JP2011137804A - Radiation imaging device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、放射線撮像装置に係り、詳細には、放射線検出パネルを備えたに放射線撮像装置に関する。 The present invention relates to a radiation imaging apparatus, and more particularly to a radiation imaging apparatus provided with a radiation detection panel.
近年、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリックス基板上に放射線感応層を配置し、照射されたX線等の放射線を検出し、照射放射線量の分布を表す放射線画像のデータへ直接変換して出力するFDP(Flat Panel Detector)が実用化されている。このFDP等のパネル型の放射線検出器と、画像メモリを含む制御部及び電源部を内蔵し、放射線検出器から出力される放射線画像データを画像メモリへ記憶する放射線撮像装置(以下、電子カセッテともいう)も実用化されている。 In recent years, a radiation sensitive layer is arranged on a TFT (Thin Film Transistor) active matrix substrate, radiation such as irradiated X-rays is detected, and directly converted into radiation image data representing the distribution of radiation dose and output. FDP (Flat Panel Detector) has been put into practical use. A radiation imaging apparatus (hereinafter also referred to as an electronic cassette) that incorporates a panel-type radiation detector such as an FDP, a control unit including an image memory, and a power supply unit, and stores radiation image data output from the radiation detector in the image memory. Is also put into practical use.
例えば、電子カセッテでは、被検者をストレッチャーやベッドに載せたまま撮影できると共に、被検者に対する電子カセッテの配置位置を変更することで、撮像部位の調整も容易であるため、動作が制限されている被検者を撮影する場合にも、柔軟に対処することができる。 For example, with an electronic cassette, the subject can be photographed while being placed on a stretcher or bed, and the position of the electronic cassette relative to the subject can be changed, which makes it easy to adjust the imaging region. Even when a subject is photographed, it can be flexibly dealt with.
このような電子カセッテに関連して、例えば、特許文献1では、光電変換素子をマトリックス状に配置した2枚の平面センサを、互いの一辺で連結することにより開閉可能とすることにより、平面センサの面積の確保と保管性・可搬性を確保するように提案している。また、特許文献2では、放射線検出器を有するカセッテと、放射線検出器を制御する制御ユニットと、を着脱可能とすることにより軽量化を図るように提案している。 In relation to such an electronic cassette, for example, in Patent Document 1, two flat sensors in which photoelectric conversion elements are arranged in a matrix shape can be opened and closed by connecting them on one side, thereby providing a flat sensor. It is proposed to ensure the area of the product and to ensure storage and portability. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-228561 proposes to reduce the weight by allowing the cassette having the radiation detector and the control unit for controlling the radiation detector to be detachable.
一方、同一の被写体に対して、高エネルギー成分の放射線画像と低エネルギー成分の放射線画像を用いることにより、被写体の特定の構造物を強調するエネルギーサブストラクション法がある。この技術において、特許文献3及び特許文献4では、放射線の低エネルギー成分吸収物質を含むフィルタ(放射線エネルギー分離フィルタなど)を用い、2枚のディテクタの間や、輝尽発光により放射線画像を取得可能とする2枚の蓄積性蛍光体シートの間に該当フィルタを配置して、1ショットエネルギーサブストラクションを行う構成が提案されている。
On the other hand, there is an energy subtraction method that emphasizes a specific structure of a subject by using a high-energy component radiation image and a low-energy component radiation image for the same subject. In this technology, in Patent Document 3 and
一方、FPDなどを用いたパネル状の放射線検出パネルでは、TFTアクティブマトリックス基板(以下、TFT基板ともいう)の一方の面に、放射線−電荷変換或いは、放射線−光−電荷変換を行う光電変換層などの放射線変換層を設け、放射線変換層で発生された電荷を収集する構成となっている。このような、放射線検出パネルでは、通常、放射線変換層側から照射された放射線による放射線画像を得るようにしているが、TFT基板側から放射線が照射された場合にも、照射された放射線画像が得られる。 On the other hand, in a panel-shaped radiation detection panel using FPD or the like, a photoelectric conversion layer that performs radiation-charge conversion or radiation-light-charge conversion on one surface of a TFT active matrix substrate (hereinafter also referred to as a TFT substrate). The radiation conversion layer is provided to collect charges generated in the radiation conversion layer. In such a radiation detection panel, a radiation image by radiation irradiated from the radiation conversion layer side is usually obtained, but even when radiation is irradiated from the TFT substrate side, the irradiated radiation image is not displayed. can get.
本発明はこのような放射線検出パネルを用い、各種の放射線画像の撮像に対応しうる利便性の高い放射線撮像装置の提供を目的とする。 It is an object of the present invention to provide a highly convenient radiation imaging apparatus that uses such a radiation detection panel and can handle various types of radiation images.
上記目的を達成する請求項1に係る本発明は、一方の面に放射線検出パネルの一方の面が向けられて該放射線検出パネルが収容された第1のパネルユニットと、一方の面に放射線検出パネルの他方の面が向けられて該放射線検出パネルが収容された第2のパネルユニットと、前記第1のパネルユニットの一端部と前記第2のパネルユニットの一端部とを、前記第1のパネルユニットの一方の面と前記第2のパネルユニットの一方の面とが対向する閉状態、及び前記第1のパネルユニットの一方の面と前記第2のパネルユニットの一方の面とが同一方向へ向けられた開状態の2つの状態となるように回動可能に連結する連結手段と、前記閉状態の前記第1のパネルユニットの前記放射線検出パネルと前記第2のパネルユニットの前記放射線検出パネルとの間に配置されて、入射される放射線から所定のエネルギー成分を吸収するフィルタ部材と、を含む。 The present invention according to claim 1, which achieves the above object, includes a first panel unit in which one surface of a radiation detection panel is directed to one surface and the radiation detection panel is accommodated, and radiation detection is performed on one surface. The second panel unit in which the other surface of the panel is directed to accommodate the radiation detection panel, one end of the first panel unit, and one end of the second panel unit are connected to the first panel unit. A closed state in which one surface of the panel unit and one surface of the second panel unit face each other, and one surface of the first panel unit and one surface of the second panel unit are in the same direction A coupling means for pivotally connecting the two panels in an open state directed to the radiation detection panel, the radiation detection panel of the first panel unit in the closed state, and the radiation detection of the second panel unit. It is disposed between the panel, including a filter member that absorbs a predetermined energy component from the radiation incident.
この発明によれば、第1のパネルユニットと第2のパネルユニットとが連結手段により、閉状態及び開状態を取り得るように連結されている。また、第1及び第2のパネルユニットには、放射線検出パネルが設けられ、重ね合わせた閉状態及び展開した開状態で放射線が照射されることにより、照射された放射線に応じた放射線画像データが得られる。 According to this invention, the 1st panel unit and the 2nd panel unit are connected by the connection means so that a closed state and an open state can be taken. In addition, the first and second panel units are provided with radiation detection panels, and radiation image data corresponding to the irradiated radiation is obtained by irradiating the radiation in the overlapped closed state and the expanded open state. can get.
閉状態となったときの第1のパネルユニットの放射線検出パネルと第2のパネルユニットの放射線検出パネルとの間には、フィルタ部材が設けられ、放射線が照射されることにより、一方の放射線検出パネルから高エネルギー成分の放射線画像データが得られ、他方の放射線検出パネルから低エネルギー成分の放射線画像データが得られる。このとき、第1のパネルユニットの放射線検出パネルと、第2のパネルユニットの放射線検出パネルは、同一面(一方の面)に放射線が照射される。 A filter member is provided between the radiation detection panel of the first panel unit and the radiation detection panel of the second panel unit in the closed state, and one radiation detection is performed by irradiating the radiation. Radiation image data of a high energy component is obtained from the panel, and radiation image data of a low energy component is obtained from the other radiation detection panel. At this time, the radiation is applied to the same surface (one surface) of the radiation detection panel of the first panel unit and the radiation detection panel of the second panel unit.
このような本発明においては、前記フィルタ部材が、前記第1のパネルと前記第2のパネルとの間に配置される構成を取ることができ、このとき、前記フィルタ部材が、前記連結手段に連結されて前記第1のパネルユニットと前記第2のパネルユニットとの間で回動可能に配置される構成を取り得る。また、本発明では、前記フィルタ部材が、前記第2のパネルユニット内に収容される構成を取り得る。 In the present invention, the filter member can be arranged between the first panel and the second panel. At this time, the filter member is connected to the connecting means. It is possible to take a configuration in which the first panel unit and the second panel unit are connected to each other so as to be rotatable. Moreover, in this invention, the said filter member can take the structure accommodated in a said 2nd panel unit.
請求項5係る発明は、請求項1から請求項4の何れかの発明において、制御部及び電源部により構成される制御ユニットを、前記第1のパネルユニット内で、第1のパネルユニットに収容された前記放射線検出パネルより他方の面側となる位置に収容し、第2のパネルユニット側から照射される放射線に基づいた放射線画像データが得られるようにしている。 According to a fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects, the control unit configured by the control unit and the power source unit is accommodated in the first panel unit in the first panel unit. The radiation detection panel is housed in a position on the other surface side of the radiation detection panel, and radiation image data based on radiation irradiated from the second panel unit side is obtained.
請求項6に係る発明は、請求項5の発明において、前記第1のパネルユニット内の前記放射線検出パネルと前記制御ユニットとの間に設けられ、撮像時におけるバック散乱を防止する平板状の放射線吸収部材を含む。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the flat radiation according to the fifth aspect of the present invention, which is provided between the radiation detection panel and the control unit in the first panel unit and prevents back scattering during imaging. Including an absorbent member.
この発明によれば、第1のパネルユニット内に設けている制御ユニットが起因してバック散乱が生じるのを防止し、高品質の放射線画像データが得られるようにしている。 According to the present invention, back scattering is prevented from occurring due to the control unit provided in the first panel unit, and high-quality radiation image data is obtained.
請求項7に係る発明は、請求項5又は請求項6の発明において、前記第2のパネルユニットの他方の面に設けられて、撮像時の撮像対象による散乱線を除去する平板状のグリッドが設けられている。 The invention according to claim 7 is the invention according to claim 5 or claim 6, wherein a flat grid provided on the other surface of the second panel unit for removing scattered rays due to an imaging target during imaging is provided. Is provided.
この発明によれば、グリッドを介して2枚の放射線検出パネルに放射線が照射されるので、撮像対象に起因する放射線の散乱が除去されて、高品質の放射線画像が得られる。 According to this invention, since radiation is irradiated to the two radiation detection panels via the grid, the radiation scattering caused by the imaging target is removed, and a high-quality radiation image is obtained.
請求項8に係る発明は、請求項5から請求項7の何れかの発明において、前記第1のパネルユニットの他方の面に形成されて前記制御ユニットが発する熱を放出する放熱手段を含む。 According to an eighth aspect of the present invention, in any one of the fifth to seventh aspects of the present invention, the invention includes a heat radiating unit that is formed on the other surface of the first panel unit and that releases heat generated by the control unit.
この発明によれば、例えば、第1のパネルユニットの表面に形成する凹凸、フィンなどにより放熱手段を形成する。これにより、制御ユニットの発明が起因する画質低下、放射線検出パネルの劣化を防止することができる。 According to this invention, for example, the heat radiating means is formed by unevenness, fins, etc. formed on the surface of the first panel unit. As a result, it is possible to prevent image quality degradation and radiation detection panel degradation caused by the invention of the control unit.
請求項9に係る発明は、請求項1又は請求項2の発明において、前記第1のパネルユニットの一方の面及び前記第2のパネルユニットの一方の面の少なくとも一方の周縁部に設けられ、前記閉状態で前記第1のパネルユニットと前記第2のパネルユニットとの間に前記フィルタ部材が配置される間隙を形成する突状部材を含む。 The invention according to claim 9 is the invention according to claim 1 or 2, wherein the invention is provided on a peripheral portion of at least one of the one surface of the first panel unit and the one surface of the second panel unit, A projecting member that forms a gap in which the filter member is disposed between the first panel unit and the second panel unit in the closed state;
この発明によれば、第1及び第2のパネルユニットの互いに対向する面の少なくとも一方の周縁部に突状部材を設けており、これにより、フィルタ部材が配置されるスペースが的確に確保される。 According to the present invention, the projecting member is provided on at least one peripheral portion of the mutually opposing surfaces of the first and second panel units, and thereby a space in which the filter member is disposed is accurately ensured. .
