JP2012119491A - フォトレジストの除去方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バッチ処理式洗浄装置10は、大気に開放され、過飽和オゾン水14を貯留する浸漬槽11と、過飽和オゾン水14を浸漬槽11の底部から供給する過飽和オゾン水供給配管12と、過飽和オゾン水供給配管12内を流れる過飽和オゾン水14の流量を調節するニードルバルブ13とを備える。枚葉処理式洗浄装置20は、過飽和オゾン水14を吐出してフォトレジストに吹き付けるためのノズル21と、過飽和オゾン水14をノズル21に供給する過飽和オゾン水供給配管22と、過飽和オゾン水供給配管22内を流れる過飽和オゾン水14の流量を調節するニードルバルブ23と、フォトレジストが表面に形成されたシリコンウェーハ15をノズル21に対向させて載置する載置台24とを備える。
【選択図】図2
Description
前記浸漬槽は、密閉容器で構成され、前記密閉容器内の圧力が大気圧よりも高い状態で前記基体を浸漬することを特徴とする。
前記ノズルとフォトレジストとの距離を近接させて、前記過飽和水溶液にかかる圧力が大気圧よりも高い状態でフォトレジストに吹き付けることを特徴とする。
(モル分率、x)に比例する。したがって、下記(1)式が成立する。
p=Hx …(1)
H=3.842×107[OH−]0.035exp(−2428/T)…(2)
オゾン水によるフォトレジストの除去が普及しないのは、特定の構造を有する洗浄装置を使用する必要があり、汎用の洗浄装置を用いて十分な除去速度を得ることができないからである。
k=A exp(−E/RT) …(3)
しかしながら、オゾン水のように常温・常圧で気体状態にある分子を水中に溶解させるためには、(1)式と(2)式とから明らかなように、低温よりも高温の方が不利になる。すなわち、飽和溶解度は水温が高いと低くなるので、通常オゾン水では高温での高濃度化が難しい。
する。
.31〜0.40 MPaとし、流量を10〜100mL・min−1とする。
フォトレジストの除去速度を向上させることができる。
実験例1では、通常オゾン水と過飽和オゾン水とのフォトレジストの除去速度を比較するために、図2に示したバッチ処理式洗浄装置10および枚葉処理式洗浄装置20を用いてフォトレジスト除去を行った。
このサンプルを用いてフォトレジストの除去レートを測定した結果を、表1に示す。
本発明の目的は、環境負荷の小さいオゾン水洗浄を広く普及させるため、従来の洗浄からの切り替えにおける経済的な負担を小さくすることである。しかし、経済的なことよりも、むしろフォトレジストの除去速度を向上させる方が優先される場合には、図3に示すような、オゾン濃度の低下を抑制する機構を備えたバッチ処理式洗浄装置30および枚葉処理式洗浄装置40を用いることが好ましい。
2 オゾナイザー
3 循環槽
3a バブラー
3b 圧力コントロール弁
4 循環用ポンプ
5 熱交換用温水槽
5a 熱交換器
5b ヒータ
6 オゾン分解器
10,30 バッチ処理式洗浄装置
11,31 浸漬槽
12,32 過飽和オゾン水供給配管
13,34 ニードルバルブ
14 過飽和オゾン水
15 シリコンウェーハ
20,40 枚葉処理式洗浄装置
21,41 ノズル
22,42 過飽和オゾン水供給配管
23,43 ニードルバルブ
24,44 載置台
33 排水管
Claims (4)
- 基体表面に形成されたフォトレジストを、オゾンの過飽和水溶液を用いて除去する除去操作を行うことを特徴とするフォトレジストの除去方法。
- 前記過飽和水溶液のオゾン濃度の低下を抑制した状態で、前記除去操作を行うことを特徴とする請求項1記載のフォトレジストの除去方法。
- 前記除去操作は、前記過飽和水溶液を貯留した浸漬槽に、フォトレジストが形成された基体を浸漬する操作であり、
前記浸漬槽は、密閉容器で構成され、前記密閉容器内の圧力が大気圧よりも高い状態で前記基体を浸漬することを特徴とする請求項2記載のフォトレジストの除去方法。 - 前記除去操作は、前記過飽和水溶液をノズルから吐出し、前記基体の表面に形成されたフォトレジストに、前記過飽和水溶液を吹き付ける操作であり、
前記ノズルとフォトレジストとの距離を近接させて、前記過飽和水溶液にかかる圧力が大気圧よりも高い状態でフォトレジストに吹き付けることを特徴とする請求項2記載のフォトレジストの除去方法。
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