JP2010219163A - Light emitting module and lamp fitting unit - Google Patents

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Kazuhiro Ito
和弘 伊藤
Hisayoshi Daicho
久芳 大長
Yasuaki Tsutsumi
康章 堤
Masanori Mizuno
正宣 水野
Kiminori Enomoto
公典 榎本
Yuso Maeno
雄壮 前野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve high light extraction efficiency from a light emitting element, and to suppress unevenness of light intensity. <P>SOLUTION: In a light emitting module 40, a light wavelength conversion member 52 carries out wavelength conversion of light formed to be transparent and irradiated from a semiconductor light emitting element 48, and outputs the light. A transparent member 54 is attached on an output surface of the light wavelength conversion member 52. In the transparent member 54, a plurality of projections 54b is provided on the output surface where the light inputted from the light wavelength conversion member 52 is outputted. In the semiconductor light emitting element 48, an electrode pattern to which a current for light emission is supplied is formed on the light emission surface 48a. The plurality of projections 54b is provided at an arrangement interval X1 shorter than a repeating interval of the pattern in the electrode pattern. The arrangement interval X1 is set to be 300 μm or less. Each of the projections 54b is formed in a hemisphere shape. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光モジュール、および発光モジュールを備える灯具ユニットに関する。   The present invention relates to a light emitting module and a lamp unit including the light emitting module.

近年、高寿命化や消費電力低減などを目的として、車両前方に光を照射する灯具ユニットなど強い光を照射するための光源としてLED(Light Emitting Diode)などの発光素子を有する発光モジュールを用いる技術の開発が進められている。しかし、このような用途で用いるためには発光モジュールの白色光による発光を実現させるだけでなく、発光モジュールに高輝度や高光度が求められることになる。このため、例えば白色光の取り出し効率を向上させるべく、主として青色光を発光する発光素子と、青色光により励起されて主として黄色光を発光する黄色系蛍光体と、発光素子から青色光を透過させ、黄色系蛍光体からの黄色光以上の波長の光を反射する青色透過黄色系反射手段と、を備える照明装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。また、例えば変換効率を増大させるべく、発光層によって放出された光の経路内に配置されたセラミック層を備える構造体が提案されている(例えば、特許文献2参照)。   2. Description of the Related Art In recent years, for the purpose of extending life and reducing power consumption, a technology that uses a light emitting module having a light emitting element such as an LED (Light Emitting Diode) as a light source for irradiating strong light such as a lamp unit that irradiates light in front of the vehicle Development is underway. However, in order to use in such applications, not only the light emitting module emits light with white light but also the light emitting module is required to have high brightness and high luminous intensity. For this reason, for example, in order to improve the extraction efficiency of white light, a light emitting element that mainly emits blue light, a yellow phosphor that emits mainly yellow light when excited by blue light, and blue light is transmitted from the light emitting element. An illuminating device has been proposed that includes blue-transmitting yellow-based reflecting means that reflects light having a wavelength equal to or greater than that of yellow light from a yellow-based phosphor (see, for example, Patent Document 1). For example, in order to increase the conversion efficiency, a structure including a ceramic layer disposed in a path of light emitted by the light emitting layer has been proposed (see, for example, Patent Document 2).

特開2007−59864号公報JP 2007-59864 A 特開2006−5367号公報JP 2006-5367 A

例えば上述した灯具ユニットに用いる場合のように発光素子の発した光の波長を変換しつつ高い照度、光度を実現することが求められる場合、発光素子からの光の取り出し効率を向上させることが大きな課題となる。しかし、例えば蛍光体の出射面への光の入射角度が全反射臨界角よりも大きくなった場合、光は出射されず蛍光体の内部に反射され、光に取り出し効率の低下に繋がることになる。また、LEDなどの半導体発光素子の中には、出射面から電極パターンが判別できるものも存在する。このような発光素子の電極形状は光度ムラに繋がるおそれがある。   For example, when it is required to realize high illuminance and luminous intensity while converting the wavelength of light emitted from the light emitting element as in the case of the lamp unit described above, it is significant to improve the light extraction efficiency from the light emitting element. It becomes a problem. However, for example, when the incident angle of light on the emission surface of the phosphor becomes larger than the total reflection critical angle, the light is not emitted but reflected inside the phosphor, leading to a decrease in extraction efficiency. . Some semiconductor light-emitting elements such as LEDs can distinguish the electrode pattern from the exit surface. Such an electrode shape of the light emitting element may lead to uneven brightness.

そこで、本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、発光素子からの高い光の取り出し効率実現すると共に光度ムラを抑制することにある。   Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to realize high light extraction efficiency from the light emitting element and to suppress unevenness in luminous intensity.

上記課題を解決するために、本発明のある態様の発光モジュールは、発光素子と、発光素子が発する光を波長変換して出射する透明な光波長変換部材と、光波長変換部材の出射面上に取り付けられ、光波長変換部材から入射された光を複数の突部が設けられた出射面から出射する透明部材と、を備える。発光素子は、発光のための電流が供給される電極パターンが形成され、複数の突部は、電極パターンにおけるパターンの繰り返し間隔よりも短い配置間隔で設けられる。   In order to solve the above-described problems, a light emitting module according to an aspect of the present invention includes a light emitting element, a transparent light wavelength converting member that converts the wavelength of light emitted from the light emitting element and emits the light, and an emission surface of the light wavelength converting member. And a transparent member that emits light incident from the light wavelength conversion member from an emission surface provided with a plurality of protrusions. In the light emitting element, an electrode pattern to which a current for light emission is supplied is formed, and the plurality of protrusions are provided at an arrangement interval shorter than the pattern repetition interval in the electrode pattern.

この態様によれば、まず透明部材にこのように突部を設けることによって、出射面から出射することなく光波長変換部材に向かって反射される光を抑制することができ、高い光の取り出し効率を実現することができる。また、突起の配置間隔を電極パターンにおけるパターンの繰り返し間隔よりも短くすることで、電極パターンによって生じる光度ムラを抑制することができる。   According to this aspect, by first providing the protrusions on the transparent member in this way, it is possible to suppress the light reflected toward the light wavelength conversion member without being emitted from the emission surface, and high light extraction efficiency. Can be realized. Moreover, the unevenness of luminous intensity caused by the electrode pattern can be suppressed by making the arrangement interval of the protrusions shorter than the pattern repetition interval in the electrode pattern.

複数の突部の各々は、半球型に形成されてもよい。発明者による鋭意なる研究開発の結果、この突部を半球型に形成することにより、より高い光の取り出し効率を実現することが判明した。このためこの態様によれば、より光度の高い光を発する発光モジュールを提供することが可能となる。   Each of the plurality of protrusions may be formed in a hemispherical shape. As a result of earnest research and development by the inventor, it has been found that a higher light extraction efficiency can be realized by forming this protrusion into a hemispherical shape. Therefore, according to this aspect, it is possible to provide a light emitting module that emits light with higher luminous intensity.

