JP2010266425A - Hydrogen pressure sensor - Google Patents

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Toyoichi Umehana
豊一 梅花
Taisuke Miyamoto
泰介 宮本
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Toyota Motor Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hydrogen pressure sensor capable of reducing detection errors caused by the infiltration of hydrogen into a component member thereof. <P>SOLUTION: A detecting base material 10 includes a cylindrical section 16 and a diaphragm 18 blocking an opening at one end of the cylindrical section 16. The detecting base material 10 has a container shape comprising the cylindrical section 16 as a circling side wall and the diaphragm 18 as a bottom wall, and an inner wall surface of the container shape forms a pressure receiving hole 22. The hydrogen pressure sensor is fixed to hydrogen piping so that the opening in the detecting base material 10 is properly aligned with an opening formed at the hydrogen piping. The diaphragm 18 has a plurality of wall surface directional holes 24 extended from a peripheral rim surface toward the center of the diaphragm 18. A semiconductor strain gauge 14 is fixed to a sensor outer wall surface of the diaphragm 18 via an adhesive glass layer 12. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、センサ構成部材の歪みに基づき水素圧力を検出する水素圧力センサに関する。   The present invention relates to a hydrogen pressure sensor that detects a hydrogen pressure based on distortion of sensor constituent members.

燃料電池から供給される電力によって走行する燃料電池自動車について広く研究開発が行われている。燃料電池は酸素と水素との化学反応によって電力を発生する。そこで、燃料電池自動車は水素タンクを搭載し、水素タンクから送り込まれた水素と、外部から送り込まれた空気中の酸素とを用いて発電する。水素タンクに蓄積されている水素の量を検出するため、水素タンクに取り付けられた水素配管には水素圧力センサが設けられる。   Research and development have been extensively conducted on fuel cell vehicles that run on electric power supplied from the fuel cells. A fuel cell generates electric power through a chemical reaction between oxygen and hydrogen. Therefore, the fuel cell vehicle is equipped with a hydrogen tank, and generates electricity using hydrogen sent from the hydrogen tank and oxygen in the air sent from the outside. In order to detect the amount of hydrogen accumulated in the hydrogen tank, a hydrogen pressure sensor is provided in the hydrogen pipe attached to the hydrogen tank.

また、燃料電池自動車の研究に伴い、燃料電池自動車に燃料としての水素を供給する水素ステーションが開発されている。水素ステーションは、水素蓄圧器、昇圧装置、各種制御弁、水素ディスペンサ等を備える水素供給設備である。本設備においても、各装置の水素流通制御、水素圧力制御等のために水素圧力センサが重要な役割を果たす。   Along with research on fuel cell vehicles, hydrogen stations that supply hydrogen as fuel to fuel cell vehicles have been developed. The hydrogen station is a hydrogen supply facility that includes a hydrogen pressure accumulator, a booster, various control valves, a hydrogen dispenser, and the like. Also in this facility, the hydrogen pressure sensor plays an important role for hydrogen flow control and hydrogen pressure control of each device.

このように、水素圧力センサは、燃料電池自動車、水素ステーション等において重要な要素部品となる。しかしながら、高圧水素を測定する要求が従来少なかったこともあり、燃料電池自動車、水素ステーション等に適した水素圧力センサが開発されていないのが現状である。こうした状況の下、既に市販自動車用途で使用されている気体圧力センサを基本に水素の特性に合わせて改良を加えることで、安価で信頼性の高い水素圧力センサを開発することが望まれている。   Thus, the hydrogen pressure sensor is an important component in fuel cell vehicles, hydrogen stations, and the like. However, the demand for measuring high-pressure hydrogen has been low so far, and a hydrogen pressure sensor suitable for fuel cell vehicles, hydrogen stations, etc. has not been developed. Under such circumstances, it is desired to develop an inexpensive and highly reliable hydrogen pressure sensor by adding improvements in accordance with the characteristics of hydrogen based on a gas pressure sensor already used in commercial automobile applications. .

水素等の流体の圧力を検出するセンサとしては、例えば、下記特許文献1に記載されているものがある。この圧力センサは筒形状の部材を備え、筒形状部材の一端の開口に流体を入り込ませる。筒形状部材の他端は板状部材で塞がれる。この板状部材はダイアフラムと称され、筒形状部材に入り込んだ流体の圧力に応じて弾性変形する。ダイアフラムの圧力センサ外側面には、ダイアフラムの弾性変形を検出する歪み検出素子が取り付けられる。このような圧力センサによれば、歪み検出素子によって歪み量を電気的に検出することで、筒形状部材に入り込んだ流体の圧力を検出することができる。   As a sensor for detecting the pressure of a fluid such as hydrogen, for example, there is one described in Patent Document 1 below. This pressure sensor includes a cylindrical member, and allows fluid to enter an opening at one end of the cylindrical member. The other end of the cylindrical member is closed with a plate-like member. This plate-like member is called a diaphragm and is elastically deformed according to the pressure of the fluid that has entered the cylindrical member. A strain detecting element for detecting elastic deformation of the diaphragm is attached to the outer surface of the pressure sensor of the diaphragm. According to such a pressure sensor, it is possible to detect the pressure of the fluid that has entered the cylindrical member by electrically detecting the strain amount by the strain detection element.

