JP2013083957A - Resist composition and method of manufacturing resist pattern - Google Patents

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Masako Sugihara
昌子 杉原
Nobuo Ando
信雄 安藤
Hiroko Yamashita
裕子 山下
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition to manufacture a resist pattern with excellent line edge roughness.SOLUTION: A resist composition contains a compound represented by the formula (I), resin and an acid generation agent. The resin contains a structural unit represented by the formula (a1-0) and is insoluble or poorly soluble in an aqueous alkali solution but becomes soluble in the aqueous alkali solution by the action of acid.

Description

本発明は、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。   The present invention relates to a resist composition and a method for producing a resist pattern.

半導体の微細加工技術として、短波長光を露光源とする光リソグラフィー技術が検討されており、光リソグラフィー技術にはレジスト組成物が用いられる。このようなレジスト組成物として、例えば、特許文献1には、添加剤として1,2,4,5-テトラフルオロ−3,6−ジヨードベンゼンを含有するレジスト組成物が記載されている。   As a semiconductor microfabrication technique, an optical lithography technique using short wavelength light as an exposure source has been studied, and a resist composition is used for the optical lithography technique. As such a resist composition, for example, Patent Document 1 describes a resist composition containing 1,2,4,5-tetrafluoro-3,6-diiodobenzene as an additive.

特表2005−508527号公報JP 2005-508527A

しかしながら、従来から知られる上記のレジスト組成物を、電子線や超紫外線(EUV)を露光源とするリソグラフィー技術に用いたとき、得られるレジストパターンのラインエッジラフネス(LER)は、必ずしも満足できるものではない場合があった。   However, when the conventionally known resist composition is used in lithography technology using an electron beam or extreme ultraviolet (EUV) as an exposure source, the line edge roughness (LER) of the resulting resist pattern is not necessarily satisfactory. There was no case.

本発明は、以下の発明を含む。
〔1〕 式(I)で表される化合物、樹脂及び酸発生剤を含有し、
樹脂が、式(a1−0)で表される構造単位を含み、かつ、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂であるレジスト組成物。

Figure 2013083957
[式(I)中、
z1は1〜4の整数を表す。
は、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基を有する脂肪族炭化水素基又はヒドロキシ基を有する脂肪族炭化水素基を表す。
z2は、1〜3の整数を表す。z2が2以上のとき、複数のRは、互いに同一又は相異なる。
Aは、置換基を有していてもよい炭素数6〜20の芳香族炭化水素基を表す。]
Figure 2013083957
[式(a1−0)中、
aaは、酸素原子又は−O−(CH2g1−CO−O−(g1は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基との結合手を表す。)を表す。
adは、水素原子又はメチル基を表す。
aa、Rab及びRacは、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Raa及びRabは互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。] The present invention includes the following inventions.
[1] containing a compound represented by formula (I), a resin and an acid generator,
A resist composition, which is a resin in which the resin contains a structural unit represented by the formula (a1-0), is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, and becomes soluble in an alkaline aqueous solution by the action of an acid.
Figure 2013083957
[In the formula (I),
z1 represents the integer of 1-4.
R 1 represents a carboxy group, a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having a carboxy group or an aliphatic hydrocarbon group having a hydroxy group.
z2 represents an integer of 1 to 3. When z2 is 2 or more, the plurality of R 1 are the same or different from each other.
A represents an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms which may have a substituent. ]
Figure 2013083957
[In the formula (a1-0),
L aa represents an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) g1 —CO—O— (g1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to a carbonyl group).
R ad represents a hydrogen atom or a methyl group.
R aa , R ab and R ac each independently represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a combination thereof, or R aa and R ab Combine with each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. ]

〔2〕 式(I)で表される化合物が、式(II)で表される化合物である〔1〕記載のレジスト組成物。

Figure 2013083957
[式(II)中、
z3は、1〜4の整数を表す。
は、前記と同じ意味を表す。
z4は、1〜3の整数を表す。z4が2以上のとき、複数のRは、互いに同一又は相異なる。
は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基又はアミノ基を表す。
z5は、0又は1を表す。
ただし、z3+z4+z5は、6以下である。] [2] The resist composition according to [1], wherein the compound represented by the formula (I) is a compound represented by the formula (II).
Figure 2013083957
[In the formula (II),
z3 represents an integer of 1 to 4.
R 1 represents the same meaning as described above.
z4 represents an integer of 1 to 3. When z4 is 2 or more, the plurality of R 1 are the same or different from each other.
R 2 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or an amino group.
z5 represents 0 or 1.
However, z3 + z4 + z5 is 6 or less. ]

〔3〕 式(a1−0)で表される構造単位が、式(a1−1)で表される構造単位である〔1〕又は〔2〕記載のレジスト組成物。

Figure 2013083957
[式(a1−1)中、
a1は、酸素原子又は−O−(CH2k1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基との結合手を表す。
a4は、水素原子又はメチル基を表す。
a6は、炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。] [3] The resist composition according to [1] or [2], wherein the structural unit represented by the formula (a1-0) is a structural unit represented by the formula (a1-1).
Figure 2013083957
[In the formula (a1-1),
L a1 represents an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond with a carbonyl group.
R a4 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
m1 represents the integer of 0-14. ]

〔4〕 前記酸発生剤が、式(B1)で表される酸発生剤である〔1〕〜〔3〕のいずれか一つ記載のレジスト組成物。

Figure 2013083957
[式(B1)中、
1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、単結合又は炭素数1〜17の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
+は、有機カチオンを表す。] [4] The resist composition according to any one of [1] to [3], wherein the acid generator is an acid generator represented by the formula (B1).
Figure 2013083957
[In the formula (B1),
Q 1 and Q 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and the methylene group constituting the divalent aliphatic saturated hydrocarbon group is replaced with an oxygen atom or a carbonyl group. May be.
Y represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent. The methylene group constituting the alicyclic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group.
Z + represents an organic cation. ]

〔5〕 さらに、溶剤を含有する〔1〕〜〔4〕のいずれか一つ記載のレジスト組成物。
〔6〕 (1)〔1〕〜〔5〕のいずれか一つ記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程
を含むレジストパターンの製造方法。
〔7〕 前記(3)が、組成物層に電子線又はEUVを露光する工程である〔6〕記載のレジストパターンの製造方法。
[5] The resist composition according to any one of [1] to [4], further containing a solvent.
[6] (1) A step of applying the resist composition according to any one of [1] to [5] on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer;
(4) A method for producing a resist pattern, comprising a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating.
[7] The method for producing a resist pattern according to [6], wherein (3) is a step of exposing the composition layer to an electron beam or EUV.

さらに本発明は、以下の発明をも含む。
〔8〕以下の(X)、(A)及び(B)を含有するレジスト組成物。
(X)式(I)で表される化合物

Figure 2013083957
[式(I)中、
z1は1〜4の整数を表し、z2は1〜3の整数を表す。
は、群RXから選ばれる基であり、mが2以上の場合、複数存在するRはそれぞれ独立に群RXから選ばれる基である。
Aは、(z1+z2)価の炭素数6〜20の芳香族炭化水素基を表す。
群RXは、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基を有する脂肪族炭化水素基及び、ヒドロキシ基を有する脂肪族炭化水素基からなる。]
(A)式(a1−1)又は式(a1−2)で表される構造単位を含み、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂
Figure 2013083957
[式(a1−1)中、
a1は、酸素原子又は−O−(CH2k1−CO−O−(k1は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基との結合手を表す。)で表される基を表す。
a4は、水素原子又はメチル基を表す。
a6は、炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
式(a1−2)中、
a2は、酸素原子又は−O−(CH2k1−CO−O−(k1は前記と同義である。
)で表される基を表す。
a5は、水素原子又はメチル基を表す。
a7は、炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基を表す。
n1は0〜10の整数を表す。]
(B)酸発生剤
〔9〕電子線又はEUVを露光源とする露光に用いられる、前記〔1〕〜〔5〕及び〔8〕のいずれか一つ記載のレジスト組成物。 Furthermore, the present invention includes the following inventions.
[8] A resist composition containing the following (X), (A) and (B).
(X) Compound represented by formula (I)
Figure 2013083957
[In the formula (I),
z1 represents an integer of 1 to 4, and z2 represents an integer of 1 to 3.
R 1 is a group selected from group RX, and when m is 2 or more, a plurality of R 1 are each independently a group selected from group RX.
A represents a (z1 + z2) valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms.
Group RX consists of an aliphatic hydrocarbon group having a carboxy group, a hydroxy group, a carboxy group, and an aliphatic hydrocarbon group having a hydroxy group. ]
(A) Resin that contains the structural unit represented by formula (a1-1) or formula (a1-2), is insoluble or hardly soluble in alkaline aqueous solution, and is soluble in alkaline aqueous solution by the action of acid
Figure 2013083957
[In the formula (a1-1),
L a1 represents an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O— (k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to a carbonyl group). Represent.
R a4 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
m1 represents the integer of 0-14.
In formula (a1-2),
L a2 is an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O— (k1 is as defined above).
) Represents a group represented by
R a5 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a7 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
n1 represents an integer of 0 to 10. ]
(B) Acid generator [9] The resist composition according to any one of [1] to [5] and [8], which is used for exposure using an electron beam or EUV as an exposure source.

本発明のレジスト組成物によれば、例えば電子線やEUVを露光源とする光リソグラフィー技術に用いた場合に、優れたラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを製造できる。   According to the resist composition of the present invention, a resist pattern having excellent line edge roughness (LER) can be produced, for example, when used in an optical lithography technique using an electron beam or EUV as an exposure source.

本発明のレジスト組成物(以下「本レジスト組成物」という場合がある。)は、
式(I)で表される化合物(以下「化合物(I)」という場合がある。)、
式(a1−0)で表される構造単位を含み、かつ、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂(以下「樹脂(A)」という場合がある。)及び
酸発生剤(B)を含む。
さらに、本発明のレジスト組成物は、クエンチャー(C)及び/又は溶剤(D)を含むことが好ましい。
The resist composition of the present invention (hereinafter sometimes referred to as “the present resist composition”)
A compound represented by formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “compound (I)”),
A resin (hereinafter referred to as “resin (A)”) containing a structural unit represented by the formula (a1-0), insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, and soluble in an alkaline aqueous solution by the action of an acid. And acid generator (B).
Furthermore, the resist composition of the present invention preferably contains a quencher (C) and / or a solvent (D).

本明細書では、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。脂肪族炭化水素基のうち、アルキル基のように直鎖状又は分岐状をとることができるものは、そのいずれをも含む。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。以下の置換基の例示において、「C」に付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示すものである。
さらに、本明細書において、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH2=CH−CO−」又は「CH2=C(CH3)−CO−」の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種」並びに「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種」を意味する。
In the present specification, unless otherwise specified, the following examples of substituents are applied to any chemical structural formula having the same substituents while appropriately selecting the number of carbon atoms. Among the aliphatic hydrocarbon groups, those that can be linear or branched, such as an alkyl group, include any of them. When stereoisomers exist, all stereoisomers are included. In the following examples of substituents, the numerical value attached to “C” indicates the number of carbon atoms of each group.
Further, in the present specification, "(meth) acrylic monomer", "CH 2 = CH-CO-" or "CH 2 = C (CH 3) -CO- " at least one monomer having the structure Means. Similarly, “(meth) acrylate” and “(meth) acrylic acid” mean “at least one of acrylate and methacrylate” and “at least one of acrylic acid and methacrylic acid”, respectively.

炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。
脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の双方を含み、特に定義しない限り、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基が組み合わせられたものをも包含する。また、これら脂肪族炭化水素基は、その一部に炭素−炭素二重結合を含んでいてもよいが、飽和の基(脂肪族飽和炭化水素基)が好ましい。
The hydrocarbon group includes an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group.
The aliphatic hydrocarbon group includes both a chain and a cyclic group, and includes a combination of a chain and a cyclic aliphatic hydrocarbon group unless otherwise defined. Further, these aliphatic hydrocarbon groups may contain a carbon-carbon double bond in a part thereof, but a saturated group (aliphatic saturated hydrocarbon group) is preferable.

鎖式の脂肪族炭化水素基のうち1価のものとしては、典型的にはアルキル基が挙げられる。該アルキル基の具体例は、メチル基(C)、エチル基(C)、プロピル基(C)、ブチル基(C)、ペンチル基(C)、ヘキシル基(C)、ヘプチル基(C)、オクチル基(C)、デシル基(C10)、ドデシル基(C12)、ヘキサデシル基(C14)、ペンタデシル基(C15)、ヘキシルデシル基(C16)、ヘプタデシル基(C17)及びオクタデシル基(C18)などである。
鎖式の脂肪族炭化水素基のうち2価のものとしては、アルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が挙げられる。アルカンジイル基の具体例は、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基、プロパン−2,2−ジイル基、ブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基及び2−メチルブタン−1,4−ジイル基などである。
Of the chain aliphatic hydrocarbon groups, the monovalent one typically includes an alkyl group. Specific examples of the alkyl group include a methyl group (C 1 ), an ethyl group (C 2 ), a propyl group (C 3 ), a butyl group (C 4 ), a pentyl group (C 5 ), a hexyl group (C 6 ), heptyl (C 7), octyl (C 8), decyl (C 10), dodecyl (C 12), hexadecyl (C 14), pentadecyl (C 15), hexyl decyl group (C 16), A heptadecyl group (C 17 ) and an octadecyl group (C 18 ).
Examples of the divalent group of chain aliphatic hydrocarbon groups include alkanediyl groups in which one hydrogen atom has been removed from an alkyl group. Specific examples of the alkanediyl group include methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, Hexane-1,6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11 -Diyl group, dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane -1,17-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group, propane-2,2-diyl group, butane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1 , 3- Yl group, 2-methylpropane-1,2-diyl, pentane-1,4-diyl group and 2-methylbutane-1,4-diyl group and the like.

環式の脂肪族炭化水素基(以下、場合により「脂環式炭化水素基」という。)は、単環式及び多環式のいずれをも包含する。   The cyclic aliphatic hydrocarbon group (hereinafter sometimes referred to as “alicyclic hydrocarbon group”) includes both monocyclic and polycyclic.

1価の単環式の脂肪族炭化水素基は、例えば、以下の式(KA−1)〜(KA−7)で表されるシクロアルカンから水素原子を1個取り去った基である。

Figure 2013083957
The monovalent monocyclic aliphatic hydrocarbon group is, for example, a group obtained by removing one hydrogen atom from a cycloalkane represented by the following formulas (KA-1) to (KA-7).
Figure 2013083957

1価の多環式の脂肪族炭化水素基は、例えば、以下の式(KA−8)〜(KA−19)で表される脂環式炭化水素から水素原子を1個取り去った基である。

Figure 2013083957
The monovalent polycyclic aliphatic hydrocarbon group is, for example, a group obtained by removing one hydrogen atom from an alicyclic hydrocarbon represented by the following formulas (KA-8) to (KA-19). .
Figure 2013083957

脂環式炭化水素基のうち2価のものとしては、式(KA−1)〜式(KA−19)の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が挙げられる。   Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group include groups in which two hydrogen atoms have been removed from the alicyclic hydrocarbon of formula (KA-1) to formula (KA-19).

脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基としては、そのつど定義するが、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。   The aliphatic hydrocarbon group may have a substituent. Such a substituent is defined each time, and examples thereof include a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, an aralkyl group, and an aryloxy group.

