JP2010094983A - Laminated polyimide film - Google Patents

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Atsushi Okamoto
淳 岡本
Tetsuo Okuyama
哲雄 奥山
Satoshi Maeda
郷司 前田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminated polyimide film facilitating handling of a polyimide film thin and excellent in heat resistance. <P>SOLUTION: The laminated polyimide film is formed by laminating the polyimide film, a thermoplastic resin layer, and a substrate film in this order. The laminated polyimide film has a composition in which, all temperatures at 5% weight reduction of the polyimide film, thermoplastic resin layer, and substrate film are ≥400°C, and peel strength between the polyimide film and substrate film is 0.01-1.0 N/cm. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、銅貼積層板や多層プリント回路基板(以下多層基板)などの加工・製造時に用いられる積層ポリイミドフィルム及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、極薄のポリイミドフィルムを取扱うのに好適な、適度な剛性、熱寸法安定性、剥離性を有する裏打ちフィルムが積層されたポリイミドフィルムに銅などの機能性薄膜層が形成された積層ポリイミドフィルムに関する。さらには、太陽電池や半導体回路、センサー、アクチュエーターの形成されたフレキシブルデバイス製造工程で使用するために好適な剛性、熱寸法安定性、剥離性を有する裏打ちフィルムが積層されたポリイミドフィルムに関する。   The present invention relates to a laminated polyimide film used during processing / manufacturing of a copper-clad laminate, a multilayer printed circuit board (hereinafter referred to as multilayer board), and a manufacturing method thereof. More specifically, a laminate in which a functional thin film layer such as copper is formed on a polyimide film on which a backing film having appropriate rigidity, thermal dimensional stability, and peelability is laminated, which is suitable for handling an extremely thin polyimide film. It relates to a polyimide film. Furthermore, the present invention relates to a polyimide film in which a backing film having rigidity, thermal dimensional stability, and peelability suitable for use in a flexible device manufacturing process in which solar cells, semiconductor circuits, sensors, and actuators are formed is laminated.

近年、携帯電話などの電子機器の技術進歩に伴って、FPC(可撓性印刷回路)、TAB、COF、フィルムを利用した薄型多層基板の需要が急激に伸びており、さらにこうした機器の小型化、軽量化、高密度配線化に対応してFPC等の薄膜化が進んでいる。そのため、FPC等用の銅貼積層板(CCL)の薄膜化も同時に進行しているが、これによってフィルム自体の剛性が低下し、CCLを製造する際の加工が困難になってきている。
FPC等を製造する際の加工性を改良する方法としては、裏打ちフィルムを予め貼り付けることにより全体として剛性を持たせる方法が用いられている。その際、加工時の取扱いを簡便にし、かつ加工終了後には剥離・除去できるような微粘着性の補強フィルムが用いられるようになっている。従来は、この目的で、アクリル系やゴム系の粘着シートが使用されていたが、これらのシートは粘着力が大きく、またその粘着力が温度、圧力により著しく変化するため、FPC等製造工程の加工条件によっては使用できないことがあった。
例えば、片面のみに金属箔を配したフレキシブル積層板において、反りの発生防止と製造効率の低下防止のために、金属箔、熱可塑性ポリイミド層、非熱可塑性ポリイミド層、およびイミド化促進剤の共存下においてポリアミド酸を転化することにより得られるポリイミド樹脂裏打ち層をこの順で積層してなるフレキシブル積層板(特許文献1参照)、フレキシブルプリント回路基板の加工時に用いられる、ポリエステル(A)とポリイミド (B)を含有し、かつ熱収縮率が0.25%以下、熱膨張係数が13×10−6/℃〜50×10−6/℃の補強用ポリエステルフィルム(特許文献2参照)などが提案されている。
また、CCLを作成する工程においては、銅箔上へのキャスティングによる製法以外の製法においては、特に、ロール・ツー・ロールでの薄いフィルムの取り扱いがほとんどであり、スパッタリングによる銅薄膜の堆積、めっき、或いは、接着剤の塗布、銅箔の貼合わせ、熱圧着、プレスなどがそれに該当する。これらの場合、薄い基材フィルムを皺や歪み、こすれなどがなく搬送することが必要である。また、基板作成時においても、フィルムの厚さによっては皺なく切断、搬送、貼り合わせること自体が困難になる場合がある。
さらに従来技術におけるこれらの裏打ちフィルムは、接着剤層や、基材フィルムの耐熱性が不充分であり、機能性薄膜層の形成(積層)時の高温などに耐え得ない場合がほとんどである。
In recent years, with the advancement of technology of electronic devices such as mobile phones, the demand for thin multi-layer substrates using FPC (Flexible Printed Circuit), TAB, COF, and film has increased rapidly, and further downsizing of such devices. In response to light weight and high density wiring, thinning of FPC and the like is progressing. For this reason, thinning of a copper-clad laminate (CCL) for FPC or the like is also progressing at the same time, but this reduces the rigidity of the film itself and makes it difficult to process CCL.
As a method for improving workability in manufacturing FPC or the like, a method of giving rigidity as a whole by pasting a backing film in advance is used. At that time, a slightly tacky reinforcing film that can be easily handled at the time of processing and can be peeled and removed after the processing is finished is used. Conventionally, acrylic or rubber-based adhesive sheets have been used for this purpose. However, these sheets have a large adhesive force, and the adhesive force varies significantly with temperature and pressure. Depending on the processing conditions, it could not be used.
For example, in a flexible laminate with metal foil on only one side, coexistence of metal foil, thermoplastic polyimide layer, non-thermoplastic polyimide layer, and imidization accelerator to prevent warpage and decrease in production efficiency A flexible laminate (see Patent Document 1) obtained by laminating a polyimide resin backing layer obtained by converting the polyamic acid below in this order, and a polyester (A) and a polyimide ( A reinforcing polyester film containing B), having a thermal shrinkage rate of 0.25% or less, and a thermal expansion coefficient of 13 × 10 −6 / ° C. to 50 × 10 −6 / ° C. (see Patent Document 2) is proposed. Has been.
In addition, in the process of creating CCL, in the manufacturing methods other than the manufacturing method by casting on the copper foil, in particular, the handling of thin films by roll-to-roll is mostly performed, and the deposition and plating of copper thin films by sputtering Alternatively, application of adhesive, bonding of copper foil, thermocompression bonding, pressing, and the like correspond thereto. In these cases, it is necessary to transport the thin base film without wrinkles, distortion, or rubbing. In addition, even when a substrate is formed, depending on the thickness of the film, it may be difficult to cut, convey, and bond itself.
Furthermore, these backing films in the prior art often have insufficient heat resistance of the adhesive layer and the base film, and are often unable to withstand high temperatures during the formation (laminate) of the functional thin film layer.

特開2005−186274号公報JP 2005-186274 A 特開2003−101166号公報JP 2003-101166 A

本発明は、FPCなどの加工・製造時に用いられる極薄のポリイミドフィルムの取扱いに好適な、耐熱性、適度な剛性、熱寸法安定性、剥離性を有する裏打ちフィルムが積層されたポリイミドフィルムと、この積層ポリイミドフィルムに機能性薄膜層が形成された機能性薄膜層積層ポリイミドフィルムとその製造方法を提供するものである。   The present invention is a polyimide film in which a backing film having heat resistance, moderate rigidity, thermal dimensional stability, and peelability suitable for handling ultra-thin polyimide films used during processing and manufacturing of FPC, etc., The present invention provides a functional thin film layer laminated polyimide film in which a functional thin film layer is formed on this laminated polyimide film and a method for producing the same.

すなわち本発明は、以下の構成からなる。
1. 厚さ0.5μm〜12.5μmのポリイミドフィルム、厚さ0.05μm〜10μmの熱可塑性樹脂層、厚さ12.5μm〜200μmの基材フィルム(以下、熱可塑性樹脂層、基材フィルムの2層フィルムを裏打ちフィルムと呼称する。)がこの順に積層されてなる積層ポリイミドフィルムにおいて、前記ポリイミドフィルム、熱可塑性樹脂層、および基材フィルムの5%重量減少温度がすべて400℃以上であり、且つポリイミドフィルムと基材フィルム間の剥離強度が0.01N/cm〜1.0N/cmであることを特徴とする積層ポリイミドフィルム。
2. 熱可塑性樹脂層が、ポリアミドイミド、およびポリイミドのいずれかから選ばれた少なくとも一種以上の樹脂から成り、且つ有機溶媒可溶性である1.の積層ポリイミドフィルム。
3. ポリイミドフィルムが、ポリイミドベンゾオキサゾール成分を有するポリイミドフィルムで、かつ線膨張係数が−10ppm/℃〜10ppm/℃である1.又は2.の積層ポリイミドフィルム。
4. 基材フィルムが、ポリイミドフィルムである1.〜3.いずれかの積層ポリイミドフィルム。
5. 基材フィルムが、ポリイミドベンゾオキサゾール成分を有するポリイミドフィルムで、かつ線膨張係数が−10ppm/℃〜10ppm/℃である1.〜4.いずれかの積層ポリイミドフィルム。
6. 1.〜5.いずれかの積層ポリイミドフィルムの、裏打ちフィルムが貼られている面とは反対の面に、厚さ0.01μm〜10μmの機能性薄膜層が積層されている機能性薄膜層積層ポリイミドフィルム。
7. 機能性薄膜層が銅、ニッケル、およびクロムから選ばれた一種以上からなる、6.の機能性薄膜層積層ポリイミドフィルム。
That is, this invention consists of the following structures.
1. 0.5 μm to 12.5 μm thick polyimide film, 0.05 μm to 10 μm thick thermoplastic resin layer, 12.5 μm to 200 μm thick base film (hereinafter referred to as thermoplastic resin layer, base film 2) In the laminated polyimide film in which the layer film is referred to as the backing film), the 5% weight reduction temperature of the polyimide film, the thermoplastic resin layer, and the base film are all 400 ° C. or higher, and A laminated polyimide film, wherein the peel strength between the polyimide film and the substrate film is 0.01 N / cm to 1.0 N / cm.
2. 1. The thermoplastic resin layer is made of at least one resin selected from polyamideimide and polyimide, and is soluble in an organic solvent. Laminated polyimide film.
3. 1. The polyimide film is a polyimide film having a polyimide benzoxazole component, and the linear expansion coefficient is −10 ppm / ° C. to 10 ppm / ° C. Or 2. Laminated polyimide film.
4). 1. The base film is a polyimide film. ~ 3. Any laminated polyimide film.
5). 1. The substrate film is a polyimide film having a polyimide benzoxazole component, and the linear expansion coefficient is −10 ppm / ° C. to 10 ppm / ° C. ~ 4. Any laminated polyimide film.
6). 1. ~ 5. A functional thin film layered polyimide film in which a functional thin film layer having a thickness of 0.01 μm to 10 μm is laminated on the surface of one of the laminated polyimide films opposite to the surface on which the backing film is attached.
7). 5. The functional thin film layer is made of one or more selected from copper, nickel, and chromium. Functional thin film layer laminated polyimide film.

本発明の積層ポリイミドフィルムは、厚さ0.5μm〜12.5μmのポリイミドフィルム、厚さ0.05μm〜10μmの熱可塑性樹脂層、厚さ12.5μm〜200μmの基材フィルム(以下、熱可塑性樹脂層、基材フィルムの2層フィルムを裏打ちフィルムと呼称する。)がこの順に積層されてなる積層ポリイミドフィルムにおいて、前記ポリイミドフィルム、熱可塑性樹脂層、および基材フィルムの5%重量減少温度がすべて400℃以上であり、且つポリイミドフィルムと基材フィルム間の剥離強度が0.01N/cm〜1.0N/cmの構成であるため、種々工程で取扱う際に、特に高温での取り扱い時に、剥がれ、皺や歪み、こすれなどの問題発生を低減することが可能である。
さらに裏打ちフィルムを積層ポリイミドフィルムから剥がす時や別の基材と積層する場合には、裏打ちフィルムのついている側とは反対側のポリイミドフィルム面に粘着層又は接着層を形成させて他の裏打ちフィルムや基板と積層すれば、裏打ちフィルムの剥離が容易であり、ポリイミドフィルムの皺や歪みの発生が低減可能になるので、耐熱性、フレキシブル性、機械的強度をより高いレベルで具備する極薄の厚さのポリイミドフィルムを使用した製品の製造が容易に、かつ安定してなすことができる。
このため、薄いFPCなどの細密かつ軽小短薄が要求される電気電子部品に対応し得る機能性薄膜層積層ポリイミドフィルムとして工業的に極めて有用である。
The laminated polyimide film of the present invention comprises a polyimide film having a thickness of 0.5 μm to 12.5 μm, a thermoplastic resin layer having a thickness of 0.05 μm to 10 μm, and a base film having a thickness of 12.5 μm to 200 μm (hereinafter referred to as thermoplastic). In the laminated polyimide film in which the resin layer and the two-layer film of the base film are referred to as a backing film), the polyimide film, the thermoplastic resin layer, and the base film have a 5% weight reduction temperature. All are 400 ° C. or higher, and the peel strength between the polyimide film and the base film is 0.01 N / cm to 1.0 N / cm, so when handling in various processes, especially at high temperatures, It is possible to reduce the occurrence of problems such as peeling, wrinkles, distortion, and rubbing.
Furthermore, when peeling the backing film from the laminated polyimide film or when laminating with another substrate, another backing film is formed by forming an adhesive layer or adhesive layer on the side of the polyimide film opposite to the side with the backing film. Laminating with the substrate makes it easy to peel the backing film and reduces the occurrence of wrinkles and distortion of the polyimide film, so it has extremely high heat resistance, flexibility and mechanical strength. Manufacture of a product using a polyimide film having a thickness can be easily and stably performed.
For this reason, it is industrially very useful as a functional thin film layer-laminated polyimide film that can be used for electrical and electronic parts that require fineness, lightness, shortness, and thinness such as thin FPC.

