JP2010283211A

JP2010283211A - Plasma treatment apparatus

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Publication number: JP2010283211A
Application number: JP2009136265A
Authority: JP
Inventors: Takashi Uemura; 崇植村; Kohei Sato; 浩平佐藤; Tsutomu Tauchi; 勤田内; Akitaka Makino; 昭孝牧野
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2009-06-05
Filing date: 2009-06-05
Publication date: 2010-12-16

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma treatment apparatus which prevents the deterioration of productivity accompanied by the test processing of a gas flow rate regulator. <P>SOLUTION: The plasma treatment apparatus supplies treatment gas measured by a gas flow meter 210 from a treatment gas supply source 208 to a treatment chamber 103 to plasma-treat a sample, and supplies purge gas from a purge gas supply source 201 to the treatment chamber 103 to test a flow rate of the gas flow meter 210. A valve 212 communicating with a suction side of an evacuation pump 215 is arranged on a gas supply line communicating from a downstream side of a gas flow rate regulation unit 200 through a valve 213 to the treatment chamber 103 in order to serve as a branch line for bypassing the treatment chamber 103. When the gas flow rate regulator is tested, the valve 212 is opened to exhaust the purge gas flowing in the gas flow meter 210 without passing through the treatment chamber 103. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウェハなどの被処理物にプラズマ加工を施す処理装置に係り、特に、減圧した処理室の中に被処理物を格納し、内部にガス流量調節器によって流量調節された処理用ガスを導入して処理物にエッチング処理などの処理を施すプラズマ処理装置に関する。 The present invention relates to a processing apparatus for performing plasma processing on an object to be processed such as a semiconductor wafer, and more particularly to a processing apparatus in which an object to be processed is stored in a decompressed processing chamber and the flow rate of which is adjusted by a gas flow controller. The present invention relates to a plasma processing apparatus that introduces a gas to perform processing such as etching on a processed material.

プラズマ処理装置では、真空ポンプによって減圧された真空容器内に１種類のガス、或いは複数種類のガスを所定の比率で混合したガスを導入し、真空容器内部の気体(ガス)をプラズマ化して被処理物にエッチングなどの加工を行うので、プラズマ処理室に導入されるガスの流量がプラズマ処理性能に大きく影響する。
ところで、このときのプラズマ処理に使用する処理用ガスは、ガス流量調節器によって流量調節され、プラズマ処理室内部に導入される。従って、安定したプラズマ処理性能を維持するためには、このときのガス流量調節器の精度を高精度に維持する必要がある。 In a plasma processing apparatus, one kind of gas or a gas in which a plurality of kinds of gases are mixed in a predetermined ratio is introduced into a vacuum container depressurized by a vacuum pump, and the gas (gas) inside the vacuum container is converted into plasma to be covered. Since processing such as etching is performed on the processing object, the flow rate of the gas introduced into the plasma processing chamber greatly affects the plasma processing performance.
By the way, the processing gas used for the plasma processing at this time is flow-controlled by a gas flow controller and introduced into the plasma processing chamber. Therefore, in order to maintain stable plasma processing performance, it is necessary to maintain the accuracy of the gas flow rate regulator at this time with high accuracy.

しかし、ガス流量調節器は、そのセンサ特性のドリフトや、ガス流路の目詰まりなどの要因により、経時的に特性変化を起こす場合がある。
そこで、従来から、ガス流量調節器により調節されている流量が設定流量どおりに正しく調節されているか否かを検査する処理、つまりガス流量調節器検定と呼ばれている処理を定期的に実施し、常に必要なプラズマ処理性能が維持されるようにしている(例えば、特許文献１、２を参照)。 However, the gas flow rate regulator may change its characteristics over time due to factors such as drift of sensor characteristics and clogging of the gas flow path.
Therefore, conventionally, a process for checking whether the flow rate adjusted by the gas flow rate regulator is correctly adjusted according to the set flow rate, that is, a process called a gas flow rate regulator verification, has been periodically performed. Therefore, the necessary plasma processing performance is always maintained (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

特開２００６−１２８７２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2006-12872 特開平０６−１１９０５９号公報Japanese Patent Laid-Open No. 06-119059

上記従来技術は、ガス流量調節器検定処理の実施に伴うプラズマ処理室の占有に配慮がされておらず、ガス流量調節器検定処理の実施に際してプラズマ処理装置の生産性が低下するという問題があった。
プラズマ処理装置の場合、ガス流量調節器は１個の処理室に対して数個から１０数個、実装されているのが一般的であり、従って、実装される総てのガス流量調節器に対してガス流量調節器検定を実施し、且つ、各ガス流量調節器について複数流量の検定を実施した場合、ガス流量調節器検定には数１０分から数時間を必要とする。 The above prior art does not give consideration to the occupation of the plasma processing chamber accompanying the execution of the gas flow regulator verification process, and there is a problem in that the productivity of the plasma processing apparatus decreases when the gas flow controller verification process is performed. It was.
In the case of a plasma processing apparatus, it is common that several to ten or more gas flow regulators are mounted for one processing chamber. On the other hand, when a gas flow rate controller verification is performed for each gas flow rate controller and a plurality of flow rate verifications are performed for each gas flow rate controller, the gas flow rate controller verification requires several tens of minutes to several hours.

ところで、このガス流量調節器検定は、処理室を利用しているので、この間はプラズマ処理が中断され、中断時間は、検定に費やられる時間と同等に増加する。
従って、従来技術では、ガス流量調節器検定処理によりプラズマ処理装置の生産性が低下してしまうのである。
また、処理室は１基のプラズマ処理装置に対して数個実装されているのが通例であり、この場合、実装されている総ての処理室に対してガス流量調節器検定用の流量検定器も同数必要になり、従って、従来技術では、設置スペースとコストが増大するという問題も生じてしまうことになる。 By the way, since this gas flow rate controller verification uses the processing chamber, the plasma processing is interrupted during this period, and the interruption time increases to the same extent as the time spent for the verification.
Therefore, in the prior art, the productivity of the plasma processing apparatus is lowered by the gas flow rate regulator verification process.
In addition, it is usual that several processing chambers are mounted for one plasma processing apparatus. In this case, the flow rate verification for the gas flow rate controller verification for all the mounted processing chambers. The same number of units is required, and therefore, the conventional technology also causes a problem of increasing installation space and cost.

本発明の目的は上記課題を解決し、ガス流量調節器検定処理に伴う生産性低下の虞のないプラズマ処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus that solves the above-described problems and has no risk of a decrease in productivity associated with a gas flow controller verification process.