特開2001−296198号公報JP 2001-296198 A

特許文献1に記載された圧力センサのダイアフラム、筒形状部材等は、金属によって形成される。この圧力センサを用いて水素圧力を検出すると、ダイアフラムに水素が拡散浸透し、ダイアフラムを透過して圧力センサの外側に水素が放出されることがある。これによって、ダイアフラムと歪み検出素子との間に水素が滞留し、滞留水素によって歪み検出素子が変形した場合には、圧力検出値に誤差が生じることがある。   The diaphragm, the cylindrical member, and the like of the pressure sensor described in Patent Document 1 are made of metal. When hydrogen pressure is detected using this pressure sensor, hydrogen may diffuse and permeate into the diaphragm, and hydrogen may be released to the outside of the pressure sensor through the diaphragm. As a result, when hydrogen stays between the diaphragm and the strain detection element and the strain detection element is deformed by the staying hydrogen, an error may occur in the pressure detection value.

本発明はこのような課題に対してなされたものである。すなわち、水素圧力センサにおいて、その構成部材に水素が浸透することによる検出誤差を低減することを目的とする。   The present invention has been made for such a problem. That is, an object of the hydrogen pressure sensor is to reduce detection errors caused by hydrogen permeating into its constituent members.

本発明は、周回側壁と底壁とを備える容器形状部材と、前記底壁の変形を検出する歪みセンサと、を備え、前記容器形状部材の容器形状内側の水素圧力を検出する水素圧力センサにおいて、前記底壁は、前記底壁を形成する部材内から前記容器形状部材の外側へと気体を導く気体流路を備えることを特徴とする。   The present invention relates to a hydrogen pressure sensor that includes a container-shaped member having a circumferential side wall and a bottom wall, and a strain sensor that detects deformation of the bottom wall, and detects a hydrogen pressure inside the container shape of the container-shaped member. The bottom wall includes a gas flow path for guiding gas from the inside of the member forming the bottom wall to the outside of the container-shaped member.

また、本発明に係る水素圧力センサにおいては、前記底壁を形成する部材内にその壁面方向に沿って延伸し、前記容器形状部材の外側に開口する壁面方向孔を、前記気体流路として備えることが好適である。   Further, in the hydrogen pressure sensor according to the present invention, a wall-surface direction hole extending along the wall surface direction in the member forming the bottom wall and opening outside the container-shaped member is provided as the gas flow path. Is preferred.

また、本発明に係る水素圧力センサにおいては、前記底壁は、壁面が回転対称形状となるよう形成され、前記底壁を形成する部材内から回転対称形状の外周方向に向かってそれぞれが延伸する複数の前記壁面方向孔が、回転対称な位置に設けられることが好適である。   In the hydrogen pressure sensor according to the present invention, the bottom wall is formed so that the wall surface has a rotationally symmetric shape, and each extends from the inside of the member forming the bottom wall toward the outer peripheral direction of the rotationally symmetric shape. It is preferable that the plurality of wall surface direction holes are provided at rotationally symmetric positions.

また、本発明に係る水素圧力センサにおいては、前記底壁は、容器形状部材外側面にガラス層を有し、前記歪みセンサは、前記ガラス層に固定されることが好適である。   In the hydrogen pressure sensor according to the present invention, it is preferable that the bottom wall has a glass layer on an outer surface of the container-shaped member, and the strain sensor is fixed to the glass layer.

また、本発明に係る水素圧力センサにおいては、前記底壁は、多孔質部材で形成され前記気体流路を形成する気体流路層を容器形状部材外側面に有し、前記歪みセンサは、前記気体流路層に固定されることが好適である。   Further, in the hydrogen pressure sensor according to the present invention, the bottom wall has a gas flow path layer formed of a porous member and forming the gas flow path on the outer surface of the container-shaped member, and the strain sensor It is preferable to be fixed to the gas flow path layer.

また、本発明に係る水素圧力センサにおいては、前記気体流路層は、ガラス粒子を含むことが好適である。   In the hydrogen pressure sensor according to the present invention, it is preferable that the gas flow path layer includes glass particles.

