JP2011029324A - Method and system for updating recipe - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and system for updating a recipe, capable of updating an optical condition stored in the recipe in order to detect a defect of a circuit pattern more easily without reducing an inspection time in a visual inspection device inspecting a semiconductor substrate including the circuit pattern formed thereon based on the recipe storing the optical condition. <P>SOLUTION: In a recipe updating method for updating the recipe in a visual inspection device inspecting a semiconductor substrate based on the recipe, a first image is obtained by imaging the semiconductor substrate according to an optical condition stored in a recipe storing means, and detection is performed whether or not a defect exists in the obtained first image. When an existence of the defect is detected, the optical condition is changed, a second image is obtained by imaging the semiconductor substrate according to the changed optical condition, and the optical condition stored in the recipe storing means is updated to the changed optical condition. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、回路パターンが形成された半導体基板を、光学条件が格納されたレシピに基づいて検査する外観検査装置において、そのレシピを更新するレシピ更新方法およびレシピ更新システムに関し、特に、回路パターンの欠陥をより検出し易くするために前記レシピを更新するレシピ更新方法およびレシピ更新システムに関する。   The present invention relates to a recipe update method and a recipe update system for updating a recipe in an appearance inspection apparatus that inspects a semiconductor substrate on which a circuit pattern is formed based on a recipe in which optical conditions are stored. The present invention relates to a recipe update method and a recipe update system for updating the recipe to make it easier to detect defects.

従来、半導体装置を製造する半導体製造工程において、高い歩留りを確保するためには、製造工程中の半導体基板に発生する、傷、塵、むら、汚れ等の欠陥を的確に検出することが重要である。   Conventionally, in a semiconductor manufacturing process for manufacturing a semiconductor device, in order to secure a high yield, it is important to accurately detect defects such as scratches, dust, unevenness, and dirt generated on a semiconductor substrate during the manufacturing process. is there.

これらの欠陥を検出するためには、半導体基板の表面に照明光を照射して、その正反射光、回折光、散乱光等をラインセンサカメラ等の撮像装置で撮像し、撮像した画像データを画像処理することにより欠陥を検出するのが一般的である。例えば、上位の検査装置で検出した欠陥位置をもとに、半導体基板を載置したステージを移動して、半導体基板が視野内に入る程度の低倍率で撮像する。さらに、その撮像画像に対して、画像処理によって欠陥位置を自動的に検出し、グラフィカルユーザインタフェースを介して表示画面に表示する。そして、この撮像は、所定の光学条件に基づいて実行される。   In order to detect these defects, the surface of the semiconductor substrate is irradiated with illumination light, the specularly reflected light, diffracted light, scattered light, etc. are imaged with an imaging device such as a line sensor camera, and the captured image data is captured. In general, defects are detected by image processing. For example, the stage on which the semiconductor substrate is placed is moved based on the defect position detected by the host inspection apparatus, and imaging is performed at a low magnification that allows the semiconductor substrate to be within the field of view. Further, the defect position is automatically detected by the image processing for the captured image and displayed on the display screen via the graphical user interface. And this imaging is performed based on a predetermined optical condition.

このような欠陥検出工程において、良品の半導体基板を使用して正反射光や回折光を検出するための光学条件を自動的に検出する技術が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。   In such a defect detection step, a technique for automatically detecting an optical condition for detecting specular reflection light or diffracted light using a non-defective semiconductor substrate is disclosed (for example, see Patent Document 1). .

また、検出系のノイズをレシピのパラメータのチューニング(更新)によって自動的に解消する技術が開示されている(例えば、特許文献2参照。)。
また、複数の光学条件で検査することにより、欠陥の見逃しや重複検出がない欠陥検出検査の技術が開示されている(例えば、特許文献3参照。)。
In addition, a technique for automatically eliminating detection system noise by tuning (updating) recipe parameters is disclosed (for example, see Patent Document 2).
In addition, a defect detection inspection technique in which defects are not overlooked or duplicated by performing inspection under a plurality of optical conditions is disclosed (for example, see Patent Document 3).

WO2002/027305WO2002 / 027305 特開2006−17744号公報JP 2006-17744 A 特開2005−17159号公報JP 2005-17159 A

しかしながら、上述のような従来の技術において良好な光学条件を得るためには、検査対象である半導体基板の回路パターンが、単純であることや、予めパターンピッチなどの設計情報が必要であるが、実際の半導体基板の場合、回路パターンが複雑であったり、複数の製造工程を実施した多層ウェハなどは、表層の設計情報だけでは良好な光学条件が見つけない場合があったりする、という問題点があった。   However, in order to obtain good optical conditions in the conventional technology as described above, the circuit pattern of the semiconductor substrate to be inspected is simple, or design information such as a pattern pitch is necessary in advance. In the case of an actual semiconductor substrate, the circuit pattern is complicated, or multilayer wafers that have undergone multiple manufacturing processes may not find good optical conditions only with the surface layer design information. there were.

また、検出センサのノイズ除去のみに着目しているために、より検出感度の高い光学条件が選択できなかったり、欠陥の見逃しを防ぐためにより多い光学条件で複数の検査を実施するため、検査時間が長くなってしまう場合があったりする、という問題点があった。   In addition, because we focus only on noise removal of the detection sensor, it is not possible to select optical conditions with higher detection sensitivity, or to perform multiple inspections with more optical conditions to prevent missing defects, so inspection time There is a problem that sometimes becomes longer.

本発明は、上述のような実状に鑑みたものであり、回路パターンが形成された半導体基板を光学条件が格納されたレシピに基づいて検査する外観検査装置において、回路パターンの欠陥をより検出し易くするために、検査時間を削ることなく、レシピに格納された光学条件を更新することが可能なレシピ更新方法およびレシピ更新システムを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described actual situation, and in a visual inspection apparatus that inspects a semiconductor substrate on which a circuit pattern is formed based on a recipe in which optical conditions are stored, a circuit pattern defect is further detected. In order to facilitate, an object of the present invention is to provide a recipe updating method and a recipe updating system capable of updating the optical conditions stored in the recipe without reducing the inspection time.

本発明は、上記課題を解決するため、下記のような構成を採用した。
すなわち、本発明の一態様によれば、本発明のレシピ更新方法は、レシピに基づいて半導体基板を検査する外観検査装置において前記レシピを更新するレシピ更新方法であって、レシピ格納手段に格納された光学条件に従って、前記半導体基板を撮像して第1の画像を取得し、前記取得した第1の画像に欠陥が存在するか否かを検出し、前記欠陥が存在することを検出した場合、前記光学条件を変更し、前記変更した光学条件に従って、前記半導体基板を撮像して第2の画像を取得し、前記レシピ格納手段に格納された光学条件を、前記変更した光学条件に更新することを特徴とする。
The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems.
That is, according to one aspect of the present invention, the recipe update method of the present invention is a recipe update method for updating the recipe in an appearance inspection apparatus that inspects a semiconductor substrate based on a recipe, and is stored in a recipe storage unit. According to the optical conditions, the semiconductor substrate is imaged to obtain a first image, whether or not a defect exists in the acquired first image, and the presence of the defect is detected, Changing the optical condition, imaging the semiconductor substrate according to the changed optical condition, obtaining a second image, and updating the optical condition stored in the recipe storing means to the changed optical condition; It is characterized by.

また、本発明のレシピ更新方法は、前記第1の画像に表れている欠陥に比べより顕著な欠陥が前記第2の画像に表れているか否かを判断し、前記第1の画像に表れている欠陥に比べより顕著な欠陥が前記第2の画像に表れていると判断した場合、前記レシピ格納手段に格納された光学条件を、前記変更した光学条件に更新することが望ましい。   Further, the recipe update method of the present invention determines whether or not a more prominent defect appears in the second image than the defect appearing in the first image, and appears in the first image. When it is determined that a defect more conspicuous than the existing defect appears in the second image, it is desirable to update the optical condition stored in the recipe storage unit to the changed optical condition.

また、本発明のレシピ更新方法は、前記第2の画像が、前記欠陥が存在することを検出した半導体基板を撮像して取得した画像であることが望ましい。
また、本発明のレシピ更新方法は、前記第2の画像が、前記欠陥が存在することを検出した半導体基板と同一種類の他の半導体基板を撮像して取得した画像であることが望ましい。
In the recipe update method of the present invention, it is preferable that the second image is an image obtained by capturing an image of a semiconductor substrate on which the defect is detected.
In the recipe update method of the present invention, it is desirable that the second image is an image obtained by imaging another semiconductor substrate of the same type as the semiconductor substrate in which the defect is detected.

また、本発明のレシピ更新方法は、前記外観検査装置が半導体基板を順に検査する際、所定回数毎に、前記取得した第1の画像に欠陥が存在するか否かを検出することが望ましい。   In the recipe update method according to the present invention, it is preferable that when the appearance inspection apparatus sequentially inspects the semiconductor substrate, it is detected whether or not there is a defect in the acquired first image every predetermined number of times.

また、本発明のレシピ更新方法は、前記外観検査装置が半導体基板を順に検査する際、所定回数毎に、前記光学条件を変更することが望ましい。
また、本発明のレシピ更新方法は、前記欠陥が存在することを検出した場合、前記光学条件を複数変更し、前記第1の画像に表れている欠陥に比べより顕著な欠陥が前記第2の画像に表れていると判断した場合、前記レシピ格納手段に格納された光学条件を、前記変更した光学条件のうち欠陥が最も顕著に表れた光学条件に更新することが望ましい。
In the recipe update method of the present invention, it is desirable that the optical condition is changed every predetermined number of times when the appearance inspection apparatus sequentially inspects the semiconductor substrate.
In addition, the recipe update method of the present invention, when detecting the presence of the defect, changes a plurality of the optical conditions, and the defect that is more conspicuous than the defect appearing in the first image is the second When it is determined that the image appears in the image, it is desirable to update the optical condition stored in the recipe storing means to the optical condition in which the defect appears most prominently among the changed optical conditions.