本発明で用いるポリイミドフィルム製造時に用いた、ピンテンター式フィルム処理機におけるフィルムと接するピンの幅方向外側に台を設けたピンシートの概略図であり、(a)は正面図、(b)は側面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is the schematic of the pin sheet | seat which provided the stand in the width direction outer side of the pin which contacts the film in the pin tenter type film processing machine used at the time of the polyimide film used by this invention, (a) is a front view, (b) is a side view FIG. 本発明で用いるポリイミドフィルム製造時に用いたピンテンター式フィルム処理機におけるフィルムのピン差し部の概略図である。It is the schematic of the pin insertion part of the film in the pin tenter type film processing machine used at the time of the polyimide film manufacture used by this invention.

以下、本発明を詳述する。
本発明における前記ポリイミドフィルムを構成するポリイミド、及び前記基材フィルムとしてポリイミドフィルムを用いる場合にフィルムを構成するポリイミドは、例えば芳香族テトラカルボン酸類(無水物、酸、およびアミド結合性誘導体を総称して類という、以下同)と芳香族ジアミン類(アミン、およびアミド結合性誘導体を総称して類という、以下同)とを反応させて得られるポリアミド酸溶液を、成形した後イミド化して得られるものであり、例えば層であるフィルムとなす場合には、流延、乾燥、熱処理(イミド化)してフィルムとなす方法で得られる。
前記のポリイミドフィルムは、5%重量減少温度が400℃以上であるものであれば、特に限定されるものではないが、下記の芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸(無水物)類との組み合わせが好ましい例として挙げられる。
A.ピロメリット酸残基を有する芳香族テトラカルボン酸類、ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類との組み合わせ。
B.フェニレンジアミン骨格を有する芳香族ジアミン類とビフェニルテトラカルボン酸骨格を有する芳香族テトラカルボン酸類との組み合わせ。
C.ジフェニルエーテル骨格を有する芳香族ジアミン類とピロメリット酸残基を有する芳香族テトラカルボン酸類との組み合わせ。
中でも特にA.のベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン残基を有するポリイミドフィルムが好ましい。
The present invention is described in detail below.
In the present invention, the polyimide constituting the polyimide film, and the polyimide constituting the film when the polyimide film is used as the base film are, for example, generic names of aromatic tetracarboxylic acids (anhydrides, acids, and amide bond derivatives). Obtained by reacting a polyamic acid solution obtained by reacting an aromatic diamine (collectively referred to as a class of amines and amide-bonded derivatives, hereinafter the same) with molding and imidization. For example, when forming a film as a layer, the film can be obtained by casting, drying, and heat treatment (imidization) to form a film.
The polyimide film is not particularly limited as long as the 5% weight loss temperature is 400 ° C. or higher, but the following aromatic diamines and aromatic tetracarboxylic acids (anhydrides) A combination is given as a preferred example.
A. Combination with aromatic tetracarboxylic acid having pyromellitic acid residue and aromatic diamine having benzoxazole structure.
B. A combination of an aromatic diamine having a phenylenediamine skeleton and an aromatic tetracarboxylic acid having a biphenyltetracarboxylic acid skeleton.
C. A combination of an aromatic diamine having a diphenyl ether skeleton and an aromatic tetracarboxylic acid having a pyromellitic acid residue.
In particular, A. A polyimide film having an aromatic diamine residue having a benzoxazole structure is preferred.

前記のベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類としては、具体的には以下のものが挙げられる。これらの芳香族ジアミン類は全芳香族ジアミン類の70モル%以上することが好ましく、より好ましくは80モル%以上である。 Specific examples of the aromatic diamine having the benzoxazole structure include the following. These aromatic diamines are preferably 70 mol% or more, more preferably 80 mol% or more of the total aromatic diamines.

これらの中でも、合成のし易さの観点から、アミノ(アミノフェニル)ベンゾオキサゾールの各異性体が好ましく、5−アミノ−2−(p−アミノフェニル)ベンゾオキサゾールがより好ましい。ここで、「各異性体」とは、アミノ(アミノフェニル)ベンゾオキサゾールが有する2つアミノ基が配位位置に応じて定められる各異性体である(例;上記「化1」〜「化4」に記載の各化合物)。これらのジアミンは、単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。   Among these, from the viewpoint of easy synthesis, each isomer of amino (aminophenyl) benzoxazole is preferable, and 5-amino-2- (p-aminophenyl) benzoxazole is more preferable. Here, “each isomer” refers to each isomer in which two amino groups of amino (aminophenyl) benzoxazole are determined according to the coordination position (eg, the above “formula 1” to “formula 4”). Each compound described in the above. These diamines may be used alone or in combination of two or more.

さらに、全芳香族ジアミン類の30モル%以下であれば下記に例示されるジアミン類を一種または二種以上を併用しても構わない。そのようなジアミン類としては、例えば、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、m−フェニレンジアミン、o−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、m−アミノベンジルアミン、p−アミノベンジルアミン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,4’−ジアミノジフェニルスルホキシド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、1,1−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,1−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、2,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、2−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−2−[4−(4−アミノフェノキシ)−3−メチルフェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−3−メチルフェニル]プロパン、2−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−2−[4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホキシド、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、4,4’−ビス[(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,1−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、2,2−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、1,1−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホキシド、4,4’−ビス[3−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4’−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾフェノン、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ジフェニルスルホン、ビス[4−{4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ}フェニル]スルホン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノ−6−トリフルオロメチルフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノ−6−フルオロフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノ−6−メチルフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノ−6−シアノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジフェノキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−5,5’−ジフェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−4,5’−ジフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−フェノキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−5−フェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−4−フェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−5’−フェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジビフェノキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−5,5’−ジビフェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−4,5’−ジビフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−ビフェノキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−5−ビフェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−4−ビフェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−5’−ビフェノキシベンゾフェノン、1,3−ビス(3−アミノ−4−フェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−4−フェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−5−フェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−5−フェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−4−ビフェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−4−ビフェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−5−ビフェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−5−ビフェノキシベンゾイル)ベンゼン、2,6−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾニトリルおよび上記芳香族ジアミンの芳香環上の水素原子の一部もしくは全てがハロゲン原子、炭素数1〜3のアルキル基またはアルコキシル基、シアノ基、またはアルキル基またはアルコキシル基の水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換された炭素数1〜3のハロゲン化アルキル基またはアルコキシル基で置換された芳香族ジアミン等が挙げられる。   Furthermore, as long as it is 30 mol% or less of the wholly aromatic diamines, one or more of the diamines exemplified below may be used in combination. Examples of such diamines include 4,4′-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ketone, and bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl]. Sulfide, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, m-phenylenediamine, o-phenylenediamine, p-phenylenediamine, m-aminobenzylamine, p-aminobenzylamine, 3,3′-diamino Diphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dia Nodiphenyl sulfide, 3,3′-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,4′-diaminodiphenyl sulfoxide, 4,4′-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,3′-diaminodiphenyl sulfone, 3,4′-diaminodiphenyl sulfone, 4 , 4′-diaminodiphenylsulfone, 3,3′-diaminobenzophenone, 3,4′-diaminobenzophenone, 4,4′-diaminobenzophenone, 3,3′-diaminodiphenylmethane, 3,4′-diaminodiphenylmethane, 4, 4′-diaminodiphenylmethane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,2-bis [4- (4-amino) Phenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [4- 4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, , 4-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 2,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl ] Butane, 2- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -2- [4- (4-aminophenoxy) -3-methylphenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-a Minophenoxy) -3-methylphenyl] propane, 2- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -2- [4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl] propane, 2,2- Bis [4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexa Fluoropropane, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4,4′-bis (4 -Aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (4-amino) Enoxy) phenyl] sulfoxide, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 1, 3-bis [4- (4-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,4-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] Benzene, 4,4′-bis [(3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,1-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) ) Phenyl] propane, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 2,2-bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, 1,1-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1 , 2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ethane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfoxide, 4,4′-bis [3- (4-aminophenoxy) benzoyl] diphenyl ether, 4,4′-bis [3- (3-aminophenoxy) benzoyl] diphenyl ether, 4,4′-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] benzophenone, 4,4′-bis [4- (4-Amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] diphenylsulfone, bis [4- {4- (4-aminophenoxy) phenoxy} fe Sulfone, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy-α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy-α, α-dimethyl Benzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-amino-6-trifluoromethylphenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-amino-6-fluoro) Phenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-amino-6-methylphenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4 -Amino-6-cyanophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 3,3′-diamino-4,4′-diphenoxybenzophenone, 4,4′-diamino-5,5′-dipheno Cibenzophenone, 3,4'-diamino-4,5'-diphenoxybenzophenone, 3,3'-diamino-4-phenoxybenzophenone, 4,4'-diamino-5-phenoxybenzophenone, 3,4'-diamino- 4-phenoxybenzophenone, 3,4'-diamino-5'-phenoxybenzophenone, 3,3'-diamino-4,4'-dibiphenoxybenzophenone, 4,4'-diamino-5,5'-dibiphenoxybenzophenone, 3,4′-diamino-4,5′-dibiphenoxybenzophenone, 3,3′-diamino-4-biphenoxybenzophenone, 4,4′-diamino-5-biphenoxybenzophenone, 3,4′-diamino-4 -Biphenoxybenzophenone, 3,4'-diamino-5'-biphenoxybenzophenone 1,3-bis (3-amino-4-phenoxybenzoyl) benzene, 1,4-bis (3-amino-4-phenoxybenzoyl) benzene, 1,3-bis (4-amino-5-phenoxybenzoyl) Benzene, 1,4-bis (4-amino-5-phenoxybenzoyl) benzene, 1,3-bis (3-amino-4-biphenoxybenzoyl) benzene, 1,4-bis (3-amino-4-bi) Phenoxybenzoyl) benzene, 1,3-bis (4-amino-5-biphenoxybenzoyl) benzene, 1,4-bis (4-amino-5-biphenoxybenzoyl) benzene, 2,6-bis [4- ( 4-amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] benzonitrile and some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring of the aromatic diamine are halogen atoms, An alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, an alkoxyl group, a cyano group, or an alkyl group or an alkoxyl group having 1 to 3 carbon atoms in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group or alkoxyl group are substituted with halogen atoms. Examples thereof include substituted aromatic diamines.

前記の芳香族テトラカルボン酸類の分子構造は特に限定されるものではなく、具体的には、以下のものが挙げられる。これらの芳香族テトラカルボン酸類は全芳香族テトラカルボン酸類の70モル%以上することが好ましく、より好ましくは80モル%以上である。 The molecular structure of the aromatic tetracarboxylic acids is not particularly limited, and specific examples include the following. These aromatic tetracarboxylic acids are preferably 70 mol% or more, more preferably 80 mol% or more of the total aromatic tetracarboxylic acids.

これらの芳香族テトラカルボン酸類は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。   These aromatic tetracarboxylic acids may be used alone or in combination of two or more.

さらに、全芳香族テトラカルボン酸類の30モル%以下であれば下記に例示される非芳香族のテトラカルボン酸二無水物類を一種または二種以上を併用しても構わない。そのようなテトラカルボン酸無水物としては、例えば、ブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、ペンタン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサ−1−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、3−エチルシクロヘキサ−1−エン−3−(1,2),5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−メチル−3−エチルシクロヘキサン−3−(1,2),5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−メチル−3−エチルシクロヘキサ−1−エン−3−(1,2),5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−エチルシクロヘキサン−1−(1,2),3,4−テトラカルボン酸二無水物、1−プロピルシクロヘキサン−1−(2,3),3,4−テトラカルボン酸二無水物、1,3−ジプロピルシクロヘキサン−1−(2,3),3−(2,3)−テトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシル−3,4,3’,4’−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−プロピルシクロヘキサン−1−(2,3),3,4−テトラカルボン酸二無水物、1,3−ジプロピルシクロヘキサン−1−(2,3),3−(2,3)−テトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシル−3,4,3’,4’−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。   Furthermore, one or two or more non-aromatic tetracarboxylic dianhydrides exemplified below may be used in combination as long as they are 30 mol% or less of the total aromatic tetracarboxylic acids. Examples of such tetracarboxylic acid anhydrides include butane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pentane-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, and cyclobutanetetracarboxylic acid. Acid dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, cyclohexane-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, cyclohex-1-ene-2,3 5,6-tetracarboxylic dianhydride, 3-ethylcyclohex-1-ene-3- (1,2), 5,6-tetracarboxylic dianhydride, 1-methyl-3-ethylcyclohexane-3 -(1,2), 5,6-tetracarboxylic dianhydride, 1-methyl-3-ethylcyclohex-1-ene-3- (1,2), 5,6-tetracarboxylic dianhydride 1-ethylcyclohexane -(1,2), 3,4-tetracarboxylic dianhydride, 1-propylcyclohexane-1- (2,3), 3,4-tetracarboxylic dianhydride, 1,3-dipropylcyclohexane- 1- (2,3), 3- (2,3) -tetracarboxylic dianhydride, dicyclohexyl-3,4,3 ′, 4′-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2.2.1] Heptane-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 1-propylcyclohexane-1- (2,3), 3,4-tetracarboxylic dianhydride, 1,3-dipropylcyclohexane-1 -(2,3), 3- (2,3) -tetracarboxylic dianhydride, dicyclohexyl-3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2.2.1] heptane -2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, Cyclo [2.2.2] octane-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2.2.2] oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic acid A dianhydride etc. are mentioned.

