JP2010066557A - Optical waveguide-type rf optical converter, optical modulation element and optical filter - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光導波路を用いて高周波(RF;Radio Frequency)信号を光信号に変換する光導波路型RF光変換器、光信号をRF信号によって変調する光変調素子、および複数の波長の光の中から一部の波長の光を選択する光フィルタに関する。 The present invention relates to an optical waveguide type RF optical converter that converts an RF (Radio Frequency) signal into an optical signal using an optical waveguide, an optical modulation element that modulates an optical signal by an RF signal, and a plurality of wavelengths of light. The present invention relates to an optical filter that selects light having a partial wavelength from the inside.
従来より、光通信分野等においては、RF信号を光信号に変換するRF光変換器が用いられている(非特許文献1を参照)。このRF光変換器は、誘電体共振アンテナと、電気光学(EO;Electro-Optical)効果を生じる結晶(EO結晶)とを用いて構成される。誘電体共振アンテナは、チタン酸バリウム等からなり、円筒形状を有する。EO結晶は、ニオブ酸リチウムからなり、円板型の共振器を構成する。EO結晶は、誘電体共振アンテナの下部に配設され、誘電体共振アンテナが受信したRF信号による電界に応じて屈折率が変化するようになっている。EO結晶には、レーザ光源から出射された光が透過するダイアモンドプリズムが隣接配設され、そのダイアモンドプリズムと光結合するようになっている。RF光変換器は、誘電体共振アンテナが受信したRF信号に応じてレーザ光源から出射された光を強度変調する(言い換えると、RF信号を光強度信号に変換する)ようになっている(非特許文献1を参照)。
上記のRF光変換器に用いられるEO結晶は、ニオブ酸リチウムのバルク結晶を研磨することにより形成されることから、レーザから出射された光を導光する導波路等と共に集積化することが困難である。また、誘電体共振アンテナは、その直径が11.25mm、高さが9mmとされ、大型であることから、やはり集積化が困難である。このため、このようなEO結晶と誘電体共振アンテナとを用いたRF光変換器は、全体サイズが大きくなり、アプリケーション装置への搭載が制約される。また、EO結晶は、ニオブ酸リチウムのバルク結晶から作製されるので、例えばシリコン基板等に比べると高価になる。 Since the EO crystal used in the RF optical converter is formed by polishing a bulk crystal of lithium niobate, it is difficult to integrate it with a waveguide that guides light emitted from the laser. It is. Further, the dielectric resonant antenna has a diameter of 11.25 mm and a height of 9 mm, and is large, so that it is difficult to integrate. For this reason, the RF optical converter using such an EO crystal and a dielectric resonant antenna has a large overall size and is restricted from being mounted on an application device. Further, since the EO crystal is made from a bulk crystal of lithium niobate, it is more expensive than, for example, a silicon substrate.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、小型で、且つ、安価に作製することができる光導波路型RF光変換器、光変調素子および光フィルタを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an optical waveguide type RF optical converter, an optical modulation element, and an optical filter that are small and can be manufactured at low cost. And
本発明の光導波路型RF光変換器は、コアおよびクラッドを含んで構成され光導波路に光結合するように設けられたリング状光導波路を含むリング共振器と、リング状光導波路のクラッドの一部をなすように設けられ、外部から印加された電界の強度に応じて屈折率が変化する誘電体層とを備える。この光導波路型RF光変換器は、外部電界(電波)の強度変化を、光導波路を通過する光の強度変化に変換するものである。 An optical waveguide type RF optical converter of the present invention includes a ring resonator including a ring-shaped optical waveguide that is configured to include a core and a cladding and is optically coupled to the optical waveguide, and one of the claddings of the ring-shaped optical waveguide. And a dielectric layer whose refractive index changes according to the strength of the electric field applied from the outside. This optical waveguide type RF optical converter converts an intensity change of an external electric field (radio wave) into an intensity change of light passing through the optical waveguide.
