JP2011159094A - Method for manufacturing electric solid state device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an electric solid state device which can prevent substrate damage even when manufacturing an electric solid state device substrate composed of a tempered glass substrate having a functional layer from a large glass substrate. <P>SOLUTION: In the manufacture of a touch panel substrate 20 composed of a tempered glass substrate having a functional layer such as electrodes from a large glass substrate, when chemical tempering is applied to the large glass substrate 200 to produce a large tempered glass substrate 200f, areas along cutting lines 200t are formed into low strength areas 200u composed of non-tempered areas 205u. After a functional layer such as electrodes is formed on the large tempered glass substrate 200f, the large tempered glass substrate 200f is cut along the low strength areas 200u. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、タッチパネル等の電気的固体装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing an electrical solid state device such as a touch panel.

タッチパネル、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、太陽電池等は、配線層および/または電極層からなる機能層が形成された電気的固体装置用基板を備えた電気的固体装置として構成されている。かかる電気的固体装置においては、基板の強度を維持しながら基板の薄型化を図る手段として強化ガラスを用いることが考えられる。また、電気的固体装置を効率よく製造するには、大型ガラス基板に機能層を形成した後、大型ガラス基板を単品サイズの基板に切断する方法を採用することが好ましい。しかしながら、強化ガラスの場合、ガラスダイモンドカッターで切断溝を形成すると、強化ガラス自身の応力によって破損しやすいという問題がある。   A touch panel, a liquid crystal device, an organic electroluminescence device, a solar cell, and the like are configured as an electric solid device including a substrate for an electric solid device on which a functional layer including a wiring layer and / or an electrode layer is formed. In such an electrical solid state device, it is conceivable to use tempered glass as means for reducing the thickness of the substrate while maintaining the strength of the substrate. In order to efficiently manufacture an electrical solid state device, it is preferable to employ a method of forming a functional layer on a large glass substrate and then cutting the large glass substrate into a single-size substrate. However, in the case of tempered glass, when the cutting groove is formed with a glass diamond cutter, there is a problem that it is easily broken by the stress of the tempered glass itself.

一方、強化ガラスの破損を防止する技術としては、太陽電池の分野において、ニクロム線での加熱により強化ガラスに切断溝を形成し、しかる後に、圧縮荷重を印加して強化ガラスを切断する方法が提案されている(特許文献1参照)。   On the other hand, as a technique for preventing breakage of tempered glass, in the field of solar cells, there is a method of forming a cutting groove in tempered glass by heating with nichrome wire, and then cutting the tempered glass by applying a compressive load. It has been proposed (see Patent Document 1).

特開2002−289899号公報JP 2002-289899 A

しかしながら、特許文献1に記載の方法でも、圧縮荷重を印加して強化ガラスを切断する際、強化ガラス自身の応力によって破損するおそれがある。このため、従来は、大型ガラス基板を小型のガラス基板に切断した後、強化処理を行ない、小型の強化ガラス基板に対して機能層を形成するという方法を採用せざるを得ない。それ故、強化ガラス基板を用いた場合には、生産性が著しく低いという問題点がある。また、大型ガラス基板に対して機能層を形成した後、単品サイズに切断し、しかる後に強化処理を行なう方法では、機能層によって強化処理の際のイオン交換が妨げられるので、ガラス基板全体を強化することが困難である。   However, even in the method described in Patent Document 1, when a tempered glass is cut by applying a compressive load, the tempered glass itself may be damaged. For this reason, conventionally, after cutting a large glass substrate into a small glass substrate, a tempering treatment is performed, and a method of forming a functional layer on the small tempered glass substrate has to be adopted. Therefore, when a tempered glass substrate is used, there is a problem that productivity is remarkably low. In addition, after forming a functional layer on a large glass substrate, the method of cutting to a single size and then performing a tempering treatment prevents the ion exchange during the tempering treatment by the functional layer, thus strengthening the entire glass substrate. Difficult to do.

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、機能層を備えた強化ガラス基板からなる電気的固体装置用基板を大型ガラス基板から製造する場合でも、基板の破損を防止することができる電気的固体装置の製造方法を提供することにある。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an electrical device capable of preventing damage to a substrate even when a substrate for an electrical solid device made of a tempered glass substrate having a functional layer is manufactured from a large glass substrate. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a solid state device.

上記課題を解決するために、本発明は、強化ガラス基板に少なくとも配線層および/または電極層からなる機能層が形成された電気的固体装置用基板を備えた電気的固体装置の製造方法であって、複数の前記電気的固体装置用基板が形成される大型ガラス基板に対して強化処理を行なって大型強化ガラス基板を得る際、あるいは前記強化処理を行なう前に、前記電気的固体装置用基板を形成する電気的固体装置用基板形成領域の外周に沿う領域に、前記電気的固体装置用基板形成領域よりも低い強度の低強度領域を形成する低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程と、前記電気的固体装置用基板形成領域の少なくとも一方の面に前記機能層を形成する機能層形成工程と、前記電気的固体装置用基板形成領域を前記低強度領域に沿って切断して前記電気的固体装置用基板を得る切断工程と、を有することを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, the present invention is a method for manufacturing an electrical solid state device including a substrate for an electrical solid state device in which a functional layer including at least a wiring layer and / or an electrode layer is formed on a tempered glass substrate. When the large glass substrate on which the plurality of substrates for the electrical solid device are formed is tempered to obtain a large tempered glass substrate, or before the tempering is performed, the substrate for the electrical solid device A large tempered glass substrate forming step with a low-strength region that forms a low-strength region having a lower strength than the substrate-forming region for the electric solid device in a region along the outer periphery of the substrate-forming region for the electric solid device, A functional layer forming step of forming the functional layer on at least one surface of the substrate forming region for the electric solid state device, and cutting the substrate forming region for the electric solid state device along the low strength region; And having a cutting step of obtaining the electrical solid state device substrate Te.

本発明では、電気的固体装置用基板を形成する電気的固体装置用基板形成領域の外周に沿う領域に低強度領域が形成された低強度領域付きの大型強化ガラス基板を準備し、かかる大型強化ガラス基板に機能層を形成した後、大型強化ガラス基板を低強度領域に沿って切断して電気的固体装置用基板を得る。このため、大型強化ガラス基板に過大な負荷をかけずに大型強化ガラス基板を切断することができるので、切断時に大型強化ガラス基板あるいは電気的固体装置用基板が破損することを防止することができる。また、強化処理については、機能層を形成する前に行なうため、機能層に邪魔されずに大型ガラスに対して強化処理を行なうことができる。   In the present invention, a large-sized tempered glass substrate with a low-strength region in which a low-strength region is formed in a region along the outer periphery of the substrate-forming region for an electric solid device that forms the substrate for an electric solid-state device is prepared. After the functional layer is formed on the glass substrate, the large tempered glass substrate is cut along the low-strength region to obtain a substrate for an electrical solid device. For this reason, since it can cut | disconnect a large tempered glass board | substrate, without applying an excessive load to a large tempered glass board | substrate, it can prevent that a large tempered glass board | substrate or an electric solid apparatus board | substrate is damaged at the time of a cutting | disconnection. . Further, since the tempering treatment is performed before the functional layer is formed, the tempering treatment can be performed on the large glass without being obstructed by the functional layer.

本発明において、前記低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程では、前記大型ガラス基板において前記低強度領域に沿う領域を除いて強化処理を行ない、前記強化処理が施されていない非強化領域によって前記低強度領域を形成することが好ましい。かかる構成によれば、低強度領域の形成と、大型ガラス基板の強化とを同時に行なうことができる。   In the present invention, in the large tempered glass substrate forming step with the low-strength region, the tempered processing is performed except the region along the low-strength region in the large-sized glass substrate, and the non-strengthened region not subjected to the tempering treatment It is preferable to form a low strength region. According to this configuration, the formation of the low-strength region and the strengthening of the large glass substrate can be performed at the same time.

本発明において、前記低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程では、前記大型ガラス基板に対して前記電気的固体装置用基板形成領域の外周に沿う領域に前記大型ガラス基板が厚さ方向の全体で除去されたスリットと当該大型ガラス基板が除去されていない繋ぎ部とを交互に設けて前記スリットと前記繋ぎ部とからなる前記低強度領域を形成する低強度領域形成工程と、該低強度領域形成工程の後、前記大型ガラス基板に強化処理を行なって前記大型強化ガラス基板を得る強化処理工程と、を行なうという方法を採用してもよい。   In the present invention, in the large tempered glass substrate forming step with the low-strength region, the large glass substrate is entirely in the thickness direction in a region along the outer periphery of the substrate forming region for the electrical solid device with respect to the large glass substrate. A low-strength region forming step of forming the low-strength region composed of the slits and the connecting portions by alternately providing the removed slits and the connecting portions from which the large glass substrate is not removed, and forming the low-strength regions You may employ | adopt the method of performing the tempering process which performs a tempering process to the said large sized glass substrate after a process, and obtains the said large tempered glass substrate.

また、本発明において、前記低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程では、前記大型ガラス基板に対して前記電気的固体装置用基板形成領域の外周に沿う領域に前記大型ガラス基板が厚さ方向の途中まで除去された溝を形成して前記溝からなる前記低強度領域を形成する低強度領域形成工程と、前記大型ガラス基板に強化処理を行なって前記大型強化ガラス基板を得る強化処理工程と、を行なうという方法を採用することもできる。   Further, in the present invention, in the large tempered glass substrate forming step with the low-strength region, the large glass substrate has a thickness direction in a region along the outer periphery of the substrate forming region for the electrical solid device with respect to the large glass substrate. A low-strength region forming step for forming the low-strength region consisting of the grooves by forming a groove removed halfway; a strengthening treatment step for obtaining the large-sized tempered glass substrate by performing a tempering treatment on the large-sized glass substrate; It is also possible to adopt a method of performing.

本発明において、前記強化処理は、化学強化処理であることが好ましい。本発明では、機能層を形成する前に強化処理を行なうため、化学強化処理を行なう際、機能層に邪魔されずにイオン交換を行なうことができる。   In the present invention, the strengthening treatment is preferably a chemical strengthening treatment. In the present invention, since the strengthening process is performed before the functional layer is formed, when the chemical strengthening process is performed, ion exchange can be performed without being obstructed by the functional layer.

本発明において、前記切断工程を行なう際、前記機能層を保護層で覆っておくことが好ましい。このように構成すると、切断工程において機能層が損傷することを防止することができる。   In this invention, when performing the said cutting process, it is preferable to cover the said functional layer with a protective layer. If comprised in this way, it can prevent that a functional layer is damaged in a cutting process.

本発明において、電気的固体装置としてはタッチパネルを挙げることができる。この場合、前記電気的固体装置用基板は、前記機能層として入力位置検出用電極が形成されたタッチパネル用の基板である。   In the present invention, examples of the electric solid device include a touch panel. In this case, the substrate for an electric solid device is a substrate for a touch panel on which an input position detection electrode is formed as the functional layer.

この場合、前記電気的固体装置用基板は、前記入力位置検出用電極が入力操作面と反対側の面に形成された静電容量方式のタッチパネル用基板であることが好ましい。   In this case, it is preferable that the substrate for an electrical solid device is a capacitive touch panel substrate in which the input position detection electrode is formed on a surface opposite to the input operation surface.

本発明の実施の形態1に係るタッチパネルを備えた入力機能付き電気光学装置の全体構成を模式的に示す説明図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an explanatory diagram schematically illustrating an entire configuration of an electro-optical device with an input function including a touch panel according to a first embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態1に係る静電容量型の入力装置に用いたタッチパネル用基板の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the board | substrate for touchscreens used for the electrostatic capacitance type input device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係るタッチパネルの製造方法において、大型ガラス基板から単品サイズのタッチパネル用基板を切り出す様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the board | substrate for single-size touch panels is cut out from a large sized glass substrate in the manufacturing method of the touch panel which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係るタッチパネルの製造方法において、大型強化ガラス基板の低強度領域を拡大して示す説明図である。In the manufacturing method of the touch panel which concerns on Embodiment 1 of this invention, it is explanatory drawing which expands and shows the low intensity | strength area | region of a large tempered glass substrate. 本発明の実施の形態1に係るタッチパネルの製造方法において、低強度領域を備えた大型強化ガラス基板の製造方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing method of the large tempered glass board | substrate provided with the low intensity | strength area | region in the manufacturing method of the touchscreen which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態2に係るタッチパネルの製造方法において、大型ガラス基板から単品サイズのタッチパネル用基板を切り出す様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the board | substrate for single-size touch panels is cut out from a large sized glass substrate in the manufacturing method of the touch panel which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2に係るタッチパネルの製造方法において、大型強化ガラス基板の低強度領域を拡大して示す説明図である。It is explanatory drawing which expands and shows the low intensity | strength area | region of a large tempered glass board | substrate in the manufacturing method of the touchscreen which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2に係るタッチパネルの製造方法において、低強度領域を備えた大型強化ガラス基板の製造方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing method of the large tempered glass substrate provided with the low intensity | strength area | region in the manufacturing method of the touchscreen which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態3に係るタッチパネルの製造方法において、大型ガラス基板から単品サイズのタッチパネル用基板を切り出す様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the board | substrate for single-size touch panels is cut out from a large sized glass substrate in the manufacturing method of the touch panel which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態3に係るタッチパネルの製造方法において、大型強化ガラス基板の低強度領域を拡大して示す説明図である。It is explanatory drawing which expands and shows the low intensity | strength area | region of a large tempered glass board | substrate in the manufacturing method of the touchscreen which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態3に係るタッチパネルの製造方法において、低強度領域を備えた大型強化ガラス基板の製造方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing method of the large tempered glass substrate provided with the low intensity | strength area | region in the manufacturing method of the touchscreen which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態5に係るタッチパネルの製造方法において、大型ガラス基板から単品サイズのタッチパネル用基板と他の部材とを切り出す様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the board | substrate for single-size touch panels and another member are cut out from a large sized glass substrate in the manufacturing method of the touch panel which concerns on Embodiment 5 of this invention. 本発明を適用した入力機能付き電気光学装置を備えた電子機器の説明図である。It is explanatory drawing of the electronic device provided with the electro-optical apparatus with an input function to which this invention is applied.

