JP2010254808A - Heat-resistant adhesive composition for temporarily fixing wafer, and film - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体パッケージの製造工程においてシリコンウエハを保持材料に仮固定するための接着材料に関する。本発明は、より詳細には、ウエハ仮固定用耐熱性接着組成物、該耐熱性接着組成物を成形して得られるフィルムに関する。 The present invention relates to an adhesive material for temporarily fixing a silicon wafer to a holding material in a manufacturing process of a semiconductor package. More particularly, the present invention relates to a heat-resistant adhesive composition for temporarily fixing a wafer and a film obtained by molding the heat-resistant adhesive composition.
代表的な半導体パッケージとして、ＱＦＰ型のパッケージが知られており、従来から使用されている。このＱＦＰ型のパッケージは、ダイパッド上に銀ペースト等の接着剤によって半導体素子を接着し、その半導体素子の端子とリードフレームとをワイヤで固定した後に、外部接続用のアウターリード部を残して半導体素子全体を封止した構造を有する。しかし、近年、半導体パッケージの高密度化、小面積化および薄型化等の要求が高まっており、さまざまな構造を有する半導体パッケージが開発されてきている。 As a typical semiconductor package, a QFP type package is known and conventionally used. In this QFP type package, a semiconductor element is bonded onto a die pad with an adhesive such as silver paste, and after fixing the terminal of the semiconductor element and a lead frame with a wire, the outer lead portion for external connection is left and the semiconductor is left. The entire device is sealed. However, in recent years, demands for higher density, smaller area, thinner thickness, and the like of semiconductor packages are increasing, and semiconductor packages having various structures have been developed.
特に、近年、複数のチップを積み重ねたＳＩＰと呼ばれるパッケージに関する技術分野の成長が著しい。ＳＩＰ型のパッケージでは、チップの接続方法として、従来からワイヤボンディング法が主流であった。しかし、近年、ＴＳＶ（シリコン貫通電極）と呼ばれる接続方法が注目を集め、盛んに検討されている。ＳＩＰ型のパッケージでは、チップを多数積層した際の積層体の厚さを薄くするために、ＴＳＶの用途で使用されるシリコンウエハの厚さは、できるだけ薄いものでなければならない。しかし、シリコンウエハを薄くした場合、ウエハの機械的強度が低下し、取扱いが困難になる。 In particular, in recent years, the technical field relating to a package called SIP in which a plurality of chips are stacked has grown significantly. In the SIP type package, the wire bonding method has been mainly used as a chip connection method. However, in recent years, a connection method called TSV (through silicon via) has attracted attention and has been actively studied. In the SIP type package, in order to reduce the thickness of the stacked body when a large number of chips are stacked, the thickness of the silicon wafer used in the TSV application must be as thin as possible. However, when the silicon wafer is thinned, the mechanical strength of the wafer is lowered and handling becomes difficult.
これに対し、シリコンウエハをキャリアウエハやガラス等の保持材料に一時的に仮固定した後に、シリコンウエハの裏面を研磨して薄厚化を行い、その後、保持材料を除去する方法が提案されている（特許文献１を参照）。例えば、特許文献１では、シリコンウエハを保持材料に仮固定するための接着材料として、ゴムを主成分とする組成物を開示している。 In contrast, a method has been proposed in which a silicon wafer is temporarily fixed to a holding material such as a carrier wafer or glass, and then the back surface of the silicon wafer is polished and thinned, and then the holding material is removed. (See Patent Document 1). For example, Patent Document 1 discloses a composition containing rubber as a main component as an adhesive material for temporarily fixing a silicon wafer to a holding material.
しかし、特許文献１で開示された組成物は、シリコンウエハの研磨工程後に実施される加熱工程に対する耐熱性が十分でない傾向がある。仮固定に用いた接着材料の耐熱性が不十分であると、加熱工程中に熱分解したり、シリコンウエハが保持材料から剥がれるといった不具合が生じやすい。そのため、耐熱性に優れ、かつ仮固定の用途に好適に使用できる各種特性に優れた接着材料の開発が望まれている。本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、シリコンウエハ裏面を研磨して薄厚化する際の、研磨用シリコンウエハと保持材料との間の優れた密着性を実現し、かつ耐熱性に優れ、さらには研磨後に各々のウエハを容易に分離することができ、分離後のシリコンウエハ表面に残存した接着材料を溶剤によって容易に除去できる、ウエハ仮固定用接着材料を提供することを目的とする。 However, the composition disclosed in Patent Document 1 tends to have insufficient heat resistance against the heating process performed after the polishing process of the silicon wafer. When the heat resistance of the adhesive material used for temporary fixing is insufficient, problems such as thermal decomposition during the heating process and peeling of the silicon wafer from the holding material are likely to occur. Therefore, it is desired to develop an adhesive material having excellent heat resistance and various characteristics that can be suitably used for temporary fixing. The present invention has been made in view of such circumstances, and achieves excellent adhesion between a polishing silicon wafer and a holding material when the thickness of the backside of the silicon wafer is polished and reduced, and To provide an adhesive material for temporarily fixing a wafer, which has excellent heat resistance and can easily separate each wafer after polishing, and can easily remove the adhesive material remaining on the surface of the silicon wafer after separation with a solvent. With the goal.
本発明者らは上述の状況に鑑みウエハ仮固定用接着材料について鋭意検討の結果、特定の繰り返し単位を有する重合体を使用することによって、上述の課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下の事項に関する。 As a result of intensive studies on the adhesive material for temporarily fixing the wafer in view of the above situation, the present inventors have found that the above-described problems can be solved by using a polymer having a specific repeating unit, and the present invention is completed. It came to. That is, the present invention relates to the following matters.
（１）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する重合体を含有するウエハ仮固定用耐熱性接着組成物。 (1) A heat-resistant adhesive composition for temporarily fixing a wafer containing a polymer having a repeating unit represented by the following general formula (I).
［一般式（Ｉ）中、Ｙは下式（ａ）又は（ｂ）で示される基であり、Ｙは繰り返し単位毎に相違してもよい。］ [In general formula (I), Y is a group represented by the following formula (a) or (b), and Y may be different for each repeating unit. ]
（２）下記一般式（II）で表される繰り返し単位を有する重合体を含有するウエハ仮固定用耐熱性接着組成物。 (2) A heat-resistant adhesive composition for temporarily fixing a wafer containing a polymer having a repeating unit represented by the following general formula (II).
［一般式（II）中、Ｙは下式（ａ）又は（ｂ）で表される基であり、Ｙは繰り返し単位毎に相違してもよい。］ [In general formula (II), Y is a group represented by the following formula (a) or (b), and Y may be different for each repeating unit. ]
（３）さらに有機溶媒を含有することを特徴とする上記（１）又は（２）に記載のウエハ仮固定用耐熱性接着組成物。 (3) The heat-resistant adhesive composition for temporarily fixing a wafer as described in (1) or (2) above, further comprising an organic solvent.
（４）前記有機溶媒が、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミドからなる群から選ばれる少なくとも１種である上記（１）〜（３）のいずれかに記載のウエハ仮固定用耐熱性接着組成物。 (4) The above (1) to (1), wherein the organic solvent is at least one selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylacetamide, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, cyclohexanone, cyclopentanone, methyl ethyl ketone, and dimethylformamide. (3) The heat-resistant adhesive composition for temporarily fixing a wafer according to any one of (3).
（５）上記（１）〜（４）のいずれかに記載のウエハ仮固定用耐熱性接着組成物を成形して得られるウエハ仮固定用フィルム。 (5) A film for temporarily fixing a wafer obtained by molding the heat-resistant adhesive composition for temporarily fixing a wafer according to any one of (1) to (4) above.
本発明によれば、シリコンウエハ研磨時に保持材料への仮固定のために好適に使用できる各種特性に優れた仮固定用接着材料を提供することができる。本発明による仮固定用接着材料は、ウエハ裏面を研磨して薄厚化する際に、研磨用ウエハと保持材料とを良好に固定することができ、かつ耐熱性に優れ、さらには研磨後のウエハ間の分離が容易であり、分離後のウエハに残存した接着材料は溶剤によって容易に除去することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesive material for temporary fixing excellent in the various characteristics which can be used suitably for temporary fixing to a holding material at the time of silicon wafer grinding | polishing can be provided. The adhesive material for temporary fixing according to the present invention can satisfactorily fix the polishing wafer and the holding material when the back surface of the wafer is thinned and is excellent in heat resistance, and further, the wafer after polishing. The adhesive material remaining on the wafer after separation can be easily removed with a solvent.
