JP2013115304A - Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam lithography method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、描画装置内でパターンをリサイズする手法に関する。 The present invention relates to a charged particle beam drawing apparatus and a charged particle beam drawing method, and, for example, to a technique for resizing a pattern in a drawing apparatus.
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(レチクル或いはマスクともいう。)が必要となる。ここで、電子線(電子ビーム)描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。 Lithography technology, which is responsible for the progress of miniaturization of semiconductor devices, is an extremely important process for generating a pattern among semiconductor manufacturing processes. In recent years, with the high integration of LSI, circuit line widths required for semiconductor devices have been reduced year by year. In order to form a desired circuit pattern on these semiconductor devices, a highly accurate original pattern (also referred to as a reticle or a mask) is required. Here, the electron beam (electron beam) drawing technique has an essentially excellent resolution, and is used for producing a high-precision original pattern.
図13は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
FIG. 13 is a conceptual diagram for explaining the operation of the variable shaped electron beam drawing apparatus.
The variable shaped electron beam (EB) drawing apparatus operates as follows. In the
描画装置では、例えば、EUV(Extreme Ultra−Violet)光を斜入射させ、反射光学系を用いてパターンを転写するEUV露光装置で用いるEUVマスクを製作するにあたって、そのパターンをEUVマスク基板に描画する(例えば、特許文献1参照)。かかる露光装置では、マスクへの入射光が斜入射となるので、パターンの向きによって、影(シャドーウィング)が生じ、寸法の非等方誤差が生じる。このようなシャドーウィング効果は、非等方誤差であるため、描画装置内部で電子ビームの照射量変調を用いて補正することが困難である。そのため、設計データの段階でパターンの方向に応じてパターン寸法を補正しておくことが行われる。また、シャドーウィング効果は、概ね入射角度に依存するため、一般に、マスク面内において、一律に同一の補正式で補正される。 In a drawing apparatus, for example, when manufacturing an EUV mask used in an EUV exposure apparatus that obliquely enters EUV (Extreme Ultra-Violet) light and transfers a pattern using a reflection optical system, the pattern is drawn on the EUV mask substrate. (For example, refer to Patent Document 1). In such an exposure apparatus, since the incident light to the mask is obliquely incident, a shadow (shadow wing) is generated depending on the direction of the pattern, and an anisotropic error of the dimension occurs. Since such a shadow wing effect is an anisotropic error, it is difficult to correct it using electron beam dose modulation inside the drawing apparatus. Therefore, the pattern dimensions are corrected in accordance with the pattern direction at the design data stage. In addition, since the shadow wing effect largely depends on the incident angle, the shadow wing effect is generally corrected uniformly by the same correction formula within the mask surface.
しかしながら、シャドーウィング効果には、微小ではあるが露光装置のスリット内の位置依存性の誤差が生じる。昨今のパターンの微細化に伴い、かかるスリット内の位置依存性、ひいてはマスク面内の位置依存性の誤差も無視できないものとなってきている。 However, the shadow wing effect causes a position-dependent error in the slit of the exposure apparatus although it is minute. With the recent miniaturization of patterns, errors in the position dependency in the slit, and hence the position dependency in the mask surface, cannot be ignored.
上述したように、昨今のパターンの微細化に伴い、例えば、上述したEUV露光装置等の斜入射反射光学系を用いた露光装置でパターンを転写する際、シャドーウィング効果が生じてしまう。そして、シャドーウィング効果は、露光装置のスリット内の位置依存性の誤差が生じる。かかる位置依存性誤差は、露光装置が変われば、その誤差も変化してしまう。そのため、設計データを作成する段階で補正することは困難である。 As described above, with the recent miniaturization of patterns, for example, when a pattern is transferred by an exposure apparatus using an oblique incidence reflection optical system such as the above-described EUV exposure apparatus, a shadow wing effect occurs. The shadow wing effect causes a position-dependent error in the slit of the exposure apparatus. Such a position-dependent error changes as the exposure apparatus changes. Therefore, it is difficult to correct at the stage of creating design data.
そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、斜入射反射光学系を用いた露光装置で生じるシャドーウィング効果のうち、特に、位置依存性誤差について補正可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides a drawing apparatus and method capable of overcoming the above-described problems and correcting, in particular, a position-dependent error among shadow wing effects generated in an exposure apparatus using an oblique incidence reflection optical system. With the goal.
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
斜入射反射光学系を用いてパターンが形成されたマスク基板に照明光を斜入射してマスク基板からの反射光を用いてマスク基板に形成されたパターンを被露光基板に転写する露光装置におけるシャドーウィング効果の位置依存誤差を補正する補正値が定義された補正テーブルを記憶する記憶部と、
複数の図形について位置と形状とサイズが定義されたパターンデータを入力し、図形毎に、当該図形の位置に基づいて、補正テーブルから対応する補正値を取得する取得部と、
図形毎に、補正値を用いて、当該図形をリサイズするリサイズ処理部と、
荷電粒子ビームを用いて、パターン形成前のマスク基板にリサイズされた図形を描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
A charged particle beam drawing apparatus according to one embodiment of the present invention includes:
Shadow in an exposure apparatus that obliquely enters illumination light onto a mask substrate on which a pattern is formed using an oblique incidence reflection optical system, and transfers the pattern formed on the mask substrate to the exposure substrate using reflected light from the mask substrate. A storage unit for storing a correction table in which a correction value for correcting a position-dependent error of the wing effect is defined;
An input unit that inputs pattern data in which positions, shapes, and sizes are defined for a plurality of figures, and acquires corresponding correction values from the correction table based on the positions of the figures for each figure;
For each figure, using a correction value, the resizing processing unit resizing the figure,
A drawing unit that draws a resized figure on a mask substrate before pattern formation using a charged particle beam;
It is provided with.
また、パターンデータには、図形毎に、当該図形を構成する複数の辺についてそれぞれリサイズするために移動を許可する可動辺なのか、移動を許可しない不動辺なのか、を識別する情報が定義され、
リサイズ処理部は、不動辺については移動せずに、可動辺についてリサイズするために移動するように構成すると好適である。
The pattern data defines, for each figure, information that identifies whether the side is a movable side that allows movement or a non-movable side that does not allow movement in order to resize a plurality of sides constituting the figure. ,
It is preferable that the resizing processing unit is configured to move to resize the movable side without moving the non-movable side.
また、リサイズ処理部は、マスク基板に照明光を斜入射する際のマスク基板上の入射方向と同じ方向に延びる辺については移動せず、入射方向とは異なる方向に延びる辺についてリサイズするために移動するように構成すると好適である。 In addition, the resizing processing unit does not move the side extending in the same direction as the incident direction on the mask substrate when the illumination light is obliquely incident on the mask substrate, and resizes the side extending in a direction different from the incident direction. It is preferable to configure to move.