前記芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸類とを重縮合(重合)してポリアミド酸を得るときに用いる溶媒は、原料となるモノマーおよび生成するポリアミド酸のいずれをも溶解するものであれば特に限定されないが、極性有機溶媒が好ましく、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N−アセチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックアミド、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、スルホラン、ハロゲン化フェノール類等があげられる。これらの溶媒は、単独あるいは混合して使用することができる。溶媒の使用量は、原料となるモノマーを溶解するのに十分な量であればよく、具体的な使用量としては、モノマーを溶解した溶液に占めるモノマーの質量が、通常5〜40質量%、好ましくは10〜30質量%となるような量が挙げられる。   The solvent used for polycondensation (polymerization) of the aromatic diamines and aromatic tetracarboxylic acids to obtain a polyamic acid can be used as long as it dissolves both the raw material monomer and the polyamic acid to be produced. Although not particularly limited, polar organic solvents are preferred, such as N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N, N-dimethylacetamide, Examples thereof include dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphoric amide, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol dimethyl ether, sulfolane, and halogenated phenols. These solvents can be used alone or in combination. The amount of the solvent used may be an amount sufficient to dissolve the monomer as a raw material. As a specific amount used, the mass of the monomer in the solution in which the monomer is dissolved is usually 5 to 40% by mass, The amount is preferably 10 to 30% by mass.

ポリアミド酸を得るための重合反応(以下、単に「重合反応」ともいう)の条件は従来公知の条件を適用すればよく、具体例として、有機溶媒中、0〜80℃の温度範囲で、10分〜30時間連続して撹拌および/又は混合することが挙げられる。必要により重合反応を分割したり、温度を上下させてもかまわない。この場合に、両モノマーの添加順序には特に制限はないが、芳香族ジアミン類の溶液中に芳香族テトラカルボン酸類を添加するのが好ましい。重合反応によって得られるポリアミド酸溶液の粘度はブルックフィールド粘度計による測定(25℃)で、送液の安定性の点から、好ましくは10〜2000Pa・sであり、より好ましくは100〜1000Pa・sである。また、前記ポリアミド酸溶液の還元粘度(ηsp/C)は、特に限定するものではないが3.0dl/g以上が好ましく、4.0dl/g以上がさらに好ましい。   Conventionally known conditions may be applied for the polymerization reaction for obtaining the polyamic acid (hereinafter also simply referred to as “polymerization reaction”). As a specific example, in a temperature range of 0 to 80 ° C., 10 Stirring and / or mixing continuously for 30 minutes. If necessary, the polymerization reaction may be divided or the temperature may be increased or decreased. In this case, the order of adding both monomers is not particularly limited, but it is preferable to add aromatic tetracarboxylic acids to the solution of aromatic diamines. The viscosity of the polyamic acid solution obtained by the polymerization reaction is measured with a Brookfield viscometer (25 ° C.), and is preferably 10 to 2000 Pa · s, more preferably 100 to 1000 Pa · s, from the viewpoint of the stability of liquid feeding. It is. The reduced viscosity (ηsp / C) of the polyamic acid solution is not particularly limited, but is preferably 3.0 dl / g or more, and more preferably 4.0 dl / g or more.

重合反応中に真空脱泡することは、良質なポリアミド酸溶液を製造するのに有効である。また、重合反応の前に芳香族ジアミン類に少量の末端封止剤を添加して重合を制御することを行ってもよい。末端封止剤としては、無水マレイン酸等といった炭素−炭素二重結合を有する化合物が挙げられる。無水マレイン酸を使用する場合の使用量は、芳香族ジアミン類1モル当たり好ましくは0.001〜1.0モルである。   Vacuum defoaming during the polymerization reaction is effective for producing a good quality polyamic acid solution. Moreover, you may perform superposition | polymerization by adding a small amount of terminal blockers to aromatic diamine before polymerization reaction. Examples of the end capping agent include compounds having a carbon-carbon double bond such as maleic anhydride. The amount of maleic anhydride used is preferably 0.001 to 1.0 mole per mole of aromatic diamine.

重合反応により得られるポリアミド酸溶液から、本発明の層の一であるポリイミドフィルムを形成するためには、ポリアミド酸溶液を支持体上に塗布して乾燥することによりグリーンフィルム(自己支持性の前駆体フィルム)を得て、次いで、グリーンフィルムを熱処理に供することでイミド化反応させる方法が挙げられる。支持体へのポリアミド酸溶液の塗布は、スリット付き口金からの流延、押出機による押出し、等を含むが、これらに限られず、従来公知の溶液の塗布手段を適宜用いることができる。   In order to form a polyimide film, which is one of the layers of the present invention, from a polyamic acid solution obtained by a polymerization reaction, a green film (a self-supporting precursor is formed by applying the polyamic acid solution on a support and drying it. Body film), and then the imidization reaction is performed by subjecting the green film to heat treatment. Application of the polyamic acid solution to the support includes, for example, casting from a die with a slit and extrusion by an extruder, but is not limited thereto, and conventionally known solution application means can be appropriately used.

支持体上に塗布したポリアミド酸を乾燥してグリーンシートを得る条件は特に限定はなく、温度としては70〜150℃が例示され、乾燥時間としては、5〜180分間が例示される。そのような条件を達する乾燥装置も従来公知のものを適用でき、熱風、熱窒素、遠赤外線、高周波誘導加熱などを挙げることができる。次いで、得られたグリーンシートから目的のポリイミドフィルムを得るために、イミド化反応を行わせる。その具体的な方法としては、従来公知のイミド化反応を適宜用いることが可能である。例えば、閉環触媒や脱水剤を含まないポリアミド酸溶液を用いて、必要により延伸処理を施した後に、加熱処理に供することでイミド化反応を進行させる方法(熱閉環法)が挙げられる。この場合の加熱温度は100〜500℃が例示され、フィルム物性の点から、より好ましくは、150〜250℃で3〜20分間処理した後に350〜500℃で3〜20分間処理する2段階熱処理が挙げられる。   The conditions for drying the polyamic acid coated on the support to obtain a green sheet are not particularly limited, and examples include a temperature of 70 to 150 ° C. and a drying time of 5 to 180 minutes. A conventionally known drying apparatus that satisfies such conditions can be applied, and examples thereof include hot air, hot nitrogen, far infrared rays, and high frequency induction heating. Next, in order to obtain a target polyimide film from the obtained green sheet, an imidization reaction is performed. As a specific method thereof, a conventionally known imidation reaction can be appropriately used. For example, there may be mentioned a method (thermal ring closure method) in which an imidization reaction proceeds by subjecting to a heat treatment after performing a stretching treatment as necessary using a polyamic acid solution containing no ring closure catalyst or a dehydrating agent. The heating temperature in this case is exemplified by 100 to 500 ° C. From the viewpoint of film physical properties, more preferably, a two-stage heat treatment in which the treatment is performed at 150 to 250 ° C. for 3 to 20 minutes and then treatment at 350 to 500 ° C. for 3 to 20 minutes. Is mentioned.

別のイミド化反応の例として、ポリアミド酸溶液に閉環触媒および脱水剤を含有させておいて、上記閉環触媒および脱水剤の作用によってイミド化反応を行わせる、化学閉環法を挙げることもできる。この方法では、ポリアミド酸溶液を支持体に塗布した後、イミド化反応を一部進行させて自己支持性を有するフィルムを形成した後に、加熱によってイミド化を完全に行わせることができる。この場合、イミド化反応を一部進行させる条件としては、好ましくは100〜200℃による3〜20分間の熱処理であり、イミド化反応を完全に行わせるための条件は、好ましくは200〜400℃による3〜20分間の熱処理である。   Another example of the imidization reaction is a chemical ring closure method in which a polyamic acid solution contains a ring closure catalyst and a dehydrating agent, and the imidization reaction is performed by the action of the ring closing catalyst and the dehydrating agent. In this method, after the polyamic acid solution is applied to the support, the imidization reaction is partially advanced to form a film having self-supporting property, and then imidization can be performed completely by heating. In this case, the condition for partially proceeding with the imidization reaction is preferably a heat treatment for 3 to 20 minutes at 100 to 200 ° C., and the condition for allowing the imidization reaction to be completely performed is preferably 200 to 400 ° C. For 3 to 20 minutes.

本発明で用いるポリイミドフィルムは、厚さ0.5μm〜12.5μmであることが好ましく、より好ましくは1μm〜10μm、さらに好ましくは2μm〜7.5μmである。膜厚が0.5μmより薄いポリイミドフィルムを製膜するのは非常に困難である。一方、膜厚が12.5μmより厚い場合は、従来からある一般的な装置でハンドリングが可能であり、裏打ちフィルムを用いる効果は少ない。   The polyimide film used in the present invention preferably has a thickness of 0.5 μm to 12.5 μm, more preferably 1 μm to 10 μm, still more preferably 2 μm to 7.5 μm. It is very difficult to form a polyimide film having a thickness of less than 0.5 μm. On the other hand, when the film thickness is thicker than 12.5 μm, it can be handled by a conventional general apparatus, and the effect of using the backing film is small.

本発明で用いるポリイミドフィルムは、面方向での線膨張係数が−10ppm/℃〜30ppm/℃であることが好ましく、より好ましくは−10ppm/℃〜20ppm/℃、さらに好ましくは−10ppm/℃〜10ppm/℃である。線膨張係数がこの範囲を超えると、半田付けなどの高温暴露において歪みや皺が発生し、かつ薄膜の線膨張係数との乖離が大きいことで薄膜の剥がれなどが発生する恐れがある。また、例えばSiウェハーにこの多層ポリイミドフィルムを接着積層した場合、Siウェハーの線膨張係数との乖離が大きくなり、反りや剥離などの問題が発生し易くなる。   The polyimide film used in the present invention preferably has a linear expansion coefficient in the plane direction of −10 ppm / ° C. to 30 ppm / ° C., more preferably −10 ppm / ° C. to 20 ppm / ° C., and still more preferably −10 ppm / ° C. 10 ppm / ° C. If the linear expansion coefficient exceeds this range, distortion or wrinkles may occur during high-temperature exposure such as soldering, and the film may peel off due to a large deviation from the linear expansion coefficient of the thin film. Further, for example, when this multilayer polyimide film is bonded and laminated to a Si wafer, the deviation from the linear expansion coefficient of the Si wafer becomes large, and problems such as warpage and peeling are likely to occur.

本発明で用いるポリイミドフィルムの引張破断強度は特に限定されないが、250MPa以上が好ましく、より好ましくは300MPa以上である。引張破断強度が250MPaより低いと、搬送中にフィルム破断が起こりやすくなり、歩留まりが低下する恐れがある。
本発明で用いるポリイミドフィルムの引張破断伸度も特に限定されないが、10%〜90%が好ましく、より好ましくは20%〜80%である。引張破断伸度がこれらの範囲を超えると、搬送中にフィルム破断が起こりやすくなり、歩留まりが低下する恐れがある。
また、本発明で用いるポリイミドフィルムの引張弾性率も特に限定されないが、4.0GPa以上が好ましく、より好ましくは5.0GPa以上である。
The tensile strength at break of the polyimide film used in the present invention is not particularly limited, but is preferably 250 MPa or more, more preferably 300 MPa or more. If the tensile strength at break is lower than 250 MPa, film breakage is likely to occur during conveyance, and the yield may be reduced.
The tensile elongation at break of the polyimide film used in the present invention is not particularly limited, but is preferably 10% to 90%, more preferably 20% to 80%. When the tensile elongation at break exceeds these ranges, film breakage tends to occur during conveyance, and the yield may be reduced.
Moreover, although the tensile elasticity modulus of the polyimide film used by this invention is not specifically limited, 4.0 GPa or more is preferable, More preferably, it is 5.0 GPa or more.

本発明で用いる裏打ちフィルムを構成する基材フィルムとしては、5%重量減少温度が400℃以上のフィルムであれば、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリエーテルケトンケトンフィルム、アラミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、フッ素樹脂フィルムなど特に限定されるものではないが、ポリイミドフィルムが好ましく、より好ましくは前記ポリイミドフィルムの項で開示したベンゾオキサゾール成分を有するポリイミドフィルムで、かつ線膨張係数が−10ppm/℃〜10ppm/℃であるポリイミドフィルムである。   The base film constituting the backing film used in the present invention is a polyimide film, polyamideimide film, polyphenylene sulfide film, polyetheretherketone film, polyetherketone as long as the 5% weight loss temperature is 400 ° C. or more. Although it is not particularly limited, such as a ketone film, an aramid film, a liquid crystal polymer film, and a fluororesin film, a polyimide film is preferable, more preferably a polyimide film having a benzoxazole component disclosed in the section of the polyimide film, and a wire It is a polyimide film having an expansion coefficient of −10 ppm / ° C. to 10 ppm / ° C.

本発明で用いる裏打ちフィルムを構成する基材フィルムの厚さは、12.5μm〜200μmが好ましく、より好ましくは15μm〜200μm、さらに好ましくは25μm〜200μmである。膜厚が12.5μmより薄いと、裏打ちフィルムとして補強効果が乏しく、ハンドリング性が改善しない。一方、膜厚が200μmより厚く、かつ5%重量減少温度が400℃以上の耐熱フィルムを製膜するのは、製膜・乾燥工程において、フィルム表面と内部の残存溶媒量にバラツキが生じ、品位、および物性が低下するため、非常に困難である。また、膜厚が厚くなると原料コストも上がるため、膜厚が200μm以上の基材フィルムを用いるのは現実的ではない。   As for the thickness of the base film which comprises the backing film used by this invention, 12.5 micrometers-200 micrometers are preferable, More preferably, they are 15 micrometers-200 micrometers, More preferably, they are 25 micrometers-200 micrometers. When the film thickness is thinner than 12.5 μm, the reinforcing effect as a backing film is poor, and handling properties are not improved. On the other hand, forming a heat-resistant film with a film thickness of more than 200 μm and a 5% weight loss temperature of 400 ° C. or more causes variations in the amount of residual solvent on the film surface and in the film formation / drying process, resulting in quality. It is very difficult because the physical properties are lowered. Further, since the raw material cost increases as the film thickness increases, it is not realistic to use a base film having a film thickness of 200 μm or more.

