JP2010071463A - Method for making polyimide thin-film diaphragm - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for making a diaphragm wherein reduction and uniformization in the thickness of a polyimide thin-film used for the diaphragm are achieved and highly strong adhesion of the polyamide thin-film to a substrate is achieved to scarcely allow separation. <P>SOLUTION: The preparation of the diaphragm includes a process for providing the substrate, a spin-coating process, a dehydration process, a masking process, and an etching process. In the spin coating process, a polyamic acid solution is supplied by the spin coating on the substrate. In the dehydration process, the polyamic acid solution is cyclodehydrated and polyimidated to form the polyimide thin-film. In the masking process, a mask is patterned on the surface opposing to the surface where the polyimide thin-film is formed in the substrate. In the etching process, the substrate is etched from the mask-forming side to the polyimide thin-film. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明はポリイミド薄膜のダイヤフラム製造方法に関し、特に、スピンコーティングにより形成されたポリイミド薄膜を用いたダイヤフラム製造方法に関する。   The present invention relates to a polyimide thin film diaphragm manufacturing method, and more particularly, to a diaphragm manufacturing method using a polyimide thin film formed by spin coating.

ダイヤフラムは、微量流体を運搬する汎用マイクロポンプや、圧力センサ等、様々な分野で用いられている。ダイヤフラムの材料としては、一般的には金属薄膜等が用いられるが、優れた耐薬品性、耐熱性、機械的強度を持つポリイミド膜が用いられることもある。   Diaphragms are used in various fields such as general-purpose micropumps for transporting trace fluids and pressure sensors. As a material of the diaphragm, a metal thin film is generally used, but a polyimide film having excellent chemical resistance, heat resistance, and mechanical strength may be used.

例えば特許文献1には、市販されている膜厚30μmのポリイミドのフィルムシート(Dupont社の登録商標Kapton)に、フッ素系樹脂を多層積層した複合機能フィルムを、基板に接着することでダイヤフラムを構成したものが開示されている。   For example, in Patent Document 1, a diaphragm is formed by bonding a composite functional film in which a fluorine-based resin is laminated in multilayer to a commercially available polyimide film sheet having a film thickness of 30 μm (a registered trademark Kapton of Dupont). Has been disclosed.

特開2003−227467号公報JP 2003-227467 A

ダイヤフラムをマイクロポンプとして利用する場合、ポンプにより運搬される微量流体は表面張力、粘性力、気泡等の影響を強く受けるため、ダイヤフラムに大きな変位量が求められる。ポリイミド膜のダイヤフラムの変位量を増大させるためには、ポリイミド膜を薄膜化することが考えられる。しかしながら、上述の特許文献1に記載のダイヤフラムに用いられるポリイミド膜では、十分な薄膜化が図れていなかった。   When the diaphragm is used as a micropump, the microfluid transported by the pump is strongly influenced by surface tension, viscous force, bubbles, and the like, so that a large displacement is required for the diaphragm. In order to increase the displacement of the polyimide film diaphragm, it is conceivable to make the polyimide film thinner. However, the polyimide film used for the diaphragm described in Patent Document 1 described above has not been sufficiently thinned.

また、ダイヤフラムに用いられるポリイミド膜については、膜厚が不均一であったり膜の性質が不揃いであったりすると、ダイヤフラムに用いられたときに破断してしまったり十分な変位量が得られないこともある。ここで、上述の特許文献1に記載のダイヤフラムに用いられるポリイミド膜は、市販のフィルムシートを用いているため、膜厚や膜の均一性について最適化を図ることは難しかった。   In addition, for polyimide films used for diaphragms, if the film thickness is uneven or the film properties are not uniform, it will break when used for diaphragms, and sufficient displacement will not be obtained. There is also. Here, since the polyimide film used for the diaphragm described in Patent Document 1 uses a commercially available film sheet, it has been difficult to optimize the film thickness and film uniformity.

また、従来の特許文献1に記載のダイヤフラムでは、市販のポリイミドのフィルムシートを基板に接着してダイヤフラムとしているが、接着性が弱い場合や接着斑が生じた場合には、基板からポリイミド膜が剥がれてしまう場合もあった。特にダイヤフラムをマイクロポンプ等に適用した場合、連続的に撓み運動を繰り返すことになるため、ポリイミド膜の接着性は重要である。   Moreover, in the diaphragm of the conventional patent document 1, although the commercially available polyimide film sheet is adhere | attached on a board | substrate, it is used as a diaphragm, but when adhesiveness is weak or an adhesion spot arises, a polyimide film | membrane is from a board | substrate. In some cases, it was peeled off. In particular, when the diaphragm is applied to a micropump or the like, since the bending motion is continuously repeated, the adhesiveness of the polyimide film is important.

したがって、均一なポリイミド薄膜で大きな変位量が得られ、且つ基板から剥がれにくいダイヤフラムの開発が望まれていた。   Accordingly, it has been desired to develop a diaphragm that can obtain a large amount of displacement with a uniform polyimide thin film and is difficult to peel off from the substrate.

本発明は、斯かる実情に鑑み、ダイヤフラムに用いられるポリイミド膜において、薄膜化と膜厚の均一化が可能であり、且つポリイミド膜と基板との接着性が高いダイヤフラムの製造方法を提供しようとするものである。   In view of such circumstances, the present invention is intended to provide a method for manufacturing a diaphragm that can reduce the thickness and make the film thickness uniform and has high adhesion between the polyimide film and the substrate. To do.

上述した本発明の目的を達成するために、本発明によるポリイミド薄膜のダイヤフラム製造方法は、基板を提供する過程と、ポリアミド酸溶液をスピンコーティングによって基板上に塗布するスピンコーティング過程と、ポリアミド酸溶液を脱水閉環させてポリイミド化することでポリイミド薄膜を形成する脱水過程と、基板のポリイミド薄膜が形成される面と対向する面上に、マスクをパターンニング形成するマスキング過程と、マスクが形成される面側からポリイミド薄膜まで基板をエッチング除去するエッチング過程と、を具備するものである。   In order to achieve the above-described object of the present invention, a polyimide thin film diaphragm manufacturing method according to the present invention includes a step of providing a substrate, a spin coating step of applying a polyamic acid solution onto the substrate by spin coating, and a polyamic acid solution. A dehydration process of forming a polyimide thin film by dehydrating and ring-closing and forming a polyimide, a masking process of patterning a mask on a surface of the substrate facing the surface on which the polyimide thin film is formed, and a mask are formed An etching process for etching and removing the substrate from the surface side to the polyimide thin film.