また、記憶部は、複数の露光装置に対応する複数の補正テーブルを記憶し、
露光装置を識別する情報を入力し、入力された露光装置に応じて前記複数の補正テーブルの中から対応する補正テーブルを選択する選択部をさらに備えるように構成すると好適である。
The storage unit stores a plurality of correction tables corresponding to the plurality of exposure apparatuses,
It is preferable to further comprise a selection unit that inputs information for identifying the exposure apparatus and selects a corresponding correction table from the plurality of correction tables according to the input exposure apparatus.
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
斜入射反射光学系を用いてパターンが形成されたマスク基板に照明光を斜入射してマスク基板からの反射光を用いてマスク基板に形成されたパターンを被露光基板に転写する露光装置におけるシャドーウィング効果の位置依存誤差を補正する補正値が定義された補正テーブルを記憶装置に記憶する工程と、
複数の図形について位置と形状とサイズが定義されたパターンデータを入力し、図形毎に、当該図形の位置に基づいて、補正テーブルから対応する補正値を取得する工程と、
図形毎に、補正値を用いて、当該図形をリサイズする工程と、
荷電粒子ビームを用いて、パターン形成前のマスク基板にリサイズされた図形を描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
The charged particle beam drawing method of one embodiment of the present invention includes:
Shadow in an exposure apparatus that obliquely enters illumination light onto a mask substrate on which a pattern is formed using an oblique incidence reflection optical system, and transfers the pattern formed on the mask substrate to the exposure substrate using reflected light from the mask substrate. Storing a correction table in which a correction value for correcting a position-dependent error of the wing effect is defined in a storage device;
Inputting pattern data in which positions, shapes and sizes are defined for a plurality of figures, and obtaining corresponding correction values from the correction table based on the positions of the figures for each figure;
For each figure, using the correction value, resizing the figure,
Drawing a resized figure on a mask substrate before pattern formation using a charged particle beam;
It is provided with.
本発明の一態様によれば、斜入射反射光学系を用いた露光装置で生じるシャドーウィング効果における位置依存性誤差について補正できる。その結果、高精度なパターンを描画できる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to correct a position-dependent error in the shadow wing effect that occurs in an exposure apparatus that uses an oblique incidence reflection optical system. As a result, a highly accurate pattern can be drawn.
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。 Hereinafter, in the embodiment, a configuration using an electron beam will be described as an example of a charged particle beam. However, the charged particle beam is not limited to an electron beam, and a beam using charged particles such as an ion beam may be used. Further, a variable shaping type drawing apparatus will be described as an example of the charged particle beam apparatus.
実施の形態1.
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク基板101が配置される。マスク基板101には、斜入射反射光学系を用いた露光装置で使用される露光用マスクが含まれる。例えば、EUVマスクが含まれる。また、マスク基板101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of a drawing apparatus according to the first embodiment. In FIG. 1, the
制御部160は、制御計算機110、メモリ112、制御回路120、及び磁気ディスク装置等の記憶装置140,142,144を有している。制御計算機110、メモリ112、制御回路120、及び記憶装置140,142,144は、図示しないバスを介して互いに接続されている。
The
制御計算機110内には、選択部10、入力部11、補正値P’(x)取得部12、リサイズ処理部14、判定部16、描画データ処理部18、及び描画制御部20が配置される。選択部10、入力部11、補正値P’(x)取得部12、リサイズ処理部14、判定部16、描画データ処理部18、及び描画制御部20といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。選択部10、入力部11、補正値P’(x)取得部12、リサイズ処理部14、判定部16、描画データ処理部18、及び描画制御部20に入出力される情報および演算中の情報はメモリ112にその都度格納される。また、リサイズ処理部14内には、設定部30、判定部32,34,38、及び移動処理部36が配置される。設定部30、判定部32,34,38、及び移動処理部36といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。設定部30、判定部32,34,38、及び移動処理部36に入出力される情報および演算中の情報はメモリ112にその都度格納される。
In the control computer 110, a
ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、主偏向器208と副偏向器209の主副2段の多段偏向器を用いているが、1段の偏向器或いは3段以上の多段偏向器によって位置偏向を行なう場合であってもよい。
Here, FIG. 1 shows a configuration necessary for explaining the first embodiment. The
記憶装置140(記憶部)には、複数の図形パターンから構成されるパターンデータ(描画データ)が外部より入力され、格納されている。パターンデータには、各図形の形状、配置座標、およびサイズ等のデータが定義される。また、パターンデータには、図形毎に、後述するリサイズ処理を行うにあたって、移動させても構わない可動辺と移動させない不動辺とを識別する識別子がさらに定義されている。 In the storage device 140 (storage unit), pattern data (drawing data) composed of a plurality of graphic patterns is input from the outside and stored. The pattern data defines data such as the shape, arrangement coordinates, and size of each figure. The pattern data further defines an identifier for identifying a movable side that may be moved and a non-movable side that is allowed to move when performing a resizing process to be described later for each figure.
図2は、実施の形態1における入射角に依存したシャドーウィング効果の一例を示す図である。図2では、x方向に並ぶ1:1のラインアンドスペースパターンの一例を示している。また、図2では、斜入射反射光学系の露光装置でかかるパターンが形成されたマスクに照明光を斜め上方から照射した際、マスク上においてx方向が照明光の入射方向である場合を示している。かかる場合、スペース部分に照射される照明光は、手前の厚さdのパターンによって一部が遮られ、スペース部分に影ができる。そのため、スペース部分の設計寸法Lに対して実際に露光される寸法L1には誤差が生じる(シャドーウィング効果の主要効果)。かかるスペース部分の設計寸法Lと実際に露光される寸法L1との差分(誤差)は、露光装置の縮小率をsとすると、Δ=L−L1=2d・tanθ・sで定義される。このように、シャドーウィング効果の主要効果Seは、−2d・tanθ・sの寸法変動を引き起こすことがわかる。 FIG. 2 is a diagram showing an example of the shadow wing effect depending on the incident angle in the first embodiment. FIG. 2 shows an example of a 1: 1 line and space pattern arranged in the x direction. Further, FIG. 2 shows a case where the illumination light is irradiated obliquely from above on the mask on which the pattern is formed by the oblique incidence reflection optical system exposure apparatus, and the x direction is the illumination light incident direction on the mask. Yes. In such a case, the illumination light applied to the space portion is partially blocked by the pattern having the thickness d in front, and a shadow is formed on the space portion. Therefore, an error occurs in the dimension L1 that is actually exposed with respect to the design dimension L of the space portion (the main effect of the shadow wing effect). The difference (error) between the design dimension L of the space portion and the actually exposed dimension L1 is defined as Δ = L−L1 = 2d · tan θ · s, where s is the reduction ratio of the exposure apparatus. Thus, it can be seen that the main effect Se of the shadow wing effect causes a dimensional variation of −2d · tan θ · s.