本発明で用いる裏打ちフィルムを構成する熱可塑性樹脂層は、5%重量減少温度が400℃以上のものであれば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、アラミド、液晶ポリマー、フッ素樹脂など特に限定されるものではないが、ポリアミドイミド、およびポリイミドのいずれかから選ばれた少なくとも一種以上の樹脂から成るものが、基材フィルムとの接着性、ポリイミドフィルムとの易剥離性を両立しやすいため好ましい。   If the thermoplastic resin layer constituting the backing film used in the present invention has a 5% weight loss temperature of 400 ° C. or more, polyimide, polyamideimide, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, polyether ketone ketone, aramid, Although not particularly limited, such as a liquid crystal polymer and a fluororesin, those composed of at least one kind of resin selected from polyamide imide and polyimide are easy to adhere to the base film and the polyimide film. It is preferable because it is easy to achieve both peelability.

本発明で用いる裏打ちフィルムを構成する熱可塑性樹脂層の厚さは、0.05μm〜10μmが好ましく、より好ましくは0.05μm〜7.5μm、さらに好ましくは0.05μm〜5μmである。膜厚が0.05μmより薄いと、塗工ぬけなどの問題で均一な裏打ちフィルムを作成できない恐れがある。また、接着性が弱くなり、搬送中にポリイミドフィルムと裏打ちフィルムが剥離してしまう恐れもある。一方、膜厚が10μmより厚いと、裏打ちフィルム自身に反りが生じてしまい、ハンドリング性が悪くなる恐れがある。   The thickness of the thermoplastic resin layer constituting the backing film used in the present invention is preferably 0.05 μm to 10 μm, more preferably 0.05 μm to 7.5 μm, and still more preferably 0.05 μm to 5 μm. If the film thickness is less than 0.05 μm, there is a possibility that a uniform backing film cannot be created due to problems such as coating failure. Moreover, adhesiveness becomes weak and there exists a possibility that a polyimide film and a backing film may peel during conveyance. On the other hand, if the film thickness is thicker than 10 μm, the backing film itself is warped and the handling property may be deteriorated.

本発明で用いるポリイミドフィルム、裏打ちフィルムを構成する熱可塑性樹脂層、基材フィルムの5%重量減少温度は、400℃以上が好ましく、より好ましくは425℃以上、さらに好ましくは450℃以上である。5%重量減少温度が400℃より低いと、本発明の目標とする高温プロセスを通過することができない。   The 5% weight reduction temperature of the polyimide film used in the present invention, the thermoplastic resin layer constituting the backing film, and the base film is preferably 400 ° C. or higher, more preferably 425 ° C. or higher, and further preferably 450 ° C. or higher. If the 5% weight loss temperature is lower than 400 ° C., the high temperature process targeted by the present invention cannot be passed.

本発明で用いるポリイミドフィルムと裏打ちフィルムとの間における剥離強度は、0.01N/cm〜1.0N/cmが好ましく、より好ましくは0.01N/cm〜0.75N/cm、さらに好ましくは0.02N/cm〜0.75N/cmである。剥離強度が、0.01N/cmより小さいと、搬送中にポリイミドフィルムと裏打ちフィルムが剥離してしまう恐れがある。一方、剥離強度が1.0N/cmより大きいと、プロセス通過後に裏打ちフィルムを剥離する際にポリイミドフィルムに熱可塑性樹脂が転写したり、皺、歪などの異常が発生する恐れがある。
また、めっき等の加工プロセス通過後の、ポリイミドフィルムと裏打ちフィルムとの間における剥離強度も、前記と同等の理由より、0.01N/cm〜1.0N/cmが好ましく、より好ましくは0.01N/cm〜0.75N/cm、さらに好ましくは0.02N/cm〜0.75N/cmである。
The peel strength between the polyimide film used in the present invention and the backing film is preferably 0.01 N / cm to 1.0 N / cm, more preferably 0.01 N / cm to 0.75 N / cm, and still more preferably 0. 0.02 N / cm to 0.75 N / cm. If the peel strength is less than 0.01 N / cm, the polyimide film and the backing film may be peeled off during transportation. On the other hand, if the peel strength is greater than 1.0 N / cm, the thermoplastic resin may be transferred to the polyimide film or abnormalities such as wrinkles and distortion may occur when the backing film is peeled after passing through the process.
Further, the peel strength between the polyimide film and the backing film after passing through a processing process such as plating is preferably 0.01 N / cm to 1.0 N / cm, and more preferably 0. 0, for the same reason as described above. It is 01 N / cm to 0.75 N / cm, more preferably 0.02 N / cm to 0.75 N / cm.

本発明で用いる裏打ちフィルムを構成する熱可塑性樹脂層は、各種プロセス中に、圧力、熱が加わるなどにより、ポリイミドフィルム上に糊移りが生じる事が考えられる。この糊移りは少ない事が望ましいが、裏打ちフィルムを剥離した後に、大気圧プラズマ、真空プラズマ、反応性プラズマ、マイクロ波プラズマ等のプラズマ処理や、研磨、研削等の機械的加工、光洗浄により、若干の糊移りが除去可能であれば、ESCAによる観察で全く無いレベルは必要とされない。   In the thermoplastic resin layer constituting the backing film used in the present invention, it is considered that glue transfer occurs on the polyimide film due to application of pressure and heat during various processes. It is desirable that this glue transfer is small, but after peeling the backing film, by plasma processing such as atmospheric pressure plasma, vacuum plasma, reactive plasma, microwave plasma, mechanical processing such as polishing and grinding, light washing, If some amount of glue transfer can be removed, a level that is not observed at all by ESCA is not required.

本発明でポリイミドフィルム面に形成される機能性薄膜層としては、ITO(インジウム・錫系酸化物)などの酸化物薄膜、銅、ニッケル、モリブデン、タングステン、金、銀、クロム、チタニウム、アルミニウムなどの金属薄膜、珪素、ゲルマニウムなどの半導体薄膜や、これらの複合膜や積層膜などが挙げられるが、中でも銅、ニッケル、およびクロムから選ばれた一種以上からなる金属層が好ましく適用できる。
ここで銅を主成分とするとは、銅薄膜中に微量の他元素を含むものや、フィルムと銅薄膜の間にCr、Ta、Ti、Hf、Mo、W、Re、Ni−Cr、SiCr、TiCr、Cu−Mn−NiPd−Ag、Pd−Au−Fe、Cr−SiO、Cr−MgF、Au−SiO、窒化タンタルあるいは部分窒化タンタル、窒化チタンあるいは部分窒化チタンなどを含むものを示す。これらの中で好ましくはNi−Cr、Ni−Co−Cr、より好ましくは純度99.9%以上のスパッタリング用NiCrターゲットを用いたものである。これらの金属やITO、Si、Alなどの酸化物及びこれらの複合酸化物薄膜を下地層として挟んでいるものを含む。中でも、前記NiCr層を下地層(中間層)として、銅層を積層したものが特に好ましい。
As the functional thin film layer formed on the polyimide film surface in the present invention, an oxide thin film such as ITO (indium / tin oxide), copper, nickel, molybdenum, tungsten, gold, silver, chromium, titanium, aluminum, etc. In particular, a metal thin film, a semiconductor thin film such as silicon or germanium, a composite film or a laminated film thereof can be used, and among these, a metal layer composed of one or more selected from copper, nickel, and chromium can be preferably applied.
Here, the main component of copper is one containing a small amount of other elements in the copper thin film, or Cr, Ta, Ti, Hf, Mo, W, Re, Ni—Cr, SiCr, between the film and the copper thin film, A material containing TiCr, Cu—Mn—NiPd—Ag, Pd—Au—Fe, Cr—SiO, Cr—MgF 2 , Au—SiO, tantalum nitride, partial tantalum nitride, titanium nitride, partial titanium nitride, or the like is shown. Of these, Ni—Cr, Ni—Co—Cr, and more preferably a NiCr target for sputtering having a purity of 99.9% or more is used. These include metals, oxides such as ITO, Si, and Al, and composite oxide thin films sandwiched between them as an underlayer. Among these, a laminate in which a copper layer is laminated using the NiCr layer as a base layer (intermediate layer) is particularly preferable.

このようなNiCr中間層の厚さは、大気中、150℃で24時間の加熱処理により銅粒子がポリイミド層内へ実質的に侵入しない(拡散抑制効果)程度の膜厚が最低必要で、5nm〜50nm程度がよい。膜厚が5nmより薄いと、このような条件下で銅粒子がポリイミド層内へ侵入してしまい拡散抑制層としての効果を有さない。一方、膜厚が50nmより厚いと、NiCr中間層の形成に時間を要し、生産効率の面で好ましくない.   The thickness of the NiCr intermediate layer is required to be at least 5 nm so that copper particles do not substantially enter the polyimide layer by heat treatment at 150 ° C. for 24 hours in the atmosphere (diffusion suppression effect). About 50 nm is preferable. When the film thickness is less than 5 nm, the copper particles penetrate into the polyimide layer under such conditions and have no effect as a diffusion suppressing layer. On the other hand, if the film thickness is thicker than 50 nm, it takes time to form the NiCr intermediate layer, which is not preferable in terms of production efficiency.

薄膜形成方法は特に限定されるものではないが、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、MBE、プラズマCVD、MOCVDなどの乾式薄膜形成法、エアロゾルデポジッション法、インクジェット印刷によるナノインキ薄膜の形成、めっき、ゾルゲル法、コーティングなどが好ましく適用できる。薄膜の接着性や薄膜の制御性に優れたスパッタリング法が特に用いるに好ましい方法である。スパッタリングの方法において、特に限定される条件はなく、DCマグネトロンスパッタリング、高周波マグネトロンスパッタリング、イオンビームスパッタリング等の方法が有効に用いられる。工業的には直流スパッタリングをすることが簡便であり、十分な膜質を得られる。   The method of forming the thin film is not particularly limited, but is a dry thin film forming method such as vapor deposition, sputtering, ion plating, MBE, plasma CVD, MOCVD, aerosol deposition method, formation of nano ink thin film by ink jet printing, plating, sol gel Methods, coatings and the like can be preferably applied. A sputtering method excellent in thin film adhesion and thin film controllability is a particularly preferable method. The sputtering method is not particularly limited, and methods such as DC magnetron sputtering, high-frequency magnetron sputtering, and ion beam sputtering are effectively used. Industrially, direct current sputtering is simple and sufficient film quality can be obtained.

本発明における薄膜の形態として、ポリイミドフィルムの全面に均一な厚さで積層していることの他に、表面に適度の凹凸がある場合や、機能を発現するためのパターンが形成されている場合も含まれる。   As a form of the thin film in the present invention, in addition to being laminated with a uniform thickness on the entire surface of the polyimide film, when there are moderate irregularities on the surface, or when a pattern for expressing the function is formed Is also included.

以下、実施例および比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。なお、以下の実施例における物性の評価方法は以下の通りである。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated more concretely, this invention is not limited by a following example. In addition, the evaluation method of the physical property in the following examples is as follows.

1.ポリアミド酸の還元粘度(ηsp/C)
ポリマー濃度が0.2g/dlとなるようにN−メチル−2−ピロリドン(又は、N,N−ジメチルアセトアミド)に溶解した溶液をウベローデ型の粘度管により30℃で測定した。
1. Reduced viscosity of polyamic acid (ηsp / C)
A solution dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone (or N, N-dimethylacetamide) so that the polymer concentration was 0.2 g / dl was measured at 30 ° C. with an Ubbelohde type viscosity tube.

2.ポリイミドフィルムの厚さ
測定対象のポリイミドフィルムについて、マイクロメーター(ファインリューフ社製、ミリトロン1245D)を用いて測定した。
2. The thickness of the polyimide film The polyimide film to be measured was measured using a micrometer (Minetron 1245D, manufactured by Fine Reef).