アルコキシ基としては、メトキシ基(C)、エトキシ基(C)、プロポキシ基(C)、ブトキシ基(C)、ペンチルオキシ基(C)、ヘキシルオキシ基(C)、ヘプチルオキシ基(C7)、オクチルオキシ基(C8)、デシルオキシ基(C10)及びドデシルオキシ基(C12)などが挙げられる。
アシル基としては、アセチル基(C)、プロピオニル基(C)、ブチリル基(C)、バレイル基(C)、ヘキサノイル基(C)、ヘプタノイル基(C7)、オクタノイル基(C8)、デカノイル基(C10)及びドデカノイル基(C12)などのアルキル基とカルボニル基とが結合したもの、並びにベンゾイル基(C7)などのアリール基とカルボニル基とが結合したものが挙げられる。
アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基及びイソブチリルオキシ基などが挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基(C7)、フェネチル基(C8)、フェニルプロピル基(C9)、ナフチルメチル基(C11)及びナフチルエチル基(C12)などが挙げられる。
アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基(C)、ナフチルオキシ基(C10)、アントニルオキシ基(C14)、ビフェニルオキシ基(C12)、フェナントリルオキシ基(C14)及びフルオレニルオキシ基(C13)などのアリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。
Examples of alkoxy groups include methoxy group (C 1 ), ethoxy group (C 2 ), propoxy group (C 3 ), butoxy group (C 4 ), pentyloxy group (C 5 ), hexyloxy group (C 6 ), heptyl Examples thereof include an oxy group (C 7 ), an octyloxy group (C 8 ), a decyloxy group (C 10 ), and a dodecyloxy group (C 12 ).
Examples of the acyl group include acetyl group (C 2 ), propionyl group (C 3 ), butyryl group (C 4 ), valeryl group (C 5 ), hexanoyl group (C 6 ), heptanoyl group (C 7 ), octanoyl group ( C 8 ), decanoyl group (C 10 ) and dodecanoyl group (C 12 ) and other alkyl groups and carbonyl groups bonded, and benzoyl group (C 7 ) and other aryl groups and carbonyl groups bonded Can be mentioned.
Examples of the acyloxy group include an acetyloxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, and an isobutyryloxy group.
Examples of the aralkyl group include benzyl group (C 7 ), phenethyl group (C 8 ), phenylpropyl group (C 9 ), naphthylmethyl group (C 11 ), and naphthylethyl group (C 12 ).
The aryloxy group includes phenyloxy group (C 6 ), naphthyloxy group (C 10 ), antonyloxy group (C 14 ), biphenyloxy group (C 12 ), phenanthryloxy group (C 14 ) and full A combination of an aryl group such as an oleenyloxy group (C 13 ) and an oxygen atom is exemplified.

1価の芳香族炭化水素基としては、典型的には、アリール基が挙げられる。
アリール基としては、ベンゼン(C)、ナフタレン(C10)、アントラセン(C14)、ビフェニル(C12)、フェナントリン(C14)及びフルオレン(C13)などの芳香族化合物から水素原子を1個取り去った基が挙げられる。2価の芳香族炭化水素基は例えば、ここに例示したアリール基から、さらに水素原子1個と取り去ったアリーレン基を挙げることができる。このように芳香族炭化水素基の価数は、芳香族化合物から取り去る水素原子の数に応じて設定される。
The monovalent aromatic hydrocarbon group typically includes an aryl group.
As an aryl group, 1 hydrogen atom is obtained from an aromatic compound such as benzene (C 6 ), naphthalene (C 10 ), anthracene (C 14 ), biphenyl (C 12 ), phenanthrin (C 14 ), and fluorene (C 13 ). A group that has been removed is listed. Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group include an arylene group in which one hydrogen atom is further removed from the aryl group exemplified here. Thus, the valence of the aromatic hydrocarbon group is set according to the number of hydrogen atoms removed from the aromatic compound.

芳香族炭化水素基も置換基を有することがある。このような置換基はそのつど定義するが、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。これらのうち、アルキル基は、鎖式脂肪族炭化水素基として例示したものと同じであり、芳香族炭化水素基に任意に有する置換基のうち、アルキル基以外のものは、脂肪族炭化水素基の置換基として例示したものと同じものを含む。   The aromatic hydrocarbon group may also have a substituent. Although such a substituent is defined each time, a halogen atom, an alkoxy group, an acyl group, an alkyl group, and an aryloxy group can be mentioned. Among these, the alkyl group is the same as those exemplified as the chain aliphatic hydrocarbon group, and among the substituents optionally present in the aromatic hydrocarbon group, those other than the alkyl group are aliphatic hydrocarbon groups. The same thing as what was illustrated as a substituent of is included.

<化合物(I)>
化合物(I)は、式(I)で表される。

Figure 2013083957
[式(I)中、
z1は1〜4の整数を表す。
は、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基を有する脂肪族炭化水素基又はヒドロキシ基を有する脂肪族炭化水素基を表す。
z2は、1〜3の整数を表す。z2が2以上のとき、複数のRは、互いに同一又は相異なる。
Aは、置換基を有していてもよい炭素数6〜20の芳香族炭化水素基を表す。] <Compound (I)>
Compound (I) is represented by formula (I).
Figure 2013083957
[In the formula (I),
z1 represents the integer of 1-4.
R 1 represents a carboxy group, a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having a carboxy group or an aliphatic hydrocarbon group having a hydroxy group.
z2 represents an integer of 1 to 3. When z2 is 2 or more, the plurality of R 1 are the same or different from each other.
A represents an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms which may have a substituent. ]

Aの炭素数6〜20の芳香族炭化水素基は、好ましくは炭素数6〜14の芳香族炭化水素基、より好ましくは置換基を有していてもよいベンゼン、置換基を有していてもよいナフタレン、置換基を有していてもよいビフェニル又は置換基を有していてもよいアントラセンの芳香環から(z1+z2)個の水素原子を取り去った基である。さらに好ましくは置換基を有していてもよいベンゼンのベンゼン環から(z1+z2)個の水素原子を取り去った基である。   The aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms of A is preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, more preferably benzene which may have a substituent, or a substituent. It is a group obtained by removing (z1 + z2) hydrogen atoms from an aromatic ring of a good naphthalene, an optionally substituted biphenyl, or an optionally substituted anthracene. More preferably, it is a group obtained by removing (z1 + z2) hydrogen atoms from the benzene ring of benzene which may have a substituent.

Aの芳香族炭化水素基は、置換基を有してもよく、当該置換基としてはアルキル基(好ましくは炭素数1〜6)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜6)又はアミノ基が挙げられる。Aの芳香族炭化水素基がこれらの置換基を有する場合、Aの芳香族炭化水素基は置換基の炭素数を含めて、その炭素数は20以下が好ましい。   The aromatic hydrocarbon group of A may have a substituent, and the substituent includes an alkyl group (preferably having 1 to 6 carbon atoms), an alkoxy group (preferably having 1 to 6 carbon atoms), or an amino group. Can be mentioned. When the aromatic hydrocarbon group of A has these substituents, the number of carbon atoms of the aromatic hydrocarbon group of A including the carbon number of the substituent is preferably 20 or less.

化合物(I)は、好ましくは式(II)で表される化合物である。

Figure 2013083957
[式(II)中、
z3は、1〜4の整数を表す。
は、前記と同じ意味を表す。
z4は、1〜3の整数を表す。z4が2以上のとき、複数のRは、互いに同一又は相異なる。
は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基又はアミノ基を表す。
z5は、0又は1を表す。
ただし、z3+z4+z5は、6以下である。]
は、好ましくは、炭素数1〜6のアルキル基又はアミノ基である。 Compound (I) is preferably a compound represented by formula (II).
Figure 2013083957
[In the formula (II),
z3 represents an integer of 1 to 4.
R 1 represents the same meaning as described above.
z4 represents an integer of 1 to 3. When z4 is 2 or more, the plurality of R 1 are the same or different from each other.
R 2 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or an amino group.
z5 represents 0 or 1.
However, z3 + z4 + z5 is 6 or less. ]
R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an amino group.

化合物(I)の具体例を以下に示す。

Figure 2013083957
Specific examples of compound (I) are shown below.
Figure 2013083957

化合物(I)は、市場から容易に入手できる市販品を用いても、公知の製造技術により製造したものを用いてもよい。これらの中でも、入手がより容易であるか、製造がより容易である点で、式(I−1)〜式(I−7)、式(I−12)〜式(I−15)、式(I−17)、式(I−18)でそれぞれ表される化合物が好ましい。   Compound (I) may be a commercially available product that can be easily obtained from the market, or a product produced by a known production technique. Among these, the formula (I-1) to the formula (I-7), the formula (I-12) to the formula (I-15), and the formula are easier to obtain or easier to produce. Compounds represented by (I-17) and formula (I-18), respectively, are preferred.

<樹脂(A)>
樹脂(A)は上述のとおり、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる特性を有するものである。なお、「酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る」とは、「酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となる」ことを意味する。
<Resin (A)>
As described above, the resin (A) is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution and has a characteristic of being soluble in an alkaline aqueous solution by the action of an acid. Note that “can be dissolved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid” means “insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution before contact with an acid, but soluble in an alkaline aqueous solution after contact with an acid”. Means.

樹脂(A)は、その分子内に酸の作用により分解する基(以下、場合により「酸分解性基」という。)を有することにより前記特性を有する。このような樹脂(A)は、酸分解性基を有するモノマー(以下、このモノマーを場合により「モノマー(a1)」といい、該モノマー(a1)に由来する構造単位を「構造単位(a1)」という。)を重合することによって製造できる。樹脂(A)を製造する際、モノマー(a1)は1種を使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The resin (A) has the above-described characteristics by having a group (hereinafter, sometimes referred to as “acid-decomposable group”) that decomposes under the action of an acid in the molecule. Such a resin (A) is a monomer having an acid-decomposable group (hereinafter, this monomer is sometimes referred to as “monomer (a1)”, and the structural unit derived from the monomer (a1) is referred to as “structural unit (a1) Can be produced by polymerization. When manufacturing resin (A), monomer (a1) may use 1 type and may use 2 or more types together.

<酸分解性基>
「酸分解性基」とは、脱離基を有し、酸と接触すると脱離基が脱離して、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基)を形成する基を意味する。酸分解性基としては、例えば、式(1)で表される基(以下、場合により「酸分解性基(1)」という。)、式(2)で表される基(以下、場合により「酸分解性基(2)」という。)などが挙げられる。

Figure 2013083957
[式(1)中、
a1、Ra2及びRa3は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。*は結合手を表す。] <Acid-decomposable group>
The “acid-decomposable group” means a group that has a leaving group and forms a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxy group) by leaving the leaving group upon contact with an acid. Examples of the acid-decomposable group include a group represented by the formula (1) (hereinafter referred to as “acid-decomposable group (1)” in some cases) and a group represented by the formula (2) (hereinafter, sometimes represented by And “acid-decomposable group (2)”).
Figure 2013083957
[In Formula (1),
R a1 , R a2 and R a3 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or R a1 and R a2 are bonded to each other to form carbon A divalent hydrocarbon group of 2 to 20 is formed. * Represents a bond. ]

Figure 2013083957
[式(2)中、
a1’及びRa2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。該1価の炭化水素基及び該2価の炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又は硫黄原子に置き換わってもよい。*は結合手を表す。]
Figure 2013083957
[In Formula (2),
R a1 ′ and R a2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, R a3 ′ represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or R a2 ′ and R a2 ′ R a3 ′ is bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. The monovalent hydrocarbon group and the methylene group constituting the divalent hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a sulfur atom. * Represents a bond. ]

酸分解性基(1)のRa1〜Ra3のアルキル基及び脂環式炭化水素基は、各々の炭素数の範囲において、すでに例示したものを含む。ただし、該脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは3〜16の範囲である。 The alkyl groups and alicyclic hydrocarbon groups of R a1 to R a3 of the acid-decomposable group (1) include those already exemplified in the respective carbon number ranges. However, carbon number of this alicyclic hydrocarbon group becomes like this. Preferably it is the range of 3-16.

a1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合の−C(Ra1)(Ra2)(Ra3)で表される基としては、例えば、以下に示す基が挙げられる。該2価の炭化水素基の炭素数は、好ましくは3〜12である。

Figure 2013083957
Examples of the group represented by —C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) when R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group include the following groups: Can be mentioned. The divalent hydrocarbon group preferably has 3 to 12 carbon atoms.
Figure 2013083957

酸分解性基(1)としては例えば、1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1〜Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert−ブチル基)、2−アルキルアダマンタン−2−イルオキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2が結合することで、アダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基)及び1−(アダマンタン−1−イル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基)などが挙げられる。 Examples of the acid-decomposable group (1) include a 1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), groups in which R a1 to R a3 are alkyl groups, preferably tert-butyl groups), 2-alkyladamantanes 2-yloxycarbonyl group (in formula (1), R a1 and R a2 combine to form an adamantyl ring, and R a3 is an alkyl group) and 1- (adamantan-1-yl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups, and R a3 is an adamantyl group).

酸分解性基(2)のRa1’〜Ra3’の炭化水素基は、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基又はこれらのうち2種以上を組み合わせた基などである。
a1'及びRa2'のうち少なくとも1つは水素原子であると好ましい。
Examples of the hydrocarbon group of R a1 ′ to R a3 ′ of the acid-decomposable group (2) include an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a group in which two or more of these are combined. It is.
At least one of R a1 ′ and R a2 ′ is preferably a hydrogen atom.

酸分解性基(2)の具体例としては、以下の基が挙げられる。

Figure 2013083957
Specific examples of the acid-decomposable group (2) include the following groups.
Figure 2013083957

モノマー(a1)は、酸分解性基と炭素−炭素二重結合とを有するモノマーが好ましく、酸分解性基を有する(メタ)アクリル系モノマーがさらに好ましい。   The monomer (a1) is preferably a monomer having an acid-decomposable group and a carbon-carbon double bond, and more preferably a (meth) acrylic monomer having an acid-decomposable group.

なかでも、酸分解性基(1)及び/又は酸分解性基(2)を有するモノマー(a1)が好ましく、酸分解性基(1)及び/又は酸分解性基(2)を有するを有する(メタ)アクリル系モノマーが特に好ましい。   Especially, the monomer (a1) which has an acid-decomposable group (1) and / or an acid-decomposable group (2) is preferable, and has an acid-decomposable group (1) and / or an acid-decomposable group (2). A (meth) acrylic monomer is particularly preferred.

酸分解性基を有する(メタ)アクリル系モノマーのうち、炭素数5〜20の脂環式炭化水素基を有するモノマー(a1)が好ましい。このようなモノマー(a1)を用いて得られる樹脂(A)は、脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するものとなるので、該樹脂(A)を含有する本レジスト組成物の解像度が一層良好となる傾向がある。   Of the (meth) acrylic monomers having an acid-decomposable group, the monomer (a1) having an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms is preferred. Since the resin (A) obtained using such a monomer (a1) has a bulky structure such as an alicyclic hydrocarbon group, the resist composition containing the resin (A) The resolution tends to be better.

<式(a1−0)で表される構造単位>
樹脂(A)は、構造単位(a1)として、式(a1−0)で表される構造単位(以下、場合により「構造単位(a1−0)」という。)を含む。

Figure 2013083957
[式(a1−0)中、
aaは、酸素原子又は−O−(CH2g1−CO−O−(g1は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基との結合手を表す。)を表す。
adは、水素原子又はメチル基を表す。
aa、Rab及びRacは、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Raa及びRabは互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。]
aa、Rab及びRacとしては、式(1)のRa1〜Ra3におけるものと同様の基が挙げられる。アルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基としては、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、イソボルニル基等が挙げられる。
aa、Rab及びRacは、好ましくは、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜20の脂環式炭化水素基を表すか、Raa及びRabは互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。 <Structural Unit Represented by Formula (a1-0)>
The resin (A) includes a structural unit represented by the formula (a1-0) (hereinafter, sometimes referred to as “structural unit (a1-0)”) as the structural unit (a1).
Figure 2013083957
[In the formula (a1-0),
L aa represents an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) g1 —CO—O— (g1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to a carbonyl group).
R ad represents a hydrogen atom or a methyl group.
R aa , R ab and R ac each independently represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a combination thereof, or R aa and R ab Combine with each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. ]
Examples of R aa , R ab and R ac include the same groups as those in R a1 to R a3 of formula (1). Examples of the group in which an alkyl group and an alicyclic hydrocarbon group are combined include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a cyclohexylmethyl group, and an isobornyl group.
R aa , R ab and R ac preferably each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or R aa and R ab are bonded to each other. Thus, a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms is formed.