請求項10係る発明は、請求項1から請求項9の何れかの発明において、前記放射線検出パネルが、放射線を光に変換するシンチレータで放射線を光に変換し、当該光により表わされる放射線画像を示す電気信号を出力するものとし、前記シンチレータが、蛍光体材料の柱状結晶を含んで構成されてもよい。 According to a tenth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to ninth aspects, the radiation detection panel converts the radiation into light by a scintillator that converts the radiation into light, and a radiation image represented by the light is obtained. The scintillator may be configured to include a columnar crystal of a phosphor material.
請求項11係る発明は、請求項10の発明において、前記蛍光体材料を、CsIとすることが好ましい。 According to an eleventh aspect of the present invention, in the invention of the tenth aspect, the phosphor material is preferably CsI.
請求項12係る発明は、請求項10又は請求項11の発明において、前記放射線検出パネルは、絶縁性の基板上に、前記シンチレータで変換された光を受光することにより電荷が発生するセンサ部、および当該センサ部で発生された電荷を読み出すための薄膜トランジスタが形成され、前記センサ部が、有機光電変換材料を含んで構成され、前記薄膜トランジスタの活性層が、非晶質酸化物又は有機半導体材料又はカーボンナノチューブを含んで構成され、前記基板が、プラスチックにより形成されてもよい。 According to a twelfth aspect of the present invention, in the invention of the tenth or eleventh aspect, the radiation detection panel is a sensor unit that generates charges by receiving light converted by the scintillator on an insulating substrate, And a thin film transistor for reading out the electric charge generated in the sensor unit, the sensor unit includes an organic photoelectric conversion material, and the active layer of the thin film transistor includes an amorphous oxide or an organic semiconductor material or The substrate may include carbon nanotubes, and the substrate may be formed of plastic.
請求項13係る発明は、請求項1から請求項12の何れかの発明において、前記連結手段が、前記第1のパネルユニットと前記第2のパネルユニットとを着脱可能に連結してもよい。 According to a thirteenth aspect of the invention, in any one of the first to twelfth aspects of the invention, the connecting means may detachably connect the first panel unit and the second panel unit.
以上説明したように請求項1の発明によれば、第1のパネルユニット内の放射線検出パネルの一方の面と、第2のパネルユニット内の放射線検出パネルの他方の面を対向させているので、画像特性の一致し画質が同等となるエネルギーサブストラクション用の放射線画像データを得ることができる。 As described above, according to the first aspect of the invention, the one surface of the radiation detection panel in the first panel unit is opposed to the other surface of the radiation detection panel in the second panel unit. Radiation image data for energy subtraction with matching image characteristics and equivalent image quality can be obtained.
請求項5に係る発明では、制御ユニットを第1のパネルユニットに設けているので、制御ユニットを一体で設けている場合でも、エネルギーサブストラクション用の放射線画像データを得ることができ、請求項6に係る発明では、このときに制御ユニットが起因する画質低下が生じることがない。 In the invention according to claim 5, since the control unit is provided in the first panel unit, radiation image data for energy subtraction can be obtained even when the control unit is provided integrally. In the invention according to, image quality deterioration caused by the control unit does not occur at this time.
請求項7の発明によれば、グリッドを設けているので、2枚の放射線検出パネルのそれぞれから高品質の画像を形成する放射線画像データを得ることができる。 According to the invention of claim 7, since the grid is provided, radiation image data for forming a high-quality image can be obtained from each of the two radiation detection panels.
また、請求項8の発明によれば、制御ユニットから発せられる熱に起因する画質低下及び、放射線検出パネルの劣化を防止することができる。 In addition, according to the invention of claim 8, it is possible to prevent deterioration in image quality and deterioration of the radiation detection panel caused by heat generated from the control unit.
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態の一例を詳細に説明する。
〔第1の実施の形態〕
図1乃至図3には、本実施の形態に係る電子カセッテ10が示されている。電子カセッテ10は、筐体12A、12Bを備えている。筐体12A,12Bは、厚さ方向(図2及び図3の紙面上下方向)が短い平板状(薄箱形状)に形成されている。筐体12Aは、内部に放射線検出パネル20が設けられてパネルユニット14を形成し、筐体12Bは、内部に放射線検出パネル20が設けられてパネルユニット16を形成している(以下、筐体12A、12Bも含めてパネルユニット14、16ともいう)。なお、電子カセッテ10では、同等の構成の放射線検出パネル20を用いるが、区別するときには、パネルユニット14側を放射線検出パネル20A、パネルユニット16側を放射線検出パネル20Bとする。
Hereinafter, an example of an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[First Embodiment]
1 to 3 show an
図3に示されるように、パネルユニット14、16の間には、連結手段の一例としてヒンジ62が設けられている。このヒンジ62は、パネルユニット14の一辺と、このパネルユニット14の一辺に対応するパネルユニット16の一辺とを連結している。また、電子カセッテ10では、パネルユニット14とパネルユニット16とがヒンジ62のピン62Aを軸に、パネルユニット14の一方の面にパネルユニット16の一方の面が対向する閉状態、及び、閉状態のときに対向されていた面が同一平面上で同一方向へ向けられた開状態の間で回動可能となっている。
As shown in FIG. 3, a
なお、電子カセッテ10は、図示しないロック機構により、パネルユニット14、16の閉状態で保持可能とされている。また、電子カセッテ10は、該ロック機構を解除することにより、ヒンジ62のピン62Aを軸に、パネルユニット14、16が相対的に回動可能となる。さらに、本実施の形態では、パネルユニット14、16の長手方向に沿った一辺(短辺)を連結するようにしているが、これに限らず、長辺を連結する構成であっても良い。さらに、以下では、パネルユニット14、16の開状態で、パネルユニット16のパネルユニット14と同一方向へ向く面が、同一面上となるように説明するが、これに限らず、少なくとも同一方向へ向く構成であれば良い。
The
ここで、パネルユニット14、16のそれぞれに内蔵されている放射線検出パネル20(20A、20B)について説明する。放射線検出パネル20は、照射される放射線を検出し、照射放射線量の分布に応じた電気信号(放射線検出信号)を出力する。図4に示されるように、放射線検出パネル20は、絶縁性基板22に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)などのスイッチング素子24が形成されて成る基板(以下、TFT基板26とする)を備えている。この絶縁性基板22としては、例えば、ガラス基板、各種セラミック基板、樹脂基板を用いることができるが、これらの材料に限るものではない。
Here, the radiation detection panel 20 (20A, 20B) built in each of the
TFT基板26上には、入射される放射線を変換する放射線変換層の一例として、入射される放射線を光に変換するシンチレータ層28が形成されている。シンチレータ層28としては、例えば、CsI:Tl、GOS(Gd2O2S:Tb)を用いることができるが、これらの材料に限るものではない。
On the
シンチレータ層28が発する光の波長域は、可視光域(波長360nm〜830nm)であることが好ましく、この放射線検出パネル20によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。
The wavelength range of light emitted by the
シンチレータ層28に用いる蛍光体としては、具体的には、放射線としてX線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウム(CsI)を含むものが好ましく、X線照射時の発光スペクトルが420nm〜600nmにあるCsI(Tl)を用いることが特に好ましい。なお、CsI(Tl)の可視光域における発光ピーク波長は565nmである。
Specifically, the phosphor used in the
シンチレータ層28は、例えば、CsI(Tl)等の柱状結晶で形成しようとする場合、蒸着基板への蒸着によって形成されてもよい。このように蒸着によってシンチレータ層28を形成する場合、蒸着基板は、X線の透過率、コストの面からAlの板がよく使用されるがこれに限定されるものではない。なお、シンチレータ層28としてGOSを用いる場合、蒸着基板を用いずにTFT基板26の表面にGOSを塗布することにより、シンチレータ層28を形成してもよい。
The
TFT基板26とシンチレータ層28との間には、シンチレータ層28によって変換された光が入射されることにより電荷を発生する光導電層30が配置されている。この光導電層30のシンチレータ層28側の表面には、光導電層30にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極32が形成されている。
Between the
なお、TFT基板26上には、TFT基板26を平坦化するための平坦化層38が形成されている。また、TFT基板26とシンチレータ層28との間であって、平坦化層38上には、シンチレータ層28をTFT基板26に接着するための接着層39が形成されている。
A
光導電層30は、シンチレータ層28から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。光導電層30は、光が照射されることにより電荷を発生する材料により形成すればよく、例えば、アモルファスシリコンや有機光電変換材料などにより形成することができる。アモルファスシリコンを含む光導電層30であれば、幅広い吸収スペクトルを持ち、シンチレータ層28による発光を吸収することができる。有機光電変換材料を含む光導電層30であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ層28による発光以外の電磁波が光導電層30に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線が光導電層30で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。
The
光導電層30を構成する有機光電変換材料は、シンチレータ層28で発光した光を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ層28の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ層28の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ層28から発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ層28の放射線に対する発光ピーク波長との差が、10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。
The organic photoelectric conversion material constituting the
このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ層28の材料としてCsI(Tl)を用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、光導電層30で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。
Examples of organic photoelectric conversion materials that can satisfy such conditions include quinacridone-based organic compounds and phthalocyanine-based organic compounds. For example, since the absorption peak wavelength of quinacridone in the visible region is 560 nm, if quinacridone is used as the organic photoelectric conversion material and CsI (Tl) is used as the material of the
TFT基板26には、光導電層30で発生した電荷を収集する電荷収集電極34が形成されている。TFT基板26は、電荷収集電極34のそれぞれに対応して設けられているスイッチング素子24がオンされることで、各電荷収集電極34で収集された電荷が読み出される。
On the
次に、本実施の形態に係る放射線検出パネル20に適用可能な光導電層30について具体的に説明する。
Next, the
本発明に係る放射線検出パネル20における電磁波吸収/光電変換部位は、1対の電荷収集電極34,バイアス電極32と、該電荷収集電極34,バイアス電極32間に挟まれた有機光導電層30を含む有機層により構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び層間接触改良部位等の積み重ねもしくは混合により形成することができる。
The electromagnetic wave absorption / photoelectric conversion site in the
上記有機層は、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。 The organic layer preferably contains an organic p-type compound or an organic n-type compound.
有機p型半導体(化合物)は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体(化合物)であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。 The organic p-type semiconductor (compound) is a donor organic semiconductor (compound) mainly represented by a hole-transporting organic compound and refers to an organic compound having a property of easily donating electrons. More specifically, an organic compound having a smaller ionization potential when two organic materials are used in contact with each other. Therefore, any organic compound can be used as the donor organic compound as long as it is an electron-donating organic compound.
有機n型半導体(化合物)は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体(化合物)であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。 An organic n-type semiconductor (compound) is an acceptor organic semiconductor (compound) mainly represented by an electron-transporting organic compound and refers to an organic compound having a property of easily accepting electrons. More specifically, the organic compound having the higher electron affinity when two organic compounds are used in contact with each other. Therefore, as the acceptor organic compound, any organic compound can be used as long as it is an electron-accepting organic compound.
この有機p型半導体及び有機n型半導体として適用可能な材料、及び光導電層30の構成については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。なお、光導電層30は、さらにフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成してもよい。
Since the materials applicable as the organic p-type semiconductor and organic n-type semiconductor and the configuration of the
各画素部を構成するセンサ部35は、少なくとも電荷収集電極34、光導電層30、及びバイアス電極32を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜及び正孔ブロッキング膜の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。
The
電子ブロッキング膜は、電荷収集電極34と光導電層30との間に設けることができ、電荷収集電極34とバイアス電極32間にバイアス電圧を印加したときに、電荷収集電極34から光導電層30に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
The electron blocking film can be provided between the
電子ブロッキング膜には、電子供与性有機材料を用いることができる。 An electron donating organic material can be used for the electron blocking film.
