicted as being disposed in parallel with the XY plane, but in reality, the partition wall 118a is bent due to its own weight. For this reason, the beam 119 is substantially parallel to the Z axis, but the beam 117 and the beam 119 are shifted from each other in the XY plane. Details of this will be described later.

ビーム119は、チルトステージ404(チルト機構)に搭載された被計測ワーク120(被計測物)の被計測面121(表面)で反射され、ビーム122となる。被計測ワーク120は、例えば3点以上の多点支持でチルトステージ404に保持されている。ここで、被計測面121がXY平面に対してθ[rad]傾いているとすると、ビーム122はZ軸に対して2θ[rad]傾いている。チャンバ118の隔壁118aの傾き方向や被計測面121の傾き方向は、被計測ワーク120の計測位置に応じて変化する。ビーム122は、チャンバ118の隔壁118aを透過してビーム123となる。ここでも同様に簡略化のため、チャンバ118の隔壁118aはXY平面と平行に描かれているが、実際には隔壁118aは自身の自重のためにたわんでいる。このため、ビーム123はビーム122と略平行であるが、ビーム122と垂直な平面内においてずれている。   The beam 119 is reflected by the measurement surface 121 (surface) of the workpiece 120 (measurement object) mounted on the tilt stage 404 (tilt mechanism) to become a beam 122. The workpiece 120 to be measured is held on the tilt stage 404 with multipoint support of, for example, three or more points. Here, if the measurement target surface 121 is inclined by θ [rad] with respect to the XY plane, the beam 122 is inclined by 2θ [rad] with respect to the Z axis. The inclination direction of the partition wall 118 a of the chamber 118 and the inclination direction of the measurement target surface 121 change according to the measurement position of the workpiece 120 to be measured. The beam 122 passes through the partition wall 118 a of the chamber 118 and becomes a beam 123. Again, for the sake of simplicity, the partition wall 118a of the chamber 118 is drawn parallel to the XY plane, but in reality, the partition wall 118a is bent due to its own weight. For this reason, the beam 123 is substantially parallel to the beam 122, but is shifted in a plane perpendicular to the beam 122.

続いて、ビーム123はλ/4板116を透過し、P偏光と直交するS偏光であるビーム124となる。ビーム124はS偏光であるため、偏光ビームスプリッタ104で反射されてビーム125となる。λ/4板116は、チャンバ118の隔壁118aと比較して薄く、かつ横幅も小さいため、λ/4板116の自重変形は無視することができ、また、λ/4板116はXY平面と略平行と考えてもよい。このため、ビーム123とビーム124は、略同一直線上に存在する。ビーム125は、コーナーキューブ108で入射方向と同じ方向に反射され、ビーム126となる。ビーム126の偏光状態はS偏光のままであるため、偏光ビームスプリッタ104で再び反射し、ビーム127となる。ビーム127とビーム124は略平行である。   Subsequently, the beam 123 passes through the λ / 4 plate 116 and becomes a beam 124 that is S-polarized light orthogonal to P-polarized light. Since the beam 124 is S-polarized light, it is reflected by the polarization beam splitter 104 to become a beam 125. Since the λ / 4 plate 116 is thinner and smaller in width than the partition wall 118a of the chamber 118, the self-weight deformation of the λ / 4 plate 116 can be ignored, and the λ / 4 plate 116 has an XY plane. You may think that it is substantially parallel. For this reason, the beam 123 and the beam 124 exist on substantially the same straight line. The beam 125 is reflected by the corner cube 108 in the same direction as the incident direction, and becomes a beam 126. Since the polarization state of the beam 126 remains S-polarized light, it is reflected again by the polarization beam splitter 104 and becomes a beam 127. The beam 127 and the beam 124 are substantially parallel.

ビーム127は、再び、λ/4板116を透過し、円偏光状態となったビーム128は隔壁118を透過してビーム129となる。ここでも同様に簡略化のため、チャンバ118の隔壁118aはXY平面と平行に描かれているが、実際にはチャンバ118の隔壁118aは自身の自重のためにたわんでいる。このため、ビーム129はビーム128と略平行であるが、ビーム129と垂直な平面内でずれている。ここで、Z軸に対するビーム129の角度と、Z軸に対するビーム122の角度は略一致し、この角度は2θ[rad]である。ビーム129は、被計測面121で反射してビーム130となるが、Z軸に対するビーム129の角度とZ軸に対するビーム122の角度が略一致するため、ビーム130はZ軸と略平行となる。   The beam 127 is transmitted again through the λ / 4 plate 116, and the beam 128 in the circular polarization state is transmitted through the partition wall 118 to become a beam 129. Again, for the sake of simplicity, the partition wall 118a of the chamber 118 is drawn parallel to the XY plane, but in reality, the partition wall 118a of the chamber 118 is bent due to its own weight. For this reason, the beam 129 is substantially parallel to the beam 128 but is shifted in a plane perpendicular to the beam 129. Here, the angle of the beam 129 with respect to the Z axis substantially coincides with the angle of the beam 122 with respect to the Z axis, and this angle is 2θ [rad]. The beam 129 is reflected by the measurement target surface 121 to become the beam 130, but the angle of the beam 129 with respect to the Z axis substantially coincides with the angle of the beam 122 with respect to the Z axis, so that the beam 130 is substantially parallel to the Z axis.

ビーム130は、チャンバ118の隔壁118aを透過してビーム131となる。ここでも同様に簡略化のため、チャンバ118の隔壁118aはXY平面と平行に描かれているが、実際にはチャンバ118の隔壁118aは自身の自重のためにたわんでいる。このため、ビーム131はビーム130と略平行であるが、ビーム129と垂直な平面内でずれている。続いて、ビーム131はλ/4板116を透過し、S偏光と直交するP偏光であるビーム132となる。ビーム132はP偏光であるため、偏光ビームスプリッタ104を透過してビーム133となる。   The beam 130 passes through the partition wall 118 a of the chamber 118 and becomes a beam 131. Again, for the sake of simplicity, the partition wall 118a of the chamber 118 is drawn parallel to the XY plane, but in reality, the partition wall 118a of the chamber 118 is bent due to its own weight. For this reason, the beam 131 is substantially parallel to the beam 130 but is shifted in a plane perpendicular to the beam 129. Subsequently, the beam 131 passes through the λ / 4 plate 116 and becomes a beam 132 that is P-polarized light orthogonal to S-polarized light. Since the beam 132 is P-polarized light, it passes through the polarization beam splitter 104 and becomes a beam 133.