本発明の別の態様は、灯具ユニットである。この灯具ユニットは、発光素子と、発光素子が発する光を波長変換して出射する透明な光波長変換部材と、光波長変換部材の出射面上に取り付けられ、光波長変換部材から入射された光を複数の突部が設けられた出射面から出射する透明部材と、を有する発光モジュールと、発光モジュールから出射された光を集光する光学部材と、を備える。発光素子は、発光のための電流が供給される電極パターンが形成され、複数の突部は、電極パターンにおけるパターンの繰り返し間隔よりも短い配置間隔で設けられる。   Another aspect of the present invention is a lamp unit. The lamp unit includes a light-emitting element, a transparent light wavelength conversion member that converts the wavelength of light emitted from the light-emitting element and emits the light, and the light incident on the light wavelength conversion member. And a transparent member that emits light from an emission surface provided with a plurality of protrusions, and an optical member that condenses light emitted from the light emitting module. In the light emitting element, an electrode pattern to which a current for light emission is supplied is formed, and the plurality of protrusions are provided at an arrangement interval shorter than the pattern repetition interval in the electrode pattern.

発光素子を照明源として用いる場合、その光度ムラの低減は特に重要な課題となる。この態様によれば、このように光の取り出し効率が高く光度ムラを抑制した発光モジュールを用いることにより、光度がより高く光度ムラがより低い灯具ユニットを提供することができる。   When a light emitting element is used as an illumination source, reduction of unevenness in luminous intensity is a particularly important issue. According to this aspect, it is possible to provide a lamp unit having a higher luminous intensity and a lower luminous intensity unevenness by using the light emitting module having a high light extraction efficiency and suppressing the luminous intensity irregularity.

本発明のさらに別の態様は、発光モジュールである。この発光モジュールは、発光素子と、発光素子が発する光を波長変換して出射する透明な光波長変換部材と、光波長変換部材の出射面上に取り付けられ、光波長変換部材から入射された光を複数の突部が設けられた出射面から出射する透明部材と、を備える。複数の突部は、300マイクロメートル以下の配置間隔で設けられる。   Yet another embodiment of the present invention is a light emitting module. The light-emitting module includes a light-emitting element, a transparent light wavelength conversion member that converts the wavelength of light emitted from the light-emitting element and emits the light, and light incident on the light wavelength conversion member. And a transparent member that emits light from an emission surface provided with a plurality of protrusions. The plurality of protrusions are provided at an arrangement interval of 300 micrometers or less.

発明者による鋭意なる研究開発の結果、突部の配置間隔を300マイクロメートル以下にすることによってより高い光の取り出し効率を実現できることが判明した。したがってこの態様によれば、光度の高い発光モジュールを実現することができる。なお、この場合においても複数の突部の各々は、半球型に形成されてもよい。   As a result of earnest research and development by the inventor, it has been found that a higher light extraction efficiency can be realized by setting the protrusion interval to 300 micrometers or less. Therefore, according to this aspect, a light emitting module with high luminous intensity can be realized. Also in this case, each of the plurality of protrusions may be formed in a hemispherical shape.

本発明のさらに別の態様は、灯具ユニットである。この灯具ユニットは、発光素子と、発光素子が発する光を波長変換して出射する透明な光波長変換部材と、光波長変換部材の出射面上に取り付けられ、光波長変換部材から入射された光を複数の突部が設けられた出射面から出射する透明部材と、を有する発光モジュールと、発光モジュールから出射された光を集光する光学部材と、を備える。複数の突部は、300マイクロメートル以下の配置間隔で設けられる。この態様によれば、このように光の取り出し効率が高い発光モジュールを用いることにより、光度がより高い灯具ユニットを提供することができる。   Yet another embodiment of the present invention is a lamp unit. The lamp unit includes a light emitting element, a transparent light wavelength converting member that converts the wavelength of the light emitted from the light emitting element and emits the light, and the light incident on the light wavelength converting member. And a transparent member that emits light from an emission surface provided with a plurality of protrusions, and an optical member that condenses light emitted from the light emitting module. The plurality of protrusions are provided at an arrangement interval of 300 micrometers or less. According to this aspect, it is possible to provide a lamp unit having a higher luminous intensity by using the light emitting module having a high light extraction efficiency.

本発明によれば、発光素子からの高い光の取り出し効率実現すると共に光度ムラを抑制することができる。   According to the present invention, it is possible to achieve high light extraction efficiency from the light emitting element and to suppress unevenness in luminous intensity.

第1の実施形態に係る車両用前照灯の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the vehicle headlamp which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る発光モジュール基板の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting module board | substrate which concerns on 1st Embodiment. (a)は、第1の実施形態に係る発光モジュールの構成を示す斜視図であり、(b)は、(a)を視点Pから見た図である。(A) is a perspective view which shows the structure of the light emitting module which concerns on 1st Embodiment, (b) is the figure which looked at (a) from the viewpoint P. FIG. (a)は、第2の実施形態に係る発光モジュールの構成を示す斜視図であり、(b)は、(a)を視点Qから見た図である。(A) is a perspective view which shows the structure of the light emitting module which concerns on 2nd Embodiment, (b) is the figure which looked at (a) from the viewpoint Q. FIG. (a)は、第3の実施形態に係る発光モジュールの構成を示す斜視図であり、(b)は、(a)を視点Rから見た図である。(A) is a perspective view which shows the structure of the light emitting module which concerns on 3rd Embodiment, (b) is the figure which looked at (a) from the viewpoint R. FIG. (a)は、第4の実施形態に係る発光モジュールの構成を示す斜視図であり、(b)は、(a)を視点Sから見た図である。(A) is a perspective view which shows the structure of the light emitting module which concerns on 4th Embodiment, (b) is the figure which looked at (a) from the viewpoint S. FIG. (a)は、第5の実施形態に係る発光モジュールの構成を示す斜視図であり、(b)は、(a)の平面Tによる断面図である。(A) is a perspective view which shows the structure of the light emitting module which concerns on 5th Embodiment, (b) is sectional drawing by the plane T of (a).

以下、図面を参照して本発明の実施の形態(以下、実施形態という)について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention (hereinafter referred to as embodiments) will be described in detail with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る車両用前照灯10の構成を示す断面図である。車両用前照灯10は、灯具ボディ12、前面カバー14、および灯具ユニット16を有する。以下、図1において左側を灯具前方、右側を灯具後方として説明する。また、灯具前方にみて右側を灯具右側、左側を灯具左側という。図1は、灯具ユニット16の光軸を含む鉛直平面によって切断された車両用前照灯10を灯具左側から見た断面を示している。なお、車両用前照灯10が車両に装着される場合、車両には互いに左右対称に形成された車両用前照灯10が車両左前方および右前方のそれぞれに設けられる。図1は、左右いずれかの車両用前照灯10の構成を示している。
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a vehicle headlamp 10 according to the first embodiment. The vehicle headlamp 10 includes a lamp body 12, a front cover 14, and a lamp unit 16. Hereinafter, the left side in FIG. 1 will be described as the front of the lamp, and the right side will be described as the rear of the lamp. Further, the right side of the lamp in front of the lamp is called the right side of the lamp, and the left side is called the lamp left side. FIG. 1 shows a cross section of a vehicle headlamp 10 cut by a vertical plane including the optical axis of the lamp unit 16 as viewed from the left side of the lamp. When the vehicle headlamp 10 is mounted on the vehicle, the vehicle headlamps 10 formed symmetrically with each other are provided on the vehicle left front and right front, respectively. FIG. 1 shows the configuration of the left or right vehicle headlamp 10.

灯具ボディ12は開口を有する箱状に形成される。前面カバー14は透光性を有する樹脂またはガラスによって椀状に形成される。前面カバー14は、縁部が灯具ボディ12の開口部に取り付けられる。こうして、灯具ボディ12と前面カバー14とによって覆われる領域に灯室が形成される。   The lamp body 12 is formed in a box shape having an opening. The front cover 14 is formed in a bowl shape with a translucent resin or glass. The front cover 14 has an edge attached to the opening of the lamp body 12. In this way, a lamp chamber is formed in an area covered by the lamp body 12 and the front cover 14.