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、タッチパネル、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、太陽電池等々、各種の電気的固体装置に適用することができるが、以下の説明では、タッチパネルに本発明を適用した場合を例示する。このため、以下の説明では、タッチパネルが「電気的固体装置」に相当し、タッチパネル用基板が「電気的固体装置用基板」に相当し、入力位置検出用電極や配線が「機能層」に相当する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, although this invention can be applied to various electric solid devices, such as a touchscreen, a liquid crystal device, an organic electroluminescent device, a solar cell, etc., in the following description, the case where this invention is applied to a touchscreen is illustrated. . For this reason, in the following description, the touch panel corresponds to an “electric solid device”, the touch panel substrate corresponds to an “electric solid device substrate”, and the input position detection electrodes and wiring correspond to “functional layers”. To do. In the drawings referred to in the following description, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing.

[実施の形態1]
図1は、本発明の実施の形態1に係るタッチパネルを備えた入力機能付き電気光学装置の全体構成を模式的に示す説明図であり、図1(a)、(b)は、入力機能付き電気光学装置の外観を模式的に示す説明図、および入力機能付き電気光学装置の断面構成を模式的に示す説明図である。
[Embodiment 1]
FIG. 1 is an explanatory diagram schematically showing the overall configuration of an electro-optical device with an input function including a touch panel according to Embodiment 1 of the present invention, and FIGS. FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing an external appearance of the electro-optical device, and an explanatory diagram schematically showing a cross-sectional configuration of the electro-optical device with an input function.

図1において、本形態の入力装置付き電気光学装置100は、概ね、液晶装置等からなる画像生成装置5と、この画像生成装置5において表示光を出射する側の面に重ねて配置された静電容量型の入力装置1とを有している。入力装置1はタッチパネル2(電気的固体装置)を備え、画像生成装置5は電気光学パネル5a(表示パネル)としての液晶パネルを備えている。本形態において、タッチパネル2および電気光学パネル5aはいずれも矩形の平面形状を備えており、入力装置1および入力装置付き電気光学装置100を平面視したときの中央領域が入力領域2aである。また、画像生成装置5および入力装置付き電気光学装置100において入力領域2aと平面視で重なる領域が画像形成領域である。タッチパネル2の4つの端部20e、20f、20g、20hのうち、端部20eが位置する側にはフレキシブル配線基板35が接続され、電気光学パネル5aにおいて端部20eが位置する側にはフレキシブル配線基板73が接続されている。   In FIG. 1, an electro-optical device 100 with an input device according to the present embodiment is generally an image generating device 5 composed of a liquid crystal device or the like, and a static light arranged on the surface on the display light emitting side of the image generating device 5. It has a capacitance-type input device 1. The input device 1 includes a touch panel 2 (electric solid device), and the image generation device 5 includes a liquid crystal panel as an electro-optical panel 5a (display panel). In the present embodiment, the touch panel 2 and the electro-optical panel 5a both have a rectangular planar shape, and the central region when the input device 1 and the electro-optical device 100 with an input device are viewed in plan is the input region 2a. Further, in the image generating device 5 and the electro-optical device 100 with the input device, an area that overlaps the input area 2a in a plan view is an image forming area. Of the four end portions 20e, 20f, 20g, and 20h of the touch panel 2, the flexible wiring board 35 is connected to the side where the end portion 20e is located, and the flexible wiring is connected to the side where the end portion 20e is located in the electro-optical panel 5a. A substrate 73 is connected.

画像生成装置5は、透過型や半透過反射型のアクティブマトリクス型の液晶表示装置であり、電気光学パネル5aに対してタッチパネル2が配置されている側とは反対側(表示光の出射側とは反対側)にはバックライト装置(図示せず)が配置されている。バックライト装置は、例えば、電気光学パネル5aに対してタッチパネル2が配置されている側とは反対側に重ねて配置された透光性の導光板と、導光板の側端部に向けて白色光等を出射する発光ダイオード等の光源とを備えており、光源から出射された光は、導光板の側端部から入射した後、導光板内を伝搬しながら電気光学パネルに向けて出射される。なお、導光板と電気光学パネル5aとの間には、光散乱シートやプリズムシート等のシート状光学部材が配置されており、導光板に対して電気光学パネル5aが位置する側とは反対側には反射シートが配置されている。   The image generation device 5 is a transmissive or transflective active matrix liquid crystal display device, and is opposite to the side on which the touch panel 2 is disposed with respect to the electro-optical panel 5a (the display light emission side and Is provided with a backlight device (not shown). The backlight device includes, for example, a translucent light guide plate that is disposed on the side opposite to the side on which the touch panel 2 is disposed with respect to the electro-optical panel 5a, and a white color toward the side end of the light guide plate. A light source such as a light emitting diode that emits light, etc., and the light emitted from the light source is incident on the side end of the light guide plate and then is emitted toward the electro-optical panel while propagating through the light guide plate. The A sheet-like optical member such as a light scattering sheet or a prism sheet is disposed between the light guide plate and the electro-optical panel 5a, and the side opposite to the side where the electro-optical panel 5a is located with respect to the light guide plate. A reflective sheet is arranged in the case.

画像生成装置5において、電気光学パネル5aに対して表示光の出射側には第1偏光板81が重ねて配置され、その反対側に第2偏光板82が重ねて配置されている。電気光学パネル5aは、表示光の出射側とは反対側に配置された透光性の素子基板50と、この素子基板50に対して表示光の出射側で対向配置された透光性の対向基板60とを備えている。対向基板60と素子基板50とは、矩形枠状のシール材71により貼り合わされており、対向基板60と素子基板50との間においてシール材71で囲まれた領域内に液晶層55が保持されている。素子基板50において、対向基板60と対向する面には複数の画素電極58がITO(Indium Tin Oxide)膜やIZO(Indium Zinc Oxide)膜等の透光性導電膜により形成され、対向基板60において、素子基板50と対向する面には共通電極68がITO膜等の透光性導電膜により形成されている。また、対向基板60にはカラーフィルター(図示せず)が形成されている。なお、画像生成装置5がIPS(In Plane Switching)方式や、FFS(Fringe Field Switching)方式である場合、共通電極68は素子基板50の側に設けられる。また、素子基板50が対向基板60に対して表示光の出射側に配置されることもある。素子基板50において、対向基板60の縁から張り出した張出領域59には駆動用IC75がCOG実装されているとともに、張出領域59にはフレキシブル配線基板73が接続されている。なお、素子基板50には、素子基板50上のスイッチング素子と同時に駆動回路を形成することもある。   In the image generating apparatus 5, a first polarizing plate 81 is placed on the electroluminescent panel 5a on the display light emission side, and a second polarizing plate 82 is placed on the opposite side. The electro-optical panel 5a includes a light-transmitting element substrate 50 disposed on the side opposite to the display light emission side, and a light-transmitting counter element disposed opposite to the element substrate 50 on the display light emission side. And a substrate 60. The counter substrate 60 and the element substrate 50 are bonded to each other with a rectangular frame-shaped sealing material 71, and the liquid crystal layer 55 is held in a region surrounded by the sealing material 71 between the counter substrate 60 and the element substrate 50. ing. In the element substrate 50, a plurality of pixel electrodes 58 are formed on a surface facing the counter substrate 60 by a translucent conductive film such as an ITO (Indium Tin Oxide) film or an IZO (Indium Zinc Oxide) film. A common electrode 68 is formed of a light-transmitting conductive film such as an ITO film on the surface facing the element substrate 50. Further, a color filter (not shown) is formed on the counter substrate 60. When the image generation apparatus 5 is an IPS (In Plane Switching) method or an FFS (Fringe Field Switching) method, the common electrode 68 is provided on the element substrate 50 side. Further, the element substrate 50 may be arranged on the display light emitting side with respect to the counter substrate 60. In the element substrate 50, a driving IC 75 is COG-mounted in an overhang region 59 projecting from the edge of the counter substrate 60, and a flexible wiring board 73 is connected to the overhang region 59. Note that a drive circuit may be formed on the element substrate 50 simultaneously with the switching elements on the element substrate 50.

(入力装置1の詳細構成)
入力装置1において、タッチパネル2は、透光性のタッチパネル用基板20を有しており、以下、タッチパネル用基板20において、入力操作面側に位置する側を第1面20aとし、その反対側を第2面20bとして説明する。
(Detailed configuration of the input device 1)
In the input device 1, the touch panel 2 includes a translucent touch panel substrate 20. Hereinafter, in the touch panel substrate 20, a side located on the input operation surface side is defined as a first surface 20 a, and the opposite side is defined. This will be described as the second surface 20b.

本形態の入力装置1において、タッチパネル用基板20の第1面20a側には透光性のカバー等が設けられておらず、タッチパネル用基板20の第1面20a自身が入力操作面になっている。このため、透光性のカバー等が設けられていない分、タッチパネル2の薄型化が図られている。また、タッチパネル用基板20は強化ガラス基板であり、透光性のカバー等を設けなくても、十分な強度を備えている。また、タッチパネル用基板20が強化ガラス基板であるため、タッチパネル用基板20の厚さを薄くすることができる分、タッチパネル2の薄型化が図られている。タッチパネル用基板20の第1面20a側には、入力領域2aの外側に相当する周辺領域2bに遮光層90(図1(a)では図示せず)が設けられており、かかる遮光層90は印刷層や遮光シートからなる。   In the input device 1 of this embodiment, a light-transmitting cover or the like is not provided on the first surface 20a side of the touch panel substrate 20, and the first surface 20a itself of the touch panel substrate 20 is an input operation surface. Yes. For this reason, the touch panel 2 is reduced in thickness because a light-transmitting cover or the like is not provided. The touch panel substrate 20 is a tempered glass substrate, and has sufficient strength without providing a light-transmitting cover or the like. In addition, since the touch panel substrate 20 is a tempered glass substrate, the touch panel 2 can be made thinner because the thickness of the touch panel substrate 20 can be reduced. On the first surface 20a side of the touch panel substrate 20, a light shielding layer 90 (not shown in FIG. 1A) is provided in a peripheral region 2b corresponding to the outside of the input region 2a. It consists of a printing layer and a light shielding sheet.

本形態の入力装置1において、タッチパネル用基板20の第2面20b側には、タッチパネル用基板20からみて下層側から上層側に向かって第1透光性導電膜4a、層間絶縁膜214、および第2透光性導電膜4bが形成されており、第1透光性導電膜4aおよび第2透光性導電膜4bのうち、第1透光性導電膜4aによって入力位置検出用電極21が形成されている。また、タッチパネル用基板20の端部20eでは、第1面20aにフレキシブル配線基板35が接続されている。   In the input device 1 of the present embodiment, on the second surface 20b side of the touch panel substrate 20, the first light-transmissive conductive film 4a, the interlayer insulating film 214, and the like from the lower layer side to the upper layer side as viewed from the touch panel substrate 20, A second translucent conductive film 4b is formed, and the input position detecting electrode 21 is formed by the first translucent conductive film 4a out of the first translucent conductive film 4a and the second translucent conductive film 4b. Is formed. Moreover, the flexible wiring board 35 is connected to the 1st surface 20a in the edge part 20e of the board | substrate 20 for touch panels.

タッチパネル2と電気光学パネル5aとの間には、透光性フィルム上にITO膜等の透光性導電膜が形成されたシールド用の導電フィルム99が配置されており、かかる導電フィルム99は、タッチパネル用基板20の第2面20b側に粘着剤層99eによって接着されている。タッチパネル2において導電フィルム99の側は、接着剤層(図示せず)によって画像生成装置5と一体化されている。導電フィルム99は、画像生成装置5側での電位変化がノイズとして入力位置検出用電極21に影響を及ぼすことを防止する機能を担っており、画像生成装置5と入力位置検出用電極21との間に十分な距離が確保できる場合、導電フィルム99は省略されることもある。   Between the touch panel 2 and the electro-optical panel 5a, a conductive film 99 for shielding in which a light-transmitting conductive film such as an ITO film is formed on a light-transmitting film is disposed. It is adhered to the second surface 20b side of the touch panel substrate 20 by an adhesive layer 99e. In the touch panel 2, the conductive film 99 side is integrated with the image generating device 5 by an adhesive layer (not shown). The conductive film 99 has a function of preventing a potential change on the image generating device 5 side from affecting the input position detecting electrode 21 as noise. When a sufficient distance can be secured between them, the conductive film 99 may be omitted.