上記目的は、流量計測器で計測した処理用ガスを減圧した処理容器に供給して試料のプラズマ処理を行い、前記処理容器にパージ用ガスを供給して前記流量計測器の流量検定を行う方式のプラズマ処理装置において、前記処理容器を迂回する分岐ラインを設け、前記パージ用ガスを前記分岐ラインに通流させることにより、前記流量計測器の流量検定が得られるようにして達成される。 The purpose is to supply a processing gas measured by a flow meter to a decompressed processing container to perform plasma processing of the sample, and to supply a purge gas to the processing container to perform a flow rate verification of the flow meter. In the plasma processing apparatus, a branch line that bypasses the processing container is provided, and the purge gas is allowed to flow through the branch line, thereby achieving a flow rate verification of the flow rate measuring device.

このとき、前記分岐ラインが前記処理容器のメンテナンス時に開かれ、前記流量計測器の流量検定が、前記処理容器のメンテナンス時に実施されるようにしても上記目的が達成され、前記分岐ラインが前記処理容器によるプラズマ処理時に開かれ、前記流量計測器の流量検定が、前記処理容器によるプラズマ処理時に並行して実施されるようにしても上記目的が達成される。 At this time, even if the branch line is opened at the time of maintenance of the processing container, and the flow rate verification of the flow meter is performed at the time of maintenance of the processing container, the above object is achieved, and the branch line is The above object can be achieved even if the flow rate tester is opened at the time of plasma processing by the container and the flow rate verification of the flow rate measuring device is performed in parallel at the time of plasma processing by the processing container.

本発明によれば、処理室を使用しないでガス流量調節器検定処理が実施できるので、処理室の定期メンテナンス時間やメンテナンス後の真空引き時間を利用してガス流量調節器検定が行えるようになり、従って、ガス流量調節器検定処理に伴う生産性の低下を抑えることができる。 According to the present invention, since the gas flow rate controller verification process can be performed without using the processing chamber, the gas flow rate controller verification can be performed using the periodic maintenance time of the processing chamber and the evacuation time after the maintenance. Therefore, it is possible to suppress a decrease in productivity due to the gas flow controller verification process.

本発明に係るプラズマ処理装置の一例を示す全体的構成図である。1 is an overall configuration diagram illustrating an example of a plasma processing apparatus according to the present invention. 本発明に係るプラズマ処理装置の一例における処理容器の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the processing container in an example of the plasma processing apparatus which concerns on this invention. 本発明に係るプラズマ処理装置の一実施形態におけるガスラインの概略を示す構成図である。It is a block diagram which shows the outline of the gas line in one Embodiment of the plasma processing apparatus which concerns on this invention. 本発明に係るプラズマ処理装置の一実施形態によるガス流量調節器検定処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the gas flow regulator verification process by one Embodiment of the plasma processing apparatus which concerns on this invention. 本発明に係るプラズマ処理装置の他の一実施形態におけるガスラインの概略を示す構成図である。It is a block diagram which shows the outline of the gas line in other one Embodiment of the plasma processing apparatus which concerns on this invention. 本発明に係るプラズマ処理装置の他の一実施形態によるガス流量調節器検定処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the gas flow regulator verification process by other one Embodiment of the plasma processing apparatus which concerns on this invention.

以下、本発明に係るプラズマ処理装置の実施の形態について説明する。
図１は、本発明に係るプラズマ処理装置が適用対象とする装置の一例を示したもので、図１(a)は上方から見た断面図で、図１(b)は斜視図であり、従って、ここに示したプラズマ処理装置１００は、大気側ブロック１０１と真空側ブロック１０２に大別することができる。
そして、まず、大気側ブロック１０１は、大気圧下でウェハを搬送し、収納位置決めなどをする部分で、次に、真空側ブロック１０２は、大気圧から減圧された圧力下でウェハ等の基板状の試料(被処理物)を搬送し、予め定められた処理容器内において必要な処理を行うブロックである。 Embodiments of the plasma processing apparatus according to the present invention will be described below.
FIG. 1 shows an example of an apparatus to which the plasma processing apparatus according to the present invention is applied. FIG. 1 (a) is a sectional view seen from above, and FIG. 1 (b) is a perspective view. Therefore, the plasma processing apparatus 100 shown here can be broadly divided into an atmospheric block 101 and a vacuum block 102.
First, the atmosphere-side block 101 is a part for carrying and positioning the wafer under atmospheric pressure, and then the vacuum-side block 102 is a substrate shape such as a wafer under a pressure reduced from the atmospheric pressure. This is a block that transports the sample (object to be processed) and performs necessary processing in a predetermined processing container.

このため、これら大気側ブロック１０１と真空側ブロック１０２には、試料を内部に有した状態で、内部の圧力を大気圧と真空圧との間で上下させるのに必要な装置が備えられている。
そして、まず、大気側ブロック１０１は、内部に大気側搬送ロボット１０９を備えた略直方体形状の筐体１０６を有し、この筐体１０６の図では右側になっている前面側に取付けられ、処理用又はクリーニング用の試料が収納されているカセットがその上に載せられる複数のカセット台１０７を備えている。 For this reason, the atmosphere side block 101 and the vacuum side block 102 are equipped with devices necessary for raising and lowering the internal pressure between the atmospheric pressure and the vacuum pressure with the sample inside. .
First, the atmosphere-side block 101 has a substantially rectangular parallelepiped housing 106 having an atmosphere-side transfer robot 109 inside, and is attached to the front side on the right side in the figure of the housing 106 to be processed. A plurality of cassette stands 107 are provided on which cassettes for storing samples for cleaning or cleaning are placed.

次に、真空側ブロック１０２は、平面形状が略多角形状(この実施形態では５角形状)の真空搬送室１０４の側壁面の周囲に、内部に試料を搬送し減圧下で処理するための真空容器からなる４基の処理室１０３(１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ、１０３ｄ)と、真空搬送室１０４と大気側ブロック１０１の間に配置され、試料を大気側と真空側の間でやりとりするための２基のロック室１０５を備えたものであり、従って、真空側ブロック１０２は、全体が減圧されて高い真空度の圧力に維持可能な処理容器として構成されていることになる。 Next, the vacuum-side block 102 is a vacuum for transporting the sample and processing it under reduced pressure around the side wall surface of the vacuum transport chamber 104 whose planar shape is substantially polygonal (in this embodiment, pentagonal). Two processing chambers 103 (103a, 103b, 103c, 103d) composed of containers are arranged between the vacuum transfer chamber 104 and the atmosphere side block 101, and 2 for exchanging samples between the atmosphere side and the vacuum side. Therefore, the vacuum side block 102 is configured as a processing vessel that is decompressed as a whole and can be maintained at a high vacuum pressure.