灯室内には、灯具ユニット16が配置される。灯具ユニット16は、エイミングスクリュー18によって灯具ボディ12に固定される。下方のエイミングスクリュー18はレベリングアクチュエータ20が作動することにより回転するよう構成されている。このため、レベリングアクチュエータ20を作動させることで、灯具ユニット16の光軸を上下方向に移動することが可能となっている。   A lamp unit 16 is disposed in the lamp chamber. The lamp unit 16 is fixed to the lamp body 12 by an aiming screw 18. The lower aiming screw 18 is configured to rotate when the leveling actuator 20 is operated. For this reason, it is possible to move the optical axis of the lamp unit 16 in the vertical direction by operating the leveling actuator 20.

灯具ユニット16は、投影レンズ30、支持部材32、リフレクタ34、ブラケット36、発光モジュール基板38、および放熱フィン42を有する。投影レンズ30は、灯具前方側表面が凸面で後方側表面が平面の平凸非球面レンズからなり、その後方焦点面上に形成される光源像を反転像として灯具前方に投影する。支持部材32は、投影レンズ30を支持する。発光モジュール基板38には発光モジュール40が設けられている。リフレクタ34は、発光モジュール40からの光を反射して、投影レンズ30の後方焦点面に光源像を形成する。このようにリフレクタ34および投影レンズ30は、発光モジュール40が発した光を灯具前方に向けて集光する光学部材として機能する。放熱フィン42は、ブラケット36の後方側の面に取り付けられ、主に発光モジュール40が発した熱を放熱する。   The lamp unit 16 includes a projection lens 30, a support member 32, a reflector 34, a bracket 36, a light emitting module substrate 38, and heat radiating fins 42. The projection lens 30 is a plano-convex aspheric lens having a convex front surface and a flat rear surface, and projects a light source image formed on the rear focal plane as a reverse image to the front of the lamp. The support member 32 supports the projection lens 30. A light emitting module 40 is provided on the light emitting module substrate 38. The reflector 34 reflects light from the light emitting module 40 and forms a light source image on the rear focal plane of the projection lens 30. Thus, the reflector 34 and the projection lens 30 function as an optical member that condenses the light emitted from the light emitting module 40 toward the front of the lamp. The radiation fins 42 are attached to the rear surface of the bracket 36 and mainly radiate heat generated by the light emitting module 40.

支持部材32には、シェード32aが形成されている。車両用前照灯10はロービーム用光源として用いられ、シェード32aは、発光モジュール40から発せられリフレクタ34にて反射した光の一部を遮ることで、車両前方においてロービーム用配光パターンにおけるカットオフラインを形成する。ロービーム用配光パターンは公知であることから説明を省略する。   The support member 32 is formed with a shade 32a. The vehicle headlamp 10 is used as a low beam light source, and the shade 32a blocks a part of the light emitted from the light emitting module 40 and reflected by the reflector 34, so that the cut-off line in the low beam light distribution pattern in front of the vehicle. Form. Since the low beam light distribution pattern is known, the description thereof is omitted.

図2は、第1の実施形態に係る発光モジュール基板38の構成を示す図である。発光モジュール基板38は、発光モジュール40、基板44、および透明カバー46を有する。基板44はプリント配線基板であり、上面に発光モジュール40が取り付けられている。発光モジュール40は、無色の透明カバー46によって覆われている。発光モジュール40は、半導体発光素子48が基板44上に直接取り付けられ、その上に光波長変換部材52、および透明部材54が積層されて設けられている。   FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the light emitting module substrate 38 according to the first embodiment. The light emitting module substrate 38 includes a light emitting module 40, a substrate 44, and a transparent cover 46. The substrate 44 is a printed wiring board, and the light emitting module 40 is attached to the upper surface. The light emitting module 40 is covered with a colorless transparent cover 46. In the light emitting module 40, the semiconductor light emitting element 48 is directly attached on the substrate 44, and the light wavelength conversion member 52 and the transparent member 54 are laminated thereon.

図3(a)は、第1の実施形態に係る発光モジュール40の構成を示す斜視図であり、図3(b)は、図3(a)を視点Pから見た図である。以下、図3(a)および図3(b)の双方に関連して発光モジュール40の構成について説明する。半導体発光素子48は、LED素子によって構成される。第1の実施形態では、半導体発光素子48として、青色の波長の光を主として発する青色LEDが採用されている。具体的には、半導体発光素子48は、InGaN系半導体層を結晶成長させることにより形成されるInGaN系LED素子によって構成されている。半導体発光素子48は、例えば1mm角のチップとして形成され、発する青色光の中心波長は470nmとなるよう設けられている。なお、半導体発光素子48の構成や発する光の波長が上述したものに限られないことは勿論である。   FIG. 3A is a perspective view showing the configuration of the light emitting module 40 according to the first embodiment, and FIG. 3B is a view of FIG. Hereinafter, the configuration of the light emitting module 40 will be described with reference to both FIG. 3 (a) and FIG. 3 (b). The semiconductor light emitting element 48 is configured by an LED element. In the first embodiment, a blue LED that mainly emits light having a blue wavelength is employed as the semiconductor light emitting element 48. Specifically, the semiconductor light emitting device 48 is configured by an InGaN-based LED device formed by crystal growth of an InGaN-based semiconductor layer. The semiconductor light emitting device 48 is formed as a 1 mm square chip, for example, and is provided so that the center wavelength of the emitted blue light is 470 nm. Of course, the configuration of the semiconductor light emitting device 48 and the wavelength of the emitted light are not limited to those described above.

第1の実施形態に係る半導体発光素子48は、縦型チップタイプのものが採用されている。この縦型チップタイプの半導体発光素子は、基板に取り付けられる側の面にn型電極が形成され、その上にn型半導体、p型半導体、さらにp型電極が積層されて構成される。したがって、半導体発光素子48の上面、すなわち発光面側には導電体のp型電極である電極が設けられている。このような半導体発光素子48は公知であるため、これ以上の説明を省略する。なお、半導体発光素子48が縦型チップタイプのものに限られないことは勿論であり、例えばフェイスアップタイプのものであってもよい。   The semiconductor light emitting device 48 according to the first embodiment is a vertical chip type. This vertical chip type semiconductor light emitting device is configured by forming an n-type electrode on a surface to be attached to a substrate, and stacking an n-type semiconductor, a p-type semiconductor, and a p-type electrode thereon. Therefore, an electrode which is a p-type electrode of a conductor is provided on the upper surface of the semiconductor light emitting element 48, that is, on the light emitting surface side. Since such a semiconductor light emitting device 48 is known, further description is omitted. Needless to say, the semiconductor light emitting device 48 is not limited to a vertical chip type, and may be, for example, a face-up type.

この電極には、Auワイヤがボンディングされる。なお、電極にAuワイヤをボンディングするための切り欠きが光波長変換部材52に設けられていてもよい。このAuワイヤを通じて、発光に必要な電流が電極に供給される。なお、Auワイヤに代えて、例えばアルミワイヤ、銅箔、またはアルミリボンワイヤなどが用いられてもよい。   An Au wire is bonded to this electrode. A notch for bonding the Au wire to the electrode may be provided in the light wavelength conversion member 52. A current necessary for light emission is supplied to the electrode through the Au wire. In place of the Au wire, for example, an aluminum wire, a copper foil, or an aluminum ribbon wire may be used.