ここで、脱水過程が、オーブンを用いてポリアミド酸溶液を加熱するプリベイク過程と、ホットプレートを用いて基板のポリイミド薄膜が形成される面と対向する面からポリアミド酸溶液を加熱するポストベイク過程と、からなるものであっても良い。   Here, the dehydration process is a pre-baking process in which the polyamic acid solution is heated using an oven, and a post-baking process in which the polyamic acid solution is heated from the surface facing the surface on which the polyimide thin film is formed using a hot plate, It may consist of.

また、ポストベイク過程が、第1ポストベイクと、該第1ポストベイクの加熱時間及び加熱温度と異なる第2ポストベイクと、からなるものであっても良い。   Further, the post-baking process may include a first post-baking and a second post-baking different from the heating time and heating temperature of the first post-baking.

また、エッチング過程は、塩素系エッチングガスを用いても良い。   The etching process may use a chlorine-based etching gas.

また、本発明によるポリイミド薄膜のダイヤフラム製造方法は、基板を提供する過程と、基板のポリイミド薄膜が形成される面と対向する面上に、マスクをパターンニング形成するマスキング過程と、ポリアミド酸溶液をスピンコーティングによって基板上に塗布するスピンコーティング過程と、ポリアミド酸溶液を脱水閉環させてポリイミド化することでポリイミド薄膜を形成する脱水過程と、マスクが形成される面側からポリイミド薄膜まで基板をエッチング除去するエッチング過程と、を具備するものであっても良い。   In addition, the polyimide thin film diaphragm manufacturing method according to the present invention includes a process of providing a substrate, a masking process of patterning a mask on a surface of the substrate facing the surface on which the polyimide thin film is formed, and a polyamic acid solution. Spin coating process applied to the substrate by spin coating, dehydration process to form a polyimide thin film by dehydrating and closing the polyamic acid solution to form a polyimide, and etching removal of the substrate from the surface where the mask is formed to the polyimide thin film And an etching process.

さらに、エッチング過程の前に、ポリイミド薄膜上に金属薄膜を蒸着により形成する金属蒸着過程を具備するものであっても良い。   Furthermore, before the etching process, a metal vapor deposition process in which a metal thin film is formed on the polyimide thin film by vapor deposition may be provided.

さらに、金属蒸着過程により形成される金属薄膜を、エッチング過程の後に除去する金属薄膜除去過程を具備するものであっても良い。   Further, a metal thin film removal process for removing the metal thin film formed by the metal vapor deposition process after the etching process may be provided.

さらに、本発明のダイヤフラムは、貫通孔を有する基板と、基板の貫通孔上に形成されるポリイミド薄膜と、ポリイミド薄膜上に形成される金属薄膜と、を具備するものである。   Furthermore, the diaphragm of the present invention includes a substrate having a through hole, a polyimide thin film formed on the through hole of the substrate, and a metal thin film formed on the polyimide thin film.

本発明のポリイミド薄膜のダイヤフラム製造方法には、ダイヤフラムに用いられるポリイミド膜において、薄膜化と膜厚の均一化が可能であるという利点がある。また、ポリイミド薄膜と基板との接着性が高いダイヤフラムを提供可能であるという利点もある。   The polyimide thin film diaphragm manufacturing method of the present invention has the advantage that the polyimide film used for the diaphragm can be made thin and uniform in thickness. There is also an advantage that a diaphragm having high adhesion between the polyimide thin film and the substrate can be provided.

図1は、本発明のポリイミド薄膜のダイヤフラム製造方法の各製造過程を説明するための横断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining each manufacturing process of the polyimide thin film diaphragm manufacturing method of the present invention. 図2は、基板の裏面側に形成されるマスクを説明するための基板の底面図である。FIG. 2 is a bottom view of the substrate for explaining a mask formed on the back side of the substrate. 図3は、基板がエッチング除去された状態を説明するための基板の底面図である。FIG. 3 is a bottom view of the substrate for explaining a state in which the substrate has been removed by etching. 図4は、本発明のダイヤフラム製造方法により製造されたダイヤフラムをマイクロポンプに応用した例を説明するための横断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining an example in which the diaphragm manufactured by the diaphragm manufacturing method of the present invention is applied to a micropump.

以下、本発明を実施するための最良の形態を図示例と共に説明する。図1は、本発明のポリイミド薄膜のダイヤフラム製造方法の各製造過程を説明するための横断面図である。図示の通り、本発明のポリイミド薄膜のダイヤフラム製造方法は、基板を提供する過程(図1(a))と、スピンコーティング過程(図1(b))と、脱水過程(図1(c))と、マスキング過程(図1(d))と、エッチング過程(図1(e))とから主に構成されるものである。以下、図面を参照しながらこれらの各過程について説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining each manufacturing process of the polyimide thin film diaphragm manufacturing method of the present invention. As shown in the drawing, the polyimide thin film diaphragm manufacturing method of the present invention includes a process of providing a substrate (FIG. 1A), a spin coating process (FIG. 1B), and a dehydration process (FIG. 1C). And a masking process (FIG. 1D) and an etching process (FIG. 1E). Hereinafter, each of these processes will be described with reference to the drawings.

まず、図1(a)に示されるように、ダイヤフラムのベースとなる基板10を用意する。基板10の材料としては、後述するエッチング過程により除去可能なものであり、且つダイヤフラムのベースとなり得るような個体物であれば良い。例えば、具体的な基板材料としてはシリコンが挙げられる。   First, as shown in FIG. 1A, a substrate 10 serving as a base of a diaphragm is prepared. The material of the substrate 10 may be any solid material that can be removed by an etching process described later and can serve as a base of a diaphragm. For example, a specific substrate material is silicon.

