JP2012233966A - Drive circuit of display device and test control method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表示装置の駆動回路及びそのテスト制御方法に関するものである。 The present invention relates to a display device driving circuit and a test control method thereof.
表示装置、特に液晶ディスプレイのデータ線駆動回路LSIでは、入力端子及び電源入力端子の合計が数十本から百本前後あり、更に、液晶ディスプレイのデータ線を駆動する出力端子の数は数百本から最近では千本を越えるものもある。 In a display device, particularly a data line driving circuit LSI for a liquid crystal display, the total number of input terminals and power input terminals is about several tens to one hundred, and the number of output terminals for driving the data lines of the liquid crystal display is several hundred. Since then, there are those that exceed a thousand.
これに対して、千本を越える出力信号(出力端子)を同時に試験するLSIテスタは高額であり、これを導入するにあたって検査コストが上昇するという問題がある。また、従来使用している数百本程度の出力信号(出力端子)に対応するLSIテスタを償却処分する必要もあり、この点においても検査コストが上昇してしまう問題がある。 On the other hand, LSI testers that simultaneously test over 1,000 output signals (output terminals) are expensive, and there is a problem that the inspection cost increases when they are introduced. In addition, it is necessary to amortize the LSI tester corresponding to several hundreds of output signals (output terminals) that have been used in the past, and this also raises the problem that the inspection cost increases.
一方、データ線の駆動回路LSIのテスト時間短縮とテストコスト低減のため、出力端子数の少ない駆動回路LSIは、1度に複数のLSIを同時にテストするマルチテストを行うことがある。 On the other hand, in order to shorten the test time and test cost of the data line drive circuit LSI, the drive circuit LSI having a small number of output terminals may perform a multi-test for simultaneously testing a plurality of LSIs at a time.
このようにLSI製品に対するテストにおいて、検査対象LSIの出力端子に使用するLSIテスタの検査ユニット(プローブ)の使用数を減らす試みが行われている。これには、例えば特許文献1のような従来技術がある。特許文献1は、LSIチップを搭載したテープキャリアパッケージに関する技術であり、図41を用いて説明する。
As described above, in the test for LSI products, an attempt is made to reduce the number of LSI tester inspection units (probes) used for the output terminals of the LSI to be inspected. For example, there is a conventional technique as disclosed in
図41に示すように、特許文献1のテープキャリアパッケージは、テープキャリア1と、このテープキャリア1に搭載されたLSIチップ2とを備える。LSIチップ2は、多数の出力D1〜D4を有し、その出力に対応したバンプ20を備える。テープキャリア1には、バンプ20にそれぞれ接続されるアウターリード16と、テスト用電極3A、3Bが形成されている。出力D1に対応するアウターリード16がテスト用電極3Bに接続される。出力D2、D4に対応するアウターリード16がそれぞれテスト用電極3Aに接続される。
As shown in FIG. 41, the tape carrier package of
LSIチップ2内部には、出力D1〜D4のそれぞれに対応するスイッチSW1〜SW4と、出力D1とD3のバンプ20との間に接続されるスイッチSW5を有する。LSIチップ2は、それらスイッチSW1〜SW5のオン、オフを制御することによって、出力D1〜D4のうち、一組の出力D4とD2、及び、出力D3とD1の中からどちらか一方が、それぞれ割り当てられた1つのテスト用電極3A、及び、3Bに接続されるように選択される。これにより、LSIチップの複数の出力に対して、テスト用電極の数を減らすことができ、その配置のために必要なテープキャリア上の面積を削減することが可能になる。
The
また、関連する技術として、特許文献2、3のようなものもある。この特許文献2、3には液晶表示装置の駆動回路に関する技術が開示されている。しかし、特許文献2、3には、駆動回路が搭載される半導体集積回路チップの良否判定テストに関する記載、もしくは、そのテスト方法に関しての示唆がされておらず、テスト時に駆動回路が備える各構成要素間のスイッチの制御方法等も不明確である。
Further, as related technologies, there are also those disclosed in
ここで、半導体素子(LSI)の良否判定テストでは、半導体素子(LSI)がマトリクス状に配置された半導体ウェハー上に形成されている状態と、各半導体素子(LSI)を分離した後にテープキャリアパッケージに搭載した状態とでの2つの試験が通常行われる。しかし、上述した特許文献1の技術では、テープキャリアパッケージに搭載して初めてその効果を得られるため、LSIが半導体ウェハーに搭載されている状態では、出力端子検査ユニット(プローブ)の使用数を減らすことができないという問題がある。
Here, in the pass / fail judgment test of the semiconductor element (LSI), the state in which the semiconductor element (LSI) is formed on the semiconductor wafer arranged in a matrix and the tape carrier package after separating each semiconductor element (LSI) Two tests are usually performed in the state of being mounted on. However, in the technique of
また、近年の製造微細化技術の進歩により、LSIチップの出力端子及び端子間距離の狭ピッチ化が進んでいる。このため、半導体ウェハーに搭載されている状態で、この狭ピッチ化したLSIの出力端子に多数の検査ユニット(プローブ)を接触させることがますます困難になっており、テスト時に使用する検査ユニット(プローブ)数を削減するテスト方法が求められている。 In addition, with recent advances in manufacturing miniaturization technology, the pitch between the output terminals of LSI chips and the distance between terminals has been reduced. For this reason, it is increasingly difficult to bring a large number of inspection units (probes) into contact with the narrow pitched LSI output terminals when mounted on a semiconductor wafer. There is a need for a test method that reduces the number of probes.
本発明の一態様は、表示装置の第1のデータ線と第2のデータ線をそれぞれ駆動する表示装置駆動回路であって、前記表示装置に表示する第1の表示データと第2の表示データとをそれぞれ格納し、第1の信号と第2の信号とをそれぞれ出力する第1のデータレジスタ及び第2のデータレジスタと、前記第1の信号と第2の信号に応じて、第1のアナログ信号と第2のアナログ信号をそれぞれ出力する第1のDAコンバータと第2のDAコンバータと、前記第1のアナログ信号と第2のアナログ信号とに応じて、前記第1のデータ線と第2のデータ線を駆動する出力端子対と、テスト時に、外部テスト回路からのテスト制御信号に応じて、前記出力端子対の一方に対して、前記第1の表示データに基づく第1のテスト出力と前記第2の表示データに基づく第2のテスト出力とを選択的に出力するスイッチ回路と、前記スイッチ回路を制御する制御回路と、を有する表示装置駆動回路である。 One embodiment of the present invention is a display device driver circuit that drives a first data line and a second data line of a display device, respectively, and the first display data and the second display data are displayed on the display device. And a first data register and a second data register for outputting a first signal and a second signal, respectively, and in accordance with the first signal and the second signal, In response to the first DA signal and the second DA converter that output the analog signal and the second analog signal, respectively, and the first data line and the second analog signal according to the first analog signal and the second analog signal. And a first test output based on the first display data for one of the output terminal pairs in response to a test control signal from an external test circuit during testing. And the second display device A switching circuit for selectively outputting a second test output based on data, a display device drive circuit and a control circuit for controlling the switch circuit.
本発明の他の態様は、表示装置の第1のデータ線と第2のデータ線をそれぞれ駆動する表示装置駆動回路のテスト制御方法であって、前記表示装置駆動回路は、前記表示装置に表示する第1の表示データと第2の表示データとをそれぞれ格納し、第1の信号と第2の信号とをそれぞれ出力する第1のデータレジスタ及び第2のデータレジスタと、前記第1の信号と第2の信号に応じて、第1のアナログ信号と第2のアナログ信号をそれぞれ出力する第1のDAコンバータと第2のDAコンバータと、前記第1のアナログ信号と第2のアナログ信号とに応じて、前記第1のデータ線と第2のデータ線を駆動する出力端子対と、テスト時に、外部テスト回路からのテスト制御信号に応じて、前記出力端子対の一方に対して、前記第1の表示データに基づく第1のテスト出力と前記第2の表示データに基づく第2のテスト出力とを選択的に出力するスイッチ回路と、を備え、前記スイッチ回路を制御する表示装置駆動回路のテスト制御方法である。 Another aspect of the present invention is a test control method for a display device driving circuit that drives a first data line and a second data line of a display device, respectively, wherein the display device driving circuit displays on the display device. A first data register and a second data register for storing the first display data and the second display data, respectively, and outputting the first signal and the second signal, respectively, and the first signal And a first DA converter and a second DA converter that respectively output a first analog signal and a second analog signal in response to the second signal, the first analog signal, and the second analog signal, In response to the output terminal pair for driving the first data line and the second data line, and for one of the output terminal pairs in response to a test control signal from an external test circuit during the test, First display data And a switch circuit that selectively outputs a first test output based on the second test output based on the second display data, and a test control method for a display device drive circuit that controls the switch circuit. .
本発明は、表示装置駆動回路の半導体ウェハー上でのテスト時にも、出力端子対の一方にのみ外部テスト回路からのプローブを接続すれば、外部テスト回路に表示装置駆動回路のテスト出力を取り込むことができる。そして、そのテスト出力が規定の値を充たしているか否かで、表示装置駆動回路の良否判定が可能となる。このため、半導体ウェハーに搭載されている状態でも、テープキャリアパッケージに搭載された状態でも、表示装置駆動回路をテストするのに必要なプローブ数を削減することが可能となる。 The present invention captures the test output of the display device driving circuit into the external test circuit if the probe from the external test circuit is connected to only one of the output terminal pairs even when testing the display device driving circuit on the semiconductor wafer. Can do. Then, whether or not the display device drive circuit is good can be determined based on whether or not the test output satisfies a specified value. For this reason, it is possible to reduce the number of probes necessary for testing the display device driving circuit, whether it is mounted on a semiconductor wafer or mounted on a tape carrier package.
本発明は、テスト時に使用する検査ユニット(プローブ)数を削減することができる。 The present invention can reduce the number of inspection units (probes) used during testing.
発明の実施の形態1
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態1について、図面を参照しながら詳細に説明する。この実施の形態1は、本発明を表示装置の駆動回路、及び、その駆動回路を搭載した半導体集積回路(以下、LSIと称す)チップのテスト方法に適用したものである。 Hereinafter, a specific first embodiment to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings. In the first embodiment, the present invention is applied to a driving circuit for a display device and a test method for a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as LSI) chip on which the driving circuit is mounted.
まず、本実施の形態1にかかるLSIチップが搭載されているウェハーテストのテストシステムを説明する。図1に、そのテストシステムの構成を示す。図1に示すように、本実施の形態1にかかるテストシステムは、テスタ101と、プローブカード102と、ウェハー103とを有する。
First, a wafer test test system on which the LSI chip according to the first embodiment is mounted will be described. FIG. 1 shows the configuration of the test system. As shown in FIG. 1, the test system according to the first embodiment includes a
ウェハー103には、切断される前のLSIチップがマトリクス状に配置されている。そして各LSIチップに、本実施の形態1にかかる後述する表示装置の駆動回路100が搭載されている。この駆動回路100は、液晶ディスプレイ等の表示装置のデータ線を駆動する。この駆動回路100は、データ線を駆動するデータ線駆動信号の出力端子が、本実施の形態1では、例えば960個あるとする。
On the
プローブカード102は、複数の検査ユニット104(以下、プローブ104と称す)を備える。本実施の形態1では、プローブカード102が備えるプローブ104の数を、例えば1536ピンとする。図2に示すように、これらのプローブ104が、上記LSIチップに搭載される駆動回路100の出力端子、及び、テスト信号入力端子に接触される。
The
ここで、本実施の形態1では、これらのプローブ104は、駆動回路100の隣接する出力端子の一方(例えば、後述する奇数段の出力端子16A(図3参照))に当てられる。つまり、LSIチップ1つ当たり480本を使用する。上述したように、プローブカード102が1536ピンを有するため、入力端子が30ピンあったとしても、1度に最大3個のLSIチップをテスト可能となる((480+30)×3=1530<1536)。
Here, in the first embodiment, these
もちろん、テスト時にはテスタ101から被検査LSIチップに電源を供給する必要があるが、電源は被検査LSIチップ全てに共通であり、一般的なLSIテスタでは電源数は信号ピン数にはカウントしない別系統で供給するのが普通である。また、LSIチップの入力端子に接続するプローブからは各被検査LSIチップに共通の入力信号が印加されるが、後述する出力リークテストと同様のテストを入力端子にも行うため、LSIチップ毎に異なるプローブを当てる必要がある。LSIチップ内部でプルアップやプルダウンをしていないCMOS入力端子はテスト時に端子をオープンにすることができないが、入力端子は出力端子に比べて数が少なく、またLSIチップ上の端子ピッチも大きくするのが一般的なため、全入力ピンにプローブを当ててもプローブ同士が干渉するという問題は起きない。
Of course, it is necessary to supply power to the LSI chip to be inspected from the
テスタ101は、上記プローブカード102を経由してLSIチップにテスト信号を入力し、また、LSIチップの出力端子から出力される出力信号(例えば、電圧や電流)を検出する。そして、その検出した出力信号が予め決めてある規格値と比較して規格内であれば、検査対象であるLSIチップを良品と判定し、規格外であれば不良品と判定する。
The
次に、検査対象であるLSIチップに搭載される、本実施の形態1の表示装置の駆動回路100を説明する。図3に本実施の形態1にかかる表示装置の駆動回路100の構成を示す。なお、図3に示す駆動回路100は、隣接する2つのチャンネル分を示しており、実際には更に同様の構成の複数のチャンネルに対応する駆動回路が存在する。また、本例において、隣接する2つのチャンネルの一方に対応する駆動回路を奇数段、他方に対応する駆動回路を偶数段と称す。
Next, the
図3に示すように、駆動回路100は、一対のデータレジスタ11A、11Bと、一対のデータラッチ12A、12Bと、一対のレベルシフト回路13A、13Bと、一対のデジタル−アナログ変換回路(以下、DACと称す)14A、14Bと、一対の出力アンプ15A、15Bと、一対の出力端子16A、16Bと、スイッチ回路17〜19と、制御回路20と、共通線Kとを有する。
As shown in FIG. 3, the
スイッチ回路17は、スイッチ素子SW11A、SW11B、SW12A、SW12Bを有する。
The
スイッチ素子SW11Aは、データレジスタ11Aとデータラッチ12Aとの間に接続される。スイッチ素子SW11Bは、データレジスタ11Bとデータラッチ12Bとの間に接続される。スイッチ素子SW12Aは、データレジスタ11Aとデータラッチ12Bとの間に接続される。スイッチ素子SW12Bは、データレジスタ11Bとデータラッチ12Aとの間に接続される。
Switch element SW11A is connected between
スイッチ素子SW11AとSW11B、また、SW12AとSW12Bは、制御回路20からの制御信号に応じて、それぞれ同時にオンもしくはオフを制御されてもよい。もしくは、スイッチ素子SW11A、SW11B、SW12A、SW12Bが、制御回路20からの制御信号に応じて、それぞれ別々に、オンもしくはオフを制御されてもよい。
The switch elements SW11A and SW11B, and SW12A and SW12B may be simultaneously controlled to be turned on or off in accordance with a control signal from the
スイッチ回路18は、スイッチ素子SW21A、SW21B、SW22A、SW22Bを有する。
The
スイッチ素子SW21Aは、DAC14Aと出力アンプ15Aとの間に接続される。スイッチ素子SW21Bは、DAC14Bと出力アンプ15Bとの間に接続される。スイッチ素子SW22Aは、DAC14Aと出力アンプ15Bとの間に接続される。スイッチ素子SW22Bは、DAC14Bと出力アンプ15Aとの間に接続される。
The switch element SW21A is connected between the
スイッチ素子SW21AとSW21B、及び、SW22AとSW22Bは、制御回路20からの制御信号に応じて、それぞれ同時にオンもしくはオフを制御されてもよい。もしくは、スイッチ素子SW21A、SW21B、SW22A、SW22Bが、制御回路20からの制御信号に応じて、それぞれ別々に、オンもしくはオフを制御されてもよい。
The switch elements SW21A and SW21B and SW22A and SW22B may be simultaneously controlled to be turned on or off in accordance with a control signal from the
スイッチ回路19は、スイッチ素子SW30、SW32A、SW32Bを有する。
The
スイッチ素子SW30は、出力端子16Aと16Bとの間に接続される。スイッチ素子SW32Aは、出力端子16Aと共通線Kの間に接続される。スイッチ素子SW32Bは、出力端子16Bと共通線Kの間に接続される。
Switch element SW30 is connected between
スイッチ素子SW30、SW32AとSW32Bは、制御回路20からの制御信号に応じて、それぞれ同時にオンもしくはオフを制御されてもよい。もしくは、スイッチ素子SW30、SW32A、SW32Bが、制御回路20からの制御信号に応じて、それぞれ別々に、オンもしくはオフを制御されてもよい。
The switch elements SW30, SW32A, and SW32B may be simultaneously controlled to be turned on or off in accordance with a control signal from the
データレジスタ11A、11Bは、所定の周期で各チャンネルに割り当てられた1画素分の画像データを取り込み、次段へ出力する。上記所定の周期は、図示しない各チャンネルに対応するそれぞれのシフトレジスタからのサンプリング信号により決定される。 The data registers 11A and 11B take in image data for one pixel assigned to each channel at a predetermined cycle and output it to the next stage. The predetermined period is determined by a sampling signal from each shift register corresponding to each channel (not shown).