本発明の光変調素子は、光入射端と光出射端とを有する光導波路と、コアおよびクラッドを含んで構成され光導波路に光結合するように設けられたリング状光導波路を含むリング共振器と、リング状光導波路のクラッドの一部をなすように設けられ、外部から印加された電界の強度に応じて屈折率が変化する誘電体層とを備える。この光変調素子は、光導波路の光入射端から入射した光の強度を外部電界(電波)によって変調して光出射端から出射するものである。 An optical modulation element of the present invention includes a ring resonator including an optical waveguide having a light incident end and a light output end, and a ring-shaped optical waveguide that includes a core and a clad and is provided so as to be optically coupled to the optical waveguide. And a dielectric layer that is provided so as to form a part of the clad of the ring-shaped optical waveguide and whose refractive index changes according to the strength of the electric field applied from the outside. This light modulation element modulates the intensity of light incident from the light incident end of the optical waveguide by an external electric field (radio wave) and emits the light from the light emitting end.
本発明の光フィルタは、光入射端と光出射端とを有する光導波路と、コアおよびクラッドを含んで構成され光導波路に光結合するように設けられたリング状光導波路を含むリング共振器と、リング状光導波路の前記クラッドの一部をなすように設けられ、外部から印加された電界の強度に応じて屈折率が変化する誘電体層とを備える。この光フィルタは、電界に応じて、光導波路の光入射端から入射した複数の波長の光の中から特定波長の光を選択し、光出射端から出射するものである。 An optical filter of the present invention includes an optical waveguide having a light incident end and a light emitting end, a ring resonator including a ring-shaped optical waveguide configured to include an optical waveguide and a core and a clad, and And a dielectric layer which is provided so as to form a part of the clad of the ring-shaped optical waveguide and whose refractive index changes according to the strength of the electric field applied from the outside. This optical filter selects light of a specific wavelength from among a plurality of wavelengths incident from the light incident end of the optical waveguide according to the electric field and emits the light from the light emitting end.
本発明の光導波路型RF光変換器または光変調素子では、RF信号による外部電界に応じて誘電体層の屈折率が変化し、その結果、リング状光導波路の有効屈折率が変化する。この有効屈折率の変化によって、リング共振器の共振条件が変化して、フィルタ特性が短波長方向または長波長方向にシフトするので、光導波路を伝播する光の強度が変化する。これにより、本発明の光導波路型RF光変換器では、入力されたRF信号が光強度信号に変換される。また、本発明の光変調素子では、強度が一定の入射光がRF信号によって強度変調され、出射光として出力される。 In the optical waveguide type RF optical converter or optical modulation element of the present invention, the refractive index of the dielectric layer changes according to the external electric field generated by the RF signal, and as a result, the effective refractive index of the ring-shaped optical waveguide changes. Due to this change in the effective refractive index, the resonance condition of the ring resonator changes and the filter characteristics shift in the short wavelength direction or the long wavelength direction, so that the intensity of light propagating through the optical waveguide changes. Thereby, in the optical waveguide type RF optical converter of the present invention, the input RF signal is converted into a light intensity signal. In the light modulation element of the present invention, incident light having a constant intensity is intensity-modulated by an RF signal and output as emitted light.
本発明の光フィルタでは、光導波路の光入射端から複数の波長の光を入射し、これらの波長の光の中から、時間と共に変化するRF信号による外部電界の強弱に応じて選択波長が変化することを利用して、特定波長の光を選択し、選択した光を光出射端から出射する。この結果、出力光の波長が時々刻々変化するような光フィルタを構成する。 In the optical filter of the present invention, light of a plurality of wavelengths is incident from the light incident end of the optical waveguide, and the selected wavelength changes according to the strength of the external electric field due to the RF signal that changes with time from among the light of these wavelengths By utilizing this, light of a specific wavelength is selected, and the selected light is emitted from the light exit end. As a result, an optical filter is configured in which the wavelength of the output light changes from moment to moment.