3.ポリイミドフィルムの引張弾性率、引張破断強度、および引張破断伸度
測定対象のポリイミドフィルムについて、下記条件で引張破壊試験を行い、MD方向について、引張弾性率、引張破断強度、および引張破断伸度を測定した。
装置名 : 島津製作所社製 オートグラフ
サンプル長さ : 100mm
サンプル幅 : 10mm
引貼り速度 : 50mm/min
チャック間距離 : 40mm
3. Tensile elastic modulus, tensile break strength, and tensile break elongation of polyimide film The polyimide film to be measured is subjected to a tensile fracture test under the following conditions, and the tensile modulus, tensile break strength, and tensile break elongation are measured in the MD direction. It was measured.
Device name: Shimadzu Corporation Autograph Sample length: 100mm
Sample width: 10mm
Drawing speed: 50mm / min
Distance between chucks: 40 mm

4.ポリイミドフィルムの線膨張係数(CTE)
測定対象のポリイミドフィルムについて、下記条件にてMD方向およびTD方向の伸縮率を測定し、90〜100℃、100〜110℃、…と10℃の間隔での伸縮率/温度を測定し、この測定を400℃まで行い、100℃から350℃までの全測定値の平均値をCTE(平均値)として算出した。
装置名 : MACサイエンス社製 TMA4000S
サンプル長さ : 10mm
サンプル幅 : 2mm
初荷重 : 34.5g/mm
昇温開始温度 : 25℃
昇温終了温度 : 400℃
昇温速度 : 5℃/min
雰囲気 : アルゴン
4). Linear expansion coefficient (CTE) of polyimide film
For the polyimide film to be measured, the stretch rate in the MD direction and the TD direction is measured under the following conditions, and the stretch rate / temperature at intervals of 90 to 100 ° C., 100 to 110 ° C.,. Measurement was performed up to 400 ° C., and an average value of all measured values from 100 ° C. to 350 ° C. was calculated as CTE (average value).
Device name: TMA4000S manufactured by MAC Science
Sample length: 10mm
Sample width: 2mm
Initial load: 34.5 g / mm 2
Temperature rise start temperature: 25 ° C
Temperature rise end temperature: 400 ° C
Temperature increase rate: 5 ° C / min
Atmosphere: Argon

5.ガラス転移温度
測定対象の熱可塑性樹脂、およびポリイミドフィルムについて、下記条件で粘弾性測定(DMA)を行い、tanδピークの最大値よりガラス転移点を求めた。
装置名 : ユービーエム社製 Rheogel−E4000
冶具 : 伸張冶具
試料長さ : 14mm
試料幅 : 5mm
周波数 : 10Hz
昇温開始温度 : 30℃
昇温速度 : 5℃/min
雰囲気 : 窒素
5). Glass Transition Temperature Viscoelasticity measurement (DMA) was performed under the following conditions for the thermoplastic resin and polyimide film to be measured, and the glass transition point was determined from the maximum value of the tan δ peak.
Device name: Rheogel-E4000 manufactured by UBM
Jig: Extension jig Sample length: 14mm
Sample width: 5 mm
Frequency: 10Hz
Temperature rising start temperature: 30 ° C
Temperature increase rate: 5 ° C / min
Atmosphere: Nitrogen

6.5%重量減少温度
測定対象の熱可塑性樹脂、およびポリイミドフィルムについて、下記条件で熱天秤測定(TGA)を行い、150℃における試料の重量を100%とし、その点から試料の重量が5%減る温度を5%重量減少温度とした。
装置名 : MACサイエンス社製 TG−DTA2000S
パン : アルミパン(非気密型)
試料重量 : 10mg
昇温開始温度 : 30℃
昇温速度 : 20℃/min
雰囲気 : 窒素
6.5% weight loss temperature Thermoplastic measurement (TGA) is performed on the thermoplastic resin and polyimide film to be measured under the following conditions, the weight of the sample at 150 ° C. is set to 100%, and the weight of the sample is 5 from that point. The temperature at which the% decrease is taken as the 5% weight loss temperature.
Device name: TG-DTA2000S manufactured by MAC Science
Bread: Aluminum bread (non-airtight type)
Sample weight: 10mg
Temperature rising start temperature: 30 ° C
Temperature increase rate: 20 ° C / min
Atmosphere: Nitrogen

《裏打ちフィルムの評価》剥離強度
ポリイミドフィルム/裏打ちフィルム間の剥離強度は下記条件で90°剥離試験を行うことで求めた。
装置名 : 島津製作所社製 オートグラフAG−IS
サンプル長さ : 100mm
サンプル幅 : 10mm
測定温度 : 25℃
剥離速度 : 50mm/min
雰囲気 : 大気
<< Evaluation of backing film >> Peel strength The peel strength between the polyimide film and the backing film was determined by conducting a 90 ° peel test under the following conditions.
Device name: Autograph AG-IS, manufactured by Shimadzu Corporation
Sample length: 100mm
Sample width: 10mm
Measurement temperature: 25 ° C
Peeling speed: 50mm / min
Atmosphere: Atmosphere

《裏打ちフィルムの評価》粘着層残り(糊移り)
裏打ちフィルムを剥がした後に熱可塑性樹脂層が基材フィルム側に完全に残っているか否かを目視判定し、熱可塑性樹脂層が基材フィルム側に完全に残っているものを○、熱可塑性樹脂層がポリイミドフィルム側と基材フィルム側の双方に存在するものを△、熱可塑性樹脂層がポリイミドフィルム側に完全に移っているものを×とした。
<< Evaluation of backing film >> Adhesive layer remaining (glue transfer)
After the backing film is peeled off, it is visually judged whether the thermoplastic resin layer is completely left on the base film side, and if the thermoplastic resin layer is completely left on the base film side, ○, the thermoplastic resin The case where the layer is present on both the polyimide film side and the base film side is indicated by Δ, and the case where the thermoplastic resin layer is completely transferred to the polyimide film side is indicated by ×.

《裏打ちフィルムの評価》剥がし状態
裏打ちフィルムを剥がした時にポリイミドフィルムに皺、歪などの異常が起きていないか目視確認判定し、皺、歪などの異常が殆ど見られないものを○、皺、歪などの異常が少し見られるものを△、皺、歪などの異常が多く見られるものを×とした。
<< Evaluation of backing film >> Peeled state When the backing film is peeled off, the polyimide film is visually checked for abnormalities such as wrinkles and distortions. A case in which an abnormality such as distortion is slightly observed is indicated by Δ, and a case in which an abnormality such as wrinkle or distortion is frequently observed is indicated by ×.

《裏打ちフィルムの評価》耐熱性
ポリイミドフィルム、熱可塑性樹脂、基材フィルムから成る各積層ポリイミドフィルムにつき、N雰囲気下で350℃1時間、加熱処理を行った。試験後の外観より、剥がれ,膨れ,変色の全く見られないものを○、剥がれ,膨れ,変色が僅か見られるものを△、剥がれ,膨れ,変色が見られるものを×とした。
<< Evaluation of Backing Film >> Heat Resistance Each laminated polyimide film composed of a polyimide film, a thermoplastic resin, and a base film was subjected to heat treatment at 350 ° C. for 1 hour in an N 2 atmosphere. From the appearance after the test, the case where peeling, blistering, or discoloration was not observed at all was rated as ◯, the case where peeling, blistering, or discoloration was slightly observed was marked as Δ, and the case where peeling, blistering, or discoloration was observed was marked as x.

〔製造例1〕
(ポリアミド酸溶液Aの作成)
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、5−アミノ−2−(p−アミノフェニル)ベンゾオキサゾール223質量部、N,N−ジメチルアセトアミド4416質量部を加えて完全に溶解させた後,コロイダルシリカをジメチルアセトアミドに分散してなるスノーテックス(DMAC−ST30、日産化学工業社製)40.5質量部(シリカを8.1質量部含む)、ピロメリット酸二無水物217質量部を加え、25℃の反応温度で24時間攪拌すると、褐色で粘調なポリアミド酸溶液Aが得られた。この還元粘度は3.9dl/gであった。
[Production Example 1]
(Preparation of polyamic acid solution A)
The inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was purged with nitrogen, and then 223 parts by mass of 5-amino-2- (p-aminophenyl) benzoxazole and 4416 parts by mass of N, N-dimethylacetamide were added. 40.5 parts by mass of Snowtex (DMAC-ST30, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) (containing 8.1 parts by mass of silica), pyromellitic acid, which is prepared by completely dissolving the colloidal silica in dimethylacetamide. When 217 parts by mass of dianhydride was added and stirred for 24 hours at a reaction temperature of 25 ° C., a brown and viscous polyamic acid solution A was obtained. This reduced viscosity was 3.9 dl / g.

〔製造例2〕
(ポリアミド酸溶液Bの作成)
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、ジアミノジフェニルエーテル200質量部、N−メチル−2−ピロリドン4170質量部を加えて完全に溶解させた後、コロイダルシリカをジメチルアセトアミドに分散してなるスノーテックス(DMAC−ST30、日産化学工業社製)40.5質量部(シリカを8.1質量部含む)、ピロメリット酸二無水物217質量部を加え、25℃の反応温度で5時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液Bが得られた。この還元粘度は3.6dl/gであった。
[Production Example 2]
(Preparation of polyamic acid solution B)
After the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was purged with nitrogen, 200 parts by mass of diaminodiphenyl ether and 4170 parts by mass of N-methyl-2-pyrrolidone were added and completely dissolved, and then colloidal silica was added. 40.5 parts by mass of Snowtex (DMAC-ST30, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) dispersed in dimethylacetamide (containing 8.1 parts by mass of silica), 217 parts by mass of pyromellitic dianhydride were added, and 25 ° C. When the mixture was stirred at the reaction temperature of 5 hours, a brown viscous polyamic acid solution B was obtained. This reduced viscosity was 3.6 dl / g.

〔製造例3〕
(ポリアミド酸溶液Cの作成)
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、フェニレンジアミン108質量部、N−メチル−2−ピロリドン4010質量部を加えて完全に溶解させた後、コロイダルシリカをジメチルアセトアミドに分散してなるスノーテックス(DMAC−ST30、日産化学工業社製)40.5質量部(シリカを8.1質量部含む)、ジフェニルテトラカルボン酸二無水物292.5質量部を加え、25℃の反応温度で12時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液Cが得られた。この還元粘度は4.3dl/gであった。
[Production Example 3]
(Preparation of polyamic acid solution C)
After the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was replaced with nitrogen, 108 parts by mass of phenylenediamine and 4010 parts by mass of N-methyl-2-pyrrolidone were added and completely dissolved, and then colloidal silica was added. 40.5 parts by mass of Snowtex (DMAC-ST30, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) dispersed in dimethylacetamide (including 8.1 parts by mass of silica) and 292.5 parts by mass of diphenyltetracarboxylic dianhydride were added. When the mixture was stirred at a reaction temperature of 25 ° C. for 12 hours, a brown viscous polyamic acid solution C was obtained. This reduced viscosity was 4.3 dl / g.

〔製造例4〕
(ポリアミド酸溶液Dの作成)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン930質量部、N,N−ジメチルアセトアミド15,000質量部を加えて完全に溶解させた後、コロイダルシリカをジメチルアセトアミドに分散してなるスノーテックス(DMAC−ST30、日産化学工業社製)40.5質量部(シリカを8.1質量部含む)、4,4−オキシジフタル酸無水物990質量部を加え、25℃の反応温度で17時間攪拌すると、薄黄色で粘調なポリアミド酸溶液Dが得られた。この還元粘度は3.1dl/gであった。
[Production Example 4]
(Preparation of polyamic acid solution D)
After replacing the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod with nitrogen, 930 parts by mass of 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene and 15,000 parts by mass of N, N-dimethylacetamide were added. 40.5 parts by mass (DMAC-ST30, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) 40.0 parts by mass (including 8.1 parts by mass of silica), 4,4, obtained by dispersing colloidal silica in dimethylacetamide -When 990 parts by mass of oxydiphthalic anhydride was added and stirred at a reaction temperature of 25 ° C for 17 hours, a pale yellow and viscous polyamide acid solution D was obtained. This reduced viscosity was 3.1 dl / g.

〔製造例5〕
(端部補強用ポリイミドフィルムの作成)
製造例1で得たポリアミド酸溶液Aを使用して、ポリエチレンテレフタレート製フィルム(A−4100、東洋紡績社製)の無滑材面上に、コンマコーターを用いてコーティングし(塗工幅1240mm)、90℃にて60分間乾燥した。乾燥後に自己支持性となったポリアミド酸フィルムを支持体から剥離して両端をカットし、厚さ15μm、幅1200mmのグリーンフィルムを得た。得られたグリーンフィルムを図1、図2に示す装置で、以下括弧内に示す様にピンシートやブラシロール、押さえロール、支え治具の条件でピンテンターにて両端を把持し熱処理を行った。ピンは、ピンシートが並んだ際にピン間隔が一定となるように配置されており、ピン台座からのピン高さは8mm、ピンシート間隔は1140mmであり、ピンシートの長手方向の長さは95mm、幅方向の長さは35mmで、ピンシートの幅方向外側に設定した該台の長手方向の長さは95mm、幅方向の長さは15mmであり、該台の周囲は面取り加工を施した。また、ブラシロールは幅方向に2種類の素材を用いた2層構造を用い、内側にはコーネックス製で素線径φ0.3mmを配置し、外側には素線径φ0.5mmの金属素線を配置した。
(ピンシートの形状は平板形状、押さえロールとフィルム把持開始部との距離は150mm、支え治具はテトラフルオロエチレン製バーを使用、支え治具とフィルム把持開始部との距離は170mm)
テンターの熱処理設定は以下の通りである。第1段が180℃で5分間、昇温速度4℃/秒で昇温して第2段として460℃で5分間の条件で2段階の加熱を施して、生産性を無視して、速度を抑えて、イミド化反応を進行させた。その後、5分間で室温にまで冷却し、ロール状に巻き上げ、厚さ10μmのポリイミドフィルムAを得た。
別途、N,N−ジメチルアセトアミドで10倍に希釈したポリアミド酸溶液Dを作製し、得られたポリイミドフィルムAの一面上に、バーコーターを用いてコーティングした。次いで、90℃にて10分間乾燥し、易接着性ポリイミドフィルムAを得た易接着性層の厚さは、ポリイミドフィルムAの厚さ1に対して0.1である。この得られた易接着性ポリイミドフィルムをスリットし、幅35mmの端部補強用ポリイミドフィルムを得た。
[Production Example 5]
(Creation of polyimide film for edge reinforcement)
Using the polyamic acid solution A obtained in Production Example 1, a non-slip material surface of a polyethylene terephthalate film (A-4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) was coated using a comma coater (coating width 1240 mm). And dried at 90 ° C. for 60 minutes. The polyamic acid film that became self-supporting after drying was peeled from the support and cut at both ends to obtain a green film having a thickness of 15 μm and a width of 1200 mm. The obtained green film was subjected to heat treatment with the apparatus shown in FIGS. 1 and 2 by gripping both ends with a pin tenter under the conditions of a pin sheet, a brush roll, a pressing roll, and a supporting jig as shown in parentheses below. The pins are arranged so that the pin interval is constant when the pin sheets are arranged, the pin height from the pin base is 8 mm, the pin sheet interval is 1140 mm, and the length of the pin sheet in the longitudinal direction is The length in the width direction is 95 mm, the length in the longitudinal direction of the table set outside the pin sheet in the width direction is 95 mm, the length in the width direction is 15 mm, and the periphery of the table is chamfered. did. In addition, the brush roll has a two-layer structure using two kinds of materials in the width direction, made of Conex with a strand diameter of 0.3 mm, and on the outside a metal element with a strand diameter of 0.5 mm. A line was placed.
(The pin sheet has a flat plate shape, the distance between the press roll and the film grip start portion is 150 mm, the support jig uses a tetrafluoroethylene bar, and the distance between the support jig and the film grip start portion is 170 mm)
The heat treatment settings for the tenter are as follows. The first stage is heated at 180 ° C. for 5 minutes and the heating rate is 4 ° C./second, and the second stage is heated at 460 ° C. for 5 minutes under the condition of two stages. And the imidization reaction was allowed to proceed. Then, it cooled to room temperature in 5 minutes, wound up in roll shape, and obtained the 10-micrometer-thick polyimide film A.
Separately, a polyamic acid solution D diluted 10-fold with N, N-dimethylacetamide was prepared, and coated on one surface of the obtained polyimide film A using a bar coater. Subsequently, the thickness of the easily-adhesive layer which dried for 10 minutes at 90 degreeC and obtained the easily-adhesive polyimide film A is 0.1 with respect to the thickness 1 of the polyimide film A. The resulting easy-adhesive polyimide film was slit to obtain a polyimide film for end reinforcement having a width of 35 mm.