データラッチ12A、12Bは、それぞれデータレジスタ11A、11Bの一方または他方からの出力画像データをラッチし、次段へ出力する。データラッチ12A、12Bがラッチする画像データは、スイッチ回路17の接続状態に応じて決定される。
The data latches 12A and 12B latch output image data from one or the other of the data registers 11A and 11B, respectively, and output them to the next stage. The image data latched by the data latches 12A and 12B is determined according to the connection state of the
例えば、スイッチ回路17のスイッチ素子SW11A、SW11Bがオン、スイッチ素子SW12A、SW12Bがオフの場合は、データラッチ12Aがデータレジスタ11A、データラッチ12Bがデータレジスタ11Bの出力データをラッチする。逆に、スイッチ素子SW11A、SW11Bがオフ、スイッチ素子SW12A、SW12Bがオンの場合は、データラッチ12Aがデータレジスタ11B、データラッチ12Bがデータレジスタ11Aの出力データをラッチする。
For example, when the switch elements SW11A and SW11B of the
レベルシフト回路13A、13Bは、それぞれ対応するデータラッチ12A、12Bが出力する画像データの論理電圧を、DAC14A、14Bの回路素子が扱えるより高電圧(例えば、3Vから20V)へ変換し、出力する。
The level shift circuits 13A and 13B convert the logical voltages of the image data output from the corresponding data latches 12A and 12B to higher voltages (for example, 3V to 20V) that can be handled by the circuit elements of the
DAC14A、14Bは、それぞれ対応するレベルシフト回路13A、13Bからのデジタル出力画像データをデコードし、その画像データに応じた表示諧調に対応した電圧レベルを出力する。
The
なお、DAC14Aは負極電圧レンジ(例えば、0V〜10V)を生成する負極電圧生成回路からの諧調電圧を入力する。このため、出力される電圧レベルもその負極電圧レンジに応じた電圧値となる。同様に、DAC14Bは正極電圧レンジ(例えば、10V〜20V)を生成する正極電圧生成回路からの諧調電圧を入力する。このため、出力される電圧レベルもその正極電圧レンジに応じた電圧値となる。なお、DAC14A、14Bがそれぞれ入力する正極電圧レンジまたは負極電圧レンジは上述したものと逆であってもかまわない。
Note that the
出力アンプ15A、15Bは、それぞれDAC14A、14Bの一方または他方からの出力諧調画像データを増幅し、次段へ出力する。出力アンプ15A、15Bは、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じてそれぞれ別々に活性化、非活性化が制御され、活性化した場合、入力諧調画像データを増幅して出力し、非活性化した場合、出力がハイインピーダンス状態となる。
The
なお、後述するリークテストを行う場合には、出力アンプ15A、15Bは、イネーブル信号ENに応じて活性化した場合、前段からの出力に応じて、例えば0V(接地電圧VSS)、20V(電源電圧VDD)を出力するようにスイッチ回路18を制御回路20からの制御信号で制御する。
When performing a leak test, which will be described later, when the
図3で示す実施の形態1の駆動回路では、出力アンプ15A、15Bはそれぞれ、上述した正極電圧レンジ及び負極電圧レンジを合わせた全ての電圧レンジで増幅することができる。なお、以下ではこれをフルアンプと称す。後の実施の形態で示すように、正極電圧レンジもしくは負極電圧レンジの一方の電圧レンジしか増幅できない出力アンプ(例えば、後述する図17の25A、25B)もあり、これをハーフアンプと称す。
In the drive circuit of the first embodiment shown in FIG. 3, the
出力アンプ15A、15Bが増幅する画像諧調データは、スイッチ回路18の接続状態に応じて決定される。
The image gradation data to be amplified by the
例えば、スイッチ回路18のスイッチ素子SW21A、SW21Bがオン、スイッチ素子SW22A、SW22Bがオフの場合は、出力アンプ15AがDAC14Aの出力諧調データ、出力アンプ15BがDAC14Bの出力諧調データを増幅する。逆に、スイッチ素子SW21A、SW21Bがオフ、スイッチ素子SW22A、SW22Bがオンの場合は、出力アンプ15AがDAC14Bの出力諧調データ、出力アンプ15BがDAC14Aの出力諧調データを増幅する。
For example, when the switch elements SW21A and SW21B of the
なお、駆動回路100が液晶表示装置のデータ線を駆動する通常動作時では、スイッチ回路17のスイッチ素子SW11A、SW11Bがオン、スイッチ素子SW12A、SW12Bがオフ状態の場合、連動してスイッチ回路18のスイッチ素子SW21A、SW21Bがオン、スイッチ素子SW22A、SW22Bがオフ状態となる。逆に、スイッチ回路17のスイッチ素子SW11A、SW11Bがオフ、スイッチ素子SW12A、SW12Bがオン状態の場合、連動してスイッチ回路18のスイッチ素子SW21A、SW21Bがオフ、スイッチ素子SW22A、SW22Bがオン状態となる。このことにより、液晶表示装置の画素の極性反転が可能となる。
In the normal operation in which the
出力端子16A、16Bは、それぞれ出力アンプ15A、15Bの出力する出力画像諧調データを、対応する液晶表示装置のデータ線(不図示)にデータ線駆動信号として出力し、そのデータ線駆動する。また、図3には図示していないが、出力端子16A、16BのそれぞれにESD保護素子が接続されている。例えば、ダイオード(図11等参照)が、それぞれ電源端子VDDと出力端子間、出力端子と接地端子VSS間に接続される。
The
なお、駆動回路100が液晶表示装置のデータ線を駆動する表示動作時は、スイッチ回路19のスイッチ素子SW30、SW32AとSW32Bはオフする。また、省電力を実現するため、表示パネルのデータ線の電荷を回収する電荷回収動作時は、イネーブル信号ENで全ての出力アンプを非活性化して、スイッチ素子SW32A、SW32B、SW30をオンすることで、共通線Kを介して、全てのデータ線の電荷シェア(電荷回収)が行われる。
Note that, during the display operation in which the
制御回路20は、例えば、LSIチップ外部のテスタ101からのテスト信号に応じて、スイッチ回路17〜19のそれぞれが有するスイッチ素子群のオン、オフ制御、及び、出力アンプ15A、15Bのイネーブルを制御する。また、共通線Kに所定の電圧(例えば、電源電圧VDD)を印加する機能を有する。例えば、電源端子VDD、接地端子VSSと共通線Kとの間にあるそれぞれのスイッチ(不図示)の導通を制御する等である。
The
図4に、テスタ101が対象とするLSIチップの駆動回路100に行う良否判定テストのフローチャートを示す。ここで、上述したが、本実施の形態1では、LSIチップの駆動回路100の隣接する出力端子の一方に、プローブが当てられており、本例では後述する図6に示すように出力端子16Aにプローブ104が当てられているものとする。
FIG. 4 shows a flowchart of a pass / fail judgment test performed by the
図4に示すように、まず、テスタ101は駆動回路100に対して、後述する機能テストを行う(S101)。そして、機能テストの結果、駆動回路100の出力端子から出力される出力信号が規定の値である場合、機能テストをパスする(S102YES)。
As shown in FIG. 4, first, the
次に、テスタ101は駆動回路100に対して、後述するリークテストを行う(S103)。そして、リークテストの結果、駆動回路100の出力端子から出力される出力信号が規定の値である場合、リークテストをパスする(S104YES)。このステップS104で、リークテストをパスした場合、対象とするLSIチップの駆動回路100は、良品として判定される(S105)。一方、ステップS102またはS104で、パスできなかった場合(S102NOまたはS104NO)、対象とするLSIチップの駆動回路100は、不良品として判定される(S106)。
Next, the
全体のテスト時間を短縮するために、1つのテストで不良と判定されたLSIチップは、その後のテストをスキップして不良判定S106をしてテストを終了する。そのため、より典型的な不良モードのテスト(例えば、素子や配線のオープン/ショートに起因するロジック部の単一縮退故障モードテストおよびアナログ部の再現性テスト)を先に行い、よりテスト時間のかかる厳密なテスト(例えば、リーク規格テスト)を後に行う。図4の例では、機能テストを先に行うため、機能を果たさないほどのリークがあるサンプルはリークテストS103を実施するまでもなく判定ステップS102で不良判定される。もちろんLSIチップの回路によっては、このテスト時間短縮の条件を満たせば、この順番は逆でも構わない。また、機能テストの一部のモードとリークテストの一部のモードとを順次繰り返し実施して全体のテストを実施してもかまわない。最もテスト時間が短く、正確かつ効果的に良否判定を行えるようにテスタ101のテストプログラムを設計すればよい。
In order to shorten the entire test time, an LSI chip that is determined to be defective in one test skips the subsequent test and performs a defect determination S106 to end the test. For this reason, more typical failure mode tests (for example, a single stuck-at fault mode test of the logic part caused by open / short of an element or wiring and a reproducibility test of the analog part) are performed first, and it takes more test time. A rigorous test (eg, a leak standard test) is performed later. In the example of FIG. 4, since the function test is performed first, a sample having a leak that does not perform the function is determined to be defective in the determination step S102 without performing the leak test S103. Of course, depending on the circuit of the LSI chip, this order may be reversed as long as the test time reduction condition is satisfied. Further, the entire test may be performed by sequentially repeating a part of the functional test mode and a part of the leak test mode. What is necessary is just to design the test program of the
次に、図4のステップS101の機能テストについて図5〜図9を用いて説明する。図5に、テスタ101が対象とするLSIチップの駆動回路100に行う機能テストのフローチャートを示す。図5に示すように、まず、テスタ101は駆動回路100に対して、後述するモード1テスト(図6参照)を行う(S201)。そして、モード1テストの結果、駆動回路100の出力端子から出力される出力信号が規定の値である場合、モード1テストをパスする(S202YES)。
Next, the function test in step S101 in FIG. 4 will be described with reference to FIGS. FIG. 5 shows a flowchart of a function test performed by the
次に、テスタ101は駆動回路100に対して、後述するモード2テスト(図7参照)を行う(S203)。そして、モード2テストの結果、駆動回路100の出力端子から出力される出力信号が規定の値である場合、モード2テストをパスする(S204YES)。
Next, the
次に、テスタ101は駆動回路100に対して、後述するモード3テスト(図8参照)を行う(S205)。そして、モード3テストの結果、駆動回路100の出力端子から出力される出力信号が規定の値である場合、モード3テストをパスする(S206YES)。
Next, the
次に、テスタ101は駆動回路100に対して、後述するモード4テスト(図9参照)を行う(S207)。そして、モード4テストの結果、駆動回路100の出力端子から出力される出力信号が規定の値である場合、モード4テストをパスする(S208YES)。
Next, the
このステップS208で、モード4テストをパスした場合、対象とするLSIチップの駆動回路100は、図4のステップS101の機能テストをパスしたと判定される(S209)。一方、ステップS202、S204、S206、S208の何れかで、パスできなかった場合(S202NO、S204NO、S206NO、S208NO)、対象とするLSIチップの駆動回路100は、図4のステップS101の機能テストをフェイルしたと判定される(S210)。
If the
図6に、モード1テスト時の駆動回路100の各構成回路の動作状態を示す。図6中の網掛けで示す回路が、本モード1テストでテストされる回路群である。図6に示すように、モード1テストでは、制御回路20からの制御信号に応じて、スイッチ回路17のスイッチ素子SW11Aがオン、SW12AとSW12Bとがオフ、スイッチ回路18のスイッチ素子SW21Aがオン、SW22AとSW22Bとがオフ、スイッチ回路19のスイッチ素子SW30とSW32Aがオフ状態となる。また、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて出力アンプ15Aがイネーブルとなる。
FIG. 6 shows the operating state of each component circuit of the
このため、データレジスタ11A、スイッチ素子SW11A、データラッチ12A、レベルシフト回路13A、DAC14A、スイッチ素子SW21A、出力アンプ15Aの各構成要素を経て、出力端子16Aからデータ線駆動信号が出力される。そして、プローブ104が出力端子16Aに出力されるこのデータ線駆動信号の電圧を検知し、このプローブ104が検知した電圧値が規定の値であるか否かをテスタ101が判定する。
For this reason, the data line drive signal is output from the
この判定で、データレジスタ11A、スイッチ素子SW11A(オン)、データラッチ12A、レベルシフト回路13A、DAC14A、スイッチ素子SW21A(オン)、出力アンプ15Aの各構成要素が正しく動作しているか否かおよび各構成要素間の配線が断線や短絡していないことが判定できる。また、これに付随して、同時に奇数段のシフトレジスタ及びそのシフトレジスタにクロックを供給するクロック供給パス(不図示)、データレジスタ11Aへの画像データ供給パス(不図示)、DAC14Aへの負極側電圧レンジ供給パス(不図示)、出力アンプ15Aへのイネーブル信号EN供給パスの不具合の有り無しについても判定できる。
In this determination, whether each component of the data register 11A, the switch element SW11A (ON), the data latch 12A, the level shift circuit 13A, the
よく知られるように、スイッチ素子の良否判定は、スイッチ素子がオン状態の時に信号を伝える(スイッチ素子のオン抵抗が十分に小さい)ことと、オフ状態の時に信号を伝えない(スイッチ素子の一方の端子がハイレベルかつ他方の端子がロウレベルおよびスイッチ素子の一方の端子がロウレベルかつ他方の端子がハイレベルの両方でスイッチ素子のオフ抵抗が十分に大きい)ことの両方を確認して初めて良品と判定される。 As is well known, whether or not a switch element is good is determined by transmitting a signal when the switch element is in an on state (the on-resistance of the switch element is sufficiently small) and not transmitting a signal when the switch element is in an off state (one of the switch elements). The switch element has a sufficiently high off-resistance when both the first terminal is at the high level and the other terminal is at the low level and one of the switch elements is at the low level and the other terminal is at the high level. Determined.
そのため、この時同時にスイッチ回路17のスイッチ素子SW11Bをオン、スイッチ回路18のスイッチ素子SW21Bをオン、スイッチ回路19のスイッチ素子SW32Bをオフ、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて出力アンプ15Bをイネーブルにして、データレジスタ11Bにも適切な(データレジスタ11Aと異なる)値のデータを幾通りか設定することで、オフすべきスイッチ素子SW12A、SW12B、SW22A、SW22B、SW30、SW32Aが正しくオフしている(ショートしていない)こと、および奇数段の回路と偶数段の回路とが信号的に正しく分離されている(寄生の信号リンクがない)ことが推定できる。これが判定でなく推定になる理由は、現在検査している回路の隣りの偶数段の回路の動作を検査していないため、例えば偶数段全体がハイインピーダンスになる様な故障をしている場合や奇数段と偶数段の入力が最初からショートしている場合等には、奇数段の回路と偶数段の回路とが信号的に正しく分離されている(寄生の信号リンクがない)ことを判定できるとは限らないからである。この推定は、後述するように、モード2テストをパス(偶数段の回路の正常動作を確認)することで推定から判定にすることができる。
Therefore, at the same time, the switch element SW11B of the
また、前出の通り、不良の判定をテストプログラムの早い段階で行うために、ここでは典型的な故障モードの全てのテストを実施するのが好ましい。 In addition, as described above, in order to determine a defect at an early stage of a test program, it is preferable to perform all tests in a typical failure mode here.
