JP2010191416A - Chemically amplified photoresist composition - Google Patents

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JP2010191416A JP2010011877A JP2010011877A JP2010191416A JP 2010191416 A JP2010191416 A JP 2010191416A JP 2010011877 A JP2010011877 A JP 2010011877A JP 2010011877 A JP2010011877 A JP 2010011877A JP 2010191416 A JP2010191416 A JP 2010191416A
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Koji Ichikawa
幸司 市川
Masako Sugihara
昌子 杉原
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chemically amplified photoresist composition for immersion exposure, or the like which is less in the production of foreign substance when being used for an immersion exposure. <P>SOLUTION: The chemically amplified photoresist composition for immersion exposure contains an acid generator, a resin, a basic compound, a solvent and a surfactant, wherein the rate of the fluorine content in the solid content of the composition is ≤0.5 mass%. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体の微細加工に用いられる液浸露光用化学増幅型フォトレジスト組成物、液浸露光用化学増幅型フォトレジスト組成物を用いたパターン形成方法に関するに関する。さらに詳しくは、液浸露光用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物に関する。   The present invention relates to a chemically amplified photoresist composition for immersion exposure used for microfabrication of a semiconductor, and a pattern forming method using the chemically amplified photoresist composition for immersion exposure. More specifically, the present invention relates to a chemically amplified positive photoresist composition for immersion exposure.

半導体の微細加工においては、優れたパターンを形成することが望ましく、液浸露光用化学増幅型レジスト組成物としては、例えば、液浸露光に用いられる液と接触したときに異物の発生が少ないものが求められている。   In microfabrication of semiconductors, it is desirable to form an excellent pattern. For example, a chemically amplified resist composition for immersion exposure is one that generates less foreign matter when it comes into contact with the liquid used for immersion exposure. Is required.

光・電子機能有機材料ハンドブック,444〜458ページ(朝倉書店発行 1997年10月15日 初版第2刷)Optical / Electronic Functional Organic Materials Handbook, 444-458 pages (published by Asakura Shoten, October 15, 1997, first edition, second edition)

本発明の目的は、液浸露光に用いたときに異物の発生が少ない液浸露光用化学増幅型フォトレジスト組成物等を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a chemically amplified photoresist composition or the like for immersion exposure that generates less foreign matter when used in immersion exposure.

そこで本発明者らは、上記課題について検討した結果、本発明に至った。即ち、本発明は、以下を提供する。
1.酸発生剤、樹脂、塩基性化合物、溶剤及び界面活性剤を含有する液浸露光用化学増幅型フォトレジスト組成物であり、該組成物の固形分中のフッ素含有率が0.5質量%以下であることを特徴とする組成物。
2.前記酸発生剤中のフッ素含有率が10質量%以下であることを特徴とする前1項記載の組成物。
3.前記酸発生剤が式(a)で表される化合物であることを特徴とする前1又は2項記載の組成物。
Then, as a result of examining the above problems, the present inventors have reached the present invention. That is, the present invention provides the following.
1. A chemically amplified photoresist composition for immersion exposure containing an acid generator, a resin, a basic compound, a solvent, and a surfactant, and the fluorine content in the solid content of the composition is 0.5% by mass or less. The composition characterized by these.
2. 2. The composition according to item 1, wherein a fluorine content in the acid generator is 10% by mass or less.
3. 3. The composition according to 1 or 2 above, wherein the acid generator is a compound represented by the formula (a).

[式(a)中、Zは、有機カチオンを表す。
Aは、置換基を有してもよい炭素数6〜36の芳香族炭化水素基あるいは直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基及び該直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜20の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、グリシドキシ基あるいは炭素数2〜4のアシル基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基、該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基及び該アラルキル基に含まれるメチレン基は、酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよい。]
[In the formula (a), Z + represents an organic cation.
A represents an aromatic hydrocarbon group having 6 to 36 carbon atoms which may have a substituent or a linear, branched or cyclic aliphatic hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group and the linear, branched or cyclic hydrocarbon group is a halogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. A linear or branched alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 21 carbon atoms, a glycidoxy group, or an acyl group having 2 to 4 carbon atoms. The methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group, the aliphatic hydrocarbon group, the alkoxy group and the aralkyl group may be substituted with an oxygen atom and / or a carbonyl group. . ]

4.前記Aが、式(a1)で表される基又は式(a2)で表される基である前3項記載の組成物。 4). 4. The composition according to 3 above, wherein A is a group represented by formula (a1) or a group represented by formula (a2).

[式(a1)及び式(a2)中、Xは、単結合又は−[CH−を表し、該−[CH−に含まれるメチレン基は酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよく、該−[CH−に含まれる水素原子は直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。kは、1〜17の整数を表す。
は、置換基を有してもよい炭素数6〜36の芳香族炭化水素基あるいは置換基を有してもよい直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよい。ただし、Yが前記の直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基である場合、Xは単結合を表すものとする。
及びQは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。]
Wherein (a1) and the formula (a2), X 1 is a single bond or - [CH 2] k - represents, the - [CH 2] k - methylene group contained in the oxygen atom and / or a carbonyl group in may be substituted, the - [CH 2] k - a hydrogen atom may be substituted with a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms included. k represents an integer of 1 to 17.
Y 1 is an aromatic hydrocarbon group having 6 to 36 carbon atoms which may have a substituent, or a linear, branched or cyclic aliphatic carbon group having 1 to 36 carbon atoms which may have a substituent. Represents a hydrogen group, and the methylene group contained in the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with an oxygen atom and / or a carbonyl group. However, if Y 1 is a linear or branched aliphatic hydrocarbon group of the, X 1 is intended to represent a single bond.
Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group. ]

5.前記(a1)が、炭素数1〜10のペルフルオロ基、炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい炭素数6〜12の芳香族炭化水素基、炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい炭素数6〜20の脂環式炭化水素基である前4項記載の組成物。
6.前記Zが、式(IXa)で表されるカチオンである前3〜5項のいずれか記載の組成物。
5). Said (a1) is a C1-C10 perfluoro group, a C1-C4 aliphatic hydrocarbon group which may be substituted with a C1-C4 aromatic hydrocarbon group, C1-C4 5. The composition according to 4 above, which is an alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with an aliphatic hydrocarbon group.
6). 6. The composition according to any one of 3 to 5, wherein Z + is a cation represented by the formula (IXa).

[式(IXa)中、P、P及びPは、互いに独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルキル基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルコキシ基あるいは炭素数4〜36の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式状炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12の芳香族炭化水素基、炭素数7〜12のアラルキル基、グリシドキシ基又は炭素数2〜4のアシル基で置換されていてもよい。]
7.前記樹脂が、アルカリ可溶性基を有する構造単位、水酸基を有する構造単位及び酸脱離基を有する構造単位を有する樹脂(B)であることを特徴とする前1〜6項のいずれか記載の組成物。
8.前記樹脂が、さらに樹脂(B)と同一でない、酸の作用によりアルカリ可溶性になる基を有する樹脂を含むことを特徴とする前1〜7項のいずれか記載の組成物。
9.以下の工程を含むパターン形成方法。
(1)前1〜8項のいずれか記載の組成物を基板上に塗布する工程
(2)塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程
(3)組成物層に液浸露光機を用いて露光する工程
(4)露光後の組成物層を加熱する工程
(5)加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程
[In formula (IXa), P 1 , P 2 and P 3 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a linear or branched group. Represents an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 36 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group includes a halogen atom, a hydroxyl group, and 1 to 1 carbon atoms. It is substituted with 12 alkyl groups, C1-C12 alkoxy groups, C6-C12 aromatic hydrocarbon groups, C7-C12 aralkyl groups, glycidoxy groups, or C2-C4 acyl groups. May be. ]
7). 7. The composition according to any one of the preceding items 1 to 6, wherein the resin is a resin (B) having a structural unit having an alkali-soluble group, a structural unit having a hydroxyl group, and a structural unit having an acid leaving group. object.
8). 8. The composition according to any one of the preceding items 1 to 7, wherein the resin further comprises a resin that is not the same as the resin (B) and has a group that becomes alkali-soluble by the action of an acid.
9. A pattern forming method including the following steps.
(1) A step of applying the composition according to any one of items 1 to 8 on a substrate (2) A step of removing a solvent from the composition after application to form a composition layer (3) A composition layer Step of exposing using immersion exposure machine (4) Step of heating composition layer after exposure (5) Step of developing composition layer after heating using developing device

本発明により、レジスト膜が水と接触したときに発生する異物が少ないパターンを形成し得る化学増幅型フォトレジスト組成物等が提供可能となった。   According to the present invention, it is possible to provide a chemically amplified photoresist composition or the like that can form a pattern with less foreign matter generated when the resist film comes into contact with water.

本発明の化学増幅型フォトレジスト組成物(以下、「レジスト組成物」という場合がある。)は、酸発生剤、樹脂、塩基性化合物、溶剤及び界面活性剤を含有する液浸露光用化学増幅型フォトレジスト組成物であり、該組成物の固形分中のフッ素含有率が0.5質量%以下であることを特徴とする組成物である。
該組成物の固形分中のフッ素含有率は、好ましくは、0.1質量%以上0.5質量%以下である。該範囲だと、得られるパターンの形状が良好になる。
前記酸発生剤中のフッ素含有率は、好ましくは10質量%以下であり、より好ましくは1質量%以上8質量%以下であり、さらに好ましくは2質量%以上7.5質量%以下である。
The chemically amplified photoresist composition of the present invention (hereinafter sometimes referred to as “resist composition”) is a chemical amplification for immersion exposure containing an acid generator, a resin, a basic compound, a solvent and a surfactant. Type photoresist composition, wherein the fluorine content in the solid content of the composition is 0.5% by mass or less.
The fluorine content in the solid content of the composition is preferably 0.1% by mass or more and 0.5% by mass or less. Within this range, the shape of the resulting pattern will be good.
The fluorine content in the acid generator is preferably 10% by mass or less, more preferably 1% by mass or more and 8% by mass or less, and further preferably 2% by mass or more and 7.5% by mass or less.

該組成物の固形分中のフッ素含有率は、下記式によって算出することができる。
100×(組成物の固形分中のフッ素含有量)
フッ素含有率=―――――――――――――――――――――――――――
(組成物の固形分量)
組成物の固形分量は、組成物中に含まれる溶剤以外の成分の量を合計することによって求めることができる。
組成物の固形分中のフッ素含有量は、溶剤以外の各成分のフッ素含有量を計算することによって求めることができる。フッ素含有量が把握できないものに関しては、フッ素濃度計によって濃度を求め、フッ素含有量を求めることができる。
酸発生剤中のフッ素含有率は、下記式によって算出することができる。
酸発生剤中のフッ素含有率
100×(酸発生剤1分子当たりのフッ素原子の数)×(フッ素原子の原子量)
=――――――――――――――――――――――――――――――――――――
(酸発生剤の分子量)
The fluorine content in the solid content of the composition can be calculated by the following formula.
100 × (fluorine content in the solid content of the composition)
Fluorine content = ―――――――――――――――――――――――――――
(Solid content of composition)
The solid content of the composition can be determined by summing the amounts of components other than the solvent contained in the composition.
The fluorine content in the solid content of the composition can be determined by calculating the fluorine content of each component other than the solvent. For those for which the fluorine content cannot be determined, the concentration can be determined by a fluorine densitometer to determine the fluorine content.
The fluorine content in the acid generator can be calculated by the following formula.
Fluorine content in acid generator 100 × (number of fluorine atoms per molecule of acid generator) × (atomic weight of fluorine atoms)
= ――――――――――――――――――――――――――――――――――――
(Molecular weight of acid generator)

前記酸発生剤としては、式(a)で表される化合物が挙げられる。   Examples of the acid generator include compounds represented by the formula (a).

[式(a)中、Zは、有機カチオンを表す。
Aは、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基あるいは炭素数6〜20の芳香族炭化水素基を表す。
前記環状の脂肪族炭化水素基及び前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数7〜21のアラルキル基、グリシドキシ基あるいは炭素数2〜4のアシル基で置換されていてもよく、前記脂肪族炭化水素基、前記アルコキシ基、及び前記アラルキル基に含まれるメチレン基は、酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよい。]
[In the formula (a), Z + represents an organic cation.
A represents a linear, branched or cyclic aliphatic hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms.
The hydrogen atom contained in the cyclic aliphatic hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group is a halogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a linear or The aliphatic hydrocarbon group and the alkoxy group may be substituted with a branched alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 21 carbon atoms, a glycidoxy group, or an acyl group having 2 to 4 carbon atoms. And the methylene group contained in the aralkyl group may be substituted with an oxygen atom and / or a carbonyl group. ]

Aにおける直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、
イソプロピル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、2−エチルヘキシル基、tert−オクチル基、
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、イソボルニル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられ、好ましくはフッ素原子が挙げられる。
直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基としては、例えば、前記の直鎖状分岐状又は環状の炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基のうち、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のものが挙げられる。
直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポオキシ基、n−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、n−ドデシルオキシ基、
イソプロポキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、tert−オクチルオキシ基などが挙げられる。
炭素数7〜21のアラルキル基としては、
炭素数2〜4のアシル基としては、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、n−プロピルカルボニル基及びイソプロピルカルボニル基などが挙げられる。
前記の各基は、そのメチレン基が酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよい。
中でも、式(a)におけるAとしては、好ましくは(a1)で表される基又は式(a2)で表される基が挙げられる。
Examples of the linear, branched or cyclic aliphatic hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms in A include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n- Hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group,
Isopropyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, 2-ethylhexyl group, tert-octyl group,
Examples include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecyl group, cycloundecyl group, cyclododecyl group, norbornyl group, adamantyl group, isobornyl group and the like.
As a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, Preferably a fluorine atom is mentioned.
As the linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, for example, among the above-mentioned linear branched or cyclic aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 36 carbon atoms, Or the branched thing of C1-C12 is mentioned.
Examples of the linear or branched alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, n-butoxy group, n-pentyloxy group, n-hexyloxy group, n- Heptyloxy group, n-octyloxy group, n-nonyloxy group, n-decyloxy group, n-undecyloxy group, n-dodecyloxy group,
An isopropoxy group, a sec-butoxy group, a tert-butoxy group, a 2-ethylhexyloxy group, a tert-octyloxy group and the like can be mentioned.
As an aralkyl group having 7 to 21 carbon atoms,
Examples of the acyl group having 2 to 4 carbon atoms include a methylcarbonyl group, an ethylcarbonyl group, an n-propylcarbonyl group, and an isopropylcarbonyl group.
In each of the above groups, the methylene group may be substituted with an oxygen atom and / or a carbonyl group.
Especially, as A in a formula (a), Preferably, the group represented by (a1) or the group represented by a formula (a2) is mentioned.