光波長変換部材52は、いわゆる発光セラミック、または蛍光セラミックと呼ばれるものであり、青色光によって励起される蛍光体であるYAG(Yttrium Alminum Garnet)粉末を用いて作成されたセラミック素地を焼結することにより得ることができる。このような光波長変換セラミックの製造方法は公知であることから詳細な説明は省略する。   The light wavelength conversion member 52 is a so-called luminescent ceramic or fluorescent ceramic, and sinters a ceramic substrate made of YAG (Yttrium Aluminum Garnet) powder, which is a phosphor excited by blue light. Can be obtained. Since the manufacturing method of such a light wavelength conversion ceramic is well-known, detailed description is abbreviate | omitted.

こうして得られた光波長変換部材52は、半導体発光素子48が主として発する青色光の波長を変換して黄色光を出射する。このため、発光モジュール40からは、光波長変換部材52をそのまま透過した青色光と、光波長変換部材52によって波長が変換された黄色光との合成光が出射する。こうして白色の光を発光モジュール40から発することが可能となる。   The light wavelength conversion member 52 thus obtained converts the wavelength of blue light mainly emitted from the semiconductor light emitting element 48 and emits yellow light. For this reason, the light emitting module 40 emits combined light of blue light that has passed through the light wavelength conversion member 52 as it is and yellow light whose wavelength has been converted by the light wavelength conversion member 52. In this way, white light can be emitted from the light emitting module 40.

また、光波長変換部材52には、透明なものが採用されている。第1の実施形態において「透明」とは、変換波長域の光の全光線透過率が40%以上のことを意味するものとする。発明者の鋭意なる研究開発の結果、変換波長域の光の全光線透過率が40%以上の透明な状態であれば、光波長変換部材52による光の波長を適切に変換できると共に、光波長変換部材52を通過する光の光度の減少も適切に抑制できることが判明した。したがって、光波長変換部材52をこのように透明な状態にすることによって、半導体発光素子48が発する光をより効率的に変換することができる。   The light wavelength conversion member 52 is transparent. In the first embodiment, “transparent” means that the total light transmittance of light in the conversion wavelength region is 40% or more. As a result of inventor's earnest research and development, if the total light transmittance of light in the conversion wavelength region is in a transparent state of 40% or more, the light wavelength by the light wavelength conversion member 52 can be appropriately converted and the light wavelength It has been found that a decrease in the intensity of light passing through the conversion member 52 can also be appropriately suppressed. Therefore, the light emitted from the semiconductor light emitting device 48 can be more efficiently converted by making the light wavelength conversion member 52 transparent.

また、光波長変換部材52は有機系バインダーレスの無機物で構成され、有機系バインダーなどの有機物を含有する場合に比べて耐久性の向上が図られている。このため、例えば発光モジュール40に1W(ワット)以上の電力を投入することが可能となっており、発光モジュール40が発する光の輝度、光度、および光束を高めることが可能となっている。   In addition, the light wavelength conversion member 52 is made of an inorganic material without an organic binder, and the durability is improved as compared with a case where an organic material such as an organic binder is contained. For this reason, for example, it is possible to input 1 W (watts) or more of power to the light emitting module 40, and it is possible to increase the luminance, luminous intensity, and luminous flux of the light emitted from the light emitting module 40.

なお、半導体発光素子48は青以外の波長の光を主として発するものが採用されてもよい。この場合も、光波長変換部材52には、半導体発光素子48が発する主とする光の波長を変換するものが採用される。なお、光波長変換部材52は、この場合においても半導体発光素子48が主として発する波長の光と組み合わせることにより白色または白色に近い色の波長の光となるよう、半導体発光素子48が発する光の波長を変換してもよい。   The semiconductor light emitting element 48 may be one that mainly emits light having a wavelength other than blue. Also in this case, as the light wavelength conversion member 52, one that converts the wavelength of the main light emitted from the semiconductor light emitting element 48 is employed. In this case, the wavelength of the light emitted from the semiconductor light emitting element 48 is changed so that the light wavelength conversion member 52 becomes light having a wavelength of white or a color close to white when combined with light having a wavelength mainly emitted from the semiconductor light emitting element 48. May be converted.

このように半導体発光素子48が発した光を光波長変換部材52で波長変換させる場合、光波長変換部材52の出射面から光が出射せずに半導体発光素子48の方向に向けて反射されることにより光の取り出し効率が低下する可能性がある。また、上述のように光波長変換部材52には透明なものが採用されていることから、半導体発光素子48の発光面48a上に形成された電極パターンによって生じる光度ムラが光波長変換部材52を介しても低減されない可能性がある。特に灯具ユニットなど照明光源として発光モジュール40を用いる場合、発光モジュール40自身の光度ムラは光が照射される個所における照度ムラに繋がることから、発光モジュール40自身の光度ムラ低減は大きな課題となる。このため第1の実施形態では、光波長変換部材52の出射面52a上に、光の取り出し効率を向上させると共に光度ムラを低減させるべく、透明部材54が取り付けられている。   When the light emitted from the semiconductor light emitting element 48 is wavelength-converted by the light wavelength conversion member 52 as described above, the light is not emitted from the emission surface of the light wavelength conversion member 52 but is reflected toward the semiconductor light emitting element 48. As a result, the light extraction efficiency may be reduced. Further, as described above, since the transparent light wavelength conversion member 52 is employed, the light intensity unevenness caused by the electrode pattern formed on the light emitting surface 48a of the semiconductor light emitting element 48 is caused by the light wavelength conversion member 52. May not be reduced. In particular, when the light emitting module 40 is used as an illumination light source such as a lamp unit, the light intensity unevenness of the light emitting module 40 itself leads to the light intensity unevenness at the place where the light is irradiated. For this reason, in the first embodiment, the transparent member 54 is attached on the emission surface 52a of the light wavelength conversion member 52 in order to improve the light extraction efficiency and reduce the luminous intensity unevenness.

透明部材54は、光波長変換部材52から入射された光を出射面54aから出射する。透明部材54は、光波長変換部材52よりも屈折率の低い材料によって形成されている。このように屈折率の低い材料によって透明部材54を形成することで、光波長変換部材52から光を入射し易くしている。この出射面54aには、複数の突部54bが設けられている。このように突部54bを設けることにより、光波長変換部材52から入射した光が光波長変換部材52に向けて反射されることによって光の取り出し効率が低下することを抑制することができる。   The transparent member 54 emits the light incident from the light wavelength conversion member 52 from the emission surface 54a. The transparent member 54 is formed of a material having a refractive index lower than that of the light wavelength conversion member 52. By forming the transparent member 54 with a material having a low refractive index in this manner, light can be easily incident from the light wavelength conversion member 52. A plurality of protrusions 54b are provided on the emission surface 54a. By providing the protrusion 54 b in this way, it is possible to suppress the light extraction efficiency from being lowered due to the light incident from the light wavelength conversion member 52 being reflected toward the light wavelength conversion member 52.