そして、この判定の結果、モード1テストをパスする場合、図5で説明したように、モード2テストに進む。
As a result of the determination, if the
ここで注目したいのは、このモード1テストでは、制御回路20は通常動作時と全く同じスイッチ回路の制御を行っている点である。データレジスタ11Aの表示データをデータラッチ12Aにラッチして負極性レンジのDAC14AでDA変換して出力アンプ15Aを通して出力端子16Aに出力し、データレジスタ11Bの表示データをデータラッチ12Bにラッチして正極性レンジのDAC14BでDA変換して出力アンプ15Bを通して出力端子16Bに出力するのは、通常の表示装置の駆動回路の動作である。
It should be noted that in the
次に、図7に、モード2テスト時の駆動回路100の各構成回路の動作状態を示す。図7中の網掛けで示す回路が、本モード2テストでテストされる回路群である。図7に示すように、モード2テストでは、制御回路20からの制御信号に応じて、スイッチ回路17のスイッチ素子SW11Bをオン、SW12AとSW12Bをオフ、スイッチ回路18のスイッチ素子SW21Bをオン、SW22AとSW22Bをオフ、スイッチ回路19のスイッチ素子SW30がオン、SW32AとSW32Bとがオフ状態となる。また、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて出力アンプ15Bがイネーブルとなる。これと同時に、出力アンプ15Aを制御回路20からのイネーブル信号ENに応じてディスエーブル(非活性化、ハイインピーダンス出力)にする。これにより、出力アンプ15Bからスイッチ素子SW30を通った信号を、出力アンプ15Aの出力値に干渉されずに、出力端子16Aからプローブ104に出力することができるようになる。
Next, FIG. 7 shows an operation state of each component circuit of the
このため、データレジスタ11B、スイッチ素子SW11B、データラッチ12B、レベルシフト回路13B、DAC14B、スイッチ素子SW21B、出力アンプ15B、スイッチ素子SW30の各構成要素を経て、出力端子16Aからデータ線駆動信号が出力される。そして、プローブ104が出力端子16Aに出力されるこのデータ線駆動信号の電圧を検知し、このプローブ104が検知した電圧値が規定の値であるか否かをテスタ101が判定する。
For this reason, the data line drive signal is output from the
この判定で、データレジスタ11B、スイッチ素子SW11B(オン)、データラッチ12B、レベルシフト回路13B、DAC14B、スイッチ素子SW21B(オン)、出力アンプ15B、スイッチ素子SW30(オン)の各構成要素が正しく動作しているか否かおよび各構成要素間の配線が断線や短絡していないことが判定できる。また、これに付随して、同時に偶数段のシフトレジスタ及びそのシフトレジスタにクロックを供給するクロック供給パス(不図示)、データレジスタ11Bへの画像データ供給パス(不図示)、DAC14Bへの正極側電圧レンジ供給パス(不図示)、出力アンプ15Bへのイネーブル信号EN供給パスの不具合の有り無しについても判定できる。
With this determination, each component of the data register 11B, the switch element SW11B (ON), the
これと同時にスイッチ回路17のスイッチ素子SW11Aをオン、スイッチ回路18のスイッチ素子SW21Aをオンにして、データレジスタ11Aに適切な値(データレジスタ11Bと異なる値)のデータを幾通りか設定することで、オフすべきスイッチ素子SW12A、SW12B、SW22A、SW22Bが正しくオフしていることと、出力アンプ15Aが正しく非活性になっていること、および偶数段と奇数段の回路とが信号的に正しく分離されている(寄生の信号リンクがない)ことが判定できる。これは、モード1テストで奇数段の回路が正しく動作することを確認してあるため、モード2で偶数段の回路が奇数段の回路の値に関わらず正常に動作することを確認できたことになり、モード1のテストで推定したオフすべきスイッチ素子SW12A、SW12B、SW22A、SW22B、SW30、SW32Aが正しくオフしていること、および奇数段の回路と偶数段の回路とが信号的に正しく分離されている(寄生の信号リンクがない)ことを判定できるからである。
At the same time, the switch element SW11A of the
また、前出の通り、不良の判定をテストプログラムの早い段階で行うために、ここでは典型的な故障モードの全てのテストを実施するのが好ましい。そして、この判定の結果、モード2テストをパスする場合、図5で説明したように、モード3テストに進む。
In addition, as described above, in order to determine a defect at an early stage of a test program, it is preferable to perform all tests in a typical failure mode here. As a result of the determination, if the
ここで注目したいのは、このモード2テストでは、制御回路20は通常動作時と異なるスイッチ回路の制御を行っている点である。データレジスタ11Aの表示データをデータラッチ12Aにラッチして負極性レンジのDAC14AでDA変換して出力アンプ15Aに入力するが、出力アンプ15Aをハイインピーダンスにして出力端子16Aに出力しないようにするという点が第1の相違点である。また、データレジスタ11Bの表示データをデータラッチ12Bにラッチして正極性レンジのDAC14BでDA変換して出力アンプ15Bを通して出力端子16Bに出力すると同時に、出力アンプで出力端子を駆動する時には必ずオフになっているスイッチ素子SW30をオンにするという点が第2の相違点である。この2点が通常の表示装置の駆動回路の制御回路の動作と異なる点である。さらに、ここで注目したいのは、このモード2テストでは、テスト方法が通常動作時と異なる点である。通常、出力端子16Bで比較すべき出力期待値を、出力端子16Aのテスト出力値と比較するという点が本実施の形態1の特徴となる。
It should be noted here that in the
次に、図8に、モード3テスト時の駆動回路100の各構成回路の動作状態を示す。図8中の網掛けで示す回路が、本モード3テストでテストされる回路群である。図8に示すように、モード3テストでは、制御回路20からの制御信号に応じて、スイッチ回路17のスイッチ素子SW12Aがオン、SW11AとSW11Bとがオフ、スイッチ回路18のスイッチ素子SW22Bがオン、スイッチ回路19のスイッチ素子SW30、SW32Aとがオフとなる。また、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて出力アンプ15Aがイネーブルとなる。
Next, FIG. 8 shows an operation state of each component circuit of the
このため、データレジスタ11A、スイッチ素子SW12A、データラッチ12B、レベルシフト回路13B、DAC14B、スイッチ素子SW22B、出力アンプ15Aの各構成要素を経て、出力端子16Aからデータ線駆動信号が出力される。そして、プローブ104が出力端子16Aに出力されるこのデータ線駆動信号の電圧を検知し、このプローブ104が検知した電圧値が規定の値であるか否かをテスタ101が判定する。
For this reason, the data line drive signal is output from the
この判定で、データレジスタ11A、スイッチ素子SW12A(オン)、データラッチ12B、レベルシフト回路13B、DAC14B、スイッチ素子SW22B(オン)、出力アンプ15Aの各構成要素が正しく動作しているか否かおよび各構成要素間の配線が断線や短絡していないことが判定できる。つまり、上述したモード1テスト、モード2テストでテストできなかったスイッチ素子SW12AとSW22Bのオン状態の機能テストが可能となる。
In this determination, whether each component of the data register 11A, the switch element SW12A (ON), the
これと同時に、オフすべきスイッチ素子SW11B、SW21A、SW21B、SW30が正しくオフしている(ショートしていない)ことが判定できる。 At the same time, it can be determined that the switch elements SW11B, SW21A, SW21B, and SW30 to be turned off are correctly turned off (not short-circuited).
ここでは、スイッチ回路17のSW12Aのオン、SW11Bのオフ、スイッチ回路18のスイッチ素子SW22Bのオン、SW21Aのオフを確認することが目的のため、それを確認する必要最小限のテストパタンだけを流してテスト時間を短縮することが好ましい。
Here, for the purpose of confirming that SW12A of
そして、この判定の結果、モード3テストをパスする場合、図5で説明したように、モード4テストに進む。
If the mode 3 test is passed as a result of this determination, the process proceeds to the
ここで注目したいのは、このモード3テストでは、制御回路は通常動作時と全く同じスイッチ回路の制御を行っている点である。データレジスタ11Aの表示データをデータラッチ12Bにラッチして正極性レンジのDAC14BでDA変換して出力アンプ15Aを通して出力端子16Aに出力し、データレジスタ11Bの表示データをデータラッチ12Aにラッチして正極性レンジのDAC14AでDA変換して出力アンプ15Bを通して出力端子16Bに出力するのは、通常の表示装置の駆動回路の動作である。
It should be noted here that in this mode 3 test, the control circuit controls the same switching circuit as in normal operation. The display data in the data register 11A is latched in the data latch 12B, DA-converted by the
次に、図9に、モード4テスト時の駆動回路100の各構成回路の動作状態を示す。図9中の網掛けで示す回路が、本モード4テストでテストされる回路群である。図9に示すように、モード4テストでは、制御回路20からの制御信号に応じて、スイッチ回路17のスイッチ素子SW12B、スイッチ回路18のスイッチ素子SW22A、スイッチ回路19のスイッチ素子SW30がオン状態となる。また、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて出力アンプ15Bがイネーブルとなる。これと同時に、出力アンプ15Aを制御回路20からのイネーブル信号ENに応じてディスエーブル(非活性化、出力ハイインピーダンス)にする。これにより、出力アンプ15Bからスイッチ素子SW30を通った信号を、出力アンプ15Aの出力値に干渉されずに、出力端子16Aからプローブ104に出力することができるようになる。
Next, FIG. 9 shows an operation state of each component circuit of the
このため、データレジスタ11B、スイッチ素子SW12B、データラッチ12A、レベルシフト回路13A、DAC14A、スイッチ素子SW22A、出力アンプ15B、スイッチ素子SW30の各構成要素を経て、出力端子16Aからデータ線駆動信号が出力される。そして、プローブ104が出力端子16Aに出力されるこのデータ線駆動信号の電圧を検知し、このプローブ104が検知した電圧値が規定の値であるか否かをテスタ101が判定する。
For this reason, the data line drive signal is output from the
この判定で、データレジスタ11B、スイッチ素子SW12B(オン)、データラッチ12A、レベルシフト回路13A、DAC14A、スイッチ素子SW22A(オン)、出力アンプ15B、スイッチ素子SW30(オン)の各構成要素が正しく動作しているか否かおよび各構成要素間の配線が断線や短絡していないことが判定できる。つまり、上述したモード1テスト〜モード3テストでテストできなかったスイッチ素子SW12BとSW22Aのオン状態での機能テストが可能となる。
With this determination, each component of the data register 11B, the switch element SW12B (ON), the data latch 12A, the level shift circuit 13A, the
ここでは、スイッチ回路17のスイッチ素子SW12Bのオンとスイッチ回路18のスイッチ素子SW22Aのオンを確認することが目的のため、それを確認する必要最小限のテストパタンだけを流してテスト時間を短縮することが好ましい。
Here, for the purpose of confirming that the switch element SW12B of the
そして、この判定の結果、モード4テストをパスする場合、図5で説明したように、機能テストをパスしたと判定される。
As a result of the determination, if the
ここで注目したいのは、このモード4テストでは、制御回路は通常動作時と異なるスイッチ回路の制御を行っている点である。データレジスタ11Aの表示データをデータラッチ12Bにラッチして負極性レンジのDAC14BでDA変換して出力アンプ15Aに入力するが、出力アンプ15Aをハイインピーダンスにして出力端子16Aに出力しないようにするという点が第1の相違点である。また、データレジスタ11Bの表示データをデータラッチ12Aにラッチして負極性レンジのDAC14AでDA変換して出力アンプ15Bを通して出力端子16Bに出力すると同時に、出力アンプで出力端子を駆動する時には必ずオフになっているスイッチ素子SW30をオンにするという点が第2の相違点である。この2点が通常の表示装置の駆動回路の制御回路の動作と異なる点である。さらに、ここで注目したいのは、このモード4テストでは、テスト方法が通常動作時と異なる点である。通常出力端子16Bで比較すべき出力期待値を出力端子16Aのテスト出力値と比較するという点が本実施の形態1の特徴となる。
It should be noted here that in the
次に、図4のステップS103のリークテストについて図10〜図14を用いて説明する。図10に、テスタ101が対象とするLSIチップの駆動回路100に行うリークテストのフローチャートを示す。図10に示すように、まず、テスタ101は駆動回路100に対して、後述するモード5テスト(図11参照)を行う(S301)。そして、モード5テストの結果、駆動回路100の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード5テストをパスする(S302YES)。
Next, the leak test in step S103 in FIG. 4 will be described with reference to FIGS. FIG. 10 shows a flowchart of a leak test performed by the
次に、テスタ101は駆動回路100に対して、後述するモード6テスト(図12参照)を行う(S303)。そして、モード6テストの結果、駆動回路100の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード6テストをパスする(S304YES)。
Next, the
次に、テスタ101は駆動回路100に対して、後述するモード7テスト(図13参照)を行う(S305)。そして、モード7テストの結果、駆動回路100の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード7テストをパスする(S306YES)。
Next, the
次に、テスタ101は駆動回路100に対して、後述するモード8テスト(図14参照)を行う(S307)。そして、モード8テストの結果、駆動回路100の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード8テストをパスする(S308YES)。
Next, the
このステップS308で、モード8テストをパスした場合、対象とするLSIチップの駆動回路100は、図4のステップS103のリークテストをパスしたと判定される(S309)。一方、ステップS302、S304、S306、S308のいずれかで、パスできなかった場合(S302NO、S304NO、S306NO、S308NO)、対象とするLSIチップの駆動回路100は、図4のステップS103のリークテストをフェイルしたと判定される(S310)。
If the mode 8 test is passed in step S308, the target LSI
図11、図12に、モード5テスト、モード6テスト時の駆動回路100の出力アンプ15A、15Bと、出力端子16A、16Bと、スイッチ回路19の動作状態を示す。図11、図12中の網掛けで示す回路が、本モード5テストで電流のリークテスト対象となる回路群である。なお、図11〜図14では、図3で省略していたESD保護素子ESD1、ESD2を記載する。
11 and 12 show the operation states of the
ESD保護素子ESD1のダイオードD1Aはカソードが電源端子VDD、アノードが出力端子16Aに接続される。ダイオードD2Aはカソードが出力端子16A、アノードが接地端子VSSに接続される。ESD保護素子ESD2のダイオードD1Bはカソードが電源端子VDD、アノードが出力端子16Bに接続される。ダイオードD2Bはカソードが出力端子16B、アノードが接地端子VSSに接続される。
The diode D1A of the ESD protection element ESD1 has a cathode connected to the power supply terminal VDD and an anode connected to the
モード5テスト、モード6テストでは、図11、図12に示すように、制御回路20からのイネーブル制御信号と制御信号に応じて、出力アンプ15Aと15Bを非活性(ハイインピーダンス出力)にして、スイッチ回路19のスイッチ素子SW32A、SW32Bをオフ状態に、SW30をオン状態にする。そして、この状態でモード5テスト(図11)と、モード6テスト(図12)を行う。これにより、図11、図12中の網掛けで示すスイッチ素子SW32A、SW32Bに対する電流リークと、保護ダイオードD2A、D2B、D1A、D1Bの逆耐圧リーク、および出力アンプ15Aおよび15Bのハイインピーダンス時のリーク電流の合計値が測定される。
In the mode 5 test and the mode 6 test, as shown in FIGS. 11 and 12, the
まず、図11のモード5テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば、電源電圧VDDと同じ20Vが印加される。更に、制御回路20によって、共通線Kに所定の電圧、例えば、接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。また更に、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ15A、15Bがハイインピーダンス状態(Hi−Z)となる。この時更に、データレジスタ11Aと11Bの表示データの値を最大振幅(ノーマリーホワイトパネルの場合はLSB(Least Significant Bit)に、ノーマリーブラックパネルの場合はMSB(Most Significant Bit))に設定して、負側DAC14AからはVSS(0V)を出力させ、正側DAC14BからはVDD(20V)を出力させる。その上で、制御回路20の制御信号によってスイッチ回路18のスイッチ素子SW22B、SW21Bをオフ、スイッチ素子SW21A、SW22Aをオンにする。これにより、出力アンプ15Aと15Bの両方の入力に0Vを設定することができる。そして、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ15Aと15Bを非活性化させ出力を0V出力準備状態のハイインピーダンス(Hi−Z)出力させる。0V出力準備状態のHi−Z出力とは、通常出力アンプ15は大きく入力段と出力段とで構成されるが、入力段が0V出力をする状態で出力段がHi−Zを出力している状態である。この時、出力アンプ15を出力Hi−Zに制御する回路が故障していると、出力アンプの出力がHi−ZになりきれずにVSSとの間にリーク故障を起こすことがある。このテストの目的の1つはこの故障を検出することである。
First, in the mode 5 test of FIG. 11, a predetermined voltage, for example, 20 V, which is the same as the power supply voltage VDD, is applied to the
このモード5テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が20V、共通線Kの電圧が0V、出力アンプ15A、15Bがハイインピーダンス状態であるため、もしスイッチ素子SW32A、SW32B、保護ダイオードD2A、D2B、出力アンプ15A、15Bのハイインピーダンス出力のVSS側の何れかに電流リークが存在する場合、出力端子16Aから共通線KまたはVSSに向けて電流が流れる。つまり、プローブ104から出力端子16Aに対して電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば2倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。
In this mode 5 test, as described above, since the voltage of the
なお、上記出力アンプ15A、15Bのハイインピーダンス出力のVSS側の電流リークには、出力アンプ15A、15B内部の出力ノードと接地端子VSSとの間に接続されるMOSトランジスタ(通常、NMOSトランジスタ)の電流リークが想定される。
Note that the current leakage on the VSS side of the high-impedance outputs of the
そして、テスタ101が、測定の結果、モード5テストをパスすると判定した場合、図10で説明したように、モード6テストに進む。
If the
次に、図12のモード6テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。更に、制御回路20によって、共通線Kに所定の電圧、例えば電源電圧VDDと同じ20Vが印加される。また更に、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ15A、15Bがハイインピーダンス状態(Hi−Z)となる。この時更に、データレジスタ11Aと11Bの表示データの値を最大振幅(ノーマリーホワイトパネルの場合はLSBに、ノーマリーブラックパネルの場合はMSB)に設定して、負側DAC14AからはVSS(0V)を出力させ、正側DAC14BからはVDD(20V)を出力させる。その上で、制御回路20の制御信号によってスイッチ回路18のスイッチ素子SW22B、SW21Bをオン、スイッチ素子SW21A、SW22Aをオフにする。これにより、出力アンプ15Aと15Bの両方の入力に20Vを設定することができる。そして、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ15Aと15Bを非活性化させ出力を20V出力準備状態のハイインピーダンス(Hi−Z)を出力させる。20V出力準備状態のHi−Z出力とは、通常出力アンプ15は大きく入力段と出力段とで構成されるが、入力段が20V出力をする状態で出力段がHi−Zを出力している状態である。この時、出力アンプ15を出力Hi−Zに制御する回路が故障していると、出力アンプの出力がHi−ZになりきれずにVDDとの間にリーク故障を起こすことがある。このテストの目的の1つはこの故障を検出することである。