真空搬送室１０４内には、処理容器１０３内の処理室とロック室１０５の間で、試料を真空下で搬送する真空搬送ロボット１０８が中央に配置されている。
そして、この真空搬送ロボット１０８のアーム上に試料が載せられ、各処理容器１０３の処理室内に配置された試料台上と、何れかのロック室１０５内の試料台の間で、試料の搬入、搬出が行われる。
これら処理容器１０３及びロック室１０５と、真空搬送室１０４内の搬送室の間は、各々気密に閉塞、開放可能なバルブにより連通する通路が設けられ、必要に応じて通路が開閉されるようになっている。 In the vacuum transfer chamber 104, a vacuum transfer robot 108 for transferring the sample under vacuum between the processing chamber in the processing vessel 103 and the lock chamber 105 is disposed in the center.
Then, a sample is placed on the arm of the vacuum transfer robot 108, and the sample is loaded between the sample table disposed in the processing chamber of each processing container 103 and the sample table in one of the lock chambers 105, Unloading is performed.
Between the processing container 103 and the lock chamber 105 and the transfer chamber in the vacuum transfer chamber 104, there are provided passages communicating with each other by valves that can be airtightly closed and opened, so that the passages are opened and closed as necessary. It has become.

カセット台１０７の上には、複数の半導体ウェハ等の試料が収納されているカセットが載置され、これらの試料の処理は、真空処理装置１００の動作を調節する制御装置(図示してない)の判断により、或いは真空処理装置１００が設置される製造ラインの制御装置等からの指令に応じて開始され、制御装置からの指令を受けた大気側搬送ロボット１０９がカセット内の特定の試料をカセットから取り出し、それを２基のロック室の何れかに搬送する。
ロック室１０５では、搬送された試料を収納した状態でバルブを閉塞し、内部を密封する。 A cassette in which a plurality of samples such as semiconductor wafers are stored is placed on the cassette table 107, and the processing of these samples is performed by a control device (not shown) that adjusts the operation of the vacuum processing apparatus 100. , Or in response to a command from a control device or the like of the production line where the vacuum processing apparatus 100 is installed, and the atmosphere-side transfer robot 109 receiving the command from the control device transfers a specific sample in the cassette to the cassette. And transport it to one of the two lock chambers.
In the lock chamber 105, the valve is closed in a state where the conveyed sample is stored, and the inside is sealed.

そして、所定の圧力まで減圧した上で真空搬送室１０４内の搬送室に面した側のバルブが開放され、ロック室１０５内と搬送室内を連通させ、真空搬送ロボット１０８のアームがロック室１０５内に伸張させて、内部の試料の搬出を行う。
ここで、真空搬送ロボット１０８上のアームに載せられた試料は、カセットから取り出される際に予め定められた処理容器１０３の何れかの中で、真空にされている処理室内に搬入される。 Then, after the pressure is reduced to a predetermined pressure, the valve facing the transfer chamber in the vacuum transfer chamber 104 is opened, the lock chamber 105 and the transfer chamber are communicated, and the arm of the vacuum transfer robot 108 is placed in the lock chamber 105. The sample inside is taken out.
Here, the sample placed on the arm on the vacuum transfer robot 108 is carried into a processing chamber which is evacuated in one of the predetermined processing containers 103 when taken out from the cassette.

試料が何れかの処理容器１０３内の処理室に搬送された後、この処理室内と搬送室との間を開閉するバルブが閉じられて処理室が封止される。
この後、処理室内に処理用のガスが導入され、プラズマが処理室内に形成されて試料が処理される。
試料の処理が終了したことが検出されると、前述のバルブが開放され、真空搬送ロボット１０８により、試料は、処理室内に搬入された場合と反対にロック室１０５へ向けて搬出される。 After the sample is transferred to the processing chamber in any of the processing containers 103, a valve that opens and closes between the processing chamber and the transfer chamber is closed to seal the processing chamber.
Thereafter, a processing gas is introduced into the processing chamber, plasma is formed in the processing chamber, and the sample is processed.
When it is detected that the processing of the sample is completed, the above-described valve is opened, and the sample is carried out toward the lock chamber 105 by the vacuum transfer robot 108, contrary to the case where the sample is carried into the processing chamber.

ロック室１０５の何れかに試料が搬送されると、このロック室１０５内と搬送室とを連通する通路を開閉するバルブが閉じられて内部が密封され、ロック室１０５内の圧力が大気圧まで上昇させられる。
この後、筐体１０６内側のバルブが開放され、ロック室１０５内と筐体１０６内の大気搬送室とが連通され、大気側搬送ロボット１０９によりロック室１０５から元のカセットに試料が搬送され、カセット内の元の位置に戻される。 When the sample is transported to any one of the lock chambers 105, the valve for opening and closing the passage connecting the lock chamber 105 and the transport chamber is closed and the inside is sealed, and the pressure in the lock chamber 105 is reduced to atmospheric pressure. Raised.
Thereafter, the valve inside the casing 106 is opened, the lock chamber 105 communicates with the atmospheric transfer chamber in the casing 106, and the sample is transferred from the lock chamber 105 to the original cassette by the atmospheric transfer robot 109. Returned to its original position in the cassette.

図２は、処理容器１０３の構成の概略を示す縦断面図で、この図において、処理容器１０３は、その上部に配置された高周波電源２１９と、下方に配置された高真空排気ポンプ２１８とを備え、内部にはプラズマ処理室が配置されている。
そして、真空容器２０１と高真空排気ポンプ２１８の間にはコンダクタンス可変バルブ２１７が配置されている。
これら構成部品は、それぞれ０リング等のシール手段により相互に気密に接続され、内側の空間と外部の空間とを高い気圧差に維持可能に構成されている。
このとき、高真空排気ポンプ２１８の吐出側は、バルブ２１４を介して別の真空排気ポンプ２１５の吸気側に接続され、２段式の排気系として動作するようになっている。 FIG. 2 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of the processing container 103. In this figure, the processing container 103 includes a high-frequency power source 219 disposed at an upper portion thereof and a high vacuum exhaust pump 218 disposed at a lower portion thereof. A plasma processing chamber is arranged inside.
A conductance variable valve 217 is disposed between the vacuum vessel 201 and the high vacuum pump 218.
These components are connected to each other in an airtight manner by a sealing means such as a 0-ring, so that the inner space and the outer space can be maintained at a high pressure difference.
At this time, the discharge side of the high vacuum pump 218 is connected to the suction side of another vacuum pump 215 via the valve 214 and operates as a two-stage exhaust system.