複数の突部54bの各々は、半球型に形成される。発明者による鋭意なる研究開発の結果、突部54bを半球型にすることにより、他の形状にする場合に比べて光の取り出し効率をより高めることが可能なことが確認されている。透明部材54には、いわゆるマイクロレンズアレイが用いられてもよい。   Each of the plurality of protrusions 54b is formed in a hemispherical shape. As a result of earnest research and development by the inventor, it has been confirmed that by making the protrusion 54b hemispherical, it is possible to further increase the light extraction efficiency as compared with the case of other shapes. A so-called microlens array may be used for the transparent member 54.

半導体発光素子48は、発光のための電流が供給される電極パターンが発光面48a上に形成されている。このため、複数の突部54bは、電極パターンにおけるパターンの繰り返し間隔よりも短い配置間隔X1で設けられている。このように配置間隔X1を電極パターンにおけるパターンの繰り返し間隔よりも短くすることによって、電極パターンによって生じる光度ムラを抑制することができる。なお、半導体発光素子48の電極パターンが設けられるのが発光面48a上に限られないことは勿論である。   In the semiconductor light emitting device 48, an electrode pattern to which a current for light emission is supplied is formed on the light emitting surface 48a. For this reason, the plurality of protrusions 54b are provided at an arrangement interval X1 that is shorter than the pattern repetition interval in the electrode pattern. By making the arrangement interval X1 shorter than the pattern repetition interval in the electrode pattern in this way, it is possible to suppress unevenness in luminous intensity caused by the electrode pattern. Of course, the electrode pattern of the semiconductor light emitting device 48 is not limited to the light emitting surface 48a.

また、第1の実施形態では、配置間隔X1は1μm以上300μm以下とされている。発明者による鋭意なる研究開発の結果、突部54bをこのように配置することによって、光の取り出し効率を高めると共に光度ムラを抑制することができることが確認されている。なお、配置間隔X1を1μm以上100μm以下とすることにより、光の取り出し効率および光度ムラ抑制において、より良好な結果となることが確認されている。また、配置間隔X1は1μm未満であってもよい。また、第1の実施形態では、突部54bの幅が配置間隔X1と同様にされている。このため突部54bの幅は1μm以上300μm以下とされている。なお、突部54bの幅は配置間隔X1より小さくされていてもよい。   Moreover, in 1st Embodiment, arrangement | positioning space | interval X1 shall be 1 micrometer or more and 300 micrometers or less. As a result of earnest research and development by the inventor, it has been confirmed that by arranging the protrusions 54b in this way, light extraction efficiency can be improved and unevenness in luminous intensity can be suppressed. In addition, it has been confirmed that by setting the arrangement interval X1 to 1 μm or more and 100 μm or less, better results can be obtained in light extraction efficiency and light intensity unevenness suppression. Further, the arrangement interval X1 may be less than 1 μm. In the first embodiment, the width of the protrusion 54b is the same as the arrangement interval X1. For this reason, the width | variety of the protrusion 54b shall be 1 micrometer or more and 300 micrometers or less. Note that the width of the protrusion 54b may be smaller than the arrangement interval X1.

発光モジュール40を製造する場合、まず半導体発光素子48の発光面48aより縁部の長さが2倍以上大きく形成された光波長変換部材52の資材に、光波長変換部材52と略同一の大きさに形成された透明部材54を接着などによって固着させる。次にダイシングなどによって半導体発光素子48の発光面48aと同様の大きさにカットする。こうして光波長変換部材52と透明部材54とが互いに固着された光波長変換ユニットを作成する。次に、こうして作成された光波長変換ユニットの光波長変換部材52の側を半導体発光素子48の発光面48aに接着などによって固着させる。   When the light emitting module 40 is manufactured, first, the material of the light wavelength conversion member 52 formed so that the length of the edge of the light emitting surface 48 a of the semiconductor light emitting element 48 is at least twice as large as the light wavelength conversion member 52. The formed transparent member 54 is fixed by adhesion or the like. Next, it is cut into the same size as the light emitting surface 48a of the semiconductor light emitting device 48 by dicing or the like. Thus, an optical wavelength conversion unit in which the optical wavelength conversion member 52 and the transparent member 54 are fixed to each other is created. Next, the side of the light wavelength conversion member 52 of the light wavelength conversion unit thus created is fixed to the light emitting surface 48a of the semiconductor light emitting element 48 by adhesion or the like.

このように光波長変換部材52と透明部材54とを予め固着させた状態でダイシングすることによって、光波長変換部材52と透明部材54とを固着させる工程を簡略化することができる。また、光波長変換部材52と透明部材54とをあらかじめ固着させて光波長変換ユニットとすることにより、これらを半導体発光素子48に取り付ける際に取り扱い易くすることができる。   Thus, the process of adhering the light wavelength conversion member 52 and the transparent member 54 can be simplified by dicing in a state where the light wavelength conversion member 52 and the transparent member 54 are fixed in advance. Further, by attaching the light wavelength conversion member 52 and the transparent member 54 in advance to form a light wavelength conversion unit, it is possible to facilitate handling when attaching them to the semiconductor light emitting device 48.

なお、別々にダイシングした光波長変換部材52と透明部材54とを接着などにより互いに固着させてもよい。この場合、半導体発光素子48の発光面48aに光波長変換部材52の入射面を固着させた後、光波長変換部材52の出射面52aに透明部材54の入射面を固着させてもよく、あらかじめ光波長変換部材52の出射面52aと透明部材54の入射面とを固着させた後、半導体発光素子48の発光面48aに光波長変換部材52の入射面を固着させてもよい。   The light wavelength conversion member 52 and the transparent member 54 diced separately may be fixed to each other by bonding or the like. In this case, after the incident surface of the light wavelength conversion member 52 is fixed to the light emitting surface 48a of the semiconductor light emitting device 48, the incident surface of the transparent member 54 may be fixed to the emission surface 52a of the light wavelength conversion member 52. After the emission surface 52a of the light wavelength conversion member 52 and the incident surface of the transparent member 54 are fixed, the incident surface of the light wavelength conversion member 52 may be fixed to the light emitting surface 48a of the semiconductor light emitting element 48.

また、半導体発光素子48の発光面48aと光波長変換部材52の入射面との間に間隔が設けられてもよい。これにより、半導体発光素子48の発光面48aに設けられた電極にボンディングされたAuワイヤなどを引き回し易くすることができる。また、この光波長変換ユニットの側面、すなわち光波長変換部材52および透明部材54の各々の側面に反射膜または反射部材が固着されてもよい。これにより、光波長変換部材52および透明部材54の各々の側部から漏れ出る光を抑制し、透明部材54の出射面54aからより多くの光を出射させることができる。   Further, a space may be provided between the light emitting surface 48 a of the semiconductor light emitting element 48 and the incident surface of the light wavelength conversion member 52. Thereby, it is possible to easily route an Au wire or the like bonded to an electrode provided on the light emitting surface 48a of the semiconductor light emitting element 48. In addition, a reflective film or a reflective member may be fixed to the side surface of the light wavelength conversion unit, that is, each side surface of the light wavelength conversion member 52 and the transparent member 54. Thereby, light leaking from the side portions of the light wavelength conversion member 52 and the transparent member 54 can be suppressed, and more light can be emitted from the emission surface 54 a of the transparent member 54.

