JP2010127882A - 放射線画像検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】サイズを大きくすることなく、外部から加わる衝撃によりＸ線検出部等が破損することを防止すること。
【解決手段】カセッテ型検出器１において、第２の緩衝部材２７Ｂにより、基台２２の電気基板２３が取り付けられている面の一部と、ハウジング３の内壁とが接合させ、少なくとも基台２２に加わる衝撃を吸収される。その結果、外部から加わる衝撃により検出器ユニット２１等が破損することを防止出来る。
【選択図】図３

Description

本発明は、放射線画像検出装置に関する。

近年、被写体に放射線を照射し、被写体を透過した放射線を検出して放射線画像を得る方法として、デジタル方式の放射線画像検出装置が用いられている。このような放射線画像検出装置としては、いわゆるＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）がある。

ＦＰＤの一例としては、基板上に複数の検出素子を二次元的に配列し、被写体を透過した放射線が蛍光体（シンチレータ）に照射され、照射された放射線量に応じて発光する可視光を検出素子により電荷に変換して光電変換素子に蓄積し、光電変換素子に蓄積した電荷を読み出すことにより放射線画像を得るものがある（特許文献１参照）。このようなＦＰＤは撮影直後に放射線画像を得られるという即時性を有している。

図８はＦＰＤであるカセッテを用いた従来のシステムの概略図である。

カセッテＡはＸ線検出部Ｂを内蔵し、Ｘ線発生部Ｃから出射されたＸ線を被写体Ｐに照射し、被写体Ｐを透過したＸ線は二次元の格子状に配列した光電変換素子を有するＸ線検出部Ｂによって検出される。光電変換素子から出力される画像信号を画像処理部Ｄにおいてデジタル画像処理し、モニタＥに被写体ＰのＸ線画像を表示する。

図９はカセッテＡの縦断面図であり、カセッテＡは特許文献１に記載された構造である。

筐体Ａ１には、スペーサＡ２を介して基台Ａ３が取り付けられ、この基台Ａ３上にはＸ線検出部Ｂが設けられている。Ｘ線検出部Ｂは、半導体素子と化学作用せず、半導体プロセスの温度に耐え、寸法安定性等が必要なことからガラス板により構成された基板Ｂ１、半導体プロセスにより二次元配列的に形成された光電変換素子Ｂ２、金属化合物から成る蛍光体を樹脂板に塗布した蛍光板Ｂ３が一体的に積層されて構成されている。

基台Ａ３の下面には光電変換された電気信号を処理するための電子部品を搭載した回路基板Ａ４が突起Ａ５に介して固定されている。この回路基板Ａ４と光電変換素子Ｂ２間は、フレキシブル回路基板Ａ６によって接続されている。

図９に示すカセッテＡは可搬型であり、所定の場所に運ばれてＸ線画像の撮影に使用されるわけであるが、所定の場所に運ばれる最中に誤ってカセッテＡを落下させてしまったり、他の物体に衝突させてしまったりして、図９の矢印で示すようにカセッテＡの側方から突発的な衝撃が加わる場合がある。この衝撃に対して何ら対策をとっていないと、カセッテＡに突発的な衝撃が加わった際に、筐体Ａ１の内部にある基台Ａ３等が筐体Ａ１の側壁に接触し、例えば基台Ａ３に設けられたＸ線検出部Ｂが破損してしまう。そこで、突発的な衝撃が加わってもＸ線検出部Ｂ等が破損しないよう、図９のように特許文献１に記載のカセッテＡは、筐体Ａ１の側壁にＸ線検出部Ｂ等に加わる衝撃を吸収する緩衝材Ａ７を設けている。同様に特許文献２に記載の技術では、Ｘ線検出部等に加わる衝撃を吸収する圧縮コイルスプリングを設置して、カセッテの耐衝撃性を高めている。
特開２００１−３４６７８８号公報 特開２００２−１４１６８号公報

