JP2012199604A - Counter circuit and semiconductor integrated circuit incorporating the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a counter circuit that precisely counts pulses included in an input signal during a measurement period.SOLUTION: The counter circuit includes: a first counter for counting pulses of an input signal during a set measurement period to output a measured count value; a second counter for counting pulses of a reference clock signal from the count of the first pulse of the input signal in the measurement period by the first counter to the end of the measurement period to output a time count value; and a data conversion circuit for computing a composite count value including integral and decimal parts of a pulse number in the input signal from the count of the first pulse of the input signal in the measurement period by the first counter to the end of the measurement period on the basis of the measured count value output from the first counter in the measurement period and the time count value output from the second counter.

Description

本発明は、設定された計測期間において入力信号のパルス数をカウントするために用いられるカウンター回路に関し、さらに、そのようなカウンター回路を内蔵した半導体集積回路等に関する。   The present invention relates to a counter circuit used for counting the number of pulses of an input signal in a set measurement period, and further relates to a semiconductor integrated circuit incorporating such a counter circuit.

例えば、サーミスターをセンサー素子として用いる温度計測回路においては、サーミスター及びキャパシターの時定数に従って発振する発振回路(抵抗周波数変換回路)によって発振信号を生成し、設定された計測期間において発振信号のパルス数をカウンター回路によってカウントしてカウント値を求め、カウント値に基づいて温度データを取得することが行われている。   For example, in a temperature measurement circuit that uses a thermistor as a sensor element, an oscillation signal is generated by an oscillation circuit (resistance frequency conversion circuit) that oscillates according to the time constant of the thermistor and capacitor, and a pulse of the oscillation signal is generated during a set measurement period. The number is counted by a counter circuit to obtain a count value, and temperature data is acquired based on the count value.

ここで、高精度の温度データを取得するためには、計測期間を長くしてカウント値を大きくすることが考えられるが、その場合には、サンプリング時間が長くなったり、消費電力が増加したりするという弊害が生じる。一方、サーミスター及びキャパシターの時定数を小さくして発振回路の発振周波数を高くすることも考えられるが、その場合にも、消費電力が増加するという弊害が生じる。   Here, in order to acquire high-accuracy temperature data, it is conceivable to increase the count value by extending the measurement period, but in that case, the sampling time becomes longer or the power consumption increases. The harmful effect of doing. On the other hand, it is conceivable to increase the oscillation frequency of the oscillation circuit by reducing the time constants of the thermistor and the capacitor. However, in this case, there is a disadvantage that the power consumption increases.

関連する技術として、特許文献1には、測温抵抗体の抵抗値の変化を発振器の発振周波数変化によって検知する温度測定装置が開示されている。この温度測定装置は、温度変化によって抵抗値がほとんど変化しない基準抵抗と、温度変化によって抵抗値が変化する測温抵抗体と、この測温抵抗体又は基準抵抗に選択的に接続され、この接続された抵抗の値に比例又は逆比例した周波数で発振する発振器と、この発振器の発振周波数に対応して生ずるパルス列のうち一定数のパルスを計測する時間測定手段と、発振器に基準抵抗又は測温抵抗体を接続したときの時間測定手段により測定された時間(M1,M2)を用いて、T=T+(1/α)・(M1−M2)/M1(但し、T:測温抵抗体の温度、α:測温抵抗体の温度係数)なる演算を行い、測温抵抗体が検知した温度又はこれに相関する値を算出する手段とを具備する。 As a related technique, Patent Document 1 discloses a temperature measurement device that detects a change in the resistance value of a resistance temperature detector by a change in the oscillation frequency of an oscillator. This temperature measuring device is selectively connected to a reference resistor whose resistance value hardly changes due to temperature change, a resistance temperature detector whose resistance value changes due to temperature change, and this temperature measuring resistor or reference resistor. An oscillator that oscillates at a frequency proportional to or inversely proportional to the resistance value, a time measuring means for measuring a certain number of pulses in a pulse train corresponding to the oscillation frequency of the oscillator, and a reference resistance or temperature measurement Using the time (M1, M2) measured by the time measuring means when the resistor is connected, T = T 0 + (1 / α) · (M1−M2) / M1 (where T is the resistance temperature detector) And a means for calculating a temperature detected by the resistance temperature detector or a value correlated therewith.

特開昭62−52249号公報(第1頁、第1図)JP 62-52249 A (first page, FIG. 1)

特許文献1の第1図においては、測温抵抗体の抵抗値に依存する周波数で発振する非安定マルチ12から所定数のパルスが出力される間において、基準発振器11の出力パルス列に含まれているパルスの数がカウントされる。しかしながら、非安定マルチ12から出力されるパルスの数を精度良くカウントすることに関しては、特に開示されていない。   In FIG. 1 of Patent Document 1, it is included in the output pulse train of the reference oscillator 11 while a predetermined number of pulses are output from the unstable multi 12 that oscillates at a frequency depending on the resistance value of the resistance temperature detector. The number of pulses that are present is counted. However, there is no particular disclosure regarding accurately counting the number of pulses output from the unstable multi 12.

本発明の1つの観点に係るカウンター回路は、設定された計測期間において入力信号のパルスをカウントして計測カウント値を出力する第1のカウンターと、該入力信号よりも高い周波数を有する基準クロック信号が供給され、第1のカウンターが計測期間における入力信号の最初のパルスをカウントしてから計測期間が終了するまで基準クロック信号のパルスをカウントしてタイムカウント値を出力する第2のカウンターと、計測期間において第1のカウンターから出力される計測カウント値及び第2のカウンターから出力されるタイムカウント値に基づいて、第1のカウンターが計測期間における入力信号の最初のパルスをカウントしてから計測期間が終了するまでにおける入力信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求めるデータ変換回路とを含む。   A counter circuit according to one aspect of the present invention includes a first counter that counts pulses of an input signal and outputs a measurement count value in a set measurement period, and a reference clock signal having a higher frequency than the input signal A second counter that counts the pulses of the reference clock signal and outputs a time count value until the measurement period ends after the first counter counts the first pulse of the input signal in the measurement period; Based on the measurement count value output from the first counter and the time count value output from the second counter in the measurement period, measurement is performed after the first counter counts the first pulse of the input signal in the measurement period. A composite card that includes an integer part and a fractional part of the number of pulses of the input signal until the period ends. And a data conversion circuit for obtaining a cement value.

本発明の1つの観点に係るカウンター回路によれば、入力信号のパルスをカウントする第1のカウンターから出力される計測カウント値と、基準クロック信号のパルスをカウントする第2のカウンターから出力されるタイムカウント値に基づいて、入力信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求めるので、計測期間において入力信号に含まれているパルスの数を精度良く求めることができる。   According to the counter circuit of one aspect of the present invention, the measurement count value output from the first counter that counts the pulses of the input signal and the second counter that counts the pulses of the reference clock signal are output. Based on the time count value, a composite count value including an integer part and a part less than an integer part of the number of pulses of the input signal is obtained, so that the number of pulses included in the input signal in the measurement period can be obtained with high accuracy.

ここで、計測期間における計測カウント値の最終値をNとし(Nは2以上の整数)、計測カウント値が(N−2)となったときのタイムカウント値をTCN−2とし、計測カウント値が(N−1)となったときのタイムカウント値をTCN−1とし、計測期間におけるタイムカウント値の最終値をLMとした場合に、データ変換回路が、(LM−TCN−1)/(TCN−1−TCN−2)に基づいて複合カウント値の整数未満部分を求めるようにしてもよい。 Here, the final value of the measurement count value in the measurement period is N (N is an integer of 2 or more), the time count value when the measurement count value is (N-2) is TC N-2 , and the measurement count When the time count value when the value becomes (N-1) is TC N-1, and the final value of the time count value in the measurement period is LM, the data conversion circuit (LM-TC N-1 ) / (TC N-1 -TC N-2 ), the less than integer part of the composite count value may be obtained.

また、本発明の第1の観点に係る半導体集積回路は、接続される抵抗又はサーミスターの抵抗値とキャパシターの容量値との時定数に関連する周波数で発振して発振信号を生成する発振回路と、発振回路によって生成される発振信号を入力する本発明のいずれかの観点に係るカウンター回路とを含み、データ変換回路が、第1のカウンターが計測期間における発振信号の最初のパルスをカウントしてから計測期間が終了するまでにおける発振信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求め、さらに、複合カウント値に対応する温度を求める。   The semiconductor integrated circuit according to the first aspect of the present invention is an oscillation circuit that generates an oscillation signal by oscillating at a frequency related to a time constant between a resistance value of a connected resistor or thermistor and a capacitance value of a capacitor. And a counter circuit according to any of the aspects of the present invention for inputting an oscillation signal generated by the oscillation circuit, wherein the data conversion circuit counts the first pulse of the oscillation signal in the measurement period. A composite count value including an integer part and a part less than an integer part of the number of pulses of the oscillation signal after the measurement period ends is obtained, and a temperature corresponding to the composite count value is obtained.

