JP2012174984A - Patterning method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a patterning method capable of patterning inexpensively with a small number of steps by utilizing microphase separation of a block copolymer.SOLUTION: First and second regions of different surface free energy are formed on the surface of a polymer film by forming the polymer film on a substrate, and irradiating the polymer film with an energy beam under first and second conditions selectively. A block copolymer layer including first and second block chains is formed on the polymer film, and then subjected to microphase separation.

Description

本発明の実施形態は、半導体デバイスなどの微細加工に応用できるパターン形成方法に関する。   Embodiments described herein relate generally to a pattern forming method applicable to microfabrication of a semiconductor device or the like.

従来、ＬＳＩをはじめとする半導体デバイスの製造プロセスでは、リソグラフィーによる微細加工技術が採用されている。今後、さらに微細な加工が要求されることは確実であり、リソグラフィーにおける光源の短波長化およびレジストの高性能化が進められている。しかし、これらの対策による解像度の向上は困難になってきている。   Conventionally, in a manufacturing process of a semiconductor device such as an LSI, a fine processing technique by lithography has been adopted. In the future, it is certain that finer processing will be required, and the wavelength of light sources in lithography and the performance enhancement of resists are being promoted. However, it is becoming difficult to improve the resolution by these measures.

これに対して、ブロックコポリマーの相分離構造を利用する微細加工技術が着目されている。この微細加工技術では、ブロックコポリマーの相分離構造を規則的に並べることが要求され、そのために種々の工夫がなされている。   On the other hand, a microfabrication technique using a phase separation structure of a block copolymer has attracted attention. In this microfabrication technique, it is required to regularly arrange the phase-separated structures of the block copolymer, and various ideas have been made for that purpose.

しかし、半導体パターンには、微細パターンを形成する部分のみでなく、広い面積でバターンのない部分も存在する。このため、ブロックコポリマーの相分離を利用した加工方法を用いる場合、パターンの存在しない部分を形成するためには、微細パターン形成の前にレジストなどでパターンの存在しない部分をマスクする必要があった。   However, the semiconductor pattern includes not only a portion for forming a fine pattern but also a portion having a large area and no pattern. For this reason, when using a processing method utilizing phase separation of a block copolymer, in order to form a portion where no pattern exists, it is necessary to mask a portion where the pattern does not exist with a resist or the like before forming a fine pattern. .

ブロックコポリマーを修飾するなどして、より少ない工程でパターンを形成するための種々の工夫もなされているが、そのようなブロックコポリマーの合成には多数の工程を要するため、かえってコストが高くなるという問題を有する。   Various attempts have been made to form a pattern with fewer steps by modifying the block copolymer, but the synthesis of such a block copolymer requires many steps, which in turn increases the cost. Have a problem.

米国特許第６，７４６，８２５号明細書US Pat. No. 6,746,825 特開２００９−２９８９１１号公報JP 2009-298911 A

S. O. Kim et ai., Nature, Vol.424, pp.411-414 (2004）S. O. Kim et ai., Nature, Vol.424, pp.411-414 (2004) R. Ruiz et ai., Science, Vol. 321, pp. 936-939 (2008)R. Ruiz et ai., Science, Vol. 321, pp. 936-939 (2008)

本発明が解決しようとする課題は、ブロックコポリマーのミクロ相分離を利用して、少ない工程で、且つ安価にパターンを形成することができるパターン形成方法を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a pattern forming method capable of forming a pattern at a low cost with few steps by utilizing microphase separation of a block copolymer.

実施形態によれば、基板上に高分子膜を形成し、前記高分子膜に対して選択的に第１および第２の条件でエネルギー線を照射することにより、前記高分子膜表面に、表面自由エネルギーの異なる第１および第２の領域を形成し、前記高分子膜上に、第１および第２のブロック鎖を含むブロックコポリマー層を形成し、前記ブロックコポリマーをミクロ相分離させることを特徴とするパターン形成方法が提供される。前記第１および第２の領域の表面自由エネルギーに基づいて、前記第１および第２のブロック鎖を前記基板に対して垂直または平行に配向させることにより、前記第１の領域上のブロックコポリマー層と前記第２の領域上のブロックコポリマー層とで異なるミクロ相分離パターンを同時に形成することができる。   According to the embodiment, by forming a polymer film on a substrate and selectively irradiating the polymer film with energy rays under the first and second conditions, First and second regions having different free energies are formed, a block copolymer layer including first and second block chains is formed on the polymer film, and the block copolymer is microphase-separated. A pattern forming method is provided. A block copolymer layer on the first region by orienting the first and second block chains perpendicularly or parallel to the substrate based on the surface free energy of the first and second regions. Different microphase separation patterns can be simultaneously formed in the block copolymer layer on the second region.

実施形態に係るパターン形成方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the pattern formation method which concerns on embodiment. 実施例におけるブロックコポリマーのミクロ相分離パターンを示す平面図。The top view which shows the micro phase separation pattern of the block copolymer in an Example.

以下、実施の形態について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.

図１は、実施形態に係るパターン形成方法を示す断面図である。図１を参照して、実施形態に係るパターン形成方法の概略について説明する。   FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a pattern forming method according to an embodiment. With reference to FIG. 1, the outline of the pattern formation method which concerns on embodiment is demonstrated.

図１（ａ）に示すように、基板１１上に、エネルギー線の照射により表面自由エネルギーが変化する高分子膜１２を形成する。その後、形成した高分子膜１２上に、選択的にエネルギー線を照射する。選択的なエネルギー線の照射は、例えば図１（ａ）に示すように、エネルギー線を照射したくない部分をマスク１３で遮蔽することにより行うことができる。その結果、図１（ｂ）に示すように、高分子膜１２上に表面自由エネルギーの異なる第１の領域１２ａおよび第２の領域１２ｂが形成される。続いて、高分子膜１２上に、ブロックコポリマー層１４を形成する（図１（ｃ））。ブロックコポリマーは、性質の異なる第１のブロック鎖および第２のブロック鎖を含む。ブロックコポリマー層１４の形成後、加熱してアニーリングすることにより、ブロックコポリマーをミクロ相分離させる。その結果、図１（ｄ）に示すように、高分子膜表面の自由エネルギーに応じて第１のブロック鎖および第２のブロック鎖が基板１１に対して垂直または平行に配向し、ブロックコポリマーのミクロ相分離パターンが形成される。図１（ｄ）においては、高分子膜の第１の領域１２ａ上のブロックコポリマーは、第１のブロック鎖および第２のブロック鎖が基板に対して平行に配向したことを表している。その結果として、第１のブロック鎖の層１４ａおよび第２のブロック鎖の層１４ｂが基板１１に対して平行に交互に積層されたラメラ相が形成されている。一方、高分子膜の第２の領域１２ｂ上のブロックコポリマーは、第１のブロック鎖および第２のブロック鎖が基板に対して垂直に配向している。その結果として、第１のブロック鎖の層１４ａおよび第２のブロック鎖１４ｂの層が、基板１１に対して垂直に交互に積層されたラメラ相が形成されている。   As shown in FIG. 1A, a polymer film 12 whose surface free energy is changed by irradiation with energy rays is formed on a substrate 11. Thereafter, the formed polymer film 12 is selectively irradiated with energy rays. For example, as shown in FIG. 1A, selective energy beam irradiation can be performed by shielding a portion where the energy beam is not desired to be irradiated with a mask 13. As a result, as shown in FIG. 1B, the first region 12a and the second region 12b having different surface free energies are formed on the polymer film 12. Subsequently, a block copolymer layer 14 is formed on the polymer film 12 (FIG. 1C). The block copolymer includes a first block chain and a second block chain having different properties. After the block copolymer layer 14 is formed, the block copolymer is microphase-separated by heating and annealing. As a result, as shown in FIG. 1 (d), the first block chain and the second block chain are oriented perpendicularly or parallel to the substrate 11 in accordance with the free energy of the polymer film surface, A microphase separation pattern is formed. In FIG. 1 (d), the block copolymer on the first region 12a of the polymer film represents that the first block chain and the second block chain are oriented parallel to the substrate. As a result, a lamellar phase in which the first block chain layers 14 a and the second block chain layers 14 b are alternately stacked in parallel to the substrate 11 is formed. On the other hand, in the block copolymer on the second region 12b of the polymer film, the first block chain and the second block chain are oriented perpendicular to the substrate. As a result, a lamellar phase in which the first block chain layers 14 a and the second block chain 14 b layers are alternately stacked perpendicularly to the substrate 11 is formed.

上記で説明したパターン形成方法の各工程および各部材について、さらに詳細に説明する。   Each step and each member of the pattern forming method described above will be described in more detail.

基板としては、半導体デバイスに用いられる任意の基板を用いることができる。このような基板の例としては、シリコンウエハー、ドーピングされたシリコンウエハー、表面に絶縁層または電極もしくは配線となる金属層が形成されたシリコンウエハー、マスクブランク、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハーを挙げることができる。他の基板の例として、クロムまたは酸化クロム蒸着基板、アルミニウム蒸着基板、ホスホシリケートガラス（ＰＳＧ）コートなどのパッシベーション酸化膜基板、スピンオングラス（ＳＯＧ）コート基板、ＳｉＮコート基板も挙げることができる。   As the substrate, any substrate used for semiconductor devices can be used. Examples of such substrates include silicon wafers, doped silicon wafers, silicon wafers with an insulating layer or metal layer serving as an electrode or wiring formed on the surface, mask blanks, III-V group compounds such as GaAs and AlGaAs. A semiconductor wafer can be mentioned. Other examples of the substrate include a chromium or chromium oxide vapor deposition substrate, an aluminum vapor deposition substrate, a passivation oxide film substrate such as a phosphosilicate glass (PSG) coat, a spin-on glass (SOG) coat substrate, and a SiN coat substrate.