次に、ビーム133はλ/4板106を透過し、円偏光状態となったビーム134はZ基準ミラー112で反射されてビーム135となる。ビーム135は、再び、λ/4板106を透過し、P偏光と直交するS偏光であるビーム136となる。ビーム136はS偏光であるため、偏光ビームスプリッタ104で反射してビーム137となり、ビーム137はビーム受光部110(検出部)に入射する。ビーム137は、被検光として扱われる。このようにビーム受光部110は、プローブステージ103(プローブ)を介して被計測ワーク120の表面からの光(被検光)を検出する。   Next, the beam 133 is transmitted through the λ / 4 plate 106, and the beam 134 in a circular polarization state is reflected by the Z reference mirror 112 to become a beam 135. The beam 135 again passes through the λ / 4 plate 106 to become a beam 136 that is S-polarized light that is orthogonal to P-polarized light. Since the beam 136 is S-polarized light, it is reflected by the polarization beam splitter 104 to become the beam 137, and the beam 137 enters the beam receiving unit 110 (detection unit). The beam 137 is treated as test light. In this way, the beam receiving unit 110 detects light (test light) from the surface of the workpiece 120 to be measured via the probe stage 103 (probe).

図1において、被検光であるビーム137と参照光であるビーム109は、同一直線上に存在しないように描かれているが、実際には、ビーム137とビーム109は所定の広がりを有するビームである。このため、図2に示されるように、各ビームの一部が重複した重複領域201が存在する。図2は、ビーム受光部110における、ビーム137とビーム109の形状を示している。本実施例において、重複領域201をCCDなどを用いて計測し、後述する被計測面121の角度(ローカルな角度)を計算してもよい。また、被検光であるビーム137の例えばX軸に対する角度をオートコリメータなどを用いて計測し、後述する被計測面121のローカルな角度を計算することもできる。   In FIG. 1, the beam 137 as the test light and the beam 109 as the reference light are drawn so as not to exist on the same straight line. However, in reality, the beam 137 and the beam 109 are beams having a predetermined spread. It is. For this reason, as shown in FIG. 2, there is an overlapping region 201 in which a part of each beam overlaps. FIG. 2 shows the shapes of the beam 137 and the beam 109 in the beam receiving unit 110. In the present embodiment, the overlapping area 201 may be measured using a CCD or the like, and the angle (local angle) of the measurement target surface 121 described later may be calculated. Moreover, the angle with respect to the X axis, for example, of the beam 137 as the test light can be measured using an autocollimator or the like, and the local angle of the measurement surface 121 described later can be calculated.

ビーム受光部110に入射したビーム137とビーム109は、光ファイバー138により、位相/距離情報変換部139に伝送される。位相/距離情報変換部139は、重複領域201におけるヘテロダイン干渉現象を利用して、被検光であるビーム137と参照光であるビーム109との位相ずれを計測し、その位相情報を距離情報に変換して出力する。位相/距離情報変換部139から出力された距離情報は、PC141(演算部)に送られる。PC141は、プローブステージ103を駆動するステージ制御部142、および、誤差補正部140を有する。   The beam 137 and the beam 109 incident on the beam receiving unit 110 are transmitted to the phase / distance information conversion unit 139 through the optical fiber 138. The phase / distance information conversion unit 139 uses the heterodyne interference phenomenon in the overlapping region 201 to measure the phase shift between the beam 137 as the test light and the beam 109 as the reference light, and uses the phase information as distance information. Convert and output. The distance information output from the phase / distance information conversion unit 139 is sent to the PC 141 (calculation unit). The PC 141 includes a stage control unit 142 that drives the probe stage 103 and an error correction unit 140.

ステージ制御部142は、被計測面121の所望の計測領域を全て網羅するように、ラスターまたはベクタースキャンとなるように、プローブステージ103を駆動させる。Z基準ミラー112、図示しないX基準ミラーおよびY基準ミラーに対するプローブステージ103の位置と傾きは、干渉計等を用いて計測され、PC141内に、プローブステージ103の位置情報および傾き情報として保存される。プローブステージ103の位置情報および傾き情報は、被計測面121のXY座標位置の計算に用いられる。なお、図1の計測装置1とは別の構成として、プローブステージ103を駆動する代わりに、被計測ワーク120を駆動させてもよい。この場合、ステージ制御部142は、被計測ワーク120またはチルトステージ404を搭載する図示しないステージを駆動する。プローブステージ103を駆動する場合と同様に、被計測ワーク120の位置と傾きは、干渉計等を用いて計測され、PC141内に被計測ワーク120の位置情報および傾き情報として保存される。   The stage control unit 142 drives the probe stage 103 so as to perform a raster or vector scan so as to cover all desired measurement regions of the measurement target surface 121. The position and inclination of the probe stage 103 with respect to the Z reference mirror 112, the X reference mirror and the Y reference mirror (not shown) are measured using an interferometer or the like and stored in the PC 141 as position information and inclination information of the probe stage 103. . The position information and tilt information of the probe stage 103 are used for calculating the XY coordinate position of the measurement target surface 121. Note that, as a configuration different from the measurement apparatus 1 of FIG. 1, the workpiece 120 to be measured may be driven instead of driving the probe stage 103. In this case, the stage control unit 142 drives a stage (not shown) on which the workpiece 120 or the tilt stage 404 is mounted. As in the case of driving the probe stage 103, the position and inclination of the workpiece 120 to be measured are measured using an interferometer or the like, and stored in the PC 141 as position information and inclination information of the workpiece 120 to be measured.