図９に示すように、筐体Ａ１の側壁に緩衝材Ａ７を設ける構造では、緩衝材Ａ７が薄いと突発的な衝撃を十分に吸収することが出来ず、カセッテの耐衝撃性を十分に高めることが出来ない。そこで、厚い緩衝材Ａ７を設置すればカセットの耐衝撃性を常時確保することが出来るが、十分な厚さの緩衝材Ａ７を設置しようとすると、筐体Ａ１の側壁部分に緩衝材Ａ７を設置するためのスペースを多く確保しなければならない。Ｘ線検出部Ｂによる検出領域を狭めることは出来ないため、緩衝材Ａ７の設置スペースを確保するためには筐体１を大きくせざるを得ず、その結果カセッテ全体のサイズが大きくなってしまう。

また、特許文献２に記載の技術でも同様であり、圧縮コイルスプリングは伸びた状態でカセッテ内に設置しなければならず、伸びた状態の圧縮コイルスプリングを設置するためには一定のスペースを確保しなければならず、カセッテ全体のサイズが大きくなってしまう。

そこで、本発明の目的は、サイズを大きくすることなく、外部から加わる衝撃によりＸ線検出部等が破損することを防止する放射線画像検出装置を提供することになる。

上記目的を達成するため、本発明に係る放射線画像検出装置は、
被写体に向けて照射された放射線を検出する放射線画像検出装置であって、
入射した放射線を光に変換するシンチレータと、当該シンチレータにより変換された光を受けて電気信号に変換する検出部と、を有する検出器ユニットと、
前記検出部により変換された電気信号を処理する電気基板と、
一方の面に前記検出器ユニットが取り付けられ、他方の面に前記電気基板が取り付けられた基台と、
少なくとも前記基台を内蔵する筐体と、
前記基台の前記電気基板が取り付けられている面の一部と、前記筐体の内壁とを接合し、少なくとも基台に加わる衝撃を吸収する緩衝部材と、
を備えることを特徴とするものである。

本発明に係る放射線画像検出装置によれば、装置全体のサイズを大きくすることなく、外部から加わる衝撃によりＸ線検出部等が破損することを防止することが出来る。

以下、本発明の実施の形態を図を基に説明する。

［カセッテ型検出器の概要］図１は、カセッテ型検出器の斜視図である。

放射線画像検出装置であるカセッテ型検出器１は、カセッテ型のフラットパネルディテクタ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ：以下「ＦＰＤ」と称する。）である。カセッテ型検出器１は、照射された放射線を検出してデジタル画像データとして取得する放射線検出部２（図３等参照）と、放射線検出部２を内部に収納するハウジング（筐体）３とを備えている。

本実施形態において、ハウジング３は、その放射線入射方向の厚さが１５ｍｍとなるように形成されている。なお、ハウジング３の放射線入射方向の厚さは１６ｍｍ以下であり、従来のスクリーン／フィルム用のカセッテにおけるＪＩＳ規格（ＪＩＳ Ｚ ４９０５）に準拠するサイズ（１５ｍｍ＋１ｍｍであり、かつ１５ｍｍ−２ｍｍ）の範囲内である（ＪＩＳ Ｚ ４９０５に対応する国際規格は、ＩＥＣ ６０４０６である）。

図２は、ハウジング３の分解斜視図である。

図２に示すように、ハウジング３は、両端部に開口部３１１、３１２を有する中空のハウジング本体部３１と、ハウジング本体部３１の各開口部３１１、３１２を覆う第１の蓋部材３２及び第２の蓋部材３３とを備えている。

ハウジング本体部３１は、例えば、心材（型）の上にカーボン繊維を巻回して所望の厚み（例えば、１ｍｍ〜２ｍｍ）とした上で形状を整え、巻回したカーボン繊維の上に熱硬化性樹脂を流した上で、高温高圧で焼き固めることにより成型し、その後心材を抜き取ることによって形成する。

第１の蓋部材３２及び第２の蓋部材３３は、蓋本体部３２１、３３１と、挿入部３２２、３３２とを備えており、例えば非導電性のプラスチック等の非導電性の材料によって形成されている。