なお、基板の表面に付着した有機不純物を除去するために、基板への紫外線照射などの前処理を行うことが好ましい。   In order to remove organic impurities attached to the surface of the substrate, it is preferable to perform a pretreatment such as ultraviolet irradiation on the substrate.

高分子膜を形成する材料は、エネルギー線の照射により表面自由エネルギーが変化する材料であれば特に限定されないが、表面自由エネルギーの変化において体積収縮を伴わない材料が望ましい。Ｓｉ−Ｓｉ結合を持つ分子は、エネルギー線の照射により結合が開裂し、架橋反応や酸化反応により表面自由エネルギーを変化させる。そのため、高分子膜を形成する材料は、Ｓｉ−Ｓｉ結合をもつケイ素系材料であることが望ましい。製膜性の点から、Ｓｉ−Ｓｉ結合からなるオリゴマーおよび/またはポリマーであるポリシランが特に好ましい。ポリシランを使用する場合、ポリシラン主鎖が架橋した高分子であっても架橋していない鎖状高分子であってもかまわない。使用するポリシランは、塗布特性、高分子膜を製膜した後でブロックコポリマー層を製膜する際の溶剤耐性等によって適宜選択することができる。ポリシランの置換基は特に限定されないが、溶解性の観点から、水素原子、メチル基、フェニル基、フェノール基等であることが好ましい。   The material for forming the polymer film is not particularly limited as long as the surface free energy is changed by irradiation with energy rays, but a material that does not cause volume shrinkage in the change of surface free energy is desirable. A molecule having a Si—Si bond is cleaved by irradiation with energy rays, and the surface free energy is changed by a crosslinking reaction or an oxidation reaction. Therefore, the material for forming the polymer film is desirably a silicon-based material having a Si—Si bond. From the viewpoint of film forming property, polysilane which is an oligomer and / or polymer composed of Si—Si bond is particularly preferable. When polysilane is used, it may be a polymer having a crosslinked polysilane main chain or a chain polymer not crosslinked. The polysilane to be used can be appropriately selected depending on the coating characteristics, the solvent resistance when the block copolymer layer is formed after forming the polymer film. Although the substituent of polysilane is not specifically limited, From a soluble viewpoint, it is preferable that they are a hydrogen atom, a methyl group, a phenyl group, a phenol group, etc.

高分子膜の製膜方法としては、スピンコーティング、ディップコーティング、気相成長などを用いることができる。   As a method for forming the polymer film, spin coating, dip coating, vapor phase growth, or the like can be used.

スピンコーティングでは、高分子膜の材料を溶剤で希釈して基板上にスピンコートし、必要に応じてホットプレートなどの上でベークして形成する。   In spin coating, the polymer film material is diluted with a solvent, spin-coated on a substrate, and baked on a hot plate or the like as necessary.

ディップコーティングでは、高分子膜の材料を溶剤で希釈し、その希釈溶液中に基板を一定時間浸漬し、高分子膜を形成する。   In dip coating, a polymer film material is diluted with a solvent, and the substrate is immersed in the diluted solution for a predetermined time to form a polymer film.

気相成長では、気圧を下げるか温度を上げるかまたはその両方によって高分子膜を形成する材料を気体状態とし、その中へ基板を導入し、一定時間曝露して基板表面に高分子膜を形成する。   In vapor phase growth, the material that forms the polymer film is made into a gaseous state by lowering the pressure, raising the temperature, or both, and the substrate is introduced into it and exposed to it for a certain period of time to form the polymer film on the substrate surface. To do.

スピンコーティングにおいて、高分子膜を形成する材料を溶剤で希釈する濃度は０．５〜３０ｗｔ％であることが好ましいが、特に限定されない。基板に対する塗れ広がりの程度に応じてその濃度を調整することが好ましい。用いる溶剤は、高分子膜形成材料によっても異なるが、高分子膜形成材料と反応を起こさないものが好ましい。このような溶剤としては、トルエン、キシレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナンなどのシクロアルカン類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカンなどのアルカン類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノールなどのアルキルアルコール類などが挙げられる。上述した溶剤以外にも、反応性、基板との濡れ性、揮発性の観点から、一般的なフォトレジストの溶剤に用いられるケトン類、セロソルブ類、およびエステル類といった有機溶媒も使用することができる。ケトン類としては、シクロヘキサノン、アセトン、エチルメチルケトン、メチルイソブチルケトンなどが挙げられる。セロソルブル類としては、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどが挙げられる。エステル類としては、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、γ−ブチロラクトン、３−メトキシプロピオン酸メチルなどが挙げられる。溶剤は、必要に応じて２種以上を組み合わせて用いることができる。基板表面の官能基との反応性の観点から、脱水溶剤を用いることが好ましい。ホットプレートなどの上でベークするときの温度は、使用した溶剤を気化させ、流動性をなくす観点から１００〜２００℃であることが好ましい。   In spin coating, the concentration at which the material forming the polymer film is diluted with a solvent is preferably 0.5 to 30 wt%, but is not particularly limited. It is preferable to adjust the concentration in accordance with the degree of spreading of the substrate. Although the solvent to be used varies depending on the polymer film forming material, a solvent that does not react with the polymer film forming material is preferable. Examples of such solvents include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and mesitylene, cycloalkanes such as cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane and cyclononane, alkanes such as hexane, heptane, octane, nonane and decane, and methanol. , Alkyl alcohols such as ethanol, 1-propanol and 2-propanol. In addition to the above-mentioned solvents, organic solvents such as ketones, cellosolves, and esters used as general photoresist solvents can be used from the viewpoints of reactivity, wettability with substrates, and volatility. . Examples of ketones include cyclohexanone, acetone, ethyl methyl ketone, and methyl isobutyl ketone. Examples of cellosolves include methyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, and butyl cellosolve acetate. Examples of the esters include ethyl acetate, butyl acetate, isoamyl acetate, γ-butyrolactone, methyl 3-methoxypropionate and the like. Two or more solvents can be used in combination as required. From the viewpoint of reactivity with the functional group on the substrate surface, it is preferable to use a dehydrated solvent. The temperature at the time of baking on a hot plate or the like is preferably 100 to 200 ° C. from the viewpoint of vaporizing the solvent used and eliminating fluidity.

ディップコーティングにおいて、高分子膜形成材料を溶剤で希釈する濃度は１〜３０ｗｔ％であることが好ましい。用いる溶剤は、スピンコーティングで用いる溶剤と同様に、高分子膜形成材料と反応を起こさないものが好ましい。このような溶剤としては、トルエン、キシレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナンなどのシクロアルカン類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカンなどのアルカン類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノールなどのアルキルアルコール類などが挙げられる。基板表面の官能基との反応性の観点から、脱水溶剤を用いることが好ましい。希釈溶液への基板の浸漬後に、窒素やアルゴンなどの不活性ガスを吹き付けて溶剤を吹き飛ばし、場合によってはホットプレート上で加熱して溶剤を除去することが好ましい。   In dip coating, the concentration at which the polymer film-forming material is diluted with a solvent is preferably 1 to 30 wt%. The solvent used is preferably a solvent that does not react with the polymer film forming material, like the solvent used in spin coating. Examples of such solvents include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and mesitylene, cycloalkanes such as cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane and cyclononane, alkanes such as hexane, heptane, octane, nonane and decane, and methanol. , Alkyl alcohols such as ethanol, 1-propanol and 2-propanol. From the viewpoint of reactivity with the functional group on the substrate surface, it is preferable to use a dehydrated solvent. After immersing the substrate in the diluted solution, it is preferable to blow off an inert gas such as nitrogen or argon to blow off the solvent, and in some cases, heat on a hot plate to remove the solvent.

気相成長では、高分子膜形成材料を気体状態にするために、その材料の蒸気圧特性に応じて、気圧を下げるか温度を上げるかまたはその両方を行う。用いる高分子膜形成材料の沸点に依存するが、材料の安定性の観点から、減圧して気体状態に変わるまで温度を上げることが好ましい。気体状態の高分子膜形成材料が存在する空間に基板を入れるかまたは予め入れておき、１〜５時間基板表面を曝露することが好ましい。基板を曝露した後、必要に応じて、高分子膜の範囲を超えて吸着されている余分な高分子膜形成材料を溶剤で洗い流してもよい。用いる溶剤は、上記スピンコーティングに関連して記載したものが好ましい。   In vapor phase growth, in order to make a polymer film forming material in a gaseous state, the pressure is lowered or the temperature is raised or both are performed according to the vapor pressure characteristics of the material. Although it depends on the boiling point of the polymer film forming material to be used, it is preferable to raise the temperature until the pressure changes to a gaseous state from the viewpoint of the stability of the material. It is preferable to place the substrate in a space where the polymer film forming material in the gas state is present or put it in advance and expose the substrate surface for 1 to 5 hours. After the substrate is exposed, if necessary, excess polymer film forming material adsorbed beyond the range of the polymer film may be washed away with a solvent. The solvent used is preferably the one described in connection with the above spin coating.

高分子膜に照射するエネルギー線は、高分子膜を形成する材料が感度をもつ波長を有するものであれば特に限定されない。具体的には、紫外線、水銀ランプのｉ線、ｈ線またはｇ線、キセノンランプ光、深紫外光（例えば、ＫｒＦもしくはＡｒＦなどのエキシマーレーザー光）、Ｘ線、シンクロトロンオービタルラジエーション（ＳＲ）、電子線、γ線およびイオンビームなどが挙げられる。   The energy rays applied to the polymer film are not particularly limited as long as the material forming the polymer film has a wavelength with sensitivity. Specifically, ultraviolet rays, i-line, h-line or g-line of a mercury lamp, xenon lamp light, deep ultraviolet light (for example, excimer laser light such as KrF or ArF), X-ray, synchrotron orbital radiation (SR), An electron beam, a gamma ray, an ion beam, etc. are mentioned.