また、本発明に係る水素圧力センサは、前記容器形状部材の容器形状部材外側面に設けられた前記歪みセンサと、前記歪みセンサを前記容器形状部材に固定するための接着用ガラス若しくは有機物接着剤等の接着部材を含む構成とすることが好ましい。   The hydrogen pressure sensor according to the present invention includes the strain sensor provided on the outer surface of the container-shaped member of the container-shaped member, and an adhesive glass or an organic adhesive for fixing the strain sensor to the container-shaped member. It is preferable to adopt a configuration including an adhesive member such as.

また、本発明の応用例として、水素供給源から水素を導く水素配管と、前記水素配管に設けられた圧力検出用開口と、前記容器形状部材の内側が前記圧力検出用開口を覆うよう、前記圧力検出用開口に取り付けられた前記水素圧力センサと、を備える水素供給装置を構成してもよい。   Further, as an application example of the present invention, a hydrogen pipe for introducing hydrogen from a hydrogen supply source, a pressure detection opening provided in the hydrogen pipe, and an inner side of the container-shaped member so as to cover the pressure detection opening You may comprise the hydrogen supply apparatus provided with the said hydrogen pressure sensor attached to the opening for pressure detection.

本発明によれば、水素圧力センサの構成部材に水素が浸透することによる検出誤差を低減することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the detection error by hydrogen osmose | permeating the structural member of a hydrogen pressure sensor can be reduced.

第1実施形態に係る水素圧力センサの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the hydrogen pressure sensor which concerns on 1st Embodiment. 変形例に係る水素圧力センサの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the hydrogen pressure sensor which concerns on a modification. 第2実施形態に係る水素圧力センサの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the hydrogen pressure sensor which concerns on 2nd Embodiment. 水素配管に水素圧力センサを設けた場合の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example at the time of providing a hydrogen pressure sensor in hydrogen piping.

図1に本発明の第1実施形態に係る水素圧力センサの構成を示す。図1(a)は水素圧力センサの斜視図である。また、図1(b)は水素圧力センサのAB断面図であり、図1(c)は水素圧力センサを図1(a)の上から見た図である。水素圧力センサは、検出基材10、接着用ガラス層12、および半導体歪みゲージ14を備えて構成される。   FIG. 1 shows the configuration of a hydrogen pressure sensor according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a perspective view of a hydrogen pressure sensor. FIG. 1B is an AB cross-sectional view of the hydrogen pressure sensor, and FIG. 1C is a view of the hydrogen pressure sensor as viewed from above in FIG. The hydrogen pressure sensor includes a detection substrate 10, a bonding glass layer 12, and a semiconductor strain gauge 14.

検出基材10は、筒形状部16、および筒形状部16の一端の開口を塞ぐダイアフラム18を備えて構成される。検出基材10は、筒形状部16を周回側壁としダイアフラム18を底壁とする容器形状をなし、その容器形状の内側壁面が受圧孔22を形成する。検出基材10の開口には、筒形状部16の縁の外側に厚みを持たせたフランジ20が形成される。水素圧力センサは、水素配管に設けられた開口に検出基材10の開口が合致するよう、水素配管に固定される。   The detection base material 10 includes a cylindrical part 16 and a diaphragm 18 that closes an opening at one end of the cylindrical part 16. The detection base material 10 has a container shape in which the cylindrical portion 16 is a circumferential side wall and the diaphragm 18 is a bottom wall, and the inner wall surface of the container shape forms a pressure receiving hole 22. In the opening of the detection base material 10, a flange 20 having a thickness outside the edge of the cylindrical portion 16 is formed. The hydrogen pressure sensor is fixed to the hydrogen pipe so that the opening of the detection base material 10 matches the opening provided in the hydrogen pipe.

ここでは、筒形状部16を円筒形状としダイアフラム18を円板形状としている。筒形状部16の形状は、円筒形状に限られず、取り付け先の形状に合わせてその他の筒形状としてもよい。また、筒形状部16を、一端の開口の大きさが他端の開口の大きさと異なるよう変形させてもよい。   Here, the cylindrical portion 16 has a cylindrical shape, and the diaphragm 18 has a disk shape. The shape of the cylindrical portion 16 is not limited to the cylindrical shape, and may be other cylindrical shapes according to the shape of the attachment destination. Moreover, you may deform | transform the cylindrical part 16 so that the magnitude | size of the opening of one end may differ from the magnitude | size of the opening of an other end.