挿入部３２２、３３２の各側面には、第１の蓋部材３２及び第２の蓋部材３３と、ハウジング本体部３１と、を係合する係合片３２４、３３４が、開口部３１１、３１２に対する挿入方向に向かって延出している。係合片３２４、３３４の外側面には、それぞれ係合凸部３２５、３３５が設けられている。第１の蓋部材３２と第２の蓋部材３３がハウジング本体部３１に挿入されると、係合凸部３２５、３３５がハウジング本体部３１に設置された係合凹部３１５、３１６に係合する。

第１の蓋部材３２における蓋本体部３２１の一側面には、カセッテ型検出器１と外部の機器との間で無線により情報の送受信を行うためのアンテナ装置９が埋め込まれており、アンテナ装置９には、金属からなる平板状の一対の放射板９１、９２と、一対の放射板９１、９２に対して給電する給電部９３とが設けられている。

また、蓋本体部３２１の一面であって、アンテナ装置９が形成されている面と同一面上には、ハウジング３の内部に設けられた電力供給部としての充電池２４（図３等参照）を充電する際に外部の電源等と接続される充電用端子４５と、カセッテ型検出器１の電源のＯＮ／ＯＦＦを切り替える電源スイッチ４６が設けられている。更に、アンテナ装置９が形成されている面と放射線入射側の面とによって形成される角部には、例えばＬＥＤ等で構成され充電池２４の充電状況や各種の操作状況等を表示するインジケータ４７が設けられている。

［カセッテ型検出器の内部構造］次にカセッテ型検出器１の内部構造について説明する。図３は、図１に示すカセッテ型検出器１をａ方向からみた所定箇所の断面図である。

図３に示すように、放射線検出部２は、検出器ユニット２１、基台２２、各種の電子部品を実装した電気基板２３、充電池２４等により構成されている。本実施形態において、基台２２の上方の面（一方の面）には遮蔽部材２５を介して検出器ユニット２１が取り付けられており（基台２２の上方の面に検出器ユニット２１が支持されている形態も取り付けられている形態に含む）、基台２２の下方の面（他方の面）には複数の電気基板２３と充電池２４が取り付けられている。

基台２２は可撓性であり、薄い樹脂により構成されている。厚さは約１ｍｍであり、材質は例えば、ポリカーボネイトとＡＢＳを混合した樹脂である。このように可撓性のある樹脂により基台２２が形成され、軽量化が図られている。

検出器ユニット２１はシンチレータ層２１１、検出部としての信号検出部（不図示）、対向ガラス板２１２、ガラス基板２１３、補強部材２１４等から構成されている。検出器ユニット２１の基本構造を説明すると、ガラス基板２１３の上に信号検出部が支持されており、その上方にシンチレータ層２１１が設置されている。シンチレータ層２１１の上方には対向ガラス板２１２が設置されており、シンチレータ層２１１は対向ガラス板２１２とガラス基板２１３に挟まれている。

シンチレータ層２１１は入射した放射線を光に変換する機能を有する。シンチレータ層２１１は、例えば、蛍光体を主たる成分とし、入射した放射線に基づいて、波長が３００ｎｍから８００ｎｍの電磁波、すなわち、可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波（光）を出力するようになっている。

シンチレータ層２１１の下方には信号検出部（図５では１５１で示す）が形成されおり、信号検出部はシンチレータ層２１１から出力された電磁波（光）を電気エネルギーに変換して蓄積し、蓄積された電気エネルギーに基づく画像信号の出力を行う。

対向ガラス板２１２とガラス基板２１３は、ともに厚みが０．６ｍｍ程度であり、レーザにより端面を切断することにより、端面、すなわち、切断面と、この切断面とガラス基材の上面との稜線部分、及び切断面とガラス基材の下面との稜線部分を平滑化する平滑化処理を施されている。