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本発明の第１の側面は、半導体パッケージの製造に向けて、シリコンウエハを薄厚化する工程において、シリコンウエハと、該シリコンウエハを保持する保持材料とを仮固定するための接着材料として好適な耐熱性接着組成物に関する。保持材料は、シリコンウエハの薄厚化の際にシリコンウエハの機械的強度を高めることができればよく、特に限定されない。例えば、キャリアウエハおよびガラス等であってよい。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
The first aspect of the present invention is suitable as an adhesive material for temporarily fixing a silicon wafer and a holding material for holding the silicon wafer in a process of thinning the silicon wafer for manufacturing a semiconductor package. The present invention relates to a heat resistant adhesive composition. The holding material is not particularly limited as long as the mechanical strength of the silicon wafer can be increased when the silicon wafer is thinned. For example, it may be a carrier wafer and glass.
本発明のウエハ仮固定用耐熱性接着組成物は、ジアミン化合物と、芳香族多価カルボン酸化合物とを重縮合反応によって得られる、アミド結合および／又はイミド結合を有する重合体であって、下記一般式（Ｉ）又は（II）のいずれかで表される繰り返し単位を有する重合体を含むことを特徴とする。
［一般式（Ｉ）および（II）中、Ｙは下式（ａ）又は（ｂ）で示される基であり、Ｙは繰り返し単位毎に相違してもよい。］ [In General Formulas (I) and (II), Y is a group represented by the following formula (a) or (b), and Y may be different for each repeating unit. ]
上記一般式（Ｉ）又は（II）で示される各々の繰り返し単位は、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン又は２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンと、イソフタル酸、テレフタル酸およびそれらの反応性誘導体、ならびにトリメリット酸およびその反応性誘導体からなる群から選択される少なくとも１種の芳香族多価カルボン酸化合物との重縮合反応によって誘導される。なお、本発明において「反応性誘導体」とは、分子内の少なくとも１つのカルボキシル基が特定の置換基によって活性化されたカルボン酸化合物を意図している。 Each repeating unit represented by the general formula (I) or (II) is composed of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene or 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane , Isophthalic acid, terephthalic acid and their reactive derivatives, and a polycondensation reaction with at least one aromatic polycarboxylic acid compound selected from the group consisting of trimellitic acid and its reactive derivatives. In the present invention, the “reactive derivative” intends a carboxylic acid compound in which at least one carboxyl group in the molecule is activated by a specific substituent.
上記イソフタル酸およびテレフタル酸の反応性誘導体の具体例としては、それらのジクロライドおよびジブロマイドといったジハライド、ならびにそれらのジエステルが挙げられる。上述の反応性誘導体なかでも、反応性が高いテレフタル酸ジクロライドおよびイソフタル酸ジクロライドが好ましい。上述のような反応性の高い化合物を使用した場合、重縮合反応が良好に進行するため、重合体の分子量を十分に高めることが容易となる。 Specific examples of the above reactive derivatives of isophthalic acid and terephthalic acid include dihalides such as dichloride and dibromide, and diesters thereof. Among the reactive derivatives described above, terephthalic acid dichloride and isophthalic acid dichloride having high reactivity are preferable. When a compound having high reactivity as described above is used, the polycondensation reaction proceeds well, so that it is easy to sufficiently increase the molecular weight of the polymer.
上記トリメリット酸の反応性誘導体は、酸無水物、ハライド、エステル、アミド、アンモニウム塩を意図しており、具体例としては、トリメリット酸無水物、トリメリット酸無水物モノクロライドおよびそのアンモニウム塩が挙げられる。上記アンモニウム塩は、例えば、トリメリット酸無水物モノクロライドと、アンモニア、ジメチルアミン、トリエチルアミン等のアミン化合物とから得られる。上述の反応性誘導体のなかでも、重合体の分子量を十分に高くする観点から、トリメリット酸無水物およびトリメリット酸無水物モノクロライドが好ましい。 The trimellitic acid reactive derivatives are intended to be acid anhydrides, halides, esters, amides, ammonium salts, and specific examples include trimellitic anhydride, trimellitic anhydride monochloride and ammonium salts thereof. Is mentioned. The ammonium salt is obtained, for example, from trimellitic anhydride monochloride and an amine compound such as ammonia, dimethylamine, or triethylamine. Among the reactive derivatives described above, trimellitic anhydride and trimellitic anhydride monochloride are preferable from the viewpoint of sufficiently increasing the molecular weight of the polymer.
本発明において、上記一般式（Ｉ）又は（II）のいずれかで表される繰り返し単位を有する重合体（以下、単に「重合体」と称す）を得るためには、ジアミン化合物として、少なくとも１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン又は２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンを使用することが必須となる。これらのジアミン化合物を使用することによって、優れた耐熱性および接着性を示す重合体が得られるだけでなく、溶剤に対し重合体の優れた溶解性を実現することができる。本発明では、上記重合体を構成するジアミン化合物として、上記２種の化合物に加えて、必要に応じて、その他の芳香族ジアミンを使用してもよい。 In the present invention, in order to obtain a polymer having a repeating unit represented by any one of the above general formulas (I) and (II) (hereinafter simply referred to as “polymer”), at least 1 as a diamine compound is used. , 3-bis (3-aminophenoxy) benzene or 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane is essential. By using these diamine compounds, not only a polymer exhibiting excellent heat resistance and adhesiveness can be obtained, but also excellent solubility of the polymer in a solvent can be realized. In the present invention, as the diamine compound constituting the polymer, other aromatic diamines may be used as necessary in addition to the two kinds of compounds.
本発明で使用できる上記２種の化合物以外の芳香族ジアミンの具体例として、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]エーテル、２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）]ヘキサフルオロプロパン、および４，４′−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアミン）が挙げられる。このようなその他の多芳香族ジアミンを併用する場合、１,３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン又は２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンの芳香族ジアミン類全体に対する割合が低すぎると、得られる重合体の接着性および溶剤に対する溶解性が乏しくなる傾向がある。したがって、特に限定するものではないが、芳香族ジアミン類全体に対する１,３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン又は２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンの割合は、１０〜１００モル％であることが好ましく、５０〜１００モル％であることがより好ましく、８０〜１００モル％であることが特に好ましい。 Specific examples of aromatic diamines other than the above two compounds that can be used in the present invention include bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4′-diaminodiphenyl ether, bis [4- (4-amino). Phenoxy) phenyl] ether, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy)] hexafluoropropane, and 4,4'-methylenebis (2,6-diisopropylamine). When such other polyaromatic diamines are used in combination, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene or 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane aromatic diamines as a whole When the ratio with respect to is too low, there is a tendency that the adhesiveness of the resulting polymer and the solubility in a solvent are poor. Therefore, although not particularly limited, the ratio of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene or 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane to the entire aromatic diamine is: It is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 50 to 100 mol%, and particularly preferably 80 to 100 mol%.
本発明では、上記重合体を構成するジアミン化合物として、上記芳香族ジアミンに加えて、脂肪族ジアミンおよびシロキサンジアミン等の各種ジアミン化合物を使用してもよい。各種ジアミン化合物を適宜組み合わせることによって、接着性等の各種特性をさらに高めることができる。 In the present invention, as the diamine compound constituting the polymer, various diamine compounds such as aliphatic diamine and siloxane diamine may be used in addition to the aromatic diamine. By appropriately combining various diamine compounds, various properties such as adhesion can be further enhanced.
本発明において使用できる脂肪族ジアミンの具体例として、１，６−ジアミノヘキサン、 １，１２−ジアミノドデカン等のα，ω−ジアミノアルカンが挙げられる。重合体の接着性を高める観点から、上記α，ω−ジアミノアルカンの中でも１，１２−ジアミノドデカンが好ましい。 Specific examples of the aliphatic diamine that can be used in the present invention include α, ω-diaminoalkanes such as 1,6-diaminohexane and 1,12-diaminododecane. Of the α, ω-diaminoalkanes, 1,12-diaminododecane is preferable from the viewpoint of enhancing the adhesiveness of the polymer.
本発明において使用できるシロキサンジアミンの具体例として、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン等のα，ω−ビス（３−アミノプロピル）−ポリジメチルシロキサンが挙げられる。なかでも、重合体の接着性を高める観点から、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサンが好ましい。 Specific examples of the siloxane diamine that can be used in the present invention include α, ω-bis (3-aminopropyl) -polydimethylsiloxane such as 1,3-bis (3-aminopropyl) -tetramethyldisiloxane. Of these, 1,3-bis (3-aminopropyl) -tetramethyldisiloxane is preferred from the viewpoint of enhancing the adhesiveness of the polymer.