高分子膜表面の自由エネルギーは、高分子膜へのエネルギー線の照射により調整する。エネルギー線の照射は、高分子膜上に形成するブロックコポリマー層に含まれるブロックコポリマーが、目的とするミクロ相分離パターンに応じて配向するように調整する。例えば、表面自由エネルギーを低く維持したい領域をマスクで覆ってエネルギー線を部分的に遮蔽したり、エネルギー線の照射時間を変化させたり、領域によって使用するエネルギー線を変えることによって、高分子膜表面の自由エネルギーを調整することができる。   The free energy of the polymer film surface is adjusted by irradiating the polymer film with energy rays. The energy ray irradiation is adjusted so that the block copolymer contained in the block copolymer layer formed on the polymer film is oriented according to the target microphase separation pattern. For example, by covering the area where the surface free energy is to be kept low with a mask to partially shield the energy rays, changing the irradiation time of the energy rays, or changing the energy rays used depending on the area, the surface of the polymer film Can adjust the free energy.

表面自由エネルギーを低く維持したい領域をマスクで覆い、表面自由エネルギーを大きくしたい領域のみにエネルギー線を照射した場合、エネルギー線照射部の表面自由エネルギーが選択的に上昇する。その結果、照射部および未照射部で表面自由エネルギーが異なることによるパターンが高分子膜上に形成される。表面自由エネルギーを小さくするほど高分子膜表面は疎水性になり、表面自由エネルギーを大きくするほど高分子膜表面は親水性になる。   When a region where the surface free energy is desired to be kept low is covered with a mask and only the region where the surface free energy is desired to be increased is irradiated with energy rays, the surface free energy of the energy ray irradiating portion is selectively increased. As a result, a pattern due to the difference in surface free energy between the irradiated part and the unirradiated part is formed on the polymer film. The smaller the surface free energy, the more hydrophobic the polymer film surface, and the larger the surface free energy, the more hydrophilic the polymer film surface.

高分子膜上に形成するブロックコポリマー層に含まれるブロックコポリマーは、第１のブロック鎖と第２のブロック鎖が異なる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）耐性を有するというように、なんらかの方法で一方のブロック鎖を除去できるものである。たとえば、ポリスチレンとポリブタジエンとのブロックコポリマーを用いた場合には、オゾン処理によりポリスチレンブロックのみを残すことができる。また、ポリスチレンとポリメチルメタクリレートとのブロックコポリマーを用いた場合には、Ｏ２、ＣＦ４などの反応性ガスを用いたＲＩＥによりポリスチレンブロックのみを残すことができる（Ｋ． Ａｓａｋａｗａ ｅｔ ａｌ．， ＡＰＳ Ｍａｒｃｈ Ｍｅｅｔｉｎｇ，２０００）。 The block copolymer contained in the block copolymer layer formed on the polymer film may be formed by using a certain method such that the first block chain and the second block chain have different reactive ion etching (RIE) resistance. The chain can be removed. For example, when a block copolymer of polystyrene and polybutadiene is used, only the polystyrene block can be left by ozone treatment. When a block copolymer of polystyrene and polymethyl methacrylate is used, only the polystyrene block can be left by RIE using a reactive gas such as O 2 or CF 4 (K. Asakawa et al., APS). March Meeting, 2000).

基板上に形成された高分子膜上にブロックコポリマーを塗布する方法は特に限定されない。例えば、スピンコーティング、ディップコーティング、ドクターブレード法、カーテンコーティング、その他の方法が用いられる。ブロックコポリマー溶液を塗布した後、必要に応じて、ホットプレート上で加熱して溶剤を除去してもよい。このときの加熱温度は７０〜１２０℃が好ましい。   The method for applying the block copolymer on the polymer film formed on the substrate is not particularly limited. For example, spin coating, dip coating, doctor blade method, curtain coating, and other methods are used. After applying the block copolymer solution, if necessary, the solvent may be removed by heating on a hot plate. The heating temperature at this time is preferably 70 to 120 ° C.

ブロックコポリマーを相分離させるには、一般的に、ブロックコポリマーのガラス転移点温度以上の温度でアニールする。ブロックコポリマーの相分離速度はアニール温度に対して相関性があることが知られている（Ａ． Ｍ． Ｗｅｌａｎｄｅｒ ｅｔ ａｌ．， Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ， ４１， ２７５９−２７６１， ２００８）。アニール温度が秩序・無秩序転移温度（ＯＤＴ）を超えて高くなると、無秩序構造になり、相分離構造が得られない。このため、適度な相分離速度が得られる適度な温度でアニールすることが好ましい。ブロックコポリマーの分子量や種類にもよるが、アニール温度は１３０〜２８０℃であることが好ましい。アニールはオーブンやホットプレートを用いて行う。オーブンを用いる場合には低温で長時間アニールする。ホットプレートを用いる場合には高温で短時間アニールする。   In general, the block copolymer is phase-separated by annealing at a temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the block copolymer. It is known that the phase separation rate of the block copolymer is correlated with the annealing temperature (AM M. Welander et al., Macromolecules, 41, 2759-2761, 2008). When the annealing temperature becomes higher than the order-disorder transition temperature (ODT), a disordered structure is formed and a phase separation structure cannot be obtained. For this reason, it is preferable to anneal at an appropriate temperature at which an appropriate phase separation rate can be obtained. Although depending on the molecular weight and type of the block copolymer, the annealing temperature is preferably 130 to 280 ° C. Annealing is performed using an oven or a hot plate. When using an oven, anneal at a low temperature for a long time. When a hot plate is used, annealing is performed at a high temperature for a short time.

なお、酸素などの反応性ガスが微量に存在する雰囲気でアニールする場合、アニール温度が高温になるとブロックコポリマーが分解することがある。そこで、ブロックコポリマーの分解を防ぐ観点から、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気でアニールすることが好ましい。必要に応じて、約３％の水素を含むフォーミングガス雰囲気でアニールしてもよい。   When annealing is performed in an atmosphere where a reactive gas such as oxygen is present in a very small amount, the block copolymer may be decomposed when the annealing temperature becomes high. Therefore, it is preferable to anneal in an inert gas atmosphere such as argon or nitrogen from the viewpoint of preventing the decomposition of the block copolymer. If necessary, annealing may be performed in a forming gas atmosphere containing about 3% hydrogen.

ブロックコポリマーにおける第１のブロック鎖と第２のブロック鎖の自由エネルギーの違いにより、相分離による微細構造や配向を制御することができる。親水性ブロックと疎水性ブロックからなるブロックコポリマーでは、親水性ブロックは親水性材料と親和し、疎水性ブロックは疎水性材料と親和する。そのため、エネルギー線の照射により高分子膜表面に親水性の領域と疎水性の領域のパターンを形成することにより、ブロックコポリマーの相分離パターンをコントロールすることができる。   Depending on the difference in free energy between the first block chain and the second block chain in the block copolymer, the microstructure and orientation due to phase separation can be controlled. In a block copolymer composed of a hydrophilic block and a hydrophobic block, the hydrophilic block has an affinity for the hydrophilic material, and the hydrophobic block has an affinity for the hydrophobic material. Therefore, the phase separation pattern of the block copolymer can be controlled by forming a pattern of a hydrophilic region and a hydrophobic region on the surface of the polymer film by irradiation with energy rays.

高分子膜上の表面自由エネルギーが高い領域、すなわち親水性の領域では、ブロックコポリマーをミクロ相分離させると、ブロックコポリマーの親水性部分が高分子膜と親和し、疎水性部分が高分子膜から離れるように配向する。一方、高分子膜上の表面自由エネルギーが低い領域、すなわち疎水性の領域では、ブロックコポリマーの疎水性部分が高分子膜と親和し、親水性部分は高分子膜から離れるように配向する。従って、高分子膜表面を親水性または疎水性にした場合、その上に形成されるブロックコポリマー層をミクロ相分離させると、ブロックコポリマーの第１のブロック鎖および第２のブロック鎖は基板に対して平行に配向する。その結果、ブロックコポリマーの第１のブロック鎖の層および第２のブロック鎖の層が基板に対して平行に交互に積層されたラメラ相が形成される（以下、基板に対して平行なラメラ相とも称する）。ポリマーの相分離にはゆらぎが存在するため、実際には完全な平行にならなくても構わない。   In the region with high surface free energy on the polymer film, that is, the hydrophilic region, when the block copolymer is microphase-separated, the hydrophilic part of the block copolymer has affinity with the polymer film and the hydrophobic part from the polymer film. Orient away. On the other hand, in a region having a low surface free energy on the polymer film, that is, a hydrophobic region, the hydrophobic portion of the block copolymer has affinity with the polymer film, and the hydrophilic portion is oriented so as to be separated from the polymer film. Therefore, when the surface of the polymer film is made hydrophilic or hydrophobic, when the block copolymer layer formed thereon is microphase-separated, the first block chain and the second block chain of the block copolymer are separated from the substrate. Orient in parallel. As a result, a lamellar phase in which the first block chain layer and the second block chain layer of the block copolymer are alternately laminated in parallel to the substrate is formed (hereinafter referred to as a lamellar phase parallel to the substrate). Also called). Since fluctuations exist in the phase separation of the polymer, in practice, it does not have to be completely parallel.

このような相分離パターンを得るためには、高分子膜の表面自由エネルギーを、ブロックポリマーの第１のブロック鎖が持つ表面自由エネルギーまたは第２のブロック鎖が持つ表面自由エネルギーのどちらかと近い表面自由エネルギーとすることが好ましい。   In order to obtain such a phase separation pattern, the surface free energy of the polymer film is close to either the surface free energy of the first block chain of the block polymer or the surface free energy of the second block chain. Free energy is preferred.