実際に電子ブロッキング膜に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光導電層30の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数(Wf)より1.3eV以上電子親和力(Ea)が大きく、かつ、隣接する光導電層30の材料のイオン化ポテンシャル(Ip)と同等のIpもしくはそれより小さいIpを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。
The material actually used for the electron blocking film may be selected according to the material of the adjacent electrode, the material of the adjacent
電子ブロッキング膜の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部35の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。
The thickness of the electron blocking film is preferably 10 nm or more and 200 nm or less, more preferably 30 nm or more and 150 nm or less, and particularly preferably 50 nm, in order to surely exhibit the dark current suppressing effect and prevent a decrease in the photoelectric conversion efficiency of the
正孔ブロッキング膜は、光導電層30とバイアス電極32との間に設けることができ、電荷収集電極34とバイアス電極32間にバイアス電圧を印加したときに、バイアス電極32から光導電層30に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
The hole blocking film can be provided between the
正孔ブロッキング膜には、電子受容性有機材料を用いることができる。 An electron-accepting organic material can be used for the hole blocking film.
正孔ブロッキング膜の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部35の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。
The thickness of the hole blocking film is preferably 10 nm or more and 200 nm or less, more preferably 30 nm or more and 150 nm or less, and particularly preferably, in order to reliably exhibit the dark current suppressing effect and prevent a decrease in photoelectric conversion efficiency of the
実際に正孔ブロッキング膜に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光導電層30の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数(Wf)より1.3eV以上イオン化ポテンシャル(Ip)が大きく、かつ、隣接する光導電層30の材料の電子親和力(Ea)と同等のEaもしくはそれより大きいEaを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。
The material actually used for the hole blocking film may be selected according to the material of the adjacent electrode, the material of the adjacent
なお、光導電層30で発生した電荷のうち、正孔がバイアス電極32に移動し、電子が電荷収集電極34に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜の位置を逆にすれば良い。又、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜は両方設けなくてもよく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を得ることができる。
In the case where the bias voltage is set so that the holes move to the
図5には、スイッチング素子24の構成が概略的に示されている。
FIG. 5 schematically shows the configuration of the switching
電荷収集電極34に対応して、電荷収集電極34に移動した電荷を電気信号に変換して出力するスイッチング素子24が形成されている。スイッチング素子24の形成された領域は、平面視において電荷収集電極34と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部におけるスイッチング素子24とセンサ部35とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出パネル20(画素部)の平面積を最小にするために、スイッチング素子24の形成された領域が電荷収集電極34によって完全に覆われていることが望ましい。
Corresponding to the
スイッチング素子24は、ゲート電極220、ゲート絶縁膜222、及び活性層(チャネル層)224が積層され、さらに、活性層224上にソース電極226とドレイン電極228が所定の間隔を開けて形成されている。
In the switching
ドレイン電極228は、絶縁性基板22と電荷収集電極34との間に設けられた絶縁膜219を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する電荷収集電極34と電気的に接続されている。これにより、電荷収集電極34で捕集された電荷をスイッチング素子24に移動させることができる。
The
活性層224は、例えば、アモルファスシリコンや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブなどにより形成することができる。なお、活性層224を構成する材料は、これらに限定されるものではない。
The
活性層224を構成可能な非晶質酸化物としては、In、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物(例えばIn−O系)が好ましく、In、Ga及びZnのうちの少なくとも2つを含む酸化物(例えばIn−Zn−O系、In−Ga−O系、Ga−Zn−O系)がより好ましく、In、Ga及びZnを含む酸化物が特に好ましい。In−Ga−Zn−O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m(mは6未満の自然数)で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、InGaZnO4がより好ましい。なお、活性層224を構成可能な非晶質酸化物は、これらに限定されるものではない。
The amorphous oxide that can form the
活性層224を構成可能な有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開2009−212389号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。
Examples of the organic semiconductor material that can form the
スイッチング素子24の活性層224を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブで形成したものとすれば、X線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、スイッチング素子24におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。
If the
また、活性層224をカーボンナノチューブで形成した場合、スイッチング素子24のスイッチング速度を高速化することができ、また、可視光域での光の吸収度合の低いスイッチング素子24を形成できる。なお、カーボンナノチューブで活性層224を形成する場合、活性層224に極微量の金属性不純物が混入するだけで、スイッチング素子24の性能は著しく低下するため、遠心分離などにより極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。
Further, when the
ここで、上述した非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブや、有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、絶縁性基板22としては、半導体基板、石英基板、及びガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。特に本実施の形態に係る電子カセッテ10は、放射線検出パネル20を2枚内蔵している。このため、放射線検出パネル20の各光導電層30を有機光電変換材料を含んで構成し、各スイッチング素子24の活性層224を、非晶質酸化物又は有機半導体材料又はカーボンナノチューブを含んで構成して、絶縁性基板22にプラスチック製を用いることにより、電子カセッテ10を大幅に軽量化できる。
Here, any of the above-described amorphous oxide, organic semiconductor material, carbon nanotube, and organic photoelectric conversion material can be formed at a low temperature. Therefore, the insulating
また、基板22には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。
Further, the
アラミドは、200度以上の高温プロセスを適用できるために,透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバICの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ITO(indium tin oxide)やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して絶縁性基板22を形成してもよい。
Since aramid can be applied at a high temperature process of 200 ° C. or more, the transparent electrode material can be cured at a high temperature to reduce the resistance, and can also be used for automatic mounting of a driver IC including a solder reflow process. Moreover, since aramid has a thermal expansion coefficient close to that of ITO (indium tin oxide) or a glass substrate, warping after production is small and it is difficult to crack. In addition, aramid can form a substrate thinner than a glass substrate or the like. The insulating
バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束(バクテリアセルロース)と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を60−70%も含有しながら、波長500nmで約90%の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数(3−7ppm)を有し、鋼鉄並の強度(460MPa)、高弾性(30GPa)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く絶縁性基板22を形成できる。
Bionanofiber is a composite of cellulose microfibril bundles (bacterial cellulose) produced by bacteria (Acetobacter Xylinum) and a transparent resin. The cellulose microfibril bundle has a width of 50 nm and a size of 1/10 of the visible light wavelength, and has high strength, high elasticity, and low thermal expansion. By impregnating and curing a transparent resin such as an acrylic resin or an epoxy resin in bacterial cellulose, a bio-nanofiber having a light transmittance of about 90% at a wavelength of 500 nm can be obtained while containing 60-70% of the fiber. Bionanofiber has a low coefficient of thermal expansion (3-7ppm) comparable to silicon crystals, and is as strong as steel (460MPa), highly elastic (30GPa), and flexible. A thin insulating
本実施の形態では、絶縁性基板22上に、スイッチング素子24、センサ部35、透明な平坦化層38を順に形成し、当該絶縁性基板22上に光吸収性の低い接着樹脂等を用いた接着層39でシンチレータ層28を貼り付けることにより放射線検出パネル20を形成している。以下、透明絶縁膜206まで形成された絶縁性基板22をTFT基板26と称する。
In the present embodiment, the switching
図6に示されるように、センサ部35及びスイッチング素子24は、TFT基板26に二次元状に配置されている。TFT基板26には、一定方向(行方向)に延設された各スイッチング素子24をオン/オフするための複数本のゲート配線40、ゲート配線40と交差する方向(列方向)に延設され、オン状態のスイッチング素子24を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線42が設けられている。TFT基板26は、例えば、平面視において外縁に4辺を有する矩形状とされ、平面視におけるTFT基板26の周縁部のうちの一辺には、個々のゲート配線40及び個々のデータ配線42が接続された接続端子43が配置されている。
As shown in FIG. 6, the
図3に示されるように、電子カセッテ10では、放射線検出パネル20A、20Bのそれぞれを用いた放射線画像の撮像等の制御を行う制御ユニット18が、パネルユニット14に設けられている。図7に示されるように、パネルユニット14、16のそれぞれに設けている放射線検出パネル20(20A、20B)の接続端子43は、接続配線44を介して制御ユニット18に設けられている制御部50に接続されている。なお、図7では、模式的に、放射線検出パネル20A、20Bをずらして並べ、接続端子43を一辺に設けて接続配線44を引き出すように図示している。また、パネルユニット14とパネルユニット16との間は、例えば、接続配線44としてフレキシブルケーブルなどを用いて接続するなど、公知の任意の接続形態を取り得る。
As shown in FIG. 3, in the
制御部50は、放射線検出パネル20A、20Bの駆動や、放射線検出パネル20A、20Bから出力された放射線検出信号の放射線画像データへの変換を行う。また、制御ユニット18には、制御部50等に電力を供給する電源部70が設けられている。
The