本発明において、上記芳香族ジアミンと、上記脂肪族ジアミンおよびシロキサンジアミンの少なくとも一方とを併用する場合、ジアミン類全体に対するそれらの割合は特に限定されない。しかし、ジアミン類全体に対する脂肪族ジアミンおよび／又はシロキサンジアミンの割合が多すぎると耐熱性が低下しやすく、少なすぎると接着性が低下しやすい傾向がある。そのため、ジアミン類全体に対する脂肪族ジアミンおよび／又はシロキサンジアミンの割合は１〜５０モル％の範囲が好ましく、２〜３０モル％の範囲がより好ましく、３〜１０モル％の範囲が特に好ましい。 In the present invention, when the aromatic diamine is used in combination with at least one of the aliphatic diamine and the siloxane diamine, the ratio of the diamine to the whole diamine is not particularly limited. However, if the ratio of aliphatic diamine and / or siloxane diamine to the whole diamines is too large, the heat resistance tends to decrease, and if it is too small, the adhesiveness tends to decrease. Therefore, the ratio of the aliphatic diamine and / or siloxane diamine to the whole diamine is preferably in the range of 1 to 50 mol%, more preferably in the range of 2 to 30 mol%, and particularly preferably in the range of 3 to 10 mol%.
本発明において、一般式（Ｉ）又は（II）のいずれかで表される繰り返し単位を有する重合体は、アミド結合および／又はイミド結合を形成するための周知の技術を適用し、ジアミン化合物と、芳香族多価カルボン酸化合物とを重縮合反応させることによって得ることができる。本発明では、ジアミン化合物として、少なくとも、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンおよび２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンのいずれかを使用し、その一方で、芳香族多価カルボン酸化合物として、イソフタル酸、テレフタル酸およびそれらの反応性誘導体、ならびにトリメリット酸およびその反応性誘導体からなる群から選択される少なくとも１種を使用することを除き、反応方法および条件等は特に限定されるものではない。 In the present invention, a polymer having a repeating unit represented by either general formula (I) or (II) is applied with a known technique for forming an amide bond and / or an imide bond, It can be obtained by polycondensation reaction with an aromatic polyvalent carboxylic acid compound. In the present invention, at least one of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane is used as the diamine compound, Except that at least one selected from the group consisting of isophthalic acid, terephthalic acid and reactive derivatives thereof, and trimellitic acid and reactive derivatives thereof is used as the aromatic polyvalent carboxylic acid compound The conditions and the like are not particularly limited.
例えば、上記重縮合反応は、有機溶媒にジアミン化合物を溶解させ、次いで芳香族多価カルボン酸化合物を添加して、加熱下で攪拌混合することによって実施することができる。反応を促進するために、必要に応じて、反応系に触媒等の各種成分を追加してもよい。 For example, the polycondensation reaction can be carried out by dissolving a diamine compound in an organic solvent, then adding an aromatic polyvalent carboxylic acid compound, and stirring and mixing under heating. In order to accelerate the reaction, various components such as a catalyst may be added to the reaction system as necessary.
本発明において、上記重合体の調製時に使用できる有機溶媒の具体例として、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等が挙げられ、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが特に好ましい。反応の進行および完了は、例えば、反応系の粘度の増加率によって確認することができる。 In the present invention, N-methyl-2-pyrrolidone, diethylene glycol dimethyl ether and the like are mentioned as specific examples of the organic solvent that can be used at the time of preparing the polymer, and N-methyl-2-pyrrolidone is particularly preferable. The progress and completion of the reaction can be confirmed, for example, by the rate of increase in the viscosity of the reaction system.
本発明において、芳香族多価カルボン酸化合物とジアミン化合物との割合は特に限定されない。しかし、反応を効率良く完結し、接着性等の各種特性に優れた重合体を得ることを考慮すると、ジアミン化合物の総量に対して、芳香族多価カルボン酸化合物を８０〜１２０モル％の範囲で使用することが好ましく、９５〜１０５モル％の範囲で使用することが特に好ましい。ジアミン化合物の総量に対する上記カルボン酸化合物の割合が多すぎても又は少なすぎても、得られる重合体の分子量は低く、機械的強度および耐熱性等の各種特性が低下しやすい。一方、互いにモル数が等しくなる割合で芳香族多価カルボン酸化合物およびジアミン化合物を使用した時には、得られる重合体の分子量は最も高くなる。 In the present invention, the ratio between the aromatic polycarboxylic acid compound and the diamine compound is not particularly limited. However, in consideration of obtaining a polymer that completes the reaction efficiently and is excellent in various properties such as adhesiveness, the aromatic polyvalent carboxylic acid compound is in the range of 80 to 120 mol% with respect to the total amount of the diamine compound. It is preferable to use in the range of 95 to 105 mol%. If the ratio of the carboxylic acid compound to the total amount of the diamine compound is too large or too small, the resulting polymer has a low molecular weight, and various properties such as mechanical strength and heat resistance are likely to deteriorate. On the other hand, when an aromatic polyvalent carboxylic acid compound and a diamine compound are used in such a ratio that the number of moles are equal to each other, the molecular weight of the obtained polymer is the highest.
本発明によるウエハ仮固定用耐熱性接着組成物の一実施形態では、上記重合体に加えて、有機溶媒を含むことが好ましい。有機溶媒の使用によって、上記重合体の粘度を適切に調整し、耐熱性接着組成物のワニスを提供することができる。また、有機溶媒の使用によって、本発明による耐熱性接着組成物を構成するために各種成分を追加する場合、それらを均一に混合および分散させることができる。本発明で使用できる有機溶媒は、特に限定されない。しかし、上記重合体の溶解性の観点から、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒からなる群から選ばれる有機溶媒が好ましい。なかでも、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、およびシクロヘキサノンがより好ましく、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが特に好ましい。 In one embodiment of the heat-resistant adhesive composition for temporarily fixing a wafer according to the present invention, it is preferable to contain an organic solvent in addition to the polymer. By using an organic solvent, the viscosity of the polymer can be appropriately adjusted, and a varnish of a heat resistant adhesive composition can be provided. Moreover, when various components are added to constitute the heat-resistant adhesive composition according to the present invention by using an organic solvent, they can be uniformly mixed and dispersed. The organic solvent that can be used in the present invention is not particularly limited. However, from the viewpoint of solubility of the above polymer, aprotic polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylacetamide and dimethylformamide, ether solvents such as diethylene glycol dimethyl ether and tetrahydrofuran, cyclohexanone, cyclopentanone and methyl ethyl ketone An organic solvent selected from the group consisting of ketone solvents such as Among these, N-methyl-2-pyrrolidone, diethylene glycol dimethyl ether, and cyclohexanone are more preferable, and N-methyl-2-pyrrolidone is particularly preferable.
本発明によるウエハ仮固定用耐熱性接着組成物は、上記重合体および上記有機溶媒に加えて、代表的なダイボンディング材に含まれるフィラー、カップリング剤、熱硬化性樹脂等の各種成分を含んでもよい。本発明では、必要に応じて、上記耐熱性接着組成物に各種成分を添加することによって、所期の各種特性をさらに高めることができる。 The heat-resistant adhesive composition for temporarily fixing a wafer according to the present invention contains various components such as a filler, a coupling agent, and a thermosetting resin contained in a typical die bonding material in addition to the polymer and the organic solvent. But you can. In the present invention, if necessary, various desired properties can be further enhanced by adding various components to the heat-resistant adhesive composition.
本発明で使用できるフィラーは、特に限定するものではないが、例えば、セラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、およびゴム粒子であってよい。上記耐熱性接着組成物にフィラーを添加することによって、耐熱性をさらに高めることができる。しかし、その添加量が多すぎると、スピンコート等によって形成した膜の表面平滑性が低下する傾向がある。そのため、本発明において、耐熱性接着組成物にフィラーを添加する場合、フィラーの添加量は、重合体１００重量部に対して、１〜３０重量部の範囲が好ましく、５〜１５重量部の範囲がより好ましい。 The filler that can be used in the present invention is not particularly limited, and may be, for example, ceramic powder, glass powder, silver powder, copper powder, resin particles, and rubber particles. Heat resistance can be further improved by adding a filler to the heat resistant adhesive composition. However, if the amount added is too large, the surface smoothness of the film formed by spin coating or the like tends to be lowered. Therefore, in this invention, when adding a filler to a heat resistant adhesive composition, the addition amount of a filler has the preferable range of 1-30 weight part with respect to 100 weight part of polymers, and the range of 5-15 weight part Is more preferable.
本発明で使用できるカップリング剤は、特に限定するものではないが、例えば、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシラン、チタネート、アルミキレート、ジルコアルミネートが挙げられる。なかでも、シランカップリング剤が好ましい。 The coupling agent that can be used in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include vinyl silane, epoxy silane, amino silane, mercapto silane, titanate, aluminum chelate, and zirco aluminate. Of these, a silane coupling agent is preferable.
