JP2012130061A - Impedance matching device and control method - Google Patents

Impedance matching device and control method Download PDF

Info

Publication number
JP2012130061A
JP2012130061A JP2012037331A JP2012037331A JP2012130061A JP 2012130061 A JP2012130061 A JP 2012130061A JP 2012037331 A JP2012037331 A JP 2012037331A JP 2012037331 A JP2012037331 A JP 2012037331A JP 2012130061 A JP2012130061 A JP 2012130061A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
matching
control value
impedance
antenna
value
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012037331A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5544386B2 (en
Inventor
Masami Suzuki
雅美 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to PCT/JP2010/063570 priority Critical patent/WO2012020476A1/en
Application filed by Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Electronic Corp
Priority to JP2012037331A priority patent/JP5544386B2/en
Publication of JP2012130061A publication Critical patent/JP2012130061A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5544386B2 publication Critical patent/JP5544386B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38Impedance-matching networks
    • H03H7/40Automatic matching of load impedance to source impedance

Landscapes

  • Transmitters (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an impedance matching device that enables lossless transmission of a power input from a transmission side to a reception side.SOLUTION: The impedance matching device determines a control value corresponding to a direction to increase a coupling coefficient from a control value for a matched state if determining that a coupling between a transmission antenna and a reception antenna is shifted in a stronger direction from the matched state of coupling, and determines a control value corresponding to a direction to decrease the coupling coefficient from the control value for the matched state if determining that the coupling between the transmission antenna and the reception antenna is shifted in a weakening direction from the matched state of coupling.

Description

本発明は、無線による非接触電力伝送システム、特に電磁界共振結合(磁界共鳴、電界共鳴とも言われる。)の原理に基づく無線電力伝送システムに有用なインピーダンス整合装置に関する。   The present invention relates to a wireless contactless power transmission system, and more particularly to an impedance matching device useful for a wireless power transmission system based on the principle of electromagnetic resonance coupling (also referred to as magnetic field resonance or electric field resonance).

近年、家電機器や産業用装置、電気自動車等に対して電力を供給する際に、AC(Alternating Current)ケーブル等の接続を必要としない無線による非接触電力伝送技術が利用され始めている。家庭においては、電動歯ブラシ、シェーバなど水周りの小型機器や、携帯電話などポータブル機器への非接触充電装置が普及している。また電気自動車に対しては駐車場やバス停などで停車した自動車に対して、車体の下に置かれた給電装置から非接触で充電もしくは給電するシステムが実用化されている。   2. Description of the Related Art In recent years, wireless non-contact power transmission technology that does not require connection of an AC (Alternating Current) cable or the like has begun to be used when supplying power to home appliances, industrial devices, electric vehicles, and the like. In homes, non-contact charging devices are widely used for small devices around water such as electric toothbrushes and shavers, and portable devices such as mobile phones. For electric vehicles, a system for charging or supplying electric power in a non-contact manner from an electric power supply device placed under the vehicle body has been put into practical use for an electric vehicle stopped at a parking lot or a bus stop.

無線(電磁波)を用いた電力伝送技術は大きく分けて3つの方式がある。それらは電磁誘導方式、電磁界共振結合方式、及びマイクロ波電力伝送方式である。このうち前記の家庭用、産業用、電気自動車用として普及しているのは電磁誘導方式であり、数Wという小さな電力から数10kWという大電力の領域まで幅広く製品化されている。しかし、電磁誘導方式は、電力送信側コイル(一次側コイル)と受信側コイル(二次側コイル)との間隔(エアギャップ、以降「ギャップ」と呼ぶ。)を極力小さくする必要があること、及び送受信コイル間の位置ずれに弱いことが大きな課題となっており、応用できる領域が限定されている。また、マイクロ波電力伝送方式を採用したシステムとして、人工衛星に取り付けた太陽電池パネルによって発電した電力を、ビーム幅を非常に細く絞った電波を用いて地上の受信アンテナに送信するSPS(Solar Power Satellite)システムが研究されているが、かなり大規模な設備を必要とする。電気自動車用には、送信部に導波管スロットアンテナを用い、受信部にパッチアンテナと整流器を組み合わせた試作も報告されているが、現状では効率が低いことが課題となっている。   There are three main types of power transmission technologies using radio waves (electromagnetic waves). They are an electromagnetic induction method, an electromagnetic resonance coupling method, and a microwave power transmission method. Among them, the electromagnetic induction method is widely used for the above-mentioned household use, industrial use, and electric vehicle, and has been widely commercialized from a low power of several W to a high power of several tens kW. However, the electromagnetic induction method requires that the distance between the power transmission side coil (primary side coil) and the reception side coil (secondary side coil) (air gap, hereinafter referred to as “gap”) be as small as possible. And it is a big subject to be weak against the positional deviation between the transmitting and receiving coils, and the applicable area is limited. In addition, as a system that employs a microwave power transmission system, SPS (Solar Power) transmits power generated by a solar panel attached to an artificial satellite to a receiving antenna on the ground using radio waves with a very narrow beam width. Satelite) system has been studied, but it requires a fairly large facility. For electric vehicles, trial production has been reported in which a waveguide slot antenna is used in the transmission section and a patch antenna and rectifier are combined in the reception section, but the current problem is that efficiency is low.

そのような中で近年注目されているのが電磁界共振結合方式による無線電力伝送である(例えば、非特許文献1、非特許文献2、特許文献1を参照)。この方式は送信・受信アンテナ間のギャップを大きくとれ(数10cm〜数m)、位置ずれにも強いという特徴を持っており、家庭内機器、産業用機器、電気自動車など幅広い領域での応用が期待されている。また、電磁界共振結合方式には、電磁誘導では不可能な領域として移動体へ無線で電力を供給することに関しても大きな期待が寄せられている。   Under such circumstances, wireless power transmission by the electromagnetic resonance coupling method has been attracting attention in recent years (see, for example, Non-Patent Document 1, Non-Patent Document 2, and Patent Document 1). This method is characterized by a large gap between the transmitting and receiving antennas (several tens of centimeters to several meters) and resistance to misalignment, and it can be applied in a wide range of applications such as household equipment, industrial equipment, and electric vehicles. Expected. The electromagnetic resonance coupling method is also highly expected to supply power wirelessly to a moving body as an area impossible by electromagnetic induction.

特表2009−501510号公報Special table 2009-501510 特許第4225953号公報Japanese Patent No. 4225953

A.Kurs,A.Karalis,et al.“Wireless Power Transfer via Strongly Coupled Magnetic Resonances”,Science,Vol.317,6 July 2007A. Kurs, A. Karalis, et al. “Wireless Power Transfer via Strongly Coupled Magnetic Resonances”, Science, Vol. 317,6 July 2007 居村,堀,“電磁界共振結合による伝送技術”,IEEJ Journal,Vol.129,Vo.7,2009 ここで、電磁界共振結合方式について説明する。図32は、電磁界共振結合方式に準じた無線電力伝送システムの一例のブロック図である。送信部は、無線周波数の高周波信号を発生する送信信号源と、その信号を伝送電力の信号レベルに増幅する増幅部とからなる送信側回路部と、送信側回路部と送信アンテナとを接続するケーブル部と、無線電力信号を放射する送信アンテナとを備える。受信部は、送信アンテナから放射された無線電力信号を受信する受信アンテナと、受信された高周波信号を整流する整流回路と、受信された電力を消費する負荷装置とを備える。送信アンテナと受信アンテナは、同じ共振周波数を有しており、一般に対向して設置される。図32に示す無線電力伝送システムは、共振周波数に等しい高周波信号で送信アンテナを駆動させることにより、送信アンテナの近接場に磁場もしくは電場を発生させ、その近接場内に置かれた受信アンテナを共鳴させることにより電力を伝送する。Imura, Hori, “Transmission technology by electromagnetic resonance coupling”, IEEE Journal, Vol. 129, Vo. 7, 2009 Here, the electromagnetic resonance coupling method will be described. FIG. 32 is a block diagram of an example of a wireless power transmission system according to the electromagnetic resonance coupling method. The transmission unit connects a transmission side circuit unit including a transmission signal source that generates a radio frequency high-frequency signal, an amplification unit that amplifies the signal to a signal level of transmission power, and the transmission side circuit unit and the transmission antenna. A cable unit and a transmission antenna that radiates a wireless power signal are provided. The reception unit includes a reception antenna that receives a wireless power signal radiated from the transmission antenna, a rectifier circuit that rectifies the received high-frequency signal, and a load device that consumes the received power. The transmitting antenna and the receiving antenna have the same resonance frequency and are generally installed facing each other. The wireless power transmission system shown in FIG. 32 generates a magnetic field or an electric field in the near field of the transmitting antenna by driving the transmitting antenna with a high-frequency signal equal to the resonance frequency, and resonates the receiving antenna placed in the near field. To transmit power.

上記の文献などで、電磁界共振結合方式は、電磁誘導方式に比べてギャップを大きく取れること、位置ずれに強いことが技術的な強みとして挙げられている。一方、電磁界共振結合方式は、送信・受信アンテナ間のギャップが変わると、それに伴い伝送効率が大きく変化するという特性を持っている。しかし、電力伝送を目的としたあらゆる局面で伝送効率は極力100%に近いことが望まれるので、このような特性は好ましくない。   In the above-mentioned documents and the like, the electromagnetic resonance coupling method has a technical advantage that it can take a larger gap than the electromagnetic induction method and is resistant to displacement. On the other hand, the electromagnetic resonance coupling method has a characteristic that when the gap between the transmitting and receiving antennas changes, the transmission efficiency changes greatly accordingly. However, since it is desired that the transmission efficiency is as close to 100% as possible in all aspects aimed at power transmission, such characteristics are not preferable.

また、移動する自動車、軽鉄道車両、自転車などへの給電手段として電磁界共振結合方式を適用する場合を考えると、そのような移動体では、送信アンテナ及び受信アンテナ間のギャップの連続的な変動や、絶え間ない位置ずれ状態が発生する。このような状況においても出来るだけ安定した状態で電力を供給することが望まれる。   Also, considering the case where the electromagnetic resonance coupling method is applied as a power feeding means to a moving automobile, light rail vehicle, bicycle, etc., in such a moving body, the continuous fluctuation of the gap between the transmitting antenna and the receiving antenna Or a constant misalignment condition occurs. Even in such a situation, it is desired to supply power in a state as stable as possible.

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、送信アンテナと受信アンテナとの結合状態の時間経過に伴う変動に対し、インピーダンスの整合状態を高速に追従させて伝送効率を高い状態に維持し続けることが可能なインピーダンス整合装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems. The transmission efficiency is achieved by following the impedance matching state at a high speed with respect to fluctuations of the coupling state between the transmitting antenna and the receiving antenna with time. An object of the present invention is to provide an impedance matching device capable of maintaining a high level of the impedance.

請求項1に記載の発明は、送信アンテナから受信アンテナへ電力を伝送する無線電力伝送システムにおいて、送信回路と前記送信アンテナとの間に設置され、前記送信回路のインピーダンスと、前記送信アンテナのインピーダンスと、を整合状態とするインピーダンス整合装置であって、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信アンテナ側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える第1形式の整合回路と、前記第1形式の整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパシタンス値に対応した制御値を前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数に対応させて予め記憶させた第1の記憶部と、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信回路側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える第2形式の整合回路と、前記第2形式の整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパスタンス値に対応した制御値を前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数に対応させて予め記憶させた第2の記憶部と、前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも強くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が大きくなる方向に対応する制御値を決定し、前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも弱くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が小さくなる方向に対応する制御値を決定する制御値決定部と、前記制御値決定部が決定した制御値を読み出し前記第1形式又は第2の形式の整合回路に反映させる制御値出力部と、を備えることを特徴とする。 According to one aspect of the present invention, in the wireless power transmission system for transmitting power from the transmitting antenna to the receiving antenna, is disposed between the transmitting antenna and the transmission circuit, and the impedance of the transmission circuit, the impedance of the transmitting antenna When, an impedance matching device shall be the matching state, connected with a variable inductor element is inserted in series between the transmitting antenna and the transmitting circuit, in parallel with the transmitting antenna side of the variable inductor element And a control value corresponding to an inductance value and a capacitance value necessary for matching with a predetermined impedance value using the matching circuit of the first type , a first storage unit having stored in advance in correspondence with the coupling coefficient between the transmitting antenna and the receiving antenna, A second type matching circuit comprising: a variable inductor element inserted in series between the transmitter circuit and the transmitter antenna; and a variable capacitor element connected in parallel to the transmitter circuit side relative to the variable inductor element. When the inductance value required to match the predetermined impedance value with the matching circuit of the second type and the control value corresponding to the capacity stance value, corresponding to the coupling coefficient between the transmit and receive antennas When it is determined that the second storage unit stored in advance and the coupling between the transmission antenna and the reception antenna are shifted in a direction that is stronger than the coupling in the matching state, the control in the matching state is performed. A control value corresponding to a direction in which the coupling coefficient increases from the value, and the coupling between the transmitting antenna and the receiving antenna is the matching state That when it is determined that the shift in the weaker direction than binding, the control value determining unit for determining a control value corresponding to the direction in which the coupling coefficient is reduced from the control value in the matching condition, the control value determination reads the control value part is determined, characterized in that it comprises a control value output unit to be reflected in the matching circuit of the first type or the second type.

請求項に記載の発明は、送信アンテナから受信アンテナへ電力を伝送する無線電力伝送システムにおいて、送信回路と前記送信アンテナとの間に設置され、前記送信回路のインピーダンスと、前記送信アンテナのインピーダンスと、を整合状態とするインピーダンス整合装置であって、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信アンテナ側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える第1形式の整合回路と、前記第1形式の整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパシタンス値に対応した制御値を前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数に対応させて予め記憶させた第1の記憶部と、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信回路側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える第2形式の整合回路と、前記第2形式の整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパスタンス値に対応した制御値を前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数に対応させて予め記憶させた第2の記憶部と、を備えるインピーダンス整合装置が実行する制御方法であって、前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも強くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が大きくなる方向に対応する制御値を決定し、前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも弱くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が小さくなる方向に対応する制御値を決定する制御値決定工程と、前記制御値決定工程が決定した制御値を読み出し前記第1形式又は第2の形式の整合回路に反映させる制御値出力工程と、を有することを特徴とする。 Invention according to claim 6, in the wireless power transmission system for transmitting power from the transmitting antenna to the receiving antenna, is disposed between the transmitting antenna and the transmission circuit, and the impedance of the transmission circuit, the impedance of the transmitting antenna When, an impedance matching device shall be the matching state, connected with a variable inductor element is inserted in series between the transmitting antenna and the transmitting circuit, in parallel with the transmitting antenna side of the variable inductor element And a control value corresponding to an inductance value and a capacitance value necessary for matching with a predetermined impedance value using the matching circuit of the first type , a first storage unit having stored in advance in correspondence with the coupling coefficient between the transmitting antenna and the receiving antenna, A second type matching circuit comprising: a variable inductor element inserted in series between the transmitter circuit and the transmitter antenna; and a variable capacitor element connected in parallel to the transmitter circuit side relative to the variable inductor element. When the inductance value required to match the predetermined impedance value with the matching circuit of the second type and the control value corresponding to the capacity stance value, corresponding to the coupling coefficient between the transmit and receive antennas A control method executed by an impedance matching device including a second storage unit stored in advance, wherein a coupling between the transmission antenna and the reception antenna is shifted in a direction in which the coupling is stronger than a coupling in the matching state. A control value corresponding to the direction in which the coupling coefficient increases is determined from the control value in the matching state, When it is determined that the coupling between the transmitting antenna and the receiving antenna is shifted in a direction that becomes weaker than the coupling that is in the matching state, the coupling coefficient is reduced from the control value in the matching state. wherein the control value determining step of determining a control value, reads the control value by the control value determining step has determined, that and a control value output step to be reflected in the matching circuit of the first type or the second type And

請求項に記載の発明は、送信アンテナから受信アンテナへ電力を伝送する無線電力伝送システムにおいて、送信回路と前記送信アンテナとの間に設置され、前記送信回路のインピーダンスと、前記送信アンテナのインピーダンスと、を整合状態とするインピーダンス整合装置であって、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信アンテナ側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える整合回路と、前記整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパシタンス値に対応した制御値を前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数に対応させて予め記憶させた記憶部と、前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも強くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が大きくなる方向に対応する制御値を決定し、前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも弱くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が小さくなる方向に対応する制御値を決定する制御値決定部と、前記制御値決定部が決定した制御値を読み出し前記整合回路に反映させる制御値出力部と、を備えることを特徴とする。 Invention according to claim 7, in the wireless power transmission system for transmitting power from the transmitting antenna to the receiving antenna, is disposed between the transmitting antenna and the transmission circuit, and the impedance of the transmission circuit, the impedance of the transmitting antenna When, an impedance matching device shall be the matching state, connected with a variable inductor element is inserted in series between the transmitting antenna and the transmitting circuit, in parallel with the transmitting antenna side of the variable inductor element a matching circuit including a variable capacitor element, a being, a control value corresponding to the inductance values and capacitance values required to match the predetermined impedance value using the matching circuit, and the transmit and receive antennas a storage unit having stored in advance in correspondence with the coupling coefficient, the receiving and the transmitting antenna When it is determined that the coupling between the antennas is shifted in a direction that becomes stronger than the coupling that is in the aligned state, a control value corresponding to the direction in which the coupling coefficient is increased is determined from the control value in the aligned state. When it is determined that the coupling between the transmission antenna and the reception antenna is shifted in a direction in which the coupling is weaker than the coupling in the matching state, the coupling coefficient is decreased from the control value in the matching state. a control value determining unit for determining a corresponding control value, reads the control value by the control value determining unit has determined, characterized in that it comprises a control value output unit to be reflected in the matching circuit.

請求項に記載の発明は、送信アンテナから受信アンテナへ電力を伝送する無線電力伝送システムにおいて、送信回路と前記送信アンテナとの間に設置され、前記送信回路のインピーダンスと、前記送信アンテナのインピーダンスと、を整合状態とするインピーダンス整合装置であって、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信回路側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える整合回路と、前記整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパシタンス値に対応した制御値を前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数に対応させて予め記憶させた記憶部と、前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも強くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が大きくなる方向に対応する制御値を決定し、前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも弱くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が小さくなる方向に対応する制御値を決定する制御値決定部と、前記制御値決定部が決定した制御値を読み出し前記整合回路に反映させる制御値出力部と、を有することを特徴とする。 Invention according to claim 8, in the wireless power transmission system for transmitting power from the transmitting antenna to the receiving antenna, is disposed between the transmitting antenna and the transmission circuit, and the impedance of the transmission circuit, the impedance of the transmitting antenna When, an impedance matching device shall be the matching state, connected with a variable inductor element is inserted in series between the transmitting antenna and the transmitting circuit, in parallel to the transmitting circuit side of the variable inductor element a matching circuit including a variable capacitor element, a being, a control value corresponding to the inductance values and capacitance values required to match the predetermined impedance value using the matching circuit, and the transmit and receive antennas a storage unit having stored in advance in correspondence with the coupling coefficient, the receiving-en and the transmitting antenna When it is determined that the coupling between the two is shifted in a direction that becomes stronger than the coupling that is in the matching state, a control value corresponding to the direction in which the coupling coefficient is increased is determined from the control value in the matching state. When it is determined that the coupling between the transmission antenna and the reception antenna is shifted in a direction in which the coupling is weaker than the coupling in the matching state, the coupling coefficient is decreased from the control value in the matching state. a control value determining unit for determining a corresponding control value, reads the control value by the control value determining unit has determined, and having a control value output unit to be reflected in the matching circuit.

本発明のインピーダンス整合装置の一態様では、インピーダンス整合装置は、電磁界共振結合方式特有の入力インピーダンス変化の軌跡に基づいて整合回路用の制御値を求め、それを記憶部に格納する。そして、インピーダンス整合装置は、一度整合を取った後に再度整合がずれた場合であっても、予め用意された記憶部のテーブルの中を、適切な方向に、適切な量だけ移動させることで迅速に整合状態を回復させることができる。これは、整合がずれた後の整合すべき入力インピーダンスはやはり入力インピーダンス変化の軌跡上に存在するからである。これにより、インピーダンス整合装置は、移動時など送受信間の結合状態の連続的な変化に伴うインピーダンス変化に対して高速に追従できるようになる。   In one aspect of the impedance matching device of the present invention, the impedance matching device obtains a control value for the matching circuit based on the input impedance change trajectory peculiar to the electromagnetic resonance coupling method, and stores it in the storage unit. The impedance matching device can quickly move by moving an appropriate amount in an appropriate direction in a table of a storage unit prepared in advance even when the alignment is once again after being matched. The consistency state can be recovered. This is because the input impedance to be matched after the matching is shifted still exists on the locus of the input impedance change. As a result, the impedance matching device can quickly follow an impedance change accompanying a continuous change in the coupling state between transmission and reception, such as when moving.

また、インピーダンス整合装置は、整合がずれ、反射電力が大きくなって整合を調整する必要があると判断された場合、即ち反射係数の絶対値が増大して所定の閾値を超えた場合では、進行波電圧と反射波電圧との位相比較という単純な演算結果によって、整合回路の制御値を記憶部のテーブルの中でインピーダンス値が増加する方向に更新すればよいのか、又は減少する方向に更新すれば良いのか判断する。従って、インピーダンス整合装置は、この部分の回路が簡易に製作される。また、インピーダンス整合装置の一態様では、インピーダンス整合装置は、整合の再調整を行う場合に、インピーダンス値のずれ量に対応する反射係数絶対値相当値に応じてテーブル内で整合回路の制御値を読出す際の調整ステップ幅を変えることができるので、ずれ量が多い場合には調整ステップ幅を大きくするなどして、整合状態追従の速度を上げることが可能となる。   Further, the impedance matching device proceeds when the matching is deviated and the reflected power becomes large and it is determined that the matching needs to be adjusted, that is, when the absolute value of the reflection coefficient exceeds a predetermined threshold. The control value of the matching circuit may be updated in the direction of increasing the impedance value in the table of the storage unit or updated in the decreasing direction by a simple calculation result of phase comparison between the wave voltage and the reflected wave voltage. Judge what to do. Therefore, in this impedance matching device, the circuit of this part is easily manufactured. In one aspect of the impedance matching device, when the impedance matching device performs readjustment of matching, the control value of the matching circuit is set in the table according to the reflection coefficient absolute value equivalent value corresponding to the deviation amount of the impedance value. Since the adjustment step width at the time of reading can be changed, when the amount of deviation is large, it is possible to increase the speed of matching state tracking by increasing the adjustment step width.

また、インピーダンス整合装置は、電磁界共振結合方式特有の入力インピーダンス変化の軌跡に基づいて整合回路用の制御値を求め、それを記憶部に格納することにより、従来の一般的なインピーダンス整合回路に比べて記憶部として必要なメモリサイズを大幅に低減することができる。また、それらの制御値は、反射による電力の損失が常に所定の閾値以下となるように量子化されているので、反射による損失の増大を抑えつつ、更に必要なメモリサイズを低減することが可能である。   In addition, the impedance matching device obtains a control value for the matching circuit based on the locus of input impedance change peculiar to the electromagnetic resonance coupling method, and stores the control value in the storage unit, so that the conventional general impedance matching circuit can be obtained. In comparison, the memory size required for the storage unit can be greatly reduced. In addition, these control values are quantized so that the power loss due to reflection is always less than or equal to a predetermined threshold value, so that it is possible to further reduce the required memory size while suppressing the increase in loss due to reflection. It is.

第1実施形態に係る送信システムの概略構成図を示す。1 shows a schematic configuration diagram of a transmission system according to a first embodiment. FIG. 送信アンテナ及び受信アンテナとして使用されるアンテナの一例を示す。An example of the antenna used as a transmitting antenna and a receiving antenna is shown. 送受信アンテナの入力インピーダンスを3次元電磁界解析シミュレータで解析した結果を示す。The result of having analyzed the input impedance of a transmission / reception antenna with the three-dimensional electromagnetic field analysis simulator is shown. 送受信アンテナの直並列型等価回路の一例である。It is an example of the serial-parallel type equivalent circuit of a transmission / reception antenna. 図4の等価回路解析の結果と、図3の電磁界解析の結果との両者をプロットしたグラフを示す。5 is a graph plotting both the result of the equivalent circuit analysis of FIG. 4 and the result of the electromagnetic field analysis of FIG. 電力伝送時の送信アンテナ及び受信アンテナの位置関係を示す。The positional relationship between the transmitting antenna and the receiving antenna during power transmission is shown. 図6に示すシステムを直並列型等価回路により表現した図である。FIG. 7 is a diagram representing the system shown in FIG. 6 by a series-parallel equivalent circuit. 結合係数を変えたときの入力インピーダンスの軌跡を求め、それをスミスチャート上にプロットした図である。It is the figure which calculated | required the locus | trajectory of the input impedance when changing a coupling coefficient, and plotted it on the Smith chart. 結合係数を変えたときの入力インピーダンスの軌跡を求め、それをスミスチャート上にプロットした図である。It is the figure which calculated | required the locus | trajectory of the input impedance when changing a coupling coefficient, and plotted it on the Smith chart. 直並列等価回路によって送受信アンテナをモデル化し、送信回路1と送信アンテナ4の間に方向性結合器を入れて進行波電圧波形Vfと反射波電圧波形Vrとを計測した結果を示す。A result obtained by modeling a transmission / reception antenna using a series-parallel equivalent circuit, and measuring a traveling wave voltage waveform Vf and a reflected wave voltage waveform Vr by inserting a directional coupler between the transmission circuit 1 and the transmission antenna 4 is shown. 第1形式及び第2形式の整合回路の構成例である。It is a structural example of the matching circuit of a 1st format and a 2nd format. 入力インピーダンス軌跡上の任意のポイントを、第1形式又は第2形式の整合回路を用いてスミスチャート上の等抵抗円、等コンダクタンス円に沿って移動させて50Ωの整合ポイントまで到達させる概要図である。In the schematic diagram, an arbitrary point on the input impedance locus is moved along the iso-resistance circle and the iso-conductance circle on the Smith chart using the first or second type matching circuit to reach the matching point of 50Ω. is there. 第1の記憶部として記憶するテーブルの作成方法を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the preparation method of the table memorize | stored as a 1st memory | storage part. 第1記憶部に相当するマップの一例である。It is an example of the map corresponded to a 1st memory | storage part. 第2の記憶部として記憶するテーブルの作成方法を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the preparation method of the table memorize | stored as a 2nd memory | storage part. 第2記憶部に相当するマップの一例である。It is an example of the map corresponded to a 2nd memory | storage part. 第1記憶部に記憶される量子化前後の制御値を示すグラフの一例である。It is an example of the graph which shows the control value before and behind quantization memorize | stored in a 1st memory | storage part. 第1記憶部に相当するテーブルの一例である。It is an example of the table corresponded to a 1st memory | storage part. 第2記憶部に記憶される量子化前後の制御値を示すグラフの一例である。It is an example of the graph which shows the control value before and behind quantization memorize | stored in a 2nd memory | storage part. 第2記憶部に相当するテーブルの一例である。It is an example of the table corresponded to a 2nd memory | storage part. 進行波電圧と各結合係数に対応する反射波電圧とを示すグラフの一例である。It is an example of the graph which shows a traveling wave voltage and the reflected wave voltage corresponding to each coupling coefficient. 進行波電圧と各結合係数に対応する反射波電圧とを示すグラフの一例である。It is an example of the graph which shows a traveling wave voltage and the reflected wave voltage corresponding to each coupling coefficient. 進行波電圧と反射波電圧とを示すグラフ及び伝送効率を示すグラフである。It is a graph which shows a traveling wave voltage and a reflected wave voltage, and a graph which shows transmission efficiency. 進行波電圧と反射波電圧とを示すグラフ及び伝送効率を示すグラフである。It is a graph which shows a traveling wave voltage and a reflected wave voltage, and a graph which shows transmission efficiency. 進行波電圧と反射波電圧とを示すグラフ及び伝送効率を示すグラフである。It is a graph which shows a traveling wave voltage and a reflected wave voltage, and a graph which shows transmission efficiency. 進行波電圧と反射波電圧とを示すグラフ及び伝送効率を示すグラフである。It is a graph which shows a traveling wave voltage and a reflected wave voltage, and a graph which shows transmission efficiency. 進行波電圧と反射波電圧とを示すグラフ及び伝送効率を示すグラフである。It is a graph which shows a traveling wave voltage and a reflected wave voltage, and a graph which shows transmission efficiency. 進行波電圧と反射波電圧とを示すグラフ及び伝送効率を示すグラフである。It is a graph which shows a traveling wave voltage and a reflected wave voltage, and a graph which shows transmission efficiency. 第1インピーダンス整合の処理手順を示すフローチャートの一例である。It is an example of the flowchart which shows the process sequence of a 1st impedance matching. 第2インピーダンス整合の処理手順を示すフローチャートの一例である。It is an example of the flowchart which shows the process sequence of a 2nd impedance matching. 第2実施形態に係る送信システムの概略構成図を示す。The schematic block diagram of the transmission system which concerns on 2nd Embodiment is shown. 電磁界共振結合方式に準じた無線電力伝送システムのブロック図の一例を示す。An example of the block diagram of the wireless power transmission system according to an electromagnetic resonance coupling system is shown. 整合回路の変形例を示す。The modification of a matching circuit is shown. ギャップが近くなる方向の不整合を整合させる送信システムを示す。Fig. 5 illustrates a transmission system for matching mismatches in the direction of closer gaps. ギャップが遠くなる方向の不整合を整合させる送信システムを示す。Fig. 5 illustrates a transmission system for matching mismatches in the direction of increasing gaps.

