JP2013149861A

JP2013149861A - 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料

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Publication number: JP2013149861A
Application number: JP2012010393A
Authority: JP
Inventors: Akira Yahagi; 公矢作
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2012-01-20
Filing date: 2012-01-20
Publication date: 2013-08-01

Abstract

【課題】スパッタリング法に用いられる金属蒸気に対する耐性が高い有機薄膜トランジスタ絶縁層を形成することが可能となる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】環状エーテル構造を含有する繰り返し単位と、酸の作用によりフェノール性水酸基を生成する有機基を含有する繰り返し単位とを含む高分子化合物（Ａ）と、フェノール性水酸基及び環状エーテル基からなる群から選択される少なくとも１種の基を有するオルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）とを含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
【選択図】なし

Description

本発明は、有機薄膜トランジスタが有する絶縁層を形成するのに適した有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に関する。

有機薄膜トランジスタは、無機半導体より低温で製造できるため、その基板としてプラスチック基板やフィルムを用いることができ、このような基板を用いることによりフレキシブルであり、軽量で壊れにくい素子を得ることができる。また、有機材料を含む溶液の塗布や印刷法を用いた成膜により素子作製が可能な場合があり、大面積の基板に多数の素子を低コストで製造することが可能な場合がある。

さらに、有機薄膜トランジスタの検討に用いることができる材料の種類が豊富であるため、分子構造の異なる材料を検討に用いれば、幅広い範囲の特性のバリエーションを有する素子を製造することができる。

有機薄膜トランジスタの１種である電界効果型有機薄膜トランジスタでは、ゲート電極に印加される電圧がゲート絶縁層を介して有機半導体層に作用して、ドレイン電流の電流量を制御する。また、ゲート電極と有機半導体層の間に形成されたゲート絶縁層は、ドレイン電流がゲート電極に流れるのを防ぐ。

また、電界効果型有機薄膜トランジスタの有機半導体層に用いられる有機半導体化合物は、湿度、酸素等の環境の影響を受けやすく、トランジスタ特性が、湿度、酸素等に起因する経時劣化を起こしやすい。

そのため、有機半導体化合物が剥き出しになる電界効果型有機薄膜トランジスタの１種であるボトムゲート型有機薄膜トランジスタの素子構造では、素子全体を覆うオーバーコート絶縁層を形成して有機半導体化合物を外気との接触から保護することが必須となっている。一方、電界効果型有機薄膜トランジスタの１種であるトップゲート型有機電界効果トランジスタの素子構造では、有機半導体化合物はゲート絶縁層によりコートされて保護されている。

このように、有機薄膜トランジスタでは、有機半導体層を覆うオーバーコート絶縁層及びゲート絶縁層等を形成するために、絶縁層材料が用いられる。本願明細書では、上記オーバーコート絶縁層及びゲート絶縁層のような有機薄膜トランジスタの絶縁層又は絶縁膜を有機薄膜トランジスタ絶縁層という。また、有機薄膜トランジスタ絶縁層を形成するのに用いる材料を有機薄膜トランジスタ絶縁層材料という。

有機薄膜トランジスタの電極には、通常、金属が用いられており、有機層の上方に金属の電極が形成される。金属の電極は、通常、有機層の表面全体の上にスパッタリング法を用いて金属層を形成し、その後、パターニングを行い形成される。かかる工程を経ることにより、大面積の基板に多数の素子を有する部材を簡便に製造することができる。

しかしながら、スパッタリング法に用いられる金属蒸気は高エネルギーを有するため、接触した有機層中の有機化合物を変質させることがある。

また、金属層をパターニングする際のエッチング工程及びリフトオフ工程において、比較的強いアルカリ又は酸を含むエッチング液が使用される。エッチング液に含まれる比較的強アルカリ又は強酸は下地の有機層中の有機化合物を変質させることがある。

金属蒸気、強酸又は強アルカリにより有機層中の有機化合物が変質すると、電極形成時のパターニングによって露出した有機層の表面は、電極形成前の状態と比較して特性が変化し、有機薄膜トランジスタの性能に悪影響を与える。例えば、有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層として有機絶縁材料を用いた場合に、該絶縁層上に直接金属をスパッタリング法で蒸着させて金属層を形成し、該金属層をパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成すると、ゲート絶縁層の親水化された表面が露出し、トランジスタ特性が低下してしまう。

特許文献１には、有機化合物からなるゲート絶縁層の表面全体に、ポリチタノメタロキサンと１−ブタノールを含む溶液を塗布し、耐溶剤性が高いバリア層を形成した有機薄膜トランジスタが記載されている。該ゲート絶縁層は、該バリア層により、金属層を形成する際に使用される金属蒸気、金属層をパターニングする際に使用されるエッチング液、有機半導体層を形成する際に使用される有機溶媒などから保護されている。

国際公開第２００７／９９６８９号

しかしながら、ポリチタノメタロキサンは化学的に安定性が高く、ポリチタノメタロキサン層をエッチングするためには、非常に強いアルカリ液を用いる必要があり、アルカリ液が下地の有機層に接触すると、有機層の表面が損傷する。そのため、絶縁層上にバリア層を形成することを要しない、スパッタリング法に用いられる金属蒸気に対する耐性が高い絶縁膜を形成しうる材料が求められていた。

本発明の目的は、スパッタリング法に用いられる金属蒸気に対する耐性が高い有機薄膜トランジスタ絶縁層を形成することが可能となる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供することにある。

即ち、本発明は、環状エーテル構造を含有する繰り返し単位と、式

（１）
［式中、Ｒ_５は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ_ｂｂは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｒは、酸により脱離しうる有機基を表す。Ｒ’は、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。該炭素数１〜２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｂは、０又は１の整数を表し、ｎは、１〜５の整数を表す。Ｒが複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。Ｒ’が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。］
で表される繰り返し単位とを含有する高分子化合物（Ａ）と、
式

（７）
［式中、Ｒ’’’は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基を表す。該炭素数１〜２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｑは１〜５の整数を表す。Ｒ’’’が複数ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。］
で表される基、式

（８）

［式中、Ｒ_１９、Ｒ_２０、Ｒ_２１、Ｒ_２２及びＲ_２３は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。］
で表される基、及び、式

（９）

［式中、Ｒ_２４、Ｒ_２５及びＲ_２６は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。］
で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を有するオルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）とを含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供する。

ある一形態においては、前記環状エーテル構造を含有する繰り返し単位が、式

（２）

［式中、Ｒ_１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。Ｒ_ａａは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ａは、０又は１の整数を表す。］
で表される繰り返し単位、及び、式

（３）

［式中、Ｒ_１２は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ_１３、Ｒ_１４、Ｒ_１５、Ｒ_１６、及びＲ_１７は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。Ｒ_ｄｄは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｄは、０又は１の整数を表す。］
で表される繰り返し単位とからなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位である。

ある一形態においては、前記高分子化合物（Ａ）が、更に、以下の第１の官能基を含有する繰り返し単位を含む高分子化合物である。
第１の官能基：活性水素と反応しうる第２の官能基を、電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基

ある一形態においては、前記第１の官能基が、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基である。

ある一形態においては、前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式

（５）

［式中、Ｘａは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ_７及びＲ_８は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。］
で表される基である。

（６）

［式中、Ｘｂは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ_９、Ｒ_１０及びＲ_１１は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。］
で表される基である。

ある一形態においては、前記高分子化合物（Ａ）が、更に、式

（４）

［式中、Ｒ_６は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有していてもよい炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。Ｒ_ｃｃは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｃは、０又は１の整数を表し、ｍは、１〜５の整数を表す。Ｒｆが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ただし、少なくとも１個のＲｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１〜２０の一価の有機基である。］
で表される繰り返し単位を含有する。

また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；及び
該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程；
を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法を提供する。

また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；
該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程；及び
該塗布層に熱を印加する工程；
を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法を提供する。

ある一形態においては、前記電磁波が紫外線である。

また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ絶縁層を有する有機薄膜トランジスタを提供する。

ある一形態においては、前記有機薄膜トランジスタ絶縁層がゲート絶縁層である。

また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材を提供する。

また、本発明は、上記ディスプレイ用部材を含むディスプレイを提供する。

本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した絶縁層を有する有機薄膜トランジスタは、スパッタリング法に用いられる金属蒸気に対する耐性が高く、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ絶縁層を有する有機薄膜トランジスタは、スパッタリング法で電極を形成する際の閾値電圧の絶対値及びヒステリシスの上昇が抑制される。

本発明の一実施形態であるボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。本発明の他の実施形態であるボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。