また、本発明のレシピ更新方法は、前記欠陥が存在することを検出した場合、グラフィカルユーザインターフェースを用いて前記光学条件を変更することが望ましい。
また、本発明の一態様によれば、本発明のレシピ更新システムは、レシピに基づいて半導体基板を検査する外観検査装置において前記レシピを更新するレシピ更新システムであって、光学条件を格納したレシピ格納手段と、前記レシピ格納手段に格納された光学条件に従って、前記半導体基板を撮像して第1の画像を取得する第1の画像取得手段と、前記第1の画像取得手段によって取得した第1の画像に欠陥が存在するか否かを検出する欠陥検出手段と、前記欠陥検出手段によって欠陥が存在することを検出した場合、前記レシピ格納手段に格納された光学条件を変更する光学条件変更手段と、前記光学条件変更手段によって変更した光学条件に従って、前記欠陥が存在することを検出した半導体基板を撮像して第2の画像を取得する第2の画像取得手段と、前記第1の画像取得手段によって取得した第1の画像に表れている欠陥に比べ、前記第2の画像取得手段によって取得した第2の画像に、より顕著な欠陥が表れているか否かを判断する判断手段と、前記判断手段によって前記第1の画像に表れている欠陥に比べより顕著な欠陥が前記第2の画像に表れていると判断された場合、前記レシピ格納手段に格納された光学条件を、前記変更した光学条件に更新する光学条件更新手段とを備えることを特徴とする。
In the recipe update method of the present invention, it is desirable to change the optical condition using a graphical user interface when the presence of the defect is detected.
Moreover, according to one aspect of the present invention, the recipe update system of the present invention is a recipe update system that updates the recipe in an appearance inspection apparatus that inspects a semiconductor substrate based on a recipe, the recipe storing optical conditions In accordance with the optical conditions stored in the recipe storage means, a storage means, a first image acquisition means for imaging the semiconductor substrate and acquiring a first image, and a first image acquired by the first image acquisition means A defect detecting means for detecting whether or not a defect exists in the image of the image, and an optical condition changing means for changing the optical condition stored in the recipe storing means when the defect detecting means detects that a defect exists. And capturing a second image by capturing an image of the semiconductor substrate on which the defect is detected according to the optical condition changed by the optical condition changing means. Compared with a defect appearing in the first image acquired by the image acquisition means and the first image acquisition means, a more prominent defect appears in the second image acquired by the second image acquisition means. Determining means for determining whether or not a defect that is more prominent than the defect appearing in the first image appears in the second image by the determining means; And optical condition updating means for updating the optical condition stored in the optical condition to the changed optical condition.

本発明は、半導体基板上の回路パターンの欠陥を検出した際に、その光学条件を変更し、その後の半導体基板の検査においては、変更後の光学条件をレシピとして用いるので、より精密により多くの回路パターンの欠陥を見つけることができる、という効果を奏する。   The present invention changes the optical conditions when a defect in the circuit pattern on the semiconductor substrate is detected, and in the subsequent inspection of the semiconductor substrate, the changed optical conditions are used as a recipe. There is an effect that the defect of the circuit pattern can be found.

本発明を適用した第1の実施の形態における外観検査装置の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the external appearance inspection apparatus in 1st Embodiment to which this invention is applied. 撮像手段7による撮像の概要を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the outline | summary of the imaging by the imaging means. 第1の実施の形態における光学条件更新手段16が提供するGUIの例を示す図である。It is a figure which shows the example of GUI provided by the optical condition update means 16 in 1st Embodiment. 外観検査装置1において実行される検査処理の流れを示すフローチャートである。4 is a flowchart showing a flow of inspection processing executed in the appearance inspection apparatus 1. 本発明を適用した第2の実施の形態における外観検査装置の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the external appearance inspection apparatus in 2nd Embodiment to which this invention is applied. 第2の実施の形態における光学条件更新手段16が提供するGUIの例を示す図である。It is a figure which shows the example of GUI provided by the optical condition update means 16 in 2nd Embodiment. 解析データ取得処理を自動化するために必要なデータ一覧表を示す図である。It is a figure which shows the data list required in order to automate an analysis data acquisition process. 光学条件更新処理を自動化するために必要なデータ一覧表を示す図である。It is a figure which shows the data list required in order to automate an optical condition update process. 第3の実施の形態の変形例で光学条件更新処理を自動化するために必要なデータ一覧表を示す図である。It is a figure which shows the data list required in order to automate an optical condition update process in the modification of 3rd Embodiment.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、全ての図面おいて、実施の形態が異なる場合であっても、同一または、相当する部材には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明を適用した第1の実施の形態における外観検査装置の概略を示す図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that, in all the drawings, even if the embodiments are different, the same or corresponding members are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing an outline of an appearance inspection apparatus according to a first embodiment to which the present invention is applied.

図1において、外観検査装置1は、様々な回路パターンが形成された半導体基板、例えば、液晶ディスプレイ(LCD;Liquid Crystal Display)、PDP(Plasma Display Panel)、有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ、SED(Surface-conduction Electron-emitter Display)などのFPD(Flat Panel Display)の基板や、半導体ウェハ、プリント回路基板等の半導体基板を、レシピに基づいて検査するための装置である。そして、前記外観検査装置1は、図1に示すように、円形の半導体基板である半導体ウェハW(以下、ウェハWという)の検査を行う検査部2と、検査部2の制御や各種データ処理を行う制御部3とを備え、後述するように、前記レシピを更新することができる。   In FIG. 1, an appearance inspection apparatus 1 includes a semiconductor substrate on which various circuit patterns are formed, such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), an organic electroluminescence (EL) display, and an SED (SED). This is an apparatus for inspecting a semiconductor substrate such as a flat panel display (FPD) such as a surface-conduction electron-emitter display, a semiconductor wafer, or a printed circuit board based on a recipe. As shown in FIG. 1, the appearance inspection apparatus 1 includes an inspection unit 2 that inspects a semiconductor wafer W (hereinafter referred to as a wafer W) that is a circular semiconductor substrate, and controls and various data processing of the inspection unit 2 And a control unit 3 that performs the above-described process, and the recipe can be updated as will be described later.

検査部2は、一軸方向に移動可能な操作手段であるスキャンステージ4を有する。スキャンステージ4には、例えば、リニアガイドなどが用いられる。スキャンステージ4上には、ウェハWを載置するための回転ステージ5が設けられている。回転ステージ5は、回転機構にウェハWと同心円状の載置部6が取り付けられた回転手段である。   The inspection unit 2 includes a scan stage 4 that is an operation means that can move in one axial direction. For the scan stage 4, for example, a linear guide or the like is used. On the scan stage 4, a rotation stage 5 for placing the wafer W is provided. The rotation stage 5 is a rotation means in which a mounting unit 6 concentric with the wafer W is attached to a rotation mechanism.

回転ステージ5の上方には、撮像手段7が配置されている。撮像手段7は、像面がウェハWの中心を通るように配置されたラインセンサカメラ8と、シリンドリカルレンズ9によって構成されている。   An imaging unit 7 is disposed above the rotary stage 5. The imaging means 7 is composed of a line sensor camera 8 and a cylindrical lens 9 arranged so that the image plane passes through the center of the wafer W.

前記検査部2は、さらに、前記載置部6を挟んで前記撮像手段7の反対側に、像面を照明する照明手段としてのライン照明11を有する。ライン照明11と載置部6との間には、図示していないが、検出する光の波長を選択するための、偏光板の挿抜機構や、複数バンドパスフィルタの選択機構を有している。   The inspection unit 2 further includes a line illumination 11 as an illumination unit that illuminates the image plane on the opposite side of the imaging unit 7 with the placement unit 6 interposed therebetween. Although not shown, between the line illumination 11 and the mounting portion 6, there is a polarizing plate insertion / extraction mechanism and a multiple band pass filter selection mechanism for selecting the wavelength of light to be detected. .

図2は、撮像手段7による撮像の概要を説明するための図である。
前記撮像手段7が正反射光の画像を撮像する際には、ラインセンサカメラ8は、ウェハWの表面の正反射画像を撮像することが可能な撮像角度に設定されている。さらに、前記ラインセンサカメラ8は、図2に示した通り、ウェハWの表面の正反射以外の画像を撮像するために、像面中心にて回転する回動手段10を有しており、像面の正反射光だけでなく回折光を撮像する事ができる。また、前記検査部2は、像面に対して正反射光及び回折光撮像用のライン照明11のほかに、散乱光撮影用の照明12を有している。
FIG. 2 is a diagram for explaining an outline of imaging by the imaging unit 7.
When the imaging unit 7 captures an image of regular reflection light, the line sensor camera 8 is set to an imaging angle at which a regular reflection image of the surface of the wafer W can be captured. Further, as shown in FIG. 2, the line sensor camera 8 has a rotating means 10 that rotates around the image plane in order to capture an image other than regular reflection of the surface of the wafer W. It is possible to image not only the regular reflection light of the surface but also the diffracted light. Further, the inspection unit 2 has an illumination 12 for photographing scattered light in addition to the line illumination 11 for imaging regular reflection light and diffracted light with respect to the image plane.

図1の説明に戻る。
ラインセンサカメラ8の撮像素子は、その長手方向がスキャンステージ4の移動方向と直行するように配置されている。さらに、ラインセンサカメラ8のウェハW表面の撮像範囲は、直線状になっており、その長さがウェハWの直径よりも長くなっている。なお、スキャンステージ4の走査範囲は、ウェハWの全面をラインセンサカメラ8で撮像できるような範囲である。
Returning to the description of FIG.
The image sensor of the line sensor camera 8 is arranged so that its longitudinal direction is perpendicular to the moving direction of the scan stage 4. Further, the imaging range of the surface of the wafer W of the line sensor camera 8 is linear, and the length thereof is longer than the diameter of the wafer W. The scan range of the scan stage 4 is a range in which the entire surface of the wafer W can be imaged by the line sensor camera 8.