Next, in the mode 6 test of FIG. 12, a predetermined voltage, for example, 0 V which is the same as the ground voltage VSS is applied to the
このモード6テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が0V、共通線Kの電圧が20V、出力アンプ15A、15Bがハイインピーダンス状態であるため、もしスイッチ素子SW32A、SW32B、保護ダイオードD1A、D1B、出力アンプ15A、15Bのハイインピーダンス出力のVDD側の何れかに電流リークが存在する場合、共通線KまたはVDDから出力端子16Aに向けて電流が流れる。つまり、出力端子16Aからプローブ104に対して電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば2倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。
In this mode 6 test, as described above, since the voltage of the
なお、上記出力アンプ15A、15Bのハイインピーダンス出力のVDD側の電流リークには、出力アンプ15A、15B内部の出力ノードと電源端子VDDとの間に接続されるMOSトランジスタ(通常、PMOSトランジスタ)の電流リークが想定される。
The current leakage on the VDD side of the high impedance outputs of the
そして、テスタ101が、測定の結果、モード6テストをパスすると判定した場合、図10で説明したように、モード7テストに進む。
If the
次に、モード7テスト、モード8テストでは、図13、図14に示すように、制御回路20からのイネーブル制御信号と制御信号に応じて、出力アンプ15Aを非活性(ハイインピーダンス)、スイッチ回路19のスイッチ素子SW30、SW32A、SW32Bをオフ状態とする。そして、この状態でモード7テスト(図13)と、モード8テスト(図14)を行う。これにより、図13、図14中の網掛けで示すESD保護素子ESD1、スイッチ素子SW30、SW32Aに対する電流リークが測定される。
Next, in the mode 7 test and the mode 8 test, as shown in FIGS. 13 and 14, the
まず、図13のモード7テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば、電源電圧VDDと同じ20Vが印加される。更に、制御回路20によって、共通線Kに所定の電圧、例えば、接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。また更に、データレジスタ11Aと11Bの表示データの値を最大振幅(ノーマリーホワイトパネルの場合はLSBに、ノーマリーブラックパネルの場合はMSB)に設定して、負側DAC14AからはVSS(0V)を出力させ、正側DAC14BからはVDD(20V)を出力させる。その上で、制御回路20の制御信号によってスイッチ回路18のスイッチ素子SW22B、SW21Bをオフ、スイッチ素子SW21A、SW22Aをオンにする。これにより、出力アンプ15Aと15Bの両方の入力に0Vを設定することができる。そして、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ15Aを非活性化させ、出力を0V出力準備状態のハイインピーダンス(Hi−Z)、出力アンプ15Bを活性化させ0Vを出力させる。
First, in the mode 7 test of FIG. 13, a predetermined voltage, for example, 20 V, which is the same as the power supply voltage VDD, is applied to the
このモード7テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が20V、共通線Kの電圧が0V、出力アンプ15Bから0Vが出力される。このため、もしESD保護素子ESD1のダイオードD2A、スイッチ素子SW30、SW32A、出力アンプ15Aのハイインピーダンス出力のVSS側の何れかに電流リークが存在する場合、出力端子16Aから共通線Kもしくは接地端子VSSに向けて電流が流れる。つまり、プローブ104から出力端子16Aに対して電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば1倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。
In this mode 7 test, as described above, the voltage of the
そして、テスタ101が、測定の結果、モード7テストをパスすると判定した場合、図10で説明したように、モード8テストに進む。
If the
次に、図14のモード8テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば、接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。更に、制御回路20によって、共通線Kに所定の電圧、例えば、接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。また更に、モード7テストと同様にして、負側DAC14AからはVSS(0V)を出力させ、正側DAC14BからはVDD(20V)を出力させる。その上で、制御回路20の制御信号によってスイッチ回路18のスイッチ素子SW21A、SW22Aをオフ、スイッチ素子SW22B、SW21Bをオンにする。これにより、出力アンプ15Aと15Bの両方の入力に20Vを設定することができる。そして、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ15Aを非活性化させ、出力を20V出力準備状態のハイインピーダンス(Hi−Z)、出力アンプ15Bを活性化させ20Vを出力させる。なお、出力アンプ15Aが0Vから20Vを出力することができるのは、前出のフルアンプだからである(なお、この点については、出力アンプ15Bも同様である)。
Next, in the mode 8 test of FIG. 14, a predetermined voltage, for example, 0 V, which is the same as the ground voltage VSS, is applied to the
このモード8テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が0V、共通線Kが20V、出力アンプ15Bから20Vが出力される。このため、もしESD保護素子ESD1のダイオードD1A、スイッチ素子SW30、SW32A、出力アンプ15Aのハイインピーダンス出力のVDD側の何れかに電流リークが存在する場合、共通線Kもしくは電源端子VDDから出力端子16Aに向けて電流が流れる。つまり、プローブ104に対して出力端子16Aから電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば1倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。
In the mode 8 test, as described above, the voltage of the
そして、テスタ101が、測定の結果、モード8テストをパスすると判定した場合、図10で説明したように、リークテストをパスしたと判定される。
When the
以上のように本実施の形態1の表示装置の駆動回路100はウェハーテストにて、上述した機能テストとリークテストを行うことで、LSIチップにある出力端子(本例では960個)の全てに対してプローブ104を当てる必要が無く、駆動回路100の隣接する出力端子の一方(例えば、奇数段の出力端子16A)だけにプローブ104を当てればよい。
As described above, the
このため、本実施の形態1では、従来と同様のテスト品質を保持しながら、1つのLSIチップに対して960本のプローブ数が必要なく、その半分の480本のプローブ数を使用するだけで済む。このため、高額な多数のプローブ数を有するテスタを用意する必要が無く、その分の検査コストの増加を抑制することができる。このため、半導体ウェハーに搭載されている状態でも、テープキャリアパッケージに搭載された状態でも、表示装置駆動回路をテストするのに必要なプローブ数を削減することが可能となる。 For this reason, in the first embodiment, 960 probes are not required for one LSI chip while maintaining the same test quality as in the prior art, and only 480 probes, which is half that number, are used. That's it. For this reason, it is not necessary to prepare an expensive tester having a large number of probes, and an increase in the inspection cost can be suppressed. For this reason, it is possible to reduce the number of probes necessary for testing the display device driving circuit, whether it is mounted on a semiconductor wafer or mounted on a tape carrier package.
ここで、例えば本実施の形態1のような駆動回路100の構成を有していない場合、例えばLSIチップに960個の出力端子がある場合、その1つのLSIチップに対して960本のプローブ数を必要とする。このため、プローブカード102が備えるプローブ104の数が1536本である場合、一度に1個のLSIチップしかウェハーテストができない。このことから、ウェハー上のLSIチップに対して全てウェハーテストを行う期間が長くなり検査コストが上昇してしまう問題がある。
Here, for example, when the configuration of the
しかし、本実施の形態1では、プローブカード102が備えるプローブ104の数が1536本である場合、一度に3個のまでのLSIチップに対して上記ウェハーテストを行うことが可能となる。これは、1つのLSIチップ当たりの検査に必要な出力用プローブ数が480本のため、入力端子が30ピンあったとしても、3個のLSIチップに必要なプローブ数を合計しても1530本で済むためである。このため、3個のLSIチップに必要な総プローブ数を、プローブカード102が備えるプローブ数(1536本)以下に抑えることができる。よって、一度に検査を行えるLSIチップ数を上述した場合よりも3倍に増やすことができ、ウェハー上のLSIチップに対して全てウェハーテストを行う期間を単純計算で3分の1に短縮することができ、検査コストの低減化が可能となる。
However, in the first embodiment, when the number of
更に、例えば本実施の形態1のような駆動回路100の構成を有していない場合、図15に示すように、狭ピッチ化したLSIチップの全ての出力端子に対してプローブ104を当てなければならない。この場合、隣接するプローブ104の間隔L1が狭くなり、検査時に接触する可能性が高くなる。当然、プローブ104が接触した場合では、正確なウェハーテストを行うことができず、検査品質の低下が問題となる。
Further, for example, when the configuration of the
しかし、本実施の形態1では、図16に示すように、隣接するプローブ104の間隔L2の距離が図15の例と比べて倍のL2となる。このため、検査時にプローブ同士が接触する可能性を低減することができる。また、これから更に出力端子の間隔が狭ピッチ化した場合であっても、間隔マージンが増加することから、その狭ピッチ化に対応が可能となる。
However, in the first embodiment, as shown in FIG. 16, the distance L2 between
発明の実施の形態2
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態2について、図面を参照しながら詳細に説明する。この実施の形態2も、本発明を表示装置の駆動回路、及び、その駆動回路を搭載したLSIチップの検査方法に適用したものである。本実施の形態2と実施の形態1とは、検査対象であるLSIチップに搭載される表示装置の駆動回路の構成が異なる。よって、テストシステムについては図1に示すものと同様であり、ここでの説明は省略する。 Hereinafter, a specific second embodiment to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings. In the second embodiment, the present invention is also applied to a driving circuit for a display device and an inspection method for an LSI chip on which the driving circuit is mounted. The second embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the drive circuit of the display device mounted on the LSI chip to be inspected. Therefore, the test system is the same as that shown in FIG. 1, and a description thereof is omitted here.
図17に本実施の形態2にかかる表示装置の駆動回路200の構成を示す。
FIG. 17 shows the configuration of the
図17に示すように、駆動回路200は、一対のデータレジスタ11A、11Bと、一対のデータラッチ12A、12Bと、一対のレベルシフト回路13A、13Bと、一対のDAC14A、14Bと、一対の出力アンプ25A、25Bと、一対の出力端子16A、16Bと、スイッチ回路17、21と、制御回路20と、共通線Kとを有する。
As shown in FIG. 17, the
なお、図17に示された符号のうち、図3と同じ符号を付した構成は、図3と同じか又は類似の構成を示している。このため、本実施の形態2では、実施の形態1と異なる部分を説明し、同様の部分の説明は省略する。
In addition, the structure which attached | subjected the code | symbol same as FIG. 3 among the code | symbols shown in FIG. 17 has shown the same or similar structure as FIG. For this reason, in this
スイッチ回路21は、スイッチ素子SW30、SW31A、SW31B、SW32A、SW32B、SW41A、SW41Bを有する。
The
スイッチ素子SW30は、出力端子16Aと16Bとの間に接続される。スイッチ素子SW31Aは、出力アンプ25Aと出力端子16Aとの間に接続される。スイッチ素子SW31Bは、出力アンプ25Bと出力端子16Bとの間に接続される。スイッチ素子SW32Aは、出力端子16Aと共通線Kの間に接続される。スイッチ素子SW32Bは、出力端子16Bと共通線Kの間に接続される。
Switch element SW30 is connected between
スイッチ素子SW41Aは、出力アンプ25Aと出力端子16Bとの間に接続される。スイッチ素子SW41Bは、出力アンプ25Bと出力端子16Aとの間に接続される。
The switch element SW41A is connected between the
スイッチ素子SW31AとSW31B、及び、スイッチ素子SW32AとSW32B、及び、スイッチ素子SW41AとSW41Bが、制御回路20からの制御信号に応じて、それぞれ同時にオンもしくはオフを制御されてもよい。もしくは、スイッチ素子SW31A、SW31B、SW32A、SW32B、SW41A、SW41Bが、制御回路20からの制御信号に応じて、それぞれ別々に、オンもしくはオフを制御されてもよい。
The switch elements SW31A and SW31B, the switch elements SW32A and SW32B, and the switch elements SW41A and SW41B may be simultaneously controlled to be turned on or off in accordance with a control signal from the
出力アンプ25A、25Bは、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、それぞれ対応するDAC14A、14Bの出力諧調画像データを増幅し、次段へ出力する。実施の形態1と異なり、出力アンプ25A、25Bは、それぞれ上述したハーフアンプであり、負極側電圧レンジを出力するDAC14Aの出力を受ける出力アンプ25Aが正極電圧レンジ、正極側電圧レンジを出力するDAC14Bの出力を受ける出力アンプ25Bが負極電圧レンジと一方の電圧レンジしか増幅しない。これにより、出力アンプ25の最大耐圧を電圧VDDの半分にすることができるようになるため、使用するトランジスタのチップレイアウト上のサイズを小さくして、チップのコストを削減することができる。
In response to the enable signal EN from the
また、実施の形態1と同様、出力アンプ25A、25Bは、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じてそれぞれ別々に活性化、非活性化が制御され、活性化した場合、入力諧調画像データを増幅して出力し、非活性化した場合、出力がハイインピーダンス状態となる。
Similarly to the first embodiment, the
なお、駆動回路200が液晶表示装置のデータ線を駆動する表示動作時では、スイッチ回路17のスイッチ素子SW11A、SW11Bがオン、スイッチ素子SW12A、SW12Bがオフ状態の場合、連動してスイッチ回路21のスイッチ素子SW31A、SW31Bがオン、スイッチ素子SW41A、SW41Bがオフ状態となる。これにより、出力端子16Aに負極性、出力端子16Bに正極性の出力を行う。逆に、スイッチ回路17のスイッチ素子SW11A、SW11Bがオフ、スイッチ素子SW12A、SW12Bがオン状態の場合、連動してスイッチ回路21のスイッチ素子SW31A、SW31Bがオフ、スイッチ素子SW41A、SW41Bがオン状態となる。これにより先程とは逆に、出力端子16Aに正極性、出力端子16Bに負極性の出力を行う。このことにより、液晶表示装置の画素の極性反転が可能となる。
In the display operation in which the
制御回路20は、例えば、LSIチップ外部のテスタ101からテスト信号に応じて、スイッチ回路17、21のそれぞれが有するスイッチ素子群のオン、オフ制御、及び、出力アンプ25A、25Bのイネーブルを制御する。また、共通線Kに所定の電圧(例えば、電源電圧VDD)を印加する機能を有する。例えば、電源端子VDDと共通線Kとの間にあるスイッチの導通を制御する等である。
The
次に、上記駆動回路200の良否判定テストを説明する。テスタ101が対象とするLSIチップの駆動回路200に行う良否判定テストのフローチャート及び機能テストのフローチャートは、それぞれ図4、図5と同様のため、ここでの説明は省略する。なお、本実施の形態2でも、LSIチップの駆動回路200の隣接する出力端子の一方に、プローブが当てられており、本例では後述する図18に示すように出力端子16Aにプローブ104が当てられているものとする。
Next, a quality determination test for the
図18に、モード1テスト時の駆動回路200の各構成回路の動作状態を示す。図18中の網掛けで示す回路が、本モード1テストでテストされる回路群である。図18に示すように、モード1テストでは、制御回路20からの制御信号に応じて、スイッチ回路17のスイッチ素子SW11A、スイッチ回路21のスイッチ素子SW31Aがオン状態となる。また、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて出力アンプ25Aがイネーブルとなる。
FIG. 18 shows the operating state of each component circuit of the
このため、データレジスタ11A、スイッチ素子SW11A、データラッチ12A、レベルシフト回路13A、DAC14A、出力アンプ25A、スイッチ素子SW31Aの各構成要素を経て、出力端子16Aからデータ線駆動信号が出力される。そして、プローブ104が出力端子16Aに出力されるこのデータ線駆動信号の電圧を検知し、このプローブ104が検知した電圧値が規定の値であるか否かをテスタ101が判定する。
For this reason, the data line drive signal is output from the
この判定で、データレジスタ11A、スイッチ素子SW11A(オン)、データラッチ12A、レベルシフト回路13A、DAC14A、出力アンプ25A、スイッチ素子SW31A(オン)の各構成要素が正しく動作しているか否かおよび各構成要素間の配線が断線や短絡していないことが判定できる。また、これに付随して、同時に奇数段のシフトレジスタ及びそのシフトレジスタにクロックを供給するクロック供給パス(不図示)、データレジスタ11Aへの画像データ供給パス(不図示)、DAC14Aへの負極側電圧レンジ供給パス(不図示)、出力アンプ25Aへのイネーブル信号EN供給パスの不具合の有り無しについても判定できる。また、実施の形態1と同様、データレジスタ11Aと異なるデータレジスタ11Bに幾通りか設定することで、オフすべきスイッチ素子SW12A、SW12B、SW41A、SW41B、SW30、SW32Aが正しくオフしている(ショートしていない)こと、および奇数段の回路と偶数段の回路とが信号的に正しく分離されている(寄生の信号リンクがない)ことが推定できる。
In this determination, whether each component of the data register 11A, the switch element SW11A (ON), the data latch 12A, the level shift circuit 13A, the
そして、この判定の結果、モード1テストをパスする場合、図5で説明したように、モード2テストに進む。ここで注目したいのは、実施の形態1と同様、このモード1テストでは、制御回路20は通常の表示動作時と全く同じスイッチ回路の制御を行っている点である。
As a result of the determination, if the
次に、図19に、モード2テスト時の駆動回路200の各構成回路の動作状態を示す。図19中の網掛けで示す回路が、本モード2テストでテストされる回路群である。図19に示すように、モード2テストでは、制御回路20からの制御信号に応じて、スイッチ回路17のスイッチ素子SW11B、スイッチ回路21のスイッチ素子SW31B及びSW30がオン状態となる。また、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて出力アンプ25Bがイネーブルとなる。これと同時に、出力アンプ25Aを制御回路20からのイネーブル信号ENに応じてディスエーブル(非活性化、出力ハイインピーダンス)にする。これにより、出力アンプ25Bからスイッチ素子SW30を通った信号を、出力アンプ25Aの出力値に干渉されずに、出力端子16Aからプローブ104に出力することができるようになる。