本明細書において、「高分子化合物」とは、分子中に同じ構造単位が複数繰り返された構造を含む化合物をいい、いわゆる２量体もこれに含まれる。一方、「低分子化合物」とは、分子中に同じ構造単位を繰り返し有していない化合物を意味する。

＜高分子化合物（Ａ）＞
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、高分子化合物（Ａ）を含む。高分子化合物（Ａ）は、分子内に、環状エーテル構造を含有する繰り返し単位と、酸の作用によりフェノール性水酸基を生成する有機基を含有する繰り返し単位とを含む。高分子化合物（Ａ）は、分子内に、フッ素原子を含有する繰り返し単位、及び／又は上記第１の官能基を含有する繰り返し単位を含むことが好ましい。

環状エーテル構造を含む化合物は、酸の存在下、カチオン重合する。そのため、高分子化合物（Ａ）は架橋構造を形成することができる。光又は熱の作用により酸を発生させる酸発生剤、及び光又は熱の作用によりカチオン種を発生させるカチオン重合開始剤を用いて高分子化合物（Ａ）のカチオン重合を行えば、光及び熱等のエネルギーにより重合が促進され、高分子化合物（Ａ）を用いて形成した有機薄膜トランジスタ絶縁層の架橋密度が特に高くなる。

有機薄膜トランジスタ絶縁層の内部に架橋構造が形成されると、分子の移動が抑制され、絶縁層の分極が抑制される。絶縁層の分極が抑制されると、有機薄膜トランジスタ絶縁層がゲート絶縁層である場合、有機薄膜トランジスタのヒステリシスが低下して、動作精度が向上する。

高分子化合物（Ａ）は、酸の作用によりフェノール性水酸基を生成する有機基を含有する繰り返し単位を含む。該酸の作用によりフェノール性水酸基を生成する有機基を含有する繰り返し単位としては、式（１）で表される繰り返し単位が好ましい。式（１）中、Ｒ_５は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、Ｒ_５はメチル基である。

式（１）中、Ｒ_ｂｂは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。連結部分は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。該連結部分としては、例えば、炭素数１〜２０の二価の有機基からなる結合、エーテル結合（−Ｏ−）、ケトン結合（−ＣＯ−）、エステル結合（−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−）、アミド結合（−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−）、ウレタン結合（−ＮＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＮＨ−）及びこれらの結合が組み合わされた結合が挙げられる。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。ｂは、０又は１の整数を表す。ある一形態では、ｂは０である。

Ｒ_ｂｂで表される炭素数１〜２０の二価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。該炭素数１〜２０の二価の有機基としては、例えば、炭素数１〜２０の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の二価の環状炭化水素基及びアルキル基等で置換されていてもよい炭素数６〜２０の二価の芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭素数１〜６の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜６の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜６の二価の環状炭化水素基及びアルキル基等で置換されていてもよい二価の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が好ましい。

二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、二価の分岐状脂肪族炭化水素基及び二価の環状炭化水素基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基、ジメチルプロピレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基及びシクロヘキシレン基が挙げられる。

アルキル基等で置換されていてもよい炭素数６〜２０の二価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、エチレンフェニレン基、ジエチレンフェニレン基、トリエチレンフェニレン基、プロピレンフェニレン基、ブチレンフェニレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、トリメチルナフチレン基、ビニルナフチレン基、エテニルナフチレン基、メチルアンスリレン基及びエチルアンスリレン基が挙げられる。

式（１）中、側鎖部分は置換基を有するフェニル基である。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料中にフェニル部分が存在することにより、形成される有機薄膜トランジスタ絶縁層の結晶性が向上し、その結果、有機薄膜トランジスタ絶縁層としての性能が向上する。

式（１）中、Ｒ’は、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。炭素数１〜２０の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。該炭素数１〜２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。

Ｒ’で表される炭素数１〜２０の一価の有機基としては、例えば、炭素数１〜２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜２０の分岐状炭化水素基、炭素数３〜２０の環状炭化水素基及び炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数１〜６の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜６の分岐状炭化水素基、炭素数３〜６の環状炭化水素基及び炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が挙げられる。

炭素数１〜２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜２０の分岐状炭化水素基及び炭素数３〜２０の環状炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。

炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。

炭素数１〜２０の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基及びブロモフェニル基が挙げられる。
炭素数１〜２０の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。

式（１）中、Ｒは、酸により脱離しうる有機基を表す。酸により脱離しうる有機基は、酸の作用により脱離してフェノール性水酸基を生成する有機基である。フェノール性水酸基は、環状エーテル構造を含む化合物と反応して架橋構造を形成する。また、フェノール性水酸基は、連鎖移動により、高分子化合物（Ａ）のカチオン重合を停止させる場合や、カチオン重合の反応速度を低下させる場合があり、酸の存在下、高分子化合物（Ａ）のカチオン重合の過度の進行を抑制する場合がある。

酸により脱離しうる有機基としては、例えば、置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルコシキアルキル基、アダマンチル基などの炭素数３〜２０の環状炭化水素構造を有する基、及び、三級アルキル基が挙げられる。

炭素数２〜２０のアルコシキアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基及びハロゲン原子が挙げられる。置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルコシキアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、１−エトキシエチル基、２−エトキシエチル基、ビス（２−クロロエトキシ）メチル基、１−メチル−１−メトキシエチル基、及び、１−イソプロポキシエチル基が挙げられる。

炭素数３〜２０の環状炭化水素構造を有する基としては、例えば、シクロプロピルメチル基、シクロヘキシル基、及び、１−ヒドロキシアダマンチル基が挙げられる。

三級アルキル基としては、例えば、ターシャリーブチル基が挙げられる。

式（１）中、ｎは、1〜５の整数を表す。ある一形態では、ｎは１である。

高分子化合物（Ａ）は、環状エーテル構造を含有する繰り返し単位を含む。該環状エーテル構造を含有する繰り返し単位としては、式（２）で表される繰り返し単位、及び、式（３）で表される繰り返し単位が好ましい。

式（２）中、Ｒ_１は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、Ｒ_１はメチル基である。

式（２）中、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具定例は、前述のＲ’で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具定例と同じである。

Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４で表される炭素数１〜２０の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。

式（２）中、Ｒ_ａａは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。Ｒ_ａａで表される連結部分の定義及び具体例は、Ｒ_ｂｂで表される連結部分の定義及び具体例と同じである。ａは、０又は１の整数を表す。ある一形態では、ａは１である。

式（３）中、Ｒ_１２は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、Ｒ_１２はメチル基である。

式（３）中、Ｒ_１３、Ｒ_１４、Ｒ_１５、Ｒ_１６、及び、Ｒ_１７は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｒ_１３、Ｒ_１４、Ｒ_１５、Ｒ_１６、及び、Ｒ_１７で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具定例は、前述のＲ’で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具定例と同じである。

Ｒ_１３、Ｒ_１４、Ｒ_１５、Ｒ_１６、及び、Ｒ_１７で表される炭素数１〜２０の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。

式（３）中、Ｒ_ｄｄは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。Ｒ_ｄｄで表される連結部分の定義及び具体例は、前述のＲ_ｂｂで表される連結部分の定義及び具体例と同じである。ｄは、０又は１の整数を表す。ある一形態では、ｄは１である。

本発明の高分子化合物（Ａ）の一態様は、式（１）で表される繰り返し単位、及び、式（２）で表される繰り返し単位又は式（３）で表される繰り返し単位を含み、更に、式（４）で表される繰り返し単位、及び、以下の第１の官能基を含有する繰り返し単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を含む高分子化合物である。
第１の官能基：活性水素と反応しうる第２の官能基を、電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基

ここで、活性水素とは、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のような炭素原子以外の原子に結合した水素原子をいう。

式（４）中、Ｒ_６は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、Ｒ_６はメチル基である。

式（４）中、Ｒ_ｃｃは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。Ｒ_ｃｃで表される連結部分の定義及び具体例は、前述のＲ_ｂｂで表される連結部分の定義及び具体例と同じである。ｃは、０又は１の整数を表す。ある一形態では、ｃは０である。

式（４）中、Ｒｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有していてもよい炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。ある一形態では、Ｒｆはフッ素原子である。

有機薄膜トランジスタ絶縁層材料にフッ素が導入されることにより、該有機薄膜トランジスタ絶縁層材料から形成される絶縁層は極性が低く、絶縁層の分極が抑制される。

フッ素原子は高分子化合物の主鎖の水素原子を置換するのではなく、側鎖又は側基（ペンダント基）の水素原子を置換することが好ましい。フッ素原子が側鎖又は側基に置換している有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機半導体などの他の有機化合物に対する親和性が低下せず、絶縁層に接して該有機化合物を含む層を形成する場合において、有機化合物が絶縁層の露出面に接し、層を形成し易くなる。