次に、図1(b)に示されるように、基板10上にポリアミド酸溶液20を塗布する。ポリアミド酸溶液20は、スピンコーティングにより基板10上に塗布される。スピンコーティングとは、スピンコータにより被塗布面を回転させ、これに塗布する溶液を滴下することで成膜する方法である。このスピンコーティングを用いて、基板10を高速に回転させながらポリアミド酸溶液20を基板10上に滴下することで成膜する。ポリアミド酸溶液20の膜厚は、ポリアミド酸溶液20の粘度及び基板の回転数により調整される。したがって、所望の膜厚となるように適宜回転数等を調整すれば良い。   Next, as shown in FIG. 1B, a polyamic acid solution 20 is applied on the substrate 10. The polyamic acid solution 20 is applied onto the substrate 10 by spin coating. Spin coating is a method of forming a film by rotating a surface to be coated with a spin coater and dropping a solution to be coated on the surface. Using this spin coating, a film is formed by dropping the polyamic acid solution 20 onto the substrate 10 while rotating the substrate 10 at a high speed. The film thickness of the polyamic acid solution 20 is adjusted by the viscosity of the polyamic acid solution 20 and the number of rotations of the substrate. Therefore, the number of rotations and the like may be adjusted as appropriate so as to obtain a desired film thickness.

なお、ポリイミドは強い分子間力や優れた機械的性質を持つ反面、不溶不融の性質を有するため、加工性に乏しいが、本発明のように、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸溶液を基板にスピンコーティングし、後述の脱水過程において、ポリアミド酸溶液を脱水閉環してポリイミド化することで、所望の膜厚のポリイミド薄膜を得ることが可能となる。ポリアミド酸溶液は、例えば、ピロメリット酸二無水物とジアミノジフェニルエーエルを有機極性溶媒中で反応させることで得られる。   Although polyimide has strong intermolecular force and excellent mechanical properties, it has insoluble and infusible properties, so it is poor in workability. However, as in the present invention, a polyimide acid solution that is a precursor of polyimide is used as a substrate. It is possible to obtain a polyimide thin film with a desired film thickness by spin-coating and polyamidating the polyamic acid solution by dehydration and ring closure in the dehydration process described later. The polyamic acid solution can be obtained, for example, by reacting pyromellitic dianhydride and diaminodiphenyl ether in an organic polar solvent.

次に、図1(c)に示されるように、基板10上に塗布されたポリアミド酸溶液20が、脱水閉環によりポリイミド化され、基板10上にポリイミド薄膜30が形成される。脱水閉環は、ポリアミド酸溶液をポリイミド化可能な手法であれば、加熱したり脱水剤を用いたりすることが可能である。本発明では、基板とポリイミド薄膜の接着性を考慮すると、ホットプレートを用いて基板側から加熱する過程を含めることが好ましい。以下、脱水過程について詳細に説明する。   Next, as shown in FIG. 1C, the polyamic acid solution 20 applied onto the substrate 10 is converted into a polyimide by dehydration ring closure, and a polyimide thin film 30 is formed on the substrate 10. Dehydration and ring closure can be performed by heating or using a dehydrating agent as long as the polyamic acid solution can be converted into a polyimide. In the present invention, considering the adhesion between the substrate and the polyimide thin film, it is preferable to include a process of heating from the substrate side using a hot plate. Hereinafter, the dehydration process will be described in detail.

脱水過程は、急激な加熱による気泡を防ぐために、条件を変えて複数回加熱する過程からなることが好ましい。具体的には、脱水過程は、プリベイク過程と、ポストベイク過程とからなる。ここで、プリベイク過程は、オーブンを用いてポリアミド酸溶液を加熱する。そして、ポストベイク過程は、基板10のポリイミド薄膜30が形成される面と対向する面からホットプレートを用いてポリアミド酸溶液20を加熱する。ホットプレートにより基板10の裏面側から基板10を介してポリアミド酸溶液20が加熱されるため、ポリアミド酸溶液20は基板10との接触面から熱硬化が進む。したがって、成膜されるポリイミド薄膜30と基板10との密着性が高まり、ポリイミド薄膜30は強固に基板10に固着される。さらに、ポストベイク過程は、加熱時間及び加熱温度を変えた第1ポストベイク過程と、第2ポストベイク過程からなることが好ましい。これにより、より効率的に脱水閉環が可能となる。   The dehydration process preferably includes a process of heating a plurality of times under different conditions in order to prevent bubbles due to rapid heating. Specifically, the dehydration process includes a pre-bake process and a post-bake process. Here, the prebaking process heats the polyamic acid solution using an oven. In the post-baking process, the polyamic acid solution 20 is heated using a hot plate from the surface of the substrate 10 facing the surface on which the polyimide thin film 30 is formed. Since the polyamic acid solution 20 is heated from the back side of the substrate 10 through the substrate 10 by the hot plate, the polyamic acid solution 20 is thermally cured from the contact surface with the substrate 10. Accordingly, the adhesion between the polyimide thin film 30 to be formed and the substrate 10 is enhanced, and the polyimide thin film 30 is firmly fixed to the substrate 10. Furthermore, the post-baking process preferably includes a first post-baking process and a second post-baking process in which the heating time and the heating temperature are changed. Thereby, dehydration ring closure becomes possible more efficiently.

次に、図1(d)に示されるように、基板10をエッチング除去するためのマスク40を形成する。マスク40は、基板10のポリイミド薄膜30が形成される面と対向する面上にパターンニング形成される。図2を用いてマスク40の詳細を説明する。図2は、基板の裏面側に形成されるマスクを説明するための基板の底面図である。図示の通り、基板10の裏面、即ち、ポリイミド薄膜30が形成される面と対向する面上に、マスク40が形成されている。マスク40は、後述のエッチング過程によりエッチング除去しない部分を保護するためのものである。基板10の除去される部分11はポリイミド薄膜を露出させる部分であり、基板10の残される部分12はダイヤフラムのフレームとして機能する部分となる。なお、図2において、マスク40により覆われない部分は円形となっているが、本発明はこれに限定されず、ダイヤフラムの用途等により適宜形状を変更可能である。また、マスク40の材料としては、例えばアルミニウム膜等、種々の通常用いられるレジスト膜を用いることが可能である。   Next, as shown in FIG. 1D, a mask 40 for removing the substrate 10 by etching is formed. The mask 40 is formed by patterning on the surface of the substrate 10 that faces the surface on which the polyimide thin film 30 is formed. Details of the mask 40 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a bottom view of the substrate for explaining a mask formed on the back side of the substrate. As shown in the figure, a mask 40 is formed on the back surface of the substrate 10, that is, on the surface facing the surface on which the polyimide thin film 30 is formed. The mask 40 is for protecting a portion that is not etched away by an etching process described later. The portion 11 to be removed of the substrate 10 is a portion for exposing the polyimide thin film, and the remaining portion 12 of the substrate 10 is a portion that functions as a frame of the diaphragm. In FIG. 2, the portion not covered by the mask 40 is circular, but the present invention is not limited to this, and the shape can be changed as appropriate depending on the use of the diaphragm. As a material of the mask 40, various commonly used resist films such as an aluminum film can be used.