ここで、カウンター回路が、第1の計測期間において、基準抵抗を用いて発振するように発振回路を制御すると共に、その後、第2の計測期間において、サーミスターを用いて発振するように発振回路を制御する制御回路と、第1の計測期間において計測カウント値が所定の値に等しくなったときのタイムカウント値を、計測期間の終期を規定する設定カウント値として格納する格納回路とをさらに含み、データ変換回路が、第2の計測期間において第1のカウンターから出力される計測カウント値及び第2のカウンターから出力されるタイムカウント値に基づいて複合カウント値を求めるようにしてもよい。   Here, the counter circuit controls the oscillation circuit to oscillate using the reference resistor in the first measurement period, and thereafter oscillates using the thermistor in the second measurement period. And a storage circuit that stores a time count value when the measurement count value becomes equal to a predetermined value in the first measurement period as a set count value that defines the end of the measurement period. The data conversion circuit may obtain the composite count value based on the measurement count value output from the first counter and the time count value output from the second counter in the second measurement period.

さらに、本発明の第2の観点に係る半導体集積回路は、半導体基板のNウエルに形成された抵抗、及び、半導体基板に形成されたキャパシターを含み、抵抗の抵抗値とキャパシターの容量値との時定数に関連する周波数で発振して発振信号を生成する発振回路と、発振回路によって生成される発振信号を入力する本発明のいずれかの観点に係るカウンター回路と含み、データ変換回路が、第1のカウンターが計測期間における発振信号の最初のパルスをカウントしてから計測期間が終了するまでにおける発振信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求め、さらに、複合カウント値に対応する温度を求める。   Furthermore, a semiconductor integrated circuit according to a second aspect of the present invention includes a resistor formed in an N well of a semiconductor substrate and a capacitor formed in the semiconductor substrate, and includes a resistance value of the resistor and a capacitance value of the capacitor. An oscillation circuit that oscillates at a frequency related to a time constant to generate an oscillation signal; and a counter circuit according to any one aspect of the present invention that inputs an oscillation signal generated by the oscillation circuit. 1 counter obtains a composite count value including an integer part and a part less than an integer of the number of pulses of the oscillation signal from the time when the first pulse of the oscillation signal is counted in the measurement period to the end of the measurement period; Find the temperature corresponding to.

本発明の第1又は第2の観点に係る半導体集積回路は、複数の参照温度を表す温度データと、複数の参照カウント値を表すカウント値データとを対応して格納するルックアップテーブルをさらに含み、データ変換回路が、複合カウント値又はその整数部分に基づいてルックアップテーブルを参照し、ルックアップテーブルから読み出された温度データに基づいて複合カウント値に対応する温度を求めるようにしてもよい。   The semiconductor integrated circuit according to the first or second aspect of the present invention further includes a lookup table that stores temperature data representing a plurality of reference temperatures and count value data representing a plurality of reference count values correspondingly. The data conversion circuit may refer to the lookup table based on the composite count value or an integer part thereof, and obtain a temperature corresponding to the composite count value based on the temperature data read from the lookup table. .

その場合に、データ変換回路が、複合カウント値又はその整数部分に最も近い第1の参照カウント値を表す第1のカウント値データ、及び、それに対応する第1の温度データと、複合カウント値又はその整数部分に2番目に近い第2の参照カウント値を表す第2のカウント値データ、及び、それに対応する第2の温度データとを、ルックアップテーブルから読み出し、複合カウント値と第1及び第2の参照カウント値との関係に基づいて、第1及び第2の温度データによってそれぞれ表される第1及び第2の参照温度を補間することにより、複合カウント値に対応する温度を求めるようにしてもよい。   In that case, the data conversion circuit includes the first count value data representing the first reference count value closest to the composite count value or the integer part thereof, and the first temperature data corresponding thereto, the composite count value or The second count value data representing the second reference count value that is second closest to the integer part and the second temperature data corresponding to the second reference count value are read from the lookup table, and the composite count value and the first and first count data are read. The temperature corresponding to the composite count value is obtained by interpolating the first and second reference temperatures represented by the first and second temperature data based on the relationship with the reference count value of 2, respectively. May be.

本発明の第1又は第2の観点に係る半導体集積回路によれば、発振信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値に基づいて温度を求めるので、低温の環境において発振信号の周波数が低くなった場合においても、精度の高い温度計測を行うことが可能となる。あるいは、温度計測において有効精度を得るための計測時間を短縮することが可能となる。計測時間の短縮に伴い、1回の温度計測のために消費されるエネルギーも低減される。   According to the semiconductor integrated circuit of the first or second aspect of the present invention, the temperature is obtained based on the composite count value including the integer part and the integer part of the number of pulses of the oscillation signal. Even when the frequency becomes low, temperature measurement with high accuracy can be performed. Or it becomes possible to shorten the measurement time for obtaining effective accuracy in temperature measurement. As the measurement time is shortened, the energy consumed for one temperature measurement is also reduced.

本実施形態に係るカウンター回路を用いた温度計測回路の第1の構成例の図。The figure of the 1st structural example of the temperature measurement circuit using the counter circuit which concerns on this embodiment. 図1に示す温度計測回路の具体的な動作例を説明するための図。The figure for demonstrating the specific operation example of the temperature measurement circuit shown in FIG. 本実施形態に係るカウンター回路を用いた温度計測回路の第2の構成例の図。The figure of the 2nd example of composition of the temperature measurement circuit using the counter circuit concerning this embodiment.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
図1は、本発明の一実施形態に係るカウンター回路を用いた温度計測回路の第1の構成例を示すブロック図である。この温度計測回路は、基準クロック信号生成回路10と、基準抵抗REFと、サーミスターQTMと、キャパシターCSHと、分周回路20と、発振回路30と、カウンター回路40と、温度データLUT(ルックアップテーブル)60とを含んでもよい。温度データLUT60は、ROM等の不揮発性メモリーによって実現される。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the same referential mark is attached | subjected to the same component and description is abbreviate | omitted.
FIG. 1 is a block diagram showing a first configuration example of a temperature measurement circuit using a counter circuit according to an embodiment of the present invention. This temperature measurement circuit includes a reference clock signal generation circuit 10, a reference resistor REF, a thermistor QTM, a capacitor CSH, a frequency divider circuit 20, an oscillation circuit 30, a counter circuit 40, and a temperature data LUT (lookup). Table) 60. The temperature data LUT 60 is realized by a nonvolatile memory such as a ROM.

第1の構成例においては、それらの構成要素の内で、分周回路20〜温度データLUT60が、半導体集積回路(IC)100に内蔵されている。あるいは、半導体集積回路100に内蔵されている温度データLUT60に替えて、半導体集積回路100に外付けされるEEPROM(電気的に書き込み及び消去可能な読出し専用メモリー)70によって温度データLUTを実現するようにしてもよい。その場合には、様々な抵抗の温度特性に迅速に対応して温度データLUTを作成することができる。   In the first configuration example, the frequency dividing circuit 20 to the temperature data LUT 60 are included in the semiconductor integrated circuit (IC) 100 among these components. Alternatively, the temperature data LUT is realized by an EEPROM (electrically writable and erasable read-only memory) 70 attached to the semiconductor integrated circuit 100 in place of the temperature data LUT 60 built in the semiconductor integrated circuit 100. It may be. In such a case, the temperature data LUT can be created in response to the temperature characteristics of various resistors.

基準クロック信号生成回路10は、例えば、水晶振動子を用いて、10MHz〜30MHzの範囲内の周波数を有する基準クロック信号CK1を生成する。分周回路20は、基準クロック信号生成回路10によって生成された基準クロック信号CK1を所定の分周比で分周することにより、例えば、2MHzの周波数を有する基準クロック信号CK2を出力する。この基準クロック信号CK2は、発振回路30によって生成される発振信号OSよりも十分に高い周波数を有している。   The reference clock signal generation circuit 10 generates a reference clock signal CK1 having a frequency within a range of 10 MHz to 30 MHz using, for example, a crystal resonator. The frequency dividing circuit 20 divides the reference clock signal CK1 generated by the reference clock signal generating circuit 10 by a predetermined frequency dividing ratio, thereby outputting a reference clock signal CK2 having a frequency of 2 MHz, for example. The reference clock signal CK2 has a sufficiently higher frequency than the oscillation signal OS generated by the oscillation circuit 30.

発振回路30は、NAND回路31及び32と、PチャネルMOSトランジスター33及び34と、シュミットトリガー回路35と、NチャネルMOSトランジスター36とを含んでおり、外付けの基準抵抗REF又はサーミスターQTMとキャパシターCSHとが接続されたときに発振して発振信号を生成する。基準抵抗REFは、例えば金属皮膜抵抗であり、温度変化に対して電気抵抗値がほとんど変化しない。一方、サーミスターQTMは、温度変化に対して電気抵抗値の変化が大きい抵抗体である。なお、キャパシターCSHは、半導体集積回路100に内蔵されてもよい。   The oscillation circuit 30 includes NAND circuits 31 and 32, P channel MOS transistors 33 and 34, a Schmitt trigger circuit 35, and an N channel MOS transistor 36, and an external reference resistor REF or thermistor QTM and a capacitor. Oscillates when the CSH is connected to generate an oscillation signal. The reference resistance REF is, for example, a metal film resistance, and the electric resistance value hardly changes with a temperature change. On the other hand, the thermistor QTM is a resistor having a large change in electric resistance value with respect to a change in temperature. The capacitor CSH may be built in the semiconductor integrated circuit 100.