検出基材10の材料は、製造容易性、検出精度等の観点から強度や熱膨張率を考慮して決定することが好ましい。また、検出基材10の材料としては、鉄ニッケル合金、鉄ニッケルコバルト合金等の耐水素脆化性のある金属を用いてもよい。しかしながら、一般的な金属であれば、耐水素脆化性を材料の選択要素として特に考慮しなくとも問題が生じない場合が多い。また、筒形状部16、ダイアフラム18、およびフランジ20は一体形成することが好ましい。   The material of the detection substrate 10 is preferably determined in consideration of strength and thermal expansion coefficient from the viewpoints of manufacturability and detection accuracy. Moreover, as a material of the detection base material 10, you may use metals with hydrogen embrittlement resistance, such as an iron nickel alloy and an iron nickel cobalt alloy. However, in the case of a general metal, there is often no problem even if hydrogen embrittlement resistance is not particularly considered as a material selection factor. Moreover, it is preferable that the cylindrical part 16, the diaphragm 18, and the flange 20 are integrally formed.

ダイアフラム18には、その形成部材の内部から周辺縁面に向かって延伸し、周辺縁面に開口する複数の壁面方向孔24、すなわち、ダイアフラム18の周辺縁面からダイアフラム18の中心に向かって延伸する複数の壁面方向孔24が開けられる。図1は、隣接する壁面方向孔24とのなす角度が均等となるよう8本の壁面方向孔24を配置した例を示している。ここでは、各壁面方向孔24がダイアフラム18の中心に至る途中で終端しているが、壁面方向孔24はダイアフラム18を貫通していてもよい。壁面方向孔24は、ドリル、ワイヤー放電等によって加工することができる。   The diaphragm 18 extends from the inside of the forming member toward the peripheral edge surface, and extends in the plurality of wall surface direction holes 24 opened to the peripheral edge surface, that is, extends from the peripheral edge surface of the diaphragm 18 toward the center of the diaphragm 18. A plurality of wall surface direction holes 24 are opened. FIG. 1 shows an example in which eight wall surface direction holes 24 are arranged so that the angles formed by the adjacent wall surface direction holes 24 are equal. Here, each wall surface direction hole 24 terminates in the middle of reaching the center of the diaphragm 18, but the wall surface direction hole 24 may penetrate the diaphragm 18. The wall surface direction hole 24 can be processed by a drill, wire discharge, or the like.

ダイアフラム18のセンサ外側壁面には、接着用ガラス層12を介して半導体歪みゲージ14が固定される。接着用ガラス層12には、検出基材10と熱膨張率が近似したものを用いることが好ましい。半導体歪みゲージ14は、例えば、接着用ガラス層12を溶融し、溶融した接着用ガラス層12に半導体歪みゲージ14が接触した状態で接着用ガラス層12を凝固させることで固定することができる。   A semiconductor strain gauge 14 is fixed to a sensor outer wall surface of the diaphragm 18 via an adhesive glass layer 12. As the bonding glass layer 12, it is preferable to use a material having a thermal expansion coefficient approximate to that of the detection substrate 10. The semiconductor strain gauge 14 can be fixed by, for example, melting the bonding glass layer 12 and solidifying the bonding glass layer 12 with the semiconductor strain gauge 14 in contact with the molten bonding glass layer 12.

ここでは、半導体歪みゲージ14を検出基材10に固着させる部材としてガラスを用いた場合について採り上げているが、この部材としては、検出基材10と熱膨張率が近く、接着力が得られるその他の材料を用いてもよい。   Here, the case where glass is used as a member for fixing the semiconductor strain gauge 14 to the detection base material 10 is taken up. However, as this member, the thermal expansion coefficient is close to that of the detection base material 10 and other adhesive strength can be obtained. These materials may be used.

半導体歪みゲージ14からは、その抵抗値を検出するための2本の検出導線26が引き出される。半導体歪みゲージ14は変形により抵抗値が変化する。抵抗値の変化は引き出された検出導線26を用いて検出することができる。半導体歪みゲージ14の上層には、半導体歪みゲージ14を保護する、シリコン等で形成された保護層を設けてもよい。   From the semiconductor strain gauge 14, two detection conductors 26 for detecting the resistance value are drawn out. The resistance value of the semiconductor strain gauge 14 changes due to deformation. The change in resistance value can be detected by using the drawn detection lead wire 26. A protective layer made of silicon or the like that protects the semiconductor strain gauge 14 may be provided on the upper layer of the semiconductor strain gauge 14.

次に、本実施形態に係る水素圧力センサの作用について説明する。ダイアフラム18は検出基材10の開口から受圧孔22に入った水素の圧力によって弾性変形する。これによって、半導体歪みゲージ14は、ダイアフラム18から接着用ガラス層12を介して力を受けて弾性変形し、弾性変形に応じて抵抗値が変化する。2本の検出導線26を接続した圧力検出装置は、検出導線26間の抵抗値に基づいて受圧孔22内の水素圧力を求める。   Next, the operation of the hydrogen pressure sensor according to this embodiment will be described. The diaphragm 18 is elastically deformed by the pressure of hydrogen entering the pressure receiving hole 22 from the opening of the detection substrate 10. As a result, the semiconductor strain gauge 14 is elastically deformed by receiving a force from the diaphragm 18 via the bonding glass layer 12, and the resistance value changes according to the elastic deformation. The pressure detection device connected to the two detection conductors 26 determines the hydrogen pressure in the pressure receiving hole 22 based on the resistance value between the detection conductors 26.