(第2の実施形態)
図4(a)は、第2の実施形態に係る発光モジュール60の構成を示す斜視図であり、図4(b)は、図4(a)を視点Qから見た図である。以下、図4(a)および図4(b)の双方に関連して発光モジュール60の構成について説明する。なお、発光モジュール40に代えて発光モジュール60が設けられる以外は、車両用前照灯10の構成は第1の実施形態と同様である。以下、第1の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 4A is a perspective view showing the configuration of the light emitting module 60 according to the second embodiment, and FIG. 4B is a view of FIG. Hereinafter, the configuration of the light emitting module 60 will be described with reference to both FIG. 4 (a) and FIG. 4 (b). The configuration of the vehicular headlamp 10 is the same as that of the first embodiment except that a light emitting module 60 is provided instead of the light emitting module 40. Hereinafter, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

発光モジュール60は、透明部材54に代えて透明部材62が設けられている以外は、第1の実施形態に係る発光モジュール40と同様に構成される。透明部材62もまた、光波長変換部材52から入射された光を出射面62aから出射するよう光波長変換部材52の出射面52a上に取り付けられている。透明部材62が光波長変換部材52よりも屈折率の低い材料によって形成されている点も透明部材54と同様である。   The light emitting module 60 is configured in the same manner as the light emitting module 40 according to the first embodiment except that a transparent member 62 is provided instead of the transparent member 54. The transparent member 62 is also attached on the emission surface 52a of the light wavelength conversion member 52 so that the light incident from the light wavelength conversion member 52 is emitted from the emission surface 62a. The point that the transparent member 62 is formed of a material having a refractive index lower than that of the light wavelength conversion member 52 is the same as that of the transparent member 54.

この透明部材62の出射面62aには、光の取り出し効率低下を抑制するための複数の突部62bが設けられている。複数の突部62bの各々は、円錐形に形成される。発明者による鋭意なる研究開発の結果、突部62bを円錐形にすることによっても光の取り出し効率をより高めることが可能なことが確認されている。なお、突部62bは四角錐や三角錐など他の錐体状に形成されてもよい。   A plurality of protrusions 62b are provided on the emission surface 62a of the transparent member 62 in order to suppress a decrease in light extraction efficiency. Each of the plurality of protrusions 62b is formed in a conical shape. As a result of earnest research and development by the inventors, it has been confirmed that the light extraction efficiency can be further increased by making the protrusion 62b conical. The protrusion 62b may be formed in another cone shape such as a quadrangular pyramid or a triangular pyramid.

第2の実施形態においても、これら複数の突部62bは、電極パターンにおけるパターンの繰り返し間隔よりも短い配置間隔X2で設けられている。配置間隔X2を1μm以上300μm以下とすることにより、光の取り出し効率および光度ムラ抑制において良好な結果となることが確認されている。なお、配置間隔X2を1μm以上100μm以下とすることにより、光の取り出し効率および光度ムラ抑制において、より良好な結果となることが確認されている。また、配置間隔X2は1μm未満であってもよい。また、第2の実施形態では、突部62bの幅が配置間隔X2と同様にされている。このため突部62bの幅は1μm以上300μm以下とされている。なお、突部62bの幅は配置間隔X2より小さくされていてもよい。   Also in the second embodiment, the plurality of protrusions 62b are provided at an arrangement interval X2 that is shorter than the pattern repetition interval in the electrode pattern. It has been confirmed that when the arrangement interval X2 is 1 μm or more and 300 μm or less, good results are obtained in light extraction efficiency and light intensity unevenness suppression. It has been confirmed that by setting the arrangement interval X2 to 1 μm or more and 100 μm or less, better results can be obtained in light extraction efficiency and light intensity unevenness suppression. Further, the arrangement interval X2 may be less than 1 μm. In the second embodiment, the width of the protrusion 62b is the same as the arrangement interval X2. For this reason, the width | variety of the protrusion 62b shall be 1 micrometer or more and 300 micrometers or less. Note that the width of the protrusion 62b may be smaller than the arrangement interval X2.

(第3の実施形態)
図5(a)は、第3の実施形態に係る発光モジュール70の構成を示す斜視図であり、図5(b)は、図5(a)を視点Rから見た図である。以下、図5(a)および図5(b)の双方に関連して発光モジュール70の構成について説明する。なお、発光モジュール40に代えて発光モジュール70が設けられる以外は、車両用前照灯10の構成は第1の実施形態と同様である。以下、第1の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
(Third embodiment)
FIG. 5A is a perspective view showing the configuration of the light emitting module 70 according to the third embodiment, and FIG. 5B is a view of FIG. Hereinafter, the configuration of the light emitting module 70 will be described with reference to both FIG. 5 (a) and FIG. 5 (b). The configuration of the vehicle headlamp 10 is the same as that of the first embodiment except that a light emitting module 70 is provided instead of the light emitting module 40. Hereinafter, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

発光モジュール70は、透明部材54に代えて透明部材72が設けられている以外は、第1の実施形態に係る発光モジュール40と同様に構成される。透明部材72もまた、光波長変換部材52から入射された光を出射面72aから出射するよう、光波長変換部材52の出射面52a上に取り付けられている。透明部材72が光波長変換部材52よりも屈折率の低い材料によって形成されている点も透明部材54と同様である。   The light emitting module 70 is configured in the same manner as the light emitting module 40 according to the first embodiment except that a transparent member 72 is provided instead of the transparent member 54. The transparent member 72 is also mounted on the emission surface 52a of the light wavelength conversion member 52 so that the light incident from the light wavelength conversion member 52 is emitted from the emission surface 72a. The point that the transparent member 72 is formed of a material having a lower refractive index than the light wavelength conversion member 52 is the same as the transparent member 54.

この透明部材72の出射面72aには、光の取り出し効率低下を抑制するための複数の突部72bが設けられている。複数の突部72bの各々は、断面が半球状となり且つ出射面72aと平行に伸びるよう形成される。具体的には、複数の突部72bの各々は、軸を含む平面で円柱を切断した形状に形成されており、曲面部分が出射面72aを構成するよう配置される。また、複数の突部72bの各々は互いに軸方向が平行且つ略均等の配置間隔X3となるよう配置される。   A plurality of protrusions 72b are provided on the emission surface 72a of the transparent member 72 in order to suppress a decrease in light extraction efficiency. Each of the plurality of protrusions 72b is formed to have a hemispherical cross section and to extend in parallel with the emission surface 72a. Specifically, each of the plurality of protrusions 72b is formed in a shape obtained by cutting a cylinder on a plane including an axis, and the curved surface portion is arranged to constitute the emission surface 72a. Further, each of the plurality of protrusions 72b is arranged such that the axial directions are parallel to each other and the arrangement intervals X3 are substantially equal.

第3の実施形態においても、これら複数の突部72bは、電極パターンにおけるパターンの繰り返し間隔よりも短い配置間隔X3で設けられている。配置間隔X3を1μm以上300μm以下とすることにより、光の取り出し効率および光度ムラ抑制において良好な結果となることが確認されている。なお、配置間隔X3を1μm以上100μm以下とすることにより、光の取り出し効率および光度ムラ抑制において、より良好な結果となることが確認されている。また、配置間隔X3は1μm未満であってもよい。また、第3の実施形態では、突部72bの幅が配置間隔X3と同様にされている。このため突部72bの幅は1μm以上300μm以下とされている。なお、突部72bの幅は配置間隔X3より小さくされていてもよい。   Also in the third embodiment, the plurality of protrusions 72b are provided at an arrangement interval X3 that is shorter than the pattern repetition interval in the electrode pattern. It has been confirmed that when the arrangement interval X3 is 1 μm or more and 300 μm or less, good results are obtained in light extraction efficiency and light intensity unevenness suppression. It has been confirmed that by setting the arrangement interval X3 to 1 μm or more and 100 μm or less, a better result can be obtained in light extraction efficiency and light intensity unevenness suppression. Further, the arrangement interval X3 may be less than 1 μm. In the third embodiment, the width of the protrusion 72b is the same as the arrangement interval X3. For this reason, the width | variety of the protrusion 72b shall be 1 micrometer or more and 300 micrometers or less. Note that the width of the protrusion 72b may be smaller than the arrangement interval X3.