シランカップリング剤の具体例としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等の末端に有機反応基を有するシランカップリング剤が挙げられる。ここで、「有機反応性基」とは、エポキシ基、ビニル基、アミノ基、およびメルカプト基等の官能基である。上述のシランカップリングのなかでも、エポキシ基を有するエポキシシランカップリング剤が好ましい。 Specific examples of the silane coupling agent include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxypropyl. Trimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxy Examples include silane coupling agents having an organic reactive group at the terminal, such as silane and γ-mercaptopropyltrimethoxysilane. Here, the “organic reactive group” is a functional group such as an epoxy group, a vinyl group, an amino group, and a mercapto group. Among the silane couplings described above, an epoxy silane coupling agent having an epoxy group is preferable.
本発明では、上記耐熱性接着組成物にカップリング剤を添加することによって、保持材料と上記耐熱性接着組成物との密着性を高めるとともに、耐熱性を高めることもできる。しかし、耐熱性接着組成物に対するカップリング剤の添加量が多すぎると、組成物中の重合体とカップリング剤との間で反応が生じ、架橋が形成されることによって組成物の不溶化が起こる。組成物が不溶化することによって、キャリアウエハやガラス等の保持材料をシリコンウエハから除去した後に、シリコンウエハ表面を溶剤で洗浄することが困難になる傾向がある。このような観点から、カップリング剤の添加量は、重合体１００重量部に対して、０〜５重量部が好ましく、０〜３重量部がより好ましく、０〜１重量部が特に好ましい。 In the present invention, by adding a coupling agent to the heat-resistant adhesive composition, the adhesiveness between the holding material and the heat-resistant adhesive composition can be enhanced, and the heat resistance can also be enhanced. However, if the amount of the coupling agent added to the heat-resistant adhesive composition is too large, a reaction occurs between the polymer in the composition and the coupling agent, and the insolubilization of the composition occurs due to the formation of crosslinks. . The insolubilization of the composition tends to make it difficult to clean the surface of the silicon wafer with a solvent after the holding material such as the carrier wafer or glass is removed from the silicon wafer. From such a viewpoint, the addition amount of the coupling agent is preferably 0 to 5 parts by weight, more preferably 0 to 3 parts by weight, and particularly preferably 0 to 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer.
本発明において使用できる熱硬化性樹脂として、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびビスマレイミド樹脂が挙げられる。上記耐熱性接着組成物に熱硬化性樹脂を添加することによって、耐熱性を高めることもできる。しかし、その添加量が多すぎると、溶媒への溶解性が低下し、シリコンウエハを保持材料から剥離した後に、溶剤によって組成物を除去することが困難になる傾向がある。そのため、本発明において、耐熱性接着組成物に熱硬化性樹脂を添加する場合、熱硬化性樹脂の添加量は、重合体１００重量部に対して、０〜１０重量部が好ましく、０〜５重量部がより好ましく、０〜１重量部が特に好ましい。 Examples of thermosetting resins that can be used in the present invention include epoxy resins, phenol resins, and bismaleimide resins. Heat resistance can also be improved by adding a thermosetting resin to the heat resistant adhesive composition. However, if the amount added is too large, the solubility in a solvent decreases, and it tends to be difficult to remove the composition with the solvent after the silicon wafer is peeled from the holding material. Therefore, in this invention, when adding a thermosetting resin to a heat resistant adhesive composition, 0-10 weight part is preferable with respect to 100 weight part of polymers, and 0-5 weight part is added. Part by weight is more preferable, and 0 to 1 part by weight is particularly preferable.
本発明の第２の側面は、本発明の第１の側面であるウエハ仮固定用耐熱性接着組成物を成形して得られるウエハ仮固定用フィルムに関する。本発明によるフィルムは優れた耐熱性および接着性を示す。本発明によるフィルムの構造は、特に限定されない。本発明のフィルムは、例えば、上記耐熱性接着組成物からなる単層構造の自立型フィルムであっても、又は支持フィルムの片面に上記耐熱性接着組成物からなる層を設けた二層構造のフィルムであってもよい。後者の構造を有するフィルムの場合、フィルムをシリコンウエハに接着する前に又は接着した後に、支持フィルムを取り除いて単層フイルムとして使用する。 The 2nd side surface of this invention is related with the film for temporary wafer fixing obtained by shape | molding the heat resistant adhesive composition for temporary wafer fixing which is the 1st side surface of this invention. The film according to the present invention exhibits excellent heat resistance and adhesion. The structure of the film according to the present invention is not particularly limited. The film of the present invention may be, for example, a self-standing film having a single-layer structure made of the heat-resistant adhesive composition, or a two-layer structure in which a layer made of the heat-resistant adhesive composition is provided on one side of a support film. It may be a film. In the case of a film having the latter structure, the support film is removed before or after the film is bonded to the silicon wafer, and the film is used as a single layer film.
本発明のフィルムの製造方法は、特に制限されない。例えば、フィルムは、本発明の上記耐熱性接着組成物を有機溶媒中に溶解させてワニスを調製し、次いでワニスを所定の形状を有する金型に注入するした後に、有機溶媒を蒸発させることによって形成することができる。別法として、フィルムは、本発明の上記耐熱性接着組成物を有機溶媒中に溶解させてワニスを調製し、ワニスを支持フィルム上に塗工した後に、加熱処理により溶媒を除去し、さらに支持フィルムを除去することによって形成することができる。支持フィルム上に耐熱性接着組成物からなる層を形成する方法は、特に制限されない。例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート等の周知の塗工方法を適用することができる。別法として、耐熱性接着組成物のワニス中に支持フィルムを通する方法を適用してもよい。 The method for producing the film of the present invention is not particularly limited. For example, the film is prepared by dissolving the above heat-resistant adhesive composition of the present invention in an organic solvent to prepare a varnish, then injecting the varnish into a mold having a predetermined shape, and then evaporating the organic solvent. Can be formed. Alternatively, the film is prepared by dissolving the above heat-resistant adhesive composition of the present invention in an organic solvent to prepare a varnish, coating the varnish on a support film, removing the solvent by heat treatment, and further supporting the film. It can be formed by removing the film. The method for forming a layer composed of the heat resistant adhesive composition on the support film is not particularly limited. For example, a well-known coating method such as roll coating, reverse roll coating, gravure coating, bar coating, or comma coating can be applied. Alternatively, a method of passing a support film through the varnish of the heat resistant adhesive composition may be applied.
本発明のフィルムの製造時に、ワニスを調製するために使用する有機溶媒は、特に制限されない。使用できる有機溶媒の具体例として、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。 The organic solvent used for preparing the varnish during the production of the film of the present invention is not particularly limited. Specific examples of the organic solvent that can be used include N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylacetamide, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, dimethylformamide and the like.
本発明のフィルムの製造時に、ワニスから溶媒を除去するために加熱処理を実施する場合の処理温度は、特に制限されない。しかし、フィルム形状を維持する観点から、得られるフィルムの残存溶媒量がフィルムの全重量を基準として３０重量％以下に制御することができる温度を適用することが好ましい。また、フィルムの製造工程において、適切な加熱処理を実施することによって、イミド化を促進することができる。 In the production of the film of the present invention, the treatment temperature when carrying out the heat treatment for removing the solvent from the varnish is not particularly limited. However, from the viewpoint of maintaining the film shape, it is preferable to apply a temperature at which the residual solvent amount of the obtained film can be controlled to 30% by weight or less based on the total weight of the film. Moreover, imidation can be accelerated | stimulated by implementing an appropriate heat processing in the manufacturing process of a film.
本発明のフィルムの厚さは、特に限定されない。しかし、ウエハ仮固定用接着材料として十分な接着力を得る観点から、１μｍ以上の厚さとすることが好ましい。フィルムの厚さは５μｍ以上であることがより好ましく、１０μｍ以上であることが特に好ましい。一方、塗工作業性および材料コストの観点から、フィルムの厚さは５０μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下であることが特に好ましい。 The thickness of the film of the present invention is not particularly limited. However, the thickness is preferably 1 μm or more from the viewpoint of obtaining a sufficient adhesive force as an adhesive material for temporarily fixing the wafer. The thickness of the film is more preferably 5 μm or more, and particularly preferably 10 μm or more. On the other hand, from the viewpoint of coating workability and material cost, the thickness of the film is preferably 50 μm or less, more preferably 40 μm or less, and particularly preferably 30 μm or less.
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。しかし、本発明は以下の実施例によって制限されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited by the following examples.