図3は、実施の形態1における入射角に依存したシャドーウィング効果の比較例を示す図である。図3では、y方向に並ぶ1:1のラインアンドスペースパターンの一例を示している。また、図3では、斜入射反射光学系の露光装置でかかるパターンが形成されたマスクに照明光を斜め上方から照射した際、マスク上においてx方向が照明光の入射方向である場合を示している。かかる場合、スペース部分に照射される照明光は、厚さdのパターンによって遮られない。そのため、影が生じず、スペース部分の設計寸法Lに対して実際に露光される寸法L2にはシャドーウィング効果の主要効果としての誤差は生じない。 FIG. 3 is a diagram showing a comparative example of the shadow wing effect depending on the incident angle in the first embodiment. FIG. 3 shows an example of a 1: 1 line and space pattern arranged in the y direction. Further, FIG. 3 shows a case where the illumination light is irradiated obliquely from above on the mask on which the pattern is formed by the oblique incidence reflection optical system exposure apparatus, and the x direction is the illumination light incident direction on the mask. Yes. In such a case, the illumination light applied to the space portion is not blocked by the pattern having the thickness d. Therefore, no shadow is generated, and no error as a main effect of the shadow wing effect occurs in the dimension L2 that is actually exposed with respect to the design dimension L of the space portion.
このように、シャドーウィング効果の主要効果は、マスク上に形成されたパターンの厚さdと照明光の入射角θに依存する。しかしながら、シャドーウィング効果には、かかる主要効果の他に、露光装置固有の位置依存の誤差P(x)が生じる。 Thus, the main effect of the shadow wing effect depends on the thickness d of the pattern formed on the mask and the incident angle θ of the illumination light. However, in addition to the main effect, the shadow wing effect has a position-dependent error P (x) unique to the exposure apparatus.
図4は、実施の形態1における位置に依存したシャドーウィング効果を説明するための概念図である。斜入射反射光学系を用いた露光装置500(スキャナー)では、斜入射反射光学系を用いてパターンが形成されたマスク基板101に照明光を斜入射してマスク基板101からの反射光を用いてマスク基板101に形成されたパターンを被露光基板に転写する。かかる露光装置500(スキャナー)では、光源502からの照明光は、上述したようにマスクとなる基板101に対して斜め上方から照射される。例えば、基板101上においてx方向が照明光の入射方向(例えばx方向)となるように斜め上方から照射される。そして、一般には入射方向と直交する方向(例えばy方向)にスキャン移動させることでウェハ等の半導体基板にパターンを転写していく。その際、転写されたパターンには、設計寸法に対して、露光装置500の入射方向と同方向に延びる照明スリット内の位置に依存した誤差P(x)が生じる。かかるスリットの中心位置で誤差P(x)=0とすると、入射方向の手前側(−側)の位置で例えば負(−)の誤差が、入射方向の奥側(+側)の位置で例えば正(+)の誤差が生じる。このように、入射方向に対して位置に比例した量の誤差が生じる。
FIG. 4 is a conceptual diagram for explaining the shadow wing effect depending on the position in the first embodiment. In the exposure apparatus 500 (scanner) using the oblique incidence reflection optical system, the illumination light is obliquely incident on the
以上のように、斜入射反射光学系を用いた露光装置500(スキャナー)で生じるシャドーウィング効果は、上述した主要効果Se+位置依存誤差P(x)となる。シャドーウィング効果の主要効果Seについては、装置に依存しないため、設計段階で補正すればよい。或いは、かかる主要効果Seの補正値を描画装置100が入力し、位置依存誤差P(x)と合わせて補正しても構わない。実施の形態1では、上述した主要効果Seと位置依存誤差P(x)のうち、特に、装置固有の位置依存誤差P(x)を補正する場合について説明する。主要効果Seも合わせて補正する場合には、以下、位置依存誤差P(x)について、位置依存誤差P(x)に主要効果Seの値も加算した値と読み替えればよい。
As described above, the shadow wing effect generated in the exposure apparatus 500 (scanner) using the oblique incidence reflection optical system is the main effect Se + position-dependent error P (x) described above. Since the main effect Se of the shadow wing effect does not depend on the apparatus, it may be corrected at the design stage. Alternatively, the
まず、実施の形態1では、描画処理を開始する前に、予め、かかる位置依存誤差P(x)の補正テーブルを作成する。各補正値は、予め、シミュレーション或いは実験等により求めておけばよい。 First, in the first embodiment, a correction table for the position-dependent error P (x) is created in advance before starting the drawing process. Each correction value may be obtained in advance by simulation or experiment.
図5は、実施の形態1におけるシャドーウィング効果の位置依存誤差を示す補正テーブルの一例を示す概念図である。図5において、シャドーウィング効果の位置依存誤差を示す補正テーブル50では、位置xと、位置依存誤差P(x)を補正する補正値P’(x)と、の相関関係(相関データ)が定義される。或いは、かかる位置依存誤差P(x)を補正する補正値P’(x)を示す、位置xに依存した関数P’(x)が補正テーブル(或いは相関関数)として定義されてもよい。かかる補正テーブル50は、斜入射反射光学系を用いた複数の露光装置500(スキャナー)について、露光装置500毎に作成され、かかる複数の補正テーブルは、それぞれ対応する露光装置500が識別可能なように記憶装置142(記憶部)に格納(記憶)される。ここでxは、基板101上における照明光の入射方向の方向における位置を示す。
FIG. 5 is a conceptual diagram showing an example of a correction table showing the position-dependent error of the shadow wing effect in the first embodiment. In FIG. 5, in the correction table 50 indicating the position-dependent error of the shadow wing effect, the correlation (correlation data) between the position x and the correction value P ′ (x) for correcting the position-dependent error P (x) is defined. Is done. Alternatively, a function P ′ (x) depending on the position x indicating a correction value P ′ (x) for correcting the position-dependent error P (x) may be defined as a correction table (or correlation function). Such a correction table 50 is created for each
図6は、実施の形態1における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図6において、実施の形態1における描画方法は、スキャナー選択工程(S102)と、パターンデータ入力工程(S104)と、補正値P’(x)取得工程(S106)と、リサイズ処理工程(S108)と、判定工程(S120)と、ショットデータ生成工程(S122)と、描画工程(S124)という一連の工程を実施する。また、リサイズ処理工程(S108)の内部工程として、辺設定工程(S110)と、判定工程(S112)と、判定工程(S114)と、辺移動工程(S116)と、判定工程(S118)という一連の工程を実施する。 FIG. 6 is a flowchart showing main steps of the drawing method according to the first embodiment. 6, the drawing method according to the first embodiment includes a scanner selection step (S102), a pattern data input step (S104), a correction value P ′ (x) acquisition step (S106), and a resize processing step (S108). Then, a series of steps of a determination step (S120), a shot data generation step (S122), and a drawing step (S124) are performed. Further, as an internal process of the resizing process (S108), a series of a side setting process (S110), a determination process (S112), a determination process (S114), a side movement process (S116), and a determination process (S118). The process of is implemented.