〔製造例6〕
(ポリイミドフィルムA1の作成)
製造例1で得たポリアミド酸溶液Aを、ポリエチレンテレフタレート製フィルム(A−4100、東洋紡績社製)の無滑材面上に、コンマコーターを用いてコーティングし(塗工幅1240mm)、90℃にて60分間乾燥した。乾燥後に自己支持性となったポリアミド酸フィルムを支持体から剥離して両端をカットし、幅1200mmのグリーンフィルムを得た。得られたグリーンフィルムに前記幅35mmのポリイミドフィルムDを両側端部に重ね合わせながら、図1、図2に示す装置で、以下括弧内に示す様にピンシートやブラシロール、押さえロール、支え治具の条件でピンテンターにて両端を把持し熱処理を行った。ピンは、ピンシートが並んだ際にピン間隔が一定となるように配置されており、ピン台座からのピン高さは8mm、ピンシート間隔は1140mmであり、ピンシートの長手方向の長さは95mm、幅方向の長さは35mmで、ピンシートの幅方向外側に設定した該台の長手方向の長さは95mm、幅方向の長さは15mmであり、該台の周囲は面取り加工を施した。また、ブラシロールは幅方向に2種類の素材を用いた2層構造を用い、内側にはコーネックス製で素線径φ0.3mmを配置し、外側には素線径φ0.5mmの金属素線を配置した。
(ピンシートの形状は平板形状、押さえロールとフィルム把持開始部との距離は150mm、支え治具はテトラフルオロエチレン製バーを使用、支え治具とフィルム把持開始部との距離は170mm)
テンターの熱処理設定は以下の通りである。第1段が200℃で5分間、昇温速度4℃/秒で昇温して第2段として450℃で5分間の条件で2段階の加熱を施して、イミド化反応を進行させた。またテンター内の最大風速は0.5m/秒であった。
テンターの第1段目の中間地点までは両端のピンの幅を2%縮め初期幅の98%とした。第1段目の後半ではピン幅をやや広げ初期幅の99%とし、昇温区間にて102%まで広げ、第2段目の中間点までさらにピン幅を広げて103%とし、以後は一定幅にて処理した。その後、5分間で室温にまで冷却し、フィルムの両端部の平面性が悪い部分をスリッターにて切り落とし、ロール状に巻き上げ、厚さ5μmの褐色を呈するポリイミドフィルムA1を得た。
得られたポリイミドフィルムA1の評価結果を表1に示す。
[Production Example 6]
(Preparation of polyimide film A1)
The polyamic acid solution A obtained in Production Example 1 was coated on a non-slip material surface of a polyethylene terephthalate film (A-4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) using a comma coater (coating width 1240 mm), and 90 ° C. For 60 minutes. The polyamic acid film which became self-supporting after drying was peeled off from the support and cut at both ends to obtain a green film having a width of 1200 mm. While the polyimide film D having a width of 35 mm is superposed on both end portions on the obtained green film, a pin sheet, a brush roll, a pressing roll, and a supporting jig are used as shown in parentheses in the apparatus shown in FIGS. Under the conditions of the tool, both ends were held with a pin tenter and heat treatment was performed. The pins are arranged so that the pin interval is constant when the pin sheets are arranged, the pin height from the pin base is 8 mm, the pin sheet interval is 1140 mm, and the length of the pin sheet in the longitudinal direction is The length in the width direction is 95 mm, the length in the longitudinal direction of the table set outside the pin sheet in the width direction is 95 mm, the length in the width direction is 15 mm, and the periphery of the table is chamfered. did. In addition, the brush roll has a two-layer structure using two kinds of materials in the width direction, made of Conex with a strand diameter of 0.3 mm, and on the outside a metal element with a strand diameter of 0.5 mm. A line was placed.
(The pin sheet has a flat plate shape, the distance between the press roll and the film grip start portion is 150 mm, the support jig uses a tetrafluoroethylene bar, and the distance between the support jig and the film grip start portion is 170 mm)
The heat treatment settings for the tenter are as follows. The first stage was heated at 200 ° C. for 5 minutes and the heating rate was 4 ° C./second, and the second stage was heated at 450 ° C. for 5 minutes under the condition of two stages to advance the imidization reaction. The maximum wind speed in the tenter was 0.5 m / sec.
Up to the midpoint of the first stage of the tenter, the width of the pins at both ends was reduced by 2% to 98% of the initial width. In the second half of the first stage, the pin width is slightly widened to 99% of the initial width, expanded to 102% in the temperature rise interval, and further expanded to the middle point of the second stage to 103%, and thereafter constant Processed in width. Then, it cooled to room temperature in 5 minutes, the part where the flatness of the both ends of a film was bad was cut off with the slitter, and it wound up in roll shape, and obtained polyimide film A1 which exhibits 5 micrometers in thickness brown.
The evaluation results of the obtained polyimide film A1 are shown in Table 1.

〔製造例7〜11〕
(ポリイミドフィルムA2〜A6の作成)
塗工厚みを変更する以外は、製造例6と同様の方法でポリイミドフィルムA2〜A6を作成した。
得られたポリイミドフィルムA2〜A6の評価結果を表1に示す。
[Production Examples 7 to 11]
(Preparation of polyimide films A2 to A6)
Polyimide films A2 to A6 were prepared in the same manner as in Production Example 6 except that the coating thickness was changed.
Table 1 shows the evaluation results of the obtained polyimide films A2 to A6.

〔製造例12〕
(ポリイミドフィルムBの作成)
ポリアミド酸溶液Aの代わりに製造例2で得られたポリアミド酸溶液Bを用いる以外は、製造例6と同様の方法でポリイミドフィルムBを作成した。
得られたポリイミドフィルムBの評価結果を表2に示す。
[Production Example 12]
(Preparation of polyimide film B)
A polyimide film B was prepared in the same manner as in Production Example 6 except that the polyamic acid solution B obtained in Production Example 2 was used instead of the polyamic acid solution A.
The evaluation results of the obtained polyimide film B are shown in Table 2.

〔製造例13〕
(ポリイミドフィルムCの作成)
ポリアミド酸溶液Aの代わりに製造例3で得られたポリアミド酸溶液Cを用いる以外は、製造例6と同様の方法でポリイミドフィルムCを作成した。
得られたポリイミドフィルムCの評価結果を表2に示す。
[Production Example 13]
(Preparation of polyimide film C)
A polyimide film C was prepared in the same manner as in Production Example 6 except that the polyamic acid solution C obtained in Production Example 3 was used instead of the polyamic acid solution A.
The evaluation results of the obtained polyimide film C are shown in Table 2.

〔製造例14〕
(ポリアミドイミド溶液Eの作成)
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、トリメリット酸無水物192g、O−トリジンジイソシアネート211g(80モル%)、2,4−トリレンジイソシアネート35g、及びトリエチレンジアミン1gを仕込み、さらにN−メチル−2−ピロリドンを仕込み、120℃で約1時間反応させた後、さらに180℃で5時間攪拌しながら反応させた。次に加熱を止め、冷却しながら、さらにN−メチル−2−ピロリドンを加え希釈して、固形分濃度が20質量%のポリアミドイミド溶液Eを得た。
得られたポリアミドイミド溶液Eのポリマーのガラス転移温度は320℃、5%重量減少温度は485℃であった。また、粘弾性測定の貯蔵弾性率:E’のガラス転移温度以上での減衰より熱可塑性を有することを確認した。
[Production Example 14]
(Preparation of polyamideimide solution E)
After replacing the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod with nitrogen, 192 g of trimellitic anhydride, 211 g (80 mol%) of O-tolidine diisocyanate, 35 g of 2,4-tolylene diisocyanate, and 1 g of ethylenediamine was added, N-methyl-2-pyrrolidone was further added, and the mixture was reacted at 120 ° C. for about 1 hour, and further reacted at 180 ° C. with stirring for 5 hours. Next, while heating was stopped and cooling, N-methyl-2-pyrrolidone was further added and diluted to obtain a polyamideimide solution E having a solid concentration of 20% by mass.
The polymer of the obtained polyamideimide solution E had a glass transition temperature of 320 ° C. and a 5% weight loss temperature of 485 ° C. Moreover, it confirmed that it had thermoplasticity from the attenuation | damping above the glass transition temperature of the storage elastic modulus: E 'of a viscoelasticity measurement.

〔製造例15〕
(ポリアミドイミド溶液Fの作成)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、トリメリット酸無水物1モル、ジフェニルメタンジイソシアネート1モル、フッ化カリウム0.01モルを仕込み、さらにN、N−ジメチルアセトアミドを仕込み、90℃で3時間攪拌しながら反応させた。次に加熱を止め、冷却しながら、さらにN、N−ジメチルアセトアミドを加え希釈して、固形分濃度が20質量%のポリアミドイミド溶液Fを得た。
得られたポリアミドイミド溶液Fのポリマーのガラス転移温度は290℃、5%重量減少温度は475℃であった。また、粘弾性測定の貯蔵弾性率:E’のガラス転移温度以上での減衰より熱可塑性を有することを確認した。
[Production Example 15]
(Preparation of polyamideimide solution F)
After the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring bar was replaced with nitrogen, 1 mol of trimellitic anhydride, 1 mol of diphenylmethane diisocyanate and 0.01 mol of potassium fluoride were charged, and N, N-dimethyl was further added. Acetamide was charged and reacted at 90 ° C. with stirring for 3 hours. Next, while heating was stopped and cooling, N, N-dimethylacetamide was further added and diluted to obtain a polyamideimide solution F having a solid content concentration of 20% by mass.
The glass transition temperature of the polymer of the obtained polyamideimide solution F was 290 ° C., and the 5% weight loss temperature was 475 ° C. Moreover, it confirmed that it had thermoplasticity from the attenuation | damping above the glass transition temperature of the storage elastic modulus: E 'of a viscoelasticity measurement.

〔製造例16〕
(ポリイミド溶液Gの作成)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物73.56g、ジアミノポリシロキサン88g、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン61.58g、及びN−メチル−2−ピロリドン1000gを仕込んだ。60℃で約2時間攪拌させた後、水を除去しながら200℃で3時間攪拌しながら反応させた。反応後、反応液を10リットル水中に添加して、ホモミキサ−を使用して30分間で析出させ、濾過によりポリマー粉末を単離した。このポリマー粉末について5リットルの2−プロパノ−ル中でホモミキサ−を使用して80℃で1時間洗浄を2回行い、120℃で5時間熱風乾燥後、120℃で24時間真空乾燥した後、テトラヒドロフランを加え、固形分濃度が20%のポリイミド溶液Gを得た。
得られたポリイミド溶液Gのポリマーのガラス転移温度は192℃、5%重量減少温度は495℃であった。また、粘弾性測定の貯蔵弾性率:E’のガラス転移温度以上での減衰より熱可塑性を有することを確認した。
[Production Example 16]
(Preparation of polyimide solution G)
After the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was purged with nitrogen, 73,56 g of 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 88 g of diaminopolysiloxane, 2,2 61.58 g of bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane and 1000 g of N-methyl-2-pyrrolidone were charged. After stirring at 60 ° C. for about 2 hours, the reaction was carried out with stirring at 200 ° C. for 3 hours while removing water. After the reaction, the reaction solution was added to 10 liters of water, precipitated for 30 minutes using a homomixer, and polymer powder was isolated by filtration. This polymer powder was washed twice at 80 ° C. for 1 hour using a homomixer in 5 liters of 2-propanol, dried with hot air at 120 ° C. for 5 hours, and then vacuum dried at 120 ° C. for 24 hours. Tetrahydrofuran was added to obtain a polyimide solution G having a solid content concentration of 20%.
The polymer of the obtained polyimide solution G had a glass transition temperature of 192 ° C. and a 5% weight loss temperature of 495 ° C. Moreover, it confirmed that it had thermoplasticity from the attenuation | damping above the glass transition temperature of the storage elastic modulus: E 'of a viscoelasticity measurement.