本発明の光導波路型RF光変換器、光変調素子または光フィルタでは、外部電界を誘電体層に集中させるためのアンテナを備えることが好ましい。誘電体層は、例えばニオブ酸リチウム等の強誘電体材料により構成することが可能である。リング共振器および誘電体層は、シリコン基板等の基板上に薄膜プロセスを用いて集積化して形成することが可能である。 The optical waveguide type RF optical converter, optical modulation element or optical filter of the present invention preferably includes an antenna for concentrating an external electric field on the dielectric layer. The dielectric layer can be made of a ferroelectric material such as lithium niobate. The ring resonator and the dielectric layer can be formed by being integrated on a substrate such as a silicon substrate using a thin film process.
本発明の光導波路型RF光変換器、光変調素子または光フィルタによれば、リング状光導波路のクラッドの一部をなすように誘電体層を配置したので、リング状光導波路と誘電体層とをシリコン基板等の基板上に集積化して形成することができ、小型化が容易になる。さらに、誘電体層は、薄膜プロセスによって薄膜として形成されるので、製造プロセスが容易であり、また、使用材料の量も少なくて済むことから材料コストが安価になる。したがって、製造コストの低減が可能である。 According to the optical waveguide type RF optical converter, optical modulation element or optical filter of the present invention, since the dielectric layer is disposed so as to form a part of the cladding of the ring optical waveguide, the ring optical waveguide and the dielectric layer are arranged. Can be integrated and formed on a substrate such as a silicon substrate, which facilitates miniaturization. Furthermore, since the dielectric layer is formed as a thin film by a thin film process, the manufacturing process is easy and the amount of material used can be reduced, so that the material cost is reduced. Therefore, the manufacturing cost can be reduced.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る光導波路型RF光変換器の斜視構成を表すものである。図2は、図1のA−A線における断面構成を表すものである。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a perspective configuration of an optical waveguide type RF optical converter according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a cross-sectional configuration taken along line AA in FIG.
この光導波路型RF光変換器(以下「RF光変換器」という。)1は、リング共振器10、ライン状光導波路12、強誘電体層13およびアンテナ14を備えている。
The optical waveguide type RF optical converter (hereinafter referred to as “RF optical converter”) 1 includes a
リング共振器10は、図1に示したように、光が伝播するリング状光導波路11が基板上に形成されたマイクロリング共振器である。リング状光導波路11は、主として、コア11aと、これを取り巻くクラッド11bとにより構成され(図2)、その直径は、数十μm程度である。リング共振器10は、主に、リング状光導波路11の1周の長さと、リング状光導波路11の有効屈折率とによって共振波長が決まるようになっている。リング状光導波路11は、結合部11cにおいてライン状光導波路12と光結合している。
As shown in FIG. 1, the
ライン状光導波路12は、例えばシリコン等からなる基板16(図2)上に、リング状光導波路11の接線方向に沿って延設され、結合部11cにおいてリング状光導波路11と重なるようにその下側に配置されている。ライン状光導波路12の光入射端12iには特定波長の光が入射され、リング共振器10によって強度変調された光が光出射端12oから出射されるようになっている。ここで、ライン状光導波路12が、本発明の「光導波路」の一具体例に対応する。
The line-shaped