スキャナー選択工程(S102)として、選択部10は、露光装置500を識別する情報を入力し、入力された露光装置500に応じて記憶装置142に格納された複数の補正テーブルの中から対応する補正テーブルを選択する。露光装置500を識別する情報は、描画装置100で今回描画対象となる基板100をマスクとして用いる露光装置500を識別するための情報である。
In the scanner selection step (S102), the
パターンデータ入力工程(S104)として、入力部11は、記憶装置140からパターンデータを入力する。ここでは、図形毎にデータを入力してもよいし、まとめて複数の図形のデータを入力してもよい。
As the pattern data input step (S104), the
補正値P’(x)取得工程(S106)として、補正値P’(x)取得部12は、複数の図形について位置と形状とサイズが定義されたパターンデータを入力し、図形毎に、当該図形の位置に基づいて、選択された補正テーブルから対応する補正値を取得する。P’(x)取得部12は、取得部の一例である。具体的には、入力されたパターンデータが示す図形の配置座標から当該図形の位置xを取得し、選択された補正テーブル50を参照して、かかる位置xに対応する補正値P’(x)を取得する。
As the correction value P ′ (x) acquisition step (S106), the correction value P ′ (x)
リサイズ処理工程(S108)として、リサイズ処理部14は、図形毎に、取得された補正値P’(x)を用いて、当該図形をリサイズする。リサイズ処理の内容について以下に示す。 As the resizing processing step (S108), the resizing processing unit 14 resizes the figure using the acquired correction value P '(x) for each figure. The contents of the resizing process are shown below.
辺設定工程(S110)として、設定部30は、リサイズ対象となる図形を構成する複数の辺のうちの1つを選択し、リサイズ対象として設定する。
As the side setting step (S110), the setting
判定工程(S112)として、判定部32は、設定された当該辺が露光装置500における照明光の入射方向に対して、0度の角度の辺かどうかを判定する。言い換えれば、入射方向(x方向)に延びる辺かどうかを判定する。0度の角度の辺の場合には、判定工程(S118)へ進む。0度の角度の辺ではない場合には、判定工程(S114)へ進む。
As a determination step (S112), the
判定工程(S114)として、判定部34は、設定された当該辺がリサイズするために移動を許可する可動辺かどうかを判定する。上述したように、パターンデータには、図形毎に、当該図形を構成する複数の辺についてそれぞれリサイズするために移動を許可する可動辺なのか、移動を許可しない不動辺なのか、を識別する情報が定義される。そこで、判定部34は、かかる情報を参照して、設定された当該辺がリサイズするために移動を許可する可動辺かどうかを判定すればよい。当該辺が可動辺である場合に辺移動工程(S116)へ進む。当該辺が可動辺ではない場合に判定工程(S118)へ進む。
As a determination step (S114), the
辺移動工程(S116)として、移動処理部36は、不動辺については移動せずに、可動辺について、補正値P’(x)取得工程(S106)により取得された補正値P’(x)に基づき、リサイズするために移動する。
As the side movement step (S116), the
判定工程(S118)として、判定部38は、当該図形についてすべての辺が終了したかどうかを判定する。すべての辺が終了した場合は、判定工程(S120)へ進む。すべての辺が終了していない場合は、辺設定工程(S110)へ戻る。そして、辺設定工程(S110)において次の辺を設定する。そして、すべての辺が終了するまで辺設定工程(S110)から判定工程(S118)までを繰り返す。具体的には以下のように辺を移動させる。
As a determination step (S118), the
図7は、実施の形態1における入射方向に対して90度の方向に延びるパターンのリサイズ処理の一例を示す概念図である。図7(b)では、図7(a)に示す基板101の描画領域52上において露光装置500の照明光の入射方向(例えばx方向)に対して手前側の位置53に描画される予定の図形60についてリサイズする場合を示している。図7(b)に示すように、図形60は、入射方向(x方向)に対して90度の方向(y方向)に長く延びる長方形パターンの一例である。図形60は、4つの辺62,64,66,68で構成される。辺62,66は、入射方向に対して、0度の角度の辺である。また、辺62,66は、不動辺と定義される。辺64,68は、入射方向に対して、90度の角度の辺である。また、辺64,68は、可動辺と定義される。かかる場合、移動処理部36は、不動辺62,66については辺の移動をしない。そして、移動処理部36は、可動辺64,68についてリサイズするために辺の移動を行う。辺の移動は、1つの辺に対して、取得された補正値P’(x)の1/2の値だけ移動させる。図7(b)の例では、可動辺64については−x側に、可動辺68については+x側にそれぞれ補正値P’(x)の1/2ずつ移動させる。これにより、x方向の寸法を構成する2つの辺64,68について補正値P’(x)だけリサイズすることができる。なお、図7(b)に示す図形60は、入射方向(例えばx方向)に対して手前側の位置53に描画されるので、位置依存誤差P(x)は例えば負(−)の値になる。そのため、補正値P’(x)は、位置依存誤差P(x)を補正するように極性が逆の正(+)の値となる。
FIG. 7 is a conceptual diagram showing an example of a resizing process of a pattern extending in a direction of 90 degrees with respect to the incident direction in the first embodiment. In FIG. 7B, the drawing is scheduled at a
一方、図7(c)では、図7(a)に示す基板101の描画領域52上において露光装置500の照明光の入射方向(例えばx方向)に対して奥側の位置54に描画される予定の図形60についてリサイズする場合を示している。図7(c)に示す図形60は、入射方向(例えばx方向)に対して奥側の位置54に描画されるので、位置依存誤差P(x)は例えば正(+)の値になる。そのため、補正値P’(x)は、位置依存誤差P(x)を補正するように極性が逆の負(−)の値となる。よって、移動処理部36は、不動辺62,66については辺の移動をしない。そして、移動処理部36は、可動辺64,68についてリサイズするために辺の移動を行う。図7(c)の例では、可動辺64については+x側に、可動辺68については−x側にそれぞれ補正値P’(x)の1/2ずつ移動させる。これにより、x方向の寸法を構成する2つの辺64,68について補正値P’(x)だけリサイズすることができる。
On the other hand, in FIG.7 (c), it draws in the
図8は、実施の形態1における入射方向に対して0度の方向につながる複数のパターンのリサイズ処理の一例を示す概念図である。図8(b)では、図8(a)に示す基板101の描画領域52上において露光装置500の照明光の入射方向(例えばx方向)に対して手前側の位置53に描画される予定の3つの図形69,70,71についてリサイズする場合を示している。図8(b)に示すように、図形69は、入射方向(x方向)に対して0度の方向に長く延びる長方形パターンの一例である。図形69は、4つの辺58,59,75,78で構成される。辺58,59は、入射方向に対して、0度の角度の辺である。また、辺58,59は、可動辺と定義される。辺75,78は、入射方向に対して、90度の角度の辺である。また、辺75,78は、不動辺と定義される。
FIG. 8 is a conceptual diagram showing an example of resizing processing of a plurality of patterns connected in a direction of 0 degrees with respect to the incident direction in the first embodiment. In FIG. 8B, the drawing is scheduled at a
図形70は、4つの辺72,74,76,78で構成される。辺78は、図形69と共有する。辺72,76は、入射方向に対して、0度の角度の辺である。また、辺72,76は、可動辺と定義される。辺74,78は、入射方向に対して、90度の角度の辺である。また、辺74は、可動辺と定義される。辺78は、不動辺と定義される。
The figure 70 is composed of four
図形71は、4つの辺73,75,77,79で構成される。辺75は、図形69と共有する。辺73,77は、入射方向に対して、0度の角度の辺である。また、辺73,77は、可動辺と定義される。辺75,79は、入射方向に対して、90度の角度の辺である。また、辺79は、可動辺と定義される。辺75は、不動辺と定義される。 The figure 71 is composed of four sides 73, 75, 77 and 79. The side 75 is shared with the figure 69. The sides 73 and 77 are sides having an angle of 0 degrees with respect to the incident direction. Sides 73 and 77 are defined as movable sides. The sides 75 and 79 are sides having an angle of 90 degrees with respect to the incident direction. The side 79 is defined as a movable side. Side 75 is defined as a non-moving side.