そして、図1(e)に示されるように、基板10をエッチング除去する。基板10は、マスク40が形成される面側からポリイミド薄膜30まで除去される。即ち、基板10は裏面側からポリイミド薄膜30まで貫通するようにエッチング除去される。ここで、エッチングは、ポリイミド薄膜30は損傷せず、基板10のみをエッチング除去するものが好ましい。なお、図3に、基板がエッチング除去された状態の基板の底面図を示す。エッチング法は、反応性イオンエッチング等、種々の手法を適用可能である。また、エッチングガスには塩素系ガスを用いることが好ましい。塩素系ガスは、塩素原子を含むガスであって、例えば、Cl,BCl,SiCl,CCl,CClF,CHClF,CCl,CHClF,CHCl,CClF,CHCl等のうち少なくとも1種以上のガスを含むものである。塩素系エッチングガスを用いた反応性イオンエッチングを用いると、本発明により形成されるポリイミド薄膜がダメージを殆ど受けることなく、基板をエッチング除去可能である。また、誘導結合プラズマを用いた反応性イオンエッチングの場合には、SF,CF,O等を反応性ガスとして用いれば良い。なお、必要によりマスク40はエッチングの後、除去される。 Then, as shown in FIG. 1E, the substrate 10 is removed by etching. The substrate 10 is removed from the surface on which the mask 40 is formed to the polyimide thin film 30. That is, the substrate 10 is removed by etching so as to penetrate from the back surface side to the polyimide thin film 30. Here, the etching is preferably performed by etching and removing only the substrate 10 without damaging the polyimide thin film 30. FIG. 3 shows a bottom view of the substrate with the substrate removed by etching. As the etching method, various methods such as reactive ion etching can be applied. Further, it is preferable to use a chlorine-based gas as the etching gas. Chlorine-based gas is a gas containing chlorine atom, e.g., Cl 2, BCl 3, SiCl 4, CCl 4, CClF 3, CHClF 2, CCl 2 F 2, CHCl 2 F, CHCl 3, CCl 3 F, It contains at least one gas among CH 2 Cl 2 and the like. When reactive ion etching using a chlorine-based etching gas is used, the substrate can be removed by etching with little damage to the polyimide thin film formed according to the present invention. In the case of reactive ion etching using inductively coupled plasma, SF 6 , CF 4 , O 2 or the like may be used as a reactive gas. If necessary, the mask 40 is removed after etching.

また、上述の反応性イオンエッチング等のドライエッチングだけでなく、ウェットエッチングにより基板を裏面側からポリイミド薄膜まで貫通するように除去しても良い。例えば、5μm以下、例えば1.5μm以下といった非常に薄いポリイミド薄膜を形成する場合、ドライエッチング時の熱によりポリイミド薄膜が損傷させられる可能性がある。したがって、このように非常に薄い薄膜を形成する場合には、ウェットエッチング等の熱が生じない方法により基板をエッチング除去することが好ましい。なお、ウェットエッチング液としては、例えば一般的なKOH等を用いれば良い。   In addition to dry etching such as reactive ion etching as described above, the substrate may be removed by wet etching so as to penetrate from the back surface side to the polyimide thin film. For example, when a very thin polyimide thin film of 5 μm or less, for example, 1.5 μm or less is formed, the polyimide thin film may be damaged by heat during dry etching. Therefore, when forming such a very thin thin film, it is preferable to etch away the substrate by a method that does not generate heat, such as wet etching. As the wet etching solution, for example, general KOH or the like may be used.

本発明によるポリイミド薄膜のダイヤフラム製造方法によれば、上述のような過程を経ることにより、ポリイミド膜の薄膜化と膜厚の均一化を高い精度で実現しつつ、ポリイミド薄膜と基板との接着性が高いダイヤフラムを得ることが可能となる。   According to the polyimide thin film diaphragm manufacturing method according to the present invention, the polyimide thin film and the substrate can be adhered to each other while the polyimide film is thinned and the film thickness is uniformized through the above-described process. It is possible to obtain a high diaphragm.

なお、上述の説明では、マスクをパターンニング形成するマスキング過程は、ポリイミド薄膜を形成する脱水過程の後に行われるよう説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されず、基板を設けた後にマスクをパターンニング形成した後、スピンコーティング過程等を実行しても構わない。マスクは、最終的に基板をエッチング除去する前までに形成されていれば良い。   In the above description, the masking process for patterning the mask is performed after the dehydration process for forming the polyimide thin film. However, the present invention is not limited to this, and a spin coating process or the like may be executed after patterning the mask after providing the substrate. The mask may be formed before the substrate is finally removed by etching.

以下、膜厚10μmのポリイミド薄膜を用いて直径5mmのダイヤフラムを製造する本発明の方法の具体的実施例を説明する。   Hereinafter, specific examples of the method of the present invention for producing a diaphragm having a diameter of 5 mm using a polyimide thin film having a thickness of 10 μm will be described.

まず、16mm四方のシリコン基板を用意する。シリコン基板の膜厚は0.4mmとした。   First, a 16 mm square silicon substrate is prepared. The film thickness of the silicon substrate was 0.4 mm.

そして、前駆体であるポリアミド酸溶液を基板上に塗布する。ポリアミド酸溶液としては、日立化成デュポン社製のPIX−3400を用いた。この溶液は、粘度13Pa・sである。粘度は成膜後の膜厚や特性に影響を及ぼすため、室温20℃、湿度40%に設定されたクリーンルーム内でポリアミド酸溶液を基板上に塗布した。   And the polyamic acid solution which is a precursor is apply | coated on a board | substrate. As the polyamic acid solution, PIX-3400 manufactured by Hitachi Chemical DuPont was used. This solution has a viscosity of 13 Pa · s. Since the viscosity affects the film thickness and properties after film formation, the polyamic acid solution was applied onto the substrate in a clean room set at room temperature 20 ° C. and humidity 40%.