本発明の1つの観点では、電磁界共振結合方式に準じた無線電力伝送システムにおいて、送信回路と送信アンテナとの間に設置されるインピーダンス整合装置であって、前記送信回路からの送信信号に対応する進行波電圧と、前記送信アンテナからの反射信号に対応する反射波電圧と、を取り出す進行波・反射波抽出部と、前記進行波電圧と前記反射波電圧とに基づき、反射係数の絶対値又は当該絶対値に相当する値である反射係数絶対値相当値を算出する反射係数算出部と、前記進行波電圧の位相と前記反射波電圧の位相とを比較し、当該位相間の遅れ又は進みを判定する位相判定を行う位相判定部と、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信アンテナ側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える第1形式の整合回路と、前記第1形式の整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパシタンス値に対応した制御値を、対応する前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数の大小の順に従い、反射係数絶対値相当値に関連付けて、予め記憶させた第1の記憶部と、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信回路側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える第2形式の整合回路と、前記第2形式の整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要な前記制御値を、対応する前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数の大小の順に従い、反射係数絶対値相当値に関連付けて、予め記憶させた第2の記憶部と、前記第1形式の整合回路、前記第2形式の整合回路、又は整合回路を挿入しないスルー回路、の何れかを、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に電気的に接続させるスイッチ部と、前記位相判定に基づき、前記第1又は第2の記憶部から前記制御値を読出す際の、現在使用している制御値から前記結合係数が大きくなる場合に対応する制御値を選択するか、又は前記結合係数が小さくなる場合に対応する制御値を選択するかの制御値の読み出し位置の方向を決定する調整方向決定部と、前記読出し位置の方向と、前記読出し位置を変更するステップ幅と、に基づき、前記第1形式又は第2形式の整合回路又は整合回路を挿入しないスルー回路の選択、第1形式又は第2形式の整合回路が選択された場合に使用する前記第1又は第2の記憶部の選択、及び前記読出し位置の決定を行う読出し位置決定部と、前記読出し位置決定部が選択した第1形式又は第2形式の整合回路又は整合回路を挿入しないスルー回路、の何れかが前記送信回路と前記送信アンテナとの間で電気的に接続されるように前記スイッチ部を動作させる整合回路選択部と、前記読み出し位置決定部が選択した前記第1又は第2の記憶部を、前記制御値を読み出す記憶部として選択する記憶部選択部と、前記記憶部選択部が選択した前記第1又は第2の記憶部から、前記読み出し位置決定部が決定した前記読み出し位置に相当する制御値を読み出し、前記整合回路選択部が選択した前記第1形式又は第2の形式の整合回路に反映させる制御値出力部と、を備える。   One aspect of the present invention is an impedance matching device installed between a transmission circuit and a transmission antenna in a wireless power transmission system conforming to an electromagnetic resonance coupling method, which corresponds to a transmission signal from the transmission circuit. An absolute value of the reflection coefficient based on the traveling wave voltage and the reflected wave voltage, and the traveling wave voltage and reflected wave voltage extraction unit for extracting the traveling wave voltage and the reflected wave voltage corresponding to the reflected signal from the transmitting antenna. Alternatively, a reflection coefficient calculation unit that calculates a reflection coefficient absolute value equivalent value that is a value corresponding to the absolute value is compared with the phase of the traveling wave voltage and the phase of the reflected wave voltage, and a delay or advance between the phases. A phase determination unit that performs phase determination, a variable inductor element inserted in series between the transmission circuit and the transmission antenna, and the transmission antenna side of the variable inductor element A matching circuit of a first type comprising variable capacitor elements connected in parallel, and a control corresponding to an inductance value and a capacitance value necessary for matching to a predetermined impedance value using the matching circuit of the first type A first storage unit stored in advance in association with a value corresponding to an absolute value of a reflection coefficient according to the order of the coupling coefficient between the corresponding transmission antenna and reception antenna, the transmission circuit, and the transmission antenna. A second-type matching circuit comprising: a variable inductor element inserted in series between the first and second variable inductor elements; and a variable capacitor element connected in parallel to the transmitter circuit side of the variable inductor element; The control value required to match a predetermined impedance value using a circuit is set to a large coupling coefficient between the corresponding transmitting antenna and receiving antenna. In accordance with the order of the reflection coefficient absolute value equivalent value, the second storage unit stored in advance and the first-type matching circuit, the second-type matching circuit, or a through circuit in which no matching circuit is inserted, When the control value is read from the first or second storage unit based on the phase determination and the switch unit that electrically connects any of the transmission circuit and the transmission antenna, Direction of control value reading position for selecting a control value corresponding to a case where the coupling coefficient increases from a control value currently used or a control value corresponding to a case where the coupling coefficient decreases Selection of the first-type or second-type matching circuit or a through circuit that does not insert a matching circuit based on the adjustment direction determining unit that determines the reading position, the direction of the reading position, and the step width for changing the reading position The second Selection of the first or second storage unit to be used when the matching circuit of one format or the second format is selected, and a reading position determining unit that determines the reading position, and the reading position determining unit selects Matching that operates the switch unit so that either the matching circuit of the first type or the second type or the through circuit that does not insert the matching circuit is electrically connected between the transmission circuit and the transmission antenna. A circuit selection unit; a storage unit selection unit that selects the first or second storage unit selected by the readout position determination unit as a storage unit that reads the control value; and the first unit selected by the storage unit selection unit. A control value corresponding to the read position determined by the read position determination unit is read from the first or second storage unit and reflected in the matching circuit of the first format or the second format selected by the matching circuit selection unit. And a control value output unit that, the.

上記のインピーダンス整合装置は、電磁界共振結合方式に準じた無線電力伝送システムにおいて、送信回路と送信アンテナとの間に設置される。インピーダンス整合装置は、進行波・反射波抽出部と、反射係数算出部と、位相判定部と、第1形式の整合回路と、第1の記憶部と、第2形式の整合回路と、第2の記憶部と、スイッチ部と、調整方向決定部と、読み出し位置決定部と、整合回路選択部と、記憶部選択部と、制御値出力部と、を備える。第1記憶部は、第1形式の整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパシタンス値に対応した制御値を、対応する送信アンテナと受信アンテナとの結合係数の大小の順に従い、反射係数絶対値相当値に関連付けて、予め記憶する。ここで、「制御値」とは、インダクタンス値及びキャパシタンス値の他、インダクタンス値及びキャパシタンス値を電気的もしくはモーター等の機械的機構を用いて変化させるための制御電圧値,複数の微小インダクタ要素,微小キャパシタ要素から成るLCネットワーク回路に含まれるリレーやMEMS(Micro Electro Mechanical System)等スイッチ部のON/OFFを制御するためのビットパターンなどが該当する。また、「対応する送信アンテナと受信アンテナとの結合係数」とは、各制御値が第1形式の整合回路に反映された場合に好適な結合係数を指し、「結合係数の大小の順」に記憶されるとは、各制御値が対応する結合係数の大きい順又は小さい順に当該制御値が記憶されていることを指す。同様に、第2の記憶部は、第2形式の整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要な制御値を、対応する送信アンテナと受信アンテナとの結合係数の大小の順に従い、反射係数絶対値相当値に関連付けて、予め記憶している。反射係数算出部は、進行波・反射波抽出部によって抽出された進行波電圧と反射波電圧とに基づき、反射係数絶対値相当値を算出する。ここで、「反射係数絶対値相当値」とは、反射係数の絶対値、又はこれと一意な関係にある値等、反射係数の絶対値に相当する値であり、例えば反射係数の絶対値やインピーダンスの絶対値などが該当する。位相判定部は、進行波電圧の位相と反射波電圧の位相とを比較し、当該位相間の遅れ又は進みを判定する。調整方向決定部は、位相判定に基づき、第1又は第2の記憶部から前記制御値を読出す際の、現在使用している制御値から結合係数が大きくなる場合に対応する制御値を選択するか、又は前記結合係数が小さくなる場合に対応する制御値を選択するかの制御値の読み出し位置の方向を決定する。「制御値の読み出し位置の方向」とは、各制御値が結合係数の大きい順又は小さい順に記憶されている場合に、現在の制御値が記憶されている位置を基準とした場合の新たに適用する制御値が記憶されている位置への方向を指す。読み出し位置決定部は、読出し位置の方向と、読出し位置を変更するステップ幅と、に基づき、第1形式又は第2形式の整合回路又は整合回路を挿入しないスルー回路の選択、第1形式又は第2形式の整合回路が選択された場合に使用する第1又は第2の記憶部の選択、及び読出し位置の決定を行う。「ステップ幅」とは、各制御値が結合係数の大きい順又は小さい順に記憶されている場合に、現在の制御値を基準とした制御値の数に基づく幅を指す。このステップ幅は、不変値であってもよく、可変値であってもよい。整合回路選択部は、読出し位置決定部が選択した第1形式又は第2形式の整合回路又は整合回路を挿入しないスルー回路、の何れかが送信回路と送信アンテナとの間で電気的に接続されるようにスイッチ部を動作させる。記憶部選択部は、読み出し位置決定部が選択した第1又は第2の記憶部を、制御値を読み出す記憶部として選択する。制御値出力部は、記憶部選択部が選択した第1又は第2の記憶部から、読み出し位置決定部が決定した読み出し位置に相当する制御値を読み出し、整合回路選択部が選択した前記第1形式又は第2の形式の整合回路に反映させる。このようにすることで、インピーダンス整合装置は、送信アンテナと受信アンテナとの結合状態の時間経過に伴う変動に対し、インピーダンスの整合状態を高速に追従させて伝送効率を高い状態に維持し続けることができる。   The impedance matching device is installed between a transmission circuit and a transmission antenna in a wireless power transmission system in accordance with an electromagnetic resonance coupling method. The impedance matching device includes a traveling wave / reflected wave extraction unit, a reflection coefficient calculation unit, a phase determination unit, a first type matching circuit, a first storage unit, a second type matching circuit, a second type A storage unit, a switch unit, an adjustment direction determination unit, a reading position determination unit, a matching circuit selection unit, a storage unit selection unit, and a control value output unit. The first storage unit uses a first-type matching circuit to match control values corresponding to inductance values and capacitance values necessary for matching to a predetermined impedance value, as a coupling coefficient between the corresponding transmission antenna and reception antenna. In accordance with the order of magnitude, it is stored in advance in association with the reflection coefficient absolute value equivalent value. Here, the “control value” means an inductance value and a capacitance value, a control voltage value for changing the inductance value and the capacitance value using an electrical or mechanical mechanism such as a motor, a plurality of minute inductor elements, For example, a bit pattern for controlling ON / OFF of a switch unit such as a relay or a MEMS (Micro Electro Mechanical System) included in an LC network circuit composed of minute capacitor elements is applicable. In addition, “the coupling coefficient between the corresponding transmission antenna and the receiving antenna” refers to a coupling coefficient suitable when each control value is reflected in the first-type matching circuit, and “in order of the coupling coefficient”. “Stored” indicates that the control values are stored in the descending order of the coupling coefficient corresponding to each control value. Similarly, the second storage unit sets the control values necessary for matching to a predetermined impedance value using the second type matching circuit according to the order of the coupling coefficient between the corresponding transmission antenna and reception antenna. , And stored in advance in association with the reflection coefficient absolute value equivalent value. The reflection coefficient calculation unit calculates a reflection coefficient absolute value equivalent value based on the traveling wave voltage and the reflected wave voltage extracted by the traveling wave / reflected wave extraction unit. Here, the “reflection coefficient absolute value equivalent value” is a value corresponding to the absolute value of the reflection coefficient, such as an absolute value of the reflection coefficient or a value uniquely related to the reflection coefficient. This applies to the absolute value of impedance. The phase determination unit compares the phase of the traveling wave voltage with the phase of the reflected wave voltage, and determines a delay or advance between the phases. Based on the phase determination, the adjustment direction determination unit selects a control value corresponding to a case where the coupling coefficient becomes larger than the currently used control value when reading the control value from the first or second storage unit Whether to select a control value corresponding to a case where the coupling coefficient is small or to determine a control value reading position is determined. "Direction of control value readout position" is newly applied when each control value is stored in order of increasing or decreasing coupling coefficient and the current control value is stored as a reference. The direction to the position where the control value to be stored is stored. The reading position determination unit selects a first type or second type matching circuit or a through circuit that does not insert a matching circuit based on the direction of the reading position and the step width for changing the reading position, the first type or the second type. When the two types of matching circuits are selected, the first or second storage unit to be used is selected and the reading position is determined. “Step width” refers to a width based on the number of control values based on the current control value when the control values are stored in order of increasing or decreasing coupling coefficient. This step width may be an invariant value or a variable value. The matching circuit selection unit is electrically connected between the transmission circuit and the transmission antenna, either the first type or the second type matching circuit selected by the reading position determination unit or a through circuit that does not insert the matching circuit. The switch part is operated so that A memory | storage part selection part selects the 1st or 2nd memory | storage part which the reading position determination part selected as a memory | storage part which reads a control value. The control value output unit reads the control value corresponding to the reading position determined by the reading position determination unit from the first or second storage unit selected by the storage unit selection unit, and the first selected by the matching circuit selection unit It is reflected in the matching circuit of the type or the second type. In this way, the impedance matching device keeps the transmission efficiency high by tracking the impedance matching state at a high speed with respect to the fluctuation of the coupling state of the transmitting antenna and the receiving antenna with time. Can do.

上記のインピーダンス整合装置の一態様では、前記反射係数絶対値相当値に基づき、現在使用している制御値を調整する必要性の有無、及び、前記ステップ幅を決定する調整ステップ幅決定部をさらに備える。これにより、インピーダンス整合装置は、送信アンテナと受信アンテナとの結合状態の変化が激しい場合であっても、ステップ幅を柔軟に変更し、整合状態追従の速度を上げることが可能となる。   In one aspect of the impedance matching device, the adjustment step width determination unit that determines whether or not the control value currently used is adjusted based on the reflection coefficient absolute value equivalent value and the step width is further included. Prepare. As a result, the impedance matching device can flexibly change the step width and increase the speed of tracking the matching state even when the coupling state between the transmitting antenna and the receiving antenna changes drastically.

上記のインピーダンス整合装置の他の一態様では、前記制御値は、電磁界共振結合方式の前記送信アンテナ及び受信アンテナを対向させ、当該送信アンテナ及び受信アンテナ間のギャップを変更した際の、前記送信回路から前記送信アンテナ側への入力インピーダンスの変化の軌跡に基づいて設定される。インピーダンス整合装置は、このように設定された制御値を予め記憶しておき、インピーダンス整合を行うことで、処理工程を削減することができ、回路規模及び必要なメモリ容量を削減することができる。   In another aspect of the impedance matching apparatus, the control value is obtained when the transmission antenna and the reception antenna of the electromagnetic resonance coupling method are opposed to each other and the gap between the transmission antenna and the reception antenna is changed. It is set based on the locus of change in input impedance from the circuit to the transmitting antenna. The impedance matching device stores the control value set in this way in advance and performs impedance matching, thereby reducing processing steps and reducing the circuit scale and the required memory capacity.

上記のインピーダンス整合装置の他の一態様では、前記制御値は、反射による損失が常に所定の閾値以下となるように量子化して生成されている。インピーダンス整合装置は、当該制御値に基づきインピーダンス整合を行うことで、整合後の反射による損失を、常に所定の閾値以下にすることができる。   In another aspect of the above impedance matching device, the control value is generated by quantization so that the loss due to reflection is always equal to or less than a predetermined threshold value. By performing impedance matching based on the control value, the impedance matching device can always reduce the loss due to reflection after matching to a predetermined threshold value or less.

上記のインピーダンス整合装置の他の一態様では、前記制御値は、前記反射係数の絶対値または当該絶対値に相当する値である反射係数絶対値相当値が大きくなるほど、量子化間隔が小さくなるように量子化される。インピーダンス整合装置は、当該制御値に基づきインピーダンス整合を行うことで、整合後の反射による損失を、所定の閾値以下にすることができる。   In another aspect of the impedance matching apparatus, the control value is such that the quantization interval decreases as the absolute value of the reflection coefficient or a reflection coefficient absolute value equivalent value that is a value corresponding to the absolute value increases. Quantized to The impedance matching device performs impedance matching based on the control value, so that the loss due to reflection after matching can be made to be equal to or less than a predetermined threshold.

本発明の他の観点では、電磁界共振結合方式に準じた無線電力伝送システムにおいて、送信回路と送信アンテナとの間に設置され、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信アンテナ側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える第1形式の整合回路と、前記第1形式の整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパシタンス値に対応した制御値を、対応する前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数の大小の順に従い、反射係数絶対値相当値に関連付けて、予め記憶させた第1の記憶部と、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信回路側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える第2形式の整合回路と、前記第2形式の整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要な前記制御値を、対応する前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数の大小の順に従い、反射係数絶対値相当値に関連付けて、予め記憶させた第2の記憶部と、前記第1形式の整合回路、前記第2形式の整合回路、又は整合回路を挿入しないスルー回路、の何れかを、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に電気的に接続させるスイッチ部と、を備えるインピーダンス整合装置が実行する制御方法であって、前記送信回路からの送信信号に対応する進行波電圧と、前記送信アンテナからの反射信号に対応する反射波電圧と、を取り出す進行波・反射波抽出工程と、前記進行波電圧と前記反射波電圧とに基づき、反射係数の絶対値又は当該絶対値に相当する値である反射係数絶対値相当値を算出する反射係数算出工程と、前記進行波電圧の位相と前記反射波電圧の位相とを比較し、当該位相間の遅れ又は進みを判定する位相判定を行う位相判定工程と、前記位相判定に基づき、前記第1又は第2の記憶部から前記制御値を読出す際の、現在使用している制御値から前記結合係数が大きくなる場合に対応する制御値を選択するか、又は前記結合係数が小さくなる場合に対応する制御値を選択するかの制御値の読み出し位置の方向を決定する調整方向決定工程と、前記読出し位置の方向と、前記読出し位置を変更するステップ幅と、に基づき、前記第1形式又は第2形式の整合回路又は整合回路を挿入しないスルー回路の選択、第1形式又は第2形式の整合回路が選択された場合に使用する前記第1又は第2の記憶部の選択、及び前記読出し位置の決定を行う読出し位置決定工程と、前記読出し位置決定工程が選択した第1形式又は第2形式の整合回路又は整合回路を挿入しないスルー回路、の何れかが前記送信回路と前記送信アンテナとの間で電気的に接続されるように前記スイッチ部を動作させる整合回路選択工程と、前記読み出し位置決定工程が選択した前記第1又は第2の記憶部を、前記制御値を読み出す記憶部として選択する記憶部選択工程と、前記記憶部選択工程が選択した前記第1又は第2の記憶部から、前記読み出し位置決定工程が決定した前記読み出し位置に相当する制御値を読み出し、前記整合回路選択工程が選択した前記第1形式又は第2の形式の整合回路に反映させる制御値出力工程と、を備える。インピーダンス整合装置は、この制御方法を実行することで、送信アンテナと受信アンテナとの結合状態の時間経過に伴う変動に対し、インピーダンスの整合状態を高速に追従させて伝送効率を高い状態に維持し続けることができる。   In another aspect of the present invention, in a wireless power transmission system according to an electromagnetic resonance coupling method, the wireless power transmission system is installed between a transmission circuit and a transmission antenna, and is inserted in series between the transmission circuit and the transmission antenna. A first-type matching circuit comprising: a variable inductor element; and a variable capacitor element connected in parallel to the transmitting antenna side with respect to the variable inductor element; and a predetermined impedance value using the first-type matching circuit Control values corresponding to the inductance value and the capacitance value necessary for matching with each other are stored in advance in association with the corresponding value of the reflection coefficient absolute value according to the order of the coupling coefficient between the corresponding transmitting antenna and receiving antenna. A first storage unit, a variable inductor element inserted in series between the transmission circuit and the transmission antenna, and the variable inductor A variable capacitor element connected in parallel to the transmitter circuit side of the element, and a matching circuit of a second type provided with a matching circuit of the second type necessary for matching to a predetermined impedance value using the matching circuit of the second type A second storage unit that stores the control value in advance in association with the corresponding reflection coefficient absolute value according to the order of the coupling coefficient between the transmitting antenna and the receiving antenna, and the matching circuit of the first type An impedance matching device comprising: a switch unit that electrically connects either the matching circuit of the second type or a through circuit in which no matching circuit is inserted between the transmitting circuit and the transmitting antenna A traveling wave / reverse signal for extracting a traveling wave voltage corresponding to a transmission signal from the transmission circuit and a reflected wave voltage corresponding to a reflected signal from the transmission antenna. A reflection coefficient calculating step of calculating a reflection coefficient absolute value or a reflection coefficient absolute value equivalent value that is a value corresponding to the absolute value based on the traveling wave voltage and the reflected wave voltage; A phase determination step for comparing the phase of the wave voltage with the phase of the reflected wave voltage and determining a delay or advance between the phases, and the first or second storage unit based on the phase determination When the control value is read from the control value, the control value corresponding to the case where the coupling coefficient increases from the currently used control value is selected, or the control value corresponding to the case where the coupling coefficient becomes small is selected. A matching circuit of the first type or the second type based on an adjustment direction determining step for determining the direction of the read position of the control value to be determined, the direction of the read position, and the step width for changing the read position Or matching circuit A read position determining step for selecting a through circuit without inserting a signal, selecting the first or second storage unit to be used when the first or second type matching circuit is selected, and determining the read position And the first type or second type matching circuit selected by the reading position determination step or a through circuit not including a matching circuit is electrically connected between the transmission circuit and the transmission antenna. A matching circuit selection step for operating the switch unit, a storage unit selection step for selecting the first or second storage unit selected by the read position determination step as a storage unit for reading the control value, A control value corresponding to the read position determined by the read position determining step is read from the first or second storage unit selected by the storage unit selecting step, and the matching circuit selecting step is selected. Provided to the control value output step to be reflected in the matching circuit of the first type or the second type has a. By executing this control method, the impedance matching device keeps the transmission efficiency at a high level by following the impedance matching state at a high speed with respect to fluctuations in the coupling state between the transmitting antenna and the receiving antenna over time. You can continue.

本発明の他の観点では、電磁界共振結合方式に準じた無線電力伝送システムにおいて、送信回路と送信アンテナとの間に設置されるインピーダンス整合装置であって、前記送信回路からの送信信号に対応する進行波電圧と、前記送信アンテナからの反射信号に対応する反射波電圧と、を取り出す進行波・反射波抽出部と、前記進行波電圧と前記反射波電圧とに基づき、反射係数の絶対値又は当該絶対値に相当する値である反射係数絶対値相当値を算出する反射係数算出部と、前記進行波電圧の位相と前記反射波電圧の位相とを比較し、当該位相間の遅れ又は進みを判定する位相判定を行う位相判定部と、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信アンテナ側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える整合回路と、前記整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパシタンス値に対応した制御値を、対応する前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数の大小の順に従い、反射係数絶対値相当値に関連付けて、予め記憶させた記憶部と、前記整合回路、又は整合回路を挿入しないスルー回路、の何れかを、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に電気的に接続させるスイッチ部と、前記反射係数絶対値相当値に基づき、前記スイッチ部を動作させる整合回路選択部と、前記位相判定に基づき、前記記憶部から前記制御値を読出す際の、現在使用している制御値から前記結合係数が大きくなる場合に対応する制御値を選択するか、又は前記結合係数が小さくなる場合に対応する制御値を選択するかの制御値の読み出し位置の方向を決定する調整方向決定部と、前記読み出し位置の方向と、前記読み出し位置を変更するステップ幅と、に基づき、前記読み出し位置の決定を行う読み出し位置決定部と、前記記憶部から、前記読み出し位置決定部が決定した前記読み出し位置に相当する制御値を読み出し、前記整合回路に反映させる制御値出力部と、を備える。このようにすることで、インピーダンス整合装置は、ギャップが近くなる方向に対応する不整合を整合する場合に、送信アンテナと受信アンテナとの結合状態の時間経過に伴う変動に対し、インピーダンスの整合状態を高速に追従させて伝送効率を高い状態に維持し続けることができる。   In another aspect of the present invention, in a wireless power transmission system conforming to an electromagnetic resonance coupling method, an impedance matching device installed between a transmission circuit and a transmission antenna, and corresponding to a transmission signal from the transmission circuit An absolute value of the reflection coefficient based on the traveling wave voltage and the reflected wave voltage, and the traveling wave voltage and reflected wave voltage extraction unit for extracting the traveling wave voltage and the reflected wave voltage corresponding to the reflected signal from the transmitting antenna. Alternatively, a reflection coefficient calculation unit that calculates a reflection coefficient absolute value equivalent value that is a value corresponding to the absolute value is compared with the phase of the traveling wave voltage and the phase of the reflected wave voltage, and a delay or advance between the phases. A phase determination unit that performs phase determination, a variable inductor element inserted in series between the transmission circuit and the transmission antenna, and closer to the transmission antenna than the variable inductor element A matching circuit comprising: a variable capacitor element connected to the column; and a control value corresponding to an inductance value and a capacitance value necessary for matching with a predetermined impedance value using the matching circuit, the corresponding transmitting antenna In accordance with the order of the coupling coefficient between the receiving antenna and the receiving antenna, in association with the reflection coefficient absolute value equivalent value, any one of the storage unit stored in advance and the matching circuit or the through circuit in which no matching circuit is inserted, A switch unit electrically connected between the transmission circuit and the transmission antenna; a matching circuit selection unit that operates the switch unit based on the reflection coefficient absolute value equivalent value; and the storage unit based on the phase determination When the control value is read from the control value, the control value corresponding to the case where the coupling coefficient increases from the currently used control value is selected, or the previous An adjustment direction determining unit that determines a direction of a reading position of a control value to select a control value corresponding to a case where a coupling coefficient is small, a direction of the reading position, and a step width for changing the reading position A read position determination unit that determines the read position, a control value output unit that reads a control value corresponding to the read position determined by the read position determination unit from the storage unit, and reflects the control value to the matching circuit; . By doing so, the impedance matching device matches the impedance matching state with respect to fluctuations of the coupling state of the transmitting antenna and the receiving antenna over time when matching the mismatch corresponding to the direction in which the gap is closer. It is possible to keep the transmission efficiency in a high state by following the signal at a high speed.

本発明の他の観点では、電磁界共振結合方式に準じた無線電力伝送システムにおいて、送信回路と送信アンテナとの間に設置されるインピーダンス整合装置であって、前記送信回路からの送信信号に対応する進行波電圧と、前記送信アンテナからの反射信号に対応する反射波電圧と、を取り出す進行波・反射波抽出部と、前記進行波電圧と前記反射波電圧とに基づき、反射係数の絶対値又は当該絶対値に相当する値である反射係数絶対値相当値を算出する反射係数算出部と、前記進行波電圧の位相と前記反射波電圧の位相とを比較し、当該位相間の遅れ又は進みを判定する位相判定を行う位相判定部と、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信回路側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える整合回路と、前記整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパシタンス値に対応した制御値を、対応する前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数の大小の順に従い、反射係数絶対値相当値に関連付けて、予め記憶させた記憶部と、前記整合回路、又は整合回路を挿入しないスルー回路、の何れかを、前記送信回路と前記送信アンテナとの間に電気的に接続させるスイッチ部と、前記反射係数絶対値相当値に基づき、前記スイッチ部を動作させる整合回路選択部と、前記位相判定に基づき、前記記憶部から前記制御値を読出す際の、現在使用している制御値から前記結合係数が大きくなる場合に対応する制御値を選択するか、又は前記結合係数が小さくなる場合に対応する制御値を選択するかの制御値の読み出し位置の方向を決定する調整方向決定部と、前記読み出し位置の方向と、前記読み出し位置を変更するステップ幅と、に基づき、前記読み出し位置の決定を行う読み出し位置決定部と、前記記憶部から、前記読み出し位置決定部が決定した前記読み出し位置に相当する制御値を読み出し、前記整合回路に反映させる制御値出力部と、を備える。このようにすることで、インピーダンス整合装置は、ギャップが遠くなる方向に対応する不整合を整合する場合に、送信アンテナと受信アンテナとの結合状態の時間経過に伴う変動に対し、インピーダンスの整合状態を高速に追従させて伝送効率を高い状態に維持し続けることができる。   In another aspect of the present invention, in a wireless power transmission system conforming to an electromagnetic resonance coupling method, an impedance matching device installed between a transmission circuit and a transmission antenna, and corresponding to a transmission signal from the transmission circuit An absolute value of the reflection coefficient based on the traveling wave voltage and the reflected wave voltage, and the traveling wave voltage and reflected wave voltage extraction unit for extracting the traveling wave voltage and the reflected wave voltage corresponding to the reflected signal from the transmitting antenna. Alternatively, a reflection coefficient calculation unit that calculates a reflection coefficient absolute value equivalent value that is a value corresponding to the absolute value is compared with the phase of the traveling wave voltage and the phase of the reflected wave voltage, and a delay or advance between the phases. A phase determination unit for performing phase determination, a variable inductor element inserted in series between the transmission circuit and the transmission antenna, and in parallel to the transmission circuit side with respect to the variable inductor element A matching circuit comprising: a variable capacitor element connected; and a control value corresponding to an inductance value and a capacitance value necessary for matching with a predetermined impedance value using the matching circuit, the corresponding transmitting antenna and receiving According to the order of the coupling coefficient with the antenna, in association with the reflection coefficient absolute value equivalent value, any one of the storage unit stored in advance and the matching circuit or the through circuit in which no matching circuit is inserted is used as the transmission circuit. A switch unit that is electrically connected to the transmission antenna, a matching circuit selection unit that operates the switch unit based on the reflection coefficient absolute value equivalent value, and a phase determination based on the phase determination. When reading the control value, select a control value corresponding to the case where the coupling coefficient is larger than the currently used control value, or Based on the adjustment direction determination unit that determines the direction of the reading position of the control value to select the control value corresponding to the case where the coefficient becomes small, the direction of the reading position, and the step width for changing the reading position A read position determination unit that determines the read position; a control value output unit that reads from the storage unit a control value corresponding to the read position determined by the read position determination unit, and reflects the control value to the matching circuit; Is provided. In this way, the impedance matching device can match the impedance matching state against fluctuations over time of the coupling state of the transmitting antenna and the receiving antenna when matching the mismatch corresponding to the direction in which the gap is far away. It is possible to keep the transmission efficiency in a high state by following the signal at a high speed.

上記のインピーダンス整合装置の一態様では、前記反射係数絶対値相当値に基づき、現在使用している制御値を調整する必要性の有無、及び、前記ステップ幅を決定する調整ステップ幅決定部をさらに備える。   In one aspect of the impedance matching device, the adjustment step width determination unit that determines whether or not the control value currently used is adjusted based on the reflection coefficient absolute value equivalent value and the step width is further included. Prepare.

上記のインピーダンス整合装置の他の一態様では、前記制御値は、電磁界共振結合方式の前記送信アンテナ及び受信アンテナを対向させ、当該送信アンテナ及び受信アンテナ間のギャップを変更した際の、前記送信回路から前記送信アンテナ側への入力インピーダンスの変化の軌跡に基づいて設定される。   In another aspect of the impedance matching apparatus, the control value is obtained when the transmission antenna and the reception antenna of the electromagnetic resonance coupling method are opposed to each other and the gap between the transmission antenna and the reception antenna is changed. It is set based on the locus of change in input impedance from the circuit to the transmitting antenna.