そして、ウェハなどの試料は、処理室１０３の中に設置してある試料台２１６の上に積載され、プラズマ処理されるが、このときコンダクタンス可変バルブ２１７は、図示してないモータなどの駆動手段により回動され、任意の開き角度に制御でき、従って、このコンダクタンス可変バルブ２１７の開き角度を制御することにより、処理室１０３内の気体の排気速度を制御することができる。
このときガス流量調節ユニット２００は、ガス流量調節器２１０を備え、ボンベなどの処理ガス供給源２０８から、処理室１０３に処理ガスを供給するガス供給系の一部を構成している。 A sample such as a wafer is loaded on a sample table 216 installed in the processing chamber 103 and subjected to plasma processing. At this time, the conductance variable valve 217 is a driving means such as a motor (not shown). Therefore, by controlling the opening angle of this conductance variable valve 217, the exhaust speed of the gas in the processing chamber 103 can be controlled.
At this time, the gas flow rate adjustment unit 200 includes a gas flow rate regulator 210 and constitutes a part of a gas supply system that supplies process gas to the process chamber 103 from a process gas supply source 208 such as a cylinder.

そして、このガス流量調節ユニット２００の下流側はバルブ２１３を介して処理室１０３の入口近傍から内部に連通され、他方は、バルブ２１２を介して、そのまま真空排気ポンプ２１５の吸気側に接続され、これにより処理室１０３迂回する分岐ラインを形成している。
ここで、図２には、処理用ガスの供給系が１系統しか示されていないが、実際は更に複数(例えば、１２系統以上)のガス供給系が設けられている。
ところで、このプラズマ処理装置には、ガス流量調節器２１０の交換などに際して、ガス流量調節器２１０内の処理ガスのガス溜りを置換し排気するため、パージガス供給ラインを備えている。 The downstream side of the gas flow rate adjusting unit 200 communicates with the inside from the vicinity of the inlet of the processing chamber 103 via the valve 213, and the other is directly connected to the intake side of the vacuum exhaust pump 215 via the valve 212. As a result, a branch line that bypasses the processing chamber 103 is formed.
Here, FIG. 2 shows only one processing gas supply system, but actually a plurality of (for example, 12 or more) gas supply systems are provided.
By the way, this plasma processing apparatus is provided with a purge gas supply line in order to replace the gas reservoir of the processing gas in the gas flow rate regulator 210 and exhaust it when the gas flow rate regulator 210 is replaced.

このため、ガス流量調節ユニット２００のガス流量調節器２１０の上流側にはバルブ２０９が設置され、下流側にはバルブ２１１が設置されていて、これによりガス流量調節器２１０とバルブ２０９の間にパージガスの供給が可能にしてある。そして、このときのパージガス供給系は、パージガス供給源２０１とバルブ２０２、レギュレータ２０３、圧力計２０４、真空容器２０５、それにバルブ２０６により構成されている。 For this reason, a valve 209 is installed on the upstream side of the gas flow controller 210 of the gas flow control unit 200, and a valve 211 is installed on the downstream side. A purge gas can be supplied. The purge gas supply system at this time includes a purge gas supply source 201, a valve 202, a regulator 203, a pressure gauge 204, a vacuum vessel 205, and a valve 206.

このときパージガス供給源２０１は、図示してない別の建屋に設置されるのが通例であり、従って、パージガスの供給を必要とするプラズマ処理装置が多くなると、パージガス供給源２０１の設置数も多くなり、この結果、プラズマ処理装置と建屋の間でのガスラインの取り合いが複雑化する。
そこで、建屋に設置されるパージガス供給源２０１を１基に絞り、パージガス供給源２０１の下流側とバルブ２０２の上流側を、図示しないコネクタにより連結し、装置内で分岐する手法をとるのが一般的である。 At this time, the purge gas supply source 201 is usually installed in another building (not shown). Therefore, when the number of plasma processing apparatuses that require supply of the purge gas increases, the number of purge gas supply sources 201 installed increases. As a result, the gas line connection between the plasma processing apparatus and the building is complicated.
Therefore, it is a general practice to restrict the purge gas supply source 201 installed in the building to one, connect the downstream side of the purge gas supply source 201 and the upstream side of the valve 202 with a connector (not shown), and branch in the apparatus. Is.

次に、図３は、このプラズマ処理装置の第１の実施形態におけるガスラインの構成を示したもので、この場合、プラズマ処理装置は、図１に示したように、複数基(４基)の処理室１０３(１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ、１０３ｄ)を備えている。従って、図３のガスラインも、処理室１０３と同数の４系統のガス流量調節ユニット２００(２００ａ、２００ｂ、２００ｃ、２００ｄ)で構成されている。
ところで、ここでは、プラズマ処理に１２種類のガスを使用する場合で、従って、処理用ガスの供給系が１２系統の場合が示されており、従って、ガス流量調節ユニット２００内の機器も１２系統に対応した個数(１２個)になっている。そこで、各々には、例えば−１ａなどの枝記号を付して区別してある。 Next, FIG. 3 shows the configuration of the gas line in the first embodiment of the plasma processing apparatus. In this case, as shown in FIG. Processing chamber 103 (103a, 103b, 103c, 103d). Therefore, the gas line in FIG. 3 is also configured by the same number of four gas flow rate adjustment units 200 (200a, 200b, 200c, 200d) as the processing chamber 103.
By the way, here, the case where 12 kinds of gases are used for the plasma processing, and therefore, the case where the processing gas supply system is 12 systems is shown, and therefore the equipment in the gas flow rate control unit 200 is also 12 systems. It is the number corresponding to (12). Therefore, each is distinguished by adding a branch symbol such as -1a.