例えば、ポリスチレンとポリメチルメタクリレートとのブロックコポリマーを用いる場合、高分子膜表面を水の接触角が例えば９０°になるようなエネルギー状態にすると、ポリスチレン層が高分子膜と接し、ポリスチレン層とポリメチルメタクリレート層が基板に対して平行に交互に積層されたラメラ相が形成される。これは、高分子膜における表面エネルギーをポリスチレンの表面自由エネルギーと近い状態にしたことによる。また、高分子膜表面を水の接触角が例えば７５°になるようなエネルギー状態にすると、ポリメチルメタクリレート層が高分子膜と接し、ポリメチルメタクリレート層とポリスチレン層が基板に対して平行に交互に積層されたラメラ相が形成される。これは、高分子膜における表面エネルギーをポリメチルメタクリレートの表面自由エネルギーと近い状態にしたことによる。   For example, when a block copolymer of polystyrene and polymethyl methacrylate is used, if the surface of the polymer film is brought into an energy state such that the contact angle of water is 90 °, for example, the polystyrene layer is in contact with the polymer film, A lamellar phase in which methyl methacrylate layers are alternately laminated in parallel to the substrate is formed. This is because the surface energy in the polymer film is close to the surface free energy of polystyrene. In addition, when the surface of the polymer film is brought into an energy state such that the contact angle of water is, for example, 75 °, the polymethyl methacrylate layer is in contact with the polymer film, and the polymethyl methacrylate layer and the polystyrene layer are alternately parallel to the substrate. A lamellar phase laminated on is formed. This is because the surface energy in the polymer film is close to the surface free energy of polymethylmethacrylate.

ポリスチレンとポリメチルメタクリレートとのブロックコポリマーを用いる場合、高分子膜表面の所定の領域を水の接触角が７５〜８０°または９０°以上になるようなエネルギー状態にすることにより、その領域に積層されたブロックコポリマーを基板に対して平行に配向させることができる。   When a block copolymer of polystyrene and polymethylmethacrylate is used, a predetermined region on the surface of the polymer film is placed in an energy state such that the contact angle of water is 75 to 80 ° or 90 ° or more, and is laminated on that region. The resulting block copolymer can be oriented parallel to the substrate.

また、高分子膜表面を親水性と疎水性の中間のエネルギー状態とすると、ブロックコポリマーの第１および第２のブロック鎖は、いずれも同一の条件で高分子膜と接することになる。この状態を利用すると、ブロックコポリマーの第１のブロック鎖および第２のブロック鎖は基板に対して垂直に配向する。その結果、ブロックコポリマーの第１のブロック鎖の層および第２のブロック鎖の層が、基板に対して垂直に並んだミクロ相分離パターンが形成される。ポリマーの相分離にはゆらぎが存在するため、実際には完全な垂直にならなくても構わない。   Further, when the surface of the polymer film is in an intermediate energy state between hydrophilicity and hydrophobicity, both the first and second block chains of the block copolymer are in contact with the polymer film under the same conditions. When this state is utilized, the first block chain and the second block chain of the block copolymer are oriented perpendicular to the substrate. As a result, a microphase separation pattern is formed in which the first block chain layer and the second block chain layer of the block copolymer are aligned perpendicular to the substrate. Since fluctuations exist in the phase separation of the polymer, in practice, it does not have to be completely vertical.

このような相分離パターンを得るためには、高分子膜の表面自由エネルギーを、ブロックコポリマーの第１のブロック鎖が持つ表面自由エネルギーと第２のブロック鎖が持つ表面自由エネルギーの中間のエネルギー状態とすることが好ましい。このようなエネルギー状態の領域においては、第１のブロック鎖と高分子膜表面のエネルギー関係と、第２のブロック鎖と高分子膜表面のエネルギー関係が等しくなり、ブロック鎖が基板に対して垂直に配向しやすくなる。   In order to obtain such a phase separation pattern, the surface free energy of the polymer film is determined as an energy state intermediate between the surface free energy of the first block chain of the block copolymer and the surface free energy of the second block chain. It is preferable that In such an energy state region, the energy relationship between the first block chain and the polymer film surface is equal to the energy relationship between the second block chain and the polymer film surface, and the block chain is perpendicular to the substrate. It becomes easy to orient.

例えば、ポリスチレンとポリメチルメタクリレートとのブロックコポリマーを用いる場合、高分子膜表面の所定の領域を水の接触角が８０°より大きく９０°未満になるようなエネルギー状態にすることにより、その領域に積層されたブロックコポリマーを基板に対して垂直に配向させることができる。   For example, when a block copolymer of polystyrene and polymethyl methacrylate is used, a predetermined region on the surface of the polymer film is brought into an energy state such that the contact angle of water is greater than 80 ° and less than 90 °. The laminated block copolymer can be oriented perpendicular to the substrate.

ここで形成される基板に対して垂直なミクロ相分離パターンは、ブロックコポリマーの第１のブロック鎖の層および第２のブロック鎖の層が基板に対して垂直に交互に積層されたラメラ相（以下、基板に対して垂直なラメラ相とも称する）であるか、あるいはシリンダー相であることが好ましい。   The microphase separation pattern perpendicular to the substrate formed here is a lamellar phase in which the first block chain layer and the second block chain layer of the block copolymer are alternately stacked perpendicular to the substrate ( Hereinafter, it is also referred to as a lamellar phase perpendicular to the substrate) or a cylinder phase.

ブロックコポリマーのミクロ相分離によりラメラ相が形成される場合、基板に対して垂直なラメラ相における第１および第２のブロック鎖の層は、基板に対して平行なラメラ相と基板に対して垂直なラメラ相の界面に対して垂直に並ぶことが好ましい。あるいは、基板に対して垂直なラメラ相における第１および第２のブロック鎖の層は、基板に対して平行なラメラ相と基板に対して垂直なラメラ相の界面に対して平行に並ぶことが好ましい。   When the lamellar phase is formed by microphase separation of the block copolymer, the first and second block chain layers in the lamellar phase perpendicular to the substrate are parallel to the substrate and perpendicular to the substrate. It is preferable to align perpendicularly to the interface of the various lamellar phases. Alternatively, the first and second block chain layers in the lamellar phase perpendicular to the substrate may be aligned in parallel to the interface between the lamellar phase parallel to the substrate and the lamellar phase perpendicular to the substrate. preferable.

以上のように、高分子膜表面の自由エネルギーを制御する、すなわち、高分子膜表面に疎水性、親水性および／またはその中間のエネルギー状態の領域を作ることにより、ブロックコポリマーの第１および第２のブロック鎖の層が基板に対して垂直に並んだミクロ相分離パターンと基板に対して平行に並んだミクロ相分離パターンを同時に形成することができる。   As described above, by controlling the free energy on the surface of the polymer film, that is, by creating a region of hydrophobicity, hydrophilicity and / or an intermediate energy state on the surface of the polymer film, the first and first of the block copolymer The microphase separation pattern in which the two block chain layers are arranged perpendicularly to the substrate and the microphase separation pattern in which the blockchain layers are arranged in parallel to the substrate can be formed simultaneously.

ブロックコポリマーを上記のように相分離させた後、第１および第２のブロック鎖のうち一方を除去して他方を残すと、ライン・アンド・スペースパターンを形成することができる。また、残ったパターンをマスクとして、下地層すなわち基板自体または基板上に形成された金属層もしくは絶縁層をエッチングし、微細なライン・アンド・スペースパターンを形成することもできる。   After phase separation of the block copolymer as described above, if one of the first and second block chains is removed and the other is left, a line and space pattern can be formed. Further, by using the remaining pattern as a mask, the underlying layer, that is, the substrate itself or the metal layer or the insulating layer formed on the substrate can be etched to form a fine line and space pattern.

第１のブロック鎖の層と第２のブロック鎖の層が基板に対して平行に積層されたミクロ相分離パターンを示す領域については、エッチング耐性の異なるブロック鎖の層が基板と平行に交互に積層されることになる。エッチングにより一方のブロック鎖を除去すると、この領域では、エッチング耐性の強いブロック鎖の層が表面に現れたところでエッチングが止まる。従って、この領域には微細パターンは形成されない。一方、第１のブロック鎖の層と第２のブロック鎖の層が基板に対して垂直に並んだミクロ相分離パターンを示す領域については、エッチングにより一方のブロック鎖を除去すると、ナノ構造のパターンが形成される。   In the region showing the microphase separation pattern in which the first block chain layer and the second block chain layer are laminated in parallel to the substrate, the block chain layers having different etching resistances are alternately arranged in parallel to the substrate. Will be stacked. When one block chain is removed by etching, in this region, the etching stops when a block chain layer having high etching resistance appears on the surface. Therefore, a fine pattern is not formed in this region. On the other hand, in the region showing the microphase separation pattern in which the first block chain layer and the second block chain layer are arranged perpendicular to the substrate, when one block chain is removed by etching, the nanostructure pattern Is formed.

本実施形態の方法によれば、微細パターンを形成する領域と形成しない領域のブロックコポリマーのミクロ相分離パターンを同時に形成することができる。従って、少ない工程でパターンを形成することができる。また、従来の方法によると、第１または第２のブロック鎖のいずれかを除去して微細パターンを形成する工程の前に、微細パターンを形成しない領域をレジストでマスクする必要があった。しかし、本実施形態の方法では、微細パターンを形成しない領域に、ブロックコポリマーの第１のブロック鎖の層と第２のブロック鎖の層が基板に対して平行に積層されるようにミクロ相分離パターンを形成することができる。そのため、第１または第２のブロック鎖のいずれかを除去する工程の後で、この領域には基板と平行なブロック鎖の層が残る。従って、微細パターンを形成しない領域をレジストでマスクする必要がない。また、微細パターンを形成しない領域に基板と平行なブロック鎖の層を残すことで、この領域のブロックコポリマーを相分離させない従来の方法と比較して、エッチングコントラストが高くなる。相分離させずに混合状態のまま形成したブロックコポリマー層から第１または第２のブロック鎖のいずれか一方を除去した場合、ブロックコポリマー層の表面に凹凸ができてしまうからである。さらに、本実施形態の方法によるとブロックコポリマーを保護基等で修飾する必要もないため、安価且つ容易にパターンを形成することができる。   According to the method of this embodiment, it is possible to simultaneously form a microphase separation pattern of a block copolymer in a region where a fine pattern is formed and a region where a fine pattern is not formed. Therefore, a pattern can be formed with few steps. Further, according to the conventional method, it is necessary to mask a region where a fine pattern is not formed with a resist before the step of removing either the first block chain or the second block chain to form a fine pattern. However, in the method of this embodiment, the microphase separation is performed so that the first block chain layer and the second block chain layer of the block copolymer are stacked in parallel to the substrate in the region where the fine pattern is not formed. A pattern can be formed. Therefore, after the step of removing either the first or second block chain, a layer of block chains parallel to the substrate remains in this region. Therefore, it is not necessary to mask a region where a fine pattern is not formed with a resist. Further, by leaving a block chain layer parallel to the substrate in a region where a fine pattern is not formed, the etching contrast becomes higher compared to the conventional method in which the block copolymer in this region is not phase-separated. This is because when one of the first and second block chains is removed from the block copolymer layer formed in a mixed state without phase separation, irregularities are formed on the surface of the block copolymer layer. Furthermore, according to the method of the present embodiment, it is not necessary to modify the block copolymer with a protecting group or the like, so that a pattern can be formed inexpensively and easily.