(入力装置1の電極等の概略構成)
図2は、本発明の実施の形態1に係る静電容量型の入力装置1に用いたタッチパネル用基板20の概略構成を示す説明図であり、図2(a)、(b)は平面構成を示す説明図および断面構成を示す説明図である。なお、図2(a)において、入力領域2aについては、その角部分の位置を英文字の「L」状のマークで示してある。また、図2(b)は、タッチパネル用基板20のC−C′断面図に相当する。なお、図2(a)は、タッチパネル用基板20の第2面20b側を示すため、図1等と左右逆になって表されている。
(Schematic configuration of electrodes of input device 1)
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of the touch panel substrate 20 used in the capacitance-type input device 1 according to the first embodiment of the present invention, and FIGS. 2A and 2B are planar configurations. It is explanatory drawing which shows, and explanatory drawing which shows a cross-sectional structure. In FIG. 2A, the corner of the input area 2a is indicated by an English letter “L” mark. FIG. 2B corresponds to a cross-sectional view taken along the line CC ′ of the touch panel substrate 20. Note that FIG. 2A shows the second surface 20b side of the touch panel substrate 20, and is shown to be reversed from the left and right in FIG.

図2(a)に示すように、本形態の静電容量型の入力装置1において、タッチパネル用基板20の第2面20bには、入力領域2aでX方向(第1方向)に延在する入力位置検出用の複数の第1電極211と、入力領域2aでX方向に交差するY方向(第2方向)に延在する入力位置検出用の複数の第2電極212とが形成されており、これらの第1電極211および第2電極212によって入力位置検出用電極21(電極層/機能層)が形成されている。また、タッチパネル用基板20の第2面20bにおいて、入力領域2aの外側に相当する周辺領域2bには、第1電極211の一方側端部から延在する信号配線27(配線層/機能層)、および第2電極212の一方側端部から延在する信号配線27が形成されており、これらの信号配線27において端部20eに位置する部分は実装端子24になっている。なお、信号配線27や実装端子24等に対しては、図1(b)を参照して説明した遮光層90が重なっており、入力操作面側からは信号配線27や実装端子24が見えないようになっている。   As shown in FIG. 2A, in the capacitance-type input device 1 of this embodiment, the input surface 2b extends in the X direction (first direction) on the second surface 20b of the touch panel substrate 20. A plurality of first electrodes 211 for input position detection and a plurality of second electrodes 212 for input position detection extending in the Y direction (second direction) intersecting the X direction in the input region 2a are formed. The first electrode 211 and the second electrode 212 form an input position detection electrode 21 (electrode layer / functional layer). Further, on the second surface 20b of the touch panel substrate 20, the signal wiring 27 (wiring layer / functional layer) extending from one end of the first electrode 211 is provided in the peripheral region 2b corresponding to the outside of the input region 2a. The signal wiring 27 extending from one end portion of the second electrode 212 is formed, and a portion of the signal wiring 27 located at the end portion 20e is a mounting terminal 24. Note that the light shielding layer 90 described with reference to FIG. 1B overlaps the signal wiring 27, the mounting terminal 24, and the like, and the signal wiring 27 and the mounting terminal 24 cannot be seen from the input operation surface side. It is like that.

図2(b)に示すように、本形態の静電容量型の入力装置1において、タッチパネル用基板20の第2面20bの側には、タッチパネル用基板20からみて下層側から上層側に向けて第1透光性導電膜4a、層間絶縁膜214、および第2透光性導電膜4bが順に形成されている。また、タッチパネル用基板20の第2面20bの側には、第1透光性導電膜4aのうち、信号配線27を構成する部分には、第1透光性導電膜4aの上面に金属膜4cが形成されている。   As shown in FIG. 2B, in the capacitance-type input device 1 of the present embodiment, the second surface 20b side of the touch panel substrate 20 is directed from the lower layer side to the upper layer side as viewed from the touch panel substrate 20. The first light-transmitting conductive film 4a, the interlayer insulating film 214, and the second light-transmitting conductive film 4b are sequentially formed. Further, on the second surface 20b side of the touch panel substrate 20, a metal film is formed on the upper surface of the first translucent conductive film 4a in the portion of the first translucent conductive film 4a constituting the signal wiring 27. 4c is formed.

本形態において、第1透光性導電膜4aは多結晶のITO膜からなり、第1透光性導電膜4aの上層側には、感光性樹脂膜やシリコン酸化膜等の透光性絶縁膜からなる層間絶縁膜214が形成されている。本形態において、第2透光性導電膜4bも、第1透光性導電膜4aと同様、多結晶のITO膜からなる。金属膜4cは、銀−パラジウム−銅の合金等からなる。なお、タッチパネル用基板20の第2面20bには、その全面にシリコン酸化膜等からなる透光性の下地保護膜が形成されている場合があり、この場合、下地保護膜上に第1透光性導電膜4a、層間絶縁膜214、および第2透光性導電膜4bが順に積層されることになる。   In this embodiment, the first light-transmitting conductive film 4a is made of a polycrystalline ITO film, and a light-transmitting insulating film such as a photosensitive resin film or a silicon oxide film is formed on the upper layer side of the first light-transmitting conductive film 4a. An interlayer insulating film 214 made of is formed. In the present embodiment, the second translucent conductive film 4b is also made of a polycrystalline ITO film, like the first translucent conductive film 4a. The metal film 4c is made of a silver-palladium-copper alloy or the like. The second surface 20b of the touch panel substrate 20 may have a light-transmitting base protective film made of a silicon oxide film or the like formed on the entire surface thereof. In this case, the first transparent surface is formed on the base protective film. The photoconductive film 4a, the interlayer insulating film 214, and the second translucent conductive film 4b are sequentially stacked.

本形態の静電容量型の入力装置1において、第1透光性導電膜4aは、まず、入力領域2aに複数の菱形領域として形成され、かかる菱形領域は、入力位置検出用電極21(第1電極211および第2電極212)のパッド部211a、212a(大面積部分)を構成する。これらのパッド部211a、212aは、X方向およびY方向において交互に配列されている。複数のパッド部211aにおいてX方向(第1方向)で隣り合うパッド部211a同士は連結部分211cを介して繋がっており、パッド部211aおよび連結部分211cは、X方向で延在する第1電極211を構成している。これに対して、複数のパッド部212aは、Y方向(第2方向)で延在する第2電極212を構成するが、Y方向で隣り合うパッド部212aの間、すなわち、連結部分211cと重なる部分は途切れ部分218aになっている。また、第1透光性導電膜4aは、周辺領域2bにおいて、信号配線27の下層側を構成する下層側配線271として形成されている。   In the capacitance-type input device 1 of the present embodiment, the first light-transmissive conductive film 4a is first formed as a plurality of rhombus regions in the input region 2a. The pad portions 211a and 212a (large area portion) of the first electrode 211 and the second electrode 212) are configured. These pad portions 211a and 212a are alternately arranged in the X direction and the Y direction. In the plurality of pad portions 211a, adjacent pad portions 211a in the X direction (first direction) are connected via a connecting portion 211c, and the pad portion 211a and the connecting portion 211c extend in the X direction. Is configured. On the other hand, the plurality of pad portions 212a constitute the second electrode 212 extending in the Y direction (second direction), but overlap between the pad portions 212a adjacent in the Y direction, that is, the connecting portion 211c. The portion is a discontinuous portion 218a. The first translucent conductive film 4a is formed as a lower layer side wiring 271 that constitutes a lower layer side of the signal wiring 27 in the peripheral region 2b.

層間絶縁膜214は入力領域2aから周辺領域2bにわたって広い領域に形成されている。層間絶縁膜214には、コンタクトホール214aが形成されており、かかるコンタクトホール214aは、パッド部212aにおいて途切れ部分218aを介して対峙する端部と重なる位置に形成されている。層間絶縁膜214の上層側において、第2透光性導電膜4bは、コンタクトホール214aと重なる領域に中継電極215として形成されている。金属層4cは、周辺領域2bにおいて、信号配線27の上層側を構成する上層側配線272として形成されている。さらに、第2透光性導電膜4bの上層側には、タッチパネル用基板20の略全面に感光性樹脂等からなるトップコート層219が形成されている。   The interlayer insulating film 214 is formed in a wide region from the input region 2a to the peripheral region 2b. A contact hole 214a is formed in the interlayer insulating film 214, and the contact hole 214a is formed at a position overlapping the end portion facing the gap portion 218a in the pad portion 212a. On the upper layer side of the interlayer insulating film 214, the second light-transmissive conductive film 4b is formed as a relay electrode 215 in a region overlapping with the contact hole 214a. The metal layer 4c is formed as an upper layer side wiring 272 constituting the upper layer side of the signal wiring 27 in the peripheral region 2b. Further, a top coat layer 219 made of a photosensitive resin or the like is formed on substantially the entire surface of the touch panel substrate 20 on the upper layer side of the second translucent conductive film 4b.

このように構成した静電容量型の入力装置1において、第1電極211および第2電極212は、同一の導電膜(第1透光性導電膜4a)によって形成され、かつ、互いに交差する方向に延在しているため、タッチパネル用基板20上には、第1電極211と第2電極212とが交差する交差部218が存在する。ここで、第1電極211および第2電極212のうち、第1電極211は、交差部218でも第2透光性導電膜4bからなる連結部分211cによってX方向で繋がって延在している。これに対して、第2電極212には交差部218に途切れ部分218aが構成されている。但し、交差部218では、層間絶縁膜214の上層に中継電極215が形成されており、かかる中継電極215は、層間絶縁膜214のコンタクトホール214aを介して、途切れ部分218aを介して隣り合うパッド212a同士を電気的に接続している。このため、第2電極212はY方向で電気的に接続した状態でY方向に延在している。なお、中継電極215は、層間絶縁膜214を介して連結部分211cに重なっているため、短絡するおそれはない。   In the capacitance-type input device 1 configured as described above, the first electrode 211 and the second electrode 212 are formed of the same conductive film (first translucent conductive film 4a) and intersect each other. Therefore, an intersection 218 where the first electrode 211 and the second electrode 212 intersect exists on the touch panel substrate 20. Here, of the first electrode 211 and the second electrode 212, the first electrode 211 extends in the X direction by the connecting portion 211c made of the second light-transmissive conductive film 4b even at the intersection 218. On the other hand, the second electrode 212 has a discontinuous portion 218 a at the intersection 218. However, at the intersection 218, a relay electrode 215 is formed in the upper layer of the interlayer insulating film 214, and the relay electrode 215 is adjacent to the pad adjacent to the interrupted portion 218a through the contact hole 214a of the interlayer insulating film 214. 212a is electrically connected. For this reason, the second electrode 212 extends in the Y direction while being electrically connected in the Y direction. Note that the relay electrode 215 overlaps the connecting portion 211c with the interlayer insulating film 214 interposed therebetween, so there is no possibility of short circuit.

(入力位置検出方法)
このように構成した入力装置1において、入力位置検出用電極21に矩形パルス状の位置検出信号を出力すると、入力位置検出用電極21に容量が寄生していない場合、入力位置検出用電極21に印加した位置検出信号と同一波形の信号が検出される。これに対して、入力位置検出用電極21に容量が寄生していると、容量に起因する波形の歪みが発生するので、入力位置検出用電極21に容量が寄生しているか否かを検出することができる。従って、複数の入力位置検出用電極21のうちのいずれかに指が近接すると、指が近接した入力位置検出用電極21では、指との間に生じた静電容量分だけ、静電容量が増大するので、指が近接した電極を特定することができる。
(Input position detection method)
In the input device 1 configured as described above, when a position detection signal in the form of a rectangular pulse is output to the input position detection electrode 21, if no capacitance is parasitic on the input position detection electrode 21, the input position detection electrode 21 A signal having the same waveform as the applied position detection signal is detected. On the other hand, if a capacitance is parasitic on the input position detection electrode 21, a waveform distortion due to the capacitance occurs. Therefore, it is detected whether or not the capacitance is parasitic on the input position detection electrode 21. be able to. Therefore, when the finger approaches one of the plurality of input position detection electrodes 21, the input position detection electrode 21 that is in proximity to the finger has a capacitance corresponding to the capacitance generated between the finger. Since it increases, it is possible to identify the electrode that the finger is close to.