受圧孔22内の水素はその圧力によってダイアフラム18に浸透する。ダイアフラム18に浸透した水素は、接着用ガラス層12までの距離よりも壁面方向孔24までの距離が短い場合には壁面方向孔24内に放出され、壁面方向孔24に導かれて検出基材10の外側へと放出される。このように、壁面方向孔24は、ダイアフラム18から受圧孔22の外側へと水素を導く気体流路として機能する。   Hydrogen in the pressure receiving hole 22 permeates the diaphragm 18 by the pressure. The hydrogen that has permeated the diaphragm 18 is released into the wall surface direction hole 24 when the distance to the wall surface direction hole 24 is shorter than the distance to the bonding glass layer 12, and is guided to the wall surface direction hole 24 to be detected substrate. 10 to the outside. As described above, the wall surface direction hole 24 functions as a gas flow path that guides hydrogen from the diaphragm 18 to the outside of the pressure receiving hole 22.

従来の気体圧力センサにおいては、ダイアフラム18に壁面方向孔24が設けられていなかった。このような従来構成では、ダイアフラム18を透過した水素が接着用ガラス層12に至ると、接着用ガラス層12内に形成された気泡に水素が入り込むことで接着用ガラス層12が変形し、水素圧力の検出値に誤差が生じることが発明者の調査により明らかになった。   In the conventional gas pressure sensor, the wall surface direction hole 24 is not provided in the diaphragm 18. In such a conventional configuration, when the hydrogen that has passed through the diaphragm 18 reaches the bonding glass layer 12, the hydrogen enters the bubbles formed in the bonding glass layer 12, thereby deforming the bonding glass layer 12 and hydrogen. The inventors' investigation has revealed that an error occurs in the detected pressure value.

本発明の第1実施形態に係る水素圧力センサによれば、受圧孔22からダイアフラム18を介して接着用ガラス層12に至る水素の量を低減することができ、水素の入り込みによる接着用ガラス層12の変形を回避することができる。これによって、半導体歪みゲージ14によって検出される水素圧力の誤差を低減することができる。   According to the hydrogen pressure sensor according to the first embodiment of the present invention, the amount of hydrogen reaching the bonding glass layer 12 from the pressure receiving hole 22 through the diaphragm 18 can be reduced, and the bonding glass layer by the entry of hydrogen. Twelve deformations can be avoided. Thereby, the error of the hydrogen pressure detected by the semiconductor strain gauge 14 can be reduced.

水素圧力センサの構成例として、筒形状部16における受圧孔22の内径(直径)を1mm以上5mm以下、筒形状部16の厚さを1mmより厚くし、ダイアフラム18の厚さを0.2mm以上1.0mm以下、接着用ガラス層表面の直径を1mm以上5mm以下、接着用ガラス層12の厚さを30μm以上100μm以下としたものが挙げられる。   As a configuration example of the hydrogen pressure sensor, the inner diameter (diameter) of the pressure receiving hole 22 in the cylindrical portion 16 is 1 mm or more and 5 mm or less, the thickness of the cylindrical portion 16 is more than 1 mm, and the thickness of the diaphragm 18 is 0.2 mm or more. Examples thereof include 1.0 mm or less, a diameter of the surface of the bonding glass layer of 1 mm to 5 mm, and a thickness of the bonding glass layer 12 of 30 μm to 100 μm.

この場合、本願出願時に広く用いられている半導体歪みゲージを用いることで、10MPa以上200MPa以下の水素圧力を検出することができる。燃料電池自動車に用いられる高圧水素配管内の水素圧力は10MPa以上100MPa以下であるため、この構成例は燃料電池自動車に好適であるといえる。   In this case, a hydrogen pressure of 10 MPa or more and 200 MPa or less can be detected by using a semiconductor strain gauge widely used at the time of filing this application. Since the hydrogen pressure in the high-pressure hydrogen pipe used for the fuel cell vehicle is 10 MPa or more and 100 MPa or less, this configuration example can be said to be suitable for the fuel cell vehicle.