〔製造例17〕
(ポリイミド溶液Hの調製)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物63.2g、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン63.57g、分子量が750のビス( 3−アミノプロピル)ポリメチルシロキサン 62.11g、及びキシレン315gを仕込んだ。150℃で約1時間反応させた後、水を除去しながら165℃で18時間攪拌しながら反応させた。反応後、減圧下で残存するキシレンを留去し、N−メチル−2−ピロリドンを加え、固形分濃度が20%のポリイミド溶液Hを得た。
得られたポリイミド溶液Hのポリマーのガラス転移温度は186℃、5%重量減少温度は366℃であった。また、粘弾性測定の貯蔵弾性率:E’のガラス転移温度以上での減衰より熱可塑性を有することを確認した。
[Production Example 17]
(Preparation of polyimide solution H)
The inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer and a stirring rod was purged with nitrogen, and then 63.2 g of 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) ) Phenyl] propane 63.57 g, 62.11 g of bis (3-aminopropyl) polymethylsiloxane having a molecular weight of 750, and 315 g of xylene were charged. After reacting at 150 ° C. for about 1 hour, the reaction was carried out with stirring at 165 ° C. for 18 hours while removing water. After the reaction, the remaining xylene was distilled off under reduced pressure, and N-methyl-2-pyrrolidone was added to obtain a polyimide solution H having a solid concentration of 20%.
The polymer of the obtained polyimide solution H had a glass transition temperature of 186 ° C. and a 5% weight loss temperature of 366 ° C. Moreover, it confirmed that it had thermoplasticity from the attenuation | damping above the glass transition temperature of the storage elastic modulus: E 'of a viscoelasticity measurement.

〔製造例18〕
(シリコーン溶液Iの作成)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、(CH33SiO1/2単位1.1モルとSiO4/2単位1モルの割合からなり、水酸基を100g当たり0.07モル含有するメチルポリシロキサンレジン50質量部と、末端が水酸基で封鎖された重合度2,000の生ゴム状のジメチルポリシロキサン50質量部、トルエン100質量部、及び28質量%アンモニア水0.5質量を加え、室温で16時間攪拌し、縮合反応を行った。この間、生成する水は共沸により系外に除去した。その後、不揮発分が40質量%になるようにトルエンを加えてシリコーン縮合物を合成した。得られたシリコーン部分縮合物を100質量部と、ビス(4−メチルベンゾイル)パーオキサイド0.5質量部を混合し、シリコーン溶液Iを得た。
得られたシリコーン溶液Iのポリマーのガラス転移温度は190℃、5%重量減少温度は250℃であった。また、粘弾性測定の貯蔵弾性率:E’のガラス転移温度以上での減衰より熱可塑性を有することを確認した。
[Production Example 18]
(Preparation of silicone solution I)
After the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was replaced with nitrogen, it was composed of a ratio of 1.1 mol of (CH 3 ) 3 SiO 1/2 units and 1 mol of SiO 4/2 units. 50 parts by mass of methylpolysiloxane resin containing 0.07 mol per 100 g, 50 parts by mass of raw rubber-like dimethylpolysiloxane having a degree of polymerization of 2,000 blocked with hydroxyl groups, 100 parts by mass of toluene, and 28% by mass of ammonia 0.5 mass of water was added, and the mixture was stirred at room temperature for 16 hours to conduct a condensation reaction. During this time, the generated water was removed out of the system by azeotropy. Thereafter, toluene was added so that the nonvolatile content was 40% by mass to synthesize a silicone condensate. 100 parts by mass of the obtained silicone partial condensate and 0.5 parts by mass of bis (4-methylbenzoyl) peroxide were mixed to obtain a silicone solution I.
The glass transition temperature of the polymer of the obtained silicone solution I was 190 ° C., and the 5% weight loss temperature was 250 ° C. Moreover, it confirmed that it had thermoplasticity from the attenuation | damping above the glass transition temperature of the storage elastic modulus: E 'of a viscoelasticity measurement.

〔製造例19、20〕
(アクリル溶液J、Kの作成)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、アルキル(メタ)アクリレート系単量体、酢酸エチルを仕込み攪拌しながら還流するまで置換し保持した。次いで2、2’−アゾビスイソブチロニトリルを加え合計8時間反応させた。反応終了後、トルエンを添加して希釈して室温まで冷却し、アクリル系重合体の固形分100%に対して、架橋剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート体(スミジュールN−3300、住化バイエル社製)を1.4%(NCO当量/OH当量比が1.2)添加して、固形分濃度が20%のアクリル溶液J、Kを得た。ここで、アルキル(メタ)アクリレート系単量体の組成量、架橋剤量、および評価結果を表3に示す。また、粘弾性測定の貯蔵弾性率:E’のガラス転移温度以上での減衰より熱可塑性を有することを確認した。
[Production Examples 19 and 20]
(Creation of acrylic solutions J and K)
The inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was purged with nitrogen, and then an alkyl (meth) acrylate monomer and ethyl acetate were charged and replaced and held until refluxed with stirring. Subsequently, 2,2′-azobisisobutyronitrile was added and reacted for a total of 8 hours. After completion of the reaction, toluene is added to dilute and cool to room temperature. Hexamethylene diisocyanate isocyanurate (Sumidule N-3300, Sumika Bayer) is used as a crosslinking agent for 100% of the solid content of the acrylic polymer. 1.4% (NCO equivalent / OH equivalent ratio is 1.2) was added to obtain acrylic solutions J and K having a solid content concentration of 20%. Here, the composition amount of the alkyl (meth) acrylate monomer, the amount of the crosslinking agent, and the evaluation results are shown in Table 3. Moreover, it confirmed that it had thermoplasticity from the attenuation | damping above the glass transition temperature of the storage elastic modulus: E 'of a viscoelasticity measurement.

〔実施例1〕
ポリアミドイミド溶液Eを固形分濃度が2.5%になるよう希釈した後、ポリイミドフィルムA5の表面に、マイクログラビアコーターを用いてコーティングした。次いで、120℃にて60分間、160℃にて300分間の熱処理を行い、裏打ちフィルムAを得た。得られた裏打ちフィルムAにおけるポリアミドイミド層の厚さは、1.0μmであった。
次いで、ポリイミドフィルムA1の一面と、裏打ちフィルムAのポリアミドイミドE面とを貼り合わせ、300℃、5MPaにて15分間で加熱圧着を行い、裏打ちフィルム付きポリイミドフィルムAを得た。得られた裏打ちフィルム付きポリイミドフィルムAの剥離強度、糊移り、剥がし状態の初期評価結果を表4に示す。
得られた裏打ちフィルム付きポリイミドフィルムAを、ロール・ツー・ロールでのスパッタリング機に入れ、裏打ちフィルム付きポリイミドフィルムAのポリイミドフィルムA1面にプラズマ処理をした後、スパッタリングを実施した。プラズマ処理、スパッタリング条件は、以下のとおりである。まず、酸素のグロー放電でポリイミドフィルムの表面を処理した。処理時の条件はOガス圧2×10−3Torr、流量50SCCM、放電周波数13.56MHz、出力250W、処理時間はフィルム送り速度0.1m/minで有効プラズマ照射幅が10cm程度のため1箇所のプラズマ照射時間が1分間となる。この後、表面処理装置より取り出し、裏打ちフィルム付きポリイミドフィルムAのプラズマ処理が施された面に、NiCr合金をターゲットとしてアルゴンガスによるDCマグネトロンスパッタリング法により厚さ15nmのNiCr下地薄膜層を形成させた。ターゲットのNiCr合金の組成は、Ni80質量%、Cr20質量%純度3Nのものを用いた。薄膜層作成時の真空度は3×10−3Torrである。その後、直ちに銅をターゲットとして、アルゴンガスによるDCマグネトロンスパッタリング法により厚さ250nmの銅薄膜層を形成させた。ターゲットのCuは純度4Nのものを用いた。各ターゲットのフィルム送り方向の幅は12cm、フィルム送り方向の幅は27cmの矩形である。この矩形のターゲットがフィルム送り方向に、4ケ設置されている。ターゲットは2ケずつ接近しているが、NiCrのために使用したターゲットと、Cuのために使用したターゲットの間隔は離れているため、NiCrのスパッタリングされた原子と、Cuの原子が、真空中で混合されてからフィルムに到達することはなく、下地のNiCr薄膜とCu薄膜は交じり合うことなくそれぞれの薄膜が形成され2層の薄膜となる。薄膜の厚さは、NiCr層が20nm、Cu層が200nmであった。
なお、スパッタ装置はロール・ツー・ロール方式の装置であり、巻き出し室、スパッタ室、予備室、巻き取り室へとロールからフィルムが移動されながら、順次、表面処理、NiCr層作成、Cu層作成が行われ、その後に、ロールに巻き取られる。各室の間は、スリットによって概略仕切られており、スパッタ室ではフィルムはチルロールに接しており、チルロールの温度(−5℃)によって冷やされながら、巻きだし側に近い、NiCrタ
ーゲット1ケ、1ケのターゲットを使わず、その後Cuターゲット2ケからの金属粒子によって薄膜が形成される。
次いで、裏打ちフィルム付きポリイミドフィルムAのスパッタリングが施された面にさらにめっきを施した。すなわち、裏打ちフィルムが貼り付けられたままの状態で、スパッタリング面に、硫酸銅めっき浴を用いて、厚さ5μmの厚付け銅めっき層(厚付け層)を形成し、引き続き80℃で1分間乾燥し、目的とする機能性薄膜層が積層された裏打ちフィルム付き機能性薄膜層積層ポリイミドフィルムAを得た。得られた裏打ちフィルム付き機能性薄膜層積層ポリイミドフィルムAの剥離強度、糊移り、剥がし状態のめっき後評価結果を表4に示す。
次いで、最初の裏打ちフィルムを剥がし、ポリイミドフィルムA1に機能性薄膜層が積層された、機能性薄膜層積層ポリイミドフィルムAを得た。
[Example 1]
After diluting the polyamideimide solution E to a solid content concentration of 2.5%, the surface of the polyimide film A5 was coated using a micro gravure coater. Subsequently, a backing film A was obtained by performing heat treatment at 120 ° C. for 60 minutes and at 160 ° C. for 300 minutes. The thickness of the polyamideimide layer in the obtained backing film A was 1.0 μm.
Next, one surface of the polyimide film A1 and the polyamideimide E surface of the backing film A were bonded together, and thermocompression bonded at 300 ° C. and 5 MPa for 15 minutes to obtain a polyimide film A with a backing film. Table 4 shows the initial evaluation results of the peel strength, glue transfer, and peeled state of the obtained polyimide film A with backing film.
The obtained polyimide film A with backing film was put into a roll-to-roll sputtering machine, and after plasma treatment was performed on the polyimide film A1 surface of the polyimide film A with backing film, sputtering was performed. The plasma treatment and sputtering conditions are as follows. First, the surface of the polyimide film was treated with oxygen glow discharge. The processing conditions are O 2 gas pressure 2 × 10 −3 Torr, flow rate 50 SCCM, discharge frequency 13.56 MHz, output 250 W, processing time is 1 m / min because the film feed rate is 0.1 m / min and the effective plasma irradiation width is about 10 cm. The plasma irradiation time at the location is 1 minute. Thereafter, the NiCr underlayer thin film layer having a thickness of 15 nm was formed on the surface of the polyimide film A with the backing film that was taken out from the surface treatment apparatus by DC magnetron sputtering using argon gas with a NiCr alloy as a target. . The composition of the target NiCr alloy was Ni 80% by mass and Cr 20% by mass 3N purity. The degree of vacuum at the time of forming the thin film layer is 3 × 10 −3 Torr. Then, a copper thin film layer having a thickness of 250 nm was immediately formed by DC magnetron sputtering using argon gas with copper as a target. The target Cu had a purity of 4N. Each target has a rectangular shape with a width of 12 cm in the film feeding direction and a width of 27 cm in the film feeding direction. Four rectangular targets are installed in the film feeding direction. Although the target is approaching by two, the distance between the target used for NiCr and the target used for Cu is separated, so that the sputtered NiCr atoms and the Cu atoms are in a vacuum. After mixing, the film does not reach the film, and the underlying NiCr thin film and Cu thin film do not cross each other, forming each thin film into a two-layer thin film. The thickness of the thin film was 20 nm for the NiCr layer and 200 nm for the Cu layer.
Note that the sputtering apparatus is a roll-to-roll system, and the film is moved from the roll to the unwinding chamber, the sputtering chamber, the spare chamber, and the winding chamber, and the surface treatment, NiCr layer creation, and Cu layer are sequentially performed. Creation is performed and then wound on a roll. Each chamber is roughly partitioned by a slit. In the sputtering chamber, the film is in contact with the chill roll, and is cooled by the temperature of the chill roll (−5 ° C.). A thin film is formed by metal particles from two Cu targets without using any target.
Next, the surface of the polyimide film A with backing film on which the sputtering was applied was further plated. That is, with the backing film still attached, a thick copper plating layer (thickening layer) having a thickness of 5 μm is formed on the sputtering surface using a copper sulfate plating bath, and subsequently at 80 ° C. for 1 minute. It dried and the functional thin film layer lamination polyimide film A with a backing film in which the target functional thin film layer was laminated | stacked was obtained. Table 4 shows the evaluation results after plating in the peel strength, paste transfer, and peeled state of the obtained functional thin film laminated polyimide film A with a backing film.
Next, the first backing film was peeled off to obtain a functional thin film layer-laminated polyimide film A in which the functional thin film layer was laminated on the polyimide film A1.

〔実施例2〕
ポリアミドイミド溶液Eの代わりに、ポリアミドイミド溶液Fを使用し、加熱圧着の条件を320℃、5MPa、15分間とする以外は実施例1と同様の方法で作成し、評価した。
得られた評価結果を表4に示す。
[Example 2]
A polyamideimide solution F was used in place of the polyamideimide solution E, and the conditions for thermocompression bonding were 320 ° C., 5 MPa, and 15 minutes.
The obtained evaluation results are shown in Table 4.