そして、まず、真空容器２０５の下流側の配管は、処理室のガス調節ユニット２００へと分岐し、分岐された配管は、各ガス流量調節ユニット２００内のガス流量調節器２１０とバルブ２０９の間に連結されている。
このとき、プラズマ処理に用いられるガスは、ガス供給源２０８(２０８−１からガス２０８−１２)までの単数あるいは複数の任意のガスをそれぞれガス流量調節器２１０によって制御可能な任意の設定流量に高精度に制御され、プラズマ処理用の処理室１０３内に導入されるようになっている。 First, the piping on the downstream side of the vacuum vessel 205 branches to the gas control unit 200 in the processing chamber, and the branched piping is between the gas flow controller 210 and the valve 209 in each gas flow control unit 200. It is connected to.
At this time, the gas used for the plasma processing is set to an arbitrary set flow rate at which one or a plurality of arbitrary gases from the gas supply source 208 (208-1 to 208-12) can be controlled by the gas flow rate regulator 210. It is controlled with high accuracy and is introduced into the processing chamber 103 for plasma processing.

そこで、次に、図３に示す本発明の第１の実施形態による動作について、図４のフローチャートにより説明する。
ここで、このフローチャートによる処理は、前述した真空処理装置１００の動作を調節する制御装置により実行されるもので、図４の符号４０１〜４２３は、このとき制御装置に備えられているコンピュータにより実行される処理ステップを表している。
そして、この第１の実施形態の場合、予め設定してある所定の枚数のウェハを試料としてエッチング処理すると、自動的に処理室を定期メンテナンスするモードになり、このときガス流量調節器検定処理を実施するようにした場合の一実施の形態であり、ここでは、一例として、図３のモジュールａ内のガス流量調節器２１０−１ａを対象として、ガス流量調節器検定処理を行う際の動作について説明する。なお、以下では、ガス流量調節器検定のことを検定と略記する。 Therefore, the operation according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 3 will be described with reference to the flowchart of FIG.
Here, the processing according to this flowchart is executed by the control device that adjusts the operation of the vacuum processing apparatus 100 described above, and reference numerals 401 to 423 in FIG. 4 are executed by the computer provided in the control device at this time. Represents the processing steps to be performed.
In the case of the first embodiment, when a predetermined number of preset wafers are etched as a sample, the processing chamber is automatically maintained periodically. At this time, the gas flow controller calibration process is performed. In this embodiment, as an example, the operation for performing the gas flow regulator verification process for the gas flow regulator 210-1a in the module a of FIG. 3 is taken as an example. explain. In the following, the gas flow controller verification is abbreviated as verification.

図４において、いま、モジュールａの処理室１０３ａによりプラズマ処理されたウェハ(試料)が予め設定してある所定の枚数に達したとする。
そうすると、ここで、モジュールａはメンテナンスモードに移行し(ステップ４０１、４０２)、処理室１０３ａの定期メンテナンス処理に入る。
そして、このメンテナンスモードでは、まず、モジュールａの全バルブを閉じる(ステップ４０３)。このとき、バルブ２０２は閉じた状態にされている。
この後、ステップ４０４からステップ４０９による処理と、ステップ４１０からステップ４２３による処理の２系統の処理に分岐し、これら２系統の処理が並行して実行されることになる。 In FIG. 4, it is assumed that the number of wafers (samples) plasma-processed by the processing chamber 103a of the module a has reached a predetermined number.
Then, here, the module a shifts to the maintenance mode (steps 401 and 402), and enters the regular maintenance process of the processing chamber 103a.
In this maintenance mode, first, all the valves of the module a are closed (step 403). At this time, the valve 202 is in a closed state.
Thereafter, the processing branches from two processes of Step 404 to Step 409 and Step 410 to Step 423, and these two processes are executed in parallel.

そして、ステップ４０４からステップ４０９の処理においては、まず、通常の定期メンテナンスが実行され(ステップ４０４〜ステップ４０７)、次いでオート処理が実行され(ステップ４０８、ステップ４０９)、この後、最初のステップ４０１に戻る。
ここで、ステップ４０４〜ステップ４０７による定期メンテナンスは、通常、行われている処理室のメンテナンスなので、詳しい説明は省略する。
一方、ステップ４０８、ステップ４０９によるオート処理とは、減圧した処理室の中に被処理物を格納し、内部にガス流量調節器によって流量調節された処理用ガスを導入して処理物にエッチング処理などの処理を自動的に施すプラズマ処理装置としての通常の動作のことで、後述する第２の実施形態にも説明があり、従って、ここでの説明は省略する。 In the processing from step 404 to step 409, first, regular periodic maintenance is executed (step 404 to step 407), then auto processing is executed (step 408, step 409), and then the first step 401 is executed. Return to.
Here, the regular maintenance in steps 404 to 407 is usually performed for the processing chamber, and thus detailed description thereof is omitted.
On the other hand, the automatic processing in step 408 and step 409 is to store an object to be processed in a decompressed processing chamber and introduce a processing gas whose flow rate is adjusted by a gas flow controller into the processing object to perform an etching process on the processed object. This is a normal operation as a plasma processing apparatus that automatically performs such processing, and there is also a description in a second embodiment to be described later. Therefore, a description thereof is omitted here.

次に、ステップ４１０からステップ４２３の処理においては、まず、ガス流量調節器２１０−１ａについての検定フラグをＯＮにし(ステップ４１０)、バルブ２０２、２０６−１ａを開にする(ステップ４１１)。そして、圧力計２０４が規定値内となることを確認する(ステップ４１２)。
その上でバルブ２０２を閉じ(ステップ４１３)、次いでバルブ２１１−１ａ、２１２ａを開き(ステップ４１４)、ガス流量調節器２１０−１ａの流量を任意の流量値に設定してから(ステップ４１５)、流量測定を開始し(ステップ４１６)、流量測定結果が得られるのを待つ(ステップ４１７)。 Next, in the processing from step 410 to step 423, first, the verification flag for the gas flow rate regulator 210-1a is turned on (step 410), and the valves 202 and 206-1a are opened (step 411). Then, it is confirmed that the pressure gauge 204 is within the specified value (step 412).
Then, the valve 202 is closed (step 413), then the valves 211-1a and 212a are opened (step 414), and the flow rate of the gas flow rate regulator 210-1a is set to an arbitrary flow rate value (step 415). Flow rate measurement is started (step 416), and a flow rate measurement result is awaited (step 417).