誤差補正部140は、ビーム受光部110(検出部)の検出結果と、チャンバ118の隔壁118aに関する情報とを用いて被計測ワーク120の表面形状を求める演算部である。すなわち誤差補正部140は、プローブステージ103(プローブ)と被計測ワーク120との間のチャンバ118の隔壁118aにより生じる誤差を補正して被計測面121(面形状データ)を求める。隔壁118aにより生じる誤差(隔壁に関する情報)とは、例えば、隔壁118aの形状または屈折率分布により生じる誤差である。誤差補正部140は、隔壁118aにより生じる誤差、および、被計測面121の傾きにより生じる誤差を補正し、被計測面121の面形状データを求める。誤差補正部140は、位相/距離情報変換部139から出力された複数の2次元距離情報を保持するメモリを有する。被計測面121の傾きにより生じる誤差は、このメモリに保存された複数の計測データの偏微分情報を用いて算出される。また、被計測面121の傾きにより生じる誤差は、予めメモリに保存された被計測面121の設計値情報を用いて算出してもよい。誤差補正部140による補正の詳細については後述する。   The error correction unit 140 is a calculation unit that obtains the surface shape of the workpiece 120 to be measured using the detection result of the beam receiving unit 110 (detection unit) and information about the partition wall 118a of the chamber 118. That is, the error correction unit 140 corrects an error caused by the partition wall 118a of the chamber 118 between the probe stage 103 (probe) and the workpiece 120 to be measured, and obtains the measurement target surface 121 (surface shape data). The error caused by the partition wall 118a (information about the partition wall) is, for example, an error caused by the shape or refractive index distribution of the partition wall 118a. The error correction unit 140 corrects an error caused by the partition wall 118 a and an error caused by the inclination of the measurement target surface 121, and obtains surface shape data of the measurement target surface 121. The error correction unit 140 has a memory that holds a plurality of two-dimensional distance information output from the phase / distance information conversion unit 139. An error caused by the inclination of the measurement target surface 121 is calculated using partial differential information of a plurality of measurement data stored in the memory. Further, an error caused by the inclination of the measurement target surface 121 may be calculated using design value information of the measurement target surface 121 stored in advance in a memory. Details of the correction by the error correction unit 140 will be described later.

なお、図1に示される計測装置1は、プローブとしてコーナーキューブを用いたダブルパスヘテロダイン干渉計プローブを用いているが、本実施例はこれに限定されるものではない。例えば、ホモダイン干渉を用いたホモダイン干渉計プローブを用いてもよい。この構成では、Z基準ミラー112を参照面とするトワイマングリーンタイプのプローブや、透過型の参照面を用いるフィゾータイプのプローブが採用される。   1 uses a double-pass heterodyne interferometer probe using a corner cube as a probe, but the present embodiment is not limited to this. For example, a homodyne interferometer probe using homodyne interference may be used. In this configuration, a Twiman Green type probe using the Z reference mirror 112 as a reference surface or a Fizeau type probe using a transmission type reference surface is employed.

また本実施例では、プローブとして、シングルパスヘテロダイン干渉計プローブを用いてもよい。この場合、被計測面121では1回のみ反射するため、被計測面121の反射率が小さい場合に効果的である。また図1において、多くのビームは、X軸またはZ軸と平行であるように表現されているが、これらは簡略的に描かれたものであり、実際には全てのビームがわずかの傾き誤差を有する。   In this embodiment, a single-pass heterodyne interferometer probe may be used as the probe. In this case, since the surface to be measured 121 is reflected only once, it is effective when the reflectance of the surface to be measured 121 is small. Also, in FIG. 1, many beams are represented as being parallel to the X-axis or Z-axis, but these are simply drawn, and in fact, all the beams have a slight tilt error. Have

次に、図3を参照して、本実施例における計測方法について説明する。図3は、計測方法を示すフローチャートであり、各ステップは計測装置1の誤差補正部140(演算部)により実行される。ステップS301〜S303では、原器を用いて、基準面であるZ基準ミラー112を基準とした原器の表面形状を計測し、その計測結果に基づいて、隔壁118aに関する情報を取得する。ここで、隔壁118aに関する情報には隔壁118aの形状や屈折率分布により生じる誤差などがある。ステップS301〜S303を隔壁情報取得工程と定義する。以下、各ステップについて詳述する。   Next, with reference to FIG. 3, the measuring method in a present Example is demonstrated. FIG. 3 is a flowchart showing the measurement method, and each step is executed by the error correction unit 140 (calculation unit) of the measurement apparatus 1. In steps S301 to S303, the surface shape of the original device is measured using the original device with reference to the Z reference mirror 112, which is the reference surface, and information on the partition wall 118a is acquired based on the measurement result. Here, the information regarding the partition wall 118a includes an error caused by the shape of the partition wall 118a and the refractive index distribution. Steps S301 to S303 are defined as a partition wall information acquisition step. Hereinafter, each step will be described in detail.

まずステップS301では、被計測ワーク120の代わりに原器を用いて、原器の表面形状(原器面)を計測する。このとき、チャンバ118を用いることなく、すなわちプローブと原器との間にチャンバ118の隔壁118aを配置せずに、原器の表面形状を計測する。このようにして得られた計測結果を行列Aとする。行列Aは、X軸方向とY軸方向に等間隔のデータ配列であり、等間隔でない複数の計測データを内挿することで得られる。内挿は、多項式補間やキュービック補間など、種々の補間技術を用いて行われる。データ間隔は、必要とする計測データの空間周波数を考慮して決定されているため、必要な空間周波数帯域の情報の欠落はない。以下、本実施例における全ての行列に関し、データ配列はX軸方向とY軸方向に等間隔であり、必要な空間周波数帯域の情報を満足しているものとする。また、全ての行列には表面形状を反映する有意なデータ点と、表面形状を反映しない有意でないデータ点(Not a Number)が混在する。   First, in step S301, the surface shape (original surface) of the original device is measured using the original device instead of the workpiece 120 to be measured. At this time, the surface shape of the master is measured without using the chamber 118, that is, without arranging the partition wall 118a of the chamber 118 between the probe and the master. The measurement result obtained in this way is defined as a matrix A. The matrix A is a data array that is equally spaced in the X-axis direction and the Y-axis direction, and is obtained by interpolating a plurality of measurement data that are not equally spaced. Interpolation is performed using various interpolation techniques such as polynomial interpolation and cubic interpolation. Since the data interval is determined in consideration of the required spatial frequency of the measurement data, there is no lack of necessary spatial frequency band information. Hereinafter, with respect to all the matrices in the present embodiment, it is assumed that the data arrays are equally spaced in the X-axis direction and the Y-axis direction and satisfy the necessary spatial frequency band information. In addition, all matrixes include a significant data point that reflects the surface shape and a non-significant data point (Not a Number) that does not reflect the surface shape.

本実施例において、原器面は平面である。この原器面は、例えば干渉計を用いた3枚合わせ法やシア法などにより予め絶対校正されており、これを行列Cと定義する。また、原器面の計測結果である行列Aから原器面の校正情報である行列Cを差し引いた行列を、行列A’と定義する。すなわち、行例A’は以下の式(1)のように表される。   In this embodiment, the original surface is a flat surface. The original surface has been absolute calibrated in advance by, for example, a three-sheet alignment method using an interferometer or a shear method, and this is defined as a matrix C. Further, a matrix obtained by subtracting the matrix C that is calibration information of the original surface from the matrix A that is the measurement result of the original surface is defined as a matrix A ′. That is, the row example A ′ is expressed as the following formula (1).

