JP2012220912A - Interference filter, optical module and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an interference filter capable of suppressing a reduction in resolution, and further to provide an optical module and an electronic apparatus.SOLUTION: A wavelength variable interference filter 5 comprises: a fixed substrate 51 having a reflecting film fixing surface 512A provided with a fixed reflecting film 54 and a fixing side initial gap forming surface 513A that is parallel to the reflecting film fixing surface 512A and is provided with a fixing side initial gap forming electrode portion 561B; and a movable substrate 52 having a movable surface 520A provided with a movable reflecting film 55 opposite to the fixed reflecting film 54 through a gap G1 between the fixed reflecting film 54 and the movable reflecting film 55 and a movable side initial gap forming surface 520B that is disposed on the same plane as that of the movable surface 520A and is sequentially laminated with a movable side initial gap forming electrode portion 562B and an insulating layer 57. The insulating layer 57 is opposite to a fixing side driving electrode portion 561A through a minute gap G3, and the minute gap G3 is formed so as to be smaller than the gap G1 between the fixed reflecting film 54 and the movable reflecting film 55.

Description

本発明は、干渉フィルター、この干渉フィルターを備える光モジュール、及びこの光モジュールを備える電子機器に関する。   The present invention relates to an interference filter, an optical module including the interference filter, and an electronic apparatus including the optical module.

従来、一対の基板の互いに対向する面に、それぞれ反射膜を所定のエアギャップを介して対向配置した干渉フィルターが知られている(例えば、特許文献1参照)。   2. Description of the Related Art Conventionally, an interference filter is known in which a reflective film is disposed on a surface of a pair of substrates facing each other via a predetermined air gap (see, for example, Patent Document 1).

特許文献1に記載のファブリペローフィルター(干渉フィルター)では、固定鏡が設けられた固定基板と、可動鏡が設けられた可動基板とを、スペーサーを介して接合している。この干渉フィルターでは、可動基板に導電性を有するダイアフラムが設けられ、ダイアフラムが変形することで、可動鏡が固定基板側に変位可能となる。また、固定基板には、固定電極が設けられており、駆動電極とダイアフラムとの間に電圧が印加されることで、静電引力によりダイアフラムが撓み、可動鏡と固定鏡との間のエアギャップを変化させることが可能な構成が採られている。   In the Fabry-Perot filter (interference filter) described in Patent Document 1, a fixed substrate provided with a fixed mirror and a movable substrate provided with a movable mirror are joined via a spacer. In this interference filter, the movable substrate is provided with a conductive diaphragm, and the movable mirror can be displaced toward the fixed substrate by deforming the diaphragm. The fixed substrate is provided with a fixed electrode. When a voltage is applied between the drive electrode and the diaphragm, the diaphragm is bent by electrostatic attraction, and the air gap between the movable mirror and the fixed mirror. The structure which can change is taken.

特開2003−215473号公報JP 2003-215473 A

ところで、干渉フィルターでは、一対の反射膜が平行に維持されている必要があり、これらの反射膜の平行関係が崩れると、光の多重干渉する位置によって、取り出される光の波長が変動してしまい、当該干渉フィルターの分解能が著しく低下するという問題がある。特に、特許文献1のように、互いに対向する基板のそれぞれに電極を設け静電引力によりエアギャップを変化させる構成では、静電引力の大きさが電極間の距離の二乗に反比例して大きくなる。このため、反射膜の傾斜が、初期状態において誤差程度であっても、電圧印加によりエアギャップの間隔が小さくなると、反射膜の傾斜が大きくなってしまう。   By the way, in the interference filter, it is necessary that the pair of reflection films be maintained in parallel, and when the parallel relationship between these reflection films is broken, the wavelength of the extracted light varies depending on the position where the multiple interference of the light occurs. There is a problem that the resolution of the interference filter is significantly reduced. In particular, as in Patent Document 1, in the configuration in which electrodes are provided on each of the substrates facing each other and the air gap is changed by electrostatic attraction, the magnitude of the electrostatic attraction increases in inverse proportion to the square of the distance between the electrodes. . For this reason, even if the inclination of the reflective film is about an error in the initial state, the inclination of the reflective film becomes large if the gap between the air gaps is reduced by voltage application.

ここで、上記特許文献1に記載の干渉フィルターでは、スペーサーによって初期ギャップ(初期状態のエアギャップの寸法)を所定値に設定しているが、実際には、固定基板や可動基板にスペーサーを接合する必要がある。このような接合では、シロキサンを含有する接合膜や、接着剤等による接合が実施されるが、通常、接合部における接合強度を得るために、接合部を加圧した状態で接合する。このような加圧接合を実施すると、接合強度が得られる反面、固定基板に対して可動基板が傾斜して接合されるおそれがある。このように、可動基板が傾斜した状態で接合されると、反射膜同士が平行とならず、上述のように、干渉フィルターの分解能が低下してしまうという課題がある。   Here, in the interference filter described in Patent Document 1, the initial gap (the size of the air gap in the initial state) is set to a predetermined value by the spacer, but in reality, the spacer is bonded to the fixed substrate or the movable substrate. There is a need to. In such bonding, bonding with a bonding film containing siloxane, an adhesive, or the like is performed. Usually, in order to obtain bonding strength at the bonded portion, the bonded portion is bonded in a pressurized state. When such pressure bonding is performed, the bonding strength can be obtained, but the movable substrate may be inclined and bonded to the fixed substrate. As described above, when the movable substrates are joined in an inclined state, the reflective films are not parallel to each other, and there is a problem that the resolution of the interference filter is lowered as described above.

本発明は、上述のような課題に鑑みて、分解能の低下を抑制可能な干渉フィルター、光モジュール、及び電子機器を提供することを目的とする。   In view of the above-described problems, an object of the present invention is to provide an interference filter, an optical module, and an electronic device that can suppress a decrease in resolution.

本発明の干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられた第一反射膜と、前記第二基板の前記第一基板に対向する面に設けられ、前記第一反射膜と所定の大きさの反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜と、前記反射膜間ギャップの寸法を初期寸法に設定する初期ギャップ形成部と、を具備し、前記第一基板は、前記第一反射膜が設けられる平坦な第一反射膜固定面と、前記第一反射膜固定面と平行で、かつ平坦な第一初期ギャップ形成面と、を備え、前記第二基板は、前記第二反射膜が設けられる平坦な第二反射膜固定面と、前記第一初期ギャップ形成面に対向し、前記第二反射膜固定面と平行で、かつ平坦な第二初期ギャップ形成面と、を備え、前記第一初期ギャップ形成面及び前記第二初期ギャップ形成面の距離は、前反射膜間ギャップの距離より小さく、前記初期ギャップ形成部は、前記第一初期ギャップ形成面及び前記第二初期ギャップ形成面を互いに近接する方向に付勢して平行に維持することを特徴とする。
ここで、本発明において、第一基板の第一初期ギャップ形成面が、第一反射膜固定面に対して平行とは、第一初期ギャップ形成面及び第一反射膜固定面が同一平面上に形成される構成をも含むものである。この場合、第一反射膜固定面及び第二反射膜固定面の距離が、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面の距離よりも大きくなるように、第二基板の第二反射膜固定面及び第二初期ギャップ形成面が異なる平面位置に設けられていればよい。
同様に、第二基板の第二初期ギャップ形成面が、第二反射膜固定面に対して平行である構成とは、第二初期ギャップ形成面及び第二反射膜固定面が同一平面上に形成される構成をも含むものである。この場合、第一反射膜固定面及び第二反射膜固定面の距離が、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面の距離よりも大きくなるように、第一基板の第一反射膜固定面及び第一初期ギャップ形成面が異なる平面位置に設けられていればよい。
また、本発明において、初期ギャップ形成部が「第一初期ギャップ形成面及び前記第二初期ギャップ形成面を互いに近接する方向に付勢して平行に維持する」とは、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面を互いに当接させて平行にすることを指す。ここで、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面を当接させるとは、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面を直接面接触させる構成の他、例えば第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面により、膜部材やスペーサー等、均一厚を有する別部材を挟み込んで、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面の間に空隙を生じさせない構成をも含むものである。
The interference filter of the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, a first reflective film provided on a surface of the first substrate facing the second substrate, and the second substrate A second reflection film provided on a surface of the substrate facing the first substrate and facing the first reflection film with a gap between the reflection films having a predetermined size; An initial gap forming portion set to the first substrate, wherein the first substrate has a flat first reflecting film fixing surface on which the first reflecting film is provided, and is parallel to and flat with the first reflecting film fixing surface. The first initial gap forming surface, and the second substrate is a flat second reflecting film fixing surface on which the second reflecting film is provided, and is opposed to the first initial gap forming surface, and the second substrate A second initial gap forming surface parallel to and flat with the reflecting film fixing surface, The distance between the initial gap forming surface and the second initial gap forming surface is smaller than the distance between the gaps between the front reflection films, and the initial gap forming portion connects the first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface to each other. It is characterized in that it is biased in the approaching direction and kept parallel.
Here, in the present invention, the first initial gap forming surface of the first substrate is parallel to the first reflecting film fixing surface. The first initial gap forming surface and the first reflecting film fixing surface are on the same plane. The structure to be formed is also included. In this case, the second reflection film of the second substrate is set such that the distance between the first reflection film fixing surface and the second reflection film fixing surface is larger than the distance between the first initial gap formation surface and the second initial gap formation surface. The fixed surface and the second initial gap forming surface may be provided at different plane positions.
Similarly, the second initial gap forming surface of the second substrate is parallel to the second reflecting film fixing surface, and the second initial gap forming surface and the second reflecting film fixing surface are formed on the same plane. The structure to be included is also included. In this case, the first reflective film of the first substrate is such that the distance between the first reflective film fixing surface and the second reflective film fixed surface is larger than the distance between the first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface. The fixed surface and the first initial gap forming surface may be provided at different plane positions.
Further, in the present invention, the initial gap forming portion means that “the first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface are urged in a direction close to each other and maintained in parallel” means the first initial gap forming surface. And the second initial gap forming surfaces are in contact with each other to be parallel. Here, the contact of the first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface refers to, for example, a first initial gap other than a configuration in which the first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface are in direct surface contact. Another structure having a uniform thickness, such as a film member or a spacer, is sandwiched between the formation surface and the second initial gap formation surface so that no gap is generated between the first initial gap formation surface and the second initial gap formation surface. Is included.

本発明によれば、第一基板は、第一反射膜固定面に平行な第一初期ギャップ形成面を有し、第二基板は第二反射膜固定面に平行な第二初期ギャップ形成面を有する。そして、初期ギャップ形成部は、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面を互いに近接する方向に付勢する。
これにより、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面が面接触することで、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面が同一平面となる。又は、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面が、スペーサー等を介して当接することで、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面が平行となる。このように、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面が同一平面となる場合や、平行となる場合では、第一初期ギャップ形成面に平行な第一反射膜固定面、及び第二初期ギャップ形成面に平行な第二反射膜固定面も平行となるため、これらの反射膜固定面に設けられた第一反射膜及び第二反射膜も平行となる。本発明の干渉フィルターでは、この状態での反射膜間ギャップを初期ギャップとして、初期状態に設定する。これにより、例えば第二基板が第一基板に対して僅かに傾斜した状態で接合されていたとしても、初期状態では、第一反射膜及び第二反射膜を平行にすることができ、干渉フィルターの分解能の低下を抑制することができる。
According to the present invention, the first substrate has a first initial gap forming surface parallel to the first reflecting film fixing surface, and the second substrate has a second initial gap forming surface parallel to the second reflecting film fixing surface. Have. Then, the initial gap forming portion urges the first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface in directions close to each other.
Thereby, a 1st initial gap formation surface and a 2nd initial gap formation surface become the same plane because a 1st initial gap formation surface and a 2nd initial gap formation surface contact surface. Alternatively, the first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface are brought into contact with each other via a spacer or the like, so that the first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface are parallel to each other. Thus, when the first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface are the same plane or parallel, the first reflecting film fixing surface parallel to the first initial gap forming surface and the second Since the second reflecting film fixing surface parallel to the initial gap forming surface is also parallel, the first reflecting film and the second reflecting film provided on these reflecting film fixing surfaces are also parallel. In the interference filter of the present invention, the gap between the reflection films in this state is set as the initial gap, and the initial state is set. Thereby, for example, even if the second substrate is bonded to the first substrate in a slightly inclined state, in the initial state, the first reflective film and the second reflective film can be made parallel, and the interference filter Of the resolution can be suppressed.

本発明の干渉フィルターでは、前記初期ギャップ形成部は、前記第一初期ギャップ形成面に設けられた第一電極と、前記第二初期ギャップ形成面に設けられ、前記第一電極に対向する第二電極と、前記第一電極の前記第二電極に対向する面及び前記第二電極の前記第一電極に対向する面のうち少なくともいずれか一方に、前記反射膜間ギャップより小さい微小ギャップを介して他方の電極に対向する絶縁層と、を備えたことが好ましい。
ここで、第一電極及び第二電極のうちいずれか一方のみに絶縁層が設けられる場合、絶縁層が設けられた電極と、他方の電極との間に微小ギャップが設けられていればよい。また、第一電極及び第二電極の双方に絶縁層が設けられる場合では、各電極の絶縁層間に微小ギャップが設けられていればよい。
In the interference filter according to the aspect of the invention, the initial gap forming portion includes a first electrode provided on the first initial gap forming surface and a second electrode provided on the second initial gap forming surface and facing the first electrode. At least one of the electrode, the surface of the first electrode facing the second electrode, and the surface of the second electrode facing the first electrode, with a small gap smaller than the gap between the reflective films And an insulating layer facing the other electrode.
Here, in the case where an insulating layer is provided on only one of the first electrode and the second electrode, it is only necessary to provide a minute gap between the electrode provided with the insulating layer and the other electrode. In the case where an insulating layer is provided on both the first electrode and the second electrode, it is sufficient that a minute gap is provided between the insulating layers of each electrode.

本発明によれば、初期ギャップ形成部は、第一初期ギャップ形成面に設けられた第一電極と、第二初期ギャップ形成面に設けられた第二電極との間に電圧を印加することで、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面を静電引力により互いに近接する方向に付勢する。このような干渉フィルターでは、静電引力により第一電極及び第二電極の間に絶縁層が設けられるため、第一電極及び第二電極が直接接触することがなく、電圧を印加している間、常に第一電極及び第二電極間に静電引力による付勢力を付与することができ、正確な初期ギャップを設定することができる。   According to the present invention, the initial gap forming portion applies a voltage between the first electrode provided on the first initial gap forming surface and the second electrode provided on the second initial gap forming surface. The first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface are biased in a direction approaching each other by electrostatic attraction. In such an interference filter, since an insulating layer is provided between the first electrode and the second electrode by electrostatic attraction, the first electrode and the second electrode are not in direct contact with each other while the voltage is applied. The biasing force due to electrostatic attraction can be always applied between the first electrode and the second electrode, and an accurate initial gap can be set.

本発明の干渉フィルターでは、前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜固定面及び前記第二反射膜固定面は、前記第一基板及び前記第二基板の基板中心領域に設けられ、前記第一初期ギャップ形成面及び前記第二初期ギャップ形成面は、前記第一基板及び前記第二基板の前記基板中心領域の外側で、当該基板中心領域を囲う環状領域に設けられることが好ましい。   In the interference filter according to the aspect of the invention, in the plan view of the first substrate and the second substrate viewed from the substrate thickness direction, the first reflection film fixing surface and the second reflection film fixing surface are the first substrate and the second substrate. Provided in a substrate central region of a second substrate, wherein the first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface are outside the substrate central region of the first substrate and the second substrate; It is preferable to be provided in an annular region that surrounds.

本発明によれば、第一反射膜及び第二反射膜が設けられた基板中心領域の径外側に、当該基板中心領域を囲う環状領域に、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面が設けられている。このため、基板中心領域の周方向に亘って、正確に第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面を平行に維持することができ、第一反射膜及び第二反射膜をより確実に平行に維持することができる。   According to the present invention, the first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface are formed outside the diameter of the substrate central region on which the first reflective film and the second reflective film are provided, in the annular region surrounding the substrate central region. Is provided. For this reason, the first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface can be accurately maintained in parallel over the circumferential direction of the substrate center region, and the first reflective film and the second reflective film can be more reliably secured. Can be kept parallel.

本発明の干渉フィルターでは、前記第二基板は、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記環状領域よりも外側に、前記第二基板の前記環状領域及び前記基板中心領域を、前記第一基板側に移動可能に保持する外側保持部と、前記外側保持部よりも更に外側に設けられ、前記第一基板に接合される接合部と、を備えることが好ましい。   In the interference filter according to the aspect of the invention, the second substrate may include the annular region and the substrate central region of the second substrate outside the annular region in a plan view of the second substrate viewed from the substrate thickness direction. It is preferable to include an outer holding portion that is movably held on the first substrate side, and a bonding portion that is provided further on the outer side than the outer holding portion and is bonded to the first substrate.