制御部3は、中央処理装置、内部メモリ、外部記憶装置などを有する制御コンピュータである。そして、前記制御部3は、解析データ取得手段13と、検査情報記憶手段14と、欠陥抽出手段15と、光学条件更新手段16と、レシピ情報記憶手段17とを備える。   The control unit 3 is a control computer having a central processing unit, an internal memory, an external storage device, and the like. The control unit 3 includes analysis data acquisition means 13, inspection information storage means 14, defect extraction means 15, optical condition update means 16, and recipe information storage means 17.

このような外観検査装置1は、レシピ情報記憶手段17に格納されている光学条件、例えば、カメラ揺動角度、ステージ回転角度、照明光量、偏光板、バンドパスフィルタ等に従ってウェハWを撮像し、その画像に欠陥が存在するか否かを検出し、欠陥が存在することを検出した場合に前記光学条件を変更する。そして、その変更した光学条件に従って、ウェハWを再度撮像し、より顕著な欠陥が画像に表れていると判断すると、その変更後の光学条件に更新する。   Such an appearance inspection apparatus 1 images the wafer W according to optical conditions stored in the recipe information storage means 17, for example, camera swing angle, stage rotation angle, illumination light quantity, polarizing plate, bandpass filter, etc. Whether or not a defect exists in the image is detected, and when the presence of a defect is detected, the optical condition is changed. Then, according to the changed optical condition, the wafer W is imaged again, and when it is determined that a more prominent defect appears in the image, the optical condition is updated to the changed optical condition.

解析データ取得手段13は、ラインセンサカメラ8および回転ステージ5に接続されており、ラインセンサカメラ8から1ラインずつの画像データを出力させる出力指示と、回転ステージ5の駆動指示とを連動して画像を生成する。ここでは、この動作によって得られる画像をステージ回転画像と呼ぶ。また同様に、解析データ取得手段13は、回動手段10の駆動指示と連動して画像を生成することもできる。ここでは、この動作によって得られる画像をカメラ揺動画像と呼ぶ。さらに、解析データ取得手段13は、スキャンステージ4にも接続されており、ラインセンサカメラ8の出力とスキャンステージ4の走査とを連動して画像を生成することができるようになっている。ここでは、この動作によって得られる画像を、目的によって検査画像または解析用画像と呼ぶ。   The analysis data acquisition means 13 is connected to the line sensor camera 8 and the rotary stage 5, and interlocks an output instruction for outputting image data line by line from the line sensor camera 8 and a drive instruction for the rotary stage 5. Generate an image. Here, an image obtained by this operation is called a stage rotation image. Similarly, the analysis data acquisition unit 13 can also generate an image in conjunction with the drive instruction of the rotation unit 10. Here, an image obtained by this operation is called a camera swing image. Further, the analysis data acquisition means 13 is also connected to the scan stage 4 so that an image can be generated in conjunction with the output of the line sensor camera 8 and the scan of the scan stage 4. Here, an image obtained by this operation is called an inspection image or an analysis image depending on the purpose.

さらに、解析データ取得手段13は、上述したステージ回転画像、カメラ揺動画像および、検査画像または解析用画像の各画像データを内部メモリに保持することができる。なお、解析データ取得手段13の具体的な構成例としては、コンピュータにラインセンサカメラ8を制御する撮像ボードと、スキャンステージ4、回転ステージ5の回転駆動、及び回動手段10の回動駆動とを制御する3軸モータ制御ボードなどを有し、それぞれのボードを個別に動作させるドライバソフトウェアと、それらドライバソフトウェアを連動させるアプリケーションソフトウェアがインストールされたシステムなどが上げられる。   Furthermore, the analysis data acquisition means 13 can hold each image data of the stage rotation image, the camera swing image, and the inspection image or analysis image described above in the internal memory. As a specific configuration example of the analysis data acquisition unit 13, an imaging board that controls the line sensor camera 8 with a computer, a rotation drive of the scan stage 4 and the rotation stage 5, and a rotation drive of the rotation unit 10 are described. And a system in which driver software for operating each board individually and application software for linking the driver software are installed.

欠陥抽出手段15は、解析データ取得手段13で予め良品のウェハWを撮像した良品画像と、検査の実施に際して解析データ取得手段13で撮像した検査画像との画素比較などを公知の画像処理技術によって実施し、ウェハWの合否判定情報や、欠陥位置情報を作成し、それらの情報を検査情報記憶手段14に保存する。   The defect extraction unit 15 performs pixel comparison between a non-defective image obtained by imaging the non-defective wafer W in advance by the analysis data acquisition unit 13 and an inspection image captured by the analysis data acquisition unit 13 at the time of inspection by a known image processing technique. Implementation is performed, and pass / fail judgment information of the wafer W and defect position information are created, and those information are stored in the inspection information storage means 14.

レシピ情報記憶手段17は、撮像手段7によって前記各画像を撮像した際の光学条件や欠陥検出感度などのパラメータを含めたレシピ情報を保存する。また、レシピ情報記憶手段17は、後述する図7及び図8に示した情報も保存している。   The recipe information storage unit 17 stores recipe information including parameters such as optical conditions and defect detection sensitivity when each image is captured by the imaging unit 7. Further, the recipe information storage unit 17 also stores information shown in FIGS. 7 and 8 to be described later.

光学条件更新手段16は、レシピ情報記憶手段17に保存されている光学条件を更新する。その際、GUI(Graphical User Interface)を提供し、表示可能な座標系及び各種情報を選択入力させ、その内容を表示することもできる。   The optical condition update unit 16 updates the optical condition stored in the recipe information storage unit 17. At that time, a GUI (Graphical User Interface) can be provided, and a displayable coordinate system and various types of information can be selected and input to display the contents.

図3は、第1の実施の形態における光学条件更新手段16が提供するGUIの例を示す図である。
図3に示したGUIの例では、画面の上3分の1の領域にステージ回転撮像部18、画面の中央3分の1の領域にカメラ揺動撮像部19、画面の下3分の1の領域にレシピ光学条件更新部20を有している。これらの詳細については後述する。
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a GUI provided by the optical condition update unit 16 according to the first embodiment.
In the GUI example shown in FIG. 3, the stage rotation imaging unit 18 in the upper third area of the screen, the camera swing imaging unit 19 in the middle third area of the screen, and the lower third of the screen. The recipe optical condition update unit 20 is provided in the area. Details of these will be described later.

図1の説明に戻る。
検査情報記憶手段14は、解析データ取得手段13で内部メモリに保持した、ステージ回転画像、カメラ揺動画像、検査画像、解析用画像などの画像データを外部記憶装置などに記憶する。さらに、検査情報記憶手段14は、欠陥抽出手段15で生成した検査画像データや欠陥位置データ、解析データ取得手段13で得られた光学条件データも併せて記憶する。
Returning to the description of FIG.
The inspection information storage unit 14 stores image data such as a stage rotation image, a camera swing image, an inspection image, and an analysis image stored in the internal memory by the analysis data acquisition unit 13 in an external storage device or the like. Further, the inspection information storage unit 14 also stores the inspection image data and defect position data generated by the defect extraction unit 15 and the optical condition data obtained by the analysis data acquisition unit 13.

以上、本発明を適用した第1の実施の形態における外観検査装置1について説明した。
次に、上述の外観検査装置1において実行される検査処理の流れについて説明する。
図4は、外観検査装置1において実行される検査処理の流れを示すフローチャートである。
The appearance inspection apparatus 1 according to the first embodiment to which the present invention is applied has been described above.
Next, the flow of the inspection process executed in the above-described appearance inspection apparatus 1 will be described.
FIG. 4 is a flowchart showing a flow of inspection processing executed in the appearance inspection apparatus 1.

まず、ステップS21において、画像撮像処理を実行する。すなわち、検査対象であるウェハWに対応したレシピ情報をレシピ情報記憶手段17から読み出し、読み出したレシピ情報に含まれる光学条件に従って、解析データ取得手段13によってウェハWの検査画像を取得する。   First, in step S21, an image capturing process is executed. That is, recipe information corresponding to the wafer W to be inspected is read from the recipe information storage unit 17, and an inspection image of the wafer W is acquired by the analysis data acquisition unit 13 according to the optical conditions included in the read recipe information.

次に、ステップS22において、欠陥抽出処理を実行する。すなわち、ステップS21で取得した検査画像を用いて、欠陥抽出手段15によって欠陥の抽出を行う。なお、欠陥の抽出のアルゴリズムは、公知である任意のアルゴリズムを用いる。   Next, in step S22, defect extraction processing is executed. That is, the defect extraction means 15 extracts defects using the inspection image acquired in step S21. Note that any known algorithm is used as the defect extraction algorithm.

そして、ステップS23において、ステップS22で実行した欠陥抽出処理によって欠陥が抽出されたか否かを判断する。
欠陥が抽出されたと判断された場合(ステップS23:Yes)は、次に、ステップS24の解析データ取得処理およびステップS25の光学条件更新処理を実行する。その際、外観検査装置1は、図3に例示したようなGUIを表示する。
In step S23, it is determined whether a defect has been extracted by the defect extraction process executed in step S22.
If it is determined that a defect has been extracted (step S23: Yes), an analysis data acquisition process at step S24 and an optical condition update process at step S25 are then executed. At this time, the appearance inspection apparatus 1 displays a GUI as illustrated in FIG.