以下、実施例に基づいて本発明を説明する。以下の実施例においては、エネルギー線の露光時間を変えることにより、高分子膜表面における水の接触角を８５°から６０°の範囲で任意に変化させることができた。水滴の接触角が大きくなることは、高分子膜表面の自由エネルギーが低くなる、すなわち疎水化されたことを意味する。一方、接触角が小さくなることは、高分子膜表面の自由エネルギーが高くなる、すなわち親水化されたことを意味する。   Hereinafter, the present invention will be described based on examples. In the following examples, the contact angle of water on the polymer film surface could be arbitrarily changed in the range of 85 ° to 60 ° by changing the exposure time of the energy beam. An increase in the contact angle of the water droplet means that the free energy on the surface of the polymer film is lowered, that is, it has been made hydrophobic. On the other hand, a smaller contact angle means that the free energy on the surface of the polymer film is increased, that is, it has been made hydrophilic.

（実施例１）
シリコンウエハーの表面をＵＶ洗浄機で５分間処理した。シラノール置換架橋型ポリシラン(大阪ガスケミカル社製 オグソールＳＩ−２０)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解して１ｗ／ｗ％溶液を調製し、この溶液をスピンコートによりシリコンウエハー上に塗布することにより高分子膜を形成した。水銀ランプを照射し、高分子膜上に露光部および未露光部のパターンを形成した後、２５０℃で３０分、ベーカーにより加熱した。 Example 1
The surface of the silicon wafer was treated with a UV washer for 5 minutes. Silanol-substituted cross-linked polysilane (Ogsol SI-20 manufactured by Osaka Gas Chemical Company) is dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate to prepare a 1 w / w% solution, and this solution is applied onto a silicon wafer by spin coating. A molecular film was formed. A mercury lamp was irradiated to form a pattern of exposed and unexposed areas on the polymer film, and then heated at 250 ° C. for 30 minutes with a baker.

次に、前記露光部および未露光部における水滴の接触角を測定し、露光部が親水性となることを確認した。露光部における水の接触角は７６°であり、未露光部における水の接触角は８３°であった。水の接触角は、θ／２法で測定した。重力の影響を受けないように、直径１．４ｍｍ程度の水滴を高分子膜上に落下させた後、３０秒後の角度を測定した。   Next, the contact angle of water droplets in the exposed area and the unexposed area was measured, and it was confirmed that the exposed area became hydrophilic. The contact angle of water in the exposed area was 76 °, and the contact angle of water in the unexposed area was 83 °. The contact angle of water was measured by the θ / 2 method. In order not to be affected by gravity, a water droplet having a diameter of about 1.4 mm was dropped on the polymer film, and then the angle after 30 seconds was measured.

別途、ブロックコポリマーの溶液を調製した。ブロックコポリマーとして、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｏｕｒｃｅ社から購入したポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のブロック共重合体（ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ）であるＰ１８９−ＳＭＭＡを用いた。   Separately, a block copolymer solution was prepared. As a block copolymer, P189-SMMA which is a block copolymer (PS-b-PMMA) of polystyrene (PS) and polymethyl methacrylate (PMMA) purchased from Polymer Source was used.

Ｐ１８９−ＳＭＭＡは、ＰＳブロックとＰＭＭＡブロックの数平均分子量（Ｍｎ）がそれぞれ４６９００および３９６００であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０８である。   In P189-SMMA, the number average molecular weights (Mn) of the PS block and the PMMA block are 46900 and 39600, respectively, and the dispersity (Mw / Mn) is 1.08.

ブロックコポリマーのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過し、それをポリシラン膜上に塗布し、ホットプレート上において１１０℃で９０秒間ベークしてブロックコポリマー層を形成した。   A propylene glycol monomethyl ether acetate solution of the block copolymer was filtered through a 0.2 μm membrane filter, which was coated on the polysilane film and baked on a hot plate at 110 ° C. for 90 seconds to form a block copolymer layer.

次いで、窒素雰囲気のオーブン中において１８０℃で１０時間アニール処理することにより、ブロックコポリマーをミクロ相分離させた。それぞれのサンプル表面の５００ｎｍ×５００ｎｍの領域について、形成されたミクロ相分離パターンを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ ＩＩＩ）を用いて評価した。カンチレバーにスーパーシャープシリコンチップ［ＳＳＳ−ＮＣＨ−５０］を使用し、タッピングモードで測定して、得られた位相像からパターンを評価した。その結果、ポリシランの露光部分では、ＰＳブロックの層とＰＭＭＡブロックの層が基板に対して平行に交互に積層された相分離パターン（以下、基板に平行なラメラ相とも称する）を形成しており、未露光部分では、ＰＳブロックの層とＰＭＭＡブロックの層が基板に対して垂直に交互に並んだ相分離パターン（以下、基板に垂直なラメラ相とも称する）を形成していた。   Next, the block copolymer was microphase-separated by annealing at 180 ° C. for 10 hours in a nitrogen atmosphere oven. The formed microphase separation pattern was evaluated using an atomic force microscope (AFM) (Nanoscope III) for a 500 nm × 500 nm region of each sample surface. A super sharp silicon chip [SSS-NCH-50] was used as a cantilever, measurement was performed in a tapping mode, and a pattern was evaluated from the obtained phase image. As a result, in the exposed portion of the polysilane, a phase separation pattern (hereinafter also referred to as a lamellar phase parallel to the substrate) is formed in which PS block layers and PMMA block layers are alternately laminated in parallel to the substrate. In the unexposed portion, a phase separation pattern (hereinafter also referred to as a lamella phase perpendicular to the substrate) in which PS block layers and PMMA block layers are alternately arranged perpendicular to the substrate was formed.

得られたサンプルをＲＩＥ装置に入れ、パワー５０Ｗ、酸素ガス圧力１．０Ｐａ、流量５０ｓｃｃｍの条件でエッチングすることにより、ＰＭＭＡブロックが選択的にエッチングされ、ＰＳブロックが残り、パターンが形成される。   The obtained sample is put into an RIE apparatus and etched under the conditions of power 50 W, oxygen gas pressure 1.0 Pa, and flow rate 50 sccm, whereby the PMMA block is selectively etched, the PS block remains, and a pattern is formed.

（実施例２）
シリコンウエハーの表面をＵＶ洗浄機で５分間処理した。シラノール置換架橋型ポリシラン(大阪ガスケミカル社製 オグソールＳＩ−２０)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解して１％溶液を調製し、この溶液をスピンコートによりシリコンウエハー上に塗布し、１１０℃で９０秒加熱した。その後、１０および１００μｍ角のマスク部を配置したレチクルをポリシラン膜上に配置し、水銀ランプで１０秒露光して、露光部および未露光部のパターンを形成した。露光部における水の接触角は８０°であり、未露光部における水の接触角は８３°であった。その後、２５０℃で３０分、ベーカーにより加熱した。 (Example 2)
The surface of the silicon wafer was treated with a UV washer for 5 minutes. Silanol-substituted cross-linked polysilane (Ogsol SI-20 manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.) was dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate to prepare a 1% solution. This solution was applied onto a silicon wafer by spin coating, and the temperature was 90 ° C. at 90 ° C. Heated for 2 seconds. Thereafter, a reticle having 10 and 100 μm square mask portions was placed on the polysilane film and exposed with a mercury lamp for 10 seconds to form a pattern of exposed and unexposed portions. The contact angle of water in the exposed area was 80 °, and the contact angle of water in the unexposed area was 83 °. Then, it heated with the baker at 250 degreeC for 30 minutes.

別途、ブロックコポリマーの溶液を調製した。ブロックコポリマーとして、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｏｕｒｃｅ社から購入したポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のブロック共重合体（ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ）であるＰ１８９−ＳＭＭＡを用いた。   Separately, a block copolymer solution was prepared. As a block copolymer, P189-SMMA which is a block copolymer (PS-b-PMMA) of polystyrene (PS) and polymethyl methacrylate (PMMA) purchased from Polymer Source was used.

Ｐ１８９−ＳＭＭＡは、ＰＳブロックとＰＭＭＡブロックの数平均分子量（Ｍｎ）がそれぞれ４６９００および３９６００であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０８である。   In P189-SMMA, the number average molecular weights (Mn) of the PS block and the PMMA block are 46900 and 39600, respectively, and the dispersity (Mw / Mn) is 1.08.

ブロックコポリマーのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過してポリシラン上に塗布し、ホットプレート上において１１０℃で９０秒間ベークしてブロックコポリマー層を形成した。 A propylene glycol monomethyl ether acetate solution of the block copolymer was filtered through a 0.2 μm membrane filter, applied onto polysilane, and baked on a hot plate at 110 ° C. for 90 seconds to form a block copolymer layer.