NAND回路31の一方の入力端子(非反転入力端子)には、発振制御信号OC1が印加される。NAND回路31の出力端子は、トランジスター33のゲートに接続されている。トランジスター33のソースは、電源電位VDDに接続され、トランジスター33のドレインは、基準抵抗REFの一端に接続されている。基準抵抗REFの他端は、キャパシターCSHの一端、及び、シュミットトリガー回路35の入力端子に接続されている。 An oscillation control signal OC1 is applied to one input terminal (non-inverting input terminal) of the NAND circuit 31. The output terminal of the NAND circuit 31 is connected to the gate of the transistor 33. The source of the transistor 33 is connected to the power supply potential V DD, and the drain of the transistor 33 is connected to one end of the reference resistor REF. The other end of the reference resistor REF is connected to one end of the capacitor CSH and the input terminal of the Schmitt trigger circuit 35.

NAND回路32の一方の入力端子(非反転入力端子)には、発振制御信号OC2が印加される。NAND回路32の出力端子は、トランジスター34のゲートに接続されている。トランジスター34のソースは、電源電位VDDに接続され、トランジスター34のドレインは、サーミスターQTMの一端に接続されている。サーミスターQTMの他端は、キャパシターCSHの一端、及び、シュミットトリガー回路35の入力端子に接続されている。 The oscillation control signal OC2 is applied to one input terminal (non-inverting input terminal) of the NAND circuit 32. The output terminal of the NAND circuit 32 is connected to the gate of the transistor 34. The source of the transistor 34 is connected to the power supply potential V DD, and the drain of the transistor 34 is connected to one end of the thermistor QTM. The other end of the thermistor QTM is connected to one end of the capacitor CSH and an input terminal of the Schmitt trigger circuit 35.

キャパシターCSHの他端は、電源電位VSSに接続されている(VSS<VDD)。シュミットトリガー回路35の出力端子は、NAND回路31及び32の他方の入力端子(反転入力端子)、及び、トランジスター36のゲートに接続されている。トランジスター36のドレインは、シュミットトリガー回路35の入力端子に接続され、トランジスター36のソースは、電源電位VSSに接続されている。 The other end of the capacitor CSH is connected to the power supply potential V SS (V SS <V DD ). The output terminal of the Schmitt trigger circuit 35 is connected to the other input terminal (inverted input terminal) of the NAND circuits 31 and 32 and the gate of the transistor 36. The drain of the transistor 36 is connected to an input terminal of the Schmitt trigger circuit 35, the source of the transistor 36 is connected to the power supply potential V SS.

発振制御信号OC1がハイレベルに活性化されて発振制御信号OC2がローレベルに非活性化されると、NAND回路31の非反転入力端子にハイレベルの発振制御信号OC1が印加される。NAND回路31の出力信号は、トランジスター33によって反転され、基準抵抗REFを介してキャパシターCSH及びシュミットトリガー回路35の入力端子に印加される。シュミットトリガー回路35の出力信号は、NAND回路31の反転入力端子に印加される。これにより、CR型の発振回路が形成される。この発振回路の発振周波数は、基準抵抗REFの抵抗値とキャパシターCSHの容量値との時定数に関連して決定される。NAND回路32の一方の入力端子(非反転入力端子)にはローレベルの発振制御信号OC2が印加されるので、NAND回路32の出力はハイレベルに固定され、トランジスター34はオフ状態を維持する。   When the oscillation control signal OC1 is activated to a high level and the oscillation control signal OC2 is deactivated to a low level, the high-level oscillation control signal OC1 is applied to the non-inverting input terminal of the NAND circuit 31. The output signal of the NAND circuit 31 is inverted by the transistor 33 and applied to the input terminal of the capacitor CSH and the Schmitt trigger circuit 35 via the reference resistor REF. The output signal of the Schmitt trigger circuit 35 is applied to the inverting input terminal of the NAND circuit 31. Thereby, a CR type oscillation circuit is formed. The oscillation frequency of the oscillation circuit is determined in relation to the time constant between the resistance value of the reference resistor REF and the capacitance value of the capacitor CSH. Since the low-level oscillation control signal OC2 is applied to one input terminal (non-inverting input terminal) of the NAND circuit 32, the output of the NAND circuit 32 is fixed to the high level, and the transistor 34 maintains the off state.

一方、発振制御信号OC2がハイレベルに活性化されて発振制御信号OC1がローレベルに非活性化されると、NAND回路32の非反転入力端子にハイレベルの発振制御信号OC2が印加される。NAND回路32の出力信号は、トランジスター34によって反転され、サーミスターQTMを介してキャパシターCSH及びシュミットトリガー回路35の入力端子に印加される。シュミットトリガー回路35の出力信号は、NAND回路32の反転入力端子に印加される。これにより、CR型の発振回路が形成される。この発振回路の発振周波数は、サーミスターQTMの抵抗値とキャパシターCSHの容量値との時定数に関連して決定される。NAND回路31の非反転入力端子にはローレベルの発振制御信号OC1が印加されるので、NAND回路31の出力はハイレベルに固定され、トランジスター33はオフ状態を維持する。   On the other hand, when the oscillation control signal OC2 is activated to a high level and the oscillation control signal OC1 is deactivated to a low level, the high-level oscillation control signal OC2 is applied to the non-inverting input terminal of the NAND circuit 32. The output signal of the NAND circuit 32 is inverted by the transistor 34 and applied to the input terminal of the capacitor CSH and the Schmitt trigger circuit 35 through the thermistor QTM. The output signal of the Schmitt trigger circuit 35 is applied to the inverting input terminal of the NAND circuit 32. Thereby, a CR type oscillation circuit is formed. The oscillation frequency of the oscillation circuit is determined in relation to the time constant between the resistance value of the thermistor QTM and the capacitance value of the capacitor CSH. Since the low level oscillation control signal OC1 is applied to the non-inverting input terminal of the NAND circuit 31, the output of the NAND circuit 31 is fixed to the high level, and the transistor 33 maintains the off state.

カウンター回路40は、タイムベースカウンター41と、カウント値レジスター42と、サンプリングバッファー43及び44と、遅延回路45と、ゲート信号生成回路46と、AND回路47と、遅延回路48と、制御回路50と、メジャーカウンター51と、カウント値レジスター52と、カウント値バッファー53と、データ変換回路54とを含んでいる。   The counter circuit 40 includes a time base counter 41, a count value register 42, sampling buffers 43 and 44, a delay circuit 45, a gate signal generation circuit 46, an AND circuit 47, a delay circuit 48, and a control circuit 50. , A major counter 51, a count value register 52, a count value buffer 53, and a data conversion circuit 54.

タイムベースカウンター41には、分周回路20によって分周された基準クロック信号CK2が供給される。タイムベースカウンター41は、制御回路50の制御の下でカウント動作を開始し、基準クロック信号CK2のパルスをカウントして、タイムカウント値TCを出力する。カウント値レジスター42は、例えば、複数のDフリップフロップによって構成される格納回路であり、計測期間の終期を規定する設定カウント値LMを格納する。サンプリングバッファー43及び44の各々は、例えば、複数のDフリップフロップによって構成され、遅延回路45によって所定の時間だけ遅延された発振信号OSに同期して、タイムカウント値TCを順次格納する。   The time base counter 41 is supplied with the reference clock signal CK2 divided by the frequency dividing circuit 20. The time base counter 41 starts a count operation under the control of the control circuit 50, counts the pulses of the reference clock signal CK2, and outputs a time count value TC. The count value register 42 is a storage circuit constituted by, for example, a plurality of D flip-flops, and stores a set count value LM that defines the end of the measurement period. Each of the sampling buffers 43 and 44 is constituted by, for example, a plurality of D flip-flops, and sequentially stores the time count value TC in synchronization with the oscillation signal OS delayed by a predetermined time by the delay circuit 45.

ゲート信号生成回路46は、計測期間が開始された際に制御回路50がカウント制御信号CC1をハイレベルに活性化すると、ゲート信号GSをハイレベルに活性化する。その後、タイムベースカウンター41は、タイムカウント値TCが設定カウント値LMに等しくなると、カウント制御信号CC3をハイレベルに活性化して、カウント動作を終了する。ゲート信号生成回路46は、カウント制御信号CC3がハイレベルに活性化されると、ゲート信号GSをローレベルに非活性化する。   When the control circuit 50 activates the count control signal CC1 to high level when the measurement period starts, the gate signal generation circuit 46 activates the gate signal GS to high level. Thereafter, when the time count value TC becomes equal to the set count value LM, the time base counter 41 activates the count control signal CC3 to a high level and ends the count operation. The gate signal generation circuit 46 deactivates the gate signal GS to a low level when the count control signal CC3 is activated to a high level.

AND回路47は、ゲート信号生成回路46によって生成されるゲート信号GSと、発振信号OSとの論理積を求めることにより、ゲート信号GSがハイレベルに活性化されている計測期間において、発振信号OSを出力する。メジャーカウンター51は、計測期間において、AND回路47から出力される発振信号OSのパルスをカウントして、計測カウント値MCを出力する。   The AND circuit 47 obtains the logical product of the gate signal GS generated by the gate signal generation circuit 46 and the oscillation signal OS, so that the oscillation signal OS is obtained during the measurement period in which the gate signal GS is activated to a high level. Is output. The measure counter 51 counts the pulses of the oscillation signal OS output from the AND circuit 47 during the measurement period, and outputs a measurement count value MC.

カウント値レジスター52は、例えば、複数のDフリップフロップによって構成され、発振信号OSのパルスの目標カウント値を格納する。カウント値バッファー53は、例えば、複数のDフリップフロップによって構成され、遅延回路48によって所定の時間だけ遅延された発振信号OSに同期して、計測カウント値MCを順次格納する。   The count value register 52 is composed of, for example, a plurality of D flip-flops, and stores the target count value of the pulse of the oscillation signal OS. The count value buffer 53 is composed of, for example, a plurality of D flip-flops, and sequentially stores the measurement count value MC in synchronization with the oscillation signal OS delayed by a predetermined time by the delay circuit 48.