強誘電体層13は、リング共振器10に外接するように設けられた薄膜である。具体的には、リング状光導波路11の円周面に沿って、その上に強誘電体層13が覆う形となっている。強誘電体層13は、外部から印加された電界の強度に応じて屈折率が変化する材料、例えばニオブ酸リチウム単結晶等の強誘電体材料によって形成されている。強誘電体層13の屈折率が、電界の強度に応じて変化すると、その屈折率変化に応じてリング状光導波路11の有効屈折率が変化するようになっている。強誘電体層13の屈折率変化に係る作用については後に詳述する。リング状光導波路11と強誘電体層13との間には、後述する密着性向上膜15が介在している。強誘電体層13および密着性向上膜15は、リング状光導波路11のクラッドの一部を構成する。ここで、強誘電体層13が、本発明の「誘電体層」の一具体例に対応する。
The
アンテナ14は、強誘電体層13の上に設けられている。このアンテナ14は、外部から印加されるRF信号を、リング状光導波路11の真上に位置する強誘電体層13の部分に集中させるものである。アンテナ14としては、図1に示したように、1対の三角形を、それらの頂角同士を突き合わせるようにして平面内で対向配置してなるボウタイアンテナ等を用いることができる。
The
[RF光変換器1の製造方法]
このようなRF光変換器1は、例えば、次のようにして製造することができる。まず、基板16上に、コアおよびクラッドからなるライン状光導波路12を形成する。具体的には、薄膜形成工程、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程等を経ることにより、ライン状光導波路12を形成する。ここで、一例としては、コアを形成する材料にシリコンを用い、クラッドを形成する材料に酸化シリコンを用いることができる。
[Method for Manufacturing RF Optical Converter 1]
Such an
次に、ライン状光導波路12の上にリング共振器10を形成する。具体的には、薄膜形成工程、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程等を経ることにより、リング共振器10を形成する。この工程では、コア11aの下面および側面がクラッド11bで囲まれるような構造を形成する。一例としては、コア11aを形成する材料にシリコンを用い、クラッド11bを形成する材料に酸化シリコンを用いることができる。
Next, the
次に、リング共振器10の上に密着性向上膜15aを形成する。この密着性向上膜15aは、次工程においてリング共振器10上に配置される強誘電体層13とリング共振器10との密着性を向上させるためのものである。例えば、リング共振器10のコア11aをシリコンで形成し、強誘電体層13をニオブ酸リチウムで形成する場合には、密着性向上膜15として酸化シリコンを用いることができる。この酸化シリコンは、例えば、リング共振器10を大気に曝すことによってコア11aおよびクラッド11bの表面に形成することが可能である。なお、図3に示したように、密着性向上膜15aは、リング共振器10の上に酸化シリコンを成膜することにより形成してもよい。
Next, an
一方、ニオブ酸リチウム単結晶等の強誘電体材料からなる強誘電体薄板の上に密着性向上膜15bを形成し、これを所定の形状に切断して、誘電体薄板片とする。但し、強誘電体層13とリング共振器10との材料の組み合わせによっては、密着性向上膜15bを形成しなくてもよい。
On the other hand, an
次に、リング共振器10およびライン状光導波路12等を形成した基板16と、密着性向上膜15bを形成した誘電体薄板片とを接合する。このとき、リング共振器10に形成した密着性向上膜15aと、誘電体薄板片に形成した密着性向上膜15bとが対面するように、基板16と誘電体薄板片とを接合する。ここで、上記のように、リング状光導波路11のコア11aをシリコン、クラッド11bを酸化シリコン、密着性向上膜15を酸化シリコンとする場合には、密着性向上膜15に水分を含ませておき、基板16と誘電体とを重ねた後、圧力および熱を加えて、基板16と誘電体とを接合するのが好ましい。
Next, the
これにより、リング共振器10の上に強誘電体層13が形成される。強誘電体層13および密着性向上膜15は、リング状光導波路11のコア11aの上を覆うので、リング状光導波路11のクラッドの一部として機能する。なお、密着性向上膜15を用いずに、リング共振器10上に強誘電体層13を直接接合するようにしてもよい。
Thereby, the
次に、アンテナ14を強誘電体層13の上に形成する。なお、アンテナ14とリング状光導波路11との距離については、後述する。
Next, the
これによりRF光変換器1を得る。
Thereby, the RF
[アンテナ14とリング状光導波路11との距離]
図4は、リング状光導波路11からボウタイアンテナ14までの距離D(図2)と、ボウタイアンテナ14がRFの強度を強める倍率Mとの関係を表すものである。図4に示したように、リング状光導波路11からアンテナ14までの距離Dが短くなるのに応じて、アンテナ14がRFの強度を強める倍率Mが大きくなる。例えば、距離Dが0.1mmの場合には、アンテナを配設しない場合に比べて、電界の強度を約80倍に高めることができる。したがって、リング状光導波路11とアンテナ14との距離Dを短くすればする程、アンテナ14によってより大きな電界集中を得ることができる。
[Distance between
FIG. 4 shows the relationship between the distance D (FIG. 2) from the ring-shaped
[強誘電体層13の屈折率]
図5は、強誘電体層13の屈折率変化Δnと、リング状光導波路11の有効屈折率変化ΔNeffとの関係を表すものである。ここで、図5は、リング状光導波路11のコア11aの部分の幅が1.0μm、高さが0.25μmのときに、強誘電体層13の屈折率が変化する場合の、リング状光導波路11の有効屈折率の変化を計算により求めた結果を表すものである。