[式(a1)及び式(a2)中、Xは、単結合又は−[CH−を表し、該−[CH−に含まれるメチレン基は酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよく、該−[CH−に含まれる水素原子は直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。kは、1〜17の整数を表す。
は、置換基を有してもよい炭素数6〜36の芳香族炭化水素基あるいは置換基を有してもよい直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよい。ただし、Yが前記の直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基である場合、Xは単結合を表すものとする。
及びQは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。]
Wherein (a1) and the formula (a2), X 1 is a single bond or - [CH 2] k - represents, the - [CH 2] k - methylene group contained in the oxygen atom and / or a carbonyl group in may be substituted, the - [CH 2] k - a hydrogen atom may be substituted with a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms included. k represents an integer of 1 to 17.
Y 1 is an aromatic hydrocarbon group having 6 to 36 carbon atoms which may have a substituent, or a linear, branched or cyclic aliphatic carbon group having 1 to 36 carbon atoms which may have a substituent. Represents a hydrogen group, and the methylene group contained in the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with an oxygen atom and / or a carbonyl group. However, if Y 1 is a linear or branched aliphatic hydrocarbon group of the, X 1 is intended to represent a single bond.
Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group. ]

−[CH−としては、例えば、メチレン基、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン基、ヘプタデカメチレン基、エチレン基、プロピレン基、プロピリデン基が挙げられる。
−[CH−に含まれるメチレン基が酸素原子及び/又はカルボニル基で置換された基としては、例えば、−X11−O−、−X11−CO−O−、−X11−O−CO−、−X11−O−X12−などが挙げられ、好ましくは−X11−O−及び−X11−CO−O−が挙げられ、より好ましくは−X11−CO−O−が挙げられる。
ここで、X11及びX12は、互いに独立に、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜15のアルキレン基を表す。ただし、当該アルキレン基に含まれるメチレン基が置換された基において、上記の各基の主鎖を構成する原子数は、kと同じ、1〜17である。
直鎖状又は分岐状の炭素数1〜17のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン基、ヘプタデカメチレン基、エチレン基、イソプロピレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基などが挙げられる。
直鎖状又は分岐状の炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基などが挙げられる。
Examples of — [CH 2 ] k — include a methylene group, a dimethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, a pentamethylene group, a hexamethylene group, a heptamethylene group, an octamethylene group, a nonamethylene group, a decamethylene group, and an undecamethylene group. Group, dodecamethylene group, tridecamethylene group, tetradecamethylene group, pentadecamethylene group, hexadecamethylene group, heptacamethylene group, ethylene group, propylene group, and propylidene group.
Examples of the group in which the methylene group contained in — [CH 2 ] k — is substituted with an oxygen atom and / or a carbonyl group include —X 11 —O—, —X 11 —CO—O—, and —X 11 —. O—CO—, —X 11 —O—X 12 — and the like are mentioned, preferably —X 11 —O— and —X 11 —CO—O— are mentioned, and more preferably —X 11 —CO—O. -.
Here, X 11 and X 12 each independently represent a linear or branched alkylene group having 1 to 15 carbon atoms. However, in the group in which the methylene group contained in the alkylene group is substituted, the number of atoms constituting the main chain of each of the above groups is 1 to 17, which is the same as k.
Examples of the linear or branched alkylene group having 1 to 17 carbon atoms include methylene group, dimethylene group, trimethylene group, tetramethylene group, pentamethylene group, hexamethylene group, heptamethylene group, octamethylene group, and nonamethylene. Group, decamethylene group, undecamethylene group, dodecamethylene group, tridecamethylene group, tetradecamethylene group, pentadecamethylene group, hexadecamethylene group, heptadecamethylene group, ethylene group, isopropylene group, sec-butylene group , Tert-butylene group and the like.
Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, and a tert-butyl group. Group, n-pentyl group, n-hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group and the like.

式(a)で表される化合物のアニオンとしては、例えば、Xとして単結合又は直鎖状の炭素数1〜6のアルキレン基を有する式(IA)で表されるアニオン及びXとして−X11−CO−O−を有する式(IB)で表されるアニオン、Xとして−X11−O−CO−を有する式(IC)で表されるアニオン及びXとして−X11−O−X11−を有するアニオンとして式(ID)などが挙げられ、好ましくは式(IA)及び式(IB)で表されるアニオンが挙げられる。 Examples of the anion of the compound represented by the formula (a), for example, the as anion and X 1 of formula (IA) with a single bond or a linear alkylene group having 1 to 6 carbon atoms as X 1 - X 11 anion represented by the formula (IB) having a -CO-O-, -X 11 as an anion and X 1 of the formula (IC) having an -X 11 -O-CO- as X 1 -O An anion having —X 11 — includes, for example, formula (ID), and preferably an anion represented by formula (IA) and formula (IB) is used.

[式(IA)、式(IB)、式(IC)及び式(ID)中、Q、Q及びYは、式(a)におけるにおけるものと同じものを表す。
10は、単結合あるいは直鎖状又は分岐状の炭素数1〜15のアルキレン基を表す。 X11及びX12は、互いに独立に、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜15のアルキレン基を表す。]
[In formula (IA), formula (IB), formula (IC) and formula (ID), Q 1 , Q 2 and Y 1 represent the same as those in formula (a).
X 10 represents a single bond or a linear or branched alkylene group having 1 to 15 carbon atoms. X 11 and X 12 each independently represent a linear or branched alkylene group having 1 to 15 carbon atoms. ]

は、置換基を有してもよい炭素数4〜36の脂環式炭化水素基を表し、好ましくは式(III)で表される基が挙げられる。 Y 1 represents an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 36 carbon atoms which may have a substituent, preferably a group represented by the formula (III).

[式(III)中、環Wは、炭素数3〜36の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。
は、互いに独立に、ハロゲン原子、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数6〜20の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、グリシドキシ基あるいは炭素数2〜4のアシル基を表す。
xは、0〜8の整数を表す。xが2以上の場合、複数のRは、同一でも異なってもよい。
は、水素原子あるいは直鎖状又は分岐状の炭素数1〜6の炭化水素基を表す。]
[In Formula (III), Ring W represents an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, and the methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group is substituted with an oxygen atom or a carbonyl group. Also good.
R b is independently of each other a halogen atom, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 21 carbon atoms. Represents a glycidoxy group or an acyl group having 2 to 4 carbon atoms.
x represents an integer of 0 to 8. When x is 2 or more, the plurality of R b may be the same or different.
R a represents a hydrogen atom or a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms. ]

xは、0〜8の整数を表し、好ましくは0〜6の整数、より好ましくは0〜4の整数を表す。 x represents an integer of 0 to 8, preferably an integer of 0 to 6, more preferably an integer of 0 to 4.

炭素数3〜36の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、イソボルニル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子などが挙げられ、好ましくはフッ素原子及び塩素原子が挙げられる。
直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基などが挙げられる。
Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms include cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecyl group, norbornyl group, 1-adamantyl group, 2- An adamantyl group, an isobornyl group, etc. are mentioned.
As a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, Preferably a fluorine atom and a chlorine atom are mentioned.
Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, Examples include n-pentyl group, n-hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group and the like.

前記の環Wとしては、式(W1)、式(W2)、式(W3)、式(W4)、式(W5)、式(W6)、式(W7)、式(W8)、式(W9)、式(W10)、式(W11)、式(W12)、式(W13)、式(W14)、式(W15)、式(W16)、式(W17)、式(W18)及び式(W19)で表される基などが挙げられ、好ましくは式(W12)、式(W15)、式(W16)及び式(W19)で表される基が挙げられる。   The ring W includes the formula (W1), the formula (W2), the formula (W3), the formula (W4), the formula (W5), the formula (W6), the formula (W7), the formula (W8), and the formula (W9). ), Formula (W10), Formula (W11), Formula (W12), Formula (W13), Formula (W14), Formula (W15), Formula (W16), Formula (W17), Formula (W18), and Formula (W19) ), And the like, preferably, groups represented by formula (W12), formula (W15), formula (W16), and formula (W19).

としては、更に、環Wに含まれる水素原子が置換されていないか又は炭化水素基のみで置換された基(ただし、該環Wに含まれるメチレン基は、酸素原子で置換されていてもよい。)及び水酸基又は水酸基を含む基で置換された基(ただし、ラクトン構造を有するものを除く)並びに環Wに含まれる隣接する2つのメチレン基が酸素原子とカルボニル基とで置換されたラクトン構造を有する基及び環Wに含まれる1つのメチレン基がカルボニル基で置換されたケトン構造を有する基、環Wに含まれる水素原子が芳香族炭化水素基で置換された基などが挙げられる。 Y 1 is a group in which a hydrogen atom contained in the ring W is not substituted or substituted only with a hydrocarbon group (provided that the methylene group contained in the ring W is substituted with an oxygen atom) And a group substituted with a hydroxyl group or a group containing a hydroxyl group (excluding those having a lactone structure) and two adjacent methylene groups contained in the ring W are substituted with an oxygen atom and a carbonyl group. Examples include a group having a lactone structure, a group having a ketone structure in which one methylene group contained in ring W is substituted with a carbonyl group, and a group in which a hydrogen atom contained in ring W is substituted with an aromatic hydrocarbon group. .

環Wに含まれる水素原子が置換されていないか又は炭化水素基のみで置換された(該炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子で置換されていてもよい。)Yとしては、例えば、以下の基が挙げられる。 Hydrogen atoms contained in the ring W is substituted only with one or a hydrocarbon group not substituted (methylene group contained in the hydrocarbon group is an oxygen atom may be substituted.) As Y 1 is For example, the following groups are mentioned.

環Wに含まれる水素原子が水酸基又は水酸基を含む基で置換されたY(ただし、ラクトン構造を有さない。)としては、例えば、以下の基が挙げられる。 Examples of Y 1 in which a hydrogen atom contained in ring W is substituted with a hydroxyl group or a group containing a hydroxyl group (however, having no lactone structure) include the following groups.

環Wに含まれる隣接する2つのメチレン基がカルボニル基と酸素原子とで置換されたラクトン構造を有するYとしては、例えば、以下の基が挙げられる。 Examples of Y 1 having a lactone structure in which two adjacent methylene groups contained in ring W are substituted with a carbonyl group and an oxygen atom include the following groups.

環Wに含まれる1つのメチレン基がカルボニル基で置換されたケトン構造を有するYとしては、例えば、以下の基が挙げられる。 Examples of Y 1 having a ketone structure in which one methylene group contained in ring W is substituted with a carbonyl group include the following groups.

環Wに含まれる水素原子が芳香族炭化水素基で置換されたYとしては、例えば、以下の基が挙げられる。 Examples of Y 1 in which a hydrogen atom contained in the ring W is substituted with an aromatic hydrocarbon group include the following groups.

環Wに含まれる1つのメチレン基が酸素原子で置換されたエーテル構造を有するYとしては、例えば、以下の基が挙げられる。 Examples of Y 1 having an ether structure in which one methylene group contained in the ring W is substituted with an oxygen atom include the following groups.

式(IA)で表されるアニオンとしては、例えば、下記のもの等が例示される。   Examples of the anion represented by the formula (IA) include the following.

式(IA)中、環Wに含まれる水素原子が炭化水素基のみで置換された基(該炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子で置換されていてもよい。)アニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In formula (IA), a group in which a hydrogen atom contained in ring W is substituted only with a hydrocarbon group (a methylene group contained in the hydrocarbon group may be substituted with an oxygen atom). Examples include the following.

式(IA)中、環Wに含まれる水素原子が水酸基又は水酸基を含む基で置換されたアニオン(ただし、ラクトン構造を有さない。)の具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In the formula (IA), specific examples of the anion in which the hydrogen atom contained in the ring W is substituted with a hydroxyl group or a group containing a hydroxyl group (but not having a lactone structure) include the following. It is done.

式(IA)中、環Wに含まれる隣接する2つのメチレン基が酸素原子とカルボニル基とで置換されたラクトン構造を有するアニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In the formula (IA), specific examples of the anion having a lactone structure in which two adjacent methylene groups contained in the ring W are substituted with an oxygen atom and a carbonyl group include the following.

式(IA)中、環Wに含まれるメチレン基がカルボニル基で置換されたケトン構造を有するアニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In the formula (IA), specific examples of the anion having a ketone structure in which the methylene group contained in the ring W is substituted with a carbonyl group include the following.

式(IA)中、環Wに含まれる水素原子が芳香族炭化水素基で置換されたアニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In the formula (IA), specific examples of the anion in which the hydrogen atom contained in the ring W is substituted with an aromatic hydrocarbon group include the following.

式(IA)中、環Wに含まれるメチレン基が酸素原子で置換されたエーテル構造を有するアニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In the formula (IA), specific examples of the anion having an ether structure in which the methylene group contained in the ring W is substituted with an oxygen atom include the followings.