本発明によれば、環状領域と接合部との間に外側保持部が設けられている。このため、初期ギャップ形成部により、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面を互いに近接する付勢力を付与した際に、外側保持部が撓むことで、第二基板の初期ギャップ形成面が設けられた環状領域を容易に第一基板側に変位させることができる。   According to the present invention, the outer holding portion is provided between the annular region and the joint portion. For this reason, when the first gap forming surface and the second initial gap forming surface are applied with an urging force close to each other, the outer holding portion is bent to form the initial gap of the second substrate. The annular region provided with the surface can be easily displaced toward the first substrate.

本発明の干渉フィルターは、前記第一基板の前記基板中心領域内で、前記第二基板に対向する面に設けられた第一駆動電極と、前記第二基板の前記基板中心領域内で、前記第一基板に電極間ギャップを介して対向する第二駆動電極と、を備えることが好ましい。
本発明によれば、基板中心領域内に設けられた第一駆動電極及び第二駆動電極間に電圧を印加することで、静電引力により、反射膜間ギャップの寸法を変更することができる。この時、上述したように、第一初期ギャップ形成面及び第二初期ギャップ形成面を当接させることで、反射膜間ギャップの初期ギャップの寸法が一様となっているため、電極間ギャップが小さくなった場合でも、第一反射膜及び第二反射膜の平行を良好に維持することができ、干渉フィルターの分解能の低下を抑制できる。
The interference filter of the present invention includes: a first drive electrode provided on a surface facing the second substrate in the substrate central region of the first substrate; and the substrate central region of the second substrate, And a second drive electrode facing the first substrate via an interelectrode gap.
According to the present invention, the size of the gap between the reflective films can be changed by electrostatic attraction by applying a voltage between the first drive electrode and the second drive electrode provided in the central region of the substrate. At this time, as described above, since the first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface are brought into contact with each other, the initial gap size of the gap between the reflective films is uniform. Even when it becomes smaller, the parallelism of the first reflective film and the second reflective film can be maintained well, and a reduction in the resolution of the interference filter can be suppressed.

本発明の干渉フィルターでは、前記電極間ギャップは、前記反射膜間ギャップより大きいことが好ましい。
本発明によれば、反射膜間ギャップとして設定可能な範囲を大きくでき、当該干渉フィルターにより取り出すことが可能な光の波長域を広域化することができる。
つまり、波長可変干渉フィルターでは、第一反射膜及び第二反射膜の間の反射膜間ギャップにより透過または反射して取り出される波長が決定される。したがって、波長可変干渉フィルターにおいて、より広い範囲の波長域に対応して透過または反射波長を取得するためには、反射膜間ギャップの変動範囲を大きくする必要がある。ここで、第一駆動電極及び第二駆動電極間に電圧を印加して、静電引力により反射膜間ギャップを変動させる場合、反射膜間ギャップよりも電極間ギャップの方が小さいと、電極間ギャップの間のみでしか反射膜間ギャップを変動させることができない。このような構成では、反射膜間ギャップの変動範囲が小さくなり、波長可変干渉フィルターにより取り出すことが可能な波長域が狭くなる。
これに対して、本発明では、電極間ギャップが反射膜間ギャップよりも大きく形成されているため、反射膜間ギャップをより大きい変動範囲で変化させることができ、波長可変干渉フィルターにより取り出すことが可能な波長域を広帯域化することができる。
また、一般に電極間に作用する静電引力は、距離の二乗に反比例するため、電極間ギャップが小さくなると、静電引力の制御が困難となり、反射膜間ギャップの調整が困難となる。これに対して、本発明では、電極間ギャップが反射膜間ギャップよりも大きく形成されるため、静電引力の制御が容易であり、反射膜間ギャップを精度よく所望の値に設定することができる。
In the interference filter according to the aspect of the invention, it is preferable that the gap between the electrodes is larger than the gap between the reflection films.
According to the present invention, the range that can be set as the gap between the reflective films can be increased, and the wavelength range of light that can be extracted by the interference filter can be broadened.
That is, in the wavelength tunable interference filter, the wavelength extracted through transmission or reflection is determined by the gap between the first reflection film and the second reflection film. Therefore, in order to acquire the transmission or reflection wavelength corresponding to a wider wavelength range in the wavelength tunable interference filter, it is necessary to increase the fluctuation range of the gap between the reflection films. Here, when a voltage is applied between the first drive electrode and the second drive electrode and the gap between the reflection films is changed by electrostatic attraction, if the gap between the electrodes is smaller than the gap between the reflection films, the gap between the electrodes The gap between the reflective films can be changed only between the gaps. In such a configuration, the fluctuation range of the gap between the reflection films is reduced, and the wavelength range that can be extracted by the wavelength variable interference filter is reduced.
On the other hand, in the present invention, the gap between the electrodes is formed larger than the gap between the reflective films, so that the gap between the reflective films can be changed in a larger fluctuation range and can be taken out by the variable wavelength interference filter. The possible wavelength range can be broadened.
In general, the electrostatic attractive force acting between the electrodes is inversely proportional to the square of the distance. Therefore, if the gap between the electrodes becomes small, it becomes difficult to control the electrostatic attractive force, and it is difficult to adjust the gap between the reflective films. On the other hand, in the present invention, the gap between the electrodes is formed larger than the gap between the reflective films, so that the electrostatic attractive force can be easily controlled, and the gap between the reflective films can be accurately set to a desired value. it can.

本発明の干渉フィルターでは、前記初期ギャップ形成部は、前記第一初期ギャップ形成面に設けられた第一電極と、前記第二初期ギャップ形成面に設けられ、前記第一電極に対向する第二電極と、前記第一電極の前記第二電極に対向する面及び前記第二電極の前記第一電極に対向する面のうち少なくともいずれか一方に、前記反射膜間ギャップより小さい微小ギャップを介して他方の電極に対向する絶縁層と、を備え、前記第一電極及び前記第一駆動電極は、電気的に接続され、前記第二電極及び前記第二駆動電極は、電気的に接続されたことが好ましい。   In the interference filter according to the aspect of the invention, the initial gap forming portion includes a first electrode provided on the first initial gap forming surface and a second electrode provided on the second initial gap forming surface and facing the first electrode. At least one of the electrode, the surface of the first electrode facing the second electrode, and the surface of the second electrode facing the first electrode, with a small gap smaller than the gap between the reflective films An insulating layer facing the other electrode, wherein the first electrode and the first drive electrode are electrically connected, and the second electrode and the second drive electrode are electrically connected. Is preferred.

第一電極及び第一駆動電極を、それぞれ別の電位を設定可能な独立した電極とし、第二電極及び第二駆動電極を、それぞれ別の電位を設定可能な独立した電極としてもよいが、この場合、各電極に対してそれぞれ引出線を設ける必要が生じ、構成が複雑化することが考えられる。これに対して、本発明では、第一電極及び第一駆動電極に対する引出電極、及び第二電極及び第二駆動電極に対する引出電極を設けるだけでよく、構成を簡略化できる。
また、第二反射膜を第一基板側に変位しやすくするために、第二反射膜及び第二駆動電極が設けられる基板中心領域と、第二電極が設けられる環状領域との間にダイアフラムを設ける構成としてもよい。このような構成では、第一駆動電極及び第二駆動電極間に電圧を印加して反射膜間ギャップを調整する際、ダイアフラムは、固有振動数に基づく振動を繰り返した後に安定し、反射膜間ギャップを所定値に設定する。ここで、本発明では、第二電極と第二駆動電極とが接続される構成となるため、ダイアフラムに第二電極及び第二駆動電極とを接続する接続部分が設けられる構成となり、ダイアフラムの剛性が向上する。したがって、第一駆動電極及び第二駆動電極間に駆動電圧を印加してダイアフラムを変位させた際に、当該ダイアフラムの振動が安定するまでの時間が短縮され、処理の高速化が可能となる。
The first electrode and the first drive electrode may be independent electrodes capable of setting different potentials, and the second electrode and the second drive electrode may be independent electrodes capable of setting different potentials. In this case, it is necessary to provide a lead line for each electrode, and the configuration may be complicated. On the other hand, in the present invention, it is only necessary to provide an extraction electrode for the first electrode and the first drive electrode, and an extraction electrode for the second electrode and the second drive electrode, and the configuration can be simplified.
In order to facilitate the displacement of the second reflective film toward the first substrate, a diaphragm is provided between the substrate central region where the second reflective film and the second drive electrode are provided and the annular region where the second electrode is provided. It is good also as a structure to provide. In such a configuration, when a voltage is applied between the first drive electrode and the second drive electrode to adjust the gap between the reflection films, the diaphragm stabilizes after repeating vibration based on the natural frequency, and between the reflection films. The gap is set to a predetermined value. Here, in the present invention, since the second electrode and the second drive electrode are connected, the diaphragm is provided with a connection portion for connecting the second electrode and the second drive electrode, and the rigidity of the diaphragm Will improve. Therefore, when the driving voltage is applied between the first driving electrode and the second driving electrode to displace the diaphragm, the time until the vibration of the diaphragm is stabilized is shortened, and the processing speed can be increased.

本発明の光モジュールは、上述のような波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターにより取り出される光を検出する検出部と、を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、光モジュールは、上述のような波長可変干渉フィルターを備えている。ここで波長可変干渉フィルターは、上述したような作用効果を奏し、分解能の低下を抑制でき、高精度に所望波長の光を透過または反射させて取り出すことができる。したがって、このような波長可変干渉フィルターを備えた光モジュールでは、波長可変干渉フィルターにより取り出された所望波長の光の光量を検出部で検出することで、当該所望波長の光の光量を正確に検出することができる。
An optical module according to the present invention includes the above-described variable wavelength interference filter and a detection unit that detects light extracted by the variable wavelength interference filter.
According to the present invention, the optical module includes the variable wavelength interference filter as described above. Here, the wavelength tunable interference filter exhibits the above-described effects, can suppress a decrease in resolution, and can extract light having a desired wavelength that is transmitted or reflected with high accuracy. Therefore, in an optical module equipped with such a tunable interference filter, the amount of light of the desired wavelength extracted by the tunable interference filter is detected by the detection unit, so that the amount of light of the desired wavelength is accurately detected. can do.

本発明の電子機器は、上述の光モジュールを備えることを特徴とする。
本発明によれば、電子機器は、上述した波長可変干渉フィルターを有する光モジュールを備えるので、高精度に検出された所望波長の光の光量に基づいて、電子機器における各種電子処理を実施することができる。
An electronic apparatus according to the present invention includes the above-described optical module.
According to the present invention, since the electronic device includes the optical module having the wavelength variable interference filter described above, various electronic processes in the electronic device are performed based on the light amount of the light having the desired wavelength detected with high accuracy. Can do.

本発明に係る第一実施形態の測色装置の概略構成を示すブロック図。1 is a block diagram showing a schematic configuration of a color measuring device according to a first embodiment of the present invention. 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの平面図。The top view of the wavelength variable interference filter of 1st embodiment. 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの駆動前状態における断面図。Sectional drawing in the state before a drive of the wavelength variable interference filter of 1st embodiment. 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの初期状態における断面図。Sectional drawing in the initial state of the wavelength variable interference filter of 1st embodiment. 第二実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。The top view which shows schematic structure of the wavelength variable interference filter of 2nd embodiment. 第二実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the wavelength variable interference filter of 2nd embodiment. その他の実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the wavelength variable interference filter of other embodiment. 本発明の電子機器の他の例であるガス検出装置の概略図。Schematic of the gas detection apparatus which is the other example of the electronic device of this invention. 図8のガス検出装置のブロック図。The block diagram of the gas detection apparatus of FIG. 本発明の電子機器の他の例である食物分析装置の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the food analyzer which is another example of the electronic device of this invention. 本発明の電子機器の他の例である分光カメラの概略図。Schematic of the spectroscopic camera which is the other example of the electronic device of this invention.

[第一実施形態]
以下、本発明に係る第一実施形態を図面に基づいて説明する。
〔1.測色装置の概略構成〕
図1は、本実施形態の測色装置1(電子機器)の概略構成を示すブロック図である。
測色装置1は、図1に示すように、検査対象Aに光を射出する光源装置2と、測色センサー3(光モジュール)と、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備える。そして、この測色装置1は、光源装置2から射出される光を検査対象Aにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー3にて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち検査対象Aの色を分析して測定する装置である。
[First embodiment]
Hereinafter, a first embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[1. (Schematic configuration of the color measuring device)
FIG. 1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a color measurement device 1 (electronic device) according to the present embodiment.
As shown in FIG. 1, the color measurement device 1 includes a light source device 2 that emits light to the inspection target A, a color measurement sensor 3 (optical module), and a control device 4 that controls the overall operation of the color measurement device 1. Is provided. The colorimetric device 1 reflects the light emitted from the light source device 2 by the inspection object A, receives the reflected inspection light by the colorimetric sensor 3, and outputs the light from the colorimetric sensor 3. This is an apparatus that analyzes and measures the chromaticity of the inspection target light, that is, the color of the inspection target A, based on the detection signal.

〔2.光源装置の構成〕
光源装置2は、光源21、複数のレンズ22(図1には1つのみ記載)を備え、検査対象Aに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Aに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば検査対象Aが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置2が設けられない構成としてもよい。
[2. Configuration of light source device]
The light source device 2 includes a light source 21 and a plurality of lenses 22 (only one is shown in FIG. 1), and emits white light to the inspection target A. The plurality of lenses 22 may include a collimator lens. In this case, the light source device 2 converts the white light emitted from the light source 21 into parallel light by the collimator lens and inspects from a projection lens (not shown). Inject toward the subject A. In the present embodiment, the colorimetric device 1 including the light source device 2 is illustrated. However, for example, when the inspection target A is a light emitting member such as a liquid crystal panel, the light source device 2 may not be provided.

〔3.測色センサーの構成〕
測色センサー3は、図1に示すように、波長可変干渉フィルター5と、波長可変干渉フィルター5を透過する光を受光する検出部31と、波長可変干渉フィルター5で透過させる光の波長を可変する電圧制御部32とを備える。また、測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5に対向する位置に、検査対象Aで反射された反射光(検査対象光)を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光を検出部31にて受光する。
検出部31は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、検出部31は、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。
[3. (Configuration of colorimetric sensor)
As shown in FIG. 1, the colorimetric sensor 3 has a variable wavelength interference filter 5, a detection unit 31 that receives light transmitted through the variable wavelength interference filter 5, and a variable wavelength of light transmitted through the variable wavelength interference filter 5. Voltage control unit 32. Further, the colorimetric sensor 3 includes an incident optical lens (not shown) that guides the reflected light (inspection light) reflected by the inspection object A at a position facing the variable wavelength interference filter 5. In the colorimetric sensor 3, the wavelength variable interference filter 5 separates the light having a predetermined wavelength from the inspection target light incident from the incident optical lens, and the detected light is received by the detection unit 31.
The detection unit 31 includes a plurality of photoelectric exchange elements, and generates an electrical signal corresponding to the amount of received light. And the detection part 31 is connected to the control apparatus 4, and outputs the produced | generated electric signal to the control apparatus 4 as a light reception signal.

(3−1.波長可変干渉フィルターの構成)
図2は、波長可変干渉フィルター5の概略構成を示す平面図であり、図3は、波長可変干渉フィルター5の概略構成を示す断面図である。
波長可変干渉フィルター5は、図2に示すように、平面正方形状の板状の光学部材である。この波長可変干渉フィルター5は、図3に示すように、本発明の第一基板である固定基板51、および本発明の第二基板である可動基板52を備えている。これらの固定基板51及び可動基板52は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。そして、これらの固定基板51及び可動基板52は、図3に示すように、基板外周縁に沿って形成される固定側接合面513B、可動側接合面520Cが、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などにより構成された接合膜53により接合されることで、一体的に構成されている。
(3-1. Configuration of wavelength tunable interference filter)
FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the variable wavelength interference filter 5, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the variable wavelength interference filter 5.
As shown in FIG. 2, the wavelength variable interference filter 5 is a planar square plate-like optical member. As shown in FIG. 3, the variable wavelength interference filter 5 includes a fixed substrate 51 that is a first substrate of the present invention and a movable substrate 52 that is a second substrate of the present invention. The fixed substrate 51 and the movable substrate 52 are each formed of, for example, various types of glass such as soda glass, crystalline glass, quartz glass, lead glass, potassium glass, borosilicate glass, and non-alkali glass, or crystal. . Then, as shown in FIG. 3, the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 have a fixed-side bonding surface 513B and a movable-side bonding surface 520C formed along the outer periphery of the substrate, for example, plasma containing siloxane as a main component. By being joined by a joining film 53 made of a polymer film or the like, it is integrally constructed.