なお、スイッチ部で切換えられる回路の一つとして整合回路を挿入しないスルー回路と記載したが、この記載の本質としての、整合回路を挿入しないというスルーの状態と同様の効果を有する実装方法であれば、いかなる実装方法でも構わない.例えば、明示的に整合回路をスルーするような回路パスは持っていないが、可変インダクタンスの値をゼロとすることで整合回路が入っていない状態と等価にするような実装方法も、整合回路を挿入しないスルー回路に切換えていることと同じことであるとみなされる。   In addition, although described as a through circuit in which a matching circuit is not inserted as one of the circuits to be switched in the switch unit, the mounting method having the same effect as a through state in which a matching circuit is not inserted is essential. Any implementation method is acceptable. For example, an implementation method that does not have a circuit path that explicitly passes through the matching circuit, but is equivalent to a state in which the matching circuit is not included by setting the value of the variable inductance to zero is also used for the matching circuit. This is considered the same as switching to a through circuit that is not inserted.

以下、図面を参照して本発明の好適な各実施形態について説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<第1実施形態>
[概要説明]
図1は、第1実施形態に係る送信システム100の概略構成図である。図1に示すように、送信システム100は、送信回路1と、インピーダンス整合装置2と、送信アンテナ4と、を備える。以下では、「初期状態」とは、送信システム100がインピーダンス整合のなされていない状態を指す。また、「ギャップGp」とは、送信アンテナ及び受信アンテナ間のギャップを指す。
<First Embodiment>
[Overview]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a transmission system 100 according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the transmission system 100 includes a transmission circuit 1, an impedance matching device 2, and a transmission antenna 4. Hereinafter, the “initial state” refers to a state where the transmission system 100 is not impedance matched. The “gap Gp” refers to a gap between the transmission antenna and the reception antenna.

送信回路1は送信信号源11と増幅部12とを備える。送信信号源11は無線電力伝送で使用する高周波信号を発生させる。増幅部12は、伝送する電力の大きさを調整すると共に、電力を伝送する際の開始動作及び停止動作など制御回路として機能する。   The transmission circuit 1 includes a transmission signal source 11 and an amplification unit 12. The transmission signal source 11 generates a high frequency signal used for wireless power transmission. The amplification unit 12 functions as a control circuit such as a start operation and a stop operation when transmitting power while adjusting the magnitude of the power to be transmitted.

インピーダンス整合装置2は、後述するように、送信システム100が初期状態の場合に、送信システム100を所定のインピーダンス値に整合された状態(「整合状態」とも呼ぶ。)にするようにインピーダンス整合を行う。以後、この場合のインピーダンス整合を、「第1インピーダンス整合」とも呼ぶ。また、インピーダンス整合装置2は、第1インピーダンス整合の実行後、ギャップGpの変化等に起因して再びインピーダンス値が整合状態からずれた場合にも、インピーダンス整合を行う。以後、この場合のインピーダンス整合を、「第2インピーダンス整合」とも呼ぶ。   As will be described later, when the transmission system 100 is in an initial state, the impedance matching device 2 performs impedance matching so that the transmission system 100 is matched with a predetermined impedance value (also referred to as “matching state”). Do. Hereinafter, the impedance matching in this case is also referred to as “first impedance matching”. The impedance matching device 2 performs impedance matching even when the impedance value deviates from the matching state again due to a change in the gap Gp after the first impedance matching. Hereinafter, the impedance matching in this case is also referred to as “second impedance matching”.

インピーダンス整合装置2は、送信回路1と送信アンテナ4との間に配置される。インピーダンス整合装置2は、主に、進行波・反射波抽出部21と、反射係数算出部22と、位相判定部23と、第1形式の整合回路24と、第1の記憶部25と、第2形式の整合回路26と、第2の記憶部27と、調整方向決定部28と、調整ステップ幅決定部29と、読み出し位置決定部30と、スルー回路31と、スイッチ部32と、整合回路選択部33と、記憶部選択部34と、制御値出力部35と、を備える。   The impedance matching device 2 is disposed between the transmission circuit 1 and the transmission antenna 4. The impedance matching device 2 mainly includes a traveling wave / reflected wave extraction unit 21, a reflection coefficient calculation unit 22, a phase determination unit 23, a first-type matching circuit 24, a first storage unit 25, and a first storage unit 25. Two types of matching circuit 26, second storage unit 27, adjustment direction determination unit 28, adjustment step width determination unit 29, read position determination unit 30, through circuit 31, switch unit 32, and matching circuit A selection unit 33, a storage unit selection unit 34, and a control value output unit 35 are provided.

進行波・反射波抽出部21は、送信回路1から入力された送信信号に対応する信号成分の電圧(以後、「進行波電圧Vf」と呼ぶ。)と、送信アンテナ4からの反射信号に対応する信号成分の電圧(以後、「反射波電圧Vr」とも呼ぶ。)を分離して取り出す。進行波・反射波抽出部21は、好適には、方向性結合器である。また、進行波・反射波抽出部21は、サーキュレータであってもよいが、この場合、所定のレベルの進行波を取出すためにアッテネータをさらに備える必要がある。   The traveling wave / reflected wave extraction unit 21 corresponds to the voltage of the signal component corresponding to the transmission signal input from the transmission circuit 1 (hereinafter referred to as “traveling wave voltage Vf”) and the reflected signal from the transmission antenna 4. The signal component voltage (hereinafter also referred to as “reflected wave voltage Vr”) is separated and extracted. The traveling wave / reflected wave extraction unit 21 is preferably a directional coupler. The traveling wave / reflected wave extraction unit 21 may be a circulator, but in this case, it is necessary to further include an attenuator to extract a traveling wave of a predetermined level.

反射係数算出部22は、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrとから、反射係数「Γ」の絶対値(「反射係数絶対値|Γ|」とも呼ぶ。)を算出する。具体的には、反射係数算出部22は、反射係数絶対値|Γ|を以下の式(1)に従って算出する。   The reflection coefficient calculation unit 22 calculates the absolute value of the reflection coefficient “Γ” (also referred to as “reflection coefficient absolute value | Γ |”) from the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr. Specifically, the reflection coefficient calculation unit 22 calculates the reflection coefficient absolute value | Γ | according to the following equation (1).

Figure 2012130061
Figure 2012130061

位相判定部23は、第1インピーダンス整合の実行時に、進行波電圧Vfの位相と反射波電圧Vrの位相が同相に近いか逆相に近いかの判定(「第1位相判定」とも呼ぶ。)を行う。後述するように、初期状態では、進行波電圧Vfの位相と反射波電圧Vrの位相とは、ほぼ同相又はほぼ逆相となる。   When the first impedance matching is performed, the phase determination unit 23 determines whether the phase of the traveling wave voltage Vf and the phase of the reflected wave voltage Vr are close to the same phase or close to the opposite phase (also referred to as “first phase determination”). I do. As will be described later, in the initial state, the phase of the traveling wave voltage Vf and the phase of the reflected wave voltage Vr are substantially in phase or almost in phase.

また、位相判定部23は、第2インピーダンス整合の実行時に、反射波電圧Vrの位相が進行波電圧Vfの位相よりも進んでいるか又は遅れているか否かの判定(「第2位相判定」とも呼ぶ。)を行う。   In addition, the phase determination unit 23 determines whether the phase of the reflected wave voltage Vr is advanced or delayed from the phase of the traveling wave voltage Vf when performing the second impedance matching (also referred to as “second phase determination”). Call).

第1形式の整合回路24は、送信回路1と送信アンテナ4との間に直列に挿入される可変インダクタ要素240と、送信アンテナ4側の端に並列に接続される可変キャパシタ要素241と、を備える。第1の記憶部25は、第1形式の整合回路24を用いて送信システム100を所定のインピーダンス値に整合させるために必要な制御値を、反射係数絶対値|Γ|の各値域に対応させてテーブル上に記憶する。後述するように、第1記憶部25は、小さい反射係数絶対値|Γ|の値域から順に付された通し番号であるインデックス(以後、「インデックスIdx」と呼ぶ。)を記憶する。   The first type matching circuit 24 includes a variable inductor element 240 inserted in series between the transmission circuit 1 and the transmission antenna 4, and a variable capacitor element 241 connected in parallel to the end on the transmission antenna 4 side. Prepare. The first storage unit 25 associates control values necessary for matching the transmission system 100 with a predetermined impedance value using the first-type matching circuit 24 with each value range of the reflection coefficient absolute value | Γ |. And store it on the table. As will be described later, the first storage unit 25 stores an index (hereinafter referred to as “index Idx”) that is a serial number assigned in order from the range of the small reflection coefficient absolute value | Γ |.

以後では、「制御値Tc」とは、第1形式又は第2形式の整合回路24、26に入力される制御値を指す。ここでは、制御値Tcは、第1形式又は第2形式の整合回路24、26に設定するインダクタンス値(「インダクタンス補正量Lm」とも呼ぶ。)及びキャパシタンス値(「キャパシタンス補正量Cm」とも呼ぶ。)を指すものとする。制御値Tcは、後述するように、電磁界共振結合方式の送信アンテナ4及び図示しない受信アンテナ(「送受信アンテナ」とも呼ぶ。)を対向させてこれらのギャップGpを変更した際の、送信回路1から送信アンテナ4側を見た時の入力インピーダンスの変化の軌跡に基づいて設定される。   Hereinafter, the “control value Tc” refers to a control value input to the matching circuits 24 and 26 of the first format or the second format. Here, the control value Tc is also referred to as an inductance value (also referred to as “inductance correction amount Lm”) and a capacitance value (also referred to as “capacitance correction amount Cm”) set in the matching circuits 24 and 26 of the first type or the second type. ). As will be described later, the control value Tc corresponds to the transmission circuit 1 when the gap Gp is changed with the electromagnetic resonance coupling transmission antenna 4 and a reception antenna (not shown) (not shown) facing each other. Is set based on the locus of the change of the input impedance when the transmitting antenna 4 side is viewed.

第2形式の整合回路26は、送信回路1と送信アンテナ4との間に直列に挿入される可変インダクタ要素260と、送信回路1側の端に並列に接続される可変キャパシタ要素261と、を備える。第2の記憶部27は、第2形式の整合回路26を用いて送信システム100を所定のインピーダンス値に整合させるために必要な制御値Tcを、各反射係数絶対値|Γ|の各値域に対応させてテーブル上に記憶する。後述するように、各記憶部は、小さい反射係数絶対値|Γ|の値域から順に付されたインデックスIdxを記憶する。   The second type matching circuit 26 includes a variable inductor element 260 inserted in series between the transmission circuit 1 and the transmission antenna 4, and a variable capacitor element 261 connected in parallel to the end on the transmission circuit 1 side. Prepare. The second storage unit 27 uses the second-type matching circuit 26 to provide a control value Tc necessary for matching the transmission system 100 to a predetermined impedance value in each value range of each reflection coefficient absolute value | Γ |. Store it on the table in correspondence. As will be described later, each storage unit stores an index Idx assigned in order from a range of small reflection coefficient absolute values | Γ |.

以後では、第1形式の整合回路24及び第2形式の整合回路26を、単に「整合回路」とも総称する。また、第1の記憶部25及び第2の記憶部27を、単に「記憶部」とも総称する。   Hereinafter, the first-type matching circuit 24 and the second-type matching circuit 26 are also simply referred to as “matching circuit”. Further, the first storage unit 25 and the second storage unit 27 are simply collectively referred to as “storage unit”.

調整方向決定部28は、送信システム100が整合後状態の場合に、第2位相判定の判定結果(「第2位相判定結果Jr2」とも呼ぶ。)に基づき、記憶部から制御値Tcを読み出す際の読み出し位置の方向(以後、「読み出し方向Didx」とも呼ぶ。)を決定する。ここで、「読み出し方向Didx」とは、現在使用されている制御値Tcに対応したインデックスIdxを基準とした場合の、次に使用する制御値Tcに対応するインデックスIdxの方向を指す。   When the transmission system 100 is in the post-matching state, the adjustment direction determination unit 28 reads the control value Tc from the storage unit based on the determination result of the second phase determination (also referred to as “second phase determination result Jr2”). The direction of the reading position (hereinafter also referred to as “reading direction Didx”) is determined. Here, the “reading direction Didx” indicates the direction of the index Idx corresponding to the control value Tc to be used next when the index Idx corresponding to the currently used control value Tc is used as a reference.

調整ステップ幅決定部29は、送信システム100が整合後状態の場合に、反射係数絶対値|Γ|に基づき、使用する制御値Tcを現在の制御値Tcから変更する必要があるか否かの判断をすると共に、新たな制御値Tcを読み出す場合のインデックスIdxのステップ(移動)幅(「ステップ幅Widx」と呼ぶ。)を決定する。   The adjustment step width determination unit 29 determines whether or not the control value Tc to be used needs to be changed from the current control value Tc based on the reflection coefficient absolute value | Γ | when the transmission system 100 is in the post-matching state. In addition to making a determination, a step (movement) width (referred to as “step width Widx”) of the index Idx when a new control value Tc is read is determined.

読み出し位置決定部30は、送信システム100が整合後状態の場合に、読み出し方向Didx及びステップ幅Widxに基づき、制御値Tcを読み出す記憶部及びそのインデックスIdxを決定する。   When the transmission system 100 is in the post-matching state, the reading position determination unit 30 determines the storage unit that reads the control value Tc and its index Idx based on the reading direction Didx and the step width Widx.

スイッチ部32は、第1形式の整合回路24又は第2形式の整合回路26若しくは電線のみからなるスルー回路31のいずれかが送信回路1及び送信アンテナ4と、これらの間に電気的に接続されるように動作する。   In the switch unit 32, either the first type matching circuit 24, the second type matching circuit 26, or the through circuit 31 including only an electric wire is electrically connected between the transmission circuit 1 and the transmission antenna 4. To work.

整合回路選択部33は、第1インピーダンス整合の実行時に、反射係数絶対値|Γ|と、第1位相判定の結果(「第1位相判定結果Jr1」と呼ぶ。)とに基づいて、第1形式の整合回路24又は第2形式の整合回路26若しくは電線のみからなるスルー回路31のいずれかが送信回路1及び送信アンテナ4と電気的に接続されるようにスイッチ部32を制御する。具体的には、整合回路選択部33は、反射係数絶対値|Γ|が所定の閾値(「閾値|Γ|thr」と呼ぶ。)以下の場合、インピーダンス値を整合する必要がないと判断し、スルー回路31を選択する。一方、整合回路選択部33は、反射係数絶対値|Γ|が閾値|Γ|thrより大きい場合、インピーダンス値を整合する必要があると判断し、第1形式又は第2形式の整合回路24、26のいずれかを選択する。ここで、閾値|Γ|thrは、好適には、反射による損失を0.5%に抑えることができる値、即ち他に損失を生じる部分が無ければ効率99.5%を達成できる値に相当する0.0707に設定されるとよい。   When the first impedance matching is performed, the matching circuit selection unit 33 performs the first based on the reflection coefficient absolute value | Γ | and the result of the first phase determination (referred to as “first phase determination result Jr1”). The switch unit 32 is controlled so that either the matching circuit 24 of the type, the matching circuit 26 of the second type, or the through circuit 31 including only the electric wire is electrically connected to the transmission circuit 1 and the transmission antenna 4. Specifically, the matching circuit selection unit 33 determines that there is no need to match the impedance value when the reflection coefficient absolute value | Γ | is equal to or smaller than a predetermined threshold (referred to as “threshold | Γ | thr”). The through circuit 31 is selected. On the other hand, the matching circuit selection unit 33 determines that the impedance value needs to be matched when the reflection coefficient absolute value | Γ | is larger than the threshold value | Γ | thr, and the matching circuit 24 of the first type or the second type, 26 is selected. Here, the threshold value | Γ | thr preferably corresponds to a value that can suppress the loss due to reflection to 0.5%, that is, a value that can achieve the efficiency of 99.5% if there is no other loss-generating part. It may be set to 0.0707.

また、整合回路選択部33は、第2インピーダンス整合の実行時に、読み出し位置決定部30の処理結果に基づき、第1形式の整合回路24又は第2形式の整合回路26若しくはスルー回路31のいずれかが送信回路1及び送信アンテナ4と連結されるようにスイッチ部32を制御する。記憶部選択部34は、第1位相判定結果Jr1に基づいて、第1の記憶部25または第2の記憶部27のいずれに記憶された制御値Tcを使用するか選択する。また、記憶部選択部34は、読み出し位置決定部30の処理結果に基づき第1の記憶部25または第2の記憶部27のいずれに記憶された制御値Tcを使用するか選択する。制御値出力部35は、第1インピーダンス整合時及び第2インピーダンス整合時に、選択された第1又は第2の記憶部25、27から所望の制御値Tcを読み出し、整合回路選択部33によって選択された第1形式の整合回路24又は第2形式の整合回路26に当該制御値Tcを反映させる。   In addition, the matching circuit selection unit 33 selects one of the first type matching circuit 24, the second type matching circuit 26, and the through circuit 31 based on the processing result of the reading position determination unit 30 when executing the second impedance matching. Controls the switch unit 32 to be connected to the transmission circuit 1 and the transmission antenna 4. The storage unit selection unit 34 selects whether to use the control value Tc stored in the first storage unit 25 or the second storage unit 27 based on the first phase determination result Jr1. In addition, the storage unit selection unit 34 selects whether to use the control value Tc stored in the first storage unit 25 or the second storage unit 27 based on the processing result of the reading position determination unit 30. The control value output unit 35 reads a desired control value Tc from the selected first or second storage unit 25 or 27 during the first impedance matching or the second impedance matching, and is selected by the matching circuit selection unit 33. The control value Tc is reflected in the first type matching circuit 24 or the second type matching circuit 26.

[送受信アンテナ]
次に、電磁界共振結合方式で使用される送受信アンテナ単体での特性と、その等価回路表現について述べる。図2は、本実施形態に係る送信アンテナ4及び受信アンテナとして用いられるアンテナの一例を示す。図2に示すアンテナは、直径30cm、巻数5、巻線間ピッチ5mm、銅線太さ2mmの先端オープン型ヘリカルアンテナである。
[Transceiver antenna]
Next, the characteristics of a single transmission / reception antenna used in the electromagnetic resonance coupling method and its equivalent circuit expression will be described. FIG. 2 shows an example of the antenna used as the transmission antenna 4 and the reception antenna according to the present embodiment. The antenna shown in FIG. 2 is an open-ended helical antenna having a diameter of 30 cm, a winding number of 5, a pitch between windings of 5 mm, and a copper wire thickness of 2 mm.

図3は、図2に示すアンテナの入力インピーダンスを3次元電磁界解析シミュレータで解析した結果を示す。図3において、グラフ「Gr1」、「Gr2」は、入力インピーダンスの実部に相当し、グラフ「Gi1」、「Gi2」は、入力インピーダンスの虚部に相当する。図3に示すように、図2に示すアンテナは、直列共振点(即ち、虚部に相当するグラフGi1がマイナス側からプラス側へと変化する際に0Ωを横切るポイント。)において実部に相当するグラフGr1がほとんど0Ωであるという特徴を持つ。従って、このアンテナを単体で用いてもほとんど放射しないことが分かる。   FIG. 3 shows the result of analyzing the input impedance of the antenna shown in FIG. 2 with a three-dimensional electromagnetic field analysis simulator. In FIG. 3, graphs “Gr1” and “Gr2” correspond to the real part of the input impedance, and graphs “Gi1” and “Gi2” correspond to the imaginary part of the input impedance. As shown in FIG. 3, the antenna shown in FIG. 2 corresponds to the real part at the series resonance point (that is, a point that crosses 0Ω when the graph Gi1 corresponding to the imaginary part changes from the minus side to the plus side). The graph Gr1 is almost 0Ω. Therefore, it can be seen that even if this antenna is used alone, it hardly radiates.

図2に示すアンテナは、直並列型等価回路によって正確にモデル化できる。図4は、図2に示すアンテナの直並列型等価回路の一例である。ここで、図3に示す周波数特性から得られる連立方程式を解いて、図4の等価回路を構成する回路要素の値を求めると、図4に示すコイルのインダクタンスLは、8.14μH、コイルと直列に配置されたコンデンサの直列キャパシタンスCは、12.6pF、コイルと並列に配置されたコンデンサの並列キャパシタンスCtは、11.4pF、抵抗Rは、0.81Ωと計算される。電磁界共振結合の現象として電力伝送で使用されるのは、図3の直列共振点であり、その共振周波数は、15.7MHzと計算される。   The antenna shown in FIG. 2 can be accurately modeled by a series-parallel equivalent circuit. FIG. 4 is an example of a series-parallel equivalent circuit of the antenna shown in FIG. Here, by solving the simultaneous equations obtained from the frequency characteristics shown in FIG. 3 and determining the values of the circuit elements constituting the equivalent circuit of FIG. 4, the inductance L of the coil shown in FIG. The series capacitance C of the capacitor arranged in series is calculated to be 12.6 pF, the parallel capacitance Ct of the capacitor arranged in parallel with the coil is calculated to be 11.4 pF, and the resistance R is calculated to be 0.81Ω. The series resonance point in FIG. 3 is used for power transmission as a phenomenon of electromagnetic resonance coupling, and the resonance frequency is calculated to be 15.7 MHz.

ここで、図4に示す直並列型等価回路の正当性について述べる。図4に示す回路を左側から見た場合の入力インピーダンス「Zin」は式(2)により表される。   Here, the validity of the series-parallel equivalent circuit shown in FIG. 4 will be described. When the circuit shown in FIG. 4 is viewed from the left side, the input impedance “Zin” is expressed by Expression (2).

Figure 2012130061
Figure 2012130061

式(2)より、入力インピーダンスZinの実部(Re)及び虚部(Im)は、式(3)のように求められる。   From Equation (2), the real part (Re) and imaginary part (Im) of the input impedance Zin are obtained as shown in Expression (3).

Figure 2012130061
Figure 2012130061

図5は、式(2)に、先に求めたアンテナの等価回路要素の値(L=8.14μH、C=12.6pF、Ct=11.4pF、R=0.81Ω)を代入して求めた周波数特性と、図3の電磁界解析の結果との両者をプロットしたグラフを示す。具体的には、図5(a)は、入力インピーダンスZinの実部と、周波数との関係を示す。図5(b)は、入力インピーダンスZinの虚部と、周波数との関係を示す。なお、図5(a)、(b)では、図4の等価回路解析の結果は実線、図3の電磁界解析の結果は点線により表現されている。   In FIG. 5, the value of the equivalent circuit element of the antenna obtained previously (L = 8.14 μH, C = 12.6 pF, Ct = 11.4 pF, R = 0.81Ω) is substituted into Equation (2). The graph which plotted both the calculated | required frequency characteristic and the result of the electromagnetic field analysis of FIG. 3 is shown. Specifically, FIG. 5A shows the relationship between the real part of the input impedance Zin and the frequency. FIG. 5B shows the relationship between the imaginary part of the input impedance Zin and the frequency. 5A and 5B, the equivalent circuit analysis result of FIG. 4 is represented by a solid line, and the electromagnetic field analysis result of FIG. 3 is represented by a dotted line.

図5(a)、(b)に示すように、図4の等価回路解析の結果を示す実線と、図3の電磁界解析の結果を示す点線とは、ほとんど一致する。よって、図4に示す直並列型等価回路によって電磁界共振結合方式のアンテナをモデル化することは正当である。後に、図4に示す直並列型等価回路を用いて、送信アンテナ4と受信アンテナとを組み合わせた場合での入力インピーダンスの変化の軌跡(以後、「入力インピーダンス軌跡Tr」と呼ぶ。)を求める。   As shown in FIGS. 5A and 5B, the solid line showing the result of the equivalent circuit analysis in FIG. 4 and the dotted line showing the result of the electromagnetic field analysis in FIG. 3 almost coincide with each other. Therefore, it is valid to model the electromagnetic resonance coupling type antenna by the series-parallel type equivalent circuit shown in FIG. Later, using the series-parallel equivalent circuit shown in FIG. 4, a locus of change in input impedance when the transmitting antenna 4 and the receiving antenna are combined (hereinafter referred to as “input impedance locus Tr”) is obtained.

[入力インピーダンスの変化の軌跡]
次に、送信アンテナ4と受信アンテナ間の結合状態を変えたときの入力インピーダンス軌跡Trについて詳しく説明する。
[Change path of input impedance]
Next, the input impedance locus Tr when the coupling state between the transmission antenna 4 and the reception antenna is changed will be described in detail.

図6は、電力伝送時の送信アンテナ4及び受信アンテナの位置関係を示す。図6は、図2に示すアンテナを送信アンテナ4及び受信アンテナとして対向させて電力伝送させるシステムを示す。ギャップGpは一般に数10cm程度とされることが多い。送信アンテナ4への給電(図6では信号発生器から給電)と受信アンテナからの電力の取出しは、同軸ケーブル等を接続して行うものとする。なお、図6では、負荷を接続することで受信アンテナから電力が取り出される。   FIG. 6 shows the positional relationship between the transmitting antenna 4 and the receiving antenna during power transmission. FIG. 6 shows a system in which power is transmitted with the antenna shown in FIG. 2 facing the transmitting antenna 4 and the receiving antenna. In general, the gap Gp is generally about several tens of centimeters. Power feeding to the transmitting antenna 4 (power feeding from the signal generator in FIG. 6) and extraction of power from the receiving antenna are performed by connecting a coaxial cable or the like. In FIG. 6, power is extracted from the receiving antenna by connecting a load.

図7は、図6に示すシステムを直並列型等価回路により表現したものである。即ち、図7に示す直並列型等価回路は、2つの電磁界共振結合用の送受信アンテナを互いに対向させ、同軸ケーブル等で送信アンテナ4に給電し、受信アンテナと負荷を同軸ケーブル等で接続させたシステムを示す。この例では、送信アンテナ4と受信アンテナとは、同じアンテナである。ここで、図7中の「Lm」は送受信アンテナが磁気的に結合された状態での相互インダクタンスを表し、送信アンテナ4及び受信アンテナに同じアンテナを用いた場合、相互インダクタンスLmは、その結合係数を「k」とすれば、式(4)により表される。   FIG. 7 represents the system shown in FIG. 6 with a series-parallel equivalent circuit. That is, the series-parallel equivalent circuit shown in FIG. 7 has two electromagnetic resonance coupling transmission / reception antennas facing each other, feeds the transmission antenna 4 with a coaxial cable or the like, and connects the reception antenna and the load with a coaxial cable or the like. Show the system. In this example, the transmission antenna 4 and the reception antenna are the same antenna. Here, “Lm” in FIG. 7 represents the mutual inductance when the transmitting and receiving antennas are magnetically coupled. When the same antenna is used for the transmitting antenna 4 and the receiving antenna, the mutual inductance Lm is the coupling coefficient. Is represented by equation (4).

Figure 2012130061
Figure 2012130061

結合係数kの値は送受信アンテナ間のギャップGpによって決まる。従って、ギャップGpを変更することは結合係数kを変更することと等価である。   The value of the coupling coefficient k is determined by the gap Gp between the transmitting and receiving antennas. Therefore, changing the gap Gp is equivalent to changing the coupling coefficient k.

ここで、負荷のインピーダンス「Rx」を送信側の信号源インピーダンスと等しいと仮定し、負荷のインピーダンスRxが整合目標のインピーダンス「Z」と等しいとして送信回路1側(信号源)から送信アンテナ4を見たときの入力インピーダンスZinは、式(5)により表される。 Here, it is assumed that the impedance “Rx” of the load is equal to the signal source impedance on the transmission side, and that the impedance Rx of the load is equal to the matching target impedance “Z 0 ” from the transmission circuit 1 side (signal source) to the transmission antenna 4. The input impedance Zin when looking at is expressed by equation (5).

Figure 2012130061
Figure 2012130061

ここで、駆動周波数(即ち、電力伝送で使用する無線周波数)として送受信アンテナ単体での共振周波数「f」を用いるものとする。ここで、共振周波数fは、以下に示す式(6)により表される。 Here, it is assumed that the resonance frequency “f 0 ” of the transmission / reception antenna alone is used as the drive frequency (that is, the radio frequency used for power transmission). Here, the resonance frequency f 0 is represented by the formula (6) shown below.

Figure 2012130061
Figure 2012130061

式(5)の入力インピーダンスZinは、共振周波数f(ω=2πfとする。)を用いると、式(7)が成立することを利用すると、式(8)により表せられる。 The input impedance Zin of the equation (5) is expressed by the equation (8) when the resonance frequency f 00 = 2πf 0 ) is used and the fact that the equation (7) is established.

Figure 2012130061
Figure 2012130061

Figure 2012130061
Figure 2012130061

ここで、式(8)では、式(4)の関係を用いて、結合係数kをパラメータとして表している。   Here, in equation (8), the coupling coefficient k is expressed as a parameter using the relationship of equation (4).

なお、式(5)式(8)は送信アンテナ4及び受信アンテナとして同じ形状のものを用いた場合の例として示されているが、例えば受信アンテナのサイズ(直径)を小さくした場合など、送信アンテナ4と受信アンテナとの形状が異なる場合であっても(ただし、共振周波数は同一である必要はある。)、同様の手順によって送信回路1から送信アンテナ4を見たときの入力インピーダンスの値を定式化して(式(5)に相当する式を求める)、式(7)に記載した共振周波数の条件(この条件は、送信アンテナ4に対応するL1、C1の値を用いた式と、受信アンテナに対応するL2、C2の値を用いた式の2つを使用することになる。)を適用してやれば、式(8)に対応する式が求められる。   Expression (5) and Expression (8) are shown as an example when the transmission antenna 4 and the reception antenna having the same shape are used. For example, when the size (diameter) of the reception antenna is reduced, transmission is performed. Even when the shapes of the antenna 4 and the receiving antenna are different (however, the resonance frequencies need to be the same), the value of the input impedance when the transmitting antenna 1 is viewed from the transmitting circuit 1 by the same procedure. (Requires an expression corresponding to the expression (5)), and the resonance frequency condition described in the expression (7) (this condition is an expression using values of L1 and C1 corresponding to the transmission antenna 4; (Two of the equations using the values of L2 and C2 corresponding to the receiving antenna will be used.), The equation corresponding to equation (8) can be obtained.