Next, FIG. 19 shows an operation state of each component circuit of the
このため、データレジスタ11B、スイッチ素子SW11B、データラッチ12B、レベルシフト回路13B、DAC14B、出力アンプ25B、スイッチ素子SW31B、SW30の各構成要素を経て、出力端子16Aからデータ線駆動信号が出力される。そして、プローブ104が出力端子16Aに出力されるこのデータ線駆動信号の電圧を検知し、このプローブ104が検知した電圧値が規定の値であるか否かをテスタ101が判定する。
For this reason, the data line drive signal is output from the
この判定で、データレジスタ11B、スイッチ素子SW11B(オン)、データラッチ12B、レベルシフト回路13B、DAC14B、出力アンプ25B、スイッチ素子SW31B(オン)、SW30(オン)の各構成要素が正しく動作しているか否かおよび各構成要素間の配線が断線や短絡していないことが判定できる。また、これに付随して、同時に偶数段のシフトレジスタ及びそのシフトレジスタにクロックを供給するクロック供給パス(不図示)、データレジスタ11Bへの画像データ供給パス(不図示)、DAC14Bへの正極側電圧レンジ供給パス(不図示)、出力アンプ25Bへのイネーブル信号EN供給パスの不具合の有り無しについても判定できる。
With this determination, each component of the data register 11B, the switch element SW11B (ON), the
また、実施の形態1と同様、データレジスタ11Aに適切な値(データレジスタ11Bと異なる値)のデータを幾通りか設定することで、オフすべきスイッチ素子SW12A、SW12B、SW41A、SW41Bが正しくオフしていることと、出力アンプ25Aが正しく非活性になっていること、および偶数段と奇数段の回路とが信号的に正しく分離されている(寄生の信号リンクがない)ことが判定できる。そして、この判定の結果、モード2テストをパスする場合、図5で説明したように、モード3テストに進む。
Similarly to the first embodiment, the switch elements SW12A, SW12B, SW41A, and SW41B to be turned off are correctly turned off by setting several data of appropriate values (different values from the data register 11B) in the
ここで注目したいのは、実施の形態1と同様、このモード2テストでは、制御回路20は通常の表示動作時と異なるスイッチ回路の制御を行っている点である。出力アンプ25Aをハイインピーダンスにして出力端子16Aに出力しないようにするという点が第1の相違点である。また、データレジスタ11Bの表示データをデータラッチ12Bにラッチして正極性レンジのDAC14BでDA変換して出力アンプ25Bを通して出力端子16Bに出力すると同時に、出力アンプで出力端子を駆動する時には必ずオフになっているスイッチ素子SW30をオンにするという点が第2の相違点である。この2点が通常の表示装置の駆動回路の制御回路の動作と異なる点である。さらに、ここで注目したいのは、このモード2テストでは、テスト方法が通常動作時と異なる点である。通常、出力端子16Bで比較すべき出力期待値を、出力端子16Aのテスト出力値と比較するという点が本実施の形態2の特徴となる。
It should be noted here that, as in the first embodiment, in the
次に、図20に、モード3テスト時の駆動回路200の各構成回路の動作状態を示す。図20中の網掛けで示す回路が、本モード3テストでテストされる回路群である。図20に示すように、モード3テストでは、制御回路20からの制御信号に応じて、スイッチ回路17のスイッチ素子SW12A、スイッチ回路21のスイッチ素子SW41Bがオン状態となる。また、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて出力アンプ25Bがイネーブルとなる。
Next, FIG. 20 shows an operation state of each component circuit of the
このため、データレジスタ11A、スイッチ素子SW12A、データラッチ12B、レベルシフト回路13B、DAC14B、出力アンプ25B、スイッチ素子SW41Bの各構成要素を経て、出力端子16Aからデータ線駆動信号が出力される。そして、プローブ104が出力端子16Aに出力されるこのデータ線駆動信号の電圧を検知し、このプローブ104が検知した電圧値が規定の値であるか否かをテスタ101が判定する。
For this reason, the data line drive signal is output from the
この判定で、データレジスタ11A、スイッチ素子SW12A(オン)、データラッチ12B、レベルシフト回路13B、DAC14B、出力アンプ25B、スイッチ素子SW41B(オン)の各構成要素が正しく動作しているか否かおよび各構成要素間の配線が断線や短絡していないことが判定できる。つまり、上述したモード1テスト、モード2テストでテストできなかったスイッチ素子SW12AとSW41Bのオン状態の機能テストが可能となる。
In this determination, whether or not each component of the data register 11A, the switch element SW12A (ON), the
ここでは、スイッチ回路17のSW12Aのオン、SW11Bのオフ、スイッチ回路21のスイッチ素子SW41Bのオン、SW31Aのオフを確認することが目的のため、それを確認する必要最小限のテストパタンだけを流してテスト時間を短縮することが好ましい。そして、この判定の結果、モード3テストをパスする場合、図5で説明したように、モード4テストに進む。
Here, for the purpose of confirming that SW12A of
ここで注目したいのは、実施の形態1と同様、このモード1テストでは、制御回路20は通常の表示動作時と全く同じスイッチ回路の制御を行っている点である。
It should be noted here that, as in the first embodiment, in this
次に、図21に、モード4テスト時の駆動回路200の各構成回路の動作状態を示す。図21中の網掛けで示す回路が、本モード4テストでテストされる回路群である。図21に示すように、モード4テストでは、制御回路20からの制御信号に応じて、スイッチ回路17のスイッチ素子SW12B、スイッチ回路21のスイッチ素子SW41B及びSW30がオン状態となる。また、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて出力アンプ25Aがイネーブルとなる。これと同時に、出力アンプ25Bを制御回路20からのイネーブル信号ENに応じてディスエーブル(非活性化、出力ハイインピーダンス)にする。これにより、出力アンプ25Bからスイッチ素子SW41Bを通った信号を、出力アンプ25Aの出力値に干渉されずに、出力端子16Aからプローブ104に出力することができるようになる。
Next, FIG. 21 shows an operation state of each component circuit of the
このため、データレジスタ11B、スイッチ素子SW12B、データラッチ12A、レベルシフト回路13A、DAC14A、出力アンプ25A、スイッチ素子SW41A、SW30の各構成要素を経て、出力端子16Aからデータ線駆動信号が出力される。そして、プローブ104が出力端子16Aに出力されるこのデータ線駆動信号の電圧を検知し、このプローブ104が検知した電圧値が規定の値であるか否かをテスタ101が判定する。
For this reason, the data line drive signal is output from the
この判定で、データレジスタ11B、スイッチ素子SW12B(オン)、データラッチ12A、レベルシフト回路13A、DAC14A、出力アンプ25A、スイッチ素子SW41A(オン)、SW30(オン)の各構成要素が正しく動作しているか否かおよび各構成要素間の配線が断線や短絡していないことが判定できる。つまり、上述したモード1テスト〜モード3テストでテストできなかったスイッチ素子SW12BとSW41Aのオン状態の機能テストが可能となる。
With this determination, each component of the data register 11B, the switch element SW12B (ON), the data latch 12A, the level shift circuit 13A, the
ここでは、スイッチ回路17のSW12Bのオンと、スイッチ回路21のスイッチ素子SW41Aのオンを確認することが目的のため、それを確認する必要最小限のテストパタンだけを流してテスト時間を短縮することが好ましい。
Here, since the purpose is to confirm that the
そして、この判定の結果、モード4テストをパスする場合、図5で説明したように、機能テストをパスしたと判定される。
As a result of the determination, if the
ここで注目したいのは、このモード4テストでは、制御回路20は通常の表示動作時と異なるスイッチ回路の制御を行っている点である。出力アンプ25Bをハイインピーダンスにして出力端子16Aに出力しないようにするという点が第1の相違点である。また、データレジスタ11Bの表示データをデータラッチ12Aにラッチして負極性レンジのDAC14AでDA変換して出力アンプ25Aを通して出力端子16Bに出力すると同時に、出力アンプで出力端子を駆動する時には必ずオフになっているスイッチ素子SW30をオンにするという点が第2の相違点である。この2点が通常の表示装置の駆動回路の制御回路の動作と異なる点である。さらに、ここで注目したいのは、このモード4テストでは、テスト方法が通常動作時と異なる点である。通常出力端子16Bで比較すべき出力期待値を出力端子16Aのテスト出力値と比較するという点が本実施の形態2の特徴となる。
It should be noted that in the
次に、図4のステップS103の実施の形態2におけるリークテストについて図22〜図28を用いて説明する。 Next, the leak test in the second embodiment in step S103 in FIG. 4 will be described with reference to FIGS.
図22に、テスタ101が対象とするLSIチップの駆動回路200に行うリークテストのフローチャートを示す。図22に示すように、まず、テスタ101は駆動回路200に対して、後述するモード5テスト(図23参照)を行う(S501)。そして、モード5テストの結果、駆動回路200の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード5テストをパスする(S502YES)。
FIG. 22 shows a flowchart of a leak test performed by the
次に、テスタ101は駆動回路200に対して、後述するモード6テスト(図24参照)を行う(S503)。そして、モード6テストの結果、駆動回路200の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード6テストをパスする(S504YES)。
Next, the
次に、テスタ101は駆動回路200に対して、後述するモード7テスト(図25参照)を行う(S505)。そして、モード7テストの結果、駆動回路200の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード7テストをパスする(S506YES)。
Next, the
次に、テスタ101は駆動回路200に対して、後述するモード8テスト(図26参照)を行う(S506)。そして、モード8テストの結果、駆動回路200の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード8テストをパスする(S508YES)。
Next, the
次に、テスタ101は駆動回路200に対して、後述するモード9テスト(図27参照)を行う(S509)。そして、モード9テストの結果、駆動回路200の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード9テストをパスする(S510YES)。
Next, the
次に、テスタ101は駆動回路200に対して、後述するモード10テスト(図28参照)を行う(S511)。そして、モード10テストの結果、駆動回路200の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード10テストをパスする(S512YES)。
Next, the
このステップS512で、モード10テストをパスした場合、対象とするLSIチップの駆動回路200は、図4のステップS103のリークテストをパスしたと判定される(S513)。一方、ステップS502、S504、S506、S508、S510、S512のいずれかで、パスできなかった場合(S502NO、S504NO、S506NO、S508NO、S510NO、S512NO)、対象とするLSIチップの駆動回路200は、図4のステップS103のリークテストをフェイルしたと判定される(S514)。
If the
また、図23〜図28では、図17で省略していたESD保護素子ESD1、ESD2を記載する。ESD保護素子ESD1のダイオードD1Aはカソードが電源端子VDD、アノードが出力端子16Aに接続される。ダイオードD2Aはカソードが出力端子16A、アノードが接地端子VSSに接続される。ESD保護素子ESD2のダイオードD1Bはカソードが電源端子VDD、アノードが出力端子16Bに接続される。ダイオードD2Bはカソードが出力端子16B、アノードが接地端子VSSに接続される。
23 to 28 show the ESD protection elements ESD1 and ESD2 that are omitted in FIG. The diode D1A of the ESD protection element ESD1 has a cathode connected to the power supply terminal VDD and an anode connected to the
図23、図24に、モード5テスト、モード6テスト時の駆動回路200の出力アンプ25A、25Bと、出力端子16A、16Bと、スイッチ回路21の動作状態を示す。図23、図24中の網掛けで示す回路が、本モード5テスト、モード6テストで電流のリークテスト対象となる回路群である。
23 and 24 show the operation states of the
モード5テスト、モード6テストでは、図23、図24に示すように、制御回路20からのイネーブル信号ENと制御信号に応じて、出力アンプ25A、25Bを非活性化(ハイインピーダンス出力)とし、スイッチ回路21のスイッチ素子SW41A、SW41B、SW32Bをオン状態、スイッチ素子SW31A、SW31B、SW30、SW32Aをオフ状態とする。そして、この状態でモード5テスト(図23)と、モード6テスト(図24)を行う。これにより、図23、図24中の網掛けで示すESD保護素子ESD1、スイッチ素子SW32A、SW32Bに対する電流リークと、保護ダイオードD1AもしくはD2Aの逆耐圧リーク、および出力アンプ25Bのハイインピーダンス時のリーク電流の合計値が測定される。
In the mode 5 test and the mode 6 test, as shown in FIGS. 23 and 24, the
まず、図23のモード5テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば、電源電圧VDDと同じ20Vが印加される。更に、制御回路20によって、共通線Kに所定の電圧、例えば、接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。また更に、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス状態(Hi−Z)となる。
First, in the mode 5 test of FIG. 23, a predetermined voltage, for example, 20 V, which is the same as the power supply voltage VDD, is applied to the
このモード5テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が20V、共通線Kの電圧が0V、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス状態であるため、もしESD保護素子ESD1のダイオードD2A、スイッチ素子SW31A、SW31B、SW30、SW32A、出力アンプ25Bのハイインピーダンス出力のVSS側の何れかに電流リークが存在する場合、出力端子16Aから共通線Kもしくは接地端子VSSに向けて電流が流れる。つまり、プローブ104から出力端子16Aに対して電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば2倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。なお、実施の形態1と同様、上記出力アンプ25A、25Bのハイインピーダンス出力のVSS側の電流リークには、出力アンプ25A、25B内部の出力ノードと接地端子VSSとの間に接続されるMOSトランジスタ(通常、NMOSトランジスタ)の電流リークが想定される。
In this mode 5 test, as described above, the voltage of the
そして、テスタ101が、測定の結果、モード5テストをパスすると判定した場合、図22で説明したように、モード6テストに進む。
If the
次に、図24のモード6テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。更に、制御回路20によって、共通線Kに所定の電圧、例えば電源電圧VDDと同じ20Vが印加される。また更に、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス状態(Hi−Z)となる。
Next, in the mode 6 test of FIG. 24, a predetermined voltage, for example, 0 V, which is the same as the ground voltage VSS, is applied to the
このモード6テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が0V、共通線Kの電圧が20V、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス状態であるため、もしESD保護素子ESD1のダイオードD1A、スイッチ素子SW31A、SW31B、SW30、SW32A、出力アンプ25Bのハイインピーダンス出力のVDD側の何れかに電流リークが存在する場合、共通線Kもしくは電源端子VDDから出力端子16Aに向けて電流が流れる。つまり、出力端子16Aからプローブ104に対して電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば2倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。なお、実施の形態1と同様、上記出力アンプ25A、25Bのハイインピーダンス出力のVDD側の電流リークには、出力アンプ25A、25B内部の出力ノードと電源端子VDDとの間に接続されるMOSトランジスタ(通常、PMOSトランジスタ)の電流リークが想定される。
In this mode 6 test, since the voltage of the
そして、テスタ101が、測定の結果、モード5テストをパスすると判定した場合、図22で説明したように、モード7テストに進む。
If the
次に、モード7テスト、モード8テストでは、図25、図26に示すように、制御回路20からのイネーブル信号ENと制御信号に応じて、出力アンプ25A、25Bを非活性化(ハイインピーダンス出力)とし、スイッチ回路21のスイッチ素子SW31A、SW31B、SW32Bをオン状態、スイッチ素子SW41A、SW41B、SW32A、SW30をオフ状態とする。そして、この状態でモード7テスト(図25)と、モード8テスト(図26)を行う。これにより、図25、図26中の網掛けで示すESD保護素子ESD1、スイッチ素子SW41A、SW41B、SW32A、SW30に対する電流リークと、保護ダイオードD1AもしくはD2Aの逆耐圧リーク、および出力アンプ25Aのハイインピーダンス時のリーク電流の合計値が測定される。
Next, in the mode 7 test and the mode 8 test, as shown in FIGS. 25 and 26, the
まず、図25のモード7テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば、電源電圧VDDと同じ20Vが印加される。更に、制御回路20によって、共通線Kに所定の電圧、例えば、接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。また更に、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス状態(Hi−Z)となる。
First, in the mode 7 test of FIG. 25, a predetermined voltage, for example, 20 V, which is the same as the power supply voltage VDD, is applied to the
このモード7テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が20V、共通線Kの電圧が0V、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス状態であるため、もしESD保護素子ESD1のダイオードD2A、スイッチ素子SW41A、SW41B、SW32A、SW30、出力アンプ25Aのハイインピーダンス出力のVSS側の何れかに電流リークが存在する場合、出力端子16Aから共通線Kもしくは接地端子VSSに向けて電流が流れる。つまり、プローブ104から出力端子16Aに対して電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば2倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。
In the mode 7 test, as described above, the voltage of the
そして、テスタ101が、測定の結果、モード7テストをパスすると判定した場合、図22で説明したように、モード8テストに進む。
When the
次に、図26のモード8テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば、接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。更に、制御回路20によって、共通線Kに所定の電圧、例えば、接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。また更に、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス(Hi−Z)となる。
Next, in the mode 8 test of FIG. 26, a predetermined voltage, for example, 0 V, which is the same as the ground voltage VSS, is applied to the