データ変換回路54は、計測期間においてメジャーカウンター51から出力される計測カウント値MC及びタイムベースカウンター41から出力されるタイムカウント値TCに基づいて、メジャーカウンター51が計測期間における発振信号OSの最初のパルスをカウントしてから計測期間が終了するまでにおける発振信号OSのパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求める。   Based on the measurement count value MC output from the major counter 51 and the time count value TC output from the time base counter 41 during the measurement period, the data conversion circuit 54 detects the first oscillation signal OS in the measurement period. A composite count value including an integer part and a part less than an integer of the number of pulses of the oscillation signal OS from when the pulse is counted until the measurement period ends is obtained.

ここで、図1に示す温度計測回路の第1の動作例について詳しく説明する。第1の動作例においては、発振回路30がサーミスターQTMを用いて発振して出力する発振信号のパルスのカウント値に基づいて、サーミスターQTM周辺の温度が計測される。なお、基準抵抗REFは使用されない。   Here, the first operation example of the temperature measurement circuit shown in FIG. 1 will be described in detail. In the first operation example, the temperature around the thermistor QTM is measured based on the count value of the pulse of the oscillation signal that the oscillation circuit 30 oscillates and outputs using the thermistor QTM. Note that the reference resistor REF is not used.

まず、制御回路50が、発振制御信号OC1をハイレベルに活性化することにより、発振回路30が発振動作を開始する。また、制御回路50が、カウンター回路40の各部を初期化することにより、メジャーカウンター51及びタイムベースカウンター41の動作及びカウント値等がリセットされる。初期化において、制御回路50は、カウント制御信号CC1をローレベルに非活性化し、メジャーカウンター51は、カウント制御信号CC2をローレベルに非活性化し、タイムベースカウンター41は、カウント制御信号CC3をローレベルに非活性化する。また、制御回路50は、カウント値レジスター42に設定カウント値LMを格納する。   First, when the control circuit 50 activates the oscillation control signal OC1 to a high level, the oscillation circuit 30 starts an oscillation operation. Further, the control circuit 50 initializes each part of the counter circuit 40, so that the operations of the major counter 51 and the time base counter 41, the count values, and the like are reset. In initialization, the control circuit 50 deactivates the count control signal CC1 to low level, the major counter 51 deactivates the count control signal CC2 to low level, and the time base counter 41 sets the count control signal CC3 to low. Deactivate to level. In addition, the control circuit 50 stores the set count value LM in the count value register 42.

計測期間が開始すると、制御回路50は、カウント制御信号CC1をハイレベルに活性化する。これにより、ゲート信号生成回路46においてゲート信号GSがハイレベルに活性化され、発振回路30によって生成される発振信号OSがAND回路47を介してメジャーカウンター51に入力されて、メジャーカウンター51のカウント動作が開始する。   When the measurement period starts, the control circuit 50 activates the count control signal CC1 to a high level. As a result, the gate signal GS is activated to a high level in the gate signal generation circuit 46, and the oscillation signal OS generated by the oscillation circuit 30 is input to the major counter 51 via the AND circuit 47. Operation starts.

メジャーカウンター51が、発振信号OSのパルスをカウントすると、計測カウント値MCの値は、例えば、0、1、2、・・・と変化する。ここで、メジャーカウンター51は、計測期間における発振信号OSの最初のパルスをカウントすると、カウント制御信号CC2をハイレベルに活性化する。これにより、制御回路50が、タイムベースカウンター41にカウント動作を開始させる。   When the major counter 51 counts the pulse of the oscillation signal OS, the value of the measurement count value MC changes, for example, 0, 1, 2,. Here, the major counter 51 activates the count control signal CC2 to a high level when counting the first pulse of the oscillation signal OS in the measurement period. As a result, the control circuit 50 causes the time base counter 41 to start a counting operation.

タイムベースカウンター41が、分周回路20によって分周された基準クロック信号CK2のパルスをカウントすると、タイムカウント値TCの値は、例えば、0、1、2、・・・と変化する。サンプリングバッファー43及び44の各々は、遅延回路45から出力される発振信号OSに同期して、タイムカウント値TCを順次格納する。   When the time base counter 41 counts the pulses of the reference clock signal CK2 divided by the frequency dividing circuit 20, the value of the time count value TC changes, for example, 0, 1, 2,. Each of the sampling buffers 43 and 44 sequentially stores the time count value TC in synchronization with the oscillation signal OS output from the delay circuit 45.

タイムベースカウンター41は、タイムカウント値TCが設定カウント値LMに等しくなると、カウント制御信号CC3をハイレベルに活性化して、カウント動作を終了する。これにより、ゲート信号生成回路がゲート信号GSをローレベルに非活性化するので、AND回路47の出力がローレベルに固定され、メジャーカウンター51におけるカウント動作も終了する。   When the time count value TC becomes equal to the set count value LM, the time base counter 41 activates the count control signal CC3 to a high level and ends the count operation. As a result, the gate signal generation circuit deactivates the gate signal GS to the low level, so that the output of the AND circuit 47 is fixed to the low level, and the count operation in the measure counter 51 is also terminated.

例えば、メジャーカウンター51が計測期間における発振信号OSの最初のパルスをカウントして出力する計測カウント値をゼロとし、計測期間における計測カウント値の最終値をNとする(Nは2以上の整数)。計測期間における計測カウント値の最終値Nは、カウント値バッファー53に格納されている。   For example, the measurement counter value that the major counter 51 counts and outputs the first pulse of the oscillation signal OS in the measurement period is set to zero, and the final value of the measurement count value in the measurement period is set to N (N is an integer of 2 or more). . The final value N of the measurement count value in the measurement period is stored in the count value buffer 53.

また、計測期間におけるタイムカウント値の最終値、即ち、設定カウント値LMは、カウント値レジスター42に格納されている。さらに、計測カウント値が(N−1)となったときのタイムカウント値TCN−1は、サンプリングバッファー43に格納されており、計測カウント値が(N−2)となったときのタイムカウント値TCN−2は、サンプリングバッファー44に格納されている。 Further, the final value of the time count value in the measurement period, that is, the set count value LM is stored in the count value register 42. Further, the time count value TC N-1 when the measurement count value becomes (N-1) is stored in the sampling buffer 43, and the time count when the measurement count value becomes (N-2). The value TC N−2 is stored in the sampling buffer 44.

データ変換回路54は、カウント値バッファー53に格納されている計測期間における計測カウント値の最終値Nと、カウント値レジスター42に格納されている設定カウント値LMと、サンプリングバッファー43及び44にそれぞれ格納されているタイムカウント値TCN−1及びTCN−2に基づいて、メジャーカウンター51が計測期間における発振信号OSの最初のパルスをカウントしてから計測期間が終了するまでにおける発振信号OSのパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求める。複合カウント値の整数部分は「N」であり、複合カウント値の整数未満部分は、(LM−TCN−1)/(TCN−1−TCN−2)に基づいて求めることができる。 The data conversion circuit 54 stores the final value N of the measurement count value in the measurement period stored in the count value buffer 53, the set count value LM stored in the count value register 42, and the sampling buffers 43 and 44, respectively. Based on the counted time values TC N-1 and TC N-2 , the pulse of the oscillation signal OS from when the major counter 51 counts the first pulse of the oscillation signal OS in the measurement period until the measurement period ends. A composite count value including an integer part and a fractional part of the number is obtained. The integer part of the composite count value is “N”, and the less than integer part of the composite count value can be obtained based on (LM−TC N−1 ) / (TC N−1 −TC N−2 ).

さらに、データ変換回路54は、求められた複合カウント値に基づいて温度データLUT60を参照することにより、複合カウント値に対応する温度を求める。温度データLUT60は、複数の参照温度を表す温度データと、複数の参照カウント値を表すカウント値データとを対応して格納している。   Furthermore, the data conversion circuit 54 obtains a temperature corresponding to the composite count value by referring to the temperature data LUT 60 based on the obtained composite count value. The temperature data LUT 60 stores temperature data representing a plurality of reference temperatures and count value data representing a plurality of reference count values in association with each other.

図2は、図1に示す温度計測回路の具体的な動作例を説明するための図である。発振回路30において、キャパシターCSHへの充放電によって生じる電圧が、シュミットトリガー回路35の入力端子に印加される。シュミットトリガー回路35は、入力電圧波形に基づいて発振信号OSを出力する。入力電圧がハイレベル閾値に達すると発振信号OSはハイレベルとなり、入力電圧がローレベル閾値に達すると発振信号OSはローレベルとなる。   FIG. 2 is a diagram for explaining a specific operation example of the temperature measurement circuit shown in FIG. In the oscillation circuit 30, a voltage generated by charging / discharging the capacitor CSH is applied to the input terminal of the Schmitt trigger circuit 35. The Schmitt trigger circuit 35 outputs an oscillation signal OS based on the input voltage waveform. When the input voltage reaches the high level threshold, the oscillation signal OS becomes high level, and when the input voltage reaches the low level threshold, the oscillation signal OS becomes low level.