図8は、式(8)を用いて、結合係数kを変えたときの(つまり、送受信アンテナ間のギャップGpを変えたときの)入力インピーダンスZin(ω=ω)の軌跡を求め、それをスミスチャート上にプロットした図である。図8では、結合係数kは、0.001〜0.7の範囲で変化している。なお、図9は、図8のスミスチャートに後述する説明を補足的に記載した図である。 FIG. 8 shows the locus of the input impedance Zin (ω = ω 0 ) when the coupling coefficient k is changed (that is, when the gap Gp between the transmitting and receiving antennas is changed) using Equation (8). Is a diagram plotted on a Smith chart. In FIG. 8, the coupling coefficient k changes in the range of 0.001 to 0.7. FIG. 9 is a diagram supplementarily describing an explanation to be described later in the Smith chart of FIG.

図8に示されるように、電磁界共振結合方式では送受信アンテナ間のギャップGpを変えると送信回路1側から送信アンテナ4を見たときの入力インピーダンスが大きく変化する。図8に示すスミスチャートの中心点(単に「中心点」とも呼ぶ。)は、図9に示すように、インピーダンス整合が出来ている状態(この場合では、Z=50Ω、以後、「整合状態」、又は「整合ポイント」とも呼ぶ。)に相当する。そして、中心点より右に移動した状態は、整合ポイントと比較して入力インピーダンスが高くなっている状態であることを表している。また逆に、中心点より左側に移動した状態は整合ポイントと比較して入力インピーダンスが低くなっている状態であることを表している。言い換えると、中心点より右に移動した状態(図9の破線枠WR内に相当する。)は、整合ポイントから送受信アンテナ間のギャップGpを小さくした場合、即ち整合ポイントよりも送受信アンテナ間の結合が強い場合に生じる状態である。逆に、中心点から左に移動した状態(図9の破線枠WL内に相当する。)は、整合ポイントから送受信アンテナ間のギャップGpを大きくした場合、即ち整合ポイントより送受信アンテナ間の結合が小さい場合に生じる状態である。 As shown in FIG. 8, in the electromagnetic resonance coupling method, when the gap Gp between the transmission and reception antennas is changed, the input impedance when the transmission antenna 4 is viewed from the transmission circuit 1 side greatly changes. The center point (also referred to simply as “center point”) of the Smith chart shown in FIG. 8 is in a state where impedance matching is performed (in this case, Z 0 = 50Ω, hereinafter “matching state”). Or “matching point”). And the state which moved to the right from the center point represents that the input impedance is higher than that of the matching point. Conversely, a state of moving to the left side from the center point indicates that the input impedance is lower than that of the matching point. In other words, the state moved to the right from the center point (corresponding to the inside of the broken line frame WR in FIG. 9) is a case where the gap Gp between the transmitting and receiving antennas from the matching point is made smaller, that is, the coupling between the transmitting and receiving antennas than the matching point This is a condition that occurs when the is strong. On the contrary, the state moved to the left from the center point (corresponding to the inside of the broken line WL in FIG. 9) is when the gap Gp between the transmitting and receiving antennas from the matching point is increased, that is, the coupling between the transmitting and receiving antennas from the matching point This is a condition that occurs when it is small.

[本発明におけるインピーダンス整合の考え方]
図8、9に示すように、送受信アンテナ間の結合状態(即ちギャップGp)を変えることで入力インピーダンスは変化する。一方、その入力インピーダンスの変化は、スミスチャートの横軸(抵抗軸)に沿ってわずかにカーブした一次元に近い変化である。特徴的なのは、リアクタンス分が「0」である抵抗軸上に近い所で変化することである。このような場合、求めた入力インピーダンス軌跡Tr上のポイントの複素反射係数の位相成分「arg(Γ)」の値は、結合が強い場合(図9の破線枠WR内)ではわずかにカーブしている分マイナス側にずれた0度に近い値となり、結合が弱い場合(図9の破線枠WL内)ではほぼ180度となる。このことは、送信アンテナ4への入力信号に相当する進行波電圧Vfの位相とインピーダンス値の不整合により送信アンテナ4から戻ってくる反射信号に相当する反射波電圧Vrの位相との関係が、前者ではほぼ同相、後者では逆相となることを表している。
[Concept of impedance matching in the present invention]
As shown in FIGS. 8 and 9, the input impedance changes by changing the coupling state (ie, gap Gp) between the transmitting and receiving antennas. On the other hand, the change in the input impedance is a change close to one dimension slightly curved along the horizontal axis (resistance axis) of the Smith chart. What is characteristic is that the reactance component changes near the resistance axis where the reactance component is “0”. In such a case, the value of the phase component “arg (Γ)” of the complex reflection coefficient at the obtained point on the input impedance locus Tr is slightly curved when the coupling is strong (in the broken line frame WR in FIG. 9). If the coupling is weak (within the broken line frame WL in FIG. 9), it is almost 180 degrees. This is because the relationship between the phase of the traveling wave voltage Vf corresponding to the input signal to the transmitting antenna 4 and the phase of the reflected wave voltage Vr corresponding to the reflected signal returning from the transmitting antenna 4 due to the mismatch of impedance values is The former indicates almost the same phase, and the latter indicates the opposite phase.

図10は、前述の直並列等価回路によって送受信アンテナをモデル化し、送信回路1と送信アンテナ4の間に方向性結合器を入れて進行波電圧Vfと反射波電圧Vrとを計測した結果を示す。具体的には、図10(a)は、整合ポイントより送受信アンテナ間の結合を強めた場合に相当し、図10(b)は、整合ポイントより送受信アンテナ間の結合を弱めた場合に相当する。そして、図10(a)、(b)において、「Gvf」は、進行波電圧Vfの計測結果に相当し、「Gvr1」は、結合係数kが0.07の場合の反射波電圧Vrの測定結果に相当し、「Gvr2」は、結合係数kが0.08の反射波電圧Vrの測定結果に相当し、「Gvr3」は、結合係数kが0.1の場合の反射波電圧Vrの測定結果に相当し、「Gvr4」は、結合係数kが0.14の場合の反射波電圧Vrの測定結果に相当し、「Gvr5」は、結合係数kが0.2の場合の反射波電圧Vrの測定結果に相当する。また、「Gvr6」は、結合係数kが0.05の場合の反射波電圧Vrの測定結果に相当し、「Gvr7」は、結合係数kが0.04の場合の反射波電圧Vrの測定結果に相当し、「Gvr8」は、結合係数kが0.03の場合の反射波電圧Vrの測定結果に相当し、「Gvr9」は、結合係数kが0.02の場合の反射波電圧Vrの測定結果に相当する。   FIG. 10 shows a result of measuring a traveling wave voltage Vf and a reflected wave voltage Vr by modeling a transmission / reception antenna using the above-described series-parallel equivalent circuit and inserting a directional coupler between the transmission circuit 1 and the transmission antenna 4. . Specifically, FIG. 10A corresponds to the case where the coupling between the transmitting and receiving antennas is strengthened from the matching point, and FIG. 10B corresponds to the case where the coupling between the transmitting and receiving antennas is weakened from the matching point. . 10A and 10B, “Gvf” corresponds to the measurement result of the traveling wave voltage Vf, and “Gvr1” is the measurement of the reflected wave voltage Vr when the coupling coefficient k is 0.07. “Gvr2” corresponds to the measurement result of the reflected wave voltage Vr with a coupling coefficient k of 0.08, and “Gvr3” corresponds to the measurement of the reflected wave voltage Vr when the coupling coefficient k is 0.1. “Gvr4” corresponds to the measurement result of the reflected wave voltage Vr when the coupling coefficient k is 0.14, and “Gvr5” corresponds to the reflected wave voltage Vr when the coupling coefficient k is 0.2. It corresponds to the measurement result. “Gvr6” corresponds to the measurement result of the reflected wave voltage Vr when the coupling coefficient k is 0.05, and “Gvr7” is the measurement result of the reflected wave voltage Vr when the coupling coefficient k is 0.04. “Gvr8” corresponds to the measurement result of the reflected wave voltage Vr when the coupling coefficient k is 0.03, and “Gvr9” corresponds to the reflected wave voltage Vr when the coupling coefficient k is 0.02. It corresponds to the measurement result.

このように、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrの位相関係(ほぼ同相なのか、それとも逆相なのか)を調べることで、インピーダンス整合装置2は、入力インピーダンスのスミスチャート上の位置が、破線枠WR内にあるのか、又は、破線枠WL内にあるのかを把握することができる。   In this way, by examining the phase relationship between the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr (whether it is in phase or in phase), the impedance matching device 2 determines that the position of the input impedance on the Smith chart is a broken line. It can be grasped whether it is in the frame WR or in the broken line frame WL.

なお、ここで示した結合係数kの値の例は、送信アンテナ4及び受信アンテナに図3のアンテナで、直径30cm、巻数5、巻線間ピッチ5mm、銅線太さ2mmとしたアンテナを用いた場合のものである。アンテナのサイズやその他の構造パラメータが変化した場合は、ここで示した結合係数kの値も変わることはあり得る。   In addition, the example of the value of the coupling coefficient k shown here uses an antenna having a diameter of 30 cm, a number of turns of 5, a pitch between windings of 5 mm, and a copper wire thickness of 2 mm as the transmitting antenna 4 and the receiving antenna of FIG. If it was. When the antenna size and other structural parameters change, the value of the coupling coefficient k shown here can also change.

この特徴を利用し、本実施形態に係るインピーダンス整合装置2は、インピーダンス整合動作のパターンとして、2通りに動作する。具体的には、本実施形態に係るインピーダンス整合装置2は、整合回路として、第1形式の整合回路24と、第2形式の整合回路26とを有し、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrとの位相関係に基づき使い分ける。図11(a)は、第1形式の整合回路24の構成例を示す。図11(b)は、第2形式の整合回路26の構成例を示す。そして、インピーダンス整合装置2は、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrとが同相の場合には、整合ポイントからギャップGpが小さくなる等により整合ポイントより送受信アンテナ間の結合が強まった状態にあると判断し、第1形式の整合回路24を使用する。一方、インピーダンス整合装置2は、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrとが逆相の場合には、整合ポイントからギャップGpが大きくなる等により整合ポイントより送受信アンテナ間の結合が弱まった状態にあると判断し、第2形式の整合回路26を使用する。   Using this feature, the impedance matching device 2 according to the present embodiment operates in two ways as a pattern of impedance matching operation. Specifically, the impedance matching device 2 according to the present embodiment includes a first-type matching circuit 24 and a second-type matching circuit 26 as matching circuits, and the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr. Use properly based on the phase relationship. FIG. 11A shows a configuration example of the matching circuit 24 of the first format. FIG. 11B shows a configuration example of the matching circuit 26 of the second format. Then, when the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are in phase, the impedance matching device 2 is in a state in which the coupling between the transmitting and receiving antennas is stronger than the matching point because the gap Gp becomes smaller from the matching point. The first type matching circuit 24 is used. On the other hand, when the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are in opposite phases, the impedance matching device 2 is in a state in which the coupling between the transmitting and receiving antennas is weaker than the matching point due to the gap Gp increasing from the matching point. And the second type matching circuit 26 is used.

ここで、整合回路に使用される可変インダクタ要素240、260及び可変キャパシタ要素241、261について補足説明する。可変インダクタ要素240、260及び可変キャパシタ要素241、261の実現手法は公知の手法が使用可能である。例えば、可変インダクタ要素240、260は、微小インダクタを直列に接続してスイッチ切換えにより所定の値のインダクタを実現し、可変キャパシタ要素241、261は、微小コンデンサを並列に接続してスイッチ切換えにより所定の値のキャパシタを実現する。他の実現手段として、可変キャパシタ要素241、261は、真空コンデンサやエアーバリコンなどを可変キャパシタであってもよい。その場合、可変キャパシタ要素241、261は、ステッピングモーターなど機械的手段を使って回転軸部が回転する。さらに、可変キャパシタ要素241、261は、大電力用途には向かないが可変容量ダイオード(バラクタダイオード)などの半導体素子であってもよい。   Here, the variable inductor elements 240 and 260 and the variable capacitor elements 241 and 261 used in the matching circuit will be supplementarily described. As a method for realizing the variable inductor elements 240 and 260 and the variable capacitor elements 241 and 261, a known method can be used. For example, the variable inductor elements 240 and 260 connect a minute inductor in series and realize an inductor having a predetermined value by switching, and the variable capacitor elements 241 and 261 connect a minute capacitor in parallel and perform predetermined switching by switching. A capacitor having a value of is realized. As another realization means, the variable capacitor elements 241 and 261 may be a variable capacitor such as a vacuum capacitor or an air variable condenser. In that case, the rotation axis portion of the variable capacitor elements 241 and 261 is rotated using mechanical means such as a stepping motor. Furthermore, the variable capacitor elements 241 and 261 may be semiconductor elements such as variable capacitance diodes (varactor diodes) although they are not suitable for high power applications.

図12は、図9に示した入力インピーダンス軌跡Tr上の任意のポイントを、図11(a)、(b)に示す第1形式又は第2形式の整合回路24、26を用いてスミスチャート上の等抵抗円、等コンダクタンス円に沿って移動させて50Ωの整合ポイントまで到達させる概要図を示す。   FIG. 12 shows an arbitrary point on the input impedance locus Tr shown in FIG. 9 on the Smith chart using the first type or second type matching circuits 24 and 26 shown in FIGS. A schematic diagram is shown in which it is moved along the equal resistance circle and the equal conductance circle to reach the matching point of 50Ω.

まず、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrがほぼ同相になる場合、即ち、整合対象となるインピーダンス点が破線枠WR内に存在する場合について説明する。ここでは、代表例として、整合対象となるインピーダンス点が位置Prに存在するものとする。この場合、インピーダンス整合装置2は、図11(a)に示す第1形式の整合回路24を用いて等コンダクタンス円上で、所定のサセプタンス補正量「A」だけ位置Prを時計回りに移動させ(矢印Y1参照)、次に正規化レジスタンス「r=1」の等レジスタンス円C1上で所定のリアクタンス補正量「B」だけ時計回りに移動させる(矢印Y2参照)。これにより、インピーダンス整合装置2は、整合対象となるインピーダンス点を整合ポイントに移動させることができる。なお、上述のサセプタンス補正量A及びリアクタンス補正量Bの決定方法については後述する。   First, the case where the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are substantially in phase, that is, the case where the impedance point to be matched exists in the broken line frame WR will be described. Here, as a representative example, it is assumed that an impedance point to be matched exists at the position Pr. In this case, the impedance matching device 2 moves the position Pr clockwise by a predetermined susceptance correction amount “A” on the equal conductance circle using the first type matching circuit 24 shown in FIG. Next, a predetermined reactance correction amount “B” is moved clockwise on the equal resistance circle C1 of the normalized resistance “r = 1” (see arrow Y2). Thereby, the impedance matching device 2 can move the impedance point to be matched to the matching point. The method for determining the susceptance correction amount A and the reactance correction amount B will be described later.

次に、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrがほぼ逆相になる場合、即ち、整合対象となるインピーダンス点が破線枠WL内に存在する場合について説明する。ここでは、代表例として、整合対象となるインピーダンス点が位置Plに存在するものとする。この場合、インピーダンス整合装置2は、図11(b)に示す第2形式の整合回路26を用いて等レジスタンス円上で所定のリアクタンス補正量「C」だけ位置Plを時計回りに移動させ(矢印Y3参照)、次に正規化コンダクタンス「g=1」の等コンダクタンス円上で所定のサセプタンス補正量「D」だけ時計回りに移動させる(矢印Y4参照)。これにより、インピーダンス整合装置2は、整合対象となるインピーダンス点を整合ポイントに移動させることができる。なお、上述のリアクタンス補正量C及びサセプタンス補正量Dの決定方法については後述する。   Next, the case where the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are in opposite phases, that is, the case where the impedance point to be matched exists within the broken line frame WL will be described. Here, as a representative example, it is assumed that an impedance point to be matched exists at the position Pl. In this case, the impedance matching device 2 moves the position Pl clockwise by a predetermined reactance correction amount “C” on the equal resistance circle using the second-type matching circuit 26 shown in FIG. Next, move it by a predetermined susceptance correction amount “D” clockwise on an equal conductance circle of normalized conductance “g = 1” (see arrow Y4). Thereby, the impedance matching device 2 can move the impedance point to be matched to the matching point. A method for determining the reactance correction amount C and the susceptance correction amount D described above will be described later.

以上を勘案し、インピーダンス整合装置2は、整合対象となる入力インピーダンス軌跡Tr上の各位置に対して、上述の補正量A〜Dを計算し、第1及び第2の記憶部25、27に記憶する。これにより、インピーダンス整合装置2は、インピーダンス整合を実行する際のインピーダンス点がどこかにあるか知ることにより、整合のために必要な上述の補正量A〜Dを求めることができる。   Considering the above, the impedance matching device 2 calculates the correction amounts A to D described above for each position on the input impedance trajectory Tr to be matched, and stores them in the first and second storage units 25 and 27. Remember. Thereby, the impedance matching apparatus 2 can obtain the above-described correction amounts A to D necessary for matching by knowing where the impedance point is when performing impedance matching.

ここで、インピーダンス整合装置2は、反射係数絶対値|Γ|に基づき第1及び第2の記憶部25、27を参照して補正量A〜Dを特定する。これについて補足説明する。反射係数絶対値|Γ|はスミスチャートの中心点からインピーダンス点までの距離に等しいため、破線枠WR内にインピーダンス点がある場合と破線枠WL内にインピーダンス点がある場合とで同じ反射係数絶対値|Γ|を持つ一対のインピーダンス点が存在する。しかし、反射係数絶対値|Γ|の位相は、前者が0度に近い値、後者が180度に近い値となっている。従って、インピーダンス整合装置2は、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrの位相がほぼ同相か又はほぼ逆相かを特定することで、これらを明確に区別することができる。   Here, the impedance matching device 2 specifies the correction amounts A to D with reference to the first and second storage units 25 and 27 based on the reflection coefficient absolute value | Γ |. This will be supplementarily described. Since the reflection coefficient absolute value | Γ | is equal to the distance from the center point of the Smith chart to the impedance point, the same reflection coefficient absolute value is obtained when there is an impedance point within the broken line frame WR and when there is an impedance point within the broken line frame WL. There is a pair of impedance points with the value | Γ |. However, as for the phase of the reflection coefficient absolute value | Γ |, the former has a value close to 0 degrees and the latter has a value close to 180 degrees. Therefore, the impedance matching device 2 can clearly distinguish between the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr by specifying whether the phases of the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are substantially in phase or almost in phase.

以上を勘案し、インピーダンス整合装置2は、各反射係数絶対値|Γ|に対して整合に必要な制御値Tcを記憶させる参照元として、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrが同相な場合に参照する第1の記憶部25と、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrが逆相な場合に参照する第2の記憶部27との2つの記憶部(テーブル)を用意する。この記憶部に必要な記憶容量は、スミスチャート上の実軸付近でわずかにカーブした一次元の入力インピーダンス軌跡Trのみを考慮して決定される。従って、整合のために実部と虚部の両方の値を必要とする場合に比べて必要なメモリサイズを大幅に縮小することができる。   Considering the above, the impedance matching device 2 is used when the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are in phase as a reference source for storing the control value Tc necessary for matching for each reflection coefficient absolute value | Γ |. Two storage units (tables) are prepared: a first storage unit 25 to be referred to, and a second storage unit 27 to be referred to when the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are in opposite phases. The storage capacity required for the storage unit is determined in consideration of only the one-dimensional input impedance locus Tr slightly curved near the real axis on the Smith chart. Therefore, the required memory size can be significantly reduced as compared with the case where both real and imaginary values are required for matching.

なお、インピーダンス整合装置2は、正規化レジスタンス「r=1」の等レジスタンス円C1と、入力インピーダンス軌跡Trとの交点に相当する結合係数kよりも小さい結合係数kの場合に、上述の処理を行うことで、整合を実行する際のインピーダンス点を整合ポイントに好適に遷移させることができる。特に、本実施形態において採用されている電磁界共振結合方式では、正規化レジスタンス「r=1」の等レジスタンス円C1と、入力インピーダンス軌跡Trとの交点に相当する結合係数kよりも小さい結合係数kが使用される。従って、本実施形態のインピーダンス整合装置2は、任意のインピーダンス点を整合ポイントに移動させることができる。   The impedance matching device 2 performs the above-described processing when the coupling coefficient k is smaller than the coupling coefficient k corresponding to the intersection of the equal resistance circle C1 with the normalized resistance “r = 1” and the input impedance locus Tr. By performing, the impedance point at the time of performing matching can be suitably changed to the matching point. In particular, in the electromagnetic resonance coupling method employed in the present embodiment, the coupling coefficient smaller than the coupling coefficient k corresponding to the intersection of the equal resistance circle C1 with the normalized resistance “r = 1” and the input impedance locus Tr. k is used. Therefore, the impedance matching device 2 of the present embodiment can move an arbitrary impedance point to the matching point.

[制御値の生成方法]
導出した入力インピーダンス軌跡Tr上の各インピーダンス点に対する上述の補正量A〜Dはスミスチャートの理論式を用いて算出される。そして、制御値Tcであるキャパシタンス補正量Cm及びインダクタンス補正量Lmは、この補正量A〜Dに基づき算出される。この算出について以下説明する。この計算により求められたキャパシタンス補正量Cm及びインダクタンス補正量Lmは、連続値からなるグラフを描く。しかし、後述するように、インピーダンス整合装置2は、上述の連続値をアプリケーションで必要なサイズとなるように量子化したテーブル(「量子化テーブル」とも呼ぶ。)を記憶部に予め記憶する。この量子化テーブルの作成方法については、後述する。
[Control value generation method]
The correction amounts A to D described above for each impedance point on the derived input impedance locus Tr are calculated using Smith chart theoretical formulas. The capacitance correction amount Cm and the inductance correction amount Lm, which are control values Tc, are calculated based on the correction amounts A to D. This calculation will be described below. The capacitance correction amount Cm and the inductance correction amount Lm obtained by this calculation draw a graph composed of continuous values. However, as will be described later, the impedance matching device 2 stores in advance in the storage unit a table (also referred to as a “quantization table”) obtained by quantizing the above-described continuous values so as to have a size necessary for an application. A method for creating this quantization table will be described later.

(第1の記憶部)
まず、第1の記憶部25に記憶させる反射係数絶対値|Γ|と制御値Tcとのテーブルの作成方法について説明する。第1の記憶部25は、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrがほぼ同相の場合に使用される。
(First storage unit)
First, a method for creating a table of the reflection coefficient absolute value | Γ | and the control value Tc stored in the first storage unit 25 will be described. The first storage unit 25 is used when the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are substantially in phase.

図13は、第1の記憶部25に記憶させる反射係数絶対値|Γ|と制御値Tcとのテーブルの作成方法を模式的に示した図である。整合対象のインピーダンス点が図中の「Zin」にあるとする。インピーダンス点Zinは、正規化コンダクタンス「g=gin」の等コンダクタンス円、正規化サセプタンス「b=bin」の等サセプタンス円に乗っている。まず、インピーダンス点Zinのポイントが存在する「g=gin」の等コンダクタンス円と、正規化レジスタンス「r=1」の等レジスタンス円との交点「A」の座標(u、v)は、以下の式(9)により表される。   FIG. 13 is a diagram schematically illustrating a method of creating a table of reflection coefficient absolute values | Γ | and control values Tc stored in the first storage unit 25. Assume that the impedance point to be matched is at “Zin” in the figure. The impedance point Zin is on an equal conductance circle with a normalized conductance “g = gin” and an equal susceptance circle with a normalized susceptance “b = bin”. First, the coordinates (u, v) of the intersection “A” between the equal conductance circle of “g = gin” where the point of the impedance point Zin exists and the equal resistance circle of normalized resistance “r = 1” are as follows: It is represented by equation (9).

Figure 2012130061
Figure 2012130061

ここで、インピーダンス点Zinのポイントを、「g=gin」の等コンダクタンス円に沿って交点Aまで移動させるために必要な正規化サセプタンス補正量「Δb」、及び、交点Aのポイントを「r=1」の等レジスタンス円に沿ってスミスチャートの中心に移動させるために必要な正規化リアクタンス補正量「Δx」は、等サセプタンス円の理論式及び等リアクタンス円の理論式に基づき、式(10)に示すように表せられる。   Here, the normalized susceptance correction amount “Δb” necessary for moving the point of the impedance point Zin to the intersection A along the isoconductance circle of “g = gin”, and the point of the intersection A “r = The normalized reactance correction amount “Δx” required for moving to the center of the Smith chart along the equal resistance circle of “1” is based on the theoretical formula of the equal susceptance circle and the theoretical formula of the equal reactance circle. It can be expressed as shown in

Figure 2012130061
Figure 2012130061

式(10)に示すように、正規化サセプタンス補正量「Δb」は、インピーダンス点Zinの正規化サセプタンス「bin」が減算されることでわずかなカーブの分が調整されている。なお、正規化リアクタンス補正量Δxは、上述したリアクタンス補正量Bに相当し、正規化サセプタンス補正量Δbは、上述したサセプタンス補正量Aに相当する。   As shown in Expression (10), the normalized susceptance correction amount “Δb” is adjusted by a slight curve by subtracting the normalized susceptance “bin” of the impedance point Zin. The normalized reactance correction amount Δx corresponds to the reactance correction amount B described above, and the normalized susceptance correction amount Δb corresponds to the susceptance correction amount A described above.

最後に、求められた正規化リアクタンス補正量Δx及び正規化サセプタンス補正量Δbにより、実際のキャパシタンス補正量Cm及びインダクタンス補正量Lmを表した式(11)を以下に示す。この際に使用する変数「f」は駆動周波数(単位はHz)を示し、「Z」は整合目標のインピーダンス値を示す。 Finally, Equation (11) that represents the actual capacitance correction amount Cm and inductance correction amount Lm by the obtained normalized reactance correction amount Δx and normalized susceptance correction amount Δb is shown below. The variable “f” used at this time indicates the drive frequency (unit: Hz), and “Z 0 ” indicates the impedance value of the matching target.

Figure 2012130061
Figure 2012130061

入力インピーダンス軌跡Tr上のインピーダンス点Zinは、以下の式(12)に示すように、スミスチャートの右側のみを考えれば反射係数絶対値|Γ|と一対一に対応する。   The impedance point Zin on the input impedance trajectory Tr has a one-to-one correspondence with the reflection coefficient absolute value | Γ | if only the right side of the Smith chart is considered, as shown in the following equation (12).

Figure 2012130061
Figure 2012130061

従って、入力インピーダンス軌跡Tr上の各インピーダンス点Zinを式(12)に従って反射係数絶対値|Γ|に変換し、その各々の値に対して、予め式(11)に従って求めていたキャパシタンス補正量Cm、インダクタンス補正量Lmの値の組を対応させたテーブルを生成して第1の記憶部25に記憶させておく。ここで、上述のテーブルは、アプリケーションで必要かつ許容されるメモリサイズのテーブルとして用意される。これにより、インピーダンス整合装置2は、反射係数絶対値|Γ|に基づき、整合に必要なキャパシタンス補正量Cm及びインダクタンス補正量Lmを特定することができる。   Therefore, each impedance point Zin on the input impedance trajectory Tr is converted into the reflection coefficient absolute value | Γ | according to the equation (12), and the capacitance correction amount Cm obtained in advance according to the equation (11) for each value. Then, a table in which a set of values of the inductance correction amount Lm is associated is generated and stored in the first storage unit 25. Here, the above-described table is prepared as a table having a memory size necessary and permitted by the application. Thereby, the impedance matching device 2 can specify the capacitance correction amount Cm and the inductance correction amount Lm necessary for matching based on the reflection coefficient absolute value | Γ |.

図14(a)、(b)は、直径30cm、巻数5、巻線間ピッチ5mm、銅線太さ2mmの先端オープン型ヘリカルアンテナ(図2参照)用として作成した反射係数絶対値|Γ|と制御値Tcとの関係を示すマップ(グラフ)である。具体的には、図14(a)は、キャパシタンス補正量Cmと反射係数絶対値|Γ|との関係を示すグラフであり、図14(b)は、インダクタンス補正量Lmと反射係数絶対値|Γ|との関係を示すグラフである。この場合、共振周波数fは15.7MHzであり、整合目標のインピーダンスZは50Ωである。 14 (a) and 14 (b) show the reflection coefficient absolute value | Γ | prepared for a tip open type helical antenna (see FIG. 2) having a diameter of 30 cm, a winding number of 5, a winding pitch of 5 mm, and a copper wire thickness of 2 mm. Is a map (graph) showing the relationship between the control value and the control value Tc. Specifically, FIG. 14A is a graph showing the relationship between the capacitance correction amount Cm and the reflection coefficient absolute value | Γ |, and FIG. 14B shows the inductance correction amount Lm and the reflection coefficient absolute value |. It is a graph which shows the relationship with (GAMMA) |. In this case, the resonant frequency f is 15.7 MHz, and the matching target impedance Z 0 is 50Ω.

なお、インピーダンス整合装置2は、後述するように、図14(a)、(b)に示す値を元に、アプリケーションで必要な分解能で作成した量子化テーブルを第1の記憶部25に保持する。   As will be described later, the impedance matching device 2 holds, in the first storage unit 25, a quantization table created at a resolution required by the application based on the values shown in FIGS. 14 (a) and 14 (b). .

(第2の記憶部)
次に、第2の記憶部27に記憶させる反射係数絶対値|Γ|と制御値Tcとのテーブルの作成方法について説明する。第2の記憶部27は、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrがほぼ逆相の場合に使用される。
(Second storage unit)
Next, a method for creating a table of the reflection coefficient absolute value | Γ | and the control value Tc stored in the second storage unit 27 will be described. The second storage unit 27 is used when the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are substantially in reverse phase.

図15は、第2の記憶部27として記憶するテーブルの作成方法を模式的に示した図である。整合対象のインピーダンス点が図中の「Zin」にあるとする。インピーダンス点Zinは正規化レジスタンス「r=rin」の等レジスタンス円、正規化リアクタンス「x=xin」の等リアクタンス円に乗っている。まず、インピーダンス点Zinのポイントが存在する「r=rin」の等レジスタンス円と、正規化コンダクタンス「g=1」の等コンダクタンス円との交点「D」の座標(u、v)は、以下の式(13)に示すように表せられる。   FIG. 15 is a diagram schematically illustrating a method for creating a table stored as the second storage unit 27. Assume that the impedance point to be matched is at “Zin” in the figure. The impedance point Zin is on an equal resistance circle of normalized resistance “r = rin” and an equal reactance circle of normalized reactance “x = xin”. First, the coordinates (u, v) of the intersection “D” between the equal resistance circle of “r = rin” where the point of the impedance point Zin exists and the equal conductance circle of the normalized conductance “g = 1” are as follows: It can be expressed as shown in equation (13).