（実施例１）
１．重合体の調製
温度計、撹拌機、窒素導入管および分留塔を取り付けた５リットルの4つ口フラスコにおいて、窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２５８．３ｇ（０．６３モル）および１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン６７．０ｇ（０．２７モル）を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１４２０ｇに溶解した。得られた溶液を、一旦７０℃まで加熱し、０℃まで冷却した後に、その溶液に無水トリメリット酸クロライド１８９．５ｇ（０．９モル）を添加した。次いで、無水トリメリット酸クロライドが溶解した後に、その溶液にトリエチルアミン１００ｇを添加した。以上の手順によって得た溶液を、室温で２時間にわたって撹拌した後に、１８０℃まで昇温して５時間反応させ、反応系の粘度の増加率からイミド化の完結を確認した。
上述のようにして得た反応液を、メタノール中に投入し分離精製を行うことによって、所望の重合体を含むフラクションを単離した。次いで、重合体を含むフラクションを乾燥した後、それをＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、再度、メタノール中に投入し分離精製を行うことによって、重合体を単離した。次いで、単離によって得たフラクションを減圧乾燥することよって、精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。
得られたポリエーテルアミドイミドの分析結果は以下のとおりである。
ガラス転移温度：１５０℃
５％重量減少温度：４００℃
Example 1
1. Preparation of polymer 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane under a nitrogen atmosphere in a 5-liter four-necked flask equipped with a thermometer, stirrer, nitrogen inlet tube and fractionation tower 258.3 g (0.63 mol) and 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane 67.0 g (0.27 mol) were dissolved in 1420 g of N-methyl-2-pyrrolidone. The resulting solution was once heated to 70 ° C. and cooled to 0 ° C., and then 189.5 g (0.9 mol) of trimellitic anhydride chloride was added to the solution. Next, after the trimellitic anhydride chloride was dissolved, 100 g of triethylamine was added to the solution. The solution obtained by the above procedure was stirred at room temperature for 2 hours, then heated to 180 ° C. and reacted for 5 hours, and the completion of imidization was confirmed from the rate of increase in the viscosity of the reaction system.
The reaction solution obtained as described above was put into methanol and separated and purified to isolate a fraction containing the desired polymer. Next, after the fraction containing the polymer was dried, it was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone, and again poured into methanol for separation and purification, thereby isolating the polymer. Subsequently, the fraction obtained by isolation was dried under reduced pressure to obtain a purified polyetheramideimide powder.
The analysis results of the obtained polyetheramide imide are as follows.
Glass transition temperature: 150 ° C
5% weight loss temperature: 400 ° C
２．ワニスおよび試験サンプルの調製
先に調製したポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１２６ｇおよびブチルセロソルブアセテート５４ｇの混合溶媒に溶解し、ウエハ仮固定用耐熱性接着組成物として芳香族ポリエーテルアミドイミドのワニスａを得た。
次に、上記ワニスａを研磨用シリコンウエハ(厚さ７５０μｍ、直径８インチ)に１０００ｐｐｍの回転速度でスピンコートした後に、１００℃で５分および１８０℃で３０分加熱して溶媒を除去することによって、上記ウエハ上に１０μｍの厚さの仮固定用接着層を形成した。この積層体の仮固定用接着層上に保持用シリコンウエハ(厚さ７５０μｍ、直径８インチ)を設け、引き続き２３０℃および０．５ＭＰａの条件下で、５秒間にわたって加熱および加圧することによって接着した。以上のようにして、研磨用シリコンウエハ／仮固定用接着層／保持用シリコンウエハの積層構造を有する試験サンプルを得た。
2. Preparation of varnish and test sample 120 g of the previously prepared polyetheramideimide powder was dissolved in a mixed solvent of 126 g of N-methyl-2-pyrrolidone and 54 g of butyl cellosolve acetate, and an aromatic polysiloxane was used as a heat-resistant adhesive composition for temporarily fixing the wafer. Ether amide imide varnish a was obtained.
Next, after spin-coating the varnish a on a polishing silicon wafer (thickness: 750 μm, diameter: 8 inches) at a rotational speed of 1000 ppm, the solvent is removed by heating at 100 ° C. for 5 minutes and at 180 ° C. for 30 minutes. Thus, a temporary fixing adhesive layer having a thickness of 10 μm was formed on the wafer. A silicon wafer for holding (thickness: 750 μm, diameter: 8 inches) was provided on the temporary fixing adhesive layer of this laminate, and subsequently bonded by heating and pressing for 5 seconds at 230 ° C. and 0.5 MPa. . As described above, a test sample having a laminated structure of polishing silicon wafer / adhesive layer for temporary fixing / silicon wafer for holding was obtained.
３．各種評価
試験サンプルにおける２枚のシリコンウエハのダイシェア強度を３０℃で測定したところ、４．１ＭＰａで良好であった。また、試験サンプルの研磨用シリコンウエハを研磨によって厚さ５０μｍまで薄膜化したところ、研磨中に２枚のシリコンウエハの間で剥離が生じることなく、良好に研磨を行うことができた。また、試験サンプルを２５０℃まで加熱し、接着状態の変化について検討したところ、仮固定用接着層での発泡およびウエハの剥がれといった不具合は起こらなかった。
次に、２枚のシリコンウエハのダイシェア強度を３００℃で測定したところ、０．０３ＭＰａであり、保持用シリコンウエハから５０μｍ厚のシリコンウエハを破損することなく分離することができた。さらに、分離した５０μｍ厚のシリコンウエハをＮ−メチル−２−ピロリドンに３０分間浸漬したところ、シリコンウエハ表面に残存した接着材料を除去することができた。
3. Various Evaluations When the die shear strength of two silicon wafers in the test sample was measured at 30 ° C., it was good at 4.1 MPa. Further, when the silicon wafer for polishing of the test sample was thinned to a thickness of 50 μm by polishing, it was possible to perform polishing well without causing separation between the two silicon wafers during polishing. Moreover, when the test sample was heated to 250 ° C. and the change in the adhesion state was examined, problems such as foaming in the temporary fixing adhesive layer and peeling of the wafer did not occur.
Next, when the die shear strength of the two silicon wafers was measured at 300 ° C., it was 0.03 MPa, and the 50 μm thick silicon wafer could be separated from the holding silicon wafer without breaking. Furthermore, when the separated 50 μm-thick silicon wafer was immersed in N-methyl-2-pyrrolidone for 30 minutes, the adhesive material remaining on the silicon wafer surface could be removed.
（実施例２）
１．重合体の調製
温度計、撹拌機、窒素導入管および分留塔を取り付けた５リットルの4つ口フラスコにおいて、窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン３５０．６ｇ（０．８５５モル）および１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１１．２ｇ（０．０４５モル）を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１４２０ｇに溶解した。得られた溶液を、一旦７０℃まで加熱し、０℃まで冷却した後に、その溶液に無水トリメリット酸クロライド１８９．５ｇ（０．９モル）を添加した。次いで、無水トリメリット酸クロライドが溶解した後に、その溶液にトリエチルアミン１００ｇを添加した。以上の手順によって得た溶液を、室温で２時間にわたって撹拌した後に、１８０℃まで昇温して５時間反応させ、反応系の粘度の増加率からイミド化の完結を確認した。
上述のようにして得た反応液を、メタノール中に投入し分離精製を行うことによって、所望の重合体を含むフラクションを単離した。次いで、重合体を含むフラクションを乾燥した後、それをＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、再度、メタノール中に投入し分離精製を行うことによって、重合体を単離した。次いで、単離によって得たフラクションを減圧乾燥することによって、精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。
得られたポリエーテルアミドイミドの分析結果は以下のとおりである。
ガラス転移温度：２２５℃
５％重量減少温度：４１５℃
(Example 2)
1. Preparation of polymer 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane under a nitrogen atmosphere in a 5-liter four-necked flask equipped with a thermometer, stirrer, nitrogen inlet tube and fractionation tower 350.6 g (0.855 mol) and 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane 11.2 g (0.045 mol) were dissolved in 1420 g of N-methyl-2-pyrrolidone. The resulting solution was once heated to 70 ° C. and cooled to 0 ° C., and then 189.5 g (0.9 mol) of trimellitic anhydride chloride was added to the solution. Next, after the trimellitic anhydride chloride was dissolved, 100 g of triethylamine was added to the solution. The solution obtained by the above procedure was stirred at room temperature for 2 hours, then heated to 180 ° C. and reacted for 5 hours, and the completion of imidization was confirmed from the rate of increase in the viscosity of the reaction system.
The reaction solution obtained as described above was put into methanol and separated and purified to isolate a fraction containing the desired polymer. Next, after the fraction containing the polymer was dried, it was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone, and again poured into methanol for separation and purification, thereby isolating the polymer. Subsequently, the fraction obtained by isolation was dried under reduced pressure to obtain a purified polyetheramideimide powder.
The analysis results of the obtained polyetheramide imide are as follows.