A’=A−C … (1)
行列A’は、主にZ基準ミラー112の面形状誤差情報を含んでいる。それに加えて、偏光ビームスプリッタ104、λ/4板106、および、コーナーキューブ108による誤差情報も含まれている。
A ′ = A−C (1)
The matrix A ′ mainly includes surface shape error information of the Z reference mirror 112. In addition, error information by the polarization beam splitter 104, the λ / 4 plate 106, and the corner cube 108 is also included.

プローブステージ103の位置と傾きの誤差から生じる行列Aの誤差は、プローブがZ基準ミラー112を基準とした原器の面形状を計測しているため、無視できる程度に小さい。または、プローブステージ103の位置と傾きの誤差から生じる行列Aの誤差を補正してもよい。以下、本実施例の全ての計測結果において、プローブステージ103の位置と傾きの誤差は無視できる程度に小さいか、または適切に補正されているものとする。   The error of the matrix A resulting from the position and tilt errors of the probe stage 103 is so small that it can be ignored because the probe measures the surface shape of the original device with the Z reference mirror 112 as a reference. Alternatively, the error of the matrix A resulting from the position and tilt errors of the probe stage 103 may be corrected. Hereinafter, in all the measurement results of the present embodiment, it is assumed that errors in the position and tilt of the probe stage 103 are small enough to be ignored or appropriately corrected.

次にステップS302では、チャンバ118を用いて、すなわちプローブと原器との間にチャンバ118の隔壁118aを配置した状態で、ステップS301と同様に原器の面形状(原器面)を計測する。このようにして得られた計測結果を行列Bとする。ステップS301と同様に、原器面の計測結果である行列Bから原器面の構成情報である行列Cを差し引いた行列を、行列B’と定義する。すなわち、行列B’は以下の式(2)のように表される。   Next, in step S302, the surface shape (original surface) of the original device is measured using the chamber 118, that is, with the partition wall 118a of the chamber 118 disposed between the probe and the original device, as in step S301. . The measurement result obtained in this way is defined as a matrix B. As in step S301, a matrix obtained by subtracting the matrix C, which is the configuration information of the original surface, from the matrix B, which is the measurement result of the original surface, is defined as a matrix B '. That is, the matrix B ′ is expressed as the following formula (2).

B’=B−C … (2)
行列B’は、主に、Z基準ミラー112の面形状誤差情報、隔壁118aの形状および屈折率分布により生じる誤差(隔壁に関する情報)を含んでいる。ステップS302で用いる原器の表面(原器面)は、ステップS301と同様に平面である。
B ′ = B−C (2)
The matrix B ′ mainly includes the surface shape error information of the Z reference mirror 112, the shape of the partition wall 118a, and an error (information about the partition wall) caused by the refractive index distribution. The surface of the original device (original device surface) used in step S302 is a flat surface as in step S301.

図4は、原器403の計測時における計測装置1の要部拡大図であり、隔壁118aの近傍の光路を示している。前述のように、隔壁118aは自身の自重のためにたわんでおり、この場合にはXZ平面内で傾いている。また、原器403自身は、自身の自重が原器面402に影響しないように、3点以上の多点保持されており、かつ原器403の厚さは十分厚い。ビーム401の光路は、隔壁118aの形状および屈折率分布により生じる誤差により曲がり、光路長が変化した状態で原器面402で反射し、入射と同様の光路でプローブへ戻る。後に、原器403に代えて被計測ワーク120を計測する場合も、隔壁118aは同様の環境下で同様に保持される。   FIG. 4 is an enlarged view of a main part of the measuring apparatus 1 at the time of measurement by the master 403, and shows an optical path in the vicinity of the partition wall 118a. As described above, the partition wall 118a is bent due to its own weight, and in this case, the partition wall 118a is inclined in the XZ plane. Further, the master 403 itself is held at three or more points so that its own weight does not affect the master surface 402, and the thickness of the master 403 is sufficiently thick. The optical path of the beam 401 is bent by an error caused by the shape of the partition wall 118a and the refractive index distribution, is reflected by the original surface 402 in a state where the optical path length is changed, and returns to the probe through the same optical path as that of the incident. When the workpiece 120 is measured instead of the original device 403 later, the partition wall 118a is similarly held in the same environment.

図4において、原器403は、原器面402(被計測面)を傾けるチルトステージ404の上に搭載されている。チルトステージ404を用いて、原器面402をX軸方向およびY軸方向に複数回傾けて、その都度、原器面402の面形状データを取得する。すなわち、原器403の表面形状(原器面402)を複数の異なる角度で計測する。これらの計測結果は、実際の被計測面121を計測する際に、被計測面121のローカルな角度に応じた隔壁118aの補正情報として用いることができる。式(2)中の行列Bは、4次元配列としてB(θ,θ)と表すことができるため、式(2)は以下の式(3)のように表される。 In FIG. 4, the original device 403 is mounted on a tilt stage 404 that inclines the original device surface 402 (surface to be measured). Using the tilt stage 404, the master surface 402 is tilted a plurality of times in the X-axis direction and the Y-axis direction, and the surface shape data of the master surface 402 is acquired each time. That is, the surface shape (original surface 402) of the original device 403 is measured at a plurality of different angles. These measurement results can be used as correction information for the partition wall 118 a according to the local angle of the measurement target surface 121 when measuring the actual measurement target surface 121. Since the matrix B in the equation (2) can be represented as B (θ x , θ y ) as a four-dimensional array, the equation (2) is represented as the following equation (3).

B’(θ,θ)=B(θ,θ)−C … (3)
原器面402が球面の場合、原器面402の曲率半径が被計測面121の近似曲率半径に近い曲率半径である原器を用いることが好ましい。原器面402として球面を用いた場合、行列B’は2次元行列となり、原器面402が平面の場合と同様に、実際の被計測面121を計測する際の被計測面121のローカルな角度に応じた隔壁118aの補正情報として用いることができる。また、平面の原器を用いる場合と比較して、原器面の面形状計測データ数を低減することができる。ただし、球面の原器を用いると、所定環境(例えば2℃近辺の温度環境)に対する曲率半径の保証が困難であり、2℃近辺で曲率半径の絶対値を保証する構成が必要となる場合がある。
B ′ (θ x , θ y ) = B (θ x , θ y ) −C (3)
When the original surface 402 is a spherical surface, it is preferable to use an original device in which the curvature radius of the original surface 402 is a curvature radius close to the approximate curvature radius of the surface 121 to be measured. When a spherical surface is used as the original surface 402, the matrix B ′ is a two-dimensional matrix, and the local surface of the measured surface 121 when measuring the actual measured surface 121 is the same as when the original surface 402 is a plane. It can be used as correction information for the partition wall 118a according to the angle. In addition, the number of surface shape measurement data on the original surface can be reduced as compared with the case where a flat original device is used. However, if a spherical original device is used, it is difficult to guarantee the radius of curvature for a predetermined environment (for example, a temperature environment around 2 ° C.), and a configuration that guarantees the absolute value of the radius of curvature around 2 ° C. may be required. is there.