式(IB)で表されるアニオンとして、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Examples of the anion represented by the formula (IB) include the following.

[式(IB)中、Q、Q及びYは、式(a)におけるものと同じものを表す。X11は、置換されていてもよい直鎖状又は分岐状の炭素数1〜15の脂肪族炭化水素基を表す。] [In formula (IB), Q 1 , Q 2 and Y 1 represent the same as those in formula (a). X 11 represents an optionally substituted linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms. ]

式(IB)中、環Wに含まれる水素原子が置換されていないか又は炭化水素基のみで置換された(環Wに含まれるメチレン基は酸素原子で置換されていてもよい。)アニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In formula (IB), the hydrogen atom contained in ring W is not substituted or substituted only with a hydrocarbon group (the methylene group contained in ring W may be substituted with an oxygen atom). Specific examples include the following.

式(IB)中、環Wに含まれる水素原子が水酸基又は水酸基を含む基で置換されたアニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In the formula (IB), specific examples of the anion in which the hydrogen atom contained in the ring W is substituted with a hydroxyl group or a group containing a hydroxyl group include the following.

式(IB)中、環Wに含まれる隣接する2つのメチレン基が酸素原子とカルボニル基とで置換されたラクトン構造を有するアニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In the formula (IB), specific examples of the anion having a lactone structure in which two adjacent methylene groups contained in the ring W are substituted with an oxygen atom and a carbonyl group include the following.

式(IB)中、環Wに含まれる1つのメチレン基がカルボニル基で置換されたケトン構造を有するアニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In the formula (IB), specific examples of the anion having a ketone structure in which one methylene group contained in the ring W is substituted with a carbonyl group include the following.

式(IB)中、環Wに含まれる水素原子が芳香族炭化水素基で置換されたアニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Specific examples of the anion in which the hydrogen atom contained in the ring W in the formula (IB) is substituted with an aromatic hydrocarbon group include the following.

式(IC)で表されるアニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Specific examples of the anion represented by the formula (IC) include the following.

式(IC)中、環Wに含まれる水素原子が置換されていないか又は炭化水素基のみで置換された(環Wに含まれるメチレン基は酸素原子で置換されていてもよい。)アニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In formula (IC), a hydrogen atom contained in ring W is not substituted or substituted only with a hydrocarbon group (a methylene group contained in ring W may be substituted with an oxygen atom). Specific examples include the following.

式(IC)中、環Wに含まれる水素原子が水酸基又は水酸基を含む基で置換されたアニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In the formula (IC), specific examples of the anion in which the hydrogen atom contained in the ring W is substituted with a hydroxyl group or a group containing a hydroxyl group include the following.

式(IC)中、環Wに含まれる1つのメチレン基がカルボニル基で置換されたケトン構造を有するアニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Specific examples of the anion having a ketone structure in which one methylene group contained in the ring W is substituted with a carbonyl group in the formula (IC) include the following.

式(ID)で表されるアニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Specific examples of the anion represented by the formula (ID) include the following.

式(ID)中、環Wに含まれる水素原子が置換されていないか又は炭化水素基のみで置換された(環Wに含まれるメチレン基は酸素原子で置換されていてもよい。)アニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In formula (ID), the hydrogen atom contained in ring W is not substituted or substituted only with a hydrocarbon group (the methylene group contained in ring W may be substituted with an oxygen atom). Specific examples include the following.

式(ID)中、環Wに含まれる水素原子が水酸基又は水酸基を含む基で置換されたアニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In the formula (ID), specific examples of the anion in which the hydrogen atom contained in the ring W is substituted with a hydroxyl group or a group containing a hydroxyl group include the following.

式(ID)中、環Wに含まれる1つのメチレン基がカルボニル基で置換されたケトン構造を有するアニオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   In the formula (ID), specific examples of the anion having a ketone structure in which one methylene group contained in the ring W is substituted with a carbonyl group include the following.

式(a)におけるZとしては、例えば、式(IXz)、式(IXb)、式(IXc)又は式(IXd)などのカチオン等が挙げられる。 Examples of Z + in formula (a) include cations such as formula (IXz), formula (IXb), formula (IXc), and formula (IXd).

[式(IXz)中、P、P及びPは、互いに独立に、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜30のアルキル基あるいは炭素数3〜30の脂環式炭化水素基を表す。P、P及びPのいずれかがアルキル基である場合、該アルキル基は、水酸基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルコキシ基あるいは炭素数3〜12の環式炭化水素基で置換されていてもよく、P、P及びPのいずれかが脂環式炭化水素基である場合には、水酸基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルキル基あるいは炭素数1〜12のアルコキシ基で置換されていてもよい。
式(IXb)中、P及びPは、互いに独立に、水素原子、水酸基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルキル基あるいは炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
式(IXc)中、P及びPは、互いに独立に、直鎖状又は分岐状炭素数1〜12のアルキル基あるいは炭素数3〜12のシクロアルキル基を表すか、PとPとが一緒になって、炭素数3〜12の環を形成してもよい。
は、水素原子を表し、Pは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基で置換されていてもよい炭素数6〜20の芳香環基を表すか、PとPとが一緒になって、炭素数3〜12の環を形成してもよい。
式(IXd)中、P10〜P21は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。Eは、硫黄原子又は酸素原子を表す。
mは、0又は1を表す。]
[In the formula (IXz), P a , P b and P c each independently represent a linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms. To express. When any one of P a , P b and P c is an alkyl group, the alkyl group is a hydroxyl group, a linear or branched alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, or a cyclic carbonization having 3 to 12 carbon atoms. It may be substituted with a hydrogen group, and when any of P a , P b and P c is an alicyclic hydrocarbon group, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl having 1 to 12 carbon atoms Group or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
In formula (IXb), P 4 and P 5 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
In formula (IXc), P 6 and P 7 each independently represent a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms, or P 6 and P 7. And may form a ring having 3 to 12 carbon atoms.
P 8 represents a hydrogen atom, and P 9 is a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and a C 6 to 20 carbon atom that may be substituted with a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms. Or a ring having 3 to 12 carbon atoms may be formed by combining P 8 and P 9 together.
In formula (IXd), P 10 to P 21 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. E represents a sulfur atom or an oxygen atom.
m represents 0 or 1. ]

前記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基などが挙げられる。
該シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などが挙げられる。
置換されていてもよい炭素数6〜20の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、トルイル基などが挙げられる。
前記の式(IXz)で表されるカチオンの中でも、例えば、式(IXa)で表されるカチオン等が好ましく挙げられる。
Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl. Groups and the like.
Examples of the cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclodecyl group.
As a C6-C20 aromatic hydrocarbon group which may be substituted, a phenyl group, a naphthyl group, a benzyl group, a toluyl group etc. are mentioned, for example.
Among the cations represented by the formula (IXz), for example, a cation represented by the formula (IXa) and the like are preferable.

[式(IXa)中、P〜Pは、互いに独立に、水素原子、水酸基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルキル基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルコキシ基あるいは炭素数4〜36の脂環式炭化水素を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルキル基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜12のアラルキル基、グリシドキシ基あるいは炭素数2〜4のアシル基で置換されていてもよい。] [In Formula (IXa), P 1 to P 3 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a linear or branched carbon number 1 to 1. Represents an alkoxy group having 12 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon having 4 to 36 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group is a halogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched carbon atom having 1 to 12 carbon atoms. An alkyl group, a linear or branched alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, a glycidoxy group, or an acyl group having 2 to 4 carbon atoms. May be substituted. ]

該炭素数1〜12のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基などが挙げられる。
該炭素数1〜12のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基などが挙げられる。
該環状炭化水素基としては、アダマンチル骨格、イソボルニル骨格を含むものなどが挙げられ、好ましくは2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキル基及びイソボルニル基などが挙げられる。
Examples of the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group etc. are mentioned.
Examples of the alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, hexyloxy group, octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group and the like.
Examples of the cyclic hydrocarbon group include those containing an adamantyl skeleton and an isobornyl skeleton, preferably a 2-alkyl-2-adamantyl group, a 1- (1-adamantyl) -1-alkyl group and an isobornyl group. It is done.

式(IXa)で表されるカチオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Specific examples of the cation represented by the formula (IXa) include the followings.

式(IXa)で表されるカチオンの中でも、式(IXe)で表されるカチオンが、その製造が容易であること等の理由により、好ましく挙げられる。   Among the cations represented by the formula (IXa), the cation represented by the formula (IXe) is preferably used because of its easy production.

[式(IXe)中、P22、P23及びP24は、互いに独立に、水素原子、水酸基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルキル基あるいは直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。] [In formula (IXe), P 22 , P 23 and P 24 are independently of each other a hydrogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a linear or branched carbon atom. The number 1-12 alkoxy group is represented. ]

前記式(IXb)で表されるカチオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Specific examples of the cation represented by the formula (IXb) include the followings.

前記式(IXc)で表されるカチオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Specific examples of the cation represented by the formula (IXc) include the followings.

前記式(IXd)で表されるカチオンの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Specific examples of the cation represented by the formula (IXd) include the followings.

前記のアニオン及びカチオンは、任意に組合せることができる。   The above anions and cations can be arbitrarily combined.

式(a)で表され化合物は、単独でも複数種を同時に用いてもよい。式(a)で表される化合物が、式(Xa)、式(Xb)、式(Xc)、式(Xd)、式(Xe)、式(Xf)、式(Xg)又は式(Xh)で表される場合、優れた解像性能及びパターン形状を示すレジスト組成物を与える酸を発生する化合物となることから好ましい。   The compounds represented by formula (a) may be used alone or in combination of two or more. The compound represented by formula (a) is represented by formula (Xa), formula (Xb), formula (Xc), formula (Xd), formula (Xe), formula (Xf), formula (Xg) or formula (Xh). It is preferable because it becomes a compound that generates an acid that gives a resist composition exhibiting excellent resolution performance and pattern shape.

[式(Xa)〜(Xi)中、P25、P26及びP27は、互いに独立に、水素原子、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基あるいは炭素数4〜36の脂環式炭化水素基を表す。
28及びP29は、互いに独立に、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基あるいは炭素数4〜36の脂環式炭化水素基を表すか、又はP28とP29とが一緒になってSを含んで炭素数2〜6の環を形成してもよい。
30は、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数4〜36の脂環式炭化水素基あるいは置換されていてもよい炭素数6〜20の芳香族炭化水素基を表すか、又はP30とP31とが一緒になって炭素数3〜12の環を形成してもよい。ここで、該環に含まれるメチレン基は、任意に、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。
及びQは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
13は、単結合またはメチレン基を表す。]
[In Formulas (Xa) to (Xi), P 25 , P 26 and P 27 are each independently a hydrogen atom, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, or 4 carbon atoms. -36 alicyclic hydrocarbon groups are represented.
P 28 and P 29 each independently represent a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 36 carbon atoms, or P 28 and may form a ring of 2 to 6 carbon atoms include S + and P 29 together.
P 30 is a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 36 carbon atoms, or an optionally substituted aromatic group having 6 to 20 carbon atoms. It represents a hydrocarbon group, or P 30 and P 31 may form a ring having 3 to 12 carbon atoms together. Here, the methylene group contained in the ring may be optionally substituted with an oxygen atom, a sulfur atom or a carbonyl group.
Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
X 13 represents a single bond or a methylene group. ]

上記の組合せのうち、具体的には、好ましくは以下の酸発生剤が挙げられる。   Of the above combinations, specifically, the following acid generators are preferable.

中でも、カチオンとして式(IXe)で表されるカチオンにおいて、P22、P23及びP24がいずれも水素原子であるトリフェニルスルホニウムカチオンと、式(IB)で表されるアニオンの具体的例示に挙げられたものとを組合せた酸発生剤が好ましい。 Among them, in the cation represented by the formula (IXe) as a cation, specific examples of the triphenylsulfonium cation in which P 22 , P 23 and P 24 are all hydrogen atoms and the anion represented by the formula (IB) Acid generators in combination with those listed are preferred.

本発明レジスト組成物は、樹脂を含有し、該樹脂は、通常、液浸露光用化学増幅型レジスト組成物に用いられる樹脂を用いることができる。
前記の樹脂としては、例えば、現像液に不溶又は難溶であるが、酸に作用により、現像液に可溶となる樹脂が挙げられる。不溶か、酸の作用により式(II)で表される構造単位を有するものが挙げられる。
The resist composition of the present invention contains a resin, and the resin used for the chemically amplified resist composition for immersion exposure can be used as the resin.
Examples of the resin include a resin that is insoluble or hardly soluble in the developer, but becomes soluble in the developer by acting on an acid. Insoluble or those having a structural unit represented by the formula (II) by the action of an acid.

[式(II)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。
は、単結合又は、−[CH−を表し、該−[CH−に含まれるメチレン基は、酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよい。
kは、1〜8の整数を表す。
は、脂環式炭化水素基を有する炭素数4〜36の炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜20の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、グリシドキシ基又は炭素数2〜4のアシル基で置換されていてもよく、該炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよい。]
[In Formula (II), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
X 2 represents a single bond or — [CH 2 ] k —, and the methylene group contained in — [CH 2 ] k — may be substituted with an oxygen atom and / or a carbonyl group.
k represents an integer of 1 to 8.
Y 2 represents a hydrocarbon group having 4 to 36 carbon atoms having an alicyclic hydrocarbon group, a hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group, a halogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched An aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 21 carbon atoms, and glycidoxy Group or an acyl group having 2 to 4 carbon atoms may be substituted, and the methylene group contained in the hydrocarbon group may be substituted with an oxygen atom and / or a carbonyl group. ]

式(II)で表される構造単位としては、具体的には、例えば、イソボルニルエステル及び2−アルキル−2−アダマンチルエステル、1−(1−アダマンチル)−1−アルキルエステルのような脂環式エステルなどから導かれる構造単位が挙げられる。   Specific examples of the structural unit represented by the formula (II) include fats such as isobornyl ester, 2-alkyl-2-adamantyl ester, and 1- (1-adamantyl) -1-alkyl ester. Examples include structural units derived from cyclic esters and the like.