(タッチパネル2の製造方法)
図3は、本発明の実施の形態1に係るタッチパネル2の製造方法において、大型ガラス基板から単品サイズのタッチパネル用基板20を切り出す様子を示す説明図であり、図3(a)、(b)は、大型ガラス基板においてタッチパネル用基板20として切り出される基板切り出し領域(電気的固体装置用基板形成領域)の説明図、および大型強化ガラス基板に設けた低強度領域の説明図である。図4は、本発明の実施の形態1に係るタッチパネル2の製造方法において、大型強化ガラス基板の低強度領域を拡大して示す説明図であり、図4(a)、(b)、(c)は、大型強化ガラス基板の一部(基板切り出し領域2つ分)の平面的構成を拡大して示す説明図、A1−A1′断面図、および断面を拡大して示す説明図である。図5は、本発明の実施の形態1に係るタッチパネル2の製造方法において、低強度領域を備えた大型強化ガラス基板の製造方法を示す説明図であり、図5(a)、(b)、(c)は、大型ガラス基板の一部(基板切り出し領域2つ分)の平面的構成を拡大して示す説明図、A1−A1′断面図、および断面を拡大して示す説明図である。なお、図4(a)および図5(a)には、一方の基板切り出し領域200sに対して切断予定線200tを太い一点鎖線で表してある。
(Method for manufacturing touch panel 2)
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a state in which a single-size touch panel substrate 20 is cut out from a large glass substrate in the manufacturing method of the touch panel 2 according to Embodiment 1 of the present invention, and FIGS. These are explanatory drawing of the board | substrate cutting-out area | region (electrical solid apparatus substrate formation area) cut out as the board | substrate 20 for touch panels in a large sized glass substrate, and explanatory drawing of the low intensity | strength area | region provided in the large tempered glass substrate. FIG. 4 is an explanatory view showing, in an enlarged manner, a low-strength region of a large tempered glass substrate in the method for manufacturing the touch panel 2 according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 4 (a), FIG. 4 (b), FIG. ) Is an explanatory diagram showing an enlarged planar configuration of a part of a large tempered glass substrate (for two substrate cut-out regions), an A1-A1 ′ sectional view, and an explanatory diagram showing an enlarged sectional view. FIG. 5 is an explanatory view showing a method for manufacturing a large tempered glass substrate having a low-strength region in the method for manufacturing the touch panel 2 according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 5 (a), FIG. (C) is explanatory drawing which expands and shows the planar structure of a part of large glass substrate (for two board | substrate cutting-out area | regions), A1-A1 'sectional drawing, and explanatory drawing which expands and shows a cross section. In FIGS. 4A and 5A, the planned cutting line 200t is represented by a thick one-dot chain line with respect to one substrate cutting region 200s.

本形態のタッチパネル2では、タッチパネル用基板20として強化ガラス基板が用いられており、図3〜図5を参照して以下に説明する方法により準備した低強度領域付きの大型強化ガラス基板を用いて製造される。   In the touch panel 2 of this embodiment, a tempered glass substrate is used as the touch panel substrate 20, and a large tempered glass substrate with a low-strength region prepared by the method described below with reference to FIGS. 3 to 5 is used. Manufactured.

本形態では、タッチパネル用基板20を製造するにあたって、図3(a)に示すように、タッチパネル用基板20を多数取りできる大型ガラス基板200を用い、大型ガラス基板200において、切断予定線200tは、タッチパネル用基板20として切り出される基板切り出し領域200sの外周に沿って引かれている。   In this embodiment, when manufacturing the touch panel substrate 20, as shown in FIG. 3A, a large glass substrate 200 that can take a large number of touch panel substrates 20 is used. It is drawn along the outer periphery of the substrate cutout region 200s cut out as the touch panel substrate 20.

かかる大型ガラス基板200を用いてタッチパネル用基板20を製造するにあたって、本形態では、まず、図3(b)および図4(a)、(b)に示すように、低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程において、大型ガラス基板200に対して強化処理を行なって大型強化ガラス基板200fを得る際、基板切り出し領域200sの外周に沿った領域に基板切り出し領域200sよりも低い強度の低強度領域200uを形成する。   In manufacturing the touch panel substrate 20 using such a large glass substrate 200, first, in this embodiment, as shown in FIGS. 3B, 4A, and 4B, large tempered glass with a low strength region is provided. In the substrate forming process, when the large glass substrate 200 is tempered to obtain the large tempered glass substrate 200f, the low strength region 200u having a lower strength than the substrate cutting region 200s is provided in the region along the outer periphery of the substrate cutting region 200s. Form.

かかる低強度領域200uを形成するにあたって、本形態では、図4(c)に示すように、低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程において、大型ガラス基板200において切断予定線200tに沿った低強度領域200uを形成する領域を除いて強化処理を行ない、強化処理が施されていない非強化領域205uによって低強度領域200uを形成する。   In forming the low-strength region 200u, in the present embodiment, as shown in FIG. 4C, in the large tempered glass substrate forming step with the low-strength region, the low-strength along the planned cutting line 200t in the large-sized glass substrate 200. The strengthening process is performed except for the area where the area 200u is formed, and the low-strength area 200u is formed by the non-strengthened area 205u that has not been subjected to the strengthening process.

より具体的には、図5(a)、(b)、(c)に示すように、大型ガラス基板200の第1面200a(タッチパネル用基板20の第1面20a)および第2面200b(タッチパネル用基板20の第2面20b)の双方に対して、切断予定線200tに沿うようにマスク210aを形成し、かかる状態で、強化処理を行なう。本形態では、強化処理として、大型ガラス基板200を温度が400℃程度のカリウム塩溶融浴に浸漬して化学強化処理を行う。従って、マスク210aとしては、かかる浴温度に耐え得る耐熱性とイオン交換素子機能とを備えたレジストや酸化膜等が用いられる。その結果、大型ガラス基板200においてマスク210aから露出している領域の表面では、大型ガラス基板200のナトリウムイオンがカリウムイオンにイオン交換される。ここで、ナトリウムのイオン半径は95nmであるのに対して、カリウムイオンのイオン半径は133nmであり、カリウムイオンの方がナトリウムイオンよりもイオン半径が大きい。このため、大型ガラス基板200は、表面の化学強化層205に起因する圧縮応力によって強度が強化された大型強化ガラス基板200fとなり、かかる大型強化ガラス基板200fにおいて、基板切り出し領域200sは化学強化されているのに対して、マスク210aで覆われていた領域は、化学強化されていない低強度領域200u(非強化領域)となる。このため、低強度領域200uは、基板切り出し領域200s等に比して強度が低い。   More specifically, as shown in FIGS. 5A, 5B, and 5C, the first surface 200a of the large glass substrate 200 (the first surface 20a of the touch panel substrate 20) and the second surface 200b ( A mask 210a is formed on both of the second surfaces 20b) of the touch panel substrate 20 along the planned cutting line 200t, and in this state, a strengthening process is performed. In this embodiment, the chemical strengthening process is performed by immersing the large glass substrate 200 in a potassium salt molten bath having a temperature of about 400 ° C. as the strengthening process. Therefore, as the mask 210a, a resist, an oxide film or the like having heat resistance that can withstand such a bath temperature and an ion exchange element function is used. As a result, sodium ions of the large glass substrate 200 are ion-exchanged with potassium ions on the surface of the region exposed from the mask 210a in the large glass substrate 200. Here, the ionic radius of sodium is 95 nm, whereas the ionic radius of potassium ions is 133 nm. The ionic radius of potassium ions is larger than that of sodium ions. For this reason, the large glass substrate 200 becomes a large tempered glass substrate 200f whose strength is reinforced by the compressive stress caused by the chemical strengthening layer 205 on the surface. In the large tempered glass substrate 200f, the substrate cutting region 200s is chemically strengthened. On the other hand, the region covered with the mask 210a is a low-strength region 200u (non-reinforced region) that is not chemically strengthened. For this reason, the strength of the low strength region 200u is lower than that of the substrate cutout region 200s and the like.

なお、本形態において、隣り合う基板切り出し領域200s同士の間には、マスク210aの幅寸法より広い幅寸法の境界領域が介在しており、マスク210aは、1つの基板切り出し領域200s毎に独立して形成されている。このため、隣り合う基板切り出し領域200sの間には、2列のマスク210aが所定の隙間を介して並列するように形成されているため、隣り合う基板切り出し領域200sの間には、2列のマスク210aの間には化学強化された補強領域200wが存在する。   In this embodiment, a boundary region having a width larger than the width of the mask 210a is interposed between adjacent substrate cutout regions 200s, and the mask 210a is independent for each substrate cutout region 200s. Is formed. For this reason, since two rows of masks 210a are formed in parallel between the adjacent substrate cutout regions 200s with a predetermined gap therebetween, two rows of masks 210a are formed between the adjacent substrate cutout regions 200s. Between the masks 210a is a chemically strengthened reinforcing region 200w.

このようにして低強度領域200u付きの大型強化ガラス基板200fを形成した後は、マスク210aを除去し、機能層形成工程を行なう。機能層形成工程では、成膜工程とパターニング工程とを繰り返し行なって、大型強化ガラス基板200fの第2面200b側に、図2(a)、(b)等を参照して説明した入力位置検出用電極21、信号配線27、実装端子24等の機能層を形成する。また、大型強化ガラス基板200fの段階で、入力位置検出用電極21や信号配線27等のトップコート層219も形成しておく。ここで、実装端子24は、層間絶縁膜214やトップコート層219から露出している。そこで、本形態では、大型強化ガラス基板200fの段階で、図2(a)に一点鎖線で示すように、実装端子24を覆う保護層240を形成しておき、かかる保護層240によって実装端子24を覆った状態で、次の切断工程を行なう。なお、保護層240は切断工程の後、除去する必要があるため、保護層240としては、切断工程の後、剥離させやすいシートや樹脂層が用いられる。   After forming the large tempered glass substrate 200f with the low-strength region 200u in this way, the mask 210a is removed and a functional layer forming step is performed. In the functional layer forming process, the film forming process and the patterning process are repeated, and the input position detection described on the second surface 200b side of the large tempered glass substrate 200f with reference to FIGS. Functional layers such as the electrode 21, the signal wiring 27, and the mounting terminal 24 are formed. Further, the top coat layer 219 such as the input position detecting electrode 21 and the signal wiring 27 is also formed at the stage of the large tempered glass substrate 200f. Here, the mounting terminals 24 are exposed from the interlayer insulating film 214 and the topcoat layer 219. Therefore, in the present embodiment, at the stage of the large tempered glass substrate 200f, a protective layer 240 that covers the mounting terminal 24 is formed as shown by a one-dot chain line in FIG. The next cutting process is performed in a state of covering. Note that since the protective layer 240 needs to be removed after the cutting step, a sheet or a resin layer that is easily peeled off after the cutting step is used as the protective layer 240.

次に、切断工程では、大型強化ガラス基板200fを低強度領域200u(切断予定線200t)およびその延長線に沿って切断してタッチパネル用基板20を得た後、保護層240を除去する。その結果、単品サイズのタッチパネル用基板20を得ることができる。かかる切断工程において、大型強化ガラス基板200fの切断には、ケミカルエッチング、CNC切断、ダイシング、ウォータージェット等の切断方法を採用すればよい。   Next, in the cutting step, the large tempered glass substrate 200f is cut along the low-strength region 200u (scheduled cutting line 200t) and its extension line to obtain the touch panel substrate 20, and then the protective layer 240 is removed. As a result, a single-size touch panel substrate 20 can be obtained. In such a cutting step, a cutting method such as chemical etching, CNC cutting, dicing, or water jet may be employed for cutting the large tempered glass substrate 200f.

(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態では、タッチパネル用基板20(電気的固体装置用基板)を切り出す際の切断予定線200tに沿って低強度領域200uが形成された大型強化ガラス基板200fを準備し、かかる大型強化ガラス基板200fに入力位置検出用電極21や信号配線27等の機能層を形成した後、大型強化ガラス基板200fを低強度領域200uに沿って切断してタッチパネル用基板20を得る。このため、大型強化ガラス基板200fに過大な負荷をかけずに大型強化ガラス基板200fを切断することができるので、切断時に大型強化ガラス基板200fあるいはタッチパネル用基板20がそれ自身の内部応力に起因して破損することを防止することができる。また、化学強化処理については、大型強化ガラス基板200fに入力位置検出用電極21や信号配線27等の機能層を形成する前に行なうため、機能層に邪魔されずにイオン交換(強化処理)を行なうことができる。それ故、タッチパネル用基板20に強化ガラスを用いた場合でも、複数枚のタッチパネル用基板20を切り出すことができる大型の基板の状態で、入力位置検出用電極21や信号配線27等の機能層を形成すればよいので、生産性を向上することができる。また、機能層を形成するための成膜装置等については、大型ガラス基板200のサイズに対応できればよく、単品サイズのタッチパネル用基板20の大きさに合わせた仕様とする必要がない。それ故、タッチパネル用基板20の大きさが機種によって相違する場合でも、成膜装置を効率的に使用することができる。
(Main effects of this form)
As described above, in the present embodiment, the large tempered glass substrate 200f in which the low-strength region 200u is formed along the planned cutting line 200t when cutting out the touch panel substrate 20 (electrical solid device substrate) is prepared. After functional layers such as the input position detection electrode 21 and the signal wiring 27 are formed on the large tempered glass substrate 200f, the large tempered glass substrate 200f is cut along the low-strength region 200u to obtain the touch panel substrate 20. For this reason, since the large tempered glass substrate 200f can be cut without applying an excessive load to the large tempered glass substrate 200f, the large tempered glass substrate 200f or the touch panel substrate 20 is caused by its own internal stress at the time of cutting. Damage can be prevented. Further, since the chemical strengthening process is performed before the functional layers such as the input position detecting electrode 21 and the signal wiring 27 are formed on the large tempered glass substrate 200f, ion exchange (strengthening process) is performed without being interrupted by the functional layers. Can be done. Therefore, even when tempered glass is used for the touch panel substrate 20, functional layers such as the input position detection electrode 21 and the signal wiring 27 are formed in a large-sized substrate state in which a plurality of touch panel substrates 20 can be cut out. Since it only has to be formed, productivity can be improved. In addition, the film forming apparatus for forming the functional layer only needs to correspond to the size of the large glass substrate 200, and does not need to have a specification that matches the size of the single-size touch panel substrate 20. Therefore, even when the size of the touch panel substrate 20 differs depending on the model, the film forming apparatus can be used efficiently.