このときの流量測定は、ガス流量調節器２１０−１ａにより任意の流量に調節しながら圧力計２０４により真空容器２０５及びガスライン内の圧力の測定を行うもので、このときの圧力減少の時間変化率を計算することによりガス流量調節器２１０−１ａの流量が基準内となっているか否かが判り、ここで時間変化率が基準値以下の場合、当該ガス流量調節器、つまりガス流量調節器２１０−１ａは検定にパスしたことになる。このとき、制御器２０７により設定値のズレ補正を行うことにより、高精度な流量を維持することが可能となる。 The flow rate measurement at this time is to measure the pressure in the vacuum vessel 205 and the gas line by the pressure gauge 204 while adjusting to an arbitrary flow rate by the gas flow rate controller 210-1a. By calculating the rate, it can be determined whether or not the flow rate of the gas flow rate regulator 210-1a is within the reference. If the rate of time change is below the reference value, the gas flow rate regulator, that is, the gas flow rate regulator. 210-1a has passed the test. At this time, it is possible to maintain a highly accurate flow rate by correcting the deviation of the set value by the controller 207.

ステップ４１７の処理が終わったら、流量測定結果が基準値以下か否かを調べ(ステップ４１８)、結果がｎｏ、つまり検定にパスしなかった場合、検定エラーとなり、検定エラーが発信され、所定の態様で報知されることになる(ステップ４１９)。
一方、ステップ４１８の処理において、結果がｙｅｓ、つまり検定にパスした場合には、次いでガス流量調節器２１０−１ａを閉じ(ステップ４２０)、更にバルブ２０６−１ａ、２１１−１ａ、２１２ａを閉じ(ステップ４２１)、ガス流量調節器２１０−１ａのガス流量調節器検定のフラグをＯＦＦにする(ステップ４２２)。 When the processing of step 417 is completed, it is checked whether or not the flow measurement result is equal to or less than the reference value (step 418). If the result is no, that is, if the test does not pass, a verification error is generated and a verification error is transmitted. It will be notified in the mode (step 419).
On the other hand, if the result of the processing in step 418 is yes, that is, if the test has passed, the gas flow rate regulator 210-1a is then closed (step 420), and the valves 206-1a, 211-1a, 212a are further closed (step 420). Step 421), the gas flow controller verification flag of the gas flow controller 210-1a is turned OFF (Step 422).

その後、同じガス流量調節器２１０−１ａの設定流量出力を変更してガス流量検定を行なうのか、ガス流量調節器２１０−１ａとは異なる他のガス流量調節器２１０−ｎ(ｎ＝２、３、……、１２)のガス流量検定を行なうのか否かを調べ(ステップ４２３)、結果がｙｅｓのときはステップ４１０に戻り、ガス流量調節器２１０−１ａとは異なる他のガス流量調節器２１０−ｎ(ｎ＝２、３、……、１２)のガス流量検定を行うことになる。
このとき、他のガス流量調節器２１０−ｎ(ｎ＝２、３、……、１２)のガス流量検定を行なうのか否かについては、予めユーザなどにより設定されているものとする。 Thereafter, whether the gas flow rate verification is performed by changing the set flow rate output of the same gas flow rate regulator 210-1a, or another gas flow rate regulator 210-n (n = 2, 3 different from the gas flow rate regulator 210-1a). ,..., 12) is examined (step 423). When the result is yes, the process returns to step 410 and another gas flow controller 210 different from the gas flow controller 210-1a. The gas flow rate verification of -n (n = 2, 3,..., 12) will be performed.
At this time, whether or not to perform the gas flow rate verification of other gas flow rate regulators 210-n (n = 2, 3,..., 12) is set in advance by a user or the like.

一方、ステップ４２３での結果がｎｏの場合は、ステップ４０８に移行し、モジュールａについてのオート処理の実行に進むことになる。
ここで、以上は、モジュールａの場合を例にして説明したが、同じ処理はモジュールａだけに限らず、他のモジュールでも同様に行えることはいうまでもなく、従って、あるモジュールでオート処理を行っている場合でも、他のモジュールではガス流量の検定を行うことができ、この結果、プラズマが検定により中断されてしまう時間を効果的に減少させることが可能になる。 On the other hand, if the result in step 423 is no, the process proceeds to step 408, and the process proceeds to execution of auto processing for the module a.
Here, the case of the module a has been described as an example. However, the same processing is not limited to the module a, and it goes without saying that the same processing can be performed in other modules. Even when doing so, other modules can perform gas flow rate verification, which effectively reduces the time during which the plasma is interrupted by the verification.

従って、この第１の実施形態においては、ガス流量の検定に処理室が使用されないため、処理室の定期メンテナンス中に、又はメンテナンス後の真空引き時間を利用して検定が可能になり、この結果、検定によりプラズマ処理が中断されてしまう虞がなく、ガス流量調節器検定処理の実施に伴うプラズマ処理装置の生産性低下の抑止に大きく寄与することができる。 Therefore, in the first embodiment, since the processing chamber is not used for the verification of the gas flow rate, the verification can be performed during the periodic maintenance of the processing chamber or by using the evacuation time after the maintenance. There is no possibility that the plasma processing is interrupted by the verification, and it can greatly contribute to the suppression of the productivity reduction of the plasma processing apparatus due to the execution of the gas flow rate controller verification processing.

次に、本発明の第２の実施形態について、図５と図６により説明する。
まず、図５は、この第２の実施形態におけるガスラインの構成を示したもので、この場合、図３に示した第１の実施形態と相違している部分は、各ガス流量調節器２１０とバルブ２１１の間でラインが分岐され、且つ、バルブ２１２は、バルブ２１１とバルブ２１３の間から切り離され、その上で分岐されたラインは、分岐点の近傍でバルブ５０１に接続され、バルブ５０１を介して一括されてから、バルブ２１２を介してバルブ２１４の下流側の排気配管に連結されている点であり、その他の点では同じである。
従って、この第２の実施形態の場合、バルブ５０１とバルブ２１２を通るラインが処理室１０３迂回する分岐ラインを形成していることになる。 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
First, FIG. 5 shows the configuration of the gas line in the second embodiment. In this case, the portions different from the first embodiment shown in FIG. And the valve 212 is disconnected from between the valve 211 and the valve 213, and the line branched thereon is connected to the valve 501 in the vicinity of the branch point. Are connected to the exhaust pipe on the downstream side of the valve 214 through the valve 212, and the other points are the same.
Therefore, in the case of the second embodiment, a line passing through the valve 501 and the valve 212 forms a branch line that bypasses the processing chamber 103.