このモード8テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が0V、共通線Kが20V、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス状態であるため、もしESD保護素子ESD1のダイオードD1A、スイッチ素子SW41A、SW41B、SW32A、SW30、出力アンプ25Aのハイインピーダンス出力のVDD側の何れかに電流リークが存在する場合、共通線Kもしくは電源端子VDDから出力端子16Aに向けて電流が流れる。つまり、プローブ104に対して出力端子16Aから電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば2倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。
In this mode 8 test, since the voltage of the
そして、テスタ101が、測定の結果、モード8テストをパスすると判定した場合、図22で説明したように、モード9テストに進む。
If the
次に、モード9テスト、モード10テストでは、図27、図28に示すように、制御回路20からのイネーブル信号ENと制御信号に応じて、出力アンプ25A、25Bを非活性化(ハイインピーダンス出力)とし、スイッチ回路21のスイッチ素子SW31A、SW31B、SW41A、SW41B、SW30をオン状態、スイッチ素子SW32A、SW32Bをオフ状態とする。そして、この状態でモード9テスト(図27)と、モード10テスト(図28)を行う。これにより、図27、図28中の網掛けで示すESD保護素子ESD1、ESD2の逆耐圧リーク、スイッチ素子SW32A、SW32Bに対する電流リーク、出力アンプ25A、25Bのハイインピーダンス時のリーク電流の合計値が測定される。
Next, in the mode 9 test and the
まず、図27のモード9テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば、電源電圧VDDと同じ20Vが印加される。更に、制御回路20によって、共通線Kに所定の電圧、例えば、接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。また更に、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス(Hi−Z)となる。
First, in the mode 9 test of FIG. 27, a predetermined voltage, for example, 20 V, which is the same as the power supply voltage VDD, is applied to the
このモード9テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が20V、共通線Kの電圧が0V、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス状態となるため、もしESD保護素子ESD1のダイオードD2A、ESD2のダイオードD2B、スイッチ素子SW32A、SW32B、出力アンプ25A、25Bのハイインピーダンス出力のVSS側の何れかに電流リークが存在する場合、出力端子16Aから共通線Kもしくは接地端子VSSに向けて電流が流れる。つまり、プローブ104から出力端子16Aに対して電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば1倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。
In this mode 9 test, as described above, the voltage of the
そして、テスタ101が、測定の結果、モード9テストをパスすると判定した場合、図22で説明したように、モード10テストに進む。
If the
次に、図28のモード10テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば、接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。更に、制御回路20によって、共通線Kに所定の電圧、例えば、電源電圧VDDと同じ20Vが印加される。また更に、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス(Hi−Z)となる。
Next, in the
このモード10テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が0V、共通線Kが20V、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス状態となるため、もしESD保護素子ESD1のダイオードD1A、ESD2のダイオードD1B、スイッチ素子SW32A、SW32B、出力アンプ25A、25Bのハイインピーダンス出力のVDD側の何れかに電流リークが存在する場合、共通線Kもしくは電源端子VDDから出力端子16Aに向けて電流が流れる。つまり、プローブ104に対して出力端子16Aから電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば1倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。
In this
そして、テスタ101が、測定の結果、モード10テストをパスすると判定した場合、図22で説明したように、リークテストをパスしたと判定される。
If the
以上、本実施の形態2のようにハーフアンプを用いた駆動回路200においても、実施の形態1と同様、ウェハーテストにて、上述した機能テストとリークテストを行うことで、LSIチップにある出力端子(本例では960個)の全てに対してプローブ104を当てる必要が無い。このため、本実施の形態2の駆動回路200の隣接する出力端子の一方(例えば、奇数段の出力端子16A)だけにプローブ104を当てればよい。
As described above, in the
よって、実施の形態1と同じく本実施の形態2でも、従来と同様のテスト品質を保持しながら、1つのLSIチップに対して960本のプローブ数が必要なく、その半分の480本のプローブ数を使用するだけで済む。このため、高額な多数のプローブ数を有するテスタを用意する必要が無く、その分の検査コストの増加を抑制することができる。また、出力端子間隔の狭ピッチ化に有効である点等も実施の形態1と同様である。 Therefore, in the second embodiment as in the first embodiment, 960 probes are not required for one LSI chip while maintaining the same test quality as in the prior art, and the number of 480 probes, which is half that number. Just use. For this reason, it is not necessary to prepare an expensive tester having a large number of probes, and an increase in the inspection cost can be suppressed. Further, it is the same as in the first embodiment in that it is effective for narrowing the output terminal interval.
発明の実施の形態3 Embodiment 3 of the Invention
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態3について、図面を参照しながら詳細に説明する。この実施の形態3も、本発明を表示装置の駆動回路、及び、その駆動回路を搭載したLSIチップの検査方法に適用したものである。本実施の形態3と実施の形態1、2とは、検査対象であるLSIチップに搭載される表示装置の駆動回路の構成が異なる。よって、テストシステムについては図1に示すものと同様であり、ここでの説明は省略する。 Hereinafter, a specific third embodiment to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings. In the third embodiment, the present invention is also applied to a driving circuit for a display device and an inspection method for an LSI chip on which the driving circuit is mounted. The third embodiment is different from the first and second embodiments in the configuration of the drive circuit of the display device mounted on the LSI chip to be inspected. Therefore, the test system is the same as that shown in FIG. 1, and a description thereof is omitted here.
図29に本実施の形態3にかかる表示装置の駆動回路300の構成を示す。
FIG. 29 shows the configuration of the
図29に示すように、駆動回路300は、一対のデータレジスタ11A、11Bと、一対のデータラッチ12A、12Bと、一対のレベルシフト回路13A、13Bと、一対のDAC14A、14Bと、一対の出力アンプ25A、25Bと、一対の出力端子16A、16Bと、スイッチ回路17、31と、制御回路20とを有する。
As shown in FIG. 29, the
なお、図29に示された符号のうち、図17と同じ符号を付した構成は、図17と同じか又は類似の構成を示している。このため、本実施の形態3では、実施の形態2と異なる部分を説明し、同様の部分の説明は省略する。
29, the same reference numerals as those in FIG. 17 denote the same or similar structures as those in FIG. For this reason, in this Embodiment 3, a different part from
スイッチ回路31は、スイッチ素子SW31A、SW31B、SW41A、SW41Bを有する。
The
スイッチ素子SW31Aは、出力アンプ25Aと出力端子16Aとの間に接続される。スイッチ素子SW31Bは、出力アンプ25Bと出力端子16Bとの間に接続される。スイッチ素子SW41Aは、出力アンプ25Aと出力端子16Bとの間に接続される。スイッチ素子SW41Bは、出力アンプ25Bと出力端子16Aとの間に接続される。
The switch element SW31A is connected between the
スイッチ素子SW31A、SW31B、SW41A、SW41Bが、制御回路20からの制御信号に応じて、それぞれ別々に、オンもしくはオフを制御される。
The switch elements SW31A, SW31B, SW41A, and SW41B are individually controlled to be turned on or off in accordance with a control signal from the
実施の形態2のスイッチ回路31と、本実施の形態3のスイッチ回路31との違いは、共通線K及びそれに接続されるスイッチ素子SW32A、SW32Bを削除した構成となっている。
The difference between the
なお、駆動回路300が液晶表示装置のデータ線を駆動する通常の表示動作時では、実施の形態2と同様、スイッチ回路17のスイッチ素子SW11A、SW11Bがオン、スイッチ素子SW12A、SW12Bがオフ状態の場合、連動してスイッチ回路31のスイッチ素子SW31A、SW31Bがオン、スイッチ素子SW41A、SW41Bがオフ状態となる。逆に、スイッチ回路17のスイッチ素子SW11A、SW11Bがオフ、スイッチ素子SW12A、SW12Bがオン状態の場合、連動してスイッチ回路31のスイッチ素子SW31A、SW31Bがオフ、スイッチ素子SW41A、SW41Bがオン状態となる。これにより先程とは逆に、出力端子16Aに正極性、出力端子16Bに負極性の出力を行う。このことにより、液晶表示装置の画素の極性反転が可能となる。
In the normal display operation in which the
制御回路20は、例えば、LSIチップ外部のテスタ101からテスト信号に応じて、スイッチ回路17、31のそれぞれが有するスイッチ素子群のオン、オフ制御、及び、出力アンプ25A、25Bのイネーブルを制御する。
The
次に、上記駆動回路300の良否判定テストを説明する。テスタ101が対象とするLSIチップの駆動回路300に行う良否判定テストのフローチャート及び機能テストのフローチャートは、それぞれ図4、図5と同様のため、ここでの説明は省略する。なお、本実施の形態2でも、LSIチップの駆動回路100の隣接する出力端子の一方に、プローブが当てられており、本例では後述する図30に示すように出力端子16Aにプローブ104が当てられているものとする。
Next, a quality determination test for the
図30に、モード1テスト時の駆動回路300の各構成回路の動作状態を示す。図30中の網掛けで示す回路が、本モード1テストでテストされる回路群である。図30に示すように、モード1テストでは、制御回路20からの制御信号に応じて、スイッチ回路17のスイッチ素子SW11A、スイッチ回路31のスイッチ素子SW31Aがオン状態となる。また、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて出力アンプ25Aがイネーブルとなる。
FIG. 30 shows the operating state of each component circuit of the
このため、データレジスタ11A、スイッチ素子SW11A、データラッチ12A、レベルシフト回路13A、DAC14A、出力アンプ25A、スイッチ素子SW31Aの各構成要素を経て、出力端子16Aからデータ線駆動信号が出力される。そして、プローブ104が出力端子16Aに出力されるこのデータ線駆動信号の電圧を検知し、このプローブ104が検知した電圧値が規定の値であるか否かをテスタ101が判定する。
For this reason, the data line drive signal is output from the
この判定で、データレジスタ11A、スイッチ素子SW11A(オン)、データラッチ12A、レベルシフト回路13A、DAC14A、出力アンプ25A、スイッチ素子SW31A(オン)の各構成要素が正しく動作しているか否かおよび各構成要素間の配線が断線や短絡していないことが判定できる。また、これに付随して、同時に奇数段のシフトレジスタ及びそのシフトレジスタにクロックを供給するクロック供給パス(不図示)、データレジスタ11Aへの画像データ供給パス(不図示)、DAC14Aへの負極側電圧レンジ供給パス(不図示)、出力アンプ25Aへのイネーブル信号EN供給パスの不具合の有り無しについても判定できる。また、実施の形態2と同様、データレジスタ11Aと異なるデータレジスタ11Bに幾通りか設定することで、オフすべきスイッチ素子SW12A、SW12B、SW41A、SW41Bが正しくオフしている(ショートしていない)こと、および奇数段の回路と偶数段の回路とが信号的に正しく分離されている(寄生の信号リンクがない)ことが推定できる。そして、この判定の結果、モード1テストをパスする場合、図5で説明したように、モード2テストに進む。ここで注目したいのは、実施の形態2と同様、このモード1テストでは、制御回路20は通常の表示動作時と全く同じスイッチ回路の制御を行っている点である。
In this determination, whether each component of the data register 11A, the switch element SW11A (ON), the data latch 12A, the level shift circuit 13A, the
次に、図31に、モード2テスト時の駆動回路300の各構成回路の動作状態を示す。図31中の網掛けで示す回路が、本モード2テストでテストされる回路群である。図31に示すように、モード2テストでは、制御回路20からの制御信号に応じて、スイッチ回路17のスイッチ素子SW11B、スイッチ回路31のスイッチ素子SW41Bがオン状態となる。また、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて出力アンプ25Bがイネーブルとなる。これと同時に、出力アンプ25Aを制御回路20からのイネーブル信号ENに応じてディスエーブル(非活性化、出力ハイインピーダンス)、もしくは、スイッチ素子SW31Aをオフとする。これにより、出力アンプ25Bからスイッチ素子SW41Bを通った信号を、出力アンプ25Aの出力値に干渉されずに、出力端子16Aからプローブ104に出力することができるようになる。
Next, FIG. 31 shows an operation state of each component circuit of the
このため、データレジスタ11B、スイッチ素子SW11B、データラッチ12B、レベルシフト回路13B、DAC14B、出力アンプ25B、スイッチ素子SW31B、SW30の各構成要素を経て、出力端子16Aからデータ線駆動信号が出力される。そして、プローブ104が出力端子16Aに出力されるこのデータ線駆動信号の電圧を検知し、このプローブ104が検知した電圧値が規定の値であるか否かをテスタ101が判定する。
For this reason, the data line drive signal is output from the
この判定で、データレジスタ11B、スイッチ素子SW11B(オン)、データラッチ12B、レベルシフト回路13B、DAC14B、出力アンプ25B、スイッチ素子SW41B(オン)の各構成要素が正しく動作しているか否かおよび各構成要素間の配線が断線や短絡していないことが判定できる。また、これに付随して、同時に偶数段のシフトレジスタ及びそのシフトレジスタにクロックを供給するクロック供給パス(不図示)、データレジスタ11Bへの画像データ供給パス(不図示)、DAC14Bへの正極側電圧レンジ供給パス(不図示)、出力アンプ25Bへのイネーブル信号EN供給パスの不具合の有り無しについても判定できる。
In this determination, whether each component of the data register 11B, the switch element SW11B (ON), the
また、実施の形態2と同様、データレジスタ11Aに適切な値(データレジスタ11Bと異なる値)のデータを幾通りか設定することで、オフすべきスイッチ素子SW12A、SW12Bが正しくオフしていることと、出力アンプ25Aが正しく非活性になっていること、および偶数段と奇数段の回路とが信号的に正しく分離されている(寄生の信号リンクがない)ことが判定できる。なお、スイッチ素子SW31Aをオフする場合は、スイッチ素子SW31Aが正しくオフしていることが判定できる。そして、この判定の結果、モード2テストをパスする場合、図5で説明したように、モード3テストに進む。
Similarly to the second embodiment, the switch elements SW12A and SW12B to be turned off are correctly turned off by setting several data of appropriate values (different values from the data register 11B) in the
ここで注目したいのは、実施の形態2と同様、このモード2テストでは、制御回路20は通常の表示動作時と異なるスイッチ回路の制御を行っている点である。出力アンプ25Aをハイインピーダンスにして出力端子16Aに出力しないようにするという点が第1の相違点である。また、データレジスタ11Bの表示データをデータラッチ12Bにラッチして正極性レンジのDAC14BでDA変換して出力アンプ25Bが出力する場合、必ずオフになっているスイッチ素子SW41Bをオンにするという点が第2の相違点である。この2点が通常の表示装置の駆動回路の制御回路の動作と異なる点である。さらに、ここで注目したいのは、このモード2テストでは、テスト方法が通常動作時と異なる点である。通常、出力端子16Bで比較すべき出力期待値を、出力端子16Aのテスト出力値と比較するという点が本実施の形態3の特徴となる。
It should be noted here that, as in the second embodiment, in the
次に、図32に、モード3テスト時の駆動回路300の各構成回路の動作状態を示す。図32中の網掛けで示す回路が、本モード3テストでテストされる回路群である。図32に示すように、モード3テストでは、制御回路20からの制御信号に応じて、スイッチ回路17のスイッチ素子SW12A、スイッチ回路31のスイッチ素子SW31A、SW31B、SW41Aがオン状態となる。また、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて出力アンプ25Bがイネーブルとなる。これと同時に、出力アンプ25Aを制御回路20からのイネーブル信号ENに応じてディスエーブル(非活性化、出力ハイインピーダンス)にする。これにより、出力アンプ25Aからスイッチ素子SW41Aを通った信号を、出力アンプ25Bの出力値に干渉されずに、出力端子16Aからプローブ104に出力することができるようになる。
Next, FIG. 32 shows the operating state of each component circuit of the
このため、データレジスタ11A、スイッチ素子SW12A、データラッチ12B、レベルシフト回路13B、DAC14B、出力アンプ25B、スイッチ素子SW31A、SW31B、SW41Aの各構成要素を経て、出力端子16Aからデータ線駆動信号が出力される。そして、プローブ104が出力端子16Aに出力されるこのデータ線駆動信号の電圧を検知し、このプローブ104が検知した電圧値が規定の値であるか否かをテスタ101が判定する。
For this reason, the data line drive signal is output from the
この判定で、データレジスタ11A、スイッチ素子SW12A(オン)、データラッチ12B、レベルシフト回路13B、DAC14B、出力アンプ25B、スイッチ素子SW31A(オン)、SW31B(オン)、SW41A(オン)の各構成要素が正しく動作しているか否かおよび各構成要素間の配線が断線や短絡していないことが判定できる。つまり、上述したモード1テスト、モード2テストでテストできなかったスイッチ素子SW12A、SW31B、SW41Aのオン状態の機能テストが可能となる。
With this determination, each component of the data register 11A, the switch element SW12A (ON), the
ここでは、スイッチ回路17のSW12Aのオン、SW11Bのオフ、スイッチ回路31のスイッチ素子SW31B、SW41Bのオン、SW41Aのオフを確認することが目的のため、それを確認する必要最小限のテストパタンだけを流してテスト時間を短縮することが好ましい。そして、この判定の結果、モード3テストをパスする場合、図5で説明したように、モード4テストに進む。
Here, for the purpose of confirming that SW12A of
ここで注目したいのは、このモード3テストでは、制御回路20は通常の表示動作時と異なるスイッチ回路の制御を行っている点である。出力アンプ25Aをハイインピーダンスにして出力端子16Aに出力しないようにするという点が第1の相違点である。また、データレジスタ11Aの表示データをデータラッチ12Bにラッチして正極性レンジのDAC14BでDA変換して出力アンプ25Bが出力する場合、出力アンプで出力端子を駆動する時には必ずオフになっているスイッチ素子SW31A、SW31Bをオン、必ずオンになっているスイッチ素子SW41Bをオフにするという点が第2の相違点である。この2点が通常の表示装置の駆動回路の制御回路の動作と異なる点である。