[Refractive index of ferroelectric layer 13]
FIG. 5 shows the relationship between the refractive index change Δn of the
強誘電体層13に外部からRF信号が印加されると、そのRF信号の電界によって強誘電体層13の屈折率が変化し、リング状光導波路11の有効屈折率も変化する。強誘電体層13の屈折率変化Δnと、リング状光導波路11の有効屈折率変化ΔNeffとは、図5に示したように比例関係にある。
When an RF signal is applied to the
このことにより、本実施の形態のRF光変換器1では、リング状光導波路11のクラッド11bの部分に設けた強誘電体層13の屈折率変化によって、光が伝播するリング状光導波路11の有効屈折率が間接的に変化することがわかる。すなわち、本実施の形態のRF光変換器1は、従来技術のように光と結合するEO結晶の屈折率を電界によって直接的に変化させるようにしたものではない。
As a result, in the RF
[RF光変換器1の動作]
次に、本実施の形態のRF光変換器1の動作について説明する。図6は、リング共振器10のフィルタ特性の概念を表すものである。図7は、リング共振器10のフィルタ特性のシフトしたときの光の波長λ0との関係を表すものである。ここで、図6および図7では、横軸が波長を表し、縦軸が減衰量を表している。なお、図6および図7は、フィルタ特性の一部を示している。
[Operation of RF optical converter 1]
Next, the operation of the RF
図6に示したように、光入射端12iから入射し、ライン状光導波路12を伝播する光の波長が、リング共振器10のフィルタ特性の通過帯域内の波長λ1の場合、そのまま(元の強度を保ったまま)、ライン状光導波路12を伝播する。また、入射端12iから入射し、ライン状光導波路12を伝播する光の波長が、リング共振器10のフィルタ特性の遷移域内の波長λ2の場合、光の強度が減衰されてライン状光導波路12を伝播する。
As shown in FIG. 6, when the wavelength of light incident from the
一方、RF信号が印加されると、アンテナ14によってリング状導波路11上の強誘電体層13に電界が集中する。すると、強誘電体層13の屈折率が電界の強さに応じて変化し、その結果、光導波路の有効屈折率も変化するので、リング共振器10のフィルタ特性がシフトする。図7に示したように、ライン状光導波路12への入射光の波長λ0がフィルタ特性の遷移域に位置するようにしておくと、電界の強さに応じてフィルタ特性がシフトすることによって光の強度が変化する。
On the other hand, when an RF signal is applied, the electric field concentrates on the
すなわち、図7(A)に示したように、フィルタ特性がシフトすることによって、遷移域のうち減衰量が大きい位置に入力光の波長λ0が位置している場合には、光入射端12iから入射し、ライン状光導波路12を伝播する光の強度の減衰が大きくなる。また、図7(B)に示したように、遷移域のうち減衰量が中程度の位置に光の波長λ0が位置している場合には、光入射端12iから入射し、ライン状光導波路12を伝播する光の強度の減衰が中程度になる。また、図7(C)に示したように、遷移域のうち減衰量が小さい位置に光の波長λ0が位置している場合には、光入射端12iから入射し、ライン状光導波路12を伝播する光の強度の減衰が小さくなる。このように、フィルタ特性がシフトすることによって光の強度が変化するので、RF信号が光強度信号に変換されたことになる。言い換えると、入力光がRF信号によって強度変調されたことになる。そして、図7(A)〜(C)の場合において、電界によって変調された光は、ライン状光導波路12の光出射端12oから出射する。
That is, as shown in FIG. 7A, when the filter characteristic is shifted, the wavelength λ0 of the input light is located at a position where the attenuation is large in the transition region. The attenuation of the intensity of light incident and propagating through the line-shaped
以上のように、本実施の形態では、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程を行うことにより作製したリング共振器10およびライン状光導波路12を基板16上に設け、リング共振器10の上に強誘電体層13を積層配置するようにしたので、集積化することができる。また、強誘電体層13の上にアンテナ14をパターニングにより配置するようにしたので、アンテナ14を小型化することができ、リング共振器10等と共に基板16上に集積化することができる。このため、RF光変換器1は、全体構成を小型にすることができ、アプリケーション装置に搭載されるときに大きさの面で制限が加わることがない。
As described above, in the present embodiment, the
また、リング共振器10は、薄膜プロセスにより形成され、例えば安価なシリコン等を用いてコア11aが形成されるので、低コストで作製することができる。
In addition, the
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。 While the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made.