かかる場合に、移動処理部36は、図形69について、可動辺58,59は入射方向(x方向)に対して、0度の角度の辺なので、辺の移動はしない。また、辺75,78は、不動辺なので辺の移動はしない。よって、図形69についてはリサイズしない。
In this case, the
また、移動処理部36は、図形70について、可動辺72,76は入射方向(x方向)に対して、0度の角度の辺なので、辺の移動はしない。また、辺78は、不動辺なので辺の移動はしない。しかし、可動辺74については、入射方向(x方向)に対して、90度の角度の辺なので、取得された補正値P’(x)の1/2の値だけ移動させる。図8(b)に示す図形70は、入射方向(例えばx方向)に対して手前側の位置53に描画されるので、位置依存誤差P(x)は例えば負(−)の値になる。そのため、補正値P’(x)は、位置依存誤差P(x)を補正するように極性が逆の正(+)の値となる。よって、図8(b)の例では、可動辺74については−x側に、補正値P’(x)の1/2だけ移動させる。
Further, the
また、移動処理部36は、図形71について、可動辺73,77は入射方向(x方向)に対して、0度の角度の辺なので、辺の移動はしない。また、辺75は、不動辺なので辺の移動はしない。しかし、可動辺79については、入射方向(x方向)に対して、90度の角度の辺なので、取得された補正値P’(x)の1/2の値だけ移動させる。図8(b)に示す図形71は、入射方向(例えばx方向)に対して手前側の位置53に描画されるので、位置依存誤差P(x)は例えば負(−)の値になる。そのため、補正値P’(x)は、位置依存誤差P(x)を補正するように極性が逆の正(+)の値となる。よって、図8(b)の例では、可動辺79については+x側に、補正値P’(x)の1/2だけ移動させる。
Further, the
以上のリサイズ処理により、図形70についてx方向の寸法を構成する2つの辺74,78のうち辺74について補正値P’(x)だけリサイズすることができる。また、図形71についてx方向の寸法を構成する2つの辺75,79のうち辺79について補正値P’(x)だけリサイズすることができる。これにより、入射方向に対して0度の方向に繋がる3つの図形69,70,71について、図形間に隙間なく、かつ重複領域なくリサイズ処理ができる。
With the above resizing process, the figure 70 can be resized by the correction value P ′ (x) for the side 74 out of the two
図9は、実施の形態1における入射方向に対して135度の方向につながる複数のパターンのリサイズ処理の一例を示す概念図である。図9(b)では、図9(a)に示す基板101の描画領域52上において露光装置500の照明光の入射方向(例えばx方向)に対して手前側の位置53に描画される予定の、平行四辺形(図形80)と平行四辺形(図形80)に繋がる直角2等辺3角形(図形87)についてリサイズする場合を示している。図9(b)に示すように、図形80は、入射方向(x方向)に対して90度の方向(y方向)に長く延びる平行四辺形パターンの一例である。図形80は、底辺83,86と斜辺84,85の4つの辺83,86,84,85で構成される。辺83,86は、入射方向の方向に対して、0度の角度の辺である。また、辺86は、可動辺と定義される。また、辺83は、不動辺と定義される。辺84,85は、入射方向の方向に対して、135度の角度の辺である。また、辺84,85は、可動辺と定義される。
FIG. 9 is a conceptual diagram illustrating an example of resizing processing of a plurality of patterns connected in a direction of 135 degrees with respect to the incident direction in the first embodiment. In FIG. 9B, the drawing is scheduled at a
図形87は、直交する2辺81,83と斜辺82の3つの辺81,82,83で構成される。辺83は、図形80と共有する。辺83は、入射方向に対して、0度の角度の辺である。また、辺83は、不動辺と定義される。辺81は、入射方向に対して、90度の角度の辺である。また、辺81は、可動辺と定義される。辺82は、入射方向に対して、135度の角度の辺である。また、辺82は、可動辺と定義される。
The figure 87 includes three
かかる場合に、移動処理部36は、図形80について、可動辺86は入射方向(x方向)に対して、0度の角度の辺なので、辺の移動はしない。辺83は、不動辺なので辺の移動はしない。しかし、可動辺84,85については、入射方向(x方向)に対して、135度の角度の辺なので、取得された補正値P’(x)の1/2の値だけ移動させる。図9(b)に示す図形80は、入射方向(例えばx方向)に対して手前側の位置53に描画されるので、位置依存誤差P(x)は例えば負(−)の値になる。そのため、補正値P’(x)は、位置依存誤差P(x)を補正するように極性が逆の正(+)の値となる。よって、図9(b)の例では、可動辺84については−x側に、可動辺85については+x側に、それぞれ補正値P’(x)の1/2ずつ移動させる。
In this case, the
また、移動処理部36は、図形87について、辺83は、不動辺なので辺の移動はしない。しかし、可動辺81,82については、入射方向(x方向)に対して、90度の角度の辺と135度の角度の辺なので、取得された補正値P’(x)の1/2の値だけ移動させる。図8(b)に示す図形87は、入射方向(例えばx方向)に対して手前側の位置53に描画されるので、位置依存誤差P(x)は例えば負(−)の値になる。そのため、補正値P’(x)は、位置依存誤差P(x)を補正するように極性が逆の正(+)の値となる。よって、図9(b)の例では、可動辺81については−x側に、可動辺82については+x側に、それぞれ補正値P’(x)の1/2ずつ移動させる。
The
以上のリサイズ処理により、図形80についてx方向の寸法を構成する2つの辺84,85について補正値P’(x)ずつリサイズすることができる。また、図形87についてx方向の寸法を構成する2つの辺81,82について補正値P’(x)ずつリサイズすることができる。これにより、入射方向に対して135度の方向に繋がる2つの図形80,87について、図形間に隙間なく、かつ重複領域なくリサイズ処理ができる。
With the above resizing processing, the figure 80 can be resized by the correction value P ′ (x) for each of the two
図10は、実施の形態1における入射方向に対して45度の整数倍を除いた任意角の方向に延びるパターンのリサイズ処理の一例を示す概念図である。45度の整数倍を除いた任意角パターンは、描画装置100に入力される前の段階で複数の45度の整数倍の角度を持つパターンに分割される。図10の例では、図10(b)に示すように、x方法に少しずつずれて配置された複数の長方形(図形91,93,95,96)に分割された例を示している。そして、上段の長方形(図形91)は、続く長方形(図形93)と入射方向に対して、0度の角度の不動辺98aを共有する。長方形(図形93)は、さらに、続く長方形(図形95)と入射方向に対して、0度の角度の不動辺98bを共有する。長方形(図形95)は、さらに、続く長方形(図形96)と入射方向に対して、0度の角度の不動辺98cを共有する。複数の長方形(図形91,93,95,96)は、図10(a)に示すように基板101の描画領域52上において露光装置500の照明光の入射方向(例えばx方向)に対して手前側の位置53に描画される場合を示している。
FIG. 10 is a conceptual diagram illustrating an example of a resizing process of a pattern extending in an arbitrary angle direction excluding an integer multiple of 45 degrees with respect to the incident direction in the first embodiment. An arbitrary angle pattern excluding an integer multiple of 45 degrees is divided into a plurality of patterns having an angle of an integer multiple of 45 degrees before being input to the
図10(b)に示すように、図形91,93,95,96は、共に、入射方向(x方向)に対して0度の方向に長く延びる長方形パターンの一例である。 As shown in FIG. 10B, the figures 91, 93, 95, and 96 are all examples of a rectangular pattern that extends long in the direction of 0 degrees with respect to the incident direction (x direction).