It should be noted here that in the mode 3 test, the
次に、図33に、モード4テスト時の駆動回路300の各構成回路の動作状態を示す。図33中の網掛けで示す回路が、本モード4テストでテストされる回路群である。図33に示すように、モード4テストでは、制御回路20からの制御信号に応じて、スイッチ回路17のスイッチ素子SW12B、スイッチ回路31のスイッチ素子SW31Aがオン状態となる。また、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて出力アンプ25Aがイネーブルとなる。
Next, FIG. 33 shows the operating state of each component circuit of the
このため、データレジスタ11B、スイッチ素子SW12B、データラッチ12A、レベルシフト回路13A、DAC14A、出力アンプ25A、スイッチ素子SW31Aの各構成要素を経て、出力端子16Aからデータ線駆動信号が出力される。そして、プローブ104が出力端子16Aに出力されるこのデータ線駆動信号の電圧を検知し、このプローブ104が検知した電圧値が規定の値であるか否かをテスタ101が判定する。
For this reason, the data line drive signal is output from the
この判定で、データレジスタ11B、スイッチ素子SW12B(オン)、データラッチ12A、レベルシフト回路13A、DAC14A、出力アンプ25A、スイッチ素子SW31A(オン)の各構成要素が正しく動作しているか否かおよび各構成要素間の配線が断線や短絡していないことが判定できる。つまり、上述したモード1テスト〜モード3テストでテストできなかったスイッチ素子SW12Bのオン状態の機能テストが可能となる。ここでは、スイッチ回路17のSW12Bのオンを確認することが目的のため、それを確認する必要最小限のテストパタンだけを流してテスト時間を短縮することが好ましい。そして、この判定の結果、モード4テストをパスする場合、図5で説明したように、機能テストをパスしたと判定される。
In this determination, whether each component of the data register 11B, the switch element SW12B (ON), the data latch 12A, the level shift circuit 13A, the
ここで注目したいのは、このモード4テストでは、制御回路20は通常の表示動作時と異なるスイッチ回路の制御を行っている点である。データレジスタ11Bの表示データをデータラッチ12Aにラッチして負極性レンジのDAC14AでDA変換して出力アンプ25Aから出力する場合、必ずオフになっているスイッチ素子SW31Aをオン、必ずオンになっているスイッチ素子SW41Aをオフにするという点が通常の表示動作時と異なる点である。さらに、通常出力端子16Bで比較すべき出力期待値を出力端子16Aのテスト出力値と比較するという点が本実施の形態3の特徴となる。
It should be noted that in the
次に、図4のステップS103のリークテストについて図34〜図40を用いて説明する。図34に、テスタ101が対象とするLSIチップの駆動回路300に行うリークテストのフローチャートを示す。図34に示すように、まず、テスタ101は駆動回路100に対して、後述するモード5テスト(図35参照)を行う(S401)。そして、モード5テストの結果、駆動回路300の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード5テストをパスする(S402YES)。
Next, the leak test in step S103 in FIG. 4 will be described with reference to FIGS. FIG. 34 shows a flowchart of a leak test performed by the
次に、テスタ101は駆動回路300に対して、後述するモード6テスト(図36参照)を行う(S403)。そして、モード6テストの結果、駆動回路300の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード6テストをパスする(S404YES)。
Next, the
次に、テスタ101は駆動回路300に対して、後述するモード7テスト(図37参照)を行う(S405)。そして、モード7テストの結果、駆動回路300の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード7テストをパスする(S406YES)。
Next, the
次に、テスタ101は駆動回路300に対して、後述するモード8テスト(図38参照)を行う(S407)。そして、モード8テストの結果、駆動回路300の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード8テストをパスする(S408YES)。
Next, the
次に、テスタ101は駆動回路300に対して、後述するモード9テスト(図39参照)を行う(S409)。そして、モード9テストの結果、駆動回路300の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード7テストをパスする(S410YES)。
Next, the
次に、テスタ101は駆動回路300に対して、後述するモード10テスト(図40参照)を行う(S411)。そして、モード10テストの結果、駆動回路300の出力端子から出力される出力信号(電流値)が規定の値である場合、モード10テストをパスする(S412YES)。
Next, the
このステップS412で、モード10テストをパスした場合、対象とするLSIチップの駆動回路300は、図4のステップS103のリークテストをパスしたと判定される(S413)。一方、ステップS402、S404、S406、S408、S410で、パスできなかった場合(S402NO、S404NO、S406NO、S408NO、S410NO)、対象とするLSIチップの駆動回路300は、図4のステップS103のリークテストをフェイルしたと判定される(S414)。
If the
図35、図36に、モード5テスト、モード6テスト時の駆動回路300の出力アンプ25A、25Bと、出力端子16A、16Bと、スイッチ回路31の動作状態を示す。図35、図36中の網掛けで示す回路が、本モード5テスト、モード6テストで電流のリークテスト対象となる回路群である。なお、図35〜図40では、図29で省略していたESD保護素子ESD1、ESD2を記載する。
35 and 36 show the operating states of the
ESD保護素子ESD1のダイオードD1Aはカソードが電源端子VDD、アノードが出力端子16Aに接続される。ダイオードD2Aはカソードが出力端子16A、アノードが接地端子VSSに接続される。ESD保護素子ESD2のダイオードD1Bはカソードが電源端子VDD、アノードが出力端子16Bに接続される。ダイオードD2Bはカソードが出力端子16B、アノードが接地端子VSSに接続される。
The diode D1A of the ESD protection element ESD1 has a cathode connected to the power supply terminal VDD and an anode connected to the
モード5テスト、モード6テストでは、図35、図36に示すように、制御回路20からのイネーブル制御信号と制御信号に応じて、出力アンプ25Bを非活性化(ハイインピーダンス出力)とし、スイッチ回路31のスイッチ素子SW41A、SW41Bをオン状態、スイッチ素子SW31A、SW31Bをオフ状態にする。そして、この状態でモード5テスト(図35)と、モード6テスト(図36)を行うことより、図35、図36中の網掛けで示すスイッチ素子SW31A、SW31Bに対する電流リークと、保護ダイオードD2Aの逆耐圧リーク、および出力アンプ25Bのハイインピーダンス時のリーク電流の合計値が測定される。
In the mode 5 test and the mode 6 test, as shown in FIGS. 35 and 36, the
まず、図35のモード5テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば、電源電圧VDDと同じ20Vが印加される。更に、データレジスタ11Aと11Bの表示データの値を最大振幅(ノーマリーホワイトパネルの場合はLSB(Least Significant Bit)に、ノーマリーブラックパネルの場合はMSB(Most Significant Bit))に設定して、負側DAC14AからはVSS(0V)を出力させ、正側DAC14BからはVDD(20V)を出力させる。その上で、制御回路20の制御信号によってスイッチ回路31のスイッチ素子SW41A、SW41Bをオン、スイッチ素子SW31A、SW31Bをオフにする。そして、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ25Bを非活性化させ出力をハイインピーダンス(Hi−Z)、出力アンプ25Aを活性化させ0Vを出力させる。
First, in the mode 5 test of FIG. 35, the
このモード5テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が20V、出力アンプ25Aが0Vを出力、出力アンプ25Bがハイインピーダンス状態であるため、もしESD保護素子ESD1のダイオードD2A、スイッチ素子SW31A、SW31B、出力アンプ25Bのハイインピーダンス出力のVSS側の何れかに電流リークが存在する場合、出力端子16Aから出力アンプ25Aもしくは接地端子VSSに向けて電流が流れる。つまり、プローブ104から出力端子16Aに対して電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば2倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。なお、実施の形態2と同様、上記出力アンプ25A、25Bのハイインピーダンス出力のVSS側の電流リークには、出力アンプ25A、25B内部の出力ノードと接地端子VSSとの間に接続されるMOSトランジスタ(通常、NMOSトランジスタ)の電流リークが想定される。
In this mode 5 test, as described above, the voltage of the
そして、テスタ101が、測定の結果、モード5テストをパスすると判定した場合、図34で説明したように、モード6テストに進む。
When the
次に、図36のモード6テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。更に、データレジスタ11Aと11Bの表示データの値を最小振幅(ノーマリーホワイトパネルの場合はMSBに、ノーマリーブラックパネルの場合はLSB)に設定して、負側DAC14Aからは例えば10Vを出力させ、正側DAC14Bからは例えば10Vを出力させる。その上で、制御回路20の制御信号によってスイッチ回路31のスイッチ素子SW41A、SW41Bをオン、スイッチ素子SW31A、SW31Bをオフにする。そして、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ25Bを非活性化させ出力をハイインピーダンス(Hi−Z)、出力アンプ25Aを活性化させ10Vを出力させる。
Next, in the mode 6 test of FIG. 36, a predetermined voltage, for example, 0 V, which is the same as the ground voltage VSS, is applied to the
このモード6テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が0V、出力アンプ25Aが10Vを出力、出力アンプ25Bがハイインピーダンス状態であるため、もしESD保護素子ESD1のダイオードD1A、スイッチ素子SW31A、SW31B、出力アンプ25Bのハイインピーダンス出力のVDD側の何れかに電流リークが存在する場合、出力アンプ25Aもしくは電源端子VDDから出力端子16Aに向けて電流が流れる。つまり、出力端子16Aからプローブ104に対して電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば2倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。なお、実施の形態2と同様、上記出力アンプ25A、25Bのハイインピーダンス出力のVDD側の電流リークには、出力アンプ25A、25B内部の出力ノードと電源端子VDDとの間に接続されるMOSトランジスタ(通常、PMOSトランジスタ)の電流リークが想定される。
In this mode 6 test, as described above, the voltage at the
そして、テスタ101が、測定の結果、モード6テストをパスすると判定した場合、図34で説明したように、モード7テストに進む。
When the
次に、モード7テスト、モード8テストでは、図37、図38に示すように、制御回路20からのイネーブル制御信号と制御信号に応じて、出力アンプ25Aを非活性化(ハイインピーダンス出力)とし、スイッチ回路31のスイッチ素子SW31A、SW31Bをオン状態、スイッチ素子SW41A、SW41Bをオフ状態とする。そして、この状態でモード7テスト(図37)、モード8テスト(図38)を行うことより、図37、図38中の網掛けで示すスイッチ素子SW41A、SW41Bに対する電流リークと、保護ダイオードD1Aの逆耐圧リーク、および出力アンプ25Aのハイインピーダンス時のリーク電流の合計値が測定される。
Next, in the mode 7 test and the mode 8 test, as shown in FIGS. 37 and 38, the
図37のモード7テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば、接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。更に、データレジスタ11Aと11Bの表示データの値を最大振幅(ノーマリーホワイトパネルの場合はLSBに、ノーマリーブラックパネルの場合はMSB)に設定して、負側DAC14AからはVSS(0V)を出力させ、正側DAC14BからはVDD(20V)を出力させる。その上で、制御回路20の制御信号によってスイッチ回路31のスイッチ素子SW41A、SW41Bをオフ、スイッチ素子SW31A、SW31Bをオンにする。そして、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ25Aを非活性化させ出力をハイインピーダンス(Hi−Z)、出力アンプ25Bを活性化させ20Vを出力させる。
In the mode 7 test of FIG. 37, a predetermined voltage, for example, 0 V, which is the same as the ground voltage VSS, is applied to the
このモード7テストの試験では、上述したように出力端子16Aの電圧が0V、出力アンプ25Bが20Vを出力、出力アンプ25Aがハイインピーダンス状態であるため、もしESD保護素子ESD1のダイオードD1A、スイッチ素子SW41A、SW41B、出力アンプ25Aのハイインピーダンス出力のVDD側の何れかに電流リークが存在する場合、出力アンプ25Bもしくは電源端子VDDから出力端子16Aに向けて電流が流れる。つまり、プローブ104に対して出力端子16Aから電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば2倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。
In this mode 7 test, as described above, the voltage of the
そして、テスタ101が、測定の結果、モード7テストをパスすると判定した場合、図34で説明したように、モード8テストに進む。
If the
次に、図38のモード8テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。更に、データレジスタ11Aと11Bの表示データの値を最小振幅(ノーマリーホワイトパネルの場合はMSBに、ノーマリーブラックパネルの場合はLSB)に設定して、負側DAC14Aからは例えば10Vを出力させ、正側DAC14Bからは例えば10Vを出力させる。その上で、制御回路20の制御信号によってスイッチ回路31のスイッチ素子SW41A、SW41Bをオフ、スイッチ素子SW31A、SW31Bをオンにする。そして、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ25Aを非活性化させ出力をハイインピーダンス(Hi−Z)、出力アンプ25Bを活性化させ10Vを出力させる。
Next, in the mode 8 test of FIG. 38, a predetermined voltage, for example, 0 V, which is the same as the ground voltage VSS, is applied to the
このモード8テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が20V、出力アンプ25Bが10Vを出力、出力アンプ25Aがハイインピーダンス状態であるため、もしESD保護素子ESD1のダイオードD2A、スイッチ素子SW41A、SW41B、出力アンプ25Aのハイインピーダンス出力のVSS側の何れかに電流リークが存在する場合、出力端子16Aから出力アンプ25Aもしくは接地端子VSSに向けて電流が流れる。つまり、プローブ104から出力端子16Aに対して電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば2倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。
In this mode 8 test, as described above, the voltage of the
そして、テスタ101が、測定の結果、モード8テストをパスすると判定した場合、図34で説明したように、モード9テストに進む。
If the
次に、モード9テスト、モード10テストでは、図39、図40に示すように、制御回路20からのイネーブル制御信号と制御信号に応じて、出力アンプ25A、25Bを非活性化(ハイインピーダンス出力)とし、スイッチ回路31のスイッチ素子SW31A、SW31B、SW41A、SW41Bをオン状態とする。そして、この状態でモード9テスト(図39)と、モード10テスト(図40)を行う。これにより、図39、図40中の網掛けで示す保護ダイオードD1A、D2A、D1B、D2Bの逆耐圧リーク、および出力アンプ25A、25Bのハイインピーダンス時のリーク電流の合計値が測定される。
Next, in the mode 9 test and the
まず、図39のモード9テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば、電源電圧VDDと同じ20Vが印加される。更に、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス(Hi−Z)となる。
First, in the mode 9 test shown in FIG. 39, a predetermined voltage, for example, 20 V, which is the same as the power supply voltage VDD, is applied to the
このモード9テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が20V、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス状態であるため、もしESD保護素子ESD1のダイオードD2A、ESD保護素子ESD2のダイオードD2B、出力アンプ25A、25Bのハイインピーダンス出力のVSS側の何れかに電流リークが存在する場合、出力端子16Aから接地端子VSSに向けて電流が流れる。つまり、プローブ104から出力端子16Aに対して電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば1倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。
In this mode 9 test, the voltage at the
そして、テスタ101が、測定の結果、モード9テストをパスすると判定した場合、図34で説明したように、モード10テストに進む。
If the
次に、図40のモード10テストでは、テスタ101によりプローブ104を経由して出力端子16Aに所定の電圧、例えば、接地電圧VSSと同じ0Vが印加される。更に、制御回路20からのイネーブル信号ENに応じて、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス(Hi−Z)となる。
Next, in the
このモード10テストでは、上述したように出力端子16Aの電圧が0V、出力アンプ25A、25Bがハイインピーダンス状態であるため、もしESD保護素子ESD1のダイオードD1A、ESD保護素子ESD2のダイオードD1B、出力アンプ25A、25Bのハイインピーダンス出力のVDD側の何れかに電流リークが存在する場合、電源電圧VDDから出力端子16Aに向けて電流が流れる。つまり、プローブ104に対して出力端子16Aから電流が流れ込むため、この電流値を出力信号としてテスタ101が測定し、基準値と比較判定する。この時の基準値は、出力端子がハイインピーダンス状態でのリーク規格値の例えば1倍に設定する。測定した電流値が基準値より大きい場合は、不良判定をしてテストを終了する。
In this
そして、テスタ101が、測定の結果、モード10テストをパスすると判定した場合、図34で説明したように、リークテストをパスしたと判定される。
When the
以上、本実施の形態3のように隣接出力端子間を接続するスイッチ素子SW30が無い構成の駆動回路300においても、実施の形態1、2と同様、ウェハーテストにて、上述した機能テストとリークテストを行うことで、LSIチップにある出力端子(本例では960個)の全てに対してプローブ104を当てる必要が無い。このため、本実施の形態3の駆動回路300の隣接する出力端子の一方(例えば、奇数段の出力端子16A)だけにプローブ104を当てればよい。
As described above, in the
よって、実施の形態1、2と同じく本実施の形態3でも、従来と同様のテスト品質を保持しながら、1つのLSIチップに対して960本のプローブ数が必要なく、その半分の480本のプローブ数を使用するだけで済む。このため、高額な多数のプローブ数を有するテスタを用意する必要が無く、その分の検査コストの増加を抑制することができる。また、出力端子間隔の狭ピッチ化に有効である点等も実施の形態1、2と同様である。 Therefore, in the third embodiment as in the first and second embodiments, 960 probes are not required for one LSI chip while maintaining the same test quality as in the prior art, and half of the number is 480. Just use the number of probes. For this reason, it is not necessary to prepare an expensive tester having a large number of probes, and an increase in the inspection cost can be suppressed. Further, it is the same as in the first and second embodiments in that it is effective for narrowing the pitch between output terminals.