また、ポリアミド酸溶液のスピンコータによる塗布条件については、成膜後に得たい膜厚によって変わる。スピンコータの回転数は、2段階に変化させることが好ましい。より具体的には、まず第1段階の回転数として800rpmを8秒行う。次に第2段階の回転数であるが、第2段階の回転数を変えることにより膜厚の調整が可能となる。第2段階の回転数は所望の膜厚に応じて決定し、これを30秒行う。例えば、ポリアミド酸溶液としてPIX−3400を用いた場合、10μmのポリイミド薄膜を得るには第2段階の回転数は2500rpmとしてポリアミド酸溶液を塗布すれば良い。なお、6μmのポリイミド薄膜を得る場合には、4500rpm程度であれば良い。スピンコータの回転数が上がるに連れて、膜厚の均一性がより高まる。また、使用するポリアミド酸溶液の粘度にも拠るが、PIX−3400(粘度13Pa・s)を用いた場合には、加工性及び膜厚特性から、膜厚の範囲は2μm〜15μm程度、より好ましくは3μm〜12μm程度である。   Moreover, the application conditions of the polyamic acid solution by a spin coater vary depending on the film thickness desired to be obtained after film formation. The rotational speed of the spin coater is preferably changed in two stages. More specifically, first, 800 rpm is performed for 8 seconds as the rotation speed in the first stage. Next, regarding the rotation speed of the second stage, the film thickness can be adjusted by changing the rotation speed of the second stage. The number of rotations in the second stage is determined according to the desired film thickness, and this is performed for 30 seconds. For example, when PIX-3400 is used as the polyamic acid solution, the polyamic acid solution may be applied at a second rotational speed of 2500 rpm in order to obtain a 10 μm polyimide thin film. In addition, when obtaining a 6 micrometer polyimide thin film, what is necessary is just about 4500 rpm. As the rotation speed of the spin coater increases, the film thickness uniformity increases. Further, although depending on the viscosity of the polyamic acid solution to be used, when PIX-3400 (viscosity 13 Pa · s) is used, the range of film thickness is more preferably about 2 μm to 15 μm from the viewpoint of workability and film thickness characteristics. Is about 3 μm to 12 μm.

次に、ポリアミド酸溶液を塗布後、ポリアミド酸溶液を加熱してポリイミド化する。まず、プリベイクとして120℃で5分、オーブンで加熱する。次に、第1ポストベイクとして、200℃で5分、ホットプレートにより基板裏面から加熱する。さらに温度を上げて、第2ポストベイクとして、350℃で10分、同じくホットプレートにより基板裏面から加熱する。なお、加熱不足を防ぐため、ポストベイクは少々長めの時間で行った。但し、ホットプレートによる加熱はオーブンによる加熱よりも効率が良く、より短い時間でポリイミド化が可能である。   Next, after applying the polyamic acid solution, the polyamic acid solution is heated to be polyimideized. First, it is heated in an oven at 120 ° C. for 5 minutes as a pre-bake. Next, as a first post-bake, the substrate is heated from the back of the substrate with a hot plate at 200 ° C. for 5 minutes. The temperature is further raised, and the second post-bake is heated from 350 ° C. for 10 minutes using the same hot plate from the back side of the substrate. In order to prevent insufficient heating, the post-baking was performed for a slightly longer time. However, heating with a hot plate is more efficient than heating with an oven, and polyimide formation is possible in a shorter time.

次に、基板裏面側にマスクをパターンニング形成する。0.4mmのシリコン基板を貫通するようにエッチング除去する必要があるため、通常のレジスト膜よりも耐久性のあるアルミニウム膜をマスク材として用いた。   Next, a mask is formed by patterning on the back side of the substrate. Since it is necessary to remove by etching so as to penetrate a 0.4 mm silicon substrate, an aluminum film that is more durable than a normal resist film was used as a mask material.

そして、マスキングされた側から基板をポリイミド薄膜までエッチング除去する。エッチングは、反応性イオンエッチング、具体的には誘導結合プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより行った。エッチングガスはSF、ガス流量550sccm、1サイクル10秒とし、デポジッションガスはC、ガス流量330sccm、1サイクル3秒とし、これらを交互にマスクが形成された面に吹き付けてエッチングを行った。本発明のダイヤフラム製造方法では、基板を貫通させてダイヤフラムを製造するため、エッチング膜厚を制御する等の特別な手法を用いる必要はない。 Then, the substrate is etched away to the polyimide thin film from the masked side. Etching was performed by reactive ion etching, specifically, reactive ion etching using inductively coupled plasma. The etching gas is SF 6 , the gas flow rate is 550 sccm, 1 cycle 10 seconds, the deposition gas is C 4 F 8 , the gas flow rate is 330 sccm, 1 cycle 3 seconds, and these are alternately sprayed onto the surface on which the mask is formed for etching. went. In the diaphragm manufacturing method of the present invention, since the diaphragm is manufactured by penetrating the substrate, it is not necessary to use a special technique such as controlling the etching film thickness.

このようにして、ポリイミド薄膜のダイヤフラムを製造することが可能である。製造されたダイヤフラムのポリイミド薄膜は均一性が高く、また、スタッドプル試験においても非常に大きな荷重までポリイミド薄膜が基板から剥がれることなく密着していることが確認できた。   In this way, it is possible to produce a polyimide thin film diaphragm. The manufactured polyimide thin film of the diaphragm was highly uniform, and it was confirmed in the stud pull test that the polyimide thin film was adhered to a very large load without peeling off from the substrate.

また、ダイヤフラムに対してシリンダで空気圧を与えて、ポリイミド薄膜の圧力に対する変位を測定したところ、±20kPaにおいて100μmという大きな変位が確認できた。また、この圧力に対する変位は略線形性を有していた。さらに、加圧、吸引による復元時のポリイミド薄膜のヒステリシスをそれぞれ算出すると、加圧時に平均2.3%、吸引時に平均2.9%となっており、本発明により製造されたポリイミド薄膜が優れた復元特性を有していることが分かった。   Further, when the air pressure was applied to the diaphragm with a cylinder and the displacement of the polyimide thin film with respect to the pressure was measured, a large displacement of 100 μm was confirmed at ± 20 kPa. Moreover, the displacement with respect to this pressure had substantially linearity. Furthermore, when the hysteresis of the polyimide thin film at the time of restoration by pressurization and suction is calculated, the average is 2.3% at the time of pressurization and 2.9% at the time of suction, and the polyimide thin film manufactured by the present invention is excellent. It has been found that it has good restoration characteristics.