図形91は、4つの辺92a,94a,97,98aで構成される。辺97,98aは、入射方向に対して、0度の角度の辺である。また、辺98aは、不動辺と定義される。辺97は、可動辺と定義される。辺92a,94aは、入射方向に対して、90度の角度の辺である。辺92a,94aは、可動辺と定義される。
The figure 91 is composed of four
図形93は、4つの辺92b,94b,98a,98bで構成される。辺98a,98bは、入射方向に対して、0度の角度の辺である。また、辺98a,98bは、不動辺と定義される。辺92b,94bは、入射方向に対して、90度の角度の辺である。辺92b,94bは、可動辺と定義される。
The figure 93 includes four
図形95は、4つの辺92c,94c,98b,98cで構成される。辺98b,98cは、入射方向に対して、0度の角度の辺である。また、辺98b,98cは、不動辺と定義される。辺92c,94cは、入射方向に対して、90度の角度の辺である。辺92c,94cは、可動辺と定義される。
The figure 95 is composed of four
図形96は、4つの辺92d,94d,98c,98dで構成される。辺98c,98dは、入射方向に対して、0度の角度の辺である。また、辺98cは、不動辺と定義される。辺98dは、可動辺と定義される。辺92d,94dは、入射方向に対して、90度の角度の辺である。辺92d,94dは、可動辺と定義される。
The figure 96 is composed of four
かかる場合に、移動処理部36は、図形91について、可動辺97は入射方向(x方向)に対して、0度の角度の辺なので、辺の移動はしない。辺98aは、不動辺なので辺の移動はしない。しかし、可動辺92a,94aについては、入射方向(x方向)に対して、90度の角度の辺なので、取得された補正値P’(x)の1/2の値だけ移動させる。図10(b)に示す図形91は、入射方向(例えばx方向)に対して手前側の位置53に描画されるので、位置依存誤差P(x)は例えば負(−)の値になる。そのため、補正値P’(x)は、位置依存誤差P(x)を補正するように極性が逆の正(+)の値となる。よって、図10(b)の例では、可動辺92aについては−x側に、可動辺94aについては+x側に、それぞれ補正値P’(x)の1/2ずつ移動させる。
In this case, the
また、移動処理部36は、図形93について、辺98a,98bは、不動辺なので辺の移動はしない。しかし、可動辺92b,94bについては、入射方向(x方向)に対して、90度の角度の辺なので、取得された補正値P’(x)の1/2の値だけ移動させる。図10(b)に示す図形93は、入射方向(例えばx方向)に対して手前側の位置53に描画されるので、位置依存誤差P(x)は例えば負(−)の値になる。そのため、補正値P’(x)は、位置依存誤差P(x)を補正するように極性が逆の正(+)の値となる。よって、図10(b)の例では、可動辺92bについては−x側に、可動辺94bについては+x側に、それぞれ補正値P’(x)の1/2ずつ移動させる。
Further, the
また、移動処理部36は、図形95について、辺98b,98cは、不動辺なので辺の移動はしない。しかし、可動辺92c,94cについては、入射方向(x方向)に対して、90度の角度の辺なので、取得された補正値P’(x)の1/2の値だけ移動させる。図10(b)に示す図形95は、入射方向(例えばx方向)に対して手前側の位置53に描画されるので、位置依存誤差P(x)は例えば負(−)の値になる。そのため、補正値P’(x)は、位置依存誤差P(x)を補正するように極性が逆の正(+)の値となる。よって、図10(b)の例では、可動辺92cについては−x側に、可動辺94cについては+x側に、それぞれ補正値P’(x)の1/2ずつ移動させる。
The
また、移動処理部36は、図形96について、可動辺98dは入射方向(x方向)に対して、0度の角度の辺なので、辺の移動はしない。辺98cは、不動辺なので辺の移動はしない。しかし、可動辺92d,94dについては、入射方向(x方向)に対して、90度の角度の辺なので、取得された補正値P’(x)の1/2の値だけ移動させる。図10(b)に示す図形96は、入射方向(例えばx方向)に対して手前側の位置53に描画されるので、位置依存誤差P(x)は例えば負(−)の値になる。そのため、補正値P’(x)は、位置依存誤差P(x)を補正するように極性が逆の正(+)の値となる。よって、図10(b)の例では、可動辺92dについては−x側に、可動辺94dについては+x側に、それぞれ補正値P’(x)の1/2ずつ移動させる。
Further, the
以上のように、リサイズ処理部14は、マスク基板に照明光を斜入射する際のマスク基板上の入射方向と同じ方向に延びる辺については移動せず、入射方向とは異なる方向に延びる辺についてリサイズするために移動する。そして、辺を移動する際には、取得した補正値の1/2を移動する。 As described above, the resize processing unit 14 does not move on the side extending in the same direction as the incident direction on the mask substrate when the illumination light is incident obliquely on the mask substrate, and on the side extending in a direction different from the incident direction. Move to resize. And when moving a side, 1/2 of the acquired correction value is moved.