構造単位(a1−0)は、式(a1−1)で表される構造単位(以下、場合により「構造単位(a1−1)」という。)及び式(a1−2)で表される構造単位(以下、場合により「構造単位(a1−2)」という。)からなる群から選ばれる少なくとも一種が好ましい。樹脂(A)は、構造単位(a1−1)を単独種で有していてもよく、複数種有していてもよく、構造単位(a1−2)を単独種で有していてもよく、複数種有していてもよく、構造単位(a1−1)と構造単位(a1−2)とを合わせて有していてもよい。

Figure 2013083957
[式(a1−1)中、
a1は、酸素原子又は−O−(CH2k1−CO−O−(k1は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基との結合手を表す。)で表される基を表す。
a4は、水素原子又はメチル基を表す。
a6は、炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
式(a1−2)中、
a2は、酸素原子又は−O−(CH2k1−CO−O−(k1は前記と同義である。
)で表される基を表す。
a5は、水素原子又はメチル基を表す。
a7は、炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
n1’は0〜3の整数を表す。] The structural unit (a1-0) is a structural unit represented by the formula (a1-1) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a1-1)”) and a structure represented by the formula (a1-2). At least one selected from the group consisting of units (hereinafter sometimes referred to as “structural units (a1-2)”) is preferable. The resin (A) may have the structural unit (a1-1) as a single species, may have a plurality of types, or may have the structural unit (a1-2) as a single species. A plurality of types may be included, and the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2) may be combined.
Figure 2013083957
[In the formula (a1-1),
L a1 represents an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O— (k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to a carbonyl group). Represent.
R a4 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
m1 represents the integer of 0-14.
In formula (a1-2),
L a2 is an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O— (k1 is as defined above).
) Represents a group represented by
R a5 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a7 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
n1 represents an integer of 0 to 10.
n1 ′ represents an integer of 0 to 3. ]

a1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又は、k1が1〜4の整数である*−O−(CH2k1−CO−O−で表される基であり、より好ましくは酸素原子又は*−O−CH2−CO−O−であり、さらに好ましくは酸素原子である。
a4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
a6及びRa7の脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基並びにこれらを組み合わせた基を包含し、好ましくは炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜10の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜8の脂環式炭化水素基であり、さらに好ましくは炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数3〜6の脂環式炭化水素基である。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1’は好ましくは0又は1である。
L a1 and L a2 are preferably an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, wherein k1 is an integer of 1 to 4, more preferably an oxygen atom. or * -O-CH 2 -CO-O- and, still more preferably an oxygen atom.
R a4 and R a5 are preferably methyl groups.
The aliphatic hydrocarbon groups represented by R a6 and R a7 include linear and cyclic aliphatic hydrocarbon groups and a combination thereof, and preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or 3 to 10 carbon atoms. More preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 8 carbon atoms, still more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or carbon. It is an alicyclic hydrocarbon group of number 3-6.
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 ′ is preferably 0 or 1.

構造単位(a1−1)としては、式(a1−1−1)〜式(a1−1−8)でそれぞれ表される構造単位が好ましく、式(a1−1−1)〜(a1−1−4)のいずれかで表される構造単位がより好ましい。

Figure 2013083957
As the structural unit (a1-1), structural units respectively represented by formulas (a1-1-1) to (a1-1-8) are preferable, and formulas (a1-1-1) to (a1-1) are preferable. -4) is more preferred.
Figure 2013083957

これらの構造単位(a1−1)を誘導し得るモノマーとしては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたものなどが挙げられる。   Examples of the monomer capable of deriving these structural units (a1-1) include those described in JP 2010-204646 A.

構造単位(a1−2)としては、好ましくは、式(a1−2−1)〜式(a1−2−12)]でそれぞれ表される構造単位がであり、より好ましくは、式(a1−2−3)、(a1−2−4)、(a1−2−7)及び(a1−2−8)でそれぞれ表される構造単位(a1−2)であり、さらに好ましくは式(a1−2−3)及び(a1−2−7)でそれぞれ表される構造単位である。

Figure 2013083957
The structural unit (a1-2) is preferably a structural unit represented by each of the formulas (a1-2-1) to (a1-2-12)], more preferably the formula (a1- 2-3), structural units (a1-2) represented by (a1-2-4), (a1-2-7) and (a1-2-8), respectively, more preferably 2-3) and structural units represented by (a1-2-7), respectively.
Figure 2013083957

構造単位(a1−2)を誘導し得るモノマーとしては、例えば、1−エチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘプタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−メチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート及び1−イソプロピルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。   Examples of the monomer capable of deriving the structural unit (a1-2) include 1-ethylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcycloheptane- Examples include 1-yl (meth) acrylate, 1-methylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, and 1-isopropylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate.

構造単位(a1−0)は、構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)からなる群から選ばれる少なくとも一種が好ましく、構造単位(a1−1)がより好ましい。   The structural unit (a1-0) is preferably at least one selected from the group consisting of the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2), and more preferably the structural unit (a1-1).

樹脂(A)に含まれる構造単位(a1−0)の含有割合は、樹脂(A)の全構造単位(100モル%)に対して、10〜95モル%が好ましく、15〜90モル%がより好ましく、20〜85モル%がさらに好ましく、20〜60モル%が特に好ましい。
構造単位(a1−0)が構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)である場合、その合計含有割合の好ましい範囲は、上記と同じである。
また、樹脂(A)が、アダマンチル基を有する構造単位(a1)(特に好ましくは、構造単位(a1−1))を有する場合には、樹脂(A)中の構造単位(a1)の合計(100モル%)に対して、アダマンチル基を有する構造単位(a1)が15モル%以上であることが好ましい。このような含有割合でアダマンチル基を有する構造単位(a1)を有する樹脂(A)は、該樹脂(A)を含有するレジスト組成物から製造されるレジストパターンのドライエッチング耐性が良好となる傾向がある。
The content of the structural unit (a1-0) contained in the resin (A) is preferably 10 to 95 mol%, and preferably 15 to 90 mol% with respect to all the structural units (100 mol%) of the resin (A). More preferably, 20-85 mol% is further more preferable, and 20-60 mol% is especially preferable.
When structural unit (a1-0) is structural unit (a1-1) and / or structural unit (a1-2), the preferable range of the total content is the same as described above.
When the resin (A) has a structural unit (a1) having an adamantyl group (particularly preferably, the structural unit (a1-1)), the sum of the structural units (a1) in the resin (A) ( 100 mol%), the structural unit (a1) having an adamantyl group is preferably 15 mol% or more. Resin (A) having a structural unit (a1) having an adamantyl group at such a content ratio tends to have good dry etching resistance of a resist pattern produced from a resist composition containing the resin (A). is there.

<その他の構造単位(a1)>
樹脂(A)は、構造単位(a1−0)以外の構造単位(a1)を有していてもよい。
その他の構造単位(a1)としては、例えば、以下の式(a1−3)で表されるモノマー(以下、場合により「モノマー(a1−3)」という。)に由来する構造単位が挙げられる。樹脂(A)がモノマー(a1−3)に由来する構造単位を有すると、その主鎖に剛直なノルボルナン環を含むものとなるため、このような樹脂(A)を含有する本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンを製造できる傾向がある。

Figure 2013083957

式(a1−3)中、
a9は、水素原子、置換基(例えばヒドロキシ基)を有していてもよい炭素数1〜3の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基、又は−COORa13で表される基を表し、Ra13は、炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基などに置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ra10、Ra11及びRa12は、それぞれ独立に、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基を表すか、或いはRa10及びRa11は互いに結合して環を形成している。該脂肪族炭化水素基及に含まれる水素原子はヒドロキシ基などで置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。 <Other structural unit (a1)>
The resin (A) may have a structural unit (a1) other than the structural unit (a1-0).
Examples of the other structural unit (a1) include a structural unit derived from a monomer represented by the following formula (a1-3) (hereinafter sometimes referred to as “monomer (a1-3)”). When the resin (A) has a structural unit derived from the monomer (a1-3), the main chain contains a rigid norbornane ring. Therefore, the resist composition containing such a resin (A) is There is a tendency that a resist pattern having excellent dry etching resistance can be produced.
Figure 2013083957

In formula (a1-3),
R a9 represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms which may have a substituent (for example, a hydroxy group), a carboxy group, a cyano group, or a group represented by —COOR a13. , R a13 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and a hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group or the like, constituting the aliphatic hydrocarbon group The methylene group may be replaced by an oxygen atom or a carbonyl group. R a10 , R a11 and R a12 each independently represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or R a10 and R a11 are bonded to each other to form a ring. The hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group or the like, and the methylene group constituting the aliphatic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.

a9の置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基は典型的には、置換基を有していてもよいアルキル基であり、かかるアルキル基のうち、置換基を有さないアルキル基は、その炭素数が1〜8の範囲ですでに例示したものを含む。置換基、特にヒドロキシ基を有する脂肪族炭化水素基(例えば、アルキル基)としては、例えば、ヒドロキシメチル基及び2−ヒドロキシエチル基などである。Ra13としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2−オキソ−オキソラン−3−イル基及び2−オキソ−オキソラン−4−イル基などが挙げられる。 The aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent of R a9 is typically an alkyl group which may have a substituent, and among these alkyl groups, an alkyl having no substituent The group includes those already exemplified in the range of 1 to 8 carbon atoms. Examples of the substituent, particularly an aliphatic hydrocarbon group having a hydroxy group (for example, an alkyl group) include a hydroxymethyl group and a 2-hydroxyethyl group. Examples of R a13 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a 2-oxo-oxolan-3-yl group, and a 2-oxo-oxolan-4-yl group.

a10〜Ra12の脂肪族炭化水素基も典型的には、アルキル基であり、その具体例はRa9の場合と同じである。Ra10とRa11とが結合し、これらが結合する炭素原子とともに形成される環は、シクロへキサン環及びアダマンタン環などである。 The aliphatic hydrocarbon groups of R a10 to R a12 are also typically alkyl groups, and specific examples thereof are the same as those of R a9 . The ring formed by combining R a10 and R a11 together with the carbon atom to which they are bonded includes a cyclohexane ring and an adamantane ring.

モノマー(a1−3)としては例えば、特開2010−204646号公報に記載されたものが用いられる。これらの中でも、以下の式(a1−3−1)、式(a1−3−2)、式(a1−3−3)及び式(a1−3−4)でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式(a1−3−2)又は(a1−3−4)で表されるモノマーがより好ましく、式(a1−3−2)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 2013083957
As a monomer (a1-3), what was described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is used, for example. Among these, monomers represented by the following formula (a1-3-1), formula (a1-3-2), formula (a1-3-3) and formula (a1-3-4) are preferable, The monomer represented by the formula (a1-3-2) or (a1-3-4) is more preferable, and the monomer represented by the formula (a1-3-2) is more preferable.
Figure 2013083957

樹脂(A)が、モノマー(a1−3)に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂(A)の全構造単位に対して、10〜95モル%が好ましく、15〜90モル%がより好ましく、20〜85モル%がさらに好ましい。   When the resin (A) has a structural unit derived from the monomer (a1-3), the content ratio is preferably 10 to 95 mol% with respect to all the structural units of the resin (A), and 15 to 90 mol. % Is more preferable, and 20 to 85 mol% is more preferable.

その他の構造単位(a1)としては、以下の式(a1−4)で表されるモノマー(以下「モノマー(a1−4)」という場合がある。)に由来する構造単位も挙げられる。

Figure 2013083957
式(a1−4)中、
10は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
は0〜4の整数を表す。
11は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表し、lが2以上である場合、複数のR11は互いに同一であっても異なってもよい。
12及びR13はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表す。
a2は、置換基を有していてもよい炭素数1〜17の脂肪族炭化水素基又は単結合を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又は−N(R)−(ただし、Rは、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表す)で表される基に置き換わっていてもよい。
a3は、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の炭化水素基を表す。 Examples of the other structural unit (a1) include a structural unit derived from a monomer represented by the following formula (a1-4) (hereinafter sometimes referred to as “monomer (a1-4)”).
Figure 2013083957
In formula (a1-4),
R 10 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
l a represents an integer of 0 to 4;
R 11 is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an acryloyloxy group, or It represents a methacryloyloxy group, when l a is 2 or more, plural R 11 may be the same or different from each other.
R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
X a2 represents an optionally substituted aliphatic hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms or a single bond, and the methylene group constituting the aliphatic hydrocarbon group includes an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl A group, a sulfonyl group, or a group represented by —N (R c ) — (wherein R c represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms) may be substituted.
Y a3 represents an optionally substituted hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms.

「ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基」のうち、アルキル基としては、炭素数が1〜6の範囲ですでに例示したものを含む。ハロゲン原子を有するアルキル基としては、フッ素原子を有するアルキル基が好ましい。フッ素原子を有するアルキル基は、例えば、ペルフルオロアルキル基などである。
10は、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基及びエチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基が特に好ましい。
11のアルコキシ基は、炭素数1〜6の範囲において、すでに例示したものを含むが、中でも、炭素数1〜4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
11のアシル基及びアシルオキシ基も、その炭素数が2〜4の範囲において、すでに例示したものを含む。
12及びR13の炭化水素基は、その炭素数が1〜12の範囲において、Ya3の炭化水素基は、その炭素数が1〜18の範囲において、すでに例示した脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれかを含む。
a2の脂肪族炭化水素基は2価の鎖式炭化水素基、2価の脂環式炭化水素基又は、鎖式炭化水素基と脂環式炭化水素基とが組み合わさった2価の基であり、炭素数1〜17の範囲ですでに例示した基を適宜組み合わせた基を挙げることができる。
Among “an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom”, the alkyl group includes those already exemplified in the range of 1 to 6 carbon atoms. As the alkyl group having a halogen atom, an alkyl group having a fluorine atom is preferable. Examples of the alkyl group having a fluorine atom include a perfluoroalkyl group.
R 10 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.
The alkoxy group of R 11 includes those already exemplified in the range of 1 to 6 carbon atoms. Among them, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable, a methoxy group and an ethoxy group are more preferable, and a methoxy group is particularly preferable. preferable.
The acyl group and acyloxy group of R 11 include those already exemplified in the range of 2 to 4 carbon atoms.
The hydrocarbon groups of R 12 and R 13 are those having 1 to 12 carbon atoms, and the hydrocarbon group of Y a3 is the aliphatic hydrocarbon group exemplified above in the range of 1 to 18 carbon atoms. Contains any of the aromatic hydrocarbon groups.
The aliphatic hydrocarbon group of X a2 is a divalent chain hydrocarbon group, a divalent alicyclic hydrocarbon group, or a divalent group in which a chain hydrocarbon group and an alicyclic hydrocarbon group are combined. And groups obtained by appropriately combining the groups already exemplified in the range of 1 to 17 carbon atoms.

モノマー(a1−4)としては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式(a1−4−1)〜式(a1−4−7)でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式(a1−4−1)〜式(a1−4−5)でそれぞれ表されるモノマーがより好ましい。

Figure 2013083957
As a monomer (a1-4), the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned, for example. Especially, the monomer respectively represented by Formula (a1-4-1)-Formula (a1-4-7) is preferable, and each is represented by Formula (a1-4-1)-Formula (a1-4-5). Monomers are more preferred.
Figure 2013083957

樹脂(A)がモノマー(a1−4)に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂(A)の全構造単位に対して、10〜95モル%が好ましく、15〜90モル%がより好ましく、20〜85モル%が特に好ましい。   When the resin (A) has a structural unit derived from the monomer (a1-4), the content ratio is preferably 10 to 95 mol% with respect to all the structural units of the resin (A), and 15 to 90 mol%. Is more preferable, and 20-85 mol% is especially preferable.

その他の構造単位(a1)としては、以下の式(a1−5)で表されるモノマー(以下、場合により「モノマー(a1−5)」という。)に由来する構造単位も挙げられる。

Figure 2013083957

式(a1−3)中、
a8は、水素原子又はメチル基を表す。
は、単結合、酸素原子又はカルボニル基を表す。
は炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
a1〜Ra3は、前記と同義である。 Examples of the other structural unit (a1) include a structural unit derived from a monomer represented by the following formula (a1-5) (hereinafter sometimes referred to as “monomer (a1-5)”).
Figure 2013083957

In formula (a1-3),
R a8 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A 1 represents a single bond, an oxygen atom or a carbonyl group.
A 2 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R a1 to R a3 are as defined above.

構造単位(a1−5)のRa1〜Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基であるか、Ra1及びRa2が互いに結合して炭素数2〜11の2価の炭化水素基を形成していることが好ましい。Ra1及びRa2が互いに結合して炭素数2〜11の2価の炭化水素基となることにより形成される環は、アダマンタン環又はシクロヘキサン環などが好ましい。
炭素数1〜8のアルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基又はヘキシル基等の直鎖状アルキル基が好ましい。
のアルカンジイル基の具体例は、炭素数が1〜6の範囲で、すでに例示したものを含む。
R a1 to R a3 of the structural unit (a1-5) are each independently a alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a divalent 2-11 carbon atoms bonded R a1 and R a2 each other preferably forms a hydrocarbon group. Ring R a1 and R a2 are formed by bound be a divalent hydrocarbon group having 2 to 11 carbon atoms with each other, such as an adamantane ring or cyclohexane ring.
An alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a linear alkyl group such as heptyl or hexyl group.
Specific examples of the alkanediyl group of A 2 include those already exemplified in the range of 1 to 6 carbon atoms.