Glass transition temperature: 225 ° C
5% weight loss temperature: 415 ° C
２．ワニスおよび試験サンプルの調製
先に調製したポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１２６ｇおよびブチルセロソルブアセテート５４ｇの混合溶媒に溶解し、仮固定用耐熱性接着組成物として、芳香族ポリエーテルアミドイミドのワニスｂを得た。
次に、上記ワニスｂを研磨用シリコンウエハ(厚さ７５０ｕｍ、直径８インチ)に１０００ｐｐｍの回転速度でスピンコートした後に、１００℃で５分および１８０℃で３０分加熱して溶媒を除去することによって、上記ウエハ上に１０μｍの厚さの仮固定接着層を形成した。この積層体の仮固定接着層上に保持用シリコンウエハ(厚さ７５０μｍ、直径８インチ)を設け、引き続き２３０℃および０．５ＭＰａの条件下で、５秒間にわたって加熱および加圧することによって接着した。以上のようにして、研磨用シリコンウエハ／仮固定用接着層／保持用シリコンウエハの積層構造を有する試験サンプルを得た。
2. Preparation of varnish and test sample 120 g of the previously prepared polyetheramideimide powder was dissolved in a mixed solvent of 126 g of N-methyl-2-pyrrolidone and 54 g of butyl cellosolve acetate, and a heat-resistant adhesive composition for temporary fixing was used as an aromatic poly Ether amide imide varnish b was obtained.
Next, after spin-coating the varnish b on a polishing silicon wafer (thickness: 750 μm, diameter: 8 inches) at a rotational speed of 1000 ppm, the solvent is removed by heating at 100 ° C. for 5 minutes and at 180 ° C. for 30 minutes. Thus, a temporary fixing adhesive layer having a thickness of 10 μm was formed on the wafer. A silicon wafer for holding (thickness: 750 μm, diameter: 8 inches) was provided on the temporary fixing adhesive layer of this laminate, and then bonded by heating and pressing for 5 seconds at 230 ° C. and 0.5 MPa. As described above, a test sample having a laminated structure of polishing silicon wafer / adhesive layer for temporary fixing / silicon wafer for holding was obtained.
３．各種評価
試験サンプルにおける２枚のシリコンウエハのダイシェア強度を３０℃で測定したところ、４．０ＭＰａで良好であった。また、試験サンプルの研磨用シリコンウエハを研磨によって厚さ５０μｍまで薄膜化したところ、研磨中に２枚のシリコンウエハの間で剥離が生じることなく、良好に研磨を行うことができた。また、試験サンプルを２５０℃まで加熱し、接着状態の変化について検討したところ、仮固定用接着層での発泡およびウエハの剥がれといった不具合は起こらなかった。
次に、試験サンプルにおける２枚のシリコンウエハのダイシェア強度を３００℃で測定したところ、０．５ＭＰａであり、保持用シリコンウエハから５０μｍ厚のシリコンウエハを破損することなく分離することができた。さらに分離した５０μｍ厚のシリコンウエハをＮ−メチル−２−ピロリドンに３０分間浸漬したところ、シリコンウエハに残存した接着材料を除去することができた。
3. Various evaluations
When the die shear strength of two silicon wafers in the test sample was measured at 30 ° C., it was good at 4.0 MPa. Further, when the silicon wafer for polishing of the test sample was thinned to a thickness of 50 μm by polishing, it was possible to perform polishing well without causing separation between the two silicon wafers during polishing. Moreover, when the test sample was heated to 250 ° C. and the change in the adhesion state was examined, problems such as foaming in the temporary fixing adhesive layer and peeling of the wafer did not occur.
Next, when the die shear strength of the two silicon wafers in the test sample was measured at 300 ° C., it was 0.5 MPa, and the 50 μm thick silicon wafer could be separated from the holding silicon wafer without damage. Further, when the separated 50 μm-thick silicon wafer was immersed in N-methyl-2-pyrrolidone for 30 minutes, the adhesive material remaining on the silicon wafer could be removed.
（実施例３）
１．重合体の調製
温度計、撹拌機、窒素導入管および分留塔を取り付けた５リットルの4つ口フラスコにおいて、窒素雰囲気下、１,３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン３００．２ｇ（０．６３モル）および１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン６７．０ｇ（０．２７モル）を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１４７０ｇに溶解した。得られた溶液を０℃まで冷却した後に、その溶液に無水トリメリット酸クロライド１８９．５ｇ（０．９モル）を添加した。次いで、無水トリメリット酸クロライドが溶解した後に、トリエチルアミン１００ｇを添加した。以上の手順によって得た溶液を、室温で２時間にわたって撹拌した後に、１８０℃まで昇温して５時間反応させ、反応系の粘度の増加率からイミド化の完結を確認した。
上述のようにして得た反応液を、メタノール中に投入して分離精製を行うことによって、所望の重合体を含むフラクションを単離した。次いで、重合体を含むフラクションを乾燥した後、それをＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、再度、メタノール中に投入して分離精製を行うことによって、重合体を単離した。次いで、単離によって得たフラクションを減圧乾燥することによって、精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。
得られたポリエーテルアミドイミドの分析結果は以下のとおりである。
ガラス転移温度：１５０℃
５％重量減少温度：４００℃
(Example 3)
1. Preparation of polymer In a 5-liter four-necked flask equipped with a thermometer, stirrer, nitrogen inlet tube and fractionation tower, 300.2 g (0) of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene in a nitrogen atmosphere .63 mol) and 67.0 g (0.27 mol) of 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane were dissolved in 1470 g of N-methyl-2-pyrrolidone. After cooling the resulting solution to 0 ° C., 189.5 g (0.9 mol) of trimellitic anhydride chloride was added to the solution. Next, after the trimellitic anhydride chloride was dissolved, 100 g of triethylamine was added. The solution obtained by the above procedure was stirred at room temperature for 2 hours, then heated to 180 ° C. and reacted for 5 hours, and the completion of imidization was confirmed from the rate of increase in the viscosity of the reaction system.
The reaction solution obtained as described above was put into methanol and separated and purified to isolate a fraction containing the desired polymer. Next, after the fraction containing the polymer was dried, it was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone and again poured into methanol for separation and purification to isolate the polymer. Subsequently, the fraction obtained by isolation was dried under reduced pressure to obtain a purified polyetheramideimide powder.
The analysis results of the obtained polyetheramide imide are as follows.
Glass transition temperature: 150 ° C
5% weight loss temperature: 400 ° C
２．ワニスおよび試験サンプルの調製
先に調製したポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１２６ｇおよびブチルセロソルブアセテート５４ｇの混合溶媒に溶解し、ウエハ仮固定用耐熱性接着組成物として芳香族ポリエーテルアミドイミドのワニスｃを得た。
次に、上記ワニスｃを研磨用シリコンウエハ(厚さ７５０μｍ、直径８インチ)に１０００ｐｐｍの回転速度でスピンコートした後に、１００℃で５分および１８０℃で３０分加熱して溶媒を除去することによって、上記ウエハ上に１０μｍの厚さの仮固定用接着層を形成した。この積層体の仮固定接着層上に保持用シリコンウエハ(厚さ７５０μｍ、直径８インチ)を設け、引き続き２３０℃および０．５ＭＰａの条件下で、５秒間にわたって加熱および加圧することによって接着した。以上のようにして、研磨用シリコンウエハ／仮固定用接着層／保持用シリコンウエハの積層構造を有する試験サンプルを得た。
2. Preparation of varnish and test sample 120 g of the previously prepared polyetheramideimide powder was dissolved in a mixed solvent of 126 g of N-methyl-2-pyrrolidone and 54 g of butyl cellosolve acetate, and an aromatic polysiloxane was used as a heat-resistant adhesive composition for temporarily fixing the wafer. An ether amideimide varnish c was obtained.
Next, after spin-coating the varnish c on a polishing silicon wafer (thickness 750 μm, diameter 8 inches) at a rotation speed of 1000 ppm, the solvent is removed by heating at 100 ° C. for 5 minutes and 180 ° C. for 30 minutes. Thus, a temporary fixing adhesive layer having a thickness of 10 μm was formed on the wafer. A silicon wafer for holding (thickness: 750 μm, diameter: 8 inches) was provided on the temporary fixing adhesive layer of this laminate, and then bonded by heating and pressing for 5 seconds at 230 ° C. and 0.5 MPa. As described above, a test sample having a laminated structure of polishing silicon wafer / adhesive layer for temporary fixing / silicon wafer for holding was obtained.