判定工程(S120)として、判定部16は、すべての図形について終了したかどうかを判定する。すべての図形について終了した場合にはショットデータ生成工程(S122)に進む。すべての図形について終了していない場合にはパターンデータ入力工程(S104)に戻る。そして、すべての図形について終了するまで、パターンデータ入力工程(S104)から判定工程(S120)までを繰り返す。
As a determination step (S120), the
以上により、シャドーウィング効果の装置固有の位置依存誤差P(x)を補正することができる。描画装置100でかかる露光装置500固有の位置依存誤差P(x)を補正することで、パターンデータ(描画データ)の使い回しが可能となる。
As described above, the position-dependent error P (x) unique to the apparatus of the shadow wing effect can be corrected. By correcting the position-dependent error P (x) inherent to the
ショットデータ生成工程(S122)として、描画データ処理部18は、リサイズされた各図形のデータについて、複数段のデータ変換処理を行い、描画装置100用のショットデータを生成する。描画装置100で図形パターンを描画するためには、1回のビームのショットで照射できるサイズにパターンデータ(描画データ)に定義された各図形パターンを分割する必要がある。そこで、描画データ処理部18は、実際に描画するために、リサイズ処理された各図形パターンを1回のビームのショットで照射できるサイズに分割してショット図形を生成する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、及び照射位置といった図形データが定義される。生成されたショットデータは、記憶装置144に記憶される。
As the shot data generation step (S122), the drawing
描画工程(S124)として、描画制御部20に制御された制御回路120は、記憶装置144からショットデータを入力し、描画部150を制御し、描画部150は、電子ビーム200を用いて、パターン形成前のマスク基板101にリサイズされた図形を描画する。具体的には、以下のように動作する。
As the drawing step (S124), the
電子銃201(放出部)から放出された電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。偏向器205によって、かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる(可変成形させる)ことができる。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、主偏向器208及び副偏向器209によって偏向され、連続的に移動するXYステージ105に配置された試料101の所望する位置に照射される。図1では、位置偏向に、主副2段の多段偏向を用いた場合を示している。かかる場合には、主偏向器208でストライプ領域をさらに仮想分割したサブフィールド(SF)の基準位置にステージ移動に追従しながら該当ショットの電子ビーム200を偏向し、副偏向器209でSF内の各照射位置にかかる該当ショットのビームを偏向すればよい。
The
以上のように実施の形態1によれば、斜入射反射光学系を用いた露光装置で生じるシャドーウィング効果における位置依存性誤差について補正できる。その結果、高精度なパターンを描画できる。 As described above, according to the first embodiment, it is possible to correct the position dependency error in the shadow wing effect generated in the exposure apparatus using the oblique incidence reflection optical system. As a result, a highly accurate pattern can be drawn.
実施の形態2.
実施の形態1では、パターンデータに、図形毎に、後述するリサイズ処理を行うにあたって、移動させても構わない可動辺と移動させない不動辺とを識別する識別子が定義される場合を示した。実施の形態2では、各可動辺についてさらにリサイズ方向の情報についても付加する場合について説明する。以下、特に説明しない点は実施の形態1と同様である。
In the first embodiment, the case where an identifier for identifying a movable side that may be moved and a non-moving side that is not moved when performing a resizing process to be described later is defined for each pattern in the pattern data. In the second embodiment, a case will be described in which information about the resize direction is further added for each movable side. The points not particularly described below are the same as those in the first embodiment.
図11は、実施の形態2におけるパターンのリサイズ処理の一例を示す概念図である。図11では、y方向に長い両端の長方形に挟まれるように、x方向に長い2つの長方形が上下の位置に配置されているパターンを示している。かかる場合に、x方向に長い2つの長方形の左辺は、左側のy方向に長い長方形の右辺の一部と共用している。同様に、x方向に長い2つの長方形の右辺は、右側のy方向に長い長方形の左辺の一部と共用している。かかる各図形について、x方向について取得された補正値P’(x)の1/2の値だけ可動辺を移動させると、y方向に長い長方形の左右の辺は、点線で示すように、共に、太くなる側(正(+)側)に辺を移動させればよい。しかし、x方向に長い2つの長方形の左辺にあたる可動辺301,302は、逆に細らせる側(負(−)側)に移動させる必要がある。同様に、x方向に長い2つの長方形の右辺にあたる可動辺303,304についても、逆に細らせる側(負(−)側)に移動させる必要がある。そこで、実施の形態2では、パターンデータに、可動辺と不動辺とを識別する識別子の他に、さらに、各可動辺についてリサイズ方向の情報についても付加する。リサイズ方向は、サイズを太らせる場合には、正(+)、細らせる場合には負(−)の情報を定義すればよい。移動処理部36は、辺の移動の際、かかるリサイズ方向に従って可動辺を補正値P’(x)の1/2を移動させる。
FIG. 11 is a conceptual diagram illustrating an example of pattern resizing processing according to the second embodiment. FIG. 11 shows a pattern in which two rectangles long in the x direction are arranged at upper and lower positions so as to be sandwiched between rectangles at both ends long in the y direction. In such a case, the left sides of the two rectangles that are long in the x direction are shared with a part of the right side of the rectangle that is long in the y direction on the left side. Similarly, the right sides of two rectangles long in the x direction are shared with a part of the left side of the rectangle long in the y direction on the right side. For each of these figures, when the movable side is moved by a value half that of the correction value P ′ (x) acquired in the x direction, the left and right sides of the rectangle that is long in the y direction are both shown as dotted lines. The side may be moved to the thicker side (positive (+) side). However, it is necessary to move the
図12は、実施の形態2におけるパターンのリサイズ処理の他の一例を示す概念図である。図12では、平行四辺形のy方向に延びる底辺を高さ方向の辺として共有する直角三角形が配置されているパターンを示している。かかる場合に、直角三角形のかかる高さ方向の辺は、点線で示すように、x方向について取得された補正値P’(x)の1/2の値だけ可動辺を移動させる必要がある。しかし、平行四辺形にとって、かかる底辺となる可動辺305は、逆に細らせる側(負(−)側)に移動させる必要がある。よって、移動処理部36は、辺の移動の際、かかるリサイズ方向に従って可動辺を補正値P’(x)の1/2を移動させる。かかる構成により、平行四辺形の可動辺305は、細らせる側(負(−)側)に移動させることができる。
FIG. 12 is a conceptual diagram illustrating another example of the pattern resizing process according to the second embodiment. FIG. 12 shows a pattern in which right triangles sharing a base extending in the y direction of a parallelogram as a side in the height direction are arranged. In such a case, the height side of the right triangle needs to be moved by a value that is ½ of the correction value P ′ (x) acquired in the x direction, as indicated by the dotted line. However, for the parallelogram, the
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。斜入射反射光学系を用いた露光装置は、EUV露光装置に限るものではなく、その他の斜入射反射光学系を用いた露光装置でもよい。 The embodiments have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples. The exposure apparatus using the oblique incidence reflection optical system is not limited to the EUV exposure apparatus, and may be an exposure apparatus using another oblique incidence reflection optical system.