これらの中で、式(IIa)又は式(IIb)で表される構造単位が好ましい。   Among these, the structural unit represented by the formula (IIa) or the formula (IIb) is preferable.

[式(IIa)及び式(IIb)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。
は、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基あるいは炭素数3〜10の脂環式炭化水素基を表す。
は、メチル基を表す。
nは、0〜14の整数を表す。
及びRは、互いに独立に、水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜8の炭化水素基を表すか、あるいはRとRとが一緒になって炭素数3〜12の環を形成していてもよく、該環はヘテロ原子を含んでもよい。また、Rが結合する炭素原子とRが結合する炭素原子との間で二重結合を形成してもよい。
mは、1〜3の整数を表す。
Z”は、単結合、−[CH−を表し、−[CH−に含まれるメチレン基は、酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよい。
kは、1〜8の整数を表す。]
[In Formula (IIa) and Formula (IIb), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R 2 represents a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms.
R 3 represents a methyl group.
n represents an integer of 0 to 14.
R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms which may contain a hetero atom, or R 4 and R 5 together represent 3 to 12 carbon atoms. The ring may contain a hetero atom. A double bond may be formed between the carbon atom to which R 4 is bonded and the carbon atom to which R 5 is bonded.
m represents an integer of 1 to 3.
Z ″ represents a single bond, — [CH 2 ] k —, and the methylene group contained in — [CH 2 ] k — may be substituted with an oxygen atom and / or a carbonyl group.
k represents an integer of 1 to 8. ]

式(IIa)で表される構造単位を導くモノマーの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Specific examples of the monomer for deriving the structural unit represented by the formula (IIa) include the following.

また、式(IIb)で表される構造単位を導くモノマーの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Specific examples of the monomer for deriving the structural unit represented by the formula (IIb) include the following.

これらの中でも、例えば、(メタ)アクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、(メタ)アクリル酸2−イソプロピル−2−アダマンチル又はメタクリル酸1−(2−メチル−2−アダマンチルオキシカルボニル)メチル等を好ましく挙げることができる。   Among these, for example, (meth) acrylic acid 2-ethyl-2-adamantyl, (meth) acrylic acid 2-isopropyl-2-adamantyl, or methacrylic acid 1- (2-methyl-2-adamantyloxycarbonyl) methyl, etc. Preferable examples can be given.

(II)としては、水酸基(ただし、カルボキシル基の−OH基は除く)を側鎖に有する構造単位を複数種類含んでもよい。   (II) may include a plurality of structural units having a hydroxyl group (excluding the —OH group of the carboxyl group) in the side chain.

水酸基(ただし、カルボキシル基の−OH基は除く)を側鎖に有する構造単位としては、例えば、カルボン酸の各種エステル、具体的には、例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルに代表される環状アルキルエステル;ノルボルニルエステル、1−アダマンチルエステル、2−アダマンチルエステルのような多環式エステルの一部が水酸基で置換された構造単位等があげられる。   Examples of the structural unit having a hydroxyl group (excluding the —OH group of the carboxyl group) in the side chain include, for example, various esters of carboxylic acid, specifically, cyclic alkyl esters represented by, for example, cyclopentyl ester and cyclohexyl ester. A structural unit in which a part of a polycyclic ester such as norbornyl ester, 1-adamantyl ester, or 2-adamantyl ester is substituted with a hydroxyl group.

これらの中で、式(III)で表される構造単位等を挙げることができる。   Among these, the structural unit represented by the formula (III) can be exemplified.

[式(III)中、R31は、水素原子又はメチル基を表す。
及びRは、互いに独立に、水素原子、メチル基又は水酸基を表す。
は、メチル基を表す。
n’は、0〜10の整数を表す。
Z’’は、式(IIa)におけるものと同じ意味を表す。]
[In the formula (III), R 31 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxyl group.
R 8 represents a methyl group.
n ′ represents an integer of 0 to 10.
Z ″ represents the same meaning as in formula (IIa). ]

式(III)で表される構造単位を導くモノマーの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Specific examples of the monomer for deriving the structural unit represented by the formula (III) include the following.

これらの中でも、例えば、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル、メタクリル酸1−(3−ヒドロキシ−1−アダマンチルオキシカルボニル)メチル、メタクリル酸1−(3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルオキシカルボニル)メチル等を好ましく挙げることができる。   Among these, for example, (meth) acrylic acid 3-hydroxy-1-adamantyl, (meth) acrylic acid 3, 5-dihydroxy-1-adamantyl, methacrylic acid 1- (3-hydroxy-1-adamantyloxycarbonyl) methyl Preferred examples include 1- (3,5-dihydroxy-1-adamantyloxycarbonyl) methyl methacrylate and the like.

式(II)で表される構造単位としては、例えば、ラクトン構造を側鎖に有する構造単位を複数種類含んでもよい。具体的には、例えば、β−ブチロラクトン構造を有する化合物、γ−ブチロラクトン構造を有する化合物、シクロアルキル骨格やノルボルナン骨格にラクトン構造が付加した化合物などがあげられる。   As the structural unit represented by the formula (II), for example, a plurality of structural units having a lactone structure in the side chain may be included. Specific examples include a compound having a β-butyrolactone structure, a compound having a γ-butyrolactone structure, and a compound having a lactone structure added to a cycloalkyl skeleton or a norbornane skeleton.

これらの中で、例えば、式(IVa)、式(IVb)又は式(IVc)のいずれかで表される構造単位等を好ましく挙げることができる。   Among these, for example, a structural unit represented by any one of the formula (IVa), the formula (IVb), and the formula (IVc) can be preferably exemplified.

[式(IVa)〜式(IVc)中、R41は、水素原子又はメチル基を表す。
は、水素原子又はメチル基を表す。
lは、1〜5の整数を表す。lが2以上のとき、複数のRは、互いに同一でも異なってもよい。
10及びR11は、互いに独立に、カルボキシル基、シアノ基又は炭素数1〜4の炭化水素基を表す。
l’は、0〜3の整数を表す。l’が2以上のとき、複数のR10及びR11は、互いに同一でも異なってもよい。
Z’’は、式(IIa)におけるものと同じ意味を表す。]
[In Formula (IVa) to Formula (IVc), R 41 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R 9 represents a hydrogen atom or a methyl group.
l represents an integer of 1 to 5. When l is 2 or more, the plurality of R 9 may be the same as or different from each other.
R 10 and R 11 each independently represent a carboxyl group, a cyano group, or a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
l ′ represents an integer of 0 to 3. When l ′ is 2 or more, the plurality of R 10 and R 11 may be the same as or different from each other.
Z ″ represents the same meaning as in formula (IIa). ]

式(IVa)で表される構造単位を導くモノマーの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Specific examples of the monomer for deriving the structural unit represented by the formula (IVa) include the following.

また、式(IVb)で表される構造単位を導くモノマーの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Specific examples of the monomer for deriving the structural unit represented by the formula (IVb) include the following.

また、式(IVc)で表される構造単位を導くモノマーの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。   Specific examples of the monomer for deriving the structural unit represented by the formula (IVc) include the following.

これらの中でも、例えば、(メタ)アクリル酸ヘキサヒドロ−2−オキソ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−6−イル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロ−2−オキソ−3−フリル、(メタ)アクリル酸2−(5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03.7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチルから得られる樹脂等を好ましく挙げることができる。   Among these, for example, (meth) acrylic acid hexahydro-2-oxo-3,5-methano-2H-cyclopenta [b] furan-6-yl, (meth) acrylic acid tetrahydro-2-oxo-3-furyl, Preferred examples include resins obtained from 2- (5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.03.7] nonan-2-yloxy) -2-oxoethyl (meth) acrylate.

また、樹脂として、例えば、式(II)で表される構造単位以外の構造単位を有してもよい。式(II)で表される構造単位以外の構造単位としては、例えば、2−ノルボルネンから導かれる構造単位等が挙げられる。2−ノルボルネンは、重合の際に、例えば対応する2−ノルボルネンの他に無水マレイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を併用したラジカル重合により主鎖へ導入してもよい。2−ノルボルネンから導かれる構造単位は、ノルボルネン構造の二重結合が開いて形成され、式(d)で表すことができる。また、無水マレイン酸及び無水イタコン酸から導かれる構造単位は、無水マレイン酸及び無水イタコン酸の二重結合が開いて形成され、それぞれ式(e)及び(f)で表すことができる。   Moreover, as resin, you may have structural units other than the structural unit represented, for example by Formula (II). Examples of the structural unit other than the structural unit represented by the formula (II) include a structural unit derived from 2-norbornene. 2-norbornene may be introduced into the main chain during polymerization by radical polymerization using, for example, an aliphatic unsaturated dicarboxylic anhydride such as maleic anhydride or itaconic anhydride in addition to the corresponding 2-norbornene. Good. The structural unit derived from 2-norbornene is formed by opening a double bond of the norbornene structure and can be represented by the formula (d). The structural unit derived from maleic anhydride and itaconic anhydride is formed by opening a double bond of maleic anhydride and itaconic anhydride, and can be represented by the formulas (e) and (f), respectively.

ここで、式(d)中のR25及びR26は、互いに独立に、水素原子、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜3の脂肪族炭化水素基、カルボキシル基、シアノ基もしくは−COOU(Uはアルコール残基である)を表すか、あるいは、R25とR26とが一緒になって、−C(=O)OC(=O)−を含んだ環であるカルボン酸無水物残基を表す。
前記−COOUは、カルボキシル基がエステルとなったものであり、Uに相当するアルコール残基としては、例えば、置換されていてもよい直鎖状又は分岐状の炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基、2−オキソオキソラン−3−又は−4−イル基などを挙げることができる。ここで、脂肪族炭化水素基の置換基として、水酸基や炭素数4〜36の脂環式炭化水素残基などが結合していてもよい。
25及びR26における脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられ、水酸基が結合した脂肪族炭化水素基としては、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
Here, R 25 and R 26 in the formula (d) are independently of each other a hydrogen atom, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, a carboxyl group, a cyano group, or —COOU. (U is an alcohol residue), or R 25 and R 26 together represent a carboxylic acid anhydride residue which is a ring containing —C (═O) OC (═O) —. Represents a group.
The —COOU is an ester of a carboxyl group, and examples of the alcohol residue corresponding to U include, for example, an optionally substituted linear or branched aliphatic carbon carbon atom having 1 to 8 carbon atoms. A hydrogen group, 2-oxooxolane-3- or -4-yl group, etc. can be mentioned. Here, as a substituent of the aliphatic hydrocarbon group, a hydroxyl group or an alicyclic hydrocarbon residue having 4 to 36 carbon atoms may be bonded.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group for R 25 and R 26 include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group. Examples of the aliphatic hydrocarbon group to which a hydroxyl group is bonded include a hydroxymethyl group and a 2-hydroxyethyl group. Etc.

式(d)で表されるノルボネンを有する構造単位を導くモノマーの具体例としては、例えば、下記のもの等が挙げられる。
2−ノルボルネン、
2−ヒドロキシ−5−ノルボルネン、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチル、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−ヒドロキシ−1−エチル、
5−ノルボルネン−2−メタノール、
5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物。
Specific examples of the monomer for deriving the structural unit having norbornene represented by the formula (d) include the following.
2-norbornene,
2-hydroxy-5-norbornene,
5-norbornene-2-carboxylic acid,
Methyl 5-norbornene-2-carboxylate,
2-hydroxy-1-ethyl 5-norbornene-2-carboxylate,
5-norbornene-2-methanol,
5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride.

なお、式(d)中の前記−COOUのUについて、カルボキシル基の酸素側に結合する炭素原子が4級炭素原子である脂環式エステルなどの酸に不安定な基であれば、ノルボルネン構造を有するといえども、酸に不安定な基を有する構造単位である。ノルボルネン構造と酸に不安定な基とを含むモノマーとしては、例えば、5−ノルボルネン−2−カルボン酸−t−ブチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−シクロヘキシル−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチルシクロヘキシル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−メチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−エチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチル−1−(4−オキソシクロヘキシル)エチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(1−アダマンチル)−1−メチルエチルなどが挙げられる。   In addition, about U of —COOU in the formula (d), a norbornene structure is used as long as it is an acid-labile group such as an alicyclic ester in which the carbon atom bonded to the oxygen side of the carboxyl group is a quaternary carbon atom. Is a structural unit having an acid labile group. Examples of the monomer containing a norbornene structure and an acid labile group include, for example, 5-norbornene-2-carboxylic acid-t-butyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1-cyclohexyl-1-methylethyl, 5- 1-methylcyclohexyl norbornene-2-carboxylate, 2-methyl-2-adamantyl 5-norbornene-2-carboxylate, 2-ethyl-2-adamantyl 5-norbornene-2-carboxylate, 5-norbornene-2-carboxyl Acid 1- (4-methylcyclohexyl) -1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (4-hydroxycyclohexyl) -1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1-methyl-1 -(4-oxocyclohexyl) ethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (1-adap Pentyl) -1-methylethyl and the like.

また、本発明における樹脂は、樹脂(B)に加えて、ArFレジストの技術分野において公知の樹脂を併用することができる。   In addition to the resin (B), a resin known in the technical field of ArF resist can be used in combination with the resin in the present invention.

また、本発明レジスト組成物は、塩基性化合物を含有する。塩基性化合物としては、例えば、以下のもの等が挙げられる。   Moreover, this invention resist composition contains a basic compound. Examples of basic compounds include the following.