３．各種評価
試験サンプルにおける２枚のシリコンウエハのダイシェア強度を３０℃で測定したところ、４．３ＭＰａで良好であった。また、試験サンプルの研磨用シリコンウエハを研磨によって厚さ５０μｍまで薄厚化したところ、研磨中に２枚のシリコンウエハの間で剥離が生じることなく、良好に研磨を行うことができた。また、試験サンプルを２５０℃で加熱し、接着状態の変化について検討したところ、仮固定用接着層での発泡およびウエハの剥がれといった不具合は起こらなかった。
次に、試験サンプルの２枚のシリコンウエハのダイシェア強度を３００℃で測定したところ、０ＭＰａであり、保持用シリコンウエハから５０μｍ厚のシリコンウエハを破損することなく分離することができた。さらに分離した５０μｍ厚のシリコンウエハをＮ−メチル−２−ピロリドンに３０分間浸漬したところ、シリコンウエハに残存した接着材料を除去することができた。
3. Various Evaluations When the die shear strength of two silicon wafers in the test sample was measured at 30 ° C., it was good at 4.3 MPa. Moreover, when the silicon wafer for polishing of the test sample was thinned to a thickness of 50 μm by polishing, the polishing could be performed satisfactorily without causing separation between the two silicon wafers during polishing. Moreover, when the test sample was heated at 250 ° C. and the change in the adhesion state was examined, problems such as foaming in the temporary fixing adhesive layer and peeling of the wafer did not occur.
Next, when the die shear strength of two silicon wafers of the test sample was measured at 300 ° C., it was 0 MPa, and the 50 μm thick silicon wafer could be separated from the holding silicon wafer without breaking. Further, when the separated 50 μm-thick silicon wafer was immersed in N-methyl-2-pyrrolidone for 30 minutes, the adhesive material remaining on the silicon wafer could be removed.
（実施例４）
１．重合体の調製
温度計、撹拌機、窒素導入管および分留塔を取り付けた１リットルの4つ口フラスコにおいて、窒素雰囲気下、２，２-ビス[４−(４−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン１１０．８ｇ（０．２７モル）を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン４５７ｇに溶解した。得られた溶液を０℃まで冷却した後に、その溶液にプロピレンオキサイド６２．７ｇ（１．１ｍｏｌ）を添加し、攪拌し、さらにイソフタル酸ジクロライド５０．１ｇ（０．２５ｍｏｌ）を添加した。以上の手順によって得た溶液を、１０℃で３０分間にわたって撹拌した後に、その溶液にイソフタル酸ジクロライド４．７ｇ（０．０２ｍｏｌ）を３等分して２０分おきに添加した。イソフタル酸ジクロライドを全て添加し終えた後、１０℃で１時間にわたって攪拌し、反応系の粘度の増加率から反応の完結を確認した。
上述のようにして得た反応液を、メタノール中に投入し分離精製を行うことによって、所望の重合体を含むフラクションを単離した。次いで、重合体を含むフラクションを乾燥した後、それをＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、再度、メタノール中に投入し分離精製を行うことによって、重合体を単離した。次いで、単離によって得たフラクションを減圧乾燥することによって、精製されたポリエーテルアミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドの分析結果は以下のとおりである。
ガラス転移温度：２２０℃
５％重量減少温度：４０８℃
Example 4
1. Preparation of polymer 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane under a nitrogen atmosphere in a 1 liter four-necked flask equipped with a thermometer, stirrer, nitrogen inlet tube and fractionation tower 110.8 g (0.27 mol) was dissolved in 457 g of N-methyl-2-pyrrolidone. After the obtained solution was cooled to 0 ° C., 62.7 g (1.1 mol) of propylene oxide was added to the solution, stirred, and 50.1 g (0.25 mol) of isophthalic acid dichloride was further added. The solution obtained by the above procedure was stirred at 10 ° C. for 30 minutes, and then 4.7 g (0.02 mol) of isophthalic acid dichloride was added to the solution in 3 equal portions every 20 minutes. After all the isophthalic acid dichloride had been added, the mixture was stirred at 10 ° C. for 1 hour, and the completion of the reaction was confirmed from the rate of increase in the viscosity of the reaction system.
The reaction solution obtained as described above was put into methanol and separated and purified to isolate a fraction containing the desired polymer. Next, after the fraction containing the polymer was dried, it was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone, and again poured into methanol for separation and purification, thereby isolating the polymer. Subsequently, the purified polyetheramide powder was obtained by drying the fraction obtained by isolation under reduced pressure. The analysis results of the obtained polyetheramide are as follows.
Glass transition temperature: 220 ° C
5% weight loss temperature: 408 ° C
２．ワニスおよび試験サンプルの調製
先に調製したポリエーテルアミド粉末１２０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１２６ｇおよびブチルセロソルブアセテート５４ｇの混合溶媒に溶解し、ウエハ仮固定用耐熱性接着組成物として、芳香族ポリエーテルアミドのワニスｄを得た。
次に、上記ワニスｄを研磨用シリコンウエハ(厚さ７５０μｍ、直径８インチ)に１０００ｐｐｍの回転速度でスピンコートした後に、１００℃で５分および１８０℃で３０分加熱して溶媒を除去することによって、上記ウエハ上に１０μｍの厚さの仮固定用接着層を形成した。この積層体の仮固定用接着層上に保持用シリコンウエハ(厚さ７５０μｍ、直径８インチ)を設け、引き続き２３０℃および０．５ＭＰａの条件下で、５秒間にわたって加熱および加圧することによって接着した。以上のようにして、研磨用シリコンウエハ／仮固定用接着層／保持用シリコンウエハの積層構造を有する試験サンプルを得た。
2. Preparation of varnish and test sample 120 g of the previously prepared polyetheramide powder was dissolved in a mixed solvent of 126 g of N-methyl-2-pyrrolidone and 54 g of butyl cellosolve acetate, and a heat-resistant adhesive composition for temporarily fixing the wafer was used as an aromatic poly An ether amide varnish d was obtained.
Next, after spin-coating the varnish d on a polishing silicon wafer (thickness: 750 μm, diameter: 8 inches) at a rotational speed of 1000 ppm, the solvent is removed by heating at 100 ° C. for 5 minutes and at 180 ° C. for 30 minutes. Thus, a temporary fixing adhesive layer having a thickness of 10 μm was formed on the wafer. A silicon wafer for holding (thickness: 750 μm, diameter: 8 inches) was provided on the temporary fixing adhesive layer of this laminate, and subsequently bonded by heating and pressing for 5 seconds at 230 ° C. and 0.5 MPa. . As described above, a test sample having a laminated structure of polishing silicon wafer / adhesive layer for temporary fixing / silicon wafer for holding was obtained.
３．各種評価
試験サンプルにおける２枚のシリコンウエハのダイシェア強度を３０℃で測定したところ、３．０ＭＰａで良好であった。また、試験サンプルにおける研磨用シリコンウエハを研磨によって厚さ５０μｍまで薄厚化したところ、研磨中に２枚のシリコンウエハの間で剥離が生じることなく、良好に研磨を行うことができた。また、試験サンプルを２５０℃まで加熱し、接着状態の変化について検討したところ、仮固定用接着層での発泡およびウエハの剥がれといった不具合は起こらなかった。
次に、試験サンプルの２枚のシリコンウエハのダイシェア強度を３００℃で測定したところ、０．１ＭＰａであり、保持用シリコンウエハから５０μｍ厚のシリコンウエハを破損することなく分離することができた。さらに、分離した５０μｍ厚のシリコンウエハをＮ−メチル−２−ピロリドンに３０分間浸漬したところ、シリコンウエハ表面に残存した接着材料を除去することができた。
3. Various evaluations When the die shear strength of two silicon wafers in the test sample was measured at 30 ° C., it was good at 3.0 MPa. Further, when the silicon wafer for polishing in the test sample was thinned to a thickness of 50 μm by polishing, the polishing could be performed satisfactorily without causing separation between the two silicon wafers during polishing. Moreover, when the test sample was heated to 250 ° C. and the change in the adhesion state was examined, problems such as foaming in the temporary fixing adhesive layer and peeling of the wafer did not occur.
Next, when the die shear strength of the two silicon wafers of the test sample was measured at 300 ° C., it was 0.1 MPa, and the 50 μm thick silicon wafer could be separated from the holding silicon wafer without breaking. Furthermore, when the separated 50 μm-thick silicon wafer was immersed in N-methyl-2-pyrrolidone for 30 minutes, the adhesive material remaining on the silicon wafer surface could be removed.
（実施例５）
１．フィルムの作製
実施例２で調製した芳香族ポリエーテルアミドイミドのワニスｂを、離型フィルム（帝人デュポンフィルム株式会社商品名「ピューレックスＡ３１Ｂ」、表面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム、膜厚３８μｍ）上に塗布し、９０℃で５分および１００℃で３分間加熱乾燥を行うことによって、膜厚１０μｍの塗膜としてフィルムｅを得た。
(Example 5)
1. Production of Film The aromatic polyetheramideimide varnish b prepared in Example 2 was placed on a release film (Teijin DuPont Films trade name “Purex A31B”, surface release treatment polyethylene terephthalate film, film thickness 38 μm). The film e was obtained as a coating film having a thickness of 10 μm by performing heat drying at 90 ° C. for 5 minutes and at 100 ° C. for 3 minutes.