構造単位(a1−5)の具体例は例えば、以下に示すものである。

Figure 2013083957
Specific examples of the structural unit (a1-5) are shown below, for example.
Figure 2013083957

樹脂(A)が、構造単位(a1−5)を有する場合、その含有割合は、樹脂(A)の全構造単位に対して、3〜80モル%が好ましく、5〜70モル%がより好ましく、5〜60モル%が特に好ましい。   When the resin (A) has the structural unit (a1-5), the content is preferably 3 to 80 mol%, more preferably 5 to 70 mol%, based on all the structural units of the resin (A). 5 to 60 mol% is particularly preferable.

<酸分解性基を有さない構造単位>
樹脂(A)は、構造単位(a1−0)に加え、酸分解性基を有さない構造単位(以下、場合により「酸安定構造単位」といい、該酸安定構造単位を誘導し得るモノマーを、「酸安定モノマー」という。)を有していることが好ましい。樹脂(A)は、酸安定構造単位の1種のみを有していてもよく、複数種を有していてもよい。
<Structural unit not having acid-decomposable group>
Resin (A) is a structural unit having no acid-decomposable group in addition to the structural unit (a1-0) (hereinafter sometimes referred to as “acid-stable structural unit”, a monomer capable of deriving the acid-stable structural unit) Are preferably referred to as “acid-stable monomers”). Resin (A) may have only 1 type of acid stable structural units, and may have multiple types.

樹脂(A)が酸安定構造単位を有する場合、構造単位(a1)の含有割合を基準にして、酸安定性構造単位の含有割合を定めるとよい。構造単位(a1)の含有割合と酸安定性構造単位の含有割合とのモル比(〔構造単位(a1)〕/〔酸安定構造単位〕)は、好ましくは10:90〜80:20であり、より好ましくは20:80〜60:40である。このようにすると、樹脂(A)を含有する本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより一層良好になる傾向がある。   When the resin (A) has an acid stable structural unit, the content ratio of the acid stable structural unit may be determined based on the content ratio of the structural unit (a1). The molar ratio ([structural unit (a1)] / [acid-stable structural unit]) between the content of the structural unit (a1) and the content of the acid-stable structural unit is preferably 10:90 to 80:20. More preferably, it is 20: 80-60: 40. If it does in this way, there exists a tendency for the dry etching tolerance of the resist pattern obtained from this resist composition containing resin (A) to become still better.

酸安定構造単位は、ヒドロキシ基又はラクトン環を有する構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位(以下、場合により「酸安定構造単位(a2)」という。
)及び/又はラクトン環を有する酸安定構造単位(以下、場合により「酸安定構造単位(a3)」という。)を有する樹脂(A)は、当該樹脂(A)を含有する本レジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜、又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなり、この本レジスト組成物は良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。
The acid stable structural unit is preferably a structural unit having a hydroxy group or a lactone ring. An acid stable structural unit having a hydroxy group (hereinafter, sometimes referred to as “acid stable structural unit (a2)”.
) And / or an acid-stable structural unit having a lactone ring (hereinafter, sometimes referred to as “acid-stable structural unit (a3)”) is used as the resist composition containing the resin (A). When applied to a substrate, the coating film formed on the substrate, or the composition layer obtained from the coating film, easily develops excellent adhesion to the substrate, and this resist composition has good resolution. A resist pattern can be manufactured.

<酸安定構造単位(a2)>
酸安定構造単位(a2)は、本レジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって選択することができる。すなわち、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ(波長:248nm)を露光源とする露光、電子線あるいはEUVなどの高エネルギー線を露光源とする露光に用いる場合、酸安定構造単位(a2)は、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位(a2)が好ましい。短波長のArFエキシマレーザ(波長:193nm)を露光源とする露光を用いる場合、酸安定構造単位(a2)は、アルコール性ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位(a2)が好ましい。このように、樹脂(A)が有する酸安定構造単位(a2)は各々、レジストパターンを製造する際の露光源によって好ましいものを選ぶことができるが、樹脂(A)が有する酸安定構造単位(a2)は、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位(a2)1種のみを有していてもよく、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位(a2)2種以上を有していてもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位(a2)と、それ以外の酸安定構造単位(a2)とを組み合わせて有していてもよい。
<Acid stable structural unit (a2)>
The acid stable structural unit (a2) can be selected according to the type of exposure source used when producing a resist pattern from the resist composition. That is, when this resist composition is used for exposure using a KrF excimer laser (wavelength: 248 nm) as an exposure source, or exposure using a high energy beam such as an electron beam or EUV as an exposure source, the acid stable structural unit (a2) is The acid stable structural unit (a2) having a phenolic hydroxy group is preferred. When exposure using a short wavelength ArF excimer laser (wavelength: 193 nm) as an exposure source is used, the acid stable structural unit (a2) is preferably an acid stable structural unit (a2) having an alcoholic hydroxy group. Thus, each of the acid stable structural units (a2) possessed by the resin (A) can be selected according to the exposure source used for producing the resist pattern, but the acid stable structural units possessed by the resin (A) ( a2) may have only one type of acid stable structural unit (a2) suitable for the type of exposure source, and two or more types of acid stable structural unit (a2) suitable for the type of exposure source. Or an acid stable structural unit (a2) suitable for the type of exposure source and a combination of other acid stable structural units (a2).

アルコール性ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位(a2)の具体例の1つは、以下の式(a2−1)で表されるもの(以下、場合により「酸安定構造単位(a2−1)」という。)である。

Figure 2013083957
式(a2−1)中、
a3は、酸素原子又は−O−(CH2k2−CO−O−(k2は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基(−CO−)との結合手を表す。)で表される基を表す。
a14は、水素原子又はメチル基を表す。
a15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
o1は、0〜10の整数を表す。 One specific example of the acid stable structural unit (a2) having an alcoholic hydroxy group is one represented by the following formula (a2-1) (hereinafter referred to as “acid stable structural unit (a2-1)” in some cases) It is said.)
Figure 2013083957
In formula (a2-1),
L a3 is an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) k2 —CO—O— (k2 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to a carbonyl group (—CO—)). Represents the group represented.
R a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a15 and R a16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10.

a3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1〜4の整数である−O−(CH2k2−CO−O−で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、−O−CH2−CO−O−であり、さらに好ましくは酸素原子である。
a14は、好ましくはメチル基である。
a15は、好ましくは水素原子である。
a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
o1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
L a3 is preferably an oxygen atom or a group represented by —O— (CH 2 ) k2 —CO—O—, wherein k2 is an integer of 1 to 4, more preferably an oxygen atom or — O—CH 2 —CO—O—, more preferably an oxygen atom.
R a14 is preferably a methyl group.
R a15 is preferably a hydrogen atom.
R a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

酸安定構造単位(a2−1)としては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2013083957
As an acid stable structural unit (a2-1), the following are mentioned, for example.
Figure 2013083957

酸安定構造単位(a2−1)を誘導するモノマーは、例えば、特開2010−204646号公報に記載されている。これらの中でも、式(a2−1−1)、式(a2−1−2)、式(a2−1−3)及び式(a2−1−4)でそれぞれ表される酸安定構造単位がより好ましく、式(a2−1−1)又は(a2−1−3)で表される酸安定構造単位がさらに好ましい。   A monomer for deriving the acid stable structural unit (a2-1) is described in, for example, JP-A No. 2010-204646. Among these, the acid stable structural units represented by formula (a2-1-1), formula (a2-1-2), formula (a2-1-3) and formula (a2-1-4) are more preferable. The acid stable structural unit represented by formula (a2-1-1) or (a2-1-3) is more preferable.

樹脂(A)が酸安定構造単位(a2−1)を有する場合、その含有割合は、樹脂(A)の全構造単位に対して、3〜45モル%が好ましく、5〜40モル%がより好ましく、5〜35モル%がさらに好ましい。   When resin (A) has an acid stable structural unit (a2-1), 3-45 mol% is preferable with respect to all the structural units of resin (A), and 5-40 mol% is more. Preferably, 5-35 mol% is more preferable.

フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位としては、以下の式(a2−0)で表されるもの(以下、場合により「酸安定構造単位(a2−0)」という。)が挙げられる。

Figure 2013083957
式(a2−0)中、
a30は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
a31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
maは0〜4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一でも異なっていてもよい。 Examples of the acid stable structural unit having a phenolic hydroxy group include those represented by the following formula (a2-0) (hereinafter referred to as “acid stable structural unit (a2-0)” in some cases).
Figure 2013083957
In formula (a2-0),
R a30 represents a C 1-6 alkyl group which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
R a31 is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an acryloyloxy group, or Represents a methacryloyloxy group.
ma represents an integer of 0 to 4. When ma is an integer of 2 or more, the plurality of R a31 may be the same or different.

a30のハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基」としては、式(a1−4)R10と同様の基が挙げられる。
a30は、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基及びエチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基が特に好ましい。
a31のアルコキシ基の具体例は、炭素数1〜6の範囲で、すでに例示したものを含む。これらのうち、Ra31は、炭素数1〜4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。
Examples of the “C 1-6 alkyl group optionally having a halogen atom for R a30 ” include groups similar to those represented by the formula (a1-4) R 10 .
R a30 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.
Specific examples of the alkoxy group of R a31 include those already exemplified in the range of 1 to 6 carbon atoms. Among these, R a31 is preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methoxy group and an ethoxy group, and particularly preferably a methoxy group.
ma is preferably 0, 1 or 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.

酸安定構造単位(a2−0)の中でも、以下の式(a2−0−1)、式(a2−0−2)、式(a2−0−3)及び式(a2−0−4)でそれぞれ表されるものが好ましい。かかる構造単位を誘導し得る酸安定モノマーは、例えば、特開2010−204634号公報に記載されている。

Figure 2013083957
Among the acid stable structural units (a2-0), in the following formula (a2-0-1), formula (a2-0-2), formula (a2-0-3) and formula (a2-0-4) Those represented respectively are preferred. An acid stable monomer capable of deriving such a structural unit is described in, for example, JP 2010-204634 A.
Figure 2013083957

酸安定構造単位(a2−0)を含む樹脂(A)は、酸安定構造単位(a2−0)を誘導するモノマーが有するフェノール性ヒドロキシ基を、例えばアセチル基等の保護基で保護した後、この保護されたモノマーを用いて重合し、次いで、前記保護基を脱保護処理することにより、製造することが好ましい。また、脱保護処理する際、構造単位(a1)が有する酸分解性基を著しく損なわないように、塩基で行うことがより好ましい。   The resin (A) containing the acid stable structural unit (a2-0) is obtained by protecting the phenolic hydroxy group of the monomer that induces the acid stable structural unit (a2-0) with a protective group such as an acetyl group, It is preferable to produce by polymerizing using this protected monomer and then deprotecting the protecting group. Further, it is more preferable to carry out the deprotection treatment with a base so that the acid-decomposable group of the structural unit (a1) is not significantly impaired.

樹脂(A)が酸安定構造単位(a2−0)を有する場合、その含有割合は、樹脂(A)の全構造単位に対して、5〜90モル%が好ましく、10〜85モル%がより好ましく、15〜80モル%がさらに好ましい。   When resin (A) has an acid stable structural unit (a2-0), the content is preferably 5 to 90 mol%, more preferably 10 to 85 mol%, based on all structural units of resin (A). Preferably, 15 to 80 mol% is more preferable.

<酸安定構造単位(a3)>
酸安定構造単位(a3)が有するラクトン環は例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環及びδ−バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ−ブチロラクトン環及びγ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。
<Acid stable structural unit (a3)>
The lactone ring included in the acid stable structural unit (a3) may be monocyclic such as β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring and δ-valerolactone ring, and the monocyclic lactone ring and other rings Or a condensed ring. Among these lactone rings, a γ-butyrolactone ring and a condensed ring of a γ-butyrolactone ring and another ring are preferable.

酸安定構造単位(a3)は好ましくは、以下の式(a3−1)、式(a3−2)又は式(a3−3)で表されるものである。樹脂(A)は、これらのうち1種のみを有していてもよく、2種以上を有していてもよい。なお、以下の説明においては、式(a3−1)で示されるものを「酸安定構造単位(a3−1)」といい、式(a3−2)で示されるものを「酸安定構造単位(a3−2)」といい、式(a3−3)で示されるものを「酸安定構造単位(a3−3)」という。

Figure 2013083957
[式(a3−1)中、
a4は、酸素原子又は−O−(CH2k3−CO−O−(k3は1〜7の整数を表す。)で表される基を表す。*はカルボニル基との結合手を表す。
a18は、水素原子又はメチル基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。
a21は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21は互いに同一又は相異なる。
式(a3−2)中、
a5は、酸素原子又は−O−(CH2k3−CO−O−(k3は1〜7の整数を表す。)で表される基を表す。*はカルボニル基との結合手を表す。
q1は、0〜3の整数を表す。
a19は、水素原子又はメチル基を表す。
a22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22は互いに同一又は相異なる。
式(a3−3)中、
a6は、酸素原子又は−O−(CH2k3−CO−O−(k3は1〜7の整数を表す。)で表される基を表す。*はカルボニル基との結合手を表す。
a20は、水素原子又はメチル基を表す。
r1は、0〜3の整数を表す。
a23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表し、r1が2以上の場合、複数のRa23は互いに同一又は相異なる。] The acid stable structural unit (a3) is preferably one represented by the following formula (a3-1), formula (a3-2) or formula (a3-3). Resin (A) may have only 1 type among these, and may have 2 or more types. In the following description, what is represented by the formula (a3-1) is referred to as “acid-stable structural unit (a3-1)”, and what is represented by the formula (a3-2) is “acid-stable structural unit ( a3-2) ”, and the compound represented by formula (a3-3) is referred to as“ acid-stable structural unit (a3-3) ”.
Figure 2013083957
[In the formula (a3-1),
L a4 represents an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O— (k3 represents an integer of 1 to 7). * Represents a bond with a carbonyl group.
R a18 represents a hydrogen atom or a methyl group.
p1 represents an integer of 0 to 5.
R a21 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, and when p1 is 2 or more, the plurality of R a21 are the same or different from each other.
In formula (a3-2),
L a5 represents an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O— (k3 represents an integer of 1 to 7). * Represents a bond with a carbonyl group.
q1 represents an integer of 0 to 3.
R a19 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a22 represents a carboxy group, a cyano group, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, and when q1 is 2 or more, the plurality of R a22 are the same or different from each other.
In formula (a3-3),
L a6 represents an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O— (k3 represents an integer of 1 to 7). * Represents a bond with a carbonyl group.
R a20 represents a hydrogen atom or a methyl group.
r1 represents an integer of 0 to 3.
R a23 represents a carboxy group, a cyano group, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, and when r1 is 2 or more, the plurality of R a23 are the same or different from each other. ]

式(a3−1)〜式(a3−3)において、La4〜La6は、式(a2−1)のLa3で説明したものと同じものが挙げられる。
a4〜La6は、それぞれ独立に、酸素原子又は、k3が1〜4の整数である*−O−(CH2k3−CO−O−で表される基が好ましく、酸素原子及び、*−O−CH2−CO−O−がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。
a18〜Ra21は、好ましくはメチル基である。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
p1、q1及びr1は、好ましくは0〜2の整数であり、より好ましくは0又は1である。なお、p1が2である場合、2つのRa21は互いに同一又は相異なり、q1が2である場合、2つのRa22は互いに同一又は相異なり、r1が2である場合、2つのRa23は互いに同一又は相異なる。
In formula (a3-1) to formula (a3-3), L a4 to L a6 are the same as those described for L a3 in formula (a2-1).
L a4 to L a6 are each independently an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O— in which k3 is an integer of 1 to 4, preferably an oxygen atom and * —O—CH 2 —CO—O— is more preferable, and an oxygen atom is more preferable.
R a18 to R a21 are preferably methyl groups.
R a22 and R a23 are each independently preferably a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
p1, q1 and r1 are preferably integers of 0 to 2, more preferably 0 or 1. When p1 is 2, two R a21 are the same or different from each other, when q1 is 2, two R a22 are the same or different from each other, and when r1 is 2, two R a23 are The same or different from each other.