時刻tmにおいて、設定されたタイミングに従って計測期間が開始すると、制御回路50が、カウンター回路40に計測動作を開始させる。制御回路50がカウント制御信号CC1をハイレベルに活性化することにより、ゲート信号GSがハイレベルに活性化されて、メジャーカウンター51がカウント動作を開始する。なお、サンプリングバッファー43及び44には、リセットされたタイムカウント値「0」が格納されている。   When the measurement period starts according to the set timing at time tm, the control circuit 50 causes the counter circuit 40 to start the measurement operation. When the control circuit 50 activates the count control signal CC1 to high level, the gate signal GS is activated to high level, and the major counter 51 starts counting operation. The sampling buffers 43 and 44 store the reset time count value “0”.

時刻t0において、メジャーカウンター51が、発振信号OSの第1番目のパルス(立ち上がりエッジ)をカウントして、計測カウント値「0」を出力すると共に、カウント制御信号CC2をハイレベルに活性化する。これにより、タイムベースカウンター41も、カウント動作を開始する。タイムベースカウンター41は、基準クロック信号CK2のパルスをカウントして、タイムカウント値「0」を出力する。遅延回路45から出力される発振信号OSのパルスに同期して、サンプリングバッファー43は、時刻t0において得られたタイムカウント値「0」をラッチし、サンプリングバッファー44は、リセットされたタイムカウント値「0」をラッチする。   At time t0, the major counter 51 counts the first pulse (rising edge) of the oscillation signal OS, outputs the measurement count value “0”, and activates the count control signal CC2 to high level. As a result, the time base counter 41 also starts counting. The time base counter 41 counts the pulses of the reference clock signal CK2 and outputs a time count value “0”. In synchronization with the pulse of the oscillation signal OS output from the delay circuit 45, the sampling buffer 43 latches the time count value “0” obtained at time t 0, and the sampling buffer 44 resets the time count value “ "0" is latched.

時刻t1において、メジャーカウンター51は、発振信号OSの第2番目のパルスをカウントして、計測カウント値「1」を出力する。一方、タイムベースカウンター41は、基準クロック信号CK2のパルスをカウントして、タイムカウント値「A」を出力する。遅延回路45から出力される発振信号OSのパルスに同期して、サンプリングバッファー43は、時刻t1において得られたタイムカウント値「A」をラッチし、サンプリングバッファー44は、時刻t0において得られたタイムカウント値「0」をラッチする。   At time t1, the major counter 51 counts the second pulse of the oscillation signal OS and outputs a measurement count value “1”. On the other hand, the time base counter 41 counts the pulses of the reference clock signal CK2 and outputs a time count value “A”. In synchronization with the pulse of the oscillation signal OS output from the delay circuit 45, the sampling buffer 43 latches the time count value “A” obtained at time t1, and the sampling buffer 44 obtains the time obtained at time t0. The count value “0” is latched.

時刻t2において、メジャーカウンター51は、発振信号OSの第3番目のパルスをカウントして、計測カウント値「2」を出力する。一方、タイムベースカウンター41は、基準クロック信号CK2のパルスをカウントして、タイムカウント値「B」を出力する。遅延回路45から出力される発振信号OSのパルスに同期して、サンプリングバッファー43は、時刻t2において得られたタイムカウント値「B」をラッチし、サンプリングバッファー44は、時刻t1において得られたタイムカウント値「A」をラッチする。   At time t2, the major counter 51 counts the third pulse of the oscillation signal OS and outputs a measurement count value “2”. On the other hand, the time base counter 41 counts the pulses of the reference clock signal CK2 and outputs a time count value “B”. In synchronization with the pulse of the oscillation signal OS output from the delay circuit 45, the sampling buffer 43 latches the time count value “B” obtained at time t2, and the sampling buffer 44 obtains the time obtained at time t1. The count value “A” is latched.

時刻t3において、メジャーカウンター51は、発振信号OSの第4番目のパルスをカウントして、計測カウント値「3」を出力する。遅延回路48から出力される発振信号OSのパルスに同期して、カウント値バッファー53は、時刻t3において得られた計測カウント値「3」をラッチする。一方、タイムベースカウンター41は、基準クロック信号CK2のパルスをカウントして、タイムカウント値「C」を出力する。遅延回路45から出力される発振信号OSのパルスに同期して、サンプリングバッファー43は、時刻t3において得られたタイムカウント値「C」をラッチし、サンプリングバッファー44は、時刻t2において得られたタイムカウント値「B」をラッチする。   At time t3, the major counter 51 counts the fourth pulse of the oscillation signal OS and outputs a measurement count value “3”. In synchronization with the pulse of the oscillation signal OS output from the delay circuit 48, the count value buffer 53 latches the measured count value “3” obtained at time t3. On the other hand, the time base counter 41 counts the pulses of the reference clock signal CK2 and outputs a time count value “C”. In synchronization with the pulse of the oscillation signal OS output from the delay circuit 45, the sampling buffer 43 latches the time count value “C” obtained at time t3, and the sampling buffer 44 obtains the time obtained at time t2. The count value “B” is latched.

時刻t4において、タイムベースカウンター41は、基準クロック信号CK2のパルスをカウントして、タイムカウント値「LM」を出力する。タイムカウント値「LM」は、カウント値レジスター42に格納されている設定カウント値「LM」と等しいので、タイムベースカウンター41は、カウント制御信号CC3をハイレベルに活性化して、カウント動作を停止する。これにより、ゲート信号生成回路46が、ゲート信号GSをローレベルに非活性化するので、メジャーカウンター51もカウント動作を停止する。このとき、サンプリングバッファー43には、時刻t3において得られたタイムカウント値「C」が格納されており、サンプリングバッファー44には、時刻t2において得られたタイムカウント値「B」が格納されている。   At time t4, the time base counter 41 counts the pulses of the reference clock signal CK2, and outputs a time count value “LM”. Since the time count value “LM” is equal to the set count value “LM” stored in the count value register 42, the time base counter 41 activates the count control signal CC3 to a high level and stops the count operation. . As a result, the gate signal generation circuit 46 deactivates the gate signal GS to a low level, and the measure counter 51 also stops the count operation. At this time, the time count value “C” obtained at time t3 is stored in the sampling buffer 43, and the time count value “B” obtained at time t2 is stored in the sampling buffer 44. .

データ変換回路54のカウント端数算出回路541は、カウント値レジスター42に格納されている設定カウント値「LM」と、サンプリングバッファー43に格納されているタイムカウント値「C」と、サンプリングバッファー44に格納されているタイムカウント値「B」とに基づいて、時刻t2から時刻t3までにおける発振信号OSの1周期分のタイムカウント値(C−B)と、時刻t3から時刻t4までにおける端数分のタイムカウント値(LM−C)とを算出して、複合カウント値の整数未満部分を(LM−C)/(C−B)に基づいて算出する。   The count fraction calculation circuit 541 of the data conversion circuit 54 stores the set count value “LM” stored in the count value register 42, the time count value “C” stored in the sampling buffer 43, and the sampling buffer 44. The time count value (CB) for one cycle of the oscillation signal OS from time t2 to time t3 and the fractional time from time t3 to time t4 based on the time count value “B” that has been set The count value (LM-C) is calculated, and the less than integer part of the composite count value is calculated based on (LM-C) / (CB).

例えば、1/32カウントを単位として複合カウント値を求める場合には、32×(LM−C)/(C−B)を整数化した値「M」が算出され、複合カウント値の整数未満部分が、M/32として表され、複合カウント値が、(3+M/32)として表される。値「M」を整数化する際には、小数第1位において、切り捨て、切り上げ、又は、四捨五入が行われる。あるいは、複合カウント値の整数未満部分を小数で表しても良い。その場合には、所望の位において、切り捨て、切り上げ、又は、四捨五入が行われる。   For example, when a composite count value is obtained in units of 1/32 count, a value “M” obtained by converting 32 × (LM−C) / (CB) into an integer is calculated, and a portion less than an integer of the composite count value Is represented as M / 32 and the composite count value is represented as (3 + M / 32). When the value “M” is converted to an integer, rounding down, rounding up, or rounding is performed at the first decimal place. Or you may represent the part below the integer of a composite count value with a decimal. In that case, rounding down, rounding up or rounding off is performed at the desired place.

温度データ読出回路542は、複合カウント値(3+M/32)に基づいて温度データLUT60を参照してもよいし、複合カウント値の整数部分「3」に基づいて温度データLUT60を参照してもよい。後者の場合には、温度データの読出しに要する処理が簡素化される。いずれにしても、温度データ読出回路542は、複合カウント値(又はその整数部分)に最も近い第1の参照カウント値を表す第1のカウント値データ、及び、それに対応する第1の温度データと、複合カウント値(又はその整数部分)に2番目に近い第2の参照カウント値を表す第2のカウント値データ、及び、それに対応する第2の温度データとを、温度データLUT60から読み出す。   The temperature data read circuit 542 may refer to the temperature data LUT 60 based on the composite count value (3 + M / 32), or may refer to the temperature data LUT 60 based on the integer part “3” of the composite count value. . In the latter case, the processing required for reading the temperature data is simplified. In any case, the temperature data read circuit 542 includes first count value data representing the first reference count value closest to the composite count value (or an integer part thereof), and first temperature data corresponding to the first count value data. The second count value data representing the second reference count value closest to the composite count value (or its integer part) and the second temperature data corresponding thereto are read from the temperature data LUT 60.