式中、T、T及びTは、互いに独立に、水素原子、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜6の脂肪族炭化水素基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素基あるいは炭素数6〜20の芳香族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基の水素原子、脂環式炭化水素基の水素原子及び芳香族炭化水素基の水素原子は、水酸基、アミノ基あるいは直鎖状又は分岐状の炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基の水素原子は、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。 In the formula, T 1 , T 2 and T 7 are each independently a hydrogen atom, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms. Represents a group or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms. The hydrogen atom of the aliphatic hydrocarbon group, the hydrogen atom of the alicyclic hydrocarbon group, and the hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon group are a hydroxyl group, an amino group, or a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. May be substituted. The hydrogen atom of the amino group may be substituted with a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.

〜Tは、互いに独立に、水素原子、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜6の脂肪族炭化水素基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素基、炭素数6〜20の芳香族炭化水素基あるいは直鎖状又は分岐状の炭素数1〜6のアルコキシ基を表す。該脂肪族炭化水素基の水素原子、該脂環式炭化水素基の水素原子、該芳香族炭化水素基の水素原子及び該アルコキシ基の水素原子は、互いに独立に、水酸基、アミノ基、又は直鎖状又は分岐状の炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基の水素原子は、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。 T 3 to T 5 are each independently a hydrogen atom, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms. 20 represents an aromatic hydrocarbon group or a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The hydrogen atom of the aliphatic hydrocarbon group, the hydrogen atom of the alicyclic hydrocarbon group, the hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon group and the hydrogen atom of the alkoxy group are independently of each other a hydroxyl group, an amino group, or a direct atom. It may be substituted with a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The hydrogen atom of the amino group may be substituted with a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.

は、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜6の脂肪族炭化水素基又は炭素数5〜10の脂環式炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基の水素原子及び該脂環式炭化水素基の水素原子は、互いに独立に、水酸基、アミノ基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基の水素原子は、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。 T 6 represents a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms. The hydrogen atom of the aliphatic hydrocarbon group and the hydrogen atom of the alicyclic hydrocarbon group are independently substituted with a hydroxyl group, an amino group, a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. May be. The hydrogen atom of the amino group may be substituted with a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.

Gは、直鎖状又は分岐状の炭素数2〜6のアルキレン基、カルボニル基、イミノ基、スルフィド基あるいはジスルフィド基を表す。   G represents a linear or branched alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, a carbonyl group, an imino group, a sulfide group or a disulfide group.

このような化合物として、具体的には、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、アニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、1−又は2−ナフチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、N−メチルアニリン、ピペリジン、ジフェニルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、N,N−ジメチルアニリン、2,6−イソプロピルアニリン、イミダゾール、ピリジン、4−メチルピリジン、4−メチルイミダゾール、ビピリジン、2,2’−ジピリジルアミン、ジ−2−ピリジルケトン、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ビス(2−ピリジル)エチレン、1,2−ビス(4−ピリジル)エチレン、1,2−ビス(4−ピリジルオキシ)エタン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、1,2−ビス(4−ピリジル)エチレン、2,2’−ジピコリルアミン、3,3’−ジピコリルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−オクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンなどを挙げることができる。   Specific examples of such compounds include hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, aniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, 1- or 2-naphthylamine. , Ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2-diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3 '-Diethyldiphenylmethane, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, N-methylaniline, piperidine, diphenylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tripropylamine Tylamine, tripentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyldihexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine , Methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonylamine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, N, N-dimethylaniline, 2,6-isopropylaniline, imidazole, Gin, 4-methylpyridine, 4-methylimidazole, bipyridine, 2,2'-dipyridylamine, di-2-pyridyl ketone, 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ) Ethane, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-bis (2-pyridyl) ethylene, 1,2-bis (4-pyridyl) ethylene, 1,2-bis (4-pyridyloxy) Ethane, 4,4′-dipyridyl sulfide, 4,4′-dipyridyl disulfide, 1,2-bis (4-pyridyl) ethylene, 2,2′-dipiconylamine, 3,3′-dipiconylamine, tetramethyl Ammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetra-n-hexylammonium hydroxide, tet Examples include la-n-octylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethylammonium hydroxide, and choline.

さらには、特開平11−52575号公報に開示されているような、ピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物をクエンチャーとすることもできる。   Furthermore, a hindered amine compound having a piperidine skeleton as disclosed in JP-A-11-52575 can be used as a quencher.

より好ましいクエンチャーとしては、式(XII)で表される化合物等が挙げられる。具体的には、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラオクチルアンモニウムハイドロオキサイド、フェニルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド、3−トリフルオロメチル−フェニルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイドなどが挙げられる。   More preferable quenchers include compounds represented by the formula (XII). Specifically, for example, tetramethylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3-trifluoromethyl-phenyltrimethylammonium hydroxide, etc. Can be mentioned.

本発明の本発明レジスト組成物は、その全固形分量を基準に、通常、樹脂を80〜99質量%程度、酸発生剤を1〜20質量%程度の範囲で含有すればよい。   The resist composition of the present invention may usually contain a resin in the range of about 80 to 99% by mass and an acid generator in the range of about 1 to 20% by mass based on the total solid content.

また、本発明レジスト組成物がクエンチャーとして塩基性化合物を含有する場合、該塩基性化合物の含有率は、本発明レジスト組成物の全固形分量を基準に、通常、0.01〜5質量%程度の範囲である。   When the resist composition of the present invention contains a basic compound as a quencher, the content of the basic compound is usually 0.01 to 5% by mass based on the total solid content of the resist composition of the present invention. The range of the degree.

本発明レジスト組成物は、溶剤を含有する。
溶剤としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類、アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類、γ−ブチロラクトンのような環状エステル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどを挙げることができる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又は2種以上を組合せて用いることができる。
The resist composition of the present invention contains a solvent.
Examples of the solvent include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate, esters such as ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and ethyl pyruvate, acetone, methyl isobutyl ketone , Ketones such as 2-heptanone and cyclohexanone, cyclic esters such as γ-butyrolactone, and propylene glycol monomethyl ether. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

本発明のレジスト組成物は、界面活性剤を含有する。
界面活性剤としては、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤およびフッ素原子を有するシリコーン系界面活性剤からなる群から選ばれる少なくとも1種の界面活性剤が挙げられる。
シリコーン系界面活性剤としては、例えば、シロキサン結合を有する界面活性剤などが挙げられる。具体的には、トーレシリコーンDC3PA(商品名)、トーレシリコーンSH7PA(商品名)、トーレシリコーンDC11PA(商品名)、トーレシリコーンSH21PA(商品名)、トーレシリコーンSH28PA(商品名)、トーレシリコーン29SHPA(商品名)、トーレシリコーンSH30PA(商品名)、ポリエーテル変性シリコンオイルSH8400(商品名)(トーレシリコーン(株)製)、KP321(商品名)、KP322(商品名)、KP323(商品名)、KP324(商品名)、KP326(商品名)、KP340(商品名)、KP341(商品名)(信越シリコーン製)、TSF400(商品名)、TSF401(商品名)、TSF410(商品名)、TSF4300(商品名)、TSF4440(商品名)、TSF4445(商品名)、TSF−4446(商品名)、TSF4452(商品名)、TSF4460(商品名)(ジーイー東芝シリコーン(株)製)などが挙げられる。
フッ素系界面活性剤としては、例えば、フルオロカーボン鎖を有する界面活性剤などが挙げられる。具体的には、フロリナートFC430(商品名)、フロリナートFC431(商品名)(住友スリーエム(株)製)、メガファックF142D(商品名)、メガファックF171(商品名)、メガファックF172(商品名)、メガファックF173(商品名)、メガファックF177(商品名)、メガファックF183(商品名)、メガファックR30(商品名)(大日本インキ化学工業(株)製)、エフトップEF301(商品名)、エフトップEF303(商品名)、エフトップEF351(商品名)、エフトップEF352(商品名)(新秋田化成(株)製)、サーフロンS381(商品名)、サーフロンS382(商品名)、サーフロンSC101(商品名)、サーフロンSC105(商品名)(旭硝子(株)製)、E5844(商品名)((株)ダイキンファインケミカル研究所製)、BM−1000(商品名)、BM−1100(商品名)(BM Chemie社製)などが挙げられる。
フッ素原子を有するシリコーン系界面活性剤としては、例えば、シロキサン結合およびフルオロカーボン鎖を有する界面活性剤などが挙げられる。具体的には、メガファックR08(商品名)、メガファックBL20(商品名)、メガファックF475(商品名)、メガファックF477(商品名)、メガファックF443(商品名)(大日本インキ化学工業(株)製)などが挙げられる。
これらの界面活性剤は、単独でも2種類以上を組合せて用いてもよい。
これらの中でも、シリコーン系界面活性剤が好ましく、中でもポリエーテル変性シリコンオイルSH8400(商品名)(トーレシリコーン(株)製)が好ましい。
界面活性剤の含有率は、組成物に対して質量分率で、好ましくは0.0005質量%以上0.10質量%以下、より好ましくは0.0010質量%以上0.05質量%以下、とりわけ好ましくは0.0015質量%以上0.03質量%以下である。界面活性剤の含有率が前記の範囲にあると、得られる塗膜の平坦性がさらに良好となる傾向があるため好ましい。
The resist composition of the present invention contains a surfactant.
Examples of the surfactant include at least one surfactant selected from the group consisting of silicone surfactants, fluorine surfactants, and silicone surfactants having fluorine atoms.
Examples of silicone surfactants include surfactants having a siloxane bond. Specifically, Torre Silicone DC3PA (trade name), Torre Silicone SH7PA (trade name), Torre Silicone DC11PA (trade name), Torre Silicone SH21PA (trade name), Torre Silicone SH28PA (trade name), Torre Silicone 29SHPA (Product) Name), Torre Silicone SH30PA (trade name), polyether-modified silicone oil SH8400 (trade name) (manufactured by Torre Silicone Co., Ltd.), KP321 (trade name), KP322 (trade name), KP323 (trade name), KP324 ( Product Name), KP326 (Product Name), KP340 (Product Name), KP341 (Product Name) (made by Shin-Etsu Silicone), TSF400 (Product Name), TSF401 (Product Name), TSF410 (Product Name), TSF4300 (Product Name) , TSF4440 (trade name) TSF4445 (trade name), TSF-4446 (trade name), TSF4452 (trade name), TSF4460 (trade name) (manufactured by GE Toshiba Silicones Co., Ltd.), and the like.
Examples of the fluorosurfactant include a surfactant having a fluorocarbon chain. Specifically, Florinert FC430 (trade name), Florinart FC431 (trade name) (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), Megafuck F142D (trade name), Megafuck F171 (trade name), Megafuck F172 (trade name) , Megafuck F173 (trade name), Megafuck F177 (trade name), Megafuck F183 (trade name), Megafuck R30 (trade name) (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), Ftop EF301 (trade name) ), Ftop EF303 (product name), Ftop EF351 (product name), Ftop EF352 (product name) (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Surflon S381 (product name), Surflon S382 (product name), Surflon SC101 (trade name), Surflon SC105 (trade name) (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), E5844 ( Name) (Co., Ltd. Daikin Fine Chemical Institute), BM-1000 (trade name), BM-1100 (trade name) (BM Chemie Co., Ltd.) and the like.
Examples of the silicone-based surfactant having a fluorine atom include a surfactant having a siloxane bond and a fluorocarbon chain. Specifically, Mega Fuck R08 (trade name), Mega Fuck BL20 (trade name), Mega Fuck F475 (trade name), Mega Fuck F 477 (trade name), Mega Fuck F 443 (trade name) (Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) Etc.).
These surfactants may be used alone or in combination of two or more.
Among these, silicone-based surfactants are preferable, and polyether-modified silicone oil SH8400 (trade name) (manufactured by Torre Silicone Co., Ltd.) is particularly preferable.
The content of the surfactant is a mass fraction with respect to the composition, preferably 0.0005% by mass to 0.10% by mass, more preferably 0.0010% by mass to 0.05% by mass, especially Preferably they are 0.0015 mass% or more and 0.03 mass% or less. It is preferable that the content of the surfactant is in the above range because the flatness of the obtained coating film tends to be further improved.

また、本発明レジスト組成物は、さらに、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、安定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもできる。   The resist composition of the present invention can further contain a small amount of various additives such as a sensitizer, a dissolution inhibitor, other resins, stabilizers, and dyes, if necessary.

また、本発明は、以下の工程を含むパターン形成方法を提供する。 The present invention also provides a pattern forming method including the following steps.