検出基材10の形状および大きさ、壁面方向孔24の数、壁面方向孔24を設ける位置等については、検出基材10の強度、剛性、検出誤差の低減効果等を鑑みて、実験、シミュレーション等に基づき最適化することが好ましい。   With respect to the shape and size of the detection base material 10, the number of wall surface direction holes 24, the positions where the wall surface direction holes 24 are provided, etc., in view of the strength, rigidity, detection error reduction effect, etc. of the detection base material 10, experiments and simulations are performed. It is preferable to optimize based on the above.

図2に変形例に係る水素圧力センサの構成を示す。この図は水素圧力センサを半導体歪みゲージ14側から見た図である。図1の構成部と同一の構成部については同一の符号を付してその説明を省略する。この水素圧力センサは、図1の水素圧力センサにおける壁面方向孔24の間に短い壁面方向孔24Sを設け、壁面方向孔24および24Sの数を合計16本としたものである。壁面方向孔24および24Sを等角度間隔で配置することで、ダイアフラム18の壁面に垂直にその中心を貫く軸について、ダイアフラム18を回転対称構造とすることができる。ダイアフラム18を回転対称構造とすることでダイアフラム18の剛性を均一にすることができる。   FIG. 2 shows a configuration of a hydrogen pressure sensor according to a modification. This figure shows the hydrogen pressure sensor as viewed from the semiconductor strain gauge 14 side. The same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. In this hydrogen pressure sensor, short wall surface direction holes 24S are provided between the wall surface direction holes 24 in the hydrogen pressure sensor of FIG. 1, and the total number of wall surface direction holes 24 and 24S is 16. By arranging the wall surface direction holes 24 and 24S at equiangular intervals, the diaphragm 18 can have a rotationally symmetric structure with respect to an axis that passes through the center of the diaphragm 18 perpendicularly to the wall surface. By making the diaphragm 18 have a rotationally symmetric structure, the rigidity of the diaphragm 18 can be made uniform.

図3に本発明の第2実施形態に係る水素圧力センサの構成を示す。図3(a)は水素圧力センサの斜視図である。また、図3(b)は水素圧力センサのAB断面図であり、図3(c)は気体流路層28の拡大断面図である。図1に示す構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。   FIG. 3 shows the configuration of a hydrogen pressure sensor according to the second embodiment of the present invention. FIG. 3A is a perspective view of the hydrogen pressure sensor. 3B is an AB cross-sectional view of the hydrogen pressure sensor, and FIG. 3C is an enlarged cross-sectional view of the gas flow path layer 28. The same components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

この圧力センサは、第1実施形態に係る水素圧力センサが備える接着用ガラス層12を気体流路層28に置き換えたものである。また、図3(a)および(b)に示すように、ダイアフラム18には壁面方向孔24を設けなくてもよい。   This pressure sensor is obtained by replacing the bonding glass layer 12 included in the hydrogen pressure sensor according to the first embodiment with a gas flow path layer 28. Further, as shown in FIGS. 3A and 3B, the diaphragm 18 does not have to be provided with the wall surface direction hole 24.

気体流路層28は、ガラス、セラミック等の材料によって形成することが好適である。気体流路層28は、ダイアフラム18の上層に設けられたポーラス層30、およびポーラス層30の上層に設けられた接着層34を備える。ポーラス層30は、直径数μm以上数百μm以下(例えば、2μm以上100μm以下)の複数の孔を有する多孔質部材によって形成されている。接着層34は、半導体歪みゲージ14を気体流路層28に固定する層である。   The gas flow path layer 28 is preferably formed of a material such as glass or ceramic. The gas flow path layer 28 includes a porous layer 30 provided on the upper layer of the diaphragm 18 and an adhesive layer 34 provided on the upper layer of the porous layer 30. The porous layer 30 is formed of a porous member having a plurality of pores having a diameter of several μm to several hundred μm (for example, 2 μm to 100 μm). The adhesive layer 34 is a layer that fixes the semiconductor strain gauge 14 to the gas flow path layer 28.

気体流路層28をガラスによって形成する場合、ポーラス層30は、図3(c)に示すように直径数μm以上数百μm以下(例えば、2μm以上100μm以下)のガラス粒子32を結合させて形成してもよい。ダイアフラム18、気体流路層28、および半導体歪みゲージ14は、気体流路層28を形成するガラスを溶融し、その後凝固させることで固着させてもよい。   When the gas flow path layer 28 is formed of glass, the porous layer 30 is formed by bonding glass particles 32 having a diameter of several μm to several hundred μm (for example, 2 μm to 100 μm) as shown in FIG. It may be formed. The diaphragm 18, the gas flow path layer 28, and the semiconductor strain gauge 14 may be fixed by melting the glass forming the gas flow path layer 28 and then solidifying it.