補間回路543は、複合カウント値と第1及び第2の参照カウント値との関係に基づいて、第1及び第2の温度データによって表される第1及び第2の参照温度を補間(内挿又は外挿)することにより、複合カウント値に対応する温度を求める。   The interpolation circuit 543 interpolates (interpolates) the first and second reference temperatures represented by the first and second temperature data based on the relationship between the composite count value and the first and second reference count values. Alternatively, the temperature corresponding to the composite count value is obtained.

以下においては、温度データLUT60に、8℃刻みの参照温度を表す温度データと、それに対応する参照カウント値を表すカウント値データとが格納されている場合に付いて説明する。例えば、参照温度「25℃」を表す温度データに対応して、参照カウント値「1000.0」が格納されており、参照温度「33℃」を表す温度データに対応して、参照カウント値「950.5」が格納されているものとする。   In the following, a case will be described where temperature data representing a reference temperature in increments of 8 ° C. and count value data representing a corresponding reference count value are stored in the temperature data LUT 60. For example, the reference count value “1000.0” is stored corresponding to the temperature data representing the reference temperature “25 ° C.”, and the reference count value “100 °” is corresponding to the temperature data representing the reference temperature “33 ° C.”. 950.5 "is stored.

温度データ読出回路542は、複合カウント値が(983+15/32)である場合に、複合カウント値の整数部分「983」に最も近い参照カウント値「1000.0」を表す第1のカウント値データ、及び、それに対応する第1の温度データと、複合カウント値の整数部分「983」に2番目に近い参照カウント値「950.5」を表す第2のカウント値データ、及び、それに対応する第2の温度データとを、温度データLUT60から読み出して、補間回路543に出力する。   When the composite count value is (983 + 15/32), the temperature data reading circuit 542 includes first count value data representing the reference count value “1000.0” closest to the integer part “983” of the composite count value, And the first temperature data corresponding thereto, the second count value data representing the reference count value “950.5” second closest to the integer part “983” of the composite count value, and the second count data corresponding thereto Are read out from the temperature data LUT 60 and output to the interpolation circuit 543.

補間回路543は、複合カウント値(983+15/32)と参照カウント値「1000.0」及び「950.5」との関係に基づいて、第1及び第2の温度データによってそれぞれ表される参照温度「25℃」及び「33℃」を補間することにより、複合カウント値(983+15/32)に対応する温度「27.67℃」を求める。   The interpolator 543 calculates the reference temperature represented by the first and second temperature data based on the relationship between the composite count value (983 + 15/32) and the reference count values “1000.0” and “950.5”, respectively. The temperature “27.67 ° C.” corresponding to the composite count value (983 + 15/32) is obtained by interpolating “25 ° C.” and “33 ° C.”.

ここで、低温の環境においてのみ計測カウント値の整数未満部分を求めて計測精度を改善し、高温の環境においては計測カウント値の整数未満部分を求めないようにしてもよい。あるいは、高温の環境において、タイムベースカウンター41にカウントリミットを設けて、有効精度を得た時点でカウント動作を停止することにより、必要以上のカウントを行わないようにしてもよい。その場合には、例えば、制御回路50が、計測期間においてメジャーカウンター51から出力される計測カウント値が所定の値を超える場合に、サーミスターQTMが高温の環境にあると判定して、カウント値レジスター42に格納される設定カウント値を通常よりも小さい第2の設定カウント値に変更すると共に、第2の設定カウント値に対応した第2の温度データLUTを参照するようにデータ変換回路54を制御する。   Here, it is also possible to improve the measurement accuracy by obtaining a less than integer part of the measurement count value only in a low temperature environment, and not to obtain the less than integer part of the measurement count value in a high temperature environment. Alternatively, in a high-temperature environment, a count limit may be provided in the time base counter 41, and the count operation may be stopped when effective accuracy is obtained, so that unnecessary counting is not performed. In that case, for example, when the measurement count value output from the major counter 51 exceeds a predetermined value during the measurement period, the control circuit 50 determines that the thermistor QTM is in a high temperature environment, and the count value The setting count value stored in the register 42 is changed to a second setting count value smaller than normal, and the data conversion circuit 54 is set so as to refer to the second temperature data LUT corresponding to the second setting count value. Control.

第1の動作例によれば、発振信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値に基づいて温度を求めるので、低温の環境において発振信号OSの周波数が低くなった場合においても、精度の高い温度計測を行うことが可能となる。あるいは、温度計測において有効精度を得るための計測時間を短縮することが可能となる。計測時間の短縮に伴い、1回の温度計測のために消費されるエネルギーも低減される。   According to the first operation example, since the temperature is obtained based on the composite count value including the integer part and the integer part of the number of pulses of the oscillation signal, even when the frequency of the oscillation signal OS becomes low in a low temperature environment. It becomes possible to perform temperature measurement with high accuracy. Or it becomes possible to shorten the measurement time for obtaining effective accuracy in temperature measurement. As the measurement time is shortened, the energy consumed for one temperature measurement is also reduced.

次に、図1に示す温度計測回路の第2の動作例について詳しく説明する。第2の動作例においては、第1の計測期間において発振回路30が基準抵抗REFを用いて発振して出力する発振信号OSのパルスのカウント値と、第2の計測期間において発振回路30がサーミスターQTMを用いて発振して出力する発振信号OSのパルスのカウント値とに基づいて、サーミスターQTM周辺の温度が計測される。ここで、第1の計測期間における発振信号OSのパルスの目標カウント値は予め定められており、カウント値レジスター52に格納されている。   Next, a second operation example of the temperature measurement circuit shown in FIG. 1 will be described in detail. In the second operation example, the count value of the pulse of the oscillation signal OS that is oscillated and output by the oscillation circuit 30 using the reference resistor REF in the first measurement period, and the oscillation circuit 30 in the second measurement period. The temperature around the thermistor QTM is measured based on the count value of the pulse of the oscillation signal OS that is oscillated and output using the Mr. QTM. Here, the target count value of the pulse of the oscillation signal OS in the first measurement period is determined in advance and stored in the count value register 52.

第1の計測期間において、制御回路50が、発振制御信号OC1をハイレベルに活性化すると共に、発振制御信号OC2をローレベルに非活性化することにより、発振回路30が、基準抵抗REFを用いて発振動作を開始する。制御回路50は、設定カウント値LMとして十分大きな値を設定しておく。制御回路50がカウント制御信号CC1をハイレベルに活性化すると、メジャーカウンター51は、発振信号OSのパルスをカウントして計測カウント値MCを出力する。ここで、メジャーカウンター51は、計測期間における発振信号OSの最初のパルスをカウントすると、カウント制御信号CC2をハイレベルに活性化する。これにより、制御回路50が、タイムベースカウンター41にカウント動作を開始させる。   In the first measurement period, the control circuit 50 activates the oscillation control signal OC1 to high level and deactivates the oscillation control signal OC2 to low level, so that the oscillation circuit 30 uses the reference resistor REF. Start oscillation. The control circuit 50 sets a sufficiently large value as the set count value LM. When the control circuit 50 activates the count control signal CC1 to the high level, the measure counter 51 counts the pulses of the oscillation signal OS and outputs the measurement count value MC. Here, the major counter 51 activates the count control signal CC2 to a high level when counting the first pulse of the oscillation signal OS in the measurement period. As a result, the control circuit 50 causes the time base counter 41 to start a counting operation.

発振動作が継続して、計測カウント値MCが目標カウント値に等しくなると、メジャーカウンター51は、カウント制御信号CC2をローレベルに非活性化して、カウント動作を停止する。これにより、制御回路50が、タイムベースカウンター41にカウント動作を停止させ、そのときのタイムカウント値TCを、計測期間の終期を規定する設定カウント値LMとしてカウント値レジスター42に格納する。また、制御回路50は、カウント制御信号CC1をローレベルにリセットする。   When the oscillation operation continues and the measured count value MC becomes equal to the target count value, the major counter 51 deactivates the count control signal CC2 to the low level and stops the count operation. As a result, the control circuit 50 causes the time base counter 41 to stop the counting operation, and stores the time count value TC at that time in the count value register 42 as the set count value LM that defines the end of the measurement period. Further, the control circuit 50 resets the count control signal CC1 to a low level.

その後、第2の計測期間において、制御回路50が、発振制御信号OC2をハイレベルに活性化すると共に、発振制御信号OC1をローレベルに非活性化することにより、発振回路30が、サーミスターQTMを用いて発振動作を開始する。制御回路50がカウント制御信号CC1をハイレベルに活性化すると、メジャーカウンター51は、発振信号OSのパルスをカウントして計測カウント値MCを出力する。ここで、メジャーカウンター51は、計測期間における発振信号OSの最初のパルスをカウントすると、カウント制御信号CC2をハイレベルに活性化する。これにより、制御回路50が、タイムベースカウンター41にカウント動作を開始させる。   Thereafter, in the second measurement period, the control circuit 50 activates the oscillation control signal OC2 to a high level and deactivates the oscillation control signal OC1 to a low level, whereby the oscillation circuit 30 causes the thermistor QTM to Start oscillation by using. When the control circuit 50 activates the count control signal CC1 to the high level, the measure counter 51 counts the pulses of the oscillation signal OS and outputs the measurement count value MC. Here, the major counter 51 activates the count control signal CC2 to a high level when counting the first pulse of the oscillation signal OS in the measurement period. As a result, the control circuit 50 causes the time base counter 41 to start a counting operation.