酸安定構造単位(a3−1)の好適例は、以下の式(a3−1−1)、式(a3−1−2)、式(a3−1−3)及び式(a3−1−4)でそれぞれ表されるものである。

Figure 2013083957
Preferable examples of the acid stable structural unit (a3-1) include the following formula (a3-1-1), formula (a3-1-2), formula (a3-1-3) and formula (a3-1-4). ) Respectively.
Figure 2013083957

酸安定構造単位(a3−2)の好適例は、以下の式(a3−2−1)、式(a3−2−2)、式(a3−2−3)及び式(a3−2−4)でそれぞれ表されるものである。

Figure 2013083957
Preferable examples of the acid stable structural unit (a3-2) include the following formula (a3-2-1), formula (a3-2-2), formula (a3-2-3) and formula (a3-2-4). ) Respectively.
Figure 2013083957

酸安定構造単位(a3−3)の好適例は、以下の式(a3−3−1)、式(a3−3−2)、式(a3−3−3)及び式(a3−3−4)でそれぞれ表されるものである。

Figure 2013083957
Preferred examples of the acid stable structural unit (a3-3) include the following formula (a3-3-1), formula (a3-3-2), formula (a3-3-3) and formula (a3-3-4). ) Respectively.
Figure 2013083957

酸安定構造単位(a3−1)、酸安定構造単位(a3−2)及び酸安定構造単位(a3−3)を誘導するモノマーは、例えば、特開2010−204646号公報に記載されている。上記の酸安定構造単位(a3)の具体例の中でも、式(a3−1−1)〜式(a3−1−2)、式(a3−2−3)〜式(a3−2−4)で表される酸安定構造単位がより好ましく、式(a3−1−1)又は式(a3−2−3)で表される酸安定構造単位がさらに好ましい。   Monomers for deriving the acid stable structural unit (a3-1), the acid stable structural unit (a3-2), and the acid stable structural unit (a3-3) are described in, for example, JP-A No. 2010-204646. Among the specific examples of the acid stable structural unit (a3), the formula (a3-1-1) to the formula (a3-1-2), the formula (a3-2-3) to the formula (a3-2-4) Is more preferable, and the acid stable structural unit represented by Formula (a3-1-1) or Formula (a3-2-3) is more preferable.

樹脂(A)が、酸安定構造単位(a3)を有する場合、その含有割合は、樹脂(A)の全構造単位に対して、5〜70モル%が好ましく、10〜65モル%がより好ましく、10〜60モル%がさらに好ましい。   When the resin (A) has an acid stable structural unit (a3), the content is preferably from 5 to 70 mol%, more preferably from 10 to 65 mol%, based on all structural units of the resin (A). 10 to 60 mol% is more preferable.

その他の酸安定構造単位としては、疎水性の酸安定構造単位が挙げられる。
具体的には、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、4-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3−メチルスチレン等のスチレン系モノマー;イソボルニルアクリレート、トリシクロデシル(メタ)アクリレート又はテトラシクロドデセニル(メタ)アクリレート等の脂環式炭化水素基含有(メタ)アクリル系モノマーなどに由来する構造単位が挙げられる。これらのうち、スチレン系モノマーに由来する構造単位が好ましい。
Examples of other acid stable structural units include hydrophobic acid stable structural units.
Specifically, for example, styrene monomers such as styrene, α-methylstyrene, 4-methylstyrene, 2-methylstyrene, 3-methylstyrene; isobornyl acrylate, tricyclodecyl (meth) acrylate, or tetracyclodone. Examples include structural units derived from alicyclic hydrocarbon group-containing (meth) acrylic monomers such as decenyl (meth) acrylate. Of these, structural units derived from styrene monomers are preferred.

樹脂(A)が、このような疎水性の酸安定構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂(A)の全構造単位に対して、1〜60モル%が好ましく、3〜50モル%がより好ましく、5〜40モル%がさらに好ましい。   When the resin (A) has such a hydrophobic acid-stable structural unit, the content is preferably 1 to 60 mol%, and 3 to 50 mol% with respect to all the structural units of the resin (A). Is more preferable, and 5-40 mol% is further more preferable.

樹脂(A)は、上述の構造単位以外に、さらに、レジスト分野で周知の構造単位を有していてもよい。   The resin (A) may further have a structural unit well known in the resist field in addition to the above structural unit.

<樹脂(A)の製造方法>
樹脂(A)は、構造単位(a1−0)を含み、好ましくは、構造単位(a1−0)及び酸安定構造単位を含む。
樹脂(A)が構造単位(a1−0)及び酸安定構造単位を含む樹脂である場合、樹脂(A)は、構造単位(a1−0)を誘導するモノマーと酸安定モノマーとを共重合させることにより製造できる。
樹脂(A)は、上述したようなモノマーを公知の重合法(例えばラジカル重合法)に供し、重合(共重合)することにより製造できる。
樹脂(A)に含まれる各構造単位の含有割合は、樹脂(A)を製造するために用いる各モノマーの使用割合によって調整できる。
<Method for producing resin (A)>
The resin (A) includes a structural unit (a1-0), and preferably includes a structural unit (a1-0) and an acid stable structural unit.
When the resin (A) is a resin containing the structural unit (a1-0) and the acid stable structural unit, the resin (A) copolymerizes the monomer that derives the structural unit (a1-0) and the acid stable monomer. Can be manufactured.
The resin (A) can be produced by subjecting the monomer as described above to a known polymerization method (for example, radical polymerization method) and polymerizing (copolymerizing) it.
The content rate of each structural unit contained in resin (A) can be adjusted with the usage rate of each monomer used in order to manufacture resin (A).

樹脂(A)の具体例を構造単位の組み合わせで例示すると、下記(A−1)〜(A-18)の樹脂が挙げられる。

Figure 2013083957
When specific examples of the resin (A) are exemplified by a combination of structural units, the following resins (A-1) to (A-18) may be mentioned.
Figure 2013083957

Figure 2013083957
Figure 2013083957

Figure 2013083957
Figure 2013083957

樹脂(A)の重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上50,000以下であり、より好ましくは3,000以上30,000以下である。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものである。この分析の詳細な分析条件は、本願の実施例に記載する。   The weight average molecular weight of the resin (A) is preferably 2,500 or more and 50,000 or less, and more preferably 3,000 or more and 30,000 or less. In addition, the weight average molecular weight here is calculated | required as a conversion value of a standard polystyrene reference | standard by gel permeation chromatography analysis. Detailed analysis conditions for this analysis are described in the Examples of the present application.

<酸発生剤(B)>
本レジスト組成物に含有される酸発生剤(B)は、非イオン系又はイオン系のいずれでもよく、これらの混合物であってもよい。非イオン系酸発生剤としては、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類(例えば2−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N−スルホニルオキシイミド、N−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン4−スルホネート)、及びスルホン類(例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン)などが挙げられる。イオン系酸発生剤としては、オニウムカチオンを含むオニウム塩(例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩)などが挙げられる。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、及びスルホニルメチドアニオンなどが挙げられる。
<Acid generator (B)>
The acid generator (B) contained in the resist composition may be either nonionic or ionic, or a mixture thereof. Nonionic acid generators include organic halides, sulfonate esters (for example, 2-nitrobenzyl ester, aromatic sulfonate, oxime sulfonate, N-sulfonyloxyimide, N-sulfonyloxyimide, sulfonyloxyketone, diazonaphthoquinone 4). -Sulfonate), and sulfones (for example, disulfone, ketosulfone, sulfonyldiazomethane) and the like. Examples of the ionic acid generator include onium salts containing onium cations (for example, diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts) and the like. Examples of the anion of the onium salt include a sulfonate anion, a sulfonylimide anion, and a sulfonylmethide anion.

また、酸発生剤(B)としては、レジスト分野で使用される酸発生剤(特に光酸発生剤)だけでなく、光カチオン重合開始剤、色素類の光消色剤又は光変色剤等の放射線(光)によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も、適宜、使用できる。例えば特開昭63−26653号、特開昭55−164824号、特開昭62−69263号、特開昭63−146038号、特開昭63−163452号、特開昭62−153853号、特開昭63−146029号、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。   The acid generator (B) includes not only acid generators (particularly photoacid generators) used in the resist field, but also photocationic polymerization initiators, photodecolorants of dyes, photochromic agents, and the like. Known compounds that generate acids by radiation (light) and mixtures thereof can also be used as appropriate. For example, JP-A 63-26653, JP-A 55-164824, JP-A 62-69263, JP-A 63-146038, JP-A 63-163452, JP-A 62-153853, Acid is generated by radiation described in Japanese Utility Model Publication No. 63-146029, US Pat. No. 3,779,778, US Pat. No. 3,849,137, German Patent No. 3914407, European Patent No. 126,712, etc. Can be used.

酸発生剤(B)は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは、以下の式(B1)で表される酸発生剤(以下、場合により「酸発生剤(B1)」という。)である。なお、以下の説明において、この酸発生剤(B1)のうち、正電荷を有するZは「有機カチオン」といい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものを「スルホン酸アニオン」ということがある。

Figure 2013083957
[式(B1)中、
1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、単結合又は炭素数1〜17の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
+は、有機カチオンを表す。] The acid generator (B) is preferably a fluorine-containing acid generator, more preferably an acid generator represented by the following formula (B1) (hereinafter sometimes referred to as “acid generator (B1)”. ). In the following description, among the acid generators (B1), Z + having a positive charge is referred to as “organic cation”, and a negative charge obtained by removing the organic cation is referred to as “sulfonate anion”. There is.
Figure 2013083957
[In the formula (B1),
Q 1 and Q 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and the methylene group constituting the divalent aliphatic saturated hydrocarbon group is replaced with an oxygen atom or a carbonyl group. May be.
Y represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent. The methylene group constituting the alicyclic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group.
Z + represents an organic cation. ]

1及びQ2のペルフルオロアルキル基の具体例は、すでに例示したアルキル基のうち、炭素数1〜6のアルキル基において、該アルキル基を構成する水素原子の全部がフッ素原子に置き換わったものが該当する。
1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
Specific examples of the perfluoroalkyl group of Q 1 and Q 2 are those in which all of the hydrogen atoms constituting the alkyl group are replaced with fluorine atoms in the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms among the already exemplified alkyl groups. Applicable.
Q 1 and Q 2 are each independently preferably a trifluoromethyl group or a fluorine atom, more preferably a fluorine atom.

b1の2価の脂肪族飽和炭化水素基の具体例は、すでに例示したアルカンジイル基、及び、上述の式(KA−1)〜式(KA−19)の脂環式飽和炭化水素から水素原子を2個取り去った基などである。 Specific examples of the divalent aliphatic saturated hydrocarbon group of L b1 include hydrogen from the alkanediyl group exemplified above and the alicyclic saturated hydrocarbons of the above formulas (KA-1) to (KA-19). For example, a group with two atoms removed.

b1の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、式(b1−1)〜式(b1−6)でそれぞれ表される基が挙げられる。なお、式(b1−1)〜式(b1−6)は、その左右を式(B1)に合わせて記載しており、それぞれ*で表される2つの結合手のうち、左側の結合手は、C(Q1)(Q2)と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式(b1−1)〜式(b1−6)の具体例も同様である。

Figure 2013083957
式(b1−1)〜式(b1−6)中、
b2は、単結合又は炭素数1〜15の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b3は、単結合又は炭素数1〜12の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b4は、炭素数1〜13の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。
b5は、炭素数1〜15のの脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1〜15の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。
b8は、炭素数1〜14の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1〜11の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。
b1は、式(b1−1)で表される基が好ましく、*−CO−O−*又は*−CO−O−CH−*がより好ましい。 Examples of the methylene group constituting the aliphatic saturated hydrocarbon group of L b1 replaced by an oxygen atom or a carbonyl group include groups represented by formulas (b1-1) to (b1-6), respectively. Can be mentioned. In addition, Formula (b1-1)-Formula (b1-6) has described the right and left according to Formula (B1), and the left hand is out of two joints each represented by *. , C (Q 1 ) (Q 2 ), and the right bond is bonded to Y. The same applies to specific examples of the following formulas (b1-1) to (b1-6).
Figure 2013083957
In formula (b1-1) to formula (b1-6),
L b2 represents a single bond or an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b3 represents a single bond or an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
L b4 represents an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b3 and L b4 is 13.
L b5 represents an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b6 and L b7 each independently represent an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b6 and L b7 is 16.
L b8 represents an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms.
L b9 and L b10 each independently represent an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 11 carbon atoms.
However, the upper limit of the total carbon number of L b9 and L b10 is 12.
L b1 is preferably a group represented by the formula (b1-1), more preferably * —CO—O— * or * —CO—O—CH 2 — *.

式(b1−1)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2013083957
Examples of the group represented by the formula (b1-1) include the following.
Figure 2013083957

式(b1−2)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2013083957
Examples of the group represented by the formula (b1-2) include the following.
Figure 2013083957

式(b1−3)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2013083957
Examples of the group represented by the formula (b1-3) include the following.
Figure 2013083957

式(b1−4)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2013083957
Examples of the group represented by the formula (b1-4) include the following.
Figure 2013083957

式(b1−5)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2013083957
Examples of the group represented by the formula (b1-5) include the following.
Figure 2013083957

式(b1−6)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2013083957
Examples of the group represented by the formula (b1-6) include the following.
Figure 2013083957

Yのアルキル基は、炭素数1〜18の範囲ですでに例示したものを含むが、中でも炭素数1〜6のアルキル基が好ましい
Yの脂環式炭化水素基も、炭素数3〜18の範囲ですでに例示したものを含み、例えば、以下の式(Y1)〜式(Y11)で表される基が挙げられる。
なお、上述のとおり、該アルキル基及び脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。脂環式炭化水素基を構成するメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わった基は、例えば、以下の式(Y12)〜式(Y26)でそれぞれ表される基などである。

Figure 2013083957
The alkyl group of Y includes those already exemplified in the range of 1 to 18 carbon atoms. Among them, the alkyl group of 1 to 6 carbon atoms is preferable. The alicyclic hydrocarbon group of Y is also 3 to 18 carbon atoms. Examples include groups represented by the following formulas (Y1) to (Y11), including those already exemplified in the range.
As described above, the methylene group constituting the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group. Examples of the group in which the methylene group constituting the alicyclic hydrocarbon group is replaced with an oxygen atom or a carbonyl group include groups represented by the following formulas (Y12) to (Y26), respectively.
Figure 2013083957

Yの脂環式炭化水素基は、好ましくは式(Y1)〜式(Y19)でそれぞれ表される基であり、より好ましくは式(Y11)、式(Y14)、式(Y15)又は式(Y19)で表される基であり、さらに好ましくは式(Y11)又は式(Y14)で表される基である。   The alicyclic hydrocarbon group of Y is preferably a group represented by each of the formulas (Y1) to (Y19), more preferably the formula (Y11), the formula (Y14), the formula (Y15), or the formula ( Y19), more preferably a group represented by formula (Y11) or formula (Y14).

Yのアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、炭素数2〜4のアシル基、グリシジルオキシ基又は−(CH2j2−O−CO−Rb1基(式中、Rb1は、炭素数1〜16のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0〜4の整数を表す。)などが挙げられる。
Yの脂環式炭化水素基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、炭素数2〜4のアシル基、グリシジルオキシ基又は−(CH2j2−O−CO−Rb1基(式中、Rb1は、炭素数1〜16のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0〜4の整数を表す。)などが挙げられる。ここに示す置換基のうち、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基は、さらに置換基を有していてもよい。
Examples of the substituent that the alkyl group of Y may have include, for example, a halogen atom, a hydroxy group, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and carbon. number 2-4 acyl group, a glycidyl group or a - (CH 2) j2 -O- CO-R b1 group (wherein, R b1 represents an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, fat 3 to 16 carbon atoms Represents a cyclic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, j2 represents an integer of 0 to 4).
Examples of the substituent that the alicyclic hydrocarbon group of Y may have include, for example, a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms that may have a hydroxy group, and 3 to 3 carbon atoms. 16 alicyclic hydrocarbon groups, alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, aromatic hydrocarbon groups having 6 to 18 carbon atoms, aralkyl groups having 7 to 21 carbon atoms, acyl groups having 2 to 4 carbon atoms, glycidyloxy Group or — (CH 2 ) j2 —O—CO—R b1 group (wherein R b1 is an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms). Represents an aromatic hydrocarbon group of 18. j2 represents an integer of 0 to 4). Of the substituents shown here, the alkyl group, alicyclic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group, and aralkyl group may further have a substituent.

ハロゲン原子としては、すでに例示したもののいずれでもよい。
アルキル基、脂環式炭化水素基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、アラルキル基及びアシル基の具体例は、各々の炭素数の範囲ですでに例示したものを含む。なお、ヒドロキシ基を有するアルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、及びヒドロキシエチル基などが挙げられる。
The halogen atom may be any of those already exemplified.
Specific examples of the alkyl group, the alicyclic hydrocarbon group, the alkoxy group, the aromatic hydrocarbon group, the aralkyl group, and the acyl group include those already exemplified in each carbon number range. In addition, examples of the alkyl group having a hydroxy group include a hydroxymethyl group and a hydroxyethyl group.