続いてステップS303において、隔壁情報行列D(θ,θ)を求める。隔壁情報行列D(θ,θ)は、以下の式(4)のように表される。 Subsequently, in step S303, a partition wall information matrix D (θ x , θ y ) is obtained. The partition wall information matrix D (θ x , θ y ) is expressed as the following equation (4).

D(θ,θ)=B’(θ,θ)−A’ … (4)
隔壁情報行列D(θ,θ)は、各ピクセルにおいて、隔壁118aの局所的な形状誤差と局所的な屈折率分布によるビームの光路長がどれだけ変化するか、という情報を含んでいる。隔壁118aの形状誤差とは、隔壁118aの自重によるたわみも含む。隔壁情報行列D(θ,θ)は、4次元配列である。各データ点の間は、多項式補間やキュービック補間などの種々の補間技術を用いて内挿することが可能である。その結果、実際の被計測面121のローカルな角度に応じた隔壁情報を、4次元配列である隔壁情報行列D(θ,θ)の内挿からピックアップすることができ、被計測面121のローカルな角度に応じた隔壁情報行列をD’と定義する。
D (θ x , θ y ) = B ′ (θ x , θ y ) −A ′ (4)
The partition wall information matrix D (θ x , θ y ) includes information on how much the optical path length of the beam changes due to the local shape error of the partition wall 118a and the local refractive index distribution in each pixel. . The shape error of the partition wall 118a includes a deflection due to the weight of the partition wall 118a. The partition wall information matrix D (θ x , θ y ) is a four-dimensional array. Each data point can be interpolated using various interpolation techniques such as polynomial interpolation and cubic interpolation. As a result, the partition information corresponding to the local angle of the actual measured surface 121 can be picked up from the interpolation of the partition information matrix D (θ x , θ y ) that is a four-dimensional array. A partition information matrix corresponding to the local angle is defined as D ′.

原器面が球面の場合、原器面の曲率半径が被計測面121の近似曲率半径に近い曲率半径となるような原器を用いるため、4次元配列を用いずに直接隔壁情報行列D’を定義することができる。ただし、前述のように、原器面として球面を用いる場合には所定環境(例えば2℃近辺の温度環境)に対する曲率半径の保証が困難である。   When the original surface is a spherical surface, a bulkhead information matrix D ′ is used directly without using a four-dimensional array because the original surface has a radius of curvature close to the approximate radius of curvature of the surface 121 to be measured. Can be defined. However, as described above, when a spherical surface is used as the original surface, it is difficult to guarantee the radius of curvature for a predetermined environment (for example, a temperature environment around 2 ° C.).

このように、隔壁情報取得工程では、原器403をチャンバ118に収容した状態および原器403をチャンバ118から取り出した状態の両方で原器403の表面形状を計測する。そして、原器403の表面形状の計測結果に基づいてプローブと被計測ワーク120との間に配置されたチャンバ118の隔壁118aにより生じる誤差を算出する。   As described above, in the partition wall information acquisition step, the surface shape of the master 403 is measured both in the state where the master 403 is accommodated in the chamber 118 and in the state where the master 403 is taken out from the chamber 118. Based on the measurement result of the surface shape of the prototype 403, an error caused by the partition wall 118a of the chamber 118 arranged between the probe and the workpiece 120 to be measured is calculated.

次に、ステップS304、S305において、被計測ワーク120をチャンバ118に収容した状態で、被計測ワーク120の表面形状を計測する。そして、被計測ワーク120の表面形状の計測結果に基づいて被計測ワーク120の傾きにより生じる誤差(被計測物に関する情報)を求める。すなわち、原器403に代えて被計測ワーク120を用いて、基準面であるZ基準ミラー112を基準とした被計測面121の面形状を計測し、被計測面121の傾きにより生じる誤差を算出する。ステップS304、305を被計測面情報取得工程と定義する。以下、各ステップについて詳述する。   Next, in steps S <b> 304 and S <b> 305, the surface shape of the workpiece 120 to be measured is measured with the workpiece 120 to be stored in the chamber 118. Then, based on the measurement result of the surface shape of the workpiece 120 to be measured, an error (information on the workpiece) caused by the inclination of the workpiece 120 is obtained. That is, using the workpiece 120 to be measured instead of the master 403, the surface shape of the measurement surface 121 is measured with the Z reference mirror 112 as a reference surface as a reference, and an error caused by the inclination of the measurement surface 121 is calculated. To do. Steps S304 and S305 are defined as a measurement surface information acquisition process. Hereinafter, each step will be described in detail.

ステップS304では、被計測ワーク120をチャンバ118に収容した状態で、被計測面121の面形状を計測する。被計測ワーク120の表面に光を照射し、プローブステージ103を介して被計測ワークの表面からの光をビーム受光部110で検出する。このビーム受光部の検出結果から得られる被計測ワーク120の表面形状には隔壁による誤差が含まれている。このとき得られた計測結果を行列Eと定義する。また、行列Eから原器面402の校正情報である行列Cを差し引いた行列をE’と定義する。行列E’は以下の式(5)のように表される。   In step S <b> 304, the surface shape of the measurement target surface 121 is measured in a state where the measurement target workpiece 120 is accommodated in the chamber 118. Light is irradiated on the surface of the workpiece 120 to be measured, and the light from the surface of the workpiece to be measured is detected by the beam receiving unit 110 via the probe stage 103. An error due to the partition wall is included in the surface shape of the workpiece 120 to be measured obtained from the detection result of the beam receiving unit. The measurement result obtained at this time is defined as a matrix E. Further, a matrix obtained by subtracting the matrix C, which is calibration information of the original surface 402, from the matrix E is defined as E '. The matrix E ′ is expressed as the following Expression (5).

E’=E−C … (5)
行列E’は、主に、隔壁118aの形状および屈折率分布により生じる誤差と、被計測面121の傾きにより生じる誤差を含んでいる。式(5)で表される行列E’から行列D’を差し引くことで、被計測面121の傾きにより生じる誤差のみを含む行列Fを得ることができる。行列Fは以下の式(6)のように表される。
E ′ = E−C (5)
The matrix E ′ mainly includes an error caused by the shape and refractive index distribution of the partition wall 118 a and an error caused by the inclination of the measurement target surface 121. By subtracting the matrix D ′ from the matrix E ′ represented by Expression (5), a matrix F including only an error caused by the inclination of the measurement target surface 121 can be obtained. The matrix F is expressed as the following equation (6).