まず、ステップS24において、解析データを取得する。具体的には、まず操作者がGUIを用いて解析データを取得するための条件を設定する。
すなわち、解析に用いる光の種類である測定光条件26として、「正反射光27」「散乱光28」「回折光29」の何れかを選択入力する。なお、正反射光27を選択入力した場合のみ、図3に表示した各項目のうち、カメラ角度入力31、カメラ揺動撮像の撮像開始ボタン32、設定角度33への選択入力が不可となり、固定の角度が表示される。これら以外の項目の操作は、全ての測定光条件26で共通して選択入力可能となる。
First, in step S24, analysis data is acquired. Specifically, first, the operator sets conditions for acquiring analysis data using the GUI.
That is, any one of “regular reflected light 27”, “scattered light 28”, and “diffracted light 29” is selectively input as the measurement light condition 26 that is the type of light used for analysis. Only when the specularly reflected light 27 is selected and input, the selection input to the camera angle input 31, the camera swing imaging start button 32, and the set angle 33 among the items displayed in FIG. The angle of is displayed. The operations of items other than these can be selected and input in common for all measurement light conditions 26.

次に、ステージ回転撮像部18の操作を行う。具体的には、バンドパスフィルタ30の選択入力、偏光板34のオンまたはオフの選択入力、カメラ角度31の選択入力を設定した上で、撮像開始ボタン35を押す。この操作によって、解析データ取得手段13は、設定された光学条件に従って、ステージ回転画像を撮像して表示画面36に撮像したステージ回転画像を表示する。また、表示画面36には、画像の水平方向のラインデータを垂直方向に平均化したラインプロファイルデータ37を画像データにオーバレイして表示する。   Next, the stage rotation imaging unit 18 is operated. Specifically, after selecting the selection input of the band pass filter 30, the selection input of turning on or off the polarizing plate 34, and the selection input of the camera angle 31, the imaging start button 35 is pressed. By this operation, the analysis data acquisition unit 13 captures the stage rotation image according to the set optical condition and displays the captured stage rotation image on the display screen 36. On the display screen 36, line profile data 37 obtained by averaging the horizontal line data of the image in the vertical direction is displayed over the image data.

さらに、表示画面36の下方にはスクロールバー38があり、回転ステージ5の回転角度を任意の角度に設定可能である。そして、設定した角度に対応したライン39が、表示画面36にオーバレイされるのと同時に選択角度40のテキストボックスにその設定した角度が表示される。一般的にはパターンウェハに対してステージ回転画像を撮像した場合、正反射光や回折光であれば、ピーク41のような前述のラインプロファイルの極大ピークの角度で欠陥検出が高くなる事が分かっている。暗視野の場合は、ピーク42のような極小ピークで欠陥検出が高くなる。   Further, a scroll bar 38 is provided below the display screen 36, and the rotation angle of the rotary stage 5 can be set to an arbitrary angle. Then, the line 39 corresponding to the set angle is overlaid on the display screen 36, and at the same time, the set angle is displayed in the text box of the selected angle 40. In general, when a stage rotation image is captured on a pattern wafer, it can be seen that defect detection increases at the angle of the maximum peak of the aforementioned line profile such as the peak 41 if the light is specularly reflected or diffracted. ing. In the case of a dark field, defect detection becomes high at a minimum peak such as the peak 42.

そして、追加ボタン44を押す事によって、前記表示画面36に表示された画像データにおける回転ステージ5の回転角度、偏光板のオンまたはオフ等をリスト43に追加することができる。なお、不要な角度は、リスト内選択項目の削除ボタン45を押す事によって削除することができる。   Then, by pressing the add button 44, the rotation angle of the rotary stage 5, the on / off state of the polarizing plate, etc. in the image data displayed on the display screen 36 can be added to the list 43. An unnecessary angle can be deleted by pressing the delete button 45 of the selection item in the list.

以上の操作によって、必要な角度のみがリスト43に表示された状態で、ステージ回転角度条件確定ボタン46を押す。すると、解析データ取得手段13は、リスト43に表示した情報及びステージ回転画像データを検査情報記憶手段14に記憶し、リスト43に表示された全てのリストID47が選択できるようにメニューリストの内容を更新する。   With the above operation, the stage rotation angle condition determination button 46 is pressed while only the necessary angles are displayed in the list 43. Then, the analysis data acquisition means 13 stores the information displayed in the list 43 and the stage rotation image data in the inspection information storage means 14, and changes the contents of the menu list so that all the list IDs 47 displayed in the list 43 can be selected. Update.

次に、カメラ揺動撮像部19の操作を行う。まず、ステージ回転角度をリストID48のメニューリストから選択入力して、撮像開始ボタン32を押す。この操作によって、解析データ取得手段13は、設定された光学条件に従ってカメラ揺動画像を撮像して表示画面36aに表示する。なお、必要なカメラ角度をリストに登録する操作は、ステージ回転撮像と同様の操作のため省略する。ただし、カメラ角度の設定角度33は、上述の選択角度40と同様の操作を行う。また、リストに追加ボタン44aを押す際に、解析用撮像画像内の最大輝度値の目標輝度値49も併せてリスト43aに追加する。   Next, the camera swing imaging unit 19 is operated. First, the stage rotation angle is selected and input from the menu list of the list ID 48, and the imaging start button 32 is pressed. By this operation, the analysis data acquisition unit 13 captures a camera swing image according to the set optical condition and displays it on the display screen 36a. The operation for registering the necessary camera angle in the list is omitted because it is the same operation as the stage rotation imaging. However, the camera angle setting angle 33 performs the same operation as the selection angle 40 described above. When the add to list button 44a is pressed, the target luminance value 49 of the maximum luminance value in the analysis captured image is also added to the list 43a.

以上の操作によって、必要な角度のみリスト43aに表示された状態で、「カメラ揺動角度設定確定→光量自動調整→解析データ取得情報の保存」ボタン50を押す。すると、解析データ取得手段13は、リスト43aに表示した情報及びカメラ揺動画像を検査情報記憶手段14に記憶した後、バイナリサーチなどで求める光量自動調整処理を行って決定した照明光量値51を、目標輝度値49に一番近い照明光量値として解析用データリスト52に追加して表示する。すなわち、変更した光学条件に従って、前記欠陥が存在することを検出した半導体基板を再度撮像し、変更前後で取得した画像に表れている欠陥に比べて、撮像し直した画像に、より顕著な欠陥が表れているか否かを判断すると、その変更した光学条件に更新する。そして、解析用のデータリスト52から追加ボタン54や削除ボタン55などによって、現在レシピに登録されている光学条件リスト53の内容を更新する。これにより、以降の検査において、この更新された光学条件リスト53の光学条件を用いることができるので、より精密により多くの欠陥を見つける可能性が高くなる。   With the above operation, the “camera swing angle setting confirmation → automatic light quantity adjustment → save analysis data acquisition information” button 50 is pressed while only the necessary angles are displayed in the list 43a. Then, the analysis data acquisition unit 13 stores the information displayed in the list 43a and the camera swing image in the inspection information storage unit 14, and then performs the light amount automatic adjustment processing obtained by binary search or the like to determine the illumination light amount value 51 determined. The illumination light quantity value closest to the target luminance value 49 is added to the analysis data list 52 and displayed. That is, according to the changed optical conditions, the semiconductor substrate that has been detected to have the defect is imaged again, and compared to the defect that appears in the image acquired before and after the change, the image that has been re-imaged is more prominent. If it is determined whether or not is displayed, the updated optical condition is updated. Then, the contents of the optical condition list 53 currently registered in the recipe are updated by the add button 54, the delete button 55, etc. from the data list 52 for analysis. Thereby, in the subsequent inspection, the optical conditions of the updated optical condition list 53 can be used, so that the possibility of finding more defects more precisely becomes high.

以上の操作でレシピの更新作業が完了したら、解析データ取得のタイミング56を選択する。なお、ここで、欠陥ウェハ検出時57を選択した場合は、上述したため説明を省略する。指定処理ウェハ間隔58を指定した場合は、欠陥を有するウェハWの有無にかかわらず、テキストボックス59に入力した値のウェハWの枚数を検査するごとに、ステップS24の解析データ取得処理およびステップS25の光学条件更新処理を実施することとする。   When the recipe update operation is completed by the above operation, the analysis data acquisition timing 56 is selected. Here, when the defective wafer detection time 57 is selected, the description is omitted because it has been described above. When the designated processing wafer interval 58 is designated, the analysis data acquisition process in step S24 and the step S25 are performed each time the number of wafers W having the value input in the text box 59 is inspected regardless of the presence or absence of the defective wafer W. The optical condition update process is performed.

そして、最後にレシピ保存&終了ボタン60を押す事で、ステップS25の光学条件更新処理として、更新したレシピ情報をレシピ情報記憶手段17に保存し、解析用のデータリスト51の内容と解析用画像データを検査結果情報記憶手段14に保存した後、GUI61を閉じて処理を終了する。   Finally, by pressing the recipe save & end button 60, the updated recipe information is saved in the recipe information storage means 17 as the optical condition update process in step S25, and the contents of the analysis data list 51 and the analysis image are stored. After the data is stored in the inspection result information storage unit 14, the GUI 61 is closed and the process is terminated.

以上の操作を行った以降は、ウェハWの欠陥検出後に保存した最新のタイミング56(欠陥有り/指定枚数のウェハ処理)で、ステップS23の判断を実施する。
(第1の実施の形態の変形例)
上述の第1の実施の形態においては、ステージ回転画像撮像とカメラ揺動撮像の光学条件を同一であるとしたが、これらは必ずしも同一である必要はなく、例えば、偏光板34の設定を、ステージ回転撮像ではオフとし、カメラ揺動撮像ではオンとするなど異なった設定でも良い。
After the above operation is performed, the determination of step S23 is performed at the latest timing 56 (defect / specified number of wafer processes) stored after the defect detection of the wafer W.
(Modification of the first embodiment)
In the first embodiment described above, the optical conditions of the stage rotation image capturing and the camera swing imaging are the same. However, these are not necessarily the same. For example, the setting of the polarizing plate 34 is Different settings may be used, such as turning off for stage rotation imaging and turning on for camera swing imaging.