Figure 2012130061
Figure 2012130061

ここで、インピーダンス点Zinを、「r=rin」の等レジスタンス円に沿って交点「D」まで移動させるために必要な正規化リアクタンス補正量「Δx」、及び、交点Dのポイントを「g=1」の等コンダクタンス円に沿って中心点に移動させるために必要な正規化サセプタンス補正量「Δb」は、等サセプタンス円の理論式及び等リアクタンス円の理論式に基づき、式(14)に示すように表せられる。   Here, the normalized reactance correction amount “Δx” necessary for moving the impedance point Zin along the equal resistance circle of “r = rin” to the intersection “D”, and the point of the intersection D as “g = The normalized susceptance correction amount “Δb” required for moving to the center point along the isoconductance circle of “1” is expressed by the equation (14) based on the theoretical equation of the isosusceptance circle and the theoretical equation of the isoreactance circle. It can be expressed as follows.

Figure 2012130061
Figure 2012130061

式(14)に示すように、正規化リアクタンス補正量Δxは、インピーダンス点Zinの正規化リアクタンスxinが減算されることでわずかなカーブの分が調整されている。なお、正規化サセプタンス補正量Δbは、上述したサセプタンス補正量Dに相当し、正規化リアクタンス補正量Δxは、上述したリアクタンス補正量Cに相当する。   As shown in Expression (14), the normalized reactance correction amount Δx is adjusted by a slight curve by subtracting the normalized reactance xin of the impedance point Zin. The normalized susceptance correction amount Δb corresponds to the susceptance correction amount D described above, and the normalized reactance correction amount Δx corresponds to the reactance correction amount C described above.

最後に、求められた各補正量を実際のインダクタンス補正量Lm及びキャパシタンス補正量Cmを表した式(15)を以下に示す。この際に使用する変数「f」は駆動周波数(単位はHz)、「Z」は整合目標のインピーダンス値を示す。 Finally, the equation (15) representing the actual inductance correction amount Lm and the capacitance correction amount Cm for the obtained correction amounts is shown below. The variable “f” used at this time is the drive frequency (unit: Hz), and “Z 0 ” is the impedance value of the matching target.

Figure 2012130061
Figure 2012130061

従って、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrがほぼ同相の場合と同様に、各インピーダンス点Zinを式(15)に従って反射係数絶対値|Γ|に変換し、その各々の値に対して、予め式(15)に従って求めていたインダクタンス補正量Lm及びキャパシタンス補正量Cmの組を対応させたテーブルを第2の記憶部27に記憶しておく。このテーブルは、アプリケーションで必要かつ許容されるメモリサイズのテーブルとして用意される。これにより、インピーダンス整合装置2は、反射係数絶対値|Γ|に基づき、インピーダンス整合に必要なキャパシタンス補正量Cm及びインダクタンス補正量Lmを特定することができる。   Accordingly, as in the case where the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are substantially in phase, each impedance point Zin is converted into a reflection coefficient absolute value | Γ | according to the equation (15), A table in which the set of the inductance correction amount Lm and the capacitance correction amount Cm obtained according to the equation (15) is associated is stored in the second storage unit 27. This table is prepared as a table having a memory size required and allowed by the application. Thereby, the impedance matching device 2 can specify the capacitance correction amount Cm and the inductance correction amount Lm necessary for impedance matching based on the reflection coefficient absolute value | Γ |.

図16(a)、(b)は、直径30cm、巻数5、巻線間ピッチ5mm、銅線太さ2mmの先端オープン型ヘリカルアンテナ(図2参照)用として作成した反射係数絶対値|Γ|と制御値Tcとの関係を示すマップ(グラフ)である。この場合、共振周波数fは15.7MHzであり、整合目標のインピーダンスZは50Ωである。 FIGS. 16 (a) and 16 (b) show the reflection coefficient absolute value | Γ | prepared for a tip open type helical antenna (see FIG. 2) having a diameter of 30 cm, a number of turns of 5, a pitch between windings of 5 mm, and a copper wire thickness of 2 mm. Is a map (graph) showing the relationship between the control value and the control value Tc. In this case, the resonant frequency f is 15.7 MHz, and the matching target impedance Z 0 is 50Ω.

なお、インピーダンス整合装置2は、後述するように、図16(a)、(b)に示す値を元に、アプリケーションで必要な分解能で作成した量子化テーブルを第2の記憶部27に記憶する。   As will be described later, the impedance matching device 2 stores, in the second storage unit 27, a quantization table created at a resolution required by the application based on the values shown in FIGS. 16 (a) and 16 (b). .

[量子化テーブルの作成方法]
次に、図14、図16に示すグラフから実際に記憶部としてインピーダンス整合装置2が記憶する量子化テーブルを作成する方法について具体的に説明する。
[How to create a quantization table]
Next, a method of creating a quantization table that is actually stored in the impedance matching device 2 as a storage unit from the graphs shown in FIGS. 14 and 16 will be specifically described.

図14及び図16に示した各制御値Tcを示すグラフは、連続値となっている。しかし、現実的には、インピーダンス整合装置2は、これらのグラフを、アプリケーションで必要なサイズとなるように量子化をしたテーブルを保持する必要がある。ここで、「量子化」とは、ある範囲の反射係数絶対値|Γ|に対し、同じインダクタンス補正量Lm及びキャパシタンス補正値Cmが使用される反射係数絶対値|Γ|の範囲(値域)を区切ること、及び、区切られた反射係数絶対値|Γ|の各値域で使用するインダクタンス補正量Lm及びキャパシタンス補正値Cmの代表値(「量子化代表値」とも呼ぶ。)を決めることを指す。以後では、上述の反射係数絶対値|Γ|の各範囲(値域)の境界を「量子化境界」と呼ぶ。量子化は反復処理を用いて実行される。概略的には、量子化は、量子化境界付近においても反射係数絶対値|Γ|が予め設定された閾値|Γ|thr以下となるように、量子化境界と量子化代表値を交互に求めることで実行される。   The graphs showing the control values Tc shown in FIGS. 14 and 16 are continuous values. However, in reality, the impedance matching device 2 needs to hold a table obtained by quantizing these graphs so as to have a size necessary for an application. Here, “quantization” means the range (value range) of the reflection coefficient absolute value | Γ | in which the same inductance correction amount Lm and capacitance correction value Cm are used for a certain range of reflection coefficient absolute value | Γ |. Determining and determining representative values (also referred to as “quantized representative values”) of the inductance correction amount Lm and the capacitance correction value Cm used in each value range of the divided reflection coefficient absolute value | Γ |. Hereinafter, the boundary of each range (value range) of the above-described reflection coefficient absolute value | Γ | is referred to as a “quantization boundary”. Quantization is performed using iterative processing. Schematically, in the quantization, the quantization boundary and the quantization representative value are alternately obtained so that the reflection coefficient absolute value | Γ | is equal to or less than a preset threshold value | Γ | thr even in the vicinity of the quantization boundary. To be executed.

ここで、制御値Tcの量子化処理の入力として、反射係数絶対値|Γ|に対応した連続量と見なせる程度に精度が高いキャパシタンス補正量Cm及びインダクタンス補正量Lmからなるテーブルを考える。このテーブルは元々、結合係数kを変化させることによって得られた入力インピーダンス軌跡Tr上で求められたものであり、テーブルの各行には対応する結合係数kが存在する。この結合係数kを変えることで入力インピーダンス軌跡Tr上を移動させるようにする。   Here, as an input for the quantization processing of the control value Tc, consider a table composed of a capacitance correction amount Cm and an inductance correction amount Lm that are so accurate that they can be regarded as a continuous amount corresponding to the reflection coefficient absolute value | Γ |. This table is originally obtained on the input impedance trajectory Tr obtained by changing the coupling coefficient k, and a corresponding coupling coefficient k exists in each row of the table. By changing the coupling coefficient k, the input impedance trajectory Tr is moved.

進行波電圧Vfと反射波電圧Vrが同相の場合に参照されるテーブル(第1の記憶部25)の生成時では結合係数kを微増させ、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrが逆相の場合に参照されるテーブル(第2の記憶部27)の生成時では結合係数kを微減して整合状態を故意に悪化させ、反射係数絶対値|Γ|の増加状況を観測する。そして、反射係数絶対値|Γ|が予め設定された所定の閾値|Γ|thrを超えたかどうかを判断基準として、量子化境界と量子化代表値の設定を交互に行う。   When generating the table (first storage unit 25) referred to when the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are in phase, the coupling coefficient k is slightly increased, and the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are in opposite phases. At the time of generating the table (second storage unit 27) to be referred to in this case, the coupling coefficient k is slightly reduced to intentionally deteriorate the matching state, and the increase state of the reflection coefficient absolute value | Γ | is observed. Then, the quantization boundary and the quantization representative value are alternately set based on whether or not the reflection coefficient absolute value | Γ | exceeds a predetermined threshold value | Γ | thr.

以下に具体的な処理手順を示す手順1〜手順11を述べる。なお、以下では、「結合係数kを更新する」とは、第1の記憶部25を生成する場合には、結合係数kに所定値だけ加算することを指し、第2の記憶部27を生成する場合には、結合係数kに所定値だけ減算することを指す。
(1)初期化
・手順1:スイッチ部32がスルー回路31を選択した状態で整合ポイントとなるように結合係数kを設定する。キャパシタンス補正量Cm及びインダクタンス補正量Lmをそれぞれ0に設定する。以下を反復処理する。
(2)量子化境界を求める処理
・手順2:現在の結合係数kにおける入力インピーダンスを計算する。
Procedures 1 to 11 showing specific processing procedures will be described below. In the following, “updating the coupling coefficient k” refers to adding a predetermined value to the coupling coefficient k when generating the first storage unit 25, and generating the second storage unit 27. In this case, it means to subtract a predetermined value from the coupling coefficient k.
(1) Initialization Procedure 1: The coupling coefficient k is set so that it becomes a matching point in a state where the switch unit 32 selects the through circuit 31. The capacitance correction amount Cm and the inductance correction amount Lm are set to 0, respectively. Iterate the following:
(2) Processing for obtaining quantization boundary Procedure 2: Calculate the input impedance at the current coupling coefficient k.

・手順3:手順2で求めた入力インピーダンスに整合回路(Cm、Lmの初期値は0)を追加した場合のインピーダンス値を計算する。   Procedure 3: Calculate an impedance value when a matching circuit (the initial values of Cm and Lm are 0) is added to the input impedance obtained in Procedure 2.

・手順4:手順3で求めたインピーダンス値から反射係数絶対値|Γ|を算出する。   Procedure 4: The reflection coefficient absolute value | Γ | is calculated from the impedance value obtained in Procedure 3.

・手順5:反射係数絶対値|Γ|が閾値|Γ|thrを超えたか調べる。超えていない場合は、結合係数kを更新して手順2に戻る。超えている場合は、現在の結合係数k及びこれに対応する反射係数絶対値|Γ|を量子化境界として保存して手順6に進む。
(3)量子化代表値を求める処理
・手順6:結合係数kを直前に手順2〜5で求められた量子化境界の値に設定する。また、このときの入力インピーダンスを計算する。
Procedure 5: Check whether the reflection coefficient absolute value | Γ | exceeds a threshold value | Γ | thr. If not, the coupling coefficient k is updated and the procedure returns to step 2. If exceeded, the current coupling coefficient k and the corresponding reflection coefficient absolute value | Γ | are stored as quantization boundaries, and the process proceeds to step 6.
(3) Processing for obtaining quantized representative value Procedure 6: The coupling coefficient k is set to the value of the quantization boundary obtained in the procedures 2 to 5 immediately before. Also, the input impedance at this time is calculated.

・手順7:結合係数kを更新し、その値に対応するキャパシタンス補正量Cm及びインダクタンス補正量Lmをセットする。   Procedure 7: The coupling coefficient k is updated, and the capacitance correction amount Cm and the inductance correction amount Lm corresponding to the values are set.

・手順8:手順6で求めた入力インピーダンスに手順7でセットしたキャパシタンス補正量Cm及びインダクタンス補正量Lmを追加したときのインピーダンス値を計算する。   Step 8: Calculate the impedance value when the capacitance correction amount Cm and the inductance correction amount Lm set in step 7 are added to the input impedance obtained in step 6.

・手順9:手順8で求めたインピーダンス値から反射係数絶対値|Γ|を算出する。   Procedure 9: Calculate the reflection coefficient absolute value | Γ | from the impedance value obtained in Procedure 8.

・手順10:反射係数絶対値|Γ|が閾値|Γ|thrを超えたか否か調べる。超えていない場合は、結合係数kを更新して手順7に戻る。超えている場合は、現在の結合係数k及び現在のキャパシタンス補正量Cm及びインダクタンス補正量Lmを量子化代表値として保存する。終了確認処理(手順11)に進む。
(4)終了確認処理
・手順11:結合係数kが予め定められた所定の終了値に達していたら全ての処理を終了する。まだ達していない場合は、再び手順2に戻って反復処理を行う。
Procedure 10: Check whether the reflection coefficient absolute value | Γ | exceeds a threshold value | Γ | thr. If not, the coupling coefficient k is updated and the procedure returns to step 7. If it exceeds, the current coupling coefficient k, the current capacitance correction amount Cm, and the inductance correction amount Lm are stored as quantized representative values. Proceed to the end confirmation process (procedure 11).
(4) Completion confirmation process Procedure 11: If the coupling coefficient k has reached a predetermined end value, all processes are terminated. If it has not yet reached, the process returns to step 2 again to perform iterative processing.

次に、上述の手順1〜手順11によって生成された第1の記憶部25に記憶するテーブルの具体例について説明する。なお、以後では、閾値|Γ|thrは0.0707に設定される。この場合、量子化境界での反射による損失(|Γ|に相当する。)は、0.5%である。 Next, a specific example of a table stored in the first storage unit 25 generated by the above-described procedure 1 to procedure 11 will be described. Hereinafter, the threshold value | Γ | thr is set to 0.0707. In this case, the loss due to reflection at the quantization boundary (corresponding to | Γ | 2 ) is 0.5%.

図17(a)は、量子化前のキャパシタンス補正量Cmの推移を示すグラフ「Gcm1」、及び、量子化後のキャパシタンス補正量Cmの推移を示すグラフ「Qcm1」を示す。また、図17(b)は、量子化前のインダクタンス補正量Lmの推移を示すグラフ「Glm1」、及び、量子化後のインダクタンス補正量Lmの推移を示すグラフ「Qlm1」を示す。図17(a)、(b)に示すように、キャパシタンス補正量Cm及びインダクタンス補正量Lmは、反射係数絶対値|Γ|が大きくなるほど、これらの量子化間隔(即ち、量子化境界の間隔)が小さくように量子化されている。   FIG. 17A shows a graph “Gcm1” indicating the transition of the capacitance correction amount Cm before quantization and a graph “Qcm1” indicating the transition of the capacitance correction amount Cm after quantization. FIG. 17B shows a graph “Glm1” indicating the transition of the inductance correction amount Lm before quantization and a graph “Qlm1” indicating the transition of the inductance correction amount Lm after quantization. As shown in FIGS. 17A and 17B, the capacitance correction amount Cm and the inductance correction amount Lm are such that the quantization interval (that is, the interval between the quantization boundaries) increases as the reflection coefficient absolute value | Γ | increases. Quantized to be small.

図18は、実際に第1の記憶部25に保持されるテーブルの一例を示す。図18に示すテーブルでは、行ごとに反射係数絶対値|Γ|の量子化境界の下限値と、結合係数kの量子化境界の下限値と、キャパシタンス補正量Cmと、インダクタンス補正量Lmとが対応づけられている。また、反射係数絶対値|Γ|の各値域には、インデックスIdxが「0」から「12」まで割当てられている。ここで、反射係数絶対値|Γ|の量子化境界の上限値、及び、結合係数kの量子化境界の上限値は、1だけ小さいインデックスIdxに対応する反射係数絶対値|Γ|の量子化境界の下限値、及び、結合係数kの量子化境界の下限値に基づき定められる。図18に示すように、インデックスIdxは、結合係数kが大きいほど大きい値が割り当てられている。なお、第1の記憶部25は、必ずしも結合係数kの値を記憶しなくともよい。   FIG. 18 illustrates an example of a table actually held in the first storage unit 25. In the table shown in FIG. 18, the lower limit value of the quantization boundary of the reflection coefficient absolute value | Γ |, the lower limit value of the quantization boundary of the coupling coefficient k, the capacitance correction amount Cm, and the inductance correction amount Lm for each row. It is associated. Also, an index Idx from “0” to “12” is assigned to each value range of the reflection coefficient absolute value | Γ |. Here, the upper limit value of the quantization boundary of the reflection coefficient absolute value | Γ | and the upper limit value of the quantization boundary of the coupling coefficient k are the quantization of the reflection coefficient absolute value | Γ | corresponding to the index Idx that is smaller by one. It is determined based on the lower limit value of the boundary and the lower limit value of the quantization boundary of the coupling coefficient k. As shown in FIG. 18, the index Idx is assigned a larger value as the coupling coefficient k is larger. In addition, the 1st memory | storage part 25 does not necessarily need to memorize | store the value of the coupling coefficient k.

次に、上述の手順1〜手順11によって生成された第2の記憶部27の具体例について説明する。   Next, a specific example of the second storage unit 27 generated by the above-described procedure 1 to procedure 11 will be described.

図19(a)は、量子化前のインダクタンス補正量Lmの推移を示すグラフ「Glm2」、及び、量子化後のインダクタンス補正量Lmの推移を示すグラフ「Qlm2」を示す。また、図19(b)は、量子化前のキャパシタンス補正量Cmの推移を示すグラフ「Gcm2」、及び、量子化後のキャパシタンス補正量Cmの推移を示すグラフ「Qcm2」を示す。図19(a)、(b)に示すように、キャパシタンス補正量Cm及びインダクタンス補正量Lmは、反射係数絶対値|Γ|が大きくなるほど、これらの量子化間隔が小さくように量子化されている。   FIG. 19A shows a graph “Glm2” showing the transition of the inductance correction amount Lm before quantization and a graph “Qlm2” showing the transition of the inductance correction amount Lm after quantization. FIG. 19B shows a graph “Gcm2” showing the transition of the capacitance correction amount Cm before quantization and a graph “Qcm2” showing the transition of the capacitance correction amount Cm after quantization. As shown in FIGS. 19A and 19B, the capacitance correction amount Cm and the inductance correction amount Lm are quantized so that the quantization interval decreases as the reflection coefficient absolute value | Γ | increases. .

図20は、実際に第2の記憶部27としてインピーダンス整合装置2に保持されるテーブルの一例を示す。図20に示すテーブルでは、行ごとに反射係数絶対値|Γ|の量子化境界の下限値と、結合係数kの量子化境界の下限値と、キャパシタンス補正量Cmと、インダクタンス補正量Lmとが対応づけられている。また、反射係数絶対値|Γ|の各値域には、インデックスIdxが「−1」から「−12」まで割当てられている。ここで、反射係数絶対値|Γ|の量子化境界の上限値、及び、結合係数kの量子化境界の上限値は、1だけ小さいインデックスIdxに対応する反射係数絶対値|Γ|の量子化境界の下限値、及び、結合係数kの量子化境界の下限値に基づき定められる。図20に示すように、インデックスIdxは、図18と同様、結合係数kが大きいほど大きい値が割り当てられている。さらに、インデックスIdxは、図18、図20を通して、「−12」から「12」までの連番が付され、結合係数kが大きいほど大きい値が割り当てられている。なお、第2の記憶部27は、必ずしも結合係数kの値を記憶しなくともよい。   FIG. 20 shows an example of a table actually held in the impedance matching device 2 as the second storage unit 27. In the table shown in FIG. 20, the lower limit value of the quantization boundary of the reflection coefficient absolute value | Γ |, the lower limit value of the quantization boundary of the coupling coefficient k, the capacitance correction amount Cm, and the inductance correction amount Lm for each row. It is associated. Also, an index Idx from “−1” to “−12” is assigned to each value range of the reflection coefficient absolute value | Γ |. Here, the upper limit value of the quantization boundary of the reflection coefficient absolute value | Γ | and the upper limit value of the quantization boundary of the coupling coefficient k are the quantization of the reflection coefficient absolute value | Γ | corresponding to the index Idx that is smaller by one. It is determined based on the lower limit value of the boundary and the lower limit value of the quantization boundary of the coupling coefficient k. As shown in FIG. 20, the index Idx is assigned a larger value as the coupling coefficient k is larger, as in FIG. Further, the index Idx is assigned serial numbers from “−12” to “12” through FIGS. 18 and 20, and a larger value is assigned as the coupling coefficient k is larger. Note that the second storage unit 27 does not necessarily store the value of the coupling coefficient k.

[第2インピーダンス整合]
次に、整合後状態にインピーダンス整合装置2が実行する第2インピーダンス整合について具体的に説明する。概略的には、インピーダンス整合装置2は、整合後状態では、反射係数絶対値|Γ|を所定の周期ごとに検出し、反射係数絶対値|Γ|が閾値|Γ|thrより大きくなったか否か監視する。そして、インピーダンス整合装置2は、反射係数絶対値|Γ|が閾値|Γ|thrより大きくなった場合、反射波電圧Vrの位相が進行波電圧Vfの位相よりも遅れているか又は進んでいるかに基づき読み出し方向Didxを決定する。ここで、インピーダンス整合装置2は、後述するように、進行波電圧Vfの位相よりも反射波電圧Vrの位相の方が遅れている場合には、整合状態から送受信アンテナの結合が強くなる方向に整合がずれていると判断し、インデックスIdxが大きくなる方向に読み出し方向Didxを定める。一方、インピーダンス整合装置2は、進行波電圧Vfの位相よりも反射波電圧Vrの位相の方が進んでいる場合には、整合状態から送受信アンテナの結合が弱くなる方向に整合がずれていると判断し、インデックスIdxが小さくなる方向に読み出し方向Didxを定める。
[Second impedance matching]
Next, the second impedance matching performed by the impedance matching device 2 in the post-matching state will be specifically described. Schematically, the impedance matching device 2 detects the reflection coefficient absolute value | Γ | at every predetermined period in the post-matching state, and whether or not the reflection coefficient absolute value | Γ | is larger than the threshold value | Γ | thr. To monitor. When the reflection coefficient absolute value | Γ | becomes larger than the threshold value | Γ | thr, the impedance matching device 2 determines whether the phase of the reflected wave voltage Vr is delayed or advanced from the phase of the traveling wave voltage Vf. Based on this, the reading direction Didx is determined. Here, as will be described later, when the phase of the reflected wave voltage Vr lags behind the phase of the traveling wave voltage Vf, the impedance matching device 2 moves in a direction in which the coupling of the transmitting and receiving antennas becomes stronger from the matching state. It is determined that the alignment is shifted, and the reading direction Didx is determined in the direction in which the index Idx increases. On the other hand, when the phase of the reflected wave voltage Vr is more advanced than the phase of the traveling wave voltage Vf, the impedance matching device 2 indicates that the matching is shifted from the matching state in a direction in which the coupling of the transmission / reception antenna is weakened. Judgment is made, and the reading direction Didx is determined in the direction in which the index Idx decreases.

以下、送受信アンテナの結合が強くなる方向に整合がずれていく場合と、送受信アンテナの結合が弱くなる方向に整合がずれていく場合とに場合分けして説明する。   Hereinafter, the case where the matching is shifted in the direction in which the coupling of the transmission / reception antenna becomes strong and the case where the matching is shifted in the direction in which the coupling of the transmission / reception antenna becomes weak will be described separately.

(結合が強くなる方向に整合がずれていく場合)
まず、送受信アンテナの結合が強くなる方向に整合がずれて行く場合、即ち、結合係数kが増加する方向に送受信アンテナの状態が変化する場合について説明する。
(When the alignment shifts in the direction of strong coupling)
First, the case where the alignment is shifted in the direction in which the coupling of the transmission / reception antenna becomes stronger, that is, the case where the state of the transmission / reception antenna changes in the direction in which the coupling coefficient k increases will be described.

図21(a)は、結合係数kが0.1のときに第1インピーダンス整合により送信システム100が整合状態となり、その後、結合係数kが0.12〜0.3と増加した場合の進行波電圧Vfと各反射波電圧Vrの波形を示す。具体的には、グラフ「Gvr10」は、結合係数kが0.1の場合、即ち整合状態の場合に相当し、グラフ「Gvr11」は、結合係数kが0.12の場合に相当し、グラフ「Gvr12」は、結合係数kが0.15の場合に相当し、グラフ「Gvr13」は、結合係数kが0.2の場合に相当し、グラフ「Gvr14」は、結合係数kが0.3の場合に相当する。また、図21(b)は、結合係数kが0.055のときに第1インピーダンス整合により送信システム100が整合状態となり、その後、結合係数kが0.06〜0.10と増加した場合の進行波電圧Vfと各反射波電圧Vrの波形を示す。具体的には、グラフ「Gvr15」は、結合係数kが0.055の場合、即ち、整合状態の場合に相当し、グラフ「Gvr16」は、結合係数kが0.06の場合に相当し、グラフ「Gvr17」は、結合係数kが0.07の場合に相当し、グラフ「Gvr18」は、結合係数kが0.08の場合に相当し、グラフ「Gvr19」は、結合係数kが0.10の場合に相当する。   FIG. 21A illustrates a traveling wave when the transmission system 100 is in a matching state by the first impedance matching when the coupling coefficient k is 0.1, and then the coupling coefficient k increases to 0.12 to 0.3. The waveform of the voltage Vf and each reflected wave voltage Vr is shown. Specifically, the graph “Gvr10” corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.1, that is, the matching state, and the graph “Gvr11” corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.12. “Gvr12” corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.15, the graph “Gvr13” corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.2, and the graph “Gvr14” has a coupling coefficient k of 0.3. This corresponds to the case. FIG. 21B shows a case where the transmission system 100 is in a matching state by the first impedance matching when the coupling coefficient k is 0.055, and then the coupling coefficient k increases from 0.06 to 0.10. The waveforms of the traveling wave voltage Vf and each reflected wave voltage Vr are shown. Specifically, the graph “Gvr15” corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.055, that is, the matching state, and the graph “Gvr16” corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.06. The graph “Gvr17” corresponds to a case where the coupling coefficient k is 0.07, the graph “Gvr18” corresponds to a case where the coupling coefficient k is 0.08, and the graph “Gvr19” has a coupling coefficient k of 0. This corresponds to the case of 10.

ここで、図21(a)に示すグラフGvr10は、第1インピーダンス整合の実行時のインピーダンス点が破線枠WR内の入力インピーダンス軌跡Tr上にあった場合に相当する。一方、図21(b)に示すグラフGvr15は、第1インピーダンス整合の実行時のインピーダンス点が破線枠WL内の入力インピーダンス軌跡Tr上にあった場合に相当する。そして、これらの場合のいずれも、結合が強くなる方向に整合がずれて行く場合には、進行波電圧Vfの位相より反射波電圧Vrの位相の方が遅れている(グラフGvr11〜Gvr14及びグラフGvr16〜Gvr19参照)。なお、反射波電圧Vrの位相の遅れる度合いは、第1インピーダンス整合の実行直前のインピーダンス点により一意に定まる。具体的には、反射波電圧Vrの位相の遅れる度合いは、スミスチャートの中心点である整合ポイントに近いインピーダンス点であるほど、小さくなる。   Here, the graph Gvr10 illustrated in FIG. 21A corresponds to the case where the impedance point at the time of executing the first impedance matching is on the input impedance locus Tr in the broken line frame WR. On the other hand, the graph Gvr15 shown in FIG. 21B corresponds to the case where the impedance point at the time of executing the first impedance matching is on the input impedance locus Tr in the broken line frame WL. In any of these cases, when the alignment shifts in the direction in which the coupling becomes stronger, the phase of the reflected wave voltage Vr is delayed from the phase of the traveling wave voltage Vf (the graphs Gvr11 to Gvr14 and the graph). Gvr16-Gvr19). Note that the degree of the phase delay of the reflected wave voltage Vr is uniquely determined by the impedance point immediately before the execution of the first impedance matching. Specifically, the degree of the phase delay of the reflected wave voltage Vr becomes smaller as the impedance point is closer to the matching point that is the center point of the Smith chart.

また、図21(a)、(b)に示すように、整合状態の結合係数kから離れた結合係数kの場合ほど、即ち、結合係数kの増大に起因して整合状態からのずれが大きくなるほど、反射波電圧Vrのレベルが大きくなる。また、式(1)から、反射波電圧Vrのレベル(絶対値)が大きいほど、反射係数絶対値|Γ|は大きくなる。従って、反射係数絶対値|Γ|が大きいほど整合状態からのずれが大きいため、調整ステップ幅決定部29は、この場合、ステップ幅Widxを大きく設定する必要がある。   Further, as shown in FIGS. 21A and 21B, the deviation from the matching state is larger as the coupling coefficient k is farther from the matching state coupling coefficient k, that is, due to the increase in the coupling coefficient k. As it is, the level of the reflected wave voltage Vr increases. Also, from equation (1), the reflection coefficient absolute value | Γ | increases as the level (absolute value) of the reflected wave voltage Vr increases. Therefore, the larger the reflection coefficient absolute value | Γ | is, the larger the deviation from the alignment state is. Therefore, in this case, the adjustment step width determining unit 29 needs to set the step width Widx to be larger.