次に、本実施形態に係る水素圧力センサの作用について説明する。ダイアフラム18は検出基材10の開口から受圧孔22に入った水素の圧力によって弾性変形する。これによって、半導体歪みゲージ14は、ダイアフラム18から気体流路層28を介して力を受けて弾性変形し、弾性変形に応じて抵抗値が変化する。2本の検出導線26を接続した圧力検出装置は、検出導線26間の抵抗値に基づいて受圧孔22内の水素圧力を求める。   Next, the operation of the hydrogen pressure sensor according to this embodiment will be described. The diaphragm 18 is elastically deformed by the pressure of hydrogen entering the pressure receiving hole 22 from the opening of the detection substrate 10. As a result, the semiconductor strain gauge 14 is elastically deformed by receiving a force from the diaphragm 18 via the gas flow path layer 28, and the resistance value changes according to the elastic deformation. The pressure detection device connected to the two detection conductors 26 determines the hydrogen pressure in the pressure receiving hole 22 based on the resistance value between the detection conductors 26.

受圧孔22内の水素はその圧力によってダイアフラム18に浸透し、気体流路層28へと透過する。気体流路層28に至った水素は、ポーラス層30が有する孔を通って検出基材10の外側へと放出される。   The hydrogen in the pressure receiving hole 22 penetrates the diaphragm 18 by the pressure and permeates to the gas flow path layer 28. The hydrogen that has reached the gas flow path layer 28 is released to the outside of the detection substrate 10 through the holes of the porous layer 30.

本発明の第2実施形態に係る水素圧力センサによれば、受圧孔22からダイアフラム18を透過して気体流路層28に至った水素は、ポーラス層30が有する孔を通って検出基材10の外側へと放出される。したがって、水素の入り込みによって気体流路層28が変形することが回避される。これによって、半導体歪みゲージ14によって検出される水素圧力の誤差を低減することができる。   According to the hydrogen pressure sensor according to the second embodiment of the present invention, the hydrogen that has passed through the diaphragm 18 from the pressure receiving hole 22 to reach the gas flow path layer 28 passes through the hole of the porous layer 30 and the detection substrate 10. To the outside. Therefore, deformation of the gas flow path layer 28 due to the entry of hydrogen is avoided. Thereby, the error of the hydrogen pressure detected by the semiconductor strain gauge 14 can be reduced.

なお、第2実施形態に係る水素センサにおいても、第1実施形態と同様、ダイアフラム18に壁面方向孔24を設けた構造としてもよい。   Note that the hydrogen sensor according to the second embodiment may have a structure in which the wall surface direction hole 24 is provided in the diaphragm 18 as in the first embodiment.

図4に、燃料電池自動車に用いられる水素配管、水素ステーション等に用いられる水素供給装置の水素配管等に、第1実施形態に係る水素圧力センサを設けた場合の構成例を断面図を以て示す。図1の構成部と同一の構成部については同一の符号を付してその説明を省略する。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration example when the hydrogen pressure sensor according to the first embodiment is provided in a hydrogen pipe used in a fuel cell vehicle, a hydrogen pipe of a hydrogen supply device used in a hydrogen station, or the like. The same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

水素配管36には、水素圧力を検出するための検出分岐管38が取り付けられる。検出分岐管38の開口端は、水素圧力センサの開口と合致するよう形成される。水素圧力センサは、そのフランジ20が検出分岐管38の開口端に合致するよう検出分岐管38に取り付けられる。水素圧力センサは、フランジ上側面40に接触しつつ水素圧力センサを検出分岐管38に押しつける部材(図示せず)を用いて固定することができる。   A detection branch pipe 38 for detecting the hydrogen pressure is attached to the hydrogen pipe 36. The opening end of the detection branch pipe 38 is formed so as to coincide with the opening of the hydrogen pressure sensor. The hydrogen pressure sensor is attached to the detection branch pipe 38 so that its flange 20 matches the open end of the detection branch pipe 38. The hydrogen pressure sensor can be fixed using a member (not shown) that presses the hydrogen pressure sensor against the detection branch pipe 38 while being in contact with the flange upper surface 40.

水素配管36内の水素は、水素圧力センサの開口から受圧孔22に入る。水素は、受圧孔22の壁面に圧力を与える。このような構成によれば、水素圧力センサから引き出された検出導線26間の抵抗値を検出することで、水素配管36内の水素圧力を検出することができる。   Hydrogen in the hydrogen pipe 36 enters the pressure receiving hole 22 from the opening of the hydrogen pressure sensor. Hydrogen applies pressure to the wall surface of the pressure receiving hole 22. According to such a configuration, the hydrogen pressure in the hydrogen pipe 36 can be detected by detecting the resistance value between the detection conductors 26 drawn from the hydrogen pressure sensor.