ｍは、１〜５の整数を表す。ある一形態では、ｍは５である。

Ｒｆで表される炭素数１〜２０の一価の有機基は、フッ素原子を有していてもよく、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。

炭素数１〜２０の一価の有機基としては、例えば、炭素数１〜２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜２０の分岐状炭化水素基、炭素数３〜２０の環状炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数１〜６の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜６の分岐状炭化水素基、炭素数３〜６の環状炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が挙げられる。

炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。

Ｒｆがフッ素原子を有さない炭素数１〜２０の一価の有機基である場合、フッ素原子を有さない炭素数１〜２０の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基及びブロモフェニル基が挙げられる。

これらの基の中でも、アルキル基が好ましい。

Ｒｆがフッ素原子を有する炭素数１〜２０の有機基である場合、フッ素原子を有する炭素数１〜２０の一価の有機基としては、例えば、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、２−（パーフルオロブチル）エチル基、ペンタフルオロフェニル基及びトリフルオロメチルフェニル基が挙げられる。

Ｒｆで表されるフッ素原子を有していてもよい炭素数１〜２０の一価の有機基としては、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。

式（４）中、少なくとも１個のＲｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１〜２０の一価の有機基である。好ましくはｍが５であり、５個のＲｆが、それぞれ独立にフッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１〜２０の一価の有機基である。

前記第１の官能基は活性水素と反応しないが、該第１の官能基に電磁波を照射させる又は熱が作用させると第２の官能基が生成し、該第２の官能基が活性水素と反応する。つまり、前記第１の官能基は電磁波の照射又は熱の作用により脱保護されて、活性水素と反応しうる第２の官能基を生成しうる。第２の官能基は、高分子化合物（Ａ）から生成する活性水素を含有する基（活性水素含有基）と反応し、該活性水素含有基と結合することにより、絶縁層の内部に架橋構造を形成することができる。また、該活性水素含有基が第２の官能基と反応することにより、絶縁層に含まれる活性水素の量が低減して絶縁層の分極が抑制される。

有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が含有する活性水素含有基としては、例えば、酸の存在下、高分子化合物（Ａ）を重合させる際に環状エーテル構造から生成する水酸基、及び、酸の作用により式（１）で表される繰り返し単位からＲで表される有機基が脱離して生成する水酸基が挙げられる。

本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、更に、分子内に活性水素を２個以上含有する低分子化合物である活性水素化合物及び分子内に活性水素を２個以上含有する高分子化合物である活性水素化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の活性水素化合物を含有していてもよい。

有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成工程において、前記第２の官能基は、電磁波又は熱が加えられるまで保護（ブロック）されており、前記第１の官能基の形態で有機薄膜トランジスタ絶縁層材料中に存在する。その結果、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の貯蔵安定性が向上する。

前記第１の官能基の好ましい例としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が挙げられる。

前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基は、イソシアナト基と反応しうる活性水素を１分子中に１個だけ有するブロック化剤とイソシアナト基とを反応させることにより製造することができる。

前記ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基は、イソチオシアナト基と反応しうる活性水素を１分子中に１個だけ有するブロック化剤とイソチオシアナト基とを反応させることにより製造することができる。

前記ブロック化剤は、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と反応した後に、１７０℃以下の温度で解離するものが好ましい。ブロック化剤としては、例えば、アルコ−ル系化合物、フェノ−ル系化合物、活性メチレン系化合物、メルカプタン系化合物、酸アミド系化合物、酸イミド系化合物、イミダゾール系化合物、尿素系化合物、オキシム系化合物、アミン系化合物、イミン系化合物、重亜硫酸塩、ピリジン系化合物及びピラゾール系化合物が挙げられる。ブロック化剤は、単独使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。好ましいブロック化剤としては、オキシム系化合物及びピラゾール系化合物が挙げられる。

以下に、具体的なブロック化剤を例示する。アルコ−ル系化合物としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、２−エチルヘキサノール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ベンジルアルコール、及び、シクロヘキサノールが挙げられる。フェノール系化合物としては、例えば、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、ノニルフェノール、ジノニルフェノール、スチレン化フェノール、及び、ヒドロキシ安息香酸エステルが挙げられる。活性メチレン系化合物としては、例えば、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、及び、アセチルアセトンが挙げられる。メルカプタン系化合物としては、例えば、ブチルメルカプタン、及び、ドデシルメルカプタンが挙げられる。酸アミド系化合物としては、例えば、アセトアニリド、酢酸アミド、ε−カプロラクタム、δ−バレロラクタム、及び、γ−ブチロラクタムが挙げられる。酸イミド系化合物としては、例えば、コハク酸イミド、及び、マレイン酸イミドが挙げられる。イミダゾール系化合物としては、例えば、イミダゾール、及び、２−メチルイミダゾールが挙げられる。尿素系化合物としては、例えば、尿素、チオ尿素、及び、エチレン尿素が挙げられる。オキシム系化合物としては、例えば、ホルムアルドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトオキシム、メチルエチルケトオキシム、及び、シクロヘキサノンオキシムが挙げられる。アミン系化合物としては、例えば、ジフェニルアミン、アニリン、及び、カルバゾールが挙げられる。イミン系化合物としては、例えば、エチレンイミン、及び、ポリエチレンイミンが挙げられる。重亜硫酸塩としては、例えば、重亜硫酸ソーダが挙げられる。ピリジン系化合物としては、例えば、２−ヒドロキシピリジン、及び、２−ヒドロキシキノリンが挙げられる。ピラゾール系化合物としては、例えば、３，５−ジメチルピラゾール、及び、３，５−ジエチルピラゾールが挙げられる。

本発明に用いてもよいブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はイソチアシアナト基としては、前記式（５）で表される基及び前記式（６）で表される基が好ましい。

式（５）及び式（６）中、Ｘａは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｘｂは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ_７、Ｒ_８、Ｒ_９、Ｒ_１０及びＲ_１１は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。

Ｒ_７、Ｒ_８、Ｒ_９、Ｒ_１０及びＲ_１１で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具定例は、前述のＲ’で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具定例と同じである。

Ｒ_７、Ｒ_８、Ｒ_９、Ｒ_１０及びＲ_１１で表される炭素数１〜２０の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。

ある一形態では、Ｒ_７、Ｒ_８、Ｒ_９、Ｒ_１０及びＲ_１１は水素原子である。

ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基としては、例えば、Ｏ−（メチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ−（１−エチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ−（１−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ−[１−メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノ基、（Ｎ−３，５−ジメチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３−エチル−５−メチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３，５−ジエチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３−プロピル−５−メチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、及び、（Ｎ−３−エチル−５−プロピルピラゾリルカルボニル）アミノ基が挙げられる。

ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基としては、例えば、Ｏ−（メチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ−（１−エチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ−（１−メチルエチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ−[１−メチルプロピリデンアミノ] チオカルボキシアミノ基、（Ｎ−３，５−ジメチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３−エチル−５−メチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３，５−ジエチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３−プロピル−５−メチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、及び、（Ｎ−３−エチル−５−プロピルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基が挙げられる。

第１の官能基としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基が好ましい。

高分子化合物（Ａ）は、例えば、酸の作用によりフェノール性水酸基を生成する有機基を含有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、環状エーテル構造を含有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、要すれば、フッ素原子を含有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマー及び／又は上記第１の官能基を含有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとを含む重合性モノマー混合物を、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法により製造することが出来る。

酸の作用によりフェノール性水酸基を生成する有機基を含有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーは、好ましくは、前記式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーである。その具体例としては、例えば、４−（メトキシメトキシ）スチレン、４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン、４−（１−エトキシエトキシ）スチレン、４−（２−エトキシエトキシ）スチレン、４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン、４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン基、及び、４−（シクロヘキシルオキシ）スチレンが挙げられる。

環状エーテル構造を含有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーは、好ましくは、前記式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー及び前記式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーである。

式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの具体例としては、例えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、２−グリシジルエチルアクリレート、及び、２−グリシジルエチルメタクリレートが挙げられる。

式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの具体例としては、例えば、３−アクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン、及び、３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタンが挙げられる。

フッ素原子を含有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーは、前記式（４）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーである。その具体例としては、例えば、２−トリフルオロメチルスチレン、３−トリフルオロメチルスチレン、４−トリフルオロメチルスチレン、２，３，４，５，６−ペンタフルオロスチレン、及び、４−フルオロスチレンが挙げられる。