以上を勘案し、インピーダンス整合装置2は、送信システム100が整合後状態になった後、反射係数絶対値|Γ|を監視することで整合状態の悪化の有無を判断する。そして、インピーダンス整合装置2は、反射係数絶対値|Γ|が増大し、かつ、反射波電圧Vrの位相が進行波電圧Vfの位相より遅れた状態であると判断した場合、送受信アンテナ間の結合が強くなる方向に整合がずれていると特定する。即ち、この場合、調整方向決定部28は、現在使用している制御値Tcに相当するインデックスIdxから、結合係数kが大きくなる方向、図18、図20ではインデックスIdxが大きくなる方向を、読み出し方向Didxとして定める。また、好適には、調整ステップ幅決定部29は、整合状態からの反射係数絶対値|Γ|の変化幅が大きいほど、ステップ幅Widxを大きくする。これにより、インピーダンス整合装置2は、迅速に送信システム100を再び整合状態に移行させることができる。調整ステップ幅決定部29によるステップ幅Widxの決定方法の詳細は、[ステップ幅決定方法]のセクションで後述する。なお、調整ステップ幅決定部29は、上述の説明に代えて、反射係数絶対値|Γ|によらず、ステップ幅Widxを常に予め定めた所定値(例えば「1」)に定めてもよい。   Considering the above, the impedance matching apparatus 2 determines whether or not the matching state is deteriorated by monitoring the reflection coefficient absolute value | Γ | after the transmission system 100 is in the after-matching state. When the impedance matching device 2 determines that the reflection coefficient absolute value | Γ | is increased and the phase of the reflected wave voltage Vr is delayed from the phase of the traveling wave voltage Vf, the impedance matching device 2 is coupled between the transmitting and receiving antennas. It is specified that the alignment is shifted in the direction in which the intensity increases. That is, in this case, the adjustment direction determination unit 28 reads out the direction in which the coupling coefficient k increases from the index Idx corresponding to the control value Tc currently used, and the direction in which the index Idx increases in FIGS. Determined as direction Didx. Preferably, the adjustment step width determination unit 29 increases the step width Widx as the change width of the reflection coefficient absolute value | Γ | from the matching state increases. As a result, the impedance matching device 2 can quickly shift the transmission system 100 to the matching state again. Details of the method for determining the step width Widx by the adjustment step width determination unit 29 will be described later in the section [Step Width Determination Method]. Instead of the above description, the adjustment step width determination unit 29 may always set the step width Widx to a predetermined value (for example, “1”) regardless of the reflection coefficient absolute value | Γ |.

(結合が弱くなる方向に整合がずれていく場合)
次に、送受信アンテナの結合が弱くなる方向に整合がずれて行く場合、即ち、結合係数kが減少する方向に送受信アンテナの状態が変化する場合について説明する。
(When the alignment is shifted in the direction of weakening)
Next, a case where the matching is shifted in a direction in which the coupling of the transmission / reception antenna becomes weak, that is, a case where the state of the transmission / reception antenna changes in a direction in which the coupling coefficient k decreases will be described.

図22(a)は、結合係数kが0.1のときに第1インピーダンス整合により送信システム100が整合状態となり、その後、結合係数kが0.05〜0.09と減少した場合の進行波電圧Vfと各反射波電圧Vrの波形を示す。具体的には、グラフ「Gvr10」は、図21(a)と同様、結合係数kが0.1の場合、即ち整合状態の場合に相当し、グラフ「Gvr21」は、結合係数kが0.09の場合に相当し、グラフ「Gvr22」は、結合係数kが0.08の場合に相当し、グラフ「Gvr23」は、結合係数kが0.07の場合に相当し、グラフ「Gvr24」は、結合係数kが0.06の場合に相当し、グラフ「Gvr25」は、結合係数kが0.05の場合に相当する。また、図22(b)は、結合係数kが0.055のときに第1インピーダンス整合により送信システム100が整合状態となり、その後、結合係数kが0.02〜0.05と減少した場合の進行波電圧Vfと各反射波電圧Vrの波形を示す。具体的には、グラフ「Gvr15」は、図21(b)と同様、結合係数kが0.055の場合、即ち、整合状態の場合に相当し、グラフ「Gvr26」は、結合係数kが0.05の場合に相当し、グラフ「Gvr27」は、結合係数kが0.04の場合に相当し、グラフ「Gvr28」は、結合係数kが0.03の場合に相当し、グラフ「Gvr29」は、結合係数kが0.02の場合に相当する。   FIG. 22A shows a traveling wave when the transmission system 100 is in a matching state by the first impedance matching when the coupling coefficient k is 0.1, and then the coupling coefficient k is decreased to 0.05 to 0.09. The waveform of the voltage Vf and each reflected wave voltage Vr is shown. Specifically, the graph “Gvr10” corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.1, that is, the matching state, as in FIG. 21A, and the graph “Gvr21” has the coupling coefficient k of 0. The graph “Gvr22” corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.08, the graph “Gvr23” corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.07, and the graph “Gvr24” This corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.06, and the graph “Gvr25” corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.05. FIG. 22B shows a case where the transmission system 100 is in a matching state by the first impedance matching when the coupling coefficient k is 0.055, and then the coupling coefficient k is decreased to 0.02 to 0.05. The waveforms of the traveling wave voltage Vf and each reflected wave voltage Vr are shown. Specifically, the graph “Gvr15” corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.055, that is, the matching state, as in FIG. 21B, and the graph “Gvr26” has the coupling coefficient k of 0. .05, the graph “Gvr27” corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.04, the graph “Gvr28” corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.03, and the graph “Gvr29”. Corresponds to the case where the coupling coefficient k is 0.02.

ここで、図22(a)に示すグラフGvr10は、第1インピーダンス整合の実行時のインピーダンス点が破線枠WR内の入力インピーダンス軌跡Tr上にあった場合に相当する。図22(b)に示すグラフGvr15は、第1インピーダンス整合の実行時のインピーダンス点が破線枠WL内の入力インピーダンス軌跡Tr上にあった場合に相当する。これらの場合のいずれも、結合が弱くなる方向に整合がずれて行く場合には、進行波電圧Vfの位相より反射波電圧Vrの位相の方が進んでいる(グラフGvr21〜Gvr29参照)。なお、反射波電圧Vrの位相が進む度合いは、第1インピーダンス整合の実行直前のインピーダンス点により一意に定まる。具体的には、反射波電圧Vrの位相が進む度合いは、スミスチャートの中心点である整合ポイントに近いインピーダンス点であるほど、大きくなる。   Here, the graph Gvr10 illustrated in FIG. 22A corresponds to the case where the impedance point at the time of executing the first impedance matching is on the input impedance locus Tr in the broken line frame WR. A graph Gvr15 shown in FIG. 22B corresponds to the case where the impedance point at the time of executing the first impedance matching is on the input impedance locus Tr in the broken line frame WL. In any of these cases, when the matching is shifted in the direction in which the coupling becomes weaker, the phase of the reflected wave voltage Vr is more advanced than the phase of the traveling wave voltage Vf (see graphs Gvr21 to Gvr29). Note that the degree of advance of the phase of the reflected wave voltage Vr is uniquely determined by the impedance point immediately before the execution of the first impedance matching. Specifically, the degree to which the phase of the reflected wave voltage Vr advances increases as the impedance point is closer to the matching point, which is the center point of the Smith chart.

また、図22(a)、(b)に示すように、整合状態の結合係数kから離れた結合係数kの場合ほど、即ち、結合係数kの増大に起因して整合状態からのずれが大きくなるほど、反射波電圧Vrのレベルが大きくなる。また、式(1)から、反射波電圧Vrのレベルが大きいほど、反射係数絶対値|Γ|は大きくなる。従って、反射波係数絶対値|Γ|が大きいほど整合状態からのずれが大きいことから、調整ステップ幅決定部29は、この場合ステップ幅Widxを大きく設定する必要がある。   Further, as shown in FIGS. 22A and 22B, the deviation from the matching state becomes larger as the coupling coefficient k is farther from the matching state coupling coefficient k, that is, due to the increase in the coupling coefficient k. As it is, the level of the reflected wave voltage Vr increases. Also, from equation (1), the reflection coefficient absolute value | Γ | increases as the level of the reflected wave voltage Vr increases. Therefore, the larger the reflected wave coefficient absolute value | Γ | is, the larger the deviation from the matching state is. Therefore, in this case, the adjustment step width determining unit 29 needs to set the step width Widx to be larger.

以上を勘案し、インピーダンス整合装置2は、送信システム100が整合後状態になった後、反射係数絶対値|Γ|を監視することで整合状態の悪化の有無を判断する。そして、インピーダンス整合装置2は、反射係数絶対値|Γ|が増大し、かつ、反射波電圧Vrの位相が進行波電圧Vfの位相より進んだ状態であると判断した場合、送受信アンテナ間の結合が弱まる方向に整合がずれていると特定することができる。即ち、この場合、調整方向決定部28は、第1インピーダンス整合の実行時に選択したインデックスIdxから、結合係数kが小さくなる方向、図18、図20ではインデックスIdxが大きくなる方向を、読み出し方向Didxとして定めることができる。また、好適には、調整ステップ幅決定部29は、整合状態からの反射係数絶対値|Γ|の変化幅が大きいほど、ステップ幅Widxを大きくする。これにより、インピーダンス整合装置2は、迅速に送信システム100を再び整合状態に移行させることができる。なお、調整ステップ幅決定部29は、上述の説明に代えて、反射係数絶対値|Γ|によらず、ステップ幅Widxを常に予め定めた所定値に定めてもよい。   Considering the above, the impedance matching apparatus 2 determines whether or not the matching state is deteriorated by monitoring the reflection coefficient absolute value | Γ | after the transmission system 100 is in the after-matching state. When the impedance matching device 2 determines that the reflection coefficient absolute value | Γ | is increased and the phase of the reflected wave voltage Vr is advanced from the phase of the traveling wave voltage Vf, the impedance matching device 2 is coupled between the transmitting and receiving antennas. It can be specified that the alignment is shifted in the direction in which the weakening occurs. That is, in this case, the adjustment direction determination unit 28 determines the direction in which the coupling coefficient k decreases from the index Idx selected when the first impedance matching is executed, the direction in which the index Idx increases in FIGS. Can be determined as Preferably, the adjustment step width determination unit 29 increases the step width Widx as the change width of the reflection coefficient absolute value | Γ | from the matching state increases. As a result, the impedance matching device 2 can quickly shift the transmission system 100 to the matching state again. Note that, instead of the above description, the adjustment step width determination unit 29 may always set the step width Widx to a predetermined value regardless of the reflection coefficient absolute value | Γ |.

[動作例及び効果]
次に、インピーダンス整合装置2の動作の具体例及びそれに付随する効果について説明する。
[Operation example and effect]
Next, a specific example of the operation of the impedance matching device 2 and the effects accompanying it will be described.

(第1インピーダンス整合)
まず、送信システム100が初期状態の場合、即ち、送信回路1と送信アンテナ4との間でまだインピーダンス整合を行っていない場合に実行する第1インピーダンス整合の処理について説明する。
(First impedance matching)
First, the first impedance matching process that is executed when the transmission system 100 is in the initial state, that is, when impedance matching is not yet performed between the transmission circuit 1 and the transmission antenna 4 will be described.

初期状態では、インピーダンス整合装置2は、スイッチ部32によりスルー回路31が送信回路1と送信アンテナ4との間に連結するように挿入されている。ここで、送受信アンテナ間の結合係数kは、0.095であったとする。この状態は、図2に示す先端オープン型ヘリカルアンテナを使用した場合、比較的結合が強い状態に属する。また、方向性結合器が進行波・反射波抽出部21として使用される。また、閾値|Γ|thrは0.0707とする。   In the initial state, the impedance matching device 2 is inserted so that the through circuit 31 is connected between the transmission circuit 1 and the transmission antenna 4 by the switch unit 32. Here, it is assumed that the coupling coefficient k between the transmitting and receiving antennas is 0.095. This state belongs to a relatively strong coupling when the open-ended helical antenna shown in FIG. 2 is used. A directional coupler is used as the traveling wave / reflected wave extraction unit 21. The threshold value | Γ | thr is assumed to be 0.0707.

まず、進行波・反射波抽出部21が進行波電圧Vfと反射波電圧Vrとを抽出する。そして、反射係数算出部22は、前述した式(1)に基づき反射係数絶対値|Γ|を算出する。   First, the traveling wave / reflected wave extraction unit 21 extracts the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr. Then, the reflection coefficient calculation unit 22 calculates the reflection coefficient absolute value | Γ | based on the above-described equation (1).

また、位相判定部23は、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrの位相関係、即ち、それらが同相であるか逆相であるかを判定する。そして、これらがほぼ同相の場合、整合回路選択部33は第1形式の整合回路24を選択すると共に、記憶部選択部34は第1の記憶部25を選択する。一方、上述の位相関係がほぼ逆相であった場合、整合回路選択部33が第2形式の整合回路26を選択すると共に、記憶部選択部34が第2の記憶部27を選択する。   Further, the phase determination unit 23 determines the phase relationship between the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr, that is, whether they are in phase or in phase. When these are substantially in phase, the matching circuit selection unit 33 selects the first type matching circuit 24 and the storage unit selection unit 34 selects the first storage unit 25. On the other hand, when the above-described phase relationship is substantially opposite, the matching circuit selection unit 33 selects the second type matching circuit 26 and the storage unit selection unit 34 selects the second storage unit 27.

図23(a)は、第1インピーダンス整合の実行直前の進行波電圧Vfと反射波電圧Vrとの波形を示す。図23(a)において、グラフ「Gvf」は、進行波電圧Vfの波形に相当し、グラフ「Gvr」は、反射波電圧Vrの波形に相当する。図23(a)に示すように、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrはほぼ同相となる。従って、第1の記憶部25及び第1形式の整合回路24がそれぞれ選択される。また、図23(a)では、進行波電圧Vfが「15.8mV」、反射波電圧Vrが「6.3mV」と観測されている。従って、反射係数絶対値|Γ|は、0.40と算出される。図23(b)は、伝送効率の周波数特性を示す。駆動周波数が「15.7MHz」の場合における伝送効率は82%である。   FIG. 23A shows waveforms of the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr immediately before the execution of the first impedance matching. In FIG. 23A, the graph “Gvf” corresponds to the waveform of the traveling wave voltage Vf, and the graph “Gvr” corresponds to the waveform of the reflected wave voltage Vr. As shown in FIG. 23A, the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are substantially in phase. Accordingly, the first storage unit 25 and the first type matching circuit 24 are selected. In FIG. 23A, the traveling wave voltage Vf is observed to be “15.8 mV” and the reflected wave voltage Vr is observed to be “6.3 mV”. Therefore, the reflection coefficient absolute value | Γ | is calculated as 0.40. FIG. 23B shows frequency characteristics of transmission efficiency. When the driving frequency is “15.7 MHz”, the transmission efficiency is 82%.

次に、第1の記憶部25に記憶されたテーブルから制御値Tcを選択する処理について説明する。図18に示すテーブル上で、反射係数絶対値|Γ|が0.40である場合に対応するインデックスIdxは、「3」であり、その量子化代表値は、キャパシタンス補正量Cmが「94pF」、インダクタンス補正量Lmが「587nH」である。そして、制御値出力部35は、これらのキャパシタンス補正量Cm及びインダクタンス補正量Lmを第1形式の整合回路24の可変キャパシタ要素241、可変インダクタ要素240に設定する。   Next, a process for selecting the control value Tc from the table stored in the first storage unit 25 will be described. On the table shown in FIG. 18, the index Idx corresponding to the reflection coefficient absolute value | Γ | being 0.40 is “3”, and the quantized representative value is that the capacitance correction amount Cm is “94 pF”. The inductance correction amount Lm is “587 nH”. The control value output unit 35 sets the capacitance correction amount Cm and the inductance correction amount Lm in the variable capacitor element 241 and the variable inductor element 240 of the first type matching circuit 24.

図24(a)は、上述の制御値Tcに基づきインピーダンス整合を行った場合の進行波電圧Vf及び反射波電圧Vrの波形を示す。また、図24(b)は、伝送効率の周波数特性を示す。図24(a)のグラフでは、進行波電圧Vfが「15.8mV」、反射波電圧Vrが「0.43mV」と観測され、反射係数絶対値|Γ|は0.027と計算される。従って、反射による損失は、0.07%と非常に小さい。また、伝送効率は、「15.7MHz」の駆動周波数で97.6%に改善されている。   FIG. 24A shows waveforms of the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr when impedance matching is performed based on the control value Tc. FIG. 24B shows frequency characteristics of transmission efficiency. In the graph of FIG. 24A, the traveling wave voltage Vf is observed as “15.8 mV”, the reflected wave voltage Vr is observed as “0.43 mV”, and the reflection coefficient absolute value | Γ | is calculated as 0.027. Therefore, the loss due to reflection is as very small as 0.07%. Further, the transmission efficiency is improved to 97.6% at the drive frequency of “15.7 MHz”.

(第2インピーダンス整合)
以下では、整合後状態において、送受信アンテナ間の結合の変化の影響により、整合状態から整合がずれた場合に実行する第2インピーダンス整合の処理について場合分けして説明する。
(Second impedance matching)
Hereinafter, in the post-matching state, the second impedance matching process executed when the matching is deviated from the matching state due to the influence of the change in the coupling between the transmitting and receiving antennas will be described for each case.

1.結合が強くなる方向に整合がずれる場合
ここで、送受信アンテナ間のギャップGpが小さくなり、結合係数kが0.095から0.102に増加したものとする。なお、整合回路は、第1インピーダンス整合により設定された制御値Tc、即ち第1の記憶部25のテーブル内のインデックスIdxが3の制御値Tcが反映されたままである。図25(a)は、上述の状態に相当する進行波電圧Vf及び反射波電圧Vrの波形を示す。図25(b)は、伝送効率の周波数特性を示す。図25(a)では、進行波電圧Vfは「15.8mV」、反射波電圧Vrは「1.54mV」と観測され、反射係数絶対値|Γ|は0.097と計算される。従って、図25に示す状態では、整合の悪化に起因して、不整合による反射の損失は0.95%まで上昇した。一方、伝送効率は97.2%であり、僅かに低下したがほとんど変化がない。
1. Here, it is assumed that the gap Gp between the transmitting and receiving antennas is reduced and the coupling coefficient k is increased from 0.095 to 0.102. In the matching circuit, the control value Tc set by the first impedance matching, that is, the control value Tc having the index Idx in the table of the first storage unit 25 is still reflected. FIG. 25A shows waveforms of traveling wave voltage Vf and reflected wave voltage Vr corresponding to the above-described state. FIG. 25B shows frequency characteristics of transmission efficiency. In FIG. 25A, the traveling wave voltage Vf is observed as “15.8 mV”, the reflected wave voltage Vr is observed as “1.54 mV”, and the reflection coefficient absolute value | Γ | is calculated as 0.097. Therefore, in the state shown in FIG. 25, the loss of reflection due to mismatching increased to 0.95% due to the deterioration of matching. On the other hand, the transmission efficiency was 97.2%, which was slightly lowered but hardly changed.

図25に示す状態では、反射係数絶対値|Γ|(0.097)は、予め設定した閾値|Γ|thr(0.0707)を超えている。従って、インピーダンス整合装置2は、第2インピーダンス整合を行う。   In the state shown in FIG. 25, the reflection coefficient absolute value | Γ | (0.097) exceeds a preset threshold value | Γ | thr (0.0707). Therefore, the impedance matching device 2 performs the second impedance matching.

ここで、図25(a)の進行波電圧Vfの位相と反射波電圧Vrの位相とを比較すると、反射波電圧Vrの位相は、進行波電圧Vfの位相より遅れている。従って、インピーダンス整合装置2は、この場合、送受信アンテナ間の結合が強くなる方向にずれたと判断することができる。そして、調整方向決定部28は、第1の記憶部25に記憶された図18に示されるテーブルから、第1インピーダンス整合時に選択されたインデックスIdxを3から増加させる方向に読み出し方向Didxを定める。また、ここでは、調整ステップ幅決定部29は、ステップ幅Widxを予め定められた所定値である「1」に設定する。従って、ここでは、記憶部選択部34は、第1の記憶部25からインデックスIdxが「4」の場合に相当する制御値Tc、即ち、キャパシタンス補正量Cmが「87pF」及びインダクタンス補正量Lmが「736nH」)を抽出する。そして、制御値出力部35は、この制御値Tcを、第1形式の整合回路24に設定する。   Here, comparing the phase of the traveling wave voltage Vf and the phase of the reflected wave voltage Vr in FIG. 25A, the phase of the reflected wave voltage Vr is delayed from the phase of the traveling wave voltage Vf. Therefore, in this case, the impedance matching device 2 can determine that the coupling between the transmitting and receiving antennas has shifted in the direction in which the coupling is strong. Then, the adjustment direction determination unit 28 determines the reading direction Didx in the direction in which the index Idx selected at the time of the first impedance matching is increased from 3 from the table shown in FIG. 18 stored in the first storage unit 25. Also, here, the adjustment step width determination unit 29 sets the step width Widx to “1” which is a predetermined value. Therefore, here, the storage unit selection unit 34 has the control value Tc corresponding to the case where the index Idx is “4” from the first storage unit 25, that is, the capacitance correction amount Cm is “87 pF” and the inductance correction amount Lm is “736 nH”) is extracted. Then, the control value output unit 35 sets the control value Tc in the matching circuit 24 of the first format.

図26(a)は、上述の制御値Tcが設定された後の進行波電圧Vf及び反射波電圧Vrを示す。図26(b)は、上述の制御値Tcが設定された後の伝送効率を示す。図26(a)では、進行波電圧Vfが「15.73mV」、反射波電圧Vrが「0.72mV」と観測され、反射係数絶対値|Γ|は0.046と計算される。このように、整合回路に設定する制御値Tcが更新されたことにより、不整合による反射の損失は、0.21%まで減少した。また、伝送効率は、97.1%となり、引続きほとんど変化がない。   FIG. 26A shows the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr after the above-described control value Tc is set. FIG. 26B shows the transmission efficiency after the above-described control value Tc is set. In FIG. 26A, the traveling wave voltage Vf is observed as “15.73 mV”, the reflected wave voltage Vr is observed as “0.72 mV”, and the reflection coefficient absolute value | Γ | is calculated as 0.046. As described above, by updating the control value Tc set in the matching circuit, the reflection loss due to mismatching is reduced to 0.21%. Further, the transmission efficiency is 97.1%, and there is hardly any change.

ここで注目すべきは、図24(b)、図25(b)、図26(b)に示すように、一度インピーダンス整合がなされた後では、伝送効率は、ほとんど変化しないということである。即ち、インピーダンス整合装置2は、伝送効率に大きな悪影響が出る前に、反射係数絶対値|Γ|の変化を観測し、この値が常に所定の閾値|Γ|thr以下となるように制御することで、伝送効率を常に高い状態で維持させることができている。   What should be noted here is that, as shown in FIGS. 24 (b), 25 (b), and 26 (b), once impedance matching is performed, the transmission efficiency hardly changes. That is, the impedance matching device 2 observes a change in the absolute value of the reflection coefficient | Γ | before the transmission efficiency is greatly adversely affected, and controls the value to be always equal to or less than a predetermined threshold value | Γ | thr. Thus, the transmission efficiency can always be maintained at a high level.

2.結合が弱くなる方向に整合がずれる場合
ここで、結合係数kが0.095の状態に対して一度インピーダンス整合がなされた後、送受信アンテナ間のギャップGpが大きくなり、結合係数kが0.085になった場合について述べる。なお、整合回路は、第1インピーダンス整合により設定された制御値Tc、即ち第1の記憶部25のテーブル内のインデックスIdxが3の制御値Tcが反映されたままである。図27(a)は、上述の状態に相当する進行波電圧Vf及び反射波電圧Vrの波形を示す。図27(b)は、上述の状態に相当する伝送効率を示す。図27(a)では、進行波電圧Vfが「15.7mV」、反射波電圧Vrが「1.29mV」と観測され、反射係数絶対値|Γ|は0.082と計算される。このように、整合の悪化に伴い、不整合による反射の損失は0.68%まで増加した。一方、図27(b)に示すように、駆動周波数における伝送効率は、96.1%と若干低下したが、96%以上という高い値は維持している。
2. When matching is shifted in the direction of weak coupling Here, after impedance matching is performed once for the state where the coupling coefficient k is 0.095, the gap Gp between the transmitting and receiving antennas increases, and the coupling coefficient k becomes 0.085. The case where it becomes is described. In the matching circuit, the control value Tc set by the first impedance matching, that is, the control value Tc having the index Idx in the table of the first storage unit 25 is still reflected. FIG. 27A shows waveforms of traveling wave voltage Vf and reflected wave voltage Vr corresponding to the above-described state. FIG. 27B shows transmission efficiency corresponding to the above-described state. In FIG. 27A, the traveling wave voltage Vf is observed as “15.7 mV”, the reflected wave voltage Vr is observed as “1.29 mV”, and the reflection coefficient absolute value | Γ | is calculated as 0.082. As described above, the reflection loss due to mismatching increased to 0.68% as the matching deteriorated. On the other hand, as shown in FIG. 27 (b), the transmission efficiency at the drive frequency slightly decreased to 96.1%, but maintained a high value of 96% or more.

図27に示す状態では、反射係数絶対値|Γ|(0.082)は、予め設定した閾値|Γ|thr(0.0707)を超えている。従って、インピーダンス整合装置2は、第2インピーダンス整合を行う。   In the state shown in FIG. 27, the reflection coefficient absolute value | Γ | (0.082) exceeds a preset threshold value | Γ | thr (0.0707). Therefore, the impedance matching device 2 performs the second impedance matching.

図27(a)の進行波電圧Vfの位相と反射波電圧Vrの位相とを比較すると、反射波電圧Vrの位相は、進行波電圧Vfの位相より進んでいる。従って、インピーダンス整合装置2は、この場合、送受信アンテナ間の結合が弱まる方向にずれたと判断することができる。そして、調整方向決定部28は、第1の記憶部25に記憶された図18に示されるテーブルから、第1インピーダンス整合時に選択されたインデックスIdxを「3」から減少させる方向に読み出し方向Didxを定める。また、ここでは、調整ステップ幅決定部29は、ステップ幅Widxを予め定められた所定値である「1」に設定する。従って、ここでは、記憶部選択部34は、第1の記憶部25からインデックスIdxが「2」の場合に相当する制御値Tc、即ち、キャパシタンス補正量Cmが「95pF」及びインダクタンス補正量Lmが「443nH」)を抽出する。そして、制御値出力部35は、この制御値Tcを、第1形式の整合回路24に設定する。   Comparing the phase of the traveling wave voltage Vf and the phase of the reflected wave voltage Vr in FIG. 27A, the phase of the reflected wave voltage Vr is ahead of the phase of the traveling wave voltage Vf. Therefore, in this case, the impedance matching device 2 can determine that the coupling between the transmitting and receiving antennas has shifted in the direction of weakening. Then, the adjustment direction determination unit 28 sets the reading direction Didx in a direction to decrease the index Idx selected at the time of the first impedance matching from “3” from the table shown in FIG. 18 stored in the first storage unit 25. Determine. Also, here, the adjustment step width determination unit 29 sets the step width Widx to “1” which is a predetermined value. Therefore, here, the storage unit selection unit 34 has the control value Tc corresponding to the case where the index Idx is “2” from the first storage unit 25, that is, the capacitance correction amount Cm is “95 pF” and the inductance correction amount Lm is “443 nH”). Then, the control value output unit 35 sets the control value Tc in the matching circuit 24 of the first format.

図28(a)は、上述の制御値Tcが設定された後の進行波電圧Vf及び反射波電圧Vrを示す。図28(b)は、上述の制御値Tcが設定された後の伝送効率を示す。図28(a)では、進行波電圧Vfが「15.8mV」、反射波電圧Vrが「0.95mV」と観測され、反射係数絶対値|Γ|は、0.060と計算される。そして、整合回路に設定する制御値Tcが更新されたことにより、不整合による反射の損失は0.36%まで減少した。また、伝送効率は、97.4%と改善され、高い値を維持している。   FIG. 28A shows the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr after the above-described control value Tc is set. FIG. 28B shows the transmission efficiency after the above-described control value Tc is set. In FIG. 28A, the traveling wave voltage Vf is observed as “15.8 mV”, the reflected wave voltage Vr is observed as “0.95 mV”, and the reflection coefficient absolute value | Γ | is calculated as 0.060. Then, by updating the control value Tc set in the matching circuit, the reflection loss due to mismatching is reduced to 0.36%. Further, the transmission efficiency is improved to 97.4% and maintains a high value.

このように、結合が徐々に大きくなる場合と同様、図24(b)、図27(b)、図28(b)に示すように、一度インピーダンス整合がなされた後の伝送効率は、96%以上という高い値に維持されている。即ち、インピーダンス整合装置2は、伝送効率に大きな悪影響が出る前に、反射係数絶対値|Γ|の変化を観測し、この値が常に所定の閾値|Γ|thr以下となるように制御することで、伝送効率を常に高い状態で維持させることができている。   Thus, as in the case where the coupling gradually increases, as shown in FIGS. 24B, 27B, and 28B, the transmission efficiency after impedance matching once is 96%. It is maintained at a high value above. That is, the impedance matching device 2 observes a change in the absolute value of the reflection coefficient | Γ | before the transmission efficiency is greatly adversely affected, and controls the value to be always equal to or less than a predetermined threshold value | Γ | thr. Thus, the transmission efficiency can always be maintained at a high level.

以上の1.及び2.に記した例では、初期状態として比較的結合の強い状態(k=0.095)から整合がずれた場合について説明したが、比較的結合が弱い状態から整合がずれる場合についても同様に対処することができる。なお、その場合、インピーダンス整合装置2は、第2の記憶部27に記憶した図20に示すテーブルを参照して制御値Tcを定める。   1 above. And 2. In the example described in (2), the case where the alignment is deviated from the relatively strong coupling state (k = 0.095) as the initial state has been described. However, the case where the alignment is deviated from the relatively weak coupling state is similarly dealt with. be able to. In this case, the impedance matching device 2 determines the control value Tc with reference to the table shown in FIG. 20 stored in the second storage unit 27.

[ステップ幅決定方法]
次に、反射係数絶対値|Γ|に基づきステップ幅Widxを決定する方法について補足説明する。
[Step width determination method]
Next, a supplementary description will be given of a method for determining the step width Widx based on the reflection coefficient absolute value | Γ |.