また、本形態では、タッチパネル用基板20に強化ガラス基板を用いているため、タッチパネル用基板20の厚さが薄くてよい。さらに、タッチパネル用基板20に強化ガラス基板を用い、かつ、タッチパネル用基板20の第2面20bに入力位置検出用電極21や信号配線27等の機能層を形成している。このため、タッチパネル用基板20の第1面20aを入力操作面として利用でき、タッチパネル用基板20の入力操作面側にカバーを別途、設ける必要がない。従って、タッチパネル2の薄型化を図ることができる。   In this embodiment, since the tempered glass substrate is used for the touch panel substrate 20, the thickness of the touch panel substrate 20 may be thin. Further, a tempered glass substrate is used for the touch panel substrate 20, and functional layers such as the input position detection electrode 21 and the signal wiring 27 are formed on the second surface 20 b of the touch panel substrate 20. Therefore, the first surface 20a of the touch panel substrate 20 can be used as an input operation surface, and there is no need to provide a separate cover on the input operation surface side of the touch panel substrate 20. Therefore, the touch panel 2 can be thinned.

また、本形態において、低強度領域付きの大型強化ガラス基板200fを形成する低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程では、大型ガラス基板200において切断予定線200tに沿う領域を除いて強化処理を行ない、強化処理が施されていない非強化領域によって低強度領域200uを形成する。このため、低強度領域200uの形成と、大型ガラス基板200の強化とを同時に行なうことができる。   In the present embodiment, in the large tempered glass substrate forming step with the low strength region for forming the large tempered glass substrate 200f with the low strength region, the tempering process is performed on the large glass substrate 200 except for the region along the planned cutting line 200t. The low-strength region 200u is formed by the non-strengthened region that has not been subjected to the strengthening process. For this reason, formation of the low intensity | strength area | region 200u and reinforcement | strengthening of the large sized glass substrate 200 can be performed simultaneously.

また、切断工程を行なう際、入力位置検出用電極21、信号配線27、実装端子24等の機能層については、トップコート層219(保護層)や保護層240で覆っておくため、切断工程において機能層が損傷することを防止することができる。   Further, when performing the cutting process, functional layers such as the input position detection electrode 21, the signal wiring 27, and the mounting terminal 24 are covered with the topcoat layer 219 (protective layer) and the protective layer 240. It is possible to prevent the functional layer from being damaged.

[実施の形態2]
図6は、本発明の実施の形態2に係るタッチパネル2の製造方法において、大型ガラス基板200から単品サイズのタッチパネル用基板20を切り出す様子を示す説明図であり、図6(a)、(b)は、大型ガラス基板200においてタッチパネル用基板20として切り出される基板切り出し領域200sの説明図、および大型強化ガラス基板200fに設けた低強度領域200uの説明図である。図7は、本発明の実施の形態2に係るタッチパネル2の製造方法において、大型強化ガラス基板200fの低強度領域200uを拡大して示す説明図であり、図7(a)、(b)、(c)、(d)は、大型強化ガラス基板200fの一部(基板切り出し領域2つ分)の平面的構成を拡大して示す説明図、A2−A2′断面図、B2−B2′断面、および断面を拡大して示す説明図である。図8は、本発明の実施の形態2に係るタッチパネル2の製造方法において、低強度領域200uを備えた大型強化ガラス基板200fの製造方法を示す説明図であり、図8(a)、(b)、(c)、(d)は、大型ガラス基板200の一部(基板切り出し領域2つ分)の平面的構成を拡大して示す説明図、A2−A2′断面図、B2−B2′断面、および断面を拡大して示す説明図である。なお、図7(a)および図8(a)には、一方の基板切り出し領域に対して切断予定線を太い一点鎖線で表してある。
[Embodiment 2]
FIG. 6 is an explanatory view showing a state in which a single-size touch panel substrate 20 is cut out from the large glass substrate 200 in the manufacturing method of the touch panel 2 according to Embodiment 2 of the present invention. ) Is an explanatory diagram of a substrate cutout region 200s cut out as the touch panel substrate 20 in the large glass substrate 200, and an explanatory diagram of a low strength region 200u provided in the large tempered glass substrate 200f. FIG. 7 is an explanatory diagram showing, in an enlarged manner, the low-strength region 200u of the large tempered glass substrate 200f in the manufacturing method of the touch panel 2 according to Embodiment 2 of the present invention. (C) and (d) are enlarged explanatory views showing a part of the large tempered glass substrate 200f (for two substrate cut-out regions), A2-A2 ′ sectional view, B2-B2 ′ sectional view, It is explanatory drawing which expands and shows a cross section. FIG. 8 is an explanatory view showing a method for manufacturing a large tempered glass substrate 200f having a low-strength region 200u in the method for manufacturing the touch panel 2 according to Embodiment 2 of the present invention, and FIGS. ), (C), (d) are enlarged explanatory views showing a part of the large glass substrate 200 (two substrate cut-out regions), A2-A2 ′ sectional view, B2-B2 ′ sectional view. It is explanatory drawing which expands and shows a cross section. In FIG. 7A and FIG. 8A, a planned cutting line is represented by a thick one-dot chain line with respect to one substrate cutting region.

本形態では、タッチパネル2の構造等は、実施の形態1と同様であり、その製造方法のみが実施の形態1と相違する。従って、以下の説明において、共通する部分には同一の符号を付して図示し、構造等の説明を省略する。   In this embodiment, the structure and the like of the touch panel 2 are the same as those in the first embodiment, and only the manufacturing method thereof is different from the first embodiment. Therefore, in the following description, common parts are denoted by the same reference numerals and description of the structure and the like is omitted.

本形態でも、実施の形態1と同様、図1および図2を参照して説明したタッチパネル2のタッチパネル用基板20には強化ガラス基板が用いられており、タッチパネル用基板20は、図6〜図8を参照して以下に説明する方法により準備した低強度領域付きの大型強化ガラス基板を用いて製造される。   Also in this embodiment, a tempered glass substrate is used for the touch panel substrate 20 of the touch panel 2 described with reference to FIGS. 1 and 2, as in the first embodiment. 8 using a large tempered glass substrate with a low strength region prepared by the method described below with reference to FIG.

本形態でも、実施の形態1と同様、タッチパネル用基板20を製造するにあたって、図6(a)に示すように、タッチパネル用基板20を多数取りできる大型ガラス基板200を用い、大型ガラス基板200において、タッチパネル用基板20として切り出される基板切り出し領域200sは切断予定線200tで囲まれた領域として表される。   In this embodiment, as in the first embodiment, when manufacturing the touch panel substrate 20, as shown in FIG. 6A, a large glass substrate 200 that can take a large number of touch panel substrates 20 is used. The substrate cutout region 200s cut out as the touch panel substrate 20 is represented as a region surrounded by the planned cutting line 200t.

かかる大型ガラス基板200を用いてタッチパネル用基板20を製造するにあたって、本形態では、まず、図6(b)および図7(a)に示すように、低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程において、大型ガラス基板200に対して強化処理を行なって大型強化ガラス基板200fを得る前、切断予定線200tに沿って基板切り出し領域200sよりも低い強度の低強度領域200uを形成する。   In manufacturing the touch panel substrate 20 using such a large glass substrate 200, in the present embodiment, first, as shown in FIGS. 6B and 7A, in a large tempered glass substrate forming step with a low strength region. Before the large glass substrate 200 is tempered to obtain the large tempered glass substrate 200f, the low strength region 200u having a lower strength than the substrate cut region 200s is formed along the planned cutting line 200t.

かかる低強度領域200uを形成するにあたって、本形態では、図7(a)、(b)、(c)、(d)に示すように、低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程において、大型ガラス基板200に対して切断予定線200tに沿って大型ガラス基板200が厚さ方向の全体で除去された貫通穴からなるスリット201uと、大型ガラス基板200が除去されていない細幅の繋ぎ部202uとを交互に設けてスリット201uと繋ぎ部202uとからなる低強度領域200uを形成する。   In forming the low-strength region 200u, in this embodiment, as shown in FIGS. 7A, 7B, 7C, and 7D, a large glass is formed in the large-sized tempered glass substrate forming step with the low-strength region. A slit 201u formed of a through hole from which the large glass substrate 200 is removed in the entire thickness direction along the planned cutting line 200t with respect to the substrate 200, and a narrow connecting portion 202u from which the large glass substrate 200 is not removed Are alternately provided to form a low-strength region 200u composed of slits 201u and connecting portions 202u.

より具体的には、図8(a)、(b)、(c)、(d)に示すように、大型ガラス基板200の第1面200a(タッチパネル用基板20の第1面20a)および第2面200b(タッチパネル用基板20の第2面20b)の双方に対して、切断予定線200tに沿う領域を除いてマスク210bを形成し、かかる状態で、大型ガラス基板200に対してエッチングをおこなう。その際、切断予定線200tに沿う領域でも、周方向の複数個所(図6および図7に示す繋ぎ部202uを形成すべき領域)にマスク210bを残す。その結果、図6(b)および図7に示すように、切断予定線200tに沿う領域において、マスク210bから露出していた領域では、大型ガラス基板200の厚さ方向の全体がエッチングされ、スリット201uが形成される。また、切断予定線200tに沿う領域であっても、マスク210bで覆われていた領域はエッチングされず、繋ぎ部202uが残る。本形態では、基板切り出し領域200aの4つの辺部分のいずれにおいても、両端の角部分近くに繋ぎ部202uを残す。従って、本形態では、辺部分および角部分に計8本のスリット201uと計8つの繋ぎ部202uとによって1つの低強度領域200uを形成する。   More specifically, as shown in FIGS. 8A, 8B, 8C, and 8D, the first surface 200a of the large glass substrate 200 (the first surface 20a of the touch panel substrate 20) and the first surface The mask 210b is formed on both the two surfaces 200b (the second surface 20b of the touch panel substrate 20) except for the region along the planned cutting line 200t, and in this state, the large glass substrate 200 is etched. . At that time, the mask 210b is left in a plurality of locations in the circumferential direction (regions where the joint portions 202u shown in FIGS. 6 and 7 are to be formed) even in the region along the planned cutting line 200t. As a result, as shown in FIG. 6B and FIG. 7, in the region along the planned cutting line 200t, in the region exposed from the mask 210b, the entire large glass substrate 200 in the thickness direction is etched, and the slit 201u is formed. Even in the region along the planned cutting line 200t, the region covered with the mask 210b is not etched, and the joint portion 202u remains. In this embodiment, the connecting portion 202u is left near the corner portions at both ends in any of the four side portions of the substrate cutout region 200a. Therefore, in this embodiment, one low-strength region 200u is formed by a total of eight slits 201u and a total of eight connecting portions 202u at the side and corner portions.

なお、本形態において、隣り合う基板切り出し領域200s同士の間には、マスク210bの幅寸法より広い幅寸法の境界領域が介在しており、マスク210bは、1つの基板切り出し領域200s毎に独立して形成されている。このため、隣り合う基板切り出し領域200sの間には、2列のマスク210bが所定の隙間を介して並列するように形成されているため、隣り合う基板切り出し領域200sの間には、スリット201uの間に、途切れずに連続して延在する補強領域200wが残る。   In this embodiment, a boundary region having a width larger than the width of the mask 210b is interposed between adjacent substrate cutout regions 200s, and the mask 210b is independent for each substrate cutout region 200s. Is formed. For this reason, since two rows of masks 210b are formed in parallel between the adjacent substrate cutout regions 200s with a predetermined gap therebetween, the slit 201u is formed between the adjacent substrate cutout regions 200s. In the middle, there remains a reinforcing region 200w that extends continuously without interruption.