次いで、窒素雰囲気のオーブン中において１８０℃で１０時間アニール処理することにより、ブロックコポリマーをミクロ相分離させた。それぞれのサンプル表面の５００ｎｍ×５００ｎｍの領域について、形成されたミクロ相分離パターンを原子間力顕微鏡（Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ ＩＩＩ）を用いて評価した。カンチレバーにスーパーシャープシリコンチップ［ＳＳＳ−ＮＣＨ−５０］を使用し、タッピングモードで測定して、得られた位相像からパターンを評価した。マスクにより遮光された部分では、基板に垂直なラメラ相が観察され、露光部では基板に平行なラメラ相が観察された。   Next, the block copolymer was microphase-separated by annealing at 180 ° C. for 10 hours in a nitrogen atmosphere oven. The formed microphase separation pattern was evaluated using an atomic force microscope (Nanoscope III) for a 500 nm × 500 nm region of each sample surface. A super sharp silicon chip [SSS-NCH-50] was used as a cantilever, measurement was performed in a tapping mode, and a pattern was evaluated from the obtained phase image. A lamella phase perpendicular to the substrate was observed at the portion shielded from light by the mask, and a lamella phase parallel to the substrate was observed at the exposed portion.

（実施例３）
露光時間を１２０秒とした以外は、実施例２と同様に実験を行った。露光部における水の接触角は７９°であり、未露光部における水の接触角は８３°であった。その結果、マスクにより遮光された部分では、基板に垂直なラメラ相が観察され、露光部では基板に平行なラメラ相が観察された。 (Example 3)
The experiment was performed in the same manner as in Example 2 except that the exposure time was 120 seconds. The contact angle of water in the exposed area was 79 °, and the contact angle of water in the unexposed area was 83 °. As a result, a lamella phase perpendicular to the substrate was observed at the portion shielded from light by the mask, and a lamella phase parallel to the substrate was observed at the exposed portion.

（実施例４）
用いるブロックコポリマーをＰ２８１３−ＳＭＭＡとした以外は、実施例３と同様に実験を行った。Ｐ２８１３−ＳＭＭＡは、ＰＳブロックとＰＭＭＡブロックの数平均分子量（Ｍｎ）がそれぞれ１３００００および１３３０００であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．１である。露光部における水の接触角は７９°であり、未露光部における水の接触角は８３°であった。このように実験を行うと、マスクに遮光された部分では、基板に垂直なラメラ相が観察され、露光部では基板に平行なラメラ相が観察される。 Example 4
The experiment was performed in the same manner as in Example 3 except that P2813-SMMA was used as the block copolymer. P2813-SMMA has PS block and PMMA block number average molecular weights (Mn) of 130000 and 133000, respectively, and dispersity (Mw / Mn) of 1.1. The contact angle of water in the exposed area was 79 °, and the contact angle of water in the unexposed area was 83 °. When the experiment is performed in this way, a lamella phase perpendicular to the substrate is observed in the portion shielded from light by the mask, and a lamella phase parallel to the substrate is observed in the exposed portion.

（実施例５）
用いるブロックコポリマーをＰ３９６４−ＳＭＭＡとした以外は、実施例３と同様に実験を行った。 (Example 5)
The experiment was performed in the same manner as in Example 3 except that P3964-SMMA was used as the block copolymer.

Ｐ３９６４−ＳＭＭＡは、ＰＳブロックとＰＭＭＡブロックのＭｎがそれぞれ２１０００および２１０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．０７である。露光部における水の接触角は７９°であり、未露光部における水の接触角は８３°であった。その結果、マスクに遮光された部分は、垂直配向のラメラ相が観測され、露光部は平行配向のラメラ相が観察される。   In P3964-SMMA, the Mn of the PS block and the PMMA block is 21000 and 21000, respectively, and Mw / Mn is 1.07. The contact angle of water in the exposed area was 79 °, and the contact angle of water in the unexposed area was 83 °. As a result, a vertically aligned lamellar phase is observed in the portion shielded from light by the mask, and a parallel aligned lamellar phase is observed in the exposed portion.

（実施例６）
水銀ランプでの露光の代わりにＡｒＦエキシマレーザーステッパーを用い、透過部と不透過部が１μｍの間隔で交互かつライン状に形成されたマスクを通じて露光量５００ｍＪ／ｃｍ２で露光する以外は、実施例２と同様に実験を行うと、露光部における水の接触角は７６°であり、未露光部における水の接触角は８３°となる。その結果、図２(ａ)に示すように、マスクに遮光された未露光部分２２では基板に垂直なラメラ相が形成され、ＰＳブロックの層２２ａとＰＭＭＡブロックの層２２ｂとが交互に並んでいることが確認できる。一方、露光部２１では基板に平行なラメラ相が形成される。 (Example 6)
Example except that an ArF excimer laser stepper is used instead of exposure with a mercury lamp, and exposure is performed at an exposure amount of 500 mJ / cm 2 through a mask in which transmissive portions and non-transmissive portions are alternately formed in a line shape at intervals of 1 μm. When the experiment is performed in the same manner as in No. 2, the contact angle of water in the exposed area is 76 °, and the contact angle of water in the unexposed area is 83 °. As a result, as shown in FIG. 2A, a lamellar phase perpendicular to the substrate is formed in the unexposed portion 22 shielded from light by the mask, and the PS block layers 22a and the PMMA block layers 22b are alternately arranged. It can be confirmed. On the other hand, in the exposure part 21, a lamellar phase parallel to the substrate is formed.

基板に垂直なラメラ相は、隣接する基板に平行なラメラ相のエネルギー状態によって安定構造が変化する。露光部２１における基板に平行なラメラ相の側面の自由エネルギーが、ＰＳブロックの層２２ａの自由エネルギーとＰＭＭＡブロックの層２２ｂの自由エネルギーの中間のエネルギーである場合は、図２（ａ）に示すような構造となる。露光部２１における基板に平行なラメラ相の側面の自由エネルギーが、ＰＳブロックの層２２ａの自由エネルギーと同等である場合は、図２（ｂ）に示すような構造となる。露光部２１における基板に平行なラメラ相の側面の自由エネルギーが、ＰＭＭＡブロックの層２２ｂの自由エネルギーと同等である場合は、図２（ｂ）において、ＰＳブロックの層２２ａとＰＭＭＡブロックの層２２ｂが逆に並んだ構造となる。また、露光部２１における基板に平行なラメラ相の側面の自由エネルギーが、ＰＳブロックの層２２ａおよびＰＭＭＡブロックの層２２ｂに影響を与えない場合は、配向が制御されず、図２（ｃ）に示すようなミクロ相分離構造となる。   The stable structure of the lamella phase perpendicular to the substrate changes depending on the energy state of the lamella phase parallel to the adjacent substrate. When the free energy of the side surface of the lamellar phase parallel to the substrate in the exposure unit 21 is an intermediate energy between the free energy of the PS block layer 22a and the free energy of the PMMA block layer 22b, it is shown in FIG. It becomes such a structure. When the free energy of the side surface of the lamellar phase parallel to the substrate in the exposure unit 21 is equal to the free energy of the PS block layer 22a, the structure shown in FIG. When the free energy of the side surface of the lamellar phase parallel to the substrate in the exposure part 21 is equal to the free energy of the PMMA block layer 22b, in FIG. 2B, the PS block layer 22a and the PMMA block layer 22b The structure is arranged in reverse. When the free energy of the side surface of the lamellar phase parallel to the substrate in the exposure unit 21 does not affect the PS block layer 22a and the PMMA block layer 22b, the orientation is not controlled, and FIG. It becomes a micro phase separation structure as shown.

（実施例７）
水銀ランプでの露光の代わりにＫｒＦエキシマレーザーステッパーを用い、透過部と不透過部が１μｍの間隔で交互かつライン状に形成されたマスクを通じて露光量５００ｍＪ／ｃｍ２で露光する以外は、実施例２と同様に実験を行うと、露光部における水の接触角は７６°であり、未露光部における水の接触角は８３°となる。その結果、図２(ａ)に示すような相分離パターンとなる。 (Example 7)
Example except that a KrF excimer laser stepper is used instead of exposure with a mercury lamp, and exposure is performed at an exposure amount of 500 mJ / cm 2 through a mask in which transmissive portions and non-transmissive portions are alternately formed in a line shape at intervals of 1 μm. When the experiment is performed in the same manner as in No. 2, the contact angle of water in the exposed area is 76 °, and the contact angle of water in the unexposed area is 83 °. As a result, a phase separation pattern as shown in FIG.

上記実施形態または実施例によれば、ブロックコポリマーのミクロ相分離を利用して、少ない工程で、且つ安価にパターンを形成することができるパターン形成方法を提供することができる。また、エッチングコントラストの改善されたパターン形成方法を提供することができる。   According to the above-described embodiment or example, it is possible to provide a pattern forming method that can form a pattern in a small number of steps and at low cost by utilizing microphase separation of a block copolymer. In addition, a pattern forming method with improved etching contrast can be provided.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。   Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

１１…基板、１２…高分子膜、１２ａ…高分子膜の第１の領域、１２ｂ…高分子膜の第２の領域、１３…マスク、１４…ブロックコポリマー層、１４ａ…第１のブロック鎖の層、１４ｂ…第２のブロック鎖の層、２１…露光部分、２２…未露光部分、２２ａ…ＰＳブロックの層、２２ｂ…ＰＭＭＡブロックの層。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Board | substrate, 12 ... Polymer film, 12a ... 1st area | region of a polymer film, 12b ... 2nd area | region of a polymer film, 13 ... Mask, 14 ... Block copolymer layer, 14a ... 1st block chain Layer, 14b ... second block chain layer, 21 ... exposed portion, 22 ... unexposed portion, 22a ... PS block layer, 22b ... PMMA block layer.