また、連続荷重に対しても、変位は比較的小さなばらつきに収まっており、さらに10kPaの静荷重を1万回繰り返し与えても破断等はなかった。   In addition, the displacement was kept within a relatively small variation with respect to the continuous load, and even when a static load of 10 kPa was repeatedly applied 10,000 times, there was no breakage.

さらに、ダイヤフラムの中心にレーザドップラ振動計を当て、振動を与えてFFTアナライザで測定したところ、平均共振周波数は27.5kHzであった。一般に、バルク状のポリイミド薄膜は低弾性率(例えば3GPa)であるため周波数が低いが、本発明のダイヤフラム製造方法によるポリイミド薄膜では、膜厚を薄くしたことにより高い周波数が得られた。したがって、ダイヤフラムの膜応答性が高いことが分かる。   Further, when a laser Doppler vibrometer was applied to the center of the diaphragm, vibration was applied and measurement was performed with an FFT analyzer, the average resonance frequency was 27.5 kHz. In general, a bulk polyimide thin film has a low elastic modulus (for example, 3 GPa) and thus has a low frequency. However, in the polyimide thin film produced by the diaphragm manufacturing method of the present invention, a high frequency was obtained by reducing the film thickness. Therefore, it can be seen that the membrane response of the diaphragm is high.

次に、膜厚が10μm以下、例えば5μm以下のポリイミド薄膜のダイヤフラムの製造条件について説明する。膜厚を制御する主な条件は、ポリアミド酸溶液の粘度とスピンコータの回転数である。上述の10μmのポリイミド薄膜を得る例では、粘度13Pa・sのポリアミド酸溶液を用い、2500rpmの回転数でスピンコートしていた。しかしながら、例えば、粘度13Pa・sのポリアミド酸溶液を6000rpm程度でスピンコートした場合には、3μm程度の膜厚のポリイミド薄膜が得られた。また、粘度を1Pa・s程度に希釈したポリアミド酸溶液を用いた場合には、6000rpmの回転数でスピンコートすることで、膜厚1μm程度のポリイミド薄膜を得ることが可能となる。さらに回転数を上げることで、1μm未満のポリイミド薄膜も製造可能となる。   Next, manufacturing conditions for a polyimide thin film diaphragm having a film thickness of 10 μm or less, for example, 5 μm or less will be described. The main conditions for controlling the film thickness are the viscosity of the polyamic acid solution and the rotational speed of the spin coater. In the above example of obtaining a 10 μm polyimide thin film, a polyamic acid solution having a viscosity of 13 Pa · s was used and spin coating was performed at a rotational speed of 2500 rpm. However, for example, when a polyamic acid solution having a viscosity of 13 Pa · s was spin-coated at about 6000 rpm, a polyimide thin film having a thickness of about 3 μm was obtained. When a polyamic acid solution having a viscosity diluted to about 1 Pa · s is used, a polyimide thin film having a thickness of about 1 μm can be obtained by spin coating at a rotational speed of 6000 rpm. Further, by increasing the rotational speed, a polyimide thin film having a thickness of less than 1 μm can be produced.

なお、ドライエッチングにより基板の裏面からポリイミド薄膜まで基板をエッチング除去してダイヤフラムを製造する場合、5μm以下、特に1.5μm以下といった非常に薄いポリイミド薄膜を形成した場合、ドライエッチング時に発生する熱によりポリイミド薄膜が損傷を受ける可能性がある。この場合には、上述のようにウェットエッチングを用いれば良い。   In the case of manufacturing a diaphragm by etching and removing the substrate from the back surface of the substrate to the polyimide thin film by dry etching, when a very thin polyimide thin film of 5 μm or less, particularly 1.5 μm or less is formed, heat generated during dry etching is used. The polyimide thin film may be damaged. In this case, wet etching may be used as described above.

以上のように、本発明のダイヤフラム製造方法で形成されるダイヤフラムは、均一な膜厚で非常に薄い薄膜を形成することができることから、マイクロポンプに求められる大きい変位量を実現することができる。また、ヒステリシスが小さく、優れた復元性を有し、動作に対する膜の応答性が良いという利点もある。さらに、本発明のダイヤフラム製造方法で形成されるダイヤフラムは、基板とポリイミド膜との密着性が優れているため、耐久性に優れるという利点もある。   As described above, since the diaphragm formed by the diaphragm manufacturing method of the present invention can form a very thin thin film with a uniform film thickness, a large displacement required for a micropump can be realized. In addition, there is an advantage that the hysteresis is small, the film has excellent recoverability, and the response of the film to the operation is good. Furthermore, since the diaphragm formed by the diaphragm manufacturing method of the present invention has excellent adhesion between the substrate and the polyimide film, it also has an advantage of excellent durability.

次に、本発明のダイヤフラム製造方法により製造されたダイヤフラムをマイクロポンプに応用した例を、図4を用いて説明する。図4は、本発明のダイヤフラム製造方法により製造されたダイヤフラムをマイクロポンプに応用した例を説明するための横断面図であり、図4(a)がマイクロポンプの吐出時のダイヤフラムの状態を、図4(b)がマイクロポンプの吸引時のダイヤフラムの状態を示している。図中、図1と同一の符号を付した部分は同一物を表わしている。図示の通り、マイクロポンプは、ダイヤフラムに吐出弁51と吸引弁52を有する弁素子50を設けたものである。弁素子50は、例えば厚さ0.5mmの2枚のアクリル板からなるものであり、これらに例えば直径0.5mm及び直径1.2mmの孔を開け、ダイヤフラムに対して非対称に貼り合わせる。即ち、ダイヤフラム側のアクリル板に1.2mmの孔が開けられると共に、吐出側のアクリル板に0.5mmの孔が開けられ、これらが一連となって吐出弁51が構成されている。他方、ダイヤフラム側のアクリル板に0.5mmの孔が開けられると共に、吸引側のアクリル板に1.2mmの孔が開けられ、これらが一連となって吸引弁52が構成されている。このように構成されることで、流路の抵抗差を利用した弁素子が実現可能である。このような構成の弁素子50を、ダイヤフラムの基板10のポリイミド薄膜30が形成される面と対向する面上に貼り付けることで、マイクロポンプを構成する。   Next, the example which applied the diaphragm manufactured by the diaphragm manufacturing method of this invention to the micropump is demonstrated using FIG. FIG. 4 is a transverse cross-sectional view for explaining an example in which the diaphragm manufactured by the diaphragm manufacturing method of the present invention is applied to a micropump. FIG. 4 (a) shows the state of the diaphragm during discharge of the micropump. FIG. 4B shows the state of the diaphragm during the suction of the micropump. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same parts. As shown in the figure, the micropump has a diaphragm provided with a valve element 50 having a discharge valve 51 and a suction valve 52. The valve element 50 is made of, for example, two acrylic plates having a thickness of 0.5 mm, and, for example, holes having a diameter of 0.5 mm and a diameter of 1.2 mm are formed and bonded asymmetrically to the diaphragm. That is, a 1.2 mm hole is formed in the diaphragm side acrylic plate, and a 0.5 mm hole is formed in the discharge side acrylic plate. On the other hand, a 0.5 mm hole is formed in the diaphragm-side acrylic plate, and a 1.2-mm hole is formed in the suction-side acrylic plate. With this configuration, it is possible to realize a valve element using the resistance difference of the flow path. The valve element 50 having such a configuration is attached to a surface of the diaphragm substrate 10 opposite to the surface on which the polyimide thin film 30 is formed to constitute a micropump.