上述の「2.結合が弱くなる方向に整合がずれる場合」の例では、ステップ幅Widxは「1」に固定されていた。しかし、反射係数が急激に変化した場合、インデックスIdxを一つずつずらして制御値Tcを更新していたのでは、所望の制御値Tcに係るインデックスIdxに到達するまでにかなり時間が掛かる可能性がある。即ち、移動する物体に対して電磁界共振結合のシステムを用いて電力を供給しようとする場合には、送受信アンテナ間のギャップGpの変化や位置ずれが高速かつ大きな変動幅で発生する可能性がある。このような場合には、反射係数絶対値|Γ|を観測する周期内での上述の変化量がかなり大きくなると予想される。そのような場合に備え、インピーダンス整合装置2は、好適には、整合状態からの反射係数絶対値|Γ|の変化幅に応じて、ステップ幅Widxを柔軟に決定する。これにより、インピーダンス整合装置2は、ギャップGpの変化、位置ずれの変化が高速に起こるような場合にも迅速に整合できる。   In the above-mentioned example of “2. When the alignment is shifted in the direction in which the coupling is weakened”, the step width Widx is fixed to “1”. However, when the reflection coefficient changes abruptly, if the index Idx is shifted one by one and the control value Tc is updated, it may take a considerable time to reach the index Idx related to the desired control value Tc. There is. That is, when power is supplied to a moving object using an electromagnetic resonance coupling system, a change in the gap Gp between the transmitting and receiving antennas and a positional deviation may occur at a high speed and with a large fluctuation range. is there. In such a case, it is expected that the amount of change described above within the period in which the reflection coefficient absolute value | Γ | In preparation for such a case, the impedance matching apparatus 2 preferably determines the step width Widx flexibly according to the change width of the reflection coefficient absolute value | Γ | from the matching state. Thereby, the impedance matching device 2 can quickly match even when the change of the gap Gp and the change of the positional deviation occur at high speed.

具体的には、以下のような実装方法が考えられる。   Specifically, the following mounting methods can be considered.

ここで、第1インピーダンス整合実行後の図24に示す整合状態からギャップGpが小さくなり、結合係数kが0.095から0.12に変化したとする。このとき、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrとは、それぞれ「15.88mV」及び「4.03mV」となり、反射係数絶対値|Γ|は0.254となる。この場合、インピーダンス整合装置2は、インデックスIdxを、現在の「3」から、結合が強くなる方向にステップ幅Widx「2」だけ移動させて、「5」にしたとする。このとき、整合回路に反映される制御値Tcは、キャパシタンス補正量Cmが「78pF」、インダクタンス補正量Lmが「896uH」である。その結果、当該制御値Tcを反映後の進行波電圧Vfは「15.74mV」、反射波電圧Vrは「0.484mV」となり、反射係数絶対値|Γ|は0.03となる。このように、インピーダンス整合装置2は、ステップ幅Widxを適切に設定することで、一挙に整合改善することが出来る。   Here, it is assumed that the gap Gp is reduced from the matching state shown in FIG. 24 after the first impedance matching is performed, and the coupling coefficient k is changed from 0.095 to 0.12. At this time, the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are “15.88 mV” and “4.03 mV”, respectively, and the reflection coefficient absolute value | Γ | is 0.254. In this case, it is assumed that the impedance matching apparatus 2 moves the index Idx from the current “3” by the step width Widx “2” in the direction in which the coupling becomes stronger to “5”. At this time, the control value Tc reflected in the matching circuit has a capacitance correction amount Cm of “78 pF” and an inductance correction amount Lm of “896 uH”. As a result, the traveling wave voltage Vf after reflecting the control value Tc is “15.74 mV”, the reflected wave voltage Vr is “0.484 mV”, and the reflection coefficient absolute value | Γ | is 0.03. As described above, the impedance matching device 2 can improve matching at once by appropriately setting the step width Widx.

また、第1インピーダンス整合実行後の図24に示す整合状態からギャップGpが大きくなり、結合係数kが0.095から0.145まで増加したとする。このとき進行波電圧Vfと反射波電圧Vrは、それぞれ「15.97mV」及び「6.73mV」となり、反射係数絶対値|Γ|は0.42となる。この場合、インピーダンス整合装置2は、インデックスIdxを、現在の「3」から、結合が強くなる方向にステップ幅Widx「3」だけ移動させて、「6」にしたとする。このとき、整合回路に反映される制御値Tcは、キャパシタンス補正量Cmが「69pF」、インダクタンス補正量Lmが「1070uH」である。その結果、進行波電圧Vfは「15.76mV」、反射波電圧Vrは「0.344mV」となり、反射係数絶対値|Γ|は0.022となる。このように、インピーダンス整合装置2は、ステップ幅Widxを適切に設定することで、一挙に整合改善することが出来る。   Further, it is assumed that the gap Gp is increased from the matching state shown in FIG. 24 after the first impedance matching is performed, and the coupling coefficient k is increased from 0.095 to 0.145. At this time, the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are “15.97 mV” and “6.73 mV”, respectively, and the reflection coefficient absolute value | Γ | is 0.42. In this case, it is assumed that the impedance matching device 2 moves the index Idx from the current “3” by the step width Widx “3” in the direction in which the coupling becomes stronger to “6”. At this time, the control value Tc reflected in the matching circuit has a capacitance correction amount Cm of “69 pF” and an inductance correction amount Lm of “1070 uH”. As a result, the traveling wave voltage Vf is “15.76 mV”, the reflected wave voltage Vr is “0.344 mV”, and the reflection coefficient absolute value | Γ | is 0.022. As described above, the impedance matching device 2 can improve matching at once by appropriately setting the step width Widx.

以上より、一例として、以下のような基準でステップ幅Widxを変化させる方法が考えられる。
・「|Γ|の変化幅<0.15」の場合、「Widx=1」
・「|Γ|の変化幅<0.30」の場合、「Widx=2」
・「|Γ|の変化幅<0.45」の場合、「Widx=3」
・「|Γ|の変化幅≧0.45」の場合、「Widx=4」
このように、インピーダンス整合装置2は、例えば、各反射係数絶対値|Γ|の変化幅に対応する適切なステップ幅Widxのテーブルを予めメモリに記憶しておく。上述のテーブルは、例えば実験等に基づき予め作成される。そして、インピーダンス整合装置2は、反射係数絶対値|Γ|の変化幅から、このテーブルを参照してステップ幅Widxを決定することで、送受信アンテナ間のギャップGpの変化、位置ずれの変化が高速に起こるような場合にも迅速に整合状態を回復することができる。
From the above, as an example, a method of changing the step width Widx on the basis of the following can be considered.
・ When “| Γ | change width <0.15”, “Widx = 1”
・ When “| Γ | change width <0.30”, “Widx = 2”
・ When “| Γ | change width <0.45”, “Widx = 3”
・ In the case of “variation width of || Γ | ≧ 0.45”, “Widx = 4”
As described above, the impedance matching device 2 stores, for example, a table of appropriate step widths Widx corresponding to the variation widths of the respective reflection coefficient absolute values | Γ | in advance in a memory. The above table is created in advance based on, for example, experiments. The impedance matching device 2 determines the step width Widx from the change width of the reflection coefficient absolute value | Γ | with reference to this table, thereby rapidly changing the gap Gp between the transmitting and receiving antennas and the position shift. In such a case, the alignment state can be quickly recovered.

[処理フロー]
次に、第1実施形態における処理手順について説明する。以下では、まず、第1インピーダンス整合の処理手順について説明した後、第2インピーダンス整合の処理手順について説明する。
[Processing flow]
Next, a processing procedure in the first embodiment will be described. In the following, the first impedance matching processing procedure will be described first, and then the second impedance matching processing procedure will be described.

(第1インピーダンス整合)
図29は、第1実施形態においてインピーダンス整合装置2が実行する処理手順を示すフローチャートである。インピーダンス整合装置2は、図29に示す処理を、所定のタイミングで実行する。
(First impedance matching)
FIG. 29 is a flowchart showing a processing procedure executed by the impedance matching apparatus 2 in the first embodiment. The impedance matching device 2 executes the process shown in FIG. 29 at a predetermined timing.

まず、整合回路選択部33は、スイッチ部32をスルー回路31に設定する(ステップS101)。そして、進行波・反射波抽出部21は、進行波電圧Vf及び反射波電圧Vrの各々の大きさを計測する(ステップS102)。そして、反射係数算出部22は、反射係数絶対値|Γ|を算出する(ステップS103)。具体的には、反射係数算出部22は、式(1)を参照し、進行波電圧Vf及び反射波電圧Vrに基づき算出する。   First, the matching circuit selection unit 33 sets the switch unit 32 to the through circuit 31 (step S101). Then, the traveling wave / reflected wave extraction unit 21 measures the magnitudes of the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr (step S102). Then, the reflection coefficient calculation unit 22 calculates the reflection coefficient absolute value | Γ | (step S103). Specifically, the reflection coefficient calculation unit 22 refers to Equation (1) and calculates based on the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr.

次に、整合回路選択部33は、反射係数絶対値|Γ|が閾値|Γ|thr以下か否か判定する(ステップS104)。これにより、整合回路選択部33は、インピーダンスの整合を行う必要があるか否か判定する。そして、整合回路選択部33は、反射係数絶対値|Γ|が閾値|Γ|thr以下の場合(ステップS104;Yes)、インピーダンスの整合を行う必要がないと判断し、スイッチ部32の設定を変更しない。一方、整合回路選択部33は、反射係数絶対値|Γ|が閾値|Γ|thrより大きい場合(ステップS104;No)、インピーダンスの整合を行う必要があると判断し、ステップS105へ処理を進める。   Next, the matching circuit selection unit 33 determines whether or not the reflection coefficient absolute value | Γ | is equal to or less than the threshold value | Γ | thr (step S104). Thereby, the matching circuit selection unit 33 determines whether or not impedance matching needs to be performed. If the reflection coefficient absolute value | Γ | is equal to or smaller than the threshold value | Γ | thr (step S104; Yes), the matching circuit selection unit 33 determines that it is not necessary to perform impedance matching, and sets the switch unit 32. It does not change. On the other hand, when the reflection coefficient absolute value | Γ | is larger than the threshold value | Γ | thr (step S104; No), the matching circuit selection unit 33 determines that impedance matching needs to be performed, and proceeds to step S105. .

次に、位相判定部23は、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrとに基づき第1位相判定を行う(ステップS105)。具体的には、位相判定部23は、これらの電圧が同相に近いか又は逆相に近いか判定する。そして、位相判定部23は、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrが同相に近いと判断した場合(ステップS106;Yes)、記憶部選択部34は、第1の記憶部25を選択する(ステップS107)。そして、記憶部選択部34は、反射係数絶対値|Γ|に対応した制御値Tcの読み出しを行う(ステップS108)。そして、制御値出力部35は、第1形式の整合回路24に制御値Tcを設定する(ステップS109)。そして、整合回路選択部33は、スイッチ部32を第1形式の整合回路24に設定する(ステップS110)。   Next, the phase determination unit 23 performs the first phase determination based on the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr (step S105). Specifically, the phase determination unit 23 determines whether these voltages are close to the same phase or close to the opposite phase. When the phase determination unit 23 determines that the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are close to the same phase (step S106; Yes), the storage unit selection unit 34 selects the first storage unit 25 (step S106). S107). And the memory | storage part selection part 34 reads the control value Tc corresponding to reflection coefficient absolute value | (GAMMA) | (step S108). Then, the control value output unit 35 sets the control value Tc in the first format matching circuit 24 (step S109). Then, the matching circuit selection unit 33 sets the switch unit 32 to the first type matching circuit 24 (step S110).

一方、位相判定部23は、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrが同相に近くない、即ち逆相に近いと判断した場合(ステップS106;No)、記憶部選択部34は、第2の記憶部27を選択する(ステップS111)。そして、記憶部選択部34は、反射係数絶対値|Γ|に対応した制御値Tcの読み出しを行う(ステップS112)。そして、制御値出力部35は、第2形式の整合回路26に制御値Tcを設定する(ステップS113)。そして、整合回路選択部33は、スイッチ部32を第2形式の整合回路26に設定する(ステップS114)。   On the other hand, when the phase determination unit 23 determines that the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr are not close to the same phase, that is, close to the opposite phase (step S106; No), the storage unit selection unit 34 performs the second storage. The unit 27 is selected (step S111). And the memory | storage part selection part 34 reads the control value Tc corresponding to reflection coefficient absolute value | (GAMMA) | (step S112). Then, the control value output unit 35 sets the control value Tc in the second-type matching circuit 26 (step S113). Then, the matching circuit selection unit 33 sets the switch unit 32 to the second type matching circuit 26 (step S114).

(第2インピーダンス整合)
図30は、第2インピーダンスの処理手順を示すフローチャートの一例である。インピーダンス整合装置2は、図30に示すフローチャートの処理を、図29の処理を実行後、所定の周期に従い繰り返し実行する。
(Second impedance matching)
FIG. 30 is an example of a flowchart showing the processing procedure of the second impedance. The impedance matching device 2 repeatedly executes the process of the flowchart shown in FIG. 30 according to a predetermined cycle after executing the process of FIG.

まず、インピーダンス整合装置2は、整合状態を基準の状態に設定する(ステップS201)。具体的には、インピーダンス整合装置2は、第1又は第2インピーダンス整合が行われた直後の送信システムを基準の状態と定める。なお、当該基準の状態では、インピーダンス整合の結果、反射係数絶対値|Γ|は、ほぼ「0」とみなせるほど小さい。よって、以下では、当該基準の状態の反射係数絶対値|Γ|は「0」であるものとして取り扱う。   First, the impedance matching device 2 sets the matching state to the reference state (step S201). Specifically, the impedance matching device 2 determines the transmission system immediately after the first or second impedance matching is performed as a reference state. In the reference state, as a result of impedance matching, the reflection coefficient absolute value | Γ | is small enough to be regarded as “0”. Therefore, in the following, the reflection coefficient absolute value | Γ | in the reference state is treated as “0”.

次に、進行波・反射波抽出部21は、進行波電圧Vf及び反射波電圧Vrの各々の大きさを計測する(ステップS202)。そして、反射係数算出部22は、反射係数絶対値|Γ|を算出する(ステップS203)。具体的には、反射係数算出部22は、式(1)を参照し、進行波電圧Vf及び反射波電圧Vrに基づき算出する。   Next, the traveling wave / reflected wave extraction unit 21 measures the magnitudes of the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr (step S202). Then, the reflection coefficient calculation unit 22 calculates the reflection coefficient absolute value | Γ | (step S203). Specifically, the reflection coefficient calculation unit 22 refers to Equation (1) and calculates based on the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr.

次に、整合回路選択部33は、反射係数絶対値|Γ|が閾値|Γ|thr以下か否か判定する(ステップS204)。これにより、整合回路選択部33は、インピーダンスの整合を行う必要があるか否か判定する。そして、整合回路選択部33は、反射係数絶対値|Γ|が閾値|Γ|thr以下の場合(ステップS204;Yes)、インピーダンスの整合を行う必要がないと判断し、フローチャートの処理を終了する。一方、整合回路選択部33は、反射係数絶対値|Γ|が閾値|Γ|thrより大きい場合(ステップS204;No)、インピーダンスの整合を行う必要があると判断し、ステップS205へ処理を進める。   Next, the matching circuit selection unit 33 determines whether or not the reflection coefficient absolute value | Γ | is equal to or less than the threshold value | Γ | thr (step S204). Thereby, the matching circuit selection unit 33 determines whether or not impedance matching needs to be performed. Then, when the reflection coefficient absolute value | Γ | is equal to or smaller than the threshold value | Γ | thr (step S204; Yes), the matching circuit selection unit 33 determines that it is not necessary to perform impedance matching, and ends the processing of the flowchart. . On the other hand, when the reflection coefficient absolute value | Γ | is larger than the threshold value | Γ | thr (step S204; No), the matching circuit selection unit 33 determines that impedance matching needs to be performed, and proceeds to step S205. .

次に、位相判定部23は、進行波電圧Vfと反射波電圧Vrとの第2位相判定を行う(ステップS205)。具体的には、位相判定部23は、反射波電圧Vrの位相は進行波電圧Vfの位相より遅れているか否か判定する(ステップS206)。そして位相判定部23は、反射波電圧Vrの位相が進行波電圧Vfの位相よりも遅れていると判断した場合(ステップS206;Yes)、調整方向決定部28は、送受信アンテナ間の結合が強まる方向に読み出し方向Didxを決定する(ステップS207)。具体的には、調整方向決定部28は、現在整合回路に反映されている制御値Tcに係るインデックスIdxよりも大きいインデックスIdxが存在する方向に読み出し方向Didxを決定する。そして調整ステップ幅決定部29は、反射係数絶対値|Γ|に基づきステップ幅Widxを決定する(ステップS208)。具体的には、調整ステップ幅決定部29は、例えば所定のマップ又はテーブルを参照し、反射係数絶対値|Γ|に基づき、ステップ幅Widxを大きく設定する。上述のマップ等は、例えば予め実験等に基づき作成され、インピーダンス整合装置2のメモリに記憶される。   Next, the phase determination unit 23 performs a second phase determination between the traveling wave voltage Vf and the reflected wave voltage Vr (step S205). Specifically, the phase determination unit 23 determines whether or not the phase of the reflected wave voltage Vr is delayed from the phase of the traveling wave voltage Vf (step S206). When the phase determination unit 23 determines that the phase of the reflected wave voltage Vr is behind the phase of the traveling wave voltage Vf (step S206; Yes), the adjustment direction determination unit 28 increases the coupling between the transmission and reception antennas. The reading direction Didx is determined as the direction (step S207). Specifically, the adjustment direction determination unit 28 determines the reading direction Didx in a direction in which an index Idx larger than the index Idx related to the control value Tc currently reflected in the matching circuit exists. Then, the adjustment step width determination unit 29 determines the step width Widx based on the reflection coefficient absolute value | Γ | (step S208). Specifically, the adjustment step width determination unit 29 refers to a predetermined map or table, for example, and sets the step width Widx to be large based on the reflection coefficient absolute value | Γ |. The above-described map and the like are created based on, for example, experiments in advance and stored in the memory of the impedance matching device 2.

一方、位相判定部23は、反射波電圧Vrの位相が進行波電圧Vfの位相よりも遅れていないと判断した場合(ステップS206;No)、即ち、反射波電圧Vrの位相が進行波電圧Vfの位相よりも進んでいると判断した場合、調整方向決定部28は、送受信アンテナ間の結合が弱まる方向に読み出し方向Didxを決定する(ステップS209)。具体的には、調整方向決定部28は、現在整合回路に反映されている制御値Tcに係るインデックスIdxよりも小さいインデックスIdxが存在する方向に読み出し方向Didxを決定する。そして、調整ステップ幅決定部29は、反射係数絶対値|Γ|に基づきステップ幅Widxを決定する(ステップS210)。具体的には、調整ステップ幅決定部29は、ステップS208と同様、例えば所定のマップ又はテーブルを参照し、反射係数絶対値|Γ|に基づき、ステップ幅Widxを大きく設定する。   On the other hand, when the phase determination unit 23 determines that the phase of the reflected wave voltage Vr is not delayed from the phase of the traveling wave voltage Vf (step S206; No), that is, the phase of the reflected wave voltage Vr is the traveling wave voltage Vf. If it is determined that the phase is more advanced than the phase, the adjustment direction determination unit 28 determines the reading direction Didx in a direction in which the coupling between the transmission and reception antennas is weakened (step S209). Specifically, the adjustment direction determination unit 28 determines the reading direction Didx in a direction in which an index Idx smaller than the index Idx related to the control value Tc currently reflected in the matching circuit exists. Then, the adjustment step width determination unit 29 determines the step width Widx based on the reflection coefficient absolute value | Γ | (step S210). Specifically, the adjustment step width determination unit 29 refers to a predetermined map or table, for example, and sets the step width Widx to be large based on the reflection coefficient absolute value | Γ |, as in step S208.

次に、読み出し位置決定部30は、使用する記憶部及びインデックスIdxを決定する(ステップS211)。具体的には、読み出し位置決定部30は、決定された読み出し方向Didx及びステップ幅Widxに基づき該当するインデックスIdx及び当該インデックスIdxに係る制御値Tcを記憶した記憶部を特定する。   Next, the reading position determination unit 30 determines the storage unit and index Idx to be used (step S211). Specifically, the reading position determination unit 30 specifies a storage unit that stores the corresponding index Idx and the control value Tc related to the index Idx based on the determined reading direction Didx and step width Widx.

次に、制御値出力部35は、制御値Tcを読み出すと共に、制御値Tcを整合回路に反映し、整合回路選択部33は、適宜スイッチ部32の切り替えを行う(ステップS212)。具体的には、整合回路選択部33は、第1の記憶部25が記憶する制御値Tcが使用される場合には、第1形式の整合回路24が有効になるようにスイッチ部32を動作させる。一方、整合回路選択部33は、第2の記憶部27が記憶する制御値Tcが使用される場合には、第2形式の整合回路26を選択するようにスイッチ部32を動作させる。   Next, the control value output unit 35 reads the control value Tc and reflects the control value Tc in the matching circuit, and the matching circuit selection unit 33 appropriately switches the switch unit 32 (step S212). Specifically, when the control value Tc stored in the first storage unit 25 is used, the matching circuit selection unit 33 operates the switch unit 32 so that the first-type matching circuit 24 is enabled. Let On the other hand, when the control value Tc stored in the second storage unit 27 is used, the matching circuit selection unit 33 operates the switch unit 32 so as to select the matching circuit 26 of the second format.

ここで、図30のフローチャートについて補足説明する。ステップS208及びS210の処理は、実装する必要が無い場合は省略可能である。その場合は、例えばステップ幅Widxは、例えば「1」に固定される。   Here, a supplementary description of the flowchart of FIG. 30 will be given. The processes in steps S208 and S210 can be omitted if it is not necessary to implement them. In this case, for example, the step width Widx is fixed to “1”, for example.

また、ステップS211において、インピーダンス整合装置2は、第1の記憶部25から第2の記憶部27に切り替えて使用する場合がある。例えば、インピーダンス整合装置2は、現在が第1の記憶部25のテーブル内のインデックスIdx「1」に係る制御値Tcを使用していたとする。このとき、ギャップGpの急激な変化等に起因して、インピーダンス整合装置2は、読み出し方向Didxを送受信アンテナ間の結合が弱まる方向に設定すると共に、ステップ幅Widxを「4」に設定した場合には、選択されるインデックスIdxは「−3」となる。従って、この場合、インピーダンス整合装置2は、第1の記憶部25から第2の記憶部27に切り替えて制御値Tcを使用する。また、この場合、インピーダンス整合装置2は、第1形式の整合回路24から第2形式の整合回路26に、使用する整合回路を切り替える。このように、インピーダンス整合装置2は、柔軟に第1の記憶部25と第2の記憶部27とを切り替えて使用することで、制御値Tcを適切に選択することができる。   In step S211, the impedance matching device 2 may be used by switching from the first storage unit 25 to the second storage unit 27. For example, it is assumed that the impedance matching device 2 is currently using the control value Tc related to the index Idx “1” in the table of the first storage unit 25. At this time, due to a sudden change in the gap Gp, the impedance matching device 2 sets the reading direction Didx in a direction in which the coupling between the transmitting and receiving antennas is weakened, and sets the step width Widx to “4”. The selected index Idx is “−3”. Therefore, in this case, the impedance matching apparatus 2 uses the control value Tc by switching from the first storage unit 25 to the second storage unit 27. In this case, the impedance matching device 2 switches the matching circuit to be used from the first type matching circuit 24 to the second type matching circuit 26. Thus, the impedance matching device 2 can appropriately select the control value Tc by flexibly switching between the first storage unit 25 and the second storage unit 27 and using them.

<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態は、第1形式の整合回路24と、第2形式の整合回路26とが1の統合された整合回路により実現されている点で、第1実施形態と異なる。以下、第1実施形態と同様の部分については、適宜その説明を省略する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment will be described. The second embodiment is different from the first embodiment in that the first type matching circuit 24 and the second type matching circuit 26 are realized by one integrated matching circuit. Hereinafter, the description of the same parts as those in the first embodiment will be omitted as appropriate.

図31は、第2実施形態に係る送信システム100Aの概略構成図の一例である。送信システム100Aは、送信回路1と、インピーダンス整合装置2Aと、送信アンテナ4と、を備える。   FIG. 31 is an example of a schematic configuration diagram of a transmission system 100A according to the second embodiment. The transmission system 100A includes a transmission circuit 1, an impedance matching device 2A, and a transmission antenna 4.

インピーダンス整合装置2Aは、第1実施形態における第1形式の整合回路24及び第2形式の整合回路26が統合された整合回路24Aを備える。整合回路24Aは、スイッチ部32Yの切り替えにより、第1形式の整合回路24としての機能と、第2形式の整合回路26としての機能とが切り替わる。整合回路24Aは、第1形式の整合回路24及び第2形式の整合回路26で使用される可変インダクタ要素240、260の制御範囲、即ちこれらに設定され得るインダクタンス補正量Lmが全て設定可能な1の可変インダクタ要素を備える。また、整合回路24Aは、第1形式の整合回路24及び第2形式の整合回路26で使用される可変キャパシタ要素241、261の制御範囲、即ちこれらに設定され得るキャパシタンス補正量Cmが全て設定可能な1の可変キャパシタ要素を備える。   The impedance matching device 2A includes a matching circuit 24A in which the first-type matching circuit 24 and the second-type matching circuit 26 in the first embodiment are integrated. In the matching circuit 24A, the function as the first-type matching circuit 24 and the function as the second-type matching circuit 26 are switched by switching the switch unit 32Y. In the matching circuit 24A, the control ranges of the variable inductor elements 240 and 260 used in the first type matching circuit 24 and the second type matching circuit 26, that is, the inductance correction amount Lm that can be set to these are all settable 1 Variable inductor elements. Further, the matching circuit 24A can set all the control ranges of the variable capacitor elements 241 and 261 used in the first type matching circuit 24 and the second type matching circuit 26, that is, the capacitance correction amount Cm that can be set therein. 1 variable capacitor element.

また、インピーダンス整合装置2Aは、スルー回路31と整合回路24Aとを選択可能なスイッチ部32Xと、整合回路24Aがスイッチ部32Xにより選択された場合に第1形式の整合回路24の構成と第2形式の整合回路26の構成とを切換えるスイッチ部32Yと、を備える。   Further, the impedance matching device 2A includes a switch unit 32X capable of selecting the through circuit 31 and the matching circuit 24A, and the configuration and second configuration of the first type matching circuit 24 when the matching circuit 24A is selected by the switch unit 32X. And a switch unit 32Y for switching the configuration of the matching circuit 26 of the type.

以上のように、第2実施形態では、インピーダンス整合装置2Aは、スイッチ部32X、32Yを切り替えることで、1の整合回路24Aにより、第1実施形態と同様にインピーダンス整合を実行することができる。   As described above, in the second embodiment, the impedance matching apparatus 2A can perform impedance matching by the single matching circuit 24A by switching the switch units 32X and 32Y as in the first embodiment.

<変形例>
次に、第1実施形態及び第2実施形態に好適な変形例について説明する。以下に説明する変形例は、任意に組み合わせて、上述の第1実施形態及び第2実施形態に適用してもよい。
<Modification>
Next, modified examples suitable for the first embodiment and the second embodiment will be described. The modifications described below may be applied to the first embodiment and the second embodiment described above in any combination.

(変形例1)
第1実施形態では、インピーダンス整合装置2は、反射係数絶対値|Γ|に基づき、図18、図20などのテーブルを参照して、制御値Tcを特定した。しかし、本発明が適用可能な構成は、これに限定されない。これに代えて、インピーダンス整合装置2は、反射係数絶対値|Γ|に相当する値(以後、「反射係数絶対値相当値」とも呼ぶ。)に基づき、制御値Tcを特定してもよい。ここで、反射係数絶対値相当値は、反射係数絶対値|Γ|の他、インピーダンス値の絶対値など反射係数絶対値|Γ|と一意の関係にある値、その他相関のある値が該当する。
(Modification 1)
In the first embodiment, the impedance matching device 2 specifies the control value Tc with reference to the tables such as FIGS. 18 and 20 based on the reflection coefficient absolute value | Γ |. However, the configuration to which the present invention is applicable is not limited to this. Instead, the impedance matching device 2 may specify the control value Tc based on a value corresponding to the reflection coefficient absolute value | Γ | (hereinafter also referred to as “reflection coefficient absolute value equivalent value”). Here, the reflection coefficient absolute value equivalent value includes a reflection coefficient absolute value | Γ |, a value that is uniquely related to the reflection coefficient absolute value | Γ |, such as an absolute value of an impedance value, and other correlated values. .

ここで、インピーダンス値の絶対値に基づき制御値Tcを特定する場合について説明する。この場合、インピーダンス整合装置2は、正規化インピーダンス(第1実施形態では、50Ω)より大きいインピーダンス値の絶対値の量子化境界と、量子化代表値となる制御値Tcとのテーブルを第1の記憶部25に記憶すると共に、正規化インピーダンスより小さいインピーダンス値の絶対値の量子化境界と、量子化代表値となる制御値Tcとのテーブルを第2の記憶部27に記憶する。また、このとき、各量子化境界、量子化代表値に対応して、例えば結合係数kが大きいほど大きい値となるインデックスIdxが割当てられる。第1の記憶部25、第2の記憶部27に記憶する具体的な制御値Tcは、例えば第1実施形態と同様、計算又は実験により予め設定される。   Here, a case where the control value Tc is specified based on the absolute value of the impedance value will be described. In this case, the impedance matching apparatus 2 generates a table of the quantization boundary of the absolute value of the impedance value larger than the normalized impedance (50Ω in the first embodiment) and the control value Tc as the quantization representative value as the first table. In addition to storing in the storage unit 25, a table of the quantization boundary of the absolute value of the impedance value smaller than the normalized impedance and the control value Tc serving as the quantization representative value is stored in the second storage unit 27. At this time, for example, an index Idx that is larger as the coupling coefficient k is larger is assigned to each quantization boundary and quantization representative value. Specific control values Tc stored in the first storage unit 25 and the second storage unit 27 are set in advance by calculation or experiment, for example, as in the first embodiment.

そして、インピーダンス整合装置2は、第1インピーダンス整合を実行する際、現在のインピーダンス値の絶対値を算出すると共に、当該インピーダンス値の絶対値が正規化インピーダンスより所定値以上離れていた場合、第1位相判定結果Jr1に基づき使用する記憶部を特定する。次に、インピーダンス整合装置2は、インピーダンス値の絶対値に基づき、特定した記憶部から制御値Tcを特定し、特定した記憶部に対応する整合回路に当該制御値Tcを反映させる。また、インピーダンス整合装置2は、第2インピーダンス整合では、第1実施形態と同様、第2位相判定結果Jr2に基づき読み出し方向Didxを決定する。また、インピーダンス整合装置2は、インピーダンス値の絶対値の整合状態からの変化幅に基づき所定のテーブル又はマップを参照して、又は予め定めた固定値を使用して、ステップ幅Widxを決定する。そして、インピーダンス整合装置2は、当該読み出し方向Didx及びステップ幅Widxに基づき参照する記憶部及びインデックスIdxを特定し、該当する制御値Tcを特定した記憶部に対応する整合回路に反映させる。   When the impedance matching device 2 executes the first impedance matching, the impedance matching device 2 calculates the absolute value of the current impedance value, and if the absolute value of the impedance value is more than a predetermined value from the normalized impedance, The storage unit to be used is specified based on the phase determination result Jr1. Next, the impedance matching device 2 specifies the control value Tc from the specified storage unit based on the absolute value of the impedance value, and reflects the control value Tc in the matching circuit corresponding to the specified storage unit. In the second impedance matching, the impedance matching device 2 determines the reading direction Didx based on the second phase determination result Jr2 as in the first embodiment. Further, the impedance matching device 2 determines the step width Widx by referring to a predetermined table or map based on the change width of the impedance value from the matching state of the absolute value or using a predetermined fixed value. Then, the impedance matching device 2 specifies the storage unit and the index Idx to be referred to based on the reading direction Didx and the step width Widx, and reflects the corresponding control value Tc in the matching circuit corresponding to the specified storage unit.