F=E’−D’ … (6)
続いてステップS305において、被計測面121に関する被計測面情報行列(θ,θ)を求める。これらは行列Fの偏微分により求められ、以下の式(7)のように表される。
F = E′−D ′ (6)
Subsequently, in step S305, a measured surface information matrix (θ x , θ y ) regarding the measured surface 121 is obtained. These are obtained by partial differentiation of the matrix F and are expressed as the following Expression (7).

被計測面情報行列(θ,θ)は、被計測面121の各ピクセルにおける局所的な傾きである。ただし、被計測面121の各ピクセルにおいては、離れた2つのビームを用いて計測を行うため、2つのビーム間隔以下の空間周波数を計測することは、構成上困難となる。例えば、図1に示される構成の場合、ビーム119とビーム129は、X軸方向に所定の間隔だけ離れている。このため、この間隔を所望の空間周波数仕様を満足するように設定する必要がある。本実施例において、被計測面情報行列(θ,θ)は、行列Fの偏微分により算出されるが、予めメモリに保存された被計測面121の設計値情報を用いて算出してもよい。 The measured surface information matrix (θ x , θ y ) is a local inclination at each pixel of the measured surface 121. However, since each pixel on the measurement target surface 121 performs measurement using two separate beams, it is difficult in terms of configuration to measure a spatial frequency equal to or less than the interval between the two beams. For example, in the configuration shown in FIG. 1, the beam 119 and the beam 129 are separated from each other by a predetermined interval in the X-axis direction. For this reason, it is necessary to set this interval so as to satisfy a desired spatial frequency specification. In the present embodiment, the measured surface information matrix (θ x , θ y ) is calculated by partial differentiation of the matrix F, but is calculated using design value information of the measured surface 121 stored in advance in the memory. Also good.

次にステップ306において、隔壁情報取得工程(ステップS301〜S303)および被計測面情報取得工程(ステップS304、S305)で得られた結果に基づいて、被計測ワーク120の表面形状を算出する。ステップS306を面形状算出工程と定義する。   Next, in step 306, the surface shape of the workpiece 120 to be measured is calculated based on the results obtained in the partition wall information acquisition step (steps S301 to S303) and the measurement surface information acquisition step (steps S304 and S305). Step S306 is defined as a surface shape calculation step.

ここで図5を参照して、被計測面情報行列(θ,θ)を用いてプローブと被計測面121との間の距離(Z軸方向の距離)を求める方法について説明する。図5は、被計測面情報行列(θ,θ)と、プローブと被計測面との距離の関係を示す図である。図5において、Lは、プローブの下面であるλ/4板116と被計測面121との距離行列を示す。Lは、被計測面121で反射したビームを表し、傾いた状態でのλ/4板116と被計測面121との距離行列を示す。Xは距離行列LのX成分の距離行列、Yは距離行列LのY成分の距離行列をそれぞれ示す。θは距離行列LのYZ平面における角度行列、θは距離行列LのYZ平面における角度行列をそれぞれ示す。図5では、被計測面121の一部のみを示している。距離行列L、L、X、Yを用いて、以下の式(8)が成立する。 Here, with reference to FIG. 5, a method for obtaining the distance (distance in the Z-axis direction) between the probe and the measured surface 121 using the measured surface information matrix (θ x , θ y ) will be described. FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the measured surface information matrix (θ x , θ y ) and the distance between the probe and the measured surface. In FIG. 5, L 1 indicates a distance matrix between the λ / 4 plate 116 that is the lower surface of the probe and the measurement target surface 121. L 2 represents a beam reflected by the measurement target surface 121 and indicates a distance matrix between the λ / 4 plate 116 and the measurement target surface 121 in an inclined state. X is the distance matrix of the X component of the distance matrix L 2, Y denotes a distance matrix of the Y component of the distance matrix L 2. θ x represents an angle matrix in the YZ plane of the distance matrix L 2 , and θ y represents an angle matrix in the YZ plane of the distance matrix L 2 . FIG. 5 shows only a part of the measurement target surface 121. Using the distance matrices L 1 , L 2 , X, and Y, the following equation (8) is established.

+X+Y=L … (8)
ここで、行列Fを以下の式(9)のように定義する。
L 1 2 + X 2 + Y 2 = L 2 2 (8)
Here, the matrix F is defined as the following formula (9).

F=L+L … (9)
このとき、式(8)は以下の式(10)のように表される。
F = L 1 + L 2 (9)
At this time, the equation (8) is expressed as the following equation (10).

+X+Y=(F−L … (10)
ここで、距離行列X、Yはそれぞれ以下の式(11)で与えられる。
L 1 2 + X 2 + Y 2 = (F−L 1 ) 2 (10)
Here, the distance matrices X and Y are given by the following formula (11), respectively.

X=Ltanθ
Y=Ltanθ … (11)
このため、式(11)を式(10)に適用して式(10)を展開すると、以下の式(12)が成立する。
X = L 1 tan θ y
Y = L 1 tan θ x (11)
Therefore, when Expression (11) is applied to Expression (10) and Expression (10) is expanded, the following Expression (12) is established.

(tanθ+tanθ)+2FL−F=0 … (12)
式(12)で表される距離行列Lに関する2次方程式を解くと、距離行列Lは以下の式(13)のように表される。
L 1 2 (tan 2 θ y + tan 2 θ x ) + 2FL 1 −F 2 = 0 (12)
When the quadratic equation related to the distance matrix L 1 represented by the equation (12) is solved, the distance matrix L 1 is represented as the following equation (13).

ここで、被計測面情報行列(θ,θ)はゼロではないものとする。被計測面情報行列(θ,θ)がゼロの場合については、後述する。 Here, it is assumed that the measured surface information matrix (θ x , θ y ) is not zero. The case where the measured surface information matrix (θ x , θ y ) is zero will be described later.

このように、被計測面121の傾きにより生じる誤差のみを含む行列Fと、被計測面情報行列(θ,θ)を用いることで、プローブの下面であるλ/4板116と被計測面121との距離行列Lを求めることができる。距離行列Lのピストン項を除くことで、最終的に求めるべき被計測面121の面形状を算出すること可能である。 As described above, by using the matrix F including only errors caused by the inclination of the measurement target surface 121 and the measurement target surface information matrix (θ x , θ y ), the λ / 4 plate 116 which is the lower surface of the probe and the measurement target. You can determine the distance matrix L 1 between the surface 121. Distance matrix by excluding L 1 of the piston section, it is possible to calculate the final surface shape of the measurement surface 121 to be obtained.