ガラス基板２１３の下方には補強部材２１４が設置されており、対向ガラス板２１２に対するガラス基板２１３の突出部を補強されている。また、対向ガラス板２１２の上方には対向ガラス板２１２を保護する保護部材２１５が設置されている。

基台２２の下方の面には複数の電気基板２３が取り付けられている。本実施形態において、電気基板２３上に配置される電子部品としては、例えば各部の制御を行う制御部２８（図５参照）を構成するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等からなる記憶部（図示せず）、走査駆動回路１６（図５参照）、信号読出し回路１７（図５参照）等がある。

また、基台２２の中央部には、カセッテ型検出器１を構成する複数の駆動部（例えば、後述する走査駆動回路１６（図５参照）、信号読出し回路１７（図５参照）、通信部（不図示）、記憶部（不図示）、充電量検出部（不図示）、インジケータ４７、検出器ユニット２１等）に電力を供給する充電池２４が設けられている。

充電池２４として本実施形態では電気二重層コンデンサを使用している。但し、電気二重層コンデンサ以外に例えばリチウムイオンキャパシタ、ニッカド電池、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池、小型シール鉛電池、鉛蓄電池等の充電自在な電池を適用することが出来る。

充電池２４は、基台２２上の所定の位置に設置することにより前述の充電用端子４５と電気的に接続されるようになっており、例えば、カセッテ型検出器１を外部電源と接続されるクレードル等の充電用装置（図示せず）に装着することによって充電用装置側の端子とハウジング３側の充電用端子４５とが接続されて充電池２４の充電が行われるようになっている。

ガラス基板２１３の端部には信号検出部で発生した電気信号を取り出すための電気信号取出部２１６が設けられており、この電気信号取出部２１６と所定の電気基板２３とはフレキシブルハーネス２６により接続されている。

［検出器ユニットの回路構成］次に、検出器ユニット２１の回路構成について説明する。図４は、信号検出部１５１を構成する１画素分の光電変換部の等価回路図である。

図４に示すように、１画素分の光電変換部の構成は、フォトダイオード１５２と、フォトダイオード１５２で蓄積された電気エネルギーをスイッチングにより電気信号として取り出す薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」と称する。）１５３とから構成されている。フォトダイオード１５２は、電荷を生成し蓄積する撮像素子である。フォトダイオード１５２から取り出された電気信号は、増幅器１５４により信号読出し回路１７が検出可能なレベルにまで電気信号を増幅するようになっている。

具体的には、光の照射を受けるとフォトダイオード１５２で電荷が発生し、ＴＦＴ１５３のゲートＧに信号読出し用の電圧が印加されると、ＴＦＴ１５３のソースＳに接続されたフォトダイオード１５２から電荷がＴＦＴ１５３のドレインＤ側に流れ、増幅器１５４に並列に接続されたコンデンサ１５４ａに蓄積される。そして、増幅器１５４から、コンデンサ１５４ａに蓄積された電荷に比例して増幅された電気信号が出力されるようになっている。

また、増幅器１５４から増幅された電気信号が出力されて電気信号が取り出されると、増幅器１５４やコンデンサ１５４ａに並列に接続されたスイッチ１５４ｂがオンされてコンデンサ１５４ａに蓄積された電荷が放出されて、増幅器１５４がリセットされるようになっている。なお、フォトダイオード１５２は、単に規制キャパシタンスを有した光ダイオードでもよいし、フォトダイオード１５２と光電変換部のダイナミックレンジを改良するように追加コンデンサを並列に含んでいるものでもよい。

図５は、このような光電変換部を二次元に配列した等価回路図であり、画素間には、走査線Ｌｌと信号線Ｌｒが直交するように配設されている。ＴＦＴ１５３のソースＳには前述のフォトダイオード１５２の一端側が接続されており、ＴＦＴ１５３のドレインＤは信号線Ｌｒに接続されている。一方、フォトダイオード１５２の他端側は、各行に配された隣接するフォトダイオード１５２の他端側と接続されて共通のバイアス線Ｌｂを通じてバイアス電源１５５に接続されている。