好ましいYである脂環式炭化水素基において、置換基を有する脂環式炭化水素基としては例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2013083957
In the alicyclic hydrocarbon group which is preferable Y, examples of the alicyclic hydrocarbon group having a substituent include the following.
Figure 2013083957

Yは、好ましくは置換基を有していてもよいアダマンチル基又は置換基を有していてもよいオキソアダマンチル基であり、より好ましくは置換基を有していてもよいアダマンチル基である。   Y is preferably an adamantyl group which may have a substituent or an oxoadamantyl group which may have a substituent, and more preferably an adamantyl group which may have a substituent.

酸発生剤(B1)を構成するスルホン酸アニオンとしては、好ましくは、式(b1−1−1)〜式(b1−1−9)でそれぞれ表されるアニオンが挙げられる。以下の式においては、なお、Lb2は前記と同義であり、前記式(b1−1)で表される基であると好ましい。Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基に任意に有することもある置換基として定義したものであり、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。

Figure 2013083957
The sulfonate anion constituting the acid generator (B1) is preferably an anion represented by each of the formulas (b1-1-1) to (b1-1-9). In the following formula, L b2 has the same meaning as described above, and is preferably a group represented by the formula (b1-1). R b2 and R b3 are each independently defined as a substituent that may optionally be present in the aliphatic hydrocarbon group of Y, preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group. .
Figure 2013083957

式(b1−1−1)〜式(b1−1−9)で表されるスルホン酸アニオンは、例えば、特開2010−204646号公報に記載されている。   The sulfonate anion represented by the formula (b1-1-1) to the formula (b1-1-9) is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-204646.

酸発生剤(B1)を構成する有機カチオン(Z)は、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられ、好ましくは、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンであり、より好ましくは、アリールスルホニウムカチオンである。 Examples of the organic cation (Z + ) constituting the acid generator (B1) include organic onium cations such as organic sulfonium cation, organic iodonium cation, organic ammonium cation, benzothiazolium cation, and organic phosphonium cation. Are an organic sulfonium cation and an organic iodonium cation, and more preferably an arylsulfonium cation.

有機カチオン(Z+)は、好ましくは式(b2−1)〜式(b2−4)でそれぞれ表されるカチオンである。

Figure 2013083957
The organic cation (Z + ) is preferably a cation represented by each of the formulas (b2-1) to (b2-4).
Figure 2013083957

式(b2−1)〜式(b2−4)において、
b4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1〜30の炭化水素基を表す。この炭化水素基は、好ましくは、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基である。前記アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、前記脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2〜4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を有していてもよい。
b4とRb5とは、一緒になってそれらが結合する硫黄原子とともに3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成してもよい。
b7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
m2及びn2は、それぞれ独立に0〜5の整数を表す。
b9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1〜18のアルキル基又は炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表す。
b9とRb10とは、一緒になってそれらが結合する硫黄原子とともに3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成してもよい。該環に含まれる−CH−は、−O−、−SO−又は−CO−に置き換わってもよい。
b11は、水素原子、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。
b12は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表し、該芳香族炭化水素基は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数1〜12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。
b11とRb12とは、一緒になってそれらが結合する−CH−CO−とともに3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成していてもよく、該環を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
In formula (b2-1) to formula (b2-4),
R b4 , R b5 and R b6 each independently represents a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms. This hydrocarbon group is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms. The alkyl group may have a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and the alicyclic hydrocarbon group includes a halogen atom and a carbon number. It may have 2 to 4 acyl groups or glycidyloxy groups, and the aromatic hydrocarbon group is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, or a saturated cyclic carbonization having 3 to 18 carbon atoms. You may have a hydrogen group or a C1-C12 alkoxy group.
R b4 and R b5 may together form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring) with the sulfur atom to which they are bonded.
R b7 and R b8 each independently represent a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
m2 and n2 each independently represent an integer of 0 to 5.
R b9 and R b10 each independently represent an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms.
R b9 and R b10 may together form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring) with the sulfur atom to which they are bonded. —CH 2 — contained in the ring may be replaced by —O—, —SO— or —CO—.
R b11 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms.
R b12 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and the aromatic hydrocarbon group has You may have a C1-C12 alkyl group, a C1-C12 alkoxy group, a C3-C18 alicyclic hydrocarbon group, or a C1-C12 alkylcarbonyloxy group.
R b11 and R b12 may form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring) together with —CH—CO— to which they are bonded, May be replaced by an oxygen atom, a sulfur atom or a carbonyl group.

b13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
b11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。
q2及びr2は、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。
u2は0又は1を表す。
o2が2以上であるとき、複数のRb13は互いに同一又は相異なり、p2が2以上であるとき、複数のRb14は互いに同一又は相異なり、s2が2以上であるとき、複数のRb15は互いに同一又は相異なり、t2が2以上であるとき、複数のRb18は互いに同一又は相異なる。
R b13, R b14, R b15 , R b16, R b17 and R b18 each independently represent a hydroxy group, an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms having 1 to 12 carbon atoms.
L b11 represents an oxygen atom or a sulfur atom.
o2, p2, s2, and t2 each independently represents an integer of 0 to 5.
q2 and r2 each independently represents an integer of 0 to 4.
u2 represents 0 or 1.
When o2 is 2 or more, the plurality of R b13 are the same or different from each other, when p2 is 2 or more, the plurality of R b14 are the same or different from each other, and when s2 is 2 or more, a plurality of R b15 Are the same or different from each other, and when t2 is 2 or more, the plurality of R b18 are the same or different from each other.

b12のアルキルカルボニルオキシ基としては、すでに例示したアシル基と酸素原子とが結合したものである。 The alkylcarbonyloxy group for R b12 is a group in which the acyl group already exemplified and an oxygen atom are bonded.

b9〜Rb12のアルキル基の好適例は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基などである。Rb9〜Rb11のアルキル基は、炭素数1〜12が好ましい。
b9〜Rb11の脂環式炭化水素基の好適例は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキル基及びイソボルニル基などである。Rb9〜Rb11の脂環式炭化水素基は、炭素数3〜18が好ましく、炭素数4〜12がより好ましい。
b12の芳香族炭化水素基の好適例は、フェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基などである。アルキル基又は脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基の好適例は、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−シクロへキシルフェニル基及び4−メトキシフェニル基などである。
b12の芳香族炭化水素基とアルキル基が結合したものは、典型的にはアラルキル基である。
Preferred examples of the alkyl group represented by R b9 to R b12 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, and an octyl group. And 2-ethylhexyl group. The alkyl group for R b9 to R b11 preferably has 1 to 12 carbon atoms.
Preferred examples of the alicyclic hydrocarbon group represented by R b9 to R b11 include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclodecyl group, 2-alkyl-2-adamantyl group, 1- (1 -Adamantyl) -1-alkyl group and isobornyl group. The alicyclic hydrocarbon group of R b9 to R b11 preferably has 3 to 18 carbon atoms, and more preferably 4 to 12 carbon atoms.
Preferable examples of the aromatic hydrocarbon group for R b12 include a phenyl group, a biphenylyl group, and a naphthyl group. Preferred examples of the aromatic hydrocarbon group having an alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group include 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group and 4 -Methoxyphenyl group and the like.
A group in which an aromatic hydrocarbon group of R b12 and an alkyl group are bonded is typically an aralkyl group.

b4とRb5とが一緒になって形成してもよい硫黄原子を含む環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、硫黄原子を1以上含むものであれば、さらに、1以上の硫黄原子及び/又は1以上の酸素原子を含んでいてもよい。該環としては、炭素数3〜18の環が好ましく、炭素数4〜18の環がより好ましい。
b9とRb10とが結合する硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン−1−イウム環(テトラヒドロチオフェニウム環)、チアン−1−イウム環及び1,4−オキサチアン−4−イウム環などが挙げられる。
b11とRb12とが結合する−CH−CO−とともに形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。
The ring containing a sulfur atom which may be formed by combining R b4 and R b5 is any of monocyclic, polycyclic, aromatic, non-aromatic, saturated and unsaturated rings. If it contains one or more sulfur atoms, it may further contain one or more sulfur atoms and / or one or more oxygen atoms. As the ring, a ring having 3 to 18 carbon atoms is preferable, and a ring having 4 to 18 carbon atoms is more preferable.
Examples of the ring formed together with the sulfur atom to which R b9 and R b10 are bonded include, for example, a thiolane-1-ium ring (tetrahydrothiophenium ring), a thian-1-ium ring, and 1,4-oxathian-4-ium. A ring etc. are mentioned.
Examples of the ring formed with —CH—CO— in which R b11 and R b12 are bonded include an oxocycloheptane ring, an oxocyclohexane ring, an oxonorbornane ring, and an oxoadamantane ring.

式(b2−1)〜式(b2−4)で表される有機カチオンの具体例は、特開2010−204646号公報に記載されたものを挙げることができる。   Specific examples of the organic cation represented by the formulas (b2-1) to (b2-4) include those described in JP2010-204646A.

例示した有機カチオンの中でも、カチオン(b2−1)が好ましく、以下の式(b2−1−1)で表される有機カチオン〔以下、場合により「カチオン(b2−1−1)」という。〕がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=0である。)又はトリトリルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。)がさらに好ましい。

Figure 2013083957
式(b2−1−1)中、
b19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
この脂肪族炭化水素基は、炭素数1〜12が好ましく、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数4〜18の脂環式炭化水素基がより好ましい。
v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0〜5の整数(好ましくは0又は1)を表す。
v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一又は相異なり、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一又は相異なり、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一又は相異なる。
なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、又は炭素数1〜12のアルコキシ基である。 Among the exemplified organic cations, the cation (b2-1) is preferable, and an organic cation represented by the following formula (b2-1-1) [hereinafter referred to as “cation (b2-1-1)” in some cases. ], More preferably a triphenylsulfonium cation (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = x2 = 0) or a tolylsulfonium cation (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = X2 = 1, and R b19 , R b20 and R b21 are all methyl groups).
Figure 2013083957
In formula (b2-1-1),
R b19 , R b20 and R b21 each independently represent a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
This aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms.
v2, w2 and x2 each independently represent an integer of 0 to 5 (preferably 0 or 1).
When v2 is 2 or more, the plurality of R b19 are the same or different from each other. When w2 is 2 or more, the plurality of R b20 are the same or different from each other. When x2 is 2 or more, the plurality of R b21 are the same. Or different.
Among them, R b19 , R b20 and R b21 are preferably each independently a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. It is a group.

酸発生剤(B1)は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。これらは任意に組み合わせることができ、好ましくは、アニオン(b1−1−1)〜アニオン(b1−1−9)のいずれかとカチオン(b2−1−1)との組合せ、並びにアニオン(b1−1−3)〜(b1−1−5)のいずれかとカチオン(b2−3)との組合せが挙げられる。   The acid generator (B1) is a combination of the above-described sulfonate anion and organic cation. These can be arbitrarily combined, and preferably a combination of any one of anion (b1-1-1) to anion (b1-1-9) and a cation (b2-1-1), and an anion (b1-1) -3) to (b1-1-5) and a combination of a cation (b2-3).

酸発生剤(B1)は、式(B1−1)〜式(B1−20)でそれぞれ表される塩が挙げられる。好ましくは、トリアリールスルホニウムカチオンを含む式(B1−1)、式(B1−2)、式(B1−3)、式(B1−6)、式(B1−11)、式(B1−12)、式(B1−13)、式(B1−14)、式(B1−18)、式(B1−19)及び(B1−20)でそれぞれ表される酸発生剤である。

Figure 2013083957
Examples of the acid generator (B1) include salts represented by formulas (B1-1) to (B1-20). Preferably, Formula (B1-1), Formula (B1-2), Formula (B1-3), Formula (B1-6), Formula (B1-11), Formula (B1-12) containing a triarylsulfonium cation And (B1-13), (B1-14), (B1-18), (B1-19) and (B1-20).
Figure 2013083957

Figure 2013083957
Figure 2013083957

Figure 2013083957
Figure 2013083957

Figure 2013083957
Figure 2013083957

<塩基性化合物(C)>
塩基性化合物(C)は、レジスト分野でクエンチャーと呼ばれるものであり、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物(C)は、好ましくは、式(C1)〜式(C8)又は式(C1−1)で表される化合物あるいはアンモニウム塩であり、より好ましくは式(C1−1)で表される化合物又はアンモニウム塩が挙げられる。
<Basic compound (C)>
The basic compound (C) is called a quencher in the resist field, and is preferably a basic nitrogen-containing organic compound, and examples thereof include amines and ammonium salts. Examples of amines include aliphatic amines and aromatic amines. Aliphatic amines include primary amines, secondary amines and tertiary amines. The basic compound (C) is preferably a compound represented by formula (C1) to formula (C8) or formula (C1-1) or an ammonium salt, and more preferably represented by formula (C1-1). Compounds or ammonium salts.

Figure 2013083957
[式(C1)中、
c1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]
Figure 2013083957
[In the formula (C1),
R c1 , R c2 and R c3 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an amino group, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the aromatic hydrocarbon group The hydrogen atom contained is substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. It may be. ]

Figure 2013083957
[式(C1−1)中、
c2及びRc3は、前記と同義である。
c4は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表す。
m3は0〜3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、互いに同一又は相異なる。]
Figure 2013083957
[In the formula (C1-1),
R c2 and R c3 are as defined above.
R c4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms.
m3 represents an integer of 0 to 3, and when m3 is 2 or more, the plurality of R c4 are the same or different from each other. ]

Figure 2013083957
[式(C2)、式(C3)及び式(C4)中、
c5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同義である。
c9は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6の脂環式炭化水素基又は炭素数2〜6のアルカノイル基を表す。
n3は0〜8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は、互いに同一又は相異なる。]
Figure 2013083957
[In Formula (C2), Formula (C3) and Formula (C4),
R c5 , R c6 , R c7 and R c8 are each independently synonymous with R c1 .
R c9 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or an alkanoyl group having 2 to 6 carbon atoms.
n3 represents an integer of 0 to 8, and when n3 is 2 or more, the plurality of R c9 are the same or different from each other. ]

Figure 2013083957
[式(C5)及び式(C6)中、
c10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同義である。
c14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同義である。
o3及びp3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は互いに同一又は相異なる。p3が2以上であるとき、複数のRc15は互いに同一又は相異なる。
c1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 2013083957
[In Formula (C5) and Formula (C6),
R c10 , R c11 , R c12 , R c13 and R c16 are each independently synonymous with R c1 .
R c14 , R c15 and R c17 each independently have the same meaning as R c4 .
o3 and p3 each independently represent an integer of 0 to 3, and when o3 is 2 or more, the plurality of R c14 are the same or different from each other. When p3 is 2 or more, the plurality of R c15 are the same or different from each other.
L c1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

Figure 2013083957
[式(C7)及び式(C8)中、
c18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同義である。
q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は互いに同一又は相異なる。r3が2以上であるとき、複数のRc19は互いに同一又は相異なる。s3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一又は相異なる。
c2は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 2013083957
[In Formula (C7) and Formula (C8),
R c18, R c19 and R c20 in each occurrence independently has the same meaning as R c4.
q3, r3 and s3 each independently represents an integer of 0 to 3, and when q3 is 2 or more, the plurality of R c18 are the same or different from each other. When r3 is 2 or more, the plurality of R c19 are the same or different from each other. When s3 is 2 or more, the plurality of R c20 are the same or different from each other.
L c2 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

式(C1)〜式(C8)及び式(C1−1)においては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基及びアルカンジイル基の具体例は、各々の炭素数の範囲ですでに例示したものを含む。
アルカノイル基としては、アセチル基、2−メチルアセチル基、2,2−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基及び2,2−ジメチルプロピオニル基などが挙げられる。
In Formula (C1) to Formula (C8) and Formula (C1-1), specific examples of the alkyl group, alicyclic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group, alkoxy group, and alkanediyl group are the number of carbon atoms. Those already exemplified in the scope of.
Examples of the alkanoyl group include acetyl group, 2-methylacetyl group, 2,2-dimethylacetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pentanoyl group, and 2,2-dimethylpropionyl group.

式(C1)で表される化合物としては、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン及び4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。   Examples of the compound represented by the formula (C1) include 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N- Dimethylaniline, diphenylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tri Pentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyl Hexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonyl Amine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2-diphenyl Ethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, and the like are preferable. Ropiruanirin. Particularly preferred include 2,6-diisopropylaniline.