さらに、図2に示したようなライン照明11及び照明12のように、固定位置に複数の照明手段がある構成ではなく、カメラ駆動と同様に回動動作できる構成で、かつ、カメラ角度と照明角度が像面を基準に正反射光の位置を常に保つ状態で回動動作させるようにしても良い。これにより、正反射光の場合もカメラ角度を固定とすることなく、GUI61を回折光や散乱光と同様の操作で、ステップS24の解析データ取得処理およびステップS25の光学条件更新処理を実行することができる。
(第2の実施の形態)
図5は、本発明を適用した第2の実施の形態における外観検査装置の概略を示す図である。
Further, the line illumination 11 and the illumination 12 as shown in FIG. 2 are not configured to have a plurality of illumination means at fixed positions, but can be configured to rotate as in the case of camera driving, and the camera angle and illumination. The rotation may be performed with the angle always maintaining the position of the specularly reflected light with respect to the image plane. As a result, the analysis data acquisition process in step S24 and the optical condition update process in step S25 are executed by operating the GUI 61 in the same manner as diffracted light and scattered light without fixing the camera angle even in the case of regular reflection light. Can do.
(Second Embodiment)
FIG. 5 is a diagram showing an outline of an appearance inspection apparatus according to the second embodiment to which the present invention is applied.

図5に示したように、第2の実施の形態における外観検査装置1aは、第1の実施の形態における外観検査装置1が備える検査部2と、第1の実施の形態における外観検査装置1が備える制御部3の代わりに、ネットワークで接続された制御部3aとデータ処理部62とを備える。   As shown in FIG. 5, the appearance inspection apparatus 1a according to the second embodiment includes an inspection unit 2 included in the appearance inspection apparatus 1 according to the first embodiment and the appearance inspection apparatus 1 according to the first embodiment. A control unit 3a and a data processing unit 62 connected via a network are provided instead of the control unit 3 included in the network.

そして、制御部3aが、解析データ取得手段13と、欠陥抽出手段15とを備え、データ処理部62が、検査情報記憶手段14と、光学条件更新手段16と、レシピ情報記憶手段17とを備える。データ処理部62は、制御部3と同様に中央処理装置、内部メモリ、及び、外部記憶装置などを有する制御コンピュータである。   The control unit 3a includes an analysis data acquisition unit 13 and a defect extraction unit 15. The data processing unit 62 includes an inspection information storage unit 14, an optical condition update unit 16, and a recipe information storage unit 17. . The data processing unit 62 is a control computer having a central processing unit, an internal memory, an external storage device, and the like, like the control unit 3.

図6は、第2の実施の形態における光学条件更新手段16が提供するGUIの例を示す図である。
図6に示した第2の実施の形態における光学条件更新手段16のGUI63には、図3に示した第1の実施の形態における光学条件更新手段16のGUI61に存在するステージ回転撮像部18およびカメラ揺動撮像部19は存在しない。また、GUI63は、検査情報記憶手段14に記憶された解析データを表示できることにより、容易な操作でレシピの更新ができる構成となっている。なお、解析データを自動で取得するために、レシピ情報記憶手段17には図7に示したデータを予め設定しておく必要がある。
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a GUI provided by the optical condition update unit 16 according to the second embodiment.
The GUI 63 of the optical condition update unit 16 in the second embodiment shown in FIG. 6 includes a stage rotation imaging unit 18 existing in the GUI 61 of the optical condition update unit 16 in the first embodiment shown in FIG. There is no camera swing imaging unit 19. Further, the GUI 63 can display the analysis data stored in the inspection information storage unit 14, so that the recipe can be updated by an easy operation. In order to automatically acquire analysis data, it is necessary to set the data shown in FIG.

次に、本第2の実施の形態の作用について説明する。
図7は、解析データ取得処理を自動化するために必要なデータ一覧表を示す図である。
第2の実施の形態においては、図4を用いて説明した第1の実施の形態におけるステップS22の欠陥抽出処理が終了するたびに、図7の解析データ取得開始条件64に一致したか確認する。
Next, the operation of the second embodiment will be described.
FIG. 7 is a diagram showing a data list necessary for automating the analysis data acquisition process.
In the second embodiment, every time the defect extraction process in step S22 in the first embodiment described with reference to FIG. 4 is completed, it is confirmed whether the analysis data acquisition start condition 64 in FIG. .

解析データ取得開始条件64が欠陥ウェハ検出65の場合は、検査情報記憶手段14から必要な検査情報を読み出し、合否判定でFail(否)となった回数を算出する。そして、算出された回数が設定されたウェハ数67の値以上の場合に、ステップS24の解析データ取得処理を開始する。他方、解析データ取得開始条件64が指定ウェハ処理66の場合は、検査情報記憶手段14に保存された検査画像数を読み出し、読み出された検査画像数が設定されたウェハ数67の値以上の場合に、ステップS24の解析データ取得処理を開始する。   When the analysis data acquisition start condition 64 is the defective wafer detection 65, necessary inspection information is read from the inspection information storage unit 14, and the number of times of fail (failure) in the pass / fail determination is calculated. Then, when the calculated number is equal to or larger than the set value of the number of wafers 67, the analysis data acquisition process in step S24 is started. On the other hand, when the analysis data acquisition start condition 64 is the designated wafer processing 66, the number of inspection images stored in the inspection information storage unit 14 is read, and the number of inspection images read out is equal to or larger than the set value of the number of wafers 67. In this case, the analysis data acquisition process in step S24 is started.

そして、ステップS24の解析データ取得処理において、まず、予め設定した内容に従って各情報を収集する。これは図7の光学条件選択数68と各条件設定69の設定値によって決定される。例えば、正反射光と散乱光を収集したい場合は、光学条件選択数68を2に設定し、各条件設定69[1]に正反射光を、各条件設定69[2]に散乱光を設定しておく。   In the analysis data acquisition process in step S24, first, each piece of information is collected according to preset contents. This is determined by the optical condition selection number 68 of FIG. For example, when collecting regular reflection light and scattered light, the optical condition selection number 68 is set to 2, regular reflection light is set to each condition setting 69 [1], and scattered light is set to each condition setting 69 [2]. Keep it.

次に、ステージ回転撮像を行う際のカメラ角度を、図7のカメラ角度選択数70とステージ回転撮像数のカメラ角度設定71に従って設定する。例えば、正反射光と散乱光を収集したい場合は、カメラ角度設定71に2を設定(i=2)する。そして、正反射光では、カメラ角度が固定であるため、カメラ角度選択数70を常に1に設定し、カメラ角度40度と70度で散乱光を撮像したい場合は、カメラ角度選択数70の値を2に設定し、カメラ角度設定71[1]に40.0を、カメラ角度設定72[2]に70.0を設定する。   Next, the camera angle when performing stage rotation imaging is set according to the camera angle selection number 70 and the camera angle setting 71 of the stage rotation imaging number in FIG. For example, when collecting regular reflection light and scattered light, 2 is set in the camera angle setting 71 (i = 2). For regular reflection light, the camera angle is fixed, so the camera angle selection number 70 is always set to 1, and if you want to capture scattered light at camera angles of 40 degrees and 70 degrees, the value of the camera angle selection number 70 Is set to 2, camera angle setting 71 [1] is set to 40.0, and camera angle setting 72 [2] is set to 70.0.

さらに、図7に示した照明光量設定72、バンドパスフィルタ設定73、偏光板設定74を予め設定しておくことで、ステージ回転画像を取得する事ができる。そして、撮像したステージ回転画像は、ステージ回転画像データ75に格納しておく。   Furthermore, a stage rotation image can be acquired by setting the illumination light quantity setting 72, the band pass filter setting 73, and the polarizing plate setting 74 shown in FIG. 7 in advance. The captured stage rotation image is stored in the stage rotation image data 75.

さらに、このステージ回転画像を元に、上述した第1の実施の形態と同様のラインプロファイルデータ37を生成して、輝度値のピークを検出する。ピークの検出方法は、ピーク検出ルール76及びピーク検出の最大個数77に予め設定しておく。検出ルール76が極小ピーク79であり、ピーク検出の最大個数77が10個の場合、見つかった極小ピークから輝度値の小さい順に10個のそれぞれピーク位置の回転ステージ角度量をステージ回転角度80に格納する。同様に、検出ルール76が極大ピーク78であり、最大個数77が7個と設定されている場合は、見つかった極大ピークから輝度値の大きい順に7個のピーク位置の回転ステージ角度量をステージ回転角度80に格納する。   Further, line profile data 37 similar to that in the first embodiment described above is generated based on this stage rotation image, and the peak of the luminance value is detected. The peak detection method is preset to the peak detection rule 76 and the maximum number 77 of peak detections. When the detection rule 76 is the minimum peak 79 and the maximum number 77 of peak detections is 10, the rotational stage angle amounts of the 10 peak positions are stored in the stage rotation angle 80 in order of increasing luminance value from the detected minimum peak. To do. Similarly, when the detection rule 76 is the maximum peak 78 and the maximum number 77 is set to 7, the rotation stage angle amount of the 7 peak positions from the found maximum peak in descending order of the luminance value is rotated by the stage. Store at angle 80.

カメラ揺動撮像はさらに、図7に示した光量設定81、Filter設定82、偏光板設定83を予め設定しておくことにより撮像する事ができる。ただし、各条件設定69が正反射光の場合のみ、カメラ揺動撮像は行わず、解析用画像のカメラ揺動角度を固定とする。他方、正反射光以外、すなわち、各条件設定69が回折光又は散乱光の場合は、カメラ角度画像をカメラ揺動画像データ84に格納しておく。   Further, the camera swing imaging can be performed by previously setting the light amount setting 81, the filter setting 82, and the polarizing plate setting 83 shown in FIG. However, only when each condition setting 69 is specular reflection light, camera swing imaging is not performed, and the camera swing angle of the analysis image is fixed. On the other hand, when the condition setting 69 is diffracted light or scattered light other than the regular reflection light, that is, the camera angle image is stored in the camera swing image data 84.