前記第１の官能基を含有する重合性モノマーとしては、例えば、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基とブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有するモノマーが挙げられる。該ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基とブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有するモノマーは、イソシアナト基とイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有する化合物と、ブロック化剤とを反応させることにより製造することが出来る。不飽和結合としては、不飽和二重結合が好ましい。

分子内に不飽和二重結合とイソシアナト基とを有する化合物としては、例えば、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、及び、２−（２’−メタクリロイルオキシエチル）オキシエチルイソシアネートが挙げられる。分子内に不飽和二重結合とイソチオシアナト基とを有する化合物としては、例えば、２−アクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、及び、２−（２’−メタクリロイルオキシエチル）オキシエチルイソチオシアネートが挙げられる。

前記第１の官能基を含有する重合性モノマーの製造には、前記ブロック化剤を好適に用いることが出来る。イソシアナト基又はイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有する化合物と、ブロック化剤とを反応させて、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーの製造において、必要に応じて有機溶媒、触媒等を添加することが出来る。

前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソシアナト基と不飽和二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、２−〔Ｏ−[１’−メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート、及び、２−〔Ｎ−[１’，３’−ジメチルピラゾリル]カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレートが挙げられる。

前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、２−〔Ｏ−[１’−メチルプロピリデンアミノ]チオカルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート、及び、２−〔Ｎ−[１’，３’−ジメチルピラゾリル]チオカルボニルアミノ〕エチル−メタクリレートが挙げられる。

前記光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、４−イソプロピル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ベンゾフェノン、メチル（ｏ−ベンゾイル）ベンゾエート、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインオクチルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジアセチル等のカルボニル化合物、メチルアントラキノン、クロロアントラキノン、クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン等のアントラキノン誘導体又はチオキサントン誘導体、ジフェニルジスルフィド、ジチオカーバメート等の硫黄化合物が挙げられる。

共重合を開始させるエネルギーとして光エネルギーを用いる場合は、重合性モノマーに照射する光の波長は、３６０ｎｍ以上、好ましくは３６０〜４５０ｎｍである。

前記熱重合開始剤としては、ラジカル重合の開始剤となる化合物であればよく、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビスイソバレロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、４，４’−アゾビス（４−シアノバレリックアシッド）、１、１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロパン）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）２塩酸塩等のアゾ系化合物、メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトンパーオキシド等のケトンパーオキシド類、イソブチルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキシド、ｏ−メチルベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド類、２，４，４−トリメチルペンチル−２−ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、ターシャリーブチルヒドロパーオキシド等のヒドロパーオキシド類、ジクミルパーオキシド、ターシャリーブチルクミルパーオキシド、ジターシャリーブチルパーオキシド、トリス（ターシャリーブチルパーオキシ）トリアジン等のジアルキルパーオキシド類、１，１−ジターシャリーブチルパーオキシシクロヘキサン、２，２−ジ（ターシャリーブチルパーオキシ）ブタン等のパーオキシケタール類、ターシャリーブチルパーオキシピバレート、ターシャリーブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ターシャリーブチルパーオキシイソブチレート、ジターシャリーブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジターシャリーブチルパーオキシアゼレート、ターシャリーブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ターシャリーブチルパーオキシアセテート、ターシャリーブチルパーオキシベンゾエート、ジターシャリーブチルパーオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーエステル類、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、ターシャリーブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーオキシカーボネート類が挙げられる。

高分子化合物（Ａ）は、酸の作用によりフェノール性水酸基を生成する有機基を含有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、環状エーテル構造を含有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、フッ素原子を含有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、上記第１の官能基を含有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマー以外の他の重合性モノマーを重合時に添加して製造してもよい。

追加して使用される重合性モノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル及びその誘導体、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、スチレン及びその誘導体、酢酸ビニル及びその誘導体、メタアクリロニトリル及びその誘導体、アクリロニトリル及びその誘導体、有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体、フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体、マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のＮ−ビニルアミド誘導体、末端不飽和炭化水素及びその誘導体等、及び、不飽和炭化水素基を含む有機ゲルマニウム誘導体が挙げられる。

追加して使用される重合性モノマーの種類は、絶縁層に要求される特性に応じて適宜選択される。溶媒に対する優れた耐久性や有機薄膜トランジスタのヒステリシスを小さくする観点からは、スチレンやスチレン誘導体のように、これらの化合物を含む膜において、分子の密度が高く、硬い膜を形成するモノマーが選択される。また、ゲート電極や基板の表面等の絶縁層の隣接面に対する密着性の観点からは、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、アクリル酸エステル及びその誘導体のように、高分子化合物（Ａ）に可塑性を付与するモノマーが選択される。

アクリル酸エステル及びその誘導体は、単官能のアクリレートであっても、使用量に制約は出てくるものの、多官能のアクリレートであってもよい。アクリル酸エステル及びその誘導体としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸−ｎ−プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸−ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸−ｓｅｃ−ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソボルニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリル酸−２−ヒドロキシプロピル、アクリル酸−３−ヒドロキシプロピル、アクリル酸−２−ヒドロキシブチル、アクリル酸−２−ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、２，２，２−トリフルオロエチルアクリレート、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルアクリレート、２−（パーフルオロブチル）エチルアクリレート、３−パーフルオロブチル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３−パーフルオロオクチル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）エチルアクリレート、３−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）エチルアクリレート、３−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニルアクリレート、１Ｈ−１−（トリフルオロメチル）トリフルオロエチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、及び、Ｎ−アクリロイルモルフォリンが挙げられる。

メタアクリル酸エステル及びその誘導体は、単官能のメタアクリレートであってもよく、使用量に制約は出てくるものの、多官能のメタアクリレートであってもよい。メタアクリル酸エステル及びその誘導体としては、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸−ｎ−プロピル、メタアクリル酸イソプロピル、メタアクリル酸−ｎ−ブチル、メタアクリル酸イソブチル、メタアクリル酸−ｓｅｃ−ブチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸−２−エチルヘキシル、メタアクリル酸デシル、メタアクリル酸イソボルニル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、メタアクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタアクリル酸−２−ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸−３−ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸−２−ヒドロキシブチル、メタアクリル酸−２−ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタアクリレート、ジエチレングリコールジメタアクリレート、トリエチレングリコールジメタアクリレート、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールペンタメタアクリレート、２，２，２−トリフルオロエチルメタアクリレート、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロブチル）エチルメタアクリレート、３−パーフルオロブチル−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロヘキシル）エチルメタアクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロオクチル）エチルメタアクリレート、３−パーフルオロオクチル−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチルメタアクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）エチルメタアクリレート、３−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）エチルメタアクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、３−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）エチルメタアクリレート、３−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプチルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニルメタアクリレート、１Ｈ−１−（トリフルオロメチル）トリフルオロエチルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブチルメタアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタアクリルアミド、及び、Ｎ−アクリロイルモルフォリンが挙げられる。

スチレン及びその誘導体としては、例えば、スチレン、２，４−ジメチル−α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、２，５−ジメチルスチレン、２，６−ジメチルスチレン、３，４−ジメチルスチレン、３，５−ジメチルスチレン、２，４，６−トリメチルスチレン、２，４，５−トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｍ−エチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｏ−クロロスチレン、ｍ−クロロスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｏ−ブロモスチレン、ｍ−ブロモスチレン、ｐ−ブロモスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、２−ビニルビフェニル、３−ビニルビフェニル、４−ビニルビフェニル、１−ビニルナフタレン、２−ビニルナフタレン、４−ビニル−ｐ−ターフェニル、１−ビニルアントラセン、α−メチルスチレン、ｏ−イソプロペニルトルエン、ｍ−イソプロペニルトルエン、ｐ−イソプロペニルトルエン、２，４−ジメチル−α−メチルスチレン、２，３−ジメチル−α−メチルスチレン、３，５−ジメチル−α−メチルスチレン、ｐ−イソプロピル−α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α−クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロピルベンゼン、及び、４−アミノスチレンが挙げられる。

有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体としては、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニル及びアジピン酸ジビニルが挙げられる。

有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体としては、例えば、酢酸アリル、安息香酸アリル、アジピン酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル及びフタル酸ジアリルが挙げられる。

フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソプロピル、フマル酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、フマル酸ジイソブチル、フマル酸ジ−ｎ−ブチル、フマル酸ジ−２−エチルヘキシル及びフマル酸ジベンジルが挙げられる。

マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、マレイン酸ジイソブチル、マレイン酸ジ−ｎ−ブチル、マレイン酸ジ−２−エチルヘキシル及びマレイン酸ジベンジルが挙げられる。

イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル、イタコン酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、イタコン酸ジイソブチル、イタコン酸ジ−ｎ−ブチル、イタコン酸ジ−２−エチルヘキシル及びイタコン酸ジベンジルが挙げられる。

有機カルボン酸のＮ−ビニルアミド誘導体としては、例えば、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルアセトアミドが挙げられる。

末端不飽和炭化水素及びその誘導体としては、例えば、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、ビニルシクロヘキサン、塩化ビニル及びアリルアルコールが挙げられる。

不飽和炭化水素基を含む有機ゲルマニウム誘導体としては、例えば、アリルトリメチルゲルマニウム、アリルトリエチルゲルマニウム、アリルトリブチルゲルマニウム、トリメチルビニルゲルマニウム及びトリエチルビニルゲルマニウムが挙げられる。

追加して使用される重合性モノマーとしては、有機薄膜トランジスタ絶縁層の特性が向上させる観点から、アクリル酸アルキルエステル、メタアクリル酸アルキルエステル、スチレン、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル、及び、アリルトリメチルゲルマニウムが好ましい。

追加して使用される重合性モノマーとしてニトリル類を用いると、有機薄膜トランジスタ絶縁層の内部にシアノ基が導入され、絶縁層の耐溶剤性及び強靭性等が向上する。また、この場合、絶縁層の誘電率も向上する。

高分子化合物（Ａ）が含む、酸の作用によりフェノール性水酸基を生成する有機基を含有する繰り返し単位の量は、高分子化合物（Ａ）が含む繰り返し単位の合計量に対して、１〜５０モル％が好ましく、５〜４０モル％がより好ましい。
高分子化合物（Ａ）が含む環状エーテル構造を含有する繰り返し単位の量は、高分子化合物が含む繰り返し単位（Ａ）の合計量に対して、１〜７０モル％が好ましく、５〜５０モル％がより好ましい。

高分子化合物（Ａ）がフッ素原子を含有する繰り返し単位を含有する場合、その繰り返し単位の量は、高分子化合物（Ａ）が含む繰り返し単位の合計量に対して、１〜６０モル％が好ましく、５〜５０モル％がより好ましい。

高分子化合物（Ａ）が第１の官能基を含有する繰り返し単位を含有する場合、第１の官能基を含有する重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に関与する全ての重合性モノマー中、好ましくは５モル％以上５０モル％以下であり、より好ましくは５モル％以上４０モル％以下である。第１の官能基を含有する重合性モノマーの仕込みモル量をこの範囲に調節することにより、絶縁層の内部に架橋構造が十分形成され、極性基の含有量が低いレベルに保たれ、絶縁層の分極が抑制される。

高分子化合物（Ａ）は、ポリスチレン換算の重量平均分子量が３０００〜１００００００が好ましく、５０００〜５０００００がより好ましい。高分子化合物（Ａ）は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよく、環状であってもよい。

高分子化合物（Ａ）としては、例えば、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ)スチレン−コ−グリシジルメタクリレート）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ)スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン）、ポリ（４−（シクロプロピルメチトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ)スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ)スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ)スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ)スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ)スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ)スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ)スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ)スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（シクロプロピルメチトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、及び、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）が挙げられる。

＜オルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）＞
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、更に、式（７）で表される基、式（８）で表される基及び式（９）で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を有するオルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）を含む。そのことにより、有機薄膜トランジスタ絶縁層の構造中に無機物質であるケイ素が導入されて、有機薄膜トランジスタ絶縁層の強靭性が向上し、スパッタリング法に用いられる金属蒸気に対する耐性が向上する。

式（７）中、Ｒ’’’は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基を表す。該炭素数１〜２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｒ’’’で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具定例は、前述のＲ’で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具定例と同じである。
Ｒ’’’の一態様は水素原子である。
式（７）中、ｑは、1〜５の整数を表す。ある一形態では、ｑは１である。

式（８）及び式（９）中、Ｒ_１９、Ｒ_２０、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５及びＲ_２６は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基である。Ｒ_１９、Ｒ_２０、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５及びＲ_２６で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具定例は、前述のＲ’で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具定例と同じである。
Ｒ_１９、Ｒ_２０、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５及びＲ_２６の一態様は、水素原子である。

式（７）で表される基を有するオルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）は、例えば、式（７）で表される基、式（８）で表される基及び式（９）で表される基を有さないオルガノアルコキシシランを、酸触媒とアルカリ触媒のいずれかと水の存在下で加水分解縮合させて加水分解縮合物を得た後、該加水分解縮合物がその両末端に有するシラノール基中の水酸基を、式（７）で表される基中の水酸基が保護された基を有するクロロシラン化合物で封止した後、必要に応じて式（７）で表される基中の水酸基を脱保護することによって得ることができる。また、式（７）で表される基、又は、式（７）で表される基中の水酸基が保護された基を有するオルガノアルコキシシランを加水分解縮合させて加水分解縮合物を得た後、必要に応じて式（７）で表される基中の水酸基を脱保護することによっても得ることができる。

式（８）で表される基を有するオルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）は、例えば、式（７）で表される基、式（８）で表される基及び式（９）で表される基を有さないオルガノアルコキシシランとヒドロアルコキシシランとを、酸触媒とアルカリ触媒のいずれかと水の存在下で加水分解縮合させて加水分解縮合物を得た後、該加水分解縮合物が有するヒドロシリル基と、式（８）で表される基を有する不飽和二重結合化合物とを遷移金属触媒存在下で反応させることによって得ることができる。

式（９）で表される基を有するオルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）は、例えば、式（７）で表される基、式（８）で表される基及び式（９）で表される基を有さないオルガノアルコキシシランとヒドロアルコキシシランとを、酸触媒とアルカリ触媒のいずれかと水の存在下で加水分解縮合させて加水分解縮合物を得た後、該加水分解縮合物が有するヒドロシリル基と、式（９）で表される基を有する不飽和二重結合化合物とを遷移金属触媒存在下で反応させることによって得ることができる。

オルガノアルコキシシランの加水分解縮合に用いる酸触媒としては、例えば、塩酸及び酢酸が挙げられる。また、アルカリ触媒としては、例えば、アンモニア及びトリエチルアミンが挙げられる。

オルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）の原料である式（７）で表される基、式（８）で表される基及び式（９）で表される基を有さないオルガノアルコキシシランとしては、例えば、オルガノエトキシシラン及びオルガノメトキシシランが挙げられる。オルガノエトキシシラン及びオルガノメトキシシランの具体例としては、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジメチルフェニルエトキシシラン、及びジメチルフェニルメトキシシランが挙げられる。

式（７）で表される基を有するオルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）の製造に用いることができる式（７）で表される基中の水酸基が保護された基を有するクロロシラン化合物としては、分子内にビニル基やアリル基等の不飽和結合と保護された水酸基とを有する化合物と、ジアルキルクロロヒドロシラン化合物とを、遷移金属触媒の存在下で反応させ、ヒドロシリル化することによって得られた化合物が挙げられる。また、分子内に保護された水酸基を有する有機金属化合物と、ジアルキルジクロロシラン化合物との加水分解縮合反応によって得られた化合物も挙げられる。

式（７）で表される基中の水酸基が保護された基を有するクロロシラン化合物において、水酸基を保護する基としては、例えば、水酸基の保護基として通常用いられる置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいシリル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいヒドロフラニル基、置換されていてもよいヒドロピラニル基、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、エステル構造を有する基が挙げられ、具体的には、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ターシャリーブトキシメチル基、２−メトキシエトキシメチル基、２，２，２−トリクロロエトキシメチル基、２−（トリメチルシリル）エトキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、１−エトキシエチル基、１−メチル−１−メトキシエチル基、１−（イソプロポキシ）エチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、２−（フェニルセレニル）エチル基、ターシャリーブチル基、ベンジル基、３−メチル−２−ピコリル−Ｎ−オキシド基、ジフェニルメチル基、５−ジベンゾスベリル基、トリフェニルメチル基、９−アンスリル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基、（トリフェニルメチル）ジメチルシリル基、ターシャリーブチルジフェニルシリル基、メチルジイソプロピルシリル基、メチル−ジターシャリーブチルシリル基、トリベンジルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、ホルミル基、アセチル基、３−フェニルプロピオネート基、３−ベンゾイルプロピオネート基、イソブチレート基、４−オキソペンタノエート基、ピバロエート基、アダマントエート基、ベンゾエート基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、及びベンジルカーボネート基が挙げられる。

式（７）で表される基を有するオルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）としては、例えば、ポリ[２−（４’−ターシャリーブトキシフェニル）エチル−ジメチルシリルシラセスキオキサン]が挙げられる。