このバイアス電源１５５は制御部２８に接続され、制御部２８からの指示によりバイアス線Ｌｂを通じてフォトダイオード１５２に電圧がかるようになっている。また各行に配されたＴＦＴ１５３のゲートＧは、共通の走査線Ｌｌに接続されており、走査線Ｌｌは走査駆動回路１６を介して制御部２８に接続されている。同様に、各列に配されたＴＦＴ１５３のドレインＤは、共通の信号線Ｌｒに接続されて制御部２８に制御される信号読出し回路１７に接続されている。

信号読出し回路１７には、前述した信号線Ｌｒごとの増幅器１５４が設けられている。信号読出し時には、選択された走査線Ｌｌに信号読出し用の電圧が印加され、それによりその走査線Ｌｌに接続されている各ＴＦＴ１５３のゲートＧに電圧が印加され、各ＴＦＴ１５３を介して各フォトダイオード１５２から各信号線Ｌｒにそのフォトダイオード１５２で発生した電荷が流れる。そして、各増幅器１５４でフォトダイオード１５２ごとに電荷が増幅され、１行分のフォトダイオード１５２の情報が取り出される。そして、この操作を走査線Ｌｌをそれぞれ切り替えて全ての走査線Ｌｌについて行うことで、全フォトダイオード１５２から情報を取り出すようになっている。

各増幅器１５４にはそれぞれサンプルホールド回路１５６が接続されている。各サンプルホールド回路１５６は信号読出し回路１７に設けられたアナログマルチプレクサ１５７に接続されており、信号読出し回路１７により読み出された信号は、アナログマルチプレクサ１５７からＡ／Ｄ変換器１５８を介して前述した制御部２８に出力されるようになっている。

以上、図１〜図５に示すようなカセッテ型検出器１を使用することにより、被写体のＸ線画像を検出することが可能となっている。

［緩衝部材の説明］図３に示すカセッテ型検出器１は可搬型であり、所定の場所に運ばれてＸ線画像の検出に使用されるわけであるが、所定の場所に運ばれる最中に誤ってカセッテ型検出器１を落下させてしまったり、他の物体に衝突させてしまったりして、カセッテ型検出器１の側方（図３における左右方向）から突発的な衝撃が加わる場合がある。この突発的な衝撃によりハウジング３内の検出器ユニット２１等が破損しないよう、図３で示すように基台２２の側方には第１の緩衝部材２７Ａが設置されている。

しかし、カセッテ型検出器１は、既存の設備（撮影装置等）にも利用出来るようにするために、従来のスクリーン／フィルム用のカセッテにおけるＪＩＳ規格のサイズに従ったサイズとなっており（つまり従来のカセッテと互換性がある）、基台２２の側方に十分なスペースを確保することが出来なく、第１の緩衝部材２７Ａは突発的な衝撃を吸収するだけの十分な厚さとなっていない。また、場合によっては図３に示すカセッテ型検出器１の構造とは異なり、ハウジング内の制約によりスペース的に第１の緩衝部材２７Ａを全く設置出来ないような形態もあり得る。

そこで、カセッテ型検出器１では、基台２２の電気基板２３が取り付けられている面の一部と、ハウジング３の内壁とを接合し、少なくとも基台２２に加わる衝撃を吸収する第２の緩衝部材２７Ｂ（本発明における「緩衝部材」に該当する）が設置されている。

第２の緩衝部材２７Ｂは具体的にはウレタン系のゴム部材であり、耐緩衝性に優れている。また、基台２２と第２の緩衝部材２７Ｂとの間、及びハウジング３の内壁と第２の緩衝部材２７Ｂとの間は接着剤により固着されており、突発的な衝撃が加わっても基台２２とハウジング３の内壁との接合状態が常時維持される。