例えば、上記実施の形態では、強誘電体層13がニオブ酸リチウム単結晶等からなる場合について説明したが、塗布型のEO材料を用いて形成されるようにしてもよい。塗布型のEO材料を用いた場合には、スピンコート装置等を利用して強誘電体層を形成することができるので、アンテナ14からマイクロリング共振器10までの距離が短くなり、リング状光導波路11における大きな有効屈折率変化を得ることができる。
For example, in the above embodiment, the case where the
塗布型のEO材料の具体的な一例として、NTT−AT社製のEOポリマーを用いる場合、スピンコート装置に基板16を配設したのち、6000rpmの回転数にてEOポリマーの塗布を行うと、0.2μmの塗布厚となる。この厚さは、強誘電体層13として十分な厚さであり、図4に示したように、ボウタイアンテナ14によって200倍以上の電界集中を得ることができる。
As a specific example of the coating type EO material, when an EO polymer manufactured by NTT-AT is used, after the
また、上記実施の形態では、強誘電体層13がリング共振器10の上面全体に設けられた場合について説明したが、リング導波路の上にのみ強誘電体層13が設けられるようにしてもよい。また、強誘電体層13は、リング導波路とアンテナ14との間にのみ設けられるようにしてもよい。また、強誘電体層13は、リング導波路の下側にのみ設けられるようにしてもよく、さらには、リング導波路の上側と下側とに設けられるようにしてもよい。
In the above embodiment, the case where the
また、上記実施の形態では、アンテナ14が1つ設けられる場合について説明したが、リング導波路と重なる位置に複数設けられるようにしてもよい。さらに、強誘電体層13の屈折率を変化させることのできる十分な強度のRF信号が印加されるようになっている場合には、アンテナ14を設けないようにしてもよい。
Moreover, although the case where one
また、上記実施の形態では、ライン状光導波路12に単一波長の光が伝播される場合について説明したが、ライン状光導波路12に複数波長の光が伝播されるようにしてもよい。この場合には、光フィルタへの適用も可能である。例えば、光導波路の光入射端から複数の波長の光を入射し、これらの複数の波長の光の中から、電界によって特定波長の光を選択し、選択した波長の光を光出射端から出射する、という構成が考えられる。外部電界がRF信号によるものである場合には、時間と共に変化する電界の強弱に応じて、選択される波長が変化するので、結果的に、出力光の波長が時々刻々変化するような光フィルタを構成することも可能である。
In the above embodiment, the case where light having a single wavelength is propagated to the line-shaped
なお、上記実施の形態では、入力されたRFの信号を光強度信号に変換して出力する光導波路型RF光変換器に適用する場合について説明したが、本発明は、光変調素子としての利用も可能である。この場合の構成は光導波路型RF光変換器1と同様なので、詳細な説明は省略する。光変調素子として利用する場合には、振幅が一定のキャリア光を入力し、その入力光をRF信号に応じて変調し、光強度信号として出力すればよい。
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to an optical waveguide type RF optical converter that converts an input RF signal into a light intensity signal and outputs the signal is described. However, the present invention is used as a light modulation element. Is also possible. Since the configuration in this case is the same as that of the optical waveguide type RF
1…光導波路型RF光変換器、10…リング共振器、11…リング状光導波路、11a…コア、11b…クラッド、12…ライン状光導波路、13…強誘電体層、14…アンテナ、16…基板。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記リング状光導波路の前記クラッドの一部をなすように設けられ、外部から印加された電界の強度に応じて屈折率が変化する誘電体層と
を備え、
前記電界の強度変化を、前記光導波路を通過する光の強度変化に変換する
光導波路型RF光変換器。 A ring resonator including a ring-shaped optical waveguide configured to include a core and a clad and to be optically coupled to the optical waveguide;
A dielectric layer that is provided so as to form part of the cladding of the ring-shaped optical waveguide, and whose refractive index changes according to the intensity of an electric field applied from the outside,