固定基板51には、本発明の第一反射膜を構成する固定反射膜54が設けられ、可動基板52には、本発明の第二反射膜を構成する可動反射膜55が設けられている。ここで、固定反射膜54は、固定基板51の可動基板52に対向する面に固定され、可動反射膜55は、可動基板52の固定基板51に対向する面に固定されている。また、これらの固定反射膜54および可動反射膜55は、反射膜間ギャップG1を介して対向配置されている。
さらに、波長可変干渉フィルター5には、固定反射膜54および可動反射膜55の間の反射膜間ギャップG1の寸法を調整するのに用いられる静電アクチュエーター56が設けられている。この静電アクチュエーター56は、固定基板51側に設けられる本発明の第一電極及び第一駆動電極を構成する固定側電極561と、可動基板52側に設けられる本発明の第二電極及び第二駆動電極を構成する可動側電極562とを備えている。なお、これらの固定側電極561及び可動側電極562は、それぞれ固定基板51及び可動基板52の基板表面に直接設けられる構成としてもよく、他の膜部材等を介して設けられる構成などとしてもよい。
また、波長可変干渉フィルター5を固定基板51(可動基板52)の基板厚み方向から見た図2に示すような平面視(以降、フィルター平面視と称す)において、固定基板51及び可動基板52の平面中心点Oは、固定反射膜54及び可動反射膜55の中心点と一致し、かつ後述する可動部521の中心点と一致する。
The fixed substrate 51 is provided with a fixed reflective film 54 constituting the first reflective film of the present invention, and the movable substrate 52 is provided with a movable reflective film 55 constituting the second reflective film of the present invention. Here, the fixed reflective film 54 is fixed to the surface of the fixed substrate 51 facing the movable substrate 52, and the movable reflective film 55 is fixed to the surface of the movable substrate 52 facing the fixed substrate 51. Further, the fixed reflection film 54 and the movable reflection film 55 are disposed to face each other via the inter-reflection film gap G1.
Furthermore, the wavelength variable interference filter 5 is provided with an electrostatic actuator 56 that is used to adjust the dimension of the inter-reflective film gap G1 between the fixed reflective film 54 and the movable reflective film 55. The electrostatic actuator 56 includes a fixed electrode 561 constituting the first electrode and the first drive electrode of the present invention provided on the fixed substrate 51 side, and a second electrode and a second electrode of the present invention provided on the movable substrate 52 side. And a movable electrode 562 constituting a drive electrode. The fixed side electrode 561 and the movable side electrode 562 may be provided directly on the substrate surfaces of the fixed substrate 51 and the movable substrate 52, respectively, or may be provided via other film members. .
Further, when the wavelength variable interference filter 5 is viewed from the thickness direction of the fixed substrate 51 (movable substrate 52) in a plan view as shown in FIG. 2 (hereinafter referred to as filter plan view), the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 The plane center point O coincides with the center point of the fixed reflection film 54 and the movable reflection film 55 and coincides with the center point of the movable portion 521 described later.

(3−1−1.固定基板の構成)
固定基板51は、厚みが例えば500μmに形成されるガラス基材を加工することで形成される。この固定基板51は、可動基板52に対して厚み寸法が大きく形成されており、固定側電極561および可動側電極562間に電圧を印加した際の静電引力や、固定側電極561の内部応力による固定基板51の撓みはない。
(3-1-1. Configuration of Fixed Substrate)
The fixed substrate 51 is formed by processing a glass base material having a thickness of, for example, 500 μm. The fixed substrate 51 is formed to have a thickness larger than that of the movable substrate 52, and electrostatic attraction when a voltage is applied between the fixed side electrode 561 and the movable side electrode 562, and internal stress of the fixed side electrode 561. There is no bending of the fixed substrate 51 due to the above.

この固定基板51には、図3に示すように、エッチングにより形成される電極形成溝511および反射膜固定部512が設けられている。これらの電極形成溝511及び反射膜固定部512は、フィルター平面視において、固定基板51の平面中心点Oを中心とした円領域である基板中心領域Ar1に設けられている。
また、固定基板51には、フィルター平面視において基板中心領域Ar1の境界よりも外側の領域に、例えば切削、研磨等により平坦な光学面に形成された固定側外周面513が設けられている(ただし、後述の電極引出溝が形成される部分は除く)。
この固定側外周面513は、本発明の第一初期ギャップ形成面を構成するとともに、前述の固定側接合面513Bを構成する。つまり、固定側外周面513のうち、基板中心領域Ar1側に位置する環状領域Ar2が本発明の第一初期ギャップ形成面である固定側初期ギャップ形成面513Aとなり、固定側外周面513のうち、固定基板51の外周縁に沿って形成された外周領域Ar3が固定側接合面513Bとなる。
As shown in FIG. 3, the fixed substrate 51 is provided with an electrode formation groove 511 and a reflection film fixing portion 512 formed by etching. The electrode forming groove 511 and the reflective film fixing portion 512 are provided in the substrate center region Ar1 that is a circular region centered on the plane center point O of the fixed substrate 51 in the filter plan view.
Further, the fixed substrate 51 is provided with a fixed outer peripheral surface 513 formed on a flat optical surface by, for example, cutting, polishing, or the like in a region outside the boundary of the substrate center region Ar1 in the filter plan view ( However, the part where the electrode lead-out groove described later is formed is excluded).
The fixed-side outer peripheral surface 513 constitutes the first initial gap forming surface of the present invention and the above-described fixed-side joining surface 513B. That is, of the fixed outer peripheral surface 513, the annular region Ar2 located on the substrate center region Ar1 side becomes the fixed initial gap forming surface 513A that is the first initial gap forming surface of the present invention. An outer peripheral area Ar3 formed along the outer peripheral edge of the fixed substrate 51 serves as a fixed-side bonding surface 513B.

電極形成溝511は、フィルター平面視で、固定基板51の平面中心点Oを中心としたリング形状に形成されている。反射膜固定部512は、前記フィルター平面視において、電極形成溝511の中心部から可動基板52側に突出して形成される。ここで、反射膜固定部512の突出先端面が本発明の第一反射膜固定面である反射膜固定面512Aとなる。
また、固定基板51には、電極形成溝511から、固定基板51の外周縁の各頂点C1,C2,C3,C4のうち、少なくとも頂点C1及び頂点C3の方向に向かって延出する2つの電極引出溝(図示略)が設けられている。
The electrode forming groove 511 is formed in a ring shape centered on the plane center point O of the fixed substrate 51 in the filter plan view. The reflection film fixing portion 512 is formed so as to protrude from the center portion of the electrode forming groove 511 toward the movable substrate 52 in the filter plan view. Here, the protruding front end surface of the reflection film fixing portion 512 is a reflection film fixing surface 512A which is the first reflection film fixing surface of the present invention.
Further, in the fixed substrate 51, two electrodes extending from the electrode forming groove 511 toward at least the vertex C1 and the vertex C3 among the vertexes C1, C2, C3, and C4 of the outer peripheral edge of the fixed substrate 51. A drawing groove (not shown) is provided.

固定基板51の電極形成溝511の溝底部である電極固定面511Aから、固定側外周面513の固定側初期ギャップ形成面513Aに亘る領域には、平面視リング形状で均一膜厚の固定側電極561が形成されている。具体的には、固定側電極561は、電極固定面511A上に形成された固定側駆動電極部561A(本発明の第一駆動電極を構成)と、固定側初期ギャップ形成面513A上に形成された固定側ギャップ形成電極部561B(本発明の第一電極を構成)と、を備えている。また、電極形成溝511は、固定基板51の一面側をエッチング(ウェットエッチング)することで形成されるため、電極形成溝511の内周側面511Bは、固定基板51の基板厚み方向と平行な面とはならず、固定側外周面513から電極固定面511Aに向かって緩やかにカーブする曲面形状となる。固定側電極561は、電極固定面511A、内周側面511B、及び固定側初期ギャップ形成面513Aに亘って設けられることで、固定側駆動電極部561A及び固定側ギャップ形成電極部561Bが電気的に接続された状態となる。   In a region from the electrode fixing surface 511A which is the groove bottom portion of the electrode forming groove 511 of the fixed substrate 51 to the fixed side initial gap forming surface 513A of the fixed side outer peripheral surface 513, a fixed side electrode having a uniform thickness and a ring shape in plan view 561 is formed. Specifically, the fixed-side electrode 561 is formed on the fixed-side drive electrode portion 561A (which constitutes the first drive electrode of the present invention) formed on the electrode fixing surface 511A and the fixed-side initial gap forming surface 513A. The fixed-side gap forming electrode portion 561B (which constitutes the first electrode of the present invention). Further, since the electrode forming groove 511 is formed by etching (wet etching) one surface side of the fixed substrate 51, the inner peripheral side surface 511B of the electrode forming groove 511 is a surface parallel to the substrate thickness direction of the fixed substrate 51. In other words, the curved surface shape gradually curves from the fixed outer peripheral surface 513 toward the electrode fixing surface 511A. The fixed side electrode 561 is provided across the electrode fixing surface 511A, the inner peripheral side surface 511B, and the fixed side initial gap forming surface 513A, so that the fixed side drive electrode portion 561A and the fixed side gap forming electrode portion 561B are electrically connected. Connected.

また、固定基板51には、固定側電極561の外周縁から延出する固定引出電極563が形成されている。具体的には、この固定引出電極563は、固定側電極561の外周縁のうち頂点C1に最も近接する位置から、頂点C1に向かう方向に延出する電極形成溝上に沿って、頂点C1まで形成されている。そして、固定引出電極563の先端部(固定基板51の頂点C1に位置する部分)は、電圧制御部32に接続される固定電極パッド563Pを構成する。   Further, a fixed extraction electrode 563 extending from the outer peripheral edge of the fixed side electrode 561 is formed on the fixed substrate 51. Specifically, the fixed extraction electrode 563 is formed from the position closest to the vertex C1 on the outer peripheral edge of the fixed side electrode 561 to the vertex C1 along the electrode formation groove extending in the direction toward the vertex C1. Has been. The distal end portion of the fixed extraction electrode 563 (portion located at the vertex C1 of the fixed substrate 51) constitutes a fixed electrode pad 563P connected to the voltage control unit 32.

また、固定基板51には、電極形成溝511から固定基板51の頂点C3に向かう方向に形成された電極引出溝に、第一対向電極581が設けられている。この第一対向電極581は、固定側電極561とは絶縁されている。また、これらの第一対向電極581及び第二対向電極582の先端部(固定基板51の頂点C3に位置する部分)は、電圧制御部32に接続される第一対向電極パッド581Pを構成する。   The fixed substrate 51 is provided with a first counter electrode 581 in an electrode extraction groove formed in a direction from the electrode forming groove 511 toward the vertex C3 of the fixed substrate 51. The first counter electrode 581 is insulated from the fixed side electrode 561. The tip portions of the first counter electrode 581 and the second counter electrode 582 (portions located at the vertex C3 of the fixed substrate 51) constitute a first counter electrode pad 581P connected to the voltage control unit 32.

反射膜固定部512は、上述したように、電極形成溝511と同軸上で、電極形成溝511よりも小さい径寸法となる略円柱状に形成され、当該反射膜固定部512の可動基板52に対向する面(突出先端面)が本発明の反射膜固定面512Aとなる。
ここで、この反射膜固定部512は、電極形成溝511の電極固定面511Aから可動基板52側に突出して形成され、かつ、突出先端面である反射膜固定面512Aが、固定側外周面513よりも低くなるように形成されている。つまり、反射膜固定面512A及び可動基板52の距離は、電極固定面511A及び可動基板52の距離よりも小さく、固定側外周面513及び可動基板52の距離よりも大きくなる。
この反射膜固定面512Aには、固定反射膜54が設けられる。この固定反射膜54としては、金属の単層膜により形成されるものであってもよく、誘電体多層膜により形成されるものであってもよく、さらには、誘電多層膜上にAg合金が形成される構成などとしてもよい。金属単層膜としては、例えばAg合金の単層膜を用いることができ、誘電体多層膜の場合は、例えば高屈折層をTiO、低屈折層をSiOとした誘電体多層膜を用いることができる。
As described above, the reflective film fixing portion 512 is formed in a substantially cylindrical shape that is coaxial with the electrode forming groove 511 and has a smaller diameter than the electrode forming groove 511, and is formed on the movable substrate 52 of the reflective film fixing portion 512. The opposing surface (protruding tip surface) is the reflective film fixing surface 512A of the present invention.
Here, the reflection film fixing portion 512 is formed to protrude from the electrode fixing surface 511A of the electrode forming groove 511 to the movable substrate 52 side, and the reflection film fixing surface 512A which is a protruding tip surface is formed on the fixed side outer peripheral surface 513. It is formed to be lower. That is, the distance between the reflecting film fixing surface 512A and the movable substrate 52 is smaller than the distance between the electrode fixing surface 511A and the movable substrate 52, and larger than the distance between the fixed-side outer peripheral surface 513 and the movable substrate 52.
A fixed reflection film 54 is provided on the reflection film fixing surface 512A. The fixed reflective film 54 may be formed of a metal single layer film, a dielectric multilayer film, or an Ag alloy on the dielectric multilayer film. It may be configured to be formed. As the metal single layer film, for example, a single layer film of an Ag alloy can be used. In the case of a dielectric multilayer film, for example, a dielectric multilayer film in which the high refractive layer is TiO 2 and the low refractive layer is SiO 2 is used. be able to.

さらに、固定基板51は、可動基板52とは反対側の面において、固定反射膜54に対応する位置に図示略の反射防止膜が形成されていてもよい。このような反射防止膜は、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成することができ、固定基板51の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。   Further, the fixed substrate 51 may have an antireflection film (not shown) formed at a position corresponding to the fixed reflection film 54 on the surface opposite to the movable substrate 52. Such an antireflection film can be formed by alternately laminating a low refractive index film and a high refractive index film, reducing the reflectance of visible light on the surface of the fixed substrate 51 and increasing the transmittance. Let

(3−1−2.可動基板の構成)
可動基板52は、厚みが例えば200μmに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。
具体的には、可動基板52は、図2に示すようなフィルター平面視において、基板中心領域Ar1内で円形状に形成された可動部521と、基板中心領域Ar1内で、可動部521と同軸となるリング形状に形成され、可動部521を保持する内側保持部522と、を備えている。また、可動基板52は、フィルター平面視において、環状領域Ar2と外周領域Ar3との間で、平面中心点Oを中心としたリング形状に形成された外側保持部523を備えている。そして、可動基板52の内側保持部522及び外側保持部523により挟まれる領域は、反射膜間ギャップG1を初期ギャップに設定する際に可動される外側可動部524を構成する。
さらに、可動基板52には、図2に示すように、固定基板51の各頂点C1,C3に対応して、切欠部525が形成されており、波長可変干渉フィルター5を可動基板52側から見た面に固定電極パッド563P、及び第一対向電極パッド581Pが露出される。
可動基板52の固定基板51に対向する面(可動側対向面520)は、例えば切削、研磨等により平坦な光学面に形成されている。そして、この可動側対向面520のうち可動部521に対応した領域が本発明の第二反射膜固定面である可動面520Aを構成し、可動側対向面520の環状領域Ar2が本発明の第二初期ギャップ形成面である可動側初期ギャップ形成面520Bを構成し、可動側対向面520の外周領域Ar3が可動側接合面520Cを構成する。
(3-1-2. Configuration of movable substrate)
The movable substrate 52 is formed by processing a glass substrate having a thickness of, for example, 200 μm by etching.
Specifically, the movable substrate 52 is coaxial with the movable portion 521 in the substrate central region Ar1 and the movable portion 521 formed in a circular shape in the substrate central region Ar1 in the filter plan view as shown in FIG. And an inner holding portion 522 that holds the movable portion 521. Further, the movable substrate 52 includes an outer holding portion 523 formed in a ring shape with the plane center point O as a center between the annular region Ar2 and the outer peripheral region Ar3 in the filter plan view. The region sandwiched between the inner holding portion 522 and the outer holding portion 523 of the movable substrate 52 constitutes an outer movable portion 524 that is moved when the reflection film gap G1 is set as the initial gap.
Further, as shown in FIG. 2, the movable substrate 52 is provided with a notch 525 corresponding to each of the apexes C1 and C3 of the fixed substrate 51, so that the wavelength variable interference filter 5 can be viewed from the movable substrate 52 side. The fixed electrode pad 563P and the first counter electrode pad 581P are exposed on the exposed surface.
The surface of the movable substrate 52 facing the fixed substrate 51 (movable side facing surface 520) is formed on a flat optical surface by, for example, cutting or polishing. And the area | region corresponding to the movable part 521 among this movable side opposing surface 520 comprises the movable surface 520A which is a 2nd reflective film fixed surface of this invention, and cyclic | annular area | region Ar2 of the movable side opposing surface 520 is the 1st of this invention. A movable initial gap forming surface 520B, which is a two initial gap forming surface, is configured, and an outer peripheral area Ar3 of the movable opposing surface 520 configures a movable joint surface 520C.

可動部521は、内側保持部522よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板52の厚み寸法と同一寸法である200μmに形成されている。また、可動部521は、フィルター平面視において、反射膜固定部512よりも径大となる円形状に形成されている。そして、可動部521の固定基板51に対向する可動面520Aには、可動反射膜55及び可動側電極562が設けられている。
可動反射膜55は、可動部521の可動面520Aのうち反射膜固定面512Aに対向する領域に、固定反射膜54と反射膜間ギャップG1を介して対向するように設けられている。この可動反射膜55としては、上述した固定反射膜54と同一の構成の反射膜が用いられる。
The movable part 521 is formed to have a thickness dimension larger than that of the inner holding part 522. For example, in this embodiment, the movable part 521 is formed to be 200 μm, which is the same dimension as the thickness dimension of the movable substrate 52. In addition, the movable portion 521 is formed in a circular shape having a diameter larger than that of the reflective film fixing portion 512 in the filter plan view. A movable reflective film 55 and a movable electrode 562 are provided on the movable surface 520 </ b> A facing the fixed substrate 51 of the movable portion 521.
The movable reflective film 55 is provided in a region of the movable surface 520A of the movable portion 521 facing the reflective film fixed surface 512A so as to face the fixed reflective film 54 via the inter-reflective film gap G1. As the movable reflective film 55, a reflective film having the same configuration as that of the fixed reflective film 54 described above is used.