式（８）で表される基を有するオルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）としては、例えば、（３−エチル−３−オキセタニル）メチルオキシプロピルシラセスキオキサンが挙げられる。

式（９）で表される基を有するオルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）としては、例えば、１，３−ビス（グリシジルオキシプロピル）−１，１−３，３−テトラメチルジシロキサンが挙げられる。

オルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）のポリスチレン換算の重量平均分子量は、得られる膜の平坦性及び均一性の観点からは、３００〜１００００００が好ましく、３００〜５０００００がより好ましい。

オルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料中に、不揮発分を基準にして１〜５０重量％、好ましくは５〜４０重量％、より好ましくは１０〜３０重量％の量で含まれる。オルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）の含有量が１重量％未満であるとスパッタリング法に用いられる金属蒸気に対する耐性が低下する場合があり、５０重量％を超えると、リーク電流が増加する場合がある。ここで、不揮発分とは、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に含まれる固体の総重量を指す。

＜有機薄膜トランジスタ絶縁層材料＞
本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、高分子化合物（Ａ）、オルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）、及び高分子化合物（Ａ）及びオルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）の架橋反応を促進するための触媒を実質的に含有する。また、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、混合作業及び粘度調節のための溶媒、架橋剤、該架橋剤と組み合わせて用いられる添加剤などを含有していてもよい。該溶媒としては、テトラヒドロフランやジエチルエーテルなどのエーテル溶媒、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素溶媒、ペンテンなどの不飽和炭化水素溶媒、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトンなどのケトン溶媒、ブチルアセテートなどのアセテート溶媒、イソプロピルアルコールなどのアルコール溶媒、クロロホルムなどのハロゲン溶媒、これらの溶媒の混合溶媒が挙げられる。また、添加剤としては、架橋反応を促進するための触媒、増感剤、レべリング剤、粘度調節剤などが挙げられる。

高分子化合物（Ａ）及びオルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）の架橋反応を促進するための触媒としては、光又は熱の作用により酸を発生させる酸発生剤、及び光又は熱の作用によりカチオン種を発生させるカチオン重合開始剤等がある。つまり、該架橋反応を促進するための触媒には、光酸発生剤、熱酸発生剤、光カチオン重合開始剤及び熱カチオン重合開始剤等が含まれる。

該架橋反応を促進するための触媒として光酸発生剤及び／又は光カチオン重合開始剤を含むことにより、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることが可能になる。

該光酸発生剤及び熱酸発生剤としては、例えば、ジアゾメタン誘導体及びトリアジン誘導体などが挙げられる。ジアゾメタン誘導体としては、例えば、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタンが挙げられる。トリアジン誘導体としては、例えば、２−メチル−４，６−ジトリクロロメチル−トリアジンが挙げられる。

本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、光カチオン重合開始剤を含むことが好ましい。該光カチオン重合開始剤としては、例えば、ヨードニウム塩及びスルホニウム塩が挙げられる。

ヨードニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、及び、トリルキュミルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートが挙げられる。

スルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムホスフェート、ｐ−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４，４’−ビス［ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルホニオ］フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート、及び、４−［４−（４−ターシャリーブチルベンゾイル）フェニルチオ］フェニル−ジ（４−メチルフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェートが挙げられる。

光カチオン重合開始剤として、具体的には、商品名ロードシル２０７４（ローディアジャパン株式会社製）、商品名アデカオプトマ−ＳＰ−１５０（株式会社ＡＤＥＫＡ製）、商品名アデカオプトマ−ＳＰ−１５２（株式会社ＡＤＥＫＡ製）、商品名アデカオプトマ−ＳＰ−１７０（株式会社ＡＤＥＫＡ製）、商品名アデカオプトマ−ＳＰ−１７２（株式会社ＡＤＥＫＡ製）などが挙げられる。また、前記のもののほかに、特開平９−１１８６６３号公報記載の化合物、特開２００７−２６２４０１号公報記載の化合物も使用することができる。

本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタに含まれる絶縁層の形成に用いられた材料である。有機薄膜トランジスタの絶縁層中でも、オーバーコート層又はゲート絶縁層の形成に用いられることが好ましい。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料としては、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料であることが好ましく、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料であることがより好ましい。

＜有機薄膜トランジスタ＞
図１は、本発明の一実施形態であるボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成された有機半導体層４と、有機半導体層４上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、素子全体を覆うオーバーコート７とが、備えられている。

ボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成し、有機半導体層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、オーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。

図２は、本発明の一実施形態であるボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、ソース電極５及びドレイン電極６上に形成された有機半導体層４と、素子全体を覆うオーバーコート７とが、備えられている。

ボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、ソース電極、ドレイン電極上に有機半導体層を形成し、オーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。

ゲート絶縁層又はオーバーコート層の形成は、高分子化合物（Ａ）と、オルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）と、有機溶媒とを含む絶縁層塗布液を調製し、絶縁層塗布液を、基材に塗布し、乾燥し、硬化させることにより行う。ここで、「基材」とは、その上に有機薄膜トランジスタ絶縁層が配置されることになる有機薄膜トランジスタの構成部材をいう。該絶縁層塗布液に用いられる有機溶媒としては、高分子化合物（Ａ）及びオルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）を溶解させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が１００℃〜２００℃の有機溶媒である。該有機溶媒の例としては、２−ヘプタノン（沸点１５１℃）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（沸点１４６℃）が挙げられる。該絶縁層塗布液には、必要に応じてレベリング剤、界面活性剤、硬化触媒等を添加することができる。

該絶縁層塗布液はスピンコート、ダイコーター、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法により有機半導体又はゲート電極上に塗布することができる。形成される塗布層は必要に応じて乾燥させる。ここでいう乾燥は、塗布された絶縁層塗布液に含まれる溶媒を除去することを意味する。

乾燥させた塗布層は、次いで硬化させる。硬化は高分子化合物（Ａ）が架橋されたことを意味する。高分子化合物（Ａ）の架橋は、例えば、塗布層に電磁波若しくは電子線を照射することにより行われる。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が光カチオン重合開始剤等の架橋を促進させる触媒を含む場合、電磁波若しくは電子線の照射により、架橋を促進させる触媒が分解して酸が生成し、高分子化合物（Ａ）中の環状エーテルが開環して高分子化合物（Ａ）が重合する。また、該酸により、式（１）で表される繰り返し単位中の酸により脱離しうる基が脱離してフェノール性水酸基が生成し、該フェノール性水酸基と、前記環状エーテルが開環して高分子化合物（Ａ）が重合して得られた重合体の成長末端とが反応する。

塗布層の面の一部に電磁波等を照射することにより、該塗布層の面の一部を硬化させてもよい。塗布層の面のうち、硬化されなかった部分は、エッチングすることにより除去されて、その結果、塗布層がパターニングされる。エッチング液としては、アセトン、テトラヒドロフラン、トルエン、２−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、アニソール等が用いられる。

塗布層の面の一部に電磁波等を照射する手段は特に限定されない。例えば、照射源と塗布層の間に、所望の透過パターンを有するフォトマスクを配置したり、電磁波等を所望のパターン状に集光すること等により行えばよい。

本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法の一態様は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；及び該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程；を包含する形成方法である。高分子化合物（Ａ）が第１の官能基を有し、該第１の官能基が、電磁波の照射により、活性水素と反応しうる第２の官能基を生成しうる官能基である場合、該形成方法により有機薄膜トランジスタ絶縁層を形成することが好ましい。

本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法の他の態様は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程；及び該塗布層に熱を印加する工程；を包含する形成方法である。高分子化合物（Ａ）が第１の官能基を有し、該第１の官能基が、熱の作用により、活性水素と反応しうる第２の官能基を生成しうる官能基である場合、該形成方法により有機薄膜トランジスタ絶縁層を形成することが好ましい。

塗布層に熱を印加する場合は、塗布層を約８０〜２５０℃、好ましくは約１００〜２３０℃の温度に加熱して約５〜１２０分、好ましくは約１０〜６０分維持する。加熱温度が低すぎたり加熱時間が短すぎると絶縁層の架橋が不十分になり、加熱温度が高すぎたり加熱時間が長すぎると絶縁層が損傷する可能性がある。

塗布層に電磁波を照射する場合、絶縁層の架橋及び損傷の度合いを考慮して、照射条件を調節する。マイクロ波を印加して加熱する場合は、絶縁層の架橋が及び損傷の度合いを考慮して印加条件を調節する。