式(C2)で表される化合物としては、ピペラジンなどが挙げられる。
式(C3)で表される化合物としては、モルホリンなどが挙げられる。
式(C4)で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。
式(C5)で表される化合物としては、2,2’−メチレンビスアニリンなどが挙げられる。
式(C6)で表される化合物としては、イミダゾール及び4−メチルイミダゾールなどが挙げられる。
式(C7)で表される化合物としては、ピリジン及び4−メチルピリジンなどが挙げられる。
式(C8)で表される化合物としては、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミン及びビピリジンなどが挙げられる。
Examples of the compound represented by the formula (C2) include piperazine.
Examples of the compound represented by the formula (C3) include morpholine.
Examples of the compound represented by the formula (C4) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound represented by the formula (C5) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound represented by the formula (C6) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound represented by the formula (C7) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound represented by the formula (C8) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, 1, 2-di (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide 4,4′-dipyridyl disulfide, 2,2′-dipyridylamine, 2,2′-dipiconylamine, bipyridine and the like.

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリンなどが挙げられる。   As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Examples include ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, and choline.

<溶剤(D)>
本レジスト組成物が溶剤(D)を含有する場合、当該溶剤(D)は、化合物(I)や樹脂(A)などの種類及びその量に応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。
<Solvent (D)>
When the present resist composition contains a solvent (D), the solvent (D) depends on the type and amount of the compound (I), the resin (A), etc. In addition, an optimum one can be appropriately selected from the viewpoint that the coating property when the resist composition is applied is improved.

溶剤(D)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類;γ−ブチロラクトン等の環状エステル類などを挙げることができる。溶剤(D)は、1種を単独で含有してもよく、2種以上を含有してもよい。   Examples of the solvent (D) include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and pyruvic acid Examples thereof include esters such as ethyl; ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone. A solvent (D) may contain individually by 1 type and may contain 2 or more types.

<その他の成分>
本レジスト組成物はさらに上述の成分以外のその他の成分(以下、場合により「成分(F)」という。)を含有してもよい。かかる成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で慣用の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などが挙げられる。
<Other ingredients>
The resist composition may further contain other components in addition to the components described above (hereinafter sometimes referred to as “component (F)”). The component (F) is not particularly limited, and examples include additives commonly used in the resist field, such as sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, and dyes.

<本レジスト組成物の調製方法>
化合物(I)、樹脂(A)及び酸発生剤(B)、並びに、必要に応じて用いられる溶剤(D)、塩基性化合物(C)及び成分(F)を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10〜40℃の範囲から、化合物(I)などの種類や化合物(I)などの溶剤(D)に対する溶解度などに応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5〜24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。
本レジスト組成物を調製する際に用いる各成分の含有割合は、それらの使用量により調節することができる。
各成分を混合した後は、孔径0.003〜0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。
<Preparation method of the present resist composition>
It can be prepared by mixing compound (I), resin (A) and acid generator (B), and solvent (D), basic compound (C) and component (F) used as necessary. it can. The mixing order is arbitrary and is not particularly limited. The temperature at the time of mixing can select an appropriate temperature range from the range of 10-40 degreeC according to the kind with respect to solvent (D), such as a kind, such as compound (I), and compound (I). An appropriate mixing time can be selected from 0.5 to 24 hours depending on the mixing temperature. The mixing means is not particularly limited, and stirring and mixing can be used.
The content of each component used when preparing the resist composition can be adjusted by the amount of use thereof.
After mixing each component, it is preferable to filter using a filter having a pore size of about 0.003 to 0.2 μm.

本レジスト組成物における樹脂(A)の含有割合は、レジスト組成物の固形分の総量に対して、80質量%以上99質量%以下が好ましい。本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から溶剤(D)を除いた成分の合計を意味する。レジスト組成物の固形分及び本レジスト組成物に含まれる各成分の含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定することができる。   As for the content rate of resin (A) in this resist composition, 80 mass% or more and 99 mass% or less are preferable with respect to the total amount of solid content of a resist composition. In the present specification, the “solid content of the resist composition” means the total of components excluding the solvent (D) from the total amount of the resist composition. The solid content of the resist composition and the content of each component contained in the resist composition can be measured by known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.

化合物(I)の含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは、0.5〜30質量%であり、より好ましく1〜20質量%であり、さらに好ましく3〜15質量%である。   The content of the compound (I) is preferably 0.5 to 30% by mass, more preferably 1 to 20% by mass, and further preferably 3 to 15% by mass with respect to 100 parts by mass of the resin (A). It is.

酸発生剤(B)の含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上35質量部以下であり、より好ましくは3質量部以上30質量部以下である。   The content of the acid generator (B) is preferably 1 part by mass or more and 35 parts by mass or less, and more preferably 3 parts by mass or more and 30 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the resin (A).

本レジスト組成物に塩基性化合物(C)を含有させる場合、その含有割合は、本レジスト組成物の固形分の総量に対して、0.01〜3質量%程度が好ましい。   When the basic composition (C) is contained in the resist composition, the content is preferably about 0.01 to 3% by mass with respect to the total solid content of the resist composition.

溶剤(D)の含有量は、化合物(I)の種類などに応じて適宜調節できるが、本レジスト組成物総質量に対して好ましくは90質量%以上、より好ましくは92質量%以上、さらに好ましくは94質量%以上、好ましくは99.9質量%以下、より好ましくは99.5質量%以下、さらに好ましくは99質量%以下である。ここで、溶剤(D)の含有量が90質量%であるレジスト組成物では、組成物中の固形分の含有量は10質量%に相当する。
溶剤(D)の含有量が上記範囲内であると、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30〜300nm程度の組成物層を形成しやすいという利点がある。なお、この溶剤(D)の含有量は、本レジスト組成物を調製する際の溶剤(D)の使用量により制御可能である。
The content of the solvent (D) can be appropriately adjusted depending on the type of the compound (I), but is preferably 90% by mass or more, more preferably 92% by mass or more, and still more preferably based on the total mass of the resist composition. Is 94% by mass or more, preferably 99.9% by mass or less, more preferably 99.5% by mass or less, and still more preferably 99% by mass or less. Here, in the resist composition in which the content of the solvent (D) is 90% by mass, the solid content in the composition corresponds to 10% by mass.
When the content of the solvent (D) is within the above range, for example, in the method for producing a resist pattern described later, there is an advantage that a composition layer having a thickness of about 30 to 300 nm can be easily formed. In addition, content of this solvent (D) is controllable by the usage-amount of the solvent (D) at the time of preparing this resist composition.

なお、成分(F)を本レジスト組成物に用いる場合には、当該成分(F)の種類に応じて、適切な含有量を調節することもできる。   In addition, when using a component (F) for this resist composition, suitable content can also be adjusted according to the kind of the said component (F).

<レジストパターンの製造方法>
本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法は、
(1)本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程
を含む製造方法である。以下、ここに示す工程の各々を「工程(1)」〜「工程(5)」という。
<Method for producing resist pattern>
A method for producing a resist pattern using the resist composition is as follows:
(1) a step of applying the resist composition on a substrate;
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer;
(4) A manufacturing method including a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating. Hereinafter, each of the steps shown here is referred to as “step (1)” to “step (5)”.

工程(1)における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件(塗布条件)を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成したりしてもよい。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。   Application of the resist composition on the substrate in the step (1) can be performed by a coating apparatus widely used for applying a resist material for semiconductor microfabrication, such as a spin coater. Thus, a coating film made of a resist composition is formed on the substrate. The film thickness of the coating film can be adjusted by variously adjusting the conditions (coating conditions) of the coating apparatus. You can choose the conditions. Various substrates to be subjected to microfabrication can be selected as the substrate before applying the resist composition. The substrate may be washed or an antireflection film may be formed before applying the resist composition. For example, a commercially available composition for an organic antireflection film can be used for forming the antireflection film.

工程(2)においては、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜を乾燥させることにより溶剤を除去する。このような乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段(いわゆるプリベーク)、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させることにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤(D)の種類等に応じて選択でき、例えばホットプレートの場合、該ホットプレートの表面温度を50〜200℃程度の範囲にすることが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧乾燥機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、減圧乾燥機の内部圧力を1〜1.0×10Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。 In the step (2), the solvent is removed by drying the resist composition applied on the substrate, that is, the coating film. Such drying is performed, for example, by evaporating the solvent from the coating film by a heating means using a heating device such as a hot plate (so-called pre-baking), a decompression means using a decompression device, or a combination of these means. Is done. The conditions for the heating means and the decompression means can be selected according to the type of the solvent (D) contained in the resist composition. For example, in the case of a hot plate, the surface temperature of the hot plate is in the range of about 50 to 200 ° C. It is preferable to do. In the decompression means, the internal pressure of the decompression dryer may be set to about 1 to 1.0 × 10 5 Pa after sealing the substrate on which the coating film is formed in a suitable decompression dryer. Thus, the composition layer is formed on the substrate by removing the solvent from the coating film.

工程(3)は組成物層に、好ましくは、露光機を用いて露光する。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンが形成されたマスク(フォトマスク)を介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2エキシマレーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、超紫外光(EUV)(波長13.5nm)、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。露光光源が電子線の場合は、マスクを用いずに直接描画を行ってもよい。尚、本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。また、露光機は液浸露光機(液浸媒体としては、超純水などが用いられる。)であってもよい。これらの露光方法の中でも、超紫外光(EUV)又は電子線の露光によりレジストパターンを製造すると、本レジスト組成物からは、極めて良好なラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを製造できる。そのため、本レジスト組成物は、電子線照射用又は超紫外光(EUV)露光用のレジスト組成物として特に好適である。 In step (3), the composition layer is preferably exposed using an exposure machine. At this time, exposure is performed through a mask (photomask) on which a desired pattern to be finely processed is formed. As an exposure light source of the exposure machine, an ultraviolet light source such as a KrF excimer laser (wavelength 248 nm), an ArF excimer laser (wavelength 193 nm), an F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), or an ultra-ultraviolet light (EUV) ) (Wavelength: 13.5 nm), a laser beam from a solid-state laser light source (such as YAG or a semiconductor laser) is used to convert the wavelength and emit a harmonic laser beam in the far ultraviolet region or the vacuum ultraviolet region. be able to. When the exposure light source is an electron beam, direct drawing may be performed without using a mask. In this specification, the irradiation of these radiations may be collectively referred to as “exposure”. Further, the exposure machine may be an immersion exposure machine (ultra pure water or the like is used as the immersion medium). Among these exposure methods, when a resist pattern is produced by exposure to extreme ultraviolet light (EUV) or an electron beam, a resist pattern having a very good line edge roughness (LER) can be produced from the resist composition. Therefore, the present resist composition is particularly suitable as a resist composition for electron beam irradiation or extreme ultraviolet (EUV) exposure.

工程(5)は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、5〜60℃が好ましく、現像時間は、例えば、5〜300秒間が好ましい。   Step (5) is a step of developing the heated composition layer, and preferably the heated composition layer is developed with a developing device. Examples of the developing method include a dipping method, a paddle method, a spray method, and a dynamic dispensing method. The development temperature is preferably 5 to 60 ° C., for example, and the development time is preferably 5 to 300 seconds, for example.

現像液の種類を選択することにより、ポジ型レジストパターン又はネガ型レジストパターンを製造できる。
本レジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ水溶液を用いる。前記アルカリ水溶液としては、「アルカリ現像液」と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液などが挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤等の添加剤が含まれていてもよい。
現像後、好ましくは超純水などでリンス処理を行ってレジストパターンを洗浄し、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。
By selecting the type of developer, a positive resist pattern or a negative resist pattern can be produced.
When producing a positive resist pattern from the resist composition, an alkaline aqueous solution is used as a developer. As the alkaline aqueous solution, those known in this technical field called “alkaline developer” can be used. Examples of the alkaline aqueous solution include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and an aqueous solution of (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline). The alkaline developer may contain an additive such as a surfactant.
After development, it is preferable to rinse the resist pattern with ultrapure water or the like to wash the resist pattern, and to further remove moisture remaining on the substrate and the resist pattern.

本レジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液(以下「有機系現像液」という場合がある)を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、2−ヘキサノン、2−ヘプタノン等のケトン溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル溶剤;酢酸ブチル等のエステル溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル溶剤;N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤;アニソール等の芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、90質量%以上100質量%以下が好ましく、95質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び2−ヘプタノンの合計含有率は、50質量%以上100質量%以下が好ましく、90質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。
When a negative resist pattern is produced from the present resist composition, a developer containing an organic solvent as a developer (hereinafter sometimes referred to as “organic developer”) is used.
Organic solvents contained in the organic developer include ketone solvents such as 2-hexanone and 2-heptanone; glycol ether ester solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate; ester solvents such as butyl acetate; glycols such as propylene glycol monomethyl ether Examples include ether solvents; amide solvents such as N, N-dimethylacetamide; aromatic hydrocarbon solvents such as anisole.
In the organic developer, the content of the organic solvent is preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, and still more preferably only the organic solvent.
Among them, the organic developer is preferably a developer containing butyl acetate and / or 2-heptanone. In the organic developer, the total content of butyl acetate and 2-heptanone is preferably 50% by mass to 100% by mass, more preferably 90% by mass to 100% by mass, and substantially butyl acetate and / or 2 -More preferred is heptanone alone.
The organic developer may contain a surfactant. The organic developer may contain a trace amount of water.
At the time of development, the development may be stopped by substituting a solvent of a different type from the organic developer.

現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。
It is preferable to wash the developed resist pattern with a rinse solution. The rinsing liquid is not particularly limited as long as it does not dissolve the resist pattern, and a solution containing a general organic solvent can be used, and an alcohol solvent or an ester solvent is preferable.
After the cleaning, it is preferable to remove the rinse solution remaining on the substrate and the pattern.

<用途>
本レジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線(EB)照射用のレジスト組成物(電子線用レジスト組成物)又はEUV露光用のレジスト組成物(EUV用レジスト組成物)などに有用である。特に、電子線又はEUVを露光源とする光リソグラフィーに用いると、極めて良好なラインエッジラフネスのレジストパターンを製造できる。
<Application>
This resist composition is a resist composition for KrF excimer laser exposure, a resist composition for ArF excimer laser exposure, a resist composition for electron beam (EB) irradiation (resist composition for electron beam) or EUV exposure. It is useful for resist compositions (resist compositions for EUV) and the like. In particular, when it is used for photolithography using an electron beam or EUV as an exposure source, a resist pattern with extremely good line edge roughness can be produced.

以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す「%」及び「部」は、特記ないかぎり質量基準である。
以下の実施例において、重量平均分子量は、下記の条件で、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。
装置:HLC−8120GPC型(東ソー株式会社製)
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples.
In Examples and Comparative Examples, “%” and “part” representing the content and the amount used are based on mass unless otherwise specified.
In the following examples, the weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography under the following conditions.
Apparatus: HLC-8120GPC type (manufactured by Tosoh Corporation)
Column: TSKgel Multipore H XL -M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

樹脂(A)の合成
樹脂(A)の合成に使用した化合物(モノマー)を下記に示す。

Figure 2013083957
以下、これらの化合物(モノマー)をその式符号に応じて、「モノマーA」などという。 Synthesis of Resin (A) The compound (monomer) used for the synthesis of resin (A) is shown below.
Figure 2013083957
Hereinafter, these compounds (monomers) are referred to as “monomer A” or the like according to their formula symbols.