Claims (12)

基板上に高分子膜を形成し、
前記高分子膜に対して選択的に第１および第２の条件でエネルギー線を照射することにより、前記高分子膜表面に、表面自由エネルギーの異なる第１および第２の領域を形成し、
前記高分子膜上に、第１および第２のブロック鎖を含むブロックコポリマー層を形成し、
前記ブロックコポリマーをミクロ相分離させ、前記第１および第２の領域の表面自由エネルギーに基づいて、前記第１および第２のブロック鎖を前記基板に対して垂直または平行に配向させることにより、前記第１の領域上のブロックコポリマー層と前記第２の領域上のブロックコポリマー層とで異なるミクロ相分離パターンを同時に形成する
ことを特徴とするパターン形成方法。 Forming a polymer film on the substrate,
By selectively irradiating the polymer film with energy rays under the first and second conditions, first and second regions having different surface free energies are formed on the polymer film surface,
Forming a block copolymer layer including first and second block chains on the polymer film;
By microphase-separating the block copolymer and orienting the first and second block chains perpendicularly or parallel to the substrate based on surface free energy of the first and second regions, A pattern forming method, wherein different microphase separation patterns are simultaneously formed in the block copolymer layer on the first region and the block copolymer layer on the second region. 前記ミクロ相分離パターンは、前記第１および第２のブロック鎖の配向により形成される第１および第２のブロック鎖のミクロ相分離層を含むラメラ相またはシリンダー相であることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。   The microphase separation pattern is a lamellar phase or a cylinder phase including a microphase separation layer of first and second block chains formed by the orientation of the first and second block chains. Item 4. The pattern forming method according to Item 1. 前記ミクロ相分離パターンは、前記第１の領域上では、前記第１および第２のブロック鎖の層が前記基板に対して垂直に交互に積層されたラメラ相であり、前記第２の領域上では、前記第１および第２のブロック鎖の層が前記基板に対して平行に交互に積層されたラメラ相であることを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。   The microphase separation pattern is a lamellar phase in which the first and second block chain layers are alternately stacked perpendicularly to the substrate on the first region, and on the second region. The pattern forming method according to claim 2, wherein the first and second block chain layers are lamellar phases that are alternately stacked in parallel to the substrate. 前記第１のブロック鎖はポリスチレンからなり、前記第２のブロック鎖はポリメチルメタクリレートからなり、前記第１の領域上における水の接触角は８０°より大きく９０°未満であり、前記第２の領域上における水の接触角は７５〜８０°または９０°以上であることを特徴とする、請求項３に記載のパターン形成方法。   The first block chain is made of polystyrene, the second block chain is made of polymethylmethacrylate, and the contact angle of water on the first region is greater than 80 ° and less than 90 °, The pattern forming method according to claim 3, wherein a contact angle of water on the region is 75 to 80 ° or 90 ° or more. 前記第１または第２のブロック鎖のパターンを選択的に除去し、残存した前記第２または第１のブロック鎖のパターンをエッチングマスクとして用いることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。   2. The pattern forming method according to claim 1, wherein the pattern of the first or second block chain is selectively removed, and the remaining pattern of the second or first block chain is used as an etching mask. . 前記高分子は、ケイ素系材料であることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 1, wherein the polymer is a silicon-based material. 前記ケイ素系材料は、ポリシランであることを特徴とする請求項６に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 6, wherein the silicon-based material is polysilane. 基板と、
基板上に形成された高分子膜と、
第１および第２のブロック鎖を含むブロックコポリマーの層であって、前記第１および第２のブロック鎖の配向により形成される第１および第２のブロック鎖の層が前記基板に対して垂直に交互に積層された第１のラメラ相と、前記第１および第２のブロック鎖の層が前記基板に対して平行に交互に積層された第２のラメラ相とを含むブロックコポリマー層と
を具備することを特徴とする、請求項３に記載のパターン形成方法により得られる構造体。 A substrate,
A polymer film formed on a substrate;
A block copolymer layer comprising first and second block chains, wherein the first and second block chain layers formed by the orientation of the first and second block chains are perpendicular to the substrate; A block copolymer layer comprising: first lamellar phases alternately stacked on each other; and second lamellar phases in which the first and second block chain layers are alternately stacked parallel to the substrate. The structure obtained by the pattern formation method of Claim 3 characterized by comprising. 前記第１のラメラ相における前記第１および第２のブロック鎖の層は、前記第１のラメラ相と前記第２のラメラ相の界面に対して垂直に並ぶことを特徴とする請求項８に記載の構造体。   The layer of the first and second block chains in the first lamellar phase is aligned perpendicular to an interface between the first lamellar phase and the second lamellar phase. The structure described. 前記第１のラメラ相における前記第１および第２のブロック鎖の層は、前記第１のラメラ相と前記第２のラメラ相の界面に対して平行に並ぶことを特徴とする請求項８に記載の構造体。   The layer of the first and second block chains in the first lamellar phase is arranged in parallel to an interface between the first lamellar phase and the second lamellar phase. The structure described. 前記高分子は、ケイ素系材料であることを特徴とする請求項８に記載の構造体。   The structure according to claim 8, wherein the polymer is a silicon-based material. 前記ケイ素系材料は、ポリシランであることを特徴とする請求項１１に記載の構造体。   The structure according to claim 11, wherein the silicon-based material is polysilane.
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Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014120526A (en) * 2012-12-13 2014-06-30 Toshiba Corp Pattern formation method and method for manufacturing template for imprinting
JP2014157974A (en) * 2013-02-18 2014-08-28 Toshiba Corp Method for correcting guide pattern data, program and method for forming pattern
JP2014192399A (en) * 2013-03-27 2014-10-06 Jsr Corp Pattern formation method and composition for pattern formation
WO2014188806A1 (en) * 2013-05-21 2014-11-27 Jsr株式会社 Self-organizing lithography process and underlayer film-formation composition
KR20150076097A (en) 2013-12-26 2015-07-06 제이에스알 가부시끼가이샤 Composition for forming underlayer and directed self assembly lithography process
JP2015144262A (en) * 2013-12-26 2015-08-06 Jsr株式会社 Composition for base film formation, and self-structuring lithographic process
JP2015170723A (en) * 2014-03-06 2015-09-28 Jsr株式会社 Patterning method and self-organization composition
JP2015177009A (en) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社東芝 Pattern formation method
JP2015201544A (en) * 2014-04-08 2015-11-12 株式会社デンソー Method of manufacturing structure having functional film
KR20160024784A (en) * 2014-08-26 2016-03-07 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Method of producing structure containing phase-separated structure
JP2016518701A (en) * 2013-03-15 2016-06-23 東京エレクトロン株式会社 Multi-step baking apparatus and method for guided self-organized lithography control
JP2017505355A (en) * 2013-12-06 2017-02-16 エルジー・ケム・リミテッド Block copolymer
US9690192B2 (en) 2014-04-21 2017-06-27 Jsr Corporation Composition for base, and directed self-assembly lithography method
US10081698B2 (en) 2013-12-06 2018-09-25 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10087276B2 (en) 2013-12-06 2018-10-02 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10150832B2 (en) 2013-12-06 2018-12-11 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10160822B2 (en) 2013-12-06 2018-12-25 Lg Chem, Ltd. Monomer and block copolymer
US10184021B2 (en) 2013-12-06 2019-01-22 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10196475B2 (en) 2013-12-06 2019-02-05 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10196474B2 (en) 2013-12-06 2019-02-05 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10202480B2 (en) 2013-12-06 2019-02-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10202481B2 (en) 2013-12-06 2019-02-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
KR20190024952A (en) 2016-07-06 2019-03-08 제이에스알 가부시끼가이샤 Film forming composition, film forming method and self-organizing lithography process
US10227437B2 (en) 2013-12-06 2019-03-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10227436B2 (en) 2013-12-06 2019-03-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10227438B2 (en) 2013-12-06 2019-03-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10240035B2 (en) 2014-09-30 2019-03-26 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10239980B2 (en) 2013-12-06 2019-03-26 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10281820B2 (en) 2014-09-30 2019-05-07 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10287429B2 (en) 2014-09-30 2019-05-14 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10287430B2 (en) 2014-09-30 2019-05-14 Lg Chem, Ltd. Method of manufacturing patterned substrate
US10295908B2 (en) 2014-09-30 2019-05-21 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10310378B2 (en) 2014-09-30 2019-06-04 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10370529B2 (en) 2014-09-30 2019-08-06 Lg Chem, Ltd. Method of manufacturing patterned substrate
US10377894B2 (en) 2014-09-30 2019-08-13 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
KR20200040668A (en) 2018-10-10 2020-04-20 제이에스알 가부시끼가이샤 Method for producing pattern and patterned substrate
US10633533B2 (en) 2014-09-30 2020-04-28 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10703897B2 (en) 2014-09-30 2020-07-07 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
WO2020189729A1 (en) * 2019-03-18 2020-09-24 株式会社ニコン Exposure system, exposure device, and exposure method
JP2020533210A (en) * 2017-09-15 2020-11-19 エルジー・ケム・リミテッド Laminate
US11462405B2 (en) 2018-10-10 2022-10-04 Jsr Corporation Pattern-forming method and patterned substrate
US11603480B2 (en) 2018-08-03 2023-03-14 Jsr Corporation Composition for underlayer film formation, underlayer film for directed self-assembled film and forming method thereof, and directed self-assembly lithography process

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5484817B2 (en) * 2009-08-04 2014-05-07 株式会社東芝 Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method
JP5802233B2 (en) 2013-03-27 2015-10-28 株式会社東芝 Pattern formation method
JP6023010B2 (en) * 2013-06-26 2016-11-09 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method, program, computer storage medium, and substrate processing system
US9287131B2 (en) * 2014-02-21 2016-03-15 Globalfoundries Inc. Methods of patterning line-type features using a multiple patterning process that enables the use of tighter contact enclosure spacing rules
WO2017132351A1 (en) * 2016-01-28 2017-08-03 Tokyo Electron Limited Methods of spin-on deposition of metal oxides
WO2018101741A1 (en) * 2016-11-30 2018-06-07 주식회사 엘지화학 Laminate
KR102399191B1 (en) * 2017-11-09 2022-05-18 주식회사 엘지화학 Laminate
CN108100989B (en) * 2017-12-20 2019-12-10 武汉大学 Machining method of micro-pit array structure
US20210375745A1 (en) * 2020-06-02 2021-12-02 Intel Corporation, Santa Clara, CA Directed self-assembly structures and techniques
DE102020131642A1 (en) * 2020-06-02 2021-12-02 Intel Corporation STRUCTURES AND TECHNIQUES OF DIRECTED SELF-ORGANIZATION
KR102595510B1 (en) * 2021-04-30 2023-10-27 포항공과대학교 산학협력단 Dual nano hallow pattern copolymer thin film laminate comprising dual nano hallow pattern formed by controrlling surface energy of substrate, and method of manufacturing same