次に、図6および図7を参照して、本発明の実施例2における計測装置について説明する。図6は、本実施例における計測装置2(非接触式3次元計測装置)の構成図であり、コーナーキューブを用いたダブルパスヘテロダイン干渉方式における平面計測の様子を示している。ここで、被計測面である平面のサグ量は、例えば絶対値で10nmから100nmオーダーである。   Next, with reference to FIG. 6 and FIG. 7, the measuring apparatus in Example 2 of this invention is demonstrated. FIG. 6 is a configuration diagram of the measurement apparatus 2 (non-contact type three-dimensional measurement apparatus) in the present embodiment, and shows a state of planar measurement in the double-pass heterodyne interference method using a corner cube. Here, the sag amount of the plane that is the surface to be measured is, for example, in the order of 10 nm to 100 nm in absolute value.

本実施例の計測装置2は、非球面の被計測面121を有する被計測ワーク120に代えて、平面の被計測面802を有する被計測ワーク801を計測する点で実施例1の計測装置1と異なるが、計測装置2のそれ以外の基本的構成は計測装置1と同様である。本実施例において、被計測面802で反射される反射ビームは、隔壁118aの近傍において、入射ビームと略同一の光路をたどる。例えば、ビーム119とビーム122、ビーム129とビーム130、ビーム109とビーム137などは、互いに略同一の光路となる。   The measuring apparatus 2 of the present embodiment is different from the measured work 120 having the aspheric measured surface 121 in that the measuring apparatus 801 having the flat measured surface 802 is measured. However, the other basic configuration of the measuring device 2 is the same as that of the measuring device 1. In this embodiment, the reflected beam reflected by the measurement surface 802 follows the optical path substantially the same as the incident beam in the vicinity of the partition wall 118a. For example, the beam 119 and the beam 122, the beam 129 and the beam 130, the beam 109 and the beam 137 have substantially the same optical path.

次に、図7を参照して、本実施例における計測方法について説明する。図7は、計測方法を示すフローチャートである。図7に示される計測方法は、複数の角度からの原器面402の計測が必要ない点、および、被計測面情報行列(θ,θ)の計算が必要ない点で、図3の計測方法(実施例1)と異なる。 Next, with reference to FIG. 7, the measurement method in a present Example is demonstrated. FIG. 7 is a flowchart showing the measurement method. The measurement method shown in FIG. 7 does not require measurement of the original surface 402 from a plurality of angles, and does not require calculation of the measured surface information matrix (θ x , θ y ). Different from the measurement method (Example 1).

ステップS301にて行列A’を算出した後、ステップS702に進む。平面原器503を用いた場合と被計測ワーク801を用いた場合、隔壁118aにおける光路は互いに略同一となる。このため、チルトステージ404を用いた複数の角度に応じた隔壁118aの補正情報を取得する必要はない。上記の式(2)で表される行列B’を、本実施例ではB’と表すと、以下の式(14)で表される2次元行列が得られる。 After calculating the matrix A ′ in step S301, the process proceeds to step S702. When using the planar master 503 and using the workpiece 801 to be measured, the optical paths in the partition wall 118a are substantially the same. For this reason, it is not necessary to acquire correction information of the partition wall 118a according to a plurality of angles using the tilt stage 404. When the matrix B ′ represented by the above equation (2) is represented as B f ′ in this embodiment, a two-dimensional matrix represented by the following equation (14) is obtained.

’=B−C … (14)
続いてステップS703において、被計測面802の角度(ローカルな角度)に応じた隔壁情報行列D’は必要なく、以下の式(15)で表される隔壁情報行列Dのみが次のステップS704で必要となる。
B f ′ = B−C (14)
Subsequently, in step S703, the partition wall information matrix D ′ corresponding to the angle (local angle) of the measurement target surface 802 is not necessary, and only the partition wall information matrix D f expressed by the following equation (15) is the next step S704. Is required.

=B’−A’ … (15)
式(15)を用いて、上記の式(6)は、以下の式(16)のように変更される。
D f = B f '-A' (15)
Using the equation (15), the above equation (6) is changed to the following equation (16).

F=E’−D’ … (16)
続いてステップS705において、被計測面情報取得工程における被計測面情報行列(θ,θ)はゼロと近似できる。このため、上記の式(12)は以下の式(17)のように表され、距離行列Lを求めることができる。
F = E′−D f ′ (16)
Subsequently, in step S705, the measured surface information matrix (θ x , θ y ) in the measured surface information acquisition step can be approximated to zero. Therefore, the above equation (12) is expressed as the following equation (17), can be obtained distance matrix L 1.

F=2L … (17)
距離行列Lのピストン項を除くことで、最終的に求めるべき被計測面802の面形状を算出することができる。
F = 2L 1 (17)
By excluding the piston section of the distance matrices L 1, it is possible to calculate the final surface shape of the measurement surface 802 to be obtained.

本実施例の計測装置2では、プローブとしてコーナーキューブを用いたダブルパスヘテロダイン干渉計プローブを用いているが、被計測面が略平面である場合には、コーナーキューブの代わりに参照平面を用いてもよい。このような構成では、ビーム119とビーム130、およびビーム122とビーム129は略一致し、ビーム102とビーム109およびビーム137は分離される。また実施例1と同様に、プローブはホモダイン干渉を用いたホモダイン干渉計プローブであってもよい。このような構成では、Z基準ミラー112を参照面とするトワイマングリーンタイプのプローブや、透過型の参照面を用いるフィゾータイプのプローブが用いられる。また本実施例の計測装置2では、プローブとしてシングルパスヘテロダイン干渉計プローブを用いてもよい。この場合、被計測面802では1回のみ反射するため、被計測面802の反射率が小さい場合に効果的である。   In the measurement apparatus 2 of the present embodiment, a double-pass heterodyne interferometer probe using a corner cube is used as a probe. However, when the measurement surface is a substantially flat surface, a reference plane may be used instead of the corner cube. Good. In such a configuration, the beam 119 and the beam 130, and the beam 122 and the beam 129 substantially coincide with each other, and the beam 102, the beam 109, and the beam 137 are separated. Similarly to the first embodiment, the probe may be a homodyne interferometer probe using homodyne interference. In such a configuration, a Twiman Green type probe using the Z reference mirror 112 as a reference surface or a Fizeau type probe using a transmission type reference surface is used. In the measurement apparatus 2 of the present embodiment, a single path heterodyne interferometer probe may be used as the probe. In this case, since the surface to be measured 802 reflects only once, it is effective when the reflectance of the surface to be measured 802 is small.