さらに、このカメラ揺動画像を元に、上述した第1の実施の形態と同様のラインプロファイルデータ37を生成して、輝度値のピークを検出する。ピーク検出方法はステージ回転撮像の場合と同様のため、説明は省略する。   Furthermore, line profile data 37 similar to that in the first embodiment described above is generated based on the camera swing image, and the peak of the luminance value is detected. Since the peak detection method is the same as in the case of stage rotation imaging, description thereof is omitted.

以上のようにして得られたステージ回転角度85、カメラ揺動角度86、照明光量設定87、バンドパスフィルタ設定88、偏光板設定89および目標画像輝度値90を予め設定しておくことにより、上述した第1の実施の形態と同様の光量自動調整処理後の画像を解析用撮像画像データ91に保存することができる。   By previously setting the stage rotation angle 85, the camera swing angle 86, the illumination light amount setting 87, the band pass filter setting 88, the polarizing plate setting 89, and the target image luminance value 90 obtained as described above, The image after the light amount automatic adjustment processing similar to that of the first embodiment can be stored in the captured image data 91 for analysis.

以上によって解析データを自動的に取得ことができる。
次に、図6に示した光学条件更新手段16のGUI63が有するレシピ光学条件更新部20aに、既に検査情報記憶手段14に保存された解析用撮像画像データ91から2つの解析用撮像画像を、それぞれ設定ボタン94及び設定ボタン95で読み出す。そして、それぞれの解析用撮像画像が表示されたウェハマップ表示画面92及びウェハマップ表示画面93で指定したウェハWのサムネイル120を、撮像画像数だけ表示する。
The analysis data can be automatically acquired as described above.
Next, in the recipe optical condition update unit 20a included in the GUI 63 of the optical condition update unit 16 shown in FIG. The setting button 94 and the setting button 95 are used for reading. Then, the wafer map display screen 92 on which the respective captured images for analysis are displayed and the thumbnails 120 of the wafer W designated on the wafer map display screen 93 are displayed by the number of captured images.

また、解析用撮像画像を撮像した際に保存したステージ回転画像121およびカメラ揺動画像96をそれぞれ表示する。さらに、サムネイル120をクリック(指示)すると、選択されたその画像のステージ回転角度の位置をライン97としてステージ回転画像121に、カメラ角度をライン98としてカメラ揺動画像96にオーバレイして表示する。さらに、ヒストグラム表示99を指定することにより、サムネイル120から表示切替え可能となっている。   Further, the stage rotation image 121 and the camera swing image 96 stored when the analysis captured image is captured are respectively displayed. When the thumbnail 120 is clicked (instructed), the stage rotation angle position of the selected image is displayed as a line 97 on the stage rotation image 121 and the camera angle is displayed as a line 98 overlaid on the camera swing image 96. Furthermore, the display can be switched from the thumbnail 120 by designating the histogram display 99.

このようなGUI63を用いて、例えば欠陥があるチップとそうでないチップのサムネイル120を比較し、その輝度値の差異が大きい条件を、欠陥検出感度がより高い条件とする。   Using such a GUI 63, for example, the thumbnails 120 of defective chips and non-defective chips are compared, and a condition with a large difference in luminance value is set as a condition with higher defect detection sensitivity.

これによって、上述の第1の実施の形態で説明したGUI61よりも、より容易に欠陥検出に良好な光学条件を決定することができる。
そして、最後に現在のレシピの光学条件に対して追加ボタン54aや削除ボタン55aによって最良の条件を登録し、レシピ保存&終了ボタン60aによって作業を終了する事ができる。
(第2の実施の形態の変形例)
上述の第2の実施の形態においては、解析用撮像画像データ91に含まれる解析用画像の比較を2つの画像で行っているが、これに限定する必要はなく、3つ以上の解析用撮像画像を同時に比較してもよい。
As a result, it is possible to more easily determine a good optical condition for defect detection than the GUI 61 described in the first embodiment.
Finally, the best conditions can be registered with the add button 54a and the delete button 55a for the optical conditions of the current recipe, and the work can be ended with the recipe save & end button 60a.
(Modification of the second embodiment)
In the second embodiment described above, the analysis image included in the analysis captured image data 91 is compared with two images. However, the present invention is not limited to this, and three or more analysis capture images are used. Images may be compared simultaneously.

さらに、比較対象となった解析用撮像画像の欠陥検出結果(見つかった欠陥位置や欠陥名、個々の大きさなどの情報)をウェハマップにオーバレイ表示できる機能を追加してもよい。この場合、ウェハWを表示する位置を、欠陥が見つかったウェハWのみに表示選択を制限する機能や、解析用撮像画像に含まれる各ウェハWの全画素に対して、比較画像間の差分を求めて差分が一定量以上のウェハWのみに表示選択を制限する機能を追加しても良い。   Furthermore, a function may be added in which the defect detection result (information such as the found defect position, defect name, and individual size) of the analysis image to be compared is displayed on the wafer map. In this case, the position for displaying the wafer W is limited to display only the wafer W in which a defect is found, or the difference between the comparison images is calculated for all the pixels of each wafer W included in the analysis imaged image. A function for restricting display selection to only the wafers W having a predetermined difference or more may be added.

また、ステージ回転撮像画像やカメラ揺動画像を元に生成するラインプロファイルから極大ピークを求める前に、ラインプロファイルに対して、例えばノイズカットフィルタで微小変動ノイズをカットしても良い。また、求めたピークを指定した角度間隔に丸める(ピーク角度が33.4度で丸め角度間隔が10度なら30度)といった処理を追加しても良い。   Further, before obtaining the maximum peak from the line profile generated based on the stage rotation captured image or the camera swing image, the minute fluctuation noise may be cut from the line profile by, for example, a noise cut filter. Further, a process of rounding the obtained peak to a specified angle interval (30 degrees if the peak angle is 33.4 degrees and the rounding angle interval is 10 degrees) may be added.

さらに、検出したピークの輝度値に対する閾値を設けて、極大ピークの場合、輝度値が閾値以上、極小ピークの場合、輝度値が闘値以下のピークのみカウントするなどの処理を追加しても良い。
(第3の実施の形態)
本発明を適用した第3の実施の形態における外観検査装置は、第2の実施の形態における外観検査装置1aと同様の構成であるので、その説明は省略する。
Further, a threshold value for the luminance value of the detected peak may be provided, and processing such as counting only the peak having the luminance value equal to or higher than the threshold value in the case of the maximum peak and the luminance value not exceeding the threshold value in the case of the minimum peak may be added. .
(Third embodiment)
Since the appearance inspection apparatus according to the third embodiment to which the present invention is applied has the same configuration as the appearance inspection apparatus 1a according to the second embodiment, the description thereof is omitted.

本第3の実施の形態の作用について説明する。
図8は、光学条件更新処理を自動化するために必要なデータ一覧表を示す図である。
本発明を適用した第3の実施の形態は、上述の第2の実施の形態で、ステップS22の欠陥検出処理が終了するたびに、図8のチューニング開始条件100に一致したか否かを確認する。そのため、本第3の実施の形態では、上述の第2の実施の形態におけるレシピ情報記憶手段17に、図8に示したようなデータを予め格納しておく必要がある。
The operation of the third embodiment will be described.
FIG. 8 is a diagram showing a data list necessary for automating the optical condition update process.
In the third embodiment to which the present invention is applied, it is confirmed whether or not the tuning start condition 100 in FIG. 8 is met every time the defect detection process in step S22 is completed in the second embodiment described above. To do. Therefore, in the third embodiment, it is necessary to store data as shown in FIG. 8 in advance in the recipe information storage means 17 in the second embodiment described above.

まず、図8のチューニング開始条件100が欠陥ウェハ検出101の場合は、検査情報記憶手段14から必要な検査情報を読み出し、合否判定でFailとなった回数を算出する。そして、算出された回数が設定されたウェハ数103の値以上の場合に、ステップS25の光学条件更新処理を開始する。他方、チューニング開始条件100が指定ウェハ処理毎102の場合は、検査情報記憶手段14に保存された検査画像数を読み出し、読み出された検査画像数が設定されたウェハ数103以上の場合に、ステップS25の光学条件更新処理を開始する。   First, when the tuning start condition 100 in FIG. 8 is the defective wafer detection 101, necessary inspection information is read from the inspection information storage unit 14, and the number of times of fail in pass / fail determination is calculated. Then, when the calculated number of times is equal to or greater than the set number of wafers 103, the optical condition update process in step S25 is started. On the other hand, when the tuning start condition 100 is 102 for each designated wafer process, the number of inspection images stored in the inspection information storage unit 14 is read, and when the number of inspection images read is equal to or greater than the set number of wafers 103, The optical condition update process in step S25 is started.

次に、検査情報記憶手段14から、光学条件選択104の設定に対応した解析用画像と、その解析用画像を撮像した光学条件データを読出し、後述する光学条件選択ルール105に従って、解析用画像に対する優先順位付けを実施する。   Next, the analysis image corresponding to the setting of the optical condition selection 104 and the optical condition data obtained by capturing the analysis image are read from the inspection information storage unit 14, and the analysis image is read according to the optical condition selection rule 105 described later. Perform prioritization.

光学条件選択ルール105にSN降順106が設定されていた場合は、これまでの検査で検査情報記憶手段14に保存された解析用画像の平均値との偏差総和が大きい順に、条件候補を順位付けする。この降順の順位付け設定は、パターン付きのウェハWに対して光学条件選択104が正反射光及び回折光の場合に有効である。   If the SN descending order 106 is set in the optical condition selection rule 105, the condition candidates are ranked in descending order of the sum of deviations from the average value of the analysis images stored in the examination information storage means 14 in the previous examinations. To do. This descending ordering setting is effective when the optical condition selection 104 is regular reflection light and diffracted light with respect to the wafer W with a pattern.