(変形例2)
第1実施形態では、送信アンテナ4及び受信アンテナは、直並列型等価回路によってモデル化された。これに代えて、送信アンテナ4及び受信アンテナは、直並列型等価回路をより簡略化した等価回路である直列共振等価回路によってモデル化されてもよい。また、入力インピーダンス軌跡Trは、送受信アンテナを実際に対向させて実験により測定されて導出されてもよい。
(Modification 2)
In the first embodiment, the transmission antenna 4 and the reception antenna are modeled by a series-parallel equivalent circuit. Instead, the transmitting antenna 4 and the receiving antenna may be modeled by a series resonance equivalent circuit that is an equivalent circuit obtained by simplifying the series-parallel type equivalent circuit. Further, the input impedance trajectory Tr may be derived by being measured by experiments with the transmitting and receiving antennas actually facing each other.

(変形例3)
本発明に適用可能な整合回路の構成は、図1又は図31に示す構成に限定されない。これについて、図33を参照して説明する。
(Modification 3)
The configuration of the matching circuit applicable to the present invention is not limited to the configuration shown in FIG. 1 or FIG. This will be described with reference to FIG.

図33(a)は、第1形式の整合回路24と第2形式の整合回路26とで可変インダクタ要素のみを共用する形態の整合回路を示す。図33(a)に示す整合回路は、スイッチ部の切り替えにより、第1形式の整合回路24として機能することが可能であり、第2形式の整合回路26として機能することも可能である。同様に、整合回路は、第1形式の整合回路24と第2形式の整合回路26とで可変キャパシタ要素のみを共用する形態であってもよい。   FIG. 33A shows a matching circuit in which only the variable inductor element is shared by the first-type matching circuit 24 and the second-type matching circuit 26. The matching circuit shown in FIG. 33A can function as the first-type matching circuit 24 or can function as the second-type matching circuit 26 by switching the switch unit. Similarly, the matching circuit may be configured so that only the variable capacitor element is shared by the first type matching circuit 24 and the second type matching circuit 26.

図33(b)は、可変インダクタの代わりに固定インダクタと可変キャパシタを用いる整合回路の回路図を示す。図33(b)に示す整合回路は、スイッチ部の切り替えにより、第1形式の整合回路24として機能することが可能であり、第2形式の整合回路26として機能することも可能である。そして、図33(b)の固定インダクタと可変キャパシタは、本発明における「可変インダクタ要素」の一例である。このように、図33(a)、(b)に示す整合回路によっても、本発明を好適に実施することができる。   FIG. 33B shows a circuit diagram of a matching circuit using a fixed inductor and a variable capacitor instead of the variable inductor. The matching circuit shown in FIG. 33B can function as the first-type matching circuit 24 by switching the switch unit, and can also function as the second-type matching circuit 26. The fixed inductor and the variable capacitor in FIG. 33B are examples of the “variable inductor element” in the present invention. As described above, the present invention can also be suitably implemented by the matching circuit shown in FIGS. 33 (a) and 33 (b).

(変形例4)
第1実施形態では、制御値Tcは、インダクタンス補正量Lm及びキャパシタンス補正量Cmであった。しかし、本発明が適用可能な制御値Tcはこれに限定されない。
(Modification 4)
In the first embodiment, the control value Tc is the inductance correction amount Lm and the capacitance correction amount Cm. However, the control value Tc to which the present invention can be applied is not limited to this.

これに代えて、制御値Tcとは、可変キャパシタ要素241、261に加えるキャパシタンス補正量Cmを反映するための制御電圧値、可変インダクタ要素240、260を構成するスイッチ群のオン又はオフに対応したインダクタンス補正量Lmを反映するためのビットパターンであってもよい。従って、この場合、インピーダンス整合装置2は、整合回路を構成する可変インダクタ要素240、260及び可変キャパシタ要素241、261を所定のキャパシタンス及びインダクタンスに設定するためのキャパシタンス補正量Cm及びインダクタンス補正量Lmに相当する制御値Tcを、各反射係数絶対値|Γ|に対応させて、第1及び第2の記憶部25、27に保持しておく。
(変形例5)
第1実施形態では、インピーダンス整合装置2は、第1及び第2形式の整合回路24、26を備え、ギャップGpが近くなる場合(即ち、整合ポイントより送受信アンテナ間の結合が強い場合)及びギャップGpが遠くなる場合(即ち、整合ポイントより送受信アンテナ間の結合が弱い場合)の両方の場合に、インピーダンス整合を実行した。しかし、本発明が適用可能な構成は、これに限定されない。
Instead, the control value Tc corresponds to the control voltage value for reflecting the capacitance correction amount Cm applied to the variable capacitor elements 241 and 261, and the on / off of the switch group constituting the variable inductor elements 240 and 260. It may be a bit pattern for reflecting the inductance correction amount Lm. Accordingly, in this case, the impedance matching device 2 sets the capacitance correction amount Cm and the inductance correction amount Lm for setting the variable inductor elements 240 and 260 and the variable capacitor elements 241 and 261 constituting the matching circuit to predetermined capacitances and inductances. The corresponding control value Tc is stored in the first and second storage units 25 and 27 in correspondence with each reflection coefficient absolute value | Γ |.
(Modification 5)
In the first embodiment, the impedance matching device 2 includes first and second type matching circuits 24 and 26, and the gap Gp is close (that is, the coupling between the transmitting and receiving antennas is stronger than the matching point) and the gap. Impedance matching was performed in both cases where Gp is far away (ie, the coupling between the transmit and receive antennas is weaker than the matching point). However, the configuration to which the present invention is applicable is not limited to this.

これに代えて、インピーダンス整合装置2は、整合ポイントとそのポイントから結合が強くなる方向の範囲でのみギャップGpが変化するような場合、即ち整合ポイントからギャップGpが近くなる方向の範囲内で整合させれば良いような場合には、第1及び第2形式の整合回路24、26のうち、第1形式の整合回路24に相当する整合回路のみ備えてもよい。図34は、ギャップGpが近くなる方向の不整合を整合させる送信システム100Bの概略構成を示す。図34に示すインピーダンス整合装置2Bは、主に、進行波・反射波抽出部21と、反射係数算出部22と、位相判定部23と、整合回路24と、記憶部25と、調整方向決定部28と、調整ステップ幅決定部29と、読出し位置決定部30と、スルー回路31と、スイッチ部32と、整合回路選択部33と、制御値出力部35と、を備える。そして、記憶部25は第1実施形態における第1の記憶部25に相当し、整合回路24は第1実施形態における第1形式の整合回路24に相当する。また、可変キャパシタ要素は、可変インダクタ要素よりも送信アンテナ4側に並列に接続されている。   Instead, the impedance matching device 2 performs matching in the case where the gap Gp changes only in the range in which the coupling is strong from the matching point, that is, in the direction in which the gap Gp is close to the matching point. In such a case, only the matching circuit corresponding to the first type matching circuit 24 among the first and second type matching circuits 24 and 26 may be provided. FIG. 34 shows a schematic configuration of a transmission system 100B that matches the mismatch in the direction in which the gap Gp is close. The impedance matching device 2B shown in FIG. 34 mainly includes a traveling wave / reflected wave extraction unit 21, a reflection coefficient calculation unit 22, a phase determination unit 23, a matching circuit 24, a storage unit 25, and an adjustment direction determination unit. 28, an adjustment step width determination unit 29, a reading position determination unit 30, a through circuit 31, a switch unit 32, a matching circuit selection unit 33, and a control value output unit 35. The storage unit 25 corresponds to the first storage unit 25 in the first embodiment, and the matching circuit 24 corresponds to the first type matching circuit 24 in the first embodiment. Further, the variable capacitor element is connected in parallel to the transmission antenna 4 side than the variable inductor element.

一方、インピーダンス整合装置2は、整合ポイントとそのポイントから結合が弱くなる方向の範囲でのみギャップGpが変化するような場合、即ち整合ポイントからギャップGpが遠くなる方向の範囲内で整合させれば良いような場合には、第1及び第2形式の整合回路24、26のうち、第2形式の整合回路26に相当する整合回路のみ備えてもよい。図35は、ギャップGpが遠くなる方向の不整合を整合させる送信システム100Cの概略構成を示す。図35に示すインピーダンス整合装置2Bは、主に、進行波・反射波抽出部21と、反射係数算出部22と、位相判定部23と、整合回路24と、記憶部25と、調整方向決定部28と、調整ステップ幅決定部29と、読出し位置決定部30と、スルー回路31と、スイッチ部32と、整合回路選択部33と、制御値出力部35と、を備える。そして、記憶部25は第1実施形態における第2の記憶部27に相当し、整合回路24は第1実施形態における第2形式の整合回路26に相当する。また、可変キャパシタ要素は、可変インダクタ要素よりも送信回路1側に並列に接続されている。   On the other hand, in the impedance matching device 2, if the gap Gp changes only in the range in which the coupling is weakened from the matching point, that is, in the range in which the gap Gp is far from the matching point, In such a case, only the matching circuit corresponding to the second type matching circuit 26 among the first and second type matching circuits 24 and 26 may be provided. FIG. 35 shows a schematic configuration of a transmission system 100C that matches mismatches in a direction in which the gap Gp is far away. The impedance matching apparatus 2B shown in FIG. 35 mainly includes a traveling wave / reflected wave extraction unit 21, a reflection coefficient calculation unit 22, a phase determination unit 23, a matching circuit 24, a storage unit 25, and an adjustment direction determination unit. 28, an adjustment step width determination unit 29, a reading position determination unit 30, a through circuit 31, a switch unit 32, a matching circuit selection unit 33, and a control value output unit 35. The storage unit 25 corresponds to the second storage unit 27 in the first embodiment, and the matching circuit 24 corresponds to the second type matching circuit 26 in the first embodiment. The variable capacitor element is connected in parallel to the transmission circuit 1 side with respect to the variable inductor element.

本発明は、電磁界共振結合方式を用いた無線電力伝送システム全般に好適に適用される。また、本発明は、磁界結合、電界結合等の種々の方式に対して好適に適用可能である。   The present invention is suitably applied to all wireless power transmission systems using an electromagnetic resonance coupling method. The present invention can be suitably applied to various systems such as magnetic field coupling and electric field coupling.

1 送信回路
2、2A インピーダンス整合装置
4 送信アンテナ
11 送信信号源
12 増幅部
21 進行波・反射波抽出部
22 反射係数算出部
23 位相判定部
24 第1形式の整合回路
25 第1の記憶部
26 第2形式の整合回路
27 第2の記憶部
28 調整方向決定部
29 調整ステップ幅決定部
30 読み出し位置決定部
31 スルー回路
32、32X、32Y スイッチ部
33 整合回路選択部
34 記憶部選択部
35 制御値出力部
100、100A 送信システム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transmission circuit 2, 2A Impedance matching apparatus 4 Transmitting antenna 11 Transmission signal source 12 Amplifying part 21 Traveling wave / reflected wave extraction part 22 Reflection coefficient calculation part 23 Phase determination part 24 1st type matching circuit 25 1st memory | storage part 26 Second-type matching circuit 27 Second storage unit 28 Adjustment direction determination unit 29 Adjustment step width determination unit 30 Read position determination unit 31 Through circuit 32, 32X, 32Y Switch unit 33 Matching circuit selection unit 34 Storage unit selection unit 35 Control Value output unit 100, 100A transmission system

Claims (10)

送信アンテナから受信アンテナへ電力を伝送する無線電力伝送システムにおいて、送信回路と前記送信アンテナとの間に設置され、前記送信回路のインピーダンスと、前記送信アンテナのインピーダンスと、を整合状態とするインピーダンス整合装置であって、
前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信アンテナ側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える第1形式の整合回路と、
前記第1形式の整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパシタンス値に対応した制御値を前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数に対応させて予め記憶させた第1の記憶部と、
前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信回路側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える第2形式の整合回路と、
前記第2形式の整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパスタンス値に対応した制御値を前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数に対応させて予め記憶させた第2の記憶部と、
前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも強くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が大きくなる方向に対応する制御値を決定し、
前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも弱くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が小さくなる方向に対応する制御値を決定する制御値決定部と、
前記制御値決定部が決定した制御値を読み出し前記第1形式又は第2の形式の整合回路に反映させる制御値出力部と、
を備えることを特徴とするインピーダンス整合装置。
In the wireless power transmission system for transmitting power from the transmitting antenna to the receiving antenna, it is installed between the transmission antenna and transmission circuit, and the impedance of the transmission circuit, and the impedance of the transmitting antenna, and a matching state impedance An alignment device,
A first type matching circuit comprising: a variable inductor element inserted in series between the transmission circuit and the transmission antenna; and a variable capacitor element connected in parallel to the transmission antenna side with respect to the variable inductor element. When,
A control value corresponding to the inductance values and capacitance values required to match the predetermined impedance value with the matching circuit of the first type, is stored in advance in correspondence with the coupling coefficient between the transmit and receive antennas A first storage unit;
A second type matching circuit comprising: a variable inductor element inserted in series between the transmission circuit and the transmission antenna; and a variable capacitor element connected in parallel to the transmission circuit side with respect to the variable inductor element. When,
The inductance value required to match the predetermined impedance value with the matching circuit of the second type and the control value corresponding to the capacity stance value, the transmitting antenna and the receiving antenna and the coupling coefficient stored in advance in correspondence A second storage unit,
When it is determined that the coupling between the transmitting antenna and the receiving antenna is shifted in a direction that is stronger than the coupling that is in the matching state, the coupling coefficient is increased from the control value in the matching state. Determine the control value to be
When it is determined that the coupling between the transmitting antenna and the receiving antenna is shifted in a direction that becomes weaker than the coupling that is in the matching state, the coupling coefficient is reduced from the control value in the matching state. A control value determination unit for determining a control value to be performed;
Reads the control value by the control value determining unit has determined, the control value output unit to be reflected in the matching circuit of the first type or the second type,
An impedance matching apparatus comprising:
反射係数の絶対値または当該絶対値に相当する値である反射係数絶対値相当値に基づき、現在使用している制御値を調整する必要性の有無、及び、前記制御値の読み出し位置を変更するステップ幅を決定する調整ステップ幅決定部をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のインピーダンス整合装置。 Based on the absolute value of the reflection coefficient or the value corresponding to the absolute value of the reflection coefficient, which is a value corresponding to the absolute value, whether or not there is a need to adjust the currently used control value and the reading position of the control value is changed. The impedance matching apparatus according to claim 1, further comprising an adjustment step width determination unit that determines a step width. 前記制御値は、電磁界共振結合方式の前記送信アンテナ及び受信アンテナを対向させ、当該送信アンテナ及び受信アンテナ間のギャップを変更した際の、前記送信回路から前記送信アンテナ側への入力インピーダンスの変化の軌跡に基づいて設定されることを特徴とする請求項1または2に記載のインピーダンス整合装置。The control value is a change in input impedance from the transmission circuit to the transmission antenna when the transmission antenna and the reception antenna of the electromagnetic resonance coupling method are opposed to each other and the gap between the transmission antenna and the reception antenna is changed. The impedance matching device according to claim 1, wherein the impedance matching device is set based on a trajectory. 前記制御値は、反射による損失が常に所定の閾値以下となるように量子化して生成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のインピーダンス整合装置。4. The impedance matching apparatus according to claim 1, wherein the control value is generated by quantization so that a loss due to reflection is always equal to or less than a predetermined threshold value. 5. 前記制御値は、反射係数の絶対値または当該絶対値に相当する値である反射係数絶対値相当値が大きくなるほど、量子化間隔が小さくなるように量子化されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のインピーダンス整合装置。  2. The control value is quantized so that a quantization interval becomes smaller as an absolute value of a reflection coefficient or a reflection coefficient absolute value equivalent value that is a value corresponding to the absolute value becomes larger. The impedance matching apparatus as described in any one of thru | or 4. 送信アンテナから受信アンテナへ電力を伝送する無線電力伝送システムにおいて、送信回路と前記送信アンテナとの間に設置され、前記送信回路のインピーダンスと、前記送信アンテナのインピーダンスと、を整合状態とするインピーダンス整合装置であって、
前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信アンテナ側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える第1形式の整合回路と、
前記第1形式の整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパシタンス値に対応した制御値を前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数に対応させて予め記憶させた第1の記憶部と、
前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信回路側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える第2形式の整合回路と、
前記第2形式の整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパスタンス値に対応した制御値を前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数に対応させて予め記憶させた第2の記憶部と、を備えるインピーダンス整合装置が実行する制御方法であって、
前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも強くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が大きくなる方向に対応する制御値を決定し、
前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも弱くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が小さくなる方向に対応する制御値を決定する制御値決定工程と、
前記制御値決定工程が決定した制御値を読み出し前記第1形式又は第2の形式の整合回路に反映させる制御値出力工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
In the wireless power transmission system for transmitting power from the transmitting antenna to the receiving antenna, it is installed between the transmission antenna and transmission circuit, and the impedance of the transmission circuit, and the impedance of the transmitting antenna, and a matching state impedance An alignment device,
A first type matching circuit comprising: a variable inductor element inserted in series between the transmission circuit and the transmission antenna; and a variable capacitor element connected in parallel to the transmission antenna side with respect to the variable inductor element. When,
A control value corresponding to the inductance values and capacitance values required to match the predetermined impedance value with the matching circuit of the first type, is stored in advance in correspondence with the coupling coefficient between the transmit and receive antennas A first storage unit;
A second type matching circuit comprising: a variable inductor element inserted in series between the transmission circuit and the transmission antenna; and a variable capacitor element connected in parallel to the transmission circuit side with respect to the variable inductor element. When,
The inductance value required to match the predetermined impedance value with the matching circuit of the second type and the control value corresponding to the capacity stance value, the transmitting antenna and the receiving antenna and the coupling coefficient stored in advance in correspondence A control method executed by an impedance matching device comprising:
When it is determined that the coupling between the transmitting antenna and the receiving antenna is shifted in a direction that is stronger than the coupling that is in the matching state, the coupling coefficient is increased from the control value in the matching state. Determine the control value to be
When it is determined that the coupling between the transmitting antenna and the receiving antenna is shifted in a direction that becomes weaker than the coupling that is in the matching state, the coupling coefficient is reduced from the control value in the matching state. A control value determining step for determining a control value to be performed;
Reads the control value by the control value determining step has determined, the control value output step to be reflected in the matching circuit of the first type or the second type,
A control method characterized by comprising:
送信アンテナから受信アンテナへ電力を伝送する無線電力伝送システムにおいて、送信回路と前記送信アンテナとの間に設置され、前記送信回路のインピーダンスと、前記送信アンテナのインピーダンスと、を整合状態とするインピーダンス整合装置であって、
前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当該可変インダクタ要素よりも前記送信アンテナ側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、を備える整合回路と、
前記整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパシタンス値に対応した制御値を前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数に対応させて予め記憶させた記憶部と、
前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも強くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が大きくなる方向に対応する制御値を決定し、
前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも弱くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が小さくなる方向に対応する制御値を決定する制御値決定部と、
前記制御値決定部が決定した制御値を読み出し前記整合回路に反映させる制御値出力部と、
を備えることを特徴とするインピーダンス整合装置。
In the wireless power transmission system for transmitting power from the transmitting antenna to the receiving antenna, it is installed between the transmission antenna and transmission circuit, and the impedance of the transmission circuit, and the impedance of the transmitting antenna, and a matching state impedance An alignment device,
A matching circuit comprising: a variable inductor element inserted in series between the transmission circuit and the transmission antenna; and a variable capacitor element connected in parallel to the transmission antenna side with respect to the variable inductor element;
A control value corresponding to the inductance values and capacitance values required to match the predetermined impedance value using the matching circuit, the transmitting antenna and storage section in correspondence with the coupling coefficient is stored in advance in a receiving antenna ,
When it is determined that the coupling between the transmitting antenna and the receiving antenna is shifted in a direction that is stronger than the coupling that is in the matching state, the coupling coefficient is increased from the control value in the matching state. Determine the control value to be
When it is determined that the coupling between the transmitting antenna and the receiving antenna is shifted in a direction that becomes weaker than the coupling that is in the matching state, the coupling coefficient is reduced from the control value in the matching state. A control value determination unit for determining a control value to be performed;
Reads the control value by the control value determining unit has determined, the control value output unit to be reflected in the matching circuit,
An impedance matching apparatus comprising:
送信アンテナから受信アンテナへ電力を伝送する無線電力伝送システムにおいて、送信回路と前記送信アンテナとの間に設置され、前記送信回路のインピーダンスと、前記送信アンテナのインピーダンスと、を整合状態とするインピーダンス整合装置であって、
前記送信回路と前記送信アンテナとの間に直列に挿入される可変インダクタ要素と、当
該可変インダクタ要素よりも前記送信回路側に並列に接続される可変キャパシタ要素と、
を備える整合回路と、
前記整合回路を用いて所定のインピーダンス値に整合させるために必要なインダクタンス値及びキャパシタンス値に対応した制御値を前記送信アンテナと受信アンテナとの結合係数に対応させて予め記憶させた記憶部と、
前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも強くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が大きくなる方向に対応する制御値を決定し、
前記送信アンテナと前記受信アンテナ間の結合が、前記整合状態となる結合よりも弱くなる方向にずれていると判定した場合には、前記整合状態における制御値から前記結合係数が小さくなる方向に対応する制御値を決定する制御値決定部と、
前記制御値決定部が決定した制御値を読み出し前記整合回路に反映させる制御値出力部と、
を有することを特徴とするインピーダンス整合装置。
In the wireless power transmission system for transmitting power from the transmitting antenna to the receiving antenna, it is installed between the transmission antenna and transmission circuit, and the impedance of the transmission circuit, and the impedance of the transmitting antenna, and a matching state impedance An alignment device,
A variable inductor element inserted in series between the transmission circuit and the transmission antenna; a variable capacitor element connected in parallel to the transmission circuit side relative to the variable inductor element;
A matching circuit comprising:
A control value corresponding to the inductance values and capacitance values required to match the predetermined impedance value using the matching circuit, the transmitting antenna and storage section in correspondence with the coupling coefficient is stored in advance in a receiving antenna ,
When it is determined that the coupling between the transmitting antenna and the receiving antenna is shifted in a direction that is stronger than the coupling that is in the matching state, the coupling coefficient is increased from the control value in the matching state. Determine the control value to be
When it is determined that the coupling between the transmitting antenna and the receiving antenna is shifted in a direction that becomes weaker than the coupling that is in the matching state, the coupling coefficient is reduced from the control value in the matching state. A control value determination unit for determining a control value to be performed;
Reads the control value by the control value determining unit has determined, the control value output unit to be reflected in the matching circuit,
An impedance matching apparatus comprising:
反射係数の絶対値または当該絶対値に相当する値である反射係数絶対値相当値に基づき、現在使用している制御値を調整する必要性の有無、及び、前記制御値の読み出し位置を変更するステップ幅を決定する調整ステップ幅決定部をさらに備えることを特徴とする請求項またはに記載のインピーダンス整合装置。 Based on the absolute value of the reflection coefficient or the value corresponding to the absolute value of the reflection coefficient, which is a value corresponding to the absolute value, whether or not there is a need to adjust the currently used control value and the reading position of the control value is changed. impedance matching device according to claim 7 or 8, further comprising an adjustment step width determination unit which determines the step size. 前記制御値は、電磁界共振結合方式の前記送信アンテナ及び受信アンテナを対向させ、当該送信アンテナ及び受信アンテナ間のギャップを変更した際の、前記送信回路から前記送信アンテナ側への入力インピーダンスの変化の軌跡に基づいて設定されることを特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載のインピーダンス整合装置。 The control value is a change in input impedance from the transmission circuit to the transmission antenna when the transmission antenna and the reception antenna of the electromagnetic resonance coupling method are opposed to each other and the gap between the transmission antenna and the reception antenna is changed. The impedance matching device according to claim 7 , wherein the impedance matching device is set based on a trajectory.
JP2012037331A 2010-08-10 2012-02-23 Impedance matching device and control method Active JP5544386B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2010/063570 WO2012020476A1 (en) 2010-08-10 2010-08-10 Impedance matching device, and control method
JP2012037331A JP5544386B2 (en) 2010-08-10 2012-02-23 Impedance matching device and control method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2010/063570 WO2012020476A1 (en) 2010-08-10 2010-08-10 Impedance matching device, and control method
JP2012037331A JP5544386B2 (en) 2010-08-10 2012-02-23 Impedance matching device and control method

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012501072A Division JP5059243B2 (en) 2010-08-10 2010-08-10 Impedance matching device and control method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012130061A true JP2012130061A (en) 2012-07-05
JP5544386B2 JP5544386B2 (en) 2014-07-09

Family

ID=46829011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012037331A Active JP5544386B2 (en) 2010-08-10 2012-02-23 Impedance matching device and control method

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5544386B2 (en)
WO (1) WO2012020476A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5856305B2 (en) * 2012-09-04 2016-02-09 パイオニア株式会社 Matching device, impedance matching method, and computer program
KR20170107545A (en) * 2015-02-27 2017-09-25 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 Matching device and matching method
US9876482B2 (en) 2014-02-28 2018-01-23 Hitachi Kokusai Electric Inc. Matching unit and matching method

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014030690A1 (en) * 2012-08-23 2014-02-27 株式会社 豊田自動織機 Non-contact power transmission equipment
US20150236517A1 (en) * 2012-09-18 2015-08-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Contactless electric power feeding system
US9166534B2 (en) * 2013-12-17 2015-10-20 Qualcomm Incorporated Tunable loadline
JP7307344B2 (en) * 2020-03-11 2023-07-12 豊田合成株式会社 Coupling coefficient measuring instrument
JP2022181703A (en) * 2021-05-26 2022-12-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 Amplification circuit and electronic apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273680A (en) * 1994-03-31 1995-10-20 Icom Inc Control method for automatic antenna tuner
JP2005129985A (en) * 2003-10-21 2005-05-19 Hitachi Kokusai Electric Inc Automatic impedance matching method
JP2010087845A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Yoshikawa Rf System Kk Automatic matching method and automatic matching circuit
WO2010067763A1 (en) * 2008-12-09 2010-06-17 株式会社 豊田自動織機 Non-contact power transmission apparatus and power transmission method using a non-contact power transmission apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273680A (en) * 1994-03-31 1995-10-20 Icom Inc Control method for automatic antenna tuner
JP2005129985A (en) * 2003-10-21 2005-05-19 Hitachi Kokusai Electric Inc Automatic impedance matching method
JP2010087845A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Yoshikawa Rf System Kk Automatic matching method and automatic matching circuit
WO2010067763A1 (en) * 2008-12-09 2010-06-17 株式会社 豊田自動織機 Non-contact power transmission apparatus and power transmission method using a non-contact power transmission apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5856305B2 (en) * 2012-09-04 2016-02-09 パイオニア株式会社 Matching device, impedance matching method, and computer program
US9876482B2 (en) 2014-02-28 2018-01-23 Hitachi Kokusai Electric Inc. Matching unit and matching method
KR101829563B1 (en) * 2014-02-28 2018-02-14 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 Matcher and matching method
KR20170107545A (en) * 2015-02-27 2017-09-25 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 Matching device and matching method
KR101965995B1 (en) * 2015-02-27 2019-04-04 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 Matching device and matching method
US10291198B2 (en) 2015-02-27 2019-05-14 Hitachi Kokusai Electric Inc. Matching device and matching method

Also Published As

Publication number Publication date
JP5544386B2 (en) 2014-07-09
WO2012020476A1 (en) 2012-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4856288B1 (en) Impedance matching device and control method
JP5544386B2 (en) Impedance matching device and control method
JP5957556B2 (en) Impedance matching device, power receiving device, and control method
JP5710759B2 (en) Impedance matching device and control method
JP5569182B2 (en) Non-contact power transmission system, non-contact power transmission device, and impedance adjustment method
Dang et al. Modeling and investigation of magnetic resonance coupled wireless power transfer system with lateral misalignment
KR20130070451A (en) Apparatus for transmitting wireless power, apparatus for receiving wireless power, system for transmitting wireless power and method for transmitting wireless power
US9780575B2 (en) System and method for contactless exchange of power
JP5819502B2 (en) Impedance matching device and control method
Dang et al. Elimination method for the transmission efficiency valley of death in laterally misaligned wireless power transfer systems
WO2013183700A1 (en) Power reception device and contactless power transmission system
CN105391190A (en) Double-source wireless power supply system spacing optimization method based on minimum power fluctuation standard deviation
Cho et al. Wireless power transfer system for docent robot by using magnetic resonant coils
JP5059243B2 (en) Impedance matching device and control method
Li et al. Improved particle swarm optimization algorithm for adaptive frequency-tracking control in wireless power transfer systems
Fang et al. Circuit model based design and analysis for a four-structure-switchable wireless power transfer system
Lee et al. Adaptive wireless power transfer system without feedback information using single matching network
Zhang Design of High Efficiency Wireless Power Transfer System with Nonlinear Resonator
Seo et al. High-efficiency wireless power transfer by controlling free resonant frequencies
Shen et al. optimization Design of Coil of Magnetically Coupled Resonant Wireless Power Transmission System
Lee et al. Hybrid Impedance Matching Strategy for Wireless Charging System
Cho et al. Wireless energy transfer by using 1.8 MHz magnetic resonance coils considering limiting human exposure to EM fields
Misran et al. Enhancement algorithm for reverse loop technique on planar reverse loop antenna
Zhao et al. Analysis Resonant Compensation for Wireless Power Transfer via Magnetic Coupling.
de Abreu et al. Self-tuning of impedance matching for wireless power transfer devices

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130917

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131017

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140415

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140512

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5544386

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350