(1)本発明レジスト組成物を基板上に塗布する工程
(2)塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程
(3)組成物層に液浸露光機を用いて露光する工程
(4)露光後の組成物層を加熱する工程
(5)加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程
(1) Step of applying the resist composition of the present invention on a substrate (2) Step of forming a composition layer by removing the solvent from the composition after coating (3) Using an immersion exposure machine for the composition layer Step of exposing (4) Step of heating composition layer after exposure (5) Step of developing composition layer after heating using developing device

基板としては、通常、シリコン製のウェハーが用いられる。
基板上へのレジスト組成物の塗布は、スピンコーターなど、通常、用いられる装置によって行われる。
溶剤の除去は、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を加熱することにより行われるか、あるいは減圧装置を用いて、溶剤が除去された組成物層が形成される。前記の加熱は、例えば、80〜140℃の温度で、30秒間〜10分間加熱することにより行われる。減圧装置を用いる場合、例えば、10〜100℃程度の温度で、1〜1.0×10Pa程度の圧力で、溶媒が除去される。
溶剤を除去することにより得られた組成物層は、液浸露光機を用いて、露光される。露光の条件としては、走査露光型であるスキャニングステッパー型の投影露光装置(露光装置)などが挙げられる。露光光源としては、ArFエキシマレーザ(波長193nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。
液浸露光に用いられる露光機のレンズとウェハーとの間の液体は、通常、水であるが、水に代えて液浸露光用の液体を用いることができる。
この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。
露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理が行われる。当該加熱は、例えば、70〜140℃の温度で、30秒間〜10分間加熱することにより行われる。
加熱後の組成物層は、現像装置を用いて、現像液で現像される。ここで用いられる現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ溶液であることができるが、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)などのアルカリ水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水でリンスされ、基板及びパターン上に残った水が除去されて、パターンが得られる。
本発明レジスト組成物は、ダブルイメージング用にも好適に用いることができる。
As the substrate, a silicon wafer is usually used.
Application of the resist composition onto the substrate is performed by a commonly used apparatus such as a spin coater.
The removal of the solvent is performed by heating the solvent using a heating device such as a hot plate, or the composition layer from which the solvent has been removed is formed using a decompression device. The heating is performed, for example, by heating at a temperature of 80 to 140 ° C. for 30 seconds to 10 minutes. When using a decompression device, for example, the solvent is removed at a temperature of about 10 to 100 ° C. and a pressure of about 1 to 1.0 × 10 5 Pa.
The composition layer obtained by removing the solvent is exposed using an immersion exposure machine. Examples of the exposure conditions include a scanning exposure type projection exposure apparatus (exposure apparatus) that is a scanning exposure type. As the exposure light source, various light sources such as an ArF excimer laser (wavelength of 193 nm) that emits laser light in the ultraviolet region can be used.
The liquid between the lens of the exposure machine used for immersion exposure and the wafer is usually water, but a liquid for immersion exposure can be used instead of water.
At this time, exposure is usually performed through a mask corresponding to a required pattern.
The composition layer after the exposure is subjected to heat treatment for promoting the deprotection group reaction. The said heating is performed by heating for 30 second-10 minutes at the temperature of 70-140 degreeC, for example.
The composition layer after heating is developed with a developer using a developing device. The developer used here can be various alkaline solutions used in this field. For example, alkaline aqueous solutions such as tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly known as choline) are used. Etc.
After development, the substrate is rinsed with ultrapure water, and water remaining on the substrate and the pattern is removed to obtain a pattern.
The resist composition of the present invention can also be suitably used for double imaging.

以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例及び比較例の中、使用量を表す%及び部は、特記ないかぎり質量基準である。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited to these.
In Examples and Comparative Examples,% and part representing the amount used are based on mass unless otherwise specified.

重量平均分子量は、以下の条件で、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。   The weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography under the following conditions.

装置;HLC−8120GPC(東ソー(株)製)
カラム:TSKgel Multipore HXL−M 3本+ guardcolumn(東ソー(株)製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μL
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー(株)製)
Apparatus: HLC-8120GPC (manufactured by Tosoh Corporation)
Column: 3 TSKgel Multipore HXL-M + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μL
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

また、化合物の構造は、NMR(GX−270型又はEX−270型;日本電子(株)製)、質量分析(LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型又はLC/MSD TOF型)を用いて確認された。   The structure of the compound is NMR (GX-270 type or EX-270 type; manufactured by JEOL Ltd.), mass spectrometry (LC is Agilent 1100 type, MASS is Agilent LC / MSD type or LC / MSD TOF. Type).

(酸発生剤(A1)の合成)
ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル100部及びイオン交換水150部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液230部を滴下した。これを100℃で3時間還流し、冷却した後、これを濃塩酸88部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸・ナトリウム塩164.4部を得た(無機塩含有、純度62.7%)。得られたジフルオロスルホ酢酸・ナトリウム塩1.9部(純度62.7%)及びN,N−ジメチルホルムアミド9.5部に、1,1’−カルボニルジイミダゾール1.0部を添加し、2時間撹拌して混合物を得た。
一方、3−ヒドロキシアダマンチルメタノール1.1部及びN,N−ジメチルホルムアミド5.5部に、水素化ナトリウム0.2部を添加し、2時間撹拌して溶液を調製した。この溶液に、前記の混合物を添加した。得られた混合物を15時間撹拌した後、生成したジフルオロスルホ酢酸−3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメチルエステル・ナトリウム塩を含む溶液をそのまま次の反応に用いた。得られたジフルオロスルホ酢酸−3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメチルエステル・ナトリウム塩を含む溶液に、クロロホルム17.2部及び14.8%トリフェニルスルホニウム・クロライド水溶液2.9部を添加した。15時間撹拌した後、分液して有機層を回収した。次いで、残った水層をクロロホルム6.5部で抽出することにより有機層を回収した。前記の各有機層を合せた後、イオン交換水で洗浄し、その後、得られた有機層を濃縮した。濃縮物にtert−ブチルメチルエーテル5.0部を添加し、撹拌後、濾過することにより白色固体としてトリフェニルスルホニウム1−((3−ヒドロキシアダマンチル)メトキシカルボニル)ジフルオロメタンスルホナート(A1)0.2部を得た。(A1)中のフッ素含有率は6.30質量%であった。
(Synthesis of acid generator (A1))
To 100 parts of difluoro (fluorosulfonyl) acetic acid methyl ester and 150 parts of ion-exchanged water, 230 parts of a 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise in an ice bath. This was refluxed at 100 ° C. for 3 hours, cooled, and then neutralized with 88 parts of concentrated hydrochloric acid. The obtained solution was concentrated to obtain 164.4 parts of difluorosulfoacetate / sodium salt (containing inorganic salt, purity 62.7%). To 1.9 parts of the obtained difluorosulfoacetic acid / sodium salt (purity 62.7%) and 9.5 parts of N, N-dimethylformamide, 1.0 part of 1,1′-carbonyldiimidazole was added, Stir for hours to give a mixture.
On the other hand, 0.2 part of sodium hydride was added to 1.1 parts of 3-hydroxyadamantyl methanol and 5.5 parts of N, N-dimethylformamide, and stirred for 2 hours to prepare a solution. To this solution was added the above mixture. The resulting mixture was stirred for 15 hours, and the resulting solution containing difluorosulfoacetate-3-hydroxy-1-adamantylmethyl ester / sodium salt was directly used in the next reaction. To the obtained solution containing difluorosulfoacetic acid-3-hydroxy-1-adamantylmethyl ester sodium salt, 17.2 parts of chloroform and 2.9 parts of a 14.8% aqueous solution of triphenylsulfonium chloride were added. After stirring for 15 hours, the organic layer was recovered by liquid separation. Subsequently, the remaining aqueous layer was extracted with 6.5 parts of chloroform to recover the organic layer. The organic layers were combined, washed with ion-exchanged water, and then the obtained organic layer was concentrated. To the concentrate, 5.0 parts of tert-butyl methyl ether was added, stirred and filtered to give triphenylsulfonium 1-((3-hydroxyadamantyl) methoxycarbonyl) difluoromethanesulfonate (A1) as a white solid. Two parts were obtained. The fluorine content in (A1) was 6.30% by mass.

(酸発生剤(A2)の合成)
ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル100部及びイオン交換水250部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液230部を滴下した。得られた混合物を100℃で3時間還流し、冷却した後、これを濃塩酸88部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸・ナトリウム塩164.8部を得た(無機塩含有、純度62.6%)。得られたジフルオロスルホ酢酸・ナトリウム塩5.0部(純度62.6%)及び4−オキソ−1−アダマンタノール2.6部、エチルベンゼン100部に、濃硫酸0.8部を加え、30時間加熱還流した。得られた混合物を冷却した後、濾過して濾過残渣を回収し、回収された濾過残渣をtert−ブチルメチルエーテルで洗浄することにより、ジフルオロスルホ酢酸−4−オキソ−1−アダマンチルエステルナトリウム塩5.5部を得た。H−NMRによる純度分析の結果、その純度は35.6%であった。得られたジフルオロスルホ酢酸−4−オキソ−1−アダマンチルエステルナトリウム塩5.4部(純度35.6%)に、アセトニトリル16部及びイオン交換水16部を加えた。得られた混合物に、トリフェニルスルホニウム・クロライド1.7部、アセトニトリル5部及びイオン交換水5部を添加した。得られた混合物を15時間撹拌した後、濃縮し、得られた混合物をクロロホルム142部で抽出することにより有機層を回収した。回収された有機層をイオン交換水で洗浄した後、得られた有機層を濃縮した。濃縮物をtert−ブチルメチルエーテル24部でリパルプすることにより、白色固体としてトリフェニルスルホニウム4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(A2)1.7部を得た。(A2)中のフッ素含有率は6.48質量%であった。
(Synthesis of acid generator (A2))
To 100 parts of difluoro (fluorosulfonyl) acetic acid methyl ester and 250 parts of ion-exchanged water, 230 parts of a 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise in an ice bath. The resulting mixture was refluxed at 100 ° C. for 3 hours, cooled, and neutralized with 88 parts of concentrated hydrochloric acid. The obtained solution was concentrated to obtain 164.8 parts of difluorosulfoacetic acid / sodium salt (containing inorganic salt, purity 62.6%). To the obtained difluorosulfoacetic acid / sodium salt 5.0 parts (purity 62.6%), 4-oxo-1-adamantanol 2.6 parts and ethylbenzene 100 parts, 0.8 parts of concentrated sulfuric acid was added for 30 hours. Heated to reflux. The resulting mixture is cooled and then filtered to collect a filtration residue. The collected filtration residue is washed with tert-butyl methyl ether to obtain difluorosulfoacetic acid-4-oxo-1-adamantyl ester sodium salt 5 .5 parts were obtained. As a result of purity analysis by 1 H-NMR, the purity was 35.6%. 16 parts of acetonitrile and 16 parts of ion-exchanged water were added to 5.4 parts (purity 35.6%) of the obtained difluorosulfoacetic acid-4-oxo-1-adamantyl ester sodium salt. To the obtained mixture, 1.7 parts of triphenylsulfonium chloride, 5 parts of acetonitrile and 5 parts of ion-exchanged water were added. The resulting mixture was stirred for 15 hours and then concentrated, and the resulting mixture was extracted with 142 parts of chloroform to recover the organic layer. The collected organic layer was washed with ion-exchanged water, and then the obtained organic layer was concentrated. The concentrate was repulped with 24 parts of tert-butyl methyl ether to obtain 1.7 parts of triphenylsulfonium 4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate (A2) as a white solid. The fluorine content in (A2) was 6.48% by mass.

(酸発生剤(A3)の合成)
ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル200部及びイオン交換水300部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液460部を滴下した。得られた混合物を100℃で2.5時間還流し、冷却した後、これを濃塩酸175部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸ナトリウム塩328.19部(無機塩を除去していないため、含有率63.5%)を得た。得られたジフルオロスルホ酢酸ナトリウム塩39.4部(含有率63.5%)、1−アダマンタンメタノール21.0部及びジクロロエタン200部の混合物に、p−トルエンスルホン酸24.0部を加え、これを7時間加熱還流した。その後、濃縮してジクロロエタンを留去し、濃縮残渣にtert−ブチルメチルエーテル250部添加し、リパルプ後、濾過して濾過残渣を回収した。回収された濾過残渣にアセトニトリル250部を添加し、撹拌した後、濾過して濾液を回収し、回収された濾液を濃縮することにより、ジフルオロスルホ酢酸−1−アダマンチルメチルエステル・ナトリウム塩32.8部を得た。得られたジフルオロスルホ酢酸−1−アダマンチルメチルエステル・ナトリウム塩32.8部を、イオン交換水100部に溶解させて得られた溶液に、トリフェニルスルホニウム・クロライド28.3部及びメタノール140部を添加した。得られた混合物を23℃で15時間撹拌した後、濃縮し、得られた濃縮物をクロロホルム200部で2回抽出した。2回の抽出により得られた回収された有機層を合せて、該有機層が中性になるまで、イオン交換水を用いた洗浄操作を繰り返し、その後、得られた有機層を濃縮した。濃縮液に、tert−ブチルメチルエーテル300部を添加し、撹拌した後、濾過して白色析出物を回収し、これを減圧乾燥することにより白色結晶としてトリフェニルスルホニウム1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(A3)39.7部を得た。(A3)中のフッ素含有率は6.48質量%であった。
(Synthesis of acid generator (A3))
To 200 parts of difluoro (fluorosulfonyl) acetic acid methyl ester and 300 parts of ion-exchanged water, 460 parts of a 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise in an ice bath. The resulting mixture was refluxed at 100 ° C. for 2.5 hours, cooled, and neutralized with 175 parts of concentrated hydrochloric acid. The obtained solution was concentrated to obtain 328.19 parts of difluorosulfoacetate sodium salt (the content rate was 63.5% because the inorganic salt was not removed). 24.0 parts of p-toluenesulfonic acid was added to a mixture of 39.4 parts (content 63.5%) of difluorosulfoacetic acid sodium salt, 21.0 parts of 1-adamantane methanol and 200 parts of dichloroethane, Was heated to reflux for 7 hours. Then, it concentrated and dichloroethane was distilled off, 250 parts of tert-butyl methyl ether was added to the concentration residue, and after repulping, it filtered and the filtration residue was collect | recovered. After adding 250 parts of acetonitrile to the collected filtration residue and stirring, the filtrate was collected by filtration, and the collected filtrate was concentrated to obtain 32.8 difluorosulfoacetic acid-1-adamantylmethyl ester sodium salt 32.8. Got a part. To a solution obtained by dissolving 32.8 parts of the obtained difluorosulfoacetic acid-1-adamantyl methyl ester / sodium salt in 100 parts of ion-exchanged water, 28.3 parts of triphenylsulfonium chloride and 140 parts of methanol were added. Added. The resulting mixture was stirred at 23 ° C. for 15 hours and then concentrated, and the resulting concentrate was extracted twice with 200 parts of chloroform. The recovered organic layers obtained by the extraction twice were combined, and the washing operation using ion-exchanged water was repeated until the organic layer became neutral, and then the obtained organic layer was concentrated. To the concentrated solution, 300 parts of tert-butyl methyl ether was added, stirred, and then filtered to collect a white precipitate, which was dried under reduced pressure to give triphenylsulfonium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfone as white crystals. 39.7 parts of Nert (A3) were obtained. The fluorine content in (A3) was 6.48% by mass.