そして、ダイヤフラムの基板10のポリイミド薄膜30が設けられる側に、空気圧を与えることが可能なように、エアポンプを接続する(図示は省略する)。エアポンプによりダイヤフラムを加圧すると、図4(a)に示されるように、ポリイミド薄膜が凹み、ダイヤフラム内の液体等が吐出される。また、エアポンプによりダイヤフラムを吸引すると、図4(b)に示されるように、ポリイミド薄膜が凸み、ダイヤフラム内に液体等が吸引される。   Then, an air pump is connected to the side of the diaphragm substrate 10 where the polyimide thin film 30 is provided so that air pressure can be applied (not shown). When the diaphragm is pressurized by the air pump, the polyimide thin film is recessed as shown in FIG. 4A, and the liquid in the diaphragm is discharged. Further, when the diaphragm is sucked by the air pump, as shown in FIG. 4B, the polyimide thin film protrudes, and liquid or the like is sucked into the diaphragm.

このようなマイクロポンプに本発明のダイヤフラム製造方法により製造されたダイヤフラムを用いれば、変位量も大きく耐久性も高く、反応速度も速い優れたマイクロポンプを提供可能となる。   If the diaphragm manufactured by the diaphragm manufacturing method of the present invention is used for such a micropump, it is possible to provide an excellent micropump having a large displacement, high durability, and high reaction speed.

次に、ポリイミド薄膜と金属薄膜の複合膜を用いたダイヤフラムについて説明する。上述のマイクロポンプの例では、空気圧によりダイヤフラムを駆動させていたが、ポリイミド薄膜と金属薄膜の複合膜を用いたダイヤフラムとすることで、静電気力により駆動可能なマイクロポンプにも適用可能となる。   Next, a diaphragm using a composite film of a polyimide thin film and a metal thin film will be described. In the above-described example of the micropump, the diaphragm is driven by air pressure. However, the diaphragm using a composite film of a polyimide thin film and a metal thin film can be applied to a micropump that can be driven by electrostatic force.

ダイヤフラムは、貫通孔を有する基板と、基板の貫通孔上に形成されるポリイミド薄膜と、ポリイミド薄膜上に形成される金属薄膜とからなるものである。例えば、上述のように製造したポリイミド薄膜上に金属薄膜を蒸着により形成する。金属としては、例えばアルミニウムとし、これを真空蒸着によりポリイミド薄膜上に設ける。アルミニウム薄膜の膜厚としては、静電気力に作用させるためには例えば0.1μm程度であれば良い。なお、真空蒸着による熱でポリイミド薄膜が損傷することは無かった。金属薄膜をポリイミド薄膜上に蒸着するタイミングとしては、ポリイミド薄膜が形成された後であればいつでも良い。また、金属薄膜を形成する範囲については、ポリイミド薄膜上の全面に形成しても勿論良いが、基板の貫通孔上に設けられるポリイミド薄膜上の、貫通孔の位置する内側領域に設けられることが好ましい。これは、貫通孔の周縁付近に位置するポリイミド薄膜の部分が最もポンプ動作による変形が大きい部分であるためである。   The diaphragm is composed of a substrate having a through hole, a polyimide thin film formed on the through hole of the substrate, and a metal thin film formed on the polyimide thin film. For example, a metal thin film is formed by vapor deposition on the polyimide thin film manufactured as described above. The metal is aluminum, for example, and is provided on the polyimide thin film by vacuum deposition. The film thickness of the aluminum thin film may be about 0.1 μm, for example, in order to act on the electrostatic force. In addition, the polyimide thin film was not damaged by the heat | fever by vacuum evaporation. The timing for depositing the metal thin film on the polyimide thin film may be any time after the polyimide thin film is formed. Of course, the metal thin film may be formed on the entire surface of the polyimide thin film. However, the metal thin film may be formed in the inner region where the through hole is located on the polyimide thin film provided on the through hole of the substrate. preferable. This is because the portion of the polyimide thin film located near the periphery of the through hole is the portion most deformed by the pump operation.

このように製造されたポリイミド薄膜と金属薄膜の複合膜のダイヤフラムは、静電気力により駆動することが可能となる。即ち、静電気力により複合膜を吸い寄せたり反発させたりすることで、ダイヤフラムの吸引・吐出動作が可能となり、ダイヤフラムの制御がより容易となる。   The thus-produced composite film diaphragm of polyimide thin film and metal thin film can be driven by electrostatic force. That is, by sucking or repelling the composite film by electrostatic force, the diaphragm can be sucked and discharged, and the control of the diaphragm becomes easier.