合成例1〔樹脂A1の合成〕
モノマーB11.18部、p−アセトキシスチレン14.60部、及びモノマーC3.55部に、1,4−ジオキサン28.82部を加えて溶液とし、この溶液を87℃まで昇温した。開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル2.96部を添加し、87℃で6時間保温した。冷却後、反応溶液をメタノール291.41部とイオン交換水124.89部の混合溶媒に注いで、樹脂を沈殿させ、これをろ過した。得られた樹脂及び4−ジメチルアミノピリジン2.93部を、当該樹脂と同量のメタノールに加えて15時間加熱還流した。冷却後、得られた反応溶液に、氷酢酸2.16部を加え中和した後、大量の水に注いで樹脂を析出させた。析出した樹脂をろ別した。ろ過した樹脂をアセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させるという再沈殿操作を3回繰り返して精製し、重量平均分子量が約3.4×10の樹脂(樹脂A1)27.71部を得た。樹脂A1は以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013083957
Synthesis Example 1 [Synthesis of Resin A1]
28.82 parts of 1,4-dioxane was added to 11.18 parts of monomer B, 14.60 parts of p-acetoxystyrene and 3.55 parts of monomer C, and this solution was heated to 87 ° C. 2.96 parts of azobisisobutyronitrile was added as an initiator, and the mixture was kept at 87 ° C. for 6 hours. After cooling, the reaction solution was poured into a mixed solvent of 291.41 parts of methanol and 124.89 parts of ion-exchanged water to precipitate a resin, which was filtered. The obtained resin and 2.93 parts of 4-dimethylaminopyridine were added to the same amount of methanol as the resin and heated to reflux for 15 hours. After cooling, the resulting reaction solution was neutralized by adding 2.16 parts of glacial acetic acid, and then poured into a large amount of water to precipitate a resin. The precipitated resin was filtered off. A resin (resin A1) having a weight average molecular weight of about 3.4 × 10 3 is purified by repeating the reprecipitation operation of dissolving the filtered resin in acetone and then pouring it into a large amount of water for precipitation three times. 71 parts were obtained. Resin A1 has the following structural units.
Figure 2013083957

合成例2〔樹脂A2の合成〕
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、1,4−ジオキサン92.8部及びモノマーA16.7部を仕込み、85℃まで昇温した。そこへp−(1−エトキシエトキシ)スチレン60.0部、モノマーA39.0部、モノマーC9.22部、スチレン4.06部、モノマーD26.6部及びアゾビスイソブチロニトリル11.5部を1,4−ジオキサン138.5部に溶解した溶液を、1時間かけて滴下した。その後85℃を保ったまま6時間攪拌を継続した。反応溶液を40℃に冷却後、メタノール1609部及び水402部の混合溶液を十分冷却し、ここに反応溶液を注ぐことにより、樹脂を析出させた。得られた樹脂をメチルイソブチルケトンに溶解し、p−トルエンスルホン酸3.09部及び水309.4部を加え6時間攪拌した。静置・分液して回収された有機層を、3回程度水洗した後、水洗後の有機層をn−ヘプタン2010部に注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、重量平均分子量5.2×10の樹脂(樹脂A2)129部を得た。樹脂A2は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013083957
Synthesis Example 2 [Synthesis of Resin A2]
A 4-necked flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 92.8 parts of 1,4-dioxane and 16.7 parts of monomer A, and the temperature was raised to 85 ° C. Thereto, 60.0 parts of p- (1-ethoxyethoxy) styrene, 39.0 parts of monomer A, 9.22 parts of monomer C, 4.06 parts of styrene, 26.6 parts of monomer D and 11.5 parts of azobisisobutyronitrile. Was dissolved dropwise in 138.5 parts of 1,4-dioxane over 1 hour. Thereafter, stirring was continued for 6 hours while maintaining 85 ° C. After the reaction solution was cooled to 40 ° C., a mixed solution of 1609 parts of methanol and 402 parts of water was sufficiently cooled, and the reaction solution was poured therein to precipitate a resin. The obtained resin was dissolved in methyl isobutyl ketone, and 3.09 parts of p-toluenesulfonic acid and 309.4 parts of water were added and stirred for 6 hours. The organic layer recovered by standing and liquid separation was washed with water about three times, and then the washed organic layer was poured into 2010 parts of n-heptane to precipitate a resin. The precipitated resin was collected by filtration and dried under reduced pressure to obtain 129 parts of a resin (resin A2) having a weight average molecular weight of 5.2 × 10 3 . Resin A2 has the following structural units.
Figure 2013083957

合成例3〔樹脂A3の合成〕
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、1,4−ジオキサン15.1部を仕込み、85℃まで昇温した。そこへp−(1−エトキシエトキシ)スチレン12.0部、モノマーB4.65部、モノマーE5.85部、モノマーF1.39、スチレン1.30部及びアゾビスイソブチロニトリル1.84部を1,4−ジオキサン22.7部に溶解した溶液を、1時間かけて滴下した。その後85℃を保ったまま6時間攪拌を継続した。反応溶液を40℃に冷却後、メタノール262部及び水65部の混合溶液を十分冷却し、ここに反応溶液を注ぐことにより、樹脂を析出させた。得られた樹脂をメチルイソブチルケトンに溶解し、p−トルエンスルホン酸0.50部及び水50.4部を加え6時間攪拌した。静置・分液して回収された有機層を、3回程度水洗した後、水洗後の有機層をn−ヘプタン327部に注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、重量平均分子量4.9×10の樹脂(樹脂A3)18.1部を得た。樹脂A3は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013083957
Synthesis Example 3 [Synthesis of Resin A3]
A four-necked flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 15.1 parts of 1,4-dioxane and heated to 85 ° C. Thereto 12.0 parts of p- (1-ethoxyethoxy) styrene, 4.65 parts of monomer B, 5.85 parts of monomer E, 1.39 parts of monomer F, 1.30 parts of styrene and 1.84 parts of azobisisobutyronitrile. A solution dissolved in 22.7 parts of 1,4-dioxane was added dropwise over 1 hour. Thereafter, stirring was continued for 6 hours while maintaining 85 ° C. After cooling the reaction solution to 40 ° C., a mixed solution of 262 parts of methanol and 65 parts of water was sufficiently cooled, and the reaction solution was poured into this to precipitate a resin. The obtained resin was dissolved in methyl isobutyl ketone, 0.50 parts of p-toluenesulfonic acid and 50.4 parts of water were added and stirred for 6 hours. The organic layer recovered by standing and liquid separation was washed with water about three times, and then the washed organic layer was poured into 327 parts of n-heptane to precipitate a resin. The precipitated resin was collected by filtration and dried under reduced pressure to obtain 18.1 parts of a resin (resin A3) having a weight average molecular weight of 4.9 × 10 3 . Resin A3 has the following structural units.
Figure 2013083957

実施例1〜10、比較例1及び2
(レジスト組成物の調製)
表1に示す各成分を混合して溶解し、さらに後述の溶剤に溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターでろ過して、レジスト組成物を調製した。
Examples 1 to 10, Comparative Examples 1 and 2
(Preparation of resist composition)
Each component shown in Table 1 was mixed and dissolved, and further dissolved in a solvent described later, and then filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.

<酸発生剤(B)>
B1−11:特開2008−74843号公報記載の方法で合成

Figure 2013083957
<樹脂>
A1:樹脂A1
A2:樹脂A2
A3:樹脂A3
<塩基性化合物(C):クエンチャー>
塩基性化合物C1:(東京化成工業(株)製)
Figure 2013083957
<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 400.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 150.0部
γ−ブチロラクトン 5.0部
<化合物(I)>
I−5:2,3,5−トリヨード安息香酸;東京化成工業(株)製
Figure 2013083957
I−6:3−ヨード−4−メチル安息香酸;東京化成工業(株)製
Figure 2013083957
I−17:2-アミノ−5−ヨード安息香酸;東京化成工業(株)製
Figure 2013083957
I−12:2−ヨードフェニルメタノール;アルドリッチ社製
Figure 2013083957
I−15:2-ヨードフェノール;アルドリッチ社製
Figure 2013083957
X1:1,2,4,5-テトラフルオロ−3,6−ジヨードベンゼン;アルドリッチ社製
Figure 2013083957
<Acid generator (B)>
B1-11: synthesized by the method described in JP-A-2008-74843
Figure 2013083957
<Resin>
A1: Resin A1
A2: Resin A2
A3: Resin A3
<Basic compound (C): quencher>
Basic compound C1: (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
Figure 2013083957
<Solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 400.0 parts Propylene glycol monomethyl ether 150.0 parts γ-butyrolactone 5.0 parts <Compound (I)>
I-5: 2,3,5-triiodobenzoic acid; manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.
Figure 2013083957
I-6: 3-iodo-4-methylbenzoic acid; manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.
Figure 2013083957
I-17: 2-amino-5-iodobenzoic acid; manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.
Figure 2013083957
I-12: 2-iodophenylmethanol; manufactured by Aldrich
Figure 2013083957
I-15: 2-iodophenol; manufactured by Aldrich
Figure 2013083957
X1: 1,2,4,5-tetrafluoro-3,6-diiodobenzene; manufactured by Aldrich
Figure 2013083957

Figure 2013083957
Figure 2013083957

(電子線露光によるレジストパターンの製造;電子線用レジスト組成物としての評価)
シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90℃で60秒処理した。このシリコンウェハに、レジスト組成物を、組成物層の膜厚が0.04μmとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上にて、表1の「PB」欄に示す温度で60秒間プリベークして組成物層を形成した。ウェハ上に形成された組成物層に、電子線描画機〔(株)日立製作所製の「HL−800D 50keV」を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを直接描画により露光した。
露光後、ホットプレート上にて表1の「PEB」欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行ってレジストパターンを得た。
得られたレジストパターン(ラインアンドスペースパターン)を走査型電子顕微鏡で観察した。
(Production of resist pattern by electron beam exposure; evaluation as a resist composition for electron beam)
The silicon wafer was processed at 90 ° C. for 60 seconds using hexamethyldisilazane on a direct hot plate. This silicon wafer was spin-coated with a resist composition so that the film thickness of the composition layer was 0.04 μm. Thereafter, the composition layer was formed by pre-baking on a direct hot plate for 60 seconds at the temperature indicated in the “PB” column of Table 1. The composition layer formed on the wafer is directly drawn with a line and space pattern by using an electron beam drawing machine ["HL-800D 50keV" manufactured by Hitachi, Ltd. Exposed.
After exposure, post exposure bake on the hot plate at the temperature indicated in the “PEB” column of Table 1 for 60 seconds, followed by paddle development for 60 seconds with 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution to form a resist pattern Got.
The obtained resist pattern (line and space pattern) was observed with a scanning electron microscope.

ラインエッジラフネス評価(LER):100nmのラインアンドスペースパターンのスペース幅とライン幅とが1:1となる露光量で露光して製造されたレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅(単位;nm)を測定してラインエッジラフネスとした。その結果を表2に示す。 Line edge roughness evaluation (LER): The wall surface of a resist pattern produced by exposure with an exposure amount at which the space width and the line width of a 100 nm line-and-space pattern are 1: 1 is observed with a scanning electron microscope. The fluctuation width (unit: nm) of the unevenness on the side wall of the pattern was measured to obtain line edge roughness. The results are shown in Table 2.

Figure 2013083957
Figure 2013083957

(EUV露光によるレジストパターンの製造;EUV用レジスト組成物としての評価)
シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90℃で60秒処理した。このシリコンウェハに、実施例1のレジスト組成物を組成物層の膜厚が0.04μmとなるようにスピンコートした。
その後、ダイレクトホットプレート上にて、表1の「PB」欄に示す温度で60秒間プリベークして組成物層を形成した。ウェハ上に形成された組成物層に、EUV露光機を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて表1の「PEB」欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行ってレジストパターンを得た。
(Production of resist pattern by EUV exposure; evaluation as a resist composition for EUV)
The silicon wafer was processed at 90 ° C. for 60 seconds using hexamethyldisilazane on a direct hot plate. This silicon wafer was spin-coated with the resist composition of Example 1 so that the film thickness of the composition layer was 0.04 μm.
Thereafter, the composition layer was formed by pre-baking on a direct hot plate for 60 seconds at the temperature indicated in the “PB” column of Table 1. The composition layer formed on the wafer was exposed to a line and space pattern using an EUV exposure machine while changing the exposure amount stepwise.
After exposure, post exposure bake on the hot plate at the temperature indicated in the “PEB” column of Table 1 for 60 seconds, followed by paddle development for 60 seconds with 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution to form a resist pattern Got.

ラインエッジラフネス評価(LER):30nmのラインアンドスペースパターンのスペース幅とライン幅とが1:1となる露光量で露光して製造されたレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅(単位;nm)を測定してラインエッジラフネスとした。その結果を表3に示す。 Line edge roughness evaluation (LER): The wall surface of a resist pattern produced by exposure with an exposure amount at which the space width and the line width of a 30 nm line-and-space pattern are 1: 1 is observed with a scanning electron microscope. The fluctuation width (unit: nm) of the unevenness on the side wall of the pattern was measured to obtain line edge roughness. The results are shown in Table 3.

Figure 2013083957
Figure 2013083957

本レジスト組成物を用いれば、優れたラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを製造することができる。そのため、本レジスト組成物は半導体の微細加工などに極めて有用であり、産業上の価値は高いものである。   If this resist composition is used, a resist pattern having excellent line edge roughness (LER) can be produced. Therefore, this resist composition is extremely useful for fine processing of semiconductors and has high industrial value.

Claims (7)

式(I)で表される化合物、樹脂及び酸発生剤を含有し、
樹脂が、式(a1−0)で表される構造単位を含み、かつ、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂であるレジスト組成物。
Figure 2013083957
[式(I)中、
z1は1〜4の整数を表す。
は、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基を有する脂肪族炭化水素基又はヒドロキシ基を有する脂肪族炭化水素基を表す。
z2は、1〜3の整数を表す。z2が2以上のとき、複数のRは、互いに同一又は相異なる。
Aは、置換基を有していてもよい炭素数6〜20の芳香族炭化水素基を表す。]
Figure 2013083957
[式(a1−0)中、
aaは、酸素原子又は−O−(CH2g1−CO−O−(g1は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基との結合手を表す。)を表す。
adは、水素原子又はメチル基を表す。
aa、Rab及びRacは、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Raa及びRabは互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。]
Containing a compound represented by formula (I), a resin and an acid generator;
A resist composition, which is a resin in which the resin contains a structural unit represented by the formula (a1-0), is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, and becomes soluble in an alkaline aqueous solution by the action of an acid.
Figure 2013083957
[In the formula (I),
z1 represents the integer of 1-4.
R 1 represents a carboxy group, a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having a carboxy group or an aliphatic hydrocarbon group having a hydroxy group.
z2 represents an integer of 1 to 3. When z2 is 2 or more, the plurality of R 1 are the same or different from each other.
A represents an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms which may have a substituent. ]
Figure 2013083957
[In the formula (a1-0),
L aa represents an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) g1 —CO—O— (g1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to a carbonyl group).
R ad represents a hydrogen atom or a methyl group.
R aa , R ab and R ac each independently represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a combination thereof, or R aa and R ab Combine with each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. ]
式(I)で表される化合物が、式(II)で表される化合物である請求項1記載のレジスト組成物。
Figure 2013083957
[式(II)中、
z3は、1〜4の整数を表す。
は、前記と同じ意味を表す。
z4は、1〜3の整数を表す。z4が2以上のとき、複数のRは、互いに同一又は相異なる。
は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基又はアミノ基を表す。
z5は、0又は1を表す。
ただし、z3+z4+z5は、6以下である。]
The resist composition according to claim 1, wherein the compound represented by formula (I) is a compound represented by formula (II).
Figure 2013083957
[In the formula (II),
z3 represents an integer of 1 to 4.
R 1 represents the same meaning as described above.
z4 represents an integer of 1 to 3. When z4 is 2 or more, the plurality of R 1 are the same or different from each other.
R 2 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or an amino group.
z5 represents 0 or 1.
However, z3 + z4 + z5 is 6 or less. ]
式(a1−0)で表される構造単位が、式(a1−1)で表される構造単位である請求項1又は2記載のレジスト組成物。
Figure 2013083957
[式(a1−1)中、
a1は、酸素原子又は−O−(CH2k1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基との結合手を表す。
a4は、水素原子又はメチル基を表す。
a6は、炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。]
The resist composition according to claim 1, wherein the structural unit represented by the formula (a1-0) is a structural unit represented by the formula (a1-1).
Figure 2013083957
[In the formula (a1-1),
L a1 represents an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond with a carbonyl group.
R a4 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
m1 represents the integer of 0-14. ]
前記酸発生剤が、式(B1)で表される酸発生剤である請求項1〜3のいずれか一項記載のレジスト組成物。
Figure 2013083957
[式(B1)中、
1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、単結合又は炭素数1〜17の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
+は、有機カチオンを表す。]
The resist composition according to claim 1, wherein the acid generator is an acid generator represented by the formula (B1).
Figure 2013083957
[In the formula (B1),
Q 1 and Q 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and the methylene group constituting the divalent aliphatic saturated hydrocarbon group is replaced with an oxygen atom or a carbonyl group. May be.
Y represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent. The methylene group constituting the alicyclic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group.
Z + represents an organic cation. ]
さらに、溶剤を含有する請求項1〜4のいずれか一項記載のレジスト組成物。   Furthermore, the resist composition as described in any one of Claims 1-4 containing a solvent. (1)請求項1〜5のいずれか一項記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程
を含むレジストパターンの製造方法。
(1) The process of apply | coating the resist composition as described in any one of Claims 1-5 on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer;
(4) A method for producing a resist pattern, comprising a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating.
前記(3)が、組成物層に電子線又はEUVを露光する工程である請求項6記載のレジストパターンの製造方法。   The method for producing a resist pattern according to claim 6, wherein (3) is a step of exposing the composition layer to an electron beam or EUV.
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