また、光学条件選択ルール105にSN昇順107が設定されている場合は、各解析用画像に対して、平均値との偏差総和が小さい順に順位付けを実行する。この昇順の順位付け設定は、パターンがないベアウェハWであり、かつ、光学条件選択104が正反射光及び回折光の場合や、散乱光の場合に有効である。   Further, when the SN ascending order 107 is set in the optical condition selection rule 105, ranking is executed for each analysis image in ascending order of deviation sum from the average value. This ascending ordering setting is effective when the bare wafer W has no pattern and the optical condition selection 104 is regular reflection light and diffracted light, or scattered light.

また、光学条件選択ルール105がレシピ画像との輝度差降順108に設定されている場合は、レシピに含まれる良品画像とこれまでの検査で検査情報記憶手段14に保存された解析用画像との間で、全画素に対して同じ位置の画素同士の輝度差を算出し、その平均値が大きい順に順位付けする。この輝度差降順の順位付け設定は、ウェハWの特徴及び、光学条件の設定に依存しない。   Further, when the optical condition selection rule 105 is set in the descending order 108 with respect to the recipe image, the non-defective product image included in the recipe and the analysis image stored in the inspection information storage unit 14 in the previous inspection are displayed. In the meantime, the luminance difference between the pixels at the same position is calculated for all the pixels, and the difference is ranked in descending order of the average value. The ranking setting of the luminance difference descending order does not depend on the characteristics of the wafer W and the setting of the optical conditions.

また、光学条件選択ルール105がFailウェハ数降順109に設定されている場合は、解析用画像に対して、ステップS22の欠陥抽出処理を実行し、各条件ごとにFailとなったウェハ数をカウントして降順に順位付けする。このFailウェハ数降順の順位付け設定も、レシピ画像や輝度差降順の場合と同様に、ウェハWの特徴及び、光学条件設定に依存しない設定である。   Further, when the optical condition selection rule 105 is set to 109 in descending order of the number of fail wafers, the defect extraction process in step S22 is executed on the analysis image, and the number of wafers that have failed for each condition is counted. And rank them in descending order. The ranking setting in the descending order of the number of fail wafers is also a setting that does not depend on the characteristics of the wafer W and the optical condition setting, as in the case of the recipe image and the luminance difference descending order.

そして、以上のようにして決定した条件候補の順位の高い順に、レシピの光学条件を更新する。
(第3の実施の形態の変形例)
図9は、第3の実施の形態の変形例で光学条件更新処理を自動化するために必要なデータ一覧表を示す図である。
Then, the optical conditions of the recipe are updated in descending order of the condition candidates determined as described above.
(Modification of the third embodiment)
FIG. 9 is a diagram showing a data list necessary for automating the optical condition update processing in the modification of the third embodiment.

上述の第3の実施の形態においては、光学条件の選択ルールが予め決められた設定であるため、ステップS25の光学条件更新処理を実行する際に選択ルールが同一であったが、例えば、図9に示したように、初回の光学条件選択ルール105a、処理ウェハ総数で選択ルールを変更する回数110、及びルールの適応を開始するウェハ処理総数111を新たに設定しておくことにより、検査したウェハ数によって初回の光学条件選択ルール105aから光学条件選択ルール105bに変更することができる。   In the third embodiment described above, since the selection rule of the optical condition is a predetermined setting, the selection rule is the same when the optical condition update process in step S25 is executed. As shown in FIG. 9, the first optical condition selection rule 105a, the number of times 110 the selection rule is changed by the total number of processed wafers, and the total number of wafer processing 111 for starting the application of the rules are newly set and inspected. The first optical condition selection rule 105a can be changed to the optical condition selection rule 105b depending on the number of wafers.

これによって、例えば最初の検査の実施においては、SN昇順107a、または、SN降順106aで光学条件を選択し、検査ウェハ数が10での検査の実施においては、レシピ画像と輝度差降順108bで光学条件を選択し、検査ウェハ数が100での検査の実施においては、Failウェハ数降順109bで光学条件を選択する、などの設定ができる。これにより、より精度の高い順位付けを行うことができる。   Thus, for example, in the first inspection, the optical conditions are selected in the SN ascending order 107a or SN descending order 106a, and in the inspection when the number of inspection wafers is 10, the recipe image and the luminance difference descending order 108b are optically selected. When the conditions are selected and inspection is performed with the number of inspection wafers being 100, the optical conditions can be selected in descending order 109b of the number of fail wafers. Thereby, ranking with higher accuracy can be performed.

さらに、上述の第3の実施の形態においては、光学条件選択ルール105でFailウェハ数降順109が設定されていた場合、ステップS25の光学条件更新処理を実行する際に、対象となる解析用画像に対してステップS22の欠陥抽出処理を行っているが、光学条件選択ルール105は予め決まっている。そこで、例えば、検査処理の度にステップS22の欠陥抽出処理を実施しておけば、ステップS25の光学条件更新処理の時間を短縮する事ができる。   Further, in the above-described third embodiment, when the optical wafer selection rule 105 sets the fail wafer number descending order 109, the target analysis image is executed when the optical condition update process in step S25 is executed. However, the optical condition selection rule 105 is determined in advance. Therefore, for example, if the defect extraction process in step S22 is performed every time the inspection process is performed, the time for the optical condition update process in step S25 can be shortened.

また、光学条件選択ルール105、105a、105bは、上述に示した例の手法に限定されることは無く、例えば、Failウェハ数降順109、109a、109bの代わりに、検出した欠陥面積の総和の降順など、条件候補に対して、外観検査装置1aがより欠陥を検出できるための順位付けができる方法であればなんでも良い。   Further, the optical condition selection rules 105, 105a, and 105b are not limited to the method of the example described above. For example, instead of the fail wafer number descending order 109, 109a, and 109b, the total of the detected defect areas is calculated. Any method may be used as long as it can rank the candidate candidates for the condition such as descending order so that the appearance inspection apparatus 1a can detect defects more.

以上、本発明を適用した各実施の形態を説明してきたが、これらに限定されるものではない。
例えば、ステージ回転画像撮像とカメラ揺動撮像の光学条件は同一であるとしたが、これらは必ずしも同一である必要ななく、例えば、ステージ回転撮像では偏光板設定がオフであり、カメラ揺動撮像では偏光板設定がオンであるなどのように、これらが異なった設定であっても良い。
As mentioned above, although each embodiment to which this invention is applied has been described, it is not limited to these.
For example, the optical conditions for stage rotation imaging and camera swing imaging are the same, but they are not necessarily the same. For example, in stage rotation imaging, the polarizing plate setting is off, and camera swing imaging is performed. These may be different settings, such as the polarizing plate setting being on.

さらに、図2に示したライン照明11及び照明12のように、これらが特定の位置に固定して複数ある構成ではなく、カメラ駆動と同様に回動動作できる構成で、かつ、カメラ角度と照明角度が像面を基準に正反射の位置を常に保つ状態で回動動作させてもよい。このようにさせることで、正反射光の場合もカメラ角度を固定とすることなく、ステップS24の解析データ取得処理及び、ステップS25の光学条件更新処理を実施してもよい。   Further, like the line illumination 11 and the illumination 12 shown in FIG. 2, these are not a configuration in which a plurality of these are fixed at a specific position, but a configuration that can be rotated like a camera drive, and a camera angle and illumination. The angle may be rotated in a state where the regular reflection position is always maintained with respect to the image plane. By doing so, the analysis data acquisition process in step S24 and the optical condition update process in step S25 may be performed without fixing the camera angle even in the case of regular reflection light.

すなわち、本発明は、以上に述べた各実施の形態等に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の構成または形状を取ることができる。   That is, the present invention is not limited to the above-described embodiments and the like, and can take various configurations or shapes without departing from the gist of the present invention.