このようにして低強度領域200uを形成した後、マスク210bを除去し、その後、大型ガラス基板200に強化処理を行なう。本形態でも、実施の形態1と同様、強化処理として、大型ガラス基板200を温度が400℃程度のカリウム塩溶融浴に浸漬して化学強化処理を行う。その結果、図7に示すように、スリット201uの内面や繋ぎ部202uも含めて大型ガラス基板200の表面全体において、大型ガラス基板200のナトリウムイオンがカリウムイオンにイオン交換される。このため、大型ガラス基板200は、表面の化学強化層205に起因する圧縮応力によって強度が強化された大型強化ガラス基板200fとなる。その際、繋ぎ部202uも化学強化されるが、幅寸法が狭いため、基板切り出し領域200s等に比して強度が低い。   After forming the low-strength region 200u in this way, the mask 210b is removed, and then the large glass substrate 200 is tempered. Also in this embodiment, as in the first embodiment, the chemical strengthening treatment is performed by immersing the large glass substrate 200 in a potassium salt molten bath having a temperature of about 400 ° C. as the strengthening treatment. As a result, as shown in FIG. 7, sodium ions of the large glass substrate 200 are ion-exchanged with potassium ions on the entire surface of the large glass substrate 200 including the inner surface of the slit 201 u and the connecting portion 202 u. For this reason, the large glass substrate 200 becomes a large tempered glass substrate 200f whose strength is reinforced by the compressive stress caused by the chemical strengthening layer 205 on the surface. At that time, the connecting portion 202u is also chemically strengthened, but since the width dimension is narrow, the strength is lower than that of the substrate cutting region 200s and the like.

このようにして低強度領域200u付きの大型強化ガラス基板200fを形成した後は、実施の形態1と同様、機能層形成工程において、成膜工程とパターニング工程とを繰り返し行なって、大型強化ガラス基板200fの第2面200b側に、図2(a)、(b)等を参照して説明した入力位置検出用電極21、信号配線27、実装端子24等の機能層を形成する。ここで、大型強化ガラス基板200fにはスリット201uが形成されているため、パターニング工程でレジストマスクを形成する場合には、スピーコート法よりもスリットコート法を用いれば、スリット201u内にレジストが侵入することを防止することができる。また、本形態では、大型強化ガラス基板200fの段階で、入力位置検出用電極21や信号配線27等のトップコート層219も形成しておく。ここで、実装端子24は、層間絶縁膜214やトップコート層219から露出している。そこで、本形態では、大型強化ガラス基板200fの段階で、図2(a)に一点鎖線で示すように、実装端子24を覆う保護層240を形成しておき、かかる保護層240によって実装端子24を覆った状態で、次の切断工程を行なう。なお、保護層240は切断工程の後、除去する必要があるため、保護層240としては、切断工程の後、剥離させやすいシートや樹脂層が用いられる。   After forming the large tempered glass substrate 200f with the low-strength region 200u in this way, the film forming step and the patterning step are repeated in the functional layer forming step, as in the first embodiment, and the large tempered glass substrate. On the second surface 200b side of 200f, functional layers such as the input position detection electrode 21, the signal wiring 27, and the mounting terminal 24 described with reference to FIGS. 2A and 2B are formed. Here, since the slit 201u is formed in the large tempered glass substrate 200f, when the resist mask is formed in the patterning process, the resist penetrates into the slit 201u by using the slit coat method rather than the speed coat method. Can be prevented. In this embodiment, the topcoat layer 219 such as the input position detection electrode 21 and the signal wiring 27 is also formed at the stage of the large tempered glass substrate 200f. Here, the mounting terminals 24 are exposed from the interlayer insulating film 214 and the topcoat layer 219. Therefore, in the present embodiment, at the stage of the large tempered glass substrate 200f, a protective layer 240 that covers the mounting terminal 24 is formed as shown by a one-dot chain line in FIG. The next cutting process is performed in a state of covering. Note that since the protective layer 240 needs to be removed after the cutting step, a sheet or a resin layer that is easily peeled off after the cutting step is used as the protective layer 240.

次に、切断工程では、大型強化ガラス基板200fを低強度領域200u(切断予定線200t)およびその延長線に沿って切断してタッチパネル用基板20を得た後、保護層240を除去する。その結果、単品サイズのタッチパネル用基板20を得ることができる。かかる切断工程において、大型強化ガラス基板200fの切断には、ケミカルエッチング、CNC切断、ダイシング、ウォータージェット等の切断方法を採用すればよい。   Next, in the cutting step, the large tempered glass substrate 200f is cut along the low-strength region 200u (scheduled cutting line 200t) and its extension line to obtain the touch panel substrate 20, and then the protective layer 240 is removed. As a result, a single-size touch panel substrate 20 can be obtained. In such a cutting step, a cutting method such as chemical etching, CNC cutting, dicing, or water jet may be employed for cutting the large tempered glass substrate 200f.

以上説明したように、本形態でも、実施の形態1と同様、タッチパネル用基板20(電気的固体装置用基板)を切り出す際の切断予定線200tに沿って低強度領域200uが形成された大型強化ガラス基板200fを準備し、かかる大型強化ガラス基板200fに入力位置検出用電極21や信号配線27等の機能層を形成した後、大型強化ガラス基板200fを低強度領域200uに沿って切断してタッチパネル用基板20を得る。このため、大型強化ガラス基板200fに過大な負荷をかけずに大型強化ガラス基板200fを切断することができるので、切断時に大型強化ガラス基板200fあるいはタッチパネル用基板20がそれ自身の内部応力に起因して破損することを防止することができる。また、化学強化処理については、大型強化ガラス基板200fに入力位置検出用電極21や信号配線27等の機能層を形成する前に行なうため、機能層に邪魔されずにイオン交換(強化処理)を行なうことができる。それ故、タッチパネル用基板20に強化ガラスを用いた場合でも、複数枚のタッチパネル用基板20を切り出すことができる大型の基板の状態で、入力位置検出用電極21や信号配線27等の機能層を形成すればよいので、生産性を向上することができる等、実施の形態1と略同様な効果を奏する。   As described above, in this embodiment as well, as in the first embodiment, the large-scale reinforcement in which the low-strength region 200u is formed along the planned cutting line 200t when the touch panel substrate 20 (electric solid device substrate) is cut out. A glass substrate 200f is prepared, and functional layers such as the input position detection electrode 21 and the signal wiring 27 are formed on the large tempered glass substrate 200f, and then the large tempered glass substrate 200f is cut along the low-strength region 200u. A working substrate 20 is obtained. For this reason, since the large tempered glass substrate 200f can be cut without applying an excessive load to the large tempered glass substrate 200f, the large tempered glass substrate 200f or the touch panel substrate 20 is caused by its own internal stress at the time of cutting. Damage can be prevented. Further, since the chemical strengthening process is performed before the functional layers such as the input position detecting electrode 21 and the signal wiring 27 are formed on the large tempered glass substrate 200f, ion exchange (strengthening process) is performed without being interrupted by the functional layers. Can be done. Therefore, even when tempered glass is used for the touch panel substrate 20, functional layers such as the input position detection electrode 21 and the signal wiring 27 are formed in a large-sized substrate state in which a plurality of touch panel substrates 20 can be cut out. Since it only has to be formed, the effects similar to those of the first embodiment can be obtained, such as improvement in productivity.

[実施の形態3]
図9は、本発明の実施の形態3に係るタッチパネル2の製造方法において、大型ガラス基板200から単品サイズのタッチパネル用基板20を切り出す様子を示す説明図であり、図9(a)、(b)は、大型ガラス基板200においてタッチパネル用基板20として切り出される基板切り出し領域200sの説明図、および大型強化ガラス基板200fに設けた低強度領域200uの説明図である。図10は、本発明の実施の形態3に係るタッチパネル2の製造方法において、大型強化ガラス基板200fの低強度領域200uを拡大して示す説明図であり、図10(a)、(b)、(c)は、大型強化ガラス基板200fの一部(基板切り出し領域2つ分)の平面的構成を拡大して示す説明図、A3−A3′断面図、および断面を拡大して示す説明図である。図11は、本発明の実施の形態3に係るタッチパネル2の製造方法において、低強度領域200uを備えた大型強化ガラス基板200fの製造方法を示す説明図であり、図10(a)、(b)、(c)は、大型ガラス基板200の一部(基板切り出し領域2つ分)の平面的構成を拡大して示す説明図、A3−A3′断面図、および断面を拡大して示す説明図である。なお、図10(a)および図11(a)には、一方の基板切り出し領域に対して切断予定線を太い一点鎖線で表してある。
[Embodiment 3]
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a state in which a single-size touch panel substrate 20 is cut out from the large glass substrate 200 in the manufacturing method of the touch panel 2 according to Embodiment 3 of the present invention. ) Is an explanatory diagram of a substrate cutout region 200s cut out as the touch panel substrate 20 in the large glass substrate 200, and an explanatory diagram of a low strength region 200u provided in the large tempered glass substrate 200f. FIG. 10 is an explanatory diagram showing, in an enlarged manner, the low-strength region 200u of the large tempered glass substrate 200f in the method for manufacturing the touch panel 2 according to Embodiment 3 of the present invention. (C) is explanatory drawing which expands and shows the plane structure of a part (for two board | substrate cutting-out area | regions) of the large tempered glass board | substrate 200f, A3-A3 'sectional drawing, and explanatory drawing which expands and shows a cross section. is there. FIG. 11 is an explanatory diagram showing a method for manufacturing a large tempered glass substrate 200f having a low-strength region 200u in the method for manufacturing the touch panel 2 according to Embodiment 3 of the present invention. ), (C) are enlarged explanatory views showing a planar configuration of a part of the large glass substrate 200 (for two substrate cut-out regions), A3-A3 ′ sectional view, and explanatory views showing the enlarged section. It is. In FIGS. 10A and 11A, a planned cutting line is represented by a thick one-dot chain line with respect to one substrate cutting region.

本形態では、タッチパネル2の構造等は、実施の形態1と同様であり、その製造方法のみが実施の形態1、2と相違する。従って、以下の説明において、共通する部分には同一の符号を付して図示し、構造等の説明を省略する。   In this embodiment, the structure and the like of the touch panel 2 are the same as those in the first embodiment, and only the manufacturing method thereof is different from those in the first and second embodiments. Therefore, in the following description, common parts are denoted by the same reference numerals and description of the structure and the like is omitted.

本形態でも、実施の形態1、2と同様、図1および図2を参照して説明したタッチパネル2のタッチパネル用基板20には強化ガラス基板が用いられており、タッチパネル用基板20は、図9〜図11を参照して以下に説明する方法により準備した低強度領域付きの大型強化ガラス基板を用いて製造される。   Also in this embodiment, a tempered glass substrate is used for the touch panel substrate 20 of the touch panel 2 described with reference to FIGS. 1 and 2 as in the first and second embodiments. ~ Manufactured using a large tempered glass substrate with a low strength region prepared by the method described below with reference to FIG.

本形態でも、実施の形態1、2と同様、タッチパネル用基板20を製造するにあたって、図9(a)に示すように、タッチパネル用基板20を多数取りできる大型ガラス基板200を用い、大型ガラス基板200において、タッチパネル用基板20として切り出される基板切り出し領域200sは切断予定線200tで囲まれた領域として表される。   In this embodiment, as in the first and second embodiments, when manufacturing the touch panel substrate 20, as shown in FIG. 9A, a large glass substrate 200 that can take a large number of the touch panel substrates 20 is used. In 200, the board | substrate cutting-out area | region 200s cut out as the board | substrate 20 for touchscreens is represented as an area | region enclosed by the cutting planned line 200t.

かかる大型ガラス基板200を用いてタッチパネル用基板20を製造するにあたって、本形態では、まず、図9(b)および図10(a)に示すように、低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程において、大型ガラス基板200に対して強化処理を行なって大型強化ガラス基板200fを得る前、切断予定線200tに沿って基板切り出し領域200sよりも低い強度の低強度領域200uを形成する。   In manufacturing the touch panel substrate 20 using such a large glass substrate 200, in the present embodiment, first, as shown in FIGS. 9B and 10A, in a large tempered glass substrate forming step with a low strength region. Before the large glass substrate 200 is tempered to obtain the large tempered glass substrate 200f, the low strength region 200u having a lower strength than the substrate cut region 200s is formed along the planned cutting line 200t.

かかる低強度領域200uを形成するにあたって、本形態では、図10(a)、(b)、(c)に示すように、低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程において、大型ガラス基板200に対して切断予定線200tに沿って大型ガラス基板200が厚さ方向の途中位置まで除去された有底の溝203uからなる低強度領域200uを形成する。   In forming the low-strength region 200u, in this embodiment, as shown in FIGS. 10A, 10B, and 10C, in the large tempered glass substrate forming step with the low-strength region, Thus, the low-strength region 200u is formed which includes the bottomed groove 203u from which the large glass substrate 200 has been removed to a middle position in the thickness direction along the planned cutting line 200t.