照射する電磁波の波長は４５０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１５０〜４１０ｎｍである。照射する電磁波の波長が４５０ｎｍを越えると有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の架橋が不十分になる場合がある。電磁波としては、紫外線が好ましい。

塗布層の面の一部に光を照射することにより、塗布層をパターニングする場合、照射する光の波長は、２５０ｎｍ以上、好ましくは３００〜３８０ｎｍ、より好ましくは約３６５ｎｍである。照射する光の波長が２５０ｎｍ未満であると、塗布層に対する光の透過性が悪くなり、フォトリソグラフィー法によるパターニングの精度に悪影響を与える。

紫外線の照射は、例えば、半導体の製造のために使用されている露光装置やＵＶ硬化性樹脂を硬化させるために使用されているＵＶランプを用いて行うことができる。電子線の照射は、例えば、超小型電子線照射管を用いて行うことができる。加熱はヒーター及びオーブンなどを用いて行うことができる。

ゲート絶縁層上には、自己組織化単分子膜層を形成してもよい。該自己組織化単分子膜層は、例えば、有機溶媒中にアルキルクロロシラン化合物もしくはアルキルアルコキシシラン化合物を１〜１０重量％溶解した溶液でゲート絶縁層を処理することにより形成することが出来る。

アルキルクロロシラン化合物の例としては、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシランが挙げられる。

アルキルアルコキシシラン化合物の例としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシランが挙げられる。

基板１、ゲート電極２、ソース電極５、ドレイン電極６及び有機半導体層４は、通常使用される材料及び方法で構成すればよい。基板の材料には樹脂やプラスチックの板やフィルム、ガラス板、シリコン板などが用いられる。電極の材料には、クロム、金、銀、アルミニウム、モリブデン等を用い、蒸着法、スパッタ法、印刷法、インクジェット法等の公知の方法で電極を形成する。

ソース電極５及びドレイン電極６は、スパッタリング法を用いて金属層を形成し、その後、パターニングを行い形成することが好ましい。かかる工程を経ることにより、大面積の基板に多数の素子を有する部材を効率良く製造することができる。

有機半導体層４を形成するための有機半導体としてはπ共役ポリマーが用いられ、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアリルアミン類、フルオレン類、ポリカルバゾール類、ポリインドール類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類などを用いることができる。また、有機溶媒への溶解性を有する低分子物質、例えば、ペンタセンなどの多環芳香族の誘導体、フタロシアニン誘導体、ペリレン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブ類などを用いることができる。具体的には、２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジ（エチレンボロネート）と、２，６−ジブロモ−（４，４−ビス−ヘキサデカニル−４H−シクロペンタ[２，１−ｂ；３，４−ｂ’]−ジチオフェンとの縮合物、９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン−２，７−ジ（エチレンボロネート）と、５，５’−ジブロモ−２，２’−バイチオフェンとの縮合物等があげられる。

有機半導体層の形成は、例えば、有機半導体に要すれば溶媒などを添加して有機半導体塗布液を調製し、該有機半導体塗布液をゲート絶縁層上に塗布し、該有機半導体塗布液を乾燥させることにより行う。本発明では、ゲート絶縁層を構成する樹脂がベンゼン環を有し、有機半導体と親和性がある。それゆえ、上記塗布乾燥法によって、有機半導体層とゲート絶縁層との間に均一で平坦な界面が形成される。

有機半導体塗布液に使用される溶媒としては、有機半導体を溶解又は分散させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が５０℃〜２００℃の溶媒である。
該溶媒の例としては、クロロホルム、トルエン、アニソール、２−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。該有機半導体塗布液は、前記絶縁層塗布液と同様にスピンコート、ダイコーター、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法によりゲート絶縁層上に塗布することができる。

本発明の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜トランジスタを保護し、また、表面の平滑性を高める目的で、オーバーコート材でコートしてもよい。

本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて製造した絶縁層は、その上に平坦な膜等を積層することができ、積層構造を容易に形成することができる。また、該絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス素子を好適に搭載することができる。

本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて、好適に有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を作製できる。該有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを作製できる。

本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、絶縁層以外のトランジスタに含まれる層、有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれる層を形成する用途にも用いることができる。

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明が実施例により限定されるものではないことは言うまでもない。

合成例１
（化合物（１−Ａ）の合成）
三方コック及びセプタムを取り付けた３００ｍｌの三つ口フラスコに、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン（東亞合成製、商品名：ＯＸＴ−１０１）を３３．２９ｇ、トリエチルアミン（和光純薬製）を４８．３１ｇ、脱水テトラヒドロフラン（和光純薬製）を２００ｍｌ、攪拌子を入れ、フラスコ内部の空気を窒素で置換した。フラスコを氷浴中に浸け、マグネティックスターラーで攪拌子を攪拌させることにより反応混合物を攪拌させながら、ガスタイトシリンジを用いてメタクリロイルクロライド２５．００ｇをゆっくり滴下した。滴下終了後、氷浴中で更に２時間攪拌を続け、その後、室温で一晩攪拌を続けて反応させた。反応終了後、生成したトリエチルアミン塩酸塩を濾別し、濾液を５００ｍｌの分液ロートに移し、濾液にジエチルエーテル２００ｍｌを加えた後、１００ｍｌのイオン交換水で有機層を水洗し、有機層を分液した。有機層の水洗を３回繰り返した後、有機層を分液し、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。無水硫酸マグネシウムを濾別した後、濾液をロータリーエバポレーターを用いて濃縮し、化合物（１−Ａ）を淡褐色液体として得た。化合物（１−Ａ）の得量は２９．３ｇであり、収率は６１．３％であった。

化合物（１−Ａ）

（高分子化合物１の合成）
１５０ｍｌ耐圧容器（エース製）に、化合物（１−Ａ）を１２．００ｇ、４−（１−エトキシエトキシ）スチレン（東ソー有機化学製）を７．５１ｇ、グリシジルメタクリレート（和光純薬製）を１．８５ｇ、２−（Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＢＭ」）を６．２６ｇ、４−メトキシスチレン（東京化成工業製）を８．７４ｇ、アクリロニトリル（和光純薬製）を２．７７ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）を０．２０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成製）を９１．７５ｇ入れ、アルゴンガスでバブリングした後、密栓した。６０℃のオイルバス中で２０時間重合させ、高分子化合物１が溶解している粘稠なプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。高分子化合物１は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。

高分子化合物１

得られた高分子化合物１の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、９９０００であった（島津製ＧＰＣ、ＴｓｋｇｅｌｓｕｐｅｒＨＭ−Ｈ１本＋ＴｓｋｇｅｌｓｕｐｅｒＨ２０００１本、移動相＝ＴＨＦ）。

合成例２
（高分子化合物２の合成）
２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジ（エチレンボロネート）を１．８８ｇ、及び２，６−ジブロモ−（４，４−ビス−ヘキサデカニル−４H−シクロペンタ[２，１−ｂ；３，４−ｂ’]−ジチオフェンを３．８１ｇ含む８０ｍＬのトルエン中に、窒素雰囲気下において、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムを０．７５ｇ、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（Ａｌｄｒｉｃｈ製、商品名「Ａｌｉｑｕａｔ３３６」（登録商標））を１．０ｇ、及び２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液を２４ｍＬ加えた。得られた混合物を激しく攪拌し、加熱して２４時間還流させた。粘稠な反応混合物をアセトン５００ｍＬに注ぎ、繊維状の黄色のポリマーを沈澱させた。このポリマーを濾過して集め、アセトンで洗浄し、真空オーブンにおいて６０℃で一晩乾燥させた。得られたポリマーを高分子化合物２とよぶ。高分子化合物２は、下記繰り返し単位を有している。ｎは繰り返し単位の数を示している。

高分子化合物２

高分子化合物２の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、３２０００であった（島津製ＧＰＣ、ＴｓｋｇｅｌｓｕｐｅｒＨＭ−Ｈ１本＋ＴｓｋｇｅｌｓｕｐｅｒＨ２０００１本、移動相＝ＴＨＦ）。

実施例１
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
１０ｍｌのサンプル瓶に、合成例１で得た高分子化合物１のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を１．００ｇ、光カチオン重合開始剤であるＣＰＩ−２１０Ｓ（サンアプロ製）を０．００６ｇ、オキセタニル基を有するオルガノシラセスキオキサン（ＯＸ−ＳＱＴＸ−１００；東亞合成製）を０．０６ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを１．００ｇ入れ、攪拌しながら溶解させ、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液１を調製した。