次に、この図５の本発明の第２の実施形態による動作について、図６のフローチャートにより説明する。
ここで、このフローチャートによる処理も、前述したコンピュータにより実行されるが、この第２の実施形態の場合、モジュール内でプラズマ処理と同時にガス流量検定が行えるようにした場合の一実施の形態であり、ここでは、一例として、図５のモジュールａ内のガス流量調節器２１０−１ａを対象として、モジュールａ内でガス流量調節器２１０−１ａのガス流量検定をプラズマ処理と並行して実施する場合の処理が示されている。 Next, the operation of the second embodiment of the present invention in FIG. 5 will be described with reference to the flowchart in FIG.
Here, the processing according to this flowchart is also executed by the computer described above. In the case of the second embodiment, the gas flow rate verification can be performed simultaneously with the plasma processing in the module. Here, as an example, when the gas flow rate controller 210-1a in the module a of FIG. 5 is targeted, the gas flow rate verification of the gas flow rate controller 210-1a is performed in parallel with the plasma processing in the module a. Processing is shown.

まず、制御装置のコンピュータによりガス流量調節器２１０−１ａ以外のガス流量調節器２１０−ｍａ（ｍ＝２、３、……、１２）を使用し、処理室１０３ａにおいてウェハ処理が開始される(ステップ６０１)。
本実施例では、ガス流量調節器２１０−１ａの検定を行う例を示しているが、ウェハ処理に用いられるもの以外のガス流量調節器２１０−ｎａ(ｎ≠ｍ)の少なくとも一つを検定する場合にも適用できることは言うまでもない。
そうすると、まず、モジュールａ内のバルブ２１４ａ以外の全バルブが閉じられ(ステップ６０２)、この後、ステップ６０３からステップ６１１による処理と、ステップ６１２からステップ６２５による処理の２系統の処理に分岐し、これら２系統の処理が並行して実行されることになる。 First, wafer processing is started in the processing chamber 103a using a gas flow controller 210-ma (m = 2, 3,..., 12) other than the gas flow controller 210-1a by a computer of the controller. Step 601).
In this embodiment, an example is shown in which the gas flow rate regulator 210-1a is verified, but at least one of the gas flow rate regulators 210-na (n ≠ m) other than those used for wafer processing is verified. Needless to say, it can be applied to cases.
Then, first, all the valves other than the valve 214a in the module a are closed (step 602), and thereafter, the processing branches from step 603 to step 611 and from step 612 to step 625 into two systems. These two systems are executed in parallel.

そして、ステップ６０３からステップ６１１の処理においては、通常のウェハ処理、すなわち、減圧した処理室の中に被処理物を格納し、内部にガス流量調節器によって流量調節された処理用ガスを導入して処理物にエッチング処理などの処理を自動的に施すプラズマ処理装置としての通常の動作が実行される。
このときのウェハ処理は、プラズマ処理装置における一般的な動作であるから、簡単に説明する。 In the processing from step 603 to step 611, the object to be processed is stored in a normal wafer processing, that is, in a reduced processing chamber, and a processing gas whose flow rate is adjusted by a gas flow rate regulator is introduced inside. Then, a normal operation as a plasma processing apparatus that automatically performs processing such as etching on the processing object is executed.
Since the wafer processing at this time is a general operation in the plasma processing apparatus, it will be briefly described.

まず、バルブ２０９ａを開き(ステップ６０３)、次いで、ガス流量調節器２１０−１ａの流量を設定してから(ステップ６０４)、バルブ２１１ａ、２１３ａを開き(ステップ６０５)、プラズマを点火し(ステップ６０６)、プラズマ処理を開始する(ステップ６０７)。
そして、この後、プラズマ処理の終了を待ち(ステップ６０８)、まず、ガス流量調節器２１０−１ａを閉じ(ステップ６０９)、次いでバルブ２０９ａ、２１１ａ、２１３ａを閉じ(ステップ６１０)、処理室１０３ａによるウェハ処理を終了するのである(ステップ６１１)。 First, the valve 209a is opened (step 603), and then the flow rate of the gas flow controller 210-1a is set (step 604), then the valves 211a and 213a are opened (step 605), and the plasma is ignited (step 606). ) Plasma processing is started (step 607).
Thereafter, the end of the plasma processing is waited (step 608), first, the gas flow rate regulator 210-1a is closed (step 609), then the valves 209a, 211a, 213a are closed (step 610), and the processing chamber 103a is used. The wafer processing is terminated (step 611).

次に、ステップ６１２からステップ６２５の処理は、図４の第１の実施形態の場合と同じであるから、これも簡単に説明する。
まず、ガス流量調節器２１０−１ａについての検定フラグをＯＮにし(ステップ６１２)、バルブ２０２、２０６−１ａを開にし(ステップ６１３)、圧力計２０４が規定値内となることを確認する(ステップ６１４)。
その上でバルブ２０２を閉じ(ステップ６１５)、バルブ２１１−１ａ、２１２ａを開き(ステップ６１６)、ガス流量調節器２１０−１ａの流量を任意の流量値に設定して(ステップ６１７)、流量測定を開始し(ステップ６１８)、流量測定結果が得られるのを待つ(ステップ６１９)。 Next, since the processing from step 612 to step 625 is the same as that in the first embodiment of FIG. 4, this will also be described briefly.
First, the verification flag for the gas flow controller 210-1a is turned on (step 612), the valves 202 and 206-1a are opened (step 613), and it is confirmed that the pressure gauge 204 is within the specified value (step). 614).
Then, the valve 202 is closed (step 615), the valves 211-1a and 212a are opened (step 616), the flow rate of the gas flow rate regulator 210-1a is set to an arbitrary flow rate value (step 617), and the flow rate measurement is performed. Is started (step 618), and a flow rate measurement result is obtained (step 619).

このときの流量測定も、図４の場合と同じで、ガス流量調節器２１０−１ａにより任意の流量に調節しながら圧力計２０４により真空容器２０５及びガスライン内の圧力の測定を行うもので、このときの圧力減少の時間変化率を計算することによりガス流量調節器２１０−１ａの流量が基準内となっているか否かが判り、ここで時間変化率が基準値以下の場合、当該ガス流量調節器、つまりガス流量調節器２１０−１ａは検定にパスしたことになる。そして、このとき、制御器２０７により設定値のズレ補正を行うことにより、高精度な流量を維持することが可能になる点も同じである。 The flow rate measurement at this time is also the same as in FIG. 4, and the pressure in the vacuum vessel 205 and the gas line is measured by the pressure gauge 204 while adjusting the flow rate to an arbitrary flow rate by the gas flow rate regulator 210-1a. By calculating the time change rate of the pressure decrease at this time, it can be determined whether or not the flow rate of the gas flow rate regulator 210-1a is within the reference. If the time change rate is below the reference value, the gas flow rate The regulator, that is, the gas flow regulator 210-1a has passed the verification. At this time, the controller 207 corrects the deviation of the set value, so that the highly accurate flow rate can be maintained.