W 半導体ウェハ(ウェハ)
1、1a 外観検査装置
2 検査部
3、3a 制御部
4 スキャンステージ
5 回転ステージ
6 載置部
7 撮像手段
8 ラインセンサカメラ
9 シリンドリカルレンズ
10 回動手段
11 ライン照明
12 照明
13 解析データ取得手段
14 検査情報記憶手段
15 欠陥抽出手段
16 光学条件更新手段
17 レシピ情報記憶手段
18 ステージ回転撮像部
19 カメラ揺動撮像部
20、20a レシピ光学条件更新部
26 測定光条件
27 正反射光
28 散乱光
29 回折光
30 バンドパスフィルタ
31 カメラ角度
32 撮像開始ボタン
33 設定角度
34 偏光板
35 撮像開始ボタン
36、36a 表示画面
37、37a ラインプロファイルデータ
38、38a スクロールバー
39、39a ライン
40 選択角度
41、41a ピーク
42、42a ピーク
43、43a リスト
44、44a 追加ボタン
45、45a リスト内選択項目の削除ボタン
46 ステージ回転角度条件確定ボタン
47 リストID
48 リストID
49 目標輝度値
50 カメラ揺動角度設定確定→光量自動調整→解析データ取得情報の保存ボタン
51 照明光量値
52 データリスト
53 光学条件リスト
54、54a 追加ボタン
55、55a 削除ボタン
56 タイミング
57 欠陥ウェハ検出時
58 指定処理ウェハ間隔
59 テキストボックス
60、60a レシピ保存&終了ボタン
61 GUI
62 データ処理部
63 GUI
64 解析データ取得開始条件
65 欠陥ウェハ検出
66 指定ウェハ処理
67 ウェハ数
68 光学条件選択数
69 各条件設定
70 カメラ角度選択数
71 カメラ角度設定
72 照明光量設定
73 バンドパスフィルタ設定
74 偏光板設定
75 ステージ回転画像データ
76、76a ピーク検出ルール
77、77a ピーク検出の最大個数
78 極大ピーク
79 極小ピーク
80 ステージ回転角度
81 光量設定
82 Filter設定
83 偏光板設定
84 カメラ揺動画像データ
85 ステージ回転角度
86 カメラ揺動角度
87 照明光量設定
88 バンドパスフィルタ設定
89 偏光板設定
90 目標画像輝度値
91 解析用撮像画像データ
92、93 ウェハマップ表示画面
94、95 設定ボタン
96 カメラ揺動画像
97、98 ライン
99 ヒストグラム表示
100 チューニング開始条件
101、101a 欠陥ウェハ検出
102、102a 指定ウェハ処理毎
103 ウェハ数
104、104a 光学条件選択
105、105b 光学条件選択ルール
105a 初回の光学条件選択ルール
106、106a、106b SN降順
107、107a、107b SN昇順
108、108a、108b レシピ画像との輝度差降順
109、109a、109b Failウェハ数降順
110 処理ウェハ総数で選択ルールを変更する回数
111 ルールの適応を開始するウェハ処理総数
120 サムネイル
121 ステージ回転画像
W Semiconductor wafer (wafer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1a Appearance inspection apparatus 2 Inspection | inspection part 3, 3a Control part 4 Scan stage 5 Rotation stage 6 Mounting part 7 Imaging means 8 Line sensor camera 9 Cylindrical lens 10 Rotating means 11 Line illumination 12 Illumination 13 Analysis data acquisition means 14 Inspection Information storage means 15 Defect extraction means 16 Optical condition update means 17 Recipe information storage means 18 Stage rotation imaging part 19 Camera swing imaging part 20, 20a Recipe optical condition update part 26 Measurement light condition 27 Regular reflection light 28 Scattered light 29 Diffracted light 30 Band pass filter 31 Camera angle 32 Imaging start button 33 Setting angle 34 Polarizing plate 35 Imaging start button 36, 36a Display screen 37, 37a Line profile data 38, 38a Scroll bar 39, 39a Line 40 Selection angle 41, 41a Peak 42, 2a peak 43,43a list 44,44a add button 45,45a delete button of the list in the selected item 46 stage rotation angle condition determination button 47 list ID
48 List ID
49 Target brightness value 50 Camera swing angle setting confirmation → Automatic light quantity adjustment → Analysis data acquisition information save button 51 Illumination light quantity value 52 Data list 53 Optical condition list 54, 54a Add button 55, 55a Delete button 56 Timing 57 Detect defective wafer Hours 58 Specified processing wafer interval 59 Text box 60, 60a Recipe save & end button 61 GUI
62 Data processor 63 GUI
64 Analysis data acquisition start conditions 65 Defective wafer detection 66 Designated wafer processing 67 Number of wafers 68 Optical condition selection number 69 Each condition setting 70 Camera angle selection number 71 Camera angle setting 72 Illumination light quantity setting 73 Band pass filter setting 74 Polarizing plate setting 75 Stage Rotation image data 76, 76a Peak detection rule 77, 77a Maximum number of peak detections 78 Maximum peak 79 Minimum peak 80 Stage rotation angle 81 Light amount setting 82 Filter setting 83 Polarizing plate setting 84 Camera swing image data 85 Stage rotation angle 86 Camera swing Moving angle 87 Illumination light quantity setting 88 Band pass filter setting 89 Polarizing plate setting 90 Target image luminance value 91 Image data for analysis 92, 93 Wafer map display screen 94, 95 Setting button 96 Camera swing image 97, 98 lines 99 Histogram display 100 Tuning start condition 101, 101a Detect defective wafer 102, 102a Each specified wafer processing 103 Number of wafers 104, 104a Optical condition selection 105, 105b Optical condition selection rule 105a First optical condition selection rule 106, 106a, 106b SN descending order 107, 107a, 107b SN ascending order 108, 108a, 108b Descending order of brightness difference from recipe image 109, 109a, 109b Fail Number of wafers descending order 110 Number of times the selection rule is changed based on the total number of processed wafers 111 Total number of wafer processes starting to apply rules 120 Thumbnail 121 Stage rotation image

Claims (9)

レシピに基づいて半導体基板を検査する外観検査装置において前記レシピを更新するレシピ更新方法であって、
レシピ格納手段に格納された光学条件に従って、前記半導体基板を撮像して第1の画像を取得し、
前記取得した第1の画像に欠陥が存在するか否かを検出し、
前記欠陥が存在することを検出した場合、前記光学条件を変更し、
前記変更した光学条件に従って、前記半導体基板を撮像して第2の画像を取得し、
前記レシピ格納手段に格納された光学条件を、前記変更した光学条件に更新する、
ことを特徴とするレシピ更新方法。
A recipe update method for updating the recipe in an appearance inspection apparatus for inspecting a semiconductor substrate based on a recipe,
According to the optical conditions stored in the recipe storage means, the semiconductor substrate is imaged to obtain a first image,
Detecting whether a defect exists in the acquired first image;
If it detects that the defect exists, change the optical condition,
According to the changed optical conditions, the semiconductor substrate is imaged to obtain a second image,
Updating the optical conditions stored in the recipe storage means to the changed optical conditions;
A recipe update method characterized by that.
前記第1の画像に表れている欠陥に比べより顕著な欠陥が前記第2の画像に表れているか否かを判断し、
前記第1の画像に表れている欠陥に比べより顕著な欠陥が前記第2の画像に表れていると判断した場合、前記レシピ格納手段に格納された光学条件を、前記変更した光学条件に更新する、
ことを特徴とする請求項1に記載のレシピ更新方法。
Determining whether a more prominent defect appears in the second image compared to the defect appearing in the first image;
When it is determined that a defect more prominent than the defect appearing in the first image appears in the second image, the optical condition stored in the recipe storage means is updated to the changed optical condition. To
The recipe update method according to claim 1, wherein:
前記第2の画像は、前記欠陥が存在することを検出した半導体基板を撮像して取得した画像である、
ことを特徴とする請求項1または2に記載のレシピ更新方法。
The second image is an image obtained by capturing an image of a semiconductor substrate in which the defect is detected.
The recipe updating method according to claim 1, wherein the recipe is updated.
前記第2の画像は、前記欠陥が存在することを検出した半導体基板と同一種類の他の半導体基板を撮像して取得した画像である、
ことを特徴とする請求項1または2に記載のレシピ更新方法。
The second image is an image obtained by imaging another semiconductor substrate of the same type as the semiconductor substrate that has detected the presence of the defect.
The recipe updating method according to claim 1, wherein the recipe is updated.
前記外観検査装置が半導体基板を順に検査する際、所定回数毎に、前記取得した第1の画像に欠陥が存在するか否かを検出する、
ことを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載のレシピ更新方法。
When the appearance inspection apparatus sequentially inspects the semiconductor substrate, it detects whether or not there is a defect in the acquired first image every predetermined number of times.
The recipe update method according to any one of claims 1 to 4, wherein:
前記外観検査装置が半導体基板を順に検査する際、所定回数毎に、前記光学条件を変更する、
ことを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載のレシピ更新方法。
When the appearance inspection apparatus sequentially inspects the semiconductor substrate, the optical condition is changed every predetermined number of times.
The recipe update method according to claim 1, wherein the recipe is updated.
前記欠陥が存在することを検出した場合、前記光学条件を複数変更し、
前記第1の画像に表れている欠陥に比べより顕著な欠陥が前記第2の画像に表れていると判断した場合、前記レシピ格納手段に格納された光学条件を、前記変更した光学条件のうち欠陥が最も顕著に表れた光学条件に更新する、
ことを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載のレシピ更新方法。
If it is detected that the defect exists, a plurality of the optical conditions are changed,
When it is determined that a defect more prominent than the defect appearing in the first image appears in the second image, the optical condition stored in the recipe storage means is changed from the changed optical condition Update to optical conditions where defects are most prominent
The recipe update method according to claim 1, wherein the recipe is updated.
前記欠陥が存在することを検出した場合、グラフィカルユーザインターフェースを用いて前記光学条件を変更する、
ことを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載のレシピ更新方法。
If the presence of the defect is detected, change the optical condition using a graphical user interface;
The recipe update method according to claim 1, wherein the recipe is updated.
レシピに基づいて半導体基板を検査する外観検査装置において前記レシピを更新するレシピ更新システムであって、
光学条件を格納したレシピ格納手段と、
前記レシピ格納手段に格納された光学条件に従って、前記半導体基板を撮像して第1の画像を取得する第1の画像取得手段と、
前記第1の画像取得手段によって取得した第1の画像に欠陥が存在するか否かを検出する欠陥検出手段と、
前記欠陥検出手段によって欠陥が存在することを検出した場合、前記レシピ格納手段に格納された光学条件を変更する光学条件変更手段と、
前記光学条件変更手段によって変更した光学条件に従って、前記欠陥が存在することを検出した半導体基板を撮像して第2の画像を取得する第2の画像取得手段と、
前記第1の画像取得手段によって取得した第1の画像に表れている欠陥に比べ、前記第2の画像取得手段によって取得した第2の画像に、より顕著な欠陥が表れているか否かを判断する判断手段と、
前記判断手段によって前記第1の画像に表れている欠陥に比べより顕著な欠陥が前記第2の画像に表れていると判断された場合、前記レシピ格納手段に格納された光学条件を、前記変更した光学条件に更新する光学条件更新手段と、
を備えることを特徴とするレシピ更新システム。
A recipe update system that updates the recipe in an appearance inspection apparatus that inspects a semiconductor substrate based on a recipe,
Recipe storage means storing optical conditions;
First image acquisition means for imaging the semiconductor substrate and acquiring a first image in accordance with the optical conditions stored in the recipe storage means;
Defect detection means for detecting whether or not a defect exists in the first image acquired by the first image acquisition means;
An optical condition changing means for changing the optical condition stored in the recipe storing means when the defect detecting means detects the presence of a defect;
In accordance with the optical condition changed by the optical condition changing means, second image acquisition means for acquiring a second image by imaging a semiconductor substrate that has been detected to have the defect;
It is determined whether or not a more prominent defect appears in the second image acquired by the second image acquisition means than the defect that appears in the first image acquired by the first image acquisition means. A judgment means to
If it is determined by the determining means that a more significant defect appears in the second image than the defect appearing in the first image, the optical condition stored in the recipe storing means is changed. Optical condition updating means for updating to the optical condition,
A recipe update system comprising:
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