図３で示すように第２の緩衝部材２７Ｂにより基台２２とハウジング３の内壁を接合すれば、カセッテ型検出器１の側方（図３における左右方向）から突発的な衝撃が加わっても、第２の緩衝部材２７Ｂのせん断ひずみの発生によって急激な衝撃変化を緩和して吸収することが出来る。このことは、ハウジング３に突発的な衝撃が加わっても基台２２や検出器ユニット２１に直接的に衝撃が伝わることを弾性体である緩衝部材２７Ｂの衝撃方向におけるせん断ひずみによって吸収しているからである。

従って、第１の緩衝部材２７Ａを厚くするためにカセッテ型検出器１のサイズを大きくすることなく従来のカセッテとの互換性を確保し、外部から加わる衝撃により基台２２に取り付けられた検出器ユニット２１等が破損することを防止出来る。また、第１の緩衝部材２７Ａを設置しないような形態であっても、第２の緩衝部材２７Ｂにより外部から加わる衝撃により検出器ユニット２１等が破損することを防止出来る。

また、第２の緩衝部材２７Ｂが薄いもの（例えば１ｍｍ程度）であっても、第２の緩衝部材２７Ｂにより基台２２とハウジング３の内壁が一定の面積において接合されていれば、せん断ひずみの発生によって衝撃を吸収することができ、カセッテ型検出器１の厚さ（図３における上下方向）も抑えることが出来る。

カセッテ型検出器１はシンチレータ層２１１と信号検出部１５１の個々の特性を考慮し、シンチレータ層２１１と信号検出部１５１との位置関係をもとに調整（例えばゲイン調整、感度調整）がなされているが、第２の緩衝部材２７Ｂにより突発的な衝撃が吸収されることにより、シンチレータ層２１１と信号検出部１５１との位置関係がずれることなく、調整された状態が狂うことはないため、常時、正確なＸ線画像の検出動作を実行することも出来る。

なお、カセッテ型検出器１の耐衝撃性を高めるために、第２の緩衝部材２７Ｂを多く設置して、基台２２とハウジング３の内壁を多くの箇所で接合することが好ましい。緩衝部材２７ＢのＸ線入射方向と出射方向の広い面を接着することでせん断ひずみによる衝撃吸収能力を高めることができる。

また、充電池２４は一定の重量があるため、充電池２４が基台２２の端に取り付けられていると基台２２の重心が基台２２の端の方にあり、基台２２に衝撃が加わった際に基台２２がハウジング３の内壁に接触しやすい。そこで充電池２４は基台２２の中央領域に取り付けられていることが好ましい。

［他の実施形態］図６、図７は緩衝部材に関する他の実施形態を示す。

図６はカセッテ型検出器１における充電池２４周辺を変形した他の実施形態の拡大図である。

図３に示すカセッテ型検出器１では、基台２２とハウジング３の内壁とを第２の緩衝部材２７Ｂで接合し、突発的な衝撃を第２の緩衝部材２７Ｂで吸収していたが、図６に示す他の実施形態では第２の緩衝部材２７Ｂだけでなく、充電池２４とハウジング３の内壁とを接合して衝撃を吸収する第３の緩衝部材（供給部緩衝部材）２７Ｃが設置されている。

充電池２４は通常、基台２２の取り付けられている面において電気基板２３が占める領域よりも広い領域を占めている。従って、広い領域を占める充電池２４とハウジング３の内壁を第３の緩衝部材２７Ｃで接合することにより、図３に示す実施形態よりも更にカセッテ型検出器１における耐衝撃性を高めることが出来る。充電池２４の性能上、第３の緩衝部材２７Ｃを接着しても問題はなく、また、図６において第３の緩衝部材２７Ｃは第２の緩衝部材２７Ｂと別体になっているが、一体化した形態でも良い。

図７はカセッテ型検出器１における電気基板２３周辺を変形した他の実施形態の拡大図である。

電気基板２３は基台２２に取付部品２３Ａにより取り付けられており、取付部品２３Ａがある電気基板２３の取付箇所において何らかの部材を取り付けても電気基板２３の性能に影響がない。そこで、図７に示す他の実施形態では、第２の緩衝部材２７Ｂだけでなく、電気基板２３の取付箇所とハウジング３の内壁とを接合して衝撃を吸収する第４の緩衝部材（基板緩衝部材）２７Ｄが設置されている。このようにすれば、図３に示す実施形態よりも更にカセッテ型検出器１における耐衝撃性を高めることが出来る。図７において第４の緩衝部材２７Ｄは第２の緩衝部材２７Ｂと別体になっているが、一体化した形態でも良い。