そして、流量測定結果が基準値以下か否かを調べ(ステップ６２０)、検定にパスしなかった場合は検定エラーが発信され、所定の態様で報知される(ステップ６２２)。
一方、検定にパスした場合にはガス流量調節器２１０−１ａを閉じ(ステップ６２１)、バルブ２０６−１ａ、２１１−１ａ、２１２ａを閉じ(ステップ６２３)、ガス流量調節器２１０−１ａのガス流量調節器検定のフラグをＯＦＦにする(ステップ６２４)。
その後、同じガス流量調節器２１０−１ａの設定流量出力を変更してガス流量検定を行なうのか、ガス流量調節器２１０−１ａとは異なる他のガス流量調節器２１０−ｎ(ｎ＝２、３、……、１２)のガス流量検定を行なうのか否かを調べる(ステップ６２５)。 Then, it is checked whether or not the flow measurement result is equal to or less than the reference value (step 620). If the flow rate measurement result does not pass the verification, a verification error is transmitted and notified in a predetermined manner (step 622).
On the other hand, if the verification is passed, the gas flow rate regulator 210-1a is closed (step 621), the valves 206-1a, 211-1a, 212a are closed (step 623), and the gas flow rate of the gas flow rate regulator 210-1a is closed. The controller verification flag is turned OFF (step 624).
Thereafter, whether the gas flow rate verification is performed by changing the set flow rate output of the same gas flow rate regulator 210-1a, or another gas flow rate regulator 210-n (n = 2, 3 different from the gas flow rate regulator 210-1a). It is checked whether or not the gas flow rate verification of (12) is performed (step 625).

このとき、他のガス流量調節器２１０−ｎ(ｎ＝２、３、……、１２)のガス流量検定を行なうのか否かについては、予めユーザなどにより設定されているものとする。
そして、他のガス流量調節器２１０−ｎのガス流量検定を行う場合はステップ６１２に戻り、そうでなければ、ここで処理を終了するのである。
ここでも、モジュールａの場合を例にして説明したが、同じ処理はモジュールａだけに限らず、他のモジュールでも同様に行えることはいうまでもない。 At this time, whether or not to perform the gas flow rate verification of other gas flow rate regulators 210-n (n = 2, 3,..., 12) is set in advance by a user or the like.
Then, when the gas flow rate verification of the other gas flow rate regulator 210-n is performed, the process returns to step 612. Otherwise, the process is ended here.
Here, the case of the module a has been described as an example, but it goes without saying that the same processing is not limited to the module a and can be performed in the same manner in other modules.

以上のように、この第２の実施形態においては、各ガス流量調節器２１０とバルブ２１１の間でラインが分岐され、バルブ２１２は、バルブ２１１とバルブ２１３の間から切り離されている。
そして、分岐されたラインは、分岐点の近傍でバルブ５０１に接続され、バルブ５０１を介して一括されてから、バルブ２１２を介してバルブ２１４の下流側の排気配管に連結されており、この結果、ガス流量調節ユニット２００内の配管が、ガス流量計測器２１０の下流で処理室と排気ラインに分岐されていることになる。 As described above, in the second embodiment, a line is branched between each gas flow rate regulator 210 and the valve 211, and the valve 212 is disconnected from between the valve 211 and the valve 213.
Then, the branched line is connected to the valve 501 in the vicinity of the branch point, and after being bundled together via the valve 501, is connected to the exhaust pipe downstream of the valve 214 via the valve 212. As a result, The piping in the gas flow rate adjusting unit 200 is branched to the processing chamber and the exhaust line downstream of the gas flow rate measuring device 210.

従って、この第２の実施形態によれば、ウェハ処理とガス流量検定を同時に実施することができ、この結果、検定によりプラズマ処理が中断されてしまう虞がなく、ガス流量調節器検定処理の実施に伴うプラズマ処理装置の生産性低下の抑止に大きく寄与することができる。 Therefore, according to the second embodiment, the wafer processing and the gas flow rate verification can be performed simultaneously. As a result, there is no possibility that the plasma processing is interrupted by the verification, and the gas flow rate controller verification processing is performed. This can greatly contribute to the suppression of the productivity reduction of the plasma processing apparatus.

１０１大気側ブロック
１０２真空側ブロック
１０３処理室
１０４真空搬送室
１０５ロック室
１０６筐体
１０７カセット
１０８真空搬送ロボット
１０９大気側搬送ロボット
２００ガス流量調節ユニット
２０１パージガス供給源
２０２バルブ
２０３レギュレータ
２０４圧力計
２０５真空容器
２０６バルブ
２０７制御器
２０８処理ガス供給源
２０９バルブ
２１０ガス流量計測器
２１１〜２１４バルブ
２１５真空排気ポンプ
２１６試料台
２１７コンダクタンス可変バルブ
２１８高真空排気ポンプ
２１９高周波電源
２２０高周波バイアス電源
２２１ソレノイドコイル
５０１バルブ DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Atmosphere side block 102 Vacuum side block 103 Processing chamber 104 Vacuum transfer chamber 105 Lock chamber 106 Case 107 Cassette 108 Vacuum transfer robot 109 Atmosphere side transfer robot 200 Gas flow control unit 201 Purge gas supply source 202 Valve 203 Regulator 204 Pressure gauge 205 Vacuum Container 206 Valve 207 Controller 208 Processing gas supply source 209 Valve 210 Gas flow meter 211-214 Valve 215 Vacuum exhaust pump 216 Sample stage 217 Conductance variable valve 218 High vacuum exhaust pump 219 High frequency power source 220 High frequency bias power source 221 Solenoid coil 501 Valve

Claims

A plasma processing apparatus that supplies a processing gas measured by a flow measuring instrument to a decompressed processing container to perform plasma processing of a sample, and supplies a purge gas to the processing container to perform a flow rate verification of the flow measuring instrument. In
Providing a branch line that bypasses the processing vessel;
A plasma processing apparatus configured to obtain a flow rate verification of the flow rate measuring device by passing the purge gas through the branch line.

In the invention of claim 1,
The branch line is opened during maintenance of the processing container,
The plasma processing apparatus, wherein the flow rate verification of the flow rate measuring device is performed during maintenance of the processing container.

In the invention of claim 1,
The branch line is opened during plasma processing by the processing vessel,
The plasma processing apparatus, wherein the flow rate verification of the flow rate measuring device is performed in parallel with the plasma processing by the processing container.