可動側電極562は、可動側対向面520のうち、可動面520Aから可動側初期ギャップ形成面520Bに亘る領域に、フィルター平面視において、固定側電極561と重なる領域に均一膜厚となるように設けられている。ここで、固定側電極561のうち可動面520A上に位置する部分が、本発明の第二駆動電極である可動側駆動電極部562Aを構成する。また、固定側電極561の可動側初期ギャップ形成面520Bに位置する部分が、本発明の第二電極である可動側ギャップ形成電極部562Bを構成する。すなわち、本実施形態では、可動側駆動電極部562A及び可動側ギャップ形成電極部562Bが電気的に接続された状態となる。
ここで、可動側駆動電極部562Aは、電極固定面511A上に設けられた固定側駆動電極部561Aと、電極間ギャップG2を介して対向する。
一方、可動側ギャップ形成電極部562Bの固定側ギャップ形成電極部561Bに対向する面には、均一膜厚の絶縁層57が積層されている。そして、この絶縁層57は、微小ギャップG3を介して固定側ギャップ形成電極部561Bに対向する。ここで、可動側駆動電極部562A、可動側ギャップ形成電極部562B、及び絶縁層57は、本発明の初期ギャップ形成部を構成する。
The movable-side electrode 562 has a uniform film thickness in a region extending from the movable surface 520A to the movable-side initial gap forming surface 520B in the movable-side facing surface 520, in a region overlapping the fixed-side electrode 561 in the filter plan view. Is provided. Here, a portion of the fixed side electrode 561 located on the movable surface 520A constitutes a movable side drive electrode portion 562A that is the second drive electrode of the present invention. Further, a portion of the fixed side electrode 561 located on the movable side initial gap forming surface 520B constitutes a movable side gap forming electrode portion 562B which is the second electrode of the present invention. That is, in this embodiment, the movable side drive electrode portion 562A and the movable side gap forming electrode portion 562B are electrically connected.
Here, the movable side drive electrode portion 562A is opposed to the fixed side drive electrode portion 561A provided on the electrode fixing surface 511A via the inter-electrode gap G2.
On the other hand, an insulating layer 57 having a uniform thickness is laminated on the surface of the movable side gap forming electrode portion 562B facing the fixed side gap forming electrode portion 561B. The insulating layer 57 faces the fixed-side gap forming electrode portion 561B through the minute gap G3. Here, the movable side drive electrode portion 562A, the movable side gap forming electrode portion 562B, and the insulating layer 57 constitute the initial gap forming portion of the present invention.

また、可動基板52には、可動側電極562の外周縁から延出する可動引出電極564が形成されている。この可動引出電極564は、可動側電極562の頂点C3に最も近接する位置から、頂点C3に向かって延出する。そして、この可動引出電極564は、可動基板52の外周縁の近傍において、例えばAgペースト等の導電性部材58により、固定基板51の頂点C3の位置に形成された第一対向電極581(第一対向電極パッド581P)に電気的に接続される。   The movable substrate 52 has a movable extraction electrode 564 extending from the outer peripheral edge of the movable electrode 562. The movable extraction electrode 564 extends from the position closest to the vertex C3 of the movable electrode 562 toward the vertex C3. The movable extraction electrode 564 is a first counter electrode 581 (first electrode) formed at the position of the vertex C3 of the fixed substrate 51 by a conductive member 58 such as Ag paste in the vicinity of the outer peripheral edge of the movable substrate 52. It is electrically connected to the counter electrode pad 581P).

さらに、可動部521は、固定基板51とは反対側の面において、図示略の反射防止膜が形成されていてもよい。この反射防止膜は、固定基板51に形成される反射防止膜と同様、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成することができる。   Further, the movable portion 521 may be provided with an antireflection film (not shown) on the surface opposite to the fixed substrate 51. Similar to the antireflection film formed on the fixed substrate 51, the antireflection film can be formed by alternately laminating low refractive index films and high refractive index films.

内側保持部522は、可動部521の周囲を囲うダイアフラムであり、例えば厚み寸法が50μmに形成され、可動部521よりも厚み方向に対する剛性が小さく形成されている。
このため、内側保持部522は可動部521よりも撓みやすく、静電引力により固定基板51側に撓ませることが可能となる。この際、可動部521は、内側保持部522よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、静電引力により可動基板52を撓ませる力が作用した場合でも、可動部521の撓みはほぼなく、可動部521に形成された可動反射膜55の撓みも防止できる。
なお、本実施形態では、ダイアフラム状の内側保持部522を例示するが、これに限定されず、例えば、平面中心点Oを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。
The inner holding part 522 is a diaphragm that surrounds the periphery of the movable part 521, and is formed to have a thickness dimension of, for example, 50 μm and smaller in rigidity in the thickness direction than the movable part 521.
For this reason, the inner holding part 522 can be bent more easily than the movable part 521 and can be bent toward the fixed substrate 51 by electrostatic attraction. At this time, since the movable portion 521 has a thickness dimension larger than that of the inner holding portion 522 and becomes rigid, even when a force that deflects the movable substrate 52 due to electrostatic attraction acts, the movable portion 521 is hardly bent. Further, the bending of the movable reflective film 55 formed on the movable portion 521 can be prevented.
In the present embodiment, the diaphragm-shaped inner holding portion 522 is illustrated, but the present invention is not limited thereto. For example, beam-shaped holding portions arranged at equiangular intervals around the plane center point O are provided. It is good also as a structure.

外側保持部523は、可動基板52の可動側ギャップ形成電極部562Bが設けられる環状領域Ar2と、接合膜53により固定基板51に接合される可動側接合面520Cとの間に設けられ、外側可動部524を固定基板51側に移動可能に保持する。この外側保持部523は、内側保持部522と同様に、例えば50μmの厚み寸法に形成されており、可動基板52の形成時にエッチングにより内側保持部522と同時に形成される。
なお、外側保持部523として、本実施形態では、ダイアフラム形状に形成される例を示すが、上述した内側保持部522と同様、例えば、平面中心点Oを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。
The outer holding portion 523 is provided between the annular region Ar2 where the movable-side gap forming electrode portion 562B of the movable substrate 52 is provided and the movable-side bonding surface 520C bonded to the fixed substrate 51 by the bonding film 53, and is movable outside. The part 524 is movably held on the fixed substrate 51 side. Similar to the inner holding portion 522, the outer holding portion 523 is formed to have a thickness of, for example, 50 μm, and is formed simultaneously with the inner holding portion 522 by etching when the movable substrate 52 is formed.
In the present embodiment, an example of a diaphragm shape is shown as the outer holding portion 523. However, like the inner holding portion 522 described above, for example, the outer holding portions 523 are arranged at equiangular intervals with the plane center point O as the center. A configuration in which a beam-shaped holding portion is provided may be employed.

(3−1−3.波長可変干渉フィルターの動作)
上述したような波長可変干渉フィルター5では、電極間ギャップG2の寸法は、反射膜間ギャップG1の寸法よりも大きく形成され、反射膜間ギャップG1の寸法は、微小ギャップG3の寸法よりも大きく形成されている。
このような波長可変干渉フィルター5では、静電アクチュエーター56に電圧を印加して、固定側電極561及び可動側電極562間に静電引力を作用させると、561B及び562Bの間に作用した静電引力により、G2の初期ギャップが設定され、561A及び562Aの間に作用した静電引力により、G2の寸法を所望の値に設定することが可能となる。
つまり、固定側ギャップ形成電極部561B及び可動側ギャップ形成電極部562B間に静電引力が作用すると、可動側ギャップ形成電極部562B上の絶縁層57が固定側ギャップ形成電極部561Bに面接触する。ここで、固定側ギャップ形成電極部561Bが設けられた固定側初期ギャップ形成面513Aは、固定反射膜54が設けられた反射膜固定面512Aと平行な平坦面であり、可動側ギャップ形成電極部562Bが設けられた可動側接合面520Cは、可動反射膜55が設けられた可動面520Aと同一平面であり、固定側ギャップ形成電極部561B、可動側ギャップ形成電極部562B、及び絶縁層57は均一厚に形成された膜である。このため、上記のように絶縁層57及び固定側ギャップ形成電極部561Bが面接触すると、固定側初期ギャップ形成面513A及び可動面520Aが平行となり、固定反射膜54及び可動反射膜55を平行に維持することができる。
(3-1-3. Operation of wavelength variable interference filter)
In the wavelength variable interference filter 5 as described above, the dimension of the interelectrode gap G2 is formed larger than the dimension of the inter-reflection film gap G1, and the dimension of the inter-reflection film gap G1 is formed larger than the dimension of the minute gap G3. Has been.
In such a wavelength variable interference filter 5, when a voltage is applied to the electrostatic actuator 56 and an electrostatic attractive force is applied between the fixed side electrode 561 and the movable side electrode 562, the electrostatic force acting between 561B and 562B is applied. The initial gap of G2 is set by the attractive force, and the size of G2 can be set to a desired value by the electrostatic attractive force acting between 561A and 562A.
That is, when an electrostatic attractive force acts between the fixed-side gap forming electrode portion 561B and the movable-side gap forming electrode portion 562B, the insulating layer 57 on the movable-side gap forming electrode portion 562B comes into surface contact with the fixed-side gap forming electrode portion 561B. . Here, the fixed-side initial gap forming surface 513A provided with the fixed-side gap forming electrode portion 561B is a flat surface parallel to the reflecting film fixing surface 512A provided with the fixed reflecting film 54, and the movable-side gap forming electrode portion. The movable-side joint surface 520C provided with 562B is flush with the movable surface 520A provided with the movable reflective film 55, and the fixed-side gap forming electrode portion 561B, the movable-side gap forming electrode portion 562B, and the insulating layer 57 are It is a film formed with a uniform thickness. Therefore, when the insulating layer 57 and the fixed-side gap forming electrode portion 561B are in surface contact as described above, the fixed-side initial gap forming surface 513A and the movable surface 520A become parallel, and the fixed reflective film 54 and the movable reflective film 55 are parallel. Can be maintained.

この時、電極間に作用する静電引力は、電極間の距離の二乗に反比例するため、電極間ギャップG2に作用する静電引力と、微小ギャップG3に作用する静電引力とを比較すると、隙間寸法が小さい微小ギャップG3間でより大きい静電引力が作用する。このため、絶縁層57及び固定側ギャップ形成電極部561Bを面接触させるための最小電圧(初期設定電圧)を静電アクチュエーター56に印加した初期状態では、内側保持部522の撓み量をほぼ「0」とすることができ、測色装置1により測定可能な波領域が狭帯域化する不都合を抑制することができる。すなわち、静電アクチュエーター56に電圧が印加されていない図3に示すような駆動前状態において、反射膜間ギャップG1の寸法をg10、電極間ギャップG2の寸法をg20、微小ギャップG3の寸法g30とすると、図4に示すような初期状態では、反射膜間ギャップG1の寸法(初期ギャップ寸法)gは、g10−g30となり、電極間ギャップG2の寸法gは、g20−g30となる。
このような初期設定電圧は、波長可変干渉フィルター5の製造時において、静電アクチュエーター56に印加する電圧を「0」から徐々に大きくして、絶縁層57及び固定側ギャップ形成電極部561Bが最初に面接触した時点の電圧を計測することで求めることができる。そして、例えば制御装置4の記憶部(図示略)や、電圧制御部32に設けられた記憶部に初期設定電圧を記憶しておき、波長可変干渉フィルター5の駆動時に記憶部から当該初期設定電圧を読み出して静電アクチュエーター56に印加することで、容易に波長可変干渉フィルター5を初期状態に設定することができる。
At this time, since the electrostatic attractive force acting between the electrodes is inversely proportional to the square of the distance between the electrodes, the electrostatic attractive force acting on the interelectrode gap G2 is compared with the electrostatic attractive force acting on the minute gap G3. A larger electrostatic attraction acts between the small gaps G3 having a small gap size. Therefore, in the initial state where the minimum voltage (initial setting voltage) for bringing the insulating layer 57 and the fixed-side gap forming electrode portion 561B into surface contact is applied to the electrostatic actuator 56, the amount of deflection of the inner holding portion 522 is substantially “0”. And the inconvenience that the wave region measurable by the colorimetric device 1 is narrowed can be suppressed. That is, in the pre-drive state as shown in FIG. 3 the voltage to the electrostatic actuator 56 is not applied, the size of the reflective film gap G1 g 10, the size of the electrode gap G2 g 20, the minute gap G3 dimensions When g 30, in the initial state as shown in FIG. 4, the gap G1 between the reflective films of the dimensions (the initial gap dimension) g 1 is, g 10 -g 30, and the dimension g 2 of the inter-electrode gap G2 is, g 20 -G 30 .
The initial setting voltage is such that when the variable wavelength interference filter 5 is manufactured, the voltage applied to the electrostatic actuator 56 is gradually increased from “0” so that the insulating layer 57 and the fixed-side gap forming electrode portion 561B are first used. It can be obtained by measuring the voltage at the time of surface contact. For example, an initial setting voltage is stored in a storage unit (not shown) of the control device 4 or a storage unit provided in the voltage control unit 32, and the initial setting voltage is stored from the storage unit when the variable wavelength interference filter 5 is driven. Is read and applied to the electrostatic actuator 56, the wavelength variable interference filter 5 can be easily set to the initial state.

また、本実施形態の波長可変干渉フィルター5では、初期状態から更に静電アクチュエーター56に印加する電圧を大きくすることで、可動部521を固定基板51側に変位させて反射膜間ギャップG1の寸法を変化させ、当該波長可変干渉フィルター5を透過する光の波長を変化させることができる。
ここで、上記のように、電極間ギャップG2は、反射膜間ギャップG1よりも大きい寸法に形成されている。このため、反射膜間ギャップG1の変動可能量は、電極間ギャップG2によって規制されることはない。つまり、電極間ギャップG2の寸法が反射膜間ギャップG1の寸法よりも小さくなる場合では、反射膜間ギャップG1の変動可能範囲gは、(g−g)<g≦gとなる。これに対して、電極間ギャップG2の寸法が反射膜間ギャップG1の寸法よりも大きくなる場合では、反射膜間ギャップG1の変動可能範囲gは、0<g≦gとなり、反射膜間ギャップG1の設定値の幅を広げることができる。
Further, in the wavelength tunable interference filter 5 of the present embodiment, by further increasing the voltage applied to the electrostatic actuator 56 from the initial state, the movable part 521 is displaced to the fixed substrate 51 side, and the dimension of the gap G1 between the reflection films is measured. And the wavelength of light transmitted through the wavelength tunable interference filter 5 can be changed.
Here, as described above, the gap G2 between the electrodes is formed to have a size larger than the gap G1 between the reflection films. For this reason, the changeable amount of the gap G1 between the reflection films is not restricted by the gap G2 between the electrodes. That is, in the case where the dimension of the interelectrode gap G2 is smaller than the dimension of the interreflection film gap G1, the variable range g of the interreflection film gap G1 is (g 1 −g 2 ) <g ≦ g 1 . In contrast, in the case where the size of the inter-electrode gap G2 is greater than the dimension of the gap G1 between the reflective film, the variation range g of the reflection film gap G1 is, 0 <g ≦ g 1, and the reflective film gap The range of the set value of G1 can be expanded.