(第4の実施形態)
図6(a)は、第4の実施形態に係る発光モジュール80の構成を示す斜視図であり、図6(b)は、図6(a)を視点Sから見た図である。以下、図6(a)および図6(b)の双方に関連して発光モジュール80の構成について説明する。なお、発光モジュール40に代えて発光モジュール80が設けられる以外は、車両用前照灯10の構成は第1の実施形態と同様である。以下、第1の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
(Fourth embodiment)
FIG. 6A is a perspective view showing the configuration of the light emitting module 80 according to the fourth embodiment, and FIG. 6B is a view of FIG. Hereinafter, the configuration of the light emitting module 80 will be described with reference to both FIG. 6 (a) and FIG. 6 (b). The configuration of the vehicular headlamp 10 is the same as that of the first embodiment except that a light emitting module 80 is provided instead of the light emitting module 40. Hereinafter, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

発光モジュール80は、透明部材54に代えて透明部材82が設けられている以外は、第1の実施形態に係る発光モジュール40と同様に構成される。透明部材82もまた、光波長変換部材52から入射された光を出射面82aから出射するよう、光波長変換部材52の出射面52a上に取り付けられている。透明部材82が光波長変換部材52よりも屈折率の低い材料によって形成されている点も透明部材54と同様である。   The light emitting module 80 is configured in the same manner as the light emitting module 40 according to the first embodiment except that a transparent member 82 is provided instead of the transparent member 54. The transparent member 82 is also attached on the emission surface 52a of the light wavelength conversion member 52 so that the light incident from the light wavelength conversion member 52 is emitted from the emission surface 82a. The point that the transparent member 82 is formed of a material having a refractive index lower than that of the light wavelength conversion member 52 is the same as that of the transparent member 54.

この透明部材82の出射面82aには、光の取り出し効率低下を抑制するための複数の突部82bが設けられている。複数の突部82bの各々は、断面が三角形となり且つ出射面82aと平行に伸びるよう形成される。具体的には、複数の突部82bの各々は、三角柱状に形成されており、2側面が出射面82aを構成するよう配置される。また、複数の突部82bの各々は互いに軸方向が平行且つ略均等の配置間隔X4となるよう配置される。   A plurality of protrusions 82b are provided on the emission surface 82a of the transparent member 82 to suppress a decrease in light extraction efficiency. Each of the plurality of protrusions 82b has a triangular cross section and is formed to extend in parallel with the emission surface 82a. Specifically, each of the plurality of protrusions 82b is formed in a triangular prism shape, and is arranged so that two side surfaces constitute the emission surface 82a. In addition, each of the plurality of protrusions 82b is arranged so that the axial directions are parallel to each other and the substantially equal arrangement intervals X4.

第4の実施形態においても、これら複数の突部82bは、電極パターンにおけるパターンの繰り返し間隔よりも短い配置間隔X4で設けられている。配置間隔X4を1μm以上300μm以下とすることにより、光の取り出し効率および光度ムラ抑制において良好な結果となることが確認されている。なお、配置間隔X4を1μm以上100μm以下とすることにより、光の取り出し効率および光度ムラ抑制において、より良好な結果となることが確認されている。また、配置間隔X4は1μm未満であってもよい。また、第4の実施形態では、突部82bの幅が配置間隔X4と同様にされている。このため突部82bの幅は1μm以上300μm以下とされている。なお、突部82bの幅は配置間隔X4より小さくされていてもよい。   Also in the fourth embodiment, the plurality of protrusions 82b are provided at an arrangement interval X4 that is shorter than the pattern repetition interval in the electrode pattern. It has been confirmed that by setting the arrangement interval X4 to 1 μm or more and 300 μm or less, good results can be obtained in light extraction efficiency and light intensity unevenness suppression. It has been confirmed that by setting the arrangement interval X4 to 1 μm or more and 100 μm or less, better results can be obtained in light extraction efficiency and light intensity unevenness suppression. Further, the arrangement interval X4 may be less than 1 μm. In the fourth embodiment, the width of the protrusion 82b is the same as the arrangement interval X4. For this reason, the width of the protrusion 82b is 1 μm or more and 300 μm or less. Note that the width of the protrusion 82b may be smaller than the arrangement interval X4.

(第5の実施形態)
図7(a)は、第5の実施形態に係る発光モジュール90の構成を示す斜視図であり、図7(b)は、図7(a)の平面Tによる断面図である。以下、図7(a)および図7(b)の双方に関連して発光モジュール90の構成について説明する。なお、発光モジュール40に代えて発光モジュール90が設けられる以外は、車両用前照灯10の構成は第1の実施形態と同様である。以下、第1の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
(Fifth embodiment)
FIG. 7A is a perspective view illustrating a configuration of a light emitting module 90 according to the fifth embodiment, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along a plane T in FIG. Hereinafter, the configuration of the light emitting module 90 will be described with reference to both FIG. 7 (a) and FIG. 7 (b). The configuration of the vehicle headlamp 10 is the same as that of the first embodiment except that a light emitting module 90 is provided instead of the light emitting module 40. Hereinafter, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

発光モジュール90は、透明部材54に代えて透明部材92が設けられている以外は、第1の実施形態に係る発光モジュール40と同様に構成される。透明部材92もまた、光波長変換部材52から入射された光を出射面92aから出射するよう、光波長変換部材52の出射面52a上に取り付けられている。透明部材92が光波長変換部材52よりも屈折率の低い材料によって形成されている点も透明部材54と同様である。   The light emitting module 90 is configured in the same manner as the light emitting module 40 according to the first embodiment except that a transparent member 92 is provided instead of the transparent member 54. The transparent member 92 is also attached on the emission surface 52a of the light wavelength conversion member 52 so that the light incident from the light wavelength conversion member 52 is emitted from the emission surface 92a. The point that the transparent member 92 is formed of a material having a refractive index lower than that of the light wavelength conversion member 52 is the same as that of the transparent member 54.

この透明部材92には、粉末蛍光体94が混入されている。粉末蛍光体94は、出射面92aから突出するように混入される。これにより、粉末蛍光体94が出射面92aにおける突部を構成する。粉末蛍光体94は、出射面92aから突出する隣り合うもの同士の間隔の平均値である平均間隔が電極パターンにおけるパターンの繰り返し間隔よりも短くなるよう透明部材92に混入されている。第5の実施形態では、この平均間隔は1μm以上300μm以下とされている。なお、この平均間隔を1μm以上100μm以下とすることにより、光の取り出し効率および光度ムラ抑制において、より良好な結果となることが確認されている。なお、平均間隔は1μm未満であってもよい。   The transparent member 92 is mixed with a powder phosphor 94. The powder phosphor 94 is mixed so as to protrude from the emission surface 92a. Thereby, the powder fluorescent substance 94 comprises the protrusion in the output surface 92a. The powder phosphor 94 is mixed in the transparent member 92 so that an average interval, which is an average value of intervals between adjacent ones protruding from the emission surface 92a, is shorter than a pattern repetition interval in the electrode pattern. In the fifth embodiment, the average interval is 1 μm or more and 300 μm or less. It has been confirmed that by setting the average interval to 1 μm or more and 100 μm or less, better results can be obtained in light extraction efficiency and light intensity unevenness suppression. The average interval may be less than 1 μm.