(酸発生剤(A4)の合成)
ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル200部及びイオン交換水300部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液460部を滴下した。これを100℃で2.5時間還流し、冷却した後、これを濃塩酸175部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸・ナトリウム塩328.19部(無機塩含有、純度62.8%)を得た。得られたジフルオロスルホ酢酸・ナトリウム塩123.3部(純度62.8%)、1−アダマンタンメタノール65.7部及びジクロロエタン600部の混合物に、p−トルエンスルホン酸75.1部を加え、これを12時間加熱還流した。その後、濃縮してジクロロエタンを留去し、濃縮残渣にtert−ブチルメチルエーテル400部を添加し、リパルプ後、濾過して濾過残渣を回収した。回収された濾過残渣にアセトニトリル400部を添加し、撹拌後、濾過を2回繰返し、濃縮することにより、ジフルオロスルホ酢酸−1−アダマンチルメチルエステルナトリウム塩99.5部を得た。
次いで、2−ブロモアセトフェノン150部をアセトン375部に溶解し、これにテトラヒドロチオフェン66.5部を滴下した。得られた混合物を室温で24時間攪拌した後、生成した白色析出物を濾過して回収し、これをアセトンで洗浄し、次いで乾燥することにより白色結晶として1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウムブロマイド207.9部を得た。
先に得られたジフルオロスルホ酢酸−1−アダマンチルメチルエステル・ナトリウム塩99.5部を、アセトニトリル298部に溶解させた。得られた溶液に、上記で得られた1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウムブロマイド79.5部及びイオン交換水159部溶液を添加した。得られた混合物を室温で15時間撹拌した後、濃縮し、得られた濃縮物をクロロホルム500部で2回抽出した。2回の抽出により回収された有機層を合せて、これをイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液に、tert−ブチルメチルエーテル250部を添加し、撹拌した後、濾過して白色析出物を回収し、これを減圧乾燥することにより白色結晶として1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(A4)116.9部を得た。(A4)中のフッ素含有率は7.16質量%であった。
(Synthesis of acid generator (A4))
To 200 parts of difluoro (fluorosulfonyl) acetic acid methyl ester and 300 parts of ion-exchanged water, 460 parts of a 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise in an ice bath. This was refluxed at 100 ° C. for 2.5 hours, cooled, and then neutralized with 175 parts of concentrated hydrochloric acid. The obtained solution was concentrated to obtain 328.19 parts of difluorosulfoacetic acid / sodium salt (containing inorganic salt, purity 62.8%). To a mixture of the obtained difluorosulfoacetic acid / sodium salt 123.3 parts (purity 62.8%), 1-adamantane methanol 65.7 parts and dichloroethane 600 parts, 75.1 parts of p-toluenesulfonic acid was added. Was heated to reflux for 12 hours. Then, it concentrated and the dichloroethane was distilled off, 400 parts of tert- butyl methyl ether was added to the concentration residue, and after repulping, it filtered and the filtration residue was collect | recovered. 400 parts of acetonitrile was added to the collected filtration residue, and after stirring, filtration was repeated twice and concentrated to obtain 99.5 parts of difluorosulfoacetic acid-1-adamantylmethyl ester sodium salt.
Next, 150 parts of 2-bromoacetophenone was dissolved in 375 parts of acetone, and 66.5 parts of tetrahydrothiophene was added dropwise thereto. After stirring the resulting mixture at room temperature for 24 hours, the white precipitate formed was collected by filtration, washed with acetone and then dried to give 1- (2-oxo-2-phenyl) as white crystals. 207.9 parts of ethyl) tetrahydrothiophenium bromide were obtained.
99.5 parts of difluorosulfoacetic acid-1-adamantyl methyl ester / sodium salt obtained above was dissolved in 298 parts of acetonitrile. To the obtained solution, 79.5 parts of 1- (2-oxo-2-phenylethyl) tetrahydrothiophenium bromide obtained above and 159 parts of ion-exchanged water were added. The resulting mixture was stirred at room temperature for 15 hours and then concentrated, and the resulting concentrate was extracted twice with 500 parts of chloroform. The organic layers recovered by the two extractions were combined, washed with ion-exchanged water, and the obtained organic layer was concentrated. To the concentrated liquid, 250 parts of tert-butyl methyl ether was added, stirred, and then filtered to collect a white precipitate, which was dried under reduced pressure to give 1- (2-oxo-2-phenylethyl as white crystals. ) 116.9 parts of tetrahydrothiophenium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate (A4) were obtained. The fluorine content in (A4) was 7.16% by mass.

(酸発生剤A7の合成)
3−ヒドロキシ−1−アダマンタンカルボン酸3.51部、無水THF75部を仕込み23℃で30分間攪拌した。次いで、カルボニルジイミダゾール2.89部、無水THF50部の混合溶液を23℃で滴下し、23℃で4時間攪拌した。得られた反応液を、2,2−ジフルオロ−2−スルホエタノールのナトリウム塩6.04部(純度60%)、無水THF50部の混合液中に54〜60℃で、25分間で滴下し、65℃で18時間加熱し、冷却後、ろ過した。得られたろ液を濃縮し、濃縮物をカラム(メルク シリカゲル60−200メッシュ 展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1)分取することにより、ナトリウム 3−ヒドロキシ−1−アダマンチルカルボニルオキシメチルジフルオロメタンスルホナート2.99部を得た。
ナトリウム 3−ヒドロキシ−1−アダマンチルカルボニルオキシメチルジフルオロメタンスルホナート1.0部、クロロホルム30部を仕込み23℃で30分間攪拌した。次いで、トリス(4−メチルフェニル)スルホニウムクロライド0.94部、クロロホルム8.6部及びイオン交換水2.5部を23℃で12時間攪拌した後、分液を行った。有機層にイオン交換水10部を添加、分液水洗を行った。この操作を3回行った。その後、硫酸マグネシウム1部を添加、23℃で30分間攪拌後、ろ過し、ろ液を濃縮して、化合物(A7)0.89部を得た。(A7)中のフッ素含有率は5.89質量%であった。
(Synthesis of acid generator A7)
3.51 parts of 3-hydroxy-1-adamantanecarboxylic acid and 75 parts of anhydrous THF were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Next, a mixed solution of 2.89 parts of carbonyldiimidazole and 50 parts of anhydrous THF was added dropwise at 23 ° C., and the mixture was stirred at 23 ° C. for 4 hours. The obtained reaction solution was dropped into a mixed solution of 2,2-difluoro-2-sulfoethanol sodium salt 6.04 parts (purity 60%) and anhydrous THF 50 parts at 54-60 ° C. over 25 minutes, Heated at 65 ° C. for 18 hours, cooled and filtered. The obtained filtrate was concentrated, and the concentrate was fractionated into a column (Merck silica gel 60-200 mesh developing solvent: chloroform / methanol = 5/1) to obtain sodium 3-hydroxy-1-adamantylcarbonyloxymethyldifluoromethanesulfone. 2.99 parts of nat were obtained.
Sodium 3-hydroxy-1-adamantylcarbonyloxymethyldifluoromethanesulfonate (1.0 part) and chloroform (30 parts) were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Next, 0.94 parts of tris (4-methylphenyl) sulfonium chloride, 8.6 parts of chloroform, and 2.5 parts of ion-exchanged water were stirred at 23 ° C. for 12 hours, followed by liquid separation. 10 parts of ion-exchanged water was added to the organic layer, followed by liquid separation washing. This operation was performed three times. Thereafter, 1 part of magnesium sulfate was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, followed by filtration. The filtrate was concentrated to obtain 0.89 part of compound (A7). The fluorine content in (A7) was 5.89% by mass.

(樹脂(B1)の合成)
モノマーA、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、モル比35:15:20:30の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを、全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを77℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約8100である共重合体を収率78%で得た。得られた共重合体は、次式の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂B1とした。
(Synthesis of resin (B1))
Monomer A, monomer B, monomer C and monomer D were charged in a molar ratio of 35: 15: 20: 30, and then 1.5 mass times dioxane was added to the total mass of all monomers. Into the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were used as initiators at a ratio of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was added and heated at 77 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 8100 in a yield of 78%. The obtained copolymer has a structural unit derived from each monomer of the following formula, and this was designated as resin B1.

表1に示す組成で、以下の各成分を混合した後、得られた混合物を孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。
組成物の固形分中のフッ素含有率は、下記式によって算出した。
100×(組成物の固形分中のフッ素含有量)
フッ素含有率=――――――――――――――――――――――
(組成物の固形分量)
組成物の固形分量は、組成物中に含まれる溶剤以外の成分の量を合計することによって求めた。
組成物の固形分中のフッ素含有量は、溶剤以外の各成分のフッ素含有量を計算することによって求めた。
酸発生剤中のフッ素含有率は、下記式によって算出した。
酸発生剤中のフッ素含有率
100×(酸発生剤1分子当たりのフッ素原子の数)×(フッ素原子の原子量)
=――――――――――――――――――――――――――――――――――――
(酸発生剤の分子量)
After mixing the following components with the composition shown in Table 1, the obtained mixture was filtered through a fluororesin filter having a pore diameter of 0.2 μm to prepare a resist composition.
The fluorine content in the solid content of the composition was calculated by the following formula.
100 × (fluorine content in the solid content of the composition)
Fluorine content = ――――――――――――――――――――――
(Solid content of composition)
The solid content of the composition was determined by summing the amounts of components other than the solvent contained in the composition.
The fluorine content in the solid content of the composition was determined by calculating the fluorine content of each component other than the solvent.
The fluorine content in the acid generator was calculated by the following formula.
Fluorine content in acid generator 100 × (number of fluorine atoms per molecule of acid generator) × (atomic weight of fluorine atoms)
= ――――――――――――――――――――――――――――――――――――
(Molecular weight of acid generator)

<酸発生剤>
酸発生剤;A1〜A4、A7
A5:フッ素含有率;0.00質量%
A6:フッ素含有率;0.00質量%
<Acid generator>
Acid generator; A1-A4, A7
A5: Fluorine content: 0.00% by mass
A6: Fluorine content; 0.00% by mass

C1:トリフェニルスルホニウム・トリフルオロメタンスルホナート(フッ素含有率;15.14質量%)
C2:トリフェニルスルホニウム・ペンタフルオロエタンスルホナート(フッ素含有率;22.28質量%)
C3:トリフェニルスルホニウム・パーフルオロブタンスルホナート(フッ素含有率;32.48質量%)
C4:トリフェニルスルホニウム・パーフルオロオクタンスルホナート(フッ素含有率;44.46質量%)
<樹脂>
樹脂B1
<塩基性化合物>
Q1:2、6−ジイソプロピルアニリン
<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 265部
2−ヘプタノン 20.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20.0部
γ−ブチロラクトン 3.5部
<界面活性剤>
SH8400 25ppm(組成物中)
C1: Triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate (fluorine content: 15.14% by mass)
C2: Triphenylsulfonium pentafluoroethanesulfonate (fluorine content: 22.28% by mass)
C3: Triphenylsulfonium perfluorobutanesulfonate (fluorine content: 32.48% by mass)
C4: Triphenylsulfonium perfluorooctanesulfonate (fluorine content: 44.46% by mass)
<Resin>
Resin B1
<Basic compound>
Q1: 2,6-diisopropylaniline <solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 265 parts 2-heptanone 20.0 parts Propylene glycol monomethyl ether 20.0 parts γ-butyrolactone 3.5 parts <Surfactant>
SH8400 25ppm (in composition)

<異物評価>
12インチのシリコン製ウェハーに、前記のレジスト組成物を、その乾燥後の膜厚が0.15μmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、100℃で60秒間プリベークした。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハーに、現像機[ACT−12;東京エレクトロン(株)製]を用いて、水リンスを60秒間行った。
その後、欠陥検査装置[KLA−2360;KLAテンコール製]を用いて、ウェハー上の欠陥数を測定し、欠陥数が1000以下を○、10000以上を×とし、1000を超え10000未満を△として判断した。結果を表2に示す。
<Foreign matter evaluation>
The resist composition was spin-coated on a 12-inch silicon wafer so that the film thickness after drying was 0.15 μm. After applying the resist composition, it was pre-baked at 100 ° C. for 60 seconds on a direct hot plate. The wafer on which the resist composition film was thus formed was subjected to water rinsing for 60 seconds using a developing machine [ACT-12; manufactured by Tokyo Electron Ltd.].
Thereafter, the number of defects on the wafer is measured using a defect inspection apparatus [KLA-2360; manufactured by KLA Tencor], and the number of defects is determined to be 1000 or less as ◯, 10000 or more as x, and exceeding 1000 and less than 10000 as Δ. did. The results are shown in Table 2.