得られた塗布溶液１を孔径０．２μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、クロム電極のついたガラス基板上にスピンコートして塗布膜を形成した後、ホットプレート上で該塗布膜を１００℃で１分間乾燥した。焼成後の塗布膜にアライナー（Ｃａｎｏｎ製；ＰＬＡ−５２１）を用いて６００ｍＪ／ｃｍ^２のＵＶ光（波長３６５nm）を照射した後、窒素中、ホットプレート上で２２０℃で３０分間焼成してゲート絶縁層を得た。

有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成したゲート絶縁層は、強酸又は強アルカリを用いることなく、光によりパターニングすることが可能である。

得られたゲート絶縁層のスパッタ耐性を評価するため、該ゲート絶縁層上に、真空スパッタ装置（神港精機社製；STL-6421型）を用いてモリブデンを約１００nm堆積させた後、モリブデンエッチング液（関東化学工業製；S-80520）に浸漬させてゲート絶縁層上のすべてのモリブデンを除去した。

次に、高分子化合物２を溶媒であるキシレンに溶解させ、濃度が０．５重量％である溶液（有機半導体組成物）を作製し、該溶液をメンブランフィルターで濾過して塗布液２を調製した。

得られた塗布液２を、前記ゲート絶縁層上にスピンコート法により塗布し、約３０ｎｍの厚さを有する活性層を形成し、次いで、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、活性層上に、酸化モリブデン及び金を蒸着し、チャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極及びドレイン電極を形成することにより、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。ソース電極及びドレイン電極は、活性層側から、酸化モリブデンと金が積層した構造を有する。

＜トランジスタ特性の評価＞
こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Ｖｇを２０〜−４０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを０〜−４０Ｖに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ−バ（BCT２２MDC−５−HT−SCU；Nagase Electronic Equipments Service Co., LTD製）を用いて測定した。結果を表１に示す。

電界効果型有機薄膜トランジスタのヒステリシスは、ソース・ドレイン間電圧Ｖsdが−４０Ｖで、ゲート電圧Ｖgを２０Ｖ→−４０Ｖに変化させた際の閾値電圧Ｖth1とゲート電圧Ｖgを−４０Ｖ→２０Ｖに変化させた際の閾値電圧Ｖth2との電圧差異で表した。

実施例２
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
オキセタニル基を有するオルガノシラセスキオキサン（ＯＸ−ＳＱＴＸ−１００；東亞合成製）のかわりに、オキセタニル基とメチル基とを有するオルガノシラセスキオキサン（ＯＸ−ＳＱＭＥ−２０；東亞合成製）を用いた以外は実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を製造し、該有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。得られた電界効果型有機薄膜トランジスタのトランジスタ特性を表１に示す。

実施例３
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
オキセタニル基を有するオルガノシラセスキオキサン（ＯＸ−ＳＱＴＸ−１００；東亞合成製）のかわりに、オキセタニル基とトリメチルシリル基とを有するオルガノシラセスキオキサン（ＯＸ−ＳＱＳＩ−２０；東亞合成製）を用いた以外は実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を製造し、該有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。得られた電界効果型有機薄膜トランジスタのトランジスタ特性を表１に示す。

実施例４
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
オキセタニル基を有するオルガノシラセスキオキサン（ＯＸ−ＳＱＴＸ−１００；東亞合成製）を０．０６ｇ添加するかわりに、ＯＸ−ＳＱＴＸ−１００を０．０３ｇ、及びポリ[２−（４’−ヒドロキシフェニル）エチル−ジメチルシリルシラセスキオキサン]を４２．４重量％含む２−ヘプタノン溶液（ＢＯＰＨ樹脂；東亞合成製）を０．０７ｇ添加した以外は実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を製造し、該有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。得られた電界効果型有機薄膜トランジスタのトランジスタ特性を表１に示す。

実施例５
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
オキセタニル基を有するオルガノシラセスキオキサン（ＯＸ−ＳＱＴＸ−１００；東亞合成製）を０．０６ｇ添加するかわりに、オキセタニル基とメチル基とを有するオルガノシラセスキオキサン（ＯＸ−ＳＱＭＥ−２０；東亞合成製）を０．０３ｇ、及び、ポリ[２−（４’−ヒドロキシフェニル）エチル−ジメチルシリルシラセスキオキサン]を４２．４重量％含む２−ヘプタノン溶液（ＢＯＰＨ樹脂；東亞合成製）を０．０７ｇ添加した以外は実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を製造し、該有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。得られた電界効果型有機薄膜トランジスタのトランジスタ特性を表１に示す。

実施例６
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
オキセタニル基を有するオルガノシラセスキオキサン（ＯＸ−ＳＱＴＸ−１００；東亞合成製）を０．０６ｇ添加するかわりに、オキセタニル基とトリメチルシリル基とを有するオルガノシラセスキオキサン（ＯＸ−ＳＱＳＩ−２０；東亞合成製）を０．０３ｇ、及びポリ[２−（４’−ヒドロキシフェニル）エチル−ジメチルシリルシラセスキオキサン]を４２．４重量％含む２−ヘプタノン溶液（ＢＯＰＨ樹脂；東亞合成製）を０．０７ｇ添加した以外は実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を製造し、該有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。得られた電界効果型有機薄膜トランジスタのトランジスタ特性を表１に示す。

比較例１
（電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
オキセタニル基を有するオルガノシラセスキオキサン（ＯＸ−ＳＱＴＸ−１００；東亞合成製）を添加しない以外は実施例１と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。得られた電界効果型有機薄膜トランジスタのトランジスタ特性を測定し、評価したところ、ゲート電圧Vgが２０V〜―４０Vの領域ではトランジスタとして動作しなかった。

比較例２
（ゲート電極上にモリブデンのスパッタを行わない電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
ゲート絶縁層上にモリブデンを堆積及び除去する工程を除いた以外は比較例１と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を測定して評価した。結果を表１に示す。

１…基板、
２…ゲート電極、
３…ゲート絶縁層、
４…有機半導体層、
５…ソース電極、
６…ドレイン電極、
７…オーバーコート。

Claims

環状エーテル構造を含有する繰り返し単位と、式

（１）
［式中、Ｒ_５は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ_ｂｂは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｒは、酸により脱離しうる有機基を表す。Ｒ’は、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。該炭素数１〜２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｂは、０又は１の整数を表し、ｎは、１〜５の整数を表す。Ｒが複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。Ｒ’が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。］
で表される繰り返し単位とを含有する高分子化合物（Ａ）と、
式

（７）
［式中、Ｒ’’’は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基を表す。該炭素数１〜２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｑは１〜５の整数を表す。Ｒ’’’が複数ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。］
で表される基、式

（８）
［式中、Ｒ_１９、Ｒ_２０、Ｒ_２１、Ｒ_２２及びＲ_２３は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。］
で表される基、及び、式

（９）
［式中、Ｒ_２４、Ｒ_２５及びＲ_２６は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。］
で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を有するオルガノシラセスキオキサン化合物（Ｂ）とを含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
前記環状エーテル構造を含有する繰り返し単位が、式

（２）
［式中、Ｒ_１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。Ｒ_ａａは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ａは、０又は１の整数を表す。］
で表される繰り返し単位、及び、式

（３）
［式中、Ｒ_１２は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ_１３、Ｒ_１４、Ｒ_１５、Ｒ_１６、及びＲ_１７は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。Ｒ_ｄｄは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｄは、０又は１の整数を表す。］
で表される繰り返し単位とからなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位である請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
前記高分子化合物（Ａ）が、更に、以下の第１の官能基を含有する繰り返し単位を含む高分子化合物である請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
第１の官能基：活性水素と反応しうる第２の官能基を、電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基
前記第１の官能基が、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基である請求項３に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式

（５）
［式中、Ｘａは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ_７及びＲ_８は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。］
で表される基である請求項４に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式

（６）
［式中、Ｘｂは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ_９、Ｒ_１０及びＲ_１１は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。］
で表される基である請求項４に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
前記高分子化合物（Ａ）が、更に、式

（４）
［式中、Ｒ_６は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有していてもよい炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。Ｒ_ｃｃは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｃは、０又は１の整数を表し、ｍは、１〜５の整数を表す。Ｒｆが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ただし、少なくとも１個のＲｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１〜２０の一価の有機基である。］
で表される繰り返し単位を含有する請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；及び
該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程；
を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法。
請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；
該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程；及び
該塗布層に熱を印加する工程；
を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法。
前記電磁波が紫外線である請求項８又は９に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法。
請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ絶縁層を有する有機薄膜トランジスタ。
前記有機薄膜トランジスタ絶縁層がゲート絶縁層である請求項１１に記載の有機薄膜トランジスタ。
請求項１１又は１２に記載の有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材。
請求項１３に記載のディスプレイ用部材を含むディスプレイ。