上記各実施例によれば、実際の使用環境下での被計測物の表面形状を高精度かつ低コストで計測可能な計測装置および計測方法を提供することができる。また、このような計測装置を用いて計測した被計測物の表面形状の計測結果に基づいて、被計測物を加工する被計測物の製造方法を提供することができる。   According to each of the above embodiments, it is possible to provide a measuring apparatus and a measuring method capable of measuring the surface shape of the measurement object in an actual use environment with high accuracy and low cost. Moreover, the manufacturing method of the to-be-measured object which processes a to-be-measured object can be provided based on the measurement result of the surface shape of the to-be-measured object measured using such a measuring device.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。   As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

1、2 計測装置
103 プローブステージ
118 チャンバ
120 被計測ワーク
140 誤差補正部
150 環境制御部
1, 2 Measuring device 103 Probe stage 118 Chamber 120 Work piece 140 Error correction unit 150 Environmental control unit

Claims (12)

光の干渉を用いて被計測物の表面形状を計測する計測装置であって、
前記被計測物の表面に光を照射し、前記被計測物の表面を非接触で走査するプローブと、
前記プローブを介して前記被計測物の表面からの光を検出する検出部と、
前記被計測物と前記プローブとを隔てる隔壁を有し、前記被計測物を収容する収容部と、
前記収容部の内部の環境を制御する環境制御部と、
前記検出部の検出結果と、前記隔壁に関する情報とを用いて、前記被計測物の表面形状を求める演算部と、を有することを特徴とする計測装置。
A measuring device that measures the surface shape of an object to be measured using light interference,
A probe that irradiates the surface of the object to be measured with light and scans the surface of the object to be measured in a non-contact manner;
A detector that detects light from the surface of the object to be measured via the probe;
A partition that separates the object to be measured and the probe, and an accommodating portion for accommodating the object to be measured;
An environment control unit for controlling the internal environment of the housing unit;
A measurement apparatus comprising: a calculation unit that obtains a surface shape of the object to be measured using a detection result of the detection unit and information on the partition wall.
前記隔壁に関する情報は、前記被計測物と前記プローブとの間の前記隔壁に光が透過することにより生じる誤差であることを特徴とする請求項1に記載の計測装置。   The measuring apparatus according to claim 1, wherein the information related to the partition wall is an error generated when light passes through the partition wall between the object to be measured and the probe. 前記演算部は、前記隔壁の形状または屈折率分布により生じる誤差を補正することを特徴とする請求項1または2に記載の計測装置。   The measuring apparatus according to claim 1, wherein the calculation unit corrects an error caused by a shape of the partition wall or a refractive index distribution. 前記環境制御部は、前記収容部の内部の温度を制御する温度制御部であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の計測装置。   The measuring apparatus according to claim 1, wherein the environment control unit is a temperature control unit that controls a temperature inside the housing unit. 前記環境制御部は、前記収容部の内部の気圧を制御する気圧制御部であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の計測装置。   The measuring apparatus according to claim 1, wherein the environment control unit is a barometric pressure control unit that controls a barometric pressure inside the housing unit. 前記隔壁は、光を透過する部材からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の計測装置。   The measuring apparatus according to claim 1, wherein the partition wall is made of a member that transmits light. 前記プローブは、ヘテロダイン干渉を用いたヘテロダイン干渉計プローブであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の計測装置。   The measurement apparatus according to claim 1, wherein the probe is a heterodyne interferometer probe using heterodyne interference. 前記ヘテロダイン干渉計プローブは、コーナーキューブを用いたダブルパスヘテロダイン干渉計プローブであることを特徴とする請求項7に記載の計測装置。   The measurement apparatus according to claim 7, wherein the heterodyne interferometer probe is a double-pass heterodyne interferometer probe using a corner cube. 光の干渉を用いて被計測物の表面形状を計測する計測方法であって、
原器を収容部に収容した状態および該原器を該収容部から取り出した状態の両方で該原器の表面形状を計測し、該原器の表面形状の計測結果に基づいて、前記被計測物の表面を非接触で走査するプローブと前記被計測物との間に配置された該収容部の隔壁に関する情報を求める隔壁情報取得工程と、
前記被計測物を前記収容部に収容した状態で該被計測物の表面形状を計測し、該被計測物の表面形状の計測結果に基づいて該被計測物に関する情報を求める被計測面情報取得工程と、
前記隔壁情報取得工程および前記被計測面情報取得工程で得られた結果に基づいて、前記被計測物の表面形状を求める面形状算出工程と、を有することを特徴とする計測方法。
A measurement method for measuring the surface shape of an object to be measured using light interference,
The surface shape of the original device is measured both in a state where the original device is accommodated in the accommodating portion and in a state where the original device is taken out from the accommodating portion, and the measurement target is based on the measurement result of the surface shape of the original device. A partition information acquisition step for obtaining information on the partition of the storage unit disposed between the probe to scan the surface of the object in a non-contact manner and the object to be measured;
Measurement surface information acquisition for measuring the surface shape of the measurement object in a state where the measurement object is accommodated in the accommodating portion and obtaining information on the measurement object based on the measurement result of the surface shape of the measurement object Process,
A surface shape calculation step for obtaining a surface shape of the object to be measured based on results obtained in the partition wall information acquisition step and the measurement surface information acquisition step.
前記計測方法は、前記収容部の内部の温度または気圧が制御された状態で行われることを特徴とする請求項9に記載の計測方法。   The measurement method according to claim 9, wherein the measurement method is performed in a state in which a temperature or an atmospheric pressure inside the housing portion is controlled. 前記隔壁情報取得工程は、前記原器の表面形状を複数の異なる角度で計測した結果を用いることを特徴とする請求項9または10に記載の計測方法。   The measurement method according to claim 9 or 10, wherein the partition information acquisition step uses a result obtained by measuring the surface shape of the original device at a plurality of different angles. 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の計測装置を用いて計測した被計測物の表面形状の計測結果に基づいて、前記被計測物を加工する被計測物の製造方法。   A method for manufacturing an object to be measured, wherein the object to be measured is processed based on a measurement result of a surface shape of the object to be measured, which is measured using the measuring device according to any one of claims 1 to 8.
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