<パターン評価>
12インチのシリコン製ウェハー上に、有機反射防止膜用組成物[ARC−29;日産化学(株)製]を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ780Åの有機反射防止膜を形成させた。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が0.15μmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、100℃で60秒間プリベークした。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハーに、液浸露光用ArFエキシマステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。
露光後、パターンが形成されたウェハーは、ホットプレート上にて105℃で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間パドル現像した。さらに、現像後のウェハーは、超純水でリンスされた。
ウェハー上に形成されたパターンのうち、70nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量で露光されたレジストパターンを欠陥検査装置[KLA−810;KLAテンコール製]で観察し、パターンに異物が付着したものを不良として判断して×で表記し、パターンが正常に形成されたものを良好と判断して○で表記した。
結果を表2に示す。
<Pattern evaluation>
An organic antireflective coating composition [ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.] was applied onto a 12-inch silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to obtain a thickness of 780 mm. An organic antireflection film was formed. Subsequently, the resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness after drying was 0.15 μm. After application of the resist composition, it was pre-baked at 100 ° C. for 60 seconds on a direct hot plate. Using the ArF excimer stepper for immersion exposure [XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35], the exposure amount is changed stepwise on the wafer on which the resist composition film has been formed. Was subjected to immersion exposure.
After exposure, the wafer on which the pattern was formed was post-exposure baked on a hot plate at 105 ° C. for 60 seconds, and further paddle developed with a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 60 seconds. Further, the developed wafer was rinsed with ultrapure water.
Of the patterns formed on the wafer, the resist pattern exposed with an exposure amount that makes a 70 nm line and space pattern 1: 1 is observed with a defect inspection apparatus [KLA-810; manufactured by KLA Tencor], and foreign matter is found in the pattern. Those with attached were judged as defective and marked with ×, and those with a pattern formed normally were judged good and marked with ○.
The results are shown in Table 2.

[表1]
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例No. 組成物 樹脂 酸発生剤 クエンチャー フッ素含有率
(質量%)
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実施例1 組成物1 B1/10部 A1/0.55部 Q1/0.07部 0.33
実施例2 組成物2 B1/10部 A2/0.55部 Q1/0.07部 0.34
実施例3 組成物3 B1/10部 A3/0.55部 Q1/0.07部 0.34
実施例4 組成物4 B1/10部 A4/0.55部 Q1/0.07部 0.37
実施例5 組成物5 B1/10部 A5/1.20部 Q1/0.07部 0.00
実施例6 組成物6 B1/10部 A6/1.50部 Q1/0.07部 0.00
実施例7 組成物7 B1/10部 A1/0.18部 Q1/0.03部 0.11
実施例8 組成物8 B1/10部 A1+A6/0.18+0.18部 Q1/0.05部 0.11
実施例9 組成物9 B1/10部 A1/0.70部 Q1/0.07部 0.41
実施例10 組成物10 B1/10部 A1/0.85部 Q1/0.07部 0.49
実施例11 組成物11 B1/10部 A7/0.55部 Q1/0.07部 0.31
参考例1 組成物7 B1/10部 C1/0.40部 Q1/0.07部 0.58
参考例2 組成物8 B1/10部 C2/0.45部 Q1/0.07部 0.95
参考例3 組成物9 B1/10部 C3/0.55部 Q1/0.07部 1.68
参考例4 組成物10 B1/10部 C4/0.70部 Q1/0.07部 2.89
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[Table 1]
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Example No. Composition Resin Acid generator Quencher Fluorine content
(mass%)
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
Example 1 Composition 1 B1 / 10 part A1 / 0.55 part Q1 / 0.07 part 0.33
Example 2 Composition 2 B1 / 10 part A2 / 0.55 part Q1 / 0.07 part 0.34
Example 3 Composition 3 B1 / 10 part A3 / 0.55 part Q1 / 0.07 part 0.34
Example 4 Composition 4 B1 / 10 part A4 / 0.55 part Q1 / 0.07 part 0.37
Example 5 Composition 5 B1 / 10 part A5 / 1.20 part Q1 / 0.07 part 0.00
Example 6 Composition 6 B1 / 10 part A6 / 1.50 part Q1 / 0.07 part 0.00
Example 7 Composition 7 B1 / 10 part A1 / 0.18 part Q1 / 0.03 part 0.11
Example 8 Composition 8 B1 / 10 part A1 + A6 / 0.18 + 0.18 part Q1 / 0.05 part 0.11
Example 9 Composition 9 B1 / 10 part A1 / 0.70 part Q1 / 0.07 part 0.41
Example 10 Composition 10 B1 / 10 part A1 / 0.85 part Q1 / 0.07 part 0.49
Example 11 Composition 11 B1 / 10 part A7 / 0.55 part Q1 / 0.07 part 0.31
Reference Example 1 Composition 7 B1 / 10 part C1 / 0.40 part Q1 / 0.07 part 0.58
Reference Example 2 Composition 8 B1 / 10 part C2 / 0.45 part Q1 / 0.07 part 0.95
Reference Example 3 Composition 9 B1 / 10 part C3 / 0.55 part Q1 / 0.07 part 1.68
Reference Example 4 Composition 10 B1 / 10 part C4 / 0.70 part Q1 / 0.07 part 2.89
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━

[表2]
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例No. 異物評価 パターン評価
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実施例1 △ ○
実施例2 △ ○
実施例3 ○ ○
実施例4 ○ ○
実施例5 ○ ○
実施例6 △ ○
実施例7 ○ ○
実施例8 ○ ○
実施例9 ○ ○
実施例10 ○ ○
実施例11 ○ ○
参考例1 × ×
参考例2 × ×
参考例3 × ×
参考例4 × ×
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
<形状評価>
[Table 2]
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
Example No. Foreign matter evaluation Pattern evaluation ━━━━━━━━━━━━━━━━━━
Example 1
Example 2
Example 3 ○ ○
Example 4 ○ ○
Example 5
Example 6
Example 7 ○ ○
Example 8
Example 9
Example 10
Example 11
Reference Example 1 × ×
Reference Example 2 × ×
Reference Example 3 × ×
Reference Example 4 × ×
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
<Shape evaluation>

12インチのシリコン製ウェハー上に、有機反射防止膜用組成物[ARC−29;日産化学(株)製]を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ780Åの有機反射防止膜を形成させた。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。
レジスト組成物塗布後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表1の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベーク(PB)した。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハーに、液浸露光用ArFエキシマステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4Annular X−Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。
露光後、ホットプレート上にて、表1の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベーク(PEB)を行い、さらに2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。
An organic antireflective coating composition [ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.] was applied onto a 12-inch silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to obtain a thickness of 780 mm. An organic antireflection film was formed. Subsequently, the resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness after drying was 85 nm.
After applying the resist composition, the obtained silicon wafer was pre-baked (PB) for 60 seconds at a temperature described in the “PB” column of Table 1 on a direct hot plate. Using the ArF excimer stepper for immersion exposure [XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized light] on the wafer on which the resist composition film is thus formed, the exposure amount is stepwise. The line and space pattern was subjected to immersion exposure.
After the exposure, post-exposure baking (PEB) was performed for 60 seconds on a hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 1, and further with a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 60 seconds. Paddle development was performed.

各レジスト膜において、50nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量となる露光量を実効感度とした。   In each resist film, the exposure amount at which the 50 nm line and space pattern becomes an exposure amount of 1: 1 was defined as the effective sensitivity.

形状評価:50nmのラインアンドスペースパターンを走査型電子顕微鏡で観察した。トップ形状及び裾形状が矩形に近く良好なものを○、トップ形状が丸い又はT字型に近いもの、裾引きが見られるもの、または抜けていないものを△として判断した。
結果を表3に示す。
Shape evaluation: A 50 nm line and space pattern was observed with a scanning electron microscope. A case where the top shape and the skirt shape were close to a rectangle was good, and a case where the top shape was round or close to a T-shape, a skirt was seen, or a case where it was not missing was judged as △.
The results are shown in Table 3.

[表3]
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例No. 形状評価
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例1 ○
実施例2 ○
実施例3 ○
実施例4 ○
実施例5 △
実施例6 △
実施例7 ○
実施例8 ○
実施例9 ○
実施例10 ○
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
[Table 3]
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
Example No. Shape evaluation
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
Example 1 ○
Example 2 ○
Example 3 ○
Example 4 ○
Example 5
Example 6
Example 7 ○
Example 8 ○
Example 9 ○
Example 10 ○
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━

本発明の化学増幅型フォトレジスト組成物は、レジスト膜が水と接触したときに発生する異物が少ないパターンを形成できる。   The chemically amplified photoresist composition of the present invention can form a pattern with less foreign matter generated when the resist film comes into contact with water.

Claims (9)

酸発生剤、樹脂、塩基性化合物、溶剤及び界面活性剤を含有する液浸露光用化学増幅型フォトレジスト組成物であり、該組成物の固形分中のフッ素含有率が0.5質量%以下であることを特徴とする組成物。   A chemically amplified photoresist composition for immersion exposure containing an acid generator, a resin, a basic compound, a solvent, and a surfactant, and the fluorine content in the solid content of the composition is 0.5% by mass or less. The composition characterized by these. 前記酸発生剤中のフッ素含有率が10質量%以下であることを特徴とする請求項1記載の組成物。   The composition according to claim 1, wherein a fluorine content in the acid generator is 10% by mass or less. 前記酸発生剤が式(a)で表される化合物であることを特徴とする請求項1又は2記載の組成物。
[式(a)中、Zは、有機カチオンを表す。
Aは、置換基を有してもよい炭素数6〜36の芳香族炭化水素基あるいは直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基及び該直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜20の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、グリシドキシ基あるいは炭素数2〜4のアシル基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基、該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基及び該アラルキル基に含まれるメチレン基は、酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよい。]
The composition according to claim 1 or 2, wherein the acid generator is a compound represented by the formula (a).
[In the formula (a), Z + represents an organic cation.
A represents an aromatic hydrocarbon group having 6 to 36 carbon atoms which may have a substituent or a linear, branched or cyclic aliphatic hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group and the linear, branched or cyclic hydrocarbon group is a halogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. A linear or branched alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 21 carbon atoms, a glycidoxy group, or an acyl group having 2 to 4 carbon atoms. The methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group, the aliphatic hydrocarbon group, the alkoxy group and the aralkyl group may be substituted with an oxygen atom and / or a carbonyl group. . ]
前記Aが、式(a1)で表される基又は式(a2)で表される基である請求項3記載の組成物。
[式(a1)及び式(a2)中、Xは、単結合又は−[CH−を表し、該−[CH−に含まれるメチレン基は酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよく、該−[CH−に含まれる水素原子は直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。kは、1〜17の整数を表す。
は、置換基を有してもよい炭素数6〜36の芳香族炭化水素基あるいは置換基を有してもよい直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよい。ただし、Yが前記の直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基である場合、Xは単結合を表すものとする。
及びQは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。]
The composition according to claim 3, wherein the A is a group represented by the formula (a1) or a group represented by the formula (a2).
Wherein (a1) and the formula (a2), X 1 is a single bond or - [CH 2] k - represents, the - [CH 2] k - methylene group contained in the oxygen atom and / or a carbonyl group in may be substituted, the - [CH 2] k - a hydrogen atom may be substituted with a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms included. k represents an integer of 1 to 17.
Y 1 is an aromatic hydrocarbon group having 6 to 36 carbon atoms which may have a substituent, or a linear, branched or cyclic aliphatic carbon group having 1 to 36 carbon atoms which may have a substituent. Represents a hydrogen group, and the methylene group contained in the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with an oxygen atom and / or a carbonyl group. However, if Y 1 is a linear or branched aliphatic hydrocarbon group of the, X 1 is intended to represent a single bond.
Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group. ]
前記(a1)が、炭素数1〜10のペルフルオロ基、炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい炭素数6〜12の芳香族炭化水素基、炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい炭素数6〜20の脂環式炭化水素基である請求項4記載の組成物。   Said (a1) is a C1-C10 perfluoro group, a C1-C4 aliphatic hydrocarbon group which may be substituted with a C1-C4 aromatic hydrocarbon group, C1-C4 The composition according to claim 4, which is an alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with an aliphatic hydrocarbon group. 前記Zが、式(IXa)で表されるカチオンである請求項3〜5のいずれか記載の組成物。
[式(IXa)中、P、P及びPは、互いに独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルキル基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルコキシ基あるいは炭素数4〜36の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式状炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12の芳香族炭化水素基、炭素数7〜12のアラルキル基、グリシドキシ基又は炭素数2〜4のアシル基で置換されていてもよい。]
The composition according to any one of claims 3 to 5, wherein Z + is a cation represented by the formula (IXa).
[In formula (IXa), P 1 , P 2 and P 3 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a linear or branched group. Represents an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 36 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group includes a halogen atom, a hydroxyl group, and 1 to 1 carbon atoms. It is substituted with 12 alkyl groups, C1-C12 alkoxy groups, C6-C12 aromatic hydrocarbon groups, C7-C12 aralkyl groups, glycidoxy groups, or C2-C4 acyl groups. May be. ]
前記樹脂が、アルカリ可溶性基を有する構造単位、水酸基を有する構造単位及び酸脱離基を有する構造単位を有する樹脂(B)であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか記載の組成物。   The composition according to any one of claims 1 to 6, wherein the resin is a resin (B) having a structural unit having an alkali-soluble group, a structural unit having a hydroxyl group, and a structural unit having an acid leaving group. object. 前記樹脂が、さらに樹脂(B)と同一でない、酸の作用によりアルカリ可溶性になる基を有する樹脂を含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれか記載の組成物。   The composition according to any one of claims 1 to 7, wherein the resin further comprises a resin that is not the same as the resin (B) and has a group that becomes alkali-soluble by the action of an acid. 以下の工程を含むパターン形成方法。
(1)請求項1〜8のいずれか記載の組成物を基板上に塗布する工程
(2)塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程
(3)組成物層に液浸露光機を用いて露光する工程
(4)露光後の組成物層を加熱する工程
(5)加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程
A pattern forming method including the following steps.
(1) The process of apply | coating the composition in any one of Claims 1-8 on a board | substrate (2) The process of removing a solvent from the composition after application | coating, and forming a composition layer (3) In a composition layer Step of exposing using immersion exposure machine (4) Step of heating composition layer after exposure (5) Step of developing composition layer after heating using developing device
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