また、本実施形態の波長可変干渉フィルター5では、内側保持部522の固定基板51に対向する面に可動側電極562が設けられている。このような構成では、内側保持部522の剛性を大きくできる。これにより、波長可変干渉フィルター5を初期状態に設定する際に、初期設定電圧を印加した状態で、内側保持部522の撓みをより低減できる。また、初期状態から可動部521を変位させる際、静電アクチュエーター56に電圧を印加すると、静電引力の付与により内側保持部522が、固有振動数に基づく振動を繰り返し、徐々に振動が減退して所定位置で可動部521を停止させる。この際、内側保持部522の固定基板51に対向する面に可動側電極562が設けられる構成では、内側保持部522の剛性が大きくなるため、内側保持部522の振動が停止するまでの時間を短縮することができ、測色装置1における迅速な色度測定を実施することができる。
ここで、内側保持部522の剛性を大きくする場合、内側保持部522の厚み寸法を大きくすることも考えられるが、この場合、上記のように、内側保持部522の剛性を外側保持部523よりも大きくするためには、内側保持部522と外側保持部523との厚み寸法を異なる寸法に設定する必要がある。このような構成では、可動基板52にエッチングにより内側保持部522及び外側保持部523を形成する際に、内側保持部522及び外側保持部523のエッチング時間を異ならせたり、別工程で、内側保持部522及び外側保持部523を形成したりする必要があり、製造工程が煩雑になるという問題がある。これに対して、本実施形態では、内側保持部522及び外側保持部523を同一厚みに形成するため、製造工程を簡略化でき、かつ上述の効果を得ることができる。
In the variable wavelength interference filter 5 of the present embodiment, the movable side electrode 562 is provided on the surface of the inner holding portion 522 that faces the fixed substrate 51. In such a configuration, the rigidity of the inner holding portion 522 can be increased. Thereby, when setting the wavelength variable interference filter 5 to the initial state, the bending of the inner holding portion 522 can be further reduced in a state where the initial setting voltage is applied. Further, when the movable portion 521 is displaced from the initial state, when a voltage is applied to the electrostatic actuator 56, the inner holding portion 522 repeats vibration based on the natural frequency due to the application of electrostatic attraction, and the vibration gradually decreases. Then, the movable part 521 is stopped at a predetermined position. At this time, in the configuration in which the movable-side electrode 562 is provided on the surface of the inner holding portion 522 facing the fixed substrate 51, the rigidity of the inner holding portion 522 is increased. Therefore, the time until the vibration of the inner holding portion 522 stops is reduced. This can be shortened, and quick chromaticity measurement in the colorimetric device 1 can be performed.
Here, when increasing the rigidity of the inner holding part 522, it is conceivable to increase the thickness dimension of the inner holding part 522. In this case, however, the rigidity of the inner holding part 522 is greater than that of the outer holding part 523 as described above. In order to increase the thickness, it is necessary to set the thickness dimensions of the inner holding part 522 and the outer holding part 523 to different dimensions. In such a configuration, when the inner holding portion 522 and the outer holding portion 523 are formed on the movable substrate 52 by etching, the etching time of the inner holding portion 522 and the outer holding portion 523 is made different, or the inner holding portion is held in a separate process. It is necessary to form the part 522 and the outer holding part 523, and there is a problem that the manufacturing process becomes complicated. On the other hand, in this embodiment, since the inner side holding part 522 and the outer side holding part 523 are formed in the same thickness, a manufacturing process can be simplified and the above-mentioned effect can be acquired.

(3−2.電圧制御手段の構成)
電圧制御部32は、固定電極パッド563P、及び第一対向電極パッド581Pに接続され、制御装置4からの入力される制御信号に基づいて、これらの固定電極パッド563P及び第一対向電極パッド581Pを所定の電位に設定し、静電アクチュエーター56に電圧を印加して駆動させる。
(3-2. Configuration of voltage control means)
The voltage control unit 32 is connected to the fixed electrode pad 563P and the first counter electrode pad 581P, and the fixed electrode pad 563P and the first counter electrode pad 581P are connected based on the control signal input from the control device 4. A predetermined potential is set and a voltage is applied to the electrostatic actuator 56 to drive it.

〔4.制御装置の構成〕
制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。
この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、および本発明の分析処理部を構成する測色処理部43などを備えて構成されている。
光源制御部41は、光源装置2に接続されている。そして、光源制御部41は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置2に所定の制御信号を出力し、光源装置2から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。これにより、測色センサー3の電圧制御部32は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター56への印加電圧を設定する。
測色処理部43は、検出部31により検出された受光量から、検査対象Aの色度を分析する。
[4. Configuration of control device]
The control device 4 controls the overall operation of the color measurement device 1.
As the control device 4, for example, a general-purpose personal computer, a portable information terminal, other color measurement dedicated computer, or the like can be used.
As shown in FIG. 1, the control device 4 includes a light source control unit 41, a colorimetric sensor control unit 42, a colorimetric processing unit 43 that constitutes an analysis processing unit of the present invention, and the like.
The light source control unit 41 is connected to the light source device 2. Then, the light source control unit 41 outputs a predetermined control signal to the light source device 2 based on, for example, a user setting input, and causes the light source device 2 to emit white light with a predetermined brightness.
The colorimetric sensor control unit 42 is connected to the colorimetric sensor 3. The colorimetric sensor control unit 42 sets a wavelength of light received by the colorimetric sensor 3 based on, for example, a user's setting input, and outputs a control signal for detecting the amount of light received at this wavelength. Output to the colorimetric sensor 3. Thereby, the voltage control unit 32 of the colorimetric sensor 3 sets the voltage applied to the electrostatic actuator 56 so as to transmit only the wavelength of light desired by the user based on the control signal.
The colorimetric processing unit 43 analyzes the chromaticity of the inspection object A from the amount of received light detected by the detection unit 31.

〔5.実施形態の作用効果〕
上述したように、第一実施形態の波長可変干渉フィルター5では、固定基板51は、固定反射膜54が設けられる平坦な反射膜固定面512Aと、反射膜固定面512Aに平行で、固定側ギャップ形成電極部561Bが設けられる固定側初期ギャップ形成面513Aをそなえている。また、可動基板52は、固定基板51に対向する平坦な可動側対向面520内に、可動反射膜55が設けられる可動面520A及び可動側ギャップ形成電極部562Bが設けられる可動側接合面520Cを備え、可動側ギャップ形成電極部562Bの固定側ギャップ形成電極部561Bに対向する面に、微小ギャップG3を介して固定側ギャップ形成電極部561Bに対向する絶縁層57が設けられている。このため、固定側ギャップ形成電極部561B及び可動側ギャップ形成電極部562B間に電圧を印加することで、静電引力により外側可動部524が固定基板51側に変位し、絶縁層57が固定側ギャップ形成電極部561Bに面接触する。これにより、可動側対向面520と固定側初期ギャップ形成面513Aが平行となるため、固定側初期ギャップ形成面513Aと平行な反射膜固定面512Aも可動側対向面520と平行となる。したがって、例えば波長可変干渉フィルター5の製造工程において、固定基板51及び可動基板52を加圧接合する際に、固定基板51に対して可動基板52が傾斜するなどして、駆動前状態で、反射膜固定面512A及び可動側対向面520が平行でない場合であっても、初期状態において、可動基板52の傾斜を補正して、反射膜固定面512A上の固定反射膜54と、可動面520A上の可動反射膜55とが平行に維持された初期ギャップを形成することができる。このため、波長可変干渉フィルター5の分解能を高く維持することができる。また、静電アクチュエーター56は、固定側駆動電極部561A及び可動側駆動電極部562Aを備えているので、初期状態から更に電圧を印加することで、反射膜間ギャップG1の寸法を調整することができ、所望の波長の光を透過させることができる。
したがって、このような波長可変干渉フィルター5を備えた測色センサー3では、波長可変干渉フィルター5を透過した所望の測定対象波長の光の光量を正確に測定することができ、このような測色センサー3を備えた測色装置1は、正確な色度測定を実施することができる。
[5. (Effects of Embodiment)
As described above, in the wavelength tunable interference filter 5 of the first embodiment, the fixed substrate 51 is parallel to the flat reflective film fixing surface 512A on which the fixed reflective film 54 is provided and the reflective film fixed surface 512A, and the fixed side gap. A fixed-side initial gap forming surface 513A on which the forming electrode portion 561B is provided is provided. Further, the movable substrate 52 includes a movable surface 520A provided with the movable reflective film 55 and a movable side bonding surface 520C provided with the movable side gap forming electrode portion 562B in a flat movable side facing surface 520 facing the fixed substrate 51. In addition, an insulating layer 57 facing the fixed-side gap forming electrode portion 561B is provided on the surface facing the fixed-side gap forming electrode portion 561B of the movable-side gap forming electrode portion 562B via the minute gap G3. Therefore, by applying a voltage between the fixed-side gap forming electrode portion 561B and the movable-side gap forming electrode portion 562B, the outer movable portion 524 is displaced toward the fixed substrate 51 by electrostatic attraction, and the insulating layer 57 is fixed on the fixed side. It is in surface contact with the gap forming electrode portion 561B. As a result, the movable-side facing surface 520 and the fixed-side initial gap forming surface 513A are parallel to each other, so that the reflective film fixing surface 512A parallel to the fixed-side initial gap forming surface 513A is also parallel to the movable-side facing surface 520. Therefore, for example, in the manufacturing process of the variable wavelength interference filter 5, when the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 are pressure-bonded, the movable substrate 52 is inclined with respect to the fixed substrate 51. Even when the film fixing surface 512A and the movable-side facing surface 520 are not parallel, in the initial state, the inclination of the movable substrate 52 is corrected, and the fixed reflection film 54 on the reflection film fixing surface 512A and the movable surface 520A are corrected. It is possible to form an initial gap in which the movable reflective film 55 is maintained in parallel. For this reason, the resolution of the wavelength variable interference filter 5 can be maintained high. Further, since the electrostatic actuator 56 includes the fixed drive electrode portion 561A and the movable drive electrode portion 562A, the size of the inter-reflective film gap G1 can be adjusted by further applying a voltage from the initial state. And can transmit light of a desired wavelength.
Therefore, the colorimetric sensor 3 having such a wavelength tunable interference filter 5 can accurately measure the amount of light having a desired wavelength to be measured that has passed through the wavelength tunable interference filter 5. The colorimetric device 1 including the sensor 3 can perform accurate chromaticity measurement.

固定反射膜54及び可動反射膜55が設けられる反射膜固定面512A及び可動面520Aは、基板中心領域Ar1に配置され、この基板中心領域Ar1の外周を囲う環状領域Ar2に固定側ギャップ形成電極部561B、可動側ギャップ形成電極部562B及び絶縁層57が設けられている。このため、基板中心領域Ar1の外周側の一部のみに固定側ギャップ形成電極部561B、可動側ギャップ形成電極部562B、及び絶縁層57により構成された初期ギャップ形成部が設けられる場合に比べて、より確実に反射膜固定面512A及び可動面520Aの平行を維持することができる。   The reflection film fixed surface 512A and the movable surface 520A on which the fixed reflection film 54 and the movable reflection film 55 are provided are arranged in the substrate center region Ar1, and the fixed side gap forming electrode portion is arranged in the annular region Ar2 surrounding the outer periphery of the substrate center region Ar1. 561B, a movable side gap forming electrode portion 562B, and an insulating layer 57 are provided. Therefore, as compared with the case where the fixed gap forming electrode portion 561B, the movable gap forming electrode portion 562B, and the initial gap forming portion constituted by the insulating layer 57 are provided only on a part of the outer peripheral side of the substrate center region Ar1. Thus, the parallelism of the reflecting film fixed surface 512A and the movable surface 520A can be maintained more reliably.

可動基板52は、環状領域Ar2と外周領域Ar3との間に外側保持部523を備え、この外側保持部523により、外側可動部524が固定基板51に向かって移動可能に保持されている。このため、静電アクチュエーター56に電圧を印加した際に、外側保持部523が撓むことで、外側可動部524を変位させやすくなり、波長可変干渉フィルター5を初期状態に設定するための初期設定電圧を小さくでき、省電力化を図ることができる。
また、外側保持部523が設けられない構成では、波長可変干渉フィルター5を初期状態に設定するための初期設定電圧を大きくする必要がある。この場合、固定側駆動電極部561A及び可動側駆動電極部562A間に作用する静電引力も大きくなるため、初期状態において、内側保持部522が撓み、反射膜間ギャップG1の初期ギャップ寸法が小さくなる。これに対して、本実施形態では、上記のように、初期設定電圧を小さくすることができるため、初期状態における内側保持部522の撓みを抑制でき、反射膜間ギャップG1の初期ギャップ寸法を大きくすることができる。したがって、波長可変干渉フィルター5により取り出すことが可能な光の波長域をより広域化することができるので、測色装置1において測色可能な波長域も広域化され、より正確な色度測定を実施することができる。
更に、内側保持部522及び外側保持部523は、同一厚み寸法を有している。このような、内側保持部522及び外側保持部523は、可動基板52に対して一回のエッチング処理を実施することで、同時に形成することができ製造工程を簡略化することができる。
The movable substrate 52 includes an outer holding portion 523 between the annular region Ar2 and the outer peripheral region Ar3. The outer holding portion 523 holds the outer movable portion 524 movably toward the fixed substrate 51. For this reason, when the voltage is applied to the electrostatic actuator 56, the outer holding portion 523 is bent, so that the outer movable portion 524 is easily displaced, and the initial setting for setting the wavelength variable interference filter 5 to the initial state. The voltage can be reduced and power can be saved.
In the configuration in which the outer holding unit 523 is not provided, it is necessary to increase the initial setting voltage for setting the wavelength variable interference filter 5 to the initial state. In this case, since the electrostatic attractive force acting between the fixed drive electrode portion 561A and the movable drive electrode portion 562A is also increased, the inner holding portion 522 is bent in the initial state, and the initial gap dimension of the inter-reflective film gap G1 is small. Become. On the other hand, in the present embodiment, as described above, since the initial setting voltage can be reduced, the deflection of the inner holding portion 522 in the initial state can be suppressed, and the initial gap size of the inter-reflection film gap G1 can be increased. can do. Therefore, since the wavelength range of light that can be extracted by the wavelength variable interference filter 5 can be broadened, the wavelength range that can be measured by the colorimetric device 1 is also widened, so that more accurate chromaticity measurement can be performed. Can be implemented.
Furthermore, the inner holding part 522 and the outer holding part 523 have the same thickness dimension. Such an inner holding part 522 and an outer holding part 523 can be formed at the same time by performing the etching process once on the movable substrate 52, and the manufacturing process can be simplified.

可動側電極562は、可動面520Aから可動側初期ギャップ形成面520Bに亘ってリング状に形成されている。すなわち、内側保持部522の固定基板51に対向する可動側対向面520にも可動側電極562が形成されている。このため、内側保持部522上に設けられた可動側電極562により、内側保持部522の剛性を強くすることができる。したがって、固定側電極561及び可動側電極562間に初期設定電圧を印加した際に、内側保持部522は、外側保持部523よりも撓みにくくなり、反射膜間ギャップG1の初期ギャップ寸法の縮小を抑制することができる。また、初期状態から更に静電アクチュエーター56に電圧を印加して反射膜間ギャップG1を変化させる際に、内側保持部522の振動をより早く静止させることができ、迅速な測定を実施することができる。   The movable side electrode 562 is formed in a ring shape from the movable surface 520A to the movable side initial gap forming surface 520B. That is, the movable side electrode 562 is also formed on the movable side facing surface 520 of the inner holding portion 522 that faces the fixed substrate 51. For this reason, the rigidity of the inner side holding part 522 can be strengthened by the movable side electrode 562 provided on the inner side holding part 522. Therefore, when the initial setting voltage is applied between the fixed side electrode 561 and the movable side electrode 562, the inner holding portion 522 is less likely to bend than the outer holding portion 523, and the initial gap size of the inter-reflection film gap G1 is reduced. Can be suppressed. In addition, when the voltage is further applied to the electrostatic actuator 56 from the initial state to change the gap G1 between the reflection films, the vibration of the inner holding portion 522 can be stopped more quickly, and quick measurement can be performed. it can.

駆動前状態において、微小ギャップG3の寸法は、反射膜間ギャップG1の寸法よりも小さく、反射膜間ギャップG1の寸法は、電極間ギャップG2の寸法よりも小さく形成されている。
このため、静電アクチュエーター56に電圧を印加した際に、微小ギャップG3に作用する静電引力を、電極間ギャップG2に作用する静電引力よりも大きくでき、初期状態における内側保持部522に撓みをより軽減することができる。
また、電極間ギャップG2が反射膜間ギャップG1よりも大きいため、反射膜間ギャップG1の寸法の変動可能量を大きくできる。したがって、測色装置1の測定可能波長域を広域化することができる。また、固定側駆動電極部561A,可動側駆動電極部562A間での静電引力の制御が容易となり、反射膜間ギャップG1の寸法をより精度よく、所望の目標値に設定することができる。
In the pre-driving state, the size of the minute gap G3 is smaller than the size of the inter-reflection film gap G1, and the size of the inter-reflection film gap G1 is smaller than the size of the inter-electrode gap G2.
For this reason, when a voltage is applied to the electrostatic actuator 56, the electrostatic attractive force acting on the minute gap G3 can be made larger than the electrostatic attractive force acting on the inter-electrode gap G2, and the inner holding portion 522 is bent in the initial state. Can be further reduced.
Further, since the inter-electrode gap G2 is larger than the inter-reflective film gap G1, it is possible to increase the variable amount of the dimension of the inter-reflective film gap G1. Therefore, the measurable wavelength range of the color measuring device 1 can be widened. In addition, the electrostatic attraction between the fixed drive electrode portion 561A and the movable drive electrode portion 562A can be easily controlled, and the dimension of the gap G1 between the reflection films can be set to a desired target value with higher accuracy.

また、固定側駆動電極部561A及び固定側ギャップ形成電極部561Bは、1つの固定側電極561により構成され、電気的に接続された状態となる。同様に、可動側駆動電極部562A及び可動側ギャップ形成電極部562Bは、1つの可動側電極562により構成され、電気的に接続された状態となる。このため、固定側電極561に接続された固定電極パッド563P、可動側電極562に接続された第一対向電極パッド581Pに電圧を印加することで、固定側駆動電極部561A及び可動側駆動電極部562A間、可動側駆動電極部562A及び可動側ギャップ形成電極部562B間の双方に電圧を印加することができる。すなわち、簡単な構成で、電極間ギャップG2及び微小ギャップG3間のそれぞれに対して静電引力を作用させることができる。   Further, the fixed-side drive electrode portion 561A and the fixed-side gap forming electrode portion 561B are configured by one fixed-side electrode 561 and are in an electrically connected state. Similarly, the movable side drive electrode portion 562A and the movable side gap forming electrode portion 562B are configured by one movable side electrode 562 and are in an electrically connected state. Therefore, by applying a voltage to the fixed electrode pad 563P connected to the fixed side electrode 561 and the first counter electrode pad 581P connected to the movable side electrode 562, the fixed side drive electrode portion 561A and the movable side drive electrode portion A voltage can be applied between 562A and between the movable drive electrode portion 562A and the movable gap forming electrode portion 562B. That is, electrostatic attraction can be applied to each of the gap G2 between the electrodes and the minute gap G3 with a simple configuration.