より具体的には、図11(a)、(b)、(c)に示すように、大型ガラス基板200の第1面200a(タッチパネル用基板20の第1面20a)および第2面200b(タッチパネル用基板20の第2面20b)のうち、第2面200bの全面にマスク210cを形成する一方、第1面200aの側には、切断予定線200tに沿う領域を除いてマスク210cを形成する。そして、大型ガラス基板200に対してエッチングをおこなう。その結果、図9(b)および図10に示すように、切断予定線200tに沿う領域において、マスク210cから露出していた領域では、大型ガラス基板200の厚さ方向の途中位置までエッチングされ、溝203uからなる低強度領域200uが形成される。   More specifically, as shown in FIGS. 11A, 11B, and 11C, the first surface 200a of the large glass substrate 200 (the first surface 20a of the touch panel substrate 20) and the second surface 200b ( The mask 210c is formed on the entire second surface 200b of the second surface 20b) of the touch panel substrate 20, while the mask 210c is formed on the first surface 200a side except for the region along the planned cutting line 200t. To do. Then, the large glass substrate 200 is etched. As a result, as shown in FIG. 9B and FIG. 10, in the region along the planned cutting line 200 t, the region exposed from the mask 210 c is etched to a middle position in the thickness direction of the large glass substrate 200, A low-strength region 200u composed of the groove 203u is formed.

なお、本形態において、隣り合う基板切り出し領域200s同士の間には、マスク210cの幅寸法より広い幅寸法の境界領域が介在しており、マスク210cは、1つの基板切り出し領域200s毎に独立して形成されている。このため、隣り合う基板切り出し領域200sの間には、2列のマスク210cが所定の隙間を介して並列するように形成されているため、隣り合う基板切り出し領域200sの間には、溝203uの間に、途切れずに連続して延在する補強領域200wが残る。   In this embodiment, a boundary region having a width larger than the width of the mask 210c is interposed between adjacent substrate cutout regions 200s, and the mask 210c is independent for each substrate cutout region 200s. Is formed. For this reason, since two rows of masks 210c are formed in parallel with each other with a predetermined gap between adjacent substrate cutout regions 200s, grooves 203u are formed between adjacent substrate cutout regions 200s. In the middle, there remains a reinforcing region 200w that extends continuously without interruption.

このようにして低強度領域200uを形成した後、マスク210cを除去し、その後、大型ガラス基板200に強化処理を行なう。本形態でも、実施の形態1と同様、強化処理として、大型ガラス基板200を温度が400℃程度のカリウム塩溶融浴に浸漬して化学強化処理を行う。その結果、図10に示すように、溝203uの内面も含めて大型ガラス基板200の表面全体において、大型ガラス基板200のナトリウムイオンがカリウムイオンにイオン交換される。このため、大型ガラス基板200は、表面の化学強化層205に起因する圧縮応力によって強度が強化された大型強化ガラス基板200fとなる。その際、溝203uの内面も化学強化されるが、厚さが薄いため、基板切り出し領域200s等に比して強度が低い。   After forming the low-strength region 200u in this way, the mask 210c is removed, and then the large glass substrate 200 is tempered. Also in this embodiment, as in the first embodiment, the chemical strengthening treatment is performed by immersing the large glass substrate 200 in a potassium salt molten bath having a temperature of about 400 ° C. as the strengthening treatment. As a result, as shown in FIG. 10, sodium ions of the large glass substrate 200 are ion-exchanged with potassium ions over the entire surface of the large glass substrate 200 including the inner surface of the groove 203u. For this reason, the large glass substrate 200 becomes a large tempered glass substrate 200f whose strength is reinforced by the compressive stress caused by the chemical strengthening layer 205 on the surface. At that time, the inner surface of the groove 203u is also chemically strengthened, but the strength is lower than that of the substrate cutting region 200s and the like because the thickness is thin.

このようにして低強度領域200u付きの大型強化ガラス基板200fを形成した後は、実施の形態1と同様、機能層形成工程において、成膜工程とパターニング工程とを繰り返し行なって、大型強化ガラス基板200fの第2面200b側に、図2(a)、(b)等を参照して説明した入力位置検出用電極21、信号配線27、実装端子24等の機能層を形成する。また、本形態では、大型強化ガラス基板200fの段階で、入力位置検出用電極21や信号配線27等のトップコート層219も形成しておく。ここで、実装端子24は、層間絶縁膜214やトップコート層219から露出している。そこで、本形態では、大型強化ガラス基板200fの段階で、図2(a)に一点鎖線で示すように、実装端子24を覆う保護層240を形成しておき、かかる保護層240によって実装端子24を覆った状態で、次の切断工程を行なう。なお、保護層240は切断工程の後、除去する必要があるため、保護層240としては、切断工程の後、剥離させやすいシートや樹脂層が用いられる。   After forming the large tempered glass substrate 200f with the low-strength region 200u in this way, the film forming step and the patterning step are repeated in the functional layer forming step, as in the first embodiment, and the large tempered glass substrate. On the second surface 200b side of 200f, functional layers such as the input position detection electrode 21, the signal wiring 27, and the mounting terminal 24 described with reference to FIGS. 2A and 2B are formed. In this embodiment, the topcoat layer 219 such as the input position detection electrode 21 and the signal wiring 27 is also formed at the stage of the large tempered glass substrate 200f. Here, the mounting terminals 24 are exposed from the interlayer insulating film 214 and the topcoat layer 219. Therefore, in the present embodiment, at the stage of the large tempered glass substrate 200f, a protective layer 240 that covers the mounting terminal 24 is formed as shown by a one-dot chain line in FIG. The next cutting process is performed in a state of covering. Note that since the protective layer 240 needs to be removed after the cutting step, a sheet or a resin layer that is easily peeled off after the cutting step is used as the protective layer 240.

次に、切断工程では、大型強化ガラス基板200fを低強度領域200u(切断予定線200t)およびその延長線に沿って切断してタッチパネル用基板20を得た後、保護層240を除去する。その結果、単品サイズのタッチパネル用基板20を得ることができる。かかる切断工程において、大型強化ガラス基板200fの切断には、ケミカルエッチング、CNC切断、ダイシング、ウォータージェット等の切断方法を採用すればよい。   Next, in the cutting step, the large tempered glass substrate 200f is cut along the low-strength region 200u (scheduled cutting line 200t) and its extension line to obtain the touch panel substrate 20, and then the protective layer 240 is removed. As a result, a single-size touch panel substrate 20 can be obtained. In such a cutting step, a cutting method such as chemical etching, CNC cutting, dicing, or water jet may be employed for cutting the large tempered glass substrate 200f.

以上説明したように、本形態でも、実施の形態1、2と同様、タッチパネル用基板20(電気的固体装置用基板)を切り出す際の切断予定線200tに沿って低強度領域200uが形成された大型強化ガラス基板200fを準備し、かかる大型強化ガラス基板200fに入力位置検出用電極21や信号配線27等の機能層を形成した後、大型強化ガラス基板200fを低強度領域200uに沿って切断してタッチパネル用基板20を得る。このため、大型強化ガラス基板200fに過大な負荷をかけずに大型強化ガラス基板200fを切断することができるので、切断時に大型強化ガラス基板200fあるいはタッチパネル用基板20がそれ自身の内部応力に起因して破損することを防止することができる。また、化学強化処理については、大型強化ガラス基板200fに入力位置検出用電極21や信号配線27等の機能層を形成する前に行なうため、機能層に邪魔されずにイオン交換(強化処理)を行なうことができる。それ故、タッチパネル用基板20に強化ガラスを用いた場合でも、複数枚のタッチパネル用基板20を切り出すことができる大型の基板の状態で、入力位置検出用電極21や信号配線27等の機能層を形成すればよいので、生産性を向上することができる等、実施の形態1と略同様な効果を奏する。   As described above, also in this embodiment, the low-strength region 200u is formed along the planned cutting line 200t when the touch panel substrate 20 (electrical solid device substrate) is cut out, as in the first and second embodiments. After preparing a large tempered glass substrate 200f and forming functional layers such as the input position detecting electrode 21 and the signal wiring 27 on the large tempered glass substrate 200f, the large tempered glass substrate 200f is cut along the low-strength region 200u. Thus, the touch panel substrate 20 is obtained. For this reason, since the large tempered glass substrate 200f can be cut without applying an excessive load to the large tempered glass substrate 200f, the large tempered glass substrate 200f or the touch panel substrate 20 is caused by its own internal stress at the time of cutting. Damage can be prevented. Further, since the chemical strengthening process is performed before the functional layers such as the input position detecting electrode 21 and the signal wiring 27 are formed on the large tempered glass substrate 200f, ion exchange (strengthening process) is performed without being interrupted by the functional layers. Can be done. Therefore, even when tempered glass is used for the touch panel substrate 20, functional layers such as the input position detection electrode 21 and the signal wiring 27 are formed in a large-sized substrate state in which a plurality of touch panel substrates 20 can be cut out. Since it only has to be formed, the effects similar to those of the first embodiment can be obtained, such as improvement in productivity.

さらに、本形態では、大型ガラス基板200において、機能層が形成されない第1面200a側に溝203uを形成するため、機能層が形成される第2面200bは全体が平坦である。このため、成膜時やパターニング用のレジストマスクを形成する際、溝203uの影響を受けないという利点がある。   Furthermore, in this embodiment, since the groove 203u is formed on the first surface 200a side where the functional layer is not formed in the large glass substrate 200, the entire second surface 200b where the functional layer is formed is flat. For this reason, there is an advantage that it is not affected by the groove 203u during film formation or when a resist mask for patterning is formed.

[実施の形態4]
上記実施の形態2、3では、低強度領域200uに化学強化されたガラスが残る構成であったが、化学強化処理を行なう際、実施の形態1で説明したマスクを形成し、低強度領域200uに対して化学強化を行なわない方法を採用してもよい。かかる構成によれば、低強度領域200uの強度をさらに低減することができるので、切断時に大型強化ガラス基板200fあるいはタッチパネル用基板20がそれ自身の内部応力に起因して破損することを確実に防止することができるという利点がある。
[Embodiment 4]
In the second and third embodiments, the chemically strengthened glass remains in the low-strength region 200u. However, when the chemical strengthening process is performed, the mask described in the first embodiment is formed, and the low-strength region 200u is formed. Alternatively, a method in which chemical strengthening is not performed may be employed. According to such a configuration, the strength of the low-strength region 200u can be further reduced, so that the large tempered glass substrate 200f or the touch panel substrate 20 is reliably prevented from being damaged due to its own internal stress during cutting. There is an advantage that you can.

[実施の形態5]
図12は、本発明の実施の形態5に係るタッチパネル2の製造方法において、大型ガラス基板200から単品サイズのタッチパネル用基板20と他の部材とを切り出す様子を示す説明図であり、図12(a)、(b)は、他の部材としてカバーを切り出す際の説明図、および他の部材としてボタンを切り出す際の説明図である。
[Embodiment 5]
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a state in which a single-size touch panel substrate 20 and other members are cut out from the large glass substrate 200 in the manufacturing method of the touch panel 2 according to Embodiment 5 of the present invention. (a), (b) is explanatory drawing at the time of cutting out a cover as another member, and explanatory drawing at the time of cutting out a button as another member.

上記実施の形態では、タッチパネル用基板20を多数取りするのに本発明を適用したが、以下に説明するように、タッチパネル用基板20より大きなガラス基板から1枚乃至複数枚のタッチパネル用基板20を切り出すとともに、図12(a)に示すように、タッチパネル用基板20の側方に配置される異形のカバー部材97や、図12(b)に示すように、タッチパネル用基板20の端部に設けた穴内に配置されるボタン98等を強化ガラスとして大型ガラス基板から切り出すのに本発明を適用してもよい。   In the above embodiment, the present invention is applied to take a large number of touch panel substrates 20. However, as described below, one or more touch panel substrates 20 are formed from a glass substrate larger than the touch panel substrate 20. As shown in FIG. 12 (a), it is cut out and provided at the end of the touch panel substrate 20 as shown in FIG. 12 (b). The present invention may be applied to cut out a button 98 or the like disposed in a hole from a large glass substrate as tempered glass.

[他の実施の形態]
上記実施の形態では、画像生成装置5として液晶装置を用いたが、画像生成装置5としては有機エレクトロルミネッセンス装置を用いてもよい。
[Other embodiments]
In the above embodiment, a liquid crystal device is used as the image generating device 5, but an organic electroluminescence device may be used as the image generating device 5.

また、上記実施の形態では、電気的固体装置として静電容量方式のタッチパネルを説明したが、電極構造が相違する他の静電容量方式のタッチパネル、静電容量方式以外のタッチパネル、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、太陽電池等の電気的固体装置に用いる基板(電気的固体装置用基板)を製造するのに本発明を適用してもよい。   In the above embodiment, the capacitive touch panel has been described as the electrical solid state device. However, other capacitive touch panels with different electrode structures, touch panels other than the capacitive touch panel, liquid crystal devices, and organic devices. The present invention may be applied to manufacturing a substrate (substrate for an electrical solid state device) used for an electrical solid state device such as an electroluminescence device or a solar cell.