発振動作が継続して、タイムカウント値TCが設定カウント値LMに等しくなると、タイムベースカウンター41は、カウント制御信号CC3をハイレベルに活性化し、カウント動作を停止する。これにより、ゲート信号生成回路46がゲート信号GSをローレベルに非活性化するので、メジャーカウンター51もカウント動作を停止する。   When the oscillation operation continues and the time count value TC becomes equal to the set count value LM, the time base counter 41 activates the count control signal CC3 to a high level and stops the count operation. As a result, the gate signal generation circuit 46 deactivates the gate signal GS to the low level, and the measure counter 51 also stops the counting operation.

データ変換回路54は、第2の計測期間においてメジャーカウンター51から出力される計測カウント値MC及びタイムベースカウンター41から出力されるタイムカウント値TCに基づいて、メジャーカウンター51が第2の計測期間における発振信号OSの最初のパルスをカウントしてから第2の計測期間が終了するまでにおける発振信号OSのパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求める。さらに、データ変換回路54は、求められた複合カウント値に対応する温度を求める。   Based on the measurement count value MC output from the major counter 51 and the time count value TC output from the time base counter 41 in the second measurement period, the data conversion circuit 54 determines that the major counter 51 is in the second measurement period. A composite count value including an integer part and a part less than an integer of the number of pulses of the oscillation signal OS from the time when the first pulse of the oscillation signal OS is counted until the end of the second measurement period is obtained. Further, the data conversion circuit 54 obtains a temperature corresponding to the obtained composite count value.

以上によって、基準抵抗REFとキャパシターCSHとを用いた発振に基づくカウント値(予め設定された目標カウント値)N1と、同じ計測期間において、サーミスターQTMとキャパシターCSHとを用いた発振に基づく複合カウント値N2とが得られる。ここで、基準抵抗REFの抵抗値をR1とし、サーミスターQTMの抵抗値をR2とし、キャパシターCSHの容量をCとすると、計測期間Tは、定数αを用いて、式(1)及び(2)で表される。
T=α・R1・C・N1 ・・・(1)
T=α・R2・C・N2 ・・・(2)
式(1)及び(2)から、次式(3)が求められる。
R2=(N1/N2)R1 ・・・(3)
例えば、目標カウント値N1が1000で、基準抵抗REFの抵抗値R1が100kΩである場合には、次式(4)が得られる。
R2=1000×100k/N2 ・・・(4)
As described above, the count value based on the oscillation using the reference resistor REF and the capacitor CSH (preset target count value) N1, and the composite count based on the oscillation using the thermistor QTM and the capacitor CSH in the same measurement period. The value N2 is obtained. Here, assuming that the resistance value of the reference resistor REF is R1, the resistance value of the thermistor QTM is R2, and the capacitance of the capacitor CSH is C, the measurement period T uses the constant α, and the equations (1) and (2 ).
T = α · R1 · C · N1 (1)
T = α · R2 · C · N2 (2)
From the equations (1) and (2), the following equation (3) is obtained.
R2 = (N1 / N2) R1 (3)
For example, when the target count value N1 is 1000 and the resistance value R1 of the reference resistor REF is 100 kΩ, the following equation (4) is obtained.
R2 = 1000 × 100k / N2 (4)

サーミスターQTMの抵抗値R2の温度特性は既知であるので、シュミットトリガー回路の閾値や各回路における遅延等を考慮して上式を補正することにより、複数の参照温度を表す温度データと複数の参照カウント値を表すカウント値データとの間の対応関係が得られ、その対応関係が、温度データLUT60に格納されている。第2の動作例によれば、電源電圧(VDD−VSS)の変動やキャパシターCSHの容量Cのばらつきによって発振回路30の発振周波数が変動したとしても、基準抵抗REFを用いた計測とサーミスターQTMを用いた計測との両方を行うことによって発振周波数の変動分が相殺されるので、精度の高い温度計測を行うことが可能となる。その他の点に関しては、第1の動作例と同様である。 Since the temperature characteristic of the resistance value R2 of the thermistor QTM is known, by correcting the above equation in consideration of the threshold of the Schmitt trigger circuit, delay in each circuit, etc., temperature data representing a plurality of reference temperatures and a plurality of Correspondence with count value data representing the reference count value is obtained, and the correspondence is stored in the temperature data LUT 60. According to the second operation example, even if the oscillation frequency of the oscillation circuit 30 varies due to variations in the power supply voltage (V DD −V SS ) or variations in the capacitance C of the capacitor CSH, measurement and measurement using the reference resistor REF are performed. By performing both the measurement using the Mr. QTM, the fluctuation of the oscillation frequency is canceled out, so that it is possible to perform highly accurate temperature measurement. Other points are the same as in the first operation example.

次に、本発明の第2の構成例について説明する。
図3は、本発明の一実施形態に係るカウンター回路を用いた温度計測回路の第2の構成例を示すブロック図である。第2の構成例においては、図1に示す第1の構成例における発振回路30の替わりに、発振回路30aが用いられる。その他の点に関しては、第1の構成例と同様である。
Next, a second configuration example of the present invention will be described.
FIG. 3 is a block diagram showing a second configuration example of the temperature measurement circuit using the counter circuit according to the embodiment of the present invention. In the second configuration example, an oscillation circuit 30a is used instead of the oscillation circuit 30 in the first configuration example shown in FIG. The other points are the same as in the first configuration example.

発振回路30aは、NAND回路37と、PチャネルMOSトランジスター38と、シュミットトリガー回路35と、NチャネルMOSトランジスター36と、半導体基板のNウエルに形成された抵抗RNWと、半導体基板に形成されたキャパシターCSHとを含んでおり、発振して発振信号を生成する。   The oscillation circuit 30a includes a NAND circuit 37, a P channel MOS transistor 38, a Schmitt trigger circuit 35, an N channel MOS transistor 36, a resistor RNW formed in the N well of the semiconductor substrate, and a capacitor formed in the semiconductor substrate. And oscillates to generate an oscillation signal.

NAND回路37の一方の入力端子(非反転入力端子)には、発振制御信号OCが印加される。NAND回路37の出力端子は、トランジスター38のゲートに接続されている。トランジスター38のソースは、電源電位VDDに接続され、トランジスター38のドレインは、抵抗RNWの一端に接続されている。抵抗RNWの他端は、キャパシターCSHの一端、及び、シュミットトリガー回路35の入力端子に接続されている。 An oscillation control signal OC is applied to one input terminal (non-inverting input terminal) of the NAND circuit 37. The output terminal of the NAND circuit 37 is connected to the gate of the transistor 38. The source of the transistor 38 is connected to the power supply potential V DD, and the drain of the transistor 38 is connected to one end of the resistor RNW. The other end of the resistor RNW is connected to one end of the capacitor CSH and the input terminal of the Schmitt trigger circuit 35.

キャパシターCSHの他端は、電源電位VSSに接続されている。シュミットトリガー回路35の出力端子は、NAND回路37の他方の入力端子(反転入力端子)、及び、トランジスター36のゲートに接続されている。トランジスター36のドレインは、シュミットトリガー回路35の入力端子に接続され、トランジスター36のソースは、電源電位VSSに接続されている。 The other end of the capacitor CSH is connected to the power supply potential V SS. The output terminal of the Schmitt trigger circuit 35 is connected to the other input terminal (inverted input terminal) of the NAND circuit 37 and the gate of the transistor 36. The drain of the transistor 36 is connected to an input terminal of the Schmitt trigger circuit 35, the source of the transistor 36 is connected to the power supply potential V SS.

発振制御信号OCがハイレベルに活性化されると、NAND回路37の非反転入力端子にハイレベルの発振制御信号OCが印加される。NAND回路37の出力信号は、トランジスター38によって反転され、抵抗RNWを介してキャパシターCSH及びシュミットトリガー回路35の入力端子に印加される。シュミットトリガー回路35の出力信号は、NAND回路37の反転入力端子に印加される。これにより、CR型の発振回路30aが形成される。この発振回路30aの発振周波数は、抵抗RNWの抵抗値とキャパシターCSHの容量値との時定数に関連して決定される。   When the oscillation control signal OC is activated to a high level, the high level oscillation control signal OC is applied to the non-inverting input terminal of the NAND circuit 37. The output signal of the NAND circuit 37 is inverted by the transistor 38 and applied to the input terminal of the capacitor CSH and the Schmitt trigger circuit 35 via the resistor RNW. The output signal of the Schmitt trigger circuit 35 is applied to the inverting input terminal of the NAND circuit 37. Thus, a CR type oscillation circuit 30a is formed. The oscillation frequency of the oscillation circuit 30a is determined in relation to the time constant between the resistance value of the resistor RNW and the capacitance value of the capacitor CSH.

半導体基板のNウエルに形成された抵抗RNWの抵抗値は、半導体集積回路の製造プロセスに依存した温度特性を有するので、それに対応した温度データLUTを準備することにより、発振回路30aの発振周波数に基づいて、半導体基板周辺の温度を求めることができる。第2の構成例においては、基準抵抗やサーミスターを用いないので、温度計測回路の動作は、第1の構成例における第1の動作例と同様になる。   The resistance value of the resistor RNW formed in the N well of the semiconductor substrate has a temperature characteristic that depends on the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit. Therefore, by preparing the temperature data LUT corresponding to the temperature characteristic, the oscillation frequency of the oscillation circuit 30a is set. Based on this, the temperature around the semiconductor substrate can be determined. In the second configuration example, since the reference resistor and the thermistor are not used, the operation of the temperature measuring circuit is the same as the first operation example in the first configuration example.