粉末蛍光体94は、光波長変換部材52に含まれる蛍光体材料と同じ波長変換機能を有するものであってもよい。または、粉末蛍光体94は、光波長変換部材52に含まれる蛍光体材料と異なる波長変換機能を有するものであってもよい。さらに粉末蛍光体94に代えて透光性を有する粉末または粒子が用いられてもい。この粉末または粒子は、透明な材料によって形成されてもよい。例えばこの粉末または粒子は、透明部材92と同様の材料を粉砕加工して設けられたものであってもよい。このように透明部材92に含ませることによっても、光の取り出し効率を向上させることができる。   The powder phosphor 94 may have the same wavelength conversion function as the phosphor material contained in the light wavelength conversion member 52. Alternatively, the powder phosphor 94 may have a wavelength conversion function different from that of the phosphor material included in the light wavelength conversion member 52. Further, instead of the powder phosphor 94, light-transmitting powder or particles may be used. This powder or particle may be formed of a transparent material. For example, the powder or particles may be provided by crushing the same material as the transparent member 92. The light extraction efficiency can also be improved by including the transparent member 92 in this manner.

本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、各実施形態の各要素を適宜組み合わせたものも、本発明の実施形態として有効である。また、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を各実施形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本発明の範囲に含まれうる。以下、そのような例をあげる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and an appropriate combination of the elements of each embodiment is also effective as an embodiment of the present invention. Various modifications such as design changes can be added to each embodiment based on the knowledge of those skilled in the art, and embodiments to which such modifications are added can also be included in the scope of the present invention. Such an example is given below.

ある変形例では、上述の各実施形態における半導体発光素子の発光面と光波長変換部材の入射面との間に光学フィルタが設けられる。光学フィルタは、半導体発光素子が主として発する青色光を透過し、また、光波長変換部材によって青色光の波長が変換され主として発せられる黄色光を反射する。このように光学フィルタを設けることによって、半導体発光素子が発した光を効率よく利用することができ、発光モジュールが発する光の光度や輝度の低下を抑制することが可能となる。   In a modification, an optical filter is provided between the light emitting surface of the semiconductor light emitting element and the incident surface of the light wavelength conversion member in each of the above-described embodiments. The optical filter transmits blue light mainly emitted from the semiconductor light emitting element, and reflects yellow light mainly emitted by converting the wavelength of the blue light by the light wavelength conversion member. By providing the optical filter in this manner, light emitted from the semiconductor light emitting element can be used efficiently, and it is possible to suppress a decrease in luminous intensity and luminance of the light emitted from the light emitting module.

10 車両用前照灯、 16 灯具ユニット、 30 投影レンズ、 34 リフレクタ、 40 発光モジュール、 44 基板、 48 半導体発光素子、 52 光波長変換部材、 54 透明部材、 54b 突部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Vehicle headlamp, 16 Lamp unit, 30 Projection lens, 34 Reflector, 40 Light emitting module, 44 Substrate, 48 Semiconductor light emitting element, 52 Light wavelength conversion member, 54 Transparent member, 54b Protrusion part

Claims (6)

発光素子と、
前記発光素子が発する光を波長変換して出射する透明な光波長変換部材と、
前記光波長変換部材の出射面上に取り付けられ、前記光波長変換部材から入射された光を複数の突部が設けられた出射面から出射する透明部材と、
を備え、
前記発光素子は、発光のための電流が供給される電極パターンが形成され、
前記複数の突部は、前記電極パターンにおけるパターンの繰り返し間隔よりも短い配置間隔で設けられることを特徴とする発光モジュール。
A light emitting element;
A transparent light wavelength conversion member that converts the wavelength of light emitted from the light emitting element and emits the light;
A transparent member that is attached on the emission surface of the light wavelength conversion member and emits light incident from the light wavelength conversion member from the emission surface provided with a plurality of protrusions,
With
The light emitting element is formed with an electrode pattern to which a current for light emission is supplied,
The plurality of protrusions are provided at an arrangement interval shorter than a pattern repetition interval in the electrode pattern.
前記複数の突部の各々は、半球型に形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。   The light emitting module according to claim 1, wherein each of the plurality of protrusions is formed in a hemispherical shape. 発光素子と、前記発光素子が発する光を波長変換して出射する透明な光波長変換部材と、前記光波長変換部材の出射面上に取り付けられ、前記光波長変換部材から入射された光を複数の突部が設けられた出射面から出射する透明部材と、を有する発光モジュールと、
前記発光モジュールから出射された光を集光する光学部材と、
を備え、
前記発光素子は、発光のための電流が供給される電極パターンが形成され、
前記複数の突部は、前記電極パターンにおけるパターンの繰り返し間隔よりも短い配置間隔で設けられることを特徴とする灯具ユニット。
A light-emitting element, a transparent light wavelength conversion member that converts the wavelength of light emitted from the light-emitting element and emits the light, and a plurality of light incident on the light wavelength conversion member is attached to the light wavelength conversion member. A light emitting module having a transparent member that emits from an exit surface provided with a protrusion of
An optical member for collecting the light emitted from the light emitting module;
With
The light emitting element is formed with an electrode pattern to which a current for light emission is supplied,
The lamp unit, wherein the plurality of protrusions are provided at an arrangement interval shorter than a pattern repetition interval in the electrode pattern.
発光素子と、
前記発光素子が発する光を波長変換して出射する透明な光波長変換部材と、
前記光波長変換部材の出射面上に取り付けられ、前記光波長変換部材から入射された光を複数の突部が設けられた出射面から出射する透明部材と、
を備え、
前記複数の突部は、300マイクロメートル以下の配置間隔で設けられることを特徴とする発光モジュール。
A light emitting element;
A transparent light wavelength conversion member that converts the wavelength of light emitted from the light emitting element and emits the light;
A transparent member that is attached on the emission surface of the light wavelength conversion member and emits light incident from the light wavelength conversion member from the emission surface provided with a plurality of protrusions,
With
The light emitting module, wherein the plurality of protrusions are provided at an arrangement interval of 300 micrometers or less.
前記複数の突部の各々は、半球型に形成されることを特徴とする請求項4に記載の発光モジュール。   The light emitting module according to claim 4, wherein each of the plurality of protrusions is formed in a hemispherical shape. 発光素子と、前記発光素子が発する光を波長変換して出射する透明な光波長変換部材と、前記光波長変換部材の出射面上に取り付けられ、前記光波長変換部材から入射された光を複数の突部が設けられた出射面から出射する透明部材と、を有する発光モジュールと、
前記発光モジュールから出射された光を集光する光学部材と、
を備え、
前記複数の突部は、300マイクロメートル以下の配置間隔で設けられることを特徴とする灯具ユニット。
A light-emitting element, a transparent light wavelength conversion member that converts the wavelength of light emitted from the light-emitting element and emits the light, and a plurality of light incident on the light wavelength conversion member is attached to the light wavelength conversion member. A light emitting module having a transparent member that emits from an exit surface provided with a protrusion of
An optical member for collecting the light emitted from the light emitting module;
With
The plurality of protrusions are provided at an arrangement interval of 300 micrometers or less.
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