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005029779A (en) * 1999-06-07 2005-02-03 Toshiba Corp Pattern-forming material, pattern-forming method, method for producing porous structure, electrochemical cell, method for producing porous carbon structure, and the porous carbon structure
WO2006112887A2 (en) * 2004-11-22 2006-10-26 Wisconsin Alumni Research Foundation Methods and compositions for forming aperiodic patterned copolymer films
JP2008036491A (en) * 2006-08-03 2008-02-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Pattern formation method and mold
JP2008055579A (en) * 2006-09-01 2008-03-13 Lintec Corp Manufacturing method of microphase-separated structure
JP2008096596A (en) * 2006-10-10 2008-04-24 Canon Inc Pattern forming method
US20090263628A1 (en) * 2008-04-21 2009-10-22 Millward Dan B Multi-Layer Method for Formation of Registered Arrays of Cylindrical Pores in Polymer Films
US20100279062A1 (en) * 2007-06-12 2010-11-04 Millward Dan B Alternating Self-Assembling Morphologies of Diblock Copolymers Controlled by Variations in Surfaces
WO2011039847A1 (en) * 2009-09-29 2011-04-07 株式会社 東芝 Pattern forming method
JP2012004434A (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Toshiba Corp Patterning method and patterning apparatus

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6746825B2 (en) * 2001-10-05 2004-06-08 Wisconsin Alumni Research Foundation Guided self-assembly of block copolymer films on interferometrically nanopatterned substrates
WO2006126406A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Nissan Chemical Industries, Ltd. Polysilane compound-containing lower layer film forming composition for lithography
JP5414011B2 (en) * 2006-05-23 2014-02-12 国立大学法人京都大学 MICROSTRUCTURE, PATTERN MEDIUM, AND METHOD FOR PRODUCING THEM
KR101355167B1 (en) 2007-12-14 2014-01-28 삼성전자주식회사 Method of forming fine pattern using block copolymer having at least three polymer block
US8999492B2 (en) * 2008-02-05 2015-04-07 Micron Technology, Inc. Method to produce nanometer-sized features with directed assembly of block copolymers
JP5651288B2 (en) * 2008-03-25 2015-01-07 株式会社東芝 Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
JP2009298911A (en) 2008-06-12 2009-12-24 Canon Inc Block copolymer and method for processing substrate
US8349203B2 (en) * 2009-09-04 2013-01-08 International Business Machines Corporation Method of forming self-assembled patterns using block copolymers, and articles thereof

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005029779A (en) * 1999-06-07 2005-02-03 Toshiba Corp Pattern-forming material, pattern-forming method, method for producing porous structure, electrochemical cell, method for producing porous carbon structure, and the porous carbon structure
WO2006112887A2 (en) * 2004-11-22 2006-10-26 Wisconsin Alumni Research Foundation Methods and compositions for forming aperiodic patterned copolymer films
JP2008036491A (en) * 2006-08-03 2008-02-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Pattern formation method and mold
JP2008055579A (en) * 2006-09-01 2008-03-13 Lintec Corp Manufacturing method of microphase-separated structure
JP2008096596A (en) * 2006-10-10 2008-04-24 Canon Inc Pattern forming method
US20100279062A1 (en) * 2007-06-12 2010-11-04 Millward Dan B Alternating Self-Assembling Morphologies of Diblock Copolymers Controlled by Variations in Surfaces
US20090263628A1 (en) * 2008-04-21 2009-10-22 Millward Dan B Multi-Layer Method for Formation of Registered Arrays of Cylindrical Pores in Polymer Films
WO2011039847A1 (en) * 2009-09-29 2011-04-07 株式会社 東芝 Pattern forming method
JP2012004434A (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Toshiba Corp Patterning method and patterning apparatus

Cited By (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014120526A (en) * 2012-12-13 2014-06-30 Toshiba Corp Pattern formation method and method for manufacturing template for imprinting
JP2014157974A (en) * 2013-02-18 2014-08-28 Toshiba Corp Method for correcting guide pattern data, program and method for forming pattern
JP2016518701A (en) * 2013-03-15 2016-06-23 東京エレクトロン株式会社 Multi-step baking apparatus and method for guided self-organized lithography control
JP2014192399A (en) * 2013-03-27 2014-10-06 Jsr Corp Pattern formation method and composition for pattern formation
WO2014188806A1 (en) * 2013-05-21 2014-11-27 Jsr株式会社 Self-organizing lithography process and underlayer film-formation composition
US10202480B2 (en) 2013-12-06 2019-02-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10253130B2 (en) 2013-12-06 2019-04-09 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10227436B2 (en) 2013-12-06 2019-03-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10227437B2 (en) 2013-12-06 2019-03-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10202481B2 (en) 2013-12-06 2019-02-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10184021B2 (en) 2013-12-06 2019-01-22 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10239980B2 (en) 2013-12-06 2019-03-26 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10227438B2 (en) 2013-12-06 2019-03-12 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
JP2017505355A (en) * 2013-12-06 2017-02-16 エルジー・ケム・リミテッド Block copolymer
US10196474B2 (en) 2013-12-06 2019-02-05 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10081698B2 (en) 2013-12-06 2018-09-25 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10087276B2 (en) 2013-12-06 2018-10-02 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10196475B2 (en) 2013-12-06 2019-02-05 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10150832B2 (en) 2013-12-06 2018-12-11 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10160822B2 (en) 2013-12-06 2018-12-25 Lg Chem, Ltd. Monomer and block copolymer
US9557644B2 (en) 2013-12-26 2017-01-31 Jsr Corporation Base film-forming composition, and directed self-assembly lithography method
KR20150076097A (en) 2013-12-26 2015-07-06 제이에스알 가부시끼가이샤 Composition for forming underlayer and directed self assembly lithography process
JP2015144262A (en) * 2013-12-26 2015-08-06 Jsr株式会社 Composition for base film formation, and self-structuring lithographic process
JP2015170723A (en) * 2014-03-06 2015-09-28 Jsr株式会社 Patterning method and self-organization composition
JP2015177009A (en) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社東芝 Pattern formation method
JP2015201544A (en) * 2014-04-08 2015-11-12 株式会社デンソー Method of manufacturing structure having functional film
US9690192B2 (en) 2014-04-21 2017-06-27 Jsr Corporation Composition for base, and directed self-assembly lithography method
US10146130B2 (en) 2014-04-21 2018-12-04 Jsr Corporation Composition for base, and directed self-assembly lithography method
JP2016043336A (en) * 2014-08-26 2016-04-04 東京応化工業株式会社 Manufacturing method of structure including phase separation structure
KR20160024784A (en) * 2014-08-26 2016-03-07 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Method of producing structure containing phase-separated structure
KR102410699B1 (en) * 2014-08-26 2022-06-17 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Method of producing structure containing phase-separated structure
US10295908B2 (en) 2014-09-30 2019-05-21 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10703897B2 (en) 2014-09-30 2020-07-07 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10287429B2 (en) 2014-09-30 2019-05-14 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10287430B2 (en) 2014-09-30 2019-05-14 Lg Chem, Ltd. Method of manufacturing patterned substrate
US10240035B2 (en) 2014-09-30 2019-03-26 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10310378B2 (en) 2014-09-30 2019-06-04 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10370529B2 (en) 2014-09-30 2019-08-06 Lg Chem, Ltd. Method of manufacturing patterned substrate
US10377894B2 (en) 2014-09-30 2019-08-13 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10281820B2 (en) 2014-09-30 2019-05-07 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US10633533B2 (en) 2014-09-30 2020-04-28 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US11460767B2 (en) 2016-07-06 2022-10-04 Jsr Corporation Composition for film formation, film-forming method and directed self-assembly lithography process
KR20190024952A (en) 2016-07-06 2019-03-08 제이에스알 가부시끼가이샤 Film forming composition, film forming method and self-organizing lithography process
JP2020533210A (en) * 2017-09-15 2020-11-19 エルジー・ケム・リミテッド Laminate
JP7069471B2 (en) 2017-09-15 2022-05-18 エルジー・ケム・リミテッド Laminate
US11530283B2 (en) 2017-09-15 2022-12-20 Lg Chem, Ltd. Laminate
US11603480B2 (en) 2018-08-03 2023-03-14 Jsr Corporation Composition for underlayer film formation, underlayer film for directed self-assembled film and forming method thereof, and directed self-assembly lithography process
KR20200040668A (en) 2018-10-10 2020-04-20 제이에스알 가부시끼가이샤 Method for producing pattern and patterned substrate
US11462405B2 (en) 2018-10-10 2022-10-04 Jsr Corporation Pattern-forming method and patterned substrate
WO2020189729A1 (en) * 2019-03-18 2020-09-24 株式会社ニコン Exposure system, exposure device, and exposure method
CN113574459A (en) * 2019-03-18 2021-10-29 株式会社尼康 Exposure system, exposure apparatus, and exposure method
CN113574459B (en) * 2019-03-18 2023-10-03 株式会社尼康 Exposure system, exposure apparatus, and exposure method

Also Published As

Publication number Publication date
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KR101343760B1 (en) 2013-12-19

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Takei et al. Development of spin-on hard mask materials under resist in nano imprint lithography

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