[電子機器への搭載例]
上述した実施形態に係る入力機能付き電気光学装置100を適用した電子機器について説明する。図13は、本発明を適用した入力機能付き電気光学装置100を備えた電子機器の説明図である。図13(a)に、入力機能付き電気光学装置100を備えたモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す。パーソナルコンピューター2000は、表示ユニットとしての入力機能付き電気光学装置100と本体部2010を備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。図13(b)に、入力機能付き電気光学装置100を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001、スクロールボタン3002、および表示ユニットとしての入力機能付き電気光学装置100を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、入力機能付き電気光学装置100に表示される画面がスクロールされる。図13(c)に、入力機能付き電気光学装置100を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001、電源スイッチ4002、および表示ユニットとしての入力機能付き電気光学装置100を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が入力機能付き電気光学装置100に表示される。
[Example of mounting on electronic devices]
An electronic apparatus to which the electro-optical device 100 with an input function according to the above-described embodiment is applied will be described. FIG. 13 is an explanatory diagram of an electronic apparatus including the electro-optical device 100 with an input function to which the present invention is applied. FIG. 13A shows the configuration of a mobile personal computer including the electro-optical device 100 with an input function. The personal computer 2000 includes an electro-optical device 100 with an input function as a display unit and a main body 2010. The main body 2010 is provided with a power switch 2001 and a keyboard 2002. FIG. 13B shows a configuration of a mobile phone including the electro-optical device 100 with an input function. A cellular phone 3000 includes a plurality of operation buttons 3001, scroll buttons 3002, and the electro-optical device 100 with an input function as a display unit. By operating the scroll button 3002, the screen displayed on the electro-optical device 100 with an input function is scrolled. FIG. 13C shows the configuration of a personal digital assistant (PDA) to which the electro-optical device 100 with an input function is applied. The information portable terminal 4000 includes a plurality of operation buttons 4001, a power switch 4002, and the electro-optical device 100 with an input function as a display unit. When the power switch 4002 is operated, various types of information such as an address book and a schedule book are displayed on the electro-optical device 100 with an input function.

なお、入力機能付き電気光学装置100が適用される電子機器としては、図13に示すものの他、デジタルスチールカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、銀行端末等の電子機器等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した入力機能付き電気光学装置100が適用可能である。   As an electronic apparatus to which the electro-optical device 100 with an input function is applied, a digital still camera, a liquid crystal television, a viewfinder type, a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, Examples include electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, video phones, POS terminals, bank terminals, and other electronic devices. The electro-optical device 100 with an input function described above can be applied as a display unit of these various electronic devices.

1・・静電容量型の入力装置、2・・タッチパネル(電気的固体装置)、2a・・基板の入力領域、2b・・基板の周辺領域、20・・タッチパネル用基板(電気的固体装置用基板)、21・・入力位置検出用電極(機能層)、27・・信号配線(機能層)、100・・入力機能付き電気光学装置、200・・大型ガラス基板、200f・・大型強化ガラス基板、200s・・基板切り出し領域、200t・・切断予定線、200u・・低強度領域、201u・・スリット、202u・・繋ぎ部、203u・・溝、205・・化学強化層、205u・・非強化領域、240・・保護層 1..Capacitance type input device, 2..Touch panel (electrical solid state device), 2a..Substrate input area, 2b..Substrate peripheral region, 20..Touch panel substrate (for electric solid state device) Substrate), 21... Input position detection electrode (functional layer), 27 .. Signal wiring (functional layer), 100 .. Electro-optical device with input function, 200.. Large glass substrate, 200 f. , 200 s .. substrate cutting region, 200 t .. planned cutting line, 200 u .. low strength region, 201 u .. slit, 202 u .. connecting portion, 203 u .. groove, 205 .. chemically strengthened layer, 205 u. Area, 240 ... Protective layer

Claims (8)

強化ガラス基板に少なくとも配線層および/または電極層からなる機能層が形成された電気的固体装置用基板を備えた電気的固体装置の製造方法であって、
複数の前記電気的固体装置用基板が形成される大型ガラス基板に対して強化処理を行なって大型強化ガラス基板を得る際、あるいは前記強化処理を行なう前に、前記電気的固体装置用基板を形成する電気的固体装置用基板形成領域の外周に沿う領域に、前記電気的固体装置用基板形成領域よりも低い強度の低強度領域を形成する低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程と、
前記電気的固体装置用基板形成領域の少なくとも一方の面に前記機能層を形成する機能層形成工程と、
前記電気的固体装置用基板形成領域を前記低強度領域に沿って切断して前記電気的固体装置用基板を得る切断工程と、
を有することを特徴とする電気的固体装置の製造方法。
A method for producing an electrical solid state device comprising an electrical solid state device substrate in which a functional layer comprising at least a wiring layer and / or an electrode layer is formed on a tempered glass substrate,
When the large glass substrate on which a plurality of substrates for the electrical solid device are formed is tempered to obtain a large tempered glass substrate, or before the tempering is performed, the substrate for the electrical solid device is formed. A large tempered glass substrate forming step with a low-strength region that forms a low-strength region having a lower strength than the substrate-forming region for the electric solid device in a region along the outer periphery of the substrate-forming region for the electric solid device;
A functional layer forming step of forming the functional layer on at least one surface of the substrate forming region for the electrical solid device;
A cutting step of cutting the electric solid device substrate forming region along the low-strength region to obtain the electric solid device substrate;
A method for manufacturing an electrical solid state device.
前記低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程では、前記大型ガラス基板において前記低強度領域を除いて強化処理を行ない、前記強化処理が施されていない非強化領域によって前記低強度領域を形成することを特徴とする請求項1に記載の電気的固体装置の製造方法。   In the large-sized tempered glass substrate forming step with the low-strength region, the tempering process is performed on the large-sized glass substrate except the low-strength region, and the low-strength region is formed by the non-strengthened region not subjected to the tempering process. The method of manufacturing an electrical solid state device according to claim 1. 前記低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程では、前記大型ガラス基板に対して前記電気的固体装置用基板形成領域の外周に沿う領域に前記大型ガラス基板が厚さ方向の全体で除去されたスリットと当該大型ガラス基板が除去されていない繋ぎ部とを交互に設けて前記スリットと前記繋ぎ部とからなる前記低強度領域を形成する低強度領域形成工程と、該低強度領域形成工程の後、前記大型ガラス基板に強化処理を行なって前記大型強化ガラス基板を得る強化処理工程と、を行なうことを特徴とする請求項1に記載の電気的固体装置の製造方法。   In the large tempered glass substrate forming step with the low-strength region, a slit in which the large glass substrate is removed in the entire thickness direction in a region along the outer periphery of the substrate forming region for the electrical solid device with respect to the large glass substrate And a low-strength region forming step for forming the low-strength region consisting of the slit and the connecting portion by alternately providing a connecting portion from which the large glass substrate has not been removed, and after the low-strength region forming step, The method for manufacturing an electrical solid state device according to claim 1, wherein a tempering process is performed to perform a tempering process on the large glass substrate to obtain the large tempered glass substrate. 前記低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程では、前記大型ガラス基板に対して前記電気的固体装置用基板形成領域の外周に沿う領域に前記大型ガラス基板が厚さ方向の途中まで除去された溝を形成して前記溝からなる前記低強度領域を形成する低強度領域形成工程と、前記大型ガラス基板に強化処理を行なって前記大型強化ガラス基板を得る強化処理工程と、を行なうことを特徴とする請求項1に記載の電気的固体装置の製造方法。   In the large tempered glass substrate forming step with the low-strength region, a groove in which the large glass substrate is removed partway in the thickness direction in a region along the outer periphery of the substrate forming region for the electrical solid device with respect to the large glass substrate A low-strength region forming step for forming the low-strength region composed of the grooves and a tempering step for strengthening the large-sized glass substrate to obtain the large-sized tempered glass substrate. A method for manufacturing an electrical solid state device according to claim 1. 前記強化処理は、化学強化処理であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。   The method of manufacturing an electrical solid state device according to claim 1, wherein the strengthening process is a chemical strengthening process. 前記切断工程を行なう際、前記機能層を保護層で覆っておくことを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。   6. The method for manufacturing an electrical solid state device according to claim 1, wherein the functional layer is covered with a protective layer when the cutting step is performed. 前記電気的固体装置用基板は、前記機能層として入力位置検出用電極が形成されたタッチパネル用の基板であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。   The electrical solid state device according to any one of claims 1 to 6, wherein the electrical solid state device substrate is a touch panel substrate on which an input position detection electrode is formed as the functional layer. Manufacturing method. 前記電気的固体装置用基板は、前記入力位置検出用電極が入力操作面と反対側の面に形成された静電容量方式のタッチパネル用基板であることを特徴とする請求項7に記載の電気的固体装置の製造方法。   The electric solid-state device substrate according to claim 7, wherein the substrate for an electrical solid device is a capacitive touch panel substrate in which the input position detection electrode is formed on a surface opposite to the input operation surface. Of manufacturing a solid state device.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102992599A (en) * 2011-09-09 2013-03-27 东莞万士达液晶显示器有限公司 Toughened glass unit and manufacturing method and cover plate having toughened glass unit
WO2013047572A1 (en) * 2011-09-29 2013-04-04 京セラ株式会社 Input device, display device and electronic equipment
CN103043891A (en) * 2012-12-26 2013-04-17 东莞宇龙通信科技有限公司 Glass manufacturing process
CN103058506A (en) * 2011-10-20 2013-04-24 雅士晶业股份有限公司 Method for forming compressive stress layer pattern on glass substrate surface and glass substrate made by the same
WO2013168208A1 (en) * 2012-05-09 2013-11-14 Smk株式会社 Touch panel glass substrate and method for producing same
JP2014111515A (en) * 2012-12-05 2014-06-19 Hitachi Chemical Co Ltd Production method of cover glass with circuit
CN104867881A (en) * 2014-02-20 2015-08-26 爱信精机株式会社 Glasswork component, manufacturing method thereof, and manufacturing method of electronic device
CN107290907A (en) * 2017-06-20 2017-10-24 武汉华星光电技术有限公司 A kind of panel is into box structure

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008007360A (en) * 2006-06-28 2008-01-17 Optrex Corp Mother glass substrate, glass substrate and method for manufacturing the glass substrate
JP2008216835A (en) * 2007-03-07 2008-09-18 Epson Imaging Devices Corp Manufacturing method of thin substrate
WO2009081471A1 (en) * 2007-12-21 2009-07-02 Hitachi, Ltd. Plasma display panel and method of manufacturing the same
JP2010002958A (en) * 2008-06-18 2010-01-07 Epson Imaging Devices Corp Capacitance input device, and display device with input function
JP2010015412A (en) * 2008-07-04 2010-01-21 Hitachi Displays Ltd Display device equipped with touch panel

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008007360A (en) * 2006-06-28 2008-01-17 Optrex Corp Mother glass substrate, glass substrate and method for manufacturing the glass substrate
JP2008216835A (en) * 2007-03-07 2008-09-18 Epson Imaging Devices Corp Manufacturing method of thin substrate
WO2009081471A1 (en) * 2007-12-21 2009-07-02 Hitachi, Ltd. Plasma display panel and method of manufacturing the same
JP2010002958A (en) * 2008-06-18 2010-01-07 Epson Imaging Devices Corp Capacitance input device, and display device with input function
JP2010015412A (en) * 2008-07-04 2010-01-21 Hitachi Displays Ltd Display device equipped with touch panel

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102992599A (en) * 2011-09-09 2013-03-27 东莞万士达液晶显示器有限公司 Toughened glass unit and manufacturing method and cover plate having toughened glass unit
WO2013047572A1 (en) * 2011-09-29 2013-04-04 京セラ株式会社 Input device, display device and electronic equipment
JPWO2013047572A1 (en) * 2011-09-29 2015-03-26 京セラ株式会社 Input device, display device, and electronic device
US9350345B2 (en) 2011-09-29 2016-05-24 Kyocera Corporation Input device, display device, and electronic apparatus
CN103058506A (en) * 2011-10-20 2013-04-24 雅士晶业股份有限公司 Method for forming compressive stress layer pattern on glass substrate surface and glass substrate made by the same
WO2013168208A1 (en) * 2012-05-09 2013-11-14 Smk株式会社 Touch panel glass substrate and method for producing same
JP2013235423A (en) * 2012-05-09 2013-11-21 Smk Corp Touch panel glass substrate and method for producing the same
JP2014111515A (en) * 2012-12-05 2014-06-19 Hitachi Chemical Co Ltd Production method of cover glass with circuit
CN103043891A (en) * 2012-12-26 2013-04-17 东莞宇龙通信科技有限公司 Glass manufacturing process
CN104867881A (en) * 2014-02-20 2015-08-26 爱信精机株式会社 Glasswork component, manufacturing method thereof, and manufacturing method of electronic device
CN107290907A (en) * 2017-06-20 2017-10-24 武汉华星光电技术有限公司 A kind of panel is into box structure
CN107290907B (en) * 2017-06-20 2020-07-31 武汉华星光电技术有限公司 Panel box-forming structure

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