なお、ポリイミド薄膜と金属薄膜の複合膜を形成後、基板をエッチング除去する場合、ドライエッチングするときに発生する熱を、金属薄膜に伝導させてポリイミド薄膜の損傷を抑えることが可能となる。これにより、ポリイミド薄膜をさらに薄く形成することができる。したがって、ドライエッチングを行うならば、金属薄膜の蒸着過程は、基板のエッチング過程の前に行うことが好ましい。さらに、基板をエッチング除去した後に、金属薄膜を除去しても良い。これにより、ポリイミド薄膜を単膜で利用する場合にも、ドライエッチングであってもさらなる薄膜化が可能となる。金属薄膜除去には、例えば酸性溶液にポリイミド薄膜を浸漬することで、ポリイミド薄膜には影響を及ぼさずに金属薄膜のみを溶解させれば良い。   In addition, when the substrate is etched away after forming the composite film of the polyimide thin film and the metal thin film, heat generated during dry etching can be conducted to the metal thin film to suppress damage to the polyimide thin film. Thereby, a polyimide thin film can be formed still thinner. Therefore, if dry etching is performed, the metal thin film deposition process is preferably performed before the substrate etching process. Further, the metal thin film may be removed after the substrate is etched away. Thereby, even when the polyimide thin film is used as a single film, it is possible to further reduce the thickness even by dry etching. For removing the metal thin film, for example, the polyimide thin film may be immersed in an acidic solution to dissolve only the metal thin film without affecting the polyimide thin film.

なお、本発明のポリイミド薄膜のダイヤフラム製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。   In addition, the diaphragm manufacturing method of the polyimide thin film of this invention is not limited only to the above-mentioned example of illustration, Of course, various changes can be added within the range which does not deviate from the summary of this invention.

10 基板
20 ポリアミド酸薄膜
30 ポリイミド薄膜
40 マスク
50 弁素子
51 吐出弁
52 吸引弁
10 Substrate 20 Polyamide acid thin film 30 Polyimide thin film 40 Mask 50 Valve element 51 Discharge valve 52 Suction valve

Claims (8)

ポリイミド薄膜のダイヤフラム製造方法であって、該ダイヤフラム製造方法は、
基板を提供する過程と、
ポリアミド酸溶液をスピンコーティングによって前記基板上に塗布するスピンコーティング過程と、
前記ポリアミド酸溶液を脱水閉環させてポリイミド化することでポリイミド薄膜を形成する脱水過程と、
前記基板の前記ポリイミド薄膜が形成される面と対向する面上に、マスクをパターンニング形成するマスキング過程と、
前記マスクが形成される面側から前記ポリイミド薄膜まで前記基板をエッチング除去するエッチング過程と、
を具備することを特徴とするダイヤフラム製造方法。
A method for producing a diaphragm for a polyimide thin film, the method for producing a diaphragm comprising:
Providing a substrate; and
A spin coating process of applying a polyamic acid solution onto the substrate by spin coating;
A dehydration process for forming a polyimide thin film by dehydrating and ring-closing the polyamic acid solution to form a polyimide;
A masking process for patterning a mask on a surface of the substrate facing the surface on which the polyimide thin film is formed;
An etching process for etching and removing the substrate from the surface side on which the mask is formed to the polyimide thin film;
A diaphragm manufacturing method comprising:
請求項1に記載のダイヤフラム製造方法において、前記脱水過程が、オーブンを用いて前記ポリアミド酸溶液を加熱するプリベイク過程と、ホットプレートを用いて前記基板の前記ポリイミド薄膜が形成される面と対向する面から前記ポリアミド酸溶液を加熱するポストベイク過程と、からなることを特徴とするダイヤフラム製造方法。   2. The diaphragm manufacturing method according to claim 1, wherein the dehydration process is opposed to a pre-bake process of heating the polyamic acid solution using an oven and a surface of the substrate on which the polyimide thin film is formed using a hot plate. And a post-baking process of heating the polyamic acid solution from the surface. 請求項2に記載のダイヤフラム製造方法において、前記ポストベイク過程が、第1ポストベイクと、該第1ポストベイクの加熱時間及び加熱温度と異なる第2ポストベイクと、からなることを特徴とするダイヤフラム製造方法。   3. The diaphragm manufacturing method according to claim 2, wherein the post-baking process includes a first post-baking and a second post-baking different from the heating time and heating temperature of the first post-baking. 請求項1乃至請求項3の何れかに記載のダイヤフラム製造方法において、前記エッチング過程は、塩素系エッチングガスを用いることを特徴とするダイヤフラム製造方法。   4. The diaphragm manufacturing method according to claim 1, wherein the etching process uses a chlorine-based etching gas. ポリイミド薄膜のダイヤフラム製造方法であって、該ダイヤフラム製造方法は、
基板を提供する過程と、
前記基板のポリイミド薄膜が形成される面と対向する面上に、マスクをパターンニング形成するマスキング過程と、
ポリアミド酸溶液をスピンコーティングによって前記基板上に塗布するスピンコーティング過程と、
前記ポリアミド酸溶液を脱水閉環させてポリイミド化することでポリイミド薄膜を形成する脱水過程と、
前記マスクが形成される面側から前記ポリイミド薄膜まで前記基板をエッチング除去するエッチング過程と、
を具備することを特徴とするダイヤフラム製造方法。
A method for producing a diaphragm for a polyimide thin film, the method for producing a diaphragm comprising:
Providing a substrate; and
A masking process for patterning a mask on the surface of the substrate opposite to the surface on which the polyimide thin film is formed;
A spin coating process of applying a polyamic acid solution onto the substrate by spin coating;
A dehydration process for forming a polyimide thin film by dehydrating and ring-closing the polyamic acid solution to form a polyimide;
An etching process for etching and removing the substrate from the surface side on which the mask is formed to the polyimide thin film;
A diaphragm manufacturing method comprising:
請求項1乃至請求項5の何れかに記載のダイヤフラム製造方法であって、さらに、前記エッチング過程の前に、ポリイミド薄膜上に金属薄膜を蒸着により形成する金属蒸着過程を具備することを特徴とするダイヤフラム製造方法   The diaphragm manufacturing method according to any one of claims 1 to 5, further comprising a metal vapor deposition step of forming a metal thin film on the polyimide thin film by vapor deposition before the etching step. Diaphragm manufacturing method 請求項6に記載のダイヤフラム製造方法であって、さらに、前記金属蒸着過程により形成される金属薄膜を、エッチング過程の後に除去する金属薄膜除去過程を具備することを特徴とするダイヤフラム製造方法。   The diaphragm manufacturing method according to claim 6, further comprising a metal thin film removing process of removing the metal thin film formed by the metal vapor deposition process after the etching process. 貫通孔を有する基板と、
前記基板の貫通孔上に形成されるポリイミド薄膜と、
前記ポリイミド薄膜上に形成される金属薄膜と、
を具備することを特徴とするダイヤフラム。
A substrate having a through hole;
A polyimide thin film formed on the through hole of the substrate;
A metal thin film formed on the polyimide thin film;
A diaphragm characterized by comprising:
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