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものでなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、実施の形態1の駆動回路100において、共通線Kが必要ない場合は、スイッチ素子SW32A、SW32Bを省略することも可能である。
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. For example, in the
101 テスタ
102 プローブカード
103 ウェハー
104 プローブ(検査ユニット)
100、200、300 駆動回路
11A、11B データレジスタ
12A、12B データラッチ
13A、13B レベルシフト回路
14A、14B デジタル−アナログ変換回路(DAC)
15A、15B、25A、25B 出力アンプ
16A、16B 出力端子
17〜19 スイッチ回路
20 制御回路
K 共通線
SW11A、SW11B、SW12A、SW12B、SW22A、SW22B、SW30、SW31A、SW31B、SW32A、SW32B、SW41A、SW41B スイッチ素子
101
100, 200, 300
15A, 15B, 25A,
Claims (15)
前記表示装置に表示する第1の表示データと第2の表示データとをそれぞれ格納し、第1の信号と第2の信号とをそれぞれ出力する第1のデータレジスタ及び第2のデータレジスタと、
前記第1の信号と第2の信号に応じて、第1のアナログ信号と第2のアナログ信号をそれぞれ出力する第1のDAコンバータと第2のDAコンバータと、
前記第1のアナログ信号と第2のアナログ信号とに応じて、前記第1のデータ線と第2のデータ線を駆動する出力端子対と、
テスト時に、外部テスト回路からのテスト制御信号に応じて、前記出力端子対の一方に対して、前記第1の表示データに基づく第1のテスト出力と前記第2の表示データに基づく第2のテスト出力とを選択的に出力するスイッチ回路と、
前記スイッチ回路を制御する制御回路と、を有する
表示装置駆動回路。 A display device driving circuit for driving the first data line and the second data line of the display device, respectively,
A first data register and a second data register which respectively store first display data and second display data to be displayed on the display device, and which respectively output a first signal and a second signal;
A first DA converter and a second DA converter that respectively output a first analog signal and a second analog signal in response to the first signal and the second signal;
An output terminal pair for driving the first data line and the second data line in response to the first analog signal and the second analog signal;
During a test, a first test output based on the first display data and a second test data based on the second display data are applied to one of the output terminal pairs in response to a test control signal from an external test circuit. A switch circuit that selectively outputs a test output;
And a control circuit that controls the switch circuit.
請求項1に記載の表示装置駆動回路。 The display device driving circuit according to claim 1, further comprising a first switch circuit that switches between the first signal and the second signal and outputs the first signal and the second signal to the first DA converter and the second DA converter.
請求項1に記載の表示装置駆動回路。 2. The display device driving circuit according to claim 1, further comprising a second switch circuit that drives the first data line and the second data line by switching between the first analog signal and the second analog signal. .
活性した場合、前記第1、第2のDAコンバータからの第1、第2のアナログ信号の両方の電圧レベルに対応して増幅し、
非活性化した場合、ハイインピーダンス出力となる
請求項3に記載の表示装置駆動回路。 A first output amplifier and a second output amplifier that are activated or deactivated according to an enable signal from the control circuit;
When activated, it amplifies corresponding to the voltage levels of both the first and second analog signals from the first and second DA converters,
The display device driving circuit according to claim 3, wherein when it is inactivated, a high impedance output is obtained.
前記第2のスイッチ回路は、第3のスイッチ回路と第4のスイッチ回路とで構成され、
前記第3のスイッチ回路は、前記第1、第2のDAコンバータと前記第1、第2の出力アンプとの間に配置され、
前記第4のスイッチ回路は、前記第1、第2の出力アンプと前記出力端子対との間に配置される
請求項4に記載の表示装置駆動回路。 The switch circuit corresponds to the second switch circuit,
The second switch circuit includes a third switch circuit and a fourth switch circuit,
The third switch circuit is disposed between the first and second DA converters and the first and second output amplifiers,
The display device driving circuit according to claim 4, wherein the fourth switch circuit is disposed between the first and second output amplifiers and the output terminal pair.
前記第1のスイッチ回路は、
導通時に前記第1のデータレジスタの出力を前記第1のDAコンバータに出力する第1のスイッチ素子と、
導通時に前記第2のデータレジスタの出力を前記第2のDAコンバータに出力する第2のスイッチ素子と、
導通時に前記第1のデータレジスタの出力を前記第2のDAコンバータに出力する第3のスイッチ素子と、
導通時に前記第2のデータレジスタの出力を前記第1のDAコンバータに出力する第4のスイッチ素子と、を有する
請求項2に記載の表示装置駆動回路。 The switch circuit corresponds to the first switch circuit,
The first switch circuit includes:
A first switch element that outputs the output of the first data register to the first DA converter when conducting;
A second switch element that outputs the output of the second data register to the second DA converter when conducting;
A third switch element that outputs the output of the first data register to the second DA converter when conducting;
The display device drive circuit according to claim 2, further comprising: a fourth switch element that outputs an output of the second data register to the first DA converter when the switch is turned on.
導通時に前記第1のDAコンバータの第1のアナログ信号を前記第1の出力アンプに出力する第5のスイッチ素子と、
導通時に前記第2のDAコンバータの第2のアナログ信号を前記第2の出力アンプに出力する第6のスイッチ素子と、
導通時に前記第1のDAコンバータの第1のアナログ信号を前記第2の出力アンプに出力する第7のスイッチ素子と、
導通時に前記第2のDAコンバータの第2のアナログ信号を前記第1の出力アンプに出力する第8のスイッチ素子と、を有し、
前記第4のスイッチ回路は、
導通時に前記出力端子対の一方と他方を接続する第9のスイッチ素子と、を有する
請求項5に記載の表示装置駆動回路。 The third switch circuit includes:
A fifth switch element that outputs a first analog signal of the first DA converter to the first output amplifier when conducting;
A sixth switch element that outputs a second analog signal of the second DA converter to the second output amplifier when conducting;
A seventh switch element that outputs a first analog signal of the first DA converter to the second output amplifier when conducting;
An eighth switch element that outputs a second analog signal of the second DA converter to the first output amplifier when conducting,
The fourth switch circuit includes:
The display device driving circuit according to claim 5, further comprising: a ninth switch element that connects one of the output terminal pairs to the other when conducting.
導通時に前記出力端子対の一方と共通線とを接続する第10のスイッチ素子と、
導通時に前記出力端子対の他方と前記共通線とを接続する第11のスイッチ素子と、
導通時に前記第1の出力アンプと前記出力端子対の一方を接続する第12のスイッチ素子と、
導通時に前記第2の出力アンプと前記出力端子対の他方を接続する第13のスイッチ素子と、を備える
請求項7に記載の表示装置駆動回路。 The fourth switch circuit further includes a tenth switch element that connects one of the output terminal pair and a common line when conducting,
An eleventh switch element that connects the other of the output terminal pair and the common line when conducting;
A twelfth switch element that connects the first output amplifier and one of the output terminal pairs when conducting;
The display device driving circuit according to claim 7, further comprising: a thirteenth switch element that connects the second output amplifier and the other of the output terminal pair when conducting.
前記第1の出力アンプは、活性化した場合、前記第1のDAコンバータからの第1のアナログ信号の電圧レベルに対応して増幅し、非活性化した場合、ハイインピーダンス出力となり、
前記第2の出力アンプは、活性化した場合、前記第2のDAコンバータからの第2のアナログ信号の電圧レベルに対応して増幅し、非活性化した場合、ハイインピーダンス出力となる
請求項3に記載の表示装置駆動回路。 A first output amplifier and a second output amplifier that are activated or deactivated according to an enable signal from the control circuit;
The first output amplifier amplifies corresponding to the voltage level of the first analog signal from the first DA converter when activated, and becomes a high impedance output when deactivated,
4. The second output amplifier amplifies corresponding to the voltage level of the second analog signal from the second DA converter when activated, and becomes a high impedance output when deactivated. A display device driving circuit according to claim 1.
前記第2のスイッチ回路は、前記第1、第2の出力アンプと前記出力端子対との間に配置される
請求項9に記載の表示装置駆動回路。 The switch circuit corresponds to the second switch circuit,
The display device driving circuit according to claim 9, wherein the second switch circuit is disposed between the first and second output amplifiers and the output terminal pair.
導通時に前記第1の出力アンプの出力を前記出力端子対の一方に出力する第5のスイッチ素子と、
導通時に前記第2の出力アンプの出力を前記出力端子対の他方に出力する第6のスイッチ素子と、
導通時に前記第1の出力アンプの出力を前記出力端子対の他方に出力する第7のスイッチ素子と、
導通時に前記第2の出力アンプの出力を前記出力端子対の一方に出力する第8のスイッチ素子と、を有する
請求項10に記載の表示装置駆動回路。 The second switch circuit includes:
A fifth switch element that outputs the output of the first output amplifier to one of the output terminal pairs when conducting;
A sixth switch element that outputs the output of the second output amplifier to the other of the output terminal pair when conducting;
A seventh switch element for outputting the output of the first output amplifier to the other of the output terminal pair when conducting;
11. The display device drive circuit according to claim 10, further comprising: an eighth switch element that outputs an output of the second output amplifier to one of the output terminal pairs when conducting. 11.
導通時に前記出力端子対の一方と他方を接続する第9のスイッチ素子を有する
請求項11に記載の表示装置駆動回路。 The second switch circuit further includes:
The display device driving circuit according to claim 11, further comprising a ninth switch element that connects one of the output terminal pairs to the other when conducting.
導通時に前記出力端子対の一方と共通線とを接続する第10のスイッチ素子と、
導通時に前記出力端子対の他方と前記共通線とを接続する第11のスイッチ素子と、を備える
請求項12に記載の表示装置駆動回路。 The second switch circuit further includes a tenth switch element that connects one of the output terminal pair and a common line when conducting,
The display device drive circuit according to claim 12, further comprising: an eleventh switch element that connects the other of the output terminal pair and the common line when conducting.
前記表示装置駆動回路は、
前記表示装置に表示する第1の表示データと第2の表示データとをそれぞれ格納し、出力する第1のデータレジスタ及び第2のデータレジスタと、
前記第1のデータレジスタ及び第2のデータレジスタからの第1の信号と第2の信号に応じて、第1のアナログ信号と第2のアナログ信号をそれぞれ出力する第1のDAコンバータと第2のDAコンバータと、
前記第1のアナログ信号と第2のアナログ信号とに応じて、前記第1のデータ線と第2のデータ線を駆動する出力端子対と、
テスト時に、外部テスト回路からのテスト制御信号に応じて、前記出力端子対の一方に対して、前記第1の表示データに基づく第1のテスト出力と前記第2の表示データに基づく第2のテスト出力とを選択的に出力するスイッチ回路と、を備え、
前記スイッチ回路を制御する
表示装置駆動回路のテスト制御方法。 A test control method for a display device driving circuit for driving a first data line and a second data line of a display device, respectively,
The display device driving circuit includes:
A first data register and a second data register for respectively storing and outputting first display data and second display data to be displayed on the display device;
A first DA converter for outputting a first analog signal and a second analog signal in response to a first signal and a second signal from the first data register and the second data register, respectively; DA converter,
An output terminal pair for driving the first data line and the second data line in response to the first analog signal and the second analog signal;
During a test, a first test output based on the first display data and a second test data based on the second display data are applied to one of the output terminal pairs in response to a test control signal from an external test circuit. A switch circuit for selectively outputting a test output,
A test control method for a display device driving circuit for controlling the switch circuit.
前記第1のデータレジスタ及び第2のデータレジスタからの第1の信号と第2の信号に応じて、第1のアナログ信号と第2のアナログ信号をそれぞれ出力する第1のDAコンバータと第2のDAコンバータと、
活性化時には前記第1のアナログ信号と第2のアナログ信号を増幅して出力し、非活性化時にはハイインピーダンス出力となる第1の出力アンプと第2の出力アンプと、
前記第1、第2の出力アンプからの出力に応じて、第1のデータ線と第2のデータ線を駆動する出力端子対と、
前記出力端子対の一方に対して、前記第1の表示データもしくは前記第2の表示データに基づく出力を出力するスイッチ回路と、を備える表示装置駆動回路のテスト制御方法であって、
リークテスト時に、外部テスト回路からのテスト制御信号に応じて、前記スイッチ回路が備える前記出力端子対間を接続するスイッチ素子の導通、非導通を制御することで、前記出力端子対の一方にリークテスト電流を出力させる
表示装置駆動回路のリークテスト制御方法。 A first data register and a second data register for respectively storing and outputting first display data and second display data to be displayed on the display device;
A first DA converter for outputting a first analog signal and a second analog signal in response to a first signal and a second signal from the first data register and the second data register, respectively; DA converter,
A first output amplifier and a second output amplifier that amplify and output the first analog signal and the second analog signal when activated, and a high impedance output when deactivated;
An output terminal pair for driving the first data line and the second data line in response to the output from the first and second output amplifiers;
A switch control circuit for outputting an output based on the first display data or the second display data to one of the output terminal pairs, and a test control method for a display device drive circuit comprising:
During a leak test, one of the output terminal pairs leaks by controlling the conduction and non-conduction of the switch elements connecting the output terminal pairs included in the switch circuit according to a test control signal from an external test circuit. A leak test control method for a display device driving circuit for outputting a test current.
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