制御部50は、ゲート配線ドライバ52、信号処理部54、画像メモリ56、カセッテ制御部58及び無線通信部60を備えている。放射線検出パネル20A、20Bの各スイッチング素子24(図7では、図示省略。図4、図6参照。)は、ゲート配線ドライバ52からゲート配線40を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、オン状態とされたスイッチング素子24により読み出された電荷は、電気信号としてデータ配線44を伝送されて信号処理部54に入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像を表す放射線検出信号が取得される。
The
図示は省略するが、信号処理部54には、入力される電気信号を増幅する増幅回路及びサンプルホールド回路が、データ配線42ごとに備えられている。個々のデータ配線42を伝送されて入力された電気信号は、増幅回路で増幅された後にサンプルホールド回路で保持される。また、サンプルホールド回路の出力側には、マルチプレクサ、A/D(アナログ/デジタル)変換器(何れも図示省略)が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号は、マルチプレクサに順に(シリアルに)入力され、A/D変換器によりデジタルの画像データ(放射線画像データ)へ変換される。
Although not shown, the
信号処理部54は、画像メモリ56に接続されており、信号処理部54のA/D変換器から出力された画像データが、放射線検出パネル20を用いて撮影された放射線画像データとして、画像メモリ56に順に記憶される。画像メモリ56は、複数枚分(複数画像分)の放射線画像データを記憶可能とする記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた放射線画像データが、画像メモリ56に順に記憶される。ゲート配線ドライバ52及び信号処理部54は、放射線検出パネル20A、20Bを別々に動作可能としている。これにより、電子カセッテ10では、2つの放射線検出パネル20から同時に得られる放射線画像データを、一つの連続する放射線画像データとして処理することができると共に、別々の放射線画像データとして処理することもできる。
The
カセッテ制御部58には、ゲート配線ドライバ52、信号処理部54及び画像メモリ56が接続されている。カセッテ制御部58は、マイクロコンピュータから成り、CPU58A、ROM及びRAMを含むメモリ58B、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部58Cを備え、電子カセッテ10の全体の動作を制御する。
A
また、カセッテ制御部58には、無線通信部60が接続されている。無線通信部60は、例えば、IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers)802.11a/b/g/n等に代表される無線LAN(Local Area Network)規格に対応しており、無線通信による外部装置との間での各種情報の伝送を制御する。
In addition, a
無線通信部60は、例えば、赤外線通信により双方向で各種の情報の伝送がなされる。この場合、図1から図3に示されるように、電子カセッテ10では、例えば、筐体12の側面に送受光部64が設けられる。これにより、パネルユニット14、16の閉状態、パネルユニット14、16の開状態の何れであっても、送受光部64が被検者の影になって情報の伝送が妨げられてしまうのを防止できる。なお、電子カセッテ10では、パネルユニット14の筐体12Aに送受光部64を設けている。
The
カセッテ制御部58は、無線通信部60を介して、放射線撮影の制御又は管理を行う外部装置(例えば、放射線発生装置等の機器の動作を制御するコンソール、或いは病院内ネットワークに接続されたサーバ等)と無線通信が可能とされている。なお、ここでは、一例として、コンソールとの間で各種情報の送受信が行われるものとする。また、本実施の形態では、無線通信部60を例に説明するが、これに換えて有線接続されることにより通信を行う有線通信部を適用しても良く、また、通信規格は、任意の規格を適用して良い。
The
カセッテ制御部58は、コンソールから無線通信部60を介して受信される撮影条件情報や被検者である患者に関する患者情報などの各種の情報を記憶し、撮影条件情報に基づいて各放射線検出パネル20の動作制御及び各放射線検出パネル20からの電荷の読出制御を行う。
The
図2(A)に示されるように、電子カセッテ10は、表示部66を設けることができる。この表示部66は、例えば、液晶パネル(LCD:Liquid Crystal Display)が用いられ、放射線が透過されるようにしている。また、表示部66は、パネルユニット16のパネルユニット14と反対側の面に設けられる。
As shown in FIG. 2A, the
図7に示されるように、表示部66は、カセッテ制御部58に接続されており、カセッテ制御部58によって表示が制御される。カセッテ制御部58は、無線通信部60を介してコンソールから入力される撮影条件情報、患者情報などから、撮影時に有用であると設定されている情報を表示する。このような情報としては、例えば、被検者(患者)を特定する氏名やID等の情報を適用することができ、これにより、撮影技師等の操作者は、被検者本人に対して、本人であるか否かの確認が可能となり、撮影を行う被検者の取り違えが生じるのを防止することができる。
As shown in FIG. 7, the
また、表示部66に表示する情報としては、撮影部位や撮影条件を含んでも良く、これにより、撮影部位がずれたり、誤った撮影条件などで撮影されてしまうのを未然に防止することができる。例えば、撮影部位を特定する方法としては、該当部位を文字などによって表示しても良く、また、撮像部位のサンプル画像を表示するようにしても良い。さらに、表示部66には、被検者に対する撮影手順などの撮影ガイダンスを表示しても良い。これにより、撮影技師は、被検者と離れた場所で被検者の動作を確認しながら撮影を行うことができるので、撮影技師が受ける放射線の量を抑えることができる。
Further, the information displayed on the
電源部70は、上述した各種回路や各素子(ゲート線ドライバ52、信号処理部54、画像メモリ56、無線通信部60及び、カセッテ制御部58として機能するマイクロコンピュータ)に電力を供給する。なお、図7では、電源部70と各種回路や各素子を接続する配線の図示を省略している。また、電源部70は、バッテリ(二次電池)を内蔵し、このバッテリが電力源として用いられても良い。
The
ところで、図4に示されるように、放射線検出パネル20は、TFT基板26、平坦化層38、接着層39が放射線を透過する材料から形成されている。放射線検出パネル20を用いた撮像に適用される放射線には、高エネルギー成分(例えば、エネルギーが50keV以上)の放射線と、低エネルギー成分(例えば、エネルギーが40keV以下)のとが含まれる。放射線検出パネル20では、高エネルギー成分及び低エネルギー成分の何れの放射線も通過するが、高エネルギー成分の放射線の透過率に比べて、低エネルギー成分の放射線の透過率が低くなっている。
Incidentally, as shown in FIG. 4, in the
なお、以下では、放射線検出パネル20のシンチレータ層28側の面(通常の表面)を第1面72とし、シンチレータ層28と反対側(TFT基板26側)の面(通常の裏面)を第2面74として説明する。
In the following, the surface (normal surface) on the
放射線検出パネル20では、シンチレータ層28側(第1面72側)から放射線が照射された場合、シンチレータ層28の厚さ方向に沿って光導電層30から離れた部分で放射線から光への変換が行われる。また、放射線検出パネル20では、TFT基板26側(第2面74側)から放射線が照射された場合、シンチレータ層28の厚さ方向で光導電層30に近い部分で放射線から光への変換が行われる。
In the
したがって、放射線検出パネル20では、第1面72側から放射線が照射された場合に得られる放射線画像データと、第2面74側から放射線が照射された場合に得られる放射線画像データとの間には、得られる画像の間に相違が生じる。
Therefore, in the
ここで、図3に示されるように、パネルユニット14には、制御ユニット18よりもパネルユニット16側に放射線検出パネル20Aが配置されている。また、パネルユニット14には、制御ユニット18と放射線検出パネル20Aとの間に、放射線吸収板80が配置されている。放射線吸収板80は、例えば、鉛(鉛板)などによって形成され、放射線検出パネル20Aを通過した放射線を吸収する。
Here, as shown in FIG. 3, the
電子カセッテ10では、パネルユニット14に設ける放射線検出パネル20Aを、第1面72側が、上方側(図1乃至図3の紙面上方側)へ向けられ、第2面74側が制御ユニット18側(図1乃至図3の紙面下方側)へ向けられて配置されている。また、電子カセッテ10では、パネルユニット16の放射線検出パネル20Bの第2面74側が、閉状態でパネルユニット14側に向くように配置されている。
In the
電子カセッテ10では、パネルユニット14のパネルユニット16側の面(以下、撮像面82Aともいう)に照射された放射線に応じた放射線画像データが、放射線検出パネル20Aから得られる。電子カセッテ10では、パネルユニット14、16が閉状態とされたときに、パネルユニット16の表示部66が設けられている側の面(以下、撮像面82Cともいう)から放射線が照射された場合に、照射された放射線に応じた放射線画像データが放射線検出パネル20Bから得られる。
In the
さらに、電子カセッテ10では、放射線検出パネル20として第2面74側から放射線が照射された場合でも、放射線画像データが得られるようになっており、ここから、パネルユニット14、16の開状態で、パネルユニット16の上方側の面(以下、撮像面82Bともいう)に照射された放射線により、放射線画像データを得ることもできる。
Further, in the
したがって、電子カセッテ10では、図2(B)に示されるパネルユニット14、16の開状態でパネルユニット14の撮像面82Aに照射される放射線に応じた放射線画像データが得られると共に、図2(A)に示されるパネルユニット14、16の閉状態で撮像面82Cに照射される放射線に応じた放射線画像データが得られ、さらに、パネルユニット14、16の開状態で、パネルユニット16の撮像面82Bに照射される放射線に応じた放射線画像データを得ることもできる。なお、図2(A)及び図2(B)では、放射線の照射方向を矢印Aで示している。
Therefore, in the
一方、図1に示されるように、パネルユニット14には、パネルユニット16に対向する面で、かつ、平面視で四隅となる位置に所定高さの突状部材76が形成されている。これにより、電子カセッテ10では、パネルユニット14とパネルユニット16とを重ね合わせたとき(閉状態)に、パネルユニット14とパネルユニット16との間に所定の間隙が生じる。電子カセッテ10では、この間隙に合わせて筐体12A、12Bがヒンジ62に連結されている。
On the other hand, as shown in FIG. 1, the
図1乃至図3に示されるように、電子カセッテ10では、パネルユニット16にフィルタ部材の一例とされるエネルギー変換用フィルタ78が配置される。このエネルギー変換用フィルタ78は、パネルユニット14、16の閉状態で、パネルユニット14とパネルユニット16との間となるようにパネルユニット16のパネルユニット14側の面(撮像面82B)に取り付けられている。なお、エネルギー変換用フィルタ78は、パネルユニット16の撮像面82Bに着脱可能に取り付けられたものであっても良く、また、パネルユニット14、16を重ね合わせるときに、エネルギー変換用フィルタ78を、パネルユニット14、16の間へ挿入配置するものであっても良い。
As shown in FIGS. 1 to 3, in the
このエネルギー変換用フィルタ78は、例えば、所定の波長範囲の放射線のエネルギーを吸収するように構成され、これにより、エネルギー変換用フィルタ78に入射された放射線が所定のエネルギー成分が吸収される。
The
エネルギー変換用フィルタ78は、例えば、銅、タングステン、モリブデンなどの重金属が用いられ、薄板状(例えば、厚さ0.8mm〜2.0mm程度、また、厚さはこれに限らず2.0mm以上であっても良い)に形成されている。なお、エネルギー変換用フィルタ78の構成は、これに限るものでなく、所望の波長の放射線が吸収される任意の構成を適用できる。
The
前記したように、放射線検出パネル20に照射される放射線には、比較的周波数の高い高エネルギー成分と、比較的周波数の低い低エネルギー成分とが含まれ、放射線中の高エネルギー成分の放射線画像データから高圧画像が得られ、低エネルギー成分の放射線画像データから低圧画像が得られる。エネルギー変換用フィルタ78で低エネルギー成分を殆ど吸収することで、軟部組織と骨部組織とを強調又は分離した画像(軟部画像と骨部画像)が得られる(エネルギーサブストラクション法)。電子カセッテ10では、エネルギー変換用フィルタ78により低エネルギー成分が吸収されるようにしている。
As described above, the radiation applied to the
パネルユニット14に設けている突状部材76は、エネルギー変換用フィルタ78の厚さに合わせた高さとなっており、これによりパネルユニット14とパネルユニット16との間に生じる隙間に、エネルギー変換用フィルタ78が配置される(差し込まれる)。このような突状部材76としては、例えば、薄肉円板状に形成されたシート体を、パネルユニット14の表面に貼付するなどして形成することができる。
The projecting
電子カセッテ10では、パネルユニット14、16の閉状態で、パネルユニット14とパネルユニット16との間にエネルギー変換用フィルタ78が配置されることにより、パネルユニット16の撮像面82Cに放射線が照射されると、パネルユニット16内の放射線検出パネル20Bには、高エネルギー成分と低エネルギー成分とを含む放射線が照射されるが、パネルユニット14内の放射線検出パネル20Aには、エネルギー変換用フィルタ78により低エネルギー成分が吸収されて、高エネルギー成分の放射線が照射される。
In the
したがって、電子カセッテ10では、パネルユニット14、16の閉状態では、パネルユニット16の放射線検出パネル20Bから低圧画像の放射線画像データが得られ、パネルユニット14Aの放射線検出パネル20Aから高圧画像の放射線画像データが得られる。
Therefore, in the
次に第1の実施の形態の作用を説明する。電子カセッテ10には、それぞれに放射線検出パネル20が設けられたパネルユニット14とパネルユニット16とが、ヒンジ62によって開閉可能に連結され、パネルユニット14、16の閉状態及び開状態のそれぞれで放射線画像の撮像が可能となっている。なお、電子カセッテ10では、パネルユニット14の筐体12Aとパネルユニット16の筐体12Bとに、把手を設けた構成であっても良く、これにより、パネルユニット14、16の開閉操作が容易となり好ましい。
Next, the operation of the first embodiment will be described. A
ところで、電子カセッテ10では、パネルユニット14、16を重ね合わせた閉状態で、パネルユニット14、16の間にエネルギー変換用フィルタ78が配置されるようになっている。電子カセッテ10では、パネルユニット14、16の閉状態で、パネルユニット16の撮像面82Cに放射線が照射されることにより、この放射線が、放射線検出パネル20Bの第1面72に照射され、放射線検出パネル20Bから照射された放射線に応じた放射線画像データが得られる。また、放射線検出パネル20Bを透過した放射線は、エネルギー変換用フィルタ78を通過し、パネルユニット14の放射線検出パネル20Aの第1面72に照射される。
By the way, in the
ここで、放射線検出パネル20Aには、エネルギー変換用フィルタ78により低エネルギー成分が吸収されて、高エネルギー成分の放射線が照射される。電子カセッテ10では、パネルユニット16の放射線検出パネル20Bにおいても、低エネルギー成分の放射線が吸収されるが、エネルギー変換用フィルタ78が設けられていることにより、放射線検出パネル20Aには、低エネルギー成分が確実に除去され、高エネルギー成分のみとなっている放射線が照射される。
Here, the low energy component is absorbed by the
したがって、電子カセッテ10では、1回の放射線の照射で、エネルギーサブストラクション法に用いられる、低エネルギー成分を含む放射線による放射線画像データと、高エネルギー成分の放射線による放射線画像データとが得られる。これらの放射線画像データを用いることにより、エネルギーサブストラクション法を用いた診断に適用される低圧画像と高圧画像が得られる。
Therefore, in the
ここで、パネルユニット14には、パネルユニット16に対向する撮像面82Aに突状部材76が設けられており、パネルユニット14にパネルユニット16が重ねられた閉状態で、パネルユニット14、16の間に放射線検出パネル20A、20Bのそれぞれに対して平行に、エネルギー変換用フィルタ78が配置可能となる。
Here, the
