JP2010219436A5 - - Google Patents
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Description
次に、共通基板上の第１発光部１１および第２発光部１２をヘキ開したのち、例えば、主射出端面となる側に低反射膜１４を形成する。具体的には、共通基板上の第１発光部１１および第２発光部１２の端面上に、第１誘電体膜１４Ａ、第２誘電体膜１４Ｂおよび第３誘電体膜１４Ｃをこの順で形成する。
次に、例えば、第１発光部１１および第２発光部１２の低反射膜１４を形成した端面とは反対側の端面上に、第４誘電体膜１５Ａおよび第５誘電体膜１５Ｂをこの順で積層することにより、高反射膜１５を形成する。
［作用および効果］
この多波長半導体レーザでは、ｎ型電極とｐ型電極との間に所定の電圧が印加されると、第１発光部１１および第２発光部１２において、電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、低反射膜１４および高反射膜１５により反射され、半導体レーザ素子１０Ａでは６５０ｎｍ帯の波長で、半導体レーザ素子１０Ｂでは７８０ｎｍ帯の波長でそれぞれレーザ発振し、レーザビームとして低反射膜１４側から主に外部に射出される。
この多波長半導体レーザでは、ｎ型電極とｐ型電極との間に所定の電圧が印加されると、第１発光部１１および第２発光部１２において、電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、低反射膜１４および高反射膜１５により反射され、半導体レーザ素子１０Ａでは６５０ｎｍ帯の波長で、半導体レーザ素子１０Ｂでは７８０ｎｍ帯の波長でそれぞれレーザ発振し、レーザビームとして低反射膜１４側から主に外部に射出される。
また、本実施の形態では、第１ないし第３誘電体膜１４Ａ〜１４Ｃは、屈折率ｎ１〜ｎ３が１．６≦ｎ１≦１．７、２≦ｎ２≦２．３、１．４≦ｎ３≦１．５の範囲内に設定可能な材料により構成されていることが好ましい。この場合、特に、第１誘電体膜１４ＡはＡｌ2Ｏ3 およびＭｇＯのうちの少なくとも１種からなり、第２誘電体膜１４ＢはＴａ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 、ＺｎＯ、ＨｆＯ2 、ＣｅＯ2 、ＴｉＯ2 、ＴｉＯおよびＮｂ2 Ｏ5 のうちの少なくとも１種からなり、かつ第３誘電体膜１４ＣはＳｉＯ2からなるようにすれば、上記した各発振波長における特に好ましい低反射膜１４の反射率に容易に設定することができる。また、第１誘電体膜１４Ａ、第２誘電体膜１４Ｂおよび第３誘電体膜１４Ｃが共通の光学膜厚を有するようにすれば、より容易に主射出端面側における反射率を設定できる。
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