[第二実施形態]
次に、本発明に係る第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態では、第一駆動電極である固定側駆動電極部561Aと、第一電極である固定側ギャップ形成電極部561Bが電気的に接続され、第二駆動電極である可動側駆動電極部562Aと、第二電極である可動側ギャップ形成電極部562Bが電気的に接続される構成とした。これに対して、第二実施形態の波長可変干渉フィルターは、第一駆動電極と第一電極とが電気的に絶縁され、第二駆動電極と第二電極とが電気的に絶縁される点で、第一実施形態の波長可変干渉フィルター5とは相違する。
[Second Embodiment]
Next, 2nd embodiment which concerns on this invention is described based on drawing.
In the first embodiment, the fixed-side drive electrode portion 561A that is the first drive electrode and the fixed-side gap forming electrode portion 561B that is the first electrode are electrically connected, and the movable-side drive electrode that is the second drive electrode. The part 562A and the movable side gap forming electrode part 562B which is the second electrode are electrically connected. In contrast, the variable wavelength interference filter according to the second embodiment is such that the first drive electrode and the first electrode are electrically insulated, and the second drive electrode and the second electrode are electrically insulated. This is different from the wavelength variable interference filter 5 of the first embodiment.

図5は、第二実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図である。図6は、第二実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図である。なお、以降の実施形態の説明に当たり、上記実施形態と同様の構成については、同符号を付し、その説明を省略又は簡略する。
本実施形態の波長可変干渉フィルター5Aでは、固定基板51の電極固定面511A上に本発明の第一駆動電極を構成する固定側駆動電極561Cが設けられ、固定側初期ギャップ形成面513A上に、本発明の第一電極を構成する固定側ギャップ形成電極561Dが設けられている。また、可動基板52の可動面520A上に、本発明の第二駆動電極を構成する可動側駆動電極562Cが設けられ、可動側初期ギャップ形成面520B上に、本発明の第二電極を構成する可動側ギャップ形成電極562Dが設けられている。
FIG. 5 is a plan view showing a schematic configuration of the variable wavelength interference filter according to the second embodiment. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a wavelength tunable interference filter according to the second embodiment. In the following description of the embodiments, the same reference numerals are given to the same configurations as those in the above embodiments, and the description thereof is omitted or simplified.
In the wavelength tunable interference filter 5A of the present embodiment, the fixed drive electrode 561C constituting the first drive electrode of the present invention is provided on the electrode fixed surface 511A of the fixed substrate 51, and on the fixed initial gap forming surface 513A. A fixed-side gap forming electrode 561D constituting the first electrode of the present invention is provided. Further, a movable drive electrode 562C constituting the second drive electrode of the present invention is provided on the movable surface 520A of the movable substrate 52, and the second electrode of the present invention is configured on the movable side initial gap forming surface 520B. A movable side gap forming electrode 562D is provided.

固定側駆動電極561Cは、フィルター平面視において、固定基板51の基板中心領域Ar1内である電極固定面511Aに、平面中心点Oを中心としたリング状に形成されている。固定側駆動電極561Cの頂点C1に最も近接する位置からは、頂点C1に向かって延出する固定引出電極563が設けられており、固定引出電極563の先端には、電圧制御部32に接続される固定電極パッド563Pが設けられている。
固定側ギャップ形成電極561Dは、固定側駆動電極561Cとは、電気的に絶縁された電極であり、フィルター平面視において、固定基板51の環状領域Ar2内に、平面中心点Oを中心としたC字状に形成されている。固定側ギャップ形成電極561Dは、頂点C1に近接する位置に、C字開口部分が設けられ、このC字開口部分に、固定側駆動電極561Cに接続された固定引出電極563が設けられている。また、固定側ギャップ形成電極561Dの頂点C4に最も近接する位置からは、頂点C4に向かって延出する固定側ギャップ形成用引出電極565が設けられており、固定側ギャップ形成用引出電極565の先端部分には、電圧制御部32に接続されるギャップ形成用電極パッド565Pが設けられている。
The fixed drive electrode 561C is formed in a ring shape centered on the plane center point O on the electrode fixing surface 511A in the substrate center region Ar1 of the fixed substrate 51 in the filter plan view. A fixed extraction electrode 563 extending toward the vertex C1 is provided from a position closest to the vertex C1 of the fixed drive electrode 561C, and the tip of the fixed extraction electrode 563 is connected to the voltage control unit 32. A fixed electrode pad 563P is provided.
The fixed-side gap forming electrode 561D is an electrode that is electrically insulated from the fixed-side drive electrode 561C. In the filter plan view, the fixed-side gap forming electrode 561D is a C centered on the plane center point O in the annular region Ar2 of the fixed substrate 51. It is formed in a letter shape. The fixed-side gap forming electrode 561D is provided with a C-shaped opening at a position close to the vertex C1, and a fixed extraction electrode 563 connected to the fixed-side driving electrode 561C is provided at the C-shaped opening. Further, a fixed-side gap forming lead electrode 565 extending toward the vertex C4 is provided from a position closest to the vertex C4 of the fixed-side gap forming electrode 561D. A gap forming electrode pad 565 </ b> P connected to the voltage control unit 32 is provided at the distal end portion.

そして、固定基板51には、頂点C3及び頂点C2に対応する位置に、それぞれ第一対向電極581及び第二対向電極582が設けられている。この第一対向電極581及び第二対向電極582は、それぞれ、固定側駆動電極561Cや固定側ギャップ形成電極561Dとは電気的に絶縁されている。また、第一対向電極581及び第二対向電極582の先端部には、電圧制御部32に接続される第一対向電極パッド581P及び第二対向電極パッド582Pが設けられている。   The fixed substrate 51 is provided with a first counter electrode 581 and a second counter electrode 582 at positions corresponding to the vertex C3 and the vertex C2, respectively. The first counter electrode 581 and the second counter electrode 582 are electrically insulated from the fixed drive electrode 561C and the fixed gap forming electrode 561D, respectively. Further, a first counter electrode pad 581P and a second counter electrode pad 582P connected to the voltage control unit 32 are provided at the distal ends of the first counter electrode 581 and the second counter electrode 582.

可動側駆動電極562Cは、フィルター平面視において、可動基板52の基板中心領域Ar1内である可動面520Aに、平面中心点Oを中心としたリング状に形成されている。可動側駆動電極562Cの頂点C3に最も近接する位置からは、頂点C3に向かって延出する可動引出電極564が設けられている。そして、可動引出電極564の先端は、固定基板51の頂点C3に設けられた第一対向電極581に、導電性部材58を介して接続されている。
可動側ギャップ形成電極562Dは、可動側駆動電極562Cとは、電気的に絶縁された電極であり、フィルター平面視において、可動基板52の環状領域Ar2内に、平面中心点Oを中心としたC字状に形成されている。可動側ギャップ形成電極562Dは、頂点C3に近接する位置にC字開口部分が設けられ、このC字開口部分に、可動側駆動電極562Cに接続された可動引出電極564が設けられている。また、可動側ギャップ形成電極562Dの頂点C2に最も近接する位置からは、頂点C2に向かって延出する可動側ギャップ形成用引出電極566が設けられている。そして、固定側ギャップ形成用引出電極565の先端は、固定基板51の頂点C2に設けられた第二対向電極582に、導電性部材58を介して接続されている。
また、可動側ギャップ形成電極562Dには、固定側ギャップ形成電極561Dに対向する面に絶縁層57が積層形成されている。
The movable drive electrode 562C is formed in a ring shape centered on the plane center point O on the movable surface 520A in the substrate center region Ar1 of the movable substrate 52 in the filter plan view. A movable extraction electrode 564 extending toward the vertex C3 is provided from the position closest to the vertex C3 of the movable drive electrode 562C. The tip of the movable extraction electrode 564 is connected to the first counter electrode 581 provided at the vertex C3 of the fixed substrate 51 via the conductive member 58.
The movable-side gap forming electrode 562D is an electrode that is electrically insulated from the movable-side drive electrode 562C. In the filter plan view, the movable-side gap forming electrode 562D is a C centered on the plane center point O in the annular region Ar2 of the movable substrate 52. It is formed in a letter shape. The movable side gap forming electrode 562D is provided with a C-shaped opening at a position close to the vertex C3, and a movable extraction electrode 564 connected to the movable driving electrode 562C is provided at the C-shaped opening. A movable-side gap forming lead electrode 566 extending toward the vertex C2 is provided from the position closest to the vertex C2 of the movable-side gap forming electrode 562D. The leading end of the fixed-side gap forming extraction electrode 565 is connected to the second counter electrode 582 provided at the vertex C <b> 2 of the fixed substrate 51 via the conductive member 58.
In addition, an insulating layer 57 is stacked on the movable-side gap forming electrode 562D on the surface facing the fixed-side gap forming electrode 561D.

このような波長可変干渉フィルター5Aでは、駆動前状態から初期状態への移行動作、及び反射膜間ギャップG1の寸法調整動作はそれぞれ別の電極により実施される。
駆動前状態から初期状態への移行動作は、電圧制御部32により、ギャップ形成用電極パッド565P及び第二対向電極パッド582Pから、固定側ギャップ形成電極561D及び可動側ギャップ形成電極562Dに初期設定電圧を印加する。これにより、固定側ギャップ形成電極561D及び可動側ギャップ形成電極562D間に静電引力が発生し、可動側ギャップ形成電極562D上の絶縁層57が固定側ギャップ形成電極561Dに面接触することで、反射膜間ギャップG1が初期ギャップ寸法に設定され初期状態となる。
そして、この初期状態において、電圧制御部32により、固定電極パッド563P及び第一対向電極パッド581Pから固定側駆動電極561C及び可動側駆動電極562Cに駆動電圧を印加することで、電極間ギャップG2に静電引力を作用させ、反射膜間ギャップG1を所望の寸法に設定することが可能となる。
In such a wavelength tunable interference filter 5A, the transition operation from the pre-driving state to the initial state and the dimension adjusting operation of the inter-reflective film gap G1 are performed by separate electrodes.
The transition operation from the pre-driving state to the initial state is performed by the voltage controller 32 from the gap forming electrode pad 565P and the second counter electrode pad 582P to the initial set voltage to the fixed side gap forming electrode 561D and the movable side gap forming electrode 562D. Is applied. As a result, an electrostatic attractive force is generated between the fixed-side gap forming electrode 561D and the movable-side gap forming electrode 562D, and the insulating layer 57 on the movable-side gap forming electrode 562D is in surface contact with the fixed-side gap forming electrode 561D. The inter-reflective film gap G1 is set to the initial gap dimension and is in the initial state.
In this initial state, the voltage control unit 32 applies a drive voltage from the fixed electrode pad 563P and the first counter electrode pad 581P to the fixed drive electrode 561C and the movable drive electrode 562C, so that the interelectrode gap G2 is applied. It is possible to set the gap G1 between the reflection films to a desired dimension by applying an electrostatic attractive force.

(実施形態の作用効果)
上述したような波長可変干渉フィルター5Aでは、固定側駆動電極561C及び固定側ギャップ形成電極561Dがそれぞれ独立して設けられ、固定電極パッド563P及びギャップ形成用電極パッド565Pからそれぞれ個別に信号入力が可能となっている。同様に、可動側駆動電極562C及び可動側ギャップ形成電極562Dがそれぞれ独立して設けられ、第一対向電極パッド581P及び第二対向電極パッド582Pからそれぞれ個別に信号入力が可能となっている。したがって、電極間ギャップG2において作用させる静電引力及び微小ギャップG3において作用させる静電引力をそれぞれ個別に設定することができる。これにより、固定側ギャップ形成電極561D及び可動側ギャップ形成電極562D間のみに電圧を印加して、波長可変干渉フィルター5Aを初期状態に設定することができ、初期状態において、可動面520A及び可動側初期ギャップ形成面520Bを同一平面とすることができる。したがって、反射膜間ギャップG1の変位可能量をより大きくすることができ、波長可変干渉フィルター5Aにより取り出すことが可能となる光の波長域を広げることができる。
(Effect of embodiment)
In the wavelength variable interference filter 5A as described above, the fixed-side drive electrode 561C and the fixed-side gap forming electrode 561D are provided independently, and signals can be individually input from the fixed electrode pad 563P and the gap forming electrode pad 565P. It has become. Similarly, the movable-side drive electrode 562C and the movable-side gap forming electrode 562D are provided independently, and signals can be individually input from the first counter electrode pad 581P and the second counter electrode pad 582P. Therefore, the electrostatic attractive force acting on the gap G2 between the electrodes and the electrostatic attractive force acting on the minute gap G3 can be set individually. Accordingly, it is possible to set the wavelength variable interference filter 5A to the initial state by applying a voltage only between the fixed side gap forming electrode 561D and the movable side gap forming electrode 562D. In the initial state, the movable surface 520A and the movable side The initial gap forming surface 520B can be the same plane. Therefore, the displaceable amount of the gap G1 between the reflection films can be increased, and the wavelength range of light that can be extracted by the wavelength variable interference filter 5A can be expanded.

[実施形態の変形]
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、上記実施形態では、本発明の初期ギャップ形成部として、固定基板51及び可動基板52間に設けられる固定側ギャップ形成電極部561B、可動側ギャップ形成電極部562B及び絶縁層57により構成される例、又は固定側ギャップ形成電極561D、可動側ギャップ形成電極562D及び57により構成される例を示したがこれに限定されない。例えば、図7に示すような構成としてもよい。
図7は、本発明の他の実施形態における波長可変干渉フィルター5Bの概略構成を示す断面図である。
この波長可変干渉フィルター5Bは、固定基板51及び可動基板52を保持するケース6を備えており、このケース6には、可動基板52の外側可動部524に対向する位置に、本発明の初期ギャップ形成部である付勢部材61が設けられている。
そして、この波長可変干渉フィルター5Bは、固定基板51の固定側初期ギャップ形成面513A、及び可動基板52の可動側初期ギャップ形成面520Bには、電極が設けられておらず、付勢部材61の付勢力により外側可動部524が固定基板51側に付勢されて固定側初期ギャップ形成面513A及び可動側初期ギャップ形成面520Bが直接面接触する。ここで、付勢手段としては、例えば、コイルばね、圧電素子、弾性を有する樹脂等を用いることができる。
このような構成の波長可変干渉フィルター5Bであっても、固定側初期ギャップ形成面513Aと可動側初期ギャップ形成面520Bとが面接触することにより、反射膜固定面512A及び可動面520Aを平行にでき、固定反射膜54及び可動反射膜55が平行に維持された初期状態に設定することができる。
[Modification of Embodiment]
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
For example, in the above-described embodiment, the initial gap forming portion of the present invention includes the fixed side gap forming electrode portion 561B, the movable side gap forming electrode portion 562B, and the insulating layer 57 provided between the fixed substrate 51 and the movable substrate 52. Although an example or an example constituted by the fixed side gap forming electrode 561D and the movable side gap forming electrodes 562D and 57 has been shown, the present invention is not limited to this. For example, it is good also as a structure as shown in FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a wavelength tunable interference filter 5B according to another embodiment of the present invention.
The variable wavelength interference filter 5B includes a case 6 that holds a fixed substrate 51 and a movable substrate 52. In the case 6, the initial gap of the present invention is located at a position facing the outer movable portion 524 of the movable substrate 52. An urging member 61 that is a forming portion is provided.
In the variable wavelength interference filter 5B, the fixed side initial gap forming surface 513A of the fixed substrate 51 and the movable side initial gap forming surface 520B of the movable substrate 52 are not provided with electrodes. The outer movable portion 524 is biased toward the fixed substrate 51 by the biasing force, and the fixed initial gap forming surface 513A and the movable initial gap forming surface 520B are in direct surface contact. Here, as the biasing means, for example, a coil spring, a piezoelectric element, an elastic resin, or the like can be used.
Even in the variable wavelength interference filter 5B having such a configuration, the fixed initial gap forming surface 513A and the movable initial gap forming surface 520B are in surface contact with each other, so that the reflective film fixed surface 512A and the movable surface 520A are parallel to each other. The fixed reflective film 54 and the movable reflective film 55 can be set in an initial state where they are maintained in parallel.