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
In addition, although descriptions are omitted for parts and the like that are not directly required for the description of the present invention, such as a device configuration and a control method, a required device configuration and a control method can be appropriately selected and used. For example, although the description of the control unit configuration for controlling the
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。 In addition, all charged particle beam writing apparatuses and methods that include elements of the present invention and that can be appropriately modified by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.
10 選択部
11 入力部
12 P’(x)取得部
14 リサイズ処理部
16 判定部
18 描画データ処理部
20 描画制御部
30 設定部
32,34,38 判定部
36 移動処理部
50 補正テーブル
52 描画領域
53,54 位置
58,59 辺
60,69,70,71,80,87,91,93,95,96 図形
62,64,66,68 辺
72,73,74,75,76,77,78,79 辺
81,82,83,84,85,86 辺
92,94,97,98 辺
100 描画装置
101 基板
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
120 制御回路
140,142,144 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
301,302,303,304,305 辺
330 電子線
340 試料
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
500 露光装置
502 光源
DESCRIPTION OF
Claims (5)
複数の図形について位置と形状とサイズが定義されたパターンデータを入力し、図形毎に、当該図形の位置に基づいて、前記補正テーブルから対応する補正値を取得する取得部と、
図形毎に、前記補正値を用いて、当該図形をリサイズするリサイズ処理部と、
荷電粒子ビームを用いて、パターン形成前のマスク基板にリサイズされた図形を描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 An exposure apparatus for obliquely illuminating illumination light onto a mask substrate on which a pattern is formed using an oblique incidence reflection optical system and transferring the pattern formed on the mask substrate to the substrate to be exposed using reflected light from the mask substrate A storage unit for storing a correction table in which a correction value for correcting a position-dependent error of the shadow wing effect is defined;
An input unit that inputs pattern data in which positions, shapes, and sizes are defined for a plurality of figures, and obtains corresponding correction values from the correction table based on the positions of the figures for each figure;
For each figure, using the correction value, a resize processing unit for resizing the figure,
A drawing unit that draws a resized figure on a mask substrate before pattern formation using a charged particle beam;
A charged particle beam drawing apparatus comprising:
前記リサイズ処理部は、不動辺については移動せずに、可動辺についてリサイズするために移動することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。 In the pattern data, for each figure, information for identifying whether the movable side is allowed to move in order to resize each of the plurality of sides constituting the figure, or the non-moving side that is not allowed to move, is defined.
The charged particle beam drawing apparatus according to claim 1, wherein the resizing processing unit moves to resize the movable side without moving the non-movable side.
露光装置を識別する情報を入力し、入力された露光装置に応じて前記複数の補正テーブルの中から対応する補正テーブルを選択する選択部をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。 The storage unit stores a plurality of correction tables corresponding to a plurality of exposure apparatuses,
4. The information processing apparatus according to claim 1, further comprising a selection unit that inputs information for identifying an exposure apparatus and selects a corresponding correction table from the plurality of correction tables according to the input exposure apparatus. A charged particle beam drawing apparatus according to claim 1.
複数の図形について位置と形状とサイズが定義されたパターンデータを入力し、図形毎に、当該図形の位置に基づいて、前記補正テーブルから対応する補正値を取得する工程と、
図形毎に、前記補正値を用いて、当該図形をリサイズする工程と、
荷電粒子ビームを用いて、パターン形成前のマスク基板にリサイズされた図形を描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 An exposure apparatus for obliquely illuminating illumination light onto a mask substrate on which a pattern is formed using an oblique incidence reflection optical system and transferring the pattern formed on the mask substrate to the substrate to be exposed using reflected light from the mask substrate Storing a correction table in which a correction value for correcting a position-dependent error of the shadow wing effect is defined in a storage device;
Inputting pattern data in which positions, shapes, and sizes are defined for a plurality of figures, and for each figure, obtaining a corresponding correction value from the correction table based on the position of the figure;
For each figure, using the correction value, resizing the figure,
Drawing a resized figure on a mask substrate before pattern formation using a charged particle beam;
A charged particle beam drawing method comprising:
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI708992B (en) * | 2018-09-28 | 2020-11-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | Method of fabricating and servicing a photomask |
US11714350B2 (en) | 2018-09-28 | 2023-08-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of fabricating and servicing a photomask |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59178726A (en) * | 1983-03-29 | 1984-10-11 | Toshiba Corp | Manufacture of pattern transfer mask |
JPH09213599A (en) * | 1996-01-22 | 1997-08-15 | Lucent Technol Inc | Method for correcting nominal size of characteristic object of x-ray mask according to position of the object |
JP2001198783A (en) * | 1999-12-01 | 2001-07-24 | Gerber Coburn Optical Inc | Lap holder and lap holding method |
JP2003273001A (en) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Sony Corp | Electron beam lithographic data creating method, mask manufacturing method, and lithographic apparatus |
JP2006259699A (en) * | 2005-02-03 | 2006-09-28 | Asml Netherlands Bv | Method for producing photolithography patterning device, computer program, patterning device, method for determining position of target image on or near substrate, measuring device, and lithography device |
JP2008219004A (en) * | 2007-02-23 | 2008-09-18 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | Uv lithographic system and method |
JP2010062244A (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Renesas Technology Corp | Semiconductor device manufacturing method |
-
2011
- 2011-11-30 JP JP2011261562A patent/JP2013115304A/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59178726A (en) * | 1983-03-29 | 1984-10-11 | Toshiba Corp | Manufacture of pattern transfer mask |
JPH09213599A (en) * | 1996-01-22 | 1997-08-15 | Lucent Technol Inc | Method for correcting nominal size of characteristic object of x-ray mask according to position of the object |
JP2001198783A (en) * | 1999-12-01 | 2001-07-24 | Gerber Coburn Optical Inc | Lap holder and lap holding method |
JP2003273001A (en) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Sony Corp | Electron beam lithographic data creating method, mask manufacturing method, and lithographic apparatus |
JP2006259699A (en) * | 2005-02-03 | 2006-09-28 | Asml Netherlands Bv | Method for producing photolithography patterning device, computer program, patterning device, method for determining position of target image on or near substrate, measuring device, and lithography device |
JP2008219004A (en) * | 2007-02-23 | 2008-09-18 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | Uv lithographic system and method |
JP2010062244A (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Renesas Technology Corp | Semiconductor device manufacturing method |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI708992B (en) * | 2018-09-28 | 2020-11-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | Method of fabricating and servicing a photomask |
US11360384B2 (en) | 2018-09-28 | 2022-06-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of fabricating and servicing a photomask |
US11714350B2 (en) | 2018-09-28 | 2023-08-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of fabricating and servicing a photomask |
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