このとき、突状部材76は、パネルユニット14の撮像面82Aの周縁部に設けられているために、パネルユニット14、16の間のエネルギー変換フィルタ78にズレ等が生じたり、パネルユニット14、16の間から抜け落ちてしまったりするのが防止される。また、電子カセッテ10では、パネルユニット14、16の間にエネルギー変換用フィルタ78を配置しても、撮像面82A、82Bに必要以上の圧力がかかることがなく、また、放射線検出パネル20A、20Bの平行状態が維持され、適正な放射線画像データが得られる。
At this time, since the projecting
このような突状部材76は、エネルギー変換用フィルタ78の厚さに応じた高さとなっており、このために、パネルユニット14、16の開状態でも被検者に不快感を生じさせることはない。なお、ここでは、突状部材76を、パネルユニット14の撮像面82Aに設けたが、パネルユニット14の撮像面82Aとパネルユニット16の撮像面82Bとに分けて設けても良く、これにより、個々の突状部材の高さを必要高さの半分にすることができる。
Such a protruding
また、電子カセッテ10では、制御ユニット18と放射線検出パネル20Aとの間に、放射線吸収板80を設けており、放射線検出パネル20Aを通過した放射線が、放射線吸収板80により吸収される。したがって、電子カセッテ10では、放射線検出パネル20Aを通過した放射線によるバック散乱線の発生が防止され、高品質の放射線画像データが得られる。
In the
電子カセッテ10では、エネルギーサブストラクション用の放射線画像データを取得するときに、放射線検出パネル20A、20Bのそれぞれの第1面72に放射線が照射される。したがって、放射線検出パネル20A、20Bの間で、同等の画質の放射線画像データが得られ、エネルギーサブストラクションによる高精度の画像診断が可能となる。
In the
一方、電子カセッテ10では、パネルユニット14、16を閉状態としたときに、パネルユニット16側の放射線検出パネル20Bのみを用いた放射線画像データの取得が可能となる。また、電子カセッテ10では、パネルユニット14、16を開状態としたときに、パネルユニット14の撮像面82Aが開放されるので、このパネルユニット14の撮像面82Aへ放射線が照射されることにより、照射された放射線に応じた放射線画像データが放射線検出パネル20Aから得られる。
On the other hand, in the
電子カセッテ10では、制御部50や電源部70に、多数の電子分品を含んで構成されており、電源部70の電力により作動することにより発熱する。また、放射線検出パネル20は、温度変化によって電気的特性が変化する。制御部50や電源部70から発せられる熱により放射線検出パネル20、特に放射線検出パネル20Aに温度上昇が生じ易い。
In the
放射線検出パネル20の温度上昇は、被検者がパネルユニット14等に触れたときに、被検者に不快感を生じさせることがある。また、放射線検出パネル20は、温度上昇によるノイズの増大によりS/N比の悪化、スイッチング素子24等の暗電流の増大が生じる。さらに、放射線検出パネル20の温度上昇は、積層構造を形成する各部材の熱膨張係数の相違に起因する変形、破損、温度変化が繰り返されることによる接着剤の劣化による層の剥離などによる放射線検出パネル20の劣化を生じさせる。
The temperature rise of the
ここで、電子カセッテ10では、パネルユニット14内に制御ユニット18を配置しており、パネルユニット16は、制御ユニット18から離れている。このため、電子カセッテ10では、パネルユニット14、16の閉状態で、パネルユニット16の放射線検出パネル20Bで撮像を行うときに、この放射線検出パネル20Bが、制御ユニット18から発せられる熱の影響を受けることがないので、高品質の放射線画像の撮像が可能となる。
Here, in the
また、電子カセッテ10では、パネルユニット14、16が連結されていることにより、パネルユニット14内で発せられる熱が、パネルユニット16へも伝達される。このとき、パネルユニット14、16が開状態であると、放熱面積が広げられることになり、パネルユニット14からのみでなく、パネルユニット16からの放熱がなされ、放熱効果の向上が図られる。
Further, in the
これにより、電子カセッテ10では、パネルユニット14、16の開状態で、パネルユニット14内の放射線検出パネル20Aを用いて放射線画像の撮像を行うときに、パネルユニット20Aが制御ユニット18で発する熱の影響を受けることがないので、この場合においても、高画質の放射線画像の撮像が可能となる。
Thereby, in the
制御ユニット18では、放射線画像の連続的な撮像や、動画像として撮像が行われると、温度上昇が生じ易くなる。電子カセッテ10では、放射線検出パネル20A、20Bが熱の影響を受けてしまうことがないので、放射線検出パネル20A、20Bを用いた連続的な撮像や動画像の撮像を行うときにも、高品質の画像が得られる。
In the
また、GOSは温度変化による感度の変化はほとんどないが、CsIは温度の上昇により感度が変化(例えば、温度が1℃上昇する毎に感度が約0.3%低下)する。従って、シンチレータ層28をCsIにより形成した場合、連続的に撮影を繰り返す動画撮影(透視撮影)中にシンチレータ層28の温度が大きく変化すると、シンチレータ層28の感度変化が大きくなり、一連の動画撮影画像において、フレーム初期の画像と最後の画像で濃度差が大きくなり、視認性が悪くなり、また、診断精度も低下してしまう。しかし、本実施の形態に係る電子カセッテ10は、パネルユニット16の放射線検出パネル20Bで動画撮像を行うことにより、制御ユニット18の熱が放射線検出パネル20Bに伝わり難いため、CsIの温度変化による感度変化を抑制できる。
Further, GOS hardly changes in sensitivity due to temperature change, but CsI changes in sensitivity due to temperature increase (for example, the sensitivity decreases by about 0.3% every time the temperature increases by 1 ° C.). Therefore, when the
一方、電子カセッテ10では、パネルユニット16にエネルギー変換用フィルタ78を取り付けるようにしているが、これに限らず、エネルギー変換用フィルタ78を着脱可能とする構成を取り得る。この場合、電子カセッテ10では、パネルユニット14、16の開状態で、パネルユニット14の撮像面82Aとパネルユニット16の撮像面82Bが同一方向を向きで、かつ、同一面上となる。
On the other hand, in the
これにより、電子カセッテ10では、パネルユニット14、16の開状態で、パネルユニット14の放射線検出パネル20Aとパネルユニット16の放射線検出パネル20Bを用いた撮像が可能となる。この場合、2枚の放射線検出パネル20A、20Bが並べて得られる面積での撮像が可能となり、1枚の放射線検出パネル20を用いる場合に比べて、撮像面積が拡大される。
Thereby, in the
このとき、放射線検出パネル20Aには、第1面72に放射線が照射され、放射線検出パネル20Bには、第2面74に放射が照射される。このために、放射線検出パネル20から得られる放射線画像データと、放射線検出パネル20Bから得られる放射線画像データの間に、画質の差が生じるときは、所定の画像処理を行うことで解消すれば良い。
At this time, the
また、電子カセッテ10では、パネルユニット14、16の閉状態で放射線検出パネル20Aの第1面72と放射線検出パネル20Bの第2面74とが対向するようにしたが、放射線検出パネル20Aの第2面74と放射線検出パネル20Bの第1面72とが対向する構成であっても良く、これにより、パネルユニット14、16の開状態で2枚の放射線検出パネル20A、20Bを用いた撮像を行うときに、同等の画質の放射線画像データを得ることができる。
In the
ここで、放射線検出パネル20は、図8に示すように、シンチレータ層28が形成された側(第1面72側)から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の裏面側に設けられたTFT基板26により放射線画像を読み取る、いわゆる裏面読取方式(所謂PSS(Penetration Side Sampling)方式)とされた場合、シンチレータ層28の同図上面側(TFT基板26の反対側)でより強く発光し、TFT基板26側(第2面74側)から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の表面側に設けられたTFT基板26により放射線画像を読み取る、いわゆる表面読取方式(所謂ISS(Irradiation Side Sampling)方式)とされた場合、TFT基板26を透過した放射線がシンチレータ層28に入射してシンチレータ層28のTFT基板26側がより強く発光する。TFT基板26に設けられた各センサ部35には、シンチレータ層28で発生した光により電荷が発生する。このため、放射線検出パネル20は、表面読取方式とされた場合の方が裏面読取方式とされた場合よりもTFT基板26に対するシンチレータ層28の発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。
Here, as shown in FIG. 8, the
また、放射線検出パネル20は、光導電層30を有機光電変換材料により構成した場合、光導電層30で放射線がほとんど吸収されない。このため、本実施の形態に係る放射線検出パネル20は、表面読取方式により放射線がTFT基板26を透過する場合でも光導電層30による放射線の吸収量が少ないため、放射線Xに対する感度の低下を抑えることができる。表面読取方式では、放射線がTFT基板26を透過してシンチレータ層28に到達するが、このように、TFT基板26の光導電層30を有機光電変換材料により構成した場合、光導電層30での放射線の吸収が殆どなく放射線の減衰を少なく抑えることができるため、表面読取方式に適している。
In the
また、スイッチング素子24の活性層224を構成する非晶質酸化物や光導電層30を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。このため、絶縁性基板22を放射線の吸収が少ないプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成することができる。このように形成された絶縁性基板22は放射線の吸収量を少ないため、表面読取方式により放射線がTFT基板26を透過する場合でも、放射線Xに対する感度の低下を抑えることができる。
Further, the amorphous oxide constituting the
そこで、電子カセッテ10は、図9に示すように、パネルユニット14内の放射線検出パネル20Aを第2面74側が上方側(図9の紙面上方側)へ向くように配置すると共に、パネルユニット16内の放射線検出パネル20Bを閉状態で第2面74側が上方側(図9の紙面上方側)へ向くように配置してもよい。
Therefore, as shown in FIG. 9, the
これにより、図10(A)に示すように、電子カセッテ10は、閉状態でパネルユニット14内の放射線検出パネル20A及びパネルユニット16内の放射線検出パネル20Bが共に表面読取方式となるため、閉状態の撮影で高画質な画像を得ることができる。なお、この場合、電子カセッテ10は、図10(B)に示すように、開状態でパネルユニット14内の放射線検出パネル20Aが表面読取方式となり、パネルユニット16内の放射線検出パネル20Bが裏面読取方式となり、開状態で放射線検出パネル20A及び放射線検出パネル20Bにより撮影される放射線画像の画質の差が生じるが、所定の画像処理を行うことで解消すれば良い。
As a result, as shown in FIG. 10A, the
また、電子カセッテ10は、図11に示すように、パネルユニット14内の放射線検出パネル20Aを第1面72側が、上方側(図11の紙面上方側)へ向くように配置すると共に、パネルユニット16内の放射線検出パネル20Bを閉状態で第2面74側が上方側(図11の紙面上方側)へ向くように配置してもよい。
In addition, as shown in FIG. 11, the
これにより、図12(A)に示すように、電子カセッテ10は、閉状態でパネルユニット16内の放射線検出パネル20Bが表面読取方式となるため、1回の放射線の照射で、エネルギーサブストラクション用の放射線画像を撮影する際に、高い画質が必要な低圧画像を放射線検出パネル20Bにより高い画質で撮影できる。また、この場合、電子カセッテ10は、図12(B)に示すように、開状態でパネルユニット14内の放射線検出パネル20A及びパネルユニット16内の放射線検出パネル20Bが共に裏面読取方式となるため、開状態で放射線検出パネル20A及び放射線検出パネル20Bにより撮影される放射線画像の画質の差が生じない。
As a result, as shown in FIG. 12A, the
また、放射線検出パネル20A、20Bを表面読取方式で配置する場合、例えば、図13に示すように、放射線検出パネル20AはTFT基板26が撮像面82A側となるようにパネルユニット14内部の筐体部分に貼り付け、放射線検出パネル20BはTFT基板26が撮像面82B側となるようにパネルユニット16内部の筐体部分に貼り付けるものとしもよい。絶縁性基板22を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出パネル20自体の剛性が高いため、パネルユニット14やパネルユニット16の筐体を薄く形成することができる。また、絶縁性基板22を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出パネル20自体が可撓性を有するため、衝撃が加わった場合でも放射線検出パネル20が破損しづらい。
When the
放射線検出パネル20A、20Bのシンチレータ層28は、同一の構成としてもよく、異なる構成としてもよい。例えば、放射線検出パネル20A、20Bのシンチレータ層28を全てGOSで構成してもよい。この場合、電子カセッテ10を安価に製造できる。
The scintillator layers 28 of the
また、放射線検出パネル20A、20Bのシンチレータ層28を全てCsI等による柱状結晶で構成してもよい。この場合、放射線の照射されることにより柱状結晶で発生した光が柱状結晶に沿って導かれるため、高画質化できる。
Alternatively, all of the scintillator layers 28 of the
また、パネルユニット16内の放射線検出パネル20Bのシンチレータ層28をCsI等による柱状結晶で構成し、パネルユニット14内の放射線検出パネル20Aのシンチレータ層28をGOSで構成してもよい。この場合、電子カセッテ10を閉状態として1回の放射線の照射で、パネルユニット14、16によりエネルギーサブストラクション用の放射線画像をにおいて放射線検出パネル20Bにより高画質な低エネルギーの照射線画像を得ることができる。また、パネルユニット14に温度変化が発生してもパネルユニット14で撮影される放射線画像の画質変化を抑制できる。
Further, the
さらに、放射電子カセッテ10では、ヒンジ62の構造に起因し、パネルユニット14、16の開状態で、放射線検出パネル20A、20Bの間に隙間が生じる。これにより、放射線検出パネル20Aから得られる放射線画像データの画像と、放射線検出パネル20Bの放射線画像データから得られる画像との間に隙間が生じる。この場合、放射線検出パネル20Aから得られる画像と放射線検出パネル20Bから得られる画像とが連続するものであれば、画像処理等によってこの隙間部分の画像を生成することにより、連続した画像とすることができる。また、撮像時には、この隙間部分に注目部位(主要な撮像部位)が重なってしまうのを避ければ良い。なお、パネルユニット14、16を連結するヒンジの構造によって、放射線検出パネル20A、20Bの間の隙間が実質的に生じない構成とするようにしても良い。
Further, in the radiating
なお、電子カセッテ10では、パネルユニット14に制御ユニット18と放射線吸収板80を設けたが、これに限らず、制御ユニット18を別に設けても良く、このときには、パネルユニット14、16の閉状態で、パネルユニット14、16の間にフィルタ部材の他の一例とする放射線吸収板80を挿入配置すれば、放射線検出パネル20A、20Bによって別々の放射線画像データを得ることができる。
In the
さらに、制御ユニット18には、パネルユニット14、16の開閉状態(閉状態か開状態か)を検出するリミットスイッチなどの機械的な検出手段を設け、この検出手段を、カセッテ制御部58に接続するようにしてもよい。これにより、カセッテ制御部58では、放射線検出パネル20A、20Bで検出される放射線画像データがどのような画像データであるかを認識でき、この認識結果に応じて処理を切り替える構成とすることができる。
〔第2の実施の形態〕
以下に第2の実施の形態を説明する。なお、第2の実施の形態において、第1の実施の形態と同等の構成については、第1の実施の形態と同じ符号を付与してその説明を省略する。
Further, the
[Second Embodiment]
The second embodiment will be described below. Note that in the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and description thereof is omitted.