上記第一実施形態では、可動側ギャップ形成電極部562B上に絶縁層57を形成する構成を例示したが、絶縁層57が可動側電極562の固定側電極561に対向する面全体を覆う構成としてもよい。この場合、固定側電極561及び可動側電極562間の放電等によるリークを防止することができ、反射膜間ギャップG1の寸法調整を精度よく実施できる。同様に、第二実施形態では、可動側ギャップ形成電極562D上に絶縁層57を形成する構成を例示したが、可動側駆動電極562C上にも絶縁層57を形成する構成としてもよい。
更には、絶縁層57が可動側ギャップ形成電極部562Bに設けられる構成に限らず、例えば、固定側ギャップ形成電極部561B上に設けられる構成としてもよく、固定側ギャップ形成電極部561B及び可動側ギャップ形成電極部562Bの双方に絶縁層57が設けられる構成としてもよい。第二実施形態においても同様であり、固定側ギャップ形成電極561Dに絶縁層57が設けられる構成や、固定側ギャップ形成電極561D及び可動側ギャップ形成電極562Dの双方に絶縁層57が設けられる構成などとしてもよい。さらには、固定側電極561の可動側電極562に対向する面全面に絶縁層57が設けられる構成、固定側電極561及び可動側電極562の双方における互いに対向する全面に絶縁層57が設けられる構成などとしてもよい。
In the first embodiment, the configuration in which the insulating layer 57 is formed on the movable side gap forming electrode portion 562B is exemplified, but the insulating layer 57 covers the entire surface of the movable side electrode 562 that faces the fixed side electrode 561. Also good. In this case, leakage due to discharge or the like between the fixed side electrode 561 and the movable side electrode 562 can be prevented, and the dimension adjustment of the gap G1 between the reflection films can be performed with high accuracy. Similarly, in the second embodiment, the configuration in which the insulating layer 57 is formed on the movable side gap forming electrode 562D is exemplified, but the insulating layer 57 may be formed on the movable side driving electrode 562C.
Furthermore, the configuration is not limited to the configuration in which the insulating layer 57 is provided on the movable side gap forming electrode portion 562B. For example, the insulating layer 57 may be provided on the fixed side gap forming electrode portion 561B. The insulating layer 57 may be provided on both of the gap forming electrode portions 562B. The same applies to the second embodiment, such that the insulating layer 57 is provided on the fixed gap forming electrode 561D, the insulating layer 57 is provided on both the fixed gap forming electrode 561D and the movable gap forming electrode 562D, and the like. It is good. Furthermore, a configuration in which the insulating layer 57 is provided on the entire surface of the fixed side electrode 561 facing the movable side electrode 562, and a configuration in which the insulating layer 57 is provided on the entire surface of the fixed side electrode 561 and the movable side electrode 562 facing each other. And so on.

上記実施形態では、電極間ギャップG2が反射膜間ギャップG1よりも大きく形成された構成を例示したが、これに限定されない。例えば、電極固定面511Aと反射膜固定面512Aとが同一面に形成される構成や、電極固定面511Aの中心部に、円柱凹溝上の反射膜固定溝が形成され、この反射膜固定溝の底面に反射膜固定面512Aが形成される構成などとしてもよい。このような構成では、例えば測定対象光として、赤外光や遠赤外光等の比較的波長が大きい光の分析を実施する場合に適している。   In the above embodiment, the configuration in which the inter-electrode gap G2 is formed larger than the inter-reflective film gap G1 is exemplified, but the present invention is not limited to this. For example, a configuration in which the electrode fixing surface 511A and the reflecting film fixing surface 512A are formed on the same surface, or a reflecting film fixing groove on a cylindrical concave groove is formed at the center of the electrode fixing surface 511A. A configuration in which the reflective film fixing surface 512A is formed on the bottom surface may be employed. Such a configuration is suitable, for example, when analyzing light having a relatively large wavelength, such as infrared light or far infrared light, as measurement target light.

上記実施形態において、本発明の干渉フィルターとして、固定側駆動電極部561A及び可動側駆動電極部562A、又は固定側駆動電極561C及び可動側駆動電極562Cにより、反射膜間ギャップG1の寸法を変動させることが可能な波長可変干渉フィルター5,波長可変干渉フィルター5A,波長可変干渉フィルター5Bを例示したが、これに限らない。例えば、固定側駆動電極部561A及び可動側駆動電極部562Aや、固定側駆動電極561C及び可動側駆動電極562Cが設けられず、反射膜間ギャップG1の寸法が予め設定された固定値であり、反射膜間ギャップG1に応じた所定波長光のみを取り出す干渉フィルターに対しても本発明を適用することができる。この場合でも、固定反射膜54及び可動反射膜55を平行に維持することができるため、精度よく前記所定波長の光を透過させることができ、干渉フィルターにおける分解能を向上させることができる。   In the above embodiment, as the interference filter of the present invention, the dimension of the inter-reflective film gap G1 is varied by the fixed drive electrode unit 561A and the movable drive electrode unit 562A, or the fixed drive electrode 561C and the movable drive electrode 562C. The tunable interference filter 5, the tunable interference filter 5 </ b> A, and the tunable interference filter 5 </ b> B that can be used are exemplified, but the present invention is not limited thereto. For example, the fixed drive electrode unit 561A and the movable drive electrode unit 562A, the fixed drive electrode 561C and the movable drive electrode 562C are not provided, and the dimension of the inter-reflection film gap G1 is a fixed value set in advance. The present invention can also be applied to an interference filter that extracts only light having a predetermined wavelength according to the gap G1 between the reflection films. Even in this case, since the fixed reflection film 54 and the movable reflection film 55 can be maintained in parallel, the light of the predetermined wavelength can be transmitted with high accuracy, and the resolution in the interference filter can be improved.

また、上記実施形態では、可動基板52の固定基板51に対向する可動側対向面520内に、可動面520A及び可動側初期ギャップ形成面520Bが設けられる構成、すなわち、可動面520A及び可動側初期ギャップ形成面520Bが同一平面内に設けられる面としたが、これに限定されない。例えば可動側対向面520の環状領域Ar2、又は環状領域Ar2及び外周領域Ar3が固定基板51側に突出して形成され、可動面520Aと可動側初期ギャップ形成面520Bとが異なる平面である構成としてもよい。   In the above-described embodiment, the movable surface 520 and the movable initial gap forming surface 520B are provided in the movable-side facing surface 520 of the movable substrate 52 facing the fixed substrate 51, that is, the movable surface 520A and the movable-side initial surface. Although the gap forming surface 520B is a surface provided in the same plane, the present invention is not limited to this. For example, the annular region Ar2 of the movable side facing surface 520 or the annular region Ar2 and the outer peripheral region Ar3 are formed so as to protrude toward the fixed substrate 51, and the movable surface 520A and the movable side initial gap forming surface 520B are different planes. Good.

本発明の電子機器として、測色装置1を例示したが、その他、様々な分野により本発明の波長可変干渉フィルター、光モジュール、電子機器を用いることができる。
例えば、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムとして用いることができる。このようなシステムとしては、例えば、本発明の波長可変干渉フィルターを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器などのガス検出装置を例示できる。
このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。
Although the colorimetric device 1 is exemplified as the electronic apparatus of the present invention, the wavelength variable interference filter, optical module, and electronic apparatus of the present invention can be used in various other fields.
For example, it can be used as a light-based system for detecting the presence of a specific substance. As such a system, for example, an in-vehicle gas leak detector that detects a specific gas with high sensitivity by adopting a spectroscopic measurement method using the variable wavelength interference filter of the present invention, or a photoacoustic rare gas detection for a breath test. A gas detection device such as a vessel can be exemplified.
An example of such a gas detection device will be described below with reference to the drawings.

図8は、波長可変干渉フィルターを備えたガス検出装置の一例を示す概略図である。
図9は、図8のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置100は、図8に示すように、センサーチップ110と、吸引口120A、吸引流路120B、排出流路120C、および排出口120Dを備えた流路120と、本体部130と、を備えて構成されている。
本体部130は、流路120を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー131、排出手段133、筐体134、光学部135、フィルター136、波長可変干渉フィルター5、および受光素子137(検出部)等を含む検出装置(光モジュール)と、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部138、電力を供給する電力供給部139等から構成されている。また、光学部135は、光を射出する光源135Aと、光源135Aから入射された光をセンサーチップ110側に反射し、センサーチップ110側から入射された光を受光素子137側に透過するビームスプリッター135Bと、レンズ135C,レンズ135D,レンズ135Eと、により構成されている。なお、波長可変干渉フィルター5を用いる構成を例示するが、上述した波長可変干渉フィルター5A,波長可変干渉フィルター5Bを用いる構成としてもよい。
また、図9に示すように、ガス検出装置100の表面には、操作パネル140、表示部141、外部とのインターフェイスのための接続部142、電力供給部139が設けられている。電力供給部139が二次電池の場合には、充電のための接続部143を備えてもよい。
さらに、ガス検出装置100の制御部138は、図9に示すように、CPU等により構成された信号処理部144、光源135Aを制御するための光源ドライバー回路145、波長可変干渉フィルター5を制御するための電圧制御部146、受光素子137からの信号を受信する受光回路147、センサーチップ110のコードを読み取り、センサーチップ110の有無を検出するセンサーチップ検出器148からの信号を受信するセンサーチップ検出回路149、および排出手段133を制御する排出ドライバー回路150などを備えている。
FIG. 8 is a schematic diagram illustrating an example of a gas detection apparatus including a wavelength variable interference filter.
FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of a control system of the gas detection device of FIG.
As shown in FIG. 8, the gas detection device 100 includes a sensor chip 110, a flow path 120 including a suction port 120A, a suction flow path 120B, a discharge flow path 120C, and a discharge port 120D, a main body 130, It is configured with.
The main body unit 130 includes a sensor unit cover 131 having an opening through which the flow channel 120 can be attached, a discharge unit 133, a housing 134, an optical unit 135, a filter 136, a wavelength variable interference filter 5, a light receiving element 137 (detection unit), and the like. And a control unit 138 for processing a detected signal and controlling the detection unit, a power supply unit 139 for supplying power, and the like. The optical unit 135 emits light, and a beam splitter that reflects light incident from the light source 135A toward the sensor chip 110 and transmits light incident from the sensor chip 110 toward the light receiving element 137. 135B, a lens 135C, a lens 135D, and a lens 135E. In addition, although the structure which uses the wavelength variable interference filter 5 is illustrated, it is good also as a structure which uses the wavelength variable interference filter 5A and the wavelength variable interference filter 5B which were mentioned above.
Further, as shown in FIG. 9, an operation panel 140, a display unit 141, a connection unit 142 for interface with the outside, and a power supply unit 139 are provided on the surface of the gas detection device 100. When the power supply unit 139 is a secondary battery, a connection unit 143 for charging may be provided.
Further, as shown in FIG. 9, the control unit 138 of the gas detection apparatus 100 controls a signal processing unit 144 configured by a CPU or the like, a light source driver circuit 145 for controlling the light source 135A, and the variable wavelength interference filter 5. Voltage control unit 146, a light receiving circuit 147 that receives a signal from the light receiving element 137, a sensor chip detection that reads a code of the sensor chip 110 and receives a signal from a sensor chip detector 148 that detects the presence or absence of the sensor chip 110 A circuit 149, a discharge driver circuit 150 for controlling the discharge means 133, and the like are provided.

次に、上記のようなガス検出装置100の動作について、以下に説明する。
本体部130の上部のセンサー部カバー131の内部には、センサーチップ検出器148が設けられており、このセンサーチップ検出器148でセンサーチップ110の有無が検出される。信号処理部144は、センサーチップ検出器148からの検出信号を検出すると、センサーチップ110が装着された状態であると判断し、表示部141へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
Next, operation | movement of the above gas detection apparatuses 100 is demonstrated below.
A sensor chip detector 148 is provided inside the sensor unit cover 131 at the upper part of the main body unit 130, and the sensor chip detector 148 detects the presence or absence of the sensor chip 110. When the signal processing unit 144 detects the detection signal from the sensor chip detector 148, the signal processing unit 144 determines that the sensor chip 110 is attached, and displays a display signal for displaying on the display unit 141 that the detection operation can be performed. put out.

そして、例えば利用者により操作パネル140が操作され、操作パネル140から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部144へ出力されると、まず、信号処理部144は、光源ドライバー回路145に光源作動の信号を出力して光源135Aを作動させる。光源135Aが駆動されると、光源135Aから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光を射出される。また、光源135Aには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部144へ出力される。そして、信号処理部144は、光源135Aから入力された温度や光量に基づいて、光源135Aが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路150を制御して排出手段133を作動させる。これにより、検出すべき標的物質(ガス分子)を含んだ気体試料が、吸引口120Aから、吸引流路120B、センサーチップ110内、排出流路120C、排出口120Dへと誘導される。   For example, when the operation panel 140 is operated by the user and an instruction signal to start the detection process is output from the operation panel 140 to the signal processing unit 144, the signal processing unit 144 first sends the signal processing unit 144 to the light source driver circuit 145. A light source activation signal is output to activate the light source 135A. When the light source 135A is driven, a linearly polarized laser beam having a single wavelength is emitted from the light source 135A. The light source 135A includes a temperature sensor and a light amount sensor, and the information is output to the signal processing unit 144. When the signal processing unit 144 determines that the light source 135A is stably operating based on the temperature and light quantity input from the light source 135A, the signal processing unit 144 controls the discharge driver circuit 150 to operate the discharge unit 133. Thereby, the gas sample containing the target substance (gas molecule) to be detected is guided from the suction port 120A to the suction channel 120B, the sensor chip 110, the discharge channel 120C, and the discharge port 120D.

また、センサーチップ110は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ110では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、およびレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部135を通ってフィルター136に入射し、フィルター136によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が波長可変干渉フィルター5に入射する。そして、信号処理部144は、電圧制御部146を制御し、波長可変干渉フィルター5に印加する電圧を調整し、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を波長可変干渉フィルター5で分光させる。この後、分光した光が受光素子137で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路147を介して信号処理部144に出力される。
信号処理部144は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ROMに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部144は、表示部141にその結果情報を表示させたり、接続部142から外部へ出力したりする。
The sensor chip 110 is a sensor that incorporates a plurality of metal nanostructures and uses localized surface plasmon resonance. In such a sensor chip 110, an enhanced electric field is formed between the metal nanostructures by laser light, and when gas molecules enter the enhanced electric field, Raman scattered light and Rayleigh scattered light including information on molecular vibrations are generated. Occur.
These Rayleigh scattered light and Raman scattered light enter the filter 136 through the optical unit 135, and the Rayleigh scattered light is separated by the filter 136, and the Raman scattered light enters the wavelength variable interference filter 5. Then, the signal processing unit 144 controls the voltage control unit 146 to adjust the voltage applied to the wavelength variable interference filter 5, and causes the wavelength variable interference filter 5 to split the Raman scattered light corresponding to the gas molecule to be detected. . Thereafter, when the dispersed light is received by the light receiving element 137, a light reception signal corresponding to the amount of received light is output to the signal processing unit 144 via the light receiving circuit 147.
The signal processing unit 144 compares the spectrum data of the Raman scattered light corresponding to the gas molecule to be detected obtained as described above and the data stored in the ROM, and determines whether or not the target gas molecule is the target gas molecule. To determine the substance. Further, the signal processing unit 144 displays the result information on the display unit 141 or outputs the result information from the connection unit 142 to the outside.

なお、上記図8及び図9において、ラマン散乱光を波長可変干渉フィルター5により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置100を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の電子機器とする。このような構成でも、本発明の波長可変干渉フィルターを用いてガスの成分を検出することができる。   8 and 9, the gas detection device 100 that performs gas detection from the Raman scattered light obtained by spectrally dividing the Raman scattered light with the variable wavelength interference filter 5 is illustrated. You may use as a gas detection apparatus which specifies gas classification by detecting the light absorbency of. In this case, a gas sensor that allows gas to flow into the sensor and detects light absorbed by the gas in the incident light is used as the optical module of the present invention. A gas detection device that analyzes and discriminates the gas flowing into the sensor by such a gas sensor is an electronic apparatus of the present invention. Even in such a configuration, the gas component can be detected by using the variable wavelength interference filter of the present invention.

また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。
In addition, the system for detecting the presence of a specific substance is not limited to the detection of the gas as described above, but a non-invasive measuring device for saccharides by near-infrared spectroscopy, and non-invasive information on food, living body, minerals, etc. A substance component analyzer such as a measuring device can be exemplified.
Hereinafter, a food analyzer will be described as an example of the substance component analyzer.

図10は、波長可変干渉フィルター5を利用した電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図である。なお、ここでは波長可変干渉フィルター5を用いているが、波長可変干渉フィルター5A,波長可変干渉フィルター5Bを用いる構成としてもよい。
この食物分析装置200は、図10に示すように、検出器210(光モジュール)と、制御部220と、表示部230と、を備えている。検出器210は、光を射出する光源211と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ212と、撮像レンズ212から導入された光を分光する波長可変干渉フィルター5と、分光された光を検出する撮像部213(検出部)と、を備えている。
また、制御部220は、光源211の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部221と、波長可変干渉フィルター5を制御する電圧制御部222と、撮像部213を制御し、撮像部213で撮像された分光画像を取得する検出制御部223と、信号処理部224と、記憶部225と、を備えている。
FIG. 10 is a diagram illustrating a schematic configuration of a food analyzer that is an example of an electronic apparatus using the wavelength tunable interference filter 5. Although the wavelength variable interference filter 5 is used here, a configuration using the wavelength variable interference filter 5A and the wavelength variable interference filter 5B may be used.
As shown in FIG. 10, the food analysis device 200 includes a detector 210 (optical module), a control unit 220, and a display unit 230. The detector 210 includes a light source 211 that emits light, an imaging lens 212 into which light from the measurement target is introduced, a wavelength variable interference filter 5 that splits the light introduced from the imaging lens 212, and the dispersed light. And an imaging unit 213 (detection unit) for detecting.
In addition, the control unit 220 controls the light source control unit 221 that controls the turning on / off of the light source 211 and the brightness control at the time of lighting, the voltage control unit 222 that controls the wavelength variable interference filter 5, and the imaging unit 213. , A detection control unit 223 that acquires a spectral image captured by the imaging unit 213, a signal processing unit 224, and a storage unit 225.