10…基準クロック信号生成回路、100…半導体集積回路、20…分周回路、30、30a…発振回路、31、32、37…NAND回路、33、34、38…PチャネルMOSトランジスター、35…シュミットトリガー回路、36…NチャネルMOSトランジスター、40…カウンター回路、41…タイムベースカウンター、42…カウント値レジスター、43、44…サンプリングバッファー、45、48…遅延回路、46…ゲート信号生成回路、47…AND回路、50、50a…制御回路、51…メジャーカウンター、52…カウント値レジスター、53…カウント値バッファー、54…データ変換回路、541…カウント端数算出回路、542…温度データ読出回路、543…補間回路、60…温度データLUT、70…EEPROM、REF…基準抵抗、QTM…サーミスター、CSH…キャパシター、RNW…Nウエルに形成された抵抗   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Reference clock signal generation circuit, 100 ... Semiconductor integrated circuit, 20 ... Frequency dividing circuit, 30, 30a ... Oscillation circuit, 31, 32, 37 ... NAND circuit, 33, 34, 38 ... P channel MOS transistor, 35 ... Schmitt Trigger circuit 36 ... N channel MOS transistor 40 ... Counter circuit 41 ... Time base counter 42 ... Count value register 43,44 ... Sampling buffer 45,48 ... Delay circuit 46 ... Gate signal generation circuit 47 ... AND circuit, 50, 50a ... control circuit, 51 ... major counter, 52 ... count value register, 53 ... count value buffer, 54 ... data conversion circuit, 541 ... count fraction calculation circuit, 542 ... temperature data read circuit, 543 ... interpolation Circuit, 60 ... temperature data LUT, 70 ... EE ROM, REF ... reference resistor, QTM ... thermistor, CSH ... capacitor, resistor formed on RNW ... N-well

Claims (7)

設定された計測期間において入力信号のパルスをカウントして計測カウント値を出力する第1のカウンターと、
前記入力信号よりも高い周波数を有する基準クロック信号が供給され、前記第1のカウンターが前記計測期間における前記入力信号の最初のパルスをカウントしてから前記計測期間が終了するまで前記基準クロック信号のパルスをカウントしてタイムカウント値を出力する第2のカウンターと、
前記計測期間において前記第1のカウンターから出力される前記計測カウント値及び前記第2のカウンターから出力される前記タイムカウント値に基づいて、前記第1のカウンターが前記計測期間における前記入力信号の最初のパルスをカウントしてから前記計測期間が終了するまでにおける前記入力信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求めるデータ変換回路と、
を具備するカウンター回路。
A first counter that counts pulses of an input signal and outputs a measurement count value in a set measurement period;
A reference clock signal having a higher frequency than the input signal is supplied, and the first counter counts the first pulse of the input signal in the measurement period until the measurement period ends. A second counter that counts pulses and outputs a time count value;
Based on the measurement count value output from the first counter and the time count value output from the second counter in the measurement period, the first counter starts the first input signal in the measurement period. A data conversion circuit for obtaining a composite count value including an integer part and less than an integer part of the number of pulses of the input signal from the counting of the number of pulses until the measurement period ends,
A counter circuit comprising:
前記計測期間における前記計測カウント値の最終値をNとし(Nは2以上の整数)、前記計測カウント値が(N−2)となったときの前記タイムカウント値をTCN−2とし、前記計測カウント値が(N−1)となったときの前記タイムカウント値をTCN−1とし、前記計測期間における前記タイムカウント値の最終値をLMとした場合に、前記データ変換回路が、(LM−TCN−1)/(TCN−1−TCN−2)に基づいて前記複合カウント値の整数未満部分を求める、請求項1記載のカウンター回路。 The final value of the measurement count value in the measurement period is N (N is an integer of 2 or more), the time count value when the measurement count value is (N-2) is TC N-2 , When the time count value when the measurement count value becomes (N−1) is TC N−1 and the final value of the time count value in the measurement period is LM, the data conversion circuit ( The counter circuit according to claim 1, wherein a portion less than an integer of the composite count value is obtained based on LM-TC N-1 ) / (TC N-1 -TC N-2 ). 接続される抵抗又はサーミスターの抵抗値とキャパシターの容量値との時定数に関連する周波数で発振して発振信号を生成する発振回路と、
前記発振回路によって生成される前記発振信号を入力する請求項1又は2記載のカウンター回路と、
を具備し、前記データ変換回路が、前記第1のカウンターが前記計測期間における前記発振信号の最初のパルスをカウントしてから前記計測期間が終了するまでにおける前記発振信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む前記複合カウント値を求め、さらに、前記複合カウント値に対応する温度を求める、半導体集積回路。
An oscillation circuit that generates an oscillation signal by oscillating at a frequency related to a time constant between the resistance value of the connected resistor or thermistor and the capacitance value of the capacitor;
The counter circuit according to claim 1 or 2, wherein the oscillation signal generated by the oscillation circuit is input;
And the data conversion circuit includes an integer part of the number of pulses of the oscillation signal from when the first counter counts the first pulse of the oscillation signal in the measurement period until the measurement period ends, and A semiconductor integrated circuit that obtains the composite count value including a portion less than an integer, and further obtains a temperature corresponding to the composite count value.
前記カウンター回路が、
第1の計測期間において、基準抵抗を用いて発振するように前記発振回路を制御すると共に、その後、第2の計測期間において、サーミスターを用いて発振するように前記発振回路を制御する制御回路と、
前記第1の計測期間において前記計測カウント値が所定の値に等しくなったときの前記タイムカウント値を、前記計測期間の終期を規定する設定カウント値として格納する格納回路と、
をさらに具備し、
前記データ変換回路が、前記第2の計測期間において前記第1のカウンターから出力される前記計測カウント値及び前記第2のカウンターから出力される前記タイムカウント値に基づいて前記複合カウント値を求める、請求項3記載の半導体集積回路。
The counter circuit is
A control circuit that controls the oscillation circuit to oscillate using a reference resistor in the first measurement period, and then controls the oscillation circuit to oscillate using a thermistor in the second measurement period. When,
A storage circuit that stores the time count value when the measurement count value becomes equal to a predetermined value in the first measurement period, as a set count value that defines the end of the measurement period;
Further comprising
The data conversion circuit obtains the composite count value based on the measurement count value output from the first counter and the time count value output from the second counter in the second measurement period. The semiconductor integrated circuit according to claim 3.
半導体基板のNウエルに形成された抵抗、及び、前記半導体基板に形成されたキャパシターを含み、前記抵抗の抵抗値と前記キャパシターの容量値との時定数に関連する周波数で発振して発振信号を生成する発振回路と、
前記発振回路によって生成される前記発振信号を入力する請求項1又は2記載のカウンター回路と、
を具備し、前記データ変換回路が、前記第1のカウンターが前記計測期間における前記発振信号の最初のパルスをカウントしてから前記計測期間が終了するまでにおける前記発振信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む前記複合カウント値を求め、さらに、前記複合カウント値に対応する温度を求める、半導体集積回路。
An oscillation signal is generated by oscillating at a frequency related to a time constant between a resistance value of the resistor and a capacitance value of the capacitor, including a resistor formed in an N well of the semiconductor substrate and a capacitor formed in the semiconductor substrate. An oscillation circuit to generate,
The counter circuit according to claim 1 or 2, wherein the oscillation signal generated by the oscillation circuit is input;
And the data conversion circuit includes an integer part of the number of pulses of the oscillation signal from when the first counter counts the first pulse of the oscillation signal in the measurement period until the measurement period ends, and A semiconductor integrated circuit that obtains the composite count value including a portion less than an integer, and further obtains a temperature corresponding to the composite count value.
複数の参照温度を表す温度データと、複数の参照カウント値を表すカウント値データとを対応して格納するルックアップテーブルをさらに具備し、
前記データ変換回路が、前記複合カウント値又はその整数部分に基づいて前記ルックアップテーブルを参照し、前記ルックアップテーブルから読み出された温度データに基づいて前記複合カウント値に対応する温度を求める、請求項3〜5のいずれか1項記載の半導体集積回路。
Further comprising a look-up table for storing temperature data representing a plurality of reference temperatures and count value data representing a plurality of reference count values correspondingly;
The data conversion circuit refers to the lookup table based on the composite count value or an integer part thereof, and obtains a temperature corresponding to the composite count value based on temperature data read from the lookup table. The semiconductor integrated circuit according to claim 3.
前記データ変換回路が、前記複合カウント値又はその整数部分に最も近い第1の参照カウント値を表す第1のカウント値データ、及び、それに対応する第1の温度データと、前記複合カウント値又はその整数部分に2番目に近い第2の参照カウント値を表す第2のカウント値データ、及び、それに対応する第2の温度データとを、前記ルックアップテーブルから読み出し、前記複合カウント値と前記第1及び第2の参照カウント値との関係に基づいて、前記第1及び第2の温度データによってそれぞれ表される第1及び第2の参照温度を補間することにより、前記複合カウント値に対応する温度を求める、請求項6記載の半導体集積回路。   The data conversion circuit includes first count value data representing a first reference count value closest to the composite count value or an integer part thereof, and corresponding first temperature data, and the composite count value or the same Second count value data representing a second reference count value that is second closest to the integer part and second temperature data corresponding to the second reference count value are read from the lookup table, and the composite count value and the first count data are read out. And the temperature corresponding to the composite count value by interpolating the first and second reference temperatures respectively represented by the first and second temperature data based on the relationship with the second reference count value. The semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein:
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