２．試験サンプルの作製
ウエハ仮固定用接着材料として作製した上記フィルムｅを、研磨用シリコンウエハ(厚さ７５０μｍ、直径８インチ)上に設け、１４０℃および０．５ＭＰａの条件下で、２０秒間にわたって接着した後に、１００℃で５分および１８０℃で３０分にわたって加熱することにより溶媒を除去し、仮固定用接着層を形成した。この積層体の仮固定用接着層上に保持用シリコンウエハ(厚さ７５０μｍ、直径８インチ)を設け、引き続き２３０℃および０．５ＭＰａの条件下で、５秒間にわたって加熱および加圧することによって接着した。以上のようにして、研磨用シリコンウエハ／仮固定用接着層／保持用シリコンウエハの積層構造を有する試験サンプルを得た。
2. Preparation of test sample The above-mentioned film e prepared as an adhesive material for temporarily fixing a wafer is provided on a polishing silicon wafer (thickness: 750 μm, diameter: 8 inches), and bonded for 20 seconds under conditions of 140 ° C. and 0.5 MPa. After that, the solvent was removed by heating at 100 ° C. for 5 minutes and at 180 ° C. for 30 minutes to form a temporary fixing adhesive layer. A silicon wafer for holding (thickness: 750 μm, diameter: 8 inches) was provided on the temporary fixing adhesive layer of this laminate, and subsequently bonded by heating and pressing for 5 seconds at 230 ° C. and 0.5 MPa. . As described above, a test sample having a laminated structure of polishing silicon wafer / adhesive layer for temporary fixing / silicon wafer for holding was obtained.
３．各種評価
試験サンプルにおける２枚のシリコンウエハのダイシェア強度を３０℃で測定したところ、３．７ＭＰａで良好であった。また、試験サンプルの研磨用シリコンウエハを研磨によって厚さ５０μｍまで薄厚化したところ、研磨中に２枚のシリコンウエハの間で剥離が生じることなく、良好に研磨を行うことができた。また、試験サンプルを２５０℃まで加熱し、接着状態の変化について検討したところ、仮固定用接着層での発泡およびウエハの剥がれといった不具合は起こらなかった。
次に、試験サンプルの２枚のシリコンウエハのダイシェア強度を３００℃で測定したところ、０．０１ＭＰａであり、保持用シリコンウエハから５０μｍ厚のシリコンウエハを破損することなく分離することができた。さらに、分離した５０μｍ厚のシリコンウエハをＮ−メチル−２−ピロリドンに３０分間浸漬したところ、シリコンウエハ表面に残存した接着材料を全て除去することができた。
3. Various Evaluations When the die shear strength of two silicon wafers in the test sample was measured at 30 ° C., it was good at 3.7 MPa. Moreover, when the silicon wafer for polishing of the test sample was thinned to a thickness of 50 μm by polishing, the polishing could be performed satisfactorily without causing separation between the two silicon wafers during polishing. Moreover, when the test sample was heated to 250 ° C. and the change in the adhesion state was examined, problems such as foaming in the temporary fixing adhesive layer and peeling of the wafer did not occur.
Next, when the die shear strength of the two silicon wafers of the test sample was measured at 300 ° C., it was 0.01 MPa, and the 50 μm thick silicon wafer could be separated from the holding silicon wafer without breaking. Furthermore, when the separated 50 μm-thick silicon wafer was immersed in N-methyl-2-pyrrolidone for 30 minutes, all of the adhesive material remaining on the silicon wafer surface could be removed.
（比較例１）
１．試験サンプルの作製
アクリル系粘着剤（綜研化学株式会社製、商品名「ＳＫダイン１４３５」、トルエンと酢酸エチルとの混合溶媒）を仮固定用接着材料のワニスｆとして使用し、研磨用シリコンウエハ(厚さ７５０μｍ、直径８インチ)に１０００ｐｐｍの回転速度でスピンコートした。次いで、９０℃で２分加熱して溶媒を除去することによって、上記ウエハ上に１０μｍの厚さの仮固定用接着層を形成した。この積層体の仮固定用接着層上に保持用シリコンウエハ(厚さ７５０μｍ、直径８インチ)を設け、引き続き２５℃および０．５ＭＰａの条件下で、５秒間にわたって加熱および加圧することによって接着した。以上のようにして、研磨用シリコンウエハ／仮固定用接着層／保持用シリコンウエハの積層構造を有する試験サンプルを得た。
(Comparative Example 1)
1. Preparation of test sample Acrylic adhesive (trade name “SK Dyne 1435”, mixed solvent of toluene and ethyl acetate, manufactured by Soken Chemical Co., Ltd.) was used as a temporary fixing adhesive varnish f, and a polishing silicon wafer ( The film was spin-coated at a rotational speed of 1000 ppm on a thickness of 750 μm and a diameter of 8 inches. Next, the solvent was removed by heating at 90 ° C. for 2 minutes to form a temporary fixing adhesive layer having a thickness of 10 μm on the wafer. A holding silicon wafer (thickness: 750 μm, diameter: 8 inches) was provided on the temporary fixing adhesive layer of this laminate, and subsequently adhered by heating and pressing for 5 seconds at 25 ° C. and 0.5 MPa. . As described above, a test sample having a laminated structure of polishing silicon wafer / adhesive layer for temporary fixing / silicon wafer for holding was obtained.
２．各種評価
試験サンプルにおける２枚のシリコンウエハのダイシェア強度を３０℃で測定したところ、０．８ＭＰａであり、実施例１〜５と比較して低い値であった。また、試験サンプルの研磨用シリコンウエハを研磨によって厚さ５０μｍまで薄厚化したところ、研磨中に２枚のシリコンウエハの間で剥離が生じやすく、良好に研磨を行うことが困難であった。また、試験サンプルを２５０℃まで加熱し、接着状態の変化について検討したところ、仮固定用接着層での発泡およびウエハの剥がれが認められた。
次に、試験サンプルの２枚のシリコンウエハのダイシェア強度を３００℃で測定したところ、０ＭＰａであり、測定中に熱分解して臭気が発生した。さらに、分離した５０μｍ厚のシリコンウエハをＮ−メチル−２−ピロリドンに３０分間浸漬したところ、シリコンウエハ表面に残存した接着材料を除去することができた。
2. Various evaluations When the die shear strength of the two silicon wafers in the test sample was measured at 30 ° C., it was 0.8 MPa, which was a lower value than Examples 1-5. Further, when the silicon wafer for polishing of the test sample was thinned to 50 μm by polishing, peeling was likely to occur between the two silicon wafers during polishing, and it was difficult to perform good polishing. Moreover, when the test sample was heated to 250 ° C. and the change in the adhesion state was examined, foaming in the temporary fixing adhesive layer and peeling of the wafer were observed.
Next, when the die shear strength of the two silicon wafers of the test sample was measured at 300 ° C., it was 0 MPa, and during the measurement, thermal decomposition occurred and odor was generated. Furthermore, when the separated 50 μm-thick silicon wafer was immersed in N-methyl-2-pyrrolidone for 30 minutes, the adhesive material remaining on the silicon wafer surface could be removed.
以上、実施例１〜５および比較例１の結果から明らかなように、本発明のウエハ仮固定用耐熱性接着組成物およびフィルムは、研磨用ウエハおよび保持用ウエハを密着させて良好に固定することができ、耐熱性に優れている。また、本発明のウエハ仮固定用耐熱性接着組成物およびフィルムは、研磨後のシリコンウエハの分離が容易であり、さらに分離後のウエハに残存した接着組成物を溶剤によって容易に除去することができる。そのため、半導体パッケージの製造に向けて、シリコンウエハ裏面を研磨によって薄厚化する際の、保持材料へのシリコンウエハの仮固定に使用する接着材料として有益となる。 As described above, as is clear from the results of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1, the heat-resistant adhesive composition and film for temporary fixing of a wafer according to the present invention are satisfactorily fixed by closely contacting a polishing wafer and a holding wafer. It has excellent heat resistance. Further, the heat-resistant adhesive composition and film for temporary fixing of a wafer according to the present invention can easily separate a silicon wafer after polishing, and can easily remove the adhesive composition remaining on the wafer after separation with a solvent. it can. Therefore, it is useful as an adhesive material used for temporarily fixing the silicon wafer to the holding material when the back surface of the silicon wafer is thinned by polishing for the manufacture of the semiconductor package.
Claims (5)
［一般式（Ｉ）中、Ｙは下式（ａ）又は（ｂ）で示される基であり、Ｙは繰り返し単位毎に相違してもよい。］
[In general formula (I), Y is a group represented by the following formula (a) or (b), and Y may be different for each repeating unit. ]
［一般式（II）中、Ｙは下式（ａ）又は（ｂ）で表される基であり、Ｙは繰り返し単位毎に相違してもよい。］
[In general formula (II), Y is a group represented by the following formula (a) or (b), and Y may be different for each repeating unit. ]
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