この食物分析装置200は、システムを駆動させると、光源制御部221により光源211が制御されて、光源211から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ212を通って波長可変干渉フィルター5に入射する。波長可変干渉フィルター5は電圧制御部222の制御により所望の波長を分光可能な電圧が印加されており、分光された光が、例えばCCDカメラ等により構成される撮像部213で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部225に蓄積される。また、信号処理部224は、電圧制御部222を制御して波長可変干渉フィルター5に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。   In the food analyzer 200, when the system is driven, the light source 211 is controlled by the light source control unit 221, and light is irradiated from the light source 211 to the measurement object. Then, the light reflected by the measurement object enters the wavelength variable interference filter 5 through the imaging lens 212. The variable wavelength interference filter 5 is applied with a voltage capable of dispersing a desired wavelength under the control of the voltage control unit 222, and the dispersed light is imaged by an imaging unit 213 configured by, for example, a CCD camera or the like. The captured light is accumulated in the storage unit 225 as a spectral image. In addition, the signal processing unit 224 controls the voltage control unit 222 to change the voltage value applied to the wavelength tunable interference filter 5, and acquires a spectral image for each wavelength.

そして、信号処理部224は、記憶部225に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部225には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部224は、求めたスペクトルのデータを、記憶部225に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、およびその含有量を求める。また、得られた食物成分および含有量から、食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。さらに、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、さらには、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。
そして、信号処理部224は、上述のようにした得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部230に表示させる処理をする。
Then, the signal processing unit 224 performs arithmetic processing on the data of each pixel in each image accumulated in the storage unit 225, and obtains a spectrum at each pixel. In addition, the storage unit 225 stores, for example, information related to food components with respect to the spectrum, and the signal processing unit 224 analyzes the obtained spectrum data based on the information related to food stored in the storage unit 225. The food component contained in the detection target and the content thereof are obtained. Moreover, a food calorie, a freshness, etc. are computable from the obtained food component and content. Furthermore, by analyzing the spectral distribution in the image, it is possible to extract a portion of the food to be inspected that has reduced freshness, and to detect foreign substances contained in the food. Can also be implemented.
Then, the signal processing unit 224 performs processing for causing the display unit 230 to display information such as the component and content of the food to be inspected and the calories and freshness obtained as described above.

また、図10において、食物分析装置200の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる、また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
さらには、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
FIG. 10 shows an example of the food analysis apparatus 200, but it can also be used as a non-invasive measurement apparatus for other information as described above with a substantially similar configuration. For example, it can be used as a biological analyzer for analyzing biological components such as measurement and analysis of body fluid components such as blood. As such a bioanalytical device, for example, as a device for measuring a body fluid component such as blood, a device for detecting ethyl alcohol can be used as a drunk driving prevention device for detecting a driver's drinking state. Further, it can also be used as an electronic endoscope system provided with such a biological analyzer.
Furthermore, it can also be used as a mineral analyzer for performing component analysis of minerals.

さらには、本発明の波長可変干渉フィルター、光モジュール、電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
Furthermore, the wavelength variable interference filter, optical module, and electronic device of the present invention can be applied to the following devices.
For example, by changing the intensity of light of each wavelength over time, it is also possible to transmit data using light of each wavelength. In this case, light of a specific wavelength is transmitted by a wavelength variable interference filter provided in the optical module. The data transmitted by the light of the specific wavelength can be extracted by separating the light and receiving the light at the light receiving unit, and the electronic device equipped with such an optical module for data extraction can be used to extract the light data of each wavelength. By processing, optical communication can be performed.

また、電子機器としては、本発明の波長可変干渉フィルターにより光を分光することで、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、波長可変干渉フィルターを内蔵した赤外線カメラが挙げられる。
図11は、分光カメラの概略構成を示す模式図である。分光カメラ300は、図11に示すように、カメラ本体310と、撮像レンズユニット320と、撮像部330(検出部)とを備えている。
カメラ本体310は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット320は、カメラ本体310に設けられ、入射した画像光を撮像部330に導光する。また、この撮像レンズユニット320は、図11に示すように、対物レンズ321、結像レンズ322、及びこれらのレンズ間に設けられた波長可変干渉フィルター5を備えて構成されている。
撮像部330は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット320により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ300では、波長可変干渉フィルター5により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。
Further, the electronic apparatus can be applied to a spectroscopic camera, a spectroscopic analyzer, or the like that captures a spectroscopic image by dispersing light with the variable wavelength interference filter of the present invention. An example of such a spectroscopic camera is an infrared camera incorporating a wavelength variable interference filter.
FIG. 11 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the spectroscopic camera. As shown in FIG. 11, the spectroscopic camera 300 includes a camera body 310, an imaging lens unit 320, and an imaging unit 330 (detection unit).
The camera body 310 is a part that is gripped and operated by a user.
The imaging lens unit 320 is provided in the camera body 310 and guides incident image light to the imaging unit 330. Further, as shown in FIG. 11, the imaging lens unit 320 includes an objective lens 321, an imaging lens 322, and a variable wavelength interference filter 5 provided between these lenses.
The imaging unit 330 includes a light receiving element, and images the image light guided by the imaging lens unit 320.
In such a spectroscopic camera 300, a spectral image of light having a desired wavelength can be captured by transmitting light having a wavelength to be imaged by the variable wavelength interference filter 5.

さらには、本発明の波長可変干渉フィルターをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを波長可変干渉フィルターで分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
また、本発明の波長可変干渉フィルターを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
Furthermore, the wavelength tunable interference filter of the present invention may be used as a bandpass filter. For example, only light in a narrow band centered on a predetermined wavelength out of light in a predetermined wavelength range emitted from the light emitting element can be wavelength-variable. It can also be used as an optical laser device that spectrally transmits through an interference filter.
In addition, the tunable interference filter of the present invention may be used as a biometric authentication device, and can be applied to authentication devices such as blood vessels, fingerprints, retinas, and irises using light in the near infrared region and visible region.

さらには、光モジュールおよび電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、波長可変干渉フィルターにより、物質から射出された赤外エネルギー(赤外光)を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。   Furthermore, an optical module and an electronic device can be used as a concentration detection device. In this case, the infrared energy (infrared light) emitted from the substance is spectrally analyzed by the variable wavelength interference filter, and the analyte concentration in the sample is measured.

上記に示すように、本発明の波長可変干渉フィルター、光モジュール、および電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の波長可変干渉フィルターは、上述のように、1デバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。   As described above, the tunable interference filter, the optical module, and the electronic device of the present invention can be applied to any device that splits predetermined light from incident light. Since the wavelength tunable interference filter according to the present invention can split a plurality of wavelengths with one device as described above, it is possible to accurately measure a spectrum of a plurality of wavelengths and detect a plurality of components. it can. Therefore, compared with the conventional apparatus which takes out a desired wavelength with multiple devices, size reduction of an optical module or an electronic device can be promoted, and for example, it can be suitably used as a portable or vehicle-mounted optical device.

その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。   In addition, the specific structure for carrying out the present invention can be appropriately changed to another structure or the like as long as the object of the present invention can be achieved.

1…測色装置(電子機器)、3…測色センサー(光モジュール)、5,5A,5B…波長可変干渉フィルター、31…検出部、51…固定基板(第一基板)、52…可動基板(第二基板)、54…固定反射膜(第一反射膜)、55…可動反射膜(第二反射膜)、57…絶縁層、61…付勢部材(初期ギャップ形成部)、512A…反射膜固定面(第一反射膜固定面)、513A…固定側初期ギャップ形成面(第一初期ギャップ形成面)、520A…可動面(第二反射膜固定面)、520B…可動側初期ギャップ形成面(第二初期ギャップ形成面)、520C…可動側接合面(接合部)、523…外側保持部、561A…固定側駆動電極部(第一駆動電極)、561B…固定側ギャップ形成電極部(第一電極)、561C…固定側駆動電極(第一駆動電極)、561D…固定側ギャップ形成電極(第一電極)、562A…可動側駆動電極部(第二駆動電極)、562B…可動側ギャップ形成電極部(第二電極)、562C…可動側駆動電極(第二駆動電極)、562D…可動側ギャップ形成電極(第二電極)、Ar1…基板中心領域、Ar2…環状領域、G1…反射膜間ギャップ、G2…電極間ギャップ、G3…微小ギャップ、O…平面中心点。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Color measuring apparatus (electronic device), 3 ... Color measuring sensor (optical module), 5, 5A, 5B ... Wavelength variable interference filter, 31 ... Detection part, 51 ... Fixed board | substrate (1st board | substrate), 52 ... Movable board | substrate (Second substrate), 54 ... fixed reflective film (first reflective film), 55 ... movable reflective film (second reflective film), 57 ... insulating layer, 61 ... biasing member (initial gap forming portion), 512A ... reflective Film fixing surface (first reflecting film fixing surface), 513A ... Fixed side initial gap forming surface (first initial gap forming surface), 520A ... Movable surface (second reflecting film fixing surface), 520B ... Movable side initial gap forming surface (Second initial gap forming surface) 520C ... movable side joining surface (joining portion), 523 ... outside holding portion, 561A ... fixed side driving electrode portion (first driving electrode), 561B ... fixed side gap forming electrode portion (first) One electrode), 561C... Fixed side drive electrode (first electrode) Drive electrode), 561D ... fixed side gap forming electrode (first electrode), 562A ... movable side drive electrode portion (second drive electrode), 562B ... movable side gap forming electrode portion (second electrode), 562C ... movable side drive. Electrode (second drive electrode), 562D ... movable side gap forming electrode (second electrode), Ar1 ... substrate center region, Ar2 ... annular region, G1 ... reflective film gap, G2 ... electrode gap, G3 ... minute gap, O: Plane center point.

Claims (9)

第一基板と、
前記第一基板に対向する第二基板と、
前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられた第一反射膜と、
前記第二基板の前記第一基板に対向する面に設けられ、前記第一反射膜と所定の大きさの反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜と、
前記反射膜間ギャップの寸法を初期寸法に設定する初期ギャップ形成部と、を具備し、
前記第一基板は、前記第一反射膜が設けられる平坦な第一反射膜固定面と、前記第一反射膜固定面と平行で、かつ平坦な第一初期ギャップ形成面と、を備え、
前記第二基板は、前記第二反射膜が設けられる平坦な第二反射膜固定面と、前記第一初期ギャップ形成面に対向し、前記第二反射膜固定面と平行で、かつ平坦な第二初期ギャップ形成面と、を備え、
前記第一初期ギャップ形成面及び前記第二初期ギャップ形成面の距離は、前反射膜間ギャップの距離より小さく、
前記初期ギャップ形成部は、前記第一初期ギャップ形成面及び前記第二初期ギャップ形成面を互いに近接する方向に付勢して平行に維持する
ことを特徴とする干渉フィルター。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
A first reflective film provided on a surface of the first substrate facing the second substrate;
A second reflective film provided on a surface of the second substrate facing the first substrate and facing the first reflective film via a gap between the reflective films of a predetermined size;
An initial gap forming part that sets the dimension of the gap between the reflective films to an initial dimension, and
The first substrate includes a flat first reflecting film fixing surface on which the first reflecting film is provided, and a first initial gap forming surface that is parallel to the first reflecting film fixing surface and flat.
The second substrate has a flat second reflection film fixing surface on which the second reflection film is provided, and a first flat surface opposite to the first initial gap forming surface, parallel to the second reflection film fixing surface, and flat. Two initial gap forming surfaces,
The distance between the first initial gap forming surface and the second initial gap forming surface is smaller than the distance between the front reflective film gaps,
The said initial gap formation part urges | biases said 1st initial gap formation surface and said 2nd initial gap formation surface to the mutually adjacent direction, and maintains it in parallel. The interference filter characterized by the above-mentioned.
請求項1に記載の干渉フィルターにおいて、
前記初期ギャップ形成部は、
前記第一初期ギャップ形成面に設けられた第一電極と、
前記第二初期ギャップ形成面に設けられ、前記第一電極に対向する第二電極と、
前記第一電極の前記第二電極に対向する面及び前記第二電極の前記第一電極に対向する面のうち少なくともいずれか一方に、前記反射膜間ギャップより小さい微小ギャップを介して他方の電極に対向する絶縁層と、を備えた
ことを特徴とする干渉フィルター。
The interference filter according to claim 1,
The initial gap forming part is
A first electrode provided on the first initial gap forming surface;
A second electrode provided on the second initial gap forming surface and facing the first electrode;
At least one of the surface of the first electrode that faces the second electrode and the surface of the second electrode that faces the first electrode, the other electrode via a small gap that is smaller than the gap between the reflective films An interference filter, comprising: an insulating layer facing the surface.
請求項1または請求項2に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜固定面及び前記第二反射膜固定面は、前記第一基板及び前記第二基板の基板中心領域に設けられ、前記第一初期ギャップ形成面及び前記第二初期ギャップ形成面は、前記第一基板及び前記第二基板の前記基板中心領域の外側で、当該基板中心領域を囲う環状領域に設けられた
ことを特徴とする干渉フィルター。
The interference filter according to claim 1 or 2,
In a plan view of the first substrate and the second substrate viewed from the substrate thickness direction, the first reflective film fixing surface and the second reflective film fixing surface are substrate center regions of the first substrate and the second substrate, respectively. The first initial gap formation surface and the second initial gap formation surface are provided in an annular region surrounding the substrate center region outside the substrate center region of the first substrate and the second substrate. An interference filter characterized by
請求項3に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第二基板は、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記環状領域よりも外側に、前記第二基板の前記環状領域及び前記基板中心領域を、前記第一基板側に移動可能に保持する外側保持部と、前記外側保持部よりも更に外側に設けられ、前記第一基板に接合される接合部と、を備えた
ことを特徴とする干渉フィルター。
The interference filter according to claim 3.
The second substrate has the annular region and the substrate central region of the second substrate on the first substrate side outside the annular region in a plan view of the second substrate viewed from the substrate thickness direction. An interference filter comprising: an outer holding portion that is movably held; and a bonding portion that is provided further outside than the outer holding portion and is bonded to the first substrate.
請求項3または請求項4に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第一基板の前記基板中心領域内で、前記第二基板に対向する面に設けられた第一駆動電極と、
前記第二基板の前記基板中心領域内で、前記第一基板に電極間ギャップを介して対向する第二駆動電極と、
を備えた
ことを特徴とする干渉フィルター。
The interference filter according to claim 3 or 4,
A first drive electrode provided on a surface facing the second substrate in the substrate central region of the first substrate;
A second drive electrode facing the first substrate via an inter-electrode gap in the substrate central region of the second substrate;
An interference filter characterized by comprising:
請求項5に記載の干渉フィルターにおいて、
前記電極間ギャップは、前記反射膜間ギャップより大きい
ことを特徴とする干渉フィルター。
The interference filter according to claim 5,
The interference filter is characterized in that the gap between the electrodes is larger than the gap between the reflection films.
請求項5または請求項6の記載の干渉フィルターにおいて、
前記初期ギャップ形成部は、
前記第一初期ギャップ形成面に設けられた第一電極と、
前記第二初期ギャップ形成面に設けられ、前記第一電極に対向する第二電極と、
前記第一電極の前記第二電極に対向する面及び前記第二電極の前記第一電極に対向する面のうち少なくともいずれか一方に、前記反射膜間ギャップより小さい微小ギャップを介して他方の電極に対向する絶縁層と、を備え、
前記第一電極及び前記第一駆動電極は、電気的に接続され、
前記第二電極及び前記第二駆動電極は、電気的に接続された
ことを特徴とする干渉フィルター。
The interference filter according to claim 5 or 6,
The initial gap forming part is
A first electrode provided on the first initial gap forming surface;
A second electrode provided on the second initial gap forming surface and facing the first electrode;
At least one of the surface of the first electrode that faces the second electrode and the surface of the second electrode that faces the first electrode, the other electrode via a small gap that is smaller than the gap between the reflective films And an insulating layer opposite to
The first electrode and the first drive electrode are electrically connected,
The interference filter, wherein the second electrode and the second drive electrode are electrically connected.
請求項1から請求項7のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターにより取り出される光を検出する検出部と、
を備えたことを特徴とする光モジュール。
The wavelength variable interference filter according to any one of claims 1 to 7,
A detection unit for detecting light extracted by the variable wavelength interference filter;
An optical module comprising:
請求項8の記載の光モジュールを備えた
ことを特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising the optical module according to claim 8.
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