〔実施例3〕
ポリアミドイミド溶液Eの代わりに、ポリイミド溶液Gを使用し、加熱圧着の条件を200℃、5MPa、60分間とする以外は実施例1と同様の方法で作成し、評価した。
得られた評価結果を表4に示す。
Example 3
A polyimide solution G was used in place of the polyamideimide solution E, and it was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the thermocompression bonding conditions were 200 ° C., 5 MPa, and 60 minutes.
The obtained evaluation results are shown in Table 4.

〔実施例4、5〕
ポリアミドイミド溶液Eの膜厚を1.0μmの代わりに、0.1μm、および5.0μmとする以外は実施例1と同様の方法で作成し、評価した。
得られた評価結果を表4に示す。
[Examples 4 and 5]
It was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the film thickness of the polyamideimide solution E was changed to 0.1 μm and 5.0 μm instead of 1.0 μm.
The obtained evaluation results are shown in Table 4.

〔実施例6〜10〕
ポリイミドフィルムA1の代わりに、ポリイミドフィルムA2、A3、A4、B、およびCを使用する以外は実施例1と同様の方法で作成し、評価した。
得られた評価結果を表5に示す。
[Examples 6 to 10]
It produced and evaluated by the method similar to Example 1 except using polyimide film A2, A3, A4, B, and C instead of polyimide film A1.
The obtained evaluation results are shown in Table 5.

〔実施例11、12〕
基材フィルムとしてポリイミドフィルムA5の代わりに、ポリイミドフィルムA4、およびA6を使用する以外は実施例1と同様の方法で作成し、評価した。
得られた評価結果を表6に示す。
[Examples 11 and 12]
It produced and evaluated by the method similar to Example 1 except using polyimide film A4 and A6 instead of polyimide film A5 as a base film.
Table 6 shows the obtained evaluation results.

〔比較例1、2〕
ポリアミドイミド溶液Eの代わりに、ポリイミド溶液H、およびシリコーン溶液Iを使用し、加熱圧着の条件を200℃、5MPa、60分間とする以外は実施例1と同様の方法で作成し、評価した。得られた評価結果を表7に示す。
ポリイミド溶液H、およびシリコーン溶液Iは耐熱性に乏しく、300℃、1時間のプロセスを通過することができなかった。
[Comparative Examples 1 and 2]
A polyimide solution H and a silicone solution I were used in place of the polyamide-imide solution E, and the conditions for thermocompression bonding were created and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the conditions of thermocompression bonding were 200 ° C., 5 MPa, and 60 minutes. Table 7 shows the obtained evaluation results.
The polyimide solution H and the silicone solution I were poor in heat resistance, and could not pass through the process at 300 ° C. for 1 hour.

〔比較例3、4〕
ポリアミドイミド溶液Eの代わりに、アクリル溶液J、およびアクリル溶液Kを使用し、加熱圧着の条件を160℃、5MPa、60分間とする以外は実施例1と同様の方法で作成し、評価した。得られた評価結果を表7に示す。
アクリル溶液J、およびアクリル溶液Kは耐熱性に乏しく、300℃、1時間のプロセスを通過することができなかった。
[Comparative Examples 3 and 4]
Instead of the polyamideimide solution E, an acrylic solution J and an acrylic solution K were used, and they were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the thermocompression bonding conditions were 160 ° C., 5 MPa, and 60 minutes. Table 7 shows the obtained evaluation results.
The acrylic solution J and the acrylic solution K were poor in heat resistance, and could not pass through the process at 300 ° C. for 1 hour.

〔比較例5〕
基材フィルムとしてポリイミドフィルムA5の代わりに、ポリエチレンテレフタレート製フィルム(A−4100、東洋紡績社製、ガラス転移温度=80℃、5%重量減少温度=380℃)を使用する以外は実施例1と同様の方法で作成し、評価した。得られた評価結果を表7に示す。
ポリエチレンテレフタレート製フィルムは耐熱性に乏しく、300℃、1時間のプロセスを通過することができなかった。
[Comparative Example 5]
Example 1 with the exception of using a film made of polyethylene terephthalate (A-4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd., glass transition temperature = 80 ° C., 5% weight reduction temperature = 380 ° C.) instead of polyimide film A5 as the base film. A similar method was used for evaluation. Table 7 shows the obtained evaluation results.
The film made of polyethylene terephthalate was poor in heat resistance and could not pass through the process at 300 ° C. for 1 hour.

〔比較例6〕
一般的な市販裏打ちフィルムの模倣品として、基材フィルムとしてポリイミドフィルムA5の代わりに、ポリエチレンテレフタレート製フィルム(A−4100、東洋紡績社製、ガラス転移温度=80℃、5%重量減少温度=380℃)を、ポリアミドイミド溶液Eの代わりに、アクリル溶液Jを使用し、加熱圧着の条件を160℃、5MPa、60分間とする以外は実施例1と同様の方法で作成し、評価した。得られた評価結果を表7に示す。
アクリル溶液J、ポリエチレンテレフタレート製フィルムは共に耐熱性に乏しく、300℃、1時間のプロセスを通過することができなかった。
[Comparative Example 6]
As a counterfeit product of a general commercial backing film, a film made of polyethylene terephthalate (A-4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd., glass transition temperature = 80 ° C., 5% weight loss temperature = 380) instead of polyimide film A5 as a base film. (° C.) was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the acrylic solution J was used instead of the polyamideimide solution E, and the thermocompression bonding conditions were 160 ° C., 5 MPa, and 60 minutes. Table 7 shows the obtained evaluation results.
Both the acrylic solution J and the polyethylene terephthalate film were poor in heat resistance, and could not pass through the process at 300 ° C. for 1 hour.

〔比較例7、8〕
ポリアミドイミド溶液Eの膜厚を1.0μmの代わりに、0.01μm、25μmとする以外は実施例1と同様の方法で作成し、評価した。得られた評価結果を表8に示す。
ポリアミドイミド溶液Eの膜厚が0.01μmでは接着性が乏しく、300℃、1時間のプロセス通過中に剥離が生じた。一方、25μmでは接着性が強すぎ、プロセス通過後に裏打ちフィルムを剥離する際、ポリイミドフィルムに皺、歪が生じた。また、熱可塑性樹脂の糊移りも見られた。
[Comparative Examples 7 and 8]
It was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the film thickness of the polyamideimide solution E was changed to 0.01 μm and 25 μm instead of 1.0 μm. Table 8 shows the obtained evaluation results.
When the film thickness of the polyamideimide solution E was 0.01 μm, the adhesiveness was poor, and peeling occurred during the passage of the process at 300 ° C. for 1 hour. On the other hand, at 25 μm, the adhesiveness was too strong, and when the backing film was peeled off after passing through the process, wrinkles and distortion occurred in the polyimide film. Moreover, the paste transfer of the thermoplastic resin was also seen.

〔比較例9〜11〕
基材フィルムとしてポリイミドフィルムA5の代わりに、ポリイミドフィルムA1〜A3を使用する以外は実施例1と同様の方法で作成し、評価した。得られた評価結果を表8に示す。
これらは、基材フィルムの膜厚が薄すぎ、ハンドリング性向上の効果が見られなかった。
[Comparative Examples 9 to 11]
It produced and evaluated by the method similar to Example 1 except using polyimide film A1-A3 instead of polyimide film A5 as a base film. Table 8 shows the obtained evaluation results.
As for these, the film thickness of the base film was too thin, and the effect of handling property improvement was not seen.

本発明の厚さ0.5μm〜12.5μmのポリイミドフィルム、厚さ0.05μm〜10μmの熱可塑性樹脂層、厚さ12.5μm〜200μmの基材フィルムがこの順に積層されてなる積層ポリイミドフィルムにおいて、前記ポリイミドフィルム、熱可塑性樹脂層、および基材フィルムの5%重量減少温度がすべて400℃以上であり、且つポリイミドフィルムと基材フィルム間の剥離強度が0.01N/cm〜1.0N/cmの構成であるため、種々工程で取扱う際に、特に高温での取り扱い時に、剥がれ、皺や歪み、こすれなどの問題発生を低減することが可能である。
さらに基材フィルムを積層ポリイミドフィルムから剥がす時や別の基材と積層する場合には、基材フィルムのついている側とは反対側のポリイミドフィルム面に粘着層又は接着層を形成させて他の裏打ちフィルムや基板と積層すれば、基材フィルムの剥離が容易であり、ポリイミドフィルムの皺や歪みの発生が低減可能になるので、耐熱性、フレキシブル性、機械的強度をより高いレベルで具備する極薄の厚さのポリイミドフィルムを使用した製品の製造が容易に、かつ安定してなすことができる。
このため、耐熱性の要求される分野での、薄いFPCなどの細密かつ軽小短薄が要求される電気電子部品に対応し得る機能性薄膜層積層ポリイミドフィルムとして工業的に極めて有用である。
A polyimide film having a thickness of 0.5 μm to 12.5 μm, a thermoplastic resin layer having a thickness of 0.05 μm to 10 μm, and a base film having a thickness of 12.5 μm to 200 μm, which are laminated in this order. The 5% weight reduction temperature of the polyimide film, the thermoplastic resin layer, and the base film is all 400 ° C. or higher, and the peel strength between the polyimide film and the base film is 0.01 N / cm to 1.0 N. Since the structure is / cm, it is possible to reduce the occurrence of problems such as peeling, wrinkles, distortion, and rubbing when handling in various processes, especially when handling at high temperatures.
Furthermore, when the base film is peeled off from the laminated polyimide film or laminated with another base material, an adhesive layer or an adhesive layer is formed on the side of the polyimide film opposite to the side on which the base film is attached. When laminated with a backing film or substrate, the base film can be easily peeled off, and the occurrence of wrinkles and distortion of the polyimide film can be reduced, so that it has higher levels of heat resistance, flexibility, and mechanical strength. The manufacture of a product using an extremely thin polyimide film can be easily and stably performed.
For this reason, it is industrially extremely useful as a functional thin film layer-laminated polyimide film capable of dealing with electric and electronic parts that are required to be fine, light, short and thin, such as thin FPC, in a field where heat resistance is required.

1:ブラシロール
2:ピン
3:ピン台座
4:台
5:支え治具
6:押さえロール
7:前駆体フィルム
1: Brush roll 2: Pin 3: Pin base 4: Base 5: Support jig 6: Pressing roll 7: Precursor film

Claims (7)

厚さ0.5μm〜12.5μmのポリイミドフィルム、厚さ0.05μm〜10μmの熱可塑性樹脂層、厚さ12.5μm〜200μmの基材フィルム(以下、熱可塑性樹脂層、基材フィルムの2層フィルムを裏打ちフィルムと呼称する。)がこの順に積層されてなる積層ポリイミドフィルムにおいて、前記ポリイミドフィルム、熱可塑性樹脂層、および基材フィルムの5%重量減少温度がすべて400℃以上であり、且つポリイミドフィルムと基材フィルム間の剥離強度が0.01N/cm〜1.0N/cmであることを特徴とする積層ポリイミドフィルム。   0.5 μm to 12.5 μm thick polyimide film, 0.05 μm to 10 μm thick thermoplastic resin layer, 12.5 μm to 200 μm thick base film (hereinafter referred to as thermoplastic resin layer, base film 2) In the laminated polyimide film in which the layer film is referred to as the backing film), the 5% weight reduction temperature of the polyimide film, the thermoplastic resin layer, and the base film are all 400 ° C. or higher, and A laminated polyimide film, wherein the peel strength between the polyimide film and the substrate film is 0.01 N / cm to 1.0 N / cm. 熱可塑性樹脂層が、ポリアミドイミド、およびポリイミドのいずれかから選ばれた少なくとも一種以上の樹脂から成り、且つ有機溶媒可溶性である請求項1記載の積層ポリイミドフィルム。   The laminated polyimide film according to claim 1, wherein the thermoplastic resin layer is made of at least one resin selected from polyamide imide and polyimide, and is soluble in an organic solvent. ポリイミドフィルムが、ポリイミドベンゾオキサゾール成分を有するポリイミドフィルムで、かつ線膨張係数が−10ppm/℃〜10ppm/℃である請求項1又は2に記載の積層ポリイミドフィルム。   The laminated polyimide film according to claim 1 or 2, wherein the polyimide film is a polyimide film having a polyimide benzoxazole component and has a linear expansion coefficient of -10 ppm / ° C to 10 ppm / ° C. 基材フィルムが、ポリイミドフィルムである請求項1〜3のいずれかに記載の積層ポリイミドフィルム。   The laminated polyimide film according to claim 1, wherein the base film is a polyimide film. 基材フィルムが、ポリイミドベンゾオキサゾール成分を有するポリイミドフィルムで、かつ線膨張係数が−10ppm/℃〜10ppm/℃である請求項1〜4のいずれかに記載の積層ポリイミドフィルム。   The laminated polyimide film according to any one of claims 1 to 4, wherein the base film is a polyimide film having a polyimide benzoxazole component and has a linear expansion coefficient of -10 ppm / ° C to 10 ppm / ° C. 請求項1〜5のいずれかに記載の積層ポリイミドフィルムの、裏打ちフィルムが貼られている面とは反対の面に、厚さ0.01μm〜10μmの機能性薄膜層が積層されていることを特徴とする機能性薄膜層積層ポリイミドフィルム。   A functional thin film layer having a thickness of 0.01 μm to 10 μm is laminated on the surface opposite to the surface on which the backing film is pasted of the laminated polyimide film according to claim 1. Characteristic functional thin film layer laminated polyimide film. 機能性薄膜層が銅、ニッケル、およびクロムから選ばれた一種以上からなる請求項6に記載の機能性薄膜層積層ポリイミドフィルム。   The functional thin film layer-laminated polyimide film according to claim 6, wherein the functional thin film layer comprises one or more selected from copper, nickel, and chromium.
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