ここでは、第1実施形態に係る水素圧力センサを水素配管に設けた例について説明したが、第2実施形態に係る水素圧力センサも、第1実施形態に係る水素圧力センサと同様の構成によって水素配管に取り付けることができる。   Here, the example in which the hydrogen pressure sensor according to the first embodiment is provided in the hydrogen pipe has been described. However, the hydrogen pressure sensor according to the second embodiment is also configured in the same manner as the hydrogen pressure sensor according to the first embodiment. Can be attached to piping.

本発明に係る水素圧力センサは、燃料電池自動車、燃料電池自動車に水素を補給する装置の他、高圧力で水素を供給する一般の水素供給設備に用いることができる。   The hydrogen pressure sensor according to the present invention can be used for fuel cell vehicles, devices for supplying hydrogen to fuel cell vehicles, and general hydrogen supply equipment for supplying hydrogen at high pressure.

10 検出基材、12 接着用ガラス層、14 半導体歪みゲージ、16 筒形状部、18 ダイアフラム、20 フランジ、22 受圧孔、24 壁面方向孔、26 検出導線、28 気体流路層、30 ポーラス層、32 ガラス粒子、34 接着層、36 水素配管、38 検出分岐管、40 フランジ上側面。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Detection base material, 12 Adhesion glass layer, 14 Semiconductor strain gauge, 16 Cylindrical part, 18 Diaphragm, 20 Flange, 22 Pressure receiving hole, 24 Wall surface direction hole, 26 Detection conducting wire, 28 Gas flow path layer, 30 Porous layer, 32 Glass particles, 34 Adhesive layer, 36 Hydrogen piping, 38 Detection branch pipe, 40 Flange upper surface.

Claims (6)

周回側壁と底壁とを備える容器形状部材と、
前記底壁の変形を検出する歪みセンサと、
を備え、
前記容器形状部材の容器形状内側の水素圧力を検出する水素圧力センサにおいて、
前記底壁は、
前記底壁を形成する部材内から前記容器形状部材の外側へと気体を導く気体流路を備えることを特徴とする水素圧力センサ。
A container-shaped member comprising a circumferential wall and a bottom wall;
A strain sensor for detecting deformation of the bottom wall;
With
In the hydrogen pressure sensor for detecting the hydrogen pressure inside the container shape of the container-shaped member,
The bottom wall is
A hydrogen pressure sensor comprising a gas flow path for guiding gas from the inside of the member forming the bottom wall to the outside of the container-shaped member.
請求項1に記載の水素圧力センサにおいて、
前記底壁を形成する部材内にその壁面方向に沿って延伸し、前記容器形状部材の外側に開口する壁面方向孔を、前記気体流路として備えることを特徴とする水素圧力センサ。
The hydrogen pressure sensor according to claim 1,
A hydrogen pressure sensor, characterized in that a wall direction hole extending along a wall surface direction in a member forming the bottom wall and opening to the outside of the container-shaped member is provided as the gas flow path.
請求項2に記載の水素圧力センサにおいて、
前記底壁は、
壁面が回転対称形状となるよう形成され、
前記底壁を形成する部材内から回転対称形状の外周方向に向かってそれぞれが延伸する複数の前記壁面方向孔が、回転対称な位置に設けられることを特徴とする水素圧力センサ。
The hydrogen pressure sensor according to claim 2,
The bottom wall is
The wall is formed in a rotationally symmetric shape,
A hydrogen pressure sensor, wherein a plurality of wall surface direction holes each extending from a member forming the bottom wall toward an outer peripheral direction of a rotationally symmetric shape are provided at rotationally symmetric positions.
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の水素圧力センサにおいて、
前記底壁は、
容器形状部材外側面にガラス層を有し、
前記歪みセンサは、
前記ガラス層に固定されることを特徴とする水素圧力センサ。
The hydrogen pressure sensor according to any one of claims 1 to 3,
The bottom wall is
Having a glass layer on the outer surface of the container-shaped member,
The strain sensor
A hydrogen pressure sensor fixed to the glass layer.
請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の水素圧力センサにおいて、
前記底壁は、
多孔質部材で形成され前記気体流路を形成する気体流路層を容器形状部材外側面に有し、
前記歪みセンサは、
前記気体流路層に固定されることを特徴とする水素圧力センサ。
The hydrogen pressure sensor according to any one of claims 1 to 4,
The bottom wall is
A gas channel layer formed of a porous member and forming the gas channel is provided on the outer surface of the container-shaped member,
The strain sensor
A hydrogen pressure sensor fixed to the gas flow path layer.
請求項5に記載の水素圧力センサにおいて、
前記気体流路層は、
ガラス粒子を含むことを特徴とする水素圧力センサ。
The hydrogen pressure sensor according to claim 5,
The gas flow path layer is
A hydrogen pressure sensor comprising glass particles.
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