図14には、第2の実施の形態に係るカセッテ10Aが示されている。このカセッテ10Aは、筐体12A内に、制御ユニット18、放射線検出パネル20A及び、放射線吸収板80が収容されたパネルユニット14を備えている。また、電子カセッテ10Aは、筐体12B内に、放射線検出パネル20B及びエネルギー変換用フィルタ78が収容されたパネルユニット16Aを備え、パネルユニット14とパネルユニット16Aとがヒンジ62によって連結されている。
FIG. 14 shows a
これにより、電子カセッテ10Aでは、パネルユニット14の撮像面82Aとパネルユニット16Aの撮像面82Bが対向されて接する閉状態及び、パネルユニット14の撮像面82Aとパネルユニット16の撮像面82Bとが、同一面上で同一方向へ向く開状態を取り得るように回動可能に連結されている。
Thus, in the
また、パネルユニット16では、エネルギー変換用フィルタ78が、筐体12Bの撮像面82B側となるように配置されている。これにより、電子カセッテ10Aでは、パネルユニット14、16Aの閉状態で、放射線検出パネル20B、エネルギー変換用フィルタ78及び放射線検出パネル20Aが、この順で層状に配置される。
In the
このように構成されている電子カセッテ10Aでは、パネルユニット14、16Aの閉状態で、パネルユニット16Aの撮像面82Cに放射線が照射されることにより、放射線検出パネル20Bには、高エネルギー成分のみでなく低エネルギー成分を含む放射線画像データが得られる。
In the
また、電子カセッテ10Aでは、パネルユニット16A内に、エネルギー変換用フィルタ78が設けられていることにより、放射線検出パネル20Bを透過した放射線が、エネルギー変換用フィルタ78を透過することにより、低エネルギー成分の放射線が吸収され、高エネルギー成分の放射線が、パネルユニット14内の放射線検出パネル20Aに照射され、高エネルギー成分の放射線画像データが得られる。
Further, in the
したがって、電子カセッテ10Aにおいても、放射線検出パネル20Bから低圧画像の放射線画像データが得られ、放射線検出パネル20Aから高圧画像の放射線画像データが得られるので、1回の放射線の照射でエネルギーサブストラクション法に用いる放射線画像データが得られる。
Therefore, also in the
一方、第1及び第2の実施の形態では、放射線検出パネルの一例として、放射線をシンチレータ層28で一旦光に変換した後、変換した光を光導電層30で電荷に変換して蓄積する間接変換方式の放射線検出パネル20を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、放射線を、アモルファスセレン等を用いたセンサ部により電荷へ直接変換して蓄積する直接変換方式の放射線検出パネルを用いても良い。
On the other hand, in the first and second embodiments, as an example of the radiation detection panel, after the radiation is once converted into light by the
図15には、直接変換方式の放射線検出パネル21の一例と示している。この放射線検出パネル21では、入射される放射線を電荷に変換する光導電層102が、TFT基板26上に形成されている。光導電層102としては、アモルファスSe、Bi12MO30(M:Ti、Si、Ge)、Bi4M3O12(M:Ti、Si、Ge)、Bi2O3、BiMO4(M:Nb、Ta、V)、Bi2WO6、Bi24B2O39、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、MNbO3(M:Li、Na、K)、PbO、HgI2、PbI2、CdS、CdSe、CdTe、BiI3、GaAs等のうち少なくとも1つを主成分とする化合物などが用いられるが、暗抵抗が高く、X線(放射線)照射に対して良好な光導電性を示し、真空蒸着法により低温で大面積成膜が可能な非結晶(アモルファス)材料が好適である。
FIG. 15 shows an example of a direct conversion
光導電層102上には、光導電層102の表面側に、光導電層102へバイアス電圧を印加するためのバイアス電極104が形成される。また、TFT基板26には、間接変換方式の放射線検出パネル20と同様に、光導電層102で発生した電荷を収集する電荷収集電極34が形成されている。さらに、直接変換方式の放射線検出パネル21のTFT基板26には、各電荷収集電極34で収集された電荷を蓄積する電荷蓄積容量106が設けられている。各電荷蓄積容量106に蓄積された電荷は、スイッチング素子24がオンされることで読み出される。
A
ここで、電子カセッテ10Aでは、パネルユニット14に設ける放射線検出パネルとパネルユニット16Aに設ける放射線検出パネルとを異ならせた構成であっても良い。このとき、パネルユニット16Aには、放射線検出パネル21を設けても良い。
Here, in the
GOS及びCsIを含むシンチレータ層28を有する放射線検出パネル20では、高画質の放射線画像データが得られるが、吸収されずに透過する低エネルギー成分の放射線が少なからず存在する。これに対して、アモルファスセレンを含む光導電層102を有する放射線検出パネル21では、高画質の放射線画像データが得られるのに加え、低エネルギー成分の放射線の吸収率がきわめて高く、透過する低エネルギー成分の放射線は、エネルギー変換用フィルタ78よりは多いが、極めて微量となる。
In the
ここから、パネルユニット16A又はパネルユニット16において、放射線検出パネル20Bに換えて、放射線検出パネル21を用いることにより、エネルギー変換用フィルタを省略することができる。これにより、電子カセッテ10、10Aの軽量化を図ることができる。
From here, the energy conversion filter can be omitted by using the
また、このような電子カセッテ10、10Aでは、パネルユニット14、16又はパネルユニット14、16Aの開状態で、放射線検出パネル20Aと放射線検出パネル21とを同時に用いた撮像が可能となる。
〔第3の実施の形態〕
以下に第3の実施の形態を説明する。なお、第3の実施の形態は、基本的構成が前記した第1の実施の形態と同じであり、第3の実施の形態において、第1の実施の形態と同等の構成については、第1の実施の形態と同じ符号を付与してその説明を省略する。また、第3の実施の形態においても、放射線検出パネル20に換えて放射線検出パネル21を用いても良い。
Moreover, in such an
[Third Embodiment]
A third embodiment will be described below. Note that the basic configuration of the third embodiment is the same as that of the first embodiment described above. In the third embodiment, the first embodiment has the same configuration as the first embodiment. The same reference numerals as those of the embodiment are given and the description thereof is omitted. In the third embodiment, the
図16、図17(A)及び図17(B)には、第3の実施の形態に係る電子カセッテ10Bが示されている。図17(A)及び図17(B)に示されるように、このカセッテ10Bは、筐体12A内に、制御ユニット18、放射線検出パネル20A及び、放射線吸収板80が収容されたパネルユニット14を備えている。また、電子カセッテ10Bは、筐体12B内に、放射線検出パネル20Bが収容されたパネルユニット16を備え、パネルユニット14とパネルユニット16とがヒンジ部83によって連結されている。
FIGS. 16, 17A, and 17B show an
これにより、電子カセッテ10Bでは、ヒンジ部83のシャフト83Aを軸にパネルユニット14、16が回動されることにより、パネルユニット14の撮像面82Aとパネルユニット16の撮像面82Bが対向される閉状態及び、パネルユニット14の撮像面82Aとパネルユニット16の撮像面82Bとが、同一面上で同一方向へ向く開状態を取り得るようになっている。
Accordingly, in the
また、図16、図17(A)及び図17(B)に示されるように、電子カセッテ10Bでは、パネルユニット14とパネルユニット16との間に、エネルギー変換用フィルタ78Aが配置されている。図16及び図17(B)に示されるように、このエネルギー変換用フィルタ78Aは、シャフト83Aを軸に回動可能とされてヒンジ部83に連結されている。また、このエネルギー変換用フィルタ78Aは、基本的構成がエネルギー変換用フィルタ78と同じであり、エネルギー変換用フィルタ78Aがヒンジ部83に連結されて回動可能とされている点で、エネルギー変換用フィルタ78と相違する。
In addition, as shown in FIGS. 16, 17A, and 17B, in the
これにより、エネルギー変換用フィルタ78Aは、パネルユニット14、16の開状態では、パネルユニット14の撮像面82Aに接する位置及び、パネルユニット16の撮像面82Bに接する位置との間で回動可能となっている。したがって、図17(A)に示されるように、電子カセッテ10Bにおいても、パネルユニット14、16の閉状態で、放射線検出パネル20B、エネルギー変換用フィルタ78A及び放射線検出パネル20Aが、この順で層状に配置される。
As a result, the
このように構成されている電子カセッテ10Aでは、パネルユニット14、16の閉状態で、パネルユニット16の撮像面82Cに放射線が照射されることにより、放射線検出パネル20Bには、高エネルギー成分のみでなく低エネルギー成分を含む放射線画像データが得られる。
In the
また、電子カセッテ10Bでは、パネルユニット14、16の開状態で、パネルユニット16側へエネルギー変換用フィルタ78Aを回動させて、パネルユニット14の撮像面82A上から退避させることにより、パネルユニット14の放射線検出パネル20Aを用いた撮像が可能となり、パネルユニット14側へエネルギー変換用フィルタ78Aを回動させて、パネルユニット16の撮像面82B上から退避させることにより、パネルユニット16の放射線検出パネル20Bを用いた撮像が可能となる。
Further, in the
さらに、電子カセッテ10Bでは、パネルユニット14、16の開状態で、パネルユニット14側へエネルギー変換用フィルタ78Aを倒して、撮像面82Aに載せることにより、パネルユニット14の放射線検出パネル20Aの第1面72に照射される放射線から高エネルギー成分の放射線による放射線画像データが得られ、パネルユニット16側へエネルギー変換用フィルタ78Aを倒して、撮像面82Bに載せることにより、パネルユニット16の放射線検出パネル20Bの第1面72に照射される放射線から高エネルギー成分の放射線による放射線画像データが得られる。
Further, in the
また、エネルギー変換用フィルタ78Aは、ヒンジ部83を介してパネルユニット14に連結されるので、電子カセッテ10Bでは、パネルユニット14内の制御ユニット18から発する熱を、エネルギー変換用フィルタ78Aを介して放熱することができる。すなわち、電子カセッテ10では、エネルギーサブストラクション法に用いるエネルギー変換用フィルタ78Aを、放熱板として用いて放熱効率の向上が図られえる。
Since the
したがって、電子カセッテ10Bにおいても、制御ユニット18から発せられる熱により放射線検出パネル20の劣化が生じるのを防止しながら、制御ユニット18から発せられる熱の影響を受けることのない高品質の放射線画像データが得られる。
〔第4の実施の形態〕
以下に第4の実施の形態を説明する。なお、第4の実施形態は、基本的構成が前記した第1の実施の形態と同じであり、第4の実施の形態において、第1の実施の形態と同等の構成については、第1の実施の形態と同じ符号を付与してその説明を省略する。また、第4の実施の形態においても、放射線検出パネル20に換えて放射線検出パネル21を用いても良い。
Therefore, also in the
[Fourth Embodiment]
A fourth embodiment will be described below. The fourth embodiment has the same basic configuration as that of the first embodiment described above. In the fourth embodiment, the first embodiment has the same configuration as that of the first embodiment. The same reference numerals as those in the embodiment are given and the description thereof is omitted. In the fourth embodiment, the
図18、図19(A)及び図19(B)には、第4の実施の形態に係る電子カセッテ10Cが示されている。図19(A)及び図19(B)に示されるように、このカセッテ10Cは、筐体12A内に、制御ユニット18、放射線検出パネル20A及び、放射線吸収板80が収容されたパネルユニット14を備えている。また、電子カセッテ10Cは、筐体12B内に、放射線検出パネル20Bが収容されると共に一方の面(撮像面82B)にエネルギー変換用フィルタ78が設けられたパネルユニット16を備え、パネルユニット14とパネルユニット16とがヒンジ部91によって連結されている。
18, 19A and 19B show an electronic cassette 10C according to a fourth embodiment. As shown in FIGS. 19A and 19B, the cassette 10C includes a
図18、図19(A)及び図19(C)に示されるように、ヒンジ部91は、連結されるパネルユニット14、16の一辺の両端側に対で設けられている(各図では、一方のみを図示)。ヒンジ部91は、連結バー92を備え、連結バー92の両端にピン93A、93Bが軸支されている。
As shown in FIG. 18, FIG. 19 (A) and FIG. 19 (C), the
ここで、連結バー92に軸支された一方のピン93Aは、パネルユニット14の筐体12Aに連結されており、これにより、連結バー92は、ピン93Aを軸にパネルユニット14に回動可能に連結されている。また、連結バー92に軸支された他方のピン93Bは、パネルユニット16の筐体12Bに連結されており、これにより、連結バー92は、ピン93Bを軸にパネルユニット16に回動可能に連結されている。
Here, the one