An optical waveguide type RF optical converter for converting the intensity change of the electric field into an intensity change of light passing through the optical waveguide.
請求項1に記載の光導波路型RF光変換器。 The optical waveguide type RF optical converter according to claim 1, wherein the amount of light passing through the optical waveguide changes according to a change amount of a refractive index of the dielectric layer.
請求項1に記載の光導波路型RF光変換器。 The optical waveguide type RF optical converter according to claim 1, further comprising an antenna that concentrates the electric field on the dielectric layer.
請求項1に記載の光導波路型RF光変換器。 The optical waveguide type RF optical converter according to claim 1, wherein the dielectric layer is made of a ferroelectric material.
請求項1に記載の光導波路型RF光変換器。 The optical waveguide type RF optical converter according to claim 1, wherein the ring resonator and the dielectric layer are integrated on a substrate.
コアおよびクラッドを含んで構成され前記光導波路に光結合するように設けられたリング状光導波路を含むリング共振器と、
前記リング状光導波路の前記クラッドの一部をなすように設けられ、外部から印加された電界の強度に応じて屈折率が変化する誘電体層と
を備え、
前記光導波路の光入射端から入射した光の強度を前記電界によって変調して前記光出射端から出射する
光変調素子。 An optical waveguide having a light incident end and a light exit end;
A ring resonator including a ring-shaped optical waveguide configured to include a core and a clad and provided to optically couple to the optical waveguide;
A dielectric layer that is provided so as to form part of the cladding of the ring-shaped optical waveguide, and whose refractive index changes according to the intensity of an electric field applied from the outside,
A light modulation element that modulates the intensity of light incident from the light incident end of the optical waveguide by the electric field and emits the light from the light emitting end.
コアおよびクラッドを含んで構成され前記光導波路に光結合するように設けられたリング状光導波路を含むリング共振器と、
前記リング状光導波路の前記クラッドの一部をなすように設けられ、外部から印加された電界の強度に応じて屈折率が変化する誘電体層と
を備え、
前記電界に応じて、前記光導波路の光入射端から入射した複数の波長の光の中から一部の波長の光を選択し、前記光出射端から出射する
光フィルタ。 An optical waveguide having a light incident end and a light exit end;
A ring resonator including a ring-shaped optical waveguide configured to include a core and a clad and provided to optically couple to the optical waveguide;
A dielectric layer that is provided so as to form part of the cladding of the ring-shaped optical waveguide, and whose refractive index changes according to the intensity of an electric field applied from the outside,
An optical filter that selects light of a part of wavelengths from among a plurality of wavelengths incident from a light incident end of the optical waveguide according to the electric field, and emits the light from the light emitting end.
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