なお、本発明は当該実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における変更や追加があっても本発明に含まれる。

本実施形態では、検出器ユニット２１がシンチレータ層２１１と信号検出部１５１とによって構成されている間接変換方式のＦＰＤを例として説明したが、ＦＰＤは間接変換方式のものに限られない。例えば、放射線を吸収し放射線を電荷に変換するアモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）層を設け、このａ−Ｓｅ層の中に放射線フォトンを高電圧で引き込むことにより、検出器に照射された放射線の放射線エネルギーを直接電荷量に変換する（電気信号化する）直接変換方式のＦＰＤにおいても、ａ−Ｓｅ層を２枚のガラス基材の間に挟み込む本発明の構成を適用することが可能である。

カセッテ型検出器を示す斜視図である。 ハウジングの分解斜視図である。 図１に示すカセッテ型検出器をａ方向から見た所定箇所の断面図である。 信号検出部を構成する光電変換部の１画素分の等価回路構成図である。 図４に示す光電変換部を二次元に配列した等価回路構成図である。 カセッテ型検出器における充電池周辺を変形した他の実施形態の拡大図である。 カセッテ型検出器１における電気基板２３周辺を変形した他の実施形態の拡大図である。 ＦＰＤであるカセッテを用いた従来のシステムの概略図である。 カセッテの縦断面図である。

符号の説明

１ カセッテ型検出器
２ 放射線検出部
３ ハウジング
９ アンテナ装置
２１ 検出器ユニット
２２ 基台
２３ 電気基板
２４ 充電池
２５ 遮蔽部材
２６ フレキシブルハーネス
２７Ａ 第１の緩衝部材
２７Ｂ 第２の緩衝部材
２７Ｃ 第３の緩衝部材
２７Ｄ 第４の緩衝部材
１５１ 信号検出部
２１１ シンチレータ層
２１２ 対向ガラス板
２１３ ガラス基板
２１４ 補強部材
２１５ 保護部材
２１６ 電気信号取出部

Claims (4)

1. 被写体に向けて照射された放射線を検出する放射線画像検出装置であって、
   入射した放射線を光に変換するシンチレータと、当該シンチレータにより変換された光を受けて電気信号に変換する検出部と、を有する検出器ユニットと、
   前記検出部により変換された電気信号を処理する電気基板と、
   一方の面に前記検出器ユニットが取り付けられ、他方の面に前記電気基板が取り付けられた基台と、
   少なくとも前記基台を内蔵する筐体と、
   前記基台の前記電気基板が取り付けられている面の一部と、前記筐体の内壁とを接合し、少なくとも基台に加わる衝撃を吸収する緩衝部材と、
   を備えることを特徴とする放射線画像検出装置。
2. 前記基台の前記電気基板が取り付けられている面の一部と前記緩衝部材との間、及び前記筐体の内壁と前記緩衝部材との間は接着剤により固着されている請求項１に記載の放射線画像検出装置。
3. 前記基台の前記電気基板が取り付けられている面に取り付けられ、前記検出器ユニットと前記電気基板に電力を供給する電力供給部と、
   前記電力供給部と、前記筐体の内壁とを接合し、少なくとも前記電力供給部に加わる衝撃を吸収する供給部緩衝部材と、
   を有する請求項１又は請求項２に記載の放射線画像検出装置。
4. 前記基台に対する前記電気基板の取付箇所と、前記筐体の内壁とを接合し、少なくとも前記電気基板に加わる衝撃を吸収する基板緩衝部材を有する請求項１から請求項３までの何れか１項に記載の放射線画像検出装置。

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