電子カセッテ10Cでは、このようなヒンジ部91によりパネルユニット14、16が連結されて、パネルユニット14の撮像面82Aとパネルユニット16の撮像面82Bが対向される閉状態及び、パネルユニット14の撮像面82Aとパネルユニット16の撮像面82Bとが、同一方向へ向く開状態を取り得るようになっている。したがって、図19(A)に示されるように、電子カセッテ10Cにおいても、パネルユニット14、16の閉状態で、放射線検出パネル20B、エネルギー変換用フィルタ78及び放射線検出パネル20Aが、この順で層状に配置される。
In the
これにより電子カセッテ10Cでは、パネルユニット14、16の閉状態で、放射線検出パネル20Aと放射線検出パネル20Bとにより、エネルギーサブストラクション法に用いる放射線画像データ(高圧画像の画像データ及び低圧画像の画像データ)が得られる。また、電子カセッテ10Cでは、パネルユニット14内の放射線検出パネル20A及びパネルユニット16内の放射線検出パネル20Bを用いた撮像が可能となっている。
As a result, in the electronic cassette 10C, the radiation image data (high-pressure image data and low-pressure image data) used in the energy subtraction method by the
一方、電子カセッテ10Cでは、パネルユニット14、16の開状態では、パネルユニット14の撮像面82Aとパネルユニット16の撮像面82Bとが同一面上とならず、例えば、電子カセッテ10Cをパネルユニット14、16の開状態で撮像用の基台(図示省略)に載せると、パネルユニット14、16Bのそれぞれが基台の上面に接する。
On the other hand, in the electronic cassette 10C, when the
このときに、基台が平板状であることから、図18及び図19(B)に示されるように、電子カセッテ10Cでは、パネルユニット14の撮像面82Aとパネルユニット16の撮像面82Bとの間に、段差が生じる。この段差は、パネルユニット14の筐体12Aの高さと、パネルユニット16の筐体12Bの高さの差により生じる。
At this time, since the base is flat, as shown in FIGS. 18 and 19B, in the electronic cassette 10C, the
このような段差は、パネルユニット14、16の開状態で、パネルユニット14の撮像面82Aの延長面上とパネルユニット16のエネルギー変換用フィルタ78の表面との間に空間を生じさせる。このような空間上には、例えば、エネルギー変換用フィルタ78の保護用や、被検者がエネルギー変換用フィルタ78に触れてしまうのを防止する目的、撮像に用いないパネルユニット16を覆うことにより不要な段差を生じさせないためのカバーなどを配置することができる。なお、第4の実施の形態においては、パネルユニット16に換えて、エネルギー変換用フィルタ78が収容されたパネルユニット16Aを適用することもできる。
〔第5の実施の形態〕
以下に第5の実施の形態を説明する。なお、第5の実施の形態において、第1の実施の形態と同等の構成については、第1の実施の形態と同じ符号を付与してその説明を省略する。また、第5の実施の形態においても、放射線検出パネル20に換えて放射線検出パネル21を用いることもできる。
Such a step creates a space between the extended surface of the
[Fifth Embodiment]
The fifth embodiment will be described below. Note that in the fifth embodiment, identical symbols are assigned to configurations equivalent to those in the first embodiment and descriptions thereof are omitted. In the fifth embodiment, the
図20(A)及び図20(B)には、第5の実施の形態に係る電子カセッテ84が示されている。この電子カセッテ84は、筐体12Aと筐体12Cとを備え、ヒンジ62によって連結されている。筐体12Aには、制御ユニット18A、放射線検出パネル20A及び放射線吸収板80が設けられ、パネルユニット14Aが構成されている。筐体12Cは、筐体12Bに対応し、放射線検出パネル20Bが収容されてパネルユニット16Bを形成している。
20A and 20B show an
なお、制御ユニット18Aは、基本的構成は制御ユニット18と同じであるが、電子カセッテ84では、表示部66を省略しており、この点で制御部50Aが制御部50と相違する。なお、第5の実施の形態では、表示部66を省略するが、これに限らず、例えば、筐体12Aの側面等に表示部を設けた構成であっても良い。
The basic configuration of the
図20(A)に示されるように、電子カセッテ84では、パネルユニット14A、16Bを重ねた閉状態で、放射線検出パネル20Aの第1面72と放射線検出パネル20Bの第2面74が対向される。また、電子カセッテ84においても、パネルユニット14A、16Bの閉状態で、パネルユニット14A、16Bの間にエネルギー変換用フィルタ78が配置されることにより、1回の放射線の照射で、高エネルギー成分の放射線画像データ及び低エネルギー成分の放射線画像データが得られる(エネルギーサブストラクション法に用いる高圧画像及び低圧画像の放射線画像データ)が得られる。
As shown in FIG. 20A, in the
図20(A)及び図20(B)に示されるように、パネルユニット16Bには、撮像面82Cに対応する撮像面82Dに、グリッド88が形成されている。すなわち、電子カセッテ84のパネルユニット16Bは、例えば、前記した電子カセッテ10のパネルユニット16にグリッド88を設けた構成となっている。このグリッド88は、パネルユニット16Bの撮像面82Dに照射される放射線(矢印A)から撮像対象に起因する放射線の散乱線を除去する。なお、グリッド88は、放射線から散乱線を除去する構成であれば任意の構成を適用することができる。
As shown in FIGS. 20A and 20B, the panel unit 16B has a
図20(B)に示されるように、電子カセッテ84に設けているグリッド88の高さ(放射線の照射方向に沿った高さ)は、パネルユニット16Bの高さをパネルユニット14Aの高さと一致させるように嵩上げしている。
As shown in FIG. 20B, the height of the
このように構成されている電子カセッテ84では、1回の放射線の照射で、エネルギーサブストラクション法に用いる高圧画像の放射線画像データ及び低圧画像の放射線画像データを取得するときに、放射線検出パネル20A及び放射線検出パネル20Bのそれぞれの第1面72に対して垂直に放射線が照射される。したがって、散乱光に起因する画質低下が生じることがなく、高品質の放射線画像が得られる。
In the
一方、電子カセッテ84では、パネルユニット16Bにグリッド88を設けることにより、パネルユニット16Bの嵩(放射線の照射方向に沿った高さ)が高くなっている。これにより、図20(B)に示されるように、電子カセッテ84では、パネルユニット14A、16Bの開状態で、パネルユニット16Bの撮像面82Bの高さがパネルユニット14Aの撮像面82Aの高さと一致する。
On the other hand, in the
電子カセッテ84は、パネルユニット14A、16Bの開状態で撮像を行うときに、撮像面82A、82B(放射線検出パネル20Aの第1面72と放射線検出パネル20Bの第2面74)を同一平面上に維持できると共に、同一平面としたときに、電子カセッテ84が不安定となってしまうことがない(がたつくことがない)。したがって、電子カセッテ84では、開状態でパネルユニット14A、16B上に被検者が載ったときに不安定となることに起因して、被検者に不安を感じさせてしまうことがない。
When the
なお、電子カセッテ84においても、パネルユニット16Bの撮像面82Bにエネルギー変換用フィルタ78を予め取り付けておくものであっても良く、また、エネルギー変換用フィルタ78が放射線検出パネル20Bと共に収容される構成であっても良い。
〔第6の実施の形態〕
次に第6の実施の形態を説明する。なお、第6の実施の形態の基本的構成は、第1の実施の形態と同じであり、第6の実施の形態において、第1の実施の形態と同等の構成には、同一の符号を付与してその説明を省略する。また、第6の実施の形態においても、放射線検出パネル20に換えて放射線検出パネル21を用いる構成を取り得る。
In the
[Sixth Embodiment]
Next, a sixth embodiment will be described. Note that the basic configuration of the sixth embodiment is the same as that of the first embodiment, and in the sixth embodiment, the same reference numerals are given to the configurations equivalent to those of the first embodiment. The explanation is omitted. Also in the sixth embodiment, a configuration using the
図21には、第6の実施の形態に係る電子カセッテ90が示されている。この電子カセッテ90は、筐体12Dと筐体12Bとを備え、ヒンジ62によって連結されている。筐体12Dには、制御ユニット18、放射線検出パネル20A及び放射線吸収板80が設けられ、これにより、パネルユニット14Bが形成されている。
FIG. 21 shows an
電子カセッテ90では、パネルユニット14B、16を重ねた閉状態で、放射線検出パネル20Aの第1面72と放射線検出パネル20Bの第2面74が対向される。また、電子カセッテ90においても、パネルユニット14B、16の閉状態で、パネルユニット14B、16の間にエネルギー変換用フィルタ78が配置されることにより、1回の放射線の照射で、高エネルギー成分による放射線画像データ及び低エネルギー成分による放射線画像データ(エネルギーサブストラクション法に用いる放射線画像データ)が得られる。
In the
パネルユニット14Bには、撮像面82Aと反対側の面(非放射線照射面)である底面94に凸部94Aが形成されている。これにより、パネルユニット14B内には、底面94に凹部(図示省略)が形成され、この凹部内に制御ユニット18を形成する制御部50及び電源部70が収納されている。
In the
また、パネルユニット14Bの底面94には、放熱手段の一例とする多数のフィン96(フィン96A、96B)が、所定間隔で形成されている。フィン96は、底面94の凸部94Aの周縁部にフィン96Aが形成され、凸部94Aにフィン96Bが形成されている。また、フィン96Aは、フィン96Bより長く(高く)なって、フィン96A、96Bの先端が同一面上となっている。
In addition, a large number of fins 96 (
このように構成されている電子カセッテ90においても、パネルユニット14B、16の開状態で、放射線検出パネル20Aの第1面72及び放射線検出パネル20Bの第2面74に照射される放射線により、放射線検出パネル20A、20Bの間で連続する画像の放射線画像データが得られる。また、電子カセッテ90では、パネルユニット14B、16の閉状態で、パネルユニット14Bとパネルユニット16との間に、エネルギー変換用フィルタ78が配置されることにより、1回の放射線の照射で、高圧画像用の放射線画像データと低圧画像用の放射線画像データを得ることができる。
Also in the
一方、前記したように、制御部50や電源部70は、多数の電子分品を含んで構成されており、電源部70の電力により作動することにより発熱する。また、放射線検出パネル20は、温度変化によって電気的特性が変化する。制御部50や電源部70から発せられる熱により放射線検出パネル20、特に放射線検出パネル20Aに温度上昇が生じ易く、電子カセッテ90に被検者が触れたときに、被検者に不快感を生じさせることがある。
On the other hand, as described above, the
ここで、電子カセッテ90では、パネルユニット14Bの底面94に凸部94Aを形成し、この凸部94Aによりパネルユニット14B内に生じる凹部内に熱を発生する制御ユニット18(制御部50、電源部70)を収容している。これにより、制御ユニット18から発せられる熱は、底面94の凸部94Aから放出される。また、電子カセッテ90では、筐体12Dの底面94に多数のフィン96を形成し、放熱効率の向上が図られている。
Here, in the
これにより、電子カセッテ90では、パネルユニット14Bの放射線検出パネル20Aは勿論、パネルユニット16の放射線検出パネル20Bの温度上昇が抑えられる。したがって、電子カセッテ90では、制御ユニット18を一体に設けている場合でも、放射線検出パネル20A、20Bの温度上昇による劣化が防止されると共に、放射線画像データに含まれるノイズ成分が抑えられるので、放射線検出パネル20A、20Bから出力される放射線画像データから高品質の放射線画像が得られる。
Thereby, in the
なお、電子カセッテ90では、筐体12Dの底面94に凸部94Aを形成し、フィン96を設けることによるパネルユニット14Bの高さが高くなのが抑えられるが、パネルユニット14B、16の開状態で、パネルユニット14B、16の高さの差を抑えて安定化を図ることが好ましい。この場合、高さが低い方のパネルユニット16の側面(放射線の照射方向と交差する方向)に脚部材を設け、パネルユニット16を開状態となったときに、脚部材がパネルユニット16を支持する構成などを適用することができる。
In the
また、電子カセッテ90においても、パネルユニット16の撮像面82Bにエネルギー変換用フィルタ78を予め取り付けておくものであっても良く、また、エネルギー変換用フィルタ78が放射線検出パネル20Bと共に収容される構成であっても良い。
Also in the
また、上記各実施の形態の電子カセッテ10、10A〜10C、84、90は、ヒンジ62や、ヒンジ部83、ヒンジ部91などの連結手段がパネルユニット14、16を着脱可能に連結するものとしてもよい。
In the
図22には、電子カセッテ10のパネルユニット14、16を着脱可能に連結するものとした場合が示されている。
FIG. 22 shows a case where the
パネルユニット16は、一辺の上部に可撓性を有する平板状の接続用部材250が設けられている。パネルユニット14は、一辺の上部に接続用部材250を収容可能な挿入口252が設けられており、挿入口252内で接続用部材250をロックすることが可能とされている。また、接続用部材250には、各種配線や電源線が設けられており、挿入口252内には、接続用部材250の各種配線や電源線に対応して電極が設けられている。
The
電子カセッテ10は、パネルユニット16の接続用部材250がパネルユニット14の挿入口252に挿入されてロックされることにより、接続用部材250が連結手段として機能し、パネルユニット16とパネルユニット14が開閉可能に連結される。また、電子カセッテ10は、接続用部材250が挿入口252に挿入されて各種配線や電源線が対応する電極に接触することにより、パネルユニット16とパネルユニット14が電気的に接続される。
In the
なお、図22では、接続用部材250を可撓性を有する部材とすることにより、パネルユニット16とパネルユニット14を開閉可能に連結する場合について説明したが、ヒンジ62のパネルユニット14、16にそれぞれ固定する固定部分の一方を着脱可能とするようにしてもよく、パネルユニット14、16を着脱可能に連結可能であれば何れの機構を用いてもよい。
In FIG. 22, the case where the
上記実施の形態では、パネルユニット14を平板状とした場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、放射線検出パネル20は、液晶ディスプレイと同様にガラス基板などに形成することができ、比較的薄くすることができる。一方、パネルユニット14は制御ユニット18を内蔵しており、制御ユニット18に内蔵されるインダクタンスやコイルなどの回路素子やバッテリは、高さが放射線検出パネル20に比較して高い。このため、パネルユニット14はパネルユニット16に比べ厚く形成されている。
In the above embodiment, the case where the
そこで、図23、図24に示すように、パネルユニット16を薄く形成する。また、パネルユニット16に比べてパネルユニット14の筐体12Aを長く形成すると共に、閉状態とされている際にパネルユニット16が折り畳まれて重なる重畳部分150内に放射線検出パネル20Aを配置してパネルユニット16と略同一の厚さに形成し、閉状態とされている際にパネルユニット16と重ならない非重畳部分152を重畳部分150より厚く形成して、非重畳部分14B内に制御ユニット18を配置するようにしてもよい。この場合においても、パネルユニット14、16を着脱可能に連結するようにしてもよい。例えば、通常はパネルユニット14で撮影を行い、1ショットでのエネルギーサブストラクションの撮影や大面積での撮影が必要な場合にパネルユニット16を取り付けるものとしてもよい。制御ユニット18はパネルユニット14側に内蔵されて起動されているため、取り付け後、速やかに撮影を行うことができる。
Therefore, as shown in FIGS. 23 and 24, the
なお、以上説明した本実施の形態では、本発明の構成を限定するものではない。本発明に係る放射線撮像装置は、本実施の形態に適用された電子カセッテ10、10A〜10C、84、90のぞれぞれのパネルユニットを任意の組み合わせを適用することができる。また、その他、電子カセッテ10、10A〜10C、84、90及び放射線検出パネル20、21の構成は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能であることはいうまでもない。
In the present embodiment described above, the configuration of the present invention is not limited. The radiation imaging apparatus according to the present invention can apply any combination of the panel units of the
10、10A、10B、10C、10D、84、90 電子カセッテ
14、14A、14B パネルユニット(第1のパネルユニット)
16、16A、16B パネルユニット(第2のパネルユニット)
18、18A 制御ユニット
20(20A、20B)、21 放射線検出パネル
50、50A 制御部
62 ヒンジ(連結手段)
64 送受光部
66 表示部
70 電源部
72 第1面
74 第2面
76 突状部材
78、78A エネルギー変換用フィルタ(フィルタ部材)
80 放射線吸収板(放射線吸収部材)
82A〜82D 撮像面
83 ヒンジ部(連結手段)
88 グリッド
91 ヒンジ部(連結手段)
94A 凸部(放熱手段)
96(96A、96B) フィン(放熱手段)
10, 10A, 10B, 10C, 10D, 84, 90
16, 16A, 16B Panel unit (second panel unit)
18, 18A Control unit 20 (20A, 20B), 21
64 Transmission /
80 Radiation absorbing plate (radiation absorbing member)
82A-82D Imaging surface 83 Hinge part (connection means)
88
94A Convex part (heat dissipation means)
96 (96A, 96B) Fin (heat dissipation means)
Claims (13)
一方の面に放射線検出パネルの他方の面が向けられて該放射線検出パネルが収容された第2のパネルユニットと、
前記第1のパネルユニットの一端部と前記第2のパネルユニットの一端部とを、前記第1のパネルユニットの一方の面と前記第2のパネルユニットの一方の面とが対向する閉状態、及び前記第1のパネルユニットの一方の面と前記第2のパネルユニットの一方の面とが同一方向へ向けられた開状態の2つの状態となるように回動可能に連結する連結手段と、
前記閉状態の前記第1のパネルユニットの前記放射線検出パネルと前記第2のパネルユニットの前記放射線検出パネルとの間に配置されて、入射される放射線から所定のエネルギー成分を吸収するフィルタ部材と、
を含む放射線撮像装置。 A first panel unit in which one side of the radiation detection panel is directed to one side and the radiation detection panel is accommodated;
A second panel unit in which the other surface of the radiation detection panel is directed to one surface and the radiation detection panel is accommodated;
A closed state in which one end of the first panel unit and one end of the second panel unit are opposed to one surface of the first panel unit and one surface of the second panel unit; And a connecting means for rotatably connecting so that one surface of the first panel unit and one surface of the second panel unit are in an open state in which the one surface is directed in the same direction;
A filter member disposed between the radiation detection panel of the first panel unit in the closed state and the radiation detection panel of the second panel unit to absorb a predetermined energy component from incident radiation; ,
A radiation imaging apparatus including:
請求項1に記載の放射線撮像装置。 The filter member is disposed between the first panel and the second panel;
The radiation imaging apparatus according to claim 1.
請求項2に記載の放射線撮像装置。 The filter member is connected to the connecting means and is disposed so as to be rotatable between the first panel unit and the second panel unit.
The radiation imaging apparatus according to claim 2.
請求項1に記載の放射線撮像装置。 The filter member is housed in the second panel unit;
The radiation imaging apparatus according to claim 1.
前記第1のパネルユニット内で、第1のパネルユニットに収容された前記放射線検出パネルより他方の面側となる位置に収容している、
請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。 A control unit composed of a control unit and a power supply unit,
In the first panel unit, the radiation detection panel accommodated in the first panel unit is accommodated at a position on the other surface side.
The radiation imaging apparatus according to any one of claims 1 to 4.
請求項5に記載の放射線撮像装置。 A flat radiation absorbing member that is provided between the radiation detection panel and the control unit in the first panel unit and prevents back scattering during imaging;
The radiation imaging apparatus according to claim 5.
請求項5又は請求項6に記載の放射線撮像装置。 A flat grid is provided on the other surface of the second panel unit to remove scattered radiation from the imaging target during imaging.
The radiation imaging apparatus according to claim 5 or 6.
請求項5から請求項7の何れか1項に記載の放射線撮像装置。 A heat dissipating means formed on the other surface of the first panel unit for releasing heat generated by the control unit;
The radiation imaging apparatus according to any one of claims 5 to 7.
請求項1又は請求項2に記載の放射線撮像装置。 Provided on at least one peripheral edge of one surface of the first panel unit and one surface of the second panel unit, and in the closed state between the first panel unit and the second panel unit Including a projecting member forming a gap between which the filter member is disposed,
The radiation imaging apparatus according to claim 1 or 2.
前記シンチレータは、蛍光体材料の柱状結晶を含んで構成された
請求項1〜請求項10の何れか1項記載の放射線撮像装置。 The radiation detection panel is a scintillator that converts radiation into light, converts the radiation into light, and outputs an electrical signal indicating a radiation image represented by the light,
The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the scintillator includes a columnar crystal of a phosphor material.
請求項10項記載の放射線撮像装置。 The radiation imaging apparatus according to claim 10, wherein the phosphor material is CsI.
前記センサ部は、有機光電変換材料を含んで構成され、
前記薄膜トランジスタの活性層は、非晶質酸化物又は有機半導体材料又はカーボンナノチューブを含んで構成され、
前記基板は、プラスチックにより形成された
請求項10又は請求項11に記載の放射線撮像装置。 In the radiation detection panel, a sensor part that generates charges by receiving light converted by the scintillator and a thin film transistor for reading out the charges generated by the sensor part are formed on an insulating substrate.
The sensor unit includes an organic photoelectric conversion material,
The active layer of the thin film transistor includes an amorphous oxide or an organic semiconductor material or a carbon nanotube,
The radiation imaging apparatus according to claim 10, wherein the substrate is made of plastic.
請求項1〜請求項12の何れか1項記載の放射線撮像装置。 The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the connection unit removably connects the first panel unit and the second panel unit.
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